Professional Documents
Culture Documents
............................................................................................................................................
............................................................................................................................................
............................................................................................................................................
............................................................................................................................................
............................................................................................................................................
............................................................................................................................................
............................................................................................................................................
............................................................................................................................................
............................................................................................................................................
............................................................................................................................................
............................................................................................................................................
............................................................................................................................................
............................................................................................................................................
............................................................................................................................................
............................................................................................................................................
Các van bán dẫn chỉ làm việc trong chế độ khoá, khi mở cho dòng chạy qua thì
có điện trở tương đương rất nhỏ, khi khoá không cho dòng chạy qua thì có điện trở
tương đương rất lớn.
Các van bán dẫn chỉ dẫn dòng theo một chiều khi phần tử được đặt dưới điện
áp phân cực ngược, dòng qua phần tử chỉ có giá trị rất nhỏ, cỡ mA, gọi là dòng rò.
• Chất bán dẫn tạp loại P: Khi ta trộn thêm một lượng vừa đủ một nguyên tố ở
phân nhóm 3 vào Silic hoặc Ge (phân nhóm 4) nguyên tố này có 3 e thuộc lớp ngoài
cùng như vậy nó sẽ bị thiếu 1e để tham gia liên kết với Si hoặc Ge. Kết quả trong
mạch tinh thể bị dưa ra các lỗ trống.Lỗ trống mang điện tích dương Positive và ta
gọi là bán dẫn loại P và hạt thiểu số là e.
• Chất bán dẫn tạp loại n: Khi ta trộn thêm một lượng vừa đủ một nguyên tố ở
phân nhóm 5 vào Si hoặc Ge (thuộc một công nghệ đặc biệt) nguyên tố này có 5e ở
lớp ngoài cùng, như vâỵ sẽ thừa ra một e. Khi tham gia liên kết với Si hoặc Ge, kết
quả trong mạng tinh thể bị dư ra các e, các e mang điện tích âm Negative, và ta gọi
chất bán dẫn này là loại N.
a) Khi phân cực thuận: Ta thực hiện mạch bên với điều kiện điện áp của nguồn
ngoài Un sẽ tạo ra một điện trường En>Etx (và ngược với Etx) kết quả ta được điện
trường tổng đặt nên tiếp giáp J Et=En+Etx có chiều hướng đi từA tới K chiều của
điện trường này tạo điều kiện thuận lợi cho các hạt đa số di chuyển dễ dàng (vùng
P hạt đa số là lỗ trống, vùng N hạt đa số là e) làm cho dòng điện khuyếch tán lớn đi
từ A tới K và hầu như toàn bộ điện áp ngoài đặt vào J.
b) Phân cực ngược: Ta đấu A vào âm của nguồn ta đấu K vào dương của nguồn
Kết quả Et =En+Etx có chiều hướng làm cho các hạt thiểu số di chuyển dễ dàng và
ngăn cản các hạt đa số. Do mật độ hạt thiểu số rất nhỏ nên chỉ có một dòng điện
rất nhỏ qua J gọi là dòng rò đi từ K tới A
Nếu đặt EAK>0 sẽ có dòng điện chảy qua và tạo ra một điện áp rơi khoảng 0,7v
(với Si) .
Khi dòng điện là Iđm Nếu điện áp UAK< 0 các điện tử tự do và các lỗ trống bị đẩy ra
xa J kết quả chỉ có dòng điện rò vào khoảng vài mA có thể chảy qua .Khi tiếp tục
tăng điện áp UAK theo chiều âm thì các hạt thiểu số sẽ được tăng tốc với động năng
lớn và gây ra va chạm làm bẻ gẫy các liên kết vùng J theo hình thức dây truyền, kết
quảlà hàng loạt các điện tích mới được sinh ra ởvùng J làm cho dòng điện tăng đột
ngột, dòng này sẽphá hỏng diode. Trị số điện áp ngược gây hỏng van diode gọi là
Ungmax (trị số điện áp ngược cực đại ). Trong thực tế điện áp ngược cho phép đặt
vào van: Ungthực tế = (0,7÷0,8) Ungmax của van thì van an toàn.
