Kristal kusurları

• Hiç bir kristal mükemmel değil;

• Kusurlar yapıda kasti veya kasti olmadan
bulunabilir.
• Kusur çeşitleri:
– Noktasal kusurlar
– Çizgisel kusurlar
– Düzlemsel kusurlar
Noktasal kusurlar: (a) atomsal boşluk (vacancy), (b) yeralan (interstitial) atom, (c)
küçük arayer (substitutional) atom, (d) büyük arayer atom, (e) Frenkel kusuru, (f)
Schottky kusuru. Bütün bu kusurlar mükemmel kristal yapıyı bir şekilde etkiler.
 Katı çözelti
• Hiç bir malzemeyi tamamen saf
kompozisyonlarda imal etmek mümkün
olamamaktadır.
• Malzemeler yapılarının içerisinde belli
oranlarda farklı atomları çözebilirler.
• Bu durum “katı çözeltiler” olarak adlandırılır.
• Katı çözelti, sıvı çözeltiyle tamamen karışma
açısından benzerlik gösterir.
 Katı çözelti
• Katı çözeltide çözen ve çözünen vardır.
• Örneğin Cu-Ni alaşımında; Ni, Cu içerisinde tamamen
yeralan katı çözelti oluşturacak şekilde çözülebilir.

Cu: Çözen
Ni: Çözünen
 Hume-Rothery Kuralı
• Metalik malzemelerde iki elementin birbirine tamamen ve
heroranda karışarak katı çözeltinin elde edilmesi için Hume-
rothery kuralının sağlanması gerekir.
• Hume rotery kuralı
1. Atom yarıçaplarındaki farkın %15 ten az olması gerekir,
2. İki elementinde aynı kristal yapıya sahip olması gerekir,
3. Aynı elektronegatifliye sahip olmaları gerekir
4. Aynı valansa sahip olamaları gerekir.
5. Yoğunluklarının birbirine yakın olması gerekir.
• Cu-Ni Tüm kuralları sağlar ve birbirlerinin içerisinde sınırsızca
çözülebilir.
– Rcu= 0.128, iyonize olduğunda +2, YMK,
– Rni= 0.125, iyonize olduğunda +2,YMK,

• Al-Si 1,2 ve 4 ü sağlayamaz ancak %2 oranında çözülebilir.

– Rsi=0.117, iyonize olduğunda 4- veya 4+, ElmasKübik
– Ral= 0.143, iyonize olduğunda 3+, YMK

• Fe-Pb hiç bir kuralı sağlayamaz ve birbirlerinin içerisinde hiç

bir oranda çözülemez.
– Fe = 0.124, iyonize olduğunda +2 veya +3, hmk
– Pb = 0.175, iyonize olduğunda +4 veya +2, ymk
 Yeralan
İki tür katı çözelti mevcuttur.
• Rastgele (random) katı çözelti
• Düzenli (ordered) katı çözelti
• Örneğin: 390oC üzerinde Au ve
Cu atomları fcc yapıda rastgele
bulunurlar,
• Daha düşük sıcaklıklarda Cu,
yüzey merkezlerini, Au köşe
noktalarının tercih eder
– Seramiklere AuCu3 yapısı gösterir.
– Basit kübik bravis indislerine sahip
olurlar.
 Arayer
• Eğer atom çok küçükse, normal atom konumları enerji
açısından kararsızlık oluşturabilir bu durumda arayerler
tercih edilebilir.

• Örneğin C, α-Fe
içerisinde arayerlerde
daha stabildir. Fakat en
fazla ancak 0.1%
oranında çözülebilirler.
 İyonik malzemeler: Boşluk
Eğer yüklü bir iyon yerinde boşluk varsa, oluşan yük dengesizliğini
ortadan kaldıracak şekilde diğer yüke sahip iyon pozisyonlarındada
boşluk vardır. Bu duruma Schottky kusuru adı verilir.
Eğer bir iyon yerinde boşluk varsa,
oluşan yük dengesizliğini ortadan
kaldıracak aynı yüke sahip başka bir
iyon arayer pozisyonlarındada
bulunabilir. Bu duruma Frenkel
kusuru adı verilir.
Frenkel= Boşluk + Arayer CaF2 latis
yapısı boşluklu olduğundan bu tip
Frenkel kusuru oluşturabilir.Optik
özellkler değişir.
Yapıda Mg2+ pozisyonuna
yerleşen her Al3+ yükün +1
artmasına neden olur. Yük
dengelenmesi için yeralan olarak
bulunan her iki Al3+ için bir adet
Mg2+ pozisyonunda boşluk
bulunması gerekir.

