‫תוכן שבועי – שבוע מספר ‪11‬‬

‫• קבל ‪ MOS‬אידאלי‪.‬‬
‫• מבנה ותכונות‪.‬‬
‫• קבל ‪ MOS‬בש"מ‪.‬‬
‫• קבל ‪ MOS‬במצב יציב‪.‬‬
‫• אלקטרוסטטיקה של קבל ‪.MOS‬‬
‫• הקיבול של קבל ‪.MOS‬‬
 ‫מבנה ותכונות‬

‫קבל ‪ MOS‬הוא רכיב בעל שני הדקים אשר כולל שלוש שכבות (בסדר עולה מלמטה למעלה)‪:‬‬
‫‪ .1‬פיסת מל"מ בעלת ריכוז סיגים אחיד ומגע מתכת תחתון‪.‬‬
‫‪ .2‬שכבת מבודד‪.‬‬
‫‪ .3‬שכבת מתכת המכונה שער‪.‬‬

‫להוסיף קבל ‪ MOS‬מסוג ‪n‬‬

 ‫מבנה ותכונות‬

‫קבל ‪ MOS‬אידאלי מאופיין ע"י התכונות הבאות‪:‬‬

‫‪ .1‬המתכת מספיק עבה כך שהיא משטח שווה פוטנציאל‪.‬‬
‫‪ .2‬המבודד הוא מושלם ולא זורם דרכו זרם‪.‬‬
‫‪ .3‬אין מטען לכוד במבודד ובמשטח המגע בין המל"מ למבודד‪.‬‬
‫‪ .4‬שכבת המל"מ אחידה‪.‬‬
‫‪ .5‬המגע תחתון אוהמי‪.‬‬
‫‪ .6‬מבנה חד ממדי‪.‬‬
‫‪ .7‬פונקציות העבודה של המל"מ ומתכת השער שוות‪.‬‬
 ‫קבל ‪ MOS‬בש"מ‬
‫מבנה הפסים של השכבות השונות בקבל ‪MOS‬‬

‫מתכת‬

‫רמת הוואקום – ‪E0‬‬

‫פונקציית העבודה של המתכת ‪fM -‬‬

‫פונקציית העבודה היא כמות האנרגיה שיש להשקיע על מנת לשחרר אלקטרון לרמת‬
‫הוואקום (אלקטרון חופשי)‪.‬‬
‫פונקציית העבודה היא תכונה של החומר‪.‬‬
 ‫קבל ‪ MOS‬בש"מ‬
‫מבנה הפסים של השכבות השונות בקבל ‪MOS‬‬

‫מבודד‬
‫‪c – Electron affinity‬‬

‫‪ c‬מציין את המרחק האנרגטי בין פס ההולכה לרמת הוואקום‪.‬‬

‫מל"מ‬

‫פונקציית העבודה של המל"מ ‪fS -‬‬

‫𝐹𝐸 ‪𝜑𝑆 = 𝜒 + 𝐸𝐶 −‬‬ ‫𝐵𝐹‬
 ‫קבל ‪ MOS‬בש"מ‬

‫בש"מ ‪ EF‬של קבל ה – ‪ MOS‬אחידה‪ .‬מכיוון שפונקציות העבודה של המל"מ והמתכת‬

‫שוות‪ ,‬גם רמת הוואקום אחידה‪.‬‬

‫‪M‬‬ ‫‪O‬‬ ‫‪S‬‬

‫מכיוון שהפסים ישרים‪ ,‬אין שדה חשמלי‪.‬‬

‫המצב שבו הפסים במל"מ ישרים מכונה )‪.flat band (FB‬‬
 ‫קבל ‪ n-MOS‬במצב יציב ‪ -‬העשרה‬

‫‪VG > 0‬‬

‫‪+Q‬‬ ‫אלקטרונים‬

‫‪-Q‬‬

‫‪M‬‬ ‫‪O‬‬ ‫‪S‬‬

‫הפעלת ממתח חיובי על השער תגרום להורדת ‪ EF‬של המתכת (‪ EF‬של המל"מ אינה משתנה‬
‫מכיוון שהמל"מ מוארק)‪ .‬פונקציית העבודה של המתכת אינה משתנה‪.‬‬
‫כיפוף הפסים במבודד לינארי‪.‬‬
‫הממתח החיובי על השער מושך אלקטרונים במל"מ אל כיוון משטח המגע עם המבודד (האלקטרונים‬
‫לא עוברים אל המתכת כיוון שהמבודד הוא אידאלי)‪ .‬כיוון השדה החשמלי במל"מ גורם לכיפוף פסים‬
‫כלפי מטה‪ .‬מצב זה מכונה העשרה )‪.(accumulation‬‬
 ‫קבל ‪ n-MOS‬במצב יציב ‪ -‬מחסור‬
‫‪VG > 0, VG small‬‬

