Doantotnghiep

TRƯỜNG ĐẠI HỌC BÁCH KHOA HÀ NỘI
VIỆN ĐIỆN
BỘ MÔN TỰ ĐỘNG HOÁ XNCN
====o0o====
ĐỒ ÁN TỐT NGHIỆP
ĐỀ TÀI:
Thiết kế bộ sạc ắc quy sử dụng năng lượng mặt trời và
ứng dụng cho tải đèn đường sử dụng LED
Giáo viên hướng dẫn : GS. Tạ Cao Minh

: Ths. Nguyễn Duy Đỉnh
Sinh viên thực hiện : Lê Tất Thắng
Lớp : TĐH3-K55
MSSV : 20102213
Hµ néi - 2015
Mục lục
MỤC LỤC
DANH MỤC HÌNH VẼ iv
DANH MỤC BẢNG vii
DANH MỤC TỪ VIẾT TẮT viii
LỜI NÓI ĐẦU 1
1 GIỚI THIỆU CHUNG VỀ HỆ THỐNG NĂNG LƯỢNG MẶT TRỜI 4

1.1 Lịch sử . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
1.2 Phân loại hệ thống năng lượng mặt trời . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
1.2.1 Hệ thống năng lượng mặt trời độc lập . . . . . . . . . . . . . . . . 4
1.2.2 Hệ thống năng lượng mặt trời nối lưới . . . . . . . . . . . . . . . . 6
1.3 Hệ thống sạc ắc quy sử dụng năng lượng mặt trời và ứng dụng cho tải đèn
đường . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
1.4 Kết luận . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
2 PIN MẶT TRỜI 10

2.1 Khái niệm về pin mặt trời . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
2.1.1 Định nghĩa . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
2.1.2 Cấu tạo và nguyên lý hoạt động . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
2.2 Đặc tính làm việc của pin mặt trời . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
2.3 Mô hình hóa pin mặt trời . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
2.4 Thuật toán điều khiển bám công suất cực đại . . . . . . . . . . . . . . . . . 14
2.4.1 Tổng quan . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14
2.4.2 Nguyên lý dung hợp tải . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15
2.4.3 Thuật toán nhiễu loạn và quan sát (P&O) . . . . . . . . . . . . . . 16
2.5 Kết luận . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18
i
Mục lục
3 ẮC QUY AXIT CHÌ 19

3.1 Tổng quan về ắc quy . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19
3.2 Một số phương pháp sạc . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20
3.2.1 Phương pháp nạp dòng không đổi . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20
3.2.2 Phương pháp nạp áp không đổi . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21
3.2.3 Phương pháp nạp kết hợp dòng và áp . . . . . . . . . . . . . . . . 21
3.3 Quy trình sạc tiêu chuẩn . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21
3.3.1 Hiện tượng quá nạp . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23
3.3.2 Hiện tượng tự xả . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23
3.4 Sạc ắc quy kết hợp MPPT . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23
3.5 Kết luận . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25
4 ĐÈN LED 26
4.1 Tổng quan về chiếu sáng đèn LED . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26
4.1.1 Giới thiệu về đèn LED . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26
4.1.2 Các ứng dụng tiêu biểu của LED . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28
4.1.3 Vai trò của thiết bị nguồn chiếu sáng đèn LED . . . . . . . . . . . 29
4.2 Quy trình sạc ắc quy kết hợp với chiếu sáng LED . . . . . . . . . . . . . . 30
4.3 Kết luận . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32
5 LỰA CHỌN, TÍNH TOÁN VÀ THIẾT KẾ CÁC BỘ BIẾN ĐỔI 33

5.1 Bài toán thiết kế . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33
5.2 Bộ biến đổi cho bộ sạc . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 34
5.2.1 Lựa chọn cấu hình . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 34
5.2.2 Tính toán các phần tử mạch lực của bộ biến đổi . . . . . . . . . . . 34
5.2.3 Mô hình hóa bộ biến đổi tăng áp . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36
5.2.4 Thiết kế bộ điều khiển dòng và điều khiển áp . . . . . . . . . . . . 40
5.3 Bộ biến đổi cho tải LED . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 49
5.3.1 Lựa chọn cấu hình . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 49
5.3.2 Tính toán các phần tử mạch lực của bộ biến đổi . . . . . . . . . . . 50
5.3.3 Mô hình hóa bộ biến đổi nguồn LED . . . . . . . . . . . . . . . . 51
5.3.4 Thiết kế bộ điều khiển . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 52
5.4 Kết luận . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 54
ii
Mục lục
6 KẾT QUẢ MÔ PHỎNG VÀ THỰC NGHIỆM 55

6.1 Các kết quả mô phỏng . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 55
6.1.1 Sơ đồ mô phỏng và kết quả mô phỏng bộ sạc ắc quy trên phần mềm
PSIM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 55
6.1.2 Sơ đồ mô phỏng mạch lực bộ ổn dòng để chiếu sáng cho LED trên
phần mềm PSIM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 59
6.2 Kết quả thực nghiệm . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60
6.2.1 Kết quả thực nghiệm bộ sạc ắc quy sử dụng năng lượng mặt trời . . 61
6.2.2 Kết quả thực nghiệm bộ chiếu sáng LED . . . . . . . . . . . . . . 66
6.3 Kết luận . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 67
KẾT LUẬN 68
TÀI LIỆU THAM KHẢO 70
PHỤ LỤC 71
iii
Danh mục hình vẽ
DANH MỤC HÌNH VẼ
1.1 Sử dụng trực tiếp năng lượng từ pin mặt trời. . . . . . . . . . . . . . . . . . 5

1.2 Hệ thống năng lượng mặt trời độc lập với ắc quy. . . . . . . . . . . . . . . 5
1.3 Hệ thống năng lượng mặt trời nối lưới phân cấp. . . . . . . . . . . . . . . . 7
1.4 Hệ thống năng lượng mặt trời nối lưới trung tâm. . . . . . . . . . . . . . . 7
đường. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
2.1 Cấu tạo pin mặt trời [1]. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10

2.2 Ảnh hưởng bức xạ mặt trời (a) và nhiệt độ (b) tới đặc tính của PMT [2]. . . 11
2.3 Đường đặc tính PV khi thay đổi nhiệt độ và bức xạ mặt trời [2]. . . . . . . 12
2.4 Đặc tính I −V của pin mặt trời [9]. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
2.5 Mô hình tương đương của pin mặt trời [9]. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
2.6 Sơ đồ mạch tương đương tuyến tính [9]. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
2.7 Pin mặt trời mắc trực tiếp với tải [6]. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14
2.8 Đặc tính làm việc của pin mặt trời và của tải [6]. . . . . . . . . . . . . . . 15
2.9 Pin mặt trời kết nối với tải qua bộ biến đổi DC/DC [6]. . . . . . . . . . . . 16
2.10 Sơ đồ cấu trúc bộ điều khiển MPPT với thuật toán P&O. . . . . . . . . . . 17
2.11 Đặc tính P-V của pin mặt trời. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17
2.12 Lưu đồ thuật toán P&O điều khiển theo điện áp tham chiếu Vre f [3]. . . . . 18
3.1 Cấu tạo cơ bản của ắc quy axit chì. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19

3.2 Quy trình sạc ắc quy. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22
3.3 Sơ đồ hệ thống sạc ắc quy bằng pin Mặt trời. . . . . . . . . . . . . . . . . 24
3.4 Quy trình sạc ắc quy bằng pin Mặt trời. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24
4.1 Đặc tính Volt-Ampe của đèn LED [11]. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27

4.2 (a) Đèn LED Downlight. (b) Đèn LED Tube. (c) Đèn LED Pannel. . . . . . 29
4.3 Đèn LED ngoài trời: (a) Đèn LED siêu sáng. (b) Đèn LED Street. . . . . . 29
4.4 Quy trình sạc ắc quy và thắp sáng LED. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31
iv
4.5 Thuật toán sạc ắc quy và phân phối ra tải LED. . . . . . . . . . . . . . . . 32
5.1 Cấu hình bộ biến đổi Boost với đầu vào là pin mặt trời và đầu ra là ắc quy. . 34
5.2 Đặc tính thể hiện quan hệ RESR2 /RESR0 theo tần số [8]. . . . . . . . . . . . 35
5.3 Mô hình mạch Boost khi MOSFET đóng [9]. . . . . . . . . . . . . . . . . 36
5.4 Mô hình mạch Boost khi MOSFET cắt [9]. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 37
5.5 Sơ đồ cấu trúc điều khiển cho bộ sạc. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40
5.6 Cấu trúc bù loại 2 [12]. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 41
5.7 Sơ đồ điều khiển mạch vòng dòng điện [10]. . . . . . . . . . . . . . . . . . 42
5.8 Sơ đồ khối và dạng sóng của khối PWM [10]. . . . . . . . . . . . . . . . . 43
5.9 Đồ thị Bode của đối tượng dòng điện. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 44
5.10 Đồ thị Bode của mạch vòng dòng điện sau khi được bù. . . . . . . . . . . . 45
5.11 Sơ đồ điều khiển mạch vòng điện áp [10]. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45
5.12 Đồ thị Bode của mạch vòng điện áp. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 46
5.13 Đồ thị Bode của mạch vòng điện áp sau khi được bù. . . . . . . . . . . . . 47
5.14 Sơ đồ điều khiển mạch vòng điện áp [10]. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 47
5.15 Đồ thị Bode của đối tượng điện áp. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 48
5.18 Mô hình mạch nguồn LED khi MOSFET đóng. . . . . . . . . . . . . . . . 51
5.19 Mô hình mạch nguồn LED khi MOSFET cắt. . . . . . . . . . . . . . . . . 51
5.20 Sơ đồ khối bộ điều khiển bộ nguồn LED. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 52
5.21 Sơ đồ khối bộ điều khiển bộ nguồn LED. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 53
5.22 Đồ thị Bode của đối tượng dòng điện trong bộ nguồn LED. . . . . . . . . . 53
5.23 Đồ thị Bode của mạch vòng dòng điện trong bộ nguồn LED sau khi được bù. 54
6.1 Sơ đồ sạc ắc quy mô phỏng trên phần mềm PSIM 9.0. . . . . . . . . . . . . 55

6.2 Bám công suất với thuật toán P&O khi chưa có bộ điều khiển. . . . . . . . 56
6.3 Bám công suất cực đại với các bộ điều khiển dòng và áp. . . . . . . . . . . 56
6.4 Đện áp ra của bộ biến đổi. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 57
6.5 Dòng điện ra của bộ biến đổi. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 57
6.6 Điện áp đầu ra bộ biến đổi ở chế độ 2. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 58
6.7 Điện áp đầu ra bộ biến đổi ở chế độ 3. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 58
6.8 Sơ đồ chiếu sáng LED mô phỏng trên phần mềm PSIM 9.0 sử dụng UC3842. 59
6.9 Dòng điện đầu ra bộ biến đổi. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 59
v
6.10 Hệ thống sạc ắc quy sử dụng năng lượng mặt trời và ứng dụng tải LED đèn
đường. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60
6.11 Sơ đồ mạch thực nghiệm bộ biến đổi sạc ắc quy. . . . . . . . . . . . . . . . 61
6.12 Điện áp hở mạch của pin mặt trời. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 62
6.13 Bắt đầu dò tìm điểm công suất cực đại của pin mặt trời. . . . . . . . . . . . 63
6.14 Điện áp và dòng điện bắt đầu tăng lên đến khi tìm được điểm làm việc lớn
nhất của pin mặt trời. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 63
6.15 Điện áp và dòng điện tại điểm làm việc lớn nhất của pin mặt trời. . . . . . . 64
6.16 Dòng điện sạc ắc quy giảm dần. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 65
6.17 Dòng điện và điện áp sạc ắc quy ở chế độ 3. . . . . . . . . . . . . . . . . . 65
6.18 Mạch chiếu sáng cho LED. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 66
6.19 Dòng điện đầu ra cấp cho LED khi chạy 75% tải. . . . . . . . . . . . . . . 67
P.1 Nguyên lý mạch sạc ắc quy. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 71
P.2 Nguyên lý mạch chiếu sáng LED. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 72
P.3 Lưu đồ thuật toán hệ thống . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 73
vi
Danh mục bảng
DANH MỤC BẢNG
1.1 Thông số pin mặt trời SL80CE-18M đo ở điều kiện chuẩn (cường độ bức
xạ mặt trời 1000W/m2, nhiệt độ 25oC). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
1.2 Thông số ắc quy axit chì. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
5.1 Thông số thiết kế cho bộ sạc ắc quy. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33