-Khi đặt một hiệu điện thế UAK> 0 điện tử vùng N vượt qua vùng mặt ghép J sang
miền P và đến cực dương của nguồn. Nếu bỗng nhiên đặt UAK<0, các điện tử ở
vùng P phải quay về vùng N. Sự di chuyển này tạo nên dòng điện ngược
chảy qua diode từ K tới A trong thời gian ngắn,nhưng cường độ dòng điện
này lớn hơn hơn nhiều so với dòng điện ngược bình thường. Ban đầu dòng điện
ngược này khá lớn, sau đó suy giảm và khoảng một thời gian toff (turn off time) nó
giảm xuống gần bằng không.Giá trị của toff cỡ µs.
-Đang ở chế độ khoá, dòng điện ngược qua van rất nhỏ, không đáng kể, nếu bỗng
nhiên đặt UAK>0 và diode, dòng điện I không thể tức thời đạt giá trị
U/R mà phải mất một khoảng thời gian ký hiệu là ton (turn on time ) để các điện tích
đa số dòng loạt di động,ton cỡ µs (micro giây) .
-Khi tần số nguồn F≥100Khz thì diode sẽ mất tính dẫn điện theo một chiều( mất
chế độ khóa ) .
Đặt Tiristor dưới điện áp một chiều, Anốt nối vào cực dương, Katôt nối vào cực
âm của nguồn điện áp. J1 J3 phân cực thuận, J2 phân cực ngược. Gần như toàn bộ
điện áp nguồn đặt trên mặt ghép J2 điện trường nội tại Ei của J2 có chiều từ N1
hướngvề P2 điện trường ngoài tác động cùng chiều với Ei vùng chuyển tiếp cũng là
vùng cách điện càng mở rộng ra không có dòng điện chạy qua Tiristor mặc dù nó bị
đặt dưới điện áp.
+ Mở Tiristor: Cho một xung điện áp dương Ug tác động vào cực G (dương xo với
K) các điện tử từ N2 sang P2. Đến đây, một số ít các điện tử chảy vào cực G và hình
thành dòng điều khiển Ig chạy theo mạch G-J3-K-G còn phần lớn điện tử chịu sức
hút của điện trường tổng hợp của mặt ghép J2 lao vào vùng chuyển tiếp này, tăng
tốc, động năng lớn bẻ gãy các liên kết nguyên tử Silic, tạo nên điện tử tự do mới.
Số điện tử mới được giải phóng tham gia bắn phá các nguyên tử Silic trong vùng
kế tiếp. Kết quả của phản ứng dây truyền làm xuất hiện nhiều điện tử chạy vào N1
qua P 1 và đến cực dương của nguồn điện ngoài, gây nên hiện tượng dẫn điện ào
ạt, J 2 trở thành mặt ghép dẫn điện, bắt đầu từ một điểm xung quanh cực G rồi phát
triển ra toàn bộ mặt ghép. Địên trở thuận của Tiristor khoảng 100K Ω khi còn ở
trạng thái khoá, thành 0,01Ω khi Tiristor cho dòng chạy qua.Tiristor khoá
trở mở
+UAK > 1V hoặc Ig > Igs1 thì Tiristor sẽ mở. Trong đó Igs1 là dòng điều khiển được
tra ở sổ tay tra cứu Tiristor. Ton: thời gian mở là thời gian cần thiết để thiết lập
dòng điện chạy trong Tiristor, tình từ thời điểm phóng dòng Igvào cực điều khiển.
Thời gian mở Tiristor kéo dài khoảng 10 s µ .
+ Khoá Tiristor: có hai cách làm giảm dòng làm việc I xuống dưới giá trị dòng duy
trì đặt một điện áp ngược lên Tiristor. Khi đặt điện áp ngược lên Tiristor: UAK<0, J
1 và J 3bị phân cực ngược, J2 phân cực thuận, điện tử đảo chiều hành trình tạo nên
dòng điện ngược chảy từ Katốt về Anôt, về cực âm của nguồn điện ngoài. Thời
gian khoá toff: thời gian khi bắt đầu xuất hiện dòng điện ngược (t0).
