绝缘子表面污秽成分检测方法... 分对交流污闪特性的影响研究杨忠毅

绝缘子表面污秽成分检测方法及成分对交流
污闪特性的影响研究
重庆大学博士学位论文
（学术学位）
学生姓名：杨忠毅
指导教师：蒋兴良教授
学科门类：工学
学科名称：电气工程
研究方向：输电线路外绝缘
答辩委员会主席：何俊佳教授
授位时间：2019 年 12 月
Detection Methods for Insulator Surface
Pollution Components and the Influence of
Pollution Components on AC Flashover
Performance of Insulators
A Thesis Submitted to Chongqing University
in Partial Fulfillment of the Requirement for the
Doctor’s Degree of Engineering
By
Zhongyi Yang
Supervised by Prof. Xingliang Jiang
December, 2019
中文摘要
摘要
随着社会经济和工业的蓬勃发展，电力系统外绝缘污秽成分逐渐趋于多样性，
绝缘子表面污秽的化学成分直接影响了其电气性能，严重威胁着电力系统的安全
稳定运行。然而，传统的外绝缘设计和绝缘子闪络电压预测方法未对污秽成分的
影响进行全面考虑。
本文在总结国内外研究成果的基础上，针对现有研究的不足以及客观存在的
问题，对绝缘子表面污秽成分检测及成分对绝缘子交流闪络特性的影响进行了理
论与试验研究。论文建立了绝缘子表面污秽成分的阴阳离子配对模型，从微观角
度分析了污秽化学成分对绝缘子闪络特性的影响机理，综合考虑各类成分的影响，
提出了混合污秽成分染污绝缘子的闪络电压预测方法。论文的主要工作如下：
对多种绝缘子进行自然积污试验，并对其盐/灰密进行了测量与分析；结合离
子交换色谱法，测量了绝缘子表面污秽的离子成分。针对目前人工配对方法的不
足，结合绝缘子表面污秽的积累特性和污秽溶解的动态电导率特性，建立了绝缘
子表面污秽离子成分的配对模型。模型首先利用模糊聚类和动态改进 FCM 的方法，
实现了阴阳离子的粗略配对；结合 Avrami 溶解动力学方程，研究了电力系统主要
污秽成分溶解时的动态电导率特性，得到了各污秽成分溶解时电导率与时间及平
衡浓度的关系曲线表达式；根据污秽溶液的动态电导率特性，结合离子成分测量
与粗略配对结果，提出了基于污液动态电导率特性的阴阳离子配对子模型，用以
提高配对精度，并对该子模型进行了试验验证。
通过单一可溶污秽成分的闪络试验，得到了多种可溶污秽成分对绝缘子闪络
特性影响的特征参数，总结了可溶污秽离子成分对绝缘子污闪特性影响程度的一
般规律：Cl- < NO3- < SO42-；K+ < Na+, NH4+ < Ca2+。根据成分对绝缘子闪络特性的
影响机理及规律，提出了单一易溶污秽成分的绝缘子闪络特征参数预测方程，并
对其工程应用方法和价值进行了分析。通过混合可溶污秽成分的闪络试验和对比
分析，提出工程设计中易溶污秽成分可按线性叠加的方法进行绝缘子闪络电压梯
度预测；而对于 CaSO4，需针对其微溶特性进行单独计算。
通过不溶污秽成分的闪络试验，得到了不溶污秽所对应的绝缘子闪络特征参
数，在相同污秽度下，不溶物所对应的绝缘子闪络电压梯度大小顺序为：高岭土 <
Al2O3 < Fe2O3, 硅藻土 < SiO2。颗粒间隙的保水作用使得绝缘子污闪电压梯度随不
溶物粒径的增大而有所提升。
结合电解质溶解试验与分子动力学模拟，分别从导电和溶解特性、温度、电
场、混合成分的相互影响等方面研究了可溶污秽成分对绝缘子污闪特性的影响机
I
理及其微观行为，解释了造成易溶污秽成分闪络特性差异的原因。结果表明，在
有效 ESDD 测量和计算时应对成分的电导率特性和溶解特性加以考虑；不同可溶
污秽成分对应的温度修正系数有所不同，在电场作用下的污秽溶液的离子电导率
相对于无电场时有不同程度的提升；共存离子对电导率的影响主要体现在溶剂化
作用和离子氛作用两方面，且离子氛作用占主导地位；外加离子对 CaSO4 溶液在
离子扩散系数和溶解度方面存在影响，且两方面作用效果相反。
通过分子动力学和蒙特卡罗方法，研究了不溶物吸水机理和微观行为，建立
了不溶物吸水的微观模型；并从吸附能、径向分布函数、平均力势、吸附等温线、
吸附动力学等方面对不溶物的表面吸附、孔洞吸附和层间吸附作用进行了分析。
分子模拟结果与闪络试验结果相互印证。
根据污秽成分的溶解特性和电导率特性，对污秽成分的有效污秽度进行了定
量表征；结合污秽成分对绝缘子闪络特性的影响机理和规律、阴阳离子测量和配
对方法，综合考虑易溶物、微溶物、不溶物三方面的影响，提出了混合污秽染污
绝缘子的闪络电压(梯度)预测方法，并对方法进行了算例分析与试验验证，结果表
明，该方法相对于传统方法可大幅度减小绝缘子闪络电压梯度的预测误差，此误
差可控制在 10%以内。
关键词：绝缘子；污秽成分；离子配对；分子动力学；污闪电压预测
II
英文摘要
Abstract
With the rapid industrialization and economic expansion, the components of

pollution for outdoor insulation are increasingly complex and diversified. The chemical
composition of surface pollution have significant impacts on the electrical performance
of insulators, and therefore influences the reliability and stability of power system.
However, traditional outdoor insulation design and flashover voltage prediction
methods have not fully considered the impacts of diverse pollution components.
Based on literature reviews on the research of pollution components in outdoor
insulation, theoretical and experimental works were carried out to improve the detection
methods for insulator surface pollution components and to study the influence of
pollution components on AC flashover performance of insulators. This thesis proposed
an ion-pairing model to examine the chemical compounds of insulator surface pollution.
The influence mechanism and microcosmic behavior of pollution components on
insulator flashover performance were analyzed. Considering the effect of various types
of pollution components on insulator flashover performance, a prediction method of
insulator flashover voltage gradient were proposed. The detailed work and main
contents are as follows:
Natural pollution accumulation tests were conducted on several types of insulators
with the measurement of equivalent salt deposit density (ESDD) and non-soluble
deposit density (NSDD). The contents of anions and cations were obtained by using
ion-exchange chromatography. An ion-pairing model based on pollution accumulation
and dynamic conductivity properties was proposed. This model can address the
deficiencies in manual ion-pairing method. In this model, fuzzy clustering and dynamic
improved FCM were adopted to gain the main chemical compounds in natural pollution.
The dynamic conductivity properties of general contaminants in outdoor insulation were
studied. The relationships among conductivity, dissolution time and equilibrium
concentration were also obtained by modifying Avrami solution kinetics equation.
Finally, an ion-pairing sub-model based on dynamic conductivity property was built.
This sub-model was verified by tests and can be applied to improve the accuracy of
ion-pairing.
Insulator flashover characteristic parameters of various soluble salts were obtained
from flashover tests of insulators by changing single soluble contaminants in each test.
III
General influence rule was summarized as: Cl-<NO3-<SO42-; K+<Na+, NH4+<Ca2+.

Insulator flashover parameters prediction formula based on freely soluble constituents
was proposed. The engineering application and value of the proposed formula were also
analyzed. Flashover tests of insulators polluted by mixed soluble contaminants were
also carried out. Results indicate that, linear superposition method can be used to predict
the flashover voltage gradient of insulators polluted with freely soluble contaminants.
The slightly soluble constituent CaSO4 needs to be calculated according to its
conductivity property separately.
Based on flashover tests of insulators polluted by different non-soluble
contaminants, insulator flashover characteristic parameters of various non-soluble
components were obtained. The ordering of the impact of contaminants was found as:
kaolin<Al2O3<Fe2O3, kieselguhr<SiO2. Additionally, the increasing particle size of
non-soluble contaminant can result in the increase of insulator flashover voltage. The
calculated particle stack structures indicate that, water retention effect of particle gap
plays the leading role in the influence of particle size on insulator flashover
performance.
Based on electrolyte dissolution tests and molecular dynamics simulation, this
thesis studied the mechanism of how pollution constituents affecting insulator flashover
performance from various aspects including conductivity and dissolution properties,
temperature, electric field and mixed ions interaction effect. Results indicate that,
conductivity property and solubility of salts should be considered in the process of
effective ESDD measurement and calculation. Different soluble constituents correspond
to different temperature modification coefficients. The ionic conductivities of solutions
increase in different degree when electric field applied. The influence of co-existing
ions on solution conductivity mainly performs as solvation effect and ion atmosphere
effect, and ion atmosphere effect plays a leading role. The effect of adding ions on the
aspects of diffusion coefficient is opposite to its effect on the solubility of CaSO4
solution.
This thesis also studied the water sorption mechanism and microcosmic behavior
of non-soluble contaminants, and introduced a microcosmic model of water sorption by
using molecular dynamics and Monte Carlo method. The surface sorption, pore sorption
and layer sorption effects of non-soluble contaminants were analyzed in the aspects of
adsorption energy, radial distribution function, potential of mean force, adsorption
isotherm, adsorption dynamics, etc. The results of molecular simulation and flashover
IV
英文摘要
tests showed good agreement.

According to the dissolution and conductivity properties of pollution components,
the effective pollution grades of soluble salts were quantified. Based on the influence
mechanisms of pollution constituents on insulator flashover performance and
ion-pairing results, the flashover voltage (gradient) prediction method of insulator
polluted by mixed contaminants was proposed. This set of prediction method takes the
combined action of freely soluble, slightly soluble and non-soluble contaminants into
consideration, and can be applied in outdoor insulation engineering. This thesis also
conducted experiments to verify the proposed prediction method. Results indicate that,
comparing to traditional method, the error of proposed method can be decreased
significantly. This error can be controlled within 10%.
Key word: insulator; pollution component; ion-pairing; molecular dynamics; flashover

voltage prediction
V
目录
目录
中文摘要..........................................................................................................................................I
英文摘要....................................................................................................................................... III
1 绪论 ...................................................................................................................................... 1
1.1 论文研究的背景及意义 ........................................................................................................... 1
1.2 国内外研究现状 ....................................................................................................................... 2
1.2.1 绝缘子表面污秽来源及分布 ............................................................................................ 2
1.2.2 绝缘子表面污秽成分检测方法 ........................................................................................ 3
1.2.3 可溶污秽对绝缘子电气性能的影响 ................................................................................ 5
1.2.4 不溶物对绝缘子电气性能的影响 .................................................................................... 9
1.3 论文的主要研究内容 ............................................................................................................. 12
2 绝缘子表面自然污秽成分测量与分析 ............................................................... 13
2.1 绝缘子自然积污试验 ............................................................................................................. 13
2.1.1 自然积污试验点 .............................................................................................................. 13
2.1.2 试验试品 .......................................................................................................................... 14
2.1.3 积污试验条件 .................................................................................................................. 15
2.2 自然积污绝缘子表面污秽度的测量与分析 ......................................................................... 16
2.2.1 测量方法 .......................................................................................................................... 16
2.2.2 测量结果及分析 .............................................................................................................. 17
2.3 绝缘子表面污秽离子成分的测量与分析 ............................................................................. 20
2.3.1 测量装置和方法 .............................................................................................................. 20
2.3.2 测量结果及分析 .............................................................................................................. 22
2.4 本章小结 ................................................................................................................................. 25
3 绝缘子表面污秽成分的阴阳离子配对模型 .................................................... 27
3.1 配对模型的理论基础及实现途径 ......................................................................................... 27
3.1.1 离子配对的研究现状 ...................................................................................................... 27
3.1.2 利用聚类分析实现粗略配对 .......................................................................................... 27
3.1.3 利用污液动态电导率特性提高配对精度 ...................................................................... 28
3.2 基于聚类分析的离子配对方法 ............................................................................................. 28
3.2.1 基于模糊聚类的离子配对原理与方法 .......................................................................... 28
3.2.2 基于动态改进 FCM 的离子配对方法 ............................................................................ 30
3.2.3 配对结果及方法评价 ...................................................................................................... 33
VII
3.3 基于污液动态电导率特性的离子配对模型 ......................................................................... 38

3.3.1 盐类溶解的动力学方程 .................................................................................................. 38
3.3.2 盐类溶解的动态电导率特性 .......................................................................................... 39
3.3.3 污液动态电导率特性的影响因素 .................................................................................. 41
3.3.4 阴阳离子配对模型 .......................................................................................................... 46
3.3.5 模型验证与运用分析 ...................................................................................................... 48
3.4 配对模型及其应用流程总结 ................................................................................................. 52
3.5 本章小结 ................................................................................................................................. 53
4 污秽成分对绝缘子闪络特性影响的试验研究............................................... 55
4.1 单一可溶污秽下绝缘子的闪络特性及规律 ......................................................................... 55
4.1.1 试验装置和方法 .............................................................................................................. 55
4.1.2 试验结果及分析 .............................................................................................................. 56
4.1.3 闪络特性规律及对比分析 .............................................................................................. 62
4.2 混合可溶污秽下绝缘子的闪络特性及规律 ......................................................................... 67
4.3 不溶污秽成分下绝缘子的闪络特性及规律 ......................................................................... 70
4.3.1 试验和数据处理方法 ...................................................................................................... 70
4.3.2 高岭土和硅藻土对绝缘子闪络特性的影响 .................................................................. 71
4.3.3 不溶污秽成分对绝缘子闪络特性的影响 ....................................................................... 75
4.4 不溶物颗粒直径对绝缘子闪络特性的影响 ......................................................................... 77
4.4.1 不同粒径的不溶污秽成分制备 ...................................................................................... 77
4.4.2 不溶物粒径对绝缘子闪络特性的影响 .......................................................................... 80
4.5 本章小结 ................................................................................................................................. 83
5 污秽成分对绝缘子电气性能的影响机理及微观行为研究 .................... 85
5.1 研究方法与理论基础 ............................................................................................................. 85
5.1.1 研究思路 .......................................................................................................................... 85
5.1.2 分子动力学方法 .............................................................................................................. 85
5.1.3 蒙特卡罗方法 .................................................................................................................. 87
5.2 可溶污秽成分对绝缘子闪络特性的影响机理 ..................................................................... 87
5.2.1 导电和溶解特性的影响 .................................................................................................. 87
5.2.2 温度的影响 ...................................................................................................................... 90
5.2.3 电场的影响 ...................................................................................................................... 93
5.2.4 混合成分的相互影响 ...................................................................................................... 95
5.3 不溶物吸水机理及微观模型 ............................................................................................... 100
5.3.1 机理及模型概述 ............................................................................................................ 100
VIII
目录
5.3.2 表面吸水作用 ................................................................................................................ 101

5.3.3 孔洞吸水作用 ................................................................................................................ 105
5.3.4 层间吸水作用 ................................................................................................................ 109
5.4 本章小结 ............................................................................................................................... 114
6 混合污秽成分染污绝缘子的闪络电压预测 .................................................. 117
6.1 污秽成分的有效污秽度表征 ............................................................................................... 117
6.1.1 有效盐密与等值盐密的差异 ........................................................................................ 117
6.1.2 硫酸钙的有效污秽度 .................................................................................................... 118
6.1.3 混合污秽成分的有效污秽度 ........................................................................................ 120
6.2 绝缘子闪络电压梯度预测方法 ........................................................................................... 122
6.2.1 混合污秽成分下绝缘子的闪络梯度计算方法 ............................................................ 122
6.2.2 应用闪络规律减少试验量 ............................................................................................ 126
6.2.3 应用硝酸盐统一拟合方法减少计算量 ........................................................................ 127
6.3 预测算例及方法验证 ........................................................................................................... 127
6.4 本章小结 ............................................................................................................................... 130
7 结论与展望 ....................................................................................................................... 131
7.1 本文结论 ............................................................................................................................... 131
7.2 后续研究工作的展望 ........................................................................................................... 132
参考文献..................................................................................................................................... 133
附录 ..................................................................................................................................... 141
A. 作者在攻读博士学位期间发表的学术论文 ........................................................................ 141
B. 作者在攻读博士学位期间的专利情况 ................................................................................ 141
C. 作者在攻读博士学位期间参与的科研项目 ........................................................................ 141
D. 学位论文数据集 .................................................................................................................... 142
致谢 ..................................................................................................................................... 143
IX
1 绪论
1 绪论
1.1 论文研究的背景及意义
我国是电力能源大国，随着多条超特高压输电线路的建成及投运，
“西电东送，
南北互供，全国联网”的电力网络发展愿景正逐步实现，我国的高压输电技术已
走在世界前列。然而我国也是发生污闪事故较多的国家之一，输电线路外绝缘经
常遭受工业污秽和自然界盐碱、尘土、鸟粪等污染，使得外绝缘污秽逐渐积累，
在空气湿度较高时，污秽因溶解而增大绝缘子表面电导，为闪络事故的发生提供
了有利条件。统计数据表明[1-3]，绝缘子污闪事故影响范围广，重合闸成功率低，
对我国电力行业造成了较大的直接和间接经济损失，阻碍了坚强智能电网的建设
与发展。
电力系统外绝缘污秽可分为可溶污秽和不溶污秽两类。对于可溶污秽，早期
研究表明，其主要成分是 NaCl 和 CaSO4 的混合物[4]；然而随着化石燃料在中国的
大量使用和汽车工业的飞速发展，使得空气污染物中硫氧化合物和氮氧化合物含
量增加，在湿沉降作用下，以硫酸盐和硝酸盐的形式积累于绝缘子表面，影响绝
缘子的污闪电压。对于不溶物，主要是通过其吸水和保水特性来影响绝缘子表面
电导，促进可溶物的溶解，从而达到影响绝缘子污闪电压的效果。
目前国内外普遍采用等值附盐密度(ESDD)和灰密(NSDD)来表征绝缘子脏污
程度，大多数实验室研究也以 NaCl 和硅藻土/高岭土分别模拟绝缘子表面的可溶和
不溶污秽，这为现场和试验研究提供了一定的便利，但也存在着较为明显的弊端：
各类污秽颗粒物在绝缘子表面沉积的化学成分因大气环境和污染源的不同而存在
较大差异，绝缘子表面污秽成分多种多样，并不是单一物质可模拟的；等值盐密
法仅以单一物质表征可溶物/不溶物，未考虑各种污秽成分电导率、溶解度、吸水
和保水特性等因素对盐/灰密和污闪特性的影响[1,5,6]。且有研究表明，不同污秽成
分即使在相同 ESDD 下所对应的绝缘子污闪电压存在差异[7,8]。这使得等值盐密法
在污秽表征及污闪电压预测等方面显露出诸多不足，致使污秽度评估和污闪机制
的研究仍然存在缺陷，防污闪策略的制定缺乏科学依据。
综上所述，绝缘子表面污秽化学成分直接影响了外绝缘的电气性能，威胁着
电力系统的安全稳定运行。而绝缘子表面污秽成分复杂，不同地区污秽的化学成
分各异，这使得参照现有方法的输电线路外绝缘设计存在着不同程度的绝缘不足
或绝缘过剩现象。由于对污闪机理的研究不够深入，大多数电力公司采用定期冲
洗的方式清理输电线路绝缘子污秽，为此投入了大量的人力物力，具有一定的盲
目性。因此，深入探究绝缘子表面污秽成分及其对外绝缘电气性能的影响，总结
1
污秽成分对闪络电压的影响规律，完善绝缘子污秽闪络机理，提出混合污秽成分
染污的绝缘子污闪电压预测方法，可以为电力系统外绝缘设计提供坚实可靠的参
考依据，从而有效防止污闪事故频发。
1.2 国内外研究现状
1.2.1 绝缘子表面污秽来源及分布
① 绝缘子表面污秽来源
绝缘子表面污秽可根据污染来源的特征分为自然污秽和工业污秽两大类[9]，其
中自然条件下产生的污秽称作自然污秽，包括尘土、盐碱、海水盐雾和鸟粪污秽
等；而工业污秽按照产生源的类型又可分为化工污秽、水泥污秽、冶金污秽和煤
烟污秽等。
化石燃料在我国能源结构中占 73%，致使大气主要污染属于煤烟型污染[10-12]，
大气传播可以使煤烟污染物中的 SiO2、Al2O3、Fe2O3 和 CaCO3 等成分通过沉降的
作用在外绝缘表面积累。绝缘子表面硫酸盐的来源主要有两种方式，其一是大气
中理化反应的生成物，以硫酸盐或硫酸雾的形式在绝缘子表面沉降；其二是硫酸
型酸雨与绝缘子表面污秽的其他成分发生化学反应而生成[11]。污秽成分中的硫酸
盐主要以 CaSO4 为主，这是由于化学反应通常向着溶液中离子浓度降低的方向发
展，而 CaSO4 溶解度低，其沉淀可降低溶液中的离子浓度。诸多研究表明，内陆
地区污秽的 NaCl 含量偏低，而沿海、盐碱地区的 NaCl 含量偏高，这是由于含盐
水汽在绝缘子表面附着蒸发所致。
对于无明显污染源的农业地区，有研究发现，施用化肥后土壤电导率比施用
前增加了 27%~97%，但仍处于 18~76μs/cm 的低水平，所以化肥和农药污染对 ESDD
的贡献甚微可忽略不计 [13,14]。然而，通常认为农药化肥的大量施用是造成农业地
区污闪事故频发的主要原因，此认知与研究结果有所出入。
随着各种节能减排措施的顺利实施，我国能源结构的相应调整，以及清洁能
源的大力推广，我国的 SO2 排放量将逐年减少；而由于我国逐年攀升的汽车保有
量，尾气排放量将逐年增加，绝缘子表面自然污秽的主要成分将来可能由硫酸盐
转变为硝酸盐[15]。相对于硫酸盐，硝酸盐具有更佳的溶解与导电性质，对应更低
的绝缘子污闪电压，而且在放电过程中，硝酸盐电弧可以在瓷和玻璃绝缘子表面
产生树状裂痕[16]。因此，需要更为深入地研究污秽的化学成分对绝缘子污闪特性
的影响，以应对将来可能面临的更严峻的防污形势。
② 绝缘子表面污秽成分分布
早期研究表明[4]，电力系统外绝缘污秽成分多种多样，其主要成分是 NaCl 和
CaSO4 的混合物，其中沿海地区以 NaCl 污秽为主，内陆地区以 CaSO4 为主。我国
2
1 绪论
多所研究机构发现，在绝缘子表面可溶污秽中，CaSO4 和 CaCO3 占总质量分数的

40%~90%，而 NaCl 占 10%~40%，其他成分如 KNO3 和 NaNO3 占质量分数的
10%~40%[5,17-20]。T. C. Cheng 等人发现，在太平洋连锁电力网的南端，NaCl 污秽
所占质量分数不足 10%[16]。G. N. Ramos 等调研了 7 个地区的污秽化学成分，结果
表明，不同地区的污秽成分存在差异，主要污秽中，NaCl 与 CaSO4 所对应的质量
分数分别为 2.1%～50.8%和 5.4%～82.7%，其余成分也占一定比例[4]。
文献[15]针对珠江三角洲地区的外绝缘自然污秽，采用离子色谱法对其离子成
分进行了测量与分析，得到了该地区的外绝缘主要污秽离子成分及其质量分数。
其中，阴离子为 SO42--53.56%, NO3--32.60%, Cl--10.71%；阳离子为 Ca2+-71.92%,
Na+-13.99%, K+-5.88%, NH4+-5.12%，发现了 NH4NO3 在当地的绝缘子表面污秽成
分中占较高比例。
文献[21]测量分析了华南地区的公路农田区域公路区的绝缘子表面污秽成分，
结果表明，两典型地区的自然污秽中，不溶物主要为 SiO2、A12O3 和 Fe2O3，可溶
物主要为 CaSO4、MgSO4、NaCl、KCl、NaNO3、KNO3 等。两种地区的污秽成分
大致相同，公路农田区的绝缘子污秽度大于公路区的污秽度，这是由于相对于公
路区，公路农田区还受到农田的扬尘影响。
文献[22]发现，SiO2 在绝缘子表面不溶污秽成分中含量较大，Fe2O3 和 Al2O3
次之，且二者含量相当。文献[23,24]采用多种检测方法在广州的农田地区和 4 个工
厂地区的绝缘子表面污秽中检测到了硅铝酸盐、氯化物、C、SiO2、CaSO4、Fe3O4
等的存在，且各成分的质量分数随区域的不同呈现出不同的分布状况。
1.2.2 绝缘子表面污秽成分检测方法
绝缘子表面污秽成分的检测方法包括：原子吸收分光光度法、等离子发射光
谱法、离子色谱法等测量可溶物的离子成分；等离子体发射光谱法、碱熔分析法
等测量不溶污秽成分[4,19,25-28]。
目前通常使用离子交换色谱法对污秽溶液中的阴阳离子含量进行检测。离子
色谱法是由 H. Small 于 1975 年提出[29]，是分析阴离子和阳离子的一种液相色谱的
方法。欲对绝缘子表面的自然污秽进行成分分析，首先需要配制各离子的标准质
量浓度溶液[19,30,31]，即依据污秽中预知的阴、阳离子配制各离子的标准质量浓度溶
液，通常情况下每个离子配制 4～5 个不同的标准质量浓度；其次，利用标准质量
浓度的溶液，经离子色谱仪分析获取各待测离子的离子色谱图。并以色谱图中不
同离子的色谱峰分离状况和峰形尖锐与否来判断检测灵敏度；然后，标出每个待
测离子在不同标准质量浓度下离子色谱峰的峰面积或峰高，以色谱峰面积或峰高
为纵坐标，标准质量浓度为横坐标，分别在坐标系中绘出每个离子在不同标准质
量浓度下所对应的色谱峰面积或峰高的点，再连接每个点拟合出每个离子的标准
3
质量浓度校正曲线，如图 1.1 所示[29]；最后分析各离子标准质量浓度校正曲线的回

归方程和相关系数 R2。
(a) Ca2+ (b) NO3-

图 1.1 离子交换色谱分析的校正曲线
Figure 1.1 Calibration curve of chromatographic analysis
测量过程中，需对离子质量浓度与离子色谱峰面积值或峰高值进行相关性进
行分析，只有当置信度大于 99%时，方可认为标准质量浓度曲线可使用[15]。获得
校正曲线后，利用离子色谱仪获得污秽溶液的阴阳离子图谱及峰面积，带入校正
曲线中进行单点校正则可以测定污秽中所含有的阴阳离子含量。
此外，在对离子色谱仪的初始调试过程中，若色谱峰和水负峰(系统的死体积
峰)靠在一起，在水负峰的干扰下，会造成色谱峰测量的偏差，此时应在配制标准
样品溶液时，用淋洗液稀释定容样品，使样品溶液与淋洗液具有相同的淋洗离子
浓度，可填补样品“水”层电导，达到消除水负峰的目的[32]。
绝缘子表面可溶污秽成分的检测中，各种方法所得结果均为离子成分及含量，
而在污秽成分对绝缘子闪络特性的影响研究中，通常以化合物作为研究对象，因
此，为确定可溶污秽的化合物类型，需对阴阳离子进行配对分析。目前常用的离
子配对方法为人工配对，即综合考虑污秽溶液中阴阳离子的数量关系、溶液的 pH
等参数，按照对污闪电压影响的显著性从大到小的顺序进行配对，先配对一价碱
金属盐，如钠盐、钾盐等；再配对二价碱土金属盐，如镁盐、钙盐等；最后根据
化合物溶解度的顺序由大至小依次配对[19,33-35]。诸多测量和配对结果表明，绝缘子
表面可溶污秽中的一价阳离子盐主要有 NaCl、KNO3、NaNO3、K2SO4、(NH4)2SO4、
Na2SO4 等，常见二价阳离子盐为 Mg(NO3)2、Ca(NO3)2、、Zn(NO3)2、MgSO4、CaSO4、
ZnSO4 等[4,16,25,26,34]。然而，人工配对的方法具有较大的主观性，所得结果因人而
异，因此，该方法在普适应和再现性方面存在一定缺陷。
4
1 绪论
1.2.3 可溶污秽对绝缘子电气性能的影响
① 不同污秽成分对 ESDD 测量的影响
1) 电导率的影响
不同可溶物对绝缘子表面污层电导率的贡献不同，使得不同污秽成分染污绝
缘子的表面污层导电特性存在差异，从而影响绝缘子闪络特性。文献[36,37]对污秽
成分溶液在多种低浓度条件下的电导率进行了测量，并换算到标准温度(20℃)下进
行对比分析。
文献[36]指出，当盐浓度较低时(<1mg/mL)，盐溶液电导率基本与其浓度呈线
性关系。结果表明，除(NH4)2SO4 以外，在相同浓度下 NaCl 对电导率的贡献最大；
同一质量浓度条件下，不同电解质所对应的对溶液电导率存在较明显的差异，使
得各成分染污的绝缘子在相同盐附着密度(SCD)所对应的闪络电压有所不同；且一
些污秽成分受自身理化性质的影响，其所对应的污闪电压与电导率不满足一般关
系[38]。因此在进行不同污秽成分下绝缘子的闪络特性试验时，为了使试验数据有
可比性，应该在相同的污液电导率下进行试验，或者控制污秽物的质量相同，最
后进行电导率归算，且对特殊污秽进行特殊处理，才能更为精确地体现绝缘子污
闪电压受不同污秽成分理化特性的影响程度及规律。
2) 溶解度的影响
绝缘子表面饱和附水量一般为 10~20mL，而测量绝缘子等值盐密时的用水量
为 300mL，这就使得溶解度较小的可溶性盐如 CaSO4 等的测量盐密远高于其实际
溶解并贡献于电导率的部分，进而因溶解度造成对绝缘子闪络特性的影响。
文献[39]指出，用 600mL 水测量绝缘子表面污秽度时，CaSO4 对溶液电导率
贡献最大值所对应的等值盐密为 0.18mg/cm2，然而在饱和受潮条件下，XWP2-160
绝缘子表面污层附水量大约只有 10mL，由于微溶特性的影响，此时 CaSO4 即使达
到饱和溶解状态，其所对应的绝缘子实际盐密仅为 0.0036mg/cm2，远低于等值盐
密测量值，微溶物的存在将导致实际盐密与测量盐密的差异。文献[5,18,36,40-42]
建议使用外绝缘设备表面的饱和附水量测量 ESDD，从而消除 CaSO4 等微溶性盐
的溶解度带来的误差。然而，仅采用 10mL 左右的水对污秽的盐密进行测量，实施
相对困难，且由于测量过程中不溶物的存在和可溶物的不均匀分布，将造成局部
盐密与整体盐密的差异，从而引起测量误差。
3) 离子共存问题
离子共存会使得溶液电导率随浓度的变化规律产生变化，从而使得当浓度达
到一定值后溶液的总电导率不再等于各种电解质产生电导率的线性叠加和。
Debye-Hukel 极限公式给出了如下关系[43]：
lg  i   Azi2 I (1.1)
5
式中 γi 为 i 离子的活度系数；A 为取决于水的温度的常数；zi 为第 i 种离子的电荷

数；I 为溶液的离子强度，mol/kg。
由离子强度定义可得[43]：
1
I  bi zi2 (1.2)
2
联立式(1.1)和式(1.2)可得[43]：
1
lg  i   Azi2 bi zi2 (1.3)
2
式中 bi 为 i 离子质量摩尔浓度。
由式(1.3)得知，电解质离子的活性系数与离子质量摩尔浓度呈负相关性，即电
解质离子溶解度越高，离子的活性系数越小。此外，外加离子可以显著降低电解
质离子的活性系数，从而使得电解质的溶解度随着外加离子量的增加而增加[26,44]，
如图 1.2 所示[6,43]。
图 1.2 NaCl 对 CaSO4 溶解度的影响

Figure 1.2 Influence of NaCl on solubility of CaSO4
其次，由 Debye-Hukel 理论[43,45,46]还可得，强电解质溶液中的任一中心离子，

其周围都相对集中地分布有一层与中心离子电荷相反的离子，由这层带相反电荷
的离子所构成的球体称为离子氛，如图 1.3 所示。
图 1.3 离子氛示意图
Figure 1.3 Ion atmosphere diagram
6
1 绪论
在电解质溶液浓度较低时，离子间的间距较大，可忽略离子之间的相互作用，
电导率随着浓度的增大而呈线性增加；当超过一定的浓度后，离子氛对中心离子
影响变大，使得中心离子在电场中的移动速度降低，进而造成电导率的降低，当
阴阳离子之间的作用力对电导率的影响超过导电粒子数增加对电导率的影响时，
电导率随着电解质浓度的增加而不增反降；因此，导电率并不随电解质溶液浓度
的增加而线性增大，只有当浓度较低时，满足线性关系。
此外，不同电解质在相同温度和湿度下溶解电离特性不同，也将影响等值盐
密(ESDD)的计算偏差[26]。为此，文献[6]提出，应用现有方法对 ESDD 进行测量时，
用水量应控制在 10~20mL，并综合考虑电解质自身性质、绝缘子运行电压、当地
环境条件等多种因素对所测得的 ESDD 值进行修正。
② 可溶污秽成分下的绝缘子放电特性
L. J. Williams 等学者于上世纪 80 年代对多种盐分下的绝缘子闪络特性进行了
研究[7]，并从离子扩散的角度对结果进行了分析，他们认为，体积与质量较大的
Ca2+，SO42-等具有较慢的扩散速率，因此对应更高的绝缘子闪络电压。此后，K. C.
Holte 和 J. H. Kim 在 Williams 的研究基础上探索了绝缘子污闪电压对其表面污秽
成分的依赖性，并得出了相似的结论[8]，他们认为可以用线性叠加的方法来计算最
低闪络电压，然而，此方法的理论完整性和适用范围缺乏进一步研究。高溶解特
性的污秽成分，在相同盐密时的污闪电压不同[7]，如图 1.4 所示。因此仅用电导率
这一因素，难以解释各成分染污绝缘子的污闪特性差异。
图 1.4 电解质种类对最低闪络电压的影响
Figure 1.4 Influence of electrolyte on the lowest flashover voltage
T. C. Cheng 以及 G. R. Elder 等在对高压直流绝缘子污闪过程及其影响因素的

研究中对各污秽成分的电离电位、吸水性、溶解度进行了分析，并指出绝缘子表
面污秽物中 NaCl 的含量较少，在进行人工污秽试验时仅用 NaCl 表征绝缘子表面
可溶污秽无法实现自然污秽与人工污秽的等效[26,44]。
7
Katsuhiko Naito 和 G. N. Ramos 等人通过试验发现[4]，同一盐密下绝缘子污闪

电压的差异可以用不同盐分的溶解度加以解释。然而，也有研究指出[6]，绝缘子表
面附水量与其表面积及污秽度相关，一般为 10~20mL 左右，这意味着在正常 ESDD
研究范围内，除 CaSO4 这类微溶物外，其余可溶成分均能完全溶解，仅以溶解度
这一理论不能对此现象加以解释。
文献[47]根据绝缘子闪络试验表明，外绝缘常见污秽成分中，NaCl 和 CaSO4
对绝缘子电气性能影响最大，而其他成分的影响相对较小；绝缘子的闪络电压因
其表面污秽成分和质量分数的变化而变化。Salam 等对绝缘子表面污秽成分与其表
面电阻之间的关系进行了研究[48]，结果表明，NaCl 染污时，绝缘子表面电阻随
ESDD 的增长呈急剧下降趋势，而当 CuSO4 染污时，此趋势将变为相对缓慢的指
数下降趋势，这说明 NaCl 污秽对绝缘子闪络电压的影响明显高于 CuSO4 污秽。
D. C. Jolly 等提出[49]，在相同盐密的平板模型上，NaCl 和 Ca(NO3)2 所对应的
污闪电压相对差距高达 31%，但在低电压下对两者的电阻率进行测量时，差距仅
为 6%。他们对此现象进行了解释，认为 CaCl2 因溶解放热和欧姆热，使中央电极
温度比环境温度高 15℃，而普通电解质溶解导电产生的欧姆热只能使中央电极温
度比环境温度高 5℃，CaCl2 的溶解放热使干燥带宽度达到试样半径的 75%以上，
从而使污闪电压增大。对于局部电弧的持续时间，CaCl2 染污的平板模型通常持续
50~100ms；而 NaCl 染污的平板模型可达 0.5~1.0s，硝酸盐电弧的持续时间能高达
0.5min，并能在绝缘表面产生电树裂痕。不同污秽成分染污的绝缘表面所对应的局
部电弧呈现不同的颜色，且此颜色与染污成分阳离子的焰色反应相一致，此现象
说明污秽阳离子能够在放电时进入电弧离子柱，离子的入射可以进一步使闪络电
压降低，降低幅度与离子本身的电离能有关[6]。然而也有部分学者认为绝缘子污秽
闪络是空气电离放电的结果[48]，与污秽离子电离无显著关系。
此外，文献[50]认为，在进行临界电压和临界电流的计算时，应针对不同污秽
成分对电弧常数 A 和 n 进行分别选择。文献[51]也提出了相同观点，并且认为 n 是
有关出现在等离子体和电解质中原子和离子成分的参数。
③ 可溶污秽成分染污绝缘子的闪络电压预测
如前文所述，污秽由于受到离子活度、用水量、温湿度等各种因素的影响，
使得实际运行绝缘子的表面污层电导率与测量等值盐密时所对应的电导率有所出
入，导致污秽对绝缘子电气特性的影响无法用等值附盐密度进行定量表征。然而
文献[52]中的理论计算结果表明，虽然温度、分子质量等外界因素可能对绝缘子表
面污层的摩尔电导率存在影响，绝缘子的闪络电压与其表面污秽的等值盐密仍满
足负幂函数关系[4,53-63]：
U f  a   ESDD  n (1.4)
8
1 绪论
式中，a 为与绝缘子型式结构相关的常数，n 为污秽影响的特征指数。该式为估算

绝缘子串闪络电压的经验公式，实际工程中可针对具体绝缘子，开展人工污秽闪
络试验，获取相对应的 a 和 n 值，并结合此经验公式与现场污秽度计算该地区绝
缘子的闪络电压，从而为外绝缘的设计提供参考。
目前有关不同污秽成分染污绝缘子的闪络电压预测与计算方法的研究相对较
少，式(1.4)的适用范围也无统一参考标准。重庆大学开展了 NaCl 和 CaSO4 混合污
秽下绝缘子的交流闪络试验，利用电导率的折算排除了 CaSO4 对污液电导率的影
响，研究结果表明[40,64]，混合污秽成分染污时，经电导率折算后运用式(1.4)进行绝
缘子闪络电压计算，所得结果与试验结果仍存在不可忽视的误差，并指出在 ESDD
的测量与计算过程中，应对污秽中诸如 CaSO4 等电解质的微溶特性加以考虑。文
献[40]也指出，不同污秽成分影响了电弧的热电离过程，热电离所产生的带电离子
使得电弧端部的径向电场增大，促进带电粒子与绝缘及污层表面的碰撞，致使电
弧端部温度进一步提高，热电离进一步加剧[39,52,65,66]。此过程与成分中原子的电离
电位有关，钠原子的电离电位最低[67]，而当含有其他金属离子成分时，需要更高
的电压来增大弧头温度及场强，导致热电离正反馈过程的延缓，从而影响电弧常
数。
美国的学者通过研究指出，CaCl2、MgSO4 和 Ca(NO3)2 染污的绝缘子闪络电压
基本一致，有关绝缘子污闪电压的影响，电解质的性质不是关键因素[26]。各种污
秽成分对绝缘子闪络电压的影响相互独立，可以用线性叠加的方法对绝缘子闪络
电压进行计算[8]：
U LFOV      ESDDiU LFOVi  /  ESDD (1.5)
式中：ULFOVΣ 为混合电解质的最低闪络电压；ULFOVi 为单一电解质 i 的最低闪络电

