Cơ Học Vật Liệu Nano

GV: Lê Văn Lịch

Bộ môn Cơ học Vật liệu và Cán Kim Loại
Viện Khoa học và Kỹ thuật Vật liệu
Trường Đại học Bách khoa Hà Nội
 Cơ chế biến dạng của vật liệu nano tinh thể
Lệch mạng

Biến dạng dẻo trong vật liệu tinh thể

Trượt Song Tinh Chuyển pha Các cơ chế biến dạng rão
(Di chuyển
của lệch mạng)
Trượt biên hạt

+ Các cơ chế khác Khuếch tán lỗ trống

Sự leo của lệch mạng

Sự di chuyển của lệch mạng là một trong những cơ chế chính của biến dạng dẻo,
tuy nhiên, còn nhiều cơ chế khác dẫn đến biến dạng dẻo trong vật liệu tinh thể.
 Cơ chế biến dạng của vật liệu nano tinh thể
Biến dạng dẻo do trượt

❑ Cơ chế biến dạng dẻo chính là do trượt (sự di chuyển của lệch
mạng).
❑ Thí nghiệm đơn giản nhất để đánh giá ứng xử cơ học của vật liệu
là thí nghiệm kéo dọc trục.
 Cơ chế biến dạng của vật liệu nano tinh thể
Biến dạng dẻo do trượt

Các tham số của biến dạng dẻo  ,  , , T

Thường được biểu diễn như sau (đối với plastic)

T thấp  = K  
 n K → hệ số độ bền
   ,T n → hệ số hóa bền
◘ Cu và đồng thau (n ~ 0.5) có khả năng
đạt được biến dạng dẻo lớn dễ hơn so với
T cao  = C   ,T
 m
thép (n ~ 0.15)

C → hằng số
m → chỉ số độ nhạy với tốc độ biến dạng
◘ Nếu m = 0  ứng suất độc lập với tốc độ biến dạng (đường cong
ứng suất-biến dạng trùng nhau với các tốc độ biến dạng khác nhau)
◘ m ~ 0.2 đối với hầu hết các kim loại
◘ Nếu m  (0.4, 0.9) vật liệu có thể hiển thị ứng xử siêu dẻo
◘ m = 1 → vật liệu ứng xử như chất lỏng nhớt
 Cơ chế biến dạng của vật liệu nano tinh thể
Độ nhạy với tốc độ biến dạng

❑ Trong một số vật liệu (do ảnh hưởng của cấu trúc vật liệu hoặc tại nhiệt độ cao)
hiện tượng “thắt cổ chai” có thể không xuất hiện do tốc độ biến dạng hóa bền.

1/ m 1/ m
P 1
 = C m   ,T  = C =mP  =   
A C   A
Từ định nghĩa của biến dạng thực
1 dL 1 dA
= =−
L dt A dt 1/ m 1/ m
1 dA  P  1
− =   
A dt  C   A

1/ m ▪ Nếu m < 1→ tiết diện mặt cắt ngang càn

dA  P   1   nhỏ, sự suy giảm tiết diện này càng nhanh.
− =   (1− m ) / m 
dt  C  A  ▪ Nếu m = 1 → vật liệu ứng xử giống như
chất lỏng Newtoian → dA/dt độc lập với A.
 Cơ chế biến dạng của vật liệu nano tinh thể
Độ nhạy với tốc độ biến dạng

1/ m
dA  P   1 
− =   (1− m ) / m 
dt  C  A 
 Cơ chế biến dạng của vật liệu nano tinh thể
Sự suy yếu của tinh thể do lệch mạng

❑ Yếu tố gây ra biến dạng dẻo là ứng suất cắt (Tất cả biến dạng dẻo do
trượt đều cần ứng suất cắt tác dụng ở cấp độ micro*), có thể quan sát
được các mặt trượt khi lệch mạng di chuyển (Hình vẽ phía dưới**)
❑ Ứng suất cắt cần thiết có độ lớn cỡ GPa
❑ Tuy nhiên, ứng suất chảy thường ở cỡ ~MPa
❑  Điều này chỉ ra rằng có “yếu tố” làm suy yếu mạng tinh thể
❑ Nghiên cứu lý thuyết năm 1930s# và thực nghiệm trên TEM năm
1950s,”yếu tố” gây ra sự suy yếu này là lệch mạng

* Ngay cả trong trường hợp thí nghiệm kéo

dọc trục với ứng suất kéo dọc theo
phương z, ngoại trừ phương ngang và
phương dọc, tất cả các mặt còn lại đều có
ứng suất cắt.
# By Taylor, Orowan and Polyani
 Cơ chế biến dạng của vật liệu nano tinh thể
❑ Mô-đun cắt của kim loại nằm trong khoảng 20 – 150 GPa

G
m ~ ❑ Ứng suất cắt theo lý thuyết nằm

2
trong khoảng 3 – 30 GPa

❑ ứng suất cắt thực tế khoảng 0.5 – 10 MPa (được xác định từ thực nghiệm)
❑ (Ứng suất cắt)Lý thuyết > (~)100  (Ứng suất cắt)Thực nghiệm !!!!

