KOMPONENTE I KOLA SNAGE

Uvod
Svaka elektronska komponenta koja može pouzdano da vodi struju jaču od 1 A može se
smatrati snažnom komponentom ili komponentom snage. Bipolarni tranzistor otkriven je 1947.
godine, a prve komercijalne bipolarne komponente, diode i tiristori, sposobne da rade na visokim
nivoima struje i napona, pojavile su se na tržištu ranih 1950-tih godina. Tehnologija bipolarnih
komponenata snage usavršena je i dominirala tokom narednih tridesetak godina dvadesetog
veka, pri čemu su razvijene i veoma snažne komponente koje su u stanju da vode struju od preko
10 kA i izdrže napone iznad 4 kV. U međuvremenu, razvijane su i nove familije diskretnih
komponenata snage, od kojih je najznačajniji MOS tranzistor snage, razvijen 1970-tih godina. Za
razliku od bipolarnih komponenata, MOS tranzistor je naponski kontrolisana komponenta visoke
ulazne impedanse, koja omogućava da upravljačka kola budu mnogo jednostavnija, što u velikoj
meri smanjuje cenu snažnih elektronskih sistema, čineći ih atraktivnim za brojne nove aplikacije,
kao što su uređaji u domaćinstvu, automobilska elektronika itd. Osim MOS tranzistora, razvijane
su i druge komponente snage, kao što su statički indukcioni tranzistor i tiristor (SIT i SITh),
JFET, bipolarni tranzistor sa izolovanim gejtom (IGBT), MOS kontrolisani tiristor (MCT) itd.
Od ovih komponenata, najznačajniji je IGBT, u kome su sa uspehom objedinjene dobre osobine
tehnologija MOS i bipolarnih tranzistora (visoka impedansa i naponska kontrola na ulazu, kao i
velika brzina MOS tranzistora sa visokom provodnošću bipolarnog tranzistora).
Neophodno je istaći i da je u proteklom periodu, a naročito poslednjih desetak godina,
postignut značajan napredak i u povezivanju ili integraciji individualnih poluprovodničkih
komponenata u složenije funkcionalne jedinice. Ovo povezivanje može biti sprovedeno na
različite načine, u različitoj formi i sa različitim stepenom integracije. Naime, moguće je
međusobno povezati i smestiti u zajedničko kućište nekoliko snažnih komponenata (moduli
snage), kombinovati osnovno kolo snažnih komponenata sa upravljačkim kolom uz pomoć
hibridne tehnologije u nešto složeniji integrisani sistem koji je takođe smešten u jedno
zajedničko kućište (hibridna integrisana kola snage), ili pak izvršiti delimičnu ili potpunu
integraciju snažnih komponenata sa logičkim, upravljačkim, senzorskim i zaštitnim kolima u
monolitna integrisana kola snage, tzv. inteligentna kola snage.
Kao što ilustruje Sl. 1, primena komponenata snage je veoma raznovrsna, u vrlo širokim
opsezima nivoa snage i radne frekvencije, pri čemu se veći nivoi snage najčešće zahtevaju pri
nižim frekvencijama. Naravno, u opštem slučaju poželjan bi bio tzv. “idealni prekidač“, odnosno
komponenta ogromne snage (velika struja i visok probojni napon) i visoke efikasnosti i brzine.

Sl. 1: Oblasti primene komponenata snage.

 FIZIKA TRANSPORTA NOSILACA U POLUPROVODNIKU
Najčešći materijal koji se koristi za izradu komponenata snage je Si, mada se u novije vreme
čine značajni napori da se koriste i kompozitni poluprovodnici, kao što su GaAs i SiC, za koje je
teoretski pokazano da mogu da ponude superiornije karakteristike od Si. Posebno je zanimljiv
SiC, kako zbog velike pokretljivosti nosilaca, tako i zbog mogućnosti njegove termičke
oksidacije kojom se formira SiO2 kao najbolji poznati izolacioni materijal u tehnologiji
poluprovodničkih komponenata. Međutim, razvoj komponenata snage na kompozitnim
poluprovodničkim materijalima je još uvek u povoju zbog brojnih tehnoloških problema u
procesiranju ovih materijala, pa se komponente snage i dalje izrađuju uglavnom na Si. Stoga će u
u ovom poglavlju biti ukratko razmotrene neke od karakteristika silicijuma koje su od značaja za
funkcionisanje komponenata snage.

Pokretljivost nosilaca
Po definiciji, pokretljivost je mera za prosečnu (srednju) brzinu nosilaca naelektrisanja
(elektrona i/ili šupljina) u prisustvu električnog polja u poluprovodniku. Električno polje ubrzava
elektrone i šupljine u suprotnim smerovima, pri čemu se pokretljivost elektrona i šupljina
razlikuju zbog njihovih različitih efektivnih masa, odnosno zbog razlike u oblicima
odgovarajućih energetskih minimuma provodne i valentne zone u k-prostoru (Sl. 2).

Sl. 2: Struktura energetskih zona u Si.

Pri kretanju nosilaca kroz poluprovodnik pod dejstvom električnog polja dolazi do njihovog
sudaranja sa različitim česticama prisutnim u poluprovodniku. Ovo sudaranje, koje se u literaturi
sreće pod nazivom rasejavanje nosilaca, usporava kretanje nosilaca kroz poluprovodnik, te stoga
predstavlja ograničavajući faktor za njihovu pokretljivost. Najznačajniji procesi rasejavanja
nosilaca javljaju se na vibracijama kristalne rešetke poluprovodnika i na jonizovanim atomima
primesa prisutnih u poluprovodniku. Osim toga, ukoliko se transport nosilaca odvija u uzanom
sloju blizu površine poluprovodnika (npr. kroz kanal MOS tranzistora) javlja se i tzv. površinsko
rasejavanje na neravninama i defektima površine, a pri visokim nivoima injekcije (kod
bipolarnih komponenata snage, kod kojih koncentracija injektovanih manjinskih nosilaca može
biti veoma visoka) od značaja je i tzv. međusobno rasejavanje elektron-šupljina. U analizi
efekata pomenutih procesa rasejavanja na pokretljivost polazi se od pretpostavke da je
primenjeno slabo električno polje, pa se pokretljivost smatra konstantom proporcionalnosti
između srednje brzine nosilaca i jačine polja. Međutim, kod komponenata snage vrlo često
primenjuju se jaka električna polja pri kojima brzina nosilaca prestaje da raste proporcionalno
jačini polja jer je dostignuta vrednost brzine zasićenja, što se mora uzeti u obzir u analizi
transportnih procesa kod ovih komponenata.

2
Zavisnost pokretljivosti od temperature
Pri niskim nivoima dopiranja poluprovodnika, rasejavanje nosilaca odvija se uglavnom na
vibracijama kristalne rešetke i u velikoj meri zavisi od temperature poluprovodnika, te stoga i
pokretljivost nosilaca značajno zavisi od temperature. Ovo rasejavanje posledica je interakcije
nosilaca sa tzv. akustičkim i optičkim fononima (fonon je kvant vibracije kristalne rešetke), pri
čemu rasejavanje na akustičkim fononima dominira na niskim temperaturama (ispod 50 K), dok
je rasejavanje na optičkim fononima dominantno na visokim temperaturama.U opsegu oko sobne
temperature, koji je najznačajniji sa stanovišta primene komponenata, temperaturne zavisnosti
pokretljivosti elektrona i šupljina (μn i μp, cm2/Vs) u Si mogu se izračunati pomoću izraza:
-2.42 -2.20
 T   T 
n  1360  ,  p  495  , (1)
 300   300 
gde je T apsolutna temperatura u [K]. Kao što se može videti na Sl. 3, varijacija (opadanje)
pokretljivosti elektrona i šupljina u Si sa porastom temperature najveća je pri niskim nivoima
dopiranja (ND, NA < 1015 cm-3), što se mora imati u vidu pri projektovanju i analizi unipolarnih
komponenata snage kod kojih su niski nivoi dopiranja potrebni radi postizanja visokih probojnih
napona. Inače, povišene radne temperature su sasvim uobičajene za komponente snage s obzirom
da su one, u cilju postizanja maksimalnih performansi, opterećene veoma visokim nivoima struje
(blizu maksimalno dozvoljene struje) koji dovode do samozagrevanja.

Sl. 3: Pokretljivost elektrona i šupljina u Si u funkciji temperature.

Zavisnost pokretljivosti od koncentracije primesa

Prisustvo jonizovanih primesnih (donorskih i/ili akceptorskih) atoma u kristalnoj rešeci
poluprovodnika dovodi do dodatnog kulonovskog rasejavanja nosilaca. Rasejavanje na
jonizovanim primesama dominantno je na niskim temperaturama pri kojima efekat rasejavanja
na vibracijama rešetke postaje manje izražen. Zavisnosti pokretljivosti elektrona i šupljina od
odgovarajuće koncentracije primesa mogu se predstaviti sledećim empirijskim izrazima:
5.10  1018  92 N D
0.91
n ( N D )  , (2)
3.75  1015  N D
0.91

2.90  1015  47.7 N A

0.76
 p (N A)  . (3)
5.86  1012  N A
0.76

3
Gornje zavisnosti ilustrovane su na Sl. 4. Kao što se može videti, pri niskim nivoima dopiranja
(ND, NA < 1016 cm-3) rasejavanje na jonizovanim primesama nije od velikog značaja i praktično
ne utiče na pokretljivost nosilaca, ali je veoma značajno u opsegu 1016 cm-3 < ND, NA < 1019 cm-3,
u kome pokretljivost opada sa porastom nivoa dopiranja. Pri visokoj koncentraciji primesa od
ND, NA ≈ 1019 cm-3 (jako dopiran poluprovodnik) pokretljivost nosilaca postaje veoma niska (μn ≈
90 cm2/Vs, μp ≈ 48 cm2/Vs) i gotovo se ne menja sa daljim porastom nivoa dopiranja.

Sl. 4: Pokretljivost elektrona i šupljina u Si na sobnoj temperaturi u zavisnosti od koncentracije primesa.

Zavisnost pokretljivosti od jačine električnog polja

Kao što je već pomenuto, pokretljivost predstavlja koeficijent proporcionalnosti koji
povezuje jačinu elekričnog polja i srednju brzinu nosilaca u poluprovodniku. Zavisnost
pokretljivosti elektrona i šupljina u Si od jačine električnog polja ilustrovana je na Sl. 5, a može e
predstaviti sledećim izrazima:
9.85  10 6
n ( E )  , (4)
(1.04  10 5  E1.3 ) 0.77
8.91  10 6
 p (E)  . (5)
(1.41  10 5  E1.2 )0.83

Sl. 5: Pokretljivost elektrona i šupljina u Si u zavisnosti od jačine električnog polja.

Pri slabim električnim poljima (E < ~103 V/cm), srednja brzina nosilaca raste linearno sa
porastom jačine polja, tako da u tom opsegu polja pokretljivost ima konstantnu vrednost (Sl. 5).
Za polja iznad 103 V/cm, zavisnost brzine nosilaca od polja postaje sublinearna, tako da sa

4
daljim porastom polja pokretljivost počinje da opada, najpre lagano, a zatim sve brže. Za polja
iznad ~105 V/cm, srednja brzina nosilaca ulazi u zasićenje (ne raste sa daljim porastom polja), pa
pokretljivost nadalje konstantno opada. Srednja brzina zasićenja nosilaca je važan parametar
potreban za analizu karakteristika komponenata snage u prisustvu jakih električnih polja. Brzina
zasićenja, poput pokretljivosti, takođe zavisi od temperature kristala, a njene temeperaturne
zavisnosti za elektrone i šupljine mogu se predstaviti sledećim izrazima:
vsat, n  1.434  109 T 0.87 , vsat, p  1.624  108 T 0.52 . (6)
Inače, na sobnoj temperaturi i ispod nje, elektroni imaju veću brzinu zasićenja od šupljina, ali se
ova razlika smanjuje sa porastom temperature, pa se na T ≈ 500 K brzine zasićenja elektrona i
šupljina izjednačavaju. Konačno treba imati u vidu i da srednja brzina zasićenja nosilaca opada
kada koncentracija primesa premaši 1018 cm-3, ali ova zavisnost nije od većeg značaja za analizu
komponenata snage kod kojih su aktivne oblasti dopirane uglavnom ispod ovog nivoa.

Zavisnost pokretljivosti od nivoa injekcije

U opštem slučaju, transport struje kroz poluprovodnik odvija se procesima drifta (transport
slobodnih nosilaca pod dejstvom električnog polja) i difuzije slobodnih nosilaca (u slučaju kada
određenoj oblasti poluprovodnika postoji gradijent koncentracije nosilaca). U jako dopiranim
oblastima poluprovodnika, dominantan je transport većinskih nosilaca, dok se pri izračunavanju
struje kroz slabo dopirane oblasti moraju uzeti u obzir i većinski i manjinski nosioci. Pri niskim
nivoima injekcije, pri kojima je koncentracija manjinskih nosilaca znatno manja od koncentracije
većinskih nosilaca, transport kontrolišu procesi rasejavanja na vibracijama rešetke i/ili na
jonizovanim primesama. Međutim, pri visokim nivoima injekcije, koji su javljaju npr. u slabo
dopiranim baznim oblastima bipolarnih komponenata u direktnom provodnom režimu rada,
koncentracija manjinskih približno je jednaka koncentraciji većinskih nosilaca. U tom slučaju,
verovatnoća međusobnih kulonovskih interakcija između slobodnih elektrona i šupljina oko
zajedničkih centara mase postaje značajna, što rezultuje rasejavanjem nosioc-nosioc i opadanjem
pokretljivosti. Razmatranjem rasejavanja nosioc-nosioc na sličan način kao i rasejavanje na
jonizovanim primesnim atomima, može se pokazati da je pokretljivost inverzno proporcionalna
natkoncentraciji injektovanih nosilaca (Δn ili Δp) kada je nivo injekcije iznad 1017 cm-3. Pri ovim
nivoima injekcije, pokretljivost injektovanih nosilaca može se izračunati pomoću izraza:
1
 
 
1 Δn ln 1  4.54  1011 Δn -0.667
, (7)
 0 1.428
gde je μ0 pokretljivost većinskih nosilaca. Opadanje pokretljivosti pri visokim nivoima injekcije
od značaja je za određivanje pada napona u direktu kod snažnih bipolarnih komponenata pri
velikim strujama.

Efekti površinskog rasejavanja

Transport slobodnih nosilaca u blizini površine poluprovodnika (odnosno, u blizini
međupovršine Si-SiO2) od najvećeg je značaja kod MOS tranzistora snage. Na primer, da bi se n-
kanalni MOS tranzistor doveo u provodno stanje, potrebno je dovesti dovoljno visok pozitivan
napon na gejt da bi u tankom sloju poluprovodnika neposredno ispod oksida gejta bila izvršena
inverzija tipa poluprovodnika, čime se u supstratu p-tipa formira provodni kanal n-tipa između
jako dopiranih n+ oblasti sorsa i drejna tranzistora. Provodnost kanala zavisi od ukupnog broja
slobodnih nosilaca u njemu i brzine njihovog transporta duž površine pod dejstvom primenjenog
transverzalnog električnog polja (ovo polje prisutno je usled napona dovedenog na drejn).
Transport nosilaca odvija se u inverznom sloju koji je veoma tanak, tipično oko 10 nm. Stoga su
nosioci u inverznom sloju, osim rasejavanja na jonizovanim primesama, izloženi i dodatnim
mehanizmima rasejavanja, kao što su:

5
 (1) rasejavanje na površinskim fononima, koje postaje posebno značajno na povišenoj
temperaturi;
(2) dodatno kulonovsko rasejavanje usled prisustva naelektrisanja na površinskim
stanjima (defekti na međupovršini Si-SiO2) i fiksnog naelektrisanja u oksidu, koje je
značajno pri slaboj inverziji, naročito ukoliko je prisutna velika koncentracija
defekata na međupovršini i u oksidu;
(3) rasejavanje na površinskim neravninama, koje je dominantno pri jakoj inverziji.
Imajući pomenute mehanizme površinskog rasejavanja u vidu, za analizu transporta u inverznom
sloju MOS tranzistora korisno je definisati tzv. efektivnu pokretljivost nosilaca:
xi

  x nx dx
e  0
xi , (8)
 nx dx
0
gde μ(x) i n(x) predstavljaju lokalne vrednosti pokretljivosti i koncentracije nosilaca u inverznom
sloju. Iz ovoga proizilazi da je izračunavanje efektivne pokretljivosti u inverznom sloju prilično
komplikovano jer zahteva poznavanje složenih funkcija raspodele pokretljivosti i koncentracije
slobodnih nosilaca koje se mogu odrediti merenjima na posebno projektovanim MOS testnim
strukturama.
Efektivna pokretljivost pre svega zavisi jačine vertikalnog električnog polja (tj. polja usled
napona na gejtu), a potom i od koncentracije u inverznom sloju (koja je zavisna od nivoa
dopiranja supstrata) i naelektrisanja u oksidu i na površinskim stanjima. U suštini, vertikalno
električno polje uzrokuje i kontroliše gore navedene mehanizme površinskog rasejavanja
nosilaca i tako utiče na efektivnu pokretljivost. Tipična zavisnost efektivne pokretljivosti od
vertikalnog električnog polja ilustrovana je na Sl. 6. Dok je vertikalno polje slabo, njegov porast
(koji doprinosi porastu koncentracije nosilaca u inverznom sloju) dovodi do porasta efektivne
pokretljivosti jer smanjuje intenzitet rasejavanja na površinskim stanjima. Međutim, pri
vertikalnim poljima iznad 104 V/cm jača intenzitet rasejavanja na neravninama međupovršine, pa
efektivna pokretljivost počinje da opada.

Sl. 6: Efekat vertikalnog električnog polja na efektivnu pokretljivost u inverznom sloju.

Što se tiče efekata nivoa dopiranja u inverznom sloju i fiksnog naelektrisanja u oksidu na
pokretljivost, povećana koncentracija povećava intenzitet rasejavanja na jonizovanim
primesama, a fiksno naelektrisanje doprinosi porastu vertikalnog polja i time pojačava
površinsko rasejavanje. To znači da oba ova faktora doprinose smanjenju efektivne pokretljivosti
nosilaca u inverznom sloju, a njihov uticaj na maskimalnu vrednost efektivne pokretljivosti može
se sračunati pomoću sledećeg empirijskog modela:
0
e, max  , (9)
1  Q f
gde Qf predstavlja koncentraciju fiksnog naelektrisanja u oksidu gejta, dok su parametri μ0 i α
funkcije nivoa dopiranja:
0  3490  164 log N A ,   0.104  0.0193log N A . (10)

6
U slučaju da na međupvršini postoji znatna koncentracija površinskih stanja, onda u izrazu (5)
umesto fiksnog naelektrisanja treba uzeti efektivno naelektrisanje koje uključuje naelektrisanje i
u oksidu i na površinskim stanjima.
Inače, transport nosilaca naelektrisanja kod MOS komponenata snage odvija se u nekim
slučajevima ne samo kroz inverzni sloj (kanal) nego i kroz sloj koji se nalazi u stanju
akumulacije (akumulacija se javlja kad je smer vertikalnog polja takav da privlači većinske
nosioce). U slučaju akumulacije, nosioci su raspoređeni dalje od međupovršine nego u slučaju
inverzije, pa bi efektivna pokretljivost nosilaca u sloju akumulacije trebalo a bude znatno veća.
Međutim, merenjima je ustanovljeno da je razlika u vrednostima efektivne pokretljivosti između
slojeva inverzije i akumulacije manja od 5%, tako da je gornji model primenljiv u oba slučaja.

Specifična otpornost

Specifična otpornost početnog materijala (Si supstrat) je veoma značajan parametar zato što
od nje zavisi probojni napon, a kod komponenata snage kod kojih u provođenju učestvuje samo
jedna vrsta nosilaca (unipolarne komponente), kao što je MOS tranzistor, specifična otpornost
direktno kontroliše i maksimalnu struju koju komponenta može da provede.
U sopstvenom poluprovodniku koncentracije slobodnih elektrona i šupljina su jednake
(ni = pi), pa se specifična otpornost računa pomoću izraza:
1
i  , (11)
qni (  n   p )
pri čemu je sopstvena koncentracija nosilaca funkcija efektivnih gustina stanja u provodnoj zoni
(NC) i valentnoj zoni (NV), širine zabranjene zone i temperature:
 E / 2 kT
ni  np  N C NV e g , (12)
gde je k Boltzmann-ova konstanta. S obzirom da su i efektivne gustine stanja i širina zabranjene
zone funkcije temperature, to se gornja zavisnost svodi na čisto temperaturnu, koja se u slučaju
Si za T < 700 K može predstaviti empirijskim izrazom:
ni  3.87  1016T 3 / 2e 7.0210 / T .
3
(13)
Specifična otpornost smanjuje se dopiranjem poluprovodnika primesama n-tipa (donorske
primese, obično fosfor ili arsen) ili p-tipa (akceptorske primese, najčešće bor). Imajući u vidu da
su u okolini sobne temperature sve primese jonizovane (n = ND, p = NA), kao i da u
poluprovodniku n-tipa važi n >> p, a u poluprovodniku p-tipa p >> n, koristeći izraze (2) i (3) za
zavisnost pokretljivosti elektrona i šupljina od odgovarajućih koncentracija primesa dobijaju se
sledeći izrazi za zavisnosti specifične otpornosti poluprovodnika n- i p-tipa:
3.75  1015  N D
0.91
n  , (14)
1.47  1017 N D  8.15  101 N D
1.91

5.86  1012  N A
0.76
p  . (15)
7.63  1018 N A  4.64  10 4 N A
1.76

Prema tome, specifičnu otpornost kontrolišu nivoi dopiranja poluprovodnika, s tim što treba
imati u vidu da se za komponente snage sa probojnim naponom iznad 100 V koristi slabo
dopiran Si (n-tipa čija je specifična otpornost veća od 1 Ωcm ili p tipa sa specifičnom otpornošću
većom od 3 Ωcm) u kome pokretljivost ne zavisi od nivoa dopiranja, pa se specifična otpornost
može prostije izračunati pomoću izraza:
n  4.596  1015 N D 1 ;  p  1.263  1016 N A 1 . (16)
Veoma važno je istaći da se komponente snage u principu izrađuju na supstratu n-tipa, a razlog
leži u činjenici da elektroni imaju znatno veću pokretljivost od šupljina, što znači da se ista
specifična otpornost može postići nižim nivoom dopiranja koje obezbeđuje viši probojni napon.

7
Vreme života nosilaca

Koncentracije elektrona i šupljina u poluprovodniku u uslovima termičke ravnoteže se ne

menjaju, što znači da postoji ravnoteža između generacije slobodnih nosilaca i rekombinacije
parova elektron-šupljina. Svaki spoljni stimulans (promena jačine električnog polja ili
temperature, izlaganje svetlosti ili nekom drugom vidu elektromagnetnog zračenja, itd.), koji u
određenoj oblasti poluprovodnika kreira višak slobodnih nosilaca, narušava ovu ravnotežu. Po
prestanku dejstva ovog spoljnog faktora, koncentracija viška kreiranih nosilaca opada i vraća se
na ravnotežnu vrednost. Vreme života slobodnih nosilaca, elektrona i šupljina, predstavlja meru
za trajanje ovog oporavka.
U principu, rekombinacija nosilaca može biti rezultat:
(1) prelaska elektrona direktno iz provodne zone u valentnu zonu,
(2) prelaska elektrona iz provodne zone, ili šupljine iz valentne zone, na energetski nivo
rekombinacionog centra u zabranjenoj zoni (energetske nivoe u zabranjenu zonu unose
defekti i atomi primesa, što znači da svi defekti kristalne rešetke i prisutne primese
predstavljaju potencijalne rekombinacione centre), i
(3) prelaska elektrona iz provodne zone, ili šupljine iz valentne zone, na energetski nivo
površinskog centra zahvata (defekat na površini).
Kada su u pitanju snažne komponente poželjno je, s jedne strane, dugo vreme života nosilaca
(jer to znači bolju provodnost i manju otpornost komponente u provodnom stanju), ali je, s druge
strane, često potrebno da vreme života bude što kraće, kako bi se nosioci brzo izrekombinovali i
komponenta što pre prevela iz provodnog u neprovodno stanje (zakočenje). Shodno tome,
zavisno od prioriteta koje nameće određena aplikacija (sposobnost provođenja velikih struja ili
brzina prekidanja), u proizvodnji komponenata snage teži se postizanju dužeg ili kraćeg vremena
života nosilaca. Pri tome, osnovni zahtevi koje treba da ispune tehnološki procesi su:
(1) izbeći nekontrolisano stvaranje rekombinacionih centara tokom visokotemperaturnih
procesa
(2) omogućiti kontrolisano smanjenje vremena života u željenim oblastima komponente (npr.
u bazi tranzistora) ubacivanjem rekombinacionih centara odgovarajuće koncentracije.

Tehnike za dobijanje dugog vremena života

U čistom silicijumu, vremena života elektrona i šupljina su reda veličine 1 ms, ali se tokom
procesiranja na visokim temperaturama generišu defekti u kristalu i unose metalne nečistoće (Fe,
Cu, Au, itd.), čime se generišu rekombinacioni centri koji značajno skraćuju vreme života.
Prema tome, da bi se održalo dugo vreme života, neophodno je izbeći kontaminaciju i smanjiti
koncentraciju defekata u kristalu.
Da bi se izbegla kontaminacija, u proizvodnji se koriste hemikalije veoma visoke čistoće
(tzv. electronic grade purity), a izvori za difuziju primesa, kvarcne cevi u kojima se vrše
visokotemperaturni procesi i lađice u koje se smeštaju Si pločice takođe moraju da budu veoma
čisti, kao i elokupan prostor u kome se vrši procesiranje komponenata.
Koncentracija defekata značajno se smanjuje ako se pločice nakon poslednjeg
visokotemperaturnog procesa u tehnološkom nizu hlade do sobne temperature veoma sporo, ne
brže od 1 oC/min. Osim toga, ukoliko je poslednji visokotemperaturni proces bila difuzija fosfora
ili bora, sporo hlađenje efikasno je i za uklanjanje nečistoća tzv. postupkom geterovanja. Naime,
tokom procesa difuzije na površini pločice formira se sloj fosforsilikatnog ili borsilikatnog
stakla, koje je nakon hlađenja neophodno ukloniti hemijskim putem (nagrizanje). Sporo hlađenje
nakon difuzije omogućava da metalne nečistoće difunduju do površine, gde formiraju jedinjenje
sa staklom ili se gomilaju neposredno ispod njega, a potonje nagrizanje površinskog sloja ih
definitivno uklanja iz pločice. Razvijen je i poseban postupak geterovanja koji se sastoji u tome
da se na jednoj od površina pločice brušenjem kreira mehaničko oštećenje; metalne nečistoće
tokom visokotemeperaturnog procesa brzo difunduju ka toj površini da popune vakancije
kreirane ispod oštećenog sloja, a površinski sloj se potom uklanja nagrizanjem.

8
 Navedene tehnike omogućavaju da se postigne vreme života nosilaca iznad 100 μs, što je od
posebnog značaja kod snažnih visokonaponskih tiristora i dioda.

Tehnike za dobijanje kratkog vremena života

Komponente snage koje treba da rade na visokim frekvencijama moraju da imaju brz
oporavak i što kraće vreme isključenja, odnosno kratko vreme života nosilaca. Kao što je već
pomenuto, vreme života nosilaca može biti kontrolisano skraćeno unošenjem rekombinacionih
centara u određene oblasti poluprovodnika. Za to se uglavnom koriste dve tehnike:
(1) Difuzija metalnih primesa (najčešće Au ili Pt) neposredno pred nanošenje završnog sloja
metalizacije. Ova difuzija vrši se na temperaturi 800-1000 oC. Atomi zlata unose
energetske nivoe raspoređene blizu sredine zabranjene zone silicijuma i predstavljaju
veoma efikasne rekombinacione centre.
(2) Zračenje visokoenergetskim česticama (elektroni, protoni, α, γ) koje izmešta atome Si iz
njihovih regularnih pozicija i pri tom kreira defekte u kristalnoj rešeci (vakancije,
intersticije) koji deluju kao rekombinacioni centri.
Kod prve tehnike, osnovni problem predstavlja neuniformna raspodela difundovanih
primesa. Naime, koncentracija primesnih atoma prirodno je najveća neposredno ispod površine
sa koje kreće difuzija i opada sa dubinom, a osim toga, česta je i segregacija primesnih atoma
koja se javlja usled njihove tendencije da se tokom difuzije grupišu u pojedinim oblastima
poluprovodnika, npr. oko nekog defekta u kristalu.
S druge strane, tehnika zračenja omogućava da se raspodela defekata, odnosno njihov
položaj i gustina, kontrolišu relativno lako podešavanjem energije čestica. Zračenje protonima i
α česticama ne isplati se zbog visoke cene opreme, a i γ zračenje, iako prodire veoma duboko,
retko se koristi za ovu namenu zato što može da ošteti površinu p-n spoja i degradira njegovu
inverznu karakteristiku. Stoga je za ovu tehniku najprihvatljivije i najviše se koristi zračenje
snopom elektrona, koje uz prihvatljivu cenu karakteriše i odlična reproduktivnost. Tehnika
zračenja takođe ima nedostatak, a to je nestabilnost kreiranih defekata (mogu da se odžare). Da
bi se dobila relativno stabilna koncentracija defekata, nakon zračenja vrši se niskotemperaturno
žarenje Si pločica na 250-300 oC u trajanju od nekoliko sati.

9
 PROBOJNI NAPON

Inverzni napon na p-n spoju ne može se povećavati neograničeno jer pri određenoj vrednosti
napona počinje nagli porast inverzne struje, što je pojava koju nazivamo probojem p-n spoja.
Proboj može nastati usled tunelskog efekta, odnosno usled neposrednog prelaska elektrona iz
valentne u provodnu zonu pod uticajem električnog polja (Zener-ov proboj). Drugi uzrok proboja
p-n spoja može biti umnožavanje (multiplikacija) nosilaca usled jakog električnog polja (lavinski
proboj). Najzad, proboj može da se javi i usled nekontrolisanog povećanja temperature spoja
koja nastaje usled prevelike disipacije na inverzno polarisanom spoju (termički ili sekundarni
proboj) koji u principu dovodi do katastrofalnog otkaza komponente.
Inače, probojni napon je jedna od najvažnijih karakteristika snažnih komponenata, a njegova
vrednost kreće se od oko 25 V kod brzih ispravljačkih dioda u prekidačkim izvorima napajanja
za integrisana kola, pa do preko 6 kV kod snažnih tiristora koji se koriste u visokonaponskim
prenosnim mrežama.

Lavinski proboj
Lavinski proboj nastaje udarnom jonizacijom atoma poluprovodnika koju izazivaju nosioci
naelektrisanja u prelaznoj (osiromašenoj) oblasti p-n spoja krećući se pod dejstvom jakog
električnog polja. Na sl. 1 ilustrovana je oblast osiromašenja inverzno polarisanog p-n spoja.

Sl. 1: Oblast osiromašenja inverzno

polarisanog p-n spoja.

