عناصر الكترونية

‫عنارص إلكرتونية‬
‫اإللكرتونيات‬
‫‪ 012‬حاجك‬ ‫عناصر إلكرتونية‬
‫مقدمة‬
‫احلمد هلل الذي علَّم بالقلم‪ ،‬علَّم اإلنسان ما مل يعلم‪ ،‬والصالة والسالم على من بُعث مُعلماً‬
‫للناس وهادياً وبشرياً‪ ،‬وداعياً إىل اهلل بإذنه وسراجاً منرياً؛ فأخرج الناس من ظلمات اجلهل والغواية‪،‬‬
‫إىل نور العلم واهلداية‪ ،‬نبينا ومعلمنا وقدوتنا األول حممد بن عبداهلل وعلى آله وصحبه أمجعني‪،‬‬
‫أما بعد‪:‬‬
‫تسعى املؤسسة العامة للتدريب التقين واملهين لتأهيل الكوادر الوطنية املدربة القادرة على شغل‬
‫ا لوظائف التقنية والفنية واملهنية املتوفرة يف سوق العمل السعودي‪ ،‬ويأتي هذا االهتمام نتيجة‬
‫للتوجهات السديدة من لدن قادة هذا الوطن اليت تصب يف جمملها حنو إجياد وطن متكامل يعتمد‬
‫ذاتياً على اهلل ثم على موارده وعلى قوة شبابه املسلح بالعلم واإلميان من أجل االستمرار قدماً يف‬
‫دفع عجلة التقدم التنموي‪ ،‬لتصل بعون اهلل تعاىل ملصاف الدول املتقدمة صناعياً‪.‬‬
‫وقد خطت اإلدارة العامة للمناهج خطوة إجيابية تتفق مع التجارب الدولية املتقدمة يف بناء‬
‫الربامج التدريبية‪ ،‬وفق أساليب علمية حديثة حتاكي متطلبات سوق العمل بكافة ختصصاته لتليب‬
‫تلك املتطلبات‪ ،‬وقد متثلت هذه اخلطوة يف مشروع إعداد املعايري املهنية الوطنية ومن بعده مشروع‬
‫املؤهالت املهنية الوطنية‪ ،‬والذي ميثل كل منهما يف زمنه‪ ،‬الركيزة األساسية يف بناء الربامج‬
‫التدريبية‪ ،‬إذ تعتمد املعايري وكذلك املؤهالت الحقاً يف بنائها على تشكيل جلان ختصصية متثل‬
‫سوق العمل واملؤسسة العامة للتدريب التقين واملهين حبيث تتوافق الرؤية العلمية مع الواقع العملي‬
‫الذي تفرضه متطلبات سوق العمل‪ ،‬لتخرج هذه اللجان يف النهاية بنظرة متكاملة لربنامج تدرييب‬
‫أكثر التصاقاً بسوق العمل‪ ،‬وأكثر واقعية يف حتقيق متطلباته األساسية‪.‬‬
‫وتتناول هذه احلقيبة التدريبية "عناصر إلكرتونية" ملتدربي برنامج "اإللكرتونيات" يف املعاهد‬
‫الصناعية الثانوية ومعاهد العمارة والتشييد‪ ،‬موضوعات حيوية تتناول كيفية اكتساب املهارات‬
‫الالزمة هلذا الربنامج لتكون مهاراتها رافداً هلم يف حياتهم العملية بعد خترجهم من هذا الربنامج‪.‬‬
‫واإلدارة العامة للمناهج وهي تضع بني يديك هذه احلقيبة التدريبية تأمل من اهلل عز وجلً أن تسهم‬
‫بشكل مباشر يف تأصيل املهارات الضرورية الالزمة‪ ،‬بأسلوب مبسط خالٍ من التعقيد‪ .‬واهلل نسأل‬
‫أن يوفق القائمني على إعدادها واملستفيدين منها ملا حيبه ويرضاه ؛ إنه مسيع جميب الدعاء‪.‬‬
‫اإلدارة العامة للمناهج‬
‫‪2‬‬
‫الفهـــرس‬
‫رقم الصفحة‬ ‫املوضـــــوع‬
‫‪2‬‬ ‫مقدمة‬
‫‪3‬‬ ‫الفهرس‬
‫‪9‬‬ ‫متهيد‬
‫‪13‬‬ ‫الوحدة األوىل‪ :‬الثنائي‬
‫‪14‬‬ ‫تصنيف املواد من حيث املوصلية‬
‫‪14‬‬ ‫الروابط الكيميائية‬
‫‪15‬‬ ‫مستويات الطاقة‬
‫‪18‬‬ ‫الفرق بني املواد من حيث التوصيل‬
‫‪19‬‬ ‫التوصيل يف البلورات أشباه املوصالت‬
‫‪19‬‬ ‫الوصلة الثنائية من نوع ‪N‬‬
‫‪20‬‬ ‫الوصلة الثنائية من نوع ‪P‬‬
‫‪20‬‬ ‫وصلة ‪ P-N‬عنصر الثنائي وأطرافه‬

‫‪22‬‬ ‫االحنياز األمامي ‪ -‬االحنياز العكسي‬
‫‪23‬‬ ‫منحنى اخلصائص‬
‫‪24‬‬ ‫خط احلمل ونقطة التشغيل‬
‫‪26‬‬ ‫جتربة لفحص الثنائي وحتديد أطرافه‬
‫‪26‬‬ ‫جتربة لدراسة سلوك الثنائي يف التيار املستمر وحتديد االحنياز‬
‫‪27‬‬ ‫جتربة لرسم منحنى اخلصائص للثنائي‬
‫‪29‬‬ ‫متارين الوحدة األوىل‬
‫‪39‬‬ ‫الوحدة الثانية‪ :‬دوائر الثنائي‬
‫‪40‬‬ ‫دائرة توحيد نصف موجة‬
‫‪3‬‬

‫‪40‬‬ ‫الدائرة النظرية‬
‫‪41‬‬ ‫شرح الدائرة النظرية‬
‫‪43‬‬ ‫أشكال موجات الدخل واخلرج‬
‫‪43‬‬ ‫دائرة توحيد موجة كاملة باستخدام ثنائيني‬
‫‪45‬‬ ‫دائرة موجة كاملة باستخدام أربعة ثنائيات‬
‫‪48‬‬ ‫دائرة مضاعف اجلهد مرتني‬
‫‪50‬‬ ‫حساب جهد اخلرج‬
‫‪50‬‬ ‫دائرة مضاعف اجلهد ثالث مرات‬
‫‪51‬‬ ‫حساب جهد اخلرج‬
‫‪53‬‬ ‫جتربة دائرة توحيد نصف موجة‬
‫‪57‬‬ ‫جتربة توحيد موجة كاملة باستخدام حمول ذي نقطة منتصف‬
‫‪61‬‬ ‫جتربة توحيد موجة كاملة باستخدام أربعة ثنائيات‬
‫‪4‬‬

‫‪65‬‬ ‫جتربة مضاعف جهد ثنائي‬
‫‪68‬‬ ‫جتربة مضاعف جهد ثالثي‬
‫‪71‬‬ ‫متارين الوحدة الثانية‬
‫‪75‬‬ ‫الوحدة الثالثة‪ :‬الثنائيات اخلاصة‬
‫‪75‬‬ ‫ثنائي الزينر‬
‫‪76‬‬ ‫طريقة التصنيع والرمز‬
‫‪77‬‬ ‫ثنائي الزينر كمنظم للجهد‬
‫‪79‬‬ ‫ثنائي فاريكاب‬
‫‪79‬‬ ‫طريقة التصنيع والرمز‬
‫‪80‬‬ ‫االستخدام وطريقة عمله‬
‫‪82‬‬ ‫جتربة الستخدام ثنائي الزينر لتثبيت اجلهد‬
‫‪84‬‬ ‫جتربة الستخدام ثنائي الفاريكاب‬
‫‪87‬‬ ‫متارين الوحدة الثالثة‬
‫‪91‬‬ ‫الوحدة الرابعة‪ :‬الرتانزستور ثنائي القطبية ‪BJT‬‬
‫‪92‬‬ ‫تركيب ‪ BJT‬وأنواعه ورمز كل نوع وأطرافه‬
‫‪95‬‬ ‫شرح مبدأ الرتانزستور‬
‫‪97‬‬ ‫جهود وتيارات الرتانزستور‬
‫‪100‬‬ ‫طرق توصيل الرتانزستور‬
‫‪100‬‬ ‫القاعدة املشرتكة‪:‬‬
‫‪100‬‬ ‫كيفية التوصيل‬
‫‪5‬‬

‫‪100‬‬ ‫اخلصائص واملميزات‬
‫‪101‬‬ ‫منحنى اخلصائص ومناطق العمل‬
‫‪102‬‬ ‫الباعث املشرتك‪:‬‬
‫‪104‬‬ ‫اجملمع املشرتك ‪:‬‬
‫‪109‬‬ ‫جتربة فحص الرتانزستور وحتديد أطرافه‬
‫‪111‬‬ ‫جتربة استخدام الرتانزستور كمفتاح‬
‫‪113‬‬ ‫جتربة قياس جهود وتيارات وصالت الرتانزستور‬
‫‪115‬‬ ‫جتربة دراسة خصائص توصيل القاعدة املشرتكة‬
‫‪117‬‬ ‫جتربة لدراسة خصائص توصيل اجملمع املشرتك‬
‫‪119‬‬ ‫جتربة لدراسة خصائص توصيل الباعث املشرتك‬
‫‪121‬‬ ‫متارين الوحدة الرابعة‬
‫‪125‬‬ ‫الوحدة اخلامسة ‪ :‬دوائر مكربات الرتانزستور ثنائي القطبية ‪BJT‬‬
‫‪125‬‬ ‫مفهوم التكبري وأنواعه وشروطه وقوانينه‬
‫‪127‬‬ ‫مكرب الباعث املشرتك ‪CE‬‬
‫‪127‬‬ ‫شرح الدائرة األساسية‬

‫‪127‬‬ ‫العالقة بني تيار القاعدة ‪ IB‬وتيار الباعث ‪IC‬‬
‫‪6‬‬

‫‪128‬‬ ‫نقطة التشغيل‬
‫‪128‬‬ ‫حساب نسبة التكبري والكسب‬
‫‪128‬‬ ‫تأثري مكثف التمرير على التكبري‬
‫‪132‬‬ ‫مكرب القاعدة املشرتكة ‪CB‬‬

‫‪132‬‬ ‫احنياز الرتانزستور‬
‫‪132‬‬ ‫عملية التكبري يف الدائرة‬
‫‪131‬‬ ‫أشكال إشارات الدخل واخلرج‬
‫‪132‬‬ ‫مكرب اجملمع املشرتك ‪CC‬‬

‫‪132‬‬ ‫احنياز الرتانزستور‬
‫‪132‬‬ ‫عملية التكبري يف الدائرة‬
‫‪133‬‬ ‫أشكال إشارات الدخل واخلرج‬
‫‪134‬‬ ‫مكرب متعدد املراحل‬
‫‪134‬‬ ‫شرح فكرة املكرب متعدد املراحل‬
‫‪135‬‬ ‫حساب نسبة التكبري الكلي ‪AV‬‬
‫‪135‬‬ ‫ترانزستور ثنائي دارلنجتون‬

‫‪135‬‬ ‫الرتكيب ‪،‬الرمز ‪ ،‬االستخدام‬
‫‪7‬‬

‫‪138‬‬ ‫جتربة مكرب الباعث املشرتك‬
‫‪141‬‬ ‫جتربة مكرب القاعدة املشرتكة‬
‫‪144‬‬ ‫مكرب اجملمع املشرتك‬
‫‪147‬‬ ‫جتربة ترانزستور دارلينجتون‬
‫‪150‬‬ ‫متارين الوحدة اخلامسة‬
‫‪153‬‬ ‫املالحق‬
‫‪156‬‬ ‫املراجع‬
‫‪8‬‬
‫متهيد‬
‫اهلدف العام للحقيبة التدريبية‪:‬‬

‫تهدف هذه احلقيبة إىل إكساب املتدربني املهارات األساسية يف تقنية أشباه املوصالت و‬
‫دراسة الرتكيب وطريقة العمل لكل من الثنائيات و الرتانزستور‪.‬‬
‫تعريف باحلقيبة التدريبية‪:‬‬

‫تتكون هذه احلقيبة التدريبية من عدد من املهارات األساسية لتقنية أشباه املوصالت واليت‬
‫يتم فيها دراسة الرتكيب وطريقة العمل لكل من الثنائي العادي وثنائي الزينر وثنائي‬
‫الفاريكاب و الرتانزستور وكيفية فحصها والتأكد من سالمتها‪ .‬والتعرف على التطبيقات‬
‫املستخدمة فيها هذه العناصر من دوائر توحيد نصف موجة وموجة كاملة‪ ،‬تنظيم اجلهد‪ ،‬دوائر‬
‫تكبري التيار واجلهد‪.‬‬
‫الوقت املتوقع إلمتام احلقيبة التدريبية ‪:‬‬

‫يتم التدريب على مهارات هذه احلقيبة يف (‪ )80‬ساعة تدريبية موزعة كالتالي‪:‬‬
‫‪ 15‬ساعة تدريبية‪.‬‬ ‫الوحدة األوىل ‪ :‬الثنائي‪...........................................................‬‬
‫‪ 15‬ساعة تدريبية‪.‬‬ ‫الوحدة الثانية ‪ :‬دوائر الثنائي ‪................................................‬‬
‫‪ 10‬ساعات تدريبية‪.‬‬ ‫الوحدة الثالثة ‪ :‬الثنائيات اخلاصة ‪.........................................‬‬
‫‪ 20‬ساعة تدريبية‪.‬‬ ‫الوحدة الرابعة ‪ :‬الرتانزستور ثنائي القطبية‪.................. BJT‬‬
‫‪ 20‬ساعة تدريبية‪.‬‬ ‫الوحدة اخلامسة ‪ :‬دوائر مكربات الرتانزستور ثنائي القطبية‪BJT‬‬
‫‪9‬‬
‫األهداف التفصيلية للحقيبة ‪:‬‬

‫من املتوقع بعد االنتهاء من احلقيبة أن يكون املتدرب قادرا و بكفاءة على أن‪:‬‬
‫‪ . 1‬مييز أنواع املوحدات من خالل قراءة العنصر بالعني اجملردة‪.‬‬
‫‪ . 2‬يتقن استخدام جهاز متعدد األغراض يف فحص املوحدات والرتانزستورات وحتديد‬
‫أطرافها‪.‬‬
‫‪ . 3‬يشرح طريقة عمل املوحد باحلالتني االحنياز األمامي واخللفي‪.‬‬
‫‪ . 4‬يوضح طريقة عمل الرتانستور وكيفية مرور التيار من خالله‪.‬‬
‫‪ . 5‬حيلل القيم احلسابية يف دوائر املوحد والرتانزستور‪.‬‬
‫‪ . 6‬ينفذ دوائر إلكرتونية عملية للموحد والرتانزستور وإجراء القياسات عمليا‬
‫باستخدام جهاز قياس متعدد األغراض‪.‬‬
‫‪ . 7‬يصف مزايا وعيوب الرتانزستور وأهميتها يف الدوائر اإللكرتونية‪.‬‬
‫‪10‬‬
‫اشرتاطات السالمة عند التدريب على هذه احلقيبة‪:‬‬

‫عند التدريب على هذه احلقيبة جيب اتباع تعليمات واشرتاطات السالمة التالية‪:‬‬
‫‪ . 1‬تقيد بلباس التدريب داخل الورشة والتزم مبتطلبات السالمة مثل ‪ :‬ارتداء احلذاء‬
‫املناسب حلماية القدمني والقفازات املناسبة حلماية اليدين أثناء العمل‪.‬‬
‫‪ . 2‬تقيد باستخدام العدد واألدوات حسب اختصاصها وال تستخدم أداة خاصة لعمل‬
‫معني يف عمل مغاير‪.‬‬
‫‪ . 3‬تأكد من مطابقة جهد املصدر مع جهد اجلهاز املراد توصيله‪.‬‬
‫‪ . 4‬تأكد من ضبط جهاز اآلفوميرت على الكمية املراد قياسها واملدى املناسب هلذه‬
‫الكمية‪.‬‬
‫‪ . 5‬احرص على عدم مالمسة أسالك مكشوفة مير بها تيار كهربائي أعلى من ‪70‬‬
‫‪. mA‬‬
‫‪ . 6‬اعلم أن صدمة التيار املرتدد أكثر خطورة من صدمة التيار املستمر‪.‬‬
‫‪ . 7‬ال تعبث بالعدد واألدوات يف الورشة فقد تتسبب يف حوادث مؤسفة لك ال قدر اهلل‪.‬‬
‫‪ . 8‬كن على حذر يف نقل األدوات والعدد و احرص على مناولتها لزمالئك يداً بيد‪.‬‬
‫‪ . 9‬جتنب املزاح يف الورشة وأثناء التدريب حتى حتمي نفسك وزمالءك من اخلطر‪.‬‬
‫‪ . 10‬عند االنتهاء من العمل احرص على تنظيم وترتيب العدد واألدوات بشكل منظم‬
‫وإعادتها إىل أماكنها اخلاصة‪.‬‬
‫‪11‬‬
‫الوحدة األوىل‬
‫الثنايئ‬
‫‪12‬‬
‫الثنائي‬
‫اهلدف العام‪:‬‬
‫تهدف هذه الوحدة إىل معرفة تصنيف املواد من حيث املوصلية ومعرفة خصائص الثنائي‬
‫وتركيبه‪.‬‬
‫األهداف التفصيلية‪:‬‬
‫من املتوقع بعد االنتهاء من هذه الوحدة التدريبية أن يكون املتدرب قادرا وبكفاءة على أن‪:‬‬
‫‪ . 1‬يقارن بني املواد من حيث املوصلية‪.‬‬
‫‪ . 2‬يتعرف على تركيب الثنائي ومواد صنعه‪.‬‬
‫‪ . 3‬يوضح الفوارق بني املواد املوصلة للتيار‪.‬‬
‫‪ . 4‬يبسط مفهوم االحنياز األمامي والعكسي للثنائي‪.‬‬
‫‪ . 5‬يتقن طريقة فحص الثنائي باستخدام االفوميرت‪.‬‬
‫الوقت املتوقع للتدريب على هذه الوحدة‪ 15 :‬ساعة تدريبية‬
‫الوسائل املساعدة‪:‬‬
‫‪ - 1‬حقيبة العناصر اإللكرتونية‪.‬‬
‫‪ - 2‬حقيبة التجارب اخلاصة باملخترب‪.‬‬
‫‪ - 3‬جهاز قياس متعدد األغراض (ملتميرت)(‪.) Multimeter‬‬
‫‪ - 4‬جهاز راسم اإلشارة (األوسيلوسكوب)(‪.) Oscilloscope‬‬
‫‪ - 5‬جهاز مصدر القدرة املستمر(‪.)Power Supply‬‬
‫‪ - 6‬وسائل األمن والسالمة ‪.‬‬
‫‪ - 7‬كتاب البيانات (‪ )data sheet‬اخلاص بالعناصر اإللكرتونية (الثنائي)‪.‬‬
‫‪ - 8‬جهاز عرض ‪. data show‬‬
‫‪13‬‬
‫تصنيف املواد من حيث املوصلية‪:‬‬

‫تصنف املواد حسب توصيلها للتيار الكهربائي إىل ثالثة أنواع هي‪:‬‬
‫‪ - 1‬مواد موصلة (‪ )Conductors‬مثل‪ :‬الفضة‪ ،‬النحاس‪ ،‬األملونيوم‪ ،‬احلديد‪.‬‬
‫‪ - 2‬مواد عازلة (‪ )Insulators‬مثل‪ :‬املطاط‪ ،‬الزجاج ‪ ،‬الورق ‪.‬‬
‫‪ - 3‬مواد شبه موصلة (‪ )Semiconductors‬مثل‪ :‬السيليكون ‪ ،‬اجلرمانيوم ‪.‬‬
‫يف هذا اجلزء سوف يتم الرتكيز على أشباه املوصالت‪.‬‬
‫الروابط الكيميائية ‪:‬‬

‫تقع أشباه املوصالت املستخدمة يف األغراض اإللكرتونية ضمن اجملموعة الرابعة يف‬
‫اجلدول الدوري للعناصر الكيميائية ‪.‬‬
‫أي أن هذه العناصر (أشباه املوصالت) رباعية التكافؤ ( لوجود أربعة إلكرتونات يف املدار‬
‫األخري) كما هو موضح بالشكل ‪1-1‬‬
‫شكل ‪1-1‬‬
‫ومن أشهر عناصر أشباه املوصالت‪:‬‬
‫‪ -2‬اجلرمانيوم (‪)Germanium‬‬ ‫‪-1‬السيليكون (‪)Silicon‬‬
‫حيث ترتبط ذرات هذه العناصر مع بعضها يف روابط تساهمية لتكون مايسمى بالبلورة‬
‫(‪.)Crystal‬‬
‫والرتكيب العام للبلورة عبارة عن ترابط جمموعة من ذرات املادة يف شكل هندسي دقيق منتظم‬
‫ومتكرر يدعى بالتنسيق البلوري (‪ )Crystal Coordination‬كما يف الشكل ‪2-1‬‬
‫‪14‬‬
‫شكل ‪2-1‬‬
‫وهذا الشكل يبني الرتكيب البلوري الرباعي للسيليكون حيث إن وحدة البلورة تتكون من‬
‫ذرة حتيط بها أربع ذرات وحول كل ذرة توجد أربع إلكرتونات ‪.‬‬
‫حيث يرتبط كل إلكرتون بالذرة اخلاصة به وبذرة أخرى جماورة لينتج عن ذلك ترابط بني‬
‫هذه الذرات ويدعى هذا الرتابط بالـ(الرتابط التساهمي)(‪. ) covalent bonding‬‬
‫وقد وجد أن ‪:‬‬
‫‪ - 1‬أشباه املوصالت النقية عند درجة حرارة الصفر املطلقة تسلك سلوك العازل املثالي‪.‬‬
‫‪ - 2‬وعند ارتفاع درجة حرارة أشباه املوصالت إىل درجة حرارة الغرفة‪ ،‬يصبح شبه‬
‫املوصل موصل للكهرباء ولكن موصليته إذا ما قورنت مع موصلية النحاس والفضة‬
‫فإنها تعترب صغرية جداً‪.‬‬
‫ولذلك متت إضافة الشوائب ألشباه املوصالت لزيادة توصيلها ‪.‬‬
‫مستويات الطاقة‪:‬‬
‫متتلك املواد شبه املوصلة إلكرتونات متأل مجيع مستويات الطاقة املسموحة من األغلفة‬
‫الثانوية اخلارجية للذرة وطبقاً ملبادئ بولي لالستبعاد ( ‪ ) Pauli's exclusion principle‬فإنه ال‬
‫يوجد إلكرتونني خالل منظومة واحدة هلما نفس مقدار الطاقة متاماً لذلك عند وجود عدد معني‬
‫من مستويات الطاقة فإن لكل مستوى منها قيمة خمتلفة عن اآلخر‪.‬‬
‫إذا أخذنا ذرة هلا أربعة إلكرتونات يف الغالفني اخلارجيني وهلا مثان حاالت ملستوى طاقة ممكنة‬
‫مسموح بها‪ .‬فإن اإللكرتونات األربعة تكون موجودة يف مستويات الطاقة األربعة السفلى (‪،1‬‬
‫‪ )4 ،3 ،2‬فعند إمداد هذه املنظومة بالطاقة فإن اإللكرتون املوجود يف املستوى رقم (‪ )4‬يتحرك‬
‫إىل املستوى األعلى رقم (‪ )5‬كما هو مبني بالشكل(‪)3-1‬‬
‫‪15‬‬
‫شكل ‪3-1‬‬
‫وكلما زادت الطاقة الداخلة إىل الذرة فإن اإللكرتونات تتحرك حتى تصل إىل الوضع النهائي‬
‫للمستويات (‪ )7 ،6 ،5‬وتبقى املستويات (‪ )4 ،3 ،2 ،1‬خالية‪.‬‬
‫تتكون املادة الصلبة من عدد هائل من اجلزيئات اليت ترتبط مع بعضها وعلى ذلك فإن مجيع‬
‫املستويات جلميع اجلزيئات جيب أن تكون خمتلفة وذلك استناداً إىل مبادئ بولي لالستبعاد ‪.‬‬
‫ونظراً ألن اخلطوط املفردة كثرية جداً لذا يندمج عدد من هذه اخلطوط على هيئة حزم‬
‫( ‪ ) Bands‬وينقسم العدد الكلي ملستويات الطاقة يف األغلفة الثانوية اخلارجية إىل نوعني كما‬
‫هو مبني بالشكل (‪:)4-1‬‬
‫حزمة تكافؤ ) ‪: (Valence band‬‬ ‫‪‬‬
‫وفيها ال تكون اإللكرتونات مستعدة للحركة من ذرة إىل أخرى‪.‬‬