Fe; 2+ veya 3+ yüklerine sahip

olabilir. Yapıda bulunan arayer
olarak bulunan her iki adet Fe3+
iyonu bir adet Fe2+ boşluğuna
neden olur.
When a divalent cation replaces a monovalent cation, a
second monovalent cation must also be removed, creating
a vacancy.
Yayınım (Difüzyon)
 Sıcaklığın Prosese Etkisi
• Proses: Malzeme biliminde tüm olaylar
• Proseslerde Hız; sıcaklığın eksponansiyeli ile orantılıdır.
• Bu ilişki Arrhenius tipi bağıntı ile ifade edilir.
• Q = gereken aktivasyon enerjisi
" -Q % • T = mutlak sıcaklık (oK).
hiz = C.exp$ ' • R= evrensel gaz sabiti
# RT &
• C= sıcaklıktan bağımsız sabit.

Q
ln(hiz) = ln C +
RT

y = a – mx
denklemine benzer
Negatif eğim sıcaklık azaldıkça hızın
azalacağını gösterir.
Aktivasyon enerjisi
 Atomsal boyutta
q = Q / Avagadro sayısı æ-qö
HIZ = C. expç ÷
k= R / Avagadro sayısı (boltzman sabiti) è kT ø
• Atomun bir denge durumundan diğer bir denge durumuna
geçmesi için bir enerji engelini aşması gerekir.
• İhtiyaç duyulan bu enerji “q aktivasyon enerjisi” dir.
 Molar boyutta
y = a – mx
æ -Q ö denklemine benzer
HIZ = C. expç ÷
è RT ø
• Q = gereken aktivasyon enerjisi
• T = mutlak sıcaklık (oK).
• R= evrensel gaz sabiti
• C= sıcaklıktan bağımsız sabit.

æ -Q ö
ln( HIZ ) = ln C + ç ÷
è RT ø
Negatif eğim sıcaklık azaldıkça hızın
azalacağını gösterir.
 Atomsal boşluk oluşumu
• Sıcaklığın artması ısıl aktivasyon ile yapı içerisinde noktasal kusurların sayı
ve hareket kabiliyetlerinin artmasına neden olur.

nkusur æ-E ö Ekusur = Kusur

= C expç kusur ÷
oluşturmak için gereken
N kafesnoktası ç kT ÷
è ø enerji

Atomsal boşluk oluşunu ifade eden arhenius denklem

nboşoşl æ - Eboşoşl ö
= nn = C expçç ÷÷
N kafesnoktası è kT ø
 Malzemelerde sıcaklıkla genleşme

Malzemelerde (Al) sıcaklıkla

genleşme iki şekilde meydana
gelir.
1. Kafesin sıcaklıkla
genleşmesi (Dao/ao)
determined by X-ray
2. Kafesteki boşluk
sayısının artması

Sıcaklıkla genleşme (Dl/lo); Kafesin sıcaklıkla genleşmesi (Da/ao)

ile hesaplanandan daha fazla gerçekleşir.
• Proses: Malzeme biliminde tüm olaylardır.
• Proses hızları ~ Atomların hareket hızları.
• Sıcaklık ­ Þ Atom hareket kabiliyeti ­.
• Proses hızı sıcaklığın exponansiyel bir fonksiyonudur.
• “Arrhenius fonksiyon”.
• Bu davranışa uyan prosesler:
– Malzemelerde kusur oluşum hızı,
– Malzemelerde difüzyon hızı,
– Elektrik iletkenlik,
– Sürünme davranışı.
Yayınım (Difüzyon)
• Malzeme, mükemmel kristal yapıya sahip olsa idi atom veya
iyonlar yayınma için gereken açıklıkları bulamazlardı.
• Dolayısı ile katı hal yayınma için noktasal kusurların varlığı
gereklidir.
• Yayınma 2 türde olabilir: (a)Atom / Boşluk göçü (b) Arayer göçü.

Şekil 5.5: Atomsal yayınma boşluk hareketi ile olmaktadır. Atom hareket
yönüyle boşluk hareket yönü birbirinin ters istikametidir.
Gelişigüzel hareket (random
walk) karakteri gösteren arayer
hareketine dayalı difüzyon
mekanizması
A ve B malzemelerinin karşılıklı
difüzyonu. Her ikiside gelişi
güzel hareket doğrultuları
gösterselerde A ve B
konsantrasyon profilinde net bir
akış olmaktadır.
1.Fick kanunu: yayınım akış hızı
• Cu sağ tarafa doğru Ni in içine
doğru, Ni sol tarafa Cu ın içine
doğru yayılır.
• Yayınım akış hızı 1.Fick
kanunu ile ifade edilir.
 ¶c
J x = -D
¶x
• Jx Þ x yönünde akış yoğunluğu (akısı),
• ∂c/∂x Þ x yönünde yoğunluk profili
• D Þyayınım katsayısı (difüzivite)
2.Fick kanunu: Konsantrasyon profili
 Cs yüzey konsantrasyonu
Co hacim konsanrasyonu

