Mach-Dien-Tu - Nguyen-Phuoc-Bao-Duy - Chuong2-Fet - (Cuuduongthancong - Com)

Chương 2 - FET
 1. Giới thiệu
2. Các đặc tính dòng - áp
3. Mạch phân cực
4. Mạch khuếch đại dùng FET
5. Các mạch khuếch đại cơ bản
Nguyễn Phước Bảo Duy - HCMUT
CuuDuongThanCong.com https://fb.com/tailieudientucntt
1. Giới thiệu
FET - Field-Effect Transistor
FET gồm 2 loại chính:
- JFET: Junction FET
- MOSFET: Metal-Oxide-Semiconductor FET
Trong phần này chúng ta chỉ khảo sát MOSFET, trường hợp JFET có thể
áp dụng tương tự.
Một số ưu điểm của MOSFET so với BJT:
- Kích thước nhỏ hơn, chế tạo đơn giản hơn.
- Tiêu thụ ít công suất hơn
- Các mạch chức năng có thể sử dụng ít điện trở hơn.
1. Giới thiệu
n-channel enhancement-type MOSFET or NMOS:

1. Giới thiệu
Khi điện áp v G S đạt tới một
ngưỡng Vt nhất định thì một kênh
dẫn được tạo ra.
Thông thường Vt ~ 0.3-1.0V.
Đặt v O V = v G S - V t : overdrive
voltage or effective voltage.

1. Giới thiệu
Khi đặt điện áp nhỏ vDS vào cực
D, cố định vGS thì có dòng:
 W  
iD  ( n C ox ) VOV v DS
  L  
trong đó: k n = (  n C o x )(W/L)
(A/V 2 ) là thông số phụ thuộc vào
quá trình sản xuất MOSFET.
Dẫn nạp:
W 
g DS  ( n C ox ) VOV  k nv OV
 L 
1. Giới thiệu
Tiếp tục cố định vGS, nếu vDS tăng
thì dòng i D tăng, tuy nhiên không
tuyến tính:
 1 
iD  k n  VOV  v DS v DS
 2 
Sự không tuyến tính này gây ra
do kênh dẫn n-channel bị biến dạng.
Khi vGS thay đổi:
 1 2 
iD  k n (v GS  Vt )v DS  v DS 
 2 
1. Giới thiệu
Nếu vDS tăng tới một giá trị
nào đó thì i D không tiếp tục
tăng nữa, khi đó MOSFET ở
trạng thái bão hòa.
VDSsat = VOV
Khi bão hòa thì
1
iD  k n VOV
2
2
Tổng quát, nếu vGS thay đổi:
1 1
iD  k nv OV  k n v GS  Vt 2
2
2 2
1. Giới thiệu
p-channel enhancement-type
MOSFET or PMOS:
Hoạt động với nguyên lý
tương tự NMOS với các chiều
dòng điện và điện áp ngược lại.

Chương 2 - FET
1. Giới thiệu
 2. Các đặc tính dòng - áp
Ký hiệu của NMOS:
Ba cực chính: G (gate), D (drain) và S (source).

Đặc tuyến iD-vDS:

Các vùng hoạt động của NMOS:
 vGS < Vtn: cutoff, iD = 0.
 vGS = Vtn + vOV: triode hoặc bão hòa
- Triode: vDS < vOV, khi đó:

 1   1 2 
iD  k n  v OV  v DS v DS  k n (v GS  VTn )v DS  v DS 
 2   2 
- Bão hòa: vDS  vOV, khi đó:
1 1
iD  k nv OV  k n v GS  Vtn 2
2
2 2
Đặc tuyến iD-vDS: với các giá trị vGS khác nhau:

Tương tự như BJT, nếu phân tích kỹ thì MOSFET cũng có hiệu ứng
Early, khi đó
VA
ro 
ID
là trở kháng giữa D và S.

Đặc tuyến iD-vGS:
- Khi sử dụng MOSFET làm mạch
khuếch đại, thì cần phân cực sao cho
MOSFET hoạt động ở vùng bão hòa,
khi đó iD sẽ phụ thuộc vào vGS:
1 1
iD  k nv OV  k n v GS  Vtn 2
2
2 2
- Đây là hàm phi tuyến, tuy nhiên
nếu vGS thay đổi trong phạm vi nhỏ thì
có thể xem như tuyến tính.
Ví dụ: Một NMOS có kn = 4.3mA/V2, Vtn =0.5V:
a. Xác định VGS và VDS sao cho MOSFET hoạt động ở biên bão hòa với ID
= 100A.
b. Nếu VGS giữ không đổi (câu a), tìm VDS sao cho ID = 50A.
c. Tại VDS=0.3V, giả sử NMOS đang ở vùng bão hòa, xác định iD nếu vGS =
0.7V0.01V.
Đáp án:
a. VGS = 0.72V, VDS = VOV = 0.22V.
b. Triode, VDS = 0.06 (lưu ý chọn VDS < VOV).
c. vGS = 0.69V: 0.70V: 0.71V tương ứng iD = 77.6A: 86A: 94.8A.
Ký hiệu của PMOS:
Các đặc tính dòng áp tương tự NMOS với chiều đảo ngược.

