Capítol 0: Electrònica Física

ELECTRÒNICA FÍSICA 1
CAPÍTOL 0
0. INTRODUCCIÓ
0.1 Breu Introducció Històrica
Per tal d’emmarcar d’una manera breu els continguts de l’assignatura podríem definir
l’Electrònica Física com la part de la Ciència dedicada a l’anàlisi dels principis físics que regulen el
moviment de càrregues elèctriques als materials semiconductors i els fenòmens derivats d’aquest
moviment. L’estudi dels dispositius elementals per a governar el moviment d’aquestes és l’objectiu de
la Física de Dispositius. Avançant cap a la utilitat d’aquesta ciència, definirem l’Electrònica
Aplicada com el camp de la tecnologia que estudia les característiques dels dispositius electrònics i la
forma d’interconnectar-los per configurar circuits i sistemes que:
- capten la informació codificada mitjançant un senyal elèctric

- la processen per a obtenir nous senyals que actuï n sobre sistemes ulteriors
- transmeten la informació a distància
- transformen l’energia elèctrica en una altra forma d’energia
- controlen aquesta energia elèctrica i a través d’ella altres manifestacions de l’energia.
Inclou doncs, les tècniques de fabricació, disseny i modelització de dispositius i l’anàlisi i la

síntesi en la l’aplicació en circuits i sistemes basats en dispositius semiconductors així com el disseny,
anàlisi i fabricació de dispositius transductors a altres formes d’energia.
Presentarem breument una evolució històrica de l’Electrònica en correlació als avenços en quatre
àrees fonamentals:
• Ciència: ressaltarem aquelles teories en les que es fonamenta l’Electrònica.

• Tecnologia: destacarem aquells “invents” que ens permetin identificar la realitat tecnològica del
moment.
• Semiconductors: assenyalarem l’estat de desenvolupament de la tecnologia de fabricació de
dispositius semiconductors.
• Dispositius: comentarem els dispositius que suposaven la “modernitat” del moment.
Si iniciem el nostre viatge cronològic cap allà finals del segle XIX inicis del XX, podríem
destacar en el camp del coneixement el formulisme de les lleis de Maxwell de l’Electromagnetisme
(1873) i la determinació experimental del valor de la càrrega de l’electró per part de Millikan (1908).
2 CAPÍTOL 0. Introducció
En quant al llenguatge bàsic en que s’hauria d’escriure l’electrònica, parlem de la Teoria de Circuits,
ja disposàvem de la formulació de la llei d’Ohm (1827) i de les lleis de Kirchoff (1847) així com
alguns teoremes importants com el de Thevenin (1883). Finalment es coneixia la manifestació de
certs fenòmens físics als materials com l’Efecte Hall, Seebeck i Peltier, però encara no s’havia trobat
una explicació completa dels mateixos. En aquest punt, el camp dels semiconductors es trobava en
situació embrionària havent cobert l’objectiu d’obtenir Si pur a partir del SiO2 de la natura mitjançant
processos químics. La tecnologia però, ja havia contribuï t a la millora de les comunicacions, basant-
se en un suport sòlid proporcionant-nos invents com el telègraf i el telèfon o amb la invenció de la
ràdio amb emissió i recepció per antenes. Com a precursors dels dispositius electrònics, podríem
referir-nos en aquest moment a les bombetes inventades per Edison.
Arribem al període comprès entre el 1895-1930. Ja s’ha avançat una mica més en el “llenguatge” i
ara disposem d’eines com les Transformades de Fourier i Laplace. Però és en el camp de la Física de
l’Estat Sòlid on es produeixen els avenços més espectaculars. La revolució de la Mecànica Quàntica
amb les contribucions de Planck i Einstein, els postulats de Schrödinger i Pauli, la descripció
estadística de Fermi-Dirac, la teoria quàntica de la conductivitat de Sommerfeld i el formulisme de les
funcions d’ona de Bloch en un cristall periòdic constitueixen els pilars fonamentals sobre els que
s’assenta l’Electrònica. En aquest moment s’estableix una clara diferenciació dels materials entre
metalls i semiconductors i aï llants. Podem dir doncs, que ja es coneix tota la base teòrica necessària
per modelitzar el funcionament de dispositius semiconductors basats en estat sòlid, però es desconeix
la tecnologia per la seva realització. En quant a la vessant tecnològica, ens endinsem cap a l’era de les
Radiocomunicacions. En aquesta etapa es desenvolupen la major part dels sistemes electrònics, que
han arribat fins a la nostra època només essent adaptats a les noves tecnologies. En el camp dels
semiconductors ara ja es pot obtenir Si monocristal·li (Czochralski 1917), però els dispositius
electrònics del moment no són d’estat sòlid sinó encara basats en l’efecte termoiònic. Així trobem
díodes i tríodes com a vàlvules rectificadores i amplificadores respectivament, del tamany d’una
bombeta. No obstant podem anomenar aquesta etapa com la del naixement de l’Electrònica per dos
motius: el desenvolupament de la Física Quàntica i la Teoria d’l’Estat Sòlid i per altre banda
l’aparició dels primers dispositius actius que encara que essent vàlvules, van permetre la configuració
de sofisticats aparells electrònics com amplificadors, oscil·loscopis, moduladors,….
A partir d’aquest moment, ja no hi hagut avenços científics tan espectaculars i significatius per
l’electrònica com els destacats. Entre 1930 i 1945, és la tecnologia de les comunicacions la que
gaudeix d’un enorme impuls “gràcies” a l’impacte de la Segona Guerra Mundial. Així, es consoliden
nous invents con el radar i el sonar, a l’hora que el mon de la imatge enceta un nou domini amb la
televisió i apareixen les primeres computadores. Simultàniament es descriu l’efecte rectificador en un
contacte Schottky de Ge i comencen a aparèixer els primers dispositius d’estat sòlid.
El 1947 constitueix un punt d’inflexió en l’evolució de l’Electrònica marcat pel descobriment de

l’efecte transistor en dispositius d’estat sòlid (Schokley-Bardeen-Brattain). És doncs en aquest quart
camp on es pateix la revolució més important en aquesta etapa. Totes aquelles vàlvules dels aparells
electrònics poden ser substituï des per elements molt més petits, que a més, connectats sense cables
amb l’aparició del Circuit Imprès engegaran una cursa cap a la miniaturització dels sistemes
electrònics. La tecnologia de semiconductors pateix també una forta embranzida aprofundint en
tècniques de creixement de materials, oxidacions, dopatge, litografia,.. en el que s’anomena
Tecnologia Planar que ens permet realitzar configuracions cada vegada més complexes i petites obrint
el camí cap el circuit integrat. La teoria de Shannon de 1948 serà també d’especial rellevància en
quant al tractament del senyal i Teoria de la Informació.
Fig. 0.1: D’esquerra a dreta William Bradford Shockley, John Bardeen Walter Houser
Brattain, premis Nobel de Física l’any 1956 pel descobriment de “l’Efecte Transistor”.
És a partir de 1960 quan entrem dintre l’era de la Microelectrònica amb una escalada
de vertigen en el nivell d’integració d’elements en un únic circuit integrat possibilitant la
configuració de sistemes que realitzen funcions cada vegades més complexes i completes.
Paral·lelament, la discretització i codificació d’un senyal elèctric continu (senyal analògic) en
un codi binari d’uns i zeros, fonament de l’electrònica digital, i el desenvolupament de les
anomenades famílies lògiques evoluciona cap a la realització d’unitats que permeten tant
l’execució d’operacions matemàtiques amb nombres codificats en binari com les operacions
amb proposicions lògiques analitzant la veritat i falsedat de les mateixes. Així es revoluciona
novament el mon de l’electrònica evolucionant cap al disseny de sistemes microprocessadors
programables per a la execució de múltiples funcions. Hem revolucionat el mon de les
computadores des de l’ENIAC, primera computadora electrònica basada en vàlvules de buit,
amb màquines cada vegada més petites, més ràpides i de propòsit més general. Si a això
afegim el desenvolupament en el domini de sensors i actuadors, i en la conversió analògic-
digital del senyal, se’ns eixampla l’entorn cap el control i automatitzacions dels processos
industrials així com cap el domini de les comunicacions en un mon de tractament digital de la
informació en el que ens trobem immersos en l’actualitat.
Fig. 0.2: Primera computadora electrònica l’ENIAC, Fig. 0.3: Detall dels dispositius electrònics de
que ocupava una sala de 9 x 15 m. l’ENIAC construits amb vàlvules de buit (1946).
0.2 Classificació dels materials
Una primera classificació dels materials es pot fer atenent a la seva resistivitat ρ (Ω.cm):
• Metalls 10-6 - 10-4 Ω.cm

• Semiconductors 10-4 - 108 Ω.cm
• Aillants >108 Ω.cm
A més a més dáquesta classificació quantitativa de la resistivitat, també podem fer una
classificació basada en el comportament de la mateixa amb la variació de la temperatura:
T
• Metall ρ = ρ 0 ( 1 + αT ) ≈ ρ 0 ρ0 ≡ resistivitat a 0ºC, T0 = 273 K
T0
α ≡coeficient de temperatura =1/273
EG
• Semiconductor ρ = ρs e kT EG ≡ energia dáctivació (gap)
i aïllant
Com podem veure la resistivitat dún semiconductor disminueix amb láugment de temperatura
exponencialment. Aquesta dependència exponencial depèn dún paràmetre EG anomenat energia
dáctivació o gap del semiconductor, que és lénergia necessària per a generar portadors que facin
apreciable la conductivitat. A la taula 0.I es recullen alguns valors de gap de semiconductors i aïllants.
En canvi, per a un metall, observem que la resistivitat augmenta amb la temperatura. La intepretació
d’aquest diferent comportament es concreta en:
• Metall: existeixen portadors lliures independentment de la temperatura.

• Semiconductor i aïllant: és necessari comunicar una energia suplementària per a la
creació de portadors de càrrega (EG). En el cas de l’aïllant l’energia d’activació és molt
elevada i a temperatures de treball usuals la conductivitat és menyspreable.
Material Gap (eV)

Semiconductors Ge 0.7
Si 1.12
GaAs 1.43
GaP 2.1
ZnO 3.2
Aïllants C (diamant) 5
SiO2 8
Taula 0.1. Valor d’energia de la banda prohibida d’alguns semiconductors i aïllants usuals.
Veiem alguns exemples de materials semiconductors:

• Elementals: Si, Ge
• Binaris: IV-IV: SiC, SiGe
III-V: InAs, AlAs, InP, GaAs, InSb, GaN
II-VI: ZnO, CdS
IV-VI: PbS
• Aleacions ternàries i quaternàries: III-V: AlxGa(1-x)As , InxGa(1-x)As, GaxIn(1-x)As(1-y)Py
IV-IV: Si1-x-yGexCy, …
0.3 Models teòrics qualitatius
0.3.1 Model covalent
Els models dénllaç iònic no expliquen el comportament de moltes substàncies. Per a que es
trenquin els enllaços necessitem unes energies díonització d’aproximadament 8 eV, mentre que per
exemple per al Si, a una energia més gran que 1.1 eV podem tenir electrons quasi-lliures. Aquesta
situació queda explicada a partir dels models dénllaç covalent basats en léstructura atòmica dels
elements.
Els electrons dún àtom ocupen diferents estats caracteritzats per quatre nombre quàntics: n,l,m
i s. Els electrons es distribueixen en capes en funció dels valors dáquests nombres i lénergia que
tenen associada. Les afinitats electròniques dels diferents elements venen donades per la configuració
de l´última capa ocupada o semi-ocupada. Veiem quines són les configuracions que caracteritzen
alguns materials del grup IV:
• Metall Sn 50 1s2 2s2 2p6 3s2....4p6 4d10 5s2 5p2
• Semiconductor Ge 32 1s2 2s2 2p6 3s2 3p6 4s2 4p2

Si 14 1s2 2s2 2p6 3s2 3p2
• Aillant C 6 1s2 2s2 2p2
Podem veure que en el cas dels semiconductors la capa més superficial és de tipus s2p2. Aquests
orbitals promocionen un electró s a un orbital p, donant lloc a una hibridació de tipus sp3, originant
una configuració dénllaç tetraèdric, amb un angle entre enllaços α=108º, que condueix a la
cristalització del semiconductor en estructura cúbica. En general, la major part dels semiconductors
cristal.litzen en estructura diamant, o zinc-blenda si es tracta d’aliatges semiconductors.
Fig. 0.4: Esquema de l’estructura diamant del Si mostrant la configuració d’enllaços tetraèdrica.
(1)
e-
-
(2)
e-
(3)
Fig. 0.5: Esquema simple de la configuració cristal·lina d’una xarxa de Silici representant amb línies els
enllaços covalents amb els àtoms veïns i els mecanismes de conducció per electrons i forats.
Els mecanismes de conducció en un semiconductor séxpliquen de manera simple i intuitiva si

considerem la configuració tetraèdrica com a quatre parells délectrons compartits. Si un dáquests
enllaços es trenca, podem considerar que es crea un portador de càrrega lliure (electró) al cristall,
deixant un enllaç no saturat. Si ara sáplica un camp elèctric lélectró lliure podrà desplaçar-se en el
sentit contrari al camp aplicat (mecanisme 2 a la figura 0.5). Serà doncs una conducció per portadors
de càrrega negatius. Però també podem considerar el fet que un electró de valència es desplaci dún
àtom a un altre per tal de saturar un d’aquests enllaços lliures, de manera que deixi buit lénllaç del
qual formava part (mecanisme 3 a la figura 0.5). Aquesta situació equival a un moviment net de
càrrega positiva en el sentit del camp aplicat i representem aquest portador de càrrega amb el
concepte de forat.
Així doncs, hem dássenyalar que contràriament al que succeeix en un metall (on la conducció es
deguda únicament als electrons), en un semiconductor la conducció serà deguda als dos tipus de
portadors i, per tant, representem la conductivitat del material com:
σ = e ⋅ n ⋅ µn + e ⋅ p ⋅ µ p
on n i p són les concentracions d’electrons i forats, respectivament, i on µn i µp són les seves
mobilitats (la mobilitat és la velocitat estacionària assolida pels portadors per unitat de camp elèctric,
tal com veurem més endavant).
0.3.2 Teoria de bandes
Un cristall està format per una disposició ordenada d´àtoms relativament pròxims. Suposem que
tenim dos nuclis atòmics propers N1 i N2 de manera que existeix una regió dínteracció (solapament)
del potencial coulombià i fem la hipòtesi que els electrons més interns no sofreixen cap pertorbació
degut a la seva proximitat al nucli. Si lélectró té energia suficient per a romandre a la zona de
solapament dels potencials, la regió de màxima probabilitat de trobar-lo abarcarà l’entorn dels dos
nuclis i no podem parlar de que l’electró estigui lligat a un d’ells. Parlarem d’un electrò semi-lliure,
que participarà en els processos de conducció. Els seus estats energètics es veuen perturbats respecte
els estats d’un electró lligat al nucli. La descripció dáquesta pertorbació és objecte de la mecànica
quàntica, i la idea principal que se néxtreu és que lácoblament entre els orbitals més externs dels
àtoms dóna lloc a nivells dénergia molt propers entre si en comptes dels nivells discrets de l´àtom
aillat.
Considerem ara un volum de material cristal.lí amb N àtoms els nuclis dels quals ocupen una
posició fixa en una distribució periòdica.
Fig. 0.6: Esquema del les bandes d’energia permeses en funció del paràmetre de xarxa del cristall.
• Si la separació entre àtoms és molt gran, podem esperar que els estats permesos en el
sistema no siguin més que una superposició dels estats possibles en un àtom aillat. (Regió I
a la figura 0.6).
• Si disminuïm la distància interatòmica cada àtom exercirà una força elèctrica sobre els que
lénvolten: existeix un acoplament entre els àtoms que dóna lloc a un solapament de les
funcions dóna. Llavors el cristall constitueix un sistema electrònic que ha dóbeir el
principi déxclusió de Pauli, pel que els estats que abans estaven degenerats ara es separen
en energia. Dáquesta manera apareix una multiplicitat de nivells permesos tals que, com la
distància entre nivells és petita en energia, es denominen bandes dénergia. Aquest
desdoblament de nivells pot originar un solapament de les bandes a mesura que el paràmetre
de xarxa del cristall considerat disminueix. (Regió II de la figura 0.6).
• La resolució de léquació de Schrödinger pel sistema total de N àtoms i els seus electrons de
valència donarà els estats electrònics permesos. El resultat per als semiconductors usuals és
però que el solapament de les bandes es desfà per a paràmetres de xarxa petits (≈ 3-4 A)
originant láparició dúna banda prohibida o gap, que separa la banda de valència de la
banda de conducció. A temperatures pròximes al zero absolut, la banda de valència es troba
totalment ocupada pels electrons mentre que la de conducció roman buida. Quan la
temperatura augmenta, es fa possible que un electró situat a la banda de valència posseeixi
lénergia suficient per a “saltar” a la banda de conducció on podrà participar en els

fenòmens de conducció que sésdevinguin al semiconductor. (Regió III de la figura).
0.4 CLASSIFICACIÓ DELS SEMICONDUCTORS
0.4.1 Semiconductors intrínsecs i extrínsecs

La classificació dels semiconductors en intrínsecs i extrínsecs els distingeix per la natura dels
seus processos de conducció, veiem quina és la diferència entre ells:
semiconductor intrínsec: és aquell en que la generació de portadors únicament es fa a través

de la generació de parells electró-forat, és a dir, mitjançant el trencament dénllaços de valència entre
àtoms del mateix tipus.
EC
ED
EA
EV
T=0K T≠ 0K T=300K
Fig. 0.7: Esquema de la ionització de les impureses a mesura que augmentem la temperatura. a) Al zero
absolut, totes les impureses estan en estat neutre. b) Si tenim prou temperatura com per ionitzar la impuresa, les
donadores cediran el seu electró a la banda de conducció quedant ionitzades positives; les acceptadores
captaran electrons de valència deixant forats a la banda de valència. c) Per impureses que introdueixen nivells
molt poc profunds (molt a prop de les bandes) a temperatura ambient es troben ja pràcticament totes ionitzades.
semiconductor extrínsec: si a un semiconductor li introduïm una certa concentració d´àtoms

dún element diferent (impureses) direm que hem dopat el semiconductor i que llavors aquest és
extrínsec. Depenent dels electrons de valència dáquesta impuresa podem considerar:
-impuresa donadora: considerem impureses del grup V de la taula periòdica que

ocupin posicions substitucionals en una xarxa de Silici. Quatre dels cinc electrons de valència
de la impuresa formaran enllaços covalents amb els àtoms de Si veïns. El cinquè electró
quedarà feblement lligat, de manera que si hi ha un increment dénergia del sistema serà molt
fàcil trencar aquest cinquè enllaç. Tindrem aleshores un electró lliure que pot participar en els
fenòmens de conducció i una impuresa ionitzada positiva fixa a la xarxa cristalina. Diem doncs
que aquestes impureses “donen” electrons a la banda de conducció.
-impuresa acceptadora: dopant el semiconductor de Si amb àtoms dún element del

grup III de la taula periòdica, les impureses en posicions substitucionals aporten tres electrons
als enllaços amb els àtoms de Si veïns, pel que queda un enllaç impuresa-àtom de Silici per
saturar. La afinitat de la impuresa per a capturar un quart electró i compartir així la totalitat
dénllaços covalents serà molt gran. Si aconsegueix captar un electró tenim aleshores una
impuresa ionitzada negativa fixa a la xarxa, però s´haurà creat un forat en un altre enllaç proper
que a partir dáleshores podrà allunyar-se del seu punt dórigen si dáltres electrons el van
“saturant”. Tot i que són els electrons els que salten dún enllaç a un altre, podem considerar
aquest fenòmen com conducció per portadors de càrrega positiva (forats).
La procedència dels portadors en un semiconductor extrínsec, no és únicament deguda a la presència

dímpureses donadores o acceptadores, sinó que a una certa temperatura, sésdevé també la generació
de parells electró-forat (únic mecanisme de generació de portadors dún semiconductor intrínsec). Per
aquesta raó, en un semiconductor dopat contribueixen a la conducció tant els electrons com els forats,
encara que la concentració dúns i dels altres no serà la mateixa, sinó que dependrà del tipus
dímpuresa amb que hagi estat dopat:
-semiconductor de tipus n: si les impureses presents al semiconductor són donadores, els

portadors que generaran seran electrons (n). Aquests seran doncs els portadors majoritaris en aquest
semiconductor, mentre que els forats, al procedir únicament de la generació de parells seran els
portadors minoritaris.
-semiconductor de tipus p: quan el dopatge es realitza amb impureses acceptadores, el

nombre de forats (p) és superior al délectrons, pel que aquests últim són els portadors minoritaris.
ELECTRÒNICA FÍSICA I-1
Capitol I
1. ESTRUCTURA DE BANDES DELS SEMICONDUCTORS
1.1 Nocions elementals de cristal·lografia
1.1.1 Xarxa de Bravais
Un cristall està format per un conjunt d’àtoms en disposició ordenada. Aquest ordre forma una
estructura definida que depèn dels enllaços que estableixin els àtoms del cristall. La modelització del
cristall es realitza mitjançant el concepte de xarxa de Bravais.
Una xarxa de Bravais es defineix com una disposició infinita de punts a l’espai amb una
ordenació i orientació que sigui exactament idèntica des de qualsevol punt d’aquesta xarxa en què ens
situem per a observar-la. Una xarxa de Bravais tridimensional està formada per tots els punts amb vector
de posició de la forma:
r r r r
R = n1a1 + n 2 a 2 + n3 a 3 (1.1)
r r r
on a1 , a 2 i a3 són tres vectors no coplanars, que s’anomenen base, i n1 ,n2 i n3 valors enters. En general
la major part de les xarxes cristal·lines no compleixen les restriccions de xarxa de Bravais, però tot i així
sempre podem reagrupar els àtoms de forma que ens aparegui una nova distribució que sí correspon a la
definició. Quan associem una base atòmica idèntica per a cada nus de la xarxa obtenim el cristall real.
1.1.1.1 Cel·la primitiva
La cel·la primitiva és aquell volum mínim de la xarxa de Bravais que quan es trasllada en l’espai
r
segons totes les possibles direccions determinades pels vectors R aconsegueix reproduir sense
r r r
solapaments ni forats la xarxa de Bravais. Els tres vectors primitius a1 , a 2 i a3 defineixen un
paral·lelepíped de volum v que determina la cel·la primitiva i que conté un sol nus segons:
r r r
v = a1 • (a 2 ∧ a 3 ) (1.2)
Tenint en compte les propietats de simetria que ha de complir una xarxa per a ser xarxa de Bravais,
només hi ha set sistemes cristal·lins a partir dels quals s’extreuen catorze xarxes de Bravais diferents. La
cúbica simple, la FCC (xarxa cúbica centrada a les cares, Face Centred Cubic) i la BCC (xarxa cúbica
centrada al cos, Body Centred Cubic) són les més importants per a nosaltres.
I-2 CAPITOL I. Estructura de bandes dels semiconductors
Figura 1.1: Les 14 xarxes de Bravais i els 7 sistemes cristal·lins.

