Professional Documents
Culture Documents
Chương 2 Các loại nguồn laser công nghiệp
Chương 2 Các loại nguồn laser công nghiệp
arcos(1/n)
1
Vật liệu dùng làm chất nền cần có độ trong suốt cao đối với bước sóng laser và
phổ bức xạ bơm, bền về nhiệt,dễ chế tạo và gia công cơ, độ đồng nhất quang học
cao laser.
Chất nền hay dùng: - Muối kiểm thổ H2WO4, H2MoO4,, HF
-Nền tinh thể Ytrigranat – Y3Me5O12 ,với Me là kim loại:
Al, Fe,....
Ưu điểm của granat là giảm công suất bơm ngưỡng và tăng được hiệu quả bức
xạ.
Điển hình: Y3Al5O12 ( kí hiệu YAG)
Al2O3 ( Laser Rubi )
Thủy tinh SiO2: Dễ chế tạo và độ đồng nhất cao, kém bền nhiệt và
công suất bơm lớn.
Môi chất laser thường ở dạng ion 2 hoặc 3 điện tích.
Một số môi chất laser nguyên tố đất hiếm.
Neodim Nd3+ λ= 1,06 μm
Dyprozy Dy2+ λ= 2,36 μm
Camri Sm2+ λ= 0,7 μm
Ecoi Er2+ λ= 1,61 μm.
Cần lựa chọn nồng độ tối ưu của môi chất laser. Nồng độ hạt bức xạ tăng làm
tăng công suất, khi đó xảy ra tương tác hạt làm giảm thời gian sống của các hạt,
giảm độ nghịch đảo nên công suất ra giảm
Nguồn bơm gồm bơm và hệ thống phản xạ để hội tụ ánh sáng vào hoạt chất.
Hiệu suất nguồn bơm ηb bằng tỉ sô giữa năng lượng bức xạ hoạt chất hấp thụ
với công suất nguồn bơm. Phổ đèn bơm phải chọn sao cho lượng hấp thụ là cao
nhất, do độ sáng ngưỡng thường đến vài chục W/ cm2 nên dùng bơm xung là tốt
nhất . Thường chỉ 20 ÷30 % năng lượng bơm chuyển thành năng lượng bức xạ
đèn nên lượng tỏa nhiệt rất lớn làm đèn cháy hỏng, phải chọn tần số và chu kỳ
phóng điện đèn hợp lý.
2
2.1.2 Laser Rubi
Là laser được chế tạo đầu tiên trên thế giới, gồm đơn tinh thể Al2O3 với các
ion Cr3+ . Thường là thanh trụ từ Φ6 ÷ Φ 50 mm dài 50 ÷ 500 mm có độ bền cơ
hóa học cao, dẫn nhiệt tốt . Kéo ở 2000oC với độ ổn định nhiệt 1/ 10o C để đảm
bảo đồng nhất.Chất nền của Al2O3 có màu đỏ, khi pha Cr3+ trở nên màu hồng và
trở nên trong suốt với ánh sáng xanh lá cây và tím.
4F1
4F2
2A
420nm
E
R1 R2
550nm
4A2
3
Sõ đồ cấu tạo của thiết bị phát Laser Ruby
Bộ nguồn
4
4F7/2
4F5/2
4F3/2
730nm
1064nm
800nm
4I11/2
4I9/2
5
Độ nghịch đảo tích lũy thực hiện chủ yếu bằng phóng điện chất khí. Thường
sử dụng thêm va chạm cộng hưởng và phân rã ở mức laser dưới bằng va chạm
để làm tăng mật độ nghịch đảo độ tích luỹ dạng Laser 4 mức.
Cấu tạo chung của laser khí gồm một ống chứa khí bằng thủy tinh hoặc thủy
tinh thạch anh đường kính từ 1 mm đến vài cm và dài từ vài chục cm đến hàng
chục mét, đặt giữa 2 gương song song nhau.
Hai cách bố trí gương: là gương đặt trong buồng thuỷ tinh và đặt ngoài. Song
thường sử dụng gương đặt ngoài.
Gương đặt ngoài ống phóng khí có các ưu điểm:
-Hệ cơ điều chỉnh gương đơn giản không cần giải quyết vấn đề kín khí.
- Tuổi thọ ống khí dài hơn vì không có chi tiết cơ khí nằm trong làm giảm chất
lượng khí.
- Độ bền gương tăng vì không bị ion bắn phá và không bị bong tróc gương
trong môi trường chân không cao và dễ thay thế.
- Ống khí chế tạo đơn giản hơn vì không phải gắn giữa thủy tinh và kim loại.
- Dễ dàng đặt vào buồng cộng hưởng các linh kiện điện chế hoặc chọn lọc
những dịch chuyển bức xạ cần thiết.