‫סיגים‬
‫מיוננים‬

‫‪+Q‬‬

‫‪-Q‬‬

‫‪M‬‬ ‫‪O‬‬ ‫‪S‬‬

‫הפעלת ממתח שלילי קטן על השער תגרום לעליית ‪ EF‬של המתכת (‪ EF‬של המל"מ אינה משתנה‬
‫מכיוון שהמל"מ מוארק)‪ .‬פונקציית העבודה של המתכת אינה משתנה‪.‬‬
‫כיפוף הפסים במבודד לינארי‪.‬‬
‫הממתח על השער דוחה אלקטרונים במל"מ ממשטח המגע עם המבודד לכיוון ה ‪.bulk -‬‬
‫האלקטרונים משאירים יונים חיוביים של המסגסג המאזנים את המטען השלילי בצידו השני של הקבל‬
‫כיוון השדה החשמלי במל"מ גורם לכיפוף פסים כלפי מעלה‪ .‬מצב זה מכונה מחסור )‪.(depletion‬‬
 ‫קבל ‪ n-MOS‬במצב יציב ‪ -‬היפוך‬
‫‪VG > 0, VG large‬‬
‫חורים‬

‫סיגים‬
‫מיוננים‬

‫‪+Q‬‬

‫‪-Q‬‬

‫‪M‬‬ ‫‪O‬‬ ‫‪S‬‬

‫הפעלת ממתח שלילי גדול על השער תגרום לעליית ‪ EF‬של המתכת (‪ EF‬של המל"מ אינה משתנה‬
‫מכיוון שהמל"מ מוארק)‪ .‬פונקציית העבודה של המתכת אינה משתנה‪.‬‬
‫כיפוף הפסים במבודד לינארי‪.‬‬
‫הממתח על השער דוחה אלקטרונים במל"מ ממשטח המגע עם המבודד לכיוון ה ‪ .bulk -‬אולם‬
‫בשונה מהמצב במחסור כעת גם נמשכים חורים אל משטח המגע בין המל"מ למבודד‪.‬‬
 ‫קבל ‪ MOS‬במצב יציב‬

‫• הממתח מופעל על השער‪ VG ,‬והמל"מ מוארק דרך המגע התחתון‪.‬‬

‫• מכיוון שלא זורם זרם דרך המבודד‪ ,‬המל"מ בש"מ (‪ EF‬אחידה)‪.‬‬
‫• הפעלת הממתח גורמת להתפצלות של ‪ EF‬של המל"מ והמתכת‪.‬‬

‫𝐺𝑉𝑞‪𝐸𝐹𝑀𝑒𝑡𝑎𝑙 − 𝐸𝐹𝑆.𝐶. = −‬‬

‫‪ EF‬יורדת בדיאגרמת הפסים – ‪VG > 0‬‬
‫‪ EF‬עולה בדיאגרמת הפסים – ‪VG < 0‬‬
 ‫קבל ‪ MOS‬במצב יציב‬

‫הפעלת הממתח גורמת להיווצרות שדה בקבל ולכיפוף פסים בדיאגרמת פסי האנרגיה‪.‬‬
‫הפסים במתכת אינם מתכופפים מכיוון שהמתכת הוגדרה כמשטח שווה פוטנציאל‪.‬‬
‫כיפוף הפסים במבודד הוא לינארי כפי שניתן לראות ממשוואת ‪:Poisson‬‬

‫𝜀𝑑‬
‫‪=0‬‬
‫𝑥𝑑‬
‫כלומר השדה במבודד קבוע‪.‬‬
‫𝑉𝑑‬
‫‪𝜀=−‬‬ ‫𝑥𝑑𝜀‪→ 𝑑𝑉 = −‬‬
‫𝑥𝑑‬
‫הפוטנציאל הוא האינטגרל על השדה החשמלי (לינארי כאשר השדה קבוע)‪.‬‬
‫פסי האנרגיה הם תמונת ראי של הפוטנציאל מכיוון ש ‪.E=-qV -‬‬
‫כיפוף הפסים במל"מ משתנה עפ"י קוטביות הממתח המופעל על השער וגודלו ואינו לינארי‪.‬‬
 ‫קבל ‪ n-MOS‬במצב יציב ‪ -‬היפוך‬
‫‪VG > 0, VG large‬‬

‫עם עליית גודלו של הממתח השלילי על השער ריכוז החורים סמוך למשטח המגע בין המל"מ למבודד‬
‫גדל‪ .‬גם כיפוף הפסים גדל בהשוואה למצב של מחסור‪.‬‬
‫המרחק של ‪ Ei‬יחסית ל – ‪ EF‬במשטח המגע בין המל"מ למבודד קובע את ריכוז החורים שם‪.‬‬

‫𝑖𝑛 < 𝑆𝑝 → 𝐹𝐸 < 𝑖𝐸‬

‫𝑖𝑛 = 𝑆𝑝 → 𝐹𝐸 = 𝑖𝐸‬
‫𝑖𝑛 > 𝑆𝑝 → 𝐹𝐸 > 𝑖𝐸‬

‫לדלג‬
 ‫קבל ‪ n-MOS‬במצב יציב – סף ההיפוך‬
‫‪VG > 0, VG large‬‬

‫סף ההיפוך נקבע כאשר ריכוז החורים בפני השטח‪ pS ,‬שווה לריכוז האלקטרונים ב – ‪.bulk‬‬

