Professional Documents
Culture Documents
כימיה כללית ואנליטית סיכומונה
כימיה כללית ואנליטית סיכומונה
] T[K] = 273.15 + T[C o 1 𝒅𝑚 = 10−1 𝑲𝑚 = 103 𝑔𝐾 𝑔𝑟 = 10−3
[ 𝑁𝐴 = 6.02214 × 1023 ]
𝑒𝑙𝑜𝑚
5 𝒄𝑚 = 10−2 𝑴𝑚 = 106 𝑔𝐾 𝑚𝑔 = 10−6
= ] T[C o )(T[F o ] − 32 ]𝑔𝐾[ 𝑚𝑒 = 9.11 × 10−31
9
𝒎𝑚 = 10−3 𝐿𝑚1𝑐𝑚3 = 1 𝑙𝑜𝑚 𝑚𝑚𝑜𝑙 = 10−3
]𝑔𝐾[ 𝑚𝑝 = 1.672 × 10−27
µ𝑚 = 10−6 𝐿1𝑚3 = 1,000 𝑚𝑝𝑝 1𝑝𝑝𝑏 = 10−3
]𝐶[ 𝑞𝑒 = 𝑞𝑝 = 1.6 × 10−19
𝒏𝑚 = 10−9 1𝑐𝑚3 = 10−6 𝑚3 𝑟𝑔
]𝑠C = 3.00 × 108 [𝑚⁄ 1𝐷𝑎 = 1
𝑙𝑜𝑚
שבר מולי ( -מספר המולים של המומס/מספר המולים הכולל בתמיסה)=XA .שבר מולי של .A
0=XB+XA
אחוז מולרי – שבר מולי*011%
מולריות (( - )Mמול/נפח תמיסה בליטרים) ]𝑀[ = ][mol⁄l
n
= ]𝐶[
V
נוסחאות לחישוב מול:
חמצון חיזור:
חמצון :מחזר מוסר אלקטרונים כדי להפוך ליון חיובי יותר.
חיזור :מחמצן מקבל אלקטרונים כדי להוריד דרגת חמצון.
מחזר – נותן אלקטרונים (דרגת החמצון שלו עולה).
מחמצן – מקבל אלקטרונים (דרגת החמצון שלו יורדת).
שלבים בפתרון שאלות:
.0נקבע דרגות חמצון ונחליט מי עבר חמצון ומי חיזור
.2נכתוב שני חצאי תגובה ונוסיף eבצד המתאים
.3נעבוד על כל חצי תא בנפרד :מאכזנים מספר אטומים למי שעובר את הח"ח
.4מאזנים את שאר האטומים ואת ה+ e-מוואדים סך מטען בכל צד שווה .במקרה הצורך נוסיף H+או – OH
וגם אותם נאזן במקרה הצורך עם מים.
.5נכפול את אחת המשוואות להתאמת כמות ה e-העוברים
.6נחשב משוואות ונוודא איזון
תאים אלקטרוכימיים
קולון C מטען חשמלי q וולט פוטנציאל חשמלי V
C 965445 קבוע פארדיי F Aאמפר זרם חשמלי I
𝑞 𝑞 ]𝐶[
= ]𝑛 [e = ]I [A
𝐹 ]𝑐𝑒𝑆[ 𝑡
– E1פוטנציאל חיזור סטנדרטי (למול תגובה) .בתגובת ח"ח חצי התא שיש לו E1גבוה יותר יתרחש באופן ספונטני.
אלקטרודת ייחוס :SHEחצי תא שהוגדר כנקודת אפס1=E1 .וולט .חצי תא מימן בריכוז 0מולר 0 5אטמ'.
בניית תא שלם:
מדידת נטייתם של צורנים לעבור ח"ח חייבת להיעשות בהשוואה לאלקטרודה אחרת.
בש"מ Eשל התא=.1
2+
𝑛𝑍\)𝑠(𝑛 Zבצד ימין:קתודה=חיזור .בצד שמאל:אנודה=חמצון.