‫حزمة توصيل )‪:(Conduction band‬‬ ‫‪‬‬
‫وفيها تكون اإللكرتونات حرة يف احلركة كذلك ميكنها أن تكون حاملة للتيار‬
‫(‪)Current Carriers‬‬
‫شكل ‪4-1‬‬
‫‪16‬‬
‫‪ -‬يف املوصل النحاسي تندمج حزمة التكافؤ مع حزمة التوصيل شكل ( املوصل ) فإذا‬
‫سلطت قوة دافعة كهربائية (‪)Electric driving force‬صغرية على املوصل فهي كافية‬
‫إلحداث سريان التيار‪.‬‬
‫‪ -‬يف العازل مجيع اإللكرتونات يف األغلفة اخلارجية الثانوية تكون يف حزمة التكافؤ‬
‫باإلضافة إىل وجود فجوة كبرية بني مستويات الطاقة السفلى املسموح بها حلزمة‬
‫التكافؤ ومستويات الطاقة العليا املسموح بها حلزمة التوصيل شكل ( العازل ) وتُسمى‬
‫هذه الفجوة باحلزمة املمنوعة ( ‪ ) band Forbidden‬واليت ال حتتوي على حاالت‬
‫ملستويات طاقة مسموح بها وعلى ذلك ميكن إهمال حركة اإللكرتونات يف الظروف‬
‫العادية‪ .‬فإذا سلطت جهداً على عازل فإن اإللكرتونات حتتاج إىل طاقة معينة لعبور‬
‫الفجوة املمنوعة إىل حزمة التوصيل وعند حدوث ذلك يسري التيار يف العازل ونقول إن‬
‫العازل قد انهار حتت تأثري اجلهود العالية‪.‬‬
‫‪ -‬املواد األساسية املستخدمة يف أشباه املوصالت هي عناصر هلا مثان حاالت طاقة مسموح‬
‫بها يف الغالف الثانوي اخلارجي وهلا أربعة إلكرتونات يف األغلفة الثانوية اخلارجية مثال‬
‫( السيليكون ‪ ،‬اجلرمانيوم ) ‪ .‬عندما تتكون مادة صلبة من ذرات السيليكون أو‬
‫اجلرمانيوم حنصل على حزمتني للطاقة منفصلتني بفجوة ضيقة شكل (شبه املوصل )‬
‫تكون أربع من حاالت مستويات الطاقة املسموح بها لكل ذرة يف حزمة التوصيل وأربع‬
‫من حاالت الطاقة املسموح بها يف حزمة التكافؤ وللحصول على سريان للتيار‬
‫الكهربائي يف املادة فإنه جيب جتهيز طاقة خارجية كافية جلعل اإللكرتونات تعرب‬
‫احلزمة املمنوعة إىل حزمة التوصيل‪.‬‬
‫‪17‬‬
‫الفرق بني املواد من حيث التوصيل‪:‬‬

‫من خالل هذا اجلدول ميكن أن نبني الفرق بني املواد من حيث التوصيل‪.‬‬
‫جدول املواد من حيث املوصلية‬

‫املواد العازلة‬ ‫املواد شبه املوصلة‬ ‫املواد املوصلة‬ ‫وجه املقارنة‬
‫الزجاج ‪ -‬اخلزف‬ ‫السيليكون‬ ‫الفضة ‪ -‬النحاس‬ ‫أمثلة‬
‫اجلرمانيوم‬ ‫احلديد ‪ -‬الرصاص‬
‫كبرية جدا يف درجة‬ ‫متوسطة عند درجة‬ ‫املقأومة النوعية من ‪ 10−5‬إىل ‪10−8‬‬
‫حرارة الغرفة وتكون‬ ‫احلرارة العادية يف‬ ‫أوم‪ .‬مرت‬
‫يف املدى من ‪ 106‬إىل‬ ‫املدى من ‪ 10−5‬إىل‬
‫‪1016‬‬ ‫‪ 10−4‬أوم‪ .‬مرت‬
‫أوم‪.‬مرت‬
‫مملوءة باإللكرتونات‬ ‫مملوءة باإللكرتونات‬ ‫مملوءة باإللكرتونات‬ ‫نطاق التكافؤ‬
‫خال من اإللكرتونات‬ ‫خال متاماً من‬ ‫مملوءة جزئيا‬ ‫نطاق التوصيل‬
‫احلرة عند درجة‬ ‫بإلكرتونات عند درجة اإللكرتونات يف درجة‬
‫احلرارة العادية‬ ‫الصفر املطلق‬ ‫احلرارة االعتيادية‬
‫كبرية جداً(‪)5‬‬ ‫متوسطة من‬ ‫صغرية جداً(‪)0.01‬‬ ‫طاقة الفجوة‬
‫إلكرتون‪ .‬فولت‬ ‫(‪)0.7-2‬‬ ‫إلكرتون ‪.‬فولت‬
‫إلكرتون ‪.‬فولت‬
‫تنخفض املقاومة‬ ‫تنخفض املقاومة‬ ‫تزداد املقاومة‬ ‫تأثري رفع درجة‬
‫ولكنها تظل كبرية‬ ‫بشكل كبري‬ ‫احلرارة على‬
‫لدرجة أن املادة‬ ‫املقاومة‬
‫الصلبة تنصهر قبل أن‬
‫تصبح موصلة‬
‫جدول ‪1-1‬‬
‫‪18‬‬
‫التوصيل يف البلورات أشباه املوصالت‪:‬‬

‫ميكن زيادة موصلية أشباه املوصالت النقية وذلك بإضافة شوائب مخاسية التكافؤ أو‬
‫بإضافة شوائب مواد ثالثية التكافؤ إىل مادة شبه املوصل النقي بعناية ومبعدل مسيطر عليه‪.‬‬
‫حيث تكون نسبة الشوائب املضافة حوالي ذرة لكل مليون ذرة من السيليكون أو اجلرمانيوم‪.‬‬
‫تصنف أشباه املوصالت إىل نوعني هما ‪:‬‬
‫‪ -1‬الوصلة الشائبة من النوع ‪:)N-Type Semiconductor( N‬‬

‫عند إضافة شوائب حتتوي على مخسة إلكرتونات يف مدارها األخري إىل مادة شبه موصلة‪ .‬فإن‬
‫شبه املوصل يكتسب موصلية إضافية تعرف باملوصلية اإللكرتونية وذلك لوجود إلكرتون زائد‬
‫عند عملية الرتابط التساهمي ألن ذرة السيليكون أو اجلرمانيوم ال حتتاج إال ألربعة إلكرتونات‬
‫فقط فيصبح اإللكرتون اخلامس للشائبة حرا‪ ،‬وكنتيجة للعملية السابقة تظهر كمية من‬
‫اإللكرتونات احلرة عددها مساو لعدد ذرات املادة الشائبة الداخلة يف عملية التطعيم ‪ ،‬ويدعى‬
‫هذا النوع من الشوائب اخلماسية التكافؤ بالشوائب املاحنة(‪.)Donor Impurity‬‬
‫حيث متنح الذرة الشائبة إلكرتون ًا من إلكرتوناتها اخلمسة ليشرتك يف عملية التوصيل‬
‫الكهربائي كما هو موضح يف الشكل ‪ 5-1‬الذي يوضح ذلك‪.‬‬
‫شكل ‪5-1‬‬
‫‪19‬‬
‫‪ -2‬الوصلة الشائبة من النوع ‪:)P-Type Semiconductor( P‬‬

‫عند إضافة شوائب حتتوي يف مدارها األخري على ثالثة إلكرتونات إىل السيليكون أو‬
‫اجلرمانيوم ‪ .‬فإن اإللكرتونات الثالثة للمادة الشائبة ترتبط مع ذرات السيليكون أو اجلرمانيوم‬
‫بروابط تساهمية بينما تبقى الرابطة الرابعة غري مكتملة مما يؤدي إىل تكون فجوة (‪. )Hole‬‬
‫عندما تكتسب إلكرتوناً من الذرة الرابعة للسيليكون أو اجلرمانيوم لذلك تسمى بالشوائب‬
‫الكاسبة (‪.)Acceptor‬‬
‫والشكل ‪ 6-1‬يبني شبكة بلورة شبه موصل من النوع ‪.P‬‬
‫شكل ‪6-1‬‬
‫وصلة ‪ P-N‬عنصر الثنائي وأطرافه‪:‬‬
‫اآلن سندرس ماذا حيدث عند توصيل وصلتني إحداهما من النوع السالب ( ‪ ) N‬واألخرى‬
‫من النوع املوجب )‪ )P‬كما هو موضح بالشكل ‪.7-1‬‬
‫تركيب الثنائي‪:‬‬
‫شكل ‪7-1‬‬
‫‪20‬‬
‫الرمز اإللكرتوني‪:‬‬
‫شكل ‪8-1‬‬
‫كما هو موضح بالشكل (‪ )8-1‬الرمز اإللكرتوني للثنائي والذي يتكون من طرفني هما‪:‬‬
‫‪ . 1‬اآلنود (املصعد) ‪.Anode‬‬
‫‪ . 2‬الكاثود (املهبط) ‪.Cathode‬‬
‫شكل ‪9-1‬‬
‫اإللكرتونات (‪: )N‬‬
‫هي جسيمات سالبة الشحنة الكهربائية‪.‬‬
‫الفجوة (‪: )P‬‬

‫عندما يرتك اإللكرتون سالب الشحنة مكاناً يصبح موجب الشحنة ويسمى فجوة‪ .‬وتعامل‬
‫الفجوة كأنها جسم له شحنة كهربائية موجبة تساوي قيمة شحنة اإللكرتون‪.‬‬
‫‪ . 1‬عند توصيل هاتني الوصلتني دون أي توصيالت خارجية كما هو موضح بالشكل (‪)9-1‬‬
‫ونتيجة لعدم الرتكيز وتساوي الشحنات على جانيب الوصلة تنتشر اإللكرتونات احلرة من‬
‫املادة( ‪ ) N‬عرب الوصلة بني املادتني لالحتاد مع الفجوات يف املادة( ‪ ( P‬قرب سطح الوصلة ‪.‬‬
‫‪ . 2‬بينما تنتشر الفجوات من املادة (‪ )P‬عرب الوصلة لالحتاد مع اإللكرتونات يف املادة (‪)N‬‬
‫قرب سطح الوصلة‪.‬‬
‫‪ . 3‬يؤدي ذلك إىل تكوين منطقة موجبة (‪ )P‬يف الشرحية )‪ (N‬لتمنع مرور الفجوات من‬
‫الوصلة (‪ )P‬إىل املادة السالبة (‪.)N‬‬
‫‪21‬‬
‫االحنياز األمامي واالحنياز العكسي‪:‬‬
‫االحنياز األمامي (‪:)Forward Bias‬‬ ‫‪. 1‬‬

‫عند توصيل ثنائي الوصلة (‪ )p-n‬ببطارية حبيث يكون الطرف (‪)P‬للثنائي الذي يسمى (اآلنود)‬
‫(‪ )Anood‬موصال مع القطب املوجب للبطارية والطرف(‪ )N‬للثنائي الذي يسمى‬
‫(الكاثود)(‪ )Cathode‬موصال بالقطب السالب للبطارية كما هو موضح بالشكل ‪.10-1‬‬
‫أ) على أساس القوى املتبادلة بني الشحنات الذي ينص على أن الشحنات املختلفة تتجاذب‬
‫واملتشابهة تتنافر فإن هناك قوة تنافر بني القطب السالب(‪( )N‬اإللكرتونات) والقطب‬
‫املوجب(‪( )P‬الفجوات) مما يدفع اإللكرتونات والفجوات إىل منطقة االستنزاف وكنتيجة‬
‫لذلك تضيق منطقة االستنزاف‪.‬‬
‫ب) بالتالي لكي مير التيار عرب الثنائي فإنه جيب أن تكون قيمة اجلهد املطبق يف هذه حالة‬
‫االحنياز األمامي أكرب من قيمة جهد احلاجز‪ .‬وختتلف قيمة جهد احلاجز باختالف نوع‬
‫الثنائي‪.‬‬
‫ج) الثنائي املصنوع من السيليكون تكون قيمة اجلهد احلاجز له (‪ )0.7V‬أما يف حالة الثنائي‬
‫املصنوع من اجلرمانيوم فإن قيمة اجلهد احلاجز تكون(‪ )0.3V‬لذا فإن عرض منطقة‬
‫االستنزاف سوف يقل إىل احلد الذي يسمح به لإللكرتونات أن تتحرك من القطب السالب‬
‫للبطارية إىل القطب املوجب عرب الثنائي وعندها يعرب تيار كبري وتكون مقاومة الثنائي‬
‫صغرية جداً‪.‬‬
‫شكل ‪10-1‬‬
‫‪22‬‬
‫‪ .2‬االحنياز العكسي ) ‪: ( Reverse Bias‬‬
‫أ) الشكل ‪ 11-1‬يوضح توصيل الثنائي يف حالة احنياز عكسي حيث القطب السالب موصل‬
‫مع طرف (املصعد ) (‪ )A‬والقطب املوجب موصل مع طرف (املهبط) (‪.)K‬‬
‫ب) القطب السالب جيذب الفجوات يف املنطقة املوجبة إىل خارج منطقة االستنزاف والقطب‬
‫املوجب جيذب اإللكرتونات املوجودة يف الوصلة(‪ )n‬إىل خارج منطقة االستنزاف مما يؤدي‬
‫إىل زيادة منطقة االستنزاف (املنطقة اخلالية من الشحنات)‪.‬‬
‫ج) وبذلك تزيد مقاومة الثنائي ملرور التيار إىل درجة كبرية وعندها ال مير تيار اال تياراً صغري‬
‫جداً يسمى تيار التسريب العكسي الناتج عن انتشار حامالت الشحنة األقلية حيث إن‬
‫اإللكرتونات يف الوصلة (‪)p‬والفجوات يف الوصلة (‪ )n‬هما حامالت األقلية‪.‬‬
‫شكل ‪11-1‬‬
‫منحنى اخلصائص للثنائي‪:‬‬

‫يبني الشكل ‪12-1‬منحنى اخلصائص للثنائي املصنوع من السيليكون (‪ )Si‬واجلرمانيوم (‪.)Ge‬‬
‫ويعرف منحنى اخلصائص للثنائي على أنه العالقة بني التيار املار من خالل الثنائي وبني اجلهد‬
‫املطبق على طرفيه يف حالة االحنياز األمامي والعكسي‪.‬‬
‫أ) نالحظ يف اجلانب األمين العلوي من املنحنى أنه يكون اجلهد املار بالطرف املوجب املتصل‬
‫باآلنود والطرف السالب املتصل بالكاثود وبذلك يكون الثنائي يف حالة االحنياز األمامي‬
‫وبزيادة اجلهد األمامي يزيد التيار األمامي وتكون املقاومة األمامية للثنائي صغرية جداً‬
‫ويرمز له (‪.)Rf‬‬
‫‪23‬‬
‫ب) أما يف اجلانب األيسر السفلي نالحظ أن اجلهد املار بالطرف املوجب املتصل بالكاثود‬
‫والطرف السالب املتصل باآلنود أي أن الثنائي يف حالة احنياز عكسي‪.‬‬
‫ج) يكون تيار التشبع العكسي ثابت القيمة والتتغري قيمته بزيادة اجلهد العكسي وتكون‬
‫قيمته صغرية باملايكرو أو بالنانو أمبري وتكون مقاومة الثنائي يف االحنياز العكسي‬
‫كبرية جداً إذا ما قورنت باملقاومة األمامية للثنائي ويرمز له (‪. )Rr‬‬
‫شكل ‪12-1‬‬
‫خط احلمل ونقطة التشغيل‪:‬‬

‫لتعيني خط احلمل ونقطة التشغيل جيب دراسة الدائرة املبينة بالشكل ‪13-1‬‬
‫شكل ‪13-1‬‬
‫عند تطبيق قانون كريشوف للجهود على هذه الدائرة حنصل على العالقة اآلتية‪:‬‬
‫(‪)1-1‬‬
‫‪Vi = VD + ID R L‬‬
‫‪24‬‬
‫وحيث إن هذه العالقة ال تكفي لتحديد قيمة كل من ‪ ID‬و ‪ VD‬ألنها حتتوي على جمهولني لذا‬
‫فإننا سوف نستخدم عالقة أخرى بني كل من ‪ ID‬و ‪ VD‬وهي منحنى اخلواص للثنائي واملوضح‬
‫بالشكل ‪.14-1‬‬
‫ولرسم خط احلمل املعطى باملعادلة (‪ ) 1-1‬على منحنى اخلواص للثنائي واملوضح بالشكل ‪-1‬‬
‫‪،14‬نالحظ أن هذا اخلط يتقاطع مع احملور الرأسي والذي ميثل ‪ ID‬عندما يكون فرق اجلهد‬
‫املطبق على الثنائي ‪ Vi = 0‬أي عندما يكون‬
‫‪ID = VI /R L‬‬ ‫(‪)2-1‬‬
‫كما يتقاطع خط احلمل مع احملور االفقي والذي ميثل ‪ VD‬عندما يكون التيار املار يف الثنائي‬
‫‪ ID = 0‬أي عندما يكون‪:‬‬
‫‪VD = Vi‬‬ ‫(‪)3-1‬‬
‫شكل ‪14-1‬‬
‫نالحظ أن خط احلمل يتقاطع مع منحنى اخلواص عند النقطة ‪ Q‬اليت يطلق عليها نقطة التشغيل‬
‫وعند هذه النقطة ميكن حتديد قيمة التيار املار يف الدائرة وقيمة فرق اجلهد الواقع على الثنائي‬
‫كما ميكن إجياد قيمة فرق اجلهد الواقع على مقاومة احلمل بالعالقة التالية‪:‬‬
‫‪VL = R L ID = Vi − VD‬‬ ‫(‪)4-1‬‬
‫مثال تطبيقي‪: 1-1‬‬
‫بالنسبة للدائرة املبينة بالشكل ‪ 13-1‬إذا كانت قيمة ‪ R L = 50Ω‬و‪ Vi = 1.5V‬أوجد قيمة‬
‫التيار املار يف الدائرة وكذلك فرق اجلهد الواقع على مقاومة احلمل علماً بأن منحنى اخلواص‬
‫للثنائي كما هو موضح بالشكل (‪.)15-1‬‬
‫احلل‪:‬‬
‫بالتعويض عن قيمة كل من ‪ Vi‬و ‪ R L‬يف املعادلة (‪)2-1‬فإن نقطة تقاطع خط احلمل مع حمور‬
‫التيار تكون عند ‪:‬‬
‫‪25‬‬
‫‪VI‬‬ ‫‪1.5V‬‬
‫= ‪ID‬‬ ‫=‬ ‫‪= 30mA‬‬
‫‪RL‬‬ ‫‪50Ω‬‬
‫والتعويض عن قيمة ‪ Vi‬يف املعادلة (‪ )3-1‬فإن تقاطع خط احلمل مع حمور اجلهد تكون عند‪:‬‬
‫‪VD = Vi = 1.5v‬‬
‫من تقاطع خط احلمل مع منحنى اخلواص ميكن حتديد نقطة التشغيل ‪ Q‬ومن إحداثيات هذه‬
‫النقطة ميكن معرفة قيمة التيار 𝑄𝐷𝐼 املار يف الدائرة وتساوي ‪ 1.5mA‬وقيمة فرق اجلهد الواقع‬
‫على الثنائي 𝑄𝐷𝑉 يساوي ‪ 0.75V‬أما قيمة اجلهد 𝐿𝑉 الواقع على مقاومة احلمل فيمكن‬
‫استنتاجها من املعادلة (‪)4-1‬‬
‫‪VL = Vi − VD = 1.5V − 0.75V = 0.75V‬‬
‫شكل ‪15-1‬‬
‫فحص الثنائي‪:‬‬
‫اختبار وفحص الثنائي باستخدام جهاز االفوميرت الرقمي‪:‬‬
‫)‪.‬‬ ‫اخرت على جهاز االفوميرت وضع (‬ ‫‪. 1‬‬

‫اخترب جمسي جهاز القياس األمحر واألسود بعمل قصر بينهما وتأكد أن‬ ‫‪. 2‬‬
‫اجلهد تقريباً يساوي صفراً‪.‬‬
‫ضع جمسي جهاز القياس على طريف الثنائي فإذا كانت قراءة اجلهاز (‪)OL‬‬ ‫‪. 3‬‬
‫كما يف الشكل( ‪ )16-1‬عندئذ بدل جمسي جهاز القياس على طريف الثنائي كما يف‬
‫الشكل( ‪ .)17-1‬وإذا أعطى اجلهاز قراءة مابني (‪)0.7V -0.5V‬‬
‫‪26‬‬
‫تقريبا ًيدل هذا أن الثنائي سليم ومصنع من السيليكون ‪.‬‬
‫شكل ‪16-1‬‬
‫شكل ‪17-1‬‬
‫إذا كانت قراءة اجلهاز ترتاوح مابني (‪ )0.3V-0.2V‬فيدل هذا أن الثنائي مصنوع‬ ‫‪. 4‬‬
‫من اجلرمانيوم‪.‬‬
‫إذا أعطى اجلهاز قراءة (‪ ) Open Loop()OL‬يف كال الوضعني أو أعطى صفراً‬ ‫‪. 5‬‬
‫تقريباً فيدل هنا على أن العنصر تالف‪.‬‬
‫فحص الثنائي باستخدام جهاز االفوميرت الرقمي على وضع األوم ‪:‬‬
‫‪ .1‬ضع اجملس األمحر جلهاز االفوميرت على طرف اآلنود واجملس األسود على طرف الكاثود‬
‫(احنياز أمامي) جيب أن تكون القراءة مقاومة كبرية جداً بامليجا أوم كما يف الشكل‬
‫‪18-1‬‬
‫‪27‬‬
‫شكل ‪18-1‬‬
‫‪ .2‬ضع اجملس األمحر على الكاثود واجملس األسود عل اآلنود (احنياز عكسي)جيب أن‬
‫تكون النتيجة كما هو موضح بالشكل ‪OL-(Open loop)19-1‬‬
‫شكل ‪19-1‬‬
‫‪28‬‬
‫قائمة متارين الوحدة األوىل (الثنائي)‪:‬‬
‫التمرين األول ‪ :‬جتربة لفحص الثنائي وحتديد أطرافه‪.‬‬
‫التمرين الثاني‪ :‬جتربة لدراسة سلوك الثنائي يف التيار املستمر وحتديد االحنياز‪.‬‬
‫التمرين الثالث‪ :‬جتربة لرسم منحنى اخلصائص للثنائي‪.‬‬
‫التمرين األول‪:‬‬
‫جتربة‪ :‬فحص الثنائي وحتديد أطرافه‪.‬‬
‫املطلوب‪:‬‬
‫‪ ‬فحص الثنائي بإشكاله املختلفة وكذلك حتديد أطرافه‪.‬‬
‫العدد واألدوات املستخدمة‪:‬‬

