lOMoAR cPSD| 10334743

TRƯỜNG ĐẠI HỌC CÔNG NGHIỆP THỰC PHẨM

TP.HỒ CHÍ MINH

TIỂU LUẬN

ĐIỆN TỬ CÔNG SUẤT

GV hướng dẫn: Phạm Văn Đức

Họ và tên sinh viên: Võ Thanh Đạt
Mã SV:2025216836

Hồ Chí Minh, ngày 20 tháng 12 năm 2023

1
 lOMoAR cPSD| 10334743

TRƯỜNG ĐẠI HỌC CÔNG NGHIỆP THỰC PHẨM

TP.HỒ CHÍ MINH

TIỂU LUẬN

ĐIỆN TỬ CÔNG SUẤT

GV hướng dẫn: Phạm Văn Đức

Họ và tên sinh viên: Võ Thanh Đạt
Mã SV:2025216836

Hồ Chí Minh, ngày 20 tháng 12 năm 2023

2
 lOMoAR cPSD| 10334743

MỤC LỤC
1. Transistor(BJT) .................................................................................................................... 5

1.1 Cấu tạo .......................................................................................................................... 5

1.2 Phân loại ....................................................................................................................... 5

1.3 Đo kiểm tra Transistor .................................................................................................. 6

1.4 Mạch ứng dụng ............................................................................................................. 6

2. Thyristor ............................................................................................................................ 10

2.1 Cấu tạo ........................................................................................................................ 10

2.2 Phân loại ..................................................................................................................... 11

2.3 Đặc tính v/a ................................................................................................................. 12

2.4 Đo kiểm tra ................................................................................................................. 16

2.5 Mạch ứng dụng ........................................................................................................... 16

3. IGBT .................................................................................................................................. 17

3.1 Cấu tạo ........................................................................................................................ 17

3.2 Phân loại ..................................................................................................................... 18

3.3 Đặc tính Volt-Amper IGBT ........................................................................................ 21

3.4 Đo kiểm tra ................................................................................................................. 25

3.5 Mạch ứng .................................................................................................................... 29

4. Mosfet ................................................................................................................................ 30

4.1 Cấu tạo ........................................................................................................................ 30

4.2 Phân loại ..................................................................................................................... 31

4.3 Đặc tính....................................................................................................................... 31

4.4 Đo kiểm tra ................................................................................................................. 33

4.5 Mạch ứng .................................................................................................................... 36

5. Triac ................................................................................................................................... 37

5.1 Cấu tạo ........................................................................................................................ 37

3
 lOMoAR cPSD| 10334743

5.2 Phân loại ..................................................................................................................... 37

5.3 Đặc tính V/A ............................................................................................................... 38

5.4 Đo kiểm tra ................................................................................................................. 39

5.5 Mạch ứng .................................................................................................................... 41

4
 lOMoAR cPSD| 10334743

1. Transistor(BJT)

1.1 Cấu tạo

Hầu hết các loại transistor đều có cấu tạo gồm 3 lớp bán dẫn được ghép với nhau tạo
thành 2 mối tiếp giáp P- N. Nếu xếp theo thứ tự PNP ta sẽ có Transister thuận, còn nếu
xếp theo thứ tự NPN ta có Transistor ngược.

Về cơ bản, cấu tạo của transistor tương đương với cấu tạo của 2 diode đấu ngược chiều
nhau. Đây chính là cấu trúc BJT với 2 loại điện âm và điện dương cùng chạy.

Ba lớp bán dẫn này sẽ kết nối tạo thành 3 cực với lớp giữa là cực gốc (B), 2 lớp bên
ngoài được nối ra thành cực phát (E) và cực thu – cực góp(C)

1.2 Phân loại

Cũng giống như một số linh kiện điện tử và thiết bị điện khác, transistor cũng được phân
loại chủ yếu dựa vào cấu tạo của chúng. Theo đó, ta sẽ chia transistor thành 2 loại cơ bản.

a) Transistor NPN

Đây là Transistor được cấu tạo từ nối ghép một bán dẫn dương ở giữa hai bán dẫn điện
âm. Transistor này được sử dụng trong việc khuếch đại, dùng để điện dẫn trong ngành
công nghiệp điện tử hoặc dùng làm cổng số cho điện tử số.

Để loại transistor NPN này hoạt động cần phải sử dụng thêm điện thế đểkích hoạt.

b) Transistor PNP

Đây chính là loại transistor lưỡng cực, được kết hợp từ hai chất bán điệndẫn.

Loại transistor này gồm có: lớp bán dẫn pha tạp loại N (với vai trò cựcgốc) và hai lớp
bán dẫn loại P

Transistor PNP sẽ được kích hoạt khi cực phát được nối đất và cực gópđược nối với
nguồn năng lượng.

5
 lOMoAR cPSD| 10334743

1.3 Đo kiểm tra Transistor

Kiểm tra Transistor bằng đồng hồ số

Có rất nhiều nguyên nhân khiến Transistor có thể bị hư hỏng như thườngxuyên tiếp xúc
với môi trường ẩm ướt, do điện áp nguồn điện tăng…Để kiểm tra, bạn có thể sử dụng
đồng hồ vạn năng để thực hiện:

Nhìn vào hình vẽ cấu tạo ta thấy mỗi transistor như là 2 diode ghép lại, vậy ta áp dụng
cách kiểm tra diode vào kiểm transistor, nếu dùng đồng hồ vạn năng kỹ thuật số ta đưa về
thang đo diode, nếu dùng đồng hồ kimđưa về thang đo X10K cụ thể như sau:

Kiểm tra Transistor ngược NPN tương tự kiểm tra hai Diode đấu chung cực Anôt, điểm
chung là cực B, nếu đo từ B sang C và B sang E (que đen vào B) thì tương đương như đo
hai diode thuận chiều => kim lên, tấtcả các trường hợp đo khác kim không lên.