Đặt tuyến iD-vSD:

Chương 2 - FET
1. Giới thiệu
 3. Mạch phân cực
- Tương tự như BJT, khi khảo sát mạch phân cực DC thì ta chỉ xét
mạch với các điện áp DC, với các tụ điện là hở mạch và ngắn mạch các
nguồn áp AC (nếu có).
- Trong các ví dụ, bài tập, nếu không có ghi chú gì thêm thì xem VA =
 (nghĩa là ro = ).
- Các nguồn là DC nên:
• NMOS: VOV = VGS - Vtn
• PMOS: |VOV| = VSG - |Vtp|

Ví dụ: NMOS với Vt = 0.7V, nCox = 100A/V2,
L = 1m và W = 32m.
Xác định RD và RS để ID = 0.4mA và VD = 0.5V.
Giải:
kn = (nCox)(W/L) = 3.2mA/V2.
RD = 5k
RS = 3.25k.

Ví dụ: NMOS với Vt = 0.5V, nCox = 0.4mA/V2,
L = 0.18m và W = 0.72m.
Xác định RD để VD = 0.8V.
Đáp án:
R = 13.9k

Ví dụ: NMOS với kn = 1mA/V2, Vtn = 1V
Xác định RD để VD = 0.1V, và trở kháng
giữa D và S.
Đáp án:
VDS < VOV: triode region
ID = 0.395mA
RD = 12.4k
rDS = VDS/ID = 235

Ví dụ: NMOS với kn = 1mA/V2, Vtn = 1V
Xác định điện áp tại các cực của NMOS.
Đáp án:
VG = 5V
Giả sử NMOS ở saturation region
ID = 0.5mA
VS = 3V
VD = 7V
-> giả thiết là hợp lý.
Ví dụ: PMOS với kn = 1mA/V2, Vtp = -1V
Tính các R để VD = 3V, ID = 0.5mA.
Tính giá trị lớn nhất của RD để PMOS hoạt
động ở saturation region.
Đáp án:
|VOV|= 1V, VG = 3V, RD = 6k.
RDmax = 8k.

Chương 2 - FET
1. Giới thiệu
 4. Mạch khuếch đại dùng FET
- Khi thiết kế mạch khuếch đại dùng FET, cần đảm bảo FET hoạt
động ở vùng bão hòa (saturation region).
- Dòng iD sẽ phụ thuộc vào điện áp vGS.
- Sự phụ thuộc là không tuyến tính, tuy nhiên nếu xét trong một
vùng nhỏ thì mối quan hệ này có thể xem như tuyến tính.

- Xét mạch NMOS như hình, hoạt động ở saturation region
1
iD  k n v GS  Vt 2
2
1
 v DS  VDD  k nRD v GS  Vt 2
2
- Tại điểm biên B:
2k nRD VDD  1  1
VGS B  Vt 
k nRD

- Điểm làm việc tĩnh Q phải ở trên đoạn AB (saturation region), với
tọa độ (VGS, VDS):
1
VDS  VDD  k nRD VGS  Vt 2

- Điểm làm việc tĩnh Q phải ở trên đoạn AB (saturation region), với
tọa độ (VGS, VDS):
1
VDS  VDD  k nRD VGS  Vt 2
2
- Khuếch đại tín hiệu nhỏ:
vGS(t) = VGS + vgs(t)

- Hệ số khuếch đại áp
dvDS
Av   k n (VGS  Vt )RD
dv GS v GS  VGS
 k n VOV RD
- Lưu ý rằng:
1
ID  k n VOV
2
2
2ID RD
 AV  
VOV
- Cần nhớ rằng đây không phải công thức
tổng quát để áp dụng cho mọi bài toán.
- Phương trình đường tải:
VDD 1
iD   v DS
RD RD

Ví dụ: Mạch khuếch đại NMOS như hình với V t = 0.4V, k n ' =  n C ox =
0.4mA/V2, W/L = 10, VDD = 1.8V, RD = 17.5k và VGS = 0.6V.
a. Xác định VOV, ID, VDS và Av.
b. Xác định biên độ dao động cực đại của vgs sao cho
diện áp vds không méo.
Đáp án:
a. VOV = 0.2V, ID = 0.08mA, VDS = 0.4V, Av = -14V/V.
b. 14.2mV.

