Vat Lieu Hoc-Hinh Anh Dep

1/5/2018
GIỚI THIỆU MÔN HỌC

VẬT LIỆU HỌC
Khoa CN Hóa
Mục tiêu môn học

(Material Science )
 Cung cấp kiến thức cơ sở về mối
tương quan giữa 4 yếu tố cơ bản của
ngành khoa học và công nghệ vật
Chương 1
liệu: Cấu trúc vi mô (tinh thể), tính
GIỚI THIỆU MÔN HỌC chất, quá trình gia công và đánh
(1tiết) giá vật liệu.

 Sau khi kết thúc môn học, sinh viên
có thể vận dụng để phân tích và dự
MK : Caolinite@12 đoán thiết kế vật liệu theo yêu cầu
Đoàn Mạnh Tuấn

http://www.doanmanhtuan.name.vn ThS.Đoàn Mạnh Tuấn 2
GIỚI THIỆU MÔN HỌC GIỚI THIỆU MÔN HỌC

Khoa CN Hóa Khoa CN Hóa
Tài liệu tham khảo Nội dung môn học

 William D. Callister, David G.
Rethwisch, Material Science
and Engineering: An
3. QUÁ
Introduction, 9th Edition, John 2. CẤU
TRÌNH 4. TÍNH 5. TỔNG 6. Phân
1.TỔNG TRÚC
Wiley & Sons, Inc, 2014 KHUẾCH CHẤT HỢP, GIA tích, đánh
QUAN TINH THỂ
TÁN CỦA VẬT CÔNG giá vật
 Nguyễn Đình Phổ, Vật liệu VẬT LIỆU VẬT LIỆU
TRONG LIỆU VẬT LIỆU liệu
RẮN
học, NXB ĐHQG Tp.HCM, 2013 VẬT LIỆU
 Lê Công Dưỡng ,Vật liệu học,

NXB KHKT, 1997
Đoàn Mạnh Tuấn Đoàn Mạnh Tuấn

3 4
1
1/5/2018
GIỚI THIỆU MÔN HỌC GIỚI THIỆU MÔN HỌC

Phân bố chương trình Hình thức đánh giá
Chương Nội dung Số tiết

 Thường kỳ:
1 Tổng quan về vật liệu 4 Thông qua bài tập, thái độ học
2 Cấu trúc tinh thể vật liệu rắn 14 tập, tiểu luận (20%)
Quá trình khuếch tán trong vật  Giữa kỳ:
3 8
liệu
Tự luận (chương 1, 2, 3) (30%)
4 Tính chất cơ bản của vật liệu 16
 Cuối kỳ:
5 Tổng hợp, gia công vật liệu 10
Tự luận (chương 4, 5, 6) (50%)
6 Phân tích, đánh giá vật liệu 8
Tổng 60

5 6
VẬT LIỆU HỌC

Khoa CN Hóa
(Material Science )
Thanks!
Chương 1
GIỚI THIỆU CHUNG

(4 tiết)

7
http://www.doanmanhtuan.name.vn ThS.Đoàn Mạnh Tuấn
2
1/5/2018
1. GIỚI THIỆU CHUNG 1. GIỚI THIỆU CHUNG

1.1. Developed history of material 1.1. Developed history of materials

9 10

The importance of materials science Vật liệu (Materrials) là gì?
- Hiểu rõ các tính chất  Chất hoặc hợp chất

→ chọn vật liệu được con người dùng
- Độ bền của vật liệu để làm ra những sản
trong quá trình làm việc phẩm khác
- Tính kinh tế khi áp  Là đầu vào trong một
dụng thực tiễn quá trình sản xuất
- Phát triển các ứng hay chế tạo
dụng mới

11 12
3
1/5/2018

Khoa học vật liệu? Khoa học vật liệu?
Khoa học liên ngành  Các tính chất được
nghiên cứu về mối nghiên cứu là cấu trúc,
quan hệ giữa thành tính chất điện, từ, nhiệt,
phần, cấu trúc, các cơ hoặc tổ hợp của các
công nghệ chế tạo, xử tính chất đó → Tạo ra các
lý và tính chất của vật liệu đáp ứng nhu cầu
vật liệu kỹ thuật

13 14

1.2. Phân loại vật liệu Kim loại

Kim loại & Hợp kim
1. Bán dẫn Chứa sắt Không chứa sắt
2. Siêu dẫn
3. Silicon
Thép Gang Siêu
4. Polyme dẫn điện hợp kim
Hợp kim Kim loại Hợp kim
nhôm chịu nhiệt Titan
Kim loại Hợp kim
quý Magie
Hợp kim
Đồng
15 16
4
1/5/2018

Vật liệu Silicat Vật liệu Polyme

Theo nguồn gốc hình
thành
Polymer thiên nhiên Polymer tổng hợp

17 18

Vật liệu Polyme Vật liệu Composite

COMPOSITE
Theo cấu trúc
Nền polymer Nền kim loại Nền ceramic Nền hỗn hợp
Mạch thẳng Mạch nhánh Mạch lưới Mạch không gian

COMPOSITE
Cốt hạt Cốt sợi Composite cấu trúc
Hạt thô Hạt mịn Liên tục Gián đoạn

19 20
5
1/5/2018

1.3. Ứng dụng vật liệu kim loại Vật liệu kim loại
Động cơ máy bay

(Siêu hợp kim) Dây dẫn điện Bánh răng Tàu thủy
Trang sức
Chi tiết vật dụng
Thép kết cấu Nha khoa - implant

Dụng cụ bếp-gang Đường ống Dụng cụ gia đình
21 22

Vật liệu silicat Vật liệu silicat

23 24
6
1/5/2018

Vật liệu Polyme Vật liệu Composite

25 26

Vật liệu Composite Vật liệu cao cấp
 Vật liệu có cấu trúc nano: những vật

liệu có cấu trúc ở cấp độ nanometer
 Vật liệu y sinh: những vật liệu có tính
tương thích sinh học cao, có thể thay thế
các bộ phận trong cơ thể người
 Vật liệu thông minh: là loại vật liệu mới
và hiện đại. Có thể thay đổi đặc tính theo
điều kiện môi trường, đáp ứng lại những
thay đổi này theo hướng đã định sẵn
27 28
7
1/5/2018
VẬT LIỆU HỌC

Khoa CN Hóa
(Material Science )
Thanks!
Chương 2
CẤU TRÚC TINH THỂ

VẬT LIỆU RẮN
(14 tiết)

29
CẤU TRÚC TINH THỂ VẬT LIỆU RẮN 2.1.1. LIÊN KẾT SƠ CẤP
Nội dung Liên kết ion
Là liên kết mà các đám

mây electron của các
2.2. CẤU nguyên tử tham gia liên
2.1. LIÊN KẾT 2.3. SAI LỆCH
TRÚC TINH kết gần như bị chuyển
CẤP ĐỘ MẠNG TINH
THỂ VẬT LIỆU hoàn toàn về phía nguyên
NGUYÊN TỬ THỂ
RẮN tử có độ âm điện lớn hơn

31 32
8
1/5/2018
2.1.1. LIÊN KẾT SƠ CẤP 2.1.1. LIÊN KẾT SƠ CẤP

Liên kết ion Liên kết cộng hóa trị

Đặc điểm:
 Hai nguyên tử liên kết với
nhau bằng lực hút tĩnh Liên kết cộng hoá trị hình
điện. thành do sự ghép đôi của 2e
 Năng lượng của liên kết 1S1 1S1 có spin trái dấu
ion: là năng lượng tương H-H
tác tĩnh điện giữa 2 ion

33 34

Liên kết cộng hóa trị Liên kết cộng hóa trị
Đặc điểm:
 Sự xen phủ của hai đám mây Cơ chế tạo thành các cặp e góp
điện tử tham gia liên kết càng lớn chung: do mỗi nguyên tử đóng góp
thì liên kết càng bền. (cơ chế ghép đôi).
1S1 1S1 1S1 1S1
 Liên kết được hình thành theo Điều kiện: phải có e độc thân
H-H H-H
phương để cho có sự xen phủ của
các đám mây điện tử là lớn nhất.

35 36
9
1/5/2018

Liên kết cộng hóa trị Liên kết kim loại
Liên kết s (sigma bonding) là sự xen phủ của các AO theo  Các ion dương tạo thành mạng
trục liên kết xác định trong không gian điện tử
tự do "chung".
 Năng lượng liên kết : Tổng hợp
H-Cl Cl – Cl
H-H của lực hút (giữa ion dương và
π π điện tử tự do) và lực đẩy (giữa
Liên kết là sự xen phủ các ion dương) → các ion kim loại
của các AO hai bên trục luôn luôn có vị trí cân bằng xác
p–p p–d liên kết định trong đám mây điện tử
37 38
2.1.1. LIÊN KẾT SƠ CẤP 2.1.2. LIÊN KẾT THỨ CẤP

Tính chất kim loại Liên kết Hydro  Nguyên tử hydro có một điện tử
Ánh kim: Ánh sáng → e tự do nhận duy nhất → liên kết với một
năng lượng → nhảy lên mức cao, song nguyên tử có độ âm điện lớn
không ổn định trở về mức cũ → ánh sáng hơn → đôi điện tử dùng chung sẽ
bị lệch về phía nguyên tử đó.
Dẫn điện: Nhờ có điện tử tự do rất dễ
 Nguyên tử hyđro bị mang điện
chuyển động định định hướng dưới một
tích dương nên nó có khả năng
trường hiệu điện thế
tạo thêm liên kết thứ hai với một
Dẫn nhiệt : Sự truyền động năng của nguyên tử của nguyên tố có độ
các điện tử tự do và ion dương âm điện lớn hơn
39 40
10
1/5/2018
2.1.2. LIÊN KẾT THỨ CẤP 2.1.3. NĂNG LƯỢNG LIÊN KẾT
Liên kết Van Der Waals molecular bonding energy

 là năng lượng cần tiêu
tốn để phá hủy liên kết.
 Khi hai nguyên tử tiến lại gần
 đặc trưng cho độ bền
nhau, chúng tạo ra một lực
của liên kết, năng lượng
hút yếu và không đặc hiệu
liên kết càng lớn thì liên
 Nguyên nhân: Do các lưỡng
kết càng bền
cực điện tạm thời gây ra
 phụ thuộc vào độ dài
liên kết, độ bội liên kết,
độ bền liên kết

41 42
2.1.3. NĂNG LƯỢNG LIÊN KẾT 2.2.1. ĐẠI CƯƠNG VỀ TINH THỂ HỌC
Bảng so sánh năng lượng liên kết của một số liên kết Khái niệm về tinh thể
Loại liên kết Năng lượng liên kết Đặc điểm
Ion Lớn
Không định hướng sắp xếp một
(ceramics)
Tùy thuộc vào nguyên tố
cách đối xứng
Định hướng (bán dẫn,
Hóa trị - Lớn: Kim cương tuần hoàn theo
ceramics, chuỗi polymers)
- Nhỏ: Bismuth
Tùy thuộc vào nguyên tố các hướng bất kỳ
Kim loại - Lớn: Tungsten Không định hướng (kim loại ) trong không gian
- Nhỏ: Thủy ngân
cấu trúc của nó
Định hướng
Thứ cấp Nhỏ nhất - Tương tác mạch (polymers)
- Tương tác phân tử

