Professional Documents
Culture Documents
Chương 3 - Transistor
Chương 3 - Transistor
IT3420
Điện tử cho CNTT
2
Chương 3 Transistor và ứng dụng
Chương 3 Transistor và ứng dụng
4
3.1 Cấu tạo và phân loại transistor BJT
• Transistor lưỡng cực BJT (Bipolar junction transistor) có hai tiếp xúc p-n được
tạo nên bởi 3 miền bán dẫn loại p và n xếp xen kẽ nhau.
• Transistor BJT có 3 cực như sau:
• B (base - cực nền)
• C (collector - cực thu)
• E (emitter - cực phát)
• Transistor BJT là một thiết bị có 3 cực, hoạt động với nguyên lý sử dụng điện
áp giữa 2 cực để điều khiển dòng qua cực còn lại.
• Theo sự phân bố của các miền bán dẫn, transitor BJT được chia thành 2 loại:
• Transistor npn
• Transistor pnp
5
3.1 Cấu tạo và phân loại transistor BJT
• Transistor là một loại linh kiện bán dẫn chủ động, đóng vai trò vô cùng quan
trọng trong kỹ thuật điện tử, là một trong các đơn vị cơ bản cấu thành các
mạch điện của máy tính và các thiết bị điện tử khác.
• Ngoài ra, do khả năng đáp ứng nhanh và chính xác, transistor được sử dụng
trong nhiều ứng dụng tương tự và số như mạch khuếch đại, đóng cắt, điều
chỉnh điện áp, điều khiển tín hiệu, và tạo dao động.
• Transistor có thể được tích hợp trên một diện tích rất nhỏ để tạo thành các
mạch tích hợp (IC), giúp thu nhỏ kích thước máy tính, thiết bị.
• Tuỳ thuộc theo công nghệ chế tạo, transistor có nhiều loại khác nhau, phổ
biến nhất bao gồm:
• Transistor lưỡng cực (BJT)
• Transistor hiệu ứng trường (JFET, MOSFET)
6
3.1 Cấu tạo và phân loại transistor BJT
• Transistor npn
E C
Cực phát Cực thu
B
Cực nền
• Transistor pnp
E C
Cực phát Cực thu
B
Cực nền
7
Chương 3 Transistor và ứng dụng
8
3.2 Chế độ hoạt động
9
Các chế độ hoạt động của transistor BJT
• Transistor BJT được cấu thành từ 2 lớp tiếp giáp pn, mỗi lớp có thể hoạt động
ở vùng tích cực thuận/ngược tuỳ theo điện áp đặt trên 2 cực
E C
B
• Do đó, có 4 khả năng kết hợp phân cực → 4 vùng hoạt động
Tích cực
Bão hòa
ngược
10
Chế độ hoạt động tích cực thuận
11
Chế độ hoạt động tích cực thuận
• B-E phân cực thuận: dòng electron • Lớp tiếp giáp E-B và B-C
từ n phóng sang p → mật độ hạt
dẫn thiểu số tăng mạnh ở p.
• B-C phân cực ngược: mật độ
electron ở vùng tiếp giáp ≈ 0.
• Dòng electron được phóng từ E,
khuếch tán qua B, bị quét qua vùng Lỗ trống
• Bởi vì:
Dòng iE được điều khiển bởi áp
đặt trên 2 cực B-E (vBE)
Với:
Tham số điện của lớp tiếp giáp
TRƯỜNG CÔNG NGHỆ THÔNG TIN VÀ TRUYỀN THÔNG
School of Information and Communication Technology
13
Dòng IC transistor npn được điều khiển bởi?
• Từ đó tính được:
• Hay:
• Đặt:
Điện áp đặt trên cực E (+) hơn so với điện áp đặt trên cực B
TRƯỜNG CÔNG NGHỆ THÔNG TIN VÀ TRUYỀN THÔNG
School of Information and Communication Technology
17
Ký hiệu và quy ước
19
Các chế độ hoạt động của transistor BJT
• Transistor BJT được cấu thành từ 2 lớp tiếp giáp pn, mỗi lớp có thể hoạt động
ở vùng tích cực thuận/ngược tuỳ theo điện áp đặt trên 2 cực
E C
B
• Do đó, có 4 khả năng kết hợp phân cực → 4 vùng hoạt động
20
Chương 3 Transistor và ứng dụng
21
Mục đích
• Tìm điểm làm việc của transistor (tìm giá trị các dòng điện transistor tại điểm
làm việc)
• Phân cực 1 chiều transistor là một phần quan trọng trong thiết kế các bộ
khuếch đại lưỡng cực.