⏟ ⏟ צורת כתיבה של תא⏟ 2+ \𝐶𝑢(𝑠) :
𝑢𝐶 ∥
אנודה גשר מלח קתודה
חמצון=E1cell
של - E1
חישוב פוטנציאל תא E1 :של חיזור+
גשר מלח :חובה בכל תא אלקטרוכימי .תפקידו לאפשר ליונים חיוביים ושליליים עודפים להיספח בו על מנת לא
לשבש את תגובת הח"ח בגלל מפלי ריכוזים (לה-שאטליי) .בגשר מלח יונים שליליים נעים בכיוון ההפוך לאלקטרונים
(ויונים חיוביים עם בכיוון האלקטרונים).
E1לא מושפע מחישובים סטוכיומטריים.
Nerst
𝑇𝑅 𝑉0.0592 𝑃]𝑠𝑡𝑐𝑢𝑑𝑜𝑟𝑃[
R=8.31447 E = 𝐸 0 −מתח התא=n .כמה eעוברים .מקדם ה=log 𝑅]𝑠𝑡𝑛𝑎𝑡𝑐𝑎𝑒𝑅[ 𝑔𝑜𝑙
𝐹 𝑒𝑛 𝑒𝑛
תא ריכוז:
התגובה הכוללת היא מעבר של יון מהתמיסה היותר מרוכזת לתמיסה המהולה .האנודה במצב כזה תהיה התא בו
היון שיכול לעבור חמצון (דרגת חמצון נמוכה) נמצא בריכוז הגבוה יותר.
* מומלץ לחשב NERSTלכל חצי תא בנפרד.
התא פועל עד להשוואת ריכוזים.
אלקטרוליזה:
בתא אלקטרוכימי משתמשים במקור מתח חיצוני בכדי להפוך את פעולת התא האלקטרוכימי 5כלומר גורמים
לתגובה ללכת בכיוון ה"לא-ספונטני" שלה.
כמה מתח צריך בשביל להפוך תגובה? בדר"כ נצטרך מעט מעל Eכולל של התא (.)overpotentail
1
לחמצן Overpotantialגבוה.
תא גלווני – תא בו מתרחשת הפעולה הספונטנית.
תא אלקטרוליטי – תא בו מתרחשת התגובה הלא ספונטנית עקב הזרמת מתח.
איך נדע אם תא הוא גלווני או אלקטרוליטי?
הגורם הקובע הוא Eמתח התא המתקבל ממשוואת E .NERSTחיובי מסמן תא גלווני.
אם שואלים עבור תא רשום (נתון) >-נחשב את Eשל NERSTולפי זה נחליט (אפילו אם הוא נוגד בסימנו את .)E1
אם שואלים על תא סטנדרטי >-נסתכל על E1ולפי זה נקבע (למה? כי E1הוא מספק את הנתונים עבור תא
סטנדרטי).
חימצון חיזור של המים:
E = -0.83V חיזורH2O(l) + e ½H2(g) + OH(aq) :
E = -1.23V חמצוןH2O(l) ½O2(g) + 2H+(aq) + e :
כאשר מכניסים יונים שונים למים מספר תהליכים עשויים להתחרות על פני אלקטרודה מסוימת .לפעמים תהליך
אחד מנצח בבירור ולפעמים הפרש E1קטן מידי בכדי להחליט ונצפה לראות ערבוב של תוצרים בתא בו יש תחרות.
* לדוגמה 5אל מול חומצה גופרתית – המים מנצחים בתהליך החמצון.
הערות וטיפים:
פתרון שאלות בהן נתון זרם חשמלי וזמן:
נחשב כמות מטען שעברה בזמן >-משם נוציא כמו eשעברה בזמן זה.
על פי יחס סטוכיומטרי של חצאי התגובות נחשב כמה מהחומר אותו אנו בודקים עבר.
לשים לב שמדובר בכמות מולים שעברה ולא בכמות סופית.
* מאחר ומתח תא תלוי בריכוזים השימוש בתנאים סטנדרטיים מקל על ההשוואה של תגובות אלקטרוכימיות שונות.