Kiểm tra Transistor thuận PNP tương tự kiểm tra hai Diode đấu chung cực Katôt, điểm
chung là cực B của Transistor, nếu đo từ B sang C và Bsang E (que đỏ vào B) thì tương
đương như đo hai diode thuận chiều =>kim lên, tất cả các trường hợp đo khác kim
không lên. Trái với các điềutrên là Transistor bị hỏng.

1.4 Mạch ứng dụng

Các ứng dụng của transistor lưỡng cực

Có hai loại ứng dụng của transistor lưỡng cực, công tắc và khuếch đại.
6
 lOMoAR cPSD| 10334743

a) Transistor làm công tắc

Đối với các ứng dụng làm công tắc, transistor được phân cực để hoạt động trong vùng
bão hòa hoặc vùng cắt (cutoff). Transistor trong vùngcắt sẽ hoạt động như một công
tắc mở trong khi ở trạng thái bão hòa sẽhoạt động như một công tắc đóng.
Công tắc mở

Trong vùng cắt (cả hai điểm nối đều bị phân cực ngược) điện áp qua điểm nối CE rất
cao. Điện áp đầu vào bằng 0 nên cả dòng điện cực gốc và dòng điện cực góp đều bằng 0,
do đó điện trở được cung cấp bởi BJTrất cao (lý tưởng là vô hạn).

Công tắc đóng

7
 lOMoAR cPSD| 10334743

Ở trạng thái bão hòa (cả hai điểm nối đều được phân cực thuận) một điện áp đầu vào cao
được được đặt vào cực gốc. Giá trị của điện trở cực gốc được điều chỉnh sao cho dòng
điện cực gốc lớn chạy qua. Có một điện áp rơi nhỏ qua đường giao nhau của cực góp cực
phát từ 0,05 đến 0,2 V và dòng điện cực góp rất lớn. Một sự sụt giảm điện áp rất nhỏ diễn
ra trên BJT và tương đương với một công tắc đóng.

b) BJT làm Bộ khuếch đại

Bộ khuếch đại CE kết hợp RC một tầng

Hình dưới một bộ khuếch đại CE một tầng. C1 và C3 là các tụ điện ghépnối (coupling),
chúng được sử dụng để chặn thành phần DC và chỉ cho phần xoay chiều đi qua. Chúng
cũng đảm bảo các điều kiện phân cực DC của BJT không thay đổi ngay cả khi đầu vào
được đặt. C2 là tụ điện bypass làm tăng độ lợi điện áp và bỏ qua điện trở R4 cho tín hiệu
AC.

8
 lOMoAR cPSD| 10334743

BJT được phân cực trong vùng hoạt động bằng cách sử dụng các thành phần phân cực
cần thiết. Điểm Q được tạo ra ổn định trong vùng hoạt động của transistor. Khi đầu vào
được đặt như hình dưới đây, dòng điện cực gốc bắt đầu thay đổi lên và xuống, do đó
dòng điện cực góp cũng thay đổi khi IC = β × IB. Do đó điện áp trên R3 thay đổi khi
dòng điện cực góp đi qua nó. Điện áp trên R3 là điện áp được khuếch đại và cách nhau
180o so với tín hiệu đầu vào. Do đó điện áp trên R3 được ghép nối với tải và quá trình
khuếch đại diễn ra. Nếu điểm Q được duy trì ở tâm tải thì sẽ có rất ít hoặc không xảy ra
hiện tượng méo dạng sóng. Điện áp cũng như độ lợi dòng điện của bộ khuếch đại CE cao
(độ lợi là hệ số mà điện áp của dòng điện tăng từ đầu vào đến đầu ra). Nó thường được sử
dụng trong radio và làm bộ khuếch đại điện áp tần số thấp.

9
 lOMoAR cPSD| 10334743

Để tăng độ lợi hơn nữa thì các bộ khuếch đại đa tầng sẽ được sử dụng. Chúng được kết
nối thông qua tụ điện, biến áp điện, R-L hoặc ghép nối trực tiếp tùy thuộc vào ứng dụng.
Độ lợi tổng thể đến từ độ lợi của các tầng riêng lẻ.

2. Thyristor

2.1 Cấu tạo

10
 lOMoAR cPSD| 10334743

Cấu tạo Thyristor- Ký hiệu của Thyristor- Sơ đồ tương tương

Thyristor có cấu tạo gồm 4 lớp bán dẫn ghép lại tạo thành hai Transistor mắc nối tiếp,
một Transistor thuận và một Transistor ngược (như sơ đồ tương đương ở trên). Thyristor
có 3 cực là Anot, Katot và Gate gọi là A-K-G, Thyristor là Diode có điều khiển.

2.2 Phân loại

Hiện nay trên thị trường có rất nhiều loại Thyristor khác nhau, mỗi loại Thyristor lại có
một công năng riêng biệt. Tuy nhiên xét về cấu tạo và nguyên lý hoạt động thì chúng
tương tự với nhau. Dưới đây là một số loại Thyristor hay được ưa dụng

• Thyristor điều khiển silic, SCR.

• Thyristor cổng tắt, GTO
• Thyristor cực phát, ETOs
• Thyristor dẫn điện ngược, RCT.
• Thyristor Triode hai chiều, TRIAC.
11
 lOMoAR cPSD| 10334743

• Thyristor MOS tắt, MTO.

• Thyristor điều khiển pha hai chiều, BCT.
• Thyristor chuyển đổi nhanh, SCR
• Thyristor kiểm soát FET, FET-CTHs
• Thyristor tích hợp cổng, IGCT.

2.3 Đặc tính v/a

Những điểm quan trọng về đặc tính volt-ampere của thyristor

Đặc tính thuận
Khi anode là dương so với cathode, đường cong giữa V và I được gọi là đặc tính thuận.

Trong hình, OABC là đặc tính thuận của thyristor tại IG = 0.

Nếu điện áp cung cấp được tăng lên từ 0, một điểm đạt được (điểm A) khi thyristor
bắt đầu dẫn.

