TTQ1 - Chuong 3

HỌC VIỆN CÔNG NGHỆ BƯU CHÍNH VIỄN THÔNG
BÀI GIẢNG
KỸ THUẬT THÔNG TIN SỢI QUANG

Fundamental of Optical Fiber Communications
Giảng viên: Th.S Đỗ Văn Việt Em – Th.S Phạm Quốc Hợp

Bộ môn: Thông Tin Quang – Khoa Viễn thông 2
Email: emdvv@ptit.edu.vn, pqhop@ptithcm.edu.vn
KỸ THUẬT THÔNG TIN QUANG
CHƯƠNG 3
BỘ PHÁT QUANG
GIẢNG VIÊN: ĐỖ VĂN VIỆT EM - PHẠM QUỐC HỢP

www.ptit.edu.vn Trang 2
BỘ MÔN: THÔNG TIN QUANG – KHOA VIỄN THÔNG 2
NỘI DUNG CHƯƠNG 3
• Nguyên lý chung về biến đổi quang điện

• LED
• Laser diode (LD)
• Các đặc tính kỹ thuật của nguồn quang
• Các nguồn laser bán dẫn đơn mode
• Bộ phát quang

Nguyên Lý Chung Về Biến Đổi Quang Điện
• Mức năng lượng (Energy Level):
 Tính chất hạt của ánh sáng:
• Eph = hf h: hằng số Plank (h= 6,625x10-34J.s)
f : tần số của photon ánh sáng
• Eánh sáng = Nph x Eph Nph: số photon
 Tính lượng tử của vật chất:

• Hat nhân: điện tích dương
• Các điện tử: điện tích âm
– Quay quanh hạt nhân theo các quỹ
đạo ổn định
– Mang một mức năng lượng nhất định

 Biểu đồ mức năng lượng (energy level diagram):
Năng lượng E(eV)
E4
E3
E2
E1 Dải cấm năng luợng (energy gap)
Eij=Ej - Ei
E0 Trạng thái nền (ground state)
• Biểu diễn trạng thái năng lượng của điện tử trong một nguyên tử
• Các mức năng lượng này không liên tục  rời rạc nhau

 Hàm phân bố Boltzmann: Năng lượng E
exp(-Ei/kBT)
[ Ei / k B T ]
Ni  N0  e Ei
Ei: độ chênh lệch năng lượng giữa Ei và E0;

kB: hằng số Boltzmann (1,38.10-23 (J/oK))
T: nhiệt độ tuyệt đối (oK).
E0
Ni N0 Mật độ điện tử
• Phân bố mật độ điện tử ở các trạng thái năng lượng khác nhau
• Khi “cân bằng về nhiệt”

 Nhận xét:
• Ni > Nj (với i<j)  mật độ điện tử ở trạng thái nền là lớn nhất.
• T = 0oK: tòan bộ điện tử ở trạng thái nền
• T > 0oK: điện tử hấp thụ năng lượng nhiệt  thay đổi trạng thái
năng lượng  chuyển từ E0 lên các mức năng lượng cao hơn
• Số điện tử ở các mức năng lượng kích thích tăng lên khi To tăng
• Trạng thái nền là trạng thái năng lượng bền vững của điện tử
– Xu hướng chuyển về các trạng thái năng lượng thấp
– Thời gian sống (lifetime) của điện tử
• Khi điện tử chuyển từ EjEi (với i<j): giải phóng một phần năng
lượng bằng đúng độ chênh lệch giữa hai mức năng lượng

• Nguyên lý biến đổi quang điện:
Haáp thuï Phaùt xaï töï phaùt Phaùt xaï kích thích
(Absortion) (Spontaneous (Stimulated emission)
emission)
Bieán ñoåi quang - Bieán ñoåi ñieän - Bieán ñoåi ñieän -

ñieän quang quang
Linh kieän thu LED

Laser
quang (Light Emitting Diode)
(Light Amplification
(Photo detector)
by Stimulated Emission of Radiation)

• Nguyên lý biến đổi quang điện:
a. Hiện tượng hấp thụ và phát xạ tự phát b. Hiện tượng phát xạ kích thích