5.2 Thông số thiết kế bộ nguồn cho LED. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33
6.1 Kết quả thực nghiệm ngày 24/5/2015. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 64
vii
Danh mục từ viết tắt
DANH MỤC TỪ VIẾT TẮT
Từ viết tắt Thuật ngữ tiếng Anh Thuật ngữ tiếng Việt
BĐK Bộ điều khiển
BXMT Bức xạ mặt trời
C Capacity Dung lượng ắc quy
INC Incremental conductance Điện dẫn gia tăng
LED Light Emitting Diode Đi ốt phát quang
MPP Maximum Power Point Điểm công suất cực đại
MPPT Maximum Power Point Tracking Bám điểm công suất cực đại
P&O Perturb and Observe Nhiễu loạn và quan sát
BBĐ Bộ biến đổi
PMT Pin mặt trời
PWM Pulse Width Modulation Điều chế độ rộng xung
viii
Lời nói đầu
LỜI NÓI ĐẦU
Hiện nay năng lượng điện có vai trò thiết yếu trong cuộc sống hàng ngày đáp ứng mọi
mặt về kinh tế, văn hóa, xã hội. Sự tiêu thụ điện năng tăng vọt theo từng năm. Nhằm đáp
ứng được với sự tiêu thụ điện ngày càng tăng của các khu công nghiệp, hộ gia đình, mỗi đất
nước cần có những chính sách khai thác, sử dụng, phân phối một cách hiệu quả các nguồn
năng lượng. Đặc biệt đối với nguồn năng lượng tái tạo, năng lượng mặt trời, năng lượng gió,
mỗi quốc gia đều có những chế tài khuyến khích việc sử dụng các nguồn năng lượng sạch
này, một phần giúp giảm tải cho điện lưới quốc gia và cũng đồng thời góp phần chung tay
giải quyết các vấn đề toàn cầu như hiệu ứng nhà kính hay cạn kiệt tài nguyên thiên nhiên.
Việc khai thác năng lượng tái tạo, đặc biệt là năng lượng mặt trời ngày càng rộng cả về
quy mô và chất lượng, từ các ứng dụng nhỏ trong truyền thông cho đến các hệ thống mặt
trời nối lưới. Với mong muốn khám phá, đào sâu nghiên cứu một hệ thống khai thác năng
lượng mặt trời, em đã cố gắng tìm hiểu lựa chọn những bước đi đầu tiên trong việc tiếp cận
hệ thống khai thác năng lượng mặt trời. Đề tài: “Thiết kế bộ sạc ắc quy sử dụng năng
lượng mặt trời và ứng dụng cho tải đèn đường sử dụng LED” là một đề tài khá cơ bản
mà cũng khá tiềm năng trong việc khai thác năng lượng mặt trời và ứng dụng cho chiếu
sáng. Bên cạnh việc tối ưu hóa quá trình khai thác, lưu trữ năng lượng, đề tài cũng đã đưa
ra phương pháp phân phối nguồn năng lượng này một cách hiệu quả đồng thời bảo vệ, kéo
dài tuổi thọ cho các phần tử trong hệ thống.
Mục đích của đề tài
• Khai thác hiệu quả nguồn năng lượng mặt trời với thuật toán bám công suất cực đại.
• Sạc ắc quy sử dụng năng lượng mặt trời với ba chế độ tiêu chuẩn vào ban ngày, bảo vệ
quá dòng, quá nạp, xả sâu, tự xả cho ắc quy.
• Ứng dụng cho tải LED đèn đường, nâng cao hiệu quả chiếu sáng, bật đèn khi trời tối,
và chuyển sang sạc ắc quy khi trời sáng.
Đối tượng nghiên cứu
• Pin mặt trời.
1
Lời nói đầu
• Bộ biến đổi DC-DC cấu trúc Boost.
• Ắc quy axit chì.
• Đèn LED chiếu sáng.
Phạm vi nghiên cứu
• Ứng dụng với một tấm pin mặt trời công suất thấp.
• Sử dụng thuật toán P&O để điều khiển bám công suất cực đại.
• Ứng dụng LED cho chiếu sáng đường.
Phương pháp nghiên cứu
• Tìm hiểu về đặc tính của pin mặt trời, từ đó đưa ra được thuật toán nhằm tối ưu công
suất.
• Tìm hiểu về đặc tính của ắc quy.
• Sử dụng những kiến thức cơ bản của lý thuyết mạch, điện tử công suất và kỹ thuật lập
trình xây dựng mô hình toán học cho bộ biến đổi và lập trình cho vi điều khiển.
• Sử dụng phần mềm MATLAB và PSIM làm công cụ xây dựng mô hình mô phỏng cho
bộ biến đổi.
Ý nghĩa của đề tài
• Sử dụng tối đa được nguồn năng lượng có thể cung cấp từ pin mặt trời.
• Các chế độ sạc tiêu chuẩn để đảm bảo tuổi thọ của ắc quy.
• Ứng dụng nguồn năng lượng tích trữ được trong đời sống hiện nay.
Nội dung của đề tài này được trình bày trong 6 chương
• Chương 1. Giới thiệu chung về hệ thống năng lượng mặt trời.
• Chương 2. Pin mặt trời.
• Chương 3. Ắc quy axit chì.
• Chương 4. Đèn LED.
• Chương 5. Lựa chọn, tính toán và thiết kế các bộ biến đổi .
• Chương 6. Kết quả mô phỏng và thực nghiệm.
2
Lời nói đầu
Trong quá trình thực hiện đồ án tốt nghiệp, em đã nỗ lực nghiên cứu, tìm tòi học hỏi để
tích lũy thêm nhiều kiến thức quý báu. Do kiến thức cũng như kinh nghiệm bản thân còn
hạn chế nên bản đồ án này khó tránh khỏi những thiếu sót. Vậy em rất mong nhận được
những lời đánh giá, góp ý của các thầy cô để em được hoàn thiện kiến thức hơn.
Qua đây em xin gửi lời cảm ơn sâu sắc nhất tới thầy giáo PGS.TS. Tạ Cao Minh cùng
cán bộ nghiên cứu tại trung tâm CTI đã tận tình hướng dẫn và giúp đỡ em trong suốt quá
trình thực hiện đồ án.
Em xin chân thành cảm ơn!
Hà Nội, ngày 12 tháng 6 năm 2015

Sinh viên thực hiện
Lê Tất Thắng
3
Chương 1. Giới thiệu chung về hệ thống năng lượng mặt trời
CHƯƠNG 1
GIỚI THIỆU CHUNG VỀ HỆ THỐNG NĂNG LƯỢNG

MẶT TRỜI
1.1 Lịch sử
Tấm pin mặt trời (hay pin quang điện, tế bào quang điện) được sản suất lần đầu tiên vào
khoảng những năm 1950 và trong suốt những năm 1960 được sử dụng chủ yếu cho vệ tinh
quay quanh trái đất.
Vào những năm 1970, sự cải tiến trong sản xuất, thiết kế và chất lượng của pin mặt trời
giúp cho việc giảm giá thành và mở ra một cơ hội mới cho các ứng dụng trên mặt đất như
sạc pin cho việc định hướng, tín hiệu, thiết bị viễn thông và các nhu cần cần năng lượng
thấp.
Trong những năm 1980, pin mặt trời trở nên phổ biến cho các thiết bị điện tử bao gồm
máy tính, đồng hồ, các ứng dụng sạc pin nhỏ.
Trong suốt các thập kỷ thiếp theo, các ứng dụng cho hệ thống pin mặt trời ngày càng
được mở rộng cả về chất lượng, quy mô.
1.2 Phân loại hệ thống năng lượng mặt trời
Hệ thống pin mặt trời (PMT) là hệ thống chuyển đổi năng lượng mặt trời thành điện
năng. Một hệ thống PMT bao gồm các phần tử khác nhau như pin mặt trời, các phần tử kết
nối điện, lắp ghép cơ khí và các bộ biến đổi. Nguồn điện được tạo ra có thể được sử dụng
trong một hệ thống độc lập, được lưu dữ nhờ ắc quy hoặc có thể kết nối với hệ thống lưới
điện lớn hơn.
1.2.1 Hệ thống năng lượng mặt trời độc lập

Hệ thống năng lượng mặt trời độc lập được thiết kế để cung cấp nguồn cho một số tải
một chiều hoặc xoay chiều độc lập với lưới, cách đơn giản nhất là sử dụng trực tiếp năng
lượng tạo ra từ pin mặt trời như Hình 1.1 dưới đây.
4
Hình 1.1: Sử dụng trực tiếp năng lượng từ pin mặt trời.
Đối với hê thống nối trực tiếp này thì tải chỉ hoạt động lúc trời nó nắng thích hợp với
các ứng dụng như quạt thông gió, bơm nước và máy bơm tuần hoàn nhỏ cho hệ thống nước
nóng. Đối với các ứng dụng rộng hơn, đòi hỏi hoạt động khi trời về đên hoặc điều kiện khí
hậu thay đổi, cần phải có một hệ thống tích trữ điện, và thông thường thì ắc quy được sử
dụng. Hình 1.2 dưới đây mô tả hệ thống pin mặt trời độc lập với tích trữ năng lượng.
Hình 1.2: Hệ thống năng lượng mặt trời độc lập với ắc quy.
Ứng dụng của hệ thống này cho đến này có thể nói là khá rộng, cụ thể như sau:
• Ứng dụng chiếu sáng: hệ thống PMT là một nguồn điện khá lý tưởng cho việc cung
cấp nhu cầu chiếu sáng, đặc biệt với hệ thống này thì ắc quy sẽ là phần tử có vai trò
quan trọng do nhu cầu chiếu sáng vào ban đêm. Các ứng dụng phổ biến hiện nay bao
gồm: chiếu sáng trong nhà, đèn lồng, biển quảng cáo, đèn pin, đèn đường phố, đường
cao tốc, bến thuyền, chiếu sáng vùng núi.
• Cung cấp điện cho các vùng xa xôi: điện mặt trời là một giải pháp khá hữu hiệu để
5
cung cấp điện cho các vùng xa với hệ thống mạng lưới: đồng ruộng, tưới tiêu, căn hộ
vùng cao, hải đảo, bãi cắm trại, căn cứ quân sự.
• Ứng dụng trong thông tin, liên lạc: thiết bị điện thoại, radio, tivi, các hệ thống truyền
thông, quân đội, máy tính sách tay, trạm.
• Ứng dụng hệ thống giám sát từ xa: giám sát nguồn điện, hệ thống đo lường, khí tượng
thủy văn, giám sát đường cao tốc, giám sát địa chấn, thủy lợi.
• Ứng dụng dân dụng: việc đưa năng lượng mặt trời vào sử dụng ngày càng phổ biến,
rộng rãi, và đa dạng như: đồng hồ, máy tính, radio, tivi, tủ lạnh, đèn pin, đèn vườn.
1.2.2 Hệ thống năng lượng mặt trời nối lưới

Hệ thống điện mặt trời nối lưới hiện tại được ứng dụng phổ biến trong các khu dân cư
và tòa nhà thương mại, và nó nhanh chóng trở thành nguồn điện quan trọng trong hệ thống
điện, giúp cho việc dụng nguồn năng lượng trực tiếp gần điểm tiêu thụ mà không bị tổn thất
do truyền tải và phân phối. Hệ thống này hoạt động song song với điện lưới và cho phép
việc trao đổi điện năng với lưới điện. Căn cứ vào công suất và mức độ tiêu thụ ta có thể
chia làm 2 loại của hệ thống nối lưới là:
• Hệ thống năng lượng mặt trời nối lưới phân cấp (Hình 1.3).
• Hệ thống năng lượng mặt trời nối lưới trung tâm (Hình 1.4).
Đối với hệ thống phân cấp thì việc lưu trữ năng lượng có thể không cần thiết bới vì bức
xạ mặt trời sẽ cung cấp trực tiếp năng lượng cho tòa nhà, nếu có năng lượng dư thừa thì sẽ
được đẩy vào lưới (Hình 1.3). Trong trường hợp này các bộ nghịch lưu phải sử dụng một
cách hài hòa với điện lưới (về điện áp và tần số). Vào ban đêm hay tại thời điểm năng lượng
mặt trời không đủ, lưới điện sẽ được sử dụng để cung cấp cho tòa nhà.
Đối với hệ thống năng lượng mặt trời trung tâm được thiết kế lắp đặt thường với công
suất cỡ MW, hệ thống này có thể đạt được mức điện lưới áp trung bình hoặc cao. Hình 1.4
mô tả hệ thống điện mặt trời trung tâm
6
Hình 1.3: Hệ thống năng lượng mặt trời nối lưới phân cấp.
Hình 1.4: Hệ thống năng lượng mặt trời nối lưới trung tâm.
đường
Hệ thống sạc ắc quy sử dụng năng lượng mặt trời và kết nối tải led là ứng dụng sử dụng
cấu trúc hệ thống năng lượng mặt trời độc lập với việc chiếu sáng ban đêm do đó cần phải
sử dụng hệ thống lưu trữ năng lượng.
Hệ thống bao gồm pin mặt trời, ắc quy, LED, các bộ biến đổi, khối điều khiển. Năng
lượng được truyền từ pin mặt trời đến ắc quy thông qua bộ biến đổi DC – DC và tải tiêu
thụ năng lượng từ ắc quy. Các thuật toán dò công suất cực đại, thuật toán sạc, điều khiển và
phân phối ra tải được tích hợp trong một vi điều khiển, được mô tả như hình dưới đây:
7
Hình 1.5: Hệ thống sạc ắc quy sử dụng năng lượng mặt trời và ứng dụng cho tải đèn đường.
Bảng 1.1: Thông số pin mặt trời SL80CE-18M đo ở điều kiện chuẩn (cường độ bức xạ mặt
trời 1000W/m2, nhiệt độ 25oC).
Thông số ký hiệu giá trị

Công suất lớn nhất PMPP 80W
Điện áp tại điểm MPP VMPP 17,64V
Dòng điện tại điểm MPP IMPP 4,54A
Điện áp hở mạch VOC 21,92V
Dòng điện ngắn mạch ISC 4,85A
Bảng 1.2: Thông số ắc quy axit chì.
Thông số giá trị

Điện áp quá sạc 14-15V
Dòng điện sạc ban đầu 2,1A
Điện áp sạc duy trì 21,92V
8
Việc tối ưu hóa công suất đầu vào được thực hiện bằng cách dò và bám điểm công suất
cực đại thông qua bộ điều khiển bám công suất cực đại. Các bộ điều khiển chế độ sạc và
các thuật toán chọn bộ điều khiển giúp hệ thống hoàn thiện, hoạt động đúng như yêu cầu
thiết kế. Bên cạnh đó, ắc quy được bảo vệ quá dòng, quá áp, sả sâu. Đèn sẽ hoạt động dựa
vào yêu cầu sử dụng sáng hoặc tối.
Trong đề tài này, nhiệm vụ cần thực hiện bao gồm:
• Phân tích, đánh giá, lựa chọn các thông số pin mặt trời và ắc quy. Thông số cụ thể của
pin mặt trời được cho trong Bảng 1.1 và Bảng 1.2 ở trên.
• Thiết kế bộ biến đổi sạc ắc quy kết hợp MPPT.
• Thiết kế bộ biến đổi một chiều cung cấp nguồn cho tải LED.
• Ghép nối hệ thống, phân phối dựa vào nhu cầu sử dụng của LED .
1.4 Kết luận
Chương 1 đã trình bày sơ lược tổng quan về các loại hệ thống PMT, nguyên lý hoạt động,
cấu tạo của hệ thống. Nhằm đảm bảo việc khai thác tối ưu hiệu quả nguồn năng lượng mặt
trời, các loại hệ thống được sử dụng ứng với những nhu cầu khác nhau. Bên cạnh đó, chương
1 đưa ra rõ mục tiêu, nhiệm vụ thiết kế, cấu trúc hệ thống sạc ắc quy và cấp nguồn cho tải
đèn đường với những thông số về PMT và ắc quy đã nêu trong Bảng 1.1 và Bảng 1.2.
9
Chương 2. Pin mặt trời
CHƯƠNG 2
PIN MẶT TRỜI
2.1 Khái niệm về pin mặt trời
2.1.1 Định nghĩa