חומצות ובסיסים
חומצה :חומר שמשחרר H+
בסיס :חומר שמקבל H+
* חומצה חזקה מתפרדת לגמרי ליונים בהתמוססות במים.
* לכל חומצה שעוברת תגובת סתירה יש בסיס מצומד (ולהפך).
* אמפוטריות – היכולת של המים להיות גם חומצה וגם בסיס.
קבוע שיווי משקל:
] 𝑑𝐷[] 𝑐 𝐶[
עבור תגובה 𝑎𝐴 + 𝑏𝐵 ⇄ 𝑐𝐶 + 𝑑𝐷 :קבוע ש"מ הוא 𝑏𝐵[] 𝑎𝐴[ = 𝑐𝐾
]
אי אפשר להזניח אי אפשר להזניח אי אפשר להזניח אפשר להזניח
את שניהם את פירוק החומצה את תרומת המים את שניהם
אם לא הצלחנו
להזניח בכל זאת לא עבד
נגיד שה𝑝𝐻 ≈ 7- בכלל? נוודא הזנחות
* לשים לב -במקרים בהם יש להתחשב בפירוק המים נקבל pHבסביבות ( 7בדיקה טובה).
מצב בו אי אפשר להזניח את תרומת המים ואי אפשר להזניח את פירוק החומצה/בסיס:
𝐴𝐾
אפשר להגיד שהחומצה מתנהגת כמו חזקה חומצה חזקה ואז במקום להזניח את כאשר > 100 .0
𝐴𝐶
אם בכל זאת מקבלים סתירה לאחוז יוניזציה או לריכוז יוני הידרוניום/הידרוקסיד >-ננסה לפתור .3
משוואה ממעלה שלילית או שנניח שה pH-בערך .7
בדיקה
𝑦
> 5% בכל מקרה תמיד צריך לעשות בדיקה בסוף ההזנחות𝐻 + > 10−6 :
𝐴𝐶
* שימו לב -אם מזניחים את yבמשוואה והו א נמצא גם במונה וגם במכנה חובה להזניח אותו גם וגם 5ולכן יש לבדוק
את הזנחות אל מול הריכוז הקטן יותר .אם הוא לא זניח ביחס לאחד לא מזניחים בכלל.
תגובה של חומצה חזקה וחלשה ביחד/בסיס חזק וחלש יחד:
קודם נחשב את תרומת 𝑂𝐻− /𝐻+מהחומצה/בסיס החזקים.
נוסיף א ת כמות היון שנוצרה מהפירוק החזק למשוואת הפירוק החלש בשלב ההתחלה ולפי כך נחשב את .Ka
חומצה רב פרוטית:
חומצה בעלת יותר מ H-אחד והיא מתפרקת בשלבים.
כל מסירה של 𝐻+מתוארת כתגובת פירוק בש"מ עם Kaמשלה .כמעט תמידKa1>>Ka2>>>Ka3… :
ניתן להניח כי הרוב המכריע של 𝐻 +מקורו בתהליך הפירוק הראשון 5ולכן נראה לרוב שניתן להזניח את השינוי ב-
𝐻 +בשאר התגובות.
*יכול להיות שבשלב הפירוק הראשון החומצה היא חומצה חזקה ובשאר השלבים חומצה חלשה.
מלחים של חומצות ובסיסים חלשים:
המלח מתפרק לחלוטין במים.
החומצה המצומדת היא היון החיובי שיתקבל מפירוק בסיס .מלח אשר מכיל את היון החיובי הנ"ל יקרא "מלח של
בסיס חלש" .החומצה המצומדת תתפרק לבסיס ועוד .𝐻 +
הבסיס המצומד הוא יון שלילי שיתקבל מפירוק חומצה .מלח אשר מכיל את היון השלילי יקר "מלח של חומצה
חלשה" .הבסיס המצומד יתפרק לחומצה ועוד .𝑂𝐻−
בופרים וטיטרציות
אפקט היון המשותף – תמיסות של חומצות חלשות ומלחיהן .לתמיסה שנמצאת בש"מ מוסיפים מלח של אחד
היונים מתגובת פירוק החומצה .דבר זה גורם לתגובה ללכת בכיוון ההפוך במטרה להגיע שוב לש"מ.