Pri nižim naponima inverzne polarizacije, električno polje veoma brzo pokupi svaki elektron
ili šupljinu koji se pojave u oblasti osiromašenja, bilo da su ovi nosioci nastali usled procesa
generacije ili pristigli difuzijom iz susednih kvazineutralnih oblasti. Međutim, povećavanjem
inverznog napona na spoju, ovi nosioci dobijaju na brzini (raste im kinetička energija), a pri
poljima većim od približno 105 V/cm, pokretni nosioci dostižu tzv. driftovsku brzinu zasićenja
(oko 107 cm/s). Ukoliko i dalje povećavamo napon (tj. polje), kinetička energija slobodnog
elektrona ili šupljine izjednačava se ili postaje veća od jonizacione energije atoma u rešeci
kristala. Slobodni nosioc koji poseduje ovako visoku kinetičku energiju neminovno se na kraju
svog slobodnog puta kroz rešetku sudara sa atomom kristalne rešetke i vrši njegovu jonizaciju.
Pri tome se u provodnoj zoni poluprovodnika formira dodatni slobodan elektron, a u valentnoj
zoni šupljina. Ovaj proces generacije parova elektron-šupljina naziva se udarnom jonizacijom.
Parovi elektron-šupljina koji su ovako kreirani takođe se uključuju u proces udarne jonizacije
proizvodeći nove parove elektron-šupljina, što može da dovede do tzv. lavinske multiplikacije
kojom se brzo formira veliki broj novih parova, a struja kroz spoj naglo poraste. Veličina koju
nazivamo faktorom multiplikacije nosilaca (M) tada teži beskonačno velikoj vrednosti, nastupa
lavinski proboj, a napon na spoju ne može više da se povećava.
U cilju bližeg razmatranja procesa, korisno je definisati veličine koje nazivamo
koeficijentima udarne jonizacije elektrona i šupljina, n i p, pri čemu je:
 n  a n exp( bn / E ) ,  p  a p exp( b p / E) , (1)

11
gde su an,p i bn,p konstante, a E jačina električnog polja. Koeficijenti udarne jonizacije, dakle, u
velikoj meri zavise od jačine električnog polja, a u mnogim slučajevima njihova vrednost se
može aproksimativno uzeti da iznosi:
 n   p    1.8  10 35 E 7 . (2)
Da bi bilo moguće izračunati vrednost lavinskog probojnog napona neophodno je odrediti
uslov pri kome brzina udarne jonizacije postaje beskonačno velika. Ne ulazeći u dublju analizu,
može se pokazati da je faktor multiplikacije nosilaca na rastojanju x od spoja dat izrazom:
x 
exp   ( n   p )dx
M ( x)  0  , (3)
W
 x

1    p exp   ( n   p )dx dx
0 0 
gde je W širina oblasti osiromašenja. Imajući u vidu da lavinski proboj nastupa kada M   (tj.
kada je imenilac u izrazu na desnoj strani gornje jednakosti jednak nuli), dolazimo do uslova za
nastanak proboja:
W
x 
0  p exp 
0
 ( n   p ) dx  dx =1.

(4)

Izraz na levoj strani jednakosti (4) poznat je pod nazivom jonizacioni integral, a korišćenjem
aproksimativne vrednosti za jonizacione koeficijente n i p (2), izraz (4) uprošćava se na:
W

  dx  1.
0
(5)

Do vrednosti kritičnog električnog polja pri kome nastupa proboj, a time i do vrednosti
probojnog napona se, u opštem slučaju, dolazi izračunavanjem jonizacionog integrala (4) ili (5) u
zatvorenom obliku (analitički, ako je uopšte moguće) ili numeričkim metodima, pri čemu je
potrebno poznavati raspodelu električnog polja u oblasti osiromašenja bez obzira koji od dva
izraza se koristi. Međutim, kada su u pitanju snažne komponente, od kojih mnoge u svojoj
strukturi iz određenih razloga sadrže i dodatne parazitne tranzistorske strukture, izračunavanje
jonizacionog integrala najčešće nije dovoljno da bi se odredio probojni napon. U tim
slučajevima, u analizu je neophodno uključiti i strujno pojačanje parazitnih struktura, što zahteva
da se računa i faktor multiplikacije M. Veza između faktora multiplikacije i primenjenog
inverznog napona data je izrazima:
1
Mn  (za p+-n spoj) i (6)
1  (V / VBR ) 4
1
Mp  (za n+-p spoj), ili (7)
1  (V / VBR ) 6
1
u opštem slučaju: M  (8)
1  (V / VBR ) 
gde je V vrednost primenjenog inverznog napona, VBR vrednost lavinskog probojnog napona, a
3 < κ < 6 zavisno od polaznog materijala i tehnologije.
U daljem tekstu ilustrovani su neki karakteristični slučajevi p-n spojeva, navedena Poisson-
ova jednačina i izrazi za raspodelu električnog polja i potencijala u oblasti osiromašenja za dati
slučaj, a navedeni su i odgovarajući izrazi za probojni napon dobijeni rešavanjem jonizacionog
integrala u slučajevima u kojima je to moguće.

12
 Dioda sa strmim (skokovitim) p-n prelazom

Sl. 2: Raspodele prostornog naelektrisanja, el. Sl. 3: Lavinski probojni napon i odgovarajuća
polja i potencijala u slučaju strmog p-n spoja. širina oblasti osiromašenja strmog p-n spoja.

d 2V dE Q( x) qN A
Poisson- ova jednačina:   
dx 2
dx s s

qN A qN A x2 2 sVa 2qN A
E ( x)  (W  x) , V ( x)  (Wx  ), W  , Em  Va
s s 2 qN A s

Rešavanjem jonizacionog integrala za datu raspodelu polja: VBR  5.34  10 13 N A3 / 4 (9)

Dioda sa linearnim p-n prelazom

Q( x)   qax , a – nagib (konstanta linearnosti)

p-n spoja

d 2V dE Q( x) qax
  
dx 2
dx s s
qa qa
E ( x)  (W 2  x 2 ) Em  W2
2 s s
1/ 3
qa x 3 W 2 x W 3  3 V 
V ( x)  (   ) W   s a 
s 6 2 3  qa 

VBR  9.2  10 9 a 2 / 5 (10)

Sl. 4: Raspodele prostornog nelektrisanja, električnog polja i potencijala u slučaju linearnog p-n spoja.

13
 Punch-through dioda
U slučaju tzv. punch-through strukture, nivo dopiranja p- bazne oblasti niži je nego kod
„normalne” p-n diode, prelazna oblast prostire se kroz celu p-, ali se ne širi dalje kroz p+ oblast.
Zbog niskog nivoa dopiranja p- oblasti, električno polje opada znatno sporije nego kod
„normalnog” p-n spoja, kao što je na slici koja prikazuje raspodelu polja nacrtano isprekidanom
linijom. Pošto je probojni napon određen površinom ispod linije koja opisuje zavisnost polja,
jasno je da se isti probojni napon kod dve strukture (punch-through i „normalne”) može postići
izjednačavanjem šrafiranih površina. Ovim je praktično pokazano da je za postizanje željenog
probojnog napona kod punch-through strukture potrebna uža bazna oblast nego kod normalne
strukture. Na primer, za probojni napon od 1000 V, normalna dioda morala bi da ima širinu baze
od barem 90 m, dok je u slučaju punch-through strukture sa nivoom dopiranja od 1014 cm-3
sasvim dovoljno da baza bude široka oko 50 m. Ovo svojstvo punch-through strukture
predstavlja značajnu prednost za primenu kod bipolarnih komponenata, i to ne samo u pogledu
provođenja struje nego i u tehnološkom smislu.

Sl. 5: Raspodela električnog polja i profil primesa Sl. 6: Lavinski probojni napon kod punch-through
kod normalnog i punch-through p-n spoja. diode.

2
1 1 N ApW p
E ( x) 
qN A
(W  x) VBR( PT )  ( Ec  E1 )W p ,  VBR( PT )  EcW p  (11)
s 2 2 s

Difundovana dioda

Tehnološki je gotovo nemoguće dobiti idealno strme ili linearne p-n spojeve. Izrada p-n
spojeva kod savremenih poluprovodničkih komponenata vrši se procesom difuzije primesa na
visokoj temperaturi ili se željene primese unose u površinski sloj procesom jonske implantacije,
nakon čega takođe sledi temperaturni tretman radi relaksacije kristala i redistribucije (takođe
difuzija) unetih primesa. Tipičan profil primesa u slučaju ovih realnih, difundovanih p-n spojeva,
ilustrovan je na sl. 7, a ovakav profil mogao bi se, u zavisnosti od nagiba date krive i dubine
spoja, u nekim slučajevima aproksimirati strmim a u nekim linearnim spojem. Realno, kada se
dopiranje vrši pod uslovima konstantne koncentracije primesa na površini poluprovodnika, profil

14
primesa dobija oblik komplementarne funkcije greške (izraz 12), dok u slučaju implantacije
praćene redistribucijom na povišenoj temperaturi, profil primesa ima oblik Gauss-ove funkcije
(izraz 13). Bez obzira koja od ove dve funkcije je u pitanju, ne može se doći do analitičkog
rešenja za jonizacioni integral. Lavinski probojni napon je stoga moguće izračunati samo
numeričkim postupcima, a tipične zavisnosti probojnog napona od dubine spoja i koncentracije
primesa prikazane su na sl. 8.

N ( x)  N 0 erfc( x / d )  N B (12)

x2
N ( x)  N 0 exp(  )  NB (13)
d2

Sl. 7: Profil primesa kod difundovanog spoja. Sl. 8: Lavinski probojni napon difundovanog spoja.

Ivični efekti i proboj

Svi p-n spojevi u dosadašnjem razmatranju smatrani su polubeskonačnim (spoj sa paralelnim
ravnima), pri čemu nisu uzimani u obzir ivični efekti. Međutim, zbog zakrivljenosti oblasti
osiromašenja na završecima p-n spoja dolazi do smanjenja probojnog napon u odnosu na idealnu
vrednost izračunatu za polubeskonačni spoj, a ukoliko je završetak spoja loše izveden, realna
vrednost probojnog napona može da padne i na svega 10-20% od idealne. Kao što ilustruju sl. 9 i

Sl. 9: Gomilanje linija el. polja duž ivice Sl. 10: Planarni spoj formiran difuzijom kroz
difuzionog cilindričnog spoja. pravougaoni otvor za difuziju.

15
10, planarni spoj dobijen difuzijom kroz pravougaoni otvor duž ivica dobija cilindrični, a u
rogljevima sferni oblik. Kao posledica, duž ivica spoja, a naročito u rogljevima, dolazi do
gomilanja linija električnog polja, tako da je polje u tim delovima mnogo veće nego u najvećoj,
planarnoj oblasti spoja. Samim tim, proboj u ovim perifernim delovima spoja nastupa pri znatno
nižem naponu nego u planarnom delu spoja. U smislu probojnog napona naročito su nepoželjni
sferni spojevi; stoga su ugaoni delovi maski za difuziju zaobljeni da bi sferni spojevi bili
izbegnuti koliko je to moguće. Izraz za maksimalno polje može se napisati u obliku:
qN A rd  r j
2 2

E m (r j )  za cilindrični, odnosno (14)

2 s rj
qN A rd  r j
3 3

E m (r j )  za sferni spoj, (15)

3 s r j2
gde je NA koncentracija primesa u slabije dopiranoj p-oblasti spoja, rj radijus (poluprečnik
krivine) samog p-n spoja, a rd radijus oblasti osiromašenja u slabije dopiranoj oblasti spoja. Kao
što se može videti na sl. 11, realni probojni napon sfernog spoja je skoro dva puta niži od
probojnog napona cilindričnog p-n spoja. Iz prethodnog izlaganja jasno je da je lavinski probojni

Sl. 11: Normalizovani probojni napon cilindričnog i sfernog Sl. 12: Gomilanje linija električnog polja duž ivica
spoja u funkciji normalizovanog poluprečnika krivine. (a) plitkog i (b) dubokog spoja.

napon realnog planarnog difundovanog spoja obavezno niži nego u slučaju idealnog
polubeskonačnog spoja. Sa porastom poluprečnika krivine (odnosno dubine spoja), probojni
napon raste i približava se vrednosti koju bi imao u slučaju polubeskonačnog planparalelnog
spoja. Ovo ilustruje sl. 12 na kojoj se može videti da je efekat gomilanja linija polja manje
izražen kod dubljeg p-n spoja.

Metodi za smanjenje ivičnih efekata i povećanje probojnog napona p-n spoja

Postoji čitav niz tehnoloških metoda kojima je moguće redukovati uticaj ivičnih efekata,
odnosno smanjiti maksimalno električno polje u oblasti osiromašenja na završecima spojeva, a
time i povećati realnu vrednost lavinskog probojnog napona planarnog difundovanog p-n spoja.
Neki od tih metoda ilustrovani su u daljem tekstu.

16
 1. Plivajući prstenovi

Ovo je elegantan način za smanjenje jačine električnog polja duž ivica spoja. Ilustracija je
data na sl. 13, a sam izraz „plivajući prsten“ koristi se zbog činjenice da se odnosi na difuzionu
oblast koja je izolovana od glavnog spoja, ali ga potpuno okružuje. Plivajući prsten formira se
difuzijom istovremeno kad i oblast glavnog spoja, tako da je i dubina oba spoja koji se pri tom
formiraju ista. Ako je prsten dovoljno blizu glavnog spoja, dovođenjem negativnog napona na
glavni spoj njegova oblast osiromašenja se širi i, već pri relativno niskom naponu doseže do
oblasti prstena (punch-through), nakon čega potencijal prstena počinje da raste sa porastom
potencijala glavnog spoja. Stoga se oblast osiromašenja širi oko prstena, razvlačeći linije polja i
smanjujući njegovu vrednost oko ivica glavnog spoja, tj. polje se preraspodeljuje i u oblast oko
prstena. Za efikasnost ovakvog dejstva plivajućeg prstena veoma je bitno rastojanje od glavnog
spoja: ako je prsten predaleko, imaće mali uticaj na zakrivljenost oblasti osiromašenja oko
glavnog spoja, a ukoliko je previše blizu, onda će njegov potencijal biti skoro isti kao i potencijal
glavnog spoja, pa će proboj nastupiti na samom prstenu pri gotovo istom naponu pri kome bi
nastupio na glavnom spoju i bez prstena. Stoga je veoma značajno odrediti optimalno rastojanje
prstena od spoja (sl. 14) da bi se postiglo povećanje probojnog napona kao što je ilustrovano na
sl. 15. Osim toga, važna je i širina plivajućeg prstena; kao što pokazuje sl. 16, isuviše uzan prsten
gotovo da ne menja poluprečnik krivine oblasti osiromašenja oko glavnog spoja.
Koncept koji podrazumeva primenu plivajućih prstenova je najčešće korišćen metod kod
komponenata predviđenih za rad pri nižim i srednjim probojnim naponima, kao što je npr. MOS
tranzistor snage. Često se, da bi zakrivljenost oblasti osiromašenja oko glavnog spoja bila što
više smanjena, oko glavnog spoja formira ne jedan, već više koncentričnih plivajućih prstenova
koji postepeno razvlače potencijal na znatno širu oblast poluprovodnika (sl. 17).

Sl. 13: Ilustracija plivajućeg prstena i njegovog uticaja na raspodelu električnog polja u oblasti osiromašenja.

Sl. 14: Zavisnost probojnog napona od udaljenosti Sl. 15: Poređenje probojnog napona kod spoja sa plivajućim
plivajućeg prstena. prstenom (optim. udaljenim) u odnosu na spoj bez prstena.

17
Sl. 16: Efekat širine plivajućeg prstena na Sl. 17: Višestruki plivajući prstenovi.
radijus oblasti osiromašenja p-n spoja.

2. Ugaono brušenje/poliranje p-n spoja

Tehnika plivajućih prstenova nije primenljiva kod komponenata čiji se p-n spojevi prostiru
do same ivice čipa (peleta), kao što su snažni tiristori. S obzirom da se spoj prostire skroz do
površine bočne stranice, ta površina mora da bude pokrivena odgovarajućim pasivizirajućim
slojem kako bi bio izbegnut prevremen površinski proboj spoja. Međutim, ovde je važno istaći
da je ustanovljeno da veličina probojnog napona zavisi i od ugla pod kojim je pelete sečen,
odnosno da probojni napon može biti povećan ako se, nakon sečenja pod pravim uglom (koje je
najjednostavnije), završetak peleta brusi/polira do dobijanja odgovarajućeg kosog ugla. Na sl. 18
dati su primeri tzv. pozitivno i negativno brušenog ivičnog (završnog) dela spoja. Po usvojenoj

(a) (b)
Sl. 18: Ilustracija (a) pozitivno i (b) negativno brušenog/poliranog završetka p-n spoja.

nomenklaturi, pozitivno brušen spoj je onaj kod koga se, polazeći od jače dopirane strane, oblast
spoja sužava ka slabije dopiranoj strani spoja (kod negativno brušenog je obrnuto, tj. oblast spoja
širi se ka slabije dopiranoj strani). U slučaju pozitivno brušenog spoja, s obzirom da je brušenjem
praktično uklonjen značajan deo naelektrisanja iz dela oblasti osiromašenja na slabije dopiranoj
strani spoja, oblast osiromašenja blizu završetka spoja se širi od spoja ka dubini poluprovodnika
kako bi i u tom ivičnom delu pn spoja bila održana elektroneutralnost (ukupna količina
pozitivnog naelektrisanja u oblasti osiromašenja na n-strani spoja mora biti jednaka ukupnoj
količini negativnog naelektrisanja u oblasti osiromašenja na p-strani spoja). Kao što je pokazano
na slici, ovo širenje oblasti osiromašenja na slabije dopiranoj strani dovodi do smanjenja
gomilanja linija električnog polja, a time i do povećanja probojnog napona. Nasuprot tome, kod
negativno brušenog spoja zapaža se suprotan efekat (sužavanje oblasti osiromašenja na slabije
dopiranoj strani), tako da negativno brušenje u opštem slučaju proizvodi negativan efekat na
veličinu probojnog napona. Ipak, kao što je pokazano na sl. 19, gomilanje linija polja može se

18
smanjiti i negativnim brušenjem, ali ovo brušenje mora da bude izvedeno vrlo plitko, odnosno
pod velikim uglom. Plitkim brušenjem se, međutim, drastično povećava površina komponente i
utrošak kristala, što nije poželjno.

Sl. 19: Plitko negativno brušenje/poliranje spoja.

3. Konturno nagrizanje

Umesto brušenja i/ili poliranja, završetak spoja pod nekim kosim uglom može se, i to znatno
preciznije i sa mnogo manje površinskih defekata, dobiti i putem nagrizanja. Nagrizanje može
biti mokro hemijsko ili suvo (plazma) nagrizanje. Mokro nagrizanje vrši se u rastvoru koji sadži
mešavinu azotne, fluorovodonične i sirćetne kiseline i čiste dejonizovane vode, a suvo u tzv.
plazma reaktorima u kojima se površina koju želimo da nagrizamo izlaže dejstvu jona reaktivnih
gasova. Nagrizanje se uobičajeno koristi za razdvajanje komponenata na peletu (sl. 20), ali se
nagrizanjem mogu efikasno dobiti i završeci spoja pod željenim uglom, slično kao brušenjem
(sl. 21). Značajna prednost u odnosu na brušenje je što se nagrizanje može koristiti ne samo u
slučaju ravnih (plan-paralelnih) nego i planarnih difundovanih spojeva.

Sl. 20: Razdvajanje komponenata nagrizanjem. Sl. 21: Pozitivno ugaono nagrizanje (a) ravnog i
planarnog difundovanog p-n spoja.

19
 4. Produžavanje završetka p-n spoja

Povećanje probojnog napona kod prethodna dva metoda postiže se uklanjanjem materijala (a
time i naelektrisanja) sa slabije ili jače dopirane strane spoja. Sličan efekat može se postići i
suprotnim postupkom, odnosno dodavanjem precizno kontrolisane količine naelektrisanja u
blizini površine spoja. Ovaj postupak, koji se naziva produženje završetka spoja (junction
termination extension), može se precizno izvršiti jonskom implantacijom, a da bi se dobio visok
probojni napon količina unetog naelektrisanja ne sme biti ni preniska (jer onda je efekat
zanemarljiv, a maksimalno polje ostaje u blizini tačke A na sl. 22) ni previsoka (maksimalno
polje se onda samo pomera duž spoja i javlja u blizini tačke B). Da bi se postiglo smanjenje
električnog polja i porast probojnog napona, potrebno je da količina unetog naelektrisanja bude
tolika da pod inverznom polarizacijom cela implantirana oblast bude potpuno osiromašena.
Ustanovljeno je da se to postiže kada količina naelektrisanja unetog implantacijom iznosi 60-
80% od vrednosti dobijene množenjem dielektrične konstante silicijuma i maksimalnog
električnog polja pri proboju idealnog ravnog spoja. Ako se unese ova optimalna količina
naelektrisanja, može se postići probojni napon čija se vrednost približava (do 95%) vrednosti
probojnog napona idealnog ravnog spoja.

Sl. 22: Metod produženja završetka spoja primenjen na

(a) ravan i (b) planarni difundovani p-n spoj.

Ovim metodom može se dakle postići da probojni

napon realnog spoja bude gotovo jednak
probojnom naponu polubeskonačnog idealnog
spoja. Međutim, postoje i značajni problem u
primeni: teško je odrediti optimalnu količinu
naelektrisanja (često se dešava da se polje ne
preraspodeli na željeni način, pa se ipak jave
maksimumi u okolini jedne od tačaka A ili B),
proces nije uniforman (što opet rezultira pojavom
lokalnih maksimuma polja), a dodatna implantacija
dovodi i do porasta struje curenja.

5. P-N spoj sa dodatnom MOS strukturom

Zakrivljenost oblasti osiromašenja može se kontrolisati promenom površinskog potencijala

na prost način tako što se preko oksida na ivici planarnog spoja formira metalna elektroda (gejt)
koja se polariše odgovarajućim jednosmernim naponom. Praktično, na ivici spoja dobija se MOS
struktura kao što ilustruje sl. 23. Za slučaj prikazan na slici, koji podrazumeva inverznu
polarizaciju samog spoja (znači negativan napon na elektrodi iznad p+ oblasti), ako se na
elektrodu MOS strukture dovede pozitivan napon, oblast osiromašenja krivi se ka spoju (slučaj
A), što nepovoljno utiče na raspodelu polja i probojni napon spoja. Ako je napon na elektrodi
MOS strukture jednak nuli, oblast osiromašenja ostaje nepromenjena (slučaj B), a ako se na
elektrodu MOS strukture dovede negativan napon, oblast osiromašenja se širi od spoja (slučaj
C), raspodela električnog polja se razvlači (što smanjuje njegovu jačinu u blizini spoja), tako da
se postižu viši probojni naponi. Ustanovljeno je da vrednost probojnog napona p-n spoja zavisi
od napona primenjenog na elektrodu MOS strukture, tj. VB=mVG + c (m  1 za tanak oksid). S

20
obzirom da se najpovoljniji slučaj javlja kad se polarizacija spoja i MOS strukture poklapaju
(obe su negativne), proizilazi da se isti efekat može postići na još jednostavniji način tako što se
metalizacija spoja jednostavno produži da pokrije i deo oksida, kao što pokazuje sl. 24.

Sl. 23: Planarni p-n spoj sa dodatnom MOS strukturom. Sl. 24: Planarni spoj sa produženom metalizacijom.

Kao i kod ostalih metoda, i ovde postoji problem, a to je pojava jakog lokalnog polja ispod
oštrih ivica elektrode (stepenik). Rešenje bi se moglo naći u eliminisanju stepenika, tako što bi
bio napravljen kosi oksid čija se debljina postepeno povećava od spoja, ali je ovo nepraktično i
tehnološki teško izvodljivo. Jednostavnije i mnogo efektnije rešenje je kombinacija dve tehnike u
kojoj se primenjuju i plivajući prstenovi i dodatna MOS struktura, što je prikazano na sl. 25.

Sl. 25: Završetak planarnog p-n spoja izveden primenom plivajućih prstenova i dodatne MOS strukture.

Proboj bipolarnog tranzistora sa otvorenom bazom

U dosadašnjem razmatranju opisani su metodi za povećanje probojnog napona realnih p-n
spojeva kako bi se dostigla vrednost što bliža probojnom naponu polubeskonačnog spoja.
Međutim, mnoge komponente snage, pre svega snažni tiristori, pa i snažni MOS tranzistor, u
svojoj strukturi sadrže dva p-n spoja postavljena leđa-u-leđa, sa zajedničkom plivajućom oblašću
u sredini. Kod ovih komponenata, maksimalni probojni napon ograničen je probojem parazitne
tranzistorske (PNP ili NPN) strukture. Ilustracija jedne takve PNP strukture prikazana je, kao
umetak, u gornjem desnom delu slike 26. Ovo je tzv. tranzistorska struktura sa otvorenom
bazom, pri čemu ćemo smatrati da je emitorski spoj polarisan direktno, a kolektorski inverzno.
Ako je širina baze (N-oblast) veća od širine oblasti osiromašenja kolektorskog spoja, onda je
probojni napon kolektorskog spoja (a time i cele PNP strukture) ograničen lavinskim probojem
koji će se, kao što je ranije već pomenuto, javiti kad bude ispunjen uslov da faktor multiplikacije
teži beskonačnosti. Međutim, ako je baza vrlo uska, može se desiti da se oblast osiromašenja
proširi kroz celu baznu oblast čak i pri inverznom naponu na kolektoru koji je niži od lavinskog
21
 Sl. 26: Probojni napon tranzistorske strukture sa otvorenom bazom.

probojnog napona. To znači da se, pre nego što dođe do lavinskog proboja, javlja zv. punch-
through proboj (proboj prodiranjem). U tom slučaju, oblast osiromašenja inverzno polarisanog
kolektorskog spoja širi se kroz celu bazu, skroz do emitorskog spoja. Pod pretpostavkom da se
radi o strmom spoju, punch-through probojni napon dat je kao:
qN D 2
VPT  Wn . (16)
2 s
Prema tome, zavisno od nivoa dopiranja i širine baze, probojni napon tranzistorske strukture
sa otvorenom bazom može biti ograničen lavinskim ili punch-through probojem, a njegova
maksimalna vrednost se, u slučaju optimalno podešenih parametara komponente (nivo dopiranja
i širina baze), teorijski nalazi u preseku krivih koje opisuju lavinski i punch-through efekat (pune
linije na sl. 26). Međutim, u praksi nije moguće dostići ovaj maksimalni probojni napon zbog
toga što difuziona dužina manjinskih nosilaca u bazi ima konačnu vrednost. Do proboja u stvari
dolazi u trenutku kad je ispunjen uslov da proizvod faktora multiplikacije M i transportnog
faktora baze T bude jednak jedinici:
1
M p T  1, T  , (17)
cosh( l / L p )
gde je l širina neosiromašenog dela baze, a L p  D p p difuziona dužina za šupljine u bazi.
Izračunavanjem probojnog napona na osnovu prethodnog uslova, za različite širine baze dobijaju
se zavisnosti probojnog napona prikazane isprekidanim linijama na sl. 26. Da bi se postigla viša
vrednost probojnog napona, potrebna je mala vrednost difuzione dužine, odnosno kratko vreme
života manjinskih nosilaca u bazi. Međutim, treba imati u vidu da kratko vreme života degradira
provodne karakteristike tranzistora u direktu, pa je potrebno naći kompromis.
U svakom slučaju, prisustvo dva p-n spoja leđa-u-leđa nameće potrebu da tranzistorska
struktura izdržava visoke napone pri obe vrste polarizacije, što znači da završeci oba spoja treba
da budu izvedeni na adekvatan način. S tim u vezi, moguće je izvesti tzv. negativno-pozitivno
zasecanje (brušenje, nagrizanje) ovakve strukture, kao što je prikazano na sl. 27. Oblast
osiromašenja kad je spoj J1 inverzno polarisan prikazana je isprekidanom linijom sa dužim
crticama, a kad je inverzno polarisan spoj J2 isprekidanom linijom s kraćim crticama. Bez obzira
na povoljan uticaj na probojni napon, pozitivno zasečena strana ne sme biti zasečena pod mnogo
22
malim uglom da se na ivici spoja ne bi javio punch-through, tj. da se oblast osiromašenja na ivici
ne bi proširila sve do drugog spoja. Tipično, uglovi pozitivnog zasecanja kreću se od 45 do 60o.
Negativno zasecanje vrši se plitko, pod veoma malim uglom (tipično 3o), pa je ova kombinacija
zasecanja, zbog velike površine koju zahteva, primenljiva samo na ”krupne” komponente, kao
što mogu da budu visokonaponski tiristori. Sa stanovišta utroška materijala, znatno je
ekonomičnije tzv. dvostruko pozitivno zasecanje, čija su dva primera ilustrovana na sl. 28: a)
kružno, dobijeno poliranjem, i b) kombinovano, po ivici dobijeno brušenjem-poliranjem, a po
sredini u obliku useka koji je dobijen peskarenjem kroz tanku cevčicu (diznu).

Sl. 27: Kombinacija negativnog i pozitivnog Sl. 28: Dvostruko pozitivno zasecanje: a) kružno
zasecanja završetaka PNP strukture. b) kombinovano sa usekom

Visokonaponska pasivizacija površine

Pasivizacija površine je veoma značajan deo tehnološkog procesa u izradi diskretnih
komponenata snage jer omogućava da ove komponente izdrže jaka površinska električna polja.
Osim toga, površinsko naelektrisanje indukovano usled prisustva pasivizirajućeg materijala
može jako da utiče na raspodelu električnog polja unutar komponente. Najčešći vidovi
pasiviziranja površine su:
1) Prevlačenje slojem nekog od organskih polimera; proces se vrši tako što se, nakon
brušenja/poliranja površine pod uglom i hemijskog nagrizanja površinskih defekata, na površinu
nanosi sloj polyimid-a u rastvoru dimethylacetamid-a, koji se zatim “peče” na 250oC u atmosferi
azota. Ova tehnika pasivizacije koristi se za komponente čiji probojni napon premašuje čak i
5000 V.
2) Termička oksidacija površine (SiO2) u trajanju od dva sata na 800oC, sporo hlađenje, a
potom nanošenje sloja silicijumnitrida (Si3N4) CVD postupkom. Uloga Si3N4 je da spreči
prodiranje vlage i migraciju jona. Tehnika se uspešno koristi za površinsku pasivizaciju
komponenata sa probojnim naponom do 3000 V, a može se koristiti i za pasivizaciju planarnih
pn spojeva. Međutim, bolji rezultat kod planarnih spojeva postiže se ako se izvrši njihovo 
23
 3) Prevlačenje poluizolatorskim slojem polikristalnog Si (SIPOS). Polikristalni Si slojevi
visoke otpornosti mogu se dobiti ako se tokom depozicije silicijuma dodaju kiseonik ili azot.
Poređenja radi, specifična otpornost ovako dobijenog poli-Si iznosi oko 1010 cm, dok je za
monokristalni Si ona 105 cm, a za SiO2 1014 cm. Pošto SIPOS, bilo da je dopiran kiseonikom
ili azotom, ipak ima manju otpornost od SiO2, problem predstavljaju struje curenja. SIPOS
dopiran kiseonikom je u tom pogledu bolji i ima bolja pasivizirajuća svojstva, ali nije otporan na
vlagu i jonsku kontaminaciju, pa se zato preko njega nanosi tanak sloj SIPOS-a dopiranog
azotom. Povrh svega, nanosi se i sloj SiO2 koji povećava dielektričnu čvrstoću celog
dielektričnog sloja. Ova tehnika uspešno se koristi za površinsku pasivizaciju snažnih bipolarnih
tranzistora sa probojnim naponima kolektorskog spoja čak i do 10000 V.

Termički (sekundarni) proboj

Termički proboj nastaje kao rezultat porasta temperature usled proticanja struje velike
gustine kroz inverzno polarisan p-n spoj.
Disipirana snaga na spoju po jedinici površine je:
Pj  VR  J R . (18)

Pošto se inverzna struja sastoji iz difuzione komponente (Jdif  ni) i generacione komponente
(Jgen  ni2), pri čemu je ni  exp(-Eg/2kTj), može se pokazati da je:
E g 3 E g
Pj  VR  [ A1T j3 exp(  )  A2T j 2 exp(  )] , (19)
kTj 2kTj
gde je Tj temperatura spoja, dok su A1 i A2 parametri koji zavise od geometrije i površine spoja,
nivoa dopiranja i vremena života nosilaca.
Toplota generisana usled disipacije na spoju odvodi se u spoljnu sredinu (ambijent), pri čemu
je iznos odvedene toplote dat izrazom:
T j  TA
PA  , (20)
RthjA
gde je TA temperatura ambijenta, a RthjA termička otpornost između spoja i spoljne sredine. U
uslovima stabilnog rada komponente, celokupna toplota generisana na spoju odvodi se u spoljnu
sredinu, tj. Pj = PA. Izjednačavanjem desnih strana izraza (19) i (20) može se izračunati
temperatura spoja, a grafičko rešavanje ovog problema ilustrovano je na sl. 29. Kao što se može
videti, u opštem slučaju postoje dva rešenja. U pogledu termičkog balansa, stabilno rešenje je u
tački 1. Rešenje predstavljeno tačkom 2 je nestabilno jer ako temperatura na spoju poraste makar

Sl. 29: Grafičko određivanje temperature

spoja na osnovu izraza (19) i (20).

