杨帆大论文20160506

博士学位论文
微型化趋势下无铅焊点界面反应尺寸效应及可
靠性研究
Size Effect on Interfacial Reaction and Reliability of Lead-free solder
joint under Miniaturization Trend
作者姓名：杨帆
学号： 11205014
指导教师：黄明亮教授
学科、专业：材料学
答辩日期：
大连理工大学
Dalian University of Technology
大连理工大学学位论文独创性声明
作者郑重声明：所呈交的学位论文，是本人在导师的指导下进行研究工作所取得的
成果。尽我所知，除文中已经注明引用内容和致谢的地方外，本论文不包含其他个人或
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同工作的同志对本研究所做的贡献均已在论文中做了明确的说明并表示了谢意。
若有不实之处，本人愿意承担相关法律责任。
学位论文题目：
作者签名：日期：年月日
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学位论文题目：
作者签名：日期：年月日
导师签名：日期：年月日
答辩委员会主席：日期：年月日
大连理工大学博士学位论文
摘要
电子封装钎焊互连的基础是界面反应。微型化趋势下焊点尺寸减小，界面反应受到
多因素的影响，如焊点尺寸效应、工艺条件、基体类型均会对界面反应产生影响，并进
一步影响焊点的力学性能及可靠性。本论文应用原子扩散通量控制的界面反应动力学理
论及团簇形核理论阐明了不同影响因素（尺寸效应、工艺条件、基体类型）作用下界面
界面金属间化合物((IMC)的演变机理；建立了浓度梯度控制(CGC)液/固界面反应理论模
型，从理论和实验上诠释了无铅焊点界面反应尺寸效应的规律性；采用同步辐射实时成
像技术动态表征了微焊点在工艺条件下界面反应的规律性；揭示了微焊点的基体类型
（Cu、Ni 交互、单晶）对界面 IMC 演变的作用机理；初步评价了界面组织对微焊点拉
伸性能的影响规律。论文主要研究结果总结如下：
1. 尺寸效应对焊点界面反应影响的研究表明：焊点尺寸减小改变了钎焊界面反应中
焊点界面处的溶质原子(Cu)通量及变化速率，从而导致界面反应尺寸效应的产生。具体
表现为 Sn-xAg-yCu/Cu 焊点界面 Cu6Sn5 晶粒直径及厚度增加，Cu 基体消耗减少，焊点
平均 Cu 浓度增加；Sn-xAg-yCu/Ni-P 焊点平均 Cu 浓度下降加快，界面 IMC 从针状和短
棒状(Cu,Ni)6Sn5 转变为多面体状(Cu,Ni)6Sn5，再转变为针状和块状(Ni,Cu)3Sn4 的过程加
快；Cu/Sn-3.0Ag-0.5Cu/Ni-P 焊点 Cu 侧(Cu,Ni)6Sn5 晶粒直径增加，Cu 消耗减少，Ni 侧
保持针状的(Cu,Ni)6Sn5 且厚度增加。建立了浓度梯度控制(CGC)液/固界面反应理论模
型，阐明了界面处溶质原子(Cu)浓度梯度引起的 Cu 原子通量是产生尺寸效应的根本原
因。Cu、Ni 原子交互作用导致 Cu 侧 IMC 晶粒细化，Ni 侧 IMC 保持(Cu,Ni)6Sn5 类型，
改变了钎料中的 Cu 原子通量，一定程度上弱化了尺寸效应现象。
2. 工艺条件对焊点界面反应影响的研究表明：升温阶段界面 Cu6Sn5 晶粒顶端以 0.11
μm/s 的速率溶解进入钎料，在保温阶段其保持扇贝状晶粒形貌缓慢生长，而在冷却阶段
Cu6Sn5 晶粒顶端快速生长从而高宽比增加，生长速率达到 0.04 μm/s；升温阶段界面片状
Ag3Sn 以 0.1-0.2 μm/s 的速率溶解进入钎料，冷却阶段过冷（过冷度为 31-55 oC）条件下
以超过 5 μm/s 的速率在界面随机析出；温度梯度作用下片状 Ag3Sn 倾向于在冷端析出，
热端析出的片状 Ag3Sn 倾向于溶解进入钎料。揭示了液态团簇形核导致片状 Ag3Sn 在界
面过冷随机析出的机理；阐明了原子通量在工艺条件中的变化规律及其对界面 IMC 演
变的作用机理。
3. 基体类型对焊点界面反应影响的研究表明：多晶 Cu 基体微焊点界面形成扇贝状
Cu6Sn5 晶粒，长时间反应后 IMC 晶粒熟化及合并长大直至形成全 IMC 焊点；对侧基体
由 Cu 改为 Ni 时，Ni 原子参与 Cu 侧界面反应生成晶粒细小的(Cu,Ni)6Sn5，而 Cu 原子
-I-
无铅微焊点的界面反应尺寸效应及可靠性研究
扩散至 Ni 侧界面加速了针状的(Cu,Ni)6Sn5 晶粒的生长；微焊点中 Cu 基体由多晶转变为

(001)取向时，250 oC 下界面 Cu6Sn5 晶粒形貌及生长速率与多晶无差异，而 300 oC 下界
面规则排列棱晶状 Cu6Sn5 晶粒，随反应时间逐渐转变为无择优取向的扇贝状形貌；微
焊点中(001)Ni 基体 250 oC 下反应界面形成平行排列的针状(Cu,Ni)6Sn5 晶粒，300 oC 下
形成的(Cu,Ni)6Sn5 晶粒的无规则排列。阐明了 Cu/Sn/Cu 界面反应后期界面两侧 Cu 原子
通量交互作用加速 IMC 生长的机制；揭示了晶界迁移导致同侧和对侧 IMC 合并生长的
本质；阐明了焊点中 Cu 原子通量对 Cu、Ni 交互及单晶基体影响下界面 IMC 生长与形
貌演变的作用机理，以及团簇形核对单晶基体上 IMC 取向演变的作用机理。
4. 界面组织对微焊点拉伸性能影响的研究表明：随 IMC 厚度的增加，微焊点拉伸
强度、脆性增加，断裂位置由钎料内部转向 IMC 界面。全 IMC 焊点具有最高的拉伸强
度（Cu/IMC/Cu 焊点达到 93 MPa，Cu/IMC/Ni 焊点达到 110 MPa）。Cu/IMC/Cu 焊点的
断裂位置发生在 Cu3Sn/Cu6Sn5 界面，而 Cu/IMC/Ni 焊点断裂位置发生在两侧(Cu,Ni)6Sn5
相接触的界面。动态表征了微焊点界面缺陷及应力集中位置裂纹萌生导致断裂的规律；
阐明了焊点 IMC 界面产生拘束应力导致焊点强度增加的机理。
关键词：界面反应；尺寸效应；微焊点；金属间化合物；单晶基体；拉伸性能
- II -
ABSTRACT
The basic of the electronic packaging soldering interconnection is interfacial reaction.

The developing trend toward miniaturization leads to the decrease of solder joint size, under
which the interfacial reaction is affected by many factors, such as solder size effect,
processing conditions, and substrate types, and further affects the mechnical properties and
reliabilites of the solder joints. The present work clarified the developing mechanism of
interfacial intermetallic compounds (IMCs) under the effcet of different factors (size effect,
processing conditions and substrate types) using the theories of atomic diffusion flux
controled interfaical reaction kinetics and the cluster nucleation; established the theory model
of concentration gradient controlled (CGC) liquid/solid interfacial reaction; interpreted the
size effcet of interfacial reaction from the theoretical and experimental perspective; revealled
the evolution of interfacial microstructure during the soldering process using synchrotron
radiation real-time imaging technology; revealed the function mechnism of substrate types
(cross interaction of Cu and Ni, single substrates) on interfacial IMC evolution; evaluated the
effect of interfacial microstructure on tensile properties of the micro solder joints. The main
conclusions are drawn as follows:
1. Study on size effect of interfacial reaction showed that smaller Sn-xAg-yCu/Cu joints
have larger diameter of interfacial Cu6Sn5 grains, larger IMC thicknesses, smaller
consumption of Cu matrix, and larger average Cu concentration in solder joints; smaller
Sn-xAg-yCu/Ni-P solder joints accelerates the decreasing of mean Cu concentration, and
consequently accelerates the interfacial IMC transformation process from needle and rod type
(Cu, Ni)6Sn5 to polyhedral (Cu,Ni)6Sn5, and finally to needle and bulk type (Ni,Cu)3Sn4;
smaller Cu/Sn-3.0Ag-0.5Cu/Ni-P solder joints have smaller grain diameter and reduced Cu
consumption on Cu side, thicker needle type (Cu,Ni)6Sn5 on Ni side. Established the
concentration gradient controlled (CGC) interfacial reaction theory model; proved the
interfacial Cu concentration gradient is the root cause of the size effect. Cross-solder
interaction of Cu and Ni atoms led to the refinement of Cu side IMC grains, no type change of
Ni side IMCs, and weakened the size effect phenomenon.
2. Study on effect of soldering process on interfacial microstructure of micro solder
joints showed that the top of Cu6Sn5 grains gradually dissolved into the solder at the heating
stage, keeps scallop shape at the temperature holding stage, and rapidly precipitated on the
existed Cu6Sn5 grains to form high aspect ratio grains at the cooling stage; the interfacial
Ag3Sn plates dissolved into the solder at a rate of 0.2 μm/s at the heating stage and randomly
precipitated at the interface at a rate of more than 5μm/s at the cooling stage with an
undercooling of 134-160 oC; Ag3Sn plates tend to precipitate on the cold end under
- III -
temperature gradient, and those precipitated on the hot end tend to dissolve into the solder. It
is clarified that the change of solder concentration leads to the change of the atomic flux,
which determines the evolution of the interface IMC. It is revealed that nucleation of liquid
clusters lead to the random precipitation of Ag3Sn plates in supercooled condition at the
interface; characterized the thermomigration behavior of Ag atoms toward the cold end under
temperature gradient; revealed the driving force of thermomigration on nucleation of Ag3Sn.
3. Study on interfacial reaction of micro solder joints showed that scallop Cu6Sn5 grains
formed at the interface of polycrystalline Cu; when the opposite substrate changed from Cu to
Ni, Ni atoms participated in the interfacial reaction on Cu side, and refined the scallop grains
there; while Cu atoms also diffused to the Ni side and stabilized and promoted the grow of
needle type (Cu,Ni)6Sn5. Regularly arranged prism Cu6Sn5 grains formed at the interface of
(001) Cu at 300 oC, but the special morphology disappeared with longer reaction time.
Parallel needle type (Cu,Ni)6Sn5 grains formed at the interface of (001) Ni at 250 oC.
Characterized the acceleration effect of Cu-Ni cross-solder interaction on the IMC growth
(especially on Ni side) and that single crystal substrates have no significant influence on the
IMC growth rate. Clarified the acceleration of IMC on the late stage of reaction in Cu/Sn/Cu
joint due to the Cu flux interaction on two sides. It is revealed that the merging behavior of
IMCs from the opposite two interface has the same mechanism with the merging behavior of
IMCs on the same interface, which are essentially induced by grain boundary migration;
clarified the mechanism that Cu6Sn5 type cluster nucleation led to the transformation from
regularly arranged prism Cu6Sn5 grains with preferred orientation to randomly oriented
scallop Cu6Sn5 grains.
4. Study on the tensile properties of micro solder joints showed that the tensile strength
and brittleness of micro solder joints increased and the fracture position change from inner
solder to IMC interface with the increasing of IMC thickness. The full IMC joint has the
highest tensile strength, where Cu/IMC/Cu joint reached 93 MPa and Cu/IMC/Ni joint
reached 110 MPa. The fracture position of Cu/IMC/Cu solder joints is at Cu3Sn/Cu6Sn5
interface, while that of Cu/IMC/Ni joint is at the contacting interface of (Cu,Ni)6Sn5 from the
opposite two sides. The failure processes induced by the interfacial defects and the stress
concentrated positions of were in situ characterized by synchrotron radiation real-time
imaging technology The mechanism that the constraining effect of IMC interface induced the
increase of the solder joint.
Key Words： Interfacial Reaction; Size Effect; Micro Solder Joint; Intermetallic
Compound; Single Crystal Substrate; Tensile Property
- IV -
-V-
目录
1 绪论 .............................................................................................................................. 1
1.1 微电子封装技术 ............................................................................................... 1
1.1.1 微电子封装技术简介 ............................................................................ 1
1.1.2 微电子封装技术的最新发展 ................................................................ 2
1.2 无铅焊点的界面反应 ....................................................................................... 4
1.2.1 界面反应简介 ........................................................................................ 4
1.2.2 界面反应理论 ........................................................................................ 6
1.2.3 微型化趋势下焊点界面反应新问题 .................................................. 12
1.3 微焊点的力学性能及可靠性 ......................................................................... 24
1.4 同步辐射技术在微电子封装研究中的应用 ................................................. 26
1.5 论文的研究思路及研究内容 ......................................................................... 28
2 实验材料与方法 ........................................................................................................ 30
2.1 样品制备 ......................................................................................................... 30
2.1.1 实验材料与焊点结构 .......................................................................... 30
2.1.2 焊点制备 .............................................................................................. 31
2.2 界面反应实验 ................................................................................................. 33
2.2.1 传统界面反应实验 .............................................................................. 33
2.2.2 同步辐射实验 ...................................................................................... 34
2.3 力学性能测试 ................................................................................................. 36
2.4 微观组织表征与数据分析 ............................................................................. 37
3 尺寸效应对界面反应的影响 .................................................................................... 38
3.1 引言 ................................................................................................................. 38
3.2 Sn-xAg-yCu/Cu 焊点的界面反应尺寸效应研究 .......................................... 38
3.2.1 Cu 基体上界面反应的尺寸效应现象 ................................................ 38
3.2.2 浓度梯度驱动(CGC)界面反应理论模型 ........................................... 39
3.2.3 模型计算结果与实验结果对比 .......................................................... 46
3.2.4 Cu 浓度梯度对界面反应的影响规律 ................................................ 49
3.3 Sn-3.0Ag-0.5Cu/Ni-P 焊点的界面反应尺寸效应研究 ................................. 50
3.3.1 Ni-P 基体上界面反应的尺寸效应现象 ............................................. 50
3.3.2 Ni-P 基体上界面 IMC 演变规律 ........................................................ 51
- VI -
3.3.3 Ni-P 基体上界面 IMC 演变机理及其尺寸效应 ................................ 54

3.4 Cu/Sn-3.0Ag-0.5Cu/Ni-P 焊点的界面反应尺寸效应研究 ........................... 59
3.4.1 Cu/Sn-3.0Ag-0.5Cu/Ni-P 焊点界面反应尺寸效应实验 .................... 59
3.4.2 Cu/Sn-3.0Ag-0.5Cu/Ni-P 焊点界面反应机理解释 ............................ 61
3.5 本章小结 ......................................................................................................... 64
4 工艺条件对界面组织的影响 .................................................................................... 65
4.1 引言 ................................................................................................................. 65
4.2 界面 Cu6Sn5 在钎焊工艺中的溶解与析出行为 ............................................ 65
4.3 界面 Ag3Sn 在钎焊工艺中的溶解与析出行为 ............................................ 68
4.4 本章小结 ......................................................................................................... 78
5 基体类型对界面反应的影响 .................................................................................... 80
5.1 引言 ................................................................................................................. 80
5.2 多晶 Cu/Sn/多晶 Cu 微焊点的界面反应 ...................................................... 80
5.2.1 多晶 Cu/Sn/多晶 Cu 微焊点的微观组织 ........................................... 80
5.2.2 多晶 Cu/Sn/多晶 Cu 微焊点界面 IMC 的生长动力学...................... 82
5.2.3 多晶 Cu/Sn/多晶 Cu 微焊点 IMC 融合行为...................................... 87
5.3 多晶 Cu/Sn/多晶 Ni 微焊点的界面反应 ....................................................... 89
5.3.1 多晶 Cu/Sn/多晶 Ni 微焊点的微观组织 ............................................ 89
5.3.2 多晶 Cu/Sn/多晶 Ni 微焊点界面 IMC 的生长动力学 ...................... 92
5.4 (001)Cu/Sn/(001)Cu 微焊点的界面反应 .......................................................... 94
5.4.1 (001)Cu/Sn/(001)Cu 微焊点的微观组织 ............................................ 94
5.4.2 (001)Cu/Sn/(001)Cu 微焊点的界面 IMC 生长动力学 ...................... 97
5.4.3 (001)Cu/Sn/(001)Cu 微焊点界面 IMC 取向演变 .............................. 99
5.5 (001)Cu/Sn/(001)Ni 微焊点的界面反应 ........................................................ 101
5.5.1 250 oC 下(001)Cu/Sn/(001)Ni 微焊点的界面反应 .......................... 102
5.5.2 300 oC 下(001)Cu/Sn/(001)Ni 微焊点的界面反应 .......................... 105
5.6 本章小结 ....................................................................................................... 109
6 微焊点的拉伸可靠性 .............................................................................................. 111
6.1 引言 ............................................................................................................... 111
6.2 Cu/Sn/Cu 微焊点的拉伸性能 ...................................................................... 111
6.3 Cu/Sn/Ni 微焊点的拉伸性能 ....................................................................... 115
6.4 焊点拉伸性能分析 ....................................................................................... 120
- VII -
6.4 本章小结 ....................................................................................................... 120

7 结论与展望 .............................................................................................................. 122
7.1 结论 ............................................................................................................... 122
7.2 创新点 ........................................................................................................... 124
7.3 展望 ............................................................................................................... 124
参考文献 .................................................................................................................. 126
攻读博士学位期间科研项目及科研成果 ......................................... 错误!未定义书签。
致谢 ............................................................................................. 错误!未定义书签。
作者简介 ............................................................................................. 错误!未定义书签。
- VIII -
TABLE OF CONTENTS
1 Introduction...……………………..…..…………………………...….………………1
1.1 Microelectronic Packaging Technology…….……………..…………………1
1.1.1 Brief Introduction on Microelectronic Packaging Technology.. ………..1
1.1.2 New Trends of Electronics Packaging Technology ........... ……………..2
1.2 Interfacial Reaction in Lead Free Solder Joint. ……………………….4
1.2.1 Brief Introduction on Interfacial Reaction…..….….….......……5
1.2.2 Interfacial Reaction Theory.........………..……….….…...…………11
1.2.3 New Issues of Interfacial Reaction under Miniaturation…14
1.3 Reliability of Microinterconnects…………….………...…………………....23
1.4 Application of Synchrotron Radiation Imaging Technology in the Field of
Micro Electronics Packaging…………….………..…………………………23
1.5 The Basis and Contents of This Paper….….…………..….…………………25
2 Experimental Materials and Methods…………………….………………26
2.1 Sample Preparation……..…………………………..……...…………28
2.1.1 Experimental Materials and Structure of Interconnects….……………28
2.1.2 Preparation of the Interconnect……………………………...…………29
2.2 Interfacial Rection Experiment……………………………………........…31
2.2.1 Traditional Interfacial Rection Experiment…...............….……………31
2.2.2 Synchrotron Radiation Real-time Imaging Experiment……...………32
2.3 Mechanical Property Testing….….….….….….….….….….….….…..……34
2.4 Characterization of Microstructure and Data Analyzation.…..…..…..…..…35
3 Size Effect on Interfacial Reaction..…..…..…..…....…..…..…………..…………36
3.1 Introduction.....……………………………………….………………………36
3.2 Size Effect in Sn-xAg-yCu/Cu Interconnect…………...……………..……36
3.2.1 Size Effect Phenomenon of Interfacial Reaction on Cu.………………36
3.2.2 Concentration Gradient Controled (CGC) Interfacial reaction
Model…………………………………………………………………37
3.2.3 Comparison beteen the Calculated results based on the Model and the
Experimental Results……..…..…..…….….….….…..………………44
3.2.4 The Effect of Interfacial Reaction on Interfacial Reaction…………47
3.3 Size Effect in Sn-3.0Ag-0.5Cu/Ni-P Interconnect………………………..48
3.3.1 Size Effect Phenomenon of Interfacial Reaction on Ni-P……………48
3.3.2 Experiment on Evolution of Interfacial IMC on Ni-P…………………49
3.3.3 The Mechanism of IMC evolution and Size Effect on Ni-P…….….52
- IX -
3.4 Size Effect in Cu/Sn-3.0Ag-0.5Cu/Ni-P Interconnect……...…..……………57

3.5 The Chapter Summary……………………...…………..……………………59
4 Effect of Soldering Processing Conditions on Interfacial Reaction……………62
4.1 Introduction......…………..……..……………………………………………63
4.2 Dissolution and Precipitation Behavior of Interfacial Cu6Sn5 during Soldering
………..……..……………………………………………………………………63
4.3 Dissolution and Precipitation Behavior of Interfacial Ag3Sn during Soldering
………..……..……………………………………………………………………66
4.4 The Chapter Summary………………...……………..………………………74
5 Effect of Substrate Types on Interfacial Reaction.………………………….………76
5.1 Introduction.....…………………………………….…………………………76
5.2 Interfacial Reaction in Polycrystalline Cu/Sn/Polycrystalline Cu Micro
Interconnects.………………………………………………………………76
5.2.1 Microstructure of Polycrystalline Cu/Sn/Polycrystalline Cu Micro
Interconnects….…………………………………………………………76
5 . 2 .2 G ro w t h Ki ne t i c s o f In t e r f a c i a l IM C i n P o l yc r ys t a l l i n e
Cu/Sn/Polycrystalline Cu Micro Interconnects…………………….77
5.2.3 Merging Behavior of Int erfacial IMC i n Pol ycr yst alline
Cu/Sn/Polycrystalline Cu Micro Interconnects…………………….82
5.3 Interfacial Reaction in Polycrystalline Cu/Sn/Polycrystalline Ni Micro
Interconnects.………………………………………………………………84
5.3.1 Microstructure of Polycrystalline Cu/Sn/Polycrystalline Ni Micro
Interconnects….…………………………………………………………84
5 . 3 .2 G ro w t h Ki ne t i c s o f In t e r f a c i a l IM C i n P o l yc r ys t a l l i n e
Cu/Sn/Polycrystalline Ni Micro Interconnects…………………….87
5.4 Interfacial Reaction in (001)Cu/Sn/(001)Cu Micro Interconnects.………89
5.4.1 Microstructure of (001)Cu/Sn/(001)Cu Micro Interconnects…………89
5.4.2 Growth Kinetics of Interfacial IMC in (001)Cu/Sn/(001)Cu Micro
Interconnects………………………………………………………91
5.4.3 Orientation Evolution of Interfacial IMC in (001)Cu/Sn/(001)Cu Micro
Interconnects……………………………………………………….92
5.5 Interfacial Reaction in (001)Cu/Sn/(001)Ni Micro Interconnects.………94
5.5.1 Interfacial Reaction of (001)Cu/Sn/(001)Ni Micro Interconnects under
250 oC…………………………………………………………………95
5.5.2 nterfacial Reaction of (001)Cu/Sn/(001)Ni Micro Interconnects under
-X-
300 oC…………………………………………………………………97
5.6 The Chapter Summary…………………….………………………………101
6 Tensile Reliability of Micro Interconnect…………………………………………103
6.1 Introduction.....………………………………………..…….…..…………103
6.2 Tensile Reliability of Cu/Sn/Cu Micro Interconnect…………………103
6.3 Tensile Reliability of Cu/Sn/Ni Micro Interconnect…………………107
6.4 The Chapter Summary…….………………………………………..………112
7 The Conclusion and Prospection...............................................................................114
7.1 Conclusion.....................................................................................................114
7.2 Innovation Point Summary............................................................................116
7.3 Prospection.....................................................................................................116
References.......................................................................................................................118
Achievements..................................................................................................................131
Acknowledgements.........................................................................................................135
Author Introduction.........................................................................................................136
- XI -
图目录
图 1.1 封装等级划分[1] ................................................................................................. 1

图 1.2 ITRI 发布的 3D 集成示意图[10]........................................................................ 3
图 1.3 3D 封装中的金属焊球、微凸点、TSV 互连结构[12] ..................................... 3
图 1.4 2D 到 3D 封装技术的演变[14] .......................................................................... 4
图 1.5 界面 Cu 原子通量示意图 ................................................................................... 8
图 1.6 反应不同时间后归一化的 Cu6Sn5 晶粒尺寸分布图(a) 30s, (b) 1 min, (c) 2 min,
(d) 4 min。（柱状图为试验测得数据，曲线为模型预测数据）[46] ................ 10
图 1.7 界面生成 IMC 时基板原子 A 在液体 B 中的浓度分布示意图[47] .............. 11
图 1.8 不同尺寸 Sn-3.0Ag-0.5Cu/Cu 焊点经过不同回流次数后的界面 Cu6Sn5 晶粒
形貌 SEM 照片(i) 1 次回流，(ii)2 次回流，(iii)3 次回流 ................................... 12
图 1.9 不同尺寸 Sn-3.0Ag-0.5Cu/Ni-P 焊点经过不同回流次数后的界面形貌 SEM 照
片(i) 1 次回流，(ii)2 次回流，(iii)3 次回流 ......................................................... 14
图 1.10 典型微细间距界面反应问题：(a) 微细间距 Ni/Sn/Ni 焊点时效后形成中心
孔洞，(b) Au、Pd 等处理层导致钎料中大量脆性相析出，(c) 钎料中添加元素
Bi 聚集，(d)界面 IMC 熟化和两侧 IMC 合并生长[61]....................................... 19
图 1.11 上下 Cu6Sn5 晶粒合并的(a,b)FIB 照片及(c)EBSD 照片[66][69] ................. 20
图 1.12 在(a)多晶 Cu 和(b) (001) 单晶 Cu 上生成的界面 Cu6Sn5 的形貌对比[45] [80]
.................................................................................................................................. 22
图 1.13 280 oC 和 240 oC 条件下吹球与正常冷却界面 IMC 形貌对比[104] ........... 16
图 1.14 5 N 加载条件下钎料软化系数随 R 的分布图：(a) R= 1/3; (b) R= 1/6; (c) R=
1/12 ........................................................................................................................... 26
图 1.15 钎料中初晶 Cu6Sn5 的同步辐射照片(a) 不含 Al，(b) 含有 250 ppm Al .. 27
图 2.1 (a)单晶 Cu 和(b)单晶 Ni 的样品表面法向的反极图 ...................................... 31
图 2.2 回流曲线示意图(a)尺寸效应 Cu 焊盘侧焊点回流曲线（曲线中测量的是焊点
处实际温度），(b)尺寸效应 Ni 侧焊点回流曲线，(c)微焊点界面反应实验初始
焊点回流曲线 .......................................................................................................... 32
图 2.3 焊点的结构示意图(a)尺寸效应实验单侧焊点，(b)尺寸效应实验双侧焊点，
(c) 回流中界面 Cu6Sn5 演变实验焊点，(d) 回流中界面 Ag3Sn 演变实验焊点，
- XII -
(e)界面反应实验微焊点(温度梯度下 Ag3Sn 析出行为观察也采用此焊点结构)，

(f) 拉伸实验焊点 .................................................................................................... 33
图 2.4 线站样品室实验装置 ........................................................................................ 35
图 2.5 同步辐射实验示意图(a)Ag3Sn 在回流过程中的演变实验(b) Ag3Sn 在温度梯
度下的析出实验（焊点上方的 Cu 片较长是为了散热以产生较大的温度梯度）
(c)Cu6Sn5 在回流过程中的演变实验，(d)微细间距焊点中界面 IMC 演变实验35
图 2.6 Instron 5948 型超高精度微力试验机............................................................... 36
图 2.7 同步辐射原位拉伸实验用(a)线性焊点（固定于中心开孔有机玻璃上）和(b)
实验示意图 .............................................................................................................. 37
图 3.1 回流前 Cu 焊盘上的植球示意图 ..................................................................... 39
图 3.2 一次回流后不同直径的(a-d)Sn-3.0Ag-0.5Cu 和(e-h)Sn-3.5Ag 焊点中 Cu6Sn5
晶粒的俯视图形貌 .................................................................................................. 39
图 3.3 一次回流后不同直径钎料球中的 Cu 浓度分布(a) Sn-3.0Ag-0.5Cu/Cu，(b)
Sn-3.5Ag/Cu ............................................................................................................. 41
图 3.4 不同直径钎料球中的平均 Cu 浓度与时间的关系曲线： (a) 为
Sn-3.0Ag-0.5Cu/Cu 焊点，(b) Sn-3.5Ag/Cu 焊点 ................................................. 41
图 3.5 不同直径钎料球与 Cu 焊盘界面处平均 Cu 浓度梯度与时间的关系曲线：(a)
为 Sn-3.0Ag-0.5Cu/Cu 焊点，(b) Sn-3.5Ag/Cu 焊点 ............................................ 42
图 3.6 界面处 Cu 扩散通量和 Cu6Sn5 晶粒的示意图：(a)焊点横截面，(b)流入界面
区域的三个通量，(c) Cu6Sn5 晶粒的 3D 模型，(d) Cu6Sn5 晶粒的俯视图模型，
(e) Cu6Sn5 晶粒的平均边长 l 以及晶间通道宽度 δ .............................................. 44
图 3.7 四种尺寸 Sn-3.0Ag-0.5Cu/Cu 焊点的(a)平均 IMC 厚度(b)平均 Cu 消耗的实
验值和模拟结果 ...................................................................................................... 46
图 3.8 四种尺寸 Sn-3.5Ag/Cu 焊点的(a)平均 IMC 厚度(b)平均 Cu 消耗的实验值和
模拟结果 .................................................................................................................. 47
图 3.9 界面 Cu6Sn5 的平均厚度随回流时间的变化(a)计算结果和(b)实验结果[50]，
一次回流为 90 s ...................................................................................................... 48
图 3.10 平均 Cu 消耗随回流时间的变化(a)计算结果和(b)实验结果[50] ............... 48
图 3.11 Sn-3.5Ag-0.75Cu 与 Cu 焊盘在 250 oC 回流 45s 后的界面 Cu6Sn5 形貌(a)及
在此形貌基础上再与 Sn-3.5Ag 在相同条件下反应得到的界面 Cu6Sn5 形貌(b)
.................................................................................................................................. 50
- XIII -
图 3.12 一次回流后四种尺寸的 Sn-3.0Ag-0.5Cu/Ni-P 焊点界面 IMC 的(a-d)俯视图

和(e-h)横截面 SEM 照片 ........................................................................................ 51
图 3.13 不同尺寸 Sn-3.0Ag-0.5Cu /Ni-P 焊点回流不同时间后界面 IMC 俯视图形
貌：(a-d) 200 μm 焊点，(e-h) 300μm 焊点，(i-l) 400μm 焊点 .......................... 52
图 3.14 不同尺寸 Sn-3.0Ag-0.5Cu /Ni-P 焊点回流不同时间后界面横截面照片：(a-d)
200 μm 焊点，(e-h) 300μm 焊点，(i-l) 400μm 焊点 ........................................... 53
图 3.15 界面处 Cu 原子通量示意图 ........................................................................... 55
图 3.16 Sn-3.0Ag-0.5Cu/Ni-P 界面处 IMC 随时间和焊点体积变化规律示意图 .... 56
图 3.17 (a) 十二面体晶粒的外表面边长测量，(b)的被 {1011} 面包裹的(Cu,Ni)6Sn5 晶
体模型（阴影原子在 {1011} 面上） ....................................................................... 56
图 3. 18 不同 Cu 含量下(Cu,Ni)6Sn5 向(Ni,Cu)3Sn4 的转变机制示意图 .................... 57
图 3.19 焊点平均 Cu 浓度随回流时间的变化 ........................................................... 58
图 3.20 四种尺寸焊点 1 次和 5 次回流后横截面的 SEM 照片 ................................ 59
图 3.21 四种尺寸焊点 1 次和 5 次回流后 Cu 侧界面的俯视图照片 ....................... 60
图 3.22 四种尺寸焊点的(a) 平均 Cu 焊盘消耗、(b) 平均 IMC 晶粒直径、(c) Ni 侧
和(d) Cu 侧的平均 IMC 厚度随时间的变化 ......................................................... 61
图 3.23 Cu/Sn-3.0Ag-0.5Cu/Ni-P 焊点中 Cu 原子通量示意图 ................................. 62
图 3.24 四种尺寸焊点的(a)平均 Cu 浓度，(b)Ni 侧界面的平均 Cu 浓度及(c)Cu 侧
界面的平均 Cu 浓度梯度随时间的变化的模拟结果 ........................................... 62
图 3.25 一次回流后四种尺寸焊点最大横截面处的 Cu 浓度分布 ............................. 63
图 4.1 Sn/Cu 焊点回流过程中的同步辐射照片:(a-e)加热阶段((a)为焊点熔化后第一
张照片，（e）为达到保温温度 280 oC)，(e-j)保温阶段((j)为冷却前最后一张照
片)，(j-o)冷却阶段((o)为冷却后的照片 ............................................................... 66
图 4.2 界面 Cu6Sn5 晶粒的横截面 SEM 照片 ............................................................ 67
图 4.3 模拟的 Cu 浓度分布(a) 60 s，(b) 420 s，(c)600 s，(d) 840 s (箭头指示了
Sn/Cu 的界面).......................................................................................................... 67
图 4.4 (a)界面处模拟的 Cu 浓度梯度及晶粒的高宽比，(b)计算与实验的界面
Cu6Sn5 厚度随时间变化的规律 .............................................................................. 68
图 4.5 微焊点的同步辐射照片（上）以及相应的 SEM 照片俯视图（下） .......... 68
图 4.6 两次回流过程中焊点的同步辐射照片：(a) 第一次加热阶段(a1 在熔点温
度，a8 在峰值温度，a10 为冷却前最后一张照片)，(b)第一次冷却阶段(b1 为
- XIV -
Ag3Sn 析出前一张照片，b10 为完全凝固后照片)，(c)第二次加热阶段(c1 在熔点

温度，c9 在峰值温度，c10 为冷却前最后一张照片)，(d) 第二次冷却阶段(d1 为
Ag3Sn 析出前一张照片，d10 为完全凝固后照片)。(b)和(d)中虚线框表示 Ag3Sn
初始析出，(c)中虚线框表示 Ag3Sn 的溶解以及气泡的脱离 ............................. 69
图 4.7 临界形核半径随过冷度的变化关系 ................................................................ 71
图 4.8 冷却过程中 Sn-3.5Ag 焊点中模拟温度分布：(a)云图，(b)线图 ................. 73
图 4.9 冷却过程中 Cu/Sn-3.5Ag/Cu 微焊点的同步辐射照片 ................................... 74
图 4.10 片状 Ag3Sn 与同步辐射照片的对应关系 ..................................................... 75
图 4.11 Cu/Sn-3.5Ag/Cu 焊点中 Ag 原子通量示意图：(a) Ag3Sn 析出之前，(b)
Ag3Sn 析出之后 ...................................................................................................... 76
图 4.12 Sn-3.5Ag 钎料中 Ag3Sn 析出之前的模拟 Cu 浓度分布：(a)云图，(b)线图
.................................................................................................................................. 77
图 4.13 Cu/Sn-3.5Ag/Cu 微焊点中 Ag3Sn 形核激活能示意图：(a)等温条件下，(b)
热迁移条件下 .......................................................................................................... 77
图 5.1 多晶 Cu/Sn/多晶 Cu 焊点在 250 oC 反应不同时间的俯视图 SEM 照片 ...... 81
图 5.2 多晶 Cu/Sn/多晶 Cu 焊点在 250 oC 反应不同时间的横截面 SEM 照片 ...... 81
图 5.3 焊点界面 IMC 厚度随时间的变化规律(a)和拟合曲线(b)以及晶粒直径随时间
变化规律(c)及拟合曲线(d) ..................................................................................... 83
图 5.4 300 oC 反应(a-n) 0-120 min 的多晶 Cu/Sn/多晶 Cu 焊点同步辐射照片 ....... 85
图 5.5 (a) 300 oC 下界面 IMC 厚度随时间的变化关系，(b)焊点中 Cu 原子通量示意
图，(c)和(d)分别为界面反应早期和晚期焊点界面的 Cu 浓度梯度 .................. 86
图 5.6 多晶 Cu/Sn/多晶 Cu 微焊点实验后的(a) 同步辐射照片，(b) EBSD 图像以及
(c)相应的 SEM 照片 ............................................................................................... 87
图 5.7 同一样品不同区域的 Cu6Sn5 晶粒的原位 EBSD 观察（(a-e)为五个不同位置，
1-3 分别为反应 3 h，4h 和 5h）............................................................................ 88
图 5.8 Cu/Sn/Cu 焊点中具有低错配晶界的 Cu6Sn5 晶粒的 EBSD 图像.................. 89
图 5.9 不同反应时间后多晶 Cu/Sn/多晶 Ni 焊点的界面形貌的俯视图 SEM 照片
(a-d)Cu 侧，(e-h)Ni 侧 ............................................................................................ 89
图 5.10 不同反应时间后多晶 Cu/Sn/多晶 Ni 焊点的横截面 SEM 照片(a) 2 min，(b)
10 min，(c) 30 min，(d) 60 min，(e) 120 min，(f) 240 min ................................ 90
图 5.11 反应 240 min 后多晶 Cu/Sn/多晶 Ni 焊点横截面的扫描图片..................... 91
图 5.12 多晶 Cu 基体上平均晶粒直径随时间的变化关系 ....................................... 91
- XV -
图 5.13 多晶 Cu 和多晶 Ni 基体上平均界面 IMC 厚度随反应时间的变化规律(a)以

及拟合曲线(b) ......................................................................................................... 93
图 5.14 多晶 Cu/Sn/多晶 Ni 焊点中 Cu 原子通量示意图 ......................................... 93
图 5.15 250 oC 和 300 oC 下反应不同时间后(001) Cu/Sn/(001) Cu 焊点中 Cu6Sn5 晶
粒的 SEM 俯视形貌 ................................................................................................ 95
图 5.16 250 oC 和 300 oC 下反应不同时间后(001) Cu/Sn/(001) Cu 焊点中界面 IMC
的横截面 SEM 照片 ................................................................................................ 97
图 5.17 (001) Cu/Sn/(001) Cu 焊点界面 Cu6Sn5 层的平均厚度随反应时间的变化关
系(a)以及拟合曲线(b) ............................................................................................. 98
图 5.18 (001) Cu/Sn/(001) Cu 焊点界面 Cu6Sn5 的平均晶粒直径随反应时间的变化
关系(a)以及拟合曲线(b) ......................................................................................... 98
图 5.19 250 oC 反应不同时间的(001) Cu/Sn/(001) Cu 焊点界面 Cu6Sn5 的极图(a) 10
s，(b) 10 min，(c) 30 min，(d) 1 h ...................................................................... 100
图 5.20 300 oC 反应不同时间的(001) Cu/Sn/(001) Cu 焊点界面 Cu6Sn5 的极图(a) 10
s，(b) 10 min，(c) 30 min，(d) 1 h ...................................................................... 101
图 5.21 250 oC 下反应不同时间后(001) Cu/Sn/(001) Ni 焊点中 Cu6Sn5 晶粒的 SEM
俯视形貌 ................................................................................................................ 102
图 5.22 250 oC 下反应不同时间后(001) Cu/Sn/(001) Ni 焊点横截面的 SEM 照片
................................................................................................................................ 103
图 5.23 250 oC 下(001) Cu/Sn/(001) Ni 焊点 Cu 侧平均晶粒直径随回流时间的变化
规律 ........................................................................................................................ 103
图 5.24 250 oC 下(001) Cu/Sn/(001) Ni 焊点平均 IMC 厚度随回流时间的变化规律
................................................................................................................................ 104
图 5.25 300 oC 下反应不同时间后(001) Cu/Sn/(001) Ni 焊点中 Cu6Sn5 晶粒的 SEM
俯视形貌 ................................................................................................................ 106
................................................................................................................................ 107
................................................................................................................................ 108
图 6.1 300 oC 反应不同时间(a-e)后 Cu/Sn/Cu 焊点的横截面组织及(f)平均 IMC 厚度
随反应时间变化关系曲线 .................................................................................... 112
- XVI -
图 6.2 不同反应时间后 Cu/Sn/Cu 焊点的拉伸强度(a)柱状图，(b)与平均 IMC 厚度

