5 - Lắng đọng hơi hóa học

5/24/2021
MỤC TIÊU MÔN HỌC
Surface Processing
Mục tiêu chung Mục tiêu cụ thể
(nắm được)
1. Nắm được những nội dung cơ bản các 1. Các khái niệm, thuật ngữ cơ bản
Operations
quá trình xử lý bề mặt chi tiết gia công 2. Các hệ thống.
2. Nắm được những kiến thức cơ bản về 3. An toàn trong sản xuất.
công nghệ, thiết bị xử lý chất lượng bề mặt 4. Hiệu quả kinh tế
( C ÁC Q UÁ TRÌNH X Ử LÝ B Ề M ẶT)
Q UÁ TRÌ NH LẮNG Đ ỌNG HƠI

( VAP OR DEP OSITION P R OCESSES)
( 2 TI ẾT)
Khoa Cơ Khí – Đại học Bách Khoa Tp.HCM – GV. Trần Hải Nam - namth@hcmut.edu.vn 1 TRẦN HẢI NAM - NAMTH@HCMUT.EDU.VN 2
TÀI LIỆU NGHIÊN CỨU, THAM KHẢO TÀI LIỆU NGHIÊN CỨU, THAM KHẢO
Tài liệu chính thức Tài liệu tham khảo Các quá trình xử lý bề mặt gồm có 3 quá trình xử lý chính
[1]. Serope Kalpakjian, Manufacturing [1]. John A. Schey., Introduction to (1) làm sạch Làm sạch đề cập đến các quy trình làm sạch
engineering and technology, 7th edition, manifacturing processes., Third edition, New
công nghiệp loại bỏ đất và các chất gây ô nhiễm
Pearson Education, Inc, 2014 York-London., 2000. (2) xử lý bề mặt do xử lý trước đó hoặc môi trường nhà máy.
[2]. Frank J. Riley., Assembly automation., A (3) lắng đọng lớp phủ và màng mỏng
[2]. M. P. Groover, Fundamentals of modern Chúng bao gồm cả phương pháp làm sạch hóa
manufacturing, 2010 management handbook, second edition, học và cơ học.
Industrial press Inc. New York., 1996 Vật liệu phi kim loại
Tác dụng chính của lớp phủ kim loại là Xử lý bề mặt là các hoạt đôiđộng
khicơ
cũng được
học và vật lýphủ
làm thay đổi tính chất phần bề mặt theo một cách
(1) bảo vệ chống ăn mòn, nào đó.
(2) nâng cao hình thức sản phẩm (ví dụ: cung cấp màu sắc hoặc kết cấu cụ thể),
(3) tăng khả năng chống mài mòn và (hoặc) giảm maVí dụ
sát cải
củathiện bề mặt hoàn thiện đó bằng các
bề mặt,
(4) tăng tính dẫn điện, nguyên tử của vật liệu lạ để thay đổi tính chất
(5) tăng điện trở, hóa học và vật lý của nó.
(6) chuẩn bị bề mặt kim loại để xử lý tiếp theo, và
(7) cấu trúc lại các bề mặt bị mòn hoặc bị xói mòn trong quá trình làm việc
TRẦN HẢI NAM - NAMTH@HCMUT.EDU.VN 3 TRẦN HẢI NAM - NAMTH@HCMUT.EDU.VN 4