0 Uv.th u
Uth.max
1.3.Triắc
Triắc là thiết bị bán bẫn ba cực, bốn lớp có đường đặc tính volt – ampe đối
xứng, nhận góc mở cho cả hai chiều.Thực chất Triắc được chế tạo giống như 2
SCR ghép song song với nhau, dùng để dẫn dòng AC cả hai chiều khi cực G được
kích xung dương hoặc áp âm.
Hình 7: Ký hiệu triac
A1 và A2 là hai đầu nối để dẫn dòng điện chính, G là cực điều khiển
Triac có thể dẫn dòng theo một trong trường hợp sau.
Transistor lưỡng cực có cấu tạo gồm các miền bán dẫn P,N mà ta có hai cấu trúc
khác nhau pnp, npn.
Cấu tạo
Miền thứ nhất của transistor là miền Emiter với đặc điểm có nồng độ tạp chất lớn
nhất, điện cực nối với miền này gọi là emitơ E. Miền thứ hai là miền Bazơ với
nồng độ tạp chất và độ dày nhỏ nhất, điện cực nối với miền này gọi là cực bazơ
B.Miền còn lại là miền collect với nồng độ tạp chất trung bình được nối với cực
colectơ. Tiếp giáp giữa p-n của E-B là tiếp giáp Emintơ JE, tiếp giáp p-n giữa B-C là
tiếp giáp Colectơ về ký hiệu cần chú ý chiều mũi tên hướng từP-N
Để transistor làm việc người ta phải đưa điện áp 1 chiều tới các điện cực của nó,
gọi là phân cực cho transistor. Đối với tất cả 2 loại PNP hay NPN cần phân cực
cho:
Hình 10: Diện áp phân cực cho trasistor
Transistor làm việc ở chế độ khoá (đóng hoặc mở) cho nên UCE Do tiếp giáp JE được
phân cực thuận nên các hạt đa số chuyển động dễ dàng qua tiếp giáp JE tới vùng bán
dẫn bazơ, kết quả là làm điện trở của tiếp giáp JE giảm và làm xuất hiện dòng điện
IB.Lớp Jc bị phân cực ngược nhưng E2>>E 1 nên điện trường E2 tạo ra khá lớn,và
do lớp bán dẫn bajơ mỏng ,nên chỉ một phần điện tích đi tới cực B, còn phần lớn
các
điện từ bị J2 hút về và đi tới nguồn dương tạo ra dòng colectơ quá tải Rt ,IE=
IC+IB, IB dòng điện khiển .
Khi U BE giảm IB↓I C .Khi U BE=0 hoặc U BE<0 (phân cực ngược cho JE ) thì JE ngăn
cản sự di chuyển các hạt đa số di chuyển qua nó à IC=0 .Transistor bị khoá .
- USC : Thời gian đóng của transistor, là khoảng thời gian để điện áp UCE0 giảm
xuống UCES(chưyền từkhoá sang mở) – Tf thời gian cần thiết để IC giảm tới không
(chuyển từ mở bão hoà sang khoá ).
- PT công suất tổn thất trong transistor PT =U BE.I B+U CE.I C .Họ đặc tính tĩnh của
transistor ở chế độ khoá : Đó là mối quan hệ I C =F(UCE)
Hình 11: Đặc tính V –A của transistor ngược
D - cực máng ( drain ) : các điện tích đa số từ thanh bán dẫn chảy ra máng.
S - cực nguồn ( source ) : các điện tích đa số từ cực nguồn chảy vào thanh bán
dẫn.
D Colectơ C
S Emitơ E
G Bazơ B
Để phân cực cho MOSFET người ta đặt một điện áp U DS >0 (loại kênh n đặt sẵn,suất
hiện dòng điện tử trên kênh dẫn nối giữa Svà D và trong mạch ngoài có dòng điện
cực máng ID (đi vào D ) ngay cả khi UGS=0.