1.1.1.2 Cel·la de Wigner-Seitz
En l’estudi de certes propietats del cristall de

vegades és més útil definir una cel·la primitiva d’una altra
manera. La cel·la de Wigner-Seitz està formada a partir
d’un punt de la xarxa i prenent tota la regió de l’espai més
pròxima a ell que a cap altre punt. És a dir, el volum de la
cel·la està limitat pels plans perpendiculars que parteixen
justament per la meitat els segments d’unió del punt de la
xarxa escollit amb els seus veïns més propers.
1.1.2 Xarxa recíproca

Figura 1.2: Cel·la de Wigner-Seitz de la
xarxa cúbica centrada a les cares (FCC).
La xarxar recíproca és una xarxa de Bravais a
l’espai de les k (espai recíproc) formada a partir d’una
r
xarxa de Bravais a l’espai R o xarxa directa. L’espai recíproc és un concepte que facilita l’estudi
d’estructures periòdiques i la descripció dels fenòmens que s’hi esdevenen. Si un vector de la xarxa de
Bravais es defineix com (1.1), els vectors unitaris de la xarxa recíproca són:
r r r r r r
r a ∧a r a ∧a r a ∧a
b1* = 2π r 2 r 3 r b2* = 2π r 3 r 1 r b3* = 2π r 1 r 2 r (1.3)
a1 • (a 2 ∧ a 3 ) a1 • (a 2 ∧ a 3 ) a1 • (a 2 ∧ a 3 )
1a Zona de Brillouin
És el nom que rep la cel·la de Wigner-Seitz d’una xarxa recíproca. El seu volum és el següent:
r * r * r * (2π )3
V b1 • (b2 ∧ b3 ) =
= (1.4)
v
Propietats:
r
• Qualsevol vector de la xarxa recíproca d * és perpendicular a un pla de nusos de la xarxa directa.
r
• La distància d * entre dos nusos de la xarxa recíproca és inversament proporcional a la
r
separació d entre plans respectius de la xarxa directa.
r 2π
d = r* (1.5)
d
• La densitat de nusos a la xarxa directa η és:
2π
η= r (1.6)
v d*
r r
• bi • a j = 2πδ ij
• Si la cel·la primitiva de la xarxa directa és cúbica→ recíproca cúbica
Si la cel·la primitiva de la xarxa directa és FCC→ recíproca BCC
Si la cel·la primitiva de la xarxa directa és BCC→ recíproca FCC
1.1.3 Índexs de Miller
Els índexs de Miller s’utilitzen per descriure les direccions cristal·logràfiques i plans d’un cristall.
L’orientació d’un pla pot donar-se a partir d’un vector perpendicular al mateix, i ja hem vist que els
vectors de la xarxa recíproca són perpendiculars a una família de plans de la xarxa directa. Per aquesta
raó per descriure un pla es tria el vector de la xarxa recíproca més curt amb coeficients enters que li sigui
perpendicular. Així, quan diem que un pla té per índexs (h k l) estem dient que talla els eixos a una
distància de l’origen de coordenades (a/h,b/k,c/l). Anem a veure quins són els passos a seguir per a
realitzar la indexació de plans:
a) Determinar les coordenades axials en les que un pla talla els eixos de coordenades (a,b,c) (si el pla és
paral·lel a un dels eixos, el pla el talla a l’infinit.)
b) Invertir-les (1/a,1/b,1/c)
c) Multiplicar-les pel mínim comú múltiple del denominador per tal d’obtenir (h,k,l) com el conjunt de
nombres enters més petit.
Per a determinar les direccions cristal·logràfiques es segueix un procediment semblant a l’anterior:

1) Dibuixem un vector de longitud arbitrària en la direcció que ens interessa.
2) Projectem el vector als eixos de coordenades tot obtenint les seves components (a,b,c).
3) Busquem el màxim comú divisor per tal d’obtenir el conjunt de nombres enters més petit possible
[h,k,l].
En un sistema cúbic, [h,k,l] és la direcció perpendiular al pla d’indexs (h,k,l) i, per tant, és el vector
director d’aquest pla.
Figura 1.3: Índex de Miller de diferents plans atòmics a una xarxa cúbica simple.
1.1.4 Estructura cristal·lina dels semiconductors fonamentals

Estructura diamant
Aquesta estructura està formada per dues xarxes FCC interpenetrades i desplaçades (a/4,a/4,a/4)
una respecte de l’altra, on a és el paràmetre de xarxa. D’aquesta manera cada àtom està envoltat per
quatre veïns i apareix una estructura tetraèdrica d’enllaços, tal com es mostra a la figura 1.4, amb un
àtom a cada nus del tetrahedre i un altre al centre. Aquest és el cas del Si o del C en la forma diamant.
Quan els àtoms que formen les dues xarxes FCC són d’elements diferents, l’estructura rep el nom
de zinc-blenda, i es presenta a la figura 1.4. Vegem quines són les estructures d’alguns semiconductors:
Figura 1.4: Estructura cristal·logràfica dels semiconductors silici (A, estructura

tipus diamant) i arseniür de gal·li (B, estructura tipus zinc-blenda).
Estructura cúbica:
• Diamant: Si, Ge
• Zinc-Blenda: els semiconductors formats per elements III-V (GaAs,..), β-SiC
• Rock-Salt: IV-VI (PbS)
Estructura hexagonal:
• Wurtzita: CdS, α-SiC
1.2 Equació de Schrödinger en un cristall

L’expressió del hamiltonià en un cristall tenint en compte els electrons, els nuclis atòmics, les
seves energies cinètiques i les interaccions entre ells té la forma:
− h2 − h2 1 e2
H= ∑ i 2m
∆i + ∑
α 2M α
∆α +
2
∑∑ 4πε
i≠ j
r +
0 rij
(1) (2) (3)

2
(1.7)
1 e Zα Z β e Zα 2
∑∑
2 α ≠β
r −
4πε 0 Rαβ
∑∑
iα (
r r
4πε 0 ri − Rα )
(4) (5)
r r r
ri : posició de l’electró i-èssim = ri − r j
r r r
ri j = ri − r j : distància entre els electrons i-èssim i j-èssim
r
Rα : posició de l’àtom α
r
Rα β : distància entre els àtoms α i β
A l’equació (1.7) els diferents termes són l’energia cinètica dels electrons (1), l’energia cinètica
dels nuclis (2), l’energia potencial d’atracció entre els electrons (3), l’energia potencial d’interacció entre
els nuclis (4) i l’energia potencial d’atracció entre els electrons i els nuclis (5).
En un cristall on el nombre de partícules és de l’ordre de 1023 per cm3 la resolució del hamiltonià
que descriu el seu comportament és d’una dificultat extrema. Per tal d’extreure informacions interessants
del seu estudi, s’han d’aplicar diverses aproximacions que faciliten els càlculs enormement.
1.2.1 Aproximació adiabàtica de Born-Oppenheimer

Aquesta aproximació es basa en la diferència de masses existent entre els electrons i els nuclis
atòmics. Com que m0« Mα , els electrons tenen una inèrcia molt més petita i, per tant, una major capacitat
de respondre a les pertorbacions externes, és a dir, es mouen molt més depressa que els nuclis i s’adapten
r
ràpidament als seus moviments. D’aquesta manera podem “congelar” els nuclis a les posicions Rα i
estudiar quins estats energètics adopten els electrons al seu voltant. La part electrònica de l’equació
d’Schrödinger queda reduïda a:
H eψ e = Eeψ e (1.8)
on He comprèn els termes (1), (3) i (5) del hamiltonià general H de la fórmula (1.7).
L’energia total depèn del valor propi de H, però podem resoldre la part electrònica per separat.
Encara existeix una altra aproximació més restrictiva, l’aproximació de valència, que considera
que tots els electrons menys els de valència romanen lligats al nucli formant un ió fix. Ψe es calcula per
els electrons de valència sotmesos a un camp de potencial creat per els ions fixes a les posicions
d’equilibri de la xarxa cristal·lina.
1.2.2 Aproximació monoelectrònica

Aquesta aproximació permet de passar a un hamiltonià d’un sol electró. El procediment és el
següent:
• Considerem en un punt el camp creat pel núvol d’electrons
• Fem la mateixa consideració per a totes les posicions electròniques possibles
r r
• Introduïm un camp Ω i ( ri ) que a cada punt ri tingui el valor calculat (tenint en compte totes les
interaccions en aquell punt)
− h2 r e 2 Zα
He = ∑
i 2m
∆i + ∑
i
Ω i (ri ) + ∑∑
iα ( r r
4πε 0 ri − Rα ) (1.9)
El camp que origina el potencial Ω(rri ) és l’anomenat camp autoconsistent o de Hartree

(autoconsistent per què no solament determina el moviment dels electrons sinó que també depèn d’aquest
moviment).
Fixem-nos en l’últim terme. Si calculem en un punt determinat quina és la interacció amb tots els
nuclis, també podem imaginar un potencial autoconsistent degut als mateixos. D’aquesta manera el
r
hamiltonià electrònic es descompon en suma de hamiltonians que depenen únicament de ri i que no es
barregen entre ells:
− h2 r r
He = ∑ i
hi hi =
2m
∆ i + Ω(ri ) + V (ri ) (1.10)
r
on V (ri ) representa el potencial de interacció entre l’electró donat i els nuclis.
Aplicant el mètode de separació de variables assagem una funció d’ona que sigui producte de
funcions que depenguin exclusivament de rri . L’energia total del sistema serà la suma de les energies
parcials de cada electró.
1.2.3 Funcions d’ona de Bloch

Un cop hem arribat a la descomposició del hamiltonià electrònic en suma d’hamiltonians
monoelectrònics, cal considerar quines propietats té el potencial autoconsistent que els constitueix. Una
propietat del potencial que ens permet obtenir la major part de propietats de l’estructura de bandes sense
entrar en cap descripció analítica del mateix és la seva periodicitat:
r r r
V (r ) = V (r + T ) (1.11)
r
on T és un vector de la xarxa de Bravais.
Basat en aquesta propietat fonamental del potencial, la translació, el teorema de Bloch afirma que
les funcions d’ona solució de l’equació de valors propis del hamiltonià monoelectrònic són de la forma:
r r
Ψk ( r ) = e ikrU k ( r ) (1.12)
r r r
U k (r ) = U k (r + T ) (1.13)
Les funcions Ψk s’anomenen funcions d’ona de Bloch. Aquesta solució és la d’un electró lliure
r
modulada per una funció que té la periodicitat de xarxa U k (r ) . Vegem-ne algunes propietats:
r
• Els valors propis de l’equació (1.8) tindran una dependència en E = E ( k ) , ja que tant
r
H e com Ψ vénen parametritzats per k .
r
• En principi, E (k ) és una funció contínua. La quantificació dels seus valors ve donada per les
r
condicions de contorn, és a dir, degut a la discretització dels valors de k possibles.
r r
• E (k ) és una funció parella, i k = (0,0,0) és un extrem.
1.2.4 Operadors quàntics
A la mecànica quàntica, una magnitud física ve representada per un operador quàntic L. La

variació temporal d’aquest operador es determina a partir de la seva commutació amb el hamiltonià:
dL 1
= [L, H ] (1.14)
dt ih
Vegem quins són els tres operadors que ens proporcionen informacions sobre l’estat electrònic:
• Operador moment:
r
h h  ik rr r   h r  r
∇Ψk = ∇ e U k ( r ) = hk + ∇ (ln U k ( r ) ) Ψk ( r ) (1.15)
i i    i 
Podem veure que el valor propi de l’operador moment té dos termes: el primer correspon al
moment que tindria una partícula lliure (moment cristal·lí o pseudomoment), mentre que el segon dóna
compte de la presència d’un potencial periòdic.
• Operador velocitat:
[
rˆ(k ) = i∇ k − i ∇ k ln U k* ( r )
r
] (1.16)
r
= [rˆH − Hrˆ] = ∇ k [E ( k )]
drˆ 1 ˆ ˆ 1
vˆ = (1.17)
dt ih h
• Operador acceleració:
aˆ =
dvˆ 1 ˆ ˆ
=
dt ih
[
vˆH − Hvˆ ] (1.18)
Si no hi apliquem cap camp extern, el hamiltornià és el de l’electró al cristall, H=H0. En aquest cas
només actuen forces internes sobre l’electró i, per tant, aˆ = 0 .
Si apliquem una força externa, el hamiltonià que tindrem serà H=H0 + U, essent U degut a forces
externes. Si considerem aquest camp com una pertorbació del hamiltonià H0, tenim que:
r
Uˆ = − F ⋅ rˆ (1.19)
r
r 1 1 r  1 
a = [vˆ (Hˆ 0 + Uˆ ) − (Hˆ 0 + Uˆ )vˆ ] = [vÛˆ − Uˆvˆ ] = F ⋅  *  (1.20)
ih ih m 
rr
r r  1 d 2 E  r  1 
a = F ⋅  2 2 
=F⋅ * (1.21)
 h dk  m 
 
1.2.5 Tensor massa efectiva

Quan apliquem una força externa a un semiconductor, l’acceleració que adquireixen els electrons
r
( )
ve donada per la fòrmula (1.21), on 1 m * és un tensor de 9 components anomenat tensor invers de la
massa efectiva.
Aquesta massa no és la que tindria l’electró lliure, sinó que inclou totes les interaccions de
l’electró amb el potencial periòdic de la xarxa. Representa la inèrcia de l’electró dins del cristall i depèn
de l’estructura de bandes i de la simetria del cristall. Una conseqüència d’aquest comportament tensorial
és que l’acceleració i la força aplicada poden no ser colineals. Per tant veiem que podem representar el
comportament de l’electró sota l’aplicació de camps externs utilitzant l’expressió clàssica de la dinàmica,
però tenint en compte que l’electró està dins d’un sòlid a través de la seva massa efectiva.
Al cas d’estructures cúbiques, el tensor invers de la massa efectiva és simètric. Com a
conseqüència, sempre podrem trobar una nova base, (k1 , k 2 , k 3 ) , a la qual el tensor massa efectiva
diagonalitzi (fòrmula (1.22)), cosa que ens simplificarà el càlcul, tal com veurem més endavant.
 ∂ 2E ∂ 2E ∂ 2 E   ∂ 2 E   
  0 0   1* 0 0 
 ∂k x ∂k x ∂k x ∂k y ∂k x∂k z   ∂k12   m1 
 ∂ 2E ∂ 2E ∂ 2E   ∂ 2E   1 
 = 0 0 = 0 0  (1.22)
 ∂k y ∂k x ∂k y ∂k y ∂k y ∂k z   ∂k 22   m2*

 ∂ 2E ∂ 2E ∂ 2E   0 ∂ 2E   0 1 
  0 0
 ∂k z ∂k x ∂k z ∂k y ∂k z∂k z   ∂k 32   m3* 
1.2.6 Condicions de contorn: condicions cícliques de Born-Von Karman

r
• Establirem una relació d’equivalència a l’espai recíproc k : dos vectors estan relacionats o
són equivalents si es diferencien en un vector que sigui un determinat vector translació de la
xarxa recíproca.
• Escollirem com a representants d’una mateixa classe (vectors equivalents) el vectors de la
xarxa recíproca situats a la primera zona de Brillouin. Això equival a dir que cada punt de la
xarxa recíproca té un equivalent a la 1a ZB.
• La funció d’ona Ψk és la mateixa per a tots els elements d’una mateixa classe. Tenint en
compte aquesta afirmació podem veure que coneixent únicament les funcions d’ona dels estats
permesos a la primera zona de Brillouin ja tenim tota la informació.
Considerem un cristall de dimensions finites L1×L2×L3 . Es compleix que
Li = N i ⋅ ai on Ni = nombre de cel·les en la direcció i ai = espai interatòmic
Tenint en compte la periodicitat de la funció d’ona, podem imposar la condició cíclica següent:
r r r
Ψ (r + N i ai ) = Ψ (r ) (1.23)
Aplicant aquesta condició a les funcions de Bloch obtenim una discretització dels valors permesos
del vector d’ona:
r r
Ψ (r )e ik x Lx e y y e ik z Lz = Ψ (r )
ik L
e iki Li = 1 ⇒k i Li = 2 π ni (1.24)
2π ni
ki = ni = 0,1,2,3..., ( N i − 1) (1.25)
Li
El nombre màxim d’estats diferents permesos a la 1ª zona de Brillouin és igual al nombre màxim
de valors diferents de k a la primera zona i ve donat per:
L1 L2 L3 Vcristall
nombre d’estats a la 1ªZB= N1 N 2 N 3 = = =nombre de cel·les del cristall
a1 ·(a 2 x a3 ) Vcel .la
1.2.7 Models pertorbatius

