Hướng dẫn SV vẽ phần miền Proteus

TỔNG QUAN VỀ PHẦN MỀN PROTEUS
1. Giới thiệu phần mền Proteus:
Proteus là một tổ hợp phần mền được phát triển bởi công ty Lab Center Eletronics
hai công cụ cơ bản trong phần mền này gồm có:
+ ISIS Schematic Capture: Dùng để vẽ các mạch nguyên lý, và mô phỏng hoạt
động của mạch trên máy tính. ISIS hỗ trợ thư viện khá đầy đủ các IC và linh kiện
của điện tử số và điện tử tương tự, cũng như các công cụ cần thiết cho việc mô
phỏng kiểm tra thiết kế. Chương trình dùng thiết kế sơ đồ nguyên lý và mô phỏng
các mạch tương tự. Trên cơ sở đó có thể chuyển thành mạch in.
+ ARES PCB layout: Dùng để thiết kế mạch in trên cơ sở sơ đồ nguyên lý đã được

thiết kế. Chương trình hỗ trợ các công cụ để vẽ mạch in và kiểm tra trước xuất ra
định dạng cần thiết cho quá trình thiết kế mạch.
Trong khuôn khổ chương trình thí nghiệm. Sinh viên sẽ được hướng dẫn sử dụng
ISIS để thiết kế mô phỏng và kiểm tra các mạch.
Vẽ sơ đồ nguyên lý trên ISIS.
Bước 1: Tạo project mới:
Tại cửa sổ chương trình ISIS Schematic Capture ta chọn File/New Design, sẽ xuất
hiện một của sổ con hỏi về kích thước của design, đây thuần túy là kích thước
không gian bản vẽ, có thể chọn một khổ bất kỳ, ví dụ chọn A2.
1
Để chọn lại kích thước của bản thết kế, từ thanh công cụ, chọn System\ Set
Sheet size và chọn kích thước bản thiết kế theo yêu cầu của đề bài.
Ấn OK để quay trở lại màn hình chính. Sau đó chọ file/Save hoặc ấn vào
biểu tượng đĩa mền màu xanh trên thanh công cụ. Chọn đường dẫn lưu thiết
kế ở ô Save in đến thư mục D:\student\ISIS, và điền file name là first_
example (có thể chọn tùy ý). Ấn Save để tiếp tục.
Bước 2: lấy linh kiện, nối dây:
Lấy linh kiện trong thư viện của ISIS.

Để lấy linh kiện trong thư viện thực hiện các bước sau:
+ Chọn công cụ. .. trên thanh công cụ đứng.
+ Ấn vào nút P trên cửa sổ Devices.
2
+ Hiện lên cửa sổ Pick Devices. Để tìm linh kiện Diode gõ ô tìm kiếm
keywords là diode linh kiện sẽ hiện lên. Kích đúp vào Diode sẽ thấy linh
kiện có tên Diode hiện ở cửa sổ Devices ngoài bản vẽ.
+ Các linh kiện khác họn tương tự.
- Chọn OK để quay trở lại cửa sổ chính.

Trên cửa sổ Pick Devices hiển thị thông tin chi tiết mô tả về linh kiện ở cửa
sổ Results, sơ đồ nguyên lý( Schematic View), và sơ đồ chân cho mạch
in(PCB view).
- Để lấy nguồn bấm chuột vào biểu tượng ………. trên thanh công cụ
đứng, sau đó chọn GROUND, POWER… tương ứng
-
Để nối dây giữa các linh kiện ta có thể làm một trong hai cách sau:
+ Nối dây trực tiếp: Di chuyển con chuột tới các đầu vào, hoặc đầu ra của
linh kiện cần kết nối, khi thấy có xuất hiện có ô vuông màu đỏ thì click
chuột sau đó di chuyển tới đầu cần nối (cũng sẽ xuất hiện ô vuông màu đỏ)
và click chuột một lần nữa.
3
+ Nối bằng cách đặt tên dây dẫn: trong trường hợp linh kiện đặt xa nhau,
hoặc có nhiều dây nối, nếu nối trực tiếp sẽ rất rối hình, thì sử dụng phương
pháp thứ 2 là đặt tên dây dẫn trùng nhau.
Di chuyển con chuột tới vị trí đầu dây vào hoặc đầu dây ra cho tới khi xuất
hiện ô vuông màu đỏ, click chuột sau đó kéo dây dẫn một đoạn đủ để đặt
tên, kích chuột đúp trái để kết thúc đi dây.
Nhấn vào biểu tượng trên thanh công cụ, sau đó dy chuyển đến phần dây
dẫn vừa kéo dài, khi thấy dây nối hiện màu đỏ kích chuột trái để đặt tên như
hộp thoại dưới đây.
Hình: Nối dây trực tiếp
Hình: Nối dây gián tiếp bằng cách đặt tên
4
Ngoài các thao tác cơ bản trên sinh viên có thể tìm hiểu thêm các thao tác
khác như nối dây bằng Bus, tạo các Component, đặt đầu vào đầu ra….
Bước 3: Mô phỏng thiết kế:
Góc trái dưới của màn hình có khối điều khiển mô phỏng, từ trái qua phải
lần lượt là các nút:
- PLAY: Bắt đầu chạy mô phỏng với thời gian không hạn chế.
- STEP: Sẽ chạy mô phỏng với một bước thời gian xác định.
- PAUSE: Tạm dừng mô phỏng.
- STOP: Kết thúc mô phỏng.
Chú ý: Khi đang chạy mô phỏng không thể thực hiện động tác thay đổi thiết
kế bản vẽ.
+ Quy trình, phương pháp thí nghiệm.
Bước 1: Tạo project.
Bài thí nghiệm trên phần mền Proteus được thực hiện theo các bước sau:
Tạo Projeect mới với đầy đủ các linh kiện trong bản thiết kế. điền vào bảng:
STT Tên linh kiện Tên thư viện Mô tả

1 DIODE DEVICE Diot
2 CAP DEVICE Tụ điện
3 RES DEVICE Điện trở
4 TRAZITOR DEVICE Tranzitor
5 POWER TERMNALS Nguồn
6 GROUND TERMNALS Đất
5
7 VSINE DEVICE Nguồn xoay chiều
8 VSOURCE DEVICE Nguồn 1chiều
9 VAR DEVICE Chiết áp(Thường)
10 POT- HG DEVICE Chiết áp thay đổi
11 TRIAC LM137 DEVICE Triac
12 THIRITOR DEVICE Thỉitor
13 DIAC DEVICE Diac
14 SWITCH DEVICE Công tắc
15 DC AMMETER INSTRUMENTS Biểu tượng bên tay trái
16 DC INSTRUMENTS Biểu tượng bên tay trái
VOLTMETER
17 OSILLOSCOPE INSTRUMENTS Biểu tượng bên tay trái
18 AC INSTRUMENTS Biểu tượng bên tay trái
VOLTMETER
19 AC AMMETER INSTRUMENTS Biểu tượng bên tay trái
Bước 2:Tiến hành kết nối mạch.
Sắp xếp các linh kiện hợp lý và tiến hành kết nối các linh kiện với nhau theo
yêu cầu thiết kế mạch của bài toán.
Bước 3: Mô tả trên phần mền và viết báo cáo kết quả thực hiện.
6
BÀI 1: KHẢO SÁT DIODE VÀ CÁC ỨNG DỤNG CỦA DIODE.
Hình 1. Sơ đồ mạch thực tế của Diot
Panel thí nghiệm bao gồm các bài khảo sát như sau:
I: Mạch khảo sát diode
II: Mạch khảo sát IC ổn áp
III: Mạch nắn nửa chu kì
IV: Mạch cắt điện áp
V: Mạch nắn cả chu kì
1. Mục đích, yêu cầu

a. Mục đích
Giúp học viên, sinh viên nắm được cấu tạo, nguyên lý hoạt động và đặc tính
của Diode và các mạch nắn, mạch cắt; phục vụ tốt hơn cho quá trình sử dụng linh
kiện vào ứng dụng trong thực tế.
7
b. Yêu cầu
Học viên, sinh viên ôn tập kỹ lý thuyết về Diode, IC ổn áp, mạch nắn, mạch
cắt ổn áp.
Tuân thủ tuyệt đối hướng dẫn của cán bộ, giáo viên hướng dẫn thí nghiệm;
Chủ động, tích cực trong việc phân tích mối tương quan giữa các tham số
đầu vào và đầu ra và các đặc trưng của mạch thí nghiệm.
2. Nội dung thí nghiệm
a. Khảo sát nhánh thuận của Diot:
Đặt Diot theo chiều thuận, chọn R1=100Ω; Đồng hồ đo dòng để thang mA.
Hình 2. Mạch: Khảo sát nhánh thuân vẽ theo chương trình Proteus
Bảng thống kê linh kiện mô phỏng mạch khảo sát Diode.