-Nếu đặt UGS>0, điện tử tự do trong vùng đế (là hạt thiểu số) được hút vào vùng
kênh dẫn đối diện với cực cửa làm giầu hạt dẫn cho kênh dẫn, tức làm giảm điện
trở của kênh dẫn, làm dòng điệncực máng ID tăng,chế độ làm việc này gọi là chế độ
giàu của MOSFET.
-Nếu UGS<0, quá trình trên sẽ ngược lại,làm kênh dẫn bị nghèo đi do các hạt dẫn (e)
bị đẩy ra xa khỏi kênh ,R kênh tăng,tuỳ theo mức độ tăng UGS theo chiều âm sẽ làm
giảm ID giảm . Đây là chế độ nghèo của MOSFET.Bằng thực nghiệm ta có được họ
đặc tuyến như sau: Với kênh cảm ứng, khi UGS ≤0 thì ID=0do tồn tại hai tiếp giáp P-N
mẵ đối nhau tại vùng máng -Đế và nguồn -Đế,do đó không tồn tại kênh dẫn nối D và
S. Khi UGS>0, tại vùng đế đối diện cực G xuất hiện các Etd (do cảm ứng tĩnh điện )
và hùnh thành kênh dẫn nối liền D-S .Khi UGS tăng thì R kênh giảm à ID tăng .
MOSFET vảm ứng chỉ làm việc khi UGS>0 và làm việc ở chế độ giàu kênh.
Hình 13: Đặc tính V- A của MOSFET
- Máy biến áp là một thiết bị điện từ tĩnh, làm việc theo nguyên lý cảm ứng
điện từ, dùng để biến đổi điện áp của hệ thống dòng điện xoay chiều nhưng vẫn giữ
nguyên tần số. Hệ thống điện đầu vào máy biến áp ( trước lúc biến đổi ) có : điện áp
U1, dòng điện I1, tần số f. Hệ thống điện đầu ra của máy biến áp ( sau khi biến đổi )
có : điện áp U2, dòng điện I2 và tần số f.
- Đầu vào của máy biến áp nối với nguồn điện, được gọi là sơ cấp.Đầu ra nối
với tải gọi là thứ cấp. Các đại lượng, các thông số sơ cấp trong ký hiệu có ghi chỉ số
1 : số vòng dây sơ cấp w1, điện áp sơ cấp U1, dòng điện sơ cấp I1, công suất sơ cấp
P1. Các đại lượng và thông số thứ cấp có chỉ số 2 : số vòng dây thứ cấp w2, điện áp
thứ cấp U2, dòng điện thứ cấp I2, công suất thứ cấp P2.
- Nếu điện áp thứ cấp lớn hơn sơ cấp là máy biến áp tăng áp. Nếu điện áp thứ
cấp nhỏ hơn điện áp sơ cấp gọi là máy biến áp giảm áp.
- Lõi thép máy biến áp dùng để dẫn từ thông chính của máy, được chế tạo từ những
vật liệu dẫn từ tốt, thướng là thép kỹ
thuật điện. Lõi thép gồm hai bộ
phận :
- Trụ là nơi để đặt dây quấn.
Để giảm dòng điện xoáy trong lõi thép, người ta dùng lá thép kỹ thuật điện ( dày
0,35mm đến 0,5mm, hai mạch có sơn cách điện ) ghép lại với nhau thành lõi
thép.
- Dây quấn máy biến áp thường được chế tạo bằng dây đồng ( hoặc nhôm ), có
tiết diện tròn hoặc chữ nhật, bên ngoài dây dẫn có bọc cách điện.
- Dây quấn gồm nhiều vòng dây và lồng vào trụ lõi thép. Giữa các vòng dây,
giữa các dây quấn có cách điện với nhau và các dây quấn có cách điện với lõi thép.
Máy biến áp có hai thường có hai hoặc nhiều dây quấn. Khi các dây quấn đặt trên
cùng một trụ, thì dây quấn thấp áp đặt sát trụ thép, dây quấn cao áp đặt ra lồng ngoài.
Làm như vậy sẽ giảm được vật liệu cách điện.