关系对比 ................................................................................................................ 112
图 6.3 Cu/Sn/Cu 焊点拉伸实验的应力位移曲线，(a-e)不同反应时间，(f)汇总..... 113
图 6.4 Cu/Sn/Cu 焊点的断口形貌(a,b) 钎焊后，(c,d) 300 oC 反应 2 h，(e,f) 300 oC 4
h，(g,h) 300 oC 8 h，(i,j) 300 oC 24 h .................................................................. 114
图 6.5 Cu/Sn/Cu 焊点原位拉伸过程中的同步辐射图像：(a) 钎焊后，(b) 300 oC 2
h，(c) 300 oC 4 h，(d) 300 oC 8 h，(e) 300 oC 24 h ............................................ 115
图 6.6 300 oC 反应不同时间(a-d)后 Cu/Sn/Ni 焊点的横截面组织及(e)平均 IMC 厚度
随反应时间变化关系曲线 .................................................................................... 116
图 6.7 不同反应时间后 Cu/Sn/Ni 焊点的拉伸强度(a)柱状图，(b)与平均 IMC 厚度关
系对比 .................................................................................................................... 117
图 6.8 Cu/Sn/Ni 焊点拉伸实验的应力位移曲线，(a-d)不同反应时间，(e)汇总..... 117
图 6.9 Cu/Sn/Ni 焊点的断口形貌(a,b) 钎焊后，(c,d) 300 oC 1 h，(e,f) 300 oC 2 h，
(g,h) 300 oC 4 h ...................................................................................................... 118
图 6.10 Cu/Sn/Ni 焊点原位拉伸过程中的同步辐射图像：(a) 钎焊后，(b) 300 oC 1
h，(c) 300 oC 2 h，(d) 300 oC 4 h ......................................................................... 119
图 6.11 计算和实验的拉伸强度与反应时间的关系(a) Cu/Sn/Cu 焊点，(b) Cu/Sn/Ni
焊点 ........................................................................................................................ 120
表目录
表 1.1 金属基体与 Sn 基钎料界面反应生成的 IMC 类型[22] ................................... 7

表 1.2 钎料中的铜浓度、钎焊温度及反应时间对界面 Cu6Sn5 晶粒形貌的影响[85]
.................................................................................................................................. 23
表 2.1 实验中所用焊点结构 .......................................................................................... 30
表 2.2 各焊点的焊接方法和工艺参数 ........................................................................ 32
表 2.3 焊点反应条件 .................................................................................................... 34
表 3.1 不同水冷 Sn-3.5Ag/Cu 焊点一次回流后的 Cu 浓度分布 .............................. 42
表 3.2 Ni-P 焊盘上界面 IMC 的平均成分 .................................................................. 58
- XVII -
主要符号表
符号代表意义单位
G 吉布斯自由能 J/mol
R 理想气体常数 J/mol·K
T 绝对温度 K
D 扩散系数 m2/s
X 界面金属间化合物平均厚度 μm
X0 初始界面金属间化合物平均厚度 μm
n 金属间化合物厚度生长指数
Q 激活能 J/mol
r 晶粒半径 μm
d 晶粒直径 μm
γ 界面能 J/mol
Ω 摩尔体积 m3/mol
C 钎料中原子浓度 mol/m3
NA 阿伏伽德罗常数
ρ 密度 Kg/m3
A 界面面积 m2
v Cu 基板消耗速率 μm/s
t 时间 s
ns 熔融钎料中单位体积的原子数
ni IMC 中单位体积的原子数
Cb Cu 与液态钎料之间的平衡 Cu 浓度（原子分数）
Ce Cu6Sn5 与液态钎料之间的平衡 Cu 浓度（原子分数）
Ci Cu 在 Cu6Sn5 中的原子分数
δ 扇贝状晶粒之间液态通道的宽度 μm
J 扩散通量 kg/(m2s)
SGb 晶界面积与界面面积比例
l 棱柱柱晶粒边长 μm
N 晶粒数目
- XVIII -
w Cu6Sn5 中 Cu 原子的质量分数
Le 单位体积的熔化热 J/m3
ΔT 过冷度 K
r* 临界形核半径 μm
α 结构因子
ΔSf 摩尔熔化熵 J/mol·K
ΔHf 摩尔熔化焓 J/mol
Vm 摩尔体积 m3/mol
Q* 传递热
wt.% 重量百分比
at.% 原子百分比
- XIX -
1 绪论
1.1 微电子封装技术
1.1.1 微电子封装技术简介
微电子封装技术是将微电子产品中各个单元连接起来以实现器件功能的互连技术，
与芯片技术共同构成微电子制造的两大关键技术。封装的作用是实现系统中各单元之间
的电和机械连接，具有功率分配、信号分配、散热及包装保护等功能。从系统角度出发，
电子封装可以分为零级至三级封装四个层次[1]：在晶圆上切割出一定尺寸的芯片属于零
级封装；将单芯片或多芯片组件连接到支撑的基板上属于一级封装（即芯片级封装）；
将电子元器件封装在印刷线路板(Printed Circult Board, PCB)上属于二级封装（即器件级
封装）；最后将 PCB 和主机板等各个组块整合成一个完整的系统即三级封装，如图 1.1
所示。
图1.1 封装等级划分[1]
Fig. 1.1 Packaging Level[1]
封装的形式多种多样，按包装材料来分，封装可以分为金属封装、陶瓷封装和塑
料封装；按成型工艺来分，封装又可以分为预成型封装 (Pre-mold) 和后成型封装
（Post-mold）；按封装互连形状来分，有单列直插式封装(Single In-line Package, SIP)、
双列直插式封装(Dual In-line Package, DIP)、特殊引脚芯片封装(Plastic-leaded Chip
-1-
Carrier, PLCC) 、塑料方块平面封装 (Plastic Quad Flat Pack, PQFP) 、小外型封装

(Small-outline Package, SOP)、薄型小尺寸封装(Thin Small-outline Package, TSOP)、塑
料插针阵列(Plastic Pin Grid Array, PPGA)、塑料球栅阵列(Plastic Ball Grid Array, PBGA)
及芯片尺寸封装(Chip Scale Package, CSP)等等；若按第一级连接到第二级连接的方式
来分，可以分为插孔式(Pin-through-hole, PTH)和表面贴装式(Surface-mount-technology,
SMT)二大类；按照功能器件在空间上的拓展来分，则可以分为传统的二维(2D)封装和新
兴起的三维(3D)封装。
1.1.2 微电子封装技术的最新发展
随着人们环保意识的增强以及科技的持续发展，无铅化、微型化、高性能一直是电
子产品发展的趋势。在一级封装和二级封装的互连过程中，通过熔融的钎料与两侧金属
基体形成钎焊互连是最主要的互连方式。在电子工业的初始阶段，Sn-Pb 焊料由于其低
成本和高可靠性而普遍应用于电子产品元器件互连中。但由于铅的毒性严重影响环境及
人类身体健康，各国家和地区相继出台法律禁令来限制 Pb 等有毒有害物质的应用，如
欧盟的《电子电器设备报废的指令》（WEEE）和《关于在电子电器设备中禁止使用某
些有害物质的禁令》（RoHS）[2][3]以及我国的《电子信息产品污染防治管理办法》[4]。
严格的禁铅条例使封装行业和研究者转向了对无铅钎料的开发与应用。用于替代 Sn-Pb
的无铅钎料应具备如下要求：1）合金的熔点接近 Sn-Pb 钎料且熔化温度区间小；2）具
有良好的润湿性；3）组成元素无毒并且资源丰富；4）具有良好的物理、力学性能；5）
具有良好的抗腐蚀性能[5]。研究人员通过添加不同的合金元素开发出了 Sn-Ag、Sn-Bi、
Sn-Cu、Sn-Zn、Sn-In、Sn-Au 等二元体系钎料。同时为获得更好的钎焊工艺兼容性及钎
料性能以满足焊接和应用的要求，开发了三元及多元体系钎料，如 Sn-Ag-Cu、Sn-Ag-In、
Sn-In-Bi，Sn-Ag-In-Bi 等[6][7][8][9]。Sn-Ag-Cu 无铅钎料由于其优良的工艺性能和力学
性能而倍受青睐。但其高的 Sn 含量（95 wt.%以上）以及高的工艺温度（比 Sn-Pb 共晶
工艺温度高 30 oC）使得其与基板的界面反应加剧，焊点的可靠性问题引人担忧。对无
铅焊点界面反应及可靠性的研究成为热门课题。
另一方面，芯片技术发展遵循的“摩尔定律”(Moore’s Law)将因其物理极限而走到尽
头。为满足日益增长的科学技术发展需求，高集成和微型化的脚步不能停止，目前公认
的解决方案是依靠封装技术更加紧凑地实现系统集成来突破摩尔定律，从而推动微电子
封装技术的不断创新发展。在此背景下，近年来人们提出了 3D 封装的概念，即将多个
芯片垂直连接，这样可运用已有的半导体芯片 CMOS 工艺和显微封装技术实现更好的
性能和功用，从而在封装层次上实现系统集成来“超越摩尔”[10]。图 1.2 为 ITRS 发布的
-2-
3D 封装示意图。3D 封装互连技术主要包括引线键合、微凸点、硅通孔(TSV)等技术。
相对于传统的引线键合技术，微凸点和 TSV 的组合可以实现面阵列互连，I/O 数可达
10000，明显优于四周型的 Au 引线键合技术，更能满足 3D 封装技术发展的需求[11]。
图 1.3 显示了 3D 封装中的金属焊球、微凸点、TSV 互连结构。
图 1.2 ITRI 发布的 3D 集成示意图[10]

Fig. 1.2 Schematic of 3D integration published by ITRI[10]
图 1.3 3D 封装中的金属焊球、微凸点、TSV 互连结构[12]

Fig. 1.3 Interconnection structure of solder ball, micro-bump, and TSV in 3D packaging[12]
伴随着 3D 封装技术的发展，互连材料与结构表现出三方面显著特征：1）互连材料
尺度显著减小。芯片制造技术中特征尺寸持续减小，要求封装技术必须相随进步。目前，
倒装芯片封装结构中微凸点尺寸减小至 20-40 µm，比球栅阵列(BGA)结构中焊球直径缩
-3-
小了一个量级；TSV 转接板中的通孔直径缩小至 10 µm。根据国际半导体技术发展线路

图（ITRS）预测：2015-2018 年微凸点的最小间距将减小至 10 µm，TSV 转接板中的通
孔直径仅为 0.8-1.5 µm。2）互连界面密度显著增加。与传统 2D 封装相比，3D 封装的
密度更高，信号输入输出的 I/O 引脚数量达到 105-106/cm2 量级，比之前增加了 100 多倍，
如图 1.4 所示。3）互连可靠性要求更加苛刻。3D 封装具有多材料、多界面、跨尺度互
连的特征，在服役过程中复杂的电、热、力多场耦合作用对互连材料与界面之间的匹配
性能提出更加苛刻的要求。由于 3D 封装互连结构进入微纳尺度且互连材料与结构受外
场的影响成倍增加，对其服役行为与可靠性的评价也变得更加复杂。国家《集成电路产
业“十二五”发展规划》中明确指出封装测试行业的创新目标：“加强系统级封装、高密
度三维封装等新型封装和测试技术的开发，实现规模生产能力[13]。”因此，3D 封装技
术的发展面临诸多问题和挑战，其中界面是封装互连基础研究的焦点，界面组织结构决
定了互连的强弱与可靠性，微型化趋势下界面问题变得更加复杂多变，界面问题有待进
一步系统研究。
图 1.4 2D 到 3D 封装技术的演变[14]
Fig. 1.4 Evolution of packaging technology from 2D to 3D[14]
1.2 无铅焊点的界面反应
1.2.1 界面反应简介
界面反应是形成可靠钎焊互连的基础，其过程涉及到基体金属原子向液态钎料中的
溶解以及钎料中的活性原子与基体金属原子在接触界面反应形成金属间化合物
-4-
(Intermetallic Compound, IMC)，以实现金属基体和钎料之间的连接。因此界面反应将导

致金属基体的溶解，钎料成分的变化以及界面 IMC 的生长。由于焊点是电子产品在生
产和服役过程中易发生失效的位置，且多数失效的发生在 IMC 界面，研究无铅焊点与
基板之间的界面反应，揭示界面 IMC 的生长规律从而指导焊点的可靠性设计具有十分
重要的意义。
微电子封装中应用的金属基体多种多样，包括 Cu、Ni、Au/Ni-P/Cu (ENIG)、Ag、
Pt、Co、Au、Fe、Cu-Zn 等[15][16][17][18][19][20][21][22][23][24][25][26][27][28][29][30]
[31][32][33]。而将不同基体连接起来的钎料种类更是繁多，如前一节所述。众多金属基
体中，Cu 由于具有优良的导电导热性能，且与钎料之间有良好的润湿性而应用最为普
遍。因此，Cu/Sn 基钎料互连界面反应得到广泛和深入的研究。Cu/Sn 液/固界面反应会
形成两种相—Cu6Sn5 和 Cu3Sn。Cu6Sn5 一般认为是优先形成相[34]，与液态钎料相接触，
其形貌一般为扇贝状；而 Cu3Sn 会在 Cu 基体与 Cu6Sn5 接触的界面形成，液/固反应后
仅形成很薄的一层，其微观结构为细小的柱状晶粒[35]。因此，与无铅 Sn 基钎料液/固
界面反应中 Cu6Sn5 是最主要的生成相。而固态时效反应中，当温度高于 70 oC 时，Cu3Sn
会在界面与时间呈抛物线生长，且占整体 IMC 的比例不断增加，其内部以及与 Cu 基体
接触的界面易形成柯肯达尔孔洞，对焊点的可靠性产生严重的威胁[36][37]。当钎料中
有 Ni 原子存在时，则能够抑制 Cu3Sn 的生长，并参与界面反应置换 Cu6Sn5 中 Cu 原子
的位置形成(Cu,Ni)6Sn5[38]。
然而，Cu 与钎料之间界面反应时较易溶解消耗[39]，通常会在其表面通过电镀或化
学镀的方法覆盖其他不易溶解消耗的材料作为凸点下金属层(Under Bump Metallization,
UBM)。电镀 Ni 及化学镀 Ni-P 等作为 UBM 层得到了广泛的应用。其与钎料之间的界面
反应也得到了广泛的研究。Ni/Sn 之间能形成三种 IMC，分别为 Ni3Sn、Ni3Sn2 和 Ni3Sn4。
而钎焊界面反应时，界面一般只形成 Ni3Sn4，其形貌为颗粒状或块状[38]。当 Ni-P 基体
与 Sn 反应时，由于 P 原子不易溶解进入钎料，Ni-P 与界面 Ni3Sn4 之间还会形成一层
Ni3P[40]。由于常用无铅钎料中经常含有 Cu 原子，根据钎料中 Cu 浓度的高低，与 Ni
基体界面反应时会形成不同类型的 IMC，高 Cu 浓度下在界面形成(Cu,Ni)6Sn5，而低 Cu
浓度下在界面形成(Ni,Cu)3Sn4[41]。
无铅钎料与金属基体之间界面反应研究已得到广泛开展和深入，并发展了相应的界
面反应理论来解释实际界面反应中界面 IMC 形成的机理，生长动力学及尺寸分布规律。
而微型化发展趋势下焊点界面反应受到各种复杂因素的影响，其面临的新问题正逐渐引
发研究者的关注，如界面反应的焊点尺寸效应（即焊点尺寸减小引起界面反应显著改变
的现象），单晶基体的界面反应，界面反应的交互作用及微凸点界面反应等问题。
-5-
1.2.2 界面反应理论
无铅焊点界面反应的理论基础是界面反应的热力学和动力学。热力学决定了界面能
生成什么相，而动力学决定了相的生长规律[38]。
热力学上某一界面 IMC 相的生成取决于此时系统能量是否处于极小值。此极小值
可以为平衡态，也可以为亚稳态。根据热力学第二定律，平衡态是系统的吉布斯自由能
达到最小的状态，n 组元系统在常温常压下总的吉布斯自由能 Gtot 为
 
Gtot    i ni    y    xi i0  RT  xi ln xi  GmE 
n n
(1.1)
 i  i 1  i 
其中，y 为 Φ 相的相对含量，R 为普适气体常数，T 为绝对温度，xi 为组元 i 的摩尔分数。
i0 为纯组元的偏摩尔吉布斯自由能或化学势。化学势与组元的活度相关，表达式如下：
i  i0 (T )  RT ln ai (1.2)
其中，ai 为 i 组元的活度。
在平衡态，所有组元的化学势相等，扩散的驱动力也将消失[42]。而实际钎焊界面
反应过程中，平衡仅仅存在于相界面处，即局部平衡，相邻的相之间存在活度梯度。活
度梯度及扩散系数共同决定了原子的扩散行为。α 和 β 相之间的局部平衡可以由下式表
示[43]：
i  i (1.3)
i  0 i  RT ln ai  i  RT ln xi  RT ln  i (1.4)
i  0 i  RT ln ai  i  RT ln xi  RT ln  i (1.5)
其中， 0 i 是纯组元 i 在标准态下的化学势， ij 是组元 i 在 j 相中的化学势， ai j 是组元
i 在 j 相中的活度，  ij 是组元 i 在 j 相中的活度系数。
界面反应中除了平衡态，我们还能经常见到亚稳态的界面平衡。亚稳态可以定义为
系统中总吉布斯自由能的局部最小值，系统必须得到相应的激活能才能达到最终平衡
态。一些 IMC 本应该在某一特定温度下是热力学稳定的，但并没有在两种材料的界面
处出现，此时界面处就处于亚稳态，比如 Ni 与 Sn 在回流过程中并没有 Ni3Sn 和 Ni3Sn2
等中间相的出现而仅出现 Ni3Sn4 相即是界面平衡处于亚稳态[15][44][45]。
界面学反应的一般表达式为
aA  bB   cC  dD  (1.6)
其中，A、B、C、D 为反应物或产物，a、b、c、d 为这些相的摩尔数。反应的吉布斯自
由能变  r G 可由下式表达[46]：
-6-
r G  (cC  d D  )  (a A  bB  ) (1.7)

如果  r G <0，则反应可以自发进行，除非有动力学的势垒阻碍。二元及多元体系中反应
产物可以由相图进行预测。电子封装中常见的金属基体与 Sn 基钎料界面反应的生成的
IMC 类型如表 1.1 所示。
表1.1 金属基体与Sn基钎料界面反应生成的IMC类型[47]
Tab. 1.1 IMC types formed in the interfacial reaction between metal substrates and Sn based
solders[47]
金属基体生成 IMC 类型参考文献
Cu Cu6Sn5、Cu3Sn [15][16][17][18]
Ni Ni3Sn4、(Ni,Cu)3Sn4 [15][19][20][21]
(Cu,Ni)6Sn5
Au/Ni-P/Cu (ENIG) (Ni,Cu)3Sn4、(Cu,Ni)6Sn5 [21][22][23][24][25]
Ni3P、Ni-Sn-P
Ag Ag3Sn [26]
Pt PtSn4 [27][28]
Co Co3Sn [29][30]
Au AuSn2、AuSn4 [31]
Fe FeSn2 [32]
Cu-Zn (Cu,Zn)6Sn5、(Cu,Zn)3Sn [33]
热力学稳定相的生长则由界面反应的动力学决定。界面反应的动力学一般与原子扩
散相关，界面 IMC 的生长可由下式描述[48]：
X  X 0  Kt n (1.8)
其中，X 为 t 时刻下 IMC 的厚度，X0 是初始 IMC 厚度，n 为生长指数，与生长机制相关，
K 是与扩散系数有关的生长常数[37]。K 与温度 T 之间满足阿伦尼乌斯关系：
K  K0 exp(Q / RT ) (1.9)
其中，K0 是生长常数，Q 是生长激活能。结合式(1.8)和(1.9)得[49]：
X  X 0  t n exp(Q / RT ) (1.10)
n 值的取值范围通常是在 0.33~1 之间，n=1 时 IMC 生长受表面扩散（或反应）控制，n=0.5
时为体扩散控制的 IMC 生长，也就是 IMC 生长符合抛物线规律，n=0.33 为晶界扩散的
IMC 生长，扩散控制的晶粒熟化过程也符合 n=0.33 的规律。
-7-
针对界面 IMC 生长动力学机理的描述，代表性的理论模型主要有 Tu 教授提出的熟

化理论模型及 Dybkov 教授提出的 IMC 生长与溶解模型。
Cu6Sn5 为电子封装钎焊界面反应中最常见的 IMC，Tu 等人[50]详细研究了 Cu6Sn5
的生长规律，提出界面 IMC 的生长动力学是基于 Gibbs-Thomson 效应的熟化通量以及
界面反应通量两个通量共同控制的，可表示为下式，
  2 DCe  Av(t ) 
r3      dt (1.11)
 3N A LRT 4 mCu N P (t ) 
其中，r 为界面 Cu6Sn5 的晶粒半径，γ 为 Cu6Sn5 与液态钎料之间的单位面积界面能，Ω
为 Cu6Sn5 的摩尔体积，D 为 Cu 原子在液态钎料中的扩散系数，Ce 为 Cu6Sn5 与液态钎
料之间的平衡 Cu 浓度，NA 为阿伏伽德罗常数，L 为平均晶粒间距与平均晶粒半径的比
值，R 为普适气体常数，T 为温度，ρ 为 Cu 的密度，A 为总界面面积，v 为 Cu 基板消耗
速率，mCu 为 Cu 原子质量，Np 为界面总晶粒数。IMC 生长示意图如图 1.5 所示。
图 1.5 界面 Cu 原子通量示意图
Fig. 1.5 Schematic of interfacial Cu atom fluxes
在此基础上，Tu 等人[51]又进一步提出了通量驱动的 IMC 熟化理论模型，即 FDR
模型。模型进行了如下假设：1）忽略了 Cu3Sn 和铅的存在；2）扇贝状 IMC 之间有液
态通道且一直与 Cu 表面连接，此通道是 Cu 原子向液态钎料扩散的快速路径；3）扇贝
状晶粒假想为半球状，因此所有扇贝状晶粒的表面积之和是 2 倍的界面面积；4）所有
从基板溶解的 Cu 都提供扇贝状晶粒的生长；5）忽略从熟化区域流入钎料内部的 Cu 通
量。界面 IMC 晶粒分布的方程如下式：
-8-
f k' R    1 1 
 f     (1.12)
t 9 R2  R 2
R   R R  
其中，k’的表达式为
9 ns C  Ce
k' D b (1.13)
2 ni Ci
其中，ns 为熔融钎料中单位体积的原子数，ni 为 IMC 中单位体积的原子数，δ 为扇贝状
晶粒之间液态通道的宽度，Cb 为液态通道底部 Cu 与液态钎料之间的平衡 Cu 浓度，Ce
为 Cu6Sn5 与液态钎料之间的平衡 Cu 浓度，Ci 为 Cu 在 Cu6Sn5 中的原子分数。式(1.12)
的显式解为：
 
  3  3
 ( )  const  4
exp   ,0   (1.14)
3  3 2
  
    2 
2 
其中，η=R/(bt)1/3。由此模型可以得出 R =0.913(kt )1/3 ，即平均晶粒半径与时间的立方根
成正比。
FDR 模型较好地解释了扇贝状 IMC 的生长规律，并可根据钎焊反应时间来准确预
测 IMC 的尺寸分布和平均尺寸改变率，因此成为最具代表性的钎焊界面反应理论模型。
图 1.6 为钎料与 Cu 基板界面反应不同时间下的晶粒分布情况。
Dybkov 教授[53]认为液/固界面 IMC 在生长过程中伴随着向不饱和钎料中的溶解。
界面 IMC 的生长是反应扩散的过程，其包含反应原子扩散到 IMC 层对侧界面以及在对
侧界面发生化学反应形成新的 IMC。如对于 A 和 B 之间扩散反应生成 ApBq 时，具体发
生过程为 A 原子扩散到 ApBq 与 B 的界面发生反应形成新的 ApBq 以及 B 原子扩散到 ApBq
与 A 的界面发生反应形成新的 ApBq。IMC 生长速率可以由下式表示：
dx k0 B1 k0 A 2
  (1.15)
dt 1  k0 B1 x / k1B1 1  k0 A2 x / k1 A2
其中， k0 B1 ， k0A2 为化学反应常数， k1B1 和 k1A2 为扩散常数。
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(a) (b)
(c) (d)
图 1.6 反应不同时间后归一化的 Cu6Sn5 晶粒尺寸分布图(a) 30s, (b) 1 min, (c) 2 min, (d)
4 min。（柱状图为试验测得数据，曲线为模型预测数据）[52]
Fig. 1.6 Normalized Cu6Sn5 grain size distribution plots after different reaction times (a) 30s,
(b) 1 min, (c) 2 min, (d) 4 min。(histogram are experimental results and curves are calculated
results) [52]
图 1.7 显示了溶质原子 A 在液体 B 中的分布。在液体 B 中界面 IMC 的表面，A 原

子的浓度为液体 B 中对应温度下 A 原子的饱和浓度，模型假设界面处有一厚 δ’（约 100
微米）的扩散阻挡层，在扩散阻挡层中浓度线性下降，δ’相对于液体 B 整体可以忽略，
扩散阻挡层以外的浓度 C 为均匀的，即 A 原子在液体 B 中迅速扩散达到均匀。A 原子
向液体 B 中的溶解可以表示为：
dC S
 k  Cs  C  (1.16)
dt V
其中，C 为 t 时刻液体中 A 原子的浓度，S 为固体与液体接触的表面积，Cs 为 A 原子在
液体 B 中的饱和浓度，V 是液体的体积，其中 k 可以表示为 DA/δ’，DA 为 A 原子在液体
B 中的扩散系数，δ’为扩散阻挡层的厚度。
- 10 -
图 1.7 界面生成 IMC 时基板原子 A 在液体 B 中的浓度分布示意图[53]

Fig. 1.7 Schematic of concentration distribution of substrate atoms A in liquid B after
formation of interfacial IMC[53]
当初始浓度 C=0 时，钎料中的原子浓度可以表示为

  kSt  
C  Cs 1  exp    (1.17)
  V 
若溶解到钎料中的 A 原子的浓度是界面 IMC 溶解提供的，则
 IMC Sxd
C (1.18)
V
其中，ρIMC 为界面 IMC 的密度，φ 为 IMC 中 A 原子的质量分数，xd 为溶解的 IMC 的厚
度。因此界面 IMC 的溶解速率可以表示为：
dxd Cs k  kSt 
 exp    (1.19)
dt  Ap Bq   V 
其中，xd 可以表示为：
Cs v   kSt  
xd  1  exp    (1.20)
 Ap Bq  S   V 
最终，界面 IMC 的生长速率可以由下式表示：
dx k0 B1 k0 A 2 Ck kS
   s exp( t ) (1.21)
dt 1  k0 B1 x / k1B1 1  k0 A2 x / k1 A2  Ap Bq  V
其中等式右边的前两项是 IMC 的反应生长项，最后一项是 IMC 的溶解项，三项共同作

用控制 IMC 的生长规律。
- 11 -
此模型很好的描述了浸焊反应过程中基体的溶解及界面 IMC 的生长过程，然而针对

微型化条件下仅几百甚至几十微米的焊点，此模型不再适用，一是由于模型中扩散阻挡
层 δ’的量级为 100 微米左右，相对于微焊点的尺度不能忽略，二是晶界扩散在原子扩散
中起着重要作用，而此模型并没有考虑。因此，亟需建立新的能描述界面反应的尺寸效
应的界面反应模型。
1.2.3 微型化趋势下焊点界面反应新问题
1）无铅焊点界面反应的尺寸效应
近年来研究人员发现 IMC 晶粒生长受到焊点尺寸的影响[54][55][56][57][58]。微型
化趋势使得焊点尺寸随其直径呈 3 次方减小，界面反应的尺寸效应问题不容忽略。目前
尺寸效应的研究主要针对封装中常用的 Sn 基钎料与 Cu、Ni 基体间的界面反应。
图 1.8 不同尺寸 Sn-3.0Ag-0.5Cu/Cu 焊点经过不同回流次数后的界面 Cu6Sn5 晶粒形貌

SEM 照片(i) 1 次回流，(ii)2 次回流，(iii)3 次回流
Fig. 1.8 Top-view SEM images of interfacial Cu6Sn5 grains in Sn–3.0Ag–0.5Cu/Cu solder
joints with different diameter solder balls after various reflows: (i) 1 reflow, (ii) 3 reflows, and
(iii) 5 reflows
尺寸效应对 Cu/Sn 二元界面反应的影响规律可总结为：小焊点中界面 Cu 基体的消

耗减小而平均 IMC 厚度增加。香港城市大学的 Chan 等人[55][56]对比分析了 500 和 760
- 12 -
μm 直径的 Sn-Pb 和 Sn-Ag-Cu 钎料与 Cu 基体之间界面反应的尺寸效应，并认为焊点宽

高比是尺寸效应产生的原因，即随焊点宽高比的增加，在界面处形成 IMC 将会占主导，
反之，在钎料内部形成 IMC 将会占主导。Chang 等人[57]研究了 400、500、760 和 900 μm
直径的 Sn-3Ag-xCu（x=0、0.3、0.5 和 0.7 wt.%）钎料球与 Cu 焊盘在多次回流条件下的
界面反应，发现扇贝状 Cu6Sn5 随焊球体积的减小、钎料初始 Cu 浓度的增加以及反应时
间的延长而增加，而 Cu 焊盘消耗却随着焊球体积的减小、钎料初始 Cu 浓度的增加而
减小，建议通过提高焊球中 Cu 浓度从而降低 Cu 焊盘的溶解。Park 等人[58]研究了直径
分别为 200、300 和 400 μm 的 Sn-1Ag-0.5Cu 焊球与 Cu 焊盘在回流峰值温度为 250 oC
下的界面反应，发现随焊点尺寸的减小，界面 Cu6Sn5 IMC 层厚度增加且钎料中的 Cu
浓度也增加。Huang 等人[39]提出金属基体溶解速度与界面 IMC 晶粒大小具有相关性，
并基于此观点其课题组系统研究了 200、300、400 和 500 μm 直径的 Sn-3.5Ag、
Sn-3.0Ag-0.5Cu 的焊球与 Cu 焊盘在多次回流过程中的界面反应，得到相似的尺寸效应
规律性[59][60][61][62][63]。Cu 焊盘上的尺寸效应现象如图 1.8 所示。
尺寸效应对 Ni 基体与钎料界面反应的影响较为复杂，这是由于常用钎料中经常含
有 Cu 元素，界面反应为三元体系，因此尺寸效应主要体现在对界面 IMC 类型和形貌的
Park 等人[58]研究了直径分别为 200、300 和 400 μm 的 Sn-1Ag-0.5Cu 焊球与 Ni/Au
影响。
焊盘在回流峰值温度为 250 oC 下的界面反应，发现 400 μm 焊点界面处形成(Cu,Ni)6Sn5，
300 μm 焊点界面处(Cu,Ni)6Sn5 和(Ni,Cu)3Sn4 同时存在，而 200μm 焊点界面处形成
(Ni,Cu)3Sn4。Huang 等人[62][63]系统研究了直径 200、300、400 和 500 μm 的 Sn-3.5Ag、
Sn-3.0Ag-0.5Cu 的焊球与化学镀镍化学镀钯浸金 (Au/Pd/Ni-P, Electroless Nickel
Electroless Palladium Immersion Gold, ENEPIG)焊盘在多次回流过程中的界面反应，发现
随钎料尺寸减小，界面 IMC 类型由针状的(Cu,Ni)6Sn5 转变为十二面体状的(Cu,Ni)6Sn5
再转变为针状和块状的(Ni,Cu)3Sn4，并通过 Cu 原子通量的角度对界面反应的尺寸效应
现象进行了解释。
Ni-P 焊盘上的尺寸效应现象分别如图 1.9 所示。Ho 等人[64]研究了 300、
500 和 760 μm 直径的 Sn-3Ag-xCu (x = 0.4, 0.5, 0.6 wt.%)焊球和电镀 Ni 基板之间在多次
回流过程中的界面反应，发现 Cu 原子供给受到焊点尺寸的限制，反应过程中 Cu 原子
被消耗而导致钎料中 Cu 浓度降低从而改变了界面平衡状态，当钎料中的 Cu 浓度降到
低于 0.4 wt.%时，初始形成的(Cu,Ni)6Sn5 将会大量脱落进入钎料，界面处仅留下
(Ni,Cu)3Sn4。Yang 等人[65]进一步研究了 300、500 和 760 μm 直径的 Sn-3Ag-xCu (x = 0.3,
0.5, 0.7 wt.%)焊球和电镀 Ni 基板之间在 160 oC 和 180 oC 固-固时效条件下的界面反应，
发现优先形成(Cu,Ni)6Sn5 的平衡 Cu 浓度随温度的降低而减小（在 160 oC 下平衡 Cu 浓
度在 0.2 wt.%附近），焊球体积减小将导致焊球中的 Cu 浓度更难维持稳定，由此出现
- 13 -
Cu 浓度处于 0.3 wt.%水平时，760 μm 焊点回流形成的(Ni,Cu)3Sn4 在固态长时间时效后

由于钎料中的 Cu 浓度水平高于 0.2 wt.%而转变为(Cu,Ni)6Sn5，以及 Cu 浓度处于 0.7 wt.%
300 μm 焊点回流形成的(Cu,Ni)6Sn5 在固态长时间时效后由于 Cu 浓度降低至 0.2
水平时，
wt.%以下而转变为(Ni,Cu)3Sn4 的现象。
图 1.9 不同尺寸 Sn-3.0Ag-0.5Cu/Ni-P 焊点经过不同回流次数后的界面形貌 SEM 照片(i)

1 次回流，(ii)3 次回流，(iii)5 次回流
Fig. 1.9 Top-view SEM images of interfacial IMC grains in Sn–3.0Ag–0.5Cu/Ni–P solder
joints with different diameter solder balls after various reflows: (i) 1 reflow, (ii) 3 reflows, and
(iii) 5 reflows
因此，不同金属基体上界面反应的尺寸效应具有不同的规律性。Cu 基体上界面反
应的尺寸效应主要表现在晶粒大小的改变以及 Cu 基体消耗的改变上，而 Ni 基体与含
Cu 钎料的界面反应主要表现在界面 IMC 形貌和类型的改变上。然而目前还没有针对焊
点界面反应尺寸效应的理论模型，以及双侧焊盘为异质金属基体时的界面反应尺寸效应
与交互作用还未有相关报道。
2）钎焊工艺对界面反应的影响
微型化趋势下，焊点经历的工艺条件将更加复杂。在电子产品实际生产过程中，焊
点在回流、热压键合等钎焊工艺下将不可避免地经历升温熔化和降温凝固的过程。升温
- 14 -
和降温过程中相的溶解和析出也会对界面组织产生影响，而且相对恒温反应时更为迅
速。研究升温及降温过程中焊点组织的演变规律对工业生产有重要指导意义。目前的研
究中主要针对界面 Cu6Sn5 的和片状 Ag3Sn 的演变规律。
Cu6Sn5 为焊点界面最常见的 IMC，对其生长规律的研究也最广泛。初始人们只关注
其恒温下的界面反应行为和生长动力学，而随着研究的深入，研究者们发现升温和降温
过程中其厚度和形貌将产生显著变化。Ma 等人[66]研究 Sn-60Pb 焊点与 Cu 基体在回流
过程中界面反应时发现，通过固态时效预制的 Cu6Sn5 IMC 层在回流过程中厚度减小并
且层状形貌转变为扇贝状，Cu6Sn5 向钎料中的溶解以及液态钎料的凹槽作用导致了此现
象的发生，Dybkov[53]提出的界面 IMC 的溶解与生长机制则可以较好的解释此现象。为
了能够原位观察到回流过程不同阶段 Cu6Sn5 的演变行为，研究者尝试了不同的方法，
Gong 等人[67]巧妙的采用离心的方法将液态 Sn-3.8Ag-0.7Cu 钎料去除从而达到终止界
面反应以观察某一阶段界面反应进程的目的。实验发现在升温和短时间保温条件下，
Cu6Sn5 溶解进入钎料，导致界面剩余一薄层 IMC；降温阶段，Cu6Sn5 向钎料中生长，界
面 IMC 变得更厚。
- 15 -
图 1.10 280 oC 和 240 oC 条件下吹球与正常冷却界面 IMC 形貌对比[68]

Fig. 1.10 Comparison of interfacial IMC morphologies between ball blowing and normal
cooling at 240 oC and 280 oC, respectively[68]
Yang[68][69]等人则采用高压气体吹走 Sn-3.5Ag 钎料的方法研究了冷却过程对界面
Cu6Sn5 生长的影响规律，研究发现较高温度(280 oC)回流条件下 Cu6Sn5 晶粒在保温界面
反应过程中呈平整的扇贝状形貌，然而在冷却过程中，溶解在钎料中的 Cu 原子在界面
处以 Cu6Sn5 的形式析出，从而导致界面 Cu6Sn5 晶粒具有小平面状形貌；较低温度(240 oC)
回流时，冷却对界面反应的影响变得不明显。图 1.10 显示了 240 oC 和 280 oC 条件下吹
球与正常冷却界面 Cu6Sn5 的形貌对比。当钎料中的 Cu 含量充足时，析出的 Cu6Sn5 将呈
- 16 -
现棱晶状的形貌。另外在较高温度反应时 Cu6Sn5 在冷却过程中的析出能够显著影响界

面 IMC 的厚度，但不能改变界面 IMC 的取向。曲林[70]结合同步辐射实时成像技术研
究了冷却过程中 Cu6Sn5 晶粒的变化规律，发现冷却阶段晶粒宽度变化很小，而高度增
加较快；钎料过冷将使界面 IMC 形成棱晶形貌，且冷却速率越慢，棱晶尺寸越大；并
认为棱晶状形貌的形成是由于 Cu6Sn5 晶粒的择优生长，即沿[0001]轴生长较快而沿
{10 1 0}面法线方向生长较慢导致的。
钎焊工艺过程中冷却阶段片状 Ag3Sn 在界面处的析出也是业界和研究者所关注的
问题。钎料中添加 Ag 元素可以在钎料中形成细小的 Ag3Sn 相，从而提高钎料的力学性
能[71][72]，抗电迁移性能[73]以及抗腐蚀性能[74]。另外还有报道指出 Ag 元素的添加
可以排除空洞的形成以及抑制柯肯达尔孔洞的形成[75][76]。然而如果 Ag3Sn 以大片状
的形式在界面析出将严重弱化 Ag 元素对钎料焊点的强化作用，并且增加界面的脆性。
当焊点受到应力作用时，裂纹易于在片状 Ag3Sn 和钎料的界面产生[77]，从而影响焊点
的整体可靠性。因此，了解大片状 Ag3Sn 的界面析出行为，从而控制其在界面的析出具
有重要意义。Gong 等人[78]同样采取离心去除钎料的方法研究了回流过程中共晶
Sn-Ag-Cu 焊点中片状 Ag3Sn 的形成机制，发现片状 Ag3Sn 形成于冷却过程的中间阶段，
倾向于在界面处形核析出，并且其有两个择优生长方向，即(110)和(001)面的法向。研
究者探索了片状 Ag3Sn 析出的影响因素以及抑制方法[79][80][81][82]，发现 1）快速冷
却可以减少 Ag 原子扩散的时间，从而消除片状 Ag3Sn 在界面的析出，然而其实验中只
有水冷情况才能达到较好的消除效果；2）小焊点由于具有较大的过冷度，增加了 Ag3Sn
析出和生长的时间，从而较易形成大片状 Ag3Sn；3）焊点中的 Cu 浓度对 Ag3Sn 的析出
行为没有明显影响；4）将 Ag 含量降低到 3.0 wt.%以下可以极大地降低片状 Ag3Sn 在界
面处的析出；5）相比于 Cu6Sn5 晶粒的表面，片状 Ag3Sn 更倾向于在(Cu,Ni)6Sn5 的表面
形核。
因此，实际工艺流程中的升温和降温阶段会对焊点界面 IMC 的厚度和形貌产生显
著影响，研究实际工艺过程中 IMC 的演变规律，对加深界面 IMC 的生长和形核机制的
理解有着重要意义。
3) 微焊点的界面反应
随着 3D 封装技术的兴起，应用于芯片互连的微凸点尺寸甚至达到几个微米。微焊
点的界面反应将会有不同于大焊点的特殊性，尺寸减小引发的新问题值得关注和深入研
究。Tu 等人[11]和 Chuang 等人[83]分别对微焊点的界面反应面临的新问题做了阐述，
总体来说有如下几点：1）焊点尺寸减小而温度和工艺流程没变将会导致界面反应加剧，
- 17 -
界面 IMC 所占焊点的比例增加，甚至可能完全生成 IMC[84]，焊点力学性能受到 IMC