‫‪ ‬جهاز قياس األفوميرت الرقمي )‪.(A.V.O‬‬
‫‪ ‬ثنائيات خمتلفة األشكال واألنواع واألحجام (كما هو موضح بالصورة)‪.‬‬
‫خطوات التنفيذ‪:‬‬
‫‪ ‬ضع األفوميرت على تدريج األوم ‪.‬‬
‫‪ ‬افحص جمموعة الثنائيات املوضحة بالصورة أعاله (أو أي ثنائيات أخرى حيددها‬
‫املدرب )‪.‬‬
‫‪29‬‬
‫‪ ‬حدد بالنظر أطراف الثنائيات (اآلنود ‪ -‬الكاثود ) املوضحة بالصورة أعاله‪ .‬سجل‬
‫قراءة املقاومة األمامية والعكسية باستخدام األفوميرت للثنائيات اليت أمامك كما‬
‫هو موضح بالصورة‪.‬‬
‫‪ ‬أكمل اجلدول التالي ‪:‬‬

‫صالحية الثنائي‬ ‫املقاومة العكسية‬ ‫املقاومة األمامية‬ ‫الثنائي‬
‫‪ ‬ماذا تستنتج من النتائج املوضحة باجلدول ؟‬
‫‪30‬‬
‫التمرين الثاني‪:‬‬
‫جتربة ‪ :‬دراسة سلوك الثنائي يف التيار املستمر وحتديد االحنياز‪.‬‬
‫شكل ‪2‬‬ ‫شكل ‪1‬‬
‫‪ ‬دراسة خصائص الثنائي (السيليكون أو اجلرمانيوم ) وقياس اجلهد والتيار بالثنائي‬
‫وكذلك حتديد حالة االحنياز‪.‬‬
‫العدد واألدوات واألجهزة املستخدمة‪:‬‬

‫‪ ‬عدد (‪ )1‬مصدر قدرة مستمر ‪.‬‬
‫‪ ‬عدد (‪ )1‬جهاز قياس رقمي )‪.(A.V.O‬‬
‫‪ ‬عدد (‪ )1‬لوحة توصيل ‪.‬‬
‫‪ ‬عدد (‪ )2‬جهاز افوميرت لقياس اجلهد والتيار‪.‬‬
‫‪ ‬عدد (‪ )1‬مقاومة ثابتة ‪. 220Ω‬‬
‫‪ ‬عدد (‪ )1‬ثنائي السيليكون ‪.IN4007‬‬
‫‪ ‬عدد (‪ )1‬مقاومة متغرية ‪ 1KΩ‬أو ‪ 4.7KΩ‬أو ‪.10KΩ‬‬
‫‪ ‬يف حالة االحنياز األمامي‪:‬‬
‫‪ .1‬وصل الدائرة كما هو موضح بالشكل ‪.1‬‬
‫‪ .2‬اضبط مصدر اجلهد املستمر على ‪. 2V‬‬
‫‪ .3‬أكمل اجلدول التالي وذلك بقياس الكميات املطلوبة‪.‬‬
‫‪31‬‬
‫𝑓𝑉‬ ‫‪0.1‬‬ ‫‪0.2‬‬ ‫‪0.3‬‬ ‫‪0.4‬‬ ‫‪0.5‬‬ ‫‪0.6‬‬ ‫‪0.7‬‬ ‫‪0.8‬‬ ‫‪V‬‬
‫𝑓𝐼‬ ‫‪mA‬‬
‫‪ ‬يف حالة االحنياز العكسي‪:‬‬

‫‪ .1‬وصل الدائرة كما هو موضح بالشكل ‪.2‬‬
‫𝑟𝑉‬ ‫‪2‬‬ ‫‪4‬‬ ‫‪6‬‬ ‫‪8‬‬ ‫‪10‬‬ ‫‪12‬‬ ‫‪14‬‬ ‫‪16‬‬ ‫‪18‬‬ ‫‪20‬‬ ‫‪V‬‬
‫‪Ir‬‬ ‫‪µA‬‬
‫‪ ‬ماذا تستنتج من النتائج يف اجلدول يف حالة االحنياز األمامي ؟‬
‫‪ ‬ماذا تستنتج من النتائج املسجلة يف اجلدول يف حالة االحنياز العكسي ؟‬
‫‪32‬‬
‫التمرين الثالث‪:‬‬
‫جتربة ‪ :‬رسم منحنى اخلصائص للثنائي‪.‬‬
‫رسم منحنى اخلصائص للثنائي‪.‬‬

‫‪ ‬مصدر قدرة مستمر ‪.‬‬
‫‪ ‬عدد (‪ )1‬جهاز قياس رقمي )‪.(A.V.O‬‬
‫‪ ‬عدد (‪ )2‬جهاز افوميرت لقياس اجلهد والتيار‪.‬‬
‫‪ ‬عدد (‪ )1‬ثنائي من السيليكون ‪.IN4007‬‬
‫‪ ‬عدد (‪ )1‬مقاومة متغرية ‪ 1KΩ‬أو ‪ 4.7KΩ‬أو ‪.10KΩ‬‬
‫‪ .1‬وصل الدائرة كما هو موضح بالشكل السابق‪.‬‬
‫‪Vf‬‬ ‫‪0.1‬‬ ‫‪0.2‬‬ ‫‪0.3‬‬ ‫‪0.4‬‬ ‫‪0.5‬‬ ‫‪0.6‬‬ ‫‪0.7‬‬ ‫‪0.8‬‬ ‫‪V‬‬
‫‪If‬‬ ‫‪mA‬‬
‫‪33‬‬
‫‪ .4‬من خالل القراءة املوضحة باجلدول ميكنك رسم منحنى اخلصائص للثنائي ‪.‬‬
‫‪34‬‬
‫متارين الوحدة‬
‫س‪ :1‬تصنف املواد من حيث توصيلها إىل‪:‬‬

‫مثال عليها‪:‬‬ ‫‪-1‬‬
‫س‪ :2‬ارسم الرمز اإللكرتوني للثنائي ‪ .‬وكذلك الرتكيب الداخلي ‪.‬‬
‫س‪ :3‬وضح بالرسم االحنياز األمامي والعكسي للثنائي ‪.‬‬
‫س‪ :4‬وضح كيف يتم فحص الثنائي مستعيناً جبهاز القياس االفوميرت ‪.‬‬
‫س‪ :5‬إذا كان جهد الدخل للدائرة أعاله هو ‪ Vi= 2V‬ومقاومة اخلرج ‪ RL=100Ω‬احسب‪:‬‬
‫التيار املار بالدائرة ‪.‬‬ ‫‪. 1‬‬
‫فرق اجلهد على مقاومة اخلرج ‪.‬‬ ‫‪. 2‬‬
‫‪35‬‬
‫منوذج تقييم املتدرب ملستوى أدائه‬

‫يعبأ من قبل املتدرب نفسه وذلك بعد االنتهاء من متارين الوحدة‬
‫بعد االنتهاء من التدرب على وحدة ‪.‬الثنائي‪ ،‬قيم نفسك وقدراتك بواســـطة إكمال هذا‬
‫التقييم الذاتي بعد كل عنصر من العناصر املذكورة‪ ،‬وذلك بوضع عـــــالمة (‪ )‬أمام مستوى‬
‫األداء الذي أتقنته‪ ،‬ويف حالة عدم قابلية املهمة للتطبيق ضع العالمة يف اخلانة اخلاصة بذلك‪.‬‬
‫مستوى األداء (هل أتقنت األداء)‬
‫غري قابل‬ ‫العناصـــــر‬ ‫م‬
‫كليا‬ ‫جزئيا‬ ‫ال‬
‫للتطبيق‬
‫التعرف على تصنيف املواد من حيث توصيلها للتيار‬ ‫‪1‬‬

‫التعرف على الرتكيب الداخلي للثنائي‬ ‫‪2‬‬
‫التعرف على طريقة عمل الثنائي يف حالة االحنياز‬ ‫‪3‬‬
‫األمامي والعكسي‬
‫التعرف على الطريقة الصحيحة يف عملية فحص الثنائي‬ ‫‪4‬‬
‫القدرة على رسم منحنى اخلصائص للثنائي‬ ‫‪5‬‬
‫التقيد بالسلوك املهين السليم واحلرص على اتباع أصول‬ ‫‪6‬‬
‫األمن والسالمة أثناء التطبيق ملفردات هذه الوحدة‬
‫جيب أن تصل النتيجة جلميع املفردات (البنود) املذكورة إىل درجة اإلتقان الكلي أو أنها‬
‫غري قابلة للتطبيق‪ ،‬ويف حالة وجود مفردة يف القائمة "ال" أو "جزئيا" فيجب إعادة التدرب على‬
‫هذا النشاط مرة أخرى مبساعدة املدرب‪.‬‬
‫‪36‬‬
‫منوذج تقييم املدرب ملستوى أداء املتدرب‬

‫يعبأ من قبل املدرب وذلك بعد االنتهاء من متارين الوحدة األوىل (الثنائي)‬
‫التاريخ‪................................ :‬‬ ‫اسم املتدرب ‪................................................................. :‬‬
‫‪3‬‬ ‫‪2‬‬ ‫‪1‬‬ ‫احملاولة ‪:‬‬
‫رقم املتدرب ‪................................................................. :‬‬
‫العالمة ‪...... ...... ...... :‬‬
‫كل بند أو مفردة يقيم بـ ‪ 10‬نقاط‬
‫احلد األدنى‪ :‬ما يعادل ‪ %80‬من جمموع النقاط‪ .‬احلد األعلى‪ :‬ما يعادل ‪ %100‬من جمموع النقاط‪.‬‬
‫النقاط ( حسب رقم احملاوالت )‬ ‫م‬
‫بنود التقييم‬
‫‪4‬‬ ‫‪3‬‬ ‫‪2‬‬ ‫‪1‬‬
‫‪ 1‬التعرف على تصنيف املواد من حيث توصيلها للتيار‬
‫‪ 2‬التعرف على الرتكيب الداخلي للثنائي‬
‫‪ 3‬التعرف على طريقة عمل الثنائي يف حالة االحنياز‬
‫األمامي والعكسي‬
‫‪ 4‬التعرف على الطريقة الصحيحة يف عملية فحص الثنائي‬
‫‪ 5‬القدرة على رسم منحنى اخلصائص للثنائي‬
‫‪ 6‬التقيد بالسلوك املهين السليم واحلرص على اتباع أصول‬
‫اجملموع‬
‫ملحوظات‪:‬‬
‫توقيع املدرب‪............................. :‬‬
‫‪37‬‬
‫الوحدة الثانية‬
‫الدوائر الثنايئ‬
‫‪38‬‬
‫دوائر الثنائي‬
‫تهدف هذه الوحدة إىل معرفة أنواع الدوائر والتطبيقات املستخدمة يف الثنائي العادي‬
‫وكذلك معرفة طريقة عمل هذه الدوائر والتطبيقات‪.‬‬
‫‪ . 1‬يتعرف على طريقة تصميم دوائر توحيد نصف املوجة باستخدام الثنائي‪.‬‬
‫‪ . 2‬يشاهد تأثري عمل املكثف على دوائر توحيد نصف املوجة‪.‬‬
‫‪ . 3‬يصمم دوائر توحيد املوجة الكاملة باستخدام ثنائيني وحمول ذي نقطة املنتصف‪.‬‬
‫‪ . 4‬يتقن طريقة فحص الثنائي باستخدام االفوميرت‪.‬‬
‫‪ . 5‬يوضح شكل اإلشارة جلهد الدخل واخلرج لدوائر التوحيد مبختلف أنواعها‪.‬‬
‫‪ . 6‬يفرق بني دوائر مضاعفات اجلهود‪.‬‬
‫‪ - 3‬جهاز قياس متعدد األغراض (ملتميرت)( ‪.) Multimeter‬‬
‫‪39‬‬
‫عندما نقوم بتخفيض جهد املنبع الرئيسي املرتدد ‪ 220V‬بواسطة حمول إىل جهد منخفض مناسب‬
‫(مثالً ‪ ) 12V‬مرتدد ‪ .‬فإننا نواجه مشكلة نامجة عن كون معظم الدوائر اإللكرتونية التعمل‬
‫على التيار املرتدد وإمنا حتتاج إىل تيار مستمر ‪ DC‬مثل التيار الذي حنصل عليه من البطارية أو‬
‫مصدر القدرة املستمر‪ .‬وتبنى املرحلة الثانية وهي حتويل التيار املتغري ‪ AC‬إىل تيار مستمر ‪DC‬‬
‫ولذلك سوف ندرس عدة حاالت من دوائر توحيد التيار املرتدد وهي من استخدامات الثنائي‪.‬‬
‫توحيد نصف موجة‪:)Half Wave Rectification( :‬‬
‫‪ ‬الدائرة النظرية‪:‬‬
‫شكل ‪1-2‬‬
‫‪ ‬شرح الدائرة النظرية‪:‬‬
‫الشكل ‪ 1-2‬يوضح دائرة توحيد نصف موجة باستخدام ثنائي واحد فقط ‪ .‬ونالحظ أن التيار‬
‫مير يف الثنائي وكذلك مقاومة احلمل أثناء النصف املوجب من موجة الدخل للجهد املرتدد وذلك‬
‫عندما يكون الثنائي يف وضع االحنياز األمامي حيث تكون مقاومة الثنائي صغرية جدا‬
‫وينخفض التيار ويكاد يتالشى أثناء النصف السالب للموجة ألن الثنائي يكون يف وضع احنياز‬
‫عكسي يف حني أن مقاومة الثنائي مرتفعة جداً بالنسبة ملقاومة احلمل‪.‬‬
‫ولذلك يف النصف املوجب من املوجة يكون اجلهد املوجب على مقاومة احلمل يكاد يصل إىل‬
‫أعلى قيمة موجبة جلهد املنبع ويف النصف السالب فإن اجلهد على احلمل يكون حوالي صفرا‬
‫ويوضح الشكل‪ 2-2‬شكل موجة الدخل للدائرة‪.‬‬
‫‪40‬‬
‫شكل ‪2-2‬‬
‫والشكل ‪ 3-2‬يوضح شكل إشارة اخلرج للدائرة ‪.‬‬
‫شكل ‪3-2‬‬
‫ولذلك فإن قيمة جهد القمة للخرج تساوي جهد القمة للدخل مطروحاً منها ‪ 0.7V‬واليت‬
‫يستهلكها الثنائي‪:‬‬
‫‪VP(OUT) = VP(IN) − 0.7‬‬ ‫(‪)1-2‬‬
‫والقيمة املتوسطة جلهد اخلرج هي‪:‬‬
‫)‪VP(OUT‬‬
‫= ‪VAVG‬‬
‫‪π‬‬
‫(‪)2-2‬‬
‫‪ -‬إضافة املكثف لدائرة النصف موجة للثنائي‪:‬‬
‫شكل ‪4-2‬‬
‫‪41‬‬
‫‪ ‬شرح الدائرة‪:‬‬
‫عند وصول موجة اجلهد إىل املكثف املوضح بالشكل ‪ 4-2‬يبدأ بالشحن حتى يصل اجلهد بني‬
‫طرفيه إىل القيمة العظمى ملوجة اجلهد ‪.)Vmax ( Vm‬‬
‫بالنظر إىل الشكل ‪ 5-2‬نالحظ عند اختفاء موجة اجلهد أن املكثف يبدأ يف التفريغ يف مقاومة‬
‫احلمل ‪ R L‬ويستمر يف التفريغ إىل أن تصل موجة جهد أخرى حيث يبدأ بالشحن إىل القيمة‬
‫العظمى ملوجة اجلهد ‪.‬‬
‫وكلما زادت سعة املكثف قل التموج يف موجة اجلهد‪ .‬كما هو موضح بالشكل ‪6-2‬‬
‫‪1‬‬
‫شكل ‪5-2‬‬
‫‪2‬‬
‫هنا املكثف يف حالة شحن(‪.)Charge‬‬ ‫‪- 1‬‬
‫هنا املكثف يف حالة تفريغ(‪.)Discharge‬‬ ‫‪- 2‬‬
‫شكل ‪6-2‬‬
‫ميكن حساب جهد اخلرج بني طريف املكثف عن طريق العالقة‪:‬‬
‫‪VOUT = 1.414Vrms − 0.7‬‬ ‫(‪)3-2‬‬
‫حيث إن ‪:‬‬
‫‪ : Vrms‬هي القيمة الفعالة للجهد املغذي للثنائي ‪.‬أي القيمة الفعالة جلهد امللف الثانوي للمحول‪.‬‬
‫‪ : 0.7‬قيمة هبوط اجلهد عرب الثنائي‪.‬‬
‫‪42‬‬
‫دائرة توحيد موجة كاملة باستخدام ثنائيني‪:)Full wave rectifier used two diodes( :‬‬
‫‪ ‬الدائرة النظرية ‪:‬‬

‫كما هو موضح بالشكل ‪ 7-2‬والذي يبني دائرة توحيد موجة كاملة باستخدام حمول ذي‬
‫نقطة املنتصف وثنائيني‪.‬‬
‫شكل ‪7-2‬‬
‫‪ ‬شرح عمل الدائرة‪:‬‬
‫أ) يف نصف موجة الدخل املوجبة كما هو موضح بالشكل ‪ 8-2‬يكون ‪ D1‬يف وضع‬
‫احنياز أمامي فيمر تيار ‪ID1‬إىل مقاومة احلمل ثم إىل نقطة املنتصف يف احملول ويكون‬
‫‪ D2‬يف حالة احنياز عكسي وبالتالي المير تيار أي أن ‪D1= ON, D2=OFF‬‬
‫شكل ‪8-2‬‬
‫ب) يف نصف موجة الدخل السالب يكون ‪ D2‬يف وضع احنياز عكسي و ‪ D1‬يف وضع‬
‫احنياز أمامي ومير نصف موجة الدخل السالبة من خالل ‪ D2‬ولكن يف نفس اجتاه‬
‫‪43‬‬
‫نصف موجة الدخل املوجبة مير التيار ‪ 𝐼𝐷2‬من خالل ‪ D2‬إىل مقاومة احلمل ‪ RL‬ثم‬
‫إىل نقطة الوسط للمحول كما يف الشكل ‪9-2‬‬
‫شكل ‪9-2‬‬
‫‪ ‬أشكال موجة الدخل واخلرج للدائرة‪:‬‬

‫الشكل ‪ 10-2‬يوضح شكل إشارة الدخل لدائرة التوحيد موجة كاملة باستخدام ثنائيني‬
‫وحمول ذي نقطة املنتصف‪.‬‬
‫شكل ‪10-2‬‬
‫الشكل ‪ 11-2‬يوضح شكل إشارة اخلرج لدائرة التوحيد موجة كاملة باستخدام ثنائيني‬
‫وحمول ذي نقطة املنتصف‪.‬‬
‫شكل ‪11-2‬‬
‫‪44‬‬
‫من عيوب دائرة توحيد موجة كاملة باستخدام ثنائيني وحمول ذي نقطة املنتصف‪:‬‬
‫‪ - 1‬استخدام حمول من نوع خاص ( ذو نقطة املنتصف ) وهو غالي الثمن‪.‬‬

‫‪ - 2‬يستهلك هذا النوع من احملوالت قدرة عالية ‪.‬‬
‫دائرة توحيد موجة كاملة باستخدام أربعة ثنائيات‪:)Full wave rectifier used four diodes( :‬‬
‫‪ ‬الدائرة النظرية ‪:‬‬

‫كما هو موضح بالشكل ‪ 12-2‬والذي يبني دائرة توحيد موجة كاملة باستخدام أربعة ثنائيات‪.‬‬
‫شكل ‪12-2‬‬
‫‪ ‬شرح عمل الدائرة‪:‬‬

‫أ) يف نصف موجة الدخل املوجبة يكون كل ‪ D1,D2‬يف حالة احنياز أمامي وسوف مير‬
‫التيار خالل ‪ D1‬ثم إىل مقاومة احلمل ‪ RL‬ويعود ومير من خالل ‪ D2‬ويكون كل من‬
‫‪ D3,D4‬يف وضع احنياز عكسي حبيث المير تيار ‪ .‬أي أن ‪ D1=D2=ON‬و‬
‫‪D3=D4=OFF‬كما هو موضح بالشكل ‪13-2‬‬
‫شكل ‪13-2‬‬
‫‪45‬‬
‫يف نصف موجة الدخل السالبة يكون كل من ‪D3,D4‬يف حالة احنياز أمامي ومير التيار من‬
‫خالهلما إىل مقاومة احلمل‪ RL‬ويكون ‪ D1,D2‬يف حالة احنياز عكسي حبيث ال مير تيار ‪.‬‬
‫أي أن ‪ D3=D4=ON‬و ‪ D1=D2=OFF‬كما هو موضح بالشكل ‪14-2‬‬
‫شكل ‪14-2‬‬
‫ب) بإضافة املكثف للدائرة ‪:‬‬
‫شكل ‪15-2‬‬
‫لتقليل التموج احلاصل يف إشارة اخلرج للدائرة بالشكل ‪ 15-2‬ميكن استخدام مكثف على‬
‫التوازي مع مقاومة احلمل ‪.‬‬
‫يف هذه احلالة يشحن املكثف خالل النصف املوجب جلهد الدخل ويفرغ شحنته خالل النصف‬
‫السالب جلهد الدخل وهذه العملية تسمى بتنعيم اإلشارة لذلك يسمى املكثف مبكثف التنعيم‬
‫وكلما زادت سعة املكثف زاد التنعيم يف شكل إشارة اخلرج‪.‬‬
‫‪46‬‬
‫‪-‬اشكال موجات الدخل واخلرج للدائرة‪:‬‬

‫الشكل ‪ 16-2‬يوضح شكل إشارة الدخل للدائرة‬
‫شكل ‪16-2‬‬
‫الشكل ‪ 17-2‬يوضح شكل اإلشارة خلرج الدائرة بدون املكثف‪.‬‬
‫شكل ‪17-2‬‬
‫الشكل ‪ 18-2‬يوضح شكل اإلدارة خلرج الدائرة بعد توصيل املكثف‬
‫شكل ‪18-2‬‬
‫‪47‬‬
‫دوائر مضاعفات اجلهد‪:‬‬