-Để làm mát và tăng cường cách điện cho máy biến áp, người ta thường đặt lõi
thép và dây quấn trong một thùng chứa dầu máy biến áp.Đối với biến áp công suất
lớn, vỏ thùng dầu dầu có chứa cánh tản nhiệt.
1.6.2. Ăcquy.
-Ăcquy là loại bình hoá học dùng để tích trữ năng lượng điện và làm nguồn
điện cung cấp cho các thiết bị điện như động cơ điện, bóng đèn làm nguồn nuôi cho
các linh kiện điện tử vv...
- Sức điện động lớn, ít thay đổi khi phóng nạp điện.
- Sự tự phóng nạp điện.
- Năng lượng nạp điện và bao giờ cũng bé hơn năng lượng điện mà ăcquy
- phóng ra.
- Điện trở trong của ác quy nhỏ. Nó bao gồm điện trở của các bản cực, điện trở
dung dịch điện phân có xét đến sự ngăn cách của các tấm ngăn các bản cực.
Thường trị số điện trở trong của ac quy khi đã nạp điện đầy là 0.001đến 0.0015 và
khi ăcquy phóng điện hoàn toàn là 0.02 đến 0.025
- Có hai loại ăcquy là: ăcquy axit ( hay ăcquy chì ) và ăcquy kẽm (ăcquy sắt kền
hay ăcquy cadimi - kền ). Trong đó ăcquy axit được dùng rộng rãi và phổ biến hơn.
2. Nghịch lưu.
Phân loại:
Nghịch lưu chia làm 2 loại chính: Nghịch lưu phụ thuộc và nghịch lưu độc lập .
Trong đó nghịch lưu phụ thuộc là nghịch lưu có điện áp, tần số, góc pha và thứ tự
pha phụ thuộc vào lưới điện mà đầu ra của nó mắc song song vào.
Nghịch lưu độc lập lại được chia ra nghịch lưu độc lập nguồn áp và nguồn dòng.
Trong đó nghịch lưu độc lập nguồn áp thì luôn định ra một điện áp có biên độ, tần
số, góc pha và thứ tự pha không phụ thuộc vào loại tải và chỉ phụ thuộc vào tín hiều
điều khiển, điện áp thường có dạng hình chữnhật còn dòng điện phụthuộc vào tải
có thể là hình chữ nhật, hình răng cưa, hình sin, dạng hàm mũ
Còn nghịch lưu độc lập nguồn dòng thì luôn định ra một dòng điện có biên độ, tần
số, góc pha và thứ tự pha không phụthuộc vào loại tải và chỉ phụ thuộc vào tín hiều
điều khiển, dòng điện thường có dạng hình chữnhật còn điện áp phụ thuộc vào tải có
thể là hình chữ nhật, hình răng cưa, hình sin, dạng hàm mũ
Sơ đồgồm một máy biến áp có điểm giữa phía sơ cấp, hai Tiristor anôt nối vào cực
dương của nguồn nuôi E thông qua hai nửa cuộn dây sơcấp của máy biến áp, do đó
còn có tên là onduleur song song. Ở đầu vào của onduleur dòng ta đấu nối tiếp với
một điện cảm lớn LK vừa để giữcho dòng điện vào để hạn chế đỉnh cao của dòng
điện Ickhi khởi động. Tụ điện C gọi là tụ điện chuyển mạch.Đặc điểm của onduleur
dòng là có dòng điện tải dạng “Sinus chữnhật” còn dạng điện áp trên tải thì do thông
số mạch tải quyết định.
2n1 là tổng số vòng dây sơ cấp.