1 DIODE DEVICE Diot
3 VSOURCE DEVICE Nguồn 1 chiều
4 DC AMMETER INSTRUMENTS Biểu tượng bên tay
8
trái
5 DC INSTRUMENTS Biểu tượng bên tay
VOLTMETER trái
6 POT-HG DEVICE Chiết áp thay đổi
7 GROUND TERMNALS Đất. Vào biểu tượng
* Sơ đồ mạch nguyên lý:

Sơ đồ nguyên lý của mạch “Khảo sát Diode” như sau:
Hình 3.. Sơ đồ mạch nguyên lý khảo sát đặc tuyến V-A thuận của Diode
* Sơ đồ mạch thực tế:
9
Hình 4.. Sơ đồ mạch thực tế khảo sát đặc tuyến V-A thuận của Diode
* Quy trình thí nghiệm:

Bước 1: Chọn diode, dùng đồng hồ bật về thang đo điện trở X10, hoặc X100
để kiểm tra chất lượng của diode bằng cách đo điện trở thuận và điện trở ngược;
Bước 2: Kiểm tra mạch cắm linh kiện như sơ đồ mạch điện, chọn giá trị R
= 100.
Bước 3: Mắc đồng hồ đúng vị trí, đúng cực, điều chỉnh chiết áp VR để được
các mức điện áp Uth tương ứng (chiết áp kịch bên tay phải là giá trị nhỏ nhất, bên
trái cùng là giá trị điện áp lớn nhất) sau đó đo giá trị dòng Ith trên ampe kế.
CHÚ Ý:
- Dùng dây cấp nguồn +5V từ hàng chốt nguồn phía trên mạch.
- Đồng hồ đo dòng và đo điện áp không đo trực tiếp trên mạch mà đồng hồ đo

dòng cắm ở trên cùng bên tay trái.cắm dây dương của đồng hồ vào trụ mA, còn
dây âm cắm vào COM. Đồng hồ đo diện áp cắm ở trên cùng bên tay phải, dây
dương của đồng hồ vào trụ V/Ω, dây âm của đồng hồ vào trụ COM.
- Dùng dây nhảy từ các vị trí đo dòng và áp trên mạch tương ứng lên các trụ mA,
V/Ω. (Chú ý cực tính của đồng hồ).
- Muốn đọc được giá trị dòng điện thì phải nhấn giữ công tắc đỏ(to) dưới trụ mA.
- Đồng hồ bật về đúng vị trí đảo mạch cần đo sau đó mới bật nguồn SW mới tiến
hành đo từng giá trị.
* Báo cáo thí nghiệm:
Tiến hành đo từng giá trị theo bảng sau:
Uth (V) 0,5 0,6 0,7 0,8 0.9
Ith (mA)
+ Căn cứ vào số liệu đo được từ bảng trên vẽ đặc tuyến nhánh thuận
10
+ Qua quá trình khảo sát đặc tuyến thuận của diode cho nhận xét.
b. Khảo sát nhánh ngược của Diot.
Đảo chiều Diot, cho R1=0; Đồng hồ đo dòng để thang µA
Hình 5. Khảo sát nhánh ngược vẽ bằng chương trình Proteus
Bảng thống kê linh kiện mô phỏng mạch khảo sát Diode.

1 DIODE DEVICE Diot
trái
VOLTMETER trái
11
Khi vẽ mạch trên phần mền đã xong, ấn nút Play cho mạch chạy và so sánh
với mạch cắm thực tế trên Panel thí nghiệm so sánh kết quả để đưa ra kết
luận
Hình 6. Mạch thực tế đặc tuyến ngược của Diot

Bước 1: Mắc mạch như sơ đồ mạch điện (đảo chiều diode).
Bước 2: Ngắn mạch R = 0.
Bước 3: Mắc đồng hồ đúng vị trí, đúng cực điều chỉnh chiết áp VR để được
các mức điện áp Ung tương ứng sau đó đọc giá trị dòng Ing trên ampe kế.
Ung (V) 1 2 3 4 5
Ing ( A)
+ Căn cứ vào số liệu đo được từ bảng trên vẽ đặc tuyến nhánh ngược
+ Qua quá trình khảo sát đặc tuyến ngược của diode cho nhận xét.
12
Hình 7. Đặc tuyến V-A của diode bán dẫn
C. Mạch nắn cả chu kỳ.
Bảng thống kê linh kiện mô phỏng mạch nắn cả chu kỳ.

1 DIODE DEVICE Diot
4 SW-SPDT DEVICE Công tắc
VOLTMETER trái
8 OSILLOSCOPE INSTRUMENTS Biểu tượng bên tay
trái
13
Hình 8. Mạch khảo sát cả chu kỳ vẽ bằng chương trình Proteus.
Hình 9. Sơ đồ mạch thực tế mạch nắn cả chu kì
14
Hình 10. Giản đồ thời gian điện áp đầu vào và đầu ra mạch nắn cả chu kỳ

Bước 1: Dùng dây cấp nguồn xoay chiều 9V(Trụ màu xanh trên cùng bên
tay phải) cho mạch.
Bước 2: Dùng Oscilloscope quan sát tín hiệu đầu vào, đo biên độ, chu kỳ,
tần số tín hiệu vào (để ở chế độ đo AC). Tính giá trị điện áp hiệu dụng.
CHÚ Ý: Oscilloscope không cắm trực tiếp vào mạch mà cắm vào vị trí CH1 hoặc
CH2 phía trên của Panel sau đó dùng dây nối mạch nhảy từ CH1 hoặc CH2 xuống
vị trí mạch cần đo.
Bước 3: Chuyển dây đo Oscilloscope qua đầu ra để đọc biên độ tín hiệu ra
(để Oscilloscope ở chế độ đo DC). Trước đó phải để Oscilloscope ở chế độ GND
để điều chỉnh vạch sáng trên Oscilloscope nằm đúng vào trục hoành của màn hình,
15
coi đó là gốc toạ độ để tính biên độ từ đó lên. Để đồng hồ đo ở vị trí đo điện áp
một chiều (DC) cắm vào vị trí điện áp ra. Với giá trị điện trở R = 1K. Đo giá trị U ra
sau khi nắn trên Oscilloscope và giá trị điện áp trên đồng hồ đo.
Bước 4: Thay đổi các giá trị tụ (C = 10µ, và C = 100µ), R = 1K và R = 10K

đo mức biên độ tín hiệu (đo U min ,Umax) trên Oscilloscope và giá trị điện áp trên
đồng hồ đo. So sánh các kết quả đo được.
CHÚ Ý: Khi đo ở đầu ra trường hợp có tụ thì ta phải bật SW4 về vị trí ON.

Uv max T=? C = 10µ C = 10µ C = 100µ C = 100µ
(V) f=? R = 1K R = 10K R = 1K R = 10K
Ur min Uramax Ur min Uramax Ur min Ura max Ur min Ura max
+ Căn cứ vào số liệu đo được từ bảng trên vẽ đồ thị tín hiệu đầu vào, đầu ra khi
chưa có tụ và có tụ
+ Qua quá trình khảo sát cho nhận xét.
c. Mạch nắn nửa chu kỳ:
Bảng thống kê linh kiện mô phỏng mạch nắn nửa chu kỳ.