בופר – תמיסה המסוגלת לשמור על PHקבוע בערך 5בהוספת כמויות יחסית קטנות של בסיסים וחומצות .בופר
אפשר להכין רק מחומצות ובסיסים חלשים.
בופר של חומצה :זוהי תמיסה שמכילה חומצה חלשה ואת המלח של הבסיס החלש המצומד שלה.
בופר של בסיס :זוהי תמיסה שמכילה בסיס חלש ואת המלח של החומצה החלשה המצומדת שלה.
מלח מצומד – מלח קל תמס שמכיל את היון המצומד של החומצה/בסיס.
יון מצומד – יון שלילי הוא בסיס מצומד לחומצה חלשה.
יון חיובי הוא חומצה מצומדת לבסיס חלש.
דוגמאות
* תגובת חומצה חלשהHCOOH ↔ 𝐻 + + 𝐻𝐶𝑂𝑂 − :
מלח של הבסיס מצומד יהיה HCOONa → Na+ + HCOO−
* תגובת בסיס חלשNH3 + H2 o ↔ NH4 + + OH − :
מלח של החומצה המצומדת יהיה NH4 Cl → NH4 + + Cl−
תנאים לבופר:
𝑎𝐶
ריכוז Ca/Cbגדול בלפחות שני סדרי גודל מה >- .Ka/Kb-הפירוק הנוסף יהיה זניח > 100 .0
𝑎𝐾
Ca
< 0.1 ריכוז דומה של Caו 5Cb-עד פי 01אחד מהשני< 10 . .2
Cb
אינדיקטורים
האינדיקטור נמצא בריכוז נמוך מאוד בתמיסה.
הוא מושפע מריכוז ה H+-אשר נקבע לפי מרכיבים אחרים .שינוי ה PH-של האינדיקטור יחול סביב ערך ה pKa-שלו.
] [In−
]pH = pK HIn + log [HIn HIn ↔ H + + In−
שינוי צבע מובהק יחול כאשר ריכוז אחת הצורות של האינדיקטור יהיה 91%לפחות מהריכוז הכולל שלו .משמעות
הדבר היא ששינוי הצע חל בטווח של ±0יחידות PHסביב .pKa
טיטרציות:
נקודת אקוויולנטית – הנקודה (נפח המרכיב המכויל) בה יש סתירה מלאה 5כלומר מספר המולים של המטטר שווה
למספר המולים של המטוטר.
= pKaה PH-בו חצי מהמולקולות מסרו את ה H+-שלהם /ה PH-שיתקבל ב 51%-טיטרציה.
אם יש לי Xמול מחומצה חזקה אז Xמול מבסיס חזק באותו ריכוז יביא לסתירה מלאה.
בגלל איך שגרף ה log-פועל אנחנו מקבלים מצב בו שינוי ה PH-הקיצוני ביותר מתקבל באזור שהכי קרוב לסתירה
מלאה .בתחילת הטיטרציה לא נראה שינויים גדולים ב 5PH-עד שנגיע לאזור הסתירה מלאה ואז נראה קפיצה גדולה
ב.PH-
* בתחילת השאלה אפשר כבר לדעת כמה נפח צריך להוסיף בשביל 011%טיטרציה (הנפח בו כמו המולים של החומר
המטטר שווה לכמות המולים של החומצה/בסיס) >-מתוך כך ניתן להסיק מתי נגיע ל 51%-טיטרציה .בנקודה של
51%טיטרציה .PH=pKa
*מהו המקסימום PHשאפשר להגיע אליו בטיטרציה? ה PH-של החומר המטטר (אותו מוסיפים) .למה? גם אם נוסיף
הכי הרבה מהבסיס/חומצה החזקה נגיע למצב בו החומצה/בסיס המקוריים זניחים ואז ה PH-הכי גבוה שנוכל להגיע
אליו יהיה ה PH-של החומר המטטר.
