Professional Documents
Culture Documents
Chương 3 - K65
Chương 3 - K65
5 5
𝑡𝐶° = 𝑇𝐾° - 273,15 = 𝑡𝐹° − 17,78 = 𝑇𝑅° − 273,15
9 9
5 5
𝑇𝐾° = 𝑡𝐶° + 273,15 = 𝑡𝐹° + 255,37 = 𝑇𝑅°
9 9
9 9
𝑡𝐹° = 𝑡𝐶° + 32 = 𝑇𝐾° − 459,67 = 𝑇𝑅° − 459,67
5 5
9 ° 9 °
𝑇𝑅° = 𝑡𝐶 + 491,67 = 𝑇𝐾 = 𝑡𝐹° + 459,67
5 5
3.1.2 Nhiệt độ cần đo và nhiệt độ đo được
- Giải pháp
+ Tăng cường trao đổi nhiệt giữa cảm biến
và môi trường bên ngoài
+ Giảm trao đổi nhiệt giữa cảm biến với môi
trường ngoài
3.1.2 Nhiệt độ cần đo và nhiệt độ đo được (tiếp)
- Trong cảm biến tiếp xúc, nhiệt lượng truyền từ môi trường vào bộ cảm biến tỷ lệ với (𝑇𝑋 − 𝑇 )
𝑑𝑇 𝑑𝑡 𝑚𝐶
- Phương trình vi phân cân bằng nhiệt: 𝑇𝑋 −𝑇
= 𝜏
(1) 𝜏= 𝜏
𝛼𝐴
−𝑡
(1) Có nghiệm 𝑇 = 𝑇𝑋 − 𝑘𝑒 𝜏
𝑇
3.1.2 Nhiệt độ cần đo và nhiệt độ đo được (tiếp)
𝑇𝑋
−𝑡
𝑇 = 𝑇𝑋 − 𝑘𝑒 𝜏
0,63𝑇𝑋
0
𝜏 𝑡
3.1.3 Phương pháp đo nhiệt độ
- Phương pháp nhiệt điện trở: dựa vào điện trở của vật liệu làm cảm biến thay đổi theo
nhiệt độ
- Phương pháp sức điện động nhiệt điện: dùng cặp nhiệt điện hay nhiệt ngẫu (dựa trên
hiệu ứng nhiệt điện).
- Phương pháp quang: Dựa trên sự phân bổ bức xạ nhiệt
- Phương pháp cơ: dựa vào sự giãn nở của các chất theo nhiệt độ
3.2 Cảm biến nhiệt điện trở kim loại (RTD – Resitive Temperature Detector)
- Điện trở chế tạo dưới dạng dây hay màng mỏng, điện trở suất thay đổi theo nhiệt độ
- Kim loại chế tạo RTD: Platin, Niken, đồng hoặc vonfram.
𝑅𝑇 = 𝑅0 (1 + 𝛼𝑇 + 𝛽𝑇 2 ) Trong đó:
𝑅𝑇 - Điện trở dây ở T℃
𝑅0 - Điện trở dây ở 0℃
𝛼, 𝛽 – hệ số nhiệt điện trở (1/độ)
❑ Cấu tạo
Dòng
điện
Nhiệt độ
- Tín hiệu đầu ra dạng dòng/áp, tránh ảnh hưởng của nhiệt độ môi trường bên ngoài
3.2 Cảm biến nhiệt điện trở kim loại (tiếp)
3.2 Cảm biến nhiệt điện trở kim loại (tiếp)
❑ Ưu điểm RTD
- Thang đo rộng:
- Đầu dò lPlatium chịu được nhiệt độ cao -200℃ ÷ 1000℃; thời gian phản hồi nhanh
- Độ chính xác cao
- Ổn định với nhiệt độ cao
Caàu ño
Rô le ñieàu khieån
❑ Mạch đo
𝑈𝑛
- +
R𝑇
𝐴 R2
𝑈𝑑
R3
R1 𝐵
❑ Mạch đo RTD R𝑇
𝐴 R2
𝑅𝑇 = 𝑅0 (1 + 𝛼𝑇) 𝑈𝑑
- Cấu tạo: gồm 2 chất kim loại khác nhau hàn dính tại 1 đầu
- Nguyên lý hoạt động: Dựa trên hiệu ứng nhiệt điện. Khi mối hàn được cấp nhiệt sẽ tạo ra 1
điện áp nhỏ trong mạch.