‫𝑏𝑛 = 𝑆𝑝‬
‫𝑒𝑐𝑎𝑓𝑟𝑢𝑠‬
‫𝑖𝐸‬ ‫𝐹𝐸 ‪−‬‬ ‫𝑘𝑙𝑢𝑏𝑖𝐸 ‪𝐸𝐹 −‬‬
‫לצייר‬ ‫𝑝𝑥𝑒 𝑖𝑛‬ ‫𝑝𝑥𝑒 𝑖𝑛 =‬
‫𝑇𝑘‬ ‫𝑇𝑘‬
‫𝑒𝑐𝑎𝑓𝑟𝑢𝑠‬
‫𝑖𝐸‬ ‫𝑘𝑙𝑢𝑏𝑖𝐸 ‪− 𝐸𝐹 = 𝐸𝐹 −‬‬
‫𝑒𝑐𝑎𝑓𝑟𝑢𝑠‬
‫𝑖𝐸‬ ‫𝐹𝐸‪+ 𝐸𝑖𝑏𝑢𝑙𝑘 = 2‬‬
‫𝑒𝑐𝑎𝑓𝑟𝑢𝑠‬
‫𝑖𝐸‬ ‫𝑘𝑙𝑢𝑏𝑖𝐸‪+ 𝐸𝑖𝑏𝑢𝑙𝑘 − 2𝐸𝑖𝑏𝑢𝑙𝑘 = 2𝐸𝐹 − 2‬‬
‫𝑒𝑐𝑎𝑓𝑟𝑢𝑠‬
‫𝑖𝐸‬ ‫𝑘𝑙𝑢𝑏𝑖𝐸 ‪− 𝐸𝑖𝑏𝑢𝑙𝑘 = 2 𝐸𝐹 −‬‬ ‫סף ההיפוך ‪-‬‬

‫מעבר לסף ההיפוך ריכוז החורים סמוך למשטח המגע בין המל"מ למבודד גדול מריכוז האלקטרונים‬
‫ב – ‪.bulk‬‬
‫𝐺𝑉 = 𝑇𝑉‬
‫𝑏𝑛= 𝑆𝑝‬
‫קבל ‪ p-MOS‬במצב יציב‬
 ‫אלקטרוסטטיקה של קבל ‪MOS‬‬

‫המטרה למצוא ביטויים אנליטיים לצפיפות המטען‪ ,r ,‬לשדה החשמלי‪ e ,‬ולפוטנציאל‪f ,‬‬
‫בקבל ‪ MOS‬תחת ממתח‪.‬‬
‫מתכת‬
‫התפלגות המטען במתכת היא בקירוב פונקציית ‪ d‬הממוקמת במשטח המגע בין המתכת‬
‫לתחמוצת‪.‬‬
‫תחמוצת‬
‫כפי שכבר הוזכר קודם אין מטען בתחמוצת ולכן השדה החשמלי קבוע והפוטנציאל משתנה‬
‫לינארית לאורך התחמוצת‪.‬‬
‫מה שנותר הוא לחשב את המשתנים האלקטרוסטטיים בשכבת המל"מ‪.‬‬
 ‫אלקטרוסטטיקה של קבל ‪ - p-MOS‬הגדרות‬

‫לדלג‬ ‫הפוטנציאל במל"מ – )‪f(x‬‬

‫ראשית הצירים ממוקמת במשטח המגע בין המל"מ לתחמוצת‪.‬‬
‫‪f(x=0) = fs‬‬
‫הפוטנציאל דועך ל – ‪ 0‬ב – ‪ .x‬כלומר נקודת היחוס לפוטנציאל היא בתוך המל"מ‪.‬‬
‫אלקטרוסטטיקה של קבל ‪ - p-MOS‬הגדרות‬

‫𝑘𝑙𝑢𝑏 ‪1‬‬
‫𝑖𝐸 = 𝑥 𝜑‬ ‫𝑥 𝑖𝐸 ‪−‬‬
‫𝑞‬
‫‪1‬‬ ‫𝑒𝑐𝑎𝑓𝑟𝑢𝑠‬
‫𝑖𝐸 ‪𝜑𝑆 = 𝐸𝑖𝑏𝑢𝑙𝑘 −‬‬
‫𝑞‬
‫𝑘𝑙𝑢𝑏 ‪1‬‬
‫𝑖𝐸 = 𝐹𝜑‬ ‫𝐹𝐸 ‪−‬‬
‫𝑞‬

‫ראשית הצירים ממוקמת במשטח המגע בין המל"מ לתחמוצת‪.‬‬

‫𝑒𝑐𝑎𝑓𝑟𝑢𝑠‬
‫𝑖𝐸‬ ‫𝑘𝑙𝑢𝑏𝑖𝐸 ‪− 𝐸𝑖𝑏𝑢𝑙𝑘 = 2 𝐸𝐹 −‬‬ ‫סף ההיפוך ‪-‬‬

‫𝐹𝜑‪𝜑𝑆 = 2‬‬ ‫סף ההיפוך ‪-‬‬

 ‫אלקטרוסטטיקה של קבל ‪ - p-MOS‬העשרה‬
‫צפיפות המטען בשכבת המל"מ של קבל ‪ p-MOS‬בהעשרה‬