Hoạt động của sơ đồ:Giả thiết cho xung mở T1 điểm A được T1 nối với cực âm của
nguồn E. bấy giờV 0 –VA= u1= E, do hiệu ứng biến áp tự ngẫu nênVB =Vo = u1=
E.như vậy tụ điện C được nạp điện áp bằng 2E, bản cực dương ở bên phải. Bây giờ
nếu cho xung mở T2, Tiristor này mở và đặt điện thế điểm B vào mạch catôt T 1 khiến
T 1 bị khoá lại, tụ điện C sẽ bị nạp ngược lại, sẵn sàng để khoá T2 khi ta cho xung
mở T1 Phía thứ cấp ta nhận được dòng “Sinus chữnhật” mà tần số của nó phụ thuộc
vào nhịp phát xung mởT1,T2
Các tín hiệu điều khiển được đưa vào từng đôi Tiristor T1, T2 lệch pha với tín hiệu
điều khiển đưa vào đôi T3 ,T4 một góc 180o Điện cảm đầu vào nghịch lưu lớn (Ld=
∞), do đó dòng điện đầu vào id được san phẳng (biểu đồ xung), nguồn cấp cho
nghịch lưu là nguồn dòng và dạng dòng điện nghịch lưu (i) có dạng xung vuông. Khi
đưa xung vào mở cặp van T1,T2 , dòng điện i = id= Id. Đồng thời dòng qua tụ C tăng
lên đột biến , tụ C bắt đầu nạp điện với cực (+) ở bên trái và cực (-) ở bên phải. Khi
tụ C nạp đầy, dòng qua tụ giảm về không. Do i = ic = it=Id = hằng số, nên lúc đầu
dòng qua tải nhỏ và sau đó dòng qua tải tăng lên. Sau một nửa chu kỳ (t = t1) người
ta đưa xung vào mởcặp van T3,T4. Cặp T3,T4 mở tạo ra quá trình phóng điện của tụ
C từcực (+) vềcực (-) . Dòng phóng ngược chiều với dòng qua T1 và T2 sẽ làm cho
T1 và T2 bị khoá lại.Quá trình chuyển mạch gần như tức thời. Sau đó tụC sẽ được
nạp điện theo chiều ngược lại với cực (+) ở bên phải và cực (-) ởbên trái. Dòng
nghịch
lưu i =id=-Id (đã đổi dấu). Đến thời điểm t = t2 người ta đưa xung vào mởT1,T2 thì
T3,T4 sẽ bị khoá lại và quá trình được lặp lại như trước. Như vậy chức năng cơ
bản của tụ C là làm nhiệm vụ chuyển mạch cho các Tiristor. Tại thời điểm t1 khi
mởT3 và T4 thì T1 và T2 sẽ bị khoá lại bởi điện áp ngược của tụ C đặt vào. Khoảng
thời gian duy trì diện áp ngược ( t1 -t’1 ) là cần thiết để duy trì qúa trình khoá và phục
hồi tính điều khiển của van và t’1- t01= tk ≥ toff là thời gian khoá của Tiristor hay chính là
thời gian phục hồi tính điều khiển. kt .ω β = là góc khoá của nghịch lưu.
- MBA: máy biến áp 1 pha có điện áp sơ cấp đặt lên các van và điện áp
thứ cấp đặt lên tải.
Và i=1-e-a(t-T/2)]+Im.e-a(t-T/2)
Dùng các cổng logic : Có thể dùng các cổng logic như các cổng NAND, NOR,
cổng đảo…có thể dùng IC 4011 hoặc IC SN7400.
Dùng các con trigơ và vi mạch : Có thể dùng vi mạch 555 hoặc IC 4047B,
SG3525 là những IC phát xung chủ đạo và xung này được qua một IC khuyếch đại
thuật toán.
Sơ đồ:
Phương án này tuy chuyển được nguồn một chiều 12V lên 220V xoay chiều
nhưng có nhược điểm độ ổn định không cao .
b. Phương án 2:
Ta sử dụng ic SG3525,với nhiều tính năng ưu việt hơn, lấy nguồn trực tiếp 12v mà
không cần bộ biến đổi nguồn nuôi cho ic. Dễ điều chỉnh độ rộng của xung ra,
khoảng deal time vừa đủ để tạo ra chu kỳ xung âm mà không xảy ra hiện tượng
trùng dẫn.
SG 3525 đưa ra xung trên 2 chân 11và 14 là dạng xung lấy từ emitơ của 2 transistor,
bên trong SG3525. Khi có xung tạo ra do dao động của mạch RC tại chân 6 va7 tạo ra
với f=50hz, qua mạch lật trạng thái đưa 2 xung trên emitơ lệch nhau 180 độ.
