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第45卷 第4期 压 电 与 声 光 Vo

l.45No.
4
2023年8月 PIEZOELECTRICS & ACOUSTOOPTICS Aug.
2023

1004
文章编号: -2474(
2023)
04-
0560
-06 DOI:
10.11977/
ji.
ssn.
1004
-2474.
2023
.04
.016

TC-
SAW 滤波器仿真与设计技术
陈晓阳,苏 波,叶 志,史向龙,范佰杰,张俊茜,于倩至
(北京无线电测量研究所,北京 100854)
摘 要:该文介绍了温度补偿滤波器的设计方 法。 通 过 研 究 温 度 补 偿 结 构 的 材 料,在 性 能 和 温 度 系 数 之 间 求
COM)参 数 数 据 库,并 置 于 设 计 仿 真 软 件 中,最 终 可
取最佳的层间参数搭配。在此基础上提取三维耦合模 式 模 型(
以实现高温稳定型声表面波( TC-SAW)滤波器的设计优化。根据指 标 要 求 设 计 目 标 函 数,设 计 出 满 足 要 求 的 低 损
耗 TC
-SAW 滤波器。利用多层 FEM/BEM 软件对性能进行精确验证,实验结果与仿真结果吻合良好。
SAW);滤波器;高温稳定型声表面波(
关键词:声表面波( TC-SAW);三维耦合模式模型(
COM);
FEM/BEM
TN65;TN713;O42
中图分类号: A
文献标志码:

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0 引言 在对高温稳定性、小 型 化 要 求 高 的 电 子 设 备 中 有 巨
大的指标优势和应用价值。另一种方法是通过将铌
声表面波(SAW)滤波器具有小型 化、高 性 能 的
优势,被广泛应用于雷达、导航、通信、电子对抗等领 酸锂或钽酸锂薄膜材料键合到具有正温度系数的石

域,但由于普 通 的 SAW 滤 波 器 在 温 度 变 化 时 频 率 英材料或膨胀系数较小的蓝宝石、硅材料上,以降低

漂移较大(温度系数约为(-90~-30)×10-6/℃ ), 材料的膨胀系数来实现温度系数的补偿。

严重影响了其在全 温 下 的 有 效 带 宽、有 效 阻 带 等 电 TC-SAW 衬 底 由 最 初 的 128


°铌 酸 锂 发 展 成 为
°、
5 15
°YX 切等多种切型 ,以满足不同带宽的滤波
[3]
性能,进而影响 了 整 个 系 统 的 技 术 指 标。 为 解 决 此
问题,高温稳定性 SAW(
TC-SAW)滤波器是满足系 器设计。 同 时,钽 酸 锂 也 有 多 种 切 型 被 用 作 TC-
SAW 衬底材料 4 。结合切型与 S iO2 薄 膜 的 厚 度 调
[]
统全温工作要求的最佳手段。
TC-SAW 是对普通 SAW 滤波器温度系数的一 控可 以 设 计 出 不 同 机 电 耦 合 系 数 的 器 件。 因 此,
种改 进 技 术。一 种 方 法 是 采 用 生 长 正 温 度 系 数 的 TC-SAW 技术在 设 计 不 同 带 宽 滤 波 器 方 面 具 有 更
iO2补偿负温度系数的基底 1 ,以达到温度补偿的效
S 大的灵活性。S
iO2 薄 膜 的 成 膜 技 术 不 断 进 步,薄 膜
[]

果,通过温度补偿薄膜及控制电极形貌降低滤波器温 中的声 损 耗 越 来 越 小,TC-SAW 器 件 的 品 质 因 数


度系数。该 技 术 可 将 滤 波 器 的 温 度 系 数 由(-90~ (
Q )值已远超常规 SAW,在 2GHz时,其 Q 值最大
-30)×10 /℃ 降低 到 (-20~0)×10 /℃
-6 -6 [
2]
,故 可达 2500(常规 SAW 的 Q 最 大 为 1000),一 般 称

