‫به نام خدا‬

‫پاسخ به سواالت داوران در متن رساله و جلسه دفاع از رساله‬

‫آقای دکتر شاه آبادی‬

‫‪ -1‬کلمه طراحی از عنوان رساله حذف شود‪.‬‬

‫پاسخ‪ :‬در تمام رساله انجام شد‪.‬‬

‫‪ -2‬کلمه اسپری پایرولیزیز در متن اصلی فوت نت شود‪.‬‬

‫پاسخ‪ :‬در صفحه ‪ 6‬رساله انجام شد‪.‬‬

‫‪ -3‬در صفحه ‪" 1‬محققان قرار گرفته" درست است‪ .‬در متن "محققان گرفته" نوشته شده است‪.‬‬

‫پاسخ‪ :‬در صفحه ‪ 1‬اصالح شد‬

‫‪ -4‬در صفحه ‪ 2‬مایکرویو به مایکروویو اصالح شود‪.‬‬

‫پاسخ‪ :‬در سراسر رساله انجام شد‪.‬‬

‫‪ -5‬ضریب نفوذپذیری الکتریکی به گذردهی و ضریب نفوذپذیری مغناطیسی به نفوذپذیری اصالح شود‪.‬‬

‫پاسخ‪ :‬در تمام رساله انجام شد‬

‫‪ -6‬مقدار شفافیت تعریف شده در صفحه ‪ 3‬با مقدار بدست آمده ناسازگار است‪.‬‬

‫پاسخ‪ :‬هدف ‪ 80‬درصد در نظر گرفته شده است و ‪ 77‬درصد بدست آمده است‪.‬‬

‫‪ -7‬در صفحه ‪ 4‬رسانایی و شفافیت بصورت دقیق تعریف شود‪.‬‬

‫پاسخ‪ :‬در صفحه ‪ 4‬انجام شد‪.‬‬

‫‪ -8‬خاصیت رسانایی یعنی وجود الکترونهای آزاد در یک ماده که اعمال میدان الکتریکی بر آن سبب حرکت الکترونهای آزاد شده‬
‫و جریان الکتریکی را بوجود میآورد‪ .‬ضریب رسانایی یا رسانندگی با ‪ σ‬نمایش داده شده و واحد آن زیمنس بر متر است‪ .‬خاصیت‬
‫شفافیت عبارتست از عبور پرتوی نوری یا هر نوع تابش الکترومغناطیسی دیگر از جسم بطوریکه میزان جذب و انعکاس موج‬
‫الکترومغناطیسی تابشی کم باشد‪ .‬وقتی موج الکترومغناطیسی با جسم برخورد میکند سه حالت انتقال‪ ،‬جذب و انعکاس برای موج‬
‫تابیده شده اتفاق میافتد‪ .‬اگر بیشتر موج الکترومغناطیسی انتقال یابد آن جسم دارای شفافیت است‪ .‬شفافیت میزان انتقال موج‬
‫الکترومغناطیسی از جسم است که معموال بر حسب فرکانس در باند مرئی و بصورت درصد بیان میشود‪ .‬در این رساله موج‬
‫الکترومغناطیسی مسطح عمود بر ماده و با پالریزاسیون خطی در نظر گرفته شده است‪.‬‬

‫‪ -9‬در صفحه ‪ 6‬معیار شایستگی بدست آورده شود‪.‬‬

‫پاسخ‪ :‬در صفحه ‪ 6‬انجام شد‪.‬‬

‫"به طور کلی یک رسانای شفاف ضمن داشتن هدایت الکتریکی باید دارای ثابت تضعیف کمی باشد ]‪ .[17‬برای یک‬
‫رسانای شفاف در صورتی که ضخامت الیه نازک ) ‪ (t t‬خیلی کوچکتر از عمق پوستی )𝛿( باشد و موج الکترومغناطیسی مسطح‬
‫با پالریزاسیون خطی در نظر گرفته شود مقاومت سطحی رسانای شفاف ) ‪ (R s‬بصورت‬

‫‪1‬‬
‫‪Rs = t σ‬‬ ‫(‪) 1-2‬‬
‫‪t‬‬

‫تعریف میشود‪ .‬اگر ) 𝑎‪ (α‬ضریب جذب‪ (R) ،‬ضریب بازتابش توان‪ (T) ،‬ضریب انتقال توان و )‪ (A‬ضریب جذب توان باشد در‬
‫اینصورت‪:‬‬

‫‪A+R+T =1‬‬ ‫(‪)2-2‬‬

‫‪A = 0.434α𝑎 t t‬‬ ‫(‪)3-2‬‬

‫)‪0.434α𝑎 t t = 1 − (R + T‬‬ ‫(‪)4-2‬‬

‫است‪ .‬با استفاده از روابط (‪ )1-2‬الی (‪ ،)4-2‬رابطه (‪ )5-2‬به عنوان معیار شایستگی )‪ (FOM‬برای انتخاب رسانای شفاف درنظر‬
‫گرفته می شود‪.‬‬

‫‪σ‬‬
‫‪FOM = α = 0.434{R s (1 −(T + R))}−1‬‬ ‫(‪)5-2‬‬
‫𝑎‬

‫‪ -10‬صفحه ‪ 7‬چرا معیار شایستگی با ضخامت فیلم افزایش پیدا می کند؟‬

‫پاسخ‪ :‬درصفحه ‪ 7‬توضیح داده شد‪.‬‬

‫" معیار شایستگی در صورت افزایش ضخامت الیه نازک رسانای شفاف با توجه به رابطه (‪ )1-2‬و (‪ )5-2‬افزایش پیدا میکند‪".‬‬

‫‪ V -11‬در صفحه ‪ 8‬باید بزرگ باشد‪.‬‬

‫پاسخ‪ :‬در صفحه ‪ 8‬اصالح شد‬

‫‪ -12‬رابطه (‪ )6-2‬چقدر مفید است؟‬

‫پاسخ‪ :‬رابطه (‪ )6-2‬معیار شایستگی را بر حسب پارامترهای ذاتی مدار تعریف میکند‪ .‬در صفحه ‪ 8‬توضیح داده شده است که "‬
‫اصوال این پارامترها خواص ذاتی ماده هستند و در حالت معمولی مقدار مشخصی دارند‪ .‬لذا جهت افزایش ‪ FOM‬باید ساختار‬
‫ماده تغییر کند تا به تبع آن این پارامترها نیز قابل تغییر باشند‪".‬‬
‫‪ -13‬نامساوی هدایت الکتریکی و قدرت مکانیکی در صفحه ‪ 8‬اصالح شود‪.‬‬
‫پاسخ‪ :‬درصفحه ‪ 8‬این اصالحات انجام شده است "ترتیب هدایت الکتریکی تعدادی از رساناهای شفاف از بیشتر به‬
‫کمتر بهصورت 𝑔𝐴‪ 𝑆𝑛O2 : F ،𝑍𝑛𝑂: 𝐴𝑙 ،In2 O3 : Sn ،𝑆𝑛 ،‬و ‪ ZnO: F‬است ]‪ " ".[17‬ترتیب قدرت مکانیکی تعدادی از‬
‫رساناهای شفاف از بیشتر به کمتر بهصورت 𝑛𝑆‪ 𝑍𝑛𝑂 ،In2 O3 ،𝑆𝑛O2 ،‬و ‪ Ag‬است]‪.[17‬‬

‫‪ -14‬برای رابطه ‪ 8-2‬در صفحه ‪ 9‬باید تابع هارمونیک زمانی تعریف شود و عالمت بین آن منفی است‪.‬‬
 ‫پاسخ‪ :‬در صفحه ‪ 10‬انجام شد‪.‬‬

‫"‪ 1-3-2‬تعریف گذردهی مختلط )𝜺(‬

‫گذردهی مختلط )‪ (ε‬میزان قطبیت پذیری ماده را نشان میدهد‪ .‬از دیدگاه فیزیکی )‪ (ε‬یک ماده‪ ،‬نحوه پاسخگویی‬
‫ماده به میدان الکتریکی خارجی را نشان میدهد‪ .‬به عبارت دیگر ‪ ،ε‬میزان اثرگذاری میدان الکتریکی بر یک ماده دیالکتریک‬
‫و یا بر عکس میزان تاثیرپذیری میدان الکتریکی از ماده دیالکتریک را مشخص میکند‪ .‬اما ماده نمیتواند بالفاصله به یک میدان‬
‫الکتریکی اعمال شده پاسخ دهد‪ .‬معموال پاسخ آن را می توان با توجه به سرعت موج منتشر شده در ماده و وابستگی آن به‬
‫فرکانس‪ ،‬که باعث پاشندگی موج الکترومغناطیسی در ماده دیالکتریک‪ 1‬میشود‪ ،‬بررسی کرد‪ .‬این وابستگی به فرکانس این‬
‫واقعیت را نشان می دهد که قطبی شدن ماده با اعمال یک میدان الکتریکی بالفاصله انجام نمیشود‪ .‬لذا گذردهی بصورت تابعی‬
‫از فرکانس میدان الکتریکی اعمال شده بهصورت )‪ ε(ω‬تعریف میشود که‬