Điện áp ra từ chân 11-14 đưa vào cực G và kích mở cho mosfet IRF3205, với hai
xung đưa ra liên tục kích mở và đóng với tần số f=50hz. Do máy biến áp điểm giữa
sẽ tạo ra 2 sđđ lệch pha nhau 180o trên cuộn sơ cấp máy biến áp.
2. Sơ đồ chân và nguyên lý hoạt động của ic SG 3525
•8.0 V to 35 V Operation
•Pulse–by–Pulse Shutdown
- Cấp mass cho 2 đầu cuộn dây sơ cấp của máy biến áp điểm giữa.
Yêu cầu
Máy biến áp có các thông số: U11 = 12V, U2 = 220V, f = 50HZ, P = 300W
Do máy biến áp điểm giữa nên điện áp U1 = 2.U11 = 2.12 = 24( V )
Công suất của máy biến áp: P = .U2.I2
Trong đó: P là công suất của máy biến áp
U2 là điện áp của cuộn thứ cấp máy biến áp
I2 là dòng điện của cuộn thứ cấp máy biến áp
là hiệu suất máy biến áp
Chọn = 0,85( máy biến áp lõi thép ) ta tính được dòng điện thứ cấp của máy biến áp
I2 = = = 1.604 ( A )
Áp dụng tỉ số máy biến áp
I1 =
Do máy biến áp điểm giữa nên điện áp sơ cấp được tính bằng U1 = 24( V )
I1 = = 14.705( A )
Công suất máy biến áp cần chọn:
P1 = U1 . I1= 24.14,705 = 352 (W)
Vậy ta chọn máy biến áp có công suất P = 352W với I = 15A
Thiết kế máy biến áp
Thiết diện có ích S của lõi thép tính bằng cm2 :bằng thiết diện vật lý ( dài * rộng )
nhân vệ hệ Kg từ 0.85 đến 0.95
Công suất máy biến áp : S=1,2
=> P= S2/1,44
Vậy để công suất tầm 352W trở lên thì lõi sẽ là S=1,2x=22,5 (cm2); chiều dài , chiều
rộng của lõi sẽ là 4.5 cm và 5 cm.
Dòng cuộn sơ cấp : I=P/US( U sơ cấp ).
Dòng chả qua cuộn sơ cấp là : 352/12=29.3 (A).
Thiết diện dây sơ cấp : Asc= 2.5/I1 ( 2.5 là mật độ dòng điện ).
Đường kính dây sơ cấp : Asc=π dSC2 /4 =>dSC=.
Với công suất 352W: ASC= 2.5/29.3=0.085; dSC= 0.27 cm ở đây chúng ta chọn dây 2.5
mm, hay 2.5 li.
Từ mối quan hệ đại lượng I,U và N ta có:
2. Mạch lực
Tính chọn IRF
Để điều chỉnh điện áp dung 1 biến trở 100kΩ mắc vào chân 1.
4. Sơ đồ
sau
:
Sau quá trình thực hiện bản đồ án chúng em đã thu được một số kết quả
như
- Giới thiệu một số ứng dụng và đặc điểm của mạch nghịch lưu một pha
- Phân tích nguyên lý làm việc và các thông số trong mạch nghịch lưu một và ba
pha.
- Giới thiệu một số ứng dụng và đặc điểm của mạch nghịch lưu một pha.
Với sự cố gắng nỗ lực của mỗi thành viên trong nhóm chúng em đã hoàn
thành đồ án của mình theo đúng thời gian. Một lần nữa chúng em xin gửi lời cảm
ơn tới các thầy cô trong khoa Điện - Điện Tử, đặc biệt là thầy Nguyễn Đình
Hùng đã trực tiếp hướng dẫn chúng em trong việc hoàn thành đồ án. Chúng em
rất mong nhận được những ý kiến nhận xét, góp ý của các thầy cô và các bạn để
bản đồ án của cúng em hoàn thiện hơn.