性能的控制，而目前对 IMC 物理性能的了解还不完善，需要加强这方面的研究；2）界
面反应中 IMC 的合并和熟化导致焊点中心出现孔洞；3）Sn 的反应和消耗导致钎料中杂
质的浓度升高，对界面反应及焊点可靠性产生影响；4）Sn 的反应和消耗导致不参加界
面反应的添加元素浓度升高，从而将改变界面反应规律；5）凸点下金属层对性能的影
响增加，如 Au 处理层将导致 Au 脆现象；6）界面反应引起体积收缩形成内部应力或结
构缺陷；7）在 3D IC 封装中，芯片与基板热膨胀系数不匹配，导致焦耳热引起热应力，
用硬的无铅釺料替代软 Sn-Pb 钎料将使得可靠性加剧；8）焊点尺寸减小，金属基体和
钎料的各向异性问题引发关注。典型的几种微焊点界面反应问题如图 1.11 所示。微焊点
界面反应面临的新问题逐渐成为研究的热点，相关研究逐渐开展起来，但还远远不够完
善。这些研究主要集中在微焊点中缺陷的形成与排除，界面 IMC 生长动力学，全 IMC
焊点的形成行为与机制，原子交互作用及外场对微焊点界面反应的作用等相关方面。
微焊点中缺陷的形成与排除方面的相关研究较少。Ni/Sn/Ni 体系微焊点在时效过程
中化合物生长带来的焊点内部体积收缩较为严重而容易形成焊点内部孔洞。针对此问
题，Chuang 等人[75][85]发现在 Ni/Sn/Ni 体系中添加 Ag 元素，可以在原来孔洞的位置
形成 Ag3Sn，得到了无孔洞的微焊点。目前报道中仅在 Ni/Sn/Ni 体系中的发现了孔洞形
成，Cu/Sn/Cu 体系固态时效的中则不易产生焊点内部孔洞。其他界面反应体系是否易形
成缺陷有待进一步研究。另外微焊点中孔洞将对焊点的可靠性产生严重影响，除收缩孔
洞外，气孔等其他缺陷的排除也具有实际意义，添加有益元素以排除缺陷成为一个有效
的途径。
- 18 -
(a) (b)
(c) (d)
图 1.11 典型微细间距界面反应问题：(a) 微细间距 Ni/Sn/Ni 焊点时效后形成中心

孔洞，(b) Au、Pd 等处理层导致钎料中大量脆性相析出，(c) 钎料中添加元素 Bi 聚集，
(d)界面 IMC 熟化和两侧 IMC 合并生长[83]
Fig. 1.11 Critical interfacial reaction issues in micro-interconnects: (a) Central voids
formed after aging in micro Ni/Sn/Ni interconnects, (b) brittle phase precipitation induced by
Au and Pd surfaces finishes, (c) Aggregation of Bi additions in the solder and (d) ripening and
merging of interfacial IMCs on two sides of the interconnects[83]
微焊点中界面 IMC 生长动力学是学者和业界关心的问题，但由于研究开展时间较

短，目前并没有系统的研究及理论。目前较多研究的是二元界面反应体系，如
- 19 -
Ni/Sn(Sn-Ag)/Ni 体系[75][85]，Cu/Sn(Sn-Ag)/Cu 体系[86][87]和 Ag/Sn/Ag 体系[88]。固

态时效条件下，Ni/Sn/Ni 体系中界面 IMC 的生长速率受 Sn 层厚度影响较小，生长指数
在 0.3-0.5 之间，晶粒熟化和体扩散共同控制界面 IMC 的生长，而添加 Ag 元素可以使
得界面 IMC 生长指数降低到 0.3 以下，抑制了界面 IMC 的生长[75][85]；Cu/Sn/Cu 体系
中界面 Cu6Sn5 和 Cu3Sn 的生长均满足抛物线规律，而添加 Ag 元素可以抑制 Cu3Sn 的生
长从而减小 IMC 层的总厚度，添加 Ag 前后 Cu6Sn5 的生长激活能分别为 93 和 91 kJ/mol，
Cu3Sn 的生长激活能分别为 84 和 59 kJ/mol[86]。液/固界面反应条件下，Cu/Sn/Cu 体系
反应初期形成扇贝状的 Cu6Sn5 晶粒和一薄层柱状的 Cu3Sn 晶粒，残余的 Sn 层消耗完全
后，Cu3Sn 消耗 Cu6Sn5 生长直至焊点内部完全形成 Cu3Sn 柱状晶，Cu6Sn5 的生长激活能
为 19.72 ±13.10 kJ/mol，
为晶界扩散控制，而 Cu3Sn 的生长激活能为 84.59 ±25.84 kJ/mol，
为体扩散控制[87]；在 Ag/Sn/Ag 体系界面仅有扇贝状的 Ag3Sn 生成，其生长动力学符
合 t1/3 规律，生长激活能为 37.17 ± 18.87 kJ/mol，为晶界扩散控制[88]。Park 等人[89]用
相场法模拟了 Cu/Sn/Cu 焊点在液相扩散连接中的显微组织演变过程，预测了 240 oC -
310 oC 下 Sn、Cu6Sn5 和 Cu3Sn 层的厚度变化过程，并与 Li 等人[87]的实验结果做了对
比，吻合良好。
(a) (b)
(c)
图 1.12 上下 Cu6Sn5 晶粒合并的(a,b)FIB 照片及(c)EBSD 照片[87][90]

Fig. 1.12 Images of grain merging between top and bottom Cu6Sn5 grains: (a,b) FIB
images and (c) EBSD mapping[87][90]
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微焊点中界面两侧的 IMC 层将有可能生长到一起而得到全 IMC 焊点。虽然具有较

大的脆性，但全 IMC 焊点因具有高强度、高熔点和高抗电迁移性能而在 3D 封装芯片互
连中具有潜在的应用价值。其形成过程和机理也引起了学者的关注，目前研究较多的为
Cu/Sn/Cu 体系。界面两侧的 Cu6Sn5 晶粒接触后形成单一取向晶粒的过程和机制引起了
学者的兴趣[87][90]，如图 1.12 所示。单一晶粒的形成可能存在两种机制：熟化机制及
晶粒合并（或晶界迁移）机制。Zhang 等人[91]认为界面两侧晶粒的合并行为并非是晶
粒熟化导致的，而是通过晶界迁移实现的，并提出以大块 Cu6Sn5 晶粒作为种子晶的方
法制备单晶 Cu6Sn5 层作为电子封装焊盘上的新型 UBM。Yang 等人[92]进一步研究发现
Cu/Sn-Bi/Cu 体系固态时效过程中也能形成单一取向 Cu6Sn5 晶粒，另外还存在未完全合
并在一起的晶粒，支持了 Zhang 等人[91]的晶界迁移机制。随反应时间的继续延长，微
焊点中间的单一 Cu6Sn5 晶粒将最终被 Cu3Sn 柱状晶完全消耗，而相接触的 Cu3Sn 柱状
晶则难以发生合并[93]。全 Cu3Sn 柱状晶焊点形成后，一些细小的等轴晶在 Cu3Sn 内部
形成，并且无论基体 Cu 的取向，柱状的 Cu3Sn 晶粒(100)面倾向平行于 Cu 基板界面生
长[94][95]。
微焊点的界面反应行为易受到异质基板间原子交互作用及外场作用的影响。对于异
质基体形成的微焊点，一侧基体溶解的原子会扩散到另一侧基体界面并参加界面反应，
随焊点尺寸的减小，这种作用将变得明显，微焊点中这种作用会更为剧烈。Huang 等人
[96]对 Ni/Sn-2.5Ag/Cu 微焊点的液/固界面反应的研究表明焊点间距将影响界面 IMC 的
生长，在 40 μm 焊点中，Ni 侧的 IMC 生长稍快于 Cu 侧，而在 10μm 和 20μm 焊点中，
Cu 侧的 IMC 生长更快。微焊点的界面反应易受到外部能量场的作用而加速，包括温度
场[97]、超声[98][99]和电场[100]等。温度梯度可以使原子定向迁移从而使得一侧界面的
IMC 厚度比另一侧更厚。当 Cu/Sn-2.3Ag/Cu 微焊点在 51 oC/cm 的温度梯度下进行液/固
界面反应时，Cu 原子向冷端迁移导致了冷端界面形成了较为粗大的扇贝状 Cu6Sn5 晶粒
[97]。超声场可以加速原子的扩散以及提供焦耳热从而加速界面反应。Cu/Sn/Cu 微焊点
通过超声焊接的方法可以快速得到全 Cu3Sn 焊点，但由于超声的空化作用而导致化合物
中的孔洞较多 [98] ； Ni/Sn-0.7Cu/Cu 微焊点通过超声焊接的方法可以快速得到由
(Cu,Ni)6Sn5 和一薄层 Cu3Sn 组成的全 IMC 焊点，其热阻为 0.252 mm2K/W，剪切强度达
到 69MPa[99]。电场具有焦耳热效应和驱动原子迁移的作用，同样可以加速界面反应的
进行。
综上所述，微焊点的界面反应面临诸多新问题，而目前对其研究正处于起步阶段，
如界面两侧 IMC 在液/固反应中的的生长及融合机制、微焊点中界面 IMC 的生长速率、
以及 Cu、Ni 原子的交互作用对界面反应的影响规律等有待进一步探索。
- 21 -
4）基体取向对界面反应的影响
焊点尺寸的减小同样使得材料各向异性问题凸显出来。金属焊盘的各向异性将对界
面反应产生显著影响。作为极限情况，单晶基体(Cu、Ag、Ni)与钎料之间界面反应的研
究近年来受到学者的关注，研究主要集中于单晶基体界面 IMC 的形貌特征及形成机制，
生长动力学，与金属基体间的取向关系，单晶基体的溶解行为及界面 Kirkendall 空洞的
形成等方面。
(a) (b)
图 1.13 在(a)多晶 Cu 和(b) (001) 单晶 Cu 上生成的界面 Cu6Sn5 的形貌对比[51],[34]

Fig. 1.13 Comparison of interfacial Cu6Sn5 morphologies formed on (a) polycrystalline Cu
and (b) single crystal (001) Cu[51][34]
近年来研究发现单晶基体的一些特殊晶面（通常为低指数晶面）上能够形成具有特
殊形貌并规则排列的 IMC，并且与单晶基体具有取向关系。由于 Cu 基体在电子封装中
的应用最为广泛，Sn 基钎料与单晶 Cu 基体间界面反应的研究也相对较多。研究表明纯
Sn、Sn-Pb、Sn-Ag 等 Sn 基钎料与(001)单晶 Cu 反应能形成相互垂直规则排列的棱晶状
（屋脊状）Cu6Sn5[34]，而不是常见的扇贝状形貌[51]，如图 1.13 所示。进一步研究发
现 Sn 基钎料与(111)单晶 Cu 反应时能够形成互成 60°排列的棱晶状 Cu6Sn5，而与(011)
和(123)单晶 Cu 基体反应时会形成扇贝状与棱晶状晶粒共存的混合形貌[101][102]。规则
排列特殊形貌的形成与 Cu6Sn5 晶粒在单晶 Cu 基体上低错配形核相关，Cu6Sn5 晶粒中
Cu 原子最密排的方向和 Cu 的密排方向（[110]方向）能够形成半共格结构，并由此能够
形成六种位向关系[34]。另外不同单晶基体上生成的棱晶状 Cu6Sn5，其与(111)Cu 之间
的晶面位向关系为{10 1 0}||{111}，屋顶状晶粒的外表面为{11 2 0}面，而其与(001)Cu 之
间的晶面位向关系为{11 2 0}||{001}，屋顶状晶粒的外表面为{10 1 0}面[103]。特殊形貌
Cu6Sn5 的形成不仅与基体取向相关，还与反应的温度和时间相关。Zou 等人[104]发现棱
晶状 Cu6Sn5 晶粒长时间液/固反应后将转变为扇贝状，而长时间固态时效后仍能保持择
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优取向关系。Cui 等[105][106]研究发现当钎焊温度较高、钎料中 Cu 浓度较低时，(001)

单晶 Cu 与 Sn-xCu 界面处更易形成棱晶状 Cu6Sn5 晶粒，因此通过调整钎焊温度、反应
时间及钎料中的 Cu 浓度，可以达到控制界面 Cu6Sn5 晶粒形貌的目的，如表 1.2 所示。
除了形貌差异，棱晶状 Cu6Sn5 的生长指数也比扇贝状晶粒的生长指数小，约为
0.19~0.24[104]。棱晶状 Cu6Sn5 较低的生长动力学与其外表面较慢的晶体生长动力学相
关[103]。单晶 Cu 基体不仅影响 Cu6Sn5 的形貌及生长规律，对 Cu3Sn 的取向和生长速率
也有影响。Shang 等人[107]研究 SnBi 钎料与(100)单晶 Cu 界面反应时发现单晶 Cu 上初
始的 Cu3Sn 呈柱状晶并与(100)Cu 之间有位向关系，不同于多晶 Cu 上多边形状 Cu3Sn，
并且单晶 Cu 上 Cu3Sn 的生长速率更为缓慢[35]。另外，单晶 Cu 基体还可以抑制柯肯达
尔孔洞的形成[108]，这是由于细晶 Cu 的晶界为有效空位提供了更多的扩散路径导致
Cu3Sn 界面处更容易出现孔洞，而单晶 Cu 基体无晶界而大大降低了孔洞形成的概率。
与单晶 Cu 基体原子排列相近的纳米孪晶 Cu 基体也能够消除界面的柯肯达尔孔洞[90]。
表 1.2 钎料中的铜浓度、钎焊温度及反应时间对界面 Cu6Sn5 晶粒形貌的影响[105]

Table 1.2 Effect of Cu concentration in solder, soldering temperature and time on the
morphology of interfacial Cu6Sn5 grains[105]
铜浓度 250 oC 300 oC
Sn 扇贝状棱晶状
棱晶状，10 min 后
Sn-0.7Cu 扇贝状
部分转变为扇贝状
棱晶状，150 s 后
Sn-1.5Cu 扇贝状
全部转变为扇贝状
Sn-3Cu 扇贝状扇贝状
Ni、Ag 等单晶基体上生成特殊形貌或择优取向的 IMC 近年来也有相关报道。单晶

Ni 基体上通常形成的 IMC 有 Ni3Sn4 和(Cu,Ni)6Sn5 两种。由于 Ni 基体与 Ni3Sn4 之间的
错配度较大，目前未发现单晶 Ni 基体上形成特殊形貌的 Ni3Sn4，然而 Ni3Sn4 仍与单晶
Ni 基体之间存在两种择优取向关系[109]，这种取向关系在 IMC 晶粒形核时就已存在，
表明具有大的界面错配的择优取向关系是界面反应过程中在金属基体上 IMC 形成的常
规机制。(001)单晶 Ni 上则能够形成规则排列的(Cu,Ni)6Sn5 晶粒[110]。Chen 等人[111]
进一步研究发现 250 oC 下 Sn-0.6Cu 与单晶 Ni 反应形成的(Cu,Ni)6Sn5 的 (120) 面平行于
Ni 基体的 (1 11) 面，(Cu,Ni)6Sn5 的[001]方向平行于 Ni 基体的[110]方向。单晶 Ag 基体上
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也能够形成规则排列的 Ag3Sn，如(001)单晶 Ag 上形成的 Ag3Sn 晶粒沿两个相互垂直的

方向规则排列[112][113]，这种特殊形貌同样归因于 Ag3Sn 晶粒与(001)单晶 Ag 之间的
低错配关系，与 Cu6Sn5 不同，当回流或时效时间延长时这种特殊形貌并未发生明显变
化。
界面 IMC 的织构生长不仅存在于单晶基体上，多晶基体上生成的 IMC 也普遍会有
择优取向或者织构的存在。多晶 Cu 基体上生成的扇贝状 Cu6Sn5 同样与 Cu 基体之间存
在六种择优取向关系[114]。Tian 等人[115][116]发现界面反应后多晶 Cu 上生成的 Cu6Sn5
的(0001)面倾向与 Cu 基体界面平行，Cu3Sn 的(100)面也倾向平行于 Cu 基体的表面。与
前者不同，Mu 等人[117]发现多晶 Cu 上生成的 Cu6Sn5 和(Cu,Ni)6Sn5 均有(101)织构，而
(Cu,Ni)6Sn5 的织构更强。Li 等人[118][119][120]进一步研究发现多晶 Cu 基体上 Cu6Sn5
的择优取向受到钎料成分和反应温度的影响，其中 Sn-37Pb 在 200 oC 以及 Sn-3.5Ag 在
240 oC 反应时均生成[0001]织构的 Cu6Sn5，而 Sn-37Pb 和 Sn-3.5Ag 在 280 oC 和纯 Sn 在
240 oC 和 280 oC 下[0001]均与界面存在夹角，并认为织构的形成与 Cu6Sn5 的粗化机制以
及界面能相关。另外 111 取向纳米孪晶 Cu 上反应生成的 Cu6Sn5 的也有择优生长， 260
C 反应 1 min 后界面生成  0001 取向的 Cu6Sn5 ，而长时间回流后取向转变为
o
{2 1 13} [121]。
综上所述，在单晶 Cu、Ni 等金属基体上一定条件下能够形成规则排列择优取向的
IMC，且其规则形貌能够转变。另外单晶基体上界面 IMC 具有较低的生长指数，且抑制
了柯肯达尔孔洞的形成，期望能够得到较薄的无孔洞的界面 IMC 层，提高焊点整体的
可靠性。然而，单晶基体微焊点上界面 IMC 是否具有规则排列择优取向，其形成与转
变的机理又是什么，其界面 IMC 生长动力学如何，还未有报道。单晶基体微焊点界面
反应的特殊性需要进一步研究。
1.3 微焊点的力学性能及可靠性
焊点尺寸的减小不仅改变了界面微观组织，还将进一步对焊点的力学性能及可靠性
产生影响。例如焊点尺寸减小导致界面 IMC 厚度及所占焊点的比例增加，IMC 的性能
更大程度上决定了焊点的性能，苛刻情况下钎料将全部转化为 IMC 焊点，其力学性能
完全由 IMC 决定。然而研究者对 IMC 的性能了解还不够深入，其即具有脆性的缺点又
具有高强度、高熔点和高抗电迁移性能等优势，对焊点可靠性的影响有待进一步评价。
另外焊点尺寸减小导致钎料成分变化剧烈，如杂质元素的浓度升高，有益成分的消耗及
Sn 的消耗，也会显著改变焊点的性能。Yang 等人[92]报道了 Sn-Bi 微焊点界面反应后
- 24 -
Sn 被消耗完而形成了 Bi 焊点从而达到低温反应和高温应用的目的，而目前对这些焊点
的可靠性并无相关评价。因此，研究微焊点的可靠性在理论和工程应用上均具有重要意
义。
目前对微焊点力学性能的研究主要集中在微焊点的剪切和拉伸性能等方面。焊点的
力学性能受到钎料和界面组织的影响[122][123]。总体来说，焊点强度决定于钎料和界
面两者中较弱的一个环节，保持焊点界面的完整性以及通过第二相等强化钎料基体的性
能可以得到较高强度的焊点。钎料中的第二相熟化长大或者消耗将降低钎料的强度，当
界面强度高于钎料的强度时，断裂发生在钎料内部，一般为塑性断裂；而界面处在钎焊
后存在缺陷或者在服役过程中界面处形成缺陷均会显著降低界面的强度，从而使得界面
成为薄弱环节，断裂倾向于在界面脆性断裂。Wang 等人[122]对比研究了 100 μm 间距
的 Cu/Sn/Cu，Ni/Sn/Ni 和 Cu/Sn/Ni 三种体系焊点，由于 Cu/Sn/Ni 焊点 Ni 侧界面处存在
孔洞等缺陷而导致焊点最终在 Ni 侧界面脆性断裂，而其他两种焊点由于界面无缺陷而
在钎料中韧性断裂；而钎料中弥散分布的 Ni3Sn4 的强化作用高于 Cu6Sn5 的强化作用而
导致 Ni/Sn/Ni 的拉伸强度更高。Huang 等人[123]研究了 Cu/Sn-9Zn/Cu 焊点的拉伸性能，
Zn 对钎料的强化作用使得钎料强度高于界面强度而使得断裂发生在界面，而时效过程
中 Zn 的消耗使得断裂位置转移到钎料内部；通电服役过程中阴极界面处损伤出现孔洞
使得断裂位置转移到阴极界面。
焊点的力学性能还受到焊点几何结构的影响。Saxton、West 和 Barret[124][125][126]
基于 Orowan 等人[127]的近似计算描述了不同间距下钎焊焊点在拉伸条件下的变形行
为。焊点的强度正比于钎料的屈服强度，依赖于焊点的尺寸 d/h，h 为焊点间距，d 为焊
点横截面直径。当钎料为理想的塑性材料时，根据钎料的屈服强度，Orowan 理论定义
了焊点的断裂强度  F :
 F   UTS / yield  (1  d / 6h) (1.22)
其中， F 为焊点理论断裂强度， UTS / yield 为钎料的极限拉伸强度或屈服强度。焊点的理
论断裂强度处于  F 的最大值与最小值之间。Zou 和 Zhang[128]研究了 Sn-3Cu/Cu 焊点
的断裂行为，发现大间距焊点具有较低的拉伸强度，断裂模式为韧性断裂；小间距的焊
点将会导致脆性断裂以及较高的拉伸强度。Zimprich 等人[129]通过研究不同间距(25
μm-850 μm) Cu/Sn3.5Ag/Cu 焊点拉伸、剪切及应力松弛等性能，验证了 Orowan 公式的
正确性，发现拉伸条件下，随着焊点间距的缩小，尺寸约束作用增强导致焊点强度增高，
断裂应变降低。随焊点间距增加，钎料塑性变形能力增强，导致断裂在钎料内部发生，
而不是在 IMC/钎料界面处。Zhang 等人[130]结合有限元模拟和实验数据研究了尺寸拘
- 25 -
束作用对 Ni/Sn3.0Ag0.5Cu/Ni 焊点力学及断裂行为的影响。通过 ANSYS 有限元软件，

研究不同间距条件下焊点应力状态软性系数的变化，如图 1.14 所示，可以观察到随焊点
间距/横截面直径之比 R 不断降低，应力状态软性系数降低，同时低应力状态软性系数
区域占得比重不断增加，即随着焊点 R 值降低，焊点刚度增加，更加不易产生塑性变形，
拘束应力增加。同时，在拉伸条件下，焊点的断裂模式也发生明显改变，随着焊点间距
缩小，焊点由塑性断裂转变为脆性断裂，拉伸强度增加。
(a) (b) (c)
图 1.14 5 N 加载条件下钎料软化系数随 R 的分布图：(a) R= 1/3; (b) R= 1/6; (c) R=

1/12[130]
Fig. 1.14 Distribution of softening coefficient in solder matrix of Ni/SAC/Ni joints with
different R under a tensile load level of 5 N. (a) R= 1/3; (b) R= 1/6; and (c) R= 1/12[130]
针对全 IMC 焊点的断裂力学性能很少有人研究。Chu 等人[131]采用 Cn/Sn/Cu 和

Ni/Sn/Ni 焊点在峰值回流温度为 280 oC 的条件下反应 20 min 制备了全 IMC 焊点，
Cn/Sn/Cu 焊点中形成 Cu6Sn5 和 Cu3Sn 化合物，Ni/Sn/Ni 焊点中形成 Ni3Sn2 和 Ni3Sn4 两
种 IMC，剪切试验表明 Cn/Sn/Cu 焊点具有较高的剪切强度，断口平滑，断裂发生在 Cu6Sn5
晶粒内部，而 Ni/Sn/Ni 焊点剪切强度相对较低，断口粗糙，断裂模式为在 Ni3Sn4 晶粒之
间或者 Ni3Sn2 和 Ni3Sn4 相界面沿晶断裂。
1.4 同步辐射技术在微电子封装研究中的应用
同步辐射是接近光速的带电粒子在运动方向改变时释放出的 X 射线电磁辐射，具有
光谱连续平滑、脉冲间隔短、强度高，穿透性强、准直性好等特异优点。同步辐射的高
穿透性和准直性使得其能够穿透一定厚度的金属材料且具有较高的分辨率，从而使其在
材料科学研究中有用武之地。同步辐射成像技术被引入材料科学研究领域，成为一种能
够实现对材料微观结构与组织演变进行动态观察的有效的实验手段，促进了材料科学的
发展。由于不同相对 X 射线的吸收能力不同，由此不同相之间的衬度产生了差异。均匀
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的液相中析出第二相时，将会被实时成像技术捕捉到，从而能够实时观察相的演变过程。
近年来，同步辐射成像技术应用于电子封装领域也显示了其潜在的巨大价值。
同步辐射成像技术可以用来观察钎料中以及界面处微观组织的形成与演变。近几年
有学者利用同步辐射实时成像技术研究了 Al、Ni 和 Zn 等添加元素对无铅钎料焊点中初
晶 IMC 的尺寸和形貌的影响[132][133]，以及确定了不同相的析出顺序及生长规律
[134][135]。图 1.15 显示了具有不同尺寸和形貌的 Cu6Sn5 的同步辐射照片。同步辐射成
像技术还可以用来观察界面相生长与组织演变，如观察界面气泡的生长行为[136]，界面
IMC 的形成与生长行为[137]。Qu 等人[138]通过同步辐射实时成像技术第一次观察到了
界面 Cu6Sn5 晶粒的合并行为。应用同步辐射还可以获得微焊点在应力作用下缺陷的演
变与失效过程，如疲劳裂纹的扩展过程[139]，剪切应力下的孔洞变形行为[140]，电迁
移过程中孔洞的生长[141][142]，界面 IMC 的演变与基板消耗[143][144][145]。
(a) (b)
图 1.15 钎料中初晶 Cu6Sn5 的同步辐射照片(a) 不含 Al，(b) 含有 250 ppm Al[132]

Fig. 1.15 Synchrotron radiation images showing primary Cu6Sn5 (a) 0 ppm and (b) 250 ppm
Al[132]
此外，同步辐射技术还可以实现三维成像来获得整个样品中相的演变和分布[146]，
孔洞、疲劳裂纹等缺陷组织的三维形貌及分布情况[147][148]，以及复杂结构焊点中失
效位置确定[149]。
因此，应用同步辐射实时成像技术能够得到微米尺度相、组织和缺陷的实时变化过
程，为分析物相形貌的演变规律提供了有力的手段。在电子封装钎焊界面反应领域中应
用同步辐射实时成像技术，能够实现界面 IMC 生长与演变规律、焊点中相的溶解和析
出行为、气泡和裂纹等缺陷的形成与演变规律以及焊点过冷度的在线观察，对分析焊点
的界面反应和组织演变规律性及损伤演变机理具有重要意义。而目前应用同步辐射实时
成像技术的研究仍较少，本论文将应用此技术在界面反应及力学性能方面进行具体的研
究工作。
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1.5 论文的研究思路及研究内容
目前电子封装技术向着 3D 封装迈进，封装尺度逐渐减小，实现封装互连的无铅焊
点的尺寸也随之减小。封装器件的可靠性很大程度上决定于无铅焊点的可靠性。而界面
是 3D 封装材料之间形成可靠连接的基石，其结合强度与兼容性直接影响封装结构的可
靠性。无铅钎料互连的界面问题一直是领域内学者关注的重点。
微型化下无铅焊点的界面反应将不同于大焊点的界面反应，具有其特殊性，其具体
表现在以下几个方面：1）由于焊点的体积随焊球直径成 3 次方关系减小，界面反应中
焊点的成分更易受到基板溶解、界面 IMC 生长的影响，而钎料成分的改变反过来又会
影响界面反应；2）工艺条件下的微焊点的界面反应将更加敏感；3）异质基体钎焊互连
中不同原子间的交互作用相比于大焊点将更加强烈，显著影响界面 IMC 的生长规律以
及基体的溶解规律；4）微焊点中各向异性问题将更加明显，金属基体的取向将影响界
面 IMC 的形貌及生长动力学；5）微焊点中界面 IMC 比例增加，甚至形成全 IMC 焊点。
然而目前微型化趋势下界面反应新问题的研究还较少，不同因素影响下界面反应规律性
复杂，并没有统一的理论描述，并且微焊点的可靠性有待评价。
针对以上问题，理论上目前经典的 IMC 熟化生长理论模型有其不适用性，并无法
解释界面反应的尺寸效应现象，另外对化合物形貌、类型演变也无相关模型。需要构建
统一的模型来合理解释不同影响因素下的界面反应。实验方法上传统的界面反应研究主
要以结果为导向，即通过离线观测界面反应后微凸点界面 IMC 的相结构、形貌和厚度，
以及微凸点整体微观结构的变化来推理界面反应的过程，这种实验方法存在明显的不
足：1）受到多种因素及条件的制约，导致结果推理困难；2）得到的是统计的平均信息，
无法确定细节信息及动态信息；3）一些快速组织变化（如冷却过程中组织的析出）难
以捕捉。应用同步辐射成像技术，在实际界面反应过程中对微焊点内部的相关信息进行
有效地实时原位观测，将对理解微观组织的演变过程及机理具有重要作用。
本论文将针对以上微型化条件下面临的界面反应新问题，表征焊点尺寸、工艺条件、
基体类型等因素对焊点界面反应的规律型，尝试从界面反应动力学（扩散通量）与团簇
形核的角度阐明不同影响因素对钎焊界面反应的作用机理，并进一步针对微型化条件下
焊点的力学可靠性问题进行了初步研究，具体内容如下：
1、研究无铅界面反应的尺寸效应现象，从扩散通量的角度建立 Sn-xAg-yCu/Cu 体
系界面反应的尺寸效应模型，定量表征钎料中 Cu 浓度、IMC 的生长及 Cu 基体溶解的
变化规律；研究 Sn-3.0Ag-0.5Cu/Ni-P 焊点中短时回流条件下的尺寸效应，揭示界面 IMC
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的类型和形貌的演变规律与机理；研究尺寸效应下 Cu/Sn-3.0Ag-0.5Cu/Ni-P 焊点的尺寸

效应，阐明 Cu、Ni 交互作用与尺寸效应下界面反应的规律性。
2、研究工艺条件下焊点界面 IMC 的溶解和析出行为，揭示界面 Cu6Sn5 晶粒在温度
变化过程中的生长规律，阐明界面大片 Ag3Sn 相在加热和冷却阶段的溶解和析出规律以
及温度梯度对其析出行为的影响机理。从原子扩散通量和液态团簇的角度阐明界面 IMC
形核机制及溶解与析出动力学。
3、对比研究多晶 Cu/Sn/多晶 Cu、多晶 Cu/Sn/多晶 Ni、单晶(001)Cu/Sn/(001)Cu 以
及单晶(001) Cu/Sn/(001)Ni 微焊点的界面反应行为。阐明界面 IMC 生长动力学及其形貌
和取向演变规律、界面 Cu6Sn5 晶粒生长合并的机理。揭示 Cu、Ni 交互作用对微焊点界
面反应的作用机理；阐明单晶基体微焊点界面反应的特殊性及一般规律。从原子扩散通
量和液态团簇的角度揭示界面 IMC 生长动力学及形貌演变机理。
4、揭示界面 IMC 厚度对微焊点拉伸强度、断裂模式的影响规律，阐明 IMC 厚度对
焊点拉伸性能影响的机理，表征 Cu/IMC/Cu 和 Cu/IMC/Ni 两种全 IMC 焊点的拉伸性能。
原位表征微焊点拉伸条件下的损伤机制，明确焊点损伤的影响因素。
- 29 -
2 实验材料与方法
2.1 样品制备
2.1.1 实验材料与焊点结构
实验中用到的钎料有：纯 Sn(99.99 wt.%) 、 Sn-3.5Ag 、 Sn-3.0Ag-0.5Cu ，
Sn-4.0Ag-0.5Cu。
表2.1 实验中所用焊点结构
Tab. 2.1 Structure of the interconnects used in the experiment
钎料尺寸或焊球直径
实验焊点结构
(μm)
Cu/Sn-3.0Ag-0.5Cu 4002
尺寸效应的影响1 Ni-P/Sn-3.0Ag-0.5Cu 200、300、400
Cu/Sn-3.0Ag-0.5Cu/Ni-P 200、300、400、500
Cu/Sn 500
工艺条件的影响 Ni-P/Sn-4.0Ag-0.5Cu 45
Cu/ Sn-3.5Ag/Cu 50
多晶Cu/Sn/多晶Cu
多晶Cu/Sn/多晶Ni
基体类型的影响 30
(001)Cu/Sn/(001)Cu
(001)Cu/Sn/(001)Ni
多晶Cu/Sn/多晶Cu 60
力学性能实验
多晶Cu/Sn/多晶Ni 100
1) 尺寸效应实验焊盘由华为技术有限公司提供，单侧焊点焊盘直径为250 μm，双侧焊点焊盘直径分别为150 μm、250
μm、300 μm和400 μm，与焊球直径从小到大一一对应。
2) Cu侧焊点尺寸效应实验见刘鲁潍硕士论文[61]，本论文主要是模拟和计算为主，仅涉及少量验证性实验。
焊接基体材料（焊盘）有：Cu焊盘、Ni-P(ENEPIG)焊盘、多晶Cu(99.95 wt.%)、多
晶Ni(99.99 wt.%)、(001)单晶Cu、(001)单晶Ni。其中Cu焊盘上有一层有机可焊性保护膜
（Organic Solderability Preservative，OSP）是在干净的Cu表面生成的一种有机膜，用以
保护Cu不被氧化，此膜将会在焊接过程中被助焊剂迅速去除；ENEPIG焊盘的具体结构
为Ni-15 at.%P(5 μm)/Pd(100 nm)/Au(50 nm)，其中Pd和Au在钎焊后会迅速溶解进入钎料
- 30 -
中。单晶基体通过Bridgeman方法得到，单晶Cu和单晶Ni沿样品表面法向的反极图如图
2.1所示，两者均具有[001]取向，[001]Cu的角度偏差更小些。实验中所用到的钎料与基
体材料组成的焊点结构如表2.1所示。
(a) (b)
图 2.1 (a)单晶 Cu 和(b)单晶 Ni 的样品表面法向的反极图

Fig. 2.1 Reverse pole figures in the direction normal to the sample surface of (a) single crystal
Cu, and (b) single crystal Ni
2.1.2 焊点制备
实验所用Ni-P/Sn-4.0Ag-0.5Cu焊点由德国Fraunhofer IZM提供以外，其他焊点均为
自制，主要由两种焊接方法得到：回流焊和浸焊。具体采用哪种焊接方法根据实验需求
决定。其中尺寸效应实验所用焊点以及Cu/Sn-3.5wt.%Ag/Cu、多晶Cu/Sn/多晶Cu、多晶
Cu/Sn/多晶Ni焊点采用回流焊的方法得到，其他焊点由浸焊的方法得到。试样制备步骤
如下：
(1) 准备清洁的焊盘或金属基体表面。尺寸效应实验将带有焊盘的PCB板放到酒精
中用超声振荡清洗10 s左右，去除焊盘表面的污渍，然后用吹风机吹干。浸焊用金属基
体表面依次用400#、800#、1000#、1200#、和2000#砂纸打磨，再用粒度分别为1.5和0.5
的金刚石抛光膏进行抛光，然后对金属基体表面进行碱洗（5 wt.% NaOH）和酸洗（10
vol. % HCL）以去除油污和氧化膜，最后用去离子水清洗。
(2) 焊盘或基板表面涂一薄层中性松香助焊剂。
(3) 焊接：回流焊在回流炉或加热台上进行，回流峰值温度为250 oC，液相线以上
停留确定时间后正常冷却或空冷，图2.2为实验中用到的回流曲线。浸焊时将样品浸入一
定温度的液态钎料中，一定时间后取出水冷。对于双侧焊点采用不锈钢丝控制钎料层的
厚度，本文用到的不锈钢丝的直径分别为100 μm、60 μm和30 μm。各种焊点具体的焊接
方法和工艺参数如表2.2所示。
- 31 -
(a) 300 (b) 300 (c) 300

260 C
o
250 ℃
Temperature ( C)
o
232 C
Temperature C
Temperature ( C)
o
217 C
o
o
200 45 s 200 200
1s 10s 30s 60s

100 100 100
0 0 0
0 100 200 300 400 0 20 40 60 80 100 120 0 100 200 300 400 500 600
Time (s) Time (s) Time (s)
图 2.2 回流曲线示意图(a)尺寸效应 Cu 焊盘侧焊点回流曲线（曲线中测量的是焊点处实

际温度），(b)尺寸效应 Ni 侧焊点回流曲线，(c)微焊点界面反应实验初始焊点回流曲线
Fig.2.2 The reflow profile used in this study for (a) size effect experiment on Cu side, (b) size
effect experiment on Ni-P side, and (c) interfacial reaction in micro joints
表 2.2 各焊点的焊接方法和工艺参数
Tab. 2.2 Joining method and parameters for each solder joint
焊点结构焊接方法工艺参数
Cu/Sn-3.0wt.%Ag-0.5wt.%Cu 回流炉回流 250 oC，45s
Ni-P/Sn-3.0wt.%Ag-0.5wt.%Cu 加热台回流 250 oC，(1s、10s、30s、60s)
Cu/Sn-3.0wt.%Ag-0.5wt.%Cu/Ni-P 回流炉回流 250 oC，45s
Cu/Sn 浸焊 260 oC，30s
Ni-P/Sn-4.0Ag-0.5Cu -- --
Cu/ Sn-3.5wt.%Ag/Cu 回流炉回流 260 oC，30 s
多晶Cu/Sn/多晶Cu 回流炉回流 250 oC，(2 min)
多晶Cu/Sn/多晶Ni 回流炉回流 250 oC，2 min
(001)Cu/Sn/(001)Cu 浸焊 (250 oC、300 oC)，10s
(001)Cu/Sn/(001)Ni 浸焊 (250 oC、300 oC)，10s
多晶Cu/Sn/多晶Cu 浸焊 260 oC，30s
多晶Cu/Sn/多晶Ni 浸焊 260 oC，30s
(4) 最后根据具体的实验，将试样进行线切割、打磨、抛光到具体的尺寸。图2.3为
实验中所用到的焊点的结构示意图。
- 32 -
图 2.3 焊点的结构示意图(a)尺寸效应实验单侧焊点，(b)尺寸效应实验双侧焊点，(c) 回
流中界面 Cu6Sn5 演变实验焊点，(d) 回流中界面 Ag3Sn 演变实验焊点，(e)界面反应实验
微焊点(温度梯度下 Ag3Sn 析出行为观察也采用此焊点结构)，(f) 拉伸实验焊点
Fig.2.3 Schematic of the solder joints for (a) single side size effect experiment, (b) double
side size effect experiment, (c) interfacial Cu6Sn5 evolution experiment, (d) interfacial Ag3Sn
evolution experiment, (e) interfacial reaction in fine solder joints and (f) tensile test
2.2 界面反应实验
针对以上焊点，主要采用传统液/固反应实验（或多次回流实验）和同步辐射实时成
像观察相结合来得到相关实验结果，从而得到界面反应的规律性和机理。
2.2.1 传统界面反应实验
- 33 -
集成电路电子产品中由于结构的复杂性，实际焊点经常需要经历多次回流。为了描
述不同体积焊点在多次回流情况下的界面反应现象及反应机理。设计了焊点的多次回流
实验来进行现象和机理的分析。Cu 或 Ni-P 单侧焊点的多次回流实验由于课题组前期已
有相关研究[61]，本论文仅做了补充实验和机理分析。因此本论文仅针对双侧焊点做了
多次回流的实验研究，每次回流条件和表 2.2 中相应的焊接工艺参数相同。
为研究微小间距焊点中 IMC 在液/固反应中的生长动力学及取向演变，以及基体取
向和交互作用对界面反应的影响规律，本论文针对多晶 Cu/Sn/多晶 Cu、多晶 Cu/Sn/多
晶 Ni、(001)Cu/Sn/(001)Cu 和(001)Cu/Sn/(001)Ni 四种焊点进行了液/固反应实验。
为研究微焊点中 IMC 厚度对的力学性的影响规律，对线性多晶 Cu/Sn/多晶 Cu 和多
晶 Cu/Sn/多晶 Ni 焊点进行了不同时间的液/固反应，以得到具有不同 IMC 厚度的微焊点。
液/固反应实验在 Espec 小型高温试验箱中进行，具体实验条件如表 2.3 所示。
表2.3 焊点反应条件
Tab. 2.3 Aging conditions of the interconnect
焊点结构温度时间（次数）
Cu/Sn-3.0wt.%Ag-0.5wt.%Cu/Ni-P 250 oC 1次、3次、5次
10 min、 20min、30 min、1 h、
多晶Cu/Sn/多晶Cu 250 oC
2 h、3 h、4 h、5h1
多晶Cu/Sn/多晶Ni 250 oC 10 min、30 min、1 h、2 h
(001)Cu/Sn/(001)Cu 250 oC、300 oC 10 min、30 min、1 h
(001)Cu/Sn/(001)Ni 250 oC、300 oC 10 min、30 min、1 h
多晶Cu/Sn/多晶Cu 300 oC 2 h、4 h、8 h、24 h
多晶Cu/Sn/多晶Ni 300 oC 1 h、2 h、4 h
1) 其中 3-5h 的反应针对 IMC 融合的原位观察实验。
2.2.2 同步辐射实验
论文中的同步辐射实验在上海光源 X 射线成像及生物医学应用光束线/实验站
(BL13W1)完成，采用二维实时成像技术，对界面反应中相的生长、溶解、析出等行为
进行了观察。具体涉及实验为回流中界面 Cu6Sn5 及 Ag3Sn 的演变实验和微焊点界面反
应实验。图 2.4 为 BL13W1 线站中的光源、样品和接收器(Charge Coupled Device, CCD)
的照片，三者同轴排列，光源能量在 18-28 keV 之间调节（回流中界面 Cu6Sn5 演变实验
采用 18 keV，回流中界面 Ag3Sn 演变实验采用 25 keV，其他实验采用 28 keV），CCD
- 34 -
分辨率为 0.74 μm/像素和 0.325 μm/像素，曝光时间根据具体情况在 1 s - 3 s 之间调节。