Bây giờ ta sẽ khảo sát điều kiện để có thể xem sự khuếch đại là
tuyến tính.
1 1 1
v GS  VGS  v gs  iD  k n (VGS  v gs  Vt )  k n (VGS  Vt )  k n (VGS  Vt )v gs  k nv 2gs
2 2
2 2 2
Để có thể xem sự khuếch đại là tuyến tính thì

1
k nv 2gs  k n (VGS  Vt )v gs  v gs  2(VGS  Vt )  2VOV
2
1
Khi đó: iD  k n (VGS  Vt ) 2  k n (VGS  Vt )v gs  ID  id
2
id  k n (VGS  Vt )v gs

Dẫn nạp AC:
id
g m  k n (VGS  Vt )  k n VOV
v gs
Do: vDS = VDD - RD(ID + id) = VDS - RDid
Thành phần xoay chiều
vds = - idRD = -gmvgsRD
Hệ số khuếch đại áp:
vds
Av    g mRD
v gs


Sơ đồ tương đương tín hiệu nhỏ của NMOS:
| VA |
ro 
ID
2ID
g m  k nVOV 
VOV
Lưu ý: đối với PMOS thì tính toán tương tự NMOS, tuy nhiên phải
sử dụng |VGS|, |Vt|, |VOV|, |VA| và thay kn bằng kp.

Ví dụ: Cho mạch khuếch đại như hình, với Vt = 1.5V, kn = 0.25mA/V2, VA =
50V, các tụ có giá trị rất lớn.
Xác định độ lợi áp Av và các trở kháng
vào, ra của mạch.
Xác định biên độ cực đại của vi sao cho
NMOS vẫn hoạt động trong vùng bão
hòa.

Giải:
Phân tích mạch ở DC:
ID = 1.06mA
VGS = 4.4V = VDS
VOV = 2.9V
gm = 0.725mA/V
ro = 47k

1
Giải: 1
g mRG
Phân tích mạch ở AC: AV   g m (RL // RD // ro ) R // R // r   g m (RL // RD // ro )
RG 1  L D o
Rin   2.33M RG
1  g m (RL // RD // ro )
Ro  RL // RD // ro  4.52k
Biên độ vi cực đại: 0.35V

Chương 2 - FET
1. Giới thiệu
 5. Các mạch khuếch đại cơ bản
Mạch khuếch đại S chung (Common Source - CS)
Là mạch có sơ đồ tương đương tín hiệu nhỏ như sau:

Ví dụ: Với mạch khuếch đại như hình, với
Vt = 0.8V, kn = 0.85mA/V2,  = 1/VA = 0.02V-1.
a. Xác định các điện trở để
IDQ = 0.1mA, VDSQ = 5.5V.
b. Xác định độ lợi áp tín hiệu nhỏ Av.

Đáp án:
a. RS = 37.15k, RD = 7.85k.
gm = 0.412mA/V.
b. Av = -2.67

Ví dụ: Với mạch khuếch đại như hình, với
Vtp = -2V, RD = RL = 10k, VA = .
a. Xác định kp và RS để VSDQ = 6V.
b. Xác định IDQ và Av.

Đáp án:
a. Có thể chọn RS = 10k,
khi đó kp = 0.4mA/V2.
b. IDQ = 0.2mA
Av = -2.0.

Mạch khuếch đại S chung với điện trở cực S

Ví dụ: NMOS có V A = , V t = 0.8V, k n =
2mA/V2.
a. Xác định IDQ và VDSQ.
b. Xác định độ lợi áp Av.

Ví dụ: NMOS có V A = , V t = 0.8V, k n =
2mA/V2.
a. Xác định IDQ và VDSQ.
b. Xác định độ lợi áp Av.
Đáp án:
a. IDQ = 0.494mA, VDSQ = 6.3V.
b. Av = -5.78.

Mạch khuếch đại G chung (Common Gate - CG)

Ví dụ: NMOS có VA = , VT = 1V, kn = 2mA/V2, V+ = 5V, V- =-5V, RG = 100k,
RD = 4k, RL = 10k, RSi = 50k, IQ = 1mA, vi(t) = 5sint V.
a. Xác định điểm làm việc tĩnh
b. Xác định vo(t).

Ví dụ: NMOS có VA = , Vt = 1V, kn = 2mA/V2, V+ = 5V, V- =-5V, RG = 100k,
RD = 4k, RL = 10k, RSi = 50k, IQ = 1mA, vi(t) = 5sint V.
a. Xác định điểm làm việc tĩnh
b. Xác định vo(t).
Đáp án:
a. VGSQ = 2V.
b. vo(t) = 0.238sint (V).