• Sử dụng mô hình tuyến tính từng đoạn lớp tiếp giáp p-n để phân tích 1 chiều
cho các mạch transistor.
• Transistor trong 1 bộ khuếch đại tuyến tính phải được phân cực ở chế độ tích
cực thuận.
• Sử dụng mạch E chung và đường tải cho mạch E chung.
22
Nội dung
23
Giải thích một số khái niệm
• Nguồn áp
• Nguồn dòng
• Mạch E chung
27
Giải thích một số khái niệm - Nguồn áp
• Nguồn áp: là linh kiện hai cực có • Nguồn áp lý tưởng: cung cấp một
thể cung cấp một điện áp cố điện áp không đổi cho bất kỳ
định, bao gồm: tải/dòng điện đầu ra nào mà mạch
– Nguồn áp một chiều điện yêu cầu.
– Nguồn áp xoay chiều Điện áp không đổi cho
bất kỳ dòng điện nào
Thực tế
Nguồn áp Nguồn áp
một chiều (DC) xoay chiều (AC)
TRƯỜNG CÔNG NGHỆ THÔNG TIN VÀ TRUYỀN THÔNG
School of Information and Communication Technology
28
Giải thích một số khái niệm - Nguồn dòng
• Nguồn dòng: là linh kiện hai cực • Nguồn dòng lý tưởng: cung cấp một
có thể cung cấp một dòng điện dòng điện không đổi cho bất kỳ
không đổi, được ký hiệu như tải/điện áp đầu ra nào mà mạch
sau: điện yêu cầu.
Dòng điện không đổi cho
bất kỳ điện áp nào
Thực tế
Nguồn dòng
Ra
Vào
2
• Xét vòng mạch ②:
1
2
• Xét vòng mạch ②:
1
• Từ đó tính được:
• Tìm: 1
– IB, IC , IE
– VCE , công suất tiêu thụ PT
TRƯỜNG CÔNG NGHỆ THÔNG TIN VÀ TRUYỀN THÔNG
School of Information and Communication Technology
35
Ví dụ 3.1
• Tìm: 1
– IB, IC , IE
– VCE , công suất tiêu thụ PT
TRƯỜNG CÔNG NGHỆ THÔNG TIN VÀ TRUYỀN THÔNG
School of Information and Communication Technology
36
Ví dụ 3.2
• Tìm:
– IB, IC , IE
1 +
– RC sao cho 𝑉𝐸𝐶 = 𝑉
2
• Tìm:
– IB, IC , IE
1 +
– RC sao cho 𝑉𝐸𝐶 = 𝑉
2
• Transistor BJT được cấu thành từ 2 lớp tiếp giáp pn, mỗi lớp có thể hoạt động
ở vùng tích cực thuận/ngược tuỳ theo điện áp đặt trên 2 cực
E C
B
• Do đó, có 4 khả năng kết hợp phân cực → 4 vùng hoạt động
39
Các chế độ hoạt động khác
• Đặc tính V-A biểu diễn mối quan hệ • Đặc tính V-A mạch E chung
giữa dòng iC và điện áp VCE ứng với các Chế độ tích cực thuận
giá trị iB khác nhau.
• Với
Transistor ở chế độ tích cực thuận:
• Với
Transistor không còn ở chế độ tích
cực thuận, dòng iC nhanh chóng giảm
về 0.
vCE(V) npn hoặc vEC (V) pnp
TRƯỜNG CÔNG NGHỆ THÔNG TIN VÀ TRUYỀN THÔNG
School of Information and Communication Technology
40
Các chế độ hoạt động khác
• Xét transistor npn mạch E chung: • Đặc tính V-A (tuyến tính từng đoạn
lớp tiếp giáp B-E)
Dòng IB và điện áp VBE
tại điểm làm việc
• Từ phương trình dòng điện IB: • VBB<VBE(on): B-E phân cực ngược → IB=0
• VBB>VBE(on): B-E phân cực thuận → VBB
tăng → IB tăng
→ IC thay đổi?