5/24/2021
TÀI LIỆU NGHIÊN CỨU, THAM KHẢO NỘI DUNG CHI TIẾT
Các quá trình xử lý bề mặt gồm có 3 quá trình xử lý chính 1. Quá trình làm sạch công nghiệp (Industrial Cleaning Processes)
(1) làm sạch
Trong mọi trường hợp, để đạt độ bám dính tốt 2. Thấm khuếch tán và thấm ion (Diffusion and Ion Implantation)
(2) xử lý bề mặt giữa lớp phủ và lớp nền thì bề mặt chất nền
3. Quá trình mạ điện liên quan (Plating and Related Processes)
(3) lắng đọng lớp phủ và màngphải
mỏngrất sạch.
4. Lớp phủ chuyển đổi (Conversion Coating)
ví dụ 5. Quá trình lắng đọng hơi (Vapor Deposition Processes)
(1) các bộ phận bằng nhựa được phủ để tạo cho chúng có vẻ ngoài giống kim loại; 6. Lớp phủ hữu cơ (Organic Coatings)
(2) một lớp phủ bọc lên thấu kính thủy tinh quang học; và
(3) một số quá trình phủ và lắng đọng nhất định được sử dụng trong chế tạo chip bán dẫn và bảng
mạch in (PCB - printed circuit boards). 7. Lớp tráng men sứ và phủ gốm (Porcelain Enameling an Other Ceramic Coatings)
8. Quá trình sơn nhiệt và cơ khí (Thermal and Mechanical Coating Processes)
Các quá trình xử lý bề mặt NỘI DUNG CHI TIẾT

5. Quá trình lắng đọng hơi (Vapor Deposition Processes)
The vapor deposition processes

o định hình lớp phủ mỏng
o lên bề mặt của substrate
o bằng cách
• ngưng kết (condensation) hoặc
• phản ứng hóa học của gas.
Phần này thảo luận về hai quá trình xử lý bề mặt trong đó

Vapor Deposition Processes
(Quá trình hóa hơi lắng đọng) Đặc tính cơ (1) Physical Vapor Deposition (PVD) (2) Chemical Vapor Deposition (CVD)
bản

5/24/2021
NỘI DUNG CHI TIẾT NỘI DUNG CHI TIẾT Ứng dụng của cả CVD và PVD để cung cấp nhiều
lớp phủ chống mài mòn trên một dụng cụ cắt.
5. Quá trình lắng đọng hơi (Vapor Deposition Processes) 5. Quá trình lắng đọng hơi (Vapor Deposition Processes)
(1) Physical Vapor Deposition (PVD) (2) Chemical Vapor Deposition (CVD)
Photomicrograph of the cross section of a
coated carbide cutting tool (Kennametal
Grade KC792M);
Chemical vapor deposition was used to coat

TiN and TiCN onto the surface of a WC–Co
substrate, followed by a TiN coating applied
by physical vapor deposition.
Độ dày lớp phủ nằm trong khoảng từ 2,5 đến

Lắng đọng hơi hóa học (CVD) 20 μm (0,0001–0,0008 in), với lớp phủ PVD ở
liên quan đến sự tương tác giữa hỗn hợp khí và bề mặt của đầu dưới của dải và CVD ở đầu trên
chất nền bị nung nóng, gây ra sự phân hủy hóa học của một
Sự lắng đọng hơi vật lý liên quan đến sự lắng đọng số thành phần khí và hình thành màng rắn trên chất nền.
của lớp phủ bằng cách ngưng tụ lên chất nền từ
pha hơi; nó hoàn toàn là một quá trình vật lý. TRẦN HẢI NAM - NAMTH@HCMUT.EDU.VN 9 TRẦN HẢI NAM - NAMTH@HCMUT.EDU.VN 10
Sự lắng đọng hơi vật lý liên quan đến sự lắng đọng của lớp Sự lắng đọng hơi vật lý liên quan đến sự lắng đọng của lớp
NỘI DUNG CHI TIẾT phủ bằng cách ngưng tụ lên chất nền từ pha hơi; nó hoàn
toàn là một quá trình vật lý.
(1) Physical Vapor Deposition (PVD) (1) Vacuum evaporation, (2) Sputtering, and (3) Ion plating. (1) Physical Vapor Deposition (PVD) (1) Vacuum evaporation, (2) Sputtering, and (3) Ion plating.
o Lắng đọng hơi vật lý (PVD) là một nhóm các quá trình tạo màng mỏng, trong đó vật
Setup of Vacuum One possible
liệu nguồn (source) được chuyển thành pha hơi của nó trong buồng chân không và
Evaporation physical setup for
vapor deposition sputtering, a ngưng kết trên bề mặt đế (substrate) dưới dạng một lớp rất mỏng.
form of physical
vapor deposition o PVD có thể được sử dụng để ứng dụng nhiều loại vật liệu phủ: kim loại, hợp kim, gốm
sứ và các hợp chất vô cơ khác, và thậm chí cả một số polyme nhất định.
o Chất nền có thể có bao gồm kim loại, thủy tinh và nhựa.
o Do đó, PVD đại diện cho một công nghệ phủ đa năng, có thể áp dụng cho sự kết hợp
gần như không giới hạn giữa các chất phủ (source) và vật liệu nền (substrate) .