‫פתרון מדויק – לצייר על הלוח‬

‫פתרון מקורב‬

‫המטען המרחבי בהעשרה נובע מהצטברות של נושאי רוב בפני השטח‪ .‬ניתן לקרב את‬
‫התפלגות המטען לפונקציית ‪ d‬הממוקמת ב – ‪( x=0‬משטח המגע בין המל"מ לתחמוצת)‪.‬‬
‫מתוך הקירוב ניתן גם להניח שהשדה החשמלי והפוטנציאל במל"מ בהעשרה שווים‬
‫בקירוב ל – ‪ ,0‬שכן המל"מ מוגדר עבור ‪.x > 0‬‬
‫אלקטרוסטטיקה של קבל ‪ - p-MOS‬מחסור‬
‫צפיפות המטען בשכבת המל"מ של קבל ‪ p-MOS‬במחסור‬

‫פתרון מדויק‬

‫פתרון מקורב‬

‫המטען המרחבי במחסור נובע מיונים בעלי מטען שלילי באזור המחסור‪.‬‬
‫החישוב של הפרמטרים האלקטרוסטטיים יעשה תוך שימוש בקירוב המחסור‪:‬‬
‫‪ .1‬ריכוז נושאי המטען באזור המחסור זניח יחסית להפרש ריכוז הסיגים‪.‬‬
‫‪ .2‬צפיפות המטען מחוץ לאזור המחסור שווה ל – ‪.0‬‬
 ‫אלקטרוסטטיקה של קבל ‪ - p-MOS‬מחסור‬
‫פתרון אנליטי‬

‫𝐴𝑁𝑞‪𝜌 = 𝑞 𝑝 − 𝑛 + 𝑁𝐷 − 𝑁𝐴 ≅ −‬‬ ‫המטען המרחבי תחת קירוב המחסור ‪-‬‬

‫𝜀𝑑‬ ‫𝜌‬ ‫𝐴𝑁𝑞‬

‫=‬ ‫‪=−‬‬ ‫משוואת ‪ Poisson‬תחת קירוב המחסור ‪-‬‬
‫‪𝑑𝑥 𝜖0 𝜖𝑆.𝐶.‬‬ ‫‪𝜖0 𝜖𝑆.𝐶.‬‬

‫‪𝜀 𝑥=𝑊 =0‬‬ ‫תנאי שפה לחישוב השדה החשמלי ‪-‬‬

‫𝐴𝑁𝑞‬
‫= 𝑥 𝜀‬ ‫𝑥‪𝑊−‬‬ ‫השדה החשמלי ‪-‬‬
‫‪𝜖0 𝜖𝑆.𝐶.‬‬
‫𝜑𝑑‬
‫‪𝜀 𝑥 =−‬‬ ‫הקשר בין השדה החשמלי לפוטנציאל ‪-‬‬
‫𝑥𝑑‬
‫‪𝜑 𝑥=𝑊 =0‬‬ ‫תנאי שפה לחישוב הפוטנציאל ‪-‬‬

‫𝐴𝑁𝑞‬ ‫‪2‬‬
‫= 𝑥 𝜑‬ ‫𝑥‪𝑊−‬‬ ‫הפוטנציאל ‪-‬‬
‫‪2𝜖0 𝜖𝑆.𝐶.‬‬
 ‫אלקטרוסטטיקה של קבל ‪ - p-MOS‬מחסור‬
‫פתרון אנליטי‬

‫𝐴𝑁𝑞‬
‫= 𝑆𝜑‬ ‫‪𝑊2‬‬ ‫הפוטנציאל בפני השטח ‪-‬‬
‫‪2𝜖0 𝜖𝑆.𝐶.‬‬

‫‪2𝜖0 𝜖𝑆.𝐶.‬‬
‫=𝑊‬ ‫𝑆𝜑‬ ‫רוחב שכבת המחסור ‪-‬‬
‫𝐴𝑁𝑞‬

‫𝐹𝜑‪𝜑𝑆 = 2‬‬ ‫סף ההיפוך ‪-‬‬

‫‪2𝜖0 𝜖𝑆.𝐶.‬‬
‫= 𝑇𝑊‬ ‫𝐹𝜑‪2‬‬ ‫רוחב שכבת המחסור המקסימלית ‪-‬‬
‫𝐴𝑁𝑞‬

‫להוסיף כאן ובשקף הקודם את הביטויים עבור ‪nMOS‬‬

 ‫אלקטרוסטטיקה של קבל ‪ - p-MOS‬היפוך‬
‫צפיפות המטען בשכבת המל"מ של קבל ‪ p-MOS‬בהיפוך (פתרון מדויק)‬

‫פתרון מדויק– לצייר על הלוח‬

‫פתרון מקורב‬
‫המטען המרחבי הנוסף (על המטען במחסור) נובע מנושאי מיעוט המרוכזים קרוב‬
‫למשטח המגע בין המל"מ לתחמוצת‪ .‬בדומה למצב של העשרה‪ ,‬ניתן לקרב את‬
‫ההתפלגות של עודף המטען בהיפוך לפונקציית ‪ d‬ב – ‪( x = 0‬משטח המגע בין המל"מ‬
‫לתחמוצת)‪.‬‬
‫לכן צפיפות המטען‪ ,‬השדה החשמלי והפוטנציאל במצב של היפוך קבועים ושווים‬
‫לערכם בסף ההיפוך‪.fS = 2fF ,‬‬
 ‫אלקטרוסטטיקה של קבל ‪ - p-MOS‬מחסור‬
‫הקשר בין מתח השער לפוטנציאל בפני השטח של המל"מ )‪(fS‬‬