Pin năng lượng mặt trời là phần tử bán dẫn quang có chứa trên bề mặt một số lượng lớn
các linh kiện cảm biến ánh sáng là các dạng diode p-n, dùng để biến đổi năng lượng ánh
sáng thành năng lượng điện. Sự chuyển đổi này gọi là hiệu ứng quang điện.
2.1.2 Cấu tạo và nguyên lý hoạt động

a) Cấu tạo
Pin mặt trời (PMT) có cấu tạo bao gồm các lớp: lớp bán dẫn p-n, lớp điện cực, lớp
chống phản xạ và lớp bảo vệ. Hình 1.1 mô tả cấu tạo của PMT.
Hình 2.1: Cấu tạo pin mặt trời [1].
• Lớp bán dẫn p-n: là bán dẫn tinh thể Silic pha tạp chất nguyên tử nguyên tố khác như
Photpho (bán dẫn loại n), Bo (bán dẫn loại p).
• Điện cực: để dẫn dòng điện ra phụ tải thì trên mỗi mặt ghép p-n phải có các điện cực.
10
Vật liệu làm điện cực phải vừa có độ dẫn điện tốt, vừa có độ bám dính tốt vào chất bán
dẫn. Điện cực thường được chế tạo gồm ba lớp: Titan, Paladi và bạc.
• Lớp chống phản xạ: sự phản xạ ánh sáng sẽ làm giảm hiệu suất của PMT. Vì vậy, để
chống phản xạ cho PMT thì phải phủ một hoặc hai lớp SiO2 hay TiO2 ở ngoài.
• Lớp bảo vệ: vì PMT phải làm việc ngoài trời nên để bảo vệ và tăng tuổi thọ thì mặt
trên của các tấm PMT phải được phủ một lớp chất dẻo trong suốt.
b) Nguyên lý hoạt động
Khi 2 lớp bán dẫn p và n tiếp xúc nhau, do sự chênh lệch về mật độ các hạt dẫn nên các
điện tử sẽ khuếch tán từ bán dẫn n sang p, lỗ trống khuếch tán ngược lại từ bán dẫn p sang
n. Sự khuếch tán này làm cho pần bán dẫn n sát lớp tiếp xúc lúc này hình thành điện trường
hướng từ bán dẫn n sang p.
Khi chiếu sáng lớp tiếp xúc p-n, cặp điện tử-lỗ trống được tạo thành, bị tách ra dưới tác
dụng của điện trường tiếp xúc và bị gia tốc về phía đối diện tạo thành một sức điện động
quang điện. sức điện động quang điện phụ thuộc vào bản chất bán dẫn, nhiệt độ lớp tiếp
xúc, bước sóng và cường độ ánh sáng tới.
2.2 Đặc tính làm việc của pin mặt trời
Đặc tính của pin mặt trời phụ thuộc vào các yếu tố cường độ bức xạ mặt trời(BXMT),
nhiệt độ, áp suất khí quyển, độ ẩm. Trong đó có 2 yếu tố ảnh hưởng lớn nhất tới hoạt động
của PMT là nhiệt độ và cường độ bức xạ mặt trời. Hình 2.2(a) thể hiện rõ cường độ dòng
điện thay đổi theo chiều thuận với cường độ bức xạ mặt trời.
Hình 2.2: Ảnh hưởng bức xạ mặt trời (a) và nhiệt độ (b) tới đặc tính của PMT [2].
11
Khi thay đổi nhiệt độ từ 00 C đến 600 C và cường độ bức xạ được giữ nguyên thì điện áp
pin mặt trời giảm dần còn cường độ dòng điện hầu như không thay đổi (Hình 2.2(b)). Hình
2.3 thể hiện đường đặc tính P −V ứng với 3 trạng thái điều kiện thời tiết khác khau.
Hình 2.3: Đường đặc tính PV khi thay đổi nhiệt độ và bức xạ mặt trời [2].
2.3 Mô hình hóa pin mặt trời
Pin mặt trời là thiết bị có đặc tính I − V phi tuyến. Hình 2.4 biểu diễn mô hình tương
đương của một pin mặt trời và (2.1) thể hiện mối quan hệ giữa các thông số của pin.
Hình 2.4: Đặc tính I −V của pin mặt trời [9].
12
Hình 2.5: Mô hình tương đương của pin mặt trời [9].
V +I.Rs
I = I ph − I0 (e Vt − 1) (2.1)
Trong đó:
• I p h là dòng quang điện (tỷ lệ thuận với bức xạ mặt trời).
• I0 là dòng điện bão hòa ngược.
• Vt = AkT
q là điện áp nhiệt.
• A là hệ số diode lý tưởng
• k=1, 380.10−23 JK −1 là hệ số Boltzmann.
• T [K] là nhiệt độ lớp tiếp giáp p − n.
• Đèn q = 1, 602.10−19C là điện tích điện tử.
Hình 2.6: Sơ đồ mạch tương đương tuyến tính [9].
Mô hình pin mặt trời cần được tuyến tính hóa bằng cách sử dụng đạo hàm đường cong
phi tuyến tại điểm cần tuyến tính hóa [5] . Mô hình tuyến tính được mô tả bởi đường tiếp
tuyến với đường cong I −V (Hình 2.4) tại điểm công suất cực đại.

dI I0 Vmp +Imp .Rs
g = dV = − .e Vt (2.2)
V =Vmp ,I=Imp Vt
13
I = (−g.Vmp + Imp ) + g.V (2.3)

Hình 2.6 mô tả mạch tương đương tuyến tính của pin mặt trời. Giá trị điện áp Vg và điện trở
Rg tương đương được tính toán theo (2.5) và (2.6) bằng việc thay thế I = 0 à V = 0 tương
ứng
Imp
Vg = Vmp − (2.4)
g
1
Rg = − (2.5)
g
Hệ thống hoạt động tại điểm công suất cực đại. Tuy nhiên, pin mặt trời vẫn có thể hoạt
động tại các vùng nguồn dòng và vùng nguồn áp. Trạng thái động học của toàn hệ thống sẽ
phụ thuộc vào điểm hoạt động của pin mặt trời. Để thiết kế các vòng điều khiển và đảm bảo
tính ổn định của bộ biến đổi trong mọi điều kiện hoạt động, pin mặt trời cần được tuyến
tính hóa tại các vùng nguồn dòng và vùng nguồn áp sử dụng (2.4) và (2.5).
2.4 Thuật toán điều khiển bám công suất cực đại
2.4.1 Tổng quan
Hình 2.7: Pin mặt trời mắc trực tiếp với tải [6].
Ứng với mỗi điều kiện thời tiết nhất định sẽ có một đường đặc tính về công suất khác
nhau và trong đường đặc tính ấy sẽ có một điểm công suất lớn nhất . Như vậy nhiệm vụ là
cần phải tìm ra điểm này và giữ hệ thống làm việc tại đó. Bộ điều khiển bám công suất cực
14
đại (MPPT) sẽ thực hiện nhiệm vụ đó thông qua việc điều khiển đóng mở van đóng cắt của
bộ biến đổi DC/DC.
Giả sử tấm PMT được mắc trực tiếp vào một tải thuần trở có thể thay đổi giá trị như
Hình 2.7. Khi đó điểm làm việc của PMT là giao điểm giữa đường đặc tính I–V của PMT
và đường đặc tính I–V của tải. Xét tải thuần trở nên đường đặc tính tải là một đường thẳng
với độ dốc là 1/R. Giả sử có 3 giá trị của tải là R1 , R2 , R3 thì 3 đường đặc tính I-V tương
ứng sẽ có độ dốc lần lượt là 1/R1 , 1/R2 , 1/R3 . Trong số đó chỉ có đường đặc tính tải tương
ứng R2 là cắt đường đặc tính I-V của PMT tại điểm MPP như Hình 2.8.
Hình 2.8: Đặc tính làm việc của pin mặt trời và của tải [6].
Như vậy ứng với tải có giá trị R2 thì PMT sẽ làm việc tại điểm có công suất cực đại MPP,
tuy nhiên điều này chỉ xảy ra một cách hết sức ngẫu nhiên. Khi điều kiện thời tiết thay đổi
hoặc tải biến động, để pin mặt trời vẫn hoạt động ở điểm MPP ta cần bộ MPPT hoạt động
theo nguyên lý dung hợp tải.
2.4.2 Nguyên lý dung hợp tải

Như đã nói ở trên, khi PMT được mắc trực tiếp với một tải, điểm làm việc của PMT sẽ
do đặc tính tải xác định. Điện trở tải được xác định như sau:
Rt = V0 /I0 (2.6)
Trong đó: V0 là điện áp ra, I0 là dòng điện ra.

Tải ứng điểm làm việc lớn nhất của PMT được xác định như sau:
Ropt = V (MPP)/I(MPP) (2.7)
Trong đó: V(MPP) và I(MPP) là điện áp và dòng điện tại điểm có công suất cực đại.
15
Khi giá trị của tải lớn nhất khớp với giá trị Ropt thì công suất truyền từ PMT đến tải sẽ là
công suất lớn nhất. Tuy nhiên, điều này thường độc lập và hiếm khi khớp với thực tế. Mục
đích của MPPT là phối hợp trở kháng của tải với trở kháng lớn nhất của PMT đây cũng
chính là nguyên lý dung hợp tải.
Hình 2.9: Pin mặt trời kết nối với tải qua bộ biến đổi DC/DC [6].
Từ hình vẽ 2.9 trở kháng do PMT tạo ra là trở kháng vào Rt cho bộ biến đổi. Bằng cách
điều chỉnh tỉ lệ làm việc D, giá trị của Rt được điều chỉnh giá trị phù hợp với Ropt . Vì vậy,
trở kháng của tải không cần phải quan tâm nhiều miễn là tỉ lệ làm việc của khoá điện tử
trong bộ biến đổi được điều chỉnh đúng quy tắc hợp lý.
Có nhiều thuật toán MPPT đã được tìm ra trong đó có 2 thuật toán thông dụng nhất là
thuật toán: gây nhiễu loạn và quan sát (P&O), điện dẫn gia tăng (INC). Đồ án này chỉ tập
trung vào phương pháp gây nhiễu loạn và quan sát.
2.4.3 Thuật toán nhiễu loạn và quan sát (P&O)

Phương pháp thực hiện nhiễu loạn và quan sát (P&O) cũng giống như cái tên của nó,
thuật toán dựa vào việc quan sát công suất đầu ra và dịch chuyển công suất dựa vào tăng
hoặc giảm điện áp hay dòng điện tham chiếu. Việc tăng hay giảm tín hiệu tham chiếu phụ
thuộc vào công suất trích mẫu trước đó.
Hình 2.10 mô tả cấu trúc bộ điều khiển MPPT với thuật toán P&O. Trong đó tín hiệu
dòng điện, điện áp ra của PMT được xử lý nhờ thuật toán P&O, sau khi tính toán, thuật toán
dưa ra tín hiệu điện áp tham chiếu Vre f . Đây là điện áp cần bám để có thể dò điểm công
suất cực đại. Hệ thống cần thêm bộ điều khiển để việc bám này thực hiện đạt hiệu quả cao.
16
Hình 2.10: Sơ đồ cấu trúc bộ điều khiển MPPT với thuật toán P&O.
Từ đồ thị đặc tính P-V (Hình 2.11) dưới đây, ta thấy rằng: Nếu điểm hoạt động của hệ
thống đang di chuyển theo hướng 1 tức ∆P > 0 và ∆V > 0 thì tăng điện áp để kéo điểm hoạt
động về điểm công suất cực đại MPP. Nếu điểm hoạt động đang di chuyển theo hướng 2
tức ∆P < 0 và ∆V < 0 thì tăng điện áp để kéo điểm hoạt động ngược trở về điểm công suất
cực đại MPP. Nếu điểm hoạt động đang di chuyển theo hướng 3 tức ∆P > 0 và ∆V < 0 cần
giảm điện áp để kéo điểm hoạt động về điểm công suất cực đại MPP. Cuối cùng điểm hoạt
động của hệ thống đang di chuyển theo hướng 4 tức ∆P < 0 và ∆V > 0 thì cần giảm điện
áp để kéo điểm hoạt động trở về điểm công suất cực đại MPP.
Từ những phân tích trên đây suy ra lưu đồ thuật toán P&O như hình 2.12.
Hình 2.11: Đặc tính P-V của pin mặt trời.
17
Hình 2.12: Lưu đồ thuật toán P&O điều khiển theo điện áp tham chiếu Vre f [3].
Thuyết minh thuật toán:
• Đo các giá trị dòng và áp ra tại thời điểm k của PMT.
• Tính P(k)=V(k)xI(k), ∆P=P(k)-P(k-1) và ∆V=V(k)-V(k-1).
• Nếu ∆P>0 và ∆V>0 hoặc ∆P<0 và ∆V<0 thì tăng Vre f .
• Nếu ∆P>0 và ∆V<0 hoặc ∆P<0 và ∆V>0 thì giảm Vre f .
• Cập nhật các giá trị dòng điện và công suất rồi thực hiện chu trình tiếp theo.
Nhận xét: Ưu điểm: Cấu trúc đơn giản dễ thực hiện, cần ít thông số để tính toán.
Nhược điểm: Công suất của hệ thống bị dao động xung quanh công suất cực đại.
2.5 Kết luận
Chương 2 đã trình bày sơ qua về cấu tạo và nguyên lý hoạt động của pin mặt trời. Thông
qua việc phân tích đặc tính, thống số ảnh hưởng thì đã đưa ra được thuật toán giúp cho việc
tối ưu hóa công suất của pin mặt trời (P&O) trong quá trình vận hành hệ thống, bên cạnh
đó cũng đã mô hình hóa và đưa ra cấu trúc cho việc dò và bám công suất cực đại.
18
Chương 3. Ắc quy axit chì
CHƯƠNG 3
ẮC QUY AXIT CHÌ
3.1 Tổng quan về ắc quy
Ắc quy là thiết bị chuyển đổi hóa năng thành điện năng và ngược lại. Khi ắc quy được
sạc, năng lượng điệu được tích trữ dưới dạng hóa năng và khi ắc quy xả (kết nối với tải) thì
hóa năng đàn dần chuyển đổi thành điện năng. Các kiểu ắc quy hiện nay có trên thị trường
gồm có ắc quy axit chì, lithium, nickel meltal hydride và nickel cadmium.
Ắc quy axit chì có đặc tính sạc, xả kém hơn. Trong khi các ắc quy khác có thời gian sạc
ngắn và có khả năng phóng dòng điện lớn đến C/2 thậm chí vài lần C (C là dung lượng ắc
quy) thì ắc quy axit chì chỉ có thể làm việc dài hạn với dòng điện C/5. Tuy nhiên, ắc quy
axit chì là loại được sử dụng rộng rãi hơn, với giá cả phải chăng và phù hợp với hệ thống
năng lượng mặt trời. Ba loại ắc quy còn lại thì thường được sử dụng cho những ứng dụng
điện công suất nhỏ như máy tính sách tay, điện thoại, đài, đèn sách. Ắc quy axit chì được
phân loại gồm: ắc quy khô, ắc quy nước, ắc quy kín khí, ắc quy hở, ắc quy loại gel. Mỗi
loại ắc quy mặc dù đều có đặc điểm riêng nhưng đều có chung cấu tạo như Hình 2.1.
Hình 3.1: Cấu tạo cơ bản của ắc quy axit chì.
Bình ắc quy được chia thành nhiều ngăn, thông thường là 6 ngăn. Mỗi ngăn ắc quy đơn
19
cho điện áp đầu ra là 2V. Do đó, điện áp danh định ở đầu cực ắc quy sẽ là 12V. Vỏ bình ắc
quy được chế tạo bằng vật liệu cứng có tính chịu axit, chịu nhiệt, do đó mà người ta đúc
bằng nhựa cứng hoặc ebonite. Phía trong vỏ bình có các vách ngăn để tạo thành các ngăn
riêng biệt, mỗi ngăn riêng biệt gọi là một ắc quy đơn. Bản cực được làm từ hợp kim chì và
antimon, trên mặt bản cực có gắn các xương dọc và xương ngang để tăng độ cứng vững và
tạo ra các ô cho chất hoạt tính bám trên bản cực. Phần nắp của ắc quy để che kín những bộ
phận bên trong bình, ngăn ngừa bụi và các vật khác từ bên ngoài rơi vào bên trong bình,
đồng thời giữ cho dung dịch điện phân không bị tràn ra ngoài. Dung dịch điện phân là axit
sulfuric H2 SO4 được pha chế từ axit nguyên chất và nước cất với nồng độ tùy thuộc vào
thời tiết và điều kiện khí hậu.
3.2 Một số phương pháp sạc
3.2.1 Phương pháp nạp dòng không đổi

Đây là phương pháp nạp ắc quy sao cho trong quá trình nạp giữ ổn định dòng nạp ở một
giá trị không đổi. Phương pháp nạp này cho phép chọn được dòng nạp thích hợp với mọi ắc
quy, để sạc nhanh ắc quy.
• Điều kiện nạp:
– Các ắc quy mắc nối tiếp nhau và thỏa mãn:
Un > 2, 7Naq (3.1)
Trong đó: Naq là số ngăn ắc quy đơn mắc trong mạch nạp.
– Phải có biến trở R để duy trì dòng nạp không đổi, do trong quá trình nạp suất điện
động của ắc quy thay đổi:
Un − 2, 0Naq
R= (3.2)
In
• Nhận xét:
– Ưu điểm: Thời gian sạc ngắn, đảm bảo tuổi thọ ắc quy.
– Nhược điểm: Sạc không no.
– Khắc phục nhược điểm: Có thể nạp theo 2 mức để giảm thời gian nạp. Lúc đầu
nạp với dòng khoảng 0,3-0,6C. Sau khi bắt đầu sôi nạp với dòng 0,1C.
20
3.2.2 Phương pháp nạp áp không đổi

Đây là phương pháp nạp ắc quy giữ điện áp 2 đầu ắc quy không đổi trong suốt quá trình
nạp.
• Điều kiện nạp: Các ắc quy đơn mắc song song với nhau, hiệu điện thế trên mỗi ngăn
không đổi khoảng (2,3-2,5)V với sai số 3%. Dòng điện nạp thay đổi, lúc đầu dòng khá
lớn sau đó giảm dần:
Un − En
In = (A) (3.3)
Raq
• Nhận xét:
– Ưu điểm: Nạp no ắc quy, dòng giảm dần theo thời gian.

