Cấu tạo của quang transistor:

Phototransistor được sản xuất tương tự như những transistor thông thường, điểm
khác biệt duy nhất là diện tích vùng B và C của phototransistor có kích thước
lớn hơn so với transistor thông thường. Điều này là do càng nhiều ánh sáng tiếp
xúc lên bộ truyền quang thì dòng điện sẽ càng được sản sinh ra nhiều hơn.
Cực gốc và thu được hình thành bởi kĩ thuật cấy ghép và khuếch tán ion. Những
Transistor trước đây được làm bằng vật liệu bán dẫn như Germanium và Silicon
và kết quả là cấu trúc này trở thành một vật liệu đồng nhất bao gồm Silicon hoặc
Germanium.
Ngược lại, hiện nay, phototransistor được tạo từ các nguyên tố nhóm III và
nhóm V như GaAs như cái cách Ga và As, từng nguyên tố được dùng trên các
đầu của transistor. Kết quả là kết cấu này trở nên không đồng nhất trong tự
nhiên. Loại kết cấu này được sử dụng rộng rãi bởi vì sự hiệu quả của nó đã tăng
lên rất nhiều so với sự hiệu quả của transistor đồng nhất.

Nguyên lí hoạt động:

Cách hoạt động của phototransistor giống như những transistor thông thường,
ngoài trừ hiệu ứng được tạo ra từ cực gốc sẽ diễn ra khi có ánh sáng. Đầu ra của
phototransistor được lấy từ vùng phát và các tia sáng sẽ được dẫn vào vùng gốc.
Độ lớn của dòng photo được toạ ra bởi phototransistor phụ thuộc vào cường độ
ánh sáng chiếu vào transistor.
Ánh sáng đi vào vùng cực gốc của phototransistor tạo ra các cặp electron – lỗ
trống. Sự tạo cặp electron- lỗ trống chủ yếu xảy ra theo xu hướng ngược nhau.
Hiểu đơn giản là lớp nào nhiều electron thì đẩy bớt đi và ngược lại. Sự chuyển
động của các electron dưới tác dụng của điện trường gây ra dòng điện trong
vùng cực gốc. Khí có dòng IB thì làm phototransistor thông và xuất hiện dòng IC.
Hạn chế chính của phototransistor là chúng có đáp ứng tần số thấp.
Các ứng dụng:
1. Phát hiện đối tượng
2. Cảm biến bộ mã hóa
3. Hệ thống điều khiển điện tự động như trong máy dò ánh sáng
4. Hệ thống an ninh
5. Mạch logic máy tính
6. Hệ thống đếm
7. Máy thu hồng ngoại
8. Máy in và máy photocopy
9. Máy ảnh làm bộ điều khiển màn trập