收稿日期:2023
-01
-12
作者简介:陈晓阳( -),男,江苏省靖江市人,研究员,主要从事微声电子、声表面波器件研究。
1964
第4期 TC
陈晓阳等: -SAW 滤波器仿真与设计技术 561

为 HQ-TC-SAW 5 。 纵向耦合多模 SAW 滤波器的设计 主 要 采 用 耦


[]

本文主要介绍了一种 TC-SAW 滤波器技术,上 COM)分 析 法。COM 模 型 的 基 本 思 想:栅 格


合模(
温补溅射 S
iO2 的温度补偿 SAW 滤波器。 内同时存在多个传 播 声 波 模 式,通 过 栅 格 阵 内 指 间

1 TC-
SAW 设计流程
反射相互耦合;同时,外加电压通过栅格的换能作用
又激发出向多个方 向 传 播 的 声 波 模 式,这 些 声 波 模
TC-SAW 滤波器由于涉 及 多 层 材 料 的 组 合,比
式间存在一定的线性关系,可用 COM 方程 表 征 [6],
单晶材料的声表面 波 器 件 复 杂,整 个 研 究 方 法 也 更
并以此为设计依据。
复杂,设 计 方 法 更 灵 活,主 要 包 括 以 下 4 个 研 究
步骤: 2 层状结构 FEM/BEM 原理
1)首先需要 确 定 温 度 补 偿 结 构 的 温 补 材 料 及 相比于单层结构,层状结构的 FEM/BEM 理论
压电材料的属性,并 在 性 能 和 温 度 系 数 之 间 求 取 合 更复杂。对于 上 温 补 层 结 构 (见 图 2),需 要 在 单 层
适的层间参数。 FEM/BEM 理论的 基 础 上 将 温 度 补 偿 层 部 分 采 用
2)在合适的层间厚度基础上,利用无限周期层 FEM 进行计 算,温 度 补 偿 层 上 面 及 衬 底 同 样 采 用
状 FEM/BEM 理论 [6]提 取 耦 合 模 式 模 型 参 数 数 据 BEM 理论进行精确计算,最终得到向上多层的二维
库,并置于设计 仿 真 软 件 中,最 终 实 现 TC 层状 FEM/BEM 仿 真 模 型。 对 于 下 温 补 层 的 键 合
-SAW 滤
波器的 COM 设计优化。 片结构(见 图 3),将 多 层 衬 底 结 构 作 为 整 体,采 用

3)采用有限长二维层状 FEM/BEM 理论对器 BEM 理论计算层状结构的格林函数,电极部分同样


件进行精确验证。 采用 FEM 理论 计 算,二 者 结 合 最 终 得 到 向 下 多 层
的二维层状 FEM/BEM 仿真模型。
4)层 状 材 料 通 常 存 在 横 向 模 式 耦 合 。 采 用 微
结 构 对 横 向 模 式 进 行 抑 制 ,为 此 需 要 建 立 三 维 理
论模 型 进 行 声 学 模 态 分 析。 图 1 为 整 个 设 计 流
程图。

图 2 TC
-SAW 上温补层结构

图 3 TC
-SAW 下温补层结构

通过设置无限周期边界条件及有限结构周期边
界条件,分别可 以 得 到 基 于 无 限 周 期 的 层 状 FEM/
BEM 模型及有限长层状 FEM/BEM 模 型。通 过 建
立上述模 型 可 以 计 算 出 整 个 结 构 的 电 端 口 导 纳 特
性。在此基础上增 加 了 计 算 复 合 材 料 的 温 度 系 数、
高功率复合电极结构、描述工艺特性的电极角度、多
温补层结构、表面钝化层及场分布等功能。