1 DIODE DEVICE Diot
4 SW-SPDT DEVICE Công tắc
VOLTMETER trái
trái
16
Hình 11.Mạch khảo sát nửa chu kỳ vẽ bằng chương trình Proteus.
Hình 12. Sơ đồ mạch thực tế khảo sát “Mạch nắn nửa chu kì”
17
U1
t
Ua, Ia
Ia
Ua
UR, IR
UR IR
UR C= 10f
C=1000f
Hình 13. Giản đồ thời gian đ/áp đầu vào và đầu ra của mạch nắn nửa chu kỳ.
Bước 1: Dùng dây cấp nguồn xoay chiều 9V(Trụ màu xanh trên cùng bên
tay phải) cho mạch.
Bước 2: Dùng Oscilloscope quan sát tín hiệu đầu vào, đo biên độ, chu kỳ,
tần số tín hiệu vào (để ở chế độ đo AC). Tính giá trị điện áp hiệu dụng.
CHÚ Ý: Oscilloscope không cắm trực tiếp vào mạch mà cắm vào vị trí CH1 hoặc
CH2 phía trên của Panel sau đó dùng dây nối mạch nhảy từ CH1 hoặc CH2 xuống
vị trí mạch cần đo.
18
Bước 3: Chuyển dây đo Oscilloscope qua đầu ra để đọc biên độ tín hiệu ra
(để Oscilloscope ở chế độ đo DC). Trước đó phải để Oscilloscope ở chế độ GND
để điều chỉnh vạch sáng trên Oscilloscope nằm đúng vào trục hoành của màn hình,
coi đó là gốc toạ độ để tính biên độ từ đó lên. Để đồng hồ đo ở vị trí đo điện áp
một chiều (DC) cắm vào vị trí điện áp ra. Với giá trị điện trở R = 1K. Đo giá trị U ra
sau khi nắn trên Oscilloscope và giá trị điện áp trên đồng hồ đo.
Bước 4: Thay đổi các giá trị tụ (C = 10µ, và C = 100µ), R = 1K và R = 10K

đo mức biên độ tín hiệu (đo U min ,Umax) trên Oscilloscope và giá trị điện áp trên
đồng hồ đo. So sánh các kết quả đo được.
CHÚ Ý: Khi đo ở đầu ra trường hợp có tụ thì ta phải bật SW4 về vị trí ON.
Uv T=? C = 10µ C = 10µ C = 100µ C = 100µ

max f=? R = 1K R = 10K R = 1K R = 10K
(V)
Ur min Uramax Ur min Uramax Ur min Ura max Ur min Ura max
+ Căn cứ vào số liệu đo được từ bảng trên vẽ đồ thị tín hiệu đầu vào, đầu ra khi
chưa có tụ và có tụ.
+ Qua quá trình khảo sát cho nhận xét.
d. Nội dung thí nghiệm 5: Khảo sát mạch cắt điện áp.
Bảng thống kê linh kiện mô phỏng mạch cắt điện áp.

1 DIODE DEVICE Diot
8 OSILLOSCOPE INSTRUMENTS Biểu tượng bên tay trái
19
9 POT-HG DEVICE Chiết áp biến đổi
Hình 14. Mạch cắt vẽ bằng chương trình Proteus
Hình 15. Dạng tín hiệu mạch cắt
20
Hình 16. Sơ đồ mạch nguyên lý mạch cắt điện áp
Hình 17. Sơ đồ mạch thực tế mạch cắt điện áp
21
Bước 1: Chọn các giá trị linh kiện như sau: D1, D2 là loại diode muỗi vỏ
thủy tinh; C1,C2 = 0.1µF; R1 = 100K; điện trở đầu ra R2, R3 = 1KΩ.
Bước 2: Dùng dây cấp nguồn ~9V từ hai trụ màu xanh phía trên bên tay
phải vào đầu vào của mạch.
Bước 3: Dùng dây cáp nguồn +5V, -5V từ trụ nguồn phía bên tay trái vào
mạch.
Bước 4: Dùng dây nhảy lên CH1, CH2 để đo điện áp đầu vào ~9V và đo
điện áp ra.
Bước 5: Điều chỉnh chiết áp VR1, VR2 quan sát tín hiệu vào và ra cho nhận
xét.
CHÚ Ý: Sau khi cắm dây nhảy, linh kiện, và kiểm tra toàn bộ mạch lúc đó mới bật
nguồn để đo; SW1,SW2 bật về chế độ ON.
c. Nội dung thí nghiệm 3: Khảo sát mạch “Khảo sát IC ổn áp”
Hình 18. Mạch khảo sát ổn áp vẽ bằng chương trình Proteus.
22
Bảng thống kê linh kiện mô phỏng mạch ổn áp.

1 DIODE DEVICE Diot
4 7805 DEVICE Ổn áp 5V
8 DC INSTRUMENTS Biểu tượng bên tay trái
VOLTMETER

Sơ đồ nguyên lý của mạch “Khảo sát IC ổn áp” như sau:
Hình 18. Sơ đồ mạch nguyên lý khảo sát mạch “Khảo sát IC ổn áp”
23
Hình 19. Sơ đồ mạch thực tế khảo sát mạch “Khảo sát IC ổn áp”
Khi thực hiện làm thí nghiệm phần mạch ổn áp thì ta sẽ lấy điện áp từ đầu ra
của mạch nắn cả chu kỳ để đưa vào đầu vào của mạch ổn áp. Chọn giá trị linh
kiện C1,C2 = 0.1u, R=1K lúc đó đầu ra ta có thể dùng oxylo đo ta sẽ được điện
áp đầu ra (Chú ý oxylo để chế độ một chiều). Hoặc có thể dùng đồng hồ bật về
chế độ đo điện áp 1 chiều ta sẽ đo được điện áp ra. Nếu IC ổn áp là 7805 thì đầu
ra sẽ là 5V, còn 7812 thì đầu ra sẽ là 12V.(Chú ý muốn điện áp đầu ra là 5V thì
điện áp đầu vào phải lớn hơn 5V, có thể là 8; 9V. Còn muốn điện áp đầu ra là
12 V thì điện áp đầu vào phải lớn hơn 12V, có thể là 15; 16V.
24
BÀI 2: MẠCH KHẢO SÁT BJT TRANSISTOR.
I. Giới thiệu về panel thí nghiệm BJT transistor

Các mạch khảo sát về BJT transistor được thiết kế trên cùng 1 panel, có hình ảnh
thực tế như sau:
Hình 1. Panel mạch khảo sát BJT transistor
Panel thí nghiệm bao gồm các bài khảo sát như sau:
I: Mạch khảo sát B chung
II: Mạch khuếch đại E chung
III: Mạch khảo sát E chung
25
IV: Mạch dao động đa hài
II. Mục đích, yêu cầu

a. Mục đích
của các loại linh kiện BJT transistor; phân biệt sự khác nhau cơ bản, ưu nhược
điểm của loại Transistor này, phục vụ tốt hơn cho quá trình sử dụng linh kiện vào
ứng dụng trong thực tế.
b. Yêu cầu
Học viên, sinh viện ôn tập kỹ lý thuyết về Transistor trước khi đến thí
nghiệm, thực hành;
đầu vào và đầu ra, các đặc trưng của mạch thí nghiệm.
1. Nội dung thí nghiệm.
a. Khảo sát mạch B chung
Bảng thống kê linh kiện mô phỏng mạch đặc tuyến B chung.