5/24/2021
Sự lắng đọng hơi vật lý liên quan đến sự lắng đọng của lớp Sự lắng đọng hơi vật lý liên quan đến sự lắng đọng của lớp
(1) Physical Vapor Deposition (PVD) (1) Vacuum evaporation, (2) Sputtering, and (3) Ion plating. (1) Physical Vapor Deposition (PVD) (1) Vacuum evaporation, (2) Sputtering, and (3) Ion plating.
o Các ứng dụng của PVD bao gồm lớp phủ mỏng trang trí trên các bộ phận bằng nhựa o Tất cả các quá trình lắng đọng hơi vật lý bao gồm các bước sau:
và kim loại như cúp, đồ chơi, bút và bút chì, hộp đựng đồng hồ và đồ trang trí nội thất
trong ô tô.  (1) tổng hợp hơi phủ,
o Các lớp phủ là các màng nhôm mỏng (khoảng 150 nm) được phủ một lớp sơn mài
trong để tạo ra vẻ ngoài bằng bạc hoặc chrome có độ bóng cao.  (2) vận chuyển hơi đến chất nền, và
o Một công dụng khác của PVD là phủ các lớp phủ chống phản xạ magnesium fluoride
(MgF2) lên thấu kính quang học.  (3) hơi phủ ngưng tụ lên bề mặt đế.
o PVD được ứng dụng trong việc chế tạo các thiết bị điện tử, chủ yếu là để lắng kim loại
để tạo thành các kết nối điện trong các mạch tích hợp. o Các bước này thường được thực hiện bên trong buồng chân không, do đó, việc hút
o Cuối cùng, PVD được sử dụng rộng rãi để phủ titanium nitride (TiN) lên dụng cụ cắt và chân không trong buồng phải thực hiện trước quá trình PVD thực tế.
khuôn ép nhựa để chống mài mòn.
Sự lắng đọng hơi vật lý liên quan đến sự lắng đọng của lớp
NỘI DUNG CHI TIẾT VACUUM EVAPORATION
(1) Physical Vapor Deposition (PVD) (1) Vacuum evaporation, (2) Sputtering, and (3) Ion plating. (1) Physical Vapor Deposition (PVD)
o Tổng hợp hơi của lớp phủ có thể được thực hiện bằng bất kỳ phương pháp nào trong o Vật liệu được lắng đọng (deposited), được
Setup of Vacuum gọi là nguồn (source), được nung nóng đến
số các phương pháp,
Evaporation physical
 chẳng hạn như đốt nóng bằng điện trở hoặc nhiệt độ đủ cao để nó hóa hơi (evaporates)
vapor deposition
 bắn phá ion để làm bốc hơi một chất rắn (hoặc chất lỏng) hiện có. hoặc thăng hoa (sublimes).
o Những biến thể này và các biến thể khác dẫn đến một số quy trình PVD khác nhau. o Bởi vì quá trình gia nhiệt được thực hiện
trong chân không nên nhiệt độ cần thiết cho
o Chúng được nhóm thành ba loại chính: quá trình hóa hơi thấp hơn đáng kể nhiệt độ
yêu cầu tương ứng ở áp suất khí quyển.
 (1) bay hơi chân không (vacuum evaporation),
 (2) phún xạ (sputtering), và o Ngoài ra, việc không có không khí trong
 (3) mạ ion (ion plating). buồng sẽ ngăn cản quá trình oxy hóa vật
liệu nguồn ở nhiệt độ gia nhiệt.