Mạch khuếch đại D chung (Common Drain - CD)

Ví dụ: NMOS có VA = 1/ = 1/0.015 (V), Vt =
0.8V, kn = 2mA/V2, VDD = 10V, Rsi = 200, R1
+ R2 = 400k.
a. Thiết kế mạch để IDQ = 1.5mA, VDSQ = 5V.
b. Tính độ lợi áp Av.

Ví dụ: NMOS có VA = 1/ = 1/0.015 (V), Vt =
0.8V, kn = 2mA/V2, VDD = 10V, Rsi = 200, R1
+ R2 = 400k.
a. Thiết kế mạch để IDQ = 1.5mA, VDSQ = 5V.
b. Tính độ lợi áp Av.
Đáp án:
a. R1 = 119k, R2 = 281k.
b. Av = 0.884.

Ví dụ: PMOS có V A = , V t = -2V, k p =
1.57mA/V2, VDD = 20V, Rsi = 4k, RS = 4k,
R1 = 644k, R2 = 290k.
a. Xác định các giá trị dòng áp ở DC.
b. Tính độ lợi áp Av, trở kháng vào Ri.
Đáp án:
a. IDQ = 2.5mA, VSGQ = 10V.
b. Av = 0.9, Ri = 200k.


Mach-Dien-Tu - Nguyen-Phuoc-Bao-Duy - Chuong2-Fet - (Cuuduongthancong - Com)

Uploaded by

Document Information

Original Title

Copyright

Available Formats

Share this document

Share or Embed Document

Sharing Options

Did you find this document useful?

Is this content inappropriate?

Copyright:

Available Formats

Mach-Dien-Tu - Nguyen-Phuoc-Bao-Duy - Chuong2-Fet - (Cuuduongthancong - Com)

Uploaded by

Copyright:

Available Formats

Chương 2 - FET

Nguyễn Phước Bảo Duy - HCMUT

Nguyễn Phước Bảo Duy - HCMUT

Nguyễn Phước Bảo Duy - HCMUT

Ba cực chính: G (gate), D (drain) và S (source).

Nguyễn Phước Bảo Duy - HCMUT

Nguyễn Phước Bảo Duy - HCMUT

 vGS = Vtn + vOV: triode hoặc bão hòa

- Triode: vDS < vOV, khi đó:

Nguyễn Phước Bảo Duy - HCMUT

là trở kháng giữa D và S.

Nguyễn Phước Bảo Duy - HCMUT

Nguyễn Phước Bảo Duy - HCMUT

Nguyễn Phước Bảo Duy - HCMUT

Nguyễn Phước Bảo Duy - HCMUT

Nguyễn Phước Bảo Duy - HCMUT

Nguyễn Phước Bảo Duy - HCMUT

Nguyễn Phước Bảo Duy - HCMUT

Nguyễn Phước Bảo Duy - HCMUT

Nguyễn Phước Bảo Duy - HCMUT

Nguyễn Phước Bảo Duy - HCMUT

Nguyễn Phước Bảo Duy - HCMUT

Nguyễn Phước Bảo Duy - HCMUT

Nguyễn Phước Bảo Duy - HCMUT

Nguyễn Phước Bảo Duy - HCMUT

Để có thể xem sự khuếch đại là tuyến tính thì

Nguyễn Phước Bảo Duy - HCMUT

Nguyễn Phước Bảo Duy - HCMUT

Nguyễn Phước Bảo Duy - HCMUT

Nguyễn Phước Bảo Duy - HCMUT

Nguyễn Phước Bảo Duy - HCMUT

Nguyễn Phước Bảo Duy - HCMUT

Biên độ vi cực đại: 0.35V

Nguyễn Phước Bảo Duy - HCMUT

Nguyễn Phước Bảo Duy - HCMUT

Nguyễn Phước Bảo Duy - HCMUT

Nguyễn Phước Bảo Duy - HCMUT

Nguyễn Phước Bảo Duy - HCMUT

Nguyễn Phước Bảo Duy - HCMUT

Nguyễn Phước Bảo Duy - HCMUT

Nguyễn Phước Bảo Duy - HCMUT

Nguyễn Phước Bảo Duy - HCMUT

Nguyễn Phước Bảo Duy - HCMUT

Nguyễn Phước Bảo Duy - HCMUT

Nguyễn Phước Bảo Duy - HCMUT

Nguyễn Phước Bảo Duy - HCMUT

Nguyễn Phước Bảo Duy - HCMUT

Nguyễn Phước Bảo Duy - HCMUT

Nguyễn Phước Bảo Duy - HCMUT

You might also like