Professional Documents
Culture Documents
Chương 2:
CẢM BIẾN QUANG
Tính chất hạt thể hiện qua sự tương tác của nó với vật chất. Ánh sáng bao gồm các
hạt photon mang năng lượng Wphụ thuộc duy nhất vào tần số.
Wh(h = 6,6256.10-24 Js: hằng số Planck)
Các đại lượng quang học:
- Thông lượng: oat (W)
- Cường độ: oat/steradian (W/Sr)
2
- Độ chói: (W/Sr.m )
- Năng lượng: J
Trang II-1
Tài liệu môn Cảm biến và đo lường
Một điện tử được liên kết có năng lượng Wl, để giải phóng các điện tử khỏi
nguyên tử cần cung cấp cho nó năng lượng bằng với năng lượng liên kết Wl.
Vậy một điện tử sẽ được giải phóng nếu nó hấp thụ một photon có năng lượng
W hc
W≥ W1 , nghĩa là hay
h W1
Bước sóng ngưỡng (bước sóng lớn nhất) của ánh sáng có thể gây nên hiện tượng giải
hc
phóng điện tử được tính từ biểu thức: s
W1
Hiện tượng hạt dẫn điện được giải phóng dưới tác dụng của ánh sáng làm thay
đổi tính chất điện của vật liệu gọi là hiệu ứng quang điện. Đây là nguyên lý cơ bản của cảm
biến quang.
Trang II-2
Tài liệu môn Cảm biến và đo lường
III. CÁC CẢM BIẾN QUANG
1. Tế bào quang dẫn
Tế bào quang dẫn là một loại cảm biến quang có độ nhạy cao.
Đặc trưng của tế bào quang dẫn là sự phụ thuộc điện trở vào thông lượng và phổ
của bức xạ.
Cơ sở vật lý của tế bào quang dẫn là hiện tượng giải phóng hạt dẫn điện trong
vật liệu dưới tác dụng của ánh sáng làm tăng độ dẫn điện của vật liệu.
Vật liệu chế tạo: thường được chế tạo từ các bán dẫn đa tinh thể đồng nhất hoặc
đơn tinh thể, bán dẫn riêng hoặc pha tạp.
- Đa tinh thể: CdS, CdSe, CdTe, PbS, PbSe, PbTe
- Đơn tinh thể: Ge, Si tinh khiết hoặc pha tạp Au, Cu, Sb, In, SbIn,
AsIn, PIn, CdHgTe.
Các tính chất cơ bản của cảm biến quang dẫn:
a. Điện trở tối RCO:
Phụ thuộc vào hình dạng, kích thước, nhiệt độ và bản chất lý hóa của vật liệu. Khi
chiếu sáng RCO giảm rất nhanh, quan hệ điện trở và độ sáng là phi tuyến.
PbS, CdS, CdSe có RCO rất lớn: từ 104Ω đến 105Ω ở 25oC.
SbIn, AbSn, CdHgTe có RCO rất nhỏ: 10Ω – 103 Ω ở 25oC.
b. Độ nhạy:
I
Định nghĩa theo biểu thức: S ( ) (A /W )
( )
Trang II-3
Tài liệu môn Cảm biến và đo lường
quang thành xung điện. Người ta ứng dụng mạch đo kiểu này để đếm vật, đo tốc
độ quay đĩa.
a) b)
Khi không có điện áp bên ngoài đặt lên nối P-N, dòng điện qua nối I = 0. Thực tế
có tồn tại dòng I gồm các thành phần:
- Dòng khuếch tán các hạt dẫn điện đa số có năng lượng đủ lớn vượt qua
rào điện thế.
- Dòng hạt dẫn điện thiểu số chuyển động dưới tác động của điện trường.