5/24/2021
NỘI DUNG CHI TIẾT VACUUM EVAPORATION NỘI DUNG CHI TIẾT VACUUM EVAPORATION
o Dòng điện được áp dụng để làm nóng thùng
(1) Physical Vapor Deposition (PVD) (1) Physical Vapor Deposition (PVD) chứa, sau đó làm nóng vật liệu tiếp xúc với
o Có thể sử dụng nhiều phương pháp khác nó.
Setup of Vacuum nhau để làm nóng và hóa hơi vật liệu. Setup of Vacuum o Một vấn đề với phương pháp gia nhiệt này là
Evaporation physical Evaporation physical có thể xảy ra hợp kim hóa giữa thùng giữ và
vapor deposition
o Phải cung cấp một thùng chứa để giữ vapor deposition
nguyên liệu nguồn trước khi hóa hơi. vật chứa bên trong, do đó màng lắng đọng sẽ
o Trong đó các phương pháp hóa hơi quan bị nhiễm kim loại của vật chứa gia nhiệt điện
trọng là đốt nóng điện trở (resistance trở.
heating) và bắn phá bằng chùm tia điện tử o Trong sự bay hơi bằng chùm điện tử, một
(electron-beam bombardment). dòng điện tử với vận tốc lớn được hướng
o Gia nhiệt bằng điện trở là công nghệ đơn đến bắn phá bề mặt của vật liệu nguồn để
giản nhất. gây ra hiện tượng hóa hơi.
o Một kim loại chịu nhiệt thích hợp (ví dụ, W, o Ngược lại với gia nhiệt điện trở, rất ít năng
Mo) được dùng chế tạo thùng chứa để lượng tác động làm nóng thùng chứa, do đó
chứa vật liệu gốc (source material). giảm thiểu sự nhiễm bẩn của vật liệu chứa
với lớp phủ.
NỘI DUNG CHI TIẾT VACUUM EVAPORATION NỘI DUNG CHI TIẾT VACUUM EVAPORATION
(1) Physical Vapor Deposition (PVD) (1) Physical Vapor Deposition (PVD)
o Dù là kỹ thuật hóa hơi nào, các nguyên tử bị
hóa hơi sẽ rời khỏi nguồn và đi theo các o Khi tiếp xúc với bề mặt chất nền tương đối
Setup of Vacuum Setup of Vacuum
Evaporation physical đường thẳng cho đến khi chúng va chạm với Evaporation physical nguội, mức năng lượng của các nguyên tử bị
vapor deposition các phân tử khí khác hoặc va chạm vào một vapor deposition cản trở đột ngột giảm đến mức chúng không
bề mặt rắn. thể ở trạng thái hơi khiến chúng ngưng kết và
o Chân không bên trong buồng hầu như loại bỏ dính vào bề mặt rắn, tạo thành một màng
các phân tử khí khác, do đó giảm xác suất va mỏng lắng đọng.
chạm với các nguyên tử hơi nguồn.
o Bề mặt phủ được định vị so với nguồn để nó
là bề mặt rắn có khả năng lắng đọng các hơi
nguyên tử.
o Một cơ cấu cơ khí đôi khi được sử dụng để
xoay bề mặt nền để tất cả các bề mặt đều
được phủ.