• Ánh sáng kết hợp (Coherent Light)
 Các photon do hiện tượng phát xạ kích thích phát ra có:
• Cùng pha
• Cùng tần số
• Cùng phân cực
• Cùng hướng truyền
 Ánh sáng laser có tính kết hợp (coherent)
 Các photon ánh sáng do hiện tượng phát xạ tự phát tạo

ra một cách ngẫu nhiên theo thời gian và không gian
 Ánh sáng LED không có tính kết hợp

• Nguồn quang bán dẫn (Semiconductor Light Source)
 Nguồn quang: là linh kiện biến đổi tín hiệu điện thành tín
hiệu ánh sáng có công suất tỷ lệ với dòng điện chạy qua
nó.
 Có hai loại nguồn quang được sử dụng trong thông tin
quang:
• Diode phát quang LED (Light Emitting Diode)
• Laser (Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation)

 Được sử dụng trong thông tin quang vì có thể đáp ứng
được các yêu cầu:
• Kích thuớc nhỏ tương ứng với sợi quang
• Thu nhận tín hiệu điện ngõ vào một cách chính xác
• Bước sóng phù hợp với vùng bước sóng hoạt động của sợi quang
• Điều chế tín hiệu một cách đơn giản trên dải tần rộng trải dài từ
tần số âm thanh tới dải tần gigahezt.
• Hiệu suất ghép quang cao
• Độ rộng phổ hẹp
• Duy trì mức công suất ngõ ra ổn định
• Giá thành thấp và có độ tin cậy cao

 Chất bán dẫn được sử dụng cần phải có
• Dải cấm năng lượng trực tiếp
• Độ rộng của dải cấm năng lượng phù hợp để tạo ra ánh sáng có
bước sóng nằm trong vùng bước sóng hoạt động của TTQ
 Vật liệu nhóm IV (Si, Ge,…) không thỏa điều kiện
 Bước sóng của ánh sáng do nguồn quang phát ra chỉ phụ
thuộc vào vật liệu chế tạo nguồn quang.

(a). Dải cấm năng lượng trực tiếp (b). Dải cấm năng lượng gián tiếp

 Kết hợp vật liệu nhóm III (Ga, Al, …) và nhóm V (As, P,
In, …)
InGaAsP
GaAs/InP
AlGaAs
GaAsP
GaAs
0,5 0,6 0,7 0,85 1,0 1,3 1,55 (m)
Bước sóng ánh sáng phát xạ của một số loại bán dẫn
nhóm III kết hợp với nhóm V

• Vùng năng lượng (Energy Band):
E
Vuø
ng daãn
(Conduction band)
Dải cấm năng lượng

(Energy band gap)
Vuøng hoaùtrò
(Valence band)
 Trong chất bán dẫn:

• Các mức năng lượng rất gần nhau  vùng năng lượng
• Hai vùng năng lượng tách biệt nhau: vùng hóa trị (valence band)
và vùng dẫn (conduction band).
LED
• Cấu tạo và nguyên lý hoạt động:
 Hoạt động dựa trên tiếp giáp pn phân cực thuận và hiện
tượng phát xạ tự phát
I V -
+
Vuøng hieá
m
p (Depletion region) n
- +
Phaù
t xaïtöïphaù
t - +
-
- +
+
V>V D
+ - - + -
- +
- +
- +
-
photon - +
- - +
+
- VD +
Ec -
+ Loãtroá
ng
Eph = h
Eg = Ec - Ev E
- Ñieä
n töû
Ev +

LED
• Đặc tính P-I của LED:
 Mối quan hệ giữa công suất phát quang và dòng điện:
• Công suất quang:
P = E/t = Nph.Eph /t= (Ne.int.Eph)/t
• Hiệu suất lượng tử nội: P(mW)
int = Nph / Ne
10
• Dòng điện:
I = Ne.e/t
5
 P = [(int.Eph)/e].I
I(mA)
0
100 200
• Nếu Eph được tính bằng đv (eV): P(mW) = [(int.Eph(eV)].I(mA)

LED
• Đặc tính phổ của LED:
E
Vuø
ng daãn Công suất
(Conduction band) chuẩn hóa
1
1 2 3 4
0.5 
Vuøng hoaùtrò p (nm)

(Valence band)
1, 24
ij (  m)  Với Eij = Ej - Ei
Eij (eV )