3 层状结构 COM 模型原理


图 1 TC
-SAW 设计流程图 COM 模型的基本思 想 是 设 想 换 能 器 内 同 时 存
562 压 电 与 声 光 2023 年

在右向和左向平面 波,它 们 通 过 换 能 器 内 的 指 间 反 率点的仿真 时 间 在 1s 内。 因 此,无 论 仿 真 精 度 还


射相互耦合,且换能 器 的 换 能 作 用 又 同 时 激 发 右 向 是速度都完全能够 满 足 优 化 设 计 的 需 要,这 充 分 证
和左向的平 面 波 [7]。假 设 这 些 作 用 限 于 线 性 范 围, 明了目前 COM 模型的有效性。
各个作用可互相线 性 迭 加,则 这 两 平 面 波 之 间 应 满
足一定的关系。设 R 代表 右 向 平 面 波,
S 代表左向
平面波,则一般性的耦合模式方程可写为
dR
=-j
ΔR +j
κS +j
αu (
1)
dx
dS
=-j
κ*R +j α*u
ΔS -j (
2)
dx
di
j
=-2 j
α*R -2αS +j
ωCu (
3)
dx
其中: -SAW 滤波器 COM 与层状 FEM/BEM 对比结果
图 4 TC
Δ =k -k0 (
4)
5 TC-
SAW 材料选取及模态分析

k0 = (
5) 5.
1 128°-铌酸锂表面溅射 S iO2 的 TC
-SAW 结构
p
k 为频率ω 下在栅格中忽略指间 128
°-铌酸锂单 晶 材 料 上 的 瑞 利 波 温 度 系 数 达
式中:p 为电周期;
到 -90×10-6/℃ ,而 机 电 耦 合 系 数 通 常 仅 约 4% ,
多次反射时的 平 均 传 播 常 数。 当 存 在 传 播 损 耗 时,
并且由于反射系数较低,基本无法设计出高性能、小
2πf
引 入传播损耗γ,传播常数变为复数k= γ;
+j κ 体积且满足高、低温使用的低损耗滤波器。在 128
°-
v
α 为 激 发 系 数;
为耦 合 系 数; C 为 静 态 电 容;
v 为声 铌酸 锂 单 晶 材 料 上 溅 射 具 有 正 温 度 系 数 的 S
iO2 材
γ 为表征传播损耗的衰减系数。
速; 料,可 以 将 温 度 系 数 补 偿 到 (-40~0)×10-6/℃ 。
图 5 为溅射 S
iO2 的基本结构示意图。
1)可以看出,
由式( COM 方程包含κ、
α、C、
v、γ
5 个基本 参 量。 只 要 得 到 这 些 COM 参 数,就 能 准
确地描述器件的性能。
对于 128
°-铌酸锂材料上的 TC
-SAW 存在无衰
COM 参 量 退 化 为 4 个 参 量 即 可
减的瑞利波 模 式,
描述 TC-SAW 中的 瑞 利 波。 若 采 用 随 频 率 变 化 的
色散 COM 参量 [8],仿真精度可进一步提升。

4 FEM/BEM 与 COM 模型的结果对比 图 5 TC


-SAW 上温补层结构
通过无限 周 期 层 状 FEM/BEM 软 件 计 算 了 相 5.
2 模态分析
应的 COM 参量提取 结 构,提 取 不 同 温 补 层 S
iO2 厚 图 6 为 TC-SAW 上 温 补 层 结 构 在 不 同 欧 拉 角
度、不同金属膜厚、不同金属化比下的三维 COM 参 iO2 、
下随 S Cu 电极厚度变化的关系 9 。由图可 见,
[]