5/24/2021
NỘI DUNG CHI TIẾT SPUTTERING NỘI DUNG CHI TIẾT SPUTTERING
o Nếu bề mặt của một chất rắn (hoặc chất o Là một quá trình PVD, phún xạ liên quan
lỏng) bị bắn phá bởi các hạt nguyên tử có One possible đến việc bắn phá vật liệu phủ catốt bằng One possible
năng lượng đủ cao, các nguyên tử riêng setup for các ion argon (Ar +), làm cho các nguyên setup for
lẻ trên bề mặt có thể nhận đủ năng lượng sputtering, a tử bề mặt thoát ra và sau đó lắng đọng sputtering, a
để chúng bị đẩy ra khỏi bề mặt do sự form of physical trên bề mặt nền, tạo thành một màng form of physical
truyền động lượng. vapor deposition mỏng trên bề mặt nền (substrate). vapor deposition
o Đây là quá trình được gọi là phún xạ o Chất nền phải được đặt gần với cực âm
(sputtering). và thường được gia nhiệt để cải thiện
liên kết của các nguyên tử lớp phủ.
o Dạng hạt năng lượng cao thuận tiện nhất
là một chất khí bị ion hóa, chẳng hạn như
argon, được cung cấp năng lượng bởi
điện trường để tạo thành plasma.
NỘI DUNG CHI TIẾT SPUTTERING NỘI DUNG CHI TIẾT SPUTTERING
o Trong khi bay hơi chân không thường chỉ Mặt hạn chế của PVD phún xạ bao gồm
giới hạn ở kim loại, hiện tượng phún xạ One possible One possible
có thể được áp dụng cho hầu hết mọi vật setup for o (1) tốc độ lắng đọng chậm và setup for
liệu — các nguyên tố kim loại và phi kim sputtering, a sputtering, a
loại; hợp kim, gốm sứ và polyme. form of physical o (2) bởi vì các ion bắn phá bề mặt là một form of physical
vapor deposition chất khí, các vết của khí thường có thể vapor deposition
o Màng hợp kim và hợp chất có thể được được tìm thấy trong các màng phủ, và
phún xạ mà không làm thay đổi thành các khí này đôi khi ảnh hưởng xấu đến
phần hóa học của chúng. các tính chất cơ học.
o Màng các hợp chất hóa học cũng có thể

được lắng đọng bằng cách sử dụng các
khí phản ứng tạo thành oxides, carbides,
hoặc nitrides với kim loại được phún xạ.

5/24/2021
NỘI DUNG CHI TIẾT ION PLATING NỘI DUNG CHI TIẾT ION PLATING
a combination of sputtering and vacuum a combination of sputtering and vacuum
(1) Physical Vapor Deposition (PVD) evaporation to deposit a thin film onto a substrate (1) Physical Vapor Deposition (PVD) evaporation to deposit a thin film onto a substrate
o Chất nền làm cực âm ở phần trên của buồng và vật liệu nguồn được
đặt bên dưới nó.
o Sau đó, chân không được thiết lập trong buồng.
o Khí argon được tiếp nhận và một điện trường được áp dụng để ion
hóa khí (Ar +) và tạo thành plasma.
o Điều này dẫn đến sự bắn phá ion (phún xạ) lên chất nền để bề mặt
của nó được chà xát đến điều kiện sạch nguyên tử ("rất sạch").
o Tiếp theo, vật liệu nguồn được làm nóng đủ để tạo ra hơi phủ.
o Các phương pháp gia nhiệt được sử dụng ở đây tương tự như các
phương pháp được sử dụng trong bay hơi chân không: gia nhiệt điện
trở, bắn phá bằng chùm tia điện tử, v.v.
o Các phân tử hơi đi qua plasma và phủ lên chất nền.
o Sự phún xạ được tiếp tục trong quá trình lắng đọng, do đó sự bắn
phá ion không chỉ bao gồm các ion argon ban đầu mà còn cả các ion
vật chất nguồn đã được cung cấp năng lượng khi chịu cùng trường
năng lượng với argon.
NỘI DUNG CHI TIẾT ION PLATING

a combination of sputtering and vacuum
(1) Physical Vapor Deposition (PVD) evaporation to deposit a thin film onto a substrate
o Hiệu quả của các điều kiện xử lý này là tạo ra các màng có độ
dày đồng nhất và khả năng bám dính tuyệt vời vào chất nền.
o Mạ ion được áp dụng cho các bộ phận có dạng hình học
không đều do hiệu ứng tán xạ tồn tại trong trường plasma.
o Một ví dụ là lớp phủ TiN của các dụng cụ cắt thép tốc độ cao
(ví dụ: mũi khoan).
o Ngoài tính đồng nhất và độ bám dính tốt của lớp phủ, các ưu
điểm khác của quy trình này bao gồm
• tốc độ lắng đọng cao,
• mật độ màng cao và
• khả năng phủ lên các vách bên trong của lỗ và các hình
dạng rỗng khác.
TRẦN HẢI NAM - NAMTH@HCMUT.EDU.VN 27 Khoa Cơ Khí – Đại học Bách Khoa Tp.HCM – GV. Trần Hải Nam - namth@hcmut.edu.vn 28
5/24/2021
NỘI DUNG CHI TIẾT . NỘI DUNG CHI TIẾT .