‫هي دوائر تستخدم للحصول على جهود من النوع املستمر تقريباً حيث إن دخل هذه الدوائر‬
‫مرتدد (متغري)‪ .‬وتستعمل هذه الدوائر يف التطبيقات اليت حتتاج إىل جهود عالية مع تيار قليل‬
‫(مقاومة محل عالية) ‪.‬‬
‫‪ ‬دائرة مضاعف اجلهد مرتني‪:‬‬
‫شكل ‪19-2‬‬
‫‪ ‬شرح الدائرة‪:‬‬
‫يف هذه الدائرة جهود مستمرة تساوي ضعف جهود الدخل ) ‪ ( 2Vp‬والشكل ‪ 19-2‬يوضح دائرة‬
‫مضاعفة اجلهد مرتني ‪.‬‬
‫والشكل ‪ 20-2‬يوضح شكل موجة دخل هذه الدائرة‪.‬‬
‫شكل ‪20-2‬‬
‫من خالل النصف موجة السالبة من موجة الدخل يكون الثنائي ‪ D1‬يف وضع احنياز أمامي‬
‫فيعمل كدائرة مغلقة كما هو موضح بالشكل ‪ ،21-2‬ويكون الثنائي ‪ D2‬يف وضع احنياز‬
‫عكسي فيعمل كدائرة مفتوحة كما هو موضح بالشكل ‪.22-2‬‬
‫‪48‬‬
‫ونتيجة لذلك يشحن املكثف ‪ C1‬عرب الثنائي ‪ D1‬ويصل إىل قمة اجلهد ‪ .‬وخالل النصف املوجب‬
‫من موجة الدخل يكون الثنائي ‪ D2‬يف وضع احنياز عكسي فيعمل كدائرة مفتوحة ‪ ،‬والثنائي‬
‫‪ D1‬يكون يف وضع احنياز أمامي فيعمل كدائرة مغلقة ‪.‬‬
‫ونظراً لوجود املكثف املشحون ‪ C1‬والذي يعترب مبثابة بطارية جهدها موصالً على التوالي مع‬
‫جهد املصدر ولذلك يتم شحن املكثف ‪ C2‬عرب الثنائي ‪ D2‬ويكون اجلهد يف هذه احلالة ضعف‬
‫احلالة السابقة(‪ )2Vm‬وبالتالي يكون جهد اخلرج للدائرة هو اجلهد املطبق على طريف املكثف‬
‫‪. C2‬والشكل ‪ 23-2‬يوضح شكل جهد اخلرج للدائرة‪.‬‬
‫شكل ‪21-2‬‬
‫شكل ‪22-2‬‬
‫شكل ‪23-2‬‬
‫‪49‬‬
‫‪ ‬حساب جهد اخلرج‪:‬‬

‫بتطبيق قانون كريشوف يف الدائرة كما هو موضح يف الشكل رقم ‪ ،22-2‬حبيث يكون‬
‫اجلهد خلرج الدائرة عرب‪: C2‬‬
‫‪VC1 - VC2 + Vp = 0‬‬
‫‪VC2 = Vp + VC1‬‬
‫وبإهمال الثنائي ‪ D2‬يصبح اجلهد على ‪: C1‬‬
‫‪VC1 = Vp‬‬
‫وبالتالي يتم حساب جهد اخلرج للدائرة عن طريق العالقة ‪:‬‬
‫(‪)4-2‬‬
‫‪Vout = VC2 = Vp + Vp = 2Vp‬‬
‫‪ ‬دائرة مضاعف اجلهد ثالث مرات‪:‬‬
‫شكل ‪24-2‬‬
‫‪ ‬شرح الدائرة النظرية‪:‬‬
‫يف هذه الدائرة جهود مستمرة تساوي ضعف جهود الدخل ) ‪ ( 3Vp‬والشكل ‪ 24-2‬يوضح دائرة‬
‫مضاعفة اجلهد ثالثة مرات ‪.‬‬
‫والشكل ‪ 25-2‬يوضح شكل موجة دخل هذه الدائرة‪.‬‬
‫‪50‬‬
‫شكل ‪25-2‬‬
‫بإضافة مكثف وثنائي لدائرة مضاعف اجلهد مرتني حنصل على دائرة مضاعف جهد ثالث‬
‫مرات كما هو موضح بالشكل ‪.26-2‬من خالل نصف املوجة السالب للدخل يكون الثنائي‬
‫يف وضع احنياز أمامي ويتم شحن املكثف ‪ C3‬من خالله (‪ )2Vp‬ويكون اجلهد هنا مضاعفا‬
‫مرتني‪ .‬ويكون جهد اخلرج هلذه الدائرة مابني طريف املكثفني ‪ C1,C3‬كما هو موضح‬
‫بالشكل ‪24-2‬‬
‫‪ ‬حساب جهد اخلرج ‪:‬‬

‫يتم حساب جهد اخلرج للدائرة عرب املكثف ‪ C1‬و ‪ C3‬كما هو موضح بالشكل رقم ‪24-2‬‬
‫بواسطة العالقة التالية‪:‬‬
‫حيث إن اجلهد على ‪: C1‬‬
‫‪VC1 = Vp‬‬
‫واجلهد على ‪: C3‬‬
‫‪VC3 =2Vp‬‬
‫وبالتالي ميكن حساب جهد اخلرج للدائرة بواسطة العالقة ‪:‬‬
‫‪Vout = VC1+ VC3= Vp+2Vp=2Vp‬‬ ‫(‪)5-2‬‬
‫‪51‬‬
‫قائمة متارين الوحدة الثانية (دوائر الثنائي)‪:‬‬
‫التمرين األول‪ :‬جتربة لدائرة موحد نصف موجة‪.‬‬
‫التمرين الثاني‪ :‬جتربة لدائرة موحد موجة كاملة باستخدام حمول ذي نقطة املنتصف‪.‬‬
‫التمرين الثالث‪ :‬جتربة لدائرة موحد موجة كاملة باستخدام أربعة ثنائيات‪.‬‬
‫التمرين الرابع‪ :‬جتربة مضاعف جهد ثنائي‪.‬‬
‫التمرين اخلامس‪ :‬جتربة مضاعف جهد ثالثي‪.‬‬
‫‪52‬‬
‫جتربة ‪ :‬دائرة توحيد نصف موجة‪.‬‬
‫‪ ‬توصيل دائرة موحد نصف موجة مع مقاومة محل ومكثف لتنعيم اخلرج ثم رسم شكل‬
‫موجة اخلرج مع مكثف التنعيم وبدون مكثف التنعيم‪.‬‬
‫األجهزة والعدد واألدوات املستخدمة‪:‬‬

‫‪ ‬عدد (‪ )1‬راسم إشارة (أوسليسكوب) بقناتني ‪.‬‬
‫‪ ‬عدد (‪ )1‬جهاز قياس متعدد األغراض االفوميرت‪.‬‬
‫‪ ‬عدد (‪ )1‬مكثف كيميائي ‪.10µF‬‬
‫‪ ‬عدد (‪ )1‬ثنائي سيليكون ‪. IN4007‬‬
‫‪ ‬عدد (‪ )1‬مصدر قدرة متغري ‪.‬‬
‫‪53‬‬
‫‪ . 1‬وصل الدائرة كما هو موضح أعاله ‪.‬‬
‫‪ . 2‬من لوحة التجارب وصل الدائرة باملصدر املرتدد ‪. 9V‬‬
‫‪ . 3‬اعرض موجة الدخل على راسم اإلشارة وارسم اإلشارة‪.‬‬
‫‪ . 4‬استنتج من الرسم القيم التالية( جهد القمة للقمة ‪ - Vpp‬الرتدد ‪ - f‬الزمن الدوري ‪.)T‬‬
‫‪ . 5‬اعرض موجة اخلرج على راسم اإلشارة وارسم اإلشارة‪ .‬بدون توصيل املكثف‪.‬‬
‫‪ . 6‬استنتج من الرسم القيم التالية( جهد القمة للقمة ‪ - Vpp‬الرتدد ‪ - f‬الزمن الدوري‬
‫‪ .)T‬بدون توصيل املكثف‪.‬‬
‫‪ . 7‬وصل مكثف التنعيم للدائرة على التوازي مع مقاومة احلمل كما هو موضح‬
‫بالشكل ‪ 27-2‬وارسم شكل إشارة اخلرج‪.‬‬
‫‪ . 8‬ماذا تالحظ على شكل إشارة اخلرج بعد توصيل مكثف التنعيم‪.‬‬
‫‪ ‬ارسم شكل موجة الدخل‪:‬‬
‫‪ ‬من الرسم أوجد ‪:‬‬

‫‪1- Vpp = ………………… V‬‬
‫‪2- T = ……………………. S‬‬
‫‪3- f= ………………………. HZ‬‬
‫‪54‬‬
‫‪ ‬ارسم شكل موجة اخلرج‪( :‬بدون مكثف التنعيم)‬

‫‪1- Vpp =………….. V‬‬
‫‪2- f =……………… HZ‬‬
‫‪3- T=…………….. S‬‬
‫‪ ‬اكتب الفرق بني إشارة الدخل واخلرج‪.‬‬
‫‪..............................................................................................................................................‬‬
‫‪..............................................................................................................................................‬‬
‫‪55‬‬
‫‪ ‬ارسم شكل إشارة اخلرج مع توصيل مكثف التنعيم‪:‬‬
‫‪ ‬ماذا تالحظ بني شكل إشارة اخلرج بدون توصيل مكثف التنعيم وشكل إشارة اخلرج‬
‫بعد توصيل مكثف التنعيم ؟‬
‫‪..........................................................................................................‬‬
‫‪..........................................................................................................‬‬
‫‪.......................................................................................................‬‬
‫‪56‬‬
‫جتربة ‪ :‬دائرة موحد موجة كاملة باستخدام حمول ذي نقطة منتصف‪.‬‬
‫‪ ‬توصيل دائرة موحد موجة كاملة مع حمول ذي نقطة املنتصف ومقاومة محل ومكثف‬
‫لتنعيم اخلرج ثم رسم شكل موجة اخلرج مع مكثف التنعيم وبدون مكثف التنعيم‪.‬‬

‫‪57‬‬
‫خطوات التنفيذ ‪:‬‬

‫‪ . 1‬وصل الدائرة كما هو موضح أعاله ‪.‬‬
‫‪.)T‬‬
‫‪ .)T‬بدون توصيل املكثف‪.‬‬
‫‪ . 7‬وصل مكثف التنعيم للدائرة على التوازي مع مقاومة احلمل كما هو موضح‬
‫بالشكل ‪ 28-2‬وارسم شكل إشارة اخلرج‪.‬‬

‫‪1- Vpp = ………………… V‬‬
‫‪58‬‬
‫‪2- T = ……………………. S‬‬

‫‪3- f= ………………………. HZ‬‬

‫‪1- Vpp =………….. V‬‬
‫‪2- f =……………… HZ‬‬
‫‪3- T=…………….. S‬‬
‫‪..............................................................................................................................................‬‬
‫‪..............................................................................................................................................‬‬
‫‪59‬‬
‫‪..............................................................................................................................................‬‬
‫‪..............................................................................................................................................‬‬
‫‪60‬‬
‫جتربة ‪ :‬دائرة موحد موجة كاملة باستخدام أربع ثنائيات‪.‬‬
‫‪ ‬توصيل دائرة موحد موجة كاملة مع أربع ثنائيات ومقاومة محل ومكثف لتنعيم اخلرج‬
‫ثم رسم شكل موجة اخلرج مع مكثف التنعيم وبدون مكثف التنعيم‪.‬‬

‫‪61‬‬

‫‪ . 1‬وصل الدائرة كما هو موضح أعاله‪.‬‬
‫بدون توصيل املكثف‪.‬‬
‫‪ . 7‬وصل مكثف التنعيم للدائرة على التوازي مع مقاومة احلمل كما هو موضح بالشكل‬
‫‪ 29-2‬وارسم شكل إشارة اخلرج‪.‬‬

‫‪1- Vpp = ………………… V‬‬
‫‪2- T = ……………………. S‬‬
‫‪3- f= ………………………. HZ‬‬
‫‪62‬‬

‫‪1- Vpp =………….. V‬‬
‫‪2- f =……………… HZ‬‬
‫‪3- T=…………….. S‬‬
‫‪..............................................................................................................................................‬‬
‫‪..............................................................................................................................................‬‬
‫‪63‬‬
‫‪..............................................................................................................................................‬‬
‫‪..............................................................................................................................................‬‬
‫‪64‬‬
‫التمرين الرابع‪:‬‬
‫جتربة ‪ :‬مضاعف جهد ثنائي‪.‬‬
‫‪ ‬توصيل دائرة مضاعف اجلهد مرتني كما هو موضح ‪.‬ثم قياس جهد اخلرج‪.‬‬

‫‪ ‬عدد ( ‪ ) 1‬لوحة توصيل‪.‬‬
‫‪ ‬عدد ( ‪ ) 1‬جهاز قياس متعدد أغراض االفوميرت‪.‬‬
‫‪ ‬عدد ( ‪ ) 1‬جهاز راسم اإلشارة (أوسيلسكوب ) ‪.‬‬
‫‪ ‬عدد ( ‪ ) 1‬جهاز مولد اإلشارة ‪.‬‬
‫‪ ‬عدد ( ‪ ) 2‬مكثف ‪. 0.1µF‬‬
‫‪ ‬عدد ( ‪ ) 2‬ثنائي سيليكوني ‪. IN4007‬‬
‫‪65‬‬

‫‪ .1‬وصل الدائرة على لوحة التوصيل كما هو موضح أعاله‪.‬‬
‫‪ .2‬ضبط جهاز مولد اإلشارة على موجة متغرية ترددها ‪ 60HZ‬وجهد دخل مبقدار ‪6 V‬‬
‫باستخدام جهاز االفوميرت ‪.‬‬
‫‪ .3‬وصل جهد الدخل واعرضه على جهاز راسم اإلشارة ‪.‬‬
‫‪ .4‬وصل جهد اخلرج واعرضه على جهاز راسم اإلشارة‪.‬‬
‫النتائج ‪:‬‬
‫‪ ‬قيمة جهد الدخل للدائرة ‪:‬‬
‫‪Vin = ……………….. V‬‬
‫‪ ‬شكل إشارة الدخل‪:‬‬
‫من خالل الرسم أوجد ‪:‬‬

‫‪1- Vp (in) = ………………….. V‬‬
‫‪2- Vpp(in) = ………………….. V‬‬
‫‪66‬‬
‫‪ ‬شكل إشارة اخلرج ‪:‬‬

‫‪1- Vp (in) = ………………….. V‬‬
‫‪2- Vpp(in) = ………………….. V‬‬
‫‪67‬‬
‫التمرين اخلامس‪:‬‬
‫جتربة‪ :‬مضاعف جهد ثالثي‪.‬‬
‫‪ ‬توصيل دائرة مضاعف اجلهد ثالثي كما هو موضح ثم قياس جهد الدخل واخلرج وإظهار‬
‫إشارات الدخل واخلرج‪.‬‬

‫‪ ‬عدد ( ‪ ) 1‬لوحة توصيل‪.‬‬
‫‪ ‬عدد ( ‪ ) 1‬جهاز قياس متعدد أغراض االفوميرت‪.‬‬
‫‪ ‬عدد ( ‪ ) 1‬جهاز راسم اإلشارة (أوسيلسكوب ) ‪.‬‬
‫‪ ‬عدد ( ‪ ) 1‬جهاز مولد اإلشارة ‪.‬‬
‫‪ ‬عدد ( ‪ ) 3‬مكثف ‪. 0.1µF‬‬
‫‪ ‬عدد ( ‪ ) 3‬ثنائي سيليكوني ‪. IN4007‬‬
‫‪68‬‬
‫‪ .1‬وصل الدائرة على لوحة التوصيل كما هو موضح أعاله‬
‫‪ .2‬ضبط جهاز مولد اإلشارة على موجة متغرية ترددها ‪ 60HZ‬وجهد دخل مبقدار ‪6 V‬‬
‫باستخدام جهاز االفوميرت ‪.‬‬
‫‪ .3‬وصل جهد الدخل واعرضه على جهاز راسم اإلشارة ‪.‬‬
‫‪ .4‬وصل جهد اخلرج واعرضه على جهاز راسم اإلشارة‪.‬‬
‫النتائج ‪:‬‬
‫‪ ‬قيمة جهد الدخل للدائرة ‪:‬‬
‫‪Vin = ……………….. V‬‬
‫‪ ‬شكل إشارة الدخل‪:‬‬

‫‪1- Vp (in) = ………………….. V‬‬
‫‪2- Vpp(in) = ………………….. V‬‬
‫‪69‬‬
‫‪ ‬شكل إشارة اخلرج ‪:‬‬

‫‪1- Vp (in) = ………………….. V‬‬
‫‪2- Vpp(in) = ………………….. V‬‬
‫‪70‬‬
‫س‪ :1‬أمامك دائرة إلكرتونية ‪:‬‬
‫املطلوب ‪:‬‬
‫‪ . 1‬اسم هذه الدائرة ‪.‬‬
‫‪ . 2‬وضح عمل العناصر التالية يف الدائرة‪:‬‬
‫‪ -1‬احملول ‪:‬‬
‫‪ -2‬الثنائيات‪:‬‬
‫‪ -3‬املكثف ‪:‬‬
‫‪ . 3‬ارسم شكل إشارة الدخل للدائرة ‪.‬‬
‫‪ . 4‬ارسم شكل إشارة اخلرج للدائرة ‪.‬‬
‫س‪ :2‬عدد عيوب استخدام احملول ذي نقطة املنتصف ‪.‬‬
‫‪71‬‬

‫بعد االنتهاء من التدرب على وحدة دوائرالثنائي‪ ،‬قيم نفسك وقدراتك بواســـطة إكمال‬
‫هذا التقييم الذاتي بعد كل عنصر من العناصر املذكورة‪ ،‬وذلك بوضع عـــــالمة (‪ )‬أمام‬
‫مستوى األداء الذي أتقنته‪ ،‬ويف حالة عدم قابلية املهمة للتطبيق ضع العالمة يف اخلانة اخلاصة‬
‫بذلك‪.‬‬
‫التعرف على الطريقة الصحيحة يف طريقة توصيل‬ ‫‪1‬‬

‫وتركيب دوائر الثنائي‬
‫القدرة على توصيل دوائر التوحيد للثنائي مبختلف‬ ‫‪2‬‬
‫أنواعها‬
‫القدرة على توصيل دوائر مضاعفات اجلهد مرتني وثالث‬ ‫‪3‬‬
‫مرات‬
‫‪72‬‬

‫يعبأ من قبل املدرب وذلك بعد االنتهاء من متارين الوحدة الثانية ‪(:‬دوائر الثنائي)‬
‫التاريخ‪................................... :‬‬ ‫اسم املتدرب ‪................................................................. :‬‬
‫‪4‬‬ ‫‪3‬‬ ‫‪2‬‬ ‫‪1‬‬ ‫احملاولة ‪:‬‬
‫رقم املتدرب ‪................................................................. :‬‬
‫العالمة ‪...... ...... ...... ...... :‬‬
‫احلد األعلى‪ :‬ما يعادل ‪ %100‬من جمموع النقاط‪.‬‬ ‫احلد األدنى‪ :‬ما يعادل ‪ %80‬من جمموع النقاط‪.‬‬
‫النقاط ( حسب رقم احملاوالت )‬
‫بنود التقييم‬ ‫م‬
‫‪4‬‬ ‫‪3‬‬ ‫‪2‬‬ ‫‪1‬‬
‫وتركيب دوائر الثنائي‬
‫القدرة على توصيل دوائر التوحيد للثنائي مبختلف‬ ‫‪2‬‬
‫أنواعها‬
‫القدرة على توصيل دوائر مضاعفات اجلهد مرتني‬ ‫‪3‬‬
‫وثالث مرات‬
‫‪.............................................................................................................................‬‬
‫توقيع املدرب‪............................. :‬‬
‫‪73‬‬
‫الوحدة الثالثة‬
‫الثنائيات الخاصة‬
‫‪74‬‬
‫الثنائيات اخلاصة‬
‫تهدف هذه الوحدة إىل معرفة خصائص وتركيب ثنائي الزينر وثنائي الفاريكاب‬
‫وتطبيقاتهما والتعمق يف التعرف على أطرافهما وفهم منحنى اخلصائص لكليهما‪.‬‬
‫‪ . 1‬يتعرف على الرمز العام والرتكيب الداخلي لثنائي الزينر والفاريكاب‪.‬‬
‫‪ . 2‬يشرح طريقة عمل ثنائي الزينر والفاريكاب بشكل صحيح‪.‬‬
‫‪ . 3‬يرسم منحنى اخلصائص لثنائي الزينر والفاريكاب بدقة‪.‬‬
‫‪ . 4‬يصمم الدوائر اخلاصة بثنائي الزينر والفاريكاب بشكل صحيح‪.‬‬
‫الوقت املتوقع للتدريب على هذه الوحدة‪ 10 :‬ساعات تدريبية‬
‫‪ - 3‬جهاز قياس متعدد األغراض (ملتميرت)( ‪.) Multimeter‬‬
‫‪75‬‬
‫ثنائي الزينر ‪: Zener Diode‬‬
‫طريقة التصنيع والرمز العام لثنائي الزينر ‪:‬‬

‫هو عبارة عن وصلة ‪ P-N‬مصنوعة من السيليكون يعمل يف منطقة االنهيار‪ ،‬حبيث اليتأثر‬
‫باالنهيار‪ .‬وهو ليس شبيها لدايود العادي الذي يتلف يف منطقة االنهيار وهلذا السبب مسي بدايود‬
‫االنهيار ‪ .‬وهلذا فإن الزينر يعترب من العناصر املهمة ملنظمات اجلهد يف الدوائر حبيث أنها جتعل‬
‫اجلهد ثابتا تقريبا علما أن هناك تغريات حتصل يف منابع التغذية ويف مقاومة احلمل‪.‬‬
‫وميكن التحكم يف قيمة جهد االنهيار عن طريق التحكم يف نسبة الشوائب املضافة إىل‬
‫السيليكون ‪ .‬وثنائي الزينر متوفر جتارياً جبهود ترتاوح ما بني ‪ 1.8V-200V‬وتكون قدرتها يف‬
‫حدود ‪.100W‬‬
‫شكل ‪1-3‬‬
‫كما هو موضح بالشكل ‪ 1-3‬والذي يشري إىل الرمز العام لثنائي الزينر‪ .‬وله طرفان هما‪:‬‬
‫‪ -2‬الكاثود ( املهبط ) ‪Cathode‬‬ ‫‪ -1‬اآلنود (املصعد) ‪Anoode‬‬
‫منحنى اخلصائص ‪:‬‬
‫شكل ‪2-3‬‬
‫‪76‬‬
‫يف الشكل ‪ 2-3‬والذي يوضح منحنى اخلصائص لثنائي الزينر ونالحظ من املنحنى أن ثنائي‬
‫الزينر له نفس خصائص الثنائي العادي يف حالة االحنياز األمامي أما يف حالة االحنياز العكسي‬
‫فإن التيار املار خالل الثنائي يكون ضئيالً جداً للجهود األقل من جهد االنهيار أو جهد الزينر‬
‫‪ Vz‬ولكن عند الوصول إىل جهد انهيار الزينر يزداد التيار بسرعة دون زيادة ملحوظة يف اجلهد‬
‫‪.‬‬
‫لذلك يستخدم ثنائي الزينر كمثبت أو منظم للجهد ‪ .‬وأيضاً تتم محاية ثنائي الزينر من زيادة‬
‫التيار بتوصيل مقاومة على التوالي معه حتى اليصل التيار إىل أكثر من القيمة املسموح بها‬
‫للزينر‪.‬‬
‫ثنائي الزينر كمنظم جهد ‪:‬‬
‫شكل ‪3-3‬‬
‫( ‪Regulator‬‬ ‫من أكثر استخدامات ثنائي الزينر شيوعاً استخدامه كمثبت ومنظم للجهد‬
‫‪ )Voltage‬والشكل ‪ 3-3‬يبني الدائرة العملية البسيطة لتثبيت اجلهد عند قيمة جهد انهيار‬
‫الزينر ‪ Vz‬ويتلخص مبدأ عمل هذه الدائرة يف تثبيت جهد احلمل عند جهد يساوي جهد انهيار‬
‫الزينر ‪ Vz‬إذا تغري جهد الدخل فإن الزينر حيافظ على جهد احلمل ثابتاً عند قيمة تساوي‪. Vz‬‬
‫واجلهد الزائد يذهب على شكل تيار مير يف ثنائي الزينر ويبقى جهد احلمل ‪ VL‬ثابتاً ال يتغري‪.‬‬
‫أما يف حالة تقليل قيمة مقاومة احلمل ‪ RL‬فإن هذا يتطلب زيادة تيار احلمل وهذه الزيادة التأتي‬
‫من تيار املصدر حيث يبقى ثابتاً بدون تغيري ولكن يتم تعويض هذه الزيادة من تيار ثنائي الزينر‪.‬‬
‫‪77‬‬
‫حساب تيار احلمل بواسطة العالقة ‪:‬‬