‫הביטויים של צפיפות המטען‪ ,‬השדה החשמלי והפוטנציאל תלויים ב – ‪ fS‬שהוא משתנה פנימי‬
‫של הקבל שלא ניתן לשלוט עליו ישירות‪ .‬לעומת זאת מתח השער הוא גודל חיצוני שניתן לשנותו‬
‫כרצוננו‪.‬‬
‫לכן נמצא את הקשר בין מתח השער‪ VG ,‬ל – ‪.fS‬‬

‫𝑥𝑂𝜑 ‪𝑉𝐺 = 𝜑𝑆.𝐶. +‬‬ ‫מתח השער נופל על התחמוצת ועל המל"מ ‪-‬‬

‫𝑆𝜑 = ‪𝜑𝑆.𝐶. = 𝜑 𝑥 = 0‬‬

‫על מנת למצוא את ‪ fOx‬נשתמש במשוואת ‪:Poisson‬‬
‫𝑥𝑂𝜀𝑑‬
‫𝑡𝑠𝑛𝑜𝑐 = 𝑥𝑂𝜀 → ‪= 0‬‬
‫𝑥𝑑‬

‫𝑥𝑂𝜑𝑑‬
‫𝑥𝑂𝜀‬ ‫‪=−‬‬ ‫𝑡𝑠𝑛𝑜𝑐 =‬
‫𝑥𝑑‬
 ‫אלקטרוסטטיקה של קבל ‪ - p-MOS‬מחסור‬
‫הקשר בין מתח השער לפוטנציאל בפני השטח של המל"מ )‪(fS‬‬
‫‪0‬‬

‫= 𝑥𝑂𝜑‬ ‫𝑥𝑂𝜀 ‪𝜀𝑂𝑥 𝑑𝑥 = 𝑥0‬‬ ‫עובי שכבת התחמוצת – ‪x0‬‬

‫‪−𝑥0‬‬
‫נשתמש בחוק ‪ Gauss‬על מנת לקשר בין השדה החשמלי בתחמוצת לשדה החשמלי במל"מ‬
‫(השדות משני עברי משטח המגע בין התחמוצת למל"מ)‪:‬‬
‫‪𝜖0 𝜖𝑆.𝐶. 𝜀𝑆 − 𝜖0 𝜖𝑂𝑥 𝜀𝑂𝑥 = 𝑄𝑂−𝑆 = 0, 𝜀𝑆 ≡ 𝜀 𝑥 = 0‬‬
‫המטען הצבור במשטח המגע בין המל"מ לתחמוצת‪QO-S = 0 ,‬‬
‫‪𝜖𝑆.𝐶.‬‬
‫𝑥𝑂𝜀‬ ‫=‬ ‫𝜀‬
‫𝑆 𝑥𝑂𝜖‬
‫‪𝜖𝑆.𝐶.‬‬ ‫להגדיר כאן את כל הסימנים‬
‫𝑥𝑂𝜀 ‪𝜑𝑂𝑥 = 𝑥0‬‬ ‫‪= 𝑥0‬‬ ‫𝜀‬
‫𝑆 𝑥𝑂𝜖‬
‫‪𝜖𝑆.𝐶.‬‬
‫𝑥𝑂𝜑 ‪𝑉𝐺 = 𝜑𝑆.𝐶. +‬‬ ‫‪= 𝜑𝑆 + 𝑥0‬‬ ‫𝜀‬
‫𝑆 𝑥𝑂𝜖‬
‫𝐴𝑁𝑞‪2‬‬
‫= 𝑆𝜀‬ ‫𝜑‬
‫𝑆 ‪𝜖0 𝜖𝑆.𝐶.‬‬
‫𝐴𝑁𝑞‪𝜖𝑆.𝐶. 2‬‬
‫𝑥𝑂𝜑 ‪𝑉𝐺 = 𝜑𝑆.𝐶. +‬‬ ‫‪= 𝜑𝑆 + 𝑥0‬‬ ‫𝜑‬ ‫נכון רק ל – ‪- p-MOS‬‬
‫𝑆 ‪𝜖𝑂𝑥 𝜖0 𝜖𝑆.𝐶.‬‬
 ‫אלקטרוסטטיקה של קבל ‪p-MOS‬‬
‫הקשר בין מתח השער לפוטנציאל בפני השטח של המל"מ )‪(fS‬‬

‫הגרף מציג את התלות של הפוטנציאל בפני השטח של המל"מ‪ fS ,‬ביחידות של ‪kT/q‬‬

‫כפונקציה של מתח השער ‪.VG‬‬
‫)‪VG(V‬‬
‫‪Exact‬‬

‫‪Approximated‬‬

‫‪fS‬‬
‫‪2fF‬‬

‫ניתן לראות שבמחסור )‪ fS (0<fS<2fF‬תלויה ב – ‪ ,VG‬בעוד שבהעשרה והיפוך ‪ fS‬כמעט קבועה‪.‬‬