43 44
11
1/5/2018
2.2.1. ĐẠI CƯƠNG VỀ TINH THỂ HỌC 2.2.1. ĐẠI CƯƠNG VỀ TINH THỂ HỌC
Khái niệm ô mạng cơ sở, hệ tinh thể Bravais: có 7 hệ tinh thể với 14 dạng ô mạng cơ sở
Chất điểm: Các phần tử (nguyên tử,

z
ion, phân tử) cấu tạo nên tinh thể
E F
phân bố ở các mắt nút
B
c C Mạng lưới không gian: Cácđường nối


O b các chất điểm tạo thành mạng lưới
a  G y
Chu kỳ mạng: Khoảng cách giữa hai
A D
x nút mạng gần nhau nhất

45 46
lập phương (cubic) trực thoi (Orthorhombic)

a=b=c a≠ b≠ c
α = β = γ = 900  α = β = γ = 900
I I
I
F
F C
bốn phương (tetragonal) ba phương (Rhombohedral)

a =b ≠ c  a =b = c
I
α = β = γ = 900  α = β = γ ≠ 900

47 48
12
1/5/2018
Bravais: có 7 hệ tinh thể với 14 dạng ô mạng cơ sở

sáu phương (Hexagonal)
a= b≠ c
 α = β = 900 , γ = 1200 HỆ TINH THỂ DẠNG Ô MẠNG CƠ SỞ CÁC CẠNH CÁC GÓC
1. Ba nghiêng P abc       90o

một nghiêng (Monoclinic) 2. Một nghiêng P, C abc  =  = 90o  
C
a≠ b≠ c
 α = β = 90o, γ ≠ 900 3. Trực thoi P, C, I, F abc  =  =  = 90o
4. Ba phương P a=b=c  =  =   90o
5. Sáu phương P a=bc  =  = 90o,  = 120o

ba nghiêng (Triclinic) 6. Bốn phương P, I a=bc  =  =  = 90o
a≠ b≠ c
 α ≠ β ≠ γ ≠ 900 7. Lập phương P, I, F a=b=c  =  =  = 90o

49 50
2.2.2. MẶT MẠNG TINH THỂ, CHỈ SỐ MILLER 2.2.2. MẶT MẠNG TINH THỂ, CHỈ SỐ MILLER
Tính chất mặt mạng tinh thể Cách tìm chỉ số Miller
 Tìm giao điểm trên ba trục
 có rất nhiều họ mặt phẳng Ox, Oy, Oz . Ví dụ : A,B,C
z
song song và cách đều nhau  Xác định độ dài đoạn thẳng
C
trong mạng tinh thể 2 từ gốc tọa độ tới các giao
 mỗi một họ mặt phẳng song 2
y
điểm : 3,2,2
3 B
song với nhau đó được đặc
A
 Lấy giá trị nghịch đảo: , ,
trưng bằng 3 chỉ số h k l (gọi x
là chỉ số Mile (Miller)  Quy đồng mẫu số, rồi lấy tử số
Đó là chỉ số Miller, đặc trưng cho mặt phẳng (h,k,l) (2,3,3)

51 52
13
1/5/2018
Một số chỉ số Miller Biểu diễn chỉ số Miller theo họ mạng
(111) (101) (010)
 Chỉ số Miller của mặt tinh tinh thể (111)

(001) (110)
 Chỉ số Miller của mặt tinh tinh thể

53 54
Ý nghĩa chỉ số Miller Khoảng cách mặt (interplanar spacing)
 Thông qua các chỉ số (hkl) ta 1

d hkl 
2 2 2
h k  l
có thể tính được khoảng cách      
a  b c
giữa các mặt tinh thể song
hệ chính phương a = b
song.
1
 Đây là thông số rất quan d
h 2  k 2 l2
 2
trọng trong khảo sát cấu trúc a2 c
bằng phương trình Vulf- hệ lập phương a = b = c

Bragg : n λ = 2 dhkl sinθ a
d
h  k 2  l2
2

55 56
14
1/5/2018
2.2.2.SẮP XẾP CÁC PHẦN TỬ 2.2.2.SẮP XẾP CÁC PHẦN TỬ

Bán kính ion (ionic radius) Số phối trí (coordination numbers)

 Là bán kính của lớp điện
tử ngoài cùng sau khi
 Số các ion khác loại trực
đã nhận hoặc cho đi
tiếp bao quanh ion đó
điện tử hóa trị

57 58

Đa diện phối trí (Coordination polyhedron) Nguyên lý sắp xếp chất điểm phối trí
 cho phép ta vẽ lý thuyết

 1: Tứ diện
đánh giá mức độ bền vững
 2: lục diện đều
của một cấu trúc.
 3: Bát diện đều a/ b/
 Nếu cấu trúc bền vững thì
 4: Thập nhị diện đều
giữa anion với anion và
 5: Nhị thập diện đều
anion với cation phải tiếp
c/ xúc với nhau
b/bền vững a/ và c/ kém bền

59 60
15
1/5/2018

Tỷ số giữa caction và anion  cấu trúc ô mạng cơ sở Tỷ số giữa caction và anion  cấu trúc ô mạng cơ sở
ra=1, AM= 3 → AO = 2 2
1 2 1
2
2
1 0,155 0,414
3

61 62

Tỷ số giữa caction và anion  cấu trúc ô mạng cơ sở Tỷ số giữa caction và anion  cấu trúc ô mạng cơ sở
Tỷ lệ rc/ra Số phối trí Đa diện phối trí

 Ví dụ: Đối với SiO2 :
rc/ra = 1 10, 12 Lập phương bán diện
Tỷ số rc / ra là 0,39
1 > rc/ra > 0,732 8 Lập phương  Tra bảng ta có số
phối trí 4, vậy nó là
0,732 > rc/ra > 0,414 6 Bát diện
tứ diện
0,414 > rc/ra > 0,225 4 Tứ diện
0,225 > rc/ra > 0,155 3 Tam giác

63 64
16
1/5/2018
2.2.3.CẤU TRÚC VẬT LIỆU KIM LOẠI 2.2.3.CẤU TRÚC VẬT LIỆU KIM LOẠI
Cấu trúc mạng tinh thể phổ biến centered cubic unit cell
Mật độ nguyên tử:

.
100%
.8 1 2, r a
4 a 3
2 3 4
M 100% 68%
a

65 66
face-centered cubic hexagonal close-packed crystal structure

Các nguyên tử nằm ở các đỉnh
. của hình lục giác và 3 nguyên
100%
tử nằm ở trung tâm 3 khối
.8 .6 4, r a lăng trụ
1 1
. 12 .2 3 6
4 a 2
6 2
4 3 4
M 100% 74% 1,663 a 2r
a

67 68
17
1/5/2018
hexagonal close-packed crystal structure Tính thù hình của kim loại
có nhiều kiểu mạng khác nhau ở

các khoảng nhiệt độ
3
V a 6 a. 1,633
4
.
100% 74%

69 70
Tính thù hình của kim loại Hợp kim (alloy)

1392 1539
 Hợp kim: nguyên tố kim loại nấu

chảy với 1 hay nhiều nguyên tố
911 1392
khác (kim loại hay á kim) để
được vật thể mới có tính chất
kim loại
911

71 72
18
1/5/2018
Hợp kim (alloy) Đặc trưng của dung dịch rắn

Phân loại:
 Hợp kim có cấu tạo một pha là
dung dịch rắn. Dung dịch rắn là  Kim loại là dung môi vẫn
KL dung môi
một hệ đồng nhất có thành phần bảo tồn kiểu mạng của
biến đổi gồm từ 2 cấu tử trở lên. mình tùy theo đặc tính
 Hợp kim có cấu tạo một pha là phân bố của nguyên tử

DD rắn thế
hợp chất hoá học. hòa tan và dung môi
 Hợp kim có cấu tạo bởi 2 hay

nhiều pha.
DD rắn lẫn
73 74
2.2.4.CẤU TRÚC VẬT LIỆU GỐM SỨ 2.2.4.CẤU TRÚC VẬT LIỆU GỐM SỨ
Đơn vị cấu trúc cơ bản của các silicát Đơn vị cấu trúc cơ bản của các silicát
[SiO4]4- [SiO4]4-
 các tứ diện [SiO4]4- có thể tồn
 Silicát là các hợp chất trên cơ sở
tại độc lập hoặc liên kết với
đa diện phối trí của cation Si4+,
nhau qua các đỉnh, đường hoặc
 Các tứ diện [SiO4]4- có thể liên
mặt, chúng có thể tạo cấu trúc
kết với nhau hoặc liên kết với
mạch vô hạn hoặc hữu hạn, có
cation khác để đảm bảo mạng
thể tạo cấu trúc vòng, chuỗi,
lưới cấu trúc trung hòa điện
băng, lớp, khung…

75 76
19
1/5/2018
Đơn vị cấu trúc cơ bản của các silicát Các đa diện [SiO4]4- độc lập (Nesosilicates).
[AlO6]9-
 các tứ diện [SiO4]4- không liên
 Cation Al3+có số phối trí 6. kết trực tiếp với nhau, chúng liên
 Bát diện nhôm kết hợp tứ diện kết thông qua các ion loại khác.
SiO2 tạo thành cấu trúc vô vàn  Các khoáng [SiO4]4- độc lập
và hầu như toàn bộ khoáng vật thường có mật độ và độ cứng
liệu vô cơ cao, khó bóc tách. Các khoáng
như Olivin, thuộc về nhóm cấu
trúc này

77 78
Đa diện cặp đôi [Si2O7]6- (sorosilicate) Đa diện [SiO4]4- tạo vòng (xyclosilicate)
 Hai đa diện [SiO4]4- nối nhau

 Các silicát tạo vòng có các nhóm
bằng một oxy cầu, tạo đơn vị
cấu trúc đặc trưng [Si3O9]6-,
cấu trúc mới [Si2O7]6- đặc
[Si4O12]8-, và [Si6O8]12-
trưng cho các nhóm cặp đôi
 Các silicát cấu trúc vòng có mật
 Trong cấu trúc vẫn có thể còn
độ thấp, độ cứng tương đối cao
có các tứ diện [SiO4]4- tồn tại
độc lập Cordierite
Rankinite Ca3[Si2O7] (Mg,Fe)2Al3[AlSi5O18]

79 80
20
1/5/2018
Các silicate tạo xích vô hạn (Inosilicate) Silicát cấu trúc tấm, lớp
 liên kết vô hạn trải rộng

 Các tứ diện [SiO4]4- có thể liên 2
theo hai hướng ưu tiên ( ),
kết với nhau với kích thước vô
ta có cấu trúc tấm, hoặc lớp
hạn, dạng tinh thể hình kim, sợi.
 các đa diện phối trí liên kết
 Đặc trưng cho cấu trúc loại này
với nhau qua ba đỉnh và sắp
là các oxy cầu, nối các ion Silic:
xếp ở dạng lục giác sít chặt
Si-O-Si-O
Enstatite hoặc giả lục giác sít chặt
Mg 2 [ Si 2 O 6 ] | Caolinite


81 82
2.2.4.CẤU TRÚC VẬT LIỆU GỐM SỨ 2.2.5.CẤU TRÚC VẬT LIỆU POLYME
Silicát cấu trúc khung Cấu trúc mạch Polyme
 liên kết các tứ diện phát

2
triển 
theo cả ba chiều
không gian
 mọi ion O2- trong tứ diện
đều là oxy cầu, sẽ tạo cấu  mạch cacbon trong mặt phẳng (a),
trúc khung trong không gian (b) và hình dạng

mạch trong không gian với nhiều chỗ
Cristoballit uốn, lượn, gập, vòng (c,d)

83 84
21
1/5/2018
2.2.5.1. CẤU TRÚC MẠCH POLYME 2.2.5.1. STRUCTURE OF POLYMER CHAINS

1.Phân loại theo cấu trúc mạch Polyme thẳng (linear polymer)
 Các me liên kết với nhau thành một

mạch duy nhất.
 Về mặt cấu trúc
 Liên kết giữa các mạch thẳng là loại Van
mạch được chia ra
der Waals
bốn loại: thẳng,
 Các polyme thông dụng có cấu trúc mạch
nhánh, lưới và không
thẳng là PE, PVC, PS, PMMA. Chúng
gian
thường là nguyên liệu chính để chế tạo
polyme với các kiểu mạch khác.