• Atom konsantrasyonun yüzeyden içeri doğru zamanla

değişimi 2.Fick kanunu ile ifade edilir.
• 2.Fick kanunu, 1.Fick kanununun türevidir.
 ¶C x ¶ 2C x
• 2. Fick kanunu Þ =D
¶t ¶x 2
• 2.Fick kanununun, yarı sonsuz
katıya difüzyon durumunda
çözümü.
Cs yüzey konsantrasyonu,
C x -Co æ x ö
Co hacim konsanrasyonu = 1 - erf ç ÷
C s - Co è 2 Dt ø
erf Þ gaus hata fonksiyonu
(error function).
 C x -Co æ x ö
= 1 - erf ç ÷
C s - Co è 2 Dt ø
æ x ö
Tablo üzerinde: z = ç ÷
è 2 Dt ø

Çeşitli durumlar için yukarıdaki eşitliği

kullanarak oluşturulan doyma eğrileri
Yayınma Katsayısı
• Yayınma noktasal kusurların yoğunluğuna bağlı olduğu için
sıcaklığın kuvvetli bir fonksiyonu (arrenhius fonksiyonu).
• Yayınma katsayısı konsantrasyonun fonksiyonu değildir. Çözen
ve çözünen çifti için tanımlanır.

-q
D = Do e kT

• Do Þ öz yayınma katsayısı,
Maks. D @ Tsonsuz
• q = Ekusur + Ekusur hareketi
-Q
D = Do e RT Molar mertebede:

• R = evrensel gaz sabiti (NAv x k),

a-Fe (hmk) içerisinde C nun yayınım
• q = Molar aktivasyon enerjisi katsayısının arrhenius çizimi.
Metalik sistemler
Ametalik sistemler
Figure 5.20 Diffusion in ionic compounds. Anions can only
enter other anion sites. Smaller cations tend to diffuse
faster
Kararlı yayınım (Steady State)

∂C ∂ "$ ∂C%'
= 0= D
∂t ∂x # ∂x &

dC
D⋅ = A (const.)
dx

# ∂C &
Js s = − D % ( = − A
$ ∂x '
(a) Kararlı olmayan (non-steady state),
(b) Kararlı olan (steady state)
• Cı, ve Ch Þ yüzey konsantrasyonu,
• D Þ yayınım sabiti (difüziviti)

¶c Dc Ch - Cl C h - Cl
= = =-
¶x Dx 0 - xo xo
Farklı yayınım yolları
Yayınma mekanizmaları:
•Hacimde yayınma
•Tane sınırında yayınma
•Yüzeyde yayınma

Şimdiye kadar Hacimde yayınmayı gördük.

Qhacim ñ Qtanesiniri ñ Q yüzey

Dhacim á Dtanesiniri á D yüzey
Hangi mekanizmanın etkin olduğu, o mekanizma
için gereken bölgenin büyüklüğüne bağlı: Toz
malzemelerde yüzey difüzyonu, küçük taneli
katılarda tane sınırı difüzyonu etkin olur.
Dhacim á Dtanesiniri á D yüzey
Difüzyona etki eden faktörler
1. Sıcaklık ve difüzyon katsayısı (D)
2. Difüzyon tipi - hacim, tane sınırları, yüzey
difüzyonu
3. Süre
4. Atomlar arası bağın türü ve kafes yapısı
5. Yayınan elementin (çözünen) konsantrasyonu
ve çözenin kompozisyonu
 Malzeme Proseslerinde Difüzyon
P Sinterleme – Tozların yüksek sıcaklıkta pişirilerek katı
parçaları oluşturacak şekilde birbirleri ile kaynaması.
P Toz metakurjisinde – Toz başlangıç malzemelerinde yekpare
makina parçalarının imali.
P Elektro seramik malzemelerde – elektrik iletken seramiklerin
imali.
P Tane büyümesinde – Tane sınır alanlarının azaltılması için tane
sınırlarının hareketi ile büyük tanelerin oluşurulması
P Difüzyon kaynağında – 2 yüzeyin basınç ve sıcaklık altında bir
birine birleştirilmesi için kullanılan kaynak tekniği.
P Yüzey sertleştirme – metal yüzeylere sertleştirme kabiliyeti
olan elementlerin emdirilmesi. Çeliğe karbon veya bor
emdirilmesi vs.
 ©2003 Brooks/Cole, a division of Thomson Learning, Inc. Thomson Learning™ is a trademark used herein under license.

Figure 5.28 Diffusion processes during sintering and

powder metallurgy. Atoms diffuse to points of contact,
creating bridges and reducing the pore size
Figure 5.29 Particles of barium
magnesium tantalate (BMT)
(Ba(Mg1/3 Ta2/3)O3) powder are
shown. This ceramic material is
useful in making electronic
components known as dielectric
resonators that are used for
wireless communications.
(Courtesy of H. Shirey.)
Figure 5.30 The
microstructure of BMT
ceramics obtained by
compaction and sintering of
BMT powders. (Courtesy of
H. Shirey.)
 ©2003 Brooks/Cole, a division of Thomson Learning, Inc. Thomson Learning™ is a trademark used herein under license.