24
i neznatno iznad Tcrit, toplota koja se generiše na spoju (Pj) raste brže od one koja se sa spoja
odvodi (PA), što dovodi do pojave koja se može nazvati termički zamor (thermal runaway), a
time i do termičkog proboja. Prema tome, za termičku stabilnost spoja neophodno je da bude
ispunjen uslov:
Pj PA
 . (21)
T j T j
Inače, simultano rešavanje izraza (19) i (20) je komplikovano, a rešenje postoji samo ukoliko je
nagib prave predstavljene izrazom (20) veći od neke kritične vrednosti (da bi ova prava presekla
ili makar dodirnula krivu predstavljenu izrazom 19), odnosno ukoliko je termička otpornost RthjA
manja od odgovarajuće kritične vrednosti.
Treba imati u vidu da se termički proboj gotovo uvek javlja lokalno, a ne u celoj oblasti
spoja. Naime, pretpostavimo da iz nekog razloga (npr. zbog neuniformne raspodele primesa i
nešto veće specifične otpornosti, postojanja defekata kao što su dislokacije ili zbog mehaničkog
naprezanja) temperatura na nekom delu spoja poraste. Ako je taj porast temperature relativno
mali, doći će do stabilizacije procesa jer u tom delu spoja raste i otpornost koja dovodi do
smanjenja struje kroz inverzno polarisan spoj. Ovo će se dešavati sve dok porast temperature
dovodi do opadanja pokretljivosti, a ne i do značajnog porasta koncentracije nosilaca. Međutim,
ukoliko temperatura lokalno poraste iznad Tcrit pri kojoj je specifična otpornost maksimalna,
počinje da dominira porast koncentracije nosilaca, specifična otpornost počinje da pada, a
lokalna gustina struje da raste. Usled toga, temperatura u toj oblasti spoja počinje još brže da
raste (zato što je lokalno Pj>PA), povećavajući još više lokalnu gustinu struje, što izaziva dalje
kumulativno lokalno povećanje temperature na spoju. Sada je praktično sva struja kroz inverzno
polarisan spoj skoncentrisana u uzanu oblast (provodni kanal) visoke provodnosti i temperature.
Pod ovim uslovima, kristal se u toj oblasti ponaša kao sopstveni poluprovodnik i nalazi se u
stanju koje se naziva mezoplazma, a sva struja kroz spoj protiče u vidu uzanog strujnog vlakna
(current filament). Pojava mezoplazme dovodi do trajnog oštećenja spoja na tom mestu i
katastrofalnog otkaza komponente (ranije je ova pojava nazivana sekundarnim probojem), za
razliku od lavinskog proboja gde temperatura spoja sve vreme ostaje niža od kritične i spoj ostaje
neoštećen. Pri termičkom proboju, komponenta može biti oštećena na jedan od sledećih načina:
1) termički šok oštećuje kristal i izaziva naprsline
2) temperatura u oblasti mezoplazme može da nadvisi tačku topljenja eutektičke smeše
silicijuma i metala od koga je formiran kontakt, čime se uništava kontakt
3) temperatura u oblasti mezoplazme može da nadvisi tačku topljenja samog silicijuma,
čime se degradira kristal i praktično uništava spoj formiranjem trajnog provodnog kanala.
Na kraju, treba još jednom istaći da je za bezbedan rad komponente neophodno da uslov
termičke stabilnosti spoja dat izrazom (21) u svakom trenutku bude zadovoljen. Da bi se to
postiglo, u primeni komponenata snage gotovo je neophodno korišćenje odgovarajućih hladnjaka
čija je uloga da obezbede dovoljno odvođenje toplote i pri najoštrijim uslovima korišćenja
komponente.

25
 ELEKTRIČNI KONTAKTI
Dobar omski kontakt između metala i poluprovodnika je veoma bitan za pravilan i pouzdan
rad svih poluprovodničkih komponenata. Kada su u pitanju snažne komponente, uloga
električnih kontakata je da
- efikasno sprovedu električnu struju iz spoljnog kola u poluprovodnik
- efikasno odvedu disipiranu toplotu iz poluprovodnika u hladnjak.
Metal za kontakte treba da ispunjava niz uslova:
- da formira dobar omski kontakt sa silicijumom, što znači da kontakt mora da ima nisku
otpornost i visoku toplotnu provodnost
- da odlično prianja (ima dobru adheziju) za materijale kao što su Si, SiO2, poli-Si, fosfor-
silikatno staklo (PSG), bor-silikatno staklo (BSG)
- da je stabilan, otporan na koroziju i da ne pokazuje sklonost ka elektromigraciji
- da je kompatibilan sa fotolitografskim postupcima
- da se lako bondira (povezuje) za spoljašnje provodnike
- da nije skup.
Najčešće korišćene tehnike za nanošenje metalnih kontakata su: vakuumsko naparavanje,
hemijska depozicija, spaterovanje (katodno raspršivanje), legiranje.
Najčešće korišćen materijal za izradu električnih kontakata je legura aluminijuma sa 1-2% Si
(koji treba da spreči rastvaranje Si iz same komponente u metalu) i 3-5% Cu (koji treba da
smanji sklonost Al ka elektromigraciji) naneta vakuumskim naparavanjem ili spaterovanjem. U
slučaju snažnih komponenata, tipična debljina nanetog sloja ove legure je 10 m, a preko ove
legure, sekvencijalno se nanose metalni slojevi Ti-Ni-Au ili Ni-Au-Cu hemijskim putem iz
odgovarajućih rastvora. Nakon depozicije svih ovih slojeva, obavezno je odžarivanje na
600 - 700oC kako bi se u reakciji Al i Si formirao odgovarajući silicid koji obezbeđuje dobar
omski kontakt. Konačno, preko ovako formiranih metal-silicidnih i metalnih slojeva može se
naneti lemna legura (npr. Pb-Sn ili Pb-Zn) radi daljeg povezivanja sa spoljnim provodnicima.

26
 SNAŽNE DIODE

Diode igraju važnu ulogu u gotovo svim snažnim

elektronskim kolima, a njihova glavna primena jeste
ispravljanje naizmeničnog u jednosmerni napon. Izrađuju
se diode za struje od jednog pa do nekoliko hiljada ampera,
sa probojnim naponima od nekoliko desetina do nekoliko
hiljada volti. Osim što treba da kontinuirano provode struju
određene jačine, snažne diode treba da budu u stanju da
izdrže i kratkotrajne impulse veoma jakih struja.
Osnovni zahtevi koje treba da ispuni snažna dioda:
- blokiranje visokih inverznih napona u off-stanju
- mala otpornost, tj. mali pad napona VF u on-stanju
- brz prelazak iz on- u off-stanje i obrnuto (u nekim
aplikacijama).

Direktna polarizacija
S obzirom da su slabo dopirane n- i p- oblasti
ograničene n+ i p+ oblastima sa visokim koncentracijama
primesa (sl.1a), koncentracije elektrona injektovanih u p
oblast i šupljina injektovanih u n oblast pri direktnoj
polarizaciji diode mogu znatno da nadmaše ravnotežnu
koncentraciju većinskih nosilaca. Stoga se p+pnn+ dioda
ponaša kao običan p-n spoj samo pri malim strujama. Pri
većim strujama, analiza se uprošćava svođenjem na p-i-n
Sl. 1: Snažna dioda: a) poprečni presek diodu, što u većini slučajeva predstavlja zadovoljavajuću
b) profil primesa c) I-V karakteristika aproksimaciju. Pri tome se oblasti p i pogotovo n-, pošto su
slabo dopirane (znatno manje nego što iznose koncentracije
manjinskih nosilaca injektovanih iz p+ i n+ oblasti), mogu
tretirati kao sopstveni poluprovodnik. Epitaksijalna p--n
dioda (sl. 2) već sama po sebi odgovara ovoj strukturi. Pad
napona na direktno polarisanoj p-i-n diodi dat je kao:
VF  VP  V N  VI , (1)
Sl. 2: Epitaksijalna p--n dioda. gde je VP pad napona na p+-i spoju (i– od intrinsic), VN pad
napona na n+-i spoju, dok je VI odgovarajući pad napona na
celoj slabo dopiranoj “i” oblasti. Prve dve komponente napona menjaju se sa logaritmom gustine
struje, a njihov zbir može se napisati kao:
kT
VP  V N  K 0  ln J , (2)
q
gde je K0 konstanta zavisna od temperature i profila primesa, a vrednost parametra  zavisi od
gustine struje. Treći član (VI) u izrazu (1) ima komplikovanu zavisnost od gustine struje i širine
slabo dopirane “i” oblasti. Imajući sve ovo u vidu, pad napona na direktno polarisanoj p-i-n diodi
može se u principu predstaviti kao:
VF  K 0  K1 ln J  K 2 J m , (3)

27
pri čemu se vrednost parametra m kreće u granicama 0.6-0.8, dok su konstante K0, K1 i K2
funkcije temperature, vremena života elektrona i šupljina, kao i širine pojedinih oblasti diode i
koncentracije primesa u njima. U opštem slučaju, VF jako zavisi od vremena života injektovanih
manjinskih nosilaca i rastojanja između p+ i n+ oblasti (tj. širine slabo dopirane oblasti diode).
Inače, treba se podsetiti da se strujno-naponska karakteristika diode (sl. 3) predstavlja
eksponencijalnom funkcijom oblika:
V
I F  I S (exp F  1) . (4).
VT
U analizi kola, strujno-naponska karakteristika direktno
polarisane p-i-n diode aproksimira se pravom čiji je nagib
jednak recipročnoj vrednosti dinamičke otpornosti diode, a
koja naponsku osu seče u tački koja odgovara naponu
provođenja diode VTh. Inače, dinamička otpornost diode se
po definiciji određuje kao rd = dVF/dIF u radnoj tački.
Na sl. 1c data je I-V karakteristika direktno polarisane
p-i-n diode na sobnoj i povišenoj temperaturi. Porast
temperature ima dvojak uticaj na I-V karakteristiku; s jedne
Sl. 3: Definicija napona provođenja i strane, opada pokretljivost nosilaca, čime raste specifična
dinamičke otpornosti diode. otpornost, a time i napon VF. S druge strane, sa porastom
temperature istovremeno raste i vreme života nosilaca, što ima suprotan efekat na VF. Ovaj drugi
efekat je dominantan pri manjim vrednostima struje, a kao rezultat oba dejstva imamo da nagib
I-V karakteristike opada sa porastom temperature, odnosno da dinamička otpornost diode raste.

Inverzna polarizacija
Kod visokonaponskih snažnih dioda izrađenih u planarnoj difuzionoj tehnologiji p-n spoj se
obično formira barem 50 m ispod površine pločice. Zbog toga se difundovani spoj obično može
aproksimirati strmim prelazom iz p u n-oblast, a probojni napon određen je koncentracijom
primesa u slabije dopiranoj oblasti (u slučaju diode dobijene difuzijom akceptorskih primesa u
oblast n-tipa, slabije dopiranje je u n-oblasti). Ukoliko je širina cele n-oblasti veća od širine
oblasti osiromašenja pri inverznoj polarizaciji, probojni napon dat je izrazom:
 s 0 EB2
VB  , (5)
2qN D
gde EB=CND1/8 predstavlja kritično polje pri kome nastaje proboj. Za visok probojni napon je,
dakle, potrebna što niža koncentracija primesa u n-oblasti, ali niska koncentracija primesa
povećava otpornost. Stoga je, da bi bio postignut nizak pad napona u direktu VF, potrebno
sačuvati dugo vreme života nosilaca preduzimanjem odgovarajućih mera tokom procesiranja
(čistoća procesa, materijala, gasova i rastvora, sporo hlađenje posle visokotemperaturnih
procesa). Treba, međutim, imati u vidu da dugo vreme života nosilaca smanjuje brzinu rada, pa
između svih ovih suprotstavljenih zahteva treba naći odgovarajući kompromis.
Što se tiče konflikta između zahteva za visokim probojnim naponom pri inverznoj i niskog
pada napona pri direktnoj polarizaciji, izvestan kompromis postiže se primenom ranije opisane
punch-through strukture. Izvesno poboljšanje u pogledu vrednosti probojnog napona postiže se i
kod strukture sa promenljivim profilom primesa u površinskom sloju date na sl. 2. Naravno, sva
ranije analizirana tehnološka rešenja za smanjenje ivičnih efekata, koja podrazumevaju ugaono
zasecanje, primenu zaštitnih difuzionih prstenova itd., takođe su korisna u postizanju visokog
probojnog napona. Na sl. 4 prikazana je struktura p-i-n diode kod koje je, u cilju poboljšanja pro-

28
 bojnog napona, izvršeno ugaono zasecanje
završetaka spojeva i pasivizacija bočnih ivica slojem
oksida, a katodni kontakt je produžen da preklapa i
oksid (produžena katoda indukuje naelektrisanje u
oksidu koje utiče na raspodelu električnog polja u
poluprovodniku, tj. smanjuje vrednost polja u blizini
završetaka spojeva).
Sl. 4: p-i-n dioda sa produženom katodom.

Prelazni režim
Kao što je već pomenuto, jedan od zahteva koje treba da ispune snažne diode vezan je za
brzinu prelaska iz isključenog (OFF) u uključeno (ON) stanje i obrnuto. Rešavanje jednačina
koje opisuju procese u prelaznom režimu zahteva da se precizno odredi raspodela injektovanih
nosilaca u svakom trenutku u svakom sloju, što znači da jednačina kontinuiteta mora biti
rešavana uz adekvatne početne i granične uslove.

1. Prelazak iz OFF u ON stanje

Kada se na diodu u neprovodnom stanju naglo dovede direktna polarizacija, počinje injekcija
nosilaca iz jako dopiranih p+ i n+ oblasti u slabo dopiranu središnju oblast (sl. 5). Koncentracija
injektovanih nosilaca najveća je u blizini spojeva, ali injektovani nosioci vremenom
“popunjavaju” i centralni deo slabo dopirane oblasti diode. Početni porast struje dovodi do
porasta VF jer raste pad napona na slabo dopiranoj oblasti diode. Međutim, kada koncentracija
injektovanih nosilaca u srednjoj oblasti poraste, počinje da opada njena otpornost, a pošto struja
više ne raste, sa opadanjem otpornosti počinje da opada i VF dok se ne ustali na određenoj
vrednosti koja zavisi od otpornosti diode i spoljnog kola (napona baterije i otpornosti u kolu).

Sl. 5: Promene koncentracionog profila injektovanih nosilaca i talasni oblici struje i napona tokom
uključivanja snažne diode.

29
 2. Prelazak iz ON u OFF stanje

Kada se na diodu u provodnom stanju naglo dovede inverzni napon, počinje “pražnjenje”
središnje slabo dopirane oblasti od viška injektovanih nosilaca (sl. 6), tj. nagomilani nosioci
počinju da difunduju van iz ove oblasti. Struja pada do nule, a zatim, zbog pomenute difuzije
nosilaca, nastavlja da raste u suprotnom smeru i dostiže neku maksimalnu negativnu vrednost
određenu spoljnim kolom. Napon u početku opada, ali ostaje pozitivan (iako vrlo mali) jer višak
manjinskih nosilaca u blizini spoja sprečava formiranje oblasti osiromašenja. Inverzna struja
zatim počinje da opada jer u središnjoj oblasti ostaje sve manje nosilaca koji mogu da iz nje
difunduju. Istovremeno se vrši i rekombinacija nosilaca, a oblast osiromašenja se uspostavlja
kada koncentracije nosilaca na spoju padnu na vrednosti koje odgovaraju termodinamičkoj
ravnoteži. Inverzna struja za to vreme opadne na vrlo malu vrednost (koja je jednaka inverznoj
struji zasićenja diode,  0), a na spoju se javlja pad napona koji je određen spoljnim kolom.

Sl. 6: Opadanje natkoncentracije nosilaca i talasni oblici struje i napona tokom prelaska snažne diode u
isključeno stanje uz kontrolu struje spoljnim prekidačem.

U praksi je snažna dioda često opterećena induktivnošću (sl. 7). Dok je prekidač S1 uključen
(zatvoren), dioda je inverzno polarisana (OFF stanje), a protok struje u kolu uspostavlja se kroz
induktivno opterećenje L. Kad se S1 otvori kao na slici, fluks u kalemu L teži da opadne
izazivajući brzo opadanje napona na katodi i dioda postaje direktno polarisana. Struja iz kalema
cirkuliše kroz diodu i uspostavlja se stabilno stanje. Ako se sada prekidač S1 ponovo naglo
zatvori, trebalo bi da se ponovo uspostavi inverzna polarizacija diode. Međutim, dioda je zbog
prethodne direktne polarizacije preplavljena nosiocima, pa izvor napajanja biva praktično
kratkospojen, a inverzni napon na diodi može znatno da premaši željenu vrednost. Sprečavanje
velikog premašenja inverznog napona i ograničenje struje kratkog spoja može se postići:
1) kontrolisanim (sporim) uključenjem prekidača S1, kojim se struja postepeno odvodi sa diode
2) vezivanjem dodatne induktivnosti LD na red sa diodom koja sprečava da izvor bude
kratkospojen. Za postizanje ovog efekta često je dovoljna i parazitna induktivnost izvoda diode.

Sl. 7: Snažna dioda sa induktivnim opterećenjem i talasni oblici struje i napona tokom prelaska snažne
diode u isključeno stanje uz kontrolu struje induktivnošću u kolu.

30
 Snažne Šotkijeve diode
Šotkijeve diode su pogodne za velike struje jer imaju mali pad napona u direktu (0.2-0.3 V).
Šotkijeva dioda (kontakt metal-poluprovodnik) dobija se naparavanjem pogodnog metala (Al,
Au, Ag, Cr, Co, Cu, Mo, Ni, Pt, Ta, W, …) preko slabo dopiranog epitaksijalnog sloja na jako
dopiranom supstratu (obično n- epi na n+ supstratu, sl. 8). Šotkijeve diode su unipolarne
komponente, što znači da transport naelektrisanja vrše samo (ili uglavnom) većinski nosioci, pa
nema akumulacije neaelektrisanja i veoma su brze. Pošto je vreme relaksacije većinskih nosilaca
manje od 10-13 s, vreme uključenja i isključenja određeno je samo punjenjem i pražnjenjem
kapacitivnosti oblasti osiromašenja kontakta metal-poluprovodnik. Mali pad napona u direktu i
velika brzina rada (visoka granična frekvencija) posebno je karakteristična za Šotkijeve diode na
GaAs zbog velike pokretljivosti elektrona u ovom materijalu. Jedan od nedostataka Šotkijeve
diode je nešto veća inverzna struja zasićenja u odnosu na diodu sa p-n spojem.
Šotkijeva dioda može se modelirati kao redna veza idealnog kontakta metal-poluprovodnik i
otpornika, a njeni najvažniji parametri su probojni napon VB, redna otpornost Rs i kapacitivnost
oblasti osiromašenja C. Sva tri parametra funkcije su nivoa dopiranja, odnosno otpornosti
epitaksijalnog sloja: VB  n3/4, Rs  n, C  n-1/2. Na osnovu ovoga sledi da niži nivo dopiranja
epi-sloja doprinosi porastu probojnog napona, ali u isto vreme se kvari I-V karakteristika u
direktu (jer raste Rs) i smanjuje brzina prekidanja (jer se povećava vremenska konstanta RsC).
Probojni napon Šotkijeve diode je ograničen na vrednosti ispod 100 V zbog jakog
električnog polja na zakrivljenom delu oblasti osiromašenja ispod oštrih ivica završetaka
kontaktne oblasti (metala). Ovo se može popraviti primenom neke od ranije opisanih tehnika,
npr. na sl. 9 prikazana je Šotkijeva dioda sa zaštitnim difundovanim prstenom.
U praksi se često koristi Šotkijeva dioda integrisana sa “običnom” p-n diodom, tj. tzv.
Junction Barrier Schottky (JBS) struktura, koja se još naziva i Merged Power Structure (MPS), a
ilustrovana je na sl. 10. Kod ove strukture anodni metalni kontakt pokriva i n- epitaksijalni sloj i
p+ zaštitni prsten, tako da se u suštini dobija paralelna veza Šotkijeve i diode sa p-n spojem. Na
taj način ne samo da se postiže viši probojni napon pri inverznoj, nego se poboljšava i I-V
karakteristika pri direktnoj polarizaciji. Naime, u slučaju MPS diode, pri niskim pozitivnim
naponima počinje da vodi najpre Šotkijeva dioda, da bi sa porastom napona počela da vodi i
dioda sa p-n spojem koja ima bolju I-V karakteristiku pri većim strujama (sl. 11).

Sl. 8: Snažna Šotkijeva dioda: a) poprečni presek Sl. 9: Šotkijeva dioda sa zaštitnim difundovanim
b) zonski dijagram i ekvivalentno kolo. prstenom.

31
Sl. 10: Integracija Šotkijeve i p+-n-n+ diode u tzv. Junction Sl. 11: Strujno-naponske karakteristike
Barrier Schottky (JBS) ili Merged Power Structure (MPS). Šotkijeve, p+-n-n+ i MPS diode.

32
 BIPOLARNI TRANZISTORI SNAGE (BTS)
Pronalazak, uspešna realizacija i masovna proizvodnja bipolarnog tranzistora doveli su do
revolucionarnog razvoja elektronike u periodu nakon drugog svetskog rata. Bipolarni tranzistor
predstavljao je ključni element te revolucije, a tranzistorska struktura predstavljala je osnovu i za
nekoliko familija monolitnih integrisanih kola. U međuvremenu, MOS tehnologija je zbog niza
prednosti gotovo potpuno isključila bipolarni tranzistor iz primene u integrisanim kolima, pa je
ostao značajan samo kao diskretna prekidačka komponenta snage. U nešto novije vreme (počev
od osamdesetih godina prošlog veka) MOSFET snage i IGBT, koji su jednostavniji za
upravljanje i imaju viši frekventni opseg, sve više ga potiskuju i iz ovih primena. Ipak, niska
cena doprinela je da BTS zadrži izvesnu prednost u nekim primenama u kojima se ne zahtevaju
mnogo visoke prekidačke frekvencije (do stotinak kHz), kao što su npr. neki prekidački izvori
napajanja.

Struktura, princip rada i pojačanje bipolarnog tranzistora

Na Sl. 1 prikazan je poprečni presek kroz strukturu, profil primesa i strujno naponske
karakteristike tipičnog NPN bipolarnog tranzistora snage izrađenog u planarnoj tehnologiji.
Polazni materijal su Si pločice jako dopirane primesama n-tipa (n+) na kojima je formiran debeo
slabo dopiran epitaksijalni sloj (n-) koji služi kao kolektor. Oblast baze (p) formirana je
difuzijom bora u epitaksijalni sloj, a u bazi je plitkom difuzijom fosfora formirana jako dopirana
oblast emitora (n+).

Sl. 1: Bipolarni NPN tranzistor: a) poprečni presek Sl. 2: Osnovna struktura u sprezi sa zajedničkom
b) profil primesa c) I-V karakteristike d) simbol. bazom (a) i dijagram energetskih zona (b).

33
 Princip rada bipolarnog tranzistora ukratko će biti objašnjen na primeru osnovne strukture
bipolarnog tranzistora u sprezi sa zajedničkom bazom koja je ilustrovana na Sl. 2. Normalna
polarizacija bipolarnog tranzistora (normalan aktivan režim rada) podrazumeva da je emitor-
bazni pn spoj polarisan direktno, a kolektor-bazni inverzno. Posmatrajmo za početak samo
inverzno polarisan C-B spoj. U provođenju struje kroz inverzno polarisan spoj, zbog visoke
potencijalne barijere na spoju, ne mogu da učestvuju većinski nosioci (elektroni iz kolektora i
šupljine iz baze). S druge strane, barijera ne postoji za manjinske nosioce, pa svaki elektron iz
baze koji se nađe na ivici oblasti osiromašenja ovog spoja biva zahvaćen električnim poljem i
prebačen u kolektor (‘spušta’ se niz barijeru kao niz tobogan), a slično se prebacuju i šupljine iz
kolektora u bazu. Problem je, međutim, što je koncentracija manjinskih nosilaca veoma niska, pa
kroz inverzno polarisan spoj normalno teče veoma mala struja (inverzna struja zasićenja), što
znači da treba naći neki način kojim bi se povećale koncentracije manjinskih nosilaca u ovim
oblastima i time dobila veća struja. Koncentraciju šupljina u kolektoru je teško povećati, ali je
zato moguće ostvariti povećan priliv elektrona u bazu i to tako što se formira još jedan pn spoj,
emitor-bazni, koji je direktno polarisan i stoga injektuje veliki broj elektrona iz emitora u bazu.
Barijera na direktno polarisanom E-B spoju je vrlo niska, brojni elektroni iz emitora je lako
savladavaju i prelaze u bazu, kreću se difuzijom do ivice oblasti osiromašenja kolektorskog
spoja, a potom ih električno polje odmah prebaci u kolektor, pa se na izlazu dobija značajna
kolektorska struja.
Ovde se mora istaći da direktna polarizacija E-B spoja izaziva ne samo injekciju elektrona
iz emitora u bazu nego i injekciju šupljina iz baze u emitor, pa je ukupna emitorska struja
jednaka zbiru ove dve struje:
I E  I nE  I pE , (1)
pri čemu je korisna jedino struja InE jer samo ona doprinosi kolektorskoj struji. Odnos između
ove korisne komponente i ukupne emitorske struje naziva se efikasnost injekcije emitora:
I
 E  nE , (2)
IE
i poželjno je da ovaj parametar bipolarnog tranzistora bude što veći. Stoga se nastoji da korisna
komponenta emitorske struje bude što veća, a nekorisna komponenta IpE što manja. To se postiže
povećavanjem koncentracije primesa n-tipa u emitoru i smanjivanjem koncentracije primesa p-
tipa u bazi koliko god je to moguće.
Većina elektrona injektovanih u bazu uspeva da stigne do oblasti osiromašenja kolektorskog
spoja koji ih skuplja kao kolektorsku struju InC, ali jedan deo njih rekombinuje se na putu kroz
neutralnu oblast baze sa šupljinama doprinoseći samo baznoj a ne i kolektorskoj struji. Odnos
između struje elektrona koji uspešno savladaju put kroz bazu i struje elektrona injektovanih iz
emitora naziva se transportni faktor baze:
I
 T  nC . (3)
I nE
Kolektorsku struju IC čini ne samo struja InC (elektroni injektovani iz emitora koji stignu do
kolektorskog spoja) nego i inverzna struja zasićenja kolektorskog spoja IpC, tj. šupljine koje iz
kolektora prelaze u bazu kroz inverzno polarisan kolektorski spoj. Međutim, šupljine su
manjinski nosioci u kolektoru, pa je ova struja koja se često označava i kao ICB0, zanemarljiva u
poređenju sa strujom InC, pa se može smatrati da je IC ≈ InC.
Emitorska struja IE je eksponencijalna funkcija ulaznog napona VBE, tako da se na osnovu
prethodnih razmatranja može smatrati da su i struje InE, InC i eventualno IC takođe
eksponencijalne funkcije ulaznog napona, odnosno da izlaznu struju bipolarnog tranzistora
kontroliše ulazni napon. Međutim, baš zbog ove eksponencijalne zavisnosti, izlaznu struju je u
praksi veoma teško kontrolisati ulaznim naponom (veoma mala promena ulaznog napona, koju je
teško izmeriti precizno, dovodi do veoma velikih promena izlazne struje), pa je stoga za ulazni
parametar jednostavnije uzeti emitorsku struju IE (ili, kada se radi o tranzistoru u sprezi sa
zajedničkim emitorom, baznu struju IB) koju je, između ostalog, i jednostavnije kontrolisati. S

34
tim u vezi, bipolarni tranzistor je logičnije posmatrati kao strujno kontrolisanu komponentu, čije
se strujno pojačanje αF (za spregu sa zajedničkom bazom), odnosno β (za spregu sa zajedničkim
emitorom) definiše kao:
I I
F  C ;  C, (4)
IE IB
pri čemu je lako pokazati da važe i sledeće relacije:
I I I I
 F  C  nC  nC nE   T  E , (5)
IE IE I nE I E
IC IC 1 1 F
     , (6)
I B I E  IC 1 1 1F
1 1
IC F
IE

F  . (7)
 1
Tipično, maksimalne vrednosti strujnog pojačanja su αF > 0.99 (ali uvek < 1), a β > 100. Osim
navedenih izraza, detaljnijom analizom može se pokazati i da se strujno pojačanje αF može
izračunati kao:
E
 F  T  E  , (8)
cosh( w / Ln )
gde je w širina neutralne oblasti baze (videti Sl. 3 koja ilustruje raspodelu manjinskih nosilaca
injektovanih u bazu), a Ln difuziona dužina elektrona u bazi ( Ln  Dn n , Dn – koeficijent
difuzije elektrona, n – vreme života elektrona). Na Sl. 4 prikazana je tipična zavisnost strujnog
pojačanja αF od odnosa širine baze i difuzione dužine.

Sl. 3: Raspodela injektovanih manjinskih Sl. 4: Strujno pojačanje F bipolarnog tranzistora.

nosilaca u bazi.

Poželjno je, naročito kada su u pitanju tranzistori snage, da strujno pojačanje bude što veće,
što znači (na osnovu izraza 5) da efikasnost injekcije emitora i transportni faktor baze treba da
budu veliki. Efikasnost emitora povećava se, kao što je već pomenuto, sa porastom nivoa
dopiranja u oblasti emitora (zato je emitor uvek jako dopiran) i smanjenjem nivoa dopiranja u
bazi, a povećanje transportnog faktora baze postiže se sužavanjem oblasti baze čime se smanjuje
verovatnoća rekombinacije nosilaca injektovanih iz emitora. Međutim, nivo dopiranja i širina
baze ne smeju biti ni previše mali da bi se izbegao punch-through proboj (širenje oblasti
osiromašenja kroz celu oblast baze). S tim u vezi, da bi baza mogla da bude uska, nastoji se da
nivo dopiranja u oblasti kolektora bude nizak koliko god je to moguće jer se u tom slučaju oblast
osiromašenja inverzno polarisanog kolektor-baznog spoja širi uglavnom na strani kolektora.
Inače, izvesno poboljšanje transportnog faktora baze može se postići i ako se primenom neke od
ranije pomenutih tehnika poveća vreme života nosilaca u bazi (videti izraz 8), ali se ovo
negativno odražava na brzinu rada.

35
 Sprega sa zajedničkom bazom ne obezbeđuje efikasno pojačanje struje i snage (αF < 1), pa
se stoga u snažnim kolima po pravilu primenjuje konfiguracija u kojoj je tranzistor vezan u
spregu sa zajedničkim emitorom (β >>1). Na Sl. 5 prikazana je zavisnost strujnog pojačanja β od
kolektorske struje na tri različite temperature. Pri malim gustinama struje, struju kroz pn spoj
čini uglavnom generaciono-rekombinaciona struja pa je efikasnost injekcije niska. Sa porastom
struje raste i komponenta koju čine manjinski nosioci injektovani u bazu, što znači da raste
efikasnost injekcije a time i pojačanje. Međutim, pri još većim gustinama struje, koncentracija
manjinskih nosilaca injektovanih u bazu poraste toliko da počne da utiče na koncentraciju
većinskih nosilaca, što dovodi do smanjenja efikasnosti injekcije i opadanja pojačanja. Ovaj
efekat poznat je pod nazivom modulacija efikasnosti injekcije emitora. Što se tiče temperature,
njen porast dovodi do dva efekta koji imaju međusobno suprotne uticaje na pojačanje: prvi je
sužavanje zabranjene zone koje dovodi do porasta efikasnosti injekcije, a drugi je opadanje
pokretljivosti nosilaca koje dovodi do smanjenja transportnog faktora baze. Efekat suženja
zabranjene zone dominira pri nižim strujama pri kojima je zato pojačanje osetno veće na višim
temperaturama. Efekat smanjene pokretljivosti preuzima dominaciju pri većim strujama pri
kojima pojačanje opada brže na višim temperaturama na kojima je pokretljivost nosilaca manja.