焊点尺寸在 X 射线穿透厚度方向控制在 100 微米以内，从而使得 X 射线能够顺利穿透
样品被 CCD 接收。
图2.4 线站样品室实验装置
Fig. 2.4 Schematic diagram of the experimental configuration
图2.5 同步辐射实验示意图(a)Ag3Sn在回流过程中的演变实验(b) Ag3Sn在温度梯度下

的析出实验（焊点上方的Cu片较长是为了散热以产生较大的温度梯度）(c)Cu6Sn5在回流
过程中的演变实验，(d)微细间距焊点中界面IMC演变实验
Fig. 2.5 Schematic diagram of experiments on (a) evolution of Ag3Sn during reflow, (b)
precipitation of Ag3Sn under temperature gradient, (c) evolution of Cu6Sn5 during reflow, and
(d) IMC evolution in fine gap solder joints.
- 35 -
焊点放置在自制的加热炉中加热，由热电偶实时测量温度，由控温器控温（由于涉
及芯片放置以及施加温度梯度，界面Ag3Sn演变实验采用加热台加热）。加热炉的升温
速率为15 oC/min，冷却速率约为10 oC/min；加热台的升温速率为20 oC/min，冷却速率约
为5 oC/min。为了防止钎料溶化后流出及高温氧化，焊点位置需涂覆有机物保护层。钎
料熔化时间点设置为界面反应的零点。图2.5为应用同步辐射实时成像技术进行的几组实
验的示意图。
2.3 力学性能测试
本论中主要关注IMC厚度对微焊点的拉伸性能和损伤模式的影响。拉伸实验在
Instron 5948型超高精度微力试验机上进行，如图2.6所示。通过位移控制拉伸速率，拉
伸速率为0.05 μm·s-1。每种条件样品均测量三次，取其平均值作为样品的拉伸强度。
图2.6 Instron 5948型超高精度微力试验机

Fig. 2.6 Instron 5948 High Precision Materials Testing System
作为辅助研究手段，采用同步辐射实时成像技术原位观察和表征了微焊点的损伤演
变过程。实验时将拉伸用线性样品的一个侧面继续磨抛至100微米，以便于X射线穿过。
实验采用具有较高热膨胀系数的有机玻璃受热膨胀提供拉力，如图2.7(a)所示，有机玻
璃中间开7 mm的孔，线性焊点两端用502胶水固定在有机玻璃开孔的两端。采用加热炉
以5 oC/min的加热速率将样品从室温加热到70 oC，由于玻璃钢的热膨胀系数为130×10-6
- 36 -
/K，而Cu的热膨胀系数仅为17×10-6 /K，此时约产生35微米左右的拉伸位移。同步辐射
实时成像实验示意图如图2.7(b)所示。
图2.7 同步辐射原位拉伸实验用(a)线性焊点（固定于中心开孔有机玻璃上）和(b)实验
示意图
Fig. 2.7 (a) Line-type joints for tensile test fixed on the organic glass with a center hole and (b)
schematic of the synchrotron radiation in situ tensile test
2.4 微观组织表征与数据分析
主要针对实验后样品的横截面及腐蚀掉钎料的界面俯视图(Top-view)进行微观组织
分析、成分表征和取向分析。将样品镶嵌于树脂中或者用 502 胶水固定于不锈钢柱上进
行打磨抛光，再用 4 vol.% 的盐酸酒精溶解腐蚀 1-2 s，用水冲洗吹干后观察其横截面。
用 10 vol.%的硝酸水溶液配合超声清洗腐蚀掉焊点中的钎料，裸露出界面 IMC，用水清
洗吹干后观察其 Top-view 形貌。用 Zeiss Supra 55 型扫描电子显微镜（Scanning Electron
Microscopy, SEM）观察焊点的组织。用 SEM 配备的能谱分析仪（Energy Dispersive X-ray
Spectroscopy, EDX）检测 IMC 的成分；用 SEM 配备的背散射电子衍射装置（Electron Back
Scattering Diffractin, EBSD）检测晶粒取向。在 EBSD 测试前，需要对样品进行振动抛
光，以去除在磨抛过程中样品表面产生的应力和塑性变形区。
使用 Image-Pro Plus 软件以及 Photoshop 软件分析同步辐射实时成像照片，主要用
于图像背底的扣除、选取合适的区域以及界面 IMC 厚度测量。使用多物理场耦合软件
COMSOL Multiphysics 4.3b 进行相关有限元数值模拟，用于分析焊点中的元素成分分布，
浓度梯度及温度梯度。
- 37 -
3 尺寸效应对界面反应的影响
3.1 引言
电子产品向短、小、轻、薄的趋势发展，焊点的尺寸也持续减小。当焊球直径减小
为原来的一半时，焊球的体积将减小为原来的1/8，这将导致界面形成更厚的IMC层，使
得脆性的界面IMC层占整个焊点的体积百分数显著增加，强烈影响焊点的可靠性。无铅
钎料界面反应的尺寸效应成为目前微型化无铅互连制造中新的基础科学问题。目前
Sn-Ag-Cu体系钎料成为最主流的钎料，其广泛应用于电子产品制造中[150]。Sn-Ag-Cu
钎料与Cu、Ni基体界面反应的尺寸效应现象已有相关报道[54][55][56][57][58]，但都集
中在实验现象的描述和定性解释上，并无系统深入的研究。Tu提出的钎焊界面反应中
IMC熟化生长模型[50][51]适用于描述Sn基钎料和Cu基体之间的界面反应，但并不涉及
钎料尺寸对界面反应的影响。因此，要深入了解尺寸效应下界面反应的机理，亟需建立
新的具有普适性的模型加以描述。本章节结合原子扩散的数值模拟及通量分析，在基于
对液/固界面反应体系中Cu基体的溶解、液态钎料合金成分变化、界面IMC生长各进程
之间具有相互联系与影响的内在本质的认识，建立了描述界面反应尺寸效应的物理模型
—浓度梯度控制(CGC)的界面反应模型，结合实验结果，从原子扩散通量角度描述了
Sn-Ag-Cu钎料与Cu基体的界面反应的动力学。基于界面Cu原子浓度梯度对界面反应作
用的认识，从原子通量的角度阐明了Ni-P基体上界面IMC的形貌和类型的演变规律。从
而统一了CGC理论在不同基体上界面反应中的应用。最后以单侧界面反应为基础，论文
进一步研究了Cu/Sn-3.0Ag-0.5Cu/Ni-P焊点的尺寸效应以及Cu、Ni原子交互作用对界面
反应的影响规律。
3.2 Sn-xAg-yCu/Cu焊点的界面反应尺寸效应研究
3.2.1 Cu 基体上界面反应的尺寸效应现象
图3.1显示了四种直径焊点在Cu焊盘上植球的示意图，随着焊球直径由500 μm减小
到200 μm，焊球体积约减小到原来的1/16。而回流后界面形成的扇贝状Cu6Sn5晶粒尺寸
却随着焊点尺寸的减小而显著增加，如图3.2所示。经测量Sn-3.0Ag-0.5Cu/Cu焊点的界
面Cu6Sn5平均晶粒直径从2.44 μm增加到5.20 μm，相似的，Sn-3.5Ag/Cu焊点的界面Cu6Sn5
平均晶粒直径从1.76 μm增加到4.70 μm。200 μm焊点中Cu6Sn5晶粒的尺寸是500 μm焊点
中Cu6Sn5晶粒的尺寸的两倍以上。界面反应出现了明显的尺寸效应现象。5次回流之后
这种尺寸效应现象仍然存在。前期研究工作同样得到界面IMC厚度随焊点尺寸变化也具
- 38 -
有与晶粒直径变化相同的规律性；而Cu焊盘的消耗规律性相反，大焊球具有较大的Cu
焊盘消耗[61]。
图3.1 回流前Cu焊盘上的植球示意图
Fig. 3.1 Schematic of Cu/solder joints before reflow
图3.2 一次回流后不同直径的(a-d)Sn-3.0Ag-0.5Cu和(e-h)Sn-3.5Ag焊点中Cu6Sn5晶粒的
俯视图
Fig. 3.2 Top-view images of Cu6Sn5 grains for (a-d) Sn-3.0Ag-0.5Cu solder balls and (e-h)
Sn-3.5Ag solder balls with different diameters after the initial reflow
3.2.2 浓度梯度驱动(CGC)界面反应理论模型
焊点尺寸的变化导致界面反应产生差异性。由于发生界面反应时，基体中的 Cu 原
子不断地溶解进入钎料，焊点尺寸的改变直接影响到焊点中 Cu 原子的扩散及成分的变
化；而焊点成分的改变又进一步影响到界面 IMC 的生长行为；IMC 的生长行为又会反
过来影响 Cu 基体的溶解行为，如图 3.3 所示。以此观点出发，首先对两种成分不同尺
- 39 -
寸的钎料中 Cu 原子的扩散行为进行了有限元模拟。为了简化模拟，我们做了如下合理
设定：1）Cu 原子在钎料中的扩散行为符合菲克第二扩散定律，2）钎料和 Cu6Sn5 界面
的 Cu 浓度一直处于饱和状态(250 oC 下饱和 Cu 浓度 Ce=1.5 wt.% [22])，3）由于回流条
件下温度是处于变化的，我们设定 Cu 的平均扩散系数 D=2.5×10-9 m2/s。
图3.3 钎焊界面反应系统中各因素动态关联示意图
Fig. 3.3 Schematic of dynamic relation between the factors in soldering interfacial reaction
system
图 3.4 显示了一次回流（45 s）后两种钎料成分不同尺寸焊点的 Cu 浓度分布。对于

小焊点（200 和 300 μm），钎料中的 Cu 浓度几乎已经达到饱和，而大焊点（400 和 500
μm）仍未达到饱和，这是由于相比大焊点，小焊点能够容纳的 Cu 原子数量更少，200 μm
焊点中 Cu 原子的容量仅为 500 μm 焊点中 Cu 原子容量的 1/16。尽管小焊点的 Cu 基体
消耗更少，其平均 Cu 浓度还是优先达到饱和。此外，Sn-3.5Ag 焊点中的 Cu 浓度小于
Sn-3.0Ag-0.5Cu 焊点中的 Cu 浓度。这是由于 Sn-3.0Ag-0.5Cu 焊点的初始 Cu 浓度较高，
回流后相同尺寸未饱和焊点中的 Cu 浓度仍比 Sn-3.5Ag 焊点高。另外，Cu 浓度的分布
显示远离 Cu 焊盘的位置 Cu 浓度较低，而接近 Cu 焊盘的位置有较高的 Cu 浓度，这与
Cu 原子的扩散有关。为了证明实际焊点中存在相同的 Cu 原子扩散规律性，对水冷后的
Sn-3.5Ag/Cu 焊点横截面进行了成分分析，如表 3.1 所示，显示出与模拟结果同样的规
律性。图 3.5 显示了不同直径焊点中的平均 Cu 浓度随时间的关系。一般来说，大焊点
具有较低的平均 Cu 浓度，不同焊点的平均 Cu 浓度在钎焊反应早期差别更大。这将导
致 Cu 浓度梯度 dc/dx 的绝对值在大焊点中更大以及在界面反应的早期也更大，如图 3.6
所示。
- 40 -
(a) (b)
图 3.4 一次回流后不同直径(a) Sn-3.0Ag-0.5Cu/Cu 和(b) Sn-3.5Ag/Cu 钎料球中的 Cu 浓

度分布
Fig. 3.4 Simulated Cu concentration distributions in different diameter (a) Sn-3.0Ag-0.5Cu
and (b) Sn-3.5Ag solder balls after one reflow (45 s)
(a) 1.6 (b) 1.6

Average Cu concentration (wt. %)
Average Cu concentration (wt. %)
1.4 1.4
1.2 1.2
1.0 1.0
0.8 0.8
0.6 0.6
200 m 200 m
0.4 300 m 0.4 300 m
400 m 400 m
0.2 0.2
500 m 500 m
0.0 0.0
0 50 100 150 200 250 0 50 100 150 200 250
Reflow time (s) Reflow time (s)
图 3.5 不同直径(a)Sn-3.0Ag-0.5Cu/Cu 和(b) Sn-3.5Ag/Cu 钎料球中的平均 Cu 浓度与时

间的关系曲线
Fig. 3.5 Simulated average Cu concentrations as a function of time in different diameter (a)
Sn-3.0Ag-0.5Cu and (b) Sn-3.5Ag solder balls
- 41 -
(a) 20
(b) 20
Cu Concentration Gradient (m-1)
Cu Concentration Gradient (m-1)

0 0
-20 -20
-40 -40
-60 -60
-80 -80
-100 200 m -100 200 m

300 m 300 m
-120 -120
400 m 400 m
-140 500 m -140 500 m
-160 -160
0 50 100 150 200 250 0 50 100 150 200 250
Time (s) Time (s)
图 3.6 不同直径(a)Sn-3.0Ag-0.5Cu/Cu 和(b) Sn-3.5Ag/Cu 钎料球与 Cu 焊盘界面处平均

Cu 浓度梯度与时间的关系曲线：
Fig. 3.6 Simulated average Cu concentration gradients at the solder/Cu pad interfaces for
different diameter (a) Sn-3.0Ag-0.5Cu and (b) Sn-3.5Ag solder Balls
Cu 浓度梯度是 Cu 原子溶解的驱动力。由于晶界（Cu6Sn5 晶粒之间的液态通道[51]）

扩散是 Cu 原子穿过界面 IMC 层扩散的主要机制[39]，Cu 基体的溶解动力学与界面
Cu6Sn5 晶粒的尺寸相关。界面处较大的 Cu 浓度梯度将导致从界面区流向钎料中的较大
的 Cu 原子通量，因此需要更多的晶界通道来提供 Cu 原子，这是一个相互作用和平衡
的过程。这导致了较小的 Cu6Sn5 晶粒以及较大的 Cu 消耗。
基于上述 Cu 原子浓度梯度、晶粒大小和 Cu 基体溶解相关性的分析，本文从 Cu 通
量的角度建立了界面反应的数学物理模型。图 3.7(a)为无铅焊点中 Cu 原子通量的示意
图。Jin 为从 Cu 基板到 IMC/钎料界面的 Cu 原子通量，进入 IMC/钎料界面区域的 Cu 原
子可以有三种路径，如图 3.7(b)所示，一是从晶粒间快速扩散通道经过，二是从 IMC 内
部经过，三是 Cu6Sn5 直接溶解，其中第一种路径被认为是最主要的扩散路径
[50][51][39][151]，因此只考虑第一种扩散；Jout 为从 IMC/钎料界面流入液态钎料中的
Cu 原子通量。本文定义钎料界面处的一薄层区域为界面区。因此，Jin 可以理解为进入
界面区的 Cu 原子通量而 Jout 为流出界面区的 Cu 原子通量，两者之间的差值提供界面
Cu6Sn5 的生长或溶解。因此，Cu 消耗由 Jin 决定，而 IMC 生长正比于 Jin 和 Jout 的差值。
由此可建立界面反应中 Cu 溶解和 IMC 生长的动力学模型。
表 3.1 不同水冷 Sn-3.5Ag/Cu 焊点一次回流后的 Cu 浓度分布
- 42 -
Tab. 3.1 Cu concentration distribution in different diameter Sn-3.5Ag solder balls after the
initial reflow (water cooled)
Average Cu concentration of
Ball Distance from the Cu concentration
the whole cross-section
diameter interface (μm) (wt. %)
(wt. %)
22 1.52
200 μm 1.81
63 1.82
20 1.82
65 1.83
300 μm 1.75
115 1.73
184 1.72
31 1.76
112 1.24
400 μm 1.36
200 1.01
312 0.71
43 1.46
128 1.39
500 μm 1.01
257 0.56
369 0.62
- 43 -
图 3.7 界面处 Cu 扩散通量和 Cu6Sn5 晶粒的示意图：(a)焊点横截面，(b)流入界面区域

的三个通量，(c) Cu6Sn5 晶粒的 3D 模型，(d) Cu6Sn5 晶粒的俯视图模型，(e) Cu6Sn5 晶粒
的平均边长 l 以及晶间通道宽度 δ
Fig. 3.7 Schematic diagrams of interfacial Cu fluxes and Cu6Sn5 grains. (a) cross-section view
of the solder joints and the Cu fluxes at the interface; (b) three influxes of Cu into the solder;
(c) 3-D model of the Cu6Sn5 grain; (d) top-view of the Cu6Sn5 grains; (e) the Cu6Sn5 grains
with a side length of l and a grain boundary (channel) width of δ
在建立物理模型之前，本文进行了如下假设：(1) 由于钎焊液/固界面反应中只生成
很薄一层 Cu3Sn，对 Cu 原子扩散影响很小，因此忽略界面的 Cu3Sn 层[50][51]；(2) 由
于回流后得到表面光滑的扇贝状 Cu6Sn5，无小平面或棱晶形貌，冷却过程中 Cu 原子在
界面处的沉积可以被忽略[67][152][153]；(3) 界面 Cu6Sn5 假设具有圆球的顶面和六棱柱
- 44 -
的侧面，如图 3.7(c)所示[154]，因此晶粒可以密排布满整个界面，如图 3.7(d)所示。图

3.7(e)显示了 Cu6Sn5 晶粒的示意图，平均边长为 l，晶界宽度为 δ。(4) 为了减少未知参
量，假设 l 与 IMC 平均厚度相等。有研究表明 Cu6Sn5 晶粒直径与 IMC 厚度之间有线性
关系，且比例在 1~2 之间[151]，说明此假设是合理的；(5) Cu 原子的晶界（液态通道）
扩散系数看做是 Cu 在液体中的扩散系数。
Cu 原子流入界面区域的质量通量 Jin 可以表达为：
C b C e
J in  DSGb (3.1)
l
其中 SGb 为晶界面积占整个界面面积的比例，Ce 为 Cu6Sn5 与液态钎料之间的平衡 Cu 浓
度，Cb 为液态通道底部 Cu 与液态钎料之间的平衡 Cu 浓度。
假设 Aa 和 Ab 分别表示由晶粒和晶界所占据的界面面积，总面积 A 可以表示为
A=Aa+Ab。如果 N 为整个界面区域的晶粒数目，则 Aa 可以表示为：
3 3 2
Aa  N  l
2 (3.2)
Ab 可以表示为：
6
Ab  N   l    3lN  (3.3)
2
因此 SGb 可以表示为：
1
SGb  Ab / ( Aa  Ab )  (3.4)
3l / 2  1
由菲克第一定律可得 Jout 的表达式如下所示：
dC
J out   D (3.5)
dx
其中，dC/dx 可以从模拟数据得到。
因此，联立式(3.1)和(3.5)可以分别得到 Cu6Sn5 生长速率和 Cu 焊盘消耗速率：
dl  solder ( J in  J out ) D  solder [ SGb (Cb  Ce ) / l  dC / dx]
 
dt w IMC w IMC (3.6)
dTCu J in D  solder SGb (Cb  Ce )
 
dt Cu Cu l (3.7)
其中，w 为 Cu6Sn5 中 Cu 原子的质量分数，ρsolder 为钎料的密度（由于 Cu 浓度的变化而
导致的钎料密度的变化被忽略），ρIMC 为 Cu6Sn5 的密度，ρCu 为 Cu 的密度。
将式(3.4)代入公式(3.6)和(3.7)，IMC 生长和 Cu 焊盘消耗速率的最终表达式如下所
示：
- 45 -
dl D  solder [(Cb  Ce ) /( 3l 2 / 2  l )  dC / dx]


dt w IMC (3.8)
dTCu D  solder (Cb  Ce )

dt Cu ( 3l 2 / 2  l ) (3.9)
晶界扩散控制的界面 IMC 生长及金属基体消耗均可以由以上两式描述。令式(3.8)
等于零，即 Jin 和 Jout 相等，若知道初始时刻界面处的 Cu 浓度梯度，则可以计算 Cu6Sn5
晶粒能够长大的临界晶粒尺寸。Cu6Sn5 晶粒小于此尺寸时会溶解消失，大于此尺寸时则
可以不断生长。针对本实验中涉及的焊点，可以计算出初始 Cu6Sn5 尺寸范围在 0.1-0.5
之间，与文献中报道的实验数据一致[155]。当钎料处于饱和状态时，Jout=0，界面 IMC
的生长将完全由 Jin 提供。界面 IMC 的生长速率可由下式表示：
dl D  solder (Cb  Ce )
 (3.10)
dt ( 3l 2 / 2  l ) w IMC
由于 l 比 δ 大几十甚至几百倍，与 3l 2 / 2 相比，l 可被忽略，因此 dl/dt∝1/l2，此

时界面 IMC 的生长符合 t1/3 规律，与文献中报道的规律相一致[39][50][51][151]而钎料处
于不饱和状态时，界面 IMC 的生长动力学将会偏离 t1/3 规律，导致 IMC 生长速率相对
缓慢。
3.2.3 模型计算结果与实验结果对比
设定 δ=0.05 μm [51] ， Cb-Ce≈0.001 [51] ， ρCu=8.96 g/cm3 ， ρSolder=7.4 g/cm3 ，
ρIMC=8.28 g/cm3 [57]以及 w=0.39，采用荣格-库塔法画出 IMC 生长和 Cu 焊盘消耗的曲线。
7
(b) 16
Interfacial IMC layer thickness (m)
(a) 200 m Cal. 200 m Exp.

Consumed Cu thickness (m)
14 300 m Cal. 300 m Exp.

6
400 m Cal. 400 m Exp.
12 500 m Cal. 500 m Exp.
5
10
4
8
3
6
2
200 m Cal. 200 m Exp. 4
300 m Cal. 300 m Exp.
1 400 m Cal. 400 m Exp. 2
500 m Cal. 500 m Exp.
0 0
0 50 100 150 200 250 0 50 100 150 200 250
图 3.8 四种尺寸 Sn-3.0Ag-0.5Cu/Cu 焊点的(a)平均 IMC 厚度(b)平均 Cu 消耗的实验值

和模拟结果
- 46 -
Fig. 3.8 Calculated and experimental results in four different size Sn-3.0Ag-0.5Cu/Cu joints:
(a) interfacial Cu6Sn5 thickness and (b) consumption of Cu substrate
图 3.8 和图 3.9 分别为模拟计算的不同直径 Sn-3.0Ag-0.5Cu/Cu 和 Sn-3.5Ag/Cu 焊点
的界面 Cu6Sn5 生长和 Cu 焊盘消耗的曲线。图中的实心符号代表实验数据，空心符号代
表模型计算结果，两者符合良好。所建立的界面反应模型能够准确的描述出尺寸效应对
界面反应的影响。从图中可以看出，尽管在反应初始阶段钎料中的 Cu 原子还未达到饱
和以及抑制 Cu6Sn5 生长的 Jout 还处于较高水平，界面 IMC 厚度在此阶段仍存在急剧增
加的过程。说明此时 Jin 起到主要作用。后续反应中，Cu6Sn5 的生长速率缓慢下来，这
是由于初始阶段快速生长的 IMC 阻碍了 Cu 原子从 Cu 基体到界面区域的扩散，从而减
小了 Jin，并且 Jout 还处于相对较高水平。此阶段 Jout 处于主要控制阶段，较大焊点在此
阶段 IMC 生长减缓的幅度较大，是导致尺寸效应产生的主要阶段。随反应时间的继续
延长，Jout 减小，而 Cu6Sn5 对 Cu 原子扩散的阻碍作用使得 Jin 减小更快，导致 Jin 和 Jout
的差值也减小，从而界面 IMC 生长速率随时延长而变缓。
Cu 基体的消耗速率同样在在初始时刻更大，而在后续反应中显著减小，与界面 IMC
生长行为相同，同样可以用上面的机制解释。初始阶段界面 Cu6Sn5 的快速生长和 Cu 浓
度梯度导致的 Cu 原子向钎料中的快速溶解导致了 Cu 基体较高的消耗速率。IMC 层厚
度的持续增加以及晶界面积的持续减小导致了 Cu 基体消耗速率的减小。
(a) 7
(b) 16 200 m Cal. 200 m Exp.
300 m Cal. 300 m Exp.
Interfacial IMC thickness (m)
Consumed Cu thickness (m)
6 14 400 m Cal. 400 m Exp.

500 m Cal. 500 m Exp.
12
5
10
4
8
3
6
2
200 m Cal. 200 m Exp. 4
300 m Cal. 300 m Exp.
1 400 m Cal. 400 m Exp. 2
500 m Cal. 500 m Exp.
0 0
0 50 100 150 200 250 0 50 100 150 200 250
图 3.9 四种尺寸 Sn-3.5Ag/Cu 焊点的(a)平均 IMC 厚度(b)平均 Cu 消耗的实验值和模拟

结果
Fig. 3.9 Calculated and experimental results in four different size Sn-3.5Ag/Cu joints: (a)
interfacial Cu6Sn5 thickness and (b) consumption of Cu substrate.
- 47 -
为了进一步验证模型的适用性，本论文采用文献中[57]的工艺和物理参数，计算了
IMC 厚度和 Cu 基体消耗，并与文献中的实验数据做了对比。其实验中采用回流温度为
235 oC，液相线以上停留 90 s，扩散系数 D=2.2×10-9 m2/s。235 oC 下 Cu 的溶解度为 1.2 wt.%
[22]。 IMC 厚度随时间变化曲线如图 3.10(a)所示，相应的实验结果如图 3.10(b)所示。
对比两图可以看出，计算值与实验数据符合较好，仅第一次回流后的计算结果比实验结
果小 1 μm，第五次回流后的计算结果比实验结果大 1 μm，这可能与本文采用的物理参
数与实验参数有偏差有关。另外，由于实验数据存在误差，并没有反映出初始 Cu 浓度
对平均 IMC 厚度的影响，而模型计算数据能够显示出初始 Cu 浓度变化导致的界面 IMC
厚度产生的较小差别，Cu 浓度越高，界面 IMC 厚度越大。图 3.11(a)显示了计算的 Cu
基体消耗的结果，与文献中的实验数据符合良好，如图 3.11(b)所示。
(a) 7 (b) 7
Sn3Ag(760m) Sn3Ag (760m)
6 Sn3Ag0.3Cu(760m) 6 Sn3Ag0.3Cu (760 m)
Cu6Sn5 Thickness (m)
Sn3Ag0.5Cu(760 m) Sn3Ag0.5Cu (760 m)

Cu6Sn5 Thickness (m)
5 Sn3Ag0.7Cu(760 m) Sn3Ag0.7Cu (760 m)

5
4 4
3 3
2 2
1 1
0 0
0 100 200 300 400 500 0 1 2 3 4 5 6
Reflow Times (s)
Number of Reflow Cycle
图 3.10 界面 Cu6Sn5 的平均厚度随回流时间的变化(a)计算结果和(b)实验结果[57]，一次

回流为 90 s
Fig. 3.10 Interfacial Cu6Sn5 thicknesses in solder/Cu joints with different initial Cu
concentrations: (a) calculated and (b) experimental, one reflow cycle is 90 s
(a) 12
(b) 12
Sn3Ag
10 10
Consumed Cu Thinkness
Consumed Cu Thickness,
Accumulated (m)
Sn3Ag0.3Cu
Calculated (m)
8 8
6 6
Sn3Ag0.5Cu
4 4
Sn3Ag (760 m) Sn3Ag0.7Cu
Sn3Ag0.3Cu (760 m)
2 2
Sn3Ag0.5Cu (760 m)
Sn3Ag0.7Cu (760 m)
0 0
0 100 200 300 400 500 0 1 2 3 4 5 6
Reflow Time (s) Number of Reflow Cycle
图 3.11 平均 Cu 消耗随回流时间的变化(a)计算结果和(b)实验结果[57]
- 48 -
Fig. 3.11 Consumptions of Cu substrates in solder/Cu joints with different initial Cu

concentrations: (a) calculated and (b) experimental, one reflow cycle is 90 s
3.2.4 Cu 浓度梯度对界面反应的影响规律
模型表明界面反应受到界面处 Cu 浓度梯度的控制，即焊点界面处的 Cu 浓度梯度
最终决定界面 IMC 的生长速率和 Cu 基体的消耗速率。焊点尺寸以及初始 Cu 浓度对界
面反应的影响最终均归根到界面 Cu 浓度梯度的改变对界面反应的影响。
焊点尺寸的改变导致界面 Cu 浓度梯度大小及作用时间的改变。如图 3.7 所示，大
焊点界面处有较高的 Cu 浓度梯度，导致了较大的 Cu 通量，进一步导致了较小的界面
Cu6Sn5 晶粒以及更多的 Cu 基体消耗。另外大焊点需要较长的时间才能达到饱和，其界
面处的 Cu 浓度梯度也能够作用更长的时间，这将进一步增加不同尺寸焊点之间界面
IMC 厚度和 Cu 基体溶解的差距。由于 Cu 浓度梯度的影响，大焊点之间（400 μm 与 500
μm 焊点）界面 IMC 的厚度差异更大。如图 3.8(a)和 3.9(a)所示，300 μm 焊球与 200 微
米焊球之间的体积比为 3.38，两者之间界面 IMC 厚度的差异仅有 0.2 μm，而 500 μm 与
400 μm 焊球之间的体积仅比为 1.95，然而两者之间的界面 IMC 厚度差异达到 1 μm。这
是由于大焊点之间相对更大的 Cu 浓度梯度作用的差异导致的。
初始 Cu 浓度的改变同样导致界面 Cu 浓度梯度的改变。对比图 3.6(a)和(b)，较小的
初始 Cu 浓度导致了较高的 Cu 浓度梯度，因此形成了较小的 Cu6Sn5 晶粒。而往钎料中
添加 0.5 wt. % 的 Cu 将会促进界面 Cu6Sn5 的生长。不同直径 Sn-3.0Ag-0.5Cu/Cu 焊点一
次回流后界面 IMC 的厚度范围为 2.6 μm - 3.6 μm；而不同直径 Sn-3.5Ag/Cu 焊点一次回
流后界面 IMC 的厚度范围为 1.9 μm - 2.9 μm。两者约有 0.7 μm 的厚度差距。为了进一
步验证 Cu 浓度梯度对界面反应的影响，本论文进行了验证实验。如图 3.12(a)所示，
Sn-3.5Ag-0.75Cu 与 Cu 焊盘在 250 oC 回流 45s 后形成扇贝状的 Cu6Sn5 晶粒，而将上述
焊点中的钎料去掉，界面 IMC 与 Sn-3.5Ag 钎料相接触在相同条件下第二次回流时，原
来的扇贝状 Cu6Sn5 晶粒变得更加细小。这是由于当 Cu 浓度降低时，界面会形成较大的
Cu 浓度梯度，导致了粗大界面 IMC 的溶解和细化。
当初始 Cu 浓度与焊点尺寸综合作用时，从 Cu 浓度梯度的角度分析将很容易被理
解。文献[57]报道 Cu 浓度对界面 Cu 消耗的影响显著，然而这在小焊点中不一定成立。
如图 3.8(b)和 3.9(b)所示，初始 Cu 浓度对大焊点的 Cu 消耗有更为显著的影响。例如一
次回流后 500 μm 直径的 Sn-3.0Ag-0.5Cu/Cu 焊点中 Cu 消耗为 7.16 μm 而相同尺寸的
Sn-3.5Ag/Cu 焊点中的 Cu 消耗为 9.87 μm。而对于 200 μm 直径的焊点，一次回流后
Sn-3.0Ag-0.5Cu/Cu 焊点的 Cu 消耗为 1.99 μm 而 Sn-3.5Ag/Cu 焊点中的 Cu 消耗为 2.17
- 49 -
μm。这是由于两种成分的小焊点中 Cu 浓度均会很快达到饱和，如图 3.4 和 3.5 所示，

导致小焊点中 Cu 浓度梯度较小且其作用时间更短。
图 3.12 Sn-3.5Ag-0.75Cu 与 Cu 焊盘在 250 oC 回流 45s 后的界面 Cu6Sn5 形貌(a)及在此

形貌基础上再与 Sn-3.5Ag 在相同条件下反应得到的界面 Cu6Sn5 形貌(b)
Fig. 3.12 Top-view images of Cu6Sn5 grains for (a) Sn-3.5Ag-0.75Cu solder balls
reflow-soldered on Cu pad and (b) Sn-3.5Ag solder balls reflow-soldered on the top of (a)
3.3 Sn-3.0Ag-0.5Cu/Ni-P焊点的界面反应尺寸效应研究
3.3.1 Ni-P 基体上界面反应的尺寸效应现象

当基体类型由 Cu 改为 Ni-P 时，不同尺寸 Sn-3.0Ag-0.5Cu 焊点中的界面反应同样存
在显著的尺寸效应现象。如图 3.13 所示，一次回流后四种尺寸的 Sn-3.0Ag-0.5Cu/Ni-P
焊点界面 IMC 形貌差异巨大。SEM 及 EDX 分析表明 200 μm 焊点界面形成针状和块状
的(Ni,Cu)3Sn4 型 IMC，300 μm 焊点界面形成多面体状的(Cu,Ni)6Sn5 型 IMC，400 和 500
μm 焊点界面形成针状的(Cu,Ni)6Sn5 型 IMC。多次回流后各尺寸焊点中界面 IMC 粗化，
但形貌和类型变化不显著，尺寸效应依旧存在。前期研究工作同样得到 Ni-P 焊盘的消
耗与 Cu 焊盘消耗的规律性相同，即大焊球中 Ni-P 焊盘消耗得更多；Ni-P 层中 Ni 原子
的消耗导致 Ni3P 层的形成，大焊点中 Ni3P 的厚度更厚[61]。
由于 Sn-3.0Ag-0.5Cu/Ni-P 焊点中的界面反应由 Cu、Sn 和 Ni 三种元素参加，其表
现出了与 Cu/Sn 二元界面反应不同的规律性，而且更为复杂。在 Cu 上界面反应不涉及
到界面化合物的转变，从界面反应动力学可以较好的解释尺寸效应现象，而在 Ni-P 基
体上的界面反应不仅涉及到界面反应动力学，还与热力学相关。
- 50 -
图 3.13 一次回流后四种尺寸的 Sn-3.0Ag-0.5Cu/Ni-P 焊点界面 IMC 的(a-d)俯视图和(e-h)

横截面 SEM 照片
Fig. 3.13 SEM images of interfacial IMCs in different size Sn-3.0Ag-0.5Cu/Ni-P joints
observed from (a-d) topview and (e-h) cross-sectional view
3.3.2 Ni-P 基体上界面 IMC 演变规律

不同类型界面 IMC 的形成与界面处 Cu 浓度有关。文献报道当钎料中的 Cu 浓度低
于 0.4 wt.%时，(Ni,Cu)3Sn4 将是唯一的稳定相，而当 Cu 浓度为 0.4 wt.%时，具有六边
形截面的短棒状(Cu,Ni)6Sn5 将会在(Ni,Cu)3Sn4 上方形成；而 Cu 浓度高于 0.4 wt.%时，
(Cu,Ni)6Sn5 将会成为主导相[41]。因此，不同尺寸焊点中产生的尺寸效应现象可以从 Cu
原子扩散通量的角度解释。为了进一步了解界面 IMC 形貌和类型转变的过程以及 Cu 原
子扩散对其作用规律性，本论文对 200、300 和 400 μm 焊点在一次回流不同时刻的界面
IMC 形貌进行了研究。
图 3.14(a–d)为反应不同时间后 200 μm Sn-3.0Ag-0.5Cu/Ni-P 焊点的界面 IMC 形貌。
反应 1s 后，界面形成多面体状的(Cu,Ni)6Sn5 和片状的(Pd,Ni)Sn4。EDX 分析表明化合物
中未发现 Au 元素，说明浸 Au 层在 1s 内已溶解进入钎料。然而，由 Pd 层转变来的
(Pd,Ni)Sn4 晶粒并无完全溶解进入钎料，根据 Pd 层厚度和焊点体积可以计算得出 200 μm
焊点中平均 Pd 浓度为 0.18 wt.%，而 300 μm 和 400 μm 焊点中的平均 Pd 浓度分别为 0.05
和 0.02 wt.%。200 μm 焊点中较高的 Pd 浓度导致了(Pd,Ni)Sn4 IMC 较慢的溶解动力学。
Chung 等人[156]报道 Pd 的浓度超过 0.18 wt.%时，Pd 将不会再向钎料中溶解，与本文结
果相符。反应 10 s 之后，(Pd,Ni)Sn4 晶粒完全溶解进入钎料中，(Cu,Ni)6Sn5 晶粒停止生
长，而(Ni,Cu)3Sn4 晶粒生长迅速，几乎覆盖整个界面。因此，推测界面形成(Cu,Ni)6Sn5
晶粒以后，钎料中的平衡 Cu 浓度迅速降低到 0.4 wt.%以下，导致了(Ni,Cu)3Sn4 的形成。
反应 30 s 后，十二面体状的(Cu,Ni)6Sn5 被周围的(Ni,Cu)3Sn4 包围，如图 3.14(c)右上角的
- 51 -
放大图片所示。反应 60 s 后，界面(Ni,Cu)3Sn4 粗化，而(Cu,Ni)6Sn5 晶粒消失。说明

(Cu,Ni)6Sn5 晶粒或者被(Ni,Cu)3Sn4 所覆盖，或者完全转变为(Ni,Cu)3Sn4。
图 3.14 不同尺寸 Sn-3.0Ag-0.5Cu /Ni-P 焊点回流不同时间后界面 IMC 俯视图形貌：(a-d)

200 μm 焊点，(e-h) 300μm 焊点，(i-l) 400μm 焊点
Fig. 3.14 Top-view SEM images of interfacial IMC grains in different size
Sn–3.0Ag–0.5Cu/Ni-P solder joints after the reaction for various durations for (a–d) 200 μm
solder joints, (e–h) 300 μm solder joints, and (i–l) 400 μm solder joints.
- 52 -
图 3.14(e–h)显示了反应不同时间后 300 μm Sn-3.0Ag-0.5Cu/Ni-P 焊点界面 IMC 形

貌。反应 1 s 后，界面形成具有六边形截面的短棒状(Cu,Ni)6Sn5 晶粒，此时的界面 Cu
浓度应仍大于 0.4 wt.%。界面 IMC 中未发现 Au 和 Pd 元素。反应 10 s 后，短棒状
(Cu,Ni)6Sn5 晶粒转变成为十二面体晶粒。反应 30 s 后，细小的针状(Ni,Cu)3Sn4 晶粒从粗
化的(Cu,Ni)6Sn5 晶粒之间长出。反应 60 s 后，针状的(Ni,Cu)3Sn4 晶粒粗化长大，并且一
些块状的(Ni,Cu)3Sn4 晶粒在界面形成，而(Cu,Ni)6Sn5 晶粒稍微缩小并保持十二面体形貌。
图 3.15 不同尺寸 Sn-3.0Ag-0.5Cu /Ni-P 焊点回流不同时间后界面横截面照片：(a-d) 200