Figure 5.31 Grain growth occurs as atoms diffuse across the

grain boundary from one grain to another
Figure 5.32 Grain growth in alumina ceramics can be
seen from the SEM micrographs of alumina ceramics. (a)
The left micrograph shows the microstructure of an
alumina ceramic sintered at 1350oC for 150 hours. (b)
The right micrograph shows a sample sintered at
1350oC for 30 hours. (Courtesy of I. Nettleship and R.
McAfee.)
 ©2003 Brooks/Cole, a division of Thomson Learning, Inc. Thomson Learning™ is a trademark used herein under license.

Figure 5.33 The steps in diffusion bonding: (a) Initially the

contact area is small; (b) application of pressure deforms the
surface, increasing the bonded area; (c) grain boundary
diffusion permits voids to shrink; and (d) final elimination of
the voids requires volume diffusion
Dislokasyonlar
 Dislokasyon
• Noktasal kusurları daha çok “termal aktivasyon” ile oluşmakta idi.
• Diğer yapı kusurlarından biri olan çizgisel kusurlar
“dislokasyonlar”dır. Daha çok plastik şekil değiştirme ile
alakadardırlar.
• Dislokasyonlar: yapı içerisinde tam olmayan atomsal düzlemlerdir.

• En önemli oluşum sebepleri plastik

(kalıcı) şekil değişimleridir
• Malzemelerin mekanik özelliklerinde
önemli role sahiptirler.
Burgers vektörü
Burgers vektörü: Dislokasyonların hareket yön
ve büyüklüklerini ifade etmek için kullanılan
parametredir.
•Yön ve şiddet belirtir.
•Dislokasyonun kafes içerisinde ilerlemesi için
gereken minimum mesafeyi gösterir.
Burgers vektörünün bulunuşu:
– Hatanın etrafında eşit adım sayısında yanlara, yukarı ve
aşağı yönlerde hareket edilir.
– Mükemmel kristalde başlangıç noktasına geri dönülürken
hata içeren kristalde kapalı bir çevrim elde edilemez.
– Çevrimin tamamlanması için gereken deplasman miktarı
burgers vektörü ile ifade edilir.
Diğer önemli kavramlar.
• Dislokasyon çizgisi: Ek yarı düzlemin alt sınırında atomların
oluşturduğu çizgidir.
• Kayma düzlemi: Dislokasyonun üzerinde hareket ettiği
düzlemdir.
 Dislokasyon çeşitleri
• Kenar dislokasyonu
• Vida dislokasyonu
• Karma dislokasyonlar
 Kenar Dislokasyonu
• Kenar dislokasyon, kafes içerisine ilave edilen tam olmayan ek
düzlemdir.
• Pozitif kenar dislokasyonu ┴ sembolü ile ifade edilir. Ek yarı
düzlem kayma düzleminin üzerindedir.
• Negatif kenar dislokasyonu ┬ sembolü ile ifade edilir ve
dislokasyon kayma düzmelinin altında bulunur.

(a) kusursuz kristal yapı (b) Extra düzlemin oluşturduğu kenar dislokasyon (c).
Kenar dislokasyonu etrafında çevrimi tamamlamak için gereken Burgers
vektorü b.
 Kenar Dislokasyonu

• Kenar dislokasyonunda Burgers vektörü dislokasyon çizgisine

dik olarak uzanır. Diğer bir değişle kayma doğrultusu
dislokasyon çizgisine diktir
• Kenar dislokasyonu kayma gerilmesi yönünde hareket eder.
a) Kenar dislokasyonu,
b) Kayma kuvveti uygulandığında dislokasyon
bir Burgers vektorü kadar ilerler.
c) Hareket devam ettiğinde kristal bir
basamak oluşturur
d) Kayma hareketi kırkayağın hareketine
benzeştirilebilir.
Şekil 4.32: Kırkayağı dislokasyon olmadan hareket ettirmek çok zordur.
 Vida Dislokasyonu
Vida dislokasyonu; kristal düzlemlerde vida şeklinde
kayma hareketi sağlayan düzlemlerdir.