‫‪VZ‬‬
‫= ‪IL‬‬ ‫(‪)1-3‬‬
‫‪RL‬‬
‫حساب التيار الكلي للدائرة يعطى بالعالقة ‪:‬‬
‫‪VIN −VL‬‬
‫= ‪IL‬‬ ‫(‪)2-3‬‬
‫‪R‬‬
‫مثال ‪:1-3‬‬
‫‪ Vz=20v‬و ‪ R=20 Ω‬و‬ ‫بالنسبة لدائرة منظم اجلهد املبينة بالشكل ‪ 4-3‬افرتض أن‬
‫‪ RL=200 Ω‬وجهد الدخل ‪.Vin= 24V‬‬
‫‪ -1‬تيار احلمل ‪ IL‬؟‬
‫‪ -2‬التيار الكلي للدائرة ‪ IT‬؟‬
‫شكل ‪4-3‬‬
‫احلل ‪:‬‬
‫‪ -1‬حلساب تيار احلمل ‪ IL‬نستخدم العالقة (‪)1-3‬‬
‫‪VZ‬‬ ‫‪20 V‬‬
‫= ‪IL‬‬ ‫=‬ ‫𝐴 ‪= 0.1‬‬
‫‪RL‬‬ ‫‪200 Ω‬‬
‫‪ -2‬حلساب التيار الكلي للدائرة ‪ IT‬نستخدم العالقة (‪)2-3‬‬

‫‪24 V − 20 V‬‬
‫= ‪IT‬‬ ‫‪= 0.2 A‬‬
‫‪20 Ω‬‬
‫‪78‬‬
‫ثنائي الفاريكاب ‪: Varicap Diode‬‬
‫طريقة التصنيع والرمز‪:‬‬

‫يعترب ثنائي الفاريكاب مكثف متغري السعة معتمداً على اجلهد املطبق عليه‪ .‬وثنائي الفاريكاب‬
‫عبارة عن وصلة ثنائية (‪ ) P-N‬مصنوعة من السليسيوم وتكون موصلة يف وضع االحنياز‬
‫العكسي كما هو موضحاً بالشكل ‪.5-3‬‬
‫شكل ‪5-3‬‬
‫وللسعة اليت تتكون يف منطقة االستنزاف املوضحة بالشكل ‪ 6-3‬دوراً كبرياً يف استخدام‬
‫ثنائي الفاريكاب (املتغري السعة) وقد تصل قيمة هذه السعة (‪.)2500 pF‬‬
‫شكل ‪6-3‬‬
‫كما هو موضح بالشكل ‪ 7-3‬الرمز العام لثنائي الفاريكاب‪.‬‬
‫شكل ‪7-3‬‬
‫‪79‬‬
‫ويتكون من طرفني هما ‪:‬‬

‫اآلنود ‪ -‬املصعد (‪.)Anode‬‬ ‫‪- 1‬‬
‫الكاثود ‪ -‬املهبط (‪. )Cathode‬‬ ‫‪- 2‬‬
‫منحنى اخلصائص ‪:‬‬
‫شكل ‪8-3‬‬
‫يتضح لنا من خالل املنحنى املوضح بالشكل ‪ 8-3‬العالقة مابني حجم اجلهد العكسي املطبق‬
‫على الوصلة ‪ P-N‬وسعة الثنائي‪ .‬حيث إن هذه العالقة تعترب عالقة عكسية ‪.‬‬
‫والعالقة بني فرق اجلهد وسعة املكثف ميكن وصفها بالعالقة التالية‪:‬‬
‫‪K‬‬
‫= ‪CT‬‬
‫‪(VT +VR )n‬‬
‫(‪)2-3‬‬
‫حيث إن ‪:‬‬
‫‪ : K‬ثابت يعتمد على نوعية املادة شبه املوصلة‪.‬‬
‫‪ :VT‬اجلهد الكلي للثنائي‪.‬‬
‫‪ :VR‬اجلهد العكسي للثنائي‪.‬‬
‫‪ :N‬ثابت يعتمد على طريقة صنع الثنائي وترتاوح قيمته بني ‪ 0.5‬و ‪.0.33‬‬
‫االستخدام ‪:‬‬
‫يف دوائر االتصاالت‪.‬‬ ‫‪. 1‬‬
‫يف أجهزة الراديو‪.‬‬ ‫‪. 2‬‬
‫أجهزة استقبال البث الفضائي ‪.‬‬ ‫‪. 3‬‬
‫‪80‬‬
‫طريقة العمل‪:‬‬
‫عند توصيل وصلة ثنائي الفاريكاب (الثنائي السعوي) عكسيا ‪ ،‬يتكون ما يسمى مبنطقة‬
‫االستنزاف هذه املنطقة تعمل بدال من عازل املكثف أما الوصلة ‪،P‬والوصلة ‪ N‬فإنهما يعمالن‬
‫كلوحي مكثف‪.‬‬
‫عندما يزداد جهد التغذية العكسي فإن منطقة االستنزاف تتسع لتزيد بذلك مساكة العازل‬
‫وتنقص السعة ‪ ،‬وعندما يتناقص جهد التغذية العكسي يقل مسك منطقة االستنفاذ وبذلك‬
‫تزداد السعة‪.‬‬
‫قائمة متارين الوحدة الثالثة (الثنائيات اخلاصة)‪:‬‬
‫التمرين األول‪ :‬جتربة استخدام ثنائي الزينر لتثبيت اجلهد‪.‬‬
‫التمرين الثاني‪ :‬جتربة الستخدام ثنائي الفاريكاب‪.‬‬
‫‪81‬‬
‫جتربة ‪ :‬استخدام ثنائي الزينر لتثبيت اجلهد ‪.‬‬
‫يف هذه التجربة سوف نقوم ببناء دائرة تنظيم اجلهد باستخدام ثنائي الزينر باإلضافة إىل دراسة‬
‫كيفية تثبيت اجلهد على طريف مقاومة احلمل وذلك يف حالة الدخل املستمر‪.‬‬

‫‪ ‬عدد (‪ )1‬مصدر قدرة مستمر‪.‬‬
‫‪ ‬عدد (‪ )1‬راسم إشارة بقناتني ‪.‬‬
‫‪ ‬عدد (‪ )1‬مقاومة ثابته ‪. 1 KΩ‬‬
‫‪ ‬عدد (‪ )1‬مقاومة متغرية ‪. 10 KΩ‬‬
‫‪ ‬عدد (‪ )1‬ثنائي زينر ‪. 6.2 V – 1W‬‬
‫‪82‬‬
‫‪ . 1‬اضبط جهد الدخل حسب ماهو مبني باجلدول‪.‬‬
‫‪ . 2‬أكمل بيانات اجلدول حسب ماهو مطلوب‪.‬‬
‫‪Vs‬‬ ‫‪10v‬‬ ‫‪10.5v 11v‬‬ ‫‪11.5v 12v‬‬ ‫‪12.5v 13v‬‬ ‫‪13.5v 14v‬‬
‫‪Is‬‬
‫‪Iz‬‬
‫‪Vz‬‬
‫‪ .3‬ماذا تالحظ من خالل القراءات اليت حصلت عليها ‪:‬‬

‫‪....................................................................................................................................................‬‬
‫‪....................................................................................................................................................‬‬
‫‪ .4‬ارسم العالقة مابني جهد الدخل ‪Vs‬وجهد اخلرج (مقاومة احلمل) ‪.VL‬‬
‫‪Vs‬‬
‫‪VL‬‬
‫‪83‬‬
‫جتربة ‪ :‬استخدام ثنائي الفاريكاب ‪.‬‬
‫يف هذه التجربة سوف نقوم ببناء دائرة الستخدام ثنائي الفاريكاب ومعرفة تأثري الفاريكاب يف‬
‫الدائرة اإللكرتونية‪.‬‬

‫‪ ‬عدد (‪ )1‬مصدر قدرة مستمر‪.‬‬
‫‪ ‬عدد (‪ )1‬مولد إشارة ‪.‬‬
‫‪ ‬عدد (‪ )1‬مقاومة ثابته ‪. 5.1MΩ‬‬
‫‪ ‬عدد (‪ )1‬مقاومة ثابته ‪. 1 KΩ‬‬
‫‪ ‬عدد (‪ )1‬مقاومة متغرية ‪. 10 KΩ‬‬
‫‪ ‬عدد (‪ )1‬ثنائي فاريكاب ‪. ZC832A‬‬
‫‪ ‬عدد (‪ )2‬مكثف ‪. 10 nF‬‬
‫‪ ‬عدد (‪ )1‬ثنائي زينر ‪. 6.2 V – 1W‬‬
‫‪84‬‬
‫اضبط مصدر القدرة املستمر على جهد ‪.Vs= 20v‬‬ ‫‪. 1‬‬
‫اضبط مولد اإلشارة باختيار موجة جيبية حيث اجلهد هلا ‪V1=1 V‬‬ ‫‪. 2‬‬
‫وترددها ‪. 1MHZ‬‬
‫أكمل اجلدول التالي‪:‬‬ ‫‪. 3‬‬
‫‪Vout‬‬ ‫‪VD‬‬ ‫‪Vc2‬‬ ‫‪Vc1‬‬ ‫‪Vc2‬‬ ‫‪VR1‬‬ ‫‪VR2‬‬ ‫‪VR1‬‬ ‫اجلهود‬

‫القيمة‬
‫املقاسة‬
‫ارسم شكل موجة الدخل ‪: V1‬‬ ‫‪. 4‬‬
‫‪85‬‬
‫ارسم شكل إشارة اخلرج ‪: Vout‬‬ ‫‪. 5‬‬
‫‪86‬‬
‫س‪ :1‬ارسم الرمز العام لكل من ‪:‬‬
‫‪ .2‬ثنائي الزينر‪.‬‬ ‫‪ .1‬ثنائي الفاريكاب‪.‬‬
‫س‪ :2‬عدد استخدامات كل من ‪:‬‬

‫‪ -1‬ثنائي الزينر‪.‬‬
‫‪ -2‬ثنائي الفاريكاب‪.‬‬
‫س‪ :3‬اشرح طريقة استخدام ثنائي الزينر كمنظم للجهد ‪.‬‬
‫‪87‬‬

‫بعد االنتهاء من التدرب على وحدة الثنائيات اخلاصة‪ ،‬قيم نفسك وقدراتك بواســـطة‬
‫إكمال هذا التقييم الذاتي بعد كل عنصر من العناصر املذكورة‪ ،‬وذلك بوضع عـــــالمة‬
‫(‪ ) ‬أمام مستوى األداء الذي أتقنته‪ ،‬ويف حالة عدم قابلية املهمة للتطبيق ضع العالمة يف‬
‫اخلانة اخلاصة بذلك‪.‬‬

‫وتركيب ثنائي الزينر والفاريكاب‬
‫القدرة على توصيل دوائر وتطبيقات ثنائي الزينر‬ ‫‪2‬‬
‫والفاريكاب مبختلف أنواعها‬
‫‪88‬‬

‫يعبأ من قبل املدرب وذلك بعد االنتهاء من متارين الوحدة الثالثة ‪( :‬الثنائيات اخلاصة)‬
‫‪4‬‬ ‫‪3‬‬ ‫‪2‬‬ ‫‪1‬‬ ‫احملاولة ‪:‬‬
‫رقم املتدرب ‪................................................................. :‬‬
‫العالمة ‪...... ...... ...... ...... :‬‬
‫النقاط ( حسب رقم احملأوالت )‬
‫‪4‬‬ ‫‪3‬‬ ‫‪2‬‬ ‫‪1‬‬
‫وتركيب ثنائي الزينر والفاريكاب‬
‫القدرة على توصيل دوائر وتطبيقات ثنائي الزينر‬ ‫‪2‬‬
‫والفاريكاب مبختلف أنواعها‬
‫‪.............................................................................................................................‬‬
‫توقيع املدرب‪............................. :‬‬
‫‪89‬‬
‫الوحدة الرابعة‬
‫الرتانزستور ثنايئ القطبية ‪BJT‬‬
‫‪90‬‬
‫الرتانزستور ثنائي القطبية ‪: BJT‬‬
‫تهدف هذه الوحدة إىل معرفة املبدأ العام للرتانزستور وأهميته ومن ثم التعرف على العنصر‬
‫من الداخل وكيفية دمج الدايودين الثنائيني‪ .‬وأيضا التعرف على أنواع الرتانزستور وكيفية‬
‫فحصه عمليا ملعرفة اطرافه الثالثة‪ .‬ومن خالل فهمنا للرتانزستور سوف نتعمق يف حتليل‬
‫وحسابات اجلهود والتيارات من خالل الدوائر اإللكرتونية وبعد ذلك نثبت هذه املسائل عمليا‬
‫بأجهزة القياس‪ .‬ومن ثم معرفة وظيفة الرتانزستور كمفتاح وفهم الدوائر اإللكرتونية نظريا‬
‫وأخريا تطبيقها عمليا‪.‬‬
‫من املتوقع بعد االنتهاء من هذه الوحدة التدريبية أن يكون املتدرب قادرا و بكفاءة على أن‪:‬‬
‫‪ . 1‬يتعرف على الرتكيب العام والرمز املنطقي للرتانزستور ثنائي القطبية‪.‬‬
‫‪ . 2‬يفحص الرتانزستور باستخدام جهاز متعدد األغراض وحيدد أطرافه الثالثة‪.‬‬
‫‪ . 3‬يشرح طريقة عمل الرتانزستور ثنائي القطبية بدقة‪.‬‬
‫‪ . 4‬حيل املسائل احلسابية للجهود والتيارات للدوائر اإللكرتونية بطريقة صحيحة‪.‬‬
‫‪ . 5‬يرسم منحنى اخلصائص للرتانزستور ثنائي القطبية بشكل صحيح‪.‬‬
‫‪ . 6‬يصمم الدوائر اخلاصة بالرتانزستور ثنائي القطبية بشكل سليم‪.‬‬
‫‪ . 7‬حيلل الدوائر اإللكرتونية واستخدامات الرتانزستور‪.‬‬

‫‪ - 3‬جهاز قياس متعدد األغراض (ملتميرت))‪. (Multimeter‬‬
‫‪ - 5‬جهاز عرض ‪.data show‬‬
‫‪ - 6‬كتاب البيانات (‪ )data sheet‬اخلاص بالعناصر اإللكرتونية (الرتانزستور)‪.‬‬
‫‪91‬‬
‫مقدمة‪:‬‬
‫قبل منتصف القرن العشرين امليالدي كانت القطع اإللكرتونية مبنية على الصمامات‬
‫املفرغة‪ ،‬حيث إنها تستهلك طاقة كبرية جدا وكانت معظمها على شكل حرارة‪ .‬وإضافة على‬
‫ذلك كان مثنها مرتفعا جدا‪ .‬فعلى سبيل املثال كان مثن الكمبيوتر غالي جدا وحجمه قرابة‬
‫حيز الغرفة‪ .‬ويف عام ‪1951‬م تقريبا اخرتع العامل شوكلي عنصرا جديدا امسه الرتانزستور‬
‫‪ Transistor‬فمن هذا العنصر تغريت التقنية تغري جذري متطور ومن أكرب ميزات هذا االخرتاع‬
‫مهد لدينا الطريق للوصول إىل الدوائر املتكاملة ))‪ (Integrated Circuit (IC‬وبفضل اهلل أوالً‬
‫ثم بهذه التقنية أصبح الكمبيوتر مبتناول الناس وبأسعار متفاوتة ومعقولة هلم وخصوصاً محله‬
‫يف أي مكان‪.‬‬
‫وكلمة ترانزستور (‪ )TRANSISTOR‬هي عبارة عن دمج كلمتني معاً وهما ‪:‬‬
‫‪ : )TRANSFER( -1‬وتعين النقل‪.‬‬
‫‪ : )RESISTOR(-2‬وتعين املقاومة‪.‬‬
‫ويوجد من الرتانزستور عدة أنواع أشهرها‪:‬‬
‫‪ -1‬ترانزستور ثنائي القطبية (‪)Bipolar Junction Transistors(.)BJT‬‬
‫‪ -2‬ترانزستور تأثري اجملال (‪)Field Effect Transistors(.)FET‬‬
‫ومن خالل هذه الوحدة سوف ندرس تركيب وأنواع وخصائص وطرق توصيل الرتانزستور ثنائي‬
‫القطبية‪.‬‬
‫تركيب الرتانزستور ‪: BJT‬‬

‫كما ذكرنا سابقاً أن أغلب العناصر اإللكرتونية تتكون من أشباه املوصالت من النوع‬
‫املوجب (‪ )P‬والنوع السالب (‪ )N‬وبتوصيل هذين النوعني بطريقة معينة فإننا نستطيع إنتاج قطعة‬
‫إلكرتونية هلا وظائف خاصة وذات خصائص معينة‪.‬‬
‫والرتانزستور ثنائي القطبية عبارة عن عنصر إلكرتوني مكونا من ثالث وصالت شبه موصلة‪.‬‬
‫كما هو موضح بالشكل (‪.)1-4‬‬
‫‪92‬‬
‫شكل ‪1-4‬‬
‫أنواع الرتانزستور ثنائي القطبية ‪: BJT‬‬
‫‪ .1‬ترانزستور ثنائي القطبية من نوع (‪: )PNP‬‬

‫الرمز العام له كما هو موضح بالشكل رقم (‪ )2-4‬وهو مكون من ثالث وصالت شبه‬
‫موصلة (وصلتني موجبة ووصلة سالبة) كما هو موضح بالشكل رقم ‪3-4‬‬
‫الرمز العام‬
‫الرتكيب‬
‫الرتكيب واالطراف‬ ‫الرمز العام‬

‫شكل ‪3-4‬‬ ‫شكل ‪2-4‬‬
‫‪93‬‬
‫‪ .2‬ترانزستور ثنائي القطبية من نوع (‪: )NPN‬‬

‫الرمز العام له كما هو موضح بالشكل رقم (‪ )4-4‬وهو مكون من ثالث وصالت شبه‬
‫موصلة (وصلتني سالبة ووصلة موجبة) كما هو موضح بالشكل رقم ‪5-4‬‬
‫الرمز العام‬
‫الرتكيب‬
‫الرتكيب واالطراف‬ ‫الرمز العام‬

‫شكل ‪5-4‬‬ ‫شكل ‪4-4‬‬
‫أطراف الرتانزستور ‪: BJT‬‬
‫‪ .1‬الباعث (‪: )EMITTER‬‬

‫يرمز له بالرمز (‪. )E‬‬
‫وهي الوصلة اخلاصة بإمداد حامالت الشحنة (الفجوات ) يف الرتانزستور من نوع ‪PNP‬‬
‫واإللكرتونات يف الرتانزستور من نوع ‪ NPN‬ويوصل الباعث يف وضع االحنياز األمامي‬
‫بالنسبة للقاعدة ‪.‬‬
‫‪ .2‬اجملمع (‪: )COLLECTOR‬‬

‫يرمز له بالرمز (‪.)C‬‬
‫وختتص هذه الوصلة من الرتانزستور بتجميع حامالت الشحنة القادمة من الباعث ‪ .‬ويوصل‬
‫يف وضع االحنياز العكسي بالنسبة للقاعدة‪.‬‬
‫‪ .3‬القاعدة (‪:)BASE‬‬
‫ويرمز هلا بالرمز (‪.)B‬‬
‫‪94‬‬
‫وتعت رب هذه الوصلة متوسطة يف تركيب الرتانزستور ثنائي القطبية بنوعيه وتعمل يف وضع‬
‫االحنياز األمامي مع الباعث ويف وضع االحنياز العكسي مع اجملمع‪.‬‬
‫ملحوظة‪:‬‬
‫يف تركيب الرتانزستور ثنائي القطبية بنوعيه كما هو موضح يف الشكل (‪ )2-4‬والشكل‬
‫(‪ )4-4‬يدل السهم على طرف الباعث وكذلك من خالله ميكن معرفة نوع الرتانزستور حيث‬
‫السهم املتجه للداخل يدل على الرتانستور‪ PNP‬والسهم املتجه للخارج يدل عل الرتانزستور‪.NPN‬‬
‫مبدأ وخصائص الرتانزستور ‪: BJT‬‬

‫يعمل الرتانزستور ثنائي القطبية بشكل أساسي كمكرب وجلعله يعمل بشكل مناسب البد‬
‫من توصيل الرتانزستور بشكل احنياز مناسب ومن أجل هذا البد من توفر شرطني أساسيني‬
‫لكي يعمل الرتانزستور كمكرب‪:‬‬
‫‪ -1‬أن يكون احنياز الوصلة بني اجملمع والقاعدة عكسياَ‪.‬‬

‫أن يكون احنياز الوصلة بني الباعث والقاعدة أمامياً‪.‬‬ ‫‪- 3‬‬
‫والشكل (‪ )6-4‬يوضح طرق توصيل الرتانزستور بنوعيه لتحقيق الشرطني لعمل الرتانزستور‬
‫كمكرب‪.‬‬
‫هنا البد أن يكون جهد القاعدة أكرب من جهد الباعث مبقدار( ‪ )0.7V‬يف الرتانزستور من نوع‬
‫‪ NPN‬و (‪ )-0.7V‬يف الرتانزستور من نوع ‪.PNP‬‬
‫والبد أن يكون مصدر جهد الدخل املوصل باجملمع أكرب من مصدر اجلهد املوصل بالقاعدة ‪.‬‬
‫وبالعودة إىل تركيب الرتانزستور ثنائي القطبية واملبني يف الشكل (‪ )1-4‬يالحظ أن‬
‫الرتانزستور مكون من وصلتني (‪ )P-N‬كل منهما تكافؤ ثنائي ‪ .‬الوصلة األوىل بني الباعث ‪E‬‬
‫والقاعدة ‪ .B‬والوصلة الثانية بني اجملمع ‪C‬والقاعدة ‪.B‬‬
‫الرتانزستور من نوع ‪ PNP‬مثالً موصل حبيث تكون الوصلة بني الباعث والقاعدة يف حالة احنياز‬
‫أمامي‪ .‬لذلك فإن تيارا كبريا سيمر يف الباعث نتيجة لصغر منطقة االستنزاف بينهما ويرمز‬
‫للتيار املار بالباعث بالرمز ‪ .IE‬وهذا التيار سوف يتجزأ يف منطقة القاعدة إىل تيارين هما‪:‬‬
‫أ‪ -‬تيار القاعدة ويرمز له بالرمز ‪.IB‬‬

‫ب‪ -‬تيار اجملمع ويرمز له بالرمز ‪. IC‬‬
‫‪95‬‬
‫ونستنتج مما سبق أ ن تيار الباعث عبارة عن جمموع تيار القاعدة وتيار اجملمع كما هو موضح‬
‫بالعالقة (‪:)1-4‬‬
‫‪IE = IB + IC‬‬ ‫(‪)1-4‬‬
‫معامالت الرتانزستور‪:‬‬
‫‪ .1‬معامل كسب التيار بيتا (‪:)ꞵ‬‬
‫حيدد العالقة بني تيار اجملمع ‪ IC‬وتيار القاعدة ‪. IB‬كما هو موضح بالعالقة (‪.)2-4‬‬
‫‪I‬‬
‫‪ꞵ = IC‬‬ ‫(‪)2-4‬‬
‫‪B‬‬
‫وترتاوح قيمة ‪ ꞵ‬للرتانزستورات العادية مابني ‪ 20‬إىل ‪ 200‬باستثناء بعض الرتانزستورات‬