3.3 Cặp nhiệt điện (tiếp)
❑ Bù nhiệt độ đầu tự do
Điều kiện chuẩn xác định đặc tuyến cặp nhiệt điện 𝑡0 = 0
Thực tế: 𝑡0 #0
❑ Bù nhiệt độ đầu tự do 𝐴1 𝑡0
𝐴
𝑒𝐴𝐵 𝑡
R1 , R 2 , R 3 : làm bằng mangan Dâ𝑦 𝑑ẫ𝑛 𝑏ù
𝑡 𝑡1 Rđ
R đ : làm bằng đồng 𝐴 R1
𝐵 𝑡0
𝑅đ = 𝑅0 (1 + 𝛼𝑡) 𝐷
𝐵1 𝐶
R3 R2
𝐵 R𝑡
Để dòng điện qua 𝑅đ không đổi ta chọn:
+ -
R2= R3 R1 = R 0
Nguồn
R 2 = R 3 >>>> R 0
~
𝑈𝐶𝐷 = 𝐼. 𝑅đ − 𝐼. 𝑅1
Cặp nhiệt ngẫu Dải nhiệt độ làm Sức điện động Độ chính xác
việc mV
Cặp nhiệt điện loại K -270÷1250 -5.354÷ 50.633 0℃ ÷ 400℃): ±3%
(Niken-Crom/Niken- (400℃ ÷ 1250℃): ±0.75%
Alumel)
Cặp nhiệt điện loại T -270÷ 870 -6.258 ÷ 19.027 (-100℃ ÷ 40℃): ±2%
(Đồng/Constantan) (40℃ ÷ 100℃): ±0.8%
(100℃ ÷ 350℃): ±0.75%
Cặp nhiệt điện loại E -276÷870 -9.835 ÷ 66.473 (0℃ ÷ 400℃): ±3%
(Niken- (400℃ ÷ 870℃): ±0.75%
Crom/Constantan)
Cặp nhiệt điện loại J -210÷ 800 -8.096 ÷ 45.498 (0℃ ÷ 400℃): ±3%
(Iron/constantan) (400℃ ÷ 800℃): ±0.75%
Cặp nhiệt điện loại R -50 ÷1500 -0.226 ÷ 17.445 (0℃ ÷ 538℃): ±1.4%
(Platium- (538℃ ÷ 1500℃): ±0.25%
13%Rhodium/Platium)
Cặp nhiệt điện loại S -50 ÷1500 -0.236 ÷ 15.576 (0℃ ÷ 600℃): ±2.5%
(Platium- (600℃ ÷ 1500℃): ±0.4%
3.4 Cảm biến nhiệt bán dẫn
3.4.1 Cảm biến nhiệt bán dẫn silic
Cấu tạo:
- Làm từ bán dẫn Silic tinh khiết hoặc đơn tinh thể
Nguyên lý:
- Sự thay đổi điện trở suất theo nhiệt độ của Si phụ thuộc nồng độ pha tạp chất
và nhiệt độ
+ Dưới 120℃ hệ số của điện trở suất dương (điện trở suất tăng khi nhiệt độ tăng)
+ Trên 120 ℃ hệ số của điện trở suất âm( điện trở giảm khi nhiệt độ tăng)
3.4.2 Cảm biến nhiệt IC
❑ IC LM335
- Cấu tạo: Làm từ các loại chất bán dẫn
- Nguyên lý: Sự phân cực của các chất bán dẫn bị
ảnh hưởng bởi nhiệt độ.