‫‪Dejωt = ε(ω)Eejωt = ε0 εr (ω)Eejωt‬‬ ‫(‪)7-2‬‬

‫است‪ D .‬و ‪ E‬به ترتیب دامنههای چگالی شار الکتریکی و شدت میدان الکتریکی اعمال شده با تابع زمانی ‪ ejωt‬است‪ ε .‬معموال‬
‫بصورت نرمالیزه بیان میشود و بر گذردهی مطلق خال ) ‪ (𝜀0‬تقسیم میشود‪ .‬در اینصورت به آن گذردهی نسبی یا ثابت‬
‫دیالکتریک ) ‪ (εr‬میگویند‪:‬‬

‫‪ε‬‬
‫‪εr = ε = ε′r − jε′′‬‬
‫‪r‬‬ ‫(‪)8-2‬‬
‫‪0‬‬

‫بخش حقیقی گذردهی نسبی ) ‪ ،(𝜀𝑟′‬معرف میزان توانایی ماده برای ذخیرهسازی انرژی الکتریکی است و بخش موهومی‬
‫آن ) ‪ (𝜀𝑟′′‬میزان تلفات ماده را در حضور میدان الکتریکی خارجی نشان میدهد‪ .‬برای نشان دادن میزان تلفات در یک ماده از‬
‫نسبت ‪ 𝜀𝑟′′‬به ‪ 𝜀𝑟′‬استفاده میکنند که به تانژانت تلفات مشهور است و عکس ضریب کیفیت )‪ (Q‬است‪.‬‬
‫‪1‬‬ ‫‪ε′′‬‬
‫‪r‬‬
‫= ‪tan(Υ) = Q‬‬ ‫(‪)9-2‬‬
‫‪ε′r‬‬

‫‪ -15‬تعریف مدل درود و پارامترهای آن با دقت نوشته شود‪.‬‬

‫پاسخ‪ :‬مدل درود در صفحه ‪ 10‬و ‪ 11‬بهشرح زیر اصالح شد‪:‬‬

‫" بر طبق مدل درود‪ ،‬با استفاده از تئوری الکترون آزاد در یک ماده (به ویژه یک رسانا) رسانندگی ناشی از میدان‬
‫الکتریکی متغیر با زمان ‪ 𝑒 jωt‬از رابطه‬

‫‪σ‬‬ ‫‪ωτσ‬‬
‫‪σ(𝜔) = σ1 + jσ2 = 1+ω02τ2 − j 1+ω20τ2‬‬ ‫(‪)10-2‬‬

‫بدست میآید ]‪ σ(𝜔) .[20-19‬معرف تمام اثرات تلفاتی ماده است ]‪ [5‬و رسانندگی ماده ناشی از حاملهای بارهای آزاد را‬
‫شامل میشود‪ .‬پارامتر ‪ 𝜎0‬رسانندگی ماده در فرکانس صفر است و از رابطه‬

‫‪Ne e2 τ‬‬
‫= ‪σ0‬‬ ‫(‪)11-2‬‬
‫∗‪m‬‬

‫‪1‬‬
‫‪Dielectric Dispersion‬‬
‫تعیین میشود که در آن 𝑒𝑁 چگالی حجمی الکترونهای آزاد در ماده‪ 𝑚∗ ،‬جرم موثر الکترون‪ e ،‬بار الکترون و ‪τ = 1/γτ‬‬
‫میانگین زمان برخورد یونها با یکدیگر است‪ .‬از طرفی گذردهی نسبی مختلط 𝑟𝜀 در یک ماده تلفاتی بر اساس معادالت ماکسول‬
‫عبارتست از‪:‬‬

‫‪εr (ω) = ε′r∞ − jσ(ω)/ωε0‬‬ ‫(‪)12-2‬‬

‫که به شکل‬

‫‪εr (ω) = ε′r (ω) − jε′′‬‬

‫)‪r (ω‬‬ ‫(‪)13-2‬‬

‫نمایش داده میشود‪ ε′𝑟∞ .‬بخش حقیقی گذردهی نسبی ماده در فرکانس بینهایت است‪ .‬با استفاده از روابط (‪ )10-2‬الی (‪-2‬‬
‫‪ )13‬داریم‪:‬‬
‫‪σ0 τ‬‬ ‫‪1‬‬
‫‪𝜀𝑟′ = ε′𝑟∞ −‬‬ ‫) ‪(1+ω2 τ2‬‬ ‫(‪)14-2‬‬
‫‪ε0‬‬
‫‪σ0‬‬ ‫‪1‬‬
‫‪ε′′‬‬
‫‪𝑟 = +ε‬‬ ‫(‬‫‪2 2‬‬ ‫)‬ ‫(‪)15-2‬‬
‫‪0 ω 1+ω τ‬‬

‫‪ -16‬رابطه (‪ )12-2‬با فرضیات قبلی ناسازگار است‪.‬‬

‫پاسخ‪ :‬پاسخ‪ :‬فرضیات قبلی یعنی رابطه (‪ )8-2‬اصالح شد‪.‬‬

‫‪ -17‬چرا در صفحه ‪ 11‬فرکانس پالسما 𝑝𝜔 با فرض ‪ 𝜔2 𝜏 2 ≫ 1‬و مساوی صفر قراردادن ‪ 𝜀𝑟′‬بدست میآید؟‬

‫پاسخ‪ :‬در صفحه ‪ 11‬توضیح داده شده است‪.‬‬

‫" با استفاده از روابط (‪ )13-2‬الی (‪ εr )16-2‬بر حسب ‪ ωp‬بصورت‬

‫‪ω2p‬‬ ‫‪ω2p γ‬‬

‫) ‪εr (ω) = (ε′𝑟∞ − ω2 +γ 2 ) − j (ω3 +ωτγ 2‬‬ ‫(‪)17-2‬‬
‫‪τ‬‬ ‫‪τ‬‬

‫‪ω2p‬‬
‫‪ ε′r = ε′r∞ −‬میشود‪ .‬حال ضریب‬ ‫‪ ε′′‬به صفر میل میکند و‬
‫نشان داده میشود‪ .‬در صورتیکه ‪ ،𝜔 ≫ γτ‬در اینصورت 𝑟‬
‫‪ω2‬‬
‫شکست مختلط ماده )̃‪ (n‬از رابطه‬

‫‪ω2p‬‬
‫‪ñ2 = (nR + jnI )2 = εr (ω) = ε′r∞ − ω2‬‬ ‫(‪)18-2‬‬

‫بدست میآید که 𝑅𝑛 و 𝐼𝑛 بخشهای حقیقی و موهومی ̃‪ n‬هستند‪ .‬اگر ̃‪ n‬نسبت به ∞𝑟‪ ε′‬نرمالیزه شود‪ ،‬اگر 𝑝𝜔 < 𝜔 باشد‬
‫̃‪ n‬نرمالیزه شده مختلط است و موج تشعشعی در حین عبور از ماده تضعیف میشود و اگر 𝑝𝜔 > 𝜔 باشد ̃‪ n‬نرمالیزه شده‬
‫حقیقی است و موج تشعشعی بدون تضعیف انتقال پیدا میکند‪.‬‬

‫‪ -18‬در رابطه (‪ t )21-2‬برای ضخامت الیه نازک بکار رفته که با ‪ t‬زمانی اشتباه می شود‪.‬‬

‫پاسخ‪ t t :‬در تمام رساله برای نمایش ضخامت الیه نازک بکار گرفته شد‪.‬‬

‫‪ -19‬در رابطه (‪ )23-2‬در صفحه ‪ 11‬عالمت بین ضرایب حقیقی و موهومی ‪ k‬منفی است‪.‬‬