μm 焊点，(e-h) 300μm 焊点，(i-l) 400μm 焊点
- 53 -
Fig. 3.15 Cross-sectional microstructure of different size Sn–3.0Ag–0.5Cu/Ni-P solder joints

after the reaction for various durations for (a–d) 200 μm solder joints, (e–h) 300 μm solder
joints, and (i–l) 400 μm solder joints.
图 3.14(i-l)显示了反应不同时间后 400 μm Sn–3.0Ag–0.5Cu/Ni-P 焊点界面 IMC 形貌。

反应 1 s 后，界面处形成针状和短棒状(Cu,Ni)6Sn5 晶粒，说明此时界面 Cu 浓度变化很小。
界面 IMC 中未发现 Au 和 Pd 元素。反应 10 s 后，针状和短棒状的(Cu,Ni)6Sn5 晶粒长大
并转变成为十二面体(Cu,Ni)6Sn5 晶粒。随反应时间的延长，十二面体状晶粒粗化。反应
60 s 后，针状的(Ni,Cu)3Sn4 晶粒从粗化的(Cu,Ni)6Sn5 晶粒之间的缝隙中长出，而
(Cu,Ni)6Sn5 晶粒保持十二面体形貌。图 3.15 显示了与俯视图相应的不同尺寸
Sn–3.0Ag–0.5Cu/Ni-P 焊点的横截面照片。IMC 的演变规律与俯视图中规律一致。
3.3.3 Ni-P 基体上界面 IMC 演变机理及其尺寸效应

从回流过程中不同时刻的界面反应结果可以得到(Cu,Ni)6Sn5 晶粒先于(Ni,Cu)3Sn4 晶
粒在界面处形成。由于(Cu,Ni)6Sn5 的形成消耗钎料中的 Cu 原子，随反应时间的延长，
液态钎料中的 Cu 浓度降低，由此导致了(Ni,Cu)3Sn4 成为平衡相。界面处的 Cu 浓度的
持续改变决定了 IMC 的演变行为。
界面 IMCs 的转变速率和晶粒大小由界面反应动力学决定。图 3.16 显示了界面 Cu
通量的示意图。一种 Cu 原子通量来自液态钎料内部，供给界面 IMCs 的生长；另一种
Cu 原子通量由(Cu,Ni)6Sn5 流向(Ni,Cu)3Sn4（两者之间存在平衡 Cu 浓度的差异[41]），
消耗(Cu,Ni)6Sn5 而供给(Ni,Cu)3Sn4 长大。界面 IMC 的生长由这两种通量共同作用决定。
如果钎料中供给(Cu,Ni)6Sn5 晶粒生长的 Cu 通量大于由(Cu,Ni)6Sn5 流向(Ni,Cu)3Sn4 的 Cu
通量，界面(Cu,Ni)6Sn5 将会在界面反应中长大，如 300 和 400 μm 焊点界面反应早期的
情况；如果两个通量相当，(Cu,Ni)6Sn5 晶粒将会保持其大小，而界面(Ni,Cu)3Sn4 持续生
长，如 400 μm 焊点 30-60 s 时的情况；如果来自钎料内部的 Cu 通量小于(Ni,Cu)3Sn4 生
长所需的 Cu 原子通量(Cu,Ni)6Sn5 晶粒将会缩小甚至停止生长，如 200 μm 焊点及 300 μm
焊点 30 s-60 s 的情况。因此，大焊点中 Cu 原子的含量较大，能够更长时间地维持从钎
料到界面的 Cu 通量以提供(Cu,Ni)6Sn5 晶粒生长，而小焊点中由于 Cu 原子消耗较快而
使得钎料流向界面的 Cu 通量迅速降低，不足以支持(Cu,Ni)6Sn5 晶粒的生长。然而，来
自液态钎料中的 Cu 原子通量随反应时间的延长而减小，对于本论文实验的所有焊点，
若继续延长反应时间，将最终导致(Cu,Ni)6Sn5 晶粒的消失和(Ni,Cu)3Sn4 晶粒的长大。
- 54 -
根据实验结果和通量分析结果，Sn-3.0Ag-0.5Cu/Ni-P 焊点界面 IMC 随反应时间和

焊球尺寸的演变规律如图 3.17 所示。初始时刻界面处生成针状和短棒状的(Cu,Ni)6Sn5，
如区域 I 所示。此种形貌 IMC 的形成依赖于(Cu,Ni)6Sn5 晶粒沿[0001]方向生长迅速而
{1010} 面生长缓慢[157]以及较高的 Cu 原子供应。当 Cu 浓度降低时，针状(Cu,Ni)6Sn5
的顶端将会形成尖点而不会继续沿[0001]轴快速生长，此时 Cu 原子倾向于在六棱柱的
侧面上析出，如区域 II 所示。IMC 两侧尖端的形成应与 Cu 浓度的降低和 Ni 浓度的升
高相关。由于文献报道中仅有(Cu,Ni)6Sn5 会形成两侧具有尖顶的形貌，Cu6Sn5 中则未出
现[41][158]，因此似乎 Ni 原子参与界面反应是此种形貌 IMC 形成的必要条件。推测可
能是由于界面处 Cu 与 Ni 原子间比例的改变导致 IMC 中更多的 Cu 原子被 Ni 原子替代，
从而导致(Cu,Ni)6Sn5 晶粒界面能的改变和沿[0001]方向生长速率的减缓，最终棒状
(Cu,Ni)6Sn5 晶粒的两端形成顶点。随反应时间的延长，Cu 原子更倾向于在 {1010} 面上析
出导致棒状(Cu,Ni)6Sn5 晶粒粗化并最终转变成十二面体形貌。图 3.18(a)显示的一个十二
面体(Cu,Ni)6Sn5 晶粒的侧面（等腰三角形）几乎与焊点界面平行。经测量三角形的底边
与侧边的比例在 0.639-0.656 之间，而图 3.18(b)所示的 {1011} 面包裹的(Cu,Ni)6Sn5 晶体模
型的侧面三角形底边与侧边的比例为 0.640。(Cu,Ni)6Sn5 晶粒及晶体模型中两定点的连
线均为[0001]方向，由此可推断十二面体状(Cu,Ni)6Sn5 晶粒的外表面为 {1011} 面。由于
十二面体的所有晶面是等效的，Cu 原子只能在此晶面上析出，随反应时间的延长，十
二面体晶粒粗化。当钎料中的 Cu 浓度低于(Ni,Cu)3Sn4 生长所需的临界 Cu 浓度时，
(Ni,Cu)3Sn4 开始长大，但(Cu,Ni)6Sn5 晶粒的演变还要看来自钎料中的 Cu 通量和流向
(Ni,Cu)3Sn4 的 Cu 通量的相对大小，如图 3.17 中区域 IV 所示。最终，(Cu,Ni)6Sn5 晶粒
或者从界面脱落，或者转变为(Ni,Cu)3Sn4，界面处仅剩下(Ni,Cu)3Sn4，如图 3.17 中区域
V 所示。总之，大焊点经历的每一阶段的时间将更长，而小焊点将在一次回流之后迅速
转变到最终阶段。
图 3.16 界面处 Cu 原子通量示意图

Fig. 3.16 Schematic of Cu fluxes at the interface.
- 55 -
图 3.17 Sn-3.0Ag-0.5Cu/Ni-P 界面处 IMC 随时间和焊点体积变化规律示意图

Fig. 3.17 Schematic of interfacial IMC evolution in Sn–3.0Ag–0.5Cu/Ni-P solder joints with
the reaction time and the solder size
(a) (b)
图 3.18 (a) 十二面体晶粒的外表面边长测量，(b)的被 {1011} 面包裹的(Cu,Ni)6Sn5 晶体模

型（阴影原子在 {1011} 面上）
Fig. 3.18 (a) Side length of the plane in a dodecahedron-type grain and (b) a section of
{1011} plane in the (Cu,Ni)6Sn5 crystal model (shadowed atoms are in the plane)
对于从区域 IV 到区域 V 的转变过程，有学者认为是早期形成的(Cu,Ni)6Sn5 脱落进

入熔融钎料[58][59]，也有学者认为(Cu,Ni)6Sn5 转变成了(Ni,Cu)3Sn4[159]。本论文实验中
- 56 -
并未发现界面(Cu,Ni)6Sn5 的脱落行为，而仅在 200 μm 焊点中观察到十二面体状的

(Cu,Ni)6Sn5 被(Ni,Cu)3Sn4 包围的现象。本文推断这两种机制是互补的，依赖于界面形成
的(Cu,Ni)6Sn5 化合物的多少。图 3.19 显示了从(Cu,Ni)6Sn5 到(Ni,Cu)3Sn4 的示意图。如果
Cu 含量足够高，在界面处形成了连续的层状(Cu,Ni)6Sn5，针状的(Ni,Cu)3Sn4 将很难从
(Cu,Ni)6Sn5 晶粒下面沿缝隙长出，导致(Cu,Ni)6Sn5 层被顶起而脱落；如果 Cu 含量在处
于居中的水平，界面处将会形成较大的非连续的(Cu,Ni)6Sn5 晶粒，(Ni,Cu)3Sn4 将会从
(Cu,Ni)6Sn5 晶粒之间的缝隙中生长出来，导致部分(Cu,Ni)6Sn5 被(Ni,Cu)3Sn4 包围到内部，
较大的(Cu,Ni)6Sn5 脱落进入钎料；当 Cu 含量较少时，初始会形成少量的分离的
(Cu,Ni)6Sn5，并最终被(Ni,Cu)3Sn4 吞没而不会发生脱落。
图 3. 19 不同 Cu 含量下(Cu,Ni)6Sn5 向(Ni,Cu)3Sn4 的转变机制示意图

Fig. 3.19 Schematic of the transformation mechanism from (Cu,Ni)6Sn5 to (Ni,Cu)3Sn4 for
different Cu mass contents
清楚了 Ni-P 界面 IMC 的演变过程，Sn-3.0Ag-0.5Cu/Ni-P 焊点中的尺寸效应现象可

以从流入界面的 Cu 通量变化的角度合理地进行解释。不同尺寸 Sn-3.0Ag-0.5Cu/Ni-P 焊
点中 Cu 浓度随时间的变化规律可以由公式(3.11)计算得到：
1
(WCu  WCu0 )  solder d 3  TCu S Cu  TIMC S IMCWCuIMC
6 (3.11)
其中 W 为 Cu 的初始 Cu 浓度(0.5 wt. %)，W
0
Cu
IMC
Cu 是 Cu 在 Cu6Sn5 中的质量分数。不同尺
寸焊点中界面 IMC 的成分及厚度数据见表 3.2。图 3.20 为 Sn-3.0Ag-0.5Cu/Ni-P 焊点中
平均 Cu 浓度随时间的变化关系。对于 200 μm 焊点，由于焊点中 Cu 原子含量较少，一
次回流后 200 μm 焊点中的平均 Cu 浓度从 0.5 wt. %下降到 0.22 wt. %，说明初始反应形
成的(Cu,Ni)6Sn5 消耗 Cu 原子而导致焊点中的 Cu 浓度快速降低，(Ni,Cu)3Sn4 在界面处形
- 57 -
成，流入界面的 Cu 通量的快速下降而不足以提供(Cu,Ni)6Sn5 的生长而导致(Cu,Ni)6Sn5

被消耗以及(Ni,Cu)3Sn4 迅速长大。300 μm 焊点回流过程中随(Cu,Ni)6Sn5 的生长而 Cu 浓
度降低，但比 200 μm 焊点缓慢，Cu 浓度降低到 0.4 wt.%左右时[41]，(Cu,Ni)6Sn5 不适
合沿长轴生长而转变为十二面体状。一次回流后 Cu 浓度下降到 0.36 wt.%与解释符合较
好。400 和 500 μm 焊点中 Cu 浓度下降最为缓慢，一次回流后 Cu 浓度仍高于 0.4 wt.%，
因此界面处始终保持针状的(Cu,Ni)6Sn5。
表3.2 Ni-P焊盘上界面IMC的平均成分
Tab. 3.2 Average composition of interfacial IMCs on Ni-P pads
Reflow 200 μm ball 300 μm ball 400 μm ball 500 μm ball
Element
times (wt. %) (wt. %) (wt. %) (wt. %)
Ni 13.61 10.33 9.92 10.04
Cu 7.65 16.15 18.76 18.88
1
Ag 4.07 2.68 2.38 2.38
Sn 74.67 70.84 68.94 68.71
Ni 14.83 11.73 10.99 11.47
Cu 5.68 16.57 17.34 19.43
3
Ag 2.82 3.03 2.40 2.13
Sn 76.67 68.67 69.27 66.96
Ni 14.15 10.98 9.35 10.04
Cu 5.70 14.49 18.93 18.88
5
Ag 2.75 2.78 2.66 2.38
Sn 77.39 71.74 69.06 68.71
0.6
Average Cu concentrations (wt. %)
0.5
0.4
0.3
0.2
200 m
300 m
0.1
400 m
500 m
0.0
0 1 2 3 4 5 6
Reflow Time
图 3.20 焊点平均 Cu 浓度随回流时间的变化
- 58 -
Fig. 3.20 Average Cu concentration in the joints as a function of reflow time
3.4 Cu/Sn-3.0Ag-0.5Cu/Ni-P焊点的界面反应尺寸效应研究
3.4.1 Cu/Sn-3.0Ag-0.5Cu/Ni-P 焊点界面反应尺寸效应实验

基于单侧焊点界面反应的认识，研究了 Cu/Sn-3.0Ag-0.5Cu/Ni-P 双侧焊点界面反应
的尺寸效应。图 3.21 显示了 1 次和 5 次回流条件下四种尺寸焊点横截面的 SEM 照片。
所有尺寸焊点 Cu 侧均形成具有大高宽比的扇贝状(Cu,Ni)6Sn5 晶粒，而 Ni-P 侧界面形成
针状的(Cu,Ni)6Sn5 晶粒。随回流次数的增加，两侧界面 IMC 厚度均增加，随晶粒直径
的增加，并未发现 IMC 厚度和形貌的明显变化。图 3.22 为相应的两侧界面的俯视图照
片，与单侧 Cu 焊点相比，对侧有 Ni-P 焊盘时 Cu 焊盘上形成的扇贝状(Cu,Ni)6Sn5 晶粒
的尺寸更为细小，且不同尺寸焊点之间 IMC 晶粒尺寸相差也较小；与单侧 Ni-P 焊点相
比，对侧有 Cu 焊盘时 Ni-P 焊盘上均形成针状的(Cu,Ni)6Sn5 晶粒，并未受到焊点尺寸的
影响而发生 IMC 形貌和类型转变；随回流次数的增加，两侧界面 IMC 晶粒尺寸增加。
图 3.21 四种尺寸焊点 1 次和 5 次回流后横截面的 SEM 照片

Fig. 3.21 Cross-sectional SEM images of the four size solder joints after 1 and 5 reaction
times
- 59 -
图 3.22 四种尺寸焊点 1 次和 5 次回流后 Cu 侧界面的俯视图照片

Fig. 3.22 Top-view SEM images of the four size solder joints after 1 and 5 reaction times
图 3.23 为不同尺寸焊点的 Cu 焊盘消耗、Cu 侧 IMC 晶粒直径、Ni 侧和 Cu 侧的 IMC

厚度随时间的变化。焊点尺寸越大，Cu 焊盘的消耗越大，一次回流后 500 μm 焊点的
Cu 消耗是 5.9 μm，比 200 μm 焊点的 Cu 焊盘多消耗 1.2 μm，尺寸效应仍然存在。但相
比单侧 Cu 焊点，不同尺寸焊点的 Cu 焊盘消耗差异减小。Cu 侧 IMC 的晶粒直径随回流
时间的增加而增加，随焊点尺寸减小而有增加的趋势。200 μm 焊点界面 IMC 的晶粒直
径最大，500 μm 焊点的最小，如图 3.23(b)所示。然而一次回流后 Cu 侧晶粒直径范围为
2 μm 左右，明显小于单侧 Cu 焊点的界面 IMC 晶粒直径(2.4-5.2 μm[60])。焊点尺寸越小，
Ni 侧 IMC 厚度越大，一次回流后 200 μm 焊点 Ni 侧(Cu,Ni)6Sn5 厚度为 4.6 μm 比 500 μm
焊点中的 Ni 侧 IMC 厚 2 μm。随回流时间的延长，不同尺寸焊点中 Ni 侧 IMC 的厚度差
异减小，如图 3.23(c)所示。然而 Cu 侧的界面(Cu,Ni)6Sn5 厚度并没有显示出明显的随焊
点尺寸变化的规律性，如图 3.23(d)所示。
- 60 -
8 4
Cu consumption (m)
7 (a) (b)
Grain Diameter (m)

6 3
4 2
3
200
2 200 1 300
300 400
400 500
1
500
0 0
0 1 2 3 4 5 6 0 1 2 3 4 5 6
Reflow Time Reflow Time
IMC Thickness at Cu side (m)

IMC thickness at Ni side (m)
6
6
(c) 5
(d)
5
4 4
3 3
2 2
200 200
1 300 300
400 1
400
0 500 500
0
0 1 2 3 4 5 0 1 2 3 4 5 6
Reflow time Reflow Time
图 3.23 四种尺寸焊点的(a) 平均 Cu 焊盘消耗、(b) 平均 IMC 晶粒直径、(c) Ni 侧和(d)

Cu 侧的平均 IMC 厚度随时间的变化
Fig. 3.23 (a) Average Cu consumptions, (b) average IMC grain diameters and Average IMC
thickness on (c) Ni side and (d) Cu side
3.4.2 Cu/Sn-3.0Ag-0.5Cu/Ni-P 焊点界面反应机理解释

从实验结果可知，Cu/Sn-3.0Ag-0.5Cu/Ni-P 焊点中仍然存在尺寸效应，但与单侧焊
点界面反应对比，不同尺寸双侧焊点中 Cu 基体消耗之间的差异减小，界面 IMC 晶粒直
径的差异也减小，界面 IMC 厚度相近且无明显规律性；Ni 基体界面未发生 IMC 形貌和
类型的转变，一直保持为针状的(Cu,Ni)6Sn5，厚度方面显现出尺寸效应。EDX 分析表明
Cu 侧界面 IMC 含有少量的 Ni 元素，说明回流过程中 Ni 原子从 Ni-P 侧界面扩散通过钎
料到达 Cu 侧界面并参与界面反应；而所有尺寸焊点中 Ni 侧界面(Cu,Ni)6Sn5 未发生向
(Ni,Cu)3Sn4 的转变说明对侧 Cu 基体溶解不断补充钎料中的 Cu 原子使得焊点中的 Cu 浓
度一直处于较高水平。因此，所有尺寸焊点中均产生了明显的 Cu、Ni 原子交互作用。
- 61 -
图 3.24 Cu/Sn-3.0Ag-0.5Cu/Ni-P 焊点中 Cu 原子通量示意图

Fig. 3.24 Schematic of Cu atom flux in Cu/Sn-3.0Ag-0.5Cu/Ni-P joint
界面两侧原子的交互作用使得 Cu/Sn-3.0Ag-0.5Cu/Ni-P 焊点界面反应的尺寸效应不

同于单侧 Cu 和单侧 Ni-P 焊点。而界面反应的规律性同样可以通过 Cu 原子通量的角度
进行解释。如图 3.24 所示，Jin 为从 Cu 基体流向 Cu 侧 IMC/钎料界面的 Cu 原子通量，
Jout 为从 Cu 侧 IMC/钎料界面流向钎料内部的 Cu 原子通量，JCu-Ni 为从钎料流到 Ni 侧界
面的 Cu 原子通量。Cu 基体的消耗与 Jin 成正比，Cu 侧界面 IMC 的生长与 Jin-Jout 成正比，
Ni 侧 IMC 的生长与 JCu-Ni 成正比。
Average Cu concentration gradients
Average Cu concentrations (wt.%)
1.6 1.6 300

(a) (b) (c) 200
1.4 300
250
1.4
Average Cu concentrations
at Cu side (10 m )
2 -1
1.2 400
200 500
at Ni side (wt.%)
1.2 1.0
150
0.8
1.0
0.6 100
0.8 200 0.4 200

50
300 300
400 0.2 400
0.6 0
500 500
0.0
0 50 100 150 200 250 0 50 100 150 200 250 0 50 100 150 200 250
Reflow time (s) Reflow time (s) Reflow time (s)
图 3.25 四种尺寸焊点的(a)平均 Cu 浓度，(b)Ni 侧界面的平均 Cu 浓度及(c)Cu 侧界面

的平均 Cu 浓度梯度随时间的变化的模拟结果
Fig. 3.25 Simulated (a) Average Cu concentration, (b) Average interfacial Cu concentration
on Ni side and (c) Average interfacial Cu concentration gradient on Cu side as a function of
time
- 62 -
图 3.26 一次回流后四种尺寸焊点最大横截面处的 Cu 浓度分布

Fig. 3.26 Cu concentration on the maximum cross section of the four size solder joints after
the initial reflow
通过模拟 Cu 原子在不同尺寸 Cu/Sn-3.0Ag-0.5Cu/Ni-P 焊点中的扩散行为，可以得

到 Jout 的变化规律，从而定性解释 Cu/Sn-3.0Ag-0.5Cu/Ni-P 焊点中的尺寸效应规律。通
过将 Ni 侧 IMC 的生长速率换算为 Jout 代入边界条件，其他参数采用 3.2 小节数据，得
到不同尺寸焊点中 Cu 原子扩散的模拟结果。图 3.25(a-c)分别为焊点整体的平均 Cu 浓度、
Ni 侧界面的平均 Cu 浓度及 Cu 侧界面的平均 Cu 浓度梯度随时间的变化规律的模拟结
果。界面反应过程中 Cu 焊盘不断溶解导致了焊点整体的平均 Cu 浓度不断增加，200 μm
焊点的平均 Cu 浓度很快达到了饱和，而 500 μm 焊点的平均 Cu 浓度上升最为缓慢。图
3.26 更直观地显示了四种尺寸焊点最大横截面处的 Cu 浓度分布，可以看出整体焊点中
存在从 Cu 到 Ni 的 Cu 浓度梯度，且整体 Cu 浓度保持在较高水平。
Ni 侧界面初始反应生成(Cu,Ni)6Sn5 后，界面 Cu 浓度达到较小的数值，而钎料中迅
速有 Cu 原子补充到 Ni 侧界面使得界面的平均 Cu 浓度也在不断升高并最终趋向于饱和
Cu 浓度，从而导致 Ni 侧界面 IMC 始终保持为针状的(Cu,Ni)6Sn5。200 μm 焊点中 Cu 浓
度的增加更为迅速，因此 Ni 侧界面 IMC 得到的 Cu 原子会更为充足而生长较快。多次
回流后 Ni 侧界面的 Cu 浓度都趋于饱和导致界面 IMC 厚度的差异减小。
与单侧 Cu 焊点不同，Cu/Sn-3.0Ag-0.5Cu/Ni-P 小焊点中的 Cu 原子会持续扩散到 Ni
侧参加界面反应，因此四种尺寸焊点 Cu 侧界面的 Cu 浓度梯度差异减小，如图 3.25(c)
所示。这将使得不同尺寸焊点中 Jout 的差值减小从而使得界面晶粒尺寸的差距减小。另
外 Ni 原子扩散到 Cu 侧界面将导致 Cu6Sn5 晶粒明显小于单侧 Cu 焊点中的 IMC 晶粒
[38][160][161]，这也将减小不同尺寸焊点中 IMC 晶粒尺寸的差异。这将进一步使得 Jin
之间的差异减小，即 Cu 基体消耗之间的差距减小。此时，由 Jin-Jout 决定的 Cu 侧界面
IMC 的厚度之间的差异将更加减小从而使得实验结果无法得到 Cu 侧 IMC 厚度随焊点尺
寸变化的显著规律性。相对于单侧 Cu 焊点来说，Jin 和 Jout 均由于对侧 Ni-P 基板的存在
- 63 -
而增加了，若两者等同程度的增加，将使得 Jin-Jout 增加，从而导致 Cu 侧界面 IMC 厚度

增加，形成具有较大的高宽比的 IMC 晶粒。本小节实验 300 μm 焊点所用 Cu 焊盘直径
与单侧焊点相同，均为 250 μm，而一次回流后 Cu/Sn-3.0Ag-0.5Cu/Ni-P 所得的界面 IMC
晶粒直径约为单侧 Cu 焊点的 1/2，厚度稍厚于单侧焊点的 IMC 厚度[61]。
3.5 本章小结
本章研究了 Sn-xAg-yCu/Cu、Sn-3.0Ag-0.5Cu/Ni-P 以及 Cu/Sn-3.0Ag-0.5Cu/Ni-P 焊
点界面反应的尺寸效应，并从界面 Cu 原子通量的角度阐明了界面反应尺寸效应产生的
原因和规律性。研究得到以下结论：
1）对于 Sn-xAg-yCu/Cu 焊点，焊点尺寸的减小导致界面 Cu6Sn5 晶粒尺寸、IMC 层
厚度增加，Cu 基体消耗减少，焊点中平均 Cu 浓度增加；从原子通量的角度建立了浓度
梯度控制(CGC)界面反应理论模型，合理解释了尺寸效应现象；作为焊点体积、初始 Cu
浓度和钎焊时间的函数，界面 Cu 浓度梯度是产生尺寸效应的根本原因；当钎料饱和时，
界面 Cu6Sn5 的生长符合 t1/3 规律，而不饱和时，其生长动力学小于 t1/3 规律。
2）对于 Sn-3.0Ag-0.5Cu/Ni-P 焊点，界面 IMC 的转变规律为从初始形成的针状和短
棒状(Cu,Ni)6Sn5 转变为多面体状(Cu,Ni)6Sn5，当界面 Cu 浓度降低到临界值时界面针状
(Ni,Cu)3Sn4 迅速形核长大，部分生长为块状，而初始形成的(Cu,Ni)6Sn5 缩小并最终消失；
界面处 Cu 原子的供给通量决定了界面 IMC 的演变，大焊点中较大的 Cu 原子通量能不
断供给(Cu,Ni)6Sn5 的生长从而得到较大的(Cu,Ni)6Sn5 晶粒；焊点尺寸的减小导致界面处
Cu 原子供给通量下降迅速，界面 IMC 转变过程加快并迅速达到最终状态；早期形成的
(Cu,Ni)6Sn5 晶粒的演变机制依赖于钎料中的 Cu 含量，大焊点中形成连续的(Cu,Ni)6Sn5
晶粒时易发生脱落，小焊点中形成离散的(Cu,Ni)6Sn5 小晶粒易被(Ni,Cu)3Sn4 包围并消耗
而不发生脱落。
3）对于 Cu/Sn-3.0Ag-0.5Cu/Ni-P 焊点，焊点尺寸减小使得 Cu 消耗减小，Cu 侧晶
粒直径增加，Ni 侧 IMC 厚度增加，而 Cu 侧 IMC 厚度无明显规律性。相比单侧焊点，
不同尺寸双侧焊点中 Cu 基体消耗之间以及 Cu 侧界面 IMC 晶粒直径之间的差异减小；
Ni 基体界面未发生 IMC 形貌和类型的转变，一直保持为针状的(Cu,Ni)6Sn5。Cu、Ni 原
子交互作用使得不同尺寸焊点中 Cu 原子通量更为接近，一定程度上弱化了尺寸效应现
象。
- 64 -
4 工艺条件对界面组织的影响
4.1 引言
界面是 3D 封装材料之间形成可靠互连的基石。界面处的微观组织结构对焊点的可
靠性影响至关重要。钎焊过程中界面处将形成脆性的 IMC，较厚的 IMC 将不利于焊点
的可靠性。随无铅焊点的应用，高的工艺温度及 Sn 含量使得界面反应加剧，使得焊点
的界面可靠性面临挑战。然而界面问题具有其复杂性，除了焊点成分、基板类型、焊点
尺寸的影响，反应温度、反应时间及冷却速率，甚至钎焊方法(回流、热压)均会对界面
反应产生影响。钎焊过程中界面 IMC 的生长机制吸引了研究者的兴趣，研究者采用离
心[67]或者高压空气[69]去除钎料来终止界面反应，从而研究界面微观组织在回流过程
中的演变行为。但这些方法仅能观察到分离的几个时间点的界面 IMC 形貌，而且必须
采用不同样品，实验的时间点很难把握，且仍不能观察到界面 IMC 的连续变化规律性。
对于目前主流的 Sn-Ag-Cu 钎料，其界面 IMC 主要存在 Cu6Sn5、Cu3Sn 及 Ag3Sn。界面
Cu3Sn 存在于 Cu 基体和 Cu6Sn5 之间，钎焊后通常为很薄的一层，很难对可靠性产生影
响。界面 Cu6Sn5 为主要的界面 IMC，其厚度及形貌会对焊点的力学可靠性产生影响，
而界面大片状 Ag3Sn 的析出将降低钎料基体的强度以及增加界面的脆性，提供裂纹萌生
的位置。因此界面 Cu6Sn5 和 Ag3Sn 在钎焊工艺中的演变行为受到研究者的关注。
本章应用同步辐射实时成像技术，原位动态表征了钎焊工艺下微焊点中界面 Cu6Sn5
和 Ag3Sn 的演变规律。由于较高温度进行钎焊时，冷却过程中界面 Cu6Sn5 易形成多面
或棱柱状形貌[69]，并对钎料厚度产生显著影响，本章采用 260 oC 反应 2 h 预制一层较
厚的 IMC 层（保证同步辐射观察时界面 IMC 能被显著分辨），并在一较高温度(280 oC)
回流，观察界面 Cu6Sn5 的溶解与析出过程。由于微小焊点中更易析出大片状 Ag3Sn[79]，
研究了工艺条件对微焊点界面 Ag3Sn 的溶解和析出行为。应用原子扩散通量和团簇形核
的理论阐明了工艺条件下界面反应与组织演变的机理。
4.2 界面Cu6Sn5在钎焊工艺中的溶解与析出行为
图 4.1 显示了回流过程中 Sn/Cu 焊点界面 Cu6Sn5 演变行为的同步辐射照片。熔化初
始时刻(0 s)，界面处可以看到预制的一层较厚的 Cu6Sn5 层，其形貌为具有大高宽比的棒
状，如图 4.1(a)所示。图 4.1(b-e)显示了加热阶段界面 Cu6Sn5 层的变化行为，可以看到
所有的界面 Cu6Sn5 晶粒渐渐地溶解进入熔融钎料，测得溶解速率为 0.11 μm/s，并最终
转变成为一薄层扇贝状晶粒。图 4.1(e-j)显示了保温阶段的同步辐射照片，在 226 s 的保
温过程中，并没有发现界面 IMC 的显著生长，表明在保温阶段界面 IMC 生长速率缓慢。
另外，保温阶段 Cu6Sn5 的形貌一直保持为扇贝状。图 4.1(j-o)显示了冷却阶段 Cu6Sn5 的

演变行为。在此阶段，界面 Cu6Sn5 快速向钎料中生长，其生长速率达到 0.04 μm/s，其
形貌也从扇贝状转变为与初始时刻类似的具有大高宽比的柱状形貌。图 4.1 中黑色箭头
位置显示了两个具体晶粒的演变过程。加热阶段，晶粒的顶端溶解进入钎料，保温阶段，
其形貌保持扇贝状，冷却阶段，Cu 原子以 Cu6Sn5 的形式在扇贝状顶端沉积，Cu6Sn5 重
新变为柱状。然而，两个晶粒的宽度方向并未发生明显变化，说明在此整个回流过程中
晶粒熟化过程不明显。这与焊点在同步辐射实验之前进行了 2 h 液/固反应从而界面
Cu6Sn5 较为粗大有关。图 4.2 显示了同步辐射实验后 Sn/Cu 焊点的横截面扫描照片，可
以看到界面处形成了具有大高宽比的 Cu6Sn5 晶粒，与同步辐射照片 Cu6Sn5 的形貌一致。
图 4.1 Sn/Cu 焊点回流过程中的同步辐射照片:(a-e)加热阶段((a)为焊点熔化后第一张照

片，（e）为达到保温温度 280 oC)，(e-j)保温阶段((j)为冷却前最后一张照片)，(j-o)冷却
阶段((o)为冷却后的照片
Fig. 4.1 Synchrotron radiation images of the Sn/Cu interconnect during the reflow soldering:
(a)-(e) the heating stage ((a) at the melting point, (e) reached the dwelling temperature of 280
o
C), (e)-(j) the dwelling stage ((j) the last image before cooling), and (j)-(o) the cooling stage
((o) after solidification).
回流过程中界面 Cu6Sn5 的溶解和析出行为受到界面处垂直于界面的 Cu 浓度梯度作
用。界面处 Cu 原子浓度梯度的存在导致了从界面流入钎料或者从钎料流入界面的 Cu
原子通量，从而导致了界面 IMC 的溶解和析出行为。图 4.3 显示了模拟的 Cu 浓度分布
情况，模拟条件与同步辐射条件对应。初始 Cu 浓度设定为 0，从 230 oC 上升到 280 oC
时，Cu 在钎料中的溶解度的从 0.94 wt.%线性变化到的 1.67 wt.%[22]，扩散系数用公式
D=D0exp(-Q/RT)表示，其中 D0 为 1.8×10-7 m2/s，Q 为扩散激活能 17.58 kJ/mol。图 4.3(a)
为升温阶段的 Cu 浓度分布。由于 Cu 饱和溶解度的不断升高，导致界面处存在从熔融
钎料指向界面的 Cu 浓度梯度，从而导致了流入钎料中的 Cu 原子扩散通量，以及界面
IMC 的不断溶解。图 4.3(b)为保温阶段的 Cu 浓度分布。由于 Cu 原子达到饱和，界面处
- 66 -
Cu 浓度梯度消失，Cu6Sn5 不再溶解，从而在从 Cu 基体流向钎料界面的通量 Jin 的作用

下缓慢生长。图 4.3(c-d)为冷却阶段的 Cu 浓度分布。由于降温时 Cu 的饱和溶解度不断
减小，此时界面处存在从界面指向钎料的 Cu 浓度梯度，导致了从钎料流向界面的 Cu
浓度梯度，从而导致 Cu6Sn5 在界面扇贝状 Cu6Sn5 的表面快速析出。
图 4.2 界面 Cu6Sn5 晶粒的横截面 SEM 照片

Fig. 4.2 Cross-sectional SEM image of interfacial Cu6Sn5 grains.
(a) (b) (c) (d)
图 4.3 模拟的 Cu 浓度分布(a) 60 s，(b) 420 s，(c)600 s，(d) 840 s (箭头指示了 Sn/Cu 的
界面)
Fig. 4.3 Simulated Cu concentration distribution at (a) 60 s, (b) 420 s, (c) 600 s and (d) 840 s
(arrows indicate the Sn/Cu interfaces).
图 4.4(a)显示了模拟的界面 Cu 浓度梯度 dC/dx 随回流时间的变化规律，及图 4.1 中

黑色箭头指示的两晶粒高宽比随回流时间的变化规律。Cu6Sn5 晶粒高宽比的改变与 Cu
浓度梯度的变化符合良好。加热阶段正的浓度梯度导致了从界面向熔融钎料的 Cu 原子
溶解通量，从而导致 Cu6Sn5 晶粒高度的减小，而冷却阶段负的浓度梯度 Cu 原子从熔融
钎料向界面的析出通量，从而导致 Cu6Sn5 晶粒高度（或高宽比）的增加。
回流过程中界面 Cu6Sn5 的演变行为同样可以用式(3.8)描述。其中 Cu 浓度梯度 dC/dx
从熔融钎料指向界面时设定为正值，相反时设定为正值。计算 IMC 生长的参数和方法
与第三章相同。计算结果与实验测量结果符合良好，如图 4.4(b)所示。表明 Cu 浓度梯

度控制(CGC)理论可以用来解释回流过程中界面 IMC 的生长动力学。
Average Cu concentration gradient (m )
-1
120 1.8 24
(a) (b)
Average IMC thickness (m)

100 20
80
Grain 1
Aspect ratio H/D

1.2 16
60
Grain 2 12
40
0.6 8
20
0 point 4
0 Experimental results
Heating Holding Cooling Calculated data
-20 0.0 0
0 200 400 600 800 1000 0 200 400 600 800 1000
图 4.4 (a)界面处模拟的 Cu 浓度梯度及晶粒的高宽比，(b)计算与实验的界面 Cu6Sn5 厚

度随时间变化的规律
Fig. 4.3 (a) Simulated Cu concentration gradient at the interface and the aspect ratio of grains,
(b) Calculated and experimental Cu6Sn5 thicknesses as a function of reflow time.
4.3 界面Ag3Sn在钎焊工艺中的溶解与析出行为
1）回流过程中片状 Ag3Sn 的演变规律
采用单侧 Sn-4.0Ag-0.5Cu/Ni-P 微凸点研究了片状 Ag3Sn 在回流过程中的溶解与析
出规律。图 4.5 为芯片上微焊点的同步辐射照片及其对应的腐蚀掉钎料后的扫描照片。
焊点上(Ni,Cu)3Sn4 IMC 层的上方形成了四方形大片状的 Ag3Sn，其长度方向尺寸达到
30 μm。同步辐射照片中凸点内较暗的阴影与扫描照片中的片状 Ag3Sn 相对应。因此，
可以确定此阴影为大片状 Ag3Sn，且其可以被同步辐射观察到。
图 4.5 微焊点的同步辐射照片（上）以及相应的 SEM 照片俯视图（下）

Fig. 4.5 Synchrotron radiation image of solder bumps (top) and top-view SEM images of the
corresponding solder bumps (bottom)
实验选中同步辐射视野内的 7 个焊点观察 Ag3Sn 的溶解和析出行为。回流的升温
速率为 20 oC/min，降温速率为 5 oC/min。第一次回流过程中的升温阶段焊点中未观察
- 68 -
到 Ag3Sn，如图 4.6(a)所示。然而在冷却阶段，尺度约 10 μm 的片状 Ag3Sn 在 2 s 内在

1、5 和 6 号球内界面处迅速析出，析出速率超过 5 μm/s。
图 4.6 两次回流过程中焊点的同步辐射照片：(a)第一次加热阶段(a1 在熔点温度，a8 在

峰值温度，a10 为冷却前最后一张照片)，(b)第一次冷却阶段(b1 为 Ag3Sn 析出前一张照片，
b10 为完全凝固后照片)，(c)第二次加热阶段(c1 在熔点温度，c9 在峰值温度，c10 为冷却前
最后一张照片)，(d) 第二次冷却阶段(d1 为 Ag3Sn 析出前一张照片，d10 为完全凝固后照
片)。(b)和(d)中虚线框表示 Ag3Sn 初始析出，(c)中虚线框表示 Ag3Sn 的溶解以及气泡的
脱离
Fig.4.6 Synchrotron radiation images of the solder bumps during the two reflow processes:
(a) the first heating stage (a1 at the melting point, a8 at the peak temperature and a10 is the last
image before cooling), (b) the first cooling stage (b1 is the last image before the Ag3Sn plate
precipitation and b10 is after complete solidification), (c) the second heating stage (c1 at the
melting point, c9 at the peak temperature and c10 is the last image before cooling) and (d) the
second cooling stage (d1 is the last image before the Ag3Sn plate precipitation and d10 is after
complete solidification). The dotted boxes indicate the initial precipitation of Ag3Sn plates in
(b) and (d), and the dissolution of Ag3Sn plates and the escape of bubbles in (c)
在第二次回流过程中，1、5 和 6 号球中的片状 Ag3Sn 在升温阶段逐渐溶解进入钎
料，熔化后约 100 s 内，大片状 Ag3Sn 完全溶解进入钎料，如图 4.6(c)所示。Ag3Sn 在加
热阶段的溶解速率仅为 0.1-0.2 μm/s，与界面 Cu6Sn5 的溶解速率处于一个量级，远远小