- Ưu điểm: Rẻ tiền, dễ chế tạo, độ nhạy cao, chống
nhiễu tốt, mạch xử lý đơn giản.
- Nhược điểm: không chịu nhiệt độ cao, kém bền.
- Dải đo: -50 ~ 150oC
- Ứng dụng: Đo nhiệt độ không khí, dùng trong các
thiết bị đo, bảo vệ các mạch điện tử.
- Các loại cảm biến nhiệt bán dẫn điển hình: kiểu
diod, các kiểu IC LM35, LM335, LM45
3.4.2 Cảm biến nhiệt IC (tiếp)
❑ IC DS18B20
- Nguồn 3-5.5V
- Dải đo nhiệt độ −55 ÷ 125℃
- Sai số: ±0.5% ở dải đo −10 ÷ 85℃
- Hỗ trợ truyền thông
3.4.3 Cảm biến nhiệt bán dẫn diot và tranzito
- Cấu tạo: Bán dẫn diot hoặc tranzito nối theo kiểu diot
- Nguyên lý: Tranzito nối theo kiểu diot – nối B và C,
được phân cực thuận có dòng điện không đổi. Khi có
điện áp UBE là hàm của nhiệt độ
- Độ nhay (mắc theo kiểu điot):
𝑑𝑉
𝑆=
𝑑𝑇
- Để tăng độ tuyến tính và khả năng thay thế: dùng 2 tranzito mắc ngược nhau
𝑑(V1−V2)
𝑆=
𝑑𝑇
3.5 Hỏa kế (cảm biến quang đo nhiệt độ)
- Phân loại:
+ Hỏa kế bức xạ
+ Hỏa kế quang hoc
+ Hỏa kế quang điện
3.5.1 Hỏa kế bức xạ toàn phần
- Cấu tạo:
Hỏa kế bức xạ toàn phần
1 - Nguồn bức xa
a- Có thấu kính hội tụ
2 - Thấu kính hội tụ
b- Có gương phản xạ
3 - Gương phản xạ
4 - Bộ phận thu năng lượng
5 - Dụng cụ đo thứ cấp
Cặp nhiệt
❑ Đặc điểm
- Không cần tiếp xúc với nguồn nhiệt khi đo ở nhiệt độ cao, đo nhiệt độ 300-6000 oC
- Không bị ảnh hưởng bởi khoảng cách
- Tốc độ đáp ứng nhanh, không làm sai lệch nhiệt độ đối tượng đo
3.5.2 Hỏa kế quang học
- Sử dụng đo nhiệt độ > 800 ℃
- Cấu tạo:
1 – Vật cần đo nhiệt
2 – Vật kính của dụng cụ đo
3 – Kính lọc ánh sáng
4 – Thành ngăn đầu vào
5 – Dây tóc đèn
6 – Thành ngăn đầu ra
7 – TB lọc ánh sáng đỏ
8 – Thị kính
3.5.2 Hỏa kế quang học (tiếp)
Ánh sáng từ vật bức xạ cần đo nhiệt (1) qua vật kính
(2), kính lọc ánh sáng (3), và thành ngăn (4) – (6),
kính lọc ánh sáng đỏ (7) tới thị kính (8) và mắt. Khóa
K đóng, cung cấp điện cho sợi tóc bóng đèn (5), điều
chỉnh biến trở để độ sáng của dây tóc bóng đèn trùng
với độ sáng của vật cần đo. Kim chỉ của mA với sự
chia độ theo ánh sáng phụ thuộc vào nhiệt độ sẽ cho
biết nhiệt độ tương ứng của vật.