TRƯỜNG CÔNG NGHỆ THÔNG TIN VÀ TRUYỀN THÔNG
School of Information and Communication Technology
41
Các chế độ hoạt động khác
• Đặc tính V-A lớp B-E 𝑽BB tăng • Đặc tính V-A mạch E chung
Dòng IB và điện áp VBE Chế độ tích cực thuận
tại điểm làm việc
IB tăng
Đặc tính lớp Đường tải
tiếp giáp BE IC tăng
Đường tải
Trạng thái bão hoà Đường tải
Bão hoà
Đặc tính lớp Đường tải
Đường tải
tiếp giáp BE
𝐼𝐵 = 𝐼𝐶 = 𝐼𝐸 = 0; 𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶
TRƯỜNG CÔNG NGHỆ THÔNG TIN VÀ TRUYỀN THÔNG
School of Information and Communication Technology
44
Tổng kết các chế độ hoạt động của transistor BJT
• Phân tích đáp ứng 1 chiều mạch transistor BJT cần biết chế độ hoạt động của
transistor
1. Giả thiết transistor ở chế độ tích cực thuận với:
VBE = VBE on , IB > 0, IC = 𝛽IB
2. Phân tích mạch “tuyến tính” với các giả thiết này
3. Đánh giá kết quả
• Nếu các giá trị tham số giả định ban đầu đúng và VCE > VCE sat , thì giả thiết ban đầu
là đúng
• IB < 0, transistor có thể ở trạng thái khoá
• VCE < 0, transistor có thể ở trạng thái bão hoà
4. Nếu giả thiết ban đầu không đúng, thực hiện giả thiết mới, phân tích mạch
tuyến tính mới và lặp lại từ bước 3.
46
Ví dụ 3.3
VCE<0
49
Bài tập 3.1
Đáp án:
• Với VBB=2V • Với VBB=1V
• IB =4μA • IB =10.7μA
• IC =0.44mA • IC =0.62mA 5kΩ
• VEC =1.1V • VEC =0.2V
TRƯỜNG CÔNG NGHỆ THÔNG TIN VÀ TRUYỀN THÔNG
School of Information and Communication Technology
50
Bài tập 3.2
• Giả thiết:
• β= 120
• VEB (on) = 0.7V
58
Ví dụ 3.4
• Áp dung định luật Kirchoff cho vòng B-E (giả • Mạch điện có:
thiết ở trạng thái tích cực thuận): • IEQ = 0.5mA
• VECQ = 4.0V
• β= 120
• Từ đó tính được: • VEB (on) = 0.7V
• Mặt khác:
• Tìm:
• Đáp án:
IB = 2.5μA
IC = 0.2575mA
IE = 0.26mA
β = 103
α = 0.9903846154
61
Bài tập 3.5
• Tìm:
• Đáp án:
• IB = 6.25μA
• IC = 0.531mA
• IE = 0.5375mA
• VEC = 3.575V
63
Bài tập 3.6
• Đáp án:
– RE =18.4kΩ
3V 3V
– RC =12.1kΩ
• Có thể chọn:
– Điện trở
– Transistor có:
• Đáp án:
– RB =185kΩ
• Đặc tính truyền điện áp biểu diễn • Đặc tính truyền điện áp transistor npn
mối quan hệ giữa điện áp đầu ra Khoá
ứng với điện áp đầu vào.
• Đặc tính truyền điện áp của
transistor giúp quan sát được trạng
thái hoạt động của transistor khi
biết điện áp vào. Tích cực
thuận
• Đặc tính truyền điện áp của
transistor bao gồm:
– Trạng thái tích cực thuận Bão hoà
– Bão hoà
VCE(sat)
– Khoá
VBE(on)
TRƯỜNG CÔNG NGHỆ THÔNG TIN VÀ TRUYỀN THÔNG
School of Information and Communication Technology
67
Đặc tính truyền điện áp
• Đặc tính truyền điện áp biểu diễn • Đặc tính truyền điện áp transistor pnp
mối quan hệ giữa điện áp đầu ra
ứng với điện áp đầu vào. Bão hoà
• Đặc tính truyền điện áp của
transistor giúp quan sát được trạng
thái hoạt động của transistor khi
biết điện áp vào. Tích cực
• Đặc tính truyền điện áp của thuận
transistor bao gồm:
– Trạng thái tích cực thuận
Khoá
– Bão hoà
– Khoá
TRƯỜNG CÔNG NGHỆ THÔNG TIN VÀ TRUYỀN THÔNG
School of Information and Communication Technology
68
Ví dụ 3.5 Vẽ đặc tính truyền điện áp transistor npn
• Vẽ đặc tính truyền điện áp cho mạch • Xét mạch transistor npn:
như hình vẽ:
– VBE (on) = 0.7V
– VCE (sat) = 0.2V
– β = 120
• Nếu:
Transistor ở trạng thái
tích cực thuận hoặc bão hoà 2
• Với:
Bão hoà
• Lần lượt thay vào:
VCE(sat)
VBE(on)
TRƯỜNG CÔNG NGHỆ THÔNG TIN VÀ TRUYỀN THÔNG
School of Information and Communication Technology
71
Ví dụ 3.5 Vẽ đặc tính truyền điện áp transistor npn
Khoá Khoá
Tích cực thuận
Bão hoà
Bão hoà
• Vẽ đặc tính truyền điện áp cho mạch • Xét mạch transistor pnp:
như hình vẽ:
– VEB (on) = 0.7V
– VEC (sat) = 0.2V
– β = 80
2
• Nếu:
Transistor ở trạng thái
tích cực thuận hoặc bão hoà
• Xét vòng mạch ②:
• Điện áp đầu ra:
• Với:
• Lần lượt thay vào: Khoá
Khoá
• Xét phân cực transistor ở điểm bắt • Đặc tính truyền điện áp:
đầu vùng bão hòa, có điểm làm việc
tại Q.