1 NPN(2N2369) DEVICE Tranzitor
trái
VOLTMETER trái
26
Hình 2: Mạch khảo sát B chung vẽ bằng chương trình Proteus.
Hình 3. Sơ đồ mạch nguyên lý khảo sát đặc tuyến B chung.
27
IC
UC=8v
IE UC= 4v
IE5
UC= 0v IE4
IE3
IE2
I
I E1
UE
UC
IC0
Hình 4. Họ đặc tuyến đầu vào và đầu ra của mạch mắc gốc chung
Hình 5: Sơ đồ mạch thực tế khảo sát đặc tuyến B chung

+) Khảo sát đặc tuyến đầu vào IE = f(UEB) khi Uc = const
Bước 1: Chọn linh kiện:
- Chọn R1 = R2 =100;
28
- Bán dẫn dùng NPN (C828 hoặc C1815);
Bước 2: Cắm linh kiện và chọn giá trị các tham số trên mạch
- Kiểm tra mạch cắm linh kiện như sơ đồ mạch điện.
- Dùng dây cấp nguồn -5V, và +12V từ trụ nguồn phía trên Panel vào mạch.
Bước 3: Tiến hành đo và hiệu chỉnh các tham số
- Để đồng hồ đúng thang đo và mắc đồng hồ vào đúng vị trí. Đồng hồ dòng
dây dương cắm vào trụ mA trên cùng bên tay trái, dây âm mắc vào trụ COM. Đồng
hồ đo điện áp mắc dây dương vào trụ V/Ω trên cùng phía tay phải, dây âm cắm vào
trụ COM. Sau đó nhảy dây từ mạch lên vị trí tương ứng. Kiểm tra toàn bộ mạch
điện nếu mắc đúng thì lúc đó mới bật nguồn để đo.
CHÚ Ý: Muốn đọc giá trị dòng điện trên đồng hồ thì phải ấn nút đỏ dưới
trụ mA tương ứng.
- Vặn chiết áp VR2 điều chỉnh UCB để lấy được với hai giá trị 0V và 4V.
Chiết áp nếu vặn tận cùng về bên phải là giá trị nhỏ nhất, còn tận cùng về
bên tay trái là giá trị lớn nhất.
Khi điều chỉnh để lấy UCE = 4V thì phải ngắt mạch Ic (hở mạch), dùng đồng
hồ điều chỉnh lấy UCE = 4V, sau đó chuyển đồng hồ về vị trí để đo UEB lúc đó ta
mới mới ngắn mạch Ic lại và thay đổi U EB để đọc dòng IE (Tương tự như trường
hợp ban đầu).
+) Khảo sát đặc tuyến đầu ra Ic = f (Uc ) khi IE = const
Tương tự như trường hợp trên ta dùng chiết áp VR1 để cố định các giá trị
dòng IE = 10 mA, IE = 20 mA. Sau đó thay đổi chiết áp VR2 để có các giá trị điện
áp theo bảng và đo các giá trị dòng IC tương ứng ghi vào bảng.

Căn cứ vào số liệu đo được từ bảng trên vẽ đặc tuyến đầu vào đầu ra của
BJT được khảo sát và cho nhận xét.
29
+) Đặc tuyến đầu vào IE = fUBE khi Uc = const.
Ta có bảng giá trị sau:
UCB (V ) 0V
UE ( V ) 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9 ..
IE ( mA )
UCB (V ) 4V
UE ( V ) 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9 ..
IE ( mA )
+) Khảo sát đặc tuyến đầu ra Ic = f (Uc ) khi IE = const
IE (mA) 10mA
UC ( V ) -0,7 -0,6 0 0,1 0,2 0,3
IC ( mA )
IE (mA) 20mA
UC ( V ) -0,7 -0,6 0 0,1 0,2 0,3
IC ( mA )
30
b. Khảo sát mạch E chung.
Hình 6: Mạch khảo sát E chung vẽ bằng chương trình Proteus.
Bảng thống kê linh kiện mô phỏng mạch E chung.

trái
VOLTMETER trái

Sơ đồ nguyên lý của mạch “Khảo sát E chung” như sau:
31
Hình 7: Sơ đồ mạch nguyên lý khảo sát đặc tuyến E chung
Hình 8: Sơ đồ mạch thực tế khảo sát đặc tuyến của BJT Transistor E chung

+) Khảo sát đặc tuyến đầu vào Ib = f(Ub) khi Uc = const.
- Chọn R3 = R4 =100;
- Bán dẫn dùng NPN (C828 hoặc C1815);
32
- Kiểm tra mạch cắm linh kiện như sơ đồ mạch điện,
- Dùng dây cấp nguồn +5V, và +12V từ trụ nguồn phía trên Panel vào mạch.
dây dương mắc vào trụ mA trên cùng bên tay trái, dây âm mắc vào trụ COM. Đồng
hồ đo điện áp mắc dây dương vào trụ V/Ω trên cùng phía tay phải, dây âm mắc vào
trụ COM. Sau đó nhảy dây từ mạch lên vị trí tương ứng. Kiểm tra toàn bộ mạch
điện nếu mắc đúng thì lúc đó mới bật nguồn để đo.
CHÚ Ý: Muốn đọc giá trị dòng điện trên đồng hồ thì phải ấn nút đỏ dưới trụ
mA tương ứng.
- Vặn chiết áp VR4 điều chỉnh UCE để lấy được với hai giá trị 0V và 4V.
CHÚ Ý: Chiết áp nếu vặn tận cùng về bên phải là giá trị nhỏ nhất, còn tận
cùng về bên tay trái là giá trị lớn nhất.
- Vặn chiết áp VR3 để có giá trị U BE theo bảng ta sẽ đọc được các giá trị I b
tương ứng.
CHÚ Ý: Khi điều chỉnh để lấy UCE = 4V thì phải ngắt mạch Ic, dùng đồng hồ
đo được UCE = 4V. sau đó chuyển đồng hồ về vị trí để đo U BE lúc đó ta mới mới
ngắn mạch Ic lại và thay đổi U BE để đọc dòng IB (Tương tự như trường hợp ban
đầu).
33
Ib UC= 0v IC
UC=4v Ib5
Ib4
UC= 8v Ib3
Ib2
Ib1
UB UC
IC0
Hình 9: Họ đặc tuyến đầu vào và đầu ra mắc E chung.
+) Khảo sát đặc tuyến đầu ra Ic = f (Uc) khi Ib = const
Tương tự như trường hợp trên ta thay đổi chiết áp VR3 để lấy được I b =
20a, và Ib = 30a cố định, sau đó thay đổi từng giá trị U CE khác nhau để đọc dòng
Ic tương ứng.
Căn cứ vào số liệu đo được từ bảng trên vẽ đặc tuyến đầu vào đầu ra của
BJT được khảo sát và cho nhận xét:
Khảo sát đặc tuyến đầu vào Ib = f(Ub) khi Uc = const.
Uc ( V ) 0
Ub ( V ) 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9 ..
Ib (A)
34
Uc ( V ) 4
Ub ( V ) 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9 ..
Ib (A)
Khảo sát đặc tuyến đầu ra Ic = f (Uc) khi Ib = const
Ib (A) 20(A)
Uc(V ) 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 ....
Ic (mA)
Ib (A) 30(A)
Uc (V ) 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 ....
Ic (mA)
b. Khảo sát mạch khuếch đại E chung.

Sơ đồ nguyên lý của mạch “Khuếch đại E chung” như sau:
35
Hình 10. Sơ đồ mạch khảo sát khuếch đại E chung
IC
Ib (a) Ibm
EC / RC 600a
500
Ibm
ICm 400
300
A
200 300
100 0
200
Ub 100
UC
UCm EC
Eb UVm
Hình 11: Xác định điểm công tác trên đặc tuyến tĩnh.
36
Hình 12. Sơ đồ thực tế khảo sát mạch khuếch đại E chung*
+) Trường hợp I: Mạch định thiên kiểu nguồn cố định:

Bảng thống kê linh kiện mô phỏng mạch khuếch đại E chung trường
hợp nguồn cố định.

5 CAP DEVICE Tụ
trái
37
Hình 13: Mạch KĐ E chung (Trường hợp định thiên theo nguồn cố định) vẽ
theo chương trình proteus.
Hình 14: Dạng tín hiệu, dầu vào, đầu ra mạch KĐ E chung trường hợp định
thiên theo nguồn cố định
38
- Sử dụng loại bán BJT C1815; C828;
- Chọn:
Rin=10K; Rb2 = ; RE, CE = 0; Cin = Cout = 10F
- Kiểm tra mạch cắm linh kiện như sơ đồ mạch điện;
- Dùng dây cấp nguồn +12V từ trụ nguồn phía trên Panel vào mạch;
- Ta lấy tín hiệu hình sin từ máy phát âm tần đưa vào đầu vào là U IN. Điều
chỉnh tín hiệu từ máy phát âm tần đầu vào đủ lớn để tín hiệu đầu ra không bị méo.
Nếu tín hiệu vào vẫn lớn thì ta phải suy giảm biên độ trên máy phát âm tần 10db
hoặc 20db, 40db...
- Dùng 2 tia của oxylo đo biên độ tín hiệu đầu vào U vào và tín hiệu đầu Ura .
Tại CH1, CH2 sau đó nhảy dây từ đầu vào và đầu ra của mạch lên CH1 và CH2.
Tính hệ số khuyếch đại của từng trường hợp tương ứng với các điện trở R b và Rc
như đã cho ở trên.
CHÚ Ý: Khi đo tín hiệu đưa vào cực B là đo điện áp tại điểm giữa Rb1 và Rb2.
- Tính hệ số KĐ trong mỗi trường hợp theo công thức sau:
KU = Ucm/Ubm
TH1: Chọn RB1=100KΩ; RC=100Ω Tính hệ số khuếch đại Ku=?.
+) Trường hợp 2: Định thiên theo phương pháp phân áp
39
Bảng thống kê linh kiện mô phỏng mạch khuếch đại E chung trường
hợp phân áp.