‫پاسخ‪ :‬در صفحه ‪ 12‬بین ضرایب حقیقی و موهومی ‪ k‬منفی در نظر گرفته شد و روابط بعدی نیز به تبع آن اصالح شد‪.‬‬
‫"حال اگر یک موج الکترومغناطیسی با مد غالب ‪ TEM‬در امتداد محور ‪ z‬از خط هممحور به سطح رسانای شفاف الیه نازک‬
‫برخورد کند معادله آن بصورت‬

‫)‪E + (r, t) = E0+ (r)ej(ωt−kz) = E0+ (r)e−k−z ej(ωt−k+z‬‬ ‫(‪)25-2‬‬

‫نوشته میشود‪ .‬با توجه به رابطه (‪ )25-2‬موج صفحهای عبوری از الیه نازک‪ ،‬به صورت حاصلضرب مولفه انتشاری در مولفه‬
‫میراشونده نوشته میشود‪ .‬عمق پوستی در یک رسانا معیاری برای اندازهگیری میزان نفوذ موج به درون رسانا است‪ .‬با توجه به‬
‫این تعریف‪ ،‬میتوان مولفه میراشونده را بر حسب عمق پوستی به صورت‪ 𝑒 −𝑧/δ‬نشان داد که‪:‬‬
‫‪1‬‬ ‫‪1‬‬
‫= ‪"δ‬‬ ‫=‬ ‫(‪)26-2‬‬
‫‪k−‬‬
‫‪ω2 μ0 𝜀′‬‬ ‫‪σ 2‬‬
‫√‬ ‫]‪[√1+( ′ ) −1‬‬
‫‪2‬‬ ‫‪𝜀 ω‬‬

‫‪ -20‬شکل ‪ 2-2‬به روش پروب هم محور ارتباط ندارد‪.‬‬

‫پاسخ‪ :‬زیرنویس شکل در صفحه ‪ 13‬تغییر کرد در ضمن در متن توضیح داده شد که این ساختار مربوط به به روش ‪TPFCP‬‬
‫است‪.‬‬

‫‪ -21‬رابطه (‪ )27-2‬برای یک ساختار بدون تلفات است در حالت کلی نوشته شود‪.‬‬

‫پاسخ‪ :‬رابطه (‪ )27-2‬در صفحه ‪13‬برحسب ‪ tgh‬نوشته شد‪.‬‬

‫‪ -22‬مدار معادل شکل ‪ 3-2‬اصالح شود‪.‬‬

‫پاسخ‪ :‬در صفحه ‪ :14‬شکل ‪ 3-2‬مدار معادل ادمیتانس موثر شکل ‪ 2-2‬است‬
‫‪1‬‬ ‫‪1‬‬ ‫‪kt tt‬‬ ‫‪jμ0 ωtt‬‬
‫≅ ‪Yt′ = Z′‬‬ ‫‪+‬‬ ‫‪+‬‬ ‫(‪)29-2‬‬
‫‪t‬‬ ‫‪Z′s‬‬ ‫‪Zt‬‬ ‫‪Z′2‬‬
‫‪s‬‬

‫شکل ‪ :3-2‬مدار معادل ادمیتانس موثر شکل ‪2-2‬‬

‫‪ -23‬رابطه ضریب شکست دارای قسمت حقیقی و موهومی است بطور کامل تعریف شود و رابطه آن با ‪ εr‬درست تعریف شود‪.‬‬
 ‫پاسخ‪ :‬درصفحه ‪ 11‬اصالح شد‬

‫با استفاده از روابط (‪ )13-2‬الی (‪ εr )16-2‬بر حسب ‪ ωp‬بصورت‬

‫‪ω2p‬‬ ‫‪ω2p γ‬‬

‫) ‪εr (ω) = (ε′𝑟∞ − ω2 +γ 2) − j (ω3 +ωτγ 2‬‬ ‫(‪)17-2‬‬
‫‪τ‬‬ ‫‪τ‬‬

‫‪ω2p‬‬
‫‪ ε′′‬به صفر میل میکند و ‪ ε′r = ε′r∞ − ω2‬میشود‪ .‬حال ضریب‬
‫نشان داده میشود‪ .‬در صورتیکه ‪ ،𝜔 ≫ γτ‬در اینصورت 𝑟‬
‫شکست مختلط ماده )̃‪ (n‬از رابطه‬

‫‪ω2p‬‬
‫‪ñ2 = (nR + jnI )2 = εr (ω) = ε′r∞ − ω2‬‬ ‫(‪)18-2‬‬

‫بدست میآید که 𝑅𝑛 و 𝐼𝑛 بخشهای حقیقی و موهومی ̃‪ n‬هستند‪ .‬اگر ̃‪ n‬نسبت به ∞𝑟‪ ε′‬نرمالیزه شود‪ ،‬اگر 𝑝𝜔 < 𝜔‬
‫باشد ̃‪ n‬نرمالیزه شده مختلط است و موج تشعشعی در حین عبور از ماده تضعیف میشود و اگر 𝑝𝜔 > 𝜔 باشد ̃‪ n‬نرمالیزه شده‬
‫حقیقی است و موج تشعشعی بدون تضعیف انتقال پیدا میکند‪”.‬‬

‫‪ -24‬آیا رابطه (‪ T=1-R )20-2‬درست است‪.‬‬

‫پاسخ‪ :‬رابطه (‪ )20-2‬در صفحه ‪ 12‬اصالح شد‪.‬‬

‫)‪T(ω) = 1 − R(ω) − A(ω‬‬ ‫(‪)20-2‬‬

‫‪ -25‬پالریزاسیون موج و زایه تابش در برخورد موج الکترومغناطیسی به رسانای شفاف چگونه است‪.‬‬

‫پاسخ‪ :‬در صفحه ‪ 12‬اصالح شد‬

‫"حال اگر یک موج الکترومغناطیسی با مد غالب ‪ TEM‬در امتداد محور ‪ z‬از خط هممحور به صورت عمود و با پالریزاسیون‬
‫خطی به سطح رسانای شفاف الیه نازک برخورد کند معادله آن بصورت‬

‫)‪"E + (r, t) = E0+ (r)ej(ωt−kz) = E0+ (r)e−k−z ej(ωt−k+z‬‬ ‫(‪)25-2‬‬

‫‪ -26‬مقاومت سطحی رابطه (‪ )27-2‬در چه شرایطی تعریف می شود؟‬

‫پاسخ‪ :‬رابطه (‪ )27-2‬که در ویرایش جدید رابطه (‪ )1-2‬است در صفحه ‪ 6‬بصورت زیر تعریف شده است‬

‫" برای یک رسانای شفاف در صورتی که ضخامت الیه نازک ) ‪ (t t‬خیلی کوچکتر از عمق پوستی )𝛿( باشد و موج‬
‫الکترومغناطیسی مسطح با پالریزاسیون خطی در نظر گرفته شود مقاومت سطحی رسانای شفاف ) ‪ (R s‬بصورت‬

‫‪1‬‬
‫‪Rs = t σ‬‬ ‫(‪)1-2‬‬
‫‪t‬‬

‫تعریف میشود‪".‬‬
 ‫‪ -27‬روابط ‪ NRW‬از نظر نگارشی بررسی شود‪.‬‬

‫پاسخ‪ :‬روابط ‪ NRW‬در صفحات ‪ 26‬و ‪ 27‬مورد بررسی قرار گرفت و تنها شکل ‪ SFG‬مربوط به روش ‪ NRW‬اصالح شد‪ .‬بقیه‬
‫موارد درست بودند‪.‬‬

‫‪ -28‬شکل ‪ 4-2‬بررسی شود؟‬

‫پاسخ‪ :‬شکل ‪ 4-2‬تنها ساختار اندازهگیری به روش ‪ OECP‬را شرح می دهد‪ .‬ضمنا در مرجع ]‪ [24‬نیز به همین صورت آمده‬
‫است‪.‬‬

‫‪ -29‬نمایش ‪ SFG‬بصورتیکه در کاتالوگ دستگاه تحلیلگر طیف آمده است صحیح نیست‪ .‬یک فرم یکسان در سراسر رساله استفاده‬
‫شود‪.‬‬

‫پاسخ‪ :‬در صفحه ‪ SFG 18‬مربوط به خطاهای دستگاه تحلیلگر طیف بر مبنای مدل تعریف شده در کتابهای مایکروویو اصالح‬
‫شد‪.‬‬