3.5.2 Hỏa kế quang học (tiếp)
- Bức xạ của vật đen tuyệt đối có T < 3000 ℃, bước sóng 𝜆 = 0.4 – 0.7𝜇𝑚; cường độ bức xạ:
−𝐶2
𝐸0𝜆 = −5
𝐶1 𝜆 𝑒 𝜆𝑇
𝑇𝑡 = 𝑓(𝑇đ𝑜 , 𝜀𝜆 )
3.5.3 Hỏa kế quang điện
- Độ ẩm tuyệt đối 𝑅𝑑 : khối lượng hơi nước có trong một đơn vị thể tích không khí (g/m3)
- Nhiệt độ tạo sương 𝑇𝑑 (℃): nhiệt độ cần làm lạnh không khí ẩm để đạt trạng thái bão
hòa 𝑝𝑣 = 𝑝𝑆 (𝑇𝑑 )
3.6.2 Phân loại ẩm kế
- Ẩm kế điện trở
- Ẩm kế tụ điện polyme
- Ẩm kế tụ điện Al2O3
3.6.3 Ẩm kế biến thiên trở kháng
❑ Ẩm kế điện trở R𝑚
- Cấu tạo: ~
+ Điện trở kim loại R 𝑚 : đế có diện tích nhỏ, phủ chất hút ẩm R𝑎 𝑅𝐻%
+ Trên đế được phủ hai điện cực kim loại không bị oxy hóa
+ R 𝑎 : Điện trở bù có cùng hệ số nhiệt với R 𝑚 Mạch đo độ ẩm điện trở
3.6.3 Ẩm kế biến thiên trở kháng
❑ Ẩm kế điện trở R𝑚
- Nguyên lý: ~
+ Dòng chạy qua chất hút ẩm R𝑎 𝑅𝐻%
+ Điện trở giữa 2 điện cực R 𝑚 được xác định qua điện áp
+ Khi nhiệt độ thay đổi R 𝑚 tăng (giảm), thì R 𝑎 cũng tăng (giảm) Mạch đo độ ẩm điện trở
𝑢2
tương ứng = 𝑐𝑜𝑛𝑠𝑡
𝑢1
𝑢2
+ Khi độ ẩm thay đổi 𝑡ℎ𝑎𝑦 đổ𝑖
𝑢1
- Đặc điểm:
+ Dải đo RH%: 5%-95%
+ Dải nhiệt độ -10℃ ÷ 60℃
+ Sai số ±2% ÷ 5%
+ Thời gian đáp ứng 10s
+ Giá thành thấp, kích thước nhỏ, ít chịu ảnh hưởng môi trường
3.6.3 Ẩm kế biến thiên trở kháng (tiếp)
❑ Ẩm kế tụ điện polyme
- Cấu tạo:
(1) – Điện cực xốp bên ngoài (Cr)
(2) – Phần tử dẫn dòng (Cr-Ni-Au)
(3) – Màng mỏng polyme
Ẩm kế tụ điện môi polyme
(4) – Điện cực trong (Ta)
(5) – Bản nền
3.6.3 Ẩm kế biến thiên trở kháng (tiếp)
❑ Ẩm kế tụ điện polyme
𝜀𝜀0 𝐴
- Nguyên lý: 𝐶=
𝐿
❑ Ẩm kế tụ điện 𝑨𝒍𝟐 𝑶𝟑
- Cấu tạo:
(1) – Điện cực nhôm
(2) – Lớp điện môi Al2 O3
(3) – Dây dẫn
(4) – Điện cực vàng (Au)
Ẩm kế tụ điện Al2 O3
(5) – Hộp bảo vệ
3.6.3 Ẩm kế biến thiên trở kháng (tiếp)
❑ Ẩm kế tụ điện 𝑨𝒍𝟐 𝑶𝟑 R1
C0 R0
- Nguyên lý:
+ Phương pháp anot hóa tấm nhôm, tấm nhôm là R2 C2
điện cực thứ nhất của tụ; điện cực 2 là kim loại
mỏng phủ trên lớp điện môi
Mạch tương đương
+ Nếu chiều dày Al2 O3 < 0,3 𝜇𝑚, tụ điện chỉ phụ
thuộc vào áp suất riêng của hơi nước, không phụ
thuộc vào nhiệt độ
3.6.3 Ẩm kế biến thiên trở kháng (tiếp)
❑ Ẩm kế tụ điện 𝑨𝒍𝟐 𝑶𝟑
- Đặc điểm:
+ Đo nhiệt độ điểm sương -80℃ ÷ 70℃
+ Kích thước nhỏ
+ Thời gian đáp ứng vài giây
+ Làm việc dải áp suất rộng
- Nhược điểm:
+ Định kỳ chuẩn thiết bị
+ Phi tuyến
+ Không làm việc được trong môi trường có hoạt tính cao
3.6.4 Ẩm kế hấp thụ (tiếp)
- Dựa trên sự hấp thụ hơi nước của một số chất Liti Clorua, Anhidrit Photphoric,
… Ở trạng thái khô, điện trở cao, khi hút ẩm điện trở giảm mạnh.