(a) mükemmel kristal

(b) kaymanın düzleminin oluşumu
(c) bir atom uzunluğunda kayma.
Vida Dislokasyonu

• Vida dislokasyonunda Burgers

vektörü dislokasyon çizgisine
paralel olarak uzanır. Diğer bir
değişle kayma doğrultusu
dislokasyon çizgisine diktir.
• Kayma kuvveti uygulandığında
vida dislokasyonu kayma
gerilmesine dik yönünde hareket
eder.
Karma dislokasyon
Karma dislokasyonunda dislokasyon
çizgisi eğri şeklindedir.
Karma dislokasyon hem kenar hemde
vida dislokasyonu karakteri gösterir.
Ön tarafta bulunan vida dislokasyon
yan taraflara doğru yavaş yavaş kenar
dislokasyonu karakteri kazanır.
 Dislokasyonların Önemi
• Dislokasyonlar Plastik şekil değişimi açısından çok
önemlidir.
• Nasıl noktasal kusurlar olmadan yayınım çok zor
gerçekleşiyorsa dislokasyon olmadan plastik şekil
değişimi çok zor gerçekleşir.
• Dislokasyonların oluşumu:
– Katılaşma sırasında
– Plastik şekil değişimi sırasında oluşur.
Gerilme, Hooke kanunu, Elastik şekil
değişimi ve Dayanım
 Kayma gerilmesi Normal gerilme

t = G ´g s = E ´e
t = Kayma gerilmesi s = Normal gerilme
g = Kayma birim şekil değişimi e = Birim şekil değişimi
G = kayma modülü E = Elastiklik modülü

• Dayanım (strength) plastik şekil değişimine karşı gösterdiği direnç.

 Gerilme
• Yapılan teorik çalışmalar, malzemelerin dayanımlarının Elastik
modül değerlerinin 1/10 civarında olması gerektiğini
göstermektedir.
• Mesela Cu ın teorik dayanımı 1,000 MPa dır. Fakat deneysel
dayanım 1MPa civarında olmaktadır.
• Deneysel datalar Teorik datalardan 1,000-10,000 kat daha
küçüktür.
• Bu durum mevcut dislokasyonların varlığı ile açıklanmaktadır.
• Kayma, dislokasyonların varlığı ile çok kolay bir şekilde
gerçekleşir.
• En yumuşak halde yapı 106 adet/cm2 dislokasyon yoğunuluğuna
sahiptir.
Kaymaya Dislokasyonun Etkisi

Şekil 4.30: Kaymanın bütün

düzlemde aynı anda gerçekleşmesi.
Şekil 4.31: Kaymanın düşük
Yüksek kayma gerilmasi gerektirir.
gerilmeli alternatifi.
 Dislokasyonlar nasıl görülebilir?
Ø Dağlama noktacıkları (Etch pits) – Dislokasyonların
yüzeye ulaştıkları noktalarda oluşan küçük
çukurcuklar. Dislokasyon sayısı olarak yoğunluğunu
tespit etmek için kullanılırlar.
Ø Kayma çizgisi (Slip line) – Binlerce dislokasyonun
metalik malzemelerin yüzeylerinde oluşturduğu
görülebilir çizgidir.
Ø Kayma bantı (Slip band) – Bir çok kayma çizgisinin
oluşturduğu ve görülebilir geometridir.
Thomson Learning
(c) 2003 Brooks/Cole Publishing /

A sketch illustrating dislocations, slip planes, and etch pit locations.

Optical image of etch pits in silicon carbide (SiC).

 Learning
(c) 2003 Brooks/Cole Publishing / Thomson
Learning
(c) 2003 Brooks/Cole Publishing / Thomson

(c)2003 Brooks/Cole, a division of Thomson Learning, Inc. Thomson Learning™ is a trademark used herein under license.

Ti3Al içerisindeki dislokasyonların EM fotoğrafları: (a) Dislokasyon

pileups (x26,500). (b) Al içerisinde x 100 büyütmede kayma çizgileri
ve tane sınırları. (c) slip bands oluşumu.
 Dislokasyon ile ilgili bazı kavramlar

o Kayma: Dislokasyonun kayma düzlemi boyunca hareket

etmesidir.
o Plastik şekil değiştirme: kuvvet veya gerilmelerin etkisinde
meydana gelen kalıcı şekil değişimidir.
o Elastik şekil değiştirme – kuvvet veya gerilme
uygulandığında meyadana gelen fakat kaldırıldığında
ortadan kalkan kalıcı olmayan şekil değişimidir.
o Dislokasyon yoğunluğu – Malzemenin birim (cm3)
hacminde bulunan toplam dislokasyon uzunluğudur.
 Kayma sistemleri
• Kayma belirli düzlem ve doğrultularda çok daha
kolaydır.
 Kayma sistemleri
• Kayma: yüksek atomsal yoğunluğa sahip düzlemler
ve bu düzlemlerde en büyük atomsal yoğunluğa sahip
doğrultularda diğerlerine göre çok daha kolaydır.
• “Kayma sistemi” Her bir kristalde ayrı ayrı
tanımlanan en yoğun düzlem ve doğrultu
kombinasyonları tarafından oluşturulur.
• En kolay kaymanın olduğu doğrultuda; burgers
vektörü en küçüktür, dolayısıyla kayma mesafesi en
küçüktür.
 HMK YMK SDH