– Nửa dương của tín hiệu vào:
transistor ở vùng bão hòa, điện áp
đầu ra không đổi.
– Nửa âm của tín hiệu vào: transistor ở
vùng tích cực, đáp ứng điện áp đầu ra Điểm làm việc Q
xuất hiện.
Thời gian
• Xét phân cực transistor ở điểm bắt • Đặc tính truyền điện áp:
đầu vùng khoá, có điểm làm việc tại Điểm làm
Q. việc Q
– Nửa dương của tín hiệu vào:
transistor ở vùng tích cực, đáp ứng
điện áp đầu ra xuất hiện.
– Nửa âm của tín hiệu vào: transistor ở Thời gian
vùng khoá, điện áp đầu ra không đổi.
Thời gian
• Xét phân cực transistor ở giữa vùng • Đặc tính truyền điện áp:
tích cực, có điểm làm việc tại Q:
– Nửa dương của tín hiệu vào:
transistor ở vùng tích cực, đáp ứng
điện áp đầu ra xuất hiện.
– Nửa âm của tín hiệu vào: transistor ở Điểm làm
vùng tích cực, đáp ứng điện áp đầu ra việc Q
xuất hiện.
Thời gian
Cần phân cực đúng để tín hiệu đầu ra không
bị sai khác so với tín hiệu đầu vào
Phân cực bằng 1 điện trở Phân cực bằng 2 điện trở
TRƯỜNG CÔNG NGHỆ THÔNG TIN VÀ TRUYỀN THÔNG
School of Information and Communication Technology
Thời gian
79
Phân cực transistor bằng một điện trở cực B
• Thiết kế mạch như hình vẽ để: • Mạch transistor npn phân cực bằng
1 transistor RB:
• Giả thiết:
• Xét đặc tính VA lớp tiếp giáp CE • Mạch transistor npn phân cực bằng
1 transistor RB:
• Thiết kế mạch như hình vẽ để: • Mạch transistor npn phân cực bằng
1 transistor RB:
• Giả thiết:
• Xét đặc tính VA lớp tiếp giáp CE: • Xét mạch transistor npn phân cực
Điểm làm việc thay đổi bằng 1 transistor RB:
lớn khi β thay đổi
(Không đổi)
• Xét mạch transistor phân cực bằng • Mạch tương đương đối
R1, R2 như sau: với tín hiệu vào 1 chiều
• Mạch tương đương đối với tín hiệu • Mạch tương đương Thevenin
vào 1 chiều
• Là một phương pháp phân tích được sử dụng để biến một mạch phức tạp
thành mạch tương đương đơn giản chứa một điện trở đơn mắc nối tiếp với
một nguồn áp.
• Phát biểu định lý: Bất kỳ một mạch tuyến tính nào có chứa vài điện trở và
nguồn áp có thể được thay thế bằng mạch chỉ có duy nhất 1 điện trở và 1
nguồn áp mắc nối tiếp với nhau qua tải.
• Các bước phân tích mạch:
• Tính điện áp tương đương Thevenin VTH
• Tính điện trở tương đương Thevenin RTH
• Vẽ lại mạch tương đương với VTH và RTH mắc nối tiếp với điện trở tải
88
Tính điện áp tương đương Thevenin
• Xét mạch điện với nguồn điện • Điện trở tương đương
áp ngắn mạch: Thevenin:
Điện trở Thevenin
tương đương là điện
Ngắn trở nhìn vào từ hai
mạch đầu A và B sau khi • Mạch tương đương
nguồn áp
ngắn mạch các nguồn Thevenin:
áp và hở mạch các
nguồn dòng.
• Mở dòng điện nguồn và ngắn
mạch nguồn áp.