– Nhược điểm: Thời gian sạc kéo dài, vì vậy thường dùng để nạp bổ sung.
3.2.3 Phương pháp nạp kết hợp dòng và áp

Đây là phương pháp tổng hợp của hai phương pháp trên. Nó tận dụng được những ưu
điểm của mỗi phương pháp.
Quá trình nạp gồm 2 giai đoạn:
• Giai đoạn 1: Nạp theo chế độ ổn dòng với dòng ổn định bằng 0,2C cho tới khi bắt đầu
sôi. Điện áp mỗi ngăn ắc quy trong quá trình này tăng từ từ tới 2,4V sau đó tăng nhanh
tới 2,7V.
• Giai đoạn 2: Nạp theo chế độ ổn áp trong 2-3h để phục hồi dung lượng ắc quy. Giai
đoạn này sẽ ngắt khi dòng nạp về 0.
Nhận xét:
Phương pháp nạp theo dòng áp khắc phục được các nhược điểm của 2 phương chế độ
nạp bám theo đường đặc tính có tác dụng nạp no, thời gian nạp ngắn.
3.3 Quy trình sạc tiêu chuẩn
Mục 2.2 cho thấy trong 3 phương pháp sạc ắc quy axit chì, phương pháp sạc nạp dòng
áp tỏ ra ưu việt nhất. Quy trình này khi đó sẽ tuân thủ theo trình tự mô tả trong Hình 2.2.
21
Hình 3.2: Quy trình sạc ắc quy.
Quy trình sạc gồm 4 giai đoạn:
• Giai đoạn sạc mồi: dùng khi dung lượng ắc quy cạn về gần 0%. Lúc này không thể cấp
ngay dòng điện lớn vào ắc quy nếu không sẽ làm hỏng ắc quy.
• Giai đoạn sạc dòng lớn: đưa dòng điện lớn ổn định vào ắc quy để làm tăng tốc độ các
phản ứng hóa học bên trong ắc quy làm tăng nhanh dung lượng ắc quy. Trong giai
đoạn này khoảng 80% dung lượng ắc quy được nạp và điện áp trên hai đầu ắc quy sẽ
tăng dần, đến một áp cho phép thì sẽ chuyển qua giai đoạn tiếp theo.
• Giai đoạn sạc hấp thụ: lúc này các phản ứng đã gần đạt mức bão hòa, tuy nhiên, các
ngăn khác nhau có mức độ bão hòa khác nhau nên cần đặt giữa 2 đầu cực ắc quy một
hiệu điện thế ổn định để các ngăn được sạc sâu và cân bằng nhau. Trong giai đoạn này
khoảng 20% dung lượng còn lại được nạp. Dòng điện sạc sẽ giảm dần và giảm đến giá
trị dòng nhỏ thì sẽ chuyển sang giai đoạn sạc duy trì.
• Giai đoạn sạc duy trì: mặc dù các ngăn đã cân bằng nhau nhưng mật độ PbO2 ở bản
cực dương có thể chưa đều. Giai đoạn sạc duy trì sẽ áp đặt một điện áp không đổi lên
hai đầu bản cực ắc quy nhằm làm đồng đều mật độ hóa chất tại các bản cực, nhiệm vụ
làm phục hồi tính chất, chất lượng của ắc quy.
Đối với giai đoạn sạc mồi, chỉ sử dụng khi ắc quy ở dung lượng quá thấp. Thông thường
trong quá trình vận hành và hoạt động, hệ thống cần đảm bảo dung lượng ắc quy luôn lớn
22
hơn 40% do đó giai đoạn một có thể không cần sử dụng.
3.3.1 Hiện tượng quá nạp

Trong quá trình nạp điện mà điện điện vượt qua thông số cho phép với ắc quy đều có
thể được gọi là quá nạp, do vậy hiện tượng quá nạp có thể xảy ra ngay khi ắc quy chưa đầy
điện. Trong trường hợp ắc quy đã đầy 100% mà vẫn tiếp tục sạc với dòng lớn sẽ dẫn đến ắc
quy bị nóng, gây ra trai ắc quy, giảm tuổi thọ ắc quy, thậm chí gây nổ ắc quy.
3.3.2 Hiện tượng tự xả

Nếu ắc quy để không sạc thì ắc quy sẽ "tự xả" với quá trình chậm, ví dụ như nếu ô tô mà
không sử dụng trong một thời gian dài khoảng vài tháng thì thường sẽ không thể khởi động
dược do quá trình tự xả của ắc quy. Tốc độ tự xả của ắc quy phụ thuộc vào nhiệt độ, kiểu
loại ắc quy, độ tuổi và điều kiện môi trường. Những ắc quy đã qua sử dụng lâu rồi thì tốc
độ tự xả sẽ lớn, hay những ắc quy hoạt động ở vùng nhiệt độ cao thì tốc độ tự xả cũng tăng.
Những ắc quy mới thông thường tốc độ tự xả không vượt quá 5% trên 1 tháng. Một số cách
sau có thể giúp ngăn ngừa hiện tượng tự xả của ắc quy:
• Giữ ắc quy ở nơi khô mát và trong hộp gỗ hoặc hộp không phải là kim loại.
• Giữ mề mặt của ắc quy luôn sạch sẽ.
• Giữ đầu cực của ắc quy luôn sạch và được bôi trơn.
• Không được để ắc quy trong một thời gian dài mà không sạc, đặc biệt đối với ắc quy
axit chì, nếu để ở trạng thái dung lượng thấp trong một thời gian dài sẽ khiến khả năng
tích trữ năng lượng giảm do thành phần hóa học thay đổi gọi là "sun phát hóa".
3.4 Sạc ắc quy kết hợp MPPT
Trong quá trình sạc ắc quy axit chì, để đảm bảo độ bền, tuổi thọ, bảo vệ quá dòng, quá
áp cho ắc quy cần phải trải qua ba giai đoạn như đã nêu ở mục trên. Đặc biệt đối với hệ
thống pin mặt trời, khi công suất của PMT thay đổi theo điều kiện thời tiết, thì việc đảm
bảo việc ổn dòng và đồng thời dò và bám công suất cực đại là vấn đề khá phức tạp.
Trong đồ án này, phương án được đề suất là giai đoạn sạc ổn dòng sẽ được thay thế bằng
việc liên tục dò và bám công suất cực đại. Vì trong giai đoạn này khoảng 80% dung lượng
được nạp vào ắc quy. Sơ đồ cấu trúc được đưa ra ở Hình 3.3.
23
Hình 3.3: Sơ đồ hệ thống sạc ắc quy bằng pin Mặt trời.
Hình 3.4: Quy trình sạc ắc quy bằng pin Mặt trời.
24
Trong đó thuật toán sạc sẽ lựa chọn và đưa ra được hệ thống sẽ làm việc ở ba giai đoạn:
• Giai đoạn 1: Khi điện áp trên hai đầu ắc quy Vbat nhỏ hơn điện áp quá nạp Vovercharge
hệ thống làm việc ở chế độ MPPT (sử dụng bộ điều khiển MPPT).
• Giai đoạn 2: Khi điện áp trên hai đầu ắc quy chạm ngưỡng giới hạn (Vbat >= Vovercharge )
hệ thống sẽ ổn áp tại giá trị ngưỡng giới hạn này dùng bộ điều khiển điện áp V bPICal1
và ắc quy sẽ được sạc no.
• Giai đoạn ba: khi dòng điện giảm đến ngưỡng dưới (Iout <= I f loatstage ), hệ thống sẽ ổn
áp ở mức thấp hơn so với điện áp ngưỡng để điền đầy các bản cực bằng bộ điều khiển
điện áp V bPICal2 .
Cụ thể lưu đồ thuật toán được trình bày ở phụ lục.
3.5 Kết luận
Chương 3 đã nêu sơ lược về cấu tạo ắc quy axit chì, đặc tính sạc của ắc quy từ đó đưa ra
được phương pháp sạc với các giai đoạn giúp ắc quy đảm bảo được các quá trình về dòng
và áp, bên cạnh đó cũng đã nêu ra một số hiện tượng của ắc quy trong quá trình sạc và sử
dụng. Để thực hiện được sạc ắc quy đồng thời khai thác nguồn năng lượng một cách hiệu
quả thì thuật toán sạc kết hợp với thuật toán MPPT cũng được đưa ra nhằm tối ưu quá trong
quá trình chuyển đổi. Cụ thể về cấu trúc điều khiển sẽ được phân tích và thiết kế trong
chương 5.
25
Chương 4. Đèn LED
CHƯƠNG 4
ĐÈN LED
4.1 Tổng quan về chiếu sáng đèn LED
4.1.1 Giới thiệu về đèn LED

a) Lịch sử của đèn LED
LED, viết tắt của cụm từ Light Emitting Diode, tạm dịch là Diode phát quang, là các
Diode có khả năng phát ra ánh sáng hay tia hồng ngoại, tử ngoại. Cũng giống như Diode,
LED được cấu tạo từ một bán dẫn loại p ghép với một bán dẫn loại n. Tương tự như bóng
đèn tròn dùng sợi đốt nhưng không phải chiếu sáng bằng sợi đốt, đèn LED được coi là loại
đèn tiết kiệm điện năng nhất, tạo ra hiệu suất ánh sáng tốt nhất, tỏa nhiệt ít hơn so với các
thiết bị chiếu sáng thông thường.
Đèn LED đã có mặt từ những thập niên 60, nhưng mà hầu hết chỉ dùng hiển thị thời gian
của đồng hồ báo thức hay dung lượng pin của máy ghi hình.
Một thời gian dài, đèn LED đã không được dùng làm nguồn sáng bởi vì chúng chỉ cho
ánh sáng đỏ, xanh lá cây và vàng mà không cho ánh sáng trắng. Đến năm 1993, công ty
hoá chất Nichia của Nhật Bản cho ra đời loại đèn LED xanh dương, là sự kết hợp giữa ánh
sáng đỏ và xanh lá cây để cho ra ánh sáng trắng. Sự kiện này đã mở ra một lĩnh vực mới về
công nghệ LED.
Đèn LED dựa trên công nghệ bán dẫn ngày càng tăng về độ chiếu sáng, hiệu suất và tuổi
thọ, giống như bộ xử lý của máy tính, phát triển ngày càng nhanh và giá thành ngày càng
giảm theo thời gian.
b) Nguyên lý hoạt động của LED
Nguyên lý hoạt động của LED giống như nhiều loại diode bán dẫn khác và có đường
đặc tính Volt-Ampe như Hình 4.1.
Tùy theo mức năng lượng giải phóng cao hay thấp mà bước sóng ánh sáng phát ra khác
nhau (tức màu sắc của LED sẽ khác nhau). Mức năng lượng (và màu sắc của LED) hoàn
26
toàn phụ thuộc vào cấu trúc năng lượng của các nguyên tử chất bán dẫn.
Tùy vào từng loại LED mà điện áp phân cực thuận khác nhau. Đối với LED thường thì
điện áp phân cực thuận khoảng 1,5V đến 2,5V; còn đối với LED siêu sáng thì điện áp phân
cực thuận có thể lên tới 5V.
Hình 4.1: Đặc tính Volt-Ampe của đèn LED [11].
Khi LED hoạt động bình thường thì cường độ dòng điện từ 10mA đến 50mA, còn với
LED siêu sáng thì cường độ dòng điện có thể lên tới hơn 1A tùy vào cấu tạo thiết kế.
c) Tính năng ưu việt của bóng đèn LED
Tiết kiệm điện: tiết kiệm mức thấp nhất. Tiết kiệm khoảng 75% điện so với đèn chiếu
sáng thông thường, LED 5W có thể thay thế bóng sợi đốt 11W.
Bảo vệ môi trường: do đặc điểm cấu tạo là tiếp nối bán dẫn nên LED không phát ra tia
cực tím, không bức xạ tia hồng ngoại, phát nhiệt của ánh sánh thấp, không chứa thuỷ ngân
và những chất có hại nên không gây ô nhiễm môi trường.
Độ bền và tuổi thọ cao: cao hơn từ 10-20 lần so với đèn compact và hơn khoảng 50 lần
đèn sợi đốt. Do được sử dụng nhôm hợp kim bao phủ vừa có tác dụng tản nhiệt, vừa giúp
bảo vệ đèn, chính vì vậy đèn có độ bền rất cao ngay cả khi rơi cũng không tạo ra các mảnh
vỡ như đèn compact hay đèn sợi đốt.
Nhiệt độ làm việc thấp: nhiệt độ làm việc của bóng đèn LED cao hơn nhiệt độ môi
trường khoảng 5–8oC, thấp hơn so với đèn huỳnh quang thông thường là khoảng 13–25oC.
27
Độ an toàn: không nhấp nháy, hiển thị màu sắc tốt, có hiệu quả trong việc làm giảm mệt
mỏi khi nhìn và bảo vệ mắt.
Chi phí đầu tư hiệu quả: mặc dù chi phí ban đầu của đèn LED cao nhưng xét trên tổng
thể và lâu dài đèn LED mang lại đầu tư hiệu quả hơn so với đèn CFLs và đèn sợi đốt. Với
điện áp đầu vào yêu cầu thấp hơn giúp tăng tuổi thọ bộ nguồn và thiết bị trong gia đình,
văn phòng. Sau khi hoàn vốn đầu tư, đèn LED vẫn tiếp tục sinh lợi hàng năm do tiết kiệm
điện và tuổi thọ lâu dài. Điều này cũng đã được thể hiện trên Bảng 4.1, ta có thể thấy nếu
sử dụng với cường độ 12h/ngày trong vòng 3 năm thì tổng chi phí cho đèn LED là 361690
VND, còn bóng đèn Compact thì tổng chi phí là 369518 VND. Ta thấy, nếu như việc đầu tư
trong 3 năm thì tổng chi phí giữa 2 loại bóng là ngang nhau, nhưng nếu ta sử dụng đèn với
cường độ lớn hơn và thời gian sử dụng bóng đèn trong khoảng thời gian lớn hơn thì bóng
đèn LED sẽ mang lại hiệu quả về kinh tế.
Khả năng ứng dụng năng lượng mặt trời cao: chính vì không yêu cầu cao về điện áp đầu
vào và công suất thấp nên việc sử dụng các tấm pin năng lượng mặt trời thành vô cùng khả
thi, đặc biệt đối với các vùng khó kéo đường điện tới nơi tiêu dùng.
d) Ứng dụng của LED
Đèn LED được sử dụng trong nhiều lĩnh vực như trang trí, đọc sách báo, chiếu sáng,
quảng cáo. Đặc biệt là quảng cáo ngoài trời, những nơi khó thay lắp, do có tuổi thọ cao hơn
nhiều lần so với bóng đèn neon. Đồng thời có nhiều màu sắc phong phú như: đỏ, xanh lá,
xanh da trời, màu hổ phách. Theo đánh giá của các nhà sản xuất, đèn LED có tiềm năng rất
lớn và họ cũng xem đó là giải pháp chiếu sáng mới trong thế kỷ 21.
4.1.2 Các ứng dụng tiêu biểu của LED