压；ρESDDΣ 为混合电解质的等值盐密；ρESDDi 为单一电解质 i 的等值盐密。该式的
准确性有待于进一步验证。
综上所述，可溶污秽成分对绝缘子闪络特性的影响比较复杂，不仅仅在于其
对表面污层电导率的影响，不同污秽成分本身的物理化学性质，如溶解度、电离
能、溶解热和欧姆热等都会对绝缘子的闪络特性产生不同程度的影响。在对混合
污秽成分染污绝缘子的闪络电压进行预测与计算时，仅通过电导率的折算方法是
否可行，式(1.5)的线性叠加运算方法的准确性和适用条件还有待进一步验证。
1.2.4 不溶物对绝缘子电气性能的影响
① 不溶污秽成分对外绝缘的影响
不溶污秽成分不能直接参与导电，但其可以通过吸水和保水作用间接影响绝
缘子表面污秽电导，从而影响其放电特性。文献[68]利用高岭土和砥粉两种不溶污
秽成分对瓷绝缘子进行直流闪络试验，发现绝缘子污闪电压与不溶物的类型有关。
9
研究指出[61,69-73]，高岭土的直流污闪电压比砥粉低 20%~30%，这与不溶物的吸水
能力、所含的化学键以及颗粒直径有关。
Masaru 等[74]以直流盘型绝缘子和棒型绝缘子为试品，用白炭黑(气相二氧化
硅)、高岭土和砥石粉分别模拟绝缘子表面不溶污秽成分，进行了直流闪络试验，
结果发现白炭黑所对应的绝缘子直流污闪电压最低，高岭土次之，砥粉最高，这
是由于白炭黑具有良好的活性和吸附率，体现出更好的吸水和锁水能力，导致可
溶性污秽成分大量溶解，致使污闪电压较低。
Matsuoka 等[54]研究了不溶污秽成分对绝缘子污闪电压的影响，试验结果表明，
对于交流污闪电压，不同成分之间的差异较小；而对于直流污闪电压，高岭土染
污绝缘子明显低于砥粉染污的绝缘子。不溶污秽成分的多孔结构使得其具有较好
的吸水和锁水性能，除多孔结构外，高岭石中还具有亲水性的羟基结构，能与水
分子形成氢键，体现出相对于其他不溶物更强的吸水和锁水能力。同时不溶物颗
粒度分析表明，在水的作用下，砥粉更容易发生聚集现象，导致平均颗粒直径变
大，使得微观孔隙不均匀，毛细作用力小，吸湿保水性能下降。
文献[75]对 10 种不同不溶污秽成分在硅橡胶表面的憎水迁移特性进行了对比
分析，研究结果表明，在常见不溶污秽成分中，憎水迁移能力的两个极端分别是
硅藻土和高岭土，对于自然污秽与人工污秽的等价，可以将硅藻土与高岭土按一
定比例混合的方式加以实现。
关志成等[76]在高温硫化硅橡胶和室温硫化硅橡胶表面涂覆 6 种不同硅藻土，
研究其憎水迁移特性，结果表明，硅橡胶表面憎水性的迁移速度很大程度上受到
不同硅藻土的影响，影响程度与其微观特性呈现出较好的相关性。
文献[42,77]指出，绝缘子表面污层的吸水和保水性能受污秽颗粒的粒径影响，
从而造成不同粒径的不溶物所对应的绝缘子闪络电压有所差异。颗粒度分析结果
表明[78-81]，绝缘子表面污秽中，粒径小于 50μm 的颗粒高达 90%，因此仅需对粒径
50μm 以下的颗粒进行研究。
文献[82]表明，多孔结构将增强吸湿性能；并由此提出了基于多孔结构的污层
吸湿模型，模拟结果表明，多孔结构的不溶物不仅自身体现出较好的吸水性，影
响绝缘子表面污层电导，还能以通过增大接触面积的方式，促进可溶物的吸湿作
用。并由此指出，灰密不能反映污秽种类、结构差异带来的污层含水量变化。
② 不同不溶污秽成分下的绝缘子污秽闪络
国际和国内标准[83,84] 均提出污区的划分要考虑绝缘子表面污秽中惰性物质的
影响，许多研究也表明[60,85-92]，灰密(NSDD)对绝缘子闪络电压 Uf 存在一定的影响；
污秽成分对 Uf 的影响可以分为 ESDD 和 NSDD 的影响，且两者的影响作用相互独
立，各自都与 Uf 满足负幂函数的关系，如下所示：
10
1 绪论
U f  a  ESDD  n   NSDD  m (1.6)

式中，ρNSDD 为灰密；m 为表征绝缘子串 Uf 随 NSDD 变化的特征指数，一般在
0.08~0.17 之间。其中 ESDD 通过改变表面污层的导电特性对绝缘子闪络特性产生
影响，NSDD 通过吸水和保水作用为可溶污秽成分提供溶剂，从而影响绝缘子表
面污层电导，进而对污闪电压产生影响。一般来说，在相同 ESDD 的条件下，当
NSDD 达到 1~2mg/cm2 时，绝缘子表面不溶物吸水已达到饱和，此时绝缘子对应
最低的闪络电压[17]。
Matsuoka 等[54]用高岭土和砥石粉模拟绝缘子表面不溶物，进行人工污秽闪络
试验，结果表明，当在 ρESDD=0.10mg/cm2 时，m 值为 0.15，且污秽绝缘子交、直
流 Uf 与 NSDD 的关系均可由式(1.6)表示。Ramos 的人工交流污秽试验结果也表明，
砥粉染污的绝缘子所对应的闪络电压随着 NSDD 的增大而降低[4]。
文献[93]根据试验发现，不溶污秽成分对绝缘子直流闪络电压的影响大于交流
闪络电压，这可能是由于直流电压下，电场力对不溶性污秽成分起到了不同的吸
附作用。
绝缘子表面不溶污秽成分复杂、测量难度高，且其对绝缘子闪络特性的影响
相对较小，因此目前大多数研究机构多采用硅藻土或高岭土对 NSDD 进行实验室
模拟，从而忽略了其他不溶成分的影响。此时不溶性污秽成分的作用仅仅为通过
改变污秽层的附水量及污秽层的电导率来影响 Uf，因此不溶污秽成分对绝缘子电
气性能影响的差异在于不同的颗粒度、粒径以及自身分子结构等所造成的吸水和
保水能力差异，然而真实环境中的不溶物中还会含有部分金属氧化物。
重庆大学的研究发现[40,64]，如果不溶物中出现 Al2O3 和 Fe2O3，污闪电压将显
著降低；其分析认为，Al2O3 和 Fe2O3 作为离子晶体，呈熔融态时表现出强电解质
的特性，从而增大绝缘子表面剩余污层电导率；而且在电弧的热电离碰撞过程中，
Al2O3 气化分解出的 Al 将与 Fe2O3 的高温分解产物 Fe3O4 置换反应，反应所得的
Al 和 Fe 都具有较低的电离电位，从而加剧了电弧的稳定燃烧，使绝缘子污秽闪络
更容易发生。其分析结果有待于进一步的试验验证。
根据研究现状可知，国内外针对污秽成分的测量及其对绝缘子闪络特性的影
响方面进行了较为广泛的研究，也获得了一定的成果，但仍存在几个问题需要解
决：①绝缘子表面污秽化合物成分检测中，人工配对方法具有较大的主观性，需
要提出客观依据更为充分，且能进行试验验证的离子配对方法；②污秽成分对绝
缘子闪络特性的影响机理研究不够深入，不同可溶污秽染污的绝缘子闪络特性存
在差异的影响因素尚无统一说法；③需要提出混合污秽成分染污绝缘子的闪络电
压预测方法，为外绝缘设计提供参考。
11
1.3 论文的主要研究内容
在总结国内外研究现状的基础上，针对污秽成分的检测方法及其对绝缘子交
流闪络特性的影响，本文提出以下几点研究内容：
① 开展不同型式及表面材料的绝缘子积污试验，对试验所得污秽进行测量分
析，得到其阴阳离子成分及含量；并结合应用化学、统计学等相关方法，提出绝
缘子表面的阴阳离子配对分析方法，建立阴阳离子配对模型，提出切实有效、广
泛适用的绝缘子表面污秽化合物的测量方法。
② 实验室模拟绝缘子表面常见可溶污秽成分，开展不同可溶污秽成分下，不
同型式材料的绝缘子污秽闪络试验，得到其污闪特性及规律，并结合可溶物对等
值盐密和污闪电压的影响规律，提出不同可溶污秽成分的污闪特征参数预测方法。
实验室模拟绝缘子表面常见不溶污秽成分，开展不同不溶污秽成分、粒径下，不
同型式材料的绝缘子污秽闪络试验，得到其污闪特性及规律，分析造成不溶污秽
染污下绝缘子闪络特性差异的原因。
③ 结合分子动力学等相关原理，研究可溶污秽成分对等值附盐密度的影响机
理；并结合试验与分子模拟，研究电导率、溶解度、温度、电场、离子共存等因
素对不同可溶污秽成分下绝缘子等值附盐密度和闪络特性的影响，提出造成不同
可溶污秽成分所对应绝缘子闪络特性存在差异的原因。
④ 运用分子模拟相关理论和方法，对绝缘子表面不溶污秽成分的吸水机理进
行分析，建立绝缘子表面不溶物吸水的微观模型，对不溶物吸水作用进行微观行
为研究与量化分析。
⑤ 结合上述研究内容，归纳总结出混合污秽成分染污绝缘子的闪络电压(梯度)
预测方法，并进行试验验证。
12
2 绝缘子表面自然污秽成分测量与分析
为研究绝缘子表面污秽成分对其电气性能的影响，需先对绝缘子表面污秽的
成分、含量以及其分布特性进行测量与分析。本章通过自然积污试验，测量得到
了不同型式和表面材料的绝缘子的自然污秽盐灰密，并通过离子交换色谱法，对
自然污秽成分的离子种类及含量进行了测量与分析；绝缘子表面自然污秽离子成
分的测量与分析可为离子配对提供数据样本，进而为电力系统外绝缘设计和绝缘
子闪络电压预测提供参考。
2.1 绝缘子自然积污试验
2.1.1 自然积污试验点
研究表明，绝缘子自然积污特性受污源性质、大气条件、气候特征、地理位
置、绝缘子型式结构及表面材料等多方面因素的综合影响，为研究绝缘子的自然
积污特性，本文选取重庆大学自然积污试验站和湖南雪峰山自然试验基地作为绝
缘子自然积污试验点。两个试验点具有不同的地形地貌、气候及污染源特性，其
地理、环境参数如表 2.1 所示。
表 2.1 试验点环境参数
Table 2.1 Environmental parameters of test sites
试验点地理位置海拔高度环境特征气候特征
重庆大学 N: 29°56', E: 106°47' 232m 城市地区亚热带季风性气候

雪峰山 N: 27°36', E: 110°17' 1400m 自然山区微地形微气候特征
① 重庆大学自然积污试验站
重庆大学自然积污试验站地处中国内陆地区，濒临长江、嘉陵江交汇处，属
于亚热带湿润季风气候类型，年平均气温为 18℃左右，夏季高温多雨，冬季温和
少雨，常年降雨量为 1000~1450mm；重庆年平均相对湿度多在 70%~80%，在中国
属高湿区，年日照时数 1000~1400 小时，日照百分率仅为 25%~35%；且重庆常年
多雾，年平均雾日 104 天，其鲜明的气候特征会对绝缘子自然积污造成一定的影
响。试验点地处重庆主城区内，多处于无风或微风状态，风速约 0.3~0.8m/s。且重
庆为硫酸型酸雨多发地区，这对绝缘子自然积污成分存在影响。
② 雪峰山自然试验基地
雪峰山自然试验基地地处湖南省雪峰山山脉，位于怀化市以东 100km、邵阳
13
市以西 150km 的雪峰山国家森林公园坪山塘，海拔 1400m。该基地具有典型的微

地形、微气象特征，每年 11 月至次年 3 月为覆冰季节，年降水量超过 1800mm，
雷暴日超过 80 天，最大风速超过 35m/s，阴雨雾霾天气超 200 天，年平均气温
12.7℃。雪峰山远离城市和人类聚居活动区，常年山风袭扰，其绝缘子主要污秽来
源为自然污染和大气沉降，且其充沛的降水和频繁的雨雪天气为绝缘子自清洁效
果提供了一定的帮助。
2.1.2 试验试品
H
D D
(a) XP4-160 (b) LXY4-160 (c) FXBW-10/70 (d) FXBW-35/70
(e) FXBW-35/100 (f) XWP2-160 (g) LXP-160 (h) LPI-1100

图 2.1 试品绝缘子结构
Figure 2.1 Profile of tested insulators
表 2.2 试品绝缘子及参数
Table 2.2 Tested insulators and their technical parameters
编号型号表面材料结构高度(mm) 伞裙直径(mm) 爬电距离(mm)
A XP4-160 瓷 155 300 400

B LXY4-160 玻璃 146 280 400
C FXBW-10/70 硅橡胶 310 170/130 350
D FXBW-35/70 硅橡胶 620 129/89 1280
E FXBW-35/100 硅橡胶 600 150/90 1370
F XWP2-160 瓷 155 300 450
G LXP-160 玻璃 170 280 400
H LPI-1100 环氧树脂 500 195/175/150/125 1150
14
为测试不同表面材料绝缘子在不同地区的自然积污情况，分别在每个试验点
选取三种及以上不同表面材料的绝缘子进行自然积污试验。所用试品包括
XP4-160、 XWP2-160 盘形瓷绝缘子，LXY4-160、LXP-160 盘型玻璃绝缘子和
FXBW-35/70、FXBW-35/100、FXBW-10/70 硅橡胶棒型绝缘子，本文所用到的绝
缘子外形结构如图 2.1 所示，其技术参数如表 2.2。
2.1.3 积污试验条件
分别在重庆大学和雪峰山自然积污试验点布置三种不同表面材料的试品绝缘
子，自然积污时间均在一年左右。各积污试点所选试品绝缘子及积污时段等条件
如表 2.3 所示。
表 2.3 试品分布及积污时段
Table 2.3 Sample distribution and pollution accumulation period
试验点绝缘材料试品积污时段
瓷 XP4-160
重庆大学玻璃 LXY4-160 2016.11.8~2018.3.1
硅橡胶 FXBW-10/70, FXBW-35/70, FXBW-35/100
瓷 XWP2-160
雪峰山玻璃 LXP-160 2017.2.10~2018.1.16
硅橡胶 FXBW-35/70
为了对积污试验结果进行分析，本文针对自然积污试验期间内各试验点的自
然、气象条件进行了调研，调研结果如下。
①重庆大学自然积污试验站
重庆大学试验点自然积污时间共计 478 天；其中 XP4-160 瓷绝缘子和 LXY4-160
玻璃绝缘子为七片串，三种硅橡胶复合绝缘子为单串。试品悬挂地点离地高度约
十米，周围建筑林立，其主要污染源多来自于人类生产生活和大气沉降。在积污
时段内，试验地区气象参数统计结果如图 2.2 所示，由统计结果可知，该试验点降
水主要集中在 2017 年 4 月至 10 月，此时间段内月降水量均在 100mm 以上，最大
降水量发生在 2017 年 6 月，为 180.6mm，11 月至 3 月降水较少，大多在 30mm 以
下；该试验点月平均气温分布规律与降水量相似，4 月至 10 月为高温期，平均温
度为 17.6~30.1℃，其他月份的平均气温为 5.9~14.1℃，试验期间无降雪覆冰情况；
重庆大学试验点空气相对湿度较高，除 2017 年 7、8 月以外，其余月份平均相对
湿度均在 74%以上，大多数月份超过 80%，最高平均相对湿度出现在 2017 年 10
15
月，高达 88.4%，较高的空气湿度为污秽物湿沉降和积累提供了有利条件。
200 20 35 100
降水量平均气温
雨日数平均相对湿度
160 16 28 90
平均相对湿度 (%)
降水量 (mm)
平均气温 (℃)
120 12 21 80
雨日数
80 8 14 70
40 4 7 60
0 0 0 50
图 2.2 重庆大学试验点气象统计结果
Figure 2.2 Meteorological statistical results of Chongqing University test site
雪峰山试验点自然积污时间共计 340 天，其中 XWP2-160 瓷绝缘子和 LXP-160
玻璃绝缘子为三片串，FXBW-35/70 硅橡胶绝缘子为单串。试品悬挂于试验点内雨
凇塔下，试品最低处离地高度约 1.5m。该试验点具有典型的微地形、微气候特征，
全年降水量约 1800mm，高于重庆大学试验点；风速较大，且风向多变；全年阴雨
雾霾天气超过 200 天，具有较大的空气湿度，11 月至 2 月为覆冰期，冰雪融化对
绝缘子表面有清洁作用；绝缘子取样测量前约一个月刚经历了一场小范围的覆冰。
通过对各试验点在自然积污时段的调研，得到的试验点自然积污条件可总结
为表 2.4。
表 2.4 试验点积污条件
Table 2.4 Pollution accumulation condition of test sites
试验点污秽来主要源风速降水冲刷作用
重庆大学人工污秽无风或微风较丰富，随季节变化自然冲刷
雪峰山自然污秽风速较大丰富，冬季有覆冰自然冲刷
2.2 自然积污绝缘子表面污秽度的测量与分析
2.2.1 测量方法
绝缘子表面污秽度以等值附盐密度(ESDD)和灰密(NSDD)进行表征，ESDD 是
指绝缘子单位表面积上所附着的污秽物中的导电物质含量所相当的 NaCl 的量，
mg/cm2；NSDD 则是指绝缘子单位表面积上所附着的不溶物的量，mg/cm2。
绝缘子表面污秽度测量采用标准[94]所推荐的方法进行。测量时采用 300mL 的
去离子水(σ20<10μs/cm)对积污绝缘子表面进行彻底清洗，过滤后得到污秽溶液及不
溶物。分别通过测量过滤后污液电导率 σθ 并换算到 20℃时的值 σ20，以及烘干后剩
16
余不溶物重量，从而确定绝缘子表面的盐密和灰密。
绝缘子的等值附盐密度可通过式(2.1)进行计算[1,56,71]：
SV
 ESDD  a (2.1)
As
式中，ρESDD 为等值附盐密度，mg/cm2；V 为污秽溶液体积 cm3；As 为测量绝缘子
的表面积，cm2；Sa 为污液的盐度，mg/cm3。通过拟合关系可知，Sa 可表示为：
Sa   5.7 20 
1.03
(2.2)
其中，σ20 为污液温度为 20℃时的电导率值，S/m；各温度下的污液电导率 σθ 与 σ20
的关系可表示为：
 20    1  b   20  (2.3)
式中，θ 为污秽溶液温度，℃；b 为取决于污液温度的系数，其与 θ 的对应关系见

表 2.5[71]。
表 2.5 b 与 θ 的对应关系
Table 2.5 The relationship between b and θ
θ (℃) b
5 0.03156
10 0.02817
20 0.02277
30 0.01905
通过拟合可以得到 b 值的计算式为：
b  9 106 2  8 104  0.0353 (2.4)
该拟合式的相关系数 R2=1。
积污绝缘子表面的灰密可由式(2.5)进行计算：
W
 NSDD  (2.5)
As
其中，ρNSDD 为灰密，mg/cm2；W 为过滤烘干后的不溶物质量，mg。
2.2.2 测量结果及分析
① 重庆大学自然积污试验站
为研究同一串绝缘子不同位置的自然积污情况，本文对重庆大学实验点的七
片串 XP4-160 瓷绝缘子和 LXY4-160 玻璃绝缘子不同位置的盐/灰密进行了测量，
测量结果见表 2.6。其中 1#为高压端绝缘子(即最底片)，7#为接地端绝缘子(即最顶
片)。剩余的 2#、4#、6#绝缘子用以测量绝缘子串的平均盐/灰密。
17
表 2.6 重庆大学试验点各绝缘子盐/灰密分布
Table 2.6 ESDD/NSDD distribution of insulators in Chongqing University test site
绝缘子型号编号 ESDD (mg/cm2) NSDD (mg/cm2) 灰盐比
1# 0.012 0.039 3.23

3# 0.013 0.040 2.96
A 型：XP4-160
5# 0.012 0.027 2.32
7# 0.013 0.029 2.29
1# 0.015 0.052 3.44
3# 0.013 0.038 2.86
B 型：LXY4-160
5# 0.012 0.036 2.96
7# 0.012 0.032 2.70
图 2.3(a)更为直观的展示了同一积污试验点的两种绝缘子表面盐/灰密分布，由
测量结果可知：
1) 对于同一串 XP4-160 瓷绝缘子和 LXY4-160 玻璃绝缘子，各部位的 ESDD
值较为接近，最大差距为 8.7%和 15.4%。瓷和玻璃绝缘子的盐密水平相当，对于
玻璃绝缘子，从高压端至接地端，其盐密呈下降趋势。
2) 绝缘子串不同位置的 NSDD 值差别较大，从高压端至接地端，整体呈明显
的下降趋势；对于瓷绝缘子，灰密值为 0.027~0.040mg/cm2 ，而玻璃绝缘子为
0.032~0.052 mg/cm2，玻璃绝缘子灰密略高于瓷绝缘子。
3) 两种自然积污绝缘子从高压端至接地端，其灰盐比整体呈下降趋势；总体
来说，XP4-160 瓷绝缘子的灰盐比介于 2.29~3.23 之间，而 LXY4-160 玻璃绝缘子
的灰盐比为 2.70~3.44，玻璃绝缘子的灰盐比略高于瓷绝缘子。
0.06 4.80 0.20 8.00

灰盐比-瓷灰盐比-玻璃
灰盐比
0.05 盐密-瓷盐密-玻璃 4.00
灰密-瓷灰密-玻璃盐密
0.15 6.00
盐/灰密 (mg/cm2)
盐/灰密 (mg/cm2)
0.04 3.20 灰密
灰盐比
灰盐比
0.03 2.40 0.10 4.00
0.02 1.60
0.05 2.00
0.01 0.80
0.00 0.00 0.00 0.00

1# 3# 5# 7# A B C D E
绝缘子编号绝缘子编号
(a) 盐/灰密分布 (b) 各绝缘子盐灰密测量结果

图 2.3 重庆大学试验点测量结果
Figure 2.3 Pollution measuring results of insulators in Chongqing University test site
18
从整体污秽度来看，重庆大学试验点的 XP4-160 瓷绝缘子和 LXY4-160 玻璃绝

缘子盐灰密测量值均较小，这是由于积污点风速较小，仅 0.3~0.8m/s，积污速度慢，
且当地湿度高，降水量大，绝缘子表面自清洁效果好；此外，污秽采样时间为 3
月，受春雨影响，进一步降低了绝缘子表面污秽的盐灰密。
从绝缘子污秽分布来看，从高压端至接地端，绝缘子的盐密、灰密、灰盐比
均呈减小趋势，其中盐密的减小趋势不明显。这主要是由于降雨冲刷作用所引起
的，ESDD 同时受溶解冲刷和机械冲刷的影响，导致降雨冲刷的效果较好，绝缘子
ESDD 处于较低水平，且差距不大；而 NSDD 仅受机械冲刷的影响，由于受上表
面的遮挡及下表面的涡流等作用的影响，使得高压端绝缘子自清洁效果远低于接
地端绝缘子，从而导致灰密从高压端至接地端呈明显的减小趋势。
不同类型的绝缘子串表面污秽测量结果如图 2.3(b)所示，由测量结果可知，A
型瓷绝缘子与 B 型玻璃绝缘子的盐密、灰密以及灰盐比水平相当，玻璃绝缘子的
盐灰密略高于瓷绝缘子，而复合绝缘子(C、D、E 型)的盐灰密和灰盐比远高于瓷和
玻璃绝缘子，且三种不同的复合绝缘子呈现不同的积污特性，此结果与诸多研究
测量结果相似[95-98]。
玻璃绝缘子的盐密、灰密均略高于瓷绝缘子，这是由于绝缘子表面材料特性
及绝缘子几何结构所引起的，玻璃绝缘子下表面的长棱深槽结构更有利于污秽的
积累与保留。对于复合绝缘子，其污秽度，尤其是灰密和灰盐比明显高于瓷和玻
璃绝缘子，一方面，复合绝缘子具有伞形开放的特征，其伞径小、伞间距充分、
遮挡小，这使得复合绝缘子尤其是其下表面更容易接受污秽，且复合绝缘子的“油
性”表面容易截留更多的污秽颗粒；另一方面，复合绝缘子具有憎水性，这使得
绝缘子下表面的自清洗作用明显低于瓷和玻璃绝缘子，而其憎水迁移性又使得雨
水的机械冲刷效果削弱，不溶物在绝缘子表面得以大量存留。C、D、E 三种不同
型式的复合绝缘子的积污差异主要来源于不同的伞形结构。
雪峰山自然试验基地的 F 型瓷绝缘子、G 型玻璃绝缘子和 D 型复合绝缘子的
自然积污试验结果如图 2.4 所示。由测量结果可知，此试验点的自然污秽积累规律
与重庆大学试验点大致相似，对灰密和灰盐比而言，玻璃绝缘子略高于瓷绝缘子，
复合绝缘子明显高于其他绝缘子；三种绝缘子灰密值介于 0.031~0.043mg/cm2 之间，
灰盐比约为 6.05~7.17。然而此试验点所测三种绝缘子盐密值大致相同，且均处于
0.005mg/cm2 的较低水平。
对比重庆大学试验点的自然污秽测量结果，雪峰山试验点所得的 ESDD 值偏
低，这是由于雪峰山主要污秽来源为自然污秽，受污染较小，且取样测量前一个
月发生了一场小范围的覆冰，融冰过程中的溶解冲刷作用使得绝缘子表面可溶污
19
秽随之流失，从而降低了 ESDD 值。在两试验点绝缘子 NSDD 水平相当的情况下，

雪峰山试验点所测绝缘子的灰盐比随之增加。
0.05 8.00
灰盐比盐密灰密
0.04
6.00
盐/灰密 (mg/cm2)
0.03
灰盐比
4.00
0.02
2.00
0.01
0.00 0.00
F G D
绝缘子编号
图 2.4 雪峰山试验点各绝缘子污秽测量结果
Figure 2.4 Pollution measuring results of insulators in Xuefeng Mountain test site
2.3 绝缘子表面污秽离子成分的测量与分析
2.3.1 测量装置和方法
试验采用离子交换色谱法对试品绝缘子的自然污秽离子成分进行测量，测量
装置为 CIC-100 型离子色谱仪，其工作原理如图 2.5 所示。
(a) 阴离子检测 (b) 阳离子检测

图 2.5 离子交换色谱仪工作原理
Figure 2.5 Ion-exchange chromatography and its operating principle
对于阴离子的检测，淋洗液通过恒流泵传输至阴离子色谱分离柱，此时，被
测溶液的阴离子在色谱分离柱中完成分离后进入自再生抑制器；在抑制器中，淋
洗液中的强电解质盐被转变为弱电解质，使淋洗液的背景电导大幅度减小，从而
使得被测阴离子的电导相对得以显现；此后被测阴离子进入电导池后，形成阴离
子峰信号。
对于阳离子的检测，CIC-100 离子色谱仪采用色谱柱连接电导池进行浓度分
析。阳离子淋洗液在恒流泵的作用下，通过进样阀，与被测溶液一同被输送到阳
20
离子色谱分离柱；被测溶液的各阳离子成分在色谱柱中完成分离后直接进入电导
池，产生阳离子峰信号。阳离子检测过程中没有采用抑制器，这是因为大多数阳
离子在 pH=7 的条件下，容易发生水解反应，从而影响测量结果。
测量过程中，阴离子检测使用 Na2CO3 和 NaHCO3 的混合溶液作为淋洗液，其
浓度分别为 3.6mmol/L 和 4.5mmol/L，其体积流量为 1.5mL/min；抑制电流为 75mA，
压强为 5.5MPa，电导率为 48μS/cm；色谱柱类型为 SH-AC-1，柱温为 30℃。阳离
子检测采用 5.5mmol/L 的甲烷磺酸作为淋洗液，其体积流量为 1.0mL/min；压强为
5.8MPa，电导率为为 90μS/cm；色谱柱类型为 SH-CC-3，柱温为 30℃。
测量的具体步骤如下：
① 待测溶液准备
利用 2.2.1 所述方法可获得两个地区绝缘子自然污秽离子成分的待测溶液，由
于溶液浓度对测量结果有所影响，需首先对待测溶液进行定容，然而各绝缘子表
面积不同，将待测溶液定容至同一体积的方法存在缺陷。因此，试验按照不同绝
缘子单位表面积对应相同清洗用水量的原则对待测溶液进行定容，即：
Vd  q  As (2.6)
式中，Vd 为待测溶液定容体积，mL；q 为单位表面积所对应的溶液体积，mL/cm2；
As 为绝缘子表面积，cm2。
根据 GB/T 26218.1 的建议可知，在盐密测量时通常采用每平方厘米表面积
0.2mL 左右的去离子水对绝缘子进行清洗，因此本文取 q=0.2mL/cm2。由此准备的
待测溶液虽体积有所差异，但其所代表的物理意义得以统一。
② 校正曲线生成
表 2.7 标准溶液中各离子的质量浓度水平 (mg/L)

Table 2.7 Concentration levels of ions in standard solution (mg/L)
浓度水平 F- Cl- NO2- H2PO4- Br- NO3- SO42- Na+ NH4+ K+ Mg2+ Ca2+
I 4 6 10 20 20 20 20 15 15 20 20 20
II 2 3 5 10 10 10 10 12 12 15 15 15
III 1 1.5 2.5 5 5 5 5 8 8 10 10 10
IV 0.5 0.8 1.25 2.5 2.5 2.5 2.5 4 4 5 5 5
V 0.2 0.4 0.75 1.25 1.25 1.25 1.25 2 2 2 2 2
采用多点校正的方法生成校正曲线。配制多种不同浓度的阴阳离子标准溶液，
对于每一种离子，在一定的范围内，取不同浓度的五个点作为标准溶液浓度，本
试验所取标准溶液浓度如表 2.7 所示。将所得各标准溶液注入离子色谱仪，得到各
21
离子的标准色谱图以及峰面积与浓度关系的校正曲线，若色谱图波形效果不佳或
校正曲线中回归方程的相关系数 R2 较小，则数据不可用。
③ 校正曲线验证
配制各离子成分已知的验证溶液，验证溶液应囊括校正曲线所涉及到的全部
离子成分，且各离子之间不能发生化学反应。利用验证溶液所得色谱图对有效校
正曲线进行校验，若离子通过校正曲线所得计算浓度与实际浓度误差在 5%以内，
则校正曲线可用，否则需要对不合要求的校正曲线进行单独校验或重新生成。
④ 离子成分测量
将准备好的待测溶液注入离子色谱仪进行测量，并利用校正曲线计算得到各
溶液的阴阳离子成分及浓度。为提高测量精度，若所得某离子浓度远高于标准溶
液的最高浓度，则需针对此离子对溶液进行稀释再测量，从而验证结果的有效性。
2.3.2 测量结果及分析
① 校正曲线的生成与验证结果
将所配制的浓度水平 I~V 的标准溶液分别注入离子交换色谱仪，所得部分标
准色谱图如图 2.6 所示，由所得色谱图可知，各阴阳离子的色谱峰波形尖锐，检测
灵敏度高，出峰时间距离适中，使得各离子峰的分离效果较好。对阳离子而言，
经负峰翻转后波形如图 2.6(b)，第一个峰为水层电导所引起的系统死体积峰，称为
水负峰，由于淋洗液的合理配制，使得水负峰与离子峰得以良好的分离，不影响
离子浓度测量结果。
(a) 阴离子色谱图 (b) 阳离子色谱图

图 2.6 标准溶液浓度水平 II 的离子色谱图
Figure 2.6 Chromatogram of standard solution at Level II concentration
由标准溶液所产生的检测结果，经色谱仪系统自动多点校正，即可得到各离
子的校正曲线如式 2.7 所示，其中 Y 为离子浓度，mg/L；X 为色谱峰面积，是时间
与电平的积分结果，mV·min。在校正曲线中，各离子的质量浓度与色谱峰面积具
22
有良好的线性相关性，其回归方程的复相关系数 R 均大于 0.996，能保证校正曲线

的有效性。
F :Y  1.275  106 X  0.032 Cl :Y  9.481 107 X  0.006
NO 2 :Y  1.882 106 X  0.022 H 2 PO4 :Y  3.565  106 X  0.016
Br  :Y  2.809 106 X  0.009 NO3 :Y  2.254  106 X  0.100
(2.7)
SO 24 :Y  1.656 106 X  0.080 Na  :Y  1.556  104 X  0.210
NH 4 :Y  1.393 104 X  0.174 K  :Y  9.452  105 X  0.054
Mg 2 :Y  4.200 104 X  0.287 Ca 2 :Y  1.244  104 X  0.060
利用所配制的验证溶液对所得有效校正曲线进行验证，其验证结果如表 2.8 所
示。各离子的测量浓度与实际浓度的偏差百分比最小为 0.2%，最大为 4.7%，均在
5%的误差范围内，由此校正曲线通过验证，能保证定量测量结果的准确性。
表 2.8 校正曲线的验证结果
Table 2.8 Verification results of calibration curves
离子类型 F- Cl- NO2- H2PO4- Br- NO3-
实际浓度 (mg/L) 3 5 6 8 15 15
测量浓度 (mg/L) 2.864 5.132 5.899 7.906 15.421 14.760
偏差 (%) 4.5 2.6 1.7 1.2 2.8 1.6
离子类型 SO42- Na+ NH4+ K+ Mg2+ Ca2+
实际浓度 (mg/L) 15 10 10 12 12 12
测量浓度 (mg/L) 15.034 10.435 9.776 11.432 11.912 12.406
偏差 (%) 0.2 4.4 2.2 4.7 0.7 3.4
② 自然污秽离子成分测量结果及分析
将两个试验点所取的共计七种绝缘子上的自然污秽溶液注入离子色谱仪进行
测量与分析，部分离子经稀释测量换算后，所得结果如表 2.9 所示。
从整体成分及含量来看，试验点的绝缘子自然污秽阴离子中均未检测到 NO2-、
H2PO4-、Br-的存在，这表明污秽中此三种离子含量极低，常见的绝缘子阴离子污
秽中，SO42-为主要污秽，其质量分数为 40.8%~66.1%；其次为 NO3-和 Cl-，含量最
少的是 F-，其质量分数仅为 1.0%~7.5%。污秽阳离子中，NH4+和 K+的含量较低，
在重庆大学试验点的多数绝缘子污秽中均未检测到 NH4+的存在。
两试验点所得的绝缘子自然污秽成分及含量差异较为明显，处于内陆城市地
区的重庆大学试验点阴离子污秽以 NO3-和 SO42-为主，其余成分含量较低，阳离子
以 Ca2+为主，其次为 Mg2+；地处山区、受人类活动影响较小的雪峰山试验点污秽
23
阴离子主要为 SO42-，其次为 Cl-，阳离子以 Ca2+和 Mg2+为主，含量最低的 NH4+

所占比例明显高于重庆大学试验点。
表 2.9 自然污秽离子成分和浓度测量结果 (mg/L)

Table 2.9 Ion constituents and concentrations measuring results of natural pollution (mg/L)
(a) 阴离子测量结果
试验点表面材料绝缘子型号 F- Cl- NO2- H2PO4- Br- NO3- SO42-
瓷 A: XP4-160 1.467 5.701 0 0 0 37.87 41.27
重庆玻璃 B: LXY4-160 1.355 5.595 0 0 0 60.80 46.62
大学硅橡胶 C: FXBW-10/70 2.264 9.560 0 0 0 117.9 95.73
硅橡胶 E: FXBW-35/100 1.327 4.376 0 0 0 67.72 51.19
瓷 F: XWP2-160 0.621 5.352 0 0 0 0.943 5.087
雪峰山玻璃 G: LXP-160 2.262 5.572 0 0 0 2.381 19.89
硅橡胶 D: FXBW-35/70 1.041 4.769 0 0 0 8.024 18.27
(b) 阳离子测量结果
试验点表面材料绝缘子型号 Na+ NH4+ K+ Mg2+ Ca2+
瓷 A: XP4-160 4.105 1.065 0.448 14.47 21.30
重庆玻璃 B: LXY4-160 2.678 0 0.760 14.54 26.52
大学硅橡胶 C: FXBW-10/70 4.470 0 0.753 21.74 49.08
硅橡胶 E: FXBW-35/100 2.281 0 0.438 15.52 35.04
瓷 F: XWP2-160 1.130 0.536 0.440 4.980 7.239
雪峰山玻璃 G: LXP-160 1.187 1.034 0.975 3.987 5.314
硅橡胶 D: FXBW-35/70 1.860 0.087 0.417 7.216 9.188
对于同一试验点，不同表面材料绝缘子自然污秽成分也存在差异，此种差异
主要存在于硅橡胶绝缘子中，不同于其他绝缘子，硅橡胶绝缘子表面具有憎水性
和憎水迁移特性，从整体趋势来看，硅橡胶绝缘子的自然污秽中 SO42-的含量明显
高于其他绝缘子。此外，绝缘子型式结构对自然积污成分和含量也存在着影响，
例如重庆大学的 A 型瓷绝缘子和 B 型玻璃绝缘子，其外观相似，且均为亲水性表
面，所得污秽成分含量差异性不大，其线性相关系数高达 0.978，在 0.01 水平上显
著相关；而对于雪峰山的 F 型瓷绝缘子和 G 型玻璃绝缘子，其外观差异较大，所
得污秽成分含量存在明显差异，二者的线性相关系数仅为 0.635，且仅在 0.05 水平
上显著相关。
24
2.4 本章小结
本章选取两个具有不同地理位置和自然环境的试验点，进行了绝缘子自然积
污试验，并对所得自然污秽进行了盐灰密、离子成分及含量的测量与分析，所得
的主要成果如下：
① 在自然积污试验点，对多种绝缘子进行了长达一年左右的自然积污试验，
并对各试验点所得自然污秽的 ESDD 与 NSDD 进行了测量与对比分析。
② 采用离子交换色谱法对自然污秽离子成分和含量进行了测量与分析，结果
表明，离子交换色谱法简便易行、测量误差小，可用于自然污秽可溶成分的离子
测量。
③ 测量结果表明，绝缘子表面污秽离子成分多种多样，在电力系统外绝缘设
计中，需考虑混合污秽成分对绝缘子电气性能的综合影响。
25
26
3 绝缘子表面污秽成分的阴阳离子配对模型
本章根据污秽在不同表面积累的相关性和污秽溶解时的动态电导率特性，建
立了绝缘子表面污秽成分的阴阳离子配对模型。模型主要包括两部分，其一是基
于聚类分析的离子配对方法，可实现离子成分的粗略配对；其二是基于污液动态
电导率特性的离子配对子模型，用以提高配对精度。粗略配对中，提出了基于模
糊聚类的离子配对方法和基于动态改进 FCM 的离子配对方法。精确配对中，以盐
类溶解的动力学方程为基础，结合溶解试验，研究了盐类溶解的动态电导率特性；
综合考虑污液电导率特性的影响因素，得到了各电解质溶解过程中所对应的电导
率与溶解时间、平衡浓度的关系曲线表达式；结合污液动态电导率特性与离子浓
度测量结果，依据粗略配对结果所提供的化合物样本，提出了基于污液动态电导
率特性的阴阳离子配对子模型，并对该子模型进行了试验验证。
3.1 配对模型的理论基础及实现途径
3.1.1 离子配对的研究现状
离子交换色谱法所测得的自然污秽成分结果为各阴、阳离子的质量浓度，为
了进一步获悉绝缘子表面污秽的理化特性，为电力系统外绝缘等效 ESDD 的研究
提供依据，需对绝缘子自然污秽的化合物成分分布进行探究与分析。因此，要确
定各绝缘子表面自然污秽成分的化合物成分及含量，需进行离子配对分析。
目前国内外主要采用人工配对的原则，即根据溶液中阴阳离子的数量关系、
溶液 pH 等参数，按照对污闪电压影响显著性从大到小的顺序，先配对一价碱金属
盐，后配对二价碱金属盐，然后按照化合物溶解度从大到小的顺序配对[15,19,35]。此
方法所得结果受试验人员的主观影响太大，其配对结果的重复性和再现性不强，
由于量化指标依据的缺乏，使得结果难以客观真实地反映各污秽成分的关系。
由于污液中所得的信息有限，且外绝缘常见和对绝缘子闪络特性影响较大的
污秽大多数均为强酸强碱盐，使得污液的 pH 均在 7 左右，传统的化学方法难以为
离子配对提供量化指标。
3.1.2 利用聚类分析实现粗略配对
本文为获取更多有效信息，在同一积污点采用多种不同表面材料的绝缘子进
行同等条件积污；以污秽化合物成分在不同表面绝缘子上积累特性的相关性为理
论依据，结合数学、统计学中的聚类分析方法，对自然污秽离子成分配对进行初
步探究，实现离子成分的粗略配对。即认为可溶污秽成分以溶液或化合物的形式
在绝缘子表面沉积或流失，在污秽积累和流失过程中，由于表面特性的影响，使
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得各绝缘子表面污秽离子和化合物成分存在差异；然而，在同一积污点的不同绝
缘子所受污源、降水等外部条件的影响大致相同，其表面化合物成分必然存在着
相关性，本文采用聚类的方法对阴阳离子之间的相关性进行分析，从而提出配对
方法，为离子配对提供量化指标。
3.1.3 利用污液动态电导率特性提高配对精度
各电解质溶解时的动态电导率特性存在差异，基于污液动态电导率特性的离
子配对方法就是充分利用此种差异实现电力系统外绝缘中常见强电解质的配对，
从而提高配对精度。
研究表明[6,99]，对于强电解质，在低浓度下，电导率与浓度呈线性关系；且低
浓度下混合强电解质的电导率近似等于各成分所贡献电导率的叠加，这一点在本
文第 5 章也有所提及。在实际绝缘子的盐/灰密测量过程中，一般采用 300mL 水对
单片绝缘子所采集的污秽进行溶解于测量，经验表明，此时各电解质均处于低浓
度的状态下，可运用叠加的方式对污秽成分的电导率进行计算。
离子配对模型的基本思想是通过对所采集的自然污秽 24 小时内的动态电导率
特性测量，并结合阴阳离子测量结果，对比各成分的动态电导率特性，进行回归
与优化。最终使得各成分叠加所得的动态电导率特性优化结果尽可能地接近样本
污液动态电导率特性，从而确定各成分的含量与比例。
3.2 基于聚类分析的离子配对方法
3.2.1 基于模糊聚类的离子配对原理与方法
聚类分析是一种无监督学习方法，其是指根据某种原则将样本划分为若干个
“有意义”的子集，且要求同一子集内的样本之间具有较大的“相似性”，而不同
子集样本之间具有较大的“差异性”
。然而对于绝缘子表面污秽成分离子配对的问
题，其聚类之间可能存在交叠，诸如直接聚类、谱系聚类、K-均值聚类等“硬分
类”方法已不适用，在迭代过程中需要引入隶属度对聚类过程加以描述，基于模
糊聚类的离子配对方法可满足此需求。
基于模糊聚类的离子配对方法是以各离子间的模糊相似关系为依据，对瓷、
玻璃、复合绝缘子表面所测得的离子进行配对。由于三种或三种以上不同表面材
料的绝缘子悬挂于同一地点，因此其所受污染和降水的来源相同，同种化合物的
离子在绝缘子表面的积累呈现一定的相关性。因此以各阴阳离子为被分类对象，
则所得待分类全体的论域 X={F-, Cl-, NO3-, SO42-, Na+, NH4+, K+, Mg2+, Ca2+}，将其
用 xi (i=1, 2, …, 9)表示，则论域 X={x1, x2,…, x9}。
离子在不同材料绝缘子表面所积累的物质的量浓度(mmol/L)分别反映了各离
子在不同材质绝缘子表面的积累特性，可作为独立指标，然而论域中同时存在一
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价离子和二价离子，配对过程中，一个二价离子将与两个一价离子进行配对，为
保证配对指标的对等性，采用电荷浓度(mmol/L)作为独立指标。
对于 N 种绝缘子，将得到 N 个指标，即离子在第 1~N 种绝缘子表面的电荷浓
度；第 i 种离子在 N 种绝缘子上的电荷浓度可分别表示为 xi1, xi2, …, xiN；则每一待
分类对象可由一组数据表征 xi=(xi1, xi2, …, xiN)。结合实际情况，对于重庆大学试验
点，N=4；对于雪峰山试验点，N=3。
模糊聚类分析的方法主要分为以下几步：
① 数据标准化
由测量分析可知，论域 X={x1, x2,…, x9}为被分类对象，每个元素又由 N 个指
标表示，对论域 X 中的第 i 个元素有 xi=(xi1, xi2, …, xiN)。则得到原始数据矩阵：
 x11 x12 x1N 
x x22 x2 N 
X  21
(3.1)
 
 
 x91 x92 x9 N 
根据模糊矩阵的要求，数据需被压缩至区间[0, 1]上，因此需采用极差变换的
方法对数据进行标准化处理，即：
xij  min{xij |1  i  9}
xij  (3.2)
max{xij |1  i  9}  min{xij |1  i  9}
② 建立 F 相似关系
模糊相似关系的建立方法有多种，结合离子配对的实际问题，无论是污秽的
积累还是流失过程，其均以化合物的形式进行离子(或电荷)的增加或减少，即在积
污过程中，各离子的电荷浓度均是以线性关系进行变化，因此各分类对象之间的
模糊相似关系中存在着某种线性相关性，因此本文选择相关系数法建立各待分类
对象的模糊相似关系 R(xi, xj)=rij，得到各离子间的 F 相似矩阵 R，本文中，R 为 9×9
的方阵，rij 为矩阵 R 中第 i 行第 j 列的元素，则
N
 | x ik  xi |  | xjk  xj |

rij  k 1
(3.3)
  x  xj 
N N
  x  xi  
2 2
ik jk
k 1 k 1
1 N 1 N
其中， xi   ik j N 
N k 1
x , x 
k 1
xjk 。
F 相似矩阵 R 中的元素体现了各离子间的模糊相关性，在 F 相似矩阵 R 中，