1.2.7.1 Aproximació d’electrons quasi-lliures
En aquest model es suposa un gas d’electrons sota l’acció d’un potencial periòdic feble. Aquest
model es pot aplicar a electrons en metalls, on la conducció és deguda a l’existència d’un núvol
electrònic dins del qual les interaccions entre els electrons mateixos i aquests amb els ions positius tenen
r
l’efecte net d’un potencial periòdic dèbil U ( r ) . El hamiltonià que descriu aquesta situació és:
h2 2 r
H =− ∇ + U (r ) (1.26)
2m
1.2.7.2 Aproximació d’electrons fortament lligats
En un semiconductor a baixes temperatures, pràcticament tots els electrons de valència estan

formant enllaços. Podem fer la hipòtesi de que les interaccions entre àtoms no modificaran gairebé l’estat
dels electrons de l’última capa mentre que els electrons de capes més profundes no es veuran afectats en
absolut. En aquest cas el hamiltonià tindrà la forma:
H e = H a + ∆U (1.27)
on Ha és el hamiltonià de l’àtom aïllat i ∆U la pertorbació deguda als àtoms veïns. La solució general de
l’equació de Schrödinger és una combinació lineal de les funcions d’ona pròpies de l’àtom aïllat:
r r
Ψ = ∑ C R Ψa r − R ( ) (1.28)
R
r
R
r : posició de l’àtom respecte a l’origen de la xarxa
r : posició de l’electró respecte a l’origen
r r
r − R : posició de l’electró respecte el nucli
(r r
)
Ψa = Ψa r − R : funció d’ona en l’àtom aïllat
Es troben els coeficients CR imposant que Ψ també ha de complir les propietats de translació del
teorema de Bloch:
(
r r
) r
rr
Ψ r + R = e ik R Ψ (r ) (1.29)
rr
Prenent C R = e ik R la funció d’ona compleix les condicions de translació.
Els valors propis de l’energia són:
∫ Ψ H Ψ dτ
*
E= (1.30)
∫ Ψ Ψ dτ *
Vegem a grans trets quina forma tenen el numerador i el denominador.
r r r
[ ]
r r r rr
* r
∫ Ψ *
Ψ d τ = ∑∑ e − ik ( R − R ' )
R R'
∫ Ψa ( r ' ) Ψa r ' − ( R ' − R ) d τ = N ∑
T
e ik T
ST
(1.31)
r r r
R '- R = T
r r
S T = ∫ Ψa* ( r ' )Ψa [r '−T )]dτ
r
(1.32)
ST és la integral de solapament, el seu valor depèn de la superposició de les funcions d’ona

atòmiques, és a dir, de la distància que separa els nuclis. Si no hi ha solapament el valor de ST=0 mentre
que si normalitzem funcions d’ona del mateix àtom ST=1.
r r r
∫ Ψa ( r ′) [H a + ∆U ] Ψa [r '−(R'− R )] dτ =
r r r
* r
∫ Ψ *
H Ψ dτ = ∑∑ e ik ( R ' − R )
R R'
 rr
r r r rr
r r r 
N ∑ e E a ∫ Ψa* ( r ′) Ψa ( r '−T ) dτ ' + ∑ e ik T ∫ Ψa* ( r ' ) ∆U Ψa ( r '−T ) dτ '
ik T
(1.33)
T T 
 r r r r r 
= N  E a ∑ e ik T ST + ∆U + ∑ e ik T A(T )
 T T ≠0 
r r r r
A(T)= ∫ Ψa* (r ') ∆) ∆ a (r ′ − T) dτ (1.34)
r
A(T) és l’anomenada integral d’intercanvi, i dóna una idea de l’energia de cohesió entre dos
àtoms separats per una distància T, on T va variant i recorrent totes les posicions de la xarxa de Bravais.
r
∆U (a T = 0 ) correspon a l’energia mitja d’interacció.
Finalment,
rr r
∆U
∑ A(T )
e ik T
E = Ea + rr + T ≠0 rr (1.35)
∑ e ST
T
ik T
∑ e ikT ST
T
Podem veure el significar intuïtivament d’aquesta expressió si realitzem la simplificació dràstica
següent:
r
S T = 1 per a T=0
r (1.36)
S T = 0 per a T ≠ 0
d’aquesta manera l’energia associada a la funció d’ona Ψ serà:

rr r
E = E a + ∆U + ∑ e ik T A(T ) (1.37)
T ≠0
L’energia d’un electró en un àtom dins d’un sòlid és la mateixa que tindria un àtom aïllat
modificada per una energia mitja d’interacció, ∆U , i estenent-se en una banda l’amplada de la qual
dependrà de les integrals d’intercanvi.
Anem a aplicar-ho a un cas concret, la xarxa cúbica simple, per tal de veure com apareixen les
bandes d’energia en una xarxa molt senzilla.
Per a fer el càlcul de l’energia dels electrons de valència en una xarxa cúbica simple suposarem
que les interaccions provenen únicament dels 6 primers veïns. Les posicions en que es troben aquests
són: (a,0,0), (0,a,0), (0,0,a), (-a,0,0), (0,-a,0) i (0,0,-a), on a és el paràmetre de xarxa. Si apliquem aquests
valors a l’expressió trobada a l’apartat anterior obtenim:
r
E ( k ) = E a + ∆U + 2 A[cos k x a + cos k y a + cos k z a ] (1.38)
Consideracions principals:
• Quan considerem les interaccions amb els veïns, el nivell d’energia de l’àtom aïllat es desplaça
en una magnitud ∆U .
• El nivell atòmic es transforma en una banda de valors dinsr de la qual l’energia de l’electró
depèn periòdicament de les components del vector d’ona k .
• Els valors límits de la banda determinen l’amplada total de la mateixa, i depenen de la

magnitud de la integral d’intercanvi A. En aquest exemple senzill trobem que:
E màx = E a + ∆U + 6 A
E mín = E a + ∆U − 6 A (1.39)
∆E = 12 A
• Cadascun dels nivells de l’àtom aïllat es descomponen en una banda. Com més superposició de
les funcions d’ona més ampla és la banda. Això dóna lloc a l’existència de bandes permeses i
bandes prohibides.
• La degeneració d’un nivell determinat a l’àtom aïllat pot ser eliminada al formar-se el cristall,
ja que pot aparèixer més d’una banda per a un determinat nivell de l’àtom aïllat.
• Els canvis de temperatura i pressió modifiquen la distància entre àtoms i per tant la
superposició de funcions d’ona, donant un canvi també en l’amplada de les bandes.
Figura 1.5: Bandes permeses i prohibides obtingudes a partir de l’aproximació d’electrons fortament
lligats al cas d’una xarxa cúbica simple.
1.3 Estructura de bandes

r
1.3.1 Diagrames E (k ) a la 1a zona de Brillouin
La 1a zona de Brillouin
La construcció de la 1a zona de Brillouin és idèntica a la de la cel·la

r de Wigner-Seitz. De manera
conceptual podem dir que la 1a ZB està formada per aquells vectors k als quals si se’ls resta qualsevol
altre vector de la xarxa recíproca el resultat és un vector que no pertany a aquesta 1a zona. A la figura 1.6
es presenta la 1a ZB d’una FCC.
Els principals punts de simetria són:
r
• Γ: centre de la zona k =(0,0,0)
• X: límit de la zona al llarg

d’una direcció <100>
• L: límit de la zona al llarg
d’una direcció <111>
r
Diagrames E (k )
Sigui quina sigui l’aproximació

utilitzada, hem vist que l’energia d’un
electró depèn de les seves
components ( k x , k y , k z ) , que variaran
segons la direcció dins la 1a zona de
Brillouin.
r La representació gràfica de
E (k ) pot realitzar-se en diagrames
múltiples, modificant a cada unr d’ells
una única component de k . No
obstant, la majoria de les propietats
dels semiconductors venen
determinades per les línies i punts de
Figura 1.6: 1a zona de Brillouin d’una xarxa FCC.
simetria de la primera zona de
Brillouin esmentats abans. Així,r els
diagrames de bandes E (k ) es
r
representen en funció de les k que corresponen a direccions d’alta simetria. Cal tenir en compte que:
r r
• Degut a la paritat de la funció E (k ) , les porcions ( − k ) dels diagrames <100> i <111> són
r
iguals que les de la part de k positiva. D’aquesta forma es poden representar en un mateix
diagrama la variació de l’energia per a la direcció Γ→X i per a Γ→L.
• L’origen d’energies s’agafa al màxim de la banda de valència; la diferència entre aquest punt
i el mínim de la banda de conducció EC és la l’amplada de banda prohibida o gap del
semiconductor, Eg.
Banda de valència
Vegem algunes característiques d’aquesta banda:

• El màxim de la banda es troba al punt Γ =(0,0,0)
• La banda de valència està composada per tres subbandes. Dues d’aquestes estan degenerades
al punt Γ i la tercera està desplaçada (Split Off Band).
r Tenint en compte la relació entre massa
efectiva de portadors i la corbatura de la funció E (k ) a l’entorn d’un punt extremal, les bandes
degenerades reben el nom de banda de forats lleugers (banda amb més corbatura) i banda
de forats pesats.
r r
• A l’entorn de k = ( 0,0,0) la forma de E (k ) és independent de la direcció considerada, és a dir,
r
l’entorn d’aquest punt E (k ) presenta simetria esfèrica.
Banda de conducció
• La posició del mínim absolut de la banda de conducció varia segons el semiconductor:

- Silici: 6 mínims equivalents en la direcció <100> a 0.75 kx max
- Germani: 8 mínims equivalents al punt L
- GaAs: un únic mínim al punt Γ
Figura 1.7: Estructura de bandes dels semiconductors germani, silici i arseniür de gal·li.
• La posició dels mínims de la banda de conducció permet la classificació dels semiconductors

en semiconductor de gap directe (mínim a Γ) i de gap indirecte (mínim≠Γ). Aquesta
distinció determina les propietats òptiques d’un semiconductor. Si els semiconductor és de
gap directe, quan un electró situat al mínim absolut de la banda de conducció es desexcita al
màxim de la banda de valència, aquest procés es pot realitzar mitjançant l’emissió d’un fotó
que tingui com energia la de la banda prohibida del semiconductor i com a moment, la
variació del moment de l’electró, que és molt petita. Per contra, si es tracta d’un
semiconductor de gap indirecte, la desexcitació es produeix amb una gran variació del
moment de l’electró, que serà uns dos ordres de magnitud superior al moment del fotó que
tingués com energia la de la banda prohibida. Per tant, aquest procés no és realitzable i els
semiconductors de gap indirecte no emeten llum.
1.3.2 Superfícies isoenergètiques

Podem plantejar-nos determinar un volum a l’espai definit per aquells valors de k que
corresponguin a una energia E. La superfície definida per aquests vectors k es denomina superfície
isoenergètica.
Donat que els punts d’interès seran els punts extremals de les bandes, podem desenvolupar E(k) a
l’entorn dels mateixos:
rr
1 ∂ 2E 1  1 
E = E0 + (k i − k 0 )(k j − k 0 ) + ... ≅ E 0 + (hk − hk 0 ) 2 (1.40)
2 ∂k i ∂k j 2  m* 
 
Tenint en compte que aquest tensor podrà ser diagonalitzable, sempre trobarem una base de
vectors per a la qual la matriu quedi reduïda als elements de la traça:
( p1 − p01 )2 ( p2 − po 2 )2 ( p3 − p03 )2
E = E0 + + + (1.41)
2m1* 2m2* 2m3*
Formalment podem veure

que les superfícies isoenergètiques
són el·lipsoides de semieixos:
2mi* ·( E − E 0 )
(1.42)
Aquests el·lipsoides poden

quedar partits per la definició de la
primera zona de Brillouin si els
Figura 1.8: Superficies isoenergètiques al voltant dels màxims de la
punts extremals es troben a la
banda de conducció dels semiconductors germani, silici i arseniür
frontera de la primera zona de
de gal·li.
Brillouin, com és el cas del
germani (veure figura 1.9).
Els semiconductors que cristal·litzen al sistema cúbic, com són els que estem considerant aquí,
degut a la simetria del sistema, sempre hi hauran dos semieixos que seran iguals i, per tant, tindrem
el·lipsoides de revolució. Les superfícies isoenergètiques vindran donades per la fòrmula (1.43):
E − E c = Ak12 + B (k 22 + k 32 ) (1.43)
2A
m1−1 = 2
= m*-l
−1
h
(1.44)
2B
m2-1 = m3-1 = = m*t −1
2
h
on m*- *
l és la massa efectiva longitudinal i mt , la
massa efectiva transversal. La relació ml* mt*

dóna idea de l’elongació de l’el·lipsoide: com més
gran és aquesta relació, més gran serà l’elongació
que presentarà l’el·lipsoide. Això es pot veure a la
figura 1.8 per a les bandes de conducció: al germani
la relació entre masses efectives és més gran que al
silici.
En cas que els tres coeficients del tensor de Figura 1.9: 1a zona de Brillouin del germani,
massa efectiva siguin iguals, com és el cas de la mostrant la porció dels el·lipsoides de revolució
banda de conducció l’arseniür de gal·li, les de la figura 1.8 que estan al seu interior.
superfícies isoenergètiques al voltant del punt
extremal són esferes (fòrmula (1.45)). En aquest cas tenim una massa efectiva escalar i, sota l’aplicació
d’un camp extern, l’acceleració dels electrons serà paral·lela al camp aplicat.
(
E − E c ≅ A k 12 + k 22 + k 32 ) (1.45)
Les bandes de valència dels tres semiconductors, donat que tenen el màxim al punt Γ (veure figura 1.7),
les masses efectives seran escalars. Com cada semiconductor presenta tres subbandes, cadascuna vindrà
caracteritzada per una massa efectiva diferent:
*
m hh : heavy hole
mlh* : light hole
*
m so : split off band
1.3.3 Teoria d’estats locals

Hem vist que quan estudiem el comportament d’un electró a dins d’un semiconductor el podem
tractar aplicant les lleis de la dinàmica modificades, emprant la massa efectiva per tenir tota la informació
dels efectes de la xarxa sobre aquest electró. Com un exemple d’aquesta aproximació, vàlida quan
tinguem camps febles que no modifiquen substancialment el potencial del cristall, estudiarem com
l’existència d’impureses, vacants o defectes dins de la xarxa cristal·lina modifica l’energia dels electrons.
La presència d’aquests defectes modifica el potencial periòdic i crea nivells a l’interior de la banda
prohibida. Per tal de veure com succeeix això, fixarem la nostra atenció en els efectes que té una
impuresa donadora localitzada en un punt de la xarxa determinat.
Quan un electró abandona una impuresa donadora, és a dir, s’ionitza, es veu afectat no només pel
potencial periòdic de la xarxa (interacció de la qual dóna compte la massa efectiva), sinó també pel
potencial de la impuresa ionitzada que deixa enrera. Aquesta interacció es pot tenir en compte com a
potencial coulombià que constitueix un terme pertorbatiu del hamiltonià electrònic:
− h2  − Ze 2  − h2  − Ze 2 
H= ∆ + U ( r ) +   = ∆ +   (1.46)
 4πεr  4πεr
*
2m  2m 
on hem introduit el potencial del cristall, U(r), a dins de la massa efectiva, on ε és la permitivitat del
medi, del semiconductor i on Z representa la càrrega de la impuresa (que no el nombre atòmic).
 − h2  − Ze 2 
 * ∆ +  Ψ = E Ψ (1.47)
 2m  4πεr 
Aquesta equació és formalment idèntica a la de l’àtom d’hidrogen, cosa que fa que l’expressió dels
valors propis de l’energia de l’electró provenint de la impuresa sigui (1.48). Hem de tenir present que
estem considerant les modificacions sobre el comportament d’un electró que estaria a la banda de
conducció i que estaria caracteritzat per la massa efectiva. Per tant, els valors propis que trobarem seran
referits al mínim de la banda de conducció:
m 0 Z 2 e 4  m*  1 Ed
E n = Ec −   2 En = Ec − (1.48)
8ε 2 h 2  m0 n
 n2
Finalment, substituint per valors numèrics podem donar l’expressió de l’energia de l’estat
fonamental (n=1) de la impuresa donadora en unitats d’eV com :
2
2ε   m* 
E d = 13.6Z  0   
 (1.49)
 ε   m0 
L’energia d’ionització de la impuresa donadora és (ε/ε0) cops més petita que la corresponent per
l’estat fonamental de l’àtom d’hidrogen i proporcional a la massa efectiva, i veiem que depèn de Z2.
ELECTRÒNICA FÍSICA II-1
Capitol II
2. ESTADÍSTICA ALS SEMICONDUCTORS
2.1 Càlcul de la concentració de portadors a les bandes.

Al tema anterior hem vist que un material semiconductor es caracteritza per tenir una sèrie de
bandes d’energia permeses i prohibides, conseqüència de l’existència d’un potencial periòdic a la xarxa.
Per tal de poder calcular, en unes condicions donades, el corrent que circula a través del nostre material,
ens cal conèixer la quantitat de portadors quasilliures que tindrem a les bandes (electrons a la banda de
conducció, forats a la banda de valència). Aquest càlcul es planteja des d’un punt de vista estadístic, ja
que el nombre de portadors pot ser molt elevat.
El mètode per poder calcular aquestes concentracions consisteix en saber quants estats té el nostre
sistema disponibles en un interval d’energies entre E i E+dE (densitat d’estats), multiplicar-lo per la
probabilitat estadística de que aquest estat estigui ocupat i realitzar la suma per a tots els possibles estats
d’una determinada banda. Així, si fem la hipòtesi de que tenim un quasicontinu d’estats, podem passar
dels sumatoris a unes integrals, que ens simplifiquen les expressions. Aquestes ens donen les
concentracions d’electrons i forats i són:
E c màx
n= ∫ N (E)f(E)dE
E c mín
c (2.1a)
Ev màx Ev màx
p= ∫ N (E)f
Ev mín
v p (E)dE = ∫ N (E)(1 − f(E))dE
Ev mín
v (2.1b)
Al cas dels forats, com que la probabilitat de que un estat estigui ocupat per un forat és la
complementària de la probabilitat de que estigui ocupat per un electró, només ens cal conèixer aquesta
última.
Hem de determinar, doncs, la funció de distribució i la densitat d’estats en un interval d’energies
dE.
2.1.1 Funcions de distribució: nivell de Fermi.

Per tal de poder calcular la funció densitat de probabilitat, que indica la fracció d’estats ocupats
respecte als estats possibles amb energia E, cal que fem algunes consideracions. Per començar estem
considerant electrons (fermions). A més, l’intercanvi de dos electrons deixa el sistema invariat.
Fetes aquestes consideracions, l’estadística que ens dóna la funció de distribució electrònica és
l’estadística de Fermi-Dirac i, per tant, la funció de distribució és la funció de Fermi-Dirac:
II-2 CAPÍTOL II. Estadística als semiconductors
1
f(E)= (2.2a)
 E − EF 
1+ exp 
 kT 
on EF és el nivell de Fermi, que és constant en un sistema en equilibri, però que varia d’un
sistema a un altre.
La interpretació d’aquesta funció és que a la temperatura de 0K, la probabilitat de que un estat amb
energia superior al nivell de Fermi es trobi ocupat és nul·la, mentre que els estats d’energia inferior a EF
estan tots ocupats (probabilitat 1). Amb l’augment de temperatura, la funció de distribució es suavitza i a
l figura 2.1 es mostra la seva forma per a diferents temperatures. Cal puntualitzar però, que mentre que
en Mecànica Estadística es reserva el terme nivell de Fermi per definir el nivell d’energia màxim que
poden assolir els electrons al zero absolut, en Electrònica s’exten aquesta nomenclatura i s’anomena
nivell de Fermi al potencial químic a qualsevol temperatura, definit com el nivell amb probabilitat
d’ocupació 0.5.
Algunes propietats d’aquesta funció de distribució que ens són útils són:
• el nivell de Fermi a temperatura diferent de 0K correspon a l’energia dels estats que tenen
probabilitat ½ d’estar ocupats,
• la funció és antissimètrica respecte al nivell de Fermi,
• la funció passa de forma força abrupte de 1 a 0; la probabilitat de que un nivell situat a 3kT per sobre
del nivell de Fermi estigui ocupat és de 0.03, i a 5kT, de 0.01,
• per valors d’energia molt superiors al nivell de Fermi, podem aproximar la funció de distribució per
la funció de distribució de Maxwell-Boltzmann (ho podem fer a partir d’uns 3kT per sobre d’EF).
Mentre que en un
metall el nivell de Fermi es
troba situat a l’interior de la
1.0
banda de conducció (ja que
T=0K els metalls tenen electrons en
T=100K aquesta banda a 0 K), en un
0.8
T=200K semiconductor el nivell de
T=300K Fermi es troba situat entre les
T=400K bandes de valència i
0.6
conducció, ja que a 0 K la
f(E)
banda de conducció es troba

0.4 totalment buida mentre que la
de valència està totalment
plena. Degut a que en un
0.2 semiconductor intrínsec el
nombre d’electrons que
passen a la banda de
0.0 conducció és igual al nombre
-0.3 -0.2 -0.1 0.0 0.1 0.2 0.3 de forats que queden a la
banda de valència i com que
E-EF (eV) la funció de distribució és
Figura 2.1: Funció de distribució de Fermi-Dirac a diferents temperatures antissimètrica, el nivell de
referida a la posició del nivell de Fermi. Fermi hauria d’estar situat al
valor energètic mig entre les
dues bandes. Per extrapolació, a 0K, el nivell de Fermi també estarà situat al mig de la banda prohibida.
Com veurem més endavant, degut a que les densitats d’estats a les bandes de valència i de
conducció no són iguals, el nivell de Fermi no es situa al mig de la banda prohibida, tal com acabem de
suposar.
Per als forats la funció de distribució serà:
1
f p(E)= (2.2b)
E −E
1+ exp  F 
 kT 
Com veiem la forma és similar a la funció de distribució d’electrons, però canviant el signe de les
energies. Així, les propietats indicades anteriorment per a la funció de distribució de Fermi-Dirac són
vàlides amb aquesta salvetat.
2.1.2 Càlcul de la densitat d’estats a les bandes de conducció i valència: definició de

massa efectiva equivalent de densitat d’estats
Anem, a continuació, a determinar la densitat d’estats a l’extrem inferior de la banda de conducció,
ja que com que la concentració d’electrons a la banda de conducció serà petita en front dels estats
disponibles, aquests electrons estaran situats al voltant del mínim de la banda. L’expressió per la densitat
d’estats per unitat de volum i d’energia és:
dZ
N c(E) = (2.3)
V cristall dE
on dZ és el nombre d’estats quàntics a l’interval d’energies entre E i E+dE i Vcristall és el volum

del cristall de semiconductor que estem considerant. Per tal de deduir el nombre d’estats amb energia
entre E i E+dE hem de fer el següent càlcul:
volum de tots els estats entre E i E+dE

dZ = (2.4)
volum d'un estat
El numerador el calcularem a partir de la fórmula dels el·lipsoides deduïts al capítol anterior