Nhờ vào những ưu việt kể trên nên tuy mới ra đời nhưng đèn LED đã phát triển mạnh
mẽ trên toàn thế giới và trên tất cả những lĩnh vực chiếu sáng.
• Thiết bị chiếu sáng trong nhà:
– Đèn LED Downlight được ứng dụng trong chiếu sáng hàng lang hay tủ trưng bày
sản phẩm, các không gian nhỏ với mức công suất nhỏ trong khoảng 3-15W.
– Đèn LED Tube ứng dụng cho chiếu sáng văn phòng, nhà ở với ánh sáng trắng tự
nhiên sẽ mang lại không khí thoải mái khi làm việc cũng như trong sinh hoạt.
Bóng đèn loại này có mức công suất trong khoảng 10-30W.
– Đèn LED Pannel ứng dụng trong chiếu sáng văn phòng, nhà hàng, khách sạn, các
trung tâm mua sắm, thương mại cũng như các trung tâm triển lãm với mức công
28
suất trong khoảng 3-25W.
Hình 4.2: (a) Đèn LED Downlight. (b) Đèn LED Tube. (c) Đèn LED Pannel.
Hình 4.3: Đèn LED ngoài trời: (a) Đèn LED siêu sáng. (b) Đèn LED Street.
• Thiết bị chiếu sáng ngoài trời:
– Đèn LED siêu sáng, LED pha ứng dụng cho chiếu sáng trong vườn, cổng, sân
khấu ngoài trời hay các công trình, kiến trúc lớn. Chúng có khả năng chiếu sáng
hơn 50m với mức công suất đèn trong khoảng 100-200W.
– Đèn LED Street ứng dụng cho chiếu sáng đường, khu trung cư đô thị, ký túc xá
với mức công suất trong khoảng từ 100-200W.
– Đèn LED dây ứng dụng cho trang trí cho các khu khách sạn, khu vui chơi giải trí,
trang trí cho các lễ hội, hội nghị và các sự kiện lớn.
4.1.3 Vai trò của thiết bị nguồn chiếu sáng đèn LED
Như vậy, từ sự đánh giá tổng quan ở trên ta thấy đèn LED đã và đang là một xu thế chiếu
sáng của tương lai, chúng sẽ được ứng dụng vào rất nhiều nơi, lĩnh vực vì tính ưu việt của
nó mang lại. Nhưng để LED có thể chiếu sáng thì ta cần phải sử dụng bộ nguồn để chúng
29
có thể hoạt động được. Các bộ nguồn sẽ ảnh hưởng trực tiếp đến sự vận hành, tuổi thọ của
đèn, cũng như tính tiết kiệm năng lượng có nó mang lại. Như vậy, với bộ nguồn cho LED
thì ta cần phải đảm bảo được các yêu cầu sau:
• Về mặt kích thước và trọng lượng: các bộ nguồn cần phải đảm bảo tính cơ động cao
nên kích thước cần phải nhỏ gọn và trọng lượng bé.
• Về mặt điều kiện làm việc: các bộ nguồn luôn phải được đóng kín nên yêu cầu về độ
tăng nhiệt của bộ nguồn cần phải đặc biệt quan tâm.
• Về các chế độ bảo vệ: các bộ nguồn cần phải đảm bảo các yêu cầu bảo vệ như hở mạch,
ngắn mạch, quá nhiệt, quá tải, ngược cực.
• Về chế độ làm việc: do mục đích cuối cùng luôn là ánh sáng được ổn định mà cường
độ sáng của đèn luôn tỉ lệ với dòng điện qua nó (Luminous Flux-Forward Current). Vì
vậy, ta cần bộ nguồn có dòng đầu ra ổn định và độ đập mạch thấp ánh sáng phát ra ổn
định và duy trì tuổi thọ của đèn LED.
Như đã giới thiệu ở trên thì ta thấy ứng dụng của đèn LED là rất rộng nên kéo theo các
dạng đèn LED rất đa dạng do đó các bộ nguồn cũng phải đa dạng hóa cấu hình, tiêu chuẩn,
yêu cầu theo. Để đơn giản cũng như cụ thể hóa việc thiết kế nguồn cho LED hướng đến
chiếu sáng đèn vườn, đồ án đề xuất thiết kế bộ nguồn cho LED siêu sáng gồm 15 LED
trong đó 5 hàng LED song song với mỗi hàng 3 LED nối tiếp có thông số yêu cầu như sau:
• Có khả năng ổn định dòng đầu ra: 1,75(A).
• Công suất: 18(W).
• Nhấp nhô dòng điện đầu ra: 5%.
• Nhấp nhô điện áp đầu ra: 5%.
Với các thông số đưa ra, hai ắc quy đầy có dung lượng 7Ah sẽ chiếu sáng nguồn LED
liên tục được trong 10 giờ.
4.2 Quy trình sạc ắc quy kết hợp với chiếu sáng LED
Cũng như đã phân tích ở chương 1, đối với việc cung cấp nguồn cho tải LED. Hệ thống
thiết kế cần đảm bảo các yêu cầu
• Cần có bộ điều khiển dòng giúp LED hoạt động với độ ổn định cao.
• Hệ thống đảm bảo chiếu sáng vào buổi tối và sặc ắc quy vào ban ngày.
30
Hình 4.4: Quy trình sạc ắc quy và thắp sáng LED.
Hình 4.4 đưa ra sơ đồ cấu trúc hệ thống đảm bảo các yêu cầu thiết kế đã nêu trên. Trong
đó:
• Dòng điện đầu ra của LED được đo về, thông qua bộ điều khiển dòng LED sẽ giúp
làm LED làm việc tại giá trị dòng xác định mong muốn ứng với cường độ ánh sáng
mong muốn.
• Thuật toán phân phối tải (Hình 4.5) được thêm vào đảm bảo thời điểm ban ngày hệ
thống luôn làm việc ở chế độ sạc ắc quy (đã phân tích ở chương 3) và khi về đêm, hệ
thống chuyển mạch làm việc ở chế độ chiếu sáng.
Trong lưu đồ Hình 4.5 thể hiện khi có tín hiệu từ cảm biến ánh sáng làm biến LED =1
thì hệ thống chuyển qua làm việc với bộ điều khiển dòng LED Iled_PIcontrol() với dòng
điện của LED Iled = Iledset.
Ngược lại, khi phát hiện trời tối, cảm biến ánh sáng sẽ đưa biến LED về 0 và hệ thống
sẽ làm việc ở chế độ sạc ắc quy với hàm sacacquy() đã nêu ở chương 2.
31
Hình 4.5: Thuật toán sạc ắc quy và phân phối ra tải LED.
Tất cả các hàm sử lý trên đều được xử lý trong hàm ngắt CpuTimer_ISR() với thời gian
ngắt bằng với chu kỳ trích mẫu cả dòng điện. Các giá trị dòng điện, điện áp Ivp ,Vvp , Ib ,Vb , Iled
được đo và quy chuẩn về thông qua hàm ReadADC(). Cụ thể lưu đồ thuật toán sẽ được đưa
ra trong phần phụ lục.
4.3 Kết luận
Chương 4 đã tìm hiểu được tổng quan về LED, ưu nhược điểm, đặc tính, các ứng dụng
rông rãi của LED trong cuộc sống hiện này, đồng thời đưa ra cấu trúc để đảm bảo yêu cầu
việc phân phối nguồn cho LED và phương pháp điều khiển chiếu sáng LED thông qua lưu
đồ thuật toán đã nêu. Chương 5 sẽ làm rõ và cụ thể hóa việc phân tích, tính toán, mô hình
hóa, thiết kế mạch và các bộ điều khiển cho các bộ biến đổi sạc, nguồn cho LED.
32
Chương 5. Lựa chọn, tính toán và thiết kế các bộ biến đổi
CHƯƠNG 5
LỰA CHỌN, TÍNH TOÁN VÀ THIẾT KẾ CÁC BỘ BIẾN

ĐỔI
5.1 Bài toán thiết kế
Từ việc phân tích hệ thống từ tổng quan đi đến cấu trúc, thuật toán, chương này sẽ tính
toán, thiết kế cụ thể các bộ biến đổi. Bài toán thiết kế bộ sạc và bộ nguồn cho LED được
cho trong Bảng 5.1 và 5.2 dưới đây.
Các giá trị Rg và Vg là mô hình tương đương tuyến tính của pin mặt trời và được tính
toán như mục 2.3.
Bảng 5.1: Thông số thiết kế cho bộ sạc ắc quy.
Thông số Giá trị

Công suất 80W
Độ đập mạch dòng điện qua cuộn cảm IL1 10%
Điện trở ắc quy Rb 0.306(Ω)
Điện trở tương đương pin mặt trời Rg 0, 01(Ω)
Điện áp tương đương pin mặt trời Vg 18(V )
Bảng 5.2: Thông số thiết kế bộ nguồn cho LED.
Thông số Giá trị

Công suất 40W
Độ đập mạch dòng điện qua cuộn cảm IL2 10%
Dòng điện đầu ra Io 1A
Điện trở của LED Rled 40(Ω)
Điện áp vào Vb 24V
33
5.2 Bộ biến đổi cho bộ sạc
5.2.1 Lựa chọn cấu hình

Theo bài toán thiết kế cho bộ sạc ắc quy sử dụng năng lượng mặt trời ở trên, thì bộ biến
đổi được sử dụng với ưu điểm phải phù hợp với công suất thấp khoảng 80W, cũng vì hệ
thống sử dụng 1 pin mặt trời để sạc cho 2 ắc quy axit chì nên sẽ cần một bộ biến đổi tăng
áp do đó bộ biến đổi Boost được lựa chọn. Bộ boost có cuộn cảm đầu vào sẽ giúp hệ thống
giảm độ đập mạch dòng điện. Mô hình cấu hình bộ biến đổi Boost với nguồn vào là pin mặt
trời và tải ắc quy:
Hình 5.1: Cấu hình bộ biến đổi Boost với đầu vào là pin mặt trời và đầu ra là ắc quy.
Coi C1 và C2 là không lý tưởng nên ta xét thêm điện trở RESR1 của tụ C1 và RESR2 của tụ
C2 .
5.2.2 Tính toán các phần tử mạch lực của bộ biến đổi
Các yêu cầu thiết kế là: Sạc 2 ắc quy mắc nối tiếp với yêu cầu điện áp ra Vo = 24V , dao
động dòng điện trên cuộn cảm ∆IL1 = 10%IL1 , tần số đóng cắt fs = 100kHz. Giả sử bộ biến
đổi là lý tưởng, suy ra:
• Công suất: Pin = Pout = 80(W ) .

Pin 80
• Dòng điện qua cuộn cảm: IL1 = = = 4, 44(A).
Vin 18
Vin 18
• Hệ số đóng cắt của van đóng cắt: D = 1 − = 1− = 0, 25.
Vo 24
• Chọn độ dao động dòng điện trên cuộn cảm: ∆IL1 = 10%IL1 = 0, 1.4, 44 = 0, 444(A).
• Điện trở ắc quy: Rb = 0, 306(Ω).
34
• Điện trở Pin mặt trời: Rg = 0, 01(Ω).
Tính toán tụ lọc đầu ra

a) Giá trị điện dung của tụ
Chọn độ dao động điện áp ∆Vo = 1, 5%Vo = 0, 015.24 = 0, 36(V ).

Giá trị tụ lọc đầu ra:
Vo D 24.0, 25
C2 = = = 544(µF)
fs Rt ∆Vo 100.103 .0, 306.0, 36
Chọn giá trị điện dung của tụ: C2 = 1000µF và chịu được điện áp 40V.
b) Giá trị điện trở RESR2 mắc nối tiếp với tụ
Hình 5.2: Đặc tính thể hiện quan hệ RESR2 /RESR0 theo tần số [8].
Dựa vào datasheet xác định được gần đúng giá trị điện trở RESR2 .
Với tần số đóng cắt fs = 100kHz suy ra RESR2 = 0, 6.0, 16 = 0, 1(Ω).
Tương tự như trên, ta cũng tính toán và chọn được giá trị điện dung của tụ đầu vào
C1 = 1000µF và chịu được điện áp 40V.
Chọn van bán dẫn

a) Van đóng cắt
Chọn van đóng cắt là MOSFET tần số cao. Dòng IL1 = 4, 44A nên chọn MOSFET
IRF540N có thể chịu được dòng tối đa là 33A, điện áp tối đa là 100V.
b) Diode
Chọn loại diode tần số cao Schottky SB540 chịu được dòng 5A và áp 40V.
35
Tính toán cuộn kháng

• Xuất phát từ:
Pin 80
IL1 = = = 4, 44(A).
Vin 18
• Chọn: ∆IL1 = 10%IL1 .
∆IL1 = 10%IL1 = 0, 444(A).
• Giá trị cuộn cảm được tính theo công thức:

Vg D 18.0, 25
L1 = = = 50, 68(µH).
2∆IL1 fs 2.0, 444.100.103
5.2.3 Mô hình hóa bộ biến đổi tăng áp

Khi mô hình hóa, để cho đơn giản ta mô hình hóa pin mặt trời, ắc quy như một nguồn
áp và một điện trở.
Xét L1 , C1 , C2 không bỏ qua trở kháng ta có:
• Khi MOSFET đóng.
Hình 5.3: Mô hình mạch Boost khi MOSFET đóng [9].
Sử dụng định luật Kirchhoff ta có hệ phương trình mô tả sơ đồ mạch điện của bộ biến
đổi Boost khi MOSFET đóng.
diL1 (t) V1 (t)
= . (5.1)
dt L1
dvc1 (t) V1 (t) − vc1 (t)
= . (5.2)
dt C1 .RESR1
36
dvc2 (t) V2 (t) − vc2 (t)

= . (5.3)
dt C2 .RESR2
Trong đó:
RESR1 .Vg Rg .vc1 Rg .RESR .iL1
V1 = + − ;
RESR1 + Rg RESR1 + Rg RESR1 + Rg
vc2 .Rb Vb .RESR2
V2 = +
RESR2 + Rb RESR2 + Rb
• Khi MOSFET cắt.
Hình 5.4: Mô hình mạch Boost khi MOSFET cắt [9].
đổi Boost khi MOSFET cắt.
diL1 (t) V1 (t) −VD −V2 (t)
= (5.4)
dt L1
dvc1 (t) V1 (t) − vc1 (t)
= . (5.5)
dt C1 .RESR1
dvc2 (t) V2 (t) − vc2 (t)
= . (5.6)
dt C2 .RESR2
Trong đó:
RESR1 .Vg Rg .vc1 Rg .RESR .iL1
V1 = + − ;
RESR1 + Rg RESR1 + Rg RESR1 + Rg
vc2 .Rb Vb .RESR2 iL .RESR2 .Rb
V2 = + + 1 .
RESR2 + Rb RESR2 + Rb RESR2 + Rb
Phương trình mạch bộ biến đổi DC-DC ở trạng thái MOSFET đóng dưới dạng chuẩn
hóa. 
 dx = A1 x + B1 u

dt . (5.7)
y = C1 x + D1 u

37
Phương trình mạch bộ biến đổi DC-DC ở trạng thái MOSFET cắt dưới dạng chuẩn hóa.

 dx = A2 x + B2 u

dt . (5.8)
y = C2 x + D2 u

Phương trình (5.1), (5.2), (5.3) viết lại theo dạng không gian trạng thái (5.7) với ma trận
được xác định theo (5.9), (5.10).
 ! 
−1Rg .RESR1 Rg
0
Rg + RESR1
 L1 L1 .(Rg + RESR1 )
 

Rg 1
 
A1 =  − . (5.9)
 C1 .(Rg + RESR1 ) − C1 .(Rg + RESR1 )
 
0 
 
 1 
0 0 −
C2 .(Rb + RESR2 )

RESR1 
 L1 .(Rg + RESR1 )
0 0 
1
 
 
B1 = 
 C .(R + R 0 0 
. (5.10)
 1 g ESR1 ) 
 1 
0 0
C2 .(Rb + RESR2 )
Phương trình (5.4), (5.5), (5.6) viết lại theo dạng không gian trạng thái (5.8) với ma trận
được xác định theo (5.11) và (5.12).