于 Ag3Sn 在界面处的析出速率。在冷却阶段，片状 Ag3Sn 又再一次在一些焊点中析出。
然而有趣的是，片状 Ag3Sn 的析出是完全随机的行为，与第一次析出完全独立，如图
4.6(d)所示。例如，在 1 号焊点中，与第一次回流相比，片状 Ag3Sn 在焊点中的另一位
置析出；在 4 号和 7 号焊点中，第一次回流过程中并无片状 Ag3Sn 析出，而在第二次回
流过程中观察到了其析出行为；在 5 号和 6 号焊点中，第一次回流过程中析出片状 Ag3Sn，
而第二次回流过程中却无析出；在 2 号和 3 号焊点中，两侧回流过程中均无片状 Ag3Sn
的析出。
在第一次回流段，1 号焊点中的片状 Ag3Sn 在 186 oC 下析出，6 号焊点中片状 Ag3Sn
在 166 oC 下析出。在第二次回流过程中，1 号焊点中片状 Ag3Sn 在 171 oC 下析出，4 号
焊点中片状 Ag3Sn 在 162 oC 下析出。其他样品中片状 Ag3Sn 的析出温度也通过热电偶
在同步辐射过程中的实时测量得到。所有测量的焊点中，片状 Ag3Sn 的析出温度范围在
162-186 oC 范围内。由于 Sn-4.0Ag-0.5Cu 钎料的熔点为 217 oC，片状 Ag3Sn 的过冷度达
到了 31-55 oC。在钎料凝固时，由于焊点体积会发生收缩，焊点圆形光滑的表面会变得
稍微凹凸不平，同样同步辐射照片中焊点的衬度会发生轻微改变，焊点的凝固也可通过
同步辐射观察到。亚 50 微米微焊点的过冷度范围经测量为 39-59 oC。
微焊点界面处片状 Ag3Sn 的溶解与析出行为可以通过原子扩散通量的角度进行解
释。加热阶段，与 Cu6Sn5 的溶解机制相似，钎料中 Ag 原子的溶解度不断升高，且钎料
熔化后处于低 Ag 含量状态，导致钎料中存在从片状 Ag3Sn 表面流向钎料中的 Ag 原子
通量，使片状 Ag3Sn 不断溶解进入钎料，如图 4.7(a)所示。Ag 原子通量的大小决定了片
状 Ag3Sn 的溶解速率，而 Ag 原子通量的大小受升温速率等因素的影响。
图 4.7 钎料中 Ag 原子通量示意图：(a)加热阶段，(b)冷却阶段

Fig. 4.7 Schematic of Ag atomic flux in the solder at (a) heating stage and (b) cooling stage
冷却阶段，片状 Ag3Sn 的形核行为可以通过团簇的观点解释。本文认为液态钎料中

由于结构起伏从而具有 Ag3Sn 类型的团簇，如图 4.7(b)所示。在冷却阶段，根据热力学
- 70 -
原理，Ag3Sn 类型团簇的尺寸随温度的降低而增加。Cu6Sn5 团簇随温度减小而增加的规

律已由实验证实[162]。液态钎料中 Ag3Sn 析出的临界形核半径可以表示为
r*=2γεLTe/LeΔT (4.1)
其中，Te 为 Ag3Sn 的平衡形核温度，Le 为单位体积的熔化热，ΔT 为 Ag3Sn 形核的过冷
度，γεL 为 Ag3Sn 与钎料之间的界面能。γεL 可以表示为
S f
L   T (4.2)
( N AVm 2 )1/ 3
其中，α 为结构因子，ΔSf 为摩尔熔化熵，NA 为阿伏伽德罗常数，Vm 为固相的摩尔体积
以及 T 为温度。由于 ΔSf = ΔHf/T = LeVm/T，其中 ΔHf 为摩尔熔化焓，式(4.2)可以表示为
Le
L   (4.3)
( N AVm 1 )1/ 3
对比式(4.1)和(4.3)可得 r*的表达式如下：
2 Te
r*  (4.4)
( N AVm 1 )1/ 3 T
对于异质形核，临界晶核的体积还需要乘以一个小于 1 的角度因子 f(θ)。名义形核
半径可以表示为 r0= f(θ)1/3 r*。若 α = 0.86、Vm = 45.94×10-6 m3/mol、Te = 490 K 以及 f(θ)1/3
= 0.5，r*随过冷度 ΔT 的关系可以得到，如图 4.8 所示。很明显临界形核半径 r*随过冷度
的增加而减小。当 Ag3Sn 晶核的尺寸达到临界形核半径时，Ag3Sn 的形核和析出将会发
生。
20
18
16
14
12 Nucleation zone
r (nm)
10
8
*
6
4
2
0
0 20 40 60 80 100
T ( C)
o
图 4.8 临界形核半径随过冷度的变化关系
Fig. 4.8 Critical nucleus radius as a function of the undercooling
当温度稍微小于钎料的熔点时，Ag3Sn 类型团簇的尺寸不能达到临界形核半径，此
时不会有 Ag3Sn 形核。当过冷度增加时，临界形核半径减小，而 Ag3Sn 团簇尺寸增加。
在某一时刻，
Ag3Sn 团簇的尺寸超过临界晶核的尺寸，Ag3Sn 的形核将会发生。由于 Ag3Sn
在钎料中为异质形核（图 4.6 显示 Ag3Sn 均在界面析出），当焊点中有一个晶核形成时，

Ag3Sn 团簇将会找到更好的形核位置，即 Ag3Sn 晶核的表面。由于液态钎料中 Ag 原子
扩散较快，片状 Ag3Sn 将快速生长。对于具有较大过冷度的片状 Ag3Sn，本文认为其需
要一个较好的形核位置，此形核位置可能与界面(Ni,Cu)3Sn4 相的取向相关。随过冷度的
增加，临界形核半径将变得更小，Ag3Sn 在具有较大接触角的界面(Ni,Cu)3Sn4 的晶面上
形核将会变得容易。然而，如果-Sn 比 Ag3Sn 优先形核，Ag3Sn 将会最终在共晶反应中
析出。因此，片状 Ag3Sn 在一些焊点中析出而未在其他焊点中析出。另外，由于优先形
核点在持续变化以及 Ag3Sn 类型团簇的随机分布，片状 Ag3Sn 的形核是一个完全的随机
行为。
Ag3Sn 形核析出后，其表面将成为最佳的 Ag3Sn 形核位置，使得片状 Ag3Sn 持续长
大。Ag3Sn 的生长行为同样是 Ag 原子通量控制的过程，如图 4.7(b)所示，Ag3Sn 析出后，
周围会形成一个低 Ag 含量的区域，从而形成流向 Ag3Sn 的 Ag 原子通量。然而 Ag3Sn
形核后会迅速生长到较大尺寸，其前期生长速率远远高于 Cu6Sn5 的析出速率。主要原
因是此时的钎料处于过冷状态，较大的过冷度提供了 Ag3Sn 快速生长的驱动力，而 Ag3Sn
对 Ag 原子的快速消耗将会使附近产生更高的 Ag 浓度梯度，从而增加了 Ag 原子通量，
且周围 Ag 原子较为充足能够使得形核初期 Ag3Sn 快速生长。Ag3Sn 形核生长与 Ag 原
子通量之间是一个平衡的过程。当 Ag3Sn 形成一定尺寸后，钎料中 Ag 原子浓度降低导
致 Ag 原子通量减小，片状 Ag3Sn 缓慢长大，如图 4.6 所示。另外，一旦有片状 Ag3Sn
析出，在亚 50 微米凸点中 Ag 浓度会迅速下降，片状 Ag3Sn 在其他位置的析出将会受
到抑制。
2) 温度梯度对片状 Ag3Sn 析出的影响

通过热台加热 Cu/Sn-3.5Ag/Cu 微焊点建立温度梯度，研究了温度梯度作用下 Ag3Sn
的析出规律，实验示意图如图 2.5(b)所示。图 4.9 显示了 Sn-3.5Ag 钎料在冷却过程中的
模拟温度分布。在冷却阶段，冷热端温差基本维持在 0.86 oC。由于钎料层厚度为 50 μm，
钎料中垂直界面方向的温度梯度 dT/dx 达到 172 ºC/cm。
图 4.10 为 Cu/Sn-3.5Ag/Cu 微焊点在冷却过程中的同步辐射图片。可以看到冷端（下
侧界面）形成了较厚且晶粒粗大的 Cu6Sn5 层，而热端晶粒细小，图片中难以分辨。冷
端粗大的 Cu6Sn5 晶粒是由于 Cu 原子的热迁移导致[95]，这也同样说明了钎料中存在明
显的温度梯度。图 4.10 中黑色箭头表示片状 Ag3Sn 在热端析出，而白色箭头表示片状
Ag3Sn 在冷端析出。第一张图片被定义为 0 s 时刻，此时的温度为 213 oC。1 s 以后在焊
点 13#位置热端快速析出一个片状 Ag3Sn，随时间的延长，此晶粒逐渐长大。然而，同
- 72 -
步辐射观察中大部分 Ag3Sn 却在冷端析出，且析出的 Ag3Sn 阴影逐渐变大变黑，说明其

在不断长大。仅有三处位置发现了 Ag3Sn 在热端析出，分别在 10#、13#和 16#位置，然
而其中两片 Ag3Sn 在随后的冷却过程中又溶解进入钎料，对侧的 Ag3Sn 晶粒却在不断长
大。Ag3Sn 倾向于在冷端析出的现象也在其他焊点中被观察到。图 4.11 显示了
Cu/Sn-3.5Ag/Cu 微焊点凝固后的横截面的扫描照片，片状 Ag3Sn 与同步辐射照片中的阴
影位置对应良好，说明阴影位置确实为片状 Ag3Sn。
(a) (b)
214.0
213.8
Temperature ( C) 213.6
o
213.4
213.2
213.0
Hot end Cold end
212.8
0 10 20 30 40 50
Distance (m)
图 4.9 冷却过程中 Sn-3.5Ag 焊点中模拟温度分布：(a)云图，(b)线图
Fig. 4.9 Simulated temperature distribution across the Sn-3.5Ag solder during cooling: (a)
contour plot and (b) line plot
图 4.10 冷却过程中 Cu/Sn-3.5Ag/Cu 微焊点的同步辐射照片

Fig. 4.10 Synchrotron radiation images of a Cu/Sn-3.5Ag/Cu micro-scale interconnect during
the cooling process
由于两侧界面之间存在温度梯度，因此片状 Ag3Sn 的非对称析出行为必定与温度梯

度有关。Chen 等人[163]报道了固态时效过程中 Ag 原子在冷端的聚集行为，说明 Ag 原
子在温度梯度下向冷端迁移具有普遍规律性。本论文认为是 Ag 原子向冷端的聚集导致
了 Ag3Sn 更容易在冷端形核长大，从而较多的片状 Ag3Sn 在冷端析出。
图 4.12(a)为片状 Ag3Sn 析出之前温度梯度作用下微焊点中 Ag 原子通量的示意图。
此时化学势通量 JCM 与电迁移通量 JTM 达到平衡。两个通量可以分别表示如下：
dC Ag
J CM  - D (4.5)
dx
- 74 -
D Q* dT
J TM  C Ag (4.6)
kT T dx
其中，CAg 为 Ag 原子浓度，Q*为传递热，k 为玻尔兹曼常数，dT/dx 为温度梯度。两个
通量相等时，可得
dCAg D Q* dT
D  CAg (4.7)
dx kT T dx
图 4.11 片状 Ag3Sn 与同步辐射照片的对应关系

Fig. 4.11 Correlation between Ag3Sn plates and synchrotron radiation image of the
Cu/Sn-3.5Ag/Cu interconnect
若 CAg=2400 mol/m3 (3.5 wt.% Ag)、Q*=11.68 kJ/mol [164]、T=490 K、k=1.38×10-23 J/K

以及 dT/dx=172 K/cm，Ag 原子浓度梯度 dCAg/dx=2.424×105 mol·m-3·m-1。也就是说在 50
μm 后的焊点中，界面两侧 Ag 原子浓度相差 12.12 mol/m3。同时，应用有限元稀物质传
递模块，对微焊点中的 Ag 浓度分布进行了二维模拟，Ag 原子在液态钎料中的扩散系数
设定为 2.07 ×10-9 m2/s [165]。图 4.13 显示了微焊点中 Ag 浓度分布的模拟结果，与计算
结果相同。
图 4.12 Cu/Sn-3.5Ag/Cu 焊点中 Ag 原子通量示意图：(a) Ag3Sn 析出之前，(b) Ag3Sn

析出之后
Fig. 4.12 Schematic of Ag atomic fluxes in the Cu/Sn-3.5Ag/Cu interconnect: (a) before
Ag3Sn precipitation and (b) after Ag3Sn precipitation
Ag 原子在冷端聚集是温度梯度导致 Ag 原子热迁移的结果，然而其在冷端以 Ag3Sn

形式析出同样与形核有关。由式 4.4 所示，随温度降低，Ag3Sn 团簇的尺寸增加而临界
形核尺寸减小。冷端的 Ag3Sn 团簇将优先到达临界形核的尺寸。另外冷端 Ag 原子浓度
的增加也提高了 Ag3Sn 团簇的浓度。因此，Ag3Sn 倾向于在冷端析出。
- 76 -
(a) Hot end (b) 2408
Ag concentration (mol/m )
3
2406
2404
2402
Average
2400
2398
2396
2394
Hot end Cold end
2392
Cold end 0 10 20 30
Distance (m)
40 50
图 4.13 Sn-3.5Ag 钎料中 Ag3Sn 析出之前的模拟 Cu 浓度分布：(a)云图，(b)线图

Fig. 4.13 Simulated Ag concentration distribution across the Sn-3.5Ag solder before the
precipitation of Ag3Sn plates: (a) contour plot and (b) line plot
图 4.14 Cu/Sn-3.5Ag/Cu 微焊点中 Ag3Sn 形核激活能示意图：(a)等温条件下，(b)热迁

移条件下
Fig. 4.14 Schematic of the Ag3Sn nucleation activation energy in the Cu/Sn-3.5Ag/Cu
micro-scale interconnects: (a) under isothermal condition and (b) under thermomigration
热迁移也能够影响 Ag3Sn 在液态钎料中的形核激活能，从而影响其形核率。形核率

可以由下式表示：
(G*  Q)
I  A exp[ ] (4.8)
kT
其中 A 为比例常数，ΔG*为形核功，Q 为原子越过液/固界面的扩散激活能。图 4.14 显
示了微焊点中 Ag3Sn 形核激活能的示意图。在等温条件下，Ag 原子扩散越过液/固相界
面的能量为 Q，如图 4.14(a)所示。在热迁移条件下，温度梯度导致 Ag 原子迁移的力为
FTM，此力驱动 Ag 原子向冷端移动。因此，Ag 原子更容易通过冷端的液/固相界面势垒，
而更不易通过热端的液/固相界面势垒。换而言之，热迁移为冷端 Ag 原子跨过 Ag3Sn 生
长的势垒提供了额外的能量，如图 4.14(b)所示。冷热端的形核率分别表示为：
(G*  Q  Q* )
I cold  A exp[ ] (4.9)
kT
(G*  Q  Q* )
I hot  A exp[ ] (4.10)
kT
由于 Icold>Ihot，Ag3Sn 团簇更易在冷端形核。相反，由于热端较低的 Ag 浓度及较高
的形核激活能导致 Ag3Sn 在热端的形核被抑制。
片状 Ag3Sn 析出后，其生长行为受 Ag 原子化学势通量和热迁移通量共同作用的控
制。Ag3Sn 在界面处形核将使其附近的 Ag 浓度迅速降低从而形成一个低 Ag 区，如图
4.12(b)所示，从而形成从外面指向低 Ag 区的 Ag 原子的化学势通量 JCM。Ag3Sn 析出若
是发生在冷端，电迁移通量 JTM 和 JCM 方向相同，均指向析出的片状 Ag3Sn，导致 Ag3Sn
的逐渐长大。这也导致了一旦冷端界面有 Ag3Sn 析出，降低的 Ag 含量将使得对侧热端
界面不再析出 Ag3Sn，如图 4.10 所示。若 Ag3Sn 在热端析出，其周围的化学势通量 JCM
的方向与 JTM 方向相反，Ag3Sn 的溶解和生长取决于两者的相对大小。如果冷却过程中
对面没有片状 Ag3Sn 的析出，指向热端的 JCM 将较大，使热端析出的 Ag3Sn 继续长大，
如图 4.10 中 13#位置所示。然而，如果对面冷端析出片状 Ag3Sn，JCM 将会变得小于 JTM，
导致在热端析出的 Ag3Sn 重新溶解进入钎料以提供冷端析出的 Ag3Sn 的生长，如图 4.10
中 10#和 16#位置所示。这是冷热端形成的 Ag3Sn 的竞争生长机制。Ma 等人[166]报道
了无温度梯度下的 Ag3Sn 竞争生长是一个随机的过程。而 Ag 原子的热迁移导致了 Ag3Sn
在冷端的择优析出与生长。
4.4 本章小结
本章应用同步辐射实时成像技术，原位观察了工艺条件下焊点界面 Cu6Sn5 和 Ag3Sn
的演变行为及机理。通过界面 Cu 原子扩散通量和液态团簇的角度解释了钎焊过程中界
- 78 -
面反应与组织演变机理。同步辐射被证明是研究微焊点中组织演变及测量微焊点过冷度
的有效工具。本章研究工作为工程应用控制钎焊工艺中界面组织的演变行为提供了实验
和理论参考。结论分别如下：
1）升温阶段界面 Cu6Sn5 晶粒顶端以 0.11 μm/s 的速率溶解进入钎料，在保温阶段其
保持扇贝状晶粒形貌缓慢生长，而在冷却阶段 Cu6Sn5 晶粒顶端快速生长从而高宽比增
加，生长速率达到 0.04 μm/s。界面处 Cu 原子浓度梯度引起的扩散通量是界面 Cu6Sn5
形貌演变的根本原因。熔化阶段不断增加的 Cu 饱和溶解度导致了流向钎料中的 Cu 原
子通量，从而导致了界面 Cu6Sn5 的溶解；而冷却阶段钎料中 Cu 溶解度的下降导致流向
界面的 Cu 原子通量，从而导致了 Cu6Sn5 快速生长。CGC 界面反应理论模型能够较好的
描述回流过程中界面 Cu6Sn5 的溶解和析出规律。
2）回流过程的升温阶段，界面大片状 Ag3Sn 以 0.1-0.2 μm/s 的速率溶解进入钎料，
而在冷却阶段析出速率超过了 5 μm/s。测量得到片状 Ag3Sn 析出的过冷度为 31-55 oC，
稍低于焊点的过冷度(39-59 oC)。应用团簇形核理论揭示了片状 Ag3Sn 在过冷条件下的
随机析出行为。从原子扩散通量角度阐明了 Ag3Sn 析出生长机理。
3）温度梯度作用下在冷却阶段微焊点中的片状 Ag3Sn 倾向于在冷端析出，而在热
端析出的片状 Ag3Sn 倾向于在随后的冷却过程中溶解进入钎料。Ag 原子向冷端的热迁
移导致了较高的 Ag 浓度，从而更多和更大的 Ag3Sn 类型团簇在冷端界面形成；另外
Ag 原子的热迁移减小了 Ag3Sn 在冷端的形核激活能，这两者导致了片状 Ag3Sn 在冷端
的形核率增加。片状 Ag3Sn 的生长和溶解依赖于 Ag 原子热迁移通量和化学势通量的相
互作用，冷端热迁移通量和化学势通量方向一致且均指向冷端，导致了片状 Ag3Sn 的持
续生长，而热端热迁移通量和化学势通量方向相反，两者的差值决定了片状 Ag3Sn 的生
长和溶解。
5 基体类型对界面反应的影响
5.1 引言
随着二维封装向三维封装的转变，微焊点与 TSV 技术成为芯片互连的主流技术。
然而微焊点的界面反应将会有不同于大焊点的特殊性，微焊点界面反应面临着新问题，
如 IMC 所占比例的增加、全 IMC 焊点的形成[56][57][66]。影响微焊点界面反应的因素
较多，其中基体类型会对微焊点中的界面反应产生显著影响。如异质基体进行钎焊互连
时，溶解进入钎料的基体原子将很容易扩散到对侧界面[96]，从而影响对侧界面 IMC 的
类型、形貌和生长速率；微焊点中基体的各向异性问题也将凸显出来，特定取向的 Cu
或 Ni 基体将使得界面 IMC 形貌具有特殊性已有报道[34][109]，微焊点中基体取向对界
面反应的影响值得关注。
本章以传统研究手段与同步辐射实时成像技术相结合，研究了多晶 Cu/Sn/多晶 Cu
界面反应中 IMC 生长动力学、形貌演变与晶粒合并机制。作为对比，采用多晶 Cu/Sn/
多晶 Ni 微焊点研究了原子交互作用对界面反应的影响规律；采用(001)Cu/Sn/(001)Cu、
(001)Cu/Sn/(001)Ni 微焊点研究了单晶基体对界面反应的影响规律。揭示了原子扩散通
量和原子团簇形核理论统一解释了不同影响因素下界面反应中 IMC 形貌及取向演变机
理。
5.2 多晶Cu/Sn/多晶Cu微焊点的界面反应
5.2.1 多晶 Cu/Sn/多晶 Cu 微焊点的微观组织
图 5.1 为 250 oC 反应不同时间后多晶 Cu/Sn/多晶 Cu 焊点界面的俯视形貌。初始焊
接后界面形成扇贝状的 Cu6Sn5 晶粒。并随反应时间的延长，扇贝状 IMC 晶粒逐渐熟化
长大。在一些尺寸较大晶粒上存在一些明显的沟槽，这是晶粒合并长大的结果。
- 80 -
图 5.1 多晶 Cu/Sn/多晶 Cu 焊点在 250 oC 反应不同时间的俯视图 SEM 照片

Fig. 5.1 Top-view SEM images of polycrystalline Cu/Sn/polycrystalline Cu interconnects
after reaction at 250 oC for various times
图 5.2 多晶 Cu/Sn/多晶 Cu 焊点在 250 oC 反应不同时间的横截面 SEM 照片

Fig. 5.2 Cross-sectional SEM images of polycrystalline Cu/Sn/polycrystalline Cu
interconnects after reaction at 250 oC for various times
图 5.2 为相应的焊点的横截面形貌。初始界面均匀生长有一层扇贝状 Cu6Sn5，且随

反应时间的延长，钎料逐渐被消耗，IMC 厚度逐渐增加。反应 120 min 后，IMC 之间仅
剩下很薄一层钎料，界面两侧 Cu6Sn5 晶粒的顶端几乎接触上。另外，界面 Cu6Sn5 与 Cu
基体之间仅生成很薄一层 Cu3Sn 层，即使反应 120 min 后其厚度仍较薄，说明在液/固界
面反应中，Sn 未消耗完时界面 Cu3Sn 的生长速率较为缓慢。
5.2.2 多晶 Cu/Sn/多晶 Cu 微焊点界面 IMC 的生长动力学

图 5.3(a)显示了界面 IMC 厚度随时间的变化关系，可以看出 IMC 生长基本符合抛
物线规律。反应 120 min 后，IMC 平均厚度由初始的 2.20 μm 生长到 9.01 μm。Hang 等
人[92]报道的 240 oC 下反应 120 min 的结果经测量为 7.24 μm，Li 等人[87]报道的 260 oC
下反应相同时间的结果为 10.90 μm，本论文结果介于两者之间。界面 IMC 的生长动力
学可以由下式表示
X  X 0  Kt n (5.1)
其中 X 是界面 IMC 的厚度，X0 是初始 IMC 的厚度，K 为 IMC 生长系数，t 为时间，n
为生长指数。图 5.3(b)显示了 X-X0 与反应时间关系的拟合结果。250 oC 下多晶 Cu 界面
IMC 的生长指数 n 为 0.60，基本符合 t1/2 规律。说明在长时间反应过程中 IMC 的生长主
要由 Cu 原子在界面 IMC 中的体扩散控制。这是由于长时间反应后界面 IMC 晶粒长大，
晶界面积相应减小，晶界扩散受到抑制。
图 5.3(c)显示了平均晶粒直径随时间的变化关系。反应 120 min 后，IMC 平均晶粒
直径由初始的 5.55 μm 生长到 28.59 μm。IMC 晶粒生长动力学可以由下式表示[167]
d m  d0m  k t (5.2)
其中，m 是生长指数，d0 是初始晶粒直径，k’为生长常数。平均晶粒直径随时间变化的
拟合结果如图 5.3(d)所示。250 oC 下多晶 Cu 界面 Cu6Sn5 晶粒的生长指数为 2.23。说明
晶粒尺寸的生长和厚度的生长规律相似，均符合 t1/2 规律。尺寸效应实验的模拟结果表
明，微小焊点中的 Cu 浓度将在钎料熔化后迅速达到饱和，因此界面反应过程中流向钎
料的通量 Jout 为 0，IMC 生长受 Jin 控制。长时间反应过程中晶粒尺寸长大，晶界面积减
小，晶界扩散的相对大小减弱，从而界面 IMC 的生长规律由 t1/3 规律向 t1/2 规律转变。
- 82 -
10 8
7
(a) (b)
Average IMC thickness ( m)
9
6
8
5
7
4 y=0.38x0.60
X-X0 (m)
6
5 3
4
2
3
2
1
0 1
0 20 40 60 80 100 120 140 10 100
Reaction Time (min) Reaction time (min)
30
30
(c)
Average grain diameter ( m)
25
(d)
25
Grain diameter (m)
20
20 m m
r -r0 =kt
15
15 m=2.234
10
10
5 5
0 0
0 20 40 60 80 100 120 140 0 20 40 60 80 100 120
Reaction Time (min) Reaction time (s)
图 5.3 焊点界面 IMC 厚度随时间的变化规律(a)和拟合曲线(b)以及晶粒直径随时间变化

规律(c)及拟合曲线(d)
Fig. 5.3 Average interfacial IMC thickness of the interconnects as a function of reaction time
(a) and the fitted plots (b), and average grain diameter as the function of reaction time (c) and
the fitted plots (d)
通过同步辐射实时成像技术研究了 300 oC 下多晶 Cu/Sn/多晶 Cu 焊点的界面反应，
如图 5.4 所示。图 5.4(a)为焊点熔化后第一张照片，界面两侧形成很薄的 IMC 层，难以
从同步辐射照片中分辨出来。反应 30 min 后，如图 5.4(b)所示，可以看到界面两侧形成
连续的扇贝状 IMC 层。随着反应时间的延长，IMC 逐渐熟化以及合并长大。Qu 等人[138]
采用同步辐射原位观察了 Sn/Cu 钎焊界面反应中 Cu6Sn5 晶粒的熟化长大和合并现象，
与本研究观察一致。反应 60 min 后，甚至有些地方界面两侧的 IMC 晶粒相接触到一起，
如 5.4(d)所示的 1#位置晶粒。在后续界面反应过程中，同步辐射照片中较少观察到晶粒
消失或者被相邻晶粒吞并的现象，晶粒粗化减缓。然而一些大晶粒高度方向伸长并与对
侧晶粒相接触，产生晶粒融合的现象。当反应时间延长到 120 min 时，焊点中剩余钎料
很少，大部分区域被粗大的界面 IMC 所覆盖，许多贯穿整个钎料的晶粒在焊点中形成。

我们选取了 11 个晶粒，依次编号为 1#至 11#，以分析这些晶粒的生长和合并过程。
图 5.5(a)显示了 300 oC 下界面 IMC 平均厚度随反应时间的变化规律。在界面反应的
前 60 min，IMC 层的平均厚度增加到 10 μm，比 250 oC 相同反应时间后的界面 IMC 厚
度 6.2 μm 更厚。界面 IMC 的生长正比于 Cu 原子通量 Jin，温度升高使得原子扩散系数
增加，从而增加了 Jin，因此 300 oC 下 IMC 厚度将更厚。采用式(5.1)进行曲线拟合，得
到界面 IMC 的生长动力学仍符合 t1/2 规律，与 250 oC 下 IMC 生长规律相同。然而在反
应 60 min 以后，界面 IMC 的生长稍微加速，近似符合直线规律，生长速率测得为 0.14
μm/min。反应后期界面 IMC 的生长加速行为可能与钎料层的消耗有关。Sn 层的减小将
导致界面两侧晶粒熟化通量的相互作用，从而加速了 IMC 的熟化生长过程。图 5.5(b)
为焊点中 Cu 原子通量的示意图。箭头指示 Cu 原子通量的流动方向。界面 IMC 晶粒的
生长由 Cu 基体提供的界面反应通量 Jin 和从小晶粒流向大晶粒的熟化通量 Jr 控制
[50][51]。界面反应通量 Jin 由 Cu 基体的消耗导致；而熟化通量 Jr 是由于小晶粒具有较
大的曲率而具有较大的表面平衡 Cu 浓度，导致大小晶粒间存在浓度梯度，从而建立由
小晶粒流向大晶粒的 Cu 原子通量。整体 IMC 的生长依赖于 Jin，而 Jr 将会导致小晶粒
的消耗和大晶粒生长。当两侧的界面 IMC 相距离较远时，IMC 的生长依赖于本侧的界
面通量，300 oC 下前 60 min 界面反应处于此阶段。而当两侧界面 IMC 接近时，两侧的
Cu 通量相互影响加剧，一侧的 Cu 原子通量可以流到对侧从而促进对侧界面 IMC 的生
长，300 oC 下界面反应 60 min 以后属于此阶段。另外，实验结果表明 250 oC 界面反应
后期的界面 IMC 生长也存在类似的现象。在晶粒熟化生长过程中，反应后期晶粒向钎
料内部纵向生长的现象，如 1#-11#晶粒，可由这种两侧 Cu 原子通量的交互作用解释。
界面两侧 Cu 通量的交互作用一定程度上减小了液态钎料中 Cu 原子的积累，从而也会
加速 Cu 原子从 Cu 基体向钎料内部的传输，从而导致后期 IMC 的快速生长。
- 84 -
图 5.4 300 oC 反应(a-n) 0-120 min 的多晶 Cu/Sn/多晶 Cu 焊点同步辐射照片

Fig. 5.4 Synchrotron radiation images of the polycrystalline Cu/Sn/polycrystalline Cu joint
reacted at 300 oC for (a-n) 0-120 min
为了证明从界面一侧流向另一侧的 Cu 通量的存在，本论文建立了二维模型模拟钎
料中 Cu 原子的扩散行为。钎料中的初始 Cu 浓度为 2228 mol/m3（1.94 wt. %），即 300
C 下 Cu 在 Sn 中的平衡 Cu 浓度。设定界面 Cu6Sn5 晶粒具有三种尺寸：5 μm，10 μm
o
和 17 μm。IMC 晶粒的表面 Cu 浓度可由 Cr=Ce(1+2γΩ/rRT)进行描述。设定 γ= 9×10-6

J/cm2 [168]、Ω =117.87 cm3/mole、T=573 K，钎料中 Cu 通量流向的模拟结果如图 5.5(c)
和(d)所示。钎料中 Cu 浓度梯度用箭头表示，箭头的粗细和密集程度反应通量的大小和
密度。当两侧晶粒相聚较远时，Cu 原子通量主要集中在本侧界面不同晶粒之间，如图
5.5(c)所示。而当晶粒长大致使两侧晶粒相互接近时，界面两侧原子通量的交互作用加
强，如图 5.5(d)所示。
(a) 16
(b) Cu
y=1.60+0.14x
14
12 Jin
10
8
Jr
6
0.49
4
y=1.30x
2
0
0 20 40 60 80 100 Cu
Reaction Time (min)
(c) (d)
图 5.5 (a) 300 oC 下界面 IMC 厚度随时间的变化关系，(b)焊点中 Cu 原子通量示意图，

(c)和(d)分别为界面反应早期和晚期焊点界面的 Cu 浓度梯度
Fig. 5.5 (a) The IMC thickness as a function of reacting time at 300 oC, (b) the schematic of
the Cu fluxes in the solder interconnect, (c) and (d) the simulated Cu concentration gradient in
the solder interconnect of early stage of aging and later stage of reaction
- 86 -
5.2.3 多晶 Cu/Sn/多晶 Cu 微焊点 IMC 融合行为

晶粒的融合行为可以清楚地在图 5.4 中观察到。从 2#、6#和 7#位置可以看到上下两
侧晶粒接触的过程。而在其他位置，其中一侧的 Cu6Sn5 晶粒向钎料中一直生长并最终
接触到对侧界面。IMC 晶粒不断向对侧生长是熟化通量作用的结果，然而接触到对侧界
面时，对侧界面上是否有 IMC 晶粒由于分辨率的原因仍难以判断。为了进一步研究
Cu6Sn5 晶粒的融合行为，对同步辐射实验后样品做了 EBSD 分析。图 5.6(a-c)分别显示
了冷却后样品的的同步辐射照片、相应的 EBSD 图像和 SEM 照片。EBSD 图像中不同
取向的晶粒采用不同颜色表示，具有相同颜色的连续区域为一个晶粒。可以看到在 1#、
4#、7#和 8#位置形成了贯通上下界面的单一取向晶粒；在 2#位置的下方，可以看到一
小块蓝色晶粒被粉红色晶粒包裹；3#、6#、9#、10#和 11#位置下侧仍有小晶粒保持原来
的取向，这种取向未完全转变的现象与 Yang 等人[92]的结果一致；5#位置形成了两个
取向接近的紧密连接的晶粒，其中一个晶粒贯穿整个焊点。在一侧界面留下的取向不一
致的晶粒可以支持了形成单个 IMC 晶粒的晶粒合并或晶界迁移机制[91]。
图 5.6 多晶 Cu/Sn/多晶 Cu 微焊点实验后的(a) 同步辐射照片，(b) EBSD 欧拉角图像以

及(c)相应的 SEM 照片
Fig. 5.6 The (a) synchrotron radiation image, (b) EBSD mapping and (c) corresponding SEM
images of the polycrystalline Cu/Sn/polycrystalline Cu interconnect after the experiment
为了观察晶界迁移，在 250 oC 下对多晶 Cu/Sn/多晶 Cu 微焊点进行了原位 EBSD 表

征实验。图 5.7 显示了反应不同时间后的同一焊点的五个位置的 EBSD 图像。图 5.7(a)、
(c)和(d)显示了上下两个不同取向的晶粒相互接触并转变为同一取向的过程。所形成的单
一取向晶粒与初始某一侧界面的晶粒取向相同，说明上下侧晶粒接触后，晶界逐渐迁移
到一侧界面。图 5.7(b)显示的位置有一个蓝色晶粒与一个粉红色晶粒在反应 4 h 后相连，

然而两者之间并没有发生晶粒相互吞并的现象，而粉红晶粒却被同侧的绿色晶粒吞并。
图 5.7(e)显示了初始情况（反应 3 h）下整个焊点只有一个大的蓝色晶粒及下侧界面两个
较小的取向相似的蓝色晶粒；在进行 1 h 的反应后，两个岛状的蓝色晶粒仍然未被蓝色
大晶粒吞并，而左侧的具有大取向差的黄色晶粒逐渐吞并蓝色大晶粒横向生长；再继续
反应 1 h，蓝色大晶粒被黄色晶粒吃掉更多的部分，其中一个蓝色岛状晶粒也被吃掉大
部分。结果显示，具有相似取向的相连接的晶粒似乎具有更小的晶界迁移驱动力，反而
具有大取向差的两个晶粒更容易发生吞并行为。图 5.8(a)显示了另一全 IMC 焊点中具有
相似取向的晶粒未合并而保留小角度晶界的现象。
从以上结果可得出两点结论，一是上下晶粒的融合行为是一种普遍的晶粒粗化现
象，它不仅可以发生在相对的两个晶粒之间，也同样发生在同侧相邻的两个晶粒之间，
两者粗化机理相同，同样是晶界迁移机制；二是晶界迁移较易发生在具有大取向差的两
个晶粒之间，而具有相似取向的两晶粒较难发生合并，这可能是较小的晶界能导致了较
小的晶界移动性。Koo 等人[169]研究了 Cu 的晶粒异常长大现象，同样发现了一些具有
低错配角度的岛状晶粒的形成，并认为错配角改变了晶界移动能力和晶界能，与本文观
点一致。
图 5.7 同一样品不同区域的 Cu6Sn5 晶粒的原位 EBSD 观察（(a-e)为五个不同位置，1-3

分别为反应 3 h，4h 和 5h）
Fig. 5.7 In situ EBSD mapping of the Cu6Sn5 grains in different areas of the same sample (a-e
indicates five different areas and 1-3 indicates the aging time of 3 h, 4h, and 5h)
- 88 -
图 5.8 Cu/Sn/Cu 焊点中具有低错配晶界的 Cu6Sn5 晶粒的 EBSD 图像

Fig. 5.8 EBSD mapping of the areas showing low misorientation grain boundaries of Cu6Sn5
in Cu/Sn/Cu interconnect
5.3 多晶Cu/Sn/多晶Ni微焊点的界面反应
5.3.1 多晶 Cu/Sn/多晶 Ni 微焊点的微观组织
图 5.9 为 250 oC 反应不同时间后多晶 Cu/Sn/多晶 Ni 焊点界面的俯视形貌。由于钎
焊过程中 Cu 和 Ni 原子均扩散到对侧界面发生界面反应，界面两侧均形成(Cu,Ni)6Sn5
类型化合物，与第三章 Cu/Sn-3.0Ag-0.5Cu/Ni-P 焊点的界面反应类似。Cu 侧的(Cu,Ni)6Sn5
在初始回流后为扇贝状的形貌，如图 5.9(a)所示。随反应时间的延长，扇贝状晶粒稍微
长大，长宽比增加。反应 60 min 后，扇贝状晶粒转变为六棱柱短棒状晶粒，如图 5.9(d)
所示。与 Cu 侧界面(Cu,Ni)6Sn5 形貌不同，Ni 侧形成的是针状形貌的(Cu,Ni)6Sn5。随反
应时间的延长，针状晶粒粗化。反应 60 min 后，Ni 侧的界面(Cu,Ni)6Sn5 也具有棒状形
貌，与 Cu 侧 IMC 形貌相似，如图 5.9(h)所示。
图 5.9 不同反应时间后多晶 Cu/Sn/多晶 Ni 焊点的界面形貌的俯视图 SEM 照片(a-d)Cu

侧，(e-h)Ni 侧
Fig. 5.9 Top-view SEM images of the polycrystalline Cu/Sn/polycrystalline Ni interconnects
after reaction for different times on Cu side (a-d) and Ni side (e-h)
图 5.10 显示了 250 oC 反应不同时间后多晶 Cu/Sn/多晶 Ni 焊点的横截面 SEM 照片。

与俯视形貌一致，Cu 侧的界面 IMC 为连续的扇贝状，Ni 侧的界面 IMC 为针状。EDX
分析表明 Ni 侧初始形成的针状的 IMC 的成分为(Cu0.91Ni0.09)6Sn5，而 Cu 侧初始形成的
IMC 成分为(Cu0.95Ni0.05)6Sn5，Ni 侧 IMC 具有较高的 Ni 含量。界面反应 10 min 后，界
面两侧的 IMC 厚度均增加，界面形貌没有改变，一些小孔在界面 IMC 中形成，如图 5.10(b)
所示。随反应时间的延长，两侧 IMC 厚度继续增加，而 Ni 侧 IMC 的生长速率更快，
Cu/IMC 界面逐渐变得凹凸不平。界面反应 120 min 后，两侧界面 IMC 相接触，IMC 内
部有些孔洞形成，如图 5.10(e)所示。EDX 分析表明，从 Ni 侧到 Cu 侧，(Cu0.91Ni0.09)6Sn5
中的 Ni 含量逐渐下降，从(Cu0.83Ni0.17)6Sn5 变化到(Cu0.92Ni0.08)6Sn5。界面反应 240 min
后，Sn 完全被消耗，形成了全 IMC 焊点，其中(Cu,Ni)6Sn5 几乎占据了焊点的绝大多数
区域，仅在 Cu 基体侧形成了很薄的一层 Cu3Sn。这是由于 Ni 原子的存在抑制了 Cu3Sn
的生长[38]。与图 5.10(e)相比，反应 240 min 后(Cu,Ni)6Sn5 变得更加致密，孔洞减少，
这应于空位的扩散有关。然而(Cu,Ni)6Sn5 中仍然存在从 Ni 到 Cu 的 Ni 的浓度梯度，由
于 Ni 原子的扩散，靠近 Ni 侧的 IMC 的 Ni 含量升高，而 Cu 侧 IMC 的 Ni 含量未发生
变化，IMC 具体成分从(Cu0.75Ni0.25)6Sn5 变化到(Cu0.92Ni0.08)6Sn5。
图 5.10 不同反应时间后多晶 Cu/Sn/多晶 Ni 焊点的横截面 SEM 照片(a) 2 min，(b) 10

min，(c) 30 min，(d) 60 min，(e) 120 min，(f) 240 min
Fig. 5.10 Cross-sectional SEM images of the polycrystalline Cu/Sn/polycrystalline Ni
interconnects after reaction for (a) 2 min, (b) 10 min, (c) 30 min, (d) 60 min, (e) 120 min and
(f) 240 min
- 90 -
图 5.11(a)显示了 250 oC 反应 240 min 后的样品的另一区域。一些孔洞主要集中在两

