Ne-Ch2 20

55
CHƯƠNG 2: CÁC THIẾT BỊ PHÂN TÍCH BIÊN ĐỘ XUNG

§2.1. YÊU CẦU VÀ CÁC ĐẶC TRƯNG PHÂN TÍCH BIÊN ĐỘ XUNG
2.1.1. Yêu cầu
Phổ năng lượng hay phân bố năng lượng của bức xạ hạt nhân được xác định bằng
cách đếm các bức xạ ni có cùng năng lượng Ei và biểu diễn số đếm này theo năng lượng N
= f(E). Theo cấu trúc hạt nhân, tương ứng với các mức năng lượng gián đoạn Ei, phổ năng
lượng bức xạ gamma sẽ là những vạch thẳng song song với trục tung. Độ cao của vạch Ni
tại Ei chính là số sự biến xảy ra liên quan đến mức năng lượng Ei xác định. Vì vậy, nếu thu
được phổ năng lượng từ thực nghiệm ta sẽ có được những dữ liệu về các mức năng lượng
hay cấu trúc của hạt nhân được khảo sát. Ví dụ, phân rã beta của 55Cesium-137 thành
56
Barium-137 (Hình 2.1.1a) qua mức năng lượng kích thích 56Ba-137m. Khi đo phổ gamma
của phân rã 55Cs-137 đỉnh phổ nhận được ở 0,6617 MeV, ta có thể xác định cấu trúc của
Ba-137 có mức năng lượng không bền là 0,6617 MeV.
n
Hình 2.1.1a: Mối liên quan giữa đỉnh phổ năng lượng và cấu trúc hạt nhân
N
A1
A3 A4
A2
A5
E1 E2 E3 E4 E5 E
Hình 2.1.1b: Phổ năng lượng và phổ biên độ của bức xạ gamma
Trong các detector loại tuyến tính (như buồng ion hoá, ống đếm tỷ lệ, detector bán
dẫn, detector nhấp nháy,…) có sự tỷ lệ giữa năng lượng bức xạ E với lượng điện tích thu
lượm được, thể hiện ở độ lớn hay biên độ A của xung ra từ detector, do đó A tỷ lệ với E. Vì
vậy, thực tế, ta chỉ đo được phân bố biên độ xung - hay còn gọi là phổ biên độ xung N =
f(A), và dựa theo quy luật tuyến tính, ta có thể xác định được phổ năng lượng N = f(E).
Phương pháp và Thiết bị ghi nhận bức xạ hạt nhân/ Ch.2: Các thiết bị phân tích biên độ xung
56
Để thu phổ biên độ, mỗi xung tới từ detector được đo biên độ. Sau đó thiết bị sẽ tính
số xung n có cùng biên độ và biểu diễn số xung này theo biên độ N = f(A). Phổ biên độ của
bức xạ gamma thu được trong thực tế (đường liền nét trên Hình 2.1.1b) có các đỉnh dạng
hình chuông. Đỉnh phổ gamma được hình thành từ quang hiệu ứng (Photo-Effects), cho
phép sử dụng để xác định phân bố năng lượng. Ở quang hiệu ứng, năng lượng bức xạ được
chuyển hoàn toàn hoặc đa phần cho electron của nguyên tử môi trường. Sau đó, các electron
này mới ion hoá môi trường để tạo ra các phần tử tải điện. Các đỉnh phổ nằm trên sườn dốc
hạ thấp dần về phía năng lượng cao. Sườn dốc này là kết quả của một dạng tương tác khác
của bức xạ gamma với vật chất - hiệu ứng tán xạ Compton (Compton Effect), xảy ra khi tia
gamma va chạm với các electron của nguyên tử môi trường detector và bị mất dần năng
lượng.
Đỉnh phổ thực nghiệm có độ rộng xác định, gây ra bởi đặc tính detector và thiết bị
điện tử sử dụng trong hệ phân tích. Độ rộng đỉnh phổ chủ yếu do hai phần đóng góp: Sự
thăng giáng thống kê các phần tử tải điện tạo thành trong detector ( F N / N ) và tạp âm của
thiết bị điện tử.
Thiết bị điển hình đo phổ biên độ nhiều kênh (Hình 2.1.2) bao gồm: bộ tiền khuếch
đại - bộ khuếch đại đo phổ - bộ phân tích biên độ - thiết bị thu nhận, xử lý, lưu trữ và hiển
thị số liệu.
Tiền Mã hoá
Khuếch
Detector khuếch biên độ
đại
đại xung
Máy phân tích

biên độ
Cao
thế Hiển thị Bộ nhớ
nuôi
LOGIC Bộ xử lý/
Điều khiển Máy tính
Hình 2.1.2: Thiết bị phân tích biên độ nhiều kênh - MCA

Bộ tiền khuếch đại và khuếch đại có nhiệm vụ làm tăng biên độ xung ra từ detector
có giá trị nhỏ tới giá trị phù hợp với khoảng đo của bộ phân tích biên độ (mã hoá), thường
đòi hỏi ở khoảng 0  5 V hoặc 0  10 V.
Bộ mã hoá biên độ xung có thể là một kênh hay nhiều kênh. Khi mã hoá một kênh,
có thể chọn độ rộng kênh W (hay cửa sổ) ở mức E và thực hiện đếm số xung có biên độ A
57
lọt vào độ rộng cửa sổ W. Khi dịch mức E của kênh và ghi nhận số đếm tương ứng với mỗi
mức E, biểu diễn số xung theo giá trị mức E ta sẽ thu được phân bố biên độ xung. Trong
phân tích biên độ nhiều kênh có chứa bộ mã hoá – là bộ biến đổi tương tự - số (ADC -
Analog to Digital Converter) - cho phép biến đổi biên độ tín hiệu thành số xung. Ví dụ với
bộ biến đổi ADC 12 bit (212 = 4096 kênh), với biên độ xung vào cực đại 5 V cho ra 4096
xung, độ rộng một kênh W = 5 V/4096 = 1,22 mV. Như vậy, với biên độ xung vào là 2,5
V - cho ra 2048 xung,…
Số xung lối ra của ADC được sử dụng làm tài liệu xác định địa chỉ chọn ô nhớ. Thiết
bị số sẽ thực hiện +1 vào ô nhớ được chọn mỗi lần. Sau một thời gian phân tích, trong bộ
nhớ của thiết bị số sẽ lưu trữ phân bố tổng số sự kiện theo biên độ xung. Như vậy phương
pháp phân tích nhiều kênh cho độ chính xác cao hơn, nhanh hơn so với phương pháp một
kênh. Việc sử dụng thiết bị vi xử lý hoặc máy tính ghép nối cho phép tự động thu nhận và
xử lý phổ theo chương trình.
2.1.2. Đặc trưng của thiết bị đo phổ biên độ xung
2.1.2.1. Khả năng phân giải năng lượng
Trong thực tế, do sự thăng giáng của số điện tích tụ tập về các điện cực detector cũng
như thiết bị đo - xử lý không hoàn hảo nên đỉnh phổ có độ rộng hữu hạn E. Nếu độ rộng
E càng nhỏ, đỉnh càng hẹp, ta càng có khả năng phát hiện những đỉnh nằm cạnh nhau.
Nếu độ rộng E lớn, các đỉnh lân cận nhau không thể tách rời và chúng bị xem là 1 đỉnh.
Trên Hình 2.1.3 minh hoạ phổ của cùng một bức xạ hạt nhân thu từ hệ với detector nhấp
nháy có phân giải kém (E rộng) và phổ thu từ hệ với detector Ge-Li phân giải cao ( E
hẹp). Hệ với phân giải kém không tách được các đỉnh phổ lân cận nhau. Như vậy, rõ ràng
là độ rộng đỉnh phổ quy định khả năng phân giải của thiết bị đo phổ.
Giá trị E gồm 2 thành phần cơ bản: E = q + n, Trong đó: q là độ rộng đỉnh
phổ gây ra bởi sự thăng giáng thống kê các phần tử tải điện tạo thành trong detector. n là
độ rộng đỉnh phổ gây ra bởi tạp âm của hệ detector và thiết bị điện tử.
Như đã nêu trong chương 1, số phần tử tải điện được tạo thành sẽ là:
N = E/ (2.1.1)
Trong đó E là năng lượng bức xạ hạt nhân và  là năng lượng cần thiết để tạo ra một cặp
phần tử tải điện trong detector.
Số cặp phần tử tải điện N tạo thành tuân theo phân bố ngẫu nhiên, có thể được mô
tả bằng phân bố Poisson có độ lệch chuẩn N . Tổng quát, với hệ thống thiết bị hạt nhân,
độ lệch này bằng F . N , với F là thừa số Fano, biểu thị sự khác biệt giữa phân bố thực của
hệ đo so với phân bố chuẩn. Độ lệch tương đối sẽ là F . N / N.
58
Hình 2.1.3: Các phổ năng lượng thu từ hệ với detector nhấp nháy NaI (trên)
và từ hệ với detector bán dẫn (dưới) 1
Khi năng lượng bức xạ E càng lớn thì số phần tử tải điện N tạo thành càng lớn, q
(~ N ) cũng tăng tương ứng theo E. Trên phổ thực nghiệm Hình 2.1.3 có thể thấy đỉnh phổ
ở vị trí năng lượng cao có độ rộng lớn hơn đỉnh phổ ở vị trí năng lượng thấp.
Đỉnh phổ thực nghiệm tiêu chuẩn có dạng phân bố Gauss (Hình 2.1.4) với độ lệch
trung bình ±, biểu thị phạm vi mà giá trị đo có độ tin cậy.
Peak (E)
Y
Y/2 E FWHM
-3 -2 - 0  2 3 E
Hình 2.1.4: Phân bố Gauss của đỉnh phổ biên độ
Khả năng phân giải năng lượng được đo bằng độ rộng nửa chiều cao đỉnh phổ
(FWHM - Full Width at Half Maximum) và được tính theo thang đo năng lượng (đơn vị
1
Accesssience.com
59
eV). Độ phân giải này thường được cho theo giá trị phân giải tương đối (%): FWHM/E (ví
dụ đỉnh phổ 1,33 MeV, FWHM = 2 keV, ta có độ phân giải tương đối là 2/1330 = 0,15%).
Để tăng khả năng phân giải của hệ thống, ta phải lựa chọn detector có khả năng phân
giải năng lượng cao, tức là có năng lượng tạo cặp nhỏ để tạo số phần tử tải điện N lớn và
hệ điện tử có mức tạp âm nhỏ. Đối với thiết bị đo phổ cụ thể, độ rộng đỉnh phổ còn tuỳ
thuộc vào cường độ xung vào. Khi xung trong kênh đo có độ kéo dài hữu hạn và có bướu
âm dù nhỏ, thì ở cường độ bức xạ lớn sẽ xuất hiện sự chồng xung làm dịch đường cơ bản
(đường gốc đo – zero), dẫn tới mở rộng đỉnh phổ và làm sai lệch kết quả đo.
2.1.2.2. Độ lệch tích phân (độ phi tuyến ) tf
Trong thực tế, đỉnh phổ thu được Ai (Ei) có thể bị lệch khỏi giá trị thực Ai0 (Ei0) của
nó. Giá trị độ lệch này (công thức 2.1.2) gọi là độ lệch tích phân của thiết bị đo phổ, nó quy
định sự lệch đỉnh phổ tổng cộng trên toàn bộ khoảng đo (Hình 2.1.5).
A -A
 tf  i i 0 [%]
A
max (2.1.2)
Độ lệch cực đại (thu nhận từ giá trị sai lệch cực đại) trong khoảng Amax của hệ thống
sẽ là:
A
 tf max  A
max [%]
max (2.1.3)
N
Aio Ai
E1 E2 E3 E4 E5 E
A1 A2 A3 A4 A5 Amax
Hình 2.1.5a: Độ lệch tích phân phổ biên độ

Độ lệch tích phân trong hệ đo phổ chủ yếu do độ phi tuyến của các phần thiết bị điện
tử gây ra (tiền khuếch đại, khuếch đại, mã hoá,…). Mối quan hệ tuyến tính giữa A và E
thường biểu diễn bằng biểu thức:
E = m.K + c (2.1.4)
Trong đó: m là thang lượng năng lượng tuyến tính (keV / kênh) của MCA; K là chỉ
số kênh và c là điểm chặn (thường được xác lập càng gần 0 càng tốt). Ví dụ, hệ đo phổ
năng lượng tới 2000 keV, giá trị m (MCA) = 0,3 keV/kênh, c = 0, thì ở 8192 kênh (13 bit
60
max) ta có E = 2673,6 keV. Đối với phổ năng lượng thấp, m = 0,05 keV / kênh, thì ở 4096
kênh (12 bit max), ta có E = 204 keV. Các giá trị chính xác cho hệ số m và c cần phải xác
định bằng thực nghiệm cho mỗi máy phân tích cụ thể.
Để xác định tf trong thực tế, ta cần thu phổ biên độ từ nguồn phóng xạ chuẩn có các
đỉnh năng lượng Ei đã biết và các đỉnh này phân bố trong toàn khoảng đo (ví dụ nguồn
chuẩn Eu-152). Sau khi xác định đỉnh năng lượng E đã biết với chỉ số kênh K tương ứng,
ta dễ dàng xác định được m. Một phần mềm xử lý cho phép xác định giá trị của m và c bằng
cách xác lập một hàm tuyến tính cho tất cả các điểm có được và lưu trữ trong bộ nhớ (Hình
2.1.5b). Các giá trị này được lấy ra từ bộ nhớ để hiệu chỉnh sai lệch phi tuyến của giá trị
đỉnh năng lượng chưa biết trong phổ thu được.
Hình 2.1.5b: Đặc tuyến tuyến tính giữa năng lượng và biên độ (chỉ số kênh) đo được
Ngoài ra, ta cũng có thể dùng máy phát xung biên độ chính xác có biên độ Ai0 thay
cho nguồn phóng xạ chuẩn 2.
2.1.2.3. Độ lệch vi phân vf
Nếu chia khoảng biên độ thành các kênh có độ rộng cửa sổ W như nhau và tiến hành
đếm số sự biến có biên độ “lọt” vào mỗi độ rộng mỗi kênh ở vị trí kênh E tương ứng, sau
đó biểu diễn số sự biến ghi được trong mỗi kênh có độ rộng W sẽ thu được phổ biên độ.
Chất lượng phổ theo cách đo như vậy còn tùy thuộc vào độ ổn định độ rộng cửa sổ W, tức
là tùy thuộc vào sự đồng nhất độ rộng của kênh. Khi W  const thì sẽ có sự méo phổ hoặc
xuất hiện đỉnh giả làm sai lệch kết quả đo. Độ lệch vi phân biểu thị độ đồng nhất của kênh,
và được biểu thị bằng:
w-w
 vf (%)  (2.1.5)
w
Trong đó W là độ rộng kênh trung bình.
2
Lam N.N. et al, The Chixa-1 System for Calibration Purpose in Nucleare Instrumentation, Công trình HNTG về Ứng
dụng năng lượng nguyên tử trong KTQG, Hà Nội, tháng 3-1983
61
Trên Hình 2.1.6 biểu thị cùng một đỉnh phổ cho hai trường hợp: a) độ rộng kênh
đồng nhất, đỉnh phổ là đối xứng, b) đỉnh phổ bị sai lệch do độ rộng kênh không đồng nhất
(những kênh có W rộng sẽ có số đếm nhiều hơn, tạo thành đỉnh giả). Độ lệch vi phân gây
ra chủ yếu do bộ phân tích biên độ (ADC) đối với các thiết bị đo phổ hiện đại: vf < 1 %.
N N
w E w E
a) b)
Hình 2.1.6: Đỉnh phổ xây dựng trên số đếm thu được ứng với mỗi độ rộng kênh W
Độ lệch vi phân có thể tính toán từ kết quả đo phổ thực nghiệm với nguồn phóng xạ
chuẩn. Tuy nhiên phương pháp này cần nhiều thời gian (để đạt 105 ÷106 số đếm /mỗi kênh).
Phương pháp hữu hiệu hơn là sử dụng máy phát xung dạng thế tam giác, có độ dốc tuyến
tính cao, nối với lối vào bộ phân tích biên độ. Do thế tăng (và giảm) tuyến tính nên xác xuất
để số đếm trong tất cả các kênh là như nhau. Biểu diễn phổ sẽ là một đường thẳng song
song trục hoành (Hình 2.1.7).
n N
Máy phát Mã hoá

xung tam biên độ
giác xung ADC
Máy phân tích

biên độ
E -vf 0 +vf 
Hình 2.1.7: Đo độ lệch vi phân bằng máy phát xung tuyến tính 3
Tuy nhiên, do độ rộng kênh không đồng nhất (có độ lệch vi phân), số đếm sẽ thăng
dáng quanh giá trị trung bình theo phân bố Gauss. Độ rộng nửa chiều cao của đỉnh phổ này
chính là độ lệch vi phân của thiết bị phân tích biên độ.
2.1.2.4. Khả năng tác động nhanh
Khi làm việc với nguồn bức xạ cường độ lớn, tần số xung trong kênh đo phổ sẽ lớn.
Do thời gian kéo dài xung là hữu hạn và tính ngẫu nhiên của thời điểm xung tới, trong kênh
3
Lam N.N. et al, Triangle Pulse Generator for determining of spectrometer nonlinear, 13-10726, JINR Dubna, 1977
62
đo phổ xuất hiện sự chồng xung mạnh. Kết quả là đường cơ bản bị trôi, nghĩa là đường gốc
để đo biên độ xung bị trôi. Do vậy, việc đo biên độ từng xung trở nên mất chính xác, làm
giảm đáng kể đặc trưng phân giải năng lượng và làm lệch vị trí đỉnh phổ. Chính vì nguyên
nhân này, khi khảo sát các đặc trưng cơ bản của hệ đo phổ, cần phải gắn với giá trị cường
độ bức xạ xác định.
2.1.2.5. Hiệu suất detector
Khi bức xạ đi vào thể tích detector, chỉ có một phần bức xạ được ghi. Việc xác định
hiệu suất detector có vai trò quan trọng, vì nói chung, độ nhạy của một hệ thống sẽ tỷ lệ với
hiệu suất của detector. Trong các bài toán phân tích nguyên tố, ta thu được số sự biến, muốn
tính được hoạt độ nguồn, cần phải biết chính xác hiệu suất của hệ thống đo.
Hiệu suất tuyệt đối ε của detector chính là tỷ số sự biến ghi nhận được (N) trong
detector trên tổng số sự biến từ nguồn phát ra (A) theo mọi hướng.
N = ε. A (2.1.6)
Tỷ số Hiệu suất nội tại / Hiệu suất thực là tỷ số số bức xạ được detector ghi nhận
trên tổng số bức xạ đi vào môi trường detector. Hiệu suất nội tại của detector được xác định
bằng số lượng chùm bức xạ tới được chuẩn trực (collimated) trên cửa sổ vào detector và
không phụ thuộc vào cấu trúc hình học của nguồn. Nó thường được sử dụng để so sánh các
detector khác nhau; nhưng ít quan trọng khi đo hoạt tính của các mẫu phóng xạ.
Hiệu suất đỉnh năng lượng toàn phần (Photopeak): Hiệu suất chỉ tạo bởi các xung
tạo đỉnh năng lượng toàn phần. Hiệu suất photopeak của detector sẽ phụ thuộc vào năng
lượng của photon tương tác với nó.
Để xác định hiệu suất hệ đo, người ta thường sử dụng mẫu chuẩn, đã biết trước hoạt
độ tại thời điểm xuất xưởng C0, chu kỳ bán huỷ λ và tính hoạt độ nguồn chuẩn theo công
thức:
C (t )  C 0 .e - t (2.1.7)
Với hoạt độ nguồn chuẩn tính được và hoạt độ nguồn chuẩn đo được, ta xác định
được hiệu suất của hệ đo. Các nhân tố ảnh hưởng tới hiệu suất đo bao gồm: Năng lượng
bức xạ; Cấu trúc hình học của hệ nguồn, detector, mẫu,…; Thiết bị điện tử; Hiệu ứng trùng
phùng tổng; và Sự tự hấp thụ. Vì vậy để có kết quả xác định hàm lượng nguyên tố chính
xác, trong một số trường hợp phải có bổ chính các hiệu ứng phụ.
63
§2.2. KHUẾCH ĐẠI PHỔ