(2) Chemical Vapor Deposition (CVD) a (2) Chemical Vapor Deposition (CVD) a
o Các phản ứng diễn ra trong một buồng phản o Các quy trình luyện kim công nghiệp dựa
ứng kín. trên sự lắng đọng hơi hóa chất có từ những
o Sản phẩm phản ứng (kim loại hoặc hợp năm 1800.
chất) nảy mầm và phát triển trên bề mặt
chất nền để tạo thành lớp phủ. o Mối quan tâm hiện tại đến CVD tập trung
o Hầu hết các phản ứng CVD đều cần nhiệt. vào các ứng dụng phủ của nó như phủ
o Tuy nhiên, tùy thuộc vào các hóa chất liên cemented carbide tools, pin mặt trời, lắng
quan, các phản ứng có thể được thúc đẩy đọng kim loại chịu lửa trên cánh tua bin
bởi các nguồn năng lượng khả dĩ khác, động cơ phản lực và các ứng dụng khác mà
chẳng hạn như tia cực tím hoặc plasma. ở đó khả năng chống mài mòn, ăn mòn, và
o CVD bao gồm một phạm vi rộng áp suất và sốc nhiệt là rất quan trọng.
Lắng đọng hơi hóa học (CVD) Lắng đọng hơi hóa học (CVD)
nhiệt độ; và nó có thể được áp dụng cho
liên quan đến sự tương tác giữa hỗn hợp khí và bề mặt của liên quan đến sự tương tác giữa hỗn hợp khí và bề mặt của
nhiều loại vật liệu phủ và vật liệu nền. chất nền bị nung nóng, gây ra sự phân hủy hóa học của một o Ngoài ra, CVD là một công nghệ quan trọng chất nền bị nung nóng, gây ra sự phân hủy hóa học của một
số thành phần khí và hình thành màng rắn trên chất nền. trong chế tạo mạch tích hợp. số thành phần khí và hình thành màng rắn trên chất nền.
NỘI DUNG CHI TIẾT . NỘI DUNG CHI TIẾT .