(fórmula 1.39), que ens donaven les superfícies isoenergètiques al voltant d’un punt extremal (mínim al
nostre cas). Aquests el·lipsoides tenien semieixos donats per la fórmula (1.40). El volum d’un el·lipsoide
ve donat per:
4π 4π 1 3
V = a1a 2 a3 = 3 ( 8m1* m*2 m3* ) 2(E − EC ) 2 (2.5)
3 3h
on a1, a2, i a3 són els semieixos dels el·lipsoides. Ara be, interessa calcular el volum dels estats
entre dos valor d’energia, és a dir, el volum comprés entre dos el·lipsoides, un corresponent a energia E i
l’altre a energia E+dE. Per a això derivem l’expressió (2.5):
2π 1 1
dV = 3
( 8m1* m*2 m*3 ) 2 (E − E C ) 2 dE (2.6)
h
Al capítol anterior, apartat 1.2.6, hem deduït quin era el nombre d’estats permesos a la 1a zona de
Brillouin. Si dividim el volum d’aquesta última pel nombre d’estats permesos, trobarem el volum
associat a un estat a l’espai de les ks:
( 8π 3 ) 1 8π 3
v= = (2.7)
Vcel ·la N 1 N 2 N 3 Vcristall
Finalment, substituint (2.6) i (2.7) a la fórmula (2.3), obtenim la densitat d’estats al voltant d’un
mínim de la banda de conducció:
2π 1 1
N C (E) = 3
( 8m1* m*2 m3* ) 2(E − EC ) 2 (2.8)
h
Ara hem de tenir en compte que cada estat pot estar ocupat per dos electrons amb diferent spin
(hem de multiplicar l’expressió (2.8) per 2) i, a més que, degut a les propietats de simetria del cristall,
tenim M extrems equivalents (veure apartats 1.3.1 i 1.3.2) (l’hem de multiplicar per M). (El nombre
d’extrems equivalents era M=1 per el GaAs, amb punt extremal a k=(000); M=6 per el silici, amb
mínims en les direccions k=(100); M=8/2=4 per el germani, amb mínims a l’extrem de la 1a zona de
Brillouin a les direccions k=(111), on només la meitat de l’el·lipsoide està a dins de la mateixa).
Així, l’expressió de la densitat d’estats (2.8) es transforma en:
4π 1 1
N C (E) = 3
M( 8m1* m*2 m*3 ) 2(E − EC ) 2 (2.9)
h
Per tal de utilitzar una expressió general per a tots els semiconductors, podem definir una nova
constant, la massa efectiva equivalent de densitat d’estats d’electrons, m*nd :
m*nd = (M 2 m1* m*2 m*3 )

1
3
(2.10)
D’aquesta forma l’expressió final per a la densitat d’estats a la banda de conducció serà:
3
 2m*nd  2
N C (E) = 4π  2  (E − E c ) 1 2 (2.11a)
 h 
Per trobar les masses efectives equivalents de densitat d’estats per als tres semiconductors més
importants, hem de conèixer les components del seu tensor massa efectiva diagonalitzat. Així, els
el·lipsoides del silici i el germani Si, Ge presenten simetria de revolució, amb dues components diferents
(massa efectiva transversal i longitudinal), mentre que al GaAs la massa efectiva és un escalar. Els valors
que s’obtenen són:
nd = 6
m*Si
2
3
(m m )*
l
*2
t
1
3
nd = 4
m*Ge
2
3
(m m )
*
l
*2
t
1
3
(2.12a)
m*GaAs
nd = m*n
Per tal de calcular la densitat d’estats a la banda de valència podem seguir un procediment anàleg
al de la banda de conducció i el resultat que n’obtindrem serà similar:
3
 2m*pd  2
(E v − E ) 2
1
NV (E) = 4π  2 
 (2.11b)
 h 
Com que el màxim de la banda de valència està situat sempre al centre de la 1a zona de Brillouin,
la massa efectiva és un escalar. Com que tenim dues subbandes degenerades a k=(0,0,0) (ignorant la
banda de split-off) de forats pesats i forats lleugers, haurem de sumar l’expressió (2.11b) per a les dues
subbandes. Comparant amb la mateixa expressió general deduïm que la massa efectiva equivalent de
densitats d’estats de forats, m*pd , serà:
2
= (m*hh ) 2 + (m*lh ) 2 
3 3 3
m*pd (2.12b)
 
2.1.3 Concentració d’electrons i forats a les bandes: definició de densitat d’estats

equivalent
Una vegada tenim les funcions distribució i les densitat d’estats a les bandes, ja podem substituir a
les fórmules (2.1a) i (2.1b) per trobar les concentracions concentració d’electrons i de forats. (Degut a les
analogies mostrades per electrons i forats, farem només el càlcul per els electrons). A continuació farem
algunes aproximacions per tal de simplificar el càlcul.
Tal com hem vist de les propietats de la funció de distribució de Fermi-Dirac (apartat 2.1.1), per
valors no gaire superiors al nivell de Fermi (superiors a 5kT), la probabilitat d’ocupació és molt petita.
Això ens permet d’extendre el límit superior de la integral fins a l’infinit i de suposar que per tots els
valors de l’energia la densitat d’estats donada per l’equació 2.11a és vàlida, tot i que aquesta només
l’hem deduït al voltant d’un punt extremal. L’error que estem cometent amb aquesta aproximació és molt
petit i ens permet de simplificar el càlcul. Així la fórmula (2.1a) es rescriu com:
∞ ∞ 3/ 2 1
 2 m*  (E − E c ) 2
∫  h
∫
n = N c (E)f(E)dE = 4π  2nd 

  E − EF 
dE (2.13)
Ec Ec 1 + exp  
 kT 
Mitjançant els canvis de variable següents i els canvis de límits pertinents,
E − Ec E F − Ec
=x =θ (2.14)
kT kT
arribem a l’expressió de la concentració d’electrons a la banda de conducció:
3/ 2 ∞ 1 3/ 2
 2m* kT  x 2  2m* kT 
n = 4π  nd2 
 h 
∫1+ e
0
x −θ
dx = 4π  nd2 
 h 
Φ 1 (θ )
2
(2.15)
Aquesta integral Φ1/2(θ) és de les anomenades integrals de Fermi (en aquest cas, d’ordre 1/2), que
no tenen solució analítica. Malgrat això podem trobar expressions analítiques que s’aproximin a la
solució numèrica en certs intervals. En aquest cas tindrem tres intervals diferents en funció del valor del
paràmetre θ, que no hem d’oblidar que està relacionat amb la posició del nivell de Fermi respecte al
mínim de la banda de conducció.
• Per al primer interval, considerem un nivell de Fermi com a mínim kT (eV) per sota del mínim
de la banda de conducció.Aquesta situació correspon al cas d’un semiconductor no
degenerat. Així podem aproximar la funció de distribució de Fermi-Dirac per la funció de
Maxwell-Boltzmann per als portadors de la banda de conducció:
( 2) = e
∞ 1 ∞
x 2
1
Φ 1 (θ ) ≈ ∫
1
θ < −1 x −θ
dx = eθ ∫ x 2 e − x dx = eθ Γ 3 θ
π (2.16a)
2
0 e 0
2
• El segon interval és per la condició donada per (2.16b), que correspon al cas del
semiconductor parcialment degenerat, ja que el nivell de Fermi està comprés entre kT per
sota i 5kT per sobre de la banda de conducció.
π 1
−1 < θ < 5 Φ 1 (θ ) ≈ (2.16b)
2 2 0,25 + e −θ
• Al tercer interval, donat per la condició (2.16c), el nivell de Fermi està ben a l’interior de la
banda de conducció (en, com a mínim, 5kT). Si comparem aquest comportament amb el que
sabem dels metalls (el nivell de Fermi es troba a dins de la banda de conducció, que està
bastant plena d’electrons), podem deduir que el comportament serà bastant similar. Parlarem
de semiconductor degenerat.
2 3
θ >5 Φ 1 (θ ) ≈ θ 2 (2.16c)
2 3
Dels tres intervals el que ens interessarà més és el donat per l’expressió (2.16a), ja que és el que
ens permet de descriure propietats pròpies del material semiconductor, diferents dels metalls. Així, per
calcular la concentració d’electrons a la banda de conducció d’un semiconductor no degenerat,
substituirem l’expressió (2.16a) a la (2.15) i tindrem l’expressió:
3/ 2 3
EC − E F EC − E F
 2m* kT  − 1  2πm nd
*
kT  2 −
n = 4π  nd2  e kT π = 2 2

 e kT (2.17)
 h  2  h 
EC − E F
−
n = MC e kT
(2.18a)
Aquest resultat el podem interpretar, des d’un punt de vista estadístic, com si agrupéssim tots els
electrons en un sol nivell d’energia EC degenerat MC vegades i d’aquests MC estats tindrem n ocupats
segons l’expressió (2.18a), és a dir, segons una distribució de Maxwell-Boltzmann. Per aquest motiu a
MC se l’anomena densitat equivalent d’estats a la banda de conducció. Aquesta depèn de la temperatura
i de la massa efectiva de densitat d’estats de la següent forma:
3 3
 T  2  m*nd  2 −3
M = 2 ,5·10  
19
  cm (2.19a)
c  300   mo 
D’una forma anàloga podríem plantejar les expressions per a calcular les concentracions de forats
a la banda de valència. Partiríem de la fórmula (2.1b), i arribaríem a unes expressions similar a les
(2.18a) i (2.19a):
E F − EV
−
p=M e kT
(2.18b)
v
3 3
 T  2  m*pd  2 −3
M = 2 ,5 ⋅ 1019     cm (2.19b)
v  300   m 
 o 
D’aquests resultats deduïm que totes les distribucions de portadors són nul·les als extrems de les
bandes, assoleixen un màxim a prop dels valors EC i EV i decauen un altre cop a zero conforme ens anem
endinsant a les bandes. Com a conseqüència, la majoria de portadors es concentren a una distància de
pocs kT dels mínims/màxims de les bandes, tal com es mostra a la figura 2.2.
D’aquí també podem definir que un semiconductor serà de tipus p quan el nivell de Fermi estigui
més a prop de la banda de valència que de la banda de conducció, ja que en aquest cas la
concentració de forats serà superior a la d’electrons. Per contra, si el nivell de Fermi està més a prop de
la banda de conducció, el semiconductor serà de tipus n i hi haurà una concentració més alta
d’electrons que de forats. Tot això es presenta a la figura 2.2.
Figura 2.2: Posició del nivell de Fermi, funció de distribució i

densitat de portadors a un semiconductor en funció de la posició del
nivell de Fermi.
2.1.4 Llei d’acció de masses

Un semiconductor es pot considerar format per
subsistemes: electrons, forats i àtoms. En equilibri
termodinàmic el nivell de Fermi és únic per a tot el
sistema. Si suposem que tenim un semiconductor no
degenerat i fem el producte de les concentracions
d’electrons i forats obtenim:
EC − EV Eg
− −
n =np = M C M V e
2
i
kT
= M C MV e kT
(2.20)
Veiem que el producte no depèn del nivell de Fermi,

sinó de l’amplada de la banda prohibida, depèn de
l’estructura de bandes i de la temperatura (MC, Mv) i, a,
més, és una propietat intrínseca. Per això ni rep el nom de
concentració intrínseca. Aquest resultat només és vàlid si
el semiconductor és no degenerat.
En un semiconductor on els portadors es generen
per parelles electró-forat (n=p) la concentració intrínseca
ens permet determinar les concentracions d’electrons i
forats de manera immediata. En el cas que el
semiconductor sigui dopat parlem de semiconductor
extrínsec i segons quin sigui el tipus de portadors en excés
es classifica en semiconductor extrínsec de tipus n, quan
hi ha una concentració d’electrons superior a la de forats i,
a més, superior a la concentració intrínseca, i
semiconductor extrínsec de tipus p, quan la concentració
de forats és superior a la d’electrons i a la intrínseca.
La relació (2.20) no ens permet de calcular la
concentració d’electrons i forats a un semiconductor Figura 2.3: Dependència de la concentració
extrínsec, però si ens permet calcular el seu producte en intrínseca de portadors al silici, germani i
condicions d’equilibri termodinàmic. arseniür de gal·li en funció de l’invers de la
La figura 2.3 mostra l’evolució de la concentració temperatura.
intrínseca per als tres semiconductors més importants en
funció de la temperatura.
2.2.Estadística d’ocupació de nivells discrets
2.2.1 Principi d’equilibri microscòpic

La freqüència de les transicions entre dos estats que realitza un sistema en equilibri termodinàmic
és la mateixa en els dos sentits de la transició (ja que d’altra forma es violaria el segon principi de la
termodinàmica). Si µ i λ són dos estats d’un sistema, el principi d’equilibri microscòpic diu:
Número transicions λ → µ Número transicions µ → λ

= (2.21a)
t t
Aquesta condició també pot expressar-se com:

PλWλ →µ (1 − Pµ ) = PµWµ →λ (1 − Pλ ) (2.21b)
on Pλ és la probabilitat de que l’estat λ estigui ocupat, Wλ→µ és la probabilitat transició de l’estat λ a

l’estat µ i (1-Pµ) és la probabilitat de que l’estat µ estigui desocupat. Tenint en compte la funció de
partició canònica P(E) com a probabilitat d’ocupació d’un estat i amb energia Ei, s’obté el següent:
Wλ→ µ  E -E 
= exp - µ λ  (2.22a)
W µ→ λ  kT 
Aquesta expressió ens indica clarament el fet que la probabilitat de transició entre dos estats és
igual en ambdos sentits sempre que l’energia d’aquests estats sigui la mateixa.
En cas de plantejar-nos les possibles transicions d’estat per la població de forats, haurem de fer
servir una expressió anàloga a la 2.22a, però tenint en compte un canvi de sentit en l’eix d’energies:
W λ→ µ  E µ -E λ 
= exp   (2.22b)
W µ→ λ  kT 
2.2.2 Determinació dels factors d’ocupació d’un nivell bipolar (donador i acceptador)
Quan s’introdueixen impureses donadores/acceptadores en un semiconductor es creen un o més
nivells energètics discrets (depenent de les valències de la impuresa). Aquests nivells són donadors o
acceptadors segons la capacitat de la impuresa de rebre electrons (acceptadora) o de donar-ne (donadora).
Suposarem que tenim una impuresa donadora bipolar. Si la seva concentració és ND, tindrem NDº
que estan en estat neutre (que mantenen el seu electró) i ND+ que l’han donat a la banda de conducció, és
a dir, que estaran ionitzats. Segons el model hidrogenoide, discutit a l’apartat 1.3.3, una impuresa
donadora amb concentració ND donaria un nivell donador a dins de la banda prohibida de manera que
EC-ED seria l’energia necessària per tal que la impuresa quedés ionitzada positiva, lliurant un electró a la
banda de conducció. Les transicions d’electrons que es produeixen entre aquest nivell donador i la banda
de conducció vindran descrites per la relació:
N D0 WED → BC (M C − n ) = n WBC → ED (N D − N D0 ) g (2.23)
El terme de l’esquerra són les transicions d’electrons des del nivell donador cap a la banda de
conducció i el de la dreta, des de la banda de conducció cap al nivell donador. Aquí hem introduït un
factor de degeneració, g, per tenir en compte diferents possibilitats de que un electró passi a un estat
donador (per exemple, per tenir en compte el spin). Hem de suposar, a més, que el semiconductor és no
degenerat i que, per tant, podem fer servir com a concentració d’electrons l’expressió (2.18a) i que
aquesta és petita en front de la densitat d’estats disponibles, MC, cosa que ens permet de menysprear n en
front de MC. Així, juntament amb el resultat (2.22a) trobem les probabilitats dels dos estats possibles de
càrrega de la impuresa (prenent g=2):
N D0 1 N D+ 1
= = (2.24a)
ND 1  E − EF  ND  E − ED 
1 + exp  D 1 + 2 exp  F
2  kT   kT 
Podem fer un desenvolupament anàleg per a les transicions entre el nivell associat a una impuresa
bipolar acceptadora i la banda de valència i trobarem unes expressions anàlogues:
N A0 1 N A- 1
= = (2.24b)
NA 1  E − EA  NA  E − EF 
1 + exp  F 1 + 2 exp  A
2  kT   kT 
on EA és la posició energètica del nivell acceptador a l’interior de la banda prohibida, i que hem
d’entendre de forma que EA-EV és l’energia necessària per a que la impuresa passi d’estar neutra (sense
cap electró) a quedar ionitzada negativa (havent capturat un electró de la banda de valència).
2.2.3 Equació de neutralitat elèctrica

Com hem pogut observar, el valor de totes les concentracions d’electrons i forats i els factors
d’ocupació de les impureses depenen del nivell de Fermi. Per a determinar la posició d’aquest últim hem
de considerar la neutralitat de càrrega a l’interior del cristall. Si escrivim aquesta equació suposant la
introducció dels dos tipus d’impureses i tots els portadors existents al semiconductor obtenim
l’anomenada equació de neutralitat elèctrica:
n+N A- = p+N D+ (2.25a)
Tots els termes d’aquesta equació depenen de EF , així que resolent-la s’obté EF=EF(NA, ND, EA,
ED, T); MC i MV depenen de l’estructura de bandes de cada material i de la temperatura. La resolució
analítica és possible únicament en els casos límit, en general es resol numèricament.
La generalització d’aquesta equació per als casos on tenim més d’un tipus d’impureses donadores i
acceptadores, a més de impureses multipolars, que tenen més de dos estats possibles de càrrega, ens porta
a una equació de neutralitat general:
n+∑ N A- i +2∑ N A=j +3∑ N A≡k = p+∑ N D+l +2∑ N D+m++3∑ N D+n+ + (2.25b)
i j k l m n
Aquesta equació té en compte que quan una determinada impuresa donadora, per exemple, està
ionitzada dues vegades positivament, ha cedit dos electrons i el seu estat de carrega serà +2.
2.2.4 Variació del nivell de Fermi amb la temperatura i la concentració d’impureses
Analitzant l’equació de neutralitat elèctrica (2.25a), veiem que, donada una certa concentració
d’impureses, tots els termes s’expresen en funció de la posició del nivell de Fermi (respecte dels nivells
d’energia de les bandes de conducció i valència o dels nivells associats a les impureses) i de la
temperatura de treball. Anem a particularitzar l’equació general 2.25b per certes condicions de dopatge,
per tal de discutir l’evolució del nivell de Fermi i l’estat d’ionització de les impureses amb la
temperatura.
2.2.4.1 Posició del nivell de Fermi a un semiconductor intrínsec
Un semiconductor intrínsec és aquell que no té impureses i, per tant, els portadors apareixen
únicament per generació de parells electró-forat. L’equació de neutralitat es redueix doncs a igualar les
expressions (2.18a) i (2.18b) i trobem que el nivell de Fermi vindrà donat per l’expressió:
Ec + Ev 1 M V Ec + Ev 3 m*pd
EF = + kT ln = + kT ln * (2.26a)
2 2 MC 2 4 mnd
D’aquí deduïm que si les densitats d’estats a les bandes de valència i de conducció són iguals (és a dir,
que les masses efectives de densitats d’estats són iguals), el nivell de Fermi es situa al mig de la banda
prohibida per a qualsevol temperatura. Aquesta serà, també, la posició del nivell de Fermi per a qualsevol
altre situació a 0K. Per contra, si les densitats equivalents d’estats a les dues bandes són diferents,
conforme augmenta la temperatura el nivell de Fermi s’acosta cap a la banda que té una densitat d’estats
menors. Per exemple al cas del silici, on mpd*>mnd*, el nivell de Fermi s’acosta cap a la banda de
conducció.
La concentració de portadors serà naturalment:
EC − EV
−  
2 kT 
n = p = M C MV e 
(2.26b)
2.2.4.2 Posició del nivell de Fermi a un semiconductor extrínsec dopat amb impureses
donadores
Suposem que tenim un semiconductor extrínsec de tipus n que només té un tipus d’impuresa
donadora bipolar, ND. Com sabem aquesta impuresa només pot trobar-se en estat neutre, NDº, o ionitzada
positivament, ND+. L’equació de neutralitat (2.25a) es redueix a:
n=p+N D+ (2.27)
Anem, a continuació, a considerar dos casos límits en aquesta igualtat, que ens permetran
d’obtenir el comportament del nivell de Fermi amb els canvis de temperatura. Abordarem les
simplificacions en dos blocs ben diferenciats: baixes i altes temperatures.
A) Regió de baixes temperatures
A baixes temperatures la generació de parelles electró-forat és menyspreable degut a l’elevada

barrera energètica (la banda prohibida), de manera que els electrons de la banda de conducció es
generaran gairebé únicament per ionització de la impuresa. Per tant la concentració de forats serà
menyspreable en front de la d’electrons i l’equació de neutralitat (2.27) queda reduïda a:
n=N D+ (2.28)
Substituint les expressions (2.18a) i (2.24a) en aquesta expressió podem aïllar la posició del nivell
de Fermi:
 1 ED  8 N D EC − ED kT 
E F = kT ln  e kT  1 + e − 1 (2.29)
 4  MC 
Anem a considerar dos casos límits en el rang de baixes temperatures en funció del valor del segon
sumand que apareix dintre de l’arrel:
A1) Limit inferior del rang de temperatures baixes: a molt baixa T, el segon terme de l’arrel de
(2.29) domina sobre l’ 1 (això es veu per que MC creix amb la temperatura a la potència 1,5 i, per tant, a
molt baixes temperatures és molt petit). Així podem deduir que la posició del nivell de Fermi serà, en
aquest cas:
EC + E D kT N
EF = + ln D (2.30a)
2 2 2M C
Substituint aquest valor a l’expressió (2.18a) ens permet de trobar la concentració d’electrons en
aquest cas:
EC − E D
MCND −
n= e 2 kT
(2.30b)
2
on no hem d’oblidar la dependència implícita de MC amb la temperatura.