Lệch mạng

Lệch mạng làm suy yếu tinh thể đáng kể

▪ Sợi kim loại nhỏ (đơn tinh thể không có lệch mạng, bán kính cỡ ~ 10−6m) có thể
tiệm cận đến độ bền cắt lý thuyết
▪ Sợi Sn có độ bền cắt cỡ ~10−2 G (gấp 103 lần so với vật liệu khối Sn)
 Cơ chế biến dạng của vật liệu nano tinh thể
Lệch mạng
 Cơ chế biến dạng của vật liệu nano tinh thể
Lệch mạng

Mật độ lệch
▪ Tổng số lệch trên một đơn vị thể tích
hoặc số lệch cắt quá một diện tích
bề mặt.
▪ Mật độ lệch có thể biến đổi tử 105
cm-2 trong một tinh thể đến 1012 cm-
2 trong kim loại khi bị biến dạng

mạnh.

Ảnh chụp từ TEM của hợp kim

Titan, màu đen hiển thị các lệch
mạng. (Courtesy of M. R. Plichta,
Michigan Technological University.)
 Cơ chế biến dạng của vật liệu nano tinh thể
Lệch mạng có liên hệ với hai véc-tơ

𝑡Ԧ -> Véc-tơ tiếp tuyến dọc theo lệch mạng

𝑏 -> Véc-tơ Burgers
 Cơ chế biến dạng của vật liệu nano tinh thể
Lệch biên
Véc-tơ Burgers được xác định sử dụng quy tắc bàn tay phải
- Trong tinh thể hoàn hảo, đi theo đường khép kín theo chiều kim đồng hồ
(ví dụ, 8 bước nguyên tử sang phải, 7 xuống dưới, 8 sang trái và 7 lên trên).
- Thực hiện các bước di chuyển tương tự trong mạng tinh thể có chứa lệch
mạng, để tạo thành đường khép kín cần di chuyển thêm một bước. Một
bước thiếu này gọi là véc-tơ Burgers.
 Cơ chế biến dạng của vật liệu nano tinh thể
Lệch biên
▪ Lệch biên không phải là bán mặt tinh thể hoặc bán mặt thiếu. Lệch biên là
đường nằm giữa bán mặt tinh thể và bán mặt thiếu.
▪ Vùng phía xa đường lệch mạng là tinh thể hoàn hảo. Biến dạng tập trung
xung quanh lệch mạng.
▪ Trường ứng suất của lệch mạng là trường tầm xa.
 Cơ chế biến dạng của vật liệu nano tinh thể
Lệch biên
 Cơ chế biến dạng của vật liệu nano tinh thể
Lệch biên
 Cơ chế biến dạng của vật liệu nano tinh thể
Lệch xoắn
 Cơ chế biến dạng của vật liệu nano tinh thể
Lệch mạng

▪ Lệch mạng có thể được xem như biên giữa phần trượt và phần không trượt
trên mặt trượt.
▪ Đối với lệch biên, giao giữa bán mặt tinh thể và mặt trượt được gọi là
đường lệch mạng.
▪ Chiều và độ lớn của trượt được đặc trưng bởi véc-tơ Burger của lệch mạng.
▪ Véc-tơ có thể được xác định bằng sơ đồ Burgers. Quy tắc bàn tay phải được
dung để xác định chiều của véc-tơ Burgers.
▪ Lệch mạng bình ổn tại trạng thái có véc-tơ Burger nhỏ nhất có thể.
▪ Lệch mạng là dạng khuyết tật không ổn định, có thể di chuyển dưới tác
động của ngoại lực.
 Cơ chế biến dạng của vật liệu nano tinh thể
Đặc trưng hình học của lệch mạng

▪ Đối với lệch biên: b vuông góc với t

▪ Đối với lệch xoắn: b song song với t
▪ Các tính chất khác được liệt kê dưới bảng sau

Tính chất của lệch mạng Dạng lệch mạng

Lệch biên Lệch xoắn
Quan hệ giữa đường lệch mạng t và b Ʇ ‖
Phương trượt ‖ to b ‖ to b
Phương của đường lệch mạng di chuyển ‖ Ʇ
liên hệ với b
Quá trình di chuyển của lệch mạng từ mặt leo Cắt
trượt
 Cơ chế biến dạng của vật liệu nano tinh thể
Đặc trưng hình học của lệch mạng
LỆCH MẠNG