阴离子与阴离子(或阳离子与阳离子)之间的模糊相关系数仅表示两种离子来自同
一污染源的可能性大小，对离子配对无直接影响；而阴阳离子间的模糊相关性系
数不仅表示了两种离子来自同一污染源的可能性，也表示了两种离子来自于同一
29
种化合物的可能性，可将其作为离子配对的依据。
③ 聚类分析
矩阵 R 为 F 相似矩阵，一般情况下仅满足自反性和对称性。在聚类过程中，
需将其改造为 F 等价矩阵。为此，采用平方法求出 R 的传递闭包 R*，则 R*便是聚
类分析所需的 F 等价矩阵。具体步骤示意如下：
2
R(1)  R(2) ,R(2)
2
 R(3) , R(2i )  R(i 1) ,
(3.4)
若R(i 1) = R(i ) ,则R*  R(i )
根据模糊等价矩阵，可使阈值 λ∈[0, 1]由大变小，按 λ 截关系进行动态聚类，
形成动态聚类图。
在离子配对时，应结合当地实际污染情况，对当地主要污染化合物进行优先
配对，同时，由于离子色谱分析时是用污秽清液作为样品，则应排除某些不溶物
的存在。则基于模糊聚类的离子配对原则为：结合当地实际污染情况，对某些特
殊污秽进行优先配对或排除其存在，再以各阴阳离子间的模糊等价矩阵和模糊相
关系数为依据，对阴阳离子进行配对；若几种离子间模糊相关系数较为相近，则
应综合考虑化合物溶解度、离子含量、阴阳离子关系、溶液 pH 确定各化合物的配
对顺序。
3.2.2 基于动态改进 FCM 的离子配对方法
基于模糊聚类的离子配对方法简单易行，然而其量化指标为模糊相关系数和
模糊等价系数，无现实物理意义，且在数据标准化处理过程中，对于某些特定数
据较为敏感。因此需要进一步提出具有各类适用范围的，且量化指标具有明确物
理意义的离子配对方法。本节以各阴阳离子在不同表面绝缘子上积累的相关性为
理论依据，结合统计学相关原理，采用 FCM(fuzzy c-means)的方法对自然污秽离子
成分进行聚类分析，从而实现阴阳离子的配对。
① 经典 FCM 算法
FCM 算法是以总体距离为目标函数，使目标函数最小化的迭代收敛过程，经
典 FCM 算法的目标函数为[100-102]：
c n c n
MinJ FCM
m
(U , A, X )   uijm dij2   uijm x j  ai (3.5)
i 1 j 1 i 1 j 1
且 uij 满足如下约束条件：
c
u
i 1
ij  1(1  j  n)
(3.6)
uij  0(1  i  c,1
  j  n)
其中，X={x1, x2, …, xn}为 n 元数据集合，xi∈RN。FCM 聚类的目的是把 X 划分至
c 个子集 S1, S2, …, Sn 当中，A={a1, a2, …, ac}，表示 c 个子集的聚类中心，uij 为元
30
素 xj 对于类别 Si 的隶属度，U={uij}为 c×n 的矩阵，称为隶属度矩阵；||xj-ai||为元素

xj 到聚类中心 ai 的欧氏距离。
由 FCM 的定义可知，其聚类指标为各元素之间的欧几里得距离，在聚类过程
中加入了隶属度的模糊判定元素，即指标明确化，过程模糊化。此类具有明确物
理意义的指标为阴阳离子的配对提供了可信的参考标准，然而由于经典 FCM 方法
是基于欧式距离的聚类方法，其仅对球形数据较为敏感，且并未考虑各元素及样
本之间的相关性，不适用于自然污秽阴阳离子配对，因此需要对 FCM 方法进行改
进。
② 针对配对指标的算法改进
自然污秽成分的离子配对主要是污秽化合物成分在不同表面和结构的绝缘子
上的积累、流失特性为指标，利用各指标的相关性对污秽离子来源、化合物成分
进行判断。经典 FCM 算法已不适用，需结合实际问题，针对配对指标，即 FCM
算法的目标函数进行改进。由于配对是以阴阳离子在不同表面材料上积累的相关
性为指标，可采用马氏距离对这一参量进行描述；马氏距离是一种能有效计算两
个未知样本集的相似度方法，与欧式距离不同的是，它考虑到了指标变量的协方
差矩阵结构(相关性)对分类的影响，因此，本文采取马氏距离代替欧氏距离的方法
对 FCM 算法进行改进。
马氏距离具有平移不变性、旋转不变形和仿射不变性，其定义满足自然污秽
离子成分配对指标的要求，马氏平方距离的定义为[100,102]：
d 2 ( xi , X )  ( xi   )T i1 ( xi   ) (3.7)
式中，μ 为样本均值，Σ 为协方差矩阵。
改进的 FCM 算法以马氏距离代替欧式距离，并在目标函数中引入一个协方差
调节因子-ln|Σi-1|，则算法的优化目标函数为：
c n
MinJ m (U , A,, X )   uijm [( x j  ai )i1 ( x j  ai )  ln | i1 |] (3.8)
i 1 j 1
且 uij 满足约束条件
c c
uij  uij  1;   uij  n
i 1 i 1 (3.9)
(i  1,2, c; j  1,2, n)
该优化问题的拉格朗日算子为：
c n n c
J   uijm [( x j  ai )i1 ( x j  ai )  ln | i1 |]    j (1   uij ) (3.10)
i 1 j 1 j 1 i 1
对拉格朗日算子进行最小化处理，可得其迭代式。将 J 分别对 ai, uij, Σi 求偏导，并

令结果等于零，可得：
31
J n n
 0ai  [ uijm ]1[ uijm x j ]i  1,2, , c) (3.11)
ai j 1 j 1
1
 c 1

J   ( x  a ) 1
( x  a )  m 1

 0uij    
j i i j i
 
uij ( x  as )i ( x j  as ) 
1
 s 1  j  (3.12)
i  1,2, , c; j  1,2, , n)

n
J
u
j 1
m
ij ( x j  ai )( x j  ai )
 0i  i  1,2, , c) (3.13)
i n
u
j 1
m
ij
则改进的 FCM 算法具体描述如下：

1) 参数初始化。给定聚类类别数 c，2 ≤ c ≤ n；设定迭代停止阈值 ε 或最大迭
代次数，初始化聚类中心矩阵 A(0)，设置迭代计数器 b=0；
2) 利用式(3.12)计算获更新隶属度矩阵 U(b)；
3) 利用式(3.11)更新聚类中心矩阵 A(b+1)；
4) 若||A(b)-A(b+1)|| < ε 或达到最大迭代次数，则算法停止，输出隶属度矩阵 U
和聚类中心 A；否则令 b=b+1，转向步骤(2)；
5) 根据所得隶属度矩阵，判定各样本所属类别。
改进的 FCM 算法是以各离子之间的马氏距离为定量指标，通过隶属度矩阵判
定离子所属类别，从而进行各阴阳离子的配对分析。配对过程中属于同一分类的
同类离子(阴离子或阳离子)代表其来自同一污源，属于同一分类的阴离子和阳离
子，不仅代表其来自于同一污源，还代表着其来源于同一化合物。然而，通过改
进的 FCM 算法所得结果不能将所有阴阳离子实现完全配对，因此，需在此基础上
对改进 FCM 算法进行进一步改进。
③ 针对循环配对的动态改进
动态改进的 FCM 离子配对方法流程如图 3.1 所示，其主体思想是通过循环运
行改进 FCM 算法，实现所有离子的逐步配对，并在每次配对结束后对样本进行动
态更新，以实现完整的配对流程。对于类内出现多种配对可能或剩余离子数量不
足以进行改进 FCM 配对时，应针对当前样本，进行各阴阳离子间的马氏距离计算，
马氏距离短者优先配对。对于每次聚类类别数 c 的选取，应根据当前所剩离子种
类数 n，取 c = floor(n/2)，其中，floor 表示向下取整数，以实现每次改进 FCM 算
法的效率最大化。对于本文中两个试验点的样本数据，离子种类数 n=9，各离子维
数 N=4 (重庆大学试验点)或 N=3 (雪峰山试验点)，仅需要 2~3 次改进 FCM 算法的
循环便能完成完整的离子配对过程。
32
初始化
输入数据
是初始化参数
n≤N或阴/阳
离子数目=1
否
计算或更新
改进FCM 隶属度矩阵
聚类分析
计算剩余离子
更新聚类
类内出现多是间马氏距离否
种配对可能
中心矩阵
否计算各离子
间马氏距离 ||A(b)-A(b+1)|| < ε
是
未配对部分配对分析
更新样本
输出U和A
配对完成部分
输出
配对结果
结束
结束
图 3.1 基于动态改进 FCM 的离子配对流程

Figure 3.1 Flow diagram of ion-pairing process based on dynamic improved FCM method
3.2.3 配对结果及方法评价
① 基于模糊聚类的离子配对结果
采用基于模糊聚类的离子配对方法，对自然污秽阴阳离子进行配对，在模糊
聚类过程中，所得阴阳离子间的 F 相关系数如表 3.1 所示，由 F 相关系数的计算结
果可知，各阴阳离子间的 F 相关系数存在差异，可以使用 F 相关系数作为阴阳离
子配对的辅助指标。然而，各阴阳离子间存在着许多相近的 F 相关系数，如重庆
大学试验点的 rNa-F=0.860，rNa-Cl=0.860；雪峰山试验点的 rNa-F=0.794，rNH4-F=0.791；
这使得 F 相关系数无法成为模糊聚类的唯一决定性指标。
表 3.1 模糊相关系数计算结果
Table 3.1 Calculation results of fuzzy correlation coefficients
重庆大学 F- Cl- NO3- SO42- 雪峰山 F- Cl- NO3- SO42-
Na+ 0.860 0.860 0.810 0.580 Na+ 0.794 0.883 0.849 0.529
NH4+ 0.769 0.740 0.951 0.472 NH4+ 0.791 0.872 0.837 0.522
K+ 0.667 0.597 0.822 0.207 K+ 0.780 0.999 0.994 0.590
Mg2+ 0.842 0.834 0.945 0.735 Mg2+ 0.988 0.819 0.795 0.869
Ca2+ 0.769 0.740 0.951 0.472 Ca2+ 0.960 0.630 0.623 0.997
33
在基于模糊聚类的离子配对过程中，利用式(3.4)求 F 相似矩阵 R 的传递闭包

R*，对于重庆大学试验点，R(3)= R(4)，则 R*= R(3)；对于雪峰山试验点，R(4)= R(5)，
则 R*= R(4)。根据改造后的等价矩阵 R*画出两地区的阴阳离子聚类图见图 3.2。根
据阴阳离子的模糊聚类图，结合 F 相似矩阵为辅助指标，利用基于模糊聚类的离
子配对原则对两试验点所得自然污秽离子进行配对分析，配对结果如表 3.2 所示。
由基于模糊聚类的污秽离子配对结果可知：
对于重庆大学试验点，绝缘子表面污秽主要以 Ca(NO3)2、CaSO4 和 MgSO4 为
主，此三种污秽的质量浓度在四种绝缘子上所占比例为 12.55%~53.23%；NaCl 也
占一定质量比例，为 3.45%~7.96%；其余污秽成分如 NaF、MgCl、NH4NO3、K2SO4
等含量很低。重庆地处两江交汇的内陆地区，属亚热带季风气候，为酸雨多发地
带，当地酸雨类型为硫酸型酸雨；且内陆城市地区受人类活动和土木建设影响，
使得含钙盐污秽较多；再者近年来重庆地区的汽车尾气排放量呈逐年上升趋势，
使得氮氧化合物已跻身该地区的大气主要污染之一。综合以上多种因素，可以大
致判断，聚类结果与当地实际污染情况大致相符。
对于雪峰山试验点，绝缘子表面污秽主要以 CaSO4 为主，其在瓷、玻璃、硅
橡胶绝缘子上所占质量分数分别为 41.11%、49.35%、57.84%，远高于其余污秽成
分。其次为 NaCl 和 Mg(NO3)2，其余污秽成分也占一定比例。由结果可知，雪峰
山试验点除 CaSO4 以外，其余污秽成分的含量分布相对均匀，这是由于雪峰山试
验点地处山区，受人类活动影响小，其自然污秽成分受当地大气状况、土壤背景
值等自然条件因素的影响较大，这就使得各类污秽成分的含量相对于城市地区更
为均匀。
SO42- F-
K+ Mg2+
Cl- SO42-
F- Ca2+
Na+ NH4+
Mg2+ Na+
NO3- NO3-
NH4+ Cl-
Ca2+ K+
λ 1 0.95 0.86 0.74 λ 1 0.96 0.90 0.88
(a) 重庆大学试验点 (b) 雪峰山试验点

图 3.2 阴阳离子的模糊聚类图
Figure 3.2 Fuzzy cluster graph of anion and cation
34
表 3.2 基于模糊聚类的离子配对结果 (浓度：mg/L；比例：%)

Table 3.2 Ion-pairing results based on fuzzy cluster method (concentration: mg/L; ratio: %)
(a) 重庆大学试验点
污秽 A: XP4-160 B: LXY4-160 C: FXBW-10/70 E: FXBW-35/100

成分浓度比例浓度比例浓度比例浓度比例
NaF 0.752 0.64 0 0 0 0 0 0

MgF2 1.838 1.56 2.211 1.45 3.693 1.23 2.165 1.29
NaCl 9.394 7.96 6.812 4.45 11.37 3.80 5.803 3.45
MgCl2 0 0 1.955 1.28 3.560 1.19 1.144 0.68
NH4NO3 4.733 4.01 0 0 0 0 0 0
Ca(NO3)2 45.24 38.35 80.41 52.57 155.9 52.12 89.56 53.23
K2SO4 0.999 0.85 1.696 1.11 1.680 0.56 0.977 0.58
MgSO4 20.10 17.04 36.37 23.78 85.36 28.53 23.72 14.10
CaSO4 34.90 29.59 23.50 15.36 37.56 12.55 44.87 26.67
(b) 雪峰山试验点
F: XWP2-160 G: LXP-160 D: FXBW-35/70

污秽成分
浓度比例浓度比例浓度比例
MgF2 1.014 5.78 0.866 2.37 1.699 3.80

NaCl 2.873 16.39 2.411 6.59 4.730 10.57
NH4Cl 1.594 9.09 0.131 0.36 0.258 0.58
KCl 0.841 4.80 0.406 1.11 0.797 1.78
MgCl2 2.876 16.41 0.919 2.51 1.802 4.03
Mg(NO3)2 1.125 6.42 4.882 13.34 9.577 21.40
MgSO4 0 0 8.927 24.38 0 0
CaSO4 7.207 41.11 18.07 49.35 25.88 57.84
② 基于动态改进 FCM 的离子配对结果

图 3.3 为基于动态改进 FCM 的方法对自然污秽阴阳离子离子成分的配对分析
过程，两个试验点数据均顺利完成配对，且收敛效果较为理想。图中，每一个实
线矩形框代表着一次动态改进 FCM 方法的大循环，虚线圆圈则表示每次大循环的
聚类结果，用阴影部分标注的离子表示在该次大循环完成后离子数量耗尽，在下
一次大循环开始前，更新样本时将该离子从样本中剔除。
利用动态改进的 FCM 方法所得离子配对结果如表 3.3 所示，可知：
35
对于重庆大学试验点，绝缘子表面污秽主要以 Ca(NO3)2、CaSO4 和 MgSO4 为

主，此三种污秽的质量浓度在四种绝缘子上所占比例为 12.55%~53.23%；NaCl 也
占一定质量比例，为 3.45%~7.97%；其余污秽成分如 NaF、MgCl、NH4NO3、K2SO4
等含量很低。此结果与基于模糊聚类的离子配对方法所得结果大致吻合。
Mg2+ Cl- F- n=N，跳出循环

NO3 -
NH4+ NH4+ 计算剩余离子间马氏距离
Ca2+ Na+ Na+
Mg2+
F-
F- Mg2+
NH4+
SO42- Cl- SO42- Cl-
+
K Ca 2+
Cl- F- 阴离子数目=1，跳出循环
NH4+
2+
Ca K+ 计算剩余离子间马氏距离
-
F
SO42- Na+
Cl-
K+ Mg2+
Na+ Mg2+ Mg2+ Na+
Cl- SO42-
K+ NO3- Ca2+ Ca2+
图 3.3 基于动态改进 FCM 的离子配对过程
Figure 3.3 Ion-pairing process based on dynamic improved FCM
表 3.3 基于动态 FCM 的离子配对结果 (浓度：mg/L；比例：%)

Table 3.3 Ion-pairing results based on dynamic improved FCM (concentration: mg/L; ratio: %)
污秽 A: XP4-160 B: LXY4-160 C: FXBW-10/70 E: FXBW-35/100
成分浓度比例浓度比例浓度比例浓度比例
NaF 0.752 0.64 0 0 0 0 0 0
NH4F 1.769 1.50 0 0 0 0 0 0
KF 0.666 0.56 1.131 0.74 1.120 0.37 0.651 0.39
MgF2 0 0 1.606 1.05 3.095 1.03 1.817 1.08
NaCl 9.394 7.97 6.812 4.45 11.37 3.80 5.803 3.45
MgCl2 0 0 1.955 1.28 3.560 1.19 1.144 0.68
Ca(NO3)2 50.09 42.49 80.41 52.57 155.9 52.12 89.56 53.23
MgSO4 24.34 20.65 37.54 24.54 86.52 28.92 24.39 14.50
CaSO4 30.88 26.19 23.50 15.36 37.56 12.55 44.87 26.67
36
F: XWP2-160 G: LXP-160 D: FXBW-35/70

污秽成分
浓度比例浓度比例浓度比例
NaF 0 0 1.539 3.78 1.650 3.67

NH4F 1.103 6.29 2.125 5.22 0.178 0.40
KF 0.169 0.96 1.451 3.56 0.621 1.38
NaCl 2.873 16.39 0.199 0.49 3.624 8.06
KCl 0.625 3.56 0 0 0 0
MgCl2 4.430 25.27 5.554 13.64 3.438 7.64
Mg(NO3)2 1.125 6.42 2.842 6.98 9.577 21.30
MgSO4 0 0 8.927 21.93 0 0
CaSO4 7.207 41.11 18.07 44.39 25.88 57.55
对于雪峰山试验点，绝缘子表面污秽主要以 CaSO4 为主，其在瓷、玻璃、硅

橡胶绝缘子上所占质量分数分别为 41.11%、44.39%、57.55%，远高于其余污秽成
分。其次为 NaCl、MgCl2 和 Mg(NO3)2，其余污秽成分也占一定比例，且除 CaSO4
以外，污秽成分的含量分布也相对均匀。动态改进的 FCM 配对方法与模糊聚类的
配对方法所得结果大同小异。
② 对比分析与方法评价
对比两种方法下的自然污秽离子成分配对结果可知，两种方法所得结果大同
小异，所得主要污秽化合物成分及含量基本相同，对于含量较少的离子及其所组
成的化合物，配对结果有所差异，且所得结果与当地自然气候条件、地理和人类
生活干扰以及当地污秽分布和影响因素大致吻合，因此，两种方法均可应用于绝
缘子自然污秽离子成分的配对分析。
两种方法均是针对目前人工配对的不足，增加了不同绝缘材料表面积累特性
的特征量，为污秽成分阴阳离子配对提供了定量指标。然而，两种方法在多方面
却存在着本质的差异，其适用范围也有所不同。
对于基于模糊聚类的离子配对方法，其配对方法简单易行，但定量指标和配
对过程模糊化，且在判断过程中容易出现定量指标数值相近的情况，这为配对带
来了一定困扰；另一方面，其对输入数据也有一定要求，若数据标准化过程中出
现了全 0 行，即某种离子在各绝缘子表面含量均最低，将导致 F 相似矩阵无法建
立，配对无法进行；然而其方法步骤的简便性决定了每一步参数的可视化，这就
使得配对过程和结果可受人为干预。
对于基于动态改进的 FCM 配对方法，其是以样本间的马氏距离为定量指标，
37
指标明朗化且具有明确的物理意义，在配对过程中加入隶属度函数对聚类进行优
化与迭代，其数据处理过程较为细致，且数据适应能力强，但受其迭代优化过程
所限，实现较为复杂，且不可受人工干预，这就要求输入数据的误差不能过大，
否则难以进行人工校正。两种方法的对比总结如表 3.4 所示。
表 3.4 两种配对方法的对比总结
Table 3.4 Summary of two kinds of ion-pairing methods
指标计算过程指标类型数据处理数据适应范围人工干预
模糊聚类较简单模糊较粗糙局限性可以实现
动态改进 FCM 较复杂明朗较细致广泛性难以实现
然而，由于两种方法的物理、化学基础相对薄弱，更多的是借助于数学和统
计学的方法加以实现，因此，方法的准确性还有待考究；同时，添加特征量的方
法使得配对所得结果难以进行试验验证，只能通过当地的污源的性质对配对结果
进行大致评估，两种方法存在一定缺陷。
综上所述，在污秽成分复杂且外绝缘主要污秽成分未知的地区，可运用基于
模糊聚类的离子配对方法和基于动态改进 FCM 的离子配对方法进行绝缘子污秽成
分及含量的粗略配对，若需进行更为精确的配对分析，需在此基础上提出理化基
础更为充分且能够进行实验验证的离子配对方法。
3.3 基于污液动态电导率特性的离子配对模型
3.3.1 盐类溶解的动力学方程
盐类溶解是一个动态的过程，其包括扩散过程、表面放映、化学反应和结晶
过程等，而动力学应取决于反应最慢的过程；所以多数溶解受控于看扩散过程、
表面过程或扩散和表面过程的联合控制[103]。电力系统外绝缘污秽成分中，对绝缘
子电气性能影响较大的污秽大多数为强电解质，这一类盐的溶解动力学方程可用
Avrami 模型和 Stumm 模型加以描述。
① Avrami 模型
Avrami 模型直接体现了溶解特征量与时间的关系，并通过了多类研究的验证
和应用，其动力力学方程为[103]：
X  1  e Kt
n
(3.14)
式中，X 为反应的摩尔分数；K 为反应常数，其变化取决于液相的浓度和温度；n
为反应级数，是一个特征参量，与过程条件无关。
结合本文的具体研究内容，用电导率 σ 作为溶解反应的特征量，在较低浓度
38
的研究范围内，水溶液的整体电导率与溶液的浓度或溶质溶解的量呈线性关系，
因此，式(3.14)的动力学方程可改写为：

  P 1  e Kt
n
 (3.15)
式中，Pσ 为与溶质浓度和自身性质相关的常数。
② Stumm 模型
Stumm 指出[104]，某时间下溶解进入溶液的离子浓度的变化属于扩散过程时，
其基本关系可用微分方程表示为：
dc
 K  c  ct 
n
(3.16)
dt
式中，c 为溶液浓度，c∞为该盐溶解平衡时的浓度，ct 为该盐在 t 时刻的浓度，K
为反应速率常数，n 为该盐的反应级数。
用溶液整体电导率 σ 代替式(3.16)中的浓度 c，则式(3.16)可改写为：
d
 K 0     t 
n
(3.17)
dt
式中，K0 为电导率形式下的反应速率常数。对式(3.3)的微分方程进行求解，求解
结果为：
1
      K0 (1  n)(t  C0 )1n (3.18)
在忽略水电导率的条件下，其边界条件为 σ0=0，带入边界条件，并对式(3.5)
进行简化表示，可得：
     K0 (t  C0 )n
(3.19)
C0  (  / K 0 )1/ n
式中，K0' = K0(1-n)1/(1-n)，n' = 1/(1-n)。
3.3.2 盐类溶解的动态电导率特性
盐类溶解过程中，溶解时间与溶液整体电导率可用式(3.15)和式(3.19)的动力学
方程加以描述。然而，在实际溶解过程中，对绝缘子闪络特性影响较大的强电解
质初始溶解速率极快，测量设备的响应速度难以跟上其初始溶解速度。因此，为
解决这一问题，且与工程实际状况保持一致，本文将外绝缘常用污秽均匀涂覆于
专用绝缘子采样布上，以获得其动态电导率特性。
① 测量装置与方法
电力系统外绝缘主要污秽成分的动态电导率特性通过试验获取。试验中，使
用精密天平称取 210mg 待测电解质，折合 XP4-160 和 LXY4-160 绝缘子的表面盐
附着密度约 0.10mg/cm2，将其涂覆于绝缘子玻璃平板模型上，并模拟实际绝缘子
采样方法，用绝缘子盐密采样布对其进行充分擦拭，使待测盐均匀涂覆于采样布
上，自然阴干待用。
39
(a) 精密天平 (b) 电导率仪

图 3.4 测量装置
Figure 3.4 Measuring equipments
将阴干的样品置于烧杯中，加入 300mL 去离子水，保持室温与水温恒定，本

文取 25℃，待电导率仪的响应速度跟上溶液电导率的变化速度时(试验发现一般需
10 分钟左右)，对溶液电导率进行多点测量，以获取其整体电导率。试验过程中，
需对溶液温度进行测量，同时折算至 25℃的电导率值；溶液不进行震荡与搅拌，
其余试验条件均与实际工程中的盐密测量流程保持一致；测量溶液 24 小时内的电
导率变化值。所用主要装置如图 3.4 所示。
② 测量结果与分析
试验所得 24 小时内，210mg 的 NaCl、NH4NO3、KNO3、CaSO4 在 300mL 水
中的动态电导率特性如图 3.5 所示。
1600
1400
1200
电导率 (μS/cm)
1000
800
600
400 NaCl NH4NO3
200 KNO3 CaSO4
0
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24
溶解时间 (h)
图 3.5 电解质的动态电导率特性
Figure 3.5 Dynamic conductivity properties of electrolytes
由测量结果可知，电解质所对应的电导率在溶解初期增长极快，随着时间的
增加，电导率增长速率逐渐减小，在溶解 24 小时后，电导率值已逐步趋于平稳。
然而，在溶解过程中，各电解质的动态电导率特性存在着明显差异，此差异不仅
40
体现在电导率稳定值上，同时也体现在其动态变化过程中。以 NaCl 和 CaSO4 为例，

NaCl 的电导率在前 2 小时内增长很快，4 小时过后增速减缓；而 CaSO4 所对应的
电导率相对于 NaCl 则是一个渐变的过程，6~10 小时过后增速才达到相对缓慢的程
度。利用各物质间动态电导率的差异，可对电力系统外绝缘污秽成分进行配对分
析。
③ 溶解动力学方程选择
对试验数据分别按照式(3.15)的 Avrami 模型和式(3.19)的 Stumm 模型进行非线
性拟合，结果表明，两种模型均能对试验所得结果进行有效拟合，拟合度 R2 均在
0.94 以上。然而，两个动力学方程均有三个待定参数，但是(3.19)中的常数 C0 受三
个待定参数的影响，使得在非线性拟合的迭代过程中，拟合结果对迭代初值的选
择较为敏感，因此，相对于 Avrami 模型，Stumm 模型更难得到有效拟合结果，本
文选择 Avrami 溶解动力学方程对电解质溶液的动态电导率特性加以描述。
3.3.3 污液动态电导率特性的影响因素
① 浓度对污液动态电导率特性的影响
1) 不同浓度下电解质的动态电导率特性
3000 2500
2500 2000
电导率 (μS/cm)
电导率 (μS/cm)
2000
1500
1500
1000
1000
0.72g/L 1.06g/L 0.71g/L 1.08g/L
500 500
1.43g/L 对比值 1.40g/L 对比值
0 0
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24
溶解时间 (h) 溶解时间 (h)
(a) NaCl (b) NH4NO3

2000 1400
1800
1200
1600
1400 1000
电导率 (μS/cm)
电导率 (μS/cm)
1200 800
1000
800 600
600 400
0.73g/L 1.05g/L 1.04g/L 0.71g/L
400
200
200 1.43g/L 对比值 1.41g/L 对比值
0 0
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24
(c) KNO3 (d) CaSO4

图 3.6 各物质在不同浓度下的电导率特性
Figure 3.6 Conductivity properties of electrolytes in various concentrations
41
为研究浓度对污液动态电导率特性的影响，本文分别对 NaCl、NH4NO3、KNO3、
CaSO4、Mg(NO3)2、CaCl2、MgSO4、Ca(NO3)2 八种电力系统外绝缘常见污秽成分
进行了不同浓度下的溶解试验，为模拟实际外绝缘污秽，试验中采用不同浓度的
单一电解质与 420mg 的不溶物(折合 A、B 型绝缘子灰密约 0.20mg/cm2)混合，其
余试验条件及方法同 3.3.2 节。试验中，不溶物用外绝缘不溶污秽中含量相对较高
的 SiO2 模拟，并与 3.3.2 节中未加不溶物试验结果相对比(约 0.72g/L，图中以“对
比值”标注)，所得部分试验结果如图 3.6 所示。
由图 3.6 可知，同等浓度下，各物质在添加不溶物与未加不溶物的情况下所得
的电导率特性相近；不同浓度的电解质在同一时刻对应的电导率值虽存在差异，
但电导率变化趋势相近。结合 Avrami 模型的定义可以推断，同一物质在不同浓度
下的电导率特性可用同一函数表达式描述，即式(3.15)可针对 Pσ 进行浓度修正。
2) K、n 值估算
预对 Pσ 进行浓度修正，需先对 K、n 值进行估算。用式(3.15)的 Avrami 方程对
试验数据进行拟合，拟合结果如表 3.5 所示。
表 3.5 溶液动态电导率特性拟合 K、n 值 (浓度：g/L)

Table 3.5 K, n fitting results of solution dynamic conductivity properties (concentration: g/L)
电解质浓度 K n R2 电解质浓度 K n R2
0.71 0.0461 0.2198 0.979 0.67 0.1228 0.1222 0.963
Mg(NO3)2 1.07 0.0550 0.2173 0.981 CaCl2 1.03 0.0990 0.1298 0.976
1.41 0.0553 0.2092 0.982 1.36 0.1298 0.1280 0.968
0.73 0.0505 0.2779 0.989 0.71 0.0673 0.1962 0.972
KNO3 1.05 0.0343 0.2877 0.967 NH4NO3 1.05 0.0701 0.1828 0.981
1.43 0.0462 0.2699 0.989 1.43 0.0605 0.2055 0.986
0.74 0.0114 0.2742 0.967 0.75 0.0864 0.1344 0.971
MgSO4 1.06 0.0118 0.2802 0.951 Ca(NO3)2 1.07 0.0784 0.1340 0.978
1.42 0.0167 0.2793 0.985 1.39 0.1185 0.1165 0.986
0.71 0.6996 0.4793 0.998 0.72 0.1499 0.1287 0.997
CaSO4 1.04 0.7217 0.4739 0.997 NaCl 1.06 0.1241 0.1456 0.990
1.41 0.7418 0.4834 0.998 1.43 0.1767 0.1305 0.997
由拟合结果可知，除 CaSO4 外，各物质的 K 值均较小，一价盐的 n 值较小，

二价盐的 n 值相对较大，这表明一价盐具有更大的初始溶解速率；而如 CaCl2、
Ca(NO3)2 此类易吸潮的物质，n 值也较小，这是由于其吸水性导致其在阴干过程后
42
表面仍处于湿润状态，在溶解初期更容易溶解和电离；而一价盐 KNO3 也具有较大

的 n 值，这主要是由于 KNO3 溶于水时的吸热特性所造成的。
对于 n 值，由 Avrami 模型的描述可知，n 是一个特征参量，与过程条件无关；
拟合结果也表明，对于同一种电解质，不同浓度下的 n 值均比较接近，因此，可
使用不同浓度下 n 的平均值作为 n 的估算值。K 值的变化取决于液相的浓度和温度，
在测量过程中，尽量保持了温度恒定，且进行了电导率的温度修正，而 K 是方程
中被减项指数之上 t 的系数项，且其值均处于较小的水平，在本文低浓度的研究范
围内，可对 K 进行求平均值的近似处理。由此得到 K 与 n 的估算值如表 3.6 所示，
此估算值的准确性将在下一步进行验证。
表 3.6 K、n 的估算值

Table 3.6 Estimated value of K and n
电解质 K n 电解质 K n
Mg(NO3)2 0.0521 0.2154 CaCl2 0.1172 0.1267
KNO3 0.0437 0.2785 NH4NO3 0.0660 0.1948
MgSO4 0.0133 0.2779 Ca(NO3)2 0.0944 0.1283
CaSO4 0.7210 0.4789 NaCl 0.1502 0.1349
3) 污液动态电导率特性的浓度修正方程
由于在低浓度下，可完全溶解的强电解质的电导率与浓度呈线性关系，污液
动态电导率特性的浓度修正方程可由式(3.15)改写为：

  P0c 1  e Kt
n
 (3.20)
式中，σ 为溶液电导率，μS/cm；P0 为与电解质相关的常数；c 为电解质溶液的平

衡浓度，g/L；t 为溶解时间，h；K 和 n 为特征参量。
将实验数据按照式(3.20)进行拟合，拟合过程中，K、n 的取值使用表 3.6 中的
估算值，所得拟合结果如图 3.7 和式(3.21)所示。
1200 2500
1000 2000
电导率 (μS/cm)
电导率 (μS/cm)
800
1500
600
1000
400 0.71g/L 0.67g/L
1.07g/L 500 1.03g/L
200
1.41g/L 1.36g/L
0 0
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24
(a) Mg(NO3)2 (b) CaCl2
43
2000 2500
1800
1600 2000
1400
电导率 (μS/cm)
电导率 (μS/cm)
1200 1500
1000
800 1000
600 0.73g/L 0.71g/L
400 1.05g/L 500 1.08g/L
200 1.43g/L 1.40g/L
0 0
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24
(c) KNO3 (d) NH4NO3

1200 1600
1400
1000
1200
电导率 (μS/cm)
电导率 (μS/cm)
800
1000
600 800
600 0.75g/L
400 0.74g/L
400
1.06g/L 1.07g/L
200
200
1.42g/L 1.39g/L
0 0
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24
(e) MgSO4 (f) Ca(NO3)2

1400 3000
1200 2500
1000
电导率 (μS/cm)
电导率 (μS/cm)
2000
800
1500
600
0.71g/L 1000 0.72g/L
400
1.04g/L 1.06g/L
200 500
1.41g/L 1.43g/L
0 0
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24
(g) CaSO4 (h) NaCl

图 3.7 各物质的电导率特性拟合结果
Figure 3.7 Fitting results of electrolytes Conductivity properties
拟合结果表明，各曲线的拟合优度 R2 值虽相对于表 3.5 中有所减小，但均在

0.95 以上，拟合效果良好，K、n 估算值的准确性得以验证，各电解质的动态电导
率特性可用式(3.21)描述。此外，由图 3.7 可知，电解质在溶解 24 小时后大部分已
趋于完全溶解，而一些拟合曲线仍呈上升趋势，因此，式(3.21)的浓度修正方程仅
可用于 24 小时内的电导率计算。
44
  9925.8c(1  e0.1172t ) Mg(NO3 ) 2 :   7694.1c(1  e 0.0521t

0.1267 0.2154
CaCl2 : )
  12253c(1  e0.0437 t   13438c(1  e 0.0660t
0.2785 0.1948
KNO3 : ) NH 4 NO3: )
(3.21)
MgSO 4 :   24976c(1  e 0.0133t 0.2779
) Ca(NO3 ) 2 :   7172.2c(1  e 0.0944 t 0.1283
)
CaSO 4 :   894.67c(1  e 0.7210 t 0.4789
) NaCl:   8523.1c(1  e 0.1502 t 0.1349
)
② 不溶物对污液动态电导率特性的影响
实际污秽溶液中，含有较多的不溶物，为研究不溶物对污液动态电导率的影
响，本文分别对 8 种强电解质进行了试验研究，试验条件与方法同上。试验中，
可溶物取 210mg(约 0.72g/L)，不溶物 SiO2 分别取 420mg、630mg、840mg，其对
应 A、B 型绝缘子灰密约为 0.20、0.30、0.40mg/cm2。将不同不溶物含量的试验结
果绘制于同一幅图，并与式(3.21)所得曲线进行比较，结果如图 3.8 所示。
试验结果表明，添加不同质量的不溶物对电解质的动态电导率特性影响不大，
且各组试验值的差异无明显的规律性，属于试验误差范围内。绝大多数试验点落
入了式(3.21)的动态电导率特性曲线 10%的误差线内，这表明在工程应用中可忽略
不溶物对污液动态电导率的影响。
700 1400
600 1200
500 1000
电导率 (μS/cm)
电导率 (μS/cm)
400 800
300 SiO2: 420mg 600
SiO2: 420mg
200 SiO2: 630mg 400
SiO2: 630mg
100 SiO2: 840mg 200
SiO2: 840mg
0 0
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24
(a) Mg(NO3)2 (b) CaCl2

1200 1400
1000 1200
1000
电导率 (μS/cm)
电导率 (μS/cm)
800
800
600
600
SiO2: 420mg SiO2: 420mg
400
400
200 200
0 0
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24
(c) KNO3 (d) NH4NO3
45
700 900
600 800
700
500
电导率 (μS/cm)
电导率 (μS/cm)
600
400 500
300 400
300
200 SiO2: 630mg
SiO2: 630mg 200
100 100
0 0
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24
(e) MgSO4 (f) Ca(NO3)2

800 1600
700 1400
600 1200
电导率 (μS/cm)
电导率 (μS/cm)
500 1000
400 800
300 SiO2: 420mg 600 SiO2: 420mg
200 SiO2: 630mg 400 SiO2: 840mg

100 200 SiO2: 630mg
SiO2: 840mg
0 0
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24
(g) CaSO4 (h) NaCl

图 3.8 添加不溶物时的电解质动态电导率特性
Figure 3.8 Dynamic conductivity properties of electrolytes when adding non-soluble component
3.3.4 阴阳离子配对模型
基于污液动态电导率特性的离子配对模型实际上是本文离子配对模型中的子
模型，其主要意义在于对粗略配对结果进行筛选与进一步精确化，从而提高离子
配对的准确性。
离子配对过程中，阴阳离子和化合物的浓度均采用物质的量浓度，因此，在
应用式(3.20)和式(3.21)的过程中，应进行单位转换：
  c 
1000 P0
Mr

1  e Kt  c  P0 1  e Kt
n
  n
 (3.22)
式中，c'为电解质完全溶解时的物质的量的浓度，mmol/L；P'0 为与电解质相关的
常数；Mr 为电解质所对应的相对分子质量。为简化表达与分析，式(3.22)可简写为：
 (c, t )  cf (t ) (3.23)
根据所采集自然污秽溶解时的动态电导率特性和试验所得的各电解质的电导
率特性，可建立基于污液动态电导率特性的阴阳离子配对模型。模型的基本思想
为污液(混合溶液)各采集时间点所对应的电导率值在低浓度的条件下等于各化合
物成分所贡献电导率的叠加。因此，阴阳离子配对的数学模型即为使混合溶液在
各采集时间点下的电导率值与各成分电导率叠加值之间差异最小化的优化模型。
46
基于污液动态电导率特性的离子配对模型由目标函数和约束条件两部分构
成，对于目标函数，应使各成分所贡献电导率在的叠加值与混合成分在各时间点
的实测电导率值的差距平方和最小化。对于约束条件，配对所得化合物中各离子
的总浓度应不大于污液中各离子的测量浓度；为保证完全配对，减小动态电导率
特性相似的电解质所带来的计算误差，可设定其中总电荷数较小的那一类离子(阴
离子或阳离子)完全耗尽。
则模型的目标函数为：
2
M
N 
Min  ci fi (t j )   j  (3.24)
j 1  i 1 
约束条件为：
N
k
i 1
c  cx
ix ix
(3.25)
N
k
i 1
c  cy
iy iy
目标函数中，M 为待配对污液采样时间点的数量，建议取 M ≥ 15，且在 24 小