85 86
2.2.5.1. STRUCTURE OF POLYMER CHAINS 2.2.5.1. STRUCTURE OF POLYMER CHAINS

Polyme nhánh (branched polyme) Polyme lưới (crosslinked polyme)
 Là loại có những mạch ngắn hơn nối vào  các mạch cạnh nhau trong polyme này
mạch chính. được nối với nhau bằng liên kết đồng hóa
 Các mạch ngắn được hình thành từ phản trị ở một số vị trí trên mạch
ứng phụ trong quá trình tổng hợp  quá trình tạo mạch lưới : cho thêm các
polyme. nguyên tử hoặc phân tử có thể tạo nên
 Vì vướng các mạch nhánh, các mạch liên kết đồng hóa trị với mạch chính, như
chính không thể nằm sát bên nhau, do cao su có loại mạch này nhờ lưu hóa
vậy có khối lượng riêng nhỏ hơn

87 88
22
1/5/2018

Polyme mạch không gian (network polyme) 2.Phân loại theo sự phân bố nhóm thế trên mạch
 Các me ba chức năng có ba liên

 những nguyên tử (như F, Cl) và
kết đồng hóa trị hoạt, hình thành
những nhóm nguyên tử (như
nên lưới không gian ba chiều
CH3, C6H5) liên kết với nguyên tử
 Polyme gồm bởi các me ba chức Me Đầu nối đuôi
cacbon → nhóm thế R
năng được gọi là polyme không
 Sự phân bố của những nhóm này
gian.
có ảnh hưởng quan trọng đến
 Các polyme không gian có tính
tính chất của polymer
chất cơ, nhiệt đặc biệt, điển hình
Đầu nối đầu
là nhựa epoxy
89 90

2.Phân loại theo sự phân bố nhóm thế trên mạch Các dạng đồng phân
 phân tử polymer cùng thành phần  R ở cùng một bên

hóa học nhưng sự sắp xếp nhóm mạch carbon (izotactic)
thế khác nhau gọi là đồng phân
Me Đầu nối đuôi  Đồng phân không gian là hiện  R ở cả hai bên mạch
tượng tuy cùng có cấu trúc (ví dụ Carbon (syndiotactic)
đầu nối đuôi) nhưng sự sắp xếp
nhóm thế có thể khác nhau.
 R ngẫu nhiên (atactic)
Đầu nối đầu

91 92
23
1/5/2018

3.Polyme đồng trùng hợp (copolyme) 3.Polyme đồng trùng hợp (copolyme)
 polyme đồng trùng hợp với  Khối (hình c): các monome
tính chất đa dạng hơn để thứ nhất phản ứng với
đáp ứng nhu cầu kỹ thuật nhau thành khối, liên kết
 Ngẫu nhiên (hình a): các với khối của monome thứ
monome phân bố không hai.
theo quy luật  Ghép (hình d): mạch chính
 Xen kẽ (hình b): các là một monome, còn các
monome phân bố nối tiếp nhánh là thuộc monome
lẫn cho nhau khác
93 94
2.2.5.2. CRYSTAL STRUCTURE OF POLYMERS 2.2.5.2. CRYSTAL STRUCTURE OF POLYMERS

Khái niệm Tinh thể polyme và tiểu cầu

 Khi tồn tại ở dạng tinh thể, trật
 Khác với kim loại thường tự sắp xếp của polyme là mạch
tồn tại ở trạng thái tinh phân tử.
thể, các polyme thường tồn  Trong polyme tinh thể các
tại ở cả hai trạng thái tinh mạch sẽ sắp xếp sao cho các
thể và vô định hình nguyên tử ở trong một trật tự
nhất định
Mạng tinh thể PE và ô cơ sở

95 96
24
1/5/2018

Tinh thể polyme và tiểu cầu Tinh thể polyme và tiểu cầu
 trạng thái tinh thể của polyme
 một số các polyme kết tinh từ
theo mô hình mạch gấp cho ta
trạng thái nóng chảy tạo
quan niệm chính xác hơn về cấu
thành các tiểu cầu (spherulit)
trúc này
spherulite  tiểu cầu là các tấm (dày ~
 các tinh thể polyme có hình dạng
10nm) tinh thể mạch gấp và
đều đặn, là tấm mỏng với chiều
vô định hình đan xen nhau,
Cấu trúc mạch gấp của dày cỡ 10nm và chiều dài cỡ
tấm polyme tinh thể hướng từ tâm ra ngoài
10µm, được tạo thành từ các
 tiểu cầu được xem như là
mạch phân tử tự gấp đi gấp lại
những hạt như trong kim loại
nhiều lần
Đoàn Mạnh Tuấn Đoàn Mạnh Tuấn và ceramic đa tinh thể
97 98

Mức độ kết tinh Mức độ kết tinh

 polyme gồm bởi các mạch và bất  Mức độ kết tinh của polyme dao
cứ loại polyme nào cũng gồm hai động rất mạnh từ không (0) đến
vùng: vùng tinh thể (các mạch sắp gần như hoàn toàn (95%) phụ
xếp thứ tự) và vùng vô định hình thuộc vào tốc độ làm nguội khi
(các mạch sắp xếp ngẫu nhiên) đông rắn và hình thái cấu tạo của
(hình a) mạch
 polyme gồm các tiểu cầu trong đó  polyme phải được làm nguội chậm
các tấm tinh thể xuất hiện như để các mạch có thời gian chuyển
những vạch sáng, vùng tối giữa các động và sắp xếp lại theo trật tự tạo
tiểu cầu là miền vô định hình (h.b) tinh thể
99 100
25
1/5/2018
2.2.5.2. CRYSTAL STRUCTURE OF POLYMERS 2.3. DISLOCATIONS CRYSTAL STRUCTURES

Mức độ kết tinh 2.3.1. Sai lệch điểm

 Mạch nhánh gây khó khăn cho
sai lệch có
quá trình dịch chuyển sắp xếp
kích thước
 Các đồng phân cũng ảnh hưởng
rất nhỏ theo
đến kết tinh
ba chiều
 Polyme tinh thể bền hơn và nóng
không gian
chảy ở nhiệt độ cao hơn, có khối
bao quanh
lượng riêng cao hơn so với
một điểm.
polyme vô định hình.

101 102
2.3. DISLOCATIONS CRYSTAL STRUCTURES 2.3. DISLOCATIONS CRYSTAL STRUCTURES

2.3.1. point defects 2.3.1. point defects

Tương tự khi anion
xâm nhập mạng lưới
tinh thể làm xuất
hiện lỗ trống anion
Số lượng lỗ trống trong tinh thể có thể được xác định
 Ns: số lượng nút mạng (ngtử/m3)

Quá trình xâm nhập hay mất đi của các ion, để đảm bảo sự
NV=NS exp(-QV/kBT)  Qv: năng lượng tạo lỗ trống (J/mol, eV/mol)
tồn tại của cấu trúc thì tổng thể bao giờ cũng phải trung  kB : hằng số Boltzmann
hòa về điện tích = 1.38x10-23 J/ngtử.K hoặc 8.62 x10-5 eV/ngtử.K

103 104
26
1/5/2018

2.3.2. Sai lệch đường (dislocation line) Lệch biên (edge dislocation line)
C
B
D  chèn thêm bán mặt ABCD
là loại có kích thước nhỏ (cỡ vào nửa phần trên của
A
kích thước nguyên tử) theo mạng tinh thể lý tưởng
hai chiều và lớn theo chiều  bán mặt làm cho các mặt
thứ ba, tức có dạng của một phẳng nguyên tử khác nằm
đường (đường ở đây có thể là về hai phía trở nên không
thẳng, cong, xoáy trôn ốc). A D
hoàn toàn song song với
nhau nữa
 sự xô lệch này kéo dài theo
Đoàn Mạnh Tuấn Đoàn Mạnh Tuấn đường AD được gọi là trục
105 106
lệ h

Lệch xoắn (screw dislocation) 2.3.2. Sai lệch mặt (grain boundary dislocation)
 cắt tinh thể ABCD rồi Sai lệch mặt là loại sai lệch có
trượt dịch hai mép ngoài kích thước lớn theo hai chiều
ngược chiều nhau đi một đo và nhỏ theo chiều thứ ba,
hằng số mạng trên tức có dạng của một mặt
đường DC
 các nguyên tử trong
vùng hẹp giữa hai đường
AB và DC sắp xếp lại có
dạng đường xoắn
107 108
27
1/5/2018
2.3. DISLOCATIONS CRYSTAL STRUCTURES

2.3.2. Sai lệch bề mặt tinh thể
Thanks!

109 110
KHUẾCH TÁN TRONG VẬT LIỆU

VẬT LIỆU HỌC
Khoa CN Hóa
Nội dung
(Material Science )
Chương 3
3.4. 3.6.
QUÁ TRÌNH KHUẾCH TÁN 3.1. 3.2. Năng Các
3.3. Cơ 3.5. Hệ
TRONG VẬT LIỆU Giới Phân lượng yếu tố
chế số KT
thiệu loại hoạt ảnh
(8 tiết) hóa hưởng

http://www.doanmanhtuan.name.vn ThS.Đoàn Mạnh Tuấn 112
28
1/5/2018
3.1.KHÁI NIỆM VÀ ỨNG DỤNG 3.1.KHÁI NIỆM VÀ ỨNG DỤNG

Khái niệm Các ứng dụng quá trình khuếch tán
 Tạo lớp thấm bề mặt kim loại:

Tạo lớp phủ khuếch tán trong
là sự chuyển chất
quá trình gia công gia bề mặt
nhằm cân bằng thế.
kim loại
Ở đây ta chỉ xét
khuếch tán do Carbon, Silic, Nhôm thường
chênh lệch nồng độ được khuếch tán vào thép làm
thay đổi tính chất của bề mặt
vật liệu, làm sản phẩm tăng
độ cứng, độ chống ăn mòn…
113 114

Các ứng dụng quá trình khuếch tán Các ứng dụng quá trình khuếch tán
 Hợp chất ceramics dẫn
điện (ion, electrons,…):
 Tạo hợp chất trung gian
chiếm một phần quan
trên bề mặt các lớp bán
trọng công nghệ vật liệu
dẫn: Công nghệ tạo hợp
màng dẫn (màng ITO
chất bán dẫn đặc biệt
trong solar cell), hoặc
trong công nghiệp bán dẫn
trong công nghệ pin nhiên
liệu (LiCoO2 – pin lithium),
màn hình cảm ứng..
115 116
29
1/5/2018

Các ứng dụng quá trình khuếch tán Các ứng dụng quá trình khuếch tán
 Ngăn chặn quá trình  Công nghệ chống ăn

khuếch tán: công mòn bằng màng oxi
nghệ quan trọng hóa: tạo màng nhôm
của một số ngành. oxit (không màu,
Ví dụ màng bán không nhận diện bằng
thấm trong y học mắt thường) để bảo vệ
vật liệu