‫‪a0‬‬ ‫‪e10‬‬
‫‪ΓM‬‬ ‫‪e00‬‬ ‫‪e11 ΓA‬‬
‫‪b0‬‬ ‫‪e01‬‬
‫خط ه م ور‬ ‫ت لل ر ف‬ ‫ماده ت‬
‫آزمای‬
‫شکل ‪ :6-2‬طرح کلی نحوه محاسبه ضریب بازتابش تصحیح شده با توجه به محاسبه خطاهای ‪ 𝑒01 ،𝑒10 ،𝑒00‬و ‪[25] 𝑒11‬‬
‫‪c‬‬
‫‪ (S11‬و ) ‪ (Γm = 𝑆11‬در صفحات ‪ 17‬و ‪ 18‬تعریف شدهاند‪.‬‬ ‫در ضمن پارامترهای ) ‪= ΓA‬‬

‫همچنین در صفحه ‪ 26‬شکل ‪14-2‬ج ‪ 26‬اصالح شد‪.‬‬

‫(ج)‬

‫شکل ‪ :14-2‬روش انتقال ‪ -‬بازتابش غیر تشدیدی ‪( NRW‬الف) دیاگرام نحوه قرار گرفتن ماده تحت آزمایش در قسمتی از خط هممحور‬
‫(ب) نحوه انعکاس و انتقال موج در ماده تحت آزمایش (ج) نمودار جریان سیگنال ]‪[31‬‬
 ‫‪ -30‬روابط (‪ )44-2‬و (‪ )45-2‬مرجع گذاری شود‪.‬‬

‫پاسخ‪ :‬در این خصوص مرجع ]‪[25‬در نظر گرفته شد‪.‬‬

‫‪ -31‬شکل ‪ 7-3‬ناکامل و بال استفاده است‪.‬‬

‫پاسخ‪ :‬شکل ‪ 7-3‬تنها طرحواره اندازهگیری به روش چهار اتصالی را نشان میدهد‪ .‬توضیحات اندازهگیری به روش چهاراتصالی‬
‫در صفحه ‪ 42‬آمده است‬

‫‪ -32‬رابطه (‪ )1-4‬کامل نیست‪.‬‬

‫پاسخ‪ :‬رابطه (‪ )1-4‬تنها میدانهای الکترومغناطیسی بازتابیده شده از مرز ‪ z = 0‬را نشان میدهد و کامل است‬

‫‪ -33‬رابطه (‪ )10-4‬و (‪( )11-4‬توابع هنکل) برای یک ساختار محدود معتبر نیست‪.‬‬

‫پاسخ‪ :‬در هنگام استفاده از تابع هنکل در روش ‪ ،OECP‬ساختار در امتداد شعاعی )𝜌( نامحدود در نظر گرفته شده است و در‬
‫مراجع ]‪ [26‬و ]‪ [48‬نیز بدین صورت آمده است‪.‬‬

‫‪ -34‬شکل ‪ 8-4‬شبیه سازی با ‪ cst‬کامل نیست‪ .‬آیا محاسبه عمق پوستی در بخش ‪ 5-5-4‬درست است؟‬

‫پاسخ‪ :‬در صفحه ‪ 49‬شکلهای ‪ 8-4‬الف و ب بهعنوان اندازه پیک های میدانهای الکتریکی و مغناطیسی مد انتشار ‪ TM‬اضافه‬
‫شده است‪ .‬بقیه شکلها اندازههای میدانهای الکتریکی‪ ،‬مغناطیسی‪ ،‬توزیع توان و چگالی توان تلفاتی را نشان میدهد‪ .‬محاسبه‬
‫‪1‬‬
‫= ‪ δ‬و مقادیر بدست آمده از روش ‪ OECP‬در حدود ‪ 7‬میکرومتر است که در صفحه‬ ‫عمق پوستی با توجه به رابطه‬
‫𝜎𝜇𝑓𝜋√‬
‫‪ 53‬اصالح شده است‪.‬‬

‫(ب)‬ ‫(الف)‬

‫شکل ‪ :8-4‬توزیع میدان و توان الکترومغناطیسی ساختار ‪ OECP‬شبیه سازی شده با الیه نازک ‪ 500‬نانومتری و زیرالیه پیرکس ‪ 2‬میلی‬
‫متری (الف) پیک میدان الکتریکی مد انتشار ‪ TM‬در محل اتصال خط هممحور به ساختار رسانای شفاف (ب) پیک میدان مغناطیسی مد‬
‫انتشار ‪ TM‬در محل اتصال خط هممحور به ساختار رسانای شفاف‬
 ‫‪ -35‬شکل ‪ 1-5‬نمودار ‪ SFG‬اصالح شود‪.‬‬

‫پاسخ‪ :‬شکل ‪ 1-5‬در صفحه ‪ 58‬اصالح شد‪.‬‬

‫‪TCO Thin‬‬ ‫‪Substrate‬‬

‫‪Film‬‬
‫‪SM 21‬‬
‫‪Flange‬‬
‫‪St 21‬‬ ‫‪Ss 21‬‬

‫‪St 11 St 22‬‬ ‫‪Ss 11‬‬ ‫‪Ss 22‬‬

‫‪St 12‬‬ ‫‪Ss 12‬‬

‫‪Port 1‬‬ ‫‪SM 11‬‬ ‫‪SM 22‬‬ ‫‪Port 2‬‬

‫‪Coaxial Cable‬‬ ‫‪SM 12‬‬ ‫‪Coaxial Cable‬‬

‫‪z=0‬‬
‫‪Z´t‬‬ ‫‪Z´s x‬‬

‫‪y‬‬ ‫‪z‬‬
‫‪ -36‬در مورد شکل ‪ 3-5‬مشخصات داده نشده است‪.‬‬
‫پاسخ‪ :‬در صفحه ‪ 63‬توضیحات زیر داده شده است‪:‬‬

‫"رسانای شفاف در بین دو خط هممحور قرار گرفته و با گیره بطور کامل محکم شد‪ .‬ابتدا دستگاه کالیبره شد‪ .‬اندازهگیری در‬
‫بازه ‪ 2‬الی ‪ 20‬گیگاهرتز و با ‪ 1000‬نمونه در نظر گرفته شد‪ .‬سپس اندازهگیری پارامترهای ‪ S‬با استفاده از روندنمای شکل ‪2-5‬‬
‫انجام شد و پارامترهای ‪ St‬مربوط به الیه نازک استخراج شد‪ .‬در نهایت با استفاده از روابط (‪ )45-2‬تا (‪ )50-2‬مشخصات‬
‫الکترومغناطیسی ) ‪ (σ, εr‬محاسبه شدند‪".‬‬

‫‪ -37‬ماتریس انتقال بکار گرفته شده ‪ ABCD‬نیست ‪ chain scattering matrix‬است‪.‬‬

‫پاسخ‪ :‬ماتریس انتقال ‪ ABCD‬به ماتریس انتقال موج در صفحات ‪ 61 ،58‬و ‪ 62‬تغییر پیدا کرد‪.‬‬

‫‪Spike -38‬های ایجاد شده در رسانندگی ناشی از چیست؟‬

‫پاسخ‪Spike :‬های ایجاد شده در رسانندگی به دلیل بازتابشهای ناشی از فلنج است که در پارامترهای ‪ S‬اندازهگیری شده‬
‫مشاهده میشود‪ .‬با توجه به روابط ‪ ،NRW‬چون رسانندگی از روی پارامترهای ‪ S‬اندازهگیری شده بدست میآید لذا این‬
‫‪spike‬ها در نمودار رسانندگی در فصل ‪ 5‬مشاهده میشود‪.‬‬

‫‪ -39‬رابطه ‪ 1-5‬کامل نیست‪:‬‬

‫پاسخ‪ :‬در صفحه ‪ 59‬توضیح داده شده است‪.‬‬

 1
𝐸𝜌1 = 𝜌 (𝑒 −𝑗𝑘𝑐𝑧 + Γ0 𝑒 𝑗𝑘𝑐𝑧 ) + ∑∞
𝑚=1 Γ𝑚 𝐴𝑚 (𝜌)𝑒
𝛾𝑚 𝑧
)1-5(

1
‫ در خط هممحور و قسمت دوم‬TEM ‫ 𝑒( 𝜌 مربوط به مد اصلی انتشار‬−𝑗𝑘𝑐𝑧 + Γ0 𝑒 𝑗𝑘𝑐𝑧 ) ‫) یعنی‬1-5( ‫بخش اول رابطه‬
‫ درون خط هممحور است که از اعمال شرایط مرزی بر روی تابع‬TM ‫∞∑ مربوط به مدهای‬
𝑚=1 Γ𝑚 𝐴𝑚 (𝜌)𝑒
𝛾𝑚 𝑧
‫یعنی‬
.‫[ روابط مشابه برای یک ساختار تک الیه بدست آمده است‬34] ‫ در مرجع‬.‫پتانسیل اسکالر هرتز بدست میآید‬

