Bài tập: Phần tử bán dẫn công suất

I. Điốt chỉnh lưu (Điôt tần số thấp)

Cho sơ đồ chỉnh lưu điôt cầu một pha dùng điôt như trên Hình 1, tải thuần trở R. U1 = 220 V, f =
50 Hz. Phía chỉnh lưu yêu cầu: Ud = 48 V; Pd = 500 W.

A IF
D1 D3
IF

U1 U2 Ud R

VAK
0 VF0 VF V
D4 D2

Hình 1 Sơ đồ chỉnh lưu cầu một pha. Hình 2 Đặc tính tuyến tính hóa của điôt.

1.1 (1,5 điểm) Coi các phần tử trên sơ đồ là lý tưởng (máy biến áp và các điôt), hãy tính toán
các thông số cơ bản của sơ đồ chỉnh lưu này.
1.2 (0,5 điểm) Hãy chứng tỏ điôt VS-20ETS12THM3 hoặc VS-20ATS12HM3 của hãng
Vishay (Tài liệu kỹ thuật đính kèm) có thể sử dụng được cho ứng dụng trên.
1.3 (1 điểm) Từ những đặc tính về điện của điôt (Electrical specifications) điền các thông số
vào đặc tính V-A tuyến tính hóa của điôt, trên cơ sở đó hãy tính toán tổn hao khi dẫn của
các điôt trong sơ chỉnh lưu đã cho.

1
2
Câu 1:
1.1. Các thông số cơ bản của sơ đồ:
Ud = 0,9U2 : U2=48/0,9=53,33 (V)
Id=Ud/Rd=Pd/Ud Id=500/48=10,42 (A)
Van bán dẫn:
ID=Id/2; ID=10,42/2=5,21 (A)
Điện áp ngược lớn nhất trên van: Ung,max= 2U 2 = 2.53,33 = 75, 42 (V )
Dòng hiệu dụng MBA: I2=(pi/(2*sqrt(2)))*Id
Sử dụng một bảng excel để tính toán những giá trị cần thiết sau:

3
 Những giá trị cần tính toán Những hằng số và giá trị đã biết
Các biến tính toán Giá trị units Constants units
Ud=0,9U2 sqrt(2) 1.414214
U2=Ud/0,9 53.33333333 V Ud 48 V
Id=Ud/Rd=Pd/Ud 10.41666667 A Pd 500 W
ID=Id/2 5.208333333 A pi 3.142
Ung,max=sqrt(2)U2 75.42472333 V
I2=(pi/2*sqrt(2))*Id 11.57150785 A VF(TO) 0.85 V
kba=U1/U2 4.125 rt 10.4 mOHM
I1=I2/kba 2.805214023 A VFM 1.1 V
Sba=1,23Pd 615 VA
Id=Id,m*2/pi
Id,m=pi*Id/2 16.36458333
Công suất tổn hao trung bình trên 4 điôt:
PD,av=(4/pi)*Id,m*(2*VF(TO)+rt*Id,m*pi/2)
PD,av 40.98689809 W

1.2. Các điôt VS-20ETS12THM3 hoặc VS-20ATS12HM3 có IF = 20 A > ID =5,2 A, VR = 1200 V >> Ung,max =
75,43 V, vì vậy đều có thể dùng tốt cho ứng dụng này.
1.3. Thông số của điôt VFM = 1,1 V; rt = 10,4 m; VF(TO) = 0,85 V
Thay vào đặc tính tuyến tính hóa
A IF
IF

VAK
0 VF0 VF V

Dòng qua điốt có dạng nửa sin, mỗi lần đi qua 2 điôt. Bỏ qua tổn thất khi khóa, tổn thất khi dẫn
trung bình qua 4 điôt bằng:
1 
PD ,av = 4   ( I dm sin  ) VF (TO ) + rt ( I dm sin  )  d 
 0 
 
4  
= I dm VF (TO )  sin  d + rt I dm  ( sin  ) d 
2

  0 0  (1)
4  
= I dm VF (TO ) ( − cos  ) 0 + rt I dm 
  2
4  
= I dm  2VF (TO ) + rt I dm 
  2
Đưa biểu thức (1) vào bảng tính excel ở trên tính ra tổn hao công suất trung bình trên 4 điôt trong
sơ đồ.

4
 Bài tập II: MOSFET và Drivers
Đối với MOSFET theo đặc tính kỹ thuật của nhà sản xuất (Datasheet) có hai vấn đề cần xem xét rất
cụ thể:
1. Thiết kế tính chọn mạch Driver cho MOSFET
2. Tính toán tổn hao cho MOSFET dựa trên đặc tính tuyến tính hóa gần đúng quá trình đóng cắt.

Hai vấn đề này được minh họa qua sử dụng Đặc tính kỹ thuật của Power MOSFET của hãng
Vishay, SiHFPS40N50L.
Bài tập II.1 Tính toán công suất cho mạch Driver cho MOSFET với giả thiết RG = 1,85  (RG=Rgint+Rgext), VGS
= 0 – 10 V, Các thông số khác liên quan đến điều khiển hãy tùy chọn cho phù hợp.