5 CAP DEVICE Tụ
trái
Hình 15: Mạch KĐ E chung T.h phân áp) vẽ theo chương trình proteus.
40
Hình 16: Dạng tín hiệu, dầu vào, đầu ra mạch KĐ E chung trường hợp phân
áp.
Các bước tương tự trường hợp một, tiến hành đo như sau:
- Ta lấy tín hiệu hình sin từ máy phát âm tần đưa vào đầu vào là U IN. Điều
chỉnh tín hiệu từ máy phát âm tần đầu vào đủ lớn để tín hiệu đầu ra không bị méo.
Nếu tín hiệu vào vẫn lớn thì ta phải suy giảm biên độ trên máy phát âm tần 10db
hoặc 20db, 40db.. .
- Dùng 2 tia của oxylô đo biên độ tín hiệu đầu vào Uvào và tín hiệu đầu Ura .
Tại CH1, CH2 sau đó nhảy dây từ đầu vào và đầu ra của mạch lên CH1 và CH2.
Tính hệ số khuyếch đại của từng trường hợp tương ứng với các điện trở R b và Rc
như đã cho ở trên.
CHÚ Ý: Khi đo tín hiệu đưa vào cực B là đo điện áp tại điểm giữa Rb1 và
Rb2.
- Tính hệ số KĐ trong mỗi trường hợp

41
KU = Ucm/Ubm
TH1: Chọn RB1=100KΩ; RB2 = 10KΩ; RE=100Ω; RC=100Ω Tính hệ số

khuếch đại Ku=?.


- Vẽ dạng tín hiệu đầu vào và đầu ra như đã quan sát trên Oxilo . Cho nhận
xét trong quá trình làm trường hợp 1.
- Vẽ dạng tín hiệu đầu vào và đầu ra như đã quan sát trên Oxilo . Cho nhận
xét trong quá trình làm trường hợp 2.
- Nhận xét, so sánh hệ số khuyếch đại hai trường hợp trên (giải thích tại sao).
e. Khảo sát mạch dao động đa hài.
Bảng thống kê linh kiện mô phỏng mạch dao động đa hài.

3 LED- GREEN DEVICE Led
5 CAP DEVICE Tụ
trái
VOLTMETER trái
trái
42
Hình 17: Mạch dao động đa hài vẽ theo chương trình Proteus
Hình 18: Dạng tín hiệu đầu ra của mạch dao động đa hài
43
Sơ đồ nguyên lý của mạch “Cmos Inverter” như sau:
Hình 19: Sơ đồ mạch nguyên lý dao động đa hài
Hình 20: Sơ đồ mạch thực tế dao động đa hài
44
Bước 1: Chọn linh kiện
R5 = R8 = 100Ω; 220Ω
R6 = R7 = 100KΩ; 220KΩ
C1= C2 =10µf hoặc 22µf
M4, M5 là loại C828 hoặc C1815
- Kiểm tra mạch cắm linh kiện như sơ đồ mạch điện
- Dùng dây cấp nguồn +12V từ trụ nguồn phía trên Panel vào mạch
- Dùng dây nhảy từ UOUT1 và UOUT2 lên CH1 và CH2 ở phía trên của panel đo,
quan sát dạng xung ở hai đầu ra, kết hợp quan sát hai đèn LED1 và LED2 cho nhận
xét.
……..
45
BÀI 3: MẠCH KHẢO SÁT FET TRANSISTOR.
1. Giới thiệu về panel thí nghiệm FET
Các mạch khảo sát về Fet Transistor được thiết kế trên cùng 1 panel thí nghiệm, có
hình ảnh thực tế như sau:
Hình 1. Panel mạch khảo sát FET transistor
Panel thí nghiệm bao gồm các bài khảo sát từ trái qua phải, từ trên xuống
dưới thứ tự như sau:
I. Mạch khuếch đại D chung
II. Mạch khuếch đại FET
III. Mạch khảo sát FET

46
IV. Mạch Cmos Inverter.

a. Mục đích
Giúp học viên, sinh viên nắm được cấu tạo, nguyên lý hoạt động và
đặc tính của các loại linh kiện Fet transistor; Biết cách xác định đặc tuyến và so
sánh với các tranzitor lưỡng hạt khác; Xác lập mạch khuyếch đại và khả năng
khuyếch đại của JET; Biết được khả năng truyền dẫn ánh sáng và những ứng dụng
của nó trong thực tế.
P
Lớp tiếp giáp P.n
n D
S
EG
G P
ED
Hình 2. Cấu tạo của JFET.
b. Yêu cầu
Học viên, sinh viên nắm được tính chất cơ bản của Transistor trước khi đến
thí nghiệm, thực hành;
47
đầu vào và đầu ra và các đặc trưng của mách bài thí nghiệm; biết cách xác định đặc
tuyến và so sánh với các Transistor lưỡng hạt khác.
2. Nội dung thí nghiệm: Mạch vẽ trên chương trình Proteus.
Bảng thống kê linh kiện mô phỏng mạch đặc tuyến Trazitor trường.

1 JFET(2N3819) DEVICE Tranzitor trường
VOLTMETER trái
trái
48
Hình 3: Mạch đặc tuyến FET vẽ theo chương trình Proteus
a. Nội dung thí nghiệm 1: Khảo sát đặc tuyến của Transistor trường trên mạch
“Khảo sát FET”
Sơ đồ nguyên lý của mạch “Khảo sát FET” như sau:
Hình 4. Sơ đồ mạch nguyên lý khảo sát đặc tuyến của FET
Hình 5. Sơ đồ mạch thực tế khảo sát đặc tuyến của FET
49
+) Khảo sát đặc tuyến đầu vào ID = f(UG) khi UD = const.
- Sử dụng loại bán dẫn trường K30A (Cắm quay mặt vát về bên tay trái);
- Chọn R1 = 100;
- Dùng dây cấp nguồn -5V và +12V từ trụ nguồn phía trên Panel vào mạch.
dây dương mắc vào trụ mA trên cùng bên tay trái, dây âm mắc vào trụ COM. Đồng
hồ đo điện áp mắc dây dương vào trụ V/Ω trên cùng phía tay phải, dây âm mắc vào
trụ COM. Sau đó nhảy dây từ mạch lên vị trí tương ứng.
CHÚ Ý: Muốn đọc giá trị dòng điện trên đồng hồ thì phải ấn nút đỏ dưới
trụ mA tương ứng.
- Điều chỉnh chiết áp VR3 để cố định các giá trị điện áp U D =1V, UD =1.5V.
điều chỉnh chiết áp VR2 để thay đổi giá trị điện áp U GS theo bảng dưới đây. Đo giá
trị dòng ID tương ứng kết quả ghi vào bảng .
+) Khảo sát đặc tuyến đầu ra ID = f(UD) khi UG = const
Tương tự như trường hợp trên ta cũng cố định điện áp U GS = 0V và -1V bằng
chiết áp VR2. Thay đổi điện áp UDS với những giá trị theo bảng sau và đo giá trị
dòng ID tương ứng rồi ghi kết quả vào bảng.
UG = 0v B
ID(ma) ID(ma) A
UG = - 1v
UD2>UD1
UG = - 2v
UD2
UG = -3v
UD1
50
UG UD
-3 -2 -1 2 4 6 8 10
a) b)
Hình 6. Đặc tuyến của JFET