117 118
3.2. PHÂN LOẠI KHUẾCH TÁN 3.2. PHÂN LOẠI KHUẾCH TÁN
Khuếch tán lỗ trống (vacancy diffusion) Khuếch tán xen kẽ (interstitial diffusion)
 Phần tử nhỏ đang nằm

xen kẽ có năng lượng
đủ lớn khuếch tán vào
vị trí xen kẽ khác
 Phần tử nhận năng lượng nhảy vào ô trống bên cạnh tạo
ra ô trống vị trí nơi nó vừa rời đi. Như vậy, ô trống đã
dịch chuyển từ phải qua trái một đơn vị ô mạng
119 120
30
1/5/2018
3.2. PHÂN LOẠI KHUẾCH TÁN 3.2. PHÂN LOẠI KHUẾCH TÁN
Khuếch tán Frenkel (frenkel defects) Khuếch tán trao đổi (direct exchange mechanism)
 Phần tử trong nút

mạng nhảy về vị trí xen
kẽ, làm xuất hiện ô
trống tại nút mạng
 Các phần tử trong nút mạng dao động, đổi vị trí cho
nhau

121 122
3.3. CƠ CHẾ CỦA SỰ KHUẾCH TÁN 3.3. CƠ CHẾ CỦA SỰ KHUẾCH TÁN
Điều kiện có khuếch tán Cơ chế khuếch tán (diffusion mechanisms)
 Khuếch tán chất khí và chất

 Tồn tại vị trí trống
lỏng: chuyển động ngẫu
bên cạnh
nhiên (chuyển động Brown)
 Năng lượng đủ lớn
 Khuếch tán chất rắn:
khuếch tán qua lỗ trống
hoặc khuếch tán qua khe hở

123 124
31
1/5/2018
3.3. CƠ CHẾ CỦA SỰ KHUẾCH TÁN 3.3. CƠ CHẾ CỦA SỰ KHUẾCH TÁN
Khuếch tán lỗ trống (vacancy diffusion) Khuếch tán xen kẽ (interstitial diffusion)
 Phần tử từ nút mạng sẽ di
chuyển đến nút trống lân cận
theo cơ chế khuếch tán nút trống
 Mức độ khuếch tán theo cơ chế
nút trống là một hàm của số nút
trống có mặt trong mạng
 Ng.tử từ vị trí xen kẽ này sẽ di chuyển đến vị trí xen kẽ
 Nút trống và nguyên tử khuếch tán ngược chiều nhau lân cận khác còn trống
 khuếch tán Frenkel và khuếch tán trao đổi cùng theo cơ  thường gặp: các tạp chất như H, C, N và oxy có kích
chế này thước đủ nhỏ để nằm trong các vị trí xen kẽ
125 126
3.4. NĂNG LƯỢNG HOẠT HÓA 3.5. HỆ SỐ KHUYẾCH TÁN

Năng lượng hoạt hóa khuếch tán Khái niệm
 Là năng lượng cần thiết  Tốc độ dòng khếch tán j

để một phần tử tách ra (diffusion flux): Là khối
khỏi vị trí bền của nó lượng vật chất chuyển
 khuếch tán xen kẽ qua một đơn vị diện tích
thường bao giờ cũng trong một đơn vị thời
xảy ra nhiều hơn gian. (mol/cm2.s)
khuếch tán qua các lỗ
 Nếu dòng khuếch tán không thay đổi theo thời gian thì gọi
do nhỏ hơn, năng
là khuếch tán ở trạng thái ổn định (steady-state diffusion)
lượng KT nhỏ hơn
127 128
32
1/5/2018
3.5. HỆ SỐ KHUYẾCH TÁN 3.5. HỆ SỐ KHUYẾCH TÁN

Tốc độ dòng khuếch tán Định luật Fick I
(g/cm2.s)
J . (g/cm2.s)
.
Trong đó:
Trong đó m : Khối lượng Ji – mật độ dòng khuếch tán
S: Diện tích Di – hệ số khuếch tán của cấu tử i

Ci – nồng độ cấu tử I
t: thời gian
– khoảng cách khuếch tán

129 130

Khuyếch tán ổn định  Nếu dòng khuếch tán Ji không Khuyếch tán ổn định Ví dụ 1:
thay đổi theo thời gian
 Hệ số khuếch tán Di không Một miếng sắt đặt ở nhiệt độ 700°C (1300°F) trong môi trường có
phụ thuộc vào nồng độ Ci một phía giàu carbon và phía kia nghèo carbon. Trong điều kiện
 Nồng độ (áp suất) của tạp trạng thái ổn định, hãy tính dòng khuếch tán carbon đi qua miếng sắt
chất khuếch tán ở 2 phía của biết nồng độ carbon ở vị trí 5 mm và 10 mm bên dưới bề mặt được
∆ bản mỏng giữ không đổi carbur hóa lần lượt là 1,2 và 0,8 kg/m3, hệ số khuếch tán ở nhiệt độ
∆ này là 3×10-11m2/s.
∆
∆

131 132
33
1/5/2018

Khuyếch tán ổn định Khuyếch tán ổn định Ví dụ 2:

Methylene chloride là hoạt chất phụ gia trong chất tẩy sơn. Chất này
3
g/m gây nên ngứa và có khả năng thấm qua da. Người sử dụng phải mang
.2k 3
=1 m
C1 kg/
= 0.8 bao tay. Nếu sử dụng bao tay cao su có bề dày 0.04 cm. Xác định
Carbon C2 Steady State =
rich straight line! C2  C 1  9 kg dòng khuếch tán qua bao tay này.
gas J  D 2 . 4  10
Carbon x2  x 1 m 2s
deficient Hệ số khuếch tán của cao su:
gas
D=3x10 -11 m 2 /s D = 110 x10-8 cm2/s
0 x1 x2
Nồng độ bề mặt: C1 = 0,44 g/cm3 C2 = 0,02 g/cm3
10
5m
m
m
(0.02 g/cm 3  0.44 g/cm 3 ) g

J   (110 x 10 - 8 cm 2 /s)  1.16 x 10 -5
(0.04 cm) cm 2s
133 134

Định luật Fick II Định luật Fick II  Mô tả chênh lệch nồng độ ở

 Nồng độ thay đổi theo thời khoảng cách x khuếch tán một
gian chiều ổn định theo thời gian t
 Là trường hợp của đa số các bằng phương trình C= f(x,t)
quá trình khuếch tán trong  Đây là phương trình vi phân,
thực tế trong đó nồng độ cấu tử i là hàm
 Dòng khuếch tán J và số, biến số là khoảng cách x và
Profile nồng độ của khuếch gradient nồng độ ở những thời gian .

tán trạng thái động ở 3 thời điểm khác nhau trong chất
 Trong thực tế có thể giải bằng
điểm khác nhau rắn thay đổi theo thời gian
phương pháp số, …
135 136
34
1/5/2018

Giải quyết bài toán Giải quyết bài toán
,
1 erf 1 er f
2.
Một số giả thiết được đặt ra:
 Trước khi khuếch tán các nguyên tử chất tan trong chất Trong đó: Chiều khuếch tán
rắn được phân bố đều với nồng độ C0. C(x,t) = Nồng độ tại x và thời gian t
Cx C0
Cs
 Giá trị x ở bề mặt bằng 0 và tăng theo khoảng cách từ bề Cs : nồng độ ở bề mặt tại x = 0
mặt vào trong chất rắn. C0 : Nồng độ tại thời điểm ban đầu x
 Thời gian được tính bằng 0 ở thời điểm bắt đầu quá trình có trong thép
khuếch tán.
137 138

Giải quyết bài toán Giá trị erf(z) (có hàm erf trong excel từ 2007)
C x , t   C o  x 
 1  erf  
Cs  Co  2 Dt 
Trong đó:
C(x,t) = Nồng độ tại x và thời gian t
Chiều khuếch tán
Cs : nồng độ ở bề mặt tại x = 0
C0 : Nồng độ tại thời điểm ban đầu
Cx C0
Cs
có trong thép
x
139 140
35
1/5/2018

Ví dụ 1: Giải:
Một thanh thép chứa 0,25% cacbon (phân bố đồng đều) được
nung nóng trong môi trường giàu khí hydrocarbon (CH4) ở Ta có: Cs=1,2% C0=0,8% C0=0,25%
950°C (1750°F). Nếu nồng độ carbon trên bề mặt được nâng C0 = 0,25%; Cs = 1,2%
0,5 mm
lên và duy trì ở mức 1,20% thì cần bao lâu để đạt được nồng Cx = 0,8 % ;
độ carbon 0,80% ở độ sâu 0,5 mm tính từ bề mặt. Biết hệ số x = 0,5 mm = 5.10-4m
D = 1,6.10-11 m2/s
khuếch tán của carbon vào sắt ở nhiệt độ này là 1,6×10-
11m2/s
0,8 0,25 5. 10
và giả thiết rằng thanh thép là bán vô hạn. 1
1,2 0,25
2. 1,6. 10 .
Giải ,
1 1 62,5
2. 0,4210
141 142
3.5. HỆ SỐ KHUYẾCH TÁN 3.6. CÁC YẾU TỐ ẢNH HƯỞNG

Giải: 3.6.1. Thành phần khuếch tán

62,5
0,4210 erf
Chất khuếch tán (diffusing species)
Theo bảng, ta chỉ có
và Vật liệu nền (host material) đều
ảnh hưởng đến hệ số khuếch tán
Vậy ta phải dùng phương pháp nội suy
 Kích thước nguyên tử
 Độ mở của mạng tinh thể
 Điện tích ion

143 144
36
1/5/2018
3.6. CÁC YẾU TỐ ẢNH HƯỞNG 3.6. CÁC YẾU TỐ ẢNH HƯỞNG
3.6.1. Thành phần khuếch tán 3.6.1. Thành phần khuếch tán

145 146
Trong đó: Trong đó:
3.6.2. Nhiệt độ 3.6.2. Nhiệt độ
1
.
D0 – Hệ số khuếch tán trong nền [m2/s]

Từ sơ đồ : Hệ số khuếch tán C in
Qd - Năng lượng hoạt hóa khuếch tán [J/mol or eV/atom]
α-Fe, C in γ-Fe (khuếch tán xen
R - Hằng sốkhí [8.314 J/mol.K, 8.62x10-5 eV/atom.K)]
kẽ) lớn hơn so với Fe in α-Fe, Fe in
T - Nhiệt độ tuyệt đối [K]
γ-Fe (khuếch tán thay thế).
147 148
37
1/5/2018
Ví dụ 1: Ví dụ 2:
Sử dụng số liệu trong bảng, tính hệ số khuếch tán của Mg Tại 300ºC hệ số khuếch tán và năng lượng hoạt hóa
trong nền Al tại 550ºC? khuếch tán cho Cu trong Si:
Giải: D(300ºC) = 7.8 x 10-11 m2/s; Qd = 41.5 kJ/mol
Tra từ bảng ta có các thông số khuếch tán của Mg trong Tính hệ số khuếch tán của Cu tại 350ºC?
nền Al là: D0 = 1,2.10-4m2/s và Qd = 130kJ/mol Giải:
D2 Q 1 1  Q  1 1 
lnD2  lnD1  ln  d  T  T  D 2  D1 exp   d  T  T  
130000
D1 R  2 1  R  2 1 
. 1,2. 10 . exp
8,314. 273 550   41,500 J/mol  1 1 
= 6,7.10‐13 m2/s D 2  ( 7 .8 x 10 11 m 2 /s) exp    
 8 .314 J/mol - K  623 K 573 K  
D2 = 15.7 x 10-11 m2/s