LỆCH biên HỖN HỢP LỆCH XOẮN

▪ Quan sát màng mỏng Al dưới kính hiển vi TEM, thường thấy các đường
cong lệch mạng, điều này chỉ ra rằng lệch mạng có đặc trưng hình học hỗn
hợp giữa lệch biên và lệch xoắn.
▪ Các đặc trưng của lêch mạng thay đổi từ vị trí này sang vị trí khác dọc theo
đường lệch mạng.
▪ Trong một trường hợp cụ thể: lệch biên, lệch xoắn và lệch hỗn hợp sẽ đóng
góp một tỷ phần nhất định
▪ Ví dụ: trong màng mỏng GeSi chế tạo trên nền Si, lệch mạng 60° có thể
được tạo thành, trong đó các đường lệch mạng là thẳng và góc giữa b và t
là 60°.
 Cơ chế biến dạng của vật liệu nano tinh thể
Di chuyển của lệch biên

Ứng suất cắt

Bề mặt bậc
(kích thước một
nguyên tử)
 Cơ chế biến dạng của vật liệu nano tinh thể
Hệ trượt
▪ Lệch mạng không di chuyển theo tất cả các phương và các mặt.
▪ Chỉ có một số mặt và phương nhất định cho phép lệch mạng có thể di chuyển.
▪ Những mặt này được gọi là mặt trượt và các phương này gọi là phương trượt.
▪ Tổ hợp giữa mặt trượt và phương trượt được gọi là hệ trượt.

Hệ trượt {111}〈110〉 của kiểu mạng FCC. Mặt (111) và ba phương trượt 〈110〉 tạo nên các hệ
trượt.
 Cơ chế biến dạng của vật liệu nano tinh thể
Hệ trượt
 Cơ chế biến dạng của vật liệu nano tinh thể
Di chuyển của lệch mạng và biến dạng dẻo do trượt
❑Lệch mạng có thể di chuyển dưới tác dụng của ứng suất ngoài tác dụng.
❑Tại cấp độ cục bộ, lệch mạng dịch chuyển do ứng suất cắt (trên mặt trượt).
❑Ứng suất tối thiểu để lệch mạng có thể di chuyển được gọi là ứng suất Peierls-
Nabarro (PN) hoặc ứng suất Peierls hoặc ứng suất ma sát mạng tinh thể.

Ứng suất cắt theo phương trượt được xác định như sau

σ : ứng suất tác dụng

 Cơ chế biến dạng của vật liệu nano tinh thể
Di chuyển của lệch biên

▪ Khi lệch mạng rời khỏi tinh thể, trường ứng suất và năng lượng tích tụ do
lệch mạng được giải phóng. Năng lượng này được dùng để tạo ra bề mặt tự
do mới.
 Cơ chế biến dạng của vật liệu nano tinh thể
Di chuyển của lệch mạng và biến dạng dẻo do trượt
❑ Biến dạng dẻo do trượt xảy ra do có sự di chuyển của lệch mạng.
❑ Lệch mạng có thể di chuyển dưới tác dụng của ứng suất ngoài tác dụng.
❑ Tại cấp độ cục bộ, lệch mạng dịch chuyển do ứng suất cắt (trên mặt trượt).
❑ Ứng suất tối thiểu để lệch mạng có thể di chuyển được gọi là ứng suất Peierls-
Nabarro (PN) hoặc ứng suất Peierls hoặc ứng suất ma sát mạng tinh thể (ứng suất
tác dụng ngoài có thể là ứng suất kéo dọc trục, tuy nhiên trên phương trượt ứng suất cắt phải đủ lớn để
lệch mạng có thể di chuyển).
❑ Các lệch mạng có thể di chuyển dưới ảnh hưởng của các trường nội ứng suất (ví
dụ như ứng suất sinh ra do các lệch mạng khác, tiết pha, chuyển pha ....).
❑ Trong bất kỳ trường hợp nào, ứng suất cắt phải vượt qua ngưỡng ứng suất
Peierls để lệch mạng có thể di chuyển.
❑ Giá trị ứng suất Peierls là khác nhau đối với lệch đường và lệch xoắn.
❑ Bước đầu tiên của biến dạng dẻo có thể được xem là bước được tạo ra khi lệch
mạng di chuyển và thoát ra khỏi tinh thể
→ “Một bước nhỏ đối với lệch mạng, nhưng gây ra biến dạng dẻo”.
❑ Khi lệch mạng rời khỏi tinh thể, một bước có chiều cao ‘b’ được tạo thành, khi đó
ứng suất và năng lượng tích trữ trong tinh thể do lệch mạng được giải phóng.
 Cơ chế biến dạng của vật liệu nano tinh thể
Lệch mạng rời khỏi mặt trượt
▪ Kết thúc bước đầu tiên của biến dạng dẻo của một tinh thể, lệch mạng rời khỏi
tinh thể, dẫn đến việc tạo thành một mặt bậc.
▪ Khi biến dạng dẻo liên tục, nhiều lệch mạng cùng di chuyển và rời khỏi tinh
thể. Bất kỳ sự cản trở nào trong quá trình di chuyển của lệch mạng có thể dẫn
đến sự “biến cứng” của tinh thể và biến dạng dẻo sẽ dừng lại, ví dụ như sự
ghim lệch mạng.
▪ Khi lệch mạng bị ghim chặt, nó có thể “phá hủy chướng ngại vật” hoặc trệch
hướng để tránh.
▪ Cơ chế của sự trệch hướng có thể là leo (climb) hoặc trượt ngang (cross slip).
▪ Trong cơ chế leo và trượt ngang, lệch mạng rời khỏi mặt trượt hiện tại và di
chuyển sang mặt trượt khác để tránh vật cản. Các cơ chế này có thể xảy ra độc
lập với sự ghim lệch mạng.
 Cơ chế biến dạng của vật liệu nano tinh thể
Đường lệch mạng kết thúc ở đâu?