RTH=R2 nối tiếp R1//R3
• Tính toán, đo lường điện trở
mạch hở.
TRƯỜNG CÔNG NGHỆ THÔNG TIN VÀ TRUYỀN THÔNG
School of Information and Communication Technology
90
Phân cực transistor bằng hai điện trở
• Xét mạch transistor phân cực bằng • Mạch tương đương đối
R1, R2 như sau: với tín hiệu vào 1 chiều
• Cách phân tích mạch tương đương: cắt tải tại A-B
𝑉𝐶𝐶
𝑉𝑇ℎ𝑒𝑣𝑒𝑛𝑖𝑛 = 𝑉𝐴𝐵 = 𝑅2
𝑅1 + 𝑅2
𝑅1 𝑅2
𝑅𝑇ℎ𝑒𝑣𝑒𝑛𝑖𝑛 = 𝑅1 𝑅2 =
𝑅1 + 𝑅2
93
Phân cực transistor bằng hai điện trở
• Mạch transistor phân cực bằng R1, • Mạch Thevenin tương đương:
R2
• Mạch tương đương Thevenin • Giá trị tại điểm làm việc 1 chiều:
• Tìm
• Điểm làm việc Q khi 𝛽=100?
• Điểm làm việc Q khi 𝛽 thay đổi
98
Ví dụ 3.7 Phân tích một chiều mạch transistor phân cực bằng 2 điện trở
Điểm làm
việc Q
99
Nhận xét
• Điện trở R1 và R2 có thể phân cực transistor trong vùng tích cực bằng cách sử
dụng các giá trị điện trở thấp cỡ kΩ.
• Ngược lại, phân cực bằng 1 điện trở đơn cần giá trị điện trở lớn cỡ MΩ
• Phân cực bằng điện trở R1 và R2, khi 𝛽 thay đổi, sự thay đổi của ICQ và VCE đã
giảm.
• Bổ sung điện trở RE cũng có khuynh hướng ổn định điểm làm việc Q hơn.
100
Nhận xét
• Bởi vì:
• Có thể chọn RTH sao cho:
• Từ đó tính được:
• Nhận xét:
• Nếu điện áp hạ trên RE lớn thì sẽ phải tăng nguồn VCC để giữ VCE theo yêu cầu.
• Do đó, có thể chọn điện áp hạ trên RE cỡ VBE(on).
• Với hệ số khuếch đại lớn:
𝑉𝑅𝐸 =
103
Ví dụ 3.8 Thiết kế mạch phân cực ổn định
• Hay:
• Mặt khác:
• Suy ra:
• Từ đó tính được:
• Thu được:
• Có thể chọn:
TRƯỜNG CÔNG NGHỆ THÔNG TIN VÀ TRUYỀN THÔNG
School of Information and Communication Technology
105
Ví dụ 3.8 Thiết kế mạch phân cực ổn định
• Với:
• Tính được:
• Với:
• Tính được:
• Nhận xét:
• Điểm làm việc Q được coi là ổn định với sự thay đổi của 𝛽
• Điện trở phân cực R1 và R2 có giá trị hợp lý trong dải kΩ
• IC thay đổi từ -8.2%÷+3% khi 𝛽 giảm/tăng 60 từ giá trị 120.
Điểm làm
việc Q
• Thực hiện phân tích 1 chiều với mạch • Mạch tương đương Thevenin
tương đương Thevenin:
• Giả thiết:
• Để mạch ổn định:
110
Ví dụ 3.9 Thiết kế mạch đáp ứng yêu cầu điểm làm việc
• Với:
• Thay vào phương trình điện áp vòng E-B được:
• Từ đó tính được:
• Thay:
• Thu được:
• Các giá trị đã tính được bao gồm: • Mạch được thiết kế như sau:
• Đáp án
– IBQ = 1.25µA
– IEQ = 0.15125mA
– VCEQ = 1.30V
TRƯỜNG CÔNG NGHỆ THÔNG TIN VÀ TRUYỀN THÔNG
School of Information and Communication Technology
115
Bài tập 3.10
a. Thiết kế mạch phân cực ổn định có: • Cho mạch điện như hình vẽ:
a. Câu a c. Câu c
b. Câu b
118
Chương 3 Transistor và ứng dụng
123
3.4 Phân tích xoay chiều
• Một mạch điện tử có các tín hiệu đầu vào bao gồm các thành phần một chiều
và xoay chiều.