量库,形 成 了 TC-SAW 的 仿 真 软 件。 与 实 验 提 取 当S
iO2 的厚度( hSiO2 )分 别 为 0、
0.λ,
2 0.λ,
3 0.
4λ(其
COM 参量不同,该软件可仿真任意频率、任意 S iO2 中λ 为波长)时, iO2/Cu/LN 结构激发的是瑞利波
S
厚度、任意 金 属 膜 厚、任 意 金 属 化 比 下 的 滤 波 器 性 模式。 当 hSiO2 =0.λ,
3 Cu 电 极 厚 度 (
hCu)=0.
05λ,
能。在提取 COM 参 量 前,需 要 对 多 层 FEM/BEM 欧拉角达到(0,38
°,0)时,此 时 即 是 通 常 的 128
°-铌
软件进行实验修正才能保证 COM 仿真结果与实验 酸锂,瑞利波的机电耦合系数达到最大,该条件下的
结果吻合良好,同时保证了优化设计的有效性。 机电耦合系数达到 8% ,理论上可实现 4% 左右相对
利用层 状 FEM/BEM 理 论 对 COM 仿 真 结 果 带宽 的 低 损 耗 TC-SAW 滤 波 器。 当 hSiO2 =0.
3λ,
进行验 证,结 果 对 比 如 图 4 所 示。 由 图 可 见,
COM hCu=0.
05λ,欧 拉 角 达 到 (
0, °,
90 0)时,漏 表 面 波
仿真 结 果 与 FEM/BEM 结 果 在 通 带 和 近 阻 带 抑 制 (LSAW)被激发,此时的 LSAW 机电耦合系数达到
频率相吻合,当频率 到 达 慢 切 变 体 声 波 截 止 频 率 位 16% ,利用此切型及厚度,理论上可实现相对带宽约
置时,性能略有差异;同时 COM 模型取 1000 个 频 8% 低损耗 TC-SAW。
第4期 TC
陈晓阳等: -SAW 滤波器仿真与设计技术 563

由图 7、
8 可 见,随 着 S
iO2 相 对 厚 度 的 增 加,机
电耦合系数逐渐降低,同时 Qr、
Qa值也逐步降低。
5.
3 横向模式抑制
多层材料复合结构因存在横向模式将造成谐振
频率和反谐振频率 之 间 的 杂 波 干 扰,降 低 了 谐 振 器
的 Q 值,进 而 造 成 滤 波 器 通 带 波 纹 变 大 [10],如 图 9
所示。

图 6 TC
-SAW 上温补层结构随欧拉角的变化规律

对于要求 相 对 带 宽 在 4% 内 的 TC-SAW 滤 波
器,可以采 用 128
°-铌 酸 锂 上 溅 射 S
iO2 结 构 实 现 要
求的性能指标。利用 FEM/BEM 计 算 了 S iO2/Cu/
128LN 结 构 在 hSiO2 =0.
3λ、
hCu =0.
05λ;hSiO2 =
0 λ、
.35 hCu=0.
05λ 时 的 温 度 系 数,得 出 其 温 度 系 数
图 9 TC
-SAW 谐振器横向模式
为(-15~-10)×10-6/℃ ,该条件下可实现温度系
数约为 -10×10-6/℃ 的 TC 为了降低横 向 模 式 干 扰,并 进 一 步 提 高 Q 值,
-SAW 滤波器。为保证
需要设计 P
ison 的边界条件 11 ,将能量控制在有效
t
[ ]
该条件下具有良好 的 性 能,设 计 了 性 能 良 好 的 低 损
耗滤波器,分别计算该条件下的机电耦合系数、品质 的振动区域(见图 10)。图中,
A 为振幅,
W g 为波导
Q )值的变化规律,如图 7、
因数( 8 所示。图 8 中,
Qr W s 为边界宽度。
孔径,
Qa 为反谐振系数。
为谐振系数,

图 7 TC
-SAW 随温补层厚度变化机电耦合系数规律

图 10 TC
-SAW 谐振器横向模式场分布

图 11、
12 分别为抑制横向模式后的谐振器导纳
-Q 。 图 中,
特性及 Bode f/f0 为 归 一 化 频 率。 由 图
11、
12 可以看出,横向模式基本消除,且 Q 值提升了
图 8 TC
-SAW 随温补层厚度变化 Q 值规律 1 倍。
564 压 电 与 声 光 2023 年