LED
• Đặc tính phổ của LED:
 Nguồn quang bán dẫn: vùng năng lượng
 Các photon được tạo ra có bước sóng:
1, 24
ij (  m)  Với Eij = Ej - Ei
Eij (eV )
 Nhiều mức NL  nhiều bước sóng ás được tạo ra.
 Công suất phát quang tại các bước sóng khác nhau
không đều nhau
 Bước sóng trung tâm:
• Công suất lớn nhất
• Thay đổi theo nhiệt độ

LED
• Cấu trúc của LED:
Ánh sáng phát xạ Ánh sáng phát xạ
bán dẫn p n
điện cực
tiếp xúc p
bán dẫn n điện cực tiếp xúc
Cấu trúc LED planar Cấu trúc LED dome

LED
Cấu trúc LED Burrus

LED
LED phát xạ cạnh (ELED)

LASER
• Cấu tạo laser Fabry – Perot:

LASER
• Cấu tạo laser Fabry – Perot:
 Cấu trúc nhiều lớp bán dẫn p, n
 Lớp tích cực (active layer):
• Rất mỏng
• Có chiết suất lớn kẹp giữa hai lớp P và N có chiết suất nhỏ hơn.
 ống dẫn sóng.
 Ánh sáng phát ra và được giữ trong lớp tích cực
 Ánh sáng của laser phát ra ở phía cạnh, giống như ELED
 Hai lớp phản xạ ở hai đầu lớp tích cực có hspx R<1
 hốc cộng hưởng Fabry-Perot
 Anh sáng được đưa ra ngoài qua một phần được cắt
nhẵn của một mặt phản xạ
LASER
• Nguyên lý hoạt động:
 Hiện tượng phát xạ kích thích:
• Tạo ra sự khuếch đại ánh sáng trong Laser
• Ánh sáng kết hợp
 Hiện tượng cộng hưởng của sóng ánh khi lan truyền
trong laser:
• Quá trình chọn lọc tần số (hay bước sóng) ánh sáng.
• Chỉ những sóng ánh sáng có tần số thỏa điều kiện về pha của
hốc cộng hưởng thì mới có thể lan truyền và cộng hưởng trong
hốc cộng hưởng được.
 số sóng ánh sáng do laser Fabry-Perot phát xạ bị giới hạn
 giảm độ rộng phổ của laser so với LED.
GIẢNG VIÊ
www.ptit.edu.vn N: ĐỖ VĂN VIỆT EM - PHẠM QUỐC HỢP Trang 26
LASER
• Hốc cộng hưởng Fabry-Perot:
a) Hoá
c coä
ng höôûng b) Khoâ
ng coäng höôûng c) Coä
ng höôû
ng
Fabry-Perot
 Sóng ánh sáng có thể tồn tại và khuếch đại được trong
hốc cộng hưởng của laser Fabry-Perot nếu:
q  q c
L  f  
n 2 2L n
Với n: chiết suất của lớp tích cực, q = 1,2,3, …

LASER
• Độ khuếch đại quang:
Lôùp phaû
n xạ Lôùp phaû
n xạ
coùheäsoáphaû
n xaïR2 coùheäsoáphaû
n xaïR1
Lôù
p tích cöïc (active layer)
R1 (1-R1)P(2L) R2R1P(2L)
R1P(2L) R1P(L) (1-R1)P(L)

P(0) P(L)
P(z) = P(0) exp[(g-)z]

z
0 L
• P’(0) = R1.R2.P(2L) = P(0).R1.R2.e(g-).2L

• P’(0)  P(0)
 R1.R2.e(g-).2L  1  g   + (1/2L).ln(1/R1.R2)

LASER
• Độ khuếch đại quang:
 Điều kiện để ánh sáng được khuếch đại trong quá trình
lan truyền và phản xạ qua lại giữa hai hốc cộng hưởng:
• g   + (1/2L).ln(1/R1.R2)
• Nspontaneous + Nstimulated > Nabsorption
trạng thái nghịch đảo mật độ (population inversion)
 bơm (Pumping)
 Laser bán dẫn: nguồn bơm là dòng điện

 Dòng ngưỡng: dòng điện tối thiểu để đạt được trạng
thái nghịch đảo nồng độ

LASER
• Đặc tính phổ của Laser Fabry-Perot:
Daû
i thoâng
ñieàu cheá
 Ñaëc tuyeán khueách ñaïi

