TEMA II

ESTRUCTURA CRISTAL·LINA. DEFECTES

1. 1. DEFECTES PUNTUALS

2. 2. DISSOLUCIONS SÒLIDES (regles de Hume-Rothery)

3. 3. DEFCTES LINEALS

4. 4. DEFECTES SUPERFICIALS

5. 5. DEFECTES VOLUMÈTRICS

6. 6. MATERIALS NO CRISTAL·LINS (AMORFS)

DEFECTES CRISTAL·LINS

• No existeixen cristalls perfectes.

• En el procés de cristal·lització apareixen imperfeccions que, encara que en

proporcions molt petites, poden modificar extraordinàriament el comportament
dels materials.

• Els defectes cristal·lins no són sempre negatius

• Per exemple: en termes numèrics, i com exemple, la presència de 1 àtom de

bor entre 100 mil milions de cel·les unitàries de silici dobla la seva
conductivitat.
DEFECTES CRISTAL·LINS
Les imperfeccions cristal·lines es poden classificar de la següent manera:

• Defectes puntuals: afecten només un àtom

• Defectes lineals: afecten una línia d’àtoms
• Defectes superficials: afecten una superfície d’àtoms
• Defectes volumètrics: el defecte té volum.

Defectes cristal·lins: a) intersticial; b) dislocació; c) auto-

intersticial ; d) vacant; e) precipitat d’àtoms de impureses; f)
vacant tipus bucle de dislocació ; g) dislocació; h)
substitucional.
DEFECTES CRISTAL·LINS
Vacant
• Defectes puntuals
Impuresa (intersticial, substitucional)

Dislocacions de falca
• Defectes lineals = Dislocacions Dislocacions helicoïdals
Dislocacions mixtes

Límit de gra
• Defectes superficials
Macles

Porus
• Defectes volumètrics Esquerdes
Inclusions
Segones Fases
Defectes Puntuals
• Els defectes puntals són interrupcions molt localitzades en la xarxa cristal·lina.

• Tot i ser locals, l’alteració afecta una regió on intervenen varia àtoms o ions.

• Es poden introduir pel moviment dels àtoms o ions a l’augmentar l’energia

d’escalfament durant el processament del material

• Vacants
• Impureses (intersticials o
substitucionals)
Defectes puntuals: Vacants

• Una posició atòmica de la xarxa que hauria d’estar ocupada per un àtom està buida,
constitueix una vacant. L’efecte contrari, ocupar una posició teòricament buida a la
xarxa és un defecte autointersticial (àtom que s’ha desplaçat a un lloc intersticial).

• Les vacants es produeixen durant la solidificació i

també com a conseqüència de les vibracions, que
desplacen els àtoms de les seves posicions
reticulars normals.

• Les vacants determinen la rapidesa que poden

moures els àtoms o els ions, DIFONDRE, en un
material sòlid, en especial els metals purs.
Vacant
Autointersticial
Defectes puntuals: Vacants
• En equilibri, el nombre de vacants (Nν) d’una quantitat determinada de material
depèn de la temperatura

Qv
( )
Nv  N T ·e RT

NT = nombre total de llocs ocupats per àtom

Qν = energia d’activació (energia vibracional requerida per a la formació d’una vacant)
T = temperatura absoluta T(K) = T(ºC) + 273
R = constant dels gasos (8,31 J/mol·K)

El nombre de vacants creix exponencialment amb la temperatura

Defectes puntuals: impureses
• La presència d’àtoms diferents als del material que forma la matriu és un defecte. A
l’estat sòlid, parlem de SOLUCIONS SÒLIDES (addicionament d’àtoms d’impureses
a un metall). En aquests casos es defineix:

- Disolvent: representa l’element o compost present majoritàriament (l’àtom que

forma la matriu)
- Solut: representa l’element o compost present en menor concentració (àtoms
minoritaris)

• En les solucions sòlides no es forma una nova estructura cristal·lina, es conserva la

del dissolvent.