2.2.1. Bộ tiền khuếch đại
Do yêu cầu tín hiệu phải đủ lớn để đo lường trong các sơ đồ điện tử phía sau, tín
hiệu có biên độ nhỏ từ lối ra detector cần được khuếch đại. Một bộ khuếch đại trong thiết
bị đo phổ hạt nhân thường được chia làm hai phần chức năng: tiền khuếch đại
(PreAmplifier) và khuếch đại cơ bản (Amplifier). Lý do có sự phân chia này như sau:
- Detector thường đặt ở vùng có độ phóng xạ nguy hiểm. Tín hiệu từ detector cần
được đưa qua dây cáp dài đến bộ khuếch đại đặt tại nơi con người vận hành và khai thác hệ
thống (Hình 2.2.1), nhằm đảm bảo an toàn cho con người.
- Do điện trở lối ra của detector là rất lớn (hàng chục M đến G), trong khi điện
trở vào của các linh kiện hoạt của sơ đồ điện tử là nhỏ (vài trăm  đến vài chục k cho
transistor), nên nhiệm vụ khác của tiền khuếch đại là phối hợp trở kháng. Bộ tiền khuếch
đại phải có trở vào lớn để tránh mất mát biên độ tín hiệu lối ra detector khi nối tầng và có
điện trở ra nhỏ để truyền tốt tín hiệu trên cáp dài.
Caùp noái Khueách ñaïi

Detector Preamp.
Amp.
Hình 2.2.1: Sơ đồ nối tiền khuếch đại và khuếch đại

Bộ khuếch đại thực hiện khuếch đại tín hiệu nhưng đồng thời cũng khuếch đại cả
các thăng dáng dòng và điện thế lối vào (tạp âm lối vào). Về mặt này, cần đánh giá chất
lượng thiết bị khuếch đại theo giá trị tỷ số tín hiệu/tạp âm. Ví dụ, tỷ số này là 0,1/0,01 (V)
sau khuếch đại 100 lần, ta có biên độ tín hiệu là 10 V, nhưng tạp âm cũng tương ứng tăng
lên là 1 V. Nếu bộ khuếch đại có khả năng lọc tạp âm, cho biên độ tín hiệu lớn (ví dụ 100
lần), nhưng tạp âm tăng ít hơn (ví dụ chỉ 2 lần), ta có tỷ số tín hiệu/tạp âm được nâng cao,
(trong ví dụ ta có 10/0,2) và phần tạp âm đóng góp của thiết bị vào độ rộng đỉnh phổ sẽ nhỏ
đi.
Trong các bộ khuếch đại đo phổ, tạp âm tầng đầu là quan trọng nhất, vì nó sẽ được
khuếch đại bởi toàn bộ hệ số khuếch đại ở các tầng sau. Vì vậy, khi tách chức năng khuếch
đại làm hai phần, thì tiền khuếch đại có nhiệm vụ quan trọng là hạn chế các tạp âm lối vào,
còn bộ khuếch đại cơ bản sẽ tham gia lọc tạp âm. Bộ khuếch đại có nhiệm vụ chính là đảm
bảo hệ số khuếch đại K đủ lớn để đưa tín hiệu từ lối ra detector phù hợp với khoảng đo của
thiết bị phía sau. Cấu trúc và phẩm chất của sơ đồ tiền khuếch đại được thiết kế phụ thuộc
vào loại detector sử dụng, loại bức xạ và năng lượng bức xạ cần đo.
64
2.2.1.1. Tiền khuếch đại cho detector có sự khuếch đại nội

Những detector có sự khuếch đại nội như ống đếm tỷ lệ, detector nhấp nháy cho tín
hiệu ra đủ lớn. Khi nhu cầu phân tích biên độ không đòi hỏi cao, như trong trường hợp phân
tích một kênh hoặc đếm xung có ngưỡng, sơ đồ tiền khuếch đại sử dụng chủ yếu để phối
hợp trở kháng giữa detector và bộ đo điện tử phía sau. Vì vậy, tiền khuếch đại có thể chọn
là tầng lặp lại emitter đơn giản (Hình 2.2.2).
HV
-V
Rd
Detector
B C
T1
OUT
C E
Re
Hình 2.2.2: Bộ tiền khuếch đại đơn giản kiểu lặp lại emitter
Tầng lặp lại emitter có các ưu điểm:
- Có điện trở vào lớn ( ~ .Re, với  là hệ số khuếch đại dòng của transistor ~ tới
hàng trăm lần, tuỳ thuộc vào loại transistor, Re là điện trở mắc ở emitter).
- Có điện trở ra nhỏ.
- Có hệ số khuếch đại dòng lớn.
- Có đặc trưng tần số ưu việt.
2.2.1.2. Tiền khuếch đại cho detector không có khuếch đại nội
1) Tạp âm (noise)
Khi khảo sát tạp âm cần phân biệt tạp âm và nhiễu. Các nhiễu xuất hiện do nhiều
nguồn như sóng vô tuyến có trong không gian, do sự khác biệt các mức đất của nguồn nuôi,
do ảnh hưởng các trường điện từ, do nhiễu qua nguồn nuôi của các mạch điện tử khác trong
hệ (như nhiễu từ bộ cao thế nuôi detector, từ máy phát nhịp của máy tính,..). Về nguyên
tắc, các loại nhiễu ngoài này có thể giảm đến mức có thể bỏ qua nếu sử dụng các vỏ kim
loại che phủ và nối đất hệ thống cẩn thận, hoặc sử dụng các biện pháp khử nhiễu tại chính
các khối là nguồn sinh nhiễu. Tạp âm khác với nhiễu, có bản chất nội tại bên trong sơ đồ
điện tử. Sau đây ta sẽ chỉ tập trung khảo sát vai trò tạp âm nội trong hệ đo phổ.
Nếu quan sát lối ra của bộ khuếch đại, ngay cả khi không có tín hiệu trong kênh,
điện thế lối ra vẫn có sự thăng dáng theo thời gian (xem ảnh phóng đại mức ra bộ khuếch
65
đại trên dao động ký khi không có tín hiệu - Hình 2.2.3a,b và khi có tín hiệu Hình 2.2.3c).
Giá trị điện thế lối ra thăng giáng này gây nên bởi tạp âm trong hệ.
Nếu tại thời điểm phân tích xung biên độ Us, thế tạp âm là Un, ta có biên độ xung
tổng cộng là U = Us + Un. Bởi vì Un thăng dáng thống kê nên tại vị trí a và b (Hình 2.2.3d),
tín hiệu tổng U cho cùng một biên độ Us sẽ tương ứng nhỏ hơn hoặc lớn hơn Us. Kết quả
đo Us + Un như vậy cũng sẽ thăng dáng quanh giá trị trung bình Us. Nếu Un2 là bình phương
trung bình của thế tạp âm, ta có phân bố biên độ xung có dạng phân bố Gauss (Hình 2.1.4).
a) Tín hiệu ra khuếch đại b) Phóng đại tín hiệu ra c) Phóng đại tín hiệu ra
quan sát bằng dao động ký khuếch đại khi không có tín khuếch đại khi có tín hiệu
hiệu tạo bởi bức xạ tạo bởi bức xạ
u
Us
Us
Un
b
d)
a t
Hình 2.2.3: Sự thăng dáng của điện thế lối ra bộ khuếch đại theo thời gian
Phân bố có giá trị trung bình Us và độ lệch chuẩn Un:
1 2 2
P(U)  e-(US -U) / 2Un (2.2.1)
Un (2 )1/ 2
Ứng với vị trí nửa chiều cao, P(U) = ½, từ (2.2.1) suy ra U = Us ± Un(2ln2)1/2 = Us
 UFWHM / 2. Do đó:
66
Ứng với vị trí nửa chiều cao, P(U) = ½, từ (2.2.1) suy ra U = Us ± Un(2ln2)1/2 = Us
 UFWHM / 2. Do đó:
UFWHM = 2 Un (2ln2)1/2 = 2.36 Un (2.2.2)
Trong các phép đo phổ biên độ, tỷ số tín hiệu trên tạp âm (Us/Un) xác định khả năng
phân giải của hệ thống. Bởi vì việc phân tích phổ năng lượng N = f(E) quy về phân tích phổ
biên độ N = f(Us) và năng lượng bức xạ E thường đo bằng eV, vì vậy tương ứng với tỷ số
tín hiệu trên tạp âm Us / Un ta có tỷ số năng lượng bức xạ trên năng lượng tạp âm E / En.
Như vậy, điện thế tạp âm Un thường được quy đổi về điện tích tạp âm tương đương ENC
(Equivalent Noise Charge) En. ENC chính là lượng điện tích quy đổi xuất hiện ở detector
để gây ở lối ra bộ khuếch đại một thế tạp âm Un.
2) Các nguồn tạp âm trong cấu hình Detector – Tiền khuếch đại
Để tìm các biện pháp nâng cao tỷ số tín hiệu trên tạp âm, cần phải xác định các
nguồn tạp âm trong cấu hình detector – tiền khuếch đại. Cấu hình detector - tiền khuếch đại
kiểu nhạy điện tích điển hình có sơ đồ tương đương như trên Hình 2.2.4.
Trong hệ detector - tiền khuếch đại, các nguồn tạp âm được biểu diễn dưới dạng máy
phát dòng tạp âm lối vào d2 / df = b + Af / f (hay còn gọi là tạp âm song song) và máy
phát thế tạp âm d2 / df = a (tạp âm nối tiếp). Cách gọi này tương ứng với bản chất
nguồn tạp âm kết nối song song hay nối tiếp ở lối vào bộ tiền khuếch đại.
Cf
ICf Tiền
Id 2 khuếch đại Khuếch đại
A d B
Detector
df Amp.
Ic Preamp.
2 A0 Uo G(p)
d C
C df
Hình 2.2.4: Cấu hình detector - tiền khuếch đại với các nguồn tạp âm
* Tạp âm song song bao gồm các thành phần:
- Tạp âm nhiệt gây nên bởi chuyển động nhiệt của electron trong vật dẫn. Với điện
trở nuôi detector có giá trị Rd, tạp âm này tính bằng 4KT/Rd (K là hằng số Boltzmann, T là
67
nhiệt độ tuyệt đối). Tạp âm này không phụ thuộc tần số, còn gọi là “tạp âm trắng” (White
noise), xuất hiện trong dải tần số từ -∞ ÷ + ∞.
- Tạp âm phân tán: sinh ra do bản chất dòng điện là dòng chuyển dời có hướng của
các điện tích rời rạc. Tuy ở cùng một giá trị dòng điện, song tại mỗi thời điểm số electron
đi qua tiết diện vật dẫn có thể không giống nhau. Trong cấu hình detector và tiền khuếch
đại, các dòng điện này gồm: dòng dò của detector Id - đóng góp phần tạp âm song song
tương ứng là 2eId, dòng vào của sơ đồ điện tử Iv - đóng góp phần tạp âm song song là 2eIv.
Các tạp âm này không phụ thuộc tần số.
- Tạp âm phụ thuộc tần số Af /f có liên quan đến sự chuyển động của điện tích khi đi
qua những vùng có cấu trúc vật liệu thay đổi, ví dụ từ kim loại vào bán dẫn,… Tạp âm này
phụ thuộc tần số và có giá trị lớn ở vùng tần số thấp.
d2/df = 4KT/ Rd + 2eId + 2eIv + Af/f (2.2.3)
* Tạp âm nối tiếp hay còn gọi là tạp âm phân tán, gây bởi dòng collector (transistor)
hoặc dòng máng / drain (transistor trường- FET) của yếu tố khuếch đại đầu tiên trong sơ đồ
tiền khuếch đại.
3) Các phương pháp nâng cao tỷ số tín hiệu / tạp âm
a) Lựa chọn kiểu sơ đồ:
Sơ đồ tiền khuếch đại Hình 2.2.4 có điện dung C - là điện dung ký sinh của detector
và điện dung vào của bộ tiền khuếch đại (~ vài chục pF), điện dung Cf là điện dung phản
hồi âm của bộ tiền khuếch đại. A0 là hệ số khuếch đại hở của bộ tiền khuếch đại
Điện áp trên tụ phản hồi Cf bằng hiệu điện áp ra UO trừ cho điện áp vào UV:
UO 1
U Cf  U O - U V  U O -  (1 + )U O
- A0 A
Đặc điểm của sơ đồ với phản hồi âm Hình 2.2.4 là thế điểm B và điểm C là U(B) =
U(c) = 0. Theo định luật Kirchhoff, tổng dòng tại điểm A ≈ 0 (điểm A gọi là đất ảo) ta có:
Id + Ic +ICf = 0 (2.2.4)
Trong đó:
Id = dQ/dt (Q là điện tích tạo bởi bức xạ thu được tại anode detector).
dUV 1 dU O
IC  - C  C
dt A0 dt
dU Cf 1 dU O
I Cf -Cf  (1 + )C f
dt A0 dt
68
Thay các biểu thức trên vào (2.2.4), ta có:

dQ 1 dU O 1 dU O
 - (1 + )C f - C
dt A0 dt A0 dt
Q
UO 
1 1
(1 + )C f + C
A0 A0
(2.2.5)
Khi chọn A0 đủ lớn (> 105), ta có: U0  Q / C f (2.2.6)
Như vậy tín hiệu ra tỷ lệ với điện tích Q thu lượm được của detector khi ghi bức xạ
và không phụ thuộc vào điện dung detector. Sơ đồ tiền khuếch đại với Cf được gọi là tiền
khuếch đại nhạy điện tích. Cf có giá trị nhỏ ~ 1 vài pF.
Như đã biết, điện dung detector bán dẫn được hình thành bởi điện tích không gian
và có thể thăng dáng theo sự không ổn định của cao thế nuôi. Biểu thức (2.2.6) cho thấy
khi sử dụng sơ đồ tiền khuếch đại nhạy điện tích, ta có thể loại trừ sự phụ thuộc của biên
độ tín hiệu ra vào điện dung detector bán dẫn.
b) Lựa chọn mạch hình thành xung trong bộ khuếch đại:
Sơ đồ Hình 2.2.4 cho tín hiệu ra dạng hàm mũ (Hình 2.2.5):
t
Q -
Uo(t )  .e T
c f
(2.2.7)
Trong đó thời hẳng T = Rf.Cf; với Rf là điện trở phản hồi, có giá trị rất lớn, thường mắc
song song với tụ Cf để phân cực thế nuôi cho yếu tố ngõ vào bộ tiền khuếch đại.
Với giá trị thực T ~ ms, nên các xung ra từ bộ tiền khuếch đại có mặt giảm kéo dài.
Do tính chất ngẫu nhiên về thời gian, xung tiếp theo có thể xuất hiện ở đuôi xung trước
(Hình 2.2.5). Kết quả là đường cơ bản bị dịch khỏi đường „0”, gây sai số khi phân tích phổ
biên độ và giảm đặc trưng tần số của hệ đo phổ.
Hình 2.2.5: Sự chồng xung ở lối ra tiền khuyếch đại
69
Để giảm sự chồng xung, các xung ra từ tiền khuếch đại cần được rút gọn. Mạch hình
thành xung rút gọn và hình thành xung với hàm truyền G(p) được đặt trong bộ khuếch đại
và được thể hiện trên sơ đồ Hình 2.2.4. Việc lựa chọn hàm truyền của mạch hình thành
xung đóng vai trò quan trọng trong việc nâng cao tỷ số tín hiệu trên tạp âm.
Trong phân tích tín hiệu, phương pháp toán tử Laplace được sử dụng để xác định
hàm thực lối ra theo hàm thực lối vào thông qua các thuật toán trên hàm ảnh và hàm truyền
tương ứng. Theo phương pháp toán tử Laplace, Hàm thực f(t) với biến số t có thể biểu diễn
dưới dạng hàm ảnh F(p): 
 f (t ) e
- pt
F(p) = dt
0
Hàm ảnh lối ra của một tứ cực nhận được bằng tích số hàm ảnh lối vào F(p) với hàm
truyền G(p) của tứ cực:
Fo(p) = F(p). G(p)
Hàm thuận (thực) lối ra nhận từ hàm ảnh theo biểu thức:
c + j
1
f 0 (t )   e pt .F ( p) dp
2j c- j
Trong các tài liệu có cho sẵn các bảng để tra cứu hàm thuận theo hàm ảnh.
Giả sử trong bộ khuếch đại có sử dụng mạch hình thành xung kiểu vi phân (rút gọn
xung) và tích phân sau đó với hằng số: vf = tf =  = RC. Khi đó hàm truyền của các mạch
vi phân và tích phân:
p
G (vf ) 
1 + p (2.2.8)
1
G (tf ) 
1 + p (2.2.9)
Hàm truyền của bộ khuếch đại đo phổ:
p
G (kd )  G (vf ).G (tf ) 
(1 + p ) 2
(2.2.10)
Hàm truyền của bộ tiền khuếch đại:
(C + C f )
G (tkd )  (2.2.11)
C +Cf
(C f + )
A
Theo phương pháp toán tử Laplace cho sơ đồ 2.2.4, ta có hàm ảnh thế lối ra:
70
 