Hình 3 Đặc tính điện tích nạp vào cực điều khiển Qg theo điện áp giữa cực điều khiển và cực gốc, Vishay,
SiHFPS40N50L

Tính toán theo slides (Bài giảng):

 Từ đồ thị đặc tính điện tích nạp vào cực điều khiển Qg (trên hình 7), để đưa điện áp UGS
từ 0 lên 10 V, cần QG = 210 nC. Năng lượng cần thiết E = (10 – 0)*210*10-9 = 2,1*10-6
J=2,1μJ. Công suất PD = E*fsw = 2,1*10-6*50*103 = 0,11 W. Dòng đầu ra trung bình: IG =
210*10-9*50*103 = 0,011 A = 11 mA. Giả sử RG = 0,95 Ω, Rgint=0,9 Ω (Từ tài liệu kỹ thuật).
Dòng đầu ra lớn nhất bằng: IG,max = 10/1,85 =5,41 A.

Bài tập II.2 Tổn hao công suất trong quá trình đóng cắt khi sử dụng Vishay, SiHFPS40N50L, cho ứng dụng
VDS = 400 VDC, IL = 20 A, Vdr=0 – 10 V, tần số đóng cắt fsw = 50 kHz, bằng phương pháp gần đúng theo đồ
thị hình 6.
(Lưu ý hãy sử dụng công thức tính tụ ký sinh từ các thông số của nhà sản xuất:
CGD=CRSS; CGS=CISS-CRSS, CDS=COSS-CRSS)

5
 Hình 4 Đặc tính kỹ thuật của Power MOSFET của hãng Vishay, SiHFPS40N50L.

Hình 5 Đồ thị xác định giá trị tụ CGD=Crss(VDS) (Từ đặc tính kỹ thuật của nhà sản xuất Vishay, SiHFPS40N50L)

6
 Vdr
VGS(plateau)
VGS(t)
IG(on) Mức Miller
VGS(th)
IG(off)
0 t

VDS(t)
Vg

IDS(t) IL

0 t
tr tfu tru tf

Hình 6 Đồ thị tuyến tính hóa gần đúng quá trình đóng cắtcủa MOSFET cho tải điện cảm.

Theo đồ thị đặc tính đóng cắt tuyến tính hóa, các thời gian dòng điện tăng tr (rise time), dòng điện giảm
tf (falling time) ta tìm thấy trên đặc tính kỹ thuật (xem hình 4 trên đây). Những thời gian tăng và giảm
điện áp trên khóa bán dẫn tru (voltage rise time), giảm điện áp tfu (voltage falling time) không những phụ
thuộc điều kiện làm việc như điện áp nguồn Vdd, dòng tải IL, dòng vào cực điều khiển IGon, IGoff, mà còn
phụ thuộc các thông số của khóa bán dẫn. Trong các thông số phụ thuộc thì CGD là phức tạp nhất vì phụ
thuộc vào điện áp giữa cực máng và cực điều khiển.
Có thể xác định CGD gần đúng theo Hình 7 Đồ thị xác định giá trị tụ CGD=Crss(VDS) (Từ đặc tính kỹ thuật của nhà sản xuất Vishay,
SiHFPS40N50L).
Theo đồ thị trên hình 5, chọn hai giá trị tụ:

- CGD1 = 3000 pF = 3.10-9 (F) ứng với khi MOSFET mở bão hòa, VDS = 3 V;

- CGD2 = 40 pF = 4.10-11 (F) ứng với khi MOSFET khóa hoàn toàn,VDS = 400 V.

Với mỗi giá trị tụ này tính thời gian điện áp VDS giảm:

tfu1=CGD1.Udd/Igon;

tfu2=CGD2.Udd/Igon;

Thời gian giảm điện áp tính gần đúng bằng trung bình cộng:

tfu=(tfu1+tfu2)/2

Tương tự như vậy ta tính được thời gian tăng điện áp tru.

Tính toán tổn hao do đóng cắt theo các bước hướng dẫn trong slides theo bảng excel dưới đây:

7
 Những giá trị cần tính toán Những hằng số và giá trị đã biết
Các biến tính toán Giá trị units Constants Giá trị units
RG=Rgint+Rgext 1.85 ohm tr 1.70E-10 s
Igon=(Vdr-Vplat)/RG 2.162162162 A tf 6.90E-11 s
Igoff=Vplat/RG 3.243243243 A Udd 400 V
pi 3.142
Tính toán các thời gian tfu, tru: IL 20 A
tfu1=CGD1.Udd/Igon 2.78E-07 s fsw 5.00E+04 kHz
tfu2=CGD2.Udd/Igon 3.70E-09 s Rgint 0.85 ohm
tfu=(tfu1+tfu2)/2 1.41E-07 s Rgext 1 ohm
tru1=CGD1.Udd/Igoff 3.70E-07 s CGD1 3.00E-09 F
tru2=CGD2.Udd/Igoff 4.93E-09 s CGD2 4.00E-11 F
tru=(tru1+tru2)/2 1.87E-07 s Vplat 6V
ErrM=Vdd*Qrr 1.00E-02 Ws Vdr 10 V
EonM=Udd*IL*(tr+tfu)/2 5.63E-04 Ws Udd2 200 V
Qrr 2.50E-05 C
Eon=ErrM+EonM 1.06E-02 Ws
Eoff=Udd*IL*(tf+tru)/2 7.50E-04 Ws
Psw1=(Eon+Eoff)*fsw 5.66E+02 W
Psw=(EonM+Eoff)*fsw 6.57E+01 W