12
 lOMoAR cPSD| 10334743

Trong điều kiện này, điện áp trên thyristor đột ngột giảm xuống như được thể hiện bởi
đường cong AB và hầu hết điện áp cung cấp xuất hiện trên điện trở tải RL.

Nếu dòng điện cổng thích hợp được tạo ra để chạy, thyristor có thể đóngở điện áp cung
cấp nhỏ hơn nhiều.

Đặc tính nghịch

Khi anode là âm so với cathode, đường cong giữa V và I được gọi là đặc tính nghịch.

Điện áp nghịch không đi qua thyristor khi nó hoạt động với nguồn điệnxoay chiều.

Nếu tăng dần điện áp ngược, lúc đầu dòng anode vẫn nhỏ (tức là dòng rò) và ở một số
điện áp ngược, đánh thủng kiểu thác xảy ra và thyristorbắt đầu dẫn nhiều theo hướng
ngược lại như đường cong DE.

Điện áp ngược cực đại mà tại đó thyristor bắt đầu dẫn nhiều được gọi làđiện áp đánh
thủng ngược.

Thyristor hoạt động bình thường

Để vận hành thyristor hoạt động bình thường, cần lưu ý các điểm sau:

Điện áp nguồn thường nhỏ hơn nhiều so với điện áp ngắt.

Thyristor được bật bằng cách vượt qua lượng dòng cổng thích hợp (vàimA) chứ không
phải bằng điện áp ngắt.
Khi thyristor được vận hành từ nguồn AC, điện áp ngược đỉnh xuất hiệntrong nửa chu
kỳ âm không được vượt quá điện áp đánh thủng ngược.
Khi thyristor được TẮT từ trạng thái BẬT, dòng điện anode phải đượcgiảm xuống
dòng điện giữ.
Nếu dòng điện cổng tăng lên trên giá trị yêu cầu, thyristor sẽ đóng lại ởmức điện áp
nguồn giảm nhiều.

Các thuật ngữ quan trọng trong đặc tính V-I của SCR
13
 lOMoAR cPSD| 10334743

Các thuật ngữ sau được sử dụng nhiều trong SCR:

• Điện áp ngắt
• Điện áp ngược đỉnh
• Dòng giữ
• Định mức dòng thuận
• Định mức nung chảy mạch (circuit fusing rating)

Điện áp ngắt

Đó là điện áp thuận tối thiểu, cổng đang mở, tại đó thyristor bắt đầu dẫn điện mạnh,
tức là được bật.
Do đó, nếu điện áp ngắt của SCR là 200 V, có nghĩa là nó có thể chặn một điện áp
thuận (tức là thyristor vẫn mở) miễn là điện áp nguồn nhỏ hơn 200 V. Nếu điện áp
nguồn lớn hơn giá trị này, thì SCR sẽ được bật.

Trong thực tế, thyristor được làm việc với điện áp nguồn nhỏ hơn điệnáp ngắt và sau
đó nó được bật nhờ một điện áp nhỏ đặt vào cổng.

Các SCR bán trên thị trường có điện áp ngắt từ khoảng 50 V đến 500 V.

Điện áp ngược đỉnh (PRV)

Đây là điện áp ngược tối đa (cathode dương so với anode) có thể đượccấp cho
thyristor mà không dẫn theo chiều ngược lại.

PRV là một cân nhắc quan trọng trong khi kết nối SCR trong mạch điệnxoay chiều.
Trong nửa âm của nguồn xoay chiều, điện áp ngược được đặt trên thyristor. Nếu PRV
vượt quá, có thể xảy ra đánh thủng kiểu thácvà thyristor sẽ bị hỏng nếu mạch ngoài
không giới hạn dòng điện.

SCR bán trên thị trường có định mức PRV lên đến 2,5 kV.

14
 lOMoAR cPSD| 10334743

Dòng giữ
Đây là dòng anode cực đại, cổng đang mở, tại đó SCR được TẮT từtrạng thái BẬT.

Khi thyristor ở trạng thái dẫn, nó không thể được TẮT ngay cả khi điệnáp cổng bị loại
bỏ.

Cách duy nhất để tắt hoặc mở SCR là giảm điện áp nguồn xuống gần như bằng không,
lúc này transistor bên trong thoát ra khỏi trạng thái bãohòa và mở thyristor.

Dòng điện anode trong trường hợp này rất nhỏ (vài mA) và được gọi làdòng điện giữ.

Như vậy, nếu SCR có dòng điện giữ là 5mA, có nghĩa là nếu dòng điệnanode được tạo
ra nhỏ hơn 5 mA thì thyristor sẽ bị tắt.

Định mức dòng thuận

Đây là dòng điện anode tối đa mà SCR có thể đi qua mà không bị pháhủy.

Mỗi thyristor đều có giá trị an toàn của dòng thuận mà nó có thể dẫn. Nếu giá trị của
dòng điện vượt quá giá trị này, SCR có thể bị phá hủy doquá trình nung nóng mạnh tại
mối nối.

Ví dụ, nếu một thyristor có định mức dòng thuận là 40A, điều đó có nghĩa là SCR chỉ
có thể mang 40A. Bất kỳ nỗ lực nào vượt quá giá trịnày sẽ dẫn đến việc phá hủy
thyristor.

Các SCR có trên thị trường có định mức dòng thuận từ khoảng 30A đến100A.

Định mức nung chảy mạch (I2t)

Nó là sản phẩm của dòng điện tăng tiến vuông góc và thời gian của dòngđiện tăng lên,
tức là
Định mức nung chảy mạch = I2t
15
 lOMoAR cPSD| 10334743

Định mức nung chảy mạch cho biết khả năng dòng điện thuận tối đa củathyristor.

2.4 Đo kiểm tra

Đo kiểm tra Thyristor

Đặt đồng hồ thang x1Ω, đặt que đen vào Anot, que đỏ vào Katot ban đầu kim không lên,
dùng Tovit chập chân A vào chân G ta thấy đồng hồ lên kim, sau đó bỏ Tovit ra thì đồng
hồ vẫn lên kim. Như vậy là Thyristor tốt.