时内尽量分布均匀；N 为配对化合物的数目，本文取 N = 8；c'i 为第 i 种化合物对
应的摩尔浓度，mmol/L；tj 为第 j 个采样时间点，h；σj 为待配对污液在 tj 时的测量
电导率，μS/cm。
约束条件中，c'x、c'y 分别为某一阳(阴)离子的测量浓度，mmol/L；c'ix、c'iy 分
别为含有 x 阳(阴)离子和 y 阴(阳)离子的化合物所对应的物质的量浓度，mmol/L；
kix 和 kiy 分别为 x 和 y 离子在 1mol 第 i 种化合物中所占的摩尔数，如对于 CaCl2，
kCa=1，kCl=2。由于离子浓度的测量误差和对某些离子的忽略，所得污液离子浓度
难以达到绝对的电荷平衡，为保证配对的准确性，减小相似动态电导率特性的化
合物所带来误差，应将测量总电荷量较小的那一类离子(阴离子或阳离子)实现完全
配对，即式(3.25)中的 y 类离子(测量总电荷小于 x 类离子)的约束条件应取等号。
对于本文的试验过程中，阴离子测量结果中有较低含量的 F-，而氟化物含量
较少且对绝缘子污闪特性影响不及其他电解质显著，加之测量误差的影响，本文
所得阴离子的总电荷数略低于阳离子，因此，本文中 x={Na+, NH4+, K+, Mg2+, Ca2+}；
y={Cl-, NO3-, SO42-}。则约束条件式(3.25)由 5 个不等式和 3 个等式，共计 8 个表达
式构成，具体约束条件为：
  cNa
cNaCl  + cNH
 4 NO3  cNH
  cKNO
 3  cK +
4

cMg(NO 3 )2
 4  cMg
 cMgSO  2+ cCaCl
 2  cCa(NO
 3 )2  cCaSO
 4  cCa
 2+
(3.26)
 2  cNaCl  cCl
2cCaCl   cMgSO
 4  cCaSO
 4  cSO
 2-
4

2cMg(NO 3 )2
 3  cNH
 cKNO  4 NO3  2cCa(NO
 3 )2  cNO
 -
3
式(3.24)~式(3.25)即为基于污液动态电导率特性的阴阳离子配对模型基本形
47
式，从目标函数来看，它实际上是一个基于最小二乘法的回归问题；然而，由于
约束条件的限制，这使得其不能简单地用回归方法求解，模型的求解即为一个非
线性优化问题的求解，可编程实现。
3.3.5 模型验证与运用分析
① 模型验证
用已知配比的污秽成分对模型进行验证，试验中，CaCl2、Mg(NO3)2、KNO3、
NH4NO3、MgSO4、Ca(NO3)2 各取 0.5mmol/L，CaSO4 和 NaCl 取 1.0mmol/L，不溶
物 SiO2 取 420mg，运用模型中的污秽采样和溶解方法，所得污液的动态电导率特
性如图 3.9 所示，离子色谱法所测的各离子浓度如表 3.7 所示。
700
600
500
电导率 (μS/cm)
400
300
200
100
0
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24
溶解时间 (h)
图 3.9 验证溶液的动态电导率特性
Figure 3.9 Dynamic conductivity property of solution for verification
表 3.7 验证溶液的离子测量结果 (浓度: mmol/L; 相对误差: %)

Table 3.7 Ion detection results of solution for verification (concentration: mmol/L; relative error: %)
离子 Na+ NH4+ K+ Mg2+ Ca2+ Cl- NO3- SO42-
实际浓度 1.000 0.500 0.500 1.000 2.000 2.000 3.000 1.500
测量浓度 0.933 0.482 0.481 0.979 1.988 1.855 2.984 1.426
相对误差 -6.68 -3.60 -3.77 -2.07 -0.58 -7.24 -0.53 -4.96
由测量结果可知，除零点外，验证溶液共采集了 17 个电导率数据点，样本数
量充足。验证溶液的离子浓度测量值均小于实际值，这主要在绝缘子采样布擦拭
污秽时的误差所致，然而，所有测量误差均在 8%以内，属正常误差范围。
将验证污秽溶液的测量结果代入阴阳离子配对模型中，编制程序对优化模型
进行求解，所得结果如表 3.8 所示。
由基于污液动态电导率特性的阴阳离子配对模型计算结果可知，计算值与实
际值的正负相对误差均在 15%以内，除 MgSO4 对应的相对误差-13.32%较大，其余
48
成分的计算误差均在 8%以内，因此，可以得出，基于污液动态电导率特性的阴阳
离子配对模型验证通过，可应用于绝缘子表面主要污秽成分的配对。
表 3.8 验证溶液的离子配对结果 (浓度: mmol/L; 相对误差: %)

Table 3.8 Ion-pairingresults of solution for verification (concentration: mmol/L; relative error: %)
成分 CaCl2 Mg(NO3)2 KNO3 NH4NO3 MgSO4 Ca(NO3)2 CaSO4 NaCl
实际浓度 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 1.0 1.0
计算浓度 0.461 0.475 0.481 0.482 0.433 0.535 0.992 0.933
相对误差 -7.80 -4.96 -3.77 -3.60 -13.32 7.06 -0.78 -6.68
② 无化合物样本的模型运用及分析
无化合物样本的模型求解，即不清楚污秽的主要化合物成分，只能以多种常
见电解质作为化合物样本，对模型进行配对分析。分别用绝缘子采样布在发电厂
地区(重庆)、机械制造厂地区(重庆)、化纤厂地区(山东)、农田地区(山东)采集自然
污秽样本，并将其分别溶解于 300mL 去离子水中，完全溶解后，用离子色谱法测
量各地区污液的离子成分，所得污液的动态电导率特性如图 3.10 所示，离子浓度
如表 3.9 所示。
450
400
350
电导率 (μS/cm)
300
250 发电厂机械制造厂
200
化纤厂农田
150
100
50
0
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24
溶解时间 (h)
图 3.10 不同地区的自然污秽动态电导率特性
Figure 3.10 Dynamic conductivity properties of natural pollution in various regions
表 3.9 自然污秽溶液的离子测量结果 (浓度: mmol/L)

Table 3.9 Ion detection results of natural pollution solutions (concentration: mmol/L)
地区 Na+ NH4+ K+ Mg2+ Ca2+ Cl- NO3- SO42-
发电厂 0.734 0 0.056 0.752 1.710 0.999 1.177 1.658
机械制造厂 0.511 0 0.081 0.995 1.545 1.008 0.700 1.862
化纤厂 0.594 0.030 0.064 0.618 1.528 0.935 1.032 1.398
农田 0.412 0.032 0.021 0.260 0.336 0.713 0.350 0.274
49
由测量结果可知，四个采样地区的污秽溶液的动态电导率特性在数值和趋势
上均呈现出不同的规律，其中农田地区的自然污秽溶液的电导率在各采样时间点
均远低于其他三个地区的自然污秽溶液；地处重庆的发电厂和机械制造厂地区均
未检测到 NH4+的存在，这说明在这两个地区的自然污秽中，NH4+的含量极低。
运用基于污液动态电导率特性的阴阳离子配对模型对四个采样点的自然污秽
成分进行配对分析，模型求解结果如图 3.11 和表 3.10 所示，表 3.10 中已将物质的
量浓度换算为质量浓度。
450 450
400 400
350 350
电导率 (μS/cm)
电导率 (μS/cm)
300 300
250 250
200 200
150 150
100 100
测量值计算值测量值计算值
50 50
0 0
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24
(a) 发电厂地区，R2=0.922 (b) 机械制造厂地区，R2=0.875

400 160
350 140
300 120
电导率 (μS/cm)
电导率 (μS/cm)
250 100
200 80
150 60
100 40
测量值计算值测量值计算值
50 20
0 0
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24
(c) 化纤厂地区，R2=0.925 (d) 农田地区，R2=0.945

图 3.11 不同地区自然污秽成分的模型求解结果
Figure 3.11 Model solution results of natural pollution components in various regions
由图 3.11 可知，模型配对结果所对应的污液动态电导率值与实测电导率值之
间的差异较小，除机械制造厂地区以外，其余三个地区的计算值与实际值差距绝
大部分均在 10%的误差线内，机械制造厂地区的计算值与实测值也在 15%误差范
围内，模型计算结果较好。由于配对模型实际上是一个优化模型，同时也可看做
是一个带约束条件的回归模型，因此，可以用 R2 值来衡量计算结果的准确度。机
械制造厂地区的计算结果 R2 值为 0.875，其余地区所对应的 R2 均在 0.92 以上，计
50
算效果较好；对于机械制造厂地区，可能存在八种配对化合物之外的物质，造成
了计算值与实际值的差异。
表 3.10 不同地区自然污秽成分的离子配对结果 (浓度: mg/L; 比例: %)

Table 3.10 Ion-pairing results of natural pollution solutions (concentration: mg/L; ratio: %)
发电厂机械制造厂化纤厂农田
指标
浓度比例浓度比例浓度比例浓度比例
CaCl2 14.70 3.97 27.59 7.79 18.96 5.90 19.33 18.81

Mg(NO3)2 54.45 14.70 41.04 11.60 56.36 17.54 12.38 12.05
KNO3 5.618 1.52 8.171 2.31 6.456 2.01 2.159 2.10
NH4NO3 0 0 0 0 2.375 0.74 2.544 2.48
MgSO4 32.81 8.86 83.67 23.64 15.50 4.82 21.20 20.62
Ca(NO3)2 31.64 8.54 5.248 1.48 14.51 4.51 10.61 10.32
CaSO4 188.3 50.83 158.4 44.74 172.5 53.68 13.23 12.87
NaCl 42.93 11.59 29.88 8.44 34.73 10.80 21.33 20.75
由化合物配对结果可知，对于发电厂地区，CaSO4 所占质量分数最高，其次为
Mg(NO3)2 和 NaCl，其它的钙盐和镁盐也占一定比例。对于机械制造厂地区，其污
秽成分与发电厂地区的规律相似而比例有所不同，其中 MgSO4 的比例相对于发电
厂有所提升，且各种污秽成分所占比例相对于发电厂地区的污秽比例更为平均。
对于发电厂地区，其主要污秽成分为 CaSO4，Mg(NO3)2 和 NaCl 也占一定比例，而
其余几种污秽成分含量较少。对于农田地区，其与工厂地区的污秽成分差异较大，
一方面由于地处山东沿海地区，其 NaCl 所占比例较高；另一方面由于农田地区受
人工污染相对较小，其余污秽成分分布相对均匀；再者，由于氮肥、钙肥和其他
复合肥料的影响，多种硝酸盐和 CaCl2 所占比例相对于其他地区也有着整体的提
升。
③ 基于聚类结果的模型运用及分析
以重庆大学试验点的 A 型瓷绝缘子为例，由模糊聚类和动态改进 FCM 的方法
所得该绝缘子表面主要污秽成分(质量分数在 2%以上)有 NaCl、NH4NO3、Ca(NO3)2、
MgSO4 和 CaSO4。以聚类结果所得五种主要污秽成分为化合物样本，运用基于污
液动态电导率特性的离子配对子模型对污秽成分进行配对分析，所得结果如图 3.12
所示。
51
180
150
电导率 (μS/cm)
120
90
60
30 测量值计算值
0
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24
溶解时间 (h)
图 3.12 基于聚类样本的模型求解结果
Figure 3.12 Model solution results based on clustering samples
由模型求解结果可知，R2 值为 0.988，绝缘子表面主要污秽成分所对应的质量
分数为： NaCl-8.19%, NH4NO3-0.03%, Ca(NO3)2-43.63%, MgSO4-21.19%,
CaSO4-26.95%，这与两种聚类分析所得粗略配对结果大致相同。而不同之处在于
根据动态电导率确定了化合物的种类和相对准确的含量。模糊聚类结果表明
NH4NO3 的质量分数为 4.01%，而动态改进 FCM 方法的结果表明，污秽中无 NH4NO3
存在；基于污液动态电导率的配对子模型提高了配对精度，最终确定 NH4NO3 的
质量分数为 0.03%，这在工程中可以忽略，这也从侧面对两种聚类方法的结果进行
了验证。
实际工程应用中，可单独使用基于动态电导率特性的子模型进行离子配对，
然而，由于受动态电导率特性相似的电解质或化合物样本选取的影响，配对结果
会存在一定的偏差，如机械制造厂地区的离子配对结果。从模型求解的 R2 值来看，
全模型，即配合使用聚类分析和基于动态电导率特性的子模型，相对于无化合物
样本的子模型求解更为精准，全模型能够消除实际污秽中不存在或含量很少的化
合物成分对计算结果的影响，从而提高配对精度。
3.4 配对模型及其应用流程总结
本文所提出的绝缘子表面污秽成分的离子配对模型主要由两部分组成。其一
是根据污秽在不同表面材料绝缘子上的积累特性，运用聚类分析的方法(模糊聚类
方法或改进 FCM 聚类方法)实现绝缘子表面污秽成分的粗略配对；其二是根据所
采集污秽溶解时的动态电导率特性，结合粗略配对所得化合物成分，运用基于污
液动态电导率特性的离子配对模型，提高配对精度，实现绝缘子表面污秽化合物
成分的精确配对。文中所提出的基于污液动态电导率特性的离子配对模型实际上
是整个离子配对模型中的子模型。
52
聚类分析
模糊聚类或
改进FCM聚类粗略配对，得
到化合物成分
测量污液离子
成分及含量
采集污秽精确配对，确定化
自然积污试验溶解试验合物成分及含量
测量污液动态
电导率特性
各化合物的动
态电导率特性
基于污液动态
电导率特性的
配对模型
图 3.13 离子配对模型的应用流程
Figure 3.13 Application process of Ion-pairing model
模型的应用流程如图 3.13 所示，主要实现途径可描述为：

1) 通过绝缘子自然积污试验，获得绝缘子表面污秽样本，并通过溶解试验，
得到自然污秽溶解时的动态电导率特性，在积污试验中，要求采用三种及以上不
同表面材料的绝缘子；
2) 将完全溶解后的污秽溶解通过离子色谱法测量污液中各阴阳离子的浓度；
3) 结合各类离子浓度测量结果，运用模糊聚类或动态改进 FCM 聚类方法对
绝缘子表面化合物成分进行粗略配对，得到其化合物成分及含量；
4) 结合粗略配对所得化合物成分及各单一成分的动态电导率特性，根据待测
污液的动态电导率特性和各阴阳离子浓度的测量结果，运用基于污液动态电导率
特性的离子配对模型实现绝缘子表面污秽成分的精确配对，确定化合物成分及含
量。
3.5 本章小结
本章根据污秽在不同表面积累的相关性和污秽溶液的动态电导率特性，提出
了绝缘子表面污秽成分的阴阳离子配对模型，并对模型进行了试验验证，所得的
主要成果如下：
① 建立了绝缘子表面污秽成分的阴阳离子配对模型。模型主要分为两部分，
其一为基于聚类分析的离子配对方法，实现离子成分的粗略配对；其二为基于污
液动态电导率特性的离子配对子模型，用以提高计算精度，实现精确配对。
③ 根据污秽化合物在不同表面材料绝缘子上积累的相关系，结合聚类分析的
方法，提出了基于模糊聚类和基于动态改进 FCM 的离子配对方法，并利用两种方
法对试验点所得自然污秽离子成分进行了初步配对分析，结果表明，两种方法均
53
可用于自然污秽离子成分配对，配对所得结果在主要污秽化合物成分和含量上吻
合，可用于绝缘子表面污秽成分的粗略配对。
④ 结合盐类溶解动力学方程，研究了电力系统主要污秽成分溶解时的动态电
导率特性。考虑电解质溶液浓度和不溶物质的影响，结合试验结果与 Avrami 溶解
动力学方程，得到了各污秽成分溶解时电导率与时间及平衡浓度的关系曲线表达
式。
⑤ 根据污秽溶液的动态电导率特性，结合离子成分测量结果，提出了基于污
液动态电导率特性的阴阳离子配对子模型，并对模型进行了试验验证，结果表明，
配对结果与实际值的相对误差均在 15%以内，且绝大部分成分的误差在 8%以内，
结合聚类分析所得结果，可提高电力系统外绝缘主要污秽化合物成分的配对精度。
⑥ 归纳总结了模型的整体应用流程。
54
4 污秽成分对绝缘子闪络特性影响的试验研究
污秽成分对绝缘子的闪络特性存在着不可忽视的影响，其中可溶污秽成分主
要是通过改变绝缘子表面的导电特性，从而大幅降低绝缘子的绝缘性能；不溶物
虽不直接参与导电，但其吸水和保水作用为可溶污秽成分提供了溶剂，从而影响
绝缘子的闪络特性。本章结合绝缘子表面自然污秽成分测量和离子配对结果，对
多种单一、混合可溶污秽成分开展了绝缘子闪络试验；通过对试验结果的分析，
得到了可溶污秽成分对绝缘子电气性能的影响规律，并提出了此规律在绝缘子闪
络电压(梯度)预测和工程实际中的具体实现方法和应用价值；试验研究了几种常见
不溶污秽成分染污的绝缘子闪络特性，得到了不溶污秽成分对绝缘子闪络电压(梯
度)的影响规律；通过不同颗粒直径的不溶物染污绝缘子闪络试验，研究了不溶物
粒径对绝缘子闪络特性的影响，并分析了其影响机理。
4.1 单一可溶污秽下绝缘子的闪络特性及规律
4.1.1 试验装置和方法
① 试品和试验装置
采用四种不同表面材料和型式结构的绝缘子进行单一可溶污秽成分的闪络试
验，其中瓷绝缘子采用 A 型 XP4-160 绝缘子，玻璃绝缘子采用 B 型 LXY4-160 绝
缘子，硅橡胶复合绝缘子采用 D 型 FXBW-35/70 和 E 型 FXBW-35/100 两种绝缘子，
其技术参数和外观结构见表 2.2 和图 2.1。
人工污秽闪络试验在多功能人工气候室内进行，其内径 7.8m，净空高 11.6m。
试验电源由 YDTW-2000kVA/500kV 的交流变压器提供，其额定电流为 4A，最大
短路电流可高达 75A，满足污秽试验对电源的要求。试验接线原理见图 4.1。
试品
穿墙套管
调压器保护电阻
~10kV
变压器
分压器人工气候室
图 4.1 污秽闪络试验接线原理图
Figure 4.1 Pollution flashover test circuit
55
② 试品准备与预处理
试验前需用去离子水对绝缘子进行清洗，以除净其表面污秽，阴干备用。对
于硅橡胶复合绝缘子，其表面具有憎水性，为保证染污均匀，需对其表面进行处
理。有研究表明[1]，复合绝缘子在长时间受潮的情况下，其表面憎水性会逐渐下降，
甚至丧失。试验发现，硅橡胶复合绝缘子在清水中浸泡 96 小时后，其表面憎水性
被破坏至 HC4～HC5 级，此时可以认为，硅橡胶绝缘子表面憎水性暂时丧失[105,106]。
③ 染污方法
四种试品的染污方法参照标准 IEC-60507 和 GB/T 4585 推荐的固体层法中的
浸污法[70,71]：在一定质量的水中加入可溶盐，直至溶液电导率达到设定值；再加
入相应比例的高岭土模拟绝缘子表面的不溶污秽，搅拌均匀配制成一定电导率的
悬浊液；最后用浸染法在试品绝缘子表面涂覆一层均匀污秽溶液，阴干 24 小时。
浸污结束后，随机抽取三支阴干的绝缘子对其等值盐密(ESDD)和灰密(NSDD)
进行测量，以其平均值作为同一批试品绝缘子的盐密和灰密值；若三片绝缘子的
ESDD 和 NSDD 测量值差距超过 10%，则染污无效，需将试品洗净后重新染污。
结合离子配对的相关结果，可溶物分别用 NaCl、KNO3、Mg(NO3)2、NaNO3、NH4NO3、
Mg(NO3)2、
MgSO4 和 CaSO4 模拟，不溶物用高岭土模拟且 NSDD 控制在 0.10mg/cm2
左右。绝缘子清洗和盐灰密测量采用标准 GB/T 16434，清洗时发现，D 型和 E 型
硅橡胶复合绝缘子表面已进行了憎水迁移。
④ 加压方法
参考绝缘子人工污秽试验方法，采用恒压升降法对试品绝缘子的污秽闪络电
压进行测量[70,71]：每一次试验时施加电压水平应按升降法来改变，电压级差为预
期电压的 5%，即试品在某一电压 Ufi 下闪络，则降低 5%电压进行下一次试验；若
试品在 Ufi 下通过耐受，则升高 5%电压；反复试验直到有效试验次数在 10 次以上；
所谓有效试验是指与前一次试验结果不同的试验为开始的试验。
试品绝缘子的闪络电压及其标准偏差为：
 U f  ( (nU i fi )) / N

 N (4.1)
 %= (  (U fi  U 50 ) 2 ) / ( N  1) / U 50 100
 i 1
式中：Uf 为 50%闪络电压，kV；Ufi 为某一施加电压值，kV；ni 为施加相同电压

Ufi 的次数；N 为有效试验次数；σ%为试验结果的标准偏差，%。
4.1.2 试验结果及分析
可溶污秽成分对绝缘子闪络特性的影响主要是通过电解质溶液导电的方式实
现。溶液导电是在电极作用下，离子的定向电迁移所造成的，其导电能力因离子
的种类和浓度而异。然而不同成分和含量的可溶污秽所对应的离子种类和浓度有
56
所差异，在绝缘子运行条件下，由于受污秽成分及含量、离子的理化性质以及外
部条件变化的影响，使得不同成分及含量的污秽绝缘子的表面导电性能存在差异，
进而造成了污闪特性的差异。
按照上述试验方法对 3 片串 A 型瓷绝缘子、B 型玻璃绝缘子，和单串 D 型、
E 型硅橡胶复合绝缘子进行了不同单一可溶污秽染污、不同 ESDD 等级的污秽闪
络试验。由于四种试品绝缘子结构型式各异，对应的泄漏距离不同，为进行对比
分析，引入污秽闪络电压梯度对绝缘子污闪特性进行描述。污闪电压梯度反映了
绝缘子沿面单位泄漏距离的最大耐受电压，其定义为[99]：
U
EL  f (4.2)
L
式中，EL 为绝缘子的闪络电压梯度，kV/m；Uf 为绝缘子串的闪络电压，kV；L 为
绝缘子串的沿面总泄漏距离，m
国内外诸多研究指出[4,5,53]，绝缘子在 NaCl 染污条件下，其等值附盐密度与污
闪电压的关系满足如下负幂函数关系：
U f  A   ESDD
n
(4.3)
结合式(4.2)与式(4.3)可得：
A
EL    ESDD
n
 a   ESDD
n
(4.4)
L
式中，ESDD 为等值附盐密度，即 ESDD 值，mg/cm2；A 和 a 为与绝缘子材质、结
构有关的常数；n 为表征盐密对污闪特性的影响特征指数。
① NaCl 对绝缘子污闪特性的影响
作为电力系统外绝缘的常见污秽，NaCl 被广泛应用于实验室可溶污秽成分的
模拟；同时，作为 ESDD 方法的基础，NaCl 对绝缘子污闪特性的影响一直是国内
外学者所关心的重点。本文所得 NaCl 染污绝缘子的闪络试验结果如表 4.1 所示。
表 4.1 NaCl 染污时的绝缘子污闪试验结果 (ρESDD: mg/cm2; EL: kV/m)

Table 4.1 Test results of insulators polluted by NaCl (ρESDD: mg/cm2; EL: kV/m)
绝缘子型号 ρESDD EL σ% 绝缘子型号 ρESDD EL σ%
0.024 50.7 3.6 0.024 57.1 5.5
A: XP4-160 0.042 42.7 4.1 D: FXBW-35/70 0.030 53.0 4.1
0.064 36.7 3.7 0.063 45.5 3.7
0.024 50.7 3.6 0.024 58.5 3.5
B: LXY4-160 0.042 42.7 4.1 E: FXBW-35/100 0.030 53.1 4.0
0.064 36.7 3.7 0.063 45.7 4.4
57
由表 4.1 可知，试验结果的相对标准偏差均在 6%以内，且试验结果所得数据

的分散性较小，浸污法和恒压升降法可以得到不同污秽等级下的闪络梯度有效数
据。对 NaCl 染污的各绝缘子污闪特性数据按式(4.4)进行拟合，其结果见图 4.2。
60 A: XP4-160
55 B: LXY4-160
D: FXBW-35/70
EL (kV/m)
50 E: FXBW-35/100
45
40
35
30
0.02 0.04 0.06 0.08 0.10
ρESDD (mg/cm2)
图 4.2 NaCl 染污下各绝缘子的污闪特性

Figure 4.2 Flashover performance of insulators polluted by NaCl
由拟合结果可知：
1) 各曲线的拟合度较高，试验点均在 3%的误差范围内；在相同 ESDD 下，
复合绝缘子具有最高的闪络电压梯度，且随着 ESDD 的增加，其污闪梯度变化相
对较小；A 型瓷和玻璃绝缘子所对应的闪络梯度略低于 B 型玻璃绝缘子。
2) A 型瓷绝缘子与 B 型玻璃绝缘子所对应的 EL-ρESDD 曲线趋势相同且数值相
近。同样，D 型与 F 型硅橡胶复合绝缘子也具有此规律。在所研究的盐密范围内，
相同 ESDD 下，A 型与 B 型绝缘子，以及 D 型与 E 型绝缘子所对应的污闪梯度差
异均在 10%以内。
3) 在 NaCl 污秽成分下，绝缘子污闪电压梯度与 ESDD 的关系可表示为
EL  15.0   ESDD
0.328
A:XP4  160
EL  15.5   ESDD
0.336
B:LXY4  160
(4.5)
EL  24.1  ESDD
0.229
D:FXBW-35/70
EL  23.1  ESDD
0.246
E:FXBW-35/100
② 硝酸盐对绝缘子污闪特性的影响
有研究表明[15,107,108]，随着汽车工业的蓬勃发展，电力系统外绝缘污秽成分中
硝酸盐含量呈上升趋势，本文研究了 KNO3、NaNO3、NH4NO3、Mg(NO3)2 和 Ca(NO3)2
的闪络特性，所得结果如表 4.2 所示。
58
表 4.2 硝酸盐染污时的绝缘子污闪试验结果 (ρESDD: mg/cm2; EL: kV/m)

Table 4.2 Test results of insulators polluted by nitrates (ρESDD: mg/cm2; EL: kV/m)
A: XP4-160 B: LXY4-160 D: FXBW-35/70 E: FXBW-35/100
污秽
ρESDD EL σ% ρESDD EL σ% ρESDD EL σ% ρESDD EL σ%
0.033 51.7 5.1 0.031 55.5 4.7 0.026 61.6 5.0 0.026 62.6 5.0
NaNO3 0.049 46.3 3.9 0.056 48.5 3.6 0.059 53.9 3.8 0.059 52.5 3.8
0.096 42.3 4.7 0.100 43.3 4.4 0.124 45.3 5.6 0.124 45.4 5.6
0.024 51.7 4.7 0.032 51.8 5.4 0.023 60.6 4.6 0.023 61.2 4.6
KNO3 0.038 47.8 3.2 0.055 45.4 5.2 0.048 52.9 5.8 0.048 51.2 3.1
0.065 40.5 3.5 0.072 43.5 3.3 0.065 48.8 3.4 0.065 48.9 4.2
0.022 55.6 4.6 0.024 57.5 4.3 0.025 63.6 3.5 0.025 62.0 4.5
NH4NO3 0.044 48.8 4.9 0.039 51.6 4.6 0.047 55.6 4.0 0.047 54.9 4.8
0.071 43.1 5.3 0.073 46.2 4.9 0.072 52.7 6.4 0.072 49.8 6.4
0.035 52.5 4.5 0.035 55.4 4.2 0.042 57.9 4.1 0.042 58.2 5.4
Mg(NO3)2 0.052 45.8 3.8 0.055 49.8 3.5 0.091 48.3 5.7 0.091 49.3 3.7
0.107 39.3 4.2 0.118 42.3 3.9 0.127 44.5 3.1 0.127 45.1 4.1
0.028 56.0 2.9 0.026 61.7 4.7 0.031 64.5 3.5 0.031 63.3 3.5
Ca(NO3)2 0.065 45.7 3.6 0.051 51.4 3.3 0.077 53.8 3.5 0.077 52.9 3.5
0.099 43.6 3.4 0.109 44.7 3.2 0.135 48.7 3.3 0.135 48.0 3.3
对试验结果按式(4.4)进行拟合，所得各绝缘子在硝酸盐染污下的 EL-ρESDD 关系
曲线如图 4.3 所示，拟合结果见表 4.3。
60 65
KNO3 KNO3
55 NH4NO3 60
NH4NO3
NaNO3 NaNO3
Ca(NO3)2 55
EL (kV/m)
Ca(NO3)2
EL (kV/m)
50
Mg(NO3)2 Mg(NO3)2
50
45
45
40 40
35 35
0.02 0.04 0.06 0.08 0.10 0.12 0.02 0.04 0.06 0.08 0.10 0.12
ρESDD (mg/cm2) ρESDD (mg/cm2)
(a) A: XP4-160 (b) B: LXY4-160
59
70 70
KNO3 KNO3
65 NH4NO3 65 NH4NO3
NaNO3 NaNO3
60 Ca(NO3)2 60 Ca(NO3)2
EL (kV/m)
EL (kV/m)
Mg(NO3)2 Mg(NO3)2
55 55
50 50
45 45
40 40
0.02 0.04 0.06 0.08 0.10 0.12 0.14 0.02 0.04 0.06 0.08 0.10 0.12 0.14
(c) D:FXBW-35/70 (d) E: FXBW-35/100

图 4.3 硝酸盐染污下各绝缘子的污闪特性
Figure 4.3 Flashover performance of insulators polluted by nitrates
表 4.3 硝酸盐染污下各绝缘子闪络特性拟合结果
Table 4.3 Curve fitting results for flashover performance of insulators polluted by nitrates
污秽
a n a n a n a n
KNO3 20.9 0.246 24.0 0.224 28.4 0.202 26.6 0.220
NaNO3 27.3 0.183 26.4 0.214 30.3 0.198 29.3 0.208
NH4NO3 24.6 0.215 27.6 0.196 32.7 0.178 29.3 0.203
Mg(NO3)2 22.1 0.253 26.3 0.222 27.3 0.238 28.2 0.230
Ca(NO3)2 26.7 0.205 26.9 0.225 33.0 0.193 32.6 0.191
由结果可知：
1) 拟合结果均在数据点的 3%误差线以内，数据拟合度较高，表明硝酸盐染污
下绝缘子的 EL-ρESDD 关系也可用负幂函数表达。
2) 对于四种试验绝缘子，在相同 ESDD 下，各硝酸盐所对应的污闪电压梯度
差异不大，其原因是硝酸盐具有相同的阴离子，且各硝酸盐之间的理化性质相似。
其中 Ca(NO3)2 对应最高的污闪电压，KNO3 对应最低的污闪电压。
3) 总体来看，硝酸盐染污下，D、E 型复合绝缘子所对应的污闪电压梯度明显
高于 A、B 型绝缘子，A 型瓷绝缘子的污闪梯度略低于 B 型玻璃绝缘子。
4) 各绝缘子在硝酸盐染污下所对应的 n 值差距不大，均介于 0.18~0.26 之间；
但 a 值具有较大差异，A、B 型绝缘子所对应的 a 值较为接近，在 20.9~27.6 的范
围内变化，而 D、E 型复合绝缘子的 a 值则介于 26.6~33.0，明显高于 A、B 型盘
型绝缘子。
60
③ 硫酸盐对绝缘子污闪特性的影响
由自然污秽离子成分测量结果可知，SO42-的质量分数在阴离子中是最高的，
由于化学反应通常向着离子浓度降低的方向发展，因此普遍认为绝缘子污秽中的
硫酸盐大多以 CaSO4 的形式存在。然而 CaSO4 由于其微溶特性，使得其在可溶性
硫酸盐中不具代表性。因此本文研究了 MgSO4 和 CaSO4 对绝缘子闪络电压的影响，
试验结果如表 4.4 所示，其负幂函数拟合曲线见图 4.4。
表 4.4 硫酸盐染污时的绝缘子污闪试验结果 (ρESDD: mg/cm2; EL: kV/m)

Table 4.4 Flashover test results of insulators polluted by sulfates (ρESDD: mg/cm2; EL: kV/m)
污秽
ρESDD EL σ ρESDD EL σ ρESDD EL σ ρESDD EL σ
0.039 55.8 4.3 0.049 57.3 4.7 0.043 64.6 5.8 0.043 62.7 4.7
MgSO4 0.064 48.8 6.2 0.082 48.5 4.8 0.065 58.6 5.1 0.065 56.4 3.2
0.132 44.3 4.9 0.150 45 3.2 0.157 53.2 4.2 0.156 49.3 6.1
0.023 63.7 3.8 0.028 77.8 5.3 0.021 127.3 5.2 0.021 121.6 4.1
CaSO4 0.045 57.3 5.6 0.055 65.3 5.1 0.045 112.2 3.7 0.045 105.7 5.7
0.066 54.9 4.6 0.145 54.9 5.6 0.077 103.1 4.8 0.077 98.1 3.1
75 140
A: XP4-160 A: XP4-160
70 B: LXY4-160 B: LXY4-160
D: FXBW-35/70 120 D: FXBW-35/70
65 E: FXBW-35/100 E: FXBW-35/100
EL (kV/m)
EL (kV/m)
60 100
55
80
50
60
45
40 40
0.02 0.04 0.06 0.08 0.10 0.12 0.14 0.16 0.02 0.04 0.06 0.08 0.10 0.12 0.14 0.16
(a) MgSO4 (b) CaSO4

图 4.4 硫酸盐染污下各绝缘子的污闪特性
Figure 4.4 Flashover performance of insulators polluted by sulfates
由拟合结果可知：
1) 各绝缘子拟合数据点均落在 4%的误差线内，说明在硫酸盐染污下，绝缘子
的污闪电压梯度与 ESDD 仍大致满足负幂函数关系。
2) 对于 MgSO4 和 CaSO4 污秽成分，相同 ESDD 下各绝缘子所对应的污闪电
61
压梯度不同。在研究范围内，D 型复合绝缘子所对应的污闪梯度最高，A 型瓷绝

缘子的污闪梯度最低，与 NaCl 染污时相似，A、B 型瓷和玻璃绝缘子，以及 D、E
型复合绝缘子的闪络梯度较为接近。在 CaSO4 染污情况下，复合绝缘子的污闪梯
度远高于瓷和玻璃绝缘子。
3) 硫酸盐均对应较高的闪络电压。同为二价硫酸盐，CaSO4 所对应的绝缘子
污闪电压明显高于 MgSO4，这主要是由于二者的溶解度不同而造成的，在 20℃下，
MgSO4 的溶解度为 25.5g/100mL，而 CaSO4 的溶解度仅为 0.255g/100mL，是 MgSO4
的 1%，这使得在相同测量盐密下，CaSO4 染污绝缘子表面污层的实际电导率很低。
4) 在硫酸盐污秽成分下，试验绝缘子的污闪电压梯度与 ESDD 的关系可表示
为：
EL  30.3   ESDD
0.183
A型：MgSO4 EL  36.9   ESDD
0.144
CaSO4
A型：
EL  29.5   ESDD
0.213
B型：MgSO4 EL  36.2   ESDD
0.211
CaSO4
B型：
(4.6)
EL  40.5   ESDD
0.143
D型：MgSO4 EL  68.3   ESDD
0.164
CaSO4
D型：
EL  35.2   ESDD
0.180
E:型：MgSO4 EL  63.7   ESDD
0.167
CaSO4
E型：
5) 硫酸盐染污情况下，各绝缘子所对应的 n 值偏小，介于 0.14~0.22 之间；而
a 值普遍偏大，
且 a 值大小随绝缘子表面材料和可溶污秽成分的变化呈现明显差异。
4.1.3 闪络特性规律及对比分析
① 可溶污秽成分对绝缘子闪络特性的影响
可溶污秽成分均是通过离子导电的方式影响绝缘子表面的导电特性，进而在
运行条件下改变绝缘子的绝缘性能，不同的可溶污秽成分及含量对绝缘子闪络特
性的影响存在较明显的差异。试验结果表明，绝缘子在各种可溶污秽成分染污时，
其闪络梯度与等值盐密均满足式(4.4)的负幂函数关系，其闪络特性存在着明显的差
异。可溶污秽成分对绝缘子污闪特性的影响具体表现为：
1) 对比试验的 8 种可溶污秽成分，NaCl 对应最低的闪络电压，硝酸盐次之，
硫酸盐具有较高的闪络电压，即在阳离子相同的情况下，阴离子所对应的绝缘子
污闪电压梯度顺序为：Cl-<NO3-<SO42-，其中硫酸盐所对应的污闪电压明显高于氯
化钠和硝酸盐，除了 CaSO4 的微溶特性以外，这可用 SO42-的大分子特性加以解释，
即 SO42-具有较大的离子质量和体积，使得其比 NO3-和 Cl-更难扩散。而硝酸盐在
湿润溶解过程中，呈吸热反应，从一定程度上降低了电解液的实际电导率，这也
是其在测量 ESDD 相同的情况下，闪络电压略高于 NaCl 的原因之一。
2) 由硝酸盐染污的绝缘子闪络特性曲线可知，各硝酸盐在相同 ESDD 下的污
闪梯度比较接近，对于四种试验绝缘子，在 ESDD 为 0.02~0.15mg/cm2 的研究范围
内，不同硝酸盐所对应的污闪梯度最大差异分别为 16.7%、11.8%、13.3%、14.8%。
其所对应的闪络特性规律为：K+<Na+, NH4+<Ca2+。
62
3) 由上述规律可知，对于阴离子和阳离子而言，二价盐所对应的污闪电压高
于一价盐。然而 Mg(NO3)2 除外，其所对应的污闪电压在低盐密下接近 Ca(NO3)2
所对应的污闪电压，然而随着污秽度的增加，将下降至与 NaNO3 和 NH4NO3 污闪
电压相当甚至更低的水平，造成此种现象的原因可能是 Mg(NO3)2 具有催化和助燃
作用，其熔点低至 129℃，在泄漏电流和局部电弧的作用下，熔融时会降低绝缘子
表面污层电阻，因此，对于一般规律而言，像 Mg(NO3)2 这种具有特殊理化性质的
物质对污闪的梯度的影响会有所差异。
4) 对比各污秽成分所对应的闪络参数可得，NaCl 污秽具有较小的 a 值
(15.0~24.1)和较大的 n 值(0.229~0.336)，而硫酸盐相反，具有较大的 a 值(MgSO4:
29.5~40.5, CaSO4: 36.2~68.3) 和较小的 n 值 (MgSO4: 0.143~0.213, CaSO4:
0.144~0.211)，硝酸盐的 a、n 值适中，且各成分之间差异较小。这表明硫酸盐在低
盐密时具有较高的初始电压梯度，且随着盐密的增加，电压梯度下降缓慢；而 NaCl
的闪络特性曲线趋势正好相反，这使得在整个盐密研究区段内，不同污秽成分所
对应的污闪电压存在着较大的差异。
② 不同绝缘子的闪络特性对比分析
不同类型和表面材料的污闪试验结果表明，对于各种可溶污秽成分，在相同
ESDD 下，A 型瓷绝缘子具有最低的闪络电压梯度。为定量对比分析不同绝缘子的
污闪特性，将具有最低闪络电压的 A 型绝缘子为基准，定义在特定污秽成分下，Y
(Y=B, D, E) 型绝缘子污闪电压梯度相对于 A 型绝缘子污闪电压梯度增长的比率：
E ( )  ELA (  ESDD ) aY  nY nA 
pY (  ESDD )  LY ESDD   ESDD  1 (4.7)
ELA (  ESDD ) aA
式中，pY 定义为闪络电压梯度增长率，ELY 和 ELA 分别为 Y 型绝缘子和 A 型绝
缘子的污闪电压梯度，aY, nY 和 aA, nA 分别为 Y 型和 A 型绝缘子所对应的闪络梯度
特征值。由试验所得 n 值可知，式(4.7)的指数项的绝对值|nY-nA|很小，不超过 0.1，
因此在盐密研究范围内，其随 ESDD 的变化很小，此时可以用 pY 的平均值 pYave 来
表征不同表面材料绝缘子的闪络电压梯度增长率：
s1
pYave 

s0
pY (  ESDD )d  ESDD
(4.8)
s1  s0
式中，pYave 为 Y 型绝缘子的电压梯度平均增长率，s1 和 s0 分别为 ESDD 研究范围
的上下边界。
根据式(4.7)和式(4.8)可计算出各种污秽成分下，B、D、E 型绝缘子相对于 A
型绝缘子在 0.02~0.15mg/cm2 的盐密研究范围内的闪络梯度平均增长值，其结果绘
制于图 4.5。
63
100
B: LXY4-160
80 D: FXBW-35/70
E: FXBW-35/100
60
(%)
40
20
图 4.5 闪络梯度平均增长率计算结果
Figure 4.5 Calculation results of average flashover gradient increasing rate
由计算结果可得，在不同污秽成分下，各绝缘子的污闪电压梯度规律为：
A<B<E<D，其中 B 型玻璃绝缘子所对应的污闪电压梯度比 A 型瓷绝缘子高
4.9%~17.0%，其差异主要来源于绝缘子不同的棱槽结构，材料的表面特性对污闪
电压也存在着些许影响；E 型硅橡胶绝缘子的闪络梯度略低于 D 型硅橡胶绝缘子
(在 NaCl 和 Mg(NO3)2 染污下不甚明显，属于正常试验误差范围)，这是由于两种绝
缘子结构相似，而 E 型绝缘子的等效直径小于 D 型绝缘子所致。
然而，D、E 型硅橡胶绝缘子的闪络梯度远高于 A 型瓷和 B 型玻璃绝缘子，
此种差距主要是由材料的不同表面特性所决定的，硅橡胶表面具有憎水性和憎水
迁移性，而瓷和玻璃为亲水表面。一方面，在污秽湿润过程中，亲水性表面形成
连续的水膜，而憎水性表面则是形成分离的水滴，这使得同等条件下硅橡胶绝缘
子具有更高的沿面电阻，抑制了闪络过程的发展；另一方面，在污秽湿润中伴随
着溶解和流失两个动态过程，真正有助于污闪发展的污秽仅仅是所有污秽中已经
溶解且并未流失的那一部分，称之为“有效污秽”，在亲水性表面，有效污秽度与
测量污秽度 ρESDD 相近，而对于憎水性表面，由于污秽在其表面溶解缓慢且流失迅
速，其有效污秽度小于 ρESDD，这就使得相同 ESDD 下硅橡胶绝缘子污闪梯度远高
于瓷绝缘子，且此种差异随着 ESDD 的增加而愈加显著。
对比各污秽成分下绝缘子污闪电压的差异可知，硅橡胶绝缘子在 CaSO4 染污
下的污闪梯度平均增长率远高于其他污秽染污下的增长率。D、E 型绝缘子在易溶
污秽成分下，其污闪梯度相比于 A 型瓷绝缘子平均高出 14.6%~24.4%；然而在
CaSO4 染污情况下，D、
E 型绝缘子的污闪梯度比 A 型绝缘子分别高 90.0%和 83.3%。
这主要是由 CaSO4 微溶于水的特性和硅橡胶的憎水迁移性共同作用所造成的：在
绝缘子湿润过程中，CaSO4 将以可溶的离子形态和不溶的化合物形态同时存在，然
而由于硅橡胶的憎水迁移特性，使得部分以不溶物形式存在的 CaSO4 也具有憎水
64
性，从一定程度上阻止了 CaSO4 的溶解和电离，伴随着湿润过程中的溶解冲刷，