‫המשמעות היא שבהעשרה ובהיפוך רוב המתח החיצוני ‪ VG‬נופל על התחמוצת‪.‬‬

‫כעת נוכל להגדיר את מתח הסף ‪.VT‬‬

 ‫אלקטרוסטטיקה של קבל ‪ - p-MOS‬מחסור‬
‫דוגמא‪:‬‬

‫נתון קבל ‪ MOS‬בעל עובי תחמוצת ‪ 0.1mm‬וריכוז הסיגים בשכבת המל"מ הוא ‪.11015cm-3‬‬
‫יש לחשב את ‪ fF‬ואת ‪ W, eS.C., VG‬כאשר ‪.fS = fF‬‬

‫𝐴𝑁‬ ‫‪1 ∙ 1015‬‬

‫𝑛𝑙 ∙ 𝑡𝑉 = 𝐹𝜑‬ ‫𝑛𝑙 ∙ ‪= 0.026‬‬ ‫𝑉‪= 0.298‬‬
‫𝑖𝑛‬ ‫‪1 ∙ 1010‬‬

‫‪2𝜖0 𝜖𝑆.𝐶.‬‬ ‫‪2 ∙ 8.85 ∙ 10−14 ∙ 11.8‬‬

‫=𝑊‬ ‫= 𝑆𝜑‬ ‫𝑚𝜇‪0.298 = 0.624‬‬
‫𝐴𝑁𝑞‬ ‫‪1.6 ∙ 10−19 ∙ 1 ∙ 1015‬‬

‫𝐴𝑁𝑞‬
‫= 𝑥 𝜀‬ ‫𝑥‪𝑊−‬‬
‫‪𝜖0 𝜖𝑆.𝐶.‬‬
‫𝐴𝑁𝑞‬ ‫‪1.6 ∙ 10−19 ∙ 1 ∙ 1015‬‬ ‫‪−4‬‬ ‫‪3‬‬
‫𝑉‬
‫= ‪𝜀𝑆 = 𝜀 𝑥 = 0‬‬ ‫=𝑊‬ ‫‪0.624 ∙ 10 = 9.56 ∙ 10‬‬
‫‪𝜖0 𝜖𝑆.𝐶.‬‬ ‫‪8.85 ∙ 10−14 ∙ 11.8‬‬ ‫𝑚𝑐‬

‫‪𝜖𝑆.𝐶.‬‬ ‫‪−4‬‬
‫‪11.8‬‬
‫‪𝑉𝐺 = 𝜑𝑆 + 𝑥0‬‬ ‫‪𝜀𝑆 = 0.298 + 0.1 ∙ 10‬‬ ‫𝑉‪9.56 ∙ 103 = 0.587‬‬
‫𝑥𝑂𝜖‬ ‫‪3.9‬‬
 ‫הקיבול של קבל ‪n-MOS‬‬
‫• בדומה לדיודה‪ ,‬הקיבול של קבל ‪ MOS‬נובע משינויי מטען כתוצאה מהפעלת מתח ‪( AC‬אות קטן)‪.‬‬
‫• הקבל הוא נתק ב – ‪.DC‬‬
‫• הקיבול של קבל ‪ MOS‬משתנה בין העשרה‪ ,‬מחסור והיפוך‪.‬‬
‫קבל ‪ MOS‬בהעשרה‪VG > 0 ,‬‬
‫המטען בפני השטח של המל"מ נובע מהצטברות של נושאי רוב סמוך למשטח המגע בין‬
‫‪+DQ‬‬ ‫המל"מ לתחמוצת‪.‬‬

‫‪+Q‬‬
‫‪x‬‬
‫‪-Q‬‬

‫‪M‬‬ ‫‪O‬‬ ‫‪S‬‬ ‫‪-DQ‬‬

‫מאחר ושינוי המטען הנובע מהפעלת האות הקטן סמוך לתחמוצת משני צדי הקבל‪ ,‬ניתן להתייחס‬
‫אל הקיבול במצב העשרה כקיבול של קבל לוחות רגיל‪.‬‬
‫𝐺𝐴 ‪𝜖𝑂𝑥 𝜖0‬‬
‫= 𝑥𝑂𝐶 ≅ 𝑐𝑐𝑎 𝐶‬ ‫השטח של שכבת השער ‪, AG -‬‬
‫‪𝑥0‬‬
 ‫הקיבול של קבל ‪n-MOS‬‬
‫קבל ‪ MOS‬במחסור‪VT < VG < 0 ,‬‬

‫המטען בפני השטח של המל"מ נובע מירידה בריכוז נושאי הרוב (אלקטרונים) אשר הותירו‬
‫אחריהם יונים חיוביים נייחים‪.‬‬
‫השינוי במטען כתוצאה מהפעלת האות הקטן מתרחש בצד של המתכת סמוך למשטח המגע‬
‫עם התחמוצת ובקצה אזור המחסור במל"מ‪.‬‬

‫‪M‬‬ ‫‪O‬‬ ‫‪S‬‬

‫‪+Q‬‬
‫‪+DQ‬‬
‫‪x‬‬
‫‪-Q‬‬

‫‪-DQ‬‬

‫לכן הקיבול במחסור יהיה סכום של קיבול התחמוצת‪ COx ,‬וקיבול שכבת המחסור במל"מ‪.CS ,‬‬
‫קבלים אלה מחוברים בטור‪.‬‬
 ‫הקיבול של קבל ‪n-MOS‬‬
‫קבל ‪ MOS‬במחסור‪VT < VG < 0 ,‬‬