2.5 Mạch ứng dụng

Thyristor thường được sử dụng trong các mạch chỉnh lưu nhân đôi tự động của nguồn
xung, chỉnh lưu có điều khiển trong các mạch nắn điện3 pha.

16
 lOMoAR cPSD| 10334743

Đóng vai trò đóng ngắt mạch điện có công suất lớn( đóng ngắt không tiếp điểm) ở phần
động lực của các thiết bị điện công nghiệp.

3. IGBT

3.1 Cấu tạo

Về cấu trúc bán dẫn, IGBT rất giống với MOSFET, điểm khác nhau là có thêm lớp nối với
collector tạo nên cấu trúc bán dẫn p-n-p giữa emiter (tương tự cực gốc) với collector
(tương tự với cực máng), mà không phải là n-n như ở MOSFET. Vì thế có thể coi IGBT tương
đương với một transistor p-n-p với dòng base được điều khiển bởi một MOSFET.

17
 lOMoAR cPSD| 10334743

Vì sự kết hợp này mà IGBT còn được gọi bằng một số tên khách như: Insulated Gate
Transistor (IGT), Metal Oxide Semiconductor Insulated Gate Transistor (MOSIGT),
Gain Modulated Field Effect Transistor (GEMFET), Conductively Modulated Field
Effect Transistor (COMFET).

3.2 Phân loại

Phân loại theo phạm vi ứng dụng

• Với nguồn điện thấp IGBT

Phạm vi ứng dụng IGBT nói chung là trong phạm vi của 600V, 1KA, 1KHz hoặc cao
hơn. Để đáp ứng nhu cầu phát triển của ngành công nghiệp thiết bị nhà, năng lượng thấp
IGBT sản phẩm được giới thiệu, được sử dụng trong lò vi sóng, Máy rửa chén, bếp điện,
chỉnh lưu điện tử, máy ảnh và các sản phẩm khác trong thiết bị nhà ngành công nghiệp.

• U-IGBT
U (cấu trúc rãnh) – IGBT là rãnh trên sự chết, và một cổng rãnh đượchình thành bên
trong các tế bào con chip. Bằng việc áp dụng cấu trúc

18
 lOMoAR cPSD| 10334743

kênh, kích thước tế bào có thể được tiếp tục giảm, kháng chiến channel có thể được
giảm, mật độ hiện tại có thể được cải thiện, và các sản phẩmcó cùng xếp hạng hiện tại và
kích thước chip nhỏ nhất có thể được sản xuất. Một số công ty hiện có sản xuất một loạt
các sản phẩm U-IGBT cho lái xe điện áp thấp và bề mặt gắn kết yêu cầu.

• NPT-IGBT
NPT (không-punch-through loại)-IGBT thông qua công nghệ wafer silicon mỏng, mà
thay thế cao phức tạp và chi phí cao dày lớp cao-khángepitaxy với ion tiêm vào vùng
emitter có thể giảm chi phí sản xuất khoảng 25%, và các cao áp withstand, lớn hơn sự
khác biệt của chi phí.
Đô thị này có nhiều đặc tính hiệu suất, tốc độ cao, thấp cân, Hệ số nhiệt độ tích cực và
không có hiệu lực hãm. NPT-IGBT có độ tin cậy cao nhất khi thiết kế 600-1200V IGBT.
Loại NPT đang trở thành hướng phát triểncủa IGBT.

• SDB-IGBT
Sử dụng công nghệ SDB (Silicon trực tiếp liên kết) để sản xuất IGBT tốc độ cao thế
hệ thứ tư và mô-đun sản phẩm trên dây chuyền sản xuấtIC, với tốc độ cao, độ bão hòa
thấp áp thả, hiện tại đuôi thấp, nhiệt độ tích cực hệ số cho dễ dàng song song kết nối,
600V và 1200V phạm vituyệt vời hiệu suất, chia thành hai hệ thống chính: UF và
RUF.

• IGBT cực nhanh

Tập trung nghiên cứu và phát triển là làm giảm tác dụng tailing IGBT, do đó nó có thể
nhanh chóng bị tắt. IGBT cực kỳ nhanh chóng phát triểncó thể giảm thiểu hiệu ứng
tailing, thời gian turn-off không vượt quá 2000ns, và công nghệ lớp đặc biệt chiếu sáng
năng lượng cao có thể được sử dụng. Dưới đây 100ns, tailing là ngắn hơn, và các sản
phẩm được thiết kế cho điều khiển động cơ. Có 6 mô hình có sẵn, và họ có thểđược sử
dụng trong bộ chuyển đổi điện sứ.

• IGBT / FRD
19
 lOMoAR cPSD| 10334743

IGBT/FRD có hiệu quả là kết hợp để giảm sự mất mát của nhà nước chuyển đổi bằng
20%. Nó được đóng gói trong gói TO-247 đánh giá chitiết kỹ thuật của 1200V, 25, 50,
75, 100A motor drive và chuyển đổi năng lượng, dựa trên IGBT và FRD. Công nghệ
mới tạo điều kiện song song của các thiết bị, đạt được thêm đồng nhất nhiệt độ ở mô-
đun chip đa và cải thiện độ tin cậy tổng thể.

• Mô-đun điện IGBT

Mô-đun điện IGBT sử dụng IC drive, nhiều ổ đĩa bảo vệ mạch điện, hiệusuất cao IGBT
chip, công nghệ bao bì mới, từ sức mạnh tổng hợp module PIM thông minh quyền lực
mô-đun IPM, khối xây dựng điện tử điện PEBB, mô-đun điện IPEM. PIM phát triển cao
áp và cao hiện tại, và thông minh và mô-đun đã trở thành một điểm nóng phát triển
IGBT.

Phân loại theo công nghệ chế tạo và chi tiết cấu trúc

• IGBT thường được phân làm 2 loại NPT-IGBT và PT-IGBT haycòn được gọi
là IGBT đối xứng và IGBT bất đối xứng. Chúng khác nhau về công nghệ chế
tạo, chi tiết cấu trúc.