绝缘子表面的有效污秽度进一步降低，使得其污闪电压呈大幅度提高态势。
③ 规律及工程应用
由以上分析可知，在不同单一可溶污秽成分下，除 CaSO4 外，各可溶污秽成
分对绝缘子污闪电压(梯度)的影响机理相同，这意味着绝缘子的污闪特征参数 a 和
n 可能存在一定的相关性。以反映两变量线性相关密切程度的统计指标 Pearson 相
关系数 rp 为指标，引入相关性分析的方法，对 a 与 n 值的关系进行探究。
对于分析数组，各绝缘子所对应的 a 值 ai (i=1, 2, …, j)，它与其相对应的 n 值
ni (i=1, 2, …, j)的 Pearson 相关系数 rp 定义为[109]：
j
 (a  a )(n  n )
i i
rp  i 1
(4.9)
j j
 (a  a )  (n  n )
i 1
i
2
i 1
i
2
Pearson 相关系数 rp 表示了两变量的线性相关性，r 值介于±1 之间，且|r|越接

近 1，相关性越好；P 值体现了显著性检验结果，若 P<0.05，则两变量在 0.05 水
平上显著相关，表中用*标记；若 P<0.01，则两变量在 0.01 水平上显著相关，用**
标记。对试验盘型绝缘子污闪电压所对应的 a 和 n 值进行相关性分析，所得分析
结果如表 4.5 所示。
表 4.5 相关性分析及显著水平检验结果
Table 4.5 Results of correlation analysis and significance testing
分析样本参数 A: XP4-160 B: LXY4-160 D: FXBW-35/70 E: FXBW-35/100
rp -0.963** -0.807* -0.681 -0.790*
8 种可溶盐
P 0.000 0.016 0.063 0.020
rp -0.973** -0.949** -0.940** -0.954**
剔除 CaSO4
P 0.000 0.001 0.002 0.001
由相关系数计算及显著性检验结果可知，以全部 8 种可溶盐为指标时，A 型
绝缘子的 a 和 n 值在 0.01 的水平上呈显著相关，B、E 型绝缘子的 a 和 n 值在 0.05
的水平上呈显著相关，而 D 型绝缘子无显著相关性；考虑到在可溶污秽成分研究
中，CaSO4 具有与其他可溶盐不同的微溶于水的特性，造成了 ESDD 测量值与实
际值之间的差异，且在污闪过程中，其微溶于水的部分将起到吸水和保水的作用，
则其 a 与 n 值所代表的物理意义有异于其他可溶污秽成分，因此在研究可溶污秽
成分对绝缘子污闪电压的影响规律时，需对 CaSO4 单独考虑。剔除 CaSO4 后，4
65
种绝缘子的 a 与 n 值的 Pearson 相关系数均有不同程度的提高，且均在 0.01 的水平

上呈显著负相关，由此可以推断，对于同一种绝缘子，在不同易溶于水的污秽成
分下，其闪络梯度参数 a 与 n 线性负相关。
由相关性分析结果可知，可用线性函数对各可溶污秽成分所对应的 a 和 n 值
进行回归分析，结果见图 4.6。绝缘子的 a 与 n 值均呈良好的线性关系，对于四种
试验绝缘子，其 a 与 n 的关系为：
A型:a  46.0  96.1n,R 2  0.95 D型:a  61.9  157.1n,R 2  0.89
(4.10)
B型:a  46.9  93.2n,R 2  0.90 E型:a  64.2  165.8n,R 2  0.92
34 45
A: XP4-160 D: FXBW-35/70
30 40
B: LXY4-160 E: FXBW-35/100
26 35
a a
22 30
18 25
14 20
0.15 0.19 0.23 0.27 0.31 0.35 0.12 0.15 0.18 0.21 0.24 0.27
n n
图 4.6 污闪特征参数 a 和 n 的数值关系

Figure 4.6 Numerical relationship between pollution flashover parameters a and n
根据易溶污秽成分对绝缘子污闪梯度的影响规律，结合式(4.4)，可得单一易溶
污秽成分的绝缘子污闪特征参数预测方程：
EL  (b  kn)  ESDD
n
(4.11)
式中：EL 为绝缘子串污闪电压梯度，kV/m；n 为污秽影响特征指数；b 和 k 为与绝
缘子型式、结构及表面材料有关的参数。
对于外绝缘设计，目前大多数地区均采用 NaCl 模拟可溶污秽成分，很多地区
均有现成的对于特定绝缘子的 NaCl 污闪电压特性作为参考，对于同种绝缘子，b
和 k 值为常数，在进行考虑污秽成分的污秽绝缘子外绝缘设计时，可通过对 NaCl
污秽及任意一种可溶污秽成分的试验结果，得到指定绝缘子的 b 和 k 值，结合式
(4.11)和其它各种易溶污秽的一个试验数据点，可得到各种单一易溶污秽成分下绝
缘子串 EL 与 ρESDD 的关系，极大程度上减少了污秽地区外绝缘的设计成本。易溶
污秽成分的污闪特征参数预测方程在工程中的具体应用步骤如下：
1) 对于 X 型绝缘子，查阅相关试验及运行数据，得到其在 NaCl 污秽条件下
的闪络特性，即确定 NaCl 条件下的 a 和 n 值，结合式(4.11)，得到线性函数
f1 (b, k )  b  k  nNaCl  aNaCl  0 (4.12)
66
2) 对除 NaCl 以外的任意一种易溶盐进行污秽闪络试验，所需试验点最少为 3
个，结合式(4.11)，得到此种盐对于绝缘子 X 的特征值 aY 和 nY，建立了 b 与 k 的
线性关系
f 2 (b, k )  b  k  nY  aY  0 (4.13)
3) 联立式(4.12)和式(4.13)，求解二元一次方程组，得到 X 型绝缘子的污闪特
征参数 b 和 k；
4) 对于工程设计中需要考虑的含 NaCl 在内的 p+1 种易溶盐，以上 3 个步骤
已求得 2 种可溶盐的污闪梯度与等值盐密的关系，针对剩余 p-1 种易溶污秽，每种
污秽试验 1 个污秽点，根据所求得的 b 和 k 值，结合式(4.11)，可得到 p-1 种污秽
成分对于 X 绝缘子的特征值 ni，从而可得到全部 p+1 种易溶污秽成分的污秽闪络
特性。
基于上述方法，采用式(4.11)的方程进行工程设计时，在 NaCl 闪络特性已知
的情况下，对于 p+1 种易溶盐，所需试验点为 p+2；而传统采用式(4.4)进行工程设
计时，所需试验点至少为 3p。由此可知，采用基于单一易溶污秽成分的的污闪电
压梯度预测方程可使工程设计减少 2p-2 个试验点的试验量。若试验中采用恒压升
降法进行试验，每个试验点需要进行不少于 10 次的有效试验，式(4.11)的应用可在
极大程度上减少工程设计的试验成本。
4.2 混合可溶污秽下绝缘子的闪络特性及规律
K. C. Holte 曾提出[8]，混合可溶污秽成分下的绝缘子闪络电压可用线性叠加的
方法进行预测与计算。然而，有关其详细论证和适用性分析的研究鲜有报道。本
文以 NaCl、CaCl2、MgCl2、(NH4)2SO4 和 CaSO4 作为可溶污秽成分，高岭土作为
不溶污秽成分，开展人工污秽试验对线性叠加方法的准确性和适用性进行验证与
分析。
① 试品、装置与方法
试品采用 H 型 LPI-1100 线路柱形绝缘子，其表面材料为环氧树脂，其技术参
数和型式结构分别见表 2.2 和图 2.1。试验电源的额定电压为 300kV，接线原理与
单一成分的闪络试验相同，见图 4.1。
试验前，先对环氧树脂绝缘子表面的憎水性进行破坏。试验中，染污方式采
用固体层法中的定量涂刷法，模拟可溶物以附着密度(SCD)作为指标，模拟灰密
ρNSDD=0.45mg/cm2；以往研究表明，染污方式对绝缘子污闪电压测量值虽有一定影
响，但其特性和规律却不受影响[110]；加压方式采用恒压升降法。
试验主要分两个部分，其一为单一污秽成分的闪络特性的试验，对每种绝缘
子在 ρSCD=0.075, 0.15, 0.30, 0.45mg/cm2 分别进行涂污与闪络试验，得到绝缘子在单
67
一污秽成分下的闪络特性；其二为混合污秽成分的闪络试验，固定
ρSCD=0.15mg/cm2，将 NaCl 分别与 CaCl2、MgCl2、(NH4)2SO4、CaSO4 进行混合涂
污，每一类混合污秽中，NaCl 的质量分数分别取 25%、50%、75%。
② 单一成分试验结果及分析
对于单一可溶污秽成分，其试验结果如表 4.6 所示，根据各污秽成分在相同浓
度下的电导率比值，将 SCD 值换算为 ESDD 值，并对试验数据进行负幂函数拟合，
所得 H 型绝缘子在各污秽成分下的闪络特性和 a、n 值关系见图 4.7。
表 4.6 H 型绝缘子在各污秽成分下的闪络电压梯度 (EL, kV/m)

Table 4.6 Flashover voltage gradient of Type H insulator under different contaminants (EL, kV/m)
SCD (mg/cm2) NaCl CaCl2 MgCl2 (NH4)2SO4 CaSO4
0.075 21.13 27.30 27.48 23.74 72.00
0.150 17.39 24.17 24.52 21.22 66.31
0.300 14.00 22.61 20.26 17.74 63.18
0.450 12.70 18.09 19.22 15.30 58.96
80 17
70 NaCl MgCl2
60 MgCl2
15
EL (kV/m)
50 CaCl2 CaCl2
40 (NH4)2SO4 a 13
30 CaSO4
20 11 NaCl
10 (NH4)2SO4
0 9
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.20 0.22 0.24 0.26 0.28 0.30
ρESDD (mg/cm2) n
图 4.7 H 型绝缘子的闪络特性
Figure 4.7 Flashover properties of Type H insulator
由闪络特性可知，几种污秽成分所对应的闪络梯度大小顺序为 CaSO4 > MgCl2,

CaCl2 > (NH4)2SO4 > NaCl，其中微溶物 CaSO4 远高于其他几种易溶物，MgCl2 和
CaCl2 的污闪特性极为接近，(NH4)2SO4 的热稳定性较差，分解产物具有助燃作用，
这使得其在局部电弧作用下，对应的闪络电压较低；且各易溶成分成分 a、n 值呈
良好的负相关性。各成分的 EL-ρESDD，a-n 关系可表示为：
NaCl: EL  10.0   ESDD 0.289 (NH 4 )2SO4 : EL  12.4   ESDD 0.243
CaCl2 : EL  16.2   ESDD 0.206 CaSO4 : EL  50.7   ESDD 0.105 (4.14)
MgCl2 : EL  16.2   ESDD 0.209 an: a  31.9  77.0n
68
③ 混合成分对绝缘子闪络特性的影响
混合污秽成分的闪络试验结果如表 4.7 所示，由于在相同 ESDD 下，NaCl 所
对应的绝缘子闪络梯度最小，因此随着 NaCl 质量分数的增大，混合成分所对应的
绝缘子污闪梯度整体呈降低趋势。运用线性叠加的方法对绝缘子污闪梯度进行计
算，并将计算结果与试验结果相比较，其结果如图 4.8 和图 4.9。
表 4.7 H 型绝缘子在混合污秽成分下的闪络电压梯度 (EL, kV/m)

Table 4.7 Flashover voltage gradient of Type H insulator under mixed contaminants (EL, kV/m)
NaCl 质量分数 CaCl2 MgCl2 (NH4)2SO4 CaSO4
25% 22.17 19.92 19.65 36.82
50% 20.43 18.83 18.09 22.56
75% 18.96 17.52 17.04 18.47
30 30
25 25
20 20
EL (kV/m)
EL (kV/m)
15 15
10 CaCl2+NaCl 试验值 10 MgCl2+NaCl 试验值
5 CaCl2+NaCl 计算值 5 MgCl2+NaCl 计算值

0 0
0 25 50 75 100 0 25 50 75 100
NaCl质量分数 (%) NaCl质量分数 (%)
30 80
25 CaSO4+NaCl 试验值
60
20 CaSO4+NaCl 计算值
EL (kV/m)
EL (kV/m)
15 40
10 (NH4)2SO4+NaCl 试验值
20
5 (NH4)2SO4+NaCl 计算值
0 0
0 25 50 75 100 0 25 50 75 100
NaCl质量分数 (%) NaCl质量分数 (%)
图 4.8 绝缘子污闪梯度计算值与试验值
Figure 4.8 Test value and calculation value of insulator flashover voltage gradient
图 4.9 中，若计算值大于试验值，柱形用黑色表示，反之用红色表示。在图
4.8 和图 4.9 中，NaCl 质量分数为 0 和 100%时，计算值即为单一成分下的负幂函
数拟合值，由于曲线拟合度较高，此值与试验值存在着微小的差异。由计算结果
可知，总体上来讲，线性叠加的计算值大于试验值，但这种差异在易溶污秽成分
69
中表现得不明显，MgCl2 最高可达 12%，其余易溶成分均在 6%以下，属试验误差

的可接受范围。而对于 CaSO4，线性叠加的闪络梯度计算值明显高于试验值，这
主要是由于 CaSO4 的微溶特性所引起的，在线性叠加计算时，若按照 CaSO4 的测
量电导率比率进行叠加，忽略了其溶解的饱和特性，使得计算结果高估了 CaSO4
的作用，从而导致计算结果偏高。
50
NaCl质量分数=0
45
NaCl质量分数=25%
预测值与试验值差异 (%)
40
35
30
25
20
15
10
5
0
CaCl2 MgCl2 (NH4)2SO4 CaSO4
图 4.9 计算值与试验值的差异
Figure 4.9 The difference of test value and calculation value
由混合可溶污秽下的绝缘子闪络特性可知，在工程误差允许范围内，对于易
溶污秽成分，可以按照线性叠加的方法进行绝缘子闪络电压(梯度)的预测与计算；
而对于微溶物 CaSO4，需依照其电导率特性，进行单独计算。
4.3 不溶污秽成分下绝缘子的闪络特性及规律
4.3.1 试验和数据处理方法
目前人工污秽试验均采用硅藻土或高岭土来模拟绝缘子表面的不溶污秽，而
忽略了不溶物成分对污闪电压的影响。自然积污下绝缘子表面污秽成分中，普遍
存在 SiO2、Al2O3、Fe2O3 等不溶物，因此，为了进一步准确地表征真实环境下染
污绝缘子的绝缘性能，有必要对不同不溶物类型对污闪电压的影响规律进行研究。
试验采用 A 型 XP4-160 瓷绝缘子和 B 型 LXY4-160 玻璃绝缘子为试品，与可
溶污秽试验相似，染污和加压方法分别采用浸污法和恒压升降法；可溶污秽成分
用 NaCl 模拟，不溶污秽成分分别用硅藻土、高岭土、SiO2、Al2O3、Fe2O3 模拟；
由于浸污法不能精确控制染污所得的 ESDD/NSDD 值，因此染污过程中分别针对
每种不溶物配制 5~6 种盐/灰密值具有较明显差异的浸污悬浊液，染污后对绝缘子
的 ESDD/NSDD 值进行测量，污闪试验在人工雾室内进行。
国内外研究表明[1]，污秽绝缘子的闪络电压既与等值附盐密度有关，也与不溶
于水的惰性物质的表面积密度(灰密)有关，且二者对污闪电压的影响规律是一致
70
的，即当灰密（或盐密）固定时，污闪电压梯度与灰密/盐密的关系可表示为：
EL  an   ESDD
n
(4.15)
EL  am   NSDD
m
由于可溶污秽主要是通过改变绝缘子表面污层的导电特性来影响绝缘子的污
闪特性，不溶性物质本身虽然不导电，但其吸收并保持水分的性能可为电解质提
供溶剂，提高绝缘子表面电导，二者对绝缘子污闪电压的影响规律可以看成相互
独立的。因此，根据式(4.15)，可将绝缘子串的污闪电压与盐密和灰密的关系表示
为
EL  amn  ESDD
n
  NSDD
m
(4.16)
式中，EL 为绝缘子闪络电压梯度，kV/m；amn 为与绝缘子串长、型式和大气环境条
件有关的系数；ρESDD 为绝缘子表面污秽的等值附盐密度，mg/cm2；ρESDD 为绝缘子
表面污秽的灰密，mg/cm2；n 和 m 分别是盐密和灰密对于绝缘子污闪电压影响的
特征参数。
通过试验可以得到各不溶污秽成分下的 ρESDD、ρNSDD 和 EL 值，采用最小二乘
法对试验结果进行处理分析，可得到各不溶污秽成分下的绝缘子闪络特性曲线。
对式(4.16)等号两边取自然对数，进行线性化处理，可以得到：
ln EL  ln amn  n ln ESDD  m ln  NSDD (4.17)
测量值与拟合值之间的误差为：
SSEi  ln ELi  (ln amn  n ln ESDDi  m ln  NSDDi ) (4.18)
则和方差为：
N
SSE  [ln ELi  (ln amn  n ln  ESDDi  m ln  NSDDi )]2 (4.19)
i 1
其中，N 为试验点个数。最小二乘法可看做是对和方差 SSE 的一个最小化过程，

在此过程中，分别对待求参量 amn、n、m 求偏导，并令之等于零，可得：
SSE N
ln amn  n ln  ESDDi  b ln  NSDDi  ln ELi
0   0
amn i 1 amn
SSE N  n(ln  ESDDi ) 2  m ln  ESDDi ln  NSDDi 
n
0   
i 1   ln ELi ln  ESDDi  ln amn ln  ESDDi 
0 (4.20)
SSE N  m(ln  NSDDi ) 2  n ln  ESDDi ln  NSDDi 

m
0   
i1   ln ELi ln  NSDDi  ln amn ln  NSDDi 
0
式(4.20)即为最小二乘法的计算式，将测量值带入即可求得 amn、n、m 值。
4.3.2 高岭土和硅藻土对绝缘子闪络特性的影响
绝缘子自然污秽中的不溶物成分虽多种多样，但其对绝缘子闪络特性的影响
却相对较小，目前实验室模拟绝缘子污秽不溶物主要采用高岭土和硅藻土，国际
标准[70]和国家标准[71]中的固体层法也推荐使用硅藻土或高岭土来模拟绝缘子表面
71
污秽中的不溶物。作为不溶污秽成分的典型代表，高岭土和硅藻土对绝缘子闪络
特性的影响备受关注。
高岭土是一种层状硅酸盐矿物，其化学式为 Al4(Si4O10)(OH)8，又可根据其组
分写作 2Al2O3•4SiO2•4H2O，其理论化学组成为 46.54%的 SiO2，39.5%的 Al2O3，
13.96%的 H2O。高岭土的基本结构层由一个 SiO4 四面体层与一个 AlO2(OH)4 八面
体层连接而成，层间为氢氧键连接，是二八面体的 1:1 型层状构造硅酸盐，其晶胞
结构如图 4.10 所示，其中 Al-OH 表面具有亲水性，Si-O 表面具有疏水性。
Si
Al
O H
图 4.10 高岭土分子结构
Figure 4.10 Molecular structure of Kaolin
硅藻土是一种生物成因的硅质沉积岩，主要由古代硅藻遗骸组成，其化学成
分主要是 SiO2，通常占 80%以上，最高可达 94%；Fe2O3 含量一般为 0.5%~6%，
Al2O3 含量为 5%~25%，同时也含有少量的 CaO、MgO、K2O、Na2O、P2O5 和有机
物。硅藻土是一种混合物，无固定的分子结构，其中的 SiO2 多数是以无定形体(非
晶体)形式存在，这使得其物理性质如黏度、吸水性等与 SiO2 晶体组成的不溶物(沙
土等)存在差异。
高岭土和硅藻土染污的绝缘子污闪试验结果如表 4.8 所示，运用最小二乘法对
试验数据的拟合曲面见图 4.11，拟合结果为：
高岭土 A：EL  11.45   ESDD
0.325
  NSDD
0.123
 B：EL  12.18   ESDD
0.331
  NSDD
0.123

(4.21)
硅藻土 A：EL  16.51  ESDD   NSDD  B：EL  17.94   ESDD   NSDD 
0.312 0.130 0.312 0.131
由试验和拟合结果可知：
1) 用高岭土和硅藻土模拟绝缘子表面不溶物，用 NaCl 模拟绝缘子表面可溶
物，经最小二乘法对盐密、灰密下的幂指数函数进行拟合，得到的 ESDD 特征影
响指数 n 值在 0.312~0.331 之间，与 4.1 节所得 NaCl 对 A、B 型绝缘子的影响指数
分别为 0.328 和 0.336 较为接近，可知运用浸物法和恒压升降法进行试验，可以保
证试验数据的有效性。
72
2) 对于硅藻土和高岭土，其 NSDD 的影响指数均在 0.12~0.13 左右，差异较

小，且均明显小于 ESDD 的影响特征指数，这表明不溶物对绝缘子污闪电压梯度
的影响远小于可溶物，这主要是由于不溶物为惰性物质，不直接参与导电，而是
以吸水的方式为绝缘子表面的可溶物提供溶剂，从而影响绝缘子的闪络特性。
3) 分别对于硅藻土和高岭土，A、B 型绝缘子的 amn、n、m 参数均较为接近，
A 型瓷绝缘子的各参数值略小于 B 型玻璃绝缘子的值，但此差异均在 10%的误差
范围内，说明两种型式结构相近的瓷和玻璃绝缘子具有相似的闪络特性。
表 4.8 高岭土和硅藻土的污闪试验结果 (ρESDD, ρNSDD: mg/cm2; EL: kV/m)

Table 4.8 Flashover test results of Kaolin and Kieselguhr (ρESDD, ρNSDD: mg/cm2; EL: kV/m)
A: XP4-160 B: LXY4-160
不溶物
ρESDD ρNSDD EL σ% ρESDD ρNSDD EL σ%
0.104 0.555 23.8 3.6 0.078 0.103 36.2 3.6
0.024 0.112 50.7 2.8 0.045 0.107 44.8 2.8
0.042 0.089 42.7 4.0 0.027 0.132 51.9 4.0
高岭土
0.064 0.093 36.7 3.6 0.068 0.212 37.5 3.6
0.085 0.201 32.4 2.1 0.097 0.315 31.8 5.1
0.119 0.498 26.0 2.4 0.078 0.683 28.1 2.4
0.068 0.112 50.7 1.7 0.067 0.101 55.8 6.7
0.072 0.180 47.0 3.3 0.079 0.222 49.2 3.3
0.105 0.328 38.6 5.6 0.072 0.630 43.2 5.6
硅藻土
0.120 0.558 34.1 3.1 0.116 0.404 39.4 4.1
0.110 0.605 35.1 3.2 0.059 0.813 44.5 3.2
0.154 0.873 30.3 4.5 0.165 1.084 31.0 4.5
高岭土-A型绝缘子高岭土-B型绝缘子
60
60
50 50
EL (kV/m)
E (kV/m)
40 40
L
30 30
20
20
0.04 0.04
0.06 0.6 0.6
0.5 0.06
0.08 0.4 0.08 0.4
0.3 0.2
ρESDD (mg/cm ) 2 0.1
0.12 0.1 0.2 ρNSDD (mg/cm2) ρESDD (mg/cm ) 2 0.1 ρNSDD (mg/cm2)
73
硅藻土-A型绝缘子硅藻土-B型绝缘子
60 70
50 60
EL (kV/m)
EL (kV/m)
40 50
30 40
20 30
0.06
0.08 0.08
0.1 0.8 0.1
0.12 1
0.12 0.6 0.8
0.4 0.14 0.6
ρESDD (mg/cm2) 0.14 ρNSDD (mg/cm2) 0.4
0.2 ρESDD (mg/cm2) 0.16 0.2 ρNSDD (mg/cm2)
图 4.11 高岭土和硅藻土的最小二乘法拟合曲面
Figure 4.11 Least squre fitting surface of Kaolin and Kieselguhr
分别取 ρESDD=0.05mg/cm2 和 ρESDD=0.10mg/cm2 进行研究，所得 NSDD 与绝缘

子闪络电压梯度的关系如图 4.12，经对比分析可得，不溶物为高岭土和硅藻土时，
绝缘子的污闪电压梯度随 NSDD 的增大而呈负幂函数关系减小，在同一 NSDD 下，
ESDD 越大时污闪电压梯度越小，对于型式结构相近的 A 型瓷绝缘子和 B 型玻璃
绝缘子，其污闪电压梯度随 NSDD 的变化趋势基本一致，其中瓷绝缘子污闪电压
梯度略低于玻璃绝缘子；且两种污秽的 EL–ρNSDD 曲线变化趋势基本一致，然而在
相同的 ESDD 下，硅藻土的污闪电压高于高岭土所对应的污闪电压，此种差异最
大可接近 30%，造成此种差异的原因主要有以下几点：
90 70
高岭土-A型绝缘子高岭土-A型绝缘子
80 高岭土-B型绝缘子高岭土-B型绝缘子
60
硅藻土-A型绝缘子硅藻土-A型绝缘子
70 硅藻土-B型绝缘子硅藻土-B型绝缘子
E (kV/m)
E (kV/m)
50
60
L
40
50
40 30
30 20
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1
ρNSDD (mg/cm2) ρNSDD (mg/cm2)
(a) ρESDD=0.05mg/cm2 (b) ρESDD=0.10mg/cm2

图 4.12 高岭土和硅藻土的闪络电压梯度与灰密的关系
Figure 4.12 The relationship between EL and ρNSDD of Kaolin and Kieselguhr
1) 从高岭土和硅藻土的组成成分来看，硅藻土中非金属 Si-O 结构的含量高于

高岭土，而金属元素的含量则低于高岭土，金属氧化物在高温熔融状态下也具有
一定的导电性，但这种影响相对较小；
2) 高岭土和硅藻土均易吸水，在湿润过程中均可吸附水分促使绝缘子表面的
74
可溶物溶解形成导电层，除表面吸水外，硅藻土中的 Si-O 表面与水分子以氢键键

合，而高岭土不仅存在 Si-O 表面，还有亲水性的 Al-OH 表面，这使得高岭土比硅
藻土更容易吸附水分；
3) 硅藻土中的 SiO2 多以无定形体存在，而高岭土具有典型的层状 Si-O 四面
体结构，具有较大的黏度，溶入液相后黏度大幅度增加，可以更好地黏滞在绝缘
子表面，湿润过程中不易流失。
4.3.3 不溶污秽成分对绝缘子闪络特性的影响
以绝缘子表面污秽中不溶物的含量为依据，分别采用 SiO2、Al2O3、Fe2O3 为
不溶物，研究不溶污秽对绝缘子闪络特性的影响，所选不溶物涉及的元素也是地
壳中含量最多的四种元素。所得 A 型瓷绝缘子和 B 型玻璃绝缘子的闪络特性如表
4.9 所示。
表 4.9 单一不溶物的污闪试验结果 (ρESDD, ρNSDD: mg/cm2; EL: kV/m)

Table 4.9 Flashover test results of simplex non-soluble pollution (ρESDD, ρNSDD: mg/cm2; EL: kV/m)
A: XP4-160 B: LXY4-160
不溶物
ρESDD ρNSDD EL σ% ρESDD ρNSDD EL σ%
0.060 0.409 55.6 2.4 0.063 0.291 58.0 3.2
0.058 0.208 61.2 1.7 0.059 0.725 52.2 4.5
SiO2 0.104 0.971 41.0 3.3 0.071 0.515 51.6 5.7
0.078 0.640 48.3 5.6 0.079 0.888 46.2 3.3
0.092 0.564 46.6 3.1 0.087 1.128 43.0 5.7
0.057 0.455 41.9 3.2 0.052 0.188 50.6 4.2
0.076 0.632 36.4 4.5 0.079 0.710 37.2 2.8
Al2O3 0.090 0.846 33.3 5.7 0.084 0.404 39.3 2.2
0.100 1.108 30.9 3.3 0.087 0.902 34.8 5.8
0.103 1.003 31.1 3.7 0.097 1.112 32.8 3.0
0.033 0.271 57.7 4.2 0.034 0.741 52.4 3.1
0.044 0.183 54.9 2.8 0.044 0.305 55.9 4.5
0.050 0.112 56.4 2.2 0.068 0.158 51.0 3.6
Fe2O3
0.051 0.312 50.3 1.8 0.040 0.889 49.1 3.0
0.052 0.530 45.0 3.0 0.076 0.422 43.4 5.5
0.063 0.361 44.3 3.1 0.058 1.072 43.4 4.3
75
试验结果的相对标准偏差均在 7%以内，且试验结果所得数据的分散性较小，
浸污法和恒压升降法可以得到各单一不溶污秽成分的闪络电压有效数据。试验结
果中，ρESDD 和 ρNSDD 两个变量对绝缘子闪络特性都有影响；而且不同类型不溶物
下绝缘子闪络特性差异较明显，以 A 型瓷绝缘子为例，当不溶物为 SiO2 ，
ρESDD=0.078mg/cm2，ρNSDD=0.640mg/cm2 时，绝缘子的 EL 为 48.3kV/cm，而当不溶
物为 Al2O3 ， ρESDD=0.076mg/cm2 ， ρNSDD=0.632mg/cm2 时，绝缘子的 EL 达到
36.4kV/cm，两者相差 28.1%，可知单一不溶物类型对绝缘子的闪络特性存在影响。
用最小二乘法对表 4.9 的数据进行拟合，得到在可溶物污秽为 NaCl，不溶污
秽分别为 SiO2、Al2O3、Fe2O3 时，A 型瓷绝缘子和 B 玻璃绝缘子的污闪特性可表
示为：
SiO2 A：EL  18.98   ESDD
0.343
  NSDD
0.125
B：EL  19.43   ESDD
0.333
  NSDD
0.140
Al2O3 A：EL  15.24   ESDD

0.314
  NSDD
0.141
B：EL  16.14   ESDD
0.310
  NSDD
0.135
(4.22)
Fe2O3 A：EL  15.18   ESDD
0.342
  NSDD
0.131
B：EL  16.74   ESDD
0.332
  NSDD
0.124
由计算结果可知，曲线拟合度 R2 均大于 0.9，绝缘子污闪电压梯度 EL 与 ESDD

和 NSDD 的关系符合式(4.2)，且所得 NaCl 可溶污秽成分下的 ESDD 影响特征指数
介于 0.310~0.343 之间，与 4.1 节所得 NaCl 对 A、B 型绝缘子的影响指数分别为
0.328 和 0.336 较为接近。
取 ρESDD=0.10mg/cm2 进行研究，所得 NSDD 与 EL 的关系如图 4.13。
80 80
SiO2 SiO2
70 Al2O3 70 Al2O3
Fe2O3 Fe2O3
E (kV/m)
E (kV/m)
60 60
L
50 50
40 40
30 30
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1
ρNSDD (mg/cm2) ρNSDD (mg/cm2)
(a) A 型绝缘子 (b) B 型绝缘子

图 4.13 绝缘子在单一不溶污秽成分下的闪络特性 (ρESDD=0.10mg/cm2)
Figure 4.13 Insulator flashover properties under simplex non-soluble pollution (ρESDD=0.10mg/cm2)
由图 4.13 可知，不同单一污秽成分对绝缘子污闪电压梯度的影响不同，对于
SiO2、Al2O3 和 Fe2O3 三种氧化物而言，其所对应的灰密与污闪电压梯度的关系曲
线变化趋势近似一致；对于 A 型瓷绝缘子和 B 型玻璃绝缘子而言，各种单一污秽
成分对污闪电压梯度的影响规律一致，同一 NSDD 下，玻璃绝缘子所对应的污闪
76
梯度略高于瓷绝缘子所对应的污闪电压梯度。
对于三种氧化物，在各种灰密程度下，SiO2 对应最高的污闪电压梯度，Fe2O3
次之，Al2O3 对应最低的污闪电压梯度，且同一 NSDD 下，Fe2O3 和 Al2O3 所对应
的污闪电压梯度值相对较为接近。一方面是由于三种不溶物不同的吸水、保水性
能造成了绝缘子闪络梯度的差异；另一方面是由于 Al2O3 和 Fe2O3 为金属氧化物，
属于离子晶体，是由正负离子按照一定比例通过离子键结合而成，因此当表面有
泄漏电流通过时，其理化活性高于 SiO2，在电弧作用下的熔融状态时甚至可表现
出强电解质特性，而 SiO2 为非金属氧化物，属于原子晶体，其相邻原子之间通过
共价键结合而成，且 Si-O 键呈稳定的四面体结构，化学性质稳定；且 SiO2 本身具
有憎水性，这使得其对应的污闪电压梯度较高，对绝缘子污闪电压梯度的影响程
度不及 Fe2O3 和 Al2O3。
然而，诸多研究表明[21-24,30,96,111]，绝缘子表面的不溶污秽成分主要以硅酸盐为
主，其中 SiO2 的质量分数约占 70%以上，最高可达 90%，其次为 Al2O3，质量分
数为 5%~20%左右，其余成分如 Fe2O3、CuO、CaO、炭黑等也占少量比例。这就
使得如 Al2O3、Fe2O3 等金属氧化物熔融状态下的导电特性对绝缘子污闪特性的影
响大大降低，实际线路运行绝缘子闪络过程中，吸水和保水作用是不溶物影响绝
缘子污闪特性的主要因素。
4.4 不溶物颗粒直径对绝缘子闪络特性的影响
4.4.1 不同粒径的不溶污秽成分制备
不溶物主要是通过吸水保水作用为绝缘子表面可溶污秽提供溶剂，从而影响
绝缘子的污闪特性。然而，不同粒径的不溶物的吸水保水性能存在差异，由此影
响了绝缘子表面电导，造成不同粒径的不溶污秽成分下绝缘子闪络特性的差异。
(a) 全方位行星式球磨机 (b) 标准分样筛

图 4.14 不同粒径的不溶物制备设备
Figure 4.14 Production equipment for non-soluble constituents of various partical size
77
本节分别采用自然污秽中含量较高的 SiO2 和 Al2O3 模拟不溶污秽，研究粒径

对绝缘子闪络特性的影响。通过颗粒研磨与筛选的方法对不同粒径的不溶物进行
制备。颗粒研磨采用全方位行星式球磨机，其可将试品研磨至胶状细度，最小可
达 0.1μm，并进行混合、匀化和分散。全方位行星式球磨机的工作原理是在一个大
盘上装有四个球磨罐，大盘公转和球磨罐自转同时运行，罐体旋转带动磨珠旋转，
在离心力和摩擦力的作用下，磨珠上升到一定高度，离心力小于自重时，磨珠下
落，撞击下部磨珠，介于之间的磨料受到撞击和研磨。颗粒筛选采用 350 目和 500
目的标准分样筛。所用设备如图 4.14 所示。
通过研磨与筛选，制备出具有三种粒径等级的 SiO2 和两种粒径等级的 Al2O3，
从大到小分别用 SiO2 I~III 和 Al2O3 I~II 表示。制备前后的颗粒在显微镜下的微观
显示如图 4.15 所示。
(a) 制备前的 SiO2 (b) 制备后的 SiO2
(c) 制备前的 Al2O3 (d) 制备后的 Al2O3

图 4.15 制备前后的颗粒在显微镜下的微观显示
Figure 4.15 The microgram of particles before and after manufacture
由图 4.15 可知，制备前的不溶物粒径大小并不均匀，为几微米到一百微米不
等；研磨筛选后试品粒径大小不一但相对集中，例如制备 SiO2 III 微粒时，筛选后
的微粒粒径主要集中在 8～16µm 之间。利用显微镜对制备后的各等级颗粒粒径进
78
行统计测量，测量过程中随机选取多个区域，对每个区域中的部分颗粒进行测量，
最后得到的粒径统计数据如图 4.16 所示。
由统计结果可知，所制备的两种不溶物所对应的各粒径等级中的粒径分布均
大致满足正态分布，由正态分布的性质可知，(μ-σ, μ+σ)为 68.26%概率区间，(μ-2σ,
μ+2σ)为 95.44%概率区间，分别用 P68.26%和 P95.44%表示，其中 μ 为正态分布的均值，
σ 为标准差，各组粒径的性质列于表 4.10。由制备的统计结果可知，各粒径等级得
以良好的分离，通过研磨和筛选的方法，可以得到不同粒径 SiO2 和 Al2O3 颗粒的
有效数据。
(a) Al2O3 粒径 I (b) Al2O3 粒径 II
(c) SiO2 粒径 I (d) SiO2 粒径 II (e) SiO2 粒径 III

图 4.16 粒径统计结果
Figure 4.16 Statistical results of particle size
表 4.10 不同粒径的不溶物制备结果
Table 4.10 Production results of various particle size non-soluble constituents
不溶物粒径等级均值 (μm) 标准差 (μm) P68.26% (μm) P95.44% (μm)
I 45.95 22.30 23.65~68.26 1.35~90.56
SiO2 II 29.20 11.90 17.31~41.10 5.41~53.00
III 11.64 2.50 9.14~14.14 6.64~16.64
I 57.09 8.82 48.27~65.91 39.44~74.74
Al2O3
II 28.21 7.44 20.77~35.66 13.33~43.10
79
4.4.2 不溶物粒径对绝缘子闪络特性的影响
利用所制备的不同粒径的不溶物对 A 型瓷绝缘子和 B 型玻璃绝缘子进行染污，
并测量各粒径不溶物染污的绝缘子在不同污秽等级下的闪络电压梯度。试验中，
可溶物用 NaCl 模拟，不溶物分别为 SiO2 粒径 I~III 级和 Al2O3 粒径 I~II 级；染污
时固定绝缘子表面灰盐比为 5，污秽度分别为 ESDD/NSDD=0.06/0.30mg/cm2 、
0.10/050mg/cm2、0.25/1.25mg/cm2。由于试验中需对 ESDD 和 NSDD 进行精确控制，
染污方法采用固体层法中的定量涂刷法，加压方法采用恒压升降法。所得试验结
果如图 4.17 所示。
80 80
60 60
EL (kV/m)
EL (kV/m)
40 40
ESDD/NSDD=0.06/0.30 mg/cm² ESDD/NSDD=0.06/0.30 mg/cm²

20 20
0 0
10 20 30 40 50 10 20 30 40 50
粒径 (μm) 粒径 (μm)
(a) SiO2-A 型绝缘子 (b) SiO2-B 型绝缘子

80 80
60 60
EL (kV/m)
EL (kV/m)
40 40

20 20
0 0
20 30 40 50 60 20 30 40 50 60
粒径 (μm) 粒径 (μm)
(c) Al2O3-A 型绝缘子 (d) Al2O3-B 型绝缘子