• • •
• •

•
 Kayma sistemi
• HMK en yoğun düzlem {110} ailesi, ve bu ailede
en yoğun doğrultu <111> ailesidir.
Ailede 6 düzlem ve her düzlemde 2 doğrultu
mevcuttur: Kayma sistemi 6 x 2 = 12 dır.
• YMK: en yoğun düzlem {111} ailesi, ve bu ailede
en yoğun doğrultu <110> ailesidir.
Ailede 4 düzlem ve her düzlemde 3 doğrultu
mevcuttur: Kayma sistemi 4 x 3 = 12 dir.
• SDH: en yoğun düzlem {0001} ailesi ve bir
tanedir. Bu ailede en yoğun doğrultu 3 tanedir.
Kayma sistemi 1 x 3 = 3 dür.
 Example 4.7
Dislocations in Ceramic Materials

A sketch of a dislocation in magnesium oxide (MgO), which

has the sodium chloride crystal structure and a lattice
parameter of 0.396 nm, is shown in Figure 4.9. Determine
the length of the Burgers vector.

Figure 4.9 An edge

dislocation in MgO showing
the slip direction and
Burgers vector
Example 4.7 SOLUTION
In Figure 4.9, we begin a clockwise loop around
the dislocation at point x, then move equal atom spacings
to finish at point y. The vector b is the Burgers vector.
Because b is a [110] direction, it must be perpendicular to
{110} planes. The length of b is the distance between
two adjacent (110) planes. From Equation 3-7,

Note that this formula for calculating the magnitude

of the Burgers vector will not work for non-cubic systems. It
is better to consider the magntiude of the Burgers vector
as equal to the repeat distance in the slip direction.
 Example 4.8
Burgers Vector Calculation

Calculate the length of the Burgers vector in copper.

Burgers vector for FCC copper.

Example 4.8 SOLUTION
Copper has an FCC crystal structure. The lattice
parameter of copper (Cu) is 0.36151 nm. The close-
packed directions, or the directions of the Burgers vector,
are of the form á110ñ . The repeat distance along the á110ñ
directions is one-half the face diagonal, since lattice points
are located at corners and centers of faces [Figure
4.10(a)].

The length of the Burgers vector, or the repeat distance, is:

b = 1/2(0.51125 nm) = 0.25563 nm
Tek kristallerde kayma ve Schmid
Kuralı
Tek kristal bir çubuk belli bir yönden çekme
gerilmesi ile çekilirse, etki eden kuvvete dik yöndeki
alanda normal gerilme ve kayma gerilmesi:

F
s=
Ao Ao
t =0
F
• Schmid kuralı –kayma gerilmesi ile uygulanan gerilme ve
kayma yüzeyi ve kayma doğrultusu arasındaki ilişkiyi
tanımlar.

Ao
Ar =
cos f τ = σ cos λ cos ϕ
o Kritik kayma gerilmesi – Bir dislokasyonun hareket etmeye
başlayarak kaymaya sebep olması için gereken minimum
kayma gerilmedir.
o Etki eden normal gerilme, herhangi bir düzlem ve
doğrultuda oluşturacağı kayma gerilmesi:

τ = σ cos λ cos ϕ
Dolayısı ile ilgili düzlemde kayma olabilmesi için bu
gerilmenin kritik kayma gerilmesinden daha büyük olması
gerekir

τ = σ cos λ cos ϕ ≥ τ cr
Anizotropi Kavramı
Schmid’s Tek kristale uygulandığında:
ü En büyük kayma gerilmesi için:
l = f = 45o olmalıdır.
ü Diğer düzlemlerde daha düşük
gerilemler elde edilir.
ü Tek kristalde atom düzlemleri farklı
açılar yapabilir.
ü “En düşük gerilmede kayma
olabilmesi için atom düzlemleri
ile max kayma gerilmesi olan
açının çakışması gerekir.”
ü Çakışmaması dayanımı yöne bağlı
olarak değiştirir.
ü Anizotropi kavramı: Malzemelerin
farklı yönlerde farklı özellikler
göstermesi.
Yüzeysel kusurlar
• Her bir kristal tane belirli sınırlarla çevrenlenmiş
olarak bulunurlar
• Bu sınırlar atomsal istifin bozuldukları yerlerdir.
• Bu tür kusurlar yüzeysel kusurlar olarak adlandırılır.
• İkiye ayrılabilir.
– İkiz sınırlar
– Küçük açılı tane sınırları
– Tane sınırları
 İkiz sınırlar
• İki kristal bölgeyi simetrik olarak birbirinden ayıran
sınırdır.
• İkiz oluşumu kaymadan ziyade yapı içerisinde
burkulmadan dolayı oluşur.
• Bu kusur çok yaygın olmamasına rağmen sebepleri
– Şekil değiştirme (burkularak) - hmk ve sdh yapılarda.
– Tavlama - ymk yapılarda
olabilir.
Şekil 4.15: 2 kristal bölgeyi
birbirinden ayıran ikiz sınır

(a) Mükemmel kristal.