• IGBT có lớp đệm n+ thì được gọi là NPT-IGBT. Nếu không cóthì là PT-
IGBT.

• IGBT đối xứng có điện áp đánh thủng thuận và nghịch bằngnhau được sử
dụng trong các ứng dụng điện xoay chiều.

• Trong khi IGBT bất đối xứng thì điện áp đánh thủng ngược nhỏ hơn điện áp
đánh thủng thuận. Loại này được sử dụng cho mạch
điện một chiều, vì thiết bị không cần hỗ trợ dòng điện theo chiềungược lại.

Phân loại theo kiểu vỏ chế tạo

20
 lOMoAR cPSD| 10334743

3.3 Đặc tính Volt-Amper IGBT

Đặc tính V-A của IGBT có dạng tương tự như đặc tính V-A của MOSFET

Đặc tính V-I của IGBT được phân làm 3 vùng:

Cutoff mode - Vùng nghịch: VGE < VTh đặc tính ra với thông số ID = 0. Nằm trong
vùng này. IGBT ở chế độ ngắt. Trong đó VTh là điện áp đóng của MOSFET

Triode mode or Linear Active -Vùng tích vực: VCE < VGE - VTh; VGE >
VTh là vùng mà IGBT dẫn, dòng điện chạy từ cổng Drain đến cổng Source. Dòng
21
 lOMoAR cPSD| 10334743

IC tỷ lệ với điện áp VCE. Dòng điện IC lớn và điện áp C-E nhỏ, IGBT hoạt động
như khóa đóng ngắt.

Saturation -Vùng bão hòa: VCE > VGE - VTh; VGE > VThDòng điện IC
hầu như không đổi khi điện áp VCE tăng và IGBT hoạt động như một khâu
khuếch đại.

IGBT trong ĐTCS chỉ sử dụng hai trạng thái Triode mode và Cutoff mode

Để ngắt IGBT, cực G được nối tắt với cổng E làm cho dòng điện trong
transistor p- n-p ngưng. Dòng IC đột ngột giảm nguyên nhân là vì kênh điện tử bị
gỡ bỏ, đồng thời hạt điện tích dương dư thừa trong vùng n-khuyếch tán bị suy
giảm vì kết hợp lại với điện tử.

Đặc tính động của IGBT

22
 lOMoAR cPSD| 10334743

Thời gian chuyển sang trạng thái ON của IGBT lớn hơn so với MOSFET,
trong thời gian td.on, dòng kích nạp tụ theo sườn dốc điện áp Gate-Emiter đến giá
trị điện áp ngưỡng VGE.th, trong thời gian tri dòng điện tải tăng đến giá trị ổn
định, giá trị của thời gian này xác định sườn dòng điện. Khi điện áp Gate-
Emiter đạt đến giá trị VGE.Ion, dòng điện Collector ổn định, điện áp collector-
emitter bắt đầu giảm. Sau hai khoảng thời gian IGBT dẫn. Trong khoảng thời
gian đầu tfv1 điện áp collector-to-emitter giảm nhanh, thời gian tfv2 cần để thiết
lập điều kiện phun ở mức cao trong vùng khuếch tán. Điện áp Gate bắt đầu tăng
lại chỉ sau khi transistor chuyển từ vùng bão hòa sang vùng tuyến tính, khi
transistor dẫn hoàn toàn và điện áp collector- emitter đạt giá trị điện áp dẫn cuối
cùng.

Các thông số cơ bản IGBT

IGBT kết hợp những ưu điểm của MOSFET và BJT.

23
 lOMoAR cPSD| 10334743

Ưu điểm của IGBT là khả năng đóng ngắt nhanh, làm nó được sử dụng
trong các bộ biến đổi điều chế độ rộng xung tần số cao. IGBT hiện chiếm vị trí
quan trọng trong công nghiệp với họat động trong phạm vi công suất đến 10MW
hoặc cao hơn nữa.

Công nghệ chế tạo IGBT phát triển tăng nhanh công suất của IGBT đã giúp
nó thay thế dần GTO trong một số ứng dụng công suất lớn. Điều này còn dẫn đến
các cải tiến hơn nữa công nghệ của GTO và tạo nên các dạng cải tiến của nó như
MTO, ETO và IGCT.

Giống như MOSFET, linh kiện IGBT có điện trở mạch cổng lớn làm hạn chế
công suất tổn hao khi đóng và ngắt. Giống như BJT, linh kiện IGBT có độ sụt áp
khi dẫn điện thấp (~2→3V; 1000V định mức) nhưng cao hơn so với GTO. Khả
năng chịu áp khóa tuycao nhưng thấp hơn so với các thyristor. IGBT có thể làm
việc vớidòng điện lớn. Tương tự như GTO, transistor IGBT có khả năng chịu áp
ngược cao.

So với thyristor, thời gian đáp ứng đóng và ngắt IGBT rất nhanh, khoảng
một vài ìs và khả năng chịu tải đạt dến mức điện ápvài ngàn Volt (6kV) và dòng
điện vài ngàn Amper.

Modul IGBT thông minh (Intelligent Power Modul):

Được chế tạo bởi công nghệ tích hợp cao. Trên modul chứa đựngphần tử IGBT,
mạch kích lái, mạch bảo vệ, cảm biến dòng điện. Các modul này đạt độ tin cậy rất cao.

Các trạng thái đóng ngắt.

-UCE > 0, UGE > 0: IGBT đóng

-UGE <= 0: IGBT ngắt

Mạch bảo vệ:

IGBT có khả năng hoạt động tốt không cần đến mạch bảo vệ.
Trong trường hợp đặc biệt, có thể sử dụng mạch bảo vệ của MOSFET áp
24
 lOMoAR cPSD| 10334743

dụng cho IGBT

Mạch kích.

3.4 Đo kiểm tra

Với bất kì IBGT nào trước khi đo cũng như kiểm tra xem nó còn sống hay đã chết thì
chúng ta cũng phải kiểm tra thật kĩ càng các yếu tố liên quan về mặt thông số để tránh
trường hợp lắp vào mạch điện gây hỏng hóc thêm không cần thiết.