‫اخلاصة واليت تصل فيها ‪ ꞵ‬إىل حوالي ‪ 10000‬ويرمز هلا يف بطاقة بيانات الرتانزستور بالرمز‬
‫‪. ℎFH‬‬
‫‪ .2‬معامل كسب التيار ألفا (‪:)α‬‬
‫حيدد العالقة بني تيار الباعث وتيار اجملمع ‪ IC‬كما هو موضح بالعالقة (‪)3-4‬‬
‫𝐸𝐼‬
‫=𝛼‬ ‫(‪)3-4‬‬
‫𝐶𝐼‬
‫والعالقة بني ‪ α‬و‪ ꞵ‬للرتانزستور ‪:‬‬

‫‪ꞵ‬‬
‫=𝛼‬ ‫(‪)4-4‬‬
‫‪1+ꞵ‬‬
‫𝛼‬
‫=‪ꞵ‬‬ ‫(‪)5-4‬‬
‫𝛼‪1−‬‬
‫‪96‬‬
‫مثال ‪:1-4‬‬
‫أوجد قيمة كل من ‪ ꞵdc‬و ‪ IE‬و ‪ αdc‬لرتانزستور حيث ‪ 𝐼𝐵 = 50µA‬و ‪.IC = 3.36mA‬‬
‫احلل‪:‬‬
‫‪IC 3.36mA‬‬
‫= 𝑐𝑑‪ꞵ‬‬ ‫=‬ ‫‪= 67.2‬‬
‫‪IB‬‬ ‫‪50µA‬‬
‫‪IE = IB + IC = 3.36mA + 50µA = 3.41mA‬‬
‫‪IC 3.56mA‬‬
‫= 𝑐𝑑𝛼‬ ‫=‬ ‫‪= 0.985‬‬
‫‪IE 3.41mA‬‬
‫جهود وتيارات الرتانزستور ثنائي القطبية ‪: BJT‬‬
‫شكل ‪6-4‬‬
‫لتحليل اجلهود والتيارات نأخذ الدائرة األساسية لتغذية الرتانزستور ‪.‬كما هو موضح بالشكل‬
‫(‪ .)6-4‬وفيها يوصل طرف الباعث باألرضي ويكون هو الطرف املشرتك بني الدخل واخلرج‬
‫حيث يوجد ثالثة تيارات وثالثة جهود للرتانزستور ثنائي القطبية وهي‪:‬‬
‫أ‪ -‬التيارات ‪:‬‬

‫‪ : IB -1‬تيار القاعدة ‪.‬‬
‫‪ : IE -2‬تيار الباعث ‪.‬‬
‫‪97‬‬
‫‪ : IC -3‬تيار اجملمع ‪.‬‬
‫ب‪ -‬اجلهود ‪:‬‬

‫‪ : VBE - 1‬اجلهد املستمر مابني وصلة القاعدة والباعث‪.‬‬
‫‪ : VCB - 2‬اجلهد املستمر مابني وصلة القاعدة واجملمع‪.‬‬
‫‪: VCE - 3‬اجلهد املستمر مابني وصلة اجملمع والباعث‪.‬‬
‫االحنياز األمامي لوصلة (القاعدة ‪ -‬الباعث ) يتم بواسطة اجلهد ‪ VBB‬واالحنياز العكسي‬
‫لوصلة (القاعدة ‪-‬اجملمع) يتم بواسطة اجلهد ‪ VCC‬وعندما تكون وصلة (القاعدة ‪ -‬الباعث) يف‬
‫حالة احنياز أمامي تعمل كثنائي وبذلك يكون اجلهد بني الباعث والقاعدة مساوياً للجهد‬
‫احلائل (‪. )Barrier Potential‬‬
‫‪VBE = 0.7V‬‬ ‫(‪)6-4‬‬
‫وحيث إن جهد الباعث يساوي صفرا ألنه متصل باألرضي لذلك ميكن تطبيق قانون كريشوف‬
‫على دائرة الدخل إلجياد اجلهد الواقع على املقاومة ‪R B‬‬
‫‪VRB = VBB − VBE = IB ∗ R B‬‬ ‫(‪)7-4‬‬
‫وبالتالي ميكن احلصول على تيار القاعدة ‪: IB‬‬

‫‪VBB −VBE‬‬
‫= ‪IB‬‬
‫‪RB‬‬
‫(‪)8-4‬‬
‫واجلهد الواقع على املقاومة ‪R C‬يعطى بالعالقة ‪:‬‬
‫‪VRC = IC ∗ R C‬‬ ‫(‪)9-4‬‬
‫أما اجلهد بني كل من الباعث واجملمع فيعطى بالعالقة ‪:‬‬
‫‪VCE = VCC − IC R C‬‬ ‫(‪)10-4‬‬
‫وأما تيار اجملمع فيمكن حسابه بواسطة العالقة التالية ‪:‬‬
‫‪IC = ꞵdc IB‬‬ ‫(‪)11-4‬‬
‫‪98‬‬
‫وبالتالي ميكن حساب جهد االحنياز العكسي لوصلة الباعث اجملمع ‪:VCB‬‬
‫‪VCB = VCE − VBE‬‬ ‫(‪)12-4‬‬
‫مثال ‪:2-4‬‬
‫أوجد قيمة كل من ‪ IB‬و ‪ IC‬و ‪ IE‬و ‪ VBE‬و ‪ VCE‬و ‪ VCB‬يف الدائرة املوضحة بالشكل (‪)7-4‬‬
‫علماً بأن معامل كسب الرتانزستور ‪. ꞵdc = 150‬‬
‫شكل ‪7-4‬‬
‫احلل ‪:‬‬
‫‪ .1‬حساب تيار القاعدة‪:‬‬
‫= ‪IB‬‬
‫‪VBB −VBE‬‬
‫‪RB‬‬
‫‪=5V−0.7V‬‬
‫‪10KΩ‬‬
‫‪= 430µA‬‬
‫‪ .2‬حساب تيار المجمع ‪:‬‬
‫‪IC = ꞵdc IB = 150 ∗ 430µA = 64.5mA‬‬
‫‪ .3‬حساب تيار الباعث‪:‬‬

‫‪IE = IB + IC = 64.5mA + 430µA = 64.9mA‬‬
‫‪ .4‬حساب جهد وصلة القاعدة ‪ -‬الباعث‪:‬‬

‫‪VBE = 0.7V‬‬
‫‪ .5‬حساب جهد وصلة اجملمع ‪ -‬الباعث ‪:‬‬

‫‪VCE = VCC − IC R C = 10V − (64.5mA)(100Ω) = 3.55V‬‬
‫‪99‬‬
‫‪ .6‬حساب جهد وصلة اجملمع ‪ -‬القاعدة‪:‬‬

‫‪VCB = VCE − VBE = 3.55V − 0.7V = 2.85V‬‬
‫طرق توصيل الرتانزستور ثنائي القطبية ‪: BJT‬‬
‫نظراً ألن الرتانزستور ثنائي القطبية له ثالثة أطراف لذا فإن له ثالثة طرق أساسية لتوصيله‬
‫ضمن الدوائر اإللكرتونية مع أحد األطراف كطرف مشرتك لكل من الدخل واخلرج‪.‬‬
‫ولكل طريقة من طرق توصيل الرتانزستور ثنائي القطبية استجابة خمتلفة إلشارة الدخل للدائرة‬
‫حيث إن اخلصائص االستاتيكية للرتانزستور ختتلف باختالف توصيل كل دائرة‪.‬‬
‫‪ -1‬القاعدة املشرتكة‪)Common Base Configuration( :‬‬
‫شكل ‪8-4‬‬
‫‪ ‬كيفية التوصيل‪:‬‬
‫كما هو واضح من االسم يف دائرة القاعدة املشرتكة واملوضحة بالشكل (‪ )8-4‬أن طرف‬
‫القاعدة (‪ )Base‬يتم توصيله حبيث يصبح طرفا مشرتكا لكل من إشارة الدخل واخلرج‬
‫ومع تطبيق إشارة الدخل بني طريف الباعث والقاعدة يتم أخذ إشارة اخلرج بني طريف‬
‫اجملمع والقاعدة‪.‬‬
‫‪ ‬اخلصائص واملميزات‪:‬‬
‫‪ .1‬كسب التيار هلذه الدائرة يساوي (‪.)1‬‬
‫‪ .2‬تعمل هذه الدائرة كمكرب غري عاكس‪.‬‬
‫‪ .3‬هلا مقاومة دخل منخفضة‪.‬‬
‫‪ .4‬مقاومة اخلرج مرتفعة ‪.‬‬
‫‪100‬‬
‫‪ ‬منحنى اخلصائص ومناطق العمل‪:‬‬
‫شكل ‪9-4‬‬
‫‪ .1‬منطقة القطع (‪:)Cutting Area‬‬
‫وتظهر يف املنطقة حتت اخلط البياني الذي ميثل تيار دخل مقداره (صفر) أي ‪IE = 0‬‬
‫ويكون الرتانزستور يف هذه املنطقة يف حالة احنياز عكسي بالنسبة لوصليت الدخل‬
‫واخلرج‪.‬‬
‫‪ .2‬املنطقة الفعالة(‪:)Effective Area‬‬
‫وتشغل هذه املنطقة معظم مساحة شكل اخلرج ‪ .‬وفيها تزداد قيمة تيار الباعث فوق الصفر‬
‫لذا فإن تيار اجملمع يزداد إىل قيمة مقاربة لتيار الباعث‪ .‬يف هذه احلالة تكون وصلة قاعدة‬
‫اجملمع يف وضع احنياز عكسي ‪.‬‬
‫‪ .3‬منطقة اإلشباع(‪:)Saturation Area‬‬
‫تظهر هذه املنطقة يف القسم املوافق جلهد اخلرج (وفيها اجلهد أصغر من صفر‪)VCB < 0‬‬
‫وفيها تتغري قيمة تيار اخلرج بشكل كبري مع تغري جهد اخلرج ويف هذه احلالة يكون‬
‫الرتانزستور يف حالة احنياز أمامي بالنسبة للوصلتني (القاعدة ‪-‬اجملمع)و(القاعدة الباعث)‬
‫‪101‬‬
‫‪ -2‬الباعث املشرتك (‪:)Common Emitter Configuration‬‬
‫شكل ‪10-4‬‬
‫يف دائرة الباعث املشرتك يكون طرف الباعث هو املشرتك بني وصلة (القاعدة الباعث)‬
‫و(الباعث اجملمع) ويتم تطبيق إشارة الدخل بني وصلة (القاعدة ‪ -‬الباعث) بينما يتم أخذ‬
‫إشارة أخرى بني وصلة (اجملمع ‪ -‬الباعث)‪.‬‬
‫وهذا النوع من الدوائر األكثر استخداماً يف املكربات اليت تبنى على أساس الرتانزستور‪.‬‬
‫ويف هذه الدائرة تكون مقاومة الدخل منخفضة بسبب االحنياز األمامي لوصلة(الباعث‪-‬‬
‫القاعدة) وأيضاً مقاومة اخلرج عالية بسبب االحنياز العكسي لوصلة (الباعث‪ -‬اجملمع)‪.‬‬
‫‪ .1‬هلذه الدائرة مقاومة دخل منخفضة‪.‬‬
‫‪ .2‬هلا مقاومة خرج عالية‪.‬‬
‫‪ .3‬هلا كسب عال للتيار أعلى من كسب التيار للقاعدة‪.‬‬
‫‪ .4‬كسب اجلهد أقل من كسب اجلهد لدائرة القاعدة‪.‬‬
‫‪ .5‬تعترب هذه الدائرة كمكرب عاكس ‪.‬‬
‫‪ .6‬يوجد فرق بني إشارة الدخل واخلرج مبقدار( ‪ )180‬درجة‬
‫‪102‬‬
‫شكل ‪11-4‬‬
‫‪ .1‬منطقة القطع(‪:)Cutting Area‬‬

‫وتقع هذه املنطقة حتت اخلط البياني الذي ميثل تيار دخل مساويا للـ(صفر) أي أن = ‪IB‬‬
‫‪ .0‬وهنا تكون قيمة تيار اخلرج صغرية جداً ويكون الرتانزستور يف هذه املنطقة يف وضع‬
‫احنياز عكسي بني وصليت (القاعدة‪-‬الباعث) و (الباعث ‪ -‬اجملمع) ‪.‬‬
‫‪ .2‬املنطقة الفعالة(‪:)Effective Area‬‬

‫وتشمل هذه املنطقة اجلزء األكرب من مساحة شكل اخلرج واليت تبدأ مع زيادة تيار‬
‫الدخل (تيار القاعدة) وفيها يبدأ تيار الباعث بالزيادة والعالقة بينهما طردية‪.‬‬
‫‪ .3‬منطقة اإلشباع(‪:)Saturation Area‬‬

‫وتتحدد هذه املنطقة يف اجلزء الذي يكون فيه جهد اخلرج أقل من الـ(صفر) وتيار الدخل‬
‫أكرب من الـ (صفر) ويكون الرتانزستور يف هذه املنطقة يف حالة احنياز أمامي‪.‬‬
‫‪103‬‬
‫‪ -3‬اجملمع املشرتك (‪:)Common Collector Configuration‬‬
‫شكل ‪12-4‬‬
‫يف هذه الدائرة يكون اجملمع هو الطرف املشرتك بني القاعدة والباعث من خالل مصدر‬
‫القدرة املستمر‬
‫ويتم توصيل إشارة دخل مباشرة إىل وصلة(القاعدة الباعث ) بينما يتم أخذ إشارة اخلرج عن‬
‫طريق وصلة (اجملمع ‪-‬الباعث) ‪.‬‬
‫‪ -1‬هلذه الدائرة مقاومة دخل عالية ‪.‬‬
‫‪ -2‬مقاومة اخلرج منخفضة ‪.‬‬
‫‪ -3‬كسب اجلهد هلذه الدائرة أقل من (‪.)1‬‬
‫‪ -4‬تستخدم يف التطبيقات والدوائر اليت حتتاج إىل توافق يف املمانعة ( ‪Impedance‬‬
‫‪)Matching‬‬
‫‪104‬‬
‫شكل ‪13-4‬‬
‫‪ -1‬منطقة القطع (‪:)Cutting Area‬‬

‫وتقع هذه املنطقة حتت اخلط البياني الذي ميثل تيار دخل مساويا للـ(صفر) أي أن = ‪IB‬‬
‫‪ .0‬وهنا تكون قيمة تيار اخلرج صغرية جداً ويكون الرتانزستور يف هذه املنطقة يف وضع‬
‫احنياز عكسي بني وصليت (القاعدة‪-‬الباعث)و (الباعث ‪ -‬اجملمع) ‪.‬‬
‫‪ -2‬املنطقة الفعالة (‪:)Effective Area‬‬

‫وتشمل هذه املنطقة اجلزء األكرب من مساحة شكل اخلرج واليت تبدأ مع زيادة تيار‬
‫الدخل (تيار القاعدة) وفيها يبدأ تيار الباعث بالزيادة والعالقة بينهما طردية‪.‬‬
‫‪ -3‬منطقة اإلشباع (‪:)Saturation Area‬‬

‫وتتحدد هذه املنطقة يف اجلزء الذي يكون فيه جهد اخلرج أقل من الـ(صفر) وتيار الدخل‬
‫أكرب من الـ (صفر) ويكون الرتانزستور يف هذه املنطقة يف حالة احنياز أمامي‪.‬‬
‫‪105‬‬
‫فحص الرتانزستور‪:‬‬
‫يتم استخدام عدة أجهزة لفحص الرتانزستور وحتديد أطرافه وكذلك نوعه ومن هذه‬
‫األجهزة‪:‬‬
‫‪ -‬جهاز القياس االفوميرت الرقمي ‪:‬‬
‫‪ .1‬من جهاز االفوميرت خنتار وضع املوحد‬
‫‪ .2‬نكرر نفس خطوات فحص الثنائي وإذا حصلت على قراءة ‪ OL‬كما يف الشكل ‪14-4‬‬
‫بدل جمسات جهاز القياس على طريف الرتانزستور‪.‬‬
‫‪ .3‬طرف الرتانزستور الذي يعطي قراءة مع كال الطرفني اآلخرين يعترب هذا الطرف‬
‫(القاعدة) (‪ )Base‬وإذا كان هذا الطرف موصالً مع اجملس املوجب جلهاز الفحص يدل‬
‫هذا على أن القاعدة نوعها ‪ p‬وبهذا يكون الرتانزستور من النوع )‪ (NPN‬أما إذا كان‬
‫طرف القاعدة موصال مع اجملس السالب جلهاز الفحص فيدل هذا على أن القاعدة نوعها‬
‫‪ N‬وبهذا يكون الرتانزستور من النوع )‪.(PNP‬‬
‫‪ .4‬ثبت اجملس املوصل مع القاعدة ووصل اجملس اآلخر جلهاز الفحص مع أحد أطراف‬
‫الرتانزستور األخرى وسجل القراءة الظاهرة )‪ (0.567V‬كما يف الشكل ( ‪. )15-4‬‬
‫‪ .5‬الطرف الذي يعطي قراءة أكرب يعترب (الباعث)(‪ )Emitter‬والطرف الذي يعطي قراءة أقل‬
‫هو (اجملمع)(‪ )Collector‬كما يف الشكل ( ‪.)16-4‬‬
‫شكل ‪14-4‬‬
‫‪106‬‬
‫شكل ‪15-4‬‬
‫شكل ‪16-4‬‬
‫‪107‬‬
‫متارين الوحدة الرابعة ‪( :‬الرتانزستور ثنائي القطبية ‪: )BJT‬‬
‫التمرين األول‪ :‬جتربة فحص الرتانزستور وحتديد أطرافه‪.‬‬
‫التمرين الثاني‪ :‬جتربة استخدام الرتانزستور كمفتاح‪.‬‬
‫التمرين الثالث‪ :‬جتربة قياس جهود وتيارات وصالت الرتانزستور‪.‬‬
‫التمرين الرابع‪ :‬جتربة دراسة خصائص توصيلة القاعدة املشرتكة‪.‬‬
‫التمرين اخلامس‪ :‬جتربة دراسة خصائص توصيلة اجملمع املشرتك‪.‬‬
‫التمرين السادس‪ :‬جتربة دراسة خصائص توصيلة الباعث املشرتك‪.‬‬
‫‪108‬‬
‫جتربة ‪ :‬فحص الرتانزستور وحتديد أطرافه‪.‬‬
‫‪ ‬أن يتمكن املتدرب من فحص وحتديد أطراف الرتانزستور وكذلك نوعه ‪.‬‬

‫‪ ‬عدد (‪ )1‬جهاز قياس افوميرت ‪.‬‬
‫‪ ‬عدد (‪ )1‬جهاز فاحص الرتانزستور‪.‬‬
‫‪ ‬عدد (‪ )10‬ترانزستور ‪.‬‬
‫‪109‬‬
‫‪ . 1‬باستخدام جهاز القياس االفوميرت أكمل اجلدول التالي‪:‬‬
‫نتيجة الفحص‬ ‫الطرف‬ ‫الطرف‬ ‫الطرف‬ ‫أطراف الرتانزستور‬

‫مقاومة‬ ‫مقاومة‬ ‫‪3‬‬ ‫‪2‬‬ ‫‪1‬‬
‫منخفضة‬ ‫عالية‬ ‫رقم الرتانزستور‬
‫‪-‬‬ ‫‪+‬‬
‫‪+‬‬ ‫‪-‬‬
‫‪-‬‬ ‫‪+‬‬
‫‪+‬‬ ‫‪-‬‬
‫‪-‬‬ ‫‪+‬‬
‫‪+‬‬ ‫‪-‬‬
‫‪PNP‬‬ ‫نوع‬ ‫أمساء أطراف‬
‫‪NPN‬‬ ‫الرتانزستور‬ ‫الرتانزستور‬
‫‪ . 2‬كرر فحص الرتانزستور السابق باستخدام جهاز فاحص الرتانزستور وأكمل اجلدول‪:‬‬
‫نوع الرتانزستور‬ ‫الطرف‬ ‫الطرف‬ ‫الطرف‬ ‫أطراف الرتانزستور‬

‫‪3‬‬ ‫‪2‬‬ ‫‪1‬‬ ‫رقم الرتانزستور‬
‫‪NPN‬‬ ‫‪PNP‬‬
‫‪110‬‬
‫جتربة ‪ :‬استخدام الرتانزستور كمفتاح ‪.‬‬
‫‪ ‬دراسة عمل الرتانزستور كمفتاح ‪.ON/OFF‬‬
‫‪ ‬عدد (‪ )1‬لوحة توصيل‪.‬‬

‫‪. ‬عدد (‪ )1‬مصدر تغذية مستمر‪.‬‬
‫‪. ‬عدد (‪ )1‬مولد إشارة‪.‬‬
‫‪. ‬عدد (‪ )1‬جهاز قياس أفوميرت‪.‬‬
‫‪. ‬عدد (‪ )1‬ترانزستور ‪.2N2222A‬‬
‫‪. ‬عدد (‪ )1‬مقاومة ‪.1KΩ‬‬
‫‪. ‬عدد (‪ )1‬ملبة ‪.12V, 3W‬‬
‫‪111‬‬
‫‪ . 1‬استخدم جهاز القياس االفوميرت وأكمل اجلدول التالي‪:‬‬
‫‪5V‬‬ ‫‪0V‬‬ ‫جهد الدخل‬

‫‪VCE‬‬
‫‪IC‬‬
‫‪ . 2‬ماذا تالحظ على اللمبة يف حالة املفتاح وضع ‪ 0V‬؟‬
‫‪ . 3‬ماذا تالحظ على اللمبة يف حالة املفتاح وضع ‪ 5V‬؟‬
‫‪ . 4‬وصل جهاز مولد اإلشارة بدخل الدائرة واضبط الرتدد إلشارة الدخل على تردد صغري‬
‫حبيث ميكنك مالحظة اللمبة وهي تضيء وتطفي كما هو موضح بالرسم‬
‫‪ . 5‬ماذا تستنتج ؟‬
‫‪.........................................................................................................‬‬
‫‪.........................................................................................................‬‬
‫‪112‬‬
‫جتربة ‪ :‬قياس جهود الوصالت وتيارات الرتانزستور ‪.‬‬
‫‪ ‬قياس جهود الوصالت والتيارات للرتانزستور ثنائي القطبية ‪.‬‬

‫‪ ‬عدد (‪ )1‬مصدر تغذية مستمر‪.‬‬
‫‪ ‬عدد (‪ )1‬جهاز قياس افوميرت‪.‬‬
‫‪ ‬عدد (‪ )1‬ترانزستور ‪.2N3904‬‬
‫‪ ‬عدد (‪ )1‬مقاومة ‪.2KΩ‬‬
‫‪ ‬عدد (‪ )1‬مقاومة ‪.1KΩ‬‬
‫‪ ‬عدد (‪ )1‬مقاومة متغرية ‪.10KΩ‬‬
‫‪113‬‬
‫‪ . 1‬ماهو نوع الرتانزستور املستخدم ؟‬
‫‪ . 2‬غري قيم املقاومة املتغرية للحصول على اجلهود املدونة باجلدول وأكمل املطلوب‪:‬‬
‫‪VBB V‬‬ ‫‪0‬‬ ‫‪0.5‬‬ ‫‪1‬‬ ‫‪2‬‬ ‫‪3‬‬ ‫‪4‬‬ ‫‪5‬‬

‫‪IC mA‬‬
‫‪ . 3‬أوجد القيم التالية حسابياً ‪ .‬ثم عملياً باستخدام االفوميرت عند ‪VBB 1 V‬‬
‫‪VBE‬‬ ‫‪V‬‬ ‫‪VCE V‬‬ ‫‪VBB V‬‬
‫حسابياً‬
‫عملياً‬
‫‪114‬‬
‫جتربة ‪ :‬دراسة خصائص القاعدة املشرتكة ‪.‬‬
‫‪ ‬دراسة خصائص وصلة القاعدة املشرتكة وذلك بقياس التيارات واجلهود‪.‬‬
‫العدد واألدوات واألجهزة املستخدمة ‪:‬‬