Khi đặt điện áp Vd lên diode, chiều cao của hàng rào thế sẽ thay đổi kéo theo
thay đổi độ rộng vùng hiếm. Dòng qua nối:
qV
I I 0 exp d I0 I : dòng hạt dẫn điện thiểu số
kT 0
kT
Khi điện áp ngược Vd đủ lớn Vd 26mV (ở 300K), dòng khuếch tán các hạt
q
dẫn đa số rất nhỏ có thể bỏ qua. Dòng ngược Ir = I0.
Khi chiếu sáng diode bằng ánh sáng có bước sóng < S sẽ xuất hiện thêm các cặp
điện tử - lỗ trống. Để ngăn cản quá trình tái hợp phải tách cặp điện tử - lỗ trống dưới tác
dụng của điện trường. Điều này chỉ xảy ra trong vùng hiếm làm tăng dòng ngược Ir.
Để đến được vùng hiếm, ánh sáng phải đi qua một bề dầy của chất bán dẫn và tiêu
x
hao năng lượng theo biểu thức ( x) 0e
-1
Trong đó α105cm , thông lượng giảm 63% khi đi qua bề dầy 103 A .
Trang II-4
Tài liệu môn Cảm biến và đo lường
Trong thực tế, phiến bán dẫn được làm rất mỏng và vùng hiếm đủ rộng để hấp
thụ năng lượng ánh sáng hữu hiệu nhất. Chẳng hạn, các diode PIN có lớp bán dẫn I giữa 2
lớp P và N. Chỉ cần điện áp ngược vài volt đủ để mở rộng vùng hiếm ra toàn bộ lớp bán
dẫn I.
Vd
Rm
Trang II-5
Tài liệu môn Cảm biến và đo lường
kT I p
Đo điện áp hai đầu diode trong chế độ hở mạch: VOC ln 1
q Io
kT I p
Khi chiếu sáng yếu: : VOC ln
q Io
Độ lớn VOC phụ thuộc vào thông lượng có dạng hàm logarit.
- Dòng ngắn mạch ISC
Nối ngắn mạch 2 đầu diode bằng điện trở Rm nhỏ hơn điện trở động rd của nối
P-N. Dòng ngắn mạch ISC = Ip, tỷ lệ với thông lượng.
c. Độ nhạy
I p
q(1 R) exp( X)
S()
hc
Thông thường S() nằm trong khoảng từ 0,1 đến 1 A/W.
d. Sơ đồ sử dụng
Tùy mục đích sử dụng mà ta chọn chế độ hoạt động.
Chế độ quang dẫn
Có độ tuyến tính cao, thời gian đáp ứng ngắn, băng thông rộng.
R
- Sơ đồ cơ sở: VO R m 1 2 I r
R1
Để giảm nhiễu tăng điện trở Rm
Trang II-6
Tài liệu môn Cảm biến và đo lường
Chế độ quang thế
Đặc điểm:
- Có thể làm việc ở chế độ tuyến tính hoặc logarit phụ thuộc vào tải.
- Ít nhiễu.
- Thời gian đáp ứng lớn, dải thông hẹp.
- Nhạy cảm với nhiệt độ ở chế độ logarit.
Sơ đồ tuyến tính: Sơ đồ logarit:
3. Phototransistor
Phototransistor là các transistor loại NPN mà cực nền có thể được chiếu sáng,
không có điện áp tại cực nền B mà chỉ có điện áp tại C, nối B-C phân cực ngược.
Khi nối B-C được chiếu sáng, nó hoạt
động giống photodiode ở chế độ quang dẫn.
Dòng ngược Ir = Io + Ip
Io: dòng ngược tối
Ip: dòng quang điện khi được chiếu sáng
Dòng cực thu: Ic = Ir = Io + Ip
Như vậy, có thể coi phototransistor là tổ hợp của một photo diode và một
transistor. Photodiode cung cấp dòng điện tại cực nền còn transistor cho hiệu ứng khuếch
đại .
dIC
Độ nhạy: S , ở bước sóng tương ứng điểm cực đại, S có giá trị từ 1 ÷ 100 A/W.
d
Ứng dụng phototransistor trong chế độ chuyển mạch để điều khiển:
Trang II-7
Tài liệu môn Cảm biến và đo lường
4. Phototransistor hiệu ứng trường – photo FET
Trong photo FET, ánh sáng được dùng để thay đổi điện trở kênh, điều khiển dòng ID
do sự thay đổi điện áp VGS.