图 11 TC
-SAW 谐振器横向模式抑制后的导纳

图 13 TC
-SAW 滤波器 HFSS 建模图

6.
2 优化设计结果及性能分析
优化中采用多参量离散变量模拟退火全局优化
算法,给出优化变量的初始值及优化步进,从初始温
度开始退火,经过 3 次 退 火 即 可 得 到 一 轮 稳 定 的 结
果,整个过程的时间约为 2h。
图 12 TC
-SAW 谐振器横向模式抑制后的 Bode
-Q
针对窄带高矩形度 TC-SAW 滤波器的需求,优
6 优化过程及验证结果 -SAW 滤 波 器。 图 14、15 分 别 为
化 了 一 款 TC
综合考虑温度系数和性能 需 求,在 给 定 的 S
iO2 FEM/BEM 仿真验证结果与实测结果的对比图。
厚度、金属电极厚度下,利用 COM 软件进行优化设
计。采用非线性全局优化设计,其中指条的周期、数
量、占空比、孔径作 为 待 优 化 变 量,通 过 不 断 更 改 待
优化参量取值,从而逼近目标要求结果。
6.
1 优化过程
优 化 开 始 前 ,首 先 根 据 目 标 值 完 善 目 标 函 数
的 要 求 ,然 后 确 定 给 出 待 优 化 参 量 的 初 始 结 果 ,绘
制 电 磁 版 图 ,通 过 HFSS 软 件 计 算 所 有 电 磁 效 应 S
参 数 。 通 过 COM 仿 真 设 计 平 台 软 件 中 全 波 仿 真 图 14 窄带 TC
-SAW 滤波器仿真实测对比图(近阻带)
功能中 的 声 电 协 同 仿 真 接 口 代 入 电 磁 效 应 S 参
数 ,可 以 计 算 包 含 叉 指 声 学 响 应 、版 图 、基 板 、封
装 、测 试 版 等 总 的 电 磁 效 应 在 内 的 声 电 协 同 全 波
仿真结果。使用优化设计功能可 得 到 所 能 到 达 的
最 好 仿 真 曲 线 。 最 后 通 过 多 层 FEM/BEM 精 确 声
学 验 证 及 HFSS 得 到 电 磁 仿 真 参 数 ,最 终 得 到 准
确 的 仿 真 结 果 。 为 保 证 窄 带 特 性 ,采 用 基 于 M 推
演 的 阻 抗 元 结 构 [12]。
当声 学 初 始 值 已 满 足 性 能 要 求 时,需 要 绘 制 电
磁版图。通过 HFSS 软 件 建 模,模 拟 芯 片 中 电 性 能 图 15 窄带 TC
-SAW 滤波器仿真实测对比图(远带)

影响及 压 焊 封 装,并 计 算 所 有 电 磁 效 应 S 参 数, 由图 14、


15 可 见,仿 真 结 果 在 较 宽 的 范 围 内 与
HFSS 建模如图 13 所示。 实测结 果 吻 合 良 好。 同 时 在 1250 MHz 处 有 一 个
第4期 TC
陈晓阳等: -SAW 滤波器仿真与设计技术 565

FEM/BEM 也 可 准
杂波,为 快 切 变 体 波 截 止 频 率, YX L
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确地仿真出来,这是 COM 模型做不到的。 apan: Pr
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图 16 为 该 TC Sympo
sium2004:
917
-920.
-SAW 滤 波 器 在 -55~ +85 ℃
[
4] NAKAO T,KADOTA M.
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的实测曲线。通过 对 不 同 温 度 下 的 实 测 曲 线 计 算,
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得到通带内的温度系数约为 -5×10-6/℃ 。
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4760
-4763.
[
5] NAKAMURA H,NAKANI
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488
-491.
[
6] VENTURA P,HODE J H,LOPES B.Ri
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图 16 窄带 TC
-SAW 滤波器三温性能
1998.
声学所,
7 结束语 [
8] WANG Hao,
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本文给出了 一 种 TC-SAW 滤 波 器 的 详 细 设 计 i
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方法,通过研究不 同 温 补 层 厚 度、电 极 厚 度 变 化 下, de
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随欧拉角变化的下 瑞 利 波、漏 表 面 波 的 机 电 耦 合 系 Ch
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数变化,给出了 最 佳 的 欧 拉 角 及 结 构 设 计 参 数。 在 De
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2010:
71-
76.
[
9] KADOTA M,
NAKAO T,
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此基础 上,为 了 抑 制 横 向 模 式,通 过 设 置 P
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参量库,并形成仿真及优化设计软件,最终设计出满
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足要求的 TC-SAW 滤 波 器。 实 验 结 果 充 分 证 明 了
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