Aquesta zona correspon al començament d’ionització de les impureses, és a dir, on la concentració
d’impureses que s’estan ionitzant augmenta substancialment amb la temperatura. Per això aquesta zona
rep el nom de zona d’impureses o zona d’ionització d’impureses.
A2) Limit superior de la regió de baixes T: en aquest rang de temperatures una mica més altes
podem considerar que MC augmenta significativament, i el segon terme de l’arrel de l’equació (2.29) ja
no domina, si no més aviat, és petit en front del 1. Així, fent un desenvolupament en sèrie de Taylor i
tallant en els termes de primer ordre arribem a
MC
E F = EC − kT ln (2.31a)
ND
A l’igual que al cas anterior fent servir l’equació (2.18a) podem calcular la concentració
d’electrons:
n = ND (2.31b)
A aquesta zona, tal com ens indica l’expressió (2.31b), totes les impureses estan ionitzades. Per
això rep el nom de zona de saturació d’impureses.
Per tal de poder calcular la concentració de forats en aquestes condicions, una vegada coneguda la
concentració d’electrons, utilitzem la llei de masses (equació (2.20)).
B) Regió d’altes temperatures
En aquest interval hem de tenir en compte que la generació de parells electró-forat comença a tenir
importància i, per tant, no la podem menysprear a l’equació de neutralitat, que ens quedarà com:
n = p + N D+ = p + N D (2.32)
on hem tingut en compte que estem a temperatures superiors a les que s’ionitzen totes les
impureses (descrites a l’apartat anterior) i, per tant, seran totes les impureses les que estaran ionitzades.
Utilitzant, a més, la llei de masses (equació (2.20)) per expressar p en termes de ni i n obtenim:
ND  4ni2 
n=  1 + 1 +  (2.33a)
2  N D2 
Si substituim aquesta relació a l’expressió 2.18a i aïllem EF tenim:

 N  2 
E F = EC + kT ln  D  1 + 1 + 4 ni  (2.33b)
 2 M C  N D2 
 
Tornem a considerar dos casos límits dins d’aquest interval d’altes temperatures, que equivalen a
considerar 2ni<<ND o bé 2ni >> ND respectivament
B1) Límit inferior de les altes temperatures, 2ni<<ND: e aquest cas, el segon terme de l’arrel de
(2.33a) és menyspreable en front de l’1 (vàlid per a temperatures a les quals la concentració intrínseca és
inferior a la concentració d’impureses donadores introduïdes). Això ens porta a que la posició del nivell
de Fermi i la concentració d’electrons venen donats per (2.31a) i (2.31b), respectivament. És a dir,
retrobem la zona de saturació. Per tant el límit inferior de les altes temperatures i el límit superior de les
baixes temperatures coincideixen.
B2) Límit superior de les altes temperatures, 2ni>>ND L’altre cas és el de considerar que el segon
terme de l’arrel de (2.33a) és el terme dominant en front de l’1. Això ens porta a les expressions de la
posició del nivell de Fermi i de la concentració d’electrons:
EC + EV kT M V
EF= + ln (2.34a)
2 2 MC
− Eg
n = ni = M v M c e 2 kT
(2.34b)
Aquestes expressions són les

mateixes que les obtingudes per a un
semiconductor intrínsec (2.26a i 2.26b).
Per això a aquesta zona de comportament
se l’anomena zona intrínseca. La
interpretació d’aquest comportament és
que a molt altes temperatures la generació
tèrmica de parells de portadors és molt
més important que els portadores
subministrats per les impureses.
Aquestes tres zones de
comportaments es mostren clarament a la
figura 2.4, on es representa la
concentració d’electrons per a un
semiconductor extrínsec dopat amb
donadors. La gràfica és un diagrama
d’Arrhenius, on es representen el
logaritme de la concentració d’electrons
respecte a l’invers de la temperatura
(típicament respecte a 1000/T). A la zona
intrínseca (expressió (2.29b)), la
dependència de la concentració
d’impureses amb la temperatura apareix a
través de l’exponencial i a través de MC i
Figura 2.4: Representació de la concentració d’electrons per a MV (dependència en T a la potència 1,5)
silici tipus n (ND=1015 cm-3) en funció de l’invers de la De totes maneres la primera dependència
temperatura, mostrant els diferents comportaments (zones és molt més important, cosa que ens porta
d’impureses, de saturació i intrínseca). a:
1 E g 1000
log(n ) = log(M C M V ) − ⋅ log(e) (2.35)
2 2000k T
Per tant el pendent a la zona intrínseca ens permet de deduir l’amplada de la banda prohibida del
material que estem considerant. Per un altre costat, a la zona d’impureses (expressió (2.30b)) podem
aplicar un raonament similar per determinar la posició energètica del nivell donador respecte al mínim de
la banda de conducció trobant:
1  M N  E − E D 1000
log(n )= log C D  − C ⋅ log(e) (2.36)
2  2  2000k T
2.3 Estadística de nivells multipolars
2.3.1 Factors d’ocupació de nivells multipolars

Fins ara hem parlat d’impureses que només podien tenir dos estats de càrrega (positiu/negatiu i
neutre), però també podem dopar un semiconductor amb impureses que acceptin o donin més d’un
electró. Aquests són el que s’anomenen impureses de nivells multipolars.
Considerem una impuresa com l’or, que pot acceptar un electró o pot donar-lo, és a dir, que tingui
tant un nivell acceptador com un de donador. Tindrem doncs tres estats de càrrega o/-/+ . En aquest cas
podem tractar el principi d’equilibri microscòpic per separat per al nivell donador i per al nivell
acceptador de forma anàloga al fet a l’apartat 2.2.2 i obtindríem:
- EF − E A
− N Au
N Au W Au→ BC (M C − n) = nWBC → Au N Au
o
⇒ o
=e kT
N Au
EF − ED
(2.37)
o
+ N Au
N o
Au W Au→ BC (M C − n) = nW BC → Au N Au ⇒ =e kT
N +Au
Tenint en compte que el nombre d’impureses d’or que tenim al semiconductor és NAu, i que
aquestes estaran en algun dels tres possibles estats de càrrega podem imposar:
+ −
N Au + N Au + N Au
o
= N Au (2.38)
que ens permet trobar les fraccions d’impureses ionitzades respecte el total:
o
N Au  1 
= −(E F − E D ) EF − E A

N Au  
1 + e kT + e kT 
-  EF − E A

N Au e kT
=  (2.39)
N Au  −(E F − E D ) EF − E A 
 1 + e kT
+ e kT

+  −(E F − E D )

N Au e kT
= 
N Au  −(E F − E D ) EF − E A 
 1 + e kT
+ e kT

Quan els nivells energètics permesos dins del gap associats a les impureses estan per damunt de EF
tendiran a estar a l’estat més buit d’electrons. Si els nivells associats a les impureses estan per sota de EF ,
aquestes tendiran a estar a l’estat de càrrega més negatiu possible.
Podriem fer un plantejament similar per a determinar els factor d’ocupació d’impureses tripolars
que puguin assolir estats de càrrega (o/-/--) o bé (o/+/++). En cada cas hauriem de plantejar el principi
d’equilibri detallat entre les transicions possibles, e imposar que la suma de la concentració d’impureses
de cada estat d’ionització sigui igual a la concentració total.
2.3.2 Compensació d’impureses

Suposem un semiconductor dopat simultàniament amb impureses donadores i acceptadores. Si la
concentració NA és menor que la de ND , a temperatures baixes els electrons de la impuresa donadora
hauran estat captats per les impureses acceptadores. Com que les impureses acceptadores ja s’han
ionitzat amb els electrons que provenen de les donadores, no apareixeran forats a la banda de valència
perquè el nivell acceptador ja està ple. En aquestes condicions podem dir que les impureses donadores
han compensat a les acceptadores reduint el nombre de donadores eficaces. El material es comporta com
si tingués un únic nivell donador de concentració ND-NA. Si pel contrari, la concentració ND és menor
que NA el semiconductor es comportarà com si només tingués impureses acceptadores amb una
concentració efectiva de NA-ND.
Això ens permet de matisar un raonament implícit respecte a la interacció entre les diferents
impureses i les bandes. Quant tenim més d’un tipus d’impureses hem de considerar que, a més
d’interaccionar amb les bandes, aquestes impureses interaccionen entre si.
2.4 Metodologia general per a la determinació de la concentració de portadors i la

posició del nivell de Fermi en funció de la temperatura: diagrames de Shockley.
Per a determinar la concentració de
portadors a les bandes i la posició del nivell
de Fermi en el cas de que tinguem un
semiconductor dopat amb diferents impureses
hem de fer servir l’expressió general de
l’equació de neutralitat elèctrica (2.25b). Del
que hem vist fins ara deduïm que cadascun
dels termes que apareixen a l’equació depèn
explícitament de la posició del nivell de
Fermi en forma d’exponencial i de la
temperatura. Això fa que, en general, no sigui
possible arribar a una solució analítica i que
calgui resoldre l’equació de neutralitat de
forma numèrica. Es pot intentar, però,
resoldre de forma aproximada gràficament
utilitzant els anomenats diagrames de
Shockley. El procediment consisteix en
representar en ordenades el logaritme de les
diferents magnituds que apareixen a l’equació
(2.25b) de forma assimptòtica en funció de la
posició del nivell de Fermi, que es representa
a les abscisses. Una vegada representats tots
els diferents termes es fa una suma gràfica
dels termes d’un i de l’altre costat de
Figura 2.5: Resolució de l’equació de neutralitat utilitzant
el diagrama de Shockley per a un semiconductor tipus n
amb impureses donadores.
l’equació (2.25b). Allà on les dues sumes siguin iguals és on es trobarà, aproximadament, el nivell de
Fermi. Amb aquesta solució aproximada podem simplificar raonadament alguns dels termes de l’equació
de neutralitat la contribució dels quals resulti menyspreable o bé prendre alguns altres com a constants.
Amb aquestes aproximacions tornarem a l’equació de neutralitat i la simplificarem de forma que la
puguem resoldre analíticament. La comprovació a posteriori de les aproximacions realitzades en
justificarà la bondat de les simplificacions fetes.
ELECTRÒNICA FÍSICA III-1
Capítol III
3. FENÒMENS DE TRANSPORT ALS SEMICONDUCTORS
3.1 Introducció als fenòmens de transport
3.1.1 Model de Drude

Fins ara hem considerat un conjunt de portadors al cristall com un sistema termodinàmic en
equilibri. En absència de forces externes, les concentracions de portadors a les bandes venen
determinades per la funció de distribució a l’equilibri f(E), (veure fòrmula 2.2a) mentre que els seu
moviment és aleatori i degut únicament a l’agitació tèrmica, amb una velocitat tèrmica de l’ordre d’uns
107 cm/s a 300K. La velocitat mitja dels portadors en equilibri termodinàmic, però, és zero. Ara bé, quan
un semiconductor es troba sota la influència d’un camp extern (ja sigui elèctric, magnètic o tèrmic) el
moviment dels portadors deixa de ser aleatori, s’observa una velocitat promig diferent de zero, i la funció
de distribució es pertorba degut als anomenats fenòmens de transport.
Quan estudiem el moviment dels portadors al cristall, hem de tenir en compte els diferents
mecanismes de dispersió durant la seva trajectòria, mecanismes que quan no existeixen forces externes
són els responsables de que la velocitat mitja sigui nul·la. Naturalment, la interacció dels portadors amb
els àtoms fixes del cristall ja ha estat tinguda en compte amb el concepte de massa efectiva, de forma que
la resta de mecanismes a considerar són:
• Vibracions tèrmiques de la xarxa: fonons

• Dispersió per centres d’impuresa ionitzada
• Dispersió per centres d’impuresa neutra
• Dispersió per interacció electró-forat
La distància que recorre un electró entre dues col·lisions (interaccions amb qualsevol dels
mecanismes descrits) en absència de camps externs s’anomena recorregut lliure; la mitjana entre tots els
valors es denomina recorregut lliure mig, l, mentre que el temps mig entre col·lisions serà el temps mig
de recorregut lliure,τ.
Situant-nos en un model unidimensional, si considerem un semiconductor sotmès a un camp
elèctric, cada tipus de portador experimentarà un força en el mateix sentit (forats) o en sentit contrari al
camp (electrons), de manera que es veuran accelerats. Durant la seva trajectòria, patiran col·lisions o
dispersions, la freqüència de les quals serà dependrà de l’energia cinètica de les partícules: a més energía,
més col·lisions per unitat de temps. Aquests mecanismes de dispersió que alteren la velocitat dels
portadors es poden considerar de manera global com un força de fregament responsable de l’assoliment
d’una velocitat estacionària o velocitat de deriva. Podem descriure aquesta força com:
III-2 CAPÍTOL III. Fenòmens de transport als semiconductors.
FR = k i ( E ) vi δn (E ) (3.1)
vi = velocitat incremental mitja comunicada a les partícules amb energia entre E i E+dE
ki (E)= factor de proporcionalitat depenent de l’energia’E.
δn(E)= nombre de partícules amb energia entre E i E+dE
L’equació dinàmica (en 1D) dels portadors amb energia entre E i E+dE relaciona la força exercida
r
pel camp extern F i la resistència que aquests experimenten degut a les dispersions:
F = m ⋅ a + FR (3.2a)
dvi
Fdn(E)=m* dn(E) + k(E) vi dn(E) (3.2b)
dt
L’equació dinàmica per a una partícula:
F dv v
= i + i (3.2c)
m *
dt τ c (E )
m*
τ c (E ) = (3.3)
k(E)
on τc(E) ens apareix com una redifinició en termes del coeficient de fregament k(E) i la massa efectiva i
té dimensions de temps. Anem a veure el significat d’aquest temps. Si partim d’una situació estacionària
a la qual hem arribat degut a l’acció d’un camp extern i els fem desaparèixer en un moment determinat,
l’evolució de la velocitat incremental amb el temps vindrà donada per:
− t
τc
vi(t) = vi( 0 ) e (3.4)
Podem veure que τC(E) representa un temps de relaxació, que és el temps que un grup de
portadors recupera la situació d’equilibri tèrmic un cop el camp extern ha desaparegut.
Suposem que τC(E) és el mateix per a tots els grups de portadors amb una mateixa energia
cinètica, el camp elèctric exercirà una força sobre un forat:
F = qξ (3.5)
Si considerem condicions estacionàries dv/dt=0 a l’equació (3.2c) es transforma en, obtenint que la
velocitat que assoleixen els portadors (forats al nostre exemple) és:
qτ c eτ
vd = *
ξ = *c ξ = µ pξ (3.6a)
mp mp
Aquesta velocitat rep el nom de velocitat de deriva o d’arrossegament de forats i és la velocitat

estacionària dels portadors sota l’aplicació d’un camp elèctric extern. La proporcionalitat entre la
velocitat de deriva i el camp elèctric, µp, és la mobilitat, que és la velocitat de deriva per unitat de camp
elèctric. De forma anàloga arribaríem a les expressions de la velocitat de deriva d’electrons i la mobilitat
d’electrons, µn:
eτ c
vd = − ξ = − µ nξ (3.6b)
mn*
3.1.2 Corrents de deriva
r
Hem vist com l’aplicació d’un camp extern ξ en un semiconductor és responsable de l’aparició
d’una velocitat de deriva v(E) igual per a tots els portadors la energia dels quals està compresa entre E i
E+dE. Si δn(E) és el nombre d’electrons per unitat de volum, llavors la concentració d’electrons al
semiconductor es pot calcular segons:
n = ∫ δn ( E ) (3.7)
E
Per a determinar la densitat de corrent que circula calcularem el nombre d’electrons que travessa
una superfície S en un dt. Com a màxim, només aquells que estiguin allunyats una distància vd·dt de la
superfície arribaràn a atravessar-la. Aixó ens defineix un volum V = S ·v d ·dt
r q δnV
δj = = q v d δn (E ) (3.8)
n S dt
r r q2  r
E
∫ mn  E ∫
jn = q v d δn( E ) = *  τ c ( E ) δn(E) ξ 

(3.9)
Si tenim en compte que el temps de relaxació promig es pot expressar de la forma:
∫τ c ( E ) δn(E)
1
n∫
〈τ c 〉 = E
= τ c ( E ) δn(E) (3.10)
∫
E
δn(E)
la densitat de corrent deguda al moviment dels electrons la podrem expressar com:
r  q〈 τ 〉  r r r
j n = q *c  n ξ = q µ n n ξ = σ n ξ (3.11a)
 mn 
Per als forats arribaríem a una expressió similar, que és:
r  q〈 τ 〉  r r r
j p = q *c  p ξ = q µ p p ξ = σ p ξ (3.11b)
 m 
 p 
Si redefinim els termes entre parèntesi d’acord a
 q〈 τ 〉   q〈 τ c 〉 
µ n =  *c  µp =   (3.11c)
 m* 
 mn   p 
tenint en compte la contribució al corrent deguda als forats, la densitat de corrent de deriva total en un
semiconductor és:
r r r
J = q (nµ n + pµ p )ξ = σ ξ (3.12)
La conductivitat del semiconductor es defineix com:
σ = q(nµ n + pµ p ) (3.13)
Tenint en compte la definició de µn i µp segons 3.11c, veiem que en la expressió 3.13 ens apareix
el producte q·q i per tant, donat un camp eléctric, la densitat de corrent sempre té el mateix signe per tots
dos tipus de portadors. Aquest fet respon a la convenció d’agafar el sentit del corrent pels electrons en
sentit contrari al del seu moviment real, amb la qual cosa la seva contribució al corrent es suma al de les
càrregues positives.
La resistivitat ρ és una mesura de la resistència que oposa un material al pas del corrent elèctric,
independentment de la geometria del material. Es defineix com la constant de proporcionalitat entre el
camp elèctric i el nombre total de partícules que travessen una superfície S per unitat de temps (densitat
de corrent) i és l’invers de la conductivitat:
1
ρ= (3.14a)
e(nµ n + pµ p )
Si suposem que tenim un semiconductor dopat preferencialment amb un tipus d’impuresa, i que
totes aquestes estan ionitzades, podem aproximar la resistivitat per:
1 1
Semiconductor tipus p: ρ ≈ Semiconductor tipus n: ρ ≈ (3.14b)
eN A µ p eN D µ n
3.1.3 Corrents de difusió