▪ Đường lệch mạng không thể kết thúc bên trong tinh thể. Nó phải kết
thúc ở một trong những nơi sau:

• Tại mặt tự do của tinh thể

• Tại bề mặt chung hoặc biên hạt

• Tạo thành vòng khép kín

• Tại một điểm nút (node)

▪ Điểm nút (node) là điểm giao cắt của nhiều hơn hai lệch mạng. Tổng
của các véc-tơ Burger của lệch mạng tại các nút =0.
 Cơ chế biến dạng của vật liệu nano tinh thể
Trường ứng suất của lệch biên
▪ Lệch biên gây ra trường ứng suất nén xung quanh nửa mặt dư phía trên mặt
trượt và trường ứng suất kéo gần vùng nửa mặt thiếu dưới mặt trượt.

▪ Sự tương tác của các trường ứng suất do lệch mạng với (i) lực tác dụng ngoài,
và (ii) các trường nội ứng suất khác sẽ chi phối sự di chuyển của lệch mạng.

Vùng a
• Nén
• Đàn hồi

Vùng trung gian

• Phi tuyến
• Phẳng

Vùng b
• Kéo
• Đàn hồi
 Cơ chế biến dạng của vật liệu nano tinh thể
Trường ứng suất của lệch biên
▪ Vùng gần lệch mạng tồn tại ứng suất có độ lớn cỡ Gpa. Tuy nhiên, các ứng
suất này tự sinh ra do lệch mạng. Trong một vật thể kích thước vô hạn, đường
lệch mạng thẳng không thể di chuyển dưới tác dụng của trường ứng suất tự
phát này.
▪ Do đó, lệch mạng phải tương tác với các khuyết tật khác trong vật liệu thông
qua các trường ứng suất tầm xa.
Vị trí của đường lệch mạng trong mặt phẳng
 Cơ chế biến dạng của vật liệu nano tinh thể
Năng lượng của lệch mạng

▪ Lệch mạng trong tinh thể làm biến dạng liên kết và tiêu tốn năng lượng tinh
thể.
▪ Năng lượng biến dạng được biểu diễn là năng lượng trên một đơn vị chiều
dài của đường lệch mạng. (Đơn vị [J/m])
▪ Lệch biên có thể gây ra các trường ứng suất kéo và nén, trong khi đó, lệch
xoắn chỉ gây ra trường ứng suất cắt.
▪ Biến dạng lớn gần các đường lệch mạng và những mô tả bằng lý thuyết đàn
hồi tuyến tính không phù hợp. Ước lượng vùng tâm lệch mạng khoảng từ b
đến 5b. Cấu trúc và năng lượng của vùng tâm này được tính toán thông
qua các phương pháp khác và năng lượng của vùng tâm bằng khoảng 1/10
tổng năng lượng của lệch mạng.
 Cơ chế biến dạng của vật liệu nano tinh thể
Năng lượng của lệch mạng
Tổng năng lượng lệch mạng bao gồm năng lượng đàn hồi và năng lượng của
tâm lệch mạng.
Năng lượng đang hồi được xác định qua công thức sau

Năng lượng của tâm lệch mạng

 Cơ chế biến dạng của vật liệu nano tinh thể
Năng lượng của lệch mạng
Sự xuất hiện của lệch trong mạng tinh thể tiêu tốn năng lượng, do đó, lệch
mạng thường có véc-tơ Burger nhỏ.
➢ Có một đường kéo liên hệ với đường lệch mạng
➢ Lệch mạng có thể tách ra thành nhiều lệch mạng thành phần để giảm năng
lượng

Lệch mạng thường có giá trị b nhỏ để giảm năng lượng.