מסיסות ) = S (solubilityמוגדרת ככמות המומס בשווי משקל בנפח נתון של ממס בטמפרטורה נתונה 5בדרך כלל
נתון ביחידות של [גרם מומס 011/גרם ממס] או [גרם מומס 011/מיליליטר ממס].
הגדרה נוספת :ריכוז החומר המקסימלי שיכול להתקבל בתמיסה.
יונים קלי תמס:
.0יוני מתכות אלקליות וNH4 -
+
קומפלקסומטריה
קומפלקסים – תרכובות של יון מתכתי עם מולקולות או יונים (יקראו ליגנדות) לקבלת יון מורכב המסיס במים.
הקשר בין היון המרכזי למולקולות או היום (ליגנדים) הוא קשר חלש יחסית לקשר קוולנטי – קשר קואורדינטיבי.
קשר זה הפיך בדר"כ ומתואר באמצעות ש"מ.
ליגנדה עם מספר זרועות נקראת קלטור.
תכונה חשובה לליגנדות – שהם יהיו יונים שליליים או שהם פולרים.
קבוע ש"מ/קבוע היווצרות לקומפלקסים – Kfבדר"כ בסדרי גודל של 01בחזקת ...לכן הריאקציה מתקדמת הרבה
לתוצרים.
שימוש בקומפלקס על מנת להמיס מלח קשה תמס – המלח מתפרק מעט והליגנדה נקשרת לאחד מהיונים על מנת
ליצור קומפלקס 5הדבר גורם לתהליך המסיסות ללכת עוד לכיוון התוצרים.
EDTA
יונים מולקולקיים יוצרים קומפלקסים חזקים עם קטיונים (חיובי).
EDTAהוא סוג של קלטור .מגיב ביחס של 0:0עם מתכת.
במצב הניטרלי של ( ADTAב 5)EDTA=Y( H4Y – )2<PHזוהי חומצה 4פרוטית.
בכדי שיווצר הקומפלקס חייבים להסיר את כל הפרוטונים.
] [MYn−4
= Kf ∙ αy = K effקבוע היווצרות אפקטיבי( .מה שטוב בביטוי זה שזהו ביטוי שלא תלוי ב.)PH-
[Mn+ ]Cy
מתכת חופשיים בנקודה האקוויולנטית כך שהשגיאה בקביעת הריכוז מתכת תיהיה קטנה מ.1.0%
טיטרציה טובה
בנקודה ה eq-מכיוון שה EDTA-והמתכת הגיבו ביחש של 0:0אז נוכל לומר כי ריכוז ה EDTA-החופשי מסומן ב-
CYשווה לריכוז Mn+החופשי 𝑦𝐶 ≈ ] 𝑞𝑒 [𝑀𝑛+
כמו כן מכיוון שברוב המקרים קבוע הקומפלקסציה גבוה יחסית 5ניתן להניח שב eq-הרוב המכריע של יוני המתכת
קשורים ל 5EDTA-לכן 𝑀𝐶 ≈ ] [𝑀(𝑛−4)+
ונקבל:
] [MY n−4 𝑀𝐶
= Kf ∙ αy = K eff ≈
n+
[M ]Cy [𝑀 𝑒𝑞 ]2
𝑛+
נוכל להשתמש בתנאי שקבענו לטיטרציה טובה >-אפשר להציב בביטוי ל Keffכאשר CMו Kf-נתונים .כך נוכל
𝑀𝐶
≈ 𝑦𝛼 למצוא את αyהדרוש
𝑓𝐾∙ [𝑀𝑛+ 𝑒𝑞 ]2
מכניסים חומר ABויש יון מתכת 5 Mn+לכן נוצר קומפלקס .השאלה – כמה חומר אפשר להמיס? יש תוצר .2
והתוצר ממשיך להגיב עם .Mn+אפשר לחבר בין התגובות ו K-ש"מ כולל יהיה .K1*K2
בשאלות:
.0את התגובה תמיד נכתוב לפי ה K-של קומפלקסומטריה אפילו אם אנחנו מחשבים את הפירוק של
הקומפלקס.
αב PH-נמוך ייתן לנו פחות EDTAביון שאנחנו צריכים (ב PH-גבוהה יהיה לנו יותר) .עד PH=14בו .2
פירוק מלא של EDTAליון הכי שלילי שלו.