−1 Rg −Rb 
(M)
 L1 L1 .(Rg + RESR1 ) L1 .(Rb + RESR1 ) 
1

R

 g 
A2 =  −
 C .(R + R − 0 . (5.11)
ESR1 ) C1 .(Rg + RESR1 ) 
 1 g 
 Rb −1 
0
C2 .(Rb + RESR2 ) C2 .(Rb + RESR2 )
Rg .RESR1 Rb .RESR2
Trong đó: M = + ;
Rg + RESR1 Rb + RESR2

RESR1 RESR2 −1 
 L1 .(Rg + RESR1 )
−
L1 .(Rb + RESR2 ) L1 
1
 
 
B2 =   0 0 . (5.12)
 C1 .(Rg + RESR1 ) 
 1 
0 0
C2 .(Rb + RESR2 )
Đặt : 
Ass = [(1 − D)A1 + DA2 ]
. (5.13)
B = [(1 − D)B + DB ]
ss 1 2
38
Hàm truyền đạt giữa biến trạng thái và hệ số điều chế (khi ub =0).

xb(s)
b
= (sI − Ass )−1 [(A1 − A2 )X + B1 − B2 )U]. (5.14)
d(s) ub(s)=0
Trong đó:
 
L (s)
ic
 1 
xb(s) = 
vcc1 (s).

vcc2 (s)
Từ (5.14), sử dụng Matlab để tính hàm truyền các đối tượng với thông số các phần tử
mạch lực đã tính được trong mục 5.2.2 ta được:
10−9 s2 + 2, 7973.10−4 s + 7, 4395
GiL1 d = ;
1, 6933.10−15 s3 + 0, 4783.10−7 s2 + 1, 4239.10−5 s + 0, 11875
10−25 s2 + 1, 997.10−4 s + 49, 92
GVg d = ;
3, 713.10−14 s3 + 1, 049.10−8 s2 + 3, 122.10−4 s + 2, 604
⇒ GVg iL1 = GiL1 d/GVg d; (5.15)
10−10 s2 + 4, 174.10−5 s + 1, 173

GVb d = .
3, 14.10−14 s3 + 88, 72.10−8 s2 + 2, 639.10−4 s + 2, 2
Hàm truyền đối tượng thu được sau khi được tối giản:
2, 7973.10−4 s + 7, 4395
GiL1 d = ;
1, 4239.10−5 s + 0, 11875
1, 997.10−4 s + 49, 92
GVg d = ;
3, 122.10−4 s + 2, 604
4, 174.10−5 s + 1, 173
GVb d = .
2, 639.10−4 s + 2, 2
39
5.2.4 Thiết kế bộ điều khiển dòng và điều khiển áp

Cấu trúc hệ thống sử dụng bộ điều khiển dòng điện và điện áp
Hình 5.5: Sơ đồ cấu trúc điều khiển cho bộ sạc.
Hình 5.5 mô tả chi tiết cấu trúc của hệ thống sạc ắc quy với 2 bộ điều khiển dòng và áp.
Khối thuật toán sạc với đầu vào là dòng điện và điện áp sạc có nhiệm vụ phát hiện chế độ
sạc ắc quy.
Thiết kế bộ điều khiển theo cấu trúc bù loại 2

C11 .C21
Từ Hình 5.6, với C12 = suy ra hàm truyền của bộ bù 2 như sau:
C11 +C21
Voc sC21 R21 + 1
Gc (s) = = . (5.16)
Vic R21C11 s(sC12 R21 + 1)
Hàm truyền (5.16) được viết gọn lại như sau:
s
Gc0 (
+ 1)
ωz
Gc (s) = s . (5.17)
s( + 1)
ωp
40
Hình 5.6: Cấu trúc bù loại 2 [12].
Điểm không và điểm cực được cho bởi công thức sau:
1
ωz = ; (5.18)
C21 R21
1
ωp = . (5.19)
C12 R21
Hệ số khuếch đại của bộ điều khiển.
1
Gc0 = . (5.20)
R1 (C11 +C21 )
Biên độ và pha của hàm truyền ở phường trình (5.16) ở tần số ω như sau:
v
ω
(1 + j )
u 1 + ( ω )2
u
Gc0 ωz Gc0 u
u
ωz
|Gc ( jω)| = = ; (5.21)
ω t 1 + ( ω )2
u
ω ω
(1 + j ) ωp
ωp
Gc0 ω ω
ϕc (ω) = ϕ() + ϕ(1 + j ) − ϕ(1 + j ).
jω ωz ωp
ω ω π
= tan−1 − tan−1 − (5.22)
ωz ωp 2
Pha của bộ bù theo (5.21) đạt giá trị lớn nhất tại tần số góc:
√
ωm = ω p ωm . (5.23)
Chọn tần số cắt mong muốn ωc và độ dự trữ pha mong muốn ωm . Tại tần số cắt ωc đối
tượng có biên độ G p và độ dự trữ pha ϕ p . Mối quan hệ ωm với tần số cắt mong muốn như
sau:
ωm = αωc . (5.24)
Trong đó α là hệ số điều chỉnh, thông thường chọn α = 1.
Tại tần số cắt (5.21), (5.22), (5.23) trở thành:
41
ωc (ω p − ωz ) π
ϕc (ωc ) = tan−1 −
ωc2 + ωz ω p 2
(ω p − ωz ) π
= tan−1 − . (5.25)
ωc (1 + α 2 ) 2
Độ dự trữ pha mong muốn được biểu diễn qua phương trình:
ϕc (ωc ) + ϕ p + π = ϕm .
(ω p − ωz ) π
⇒ tan−1 2
= ϕm − ϕ p − .
ωc (1 + α ) 2
(ω p − ωz ) π
⇒ = tan(ϕm − ϕ p − ) = cot(ϕ p − tan(ϕm ).
ωc (1 + α 2 ) 2
⇒ ω p − ωz = ωc (1 + α 2 ) cot(ω p − ωm ) = ωd . (5.26)
Giải hệ (5.22) và (5.25) sẽ ra được điểm không và điểm cực:
 q
ωz = 0, 5( ω 2 + 4ω 2 − ωd )
m
q d . (5.27)
ω = 0, 5( ω 2 + 4ω 2 + ω )
p d m d
Tại tần số cắt: |Gc ( jωc )| |Gc ( jωc )| = 1. Suy ra hệ số khuếch đại của bộ bù loại 2:
v
u 1 + ( ωc )2
u
ωc u
ωz
Gc0 = . (5.28)
u
|G p ( jωc )|
u ωc 2
1+( )
t
ωp
Thiết kế bộ điều khiển ổn dòng

a) Mạch vòng trong điều khiển dòng điện
Hình 5.7: Sơ đồ điều khiển mạch vòng dòng điện [10].
42
Thiết kế bộ điều khiển với hàm truyền của đối tượng điều khiển GiL1 d đã được tính toán
trên mục 5.2.3.
Hệ số phản hồi Hi (s): Dòng điện chảy qua cuộn cảm trung bình IL1 = 4, 44(A). Do dòng
qua cuộn cảm nhỏ nên chọn Hi (s) = 0, 5.
Thiết kế bộ điều chế độ rộng xung: có thể là một sóng tam giác hoặc một xung răng cưa,
có thể đơn cực hoặc lưỡng cực được sử dụng như một tín hiệu sóng mang. Tần số của sóng
mang nên cùng với tần số cắt của bộ biến đổi.
Hình 5.8: Sơ đồ khối và dạng sóng của khối PWM [10].
Chọn VM = 3V .
s
1−
1 4 fs −8, 333.10−7 s + 0, 333
Hàm truyền của bộ điều chế: GPW M (s) = . = .
VM 1 + s 2, 5.10−6 s + 1
4 fs
Hàm truyền vòng hở của mạch vòng dòng điện được cho bởi:
Gih (s) = Hi (s).Gci (s).GPW M (s).GiL1 d (s).
Đối tượng của mạch vòng điều khiển dòng điện:

G pi (s) = Gih (s)

Gci (s)=1
4, 352.10−5 s + 1, 24
G pi (s) = .
1, 454.10−4 s + 0, 1188
Từ đó suy ra đồ thị Bode của đối tượng vòng điều khiển dòng điện như Hình 5.9:
43
Hình 5.9: Đồ thị Bode của đối tượng dòng điện.
Đồ thị Bode của đối tượng trên Hình 5.9 cho thấy đối tượng ổn định với tần số cắt
9, 79.104 rad/s (15,6kHz) và độ dự trữ pha là 63o . Tuy nhiên độ quá điều chỉnh vẫn còn
lớn. Để hệ thống có đặc tính động học tốt hơn ta cần thiết kế sao cho: Tần số cắt chọn là:
fc = 10kHz. Độ dự trữ pha: φm 60o tại tần số cắt.
Thay vào (5.25), (5.26), (5.27) ta tính được bộ điều khiển:
0, 6s + 5378
Gci (s) = .
2, 491.10−6 s2 + s
Hình 5.10 đồ thị Bode của mạch vòng dòng điện sau khi được bù.
Đồ thị Bode Hình 5.10 cho thấy độ dự trữ pha của đối tượng sau khi bù ở tần số 9,87kHz
là 59,4 và độ sự biên là 13dB, đạt yêu cầu thiết kế đã đề ra ở trên.
44
Hình 5.10: Đồ thị Bode của mạch vòng dòng điện sau khi được bù.
b) Mạch vòng ngoài điều khiển điện áp
Hình 5.11: Sơ đồ điều khiển mạch vòng điện áp [10].
Theo công thức tính toán hàm truyền của đối tượng điều khiển vòng áp trong mục 5.2.3
ta được:
3.05.10−4 s + 1, 94
GVg i = .
7, 35.10−5 s + 0, 593
Hệ số phản hồi Hv (s): Do điện áp ra của pin mặt trời là 18V nên chọn Hv (s) = 0, 1.
Hàm truyền vòng hở của mạch vòng điện áp được cho bởi:
Gvh = GVg i .Hv (s).Gcv .
45
Đối tượng của mạch vòng điều khiển điện áp: Đối tượng của mạch vòng điều khiển dòng
điện:

G pv (s) = Gvh (s)

Gcv (s)=1
−4
3, 05.10 s + 1, 94
G pv = .
7, 35.10−4 s + 5, 93
Từ đó suy ra đồ thị Bode của đối tượng vòng điều khiển điện áp như Hình 5.12.
Từ Hình 5.12 ta nhận thấy đồ thị Bode không cắt trục hoành, hệ thống không ổn định.
Tại tần số 1kHz đồ thị Bode có biên độ -9,51dB và pha 12,1o .
Thiết kế bộ điều khiển áp:
• Tần số cắt bằng 1/10 tần số cắt mạch vòng dòng điện.
• Độ dự trữ pha chọn là 60o tại tần số cắt: fc = 1kHz.
Mạch vòng điện áp sẽ cần đáp ứng chậm hơn mạch vòng dòng điện khoảng 10 lần, do đó
chọn tần số cắt là 1hHz. Thay vào (5.25), (5.26), (5.27) ta tính được bộ điều khiển:
2, 999s + 4, 004.104
Gcv (s) = .
0, 000371s2 + s
Hình 5.12: Đồ thị Bode của mạch vòng điện áp.
Hình 5.13 đồ thị Bode của mạch vòng điện áp sau khi được bù.
46
Hình 5.13: Đồ thị Bode của mạch vòng điện áp sau khi được bù.
Hình 5.13 cho thấy độ dự trữ pha của đối tượng sau khi bù ở tần số 955 Hz là 59,8; đạt
yêu cầu thiết kế đã đề ra ở trên.
Thiết kế bộ điều khiển ổn áp
Hình 5.14: Sơ đồ điều khiển mạch vòng điện áp [10].
Thiết kế bộ điều khiển với hàm truyền của đối tượng điều khiển GVb d đã được tính toán
trên mục 5.2.3.
Tương tự như mạch vòng điều khiển 3.4.3a với GPW M đã tính được như trên, ta có: Hàm
truyền vòng hở của mạch vòng điện áp với Hv1 =0,1 được cho bởi:
Gvh1 (s) = Hv1 (s).Gcv1 (s).GPW M (s).GVb d (s).
47
Hình 5.15: Đồ thị Bode của đối tượng điện áp.

G pv1 (s) = Gvh1 (s) .