.‫ چکیده به انگلیسی نیاز به اصالح دارد‬-40

.‫ اصالح شد‬78 ‫ چکیده به شرح زیر در صفحه‬:‫پاسخ‬

“Abstract
The subject of this dissertation is the fabrication and determination of electromagnetic
characteristics in the microwave frequency band of a transparent conductor improved by
carbon nanotubes. The properties of conductivity and transparency in a material are in conflict
with each other. Transparent materials usually have large band gaps and act as insulators, while
in a conductive material, due to the presence of large amounts of intrinsic carriers, the emitted
photons are absorbed and the transparency is low. The first purpose of this paper is to increase
the conductivity of a transparent conductor but the transparency does not reduce too much. It
also must be considered that some properties such as thermal and mechanical stability of the
material, simplicity of the manufacturing process, the method of electromagnetic
characterization, as well as the cost of design and production. In this dissertation, after studying
the available transparent conductive materials available in Iran, the idea of Fluorine Tin Oxide
(FTO) doped by Multi-Wall Carbon Nanotube (MWCNT) was proposed and fabricated.
Carbon nanotubes have metallic and semiconducting properties. They are able to increase the
surface conductivity of materials while maintaining acceptable transparency. The propose
material has been deposited on the Pyrex glass substrate using the pyrolysis spray method. An
improved transparent conductor with a surface resistance of R s = 5(Ω/□), transparency of
77% in the visible band and thickness of 500 nm was fabricated.
The next purpose is to determine the relative permittivity (εr ) and the conductivity (σ) of
the fabricated transparent conductive film. There are various methods to determine (σ, εr ). The
open-ended coaxial probe (OECP) and the two-port flange coaxial probe (TPFCP) methods are
the most common used to determine the electromagnetic characteristics of the planar structures.
These methods are suitable in determining the electromagnetic characteristics of the materials
in the microwave frequency band, but due to the very thin thickness of the transparent
conductive film relative to the wavelength in the microwave band, the measured parameters
not only correspond to the thin film, but also to the substrate and other layers. The objective in
this section is to provide a method to accurately determine (σ, εr ) of the transparent conducting
thin film. For this purpose, the electromagnetic characteristics of the thin film was measured
and analyzed by OECP. Then, according to the results obtained from the OECP, the idea of
using thin film transfer matrix in the TPFCP method was proposed and applied. The advantage
of the proposed method is that the parameters S related to the transparent conductive thin film
are obtained separately. Then (σ, εr ) of the transparent conductivity are precisely determined
and the effect of the substrate is removed.The results were compared with the OECP and other
common methods. The conductivity in the order of 105 S/m and relative permittivity in the
order of 106 were achieved in the 2 to 20 GHz frequency band. The effect of significant
‫‪parameters on electromagnetic characteristics such as the material, thickness and dimensions‬‬
‫‪of the substrate, the thickness of the thin film and the gap between coaxial probe and surface‬‬
‫‪of the thin film are investigated and analyzed as well.‬‬
‫‪Keywords: Transparent conductor, Electromagnetic characterization, coaxial probe‬‬
‫"‪method, Thin film transfer matrix.‬‬

‫آقای دکتر نشا ی‬

‫‪ -1‬اصالحات نگارشی در بخش چکیده فارسی انجام شود‪.‬‬

‫پاسخ‪ :‬اصالحات نگارشی در بخش چکیده فارسی انجام شد‪.‬‬

‫‪ -2‬آخرین بخش ‪ 1-1‬با توجه به پاراگراف آخری تکراری است‪.‬‬

‫پاسخ‪ :‬آخرین بخش ‪ 1-1‬حذف شد‪.‬‬

‫‪ -3‬اولین بخش ‪ 2-2‬تکراری است‪.‬‬

‫پاسخ‪ :‬اولین بخش ‪ 2-2‬حذف شد‪ .‬رسانایی و شفافیت تعریف شد‪.‬‬

‫خاصیت رسانایی یعنی وجود الکترونهای آزاد در یک ماده که اعمال میدان الکتریکی بر آن سبب حرکت الکترونهای‬
‫آزاد شده و جریان الکتریکی را بوجود میآورد‪ .‬ضریب رسانایی یا رسانندگی با ‪ σ‬نمایش داده شده و واحد آن زیمنس بر متر‬
‫است‪ .‬خاصیت شفافیت عبارتست ا ز عبور پرتوی نوری یا هر نوع تابش الکترومغناطیسی دیگر از جسم بطوریکه میزان جذب و‬
‫انعکاس موج الکترومغناطیسی تابشی کم باشد‪ .‬وقتی موج الکترومغناطیسی با جسم برخورد میکند سه حالت انتقال‪ ،‬جذب و‬
‫انعکاس برای موج تابیده شده اتفاق میافتد‪ .‬اگر بیشتر موج الکترومغناطیسی انتقال یابد آن جسم دارای شفافیت است‪ .‬شفافیت‬
‫میزان انتقال موج الکترومغناطیسی از جسم است که معموال بر حسب فرکانس در باند مرئی و بصورت درصد بیان میشود‪ .‬در‬
‫این رساله موج الکترومغناطیسی مسطح عمود بر ماده و با پالریزاسیون خطی در نظر گرفته شده است‪.‬‬

‫‪ -4‬مرجع ‪ FOM‬داده شود‪.‬‬

‫پاسخ‪ FOM :‬مرجع ]‪ [17‬داده شد و مقدار آن در رابطه (‪ )5-2‬در صفحه ‪ 6‬بدست آمد‪.‬‬

‫‪ -5‬ضریب نفوذپذیری الکتریکی به گذردهی و ضریب نفوذپذیری مغناطیسی به نفوذپذیری مغناطیسی اصالح شود‪.‬‬

‫پاسخ‪ :‬در سراسر رساله انجام شد‪.‬‬

‫‪ -6‬منظور از رسانندگی تعریف شده در مدل درود چیست؟ در محاسبه ‪ σ‬دقیقا مشخص شود که مربوط به هدایتی و یا جابجایی‬
‫است؟‬

‫پاسخ‪ :‬در صفحه ‪ 10‬توضیح داده شد‪.‬‬

‫" بر طبق مدل درود‪ ،‬با استفاده از تئوری الکترون آزاد در یک ماده (به ویژه یک رسانا) رسانندگی ناشی از میدان‬
‫الکتریکی متغیر با زمان ‪ 𝑒 jωt‬از رابطه‬

‫‪σ‬‬ ‫‪ωτσ‬‬
‫‪σ(𝜔) = σ1 + jσ2 = 1+ω02τ2 − j 1+ω20τ2‬‬ ‫(‪)10-2‬‬
‫بدست میآید ]‪ σ(𝜔) .[20-19‬معرف تمام اثرات تلفاتی ماده است ]‪ [5‬و تمام رسانندگی ماده ناشی از حاملهای بارهای آزاد‬
‫و مقید را شامل میشود‪ .‬پارامتر ‪ 𝜎0‬رسانندگی ماده در فرکانس صفر است و از رابطه‬

‫‪Ne e2 τ‬‬
‫= ‪σ0‬‬ ‫(‪)11-2‬‬
‫∗‪m‬‬

‫تعیین میشود‪".‬‬

‫‪ -7‬بخش ‪ 1-3-2‬تعریف ‪ ε‬بصورت علمی بیان شود‪.‬‬

‫پاسخ‪ :‬در صفحه ‪ 10‬توضیح داده شد‪.‬‬

‫"گذردهی مختلط )‪ (ε‬میزان قطبیت پذیری ماده را نشان میدهد‪ .‬از دیدگاه فیزیکی )‪ (ε‬یک ماده‪ ،‬نحوه پاسخگویی‬
‫ماده به میدان الکتریکی خارجی را نشان میدهد‪ .‬به عبارت دیگر ‪ ،ε‬میزان اثرگذاری میدان الکتریکی بر یک ماده دیالکتریک‬
‫و یا بر عکس میزان تاثیرپذیری میدان الکتریکی از ماده دیالکتریک را مشخص میکند‪ .‬اما ماده نمیتواند بالفاصله به یک میدان‬
‫الکتریکی اعمال شده پاسخ دهد‪ .‬معموال پاسخ آن را می توان با توجه به سرعت موج منتشر شده در ماده و وابستگی آن به‬
‫فرکانس‪ ،‬که باعث پاشندگی موج الکترومغناطیسی در ماده دیالکتریک میشود‪ ،‬بررسی کرد‪ .‬این وابستگی به فرکانس این‬
‫واقعیت را نشان می دهد که قطبی شدن ماده با اعمال یک میدان الکتریکی بالفاصله انجام نمیشود‪ .‬لذا گذردهی بصورت تابعی‬
‫از فرکانس میدان الکتریکی اعمال شده بهصورت )‪ ε(ω‬تعریف می شود که‬