• Les solucions sòlides són composicionalment homogènies: els àtoms de impureses

es dispersen lliurement i uniforme dins del sòlid.
 Solucions sòlides: Regles de Hume-Rothery
• Les regles de Hume-Rothery són condicions que ha de complir un aliatge o un
sistema ceràmic per a que tingui solubilitat sòlida il·limitada. Són necessàries però
no suficients per a determinar la solubilitat sòlida il·limitada.

1. Factor de mida: els àtoms o els ions han de tenir una mida semblant, amb una
diferència de radi atòmic no més gran al 15%, per a minimitzar la deformació de
la xarxa
2. Estructura cristal·lina: les materials han de tenir la mateixa estructura
cristal·lina, sinó s’arribarà a un punt en el que es presenta una transició d’una
fase a una altra amb una estructura diferent.
3. Valencia: els ions han de tenir la mateixa valencià, sinó, la diferència dels
electrons de valència impulsa la formació de compostos, no de solucions.
4. Electronegativitat: els àtoms han de tenir més o menys la mateixa
electronegativitat (afinitat cap als electrons). Si són significativament diferents,
es formen compostos.
Defectes puntuals: impureses

• En les solucions sòlides apareixen defectes puntuals, degut a les impureses, de

dos tipus:
- Substitucionals: els àtoms d’impureses o solut substitueixen els àtoms del
dissolvent. Pròpies de l’empaquetament (radi atòmic similar)

Els àtoms o ions ocupen el lloc normal en la

xarxa

Poden ser més grans que els àtoms normals

de la xarxa cristal·lina, amb el que es redueixen
els espais interatòmics. Si la diferència entre
radis atòmics és més gran del 15% es creen
elevades distorsions a la xarxa i es forma una
nova fase.
Defectes puntuals: impureses
• En les solucions sòlides apareixen defectes puntuals, degut a les impureses, de
dos tipus:
- Intersticials: els àtoms de les impureses omplen buits o els intersticis atòmics
del dissolvent. Zones buides de la cel·la unitat (radi atòmic més petit). Els més
habituals són C, N, O, H.

Els àtoms o ions intersticials, encara que són

molt menors que els àtoms o ions que estan en
els punts de la xarxa, són més grans que els
intersticis que ocupen  la regió cristal·lina
veïna esta comprimida o distorsionada

Intersticial
Defectes puntuals: impureses
Defectes puntuals: impureses substitucionals
• Aliatge: substància constituïda per 2 o més elements químics dels quals com a
mínim un és metàl·lic

Exemple: El zinc, s'agrega en el

coure per a obtenir LLAUTÓ. El
llautó és més econòmic, més dur i
més resistent que el coure. D’altra
banda, el llautó té una conductivitat
elèctrica molt menos que la del
coure, així que s’utilitzarà el coure
per a aquelles aplicacions en les
quals la conductivitat sigui
important.
Defectes lineals: Dislocacions
• Les dislocacions són un defecte de línia o unidimensional al voltant d’algun àtoms
desalineats. La seva extensió es veu limitada per altres dislocacions formant una
xarxa tridimensional. b

B A

Cristall perfecte cristall dislocat

Defectes de línia: Dislocacions

• Les dislocacions poden ser:

DISLOCACIONS DE FALCA

DISLOCACIONS HELICOÏDALS

DISLOCACIONS MIXTES
Defectes de línia: Dislocacions de falca
• Les dislocacions de falca són una porció extra d’un pla d’àtoms, o semiplà, on
l’aresta acaba dins del cristall. Es tracta d’un defecte lineal centrar al voltant d’una
línia definida per l’extrem del semiplà d’àtoms extra.