כאשר מסתכלים על תהליך פירוק של קומפלקס צריך להבין שהוא למעבר מתפרק לכל הצורות של הEDTA .3
(כלומר לכל סוגי היונים שלו) ולכך בסך הכל נכתוב בפירוק CYוזה שווה בערך ל.Y-
אם רוצים לעשות את תהליך הקומפלקסומטריה בשלב אחד צריך בחומר שמגיב "עד הסוף" להציב Y .4
בש"מ ואחר כך אפשר להניח שהוא זניח .זה מראה למעשה שהתהליך לא הולך רק בכיוון אחד 5אלא גם
חוזר מעט למגיבים שלו (הקומפלקס גם מתפרק מעט).
ספקטרופוטומטריה
בליעת אור בתמיסה
E n∙hν J
=P = ( הספק קרינה= יחידות זמן/אנרגיה) .
t t sec
P J
( =I צפיפות שטף הקרינה (עוצמת האור) = יחידות שטח/הספק )
A sec ∙cm2
𝐼
= Tכלומר 5איזה חלק מהאור שנכנס יוצא ממנו .כאשר =Iאור שנכנס =I0אור מקדם העברה : Transmittance
𝐼0
חוק :Berr-Lambert
𝐼
𝑛𝑙A′ = − מקדם בליעה = −ln(𝑇) :Absorbance
𝐼0
𝐼
𝑔𝑜𝑙A = − חוק = 𝜀 ∙ 𝑏 ∙ 𝑐 :Berr-Lambert
𝐼0
𝐿 1
) הוא תלוי באורך הגל ובחומר. = 𝜀 – מקדם בליעה מולרי (יחידות של
𝑚𝑐∙𝑙𝑜𝑚 𝑚𝑐∙𝑀
– Cריכוז מולרי
– bדרך אופטית (אורך מסלול האור בחומר) יחידות של cm
-Aחסר יחידות 5והוא פרופורציוני ל c-ול.b-
* לדוגמה :הכנסנו אור דרך תמיסה ( )011%ו 61%-נבלע 5אז רק 41%עבר .נבלע = לא יצא (לא להתבלבל עם 5A
=Aבליעה).1.4=T .
𝑋𝐼
⏟𝐼 )(2
= 𝑆𝐼 𝑋 + 𝑋⏟𝐼 𝐶⏟𝑆 +
𝐶
⏟𝑋
𝑦 𝑥 𝑏
𝑎
קונדקטומטריה (מוליכות)
חוק אוהם V = I ∙ R :כאשר =Vפונטציאל=I 5זרם ביחידות אמפר(=R 5)Aהתנגדות ביחידות אוהם.
A 1 1
G = ∙κ =G מוליכות (siemens = ) :G
L R Ω
L 1
=k= κ∙R ( קבוע התא ) -k
A cm
∧ היא המוליכות של תמיסה בריכוז M 0הנמדדת בתא שאורכו 1cmושטח האלקטרודה .1cm2
A ∧C
∙ = Gככל שהריכוז גדל ניתן לראות שהמוליכות גדלה.
L 1000
הקשר בין מוליכות מולרית למוליכות מולרית במיהול אינסופי ולריכוז∧=∧0 − β√C :
על מנת למצוא את קבוע הפירוק של חומצה:
α2
= K aקבוע הפירוק = קבוע דיסוסיאציה. ∙C
1−α
∧
=∝ מידת הפירוק של החומצה.
∧0
טיטרציות קונדקטורמטריות
מקרה א -טיטרציה של חומצה חזקה עם בסיס חזק
שינוי ריכוז כנגד התקדמות הטיטרציה :עד לנקודת ה eq-הריכוז הכולל של התמיסה לא משתנה .אחרי הנקודה ה-
eqהריכוז הכולל של התמיסה מתחיל לעלות.
שינוי מוליכות כנגד התקדמות הטיטרציה :עד לנקודה ה eq-המוליכות יורדת .בנקודה ה eq-המוליכות היא הכי
נמוכה 5ומשם היא עולה.