Gcv1 (s)=1
1, 3.10−4 s + 3, 91
G pv1 (s) =
2, 69.10−2 s + 2, 19.102
Từ đó suy ra đồ thị Bode của đối tượng vòng điện áp như Hình 5.15.
Hình 5.15 đồ thị Bode của đối tượng cho thấy hệ thống có độ dự trữ biên là 67,8. Hệ
thống khó triệt tiêu sai lệch tĩnh. Tại tần số 10kHz đồ thị Bode có biên độ -51,5dB và pha
258o .
Tính toán bộ điều khiển:
• Điều kiện chọn tần số cắt là: 5% fs ≤ fc ≤ 20% fs .[7].
• Độ dự trữ pha chọn là 60o tại tần số cắt. Với tần số cắt chọn là: fc = 10kHz.
Thay vào (5.25), (5.26), (5.27) ta tính được bộ điều khiển:

358, 9s + 2, 07.106
Gcv1 (s) =
1, 605.10−6 s2 + s
48
Hình 5.16 đồ thị Bode của mạch vòng điện áp sau khi bù. Đồ thị cho thấy độ dự trữ pha
của đối tượng sau khi bù ở tần số 6, 07.104 rad/s = 9, 67kHz là 60,5 và độ dự trữ biên độ là
13,2dB; đạt yêu cầu thiết kế đã đề ra ở trên.
5.3 Bộ biến đổi cho tải LED
5.3.1 Lựa chọn cấu hình

Dựa vào việc phân tích bài toán thiết kế với đầu ra Vo > Vb do đó cấu hình boost được
lựa chọn với ưu điểm đơn giản đối với công suất khoảng 40W.
49
5.3.2 Tính toán các phần tử mạch lực của bộ biến đổi
Mạch lực của bộ biến đổi Boost converter được miêu tả như Hình 5.17. Bộ biến đổi là
có đầu vào là 2 ắc quy 12V mắc nối tiếp nên Vb = 24V , điện áp và dòng điện định mức đầu
ra cấp cho LED là Vo = 40V, Io = 1A tần số đóng cắt fs = 100kHz. Giả sử bộ biến đổi là lý
tưởng, suy ra:
• Công suất: Pin = Pout = 40(W )

Pin 40
• Dòng điện qua cuộn cảm: IL2 = = = 1, 67(A).
Vb 24
Io 1
• Hệ số đóng cắt của van đóng cắt: D = 1 − = 1− = 0, 4.
IL2 1.67
Giá trị điện dung của tụ

Chọn độ dao động điện áp ∆Vo = 0, 1%Vo = 0, 001.40 = 0, 04(V ).
Giá trị tụ lọc đầu ra:
Io .D 1.0, 4
Co = = = 100(µF).
fs .∆Vo 100.103 .0, 04
Chọn giá trị điện dung của tụ: Co = 100uHµF và chịu được điện áp V=63V.
Chọn van bán dẫn

Chọn van đóng cắt Q1
Chọn van đóng cắt Q1 là MOSFET tần số cao. Dòng IL2 = 1, 67A nên chọn MOSFET
IRF540N có thể chịu được dòng tối đa là 33A, điện áp tối đa là 100V.
Chọn Diode D1
Chọn loại diode tần số cao Schottky MUR860 chịu được dòng 8A và điện áp ngược
400V.
Tính toán cuộn cảm

Chọn độ dao động dòng điện trên cuộn cảm: ∆IL2 = 5%IL2 = 0, 05.1, 67 = 0, 0835(A).
Với cấu hình Boost converter, giá trị cuộn cảm L2 được tính theo công thức sau:
Vb .D 24.0, 4
L2 = = = 575(µH).
2∆IL2 fs 2.0, 0835.100.103
50
5.3.3 Mô hình hóa bộ biến đổi nguồn LED

Hàm truyền GiL2d là hàm truyền giữa dòng điện chạy qua cuộn cảm L2 và hệ số đóng
cắt d phải được tìm thấy để thiết kế được bộ điều khiển Gci1 . Thực hiện mô hình hóa các
phần tử mạch lực để tìm hàm truyền GiL2d .
Khi mô hình hóa, để cho đơn giản tải đèn LED được thay thế bằng một tải trở R = 40Ω.
• Khi MOSFET đóng.
Hình 5.18: Mô hình mạch nguồn LED khi MOSFET đóng.
đổi khi MOSFET đóng.
diL2 Vb
= (5.29)
dt L
dvco vco
= (5.30)
dt R.Co
• Khi MOSFET cắt.
Hình 5.19: Mô hình mạch nguồn LED khi MOSFET cắt.
51
đổi khi MOSFET cắt.
diL Vb − vco
= . (5.31)
dt L

dvc1 1 vco
= . iL1 − . (5.32)
dt C R
Sử dụng phương pháp mô hình trung gian trang thái tương tự như đã mô hình hóa bộ
biến đổi sạc ắc quy ở mục 5.2.3, hàm truyền GiL1d có được như (5.33).
Vo + IL2 R(1 − D) + RCoVo s
GiL1d (s) = . (5.33)
R(1 − D)2 + L2 s + RLCo s2
5.3.4 Thiết kế bộ điều khiển

Sơ đồ cấu trúc điều khiển cho LED với việc đo dòng điện qua cuộn cảm với hệ số Hs ,
tín hiệu được so sánh với dòng điện đặt, sau đó qua bộ điều khiển dòng điện Gcil , tạo ra tín
hiệu xung PWM vào van điều khiển (Hình 5.20)
Hình 5.20: Sơ đồ khối bộ điều khiển bộ nguồn LED.
Cấu trúc dạng sơ đồ khối như Hình 5.21.
52
Hình 5.21: Sơ đồ khối bộ điều khiển bộ nguồn LED.
Hàm truyền vòng hở của mạch vòng dòng điện được cho bởi:
Gih1 (s) = Hi (s).Gci1 (s).GPW M (s).GiL1d (s).
Đối tượng của mạch vòng điều khiển dòng điện:

G pi1 (s) = Gih1 (s)

Gci1 (s)=1
4, 352.10−5 s + 1, 24
G pi1 (s) = .
1, 454.10−4 s + 0, 1188
Từ đó suy ra đồ thị Bode của đối tượng vòng điều khiển dòng điện như Hình 5.22
Hình 5.22: Đồ thị Bode của đối tượng dòng điện trong bộ nguồn LED.
Đồ thị Bode của đối tượng trên Hình 5.22 có tần số cắt 2, 27.10−5 rad/s (36,1kHz) và có
độ dự trữ pha 30,9 khiến hệ thống có độ quá điều chỉnh khá lớn. Dựa trên yêu cầu thiết kế
các thông số về tần số cắt và độ dự pha cần đảm bảo:
• Tần số cắt: 5% fs ≤ fc ≤ 20% fs . Chọn fc = 10kHz.
53
• Độ dự trữ pha: 45o < φm < 75o . Chọn φm = 60o .
Tại tần số 10kHz đồ thị Bode của đối tượng có biên độ 11,2dB và pha 252o .
Sử dụng bộ bù loại 2 có (5.17). Dựa vào đồ thị Bode của đối tượng và tần số cắt, độ dự
trữ pha mong muốn đạt được, bộ điều khiển mạch vòng dòng điện Gci1 được tính có kết quả
như sau:
6, 629.10−5 s + 1
G pi1 (s) = .
8, 988.10−10 s2 + 2, 352.10−4 s
Đồ thị Bode Hình 5.23 cho thấy độ dự trữ pha của đối tượng sau khi bù ở tần số
6, 30.104 rad/s (9,87kHz) là 59,8 và độ sự biên là 12,8dB; đạt yêu cầu thiết kế đã đề ra
ở trên.
Hình 5.23: Đồ thị Bode của mạch vòng dòng điện trong bộ nguồn LED sau khi được bù.
5.4 Kết luận
Chương 5 đã đi từ phân tích, lựa chọn cấu hình, tính toán mạch lực, mô hình hóa, thiết
kế các bộ điều khiển dựa vào đồ thị Bode để phân tích đặc tính tần số và biên độ. Cấu trúc,
nguyên lý của bộ biến đổi Boost được làm rõ, bên cạnh việc phân tích các trạng thái làm
việc của bộ biến đổi và đưa ra được mô hình trạng thái của bộ Boost. Các bộ điều khiển
được thiết kế với cấu trúc bù loại 2 đảm bảo về tốc độ đáp ứng nhanh, độ quá điều chỉnh
nhỏ. Để phát huy hiệu quả của thuật toán P&O hay khắc phục nhược điểm của thuật toán
này, đề tài bổ xung thêm 2 bộ điều khiển với vòng trong là vòng dòng, vòng ngoài là vòng
áp giúp việc bám điểm công suất cực đại đạt hiệu quả cao. Để thấy rõ hơn về tác dụng của
bộ điều khiển, chương 6 sẽ đưa ra kết quả mô phỏng cũng như kết quả thực nghiệm.
54
Chương 6. Kết quả mô phỏng và thực nghiệm
CHƯƠNG 6
KẾT QUẢ MÔ PHỎNG VÀ THỰC NGHIỆM
6.1 Các kết quả mô phỏng
6.1.1 Sơ đồ mô phỏng và kết quả mô phỏng bộ sạc ắc quy trên phần mềm PSIM
Hình 6.1 mô tả sơ đồ mô phỏng hệ thống dò và bám điểm công suất cực đại với thuật
toán P&O với các bộ điều khiển dòng (PI_2_Vongdong) và áp (PI_2_Vongap) trên phần
mềm PSIM 9.0. Các phần tử và bộ điều khiển được trình bày cụ thể ở chương 5.
Hình 6.1: Sơ đồ sạc ắc quy mô phỏng trên phần mềm PSIM 9.0.
55
Công suất đầu ra bộ biến đổi bám công suất cực đại của pin mặt trời trong chế độ
MPPT
Kết quả mô phỏng trong giai đoạn dò và bám điểm công suất cực đại như hình dưới đây
với các điều kiện về cường độ bức xạ mặt trời (G) và nhiệt độ (T) khác nhau.
• Tờ 0 đến 0,5s: G = 600W /m2 , T = 25oC. Công suất bám tại 48,2W.
• Tờ 0,5s đến 1s: G = 1000W /m2 , T = 25oC. Công suất bám tại giá trị 80W.
• Tờ 1s đến 1,5s: G = 800W /m2 , T = 25oC. Công suất bám tại 64.4W.
• Tờ 1,5 đến 2s: G = 800W /m2 , T = 55oC. Công suất bám tại 61.6W.
Khi chỉ sử dụng thuật toán P&O và không có bộ điều khiển, hệ thống có đảm bảo bám
điểm công suất cực đại nhưng độ dao động lớn, ∆P = 8W (Hình 6.2)
Hình 6.2: Bám công suất với thuật toán P&O khi chưa có bộ điều khiển.
Hình 6.3: Bám công suất cực đại với các bộ điều khiển dòng và áp.
56
Hình 6.3 cho thấy việc sử dụng thuật toán dò và bám công suất thực hiện khá tốt đảm
bảo cả về tốc độ đáp ứng và độ giao động và cũng đồng thời chỉ ra rằng hạn chế của thuật
toán P&O được khắc phục nhờ vào các bộ điều khiển được thiết kế ở trên, công suất giao
động quanh điểm cực đại với ∆P = 2W .
Điện áp và dòng điện đầu ra của bộ biến đổi
Hình 6.4: Đện áp ra của bộ biến đổi.
Hình 6.5: Dòng điện ra của bộ biến đổi.
Dòng điện và điện áp đầu ra trong quá trình dò và bám công suất cực đại được thể hiện
trong Hình 6.4 và Hình 6.5. Dòng điện giao động với độ giao động thấp (khoảng 2,5%.
Trong quá trình này, hệ thống làm việc ở chế độ dò công suất cực đại, khi điện áp ra tăng
đến điện áp quá nạp sẽ chuyển sang chế độ 2.
57
Điện áp đầu ra bộ biến đổi ở chế độ 2

Chế độ 2: Giữ điện áp sạc áp quy ở 29V.
Hình 6.6: Điện áp đầu ra bộ biến đổi ở chế độ 2.
Hình 6.6 thể hiện dạng điện áp đầu ra ở chế độ 2. Thời gian quá độ ngắn 0,03s với độ
quá điều chỉnh 13,8%. Nhấp nhô điện áp 0,04V (0,13%Vo <1,5%Vo theo thiết kế) chất lượng
điều khiển khá tốt, bộ điều khiển đáp ứng nhanh.
Điện áp đầu ra bộ biến đổi ở chế độ 3