Năng lượng của lệch biên

γ0- Kích thước của thể tích lệch mạng chi
phối, khoảng 70b

Đóng góp của năng

lượng tại tâm
 Cơ chế biến dạng của vật liệu nano tinh thể
Sự phân tách lệch mạng

Lệch mạng phân tách để giảm năng lượng của hệ

Xét tương tác sau

Thay đổi năng lượng

Sự phân tách thường xảy ra để hệ đạt trạng thái năng lượng thấp hơn
 Cơ chế biến dạng của vật liệu nano tinh thể
Tương tác giữa các lệch mạng (lệch biên)

Tương tác đàn hồi giữa các lệch đường trên cùng một mặt trượt có thể là hút
nhau hoặc đẩy nhau
Xét hai lệch mạng xuất hiện trên cùng một mặt trượt với các bán mặt tinh thể
nằm ở khác phía nhau so với mặt trượt. Một lệch mạng có bán mặt tinh thể
nằm trên mặt trượt được gọi là lệch mạng dương, lệch mạng còn lại là âm.
 Cơ chế biến dạng của vật liệu nano tinh thể
Tương tác giữa các lệch mạng (lệch biên)

▪ Hai lệch biên có thể cắt qua nhau và gây ra hiện tượng trễ (Jogs) và trệch
của đường lệch mạng.
▪ Các phân đoạn của đường lệch mạng tiêu tốn năng lượng của hệ và do đó
cần thêm công của ngoại lực tác dụng để lệch mạng tiếp tục di chuyển ->
dẫn đến hiện tượng hóa bền của vật liệu.
 Cơ chế biến dạng của vật liệu nano tinh thể
Tương tác giữa hai lệch biên (các véc-tơ Burger vuông góc với nhau)

▪ Hiện tượng trễ có đặc trưng của lệch biên và có thể trượt (với véc-tơ
Burgers = b2)
▪ Chiều dài của trễ =b1
▪ Lệch biên 1 (véc-tơ burger b1) không bị ảnh hưởng do b2‖t1
▪ Lệch biên 2 (véc-tơ burger b1) bị trễ với chiều dài bằng b1
 Cơ chế biến dạng của vật liệu nano tinh thể
Tương tác giữa hai lệch biên (các véc-tơ Burger song song với nhau)
▪ Cả hai lệch mạng bị trệch
▪ Lệch biên 1 (véc-tơ burger b1) bị trệch với chiều dài bằng b2
▪ Lệch biên 2 (véc-tơ burger b1) bị trệch với chiều dài bằng b1
 Các lực tác động lên lệch mạng: phương
trình Peach-Koehler
▪ Dưới tác dụng của ngoại lực, ứng suất xuất hiện trong vật liệu có thể gây ra
sự di chuyển của lệch mạng trên mặt trượt, do đó, sinh công của lực tác
dụng. Xét sự di chuyển của lệch mạng trong khối vật liệu kích thước Lx × Ly
× Lz dưới tác dụng của ứng suất cắt τ:

▪ Công của ứng suất cắt τ sinh ra khi hệ chuyển từ trạng thái đầu tới trạng
thai cuối là τSb= τLxLzb. Nếu xét quá trình di chuyển của lệch mạng dưới lực
F tác dụng lên một đơn vị chiều dài của lệch mạng, công sinh ra được viết
như sau: FLzLx (trong đó, FLz là lực, Lx là khoảng di chuyển của lệch mạng).

▪ Lực tác dụng lên đường lệch mạng không phải là lực vật lý, nhưng có biểu
hiện tương tự.
 Các lực tác động lên lệch mạng

F luôn vuông góc với đường

lệch mạng, τ là hằng số trên
mặt trượt
 Các lực tác động lên lệch mạng: phương
trình Peach-Koehler
▪ Do lêch mạng di chuyển trên mặt trượt, do đó chỉ cần xét ứng suất cắt trên
mặt trượt. Các thành phần ứng suất pháp tuyến với mặt trượt không ảnh
hưởng đến sự di chuyển của lệch.
▪ Ngoài ra, chỉ có thành phần ứng suất cắt cùng phương với véc-tơ Burger b
(resolved shear stress) tham gia vào sự di chuyển của lệch.