149 150
Ví dụ 3: Ví dụ 3:
Hợp kim FCC sắt-cacbon ban đầu chứa 0.20% C được C0 = 0,2 % Cs = 1,0 Cx = 0,35%
cacbua hóa tại nhiệt độ, áp suất đã định với nồng độ X= 4.10-3 m t = 49,5 h
cacbon tại bề mặt đạt 1.0%. Nếu sau 49.5 h, nồng độ D0 = 2,3.10-5 m2/s Qd = 148.000 j/mol
cacbon là 0.35% tại vị trí 4.0 mm dưới bề mặt. Xác định 0,35 0,20
Ta có: C x ,t   Co  1  erf  x  1 er f
nhiệt độ tại đó quá trình được tiến hành. Biết các thông số Cs  Co 1,00 0,20
 2 Dt 
erf(z) = 0.8125
khuếch tán của C trong Fe FCC là D0= 2.3 x 10-5 m2/s, Qd
= 148,000 J/mol Tìm giá trị của z tương ứng với erf(z) là 0.8125
thông qua nội suy từ bảng số liệu của erf(z) đã cho
z  0 . 90 0 . 8125  0 . 7970
 z = 0.93
0 . 95  0 . 90 0 . 8209  0 . 7970
151 152
38
1/5/2018
x
Ví dụ 3: z 3.6.3. Cấu trúc vật liệu
2 Dt
 x2  ( 4 x 10  3 m) 2 1h
D    2 . 6 x 10  11 m 2 /s khả năng tăng tốc độ khuếch tán
 4 z 2t  ( 4 )( 0 . 93 ) 2 ( 49 . 5 h) 3600 s
   Cấu trúc tinh thể mở
 Vật liệu có tỷ trọng thấp
1
 Vật liệu có nhiệt độ nóng chảy
thấp
Qd 148,000 J/mol
T    Vật liệu liên kết yếu (Thứ cấp)
R (lnDo  lnD ) (8.314 J/mol - K)(ln 2.3x10 5 m 2 /s  ln 2.6 x10 11 m 2 /s)
 Vật liệu đa tinh thể
T = 1300K ~ 1027oC
153 154
VẬT LIỆU HỌC

Khoa CN Hóa
(Material Science )
Thanks for your Chương 4

the attention
TÍNH CHẤT CƠ BẢN CỦA
VẬT LIỆU
(16 TIẾT)

155
39
1/5/2018
TÍNH CHẤT CƠ BẢN VẬT LIỆU 4.1. TÍNH CHẤT CƠ

Nội dung 4.1.1 Khái niệm
Ứng suất nén (kéo) kỹ thuật
4.3. Tính
4.1. Tính 4.2. Tính 4.4. Tính
chất quang Độ biến dạng kỹ thuật (dùng
chất cơ chất điện chất nhiệt
và từ cho cả kéo và nén)
dương trong trường hợp kéo, ∆

âm trong trường hợp nén
157 158
4.1. TÍNH CHẤT CƠ 4.1.2. BIẾN DẠNG ĐÀN HỒI

4.1.1 Khái niệm Biểu đồ kéo biến dạng đàn hồi
Ứng suất trượt (Tải áp dụng song  Ban đầu (F<Fđh): khi tải
song với mặt trên và mặt dưới ) trọng tăng, độ dãn dài
tăng theo quy luật đường
thẳng và chậm (đoạn
Oe).
Biến dạng trượt
 Khi bỏ tải trọng, kích thước mẫu lại trở về vị trí ban đầu.
θ là góc trượt Giai đoạn này gọi là biến dạng đàn hồi

159 160
40
1/5/2018
4.1.2. ELASTIC DEFORMATION 4.1.2. ELASTIC DEFORMATION

Ứng suất pháp  Biến dạng đàn hồi là biến Ứng suất tiếp
Đối với trạng thái ứng suất
dạng bị mất đi sau khi bỏ tải tiếp đơn giản
trọng. Biến dạng đàn hồi
tuân theo định luật Hooke τ=G.γ (2)
 Với trạng thái ứng suất

pháp đơn giản
G - môđun trượt hay mođun xê dịch;
γ - độ xê dịch .
σ = E. ε (1)
E – là môđun đàn hồi pháp tuyến hay môđun Young
ε – là độ biến dạng.
161 162
4.1.2. BIẾN DẠNG ĐÀN HỒI 4.1.2. ELASTIC DEFORMATION

Hệ số Poisson  quan hệ giữa sự dãn dài theo phương giá trị E và G của một số kim loại thông dụng
tác dụng lực và biến dạng theo
phương vuông góc với lực tác dụng
∆ ∆
(Kim loại : ~ 0.33 , ceramics: ~ 0.25, polymer: ~ 0.40)
 Giữa môđun đàn hồi

E và môđun xê dịch
2 1
G, có mối quan hệ
163 164
41
1/5/2018
4.1.2. ELASTIC DEFORMATION 4.1.2. ELASTIC DEFORMATION

Sự thay đổi mạng tinh thể khi biến dạng đàn hồi Sự thay đổi mạng tinh thể khi biến dạng đàn hồi
a) Trước khi biến dạng; b) Biến dạng đàn hồi do ứng  Biến dạng đàn hồi xảy ra do cả ứng suất tiếp lẫn ứng suất pháp
 Dưới tác động của ứng suất pháp và ứng suất tiếp, các nguyên tử
suất pháp tuyến; c) Biến dạng đàn hồi do ứng suất tiếp;
chỉ dịch chuyển đi khoảng cách không quá một thông số mạng
d) Sau khi bỏ tải trọng
 Thông số mạng tăng từ a lên a+ ∆a, tức chưa sang vị trí cân
bằng mới nên khi bỏ tải trọng lại trở về vị trí cân bằng cũ

165 166
4.1.3. BIẾN DẠNG DẺO 4.1.3. PLASTIC DEFORMATION

Biểu đồ kéo giai đoạn biến dạng dẻo Trượt là hình thức chủ yếu của biến dạng dẻo
 Khi tải trọng F>Fđh , biến  Khi biến dạng dẻo các nguyên tử di
dạng tăng nhanh, nếu bỏ chuyển một khoảng cách lớn hơn
tải trọng, kích thước mẫu một thông số mạng, nên khi bỏ tải
dài hơn trị số ban đầu l0. trọng nó trở về vị trí cân bằng mới.
-> biến dạng dẻo đi kèm  Biến dạng dẻo chỉ xảy ra do ứng
biến dạng đàn hồi suất tiếp. Khi biến dạng đàn hồi và
dẻo
 Tại điểm a, nếu ta ngưng tác dụng lực thì có hiện tượng
 Lực liên kết giữa các nguyên tử
biến dạng đàn hồi aa’ về a’. ta có aa’//oe. Biến dạng dư
vẫn được bảo tồn
oa’ gọi là biến dạng dẻo
167 168
42
1/5/2018
4.1.3. PLASTIC DEFORMATION 4.1.3. PLASTIC DEFORMATION

4.1.3.1. Trượt đơn tinh thể (single crystal slip) 4.1.3.1. Trượt đơn tinh thể (single crystal slip)
Mặt trượt (slip plane) Mặt trượt (slip plane)
 liên kết giữa các nguyên tử đối diện  Do mật độ khối không thay
nhau sẽ bị đứt đi, song liên kết giữa đổi nên khoảng cách giữa
các nguyên tử cạnh nhau trong mỗi hai mặt có mật độ nguyên
mặt vẫn được bảo toàn. tử lớn nhất này cũng là lớn
 các mặt tinh thể này phải có mật độ nhất -> liên kết yếu nhất
nguyên tử lớn nhất (hay khoảng
cách nguyên tử nhỏ nhất) và nhờ đó
 Do có liên kết yếu nhất, dễ bị đứt, vì thế hai mặt này dễ dịch
có liên kết vững chắc nhất.
chuyển với nhau
169 170

4.1.3.1. Trượt đơn tinh thể (single crystal slip) 4.1.3.2. Trượt đa tinh thể (Polycrystalline slip)
 Schmid's Law - slip stresses a/Các hạt bị biến dạng không đều
 hạt nào có định hướng thuận lợi
Fr = F cos λ
với sự trượt sẽ trượt trước với ứng
. suất bé, ngược lại hạt nào có định
. .
hướng không thuận lợi sẽ trượt
sau với ứng suất lớn hơn, thậm
. . chí có hạt không thể trượt được

171 172
43
1/5/2018

4.1.3.2. Trượt đa tinh thể (Polycrystalline slip) 4.1.3.2. Trượt đa tinh thể (Polycrystalline slip)
b/Có tính đẳng hướng: c/ Có độ bền cao hơn

Do sự định hướng mang tính ngẫu  Vùng biên hạt có sắp xếp không
nhiên cho nên dù lực bên ngoài tác trật tự tạo nên vùng cản trượt.
dụng như thế nào cũng cho một kết  Chính do có nhiều cản trở như
quả chung như nhau, tức có tính vậy, để trượt được nói chung phải
đẳng hướng (tuy từng hạt vẫn có tác dụng lực cao hơn, nói khác đi
tính dị hướng nhưng tổng hợp lại là có độ bền cao hơn độ bền trung
đẳng hướng).

173 174

4.1.3.2. Trượt đa tinh thể (Polycrystalline slip) Tổ chức và tính chất của kim loại sau khi biến dạng dẻo
d/ Hạt càng nhỏ độ bền và độ dẻo a/ Mạng tinh thể ở xung quanh mặt trượt bị xô lệch có
càng cao: Do hạt nhỏ có tổng diện khuynh hướng bị kéo dài, bẹt ra theo phương biến dạng -
tích biên hạt lớn hơn, sẽ cản trượt >kim loại có textua nó sẽ có tính dị hướng
mạnh hơn nên làm tăng độ bền.
σo - ứng suất cần thiết để lệch chuyển động

khi d → ∞ tức trong đơn tinh thể ,

k - hằng số biểu thị cấu trúc của biên hạt. Đoàn Mạnh Tuấn
175 176
44
1/5/2018

Tổ chức và tính chất của kim loại sau khi biến dạng dẻo Tổ chức và tính chất của kim loại sau khi biến dạng dẻo
b/ trong kim loại tồn tại ứng suất dư

do xô lệch mạng và biến dạng
không đều.
Nói chung ứng suất bên trong có hại
cho cơ tính, song cũng có trường
hợp người ta cố ý tạo nên lớp ứng
Áp dụng khá rộng rãi cho thép kỹ thuật điện để làm suất nén dư để nâng cao giới hạn
giảm tổn thất từ mỏi bằng cách lăn ép, phun bi

177 178

Tổ chức và tính chất của kim loại sau khi biến dạng dẻo Tổ chức và tính chất của kim loại sau khi biến dạng dẻo
c/ Do mạng tinh thể

bị xô lệch, cơ tính
kim loại thay đổi rất
mạnh theo chiều
hướng như sau :
 Tăng độ cứng.
 Tăng độ bền
 Giới hạn đàn hồi và giới hạn chảy tăng mạnh hơn,
179 180
45
1/5/2018

4.1.3.3. Nung kim loại sau khi biến dạng dẻo 4.1.3.3. Nung kim loại sau khi biến dạng dẻo
Trong nhiều trường hợp người ta

phải khôi phục lại trạng thái ban
đầu dẻo và mềm bằng cách nung
nóng lại, vì các lý do sau:
 Để tiếp tục biến dạng dẻo
 Để có thể gia công cắt
 Khử bỏ ứng suất bên trong để
tránh phá hủy giòn