‫‪Dejωt = ε(ω)Eejωt = ε0 εr (ω)Eejωt‬‬ ‫(‪)7-2‬‬

‫است‪ D .‬و ‪ E‬به ترتیب دامنههای چگالی شار الکتریکی و شدت میدان الکتریکی اعمال شده با تابع زمانی ‪ ejωt‬است‪ ε .‬معموال‬
‫بصورت نرمالیزه بیان میشود و بر گذردهی مطلق خال ) ‪ (𝜀0‬تقسیم میشود‪ .‬در اینصورت به آن گذردهی نسبی یا ثابت‬
‫دیالکتریک ) ‪ (εr‬میگویند‪:‬‬

‫‪ε‬‬
‫‪εr = ε = ε′r − jε′′‬‬
‫‪r‬‬ ‫(‪)8-2‬‬
‫‪0‬‬

‫بخش حقیقی گذردهی نسبی ) ‪ ،(𝜀𝑟′‬معرف میزان توانایی ماده برای ذخیرهسازی انرژی الکتریکی است و بخش موهومی‬
‫آن ) ‪ (𝜀𝑟′′‬میزان تلفات ماده را در حضور میدان الکتریکی خارجی نشان میدهد‪ .‬برای نشان دادن میزان تلفات در یک ماده از‬
‫نسبت ‪ 𝜀𝑟′′‬به ‪ 𝜀𝑟′‬استفاده میکنند که به تانژانت تلفات مشهور است و عکس ضریب کیفیت )‪ (Q‬است‪.‬‬
‫‪1‬‬ ‫‪ε′′‬‬
‫= ‪"tan(Υ) = Q‬‬ ‫‪r‬‬
‫(‪)9-2‬‬
‫‪ε′r‬‬
‫‪ -8‬در صفحه ‪ 10‬پاشندگی مربوط به موج الکترمغناطیسی است نه دی الکتریک‬

‫پاسخ‪ :‬در صفحه ‪ 10‬بهصورت زیر اصالح شد‪.‬‬

‫" معموال پاسخ آن را می توان با توجه به سرعت موج منتشر شده در ماده و وابستگی آن به فرکانس‪ ،‬که باعث پاشندگی موج‬
‫الکترومغناطیسی در ماده دیالکتریک‪ 2‬میشود‪ ،‬بررسی کرد‪".‬‬

‫‪ t -9‬ضخامت الیه نازک با ‪ t‬زمانی اشتباه میشود اصالح شود‪.‬‬

 ‫پاسخ‪ :‬در صفحه ‪ 12‬و صفحه های دیگر برای ضخامت الیه از ‪ t t‬استفاده شد‪.‬‬

‫‪ -10‬ایرادات نگارشی در صفحه های ‪ 11‬و ‪ 12‬اصالح شود‪.‬‬

‫پاسخ‪ :‬ایرادات نگارشی در صفحه های ‪ 11‬و ‪ 12‬اصالح شد‪.‬‬

‫‪ -11‬منظور از امپدانس موثر الیه نازک در صفحه ‪ 13‬و ‪ 66‬چیست؟‬

‫پاسخ‪" :‬امپدانس موثر الیه نازک (یعنی امپدانسی که از محل برخورد موج الکترومغناطیسی با الیه نازک دیده میشود)"‬

‫‪ -12‬منظور از نوسان در صفحه ‪ 13‬چیست؟‬

‫پاسخ‪ :‬در صفحه رابطه (‪ )28-2‬در حالت کلی بر حسب ‪ tanh‬نوشته شد‪ .‬منظور از نوسان‪ ،‬شکل ‪ tanh‬امپدانس موثر است‪.‬‬

‫) ‪Z𝑠′ = Zs tanh(jk s t s‬‬ ‫(‪)28-2‬‬

‫‪ -13‬در صفحه ‪ 14‬بجای خواص‪ ،‬مشخصات آورده شود‪.‬‬

‫پاسخ‪ :‬در صفحه ‪ 14‬اصالح شد‪.‬‬

‫‪ -14‬پروب هم محور تک پورته در صفحه ‪ 16‬حذف شود‪.‬‬

‫پاسخ‪ :‬در صفحه ‪ 16‬اصالح شد‪.‬‬

‫‪ -15‬خط آخر صفحه ‪ 17‬تکراری است‪.‬‬

‫پاسخ‪ :‬در صفحه ‪17‬حذف شد‪.‬‬

‫‪ -16‬بجای روندنما و شماتیک در صفحه ‪ 20‬و صفحههای دیگر از طرحواره استفاده شود‪.‬‬

‫پاسخ‪ :‬در تمام رساله انجام شد‪.‬‬

‫‪ -17‬در بند ‪ 7‬در صفحه ‪ 30‬عنوان شده که "در صورت دقت زیاد قابل مالحظه نیست"‬

‫پاسخ‪ :‬این بند در صفحه ‪ 34‬حذف شد‪.‬‬

‫‪ -18‬بجای پروب هم محور از خط هم محور استفاده شود‪.‬‬

‫پاسخ‪ :‬در سراسر رساله انجام شد‪.‬‬

‫‪ -19‬در بند ‪ 3‬در صفحه ‪ 42‬طبق رابطه (‪ )27-2‬آیا مقاومت سطحی به فرکانس بستگی دارد؟ چون در رساله عنوان شده که بستگی‬
‫ندارد‪.‬‬

‫پاسخ‪ :‬با توجه به اینکه ‪ σ‬به فرکانس بستگی دارد پس مقاومت سطحی نیز به فرکانس بستگی دارد‪ .‬در صفحه ‪ 46‬به صورت زیر‬
‫اصالح شد‪.‬‬

‫" و در نتیجه مقاومت سطحی از رابطه (‪ )1-2‬به دست میآید‪".‬‬

‫‪ -20‬در صفحه ‪ 43‬نتیجه ‪ 1‬بخش تکراری آن حذف شود‪.‬‬

 ‫پاسخ‪ :‬این قسمت در صفحه ‪ 43‬حذف شد‪.‬‬

‫‪ -21‬صفحه ‪ 44‬کلمه ممکن است حذف شود‪.‬‬

‫پاسخ‪ :‬در صفحه ‪ 44‬بدین طریق اصالح شد‪.‬‬

‫" در روش ‪ OECP‬با توجه به اینکه ساختار اندازه گیری از یک طرف باز است‪ ،‬بسته به ضخامت الیه نازک و زیرالیه پارامتر‬
‫‪ S11‬اندازهگیری شده به فضای بعد از الیه نازک نیز بستگی دارد‪.‬‬

‫‪ -22‬صفحه ‪ 43‬برای مقادیر داده شده مرجع داده شود؟ دلیل برای گذردهی باالی رسانای شفاف آورده شود‪.‬‬

‫پاسخ‪ :‬در صفحه ‪ 46‬به شرح زیر اصالح شد‬

‫" حال این سئوال مطرح است که چرا گذردهی نسبی بدست آمده برای رسانای شفاف ساخته شده خیلی زیاد است‪ .‬با توجه به‬
‫رابطه (‪ ) 7-2‬چگالی شار الکتریکی حاصلضرب گذردهی در شدت میدان الکتریکی اعمال شده به ماده است‪ .‬چگالی شار الکتریکی‬
‫در یک رسانا به دلیل وجود بارهای الکترون آزاد زیاد است چون شدت میدان الکتریکی مقدار محدودی دارد لذا گذردهی نسبی‬
‫یک رسانا عدد بزرگی است‪ .‬دلیل دیگر اینکه ضریب گذرهی الکتریکی نسبی یک ماده‪ ،‬مقاومت در برابر تشکیل میدانهای‬
‫الکتریکی درون آن است‪ .‬چون در یک رسانا میدان الکتریکی درونی صفر است لذا مقدار گذردهی نسبی رسانا بزرگ است‪ .‬با‬
‫توجه به معادله (‪ ) 12-2‬که همان مدل درود است‪ ،‬برای یک رسانای دیگر مثل نقره دارای )‪ωp = 1.39 × 1016 (rad/s‬‬
‫‪1‬‬
‫و )‪ τ = γ = 3.41 × 10−14 (s‬است ]‪ ،[19‬نمودارهای بخشهای حقیقی و موهومی گذردهی نسبی الیه نازک در شکل‬
‫‪ 4-4‬بدست میآیند‪".‬‬