Nhược điểm gương ngoài: Tiêu hao hai đầu ống do phản xạ , hấp thụ ,
tiêu hao do tán xạ phụ thuộc góc tới, chiết suất và dạng phân cực của ánh sáng.
2.2.2 Laser He- Ne
Laser khí đầu tiên được Lavan, Beneti, Heriot chế tạo 1961 và hiện được dùng
rộng rãi nhất.
Khi phóng điện cả Neon và Heli bị kích thích. Do 2 mức 21S0 và 23S1 của He
gần 3S2 và 2S2 của Ne xảy ra cộng hưởng do truyền kích thích, Sự tích lũy đó rất
mạnh, song chỉ tạo ra độ tích lũy lớn nhất ở 2 mức 3S2 & 2 S2 của Ne trong 2
lớp 3S và 2S.
Cả 4 bức xạ 632,8nm; 543nm; 1152nm; 3391nm đều tồn tại ở cùng một điều
kiện phóng điện và cùng đặc trưng sự phụ thuộc công suất bức xạ vào các tham
số phóng điện. Có thể chọn lựa một trong 4 bức xạ đó bằng cách chọn gương
laser thích hợp hoặc dùng các phần tử hấp thụ chọn lọc thích hợp trong buồng
cộng hưởng
Nếu tăng dòng phóng điện làm tăng tích lũy mức laser dưới 1s và 2p làm
giảm công suất laser.
Công suất laser phụ thuộc vào dòng phóng điện, áp suất khí, tỷ lệ He- Ne
(thường 9/1), đường kính ống khí và tiết diện.
Dòng tối ưu 2 ÷ 20 mA, nếu dòng tăng thì mức tích lũy laser dưới tăng lên.
Áp suất tối ưu 1 ÷ 2 mmHg , áp suất tăng làm giảm tốc độ điện tử.
6
Đường kính ống to quá cũng làm giảm tốc độ thoát mức tích lũy dưới khi va
chạm nguyên tử Ne với thành ống.
He 21S0 3S2
3391nm 3P
23S1 2S2 632,8nm , 543nm
1152nm 2P
1S
1S0
7
2 6332
M = /2ne =
2
= 6
= 15,4.10-4 nm
2L 2.130.10
Khi đó có thể coi rằng trong phổ tần số chỉ còn một mốt duy nhất với độ
rộng mốt m = 1.10 -6 nm như trên hình 2.6 .
8
B
S1 S2
W P W J
9
Dao động đối xứng v1 ( 1000)
Dao động uốn v2. ( 0200 )
Dao động biến dạng không đối xứng v3 ( 0001 )
Trong phân tử CO2 có các chuyển dịch mạnh nhất: 0001 → 1000 & 0001 →
0201.
Thường mức 0001 chọn làm mức laser trên và 1000, 0200 làm mức laser dưới.
Dịch chuyển 0001 → 1000 cho bức xạ λ = 10,6 μm
0001 → 0201 cho bức xạ λ = 9,6 μm. Với hiệu suất lượng tử 40 % với λ = 10,6
μm và 45 % Với λ = 9,6 μm. Công suất laser CO2 đến 20 ÷ 30 %.
Người ta cho thêm N2 và He làm tác nhân kích thích bơm.
N2 CO2
001 v3
10600nm
9600nm
100 v2
020 v1
010
10
mà một loại có mật độ điên tử lớn gọi là loại n, một loại mà mật độ lỗ trống lớn
gọi là loại p như hình 2.10.
Dải dẫn
Hình 2.10. Biểu đồ dải năng lượng cho bán dẫn p&n
Bán dẫn loại n số điện tử ở vùng dẫn rất nhiều, còn bán dẫn loại p số lỗ trống ở
vùng hoá trị rất nhiều. Các loại bán dẫn thuần không thể tạo ra các điều kiện
cần thiết cho việc phát ánh sáng hiệu quả . Trong thực tế người ta chế tạo laser
bán dẫn với cấu trúc tạp chất khác nhau với tiếp giáp p-n.
Ở lớp tiếp xúc p-n, các điện tử và lỗ trống gần chỗ tiếp giáp có đủ năng lượng
để khuếch tán qua phía bên kia. Ở đây chúng có thể kết hợp với phần tử mang
điện ngược dấu. Một lớp mới được tạo ra mỗi bên của tiếp giáp, gọi là lớp trống
không có phần tử mang điện tích tự do, hình thành một véc tơ điện thế ngang
qua lớp trống từ phía n sang p.