Es componen de :

Semi-pla adicional

b
Vector de
Burgers

Pla de lliscament
Defectes de línia: Dislocacions de falca
• Si es descriu el circuit al voltant de la dislocació de falca, en sentit horari i
començant pel punt x i recorrent distàncies interatòmiques iguals en cada direcció,
s’acabarà en el unt y, a una distància atòmica del punt de partida.

La magnitud i la direcció de la distorsió reticular associada a una dislocació

s’expressa en funció del VECTOR DE BURGERS (b). La naturalesa d’una
dislocació es defineix per les orientacions relatives de la línia de dislocació i el vector
de Burgers.
Defectes de línia: Dislocacions helicoïdals
• Les dislocacions helicoïdals es formen a l’aplicar un esforç de cisalla. La part
superficial de la regió frontal del cristall llisca una unitat atòmica associada a una
dislocació helicoïdal. L’adjectiu helicoïdal deriva de l’espiral o camí o rampa
helicoïdal que els plans atòmics tracen al voltant de la línia de dislocació.
Defectes de línia: Dislocacions helicoïdals
• Si es segueix un pla cristal·logràfic durant una revolució respecte a l’eix torçat del
cristall, començant pel punt x i recorrent distàncies interatòmiques iguals en cada
direcció, s’acaba en una distància interatòmica a sota del punt de partida (punt y)

La magnitud i la direcció de la distorsió reticular associada a una dislocació

s’expressa en funció del VECTOR DE BURGERS (b). La naturalesa d’una
dislocació es defineix per les orientacions relatives de la línia de dislocació i el vector
de Burgers.
Defectes de línia: Dislocacions Mixtes
• La majoria de les dislocacions que existeixen en materials cristal·lins no són
pròpiament ni de falca ni helicoïdals, sinó que presenten components d’ambdós
tipus.

• El vector de Burgers en una dislocació mixta queda igual per a totes les porcions de
dislocació
Defectes lineals: dislocacions

• Les dislocacions expliquen la deformació plàstica i les tensions baixes necessàries

per a deformar.

• Qualsevol característica de la xarxa cristal·logràfica que dificulti el moviment de les

dislocacions suposa un enduriment del material.

• La interacció de les dislocacions amb els elements intersticials explica l’enduriment

dels materials al ser aliats.

• La interacció de les dislocacions amb la xarxa cristal·logràfica explica els

mecanismes d’enduriment.
Defectes de superfície: Límits de gra

• La majoria dels materials reals contenen molts cristalls amb vàries orientacions.
Aquests cristalls individuals es denominen grans. En un gra, totes les cel·les
unitàries estan orientades de la mateixa manera, no obstant en el límit entre
grans adjacents, hi ha una zona de transició que no esta alineada amb cap gra.
Defectes de superfície: Límits de gra

• El límit que separa dos grans o cristalls que tenen diferents orientacions
cristal·logràfiques en materials policristal·lins s’anomena límit de gra

El desordre dels àtoms den la zona de

límit de gra dóna lloc a una menor
eficiència de l’empaquetament atòmic;
d’aquesta manera, els àtoms al llarg
del límit de gra tenen major energia
que els que estan situats en l’interior
dels grans.

Desordre atòmic en els límits de gra

Defectes de superfície: Límits de gra
• La zona d’unió entre els grans
és una zona de desordre

• Depenent de la desorientació
entre dos grans, el desordre és
més o menys gran.

• El límit de gra constitueix una

barrera per les dislocacions

• Els àtoms d’impureses

tendeixen a segregar-se en les
límits de gra.
Defectes de superfície: Macles
• Les macles són un tipus especial de límit de gra a través del qual existeix una
simetria de xarxa especular (els àtoms d’un costat de límit són imatges especulars
dels àtoms de l’altra banda).

• El maclatge té lloc en un pla cristal·logràfic definit i en una direcció específica,

ambdós depenen de l’estructura cristal·lina. El maclatge suposa un canvi
d’orientació cristal·lina.