0
Đặc tính chọn lọc tần số của hốc cộng hưởng


Phổ của Laser Fabry-Perot  laser đa mode MLM (Multi Longitudinal Mode)

LASER
• Phương trình tốc độ của laser (rate equations):
dn J n
   Dns
dt ed  sp
ds n s
 Dns  
dt  sp  ph
 Biểu diễn sự thay đổi theo thời gian của mật độ điện tử
và mật độ photon
 Tính chất và đáp ứng của laser theo thời gian có thể
được xác định:
• Trạng thái tĩnh (steady-state): dn/dt=0 và ds/dt=0
• Trạng thái động (dynamic-state): dòng điện kích thích thay đổi
theo thời gian
LASER
• Đặc tính điều chế của laser:
(a). Điều chế tín hiệu số (b). Điều chế tín hiệu tương tự

LASER
• Nhiễu trong Laser:
 Xảy ra khi tín hiệu quang phát ra không ổn định (khi
điều kiện hoạt động của laser không thay đổi) về:
• Công suất phát quang
• Bước sóng phát quang
• Độ rộng phổ
 Phân loại:
• Nhiễu lượng tử (quantum noise)
• Sự không ổn định của nguồn quang
• Sự phản xạ của ánh sáng vào nguồn quang
• Nhiễu thành phần (partition noise) trong các nguồn quang đa
mode

CÁC ĐẶC TÍNH KỸ THUẬT CỦA NGUỒN QUANG
• Đặc tuyến P-I của nguồn quang:

 Công suất phát quang: công suất tổng cộng mà nguồn
quang phát ra
 Đặc tuyến P-I của SLED, ELED và Laser:
P(mW)
LASER
10
SLED
ELED
5
I(mA)
0
Ith 100 200

• Góc phát quang:

 Được xác định ở mức
công suất quang giảm
một nữa (3dB) so với
mức cực đại SLED
LASER
ELED

• Hiệu suất ghép quang:

 Tỷ số giữa công suất quang ghép vào sợi quang Popt trên
công suất phát quang của nguồn quang Ps
Popt

Ps
 Hiệu suất ghép quang của một số loại nguồn quang:
• SLED: 1-5%
• ELED: 5-15%
• Laser: + 60% đối với sợi quang đơn mode (SMF)
+ 90% đối với sợi quang đa mode (MMF)

• Hiệu suất ghép quang:

 Hiệu suất ghép quang phụ thuộc:
• Kích thước vùng phát quang
• Góc phát quang của nguồn quang
• Góc thu nhận (hay NA) của sợi quang
• Vị trí tương đối giữa nguồn quang và sợi quang
• Bước sóng ánh sáng

• Độ rộng phổ:
 Là khoảng bước sóng mà công suất quang không nhỏ
hơn phân nữa mức công suất đỉnh
Công suất
chuẩn hóa
1
0.5 
p (nm)
 Độ rộng phổ của một số loại nguồn quang

• LED: 50-60nm
• Laser Fabry Perot (MLM laser): 2-4nm
• Nguồn quang bán dẫn đơn mode (SLM): <0.1 nm

• Thời gian lên (rise time):

 là thời gian để công suất quang ở ngõ ra của nguồn
quang tăng từ 10% đến 90% mức công suất ổn định
Coâ
ng suaá
t töông ñoá
i
1
0.9
0.1 t
tr
 ảnh hưởng đến tốc độ bit của tín hiệu điều chế.
 Thời gian lên của Laser (không quá 1 ns) rất nhanh so
với LED (2–50 ns tùy loại)
 Sử dụng trong các hệ thống thông tin quang tốc độ cao

• Ảnh hưởng của nhiệt độ:

 Làm thay đổi các tính chất của nguồn quang:
• Bước sóng phát quang
• Công suất phát quang.
 Xảy ra nhiều hơn với laser hơn là LED
Công suất quang (mW)
Nhiệt độ tăng
Ith (20oC) Ith (50oC) Ith (80oC)

LASER Bán Dẫn Đơn Mode
• Laser hồi tiếp phân bố (DFB):
 Distributed Feedback Laser (DFB laser)