Sl. 5: Strujno pojačanje  bipolarnog tranzistora

Režimi rada tranzistora i maksimalni napon između kolektora i emitora

Izlazne karakteristike tranzistora u sprezi sa zajedničkim emitorom IC = f(VCE) za različite
vrednosti struje baze su veoma bitne i šematski su ilustrovane na Sl. 6. Na slici su naznačene i
oblasti (režimi) u kojima tranzitor može da radi zavisno od polarizacije spojeva. Tranzistor je u
zasićenju (oblast I) kada su oba spoja direktno polarisana. Pošto u zasićenju oba spoja injektuju
nosioce, njihove koncentracije su veoma visoke, tako da tranzistor ima veliku provodnost. Kada
su oba spoja inverzno polarisana (oblast II), tranzistor je u zakočenju, i kroz njega teku jedino
veoma male struje curenja. Oblast III je aktivna oblast rada, u kojoj je emitor-bazni spoj
polarisan direktno a kolektor-bazni inverzno. Konačno, tranzistor iz aktivne oblasti prelazi u

Sl. 6: Izlazne karakteristike tranzistora u sprezi sa zajedničkim emitorom sa označenim oblastima rada:
I – zasićenje; II – zakočenje; III – aktivna oblast rada; IV – oblast proboja.

36
oblast proboja IV ako se izlazni napon toliko poveća da nastupi lavinski proboj inverzno
polarisanog kolektor-baznog spoja. Tada i najmanji dalji porast napona dovodi do velikog
porasta izlazne struje, tako da nije poželjno da tranzistor radi u ovom režimu.
U lineranim pojačavačkim kolima tranzistor se polariše da radi u aktivnoj oblasti, koja za
ovu primenu predstavlja normalan režim rada tranzistora. U ovom režimu, ukoliko je napon na
kolektoru dovoljno visok, izlazna struja gotovo da i ne zavisi od izlaznog napona (oblast
osiromašenja kolektorskog spoja je dovoljno široka i električno polje u njoj dovoljno jako da
povuče sav višak nosilaca injektovanih iz emitora koji difuzijom pristižu kroz neutralnu oblast
baze). Međutim, za tranzistor snage kao prekidački element, od najvećeg značaja su zakočenje i
zasićenje. Posmatrajmo radnu pravu na Sl. 6. Kada je bazna struja jednaka nuli, tj. kada su i
jedan i drugi spoj polarisani inverzno, tranzistor je zakočen (otvoren prekidač), pa na potrošaču
gotovo da i nema napona jer se praktično ceo primenjeni napon utroši na inverznu polarizaciju
kolektorskog spoja (tačka C). Ako malo povećamo baznu struju, javlja se izlazna struja, a s njom
poraste i napon na potrošaču, ali na tranzistoru i dalje postoji značajan pad napona (tačka A).
Međutim, ako je bazna struja dovoljno velika, tranzistor prelazi u zasićenje (tačka S), pad napona
na njemu VCE = VCEs < VBE je veoma mali (zatvoren prekidač), tako da sada gotovo sav
primenjeni napon ide na potrošač.
Kao što je pomenuto, rad u oblasti proboja nije poželjan, pa je zato maksimalni dozvoljeni
napon između kolektora i emitora VCE veoma značajan ograničavajući parametar bipolarnog
tranzistora za primenu u snažnim elektronskim kolima. Tranzistor ulazi u probojnu oblast usled
lavinskog proboja inverzno polarisanog kolektor-baznog spoja, te stoga u analizi polazimo od
probojnog napona izdvojenog kolektor-baznog spoja (tj. pod pretpostavkom da je emitor
otvoren) koji ćemo označiti kao V(BR)CBO. Vrednost ovog probojnog napona je, u skladu sa
ranijom analizom lavinskog proboja kod pn spoja, određena nivoom dopiranja slabije dopirane
strane (kolektor), ali je za tranzistor potrebno znati i u kakvoj se relaciji s ovim naponom nalazi
izlazni napon. Naime, izlazni napon u konfiguraciji sa zajedničkim emitorom je napon VCE, pa je
u ovom slučaju od interesa znati njegovu maksimalno dozvoljenu vrednost, odnosno vrednost
probojnog napona između kolektora i emitora kada je baza otvorena koju označavamo kao
V(BR)CEO. Struja kroz inverzno polarisan kolektorski spoj u oblasti proboja množi se faktorom
multiplikacije M, što znači da se u ovom slučaju ne može zanemariti inverzna struja zasićenja, pa
je kolektorska struja data izrazom:
I C  M ( F I E  I CBO ) . (9)
U konfiguraciji sa zajedničkim emitorom, kada je baza otvorena (IB = 0) kolektorska struja je
jednaka emitorskoj (IC = IE = ICEO), pa se iz (9) dobija:
M I CBO
I C  I E  I CEO  . (10)
1F M
Probojni napon između kolektora i emitora V(BR)CEO definiše se kao napon pri kome struja ICEO
raste bez ograničenja, što će se desiti kada imenilac u izrazu na desnoj strani gornje jednakosti
bude jednak nuli, odnosno kada bude ispunjen uslov:
1
M  . (11)
F
S druge strane, faktor multiplikacije pri kome nastupa lavinski proboj inverzno polarisanog spoja
definisan je (po analogiji sa izrazima (6) i (7) iz poglavlja o proboju) sledećim izrazom:
1
M  . (12)
1  (V( BR)CEO / V( BR)CBO ) 
Konačno, nakon izjednačavanja desnih strana izraza (11) i (12) dobija se da je odnos između dva
probojna napona dat izrazom:
1
V( BR)CEO  V( BR)CBO (1   F )  , (13)
gde je za NPN tranzistor tipična vrednost κ = 5. Očigledno, maksimalna vrednost izlaznog
napona V(BR)CEO je uvek manja od probojnog napona izdvojenog kolektorskog spoja V(BR)CBO, a

37
razlika se povećava sa porastom strujnog pojačanja αF (na primer, za αF = 0.9:
V(BR)CEO = 0.63 V(BR)CBO, a za αF = 0.99: V(BR)CEO = 0.40 V(BR)CBO). Osim toga, probojni napon
V(BR)CEO može dodatno da bude smanjen kao rezultat punch-through efekta (ukoliko je baza
uzana), ali ovo nije čest slučaj kod tranzistora snage.
Kao što ilustruje sl. 7, kada je emitorski spoj polarisan direktno (IB > 0) tranzistor ulazi u
proboj pri naponu koji je približno jednak naponu V(BR)CEO. Kada je baza otvorena (IB = 0),
proboj takođe nastupa pri naponu V(BR)CEO, ali probojna karakteristika izgleda nešto drugačije.
Naime, emitorska struja (koja je u ovom slučaju isto što i kolektorska) je veoma mala (jer je čini
samo inverzna struja zasićenja kolektorskog spoja) sve dok se napon VCE ne približi vrednosti
V(BR)CEO. Međutim, kada se napon VCE približi vrednosti probojnog napona, dolazi do povećanja
struje usled multiplikacije nosilaca, čime raste efikasnost injekcije nosilaca. Ovo izaziva dalji brz
porast struje, što za posledicu ima pojavu oblasti negativne diferencijalne otpornosti na
karakteristici.
Na sl. 7 ilustrovan je i efekat redne otpornosti između emitora i baze na probojni napon
tranzistora u sprezi sa zajedničkim emitorom. Naime, vezivanjem otpornika između emitora i
baze smanjuje se efikasnost injekcije emitora, a time i pojačanje αF, pa se probojni napon pomera
ka vrednosti V(BR)CBO. Pri tome, ovo pomeranje se povećava sa smanjivanjem redne otpornosti,
tako da se za dovoljno malu vrednost redne otpornosti ili kratkospajanjem baze i emitora postiže
maksimalna vrednost V(BR)CEO koja je praktično jednaka V(BR)CBO. Maksimalna vrednost V(BR)CEO
postiže se i pri inverznoj polarizaciji emitor-baznog spoja (IB < 0). Efekat redne otpornosti
između emitora i baze na probojni napon između kolektora i emitora dodatno ilustruje i sl. 8.

Sl. 7: Uticaj direktne i inverzne polarizacije E-B spoja Sl. 8: Uticaj otpornosti vezane između
na probojnu karakteristiku tranzistora u sprezi sa baze i emitora na probojni napon VCE.
zajedničkim emitorom.

Efekti velikih struja

Pri visokim nivoima injekcije nosilaca, odnosno pri velikim strujama, javlja se nekoliko
efekata koji se u principu nepovoljno odražavaju na rad bipolarnog tranzistora. Najznačajniji od
njih su: modulacija efikasnosti injekcije emitora, modulacija provodnosti kolektora
(kvazizasićenje), širenje baze u kolektor (Kirkov efekat), gomilanje struje (current
crowding) i termički (sekundarni) proboj.
Efekat modulacije efikasnosti injekcije emitora pri strujama velike gustine na strujno
pojačanje bipolarnog tranzistora opisan je u prethodnom tekstu (vidi poslednji paragraf u odeljku
o strujnom pojačanju) i ovde neće biti ponovo diskutovan.
Efekat modulacije provodnosti kolektora ne uočava se kod niskonaponskih tranzistora sa
probojnim naponom V(BR)CEO nižim od 150 V, kod kojih širina i otpornost oblasti kolektora imaju

38
zanemarljiv uticaj na pad napona u uključenom stanju, a čije tipične izlazne karakteristike
izgledaju kao na sl. 6. Međutim, za bezbedan rad na visokim naponima neophodno je da
koncentracija primesa u oblasti kolektora neposredno uz bazu bude veoma niska, a širina ove
slabo-dopirane oblasti mora da bude dovoljno velika kako bi probojni napon kolektorskog spoja
bio visok. Tipičan profil primesa u oblastima baze i kolektora visokonaponskih tranzistora sličan
je profilu primesa kod p-i-n diode (vidi sl. 1 u poglavlju o diodama). Specifična otpornost slabo-
dopiranog dela kolektora može biti blizu 100 Ωcm, a njegova širina u opsegu od 20 do 100 μm,
pa bi na ovom delu kolektora pri velikim strujama mogao da se javi veliki pad napona. Ipak, to
se ne dešava jer pri ovim uslovima (velika struja) visoka natkoncentracija injektovanih nosilaca
moduliše provodnost kolektora. Na sl. 9(a) prikazane su tipične izlazne karakteristike, a one su u
ovom slučaju različite u odnosu na sl. 6 zbog pojave oblasti kvazizasićenja (kvazisaturacija) koja
je naznačena dvema isprekidanim linijama. Kvazizasićenje može biti objašnjeno razmatranjem
odgovarajućih raspodela koncentracije injektovanih nosilaca datih na sl. 9(b). U tački 1 na I-V
karakteristikama sa sl 9(a), kojoj odgovara kriva 1 na sl. 9(b), velika ulazna struja baze održava
visoku natkoncentraciju slobodnih nosilaca ne samo u bazi nego i slabo dopiranom delu
kolektora, pri čemu se koncentracije slobodnih elektrona i šupljina mogu smatrati svuda
približno jednakim jer se međusobno razlikuju samo za iznos lokalnog dopiranja koje je znatno
manje. Pad napona na omskim kontaktima i na jako dopiranim oblastima emitora i kolektora je
zanemarljiv, a ne javlja se ni na slabo dopiranom delu kolektora jer njegovu otpornost moduliše
visoka natkoncentracija injektovanih nosilaca, pa je stoga provodnost tranzistora veoma visoka i
on radi u oblasti zasićenja. Posmatrajmo sada prelazak tranzistora u aktivnu oblast rada tako što
postepeno smanjujemo struju baze, a kolektorsku struju uz pomoć spoljnog kola održavamo
konstantnom. Natkoncentracija slobodnih nosilaca opada, ali tranzistor ostaje u zasićenju (tačke
1, 2) sve dok je slabo dopirana oblast kolektora još uvek potpuno modulisana, tj. dok raspodela
nosilaca ne padne u položaj predstavljen krivom 2 na sl. 9(b). Dalje smanjivanje struje baze
dovodi do raspodele nosilaca predstavljene krivom 3, gde je samo jedan deo slabo dopiranog
dela kolektora modulisan natkoncentracijom nosilaca, a na nemodulisanom delu se javlja
značajan pad napona. Međutim, deo kolektora uz kolektor-bazni spoj je i dalje modulisan, pa na
spoju ne može da se formira oblast osiromašenja i tranzistor jos uvek nije u aktivnoj oblasti. Ova
oblast rada, u kojoj je nagib I-V karakteristika značajno smanjen zbog konačne otpornosti
nemodulisanog dela kolektora i pada napona na njemu, naziva se oblast kvazizasićenja (tačka 3).
Oblast osiromašenja formiraće se i tranzistor preći u aktivnu oblast rada (tačke 4, 5) tek nakon
što raspodela nosilaca padne u položaj predstavljen krivom 4 ili niže (kriva 5).
Modulacija provodnosti kolektora dešava se kad koncentracija slobodnih nosilaca u
kolektoru premaši koncentraciju primesa kojima je kolektor dopiran. To znači da je pri
prekidanju potrebno u bazu i kolektor dovesti, ili iz njih odvesti, veliki broj nosilaca, a pri tome
tranzistor mora da prođe i kroz oblast kvazizasićenja, što sve smanjuje brzinu rada i povećava
prekidačke gubitke tranzistora.

(a) (b)
Sl. 9: (a) Izlazne k-ke snažnog tranzistora na kojima se uočava oblast kvazizasićenja; (b) Promena
raspodele injektovanih manjinskih nosilaca u zavisnosti od režima rada tranzistora.

39
 Širenje baze u kolektor ili Kirkov efekat je takođe posledica postojanja široke slabo-
dopirane oblasti kolektora, a javlja se pri veoma velikim strujama u aktivnoj oblasti rada
tranzistora. Efekat dovodi do preraspodele električnog polja u bazno-kolektorskim oblastima
koja za rezultat ima povećanje efektivne širine baze, opadanje pojačanja i slabljenje frekventnog
odziva tranzistora. Ilustracija efekta je data na sl. 10. U aktivnoj oblasti rada, oblast osiromašenja
pri umerenim vrednostima struje i napona zauzima samo deo slabo dopiranog kolektora, a
maksimalno električno polje je na kolektor-baznom spoju (slučaj a). Ako povećavamo napon
VCE (koji je približno jednak naponu na inverzno polarisanom kolektorskom spoju VCB), polje
raste a oblast osiromačenja se širi i, pri dovoljno visokom naponu, raširiće se kroz celu slabo
dopiranu oblast kolektora (slučaj b). Ako sada povećavamo kolektorsku struju (povećavanjem
struje baze), oblast osiromašenja ne može više značajno da se širi, ali dolazi do preraspodele
električnog polja u njoj, i kada struja dostigne vrednost datu izrazom (14), polje u celoj slabo
dopiranoj oblasti kolektora ima konstantnu vrednost datu izrazom (15) (slučaj c). Ako za datu
vrednost napona nastavimo da povećavamo struju, jačina polja opada u blizini samog kolektor -

J C  qN D v sat (14)
vsat – brzina zasićenja (maksimalna brzina drifta
elektrona)
VCB
E  E ( wB )   (15)
wC  wB

 2 0  S VCB 
J C  qv sat  N D   (16)
 q ( wC  wB ) 2 

Sl. 10: Promena raspodele električnog polja sa porastom kolektorske struje: (a) u aktivnoj oblasti rada pri
srednje visokom naponu i struji; (b) pri visokom naponu VCE (≈ VCB) pri kome se oblast osiromašenja
raširi kroz celu slabo dopiranu oblast kolektora; (c) kada struja dostigne vrednost definisanu izrazom (14);
(d) kada struja dostigne vrednost definisanu izrazom (16); (e) pri veoma velikim vrednostima struje.

baznog pn spoja a počinje da raste dublje u kolektoru, tako da je sada maksimalno polje na n-n+
spoju, a kada struja dostigne vrednost datu izrazom (16) polje na kolektor-baznom spoju padne
na nulu (slučaj d). U tom trenutku oblast osiromašenja ne zauzima više ni delić baze, pa je sada
efektivna širina neutralne oblasti baze jednaka wB. Dalji porast struje dovodi do daljeg širenja
ove neutralne oblasti koja se sada pomera u kolektor za širinu ΔwB (slučaj e), što znači da je sada
za toliko veća dužina puta kroz tranzistor koji struja nosilaca injektovanih iz emitora mora da
prevali difuzionim kretanjem pre nego što ih zahvati električno polje. Konačan efekat je sličan
kao da je širina baze povećana za ΔwB, a samim tim i količina nagomilanog pokretnog
naelektrisanja u njoj, pa se kao rezultat javljaju pad strujnog pojačanja i degradacija prekidačkih
karakteristika. Inače, da bi se javio Kirkov efekat potrebne se znatno veće struje nego za
modulaciju provodnosti kolektora.

40
 Gomilanje struje (current crowding efekat) posledica je lateralnog protoka struje kroz bazu.
Kao što je ilustrovano na sl. 11(a), struja baze u realnoj strukturi teče lateralno ispod emitora
kroz oblast baze koja ima konačnu otpornost, pa se zbog toga javlja gradijent potencijala između
baze i emitora, a samim tim i neuniformna gustina emitorske struje. Najintenzivnija injekcija
nosilaca odvija se iz perifernog dela emitora, koji je najbliži metalnom kontaktu baze. Za
uniformniju injekciju nosilaca iz emitora potrebno je, dakle, što više povećati površinu ove
periferne oblasti emitor-baznog spoja, što se postiže posebnim dizajnom maske za difuziju
emitora, kao što je recimo inter-digitated base-emitter layout prikazan na sl. 11(b) koji je
praktično obavezan kad su u pitanju tranzistori snage.

(a) (b)
Sl. 11: (a) Raspodela struje ispod emitorskog kontakta, uz ilustraciju current crowding efekta; b) dizajn
emitor-bazne oblasti kojim se redukuje efekat gomilanja struje.

Lokalni termički proboj ilustrovan je na sl. 12, a javlja se kao posledica nekontrolisanog
lokalnog porasta temperature zbog pozitivnog temperaturnog koeficijenta strujnog pojačanja.
Naime, emitorska struja za datu vrednost napona VBE raste sa porastom temperature, što znači da
svaka nehomogenost u bazi koja doprinosi porastu (gomilanju) struje može da dovede do
lokalnog porasta temperature, koji pak izaziva dalji lokalni porast gustine struje, tako da proces
postaje kumulativan i, ako je gustina struje previsoka, može da dovede do trajnog oštećenja
kristala i katastrofalnog otkaza tranzistora.
Pozitivan temperaturni koeficijent strujnog pojačanja nepovoljan je i zato što u velikoj meri
komplikuje paralelno vezivanje dva ili više bipolarnih tranzistora snage. Da bi se struja
ravnomerno podelila između paralelno vezanih tranzistora bilo bi neophodno da njihova strujna
pojačanja budu idealno jednaka, što je u praksi gotovo neostvarljivo jer uvek postoje izvesne,
makar minimalne, varijacije u karakteristikama između pojedinih komponenata, čak i ako su one
procesirane istovremeno, na istoj pločici. Prema tome, kada tranzistore vežemo u jednostavnu
paralelnu vezu, postoji opasnost da onaj koji ima nešto veće pojačanje od ostalih povuče malo

Sl. 12: Lokalni termički proboj kod BTS. Sl. 13: Ilustracija načina za ujednačavanje struje pri
paralelnom povezivanju više BTS.

41
veću struju i time se malo više i greje, što na gore opisani način može da preraste u kumulativan
proces koji dovodi do preusmeravanja celokupne struje na tranzistor s najvećim pojačanjem, a
eventualno i do njegovog katastrofalnog otkaza. Da bi se problem prevazišao, potrebna je
izvesna negativna sprega, koju je moguće ostvariti na dva načina (sl. 13): rednim otpornikom
velike otpornosti u baznom kolu ili rednim otpornikom male otpornosti u emitorskom kolu.
Otpornik vezan u baznom kolu predstavlja efikasnije rešenje za držanje bazne struje
konstantnom, ali njegovim prisustvom komplikuje se upravljačko kolo tranzistora.

Dinamički procesi – uključenje i isključenje tranzistora

Bipolarni tranzistor snage se najčešće koristi kao prekidački element u u snažnim
konvertorima, a za ovu primenu su od velikog značaja dinamički procesi (uključenje i
isključenje), koji doprinose gubicima u kolu, a karakterišu ih vreme uključenja (turn-on time) ton
i vreme isključenja (turn-off time) toff.
Na sl. 14 prikazani su najvažniji elementi (talasni oblici struja, pomeranje duž radne prave i
odgovarajuće promene u raspodeli injektovanih nosilaca) za ilustraciju prelaska tranzistora
vezanog u spregu sa zajedničkim emitorom iz isključenog stanja (stanje visoke impedanse, kome
odgovaraju visok napon i mala struja na izlazu) u uključeno stanje (stanje niske impedanse,
kome odgovaraju nizak napon i velika struja na izlazu). Na početku, sve dok je IB = 0, nema
injekcije iz emitora i u oblasti baze ne postoji bilo kakva natkoncentracija nosilaca. U trenutku
t = 0 spoljno kolo podigne napon VBE, što izazove nagli porast bazne struje, tako da započne
injekcija elektrona iz emitora u bazu i njihova difuzija ka kolektorskom spoju. U isto vreme,
bazna struja obezbeđuje dovoljnu količinu šupljina kako bi bila održana elektroneutralnost u
oblasti prostornog naelektrisanja emitorskog spoja. Kolektorska struja počinje primetno da raste
tek nakon vremena td (vreme uspostavljanja) koje je potrebno da značajan broj injektovanih
elektrona stigne do kolektorskog spoja (tačka 1), a potrebno je još neko dodatno vreme tr (vreme
porasta) pre nego što ona dostigne 90% od svoje maksimalne vrednosti u uključenom stanju. Za
to vreme uspostavljena je dovoljna natkoncentracija nosilaca da tranzistor dovede u aktivnu
oblast rada (tačka 2). Natkoncentracija nosilaca nastavlja značajno da raste i nakon toga, pa oni
preplavljuju ne samo bazu nego i slabo dopiranu oblast kolektora, tako da tranzistor prolazi kroz
kvazizasićenje (tačka 3) i ulazi u oblast zasićenja (tačke 4 i 5), ali se pri tome uočava samo
neznatan dalji porast kolektorske struje. Vreme uključenja jednako je zbiru vremena uspostavlja-

Sl. 14: Uključenje BTS: a) talasni oblici bazne i kolektorske struje; Sl. 15: Talasni oblici bazne i
b) odgovarajuče tačke na radnoj pravoj; c) odgovarajući porast kolektorske struje BTS tokom
koncentracije injektovanih manjinskih nosilaca. prelaska u isključeno stanje.

42
nja i vremena porasta (ton = td + tr).
Na sl. 15 prikazani su talasni oblici bazne i kolektorske struje tokom prelaska tranzistora iz
uključenog u isključeno stanje. Za isključenje tranzistora potrebno je da upravljačko kolo
invertuje polarizaciju emitor-baznog spoja, pri čemu bazna struja naglo menja smer tako da se
njena vrednost od IB1 brzo promeni na –IB2 (vrednost negativne struje IB2 određena je
upravljačkim kolom). Kolektorska struja ne počinje odmah da opada već tek nakon vremena ts
(vreme pražnjenja) potrebnog da se iz bazne oblasti odvede višak nagomilanih manjinskih
nosilaca. Preciznije rečeno, neki od ovih nosilaca se rekombinuju s većinskim nosiocima, a
ostatak biva odveden preko inverzno polarisanih spojeva (emitor-baznog i kolektor-baznog) u
oblasti emitora i kolektora. Kolektorska struja počinje da opada kada koncentracija ovih nosilaca
padne dovoljno da se uspostavi oblast prostornog naelektrisanja na kolektor-baznom spoju, a
vreme potrebno da ona opadne na 10% od svoje vrednosti u provodnoim stanju tr naziva se
vreme opadanja. Vreme isključenja jednako je zbiru vremena pražnjenja i vremena opadanja
(toff = ts + tr). Konačno, maksimalna prekidačka frekvencija (brzina) tranzistora određena je
zbirom vremena uključenja i vremena isključenja: fmax = 1/π(ton + toff).

Oblast bezbednog rada (Safe Operating Area - SOA)

Oblast bezbednog rada (SOA), čija je šematska ilustracija data na sl. 16, definiše se kao
opseg struja i napona u kome tranzistor bezbedno radi bez opasnosti od ulaska u sekundarni
(termički) proboj. Kao što se može videti na slici, oblast bezbednog rada šira je ako tranzistor
radi u impulsnom režimu, a njena širina opada sa porastom širine impulsa i najmanja je ako je
tranzistor opterećen konstantnom strujom i naponom u dc režimu. U svakom slučaju, sekundarni
proboj se sa sigurnošću može izbeći samo ako ni u jednom trenutku rada tranzistora ni struja ni
napon ne izađu iz okvira SOA. Ukoliko struja ili napon izađu iz okvira SOA, makar na trenutak,
postoji opasnost da:
1) temperatura pn spoja premaši maksimalnu dozvoljenu vrednost temperature spoja (Tjmax),
što vodi u termički proboj, bilo zbog prevelike gustine struje ili prevelike disipacije; ili da se javi
2) se javi lavinska injekcija nosilaca. Lavinska injekcija može da se javi ako su istovremeno
prisutni visok napon na kolektoru i struja velike gustine. U tom slučaju, ako električno polje u
bilo kom delu tranzistora (naročito u viskootpornom delu kolektorske oblasti) premaši vrednost
od 107 V/cm dolazi do lavinske jonizacije kojom se generišu parovi elektron-šupljina.
Generisane šupljine kreću se pod dejstvom polja ka emitora i deluju kao dodatna bazna struja,
dovodeći do pojačane injekcije elektrona iz emitora a time i do daljeg povećanja gustine struje u
oblasti kolektora. Proces postaje kumulativan jer ovaj porast struje doprinosi daljem porastu
lokalnog polja, lavinska jonizacija se intenzivira i izaziva dalji lokalan porast gustine struje, što
na kraju rezultuje termičkim probojem i uništenjem tranzistora.

tp2 > tp1

Sl. 16: Šematska ilustracija SOA kod Sl. 17: Koncentracija struje u centralnom delu
bipolarnog tranzistora. oblasti emitora tokom isključenja tranzistora.

43
 Opasnost od lavinske injekcije posebno je izražena prilikom prelaska tranzistora iz
uključenog u isključeno stanje, i to naročito u kolu sa induktivnim opterećenjem. Naime, pri
isključenju tranzistora dolazi do nagle rekombinacije i brzog odvođenja velike količine
naelektrisanja iz bazne oblasti koja je prethodno bila proširena kroz slabo dopirani deo kolektora
sve do n+ oblasti. Polje na ivici n-n+ spoja kolektora tada može da poraste dovoljno da izazove
lavinsku injekciju. Pri tome je, kao što ilustruje sl. 17, posebno ugrožena centralna oblast ispod
emitora gde je najveća gustina struje jer se višak nosilaca odvodi najpre iz perifernih oblasti.

Snažan Darlingtonov par

Strujno pojačanje bipolarnog tranzistora pri visokim vrednostima struje je prilično malo,
tipično  < 10 (videti sl. 5). Stoga je, da bi tranzistor mogao da se koristi kao prekidački element
za visoke nivoe snage, neophodna velika upravljačka (bazna) struja, što ne samo da umanjuje
efikasnost nego i značajno komplikuje i poskupljuje ulazno bazno kolo. Uspešan način za
prevazilaženje ovog problema jeste kaskadno vezivanje dva ili više bipolarnih tranzistora u tzv.
Darlingtonovu spregu (konfiguraciju). Kao što se može videti na sl. 18 (a), u ovakvoj sprezi
emitorska struja tranzistora T1 predstavlja baznu struju za tranzistor T2, tako da je ukupno strujno
pojačanje sprege jednako proizvodu pojačanja pojedinih tranzistora,  = 1·2. Otpornosti RBE1 i
RBE2 služe za polarizaciju tranzistora, kao i da se ubrza pražnjenje bazne oblasti tranzistora T 2 pri
isključenju. Na sl. 18 (b) ilustrovana je realizacija Darlingtonove sprege kao monolitne
integrisane strukture u koju je ugrađena i antiparalelna dioda čija je uloga da štiti emitorski pn
spoj od inverznog proboja.

Sl. 18: a) Vezivanje bipolarnih tranzistora u Darlington spregu; b) Integrisana Darlingtonova struktura.

Najznačajniji nedostatak Darlingtonove sprege je niska brzina prekidanja; naime,

Darlingtonov par je, zbog sporog opadanja koncentracije manjinskih nosilaca u bazi tranzistora
T2 tokom isključivanja, približno 3 puta sporiji od jediničnog bipolarnog tranzistora.

44
 SNAŽNI TIRISTORI
Tiristor je zajednički naziv za čitavu familiju prekidačkih poluprovodničkih komponenata
sačinjenih od četiri sloja poluprovodnika koji su naizmenično dopirani akceptorskum i
donorskim primesama. Drugim rečima, tiristori su četvoroslojne p-n-p-n strukture sa tri p-n spoja
(J1, J2 i J3). Postoje tiristori sa dva, tri i četiri izvoda koji kontaktiraju odgovarajuće slojeve
strukture, a najveći značaj i najširu primenu ima tiristor sa tri izvoda (anoda, katoda, gejt). Stoga
ćemo u daljem tekstu pod pojmom tiristor ili konvencionalni tiristor podrazumevati samo
tiristore sa tri izvoda, koji se u literaturi na engleskom često mogu naći i pod nazivom SCR (od
izraza Semiconductor Controlled Rectifier, tj. poluprovodnički kontrolisani ispravljač). Prvi
tiristori, proizvedeni 1950-tih godina, mogli su da zadrže napone od svega nekoliko volti u
neprovodnom stanju i provode struje od samo nekoliko ampera u provodnom stanju, ali su u
međuvremenu razvijeni i tiristori za nazivne napone čak iznad 10000 V i struje veće od 5000 A,
pa se tiristori danas smatraju najsnažnijim od svih postojećih komponenata snage i imaju veoma
široku primenu kao snažni prekidači.
Na sl. 1 ilustrovani su poprečni presek kroz strukturu tiristora i odgovarajući profil primesa,
kao i strujno-naponska karakteristika i simbol tiristora. Tiristor radi u tri moguća stanja:
- inverzno neprovodno stanje (blokiranje napona u inverzu), koje se javlja pri inverznoj
polarizaciji (anoda negativna u odnosu na katodu) pri kojoj su dva p-n spoja, J1 i J3, polarisana
inverzno i blokiraju struju bez obzira što je spoj J2 polarisan direktno;
- direktno neprovodno stanje (blokiranje napona u direktu), koje se javlja pri direktnoj
polarizaciji (anoda pozitivna u odnosu na katodu) pri kojoj su p-n spojevi J1 i J3 polarisani

Sl. 1: Konvencionalni tiristor: a) poprečni presek Sl. 2: Ilustracija tiristora u stanju a) blokiranje
b) profil primesa c) I-V karakteristika d) simbol. napona u inverzu b) blokiranje napona u direktu.