U   21  (b + Af
ø
ra
f
).G (kd ) 2 .G (tkd ) 2 .d +
1
 a( 2
1
2 0  (C + Cf ) 2
.G (kd ) 2 .G (tkd ) 2 .d
0
(2.2.12)
Hàm thuận lối ra tương ứng sẽ là:
a. b
+ (C + C f ) 2 + 2 A f (C + C f ) 2
(U ) 
ø 8 8 
.
ra
C + Cf
(C + )2
A (2.2.13)
Chuyển đổi từ thế tạp âm tương đương thành điện tích tạp âm tương đương, ta có:
2
1  b 2
Qn  (a. +  (C + C f ) + 4 A f (C + C f ) 
2
q0   (2.2.14)
Qn có giá trị cực tiểu khi
b
   0  C.( )1 / 2 (2.2.15)
a
Biểu thức (2.2.15) cho thấy nếu chọn hằng số mạch hình thành xung  = 0, giá trị
tạp âm Qn của hệ điện tử là cực tiểu. Giá trị 0 tuỳ thuộc vào cấu hình detector cụ thể của
hệ. Bộ khuếch đại đo phổ được thiết kế có chứa một số mạch hình thành xung G(p), cho
phép chọn 0 bằng thực nghiệm.
c) Lựa chọn linh kiện cho bộ tiền khuếch đại
Từ biểu thức (2.2.3) về các thành phần tạp âm cho hệ detector – tiền khuếch đại, có
thể chọn các giải pháp sau để giảm tạp âm song song d2 / df cho hệ đo phổ:
d2 / df = 4KT / Rd + 2eId + 2eIv + Af / f
- Giảm dòng dò (đối với detector bán dẫn) Id bằng cách làm lạnh detector bán dẫn
bằng nitơ lỏng. Mặc dù các detector bán dẫn hiện đại, dòng dò rất nhỏ, nhưng chúng phụ
thuộc nhiệt độ. Khi làm lạnh sẽ giảm dòng gây bởi sự phát nhiệt của detector.
- Điện trở nuôi detector Rd thường có giá trị rất lớn gây tạp âm không đáng kể, có
thể bỏ qua. Chỉ trong trường hợp đo phổ năng lượng thấp (gamma mềm, tia X) người ta
mới bắt đầu chú ý đến thành phần này và tìm cách loại bỏ nó bằng các phương pháp phản
hồi quang, bơm điện tích,…
- Chọn linh kiện lối vào bộ tiền khuếch đại có dòng vào Iv cực nhỏ. Các bộ tiền
khuếch đại đầu tiên xây dựng trên đèn điện tử, có điện trở lưới rất cao, nên dòng vào cực
nhỏ, có thể bỏ qua. Tuy nhiên đèn điện tử cần có thế đốt nung nóng cathode để phát xạ
71
electron khi làm việc, gây ra nguồn tạp âm khác. Ngoài ra, đèn điện tử cần thế nuôi cao vài
trăm Volt và có kích thước công kềnh. Tất cả những nhược điểm hạn chế của thế hệ đèn
điện tử đã được thay thế bằng công nghệ bán dẫn có kích thước và công suất tiêu thụ nhỏ,
khả năng tác động nhanh cao,…Tuy nhiên các transistor lưỡng cực có dòng vào khá lớn
(~10-4 A), không thích hợp cho các bộ tiền khuếch đại chất lượng cao. Với sự ra đời của
transistor trường (FET) được điều khiển bằng điện thế giống như đèn điện tử, có dòng vào
rất nhỏ (10-11 ÷ 10-12 A), phù hợp để tạo bộ tiền khuếch đại tạp âm nhỏ. Khi làm lạnh
transistor trường cùng với detector bán dẫn cũng cho phép giảm sự phụ thuộc nhiệt độ của
dòng vào.
- Tạp âm phụ thuộc tần số có thể giảm bằng cách giới hạn dải truyền qua ở vùng tần
số thấp của bộ khuếch đại.
Tạp âm nối tiếp - tạp âm phân tán do dòng trong mạch chính của yếu tố lối vào gây
nên. Tạp âm này tỷ lệ với 1/S, với S là độ dốc đặc trưng Volt-Ampere của yếu tố lối vào.
Khi chọn transistor trường với giá trị S lớn, tạp âm này được giảm đáng kể.
4) Các sơ đồ tiền khuếch đại
a) Tiền khuếch đại cho detector nhấp nháy
Như đã trình bày ở phần trên, detector nhấp nháy do sử dụng bộ nhân quang điện có
hệ số khuếch đại lớn (M: 105 ÷ 107), cho biên độ xung ra lớn (~100 mV / MeV). Khả năng
phân giải năng lượng của detector nhấp nháy được đánh giá qua độ rộng các đỉnh phổ ứng
với sự hấp thụ toàn phần năng lượng (quang hiệu ứng). Độ rộng tương đối của các đỉnh này
trong khoảng 5  12%.
Detector nhấp nháy có sự khuếch đại nội nên tín hiệu ra có biên độ lớn so với tạp
âm. Do vậy, các sơ đồ của tiền khuếch đại cho detector nhấp nháy thường sử dụng loại nhạy
điện tích đơn giản.
Thông thường, để đảm bảo sự phân giải tốt, hằng số thời gian Rt.C của mạch anode
của ống nhân quang (Rt: tải anode, C: điện dung ký sinh tại anode của ống nhân quang) cần
phải chọn lớn hơn thời gian bừng sáng của bản nhấp nháy (cỡ 0.2 đến 1 s đối với bản nhấp
nháy vô cơ). Khi đó tất cả các photon được sinh ra bởi bức xạ hạt nhân đều có khả năng
tham gia vào sự hình thành tín hiệu lối ra. Tuy nhiên việc chọn giá trị Rt.C lớn sẽ làm giảm
khả năng tải tần số của detector và dẫn đến sự giảm khả năng phân giải khi cường độ bức
xạ đủ lớn. Rt.C thường chọn ~ vài s.
Sơ đồ tiền khuếch đại cho detector nhấp nháy điển hình được trình bày ở Hình 2.2.6.
Tiền khuếch đại có cấu trúc nhạy điện tích được gắn bên trong vỏ detector nhấp nháy, sử
dụng thế nuôi -24 V.
72
Hình 2.2.6: Bộ tiền khuếch đại cho detector nhấp nháy Bicron (USA)
Ban khuếch đại được xây dựng trên các transistor Q1, Q2 đảm bảo hệ số khuếch đại
hở của sơ đồ. Q3 là tầng lặp lại emitter lối ra. Mạch phản hồi âm nhạy điện tích được xây
dựng trên R1, C2. Xung thế có thời gian kéo dài vài s ở anode của ống nhân quang được
đưa vào bộ tiền khuếch đại qua tụ C1, ở lối ra xung có mặt tăng giữ nguyên còn mặt giảm
được quy định bằng R1.C2 (t ~ 50 s). Tầng lặp lại emitter trên Q3 đảm bảo trở kháng lối
ra bộ tiền khuếch đại nhỏ.
Bộ tiền khuếch đại Bicron có các đặc trưng: Phân cực xung ra dương; Biên độ xung
ra: 0  10 V; Độ tuyến tính: 0,1%; Nguồn nuôi –(15  24) VDC; Khả năng phân giải phụ
thuộc vào độ phân giải của detector sử dụng.
b) Tiền khuếch đại cho detector bán dẫn
Do khả năng phân giải cao của detector bán dẫn, bộ tiền khuếch đại sử dụng với
chúng phải có mức tạp âm rất bé. Có nhiều kiểu sơ đồ tiền khuếch đại nhạy điện tích cho
detector bán dẫn. Ở đây, ta chỉ xét 1 ví dụ (Hình 2.2.7) mang tính học thuật, trong đó áp
dụng tất cả những biện pháp đã trình bày ở trên nhằm đảm bảo mức tạp âm cực tiểu.
Bộ tiền khuếch đại PA-107 gồm ban nhạy điện tích (xây dựng trên T1-T8) và tầng
lối ra (T9-T13). R1-C1 là mạch phản hồi điện tích.
Yếu tố lối vào của ban nhạy điện tích là transistor trường 2N4146. Chế độ làm việc
tối ưu của T1 được chọn nhờ biến trở P1, đảm bảo dòng làm việc ~ 80% dòng cho phép của
T1. Cuộn cảm L1 để hiệu chỉnh tần số cao. Trong mạch có thể mắc thêm T2 song song với
T1 khi làm việc với detector có điện dung lớn.
Tầng khuếch đại T3-T4 mắc kiểu vi sai, có tải động là T5, được nuôi trực tiếp bằng
nguồn 24 V. Do vậy, khoảng động của ban nhạy điện tích khá lớn, cho phép ban nhạy
điện tích làm việc với cường độ xung vào lớn. C1 là tụ phản hồi điện tích. Tầng vi phân
73
C13-R14 thực hiện rút ngắn xung, kéo dài ~ 50 s, tránh làm quá tải biên độ tầng lối ra.
Biến trở P3 và R13 cho phép chỉnh để bù trừ cực “0”. Tầng khuếch đại lối ra có cấu trúc
kiểu lặp lại phối hợp, cho độ nhạy của sơ đồ ở 100 mV/MeV hoặc 500 mV/MeV tuỳ thuộc
vị trí của công tắc J1.
+24
-24
Hình 2.2.7: Bộ tiền khuếch đại PA-107 cho detector bán dẫn 4
Bộ PA-107 cho phân giải với đỉnh Co-60 là 2.5 keV ở cường độ 103 xung/s và là 3
keV ở cường độ 105 xung/s. Mặt tăng tín hiệu ra 40 ns, khoảng biên độ tín hiệu ra 20 V,
độ lệch tích phân 0.05 %, độ ổn định 5x10-5/0C.
c) Các bộ tiền khuếch đại đo phổ năng lượng thấp
Trong thiết bị đo phổ năng lượng thấp (E < 100 keV) và đo phổ tia X, khi mà thăng
dáng số phần tử tải điện tạo thành là nhỏ (q < 130 eV), vai trò tạp âm n của sơ đồ điện
tử và detector trở nên đáng kể. Khi đã áp dụng mọi biện pháp và lựa chọn linh kiện cẩn
thận, tạp âm trong hệ đo phổ n cũng chỉ giảm được tới 300 ÷ 500 eV và nếu so với q vẫn
còn rất lớn. Để tiếp tục giảm tạp âm, cần tính đến tạp âm gây nên bởi điện trở phản hồi Rf
sử dụng để nuôi transistor trường (FET) lối vào bộ tiền khuếch đại. Loại bỏ điện trở Rf là
một biện pháp giảm tạp âm hữu hiệu cho đo phổ trong vùng năng lượng thấp.
4
Lam N.N. et al, High-rate charge-sensitive preamplifier for semiconductor, B1-13-80-834, JINR Dubna, 1980
74
Khi loại bỏ trở Rf , ta cần có giải pháp để nuôi FET lối vào mà không bổ sung thêm
tạp âm. Trên Hình 2.2.8 trình bày phương pháp phản hồi quang (opto-feedback) và giản đồ
tín hiệu tương ứng.
Tiền Khuếch Đại Tầng
Ngưỡng Ungưỡng
PHOTODIODE R
Det Ban Nhạy Bộ khuếch Ura

Điện tích đại cơ bản
U1(t) G(p)
R
Cf
Ungưỡng
U1(t)
Ura
Xung phản hồi
Hình 2.2.8: Phương pháp phản hồi quang (opto-feedback) và giản đồ xung
Điện trở Rf được loại bỏ và thay bằng mạch phản hồi quang giữa lối ra và lối vào.
Photodiode được đặt sao cho có thể dọi sáng trực tiếp vào Gate của transistor trường được
tách vỏ. Khi không có trở Rf, điện thế ra ban nhạy điện tích có dạng nhảy bậc theo mỗi xung
bức xạ. Độ lớn mỗi bậc tuỳ thuộc vào điện tích thu lượm sau mỗi tương tác của bức xạ với
detector. Khi mức điện thế ra đạt tới ngưỡng sẽ khởi phát sơ đồ ngưỡng, tạo xung phản hồi
làm nháy sáng photodiode. Xung sáng từ photodiode sẽ tác động vào cực Gate của FET, và
được biến đổi thành tín hiệu điện, đưa FET trở về trạng thái ban đầu. Bộ khuếch đại cơ bản
sẽ tách các nhảy bậc thành các xung riêng mà vẫn giữ nguyên biên độ của các nhảy bậc.
Sử dụng phản hồi quang thay thế cho điện trở Rf cho phép nhận tạp âm điện tử n
<100 eV. Phương pháp này sử dụng hiệu quả khi “vận tốc năng lượng” nhỏ (biên độ nhảy
bậc nhỏ), thích hợp cho vùng năng lượng thấp. Khi cường độ bức xạ lớn hoặc năng lượng
bức xạ lớn, thế nhảy bậc nhanh đạt tới giá trị ngưỡng và tầng ngưỡng làm việc liên tục hơn.
Xung âm ứng với thời điểm tác động phản hồi sẽ xuất hiện ở tần số cao dẫn đến làm quá
tải kênh khuếch đại đo phổ.
Trên Hình 2.2.9 giới thiệu phương pháp khác, sử dụng máy phát dòng với điều khiển
bằng trigger Schmitt.
75
Cặp FET mắc ở lối vào ban nhạy điện tích được sử dụng làm máy phát dòng. Các
xung ra từ ban nhạy điện tích khởi động trigger Schmitt, làm dẫn transistor trường, cấp
xung dòng để đưa ban nhạy điện tích về trạng thái ban đầu. Tuy có bổ sung tạp âm do mắc
thêm FET ở lối vào, song tạp âm này nhỏ hơn tạp âm của trở Rf gây nên. Ngoài ra, khi
không có trở Rf, bộ tiền khuếch đại có khả năng tác động nhanh cao hơn.
Cf
Det.
Ban Nhaïy C
Ñieän Tích
R Taàng loái ra
Trigger
Schmitt
-24
Hình 2.2.9: phương pháp sử dụng máy phát dòng

2.2.2. Bộ khuếch đại đo phổ
Bộ khuếch đại gắn sau tiền khuếch đại trong thiết bị đo phổ năng lượng bức xạ hạt
nhân. Sơ đồ khối của bộ khuếch đại đo phổ được giới thiệu trên Hình 2.2.10, có chứa các
ban khuếch đại, phần chức năng bù trừ cực “0”, hình thành xung .
Bộ vi
Ban Ban Ban Tầng Lối ra
Lối phân &
Khuếch Khuếch Tích Iối
vào bù trừ
đại đại Phân ra
cực “0”
BộI hồi phục

đường cơ bản
Hình 2.2.10: Sơ đồ khối của bộ khuếch đại đo phổ

Bộ khuếch đại đo phổ có các đặc trưng kỹ thuật sau:
- Đảm bảo hệ số khuếch đại K = Ura /Uvào đủ lớn, để đưa khoảng tín hiệu ra từ khối
detector - tiền khuếch đại tương thích với khoảng đo của thiết bị xử lý phía sau. Khoảng đo
này điển hình là 0  5 V, hoặc 0 10 V. Thông thường, để đảm bảo hệ số khuếch đại cao,
bộ khuếch đại được chia thành nhiều ban khuếch đại.
76
- Đảm bảo độ tuyến tính cao để giảm độ lệch tích phân của phổ. Có độ ổn định nhiệt
độ và độ trôi thấp.
- Thực hiện hình thành xung - lọc tạp âm để đảm bảo mức tín hiệu trên tạp âm cao
nhất. Như đã trình bày ở trên, xung ra từ tiền khuếch đại có mặt giảm dạng hàm mũ với
hằng số thời gian RfCf ~ ms. Để tránh sự chồng xung làm méo đặc trưng đo phổ, cần phải
rút gọn các xung này. Phương pháp đơn giản nhất là sử dụng mạch vi phân để rút gọn xung.
Tiếp theo, bộ khuếch đại sử dụng các mạch tích phân để lọc tạp âm, trong đó lựa chọn giá
trị  = 0 tối ưu (công thức 2.2.15).
- Có mạch bù trừ cực không (pole zero) để khử bướu âm xuất hiện khi rút ngắn xung
bằng mạch vi phân tín hiệu.
- Thực hiện hồi phục đường cơ bản và chống chồng xung để hạn chế sự dịch đỉnh
phổ và suy giảm khả năng phân giải ở tần số cao.
2.2.2.1. Các ban khuếch đại
Bộ khuếch đại thường được thiết kế kiểu vạn năng để có thể sử dụng chung cho một
số loại detector, vì vậy, hệ số khuếch đại K của nó thay đổi được từ vài lần tới ngàn lần.
Đối với detector nhấp nháy có sự khuếch đại nội của ống nhân quang, thường cần khuếch
đại tín hiệu lên vài lần. Đối với ống đếm tỷ lệ đòi hỏi K ~ 100. Trong khi đó, detector bán
dẫn và buồng ion hoá thường đòi hỏi khuếch đại vài trăm đến ngàn lần. Với detector bán
dẫn ghi bức xạ gamma mềm hoặc tia X, hệ số khuếch đại cần tới 2000 lần.
Như một nguyên tắc, để có hệ số khuếch đại cao, bộ khuếch đại được chia thành
nhiều ban khuếch đại, trong đó hệ số khuếch đại mỗi ban Ki < 30 nhằm đảm bảo sự ổn định
và độ tuyến tính tốt. Hệ số khuếch đại tổng cộng K = K1.K2...Kn. Mỗi ban khuếch đại thường
được xây dựng theo kiểu khuếch đại thuật toán Op.Amp.(Operational Amplifier) có hệ số
khuếch đại hở lớn, có lối vào là tầng khuếch đại vi sai (Hình 2.2.11).
+ +12V
R2 R3 T4 In
2K 2K T6
+V
C3 Out
Noninvert Invert D1
+ - 4p7 R14
T1 T2 10
R8 4148 OUT
1K C -V
R1
1K T5 D2 R15
10 GND R11
T3
D R5
R7 R13 T7
R5 R6 2K7 1K5
- 4K7 1K2 -12V
T1:T3,T5:T7-C1815 T4-A1015
Hình 2.2.11: Sơ đồ bộ khuếch đại thuật toán trên transistor