Phương trình Peach-Koehler

Ԧ Lực trên một đơn vị chiều dài tại một điểm P

𝐹-
bất kỳ trên đường lệch mạng.
σ trường ứng suất cục bộ
Ԧ véc-tơ tiếp tuyến tại điểm P với đường lệch
𝑙-
σ· 𝑏 - lực trên một đơn vị chiều dài tác dụng trên
mặt phẳng vuông góc với véc-tơ Burgers.
Các lực tác động lên lệch mạng: phương
trình Peach-Koehler
 Lực giữa các lệch mạng
Lực do tương tác giữa các lệch mạng = tổng các lực Peach-Koehler giữa các đoạn
của các lệch trong vật liệu
Ví dụ: tương tác giữa hai lệch biên song song với nhau
Lệch biên (1) gây ra một trường ứng suất tác động lên lệch (2).
Peach-Koehler đưa ra công thức xác định lực tác động lên lệch (2) do sự xuất
hiện của lêch (1).
 Lực giữa các lệch mạng
Ví dụ: tương tác giữa hai lệch biên song song với nhau
 Lực giữa các lệch mạng
Ví dụ: tương tác giữa hai lệch biên song song với nhau
 Lực giữa các lệch mạng
Ví dụ: tương tác giữa hai lệch biên song song với nhau
 Tương tác giữa lệch mạng-bề mặt tự do
Khái niệm về các lực ảo
▪ Lệch mạng gần bề mặt tự do chịu một lực hướng về bề mặt tự do, lực này
được gọi là lực ảo.
▪ Lực ảo có thể được tính toán bằng cách giả thiết có một lệch mạng giả
tưởng nằm ở phía bên kia của bề mặt. Độ lớn của lực ảo được xác định
thông qua lực hút giữa hai lêch mạng (+ và -).
▪ Nếu lực ảo vượt quá ứng suất Peierls, lệch mạng rời khỏi tinh thể một cách
tự phát mà không cần ngoại lực tác dụng.
▪ Vì vậy, lệch mạng không tồn tại ở vùng gần bề mặt tự do hoặc tinh thể
nano. Trong tinh thể nano, do có nhiều bề mặt lân cận, nên nhiều lực ảo
phải được thiết lập trong các tính toán và hợp lực được xác định thông qua
việc tính tổng các véc-tơ lực ảo này.
 Tương tác giữa lệch mạng-bề mặt tự do
• Trường ứng suất gây ra bởi lệch mạng thay đổi gần bề mặt tự do, dẫn đến
các lực phụ tác dụng lên lệch mạng (tương tác giữa lệch mạng và bề mặt).
• Ứng suất pháp và cắt tại bề mặt tự do bằng 0.

Xét một lệch xoắn song song với trục z cách bề mặt tự do (x=0) một khoảng
bằng d.
Để thỏa mãn điều kiện lực kéo bằng 0 tại mặt x=0, tức là σxx = σyx = σzx = 0, ta
có thể them trường ứng suất gây ra bởi lệch mạng ảo ngược chiều tại x=-d.
Trường ứng suất trong vật thể (x>0) được xác định như sau

Lực tác dụng lên lệch xoắn do bề mặt = lực tác dụng do lệch ảo
 Tương tác giữa lệch mạng-bề mặt tự do
• Đối với lệch biên, them một lệch mạng ảo tại vị trí
x=-d, ứng suất σxx bị triệt tiêu tại x=0, thành phần
σyx không bị triệt tiêu. Do đó một đại lượng khác
cần được thêm vào để thỏa mãn điều kiện biên.
• Ứng suất cắt được biểu diễn như sau

• Lực tác dụng lên lệch mạng do bề mặt = lực do thành phần thứ nhất và thứ 3

Thành phần thứ 3 bằng không

• Lệch mạng bị hút bởi bề mặt => lực ảo có thể loại bỏ lệch mạng ra khỏi bề
mặt nếu mặt trượt tạo một góc lớn với bề mặt.
• Các tương tác giữa các đường lệch cong, lệch vòng, và cặp lệch có thể tạo ra
trường ứng suất phức tạp, do đó rất khó phân để đánh giá bằng phương
pháp phân tích.
 Lực ảo trong nano tinh thể
❑ Trong các nano tinh thể có nhiều hơn một bề mặt tự do gần kề lệch mạng
→ dẫn đến có nhiều lực ảo tác dụng lên lệch mạng [1].