• Laser hồi tiếp phân bố (DFB):
 Quá trình cộng hưởng và chọn lọc tần số được thực hiện
nhờ cấu trúc cách tử Bragg đặt ở bên cạnh, dọc theo
vùng tích cực của laser.
 Chỉ phát xạ ánh sáng có bước sóng B thỏa đk Bragg:
B = 2..neff
Với : chu kỳ của cách tử Bragg, neff = n.sin, n: chiết suất của
cách tử, : góc phản xạ của ánh sáng
laser DFB chỉ phát ra một mode sóng có độ rộng phổ rất
hẹp so với laser FP

• Laser phản xạ Bragg phân bố (DBR)
 Distributed Bragg Reflector Laser (DBR laser)
 Cách tử Bragg được đặt ở hai đầu vùng tích cực, đóng
vai trò như gương phản xạ của hốc cộng hưởng
 Chỉ có một bước sóng thỏa điều Bragg mới có thể phản
xạ lại và cộng hưởng trong vùng tích

• Laser bán dẫn hốc cộng hưởng ghép (Coupled
Cavity Semiconductor Laser)
(a) Laser hốc cộng hưởng ngoài (external cavity laser)

(b) Hệ số phản xạ phụ thuộc bước sóng
(c) Phổ của laser

• Laser bán dẫn hốc cộng hưởng ghép (Coupled
Cavity Semiconductor Laser)
Laser hốc cộng ngoài Laser hốc cộng hưởng cắt

(external cavity laser) (cleaved-cavity laser)

Bộ Phát Quang
• Các thành phần của một bộ phát quang:
 Nguồn quang
 Bộ ghép tín hiệu quang
 Mạch điều chế tín hiệu
 Mạch điều khiển công suất

Bộ Phát Quang
• Sơ đồ khối bộ phát quang:

Bộ Phát Quang
• Mạch phát điều biến cường độ:
 Kết hợp của mạch điều khiển và mạch điều chế tín hiệu

Bộ Phát Quang
• Mạch phát điều biến cường độ:
Mạch điều khiển Mạch điều chế tín hiệu

Bộ Phát Quang
• Bộ điều biến ngoài:
 Điều chế tín hiệu quang được thực hiện bởi bộ điều chế
ngòai (external modulator).
 Ánh sáng do laser phát ra dưới dạng sóng liên tục CW
(continuous wave)

Bộ Phát Quang
• Bộ điều biến ngoài:
 Khắc phục được các nhược điểm của kỹ thuật điều chế
trực tiếp:
• Băng thông điều chế không bị giới hạn bởi tần số dao động tắt
dần của laser diode
• Không xảy ra hiện tượng chirp đối với tín hiệu quang vì laser
được kích thích bởi dòng điện ổn định
• Không bị giới hạn bởi công suất phát quang
 Phân loại:
• Mach-Zehnder Modulator (MZM)
• Electroabsorption Modulator (EA)


TTQ1 - Chuong 3

Uploaded by

Document Information

Original Title

Copyright

Available Formats

Share this document

Share or Embed Document

Sharing Options

Did you find this document useful?

Is this content inappropriate?

Copyright:

Available Formats

TTQ1 - Chuong 3

Uploaded by

Copyright:

Available Formats

HỌC VIỆN CÔNG NGHỆ BƯU CHÍNH VIỄN THÔNG

KỸ THUẬT THÔNG TIN SỢI QUANG

Giảng viên: Th.S Đỗ Văn Việt Em – Th.S Phạm Quốc Hợp

GIẢNG VIÊN: ĐỖ VĂN VIỆT EM - PHẠM QUỐC HỢP

• Nguyên lý chung về biến đổi quang điện

GIẢNG VIÊN: ĐỖ VĂN VIỆT EM - PHẠM QUỐC HỢP

 Tính lượng tử của vật chất:

GIẢNG VIÊN: ĐỖ VĂN VIỆT EM - PHẠM QUỐC HỢP

E0 Trạng thái nền (ground state)

GIẢNG VIÊN: ĐỖ VĂN VIỆT EM - PHẠM QUỐC HỢP

Ei: độ chênh lệch năng lượng giữa Ei và E0;