侧 IMC 相接处的界面。这主要是由于形成 IMC 时体积收缩，待 Sn 消耗完后留下的孔
洞。图 5.11(b)显示了界面 IMC 的 EBSD 图像，实验结果由分析软件进行了处理，将未
标定出的区域进行了合理填充。与 Cu/Sn/Cu 体系形成贯穿整个焊点的大的 Cu6Sn5 晶粒
不同，Cu/Sn/Ni 体系形成的全 IMC 焊点具有细小的等轴晶粒，一个可能的解释是 Ni 在
Cu6Sn5 晶粒中的固溶阻碍了晶体中位错的运动，从而抑制了晶界的迁移而导致晶粒合并
过程缓慢从而导致细小晶粒的形成。Ji 等人[170]通过超声辅助钎焊的方法制备了
Ni/(Cu,Ni)6Sn5/Cu3Sn/Cu 焊点，与本文实验结果不同，其所报道的焊点中形成了大的
(Cu,Ni)6Sn5 晶粒，这可能是超声提供了晶粒生长所需的额外的能量所致。
图 5.11 反应 240 min 后多晶 Cu/Sn/多晶 Ni 焊点横截面的扫描图片

Fig. 5.11 Cross-sectional SEM image (a) and corresponding EBSD mapping of
polycrystalline Cu/Sn/polycrystalline Ni interconnects after reaction for 240 min
4.0
Cu
Grain Diameter (m)
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0 10 20 30 40 50 60
Reaction Time (min)
图 5.12 多晶 Cu 基体上(Cu,Ni)6Sn5 平均晶粒直径随时间的变化关系

Fig. 5.12 Average grain diameter of (Cu,Ni)6Sn5 on Cu substrate as a function of reaction
time
5.3.2 多晶 Cu/Sn/多晶 Ni 微焊点界面 IMC 的生长动力学

实验结果显示界面反应中产生了明显的 Cu、Ni 原子的交互作用，Cu 原子扩散到
Ni 侧界面改变了 Ni 侧界面 IMC 的类型，由 Ni3Sn4 转变为(Cu,Ni)6Sn5。而 Ni 原子也同
样扩散至 Cu 侧界面从而细化了 Cu 侧 IMC 的晶粒（初始钎焊后晶粒直径为 2.17 μm，小
于多晶 Cu/Sn/多晶 Cu 体系的 5.55 μm，250 oC 反应 60 min 后，晶粒直径也仅为 3.18 μm，
远远小于多晶 Cu/Sn/多晶 Cu 体系的 19.27 μm）。图 5.12 显示了 Cu 基体上平均晶粒直
径随时间的变化关系。Zeng 等人[133]和 Cheng 等人[171]也报道了钎料中添加少量 Ni
对(Cu,Ni)6Sn5 晶粒的细化作用。由于 Ni 原子的细化晶粒作用，也最终导致了具有细小
等轴晶的全 IMC 焊点的形成。由于晶粒的细化，导致 Cu 侧的晶界面积增加，增加了
Cu 侧基体的消耗，也使得 Cu 侧界面的厚度略有增加（初始反应后为 2.81 μm，高于多
晶 Cu/Sn/多晶 Cu 体系的 2.20 μm，反应 60 min 后为 10.97 μm，高于多晶 Cu/Sn/多晶 Cu
体系的 9.01 μm）。图 5.13 显示了 Cu 侧和 Ni 侧的界面 IMC 厚度随时间的变化规律。
Ni 侧(Cu,Ni)6Sn5 的生长速率明显高于 Cu 侧，尤其是长时间界面反应后现象更加显著，
如图 5.13(a)所示。Ni 侧初始形成的 IMC 厚度为 3.76 μm，稍微高于 Cu 侧 IMC 厚度（2.82
μm），而反应 120 min 后，Ni 侧的 IMC 厚度达到 40 μm，而 Cu 侧的 IMC 厚度仅为 11.03
μm。图 5.13(b)显示了 Cu 侧和 Ni 侧的界面 IMC 厚度随时间的变化的拟合结果。Ni 侧
IMC 的生长动力学表现出线性规律（n≈1），表明 Ni 侧 IMC 的生长由界面反应控制。
而 Cu 侧的 IMC 生长符合抛物线规律（n≈1/2），表明 Cu 侧 IMC 生长受到扩散控制。
另外，从实验结果也可以看出(Cu,Ni)6Sn5 的形貌与其中溶解的 Ni 原子有关，Ni 侧
的(Cu,Ni)6Sn5 具有较高的 Ni 含量，倾向于形成针状形貌，而 Cu 侧(Cu,Ni)6Sn5 具有低的
Ni 含量，倾向于形成短棒状或扇贝状形貌。然而，随反应时间的延长，两侧界面 IMC
顶端的成分几乎未发生改变，但却均倾向于形成棒状形貌。这说明(Cu,Ni)6Sn5 表现出的
形貌不仅是 Ni 对晶体参数和界面能的改变，还与(Cu,Ni)6Sn5 在此液态钎料中的生长动
力学相关。初始反应过程中 Cu 侧形成扇贝状 Cu6Sn5，由于焊点间距较小，Ni 原子很快
扩散到 Cu 侧界面参与界面反应，Ni 原子在(Cu,Ni)6Sn5 中的固溶阻碍的位错运动，从而
抑制了 Cu 侧 IMC 的晶粒合并行为，而界面反应还在继续进行，晶粒由此逐渐形成细长
棒状。而 Ni 侧初始形成的针状则为具有高 Ni 含量的(Cu,Ni)6Sn5 与钎料相互作用表现出
的最低能量形貌，另外针状形貌的保持还需要 Cu 原子的持续供应，否则将会发生第三
章所述转变过程。Ni 侧 IMC 由针状转变为棒状主要为界面 IMC 的粗化以及界面 IMC
厚度的生长导致 Cu 原子的供应减弱所致。
- 92 -
50
(a) (b) 100
Cu Cu
IMC Thickness (m)
40 Ni Ni
1.16
y=0.14x
X-X0 (m)
30
10
20
0.43
10
y=1.17x
0 1
0 20 40 60 80 100 120 10 100
Reaction Time (min) Reaction Time (min)

图 5.13 多晶 Cu 和多晶 Ni 基体上平均界面 IMC 厚度随反应时间的变化规律(a)以及拟
合曲线(b)
Fig. 5.13 Average interfacial IMC thicknesses on Cu and Ni substrates as a function of
reaction time (a) and the fitted profile (b)
图 5.14 多晶 Cu/Sn/多晶 Ni 焊点中 Cu 原子通量示意图

Fig. 5.14 Schematic of the Cu fluxes in the polycrystalline Cu/Sn/polycrystalline Ni
interconnect
界面 IMC 厚度的变化行为可以通过钎料中的原子扩散行为解释。在 Cu/Sn/Ni 微焊
点中，由于(Cu,Ni)6Sn5 是主要的界面 IMC，其生长动力学主要受 Cu 原子扩散行为的影
响。由于 Ni 原子可以减小 Cu 在液态 Sn 中的饱和溶解度[172]，Ni 侧的 Cu 浓度会小于
Cu 侧。因此，钎料中存在从 Cu 侧流向 Ni 侧的 Cu 原子通量。图 5.14 显示了 Cu/Sn/Ni
微焊点中 Cu 原子通量的示意图。Cu 侧和 Ni 侧的 IMC 生长可以由以下两式描述：
Cu
dTIMC 
 solder ( J in  J Cu ) (5.3)
dt w IMC
Ni
dTIMC 
 solder J Cu (5.4)
dt w IMC
Cu Ni
其中， TIMC 为 Cu 侧的 IMC 厚度， TIMC 为 Ni 侧的 IMC 厚度，JCu 为钎料中从 Cu 侧流向
Ni 侧的 Cu 原子通量，可以由下式表示
C
J Cu =D
Tsolder (5.5)
其中， Tsolder 为液态钎料的厚度，即两侧 IMC 之间的距离。
Cu 侧界面 Cu 原子的积累依赖于 Jin 和 JCu 的差值。Jin 与 Cu 侧 IMC 厚度成反比，导
致了 Cu 侧界面 IMC 的抛物线生长规律。相反，Ni 侧界面 IMC 的生长仅依赖于 JCu。尽
管 JCu 随着界面反应的进行而发生改变，其改变相对较小，导致了 Ni 侧界面 IMC 的线
性生长。因此两侧界面 IMC 的相对厚度依赖于 Jin-JCu 和 JCu 的相对大小，如果 Jin >2JCu，
则 Cu 侧的 IMC 厚度将厚于 Ni 侧，反之亦然。
对比图 5.13(b)的拟合结果与式(5.4)，若 D=2.5×10-9 m2/s， Tsolder =30 μm，ρSolder=7.4
g/cm3，ρIMC=8.28 g/cm3 [57]，w=0.3，则 C 的值为 0.001 wt.%。说明在 Cu/Sn/Ni 微焊点
中，界面 IMC 稳定生长状态下，钎料中 Cu 原子的浓度梯度很小，Ni 原子和 Cu 原子分
布较为均匀，并不存在显著的差异。但如此小的浓度梯度也会导致 Ni 侧 IMC 相对较快
的生长。
5.4 (001)Cu/Sn/(001)Cu微焊点的界面反应
5.4.1 (001)Cu/Sn/(001)Cu 微焊点的微观组织
图 5.15 为分别在 250 oC 和 300 oC 下反应不同时间后(001)Cu/Sn/(001)Cu 焊点界面
Cu6Sn5 晶粒的俯视形貌。在 250 oC 反应时，(001)Cu 界面形成扇贝状的 Cu6Sn5 晶粒，并
随反应时间的延长，IMC 晶粒通过熟化和晶粒合并过程长大。晶粒形貌与多晶 Cu 上形
成的扇贝状形貌相同。然而，在 300 oC 反应时，(001)Cu 界面初始形成相互垂直规则排
列的棱晶状 Cu6Sn5 晶粒，如图 5.15(e)所示。规则排列的棱晶状 Cu6Sn5 在(001)Cu 基体
界面上低错配形核，形成半共格关系，导致了此形貌的形成[34][101][102][103]。然而
Cu 基体的取向满足要求时，焊点中是否形成规则排列的棱晶状 Cu6Sn5 还与反应温度和
钎料成分相关[105][106]。崔等人[106]认为 250 oC 下钎料中具有更多的 Cu6Sn5 类型中程
有序(MRO)团簇，其作为核心在界面处形核导致了扇贝状晶粒的形成。而 300 oC 下
Cu6Sn5 类型 MRO 团簇减少，在单晶基体上异质形核具有主导作用。
- 94 -
图 5.15 250 oC 和 300 oC 下反应不同时间后(001) Cu/Sn/(001) Cu 焊点中 Cu6Sn5 晶粒的

SEM 俯视形貌
Fig. 5.15 Top-view SEM images of interfacial Cu6Sn5 grains in (001) Cu/Sn/(001) Cu solder
interconnects reacted at 250 oC and 300 oC for various times
300 oC 下反应 10 min 后，一些扇贝状形貌的 Cu6Sn5 晶粒在棱晶状晶粒之间形成，

此时棱晶状形貌晶粒仍占据大部分界面，如图 5.15(f)所示。另外，可以发现棱晶状晶粒
的边缘已变的圆滑，说明棱晶状晶粒正在向扇贝状晶粒转变。300 oC 下反应 30 min 后，
几乎所有的棱晶状晶粒转变为扇贝状。一些扇贝状晶粒的表面还存在一些小平面结构，
如图 5.15(g)所示。Zou 等人[101]研究了不同取向的单晶 Cu 基体与纯 Sn 的界面反应，
同样发现长时间液/固界面反应后棱晶状晶粒向扇贝状晶粒转变的现象，并认为转变原因
是界面 Cu3Sn 的形成中断了 Cu6Sn5 在单晶 Cu 基体上的低错配形核。
300 oC 下形成的扇贝状晶粒与 250 oC 下不同，其顶部具有沟槽或波纹状，而并非
250 oC 下晶粒具有的光滑形貌。300 oC 反应 1 h 后，甚至有一些小的扇贝状晶粒在大扇
贝状晶粒的顶部形成。Hang 等人[92]在较低温度(240 oC)反应较长时间(>4 h)的多晶 Cu
界面也观察到类似的形貌。其认为形成小的扇贝状晶粒所需要的能量小于在某些晶向上
生长所需要的能量。较高温度下似乎更有利于此种形貌的形成。从本文结果看，小扇贝
状晶粒的形成机制可能由于 Cu6Sn5 类型团簇在大的扇贝状晶粒表面形核生长与液态钎
料对 Cu6Sn5 晶粒的凹槽作用[66][173]共同导致。
本论文认为棱晶和扇贝状晶粒的形成和演变过程是由团簇形核和 Cu 原子通量共同
作用决定的。如图 5.16(a)所示，当 Cu6Sn5 团簇密度较低时，其在单晶 Cu 基体上一低错
配的形式异质形核，流向钎料的界面 Cu 原子通量将不均匀消耗 Cu6Sn5 晶粒，使其呈现
各向异性的形貌，而晶粒的低能量表面是易分离表面，从而使得 Cu6Sn5 晶粒形成棱晶
状的本征形貌，崔等人[106]报道钎料中 Cu 浓度较低时易形成棱晶状晶粒验证了本论文
的分析。而从钎料流向界面的 Cu 原子通量将使得 Cu6Sn5 晶粒各向异性生长[69]，张等

人[174]发现在电迁移通量作用下，单晶 Cu 侧的棱晶状晶粒会继续保持棱晶形貌向钎料
中生长验证了此机理。然而，较低温度下钎料界面将具有更高密度及更大尺寸的 Cu6Sn5
团簇，以 Cu6Sn5 团簇为核心形核将成为主要形核方式，如图 5.16(b)所示。此时，由于
晶粒的各向异性，在溶解通量的作用下很难将低能量表面表现出来，从而整体表现为扇
贝状。若界面存在持续的流向界面的通量作用，Cu6Sn5 晶粒同样能表现出棱晶状形貌，
如冷却过程中流向界面的 Cu 原子通量使得 Cu6Sn5 的呈棱晶形貌生长，如图 4.2 所示。
然而，微小焊点中 Cu 浓度会迅速达到饱和，从而界面处的 Cu 原子通量趋于 0，晶粒会
倾向于形成扇贝状从而降低自身自由能。另外，较高的 Cu 浓度和较小的 Cu 原子通量
将使得更多的 Cu6Sn5 类型团簇在界面处沉积，这些团簇或者在 Cu3Sn 上异质形核，或
者自己作为核心形核。如图 5.16 中红色箭头所示，不断形成的随机取向的扇贝状晶粒以
及棱晶状晶粒向扇贝状晶粒的转变将最终导致长时间反应后界面只存在扇贝状晶粒。棱
晶状 Cu6Sn5 晶粒在 10 min 后才逐渐转变为扇贝状，说明扇贝状晶粒的形核生长需要一
定的孕育期，如图 5.15 所示。
图 5.16 团簇形核及界面 Cu 原子通量对界面 IMC 形貌影响示意图：(a)低错配异质形核，

(b)随机形核
Fig. 5.16 Schematic of effect of Cu flux on morphologies of interfacial IMCs: (a) formation
of prism grains under large Cu flux, (b) formation of scallop grains under small Cu flux
- 96 -
图 5.17 250 oC 和 300 oC 下反应不同时间后(001) Cu/Sn/(001) Cu 焊点中界面 IMC 的横

截面 SEM 照片
Fig. 5.17 Cross-sectional microstructure of interfacial IMC layers in (001) Cu/Sn/(001) Cu
solder interconnects reacted at 250 oC and 300 oC for various times
图 5.17 显示了(001)Cu/Sn/(001)Cu 焊点相应的横截面形貌。随反应时间的延长，两

种反应温度下界面 Cu6Sn5 层厚度均增加，而 300 oC 界面 IMC 更厚。在 Cu6Sn5 和(001)Cu
基体之间，有一薄层 Cu3Sn 形成，由于较高温度下 IMC 中原子扩散速率增加，300 oC
下 Cu3Sn 的厚度要更厚。
5.4.2 (001)Cu/Sn/(001)Cu 微焊点的界面 IMC 生长动力学
图 5.18(a)显示了界面 IMC 厚度随时间的变化关系。两种温度下界面 IMC 的生长均
符合抛物线规律，且 300 oC 下 IMC 的生长速率要比 250 oC 下快。初始反应后 250 oC 和
300 oC 下界面 IMC 平均厚度分别为 1.45 μm 和 1.86 μm；反应 60 min 后，界面 IMC 分
别生长到 6.37 μm 和 10.19 μm。相比多晶 Cu/Sn/多晶 Cu 焊点，相同温度下界面 IMC 厚
度接近。图 5.18(b)显示了界面 IMC 厚度相对初始厚度的增长(X-X0)与反应时间关系的拟
合结果。250 oC 和 300 oC 下界面 IMC 的生长指数 n 分别为 0.48 和 0.55，说明在长时间
反应过程中 IMC 的生长主要由 Cu 原子的体扩散控制。这是由于长时间反应后界面 IMC
晶粒长大，晶界面积相应减小，晶界扩散受到抑制。
12 10
(a) 8 (b)
10 0.55
y=0.87x
6
X-X0 (m)
4
6
0.48
y=0.68x
4
2
250
2 250 300
300
0
0 10 20 30 40 50 60 70 10 20 30 40 50 60 70
Reaction time (min) Reaction time (min)
图 5.18 (001) Cu/Sn/(001) Cu 焊点界面 Cu6Sn5 层的平均厚度随反应时间的变化关系(a)

以及拟合曲线(b)
Fig. 5.18 Average thicknesses of interfacial Cu6Sn5 layer in (001) Cu/Sn/(001) Cu solder
interconnects as a function of reaction time (a) and the fitted profile (b).
图 5.19(a)显示了平均晶粒直径随时间的变化规律。与 IMC 厚度变化规律相似，300

C 下 Cu6Sn5 晶粒生长速率比 250 oC 下的更大。初始焊接后 250 oC 和 300 oC 下界面 IMC
o
的平均晶粒直径分别为 5.66 μm 和 5.29 μm；反应 60 min 后，界面 IMC 分别生长到 19.15

μm 和 26.74 μm。多晶 Cu 在 250 oC 反应 60 min 后界面平均晶粒直径为 19.27 μm，与单
晶 Cu 相同条件下的界面 IMC 晶粒尺寸相当。平均晶粒直径随时间变化的拟合结果如图
5.19(b)所示。250 oC 和 300 oC 下 Cu6Sn5 晶粒的生长指数分别为 2.93 和 2.30。250 oC 下
Cu6Sn5 晶粒的生长动力学与 Kim 和 Tu 的晶粒生长熟化模型（式 1.11）相一致，而 300 oC
下 IMC 生长偏离了 t1/3 机制，推测与 300 oC 反应过程中晶粒形貌的转变改变了熟化过程
有关。
32 30
(a) (b)
Average grain diameter (m)
Average grain diameter (m)
28
25
24
20 m=2.30
20
16 15 m=2.93
12
10
8
250 5 250
4 300 300
0 0
0 10 20 30 40 50 60 10 20 30 40 50 60
Reaction time (min) Reaction time (min)
图 5.19 (001) Cu/Sn/(001) Cu 焊点界面 Cu6Sn5 的平均晶粒直径随反应时间的变化关系(a)

以及拟合曲线(b)
- 98 -
Fig. 5.19 Average diameters of interfacial Cu6Sn5 grains in (001) Cu/Sn/(001) Cu solder
interconnects as a function of reaction time (a) and the fitted profile (b)
5.4.3 (001)Cu/Sn/(001)Cu微焊点界面IMC取向演变
图 5.20 显示了 250 oC 反应不同时间后(001)Cu 基体上界面 Cu6Sn5 的极图。尽管
(001)Cu 和 Cu6Sn5 晶粒之间能够存在低的错配度，在 250 oC 反应条件下两者之间并没有
形成低错配的半共格关系，而是 Cu6Sn5 晶粒在 Cu 基体上随机形核。随反应时间的延长，
仍未发现界面 IMC 的取向规律性。这与 Cu6Sn5 类型团簇形核相对应。图 5.21 显示了 300
C 反应不同时间后(001)Cu 基体上界面 Cu6Sn5 的极图。与图 5.15 中的界面 Cu6Sn5 晶粒
o
形貌相匹配，初始形成的 Cu6Sn5 晶粒具有很强的织构，其[0001]方向平行于(001)Cu 的

表面。这是由于随温度升高，钎料中的 Cu6Sn5 MRO 团簇减少，Cu6Sn5 晶粒的在界面处
的形核转变为在 Cu 基体上的异质形核，因此导致了具有织构的界面 Cu6Sn5 晶粒。反应
时间达到 10 min 后，此织构仍然较好的保持。然而随反应时间继续增加到 30 min，[0001]
织构消失，对应的界面形貌也转变为扇贝状。说明此时形成的扇贝状形貌并明显无择优
取向。Lin 等人[121]研究(111)取向纳米孪晶 Cu 上的 Cu6Sn5 晶粒的择优取向时也发现了
晶粒择优取向转变的现象，然而取向转变的机理仍不清晰。本论文提出的团簇形核的机
理可以较好的解释此现象。反应过程中 Cu6Sn5 团簇在界面随机形核，并在生长过程中
不断与原来的择优取向晶粒产生合并，合并的过程导致了晶粒取向的转变，而新的
Cu6Sn5 在界面处的不断形核与合并将最终导致原来的择优取向消失。
(a)
250℃ 10s
(b) 250℃ 10 min
(c) 250℃ 30 min
(d)
250℃ 1 h
图 5.20 250 oC 反应不同时间的(001) Cu/Sn/(001) Cu 焊点界面 Cu6Sn5 的极图(a) 10 s，

(b)
10 min，(c) 30 min，(d) 1 h
Fig. 20 Pole figures of Cu6Sn5 formed at (001) Cu/Sn/(001) Cu interface at 250 °C for (a) 10 s,
(b) 10 min, (c) 30 min and (d) 1 h
- 100 -
(a) 300℃ 10s
(b) 300℃ 10 min
(c) 300℃ 30min
(d)
300℃ 1 h
图 5.21 300 oC 反应不同时间的(001) Cu/Sn/(001) Cu 焊点界面 Cu6Sn5 的极图(a) 10 s，

(b)
10 min，(c) 30 min，(d) 1 h
Fig. 5.21 Pole figures of Cu6Sn5 formed at (001) Cu/Sn/(001) Cu interface at 300 °C for (a) 10
s, (b) 10 min, (c) 30 min and (d) 1h
5.5 (001)Cu/Sn/(001)Ni微焊点的界面反应
5.5.1 250 oC 下(001)Cu/Sn/(001)Ni 微焊点的界面反应

图 5.22 显示了 250 oC 反应不同时间后(001)Cu/Sn/(001)Ni 焊点界面 IMC 晶粒的俯视
形貌。与多晶 Cu/Sn/多晶 Ni 界面反应类似，两侧均形成(Cu,Ni)6Sn5 类型化合物。(001)Cu
侧的(Cu,Ni)6Sn5 在初始回流后为扇贝状的形貌，如图 5.22(a)所示。随反应时间的延长，
扇贝状晶粒稍微长大，长宽比增加。反应 60 min 后，扇贝状晶粒转变为六棱柱短棒状
晶粒，如图 5.22(d)所示。(001)Cu 侧界面 IMC 的形貌与演变规律与多晶 Cu/Sn/多晶 Ni
焊点中 Cu 侧的规律类似。(001)Ni 侧界面形成的是针状形貌的(Cu,Ni)6Sn5，与多晶 Ni
界面 IMC 形貌不同，(001)Ni 上形成的(Cu,Ni)6Sn5 具有一定的规则排列，大部分晶粒均
沿着一个方向生长，(Cu,Ni)6Sn5 的[0001]轴近似平行于(001)Ni 基体界面。随反应时间的
延长，针状晶粒粗化，但仍具有规则排列的特征。Liu 等人发现(001)单晶 Ni 上则能够
形成相互垂直规则排列的(Cu,Ni)6Sn5 晶粒，本研究中发现的 IMC 规则排列的方式与报
道不同，推测是单晶 Ni 的实际晶面与(001)面有角偏差，导致(Cu,Ni)6Sn5 沿着晶面上其
中一个[110]方向生长更有优势。
(a) 10 s (001) Cu (b) 10 min (001) Cu (c) 30 min (001) Cu (d) 60 min (001) Cu
(e) 10 s (001) Ni (f) 10 min (001) Ni (g) 30 min (001) Ni (h) 60 min (001) Ni
10 μm
图 5.22 250 oC 下反应不同时间后(001) Cu/Sn/(001) Ni 焊点中 Cu6Sn5 晶粒的 SEM 俯视

形貌
Fig. 5.22 Top-view SEM images of interfacial Cu6Sn5 grains in (001) Cu/Sn/(001) Ni solder
interconnects at various times at 250 oC
图 5.23 显示了 250 oC 反应不同时间后(001)Cu/Sn/(001)Ni 焊点的横截面 SEM 照片。

初始反应后界面两侧 IMC 层均较薄，Cu 侧的界面 IMC 为层状形貌，Ni 侧的界面 IMC
为针状形貌。随反应时间的延长，两侧 IMC 厚度增加，而 Ni 侧 IMC 的生长速率更快。
界面反应 120 min 后，两侧界面 IMC 相接触，IMC 内部有孔洞形成，如图 5.23(e)所示。
EDX 分析表明 Ni 侧初始形成的针状的 IMC 的成分为(Cu0.83Ni0.17)6Sn5，而 Cu 侧初始形
成的 IMC 成分为(Cu0.96Ni0.04)6Sn5。随反应时间的延长，Cu 侧 IMC 中 Ni 含量稳定在
- 102 -
(Cu0.93Ni0.07)6Sn5，Ni 侧逐渐有 Ni 的浓度梯度形成，靠近 Ni 基体侧 IMC 中的 Ni 含量更

高，而与钎料相接处侧的 Ni 含量与 Cu 侧 IMC 成分接近。初始界面反应后由于原子扩
散的不均匀性导致了界面 IMC 成分差异较大，长时间反应后，钎料中 Cu、Ni 原子含量
均趋于稳定，使得界面 IMC 的成分也趋于稳定。

Fig. 5.23 Cross-sectional SEM images (001) Cu/Sn/(001) Ni solder interconnects at various
times at 250 oC
4.0
Average Grain Diameter (m)
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
0 10 20 30 40 50 60 70
Reaction Time (min)
图 5.24 250 oC 下(001) Cu/Sn/(001) Ni 焊点 Cu 侧平均晶粒直径随回流时间的变化规律

Fig. 5.24 Average grain diameters of interfacial Cu6Sn5 grains on Cu side in (001) Cu/Sn/(001)
Ni solder interconnects as a function of reflow time reacted at 250 oC
与多晶 Cu/Sn/多晶 Ni 体系类似，界面反应中产生了明显的 Cu、Ni 原子的交互作用。

即 Cu 原子扩散到 Ni 侧界面改变了 Ni 侧界面 IMC 的类型，由 Ni3Sn4 转变为(Cu,Ni)6Sn5。
而 Ni 原子也同样扩散至 Cu 侧界面从而细化了 Cu 侧 IMC 的晶粒（初始钎焊后晶粒直径
为 1.45 μm，小于(001)Cu/Sn/(001)Cu 体系的 5.66 μm，250 oC 反应 60 min 后，晶粒直径
也仅为 3.71 μm，远远小于(001)Cu/Sn/(001)Cu 体系的 19.16 μm）。图 5.24 显示了(001)Cu
基体上平均晶粒直径随时间的变化关系，晶粒大小与多晶 Cu/Sn/多晶 Ni 体系相同反应
条件下相当。
图 5.25 显示了 250 oC 下(001)Cu 侧和(001)Ni 侧的界面 IMC 厚度随时间的变化规律。
与多晶类似，(001)Ni 侧(Cu,Ni)6Sn5 的生长速率明显高于 Cu 侧，如图 5.25(a)所示。Ni
侧初始形成的 IMC 厚度为 1.83 μm，稍微高于 Cu 侧 IMC 厚度(1.31 μm)，而反应 120 min
后，Ni 侧的 IMC 厚度达到 42.9 μm，而 Cu 侧的 IMC 厚度仅为 16.15 μm。IMC 厚度与
多晶 Cu/Sn/多晶 Ni 焊点中 IMC 厚度相当，为了方便对比，多晶和单晶 Cu/Sn/Ni 焊点两
侧 IMC 厚度的对比如图 5.26 所示。图 5.25(b)显示了 Cu 侧和 Ni 侧的界面 IMC 厚度随
时间的变化的拟合结果。Ni 侧 IMC 的生长动力学表现出线性规律(n≈1)，表明 Ni 侧 IMC
的生长由界面反应控制。而 Cu 侧的 IMC 生长指数为 0.82，介于抛物线规律和线性规律
之间。
50 100
(a) (001) Cu (b) (001) Cu
(001) Ni (001) Ni
40 0.93
y=0.47x
IMC thickness (m)
X-X0 (m)
30 10
20
0.82
y=0.30x
10
1
0
0 20 40 60 80 100 120 10 100
Reaction Time (s) Reaction Time (s)

Fig. 5.25 Average thicknesses of interfacial IMC layers in (001) Cu/Sn/(001) Ni solder
interconnects as a function of reflow time at 250 oC
- 104 -
50
Cu
Ni

40 (001) Cu
(001) Ni
30
20
10
0
0 20 40 60 80 100 120
Reaction Time (min)
图 5.26 250 oC 下多晶 Cu/Sn/多晶 Ni 与(001) Cu/Sn/(001) Ni 焊点平均 IMC 厚度对比

Fig. 5.26 Comparison of average thicknesses of interfacial IMC layers between polycrystal
Cu/Sn/polycrystal Ni and (001) Cu/Sn/(001) Ni solder interconnects at 250 oC
5.5.2 300 oC 下(001)Cu/Sn/(001)Ni 微焊点的界面反应
图 5.27 显示了 300 oC 反应不同时间后(001)Cu/Sn/(001)Ni 焊点的界面 IMC 的俯视形
貌。界面两侧均形成(Cu,Ni)6Sn5 类型化合物。与 250 oC 界面反应不同，300 oC 下 Cu 侧
的(Cu,Ni)6Sn5 在初始回流后为相互垂直规则排列的棱晶状形貌，如图 5.27(a)所示。反应
10 min 后，IMC 晶粒长大，而形貌依然保持为棱晶状。棱晶状 IMC 与界面成一小角度
向钎料中延伸，其顶端棱的位置相对于侧面生长更快。反应 30 min 后，棱晶状晶粒转
变为六棱柱短棒状晶粒，且大部分晶粒向着一个方向生长，如图 5.27(c)所示。IMC 的顶
端由于晶体生长的各向异性而呈现花瓣状。反应 60 min 后，界面规则排列形貌消失，IMC
转变为棱柱状和块状。与(001)Cu/Sn/(001)Cu 体系的界面反应相比，300 oC 下 Cu 侧界面
均出现相互垂直规则排列的棱晶状 IMC，且长时间反应后规则排列形貌消失。然而由于
Ni 原子的影响，界面 IMC 的形貌具有差异性。300 oC 下(001)Ni 侧界面形成针状形貌的
(Cu,Ni)6Sn5。与 250 oC (001)Ni 侧 IMC 形貌不同，300 oC 下界面(Cu,Ni)6Sn5 排列并无明
显规律性。可能是由于温度改变使得两相的晶体学参数改变，导致了界面难以形成规则
排列形貌。随反应时间的延长，针状晶粒粗化，部分晶粒转变为六棱柱状。反应 30 min
后，Ni 侧的棱柱状 IMC 的顶端同样产生与 Cu 侧 IMC 类似的花瓣结构。随着两侧界面
IMC 相互生长接近，两侧 IMC 所处的钎料环境更加相似，导致了相似 IMC 形貌的产生。
反应 60 min 后，Ni 侧 IMC 晶粒同样转变为块状形貌，这应与界面两侧 IMC 相接触有
关，见图 5.28。
图 5.27 300 oC 下反应不同时间后(001) Cu/Sn/(001) Ni 焊点中 Cu6Sn5 晶粒的 SEM 俯视

形貌
Fig. 5.27 Top-view SEM images of interfacial IMC grains in (001) Cu/Sn/(001) Ni solder
interconnects at various times at 300 oC
- 106 -
图 5.28 显示了 300 oC 反应不同时间后(001) Cu/Sn/(001) Ni 焊点的横截面 SEM 照片。

与俯视形貌一致，初始反应后(001)Cu 侧的界面 IMC 为层状形貌，Ni 侧的界面 IMC 为
针状形貌。随反应时间的延长，两侧 IMC 厚度增加，而 Ni 侧 IMC 的生长速率更快。界
面反应 60 min 后，两侧界面 IMC 相接触，接触位置有许多孔洞形成，如图 5.28(e)所示。
EDX 分析表明 Ni 侧初始形成的针状的 IMC 的成分为(Cu0.72Ni0.28)6Sn5，而 Cu 侧初始形
成的 IMC 成分为 (Cu0.97Ni0.03)6Sn5 。随反应时间的延长， Cu 侧 IMC 成分稳定在
(Cu0.93Ni0.07)6Sn5 左右，Ni 侧逐渐有 Ni 的浓度梯度形成，靠近 Ni 基体侧 IMC 中的 Ni
含量更高，而与钎料相接处侧的 Ni 含量与 Cu 侧 IMC 成分接近。
图 5.29 显示了 300 oC 下(001)Cu 侧和(001)Ni 侧的界面 IMC 厚度随时间的变化规律。
与多晶类似，(001)Ni 侧(Cu,Ni)6Sn5 的生长速率明显高于 Cu 侧，如图 5.29(a)所示。Ni
侧初始形成的 IMC 厚度为 1.74 μm，稍微低于 Cu 侧 IMC 厚度（2.00 μm），而反应 60 min
后，Ni 侧的 IMC 厚度达到 23.30 μm，而 Cu 侧的 IMC 厚度仅为 10.30 μm。图 5.29(b)
显示了 Cu 侧和 Ni 侧的界面 IMC 厚度随时间的变化的拟合结果。Ni 侧 IMC 的生长指数
为 0.84，较接近线性生长。而 Cu 侧的 IMC 生长指数为 0.39，为抛物线规律。

Fig. 5.28 Cross-sectional microstructure of interfacial IMC grains in (001) Cu/Sn/(001) Ni

solder interconnects at various times at 300 oC
(a) 24
(b) 25
22 Cu side 20 Cu Side
20 Ni side Ni side
18 15
16 0.84
y=0.65x
14
X-X0 (m)
10
12
10
8
6 5
4 0.39
y=1.57x
2
0
0 10 20 30 40 50 60 10 20 30 40 50 60
Reaction Time (min) Reaction Time (min)

Fig. 5.29 Average thicknesses of interfacial (Cu,Ni)6Sn5 layer in (001) Cu/Sn/(001) Ni
solder interconnects as a function of reflow time at 300 oC
50
o
250 C Cu
o
250 C Ni
40 o
300 C Cu
o
300 C Ni
30
20
10
0
0 20 40 60 80 100 120
Reaction Time (s)
图 5.30 两种温度下(001) Cu/Sn/(001) Ni 焊点平均 IMC 厚度对比

Fig. 5.30 Comparison of average thicknesses of interfacial (Cu,Ni)6Sn5 layer in (001)
Cu/Sn/(001) Ni solder interconnects at two temperatures
相比 250 oC 下(001)Cu 侧和(001)Ni 侧的界面 IMC 厚度，相同时刻下 IMC 厚度并无

较大差异，如图 5.30 所示。界面 IMC 的厚度变化同样可以由图 5.14 中的 Cu 原子通量
加以解释。Cu 侧界面 Cu 原子的积累依赖于 Jin 和 JCu 的差值，而 Ni 侧界面 IMC 的生长
- 108 -
仅依赖于 JCu。反应温度由 250 oC 升高到 300 oC 时，尽管 Cu 原子的扩散速率增加，而

Cu 侧界面 IMC 晶粒直径同样显著增加，使得 Jin 的改变不明显，而温度升高使得界面两
侧的平衡 Cu 浓度同时升高从而使得钎料中的 Cu 浓度梯度改变也不显著，从而 JCu 也无
显著变化。因此，温度改变并没有对界面两侧 IMC 生长速率产生较大影响。
5.6 本章小结
本章以多晶 Cu/Sn/ 多晶 Cu 、多晶 Cu/Sn/ 多晶 Ni 、 (001)Cu/Sn/(001)Cu 、
(001)Cu/Sn/(001)Ni 四种体系微焊点为研究对象，研究了基体类型（Cu/Cu、Cu/Ni 交互
和单晶(001)Cu、(001)Ni）对界面反应的影响规律，着重考察了焊点界面 IMC 的生长动
力学、晶粒合并机理、形貌及取向演变规律。
1) 对于多晶 Cu/Sn/多晶 Cu 焊点，钎焊后界面形成扇贝状 Cu6Sn5 晶粒，随反应时
间的延长，晶粒熟化与合并长大；250 oC 下 Cu6Sn5 厚度和晶粒直径生长动力学接近 t1/2
规律，生长受 Cu 原子体扩散控制；300 oC 下反应前半阶段 IMC 生长动力学符合 t1/2 规
律，而后半段由于界面两侧 Cu 原子通量的交互作用加强，导致生长速率稍微增加，近
似线性生长；EBSD 原位观察表明界面两侧 IMC 的融合过程是晶界迁移的结果，与同侧
界面 IMC 合并生长的本质相同。
2) 对于多晶 Cu/Sn/多晶 Ni 焊点，Cu 侧和 Ni 侧界面均形成(Cu,Ni)6Sn5 类型 IMC；
Cu 侧 IMC 具有细小扇贝状晶粒，并随反应时间延长而转变为短棒状形貌；而 Ni 侧 IMC
具有针状晶粒，且其 Ni 元素含量更高，并随反应时间的延长粗化长大成与 Cu 侧相似的
短棒状形貌；与 Cu/Sn/Cu 体系不同，两侧界面 IMC 接触后形成的全 IMC 焊点具有细小
的等轴晶粒；Cu 侧 IMC 厚度生长符合抛物线规律，其生长速率稍快于 Cu/Sn/Cu 体系界
面 IMC 生长速率，而 Ni 侧 IMC 厚度生长符合线性规律，生长速率快于 Cu 侧；来自
Cu 基体的 Cu 原子通量和流向钎料中的 Cu 原子通量决定了 IMC 的生长机制，若
Jin >2JCu，则 Cu 侧会更厚，反之 Ni 侧 IMC 更厚。
3) 对于(001)Cu/Sn/(001)Cu 焊点，250 oC 界面反应形成扇贝状的 Cu6Sn5 晶粒，并随
反应时间的延长保持扇贝状粗化长大；300 oC 界面反应初始形成棱晶状 Cu6Sn5 晶粒，
随反应时间的延长而转变为表面有沟槽和小晶粒的扇贝状形貌；界面处 Cu 原子通量的
大小决定了界面 IMC 晶粒的形貌。250 oC 和 300 oC 下界面 IMC 生长速率与相同温度下
多晶 Cu 界面 IMC 生长速率相近；250 oC 下 Cu6Sn5 晶体取向没有明显规律性，而 300 oC
下 Cu6Sn5 晶体取向由初始的[0001]轴平行于界面转变为随机取向；界面 Cu6Sn5 类型团簇
的随机形核与晶粒合并生长导致了晶粒取向的转变。
4) 对于(001)Cu/Sn/(001)Ni 焊点，250 oC 下 Cu 侧形成细小扇贝状(Cu,Ni)6Sn5 晶粒，