Els corrents de difusió en un semiconductor són la resposta als possibles gradients de concentració
de portadors que s’hi puguin trobar. Per tal de fer una primera aproximació a aquesta qüestió anem a
considerar les hipòtesis següents:
• El moviment dels portadors i els gradients de concentració es consideraran només en una
dimensió.
• Tots els portadors es mouen amb la mateixa velocitat v que, en absència de camps, serà igual a
la velocitat tèrmica, vth .
• Considerarem l el recorregut lliure mig, la qual cosa equival a dir que tots els portadors
col·lisionen a la vegada.
p(x)
0
x
x
-l l
Figura 3.1: Difusió de portadors en un semiconductors sota la presència d’un gradient de concentració de
portadors
Considerem la situació en que la concentració de forats a un semiconductor no sigui homogènea,

sinó que p=p(x), tal com es mostra a la figura 3.1. Calculem el nombre de forats que es mouen en la
direcció +x (representat pel símbol → sobre la p) i que creuen el pla, x=0 en un temps l v :
0
r A
p1 = ∫ p(x) dx (3.15a)
2 −l
De la mateixa manera, el nombre de forats que es mouen en sentit contrari (-x, representat per ←) i
travessen el pla x=0 és:
l
r A
p 2 = ∫ p(x) dx (3.15b)
20
Podem considerar l’expansió en sèrie de Taylor de la concentració de forats al voltant del punt
x=0:
dp
p(x) = p( 0 ) + ⋅x -l ≤ x ≤ l (3.16)
dx x =0
La intensitat neta de difusió serà el fluxe total de forats multiplicat per la càrrega i dividit pel
temps:
r r
q( p1 − p 2 ) 1 dp
I dif = = − qA ⋅ v l (3.17)
l 2 dx 0
v
La densitat de corrent de difusió s’obté de manera immediata dividint per l’àrea:
 v l  dp
J pdif = −q ⋅   (3.18)
 2  dx 0
Redefinint v l /2 com DP (coeficient de difusió de forats) i generalitzant per a tres dimensions

obtenim finalment l’expressió de la corrent de difusió tant per a forats com per a electrons:
r r
J pdif = −e D p ∇ r p
r r (3.19)
J ndif = e Dn ∇ r n
on DP i Dn són els coeficients de difusió de forats i electrons, respectivament. Així, el corrent total
degut a la difusió és:
dif r dif dif
r r
J = J p + J n = − e D p ∇ r p + e Dn ∇ r n (3.20)
Atenent als signes, veiem que pels corrents de difusió, aquests tenen signe contrari al del
gradient de portadors pels forats, i resulta del mateix signe que el gradient de portadors pel cas dels
electrons. Així, per un mateix perfil de portadors n(x) = p(x), el sentit dels respectius corrents de difusió
serien contraris degut també al conveni de signes entre corrent i moviment real de les càrregues.
3.1.4 Curvatura de les bandes sota l’acció d’un camp elèctric
Si en un semiconductor apliquem un camp elèctric ξ que deriva d’un potencial V(x) segons la
r r
relació ξ = −∇V , l’energia dels portadors es veurà modificada
per una quantitat Ep:
Ec
E p = qV ( x) (3.21)
Ev
Cada portador veurà variada la seva energia potencial
en aquesta quantitat Ep, per la qual cosa el perfil de les bandes
V(x) (que representen l’energia dels portadors que les ocupen) es
veurà alterat i ja no serà constant en x, tal com es mostra a la
figura 3.2. És a dir, les bandes s’hauran corbat. D’aquesta
manera, l’existència d’una corbatura de les bandes és deguda a
x la presència d’un camp elèctric i l’expressió que les relaciona és
la següent:
ε(x) ξ=
1 dEC 1 dEV
=
e dx e dx
(3.22)
x
3.1.6 Equació d’Einstein
Figura 3.2: Deducció de l’existència Considerem un semiconductor dopat no uniformement en

d’un camp elèctric com a conse-qüència condicions d’equilibri. La posició del nivell de Fermi respecte a
de la corbatura de les bandes. les bandes dependrà en cada punt de la concentració
d’impureses que hi hagi. Ara bé, com en equilibri el nivell de
Fermi és únic a tot el semiconductor seran les bandes les que es
corbaran depenent de la concentració per tal que la diferència Ec(x)-EF ens descrigui la població de
portadors segons les equacions 2.18. Aquesta corbatura ha de venir originada per algun camp elèctric,
tal com hem vist a l’apartat anterior. El que ha de passar és que, si el dopatge no és uniforme, existirà un
gradient de portadors que ocasionarà un corrent de difusió. La redistribució dels portadors degut a aquest
corrent serà la responsable de l’aparició d’una distribució de càrrega ρ≠0, la qual cosa farà que aparegui
un ξ intern, el potencial associat del qual curvarà les bandes. Aquest camp elèctric crearà un corrent de
deriva que tendeix a compensar el corrent de difusió inicial.
En condicions d’equilibri termodinàmic i plantejat per electrons, aquests dos termes de corrent han
de ser iguals, tenim:
J ndif = J nder (3.23)
dn
eµ n nξ + eDn =0 (3.24)
dx
considerant les expressions de ξ (3.22) i n(θ), amb θ donat per 2.14 arribem a:
Dn kT n
= (3.25)
µn e dn
dθ
Com que en un semiconductor no-degenerat l’últim quocient és igual a 1, arribem a les equacions
d’Einstein, que relacionen els quoficients de difusió i la mobilitat amb la temperatura.
Dn kT
=
µn e
(3.26)
DP kT
=
µp e
3.2 Equació de Boltzmann als semiconductors

Fins ara només hem plantejant el càlcul de corrent de difusió i deriva d’una forma molt simple
però intuitiva. En aquest apartat es planteja un formulisme més general per a la determinació del corrent
total que circula per un semiconductor. Tot i que no abordarem la resolució complerta, destacarem els
punts claus del plantejament i comentarem els resultats més significatius.
3.2.1 Plantejament del càlcul de la densitat de corrent

A l’aplicar un camp elèctric, es crea una situació de no-equilibri que dona lloc a processos de
conducció. Tot i que tots els components microscòpics del semiconductor es veuen afectats (ions,
electrons...) tindrem en compte únicament aquells que presenten una translació apreciable dins del
material: les càrregues lliures. Considerarem dues magnituds transportables dins d’un semiconductor:
• la càrrega (densitat de corrent J)

• l’energia (densitat d’energia Q)
La contribució de n electrons (concentració) amb velocitat v a la densitat de corrent seria:

r r
J = n⋅e⋅v (3.27)
Tenint en compte que els electrons del semiconductor tenen diferent velocitat i energia i que estan
fora de l’equilibri, el càlcul de la densitat de corrent es fa de la forma següent:
r r e r r r r
J = ∫ e δn(E) v (E) dE= ∫ N c (k ) f (k ) (∇ k E) dk (3.28)
h
L’expressió per a la densitat d’energia Q és semblant:
1 r r r r r
Q= ∫ C
h 1ZB
N (k ) f(k ) ∇ k E E(k ) dk (3.29)
En aquestes expressions f(k) ens és desconeguda, ja que ens trobem en una situació fora de
l’equilibri.
3.2.2 Funció de distribució fora de l’equilibri

En presència d’un camp extern, els portadors experimenten una força degut a la qual varien les
coordenades de la posició i el moment. Considerant l’acció d’una força F =(Fx , Fy , Fz ) i la variació
dels paràmetres esmentats, suposarem que la funció de distribució es veu afectada:
 δf δf δf δf δf δf 
df =  − vx − vy − vz − Fx − Fy − Fz dt (3.30a)
 δx δy δz δp x δp y δp z 
δf r r r r
= −∇ r f ⋅ v − ∇ p f ⋅ F (3.30b)
δt
El primer terme correspon a la variació de la posició dels electrons degut a fenòmens de transport
per difusió de portadors (gradient de portadors o de temperatura). El segon terme contempla la variació
del moment dels electrons degut a l’acció d’una força.
3.2.3 Equació de Boltzmann general i en règim estacionari
Si considerem la força com la resultant de forces externes i internes F = F ext + F int , podem
separar explícitament les dues contribucions. Tenint en compte que en absència de cap força externa la
variació de la funció de distribució ha de ser deguda només a les dispersions que pateixen els portadors,
representem el terme degut a les forces internes amb l’indicatiu de terme de col·lisions. Aquestes
consideracions es tenen en compte a l’equació general de Boltzmann (3.30):
δf r r r r  δf 
= −∇ r f ⋅ v − ∇ p ⋅ Fext +   (3.31)
δt  δt  col ·lisions
Si imposem que δf/δt=0, obtenim l’equació general de Boltzmann en règim estacionari:
r r r r  δf 
∇ r f ⋅ v + ∇ p f ⋅ Fext =   (3.32)
 δt  col ·lisions
La principal conclusió que podem extreure de la lectura de l’equació en règim estacionari és que
precisament les variacions de la funció de distribució causades pel moviment dels portadors de càrrega i
l’acció sobre ells de la força exterior es compensen a travès de les col·lisions dels portadors amb les
pertorbacions locals del potencial periòdic de la xarxa.
3.2.4 Aproximació del temps de relaxació

Suposem que, partint d’una situació estacionària, en un moment donat eliminem totes les forces
externes que actuen sobre un semiconductor. En aquestes condicions segueixen actuant les forces
degudes a les col·lisions, que són les responsables de tornar el semiconductor a condicions d’equilibri:
δf  δf 
=  (3.33a)
δt  δt  col ·lisions
Introduïm ara l’anomenada aproximació del temps de relaxació: suposarem que el ritme de
retorn cap a l’equilibri de la funció de distribució és proporcional a la separació de la funció mateixa
respecte a l’equilibri:
δf  δf  f − fo
=  =− (3.33b)
δt  δt  col ·lisions τ
Aquesta suposició serà vàlida sempre que la funció de distribució tingui un desenvolupament a
l’entorn de fo (equilibri) que es pugui aproximar en primer ordre, i ens du a una relaxació de tipus
exponencial. Obtenim així equacions de transport lineal, vàlides per a separacions petites respecte a
l’equilibri. Si el desenvolupament de la funció de distribució precisés de més termes, obtindríem
equacions de transport no-lineals. Resolguem ara el cas lineal:
-t
f (t ) = ( f − f 0 ) t =o e τ
+ f0 (3.34)
que equival a suposar que f(t) = f0+f1 , on f1(t) és una pertorbació de la funció de distribució a l’equilibri.
Segons la relació 3.33b, ens adonem que
 δf  − f1
  = (3.35)
 δt  col ·lisions τ
on τ és el temps de relaxació, i representa el temps mig durant el qual existeix en el sistema una
distribució desequilibrada de portadors de càrrega després d’eliminar els camps externs.
3.2.5 Solució de l’equació de Boltzmann: fenòmens termoelèctrics i galvanomagnètics

La funció de distribució sota l’aproximació del temps de relaxació en règim estacionari seria
coneguda si trobéssim una expressió per a f1. Per a trobar una expressió que ens porti a f1, a l’equació de
Boltzmann en règim estacionari (3.32) substituïm f=f0+f1 i el terme de col·lisions per la relació 3.35.
menyspreant termes de segon ordre, trobem:
r r
f1 r  E − EF r r  δf 0 F δf 0 r F r
− = −v  ∇ rT + ∇ r E F  + hv + ∇ k f (3.36)
τ  T  δE h δE h
La ressolució d’aquesta equació requereix definir quin tipus de força externa és la que actua sobre
els portadors de càrrega. Si considerem la força de Lorentz i la introduim a l’equació de Boltzmann,
tenim:
r r δf τ r r r
(
f1 = −τ v ⋅ F 0 + q B ⋅ v ∧ ∇ k f1
δE h
) (3.37)
r
on F reb el nom de força termoelèctrica i s’expressa com:
r  E − EF r r 
F = − ∇ r T + ∇ r (E F + qV) (3.38)
 T 
Segons aquest plantejament, estarem a l’equilibri quan f1=0. Per un altre costat, a la força
termoelèctrica hi contribuexien tres termes: que EF varii amb la posició (que és una forma d’expressar
que existeix un gradient de portadors), que existeixi gradient de temperatura i que tinguem un cap camp
elèctric ξ aplicat (representat per la existència d’un gradient de potencial, V). Un cop conegudes f0 i f1 ja
podem fer el càlcul de la densitat de corrent substituint a 3.28.
• Considerem ara que no tenim camp magnètic B o bé que la seva intensitat és molt petita de
manera que el segon terme de l’equació 3.37 resulti nul o menyspreable. La solució de
l’equació de Boltmann en aquest cas ens porta als anomenats efectes termoelèctrics. Si
substituim l’expressió de f al càlcul del corrent (3.28) es pot arribar a:
1
J = σ ⋅ξ − ⋅ σ ·∇ r E F − σ ⋅ S ⋅ ∇ r T (3.39a)
q
on σ és el tensor conductivitat, relacionant amb el tensor invers de massa efectiva i S, és
l’anomenat coeficient Seebeck. Reconeixem doncs, en el primer terme la llei d’Ohm i per
tant els corrents de deriva deguts a la presència d’un camp elèctric, i en el segon i tercer els
corrents de difusió i corrents deguts al possible gradient de temperatura en el semiconductor.
Veiem que en condicions de corrent total nul, com és el cas d’un sistema aïllat, s’haurà de
produir un balanç entre tots els termes que hi contribueixen al corrent Així per exemple,
veiem que si tenim un circuit obert (corrent total nul), amb dopatge uniforme, i existeix un
gradient de temperatura ha d’aparèixer un camp elèctric induit. Aquest és l’efect Seebeck,
fonament dels termoparells. Altres efectes termoelèctrics són l’efecte Thompson i Peltier.
• En presència d’un camp magnètic B, d’intensitat significativa, la solució de l’equació de

Boltzamann ens porta als efectes galvanomagnètics. Entre ells podem destacar l’efecte Hall,
que implica l’aparició d’un camp elèctric induit sota l’acció de camps externs ξ i B, la
magnetoresistència, o variació de la resistivitat sota l’acció d’un camp magnètic, entre d’altres.
3.2.6 Efecte Hall

Malgrat que ja hem vist que l’anàlisi dels fenòmens galvanomagnètics s’han d’atacar resolent
l’equació de Boltzmann, podem fer una presentació senzilla de l’efecte Hall, de la mateixa manera que
ho hem fet també per al càlcul dels corrents de deriva i de difusió.
En un semiconductor en el qual no existeix cap gradient de temperatura ni de portadors i al que se

li ha aplicat un camp elèctric a la direcció x, el corrent que hi circularà serà:
r r
j = σ ξ = (σξ, 0 , 0 ) (3.39)
v r q〈 τ 〉 r  q〈 τ 〉ξ 
v = µ ξ = * ξ =  * , 0 , 0 (3.40)
m  m 
Si apliquem un camp magnètic B uniforme a la direcció y, els portadors experimentaran una força
de Lorentz en la direcció z deguda a aquest camp, donada per la fòrmula (3.41). D’aquesta manera la
força resultant forma un angle ϕ amb el camp elèctric. Així la trajectòria dels portadors majoritaris és
desplaçarse segons aquesta direcció.
r r r  q〈τ 〉 
F = qv ∧ B =  0, 0 , * ξB  (3.41)
 m 
Com que la mostra és finita, tard o d’hora els portadors col·lisionen amb el contorn de la mostra i
s’acumulen allà, originant una distribució de càrregues a l’interior del semiconductor responsable de
l’aparició d’un camp elèctric intern anomenat camp Hall ξH. L’acumulació de càrregues s’atura quan
s’arriba a un equilibri dinàmic al qual la força deguda al camp Hall compensa la força de Lorentz. El
camp Hall té ara l’expressió següent:
r  e 2 〈τ 〉 
ξ H =  0, 0 , - ξB  (3.42)
 q m* 
Si substituïm el mòdul del camp elèctric per ξ=j/σ i la conductivitat σ per la seva expressió en
funció de la concentració de portadors, el temps de relaxació i la massa efectiva podem definir el
coeficient Hall RH:
ξ H = − R H jB (3.43)
Considerant només els portadors majoritaris, aquest coeficient Hall té les següents expressions per
als semiconductors N i P:
1 1
RH = − RH = (3.44)
en ep
En general, per a qualsevol direcció dels camps es compleix que:
(r )
r r
ξ H = − RH j ∧ B (3.45)
Aquest desenvolupament és qualitatiu, les possibles millores d’aquest model introdueixen per
exemple, el factor Hall rH al coeficient Hall, que té en compte l’estructura de bandes i els mecanismes de
dispersió dels materials.
1 1
R H = − rH RH = rH (3.46)
en ep
Quan tenim un semiconductor intrínsec o proper a l’intrísec al qual hem de considerar els dos
tipus de portadors presents en un semiconductor, el coeficient Hall en conducció bipolar queda
modificat de la forma següent:
αn +α p
RH = (3.47)
enµ n + epµ p
on α n = rH σ n µ n . A partir d’aquestes expressions podem definir la mobilitat Hall com
µ nH = R H ⋅ σ n (3.48)
la qual cosa ens dóna una expressió final per al coeficient Hall en conducció bipolar (dos tipus de
portadors):
pµ p2 − nµ n2
R H = rH (3.49)
e( nµ n + pµ p ) 2
3.3 Anàlisi de l’aproximació del temps de relaxació
3.3.1 Mecanismes de dispersió dels portadors. Regla de Matthiesen

Entre els mecanismes de dispersió de portadors en un cristall destaquem, les interaccions amb el
potencial coulombià de les impureses ionitzades, els xocs amb impureses neutres i els intercanvis amb les
vibracions col·lectives de la xarxa (fonons), tots ells sempre governats per les lleis de conservació
d’energia i moment. Sota l’aproximació del temps de ralaxació, podem assignar a cada un dels
mecanismes un temps de relaxació propi τi, que recordem indicaria el temps que un sistema trigaria en
retornar a la situació d’equilibri si només ho fés segons aquest mecanisme de dispersió:
τi i : impureses ionitzades
τi n: impureses neutres
τac: fonons acústics
τnpo i τpo: fonons òptics no polars i polars
El temps de relaxació τ dels portadors al semiconductor pot aproximar-se tenint en compte tots els
mecanismes de dispersió sabent que la probabilitat de que un portadors sigui dispersat per un determinat
centre de dispersió és inversament proporcional al temps de relaxació i tractant tots els mecanismes de
forma independent entre si (regla de Mathiessen), trobem:
1 1
=∑ (3.50)
τ i τi
que es tradueix en una expressió semblant per la moblitat dels portadors atenent a la definició de µ feta a
l’equació 3.11c
1 1
=∑ (3.51)
µ i µi
3.3.2 Variacions de la mobilitat amb la concentració d’impureses i la temperatura

Degut a la relació directa de la mobilitat amb la massa efectiva i el temps de relaxació, aquella es
pot interpretar com una mesura de la facilitat que té un portador per a desplaçar-se dins del
semiconductor. Els xocs amb impureses ionitzades i les vibracions de la xarxa són els dos mecanismes de
dispersió que més influeixen sobre els portadors i per tant, són els mecanismes que acabaran definint el
valor de mobilitat. D’altra banda, l’eficiència de les impureses i fonons com a mecanismes de dispersió
depenen fortament de la temperatura i en conseqüència, µ dependrà de T i de la concentració d’impureses
molt significativament.
Per tal d’arribar a expressions analítiques per a conèixer els valor de la mobilitat, s’ajusten les
dades empíriques, i d’aquest ajust s’extreuen expressions vàlides per determinats rangs de concentració
d’impureses i temperatura. Abans però de donar aquestes expressions anem a veure qualitativament com
afecten a la mobilitat els canvis de concentració i temperatura.
En quant a la dependència en funció de la concentració de portadors, aquesta vé donada a la figura

(3.3). Observem els comportaments següents:
• Fins a un dopatge d’uns 1016 cm-3 , la mobilitat és pràcticament cons-tant. Això reflecteix el fet
que per aquest rang de dopatge baix, el mecanisme dominant és la inter-acció amb fonons i
aquests depenen essencialment de T.
• La mobilitat dels portadors decreix monòtonament a partir de concentracions de 1016 cm-3 .
Figura 3.3: Dependència de la mobilitat d’electrons i forats al silici a 300K en funció de la concentració de
portadors.
La dependència de la mobilitat en funció de la temperatura es presenta a la figura 3.4 i podem

veure els següents comportaments:
• En general podem veure que la mobilitat disminueix amb l’aug-ment de la temperatura. Aquest
descens és més apreciable per les corbes corresponents a concentra-ció d’impureses més baixes,
ja que de nou el mecanisme
dominant és la interacció amb
els fonons.
• Quan augmenta la temperatura,

les vibracions de la xarxa
augmenten, pel que també
s’incrementa la probabilitat de
dipersió per fonons i per tant es
redueix la mobilitat. Ara bé, un
augment de temperatura també
fa augmentar la velocitat tèrmica
dels portadors, pel que el temps
durant el qual un portador roman
aprop d’una impuresa es
redueix, fent que disminueixi la
probabilitat de dispersió per
impureses. Aquesta és la raó per
la qual la mobilitat dels
portadors disminueix molt
menys en semiconductors amb
alta concentració d’impureses
que en els de baix dopatge: a
altes concentracions els dos
Figura 3.4: Dependència de la mobilitat de portadors per a mecanismes de dispersió
silici en funció de la tempeartura.
(impureses i fonons) es
compensen donant lloc a una
mobilitat poc sensible als canvis de temperatura i amb un màxim relatiu ampli a temperatures
intermitges.
Finalment, les dependències µ(T) per als dos mecanismes més importants (fonons i impureses
ionitzades) són:
−3
T 2
Oscil·lacions de la xarxa (fonons acústics): µ LO (T ) = µ 0 *5
(3.52)
m 2
3
T 2
Impureses ionitzades: µ II (T ) = µ I
0 *1
(3.53)
m 2
3.3.3 Dependència de la velocitat de deriva amb el camp elèctric
En un semiconductor en el qual tenim un camp elèctric ξ, un electró adquireix una energia E=eξl
en el seu recorregut lliure mig. L’electró pot mantenir aquesta energia o bé lliurar-la quan interaccioni
amb un fonó de la xarxa. La probabilitat
v que succeixi un o altre procés depèn de
camps elevats
la intensitat del camp elèctric aplicat. En
funció de la intensitat del camp elèctric
podem distingir tres zones :
zona intermitja
• Regió lineal:
δ kT
regió lineal
ξ << (3.54)
e l.
on δ és la variació relativa de
l’energia d’un electró quan col·lisiona
ε amb la xarxa i ve donada per:
Figura 3.5: Dependència de la velocitat de deriva amb el camp ∆E

elèctric, mostrant els comportaments òhmic i de saturació. δ= (3.55)
E
L’electró perd part de l’energia suministrada pel camp elèctric a través de les interaccions amb els
fonons acústics de manera que arriba a un estat estacionari on la velocitat és proporcional a la intensitat
del camp aplicat. Tenint en compte que v d << v th (ja que es tracta de la velocitat incremental
comunicada pel camp) es pot dir que:
r r
v d = µξ µ=cte (3.54)
r r
Aquesta regió és la regió de validesa de la llei d’Ohm on j = σξ .
• Regió intermitja:
El camp té influència sobre els mecanismes de dispersió, el temps de relaxació i la mobilitat. En

aquesta regió la llei d’Ohm no es vàlida. En camps intensos els electrons no transfereixen la seva energia
als fonons, de forma que la seva energia mitja augmenta i en conseqüència el gas d’electrons de
conducció s’escalfa. El valor crític del camp a partir del qual s’inici l’escalfament d’electrons és el camp
crític ξcrit .
kT
(2δ ) 2
1
ξ > ξ crit ξ crit = (3.55)
el
La velocitat de deriva i la mobilitat en funció del camp aplicat són:
1
 e l  δ  12  2 1 −1
vd =  *    ξ 2 µ = µ 0ξ 2
(3.56)
 m  2  
• Regió de camps molt intensos:
En aquest rang d’intensitats es fa

posible la dispersió per fonons òptics. La
intensitat del camp modifica la concentració
de portadors. La velocitat de deriva es satura, i
la dependència de la mobilitat amb el camp
elèctric passa a ser:
1
 hw0  2
v d ≈ v sat =  * µ ∝ ξ −1 (3.57)
 2m 
Aquest és le comportament pel silici, tal com

es mostra a la figura 3.6. Per a d’altres
semiconductors, com el GaAs o el InP,
s’observa un pic de sobresaturació (en el
InGaAs, a un camp d’uns 6kV/cm), que es pot
explicar com a causat per un salt d’una
població important d’electrons des del mínim
absolut Γ cap a un de relatiu (mínim X o L).
Una vegada els electrons estan en aquest
Figura 3.6: Dependència de la velocitat dels electrons per a mínim, la seva massa efectiva és diferent (més
diferents semiconductors en funció de la intensitat del camp.
gran), cosa que provoca que la seva velocitat
disminueixi.
ELECTRÒNICA FÍSICA IV-1
Capítol IV
4. GENERACIÓ I RECOMBINACIÓ DE PORTADORS. EQUACIONS DÉSTAT