77
Tầng khuếch đại vi sai trên transistor kép T1-T2 (Hình 2.2.11) có hai lối vào đảo (-)
và không đảo (+), có hệ số khuếch đại cao, khả năng tác động nhanh và khử nhiễu đồng
pha cao (là nhiễu cùng pha xuất hiện ở cả 2 lối vào). T3 đóng vai trò máy phát dòng. T4 là
tầng khuếch đại bổ sung với tải động trên T5-R13. Tầng ra là sơ đồ lặp lại phối hợp, cho
phép truyền tốt cả mặt dương hoặc âm của tín hiệu, có điện trở ra nhỏ để phối hợp tốt với
cáp hoặc sơ đồ phía sau. Bộ khuếch đại thuật toán lắp trên transistor rời có hệ số khuếch
đại hở vài trăm lần. Sơ đồ ký hiệu rút gọn bộ khuếch đại thuật toán (Hình 2.2.11) với các
trở phụ R5 và R11 mắc thành nhánh phản hồi âm.
Với A0 là hệ số khuếch đại hở của bộ khuếch đại, ta có hệ số khuếch đại K của ban
khuếch đại có phản hồi là:
Ura = KUvao = A0 (Uvao - βUra)
suy ra: Ura = A0 Uvao - A0 βUra -> Ura + A0 βUra= A0 Uvao
Ura (1+ A0 β) = A0 Uvao,
với hệ số phản hồi β = R5/(R5+R11), ta có:
A0U vao U vao
U ra  
R5 1 R5
1 + A0 +
R5 + R11 A0 R5 + R11
với A0 >> 1, ta có:

U ra 1 R11
K   1+ (2.2.16)
U vao 1 R5 R5
+
A0 R5 + R11
Các bộ khuếch đại thuật toán chế tạo trên vi mạch hiện nay được sử dụng rộng rãi
trong thiết bị đo phổ (Hình 2.2.12).
Hình 2.2.12: Vi mạch khuếch đại thuật toán LF356, LF 357 và LM318
Bảng 2.2.1 giới thiệu đặc trưng của một số vi mạch khuếch đại dùng cho khuếch
đại đo phổ.
78
Bảng 2.2.1: Một số vi mạch khuếch đại thuật toán sử dụng cho khuếch đại phổ
Đặc trưng LF356 LF357 LM318

Cấu trúc FET lối vào FET lối vào Trans. Lối vào
Thế nuôi  15 V  15 V  15 V
Hệ số khuếch đại 200 V/mV 200 V/mV 200 V/mV
Dải truyền qua 10 MHz 15 MHz 15 MHz
Độ trôi thế Offset lối vào theo nhiệt độ 3 V/0C 3 V/0C 5 V/0C
Thế Offset lối vào 1 mV 1 mV 3 mV
Thế tạp âm lối vào 12 nV/ Hz 12 nV/ Hz 47 nV/ Hz
Bởi vì hệ số khuếch đại của vi mạch Op.Amp. rất lớn so với mạch trên transistor rời,
nên các tầng khuếch đại trên Op.Amp. rất dễ thực hiện khi chỉ cần thay đổi điện trở phản
hồi âm (Hình 2.2.11 và công thức 2.2.16) để thay đổi hệ số khuếch đại của tầng. Sơ đồ với
vi mạch cho phép giảm kích thước khối điện tử và nâng cao độ tin cậy.
Tạp âm tầng đầu bộ khuếch đại đo phổ cũng còn rất quan trọng. Thực tế cho thấy
tạp âm của vi mạch khuếch đại thuật toán vẫn lớn hơn so với tạp âm của transistor rời.
Chính vì vậy, tầng đầu của bộ khuếch đại đo phổ thường được xây dựng trên transistor rời.
2.2.2.2 Mạch hình thành xung (Shaping):
Khi phân tích hệ detector + tiền khuếch đại + khuếch đại (Hình 2.2.4), với giả thiết
bộ khuếch đại sử dụng mạch hình thành xung kiểu vi phân và tích phân với hằng số vf =
tf =  = R.C, tạp âm của hệ là cực tiểu khi chọn hằng số mạch hình thành xung  (xem
mục 2.2.1.2):
b
   0  C.( )1/ 2 (2.2.17)
a
Khi khảo sát các kiểu hình thành xung, có thể thấy vai trò và tác dụng khác nhau của
chúng đối với việc lọc tạp âm trong kênh đo phổ. Sơ đồ hình thành xung đơn giản nhất là
sử dụng mạch vi phân ở lối vào (Hình 2.2.13).
Tín hiệu vào có mặt giảm kéo dài theo thời hằng Rf.Cf sau khi qua mạch vi phân sẽ
giữ nguyên mặt tăng và có mặt giảm với hằng số thời gian của mạch vi phân vf = R.C.
Mạch vi phân cũng cho phép ngăn cản truyền vào kênh đo các thành phần tạp âm tần số
thấp (tạp âm phụ thuộc tần số Af / f và phần tần số thấp của tạp âm trắng).
79
U
C vf
In Out ~R f.C f
Rvf ~R.C
Hình 2.2.13: Rút gọn xung bằng mạch vi phân lối vào
Về mặt lý thuyết, nếu ta tạo bộ lọc thứ hai có đặc trưng là ảnh đối xứng gương của
xung ra bộ lọc thứ nhất thì hệ gồm hai bộ lọc lý tưởng sẽ đạt tỷ số tín hiệu trên tạp âm cao
nhất. Dạng tín hiệu ra có dạng tam giác với cạnh lõm như Hình 2.2.14.
Hình 2.2.14: Dạng tín hiệu ra của bộ lọc lý tưởng

Tuy nhiên trong thực tế, không có bộ lọc nào cho kết quả đạt mức tín hiệu trên tạp
âm của bộ lọc lý tưởng (Hình 2.2.14), mà chỉ tiệm cận đến chúng. Bộ hình thành xung dạng
Gauss là một bộ lọc được sử dụng phổ biến nhất trong thiết bị đo phổ. Các bộ hình thành
xung dạng Gauss sử dụng một mạch vi phân và n ban tích phân có dạng xung ra được trình
bày trên Hình 2.2.15. Với n → , bộ hình thành này cho hệ số tạp âm là nhỏ nhất, có thể
gần đạt tới giá trị của bộ lọc tạp âm lý tưởng.
C vf
Rtf Rtf
In Out U n=0
n=1
Rvf C tf Ctf n=4
n=6
n ban tích phân t
a) b)
Hình 2.2.15: Bộ hình thành xung dạng Gauss.
Hàm truyền của sơ đồ Hình 2.2.15, với giả thiết vf = tf =  = R.C, có dạng:
80
p
n (2.2.18)
F ( p) 
(p + 1 ) n

Trong Bảng 2.2.2 giới thiệu đặc trưng của một số bộ lọc. Hệ số vượt tạp âm và độ
dài xung được tính theo giá trị tương đối so với K0 và to của bộ lọc lý tưởng.
Bảng 2.2.2: Đặc trưng của một số bộ lọc
Loại mạch hình thành Hệ số vượt tạp âm Độ dài xung hình thành
Lý tưởng K0 t0
Tam giác 1,075 K0 2,360 t0
Gauss CR-RC6 1,14 K0 4,7  6,4 t0
Gauss CR-RC4 1,165 K0
Gauss CR-RC2 1,215 K0
Gauss CR-RC 1,359 K0 t0
Khi tăng số ban tích phân hệ số tạp âm sẽ giảm, dạng xung trở nên đối xứng hơn,
tuy thời gian xung bị kéo dài hơn và biên độ xung giảm. Vì vậy trong thực tế, cần bổ sung
các tầng khuếch đại đệm giữa các ban tích phân (Hình 2.2.15), để bù trừ sự suy giảm tín
hiệu. Tuy nhiên, việc bổ sung tầng đệm này làm phức tạp thiết bị. Để giải quyết vấn đề này,
trong kỹ thuật người ta dùng bộ tích phân hoạt, xây dựng trên các vi mạch khuếch đại thuật
toán, cho phép tạo ra các bộ lọc hoạt (Hình 2.2.16).
C1
R2 R3
C2
R1
Out
In
Hình 2.2.16: Sơ đồ mạch tích phân hoạt (Active Filter)

Hàm truyền của sơ đồ Hình 2.2.16, với giả thiết vf = tf =  = R.C, có dạng:
p( p + 1 )
F ( p)   (2.2.19)
(p + 2 ) 2

81
Bộ lọc hoạt Hình 2.2.16 cho hệ số vượt tạp âm tương ứng với với mạch chứa 4 tầng
tích phân RC thông thường. Bộ lọc cho trên Hình 2.2.17 tạo xung chuẩn dạng Gauss khi
được nối liên tiếp vài tầng giống nhau. Hàm truyền của sơ đồ Hình 2.2.17, với giả thiết vf
= tf =  = R.C, có dạng:
1
F ( p )  Ao.  (2.2.20)
p + (3 - Ao). p 1
 + 
2
R R
In
C2 Out
R2
R1
Hình 2.2.17: Sơ đồ mạch tích phân hoạt chuẩn Gauss

Bộ lọc tạo xung dạng Gauss được dùng phổ biến vì dạng xung thích hợp cho bộ biến
đổi tương tự - số (ADC) kiểu Winkingson ở phía sau.
Các bộ lọc cho dạng xung tam giác cho hệ số vượt tạp âm gần với dạng lý tưởng
nhất. Sơ đồ sử dụng đường dây làm chậm (Delay Line) và bộ khuếch đại thuật toán (Hình
2.2.18), tạo xung vuông góc, cấp cho bộ tích phân, tạo xung tam giác ở lối ra.
In Zo
R C +
T2 A1 In T2
1 -
A1
Zo T2 A2
Out Out
Hình 2.2.18: Bộ hình thành xung dạng tam giác

Nhược điểm của phương pháp này là đường dây làm chậm có đặc trưng truyền tín
hiệu không tốt và đòi hỏi phối hợp trở kháng cẩn thận. Ngoài ra, các bướu âm xuất hiện sau
khi vi phân có thể dẫn tới sự chồng của các xung có phân bố ngẫu nhiên.
Các bộ lọc ngang (Transversal Filter) và giản đồ thời gian được giới thiệu trên Hình
2.2.19. Các điện trở R1  Rn nối với các đầu ra của đường dây làm chậm và có giá trị giảm
theo quy luật mũ, tương ứng với đặc trưng xung h(t) của mạch. Trong mạch lọc thực hiện
việc phép toán kết hợp Uin và h(t), kết quả cho tín hiệu ra dạng gần với bộ lọc lý tưởng.
82
Gn(1/2)
Delay Line
Zo Zo
In n
eo(t) Uin h(t)
R1 R2 Rn
R
eo(t)
A1 Out
n
Uout
Hình 2.2.19: Bộ lọc ngang

Để có dạng tín hiệu thay đổi mịn, cần có càng nhiều đầu ra của đường dây làm chậm
càng tốt. Vì vậy bộ lọc này tuy có mức lọc tạp âm và thời gian kéo dài xung gần lý tưởng,
song sơ đồ có cấu trúc phức tạp, đòi hỏi điều chỉnh tỉ mỉ, đặc biệt phức tạp khi xây dựng
bộ khuếch đại vạn năng cần có các mạch hình thành xung khác nhau. Ngoài ra, dạng xung
đỉnh nhọn gây khó khăn khi ghép với những bộ biến đổi tương tự số thông dụng có chứa
các bộ nạp với quán tính. Tất cả những hạn chế đó làm cho bộ lọc xung tam giác ít được sử
dụng cho các phép đo phổ. Tuy nhiên, bộ lọc này được sử dụng khi đòi hỏi hệ có khả năng
tác động nhanh cao ( = 150 ns).
Như đã biết, phép đo phổ chỉ tiến hành với biên độ tín hiệu, còn mặt giảm của tín
hiệu không những không cần, mà còn hạn chế khả năng tải tần số của hệ đo phổ. Bộ lọc
phụ thuộc thời gian (Hình 2.2.20) cho phép loại bỏ ảnh hưởng mặt giảm của tín hiệu.
C K2
In BỘ TÍCH PHÂN Out
K1
1 R
LOGIC K3
K1-on K1-off K1-on
K3-on K3-off K3-on
K2-off K2-on K2-off
Hình 2.2.20: Bộ lọc phụ thuộc thời gian

Tại thời điểm ban đầu, khoá K3 ngắt. Tín hiệu ngõ vào sau khi qua mạch vi phân
CR, nếu có biên độ lớn hơn ngưỡng hoạt động của logic điều khiển sẽ làm đóng khoá K2,
cho phép tín hiệu nạp cho bộ tích phân. Khi bộ tích phân nạp tới giá trị đỉnh của tín hiệu
ngõ vào, bộ logic sẽ điều khiển đóng khoá K3 để phóng nhanh điện thế trên bộ tích phân,
và đóng khoá K1 để khôi phục nhanh đường cơ bản sau tầng vi phân. Trên lối ra sơ đồ, tín
hiệu thu được có biên độ tương ứng với biên độ vào và không có mặt giảm kéo dài. Phương
83
pháp này rất có triển vọng vì việc chuyển mạch phóng điện sau khi tín hiệu đã đạt tới đỉnh
cho phép giảm thời gian kéo dài của tín hiệu hai lần. Các bộ lọc loại này cho hệ số vượt tạp
âm K < 1.14 và độ dài xung t < 4.3 t0.
Giá trị 0 tối ưu để lọc tạp âm cũng tuỳ thuộc vào cấu hình cụ thể của hệ đo phổ. Các
bộ khuếch đại vạn năng thường có chứa các mạch hình thành ứng với 0 = 1, 2, 3,... 12 s,
cho phép lựa chọn bằng thực nghiệm để đỉnh phổ là hẹp nhất. Đối với detector nhấp nháy,
do biên độ ra từ detector lớn, vai trò tạp âm là không đáng kể, giá trị 0 = 1 s. Đối với
detector bán dẫn, tuỳ loại, giá trị này có thể từ 2 đến >10 s.
2.2.2.3. Mạch bù trừ cực không (Pole Zero Cancellation)
Như đã trình bày ở trên, để hình thành xung từ lối ra bộ tiền khuếch đại, đã sử dụng
mạch vi phân ở lối vào bộ khuếch đại (Hình 2.2.14). Tuy nhiên, khi truyền xung có dạng
hàm mũ qua mạch vi phân sẽ xuất hiện bướu âm ở lối ra.
Thực vậy, dạng xung từ lối ra bộ tiền khuếch đại có thời hằng giảm theo hàm mũ.
Q -t / R f C f
V0 ( S )  .e (2.2.21)
Cf
Sử dụng phép biến đổi Laplace ta có hàm ảnh ngõ vào:

Q 1 Q 1
E0 (t )  .  . (Với pr = RfCf) (2.2.22)
Cf 1 Cf 1
S+ S+
Rf C f 0
Hàm truyền của mạch vi phân:

ST1 1
H (S )   (Với vf = R1C1) (2.2.23)
1 + ST1 1
S+
 vf
Hàm ảnh lối ra có dạng:
Q 1 S
E0 (t )  . . (2.2.24)
Cf S + 1 S + 1
o 1
Tương ứng ta nhận được hàm thuận lối ra:

Q 1
V1 (t )  . ( 0 .e -t /  0 -  1 .e -t /  0 ) (2.2.25)
C f  0 -1
Đây là hàm mũ phức tạp có điểm cắt đường không, nghĩa là có xuất hiện bướu âm
sau khi vi phân. Chính bướu âm này gây sự chồng xung và dịch đường cơ bản, làm giảm
84
khả năng phân giải của thiết bị đo phổ. Để bù trừ bướu âm thường được sử dụng sơ đồ đơn
giản trên Hình 2.2.21.
LOÁI VAØO C1 LOÁI RA
Ra P1
Rb R2
K
R1
Hình 2.2.21: Sơ đồ mạch bù trừ cực không.