45
direktno, ali je spoj J2 polarisan inverzno i sprečava protok struje;
- provodno stanje (stanje niske impedanse), koje se takođe javlja pri direktnoj polarizaciji, ali
pri kojoj je napon direktne polarizacije veći od tzv. prelomnog napona tiristora VD(BO)
(breakover voltage).
Tiristor, dakle, može da bude u neprovodnom stanju i pri inverznoj i pri direktnoj
polarizaciji, a oba slučaja ilustrovana su na sl. 2. Tiristor u inverznom neprovodnom stanju
(sl. 2 a) treba da ima što viši probojni napon. Pri tom, povećavanjem napona inverzne
polarizacije, proboj može da nastupi ili usled lavinske multiplikacije nosilaca u oblasti
osiromašenja spoja J1 ili prodiranjem (punch through) ako se oblast osiromašenja spoja J1 proširi
kroz slabo dopiranu oblast N1 sve do spoja J2 pre nego što nastupi lavinski proboj. Prema tome, u
ovom slučaju važi analiza vezana za proboj tranzistora sa zajedničkom bazom (videti
odgovarajući odeljak u poglavlju o probojnom naponu).
Kao što je ilustrovano na sl. 2 b, prisustvo direktne polarizacije samo po sebi nije dovoljno
da prevede tiristor u provodno stanje jer i u ovom slučaju jedan od spojeva (J2) ostaje inverzno
polarisan i predstavlja barijeru za protok struje. Da bi tiristor prešao u provodno stanje nije
dovoljno samo dovesti direktnu polarizaciju nego je neophodno da napon direktne polarizacije
bude viši od prelomnog napona tiristora koji je potreban da nastupi proboj inverzno polarisanog
spoja J2. S obzirom da je za prelazak u provodno stanje neophodno spoj J 2 dovesti u proboj (ili,
kao što ćemo videti, forsirati struju gejta), ovaj prelazak odvija se naglo i praćen je značajnim
smanjenjem napona na tiristoru, pa se na strujno-naponskoj karakteristici uočava oblast
negativne otpornosti (sl. 1 c). Pad napona na tiristoru u provodnom stanju je mali, pri čemu čak i
vrlo male promene napona izazivaju veliku promenu struje, a prelazak u neprovodno stanje
moguć je samo ukoliko struja opadne ispod tzv. struje držanja IH (holding current).

Provodno stanje tiristora

Kratku analizu prelaska u provodno stanje sprovešćemo pomoću tzv. dvotranzistorskog
modela koji, kao što ilustruje sl. 3, proizilazi iz same strukture tiristora. Pođimo od pretpostavke

Sl. 3: Dvotranzistorski model tiristora.

da je tiristor polarisan direktno i da gejt visi (IG = 0). Pri malim naponima direktne polarizacije
tiristor je u stanju visoke impedanse (direktno neprovodno stanje), a kada napon povećamo iznad
prelomnog napona tiristor prelazi u provodno stanje. Pri tom, na osnovu sl. 3 c, za anodnu struju
tiristora možemo pisati:
za IG = 0: I A  I K  I E1  I E 2  I C1  I C 2 . (1)
S obzirom da je za prevođenje tiristora u provodno stanje neophodno dovesti spoj J2 u proboj, pri
računanju kolektorskih struja mora se uzeti u obzir multiplikacija nosilaca na spoju, tako da je:
I C1  M  1 I E1  I CO1  , (2)
I C 2  M  2 I E 2  I CO 2  , (3)

46
gde M predstavlja faktor multiplikacije nosilaca na inverzno polarisanom spoju J2, α1 i α2 su
strujna pojačanja pojedinih bipolarnih tranzistora iz modela, a ICO1 i ICO2 su inverzne struje
zasićenja (struje curenja) njihovih kolektorskih spojeva. Ako (2) i (3) zamenimo u (1) dobijamo:
MI CO
IA  , gde je I CO  I CO1  I CO 2 . (4)
1  M  1   2 
Iz (4) se vidi da anodna struja raste sa porastom faktora M(α1+α2) i kada bude ispunjen uslov:
M  1   2   1 (5)
onda IA → ∞, odnosno tiristor se uključi. Pri tome, zavisno od polarizacije gejta, moguća su dva
slučaja:
i) Kada je gejt polarisan negativno u odnosu na katodu (IG < 0), onda je efikasnost injekcije
spojeva J1 i J2 mala pa su i vrednosti strujnih pojačanja α1 i α2 takođe male. U tom slučaju
uslov definisan izrazom (5) može biti zadovoljen samo ukoliko faktor multiplikacije M ima
veliku vrednost, što praktično znači da tiristor može da pređe u provodno stanje tek kada
nastupi lavinski proboj spoja J2. Zbog toga je za prelazak tiristora u provodno stanje
neophodno dovesti visok anodni napon VD(BO) (prelomni napon), koji je približno jednak
probojnom naponu spoja J2.
ii) Kada je gejt polarisan pozitivno u odnosu na katodu (IG > 0) pozitivna struja gejta teče kroz
spoj J3, a rezultujući porast emitorske struje manifestuje se kroz porast strujnog pojačanja α2.
Zbog toga tiristor sada može da se uključi pri nižem anodnom naponu, pri kome se može
smatrati da nema multiplikacije nosilaca (M = 1). Anodna struja u ovom slučaju data je kao:
 I  I CO
IA  2 G . (6)
1   1   2 
Prema tome, strujno pojačanje raste sa porastom pozitivne struje gejta i u ovom slučaju tiristor
prelazi u provodno stanje kada struju gejta povećamo dovoljno da bude zadovoljen uslov:
1   2  1 . (7)
Struja gejta pri kojoj je gornji uslov zadovoljen, IGT, naziva se pragovska struja gejta. Kada
jednom pređe u provodno stanje, tiristor ostaje u tom stanju i ako isključimo struju gejta, pod
uslovom da je anodna struja veća od tzv. struje paljenja tiristora IL, koja ima nešto veću
vrednost od struje držanja IH (sl. 1 c).
Na osnovu izloženog može se zaključiti da je za prelazak tiristora u stanje niske impedanse
kada gejt visi (IG = 0) neophodno napon direktne polarizacije povećati do vrednosti prelomnog
napona VD(BO). Međutim, tiristor može da se uključi i na neželjen parazitan način pri naponu
nižem od VD(BO) ukoliko je brzina porasta direktnog napona (dVD/dt) prevelika. Naime, spoj J2 pri
direktnoj polarizaciji tiristora biva u stvari, kao što je već pomenuto, polarisan inverzno, a brza
promena vrednosti (porast) napona direktne polarizacije, kojom se brzo uspostavlja i širi oblast
osiromašenja inverzno polarisanog spoja J2, dovodi do proticanja struje dielektričnog pomeraja
koja je potrebna da napuni kapacitivnost oblasti osiromašenja ovog spoja. U suštini, ovu struju
čini struja šupljina koje bivaju prinudno pomerene tokom uspostavljanja i širenja oblasti
osiromašenja spoja J2, a njena gustina data je izrazom:
 dC j  dVD
J q  C jVD    C j  VD
d
 . (8)
dt  dVD  dt
Kao što se može videti, struja dielektričnog pomeraja direktno je srazmerna brzini porasta
napona direktne polarizacije dVD/dt, a njen efekat na uključenje tiristora sličan je efektu
pozitivne struje gejta, što znači da postoji neka kritična vrednost brzine porasta napona (dVD/dt)cr
pri kojoj će se tiristor uključiti iako još uvek nije dostignut prelomni napon VD(BO). S obzirom da
se ovde radi o neželjenom i nekontrolisanom uključenju, poželjno je da tiristor ima što veću
vrednost parametra (dVD/dt)cr, a ovaj parametar može se povećati primenom tzv. katodnih
kratkih spojeva (otpornik male vrednosti vezan između slojeva P2 i N2, kao što je ilustrovano na
Sl. 4 a). Uloga ovih kratkih spojeva je da struju dielektričnog pomeraja preusmere sa spoja J 3
direktno na katodu, a u praksi se oni realizuju direktno u samoj strukturi tiristora, kao na Sl. 4 b.

47
Sa dijagrama na Sl. 4 može se videti i da katodni kratki spojevi ne samo da povećavaju vrednost
napona VD(BO) već poboljšavaju i njegovu temperaturnu zavisnost.

Sl. 4: Ilustracija primene katodnih kratkih spojeva i njihovog uticaja na visinu napona blokiranja.

Isključenje tiristora

Pod isključenjem tiristora podrazumeva se prelazak iz stanja niske impedanse (provodno

stanje) u direktno neprovodno stanje. Svi unutrašnji slojevi tiristora u provodnom stanju, pri
kome je spoj J2 u proboju, preplavljeni su injektovanim nosiocima čija je koncentracija toliko
visoka da se često koristi i termin „plazma“ elektrona i šupljina. Da bi se tiristor prebacio u
neprovodno stanje neophodno je da se ove visoke natkoncentracije nosilaca redukuju na
vrednosti približne onima u termodinamičkoj ravnoteži kako bi se na spoju J2 ponovo uspostavila
oblast prostornog naelektrisanja (oblast osiromašenja). Zavisno od kola u kome tiristor radi, ovo
se može postići na jedan od sledećih načina:
- komutacijom (invertovanjem smera) anodne struje
- smanjivanjem anodne struje ispod vrednosti struje držanja
- primenom negativnog napona na gejt

Isključenje tiristora komutacijom anodne struje

Isključenje tiristora kod ove tehnike postiže se forsiranjem struje suprotnog smera u odnosu na njen
smer tokom perioda u kom je tiristor bio u provodnom stanju. Komutacija može biti prirodna (tokom
svake poluperiode u kolu koje se napaja iz izvora naizmeničnog napona) ili prisilna (u kolu vezanom na
izvor jednosmernog napona) kada posebno kolo kratkotrajno menja polaritet anode u odnosu na katodu.
Na sl. 5 prikazano je kolo za prisilnu komutaciju anodne struje u kome za komutaciju služe kondenzator i
dodatno kolo sa pomoćnim tiristorom, kao i odgovarajući talasni oblici napona i struje tokom isključenja
tiristora. Tiristor se smatra isključenim nakon vremena tq potrebnog da ukupna količina naelektrisanja
nagomilanog u tiristorskoj strukturi opadne ispod određene kritične vrednosti Qcr. Komutacija, odnosno
protok struje u inverznom smeru, omogućava da se iz unutrašnjih slojeva odvede višak nagomilanih
nosilaca, a sam proces odvija se na sličan način kao i kod p-i-n diode. Naime, kao što se iz ilustracije
talasnih oblika može videti, anodna struja najpre opadne do nule (trenutak t = 0), a zatim raste u
negativnom smeru i dostiže maksimalnu negativnu vrednost. Ovaj period naziva se inverzni oporavak.
Nakon što struja dostigne maksimalnu negativnu vrednost, u trenutku t = ts, na tiristoru se uspostavlja
negativan napon, na spoju J1 počinje da se formira oblast osiromašenja, a struja počinje brzo da se vraća
(opada) ka nuli. Čak i kad struja opadne skoro do nule potrebno je još neko vreme tokom koga se napon
vraća do nule, a tek tada nagomilano naelektrisanje pada ispod kritične vrednosti (t = tq). Period od t = ts
do t = tq, tokom koga je napon na tiristoru negativan, naziva se inverzno kašnjenje, iza koga sledi period
tokom koga se formira oblast osiromašenja na spoju J 2 i uspostavlja blokada napona u direktu. Vreme
isključenja tiristora dato je izrazom:
Q1 Q
t q  t s   eff ln   eff ln 1 , (9)
Qcr Qcr
gde vremenska konstanta τeff predstavlja u stvari efektivno vreme života nosilaca, dok je Q1 slobodno
naelektrisanje prisutno u trenutku t = ts.

48
Sl. 5: Kolo za prisilnu komutaciju i talasni oblici struje i napona tokom isključenja tiristora komutacijom
anodnog kola.

U mnogim aplikacijama poželjno je da tiristor ima što kraće vreme isključenja tq, što se može postići
skraćivanjem vremena života nosilaca nekom od ranije pomenutih tehnika, kao što je difuzija zlata.
Međutim, treba imati u vidu da se skraćivanjem vremena života nosilaca povećava pad napona na tiristoru
u provodnom stanju, a rastu i struje curenja pri inverznoj polarizaciji. Primenom odgovarajućih katodnih
kratkih spojeva može se povećati kritično naelektrisanje Qcr, što takođe skraćuje vreme isključenja, ali se
time kvari karakteristika uključenja jer je potrebno više vremena da se u strukturi formira količina
slobodnog naelektrisanja neophodna da tiristor prevede u provodno stanje.

Isključenje tiristora smanjivanjem anodne struje

Kao što je već pomenuto, isključenje tiristora moguće je izvršiti smanjivanjem anodne struje ispod
vrednosti struje držanja IH. Tiristor se nalazi u provodnom stanju sve dok u oblasti spoja J2 postoji
relativno visoka natkoncentracija slobodnih nosilaca koja sprečava formiranje oblasti osiromašenja na
ovom spoju, pri čemu kroz tiristor teče struja čija je gustina veća od vrednosti minimalne gustine struje
potrebne da održi tiristor u provodnom stanju, JM. Pri velikim vrednostima anodne struje aktivna je cela
površina spoja J2, dok pri malim vrednostima struje aktivan ostaje samo jedan deo površine ovog spoja
koji održava provodno stanje tiristora. Naime, smanjivanjem anodne struje najpre se smanjuje njena
gustina do vrednosti nešto iznad JM, a nakon toga počinje da se smanjuje aktivna površina spoja u kojoj je
gustina struje još uvek iznad vrednosti JM. Daljim smanjivanjem anodne struje ova aktivna oblast spoja
svodi se na usko provodno vlakno oko koga je, u neaktivnom delu, već formirana oblast osiromašenja, a
tek kada struju smanjimo ispod vrednosti struje držanja IH lateralna difuzija nosilaca iz provodnog vlakna
dovodi do smanjenja njihove koncentracije u vlaknu potrebnog da se i na tom delu spoja uspostavi oblast
osiromašenja, čime se tiristor isključi.
Vrednost struje držanja IH zavisi od parametara tiristora (odnos širine bazne oblasti n- i difuzione
dužine, geometrija katodnih kratkih spojeva, itd.), kao i od brzine kojom se vrši smanjivanje anodne
struje, dI/dt. Najniža vrednost struje držanja, IH0, postiže se ukoliko se anodna struja smanjuje vrlo sporo,
a ako je brzina kojom se smanjuje anodna struja velika, struja držanja može da bude znatno veća od IH0 i
da iznosi čak i nekoliko ampera.

Isključenje tiristora primenom negativnog napona na gejt

Ukoliko u strukturi tiristora ne postoje katodni kratki spojevi, tiristor se može veoma
efikasno isključiti primenom negativnog napona na gejt. Ovo isključenje, međutim, moguće je
samo kod posebne (ali i mnogo korišćene) vrste tiristora, tzv. GTO (Gate Turn-Off) tiristora, čija
je struktura ilustrovana na sl. 6 a. Kod ove strukture, trakaste oblasti katode (katodni prsti)
okružene elektrodom gejta formirane se dubokim (meza) nagrizanjem jako dopirane n+ oblasti,
tako da se tiristor u stvari sastoji od većeg broja elementarnih tiristora koji su povezani paralelno.

49
 a) b)
Sl. 6: Prikaz GTO (gate turn-off) tiristorske strukture (a) i ilustracija “sužavanja” uključene oblasti usled
primene negativnog napona VG (b).

U provodnom stanju tiristora, oba tranzistora iz dvotranzistorskog modela rade u oblasti

zasićenja, pri čemu strujna pojačanja tranzistora zadovoljavaju uslov:
1   2  1 . (10)
Ako se na gejt dovede negativan napon, u gejt se sa spoja J3 odvodi struja šupljina, čime se
smanjuje injekcija elektrona iz n+ emitora (katoda tiristora). To ujedno znači da opada pojačanje
α2, a ukoliko je negativan napon na gejtu dovoljno visok da ovo pojačanje toliko padne da uslov
definisan izrazom (10) više nije ispunjen, plazma elektrona i šupljina ispod katode nestaje i
tiristor se gasi. Kao što je ilustrovano na sl. 6 b, odvođenje šupljina počinje najpre ispod ivičnih
delova katode, a uključena oblast ispod centralnog dela katode postepeno se sužava i tiristor se
isključi kad ona potpuno nestane, pri čemu je isključenje brže ukoliko je negativan napon na
gejtu viši. Prema tome, uska trakasta struktura katode doprinosi bržem isključenju i smanjuje
visinu negativnog napona potrebnog za isključenje tiristora.
Iz dvotranzistorskog modela proizilazi relacija:
I A   1 I A   2 I K   1 I A   2 I A  I G  , (11)
iz koje sledi
2
IA  IG . (12)
1   2  1
Na osnovu izraza (12) može se definisati odnos anodne struje, IA, i minimalne negativne struje
gejta potrebne za isključenje tiristora, IGq, kao:
IA 2
 . (13)
I Gq  1   2  1
Naravno, da bi se tiristor brže isključio, potrebno je da negativna struja gejta bude što veća od
IGq, ali pri tome ona ne sme da prekorači maksimalnu dozvoljenu vrednost, IGM, koja je
ograničena probojnim naponom spoja J3, VG(BR), i lateralnom otpornošću oblasti p-tipa između
dva kontakta gejta na suprotnim stranama katodnog prsta, RG:
VG ( BR) VG ( BR) 4VG ( BR)
I GM    . (14)
RG RG RG
2 2
Konačno, povezujući relacije (13) i (14) može se proceniti vrednost maksimalne anodne struje
koja može biti isključena:
I I 2 4VG ( BR) 4 2VG ( BR)
I A max  I A GM  A I GM   . (15)
I Gq I Gq  1   2  1 RG 1   2  1RG
Prema tome, da bi se postigla veća vrednost struje tiristora koja može biti isključena, potrebno je
povećati VG(BR) i/ili smanjiti RG. Probojni napon može se povećati smanjivanjem nivoa dopiranja
p-oblasti, ali se time ništa ne postiže jer u isto vreme raste i njena otpornost. Stoga dopiranje ove
oblasti ostaje na nekom standardnom nivou pri kome VG(BR) iznosi oko 20 V. Međutim, moguće

50
je smanjiti širinu katodnog prsta (tipično 200-400 μm, ali može se smanjiti i na 100 μm), čime se
smanjuje RG i postiže povećanje maksimalne struje koja može biti isključena.

Vrste tiristora
Kao što je već pomenuto, u proteklom periodu razvijene su brojne varijacije tiristorskih
struktura, a sa ciljem da se dobiju komponente odgovarajućih karakteristika za različite primene.
Generalno, tiristori se mogu razvrstati u grupe niskofrekventnih i visokofrekventnih tiristora. Pri
tome, kao i kod svih ostalih komponenata snage, i kod tiristora se veća brzina, odnosno visoka
prekidačka frekvencija, po pravilu postižu na uštrb snage (pad napona u direktu i maksimalna
struja) i/ili probojnog napona, tako da se u svakom specifičnom slučaju do optimalnog rešenja
dolazi nalaženjem odgovarajućeg kompromisa između međusobno suprotstavljenih zahteva.
Tako na primer, iz ranije analize može se videti da parametri raspoloživi za kontrolu vremena
isključenja tiristora jesu vreme života nosilaca i kritično naelektrisanje, koje pak zavisi od
emitorske efikasnosti, debljine i nivoa dopiranja baznih slojeva, kao i od rasporeda i dimenzija
prisutnih katodnih kratkih spojeva.
U prethodnom odeljku ukratko je već opisan GTO (Gate Turn-Off) tiristor, koji od svih
tiristorskih struktura ima najširu primenu, a ovde ćemo samo još jednom naglasiti da se velika
snaga kod ove vrste tiristora postiže paralelnim povezivanjem velikog broja jediničnih ćelija na
čipu. Sličan GTO-u jeste tzv. GATT (Gate-Assisted Turn-Off Thyristor), koji je optimizovan u
pogledu količine kritičnog naelektrisanja koje može ostati u unutrašnjim slojevima a da tiristor
ne bude u provodnom stanju, i koji u svojoj strukturi može da sadrži i katodne kratke spojeve
kako bi se postigla što veća vrednost Qcr. Za razliku od GATT-a, visoka prekidačka frekvencija
kod asimetričnog tiristora, koji se sreće i pod nazivom ASCR (Asymmetric Semiconductor
Controlled Rectifier), postignuta je smanjivanjem debljine pojedinih slojeva u strukturi i
skraćivanjem vremena života nosilaca. Zbog ovih izmena, inverzni probojni napon asimetričnog
tiristora je vrlo nizak, čak niži i od prelomnog napona VD(BO), a ukoliko je neophodno blokirati
visoke inverzne napone onda se u kolo na red sa ASCR-om vezuje dioda koja ima visok inverzni
probojni napon. Osim toga, u invertorskim kolima se ASCR često koristi i u kombinaciji sa
antiparalelnom diodom, tako da visinu inverznog napona na tiristoru tokom njegovog isključenja
u stvari određuje pad napona na antiparalelnoj diodi koja je direktno polarisana. Međutim, u ovoj
kombinaciji parazitna induktivnost metalnih veza između tiristora i antiparalelne diode može da
ima negativan uticaj na proces isključenja tiristora, pa se stoga antiparalelna dioda ugrađuje u
samu tiristorsku strukturu na čipu, a ovakva integrisana struktura naziva se inverzno provodni
tiristor ili RCT (Reverse Conducting Thyristor).
Veoma značajnu vrstu tiristora predstavlja triak, čiji su poprečni presek, strujno-naponska
karakteristika i simbol prikazani na sl. 7. Triak je petoslojna komponenta koja može da se okida
(uključuje ili isključuje) i direktnom i inverznom polarizacijom. Ponaša se kao bidirekcioni

Sl. 7: Triak: a) poprečni presek; b) I-V karakteristike; c) simbol.

51
prekidač (pri obe vrste polarizacije ima po jedno provodno i neprovodno stanje) i može se
posmatrati kao integracija dva antiparalelna tiristora. Moguće su četiri kombinacije glavnog
napona (napon između elektroda MT1 i MT2) i napona na gejtu (napon između G i MT1):
1) Elektrode MT2 i G polarisane pozitivno u odnosu na MT1 – triak može da se se uključi na
isti način kao običan tiristor
2) Elektroda MT2 polarisana pozitivno, a gejt negativno u odnosu na MT1 – moguće je
uključenje tiristorske strukture P1N1P2N2
3) Elektrode MT2 i G polarisane negativno u odnosu na MT1 – moguće je uključenje
tiristorske strukture N4P1N1P2
4) Elektroda MT2 polarisana negativno, a gejt pozitivno u odnosu na MT1 – kao i u
prethodnom slučaju, moguće je uključenje tiristorske strukture N4P1N1P2.
Od posebnog značaja su tzv. optički okidani tiristori (fototiristori, optotiristori), čija je
ilustracija data na Sl. 8. To su četvoroslojne tiristorske strukture specijalno projektovane da se
okidaju fotogeneracijom slobodnih nosilaca naelektrisanja. Efekat fotogeneracije sličan je efektu
injekcije elektrona iz oblasti gejta primenom pozitivnog napona na gejt. Da bi se javila
fotogeneracija parova elektron-šupljina, neophodno je da poluprovodnik bude osvetljen
svetlošću iz odgovarajućeg opsega talasnih dužina u kome je zadovoljen uslov da energija
fotona, hν, bude veća od širine zabranjene zone poluprovodnika ΔEg. Osim toga, talasna dužina
svetlosti i jačina svetlosnog izvora moraju da budu odgovarajuće i u pogledu dubine apsorpcije,
odnosno svetlost mora da prodre dovoljno duboko u poluprovodnik kako bi se generisala struja
nosilaca dovoljna da uključi tiristor. Tipično, za okidanje tiristora potreban je izvor optičke
jačine veće od približno 10 mW koji emituje svetlost talasnih dužina u opsegu 850-950 nm, pri
čemu dubina apsorpcije u silicijumu iznosi oko 50 μm.

a) b)

Sl. 8: a) Osnovna struktura optički okidanog tiristora sa raspodelom optičke snage u oblasti gejta;
b) Dubina apsorpcije u silicijumu u zavisnosti od talasne dužine svetlosti.

Optičko okidanje poželjno je u visokonaponskim kolima gde električna izolacija može da

predstavlja problem, naročito u slučaju kada je po nekoliko tiristora vezano redno a izolacija
anodnog kola i gejta treba da izdrže napone veće od 10 kV. Pri tome, optotiristor u mnogim
slučajevima služi kao pomoćni tiristor čija anodna struja služi kao struja gejta kojom se okida
tiristor velike snage.
Konačno, treba pomenuti i tzv. prelomnu diodu (breakover diode, BOD), koja se još naziva i
Šoklijeva dioda. To je četvoroslojna tiristorska struktura sa dva izvoda (bez gejta), koja se koristi
uglavnom kao zaštita od previsokih napona za snažniji tiristor (kod koga okidanje prelomnim
naponom može da bude destruktivno) ili kao pomoćni tiristor za okidanje snažnog tiristora.

52
 MOS TRANZISTORI SNAGE
Prednosti i nedostaci MOS tranzistora snage u odnosu na BTS
Bipolarni tranzistor snage (BTS) ima nekoliko značajnih nedostataka koji su ga, nakon što
je sedamdesetih godina dvadesetog veka razvijen MOS tranzistor snage, potisnuli u drugi plan
kada je u pitanju primena u snažnim prekidačkim kolima. Pre svega, BT ima malu ulaznu
impedansu i predstavlja strujno kontrolisanu komponentu. To znači da je neophodna relativno
velika bazna (upravljačka) struja, čija vrednost može da iznese i do 1/5 od izlazne (kolektorske)
struje, da održi komponentu u provodnom (ON) stanju. Pri isključivanju je takođe potrebna
velika inverzna bazna struja kako bi BT bio brzo preveden u isključeno (OFF) stanje. Da bi ovi
zahtevi bili ispunjeni, neophodno je projektovati odgovarajuće upravljačko kolo baze koje je
prilično komplikovano, a samim tim i skupo. Sledeći bitan nedostatak je što u provođenju struje
kod BT učestvuju i elektroni i šupljine. Prisustvo šupljina, koje imaju veliko vreme života, i
njihovo gomilanje u baznoj oblasti, dovode do znatno lošijih prekidačkih karakteristika nego kod
MOS tranzistora sličnih dimenzija i probojnog napona, tako da je brzina prekidanja kod BT
manja i za više od jednog reda veličine nego kod MOS tranzistora. Osim toga, BT je podložniji
sekundarnom (termičkom) proboju; naime, njegova otpornost uključenja (a time i pad napona na
tranzistoru u provodnom stanju) opada sa porastom temperature, što u slučaju većeg broja
paralelno vezanih tranzistora dovodi do preusmeravanja struje na jedan jedini tranzistor koji
usled toga može da pretrpi katastrofalan termički proboj.
MOS tranzistor snage (MOS TS) razlikuje se od BTS u principima funkcionisanja,
specifikacijama i karakteristikama. U opštem slučaju, MOS tranzistori snage su superiorni i
imaju nekoliko značajnih prednosti u odnosu na BTS:
1) Visoka ulazna impedansa (reda 109 Ω) – naponski kontrolisana komponenta – jednostavno
upravljanje
Provodnost MOS tranzistora, odnosno prelazak iz OFF u ON stanje i obrnuto, kontroliše se
primenom napona na gejt koji je oksidom gejta električno izolovan od površine
poluprovodnika. U kolu gejta praktično ne teče struja, osim one koja u prelaznom režimu
puni/prazni ulazne kapacitivnosti. Pošto je za ovo dovoljna i struja male vrednosti, ulazno
upravljačko kolo gejta je jednostavno i jeftino. Naponska kontrola ujedno znači i
kompatibilnost sa MOS integrisanim kolima koja mogu da pobuđuju MOS tranzistore snage
direktno.
2) Unipolarna komponenta – velika brzina prekidanja
Kod MOS tranzistora u provođenju struje učestvuju samo većinski nosioci. To znači da nema
kašnjenja u prekidanju usled gomilanja i rekombinacije manjinskih nosilaca kao kod BT, pa
je MOS TS znatno brži, za red veličine i više. Protok struje elektrona između sorsa i drejna
(važi za NMOS tranzistor) može da počne odmah nakon što se, dovođenjem pozitivnog
napona na gejt, između njih formira provodni kanal. Dubina kanala srazmerna je naponu na
gejtu, a kanal nestaje i MOS tranzistor prelazi u OFF stanje čim se ukine polarizacija gejta.
Otuda su MOS TS pogodniji za primenu u brzim prekidačkim kolima koja rade na visokim
frekvencijama pri kojima su dominantni prekidački gubici (prekidački izvori napajanja,
periferijske jedinice računara, kola za upravljanje radom elektromotora).
Inače, kada su u pitanju MOS tranzistori snage, dominantno se koriste NMOS komponente
zbog znatno veće pokretljivosti elektrona u odnosu na šupljine. PMOS tranzistori snage, kod
kojih struju provode šupljine, koriste se samo u specifičnim slučajevima u kojima kolo
zahteva PMOS komponentu.
3) Pozitivni temperaturni koeficijent otpornosti uključenja - temperaturna stabilnost –
jednostavnost paralelnog povezivanja
Pokretljivost nosilaca u kanalu opada sa porastom temperature, što znači da otpornost MOS
tranzistora u ON stanju (otpornost uključenja) Ron raste, a struja opada sa temperaturom. Ova

53
 karakteristika je veoma značajna za paralelno vezivanje MOS TS. Pretpostavimo da jedan od
više paralelno vezanih MOS TS ima nešto nižu vrednost Ron od ostalih; on će u početku
povući veću struju i trpeti veće zagrevanje od ostalih tranzistora. Međutim, time će porasti
njegova Ron, a struja koju on vodi početi da opada. Višak struje koji je u početku provodio
ovaj tranzistor preusmerava se usled porasta njegove otpornosti ka ostalim tranzistorima.
Drugim rečima, između pojedinih MOS TS vezanih paralelno relativno brzo se uspostavlja
balans: neki od njih rade na nešto višoj temperaturi, neki na nižoj, ali su njihove otpornosti
uključenja, a time i vrednosti struje kroz svaki od njih, potpuno ujednačene. Ovim je
mogućnost termičkog proboja neke od paralelno vezanih MOS komponenata u velikoj meri
eliminisana. Stoga je paralelno vezivanje MOS TS veoma jednostavno, za razliku od BTS za
čije bezbedno paraleno vezivanje je, zbog negativnog temperaturnog koeficijenta otpornosti,
često neophodno uključiti dodatne elemente (barem jedan otpornik) u kolo.
4) Široka oblast bezbednog rada (Safe Operating Area –SOA)
Smatra se da MOS TS ima širu SOA od BTS jer dozvoljava da u kratkom trajanju bude
opterećen visokim vrednostima napona i struje istovremeno a da pri tome ne dođe do
katastrofalnog otkaza usled sekundarnog proboja.

Bipolarni tranzistori snage su ipak zadržali i neke prednosti. Oni su nešto jednostavniji za
izradu od MOS tranzistora snage, a sadašnje stanje MOS tehnologije još uvek ne omogućava
izradu MOS TS koji bi mogli da izdrže više napone i provode jače struje od najsnažnijih BT.
Posebno je važno pomenuti da visokonaponski BTS (komponente čiji je probojni napon veći od
200 V) imaju nešto bolje I-V karakteristike (tj. nižu vrednost Ron) od odgovarajućih MOS TS
sličnih dimenzija i probojnog napona. Stoga su BTS još uvek atraktivniji za primenu u kolima
kod kojih brzina rada nije od presudnog značaja. Na sl. 1 uporedno su ilustrovana ograničenja u
pogledu maksimalnih vrednosti napona i struje kod današnjih BTS i MOS TS. Međutim, treba
imati u vidu da je MOS tehnologija u proteklom periodu toliko napredovala da se izrada MOS
TS ne smatra više ni skupom ni komplikovanom, a sasvim sigurno se može očekivati da će
razvoj novih materijala, struktura i tehnoloških procesa dovesti i do pomeranja trenutnih
ograničenja u pogledu snage MOS TS i približiti ih BTS.

Sl.1: Uporedni prikaz strujno-naponskih ograničenja bipolarnih i MOS tranzistora snage.