‫‪ -23‬صفحه ‪ 59‬ایرادات نگارشی اصالح شود‪.‬‬

‫پاسخ‪ :‬ایرادات نگارشی صفحه ‪( 59‬صفحه اول فصل ‪ )5‬اصالح شد‪.‬‬

‫‪ -24‬صفحه ‪ 47‬تعریف توان بر حسب بردار پوئینتینگ صحیح نیست رابطه بعدی توضیح داده شود که از کجا آمده است؟ ضمنا توابع‬
‫بسل معمولی و هنکل با (معمولی) نوشته شود‪.‬‬

‫پاسخ‪ :‬این بخش به فصل دوم بخش ‪ 3-2-4-2‬صفحه ‪ 22‬منتقل شد‪ .‬توابع بسل و هنکل به صورت توابع بسل و هنکل معمولی‬
‫نوشته شد و توان به توان مزدوج مختلط تغییر پیدا کرد‪.‬‬

‫" حال برای بدست آوردن ادمیتانس تراز شده درلبه خط هممحور انتها باز در شکل ‪ 12-2‬از ضرایب بازتابشی الیهها‬
‫استفاده میشود ]‪ .[26‬میدانهای مغناطیسی و الکتریکی در ‪ z=0‬با توجه به روابط (‪ )52-2‬و (‪ )53-2‬و برحسب ضریب بازتابش‬
‫ورودی 𝑛𝑖‪ Γ‬بصورت‬
‫𝐴‬
‫) 𝑛𝑖‪𝐻𝜑− = 𝜂 0𝜌 (1 − Γ‬‬ ‫(‪)65-2‬‬
‫𝑐‬

‫𝐴‬
‫) 𝑛𝑖‪𝐸𝜌− = 𝜂 0𝜌 (1 + Γ‬‬ ‫(‪)66-2‬‬
‫𝑐‬

‫نوشته میشود‪ .‬طبق قضیه پوئینتینگ توان مزدوج مختلط در سطح روزنه خط هممحور با رابطه‬
 ‫‪1‬‬
‫𝑠𝑑 ̂𝑧 ‪𝑃∗ = 2 𝑅𝑒 ∫(𝐸 ∗ × 𝐻).‬‬ ‫(‪)67-2‬‬

‫𝑏 𝜋‪1 2‬‬ ‫‪𝜋|𝐴0 |2‬‬ ‫𝑏‬

‫= 𝜑𝑑𝜌𝑑𝜌 ‪= ∫ ∫ 𝐸𝜌− ∗ 𝐻𝜑−‬‬ ‫) (‪(1 + Γ𝑖𝑛 ∗ )(1 − Γ𝑖𝑛 )ln‬‬
‫𝑎 ‪2 0‬‬ ‫𝑐𝜂‬ ‫𝑎‬

‫نوشته میشود‪ .‬طبق قضیه پارسوال توان مزدوج مختلط در سطح روزنه خط هممحور با استفاده از تبدیل هنکل‬

‫‪2‬‬
‫∞‬
‫𝜆𝑑 ])𝑏𝜆( ‪̃𝜑 𝑑𝜆 = 𝑗𝜔𝜀0 𝜀𝑟1 𝜋 ∫∞ 𝐴0 2 (1 + Γ𝑖𝑛 )2 (1+Γ1 ) [𝐽0 (𝜆𝑎)−𝐽0‬‬
‫𝐻 ∗𝜌̃𝐸𝜆 ‪𝑃∗ = 𝜋 ∫0‬‬ ‫(‪)68-2‬‬
‫‪0‬‬ ‫) ‪(1−Γ‬‬ ‫𝜆‬ ‫‪1‬‬

‫است‪ .‬از برابر قراردادن (‪ )67-2‬با (‪ )68-2‬ادمیتانس دو سر خط هممحور به صورت‬

‫‪1−Γ‬‬ ‫𝑐𝜂 ‪𝑗𝜔𝜀0 𝜀𝑟1‬‬ ‫‪∞ 1 (1+Γ1 ) [𝐽0 (𝜆𝑎)−𝐽0 (𝜆𝑏)]2‬‬

‫= )𝑛𝑖‪𝑌 = (1+Γ‬‬ ‫𝑏‬ ‫‪∫0‬‬ ‫𝜆𝑑‬ ‫(‪)69-2‬‬
‫𝑛𝑖‬ ‫) (𝑛𝑎𝑙‬ ‫) ‪𝛾1 (1−Γ1‬‬ ‫𝜆‬
‫𝑎‬

‫بدست میآیدکه 𝑛𝑖𝛤 ضریب بازگشتی در دهانه خط هممحور است‪ 𝜂𝑐 = √𝜇0 /𝜀𝑐 .‬امپدانس ذاتی‪ a ،‬و ‪ b‬به ترتیب قطر‬
‫درونی و بیرونی خط هممحور برابر ‪ 0.5‬و ‪ 2.5‬میلیمتر است‪".‬‬

‫‪ -25‬ماتریس انتقال ‪ ABCD‬در صفحه ‪ 62‬اشتباه نوشته شده است‪ .‬این پارامترها مربوط به موج هستند اصالح شود‪.‬‬

‫پاسخ‪ :‬پارامترهای انتقال ‪ ABCD‬به ماتریس انتقال موج در فصل ‪ 5‬تغییر کرد‪.‬‬

‫‪ γ -26‬برای تعریف دو پارامتر تعریف شده اصالح شود‪.‬‬

‫پاسخ‪ :‬در سراسر رساله ‪ γ‬به عنوان ثابت انتشار‪ γτ ،‬به عنوان عکس زمان برخورد یونها با یکدیگر و )‪ tan(Υ‬به عنوان تانژانت‬
‫تلفات اصالح شد‪.‬‬

‫‪ -27‬در خصوص مد انتشار ‪ TEM‬در خط انتقال هم محور تا فرکانس ‪ 20‬گیگا هرتز مطمئن شوید آیا مدهای دیگر هم تحریک می‬
‫شوند یا خیر مد بعدی ‪ TE11‬است‪.‬‬

‫پاسخ‪ :‬برای ساختار اندازهگیری به روش خط هم محور یک پورته و دو پورته که خط هممحور به ساختار مسطح رسانای شفاف‬
‫متصل میشود مدهای تحریک شده همان مد اصلی انتشار ‪ TEM‬و ‪ TM0n‬هستند که مراجع ]‪،[34] ،[33] ،[32] ،[26] ،[5‬‬
‫]‪ [48] ،[36‬و ]‪ [50‬بدین صورت آمده است‪ .‬در ]‪ [33‬و ]‪ [34‬عنوان شده است که مدهای مرتبه باالتر به دلیل تقارن محوری‬
‫مسئله تحریک نمیشوند‪.‬‬

‫‪ -28‬در صفحه ‪ 28‬وقتی دستگاه کالیبره میشود دیگر خطا ندارد از نظر نگارشی اصالح شود‪.‬‬

‫پاسخ‪ :‬در صفحه ‪ 28‬به شرح زیر اصالح شد‪.‬‬

‫" خطای دستگاه تحلیلگر طیف‪ ،‬خطا به دلیل بهوجود آمدن فاصله هوایی بین سطح اتصال خط هممحور و الیه نازک و خطا‬
‫به دلیل ضخامت خیلی کم الیه نازک‪ .‬برای غلبه بر خطای اولی دستگاه کالیبره میشود و برای برطرف سازی خطای دوم نیز‬
‫خط هممحور با گیره محکم به ماده تحت اندازهگیری متصل میشود‪".‬‬

