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高熵薄膜材料的研究及应用
报告人:王舒滨
导 师:疏 达
一、高熵薄膜材料在微电子集成电路中的应用
二、“薄膜法”在高熵合金高通量制备的应用
一、高熵薄膜材料在微电子集成电路中的应用
Cu
Si or SiO2
Diffussion barriers
50nm厚的五元高熵非晶合金 AlCrTaTiZr:使用温度700℃以下
5nm厚的六元高熵非晶合金 AlCrTaTiZrRu:使用温度900℃以下
TiTaCrZrAlRu
TiTaCrZrAl
TiTaCrZr
TiTaCr
TiTa
Ti
实效温度
不同主元数(nA)的高熵合金薄膜在失效温度
附近的表面形貌
(AlCrRuTaTiZr)N0.5/AlCrRuTaTiZr交替层状结构
4nm厚,每层1nm
耐温达到800℃以上
高熵合金磁控溅射
AlCoCrCuFeNi六元高熵合金 NbMoTaW四元高熵合金
将多种金属单质镶嵌成靶材 将每一种金属单质单独作为靶材
NbMoTaW高熵合金薄膜
Zou Y, etal. Ultrastrong ductile and stable high-entropy alloys at small scales[J].
Nature communications, 2015, 6.
二、“薄膜法”在高熵合金高通量制备的应用
高通量的成分计算
第一性原理、分子动力学
相图热力学计算
制备成分连续变 高通量的微
化的HEA薄膜 区表征方法
共沉积法 纳米压痕
分立模板法 同步光源
连续相图镀膜法
快速筛选合金成分
通过相图计算筛选出的各类高熵合金数量
Senkov O N, et al. Accelerated exploration of multi-principal element alloys with solid solution
phases[J]. Nature communications, 2015.
王海舟, 汪洪, 丁洪, 等. 材料的高通量制备与表征技术[J]. 科技导报, 2015.