Hàm truyền của sơ đồ Hình 2.2.21 có dạng:
K
S+
R2 .C1
H (S )  (với K = Ra/Rb) (2.2.26)
( R + R2 )
S+ 1
R1 .R2 .C1
Hàm ảnh lối ra:

K
S+
Q 1 R2 .C1
E0 (t )  . . (2.2.27)
Cf 1 ( R + R2 )
S+ S+ 1
0 R1 .R2 .C1
1 K
Nếu chọn K (bằng cách vặn biến trở) sao cho S + S
0 R2 .C1
Hàm ảnh khi đó sẽ là:

Q 1 Q 1
E0 (t )  .  . . (2.2.28)
Cf R 1 + R2 Cf S + 1
s+
R1.R2 .C1 R p .C1
Trong đó Rp = R1.R2 / (R1 +R2)

Ứng với hàm ảnh (2.2.28), hàm thuận có dạng mũ đơn giản, không có điểm cắt
không:
Q - t/R pC1 (2.2.29)
e (t)  .e
0 C
f
Trên Hình 2.2.22 trình bày dạng xung quan sát trên dao động ký (hình bên trái) và
đỉnh phổ thu bằng máy phân tích phổ biên độ nhiều kênh (hình bên phải). Khi chỉnh biến
trở trong Hình 2.2.21, trường hợp b) chỉnh bù trừ cực “0” đúng, xung ra mạch vi phân có
dạng đơn cực, không có bướu âm và đỉnh phổ đối xứng. Trường hợp a) chỉnh bù trừ cực
85
“0” chưa đủ, tín hiệu có bướu âm và sự chồng xung trên bướu âm dẫn đến đỉnh phổ bị
mất cân đối về phía biên độ nhỏ. Trường hợp c) chỉnh bù trừ cực “0” quá dư, tín hiệu có
phần đuôi dương nâng cao và kéo dài và sự chồng xung trên đuôi dương dẫn đến đỉnh phổ
bị mất cân đối về phía biên độ lớn.
a)
b)
c)
Hình 2.2.22: Ảnh hưởng của bù trừ cực “0” đối với dạng đỉnh phổ
2.2.2.4. Mạch hồi phục đường cơ bản (Base Line Restorer - BLR)
Đường cơ bản của kênh khuếch đại đo phổ luôn cần giữ ở mức cố định, ví dụ 0 VDC.
Vì vậy, khi đo biên độ xung, giá trị đo tính từ đường cơ bản tới cực đại biên độ mới chính
xác. Tuy nhiên, trong thực tế, đường cơ bản khó giữ ổn định. Đó là do, ngoài ảnh hưởng
của tạp âm, xung hình thành trong kênh đo phổ không triệt hết được bướu âm. Khi xung tới
xuất hiện ngẫu nhiên, các tụ điện trong bộ khuếch đại sẽ có sự phóng nạp không đều, làm
xuất hiện các thế dư có biên độ thăng giáng. Kết quả, làm trôi đường cơ bản, dẫn đến làm
tồi khả năng phân giải hoặc méo đỉnh phổ. Khi đo với bức xạ có cường độ lớn, hiệu ứng
trôi đường cơ bản càng trở nên mạnh.
Sơ đồ hồi phục đường cơ bản được sử dụng để hạn chế nhược điểm này. Sơ đồ được
mắc ở tầng lối ra hoặc bao trùm toàn bộ khuếch đại. Các phân tích sẽ cho thấy bộ hồi phục
đường cơ bản ít nhiều làm tồi đỉnh phổ, song chúng được sử dụng ở miền tải tần số lớn, khi
mà sự tồi đỉnh phổ do sự trôi đường cơ bản trở thành vấn đề chính yếu.
Bộ hồi phục loại đơn giản (Hình 2.2.23) cấu tạo trên tụ C và diodes. Tụ C ngăn cách
thành phần một chiều, chỉ cho xung truyền qua. Vì vậy các thăng dáng thành phần một
chiều trong bộ khuếch đại bị loại bỏ. Trong thời gian kéo dài của xung dương truyền qua
86
tụ, diode D1 bị cấm do phân cực ngược, nên biên độ xung không bị ảnh hưởng. Bướu âm
sau tụ (Hình 2.2.23) làm dẫn D1, cho dòng i chảy qua và ta có được sự tự bù trừ. Nhược
điểm của sơ đồ là tụ điện làm méo dạng tín hiệu Gauss. Ngoài ra, do đặc trưng Volt-Ampere
của diode có dạng hàm mũ, những bướu âm biên độ nhỏ sẽ dẫn chậm diode, làm quá trình
hồi phục lâu hơn so với khi bướu có biên độ lớn. Bộ hồi phục đơn giản này được gọi là bộ
hồi phục thụ động, thích hợp cho tải tần số thấp hơn 3÷4.10 4 xung/s.
U(CR)
Daïng xung
sau maïch
vi phaân
D1 D2 t
Ura)
C
Loái vaøo i Loái ra t
Hình 2.2.23. Mạch hồi phục đường cơ bản (a) và dạng tín hiệu ra (b)
Bộ hồi phục hoạt trên diode (Hình 2.2.24) khắc phục được nhược điểm nêu trên.
Diode mắc trong nhánh phản hồi âm của bộ khuếch đại thuật toán cho phép tụ C phóng
điện với dòng không đổi. Sơ đồ làm việc với tải tần số tới 0.5÷1.10 5 xung/s.
Hình 2.2.24: Mạch hồi phục hoạt và đặc trưng Volt-Ampere

Đường chấm chấm là đặc trưng cho sơ đồ Hình 2.2.24.
Bộ hồi phục đường cơ bản loại bao trùm (Hình 2.2.25) thực hiện phản hồi âm thành
phần một chiều toàn bộ từ lối ra đến lối vào của bộ khuếch đại. Yếu tố cơ bản là tụ C cùng
với trở R tạo thành mạch tích phân với thời hằng lớn. Mạch tích phân sẽ hấp thụ toàn bộ
87
các xung, chỉ cho phép thành phần một chiều truyền qua để thực hiện ổn định đường cơ
bản.
Sơ đồ loại này đơn giản, không làm méo tín hiệu dạng Gauss, nhưng có nhược điểm
là ở tải tần số lớn, mạch tích phân không triệt tiêu được hết xung, có điện thế dư trên tụ, sẽ
làm dịch đường cơ bản. Bộ khuếch đại với mạch hồi phục đường cơ bản loại bao trùm
không cho phép làm việc với tải tần số cao hơn ( 3÷4)104 xung/s.
Loái vaøo Loái ra
Boä Khueách Ñaïi Phoå
Hình 2.2.25: Mạch hồi phục đường cơ bản loại bao trùm
Bộ hồi phục đường cơ bản kiểu phụ thuộc thời gian (Hình 2.2.26) chứa bộ thu mức
và các khoá tương ứng. Bộ thu mức so sánh mức lối ra với các giá trị ngưỡng trên U(h),
ngưỡng dưới và điều khiển các khoá tương ứng cho phép bù trừ các bướu dương hoặc âm.
+
Uout < -U(l)

K1
C
In Out
1 R
K2
K3
- BOÄ THU MÖÙC
-U(l)<Uout < U(h)

Uout > U(h)
Hình 2.2.26: Mạch hồi phục đường cơ bản loại phụ thuộc thời gian
88
Trên Hình 2.2.27 trình bày sơ đồ bộ hồi phục phụ thuộc thời gian với yếu tố nhớ.
Loái vaøo Loái ra
Boä Khueách Ñaïi Phoå

R
D
Ungöôõng
Hình 2.2.27: Mạch hồi phục phụ thuộc thời gian với thiết bị nhớ
Khi không có xung trong kênh đo phổ, khoá K đóng, mạch phản hồi âm được nối
giữa lối vào với lối ra, cho phép ổn định đường cơ bản. Khi có xung trong kênh đo phổ,
tầng ngưỡng sẽ khởi động làm ngắt khoá K. Đường cơ bản được duy trì bởi điện thế nhớ
trên tụ C, tương ứng giá trị đường cơ bản ổn định trước đó. Phương pháp này so với sơ đồ
2.2.26 sử dụng ít khoá hơn và có thể đạt sự thăng dáng thế DC lối ra thấp hơn khoảng U(l)
và U(h). Bộ hồi phục này thường được sử dụng trong các thiết bị khuếch đại đo phổ hiện
đại vì đảm bảo chất lượng tín hiệu ra tốt, tải tần số ~ 105 xung/s.
2.2.2.5. Bộ khuếch đại đo phổ vạn năng
Khảo sát một bộ khuếch đại cụ thể, ví dụ như bộ khuếch đại đo phổ KD-4 5, có sơ
đồ khối được giới thiệu trên Hình 2.2.28, sơ đồ nguyên lý - Hình 2.2.29 và 2.2.30.
Bộ khuếch đại gồm các ban khuếch đại xây dựng trên A1  A4, A8  A10, đảm bảo
hệ số khuếch đại cực đại bằng 2000. Hệ số khuếch đại K1(A1), K2(A2) được thay đổi nhảy
bậc nhờ chuyển mạch và thay đổi tinh GAIN (A3) nhờ biến trở chính xác (biến trở chính
xác - Helipot - 10 vòng).
Để thực hiện nhiệm vụ hình thành xung, sử dụng mạch vi phân lối vào (Cvf, Rvf) và
mạch tích phân hoạt trên A8, A9. Hằng số hình thành xung được chọn trong khoảng 1 µs 
12 µs, thay đổi bằng chuyển mạch. Mạch bù trừ cực không xây dựng trên biến trở PZC
(Pole Zero Cancellation) và dãy điện trở tương ứng cho mỗi giá trị thời gian hình thành. Sơ
đồ chứa 2 bộ hồi phục đường cơ bản kiểu phụ thuộc thời gian với yếu tố nhớ. Bộ hồi phục
thứ nhất (A5  A7) khi không có xung trong kênh sẽ tạo mạch phản hồi âm cho A2, A3.
5
Lam N.N. et al, Kênh đo tương tự cho detector bán dẫn, CT HN Vật Lý Toàn Quốc, Hà Nội, 4-1987
89
Khi có xung trong kênh (có tín hiệu GATE), A6 bị cấm, thế trên tụ nhớ được sử dụng
để ổn định đường cơ bản. Bộ hồi phục thứ hai (A11  A13) khi không có xung trong kênh
sẽ tạo mạch phản hồi âm cho tầng ra A10. Khi có xung trong kênh (có tín hiệu GATE), A12
bị cấm, thế trên tụ nhớ được sử dụng để ổn định đường cơ bản lối ra.
Bộ tạo tín hiệu GATE để cấm các mạch điều khiển bộ hồi phục bao gồm:
- Bộ thu đỉnh tạp âm, tạo ra thế ngưỡng chọn xung tự động bằng giá trị cực đại của
tạp âm. Phương pháp thu đỉnh tạp âm là sử dụng mạch thu trên diode và tụ, mắc
trong nhánh phản hồi âm của bộ khuếch đại thuật toán A15, A16B.
- Bộ tạo xung cấm khi có tín hiệu vượt ngưỡng dương trên A17, hình thành xung trên
A19B.
- Bộ tạo xung cấm khi tín hiệu có bướu âm lớn hơn ngưỡng âm và bộ hình thành xung
A19A, A21C.
- Bộ hình thành xung cấm trong khoảng thời gian kéo dài của tín hiệu trong kênh đo
phổ trên A18A, A20A, A22, A23.
Sơ đồ mạch khuếch đại đo phổ được sử dụng hầu hết trên vi mạch có ưu điểm là đơn
giản, hoạt động tin cậy và có dải khuếch đại rộng. Riêng tầng khuếch đại lối vào (A1) được
xây dựng trên transistor.
Bộ khuếch đại đo phổ KD-4 có các đặc trưng kỹ thuật sau:
- Tín hiệu ra: phân cực dương hay âm, khoảng biên độ ra: 0  10 V.
- Thời gian hình thành xung: 1 µs 12 µs.
- Trở kháng vào: 500 .
- Trở kháng ra: 50 Ω.
- Độ lệch tích phân: không quá 0.05 %.
- Hệ số khuếch đại: A = 5  2000.
- Tạp âm lối vào: (15 V).
- Tần số làm việc cực đại: 3.104 xung/s khi độ phân giải không bị tồi đi.
- Độ ổn định của hệ số khuếch đại: εK = 1.10- 4/0C.
- Nguồn nuôi: 15 V.
90
OUT
A10
F2
A11
A9
A12
A13
F1
A8
GATE
Fast
HTX
HTX
HTX
A4
A18B
A18A
A17
POL.
F2
F1
GAIN
A3
A5
Fast
Unguôõng -
Unguôõng +
K2
A2
Boä thu ñænh

A6
A7
taïp aâm
K1
A1
Rvf
CANCEL.
ZERO
POLE
Cvf
IN
Hình 2.2.28: Sơ đồ khối bộ khuếch đại KD-4
12us 7800 154
301 71.5 576
10us 6700 10
+15 43.2
8us 5200 3010 34 4K75
27 82.5
10n 1K5
4us 2600 T2
3906 10uF 10n S2a S2c
IN T1 5K
2us 1300
3904 1N914 475
6u8 22uF FINE GAIN
1us 649 100p 1K5
A1 T4
S1a 300 JFET 2p +15
ZERO 6p8 T5 +15
6K2 560 +15
1K 3904 2K 2p
5K 1K7 1N914 1K5
S1b 10
T3 6u8
3+7 6 270
4K64 47uF 220p 3010
3 +7
6 4K02 4K02 4K02
1N914 3904 2 -A2 LF356
2 -A3
3 +7
6
6K48 2K 2K LM318 2 -A4
10 4 15
14K 10uF 10n 1K2 2x5V6 +15 4 15 4K02
2K 4 15 100K
30K1 22 LM318
750 T6 -15
43K 0.68 2K -15 6K8 JFET N
10 27 3906 -15
66K -15 3 + 7 TL081
6 100K
+15
-15 -15 22uF 2 -A7
S3 +
+15 +15 2K2 1K -15
4 15 10K
22K 7 + 3 -15 LM318 100 POL. -
5
1N914 100p 1 7 1N914
A6 5 3
T9 T10 6 2K
4 - 2 6 A5 + 2
A1015 CA3080 6K8 6K8 S2d - 1K
8 4 FAST
6K8 100
-15 10K
15K 120K
100 15K -15 10K
+15 +15 GATE 200 1K5 -15

390
2K87 5K67 2K49 2K87 5K67 2K49

+15
1K43 7K15 1K43 7K15
715 8K66 715 8K66
+15 2K
3 + 7 TL081 +15
-15 -15 6 OUT
2 -A13 S1c S1e 390p J2
1N914 51 LM318 953
+15 1N914 3 +7 3 +7 LM318
4 15 6 6 +15
6K8 953 2 -A8 2 -A9 F2
+15 LM318 47
-15 1 7 S1d S1f 3 +7
7 + 3 5 3 4 15 4 1 5 100K 6
T11 T12 2 A10
- LM318
6 5 6 A11+ 2
6K8
A1015 A12 CA3080 - -15
6K8 8 715 8K66 -15 715 8K66 4 15
4 - 2 3K32 3K32 20K
22K +15 1K43 7K15 1K43 7K15 100K
0.47 634 732 -15
15K 27K 6K8 -15
6K8 2K87 5K67 2K87 5K67
-15 10K 2K 10K
Hình 2.2.29: Sơ đồ nguyên lý bộ khuếch đại đo phổ KD-4

+15 +15 GATE
2x8V2 1K
1N914 100 100
F1
91
92
Hình 2.2.30: Sơ đồ nguyên lý bộ tạo xung điều khiển bộ hồi phục đường cơ bản cho KD-4
93
§2.3. XỬ LÝ BIÊN ĐỘ XUNG

Nhiệm vụ phân tích biên độ xung thực chất là đo biên độ xung Ai, đếm số xung Ni
có cùng biên độ Ai, tiến hành vẽ đường phân bố biên độ (hay phổ biên độ xung) N = f(A).
Xử lý biên độ xung trong quá trình này đã thực hiện biến đổi phi tuyến - tức là biến đổi tín
hiệu dạng tương tự (analog) thành dạng số (digital).
Các bộ xử lý biên độ xung điển hình là tầng ngưỡng tích phân (Discriminator), các
bộ phân tích một kênh SCA (Single Channel Analyzer) và bộ biến đổi tương tự – số ADC
(Analog to Digital Converter).
2.3.1. Phương pháp thu phổ biên độ tích phân và vi phân
2.3.1.1. Nguyên lý hoạt động
Sơ đồ phân tích biên độ đơn giản nhất sử dụng một tầng ngưỡng và bộ đếm xung
(Hình 2.3.1)
Ungöôõng
SÔ ÑOÀ BOÄ
Loái vaøo NGÖÔÕNG ÑEÁM
Töø boä
khueách ñaïi
Hình 2.3.1: Sơ đồ phân tích biên độ tích phân

Un6 N
W
Un5 N’
W N” Nn
Un4
W
Un3 b)
W
Un2 A
W
Un1
1 2 3 4 5 W A' A" Un
N*
5 xung/N1
3 xung/N2 c)
2 xung/N3
1 xung/N4
A
a)
Hình 2.3.2: Giản đồ xung đo phổ tích phân (a), phổ tích phân (b) và phổ vi phân (c)
94
Tầng ngưỡng là thiết bị so sánh biên độ xung vào A với thế ngưỡng đặt trước. Khi
xung vào nhỏ hơn giá trị ngưỡng, sơ đồ so sánh không tạo xung ra. Khi xung A vượt quá
ngưỡng, bộ so sánh sẽ tạo xung ra chuẩn hoá về dạng và biên độ. Từ giản đồ Hình 2.3.2, rõ
ràng bộ đếm sẽ đếm tất cả các xung có biên độ vượt quá ngưỡng (từ đây có tên gọi: bộ thu
phổ tích phân hoặc đếm tổng có ngưỡng). Khi thay đổi giá trị ngưỡng theo các mức Uni
(Hình 2.3.2a), số đếm thu được sẽ giảm dần. Biểu diễn trên đồ thị số đếm theo ngưỡng N
= f (Uni), ta có phổ tích phân (Hình 2.3.2b).
Từ phổ tích phân bằng phép toán, khi xác định tỷ số sau cho hai điểm lân cận:
n N '- N "
N*  
A A'- A"
Sau đó biểu diễn giá trị N* = f(A) ta thu được phổ vi phân (Hình 2.3.2c), biểu diễn
số đếm các xung lọt vào cửa sổ.
Tuy nhiên phương pháp này mắc thêm sai số do tính toán. Thay vì sai số đo N /N
cho một điểm đo, ta có sai số tính toán N '+ N " / N '- N " . Vì (N’-N”)  N, nằm ở mẫu số,
nên sai số tương đối của một điểm của đường phổ vi phân trở nên rất lớn so với phổ tích
phân.
Phương pháp thu trực tiếp phổ vi phân biên độ xung được xây dựng trên máy phân
tích biên độ một kênh. Sơ đồ cấu trúc của nó được trình bày trên Hình 2.3.3.
NGÖÔÕNG
LOÁI VAØO TREÂN
SÔ ÑOÀ
BOÄ
ÑOÁI TRUØNG
ÑEÁM
NGÖÔÕNG
DÖÔÙI
Hình 2.3.3: Sơ đồ khối bộ phân tích một kênh (SCA)