(b) ikizlemeden dolayı atomlardaki
Prinçte ikizleme sınırları öteleme
 Küçük açılı tane sınırları
• Kristal içerisinde kenar dislokasyonlarının üst üste
dizilmesi ile meydana gelir.

• Genelde Isıl aktivasyon

(poliganizasyon) ile
gerçekleşir.
• Dislokasyonların meydana
getirdiği iki komşu dizi
arasındaki açı 10o den
küçüktür.
• Bazı kaynaklarda alt tane
(sub grain) olarakta anılır.
 Tane sınırları
• Tane sınırları: birbirine komşu olarak,
tek kristal şeklinde bulunan iki
tanenin arasındaki yüzeydir.
• İki grupta incelenmektedir
• Katılaşma sırasında iki farklı bölgede
büyümüş kristaller arasında kalan
sınır yüzeyidir.
• Mühendislik malzemeler, elektronik
sanayii hariç genelde çok tanelidir-
polikristal.
 Tane sınırları
• Tane sınırları,
dislokasyonun hareketini
engellemektedirler. Dayanım

• Bu nedenle plastik şekil

æ 1 ö
değişimi için daha fazla s µç ÷
gerilme gerekir è dø
malzemenin dayanımı
artar. Hall-patch denklemi

• Küçük taneli malzemeler s y = so + k / D

büyük tanelilere göre daha
dayanımlıdır.
 Tane Boyutu
• Tane boyutu sayısal olarak ASTM
kriterlerine ASTM tane boyut
numarası (N) şeklinde
belirlenebilir. 1 (kaba tane) ve 12
(ince tane) numaraları arasında
değişir.
• n ise, X100 büyütmede 1inch2
alanda sayılan tane miktarıdır.
• Sanayiide genelde 7-9 arasında
değişir.
N -1
n=2
• Gerçek tane boyutu ise kesen
C
doğru tekniği (intercept method) d=
ile belirlenebilir. C: 1.5 (it is OK) nL M
• M: magnification, nL= birim çizgi
boyunca olan tane sayısı
 (c) 2003 Brooks/Cole Publishing / Thomson Learning
Figure 4.17 The effect of grain size on the yield
strength of steel at room temperature.
 Tane Boyutu Hesaplama

ASTM E112-13 Standartı: Çeşitli metallerin ve metalik alaşımların tane

boyutunu hesaplama yöntemleri
ASTM: The American Society for Testing and Materials
Tane Boyutu Hesaplama
 Tane Boyutu Hesaplama
Alanölçümsel (Planimetrik) Yöntem

ASTM farklı ortalama tane boyutlarına sahip 10 farklı tablo

hazırlamıştır. Bu tablolar, tane boyutu numarası ‘G’ değerinin 1 ile 14
arasında değiştiği aralıklardaki değerleri göstermektedir.

Adlandırma N = 2G-1 formülüne göre yapılmaktadır.

N, 100x büyütmede çekilmiş bir mikyorapı görüntüsünde 1 inç kare

alanda yer alan tane sayısıdır.

Örneğin G = 6 olarak verilen bir çelik numunede 100x büyütmede 1 inç

kare alanda 32 tane bulunmaktadır.
Tane Boyutu Hesaplama
Mikroskoplar,
• Optik mikroskoplar
• Transmisyon elektron mikroskopu
• Taramalı elektron mikroskopu
• AFM
 Optik mikroskoplar:

• Numune yüzeyine gönderilen ışınlar, yüzeyden yansır. Daha

sonra bunlar mercek sisteminde toplanır ve bu sayede
büyütülmüş bir görüntü elde edilir.
• X 2000 büyütme elde etmek mümkündür, çözünürlük 0.5µm
kadar olur.
• Mikrometre boyutunda taneler, yüzey topografyası, fazlar vs
tespit edilebilir.
 TEM: Transmisyon elektron
mikroskopu:

• Elektron demetinin geçmesini mümkün kılacak incelikte

numuneler kullanılır.
• Numuneden geçen elektronlar, florasan bir ekrana düşürülür ve
bu sayede görüntü alınmış olur.
• Bu sayede x100.000 den daha büyük büyütmeler mümkün hale
gelir.
• Dislokasyonları görebilir. (Taneleri kolaylıkla görür)
Şekil 4.29: TEM resimleri (a) dislokasyon etrafında gerilme
alanı, (b) dislokasyon ormanı (forest), (c) tane sınırları ve D-
dislokasyon.
 SEM: Taramalı elektron
mikroskop