a. Đặc tuyến đầu vào.
b. Đặc tuyến đầu ra.
CHÚ Ý:
- Dùng dây cấp nguồn -5V, 12V từ hàng chốt nguồn phía trên mạch.
- Đồng hồ đo dòng và đo điện áp không đo trực tiếp trên mạch mà cắm dây dương
của đồng hồ tương ứng vào các cột chân mA, V/Ω, còn dây âm cắm vào COM.
- Dùng dây nhảy từ các vị trí đo dòng và áp tương ứng lên các trụ mA, V/Ω.
- Muốn đọc được giá trị dòng điện thì phải nhấn giữ công tắc.
- Đồng hồ bật về đúng vị trí đảo mạch cần đo sau đó mới bật nguồn SW mới tiến
hành đo từng giá trị.
Khảo sát đặc tuyến đầu vào ID = f(UG) khi UD = const.
Ta có bảng sau:
UD = 1V
UG (V) 0 0,1 0,2 0,3 0,4
ID (mA)
UD = 1.5V
UG (V) 0 0,1 0,2 0,3 0,4
ID (mA)
51
Khảo sát đặc tuyến đầu ra ID = f(UD) khi UG = const
Ta có bảng sau:
UG = 0V
UD (V) 0,5 1 2 3 4
ID (mA)
UG = -1V
UD (V) 0,5 1 2 3 4
ID (mA)
+ Căn cứ vào số liệu đo được từ bảng trên vẽ đặc tuyến đầu vào đầu ra của FET
được khảo sát
+ Qua quá trình khảo sát đặc tuyến FET transistor cho nhận xét.
f. Nội dung thí nghiệm 2: Khảo sát mạch khuếch đại tranzitor trường
JFET
Bảng thống kê linh kiện mô phỏng mạch khuếch đại Trazitor trường.

1 JFET(2N3819) DEVICE Tranzitor trường
trái
7 CAP DEVICE Tụ
52
Hình 7. Mạch KĐ JFET vẽ theo chương trình proteus
Hình 8: Dạng tín hiệu đầu vào, ra của KĐ JFET
53
Sơ đồ nguyên lý của mạch “Khuếch đại FET” như sau:
Hình 9. Sơ đồ mạch nguyên lý khảo sát mạch khuếch đại JFET
Hình 10. Sơ đồ mạch thực tế khảo sát mạch khuếch đại FET
54
- Sử dụng loại bán dẫn trường K30A( Cắm quay mặt vát về bên tay trái);
- Chọn:
RG1 =∞.
RG = 1K; 10K, (cố định RG thay đổi RD)
RD = 3,3 K hoặc 5.6K, (cố định RD thay đổi RG)
RS = 220 hoặc 100
Cin = Cout =Cs=10F
- Kiểm tra mạch cắm linh kiện như sơ đồ mạch điện
- Dùng dây cấp nguồn +12V từ trụ nguồn phía trên Panel vào mạch
- Lấy tín hiệu hình sin từ máy phát âm tần đưa vào đầu vào mạch khuếch đại
UIN. Hai dây oxylo đưa xuống CH1 và CH2 sau đó dùng dây nhảy từ đầu vào và
đầu ra của mạch lên CH1 và CH2 tương ứng.
- Thay đổi RD và RG như giá trị đã cho để đo giá trị Ura

- Quan sát dạng tín hiệu đầu vào và tín hiệu đầu ra. Điều chỉnh tín hiệu từ
máy phát âm tần đưa vào đầu vào mạch KĐ sao cho tín hiệu đầu ra không bị méo.
Tính hệ số khuếch đại của từng trường hợp cho nhận xét.
+ Qua quá trình khảo sát mạch khuếch đại FET transistor cho nhận xét.
c. Nội dung thí nghiệm 3: Khảo sát mạch “Khuếch đại D chung”
Bảng thống kê linh kiện mô phỏng mạch đặc tuyến Trazitor trường
Khuếch đại D chung.

1 FET(2N7000) DEVICE Tranzitor trường
55
trái
7 CAP DEVICE Tụ
VOLTMETER trái
Hình 11. Mạch KĐ D chung vẽ theo chương trình proteus
56
Hình 12. Dạng tín hiệu vào ra của mạch KĐ D chung
Với mạch KĐ D chung này các giá trị linh kiện phải chọn cho phù hợp, giá trị các
linh kiện như sau:
Mạch khuếch đại D chung là mạch khuếch đại lặp lại, không phải là mạch khếch
đại biên độ điệp áp, pha tín hiệu vào và ra trùng nhau., biên độ điện áp đầu vào
bằng biên độ điện áp đầu ra. Quan sát dạng tín hiệu đo được trên oxylo ta sẽ thấy
được điều đó.

Sơ đồ nguyên lý của mạch “Khuếch đại D chung” như sau:
57
Hình 13. Sơ đồ mạch nguyên lý khảo sát mạch khuếch đại D chung
Hình 14. Sơ đồ mạch thực tế khảo sát mạch khuếch đại D chung
58
Cin=Cout=10µf
Rin=1K; 10K
RG1=1k; 10K
RG2=33K; 56K; 100K
Rs=330Ω; 560Ω.
Quan sát dạng tín hiệu đầu vào và tín hiệu đầu ra cho nhận xét.
d. Nội dung thí nghiệm 3: Khảo sát mạch “Cmos Inverter”

Sơ đồ nguyên lý của mạch “Cmos Inverter” như sau:
Hình 15. Sơ đồ mạch nguyên lý khảo sát mạch Cmos Inverter.
Bảng thống kê linh kiện mô phỏng mạch Cmos Inverter.

1 MOSFET(2N66 DEVICE Tranzitor trường MOSFET
61& 2SJ5162) kênh N và Kênh P
59
5 CAP DEVICE Tụ
6 DC INSTRUME Biểu tượng bên tay trái
VOLTMETER NTS
60
Hình 16. Sơ đồ mạch Cmos Inverter vẽ theo chương trình Proteus
BÀI 4: MẠCH KHẢO SÁT LINH KIỆN NHIỀU LỚP
1. Giới thiệu về panel thí nghiệm mạch khảo sát linh kiện nhiều lớp
Các mạch khảo sát linh kiện nhiều lớp được thiết kế trên cùng 1 panel, có hình ảnh
thực tế như sau:
61
Hình 1. Panel mạch khảo sát linh kiện nhiều lớp
I: Mạch khảo sát IC khuếch đại thuật toán
II: Mạch khảo sát Thyristor-Triac
III: Mạch khảo sát Diac
IV: Mạch Lamp Dimmer

a. Mục đích
của các linh kiện nhiều lớp, phục vụ tốt hơn cho quá trình sử dụng linh kiện vào
ứng dụng trong thực tế.
b. Yêu cầu
62
Học viên, sinh viên ôn tập kỹ lý thuyết về IC khuếch đại thuật toán và các
linh kiện nhiều lớp sử dụng trong quá trình thí nghiệm.
đầu vào và đầu ra và các đặc trưng của mạch thí nghiệm.
3. Nội dung thí nghiệm
Từ panel mạch khảo sát linh kiện nhiều lớp ta có thể vẽ lại sơ đồ nguyên lý của
mạch khảo sát IC khuếch đại thuật toán như sau.
Hình 2. Sơ đồ mạch nguyên lý khảo sát IC KĐTT
63
Hình 3. Mạch khảo sát IC KĐTT

+) Mạch khuếch đại không đảo:
Bảng thống kê linh kiện mô phỏng mạch khuếch đại không đảo.