Có thể tự kiểm tra IGBT của mình đơn giản bằng đồng hồ vạn năng. Nhưng trước khi
kiểm tra, bạn phải tuân thủ những lưu ý sau:

• Hãy đảm bảo an toàn điện, tránh phát sinh tĩnh điện làm hỏngthiết bị của
bạn.

• Không nên để điện áp ở cổng Gate và Emitter lớn hơn mức điệnáp quy định
của IGBT.

• Nếu cổng Gate hở, bạn phải duy trì mức điện áp giữa Collectorvà Emitter
thấp hơn 20V.

• Sử dụng đồng hồ vạn năng có chức năng kiểm tra diode.

25
 lOMoAR cPSD| 10334743

• Các bước tiến hành:

Sử dụng đồng hồ Kim thang đo 10K (điện áp kích ngưỡng 9VDC, với cực dương đồng
hồ kim là que ĐEN, cực âm đồng hồ kim là que ĐỎ) đểkiểm tra IGBT.

Bước 1: Xả điện áp giữa 3 chân G – C- E (Để IGBT không còn điện ápkích chân G)

+ Que ĐEN vào chân C hoặc E

+ Que ĐỎ vào chân G

Bước 2: Đo kiểm tra 2 chân C – E (Có 1 chiều Kim lên)

+ Que ĐEN vào chân C

+ Que ĐỎ vào chân E

26
 lOMoAR cPSD| 10334743

=> Không lên Kim

+ Que ĐEN vào chân E

+ Que ĐỎ vào chân C

=> Đồng hồ lên kim (Thang kim lên gần sát vạch tối đa, nằm giữa 0 và 1là IGBT tốt)

Bước 3: Tiến hành kích chân G của IGBT

+ Que ĐEN vào chân G

+ Que ĐỎ vào chân C hoặc chân E

Bước 4: Kiểm tra sau khi kích chân G (Kiêm tra xem khi kích xong thìcác chân C và E
như nào)

+ Que ĐEN vào chân C

+ Que ĐỎ vào chân E

=> Đồng hồ lên Kim (Thang kim lên gần sát vạch tối đa, nằm giữa 0 và1 tức là cặp
chân C – E IGBT tốt hay IGBT đã được kích và còn điều khiển tín hiệu kích tốt)

+ Que ĐEN vào chân E

+ Que ĐỎ vào chân C

=> Đồng hồ lên Kim (Thang kim lên gần sát vạch tối đa, nằm giữa 0 và 1 tức là cặp chân
E – C IGBT tốt hay cặp chân thể hiện bằng hình Diodecủa IGBT còn tốt)

27
 lOMoAR cPSD| 10334743

Bước 5: Kiểm tra xem giữa2 chân còn lại là G – C xem có bị rò hay bịthủng không bằng
cách

+ Que ĐEN vào chân G

+ Que Đỏ vào chân C

=> Kim không lên

+ Que ĐEN vào chân C

+ Que ĐỎ vào chân G

=> Kim không lên

Bước 6: (Đo bổ sung và kiểm tra lớp bán dẫn giữa các cực)

+ Sau khi các bạn đã đo đủ 5 bước với IGBT và IGBT đó đều thỏa mãntất cả các phép
đo, thì chúng ta tiến hành đo lớp tiếp dẫn của IGBT

+Về cấu trúc bán dẫn, IGBT rất giống với MOSFET, điểm khác nhau là có thêm lớp nối
với collector tạo nên cấu trúc bán dẫn p-n-p giữa emiter (tương tự cực gốc) với collector
(tương tự với cực máng), mà không phải

là n-n như ở MOSFET. Vì thế có thể coi IGBT tương đương với mộttransistor p-n-p
với dòng base được điều khiển bởi một MOSFET.

+ Que ĐỎ vào chân E

+ Que ĐEN vào chân C

=> Đồng hồ hiển thị điện áp trong TH này là abcV (Ý nghĩa là điện áplệch giữa 2 cực
bán dẫn P và N còn tốt).
28
 lOMoAR cPSD| 10334743

+ Que ĐỎ vào chân C

+ Que ĐEN vào chân E

=> Đồng hồ hiển thị 0V

3.5 Mạch ứng

• Được sử dụng trong trình điều khiển động cơ xoay chiều và 1chiều.

• Sử dụng trong hệ thống cung cấp điện không kiểm soát (UPS)

• Sử dụng để kết hợp đặc tích gate-drive đơn giản của MOSFETvới điện áp
cao và bão hòa thấp của transistor lưỡng cực.

• Sử dụng trong nguồn cấp điện có chế độ chuyển mạch (SMPS)

• Sử dụng trong điều khiển động cơ kéo và gia nhiệt cảm ứng.
• Công nghệ IGBT được so sánh gần giống với Transistor bởi chức năng của
IGBT bếp từ đó chính là khả năng đóng cắt siêunhanh. Trong ngành điện
công nghiệp thì công nghệ IGBTđược
ứng dụng trong các máy hàn điện tử, máy cát plasma, máy cơkhí, đóng vai
trò là bộ biến tần hiệu quả.

29
 lOMoAR cPSD| 10334743

4. Mosfet

4.1 Cấu tạo

Mosfet có cấu trúc bán dẫn cho phép điều khiển bằng điện áp với dòng điện điều khiển
cực nhỏ.

30
 lOMoAR cPSD| 10334743

Cấu tạo của Mosfet ngược Kênh N

G (Gate): cực cổng. G là cực điều khiển được cách lý hoàn toàn với cấu trúc bán dẫn còn
lại bởi lớp điện môi cực mỏng nhưng có độ cách điện cực lớn dioxit-silic

S (Source): cực nguồn

D (Drain): cực máng đón các hạt mang điện

Mosfet có điện trở giữa cực G với cực S và giữa cực G với cực D là vô cùng lớn, còn
điện trở giữa cực D và cực S phụ thuộc vào điện áp chênh lệch giữa cực G và cực S
(UGS)

Khi điện áp UGS = 0 thì điện trở RDS rất lớn, khi điện áp UGS > 0 do hiệu ứng từ
trường làm cho điện trở RDS giảm, điện áp UGS càng lớn thì điện trở RDS càng nhỏ.