2.00E-02
1.50E-02
Concentration, M
Total
1.00E-02
Na+
Cl-
5.00E-03
OH-
H+
0.00E+00
0 0.5 1 1.5 2
Progress of titration
שינוי מוליכות כנגד התקדמות הטיטרציה :כאשר מסתכלים על המוליכות אפשר לראות שינוי לפני ואחרי הנקודה ה-
.eqהחל מהנקודה ה eq-ה OH--תורם למוליכות (הוא כבר לא נסתר על ידי )H+ולכן נראה בנקודה ה eq-קפיצה
במוליכות.
1.6E-03
1.4E-03
Total
1.2E-03
Conductivity,S cm-1
1.0E-03 OH-
8.0E-04
6.0E-04
Na+
4.0E-04
Ac-
2.0E-04
0.0E+00 H+
0 0.5 1 1.5 2
Progress of titration
* כשעושים טיטרציה חשוב לזכור שמוסיפים נפח בדר"כ ואז זה משנה את הריכוז.
* יון H+הוא המוליך הכי טוב ולכן נראה בגרפים את ההשפעה הגדולה שלו .אחריו גם – OHמוליך לא רע (בהשוואה
ליונים אחרים).
טיטרציות פוטנציומטריות
מתח תא פתוח – מתח שנמדד בלי שתתרחש תגובה 5בלי לשנות ריכוזים בחצאי התאים.
טיטרציה פוטנציומטרית
רוצים לבודק ריכוז יון מתכת על ידי טפטוף יון מתכת שונה.
תגובת חמצון-חיזור תתרחש בין שתי המתכות 5ונדע שהגענו לנקודה ה eq-לפי המתח .קפיצה במתח תעיד על מעבר
הנקודה ה.eq-
תמיד יהיה חצי תא ידוע מולו מודדים את המתח .חצי התא אליו משווים את הפוטנציאל החשמלי נקרא "אלקטרודת
ייחוס/אלקטרודת רפרנס" 5זוהי אלקטרודה ששומרת על הפוטנציאל שלה קבוע.
לפני הנקודה ה eq-מתח התא שימדד יהיה באזו ר פוטנציאל המתח של התמיסה המקורית בחצי תא אותו מודדים.
אחרי הנקודה ה eq-מתח התא שימדד יהיה באזור פוטנציאל המתח של החומר אותו מטטרים פנימה.
פתרון שאלות על טיטרציה פוטנציומטרית
.0בשאלה על טיטרציה פוטנציומטרית עדיף לחשב מתח תא לכל חצי תא בנפרד >-זאת משום שתמיד יש חצי תא
אחד שלא משתנה (חצי התא של אלקטרודת הרפרנס).
.2בשאלות על טיטרציה פוטנציומטרית מתרחשות 3תגובות חמצון-חיזור:
המתכת בתמיסה המקורית עם תא הרפרס >-לפני טיטרציה .a
המתכת שמטטרים פנימה עם תא הרפרנס >-אחרי טיטרציה .b
המתכת בתמיסה עם המתכת שמטטרים >-הטיטרציה עצמה. .c
תחילה נחשב את הפוטנציאל הקבוע של תא הרפרנס 5ונבין האם הוא עובר חיזור או חימצון כנד חצי התא .3
השני (בשני המצבים -לפני ואחרי טיטרציה).
נכתוב משוואות לביטוי המתח לפני הנקודה ה eq-וביטוי למתח אחרי הנקודה ה :eq-נכתוב את משוואת .4
0.0592 𝑃 0.0592 𝑃
𝐸0 −
⏟=E 𝐸0 −
⏟ ∙ 𝑙𝑜𝑔 + 𝑔𝑜𝑙 ∙ Nerstבצורה הבאה:
𝑛 𝑅 𝑛 𝑅
חצי תא רפרנס 𝐸 חצי תא בו יש תהליך טיטרציה 𝐸
לפני הנקודה ה eq-התגובה הדומיננטית תיהיה זו של המתכת המקורית בתמיסה 5ואחרי הנקודה הeq-
התגובה הדומיננטית תהייה זו של המתכת שמטטרים פנימה (על פי זה נכתוב את החצי השני במשוואת
.)NERST
נכתוב את משוואת החמצון-חיזור של הטיטרציה (לא נכתוב E0כדי לא להתבלבל) .ונבצע חישובים לפי .5
מולים.