Các ưu điểm thường được trích dẫn cho CVD Nhược điểm bao gồm
bao gồm
o (1) tính chất ăn mòn và / hoặc độc hại của
o (1) khả năng lắng đọng vật liệu chịu lửa ở hóa chất nói chung cần có buồng kín cũng
nhiệt độ thấp hơn nhiệt độ nóng chảy hoặc như thiết bị bơm và thải đặc biệt;
thiêu kết của chúng;
o (2) một số thành phần phản ứng tương đối
o (2) có thể kiểm soát kích thước hạt; đắt tiền; và
o (3) quá trình này được thực hiện ở áp suất o (3) hiệu quả sử dụng vật liệu thấp.
khí quyển - nó không yêu cầu thiết bị chân
không; và
chất nền bị nung nóng, gây ra sự phân hủy hóa học của một chất nền bị nung nóng, gây ra sự phân hủy hóa học của một
o (4) liên kết tốt của lớp phủ với bề mặt nền. số thành phần khí và hình thành màng rắn trên chất nền. số thành phần khí và hình thành màng rắn trên chất nền.
5/24/2021
NỘI DUNG CHI TIẾT CVD MATERIALS AND REACTIONS NỘI DUNG CHI TIẾT CVD MATERIALS AND REACTIONS
o Nói chung, các kim loại đã được mạ điện o Các khí hoặc hơi phản ứng thường được
không phải là ứng cử viên tốt cho CVD, do sử dụng là hyđrua kim loại (MHx), clorua
các hóa chất nguy hiểm phải được sử dụng (MClx), florua (MFx) và cacbonyl (M (CO) x),
và chi phí bảo vệ chống lại chúng.
o trong đó M là kim loại được lắng đọng và x
o Các kim loại thích hợp để phủ bởi CVD bao được sử dụng để cân bằng các hóa trị trong
gồm tungsten, molybdenum, titanium, hợp chất.
vanadium, và tantalum.
o Các khí khác, chẳng hạn như hydro (H2),
o Sự lắng đọng hơi hóa học đặc biệt phù hợp nitơ (N2), metan (CH4), carbon dioxide
với sự lắng đọng của các hợp chất, chẳng (CO2) và amoniac (NH3) được sử dụng
hạn như aluminum oxide (Al2O3), silicon trong một số phản ứng.
dioxide (SiO2), silicon nitride (Si3N4), chất nền bị nung nóng, gây ra sự phân hủy hóa học của một chất nền bị nung nóng, gây ra sự phân hủy hóa học của một
titanium carbide (TiC), and titanium nitride số thành phần khí và hình thành màng rắn trên chất nền. số thành phần khí và hình thành màng rắn trên chất nền.
(TiN).
NỘI DUNG CHI TIẾT CVD MATERIALS AND REACTIONS NỘI DUNG CHI TIẾT CVD MATERIALS AND REACTIONS
o Nhiệt độ điển hình mà tại đó các phản ứng o Thành phần thứ ba của lò phản ứng là hệ
được thực hiện cũng làm cho chất nền bị thống tái chế / thải bỏ, có chức năng là làm
làm nóng bằng gia nhiệt cảm ứng, nhiệt bức cho các sản phẩm phụ của phản ứng CVD
xạ hoặc các phương tiện khác. trở nên vô hại.
o Nhiệt độ lắng đọng cho các phản ứng CVD o Điều này bao gồm việc thu thập các vật liệu
khác nhau nằm trong khoảng từ 250 đến độc hại, ăn mòn và / hoặc dễ cháy, sau đó
1950°C (500 đến 3500°F), do đó, buồng được xử lý và bố trí thích hợp.
phải được thiết kế để đáp ứng các nhu cầu
nhiệt độ này.
số thành phần khí và hình thành màng rắn trên chất nền. số thành phần khí và hình thành màng rắn trên chất nền.
5/24/2021
NỘI DUNG CHI TIẾT ALTERNATIVE FORMS OF CVD NỘI DUNG CHI TIẾT ALTERNATIVE FORMS OF CVD
o Những gì đã được mô tả là sự lắng đọng Ưu điểm của LPCVD bao gồm
hơi hóa học áp suất khí quyển, trong đó các
phản ứng được thực hiện ở hoặc gần áp o (1) độ dày đồng đều,
suất khí quyển.
o (2) kiểm soát tốt thành phần và cấu trúc,
o Đối với nhiều phản ứng, có lợi thế khi thực
hiện quá trình ở áp suất thấp hơn khí o (3) xử lý ở nhiệt độ thấp,
quyển.
o (4) tốc độ lắng đọng nhanh, và
o Đây được gọi là lắng đọng hơi hóa học áp
suất thấp (LPCVD), trong đó các phản ứng o (5) thông lượng cao và chi phí xử lý thấp
xảy ra trong chân không một phần. hơn.
NỘI DUNG CHI TIẾT ALTERNATIVE FORMS OF CVD NỘI DUNG CHI TIẾT ALTERNATIVE FORMS OF CVD
o Vấn đề kỹ thuật trong LPCVD là thiết kế các o Một biến thể khác của CVD là lắng đọng hơi
bơm chân không để tạo ra chân không riêng hóa học có sự hỗ trợ của plasma (PACVD),
phần khi các sản phẩm phản ứng không chỉ trong đó sự lắng đọng trên chất nền được
nóng mà còn có thể ăn mòn. thực hiện bằng cách phản ứng các thành
phần trong khí đã được ion hóa bằng phóng
o Các máy bơm này thường phải bao gồm hệ điện (tức là plasma).
thống làm mát và giữ các khí ăn mòn trước
khi chúng đến bộ phận bơm thực tế. o Trên thực tế, năng lượng chứa trong plasma
chứ không phải nhiệt năng được sử dụng
để kích hoạt các phản ứng hóa học.
5/24/2021
NỘI DUNG CHI TIẾT ALTERNATIVE FORMS OF CVD THẢO LUẬN