• Les macles es produeixen per desplaçaments atòmics produïts a l’aplicar forces

de cisalla que actuen al llarg del límit de gra.

• Succeix durant la deformació o el tractament tèrmic de recuit.

Defectes de superfície: Macles
• La macla constitueix un error d’apilament dels plans en un empaquetament. Un
cas típic el trobem en les estructures compactes:

FCC: ABCABCCBABC
CANVI EN LA SEQÜÈNCIA D’APILAMENT
HC: ABABABBABAB

El pla de maclatge constitueix un

eix de simetria entre les dues
parts al seu costat, i els àtoms
dels diferents plans es mouen
distàncies relatives
Defectes de superfície

LÍMITS DE GRA MACLAS

Defectes volumètrics
Els defectes de volum no s’estudien com a defecte del xarxa, si no del material.
Normalment s’introdueixen en les etapes de fabricació.

• Porus: Presència de zones buides, en processos de pulvimetal·lúrgia o

fundació).

• Esquerdes: Presència d’entalles molt agudes, defectes de mecanitzat

• Inclusions: Presència de petits precipitats ceràmics en un metall, etc…

• Segones fases: La pròpia composició de l’aliatge provoca l’aparició de canvis

d’empaquetament dins del propi material
Defectes volumètrics
PORUS I ESQUERDES SEGONES FASES PORUS I INCLUSIONS
MATERIALS NO CRISTAL·LINS

• L’ordre de llarg abast no es compleix en alguns materials de gran

importància en enginyeria, com els líquids, els vidres, la majoria dels
plàstics i alguns metalls refredats a velocitats extremadament
elevedades des de l’estat líquid. A aquests materials dels denomina
amorfs (sense forma), en contrast als materials cristal·lins.
MATERIALS NO CRISTAL·LINS

• En principi, la falta d’una estructura endreçada podria interpretar-se

com un defecte de volum, com una extensió dels defectes puntuals,
lineals i superficials.

MATERIALS AMORFS: Vidre, polímers

Vidres

• Els vidres poden ser considerats com líquids molt viscosos, tenint en compte la
seva naturalesa no-cristal·lina. No obstant, només pocs líquids poden formar
vidres.

Silici Amorf Silici Cristal·lí

Vidres
Velocitat de refredament baixa: refredant
per sota de la seva temperatura de fusió,
TF sense cristal·litzar, el re-arranjament
atòmic causa una contracció tèrmica que
produeix un major empaquetament dels
àtoms. Aquesta contracció és típica de
totes les fases líquides.

TF

Silici Cristal·lí
Vidres
Velocitat de refredament elevada: canvi
abrupt en el coeficient d’expansió tèrmica
dels vidres. Per sota de la temperatura de
transició a vidre, Tg, no hi ha més re-
arranjament atòmic i l’únic canvi de volum
es deu a la reducció de la vibració
tèrmica.

El terme vidre s’aplica a aquells materials

que tenen les característiques d’expansió
que s’acaben de definir.
Tg

Silici Amorf
Vidres
• Les característiques de temperatura-
volum van ser observats per primer cop
en vidres silicatats. No obstant, aviat es
va veure que el màxim significat el
tindrien els materials polimèrics.

Per sota de la temperatura Tg, els

polímers són durs i fràgils; per sobre
d’aquesta temperatura, un plàstic es Tg
converteix en flexible. TF

Canvis de volum en líquids i vidres

subrefredats.
 Sòlid cristal·lí o amorf, depèn de la facilitat en que l’estructura atòmica en estat
líquid es pot endreçar. Els materials amorfs solen presentar estructures
moleculars complexes i que s’endrecen amb dificultats.

• Metalls: estructures simples, materials cristal·lins.

• Ceràmics i polímers: estructures generalment complexes, solen ser
amorfs. Si es refreden lentament poden ser cristal·lins o semicristal·lins.

CRISTAL·LÍ AMORF
velocitat de refredament velocitat de refredament
baixa alta