Dòng ngược Ir = Io + Ip
Io: dòng ngược tối
Ip: dòng quang điện khi được chiếu sáng;
Trang II-8
Tài liệu môn Cảm biến và đo lường
có một số ít đến được bề mặt. Trong quá trình di chuyển chúng va chạm với các điện
tử và photon khác làm mất đi một phần năng lượng. Sự phát xạ chỉ có thể xảy ra nếu điện
tử thắng được rào thế phân cách vật liệu với môi trường bên ngoài. Do đó, hiệu suất phát
xạ điện tử thường nhỏ hơn 10%.
2. Vật liệu chế tạo
AgOCs nhạy trong vùng hồng ngoại.
Cs3Sb, (Cs)Na2KSb, K2CsSb nhạy trong vùng ánh sáng nhìn thấy và tử ngoại.
Cs2Te, Rb2Te và CsT nhạy trong vùng tử ngoại.
Hiệu suất phát xạ điện tử các vật liệu trên từ 1 ÷ 20%.
Ngoài ra, các hợp chất nhóm III – V như GaAsxSb1-x, Ga1-xInxAs, InAsxP1-x
nhạy trong vùng hồng ngoại, hiệu suất đạt tới 30%.
3. Tế bào quang điện chân không
-
Là một ống hình trụ, có một cửa sổ, được hút chân không tới áp suất 10
6 -8
10
mmHg. Trong ống đặt một catode có khả năng phát xạ và một anode.
Đặc tuyến của tế bào quang điện chân không có hai vùng rõ rệt:
- Vùng điện tích không gian, khi điện áp tăng dòng điện tăng nhanh. Một phần
nhỏ điện tích phát xạ đẩy điện tử mới phát xạ bật trở lại làm hạn chế dòng anode.
- Vùng bão hòa, dòng điện ít phụ thuộc vào điện áp mà chỉ phụ thuộc vào quang thông.
Tế bào quang điện được sử dụng trong vùng bão hòa, khi đó nó giống như
nguồn dòng, chỉ phụ thuộc vào quang thông.
10
Điện trở trong tế bào quang điện chân không rất lớn cỡ 10 Ω. Độ nhạy nằm
Trang II-9
Tài liệu môn Cảm biến và đo lường
trong khoảng 10 100 mA/W.
4. Tế bào quang điện chất khí
Cấu tạo giống tế bào quang điện chân không, chỉ khác là bên trong có khí trơ,
-1 -2
thường là argon có áp suất 10 10 mmHg.
Khi Vak < 20V, đặc tuyến giống như trường hợp tế bào quang điện chân không.
Khi Vak cao, điện tử chuyển động với vận tốc cao làm ion hóa chất khí. Dòng
anode tăng lên từ 5 10 lần.
5. Thiết bị nhân quang
Khi bề mặt anode bị bắn phá bởi các điện tử có năng lượng đủ lớn có thể phát xạ
điện tử (phát xạ thứ cấp). Nếu số điện tử phát xạ thứ cấp lớn hơn số điện tử tới thì có khả
năng khuếch đại tín hiệu.
Các điện tử tới (điện tử sơ cấp) được phát xạ từ một photocatode bị chiếu sáng.
