რა არის მემრისტორი?

მემრისტორი შეიძლება განისაზღვროს, როგორც წრედის პასიური ელემენტი, რომლის

წინაღობაც გარკვეულწილად დამოკიდებულია მასში გატარებულ მუხტზე. მას შემდეგ რაც
წრედის მომჭერებზე გამოვრთავთ ძაბვას მემრისტორი არ იცვლის თავის მდგომარეობას, ანუ
„იმახსოვრებს“ წინაღობის საბოლოო მნიშვნელობას. აქედან მომდინარეობს მემრისტორის
დასახელებაც (ინგლ. memristor – შემოკლებული memory-დან, resistor – რეზისტორი, ანუ
მეხსიერებიანი რეზისტორი.
თეორია მემრისტორის შესახებ ჩამოაყალიბა 1971 წელს კალიფორნიის უნივერსიტეტის
პროფესორმა ლეონ ჩუამ. მან წამოაყენა და მათემატიკურად დაასაბუთა ჰიპოტეზა იმის
შესახებ, რომ ელექტრულ წრედებში ინდუქტორთან, კონდენსატორთან და რეზისტორთან
ერთად არსებობს მეოთხე საბაზისო ელემენტიც.
თუმცა, ამ ელემენტის ლაბორატორიული ნიმუში შეიქმნა 2008 წელს Hewlett-Packard-ის
კვლევით ლაბორატორიაში მეცნიერთა კოლექტივით, რომლის ხელმძღვანელი გახლდათ
სტენლი უილიამსი.
როდესაც 1971 წელს პროფესორ ლეონ ჩუამ შემოიტანა ტერმინი „მემრისტორი“, მას
მხედველობაში ჰქონდა, რომ ელექტრულ წრედების თეორიაში არსებობს ოთხი საბაზისო
სიდიდე: დენი – i, ძაბვა – V, მუხტი – q და მაგნიტური ნაკადი – ϕ.
ოთხივე სიდიდე წყვილ-წყვილად არიან ერთმანეთთან დაკავშირებულნი ფიზიკურ
ელემენტებში: რეზისტორში დენი და ძაბვა; კონდენსატორში მუხტი და ძაბვა; ინდუქტორში
მაგნიტური ნაკადი და დენი. სულ ექვსი მასეთი დამოკიდებულება არსებობს. ხუთი მათგანი
ჩვენთვის ჩვენთვის კარგად არის ცნობილი. 1. მუხტი q – დენის დროით გაინტეგრალება;
2.ძაბვასა v და მაგნიტურ ნაკადს ϕ შორის დამოკიდებულება განისაზღვრება ფარადეის
ელექტრომაგნიტური ინდუქციის კანონით; 3. ძაბვა v და დენი i დაკავშირებულნი არიან
წინაღობის მეშვეობით; 4. მუხტი q და ძაბვა v – ტევადობით; 5. და მაგნიტური ნაკადი ϕ და
დენი i – ინდუქციურობით. გამოტოვებულია მეექვსე, რომელიც აერთიანებს მაგნიტურ ნაკადსა
და მუხტს. ჩუამ ივარაუდა, რომ ეს სიდიდეები დაკავშირებულნი არიან მემრისტორში
პარამეტრით, რომელსაც „მემრისტენსი“ ჰქვია M: dϕ = M⋅dq
თუ კი ვისარგებლებთ დამოკიდებულებებით: dϕ = v⋅dt და dq = i⋅dt, მაშინ შესაძლებელი
გახდება დავწეროთ მემრისტორზე მოდებულ ძაბვასა და მასში გამავალ დენს შორის
დამოკიდებულება შემდეგი სახით:
v = M⋅i (1)
ცხადია, რომ, თუ M= const მემრისტენსი წარმოადგენს ჩვეულებრივ წინაღობას.
ნაჩვენებია, რომ მემრისტენსის ეფექტი წარმოიქმნება ნანო-სიდიდის მქონე
სტრუქტურებში ლითონი-დიელექტრიკი-ლითონი ელექტრული ველის ზემოქმედებით
ძალიან წვრილ დიელექტრიკულ ფენაში გამავალი მუხტების ხარჯზე, მაგალითად ჟანგბადის
ვაკანსიის მოძრაობისას ტიტანის დიოკსიდის ფენაში. TiO2-ს ფენა, რომლის სისქეა (...ნმ)
განლაგებულია ერთმანეთთან მართობულად მდებარე მავთულებს შორის, სადაც ფორმირდება
მემრისტორთა კომპლექტი ადგილებში, სადაც ისინი კვეთენ ერთურთს.
ცვლადი წინაღობის მქონე სისტემები შეგვიძლია ავაგოთ მრავალი ფიზიკური მოვლენის
საფუძველზე, მათ შორის: მოძრავი იონების გადაადგილებით, ასევე ფაზური გადასვლებით.
უილიამსის ჯგუფის მიერ შექმნილი მემრისტორი წარმოადგენდა ნახევარგამტარული
მასალის წვრილ ფენას, რომელიც მოთავსებული იყო ორი ლითონის კონტაქტებს შორის.
ფენის ერთ მხარეს მდებარეობს ლეგირებული მინარევი (დადებითი იონები) – w
სიგანეზე. მასეთი მემრისტორის თვისებები შეიძლება წარმოვადგინოთ მარტივი მოდელის
საფუძველზე. მოცემული მოწყობილობის სრული წინაღობა შეგვიძლია წარმოვადგინოთ
როგორც ორი ცვლადი რეზისტორის ჯამი, რომლებიც მიმდევრობით არიან შეერთებულნი.
ერთერთ რეზისტორს (ლეგირებული არე) გააჩნია დაბალი წინაღობა R ON, მეორეს - ბევრად
უფრო დიდი წინაღობა ROFF .
როდესაც ლითონის კონტაქტებზე მოვდებთ ძაბვას, დამუხტული იონები იწყებენ
მოძრაობას და ორ არეს შორის არსებული საზღვარი გადაადგილდება. მოცემულ მოდელში
დენსა და ძაბვას შორის დამოკიდებულება განისაზღვრება შემდეგი განტოლებით:

(
V ( t ) = R on
D (
w (t )
))
+ Roff 1−
w (t)
D
i(t) (2)

ამასთან საზღვარი გადაადგილდება შემდეგი კანონის თანახმად:

dw(t ) Ron
=μ v i(t) (3)
d (t) D
სადაც μv - იონების საშუალო მოძრაობა.
(3)-ის ინტეგრირება გვაძლევს ფორმულას w -სათვის:
Ron
w ( t )=μ v q (t) (4)
D
(4)-ის (2)-ში ჩასმით და (RON<<ROFF)-ის გათვალისწინებით, მივიღებთ
მემრისტენციისთვის განტოლებას:

( ) μ R
M ( q )=R off 1− v 2on q(t)
D
(5)

თავად მე-(2) განტოლება ამასობაში მიიღებს (1) განტოლების სახეს

მე-(5) განტოლებიდან გამომდინარეობს ორი მნიშვნელოვანი დასკვნა. პირველი, როგორც
იყო ნავარაუდები ჩუას მოდელში, მემრისტორის წინაღობა არის მუხტის ფუნქცია, ანუ
დამოკიდებულია მასში გამავალ ჯამურ მუხტზე. მეორე, მემრისტენცია მკვეთრად იზრდება D-
ს შემცირებისას. მასეთ შემთხვევაში, მოცემული ელექტრული მოწყობილობების განხილვისას,
ყველაზე მნიშვნელოვანი ხდება ის, რომ მათი ზომები მცირდება ნანომეტრების მასშტაბებამდე.
თუ მემრისტორზე მოდებულია ცვლადი სინუსოიდური გარკვეული სიხშირის ძაბვა,
მისი ვოლტ-ამპერული მახასიათებელი მიიღებს შემდეგ სახეს (ნახ. 3). მემრისტორს,
რეზისტორისგან განსხვავებით, გააჩნია ჰისტერეზისის მოვლენა. ძაბვის სიხშირის გაზრდით
ჰისტერეზისის მრუდი გარდაიქმნება სწორ ხაზად (ნახ. 3ა).
რეალურ სისტემებში ძლიერი ელექტრული ველების ხარჯზე (ახასიათებს ნანო
მასშტაბებს), თავს იჩენენ ძლიერი არაწრფივი ეფექტები იონების ტრანსპორტირებისას, და
ვოლტ-ამპერული სახე იცვლება. მაგალითად, თუ გავამრავლებთ მე-(3) განტოლების მარჯვენა
მხარეს სარკისებურ ფუნქციაზე w(1-w)/D2, რომელიც ითვალისწინებს არაწრფივობის ეფექტებს,
მაშინ მემრისტორის ვოლტ-ამპერულ მახასიათებელზე ჩნდებიან საკმარისად მკვეთრი
ფრონტები, რომლებიც მიეკუთვნებიან გადასვლას დაბალი გამტარობის მდგომარეობიდან
მაღალი გამტარობის მდგომარეობაში და პირიქით (ნახ. 3ბ).
მსგავსი მახასიათებელი იქნა მიღებული ექსპერიმენტალურად მემრისტორისათვის ტიტანის
დიოკსიდის (TiO2) საფუძველზე. მემრისტორის მსგავსი ქცევა საშუალებას იძლევა
გამოვიყენოთ იგი როგორც ბიპოლარული გადამრთველი: უარყოფითი პოლარობის ძაბვის
მოდებისას მემრისტორი კეტავს ან ხსნის მასში გამდინარე წრედს. თუ განვიხილავთ სიტუაციას
ციფრული ელექტრონიკის თვალსაზრისით, მაშინ შესაძლებელი იქნება ითქვას, რომ
მემრისტორი გადადის „0“ მდგომარეობიდან „1“ მდგომარეობაში და პირიქით. უფრო მეტიც, ამ
მდგომარეობას მემრისტორი „იმახსოვრებს“ და შეუძლია შეინახოს პრაქტიკულად