4.2 Phân loại

Hiện nay các loại mosfet thông dụng bao gồm 2 loại:

• N-MOSFET: chỉ hoạt động khi nguồn điện Gate là zero, các electron bên trong
vẫn tiến hành hoạt động cho đến khi bị ảnh hưởng bởi nguồn điện Input.

• P-MOSFET: các electron sẽ bị cut-off cho đến khi gia tăng nguồn điện thế vào
ngỏ Gate

4.3 Đặc tính

31
 lOMoAR cPSD| 10334743

Mosfet có khả năng đóng nhanh với các dòng điện và điện áp khá lớn. Chính vì thế nó
được sử dụng phổ biến trong các bộ dao động tạo ra từ trường. Do đóng cắt nhanh làm
cho dòng điện biến thiên nên Mosfet thường thấy trong các bộ nguồn xung và cách mạch
điều khiển điện áp cao.

Mosfet được sử dụng rất phổ biến trong cả các mạch kỹ thuật số và các mạch tương tự.
Giống như FET thì Mosfet có hai lớp chính bao gồm:

• N-MOSFET: Điện áp với điều khiển mở Mosfet là Ugs >0. Điện áp với
điều khiển đóng là Ugs <=0. Và dòng điện sẽ đi từD xuống S.

• P-MOSFET: Điện áp với điều khiển mở Mosfet là Ugs <0. Điện áp điều
khiển khóa là Ugs~0. Dòng điện sẽ đi từ S cho đến D.

Do bố trí cực cổng cách ly nên MOSFET còn được gọi là “transistor hiệu ứng
trường cổng cách ly”. Hay tên Tiếng anh là Insulated Gate Field-effect Transistor. Và
được viết tắt là IGFET. Tên gọi IGFET sát nghĩa hơn so với các FET có thực thể điều
khiển ở cực cổng không phải là kim loại. Mà chúng là các kết cấu tích lũy điện tích khác.
Ví dụ như dung dịch điện phân trong các FET cảm biến sinh học (Bio-FET), FET cảm

32
 lOMoAR cPSD| 10334743

biến khí (GASFET), FET cảm biến enzym (ENFET)…

Thông thường thì chất bán dẫn được chọn là silic. Tuy nhiên một số hãng vẫn sản
xuất các vi mạch bán dẫn từ hỗn hợp của silic và germani. Một ví dụ điển hình là hãng
IBM. Ngoài silic và germani ra thù còn có một số chất bán dẫn khác như gali arsenua có
đặc tính điện tốt hơn. Tuy nhiên chúng lại không thể tạo nên các lớp oxide phù hợp. Vì
thế nên không thể dùng để chế tạo các transistor MOSFET.

4.4 Đo kiểm tra

Để xác định Mosfet còn sống hay chết còn sống hay chết, bạn cần
đến đồng hồ vạn năng kim với 2 que đo. Để thiết bị đo ở thang điện trởx1KΩ.

Lưu ý: Trước khi đo Mosfet – FET (FET) dùng dây dẫn hay tô vít nối tắt3 chân của
MosFet – FET lại để khử hết điện tích trên các chân. Sở dĩ như vậy là do, FET là linh
kiện rất nhạy cảm, điện tích trên các chân có thể ảnh hưởng đến kết quả đo. Dưới đây là
cách xác định Mosfet đơn giản bạn có thể tham khảo và thực hiện:

Trường hợp Mosfet còn hoạt động tốt

Là khi trở kháng giữ G và S và giữa G với D có giá trị điện trở là vô cùng, tức kim
không lên ở cae 2 chiều đo và khi G đã thoát điện thì trởkháng giữ D và S là vô cùng.

Bước 1: Trên đồng hồ vạn năng kim, để thang đo x1 KW.

33
 lOMoAR cPSD| 10334743

Bước 2: Tiến hành nạp cho G 1 điện tích bằng cách để que đen vào G, que đo vàoS hoặc
D.

34
 lOMoAR cPSD| 10334743

Bước 3: Thực hiện đo giữa D và S sau khi đã tiến hành nạp điện tích cho G. Lúcnày kim
sẽ di chuyển đi lên.

Bước 4: Chập G vào D hoặc G vào S để thoát điện chân G.

 lOMoAR cPSD| 10334743

Trường hợp Mosfet cháy hoặc chập

Để tiến hành kiểm tra Mosfet có phải bị cháy hoặc chập hay không, bạnthực hiện các
bước sau:

• Bước 1: Di chuyển đồng hồ vạn năng kim đến thang đo x 1KW.

• Bước 2: Thực hiện đo G và S hoặc giữa G và D nếu kim lên = 0 Wlà chập
• Bước 3: Đo giữa D và S mà cả hai chiều đo kim lên = 0 W là chậpD S

4.5 Mạch ứng

Ứng dụng MOSFET làm công tắc

36
 lOMoAR cPSD| 10334743

Một trong những ví dụ quan trọng nhất của thiết bị này là nó được sử dụng như một công
tắc điều khiển độ sáng tự động trong đèn đường. Ngày nay, nhiều đèn chiếu sáng mà
chúng ta quan sát trên đường cao tốcbao gồm đèn phóng điện cường độ cao. Nhưng sử
dụng đèn HID tiêu thụ mức năng lượng tăng lên.

Độ sáng không thể bị giới hạn dựa trên yêu cầu và do đó phải có một công tắc cho
phương pháp chiếu sáng thay thế và đó là đèn LED. Sử dụng hệ thống đèn LED sẽ
khắc phục được nhược điểm của đèn cườngđộ cao. Ý tưởng chính đằng sau việc xây
dựng công trình này là điều khiển đèn trực tiếp trên đường cao tốc bằng cách sử dụng
bộ vi xử lý.