Nguồn cấp
một chiều
• Xét mạch npn mắc như hình bên có: • Mạch npn mắc kiểu E chung:
– Nguồn 1 chiều VBB
– Nguồn xoay chiều vs
• Dòng xoay chiều vs ở cực B sẽ tạo ra một
dòng xoay chiều ở cực C.
• Dòng xoay chiều ở cực C sẽ lại tạo ra một
điện áp xoay chiều hạ trên RC, từ đó, tạo
ra một điện áp CE xoay chiều.
• Từ đó, tín hiệu đầu ra sẽ chứa thành phần
xoay chiều và thành phần một chiều
(điểm làm việc).
• Tại điểm làm việc Q trên đặc tính • Xét đặc tính truyền điện áp:
truyền điện áp, với tín hiệu đầu vào
xoay chiều có thể tìm được đầu ra xoay Q vùng khoá
chiều như sau:
• Thông qua đặc tính truyền điện áp, tại Q vùng tích cực thuận
điểm làm việc Q với đầu vào xoay Điểm làm việc Q
chiều vs: Q vùng bão hoà
– Nửa chu kỳ dương của tín hiệu đầu vào,
ứng với nửa chu kỳ âm của tín hiệu đầu ra
– Nửa chu kỳ âm của tín hiệu đầu vào, ứng
với nửa chu kỳ dương của tín hiệu đầu ra.
𝑉𝑇 𝐼𝐶𝑄
B-E tương đương C-E tương đương 𝑟𝜋 = 𝑔𝑚 =
điện trở tín hiệu nguồn dòng có hệ số 𝐼𝐵𝑄 𝑉𝑇
nhỏ r điện dẫn truyền gm Điện trở đầu vào BE Hệ số điện dẫn truyền
𝑉𝑇 = 0.026V (điện trở nhiệt ở nhiệt độ phòng)
TRƯỜNG CÔNG NGHỆ THÔNG TIN VÀ TRUYỀN THÔNG
School of Information and Communication Technology
130
Mô hình tương đương tín hiệu nhỏ
𝑉𝑇 𝐼𝐶𝑄
B-E tương đương C-E tương đương 𝑟𝜋 = 𝑔𝑚 =
điện trở tín hiệu nguồn dòng có hệ số 𝐼𝐵𝑄 𝑉𝑇
nhỏ r điện dẫn truyền gm Điện trở đầu vào BE Hệ số điện dẫn truyền
𝑉𝑇 = 0.026V (điện trở nhiệt ở nhiệt độ phòng)
TRƯỜNG CÔNG NGHỆ THÔNG TIN VÀ TRUYỀN THÔNG
School of Information and Communication Technology
131
Mạch tương đương 𝜋 lai
• Xét mạch transistor npn phân cực • Mạch tương đương 𝜋 lai:
tại RB:
• Cho mạch khuếch đại như hình bên • Xét mạch khuếch đại npn sau:
có các giá trị:
Hệ số khuếch đại:
TRƯỜNG CÔNG NGHỆ THÔNG TIN VÀ TRUYỀN THÔNG
School of Information and Communication Technology
136
Ví dụ 3.10 Tính hệ số khuếch đại điện áp tín hiệu nhỏ
137
Ví dụ 3.10 Tính hệ số khuếch đại điện áp tín hiệu nhỏ
• Dòng điện xoay chiều tại cực B tính được như sau:
• Dòng điện xoay chiều tại cực C tính được như sau:
• Điện áp xoay chiều tại cực C-E tính được như sau:
138
Ví dụ 3.10 Tính hệ số khuếch đại điện áp tín hiệu nhỏ
139
Các bước thực hiện Phân tích xoay chiều
• Bước 1: Phân tích mạch chỉ với nguồn một chiều DC, thu được điểm làm việc
một chiều Q. Transistor cần phải được phân cực trong vùng tích cực thuận để
tạo ra bộ khuếch đại tuyến tính.
• Bước 2: Thay thế các phần tử với mô hình tương đương tín hiệu nhỏ. Sử dụng
mô hình tín hiệu như hình cho transistor.
• Bước 3: Phân tích mạch tín hiệu nhỏ tương đương với việc thiết lập các thành
phần DC bằng 0 để tính ra đáp ứng của mạch với tín hiệu đầu vào thay đổi
theo thời gian.
• Bước 4: Xếp chồng kết quả.