განუსაზღვრელი ვადით - და ამისთვის მას არ სჭირდება ძაბვის წყარო. მიღწეული დღევანდელ
დღემდე მემრისტორის გადართვის დრო წარმოადგენს 1ნწ. მემრისტორის აღწერილი
თვისებები გვაძლევენ საშუალებას გამოვიყენოთ იგი გადამრთველის სახით, მეხსიერების
ელემენტისა და ლოგიკური ელემენტის შემადგენელი ნაწილის სახით. უკვე შექმნილია
მოწყობილობათა მსგავსი პროტოტიპები.
მემრისტორში დაფიქსირებული ჰისტერეზისის მოვლენა საშუალებას გვაძლევს
გამოვიყენოთ იგი როგორც ფლეშ-მეხსიერება. თეორიულად, რიგ შემთხვევებში მემრისტორი
შეძლებს ჩაანაცვლოს ტრანზისტორები.
თეორიულად მემრისტორული მეხსიერების ელემენტებს შეუძლიათ იყვნენ მეტად
კომპაქტურები და სწრაფები, ვიდრე თანამედროვე ფლეშ-მეხსიერება. ასევე მათგან
დამზადებული ბლოკები შეძლებენ ჩაანაცვლონ ოპერაციული მეხსიერების მოწყობილობა.
მემრისტორის უნარი „დაიმახსოვროს“ მუხტი მოგვცემს შედეგად იმის საშუალებას, რომ უარი
ვთქვათ კომპიუტერის სისტემის ჩატვირთვაზე: კომპიუტერის მეხსიერებაში, რომელიც
გამოერთებულია კვების წყაროსგან, იქნება შენახული მისი ბოლო მდგომარეობა. პროგრამული
უზრუნველყოფის მხარდაჭერით შესაძლებელი გახდება კომპიუტერის ჩართვა და მუშაობის
დაწყება იმ ადგილიდან, რა ადგილასაც იყო გამორთვამდე.
მემრისტორის უკვე შესწავლილი თვისებები უფლებას გვაძლევენ ვისაუბროთ იმის
შესახებ, რომ მათ საფუძველზე შესაძლებელია შეიქმნას პრინციპულად ახალი არქიტექტურის
კომპიუტერები. მემრისტორის ბაზაზე აგებულ კომპიუტერში შესაძლებელი გახდება
ერთდროულად როგორც შევინახოთ ინფორმაცია, ასევე იგი გადავამუშავოთ. აპგრეიდისათვის
საკმარისი იქნება დავაყენოთ დამატებითი მემრისტორული მოდულები, და რემონტისათვის
კიდე - ჩავანაცვლოთ მწყობრიდან გამოსულები. მემრისტორული კომპიუტერის „ჩატვირთვა“
არ იქნება აუცილებელი: ჩართვის მერე მაშინვე იგი იქნება მზად განაგრძოს მუშაობა იმ
ადგილიდან, სადაც იყო შეწყვეტილი. თანამედროვე ტექნიკასთან შედარებით, მემრისტორული
მანქანების ენერგომოხმარება იქნება უზომოდ დაბალი, და გამოთვლის სიმძლავრე კი
უზარმაზარი.
ჩვეულებრივ ელექტრონიკას აწარმოებენ მყარი, საკმაოდ მყიფე მასალებისაგან,
რომლებიც ცუდათ ფუნქციონირებენ მაღალი ტემპერატურისა და ტენიანობის პირობებში. იმ
პრობლემის ამოხსნისას, რომელიც შეეხება ადამიანის ორგანიზმთან შეთავსებული
ელექტრონიკის შექმნას, მკვლევარებმა ჩრდილოეთ კოროლინის უნივერსიტეტიდან შექმნეს
მონაცემების შემნახველი მოწყობილობა, კომპიუტერული მეხსიერება, რომელსაც გააჩნდა
ჟელეს ფიზიკური და კონსისტენციური თვისებები.