Struktura MOS tranzistora snage

Izlazna struja bilo kog MOS tranzistora može se u opštem slučaju predstaviti izrazom:
W '
I D   eff C ox  f (VD ,VG ) , (1)
L
gde μeff predstavlja efektivnu pokretljivost nosilaca u kanalu, W i L su širina i dužina kanala, C'ox
je kapacitivnost oksida gejta po jedinici površine, a f(VD,VG) je funkcija koja uključuje uticaj

54
napona na drejnu i gejtu. Iz ovog izraza vidi se da jedini geometrijski parametri tranzistora koji
utiču na struju drejna jesu dimenzije kanala (širina i dužina) i debljina oksida gejta (kapacitivnost
oksida gejta inverzno je proporcionalna njegovoj debljini). Debljina oksida gejta kod MOS TS
ne može se značajno smanjivati (oksid mora da izdrži relativno visoke napone koji se javljaju u
primeni pa tipična debljina oksida gejta kod diskretnih MOS TS iznosi oko 100 nm), što znači da
je za postizanje veće izlazne struje potrebno povećati širinu i/ili smanjiti dužinu kanala. U
slučaju klasične strukture MOS tranzistora, kanal međutim mora da zadrži dovoljnu dužinu kako
između sorsa i drejna ne bi nastupio tzv. proboj prodiranjem (punch-through). Čini se, dakle, da
jedino što preostaje jeste povećavanje širine kanala, pa su u početku pravljeni MOS TS sa veoma
širokim kanalom. Međutim, ovo samo delimično rešava problem i zahteva veoma veliku
površinu za izradu jedne jedine komponente.
Problem skraćivanja kanala i istovremene eliminicaije mogućnost punch-through proboja
je veoma efikasno i elegantno rešen tehnikom dvostruke difuzije kroz isti otvor u oksidu. Naime,
kao što se u slučaju lateralnog DMOS (Double Diffused MOS) tranzistora može uočiti na sl. 2,
kroz otvor u zaštitnom oksidu vrši se najpre difuzija p-oblasti (tzv. p-well kod CMOS kola, a
ovde se zove p-body oblast ili p-base), nakon koje kroz isti otvor sledi difuzija n+-oblasti sorsa.
Kanal tranzistora formira se u delu body oblasti koja predstavlja razliku u širenju dve pomenute
difundovane oblasti u lateralnom pravcu tokom dve sukcesivne difuzije, pa se stoga dužina
kanala može relativno lako podesiti da bude mala. Na ovaj način se npr. u 5-mikronskoj
tehnologiji sa lakoćom dobija kanal dužine od svega 1 μm. Oblast drejna n+, koja se formira
difuzijom u isto vreme kad i sors, nalazi se daleko u n--epitaksijalnom sloju, tako da ne postoji
opasnost od punch-through proboja. Transport struje odvija se tako što se nosioci (elektroni)
kreću između sorsa i drejna najpre kroz kanal, a potom driftuju kroz n--epi sloj pod dejstvom
električnog polja usled polarizacije drejna. Jonskom implantacijom može se izvršiti fino
podešavanje profila primesa u kanalu kako bi se dobila željena vrednost napona praga.

Sl. 2: Lateralni MOS tranzistor snage dobijen tehnikom dvostruke difuzije (LDMOS).

Proces izrade LDMOS tranzistora kompatibilan je sa standardnom CMOS tehnologijom,

pa je LDMOS struktura pogodna za primenu u snažnim integrisanim kolima. Međutim, kod ove
strukture prostor nije racionalno iskorišćen, pa se ona retko koristi za izradu snažnih diskretnih
komponenata. Znatno veća gustina pakovanja postiže se kod VDMOS (vertikalni DMOS)
tranzistora, čija su struktura i I-V karakteristike prikazane na sl. 3. Kao što se može videti, kod
VDMOS tranzistora protok elektrona odvija se najpre lateralno (kroz kanal), a potom vertikalno
(driftom kroz n--epi sloj) do n+-supstrata koji služi kao drejn. Tokom izrade, najpre se vrši dublja
difuzija p+-oblasti (body), zatim sledi difuzija pliće i šire p-oblasti u kojoj će biti formiran kanal,
pa tek onda n+-difuzija kojom se formira oblast sorsa i ujedno definiše kanal tranzistora.
Metalizacija sorsa prekriva i celu p+-body oblast, čime se kreira jedna dodatna integrisana
antiparalelna dioda (p+n- spoj na dodiru body oblasti i epi-sloja). Ova tzv. body-drain ili body-
drift dioda ponaša se kao Zener dioda koja štiti n+p spoj sors-body od proboja kad je direktno

55
 (a) (b)
Sl. 3: a) Poprečni presek dve polućelije vertikalnog MOS tranzistora snage dobijenog tehnikom dvostruke
difuzije (VDMOS); b) Tipične strujno-naponske karakteristike VDMOS tranzistora.

polarisana, a u slučaju inverzne polarizacije takođe štiti komponentu od previsokih napona jer ne
dozvoljava da napon između drejna i sorsa premaši njen probojni (Zenerov) napon. Osim toga,
pošto je vrednost maksimalnog napona između drejna i sorsa VDMOS tranzistora u
neprovodnom stanju VDSm ograničena parazitnom strukturom NPN bipolarnog tranzistora (sors-
body-epi), prespajanjem n+-oblasti sorsa i p-body oblasti se kratko-spajaju emitor i baza ovog
parazitnog BT, čime se (kao što je ranije ukazano) probojni napon podiže sa VCE0 na VCEs.
LDMOS tranzistor je pogodan za primenu u integrisanim kolima snage, a za izradu
diskretnih komponenata pretežno se koristi VDMOS struktura, koja se sastoji iz velikog broja
paralelno povezanih identičnih jediničnih ćelija. Kao što je ilustrovano na sl. 4, u opticaju su
strukture VDMOS tranzistora različitih oblika elementarnih ćelija (trougaoni, heksagonalni,
kvadratni), a najveća gustina pakovanja postiže se heksagonalnom geometrijom ćelija koja je i
najčešća. Broj jediničnih ćelija po komponenti kreće se od nekoliko stotina kod niskonaponskih
(manje snažnih) do više hiljada ili desetina hiljada kod snažnih visokonaponskih VDMOS
tranzistora, čije su i dimenzije peleta (čipa) znatno veće. Gustina pakovanja pri tom može biti
blizu 2000000 ćelija po cm2. Ovde treba pomenuti i da, u heksagonalnoj geometriji na primer,
svaka ćelija deli zajednički polisilicijumski gejt sa 6 susednih ćelija koje je okružuju (sl. 4).

Parazitne komponente u strukturi VDMOS tranzistora snage

Na sl. 5 prikazani su parazitni elementi koji su neizbežno ugrađeni u VDMOS strukturu,
kao i odgovarajuće ekvivalentno kolo. Najznačajniji parazitni elementi su:
 Parazitni JFET između dve susedne p-body oblasti – Oblasti osiromašenja inverzno
polarisanih pn spojeva body-epi šire se, sa porastom napona na drejnu, u n-epi sloj, tako
da ovaj JFET ograničava protok struje kroz VDMOS tranzistor.
 Parazitni NPN bipolarni tranzistor sors-body-epi – Ovo je "najopasniji" parazitni element
koji, ako se iz nekog razloga aktivira, može da izazove prevremeni proboj VDMOS
tranzistora, pa čak i katastrofalan otkaz ako se pri tom javi i sekundarni proboj. Na sl. 6
ilustrovano je aktiviranje parazitnog BT: jedan deo struje protiče putanjom uobičajenom
za MOS tranzistor (kroz kanal) i uvire u n+-oblast sorsa, a drugi pronalazi put kroz p-
body ispod oblasti sorsa i odlazi direktno na metalni kontakt sorsa. Pad napona koji na
raspodeljenoj otpornosti p-body oblasti (otpornost RSB na šemi sa sl. 6) stvori ovaj deo

56
Sl. 4: Levo: Različita geometrija elementarnih ćelija
(trougaona, heksagonalna, kvadratna) kod VDMOS
tranzistora snage; Gore: Detaljniji prikaz VDMOS
tranzistora sa heksagonalnom geometrijom elementarnih
ćelija.

Sl. 5: Levo: (a) Parazitni elementi kod VDMOS

tranzistora; (b) Ekvivalentno kolo VDMOS
tranzistora; Gore: Uprošćena šema
ekvivalentnog kola VDMOS tranzistora.

57
 Sl. 6: Aktiviranje parazitnog bipolarnog tranzistora kod VDMOS tranzistora.

struje može da dostigne vrednost od oko 0.7 V, što je dovoljno za direktnu polarizaciju bazno-
emitorskog spoja parazitnog NPN tranzistora i njegovo uključenje (prelazak BT u normalnu
aktivnu oblast rada). Za pouzdan rad VDMOS tranzistora veoma je bitno da se eliminiše
mogućnost uključenja parazitnog BT, pa je stoga nepohodno minimizirati otpornost p-body
oblasti (tj. otpornosti baze) pažljivim podešavanjem nivoa dopiranja i dužine oblasti ispod sorsa.
 Parazitne kapacitivnosti – Najznačajnije parazitne kapacitivnosti karakteristične za
VDMOS tranzistor su:
CGS – kapacitivnost oksida gejta usled preklapanja polisilicijumskog gejta i n+-oblasti
sorsa koja zavisi od geometrijskih parametara, a ne zavisi od primenjenih napona.
CGD – sastoji se iz dva dela, od kojih jedan predstavlja kapacitivnost oksida gejta usled
preklapanja polisilicijumskog gejta i silicijuma u JFET oblasti (n--epi), a drugi je
kapacitivnost oblasti osiromašenja u n--epi sloju neposredno ispod gejta. Kapacitivnost
CGD je nelinearna funkcija napona.
CDS – kapacitivnost oblasti osiromašenja body-drain diode koja je inverzno
proporcionalna kvadratnom korenu napona između drejna i sorsa.

Parametri VDMOS tranzistora snage

Probojni napon
Probojni napon VDMOS tranzistora BVDSS (ili VDSS) definiše se kao napon pri kome
probija inverzno polarisana body-drain dioda i počinje da teče velika struja između sorsa i drejna
usled lavinske multiplikacije nosilaca, pri čemu su sors i gejt kratko-spojeni. BVDSS se uobičajeno
meri kao napon pri kome struja dostigne vrednost od 250 μA. Kada gejt nije polarisan a napon na
drejnu je manji od probojnog napona BVDSS, tranzistor je u OFF stanju jer nije formiran kanal
ispod gejta, a praktično celokupan napon kojim je polarisan drejn pada na inverzno polarisanu
body-drain diodu. Daljim povećavanjem napona na drejnu, kada on dostigne vrednost BVDSS,
normalno dolazi do lavinskog proboja body-drain diode. Međutim, u slučaju loše projektovanih
i/ili procesiranih komponenata moguća su i pre toga (pri nešto nižim naponima) dva neželjena
fenomena koji dovode do preuranjenog proboja. Jedan od njih je tzv. punch-through efekat
(proboj prodiranjem) koji se javlja usled prevelikog širenja oblasti osiromašenja inverzno
polarisanog pn spoja body-drain diode kroz p-body. Ukoliko se ova oblast osiromašenja raširi
sve do n+-oblasti sorsa pri naponu nižem od BVDSS, otvara se provodni put za struju između sorsa
i drejna pre nego što nastupi lavinski proboj. Ovo se manifestuje pojavom značajne struje curenja
pre nego što nastupi pravi (lavinski) proboj, što se na probojnoj karakteristici vidi kao tzv.
mekano koleno (sl. 7). Drugi fenomen koji može da dovede do preuranjenog proboja kod
komponenata slabijeg kvaliteta je tzv. reach-through efekat (proboj skroz), kada se oblast
osiromašenja inverzno polarisanog pn spoja body-drain diode previše širi na suprotnu stranu,
kroz n-epi sloj, i dostigne n+-oblast supstrata pre nego što nastupi lavinska multiplikacija u epi
sloju. Ukoliko se ovo desi i oblast osiromašenja zađe u jako dopiran supstrat, dovoljan je vrlo

58
mali dalji porast napona na drejnu da električno polje poraste do kritične vrednosti od
2·105 V/cm pri kojoj nastupa lavinski proboj. U ovom slučaju nema mekanog kolena, ali se
proboj javlja pri naponu koji je niži od specificiranog BVDSS. U oba slučaja neophodno je
pažljivo projektovati i podesiti širine body oblasti i epi sloja i nivoa dopiranja u njima kako bi
verovatnoća preuranjenog proboja bila smanjena. Pri tome, neophodno je voditi računa i o
drugim značajnim parametrima VDMOS tranzistora, pa optimalna rešenja najčešće predstavljaju
kompromis između dva ili više suprotstavljenih zahteva (npr. za eliminaciju punch-through
proboja dobro je da kanal bude dugačak, ali se time povećava otpornost uključenja tranzistora;
otpornost uključenja može se smanjiti smanjivanjem debljine epi sloja i njegovim jačim
dopiranjem, ali time opada BVDSS, itd.).

Sl. 7: Probojna karakteristika VDMOS tranzistora. Sl. 8: Komponente RDSon VDMOS tranzistora.

Otpornost uključenja
Otpornost uključenja VDMOS tranzistora (otpornost VDMOS tranzistora u provodnom
stanju) RDSon, kao što ilustruje sl. 8, sastoji se iz više komponenata i može se predstaviti kao zbir
svih rednih otpornosti od sorsa do drejna:
RDSon  RS  Rch  R A  R J  R D  Rsub  Rc , (2)
gde je: RS – otpornost n+-oblasti sorsa; Rch – otpornost kanala; RA – otpornost oblasti akumulacije
(deo epi sloja neposredno ispod oksida gejta); RJ – otpornost JFET-a (deo epi sloja između dve
body oblasti, u literaturi se javlja i pod imenom neck resistance); RD – otpornost epi sloja ili
otpornost oblasti drifta; Rsub – otpornost n+-supstrata; Rc – zbir kontaktnih otpornosti sorsa i
drejna. Udeo kontaktnih otpornosti i otpornosti n+-oblasti sorsa i supstrata u ukupnoj otpornosti
je srazmerno mali i one se često mogu zanemariti, naročito u analizi visokonaponskih VDMOS
tranzistora. U opštem slučaju, najznačajniji udeo u RDSon imaju otpornost kanala i otpornost epi-
sloja, pri čemu otpornost kanala dominira kod niskonaponskih (BVDSS < 100 V), a otpornost epi
sloja kod visokonaponskih (BVDSS > 100 V) komponenata (za postizanje visokog probojnog
napona neophodno je da epitaksijalni sloj bude debeo i što slabije dopiran). Otpornosti oblasti
akumulacije i JFET-a su relativno male, ali ne i zanemarljive (kod visokonaponskih
komponenata mogu biti veće od otpornosti kanala). U svakom slučaju, poželjno je da otpornost
uključenja bude što manja, ali je zbog probojnog napona neophodan kompromis u projektovanju
tranzistora. Višećelijska struktura predstavlja izuzetnu pogodnost u smislu postizanja male
otpornosti uključenja: ako je otpornost jedne ćelije R, onda je ekvivalentna otpornost n identičnih
paralelno povezanih jediničnih ćelija jednaka R/n. Stoga je poželjno što više smanjiti dimenzije i
na istu površinu peleta smestiti veći broj ćelija, ali za sada nije moguće postići gustinu pakovanja
veću od približno 2000000 ćelija po cm2 zbog ograničene rezolucije fotolitografskih procesa.
Otpornost uključenja VDMOS tranzistora jako zavisi od temperature i raste sa njenim
porastom jer otpornosti svih navedenih slojeva zavise od pokretljivosti nosilaca koja opada sa
porastom temperature. Tipično:
Rch, RA ~ T3/2 RJ, RD ~ T2.6 (3)

59
Transkonduktansa
Transkonduktansa VDMOS tranzistora gm je merilo osetljivosti struje drejna na promene
napona na gejtu, a po definiciji se transkonduktansa računa kao gm=dID/dVGS, VDS=const.
Uobičajeno je da se ovaj parametar navodi za napon VGS koji obezbeđuje struju ID jednaku
polovini maksimalne dozvoljene struje pri naponu VDS koji garantuje rad u oblasti zasićenja. Kao
i struja drejna, transkonduktansa je direktno proporcionalna širini, a obrnuto proporcionalna
dužini kanala i debljini oksida gejta. Poželjna je, dakle, što veća gustina pakovanja jer efektivna
širina kanala raste, a njegova dužina se smanjuje sa povećanjem gustine pakovanja, ali treba
imati u vidu da ovde važe ranije pomenuta ograničenja vezana za fotolitografiju, kao i da se
kanal ne sme previše skraćivati zbog punch-through efekta. Debljina oksida gejta se takođe ne
sme previše smanjivati da bi oksid mogao da izdrži relativno visoke napone koji se javljaju u
kolima u kojima se koriste snažne komponente. Transkonduktansa je funkcija pokretljivosti
nosilaca u kanalu, što znači da i ona, poput otpornosti uključenja, jako zavisi od temperature
(opada sa porastom temperature).

Napon praga
Napon praga VT se definiše kao minimalni napon koji treba dovesti na elektrodu gejta da bi
nastupila jaka inverzija poluprovodnika ispod oksida gejta i formirao se provodni kanal između
oblasti sorsa i drejna. Napon praga VDMOS tranzistora snage se obično meri pri struji drejna od
250 μA. Tipične vrednosti napona praga su 2-4 V za visokonaponske komponente kod kojih je i
okid gejta deblji, odnosno 1-2 V za niskonaponske komponente, kompatibilne sa logičkim
kolima, kod kojih je oksid gejta tanji. Širom primenom snažnih MOS tranzistora u prenosivim
elektronskim napravama i bežičnim komunikacionim uređajima, kod kojih je potrošnja
ograničena kapacitetom baterija za napajanje, javlja se jasno uočljiv trend ka intenzivnijem
razvoju VDMOS komponenata sa nižim vrednostima otpornosti uključenja i napona praga.

Napon direktno polarisane body-drain diode

Napon direktno polarisane body-drain diode VF je zagarantovan maksimalni pad napona
na body-drain diodi za specificiranu vrednost struje sorsa. Uobičajene su maksimalne vrednosti
od 1.6 V za visokonaponske (BVDSS > 100 V) i 1.0 V za niskonaponske (BVDSS < 100 V)
komponente. P-kanalne VDMOS komponente imaju više vrednosti VF zbog veće kontaktne
otpornosti između metala i silicijuma p-tipa u odnosu na n-tip.

Maksimalna snaga disipacije

Maksimalna snaga disipacije je maksimalna snaga kojom se komponenta sme opteretiti a
da temperatura peleta (pn spojeva na peletu) ne premaši maksimalno dozvoljenu vrednost
(normalno 150oC ili 175oC) pri čemu se kućište drži na 25oC. Maksimalna snaga disipacije data
je izrazom:
T j max  25
Pd  , (4)
RthJC
gde je Tjmax maksimalna dozvoljena temperatura pn spoja (150oC ili 175oC), a RthJC ekvivalentna
termička impedansa komponente između pn spoja i kućišta.

Dinamičke karakteristike VDMOS tranzistora snage

Parazitne kapacitivnosti
Osnovna uloga VDMOS tranzistora kada se koristi kao prekidač u snažnom kolu je da
kontroliše izlaznu struju (struju drejna) naponom na gejtu. Na sl. 9 prikazani su prenosna
karakteristika i ekvivalentno kolo VDMOS tranzistora pogodno za analizu njegovih prekidačkih
karakteristika. Kao što je ranije već rečeno, kod MOS tranzistora snage nema nagomilavanja
manjinskih nosilaca, pa njegove prekidačke karakteristike zavise pre svega od vremena
potrebnog da se napune/isprazne parazitne kapacitivnosti, odnosno da se na njima uspostave

60
odgovarajući naponi. Otpornik RG predstavlja raspodeljenu otpornost polisilicijumskog gejta čija
je vrednost približno inverzno proporcionalna površini aktivne oblasti, dok su LD i LS
induktivnosti metalnih izvoda drejna i sorsa koje su reda veličine nekoliko desetina nH. U
katalozima proizvođača navode se vrednosti ulazne (Ciss), izlazne (Coss) i inverzne prenosne
(Crss) kapacitivnosti koje projektantima kola predstavljaju polaznu tačku pri definisanju
vrednosti ostalih komponenata u kolu. Vrednosti ovih kataloških kapacitivnosti u odnosu na
kapacitivnosti iz ekvivalentnog kola su:
Ciss  CGS  CGD (za CDS kratko-spojeno), Coss = CDS + CGD i Crss = CGD. (5)
Kapacitivnost između gejta i drejna CGD je nelinearna funkcija napona i predstavlja najvažniji
parametar u analizi prekidačkih karakteristika jer obezbeđuje povratnu spregu između izlaza i
ulaza kola. Ova kapacitivnost se takođe naziva Miller-ovom kapacitivnošću, a usled njenog
postojanja ukupna ulazna dinamička kapacitivnost je veća od zbira svih statičkih kapacitivnosti.

Sl. 9: Prenosna karakteristika (a) i ekvivalentno kolo za analizu prekidačkih karakteristika VDMOS tranzistora (b).

Na sl. 10 prikazani su tipično testno kolo za ispitivanje brzine prekidanja MOS tranzistora
snage i talasni oblici napona VGS i VDS sa naznačenim vremenima porasta i opadanja napona.
Vreme kašnjenja pri uključivanju (turn-on delay) td(on) je vreme potrebno za punjenje ulazne
kapacitivnosti komponente pre nego što može da počne da teče struja drejna, a vreme kašnjenja
pri isključivanju (turn-off delay) td(off) je vreme potrebno za pražnjenje kapacitivnosti pre nego
što počne primetno opadanje struje drejna.

Sl. 10: Testno kolo za ispitivanje brzine prekidanja MOS tranzistora snage (a) i talasni oblici napona na
gejtu i drejnu tokom uključenja i isključenja MOS tranzistora snage (b).

Prekidačke (frekventne) karakteristike VDMOS tranzistora snage mogu se poboljšati

uvođenjem odgovarajućih izmena u tehnološkom nizu na razne načine, od kojih su dva
ilustrovana na sl. 11. Prvom tehnikom se smanjuje preklapanje između oblasti gejta i epi sloja,
čime se smanjuje Millerova kapacitivnost CGD, dok druga tehnika smanjuje otpornost gejta RG, a
time i vremensku konstantu punjenja/pražnjenja ulazne kapacitivnosti (τ = RC).

61
Sl. 11: Poboljšanje prekidačkih karakteristika VDMOS tranzistora smanjivanjem CGD i smanjivanjem RG.

Naelektrisanje gejta (Gate Charge

Vrednosti ulaznih kapacitivnosti su korisne u analizi, ali mogu da dovedu do pogrešnih
zaključaka pri poređenju prekidačkih karakteristika dve VDMOS komponente različitih
proizvođača zato što rezultati zavise od dimenzija komponenata i njihove transkonduktanse. Sa
stanovišta projektovanja kola često je korisnije poznavati ukupnu količinu naelektrisanja
potrebnu da se napune ulazne kapacitivnosti (naelektrisanje gejta, Gate Charge) nego same
kapacitivnosti, te stoga većina proizvođača u svojim katalozima navode vrednosti oba parametra.
Na sl. 12 prikazani su testno kolo za određivanje naelektrisanja gejta i odgovarajući talasni oblici
napona i struje. Kada se gejt priključi na izvor napajanja, u kolu gejta počne da teče struja koja
puni kapacitivnost CGS i napon VGS počinje da raste, a kad on dostigne vrednost napona praga VT
(trenutak t1) počne da teče struja drejna. Napon VGS nastavlja da raste i u periodu između t1 i t2, a
srazmerno njegovom porastu raste i struja drejna. U trenutku t2, kada se napuni kapacitivnost
CGS, struja drejna dostigne odgovarajuću vrednost ID i ostaje konstantna, a napon na drejnu
počinje da opada. Pošto je kapacitivnost CGS napunjena kompletno, napon VGS neko vreme više
ne raste, a upravljačka struja sada puni Millerovu kapacitivnost CGD sve dok se, u trenutku t3, i
ona ne napuni. Vreme potrebno da se napuni Millerova kapacitivnost (od t2 do t3) znatno je duže
od vremena punjenja kapacitivnosti CGS zbog veoma brzog opadanja napona na drejnu u periodu
između t2 i t3 (i = Cdv/dt). Čim se napune obe kapacitivnosti (i CGS i CGD) napon na gejtu ponovo
raste dok ne dostigne vrednost napona napajanja u trenutku t4. Ukupno naelektrisanje potrebno
da napuni obe kapacitivnosti (QGS + QGD), koje odgovara trenutku t3, je minimalno naelektrisanje
neophodno da uključi tranzistor. Na osnovu iskustava u projektovanju kola, za polarizaciju gejta
praktikuje se korišćenje napona koji su barem nešto viši od minimalno potrebnog za uključenje
tranzistora, pa se u proračunima koristi vrednost naelektrisanja QG koje odgovara trenutku t4.
Prednost korišćenja naelektrisanja gejta ogleda se u tome što projektant kola može lako da
izračuna vrednost struje potrebne da uključi komponentu za željeno vreme (Q=CV, i = Cdv/dt,
Q=i·t), npr. komponenta za čije uključenje je potrebno naelektrisanje od 20 nC može se uključiti
za 20 µs ako se na gejt dovodi struja od 1 mA, ili za svega 20 ns ako se struja poveća na 1 A.

Sl. 12: Testno kolo za naelektrisanje gejta MOS tranzistora snage (a) i talasni oblici napona i struje (b).

62
Maksimalna dozvoljena brzina porasta napona na drejnu (dv/dt Capability)
dv/dt Capability (dv/dt moć) VDMOS tranzistora definiše se kao maksimalna dozvoljena
brzina porasta napona VDS. Ukoliko napon na drejnu raste brže nego što to dv/dt moć tranzistora
dozvoljava (odnosno, ako je prednja ivica naponskog impulsa koji se dovodi na drejn previše
strma) može se desiti da se pri tom između gejta i sorsa uspostavi napon koji je veći od napona
praga, čime tranzistor neželjeno prelazi u provodno stanje, a pod izvesnim uslovima moguć je i
katastrofalan otkaz.
U praksi su moguća dva mehanizma neželjenog uključenja MOS tranzistora snage usled
prebrzog porasta napona VDS, a oba su ilustrovana na slikama 13 i 14. Jedan od mehanizama
javlja se usled povratnog delovanja parazitne kapacitivnosti CGD. Kada se između drejna i sorsa i
drejna pojavi strm naponski impuls, kroz kapacitivnost CGD i dalje kroz otpornost RG (ukupna
otpornost gejta u kolu) teče struja I1 proporcionalna brzini porasta napona VDS (I1 = CGD·dv/dt)
koja na otpornosti RG (između gejta i sorsa) stvara pad napona:
dv
VGS  RG I1  RG CGD . (6)
dt
Ukoliko ovaj pad napona premaši vrednost napona praga VT, tranzistor prisilno prelazi u
provodno stanje. To znači da je u pogledu ovog neželjenog mehanizma dv/dt moć MOS
tranzistora snage ograničena na vrednost definisanu izrazom:
dv VT
 . (7)
dt RG CGD
Jasno je da su komponente sa malim naponom praga podložnije neželjenom uključenju kroz ovaj
mehanizam, pri čemu je, ukoliko primena komponenata podrazumeva povišene temperature,
posebno važno imati u vidu da napon praga ima negativni temperaturni koeficijent. Potrebno je
pažljivo podesiti impedansu u kolu gejta da bi se izbegao ovaj neželjeni efekat.

Sl. 13: Ekvivalentno kolo VDMOS tranzistora sa ilustracijom Sl. 14: Poreklo parazitnih elemenata koji
dv/dt mehanizama neželjenog uključenja. dovode do dv/dt uključenje parazitnog BT.

Drugi neželjeni mehanizam može da se javi kroz uključenje parazitnog bipolarnog

tranzistora. Kapacitivnost oblasti osiromašenja body-drain diode koja se širi kroz epi sloj (sl. 14)
označena je na sl. 13 i 14 kao CDB, a ona se praktično javlja između baze bipolarnog i drejna
MOS tranzistora. Punjenje ove kapacitivnosti prilikom pojave strmog naponskog impulsa na
drejnu dovodi do pojave struje I2 = CDB·dv/dt koja teče kroz raspodeljenu otpornost body oblasti
(baza bipolarnog tranzistora) RB, stvarajući na njoj (odnosno između baze i emitora bipolarnog
tranzistora) pad napona:
dv
VBE  RB I 2  RB C DB . (8)
dt
Parazitni bipolarni tranzistor se uključuje ukoliko ovaj pad napona dostigne ili premaši vrednost
od približno 0.7 V koji je dovoljan da direktno polariše bazno-emitorski spoj. Po analogiji sa
prethodnim mehanizmom, dv/dt moć MOS tranzistora snage je u ovom slučaju ograničena na
vrednost definisanu izrazom:

63
 dv 0.7
 . (9)
dt RB C BD
Probojni napon VDMOS tranzistora u slučaju velike vrednosti RB i prebrzog porasta napona na
drejnu bio bi ograničen na vrednost probojnog napona bipolarnog tranzistora u sprezi sa
otvorenom bazom. Ukoliko napon koji se dovede na drejn premaši vrednost probojnog napona
bipolarnog tranzistora sa otvorenom bazom, komponenta ulazi u lavinski proboj i može biti
uništena ukoliko struja nije ograničena spoljnim kolom. Da bi se povećala dv/dt moć VDMOS
tranzistora potrebno je smanjiti baznu otpornost, što je moguće postići povećanjem nivoa
dopiranja body oblasti i/ili smanjivanjem njenih lateralnih dimenzija (kraće rastojanje za lateralni
tok struje I2 do metalnog kontakta sorsa, sl. 14). Kao i kod prethodnog mehanizma, i u ovom
slučaju dv/dt moć VDMOS tranzistora opada sa temperaturom zato što bazna otpornost RB raste,
a pad napona direktno polarisanog bazno-emitorskog spoja VBE opada sa porastom temperature.

Oblast bezbednog rada (SOA) VDMOS tranzistora snage

Kao i u slučaju bipolarnog tranzistora, oblast bezbednog rada definiše granične vrednosti
struje i napona kojim se VDMOS tranzistor može kratkotrajno opteretiti a da pri tom ne nastupi
sekundarni proboj. Kao što je ilustrovano na sl. 15, ove granične vrednosti su pak definisane
maksimalno dozvoljenim vrednostima struje, napona i snage. Ukoliko je VDMOS tranzistor u
isto vreme izložen visokom naponu i jakoj struji,
moguć je sekundarni proboj kao posledica
uključenja parazitnog BT. Sekundarni proboj se
ipak ne javlja kod dobro projektovanih
savremenih komponenata zato što su kod njih
optimizovani parametri od kojih zavisi neželjeno
uključenje BT, pre svega lateralna otpornost
body oblasti, tj. bazna otpornost RB. Kao što je
već istaknuto, ova otpornost mora biti mala da
ne bi nastupilo dv/dt uključenje parazitnog BT.
Ako je bazna otpornost dovoljno mala da dv/dt
efekat bude eliminisan, onda je SOA
maksimalna i definišu je isključivo uslovi
termičke stabilnosti rada, odnosno maksimalna
dozvoljena snaga disipacije VDMOS tranzistora.
Kao što se može videti sa sl. 15, SOA postaje
sve šira ukoliko je kraće trajanje impulsa tokom
Sl. 15: Oblast bezbednog rada VDMOS tranzistora. koga je tranzistor uključen.

64
 BIPOLARNI TRANZISTOR SA IZOLOVANIM GEJTOM - IGBT
Naziv komponente potiče od originalnog izraza Insulated Gate Bipolar Transistor,
skraćeno IGBT. U starijoj literaturi IGBT se nalazi i pod nazivima: IGT (Insulated Gate
Transistor), COMFET (Conductivity Modulated FET) i GEMFET (Gain Enhanced MOSFET).
IGBT u suštini predstavlja kombinaciju snažnog vertikalnog MOSFET-a i bipolarnog
tranzistora. Ideja je bila da se dobije komponenta koja bi bila naponska kontrolisana kao MOS
tranzistor i ujedno mogla da provodi velike struje kao BTS. Prvi pokušaji da se ove komponente
kombinuju išli su u pravcu razvoja tzv. Darlingtonove konfiguracije sa MOS tranzistorom na
ulazu i snažnim bipolarnim tranzistorom na izlazu. Pri tom su najpre korišćene diskretne
komponente, a potom su pravljeni izvesni pokušaji i u tehnologiji integrisanih kola, ali ni u
jednom od ovih pokušaja nisu postignuta značajnija povećanja gustine struje. Prava šansa da se
kombinuju jednostavnost upravljanja (naponska kontrola) svojstvena MOS tranzistoru i
sposobnost provođenja velikih struja BT-a pojavila se tek nakon što je razvijen VDMOSFET.