Bộ phân tích phổ một kênh gồm 2 tầng ngưỡng: tầng ngưỡng thấp UL và tầng ngưỡng
cao UH, cho phép tạo cửa sổ với độ rộng cửa sổ W = UH - UL và sơ đồ đối trùng. Khi tín
hiệu vào U có biên độ U < UL < UH - cả hai tầng ngưỡng đều không hoạt động. Khi tín hiệu
vào có biên độ lọt vào giữa hai ngưỡng UL < U < UH - chỉ có tầng ngưỡng dưới hoạt động
95
và tầng ngưỡng trên không hoạt động. Sơ đồ đối trùng khi đó không có tín hiệu cấm từ
ngưỡng trên nên cho phép tín hiệu từ ngưỡng dưới truyền qua, hình thành xung ra và được
đếm +1 trong bộ đếm.
Khi tín hiệu vào U có biên độ lớn hơn cả hai ngưỡng UL < UH < U, cả hai tầng
ngưỡng đều hoạt động. Sơ đồ đối trùng khi đó có tín hiệu từ ngưỡng trên nên cấm tín hiệu
từ ngưỡng dưới truyền qua, không cho phép hình thành xung ra.
Kết quả là sơ đồ Hình 2.3.3 chỉ cho phép những xung có biên độ lọt vào cửa sổ W
được hình thành xung ra (W còn gọi là cửa sổ năng lượng). Giản đồ xung Hình 2.3.4a cho
thấy rõ nguyên tắc hoạt động của bộ phân tích một kênh. Nếu chọn mức ngưỡng dưới UL
= U1, ngưỡng trên UH = U2 = U1 + W thì chỉ có các xung “1” và “4” truyền qua, sau
khoảng thời gian đo ta có số đếm n1. Nếu chọn mức ngưỡng dưới UL = U2, ngưỡng trên
UH = U3 = U2 + W thì chỉ có xung “3” truyền qua, sau khoảng thời gian đo ta có số đếm
n2, v.v...
Như vậy, khi dịch mức ngưỡng dưới UL và ngưỡng trên UH tương ứng cách nhau
một giá trị độ rộng cửa sổ W, ta lần lượt thu được các giá trị số đếm các xung có biên độ
lọt vào cửa sổ đã chọn. Sau khi đo với cùng thời gian cho mỗi kênh đo, ta sẽ có các số xung
có biên độ nằm trong cửa sổ ở các mức thế khác nhau. Khi biểu diễn số đếm theo vị trí từng
cửa sổ ta thu được phổ phân bố biên độ một kênh (Hình 2.3.4b).
U6
W N
U5
W N1
U4
W
U3
W
U2
W
U1
1 2 3 4 5 W Ni
0
2 xung- N1
1 xung- N2
1 xung- N3
E1 Ei
1 xung- N4 W
Hình 2.3.4a: Giản đồ xung phân tích Hình 2.3.4b: Phổ biên độ vi
vi phân một kênh phân một kênh.
Chất lượng phổ thu được phụ thuộc vào các yếu tố sau:
- Độ rộng cửa sổ W càng nhỏ thì phổ thu được càng mịn, dạng phổ càng chính xác.
96
- Độ rộng cửa sổ tối thiểu Wmin được quy định bởi sự thăng dáng của chính cửa sổ,
tức là độ ổn định của các ngưỡng.
Độ lệch vi phân biểu thị độ đồng nhất của kênh, và được biểu thị bằng:
w- w
 n (%)  (2.3.1)
w
Trong đó W là độ rộng kênh trung bình.
Độ lệch vi phân thường đòi hỏi < 1%. Do đó, độ rộng kênh W phải lớn hơn giá trị
độ lệch vi phân εn nhiều lần. Ví dụ tầng ngưỡng tạo trên vi mạch có độ trôi lối vào 100 V
/ 0C, cộng thêm các nguyên nhân khác giá trị thăng dáng tổng cộng ~ 200 V. Để đảm bảo
độ lệch vi phân 1%, độ rộng cửa sổ tối thiểu Wmin = 200 V/2% = 10 mV. Với khoảng đo
0 ÷ 5000 mV, phổ với W = Wmin sẽ có 500 điểm đo. Trong thực tế, giá trị Wmin cho bộ phân
tích một kênh chỉ có thể giảm đến giá trị giới hạn, phụ thuộc vào chất lượng tầng ngưỡng.
Vì vậy, phổ vi phân có sự phân giải hạn chế. Mặc dù, ngay cả khi với số kênh tuy không
lớn, song với mỗi lần đo ta phải dịch cửa sổ, sau đó tiến hành đếm xung với thời gian đủ để
sai số đếm thống kê < 1  2%. Vì vậy phép đo bị kéo dài, tốn công sức và không thích hợp
khi nguồn phóng xạ có chu kỳ bán huỷ nhỏ hoặc cường độ yếu.
Phương pháp phân tích tích phân và vi phân hiện nay vẫn được sử dụng rộng rãi
cho các trường hợp:
- Đếm tổng có ngưỡng để xác định cường độ bức xạ.
- Đếm xung của một đồng vị biết trước, với cửa sổ năng lượng xác định. Ứng dụng
này rất phổ biến trong kỹ thuật đồng vị đánh dấu trong Nông - Y - Sinh - Công
nghiệp - Địa chất,…
- Là một phần chức năng để tạo cửa sổ lựa chọn năng lượng bức xạ hoặc đồng vị trong
hệ thiết bị lớn.
2.3.1.2. Các sơ đồ ngưỡng
a) Tầng ngưỡng trên Diode
Diode được sử dụng làm tầng ngưỡng do đặc trưng Volt-Ampere có điểm gãy khúc
(Hình 2.3.5). Khi đặt trên diode D1 một điện thế phân cực ngược Ung (lấy từ biến trở P1)
dòng qua diode không đáng kể (dòng ngược). Khi biên độ xung vào lớn hơn Ung, Diode
được phân cực thuận, cho dòng lớn qua diode, gây sụt thế trên trở tải R2, hình thành tín
hiệu ra. Khi vặn biến trở P1, làm thay đổi thế ngưỡng Ung, cho phép sử dụng sơ đồ như một
tầng ngưỡng phân biệt.
97
Sơ đồ có ưu điểm là đơn giản, có khả năng tác động nhanh cao. Nhược điểm của sơ
đồ là diode thực tế có đặc trưng V-A dạng hàm mũ, điểm gãy khúc không rõ rệt. Ngoài ra,
đặc trưng V-A của diode phụ thuộc nhiệt độ (nhất là với Ge-diode). Tín hiệu ra là phần biên
độ vượt ngưỡng chưa được chuẩn hoá. Si-Diode có đặc trưng ổn định nhiệt tốt hơn, song
điện dung truyền qua lại lớn hơn Ge-diode.
Id
-V
R2
LOÁI VAØO D1 LOÁI RA Ungöôõng
Uak
R1 D2
Ungöôõng
-U
P1
Hình 2.3.5: Tầng ngưỡng trên diode

Trên Hình 2.3.5 có bổ sung diode D2 được mắc làm tải lối ra. Bình thường, D2 dẫn
dòng không lớn, nên điện trở ra nhỏ, có tác dụng làm giảm các xung dưới ngưỡng truyền
qua điện dung D1. Khi có xung dương vượt ngưỡng tới lối ra sẽ làm cấm D2, không làm
ảnh hưởng đến xung ra.
b) Tầng ngưỡng trên Tunnel Diode
Tunnel Diode là dụng cụ có điện trở âm, với đặc trưng Volt-Ampere như Hình
2.3.6b.
+V +V
Id
R2
Ungöôõng P1 C
LOÁI RA
C1 Ing
LOÁI VAØO A
Tunnel Diode
C2 B
R1 R3
UA UB Ud
Hình 2.3.6: a) Sơ đồ ngưỡng trên Tunnel Diode b) Đặc trưng V-A của Tunnel Diode
98
Khi mắc Tunnel Diode theo sơ đồ Hình 2.3.6a, đường thẳng tải cắt nhánh tunnel tại
A, ứng với thế UA nhỏ. Khi tác động một xung dòng vào I > Ing, điểm hoạt động của
Tunnel Diode chuyển sang nhánh khuếch tán BC. Khi kết thúc xung dòng vào, Tunnel
Diode chuyển trở về điểm hoạt động A ban đầu. Giá trị điện thế ra khi Tunnel Diode chuyển
trạng thái U = UC - UA >> UA.
Sơ đồ ngưỡng trên Tunnel Diode có khả năng tác động nhanh cao (~ ns), với độ
nhạy 0.5  5 mA và thường được nối với tầng khuếch đại nhanh trên transistor để hình
thành biên độ xung ra.
c) Tầng ngưỡng trên bộ khuếch đại thuật toán
Tầng ngưỡng lý tưởng thực chất là một bộ khuếch đại có hệ số khuếch đại vô cùng
lớn với đặc trưng biên độ trình bày trên Hình 2.3.7b (đường liền nét). Khi Uvào U ngưỡng, bộ khuếch đại sẽ khuếch đại phần
tín hiệu vượt ngưỡng hình thành tín hiệu ra.
Bộ khuếch đại thuật toán với 2 lối vào (đảo và không đảo) rất thuận tiện để sử dụng
làm tầng ngưỡng. Một lối vào vi mạch được đặt thế ngưỡng, lối vào còn lại sử dụng cho
xung ngõ vào.
Trong thực tế, bộ khuếch đại thuật toán có hệ số khuếch đại tuy lớn nhưng hữu hạn
(xem đặc trưng trên Hình 2.3.7, đường chấm chấm), vì vậy, sơ đồ không làm việc tốt với
các xung có biên độ xấp xỉ ngưỡng. Ngoài ra, các bộ khuếch đại thuật toán thường bị giới
hạn về tần số làm việc (< 15 MHz) nên các tầng ngưỡng chỉ hoạt động trong khoảng s.
+V
Ura
LOÁI VAØO
+ LOÁI RA
Comparator
Op.Amp.
R1
-V
Uvaøo
Ungöôõng Ungöôõng
P1
Hình 2.3.7: a) Tầng ngưỡng trên vi mạch b) Đặc trưng biên độ của Op.Amp.
d) Tầng ngưỡng trên vi mạch so sánh
Các vi mạch ngưỡng được sử dụng rộng rãi hiện nay là A710, LM311, LM339,
LM383. Bảng 2.3.1 cho thấy các sơ đồ có khả năng tác động nhanh cao (chục - trăm ns).
99
Bảng 2.3.1: Một số vi mạch ngưỡng thông dụng

Loại Thế nuôi Công Độ trôi Hệ số Mặt
IC suất khuếch đại tăng
A710 +12 V/-6 V 150 mW 10 V/0C 62 dB 40 ns
LM311 30 V 187 mW 2 V/0C 106 dB 200 ns
LM319 30 V 262 mW 2 V/0C 78 dB 80 ns
2.3.2. Máy phân tích biên độ một kênh

2.3.2.1. Đặc điểm sơ đồ phân tích biên độ một kênh
Sơ đồ phân tích biên độ một kênh (Hình 2.3.3) bao gồm hai tầng ngưỡng, bộ tạo
ngưỡng và sơ đồ đối trùng.
a) Tầng ngưỡng
Các tầng ngưỡng được sử dụng là các tầng ngưỡng tích phân đã trình bày ở phần
trên. Tuỳ theo yêu cầu vật lý và detector sử dụng để lựa chọn loại sơ đồ cụ thể.
b) Sơ đồ đối trùng
Sơ đồ đối trùng về nguyên tắc chỉ cho xung từ ngưỡng dưới truyền qua khi không
có xung từ ngưỡng trên. Sơ đồ đối trùng thường cấu trúc trên cổng logic TTL, làm việc với
thời gian trễ 10  15 ns. Do đặc điểm xung ra từ bộ khuếch đại đo phổ có dạng Gausse với
mặt tăng xác định, nên xung ra từ 2 tầng ngưỡng có thời điểm xuất hiện và kết thúc khác
nhau. Trong trường hợp tín hiệu vào vượt cả hai ngưỡng, xung ra từ ngưỡng dưới rộng hơn
và bao trùm xung ngưỡng trên (Hình 2.3.8).
UH
Ngưỡng UL
trên A
đối trùng
Ngưỡng
trên
Ngưỡng
Ngưỡng dưới
dưới Lối ra
đối trùng
Hình 2.3.8: Ảnh hưởng dạng xung đo phổ lên hoạt động của sơ đồ đối trùng
Kết quả là sơ đồ trùng phùng vẫn cho xung ra ứng với 2 biên của tín hiệu. Như vậy
tín hiệu ra từ tầng ngưỡng cần phải được xử lý để đảm bảo chỉ cho ra những xung có biên
độ lọt vào cửa số kênh.
100
Trên Hình 2.3.9 giới thiệu một cách đơn giản để hiệu chỉnh ảnh hưởng dạng xung
lên sơ đồ đối trùng. Xung ra từ ngưỡng dưới được vi phân, chọn và làm chậm xung dương
để dịch nó vào giữa khoảng bao trùm của xung ngưỡng trên. Kết quả là khi có xung ngưỡng
trên, tín hiệu ngưỡng dưới không truyền qua được sơ đồ đối trùng. Phương pháp này về
nguyên lý dễ hiểu, song cần xác định thời gian trễ chính xác cho bộ làm chậm. Khi sử dụng
bộ khuếch đại vạn năng có thời gian hình thành thay đổi được, cần thay đổi thời gian trễ
tương ứng. Sơ đồ khi đó sử dụng với bộ làm chậm trở nên phức tạp.
UH
UH UL
Tầng ngưỡng
Lối ra A t
trên HLD
đối trùng Ngưỡng
trên
A
Ngưỡng
Tz dưới
Tầng ngưỡng C1
Vi phân
UL dưới LLD Tz
D1 Làm chậm
R1 Lối ra
đối trùng
Hình 2.3.9: Sơ đồ hiệu chỉnh ảnh hưởng dạng xung lên hoạt động của sơ đồ đối trùng
Trên Hình 2.3.10 giới thiệu kiểu sơ đồ phổ biến và giản đồ thời gian tương ứng.
Ngưỡng dưới
Ngưỡng trên
UH
UL
Ngưỡng
trên
Ngưỡng
dưới
U3B/9
U3A/3
U3A/5
Hình 2.3.10: Sơ đồ đối trùng cho máy phân tích một kênh
101
Sơ đồ sử dụng hai Trigger U3A, U3B. Xung ra được hình thành theo mặt sau tín hiệu
ngưỡng dưới nhờ U3B. Nếu không có tín hiệu từ ngưỡng trên, Trigger 3UB không được
khởi phát, lối ra Q ở mức cao, cho phép ghi mức này vào trigger 3A để hình thành xung
dương lối ra. Khi biên độ tín hiệu lớn hơn ngưỡng trên, tín hiệu này được nhớ trên Trigger
U3B với lối ra Q thấp, không cho phép khởi phát trigger U3A và ngăn ngừa việc hình thành
xung ra. Thời gian kéo dài của xung ra được xác định bởi thời hằng C6.R16.
c) Bộ dịch ngưỡng tự động:
Trong quá trình đo phổ một kênh, mỗi phép đo cần phải dịch mức ngưỡng dưới UL
và ngưỡng trên UH tương ứng cách nhau một giá trị độ rộng cửa sổ W. Công việc này đòi
hỏi hai lần vặn biến trở chỉnh ngưỡng dưới và ngưỡng trên và phải luôn giữ cho độ rộng
kênh không đổi. Vì vậy, sơ đồ dịch ngưỡng được thiết kế cho phép chọn độ rộng cửa sổ W,
khi đo chỉ cần dịch ngưỡng dưới, còn ngưỡng trên tự động dịch theo. Độ rộng cửa sổ luôn
được giữ nguyên trong quá trình đo (xem mục 2.3.2.2).
2.3.2.2. Sơ đồ phân tích một kênh cho detector nhấp nháy
Trên Hình 2.3.11 giới thiệu sơ đồ phân tích một kênh SCA-305 6.
Sơ đồ dịch ngưỡng dùng trong bộ phân tích biên độ một kênh sử dụng các bộ cộng
tương tự trên bộ khuếch đại thuật toán A1 và A2.. Biến trở P1 cho phép dịch mức ngưỡng
UL(E). Biến trở P2 cho phép chọn độ rộng cửa sổ W(E). A1 đóng vai trò bộ lặp lại thế, cho
phép tạo mức E cung cấp cho tầng ngưỡng dưới trên A3. Vi mạch A2 là bộ cộng giữa thế E
từ lối ra A1 với thế chuẩn +5 V từ Zener D2. Kết quả lối ra A2 có điện thế tổng cộng là E +
5 V. Khi vặn biến trở P2 thế ra thay đổi từ E đến E+E. Ví dụ chọn E = 20 mV, thế đưa
vào tầng ngưỡng trên (A4) luôn bằng E + 20 mV. Vì vậy, khi đo chỉ cần dịch ngưỡng dưới
E, thế ngưỡng trên luôn tự động dịch theo. Tầng ngưỡng sử dụng bộ so sánh (Comparator)
loại LM311 cho tín hiệu ra với mặt tăng 200 ns. Ngưỡng dưới xây dựng ở A3 và ngưỡng
trên - ở A4. Xung ra từ các tầng ngưỡng được đưa tới sơ đồ lọc lựa đối trùng làm việc theo
kiểu Hình 2.3.10.
Các đơn hài trên vi mạch 74LS123 tạo xung chỉ thị trạng thái hoạt động của các tầng
ngưỡng bằng đèn LED. Các xung vượt ngưỡng được hình thành với thời gian đủ rộng để
LED sáng kéo dài cho thuận tiện quan sát. Công tắc Vi phân - Tích phân cho phép lựa chọn
chế độ đo. Khi công tắc ở chế độ Vi phân, sơ đồ thực hiện phân tích phổ một kênh. Khi
công tắc ở chế độ Tích phân, sơ đồ thực hiện đếm tổng có ngưỡng E.
6
Lam N.N. et al, Hệ các khối điện tử đo phổ và một kênh MOK-3, CT HN toàn quốc về Điện tử Hạt nhân, Đà Lạt, 7-
1985
102
Sơ đồ có các đặc trưng kỹ thuật: khoảng biên độ phân tích từ 10 mV÷ 5 V, Độ ổn

định ngưỡng 5.10-5 V/0C, Độ rộng cửa sổ cực tiểu: 10 mV, Thời gian chết: 200 ns, Nguồn
nuôi  15 V, +5 V.
Hình 2.3.11: Sơ đồ phân tích một kênh SCA-305
103
§2.4. TỔ CHỨC PHÂN TÍCH BIÊN ĐỘ NHIỀU KÊNH