Năng lượng
điện tử Vùng nghèo Vùng giàu
điện tử điện tử
qV0
Chiều dài
tinh thể
11
Nói cách khác, sự chuyển đổi các phần tử mang điện đa số qua lớp tiếp giáp bị
chặn lại. Điều này duy trì cho tất cả các phần tử đa số dù cho chúng được sinh ra
hoặc đưa vào do kích thích bằng nhiệt . Mặt khác các cặp điện tử và lỗ trống
liên tục được sinh ra do nhiệt ở mỗi bên tiếp giáp. Các điện tử được tạo ra ở phía
p là phần tử mang điện thiểu số sẽ bị kéo qua tiếp giáp tới phía n nhờ véc tơ điện
thế. Tương tự như vậy đối với lỗ thiểu số ở phía n. Điều này dẫn đến trạng thái
cân bằng ở nơi mà số điện tử khuếch tán qua từ n-p cân bằng với lỗ trống từ p
sang n, kết quả cuối cùng không có dòng điện chảy qua tiếp giáp. Độ lớn của
điện thế cân bằng qua tiếp giáp là V0.
Khi đặt một điện áp phân cực thuận lên tiếp giáp p-n. Cả hai loại phần tử
mang điện đa số đi qua lớp tiếp giáp vì hàng rào năng lượng giảm.Dòng này gọi
là dòng phun. Ở chỗ tiếp giáp các phần tử mang điện có thể kết hợp lại với các
phần tử mang điện trái dấu và dẫn đến phát xạ tự phát. Bước sóng dài nhất có
thể phát ra tương ứng với một điện tử rơi từ đáy vùng dẫn tới đỉnh vùng hoá trị
được cho bởi :
c = he/WG
Ở đây WG là năng lượng của vùng trống. Bước sóng càng ngắn được phát ra
khi điện tử rơi từ trạng thái năng lượng càng cao trong vùng dẫn .
Trong loại diode tiếp giáp p-n bình thường phát xạ tự phát là chủ yếu nên tạo
nên diode phát quang LED. Khi có buồng cộng hưởng quang thì phát xạ kích
thích là chủ yếu và tạo nên diode laser .
2.3.2 Laser diode
Laser diode đầu tiên bao gồm một đơn tinh thể của Ga –As, kích thích theo
dạng tiếp giáp p-n và được đặt một điện thế ban đầu.
Hình 2.12. Cấu trúc đơn giản của diode laser tiếp giáp đơn
12
Tạo phân bố đảo và tăng khả năng tái hợp lại, khoảng 1mm độ rộng gọi là
vùng hoạt động laser, điều quan trọng ở đây là mật độ dòng cao hàng trăm ampe
trên mối mm2. Khởi đầu cho sự phát laser được đặc trưng bởi dòng phun gọi là
dòng ngưỡng, dưới dòng ngưỡng Ith này, sự phát xạ ánh sáng là tự phát và
không kết hợp. Ở hai đầu của diode được đánh bóng tạo buồng cộng hưởng
quang, các cạnh bên được làm nhám để tán xạ ánh sáng, hình 2.12.
Để hoạt động có hiệu quả cải tiến hiệu suất của diode laser bắng cách thay đổi
cấu trúc lớp tiếp giáp đơn đơn giản. Quanh lớp hoạt động với vùng có hệ số
khúc xạ thấp hơn chính lớp hoạt động sự phát xạ laser bị hạn chế theo chiều
ngang trong vùng tiếp giáp hẹp này. ở đây nó có thể kích thích nhiều photon
hơn, Đây là một loại hiệu quả dẫn sáng, cấu trúc tiếp giáp đơn như vậy có thể
tạo ra các xung laser ngắn với năng lượng cao tới vài Wat đối với dòng phun
trong khoảng 1-40 A. Cải tiến hơn nữa là diode tiếp giáp kép khác nhau DH,
giảm vùng hoạt động xuống, bằng cách kẹp giữa một lớp kép mang dòng
ngưỡng xuống tới hàng trăm mA và cho phép hoạt động cả ở hai mode liên tục
xung. Cải tiến này cho chất lượng chùm tia laser dẫn mà chùm của nó bị giới
hạn theo cả phương dọc lẫn phương ngang do các lớp có hệ số khúc xạ khác
nhau các laser dẫn (laser sọc) đạt đợc hiệu xuất tương tự do hạn chế dòng chảy
qua diode, do đó sự phát ánh sáng theo một đường sọc ở tâm. Dòng phát thấp
hơn vài chục mA, đèn hoạt động kéo dài. Ngược với loại này là hàng trăm A cần
cho hoạt động của diode đơn gốc .