‫‪ ‬عدد (‪ )1‬جهاز مصدر تغذية مستمر‪.‬‬
‫‪ ‬عدد (‪ )2‬مقاومة ‪. 100Ω‬‬
‫‪ ‬عدد (‪ )1‬ترانزستور ‪2N3904‬‬
‫‪115‬‬
‫‪ . 1‬اضبط قيم اجلهود كما هو موضح بالدائرة‪.‬‬
‫‪ . 2‬باستخدام جهاز القياس أكمل اجلدول التالي‪:‬‬
‫‪VBE‬‬ ‫‪V‬‬ ‫‪VCB‬‬ ‫‪V‬‬ ‫‪VCE‬‬ ‫‪V‬‬ ‫اجلهود‬

‫القيمة املقاسة‬
‫‪ . 3‬باستخدام جهاز القياس أكمل اجلدول التالي‪:‬‬
‫‪IB‬‬ ‫‪mA‬‬ ‫‪IE‬‬ ‫‪mA‬‬ ‫‪IC‬‬ ‫‪mA‬‬ ‫اجلهود‬

‫‪ . 4‬ماذا تستنتج من القياسات السابقة ؟‬

‫‪..............................................................................................................................................‬‬
‫‪..............................................................................................................................................‬‬
‫‪116‬‬
‫التمرين اخلامس‪:‬‬
‫جتربة ‪ :‬دراسة خصائص اجملمع املشرتك ‪.‬‬

‫‪ ‬عدد (‪ )2‬مقاومة ‪. 100Ω‬‬
‫‪ ‬عدد (‪ )1‬ترانزستور ‪2N3904‬‬
‫‪117‬‬
‫‪ .1‬اضبط قيم اجلهود كما هو موضح بالدائرة‪.‬‬
‫‪ .2‬باستخدام جهاز القياس أكمل اجلدول التالي‪:‬‬
‫‪VCB‬‬ ‫‪V‬‬ ‫‪VCE‬‬ ‫‪V‬‬ ‫‪VBE‬‬ ‫‪V‬‬ ‫اجلهود‬

‫‪IB‬‬ ‫‪mA‬‬ ‫‪IE‬‬ ‫‪mA‬‬ ‫‪IC‬‬ ‫‪mA‬‬ ‫اجلهود‬

‫‪ .4‬ماذا تستنج من النتائج السابقة ؟‬
‫‪............................................................................................................................................‬‬
‫‪.............................................................................................................................................‬‬
‫‪118‬‬
‫التمرين السادس‪:‬‬
‫جتربة ‪ :‬دراسة خصائص الباعث املشرتك ‪.‬‬

‫‪ ‬عدد (‪ )2‬مقاومة ‪. 100Ω‬‬
‫‪ ‬عدد (‪ )1‬ترانزستور ‪2N3904‬‬
‫‪119‬‬
‫‪ .1‬اضبط قيم اجلهود كما هو موضح بالدائرة‪.‬‬
‫‪VBE‬‬ ‫‪V‬‬ ‫‪VCE‬‬ ‫‪V‬‬ ‫‪VCB‬‬ ‫‪V‬‬ ‫اجلهود‬

‫‪IB‬‬ ‫‪mA‬‬ ‫𝐸𝐼‬ ‫‪mA‬‬ ‫‪IC‬‬ ‫‪mA‬‬ ‫اجلهود‬

‫‪ .4‬ماذا تستنج من النتائج السابقة ؟‬
‫‪...............................................................................................................................................‬‬
‫‪...............................................................................................................................................‬‬
‫‪120‬‬
‫س‪ :1‬عرف الرتانزستور ‪.‬‬
‫س‪ :2‬عدد أنواع الرتانزستور ثنائي القطبية ‪.‬‬
‫س‪ :3‬للرتانزستور ثنائي القطبية ثالثة أطراف هي‪:‬‬
‫‪ .................................................................... -1‬ويرمز له بالرمز ‪...............................‬‬
‫‪ .................................................................... -2‬ويرمز له بالرمز ‪...............................‬‬
‫‪ .................................................................... -3‬ويرمز له بالرمز ‪................................‬‬
‫س‪ :4‬أوجد قيمة كل من ‪ ꞵdc‬و ‪ IE‬و ‪ αdc‬لرتانزستور حيث ‪ IB = 50µA‬و ‪.IC = 3.36mA‬‬
‫س‪ :5‬أوجد قيمة كل من ‪ IB‬و ‪ IC‬و ‪ IE‬و ‪ VBE‬و ‪ VCE‬و ‪ VCB‬يف الدائرة املوضحة‬
‫علماً بأن معامل كسب الرتانزستور ‪. ꞵ𝑑𝑐 = 150‬‬
‫س‪ :6‬اذكر خصائص ومميزات كل من ‪:‬‬
‫‪ -3‬وصلة اجملمع املشرتك‬ ‫‪ -2‬وصلة الباعث املشرتك‬ ‫‪ -1‬وصلة القاعدة املشرتكة‪.‬‬
‫‪121‬‬

‫بعد االنتهاء من التدرب على وحدة الرتانزستور ثنائي القطبية ‪ ،BJT‬قيم نفسك وقدراتك‬
‫بواســـطة إكمال هذا التقييم الذاتي بعد كل عنصر من العناصر املذكورة‪ ،‬وذلك بوضع‬
‫عـــــالمة (‪ ) ‬أمام مستوى األداء الذي أتقنته‪ ،‬ويف حالة عدم قابلية املهمة للتطبيق ضع العالمة‬
‫يف اخلانة اخلاصة بذلك‪.‬‬
‫معرفة الرتكيب والرمز املنطقي للرتانزستور ثنائي‬ ‫‪1‬‬

‫القطبية‬
‫معرفة طريقة عمل ومبدأ الرتانزستور ثنائي القطبية‪.‬‬ ‫‪2‬‬
‫معرفة طريقة قياس وحساب اجلهود والتيارات‬ ‫‪3‬‬
‫للرتانزستور ثنائي القطبية‬
‫التعرف على طرق توصيل الرتانزستور ثنائي القطبية‬ ‫‪4‬‬
‫‪122‬‬

‫يعبأ من قبل املدرب وذلك بعد االنتهاء من متارين الوحدة الرابعة ‪( :‬الرتانزستور ثنائي القطبية)‬
‫‪4‬‬ ‫‪3‬‬ ‫‪2‬‬ ‫‪1‬‬ ‫احملاولة ‪:‬‬
‫رقم املتدرب ‪................................................................. :‬‬
‫العالمة ‪...... ...... ...... ...... :‬‬
‫النقاط ( حسب رقم احملأوالت )‬
‫‪4‬‬ ‫‪3‬‬ ‫‪2‬‬ ‫‪1‬‬
‫معرفة الرتكيب والرمز املنطقي للرتانزستور ثنائي‬ ‫‪1‬‬
‫القطبية‬
‫معرفة طريقة عمل ومبدأ الرتانزستور ثنائي القطبية‪.‬‬ ‫‪2‬‬
‫معرفة طريقة قياس وحساب اجلهود والتيارات‬ ‫‪3‬‬
‫للرتانزستور ثنائي القطبية‬
‫التعرف على طرق توصيل الرتانزستور ثنائي القطبية‬ ‫‪4‬‬
‫‪5‬‬
‫‪6‬‬
‫‪.............................................................................................................................‬‬
‫توقيع املدرب‪............................. :‬‬
‫‪123‬‬
‫الوحدة الخامسة‬
‫دوائر مكربات الرتانزستور ثنايئ القطبية ‪BJT‬‬
‫‪124‬‬
‫الوحدة اخلامسة‬
‫دوائر مكربات الرتانزستور ثنائي القطبية ‪BJT‬‬
‫تهدف هذه الوحدة إىل معرفة مفهوم التكبري وأنواعه وشروطه وكذلك دراسة خصائص‬
‫التكبري يف توصيالت الرتانزستور الثالث ‪.‬‬
‫‪ . 1‬يتعرف على مفهوم التكبري وأنواعه وشروطه‪.‬‬

‫‪ . 2‬يشرح عملية التكبري يف توصيالت الرتانزستور الثالث بشكل صحيح‪.‬‬
‫‪ . 3‬يتقن قياس ورسم اجلهود لتوصيالت الرتانزستور بدقه‪.‬‬
‫‪ . 4‬حيسب الكسب يف توصيالت الرتانزستور‪.‬‬
‫‪ . 5‬يصمم دوائر التكبري لتوصيالت الرتانزستور بشكل سليم‪.‬‬
‫‪ - 3‬جهاز قياس متعدد األغراض (ملتميرت)‪)AVO(.‬‬
‫‪ - 4‬جهاز راسم اإلشارة (األوسيلوسكوب)‪)Oscilloscope(.‬‬
‫‪ - 5‬جهاز مولد اإلشارة ‪)Function Generator(.‬‬
‫‪ - 6‬جهاز عرض ‪.data show‬‬
‫‪ - 7‬كتاب البيانات (‪ )data sheet‬اخلاص بالعناصر اإللكرتونية (الرتانزستور)‪.‬‬
‫‪ - 8‬وسائل األمن والسالمة‪.‬‬
‫‪125‬‬
‫التكبري‪:‬‬
‫تعترب دوائر التكبري من أهم أنواع الدوائر اإللكرتونية وتعترب من األجزاء الرئيسية وتقوم‬
‫بالوظائف األساسية للكثري من األجهزة اإللكرتونية‪.‬‬
‫مفهوم التكبري ‪: Amplifier‬‬

‫هو عملية زيادة قيمة إشارة معينة سواء كانت (صوت ‪ -‬تيار ‪ -‬جهد ‪ -‬تردد ) واحلصول على‬
‫خرج أكرب هلذه اإلشارة ‪.‬‬
‫أنواع املكربات‪:‬‬
‫ميكن تصنيف املكربات بعدة طرق منها‪:‬‬
‫‪ . 1‬طبقاً للرتدد مثل دوائر ( تكبري الرتدد الصوتي ‪ -‬ودوائر الرتدد العالي )‪.‬‬
‫‪ . 2‬طبقاً لسعة اإلشارة املراد تكبريها وتنقسم إىل ‪:‬‬
‫أ‪ -‬دوائر تكبري اإلشارة الصغرية ‪.Small Signal Amplifier‬‬

‫ب‪ -‬دوائر تكبري اإلشارة الكبرية (القدرة) ‪.Power Amplifier‬‬
‫‪ . 3‬طبقاً لنقطة التشغيل ومنها (مكرب نوع ‪ - A‬مكرب نوع ‪ - B‬مكرب نوع ‪.) C‬‬
‫‪ . 4‬طبقاً لطريقة الربط ومن هذه الطرق ‪:‬‬
‫أ‪ -‬طريقة الربط مبقاومة ومكثف‪.‬‬

‫ب‪ -‬طريقة الربط املباشر‪.‬‬
‫ج‪ -‬طريقة الربط بواسطة احملول‪.‬‬
‫شروط التكبري ‪:‬‬

‫‪ ‬البد من تغذية الرتانزستور من مصدر قدرة مستمر حبيث يكون احنياز الدخل أمامي‬
‫واخلرج عكسي‪.‬‬
‫قوانني التكبري ‪:‬‬

‫‪VO‬‬
‫= ‪AVt‬‬
‫‪VI‬‬
‫حساب نسبة التكبري الكلي للجهد ‪:‬‬
‫‪IO‬‬
‫= ‪AIt‬‬
‫‪II‬‬
‫حساب نسبة التكبري الكلي للتيار ‪:‬‬
‫‪126‬‬
‫مكرب الباعث املشرتك ‪: )Common – Emitter Amplifier( CE‬‬
‫شكل ‪1-5‬‬
‫شرح الدائرة األساسية‪:‬‬

‫يوضح الشكل ‪ 1-5‬دائرة مكرب الباعث املشرتك مع احنياز جمزئ اجلهد ومكثفات الربط‬
‫‪ C1‬و ‪ C3‬يف الدخل واخلرج ومكثف التسريب ‪ C2‬املوصل بني األرضي وطرف الباعث‬
‫للرتانزستور والدائرة حتتوي على تركيبتني تشغيلية يف حالة التيار املرتدد واملستمر ‪.‬‬
‫العالقة بني تيار الباعث ‪ IE‬وتيار القاعدة ‪:IB‬‬

‫‪IE‬‬
‫= ‪IB‬‬
‫‪IC‬‬
‫ميكن إيضاحها من خالل العالقة التالية ‪:‬‬
‫‪IE ≅ IC‬‬
‫‪127‬‬
‫نقطة التشغيل ‪:‬‬
‫شكل ‪2-5‬‬
‫برسم خط احلمل على منحنى اخلصائص نالحظ أن نقطة تقاطع اخلط مع املنحنى تعتمد على‬
‫قيمة التيار ‪ IB‬واليت حتدد عن طريق ضبط قيمة اجلهد ‪ VBB‬بالتالي ميكن حتديد نقطة‬
‫التشغيل كما هو موضح بالشكل رقم ‪.2-5‬‬
‫حساب نسبة التكبري والكسب ‪:‬‬
‫كسب التيار‪:‬‬
‫𝐶𝐼‬
‫= 𝑖𝐴 أو 𝐶𝐴‪ 𝐴𝑖 = ꞵ‬وعليه يكون‬ ‫يكون من القاعدة إىل اجملمع بواسطة العالقة‬
‫𝐵𝐼‬
‫𝐶𝐼‬
‫= 𝑖𝐴‬ ‫الكسب الكلي للتيار لدائرة املكرب هو ‪:‬‬
‫𝑆𝐼‬
‫حيث إن ‪ IS‬هو التيار الكلي‪.‬‬
‫‪VOUT‬‬ ‫‪VC‬‬
‫= ‪AV‬‬
‫‪VIN‬‬
‫=‬
‫‪VB‬‬
‫كسب اجلهد ‪:‬‬
‫تأثري مكثف التمرير (‪ )bypass Capacitor‬على عملية التكبري‪:‬‬

‫يعمل على زيادة كسب اجلهد لإلشارة املتغرية املطلوب تكبريها ‪،‬حيث ميرر اإلشارة املتغرية‬
‫على طريف املقاومة ‪ (R-emitter) Re2‬إىل الطرف األرضي وبالتالي مينع التغذية العكسية‬
‫السالبة لإلشارة املتغرية واليت تسبب خفض كسب املكرب‬
‫‪128‬‬
‫أشكال موجات الدخل واخلرج ‪:‬‬
‫موجة الدخل‪:‬‬
‫شكل ‪3-5‬‬
‫موجة اخلرج‪:‬‬
‫شكل ‪4-5‬‬
‫‪129‬‬
‫مكرب القاعدة املشرتكة ‪: )Common – Base Amplifier( CB‬‬
‫شكل ‪5-5‬‬
‫يوضح الشكل رقم ‪ 5-5‬دائرة مكرب القاعدة املشرتكة حيث إن القاعدة هي الطرف املشرتك‬
‫‪ .‬وإشارة الدخل موصلة بطرف الباعث عن طريق املكثف ‪ C1‬واخلرج موصل مع اجملمع عن‬
‫طريق مكثف ‪ C3‬إىل مقاومة احلمل ‪.RL‬‬
‫عملية التكبري يف الدائرة ‪:‬‬

‫يف هذه الدائرة معامل تكبري التيار يكون أقل من ‪. 1‬‬
‫والسبب يف كون الكسب أقل من ‪ 1‬هو قيمة املقاومة العالية باخلرج بسبب التوصيل العكسي‬
‫لدائرة اجملمع وتكون مقاومة الدخل صغرية ألن دائرة الباعث يف وضع احنياز أمامي ‪.‬‬
‫احنياز الرتانزستور‪:‬‬
‫كما هو موضح بالشكل (‪ )5-5‬والذي يبني توصيل أطراف الرتانزستور حيث إنه يف وصلة‬
‫(الباعث ‪ -‬القاعدة) يكون الرتانزستور يف وضع احنياز أمامي‪.‬‬
‫ويف وصلة (اجملمع ‪ -‬القاعدة) يكون الرتانزستور منحازا احنيازا عكسيا‪.‬‬
‫‪130‬‬
‫حساب نسبة التكبري والكسب‪:‬‬

‫‪VOUT‬‬ ‫‪VC‬‬
‫= ‪AV‬‬ ‫=‬ ‫يكون كسب اجلهد للدائرة بني طرف الباعث واجملمع ‪:‬‬
‫‪VE‬‬ ‫‪VE‬‬
‫كسب التيار ‪:‬‬

‫هو عبارة عن تيار اخلرج ‪ IC‬مقسوم ًا على تيار الدخل املرتدد ‪. IE‬حيث إنه هنا‬
‫‪IE ≅ IC‬‬
‫‪Ai ≅ 1‬‬
‫إشارة الدخل‪:‬‬
‫شكل ‪6-5‬‬
‫إشارة اخلرج‪:‬‬
‫شكل ‪7-5‬‬
‫‪131‬‬
‫مكرب اجملمع املشرتك ‪: )Common – Collector Amplifier( CC‬‬
‫شكل ‪8-5‬‬
‫دائرة اجملمع املشرتك تسمى تابع الباعث (‪. )Emitter Follower‬‬
‫دائرة تابع الباعث مع جمزئ اجلهد واملوضحة بالشكل ‪ 8-5‬نالحظ أن الدخل مرتبط مع‬
‫القاعدة عن طريق املكثف ‪ C1‬وكذلك اخلرج متصل بالباعث عن طريق املكثف ‪.C2‬‬
‫احنياز الرتانزستور‪:‬‬
‫كما هو موضح بالشكل (‪ )8-5‬والذي يبني توصيل أطراف الرتانزستور حيث إنه يف وصلة‬
‫(الباعث ‪ -‬القاعدة) يكون الرتانزستور يف وضع احنياز أمامي‪.‬‬
‫ويف وصلة (اجملمع ‪ -‬القاعدة) يكون الرتانزستور منحازا احنيازا عكسيا‪.‬‬
‫عملية التكبري يف الدائرة‪:‬‬

‫يف هذه الدائرة معامل تكبري التيار يكون مساويا للـ‪. 1‬‬
‫والسبب يف كون الكسب مساويا للــ ‪ 1‬هو قيمة املقاومة العالية بالدخل بسبب التوصيل‬
‫العكسي لدائرة اجملمع وتكون مقاومة اخلرج صغرية ألن دائرة الباعث يف وضع احنياز أمامي‪.‬‬
‫‪132‬‬
‫حساب نسبة التكبري والكسب‪:‬‬

‫كما هو احلال يف مجيع املكربات فإن كسب اجلهد يساوي‪:‬‬
‫‪VO‬‬
‫= ‪AV‬‬
‫‪VI‬‬
‫كسب التيار ‪:‬‬
‫‪IE‬‬
‫= ‪AI‬‬ ‫كسب التيار الكلي للدائرة هو ‪:‬‬
‫‪IIN‬‬
‫شكل ‪9-5‬‬
‫شكل ‪10-5‬‬
‫‪133‬‬
‫مقارنة توصيالت مكربات الرتانزستور‪:‬‬
‫املقارنة‪:‬‬
‫مكرب القاعدة‬ ‫مكرب اجملمع‬ ‫مكرب الباعث‬ ‫توصيالت الرتانزستور‬
‫وجه املقارنة‬
‫من ‪ 100Ω‬إىل ‪ 10KΩ‬من ‪ 10Ω‬إىل ‪ 100KΩ‬من ‪ 100Ω‬إىل ‪10KΩ‬‬ ‫مقاومة الدخل‬
‫من ‪ 100Ω‬إىل ‪ 10KΩ‬من ‪ 10Ω‬إىل ‪100KΩ‬‬ ‫من ‪ 1KΩ‬إىل ‪10KΩ‬‬ ‫مقاومة اخلرج‬
‫من ‪ 100‬إىل ‪ 1000‬ضعف‬ ‫من ‪ 20‬إىل ‪ 100‬ضعف مساويا للــ ‪1‬‬ ‫تكبري اجلهد‬
‫من ‪ 10‬إىل ‪4000‬ضعف أقل من ‪1‬‬ ‫من ‪ 10‬إىل ‪ 50‬ضعف‬ ‫تكبري التيار‬
‫‪00‬‬ ‫‪00‬‬ ‫‪1800‬‬ ‫فرق اإلزاحة لإلشارة‬
‫(الدخل ‪ -‬اخلرج )‬
‫صغري‬ ‫صغري‬ ‫كبري‬ ‫التأثر باحلرارة‬
‫‪ -‬مكربات الرتددات‬ ‫‪ -‬دوائر العزل‬ ‫‪ -‬املكربات الصوتية‬ ‫االستخدام‬
‫العالية‬ ‫‪ -‬دوائر املوآء مة‬ ‫‪ -‬مكربات القدرة‬
‫‪ -‬مكربات الرتدد‬
‫جدول ‪1-5‬‬
‫مكرب متعدد املراحل‪:‬‬
‫فكرة املكرب متعدد املراحل‪:‬‬

‫حتتاج بعض األجهزة اإللكرتونية إلحداث تكبري (تضخيم عال جداً)على اإلشارات حيث ال‬
‫يوجد أي ترانزستور يستطيع عمل ذلك التكبري ‪.‬‬
‫و ميكن عمل هذا التكبري على عدة مراحل حبيث يتم تكبري اإلشارة يف املراحل األوىل ثم‬
‫تدخل هذه اإلشارة على مرحلة أخرى من أجل التكبري وهكذا إىل أن يتم احلصول على التكبري‬
‫املطلوب ‪ .‬وتسمى هذا الطريقة من التكبري متعدد املراحل أو (التعاقيب)‪Cascaded Amplifier‬‬
‫ويسمى كل جزء تكبري من الدائرة الكلية مرحلة (‪. )Stage‬كما هو موضح بالشكل ‪11-5‬‬
‫‪134‬‬
‫شكل ‪11-5‬‬
‫حساب نسبة التكبري الكلي ‪: AV‬‬

‫‪AV = AV1 XAV2‬‬
‫ترانزستور ثنائي دارلينجتون ‪: Darlington transistor‬‬

‫عبارة عن ترانزستورين ثنائيي القطبية موصلني على التوالي‪ .‬حبيث يكون كسب اجلهد‬
‫الكلي قريب جدا من الواحد وزيادة كبرية يف ممانعة الدخل وأيضا اخنفاض كبري يف ممانعة‬
‫اخلرج‪.‬‬
‫الرتكيب‪:‬‬
‫عبارة عن ترانزستورين ثنائيي القطبية موصلني على التوالي وهلما ثالثة أطراف هي ‪:‬‬
‫‪ . 1‬الباعث ‪.E‬‬
‫‪ . 2‬اجملمع ‪. C‬‬
‫‪ . 3‬القاعدة ‪.B‬‬
‫الرمز ‪:‬‬
‫شكل ‪12-5‬‬
‫‪135‬‬
‫االستخدام‪:‬‬
‫يستخدم هذا النوع من الرتانزستورات يف ‪:‬‬
‫‪ . 1‬دوائر منظمات اجلهد‪.‬‬
‫‪ . 2‬دوائر مكربات الصوت‪.‬‬
‫‪ . 3‬دوائر تقوية اإلشارة يف أجهزة اإلرسال‪.‬‬
‫‪ . 4‬دوائر احلساسات الضوئية وحساسات اللمس ‪.‬‬
‫الدائرة النظرية‪:‬‬
‫شكل ‪13-5‬‬
‫‪136‬‬
‫متارين الوحدة اخلامسة ‪ :‬دوائر مكربات الرتانزستور ثنائي القطبية ‪:BJT‬‬
‫التمرين األول ‪ :‬جتربة مكرب الباعث املشرتك ‪.‬‬
‫التمرين الثاني‪ :‬جتربة مكرب القاعدة املشرتكة ‪.‬‬
‫التمرين الثالث‪ :‬جتربة مكرب اجملمع املشرتك ‪.‬‬
‫التمرين الرابع‪ :‬جتربة مكرب ترانزستور دارلينجتون ‪.‬‬
‫‪137‬‬
‫التمرين األول ‪:‬‬