ב 1%-טיטרציה אין מתח (= ) 1כי יש רק יון אחד בתמיסה בחצי התא 5ועל מנת לבצע תהליך של חמצון .6
חיזור בתא אלקטרוכימי יש צורך בשני סוגי היונים לתהליך.
נחשב בכל שלב בטיטרציה את השינויים במולים/בריכוזים ונציב בנוסחאות לחישוב מתח שהכנו בהתחלה. .7
בנקודה ה :eq-המתח שמחשבים בשתי המשוואות שווה ולכן נחבר את המשוואות (קודם כל יש לשים לב .4
שה log-בעל מקדם זהה) .נבטא את היחס בין ריכוזי המתכות השונות על פי היחסים הסטוכיומטריים
ונוכל לצמצם את הריכוזים שבתוך ה .Log-מכאן כבר נקבל Eשאפשר לחשב.
נקודה הבאה אחרי נקודה :eqניקח 1.0+משום שהשינוי מאוד רגיש. .9
נקודות כשל נפוצות:
כאשר לא מתייחסים ליחסים הסטוכיומטרים בין החומרים ומצמצמים לא נכון את ה.Log- .0
את המשוואות שכתבנו בהתחלה לביטוי המתח לא משנים!! אם היה או לא היה חזקה (בגלל מקדם .2
סטוכיומטרי) לא משנים אחר כך כאשר מחשבים את התגובת חימצון חיזור בטיטרציה.
כרומטוגרפיה
קבוצת שיטות אנליטיות המאפשרות הפרדת תערובת חומרים ולעיתים אף את זיהוי המרכיבים והערכת כמותם
בתערובת.
סוגי כרומטוגרפיה:
חילוף יונים – הפאזה הנייחת מצופה בחומר מיונן 5והפאזה הניידת מורכבת מיונים חיוביים ושליליים 5כך שאחד
מהם מעוכב עכב כוחות משיכה חשמליים על ידי הפאזה הנייחת.
ספיחה – הפאזה הניידת נספחת על הפאזה הנייחת.
זיקה – סוג אחד של מו לקולות מהפאזה הניידת נקשר למולקולות מהפאזה הנייחת (כמו קומפלקס) ושאר
המולקולות בפאזה ניידת פשוט עוברות.
גודל מולקולות – מולקולות קטנות בפאזה הניידת עוברות את הפאזה הנייחת 5ומולקולות גדולות לא עוברות אותה.
מקדם החלוקה:
Cstationary
A A K
)(mobile )(stationary Cmobile
פליטה תאורט ית :מרחק (או זמן) זרימה בעמודה שבמהלכו מגיעים לשיווי-משקל עבור K
2
t
N 16 R
W
– Nמספר פלטות תאורטיות בעמודת הכרומטוגרפיה
– tRמרחק ממקסימום הפליטה לתחילת התהליך.
-Wאורך הפליטה.
L
h
אורך העמודהN :
משוואת van-Deemter
B
h A Cu
u
– Aפרמטר המתאר הרחבה כתוצאה מתנועה של מולקולות במסלולים שונים דרך הפאזה הנייחת בגלל המבנה
הנקבובי שלה[]m
– uקצב הזרימה של הפאזה הניידת []m s-1
– Bפרמטר המתאר הרחבה כתוצאה מדיפוזיה אורכית של מולקולות בפאזה הניידת – ככל שהזרימה מהירה יותר
השפעתו קטנה []m2 s-1
– Cפרמטר המתאר את קצב ההגעה לשיווי משקל (בחלוקה בין הפאזות) – האטת הזרימה תגרום לצמצום השפעתו
על ההרחבה []s
השיטה הכרומטוגרפית הפשוטה ביותר – )Thin Layer Chromatography (TLC