I DE TRANSPORT
4.1 Mecanismes de generació i recombinació de portadors
Fins ara només hem parlat de la concentració de portadors a l’equilibri, però en general el mode
normal dóperació dún dispositiu és en condicions de no-equilibri, situació en que es té una pertorbació
del nombre de portadors del semiconductor. En aquestes condicions els mecanismes de generació i
recombinació juguen un paper essencial en el valor de la concentració final de portadors. Parlem de
mecanisme de generació de portadors quan incrementem el nombre de portadors a les bandes de
conducció i/o valència i parlem de mecanismes de recombinació quan es tracta d’un fenòmen en el que
té lloc lániquilació dels portadors de càrrega. Existeixen diversos mecanismes a través dels quals els
portadors es generen i recombinen, i de fet cada mecanisme de generació té el seu homòleg de
recombinació. Així podem parlar de mecanismes G-R, entenent que es tracta de processos que
condueixen a l’increment i reducció del nombre de portadors respectivament. Cal tenir en compte que en
ambdós processos la conservació de lénergia i el moment suposaran una limitació addicional que
definirà la probabilitat de que un o altre procés s’esdevingui.
En general ens interessarem pels mecanismes de generació de parells electró-forat, és a dir,
mecanismes que condueixen a la creació d’un electró a la banda de conducció i un forat a la banda de
valència. Anàlogament, parlarem, doncs de recombinació de parells. Passem a descriure qualitativament
els processos G-R més significatius.
A. Generació (recombinació) banda-banda: Parlem de generació òptica o radiativa quan la

generació de portadors té lloc per l’absorció d’un fotó d’energia igual o superior a la del gap
del semiconductor. Parlarem de recombinació òptica o radiativa, quan tinguem una
recombinació directa entre un electró de la banda de conducció i un forat de la banda de
valència amb la conseqüent emissió de radiació (fotó). Aquest procés és molt efectiu si el
semiconductor és de gap directe perquè la transició entre els punts extremals de les bandes no
implica variació del moment, i aquesta pot produir-se assistida únicament per fotons, de
moment molt petit en comparació al d’un portador de càrrega. En absència d’una font de llum
externa, podem parlar de generació òptica interna per absorbció dels fotons provinents de
l’espectre de radiació de cos negre del propi sòlid, i dependrà, doncs, fortament de la
temperatura.
Parlem de generació (recombinació) no radiativa o tèrmica, quan la creació (aniquilació de

parells) té lloc amb la intervenció de modes vibracionals col·lectius de la xarxa o fonons.
IV-2 CAPÍTOL IV. Mecanismes de generació i recombinació. Equacions d’estat i transport.
Podem considerar aquests modes com a partícules poc energètiques però amb un moment
significatiu, amb la qual cosa podran assistir transicions entre punts extremals de diferent
valor de k . Aquests processos G-R no radiatius assistits per fonons són, però, poc probables
en front els mecanismes de G-R òptica, però seran molt rellevants en semiconductors de gap
indirecte.
B. G-R Auger: es tracta de processos G-R assistits per portadors molt energètics (portadors
“calents”). Per exemple un electró (o forat) molt energètic pot cedir part de la seva energia
creant un parell, o anàlogament, lénergia alliberada després dúna recombinació e--h+ es
transmet a un segon electró (o forat) que es termalitza posteriorment mitjançant successives
interaccions amb la xarxa. És doncs un procés no radiatiu, més important com més gran sigui
la concentració de portadors.
C. G-R assistida per centres profunds (centres de generació-recombinació RGC): La

presència dímpureses o defectes que pertorben la periodicitat del potencial introdueixen
estats permesos en regions profundes del gap que actuen com a trampa de portadors i
afavoreixen els processos de recombinació i generació no radiatius assistits per emissió
fonònica. Aquestes pertorbacions s’anomenen centres de recombinació o trampes de
portadors i venen caracteritzats per nivells d’energia molt profunds (“deep levels”), en
general molt propers al valor del nivell de Fermi intrínsec.
Els nivells donadors i acceptadors molt poc profunds (“shallow levels”) poden actuar també
com a intermediaris en processos de recombinació. Malgrat això, aquests nivells poden
comparar-se a centres R-G de baixa eficiència, ja que presenten una gran probabilitat
dálliberar novament els portadors de càrrega. Porten associada una emissió radiativa amb una
probabilitat més gran a temperatures baixes.
D. G-R assistit per Excitons: un excitó és un parell electró-forat que roman lligat dúna forma
molt semblant a un model hidrogenoide (interacció de potencial coulombià) i que respon de
manera conjunta a les forces externes. Lénergia de léxcitó és menor que lénergia del gap,
degut a que la formació de léxcitó comporta una despesa energètica. Aquesta situació es pot
modelitzar mitjançant un nivell energètic per sota de EC o EV. La recombinació de la parella
(aniquilació de léxcitó) comporta una emissió radiativa.
4.1.1 Generació i recombinació de portadors en equilibri

En condicions déquilibri termodinàmic (a una certa temperatura T) existirà una generació Go de
parells electró-forat per unitat de volum i de temps (parell/cm3 ·s) que haurà de compensar-se amb els
parells recombinats Ro. Aplicant el principi d’equilibri detallat, en situació d’equilibri termodinàmic la
generació de portadors per cada un dels mecanismes descrits ha de compensar-se amb el respectiu procés
de recombinació, de manera que podem parlar de que en equilibri, G0i = R0i.
Per cada un dels mecanismes descrits la probabilitat de generació i recombinació és proporcional

al producte de les concentracions de la població implicada en el procés. Així en situació d’equilibri,
(caracteritzant tots els paràmetres amb el subíndex o) tenim que per:
A. G-R òptica
Tenint en compte que el nombre d’enllaços susceptibles d’esser trencats és pràcticament infinit,
el ritme de generació de portadors vindrà donat per la relació
rad rad
Go = go (4.1a)
on go és la constant de proporcionalitat que dependrà fortament de la temperatura. El ritme de

recombinació però serà proporcional al producte de les concentracions d’electrons i forats susceptibles de
trobar-se i recombinar:
rad rad
Ro = ro no p o (4.1b)
i en equilibri si Gorad = Rorad:

rad rad
go = ro no p o (4.1c)
on gorad i rorad són els coeficients de generació i recombinació respectivament.
B. G-R Auger
Per aquest mecanisme, malgrat el nombre d’enllaços susceptibles d’ésser trencats és també
infinit, ens intervé un altre població, com són els portadors calents. Així tindrem tants més portadors
prou energètics per assistir un procés G-R Auger quant més alta sigui la concentració de portadors. La
generació vindrà donada en termes de la relació:
Auger ,e − eh e − eh
Go = go ⋅ no (4.2a)
on goe-eh representa el coeficient de generació de parells per mecanisme Auger amb la intervenció d’un
electró altament energètic. De la mateixa manera podem tenir en compte l’assistència per forats
energètics amb la expressió:
Auger , h − eh h − eh
Go = go ⋅ po (4.2b)
Si ara pensem en el procés de recombinació, el nombre de parells recombinats serà proporcional a les tres
poblacions implicades. Així podem escriure:
Auger ,e − eh e − eh 2
Ro = ro ⋅ no ⋅ p o (4.3a)
Auger , h − eh h − eh 2
Ro = ro ⋅ no ⋅ p o (4.3b)
Si apliquem de nou el principi d’equilibri detallat, podem arribar fàcilment a la relació:
e − eh e − eh
go = ro no p o (4.4a)
h − eh h − eh
go = ro no p o (4.4b)
C. G-R assistida por centres profunds
Aquest mecanisme és degut a léxistència dún nivell local dénergia ET a la regió intermitja de la
banda prohibida que actua com un centre de recombinació i generació. (Tot i que en realitat un
semiconductor pot arribar a tenir un nombre elevat de nivells profunds, els processos de recombinació-
generació (R-G) acostumen a estar dominats per un sol nivell). Abans de continuar però, anem a donar
un seguit de definicions:
∂n
: variació de la concentració délectrons a la B.C. degut a R-G a un nivell local
∂t R−G
∂p
:variació de la concentració de forats a la B.V degut a R-G a un nivell local
∂t R−G
nT : densitat de centres R-G que estan ocupats per un electró (equivalent al nombre dímpureses
ionitzades en cas de tractar-se de nivells donadors)
pT : densitat de centres R-G buits délectrons

N T : concentració total de centres R-G
Una vegada definida la notació, podem pensar les diferents transicions possibles en les que es pot veure
implicat el nivell ET associat al centre R-G. Aquestes es descriuen a la figura 4.1:
a) Captura dún electró de la banda de conducció al nivell R-G

b) Emissió dún electró a la banda de conducció desde un nivell R-G
c) Captura dún forat de la banda de valència (equival a dir que un electró del nivell R-G passa a
la banda de valència tot anihilant un forat)
d) Emissió dún forat des del nivell R-G (equival a considerar que un electró de la banda de
valència salta al nivell R-G deixant un forat)
EC
ET
EV
(a) (b) (c) (d)
Figura 4.1: Esquema de les possibles transicions associades a la presència d’un nivell profund ET.
Les variacions de la concentració délectrons es veuran influenciades pels mecanismes a,b i les de
forats pels mecanismes c,d:
∂n ∂n ∂n
= +
∂t R − G ∂t a ∂t b
(4.5)
∂p ∂p ∂p
= +
∂t R −G ∂t c ∂t d
Les variacions de concentració degudes als mecanismes descrits es poden expressar en funció de
paràmetres com les densitats déstats desocupats i ocupats del centre R-G, nT i pT, els coeficients de
captura del nivell R-G per als electrons i els forats Cn , C p , els coeficients démissió délectrons i forats
en , e p i les concentracions délectrons i forats mateixes:
R −G
Captura d’electrons (ce): ro ,ce = C o ,n pTo no
R −G
Emissió d’electrons (ee): ro ,ee = eo ,n nTo
R −G
Captura de forats: (ch): ro ,ch = C o , p nTo p o (4.6)
R −G
Emissió de forats (eh): ro ,eh = eo , p pT o
Dáquesta manera la variació de la concentració d’electrons i forats vindrà donada per la

diferència entre els ritmes d’emissió i captura:
∂n
ro ,ce − ro ,ee = − = C o ,n pTo no − eo ,n nTo
∂t R −G
(4.7)
∂p
ro ,ch − ro ,eh =− = C o , p nTo po − eo , p pTo
∂t R −G
Si apliquem el principi déquilibri detallat per als mecanismes que regulen les transicions entre
les bandes i el nivell R-G, els ritmes d’emissió i captura per cada tipus de portador han de ser iguals:
ro ,ce = ro ,ee
(4.8)
ro ,ch = ro ,eh
i això ens duu a una relació entre els coeficients démissió i captura:
Cno pTo no
eno = = Cno n1
nTo
(4.9)
C po nTo po
e po = = C po p1
pTo
Per altra banda, a efectes de probabilitat dócupació, el centre R-G pot tractar-se com un nivell
discret a la banda prohibida del semiconductor. Així, la concentració délectrons en aquest nivell obeeix
léxpressió següent:
nTo 1
= (4.10)
NT  E − EF 
1 + g T ⋅ exp T 
 kT 
on gT és un factor de degeneració que prendrem igual a la unitat.

Podem substituir aquests valors a les expressions de n1 i p1:
ET − Ei
n1 = ni e kT
Ei − ET
(4.11)
p1 = ni e kT
Observacions:
• Si ET = E F ⇒ n1 = no , p1 = p o .
• Si ET = Ei està al mig de la banda prohibida ⇒ n1 = p1 = ni
n1 > ni
• Si ET es troba per damunt del mig de la banda prohibida
p1 < ni
I així finalment prodem arribar a les relacions:
eno = C no ni
(4.12)
e po = C o , p ni
4.1.2 Població de portadors fora de l’equilibri: excés de portadors i pseudonivells de

Fermi
A més a més de la generació i recombinació interna de portadors, en condicions de no-equilibri

podem tenir una variació de la concentració de portadors a través dáltres mecanismes:
− absorció de llum
− camps elèctrics: injecció i extracció de portadors
Aquests processos donaran lloc a una alteració de les concentracions de portadors no i po a
léquilibri. Aquestes modificacions es representen per ∆p, ∆n i reben el nom de concentració de
portadors en excés.
El nombre total de portadors en condicions de no-equilibri vé donat per:
n = n o + ∆n
(4.13)
p = p o + ∆p
Si tenim en compte que a temperatura ambient la velocitat tèrmica dels portadors és tal que el temps de
relaxació entre dues col·lisions és de lórdre de 10-13s, els possibles portadors en excés es termalitzen en
un temps de 10-10s (1000 col.lisions). En aquest curt espai de temps la població en excés és indistingible
de la població en equilibri. Si a més a més considerem que ∆n i ∆p<< n0 + p0 , podem suposar que la
termalització dels portadors en excés transfereix una energia menyspreable al cristall i en conseqüència
tampoc no altera apreciablement la seva temperatura. Això implicará que les concentracions de portadors
a léquilibri no es veuran tampoc afectades significativament.
La concentració délectrons lliures en desequilibri es pot expressar de forma anàloga al cas dels
portadors en condicions déquilibri:
∞
n = no + ∆n = ∫ f ' ( E ) N C ( E )dE (4.14)
Ec
essent:
fe’(E): funció distribució fora de léquilibri
NC(E): densitat déstats (*)
Tenint en compte que la distribució de portadors als estats permesos fora de léquilibri no serà
molt diferent a la de léquilibri, esperarem que la funció distribució no sállunyi massa de la de Fermi-
Dirac. Una primera aproximació senzilla és substituïr el nivell de Fermi a léquilibri EF per un nou nivell
EFn anomenat pseudo-nivell de Fermi d’electrons:
' 1
f n (E) = (4.15a)
 E − E Fn 
1 + exp 
 kT 
' 1
f p (E) = (4.15b)
 E Fp − E 
1 + exp 
 kT 
Comparem ara les noves concentracions de portadors amb les déquilibri:
Equilibri No-equilibri
EC − E F EC − E Fn
− −
no = M c e kT n = Mce kT
E Fp − EV
(4.16)
E F − EV
− −
po = M v e kT p = Mve kT
4.1.3 Generació i recombinació fora de l’equilibri

Quan allunyem un sistema de la condició d’equilibri aquest reacciona amb una tendència a recuperar
aquest equilibri. Considerem, per exemple, que el sistema es veu sotmés a una pertorbació que condueix
a un increment del nombre de portadors, com pot ser el cas d’una generació òptica afavorida per
incidència de llum d’una font externa. Mentre que el ritme de generació intern pràcticament no variarà
(essencialment dependrà de la temperatura segons s’acaba de veure a l’apartat 4.1.1, el ritme de
recombinació augmentarà fortament perquè ho hauran fet les concentracions de portadors. Aquesta
resposta ens porta a les següents consideracions:
mentre mantinguem la pertorbació externa, la reacció del sistema augmentant el ritme de

recombinació ens assegura que la població no s’incrementarà indefinidament si no que al cap
d’un cert temps s’assolirà un règim estacionari on les concentracions de portadors ja no
variaran amb el temps
si el·liminem la pertorbació externa, aquest ritme de recombinació més alt conduirà a la
reducció de la població en excés retornant de nou a la situació d’equilibri.
Aixó ens porta a descriure la situació de no equilibri en termes d’equacions formalment anàlogues a les
descrites a l’apartat 4.1.1 sense més que el·liminar el subíndex o i prendre n i p fora de l’equilibri. Si ara
definim el ritme de recombinació net U com la diferència entre els ritmes de recombinació R i generació
G fora de l’equilibri tindrem que:
U = ∑i U i = ∑ ( Ri − Gi ) (4.17)
i
Concretarem aquestes diferències pels processos comentats anteriorment:

A. G-R òptica
Si pensem només a la contribució de la generació òptica interna, aleshores, podem aproximar que
en condicions de no equilibri aquesta pràcticament no variarà ja que només depen de la temperatura:
rad rad rad rad

G rad ≈ Go = go =r o ⋅no p o = Ro (4.18)
La recombinació serà més gran perquè les concentracions n i p hauran canviat respecte les de l’equilibri:
rad
R = r rad n p (4.19)
Si no ens hem allunyat massa de la condició d’equilibri, podem assumir que els coeficients de
rad rad
recombinació no seran massa diferents i podem prendre ro ≈ r . Així, finalment
U rad = R rad − G rad = r rad (np − no p o ) (4.20)
B. G-R Auger
Podem fer les mateixes consideracions per aquest altre mecanisme amb generació assistida per
un o altre tipus de portador arribant a:
Auger ,e − eh e − eh
G =g ⋅n
(4.21)
G =g ⋅p
Si ara pensem en el procés de recombinació, el nombre de parells recombinats serà proporcional

a les tres poblacions implicades, que ara seran diferents de les d’equilibri:
R Auger ,e −eh = r e −eh ⋅ n 2 ⋅ p