181 182

4.1.3.3. Nung kim loại sau khi biến dạng dẻo 4.1.3.3. Nung kim loại sau khi biến dạng dẻo
a/ Hồi phục b/ Kết tinh lại:

 đó là các biến đổi nhỏ trong mạng  Đây là giai đoạn quan trọng nhất
tinh thể bị xô lệch như: giảm sai với các đột biến về cấu trúc mạng
lệch mạng nói chung, giảm mật độ tinh thể, tổ chức tế vi và tính chất
lệch và ứng suất bên trong..., trong  Khi nung nóng cao hơn nhiệt độ
khi đó tổ chức tế vi chưa biến đổi kết tinh lại -> quá trình hình
 Tính chất vật lý có thay đổi chút ít thành các hạt mới không có các
song cơ tính thì hầu như chưa thay sai lệch theo cơ chế tạo mầm và
đổi: vẫn còn ở trạng thái hóa bền phát triển mầm như kết tinh
183 184
46
1/5/2018

4.1.3.3. Nung kim loại sau khi biến dạng dẻo 4.1.3.4. Biến dạng nóng
c/ Kết tinh lại lần thứ hai: là biến dạng dẻo ở nhiệt độ cao hơn
 tiếp tục nâng cao nhiệt độ hay nhiệt độ kết tinh lại của nó
kéo dài thời gian giữ nhiệt sẽ có Hai quá trình đồng thời xảy ra:
quá trình sát nhập của các hạt  Biến dạng dẻo làm xô lệch mạng
nhỏ hơn bao quanh vào hạt lớn tạo nên hóa bền, biến cứng
 Sự phát triển hạt là quá trình tự  Kết tinh lại làm mất xô lệch mạng
nhiên vì nó làm giảm tổng biên gây ra thải bền, giảm độ cứng.
giới hạt do đó làm giảm tổng năng  sau biến dạng nóng cơ tính kim loại sẽ thay đổi theo chiều
lượng dự trữ hướng của quá trình mạnh hơn
185 186
4.1.3. PLASTIC DEFORMATION 4.1.4. PHÁ HỦY

4.1.3.4. Biến dạng nóng  Khi tải trọng đạt giá trị lớn
Ưu điểm: nhất (điểm b), trên vùng
 cải thiện được tổ chức kim loại. nào đó của mẫu xuất hiện
 không cần lực ép lớn mà vẫn biến dạng cục bộ hình cổ
đạt được lượng ép lớn, nhờ vậy thắt, tiết diện mẫu giảm
Tạo phôi bằng dập nóng (tốt),
có năng suất cao và gia công nhanh tại đó vết nứt xuất
được các phôi lớn và rất lớn. hiện, kích thước vết nứt
 Nhờ kết tinh lại nên không có tăng nhanh và cuối cùng
hoặc giảm được biến cứng, có gây phá hủy mẫu. Đó là
thể không phải ủ để thải bền. giai đoạn phá hủy.
Cắt từ một thỏi thép nguyên (xấu).
187 188
47
1/5/2018
4.1.4. METAL FRACTURE 4.1.4. METAL FRACTURE

Độ mềm dẻo (Ductility) Độ dãn dài

% . 100
Độ dãn tiết diện
% . 100
Đại lượng đặc trưng cho mức độ biến

a/ phá hủy giòn b/ và c/ phá hủy dẻo dạng dẻo của vật liệu tại thời điểm mẫu
thử bị phá hủy
189 190

4.1.4.1. Phá hủy trong điều kiện tải trọng tĩnh Cơ chế hình thành vết nứt tế vi: do lệch chuyển động
Vecter Burgers
Phá hủy dẻo phát triển với
tốc độ rất chậm, cần
nhiều năng lượng, trong
khi đó phá hủy giòn phát Chặn lệch
triển với tốc độ rất lớn tạo vết nứt
(khoảng 1000m/s), chỉ
cần năng lượng nhỏ
(mechanismus of crack formation)

191 192
48
1/5/2018

Cơ chế hình thành vết nứt tế vi: do lệch chuyển động Cơ chế hình thành vết nứt tế vi: do lệch chuyển động
(mechanismus of crack formation) (mechanismus of crack formation)

193 194

Cơ chế phá hủy (metal fracture mechanism) 4.1.4.2. Phá hủy trong điều kiện tải trọng động
(a) Biến dạng cổ chai

Sự phát triển
(b) Hình thành nứt tế vi
của vết nứt
(c) Hợp nhất tạo vết
nứt
(d) Vết nứt phát triển
nhanh tới hạn
(e) Phá hủy

195 196
49
1/5/2018

4.1.4.2. Phá hủy trong điều kiện tải trọng động 4.1.4.2. Phá hủy trong điều kiện tải trọng động
- Nửa chu kỳ đầu mẫu chịu kéo, lệch dịch chuyển trên mặt
trượt, thoát ra ở bề mặt và tạo ra ở đó bậc thang nhỏ
Nằm ở trên bề mặt là nơi chịu ứng suất kéo lớn nhất, tạo - Nửa chu kỳ tiếp theo mẫu chịu nén, lệch chuyển dời ngược
điều kiện thuận lợi cho sự tạo thành và phát triển vết nứt lại làm bậc thang cũ mất đi, bề mặt bằng phẳng như cũ

197 198
4.1.4. METAL FRACTURE 4.2. ELECTRICAL PROPERTIES

4.1.4.2. Phá hủy trong điều kiện tải trọng động 4.2.1 Sự dẫn điện
Định luật Ohm
- Nửa chu kỳ đầu mẫu chịu kéo, lệch dịch
chuyển trên mặt trượt, thoát ra ở bề mặt
và tạo ra ở đó bậc thang nhỏ
U  IR
- Nửa chu kỳ tiếp theo mẫu chịu nén, Điện trở suất (Resistivity)
lệch chuyển dời ngược lại làm bậc thang
cũ mất đi, bề mặt bằng phẳng như cũ
- Quá trình cứ xảy ra như vậy cho đến khi sự trở về không
hoàn toàn như chỗ bậc thang cũ -> vết nứt đầu tiên
199 200
50
1/5/2018
4.2.1 SỰ DẪN ĐIỆN 4.2.1 SỰ DẪN ĐIỆN

a/ Độ dẫn điện (Conductivity) a/ Độ dẫn điện (Conductivity)

201 202

b/ Cơ chế dẫn điện điện tử Bản chất dòng điện trong kim loại
 Khi có điện trường -> điện tử

sẽ có gia tốc không đổi cho
đến khi nó va chạm với nhân
của một nguyên tử -> Điện
tử bị dừng lại.
 Sau khi va chạm, điện tử lại
tăng tốc và tiếp tục thực hiện
chu kỳ tăng tốc – va chạm.
electric field

203 204
51
1/5/2018

Cơ chế dẫn điện điện tử Cơ chế dẫn ion

 Sự chuyển dịch của các ion trong
 Khi nhiệt độ tăng->biên độ
chất rắn ion sẽ tuân theo cơ chế
dao động của ng.tử càng lớn
khuếch tán.
tăng số lần va chạm. Vì vậy
 Sự khuếch tán thực hiện được nhờ
khi nhiệt độ tăng thì độ dẫn
sự có mặt của các ion và nút trống
điện của chất dẫn điện tử
 Khi đó các ion nhỏ khuếch tán qua
giảm (hình a)
các lỗ hổng trong cấu trúc theo cơ
 Tương tự hiện tượng khuyết
chế xen kẽ, còn ion lớn khuếch tán
tật mạng cũng làm giảm độ
qua các nút trống
electric field dẫn điện

205 206

Điện tử tự do (free electrons) c/ Cấu trúc vùng năng lượng trong vật rắn
 Quyết định độ dẫn điện điện

tử và độ lớn của độ dẫn điện
 Số lượng điện tử tự do phụ
thuộc vào việc phân bố các
trạng thái điện tử, mức năng
lượng và cả cách thức mà
điện tử định xứ trên đó
Vùng năng lượng các nguyên tử tách biệt

207 208
52
1/5/2018

c/ Cấu trúc vùng năng lượng trong vật rắn c/ Cấu trúc vùng năng lượng trong vật rắn
Vùng năng lượng tại

khoảng cách cân bằng
giữa các nguyên tử
khoảng cách
Khi ng.tử tiến vào nhau -> e nhiễu loạn ->Vùng năng lượng cân bằng giữa
Đoàn Mạnh Tuấn-> phụ thuộc vào khoảng cách giữa các nguyên tử Đoàn Mạnh Tuấn
các nguyên tử
209 210

c/ Cấu trúc vùng năng lượng trong vật rắn c/ Cấu trúc vùng năng lượng trong vật rắn
1S2 2S22p6 3S1

211 212
53
1/5/2018

d/ Các loại cấu trúc vùng năng lượng d/ Các loại cấu trúc vùng năng lượng
 Fermi Energy (Ef)  Fermi Energy (Ef) – trạng thái điền đầy cao nhất tại 0 K).
 Fermi Energy (Ef) –

trạng thái điền đầy
cao nhất tại 0 K).
T=0K T>0K
Sự phân bố năng lượng điện tự
theo hàm Fermi
Conductor (Metal) insulator Semiconductor
213 214

a half filled band (một nửa đầy) - Metal two overlapping bands (hai band chồng) - Metal
 Chỉ một phần của vùng năng

lượng lớp ngoài cùng được điền
có sự chồng lấn của vùng
đầy điện tử.
trống và vùng điền đầy.
 Cấu trúc năng lượng này là đặc Ef
Ma giê là một ví dụ của
trưng cho kim loại, đặc biệt là các
dạng này
loại vật liệu kim loại có điện tử
Ef
hóa trị s (ví dụ như đồng)

215 216
54
1/5/2018

Semiconductor and insulator e/ Dẫn điện theo mô hình liên kết nguyên tử
 một vùng được gọi là vùng
 chỉ các điện tử ở phía trên mức
hóa trị sẽ được điền đầy toàn
năng lượng Fermi mới có thể bị
bộ và tách biệt với vùng dẫn
tác động bởi nguồn điện trường
đang được để trống và một
Ef ngoài dẫn đến dịch chuyển
vùng cấm nằm giữa chúng
 Lỗ trống có năng lượng thấp
 Khác nhau chính là độ lớn của
hơn mức Ef và cũng tham gia
vùng cấm
vào quá trình dẫn điện
 Độ lớn vùng cấm (band gap)
insulator semiconductor của bán dẫn là 0,7 – 1,1 eV

217 218

Kim loại Chất bán dẫn và cách điện

 Để trở thành điện  E được kích thích vượt
tử tự do, e phải qua vùng cấm để tiếp
được kích thích cận các mức năng lượng
(excitation) vượt còn trống ở đáy vùng
qua mức năng dẫn. (lớn hơn năng
lượng Fermi lượng vùng cấm Eg).
 Với kim loại có rất nhiều vị trí trống ngay phía trên mức  Số lượng điện tử được kích thích nhiệt lên vùng dẫn phụ
Fermi nên mức năng lượng cần thiết để kích thích e rất thuộc vào độ rộng vùng cấm và nhiệt độ
nhỏ -> KL dẫn điện tốt
219 220
55
1/5/2018

f/ Độ linh động của điện tử g/ Độ dẫn điện của kim loại σ (Conductivity)
Tán xạ
 Độ dẫn điện σ của Kim loại Độ dẫn điện (Ω.m)-1
electron
vật liệu : Bạc 6.8x107
  n e e Đồng 6.0x107
Vàng 4.3x107
μe : Độ linh động điện tử Nhôm 3.8x107
n : số e tự do / m3 Đồng thau (Cu70-Zn30) 1.6x107
|e| : |1,6.10-19|C Sắt 1.0x107