图 4.17 不同粒径不溶物染污绝缘子的闪络试验结果
Figure 4.17 Insulator flashover test results of non-soluble contaminants with various particle size
由试验结果可知，绝缘子污闪电压梯度随着不溶物粒径的增大而增大，这在
Al2O3 染污时表现得较为明显；且各污秽度下，绝缘子污闪电压梯度随着粒径的变
化趋势大致相同；然而污秽度较高的绝缘子对应更低的闪络梯度，这就使得随着
污秽度的增大，粒径对闪络电压梯度的影响作用逐渐增强。
不溶物粒径对绝缘子污闪梯度的影响，主要体现在颗粒流失特性、表面吸水
作用和间隙保水作用和三个方面。
80
① 颗粒流失特性
颗粒的流失特性也对绝缘子污闪特性有一定影响。绝缘子表面污层在饱和附
水的状态下会出现自然流失的状况，然而，绝缘子表面的不溶物如 SiO2 等均具有
一定程度的粘性，在污秽粒径范围内，其粘附力差别不大，这就使得不同粒径的
非底层颗粒的流失特性大致相同。
对于底层颗粒，其在绝缘子表面的排列结构示意如图 4.18。微观情况下，绝
缘子表面不是绝对平整的，这就使得相同外力情况下，更多的小粒径不溶物颗粒
能够停留在绝缘子表面，为上层结构提供粘附载体；相对于小粒径的不溶物，大
粒径颗粒更容易流失，这也是造成大粒径不溶物对应的闪络电压梯度高于小粒径
不溶物的原因之一。然而，闪络试验时尽量保证在污秽饱和附水且并未流失的情
况下进行，再加之流失特性差异仅体现在底层和下层污秽，这就使得颗粒的流失
特性对绝缘子污闪梯度的影响较小，这只是影响因素之一，而非主要因素。
图 4.18 底层颗粒在绝缘子表面的排列示意图
Figure 4.18 The sketch map of bottom layer particles arranged on insulator surface
② 表面吸水作用
不溶物主要是通过吸水和保水的方式为绝缘子表面的电解质提供溶剂，通过
影响绝缘子表面电导从而改变绝缘子的污闪特性，而小粒径的不溶物单位体积的
总体表面积(比表面积)大于大粒径的不溶物，这就使得小粒径的不溶物与水分的接
触面积更大，导致其表现出更好的吸水和保水特性，从而降低绝缘子的闪络电压
梯度。
③ 间隙保水作用
3
(q  1)d
2  
3
(q  1)d h  1  (q  1)  d
 2 
图 4.19 不溶污层颗粒堆叠结构
Figure 4.19 Stack structure of non-soluble layer particles
81
假设各颗粒为单位体积具有最大表面积的球体结构且粒径相同，其局部空间
紧密堆叠结构截面图如图 4.19 所示，图中 d 为粒径大小，q 为堆叠层数，h 为堆叠
高度。
设局部截面长度为 l，则截面总面积为：
 3 
S  l  h  1  (q  1)  dl (4.23)
 2 
截面中的不溶物颗粒总面积约为：
d  
2
l
S0   q      qdl (4.24)
d 2 4
则截面内的间隙率为：
S0  1
  1  1  (4.25)
S 2 3  (2  3) / q
若忽略顶层间隙(即图中斜线阴影部分面积 S′)，颗粒间的间隙率约为：
S  1
  1 0  1  (4.26)
S  S 2 3  (1   / 4  3) / q
由式(4.25)和式(4.26)可知，截面间隙率仅与堆叠层数 q 有关，而与颗粒直径 d
无直接关系，即单位长度内，相同堆叠层数、不同粒径的不溶物颗粒具有等体积
的间隙。在相同高度内，小粒径的不溶物颗粒的堆叠层数 q 大于大粒径不溶颗粒，
这就使得小粒径颗粒的间隙率小于大粒径颗粒；然而，在不溶物的粒径一般在
10~100μm 左右，不溶物污层约 1~2mm 左右，即堆叠层数 q 在 10~200 左右的范围
内，其所对应的截面间隙率如表 4.11 所示。
表 4.11 不同堆叠层数所对应的间隙率
Table 4.11 The corresponding voids rate of various staked layers
堆叠层数 q 20 60 100 140 180 200
η (%) 10.01 9.54 9.45 9.41 9.39 9.38
η′ (%) 9.45 9.36 9.34 9.33 9.33 9.32
由表 4.11 可知，间隙率随堆叠层数的增大而减小，然而堆叠层数对间隙率的
影响较小，当层数 q 在 20~200 之间变化时，两种间隙率的变化均不超过 1%。在
实际问题中顶层间隙的保水作用可以忽略，即采用 η′对具有保水作用的间隙率进行
衡量。当堆叠层数分别为 20 和 200 时(即等高度下，粒径比为 10:1)，其保水间隙
率仅相差 0.13%，这对不溶物的保水作用是微乎其微的。
在等长等高的截面范围内，虽然不同粒径的颗粒所对应的间隙率几乎相等，
但从图 4.19 可以看出，小粒径的颗粒具有更多更小的间隙，这些间隙的保水作用
82
远大于大粒径的颗粒；同样以粒径 10:1 的颗粒为例，水分流失需通过的小粒径堆

叠结构颗粒交界面是大粒径颗粒交界面的 10 倍，因此，颗粒间隙的保水作用是造
成粒径对绝缘子闪络特性影响的主要原因。
4.5 本章小结
本章通过开展绝缘子闪络试验，得到了可溶污秽成分对绝缘子污闪电压梯度
的影响规律，研究了不溶污秽成分和粒径对绝缘子闪络特性的影响及规律，并从
不溶物理化性质、吸水和保水作用等方面对试验结果进行了分析。所得的主要成
果如下：
① 通过单一可溶污秽成分的闪络试验，得到了多种主要污秽成分对绝缘子闪
络特性影响的特征参数，且可溶污秽成分对绝缘子污闪特性的影响程度可表示为：
Cl- < NO3- < SO42-；K+ < Na+, NH4+ < Ca2+。以污秽成分对绝缘子闪络特性的影响机
理为依据，结合试验所得结果，提出了单一易溶污秽成分的绝缘子闪络特征参数
预测方程，并对其工程应用方法和价值进行了分析。
② 通过混合可溶污秽成分的闪络试验和对比分析，得出结论：在工程误差允
许范围内，对于易溶污秽成分，可以按照线性叠加的方法进行绝缘子闪络电压(梯
度)的预测；而对于 CaSO4，微溶特性导致了线性叠加过程中高估了其对污闪电压
(梯度)的贡献，因此需根据其电导率特性，进行单独计算。
③ 通过不溶污秽成分的闪络试验，结合最小二乘法，得到了硅藻土、高岭土、
SiO2、Al2O3、Fe2O3 对绝缘子污闪电压梯度的影响规律，结果表明，在相同污秽度
下，几种不溶污秽所对应的闪络电压梯度为：高岭土 < Al2O3 < Fe2O3, 硅藻土 <
SiO2。并对各不溶物对绝缘子闪络特性的影响机理进行了理论分析。
④ 经研磨和筛选，得到了不同粒径的 SiO2 和 Al2O3 颗粒，测量结果表明，所
制备的各粒径等级的颗粒满足正态分布规律；不同粒径等级染污的绝缘子闪络试
验表明，绝缘子污闪电压梯度随粒径的增大而增大。其后从颗粒流失特性、表面
吸水作用、间隙保水作用等方面对不溶物粒径影响绝缘子闪络特性的机理进行了
分析，颗粒堆叠结构的计算结果表明，颗粒间隙的保水作用是造成粒径对绝缘子
闪络特性影响的主要原因。
83
84
5 污秽成分对绝缘子电气性能的影响机理及微观行为研究
本章结合电解质溶解试验与分子模拟的方法，研究了污秽成分对绝缘子电气
性能的影响机理及其微观行为。根据电解质溶解试验和分子动力学模拟分析，分
别从导电和溶解特性、温度、电场、混合成分的相互影响四个方面探究了可溶污
秽成分对绝缘子闪络特性的影响机理；通过对不溶物吸水作用的全面考虑，分别
从表面吸水、孔洞吸水、层间吸水三方面阐述了不溶物的吸水机理，并建立了不
溶污秽吸水的微观模型，通过分子动力学(MD)和蒙特卡罗(MC)的方法，对各吸水
作用下的吸附能、吸附等温线、吸附动力学等参数进行了分析。
5.1 研究方法与理论基础
5.1.1 研究思路
对于可溶污秽成分对绝缘子电气性能的影响机理，开展电解质溶解试验研究
污秽成分导电和溶解特性对绝缘子电气性能的影响和混合污秽成分的相互影响。
运用分子动力学(MD)模拟，分别研究温度、电场以及混合污秽成分对绝缘子电气
性能的影响机理和各离子的微观行为。
对于不溶污秽成分，其主要是通过吸水和保水作用为可溶成分提供溶剂，从
而影响绝缘子的电气性能。通过对不溶物吸水作用的全面考虑，建立不溶物吸水
的微观模型，结合分子动力学和蒙特卡罗(MC)方法，研究不溶物吸水的微观机理。
5.1.2 分子动力学方法
① 分子动力学方法的基本原理[112,113]
在含有 N 个分子或原子的运动系统中，系统中所有分子的动能与系统总势能
之和构成了系统的能量。其总势能为分子中各原子位置的函数 U(r)。一般势能分
为分子间的非键结范德瓦尔斯作用(VDW)与分子内部势能(int)两部分，即：
U  UVDW  Uint (5.1)
其中，范德瓦尔斯作用可表示为：
n 1
 U r 
n
UVDW   ij ij
(5.2)
i 1 j  n 1
式中，rij 为粒子 i 与 j 之间的距离。各类型内坐标势能之和即为分子内势能。根据

静电力学，系统中任一原子的受力为势能的负梯度：
    
Fi  iU    i j k U (5.3)
 xi yi zi 
由此，可得该原子的加速度：
85
Fi
ai  (5.4)
mi
将方程对时间积分，则可得到该原子经过时间 t 后的速度与位置：
d2 d
r  vi  ai
2 i
dt dt
vi  vi  ai t
0
(5.5)
1
ri  ri 0  vi0t  ai t 2
2
式中， r 和 v 分别为粒子的位置与速度，上标 0 为各参数的初始值。
分子动力学计算的基本原理，即为牛顿运动定律的运用，其主要流程为：
1) 由系统各分子位置计算系统的势能；
2) 由式(5.3)和式(5.4)分别计算系统中各粒子所受的力及加速度；
3) 在式(5.5)中设定 t=δt，为一个极短的时间间隔，则可得到 δt 后各分子的位
置与速度。
通过以上步骤的反复循环，可以得到系统中分子运动轨迹、速度与加速度等
数据，可对轨迹进行各种结构、能量、力学、热力学、动力学等方面的分析。此
外，随着分子模拟的发展，适用于各类体系的力场相继诞生，使得分子动力学可
适用于多类体系的模拟。
② 周期性边界条件
模拟计算过程中，为使系统密度保持恒定，一般采用周期性边界条件，二维
盒中系统粒子的周期性边界条件如图 5.1 所示。
图中位于中央的盒子代表所模拟的系统，周期性镜像系统由模拟盒子与其周
围具有相同的排列及运动的盒子共同构成。为使模拟结果符合实际要求，需限制
系统中的粒子数与密度均保持不变，因此当计算过程中任一粒子移出盒外，则必
有一镜像粒子由相对方向移入。
1 1 1
2 2 2
3 3 3
4 4 4
5 5 5
1 1 1
2 2 2
3 3 3
4 4 4
5 5 5
1 1 1
2 2 2
3 3 3
4 4 4
5 5 5
图 5.1 周期性镜像系统
Figure 5.1 Periodic mirror image system
86
在计算系统中的分子作用力时，一般采用最近镜像方法。以图 5.1 中的粒子 1

和粒子 2 为例，在计算二者的相互作用力时，若 1 与左镜像系统中的粒子 2 距离
更近，则应计算中央系统粒子 1 与左镜像系统中的离子 2 的作用力，而非原系统
的粒子 2。由于在计算中是用来最近镜像方法，为避免因重复计算而导致的结果错
误，需采用截断半径的方法计算非键结的远程作用力，截断半径最大不能超过盒
长的一半。
5.1.3 蒙特卡罗方法
蒙特卡罗(MC)法是基于统计力学原理，通过获取大量微观状态来计算系统的
宏观性质。其基本思想是[114]：为求解特定问题，建立一个概率模型或随机过程，
使其参数等于问题的解，当所求问题本身属于随机问题时，则可根据实际物理情
况的概率法则来构造 MC 模型；然后通过对模型或过程的观察或抽样试验计算所
求参数的统计特征，从而得出所求解的近似值。
使用 MC 方法进行分子模拟的计算步骤为[115]：
① 使用随机数发生器产生一个随机的分子构型，并计算其能量 U(rN)。
② 对此分子构型的粒子坐标进行无规则的改变，r′=r+Δr，产生一个新的分子
构型，并计算新构型的能量 U(r′N)。
③ 比较新的分子构型与之前的分子构型的能量，判断是否接受新构型：
Pacc (0  n)  min{1,exp[ [U (r N )  U (r N )]]} (5.6)
若新的分子构型能量低于原分子构型的能量，则接受新构型，并使用新构型
进行下一次迭代。反之，则计算玻尔兹曼常数，同时产生一个随机数，若此随机
数大于所计算出的玻尔兹曼因子，则放弃该构型；若此随机数小于计算所得的玻
尔兹曼因子，则接受该构型并重复进行下一次迭代。
④ 重复以上步骤进行迭代计算，直到搜索出低于所给能量条件的分子构型或
得到最低能量构象方可结束。
5.2 可溶污秽成分对绝缘子闪络特性的影响机理
5.2.1 导电和溶解特性的影响
可溶污秽成分是通过对绝缘子表面导电特性的改变而影响其闪络电压的。由
定义可知，ESDD 反映了绝缘子表面污秽对应的导电特性所等值的 NaCl 的量。然
而，不同可溶污秽成分所对应的导电特性不同，由于此种差异，使得不同污秽成
分在同一 ESDD 下所对应的质量浓度不同。
参考离子配对所得结果，选取 11 中常见可溶污秽，在溶液温度为 20℃时，测
量各可溶盐成分分别在浓度为 0.25、0.50、1.00g/L 时的电导率，所得结果如图 5.2
所示。由测量结果可知，各常见可溶污秽成分在低浓度下，其溶液电导率 σ 与溶
87
液浓度 c 满足线性关系：
  k c (5.7)
各成分所对应的 k 值不同，在研究的 11 种污秽成分中，所对应的 k 值从大到
小排列为：MgCl2、NaCl、CaCl2、NH4NO3、(NH4)2SO4、NaNO3,、KNO3、Ca(NO3)2、
CaSO4、MgSO4、Mg(NO3)2。由于各污秽成分具有不同的导电特性，使得其在相同
质量浓度下所对应的 ESDD 各有不同，以所得污液电导率为 1.0mS/cm 的 KNO3 溶
液为例，其实际对应 KNO3 的质量浓度为 0.77g/L，然而在进行 ESDD 计算时，其
只能折算为 0.57g/L 的 NaCl，即 0.77g 的 KNO3 相当于 0.57g 的 NaCl。根据式(5.7)
可得，可溶污秽成分所对应的电导率与相同质量浓度下 NaCl 电导率的比率可表示
为：
i  ki / kNaCl (5.8)
其中 βi 为相同质量浓度下污秽 i 与 NaCl 的电导率比率，简称电导率比率；ki 和 kNaCl
分别对应第 i 种可溶物和 NaCl 的 k 值，计算结果如表 5.1 所示。由结果可知，由
于不同的导电特性，各可溶盐的电导率比率存在较大差异，其变化范围为
0.438~1.106，其中一定质量浓度的硫酸盐和二价阳硝酸盐的 ESDD 贡献率较小，
为 0.438~0.550，与其他一价硝酸盐所对应的 0.733~0.885 和氯化物所对应的
0.957~1.106 存在明显差异。因此，在考虑污秽成分的 ESDD 测量和人工染污时，
应将各可溶盐的电导率比率加以考虑。
2.5
NaCl MgCl2
CaCl2 NaNO3
2.0 KNO3 NH4NO3
电导率 (mS/cm)
Mg(NO3)2 Ca(NO3)2
1.5 (NH4)2SO4 MgSO4
CaSO4
1.0
0.5
0.57 0.77
0.0
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2
浓度 (g/L)
图 5.2 各可溶盐在低浓度下的电导率特性
Figure 5.2 Conductivity properties of soluble salts at low concentration level
88
表 5.1 各可溶污秽成分所对应的电导率比率
Table 5.1 Conductivity ratios of various soluble salts
污秽成分 β 污秽成分 β
MgCl2 1.016 Mg(NO3)2 0.438
CaCl2 0.957 Ca(NO3)2 0.550
NaNO3 0.784 (NH4)2SO4 0.825
NH4NO3 0.885 MgSO4 0.462
KNO3 0.733 CaSO4 0.485
除可溶盐的导电特性外，其溶解特性也会在一定程度上对 ESDD 产生影响。

对于易溶污秽成分如 NH4NO3、MgSO4 等，其在盐密研究范围内，绝缘子饱和附
水的情况下均能完全溶解，即 σ 和 c 在研究范围内理论上始终呈线性关系。然而
对于 CaSO4 这种微溶盐，其 σ 和 c 虽然在低浓度下呈线性关系，但随着 c 的增加，
其电导率呈现饱和趋势，此时溶液中同时存在溶解和如下的电离平衡：
CaSO4 Ca 2+ +SO42-
此时，CaSO4 将以两种形式存在，其一为溶解后的 Ca2+和 SO42-，这一部分是
贡献于 ESDD 的；其二则是以不溶物形式存在的 CaSO4 水合晶体，这一部分对
ESDD 无贡献，仅起到吸水和保水作用。
8.0
CaSO4
电导率 (mS/cm)
6.0 线性递推
4.28
4.0
2.33
2.0
0.0
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9
浓度 (g/L)
图 5.3 CaSO4 的导电特性

Figure 5.3 Conductivity property of CaSO4
CaSO4 的电导率特性测试结果如图 5.3 所示，由图可知，在低浓度下，CaSO4

的 σ 和 c 满足较好的线性关系，然而随着浓度的增加，其电导率的增量逐渐减小，
最终趋于饱和。由国内外诸多研究可知，绝缘子污秽成分中 CaSO4 含量普遍较高，
在绝缘子表面有限的饱和附水量条件下，一般不会处于低浓度的 σ-c 线性状态下；
然而，有研究指出[4,5,18]，绝缘子表面饱和附水量大致在 10~20mL 左右，但在 ESDD
测量时，普遍采用 300mL 及以上的水对绝缘子表面进行清洗，这对原本的饱和溶
89
液进行了稀释，造成了在污闪过程中未溶解的 CaSO4 进行大量溶解，使得测量

ESDD 远高于实际 ESDD。以原浓度为 5 g/L 的 CaSO4 溶液为例，其实际电导率为
2.33mS/cm，然而经稀释在折算所得的测量 ESDD 为 4.28mS/cm，这比实际电导率
增加了 83.7%。因此，污秽成分的溶解特性对绝缘子 ESDD 存在较大的影响，在
ESDD 测量时应对诸如 CaSO4 等微溶性物质进行单独考虑。
5.2.2 温度的影响
可溶污秽成分主要是以离子导电的形式对绝缘子污闪电压造成影响。国内外
诸多研究指出[5,7,8,33,40,64]，不同可溶污秽成分即使在相同 ESDD 下，所对应的绝缘
子污闪电压存在差异，本文第 4 章的污闪试验也得到了相似的结果。然而，有关
不同可溶污秽成分对绝缘子闪络电压的影响机理鲜有报道。Ramos N.[4]曾提出，污
秽的溶解度差异会造成闪络特性的差异，环境温度可能会对污闪电压造成显著影
响。前文述及，在绝缘子常见可溶污秽成分中，仅 CaSO4 在绝缘子饱和附水时不
能完全溶解，溶解度无法解释易溶污秽成分之间的闪络电压差异。
在 ESDD 测量时会将污秽溶液的电导率按 NaCl 的规律修正至 20℃的电导率，
然后进行 ESDD 换算。然而，不同污秽成分所对应的电导率-温度关系可能存在差
异，仅以 NaCl 的温度修正系数进行闪络电压的预测方法与实际情况存在偏差。与
此同时，污秽成分所具有的不同温度修正系数也将造成绝缘子污闪电压的差异。
Na+ Cl- 能量最小化

H2O
动力学模拟
模型构建
图 5.4 分子动力学模拟过程
Figure 5.4 Molecular dynamics simulation process
针对温度的影响，采用分子动力学(MD)的方法进行分子模拟，对 8 种常见可
溶污秽进行模拟，模拟采用 Materials Studio 软件实现，以 NaCl 为例，其模拟过程
如图 5.4 所示。在分子模型构建时，参考绝缘子饱和附水时较高 ESDD 的情况，将
90
20 个电解质分子所对应的阴阳离子加入 1000 个水分子中，其中，离子采用球棍模

型加以表示，水分子用线状模型表示，体系密度采用实际计算密度；能量最小化
采用结合了最速下降法、共轭梯度法和牛顿法的迭代算法的智能迭代算法；动力
学模拟过程中，采用最适合于电解质溶液的体系的 COMPASS 力场，模拟温度分
别为 5、10、20、30℃(对应热力学温度分别为 278、283、293、303K)，模拟时间
为 10ps，共计 10000 步，由模拟过程中的能量监测可以看出，所有模拟体系在 0.5ps
之前均达到能量平衡。
研究采用扩散系数 D 作为研究指标，在温度恒定，忽略水层电导和杂质电导
的理想条件下，离子电导率与扩散系数成正比。根据联系微观参数 D 和宏观参数
σ 的 Nernst-Einstein 方程可知，离子电导率表示为[116]：
nq 2
 i  Di (5.9)
KT
式中，σi 为离子电导率；Di 为离子扩散系数；n 为单位体积的内载流子数；q 为单
个载流子的电荷量；K 为玻尔兹曼常数；T 为热力学温度。而对于溶液体系，其总
电导率可表示为：
nZ 0e0 cZF 2
 ( D  D )  ( D  D ) (5.10)
KT RT
式中，Z0 为单个离子电荷量；e0 为电子电荷量；D+和 D-分别为阳离子和阴离子的
扩散系数；c 为电解质浓度；Z 为离子电荷数；F 为法拉第常数；R 为气体常数。
式(5.10)即为理想条件下电解质溶液的电导率表达式，实测溶液中还需考虑水层电
导率、杂质电导率和离子的扩散差异度参数。
在分子动力学模拟完成后，对模拟过程中离子的均方位移 MSD 进行统计分析，
扩散系数 D 的计算通过 Einstein 方程求得[117]：
1 d N
D lim   ri (t )  ri (0) 
2
(5.11)
2dN t  dt i 1
式中，d 为体系维数；N 为体系中的目标分子数； ri (t ) 和 ri (0) 分别为第 i 个粒子在
时刻 t 和 0 时的坐标。将得到的 MSD 数据与时间 t 作拟合直线，斜率 kMSD 即为
d N
  ri (t )  ri (0) ，由于 MSD 已经对粒子数 N 求了平均，因此对于三维体系，
2
dt i 1
系数 D 可简化为：
D  kMSD / 6 (5.12)
在实际数据处理过程中，由于受限于体系大小和模拟软件自身缺陷，选取体
系能量稳定后的时间段中拟合度较高的部分对 MSD 进行线性拟合。在各温度下进
行模型的构建与分子动力学模拟，根据式(5.12)所得的各可溶物离子的扩散系数与
温度的关系如图 5.5 所示。
91
8 9
7 8
扩散系数 (10-5cm2/s)
6 7
6
5
5
4
4
3
3
2 2 KNO3-K KNO3-NO3
NaCl-Na NaCl-Cl
1 1 NH4NO3-NH4 NH4NO3-NO3
NaNO3-Na NaNO3-NO3
0 0
0 5 10 15 20 25 30 35 0 5 10 15 20 25 30 35
温度 (℃) 温度 (℃)
9 1.8
8
1.5
7
6 1.2
5
Mg(NO3)2-Mg Mg(NO3)2-NO3 0.9
4 Ca(NO3)2-Ca Ca(NO3)2-NO3
3 0.6
MgSO4-Mg MgSO4-SO4
2
0.3
1 CaSO4-Ca CaSO4-SO4
0 0
0 5 10 15 20 25 30 35 0 5 10 15 20 25 30 35
温度 (℃) 温度 (℃)
图 5.5 离子扩散系数与温度的关系
Figure 5.5 The relationship between temperature and ion diffusion coefficient
由图 5.5 可知，各电解质中的阴阳离子的扩散系数随着温度的增加呈增长趋
势，且同种离子的扩散系数在不同的溶液中略有差异，一价离子的扩散系数明显
高于二价离子。由扩散系数与温度的关系，结合 Nernst-Einstein 方程可知，在
5~30℃，溶液的电导率随温度的增加而增加。以电导率最低的 5℃时的溶液电导率
为基准，计算各电解质溶液离子在各温度下的电导率增长率，根据式(5.10)可得
 T   278 278 DT   DT 
  1 (5.13)
 278 T D278  D278
式中 σT 和 σ278 分别为温度为 T 和 278K(5℃)时的溶液电导率；T 为热力学温度；D
为扩散系数。计算结果如图 5.6 所示。
30
NaCl NaNO3
25 KNO3 NH4NO3
离子电导率增长率 (%)
Mg(NO3)2 Ca(NO3)2
20 MgSO4 CaSO4
15
10
0
5 10 15 20 25 30
温度 (℃)
图 5.6 不同温度下离子电导率的增长率
Figure 5.6 The increasing rate of ionic conductivity under various temperatures
92
由图 5.6 可知，不同电解质溶液在各温度下，相对于 5℃时的电导率增长率存

在明显差异，但整体趋势大致相同；NaCl、NaNO3 等对应较低的增长率，MgSO4、
Mg(NO3)2 等对应较高的增长率；在 10~20℃之间，各可溶物的增长率均在 12%以
内。这意味着温度对各种电解质溶液具有不同程度的影响，这种影响的差异性在
污秽成分对绝缘子闪络特性的影响机理方面主要表现为以下两方面：其一是 ESDD
测量方面，仅以 NaCl 的温度修正系数对污秽溶液的电导率进行修正会导致测量
ESDD 与实际 ESDD 存在差异；其二是闪络电压(梯度)测量方面，随着闪络的发展
和环境因素的影响，绝缘子表面温度会发生变化，温度对不同电解质溶液电导率
的影响将造成各染污绝缘子闪络电压(梯度)的不同。以上两方面的共同作用将导致
不同污秽成分在相同测量 ESDD 下的绝缘子闪络电压(梯度)不同，温度对污秽溶液
电导率的影响可以解释不同污秽成分下，绝缘子闪络特性存在差异的现象。
5.2.3 电场的影响
可溶污秽成分对绝缘子闪络特性的影响主要来自于污液电导率，研究采用分
子动力学模拟的方法研究电场对不同污秽成分下绝缘子闪络特性的影响。分子模
型和模拟体系的建立方法与上节大致相同，其中温度控制在 20℃，并编写脚本实
现静电场的添加，模拟静电场的方向为图 5.4 中的 z 轴方向，由于绝缘子的平均闪
络梯度大多集中于 10~100kV/m，因此所添加的电场强度分别为 0、10、30、50、
70、100kV/m，由此可以得到总共 6 种电场强度下电解质溶液中粒子的运动规律。
NaCl-Na+ NaCl-Cl-
20 30
E=0 E=0
E=10 kV/m 25 E=10 kV/m
15 E=30 kV/m E=30 kV/m
MSD (angstrom )
MSD (angstrom )
2
E=50 kV/m 20 E=50 kV/m

E=70 kV/m E=70 kV/m
10 E=100 kV/m 15 E=100 kV/m
10
5
5
0 0
0 2 4 6 8 10 0 2 4 6 8 10
模拟时间 (ps) 模拟时间 (ps)
MgCl2-Mg2+ MgCl2-Cl-
10 20
E=0 E=0
E=10 kV/m E=10 kV/m
8
E=30 kV/m 15 E=30 kV/m
MSD (angstrom )
MSD (angstrom )
2
E=50 kV/m E=50 kV/m

6 E=70 kV/m E=70 kV/m
E=100 kV/m 10 E=100 kV/m
4
5
2
0 0
0 2 4 6 8 10 0 2 4 6 8 10
93
MgSO4-Mg2+ MgSO4-SO2-
4
8 10
E=0 E=0
E=10 kV/m E=10 kV/m
8
6 E=30 kV/m E=30 kV/m
MSD (angstrom )
MSD (angstrom )
2
2
E=50 kV/m E=50 kV/m
E=70 kV/m 6 E=70 kV/m
4 E=100 kV/m E=100 kV/m
4
2
2
0 0
0 2 4 6 8 10 0 2 4 6 8 10
CaSO4-Ca2+ CaSO4-SO2-
4
10 6
E=0 E=0
E=10 kV/m 5 E=10 kV/m
8
E=30 kV/m E=30 kV/m
MSD (angstrom )
MSD (angstrom )
2
2
E=50 kV/m 4 E=50 kV/m
6 E=70 kV/m E=70 kV/m
E=100 kV/m 3 E=100 kV/m
4
2
2 1
0 0
0 2 4 6 8 10 0 2 4 6 8 10
图 5.7 离子在不同电场强度下的均方位移
Figure 5.7 Mean square displacement of ions under various electric fields
4.0 4.0
NaCl加电场 MgCl2加电场
平均扩散系数 (10-5cm2/s)
3.5 NaCl无电场 3.5 MgCl2无电场
3.0 3.0
2.5 2.5
2.0 2.0
1.5 1.5
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
电场强度 (kV/m) 电场强度 (kV/m)
1.50 1.50
MgSO4加电场 CaSO4加电场
1.40 MgSO4无电场 1.40 CaSO4无电场
1.30 1.30
1.20 1.20
1.10 1.10
1.00 1.00
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
电场强度 (kV/m) 电场强度 (kV/m)
图 5.8 平均扩散系数与电场强度的关系
Figure 5.8 The relationship between average diffusion coefficient and electric field strength
运用分子动力学分别模拟 NaCl、MgCl2、MgSO4、CaSO4 四种电解质溶液在 6

种电场强度下，共计 24 个体系的运动规律，对电解质离子的均方位移 MSD 进行
94
统计分析，其结果如图 5.7 所示。将所得 MSD 数据按式(3.6)计算离子的扩散系数，

并求各电解质溶液的平均扩散系数 Dave=(D++D-)/2，所得结果见图 5.8。
由图 5.8 可知，对于溶液中电解质离子的平均扩散系数，NaCl 较高，MgCl2、
MgSO4 和 CaSO4 相对较低；电场的出现会使得各溶液中电解质离子的平均扩散系
数呈现不同程度的增长。以无电场情况下的平均扩散系数为基准，计算各溶液中
电解质离子电导率的增长率，结合式(3.4)可知
 E   0 DE   DE  D
  1  Eave  1 (5.14)
0 D0  D0 D0 ave
式中 σE 和 σ0 分别为电场强度为 E 和 0 时的溶液电导率；Dave 为平均扩散系数。计
算结果如图 5.9 所示，各溶液在不同电场强度下对应的离子电导增长率各不相同，
NaCl、MgCl2 、MgSO4 、CaSO4 相对于无电场情况下的离子电导率分别增长了
3.9%~22.0%、0.8%~8.1%、3.7%~8.9%、1.2%~6.6%，与平均扩散系数的规律相似，
NaCl 的离子电导率受电场影响较强，其余三种电解质受电场影响相对较弱。在电
场作用下的污秽溶液的离子电导率均高于无电场时的离子电导率，且各污秽溶液
受电场的影响程度存在差异，这就造成了绝缘子在不同可溶污秽成分下所对应不
同的绝缘子污闪特性。电场对电解质溶液离子电导率的影响，可以为不同可溶污
秽染污绝缘子的污闪特性差异提供合理解释。
25
E=10 kV/m
离子电导率增长率 (%)
20 E=30 kV/m
E=50 kV/m
15
E=70 kV/m
10 E=100 kV/m
0
NaCl MgCl2 MgSO4 CaSO4
图 5.9 不同电场强度下离子电导率的增长率
Figure 5.9 The increasing rate of ionic conductivity under various electric field strength
5.2.4 混合成分的相互影响
运用 MD 方法，对混合可溶污秽成分的相互影响进行模拟研究。一般认为，
在电解质完全溶解的情况下，溶液中各组分的电导率仍满足 σ-c 线性关系，溶液电
导率等于各组分电导率的叠加，此种观点忽略了各电解质离子间的相互影响。模
拟分为三个体系，每个体系中包括 4~5 个电解质溶液模型，对共计 13 个模型分别
95
进行模拟：其一为模拟 KNO3 对 NaCl 溶液离子电导率的影响，称其中 NaCl 为模

拟电解质，KNO3 为添加电解质；其二为模拟 NaCl 对 KNO3 溶液离子电导率的影
响，其中 KNO3 为模拟电解质，NaCl 为添加电解质；其三为模拟 NaCl 对 CaSO4
溶液离子电导率的影响，其中 CaSO4 为模拟电解质，NaCl 为添加电解质。将 20
个模拟电解质分子和 20×ra 个添加电解质分子加入到 1000 个水分子中形成溶液模
型，ra 的取值分别为 0.5、1.0、1.5、2.0(仅 CaSO4 体系)。
① 混合成分对电导率的影响
在分子动力学模拟结束后，计算各电解质溶液中各模拟电解质的离子扩散系
数和平均扩散系数，以及离子电导率变化率，计算方法与前两节相同，结算结果
如图 5.10 所示，图 5.10(d)中的红色部分代表数值为负。
由计算结果可知，在统计误差范围内，有添加电解质离子影响的情况下，模
拟电解质的离子扩散系数和平均扩散系数呈下降的趋势；相对于另两种情况，NaCl
对 CaSO4 的影响较为明显，其余两种情况的离子电导率变化率均在 10%以内，这
说明共存离子对 CaSO4 的离子电导率影响较大，而对其余离子，在工程实际问题
中，可以忽略共存离子的影响，对电导率采用线性方式进行近似处理。
5 8
7
4
3 5
4
2 3
NaCl-Na KNO3-K
2
1 NaCl-Cl KNO3-NO3
1
Dave Dave
0 0
0 0.5 1 1.5 0 0.5 1 1.5
ra ra
(a) NaCl 中添加 KNO3 (b) KNO3 中添加 NaCl

2.0 25
rₐ=0.5 rₐ=1.0
1.6 20
离子电导率下降率 (%)
rₐ=1.5 rₐ=2.0
1.2 15
0.8 10
CaSO4-Ca
0.4 CaSO4-SO4 5
Dave
0.0 0
0 0.5 1 1.5 2 NaCl KNO3 CaSO4
ra
(c) CaSO4 中添加 NaCl (d) 离子电导率变化率

图 5.10 扩散系数和离子电导率计算结果
Figure 5.10 Diffusion coefficient and ionic conductivity calculating results
96
混合电解质成分相互影响的原因，主要有两方面：
一是溶剂化作用，模拟所得的各电解质离子与 H2O 中 O 原子的径向分布函数
(RDF)如图 5.11 所示，图中 OW 为 H2O 分子中的氧原子。RDF 的第一个峰即代表
中心原子的第一水化层，可以看出，模拟电解质在不同浓度的添加电解质影响下，
其 RDF 峰值位置几乎不变，这表明 H2O 分子与离子中心原子的相对位置分布受添
加离子的影响小；但 RDF 峰值略有差异，此种差异在 NaCl 中的 Na+和 CaSO4 中
的阴阳离子得以体现，这表明随着添加电解质浓度的增加，模拟电解质离子能与
更少的水分子配位，溶剂化结构减弱，离子扩散速率增加，电导率增加，但由于
峰值差异不明显，使得溶剂化作用的影响较弱。
RDF (Na-OW) RDF (Cl-OW)

7 3.5
20NaCl 20NaCl
6 20NaCl+10KNO3 3 20NaCl+10KNO3
20NaCl+20KNO3 20NaCl+20KNO3
5 2.5
20NaCl+30KNO3 20NaCl+30KNO3
4 2
g(r)
g(r)
3 1.5
2 1
1 0.5
0 0
0 1 2 3 4 5 6 7 8 0 1 2 3 4 5 6 7 8
r (angstrom) r (angstrom)
RDF (K-OW) RDF (N-OW)
5 2
20KNO3
20KNO3+10NaCl
4
20KNO3+20NaCl 1.5
20KNO3+30NaCl
3
g(r)
g(r)
1
2
20KNO3
0.5 20KNO3+10NaCl
1
20KNO3+20NaCl
20KNO3+30NaCl
0 0
0 1 2 3 4 5 6 7 8 0 1 2 3 4 5 6 7 8
RDF (Ca-OW) RDF (S-OW)
14 6
20CaSO4 20CaSO4
12 20CaSO4+10NaCl 5 20CaSO4+10NaCl
20CaSO4+20NaCl 20CaSO4+20NaCl
10
20CaSO4+30NaCl 4 20CaSO4+30NaCl
8 20CaSO4+40NaCl 20CaSO4+40NaCl
g(r)
g(r)
3
6
2
4
2 1
0 0
0 1 2 3 4 5 6 7 8 0 1 2 3 4 5 6 7 8
图 5.11 离子与水分子的径向分布函数图
Figure 5.11 Radial distribution function graph of ion-OW
97
二是离子氛的作用，根据 Debye-Hukel 理论[118]，强电解质溶液中的离子(中心

离子)都被带异号电荷的离子包围，并形成被称为离子氛的球体。在无限稀释的溶
液中，离子间的距离大，静电作用小，可忽略离子氛的影响。随着溶液浓度的增
加，离子氛对中心离子运动的影响变大，中心离子在电场中的运动速度降低，从
而导致摩尔电导率减小[6]。在固定浓度的模拟电解质溶液中，随着添加电解质的加
入，溶液浓度增大，从而导致离子氛作用加强，电导率降低。
由扩散系数的变化趋势可知，在绝缘子 ESDD 相对较高的情况下，电解质溶
液相互影响过程中，离子氛的作用大于水的溶剂化作用，占主导地位。
②混合成分对 CaSO4 溶解度的影响
由 Debye-Hukel 极限公式可知[118]，电解质离子的活性系数与离子质量摩尔浓
度呈负相关性，即电解质离子溶解度越高，溶解的离子越多，则离子的活性系数
越小。Ramos N.曾指出[4]，外加离子可以显著降低电解质离子的活性系数，随着溶
液中外加离子量的增加，电解质离子活性系数降低，将促进电解质的溶解，使得
电解质的溶解度增加。
RDF (Ca-S)
25
20CaSO4
20CaSO4+10NaCl
20
20CaSO4+20NaCl
20CaSO4+30NaCl
15
20CaSO4+40NaCl
g(r)
10
0
0 1 2 3 4 5 6 7 8
r (angstrom)
图 5.12 Ca-S 径向分布函数图

Figure 5.12 Radial distribution function graph of Ca-S
表 5.2 Ca-S 径向分布函数峰值信息

Table 5.2 The peak value information of Ca-S RDF
加入 NaCl 分子数 0 10 20 30 40
位置 (Å) 2.69 2.69 2.69 2.71 2.71
第一峰值
峰值大小 15.874 1.315 7.777 8.212 2.925
位置 (Å) 3.35 3.33 3.31 3.37 3.37
第二峰值
峰值大小 24.817 19.732 11.447 11.770 20.368
98
本文从径向分布函数的角度分析混合成分对 CaSO4 溶解度的影响，分子模拟

所得 CaSO4 溶液中 Ca2+和 SO42-离子的中心原子 Ca-S 的径向分布函数如图 5.12 所
示，随着 NaCl 的加入，Ca-S 径向分布函数发生了显著变化，总的来说，Ca2+周围
的 SO42-主要集中在两个峰值处，其峰值位置和大小如表 5.2 所示。
由 Ca-S 的径向分布函数可知，随着 NaCl 的加入，Ca2+周围的 SO42-浓度较高
的位置几乎不变，而 Ca2+周围的 SO42-数目却大大减少，大部分离子从第一峰值位
置向第二峰值位置或更远的位置转移，这使得 Ca2+与 SO42-发生接触的几率减小。
NaCl 的加入阻碍了 Ca2+与 SO42-的结合，从而使 CaSO4 的溶解度增加。
③ CaSO4 与 NaCl 混合溶液的电导率变化特性
由以上分析可知，混合溶液对 CaSO4 溶液的电导率存在着两方面影响：其一
是 NaCl 的加入使得 CaSO4 中的离子扩散系数减小，从而使得溶液电导率降低；其
二是 NaCl 的加入使得 CaSO4 的溶解度增加，从而使得溶液电导率增加。在实际绝
缘子表面污秽中，CaSO4 的含量较高，这使得其饱和附水时的电导率曲线不会工作
于低浓度的线性区域，因此，这两方面的影响同时存在，且作用效果相反。
针对 CaSO4 与 NaCl 混合溶液的电导率变化特性进行试验，试验中向 2g/L 的
的 CaSO4 溶液中分别加入 0~4g NaCl，测量混合溶液的电导率，并与不考虑混合成
分相互影响的预测电导率进行比较；试验中，2g/L 的 CaSO4 溶液已工作于非线性
区，随着溶解度的变化，其电导率值也将发生变化，所得结果如图 5.13 所示。
由结果可知，由试验值拟合所得直线与不考虑混合溶液影响的预测值较为接
近，CaSO4 溶液受混合溶液两方面的影响得以抵消，混合成分对 CaSO4 的电导率
特性影响不大。
结合上述研究结果，可以得出结论：混合污秽成分对溶液的电导率特性存在
影响，这种影响主要体现在离子扩散系数和溶解度上；在统计误差和工程误差允
许范围内，可以忽略混合污秽成分的相互影响作用。
10
试验值
8 预测值
电导率 (ms/cm)
0
0 1 2 3 4
加入NaCl质量 (g)
图 5.13 混合溶液电导率的试验值与预测值
Figure 5.13 Test and prediction value for conductivity of mixed solution
99
5.3 不溶物吸水机理及微观模型
5.3.1 机理及模型概述
绝缘子表面不溶污秽成分主要是通过吸水和保水作用为可溶污秽提供溶剂，
从而影响绝缘子的闪络特性。不溶物的保水作用主要与绝缘子结构和颗粒粒径有
关，绝缘子型式结构决定了污层表面的载水量，粒径间隙决定了污层中的保水量，
同时也为污层中颗粒的表面吸水提供吸附质。不溶物的吸水作用主要与不溶物自
身的理化性质有关，且不溶污秽的闪络试验结果表明，不同不溶污秽成分对应的
绝缘子闪络特性存在差异，因此，不溶物的吸水作用对绝缘子闪络特性的存在影
响。
不溶污秽成分的吸水机理主要可分为表面吸水、孔洞吸水和层间吸水三方面
的作用，其微观模型示意如图 5.14 所示。图中，虚线圆框表示局部放大示意，红
色标记部分为各作用的吸水部位示意；分子示意中，不溶物用 CPK 模型表示，水
分子用线状模型表示。
表面吸水孔洞吸水层间吸水
污层
绝缘子表面
图 5.14 不溶物吸水的微观模型示意图
Figure 5.14 Schematic diagram for water sorption micro model of non-soluble contaminants
模型中，表面吸水作用是不溶污秽的主要吸水方式，其不仅存在于宏观的污
层表面，同时也存在于微观的污层内颗粒表面。对于污层表面，其吸附质主要来
源于大气和绝缘子表面附水；对于污层内的颗粒表面，其吸附质主要来源于颗粒
间隙。
孔洞吸水作用主要存在于 SiO2、Al2O3 等氧化物晶体中，这里的孔洞是指微观
的晶体孔洞，而不是宏观的颗粒间隙所形成的孔洞。污层中的 SiO2、Al2O3 等氧化
100
物晶体中存在着天然或人工制造(如工业废料)的微孔或介孔，这些孔洞虽作用面和
存在的普遍性不及表面吸水，但其吸水能力不容忽视。
层间吸水作用可看做是一种特殊形式的孔洞吸水，与孔洞吸水类似，层间吸
水也是指微观的分子层间的吸水作用，而非层状颗粒间的间隙。层间吸水主要存
在于层状硅酸盐矿物中，典型代表为高岭土的主要成分高岭石。高岭石晶体由其
基本结构单元沿晶体 c 轴方向重复堆叠组成，相邻结构单元层通过 Al-O 八面体的
OH 与相邻 Si-O 四面体的 O 以氢键联系，且易沿(001)方向裂解为小的薄片[119]。各
结构单元层之间存在微观间隙，这些间隙将起到层间吸水的作用。
5.3.2 表面吸水作用
采用分子动力学模拟的方法研究不溶物的表面吸水作用。模拟软件采用
Materials Studio，模拟对象分别为高岭土 Al-O 表面、高岭土 Si-O 表面、SiO2 晶体
表面和 Al2O3 晶体表面；将包含 100 个水分子，密度为 1.0g/cm2 的水盒子添加到各
表面模型上，并于最上方留出 30Å 深度的真空层，模拟温度为 20℃，表面吸水的
分子模型如图 5.15 所示。能量最小化采用智能迭代算法，分子动力学模拟中，将
表面分子固定，力场采用 COMPASS 力场，模拟时间为 100ps，共计 105 步。
(a) 高岭土 Al-O 面 (b) 高岭土 Si-O 面 (c) SiO2 表面 (d) Al2O3 表面
图 5.15 表面吸水的分子模型
Figure 5.15 Molecular model of surface water sorption
表面吸水的分子动力学模拟结果如图 5.16 所示。水分子在各表面的相对位置