თანამედროვე გამომთვლელი სისტემების ყველა ელემენტი მოწყობილია დისკრეტული
გასაღებების ბაზაზე, ტრანზიტორებზე, რომლებსაც შეუძლიათ იყვნენ ორ მდგომარეობაში,
გამორთულ და ჩართულ. მაგრამ მსოფლიოში არსებობს კიდევ ერთი გამომთვლელი სისტემა,
რომელსაც ჩვენ ყველა ძალიან კარგად ვიცნობთ, ეს არის ადამიანის და სხვა ცოცხალი
არსებების ტვინი, რომლის მუშაობა დამყარებულია სულ სხვა პრინციპებზე, თანამედროვე
კომპიუტერებისგან განსხვავებით. იმის ნაცვლად რომ უბრალოდ ჩაირთოს ან გამოირთოს,
ცალკეული ნეირონები გამოიმუშავებენ ნერვულ იმპულსებს. და ინფორმაცია, რომელსაც
ოპერირებს ნეირონი, კოდირდება ფორმით და სიგრძით ამ იმპულსისა. გამომთვლელი
სისტემის ამ ორი პრინციპის განსხვავება ხელს უშლიდა ადამიანებს ნეირონების
მოდელირებაში. მაგრამ მკვლევარები ეიჩ-პი-ს ლაბორატორიიდან გამონახეს საშუალება
შეექმნათ ჩიპი, რომელიც იმუშავებდა ელექტრული იმპულსების საფუძველზე, რომელი
იმპულსიც არის პირველი და მაქსიმალური დღევანდელი დღესათვის მიახლოება
იმპულსებთან, რომლებსაც გამოიმუშვებენ ნეირონები. ეიჩ-პი-ს სპეციალისტებმა, რომლებიც
თავის დროზე მუშაობდნენ მემრისტორის რეალიზაციაზე, გაარკვიეს მემრისტორების,
კონდენსატორებისა და სხვა ელექტრული კომპონენტების კომბინაცია, რომელსაც შეუძლია
გამოიმუშავოს ნერვული იმპულსების მსგავსი ელექტრული იმპულსები. მათ ნეირისტორები
დაარქვეს. მიუხედავად იმისა, რომ ელექტრულ იმპულსებს გააჩნიათ მეტად მარტივი
მახასიათებლები, ვიდრე ნერვულ იმპულსებს, ასეთი მიდგომის გამოყენებისას შესაძლებელია
უკვე პირდაპირ ახლავე შევუდგეთ სილიციუმის ჩიპების შექმნას, რომელთა კრისტალზეც
მოთავსებული იქნება უზარმაზარი რაოდენობის ნეირისტორი, და რომელთაც შეუძლიათ
ოპერირებდნენ გაცილებით დიდი რაოდენობის ინფორმაციით, ვიდრე ჩვეულებრივი ჩიპები,
რომლებიც მუშაობენ „ორეულ“ სისტემაზე.
იმისათვის, რათა ავაგოთ ადამიანის ტვინის ქერქის მოდელი, დაგვჭირდება მინიმუმ
150 000 პროცესორი და 144 ტერაბაიტი მხოლოდ ოპერაციული მეხსიერებისათვის, ამასთან
ჩვილის ინტელექტზეც კი არაა საუბარი.
ბევრი წელი დაიხარჯა მის(ხელოვნური ინტელექტის) შესაქმნელად, მაგრამ
სერიოზული წინსვლები ამ მიმართულებით ჟერ არ არის. სავარაუდოდ, ეს შეიძლება
დავაკავშიროთ იმასთან, რომ არ ვიცით მასეთმა ინტელექტმა როგორ უნდა იმუშაოს. და ვერც
გავიგებთ იქამდე, სანამ არ გავარკვევთ, თუ როგორ მუშაობს თავად ადამიანის თვინი. თუ
მეცნიერები გაარკვევენ, რა ხდება ადამიანის ტვინში, მაშინ ტექნოლოგიურად ჩვენ უკვე მზად
ვართ იმისათვის, რათა მასეთი ფუნქციების რეალიზება მოვახდინოთ.