‫𝐺𝐴 ‪𝜖𝑂𝑥 𝜖0‬‬

‫= 𝑥𝑂𝐶‬
‫‪𝑥0‬‬
‫רוחב שכבת המחסור – ‪𝜖𝑆.𝐶. 𝜖0 𝐴𝐺 , W‬‬
‫= 𝑆𝐶‬
‫𝑊‬
‫‪−1‬‬
‫‪1‬‬ ‫‪1‬‬ ‫𝑆𝐶 𝑥𝑂𝐶‬ ‫𝑥𝑂𝐶‬ ‫𝑥𝑂𝐶‬
‫= 𝑙𝑝𝑒𝑑 𝐶‬ ‫‪+‬‬ ‫=‬ ‫=‬ ‫=‬
‫𝑆𝐶 𝑥𝑂𝐶‬ ‫‪𝐶𝑂𝑥 + 𝐶𝑆 𝐶𝑂𝑥 + 1 𝜖𝑂𝑥 𝑊 + 1‬‬
‫𝑆𝐶‬ ‫‪𝜖𝑆.𝐶. 𝑥0‬‬
 ‫הקיבול של קבל ‪n-MOS‬‬

‫קבל ‪ MOS‬בהיפוך‪VG < VT ,‬‬

‫המטען בפני השטח של המל"מ נובע מן המטען שהצטבר במחסור ‪ -‬יונים חיוביים נייחים וכן חורים‬
‫שהצטברו בפני השטח כתוצאה מן הממתח השלילי על השער‪.‬‬
‫מכיוון שחורים הם נושאי מיעוט‪ ,‬השינוי בריכוזם כתוצאה מהפעלת אות ‪ ,AC‬עוקב אחרי שינויי‬
‫הממתח רק בתדרים נמוכים‪ .‬בתדר גבוה של אות ה – ‪ AC‬ריכוז החורים בפני השטח קבוע‪.‬‬
‫לעומת זאת המטען הנובע מן היונים החיוביים קשור לנושאי הרוב ולכן שינוי המטען עוקב אחרי‬
‫אות ה – ‪ AC‬גם בתדרים גבוהים‪.‬‬
 n-MOS ‫הקיבול של קבל‬
VG < VT ,‫ בהיפוך‬MOS ‫קבל‬

w  0 – ‫תדר נמוך‬ w   – ‫תדר גבוה‬

M O S
+DQ
M O S
+Q
+Q +DQ
x x
-Q -Q

-DQ -DQ

𝐶𝑂𝑥 𝐶𝑆 𝐶𝑂𝑥
𝐶 𝑖𝑛𝑣 ≅ 𝐶 𝑎𝑐𝑐 = 𝐶𝑂𝑥 𝐶 𝑖𝑛𝑣 = =
𝐶𝑂𝑥 + 𝐶𝑆 𝜖𝑂𝑥 𝑊𝑇 + 1
𝜖𝑆.𝐶. 𝑥0
 ‫הקיבול של קבל ‪MOS‬‬

‫‪𝐶𝑂𝑥 ,‬‬ ‫𝑛𝑜𝑖𝑡𝑎𝑙𝑢𝑚𝑢𝑐𝑐𝐴‬

‫𝑥𝑂𝐶‬
‫‪,‬‬ ‫𝑛𝑜𝑖𝑡𝑒𝑙𝑝𝑒𝐷‬
‫𝐺𝑉 𝑊 𝑥𝑂𝜖‬
‫‪𝜖𝑆.𝐶. 𝑥0 + 1‬‬
‫=𝐶‬
‫‪𝐶𝑂𝑥 ,‬‬ ‫)‪𝐼𝑛𝑣𝑒𝑟𝑠𝑖𝑜𝑛 (𝜔 → 0‬‬
‫𝑥𝑂𝐶‬
‫)∞ → 𝜔( 𝑛𝑜𝑖𝑠𝑟𝑒𝑣𝑛𝐼 ‪,‬‬
‫𝑇𝑊 𝑥𝑂𝜖‬
‫‪𝜖𝑆.𝐶. 𝑥0 + 1‬‬

‫𝐺𝐴 ‪𝜖𝑂𝑥 𝜖0‬‬

‫= 𝑥𝑂𝐶‬ ‫קיבול התחמוצת ‪-‬‬
‫‪𝑥0‬‬

‫‪2𝜖0 𝜖𝑆.𝐶.‬‬
‫=𝑊‬ ‫𝑆𝜑‬ ‫רוחב שכבת המחסור ‪-‬‬
‫𝐴𝑁𝑞‬

‫‪2𝜖0 𝜖𝑆.𝐶.‬‬
‫= 𝑇𝑊‬ ‫𝐹𝜑‪2‬‬ ‫רוחב שכבת המחסור המקסימלית ‪-‬‬
‫𝐴𝑁𝑞‬
 n-MOS ‫הקיבול של קבל‬