Struktura i princip rada IGBT-a

Kao što se može videti na slikama 1 i 2, dizajn IGBT-a se od n-kanalnog VDMOS
tranzistora razlikuje samo utoliko što se umesto n+ koristi p+ supstrat, dok je sve ostalo
preslikano sa VDMOSFET-a. Kao i kod VDMOSFET-a, na supstratu se vrši narastanje
epitaksijalnog sloj n-, u koji se potom vrši difuzija p+ body oblasti (baza), a zatim kroz isti otvor
u oksidu sledi dvostruka difuzija (p i n+), formiranje polikristalnog gejta, itd. U ovoj strukturi
lako je prepoznati MOSFET i p-n-p BT (supstrat-epi-baza), ali se kao i u slučaju VDMOSFET-a
može uočiti i parazitni n-p-n BT (n+-baza-epi). Od parazitnih elemenata takođe uočavamo
raspodeljenu otpornost baze (Rsh) i parazitni JFET, koji nije od velikog značaja. Ekvivalentno
kolo IGBT-a je prikazano na slici 3. Osim gejta, IGBT ima još dva izvoda: emitor (sors
MOSFET-a i kolektor BT-a) i kolektor (drejn MOSFET-a i emitor BT-a).

Sl. 1: IGBT: (a) poprečni presek; (b) simbol; (c) tipične izlazne i prenosne I-V karakteristike.

Sl. 2: Presek kroz aktivnu oblast IGBT-a. Sl. 3: Ekvivalentno kolo IGBT-a.

65
 Normalna polarizacija IGBT-a podrazumeva pozitivan napon na kolektorskom izvodu, a
time i na drejnu MOSFET-a. Ako se na gejt dovede pozitivan napon veći od napona praga, u bazi
(p-body) se između n+ oblasti (sors) i epitaksijalnog sloja (n oblast) formira provodni kanal
MOSFET-a kroz koji teče struja elektrona. Ova struja dalje protiče kroz n-epi sloj, odnosno bazu
BT-a, čime se direktno polariše bazno-emitorski spoj p-n-p BT-a i dolazi do injekcije šupljine iz
p+ supstrata (emitor BT-a). Ovom injekcijom manjinskih nosilaca praktično se redukuje redna
otpornost cele strukture, čime je omogućeno provođenje znatno veće struje nego u slučaju
VDMOS tranzistora sličnih dimenzija.
Posmatrajmo sada uprošćeno ekvivalentno kolo dato na sl. 4 koje je primenljivo ako su
otpornosti kanala (Rch) i p-oblasti baze (Rsh) zanemarljivo male tako da se parazitni n-p-n BT ne

Sl. 4: Uprošćeno ekvivalentno kolo IGBT-a.

može aktivirati. Ako imamo u vidu da je In struja kroz kanal MOS strukture, tj. struja baze p-n-p
BT-a, Ip struja šupljina, a  strujno pojačanje BT-a u sprezi sa zajedničkom bazom, onda je:

Ip  In , (1)
1
I
I E  IC  In  I p  n , (2)
1
W
I n   eff C ox (VGE  VT )Vch . (3)
L
Na osnovu (2) i (3):
W  eff Cox
IC  (VGE  VT )Vch . (4)
L 1
Za Vch  VGE  VT , kolektorska struja ulazi u zasićenje i jednaka je:
1 W  eff Cox
I Csat  (VGE  VT ) 2 , (5)
2 L 1  
1

gde je   1  1  q 0 Si N A  i iznosi približno 4 kod snažnih MOS tranzistora, a BS je razlika

2


Cox  2 BS 

potencijala između unutrašnjeg dela p oblasti kanala i površine poluprovodnika u blizini sorsa.
Transkonduktansa IGBT-a je:
dI C W  eff Cox
 gm  (VGE  VT ) . (6)
dVGE  L 1  
Pošto je tipična vrednost strujnog pojačanja   0.5, proizilazi da je transkonduktansa IGBT-a
oko dva puta veća nego u slučaju MOSFET-a slične konstrukcije.
Glavni provodni put kroz IGBT može se uprošćeno modelirati kao dioda u rednoj vezi sa
MOS tranzistorom, pa se ukupni pad napona na IGBT-u u provodnom stanju može predstaviti
kao zbir pada napona na kanalu MOS tranzistora i pada napona na direktno polarisanoj diodi:
VCE (on)  Vch  VF . (7)

66
Pad napona na direktno polarisanoj diodi VF može se aproksimirati kao zbir napona provođenja
(praga) diode Vt i pada napona na diferencijalnoj otpornosti rd. S obzirom da rd ima pozitivni
temperaturni koeficijent, jednostavno paralelno povezivanje velikog broja elementarnih ćelija
moguće je kao kod snažnih VDMOS tranzistora. Inače, VCE(on) raste sa porastom odnosa širine
baze i difuzione dužine nosilaca, a strujno-naponske karakteristike u velikoj meri zavise od
vremena života nosilaca kao kod svih bipolarnih komponenata.
Probojni napon, koji se često naziva i maksimalni napon zakočenja (blocking voltage)
IGBT-a, ograničen je vrednošću probojnog napona VCE0 p-n-p tranzistora. Da bi se postigle niske
vrednosti napona u provodnom stanju (on-state) VCE(on) i visoke vrednosti napona u zakočenom
stanju (blocking-state), vrši se modifikacija osnovne strukture formiranjem dodatne n+ oblasti
širine oko 10 m između p+ kolektora i n- epi sloja (sl. 5), čime se redukuje efikasnost injekcije
emitora p-n-p tranzistora, a on-state napon povećava samo neznatno. Ovaj tip IGBT-a se naziva
punch-through IGBT.
U dosadašnjem razmatranju zanemarili smo parazitni n-p-n BT. Međutim, u praksi deo
struje ipak protiče kroz Rsh (sl. 6), usled čega se (čak i kad je ova otpornost mala) bazno-
emitorski spoj parazitnog BT-a direktno polariše. Kao što se može videti na sl. 3, dva BT-a
formiraju tiristorsku strukturu n+-p-n-p+. Pad napona na otpornosti Rsh raste sa porastom
kolektorske struje, tako da pri izvesnoj dovoljno velikoj vrednosti kolektorske struje (kritična
struja) uslovi za aktiviranje n+-p-n-p+ strukture postaju ispunjeni i tiristor se uključuje. Ovaj
neželjeni efekat se naziva latch-up, a kada do njega dođe IGBT se više ne može kontrolisati
naponom na gejtu, tj. nemoguće ga je isključiti ukidanjem napona na gejtu. Vrednost kritične
struje je direktno srazmerna debljini p oblasti, a obrnuto srazmerna njenoj specifičnoj otpornosti i
dužini provodnog puta ispod n+ emitora parazitnog BT-a.

Sl. 5: Poprečni presek punch-through IGBT-a. Sl. 6: Ilustracija latch-up efekta kod IGBT-a.

Dinamičke karakteristike IGBT-a

Tipični talasni oblici struja i napona pri uključivanju (turn-on) i isključivanju (turn-off)
IGBT-a dati su na sl. 7. Početak procesa uključenja IGBT-a odvija se slično kao kod MOS
tranzistora: kada se na gejt dovede napon veći od napona praga, počinje da se puni ulazna
kapacitivnost, tj. počinje da teče struja kroz MOSFET koja ujedno predstavlja struju baze BT-a.
Kolektorska struja BT-a počne da teče posle izvesnog vremena (kašnjenje, delay) koje je
definisano vremenom prelaska nosilaca kroz bazu. S obzirom da je baza veoma uska, ovo
kašnjenje je zanemarljivo malo, tako da je kašnjenje IGBT-a pri uključenju praktično jednako
kašnjenju MOSFET-a. Kolektorska struja nakon ovoga raste veoma brzo usled dodatne injekcije
manjinskih nosilaca, tako da se proces uključenja brzo okončava. Ovde treba istaći da su, u
poređenju sa MOSFET-om sličnih mogućnosti u pogledu provođenja struje, dimenzije čipa
IGBT-a znatno manje, pa su samim tim manje i parazitne kapacitivnosti koje treba napuniti.
Prema tome, uključenje IGBT-a je veoma brzo, a gubici su relativno mali.

67
 a) b)

Sl. 7: Talasni oblici u toku (a) uključenja i (b) isključenja IGBT-a.

Znatno veća pažnja mora se posvetiti procesu isključenja IGBT-a. Naime, dok je IGBT u
uključenom stanju, u n bazi BT-a se akumulira velika količina viška nosilaca kao posledica
injekcije šupljina iz p+ emitora, tj. nadkoncentracije nosilaca u bazi su veoma visoke kao i kod
običnog BT-a. Kada se isključi (ili invertuje) polarizacija gejta, napon VGE ne pada trenutno jer je
potrebno vreme da se isprazni kapacitivnost gejta, i kanal se prekida kada VGE padne ispod
vrednosti napona praga. Napon VCE počinje da raste, a u trenutku prekida kanala kolektorska
struja se samnji za iznos IC=In. U poređenju sa BT-om, kod IGBT-a ne postoji mogućnost
proticanja negativne bazne struje koja bi odvukla višak nosilaca akumuliranih u bazi. Prema
tome, znatno veća količina naelektrisanja mora biti eliminisana kroz kolektorski spoj nego u
slučaju BT-a sa sličnom širinom baze i vremenom života nosilaca. Kolektorska struja IGBT-a
opada po eksponencijalnom zakonu:

I C (t )   I C (0) exp(t /  eff ) . (8)

Na ovu struju, koja se naziva “tail current”, nadovezuje se i struja pomeraja usled dinamičke
promene napona na kolektoru (dVCE/dt). Inače, jasno je da tail current i struja pomeraja značajno
doprinose povećanju prekidačkih gubitaka. Struja pomeraja zavisi od brzine promene napona
VCE, tj. od dVCE/dt. Ova struja teče lateralno kroz bazu parazitnog n-p-n tranzistora, formirajući
struju gejta parazitnog tiristora koji može da se uključi ako struja prekorači kritičnu vrednost.
Prema tome, poželjno je da dVCE/dt u toku turn-off procesa ne bude preveliko i treba ga na neki
način redukovati. Postoji analiza koja pokazuje da brzina promene kolektorskog napona, kao i
brzina opadanja struje u kanalu MOS strukture, zavise od vremenske konstante RGCGC (sl. 8).
Ukupna otpornost gejta može se menjati promenom vrednosti eksternog otpornika u kolu gejta,
pa prema tome, da bi se smanjila brzina porasta napona VCE i smanjili gubici u toku isključenja
IGBT-a, u kolo gejta treba staviti veliku otpornost. Međutim, time se smanjuje brzina uključenja.
Problem se rešava na način ilustrovan na sl. 9: mala redna otpornost Ron u kolu gejta omogućava
brzo uključenje IGBT-a, a dVCE/dt se smanjuje ubacivanjem otpornika Roff velike otpornosti.

68
Sl. 8: Parazitne kapacitivnosti svojstvene IGBT-u. Sl. 9: Kolo gejta sa malim Ron i velikim Roff.

Dodatni dinamički fenomen koji može da izazove neželjeno uključenje IGBT-a može se
javiti pri ponovljenoj primeni brzo rastućeg blocking napona u kratkom vremenskom intervalu.
U ovom slučaju IGBT se modelira ekvivalentnim kolom sa sl. 10. U toku porasta napona VCE,
kapacitivnost CGE se puni kroz CGC i istovremeno prazni kroz RGE. Ako je otpornost RGE velika,
pražnjenje se odvija sporo, tako da CGE i ne stigne da se isprazni pre nego što naiđe sledeći
impuls. Stoga napon na CGE (tj. napon na gejtu) progresivno raste sa svakim novim impulsom i
može da poraste iznad vrednosti napona praga i uključi IGBT. Ako na ovaj način dođe do
uključenja, javlja se značajna disipacija (odnosno gubici) čak i ako IGBT ostane u uključenom
stanju za vrlo kratko vreme. Ovo se može sprečiti smanjivanjem otpornosti RGE ili dovođenjem
negativnog napona na gejt, tipično -5 V, koji eliminiše svaku mogućnost da napon na gejtu
dostigne vrednost napona praga.

Sl. 10. Ekvivalentno kolo za modeliranje uticaja dVCE/dt na uključenje IGBT-a.

U slučaju punch-through (PT) IGBT-a, oblast osiromašenja se širi kroz ceo n-epi sloj, a
dalje širenje se zaustavlja n+ slojem. Kod ove strukture neophodno je, da bi se skratilo vreme
prekidanja, skratiti vreme života manjinskih nosilaca. Ovo se može postići na jedan od ranije
opisanih načina, npr. pomoću elektronskog zračenja. S druge strane, kod non-punch-through
(NPT) struktura, n-epi sloj mora da bude dovoljno širok da se punch-through efekat ne javi ni
pod kojim uslovima rada komponente. Povećanjem širine epi oblasti se, međutim, povećava
redna otpornost, tako da NPT IGBT ima veći pad napona u provodnom stanju. Proces izrade
NPT IGBT-a je, međutim, jednostavniji/jeftiniji i nije neophodna redukcija vremena života
manjinskih nosilaca. Obe tehnologije, PT i NPT, su gotovo jednako zastupljene u izradi IGBT-a
za napone do oko 1200 V. Za visokonaponske komponente (2-3 kV) pogodnija je NPT
tehnologija. Međutim, za vrlo visoke napone (oko 4.5 kV), epi sloj bi morao da bude veoma
debeo (oko 650 m), čime bi se pad napona u provodnom stanju znatno povećao i doveo do
neprihvatljivog nivoa gubitaka. U ovom slučaju se ponovo pribegava PT tehnologiji, a u cilju

69
poboljšanja prekidačkih karakteristika se p+ oblast kolektora pravi veoma tankom da bi je
manjinski nosioci brzo prelazili i dolazili do metala bez rekombinacije.

Oblast bezbednog rada IGBT-a

Oblast bezbednog rada (SOA) je kod IGBT-a ograničena maksimalnom dozvoljenom
snagom i neophodnošću da se izbegne sekundarni proboj. Ćelijska strukura IGBT-a omogućava
veću otpornost na sekundarni proboj. Frekventna zavisnost parametara je funkcija prekidačkih
gubitaka (tj. gubitaka u toku uključenja i isključenja) IGBT-a, pri čemu kao i kod MOSFET-a,
maksimalna radna struja opada sa porastom frekvencije. Iako može da provodi veće struje od
snažnog VDMOS tranzistora, IGBT ima lošiju frekventnu karakteristiku zbog sporijeg
isključivanja (tail current). Videti sl. 11 radi poređenja.

a) b)
Sl. 11: Poređenje (a) maksimalnih struja i napona (SOA) i (b) maksimalnih gustina struje u funkciji
maksimalne radne frekvencije kod MOSFET-a, IGBT-a i tiristora.

70
 STATIČKE INDUKCIONE KOMPONENTE SNAGE

Statički indukcioni tranzistor (SIT)

Statički indukcioni tranzistor (SIT) u osnovi predstavlja snažni kratkokanalni JFET.
Struktura i I-V karakteristike konvencionalnog JFET-a za male signale prikazane su na sl. 1.
JFET je normalno u provodnom stanju, a struja protiče kroz kanal formiran u epitaksijalnoj n-
oblasti ispod p+-oblasti gejta. Primenom negativnog napona na gejt dolazi do širenja oblasti
prostornog naelektrisanja p+-n spoja, čime se sužava provodni kanal i redukuje struja. Pri
dovoljno velikim vrednostima negativnog napona na gejtu kanal se potpuno prekida i prestaje
protok struje. Nivoi snage koje doseže konvencionalni JFET su ograničeni ovim lateralnim
protokom (kanal je dugačak i ima relativno veliku otpornost), pa ovakva struktura nije pogodna
za primene gde se zahtevaju visoki nivoi napona i struje.

Sl. 1: Konvencionalni JFET: a) topologija; b) poprečni Sl. 2: Statički indukcioni tranzistor: a) poprečni presek
presek; c) simbol; d) tipične I-V karakteristike. komponente sa ukopanim gejtom; b) simbol; c) tipične
I-V karakteristike.

Da bi se navedena ograničenja prevazišla, razvijena je struktura sa kratkim kanalom,

znatno pogodnija za veće snage, u kojoj struja teče vertikalno i koja je nazvana statički
indukcioni tranzistor (SIT). Na sl. 2 prikazan je poprečni presek i I-V karakteristike SIT-a sa
ukopanim gejtom, dok sl. 3 prikazuje dve alternativne verzije ove komponente. Kao i kod JFET-
a, modulacija širine kanala vrši se naponom na gejtu: negativni napon sužava i zatvara kanal, a
kanal se širi isključenjem napona na gejtu ili primenom pozitivnog napona (sl. 4). Pošto je kanal
veoma kratak, oblast osiromašenja se može smatrati potencijalnom barijerom za protok
elektrona, pri čemu je visina barijere linearna funkcija napona VGS i VDS : VB = VGS + VDS, gde
su  i  konstante koje zavise od geometrije i profila primesa. Struju dakle čine elektroni koji
imaju kinetičku energiju dovoljnu da savladaju barijeru: J=J0exp(-qVB/kT), a otuda se I-V

71
karakteristike značajno razlikuju od karakteristika JFET-a. Treba takođe imati u vidu da se SIT
često pravi sa veoma niskom koncentracijom donora u epitaksijalnoj n-oblasti i veoma malim
rastojanjem (1-10 m) između p-n spojeva gejta, tako da se potencijalna barijera formira i bez
negativnog napona na gejtu, prosto kao rezultat difuzionog potencijala p-n spojeva.

Sl. 3: Alternativni dizajn statičkog indukcionog tranzistora: a) planarna struktura; b) U-kanalna (trench)
struktura (USIT).

S obzirom da u provođenju učestvuju samo većinski nosioci, frekventna zavisnost

parametara, kao što je npr. stepen pojačanja, određena je uglavnom kapacitivnošću p-n spojeva i
otpornošću slojeva. Ekvivalentno kolo SIT-a prikazano je na sl. 5. Frekvencija prekidanja najviše
zavisi od kapacitivnosti CGS i otpornosti RS ( f m  1 /(2C GS R S ) ), a obe veličine su funkcije
napona na gejtu (CGS opada, a RS raste sa porastom napona na gejtu). Brzina prekidanja je u
opštem slučaju znatno veća nego kod bipolarnog tranzistora, pa se SIT koristi u kolima gde se
zahteva veća brzina rada.

Sl. 4: Modulacija širine kanala SIT-a naponom na gejtu. Sl. 5: Ekvivalentno kolo SIT-a.

Otpornost kanala SIT-a u provodnom stanju Ron (otpornost uključenja) raste sa porastom
temperature (RonT5/2), što je povoljno za paralelno povezivanje komponenata. Visokonaponske
komponente zahtevaju široku i slabo dopiranu n-oblast, ali se time povećava Ron i ograničava
mogućnost provođenja velikih struja. Ron se može smanjiti čak za nekoliko redova veličine ako
se spoj gejt-sors polariše direktno; time se postiže dodatna injekcija nosilaca iz p+ i n+ oblasti u
epitaksijalni n-sloj i imamo slične uslove kao kod p-i-n diode. Međutim, ova dodatna injekcija
viška nosilaca ograničava rad na visokim frekvencijama koji u ovim uslovima zavisi od vremena
života nosilaca. SIT specijalno projektovan da radi sa direktno polarisanim spojem gejt-sors
naziva se bipolarni SIT (BSIT). Ova komponenta je jos uvek u razvoju i za sada nema značajnu
primenu.

72
Poljem-kontrolisana dioda (FCD) ili statički indukcioni tiristor (SITh)

SITh je komponenta sa tri elektrode izvedena iz SIT-a; jedina razlika u strukturi je što se za
SITh koristi p+ supstrat umesto n+ supstrata (sl. 6 i 7). Ova prosta izmena dizajna, međutim,
značajno menja princip rada i radikalno smanjuje Ron usled pojave bipolarne injekcije nosilaca.
Primenom negativnog napona između gejta i katode kreira se potencijalna barijera koja
sužava provodni kanal na n+-n spoju. Ako je ovaj negativan napon dovoljno visok, kanal je
blokiran, a šupljine koje uđu u oblast osiromašenja na spoju gejta kreću se dalje kroz oblast gejta
do kontakta gejta. S druge strane, ako je VGK  0, uklanja se barijera i otvara provodni kanal
između n+ i n slojeva i dolazi do bipolarne injekcije iz p+ i n+ oblasti. I-V karakteristike u
provodnom stanju su, prema tome, slične karakteristikama p+nn+ diode (IA = I0exp(-qVB/kT)), i
zavise uglavnom od rastojanja između n+-katode i p+-anode i vremena života injektovanih
nosilaca. Pad napona u provodnom stanju se može smanjiti smanjenjem rastojanja između anode
i katode tako što se uvodi dodatni sloj niske otpornosti (tzv. stop sloj: n+ oblast između p+
supstrata i epitaksijalnog n-sloja na sl. 6.c - asimetrična struktura).

(c)
Sl. 6: Osnovna struktura statičkog indukcionog tiristora: a) u planarnoj geometriji; b) u meza-geometriji;
c) asimetrični SITh.

Sl. 7: Struktura SITh-a sa ukopanim gejtom. Sl. 8. Talasni oblici struja i napona u toku isključenja SITh-a.

Kao i kod konvencionalnog tiristora, da bi se SITh iz provodnog (on-state) vratio u

neprovodno stanje (blocking state) potrebno je prekinuti bipolarnu injekciju nosilaca. To ne
može da se postigne prostim isključenjem pozitivnog napona na gejtu, već je neophodno dovesti
negativan napon na gejt ili izvršiti komutaciju anodne struje. Talasni oblici napona i struja pri
isključenju SITh-a su prikazani na sl. 8. Tipično, vreme isključenja SITh-a je reda veličine 1 s.
73
 Sličnost sa konvencionalnim tiristorima ogleda se i u činjenici da prebrz porast napona
(dV/dT) može dovesti do neželjenog uključenja SITh-a zbog struje dielektričnog pomeraja
generisane u kolu gejta tokom punjenja kapacitivnosti oblasti prostornog naelektrisanja. Tipična
vrednost kritične brzine porasta napona (dVAK/dt)kr kod SITh-a je reda veličine 104 V/s, što je
ipak znatno bolje (veće) nego kod GTO tiristora i može se dalje poboljšati inverznom
polarizacijom gejta.
Prednost SITh-a u odnosu na GTO tiristor ogleda se i u tome što je potrebna i nešto manja
struja gejta da uključi komponentu. Tipično vreme uključenja je u opsegu 0.1-1 s, što je opet
znatno manje nego kod GTO tiristora. SITh je, dakle, značajno brži od konvencionalnih tiristora
i pogodniji za primenu u kolima koja zahtevaju visoke frekvencije prekidanja. Međutim, SITh za
sada nije našao široku primenu, pre svega zbog relativno komplikovane tehnologije i zahteva za
negativnim naponom kako bi se komponenta potpuno isključila.

74
 MOS-KONTROLISANI TIRISTOR (MCT)
Poznato je da, od svih vrsta diskretnih poluprovodničkih komponenata, tiristori mogu da
provode najveće struje. Ovo je omogućeno nagomilavanjem velike količine viška
(nadkoncentracije) nosilaca na unutrašnjim slojevima tiristorske strukture gde se usled procesa
bipolarne injekcije nosilaca kreira plazma elektrona i šupljina. Nedostatak je što je, za
eliminaciju ovog naelektrisanja nagomilanog tokom uključenog stanja, pri isključivanju tiristora
neophodna ili inverzna anodna struja ili veliki impuls negativne struje gejta.
Varijanta tiristora koji se uključuje MOS strukturom prikazana je na sl. 1. Kod ovog tzv.
MOS-kontrolisanog tiristora (MC tiristor ili MCT) omogućeno je potpuno naponski-kontrolisano
prekidanje, i to kako uključivanje tako i isključivanje tiristora.
Posmatrajmo npr. p-kanalni MCT čija je struktura data na sl. 1 (c), sa anodom normalno
polarisanom pozitivno u odnosu na katodu. Kada se na gejt dovede pozitivni napon veći od
napona praga, p-oblast ispod gejta (Turn-on channel) je u stanju inverzije, a n-oblast (Turn-off
channel) u stanju akumulacije, što znači da n-kanalni MOS tranzistor vodi a p-kanalni ne vodi.
Struja teče kroz kanal NMOS tranzistora i kroz p-n-p BT (p-n-p+anoda), a time se aktivira i n+-p-
n BT i tiristor se uključi. U provodnom stanju tiristora oblasti između n+ i p+ slojeva su
preplavljene plazmom elektrona i šupljina. Kada se na gejt dovede negativni napon, p+ oblast
(katoda) postaje kratko-spojena sa p oblašću kroz inverzioni sloj (kanal) koji je stvoren u n+
oblasti, tako da uslovi za injekciju iz n+ emitorske oblasti nisu više ispunjeni i tiristor se
isključuje. Treba imati u vidu da tiristor može da se isključi i ako struja opadne ispod vrednosti
tzv. struje držanja. Veličina struje držanja kod tiristora zavisi od debljine slojeva, profila primesa
i vremena života nosilaca.
Veoma snažni MC tiristori dobijaju se paralelnim vezivanjem većeg broja ovakvih
struktura (elementarnih ćelija) kao kod IGBT-a i VDMOS tranzistora. Primer: razvijena je izrada
MC tiristora prečnika 80 mm, za napone do 5 kV i struje do 2 kA; sastoji se iz 144 paralelno
vezanih komponenata, a svaka ima po 441 ćeliju, i sve se uključuju jednim jedinim MOS
tranzistorom.
MC tiristori su još uvek u razvoju i tek se očekuje njihova masovna primena.

Sl. 1: a) poprečni presek i b) simbol n-kanalnog MC tiristora;

c) poprečni presek i d) simbol p-kanalnog MC tiristora.

75
 INTELIGENTNE KOMPONENTE SNAGE

UVOD
Snažne poluprovodničke komponente se u principu koriste u sistemima koji kontrolišu
pretvaranje električne energije u neku drugu vrstu energije, obično mehaničku ili toplotnu, ili u
neki drugi oblik električne energije, npr. pretvaranje naizmeničnog u jednosmerni napon,
pretvaranje naizmeničnog napona u naizmenični napon različite frekvencije i/ili amplitude itd.
Takvi sistemi sastoje se iz više blokova, među kojima se, kao što ilustruje sl. 1, izdvajaju:
 logički blok za upravljanje radom sistema,
 blok za pretvaranje logičkih signala u analogne i njihovo pojačavanje do nivoa koji
omogućava upravljanje radom snažnih komponenata,
 blok snažnih komponenata (blok snage),
 uređaj(i) kojim(a) se upravlja (motori, displeji, lampe, relei, ventili, klima uređaji, itd.),
 senzorsko-zaštitni blok za detekciju i zaštitu snažnih komponenata ili celog sistema od
naponskih i strujnih preopterećenja ili pregrevanja, kao i
 senzorski blok za nadgledanje ispravnosti funkcionisanja uređaja na izlazu, a koji
normalno obezbeđuje povratnu spregu sa ulaznim upravljačkim blokom.
Evidentno je da blok snage u ovakvom sistemu ima ulogu interfejsa između
logičko/upravljačkog bloka i uređaja kojim se upravlja. Inače, u sistem je neophodno dodati još i
blok za napajanje koji treba da obezbedi odgovarajuće napone napajanja za svaki od pojedinih
blokova. Pri tome treba imati u vidu da i sam blok za napajanje sadrži komponente snage, a u
zavisnosti od zahteva koje treba da ispuni i složenosti sistema koji napaja, može da sadrži i svoje
sopstvene upravljačke, senzorske i zaštitne blokove.

Sl. 1: Blok dijagram snažnog elektronskog sistema (blok za napajanje nije prikazan, ali je neophodan).

Ukoliko je elektronsko kolo za blok snage realizovano korišćenjem diskretnih

komponenata snage, ono zauzima mnogo prostora čija zapremina zavisi od dimenzija kućišta
komponenata i odgovarajućih hladnjaka koji su neophodni da bi se obezbedilo efikasno
odvođenje toplote generisane disipacijom. Pri tome, neophodno je da komponente budu
međusobno električno izolovane jer mnoge od njih rade na različitim naponima, što komplikuje
odvođenje toplote. Osim toga, komponente su povezane spoljnim provodnicima koji u kolo
unose neželjene parazitne induktivnosti. Zbog svega toga, da bi kolo bilo prostije i kompaktnije,
poželjno je da komponente snage budu grupisane u obliku funkcionalnih jedinica u jedno
zajedničko kućište, čime se postižu značajne uštede u materijalu (kućišta, hladnjaci, izolacija,
provodnici) i istovremeno smanjuju gabariti kola. Ovo grupisanje komponenata, ili njihova
integracija, može biti sprovedeno primenom hibridnih tehnika, gde se integrišu individualne
komponente realizovane u različitim tehnologijama, ili tehnikom monolitnih integrisanih kola.
Pri tome, treba imati u vidu da neke od snažnih komponenata, koje u kolu tretiramo kao
diskretne (individualne) komponente, u svojoj strukturi već sadrže određeni stepen integracije.
Tipičan primer predstavlja integrisan Darlingtonov par bipolarnih tranzistora čija je struktura
ilustrovana na sl. 2. Osim tranzistora i otpornika u baznom kolu svakog od tranzistora, ova
struktura sadrži i integrisanu antiparalelnu diodu na izlazu koja štiti emitorski spoj od inverznog
proboja. Pored toga, komponente kao što su VDMOS tranzistor ili IGBT (sl. 3) su takođe
integrisane strukture koje se sastoje iz velikog broja elementarnih ćelija paralelno povezanih na
samom čipu. Oni sadrže i parazitne komponente, kao što su antiparalelna bodi-drejn dioda kod
VDMOS tranzistora ili tiristor (dvo-tranzistorska struktura) kod IGBT-a.

Sl. 2: Integrisana Darlingtonova struktura.

a) b)
Sl. 3: Poprečni presek dve polućelije a) VDMOS tranzistora i b) IGBT-a.