并随反应时间延长而转变为短棒状形貌；而 Ni 侧形成向一个方向规则排列的针状
(Cu,Ni)6Sn5 晶粒，并随反应时间的延长粗化长大；300 oC 下 Cu 侧形成相互垂直规则排
列的棱晶状(Cu,Ni)6Sn5，并随反应时间延长逐渐转变为向一个方向排列的棱柱状，顶端
具有花瓣状形貌，反应时间继续延长时规则形貌消失；而 Ni 侧形成无明显排列规律的
针状(Cu,Ni)6Sn5 晶粒，并随反应时间的延长粗化为顶端同样有花瓣形貌的棱柱状；250 oC
下单晶基体上 IMC 生长速率和多晶基体无明显差异，250 oC 和 300 oC 下单晶基体上 IMC
生长速率也未发现明显差异。
- 110 -
6 微焊点的拉伸可靠性
6.1 引言
相比于 BGA 焊点，微焊点中界面 IMC 占整个焊点的比例显著增加，甚至可能形成
全 IMC 焊点。微小焊点的可靠性越来越引起业内人士的关注。然而目前多数关于可靠
性的研究集中在较大尺寸焊点中，其可靠性主要由钎料的性能决定[175][176][177]。关
于微小焊点的力学可靠性研究还较少，主要集中在初始焊接后微焊点的力学可靠性分析
上[122][128]。实际生产过程中，微小焊点可能会经历多次回流，同样尺寸的焊点，其
界面 IMC 厚度将会有较大差别。然而目前并没有关于界面 IMC 厚度对微焊点力学可靠
性影响的相关报道。
本章研究了 IMC 厚度对多晶 Cu/Sn/多晶 Cu 和多晶 Cu/Sn/多晶 Ni 的力学性能影响
规律。由于多晶基体和单晶基体上 IMC 生长动力学相似，本章仅针对多晶基体焊点进
行研究。作为特例，也研究了全 IMC 焊点的拉伸性能。为了解微焊点的拉伸损伤行为，
应用同步辐射技术对拉伸过程中的缺陷演变进行了实时观察。
6.2 Cu/Sn/Cu微焊点的拉伸性能
图 6.1(a-e)为 300 oC 反应不同时间后 Cu/Sn/Cu 焊点的横截面照片。不同厚度的扇贝
状 IMC 层在两侧界面形成。图 6.1(b-d)显示的扇贝状晶粒的顶端还有许多小的扇贝状晶
粒生成，与第五章 300 oC 反应时的界面形貌相一致。在扇贝状 Cu6Sn5 和 Cu 基体之间，
还有一薄层 Cu3Sn 形成，并随着反应时间而逐渐变厚。300 oC 反应 24 h 以后，得到了
全 IMC 焊点，如图 6.1(e)所示。图 6.1(f)显示了界面 IMC 厚度随反应时间的变化规律，
与第五章多晶 Cu/Sn/多晶 Cu 规律性相同，表现出抛物线规律。
图 6.2(a)显示了不同反应时间后的 Cu/Sn/Cu 焊点的拉伸强度。随反应时间增加，焊
点拉伸强度增大。初始焊点拉伸强度最小，为 35 MPa，全 IMC 焊点具有最大的拉伸强
度，达到 93MPa。图 6.2(b)显示了 Cu/Sn/Cu 焊点拉伸强度与界面 IMC 平均厚度的对应
关系。显然两者之间具有正相关性，即拉伸强度随界面 IMC 厚度的增加而增加。
图 6.1 300 oC 反应不同时间(a-e)后 Cu/Sn/Cu 焊点的横截面组织及(f)平均 IMC 厚度随反

应时间变化关系曲线
Fig. 6.1 Cross-sectional microstructure of Cu/Sn/Cu solder interconnects after reaction at 300
o
C for (a-e) various times and (f) the average IMC thickness as a function of time
120
35
(a) Cu/Sn/Cu 100
(b)
100 30
Tensile Strength (MPa)
90
Tensile Strength(MPa)

80 25
80
70 20
60
60 15
40 50 10
40 5
20
30 0
0
0h 2h 4h 8h 24h 0 5 10 15 20 25
Reaction Time Reaction Time (h)
图 6.2 不同反应时间后 Cu/Sn/Cu 焊点的拉伸强度(a)柱状图，(b)与平均 IMC 厚度关系

对比
Fig. 6.2 Tensile strength of Cu/Sn/Cu interconnects for different reaction times (a) histogram,
(b) line graph showing relationship with the average IMC thickness
图 6.3 显示了不同反应时间后 Cu/Sn/Cu 焊点的拉伸曲线。初始焊点拉伸过程中达到

最大强度后，应力下降最为缓慢，断裂模式为韧性断裂。反应 2 h 后焊点的拉伸曲线与
初始焊点相似，也为韧性断裂。反应 4 h 和 8 h 后，一些焊点的断裂模式转变为脆性断
- 112 -
裂，如图 6.3(c)和(d)所示。图 6.3(e)为全 IMC 焊点的拉伸曲线，所有焊点均为脆性断裂。

全 IMC 焊点较大的拉伸位移为 Cu 基体的屈服所致（退火态纯 Cu 的屈服强度约 70
MPa[178]）。各种条件下拉伸曲线的汇总结果如图 6.3(f)所示。
50 70
No.1
(a) As-soldered No.1
No.2 60 (b) 2h No.2

40 No.3
50
30
40
30
20
20
10
10
0 0
0 5 10 15 20 25 30 0 5 10 15 20 25 30
Displacement (m) Displacement (m)
80 100
No. 1
70 (c) 4h No. 2 (d) 8h No.1
No.2
80
60 No.3
50
60
40
30 40
20
20
10
0
0 10 20 30 40 0
0 5 10 15 20 25 30
No.1 0h
100
(e) 24h No.2 100 (f) Total 2h
4h
80 80 8h
24h
60 60
40 40
20 20
0 0
0 20 40 60 80 100 0 20 40 60 80 100
图 6.3 Cu/Sn/Cu 焊点拉伸实验的应力位移曲线，(a-e)不同反应时间，(f)汇总

Fig. 6.3 The stress-displacement curve of the Cu/Sn/Cu interconnects for (a-e) various times
and (f) as a total
图 6.4 为反应不同时间后焊点的拉伸断口形貌。初始焊点以及反应 2 h 焊点的断口

中可以看到许多韧窝。初始焊点断口中韧窝尺寸较小，而反应后焊点中韧窝变大。断口
形貌同样说明焊点为韧性断裂，与拉伸曲线相一致。反应 4 h 后，一些焊点转变为脆性
断裂。图 6.4(e)为发生脆性断裂的试样的断口形貌，界面上布满了 Cu6Sn5 和 Cu3Sn，且
Cu6Sn5 断面光滑，而 Cu3Sn 具有颗粒状形貌，说明断裂发生在 Cu6Sn5 和 Cu3Sn 界面，
裂纹沿 Cu6Sn5 晶粒内部及 Cu6Sn5 与 Cu3Sn 界面扩展。对于全 IMC 焊点，其断口形貌与
其它条件下脆性断裂焊点的断口形貌一致，也是发生在 Cu6Sn5 和 Cu3Sn 界面的脆性断
裂，如 6.4(i,j)所示。
图 6.4 Cu/Sn/Cu 焊点的断口形貌(a,b) 钎焊后，(c,d) 300 oC 反应 2 h，(e,f) 300 oC 4 h，(g,h)

300 oC 8 h，(i,j) 300 oC 24 h
Fig. 6.4 Fractographs of the Cu/Sn/Cu solder interconnects: (a,b) as-soldered; (c,d) 300 oC 2 h,
(e,f) 300 oC 4 h, (g,h) 300 oC 8 h, and (i,j) 300 oC 24 h
为了对焊点的断裂过程进行原位观察，进行了同步辐射实时成像实验。图 6.5 显示
了界面反应不同时间后 Cu/Sn/Cu 焊点的同步辐射照片，从上到下依次为拉伸的不同阶
段。对于初始焊点，在拉应力下 Sn 层被拉长，如图 6.5(a)所示。可以清楚的看到上侧界
面出现一些微小的孔洞，并随着焊点整体变形的增加而伸长扩展。最终孔洞相互连接更
加弱化了孔洞周围钎料的强度，导致断裂的发生。图 6.4 所示的小韧窝刚好与同步辐射
照片中孔洞的扩展相对应，即韧窝的出现是许多小孔洞扩展断裂的结果。图 6.5(b)为 300
C 反应 2 h 后的微焊点同步辐射照片，可以清楚地看到界面两侧均分布有扇贝状的 IMC
o
晶粒。钎料两侧界面有几个较大的气孔存在，可能是界面初始存在的小气孔在界面反应
中聚集长大所形成。随拉伸的进行，钎料逐渐伸长，焊点中的气孔也随之拉长并扩展，
由于下侧存在气孔较多，看到右下方界面处气孔逐渐相互连接并扩展至大部分界面，并
最终导致焊点断裂。从图 6.4(c,d)断口形貌中可以看到较大的韧窝，与气孔扩展导致断
裂相对应。图 6.5(c)为 300 oC 反应 4 h 后的微焊点同步辐射照片，同样界面两侧可以看
- 114 -
到较厚的 IMC 层，样品中气孔较少。拉伸过程中虽然有气孔的伸长和扩展，但并未导

致和相邻气孔的连接，从而气孔处未发生裂纹扩展。然而处于焊点上侧界面中心位置，
有一小孔洞突然出现并逐渐长大（如红色箭头所示），最终导致了焊点的断裂失效，其
产生的断口形貌与气孔所致断口形貌相似。孔洞的出现应与此处产生应力集中相关。图
6.5(d)为 300 oC 反应 8 h 后的微焊点同步辐射照片，此时中间钎料已变得很薄。拉伸过
程中，钎料产生轻微缩颈，右下角孔洞扩展，最后导致焊点断裂。图 6.5(e)为 300 oC 反
应 24 h 后形成的全 IMC 微焊点同步辐射照片。随原位拉伸实验的进行，并未看到焊点
的拉长变形。然而当应力达到一定程度时，裂纹瞬间扩展至整个界面。同样从同步辐射
照片中也能看出，裂纹沿着 Cu6Sn5/Cu3Sn 界面扩展，与断口形貌相一致。
图 6.5 Cu/Sn/Cu 焊点原位拉伸过程中的同步辐射图像：(a) 钎焊后，(b) 300 oC 2 h，(c) 300

o
C 4 h，(d) 300 oC 8 h，(e) 300 oC 24 h
Fig. 6.5 Synchrotron radiation images of the Cu/Sn/Cu interconnects under in situ tensile test :
(a) as soldered, (b) 300 oC 2 h, (c) 300 oC 4 h, (d) 300 oC 8 h, and (e) 300 oC 24 h
6.3 Cu/Sn/Ni微焊点的拉伸性能
图 6.6(a-d)为 300 oC 反应不同时间后 Cu/Sn/Ni 焊点的横截面照片。不同厚度的
(Cu,Ni)6Sn5 层在两侧界面形成。随反应时间的延长，Ni 侧界面 IMC 的厚度明显大于 Cu
侧。300 oC 反应 4 h 以后，两侧界面 IMC 生长接触到了一起，得到了全 IMC 焊点，如
图 6.6(d)所示。Cu/Sn/Ni 焊点反应形成的全 IMC 焊点并不致密，两侧 IMC 相接处的界
面由于 IMC 体积收缩而产生了一些孔洞。图 6.6(e)显示了界面 IMC 厚度随反应时间的
变化规律，由于 Ni 侧 IMC 在 2 h 至 4 h 之间生长速率明显变缓，说明 Sn 在此阶段初期

已被消耗完全。
图 6.6 300 oC 反应不同时间(a-d)后 Cu/Sn/Ni 焊点的横截面组织及(e)平均 IMC 厚度随反

应时间变化关系曲线
Fig. 6.6 Cross-sectional microstructure of Cu/Sn/Ni solder interconnects after reaction at 300
o
C for (a-d) various times and (e) the average IMC thickness on Cu and Ni sides as a function
of time
图 6.7(a)显示了不同反应时间后的 Cu/Sn/Ni 焊点的拉伸强度。与 Cu/Sn/Cu 焊点的

拉伸强度规律性相似，随反应时间增加，焊点拉伸强度增大。初始焊点拉伸强度最小，
为 32 MPa，略小于 Cu/Sn/Cu 初始焊点的拉伸强度，这应是焊点间距较大所致[128]。全
IMC 焊点具有最大的拉伸强度，达到 110 MPa，略高于 Cu/IMC/Cu 焊点的拉伸强度。
然而由于 Cu/Sn/Ni 焊点界面孔洞的存在，使得拉伸数据具有较大的波动性，可靠性不如
Cu/IMC/Cu 焊点。图 6.7(b)显示了 Cu/Sn/Ni 焊点拉伸强度与界面 IMC 平均厚度的对应
关系。两者之间同样具有正相关性，即拉伸强度随界面 IMC 厚度的增加而增加。
- 116 -
140 140 100

Cu/Sn/Ni
Avearge IMC Thickness (m)

120 (a) 120 (b)

80
100 100
60
80 80
60
60 40
40
40
20
20
20
0 0
0 0 1 2 3 4
0h 1h 2h 4h
Reaction Time Reaction Time (s)
图 6.7 不同反应时间后 Cu/Sn/Ni 焊点的拉伸强度(a)柱状图，(b)与平均 IMC 厚度对比

Fig. 6.7 Tensile strength of Cu/Sn/Ni interconnects for different reaction times (a) histogram,
(b) line graph showing relationship with the average IMC thickness
图 6.8 显示了不同反应时间后 Cu/Sn/Ni 焊点的拉伸曲线。与 Cu/Sn/Cu 焊点相似，
初始钎焊后焊点拉伸过程中达到最大强度后，应力下降最为缓慢，断裂模式为韧性断裂。
随反应时间的延长，应力达到最大拉伸强度后下降速率也越来越快，焊点的断裂模式逐
渐向脆性转变。图 6.8(e)为全 IMC 焊点的拉伸曲线，所有焊点均为脆性断裂。全 IMC
焊点较大的拉伸位移同样为 Cu 基体的屈服所致。各种条件下拉伸曲线的汇总结果如图
6.8(f)所示。
50 o 60 80
300 C 0h o o
300 C 1h 300 C 2h
(a) As-soldered No. 1
No. 2 50
(b) 1h No. 1
70 (c) 2h No. 1
40 No. 2
No. 3 No. 2
60
40
30 50
30 40
20
30
20
20
10
10
10
0 0 0
0 10 20 30 40 50 60 70 0 5 10 15 20 25 30 35 0 5 10 15 20 25 30
Displacement (m) Displacement (m) Displacement (m)
160 160
o
300 C 4h
4h 0h
140 (d) No. 1
No. 2
140 (e) Total 1h
120 120
2h
4h
100 100
80 80
60 60
40 40
20 20
0
0
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 0 10 20 30
图 6.8 Cu/Sn/Ni 焊点拉伸实验的应力位移曲线，(a-d)不同反应时间，(e)汇总

Fig. 6.8 The stress-displacement curve of the Cu/Sn/Ni interconnects for (a-d) various times
and (e) as a total
图 6.9 为反应不同时间后焊点的拉伸断口形貌。初始焊点发生了较大的缩颈，并在
最终断裂位置产生较多的韧窝，为韧性断裂特征。与 Cu/Sn/Cu 初始焊点相比，由于其
间距较大，因此缩颈现象更为明显。界面反应 1 h 和 2 h 后，断口形貌较为接近。大部
分区域在钎料中断裂，具有细小的韧窝结构，边缘有小部分区域断裂发生在界面。其断
口形貌与 Cu/Sn/Cu 焊点具有明显差别，可能是界面 IMC 形貌不同以及由此引起的气孔
大小、界面结合强度的差异所致。对于全 IMC 焊点，脆性断裂发生在 IMC 内部，而不
是像 Cu/IMC/Cu 焊点一样发生在一侧界面。
图 6.9 Cu/Sn/Ni 焊点的断口形貌(a,b) 钎焊后，(c,d) 300 oC 1 h，(e,f) 300 oC 2 h，(g,h) 300

o
C4h
Fig. 6.9 Fractographs of the Cu/Sn/Ni solder interconnects: (a,b) as-soldered; (c,d) 300 oC 1 h,
(e,f) 300 oC 2 h, and (g,h) 300 oC 4 h
同样对 Cu/Sn/Ni 焊点进行了原位拉伸的同步辐射实时成像实验。图 6.10 显示了反

应不同时间后 Cu/Sn/Ni 焊点的同步辐射照片，从上到下依次为拉伸的不同阶段。对于初
始焊点，由于焊点断裂需要较大的拉伸位移，实验方法不能达到，但可以看到在拉应力
下 Sn 层被拉长，并有轻微缩颈，与焊点的缩颈断裂相对应。图 6.10(b)为 300 oC 反应 1 h
后的微焊点同步辐射照片，可以清楚地看到界面两侧均有层状的 IMC 形成，其中 Ni 侧
IMC 更厚，界面更不平整，Cu 侧界面有两个较大的气孔存在。随拉伸的进行，钎料逐
渐伸长，焊点中的气孔也随之拉长并沿界面扩展，并最终导致焊点的断裂。与 Cu/Sn/Cu
- 118 -
焊点相比，其裂纹更倾向于沿界面产生，导致了不同的断口形貌。图 6.10(c)为 300 oC

反应 2 h 后的微焊点同步辐射照片，两侧的界面 IMC 将近接触上。由于 IMC 生长的不
均匀性，在焊点右侧 Sn 层厚度最小，此处界面 IMC 的约束行为更大，裂纹沿此处产生。
随着拉伸的进行，裂纹沿 IMC 界面及在钎料中扩展，并最终导致断裂，断裂过程与断
口形貌符合较好。图 6.10(d)为 300 oC 反应 4 h 后形成的全 IMC 微焊点的同步辐射照片。
可以看到在两侧 IMC 相接触的位置有一排小孔洞形成，为形成 IMC 时体积收缩所致。
随原位拉伸实验的进行，并未看到焊点的拉长变形，当应力达到一定程度时，裂纹瞬间
扩展至整个界面，与 Cu/IMC/Cu 焊点的断裂过程相似。但裂纹沿着两侧 IMC 相接触的
界面扩展，这与此处较多的孔洞引起应力集中相关。
图 6.10 Cu/Sn/Ni 焊点原位拉伸过程中的同步辐射图像：(a) 钎焊后，(b) 300 oC 1 h，(c) 300

o
C 2 h，(d) 300 oC 4 h
Fig. 6.10 Synchrotron radiation images of the Cu/Sn/Ni interconnects under in situ tensile
test : (a) as soldered, (b) 300 oC 1 h, (c) 300 oC 2 h, and (d) 300 oC 4 h
6.4 焊点拉伸性能分析
焊点强度随 IMC 层厚度的增加而增加可以由界面的应力拘束作用来解释。由于与
钎料相连的 IMC 和基体材料弹性模量和强度较大，将对附近的钎料产生约束作用。焊
点受拉应力作用时，界面将产生约束钎料横向收缩变形的沿界面的拉应力作用。因此，
界面将使得附近的钎料的应力状态由单向应力状态转变为三向应力状态。从而产生应力
拘束效应使得钎料硬化，从而强度提高。钎料越薄，界面约束作用越强，钎料强度越高，
塑性越差。当焊点强度高于界面处的强度时，将使得裂纹在界面处扩展而导致界面脆性
断裂。全 IMC 焊点的强度较高，同样导致焊点在相对薄弱的界面处断裂。钎料焊点的
断裂强度可以由 Orowan 理论（式(1.22)）进行描述[124][125][126][127][128]。由于本论
文采用的焊点截面为四方形，用边长 a 替换直径 d，并由焊点间距(htotal)减去 IMC 厚度
(hIMC)来得到实际钎料厚度，得到不同 IMC 厚度焊点拉伸强度的上限如下式所示
 F  UTS  (1  a / 6(htotal - hIMC )) (6.1)
Cu/Sn/Cu 和 Cu/Sn/Ni 焊点的拉伸强度的计算结果和实验结果如图 6.11 所示。对于
两种焊点，实验值均比计算结果更大。这应是由于界面 IMC 的不平整性增加了对钎料
的约束强度，从而使得实验值偏高。
95
(a) 90 Calculated strength (b) 70 Calculated strength
85 Experimental Strength 65 Experimental Strength
80
60
75
70 55
65 50
60
45
55
50 40
45
35
40
35 Cu/Sn/Cu 30 Cu/Sn/Ni
30 25
25
0 2 4 6 8 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0
Reaction Time (h) Reaction Time (h)
图 6.11 计算和实验的拉伸强度与反应时间的关系(a) Cu/Sn/Cu 焊点，(b) Cu/Sn/Ni

焊点
Fig. 6.11 Calculated and experimental tensile strength as a function of reaction time for
(a) Cu/Sn/Cu and (b) Cu/Sn/Ni interconnects
6.4 本章小结
本章研究了不同 IMC 厚度对多晶 Cu/Sn/多晶 Cu 和多晶 Cu/Sn/多晶 Ni 微焊点的影
响。并应用同步辐射技术对微焊点的拉伸损伤行为进行了实时观察。结论如下：
- 120 -
1) 随IMC厚度的增加，Cu/Sn/Cu和Cu/Sn/Ni微焊点的拉伸强度增加，断裂模式从初
始的韧性断裂转变为脆性断裂，断裂位置从钎料内部转变到钎料与IMC界面。
2) 全IMC焊点的拉伸强度比含钎料的焊点的拉伸强度更高。Cu/IMC/Cu焊点的平均
拉伸强度达到90 MPa，而Cu/IMC/Ni焊点的平均拉伸强度超过100 MPa。Cu/IMC/Cu焊点
的断裂位置发生在Cu3Sn/Cu6Sn5界面，而Cu/IMC/Ni焊点断裂位置发生在两侧(Cu,Ni)6Sn5
相接触的界面。
3) 采用同步辐射实时成像技术证明焊点界面处气孔以及焊点中产生应力集中的位
置是裂纹易萌生位置，并会在拉应力下导致焊点的断裂。
4) 焊点中IMC厚度的增加导致焊点内部拘束应力的增加，使得界面附近钎料处于三
向应力状态，钎料强度增加而塑性下降。微焊点IMC/钎料界面的不平整使得焊点的拉伸
强度实验值高于Orowan理论预测的结果。
7 结论与展望
7.1 结论
本论文研究了微型化趋势下焊点尺寸效应、工艺条件和基体类型等因素对无铅焊点
界面反应的影响规律，通过原子扩散通量和团簇形核理论阐明了界面反应中 IMC 生长
和演变机理。初步评价了界面组织对焊点拉伸可靠性的影响规律。利用同步辐射实时成
像技术动态表征了界面 IMC 的演变过程以及微焊点的损伤断裂过程。论文主要结论总
结如下：
1. 表征了 Sn-xAg-yCu/Cu、Sn-3.0Ag-0.5Cu/Ni-P、Cu/Sn-3.0Ag-0.5Cu/Ni-P 焊点界
面反应尺寸效应的不同规律性。焊点尺寸减小，Sn-xAg-yCu/Cu 焊点界面 Cu6Sn5 晶粒直
径及厚度增加，Cu 基体消耗减少，焊点平均 Cu 浓度增加；Sn-xAg-yCu/Ni-P 焊点平均
Cu 浓度下降加快，界面 IMC 从针状和短棒状(Cu,Ni)6Sn5 转变为多面体状(Cu,Ni)6Sn5，
再转变为针状和块状(Ni,Cu)3Sn4 的过程加快；Cu/Sn-3.0Ag-0.5Cu/Ni-P 焊点 Cu 侧晶粒直
径增加，Cu 消耗减少，Ni 侧保持针状的(Cu,Ni)6Sn5 且厚度增加。建立了 CGC 界面反应
理论模型，阐明了界面 Cu 浓度梯度引起的 Cu 原子扩散通量是产生尺寸效应的根本原
因，并合理解释了尺寸效应现象。不同体系焊点中界面 IMC 的生长演变规律与尺寸效
应的影响均可通过 Cu 原子通量的角度进行解释。Cu、Ni 原子交互作用导致 Cu 侧 IMC
晶粒细化，Ni 侧 IMC 未发生类型转变，一定程度上弱化了尺寸效应现象。
2. 利用同步辐射实时成像技术实时动态表征了微焊点界面 Cu6Sn5 和 Ag3Sn 在焊接
工艺中的溶解和析出行为。界面 Cu6Sn5 晶粒在回流升温阶段以 0.11 μm/s 的速率溶解进
入钎料，在保温阶段保持扇贝状晶粒形貌，而在冷却阶段钎料中的 Cu 原子重新以 Cu6Sn5
的形式在扇贝状 Cu6Sn5 晶粒顶端析出，生长速率为 0.04 μm/s。阐明了界面 Cu 原子浓度
梯度是界面 Cu6Sn5 晶粒厚度和形貌演变的根本原因，并验证了 CGC 模型的适用性。界
面片状 Ag3Sn 在回流升温阶段以 0.1-0.2 μm/s 的速率溶解进入钎料，而在冷却阶段在界
面随机析出，析出速率超过了 5 μm/s。测量得到片状 Ag3Sn 析出的过冷度为 31-55 oC，
稍低于焊点的过冷度(39-59 oC)。温度梯度作用下冷却时片状 Ag3Sn 倾向于在冷端析出，
即使在热端析出，也倾向于在随后的冷却过程中溶解进入钎料。阐明了液态团簇形核导
致了片状 Ag3Sn 在界面过冷随机析出的机理；表征了温度梯度下 Ag 原子向冷端聚集的
热迁移行为；揭示了热迁移对冷端片状 Ag3Sn 形核的驱动作用，以及 Ag 原子热迁移通
量及化学势通量相互作用导致冷端片状 Ag3Sn 生长及热端 Ag3Sn 生长或溶解的机制。
- 122 -
3. 表征了基体类型对微焊点界面反应的影响规律；揭示了多晶 Cu/Sn/多晶 Cu 焊点
界面扇贝状 Cu6Sn5 晶粒反应前期随时间的抛物线生长，及反应后期由于界面两侧 Cu 原
子通量交互作用加强而随时间线性生长的规律性；阐明了界面两侧 IMC 的融合过程与
界面同侧 IMC 合并行为相同的本质，即晶界迁移导致晶粒粗化长大；表征了多晶 Cu/Sn/
多晶 Ni 焊点 Cu 侧和 Ni 侧界面(Cu,Ni)6Sn5 分别由细小扇贝状晶粒和针状晶粒向棒状晶
粒转变的过程；揭示了 Cu、Ni 原子交互作用提高了界面 Cu 原子通量，加速了界面反
应进程的机理，使得 Ni 侧 IMC 生长速率高于 Cu 侧，并均高于 Cu/Sn/Cu 体系界面反应
速率。表征了(001)Cu/Sn/(001)Cu 焊点界面 IMC 的形貌、取向演变规律，发现 250 oC 界
面反应形成扇贝状随机取向的 Cu6Sn5 晶粒，而 300 oC 界面反应形成择优取向棱晶状
Cu6Sn5 晶粒，并随反应时间的延长转变为随机取向的表面有沟槽和小晶粒的扇贝状形
貌；表征了(001)Cu/Sn/(001)Ni 焊点形貌演变规律，发现 250 oC 下(001)Cu 侧 IMC 演变
规律与多晶 Cu 类似；而(001)Ni 侧形成平行排列的针状(Cu,Ni)6Sn5 晶粒，并随反应时间
的延长粗化长大；300 oC 下(001)Cu 侧形成相互垂直规则排列的棱晶状(Cu,Ni)6Sn5，并
随反应时间延长逐渐转变为平行排列的顶端具有花瓣状形貌的棱柱状(Cu,Ni)6Sn5 ；而
(001)Ni 侧形成不规则排列的针状(Cu,Ni)6Sn5 晶粒，并随反应时间的延长变得与(001)Cu
侧界面 IMC 形貌类似；单晶基体上 IMC 生长速率与多晶基体相比没有明显差异。阐明
了 Cu 原子扩散通量对界面 IMC 生长及形貌演变的作用机理，以及 Cu6Sn5 类型团簇形
核导致单晶基体上规则形貌择优取向 Cu6Sn5 转变为随机取向的机制。
4. 阐明了不同 IMC 厚度对多晶 Cu/Sn/多晶 Cu 和多晶 Cu/Sn/多晶 Ni 微焊点的影响
规律。随 IMC 厚度的增加，Cu/Sn/Cu 和 Cu/Sn/Ni 微焊点的拉伸强度增加，断裂模式从
初始的韧性断裂转变为脆性断裂，断裂位置从钎料内部转变到钎料与 IMC 界面。全 IMC
焊点的平均拉伸强度比钎料焊点的更高（Cu/IMC/Cu 焊点达到 93 MPa，Cu/IMC/Ni 焊点
达到 110 MPa）。Cu/IMC/Cu 焊点的断裂位置发生在 Cu3Sn/Cu6Sn5 界面，而 Cu/IMC/Ni
焊点断裂位置发生在两侧(Cu,Ni)6Sn5 相接触的界面。应用同步辐射技术表征了微焊点的
拉伸损伤行为，证明焊点界面处气孔以及焊点中产生应力集中的位置是裂纹易萌生位
置，并会在拉应力下导致焊点的断裂。焊点中 IMC 厚度的增加导致焊点内部拘束应力
的增加，使得界面附近钎料处于三向应力状态，钎料强度增加而塑性下降。微焊点 IMC/
钎料界面的不平整使得焊点的拉伸强度实验值高于 Orowan 理论预测的结果。
7.2 创新点
1. 原创性建立了能科学诠释无铅界面反应尺寸效应的浓度梯度控制的液/固界面反
应理论模型（CGC 模型），突破了经典界面反应理论模型在微系统封装领域应用的局
限性，实现了无铅微互连工艺中界面反应的精确数值模拟与预测。
2. 原位揭示了钎焊工艺中快速温变条件下微焊点界面 IMC 的动态溶解和析出行
为。提出了界面 IMC 的团簇形核以及原子通量控制 IMC 生长的机理。明确了钎焊工艺
不同阶段界面组织的演变规律。
3. 实现了对 IMC 生长及合并行为的直接实时观察与 EBSD 原位观察。明确了晶界
迁移导致单侧和对侧 Cu6Sn5 晶粒合并的相同本质。
4. 发现了 Cu、Ni 原子交互作用加速界面 IMC 的生长速率，而单晶基体并不会显
著影响界面 IMC 的生长速率的规律性。
5. 揭示了微焊点中单晶 Cu、Ni 基体对界面 IMC 形貌的的影响规律。
6. 阐明了 Cu 原子通量对不同基体上界面 IMC 生长动力学和形貌演变的作用机理。
7. 阐明了 IMC 厚度对微焊点拉伸强度的作用规律，表征了全 IMC 焊点的拉伸性能，
创新采用异质材料间热膨胀差异的方法实现了微小焊点原位拉伸实验，动态表征了微焊
点的拉伸损伤行为。
7.3 展望
微电子封装制造技术持续向微型化方向发展，其焊点尺寸将持续减小至微米尺度。
钎焊互连界面的可靠连接直接影响到电子器件的可靠性。而钎焊界面可靠性与其界面反
应规律息息相关。本论文揭示了尺寸效应、工艺条件和基体类型对界面反应的影响规律，
并通过原子扩散通量和团簇形核理论对不同因素下界面IMC生长和演变机理进行了合
理解释，然而本论文提出的原子扩散通量控制理论有待进一步完善和更多的实验验证。
焊点尺寸减小将使得界面反应将加剧，Cu、Ni原子交互作用将进一步加速界面反应，微
焊点的可靠性有待评价。本论文初步评价了单个焊点的拉伸性能，研究表明IMC比例增
加将导致焊点脆性增加而强度提高，全IMC焊点得到最高的拉伸强度，孔洞等缺陷对焊
点拉伸性能影响显著。然而实际焊点所处的环境更为复杂，在实际应用中是否能满足各
方面的可靠性要求值得进一步研究，另外，形成无缺陷的微焊点将使焊点的可靠性有大
幅度的提升。综上所述，本论文对微焊点的界面反应和可靠性问题进行了相关探索，然
而研究工作仍处于起步阶段，还有许多工作有待进一步探索。
本论文对后续微焊点界面反应及可靠性相关研究工作给出如下建议：
- 124 -
1. 完善界面反应理论，寻找界面 IMC 厚度和晶粒直径间的相关性，定量表征溶质

原子通量对界面 IMC 厚度、晶粒直径等形状参数的作用规律。如通过改变钎料成分、
界面反应的温度梯度、施加不同电流密度的方法改变界面溶质原子通量，获得原子扩散
通量对界面 IMC 生长作用的定量规律。研究其他界面反应体系，扩展通量控制的界面
反应理论的应用。
2. 探索如何得到无界面缺陷的微焊点，包括全 IMC 焊点，如添加 Ag、Bi、Zn 等
元素填充 IMC 之间的空隙；采用超声、电场等外场控制无缺陷焊点的形成；采用新基
体材料如择优取向纳米孪晶 Cu 吸收焊点中的空洞以降低实际焊点中的缺陷。
3. 评价不同种类的钎料焊点及全 IMC 微焊点的可靠性。如电迁移、温度循环、疲
劳、蠕变性能及多条件耦合下钎料焊点及全 IMC 焊点的寿命及损伤机制。
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扩散至 Ni 侧界面加速了针状的(Cu,Ni)6Sn5 晶粒的生长；微焊点中 Cu 基体由多晶转变为

The basic of the electronic packaging soldering interconnection is interfacial reaction.

3.3.3 Ni-P 基体上界面 IMC 演变机理及其尺寸效应 ................................ 54

6.4 本章小结 ....................................................................................................... 120

3.4 Size Effect in Cu/Sn-3.0Ag-0.5Cu/Ni-P Interconnect……...…..……………57

图 1.1 封装等级划分[1] ................................................................................................. 1

(e)界面反应实验微焊点(温度梯度下 Ag3Sn 析出行为观察也采用此焊点结构)，

图 3.12 一次回流后四种尺寸的 Sn-3.0Ag-0.5Cu/Ni-P 焊点界面 IMC 的(a-d)俯视图

Ag3Sn 析出前一张照片，b10 为完全凝固后照片)，(c)第二次加热阶段(c1 在熔点

图 5.13 多晶 Cu 和多晶 Ni 基体上平均界面 IMC 厚度随反应时间的变化规律(a)以

图 6.2 不同反应时间后 Cu/Sn/Cu 焊点的拉伸强度(a)柱状图，(b)与平均 IMC 厚度

表 1.1 金属基体与 Sn 基钎料界面反应生成的 IMC 类型[22] ................................... 7

Carrier, PLCC) 、 塑 料 方 块 平 面 封 装 (Plastic Quad Flat Pack, PQFP) 、 小 外 型 封 装

图 1.2 ITRI 发布的 3D 集成示意图[10]

图 1.3 3D 封装中的金属焊球、微凸点、TSV 互连结构[12]

小了一个量级；TSV 转接板中的通孔直径缩小至 10 µm。根据国际半导体技术发展线路

(Intermetallic Compound, IMC)，以实现金属基体和钎料之间的连接。因此界面反应将导

r G  (cC  d D  )  (a A  bB  ) (1.7)

针对界面 IMC 生长动力学机理的描述，代表性的理论模型主要有 Tu 教授提出的熟

图 1.7 显示了溶质原子 A 在液体 B 中的分布。在液体 B 中界面 IMC 的表面，A 原

图 1.7 界面生成 IMC 时基板原子 A 在液体 B 中的浓度分布示意图[53]

当初始浓度 C=0 时，钎料中的原子浓度可以表示为

其中等式右边的前两项是 IMC 的反应生长项，最后一项是 IMC 的溶解项，三项共同作

此模型很好的描述了浸焊反应过程中基体的溶解及界面 IMC 的生长过程，然而针对

图 1.8 不同尺寸 Sn-3.0Ag-0.5Cu/Cu 焊点经过不同回流次数后的界面 Cu6Sn5 晶粒形貌

尺寸效应对 Cu/Sn 二元界面反应的影响规律可总结为：小焊点中界面 Cu 基体的消

μm 直径的 Sn-Pb 和 Sn-Ag-Cu 钎料与 Cu 基体之间界面反应的尺寸效应，并认为焊点宽

Cu 浓度处于 0.3 wt.%水平时，760 μm 焊点回流形成的(Ni,Cu)3Sn4 在固态长时间时效后

图 1.9 不同尺寸 Sn-3.0Ag-0.5Cu/Ni-P 焊点经过不同回流次数后的界面形貌 SEM 照片(i)

图 1.10 280 oC 和 240 oC 条件下吹球与正常冷却界面 IMC 形貌对比[68]

现棱晶状的形貌。另外在较高温度反应时 Cu6Sn5 在冷却过程中的析出能够显著影响界

界面 IMC 所占焊点的比例增加，甚至可能完全生成 IMC[84]，焊点力学性能受到 IMC

图 1.11 典型微细间距界面反应问题：(a) 微细间距 Ni/Sn/Ni 焊点时效后形成中心

微焊点中界面 IMC 生长动力学是学者和业界关心的问题，但由于研究开展时间较

Ni/Sn(Sn-Ag)/Ni 体系[75][85]，Cu/Sn(Sn-Ag)/Cu 体系[86][87]和 Ag/Sn/Ag 体系[88]。固

图 1.12 上下 Cu6Sn5 晶粒合并的(a,b)FIB 照片及(c)EBSD 照片[87][90]

微焊点中界面两侧的 IMC 层将有可能生长到一起而得到全 IMC 焊点。虽然具有较

图 1.13 在(a)多晶 Cu 和(b) (001) 单晶 Cu 上生成的界面 Cu6Sn5 的形貌对比[51],[34]

优取向关系。Cui 等[105][106]研究发现当钎焊温度较高、钎料中 Cu 浓度较低时，(001)

表 1.2 钎料中的铜浓度、钎焊温度及反应时间对界面 Cu6Sn5 晶粒形貌的影响[105]

Ni、Ag 等单晶基体上生成特殊形貌或择优取向的 IMC 近年来也有相关报道。单晶

也能够形成规则排列的 Ag3Sn，如(001)单晶 Ag 上形成的 Ag3Sn 晶粒沿两个相互垂直的

束作用对 Ni/Sn3.0Ag0.5Cu/Ni 焊点力学及断裂行为的影响。通过 ANSYS 有限元软件，

图 1.14 5 N 加载条件下钎料软化系数随 R 的分布图：(a) R= 1/3; (b) R= 1/6; (c) R=

针对全 IMC 焊点的断裂力学性能很少有人研究。Chu 等人[131]采用 Cn/Sn/Cu 和

图 1.15 钎料中初晶 Cu6Sn5 的同步辐射照片(a) 不含 Al，(b) 含有 250 ppm Al[132]

的类型和形貌的演变规律与机理；研究尺寸效应下 Cu/Sn-3.0Ag-0.5Cu/Ni-P 焊点的尺寸

图 2.1 (a)单晶 Cu 和(b)单晶 Ni 的样品表面法向的反极图

(a) 300 (b) 300 (c) 300

1s 10s 30s 60s

图 2.2 回流曲线示意图(a)尺寸效应 Cu 焊盘侧焊点回流曲线（曲线中测量的是焊点处实

分辨率为 0.74 μm/像素和 0.325 μm/像素，曝光时间根据具体情况在 1 s - 3 s 之间调节。

图2.5 同步辐射实验示意图(a)Ag3Sn在回流过程中的演变实验(b) Ag3Sn在温度梯度下

图2.6 Instron 5948型超高精度微力试验机

图 3.4 显示了一次回流（45 s）后两种钎料成分不同尺寸焊点的 Cu 浓度分布。对于

图 3.4 一次回流后不同直径(a) Sn-3.0Ag-0.5Cu/Cu 和(b) Sn-3.5Ag/Cu 钎料球中的 Cu 浓

(a) 1.6 (b) 1.6

Average Cu concentration (wt. %)

图 3.5 不同直径(a)Sn-3.0Ag-0.5Cu/Cu 和(b) Sn-3.5Ag/Cu 钎料球中的平均 Cu 浓度与时

Cu Concentration Gradient (m-1)

-100 200 m -100 200 m

Time (s) Time (s)

图 3.6 不同直径(a)Sn-3.0Ag-0.5Cu/Cu 和(b) Sn-3.5Ag/Cu 钎料球与 Cu 焊盘界面处平均

博士学位论文

Carrier, PLCC) 、塑料方块平面封装 (Plastic Quad Flat Pack, PQFP) 、小外型封装