均发生了变化，且水分子的整体形态体现出一定的规律性。对于高岭土的 Al-O 表
面，水分子均呈现 O 原子靠近表面，H 原子远离表面的形态；对于高岭土的 Si-O
表面，近表面的水分子呈现与 Al-O 表面相同的形态，而远表面的部分水分子的形
101
态无规律；且水分子在高岭土两种表面上的分布均呈现一定的层次性，Al-O 表面
的水分子离表面更近。对于 Al2O3 表面，水分子呈现 H 原子靠近表面，O 原子远
离表面的形态；而对于 SiO2 表面，水分子形态无明显的规律性。
(a) 高岭土 Al-O 面 (b) 高岭土 Si-O 面 (c) SiO2 表面 (d) Al2O3 表面
图 5.16 表面吸水的分子动力学模拟结果
Figure 5.16 Molecular dynamic simulationresults of surface water sorption
为进一步研究各不溶物表面的吸水作用，本文对分子动力学模拟的结果参数
进行了分析。
① 吸附能
水分子在各表面上的吸附能定义为[120,121]：
Eads  Etotal  ( Esurface  Ewater ) (5.15)
式中，Eads 为体系中水分子与表面的吸附能，kcal/mol；Eads 为负值时表示二者相互
作用可使体系能量降低，即水分子能在固体表面吸附，绝对值越大吸附作用越强；
Eads 为正值时，表示二者相互排斥，即水分子不能在表面吸附；Etotal 表示二者共存
时体系的构象能，kcal/mol；Esurface 为表面单独存在时的构象能，kcal/mol；Ewater
为水分子单独存在时的构象能，kcal/mol。单点能的计算方法为：在分子动力学模
拟后，可得到系统总能量 Etotal；平衡后去掉所有水分子且取消表面分子的固定，
可计算出表面能量 Esurface；去掉固体表面分子，可计算出水分子的构象能 Ewater。
然而，各模拟体系的表面积存在着差异，为统一量化标准，采用单位表面积
的结合能对体系的吸附作用进行衡量：
Eads
 
Eads (5.16)
N A  S surface
102
式中，E′ads 为单位表面积的结合能，kcal/m3；NA 为阿伏伽德罗常数；Ssurface 为模拟

体系中超晶胞的表面积，m3。经单位换算后的吸附能计算结果如表 5.3 所示。
由表 5.3 可知，对于水分子在单位表面的吸附能，高岭土最大，其次为 Al2O3
表面，SiO2 表面最小，其中高岭土 Al-O 面所对应的吸附能略高于 Si-O 面。根据
吸附能的大小，可以判断水分子在四种物质的表面吸附作用大小为：高岭土 Al-O
面 > 高岭土 Si-O 面 > Al2O3 > SiO2。
表 5.3 水分子在各表面的结合能计算结果
Table 5.3 Calculation results of binding energy between water and surfaces
固体表面高岭土 Al-O 高岭土 Si-O SiO2 Al2O3
Eads (kcal/mol) -9840.19 -6867.46 -23.70 -2834.58
Ssurface (Å2) 276.05 276.05 239.01 184.26
E′ads (cal/m2) -5.919 -4.131 -0.016 -2.555
② 径向分布函数
径向分布函数(RDF)是表征流体微结构特征的物理量，定义为局部密度相对于
系统平均体积密度的比值。通过径向分布函数可研究水分子相对于表面的分布特
性，径向分布函数计算中，截断距离取 20Å，采样间距为 0.02Å，共计 1000 个采
样点，其中水分子以 O 为参考原子，表面以最外层原子为参考原子，经移动平均
滤波处理后的“水-表面”径向分布函数 g(r)如图 5.17 所示，的第一峰值信息见表
5.4。
由径向分布函数可知，水分子在高岭土的表面呈明显的层状分布结构，高岭
土 Al-O 表面上的水分子主要分为三层，这与 Al2O3 表面相似；而高岭土 Si-O 表面
的水分子呈多层递减的分布，这与 SiO2 表面更为接近。且高岭土对水分子的作用
效果明显高于 Al2O3 和 SiO2，这表面高岭土具有更好的表面吸水效果。从“水-表
面”径向分布函数的第一峰值信息可知，各体系的第一峰值出现位置顺序为：高
岭土 Al-O 面 < 高岭土 Si-O 面 < Al2O3 < SiO2，而第一峰值大小顺序为：高岭土
Al-O 面 > 高岭土 Si-O 面 > Al2O3 > SiO2；这表明有更多的水分子集中分布于距离
高岭土表面更近的位置，由此可以说明，对于四种表面，高岭土 Al-O 面的表面吸
水作用最强，高岭土 Si-O 表面吸水作用略低于 Al-O 面，SiO2 的表面吸水作用最
弱，此结论与结合能的计算结果一致。
103
15 15
12 12
9 9
g (r)
g (r)
6 6
3 3
0 0
0 5 10 15 20 0 5 10 15 20
(a) 高岭土 Al-O 表面 (b) 高岭土 Si-O 表面

4 4
3 3
g (r)
g (r)
2 2
1 1
0 0
0 5 10 15 20 0 5 10 15 20
(c) SiO2 表面 (d) Al2O3 表面

图 5.17 水分子与表面的径向分布函数
Figure 5.17 Radial distribution function between water molecules and surfaces
表 5.4 “水-表面”径向分布函数的第一峰值信息
Table 5.4 The first peak value information of “water-surface” RDF
固体表面高岭土 Al-OH 高岭土 Si-O SiO2 Al2O3
r (Å) 1.55 2.39 3.63 3.07
g(r) 13.05 11.07 2.94 3.76
③ 平均力势
在吸附过程中，各固体表面与水分子之间的自由能可通过平均力势(PMF)确
定，平均力势根据 RDF 图中的 g(r)计算，计算公式为[120]：
PMF (r )   NKT ln g (r ) (5.17)
式中，PMF 为平均力势，kcal/mol；N 为水分子总数；K 为玻尔兹曼常数；T 为热
力学温度，K；g(r)为“水-表面”径向分布函数。根据文献[122,123]可知，亥姆霍
兹自由能定义为 PMF 图中的能量势垒值，即第一个波谷与第二个峰值的能量差，
四个模拟体系的平均力势和能量势垒的计算结果如图 5.18 所示。
PMF 计算图中，势能最小值的意义为固体表面与水分子之间的最小吸附能，Δ
为能量势垒(即亥姆霍兹自由能)，势垒越大，表示吸附作用越强。由计算结果可得，
104
水分子在高岭土 Al-O 表面、高岭土 Si-O 表面、SiO2 表面和 Al2O3 表面的自由能大

小分别为 146、151、80 和 134kcal/mol，由于高岭土的 Al-O 表面和 Si-O 表面所对
应的数值较为接近，在随机误差和统计误差范围内，可以判定水分子优先在高岭
土表面吸附，其次是 Al2O3 表面，最后为 SiO2 表面。
60 60
20 20
PMF (kcal/mol)
PMF (kcal/mol)
-20 -20
-60 -60
Δ=146kcal/mol
-100 -100 Δ=151kcal/mol
-140 -140
-180 -180
0 5 10 15 20 0 5 10 15 20
(a) 高岭土 Al-O 表面 (b) 高岭土 Si-O 表面

80 100
60
40
PMF (kcal/mol)
PMF (kcal/mol)
20 Δ=134kcal/mol
0 Δ=80kcal/mol
-20
-40
-60
-80 -100
0 5 10 15 20 0 5 10 15 20
(c) SiO2 表面 (d) Al2O3 表面

图 5.18 水分子与表面的平均力势
Figure 5.18 Potential of mean force between water molecules and surfaces
通过对吸附能、径向分布函数和平均力势的计算，多方面探索和验证了四种
表面对水分子的吸附作用顺序，所得结果为：表面吸水作用的大小顺序是高岭土
Al-O 面 > 高岭土 Si-O 面 > Al2O3 > SiO2。由于不溶物吸水主要是通过表面吸水作
用实现的，结合不溶污秽染污时的绝缘子的闪络试验结果可知，分子模拟结果与
闪络试验结果一致。
5.3.3 孔洞吸水作用
在 SiO2、Al2O3 等氧化物晶体中，存在着天然或人为因素(如工业废料)所造成
的微孔或介孔，这些孔洞存在的普遍性和作用范围的广泛性虽不及表面吸水作用，
然而其吸水能力不容忽视。
105
dp dp
SiO2 Al2O3
图 5.19 孔洞吸水的分子模型
Figure 5.19 Molecular model of pore water sorption
不溶物晶体孔洞吸水的模型如图 5.19 所示，其建立方法是在 9×9×4 的 SiO2

超晶胞和 9×9×2 的 Al2O3 超晶胞中剔除中央直径为 dp 范围内的 Si 原子和 Al 原子，
并删除所有未成键的 O 原子，对剩余部分的未成键原子以 H 原子连接，并进行结
构优化，最终得到直径为 dp 的 SiO2 和 Al2O3 的晶体孔洞结构。模拟中，孔径 dp 分
别取 1.0nm、1.8nm 和 2.5nm。
运用蒙特卡罗方法对不溶物的孔洞吸水作用进行分子模拟，模拟中，温度设
定为恒定 20℃，吸附剂为图 5.19 中的 SiO2 和 Al2O3 晶体孔洞模型，吸附质为水分
子，可以得到不溶物晶体孔洞吸水的各项参数。
① 吸附等温线
对体系进行 1~100kPa 逸度范围内的 MC 模拟，可得到的水分子在 SiO2 孔洞和
Al2O3 晶体孔洞内的吸附等温线。由于 SiO2 和 Al2O3 晶体孔洞的厚度不同，为便于
比较，将水分子的吸附量处理为单位厚度(nm)的平均吸附量，所得吸附等温线如
图 5.20 所示。
160 160
孔径1.0nm
120 120 孔径1.0nm
单位厚度吸水量
单位厚度吸水量
孔径1.8nm
孔径1.8nm
孔径2.5nm
80 80 孔径2.5nm
40 40
0 0
0 20 40 60 80 100 0 20 40 60 80 100
逸度 (kPa) 逸度 (kPa)
(a) SiO2 孔洞 (b) Al2O3 孔洞

图 5.20 水分子在孔洞内的吸附等温线
Figure 5.20 Adsorption isotherm of water on pores
由 SiO2 和 Al2O3 晶体孔洞的吸附等温线可知，孔洞结构在单位厚度的平均吸
106
水量随着逸度(即有效压强)和孔径的增大而增大，相同孔径下，在逸度 10kPa 以后，

两种不溶物孔洞的吸水量已逐渐趋于饱和，在逸度为 60~100kPa 时，吸水量变化
很小，可认为在压强为 100kPa 时，孔洞吸水作用已达吸附上限。对比 SiO2 和 Al2O3
晶体孔洞在相同孔径下的吸附等温线可得，SiO2 孔洞对水分子的吸附量大于 Al2O3
所对应的吸水量，且吸水量的差距随着孔径的增大而减小，这种现象可以从孔洞
的吸附机理上加以解释，在孔径较小时(如 1.0nm)，吸水作用主要是孔洞结构所产
生的，而随着孔径的增加，孔洞内表面会对周围水分子产生吸附作用，此时的孔
洞吸水可分为结构吸水和内表面吸水两方面的作用(由于孔洞为微孔和介孔级，吸
水作用仍以结构吸水为主)，且孔径越大，表面吸水作用表现得越为明显，由于 Al2O3
的表面吸水作用大于 SiO2 的表面吸水作用，因此随着孔径的增大，两者孔洞吸水
量的差距逐渐减小。
② 密度分布
选取逸度为 100kPa 时，各类型及直径的晶体孔洞研究水分子的密度分布，结
果如图 5.21 所示。由水分子的密度分布可知，当孔径较小时，被吸附于孔洞内的
水分子大多集中于孔洞内表面，孔洞中心的水分子密度较小；随着孔径的增大，
孔洞内的水分子密度呈增长趋势，且逐渐趋于均匀；孔洞外层水分子在内表面吸
附的作用下，形成一层束缚层，这一点在表面吸水作用较大的 Al2O3 晶体孔洞中表
现得尤为明显，内层水分子可称之为自由层，分布相对较为均匀。
5g/mL
(a) SiO2 dp=1.0nm (b) SiO2 dp=1.8nm (c) SiO2 dp=2.5nm

5g/mL
(d) Al2O3 dp=1.0nm (e) Al2O3 dp=1.8nm (f) Al2O3 dp=2.5nm

图 5.21 水分子在晶体孔洞内的密度分布
Figure 5.21 Density distribution of water molecular in crystal pores
107
③ 吸附构型
由吸附等温线可知，各孔洞在逸度为 100kPa 时的吸水作用均已达到饱和，因
此选取固定逸度 100kPa，获取水分子在孔洞内的能量最低构型，即平衡吸附构型，
结果如图 5.22 所示。
由所得的最低能量构型可以发现，束缚层的水分子具有统一的分子朝向，即
水中 H 原子均靠近孔洞内表面的 O 原子，水中 O 原子靠近内表面 H 原子；而自由
层的水分子朝向无规律。结合平衡吸附构型和密度分布结果发现，各孔洞中距离
内表面约 0.2dp 内的水分子为束缚层，其余为自由层。
(a) SiO2 dp=1.0nm (b) Al2O3 dp=1.0nm
(c) SiO2 dp=1.8nm (d) Al2O3 dp=1.8nm
(e) SiO2 dp=2.5nm (f) Al2O3 dp=2.5nm

图 5.22 水分子在孔洞内的能量最低构型
Figure 5.22 Lowest energy configuration of water moleculars in crystal pores
④ 吸附动力学分析
以 SiO2 孔洞为例，固定不溶物孔洞结构，对孔洞内水分子进行 100ps 的分子
动力学模拟，取孔洞中距离内表面约 0.2dp 内的水分子为束缚层，其余为自由层，
108
以水分子中的 O 原子为统计对象，可得到水分子在 SiO2 孔洞内的扩散特性如图

5.23 所示。
均方位移 MSD 可用以描述分子的扩散特性，其斜率与扩散系数的关系见式
(5.12)。由分子动力学模拟结果可知，由于表面吸附作用的影响，SiO2 晶体孔洞内
的束缚层水分子的扩散系数低于自由层的水分子扩散系数；对束缚层和自由层而
言，水分子的扩散系数随着孔径的增大而增大，这表明吸附于孔洞内的水分子受
内表面的整体影响随孔径的增大而减小；对于孔洞内的所有水分子，其平均扩散
系数也随孔径的增大而减小。
0.6 0.6
0.5 束缚层 0.5 束缚层

MSD (angstrom2)
MSD (angstrom2)
0.4 自由层 0.4 自由层
0.3 0.3
0.2 0.2
0.1 0.1
0 0
0 20 40 60 80 100 0 20 40 60 80 100
(a) dp=1.0nm (b) dp=1.8nm

1.2 1.2
束缚层孔径1.0nm
1 1
孔径1.8nm
MSD (angstrom2)
MSD (angstrom2)
0.8 自由层 0.8

孔径2.5nm
0.6 0.6
0.4 0.4
0.2 0.2
0 0
0 20 40 60 80 100 0 20 40 60 80 100
(c) dp=2.5 nm (d) 整体扩散特性

图 5.23 水分子在 SiO2 晶体孔洞内的扩散特性
Figure 5.23 Diffusion property water moleculars in SiO2 crystal pores
5.3.4 层间吸水作用
层间吸水是一种特殊形式的晶体孔洞吸水，其主要存在于如高岭石、方解石
等层状结构的硅酸盐矿物中。以高岭土为对象，对不溶污秽成分的层间吸水作用
进行研究。分子模拟过程中，高岭土采用 2×2×2 的晶体模型，其结构如图 5.24 所
示，hl 为高岭土晶体模型的层间距，h0 为元胞直接堆叠所形成的层间距，代表着最
小层距，此模型中 h0=0.19nm。
109
h0 hl
图 5.24 高岭土层间吸水的分子模型
Figure 5.24 Molecular model of kaolin layer water sorption
在 MC 方法模拟高岭土层间吸水作用时，层间距分别取 hl=0.19(即 h0), 0.93,

1.66, 2.40nm，模拟温度为 20℃，吸附剂为图 5.24 所示的高岭土层间吸水模型，吸
附质为水分子，可得到高岭土层间吸水作用的各项参数。
① 吸附等温线
250 250
逸度1.0kPa
200 层距0.187nm 层距0.925nm 200 逸度1.7kPa
层距1.664nm 层距2.402nm 逸度4.6kPa
平均吸水量
平均吸水量
150 150 逸度59.9kPa
100 100
50 50
0 0
0 20 40 60 80 100 0 0.5 1 1.5 2 2.5
逸度 (kPa) 层间距 (nm)
(a) 吸附等温线 (b) 层间距与吸水量的关系

图 5.25 高岭土层间吸水特性
Figure 5.25 Water sorption properties of kaolin layers
对体系进行 1~100kPa 逸度范围内的 MC 模拟，所得高岭土层间吸水特性如图

5.25 所示。图中信息表明，高岭土层间结构的吸水量随层间距和有效压强的增大
而增大，在相同层距下，层间吸水量在 10kPa 以后已达到饱和，逸度为 100kPa 时，
吸水量几乎不再增长；由层间距与吸水量的关系可知，高岭土层间平均吸水量与
层距在各研究逸度下呈良好的线性关系，利用此关系可以对各层距的层间吸水作
用进行预测。
110
层间吸水是一种特殊形式的孔洞吸水，为了与 SiO2 和 Al2O3 的孔洞吸水作用

进行对比，本文计算了不同孔径/层距在单位体积(nm3)内的平均饱和吸水量(逸度取
100kPa)，结果如表 5.5。
表 5.5 孔/层吸水在单位体积(nm3)内的平均饱和吸水量
Table 5.5 Average saturation water moleculars loading of pore/layer sorption in unit volume (nm3)
孔径(nm) SiO2 吸水量 Al2O3 吸水量层距(nm) 高岭土吸水量
1.00 34.7 15.6 0.93 47.6

1.80 29.5 24.2 1.66 49.3
2.50 29.6 27.7 2.40 50.1
由单位体积内的平均饱和吸水量计算结果可知，对于孔洞吸水(包括层间吸水)
作用，高岭土的平均吸水量最大，其次为 SiO2，SiO2 和 Al2O3 在孔径较大时，两
者的吸水量差距不大。结合表面吸水的结果可知，高岭土虽然由 SiO4 四面体与
AlO2(OH)4 八面体连接并堆叠而成，但其整体吸水性(表面吸水和孔层吸水)远高于
SiO2 和 Al2O3；Al2O3 的表面吸水作用强于 SiO2，但孔洞吸水作用弱于 SiO2。
② 密度分布
5g/mL
(a) hl=0.19nm (b) hl=0.93nm

5g/mL
(c) hl=1.66nm (d) hl=2.40nm

图 5.26 水分子在高岭土层间的密度分布
Figure 5.26 Density distributions of water moleculars in kaolin layers
111
选取逸度为 100kPa 时，各层间距的高岭土层状结构的水分子密度分布进行研

究，结果如图 5.26 所示。当层距为最小值时，仅有少量水分子吸附于高岭土分子
层间，且有固定的吸附点，此点位于 Al-O 面的 H 原子和 Si-O 层的 O 原子之间；
随着层间距的增加，高岭土层间的吸附点增多，Al-O 面的吸附点仍位于 H 原子附
近，而 Si-O 面的吸附点位于两 O 原子之间的位置，即 Si 原子所处方位；从密度
分布来看，水分子大多集中于层内表面，且 Al-O 面的水分子密度大于 Si-O 面的
水分子密度，水分子距离 Al-O 表面较近，而距离 Si-O 表面较远；中间层水分子
的分布相对较为均匀，且密度明显低于表面层的水分子。
③ 吸附构型及动力学分析
选取固定逸度 100kPa，求解水分子在层间的平衡吸附构型，结果如图 5.27。
当层距 hl=0.19nm 时，仅有少量水分子吸附于高岭土层间，且水分子中的 O 原子
靠近 Al-O 表面，H 原子远离 Al-O 表面；当 hl=0.93nm 时，层间 Al-O 面上的吸附
点位数量增加，且水分子朝向不变，而对于 Si-O 面，除少量水分子吸附于其表面
外，其余大多数水分子朝向无规律，这是由于 Al-O 面和 Si-O 面的吸附作用力相
互抵消所形成的；对于 hl=1.66 和 2.40nm 时，吸附于层间的水分子出现了两极分
化的现象，靠近两个表面的水分子均是 O 原子朝向表面，H 原子远离表面，而中
间层水分子的分子朝向无明显规律。
(a) hl=0.19nm (b) hl=0.93nm
(c) hl=1.66nm (d) hl=2.40nm

图 5.27 水分子在高岭土层间的能量最低构型
Figure 5.27 Lowest energy configuration of water moleculars in kaolin layers
112
对所得平衡吸附构型的层间水分子进行 MD 模拟，模拟时固定高岭土层状结
构，模拟时间为 100ps，模拟温度为 20℃。在模拟结果统计时，以水中 O 原子为
目标原子，排除图 5.27(a)(b)体系中的层外少量水分子，图 5.27(a)统计全部层间水
分子的扩散特性，图 5.27(b)除统计所有水分子外，还分别统计了 Al-O 层和 Si-O
层的水分子扩散特性，且两个水分子层的宽度相等，对于图 5.27(c)(d)，由于出现
了明显的分层现象，扩散特性统计时，除考虑全部水分子外，还将 hl 平均分为了
三层，对每层水分子分别进行统计，分别称为 Al-O 层、Si-O 层和中间层。
分子模拟所得扩散特性和扩散系数分别见图 5.28 和表 5.6。由吸附于高岭土层
间的水分子动力学特性统计结果可知，当层距为最低值时，水分子紧密束缚于层
间，其均方位移 MSD 和扩散系数均很小，扩散系数接近 0；随着层距 hl 的增加，
层间水分子的平均扩散系数逐渐增大。Al-O 层水分子的扩散系数远低于 Si-O 层水
分子的扩散系数，这是由 Al-O 表面和 Si-O 表面的吸附力不平衡所致，在相同距
离下，Al-O 表面吸附力大于 Si-O 表面吸附力，这使得 Al-O 层水分子所受束缚所
用更大，更难进行自由扩散；中间层水分子的扩散系数最大，这是由两个表面作
用力的相互抵消所致。对于 hl=1.66 和 2.40nm 的高岭土层状结构，所有水分子的
平均扩散系数更接近于 Si-O 层水分子的扩散系数。
0.05 20
Al-O层
0.04 Si-O层
15
MSD (angstrom2)
MSD (angstrom2)
全部水分子
0.03
10
0.02
5
0.01
0 0
0 20 40 60 80 100 0 20 40 60 80 100
(a) hl=0.19nm (b) hl=0.93nm

50 70
Al-O层 Al-O层
60
40 Si-O层 Si-O层
MSD (angstrom2)
MSD (angstrom2)
50
中间层中间层
30 40
全部水分子全部水分子
20 30
20
10
10
0 0
0 20 40 60 80 100 0 20 40 60 80 100
(c) hl=1.66nm (d) hl=2.40nm

图 5.28 水分子在高岭土层间的扩散特性
Figure 5.28 Diffusion property water moleculars in kaolin layers
113
表 5.6 水分子在高岭土层间的扩散系数(10-6cm2/s)
Table 5.6 Diffusion coefficients of water moleculars in kaolin layer (10-6cm2/s)
统计水分子层 hl=0.19nm hl=0.93nm hl=1.66nm hl=2.40nm
Al-O 层 — 0.432 0.557 0.262
Si-O 层 — 3.040 3.757 3.202
中间层 — — 7.608 11.632
全部水分子 — 1.435 3.237 4.355
由不溶污秽吸水的机理和微观模型可知，绝缘子表面常见不溶污秽成分中，
高岭土的吸水作用最强，Al2O3 和 SiO2 所对应绝缘子闪络特性差异的原因，不仅在
于 Al2O3 为金属氧化物，两者的表面吸水和孔洞吸水作用也存在着较大差异。由于
绝缘子表面不溶污秽成分种类繁多、测量相对困难，且其对绝缘子闪络特性的影
响相对较小，因此在不溶污秽成分较为复杂的地区建议采用吸水作用最强的高岭
土模拟绝缘子表面不溶成分，以保证电力系统外绝缘的安全稳定运行。
5.4 本章小结
本章运用分子动力学(MD)模拟，结合电解质溶解试验，探究了可溶污秽成分
对绝缘子污闪特性的影响机理；并全面考虑不溶物的吸水作用，通过分子动力学
模拟和蒙特卡罗(MC)模拟的方法，建立了不溶物吸水的微观模型，对不溶物的吸
水机理进行了模拟探究。所得的主要成果如下：
① 通过电解质溶解试验，得到了常见可溶污秽成分相对于 NaCl 的电导率比
率。污秽成分的溶解特性对 ESDD 测量存在着不可忽视的影响，在 ESDD 测量和
绝缘子闪络电压预测时应对诸如 CaSO4 等微溶性物质进行单独考虑。
② 通过 MD 模拟，研究了温度和电场对电解质溶液导电特性的影响，结果表
明，不同可溶污秽成分对应的温度修正系数有所不同；在电场作用下，污秽溶液
的离子电导率相对于无电场时有所提升，且各污秽溶液受电场的影响程度存在差
异。温度和电场的影响，为各可溶污秽成分在相同 ESDD 下的闪络特性差异性提
供了合理解释。
③ 通过 MD 模拟，结合离子扩散系数和径向分布函数，研究了混合成分对溶
液电导率和 CaSO4 溶解度的影响；根据 MD 模拟结果和电解质溶解试验，研究了
外加离子对 CaSO4 溶液电导率和溶解度的综合作用效果。结果表明，共存离子对
电导率的影响主要体现在溶剂化作用和离子氛作用两方面，且离子氛作用占主导
地位；外加离子对 CaSO4 溶液在离子扩散系数和溶解度方面存在影响，且两方面
作用效果相反；混合污秽成分对溶液的电导率特性产生的综合影响效果不明显，
114
在统计误差和工程误差允许范围内，可以忽略混合污秽成分的相互影响作用。
④ 对不溶物吸水机理进行了探究，并建立了不溶物吸水的微观模型。运用
MD 方法对表面吸水作用就行了模拟，模拟所得吸附能、RDF、PMF 等参数均表
明，几种不溶污秽的表面吸水作用大小顺序为：高岭土 Al-O 面 > 高岭土 Si-O 面 >
Al2O3 > SiO4，这与绝缘子闪络试验结果一致。
⑤ 运用 MC 方法对孔洞吸水和层间吸水作用进行了模拟，吸附等温线表明，
孔/层结构吸水量随孔径/层距的增大而增大，单位体积的孔洞/层间吸水量的大小顺
序为：高岭土 > SiO2 > Al2O3，其中高岭土层间吸水量随层距的增加呈线性增长，
Al2O3 晶体孔洞吸水量随孔径的增加逐渐接近 SiO2 孔洞的吸水量。对孔洞/层间的
水分子密度分布和平衡吸附构型进行了计算，并结合 MD 方法研究了水分子在孔
洞/层间内的吸附动力学特性。
⑥ Al2O3 和 SiO2 所对应绝缘子闪络特性差异的原因，不仅在于 Al2O3 为金属
氧化物，两者的表面吸水和孔洞吸水作用也存在着较大差异。结合闪络试验和不
溶物吸水作用模拟结果，建议在不溶污秽成分较为复杂的地区，采用常见污秽中
吸水性最强的高岭土对绝缘子表面污秽不溶物进行模拟。
115
116
6 混合污秽成分染污绝缘子的闪络电压预测
污秽成分对绝缘子闪络特性的影响不容忽视，在外绝缘设计和绝缘子闪络电
压预测中需对这一因素加以考虑。本章根据污秽成分的溶解特性和电导率特性，
对污秽成分的有效污秽度进行了定量表征；结合污秽成分对绝缘子闪络特性的影
响机理和规律、污秽成分测量与阴阳离子配对结果，综合考虑可溶物、微溶物、
不溶物三方面的影响因素，提出了混合污秽成分染污绝缘子的闪络电压(梯度)预测
方法，并对该方法进行了算例分析与试验验证。
6.1 污秽成分的有效污秽度表征
6.1.1 有效盐密与等值盐密的差异
绝缘子表面有效等值附盐密度(简称有效盐密，有效 ESDD)是指单位积污表面，
在润湿过程中有效的、能够溶出参与导电的盐分所对应的 NaCl 的质量[124,125]；其
与绝缘子表面性质、附水量以及污秽成分的溶解特性和导电特性有关。而绝缘子
表面等值附盐密度(简称等值盐密，ESDD)是一个静态参数，仅与绝缘子的污秽量、
成分和性质有关[1]。为进行混合污秽成分染污绝缘子的闪络电压预测，需先对污秽
成分所对应的有效污秽度进行表征。
国内外研究表明，绝缘子污秽成分主要以 CaSO4 为主，NaCl 和其它污秽成分
也占一定比例。经调研和查阅相关文献和统计数据表明，大多数地区 CaSO4 的含
量超过 50%。然而在输电线路外绝缘设计和绝缘子串污闪电压预测的实际应用中，
大多采用 300mL 的水洗净单片绝缘子表面污秽，测量污液电导率，再折算为等值
的 NaCl 含量，但实际绝缘子表面饱和附水量仅 10~20mL，这使得实际绝缘子表面
饱和附水情况下未溶解的部分在 ESDD 测量时大量溶解。在混合污秽成分的污闪
电压预测中，一方面由污液电导率计算而得的 CaSO4 对应的 ESDD 高于实际参与
导电的有效盐密，在进行闪络电压预测时高估了 CaSO4 的贡献，同时随着此消彼
长的作用，也低估了易溶污秽对有效盐密的贡献，使得预测的闪络电压高于实际
闪络电压；另一方面，CaSO4 对绝缘子闪络电压的影响包括了溶解部分和未溶解部
分的影响，应针对这两方面的综合作用加以考虑。
由可溶污秽成分对绝缘子闪络特性的影响机理和混合污秽下绝缘子的闪络特
性可知，绝缘子表面的易溶污秽成分可以用线性叠加的方法对其闪络电压梯度进
行计算与预测，而 CaSO4 由于其微溶特性，导致其有效盐密与等值盐密存在较大
差距，且其对绝缘子闪络梯度的影响机理有异于易溶污秽成分。表 6.1 列出了绝缘
子表面常见可溶污秽的溶解度。
117
表 6.1 可溶污秽成分的溶解度
Table 6.1 Solubility of soluble pollution constituents
溶解度 (g/100mL) 溶解度 (g/100mL)
污秽成分污秽成分
20℃ 30℃ 40℃ 20℃ 30℃ 40℃
NaCl 35.9 36.1 36.4 KNO3 31.6 45.3 61.3

KCl 34.2 37.2 40.1 Mg(NO3)2 69.5 73.6 78.9
MgCl2 54.6 55.8 57.5 Ca(NO3)2 129 152 191
CaCl2 74.5 100 128 (NH4)2SO4 75.4 78 81
NaNO3 87.1 95.0 103 MgSO4 33.7 38.9 44.5
NH4NO3 192 242 297 CaSO4 0.255 0.264 0.265
由各可溶污秽成分的溶解度可知，微溶物 CaSO4 的溶解度远低于其余常见绝

缘子表面污秽成分，各易溶污秽成分的溶解度均达到 CaSO4 溶解度的 100 倍以上。
绝缘子表面饱和附水量约为 10~20mL，以 A 型瓷绝缘子和 B 型玻璃绝缘子为例，
在温度为 20℃，附水量为 20mL 时，仅有 0.051g 的 CaSO4 能够溶解(忽略饱和前的
非线性特性)，此时对应的 ESDD 值为 0.024mg/cm2；而除 CaSO4 以外，20℃溶解
度最低的 KNO3，在饱和溶解时所对应的绝缘子 ESDD 值为 3.01mg/cm2。由绝缘
子污秽成分测量结果可知，CaSO4 在可溶污秽成分中的含量较高，由此可以判定，
实际绝缘子表面饱和附水时，除 CaSO4 外，其余可溶污秽均可完全溶解，CaSO4
所对应的有效盐密远低于等值盐密，需根据其溶解特性对有效盐密进行表征。
6.1.2 硫酸钙的有效污秽度
硫酸钙有效盐密与等值盐密的差异主要来自于绝缘子表面(饱和)附水量与盐
密测量用水量之间的差异。对易溶盐而言，由于其盐浓度和电导率之间的线性关
系，使得其将 300mL 水测量所得的等值盐密折算为 20mL 水对应的盐密呈等价关
系。而对于 CaSO4 而言，其 300mL 水所对应的 2.5g/L 的 CaSO4 浓度，折算为 20mL
水中的 CaSO4 浓度已高达 37.5g/L，远已超过其饱和溶解度，具体关系见图 6.1。
由图 6.1 可知，当实际盐浓度高于约 2.5g/L，即 300mL 水所测盐浓度高于
0.17g/L 时，绝缘子上的 CaSO4 呈饱和趋势，这就造成了有效盐密与 ESDD 的差异，
且这种差异随着 CaSO4 浓度的增大而急剧增大，使得混合污秽成分中，所测得的
CaSO4 对应的 ESDD 高于其有效 ESDD，使得考虑污秽成分的污闪电压预测偏高。
118
18
20mL水实际值
15
300mL水折算值
电导率 (mS/cm)
12
0
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20
浓度 (g/L)
图 6.1 CaSO4 电导率实际值与折算值的差异

Figure 6.1 conductivity discrepancy of CaSO4 between actual value and referred value
针对 CaSO4 的微溶特性，研究 CaSO4 的“电导率-浓度”关系曲线，对 CaSO4

在混合污秽成分中的有效 ESDD 进行表征。根据 CaSO4 浓度与电导率关系曲线的
低浓度线性特性和高浓度饱和特性，可将其近似简化为两个线性函数，如图 6.2 所
示。当 CaSO4 浓度低于 cs 时，电导率随浓度从 0 开始线性增长，当 CaSO4 浓度高
于 cs 时，电导率保持不变，由数据拟合可得，临界浓度 cs=2.758g/L，此浓度略高
于 CaSO4 的溶解度，这是由于 CaSO4 的溶解和电离是一个可逆反应，除完全溶解
的部分外，可逆反应过程中离子的相互作用也会对溶液电导率造成一定影响。此
时 CaSO4 的电导率可近似表示为：
0.856c,c  cs
 硫酸钙   (6.1)
 2.361,c  cs
式中，σ 硫酸钙为 CaSO4 溶液的电导率，mS/cm；c 为 CaSO4 溶液浓度，g/L。
3.0
2.5
电导率 (mS/cm)
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
0 1 2 cs 3 4 5 6 7 8 9
浓度 (g/L)
图 6.2 基于 CaSO4 电导率-浓度曲线的 ESDD 修正方法
Figure 6.2 Correlation method of ESDD based on CaSO4 conductivity-concentration curve
119
根据电导率-浓度特性，提出 CaSO4 有效 ESDD 的修正系数 Kβ，当测量所得指

定绝缘子的 CaSO4 对应的 ESDD 小于临界值 cs 所对应的 ESDD 时，Kβ=1；当其大
于临界值对应的 ESDD 时，其所对应的有效 ESDD 记为临界值所对应的 ESDD，
则有以下表达：
 1, SDD 0   0csVs / As
K   (6.2)
cs / c, SDD 0  0csVs / As
 cV
 SDD 0  0 s (6.3)
As
则 CaSO4 的有效盐密：
SDD
*
0  K    SDD 0 (6.4)
由式(6.2)~式(6.4)可得：
  SDD 0 , SDD 0   0csVs / As
 SDD
*
0  (6.5)
 0csVs / As , SDD 0   0csVs / As
式(6.5)即为 CaSO4 有效盐密的计算式，式中，ρ*SDD0 为 CaSO4 的有效附盐密度，
mg/cm2；ρSDD0 为 CaSO4 所对应的等值附盐密度，mg/cm2；β0 为 CaSO4 相对于 NaCl
的电导率比率，已于表 5.1 得到 β0=0.485；cs 为饱和浓度临界值，cs=2.758mg/mL；
Vs 为绝缘子表面(饱和)附水量，mL；As 为绝缘子表面积，cm2。
因此式(6.5)可进一步表示为：
  SDD 0 , SDD 0  1.338Vs / As
 SDD
*
0  (6.6)
1.338Vs / As , SDD 0  1.338Vs / As
由式(6.6)可知，对于同一绝缘子，其表面的有效 ESDD 与绝缘子表面(饱和)
附水量有关，不同的附水量将导致 CaSO4 的溶出质量不同，影响表面污层的导电
性质，从而影响绝缘子的闪络特性。
实际运行绝缘子表面污秽中，CaSO4 溶解于水中的部分贡献于表面污层的导电
性质，而其未溶解的部分也将起到类似于不溶物的吸水与保水作用，对绝缘子闪
络特性造成间接影响，我们将这部分 CaSO4 称作 CaSO4 的附加污秽度，用 ρ*NSDD0
表示，其计算式为：
 NSDD
*
0   SDD 0   SDD 0
*
(6.7)
由此，CaSO4 的有效污秽度由其有效盐密与附加污秽度两部分组成，在进行绝
缘子闪络电压预测时，需对两部分的共同作用加以考虑。
6.1.3 混合污秽成分的有效污秽度
由表 6.1 可知，外绝缘常见易溶污秽成分在绝缘子饱和附水时(10~20mL)，在
污秽度研究范围内均能完全溶解。结合有效盐密的定义可知，易溶污秽成分在亲
水性表面绝缘子上的有效附盐密度 ρ*SDDi 近似等于其等值附盐密度 ρSDDi。
120
然而，在混合污秽成分中，各成分所对应的等值附盐密度不能直接测量得到，
所得到的是混合污秽的等值附盐密度 ρESDD 和各污秽成分的质量分数 αi，其中，各
成分的质量分数通过绝缘子表面污秽测量和离子配对的方法得到，需要建立 αi 与
ρ*SDDi 的等值关系。
引入绝缘子表面的附着盐密度 ρSCD 和电导率比率 β 两个参量，对 p+1 种可溶
盐存在时，ρSDD 与 α 的等值关系进行研究。各可溶物电导率比率 β 已于根据其电
导率特性得出，见表 5.1。
对于两种盐所组成的混合物，如 NaCl 与质量分数为 α，电导率比率为 β 的易
溶污秽成分混合时，ρESDD 与 ρSCD 的关系可表示为：
ESDD  (1   ) SCD  SCD  (1     ) SCD (6.8)
式中，ρESDD 为混合物质的等值附盐密度，mg/cm2；ρSCD 为总体盐附着密度，mg/cm2。
则当 NaCl 分别与各可溶盐混合时，ρESDD 与 ρSCD 的关系为：
MgCl2 :  ESDD  (1  0.016 )  SCD Mg(NO3 ) 2 :  ESDD  (1  0.562 )  SCD
CaCl2 :  ESDD  (1  0.043 )  SCD Ca(NO3 ) 2 :  ESDD  (1  0.450 )  SCD
NaNO3:  ESDD  (1  0.216 )  SCD (NH 4 ) 2SO 4 :  ESDD  (1  0.175 )  SCD (6.9)
MgSO 4 :  ESDD  (1  0.538 )  SCD NH 4 NO3:  ESDD  (1  0.115 )  SCD
KNO3:  ESDD  (1  0.267 )  SCD CaSO 4 :  ESDD  (1  0.515 )  SCD
然后根据质量分数 αi 和电导率比率 βi，可计算得到各成分所对应的 ρSDDi，即
易溶污秽成分所对应的有效盐密 ρ*SDDi。
然而，实际绝缘子污秽中不只存在两种可溶污秽成分，当 p+1 种盐混合时，
对于某一种盐的等值附盐密度 ρSDDi 与其盐附着量 ρSCDi，以及第 i 种盐与第 j 种盐
的附着量存在以下关系：
 SDDi  i  SCDi
 SDD j   j  SCD j (6.10)
 SCDi :  SCDj   i :  j
则混合物中各种可溶盐的等值附盐密度之比为：
SDDi : SDDj  i i :  j  j (6.11)
各可溶盐的等值附盐密度 ρSDD 与整体等值附盐密度 ρESDD 存在以下关系：
p
 ESDD    SDDi (6.12)
i 0
则由式(6.11)和式(6.12)可得：
 i i
 SDDi  p
  ESDD (6.13)
 
i 0
i i
当 CaSO4 存在时，混合污秽的整体有效盐密为：
ESDD
*
 ESDD  SDD 0  SDD
*
0 (6.14)
121
各易溶污秽成分所对应的有效盐密为：
 i i
 SDDi
*
  SDDi  p
  ESDD ,i  0 (6.15)
 
i 0
i i
式中，p 为主要易溶污秽成分种类数；下标 0 表示 CaSO4 所对应的相关参数，下标

i=1~p 表示易溶污秽成分所对应的参数；ρ*ESDD 为混合污秽的有效附盐密度，
mg/cm2；ρESDD 为测量所得等值附盐密度，mg/cm2；ρ*SDDi (i=0~p)为为混合污秽中
各成分所对应的有效等值盐密，mg/cm2；ρSDDi (i=0~p)为混合污秽中各可溶成分所
对应的测量等值盐密，mg/cm2；αi (i=0~p)为可溶污秽成分的质量分数；βi (i=0~p)
为等浓度可溶污秽成分相对于 NaCl 的电导率比率。
6.2 绝缘子闪络电压梯度预测方法
6.2.1 混合污秽成分下绝缘子的闪络梯度计算方法
① 混合污秽成分染污时绝缘子的闪络梯度计算
绝缘子表面污秽成分多种多样，由于在闪络的产生和发展的过程中，绝缘子
表面温度、电场的变化以及其他因素的影响，使得各污秽成分所对应的闪络特性
存在差异，此种差异使得混合污秽成分下绝缘子的闪络电压(梯度)与整体有效附盐
密度 ρ*ESDD 不存在单值的对应关系。K. C. Holte 曾提出[8]，混合可溶污秽成分下的
绝缘子闪络电压可用线性叠加的方法进行预测与计算，然而，有关其详细论证和
适用性分析的研究鲜有报道。他提出的计算方程为：
p
 SDDi  U fi
Uf  i 0
p
(6.16)
i 0
SDDi
式中，Uf 为混合污秽的绝缘子闪络电压，kV；ρSDDi 为第 i 种可溶污秽成分对应的