140
Mô hình tương đương tín hiệu nhỏ
Mối quan hệ
Thành phần dòng điện – điện áp Mô hình DC Mô hình AC
Điện trở
Tụ điện Hở mạch
Diode
141
Mô hình tương đương tín hiệu nhỏ
• Tổng dòng điện tức thời tại cực B được tính như sau:
= 10 + 4.75𝑠𝑖𝑛𝜔𝑡 𝜇𝐴
• Tổng dòng điện tức thời tại cực C được tính như sau:
= 1 + 0.475𝑠𝑖𝑛𝜔𝑡 𝑚𝐴
• Tổng điện áp tức thời tại cực C-E được tính như sau:
= 6 − 2.85𝑠𝑖𝑛𝜔𝑡 𝑉
143
Mạch tương đương 𝜋 lai có hiệu ứng Early
• Kéo dài đặc tuyến Volt-Ampere ở vùng tích cực thuận sẽ hội tụ tại 1 điểm.
Điểm này gọi là điểm điện thế Early VA.
Điện áp Early
144
Mạch tương đương 𝜋 lai có hiệu ứng Early
• Mạch tín hiệu nhỏ tương đương với • Mạch tín hiệu nhỏ tương đương với
hệ số điện dẫn có hiệu ứng Early hệ số khuếch đại dòng có hiệu ứng
Early
Khi xét đến hiệu ứng Early, trong mạch tương đương xoay chiều xuất hiện điện trở r0 giữa
hai cực C-E.
𝑉𝑨
𝑟𝒐 = Trở kháng đầu ra tín hiệu nhỏ
𝐼𝑪𝑄
TRƯỜNG CÔNG NGHỆ THÔNG TIN VÀ TRUYỀN THÔNG
School of Information and Communication Technology
145
Ví dụ 3.11 Tính hệ số khuếch đại có xét hiệu ứng Early
• Mạch tín hiệu nhỏ tương đương với trở kháng đầu ra ro:
147
Ví dụ 3.11 Tính hệ số khuếch đại có xét hiệu ứng Early
• Trở kháng đầu ra tín hiệu nhỏ tính được như sau:
• Cho mạch khuếch đại hình bên với các • Mạch khuếch đại transistor npn:
thông số transistor như sau:
– β = 150, VBE(on)=0.7V, VA =150V
– VCC =5V, VBB = 1.025 V
– RB = 100 kΩ , RC = 6 kΩ
• Tìm các tham số tính hiệu nhỏ mạch π
lai: gm , rπ , và ro.
• Tìm hệ số khuếch đại điện áp tín hiệu
nhỏ Av =Vo/Vs.
• Đáp án: (a) gm =18.75mA/V, rπ =8kΩ, ro
=308kΩ; (b) Av = −8.17
151
3.5 Ứng dụng của transistor
• Điều khiển
• Phần tử logic số
• Bộ khuếch đại
152
Điều khiển
• Mạch transistor hoạt động bằng • Mạch lưỡng cực dùng làm bộ đảo:
cách chuyển giữa hai trạng thái:
khoá - bão hoà khi thay đổi .
• Tải: có thể là động cơ, đèn led hoặc
các thiết bị điện khác. Tải
• Với: Transistor khoá
Tải không hoạt động
• Với: Transistor bão hoà
Không đổi
• Thiết kế mạch điều khiển đèn LED • Mạch điều khiển LED
như hình bên biết để đèn sáng thì
• Giả thiết:
• Thiết kế mạch điều khiển động cơ • Mạch điều khiển động cơ:
như hình bên biết dòng điều khiển
động cơ cần
• Giả thiết:
Động
cơ
• Khi thiết kế các mạch điện tử, thường sẽ phải đặt các giả thiết.
• Trong cả hai ví dụ trên, giả thiết IC/IB = (1/2)β để đảm bảo transistor sẽ chuyển
sang chế độ bão hoà ngay khi có sự thay đổi các thông số mạch điện.
• Ưu điểm: có thể sử dụng dòng IB tương đối nhỏ để điều khiển dòng tải lớn.
• Khi transistor phân cực ở trạng thái bão hoà, mối quan hệ IB và IC không phải
là mối quan hệ tuyến tính.
• Chế độ hoạt động này chủ yếu được sử dụng để tạo ra những sự thay đổi lớn
ở đầu ra, được ứng dụng rất nhiều trong các mạch logic số.
• Thiết kế mạch điều khiển đèn, đèn sáng • Mạch điều khiển đèn:
khi IC1 =15mA
• Khi vI1 = 5 V thì IC1/IB1 = 50
• Thiết kế mạch điều khiển động cơ, • Mạch điều khiển động cơ
động cơ chạy khi IC2 = 2A
• Khi vI2 = 0V thì IC2/IB2 = 25
Động
cơ
• Trong mạch logic số, tín hiệu số • Xét cổng logic với đầu vào VI:
sử dụng các mức logic 0-1 để
biểu thị trạng thái của tín hiệu,
0 có thể biểu thị mức điện áp
thấp, 1 có thể biểu thị mức
điện áp cao, và ngược lại.