• Numune yüzeyine elektron demeti düşürülür ve bu demet

yüzeyi sürekli tarar.
• Yüzeyden yansıyan elektronlar cihaz tarafından toplanır ve
işlenir. Görüntüye dönüştürüleren ekrana verilir.
• Bu sayede x100.000 e kadar büyütmeler mümkündür.
• Bazı modelleri kimyasal analiz yapabilir.
Şekil 4.31: Apollo 11 in Şekil 4.32: Paslanmaz çelik
getirdiği aya ait toprak. kırık yüzeyi.
 SEM

Şekil 4.33: Pb-Sn lehimi: (a) normal potograf, (b) Pb elemental

dağılım (açık renk) haritası (c) Sn elemental dağılım (açık renk)
haritası
AFM
 Example 4.13
Design of a Mild Steel

The yield strength of mild steel with an average grain size of

0.05 mm is 20,000 psi. The yield stress of the same steel with
a grain size of 0.007 mm is 40,000 psi. What will be the
average grain size of the same steel with a yield stress of
30,000 psi? Assume the Hall-Petch equation is valid and that
changes in the observed yield stress are due to changes in
dislocation density.
Example 4.13 SOLUTION

Thus, for a grain size of 0.05 mm the yield stress is

20 ´ 6.895 MPa = 137.9 MPa.
(Note:1,000 psi = 6.895 MPa). Using the Hall-Petch equation
Example 4.13 SOLUTION (Continued)

For the grain size of 0.007 mm, the yield stress is 40 ´

6.895 MPa = 275.8 MPa. Therefore, again using the Hall-
Petch equation:

Solving these two equations K = 18.43 MPa-mm1/2, and

σ0 = 55.5 MPa. Now we have the Hall-Petch equation as
σy = 55.5 + 18.43 d-1/2
If we want a yield stress of 30,000 psi or 30 ´ 6.895 =
206.9 MPa, the grain size will be 0.0148 mm.
 Calculation of ASTM Grain Size Number

Suppose we count 16 grains per square inch in a

photomicrograph taken at magnification ´ 250. What is the
ASTM grain size number?
Example 4.14 SOLUTION
If we count 16 grains per square inch at magnification ´ 250,
then at magnification ´ 100 we must have:
N = (250/100)2 (16) = 100 grains/in.2 = 2n-1
Log 100 = (n – 1) log 2
2 = (n – 1)(0.301)
n = 7.64
 Kusurların önemi

o Kayma mekanizması yoluyla mekanik özelliklere olan

etkisi
o Şekil değiştirme sertleşmesi (Strain Hardening)
o Katı çözelti sertleşmesi (Solid-Solution Strengthening)
o Tane boyutu sertleşmesi
o Elektrik, Optik, and Manetik Özelliklere etkisi
 (c)2003 Brooks/Cole, a division of Thomson Learning, Inc. Thomson Learning™ is a trademark used herein under license.

Figure 4.22 If the dislocation at point A moves to the

left, it is blocked by the point defect. If the dislocation
moves to the right, it interacts with the disturbed lattice
near the second dislocation at point B. If the dislocation
moves farther to the right, it is blocked by a grain
boundary.
• YMK yapıya sahip bir kristal, 2MPa normal
̅
gerilme altında [123] yönünde akma
göstermektedir. Kayma düzleminin (111) ve
̅
kayma yönünün [101] durumu için tcr değerini
hesap ediniz
 é ù
-
1 23
êë úû .[111 ]
-1+ 2 + 3
cos j = - = = 0.617
é ù 14 3
1 23
êë úû . [111]
é- ù é- ù
1 23 . 1 01
êë úû êë úû 1 + 0 + 3
cos q = - = = 0 .756
é ù é- ù 14 2
1 23 . 1
êë úû êë úû 01

τ cr = 2 x 0.617 x 0.756 = 0.933 MPa

• Assume that there are 32 grains appeared
on the microscope ocular which was set to
x100 magnification. The total circular area
that this observation was performed has
an diameter of 2.25 inch. What would be
the ASTM grain size of this material?
 32 grains
N x100 = = 8.04 grains/in 2

p (2.25 / 2) 2

G -1
N x100 = 2 = 8.04
ln 8.04
G= + 1 = 4.01
ln 2
• Assume that there are 32 grains appeared
on the microscope ocular which was set to
x300 magnification. The total circular area
that this observation was performed has
an diameter of 2.25 inch. What would be
the ASTM grain size of this material?
 32 grains
N x 300 = = 8.04 grains/in 2

p (2.25 / 2) 2

2
N x100 æ 3 ö
=ç ÷
N x 300 è 1 ø
N x100 = 8.04 x9 = 72.4 grains/in 2

G -1
N x100 = 2 = 72.4
ln 72.4
G= + 1 = 7.18 = 7 +
ln 2