等值附盐密度，mg/cm2；Ufi 为第 i 种成分在总盐密下的闪络电压，kV。
经本文混合物质电导率和闪络特性的理论和试验验证，在完全溶解的情况下，
混合物质的电导率与各单一物质的电导率线性叠加结果差别不大，因此在绝缘子
污秽闪络过程中，各可溶污秽成分对污闪电压的影响是相互独立的，混合污秽成
分的闪络电压梯度可表示为各单一污秽成分的线性叠加。因此，本文认为，对于
易溶污秽成分，可用式(6.16)的线性叠加方程对混合污秽成分的绝缘子闪络电压进
行计算；而对于 CaSO4，在不考虑其未溶解部分对绝缘子闪络特性影响的前提下，
可运用其有效盐密进行叠加计算。
即在不考虑 CaSO4 未溶解部分的情况下，对于包括 CaSO4 在内的 p+1 种混合
污秽成分下的污闪电压梯度，可将式(6.16)改写为：
122
 *
SDDi  ELi p
EL  i 0
p
 (  SDDi
*
 ELi ) /  ESDD
*
(6.17)

i 0
*
SDDi
i 0
式中，ρ *
ESDD 为混合污秽成分下绝缘子的有效附盐密度，mg/cm2；ρ*SDDi 为第 i 种
污秽成分所对应的的有效附盐密度，mg/cm2；EL 为混合污秽成分下绝缘子的闪络
kV/m；ELi 为第 i 种污秽成分在 ρ*ESDD 下的绝缘子的闪络电压梯度，kV/m。
电压梯度，
用 γi 表示第 i 种污秽的有效盐密相对于整体有效盐密的占比，即
γi=ρ*SDDi/ρ*ESDD，上式可简化表达为：
p
EL    i ELi (6.18)
i 0
② 硫酸钙有效污秽度与绝缘子闪络梯度的关系
实际污秽绝缘子表面，存在着大量未溶解的 CaSO4，在 CaSO4 染污绝缘子的
闪络梯度计算中，除了考虑溶解部分所对应的有效 ESDD 外，还需考虑未溶 CaSO4
所对应的附加污秽度闪络电压的影响。
对于某一片绝缘子，其表面附水量不是一直增长的，而存在着一个极值，称
之为绝缘子饱和附水量，在绝缘子表面附水量达到了饱和时，CaSO4 的溶解和未溶
解的量相对固定，而由于溶解和未溶解部分对绝缘子污闪电压梯度的影响相对独
立，则在测量灰密固定的情况下，绝缘子表面 CaSO4 对其污闪电压梯度的影响可
表示为：
EL 0  a0  SDD
* n0
0   NSDD 0
* ms
(6.19)
式中，EL0 为单一 CaSO4 可溶污秽成分下绝缘子的污闪电压梯度，kV/m；a0 为与绝
缘子型式结构相关的常数；ρ*SDD0 为 CaSO4 的有效等值附盐密度，mg/cm2；ρ*NSDD0
为 CaSO4 未溶解部分所对应附加污秽度，mg/cm2；n0 和 ms 分别为 CaSO4 溶解部分
和未溶解部分对绝缘子污闪电压梯度影响的特征参数。
绝缘子饱和附水时，在未溶解部分中，CaSO4 大多以结晶水合物的形式存在，
Ca 与 SO42-之间以离子键的形式键合，且此时 CaSO4 水合晶体表面已有大量水分
2+
子存在，其虽具有如其它不溶物一般的吸水和保水特性，但其化学性质不如其他
不溶物稳定，这就使得 CaSO4 的未溶解部分虽以不溶物的形式存在，但其对绝缘
子闪络特性的影响不完全等同于其它不溶物。为研究 CaSO4 对绝缘子闪络特性的
影响，可将其未溶解部分纳入溶解部分进行综合考虑，则式(6.19)可表示为：
EL 0  a0  ( SDD
*
0   NSDD 0 )
*ms / n0  n0
 a0  SDDs
*n0
(6.20)
式中，ρ*SDDs 为综合考虑 CaSO4 有效盐密和附加盐密所等效的参数，我们称之为
CaSO4 视在盐密，mg/cm2。则结合式(6.5)，可得 CaSO4 对绝缘子污闪电压梯度的
修正计算表达示为：
123
 EL 0  a0   SDDs
* n0
 ms / n0
 *  0 csVs   SDD 0 csVs  (6.21)
  SDDs    
 As   0 As 
式中，EL0 为绝缘子的污闪电压梯度，kV/m；a0 为与绝缘子型式结构有关的常数；

ρSDDs 为 CaSO4 的视在盐密，mg/cm2；n0 为有效盐密和视在盐密的影响特征参数；
ms 为 CaSO4 未溶解部分对绝缘子污闪电压梯度影响的特征参数；ρESDD 为绝缘子的
测量等值盐密，mg/cm2；β0 为 CaSO4 的电导率比率，β0=0.485；cs 为水量修正临界
值，cs=2.758mg/mL；Vs 为绝缘子表面饱和附水量，mL；As 为绝缘子表面积，cm2。
式(6.21)即为 CaSO4 染污时绝缘子污闪电压梯度的修正方程，通过闪络试验对
方程中的 a0、n0、ms 进行求解。以 A 型瓷绝缘子和 B 型玻璃绝缘子为例，不溶物
用高岭土模拟，且灰密控制在 0.10mg/cm2 左右，对绝缘子进行单一 CaSO4 可溶污
秽下的绝缘子污闪试验，所得数据如表 6.2 所示。
表 6.2 CaSO4 的污闪试验结果

Table 6.2 Flashover test results of CaSO4
A: XP4-160 B: LXY4-160
试验编号
ρSDD0 (mg/cm2) EL0 (kV/m) σ% ρSDD0 (mg/cm2) EL0 (kV/m) σ%
1 0.019 67.7 2.9 0.028 72.8 3.7
2 0.023 63.7 5.9 0.041 69.5 5.4
3 0.032 59.6 4.3 0.072 63.2 3.5
4 0.027 61.2 7.2 0.055 65.3 6.8
5 0.045 57.3 4.5 0.111 59.0 2.4
6 0.066 54.9 3.4 0.145 56.9 7.0
表 6.3 CaSO4 染污时绝缘子污闪特征参数求解结果

Table 6.3 Calculation Results of flashover parameters for insulators polluted by CaSO4
绝缘子型号 a0 n0 ms ms/n0
A: XP4-160 22.25 0.173 0.078 0.451
B: LXY4-160 23.63 0.178 0.109 0.612
取绝缘子表面饱和附水量 Vs=20mL，运用 Levenberg-Marquardt 优化算法对式

(6.21)求解，得到 A 型瓷绝缘子和 B 型玻璃所对应的参数如表 6.3 所示。
由求解参数可知，当绝缘子饱和附水量取 20mL 时，在不溶物用高岭土模拟，
124
灰密接近 0.10mg/cm2 的情况下，对于 A 型瓷绝缘子，CaSO4 染污绝缘子的污闪电

压梯度计算式为：
 EL 0  22.5   SDDs
 * 0.173
 * (6.22)
  SDDs  0.0128   2.062  SDD 0  0.0263
0.451

对于 B 型玻璃绝缘子，CaSO4 染污绝缘子的污闪电压梯度计算式为：
 EL 0  23.6   SDDs
 * 0.178
 * (6.23)
  SDDs  0.0128   2.062  SDD 0  0.0263
0.612

则对于 A 型瓷绝缘子和 B 型玻璃绝缘子，其测量盐密 ρSDD0、视在盐密 ρSDDs
和闪络电压梯度 EL0 之间的关系如图 6.5 所示。
8 85
7 A型绝缘子 A型绝缘子
6 B型绝缘子 75 B型绝缘子
ρ*SDDs (10-3mg/cm2)
5
EL0 (kV/m)
4 65
3
2 55
1
0 45
0 0.03 0.06 0.09 0.12 0.15 0 2 4 6 8 10
ρSDD0 (mg/cm2) ρ*SDDs (10-3mg/cm2)
图 6.3 CaSO4 染污时的绝缘子污闪电压梯度计算

Figure 6.3 Flashover voltage gradient calculation of insulators polluted by CaSO4
在混合污秽成分的绝缘子污闪电压的预测过程中，可根据式(6.18)，综合考虑
溶解部分的有效盐密和未溶解部分的附加污秽度对 CaSO4 染污绝缘子的污闪电压
梯度进行计算。综合考虑多种可溶污秽成分时，混合可溶污秽成分的绝缘子闪络
电压梯度计算表达式为：
p p
EL    i ELi   0 EL 0    i (ai  ESDD
* ni
)   0 EL 0 (6.24)
i 1 i 1
式中，γ0 为 CaSO4 所对应的有效盐密占比；EL0 为 CaSO4 在下 ρ*ESDD 的闪络电压梯

度，kV/m。
③ 考虑不溶物影响的绝缘子闪络梯度预测
绝缘子表面污秽成分中，不溶物种类繁多且测量相对困难，同时其对绝缘子
闪络特性的影响主要是通过吸水和保水作用为可溶物提供溶剂所实现的，是一种
间接影响方式。由不溶污秽成分的闪络试验结果可知，不溶物对绝缘子的闪络特
性的影响相对较小，因此在工程应用时，可简化程序使用单一不溶污秽模拟绝缘
子表面不溶污秽成分。为保证电力系统外绝缘的安全稳定运行，本文建议使用常
125
见不溶污秽成分中吸水性最佳的高岭土模拟绝缘子表面污秽不溶成分。
在工程设计试验中，探究可溶污秽对绝缘子闪络特性的影响时，通常需要控
制变量，即固定 NSDD 为 ρN，从而得到 EL 与 ρESDD 的关系，如第四章中，控制 NSDD
为固定值 ρN=0.10mg/cm2。实际上可溶污秽成分试验得到的绝缘子闪络特性为：
EL ( ESDD , NSDD   N )  a   ESDD
n
(6.25)
而将不溶物纳入考虑范围时，电压梯度预测关系为：
EL ( ESDD , NSDD )  amn  ESDD
n
  NSDD
m
(6.26)
在固定不溶物染污试验时，虽试验得到了式(6.26)中的各参数，然而所得 amn
仅是可溶物为 NaCl 时的值。此时即 n、m 已知，需对 amn 进行求解。在式(6.26)中，
当 ρNSDD=ρN 时，联立式(6.25)可得：
amn  a   Nm (6.27)
则同时考虑盐灰密两方面影响的污闪电压梯度可表示为：
m
 
EL (  ESDD , NSDD )  a   n
  NSDD  (6.28)
 N 
ESDD
综合考虑可溶污秽成分、CaSO4的微溶特性、不溶物三方面的影响因素，得到
应用于实际工程设计的混合污秽成分下的绝缘子闪络梯度的计算表达式为：
m
 p   
EL    i (ai  ESDD
* ni
)   0 EL 0    NSDD  (6.29)
 i 1   N 
式中，ρNSDD为绝缘子灰密，mg/cm2；ρN为可溶污秽闪络试验中所取的固定灰密值，
mg/cm2。
6.2.2 应用闪络规律减少试验量
式(6.29)为混合可溶污秽成分的绝缘子闪络电压梯度计算方程，由于电力系统
外绝缘可溶污秽主要成分多种多样，在运用式(6.29)进行混合污秽成分的闪络电压
预测及污区外绝缘设计中需要进行大量的闪络试验确定该地区主要可溶污秽成分
所对应的绝缘子闪络特征参数 ai 和 ni，为减少试验量，节省设计成本，本文建议
结合单一易溶污秽成分的绝缘子闪络特征参数预测方程进行外绝缘设计。
单一易溶污秽成分的绝缘子闪络特征参数预测方程是本文根据各污秽成分所
对应的绝缘子闪络规律，结合 Pearson 相关系数所提出的，其具体表达及应用方法
见式(4.11)~式(4.13)。对 p+1 种混合易溶污秽成分的外绝缘设计和闪络电压梯度预
测中，应用此方程，可使工程设计减少 2p-2 个试验点的试验量。若试验中采用恒
压升降法进行试验，每个试验点需要进行不少于 10 次的有效试验，应用单一易溶
污秽成分的绝缘子闪络特征参数预测方程在极大程度上减少了工程设计的试验成
本。
126
6.2.3 应用硝酸盐统一拟合方法减少计算量
由自然污秽成分测量结果和可溶污秽成分的闪络试验结果可知，绝缘子表面
主要污秽成分中，硝酸盐种类繁多且各类硝酸盐所对应的绝缘子闪络特性相近，
对于 A、B 型绝缘子，各硝酸盐在 ESDD 研究范围内所对应的污闪电压梯度差异
均不超过 16%。因此，可对硝酸盐按式(4.4)的负幂函数关系进行统一拟合，从而
减少混合污秽成分电压预测过程中的计算量。
本文中所采用的四种试验绝缘子经硝酸盐统一拟合后的结果和参数见图 6.4
和表 6.4，由拟合结果可知，各硝酸盐的试验点均落在统一拟合曲线的 8%误差线
内，拟合度 R2 值均高于 0.85，因此，在工程应用中，可利用硝酸盐的统一拟合结
果进行混合污秽成分的绝缘子闪络电压预测与计算，从而减少计算量。
60 65
KNO3 KNO3
55 NH4NO3 60 NH4NO3
NaNO3 NaNO3
55
EL (kV/m)
Ca(NO3)2
EL (kV/m)
50 Ca(NO3)2
Mg(NO3)2 50 Mg(NO3)2
45
45
40
40
35 35
0.02 0.04 0.06 0.08 0.10 0.12 0.02 0.04 0.06 0.08 0.10 0.12
(a) A: XP4-160 (b) B: LXY4-160

图 6.4 硝酸盐的统一拟合结果
Figure 6.4 Unified fitting results of nitrates
表 6.4 硝酸盐的统一拟合参数
Table 6.4 Unified fitting parameters of nitrates
参数 A: XP4-160 B: LXY4-160
a 25.55 26.71
n 0.202 0.209
R2 0.852 0.875
6.3 预测算例及方法验证
根据相关文献和调研结果[15,21,22,24][15,21,22,24]，对公路农田地区、化工厂地区、
沿海地区的绝缘子表面污秽成分进行实验室模拟，模拟中各污秽的成分和质量分
数见表 6.5。
以 A 型瓷绝缘子和 B 型玻璃绝缘子为例，进行算例分析和方法验证。分别以
127
不同 ESDD 和 NSDD 对两种绝缘子进行染污，染污过程中，可溶物的模拟成分及

比例如表 6.5 所示，不溶物用高岭土模拟，染污方法为浸污法；闪络试验的方法采
用恒压升降法；所得绝缘子在各地区不同污秽度下的闪络试验结果如表 6.6 所示。
表 6.5 典型地区的污秽成分分布模拟参数
Table 6.5 Simulation parameters of pollution constituents distribution for typical regions
质量分数
污秽成分
公路农田地区化工厂地区沿海地区
NaCl 13.3% 10.5% 13.8%

NaNO3 8.8% 2.2% —
KNO3 9.2% 6.4% 9.7%
NH4NO3 6.5% — —
Ca(NO3)2 — 21.1% 7.9%
MgSO4 3.8% 4.3% 8.0%
CaSO4 58.4% 55.4% 60.5%
表 6.6 混合污秽成分下绝缘子的闪络试验结果 (ρESDD, ρNSDD: mg/cm2; EL: kV/m)

Table 6.6 Flashover test results of insulators polluted by mixture (ρESDD, ρNSDD: mg/cm2; EL: kV/m)
A: XP4-160 B: LXY4-160
模拟地区
样本 ρESDD ρNSDD EL 编号 ρESDD ρNSDD EL
I-A1 0.082 0.125 48.3 I-B1 0.083 0.157 50.6
公路农田 I-A2 0.146 0.134 37.8 I-B2 0.168 0.217 40.8
I-A3 0.404 0.206 31.2 I-B3 0.328 0.231 34.5
II-A1 0.066 0.098 46.5 II-B1 0.079 0.128 47.8
化工厂 II-A2 0.122 0.398 33.9 II-B2 0.152 0.221 36.3
II-A3 0.291 0.427 27.8 II-B3 0.282 0.481 32.2
III-A1 0.072 0.176 40.8 III-B1 0.081 0.277 42.1
沿海 III-A2 0.257 0.216 30.8 III-B2 0.249 0.212 32.8
III-A3 0.451 0.486 23.3 III-B3 0.432 0.468 25.2
分别采用传统的绝缘子污闪电压(梯度)预测方法(即未考虑污秽成分的计算方
法)和本文所提出的预测方法对绝缘子各组污闪电压进行计算，并与试验值相比较，
所得结果如表 6.7 所示。其中传统方法即为根据 NaCl 的闪络特性和绝缘子的盐/
128
灰密值对绝缘子的闪络电压梯度进行预测；考虑成分的方法中，运用式(6.29)的计
算式对绝缘子污闪电压进行计算，同时也进行了硝酸盐统一拟合方法的计算。
表 6.7 绝缘子闪络电压梯度预测结果
Table 6.7 Prediction and correction results of insulator flashover voltge gradient
(a) A 型绝缘子
传统方法考虑成分的方法硝酸盐统一拟合
模拟地区样本
EL (kV/m) 相对误差 EL (kV/m) 相对误差 EL (kV/m) 相对误差
I-A1 33.1 -31.6% 43.7 -9.6% 44.1 -8.8%

公路农田 I-A2 27.1 -28.2% 38.1 0.9% 38.6 2.2%
I-A3 18.4 -40.9% 28.3 -9.4% 28.9 -7.5%
II-A1 36.6 -21.3% 48.2 3.8% 47.9 3.0%
化工厂 II-A2 25.2 -25.8% 35.9 5.8% 35.7 5.2%
II-A3 18.8 -32.5% 29.2 5.1% 29.1 4.8%
III-A1 33.1 -18.9% 43.7 7.0% 43.9 7.7%
沿海 III-A2 21.2 -31.0 31.7 3.0% 32.3 4.9%
III-A3 16.0 -31.4% 24.8 6.6% 25.5 9.4%
(a) B 型绝缘子
传统方法考虑成分的方法硝酸盐统一拟合
模拟地区样本
EL (kV/m) 相对误差 EL (kV/m) 相对误差 EL (kV/m) 相对误差
I-B1 33.8 -33.2% 46.1 -8.8% 46.6 -8.0%

公路农田 I-B2 25.6 -37.2% 37.3 -8.6% 37.7 -7.5%
I-B3 20.3 -41.2% 31.2 -9.6% 31.6 -8.3%
II-B1 35.2 -26.3% 49.3 3.1% 48.9 2.3%
化工厂 II-B2 26.4 -27.2% 39.4 8.6% 39.2 8.0%
II-B3 19.5 -39.4% 30.7 -4.7% 30.6 -4.8%
III-B1 31.8 -24.5% 44.1 4.7% 44.3 5.2%
沿海 III-B2 22.5 -31.4% 34.2 4.3% 34.6 5.5%
III-B3 17.0 -32.7% 26.8 6.2% 27.2 7.8%
由表 6.7 可知，在污秽成分较为复杂的地区，采用传统方法(即不考虑污秽成
分的方法)对绝缘子闪络电压梯度进行预测，试验值明显高于计算值，正负相对误
差绝对值高达 18.9~41.2%，这主要是由各成分的闪络特性差异和 CaSO4 的微溶特
129
性所造成的；采用考虑污秽成分的绝缘子闪络电压梯度预测方法，可以使绝缘子
污闪电压梯度的计算结果与实际测量结果之间的正负相对误差明显减少；计算结
果与实测结果的正负相对误差均控制在了 10%以内，可见该方法具有较高的准确
性，可用于污秽地区的污闪电压(梯度)的预测，此方法得以验证。此外，在计算过
程中，采用硝酸盐统一拟合方法计算所得的结果与各成分分别计算所得结果的差
异较小，因此，在污秽成分复杂地区可采用硝酸盐的统一拟合减少计算量。
6.4 本章小结
本章根据污秽成分对绝缘子闪络特性的影响机理和规律，对污秽成分的有效
污秽度进行了定量表征，提出了绝缘子闪络电压(梯度)的预测方法，并对该方法进
行了算例分析及验证。所得的主要成果如下：
① 根据各可溶污秽成分的溶解特性和电导率特性，探索了污秽成分与有效污
秽度的表征关系，并利用此关系对混合可溶污秽成分的有效污秽度进行了计算与
分析。
② 针对 CaSO4 的微溶特性，综合考虑其溶解部分所对应的有效等值盐密和未
溶解部分所对应的附加污秽度的影响，对 CaSO4 有效污秽度与绝缘子闪络梯度的
关系进行了探究，得到了 CaSO4 染污时绝缘子闪络电压梯度的预测表达式。
③ 根据可溶物对绝缘子闪络特性的影响规律，结合绝缘子表面有效污秽度和
各成分所对应所对应的绝缘子闪络特性，综合考虑可溶物、微溶物、不溶物三方
面的影响因素，提出了混合污秽染污绝缘子的闪络电压(梯度)预测方法，并对该方
法进行了算例分析与试验验证，结果表明，考虑成分的预测方法相对于传统方法
可大幅度减小绝缘子闪络电压梯度的预测误差，此误差可控制在 10%以内。
④ 在混合污秽成分染污绝缘子的闪络电压预测中，可应用本文所提出的单一
易溶污秽染污绝缘子的闪络特征参数预测方程减少试验量，应用硝酸盐统一拟合
方法减少计算量，从而节省设计与预测成本。
130
7 结论与展望
7 结论与展望
7.1 本文结论
本文在总结国内外研究成果的基础上，针对现有研究的不足以及客观存在的
问题，对绝缘子表面污秽成分的测量及成分对交流污闪特性的影响进行了理论与
试验研究。论文建立了阴阳离子配对模型，分析了污秽成分对绝缘子闪络特性的
影响机理及微观行为，提出了混合污秽成分染污绝缘子的闪络电压梯度预测方法。
所得的主要结论如下：
① 对多种绝缘子开展自然积污试验，并对其盐/灰密进行了测量与分析；结合
离子交换色谱法，测量了绝缘子表面污秽的离子成分。针对人工配对方法的不足，
结合绝缘子表面污秽的积累特性和污秽溶解的动态电导率特性，建立了绝缘子表
面污秽离子成分的配对模型。模型利用模糊聚类和动态改进 FCM 的方法，实现了
阴阳离子的粗略配对；基于 Avrami 溶解动力学方程，研究了电力系统主要污秽成
分溶解时电导率与时间及平衡浓度的关系曲线表达式；结合离子成分测量与粗略
配对结果，提出了基于污液动态电导率特性的阴阳离子配对子模型，用以提高配
对精度，并对该子模型进行了试验验证。
② 通过单一可溶污秽成分的闪络试验，得到了多种主要污秽成分对绝缘子闪
络特性影响的特征参数，且可溶污秽成分对绝缘子污闪特性的影响程度可表示为：
Cl- < NO3- < SO42-；K+ < Na+, NH4+ < Ca2+。根据成分对绝缘子闪络特性的影响机理
及规律，提出了单一易溶污秽成分的绝缘子闪络特征参数预测方程，并对其工程
应用方法和价值进行了分析。混合可溶污秽成分的绝缘子闪络试验结果表明，工
程设计中，易溶污秽成分可按线性叠加的方法进行绝缘子闪络电压梯度预测；而
对于 CaSO4，需针对其微溶特性进行单独计算。
③ 通过不溶污秽成分的闪络试验，得到了不溶污秽所对应的绝缘子闪络特征
参数，在相同污秽度下，不溶物所对应的绝缘子闪络电压梯度大小顺序为：高岭
土 < Al2O3 < Fe2O3, 硅藻土 < SiO2。颗粒间隙的保水作用使得绝缘子污闪电压梯
度随不溶物粒径的增大而有所提升。
④ 结合电解质溶解试验与分子动力学模拟，研究了可溶污秽成分对绝缘子污
闪特性的影响机理。结果表明，在 ESDD 测量和绝缘子闪络电压预测时应对各成
分的电导率特性及溶解特性加以考虑；温度对不同可溶污秽成分的电导率特性影
响有所不同，在电场作用下的污秽溶液的离子电导率相对于无电场时有不同程度
的提升；温度和电场的影响，为各可溶污秽成分闪络特性的差异性提供了合理解
释；共存离子对电导率的影响主要体现在溶剂化作用和离子氛作用两方面，且离
131
子氛作用占主导地位；外加离子对 CaSO4 溶液在离子扩散系数和溶解度方面存在

影响，且两方面作用效果相反；混合污秽成分对溶液电导率特性的综合影响效果
不明显。
⑤ 通过分子动力学和蒙特卡罗方法，研究了不溶物吸水机理和微观行为，建
立了不溶物吸水的微观模型。对于表面吸水，吸附能、RDF、PMF 等参数表明，
吸水作用强弱顺序为：高岭土 Al-O 面 > 高岭土 Si-O 面 > Al2O3 > SiO4；对于孔
洞吸水和层间吸水作用，孔/层结构吸水量随孔径/层距的增大而增大，高岭土层间
吸水量随层距的增加呈线性增长，Al2O3 晶体孔洞吸水量随孔径的增加逐渐接近
SiO2 孔洞的吸水量。分子模拟结果与闪络试验结果相互印证。
⑥ 根据污秽成分的溶解特性和电导率特性，对污秽成分的有效污秽度进行了
定量表征。结合污秽成分对绝缘子闪络特性的影响机理和规律，综合考虑易溶物、
微溶物、不溶物三方面的影响，提出了混合污秽成分染污绝缘子的闪络电压梯度
预测方法，并进行了算例分析及验证，结果表明，该方法相对于传统方法可大幅
度减小预测误差，此误差可控制在 10%以内。
⑦ 在混合污秽成分染污绝缘子的闪络电压预测中，可应用本文所提出的单一
易溶污秽染污绝缘子的闪络特征参数预测方程减少试验量，应用硝酸盐统一拟合
方法减少计算量，从而节省设计与预测成本。
7.2 后续研究工作的展望
① 绝缘子表面污秽成分多种多样，本文仅针对了污秽成分中含量较大的无机
物进行了研究，而在一些特殊污秽地区，有机污秽对绝缘子闪络特性也存在影响，
因此，为完善绝缘子污闪机理和修正方法，未来工作需针对有机物进行研究。
② 绝缘子表面不溶污秽对其闪络特性影响虽相对较小，却不容忽视，现场绝
缘子不溶污秽的成分、粒径等参数测量较为困难，因此，需对不溶污秽成分、粒
径等参数的测量方法展开进一步研究，从而提出更为精确的绝缘子污闪电压(梯度)
预测方法。
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140
附录
附录
A. 作者在攻读博士学位期间发表的学术论文
[1] Yang Zhongyi, Jiang Xingliang, Zhang Zhijin, Zhang Dongdong, Liu Youchao. Study on the
influence rules of contaminants on flashover voltage of disc suspension insulators[J]. IEEE
Transactions on Dielectrics and Electrical Insulation, 2016, 23(6): 3523-3530. (SCI 检索号:
000393094100035)
[2] Yang Zhongyi, Jiang Xingliang, Han Xingbo, Zhang Zhijin, Hu Jianlin. Influence of pollution
chemical components on AC flashover performance of various types of insulators[J]. High
Voltage, 2019, 4(2): 105-112. (SCI 检索号: 000473529200004)
[3] 蒋兴良, 杨忠毅, 韩兴波, 张东东, K.L. Wong. 硅橡胶复合绝缘子在不同可溶污秽成分下
的闪络特性研究 [J]. 中国电机工程学报 , 2018, 38(1): 320-329. (EI 检索号 :
20181605031999)
[4] 黄青丹, 杨忠毅, 宋浩永, 蒋兴良, 吴培伟, 张志劲. 不同材料绝缘子表面的自然污秽成
分测量与离子配对分析 [J]. 高电压技术 , 2016, 42(12): 3917-3923. (EI 检索号 :
20170803378698)
[5] Yang Zhongyi, Jiang Xingliang, Zhang Zhijin, Zhang Dongdong, Liu Youchao. Electrical
Property of Different Types Insulator String under Typical Pollution Constituents[C]. IEEE
Conference on Electrical Insulation and Dielectric Phenomena (CEIDP). 2015: 170-175. (EI 检
索号: 20161002076580)
[6] Yang Zhongyi, Jiang Xingliang, Huang Yafei, Hu Jianlin, Han Xingbo. Influence of Electric
Field on Ice-Coating Process of Insulators with Different Dielectric Surface[J]. IET Science,
Measurement & Technology. (已投稿, 稿件编号: SMT-2018-5570.R3)
[7] 在国内外高水平期刊上合作发表(三作及以后)论文十余篇.
B. 作者在攻读博士学位期间的专利情况
[1] 发明专利: 基于模糊聚类的离子配对检测污秽成分方法. 发明人: 陆国俊, 杨忠毅, 张志
劲, 黄青丹, 蒋兴良, 宋浩永, 何彬彬, 陈于晴. 专利号: CN105067745A. 专利授权日:
2017 年 1 月 25 日.
C. 作者在攻读博士学位期间参与的科研项目
[1] 绝缘子污秽成分测定方法研究应用及其标准制定—污秽成分与污闪电压之间的关系研
究，广州供电局电力试验研究院(GZGD20140301240129)；
141
[2] 高海拔环境下绝缘子污秽放电及其相关预测模型的研究，国家重点基础研究计划(973 计
划：2009CB724503-1)；
[3] 绝缘子疏水性涂层表面微观结构对其覆冰特性的影响研究，国家自然科学基金项目
(51107152)
[4] 输电线路覆冰故障形成机理与预测，国家重点基础研究发展计划 (973 计划：
2009CB724501)；
[5] 分裂导线电流转移融冰方法研究，国家电网公司科学技术项目；
[6] 特高压输电工程应对复杂环境的外绝缘关键技术研究，国家电网公司。
D. 学位论文数据集
关键词密级中图分类号
绝缘子；污秽成分；离子
配对；分子动力学；污闪公开 TM
电压预测
学位授予单位名称学位授予单位代码学位类别学位级别
重庆大学 10611 学术学位博士
论文题名并列题名论文语种
绝缘子表面污秽成分检测
方法及成分对交流污闪特无中文
性的影响研究
作者姓名杨忠毅学号 20131101008z
培养单位名称培养单位代码
重庆大学 10611
学科专业研究方向学制学位授予年
电气工程输电线路外绝缘 5年 2019
论文提交日期 2019.12 论文总页数 144
导师姓名蒋兴良职称教授
答辩委员会主席何俊佳
电子版论文提交格式
文本（√）图像（）视频（）音频（）多媒体（）其他（）
142
致谢
致谢
藉此论文完成之际，回首往昔，感慨良多。
师恩如山，弟子以中人之资，愚钝之智，幸投于恩师蒋兴良门下。恩师以博
古通今之才，高屋建瓴之炬，春风化雨之能，足履实地之志，引领弟子初窥学术
之庭殿，谱写科研之乐章。六载诚诲，恩师时耳提面命，时潜移默化，授弟子以
鱼，亦授弟子以渔；每经指点，必有醍醐灌顶之功，豁然开朗之效。恩师学术之
造诣，深邃悠远，广博浩瀚；科研之矢志，抱元守一，坚韧不渝；诲人之不倦，
言传身教，蔚为大家。桃李不言之因，下自成蹊之果，弟子仅窥一斑，然则受益
匪浅。
年华似水，六载风雨转瞬即逝。弟子学术渐入佳境，亦承恩于舒立春、司马
文霞、张志劲、胡建林、胡琴等诸多良师不吝指点，倾力奉献；诸位良师或于课
堂传道授业，或于实验鼎力相助，或于文章指点迷津，弟子不胜感激，毕生受用。
弟子曾远渡重洋，羁旅他乡，外导 Alan Wong 于学业中为弟子探讨解惑，生活中
予弟子诸多关怀，亦师亦友，夫复何求。
与君相识，未来可期；同窗之谊，余生难遇。曾与挚友胡玉耀朝夕相伴，相
互扶持，每遇难处，必竭力相助，不求回报；与师门众人如谢彦斌、郭裕钧、黎
振宇、张东东、梁健、蒋子丹、孟志高、汪泉霖、李瀚涛、邱刚、许可、范才进、
韩兴波等亦勠力同心，攻关科研，受益良多；挚谢金凌峰、王季宇十年相伴，同
进同退，袍泽之情，尽烙于脑海心间。
电气研足，血气方刚，驰骋绿茵，十数载加冕为王。诚谢汪金刚、余传祥老
师于学术、生活、球场上诸多鼓舞，感恩诸位弟兄倾心关怀，指点切磋；科研之
余，亦享锻炼之欢。以足球为友，方获青春激扬；以足球为名，共聚浩瀚渝州。
养育之恩，没齿难忘。十岁丧父，感母上夙夜操劳之苦；今当入世，怀赤子
跪乳反哺之心。树欲静而风不止，外公年已耄耋，谆谆教诲，犹似昨日；愿其长
寿安康，待孙儿立业成家，当享天伦之乐。
十年青春记忆，皆系于重大。感恩重大，昔日弱冠少年已近而立，岁月留痕
不甚明显，记忆流年已深刻于眼角眉间。游子远行，犹梦故土乡音；过客匆匆，
追忆似水年华。
言之有限，难抒感激之情；情之无穷，皆在不言之中。文之将末，诚谢各评
审专家于日无暇晷之时，对学生论文审核指点，吾之所幸，感怀至深。
杨忠毅
二 O 一九年九月于重庆大学
143

绝缘子表面污秽成分检测方法... 分对交流污闪特性的影响研究 杨忠毅

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绝缘子表面污秽成分检测方法... 分对交流污闪特性的影响研究 杨忠毅

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绝缘子表面污秽成分检测方法及成分对交流

A Thesis Submitted to Chongqing University

in Partial Fulfillment of the Requirement for the

Doctor’s Degree of Engineering

With the rapid industrialization and economic expansion, the components of

General influence rule was summarized as: Cl-<NO3-<SO42-; K+<Na+, NH4+<Ca2+.

tests showed good agreement.

Key word: insulator; pollution component; ion-pairing; molecular dynamics; flashover

3.3 基于污液动态电导率特性的离子配对模型 ......................................................................... 38

5.3.2 表面吸水作用 ................................................................................................................ 101

多所研究机构发现，在绝缘子表面可溶污秽中，CaSO4 和 CaCO3 占总质量分数的

质量浓度校正曲线，如图 1.1 所示[29]；最后分析各离子标准质量浓度校正曲线的回

(a) Ca2+ (b) NO3-

式中 γi 为 i 离子的活度系数；A 为取决于水的温度的常数；zi 为第 i 种离子的电荷

图 1.2 NaCl 对 CaSO4 溶解度的影响

其次，由 Debye-Hukel 理论[43,45,46]还可得，强电解质溶液中的任一中心离子，

T. C. Cheng 以及 G. R. Elder 等在对高压直流绝缘子污闪过程及其影响因素的

Katsuhiko Naito 和 G. N. Ramos 等人通过试验发现[4]，同一盐密下绝缘子污闪

式中，a 为与绝缘子型式结构相关的常数，n 为污秽影响的特征指数。该式为估算

式中：ULFOVΣ 为混合电解质的最低闪络电压；ULFOVi 为单一电解质 i 的最低闪络电

U f  a  ESDD  n   NSDD  m (1.6)

重庆大学 N: 29°56', E: 106°47' 232m 城市地区 亚热带季风性气候

市以西 150km 的雪峰山国家森林公园坪山塘，海拔 1400m。该基地具有典型的微

(a) XP4-160 (b) LXY4-160 (c) FXBW-10/70 (d) FXBW-35/70

(e) FXBW-35/100 (f) XWP2-160 (g) LXP-160 (h) LPI-1100

A XP4-160 瓷 155 300 400

式中，θ 为污秽溶液温度，℃；b 为取决于污液温度的系数，其与 θ 的对应关系见

1# 0.012 0.039 3.23

0.06 4.80 0.20 8.00

0.03 2.40 0.10 4.00

0.00 0.00 0.00 0.00

(a) 盐/灰密分布 (b) 各绝缘子盐灰密测量结果

从整体污秽度来看，重庆大学试验点的 XP4-160 瓷绝缘子和 LXY4-160 玻璃绝

秽随之流失，从而降低了 ESDD 值。在两试验点绝缘子 NSDD 水平相当的情况下，

(a) 阴离子检测 (b) 阳离子检测

表 2.7 标准溶液中各离子的质量浓度水平 (mg/L)

(a) 阴离子色谱图 (b) 阳离子色谱图

有良好的线性相关性，其回归方程的复相关系数 R 均大于 0.996，能保证校正曲线

阴离子主要为 SO42-，其次为 Cl-，阳离子以 Ca2+和 Mg2+为主，含量最低的 NH4+

表 2.9 自然污秽离子成分和浓度测量结果 (mg/L)

 | x ik  xi |  | xjk  xj |

F 相似矩阵 R 中的元素体现了各离子间的模糊相关性，在 F 相似矩阵 R 中，

素 xj 对于类别 Si 的隶属度，U={uij}为 c×n 的矩阵，称为隶属度矩阵；||xj-ai||为元素

对拉格朗日算子进行最小化处理，可得其迭代式。将 J 分别对 ai, uij, Σi 求偏导，并

则改进的 FCM 算法具体描述如下：

图 3.1 基于动态改进 FCM 的离子配对流程

在基于模糊聚类的离子配对过程中，利用式(3.4)求 F 相似矩阵 R 的传递闭包

λ 1 0.95 0.86 0.74 λ 1 0.96 0.90 0.88

(a) 重庆大学试验点 (b) 雪峰山试验点

表 3.2 基于模糊聚类的离子配对结果 (浓度：mg/L；比例：%)

污秽 A: XP4-160 B: LXY4-160 C: FXBW-10/70 E: FXBW-35/100

NaF 0.752 0.64 0 0 0 0 0 0

F: XWP2-160 G: LXP-160 D: FXBW-35/70

MgF2 1.014 5.78 0.866 2.37 1.699 3.80

② 基于动态改进 FCM 的离子配对结果

对于重庆大学试验点，绝缘子表面污秽主要以 Ca(NO3)2、CaSO4 和 MgSO4 为

Mg2+ Cl- F- n=N，跳出循环

表 3.3 基于动态 FCM 的离子配对结果 (浓度：mg/L；比例：%)

F: XWP2-160 G: LXP-160 D: FXBW-35/70

NaF 0 0 1.539 3.78 1.650 3.67

对于雪峰山试验点，绝缘子表面污秽主要以 CaSO4 为主，其在瓷、玻璃、硅

(a) 精密天平 (b) 电导率仪

将阴干的样品置于烧杯中，加入 300mL 去离子水，保持室温与水温恒定，本

绝缘子表面污秽成分检测方法... 分对交流污闪特性的影响研究杨忠毅

绝缘子表面污秽成分检测方法... 分对交流污闪特性的影响研究杨忠毅

重庆大学 N: 29°56', E: 106°47' 232m 城市地区亚热带季风性气候