Chế độ 3: Giữ điện áp sạc áp quy ở 28V.
Hình 6.7: Điện áp đầu ra bộ biến đổi ở chế độ 3.
Hình 6.7 thể hiện dạng điện áp đầu ra ở chế độ 3. Thời gian quá độ ngắn 0,02s với độ
quá điều chỉnh 14,3%. Nhấp nhô điện áp 0,02V (0,07%Vo <1,5%Vo theo thiết kế) chất lượng
điều khiển khá tốt, bộ điều khiển đáp ứng nhanh.
58
6.1.2 Sơ đồ mô phỏng mạch lực bộ ổn dòng để chiếu sáng cho LED trên phần mềm
PSIM
Sơ đồ Hình 6.8 dưới đây được mô phỏng sử dụng phần mềm PSIM 9.0. Thời gian mô
phỏng trong vòng 1s. Bộ ổn dòng điện là bộ bù 2. Dòng điện đâì ra Io được trình bày ở Hình
6.9
Hình 6.8: Sơ đồ chiếu sáng LED mô phỏng trên phần mềm PSIM 9.0 sử dụng UC3842.
Kết quả mô phỏng cho thấy bộ điều khiển làm việc hiệu quả với tốc độ đáp ứng cỡ ms,
độ quá điều chỉnh khoảng 2% và độ giao động thấp (khoảng 0.44%).
Hình 6.9: Dòng điện đầu ra bộ biến đổi.
59
6.2 Kết quả thực nghiệm
Hình 6.10: Hệ thống sạc ắc quy sử dụng năng lượng mặt trời và ứng dụng tải LED đèn đường.
Hình 6.10 là hệ thống thực nghiệm sạc ắc quy sử dụng năng lượng mặt trời và kết nối
cho tải LED. Các phần tử trong hệ thống cụ thể như sau:
1) 1 tấm pin mặt trời .
2) 2 Ắc quy axit chì.
3) 4 Đèn LED, mối đèn 10W được mắc nối tiếp.
4) Bộ biến đổi sạc ắc quy.
5) Nguồn cho LED.
6) Cảm biến ánh sáng.
Hệ thống được thiết kế đảm bảo các yêu cầu:
• Sạc ắc quy ba chế độ, kết hợp với thuật toán MPPT đảm bảo tối ưu hóa hiệu suất khai
thác năng lượng.
• Bảo vệ ắc quy quá áp, quá dòng, tự xả, xả sâu.
• Cung cấp nguồn cho LED đèn đường, tự động chiếu sáng khi trời tối và ngắt khi trời
sáng dùng cảm biến ánh sáng.
60
Hình 6.11: Sơ đồ mạch thực nghiệm bộ biến đổi sạc ắc quy.
6.2.1 Kết quả thực nghiệm bộ sạc ắc quy sử dụng năng lượng mặt trời
Hình 6.11 là hình ảnh thực nghiệm của bộ biến đổi sạc ắc quy.
Trong đó:
1) Tụ đầu ra.
2) Diode.
3) MOSFET.
4) Cuộn kháng.
5) Nguồn cho mạch điều khiển.
6) Hiển thị dòng điện và điện áp trên LCD 16x2.
7) Tụ đầu vào và cầu chì bảo vệ.
8) Vi điều khiển Tiva TM4C1230H6PM.
Bộ điều khiển được rời rạc hóa, sau đó được lập trình bằng vi điều khiển, tần số trích
mẫu là 10kHz. Trong khoảng thời gian 10kHz, vi điều khiển cần đảm bảo đủ nhanh để thực
hiện các thuận toán, tính toán các bộ điều khiển.
61
Đối với bộ sạc, một kênh PWM được sử dụng để cung cấp tín hiệu điều khiển, các linh
kiện điện tử opto để cách ly và IR2103 được sử dụng để đệm tín hiệu điều khiển từ đó đóng
mở van MOSTFET.
Nguồn điện để cung cấp cho mạch điều khiển và LCD được lấy từ ắc quy, sau đó qua
IC7805, IC7815 để tạo mức điện áp phù hợp.
Các thông số của bộ sạc được hiển thị bằng LCD với các giá trị:
• Ir là dòng điện trên cuộn cảm.
• Vg là điện áp dầu vào.
• Vb là điện áp đầu ra.
• Ib là dòng điện sạc cho ắc quy.
Kết quả thực nghiệm ở chế độ 1 với việc dò và bám công suất cực đại
Trong quá trình thực nghiệm đối với việc dò và bám công suất cực đại, việc so sánh giữa
điện áp hở mạch và điện áp sau khi đã bám công suất cực đại là cần thiết, nó sẽ giúp việc
đánh giá chất lượng của thuật toán. Cụ thể là khi thuật toán và bộ điều khiển bắt đầu làm
việc, điện áp của pin mặt trời sẽ giảm từ giá trị hở mạch Voc cho đến khoảng 80%-90% giá
trị hở mạch đó và ổn định quanh điểm công suất cực đại này thì coi như đảm bảo yêu cầu.
Dưới đây sẽ đi phân tích từng quá trình làm việc của bộ biến đổi và kiểm tra chất lượng
hệ thống. Thông số được đo đạc vào ngày 27/4/2015.
• Ban đầu ở trạng thái hở mạch, điện áp đo về là 19,7V(Hình 6.12).
Hình 6.12: Điện áp hở mạch của pin mặt trời.
62
• Bắt đầu thực hiện dò tìm điểm làm việc lớn nhất của pin mặt trời.
Trong Hình 6.13 và 6.14 , hệ thống bắt đầu dò tìm điểm làm việc lớn nhất của pin mặt
trời tại thời điểm đó. Điện áp dò tìm bắt đầu giảm dần từ 19,7V xuống 18,3V và dòng
điện tăng dần dần dần đến 0.98A.
Hình 6.13: Bắt đầu dò tìm điểm công suất cực đại của pin mặt trời.
• Đang dò tìm điểm làm việc lớn nhất của pin mặt trời.
Hình 6.14: Điện áp và dòng điện bắt đầu tăng lên đến khi tìm được điểm làm việc lớn nhất của pin
mặt trời.
63
• Sau 5 giây, hệ thống đã dò tìm được điểm làm việc lớn nhất của pin mặt trời.
Trong Hình 6.15, khi hệ thống đã tìm được điểm làm việc cực đại. Điện áp đầu vào là
17,6 xấp xỉ 80% điện áp hở mạch. Dòng điện sạc cho ắc quy lên đến 1,24A và điện áp
ra lên tới 27V. Thời tiết tại thời điểm đó, công suất lớn nhất có thể lấy từ pin mặt trời
là Pmax = 27.1,24 = 33,48W.
Hình 6.15: Điện áp và dòng điện tại điểm làm việc lớn nhất của pin mặt trời.
Một số kết quả khác thu được trong ngày được ghi lại trong Bảng 6.1 dưới đây:
Bảng 6.1: Kết quả thực nghiệm ngày 24/5/2015.
Thời gian Điện áp PMT Điện áp ắc quy Dòng điện ra Công suất
12h45 18V 27,5V 1.33A 36W
14h00 17.3V 26,3V 0.97A 25.95W
14h30 16.7V 26V 0.95A 24.2W
16h00 13.9V 25,8V 0.41A 10W
Kết quả cho thấy ứng với mỗi điều kiện về thời tiết, hệ thống vẫn thực hiện MPPT và sạc
ắc quy cho dù công suất đạt được có 10W, bộ biến đổi vẫn sạc với dòng điện 0,41A.
64
Kết quả thực nghiệm ở chế độ 2

Khi điện áp đầu ra tăng đến giá trị quá nạp, bộ biến đổi sẽ giữ áp không đổi tại 27,9V
(Hình 6.16) và dòng điện sẽ giảm dần. Trong hình biểu thị giá trị dòng điện 0.32A. Khi
giảm xuống 0.13 A, hệ thống làm việc ở chế độ 2.
Hình 6.16: Dòng điện sạc ắc quy giảm dần.
Kết quả thực nghiệm ở chế độ 3

Trên Hình 6.17 thể hiện điện áp sạc ở chế độ 3 được giữ ổn định ở 28V. Dòng sạc giảm
dần và được duy trì với dòng sạc nhỏ 0,13A.
Hình 6.17: Dòng điện và điện áp sạc ắc quy ở chế độ 3.
65
6.2.2 Kết quả thực nghiệm bộ chiếu sáng LED

a) Mạch chiếu sáng LED
Hình 6.18: Mạch chiếu sáng cho LED.
Trong đó:
1) Nguồn đầu vào.
2) Nguồn cung cấp cho IC driver.
3) Cầu chì 2A.
4) Cuộn cảm.
5) IR2103.
6) MOSFET.
7) Diode xung.
8) opto.
9) Đầu ra cho LED.
b) Kết quả dòng điện và điện áp đầu ra bộ biến đổi
Hình 6.19 dưới đây là kết quả của dòng điện đầu ra cho LED với độ đập mạch hầu như
không có.
66
Hình 6.19: Dòng điện đầu ra cấp cho LED khi chạy 75% tải.
6.3 Kết luận
Kết quả mô phỏng và kết quả thực nghiệm được đánh giá và nghiệm thu chương 6 đã
cho thấy hệ thống làm việc đáp ứng tốt các yêu cầu thiết kế:
• Thuật toán P&O cho đáp ứng công suất cực đại nhanh đồng thời cũng khắc phục được
nhược điểm của thuật toán này với độ giao động tại điểm cực đại thấp
• Thực hiện được 3 chế độ sạc cho ắc quy, bảo vệ ắc quy quá áp, quá dòng.
• Bộ chiếu sáng LED đã thực hiện ổn dòng đầu ra cho LED đảm bảo các yêu cầu về
thiết kế.
67
Kết luận
KẾT LUẬN
Thông qua đồ án tốt nghiệp:“Thiết kế bộ sạc ắc quy sử dụng năng lượng mặt trời và
ứng dụng cho tải đèn đường sử dụng LED”, em được tiếp cận với một hướng đi khá mới
đó là hệ thống năng lượng mặt trời, bên cạnh vận dụng khá sáng tạo kiến thức được học
trong giảng đường, kết hợp với tìm hiểu sách và các bài báo khoa học quốc tế, em đã hoàn
thành đồ án của mình với các bước: phân tích hệ thống, phân tích thiết kế, mô hình hóa,
thiết các bộ điều khiển, mô phỏng, lập trình, thiết kế mạch thực, kiểm nghiệm và đánh giá.
Một số kết quả quan trọng thu được:
• Tìm hiểu hoạt động của hệ thống PMT
• Triển khai nghiên cứu, thiết kế bộ sạc ắc quy với thuật toán MPPT, cụ thể sử dụng
thuật toán P&O, các bộ điều khiển được kết hợp để nâng cao hiệu quả của thuật toán.
• Hệ thống sạc ắc quy lead acid với 3 chế độ, bên cạnh đó bảo vệ dòng, bảo vệ quá áp,
và bảo vệ xả sâu nhằm nâng cao tuổi thọ ắc quy.
• Thiết kế bộ biến đổi cho tải LED (40W)với bộ điều khiển dòng.
• Hệ thống tự chiếu sáng khi trời tối và chuyển sang sạc ắc quy khi trời sáng
Hạn chế chưa được giải quyết:
• Hệ thống hoạt động ở công suất còn thấp.
• Van hoạt động còn nóng .
Phương án khắc phục:
• Cải tiến mạch lực, các bộ biến đổi giúp hệ thống hoạt động ổn định hơn với công suất
lớn hơn,
• Tính toán và cải tiến tản nhiệt.
Hướng phát triển:
• Thiết kế bộ sạc với công suất lớn hơn.
68
Kết luận
• Thực hiện ghép nối hệ thống với lưới điện khi năng lượng trong ắc quy hết.
Trong quá trình thực hiện đồ án, em đã rất cố gắng nhưng chắc cũng không thể tránh
khỏi thiếu sót do bị giới hạn về thời gian. Em rất mong nhận được sự nhận xét, bổ xung để
đồ án của em được hoàn thiện hơn, em xin chân thành cảm ơn. Em xin chân thành cảm ơn.
Hà Nội, ngày 12 tháng 6 năm 2015

Sinh viên thực hiện
Lê Tất Thắng
69
Tài liệu tham khảo
TÀI LIỆU THAM KHẢO
[1] P. Hersch, K. Zweibel, “Basic Photovoltaic Principles and Methods,” Technical Infor-
mation Office, 1982.
[2] Silje Odland Simonsen, “Development of a Grid connected PV System for laboratory
Use,” Norwegian University of Science and Technology, 2009.
[3] M. C. Mira, A. Knott, O. C. Thomsen, M. A. E. Andersen, “Maximum Power Point

Tracking Algorithms for Photovoltaic Applications,” Faculty of Electronics, Commu-
nications and Automation, 2010.
[4] Diamila Rekioua,Ernest Matagne, “Optimization of Photovoltaic Power systems,” Sp-

inger London Dordrecht Heidelberg New York, 2012.
[5] M. G. Villalva, J. R. Gazoli, E. R. Filho, “Analysis and simulation of the P & O MPPT
algorithm using a linearized PV array model,” 10th Brazillian Power Electronics Con-
ference (COBEP), 2009.
[6] R. F. Coelho, F. M. Concer, D. C. Martins, “Analytical and Experimental Analysis

of DC-DC Converters in Photovoltaic Maximum Power Point Tracking Applications,”
Federal University of Santa Catarina-Brazil, 2010.
[7] R. W. Erickson, Fundermentals of Power Electronics. Kluwer Academic Publishers,

2001.
[8] QuadTech, “Equivalent Series Resistance of Capacitors,” 2003.
[9] D. S. Morales, “Boost Converter with Combined Control Loop for a Stand-Alone
Photovoltaic Battery Charge System,” Power Electronics, IEEE Transactions, 2007.
[10] V. H. Phương, “Thiết kế điều khiển cho các bộ biến đổi điện tử công suất.” 2014.
[11] S. Winder, Power Supplies for LED Driving. Newnes, 2008.
[12] L. Cao, A. P. Power, “Design Type II Compensation In A Systematic Way,” 2001.
70
Phụ lục
PHỤ LỤC
P1. Mạch nguyên lý bộ sạc ắc quy.
Hình P.1: Nguyên lý mạch sạc ắc quy.
71
Phụ lục
P2. Mạch nguyên lý bộ chiếu sáng LED.
Hình P.2: Nguyên lý mạch chiếu sáng LED.
72
Phụ lục
P3. Lưu đồ thuật toán hệ thống .
Hình P.3: Lưu đồ thuật toán hệ thống .
73

Doantotnghiep

Uploaded by

Document Information

Original Title

Copyright

Available Formats

Share this document

Share or Embed Document

Sharing Options

Did you find this document useful?

Is this content inappropriate?

Copyright:

Available Formats

Doantotnghiep

Uploaded by

Copyright:

Available Formats

TRƯỜNG ĐẠI HỌC BÁCH KHOA HÀ NỘI

Giáo viên hướng dẫn : GS. Tạ Cao Minh

DANH MỤC HÌNH VẼ iv

DANH MỤC BẢNG vii

DANH MỤC TỪ VIẾT TẮT viii

LỜI NÓI ĐẦU 1

1 GIỚI THIỆU CHUNG VỀ HỆ THỐNG NĂNG LƯỢNG MẶT TRỜI 4

2 PIN MẶT TRỜI 10

3 ẮC QUY AXIT CHÌ 19

5 LỰA CHỌN, TÍNH TOÁN VÀ THIẾT KẾ CÁC BỘ BIẾN ĐỔI 33

6 KẾT QUẢ MÔ PHỎNG VÀ THỰC NGHIỆM 55

TÀI LIỆU THAM KHẢO 70

DANH MỤC HÌNH VẼ

1.1 Sử dụng trực tiếp năng lượng từ pin mặt trời. . . . . . . . . . . . . . . . . . 5

2.1 Cấu tạo pin mặt trời [1]. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10

3.1 Cấu tạo cơ bản của ắc quy axit chì. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19

4.1 Đặc tính Volt-Ampe của đèn LED [11]. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27

4.5 Thuật toán sạc ắc quy và phân phối ra tải LED. . . . . . . . . . . . . . . . 32

6.1 Sơ đồ sạc ắc quy mô phỏng trên phần mềm PSIM 9.0. . . . . . . . . . . . . 55

DANH MỤC BẢNG

5.1 Thông số thiết kế cho bộ sạc ắc quy. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33

6.1 Kết quả thực nghiệm ngày 24/5/2015. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 64

DANH MỤC TỪ VIẾT TẮT

LỜI NÓI ĐẦU

Đối tượng nghiên cứu

• Pin mặt trời.

• Bộ biến đổi DC-DC cấu trúc Boost.

• Ắc quy axit chì.

• Đèn LED chiếu sáng.

Phạm vi nghiên cứu

• Ứng dụng LED cho chiếu sáng đường.

Phương pháp nghiên cứu

• Tìm hiểu về đặc tính của ắc quy.

Ý nghĩa của đề tài

• Chương 1. Giới thiệu chung về hệ thống năng lượng mặt trời.

• Chương 2. Pin mặt trời.

• Chương 3. Ắc quy axit chì.

• Chương 4. Đèn LED.

• Chương 5. Lựa chọn, tính toán và thiết kế các bộ biến đổi .

• Chương 6. Kết quả mô phỏng và thực nghiệm.

Hà Nội, ngày 12 tháng 6 năm 2015

GIỚI THIỆU CHUNG VỀ HỆ THỐNG NĂNG LƯỢNG

1.2 Phân loại hệ thống năng lượng mặt trời

1.2.1 Hệ thống năng lượng mặt trời độc lập

1.2.2 Hệ thống năng lượng mặt trời nối lưới

Thông số ký hiệu giá trị

Bảng 1.2: Thông số ắc quy axit chì.

Thông số giá trị

• Thiết kế bộ biến đổi sạc ắc quy kết hợp MPPT.

1.4 Kết luận

PIN MẶT TRỜI

2.1 Khái niệm về pin mặt trời

2.1.1 Định nghĩa

2.1.2 Cấu tạo và nguyên lý hoạt động

Hình 2.1: Cấu tạo pin mặt trời [1].

b) Nguyên lý hoạt động

2.2 Đặc tính làm việc của pin mặt trời

2.3 Mô hình hóa pin mặt trời

Hình 2.4: Đặc tính I −V của pin mặt trời [9].

• I0 là dòng điện bão hòa ngược.

• k=1, 380.10−23 JK −1 là hệ số Boltzmann.

• T [K] là nhiệt độ lớp tiếp giáp p − n.

• Đèn q = 1, 602.10−19C là điện tích điện tử.