‫جتربة ‪ :‬مكرب الباعث املشرتك‪.‬‬
‫‪ ‬دراسة خصائص مكرب الباعث املشرتك ورسم أشكال موجة الدخل واخلرج ‪.‬‬
‫العدد واخلامات واألجهزة املستخدمة‪:‬‬

‫‪ ‬عدد (‪ )1‬جهاز قياس افوميرت (‪.)A.V.O‬‬
‫‪ ‬عدد (‪ )1‬مصدر جهد مستمر (‪.)power supply‬‬
‫‪ ‬عدد (‪ )1‬مولد اإلشارة (‪.)function generator‬‬
‫‪ ‬عدد (‪ )1‬جهاز راسم اإلشارة (‪.)oscilloscope‬‬
‫‪ ‬عدد (‪ )2‬مقاومة ثابتة ‪.470Ω‬‬
‫‪ ‬عدد (‪ )3‬مقاومة ثابتة ‪.47KΩ‬‬
‫‪ ‬عدد (‪ )1‬مقاومة ثابتة ‪.4.7KΩ‬‬
‫‪ ‬عدد (‪ )1‬ترانزستور ‪.2N3904‬‬
‫‪ ‬عدد (‪ )2‬مكثف كيميائي‪.10µF‬‬
‫‪138‬‬
‫‪ -1‬استخدم جهاز القياس االفوميرت وأكمل اجلدول‪:‬‬
‫‪VB‬‬ ‫‪VE‬‬ ‫‪VC‬‬ ‫اجلهد‬

‫‪ -2‬باستخدام النتائج السابقة احسب القيم التالية‪:‬‬
‫‪VBE‬‬ ‫‪VCE‬‬ ‫‪IE‬‬ ‫الكمية‬

‫‪ -3‬اضبط مولد اإلشارة على موجة جيبية هلا ‪ VPP = 10mV ،f= 10KHz‬ثم‬
‫وصله بدخل الدائرة ‪.‬‬
‫‪ -4‬ارسم إشارة الدخل واخلرج للدائرة‪.‬‬
‫‪139‬‬
‫‪ -5‬من جهاز راسم اإلشارة سجل القيم التالية‪:‬‬

‫‪VPin‬‬ ‫‪VPout‬‬ ‫‪AV‬‬ ‫الكمية‬
‫القراءة املسجلة‬
‫‪ -6‬ارسم شكل إشارة اخلرج بعد إزالة مكثف التمرير ‪.C3‬‬
‫‪140‬‬
‫جتربة ‪ :‬مكرب القاعدة املشرتكة ‪.‬‬
‫‪ ‬دراسة خصائص مكرب القاعدة املشرتكة ورسم أشكال موجة الدخل واخلرج ‪.‬‬

‫‪ ‬عدد (‪ )1‬مصدر تغذية مستمر (‪.)power supply‬‬
‫‪ ‬عدد (‪ )1‬جهاز رسام اإلشارة (‪.)oscilloscope‬‬
‫‪ ‬عدد (‪ )1‬جهاز مولد اإلشارة (‪.)function generator‬‬
‫‪ ‬عدد (‪ )1‬ترانزستور ‪.2N3904‬‬
‫‪ ‬عدد (‪ )1‬مقاومة ثابتة ‪.2.2KΩ‬‬
‫‪141‬‬
‫‪ . 1‬استخدم جهاز االفوميرت وأكمل اجلدول ‪:‬‬
‫‪VB‬‬ ‫‪VC‬‬ ‫‪VE‬‬ ‫اجلهود‬

‫‪ . 2‬اضبط مولد اإلشارة على موجة جيبية هلا ‪ VPP = 10mV ،f= 10KHz‬ثم وصله‬
‫بدخل الدائرة ‪.‬‬
‫‪ . 3‬ارسم إشارة الدخل واخلرج للدائرة‪.‬‬
‫‪142‬‬
‫‪ . 4‬من جهاز راسم اإلشارة أكمل اجلدول التالي‪:‬‬

‫القراءات‬
‫‪143‬‬
‫جتربة ‪ :‬مكرب اجملمع املشرتك ‪.‬‬
‫‪ ‬دراسة خصائص مكرب القاعدة املشرتكة ورسم أشكال موجة الدخل واخلرج ‪.‬‬

‫‪ ‬عدد (‪ )1‬جهاز راسم اإلشارة(‪.)oscilloscope‬‬
‫‪ ‬عدد (‪ )1‬جهاز مصدر تغذية مستمرة (‪.)power supply‬‬
‫‪ ‬عدد (‪ )1‬مولد اإلشارة (‪.)function generator‬‬
‫‪ ‬عدد (‪ )1‬ترانزستور ‪.2N3904‬‬
‫‪ ‬عدد (‪)1‬مقاومة ثابتة ‪.18KΩ‬‬
‫‪144‬‬
‫استخدم جهاز االفوميرت وأكمل اجلدول التالي‪:‬‬ ‫‪. 1‬‬

‫باستخدام النتائج السابقة احسب القيم التالية‪:‬‬ ‫‪. 2‬‬

‫اضبط مولد اإلشارة على موجة جيبية هلا ‪ VPP = 10mV ،f= 10KHz‬ثم‬ ‫‪. 3‬‬
‫وصله بدخل الدائرة ‪.‬‬
‫ارسم إشارة الدخل واخلرج للدائرة‪.‬‬ ‫‪. 4‬‬
‫‪145‬‬
‫من جهاز راسم اإلشارة أكمل اجلدول التالي‪:‬‬ ‫‪. 5‬‬

‫‪146‬‬
‫جتربة ‪ :‬مكرب ترانزستور دارلنجتون ‪.‬‬
‫‪ ‬دراسة خصائص مكرب ترانزستور دارلنجتون ورسم أشكال موجة الدخل واخلرج ‪.‬‬

‫‪ ‬عدد (‪ )1‬لوحة التوصيل‪.‬‬
‫‪ ‬عدد (‪ )1‬جهاز راسم اإلشارة (‪.)oscilloscope‬‬
‫‪ ‬عدد(‪)1‬جهاز مولد اإلشارة (‪.)function generator‬‬
‫‪ ‬عدد (‪ )1‬جهاز تغذية مستمر (‪.)power supply‬‬
‫‪ ‬عدد (‪ )2‬ترانزستور ‪.2N3904‬‬
‫‪ ‬عدد (‪ )1‬مقاومة ثابتة ‪.10 KΩ‬‬
‫‪ ‬عدد (‪ )1‬مقاومة ثابتة ‪.22 KΩ‬‬
‫‪ ‬عدد (‪ )1‬مقاومة ثابتة ‪.22 Ω‬‬
‫‪147‬‬
‫‪ . 1‬باستخدام جهاز االفوميرت أكمل اجلدول ‪:‬‬

‫‪ . 2‬باستخدام جهاز االفوميرت أكمل اجلدول ‪:‬‬

‫‪ . 3‬اضبط مولد اإلشارة على موجة جيبية هلا ‪ VPP = 10mV ،f= 10KHz‬ثم وصله‬
‫بدخل الدائرة ‪.‬‬
‫‪ . 4‬ارسم إشارة الدخل واخلرج للدائرة‪:‬‬
‫‪148‬‬
‫‪ . 5‬من جهاز راسم اإلشارة أكمل اجلدول التالي‪:‬‬

‫‪149‬‬
‫س‪ :1‬عرف التكبري ‪.‬‬
‫س‪ :2‬عدد مايلي‪:‬‬

‫‪ -1‬شروط التكبري‪.‬‬
‫‪-2‬أنواع التكبري‪.‬‬
‫‪ - 3‬دوائر التكبري‪.‬‬
‫س‪ :3‬ارسم الرمز العام لرتانزستور دارلينجتون ‪ .‬مع كتابة أمساء أطرافه ‪.‬‬
‫س‪ :4‬ما أبرز استخدامات ترانزستور دارلينجتون ؟‬
‫س‪ :5‬أكمل اجلدول التالي‪:‬‬
‫مكرب اجملمع‬ ‫مكرب القاعدة‬ ‫مكرب الباعث‬ ‫املكرب‬

‫وجه املقارنة‬
‫مقاومة الدخل‬
‫مقاومة اخلرج‬
‫فرق اإلزاحة بني‬

‫إشارة الدخل واخلرج‬
‫االستخدام‬
‫‪150‬‬

‫بعد االنتهاء من التدرب على وحدة ‪.‬دوائر مكربات الرتانزستور ثنائي القطبية ‪ .BJT‬قيم‬
‫نفسك وقدراتك بواســـطة إكمال هذا التقييم الذاتي بعد كل عنصر من العناصر املذكورة‪،‬‬
‫وذلك بوضع عـــــالمة (‪ )‬أمام مستوى األداء الذي أتقنته‪ ،‬ويف حالة عدم قابلية املهمة للتطبيق‬
‫ضع العالمة يف اخلانة اخلاصة بذلك‪.‬‬
‫معرفة مفهوم التكبري يف دوائر الرتانزستور وأنواعه‬ ‫‪1‬‬

‫التعرف على دوائر التكبري للرتانزستور وخصائصها‬ ‫‪2‬‬
‫التمكن من تصميم وتوصيل دوائر مكرب الرتانزستور‬ ‫‪3‬‬
‫القدرة على صيانة أعطال دوائر املكربات‬ ‫‪4‬‬
‫‪151‬‬

‫يعبأ من قبل املدرب وذلك بعد االنتهاء من متارين الوحدة اخلامسة ‪( :‬دوائر مكربات الرتانزستور )‬
‫‪4‬‬ ‫‪3‬‬ ‫‪2‬‬ ‫‪1‬‬ ‫احملاولة ‪:‬‬
‫رقم املتدرب ‪................................................................. :‬‬
‫العالمة ‪...... ...... ...... ...... :‬‬
‫النقاط ( حسب رقم احملاوالت )‬
‫‪4‬‬ ‫‪3‬‬ ‫‪2‬‬ ‫‪1‬‬
‫معرفة مفهوم التكبري يف دوائر الرتانزستور وأنواعه‬ ‫‪1‬‬
‫التعرف على دوائر التكبري للرتانزستور وخصائصها‬ ‫‪2‬‬
‫التمكن من تصميم وتوصيل دوائر مكرب الرتانزستور‬ ‫‪3‬‬
‫القدرة على صيانة أعطال دوائر املكربات‬ ‫‪4‬‬
‫‪5‬‬
‫‪6‬‬
‫‪.............................................................................................................................‬‬
‫توقيع املدرب‪............................. :‬‬
‫‪152‬‬
‫مصطلحات املقرر‬
‫املصطلح اإلجنليزي‬ ‫املصطلح العربي‬ ‫م‬ ‫الوحدة‬
‫‪Conductors‬‬ ‫مواد موصلة‬ ‫‪01‬‬
‫‪Insulators‬‬ ‫مواد عازلة‬ ‫‪02‬‬
‫‪Semiconductors‬‬ ‫مواد شبه موصلة‬ ‫‪03‬‬
‫‪Silicon‬‬ ‫السيليكون‬ ‫‪04‬‬
‫‪Germanium‬‬ ‫اجلرمانيوم‬ ‫‪05‬‬
‫‪Crystal‬‬ ‫البلورة‬ ‫‪06‬‬
‫‪Covalent bonding‬‬ ‫الرتابط التساهمي‬ ‫‪07‬‬
‫‪Pauli's exclusion principle‬‬ ‫مبادئ بولي لالستبعاد‬ ‫‪08‬‬
‫‪Bands‬‬ ‫حزم‬ ‫‪09‬‬
‫‪Valence band‬‬ ‫حزمة تكافؤ‬ ‫‪10‬‬
‫‪Conduction band‬‬ ‫حزمة توصيل‬ ‫‪11‬‬
‫‪band Forbidden‬‬ ‫احلزمة املمنوعة‬ ‫‪12‬‬
‫‪Electro motive force‬‬ ‫القوة الدافعة الكهربائية‬ ‫‪13‬‬
‫‪Types‬‬ ‫الوصلة‬ ‫‪14‬‬
‫‪Donor Impurity‬‬ ‫الشوائب املاحنة‬ ‫‪15‬‬
‫‪Hole‬‬ ‫فجوة‬ ‫‪16‬‬
‫‪Acceptor‬‬ ‫الكاسبة‬ ‫‪17‬‬
‫‪Anode‬‬ ‫املهبط‬ ‫‪18‬‬
‫‪Cathode‬‬ ‫املصعد‬ ‫‪19‬‬
‫‪Forward Bias‬‬ ‫االحنياز ألمامي‬ ‫‪20‬‬
‫‪Reverse Bias‬‬ ‫االحنياز العكسي‬ ‫‪21‬‬
‫‪Open Loop‬‬ ‫دائرة مفتوحة‬ ‫‪22‬‬
‫‪Multimeter‬‬ ‫‪ 23‬جهاز قياس متعدد األغراض‬
‫‪Oscilloscope‬‬ ‫جهاز راسم اإلشارة‬ ‫‪24‬‬
‫‪153‬‬

‫‪Half Wave Rectification‬‬ ‫دائرة توحيد نصف موجة‬ ‫‪01‬‬
‫‪Charge‬‬ ‫شحن‬ ‫‪02‬‬
‫‪Discharge‬‬ ‫تفريغ‬ ‫‪03‬‬
‫‪Full wave rectifier‬‬ ‫دائرة توحيد موجة كاملة‬ ‫‪04‬‬
‫‪Voltage Multipliers Circuits‬‬ ‫دوائر مضاعفات اجلهود‬ ‫‪05‬‬

‫‪Zener Diode‬‬ ‫ثنائي الزينر‬ ‫‪01‬‬
‫‪Voltage Regulator‬‬ ‫منظم اجلهد‬ ‫‪02‬‬
‫‪Variable Capacitance‬‬ ‫متغري السعة‬ ‫‪03‬‬
‫‪Varicab Diode‬‬ ‫ثنائي الفاريكاب‬ ‫‪04‬‬

‫‪Transistor‬‬ ‫الرتانزستور‬ ‫‪01‬‬
‫)‪Integrated Circuit (IC‬‬ ‫الدوائر املتكاملة‬ ‫‪02‬‬
‫‪Transfer‬‬ ‫النقل‬ ‫‪03‬‬
‫‪Resistor‬‬ ‫املقاومة‬ ‫‪04‬‬
‫‪Bipolar Junction Transistors‬‬ ‫‪ 05‬ترانزستور ثنائي القطبية‬
‫‪Field Effect Transistors‬‬ ‫ترانزستور تأثري اجملال‬ ‫‪06‬‬

‫‪Collector‬‬ ‫اجملمع‬ ‫‪07‬‬
‫‪Emitter‬‬ ‫الباعث‬ ‫‪08‬‬
‫‪Base‬‬ ‫القاعدة‬ ‫‪09‬‬
‫‪Barrier Potential‬‬ ‫اجلهد احلائل (احلاجز)‬ ‫‪10‬‬
‫‪Common Base Configuration‬‬ ‫وصلة القاعدة املشرتكة‬ ‫‪11‬‬
‫‪Common Emitter Configuration‬‬ ‫وصلة الباعث املشرتك‬ ‫‪12‬‬
‫‪Common Collector Configuration‬‬ ‫وصلة اجملمع املشرتك‬ ‫‪13‬‬
‫‪154‬‬

‫‪Cutting Area‬‬ ‫منطقة القطع‬ ‫‪14‬‬
‫‪Effective Area‬‬ ‫املنطقة الفعالة‬ ‫‪15‬‬
‫‪Saturation Area‬‬ ‫منطقة اإلشباع‬ ‫‪16‬‬
‫‪Impedance Matching‬‬ ‫املمانعة املتوافقة‬ ‫‪17‬‬

‫‪Amplifier‬‬ ‫التكبري‬ ‫‪01‬‬
‫‪Small Signal Amplifier‬‬ ‫مكرب اإلشارة الصغرية‬ ‫‪02‬‬
‫‪Power Amplifier‬‬ ‫مكرب القدرة‬ ‫‪03‬‬
‫الوحدة اخلامسة‬
‫‪Common – Emitter Amplifier‬‬ ‫مكرب الباعث املشرتك‬ ‫‪04‬‬
‫‪Common – Base Amplifier‬‬ ‫مكرب القاعدة املشرتكة‬ ‫‪05‬‬
‫‪Common – collector Amplifier‬‬ ‫مكرب اجملمع املشرتك‬ ‫‪06‬‬
‫‪Emitter Follower‬‬ ‫تابع الباعث‬ ‫‪07‬‬
‫‪bypass Capacitor‬‬ ‫مكثف التمرير‬ ‫‪08‬‬
‫‪Cascaded Amplifier‬‬ ‫املكرب التعاقيب‬ ‫‪09‬‬
‫‪Stage‬‬ ‫املرحلة‬ ‫‪10‬‬
‫‪The Darlington transistor‬‬ ‫ترانزستور ثنائي دارلينجتون‬ ‫‪11‬‬
‫‪155‬‬
‫ حاجك‬012 ‫عناصر إلكرتونية‬
‫املراجــع‬
‫املرجع‬ ‫م‬
Electronics Devices and Circuit Theory/11th Edition – Robert
1
Bolysted/Louis Nashelsky-2013
Electronics Fundamentals Circuit Devices and Applications/8th -Thomas
2
Floyed/David L Busha-2014.
Grab,s Basic Electronics/11th Edition-Mitchel E.Schel E.Schuttz-2011. 3
Theroy and Problems of Electronics Device and Circuits/2sd Edition-
4
Jimmie J.Cathey-2002.
Electronic Devices and Circuits Theroy /10th Edition-Robert Boylestad
5
/Louis Nashelsky-2008
‫م‬2016 ‫خري شواهني‬/‫ا إللكرتونيات من البداية إىل االحرتاف م‬ 6
‫ دون كانون‬- ‫مقدمة إىل اإللكرتونيات‬ 7
156

عناصر الكترونية

Uploaded by

Document Information

Copyright

Available Formats

Share this document

Share or Embed Document

Sharing Options

Did you find this document useful?

Is this content inappropriate?

Copyright:

Available Formats

عناصر الكترونية

Uploaded by

Copyright:

Available Formats

‫عنارص إلكرتونية‬

‫اإلدارة العامة للمناهج‬

‫‪20‬‬ ‫الوصلة الثنائية من نوع ‪P‬‬

‫‪20‬‬ ‫وصلة ‪ P-N‬عنصر الثنائي وأطرافه‬

‫رقم الصفحة‬ ‫املوضـــــوع‬

‫رقم الصفحة‬ ‫املوضـــــوع‬

‫رقم الصفحة‬ ‫املوضـــــوع‬

‫‪127‬‬ ‫شرح الدائرة األساسية‬

‫رقم الصفحة‬ ‫املوضـــــوع‬

‫‪132‬‬ ‫شرح الدائرة األساسية‬

‫‪132‬‬ ‫شرح الدائرة األساسية‬

‫‪135‬‬ ‫ترانزستور ثنائي دارلنجتون‬

‫رقم الصفحة‬ ‫املوضـــــوع‬

‫اهلدف العام للحقيبة التدريبية‪:‬‬

‫تعريف باحلقيبة التدريبية‪:‬‬

‫الوقت املتوقع إلمتام احلقيبة التدريبية ‪:‬‬

‫األهداف التفصيلية للحقيبة ‪:‬‬

‫اشرتاطات السالمة عند التدريب على هذه احلقيبة‪:‬‬

‫الوقت املتوقع للتدريب على هذه الوحدة‪ 15 :‬ساعة تدريبية‬

‫تصنيف املواد من حيث املوصلية‪:‬‬

‫الروابط الكيميائية ‪:‬‬

‫وفيها ال تكون اإللكرتونات مستعدة للحركة من ذرة إىل أخرى‪.‬‬

‫الفرق بني املواد من حيث التوصيل‪:‬‬

‫جدول املواد من حيث املوصلية‬

‫التوصيل يف البلورات أشباه املوصالت‪:‬‬

‫تصنف أشباه املوصالت إىل نوعني هما ‪:‬‬

‫‪ -1‬الوصلة الشائبة من النوع ‪:)N-Type Semiconductor( N‬‬

‫‪ -2‬الوصلة الشائبة من النوع ‪:)P-Type Semiconductor( P‬‬

‫الفجوة (‪: )P‬‬

‫االحنياز األمامي واالحنياز العكسي‪:‬‬

‫االحنياز األمامي (‪:)Forward Bias‬‬ ‫‪. 1‬‬

‫‪ .2‬االحنياز العكسي ) ‪: ( Reverse Bias‬‬

‫منحنى اخلصائص للثنائي‪:‬‬

‫خط احلمل ونقطة التشغيل‪:‬‬

‫اختبار وفحص الثنائي باستخدام جهاز االفوميرت الرقمي‪:‬‬

‫)‪.‬‬ ‫اخرت على جهاز االفوميرت وضع (‬ ‫‪. 1‬‬

‫تقريبا ًيدل هذا أن الثنائي سليم ومصنع من السيليكون ‪.‬‬

‫قائمة متارين الوحدة األوىل (الثنائي)‪:‬‬

‫التمرين األول ‪ :‬جتربة لفحص الثنائي وحتديد أطرافه‪.‬‬

‫التمرين الثالث‪ :‬جتربة لرسم منحنى اخلصائص للثنائي‪.‬‬

‫العدد واألدوات املستخدمة‪:‬‬

‫‪ ‬أكمل اجلدول التالي ‪:‬‬

‫‪ ‬ماذا تستنتج من النتائج املوضحة باجلدول ؟‬

‫شكل ‪2‬‬ ‫شكل ‪1‬‬

‫العدد واألدوات واألجهزة املستخدمة‪:‬‬

‫‪ ‬يف حالة االحنياز العكسي‪:‬‬

‫‪ ‬ماذا تستنتج من النتائج يف اجلدول يف حالة االحنياز األمامي ؟‬

‫‪ ‬ماذا تستنتج من النتائج املسجلة يف اجلدول يف حالة االحنياز العكسي ؟‬

‫العدد واألدوات واألجهزة املستخدمة‪:‬‬

‫س‪ :1‬تصنف املواد من حيث توصيلها إىل‪:‬‬

‫س‪ :2‬ارسم الرمز اإللكرتوني للثنائي ‪ .‬وكذلك الرتكيب الداخلي ‪.‬‬

‫س‪ :3‬وضح بالرسم االحنياز األمامي والعكسي للثنائي ‪.‬‬

‫منوذج تقييم املتدرب ملستوى أدائه‬

‫التعرف على تصنيف املواد من حيث توصيلها للتيار‬ ‫‪1‬‬

‫منوذج تقييم املدرب ملستوى أداء املتدرب‬

‫الوقت املتوقع للتدريب على هذه الوحدة‪ 15 :‬ساعة تدريبية‬

‫توحيد نصف موجة‪:)Half Wave Rectification( :‬‬

‫والشكل ‪ 3-2‬يوضح شكل إشارة اخلرج للدائرة ‪.‬‬

‫‪ ‬الدائرة النظرية ‪:‬‬

‫‪ ‬أشكال موجة الدخل واخلرج للدائرة‪:‬‬

‫‪ - 1‬استخدام حمول من نوع خاص ( ذو نقطة املنتصف ) وهو غالي الثمن‪.‬‬

‫‪ ‬الدائرة النظرية ‪:‬‬

‫‪ ‬شرح عمل الدائرة‪:‬‬

‫‪-‬اشكال موجات الدخل واخلرج للدائرة‪:‬‬