Principi integracije komponenata snage

Povezivanje individualnih poluprovodničkih komponenata u funkcionalne jedinice može
biti sprovedeno na različite načine, u različitoj formi i sa različitim stepenom integracije. Pri
tome, moguće je međusobno povezati i smestiti u zajedničko kućište nekoliko snažnih
komponenata (moduli snage), kombinovati osnovno kolo snažnih komponenata sa upravljačkim
kolom uz pomoć hibridne tehnologije u nešto složeniji integrisani sistem koji je takođe smešten
u jedno zajedničko kućište (hibridna integrisana kola snage), ili pak izvršiti delimičnu ili potpunu
integraciju snažnih komponenata sa logičkim, upravljačkim, senzorskim i zaštitnim kolima u
monolitna integrisana kola snage. U zavisnosti od stepena integracije, osnovnih karakteristika i
funkcije koju obavljaju u sistemu, monolitna integrisana kola snage mogu se grubo podeliti u dve
relativno odvojene kategorije:
77
  Visokonaponska integrisana kola, kod kojih su na istom čipu integrisane
visokonaponske komponente sa delom logičkih i upravljačkih kola, i
 Inteligentna kola snage, kod kojih su na istom čipu integrisane komponente snage sa
logičkim, upravljačkim, senzorskim i zaštitnim kolima, a koja su stoga u principu
sposobna da u potpunosti upravljaju radom uređaja koji je priključen na njihovom
izlazu (motori, displeji, itd.).
I visokonaponska i inteligentna integrisana kola snage mogu biti projektovana i izrađena
kao standardna kola opšte namene, koja vrše određene funkcije i zadovoljavaju određeni skup
zahteva, a korisnik bira i donosi odluku koje će od raspoloživih kola najbolje odgovarati sistemu
u koji želi da ga ugradi. Osim toga, ona mogu biti projektovana i izrađena i kao application-
specific integrated circuits (ASICs), odnosno kola koja služe za jednu određenu, strogo
definisanu primenu (npr. proizvođač automobila može od proizvođača elektronskih
komponentata da naruči specijalno integrisano kolo koje će upravljati sistemom za paljenje samo
u automobilima koje on proizvodi).
Stepen integracije najviši je kod monolitnih inteligentnih integrisanih kola snage, te su
stoga ona najekonomičnija, ali je snaga koju ona mogu da kontrolišu relativno mala i ograničena
je na oko 1 kW. Da bi se upravljalo većim snagama, neophodna je primena hibridnih tehnologija
kojima je moguće integrisati diskretne komponente velike snage sa upravljačkim, senzorskim i
zaštitnim kolima u masivno zajedničko kućište sa odgovarajućim hladnjakom. Ovako izrađeni
hibridni moduli, koji po funkciji koju mogu da vrše odgovaraju monolitnim inteligentnim kolima
i da pri tom kontrolišu znatno veće snage, čak iznad 100 kW, nazivaju se inteligentnim
modulima snage.

Snažni moduli i hibridna integrisana kola snage

Modul snage (snažni modul) sačinjavaju dve ili više diskretnih komponenata snage koje su
međusobno električno povezane u funkcionalni blok i smeštene u zajedničko kućište. Osim
komponenata snage, u modul se po potrebi (u cilju vršenja odgovarajuće funkcije ili pobiljšanja
performansi modula) mogu povezati i druge komponente, npr. diode, otpornici, kondenzatori. S
obzirom da se u modul često povezuju različite komponente koje rade na različitim naponima,
podloga na koju su smeštene mora biti izrađena od elektro-izolacionog materijala koji
istovremeno, kao što ilustruje sl. 4, mora da ima dobru termičku provodnost kako bi toplota
generisana usled disipacije bila efikasno preneta na kućište i dalje na hladnjak. Na ovaj način,

Sl. 4: Protok toplote kroz izolatorsku podlogu.

sve komponente koje sačinjavaju funkcionalni blok mogu biti smeštene na jednu zajedničku
podlogu (supstrat), pri čemu su sve one električno izolovane od hladnjaka, a time i od šasije
uređaja kojim modul upravlja. U modul se ugrađuju komponente optimalnih parametara za datu
aplikaciju, ili se (ako je u pitanju neka jedinstvena aplikacija) razvijaju specijalne komponente
koje zadovoljavaju potrebe date aplikacije. Najznačajniji problem pri projektovanju modula je
kako optimizovati odvođenje toplote kroz izolacioni supstrat. Obično se kao supstrat koriste
pločice od keramičkih materijala kao što je Al2O3 (alumina), koji imaju relativno visoku
termičku provodnost. Keramika bazirana na aluminijumnitridu (AlN) znatno bolje provodi
toplotu od Al2O3, ali je i dosta skuplja.
U daljem tekstu biće navedeno i ukratko opisano nekoliko primera snažnih modula. Jedan
od najjednostavnijih ali često korišćenih modula snage dobija se paralelnim povezivanjem dva ili
više VDMOS tranzistora ili IGBT-a, čime se u stvari dobija veoma snažan prekidački element u
78
formi jedne jedine komponente. Sledeći primer snažnog prekidačkog modula u formi jedne
komponente je Darlingtonova konfiguracija u koju, kao što ilustruje sl. 5, mogu da se povezuju
snažni MOS i bipolarni ili samo bipolarni tranzistori, a koja može da se sastoji iz dva, tri ili više
stepena. Antiparalelna dioda na izlazu bipolarnog tranzistora služi da zaštiti emitorski spoj od
inverznog proboja, a dioda u ulaznom kolu da ubrza odvođenje viška nagomilanih nosilaca iz
baze bipolarnog tranzistora tokom isključivanja komponente, čime se u izvesnoj meri
poboljšavaju prekidačke karakteristike Darlingtona.

Sl. 5: Prekidačke komponente izrađene u formi modula snage: a) Darlingtonova sprega snažnog
MOSFET-a i bipolarnog tranzistora; b) trostepena Darlingtonova sprega bipolarnih tranzistora.

Nešto drugačiju formu modula snage predstavljaju moduli koji se takođe sastoje iz dve ili
više snažnih komponenata, ali su komponente povezane tako da čine funkcionalne blokove koje
je spoljnim provodnicima moguće dalje povezivati u različita snažna elektronska kola. Na sl. 6

Sl. 6: Primeri funkcionalnih blokova izrađenih u formi snažnih modula: a) par dioda; b) dioda i tiristor;
c) par tiristora; d) par inv. provodnih tiristora; e) IGBT invertor; f) invertor sa trostepenim darlingtonima.

79
ilustrovano je nekoliko primera ovakvih modula. Spoljno povezivanje pojedinih modula, kojim
se kompletira kolo i formira složenija funkcionalna jedinica, obično se obavlja nakon što se
moduli učvrste na zajednički hladnjak.
Druga mogućnost je da sve komponente koje čine osnovno elektronsko kolo snage, kao što
su recimo ispravljačka kola ili invertori, budu smeštene i kompletno povezane u kolo unutar
zajedničkog kućišta. Neki primeri takvih modula ilustrovani su na sl. 7.

Sl. 7: Primeri elektronskih kola snage izrađenih u formi snažnih modula: a) monofazni ispravljač;
b) trofazni ispravljač; c) monofazni kontrolisani ispravljač; d) trofazni kontrolisani ispravljač; e) MOS
invertor.

Primeri koji su do sada navedeni uključivali su module koji sadrže samo komponente
snage i njihovo grupisanje u snažna elektronska kola, pri čemu je svakom od ovih kola, da bi ono
funkcionisalo, neophodno pridodati odgovarajuće upravljačko kolo (driving circuit) i izvršiti
njihovo povezivanje spoljnim provodnicima. Sistemi višeg stepena integracije, kojim bi u istom
kućištu bilo povezano elektronsko kolo snage i kolo koje njime upravlja, mogu se realizovati
hibridnom tehnologijom. Ilustracija hibridnog integrisanog kola snage data je na sl. 8, pri čemu
treba uočiti da su upravljačko kolo i kolo sa komponentama snage smeštena na odvojenim
izolatorskim supstratima kako bi komponente upravljačkog kola bile barem delimično zaštićene
od pregrevanja izazvanog disipacijom u kolu snage. Oba supstrata sa kolima leže na zajedničkoj

Sl. 8: Hibridno integrisano kolo snage.

80
osnovi, a pogodnim izborom veličine i načina postavljanja hladnjaka dobar deo suvišne toplote
se sa komponenata snage preusmerava na hladnjak, tako da komponente u upravljačkom kolu i
dalje mogu da funkcionišu na temperaturama koje ne prelaze vrednost njihove maksimalne
dozvoljene temperature.
Hibridna tehnologija iskorišćena je i za realizaciju tzv. poluprovodničkog relea (solid-state
relay – SSR) kod koga su ulazni i izlazni kontakti potpuno izolovani jedni od drugih, a koji je
šematski ilustrovan na sl. 9. Ovi relei su mnogo brži i pouzdaniji od konvencionalnih, dok im je
nedostatak u tome što zahtevaju hlađenje zbog velike disipacije u uključenom stanju.
Poluprovodnički relei proizvode se kao prekidači za jednosmerne i naizmenične (monofazne i
trofazne) napone, i to za struje u opsegu od 1-10 A, dok povezani u module mogu da izdrže i do
100 A. Inače, SSR funkcioniše tako što se ulazna struja propušta kroz LED (light emmitting
diode), a svetlost koju ona emituje detektuje fototranzistor u njenoj blizini. Kad fototranzistor
provede, on okida naponski modul koji generiše odgovarajuću struju ili napon u upravljačkom
kolu komponente snage, tako da ona prelazi u provodno stanje. Kao komponente snage mogu da
se koriste triaci, bipolarni tranzistori, VDMOS tranzistori ili IGBT-i.

Sl. 9: Poluprovodnički rele (SSR).

Kaskadna veza snažnog MOSFET-a i bipolarnog tranzistora snage ili GTO tiristora, koje
su prikazane na sl. 10, su takođe korisna hibridna kola. Snažan prekidač dobijen kaskadnom
vezom sa MOS tranzistorom ima bolje karakteristike nego što ih imaju bipolarni tranzistor ili
GTO pojedinačno. U kombinaciji sa bipolarnim tranzistorom, MOSFET doprinosi povećanju
vrednosti probojnog napona BT-a (VCE(BR)=VCB0>VCE0) i smanjuje mogućnost sekundarnog
proboja BT-a prilikom isključivanja. Osim toga, MOS tranzistor značajno doprinosi skraćenju
vremena isključenja prekidača jer on prelazi iz provodnog u neprovodno stanje veoma brzo (u
odnosu na BT, to je gotovo trenutno), a njegovim isključenjem emitor BT-a postaje praktično
izolovan, što znači da se proces isključenja prekidača skoro da svodi na isključenje MOSFET-a.
Na sličan način MOS tranzistor utiče na skraćenje vremena isključenja i u kaskadnoj vezi sa
GTO tiristorom. U oba slučaja, veoma bitan element kola je Zener dioda, koja štiti MOSFET od
naponskog preopterećenja tokom procesa isključivanja i u periodu kada je prekidač u
isključenom stanju. Maksimalna struja u provodnom stanju ograničena je mogućnostima
MOSFET-a, ali prisustvo zaštitne Zener diode (koja praktično eliminiše mogućnost proboja
MOSFET-a) omogućava da se u kolo stavi MOSFET sa malim probojnim naponom, a to znači i
sa malom vrednošću otpornosti uključenja, odnosno, mogućnošću provođenja velikih struja.

a) b)
Sl. 10. Kaskadna veza MOS tranzistora snage u hibridnom kolu sa: a) bipolarnim tranzistorom; b) GTO
tiristorom.

81
 Hibridna tehnologija omogućava integraciju bloka snažnih komponenata sa logičko-
upravljačkim i senzorsko-zaštitnim blokovima u snažan inteligentni modul, čija je ilustracija data
na sl. 11. Na osnovu kućišta zalemljena je DBC keramička podloga visoke toplotne provodnosti
na koju su smešteni čipovi sa snažnim komponentama. Provodne veze između pojedinih čipova
u bloku snage ostvarene su pomoću bakarnih linija formiranih tehnikom štampe na DBC podlozi
i/ili bondiranjem žičnih provodnika. Blok snage je bondiranjem povezan sa izvodima koji se
nalaze ugrađeni u bočnim zidovima kućišta, pri čemu neki od ovih izvoda služe kao spoljni
izvodi bloka snage, a preostali za povezivanje sa logičko-upravljačkim i senzorsko-zaštitnim
blokovima koji su smešteni na štampanoj ploči iznad bloka snage. Logički blok ima svoje
spoljne izvode (signalni izvodi). Donji deo unutrašnjosti kućišta ispunjen je silikonskim gelom
radi zaštite komponenata snage i metalnih veza od spoljnih uticaja (vlaga, korozija, dodir, itd.), a
modul je na kraju zatvoren utiskivanjem plastičnog poklopca.

Sl. 11: Inteligentni modul snage realizovan hibridnom tehnologijom.

Monolitna integrisana kola snage

U odnosu na snažna elektronska kola i sisteme sačinjene od diskretnih komponenata,

snažni moduli i hibridna integrisana kola u opštem slučaju predstavljaju prilično ekonomičnije i
pouzdanije, ali ne i najoptimalnije rešenje. Prava optimizacija može se postići jedino
tehnologijom monolitnih integrisanih kola kojom se na istom čipu integrišu komponente snage
sa upravljačkom logikom i senzorskim i zaštitnim blokovima, čime se štedi na skupim i
glomaznim kućištima, smanjuje potreban prostor, eliminišu štampane i žične provodne veze
(koje mogu biti nepouzdane, a uz to unose i nepoželjne parazitne otpornosti i induktivnosti),
povećava efikasnost senzorsko-zaštitnog bloka (jer se nalazi na samom čipu, u neposrednoj
blizini komponenata koje štiti) i značajno podiže pouzdanost rada. Uz sve ovo, monolitna
integrisana kola imaju mnogo manju potrošnju energije od kola realizovanih od diskretnih ili
hibridnih komponenata.
Kao što smo ranije pomenuli, u zavisnosti od stepena integracije, osnovnih karakteristika i
funkcije koju obavljaju u sistemu, možemo razlikovati dve kategorije monolitnih integrisanih
kola snage. Jednu čine visokonaponska integrisana kola (high voltage ICs), koja se uopšteno
mogu definisati kao monolitni čip koji, u najprostijem slučaju, sadrži samo visokonaponske
komponente, a najčešće i visokonaponske komponente (blok snage) i niskonaponske
komponente koje čine barem jedan deo logičko-upravljačkog bloka. Visokonaponska integrisana
kola namenjena su uglavnom za kontrolu elektromotora, displeja, izvora za napajanje,
telekomunikacionih uređaja, itd. Pri tome, veoma je bitno imati u vidu da su ova kola
projektovana tako da funkcionišu pri visokim naponima napajanja, dok na izlazu mogu da daju i
relativno male struje. To u suštini znači da je kod visokonaponskih kola prioritetan napon, a ne

82
snaga na izlazu, koja u opštem slučaju i nije naročito visoka i najčešće ne premašuje 100 W.
Stoga je mogućnost njihove primena za direktno upravljanje ograničena na manje potrošače,
recimo slabije elektromotore. Međutim, s obzirom da u sebi integrišu logičko-upravljački blok,
visokonaponskim izlazom ovih kola može se veoma efikasno kontrolisati snažna diskretna
komponenta (obično VDMOS tranzistor ili IGBT) koja obezbeđuje adekvatno pojačanje izlazne
snage za upravljanje radom većih potrošača. Drugim rečima, visokonaponska kola predstavljaju
jedan kompaktan i efikasan integrisani upravljački interfejs koji, upravljajući radom diskretne
komponente snage, upravlja radom potrošača snage.
Drugu značajnu kategoriju monolitnih integrisanih kola predstavljaju tzv. inteligentna kola
snage (smart power ICs), kod kojih je izvršena praktična realizacija koncepta sistem-na-čipu
(SOC, system-on-a-chip) tako što su na istom čipu integrisane komponente snage sa logičkim,
upravljačkim, senzorskim i zaštitnim kolima. Stoga su ova kola u principu sposobna da u
potpunosti upravljaju radom uređaja koji je priključen na njihovom izlazu. I inteligentna kola
sadrže, dakle, visokonaponske komponente snage, a osnovna razlika u odnosu na prethodnu
kategoriju je u tome što je inteligentno kolo u stanju da detektuje stanje sistema (pomoću
temperaturnih, naponskih i strujnih senzora koje sadrži) i uključuje prisustvo integrisanog bloka
koji ga aktivno štiti od prevelikog porasta temperature i previsokih napona i struja. Uz to,
inteligentno kolo snage sadrži i dodatni senzorski blok za nadzor ispravnosti rada uređaja
priključenog na izlazu, koji je povratnom vezom spojen sa upravljačkom logikom, čime je
omogućena efikasnija kontrola i podešavanje izlaza (struja/napon) bloka snage, a u kritičnim
situacijama i njegovo isključenje. Inteligentna kola snage namenjena su za kontrolu brojnih
uređaja u automobilima, industriji, domaćinstvu (mašine za pranje, klima uređaji, audio/video
uređaji, usisivači, ...) itd. Ilustracije radi, u tabeli 1 navedeni su brojni elektronski uređaji prisutni
u savremenim i budućim automobilima, od kojih mnogi mogu biti realizovani u vidu
inteligentnih komponenata snage, bilo u vidu hibridnih modula ili monolitnih integrisanih kola.

Tabela 1: Elektronika u savremenim automobilima.

Razvoj obe kategorije monolitnih integrisanih kola snage karakteriše tendencija da se u

isto vreme povećaju njihova složenost (usavršavanjem postojećih i dodavanjem novih blokova) i
snaga na izlazu (optimizacijom postojećih i razvojem novih komponenata snage), tako da se
visokonaponska kola po svojoj složenosti, funkcijama koje vrše, pa čak i po snazi koju razvijaju,
postepeno približavaju inteligentnim, ali se određene razlike ipak mogu uočiti. Ilustracije radi, na
slikama 12 i 13 prikazani su funkcionalni blok dijagrami dva integrisana kola za upravljanje
radom elektromotora. Visokonaponsko kolo koje je na sl. 12 uokvireno isprekidanim linijama
predstavlja integrisan visokonaponski interfejs (170 V) za upravljanje radom diskretnih MOS
tranzistora snage koji dalje upravljaju radom motora. Na istom čipu nalaze se digitalna logička
kola integrisana sa analognim kolima i visokonaponskim LDMOS tranzistorima. Na ulaz kola
83
dovode se niski digitalni i analogni signali, dok je izlaz povezan na visokonaponsko napajanje
izvedeno iz mreže, na koje su vezani i NMOS tranzistori snage. Kontrolišući visokonaponsko
napajanje, kolo upravlja radom NMOS tranzistora preko kojih se napaja potrošač (elektromotor).
Kolo sadrži i zaštitni under-voltage lockout blok koji eliminiše probleme povezane sa
pokretanjem i zaustavljanjem rada motora (pad napona, prenapon, itd.) i gubitkom snage
(preopterećenje motora), kao i zaštitu od strujnog preopterećenja i pregrevanja. Na donjem delu
slike prikazano je i niskonaponsko upravljačko kolo koje takođe može da bude integrisano na
istom čipu, ali se lako može realizovati i odvojeno, od postojećih jeftinih komponenata.
Prema tome, iako pri definisanju visokonaponskih integrisanih kola nismo pominjali
prisustvo zaštitnog bloka, primer na sl. 12 pokazuje da on može biti integrisan i u ovu kategoriju
kola. Štaviše, izvesno je da će u daljem razvoju tehnologije visokonaponskih kola i senzorski i
zaštitni blokovi biti uključivani u sve većoj meri, vodeći ka implementaciji sistem-na-čipu (SOC)
koncepta i kod ove kategorije kola.
Kao što se može videti na sl. 13, savremene tehnologije već su omogućile realizaciju SOC
koncepta u slučaju inteligentnih kola snage. Konkretno, radi se o kompletnoj elektronici za
upravljanje radom jednosmernog (48 V dc) brushless elektromotora integrisanoj na jednom čipu.
Kolo zadovoljava tri osnovna zahteva koji ga kvalifikuju kao SOC: 1) magnetni senzor (Hall-ov
tranzistor) na ulazu, 2) logička kontrola i upravljanje (CPU) i 3) snaga koju obezbeđuju visoko-

Sl. 12: Visokonaponsko integrisano kolo za upravljanje radom elektromotora

Sl. 13: Inteligentno kolo (sistem-na-čipu) za upravljanje radom jednosmernog brushless elektromotora.
84
strujni DMOS tranzistori snage na izlazu. Pored toga, na istom čipu nalaze se još i: 1) kolo za
ograničenje struje radi zaštite sistema od previsokih strujnih impulsa koji se javljaju pri
pokretanju motora ili kad je rotor blokiran; 2) programabilni kontroler brzine (broja obrtaja)
rotora; 3) tahometar (merač brzine, tj. broja obrtaja); 4) alarm (kolo za upozorenje) za slučaj
premalog broja obrtaja; 5) blokada izlaza u slučaju preniskog napona; 6) kolo za automatsko
isključenje sistema u slučaju pregrevanja; 7) kolo za vremensko usaglašavanje (circuit timing)
zbog kašnjenja koja se javljaju pri pokretanju ili promeni brzine motora, kao i 8) kolo za internu
regulaciju napona koje sadrži strujne i naponske senzore, pojačavače, logiku, itd. Sve u svemu,
ovakvo jedno inteligentno kolo, kome je jedino neophodno dodati još izvor napajanja i određen
broj pasivnih komponenata (otpornici i kondenzatori), obezbeđuje potrebnu snagu i vrši
kompletno upravljanje i dijagnostiku iz jednog jedinog čipa.
Prikazana kola predstavljaju reprezentativne primere naprednih rešenja u kategorijama
integrisanih kola kojima pripadaju. Oba su namenjena upravljanju radom elektromotora, ali im
se oblasti primene razlikuju: visokonaponsko kolo sa sl. 12 primenljivo je pre svega u
električnim alatima, uređajima široke potrošnje i industrijskim sistemima, dok je SOC sa sl. 13
više orijentisan ka upravljanju motora koji se ugrađuju u uređaje za telekomunikacije,
periferijsku opremu računara (štampači, skeneri), kao i za specifične primene u industriji.
Iz primera koji su prikazani može se nedvosmisleno zaključiti da visokonaponska i
naročito inteligentna integrisana kola snage predstavljaju veoma kompleksne sisteme u kojima su
na istom čipu integrisani blokovi sastavljeni od različitih komponenata koji vrše različite
funkcije u kolu, pri čemu neki od njih mogu da obradjuju samo digitalne a neki analogne signale.
Uz to, ne sme se ispustiti iz vida ni da komponente koje sačinjavaju različite blokove rade na
različitim naponima i temperaturama, što dodatno usložnjava tehnologiju koju je bilo neophodno
razviti da bi jedan ovakav sistem bio uspešno realizovan. U opštem slučaju, za realizaciju
sistema-na-čipu neophodno je iznaći optimalna tehnološka rešenja za rešavanje sledećih ključnih
zadataka:
 Stapanje različitih procesnih tehnologija – bipolarna, MOS, DMOS
 Stapanje različitih funkcija kola – logičko-upravljačka, senzorska, kola snage
 Stapanje različitih tehnika obrade signala – digitalna, analogna
 Električna izolacija komponenata na čipu.
Jedan od osnovnih problema koji je trebalo rešiti da bi na istom čipu mogli da se realizuju
i bipolarni i MOS tranzistori bio je razlika u tipu supstrata (odnosno epitaksijalnog sloja) u kome
se formiraju tranzistorske strukture: u prvobitnoj tehnologiji analognih i TTL bipolarnih
integrisanih kola korišćen je supstrat (epi-sloj) dopiran primesama p-tipa, dok se u CMOS
tehnologiji, koja je razvijena nešto kasnije, polazilo od supstrata (epi-sloja) n-tipa. Problem je
rešen tako što su u tehnološki niz za izradu CMOS kola uvedeni dodatni procesni koraci koji su
omogućili da se u ovoj tehnologiji n-kanalni i p-kanalni MOS tranzistori realizuju i na supstratu
p-tipa, a na kome se takođe mogu realizovati i oba tipa (NPN i PNP) bipolarnih tranzistora. Tako
je stvorena tzv. BiMOS1) tehnologija koja je krajem sedamdesetih godina prošlog veka korišćena
za integraciju CMOS logike na ulazu i visokostrujnih bipolarnih komponenata na izlazu.
Uspešno sprovedena BiMOS integracija postavila je temelje za kasniji revolucionarni razvoj
inteligentnih kola snage. U BiMOS je već tokom osamdesetih godina implementiran DMOS
tranzistor snage (što i nije bilo posebno komplikovano s obzirom da se DMOS tehnologija
oslanja na CMOS procese), čime je izvršeno trostruko stapanje procesnih tehnologija (bipolarna,
CMOS, DMOS) u tzv. BCDMOS, stvarajući idealne uslove za kontinuirani razvoj brojnih
varijanti visokonaponskih i inteligentnih kola snage visokih nivoa složenosti. Naime, BCDMOS
omogućava da se na istom čipu realizuju brojne vrste komponenata različitih karakteristika, i to:

1)
Iz BiMOS tehnologije izvedena je znatno savremenija BiCMOS tehnologija koja je međutim pretežno orijentisana
ka niskonaponskim kolima za obradu mešovitih (digitalnih i analognih) signala. BiCMOS tehnologije razvijena je za
izradu veoma brzih digitalnih i digitalno-analognih VLSI kola.
85
 o PNP i NPN bipolarni tranzistori - snažni visokostrujni i/ili visokonaponski, snažni
Darlingtoni, signalni niskonaponski, signalni visokonaponski, signalni sa velikim
ili malim pojačanjem;
o Diode – visokostrujne, visokonaponske, referentne, signalne
o N-kanalni i P-kanalni MOS tranzistori - signalni (niskonaponski i nisko strujni) za
logiku
o N-kanalni DMOS tranzistori – snažni visokostrujni i nisko- ili srednje-naponski,
visokonaponski i nisko- ili srednje-strujni
o P-kanalni DMOS (komplikovani i povećavaju troškove procesiranja, retko u
upotrebi)
o Pasivne komponente – otpornici (difundovani, implantirani, slojni), kondenzatori
(difundovani, MOS).
Realizacija osnovnih komponenata (bipolarni, CMOS i DMOS tranzistori) u BCDMOS
tehnologiji ilustrovana je na sl. 14. Ovakva raznovrsnost komponenata raspoloživih u
objedinjenoj BCDMOS tehnologiji omogućava visok stepen slobode pri kreiranju integrisanih
kola koja po funkcijama koje su sposobna da obavljaju (obrada digitalnih i analognih signala, tj.
logika i upravljanje, generisanje visokih napona i/ili struja na izlazu, nadzor i (samo)zaštita)
postaju praktično ekvivalentna elektronskim kolima koja bi bila izrađena u bilo kojoj drugoj
tehnologiji (diskretna, modularna, hibridna ili kombinacija integrisanih kola realizovanih
odvojenim individualnim tehnologijama).

Sl. 14: Poprečni presek kroz BCDMOS strukturu sa prikazom osnovnih komponenata.

Stapanjem procesnih tehnologija omogućeno je i stapanje tehnika obrade signala na čipu.

Istorijski posmatrano, sva prvobitna integrisana kola (i analogna i digitalna) izrađivana su u
bipolarnoj tehnologiji, a pojavom CMOS tehnologije dolazi do strogog razdvajanja u kome
linearna analogna kola ostaju bipolarna, dok CMOS preuzima dominaciju na području logičkih i
memorijskih digitalnih kola. Stapanje procesnih tehnologija je, međutim, pružilo mogućnost da
se na istom čipu kombinuju analogna i digitalna tehnika, smanjujući pri tome cenu, dimenzije i
broj komponenata, i donoseći u isto vreme značajna poboljšanja u performansama i pouzdanosti
kola. Ovim je ujedno omogućeno i stapanje različitih funkcija kola na istom čipu. Naime,
BiMOS i BCDMOS omogućili su da se na istom čipu realizuju logičko-upravljačka funkcija
(pretežno CMOS, delom bipolarna) sa funkcijom generisanja snage (DMOS, bipolarna) i
86
senzorsko-zaštitnom funkcijom (bipolarna, CMOS). Razvoj senzorskih komponenata baziranih
na poluprovodničkim (Si) tehnologijama, stimulisan u najvećoj meri potrebama proizvođača
elektronike za automobile, doživljava snažnu ekspanziju tokom poslednjih petnaestak godina, pri
čemu je iz stapanja funkcija kola proistekla i nova kategorija tzv. inteligentnih senzora, a
stapanje različitih senzorskih komponenata (magnetni, optolektronski, temperaturni i senzori
pritiska) i nadzorno-zaštitnih kola (naponska, strujna i temperaturna zaštita) sa logičko-
upravljačkim i kolima snage dovelo je do komercijalizacije inteligentnih snažnih i senzorskih
integrisanih kola.
S obzirom da se stapanjem procesnih tehnologija na čipu formiraju različite komponente
koje u principu rade na različitim potencijalima, neophodno je raspolagati odgovarajućim
tehnikama kojima bi pojedine komponente ili čitavi blokovi bili električno izolovani od drugih.
Pri tom je od posebne važnosti izolovati blok snage s obzirom da visokonaponske i snažne
komponente rade na znatno većim naponima od ostalih komponenata u kolu. U praksi se koriste
tri tehnike izolacije komponenata na čipu, i to:
o Izolacija inverzno polarisanim p-n spojem
o Samoizolacija
o Dielektrična izolacija.
Sve tri tehnike izolacije ilustrovane su na sl. 15. Izolacija p-n spojem je tehnološki jednostavna i
najčešće korišćena tehnika koja podrazumeva da se dubokom difuzijom primesa p-tipa u n-epi
sloj (skroz do p-supstrata) u epi sloju formira željeni broj međusobno izolovanih delova (ostrva).

a)

b)

c)

Sl. 15: Tehnike izolacije: a) izolacija p-n spojem; b) samoizolacija; c) dielektrična izolacija.
87
Nakon toga svaki od blokova u kolu može biti formiran u svom izolovanom ostrvu epi sloja.
Naravno, da bi izolacija bila ostvarena, difundovane p-oblasti treba držati na nižem potencijalu
od epi sloja kako bi formirani p-n spojevi bili inverzno polarisani. Izolacija inverzno polarisanim
p-n spojem postiže se i u tehnici samoizolacije, s tim što se u ovom slučaju koristi svojstvo nekih
komponenata snage, kao što je LDMOS na sl. 15 b), da su u provodnom stanju polarisane tako
da su p-n spojevi između njihovih aktivnih oblasti (drejna) i supstrata automatski inverzno
polarisani. Neophodno je, međutim, da komponenta ima zatvorenu (cirkularnu) geometriju tako
da struktura koju čine oblasti sorsa i gejta u potpunosti okružuje oblast drejna, a primena je
ograničena na konfiguraciju sa zajedničkim sorsom. Inače osnovni nedostatak ove dve tehnike
manifestuje se na povišenim temperaturama (koje su inače karakteristične za rad komponenata
snage) kada struje curenja inverzno polarisanih spojeva mogu značajno da porastu. Najefikasnija
električna izolacija, praktično bez curenja, postiže se tehnikom dielektrične izolacije (SiO2)
kojom se, kao što je ilustrovano na sl. 15 c), mogu formirati izolovana ostrva monokristalnog
silicijuma n- ili p-tipa na podlozi od polikristalnog silicijuma. Tehnološki postupak kojim se na
polisilicijumu dobijaju aktivne oblasti monokristala međusobno izolovane oksidom je prilično
komplikovan: polazni materijal je monokristal koji se podvrgava oksidaciji i fotolitografskom
postupku kojim se u oksidu formiraju otvori kroz koje se vrši selektivno anizotropno nagrizanje
tako da se dobiju duboki kanali u monokristalu; potom sledi nova oksidacija tako da celu
kanalisanu površinu (uključujući zidove i dno kanala) pokrije oksid preko koga se deponuje
veoma debeo sloj polisilicijuma; ovaj polisilicijum će u stvari služiti kao supstrat, a pločica se sa
suprotne strane (monokristal) stanjuje mehaničko-hemijskim poliranjem sve do oksida (ili čak i
nešto ispod njega) čime se formiraju ostrva monokristala u polisilicijumu koja su međusobno
izolovana oksidom. Primena dielektrične izolacije predstavlja osnovu na kojoj je bazirana
potpuno nova Silicon-on-Insulator (SOI) tehnologija integrisanih kola, u čiji se razvoj mnogo
ulaže i koja postaje sve zastupljenija. Napred opisan komplikovan postupak formiranja
dielektrične izolacije zamenjuje se savremenijim i tehnološki jednostavnijim procesima, kao što
je na primer dubinska implantacija kiseonika kojom se formira ravan ukopani sloj oksida u
monokristalnom supstratu. Kada su u pitanju integrisana kola snage, osnovni problem sa kojim
se suočava SOI tehnologija jeste odvođenje toplote (oksid veoma slabo provodi toplotu), ali se i
za ovaj problem iznalaze rešenja koja će biti opisana kasnije. Na sl. 16 data je ilustracija SOI
LDMOS tranzistora sa ukopanim oksidom kao izolatorom.

Sl. 16: SOI LDMOS sa naznačenim

dimenzijama i koncentracijama primesa.

88