n-MOS ‫ של קבל‬C-V – ‫עקומת ה‬

𝜖𝑂𝑥 𝜖0 𝐴𝐺 𝜖𝑂𝑥 𝜖0 𝐴𝐺
𝐶𝑂𝑥 = 𝐶𝑂𝑥 =
𝑥0 C 𝑥0

𝐶𝑂𝑥
𝜔→0 𝐶 𝑉𝐺 =
𝜖𝑂𝑥 𝑊 𝑉𝐺
+1
𝜖𝑆.𝐶. 𝑥0
𝐶𝑂𝑥
𝐶 𝑉𝐺 =
𝜖𝑂𝑥 𝑊𝑇
+1
𝜖𝑆.𝐶. 𝑥0

𝜔→∞
VG
VT
Inversion Depletion Accumulation

pMOS ‫להוסיף גם את העקומה של‬

MOS ‫הקיבול של קבל‬

p-MOS

n-MOS
 ‫הקיבול של קבל ‪MOS‬‬
‫דוגמא‬
‫נתון קבל ‪ MOS‬אידיאלי בעל ריכוז סיגים ‪ ,ND = 21015cm-3‬רוחב התחמוצת הוא ‪0.1mm‬‬
‫ורוחב השער הוא ‪.110-3cm-2‬‬
‫ציירו את עקומת ה – ‪ C-V‬של הקבל‪.‬‬

‫פתרון‬
‫‪C‬‬
‫‪CMax‬‬

‫‪𝜔→0‬‬

‫‪CMin‬‬
‫∞→𝜔‬
‫‪VG‬‬
‫‪VT‬‬
‫‪Inversion‬‬ ‫‪Depletion‬‬ ‫‪Accumulation‬‬

‫למעשה יש לחשב את ‪ CMAX, CMIN‬ואת ‪.VT‬‬

 ‫הקיבול של קבל ‪MOS‬‬
‫פתרון ‪ -‬המשך‬

‫‪𝜖𝑂𝑥 𝜖0 𝐴𝐺 3.9 ∙ 8.85 ∙ 10−14 ∙ 1 ∙ 10−3‬‬

‫𝑥𝑂𝐶 = 𝑥𝑎𝑀𝐶‬ ‫=‬ ‫=‬ ‫𝐹𝑝‪= 34.5‬‬
‫‪𝑥0‬‬ ‫‪1 ∙ 10−5‬‬
‫𝑘𝑙𝑢𝑏 ‪1‬‬ ‫𝐷𝑁‬ ‫‪2 ∙ 1015‬‬
‫𝑖𝐸 = 𝐹𝜑 = 𝐹𝜑‬ ‫𝑛𝑙 ∙ 𝑡𝑉‪− 𝐸𝐹 = −‬‬ ‫𝑛𝑙 ∙ ‪= −0.026‬‬ ‫𝑉‪= −0.316‬‬
‫𝑞‬ ‫𝑖𝑛‬ ‫‪1 ∙ 1010‬‬

‫‪2𝜖0 𝜖𝑆.𝐶.‬‬ ‫‪2 ∙ 11.8 ∙ 8.85 ∙ 10−14‬‬

‫= 𝑇𝑊‬ ‫= 𝐹𝜑‪−2‬‬ ‫‪−19‬‬ ‫‪15‬‬ ‫𝑚𝑐 ‪2 ∙ 0.316 = 6.42 ∙ 10−5‬‬
‫𝐷𝑁𝑞‬ ‫‪1.6 ∙ 10‬‬ ‫‪∙ 2 ∙ 10‬‬

‫𝑥𝑂𝐶‬ ‫‪34.5‬‬
‫= 𝑛𝑖𝑀𝐶‬ ‫=‬ ‫𝐹𝑝‪= 11.1‬‬
‫𝑇𝑊 𝑥𝑂𝜖‬ ‫‪3.9‬‬ ‫∙‬ ‫‪6.42‬‬ ‫∙‬ ‫‪10‬‬‫‪−5‬‬
‫‪𝜖𝑆.𝐶. 𝑥0 + 1‬‬ ‫‪11.8 ∙ 1 ∙ 10−5‬‬
‫‪+1‬‬

‫𝐴𝑁𝑞‪𝜖𝑆.𝐶. 2‬‬
‫‪𝑉𝐺 = 𝜑𝑆 + 𝑥0‬‬ ‫𝜑‬
‫𝑆 ‪𝜖𝑂𝑥 𝜖0 𝜖𝑆.𝐶.‬‬
 ‫הקיבול של קבל ‪MOS‬‬
‫פתרון ‪ -‬המשך‬

‫𝐷𝑁𝑞‪𝜖𝑆.𝐶. 2‬‬
‫‪𝑉𝑇 = 2𝜑𝐹 − 𝑥0‬‬ ‫= 𝐹𝜑‪−2‬‬
‫‪𝜖𝑂𝑥 𝜖0 𝜖𝑆.𝐶.‬‬

‫‪11.8 2 ∙ 1.6 ∙ 10−19 ∙ 2 ∙ 1015‬‬

‫∙ ‪= −2 ∙ 0.316 − 1‬‬ ‫‪10−5‬‬ ‫∙‬ ‫𝑉‪2 ∙ 0.316 = −1.23‬‬
‫‪3.9‬‬ ‫‪8.85 ∙ 10−14 ∙ 11.8‬‬