Quãng đường dịch chuyển ròng
của electron Platin 0.94x107

 Độ dẫn điện σ của vật liệu :
221 222

h/ Điện trở suất của kim loại (resistivity) Ảnh hưởng của nhiệt độ
Định luật Matthiessen Điện trở suất
total  t  i  d t  o  aT
độ ệ
ạ ấ
ế ạ Đối với kim loại nguyên chất (pure) và những hợp kim
đồng-niken trên hình, trở kháng tăng tuyến tính với nhiệt
độ trên -200oC.
223 224
56
1/5/2018

Ảnh hưởng của pha tạp Ảnh hưởng của pha tạp
Điện trở suất
i  Aci (1ci )
ồ độ ạ ấ
A – Hằng số
2 loại tạp chất

Nguyên tử nicken trong đồng đóng
vai trò như tâm tán xạ, và việc   V  V
tăng nồng độ nicken trong đồng sẽ
V – phần thể tích
gây ra sự gia tăng trở kháng
225 226
4.2.1 SỰ DẪN ĐIỆN 4.2.2. SEMICONDUCTOR

Ảnh hưởng của biến dạng dẻo
Biến dạng dẻo cũng

làm tăng trở kháng do
sự gia tăng của các
điểm lệch gây tán xạ.
Ảnh hưởng của biến dạng yếu hơn rất nhiều Tính chất điện của những vật liệu này rất nhạy với sự
so với ảnh hưởng của nhiệt độ và pha tạp hiện diện của một lượng rất nhỏ tạp chất
227 228
57
1/5/2018
4.2.2. SEMICONDUCTOR 4.2.2. SEMICONDUCTOR

4.2.2.1 Bán dẫn thuần (intrinsic semiconductors) 4.2.2.1 Bán dẫn thuần (intrinsic semiconductors)
Khi e chưa bị kích thích Khi e bị kích thích
Miền hóa trị
0,7 – 1,1 eV
0,7 – 1,1 eV
Cấu trúc Si
(band gap: Eg=1,1 eV)
Miền dẫn tại 0 K e bay lên vùng dẫn -> tạo hole (lỗ trống) trong vùng hóa trị
229 230

Bản chất dòng chuyển động lỗ trống trong vùng hóa trị KL: Khi đặt vật liệu bán dẫn trong điện trường E
Xuất hiện
Các e bị kích thích
- Dòng Điện tử tự do
nhảy sang chiếm vị
trong miền dẫn chuyển
trí lỗ trống của
động tới cực (+)
nguyên tử kế bên,
- Dòng lỗ trống trong
tạo lỗ trống làm e
miền hóa trị chuyển
khác lại nhảy vào….
động tới cực (-)
Dòng lỗ trống chuyển động từ phải qua trái

231 232
58
1/5/2018

Độ dẫn điện bán dẫn thuần 4.2.2.2 Bán dẫn ngoại lai (extrinsic semiconductors)
Bán dẫn loại n (tạp chất là nguyên tử Phospho)
Điện tử tự do nồng độ n và lỗ trống
có nồng độ p. Suy ra: Nguyên tử Si có bốn
  n e e  p e  h điện tử, khi P ( 5 ng. tử)

ngoại lai -> thừa 1 e
e h electron od. Hole mobility (độ linh động ) (liên kết lỏng lẻo) ->
Chất bán dẫn thuần -> n  p  ni (Nồng độ chất mang điện tích) khi có kích thích nhỏ ->
e tự do
σ = n|e|(μe + μh) = p|e|(μe + μh)

233 234

4.2.2.2 Bán dẫn ngoại lai (extrinsic semiconductors) 4.2.2.2 Bán dẫn ngoại lai (extrinsic semiconductors)
Bán dẫn loại n (tạp chất là nguyên tử Phospho) Bán dẫn loại n  e gắn lỏng lẻo với tạp
chất này chiếm mức
năng lượng ngay dưới
vùng dẫn (a)
 Khi cấp một năng lượng
-> có 1 e nhảy lên vùng
dẫn
e tự do này có năng lượng liên kết nhỏ -> tách ra khỏi ng. tử  Không tạo ra lỗ trống
tạp chất -> trở thành e tự do vùng hóa trị
235 236
59
1/5/2018

Bán dẫn loại n  Tạp chất trường hợp Bán dẫn loại p (tạp chất là nguên tử Bo)
này gọi là chất cho
điện tử (donor)
Nguyên tử Si có bốn
Độ dẫn điện: (n>>p) điện tử, khi B ( 3 ng.
tử) ngoại lai -> thiếu
  n e e 1 e -> tạo hole (lỗ

trống)
e electron mobility (độ linh động )

237 238

 B là một chất cho hole
Bán dẫn loại p Bán dẫn loại p
(Acceptor) có trạng thái
năng lượng nằm ngay
phía trên của vùng hóa trị
 Hole nhận một e từ vùng
hóa trị -> tạo ra một lỗ
trống mới trong vùng
 Lỗ trống liên kết yếu với ng. tử tạp chất hóa trị (hole mới)
 Sự chuyển động lỗ trống ra khỏi tạp chất bằng cách
 Không có bất kỳ e tự do sinh ra trong
điều chuyển 1 e từ mối liên kết cạnh nó
vùng dẫn cũng như trong vùng tạp chất
239 240
60
1/5/2018

4.2.2.2 Bán dẫn ngoại lai (extrinsic semiconductors) 4.2.2.2 Bán dẫn pha tạp (extrinsic semiconductors)
Bán dẫn loại p
Độ dẫn điện: (p>>n)

e
  p e h
Hole
h electron mobility (độ linh động )
Bán dẫn n Bán dẫn p

241 242

4.2.2.3. Thiết bị bán dẫn Lớp chỉnh lưu p-n (Diodes)
a/ Chưa áp điện

243 244
61
1/5/2018

Lớp chỉnh lưu p-n (Diodes) Lớp chỉnh lưu p-n (Diodes)
b/ Có dòng điện (thuận):

c/ Dưới tác dụng của điện
Dưới tác dụng của điện
trường các e và lỗ trống bị
trường các e và lỗ trống bị
kéo sang hai bên -> Sự tái
hút vào lớp tiếp xúc (vùng
hợp không đáng kể -> Nơi
tái hợp)-> khi chúng gặp
tiếp xúc trở thành nơi cách
nhau -> quá trình tái
điện
hợp, triệt tiêu nhau
e + lỗ trống -> năng lượng

245 246

Lớp chỉnh lưu p-n (Diodes) Transistor
- Một vùng nền loại n rất

mỏng kẹp giữa bán dẫn
phát thu phát và thu loại p.
- Phân cực thuận: lớp ngăn
cách phát-nền 1
Diodes thông trong nửa chu kỳ dương của điện áp nguồn - Phân cực ngược: Lớp ngăn
uS và ngắt trong nửa chu kỳ âm -> như vậy điện áp trên Nền cách nền-thu 2
tải Rt là điện áp một chiều.

247 248
62
1/5/2018

Transistor Transistor
- Cực phát–nền là phân cực thuận -> số lượng lớn các lỗ

trống qua phân cách 1 -> đi vào vùng nền
- Giữa B-C phân cực ngược -> Phân cách 2 chặn lỗ trống.
- Do cực nền rất hẹp -> hầu hết các lỗ trống đi qua nền mà
- Chỉ thay đổi nhỏ điện áp nền -> giảm sự chặn -> tạo ra
không bị tái hợp
một sự gia tăng lớn dòng điện ở lớp ngăn cách 2
249 250

Transistor MOSFET
S G D
S – nguồn
G - cửa
D - thoát
Cấu tạo:
- Hai đảo nhỏ bán dẫn p
Nguyên lý làm việc - Kênh hẹp loại p
Base (cực n) điệu khiển sự xuất hiện của dòng điện - Nền bán dẫn n, lớp cách điện oxyt silic
251 252
63
1/5/2018

MOSFET MOSFET
S G D
S – nguồn S – nguồn
G - cửa G - cửa
D - thoát D - thoát
Nguyên tắc làm việc: Nguyên tắc làm việc:

 Độ dẫn của kênh được thay đổi bởi một điện trường Ug áp  Khi k1 đóng -> có dòng điện
đặt trên cổng kênh hẹp loại p -> đẩy các hạt tải khỏi kênh.  Khi k1 mở, k2 đóng -> không có dòng điện
 Do đó, một sự thay đổi nhỏ Ug dẫn đến sự thay đổi lớn Usd
253 254

MOSFET MOSFET

255 256
64
1/5/2018
4.2.3. CERAMIC, IONIC VÀ POLYME 4.2.3. CERAMIC, IONIC VÀ POLYME

Dẫn điện trong vật liệu ion (ionic materials)
Dòng điện được tạo ra từ sự

dịch chuyển của các ion tích
điện, và điện tử
total  electronicionic
Độ linh động μI với mỗi loại ion
n I eD I
I 
kT
nI và DI :hệ số hóa trị và hệ số tán xạ của một loại ion
e, k, và T : đã giải thích
257 258
4.2.3. CERAMIC, IONIC VÀ POLYME 4.2.3. CERAMIC, IONIC VÀ POLYME

Polyme dẫn điện (conductive polymer) Polyme dẫn điện (conductive polymer)
a/ Thành phần phụ gia  polyme trở nên dẫn điện khi b/Liên kết và cấu tạo vật liệu
phụ gia với các tạp chất  Liên kết  : C-C, C-H,.. Các
thích hợp như AsF5, SbF5, e đều bị chiếm giữ hoàn
hoặc I toàn -> không có e tự do
 polyme dẫn có thể được thực nhảy lên vùng dẫn
Sự di động của điện tử trong mạch hiện loại n (tức là điện tử tự  Liên kết  : C=C, liên kết
polymer (mũi tên A), giữa những
 E: Năng lượng hoạt hóa
do chiếm ưu thế) hoặc loại p kém bền hơn, xuất hiện 1
mạch polymer (mũi tên B) và giữa   : Độ dẫn điện
 các nguyên tử hay phân tử số e nằm trên miền dẫn
những mảng do nhiều polymer tạo  K: Hằng số Bolzman
tạp chất không thay thế  Chuyển liên kết  -> 
nên (mũi tên C).

cho các nguyên tử polymer. Đoàn Mạnh Tuấn dẫn điện tốt hơn
259 260
65
1/5/2018
4.2.3. CERAMIC, IONIC VÀ POLYME 4.3. TÍNH CHẤT QUANG

is l2
Vật liệu cách điện (insulator) l1
iv  nguyên lý và khái niệm cơ bản

liên quan đến bản chất của
is
bức xạ điện từ và tương tác
 iv ( dòng điện khối) rất nhỏ ( do
của nó với vật rắn
đây là sứ cách điện) nên dòng
 đặc tính quang học của kim loại
chủ yếu là dòng điện bề mặt is
và phi kim loại liên quan đến
 Dòng is càng nhỏ khi Rs càng lớn
khả năng hấp thụ, phản xạ
và truyền qua
2