Mặt trượt

Lực ảo (Fimage) (Lệch biên, kích thước hữu hạn)

−Gb 2  1 1  −Gb 2  2 x  Tổng của hai lực

Fimage = − =
 
4 (1 − )  d L − d   (1 − )  L2 − 4 x 2  ảo

"Image forces on edge dislocations: a revisit of the fundamental concept with special regard to nanocrystals"
[1] Prasenjit Khanikar, Arun Kumar and Anandh Subramaniam, Philosophical Magazine, 91, p.730, 2011.
 Lực ảo trong nano tinh thể
❑ Năng lượng của một lệch mạng (trong vật liệu tinh
thể dạng khối) được biểu diễn như sau:

Gb 2   0   ▪ Edl – năng lượng trên một đơn vị chiều dài của đường lệch
Eedge dislocation =  2 + ln    ▪ b – Mô-đun của véc-tơ Burgers
4 (1 − )   b 
▪ γ0 – kích thước vùng tác động ~ 70b

❑ Trong nano tinh thể, năng lượng lệch mạng nhỏ hơn so với tinh thể dạng khối:
➢ Do biến dạng của các đô-men
➢ Do vật liệu chịu biến dạng ít hơn
1.4
Theory
Simulation: more constrained domain
Simulation:less constrained domain
1.2
Energy × 10− (J/m)

1.0
9

0.8

0.6

0.4
100 140 180
Diameter of the domain (in terms of b)
 Lực ảo trong nano tinh thể

❑ Trong nano tinh thể, một hoặc nhiều bề mặt tự do nằm kề cận lệch mạng.
❑ Khi lêch mạng càng gần bề mặt tự do, đến một thời điểm nhất định, lực ảo có thể
vượt quá lực Peierls (PN  b)
➢ Lệch mạng có thể rời khỏi tinh thể một cách tự phát mà không cần ngoại lực
tác dụng [1].
❑ Trong nano tinh thể, nhiều bề mặt tự do gần kề có thể loại bỏ toàn bộ lệch mạng
ra khỏi tinh thể khi: Fimage  FPN (đối với toàn bộ lệch mạng)
❑ Do đó, lệch mạng có thể không tồn tại trong nano tinh thể.
➢ Đối với đơn tinh thể Al và Ni, kích thước tinh thể để loại bỏ hoàn toàn lệch
mạng nằm ở cỡ vài chục nano-mét.
❑ DO đó, độ bền của các nano tinh thể này có thể tiệm cận đến độ bền lý thuyết
của tinh thể.

 2w  ▪ G → Mô-đun cắt của tinh thể

− 
 PN = G e  b  ▪ w → chiều rộng của lệch mạng
▪ b → |b|

"Critical Size for Edge Dislocation Free Free-Standing Nanocrystals by Finite Element Method"
[1] Prasenjit Khanikar, Anandh Subramaniam, ,Journal of Nano Research, 10, p.93, 2010.
 Lệch mạng trong nano tinh thể
Loại bỏ hoàn toàn lệch biên

Material Properties
Material Critical size (nm)
Lattice parameter, Slip system, b, G, 
Al (FCC) 4.04 Å, <110>{111}, 2.86 Å, 26.18 GPa, 0.348 36 nm
Ni (FCC) 3.52 Å, <110>{111}, 2.49 Å, 92.00 GPa, 0.286 20 nm
Nb (BCC) 3.30 Å, <111>{110}, 2.86 Å, 36.23 GPa, 0.38 8 nm
Si (DC) 5.42 Å, <110>{111}, 3.83 Å, 67.72 GPa, 0.219 < 4 nm

❑ Các nghiên cứu thực hiện trên màng mỏng Ti và Pd chỉ ra rằng khi kích thước hạt
cỡ ~6-9 nm, lệch mạng được loại bỏ hoàn toàn khỏi các hạt [1]. Nghiên cứu cũng
chỉ ra rằng nhiều hạt có song tinh và xếp chồng.
❑ Vùng bề mặt của đa tinh thể có thể không tồn tại lệch mạng.

1  1 
1

2
[110]


(111)
→ 
6
[12 1] 
(111) + 
6
[211] 
(111)

Shockley Partials
[1] Interface Structures in Nanocrystalline Materials, Scripta mater. 44 (2001) 1169–1174
 Lệch mạng trong nano tinh thể
❑ Nano tinh thể của một hình dạng xác định có thể bị uốn cong do sự xuất
hiện của lệch mạng. Một ví dụ được minh họa trong hình dưới đây.

10b

❑ Tấm mỏng sẽ bị uốn cong khi có sự xuất hiện của lệch biên và ống có thành
mỏng có thể bị xoắn khi có sự xuất hiện của lệch xoắn.
(Eshelby had studied the mechanics of these type of problems in the 1950s) [1]
❑ Lệch mạng có thể ổn định về mặt cơ học trong các tấm như trên [1,2].

[1] J.D. Eshelby, J. Appl. Phy. 24 (1953) p.176.