Phân tích biên độ nhiều kênh cho phép thu tự động phổ biên độ mà không cần dịch
mức ngưỡng khi đo. Máy phân tích biên độ nhiều kênh (đa kênh) như vậy sẽ chia khoảng
đo thành nhiều cửa sổ có độ rộng bằng nhau. Biên độ xung lọt vào cửa sổ nào sẽ được ghi
nhận tương ứng. Máy phân tích biên độ cần sử dụng bộ biến đổi biên độ xung thành mã số
được gọi là bộ mã hoá.
2.4.1. Bộ biến đổi tương – tự số kiểu song song (Parallel ADC)
Về nguyên tắc, có thể ghép nối liên tiếp nhiều bộ một kênh theo kiểu chồng các cửa
sổ lên nhau, với ngưỡng trên của kênh dưới là ngưỡng dưới của kênh trên. Tuy nhiên việc
dùng các bộ đếm riêng cho mỗi bộ một kênh làm cho thiết bị cồng kềnh.
Bộ biến đổi kiểu tương tự - số kiểu song song (Hình 2.4.1) chứa nhiều bộ so sánh
mắc chồng chất lên nhau. Tín hiệu vào được đưa đồng thời tới các bộ so sánh. Ngưỡng của
các bộ so sánh lấy từ bộ chia điện trở (R1=R2=Rn=R). Trong sơ đồ không sử dụng các sơ
đồ đối trùng như trong trường hợp một kênh. Tín hiệu ra từ các tầng ngưỡng được ghi vào
bộ ghi và sau đó được giải mã thành mã cơ số 2 hoặc mã Grey. Để nhận m bit cơ số 2, cần
có số bộ so sánh n =2m - 1. Ví dụ, để có mã ra 10 bit (1024 kênh ) cần có 1023 bộ so sánh.
Do vậy, bộ biến đổi ADC loại song song thường bị hạn chế về số kênh.
BOÄ BOÄ
GHI GIAÛI
REG. MAÕ
DATA
DECODER
STROBE
Hình 2.4.1: Bộ biến đổi ADC loại song song
104
ADC loại song song cấu tạo từ các bộ so sánh có độ lệch vi phân đủ lớn do có sự
thăng dáng độ rộng kênh W, phụ thuộc chủ yếu vào sự thăng dáng thế ngưỡng, gây ra bởi
độ chính xác của bộ trở chia. Giá trị này ~ vài mV (cho khoảng 0  +5 V). Để nhận độ lệch
vi phân ~ vài %, độ rộng cửa sổ W >> mV. Kết quả là số kênh m = (khoảng đo)/độ rộng
kênh W là không lớn.
Ưu điểm của ADC song song là khả năng tác động nhanh cao. Khi sử dụng các bộ
so sánh và các bộ giải mã nhanh, thời gian chết của nó có thể đạt hàng chục ns. Ý tưởng về
ADC song song ra đời đã lâu, song chỉ hiện thực khi xuất hiện vi mạch chứa nhiều bộ so
sánh trong một vi mạch (chứa 8, 16 hoặc 32 comparators), có độ ổn nhiệt tốt và độ trôi thấp.
2.4.2. Bộ biến đổi tương – tự số kiểu nối tiếp (Serial ADC)
2.4.2.1. Phương pháp biến đổi Winkingson
Bộ biến đổi Winkingson là bộ mã hoá kiểu nối tiếp, thực hiện biến đổi biên độ xung
vào A thành khoảng thời gian T và sau đó thành số xung n, với quan hệ: A ~ T ~ n. Sơ đồ
khối thiết bị và giản đồ thời gian của phương pháp được trình bày trên Hình 2.4.2.
Xung vào A có biên độ vượt ngưỡng sẽ khởi động tầng ngưỡng để mở cổng tuyến
tính, cho phép xung A tới bộ kéo dài xung. Xung vào được lưu trữ trên tụ nhớ. Ứng với thời
điểm đỉnh xung A, Bộ thu đỉnh sẽ khoá cổng tuyến tính nhằm cấm xung vào tiếp theo khi
ADC đang phân tích xung trước, đồng thời đóng khoá K, cho phép tụ nhớ phóng điện với
dòng không đổi. Khi thế trên tụ nhớ giảm hơn ngưỡng thấp của sơ đồ, tầng ngưỡng thấp
tạo xung kết thúc quá trình biến đổi. Xung ra từ tầng ngưỡng thấp có độ rộng bằng thời
gian T phóng điện tuyến tính của tụ nhớ. T = A/k với k là độ dốc phóng điện. Xung T sử
dụng để mở cổng cho xung nhịp tần số cao truyền qua. Kết quả là ở lối ra bộ biến đổi nhận
được số xung n = T/tn, với tn là chu kỳ xung nhịp. Rõ ràng với k và tn không đổi, số xung
ra n tỷ lệ với biên độ xung vào. Đếm số xung ra, có thể xác định được biên độ xung vào.
Đặc trưng tuyến tính của bộ biến đổi Winkingson tuỳ thuộc vào độ tuyến tính của
dòng phóng của tụ nhớ và độ ổn định của máy phát xung nhịp. Với các linh kiện chất lượng
cao hiện nay, bộ ADC Winkingson với máy phát nhịp 100 MHz thường có độ lệch tích phân
nhỏ hơn 0.05%, độ lệch vi phân không quá  1% 7.
Phương pháp Winkingson như vậy có độ chính xác cao. Tuy nhiên, thời gian phân
tích một tín hiệu còn lớn. Thời gian phân tích tuỳ thuộc biên độ xung và có giá trị cực đại
khi xung có biên độ đạt giới hạn trên của khoảng. Ví dụ, bộ ADC 12 bit (4096 kênh), xung
nhịp 100 MHz, có thời gian phân tích cực đại ~ 4096 x 10 ns = 40 s.
7
Lam N.N. et al, Double 4096-Channel ADC, Proceeding International Conf. “Semiconductor Detectors”, Kiev,
1978
105
Cổng tuyến tính Bộ kéo dài xung

Lối vào Tầng ngưỡng
thấp
K T
tn Bộ đếm DATA
Start
Tầng Bộ thu I Máy phát Điều Lệnh ghi
F-F
ngưỡng đỉnh xung nhịp khiển Xoá
Xung vào Ngưỡng phân tích
Xung ra
tầng ngưỡng
F-F
Xung trên
tụ nhớ
T
tn
n
Lệnh ghi
Xoá
Hình 2.4.2: Sơ đồ biến đổi Winkingson

Một phương pháp giảm thời gian phân tích tín hiệu là sử dụng kết hợp ADC song
song với phương pháp Winkingson 8, trong đó Bộ ADC song song 8 bit sử dụng để xác định
giá trị mã lớn (chia 4096 kênh thành 256 khoảng) và bộ winkingson để xác định chính xác
mã nhỏ (trong mỗi 256 khoảng). Giá trị đo được cộng từ mã của 2 bộ biến đổi nói trên.
Phương pháp khác để giảm thời gian phân tích đơn giản là tăng tần số máy phát nhịp,
chẳng hạn lên gấp đôi (200 MHz). Tuy nhiên, khi tăng tần số xung nhịp, độ lệch vi phân
của ADC tăng do phần đóng góp của hiệu ứng chẵn lẻ trong sơ đồ đếm địa chỉ. Khi trùng
phùng tín hiệu T với xung nhịp tn, xuất hiện những xung biên độ nhỏ ở đầu hoặc cuối khoảng
T khi xung nhịp rơi vào thời điểm mặt tăng hoặc mặt giảm xung T (Hình 2.4.3). Ở tần số
cao, độ nhạy của trigger lối vào bộ đếm với các xung này khác nhau, tuỳ thuộc vào trạng
thái của chính trigger đang ở 0 hay 1. Số đếm n ở các kênh liên tiếp nhau có sự thăng dáng
chẵn - lẻ (Hình 2.4.3).
8
Lam N.N. et al, Fast ADC, Proceeding 10th International Conf. “Nuclear Elewctronics”, Dresden, 1980, Patent
No.809543. USSR, 1980.
106
n
tn
n
Channel
Hình 2.4.3: Sự xuất hiện các xung biên độ nhỏ gây hiệu ứng chẵn lẻ
Trong Bảng 2.4.1 cho thấy ảnh hưởng tần số xung nhịp lên độ lệch vi phân, khi
không sử dụng biện pháp hiệu chỉnh nào.
Bảng 2.4.1: Độ lệch vi phân phụ thuộc tần số xung nhịp trong ADC Winkingson
Tần số xung nhịp fn (MHz) 50 100 200 300

Độ lệch vi phân (%)  (0.71)  (11.5)  (38)  (10)
Để khắc phục hiệu ứng chẵn lẻ, có thể sử dụng phương pháp san bằng tương tự (Hình
2.4.4).
Cổng tuyến tính
Bộ đ ếm
A + ADC n+ns
DATA
Bộ cộng n
Us n+ns-ns
Bộ đ ếm +1
DAC ns Xoá
ns
Hình 2.4.4: Phương pháp san bằng kiểu tương tự

Nguyên tắc của phương pháp là bổ sung một điện thế Us vào biên độ xung lối vào.
Ta có kết quả biến đổi là N + Ns tương ứng với biên độ xung A + Us. Khi trừ giá trị số Ns
trong tài liệu lối ra, ta nhận lại số liệu N tương ứng với biên độ A. Điều này tương tự như
khi đo một độ dài bằng thước đo có độ chia không đồng nhất. Nếu như mỗi lần đo, ta lấy
độ chia tiếp theo làm gốc đo, kết quả đo là số đo trừ đi giá trị lấy làm điểm gốc. Với s lần
đo như vậy, giá trị trung bình nhận được sẽ có độ chính xác tăng lên 1/s lần. Phương pháp
san bằng tương tự có sử dụng bộ biến đổi số – tương tự (DAC), nhận giá trị số Ns từ bộ ghi
và biến đổi thành thế Us để cộng với tín hiệu A lối vào. Kết quả đo là N + Ns được trừ Ns
cho phép nhận trở lại giá trị thực N. Sau mỗi phép biến đổi, bộ ghi giá trị Ns được +1 để
tăng dần biên độ Us.
Nhược điểm của phương pháp là sử dụng bộ biến đổi DAC thường có sự sai lệch
giữa giá trị số lối vào Ns với giá trị tương tự Us lối ra. Do vậy phương pháp này thường sử
dụng để hiệu chỉnh cho các ADC có độ lệch vi phân lớn (loại cân hoặc biến đổi nhiều bậc).
107
Phương pháp san bằng số thực hiện việc trừ số Ns vào thanh ghi kết quả mã hoá của
ADC. Sau khi đo, ta có số đo là N- Ns. Kết quả này sau đó được cộng thêm số Ns để nhận
số đo thực N (Hình 2.4.5).
Kết quả đo không đổi, song khi thay đổi Ns = Ns + 1 sau mỗi phép đo, trạng thái
trigger đầu của bộ đếm lần lượt nhận giá trị 0 và 1 tương ứng (thay đổi chẵn lẻ). Nhờ vậy
trigger đầu được “chuẩn bị” để đón nhận các xung biên độ nhỏ (xuất hiện tại giao điểm
xung T và xung nhịp) với độ nhạy không đổi. Các bộ ADC 9 chứa bộ san bằng số (s = 8)
cho phép nhận độ lệch vi phân 1% ở tần số xung nhịp = 200 MHz.
Cổng tuyến tính
A n
ADC Bộ đ ếm
n-ns
n-ns DATA
ns Bộ cộng
Ns n-ns+ns n
Bộ đ ếm +1
ns Xoá
Hình 2.4.5: Phương pháp san bằng số

2.4.3. Bộ biến đổi tương – tự số kiểu gần đúng liên tiếp (Successive-approximation
ADC)
Phương pháp biến đổi gần đúng liên tiếp (phương pháp cân) được mô tả trên Hình
2.4.6.
Xung A lối vào được kéo dài, giữ nguyên biên độ và đưa tới bộ so sánh. Lối vào thứ
2 của bộ so sánh nối với lối ra của bộ biến đổi số – tương tự (DAC). Sơ đồ DAC gồm các
khoá điện tử K1  Kn được điều khiển bởi thanh ghi. Mỗi khoá khi đóng sẽ cho dòng chảy
qua với trọng số I, I/2, I/4, … I/n, chảy vào điện trở chung Rc. Trong trạng thái ban đầu chỉ
có trigger đầu tiên của thanh ghi ở trạng thái 1, làm đóng khoá K1, cho dòng I chảy qua Rc,
ta có sụt thế I.Rc. Sụt thế này được so sánh với thế vào. Giả sử I.Rc > A, bộ so sánh sẽ tạo
xung xoá trạng thái trigger đầu (ngắt K1) và chuyển trigger thứ 2 lên 1, đóng khoá K2. Tín
hiệu ra DAC có giá trị I/2.Rc. Giả sử I/2.Rc < A, tín hiệu bộ so sánh không xoá trigger 2,
đồng thời xác lập tiếp trigger 3 lên 1 làm đóng khoá K3, ta có thế ra (I/2+I/4).Rc. Giả sử
giá trị này lớn hơn A, bộ so sánh sẽ xoá trigger 3 và xác lập trigger 4 lên 1, làm đóng khoá
K4. Thế ra DAC sẽ là (I/2+I/8).Rc,… Quá trình so sánh xảy ra liên tiếp cho đến khi thế ra
DAC bằng thế vào A. Trạng thái trigger trong thanh ghi điều khiển chính là tài liệu số hoá.
9
Lam N.N. et al, Kênh đo tương tự cho detector bán dẫn, CT HN Vật Lý Toàn Quốc, Hà Nội, 4-1987.
108
Logic Thu đ ỉnh
A Bộ kéo dài xung
Cổng tuyến tính Rc
K3 I.R
A
K1 K2 Kn I/4.R
Bộ so sánh I/8.Rc
A
I I/2 I/4 I/n I/2.R
Xung vào
+V
Thanh ghi đi ều khiển DATA/n
Bộ kéo +V
A dài xung
Rc
K3 I.R
A K1 K2 Kn I/4.R
Bộ so sánh I/8.Rc
2 n-1 A
R 2R 2 R 2 R I/2.R
I I/2 I/4 I/n
Xung vào
Thanh ghi đi ều khiển DATA/n
Hình 2.4.6: Phương pháp biến đổi gần đúng liên tiếp (phương pháp cân)
Khi chu trình điều khiển không quá 1 s, thì bộ biến đổi 8 bit (256 kênh) có thời
gian phân tích không quá vài s.
So với phương pháp Winkingson, phương pháp cân có khả năng tác động nhanh cao,
song có độ chính xác kém hơn. Sai số cân do các “quả cân” không chính xác - tức là không
có sự đồng nhất trọng số dòng cao. Với cùng sai số của điện trở Ri thì dòng ứng với trọng
số lớn nhất có vai trò quan trọng nhất. Do đó, bộ biến đổi cân thường sử dụng với các bộ
san bằng.
Hiện nay các ADC vi mạch loại cân được chế tạo để sử dụng rộng rãi: ADC574 là
loại 12 bit, sai số tích phân 1 LSB (Least Singnificant Bit). Thời gian chết 15-35 s. Để
sử dụng cho đo phổ, ADC này cần kết hợp với phương pháp san bằng (Hình 2.4.4) để có
độ lệch vi phân nhỏ.
2.4.4. Cấu trúc máy phân tích biên độ nhiều kênh
Máy phân tích biên độ nhiều kênh bao gồm các phần chức năng: detector bức xạ hạt
nhân và nguồn cao thế nuôi detector, tiền khuếch đại, khuếch đại đo phổ, bộ biến đổi tương
109
tự số, thiết bị xử lý, lưu trữ và hiển thị kết quả (Hình 2.4.7). Detector sử dụng cho mục đích
phân tích nhiều kênh là loại tuyến tính có khả năng phân giải cao.
Hình 2.4.7: Máy phân tích biên độ nhiều kênh (by Nafaa Reguigui, 2016)
Bộ biến đổi tương tự – số thực hiện biến đổi biên độ xung thành mã số. Kết quả biến
đổi được ghi vào thanh ghi.
Để xử lý và lưu trữ số liệu, máy phân tích cần có bộ nhớ được chia thành các ô nhớ.
Ví dụ máy phân tích có thanh ghi 12 bit, tương ứng với 212 = 4096 kênh cần có 4096 ô nhớ.
Mỗi ô nhớ cần có dung lượng đủ để chứa thông tin (số đếm) sau thời gian đo cần thiết. Khi
phân tích 1 xung biên độ A, ADC cho kết quả số n (~ A), được sử dụng để xác định địa chỉ
ô nhớ (thanh ghi số liệu mã hoá của ADC được gọi là thanh ghi địa chỉ). Xung Ready kết
thúc phân tích của ADC sẽ khởi động chu trình nhớ số liệu. Chu trình này bắt đầu bằng việc
đọc dung lượng đang có của ô nhớ được gọi, sau đó thực hiện thuật toán +1 và ghi dung
lượng mới vào ô nhớ được chọn (Hình 2.4.8).
Ví dụ:
- Giả sử khoảng phân tích lối vào là từ 0  4,096 V, thiết bị với 4096 kênh sẽ có độ
rộng kênh là 1 mV. Mã số lần lượt các kênh từ 0 đến 4096.
- Giả sử biên độ A = 2000 mV, ADC cho n = 2000, máy phân tích sẽ điều khiển chọn
địa chỉ ô nhớ 2000, chuyển dung lượng N của ô nhớ này (ví dụ số đếm N=497) ra
thanh ghi số học. Khi bổ sung +1 vào thanh ghi số học, ta có dung lượng mới là 498
và được ghi trở lại vào ô nhớ 2000.
- Tương tự như trên, với các xung biên độ Ai, máy phân tích sẽ lần lượt gửi kết quả
vào ô nhớ thứ i tương ứng.
110
Ready
ADC
n
R
Thanh ghi W
ñòa chæ Logic
Khoái nhôù
ñieàu khieån
MEMORY
+1
Thanh ghi soá hoïc
Laáy keát quaû + hieån thò
Hình 2.4.8: Cấu trúc bộ xử lý nhiều kênh