- Áp suất hơi phía trên dung dịch bão hòa chứa muối hòa tan nhỏ hơn áp suất
hơi ở phía trên mặt nước ở cùng điều kiện nhiệt độ.
- Độ dẫn điện muối kết tinh nhỏ hơn dung dịch muối
3.6.4 Ẩm kế hấp thụ (tiếp)
- Cấu tạo:
(1) – Cảm biến nhiệt Pt
(2) – Lớp bọc tẩm dung dịch muối LiCl
(3) – Điện cực
(4) – Ống bọc kim loại cách điện
3.6.4 Ẩm kế hấp thụ (tiếp)
- Nguyên lý:
+ Dòng điện (I) chạy qua hai điện cực được đốt nóng
dung dịch (T℃) và làm bay hơi nước
+ Khi nước bay hơi hết, độ dẫn điện LiCl tinh thể
<<<< độ dẫn của dung dịch dẫn đến I và T giảm.
+ LiCl hấp thụ hơi nước từ không khí dẫn đến: độ ẩm
tăng, độ dẫn tăng, dòng điện tăng và lớp phủ LiCl lại bị
đốt nóng Đường cong áp suất hơi theo
- Nguyên lý:
+ Khi làm lạnh vật, đo nhiệt độ liên tục đến khi hình thành lớp sương
+ Giữ ổn định quá trình làm lạnh
+ Nhiệt độ đo là điểm sương Td, tiến hành đo áp suất trong không khí ẩm
- Cấu tạo:
(1) – Nguồn sáng
(2) – Đầu thu quang
(3) – Bộ điều chỉnh
(4) – Bộ đốt nóng, làm lạnh
(5) – Gương kim loại
Nguyên lý kết cấu ẩm kế ngưng tụ
(6) – CB nhiệt
3.6.5 Ẩm kế ngưng tụ (tiếp)
- Nguyên lý:
+ Khi làm lạnh vật, đo nhiệt độ liên tục đến khi hình thành lớp sương
+ Giữ ổn định quá trình làm lạnh
+ Nhiệt độ đo là điểm sương Td, tiến hành đo áp suất trong không khí ẩm
- Cấu tạo:
(1) – Nguồn sáng
(2) – Đầu thu quang
(3) – Bộ điều chỉnh
(4) – Bộ đốt nóng, làm lạnh
(5) – Gương kim loại
Nguyên lý kết cấu ẩm kế ngưng tụ
(6) – CB nhiệt
3.6.5 Ẩm kế ngưng tụ
- Đặc điểm:
+ Ưu điểm: độ chính xác cao ±0.2℃, dải đo rộng -70℃ ÷ 100℃, làm việc trong môi
trường ăn mòn
+ Nhược điểm: cấu tạo phức tạp, giá thành cao, nhu cầu hiệu chỉnh thường xuyên
Một số loại cảm biến độ ẩm
(Nguồn kythuatdienviet.com)