13
hợp chất khác nhau như Gax, Al1-x , As và thay đổi nồng độ kích thích do tỷ lệ
Ga:Al. Dịch chuyển quang học xẩy ra do các dải năng lượng rộng, độ rộng
đường của tia sáng phát ra lớn hơn các laser khác và điển hình từ 5-10 nm
.Buồng cộng hưởng có chiều dài nhỏ hơn 500 m ,đưa khoảng cách mode dọc
tới vài trăm GHz và vì vậy chiều dài kết hợp giảm xuông vài mm. Vì bức xạ
laser được phát xạ từ một vùng hoạt động nhỏ gọn , nhiễu xạ gây ra sự phân kỳ
cao, tia ra có dạng elip.
Nguồn nuôi cho diot laser
Laser bán dẫn có đặc điểm là công suất và phổ phát xạ phụ thuộc vào dòng
nuôi. Bởi vậy , việc ổn định dòng nuôi đó là hết sức quan trọng.
Trên hình 2.14, là một mạch nguồn điển hình. Dòng không đổi nhận được bởi
sự thay thế một diode zener vào chỗ của trở kháng, thường giữa nền và đất.
Dòng đi qua laser diode được cho bởi:
I0=VI - VBE/RE
VI : là điện áp phá hỏng của diode zener
VBE : điện áp Bazer- Emiter
RE : trở kháng Emiter.
14
2.3.3 Laser bán dẫn đơn mốt.
Laser bán dẫn tuy có buồng cộng hưởng rất ngắn cỡ 1mm,song do cấu trúc
tinh thể bán dẫn vẫn còn có các mốt bên ngoài mốt chính.Để có được laser đơn
mốt phải đạt được tỷ lệ nén biên độ giữa mốt chính và các mốt bên rất lớn , khi
đó trong tia laser hầu như chỉ tồn tại một mốt dọc chính.Khoảng cách giữa các
mốt kề nhau :
= m- m+1 = m2 / 2nL
Trong đó : n là chiết suất nhóm , khi L=200400 m thì = 0,51nm.
Trong các laser diode thường dạng tiếp xúc sọc , dòng điện ngưỡng khá lớn
và thường không dưới 120mA. Để giảm dòng điện ngưỡng và hoạt động dưới
chế độ đơn mốt , người ta sử dụng cấu trúc dị thể chôn BH(Buried-Hetero
structure)trong cấu trúc này, dòng điện qua điốt được hướng chảy vào vùng hoạt
tính giống như một cái giếng đặt sẵn ,hình 2.15. Các tiếp giáp dị thể ở hai cạnh
của vùng hoạt tính có tác dụng giam hạt đa số , nó đạt được mật độ dòng phóng
rất cao vì bề rộng vùng hoạt tính có thể rất hỏ cỡ 2m hoặc nhỏ hơn. Các tiếp
giáp dị thể cũng tạo ra một ống dẫn quang hẹp nên laser thường hoạt động ở chế
độ mốt đơn . Dòng điện ngưỡng của loại laser điốt BH chỉ cỡ 30mA.
Để tăng độ đơn sắc người ta còn sử dụng hai nguyên tắc chọn lọc mốt và nén
các mốt bên là laser DFB và laser DBR.
15
Để hiện tượng giao thoa sóng xảy ra thì sau một chu kỳ của cách tử pha , sóng
phải thay đổi 2m , trong dó m là số nguyên , được gọi là bậc nhiễu xạ Bragg:
2m = 4ln/B
trong đó : n là chiết suất hiệu dụng của mốt ( n3,4 đối với bước sóng 1,55m
của InGaAsP laser ; l là chu kỳ của cách tử ;
Nếu điều khiện trên không được thoả mãn thì ánh sáng tán xạ từ cách tử sẽ
giao thoa triệt tiêu lẫn nhau, kết quả là sóng không thể lan truyền đi được.Khi
m=1 thì bước sóng B được gọi là bước sóng Bragg bậc một và B =2ln
16
trong vùng hoạt tính , nhưng chỉ có một bước sóng được phản xạ trở lại và được
khuyếch đại .
Hai loại laser DFB và DBR có hệ số nén môt rất cao , trên thị trường hiện nay
tỷ số nén mốt này có thể đạt tới 30 đến 35 dB. Dòng điện ngưỡng của cả hai loại
điốt này chỉ cỡ 20mA và độ rộng vạch phổ nhỏ hơn 0,5nm . Do các laser điốt
này sử dụng các cách tử để chọn lọc một bước sóng nào đó , nên khi nhiệt độ
của laser biến thiên sẽ làm các cách tử giãn ra hoặc co lại , dẫn đến bước sóng
chọn lọc bị thay đổi. Để ổ định nhiệt độ của laser người ta dùng các bộ điều
khiển nhiệt độ bằng bộ làm lạnh bán dẫn Peltier hoặc pin Vantre.
17