GIẢNG VIÊN: ĐỖ VĂN VIỆT EM - PHẠM QUỐC HỢP

GIẢNG VIÊN: ĐỖ VĂN VIỆT EM - PHẠM QUỐC HỢP

Bieán ñoåi quang - Bieán ñoåi ñieän - Bieán ñoåi ñieän -

Linh kieän thu LED

GIẢNG VIÊN: ĐỖ VĂN VIỆT EM - PHẠM QUỐC HỢP

GIẢNG VIÊN: ĐỖ VĂN VIỆT EM - PHẠM QUỐC HỢP

 Các photon ánh sáng do hiện tượng phát xạ tự phát tạo

GIẢNG VIÊN: ĐỖ VĂN VIỆT EM - PHẠM QUỐC HỢP

GIẢNG VIÊN: ĐỖ VĂN VIỆT EM - PHẠM QUỐC HỢP

GIẢNG VIÊN: ĐỖ VĂN VIỆT EM - PHẠM QUỐC HỢP

 Vật liệu nhóm IV (Si, Ge,…) không thỏa điều kiện

GIẢNG VIÊN: ĐỖ VĂN VIỆT EM - PHẠM QUỐC HỢP

GIẢNG VIÊN: ĐỖ VĂN VIỆT EM - PHẠM QUỐC HỢP

0,5 0,6 0,7 0,85 1,0 1,3 1,55 (m)

GIẢNG VIÊN: ĐỖ VĂN VIỆT EM - PHẠM QUỐC HỢP

Dải cấm năng lượng

 Trong chất bán dẫn:

GIẢNG VIÊN: ĐỖ VĂN VIỆT EM - PHẠM QUỐC HỢP

• Nếu Eph được tính bằng đv (eV): P(mW) = [(int.Eph(eV)].I(mA)

GIẢNG VIÊN: ĐỖ VĂN VIỆT EM - PHẠM QUỐC HỢP

Vuøng hoaùtrò p (nm)

GIẢNG VIÊN: ĐỖ VĂN VIỆT EM - PHẠM QUỐC HỢP

GIẢNG VIÊN: ĐỖ VĂN VIỆT EM - PHẠM QUỐC HỢP

Ánh sáng phát xạ Ánh sáng phát xạ

bán dẫn n điện cực tiếp xúc

Cấu trúc LED planar Cấu trúc LED dome

GIẢNG VIÊN: ĐỖ VĂN VIỆT EM - PHẠM QUỐC HỢP

Cấu trúc LED Burrus

GIẢNG VIÊN: ĐỖ VĂN VIỆT EM - PHẠM QUỐC HỢP

LED phát xạ cạnh (ELED)

GIẢNG VIÊN: ĐỖ VĂN VIỆT EM - PHẠM QUỐC HỢP

GIẢNG VIÊN: ĐỖ VĂN VIỆT EM - PHẠM QUỐC HỢP

GIẢNG VIÊN: ĐỖ VĂN VIỆT EM - PHẠM QUỐC HỢP

R1P(2L) R1P(L) (1-R1)P(L)

P(z) = P(0) exp[(g-)z]

• P’(0) = R1.R2.P(2L) = P(0).R1.R2.e(g-).2L

GIẢNG VIÊN: ĐỖ VĂN VIỆT EM - PHẠM QUỐC HỢP

 Laser bán dẫn: nguồn bơm là dòng điện

GIẢNG VIÊN: ĐỖ VĂN VIỆT EM - PHẠM QUỐC HỢP

 Ñaëc tuyeán khueách ñaïi

Đặc tính chọn lọc tần số của hốc cộng hưởng

GIẢNG VIÊN: ĐỖ VĂN VIỆT EM - PHẠM QUỐC HỢP

GIẢNG VIÊN: ĐỖ VĂN VIỆT EM - PHẠM QUỐC HỢP

GIẢNG VIÊN: ĐỖ VĂN VIỆT EM - PHẠM QUỐC HỢP

• Đặc tuyến P-I của nguồn quang:

GIẢNG VIÊN: ĐỖ VĂN VIỆT EM - PHẠM QUỐC HỢP

• Góc phát quang:

GIẢNG VIÊN: ĐỖ VĂN VIỆT EM - PHẠM QUỐC HỢP

• Hiệu suất ghép quang:

GIẢNG VIÊN: ĐỖ VĂN VIỆT EM - PHẠM QUỐC HỢP

• Hiệu suất ghép quang:

GIẢNG VIÊN: ĐỖ VĂN VIỆT EM - PHẠM QUỐC HỢP