• Transistor được sử dụng để Cổng NOT
thiết kế các cổng logic cơ bản
như: AND, OR, NOT, NOR…, chủ
yếu dựa trên hai chế độ hoạt
động: khoá – bão hoà Q bão hoà:
Vo=VCE(sat)=0.2V
Q khoá: Vo=Vcc = 5V
TRƯỜNG CÔNG NGHỆ THÔNG TIN VÀ TRUYỀN THÔNG
School of Information and Communication Technology
163
Phần tử logic số
• Tín hiệu số sử dụng các mức • Xét cổng logic với 2 đầu vào V1 V2 :
logic 0-1 để biểu thị trạng thái
của tín hiệu, 0 có thể biểu thị
mức điện áp thấp, 1 có thể biểu
thị mức điện áp cao, và ngược
lại.
• Transistor được sử dụng để
thiết kế các cổng logic cơ bản
như: AND, OR, NOT, NOR…, chủ
yếu dựa trên hai chế độ hoạt
động: khoá – bão hoà Q bão hoà:
Vo=VCE(sat)=0.2V Cổng NOR
TRƯỜNG CÔNG NGHỆ THÔNG TIN VÀ TRUYỀN THÔNG
Q khoá: Vo=Vcc = 5V 2 đầu vào
School of Information and Communication Technology
164
Ví dụ 3.14 Tính toán với phần tử NOR
• Bộ khuếch đại transistor có điểm làm • Xét mạch khuếch đại E chung sau:
việc trong vùng tích cực thuận.
• Khi hoạt động ở vùng tích cực thuận,
điện áp đầu ra được khuếch đại so với
tín hiệu đầu vào.
• Xét mạch khuếch đại E chung như hình
vẽ, để tìm hệ số khuếch đại điện áp
cần:
• Thực hiện phân tích 1 chiều tìm điểm làm
việc Q
• Thực hiện phân tích xoay chiều tìm mối
quan hệ giữa tín hiệu vào và ra bằng
mạch tương đương xoay chiều.
TRƯỜNG CÔNG NGHỆ THÔNG TIN VÀ TRUYỀN THÔNG
School of Information and Communication Technology
168
Mạch khuếch đại E chung cơ bản
Bộ khuếch đại
Tín hiệu
nguồn
• Mắc thêm điện trở RE có tác dụng ổn • Mạch tương đương xoay chiều khi
định điểm làm việc. mắc thêm điện trở RE ở cực E:
• Suy ra:
2
• Nếu: và
• Dòng Ib:
• Hệ số khuếch đại có thể xấp xỉ:
• Cho mạch điện như hình vẽ: • Mạch khuếch đại E chung cơ bản:
176
Ví dụ 3.15 Tính hệ số khuếch đại điện áp mạch E chung
• Điện trở đầu vào cực B: • Mạch tương đương xoay chiều:
Nhận xét:
• Hệ số khuếch đại điện áp giảm nhẹ khi thêm vào điện trở RE vì có thành phần
(1 + 𝛽)R E dưới mẫu số.
• Có thể sử dụng công thức xấp xỉ để tính hệ số khuếch đại điện áp khi thiết kế
mạch khuếch đại E chung có điện trở RE
• Hệ số khuếch đại điện áp gần như độc lập với sự thay đổi của hệ số 𝛽.
180
Ví dụ 3.16 Tính hệ số khuếch đại tín hiệu nhỏ
Cho mạch khuếch đại pnp như hình • Mạch khuếch đại:
có:
• VEB(on)=0.7V
• β=80
• VA =∞
• Suy ra:
• Phương trình điện áp vòng B-E:
• Tính được:
190
Bài tập 3.18
Đáp án
• Cho mạch điện như hình vẽ có: • Mạch khuếch đại:
– RE = 0.3 kΩ • Câu a:
– RC = 4kΩ 12V – ICQ = 1.6 mA
– R1 = 14.4kΩ – VECQ = 5.11 V
– R2 = 110kΩ • Câu b:
– RL = 10kΩ
– gm =61.54mA/V
• Transistor có các thông số: – rπ =1.625kΩ
– β = 100,
– ro =∞
– VEB (on) = 0.7 V
– VA = ∞ • Câu c:
a. Tìm điểm làm việc ICQ và VECQ – Av = −8.95
196