1 IC741 DEVICE IC thuật toán
trái
64
Hình 4. Mạch KĐ thuận vẽ bằng chương trình Proteus
Hình 5. Dạng tín hiệu đầu vào, ra của mạch KĐ thuận
65
Bước 1: Chọn các giá trị linh kiện như sau:
R1 = 2,2K; 3,3K; 4,7K;
Giá trị tụ C1, C2 = 10µ;
Giá trị R2 = 10K;
Thay đổi giá trị R3 với giá trị 33K; 56K; 100K.
Bước 2: Dùng dây cấp nguồn +12V, -12V từ hàng trụ nguồn phía trên vào
mạch cần đo.
CHÚ Ý: Nguồn của mạch này là dùng nguồn kép ± 12V.
Bước 3: Tín hiệu lấy ra từ máy phát âm tần biên độ đưa vào nhỏ khoảng
10mV hoặc 20mV, tần số 10KHz được đưa vào UIN qua giá trị R1, C1.Sau đó dùng
dây nhảy vào chân 3 của IC, còn chân 2 dùng dây nhảy sang đầu nối giữa R2 và
VR1, đầu bên kia của R2 dùng dây nhảy xuống đất. Vì mạch KĐ không đảo thì
đưa tín hiệu vào chân 3 còn chân 2 đấu đất thì pha tín hiệu đầu ra và đầu vào trùng
pha nhau. Biên độ điện áp được khuếch đại lớn lên.
Bước 4: Thay đổi giá trị R3 đọc biên độ điện áp đầu ra và đầu vào, tính hệ
số khuếch đại của từng trường hợp tương ứng.
UOUT = UIN * (1 + R3/R1).

Ku= UOUT/UIN.
+) Mạch khuếch đại đảo:

Bảng thống kê linh kiện mô phỏng mạch khuếch đại đảo.

1 IC741 DEVICE IC thuật toán
trái
66
Hình 6. Mạch KĐ nghịch vẽ bằng chương trình Proteus
67
Hình 7. Dạng tín hiệu dầu vào, ra của mạch KĐ nghịch
Bước 1: Chọn các giá trị linh kiện tương tự như mạch không đảo:
R1 = 2,2K; 3,3K; 4,7K;
Giá trị tụ C1, C2 = 10µ;
Giá trị R2 = 10K;
Thay đổi giá trị R3 với giá trị 33K; 56K; 100K.
Bước 2: Dùng dây cấp nguồn +12V, -12V từ hàng trụ nguồn phía trên vào
mạch cần đo.
CHÚ Ý: Nguồn của mạch này là dùng nguồn kép ± 12V.
Bước 3: Tín hiệu lấy ra từ máy phát âm tần biên độ đưa vào nhỏ khoảng
10mV hoặc 20mV, tần số 10KHz được đưa vào UIN qua giá trị R1, C1 nhảy dây
đến R2, từ điểm giữa của R2 và VR1 nhảy dây vào chân 2 của IC. Chân 3 của IC
nhảy xuống đất.
68
Bước 4: Dùng dây nhảy lên CH1 và CH2 đo tín hiệu đầu vào và đầu ra tính
hệ số khuếch đại theo từng trường hợp khi ta thây đổi R3 với các giá trị 33K; 56K;
100K, cho nhận xét.
UOUT = -UIN * (1 + R3/R1).
Ku= UOUT/UIN.
CHÚ Ý: Muốn đo biên độ tín hiệu vào thì ta đo tín hiệu sau hai giá trị linh
kiện R1, C1.
b. Nội dung thí nghiệm 2: Khảo sát Thyristor-Triac
Bảng thống kê linh kiện mô phỏng mạch Thyristor- Triac.

1 TRIAC (BT137) DEVICE TRIAC
VOLTMETER trái
trái
69
Hình 8. Khảo sát mạch Triac vẽ bằng chương trình Proteus
mạch khảo sát Thyristor-Triac như sau.
Hình 9. Sơ đồ mạch nguyên lý khảo sát Thyristor-Triac
70
Hình 10. Mạch khảo sát Thyristor-Triac

Bước 1: Dùng dây nhảy cấp nguồn +5V; +12V từ hàng trụ nguồn phía trên
vào mạch.
Bước 2: Chọn giá trị R1 = 3,3K; R2 = 3,3K. Triac dùng loại BT137 chân G
là chân điều khiển.(Chú ý khi cắm Triac ta cắm quay mặt có ký hiệu lên trên).
Bước 3: Dùng 2 đồng hồ một đồng hồ đo dòng, một đồng hồ đo điện áp.
Mắc dây dương đồng hồ dòng vào trụ mA, dây âm vào COM, tương tự đồng hồ đo
điện áp mắc dây dương vào trụ V/Ω còn dây âm vào trụ COM. Sau đó nhảy dây đo
dòng qua R1 lên trụ trên tương ứng, và đo điện áp qua D2 lên trụ tương ứng phía
trên, còn dòng qua D và R2 thì nối tắt.
Bước 4: Trước khi bật nguồn để đo khảo sát thì công tắc SW1 bật về vị trí
tắt. Khi bật nguồn để đo chiết áp VR3 để ở vị trí Max thì đèn LED tắt, dòng qua
LED bằng 0mA, dòng qua IR1= 0,33mA; điện áp trên UD2= 12V. Điện áp trên cực
điều khiển UG= 0,63V.
71
Sau đó bật SW1 lên và ta điều chỉnh chiết áp VR3 về giá trị nhỏ dần thì đèn
sáng, dòng IR1= 1,31mA, ILED= 2,97mA; UD2=0V; UG=0,66V; UD2=0V. Lúc này dù
ta có điều chỉnh chiết áp VR3 thì D2 vẫn mở và đèn sáng liên tục. Muốn thử lại
trạng thái của D2 thì ta phải tắt nguồn cấp vào mạch và để SW1 về vị trí tắt khởi
động lại.
c. Nội dung thí nghiệm 3: Khảo sát mạch Diac

mạch khảo sát Diac như sau.
Hình 11. Sơ đồ mạch nguyên lý khảo sát Diac
72
Hình 12. Mạch khảo sát Diac

Bước 1: Dùng dây cấp nguồn 50V~ vào mạch.
Bước 2: Chọn giá trị linh kiện R1; R2= 3,3KΩ. Chọn Diac D1 nhỏ màu
xanh nước biển.
Bước 3: Dùng hai đồng hồ, đồng hồ để đo dòng dây dương của đồng hồ
dòng mắc vào trụ mA phía trên của mạch, dây âm mắc vào trụ COM. Đồng hồ đo
điện áp dây dương mắc vào trụ V/Ω, còn dây âm mắc vào trụ COM. Sau đó dùng
dây nhảy từ mạch ở các vị trí đo dòng và áp tương ứng lên các trụ phía trên.
Bước 4: Kiểm tra toàn bộ mạch mắc đúng lúc này ta mới bật công tắc nguồn
50V~ ở phía sau hộp nguồn và mới tiến hành đo.
- Khi VR2 ở vị trí lớn nhất 100% thì:
UMN = 48,6V;
UR1= 13,9V;
UD1= 13,8V
73
ILED= 0mA
UR2=0V
- Khi VR2 ở vị trí 16% thì: Đèn bắt đầu sáng mờ.
UMN = 48,6V;
UR1= 10,4V
UD1= 0,03V
ILED= 3,71mA
UR2=8,15V
- Khi VR2 ở vị trí 0% thì đèn sáng nhất.
UMN = 4,3V;
UR1= 48,3V
UD1= 0V
ILED= 20,8mA
UR2=45,9V
Ta thay đổi chiết áp VR2 và quan sát được quá trình đóng mở của Diac, khi Diac
mở hoàn toàn thì lúc này điện áp trên nó bằng 0 và đèn sáng nhất.
d. Nội dung thí nghiệm 4: Khảo sát mạch LAMP-DIMMER.
Bảng thống kê linh kiện mô phỏng mạch lamp- Dimmer.