[2] "Stable Edge Dislocations in Finite Crystals", Arun Kumar and Anandh Subramaniam, Philosophical Magazine, in press.
“Zero Stiffness”! Lệch mạng trong nano tinh thể
12
Domain which can bend
Constrained domain
11
11.33 7.4625
Energy (× 10−10) (J/m)

Referred to primary axis

10 (a)
(a)
Zoomed in view Reversible Plastic Deformation
due to Elasticity! [1]
9
(b) Referred to secondary axis

11.32 7.462 10b

8 0 5 10
(b)
Nearly zero
Zero Stiffness stiffness
7
0 10 20 30 40
"Materials Analogue of Zero Stiffness Structures"
Arun Kumar and Anandh Subramaniam,
Distance from centre (in terms of b)
Philosophical Magazine Letters, 91, p.272, 2011.
 Strengthening mechanisms

❑ As we noted that crystals are severely weakened by the presence of dislocations.

❑ However, the strength of a crystalline material can be increased by various
methods
→ any impediment to the motion of dislocations, increases the strength of the
material.
❑ Strengthening mechanisms include:
➢ Solid solution strengthening → solute atoms increase the resistance to dislocation motion
➢ Precipitation Hardening and Dispersoid strengthening
➢ Forest dislocation hardening
➢ Grain boundary hardening

Strengthening mechanisms

Precipitate
Solid solution & Forest dislocation Grain boundary
Dispersoid
Twin Boundary
Twin Boundary
 Twinning versus slip

❑ Twinning readily occurs in low stacking fault energy materials like Cu and Brass.
In high stacking fault energy materials like Al twinning is difficult.
▪ Twinning can occur either during annealing or during deformation.
▪ Twinning is an important mechanism of plastic deformation and can give ductility
to materials wherein slip may be limited. In BCC metals (e.g. Fe) at low
temperatures, twinning may become the dominant mechanism of plastic
deformation.
▪ TWIP (twinning induced plasticity) steels have been developed keeping this in
view.
❑ Process parameters (temperature, strain rate) and material parameters (stacking
fault energy, grain size) determine the mechanism operative for plastic
deformation (between slip and twinning).
▪ For a given strain rate, at higher temperatures slip would be favourable as
compared to twinning (as slip is thermally activated, while twinning stress is
essentially constant with temperature).
▪ On increasing the strain rate the stress required for both slip and twinning
increase and the transition temperature (from twinning to slip) is shifted to higher
temperatures.
❑ To observe significant effects, strain rate variation is over 10 orders of magnitude
and the grain sizes should be varied from about 10 to 100s of microns.
❑ It is seen that for a given strain rate, as we reduce the grain size slip become
preferred even at lower temperatures (i.e. slip occupies more region of the
temperature-strain rate space). (At a point like ‘X’, small grain size material will
plastically deform, while large grain size material will twin).
❑ In the micron size regime, twinning stress decreases with grain size. I.e. large
grain size material will twin more readily. With a decreasing grain size, the
twinning stress increases more rapidly than the full dislocation slip stress.

X
Before we leave this topic let us take up few additional points about twinning

❑ Twinning/de-twinning is the main mechanism of deformation in shape

memory alloys (though twinning typically does not contribute to large
deformations).
❑ Twinning can lead to large orientations changes, which is of help in
formation of deformation textures in Hexagonal Close Packed (HCP)
metals.
 Superplasticity

❑ The phenomenon of extensive plastic deformation without necking is termed as

structural superplasticity. Superplastic deformation in tension can be >300% (up
to even 2000%).
❑ Typically superplastic deformation occurs when:
(i) T > 0.5Tm
(ii) grain size is < 10 m
(iii) grains are equiaxed (which usually remain so after deformation)
(iv) grain boundaries are glissile (with a large fraction of high angle grain
boundaries).
❑ Presence of a second phase (of similar strength to the matrix- reduces cavitation
during deformation), which can inhibit grain growth at elevated temperatures
helps (e.g. Al-33%Cu, Zn-22% Al)).
❑ Many superplastic alloys have compositions are close to eutectic or eutectoid
points.
❑ Superplastic flow is diffusion controlled (can be grain boundary or lattice diffusion
controlled).
❑ A plot of stress versus strain rate is often sigmoidal and shows three regions:
(i) Region-I- low stress, low strain rate regime ( <10 −5 /s) → m  (0.2,0.33)

Sensitive to the purity of the sample. Lower ductility and grain boundary diffusion.
(ii) Region-II- intermediate stress & strain rate regime [  (10–5, 10–2)] →

m  (0.4,0.67)

Note: low ‘m’ in region I and III

Extended region covering several orders of magnitude in strain rate. Region of
maximum ductility. Strain rate insensitive to grain size and insensitive to purity.
Often referred to as the superplastic region.
Mechanism→ predominantly grain boundary sliding accommodated by dislocation
activity (Activation energy (Q) corresponding to grain boundary diffusion (Qgb)).

(iii) Region-III- high stress & strain rate regime ( > 10−2 /s) → m > 0.33
Creep rates sensitive to grain size.
Mechanism→ intragranular dislocation process (interacting with grain
boundaries).

 = C m   ,T