(4.22)
R =r ⋅n⋅ p 2
Fent les mateixes consideracions sobre la igualtat dels coeficients de generació i recombinació en
condicions no gaire lluny de la condició d’equilibri i expressant els coeficients de generació en termes
dels de recombinació segons les expressions (4.4), podem demostrar fàcilment que:
U Auger = U e−eh + U h −eh = (r e −eh ⋅ n + r h −eh ⋅ p) ⋅ (np − no p o ) (4.23)
C. R-G assistit per centres profunds
De nou ens plantegem descriure els processos d’emissió i captura de portadors degut a l’existència
de centres profunds, però ara fora de l’equilibri. Podrem escriure les equacions 4.6 sense més que
el·liminar el subíndex o, representatiu de la condició d’equilibri.
R −G
Captura d’electrons (ce): rce = C n pT n
R −G
Emissió d’electrons (ee): ree = en nT
R −G
Captura de forats: (ch): rch = C p nT p (4.24)
R −G
Emissió de forats (eh): reh = e p pT
Si estem fora de l’equilibri la relació 4.8 no té per què ser certa. Ara bé, si considerem que la
recombinació ha de ser a parells, aleshores podrem escriure:
∂n
rce − ree = − = C n pT n − en nT
∂t R −G
(4.25)
∂p
rch − reh = − = C p nT n − e p pT
∂t R −G
sabent que:
rce − ree = rch − reh (4.26)
Aquestes diferències, no són més que el balanç entre els ritmes de captura i emissió dels portadors i, per
tant, corresponen al ritme de recombinació net UR-G:
U R −G = rce − ree = rch − reh (4.27)
Si assumim que els coeficients d’emissió i captura fora de l’equilibri no són massa diferents dels
de l’equilibri i utilitzant les expressions 4.12 i 4.24, podem demostrar que
np − no p o
U R −G = (4.28)
τ p ( n + ni ) + τ n ( p + p i )
1 1
on τp = τn = (4.29)
C p NT Cn N T
Coeficient de captura
Els centres R-G es poden modelitzar mitjançant esferes distribuïdes aleatòriament en un volum.
Els electrons sofriran col·lisions amb la xarxa i amb les impureses responsables dels nivells R-G, de
manera que els electrons hi podran quedar atrapats. Tenint en compte la velocitat tèrmica dels electrons i
la probabilitat de captura dels centres, el coeficient de captura es pot expressar com:
Cn = σ n v th (4.30)
on σn és la secció eficaç de captura dels centres R-G i vth la velocitat tèrmica dels electrons.
Condicions de baix nivell d’injecció i quasineutralitat elèctrica
Fins ara sempre hem considerat que, si no ens hem allunyat “gaire” de la condició d’equilibri,
podem assumir que els coeficients de proporcionalitat que apareixen a les expressions de G i R fora de
l’equilibri són pràcticament iguals als que es tindrien en equilibri. Amb aquesta hipòtesi hem vist que
cada Ui és proporcional a la diferència entre els productes de les concentracions de portadors en situació
de no equilibri i equilibri segons:
U i = α ⋅ (np − no p o ) = α ⋅ (np − ni )
2
(4.31)
Hem de precissar, però, què entenem per “no gaire” lluny de l’equilibri. Definim el règim de baix
nivell d’injecció (BNI) en base a la comparació de la concentració de portadors en excés envers la
concentració de portadors majoritaris. Així, per a un semiconductor tindrem baix nivell d’injecció si:
∆p, ∆n << n0 + p 0 (4.32a)
expressió que podem particularitzar tenint en compte el tipus de semiconductor segons:
tipus n : p o << ∆p = ∆n << no

tipus p : no << ∆n = ∆p << p o
En aquestes expressions ja ha quedat reflectida també la hipòtesi de quasi-neutralitat elèctrica:

assumint que:
∆p ≈ ∆n (4.32b000)
Amb aquestes dues consideracions, podem simplicar la diferència dels productes de les poblacions de
manera que:
np − no p o ≈ (no + po ) ⋅ ∆n (4.33)
i aleshores es pot demostrar fàcilment que el ritme de recombinació net per cada un dels mecanismes
descrits (equacions 4.20, 4.23 i 4.28), es pot escriure segons:
∆n
Ui = (4.34)
τi
on τi és el temps de vida dels portadors en excés abans de recombinar pel mecanisme i. Per tant podem
escriure:
∆n
U = ∑U i = (4.35)
i τ
definint τ, com a temps de recombinació ó de vida mitja dels portadors en excés segons:
1 1
=∑ (4.36)
τ i τi
L’equació 4.35 és molt important, perquè ens diu quins és el balanç net entre recombinació i
generació tenint en compte tots els possibles mecanismes de generació-recombinació interns.
4.1.4. Altres mecanismes de generació-recombinació:

Fins ara només hem tingut en compte mecanismes de generació i recombinació a parells, i per
unitat de volum. Per completar la descripció dels mecanismes de generació-recombinació, anem a parlar
de la generació monopolar i de la recombinació per nivells superficials.
A. Generació òptica monopolar
Es produeix quan la fotogeneració té lloc per la ionització dímpureses, de forma que únicament es
generen portadors dún sol tipus. Això serà possible sempre que lénergia dels fotons incidents sigui tal
que E C − E d < hω < E g o E a − EV < hω . Tot i així, la neutralitat del material es manté, ja que el
nombre de portadors en excés es neutralitza amb el nombre dímpureses ionitzades que els mateixos han
deixat.
A la superfície del semiconductor on es dóna la fotogeneració (si el suposem dopat amb impureses
donadores) tindrem una concentració de portadors n = no+∆n. Aquest excés de portadors tendirà a
difondre´s cap a regions més profundes del semiconductor deixant una zona amb densitat de càrrega
positiva a la superfície i aportant-ne una de negativa a línterior. Aquest fet originarà un camp elèctric
que tendirà a compensar els efectes de difusió.
r
Si considerem la variació de càrrega volúmica degut al fluxe de corrent de densitat j tindrem:
r r r r
( )
∇ ⋅ j = ∇ ⋅ σξ = −
∂ρ
∂t
(4.37)
∂ρ σ
=− ρ (4.38)
∂t εε o
i la solució és, doncs:
−t
τµ
ρ = ρo e (4.39)
εε 0
on ρo és la càrrega a línstant t=0 i τ µ = és el temps de relaxació dielèctrica o de Maxwell
σ
Com a conseqüència de la generació monopolar apareix una càrrega volúmica que disminueix
amb el temps seguint una llei exponencial amb un temps de relaxació τµ. Aquest temps de relaxació és
petit (≈10-12s), i en conseqüència el núvol de portadors en excés no es desplaça lluny del lloc de
generació, de forma que generació i recombinació monopolar es produeixen a la mateixa regió del
semiconductor.
B. Recombinació per estats superficials
Els processos de generació i recombinació per estats

Ec superficials consisteixen en la creació i aniquilació de
portadors en trampes superficials (equivalents a un centre R-
G a la superfície dún material). Aquestes trampes
introduixen nivells molt pròxims entre ells distribuïts dins de
E la banda prohibida.
Ev El formulisme matemàtic utilitzat és semblant al dels
C-R-G. Malgrat això com que els nivells estan distribuits per
Figura 4.2. Localització d’estats superfi-
tota la banda prohibida és necessari sumar la contribució de
cials a la frontera del semiconductor.
cada nivell (integrar). Per tal de desenvolupar el formulisme considerem:
1. Un únic nivell superficial:
Definicions:
rNs , rPs : ritme net de recombinació: variació del nombre délectrons i forats (respectivament) /cm2
degut a la recombinació en un nivell únic superficial.
nTs , pTs : nombre de centres superficials plens,buits /cm2 amb energia EiT.
N Ts = nTs + pTs : nombre total de centres superficials
n s , p s : concentració superficial délectrons,forats /cm2
e ps , ens , c ps , cns : coeficients de captura i emissió
Establint un paralelisme entre volum i superfície:
rNs = cns pTs n s − ens nTs

(4.40)
rPs = c ps nTs p s − e ps pTs
Pel principi déquilibri detallat:
rNs = cns ( pTs n s − nTs n1s )

(4.41)
rPs = c ps ( nTs p s − pTs p1s )
ETi − Ei
ens = c ns n1s n1s = ni e kT
essent Ei − ETi
(4.42)
e ps = c ps p1s p1s = ni e kT
on ETi seria la posició energètica del nivell superficial i.
A léstat estacionari els ritmes de recombinació seran idèntics:
rNs = rPs = Rs (4.43)
Sempre que considerem que la població déstats ocupats a EiT només varia degut a transicions
entre les bandes i el nivell de la trampa. La igualtat anterior ens du a un coeficient de recombinació a
léquilibri de:
n s p s − ni2
Rs = (4.44)
1 1
( n s + n1s ) + ( p s + p1s )
C ps N Ts Cns N Ts
2. Multinivells
Donat que els centres superficials es troben distribuits en energies al llarg de la banda prohibida
dúna forma quasi-contínua, el que podem fer és integrar. Igualment, considerarem altament improbable
les transicions entre nivells dímpureses degut a la natura aïllada dels centres de captura. Llavors, podem
utilitzar léxpressió trobada en el cas dún sol nivell sense oblidar que s´ha se sumar per a tots els nivells:
Es
n s p s − ni2
Rs = ∫ 1 1
DiT ( E ) dE (4.45)
EV ( n s + n1s ) + ( p s + p1s )
C ps N Ts Cns N Ts
on DiT ( E ) és la densitat de trampes/cm2 amb associades a nivells d’energia compresos entre E i

E+dE.
Baix nivell dínjecció i bandes planes
Si el semiconductor és de tipus n i suposem que:
− Les bandes són planes a la superficie, la qual cosa implica que ξ sup erficie = 0 i per tant que
nS0= ND E
− El nivell dínjecció és baix:
∆n s = ∆p s << n s0 Cns ≈ C ps
de manera que n s p s − ni2 ≅ n so ∆p s .
Això ens du a una recombinació que es pot expressar com
 
 Es C D ( E ) 
Rs ≅  ∫ dE  ∆p s = S p ∆p s
ps iT
(4.46)
E n1s C ps p1s 
 V1+ + 
 n so C ns n so 
El terme Sp s’anomena velocitat de recombinació superficial, amb unitats de cm/s, i representa el

nombre màxim de recombinacions que poden produir-se a la superficie per unitat de temps. Quan es
multiplica per la concentració de portadors a la superfície tenim el nombre net de recombinacions en
unitats de portadors/cm2·s.
4.2 Equacions déstat i transport
4.2.1 Equació de continuitat
Fins aquí hem estudiat com es traslladen els portadors lliures i hem descrit els corrents de deriva i
de difusió. També hem pogut veure quins són els mecanismes de generació i recombinació de portadors
més significatius, i com la diferència entre el ritme de generació i recombinació pot portar a desequilibris
de la concentració de portadors. El que farem en aquest apartat és un balanç entre totes les contribucions
per a arribar a una equació que descrigui la variació de portadors degut a tots els efectes.
a) Variació de la densitat de partícules per unitat de temps
Si volem determinar quina és la variació de la densitat de partícules dins dún cert volum, hem de fer
un balanç dels forats i electrons que entren, surten i romanen dins de lélement de volum considerat, així
com de les generacions i recombinacions que s´hi produeixin:
La variació de la concentració de forats a tot el volum vindrà donada per:
∫ ∂∂pt dV
V
(4.47a)
Aquesta variació de la concentració tindrà tres contribucions: la variació deguda al possibles currents de
portadors que entrin o surtin del volum, l’increment de portadors per generació dins el volum considerat,
i la pèrdua de portadors per recombinació. Així, podem descriure aquestes contribucions segons:
∂p ∂p ∂p ∂p
= + + (4.47b)
∂t ∂t cur ∂t rec ∂t gen
Anem a concretar ara les expressions per aquests tres termes:
b) Nombre de portadors que entren o surten dún volum
∫J ∫ ( J ⋅ nr) dS = − q1 ∫ div J dV
1 r r 1 r r
− p ⋅ dS = − (4.48)
q S q S V
El signe negatiu indica que considerem com a pèrdua el fluxe de portadors que surten del volum.
c) Nombre de portadors generats
Representarem aquest terme per gn en el cas délectrons i gP per als forats:
∂p ∂n
gp = gn = (4.49)
∂t gen ∂t gen
d) Nombre de portadors recombinats per unitat de temps
Representarem aquest terme per rn en el cas délectrons i rp per als forats:

∂n ∂p
rn = − rp = − (4.50)
∂t rec ∂t rec
El balanç de totes les contribucions (per forats) introduint les equacions 4.48-50 a 4.47a resulta:
∫ ∂∂pt dV = − q1 ∫ div J ∫r ∫g
r
p dV − p dV + p dV (4.51)
V V V V
Reagrupant tots els termes arribem a léquació de continuitat per a la concentració de forats:
∂p 1 r
= − div J p − rp + g p (4.52)
∂t e
Si ara fem exactament igual per a la variació de la concentració total délectrons a la banda de conducció,
obtenim léquació de continuitat per a electrons:
∂n 1 r
= div J n − rn + gn (4.53)
∂t e
4.2.2 Equacions déstat

Si escrivim el conjunt déquacions que fins ara ens han descrit el que passa en un semiconductor
fora de léquilibri tenim:
∂p 1 r
= − div J p − rp + g p
∂t e
∂n 1 r
= div J n − rn + g n
∂t e
r r r
J n = eµ n nξ + e Dn ∇ r n (4.54)
r r r
J p = eµ p pξ − e D p ∇ r p
r r ρ
∇ ⋅ξ =
ε rε 0
4.2.3 Equacions de transport per a minoritaris
Arribarem a unes expressions senzilles de transport anomenades equacions de difusió per

minoritaris tot fent les següents simplificacions:
1. Estudi dún model unidimensional f(x).
2. Concentracions en equilibri independents de x ⇒ n0≠n0(x) i p0≠p0(x):
∂n ∂no ∂∆n ∂∆n

= + =
∂ x ∂x ∂x ∂x (4.55)
∂p ∂ p ∂∆p ∂∆p
= o + =
∂x ∂x ∂x ∂x
3. Considerarem que, pels portadors minoritaris, els corrents de deriva són molt poc significatius
davant els termes deguts als corrents de difusió. Això implica prendre ξ≈0 pels portadors
minoritaris, i per tant, les equacions a que arribarem només seràn aplicables per minoritaris:
r r r d 2n
J n ≈e Dn ∇ r n ⇒ div J n =e Dn 2
dx
(4.56)
r r r d2p
J p ≈ −e D p ∇ r p ⇒ div J p = −e D p 2
dx
No obstant, hem d’assenyalar que el camp no ès estrictament nul ja que, fins i tot en absència de
camp extern, podria existir un camp intern degut a la distribució de càrrega induida per la difusió
diferencial entre un i altre tipus de portadors, com a conseqüència de les diferències en els
coeficients de difusió. Aquest camp elèctric intern s’oposaria a la separació dels núvols de portadors
i per tant, considerar ξ≈0 equival a dir que ∆n(x) ≈ ∆p(x).
Així, si suposem un semiconductor de tipus p aïllat, pel qual el corrent total ha de ser zero,
escriuriem:
r r r r r r
0 = J n + J p = eµ n nξ + e Dn ∇ r n+ eµ p pξ − e D p ∇ r p
(4.57)
Tenint en compte que ∆n(x) ≈ ∆p(x) i la hipòtesi 2, podem aïllar l’expressió del camp intern
com:
D p − Dn d∆n
ξ INT = ⋅ (4.58)
nµ n + pµ p dx
4. Baix nivell dínjecció: per tant, el balanç entre generació i recombinació serà:
INT EXT
g − r = (g +g ) − r = g EXT − U (4.59)
essent segons 4.35:
∆n ∆p
Un = Up = (4.60)
τn τp
5. Si només considerem com a mecanisme extern de generació de portadors la generació òptica

deguda a incidència de llum:
EXT
gn = gL
EXT
(generació per incidència de llum) (4.61)
gp = gL
Introduint totes aquestes consideracions arribem finalment a les equacions de continuitat pel
transport de portadors minoritaris que utilitzarem:
∂∆n p d 2 ∆n p ∆n p
= Dn − + gL
∂t dx 2
τn
(4.62)
∂∆pn d 2 ∆pn ∆pn
= Dp − + gL
∂t dx 2 τp
Els subíndexs n i p remarquen el fet que són equacions vàlides només per als portadors minoritaris del
semiconductor que séstudii, és a dir, electrons en un semiconductor de tipus p i forats en semiconductor
de tipus n.
4.2.4 Longitud de difusió de portadors
Suposem que tenim un material de tipus p, i que sobre una de les seves cares hi incideix llum. Els
fotons incidents generen parells electró-forat creant un excés de portadors respecte a les concentracions
déquilibri, però només en superfície. Si no existeix cap camp elèctric aplicat els únics fenòmens que
tindran lloc al volum del semiconductor seran la difusió i recombinació de portadors. No considerem el
terme de generació en volum gL perquè considerem que la generació aquesta purament superficial en
∆n npo (exp[eV/kT ) -1)
Perfil de portadors minoritaris
36%
8%
4% npo
1%
Ln 2Ln 3Ln 4Ln
Figura. 4.3. Esquema del perfil de concentració de portadors en excés ∆n(x) quan s’il·lumina
la superficie lateral d’un semiconductor tipus p.
aquest cas. Tenint en compte únicament aquests efectes, calcularem el nombre de portadors que
difondran a una certa distància des dón s´han generat, és a dir, determinarem el perfil de concentració de
portadores en excés una vegada s’ha assolit el règim estacionari. En condicions de règim estacionari,
léquació per als portadors minoritaris n al material de tipus p serà:
∂∆n ∆n ∂ 2 ∆n
=0=− + Dn (4.63)
∂t τ ∂x 2
Anomenant L2n = Dnτ , la solució a léquació diferencial té la forma següent:
−x x
Ln Ln
∆n = A e + Be (4.64)
Imposem condicions de contorn:
• A x = ∞ ∆n ha d´ésser finit ⇒ B=0

• A x = 0 ∆n =∆n(0)
Així, la solució queda:
−x
∆n( x) = ∆n(0)e Ln
(4.65)
Aquest perfil es troba representat a la figura 4.3. Si ara calculem quina és la distància mitja que recorren
els portadors que es difonen (abans de recombinar) trobarem que és precisament Ln, anomenat-la
longitud de difusió de portadors:
〈 x〉 =
∫ x∆n( x)dx = L
0
= Dnτ (4.66)
∞ n
∫ ∆n( x)dx
0
En cas de considerar un semiconductor de tipus p, la longitud de difusió dels forats és dígual

manera:
L p = D pτ (4.67)
Serà remarcable la importància dáquest paràmetre en lánàlisi de la unió PN, on léxtensió del
perfil de portadors vindrà determinat per Li .

Capítol 0: Electrònica Física

Uploaded by

Document Information

Original Title

Copyright

Available Formats

Share this document

Share or Embed Document

Sharing Options

Did you find this document useful?

Is this content inappropriate?

Copyright:

Available Formats

Capítol 0: Electrònica Física

Uploaded by

Copyright:

Available Formats

ELECTRÒNICA FÍSICA 1

0.1 Breu Introducció Històrica

- capten la informació codificada mitjançant un senyal elèctric

Inclou doncs, les tècniques de fabricació, disseny i modelització de dispositius i l’anàlisi i la

• Ciència: ressaltarem aquelles teories en les que es fonamenta l’Electrònica.

El 1947 constitueix un punt d’inflexió en l’evolució de l’Electrònica marcat pel descobriment de

0.2 Classificació dels materials

• Metalls 10-6 - 10-4 Ω.cm

• Metall: existeixen portadors lliures independentment de la temperatura.

Material Gap (eV)

Veiem alguns exemples de materials semiconductors:

0.3.1 Model covalent

• Metall Sn 50 1s2 2s2 2p6 3s2....4p6 4d10 5s2 5p2

• Semiconductor Ge 32 1s2 2s2 2p6 3s2 3p6 4s2 4p2

• Aillant C 6 1s2 2s2 2p2

Els mecanismes de conducció en un semiconductor s´expliquen de manera simple i intuitiva si

0.3.2 Teoria de bandes

l´energia suficient per a “saltar” a la banda de conducció on podrà participar en els

0.4 CLASSIFICACIÓ DELS SEMICONDUCTORS

0.4.1 Semiconductors intrínsecs i extrínsecs

semiconductor intrínsec: és aquell en que la generació de portadors únicament es fa a través

semiconductor extrínsec: si a un semiconductor li introduïm una certa concentració d´àtoms

-impuresa donadora: considerem impureses del grup V de la taula periòdica que

-impuresa acceptadora: dopant el semiconductor de Si amb àtoms d´un element del

La procedència dels portadors en un semiconductor extrínsec, no és únicament deguda a la presència

-semiconductor de tipus n: si les impureses presents al semiconductor són donadores, els

-semiconductor de tipus p: quan el dopatge es realitza amb impureses acceptadores, el

1. ESTRUCTURA DE BANDES DELS SEMICONDUCTORS

1.1 Nocions elementals de cristal·lografia

1.1.1 Xarxa de Bravais

1.1.1.1 Cel·la primitiva

Figura 1.1: Les 14 xarxes de Bravais i els 7 sistemes cristal·lins.

1.1.1.2 Cel·la de Wigner-Seitz

En l’estudi de certes propietats del cristall de

1.1.2 Xarxa recíproca

1.1.3 Índexs de Miller

Per a determinar les direccions cristal·logràfiques es segueix un procediment semblant a l’anterior:

1.1.4 Estructura cristal·lina dels semiconductors fonamentals

Figura 1.4: Estructura cristal·logràfica dels semiconductors silici (A, estructura

• Wurtzita: CdS, α-SiC

1.2 Equació de Schrödinger en un cristall

(1) (2) (3)

1.2.1 Aproximació adiabàtica de Born-Oppenheimer

1.2.2 Aproximació monoelectrònica

El camp que origina el potencial Ω(rri ) és l’anomenat camp autoconsistent o de Hartree

1.2.3 Funcions d’ona de Bloch

1.2.4 Operadors quàntics

A la mecànica quàntica, una magnitud física ve representada per un operador quàntic L. La

1.2.5 Tensor massa efectiva

1.2.6 Condicions de contorn: condicions cícliques de Born-Von Karman

Considerem un cristall de dimensions finites L1×L2×L3 . Es compleix que

Li = N i ⋅ ai on Ni = nombre de cel·les en la direcció i ai = espai interatòmic

1.2.7 Models pertorbatius

1.2.7.2 Aproximació d’electrons fortament lligats

En un semiconductor a baixes temperatures, pràcticament tots els electrons de valència estan

Vegem a grans trets quina forma tenen el numerador i el denominador.

ST és la integral de solapament, el seu valor depèn de la superposició de les funcions d’ona

d’aquesta manera l’energia associada a la funció d’ona Ψ serà:

• Els valors límits de la banda determinen l’amplada total de la mateixa, i depenen de la

1.3 Estructura de bandes

La construcció de la 1a zona de Brillouin és idèntica a la de la cel·la

• X: límit de la zona al llarg

Sigui quina sigui l’aproximació

mnd = (M 2 m1 m2 m3 )