(2) Chemical Vapor Deposition (CVD) a
Ưu điểm của PACVD bao gồm
o (1) nhiệt độ bề mặt thấp hơn,
o (2) khả năng che phủ tốt hơn,
o (3) độ bám dính tốt hơn, và
o (4) tốc độ lắng đọng nhanh hơn.
o Các ứng dụng bao gồm lắng đọng silicon

Lắng đọng hơi hóa học (CVD)
nitride (Si3N4) trong xử lý chất bán dẫn, lớp
liên quan đến sự tương tác giữa hỗn hợp khí và bề mặt của
phủ TiN và TiC cho các dụng cụ và lớp phủ chất nền bị nung nóng, gây ra sự phân hủy hóa học của một
polyme. số thành phần khí và hình thành màng rắn trên chất nền.

5 - Lắng đọng hơi hóa học

Uploaded by

Document Information

Copyright

Available Formats

Share this document

Share or Embed Document

Sharing Options

Did you find this document useful?

Is this content inappropriate?

Copyright:

Available Formats

5 - Lắng đọng hơi hóa học

Uploaded by

Copyright:

Available Formats

5/24/2021

MỤC TIÊU MÔN HỌC

Q UÁ TRÌ NH LẮNG Đ ỌNG HƠI

TRẦN HẢI NAM - NAMTH@HCMUT.EDU.VN 3 TRẦN HẢI NAM - NAMTH@HCMUT.EDU.VN 4

ví dụ 5. Quá trình lắng đọng hơi (Vapor Deposition Processes)

TRẦN HẢI NAM - NAMTH@HCMUT.EDU.VN 5 TRẦN HẢI NAM - NAMTH@HCMUT.EDU.VN 6

Các quá trình xử lý bề mặt NỘI DUNG CHI TIẾT

The vapor deposition processes

Phần này thảo luận về hai quá trình xử lý bề mặt trong đó

TRẦN HẢI NAM - NAMTH@HCMUT.EDU.VN 7 TRẦN HẢI NAM - NAMTH@HCMUT.EDU.VN 8

Chemical vapor deposition was used to coat

Độ dày lớp phủ nằm trong khoảng từ 2,5 đến

TRẦN HẢI NAM - NAMTH@HCMUT.EDU.VN 11 TRẦN HẢI NAM - NAMTH@HCMUT.EDU.VN 12

TRẦN HẢI NAM - NAMTH@HCMUT.EDU.VN 13 TRẦN HẢI NAM - NAMTH@HCMUT.EDU.VN 14

TRẦN HẢI NAM - NAMTH@HCMUT.EDU.VN 15 TRẦN HẢI NAM - NAMTH@HCMUT.EDU.VN 16

TRẦN HẢI NAM - NAMTH@HCMUT.EDU.VN 19 TRẦN HẢI NAM - NAMTH@HCMUT.EDU.VN 20

TRẦN HẢI NAM - NAMTH@HCMUT.EDU.VN 21 TRẦN HẢI NAM - NAMTH@HCMUT.EDU.VN 22

o Màng các hợp chất hóa học cũng có thể

TRẦN HẢI NAM - NAMTH@HCMUT.EDU.VN 23 TRẦN HẢI NAM - NAMTH@HCMUT.EDU.VN 24

NỘI DUNG CHI TIẾT ION PLATING

NỘI DUNG CHI TIẾT . NỘI DUNG CHI TIẾT .

NỘI DUNG CHI TIẾT . NỘI DUNG CHI TIẾT .

NỘI DUNG CHI TIẾT ALTERNATIVE FORMS OF CVD THẢO LUẬN

o (1) nhiệt độ bề mặt thấp hơn,

o (2) khả năng che phủ tốt hơn,

o (3) độ bám dính tốt hơn, và

o (4) tốc độ lắng đọng nhanh hơn.

o Các ứng dụng bao gồm lắng đọng silicon

You might also like