‫‪ -29‬شکلهای رنگی تا حد امکان بصورت نقطه چین درآورده شود تا قابل پرینت باشد‪.‬‬

‫پاسخ‪ :‬شکلهای ‪ 7-5 ،6-4‬و ‪ 9-5‬از حالت رنگی به سیاه تبدیل شد‪.‬‬

‫‪ -30‬در مورد اضافه کردن ‪ PEC‬و بازگشت موج از آن بررسی شود‪.‬‬

‫پاسخ‪ :‬در صفحه ‪ 48‬به شرح زیر اصالح شد‪:‬‬

‫" اضافه کردن ‪ PEC‬در انتهای زیرالیه باعث میشود که موج الکترومغناطیسی از زیرالیه عبور نکند و بازتابش در‬
‫زیرالیه بوجود آید‪ .‬رفتار موج الکترومغناطیسی در این ساختار در بخش ‪ 3-3-2‬توضیح داده شده است‪".‬‬

‫‪ -31‬در خصوص نگارش بعد از روابط تمام موج فصل ‪( 5‬همانطور که مشاهده می شود از تحلیل تمام موج) نگارش تصحیح شود‪.‬‬

‫پاسخ‪ :‬در صفحه ‪ 61‬به شرح زیر اصالح شد‪.‬‬

‫" مقدار اولیه 𝑟𝜀 و 𝜎 تابع هدف برای کمینه سازی از روش ‪ NRW‬بدست میآید که وابستگی پارامترهای ‪ S‬الیه نازک و‬
‫زیرالیه در آن لحاظ نشده است‪".‬‬

‫‪ -32‬فصل ‪ 6‬قسمت نتیجه گیری از نظر نگارشی تصحیح شود‪.‬‬

‫پاسخ‪ :‬فصل ششم از نظر نگارشی بازنگری و تصحیح شد‪.‬‬

‫‪ -33‬پیشنهاد بررسی صافی سطح الیه نشانی شده بجای اندازه گیری در باند تراهرتز داده شود‪.‬‬

‫پاسخ‪ :‬در صفحه ‪ 73‬به شرح زیر اصالح شد‪:‬‬

‫" بررسی میزان صافی سطح الیه نشانی شده در ساختار رسانای شفاف‪ .‬با توجه به اینکه ضخامت رسانای شفاف در مقیاس‬
‫نانومتری است میزان صاف بودن سطح الیه نشانی در اندازهگیری مشخصات الکترومغناطیسی رسانای شفاف الیه نازک موثر‬
‫است‪".‬‬

‫دکتر ماجدی‬

‫از نظر نگارشی خیلی خوب است‬

‫‪ -1‬دقت اندازهگیریها در چه حدی است؟‬

‫پاسخ‪ :‬در صفحه ‪ 64‬به شرح زیر اصالح شد‬

‫"موضوع دیگری که در اینجا مطرح است دقت اندازهگیری است‪ .‬هر چه نتایج بدست آمده از روشهای مختلف فاصله کمتری با‬
‫یکدیگر داشته باشند‪ ،‬طبعا نتایج دقیقتری بدست آمده است‪ .‬برای این منظور انحراف معیار نتایج بدست آمده از روشهای مدل‬
‫ادمیتانسی خط هممحور تک پورته‪ ،‬روش ‪( TPFCP‬اندازهگیری و شبیه سازی) در شکل ‪ 7-5‬برای فرکانسهای ‪16 ،12 ،8 ،4‬‬
‫و ‪ 18‬گیگاهرتز در جدول ‪ 2-5‬بدست آمده است‪ .‬همانطور که انتظار میرود در فرکانسهای باال نتایج بدست آمده از روشهای‬
‫مختلف تفاوت زیادی نسبت به یکدیگر دارند و در نتیجه دقت اندازهگیری کمتری در فرکانسهای باال مشاهده میشود‪".‬‬

‫جدول ‪ 2-5‬انحراف معیار ‪ σ‬بدست آمده‬

‫انحراف معیار‬ ‫فرکانس (گیگاهرتز)‬ ‫ردیف‬
‫‪0.03 × 105‬‬ ‫‪4‬‬ ‫‪1‬‬
‫‪5‬‬
‫‪0.02 × 10‬‬ ‫‪8‬‬ ‫‪2‬‬
‫‪0.1 × 105‬‬ ‫‪12‬‬ ‫‪3‬‬
‫‪5‬‬
‫‪0.25 × 10‬‬ ‫‪16‬‬ ‫‪4‬‬
‫‪0.27 × 105‬‬ ‫‪18‬‬ ‫‪5‬‬

‫‪ -2‬در خصوص نوآوری باید گفت که کار تجربی زیادی انجام شده که خیلی خوب است ولی تئوری هم مهم است؟‬

‫پاسخ‪ :‬بهبود در استفاده از روش ‪ NRW‬با استفاده از بکارگیری ماتریس انتقال موج مهمترین بخش تئوری رساله است که‬
‫توانسته اثر الیههای بعد از رسانای شفاف را در تعیین مشخصات الکترومغناطیسی حذف کند‪.‬‬

‫‪ -3‬بخش ‪ 4-4‬در فصل ‪ 2‬ارائه شود‪.‬‬

‫پاسخ‪ :‬این قسمت به بخش ‪ 2-2-4-2‬صفحه ‪ 20‬و ‪ 3-2-4-2‬صفحه ‪ 22‬منتقل شد‪.‬‬

‫‪ -4‬نتیجه مدل ادمیتانسی با نمودارهای نهایی مقایسه شود‪.‬‬

‫پاسخ‪ :‬نتیجه مدل ادمیتانسی به شکل ‪ 7-5‬در صفحه ‪ 64‬اضافه شد و نتایج آن با دیگر نتایج در صفحه ‪ 65‬مقایسه شد‪.‬‬

‫" نتایج بدست آمده با استفاده از روش ‪ OECP‬و مدل ادمیتانسی که در فصل ‪ 4‬آمده است نیز در شکل ‪ 7-5‬نشان داده شده‬
‫است‪ .‬در روش ‪ OECP‬نیز مشابه روش ‪ NRW‬افت رسانندگی در فرکانسهای باالتر از ‪ 9‬گیگاهرتز مشاهده میشود اما این‬
‫تغییرات کمتر است‪ .‬با توجه به روابط ذکر شده و فرضیات بکارگرفته شده برای ‪ OECP‬اثر زیرالیه نسبت به روش ‪NRW‬‬
‫کاهش یافته است‪ .‬چون در روش ‪ NRW‬پارامترهای ‪ S‬الیه نازک از اثرات زیرالیه مجزا نشدهاند و پارامتر ‪ S‬کل ساختار رسانای‬
‫شفاف اندازهگیری شده است‪ .‬اما روش تحلیلی مدل ادمیتانسی و روش پیشنهادی با یکدیگر تطبیق مناسبی دارند‪".‬‬

‫(ب)‬ ‫(الف)‬
‫شکل ‪ :7-5‬مشخصات الکترومغناطیسی بدست آمده از نتایج اندازهگیری و شبیه سازی با روش ‪ TPFCP‬و روشهای ‪ NRW‬و ‪OECP‬‬
‫(الف) رسانندگی ‪ σ‬و (ب) ضریب نفوذ پذیری الکتریکی نسبی ‪εr‬‬
 ‫‪ -5‬اندازهگیری شکلهای ‪ 10-4‬و ‪ 11-4‬بررسی شود در صورت اشتباه بودن حذف شود‪.‬‬

‫پاسخ‪ :‬شکلهای ‪ 10-4‬و ‪ 11-4‬با توجه به اینکه نیاز به ساخت رسانای شفاف با ابعاد جدید و اندازهگیری پارامتر ‪ 𝑆11‬دارند‬
‫حذف شدند‪.‬‬

‫‪ -6‬فرمولها در بخش ‪ 4-4‬کوتاه یا حذف شود‪.‬‬

‫پاسخ‪ :‬فرمولهای بخش ‪ 4-4‬تا حد امکان کوتاه شد و یک سری اصالحات بر روی آنها انجام شد و در بخش ‪ 2-2-4-2‬و ‪-2‬‬
‫‪ 3-2-4‬نوشته شد‪.‬‬

‫‪ -7‬تحلیل تمام موج فصل ‪ 5‬در صورت عدم نیاز حذف شود‪.‬‬

‫پاسخ‪ :‬تحلیل تمام موج برای نمایش نحوه انتشار موج الکترومغناطیسی و شرایط مرزی در ساختار اندازهگیری دوپورته مفید‬
‫است و میتواند برای فعالیتهای بعدی در زمینه تحلیل الکترومغناطیسی ساختار دو الیه رسانای شفاف بکار گرفته شود‪.‬‬