1 TRIAC (BT137) DEVICE TRIAC
3 VSINE DEVICE Nguồn Xoay chiều
74
9 AC INSTRUMENTS Biểu tượng bên tay
VOLTMETER trái
10 AC AMMETER INSTRUMENTS Biểu tượng bên tay
trái
11 CAP DEVICE Tụ
12 DIAC DEVICE Diac( xanh nhỏ)
Hình 13. Mạch LAMP-DIMMER vẽ bằng chương trình Proteus
Khi thực hiện đo thực tế trên mạch kết quả có khác so với kết quả thể hiện ở trên
mạch vẽ bằng chương trình Proteus.
- Kết quả đo trên mạch Proteus.
Với các giá trị:R1, R2= 33K
C1= C2=0,1µF(Tụ 104)
Khi ta điều chỉnh chiết áp VR4 ta có kết quả như sau:
-Trường hợp đèn mờ:
ILED= 8,6mA
IDIAC= 0,09mA~
UC1;C2=12V~
75
- Trường hợ đèn sáng nhất:
ILED= 8,4mA
IDIAC= 0,15mA~
UC1;C2=10,5V~

mạch LAMP-DIMMER như sau.
Hình 14. Sơ đồ mạch nguyên lý mạch Lamp-Dimmer
76
Hình 15. Mạch Lamp-Dimmer
Bước 1: Dùng dây cấp nguồn 50V~ vào đầu vào của mạch.
Bước 2: Chọn giá trị linh kiện C1 = C2 = 0,1µF; R1 = R2 = 33KΩ.
Bước 3: Dùng 02 đồng hồ đo bật về chế độ đo dòng xoay chiều, cắm đồng
hồ vào hàng trụ phía trên cùng của Panel, dây dương vào trụ mA, dây âm vào trụ
COM. Sau đó dùng dây nhảy từ hai vị trí. Đo dòng qua 02 LED, và dòng qua
DIAC.
CHÚ Ý: Đồng hồ để ở chế độ xoay chiều.
Bước 4: Điều chỉnh chiết áp VR4 cho nhận xét:

- Kết quả đo trên mạch thực tế:
-Trường hợp đèn sáng mờ:
ILED= 0,15mA
IDIAC= 0,04mA~
UC1;C2=0,002V~
77
- Trường hợ đèn sáng nhất:
ILED= 29,5mA
IDIAC= 0,12mA~
UC1;C2=0,002V~

c. Nội dung thí nghiệm 3: Khảo sát mạch Diac.
Bảng thống kê linh kiện mô phỏng mạch Diac.

1 DIAC DEVICE DIAC( nhỏ xanh)
3 VSIN DEVICE Nguồn Xoay chiều
7 DIODE DEVICE Diot
VOLTMETER trái
trái
10 CAP DEVICE Tụ
Hình 16. Mạch DIAC vẽ bằng chương trình proteus

78
Kết quả đo trên mạch Proteus:
- Khi ta điều chỉnh RV1 về giá trị nhỏ nhất thì đèn sáng rõ nhất với:
UDIAC=0,21V; ILED=20,8mA.
- Khi điều chỉnh RV1 về giá trị lớn nhất thì đèn sẽ tắt với:
UDIAC=13,8V; ILED=0 mA.

mạch khảo sát Diac như sau.
Hình 17. Sơ đồ mạch nguyên lý khảo sát Diac
79
Hình 18. Mạch thực tế khảo sát Diac

Bước 1: Dùng dây cấp nguồn 50V~ vào mạch.
Bước 2: Chọn giá trị linh kiện R1= 22KΩ; R2= 3,3KΩ. Chọn Diac D1 nhỏ
màu xanh nước biển.
Bước 3: Dùng hai đồng hồ 01 đồng hồ để đo dòng dây dương của đồng hồ
dòng mắc vào trụ mA phía trên của mạch, dây âm mắc vào trụ COM. Đồng hồ đo
điện áp dây dương mắc vào trụ V/Ω, còn dây âm mắc vào trụ COM. Sau đó dùng
dây nhảy từ mạch ở các vị trí đo dòng và áp tương ứng lên các trụ phía trên.
Bước 4: Kiểm tra toàn bộ mạch mắc đúng lúc này ta mới bật công tắc nguồn
50V~ ở phía sau hộp nguồn và mới tiến hành đo.
Ta thay đổi chiết áp VR2 và quan sát được quá trình đóng mở của Diac.
- Khi ta điều chỉnh RV1 về giá trị nhỏ nhất thì đèn sáng rõ nhất với:
UDIAC=22,48V; ILED=13,45mA.
- Khi điều chỉnh RV1 về giá trị lớn nhất thì đèn sẽ tắt với:
UDIAC=19,5V; ILED=0 mA.

80
……..
81

Hướng dẫn SV vẽ phần miền Proteus

Uploaded by

Document Information

Original Title

Copyright

Available Formats

Share this document

Share or Embed Document

Sharing Options

Did you find this document useful?

Is this content inappropriate?

Copyright:

Available Formats

Hướng dẫn SV vẽ phần miền Proteus

Uploaded by

Copyright:

Available Formats

TỔNG QUAN VỀ PHẦN MỀN PROTEUS

1. Giới thiệu phần mền Proteus:

+ ARES PCB layout: Dùng để thiết kế mạch in trên cơ sở sơ đồ nguyên lý đã được

Vẽ sơ đồ nguyên lý trên ISIS.

Bước 1: Tạo project mới:

Lấy linh kiện trong thư viện của ISIS.

- Chọn OK để quay trở lại cửa sổ chính.

Hình: Nối dây trực tiếp

Hình: Nối dây gián tiếp bằng cách đặt tên

STT Tên linh kiện Tên thư viện Mô tả

Hình 1. Sơ đồ mạch thực tế của Diot

I: Mạch khảo sát diode

II: Mạch khảo sát IC ổn áp

III: Mạch nắn nửa chu kì

IV: Mạch cắt điện áp

V: Mạch nắn cả chu kì

1. Mục đích, yêu cầu

Bảng thống kê linh kiện mô phỏng mạch khảo sát Diode.

STT Tên linh kiện Tên thư viện Mô tả

* Sơ đồ mạch nguyên lý:

* Sơ đồ mạch thực tế:

* Quy trình thí nghiệm:

- Đồng hồ đo dòng và đo điện áp không đo trực tiếp trên mạch mà đồng hồ đo

Uth (V) 0,5 0,6 0,7 0,8 0.9

Đảo chiều Diot, cho R1=0; Đồng hồ đo dòng để thang µA

Hình 5. Khảo sát nhánh ngược vẽ bằng chương trình Proteus

Bảng thống kê linh kiện mô phỏng mạch khảo sát Diode.

STT Tên linh kiện Tên thư viện Mô tả

* Sơ đồ mạch thực tế:

Hình 6. Mạch thực tế đặc tuyến ngược của Diot

* Quy trình thí nghiệm:

Bước 2: Ngắn mạch R = 0.

C. Mạch nắn cả chu kỳ.

Bảng thống kê linh kiện mô phỏng mạch nắn cả chu kỳ.

STT Tên linh kiện Tên thư viện Mô tả

* Sơ đồ mạch thực tế:

Hình 9. Sơ đồ mạch thực tế mạch nắn cả chu kì

* Quy trình thí nghiệm:

Bước 4: Thay đổi các giá trị tụ (C = 10µ, và C = 100µ), R = 1K và R = 10K

* Báo cáo thí nghiệm:

STT Tên linh kiện Tên thư viện Mô tả

* Sơ đồ mạch thực tế:

Bước 4: Thay đổi các giá trị tụ (C = 10µ, và C = 100µ), R = 1K và R = 10K

Uv T=? C = 10µ C = 10µ C = 100µ C = 100µ

STT Tên linh kiện Tên thư viện Mô tả

Hình 14. Mạch cắt vẽ bằng chương trình Proteus

Hình 15. Dạng tín hiệu mạch cắt

Hình 16. Sơ đồ mạch nguyên lý mạch cắt điện áp

* Sơ đồ mạch thực tế:

Hình 17. Sơ đồ mạch thực tế mạch cắt điện áp

Hình 18. Mạch khảo sát ổn áp vẽ bằng chương trình Proteus.

STT Tên linh kiện Tên thư viện Mô tả

* Sơ đồ mạch nguyên lý:

* Sơ đồ mạch thực tế:

I. Giới thiệu về panel thí nghiệm BJT transistor

Hình 1. Panel mạch khảo sát BJT transistor

I: Mạch khảo sát B chung

II: Mạch khuếch đại E chung

III: Mạch khảo sát E chung

II. Mục đích, yêu cầu

STT Tên linh kiện Tên thư viện Mô tả

* Sơ đồ mạch nguyên lý:

Hình 3. Sơ đồ mạch nguyên lý khảo sát đặc tuyến B chung.