5. Triac

5.1 Cấu tạo

Cấu tạo của Triac gồm có các phần tử bán dẫn, tổng cộng có nămlớp bán dẫn.
Tất cả tạo nên cấu trúc đồng nhất p-n-p-n thyristor theo cả hai chiều giữa các
cực T1 và T2 trong bảng bo mạch. Trang bị Triac giống như việc trang bị hai
thyristor đấu song song song ngược, có thể dẫn điện ở cả hai đầu. Muốn cho
Triac hoạt động ổn định, người dùng chỉ cần cung cấp sung điện cho chân G
của Triaclà được.

5.2 Phân loại

37
 lOMoAR cPSD| 10334743

Hiện nay, các loại Triac thông dụng được chia thành hai loại chính:

• Triac 3Q: Đây là Triac khi sử dụng được kích hoạt tại góc phần tư 1,2,3.Triac 3Q không
có mạch bảo vệ nên hoạt động tốt nhất trong các thiết bịcó tải không điện trở.

• Triac 4Q: Đây là loại Triac hoạt động trong cả bốn chế độ, được trang bị thêm các linh
kiện bảo vệ bổ sung như tụ điện hoặc điện trở. Khi hoạtđộng, Triac 4Q sẽ được mắc nối
tiếp với một cuộn cảm trong thiết bị..

5.3 Đặc tính V/A

Đặc tuyến Volt – Ampe thì gồm có 2 phần đối xứng nhau qua phần gốc tọa
độ O, mỗi một phần đều tương tự với đặc tuyến thuận của Thyristor.

Triac thường có 2 loại đó là: Loại tiêu chuẩn hay còn gọi là Triac 4Q và một loại
nữa là Triac 3Q.

• Loại Triac tiêu chuẩn (4Q) có thể được sử dụng để kích hoạt trong 4 chế độ. 4Q
thường phải có các mạch và linh kiện bảo vệ bổ sung nhưmạch RC trên các cực chính
và một cuộn cảm để mắc nối tiếp trong
thiết bị.

• Triac 3Q có thể được kích hoạt ở các góc phần tư 1, 2 và 3, không yêu cầu cần có
mạch bảo vệ. Triac 3Q hiệu quả hơn 4Q trong các mạchứng dụng có tải không điện trở.

38
 lOMoAR cPSD| 10334743

5.4 Đo kiểm tra

PHƯƠNG PHÁP 1: Kiểm tra triac bằng cách sử dụng đồng hồ vạn năng.

Ở phương pháp này chúng ta sẽ sử dụng đồng hồ vạn năng để kiểm tra tình trạng của
triac. Đầu tiên điều chỉnh công tắc đồng hồ ở thang đo điện trở cao (100K), sau đó
nối que đo dương của đồng hồ với chânMT1 của triac và que đo âm tới chân MT2 của
triac (bạn có thể đảo ngược lại kết nối). Kim đồng hồ sẽ lên và cho kết quả điện trở cao
.Tiếp tục chuyển công tắc chọn sang thang đo điện trở thấp, kết nối MT1 và cổng G với
que đo dương và MT2 với que đo âm của đồng hồ. Kimđồng hồ sẽ cho kết qủa điện
trở thấp. Nếu bạn thực hiện đúng với các buớc trên thì triac còn hoạt động tốt. Tuy nhiên
phương pháp trên không áp dụng cho những triac yêu cầu điện áp cổng và dòng cao để
kích hoạt.

39
 lOMoAR cPSD| 10334743

PHƯƠNG PHÁP 2: Kiểm tra triac bằng mạch.

Đây là một cách khác kiểm tra triac. Hầu như tất cả các loại triac đều có thể kiểm tra
bằng mạch này. Mạch được sắp xếp khá đơn giản. Sơ đồ kết nối triac với mạch điện
được biểu diễn trong sơ đồ mạch bên dưới . Luôn để công tắc S2 ON, Đèn không
sáng. Tiếp theo nhấn nút nhấn S1. Đèn sáng cho biết công tắc của triac ON. Khi bạn nhả
nút ấn, bạn thấy đèn tắt. Nếu các bạn làm đúng với các bước trên, Triac còn hoạt

40
 lOMoAR cPSD| 10334743

độngtốt.

5.5 Mạch ứng

a) Ứng dụng Triac với mạch đèn chiếu sáng

Đây là một trong những mạch ứng dụng điều khiển dòng điện qua tại dùng
Triac, Diac sẽ được kết hợp với một quang trở. Khi quang trở được chiếu sáng
sẽ dẫn tới giá trị điện trở nhỏ kiến cho dòng nạp trên tụ C thấp, lúc này diac sẽ
không dẫn điện vào cực G (cực điều khiển của triac) nên sẽ không có dòng
chạy qua tải.

Trong trường hợp quang trở bị che tối thì lúc này giá trị điện trở sẽ tăng lên làm
cho điện thế trên tụ C sẽ tăng và đủ làm cho diac dẫn điện và từ đó Triac sẽ
được kích dẫn cho phép dòng điện đi qua tải mà ở đây là các bóng đèn chiếu
sáng. Triac ở đây được hoạt động giống như 1 công tắc điều khiển.

41
 lOMoAR cPSD| 10334743

b) Ứng dụng Triac vào mạch Dimmer

Sơ đồ nguyên lý mạch Dimmer dùng triac

Mạch Dimmer được biết đến là một mạch điện có tác dụng như một công tắc
điều khiển điện áp. Nhờ điều đó mà nó có khả năng điều khiển điện áp chỉnh độ
sáng của đèn hay tốc độ của một chiếc quát một cách linh hoạt nhất.

Mạch Dimmer dùng để bật tắt các thiết bị, cũng như điều chỉnh độ sáng của
các loại đèn chiếu sáng như đèn sợi đốt, đèn huỳnh quang, đèn halogen, đèn
Led và mạch được sử dụng chủ yếu và việc điều chỉnh tốc độ của quạt trần.

42