Các ô nhớ của bộ nhớ thường được xắp xếp thành ma trận với địa chỉ hàng và cột.
Khi xác định địa chỉ một ô nhớ, cần xác lập địa chỉ hàng và cột (Hình 2.4.9).
m1
Thanh ghi ñòa chæ haøng
n
2
2
2
OÂ
21 nhôù
1
11 12 1m
2
0
2
Thanh ghi ñòa chæ coät
Hình 2.4.9: Cấu trúc bộ nhớ của máy phân tích biên độ nhiều kênh
Bố trí các ma trận thành các lớp, với các ô nhớ cùng một chỉ số địa chỉ như nhau, sẽ
nhận được bộ nhớ. Ví dụ bộ nhớ có 16 lớp, cho phép ghi nhận dung lượng cực đại là 2 16 =
65536.
Bộ nhớ của những năm 1960 được thực hiện trên xuyến ferritte với đường cong từ
trễ hình chữ nhật (Hình 2.4.10). Hai trạng thái từ của xuyến +Br và –Br được sử dụng để
111
lưu trữ số “1” và số “0”. Với mỗi xuyến sẽ có 3 dây xuyên qua: dây địa chỉ hàng, địa chỉ
cột xuyên qua các xuyến cùng hàng và cùng cột. Dây đọc sẽ xuyên qua tất cả các xuyến
của ma trận.
Địa chỉ xác định cho xuyến thực hiện theo nguyên tắc cộng dòng. Tại hàng và cột
tương ứng được gửi dòng I/2, và ở xuyến được chọn nằm ở điểm nút sẽ có dòng I tổng
cộng.
Khi đọc, nếu xuyến đang ở trạng thái “1”, tác động xung dòng –I sẽ chuyển xuyến
về trạng thái “0”. Biến thiên cảm ứng từ lớn sẽ tạo dòng ra lớn trên cuộn đọc. Còn nếu
xuyến đang ở “0”. Xung dòng kích không làm chuyển trạng thái của xuyến và dòng ra nhỏ.
Sau khi đọc số liệu, dung lượng ô nhớ là “0”.
Khi ghi, tác dụng xung dòng I sẽ chuyển xuyến từ “0” lên “1”. Lưu ý là khi ghi, chỉ
những ô nhớ của ma trận cần ghi “1” mới được điều khiển ghi.
Br X4
Bm
+Br I/2 X3
-I +I X2
X1
-Br
-Bm
ÑOÏC Y1 Y2 Y3 Y4
I/2
Hình 2.4.10: Yếu tố nhớ trên xuyến ferritte với đường cong từ trễ hình chữ nhật
Bộ nhớ trên xuyến ferritte có ưu điểm là vẫn nhớ số liệu ngay cả khi mất điện. Tuy
nhiên kích thước thiết bị cồng kềnh và hạn chế khi cần tăng số kênh phân tích và dung
lượng nhớ. Ví dụ, máy phân tích 4096 kênh, với dung lượng mỗi kênh 216 có 16 lớp ma
trận, do đó cần 65536 xuyến ferritte cho mỗi kênh.
Từ khi công nghệ bán dẫn cho ra đời những bộ nhớ bán dẫn kích thước nhỏ, dung
lượng lớn, vấn đề trên được dễ dàng giải quyết. Vi mạch nhớ RAM62256 có dung lượng 8
x 32 k (1k =1024) cho phép sử dụng làm bộ nhớ cho máy phân tích với 8192 kênh với dung
lượng nhớ mỗi kênh là 232.
Trên Hình 2.4.11a giới thiệu một yếu tố nhớ CMOS và IC nhớ. Ô nhớ tĩnh gồm T1,
T3 mắc theo kiểu trigger R-S. Bình thường T5, T6 cấm làm ngắt ô nhớ khỏi các đường tài
liệu Q. Khi có tín hiệu –U trên đường địa chỉ, T5,T6 mở, ô nhớ được nối với đường tài liệu
để thực hiện trao đổi dữ liệu.
112
-U
Q Q Q Q
T4
T3 T1 T2 T4
T2
T5 T6
T3
T1 C1 C2
Ñòa chæ Ñòa chæ

-U -U
a) Yếu tố nhớ tĩnh b) Yếu tố nhớ động

Hình 2.4.11. Cấu trúc bộ nhớ bán dẫn
Bộ nhớ động sử dụng điện dung ký sinh C1, C2 của chính MOSFET làm điện dung
nhớ số liệu (Hình 2.4.11b). Ưu điểm của bộ nhớ động là không tiêu tốn năng lượng nuôi bộ
nhớ. Tuy nhiên thế nhớ trên tụ giảm dần theo thời gian do dòng dò, vì vậy luôn cần định kỳ
khôi phục số liệu (Refresh) cho bộ nhớ động.
Hệ thống thu nhận, lưu trữ và hiển thị kết quả cho máy phân tích nhiều kênh thường
kết hợp với xử lý kết quả. Các xử lý thông thường gồm trừ phông, xác định vị trí năng
lượng đỉnh phổ, tính điện tích đỉnh phổ,… Vì vậy phần thiết bị này thường được xây dựng
trên cơ sở bộ vi xử lý. Thiết bị cần có một bàn phím nhỏ để điều khiển bộ vi xử lý hoạt
động theo các chương trình định sẵn trong bộ nhớ cố định (ROM).
Các máy phân tích có thể xây dựng trên cơ sở ghép nối với máy tính. Cấu hình ghép
nối có thể trực tiếp từ ADC hoặc từ bộ nhớ của máy phân tích nhiều kênh qua bộ giao diện
với máy tính.
Trong trường hợp ghép trực tiếp ADC với máy tính, ADC có thể chế tạo để gắn trên
slot của máy tính. Chu trình đọc kết quả từ ADC vào máy tính có thể kéo dài thời gian chết
của thiết bị. Tuy nhiên, với các máy tính hiện đại, cho tần số làm việc cao, chu trình thực
hiện việc trao đổi thông tin có thể rút ngắn đáng kể.
Việc sử dụng bộ nhớ ngoài có thể giải phóng máy tính khỏi quá trình đo để thực hiện
các công việc khác, ví dụ, xử lý phổ đã thu nhận trước đó. Giao diện với máy tính được
thực hiện để theo dõi phổ trên màn hình khi cần và chuyển kết quả khi kết thúc phép đo.
Thời gian chết của kiểu ghép nối này không phụ thuộc vào chu trình máy tính.
Việc ghép nối máy tính cho phép sử dụng các tài nguyên phần mềm máy tính phục
vụ cho phân tích phổ. Các giao diện giữa máy phân tích một kênh với máy tính sẽ được
khảo sát trong chương 4.
Một số thiết bị đo phổ sử dụng phổ biến hiện nay:
113
Khuếch đại; ADC Tiền khuếch đại
Các modules của hệ đo phổ năng lượng
114
Các hệ thống phân tích phổ năng lượng

2.4.5. Quy trình đo và phân tích phổ năng lượng gamma
Quy trình đo và phân tích phổ năng lượng được trình bày trên hình 2.4.12. Quy trình
đo và xử lý phổ gồm các bước:
1) Hiệu chuẩn năng lượng
Sau khi phổ biên độ đo được được tải ra, chương trình sử dụng dữ liệu lấy chuẩn
năng lượng đã có – giá trị m (keV / kênh) để thực hiện tính năng lượng cho các đỉnh phổ
lựa chọn.
Nếu chưa có dữ liệu chuẩn năng lượng, hoặc dữ liệu đã cũ, cần thực hiện phép lấy
chuẩn để cập nhật dữ liệu mới. Sử dụng nguồn chuẩn có các đỉnh phân bố trong toàn khoảng
115
đo (ví dụ Eu-152), xác định đỉnh năng lượng đã biết E với số kênh K tương ứng, để xác
định giá trị m (keV/kênh), sử dụng để tính giá trị năng lượng cho các đỉnh theo số kênh.
Start
Chương trình Files dữ liệu
Ngõ vào Phổ đo được

Input Measured Spectrum
Lấy chuẩn năng lượng Giá trị hiệu chuẩn lưu trữ
Energy Calibration Stored calibration
Tìm đỉnh năng lượng

Peak Search
Phân tích đỉnh năng lượng Thông số dạng đỉnh phổ

Peak Analysis Form Parameters
Nhận dạng đồng vị File dữ liệu hạt nhân

Nuclide Identification Nuclear Data File
Xác nhận đồng vị phóng xạ

Confirmed Radionuclide
Hiệu chỉnh sai lệnh Hiệu suất detector

Interference Resolving Detector Efficiency
Kết quả
Kết quả
Hình 2.4.12: Quy trình đo và phân tích phổ năng lượng
116
Ngoài ra, do các thiết bị điện tử có sự trôi đặc trưng theo thời gian, vì vậy quá trình
hiệu chuẩn năng lượng cần được thực hiện thường xuyên. Trên Hình 2.4.13 là một ví dụ
về hiệu chuẩn năng lượng sử dụng phần mềm Genie-2000 software (Canberra).
Hình 2.4.13: Hiệu chuẩn năng lượng sử dụng phần mềm Genie-2000(Canberra)
2) Tìm đỉnh năng lượng (Peak Search)
Phần mềm có thể hỗ trợ quét các đỉnh năng lượng. Tuy nhiên, không phải đỉnh nào
trong phổ thu được cũng hữu ích. Như mô tả trên Hình 2.4.14, ngoài những hiệu ứng mà
bức xạ gamma tạo ra trong detector (Quang hiệu ứng/photo-effect, Tán xạ
Compton/Compton Scattering,…), các tương tác của gamma với nhà chì bảo vệ cũng gây
các đỉnh phụ như tia X, bức xạ huỷ, tán xạ Compton,…
Trong các phần mềm xử lý phổ gamma, cho phép chọn các bước dịch ví dụ 0,1 keV,
0,2 keV,… để thu nhận giá trị năng lượng của đỉnh.
117
Hình 2.4.14: Ảnh hưởng của các hiệu ứng phụ lên quá trình ghi phổ gamma
3) Phân tích đỉnh năng lượng (Peak analysis)
Chương trình cho phép chọn đỉnh, đánh dấu vùng đỉnh và tính toán diện tích đỉnh và
trừ phông Compton (Hình 2.4.15).
Hình 2.4.15: Tính diện tích đỉnh phổgamma
118
4) Nhận dạng đồng vị (Nuclid Identification)

Việc phân tích năng lượng, ta có thể sử dụng file dữ liệu đồng vị với các đỉnh biết
trước. Phần mềm sẽ đưa lên giao diện màn hình các đỉnh từ dữ liệu lưu trữ.
Ví dụ, trong Bảng 2.4… phần mềm Genie-2000 (Canberra) ứng với vùng quan tâm
ROI (Region of Interest) từ kênh 1004 đến 1113, ta có đỉnh 604,94 keV. Đỉnh này có thể là
của các đồng vị Ir-192, Cs-134 hoặc Ir-190 có năng lượng nằm trong vùng đó.
Bảng 2.4.1: Xác định đỉnh năng lượng cho đồng vị cần tìm
Việc nhận dạng đúng đồng vị trong trường hợp chỉ có 1 loại đồng vị từ cơ sở dữ liệu
là dễ dàng (ví dụ đỉnh 1112 leV/Eu-152 trong bảng 2.4.1). Tuy nhiên, khi có vài đồng vị
trong vùng quan tâm (ROI – Region of Interest), vấn đề trở nên phức tạp. Để nhận dạng, ta
có thể dự đoán theo bản chất mẫu nghiên cứu, hiệu chỉnh sự trôi đỉnh phổ hoặc kết hợp với
các phương pháp phân tích khác.
5) Xác nhận đồng vị phóng xạ (Confirmed Radionuclide)
Với sự hỗ trợ của cơ sở dữ liệu, ta có thể xác nhận loại đồng vị phóng xạ.
6) Giải quyết các vấn đề gây sai lệch - Hiệu chỉnh sai lệch (Interference resolving)
Các vấn đề cần giải quyết bao gồm trừ phông, tính toán hiệu suất hệ đo, tính toán số
trùng phùng tổng , sự tự hấp thụ.
119
§5. ỔN ĐỊNH PHỔ NĂNG LƯỢNG BỨC XẠ HẠT NHÂN

Trong quá trình phân tích biên độ, đỉnh phổ có thể bị trôi do sự trôi nhiệt của các
đặc trưng thiết bị như hệ số khuếch đại, ngưỡng biến đổi của ADC, cao thế nuôi detector….
Phương pháp ổn định phổ cơ bản được sử dụng là chọn 1 đỉnh phổ chuẩn thích hợp,
so sánh vị trí của nó với vị trí thu trên thiết bị đo phổ để xác định giá trị sai lệch. Giá trị sai
lệch này được sử dụng để điều khiển ngược đặc trưng tương ứng của thiết bị, đưa đỉnh phổ
trở về vị trí đúng.
Đỉnh phổ chuẩn có thể lựa chọn một đỉnh có sẵn, đã biết trước trong phổ bức xạ
nghiên cứu, hoặc sử dụng nguồn chuẩn ngoài, hoặc máy phát xung đưa tín hiệu biên độ
chuẩn vào tiền khuếch đại.
Sơ đồ Hình 2.5.1 là một ví dụ diễn giải cho phương pháp nêu trên.
Đỉnh phổ chuẩn có thể được theo dõi bởi hai bộ phân tích một kênh (SCA1 và SCA2),
cửa sổ của chúng được đặt lệch nhau về hai phía đỉnh phổ. Khi đỉnh phổ ở vị trí chuẩn, số
đếm của các SCA 1 & SCA 2 như nhau và hiệu số đếm của chúng bằng 0. Giả sử do sự trôi,
đỉnh phổ lệch về phía cao, cửa sổ trên sẽ cho số đếm nhiều hơn cửa sổ dưới, làm xuất hiện
giá trị sai lệch E. Giá trị sai lệch E được sử dụng để điều khiển giảm hệ số khuếch đại G bộ
khuếch đại đo phổ. Kết quả đỉnh phổ được đưa trở lại vị trí chuẩn. Tương tự, khi đỉnh phổ
lệch về phía cửa sổ thấp, số đếm từ cửa sổ thấp sẽ nhiều hơn cửa sổ cao, làm tăng hệ số
khuếch đại G để dịch đỉnh phổ về vị trí chuẩn. Tuy nhiên trong phương pháp này mạch
vòng phản hồi ổn định đỉnh phổ chỉ tập trung ở vùng khuếch đại, không chứa ADC, vì vậy
các sai lệch do ADC gây ra chưa được bù trừ.
SCA1+SCA2
E
Detector Boä khueách ñaïi ADC

G
Digital window
Hình 2.5.1: Sơ đồ phương pháp ổn định phổ.

Có thể sử dụng các cửa sổ số (Digital), lấy số liệu từ lối ra ADC, sau đó dùng bộ
tổng số học để tạo tín hiệu sai lệch E để điều khiển hệ số khuếch đại.
120
Trong thực tế, người ta thường sử dụng nguồn chuẩn ngoài có năng lượng biết trước,
cường độ đủ nhỏ để không làm ảnh hưởng đến tải tần số của hệ đo phổ. Việc dùng máy
phát biên độ chính xác để làm nguồn tín hiệu chuẩn ít được sử dụng do máy phát đòi hỏi
có độ ổn định biên độ rất cao.
Trong đo phổ với detector nhấp nháy, sự trôi hệ số khuếch đại của ống nhân quang
là đáng kể hơn cả. Trên Hình 2.5.2 giới thiệu một sơ đồ ổn định phổ cho hệ đo phổ sử dụng
detector nhấp nháy.
Baûn nhaáp nhaùy
OÁng nhaân quang Khueách

Photodiode ADC
ñaïi
Maùy phaùt Comparator HV

xung
Hình 2.5.2: Sơ đồ ổn định cho đo phổ với detector nhấp nháy

Xung biên độ chuẩn từ máy phát xung có tần số thấp được cấp cho một photodiode
có bề mặt phát sáng dọi vào bản nhấp nháy. Xung ra từ ống nhân quang được đưa trở về so
sánh với xung máy phát. Sự chênh lệch giữa chúng được sử dụng để điều khiển nguồn cao
thế, thực hiện bù trừ sai lệch khả dĩ.

Ne-Ch2 20

Uploaded by

Document Information

Original Title

Copyright

Available Formats

Share this document

Share or Embed Document

Sharing Options

Did you find this document useful?

Is this content inappropriate?

Copyright:

Available Formats

Ne-Ch2 20

Uploaded by

Copyright:

Available Formats

55

CHƯƠNG 2: CÁC THIẾT BỊ PHÂN TÍCH BIÊN ĐỘ XUNG

Máy phân tích

Hình 2.1.2: Thiết bị phân tích biên độ nhiều kênh - MCA

Hình 2.1.5a: Độ lệch tích phân phổ biên độ

Máy phát Mã hoá

Máy phân tích

§2.2. KHUẾCH ĐẠI PHỔ

Caùp noái Khueách ñaïi

Hình 2.2.1: Sơ đồ nối tiền khuếch đại và khuếch đại

2.2.1.1. Tiền khuếch đại cho detector có sự khuếch đại nội

Thay các biểu thức trên vào (2.2.4), ta có:

Hình 2.2.5: Sự chồng xung ở lối ra tiền khuyếch đại

Det Ban Nhạy Bộ khuếch Ura

Hình 2.2.9: phương pháp sử dụng máy phát dòng

BộI hồi phục

Hình 2.2.10: Sơ đồ khối của bộ khuếch đại đo phổ

Hình 2.2.11: Sơ đồ bộ khuếch đại thuật toán trên transistor

với A0 >> 1, ta có:

Đặc trưng LF356 LF357 LM318

Hình 2.2.14: Dạng tín hiệu ra của bộ lọc lý tưởng

Rvf C tf Ctf n=4

n ban tích phân t

Hình 2.2.16: Sơ đồ mạch tích phân hoạt (Active Filter)

Hình 2.2.17: Sơ đồ mạch tích phân hoạt chuẩn Gauss

Hình 2.2.18: Bộ hình thành xung dạng tam giác

Hình 2.2.19: Bộ lọc ngang

Hình 2.2.20: Bộ lọc phụ thuộc thời gian

Sử dụng phép biến đổi Laplace ta có hàm ảnh ngõ vào:

Hàm truyền của mạch vi phân:

Hàm ảnh lối ra có dạng:

Tương ứng ta nhận được hàm thuận lối ra:

LOÁI VAØO C1 LOÁI RA

Hình 2.2.21: Sơ đồ mạch bù trừ cực không.

Hàm ảnh lối ra:

Hàm ảnh khi đó sẽ là:

Trong đó Rp = R1.R2 / (R1 +R2)

Loái vaøo i Loái ra t

Hình 2.2.24: Mạch hồi phục hoạt và đặc trưng Volt-Ampere

Loái vaøo Loái ra

Boä Khueách Ñaïi Phoå

Uout < -U(l)

-U(l)<Uout < U(h)

Loái vaøo Loái ra

Boä Khueách Ñaïi Phoå

Boä thu ñænh

Hình 2.2.28: Sơ đồ khối bộ khuếch đại KD-4

+15 +15 GATE 200 1K5 -15

2K87 5K67 2K49 2K87 5K67 2K49

Hình 2.2.29: Sơ đồ nguyên lý bộ khuếch đại đo phổ KD-4

§2.3. XỬ LÝ BIÊN ĐỘ XUNG

Hình 2.3.1: Sơ đồ phân tích biên độ tích phân

Hình 2.3.3: Sơ đồ khối bộ phân tích một kênh (SCA)

Hình 2.3.5: Tầng ngưỡng trên diode

Bảng 2.3.1: Một số vi mạch ngưỡng thông dụng

2.3.2. Máy phân tích biên độ một kênh

Sơ đồ có các đặc trưng kỹ thuật: khoảng biên độ phân tích từ 10 mV÷ 5 V, Độ ổn

Hình 2.3.11: Sơ đồ phân tích một kênh SCA-305

§2.4. TỔ CHỨC PHÂN TÍCH BIÊN ĐỘ NHIỀU KÊNH

Hình 2.4.1: Bộ biến đổi ADC loại song song

Cổng tuyến tính Bộ kéo dài xung

Xung vào Ngưỡng phân tích

Hình 2.4.2: Sơ đồ biến đổi Winkingson