Sau đó chúng được tiêu tụ (bằng phương pháp tĩnh điện) trên điện cực thứ nhất của dãy
điện cực. Dãy điện cực có bề mặt được phủ bằng vật liệu có khả năng bức xạ thứ cấp. Các
điện cực mắc nối tiếp nhau và được cung cấp điện thế thông qua các cầu điện trở sao cho
điện tử thứ cấp phát ra từ điện cực thứ k sẽ bị hút về điện cực thứ k+1, đồng thời số điện
tử thứ cấp phát ra ở điện cực này cũng tăng lên.
V. CÁP QUANG
1. Cấu tạo và tính chất
Gồm một lõi chiết suất n1, bán kính 10 100m và vỏ chiết suất n2 < n1 dày
50m. Vật liệu chế tạo cáp quang:
- SiO2 tinh khiết hoặc pha tạp nhẹ.
- Thủy tinh, SiO2 và phụ gia N2O3, B2O3, PbO.
- Polyme.
Trang II-10
Tài liệu môn Cảm biến và đo lường
a)
b)
Trang II-11
Tài liệu môn Cảm biến và đo lường
Quang trở
Giá trị điện trở của quang trở thay đổi khi có cường độ ánh sáng chiếu vào bề mặt
của nó thay đổi. Giá trị điện trở của quang trở càng giảm khi cường độ ánh sáng chiếu vào nó
càng mạnh và ngược lại.
Độ nhạy của quang trở được xác định:
I
K photo
R
Trong đó: I: sự thay đổi của cường độ ánh sáng.
R: sự thay đổi điện trở.
Trang II-12
Tài liệu môn Cảm biến và đo lường
1.b) Cảm biến hồng ngoại (infrared sensor):
Cảm biến hồng ngoại được chia ra làm ba loại: cảm biến hồng ngoại thường, cảm
biến hồng ngoại kiểu phản xạ (infrared reflective sensor) và cảm biến hồng ngoại kiểu thấu
xạ (infrared slotted sensor).
Cảm biến hồng ngoại thường: đây là loại cảm biến mà bộ phát và bộ thu không
được kết cấu trong một khối. Bộ phát và bộ thu là hai bộ phận riêng rẽ. Bộ phát hồng ngoại
(infrared emitter) có hình dạng như một diode phát quang (LED-light emitting diode). Tuy
nhiên ánh sáng phát ra là hồng ngoại. Bộ thu hồng ngoại (infrared detector) là một transistor
quang. Khi transistor nhận được ánh sáng hồng ngoại, nó sẽ dẫn bảo hòa. Ngược lại, nó sẽ
ngưng dẫn.
Cảm biến hồng ngoại kiểu phản xạ: là một linh kiện hình thang được thiết kế
cho những ứng dụng đặc biệt. Trong linh kiện này có tích hợp một transistor quang (rất nhạy
đối với ánh sang hồng ngoại) và một bộ phát ánh sáng hồng ngoại. Khi có vật thể chắn sáng,
lượng ánh sáng này sẽ được phản hồi đến transistor quang nhờ vật chắn sáng -> transistor
quang bắt đầu dẫn và ngược lại
Trang II-13
Tài liệu môn Cảm biến và đo lường
2. Thiết kế mạch cảm biến dò đường dùng quang trở hoặc IR
Một loại cảm biến thường được sử dụng trong thiết kế robot tự động dò đường đó là
cảm biến quang (có 2 loại: dùng quang trở hoặc hồng ngoại), nguyên tắc cơ bản là biến đổi
sự cảm nhận về ánh sáng thành tín hiệu điện.
Cụ thể dưới đây là cảm biến hồng ngoại: điện trở của sensor sẽ giảm xuống khi ánh
sáng hồng ngoại chiếu lên nó, một cảm biến tốt nếu có điện trở gần bằng 0 khi ánh sáng IR
chiếu vào.
Vậy để tìm được R1 ta vẽ Vdiff theo R1 ( a,b : ta tìm được từ phép đo) và sau đó chọn
giá trị R1 tương ứng với giá trị lớn nhất của Vdiff
Trang II-14
Tài liệu môn Cảm biến và đo lường
Trang II-15