261 262
4.3.1 KHÁI NIỆM CƠ BẢN 4.3.1 KHÁI NIỆM CƠ BẢN

Bức xạ điện từ Bức xạ điện từ
 bao gồm hai thành phần điện trường và từ trường vuông

góc với nhau và cũng vuông góc với hướng truyền sóng
263 264
66
1/5/2018

Bức xạ điện từ Vật liệu bị đục (không nhìn qua)
 Toàn bộ dải tần ánh sáng bị hấp thụ -> Các điện tử bị
các photon trong dải nhìn thấy kích thích nhảy lên vùng
dẫn -> nhiễu loạn ->làm đục vật liệu
 Thường xảy ra đối với vật liệu có vùng cấm hẹp hay KL
Vật liệu trong suốt
 Toàn bộ dải tần ánh sáng không bị hấp thụ

 Không có điện tử kích thích nào vượt qua vùng cấm
lên vùng dẫn (Những vật liệu phi kim có vùng cấm >3,1
eV sẽ không hấp thụ một ánh sáng nhìn thấy nào)
265 266

Bức xạ điện từ Tương tác giữa ánh sáng và chất rắn

1
 c là vận tốc ánh c
sáng ~ 3 × 108 m/s  o o  c là vận tốc ánh
I0 IR
sáng ~ 3 × 108 m/s
εo - Hằng số điện môi chân không (permittivity)
IA
μo - Từ thẩm (permeability)
 tần số ν và bước sóng c   Io  IT  I A  IR

IT
λ của bức xạ điện từ
hc
 Năng lượng E của một quang tử E  h 

(h là hằng số Planck có giá trị 6.63 × 10-34 J.s)
267 268
67
1/5/2018

Tương tác nguyên tử và điện tử a.Phân cực điện tử
 Tương tác bực xạ điện từ với

ng.tử, e và ion -> Các hiện tượng
quang học
 Hai hiện tượng quan trọng nhất:
phân cực e và chuyển dời e  Một trong hai thành phần của song điện từ là điện trường
trong các mức năng lượng biến thiên nhanh.
 Trong phạm vi nhìn thấy, cứ mỗi lần đổi hướng là làm
lệch đám mây e so với hạt nhân -> hiện tượng phân cực
269 270

a.Phân cực điện tử b.Chuyển dịch điện tử trong các mức năng lượng
khác nhau nguyên tử
 E1,E2,E3,.. Gián đoạn -> chỉ có

photon có tần số tương ứng ∆E
cho phép thì mới có thể hấp thụ
 Mỗi lần kích thích, tất cả năng
Hệ quả:
lượng photon phải được hấp thụ
- Một phần năng lượng bức xạ bị hấp thụ
- Ánh sang bị làm chậm lại khi đi qua môi trường -> Sự hấp thụ photon của
Khúc xạ e trong ng.tử cô lập

271 272
68
1/5/2018
4.3.1 KHÁI NIỆM CƠ BẢN 4.3.2 TÍNH CHẤT QUANG CỦA KIM LOẠI
b.Chuyển dịch điện tử trong các mức năng lượng Sự hấp thụ các bức xạ của KL
khác nhau nguyên tử
 Điện tử không thể lưu vô thời hạn ở trạng thái kích thích
 e nhảy về mức thấp hơn nào đó và phát xạ điện từ
Gồm hai quá trình : hấp phụ và phát xạ trở lại
 Tuân thủ quy luật bảo toàn năng lượng
273 274
4.3.2 TÍNH CHẤT QUANG CỦA KIM LOẠI 4.3.2 TÍNH CHẤT QUANG CỦA KIM LOẠI
a. Sự hấp thụ các bức xạ của KL b.Sự tái phát xạ

 Hầu hết các bức xạ hấp thụ được
 bức xạ ánh sáng tới sẽ kích
tái phát xạ cùng bước sóng nhìn
thích e chuyển lên vùng dẫn
thấy từ bề mặt dưới dạng ánh
 Kim loại hấp thụ mọi tần số
sáng nhìn thấy -> phản xạ ánh
ánh sáng vì liên tục có
sáng
những trạng thái điện tử
 Do các kim loại là đục và phản
còn trống cho phép các
chiếu mạnh -> màu sắc của
chuyển dời điện tử lên vùng
chúng được xác định bởi sự phân
dẫn
bố bước sóng của bức xạ được
 Do hấp thụ hết -> KL bị đục
phản xạ và không bị hấp thụ
275 276
69
1/5/2018
4.3.2 TÍNH CHẤT QUANG CỦA KIM LOẠI 4.3.3. TÍNH CHẤT QUANG CỦA PHI KIM LOẠI
Sự hấp thụ các bức xạ của KL Không hấp thụ khoảng ánh sánh nhìn thấy
 Nhờ cấu trúc dải năng
 Bạc cho thấy khả năng phản lượng điện tử của chúng,
xạ cao của kim loại trên toàn vật liệu phi kim loại có
bộ dải phổ nhìn thấy được. thể trong suốt với ánh
 Nói cách khác, Ag đối với sáng khả kiến
chùm tia phản xạ: thành phần  Do đó ngoài việc phản xạ
của các quang tử tái phát xạ, và hấp thụ, hiện tượng
theo tần suất và số lượng, khúc xạ và truyền qua
xấp xỉ như chùm tia tới cũng phải được xem xét

277 278
4.3.3. TÍNH CHẤT QUANG CỦA PHI KIM LOẠI 4.3.3. TÍNH CHẤT QUANG CỦA PHI KIM LOẠI
4.3.3.1 Khúc xạ  Ánh sáng truyền trong suốt sẽ 4.3.3.1 refraction  Ta có (phần khái niệm)
chịu một sự suy giảm về vận 1 1
 c
tốc và kết quả là bị bẻ cong tại   o o
c 
mặt phân cách c n    rr
n   oo
 Chỉ số khúc xạ: 
εr và μr là hằng số điện môi và độ từ thẩm
c
n tương đối. Bởi vì hầu hết các chất có tính
 chất từ rất yếu, nên: r  1
υ - vận tốc trong môi trường

n  r
279 280
70
1/5/2018
4.3.3.1. khúc xạ 4.3.3.2. Phản xạ (light reflection)

 Từ đây suy ra: Các thành phần
 Hệ số phản xạ
IR
R
n r điện tử của hằng số điện môi có
(reflectivity) Io
thể được xác định từ phép đo các
chỉ số khúc xạ  n n 
2
R   2 1 
 Ánh sáng tới vuông góc với mặt phân cách  n2  n1 
 Một cách tổng quát: nguyên tử
(n1, n2 – chiết suất của hai môi trường) 2
hay ion càng lớn, phân cực điện  n 1
 Khi ánh sáng từ chân không vào chất rắn s R   S 
tử càng mạnh, vận tốc càng  nS 1
(ns– chiết suất của môi trường s)
chậm, và chỉ số khúc xạ n
 Chất rắn có chiết suất càng cao thì phản xạ càng
càng lớn
nhiều
281 282
4.3.3.3 Hấp thụ (absorb light) 4.3.3.3 Hấp thụ (absorb light)
Hai cơ chế chủ yếu

của hấp thụ:
 Phân cực điện tử
 Dịch chuyển điện tử
 Vật liệu phi kim có thể đục hay trong suốt với ánh sáng,
chúng thường hiện màu
 Cơ chế quá trình làm đục: Các điện tử nhảy từ vùng
hóa trị lên vùng dẫn, gây nhiễu loạn -> làm đục
283 284
71
1/5/2018
a. Hấp thụ bởi phân cực điện tử b. Hấp thụ bởi chuyển dịch điện tử từ vùng hóa trị qua
vùng cấm lên vùng dẫn
Hệ quả:
 Sự hấp thụ quang tử: Khi kích thích điện
- Một phần năng lượng
tử từ vùng hóa trị được điền gần đầy qua
bức xạ bị hấp thụ
vùng cấm và đi vào một vị trí trống trong
- Ánh sáng bị làm chậm
vùng dẫn. Lúc này 1 e tự do trong vùng
lại khi đi qua môi
dẫn và 1 hole vùng hóa trị được tạo ra.
trường -> Khúc xạ
 Điều này chỉ xảy ra khi:
hc
h  Eg hay

 Eg
285 286
λmin với ánh sáng nhìn thấy khoảng ~400 nm λmax với ánh sáng nhìn thấy khoảng ~700 nm
hc (4,13 1015 eV  s )(3 108 m / s ) hc (4,13 1015 eV  s)(3 108 m / s)

Eg (max)    3,1 eV Eg    1,8 eV
 (min) 4 107 m  (max) 7 107
nếu λ tăng thì

hc giảm và nhỏ hơn E -> Kết quả này có nghĩa là tất cả ánh sáng nhìn thấy được bị
hc g
 Eg  hấp thụ, khi có năng lượng vùng cấm thấp hơn 1,8 eV; do
 hấp thụ không xảy ra
đó, những vật liệu này là đục
Kết luận: không có ánh sáng nhìn thấy nào bị hấp thụ bởi
Kết luận chung: Mỗi vật liệu phi kim trở nên mờ đục tại
các vật liệu phi kim loại có vùng cấm năng lượng lớn hơn
bước sóng nào đó phụ thuộc vào độ lớn của Eg của nó
3,1 eV. Nếu có độ tinh khiết cao -> chúng trong suốt
287 288
72
1/5/2018
Không có ánh sáng nhìn Các bán dẫn có vùng trống
thấy nào bị hấp thụ bởi nhỏ hơn 1,8 eV -> toàn bộ
các vật liệu phi kim loại dải nhìn thấy được chuyển lên
có vùng cấm năng lượng vùng dẫn -> bị hấp thụ toàn
lớn hơn 3,1 eV -> e ko bộ -> vật liệu đục
xuất hiện trên vùng

dẫn. Nếu có độ tinh khiết
cao -> chúng trong suốt

289 290
Các bán dẫn có vùng trống
nằm khoảng 1,8 đến 3,1 Năng lương điện từ bị hấp thụ
eV (ví dụ 2,5 eV)-> toàn bộ phải được tiêu tán bởi phương
dải từ 2,5 – 3,1 eV bị hấp thức nào đó theo nhiều cách khá
thụ. Khoảng 1,8 – 2,5 eV nhau:
không bị hấp thụ -> Vật - Tái hợp:
liệu có màu Điện tử + lỗ trống ->năng lượng
- Chuyển dời e -> phát xạ…

291 292
73
1/5/2018
4.3.3.4 Truyền qua (transmitted light) 4.3.3.4 Truyền qua (transmitted light)
 Các thông số: Độ

phản xạ, độ hấp thụ,
độ truyền qua phụ
thuộc vào bước
sóng ánh sáng
ℓ - độ dày Cường độ ở mặt sau IT  Tuân thủ: I0=IA+IT+IR

β - hệ số hấp thụ
R - độ phản xạ IT  Io (1 R)2 e l Sơ đồ trên: Sự biến đồi theo bước sóng của các tỷ phần:
I0 - cường độ tia tới truyền qua, hấp thụ, phản xạ qua thủy tinh xanh
293 294
4.3.3.4 Truyền qua (transmitted light) 4.3.3.5 Màu sắc (color)
 Tại λ=400 nm (xanh) tỷ

lệ 0.90; 0.05 và 0.05 Màu sắc là sự tổng hợp của
 Tại λ=550 nm (cam) tỷ hai thành phần:
lệ 0.50; 0.48 và 0.02  Chùm sáng truyền qua
 Chùm sáng thứ phát
 Tuân thủ: I0=IA+IT+IR
Sơ đồ trên: Sự biến đồi theo bước sóng của các tỷ phần:

truyền qua, hấp thụ, phản xạ qua thủy tinh xanh
295 296
74
1/5/2018
4.3.3.5 Màu sắc (color) 4.3.3.5 Màu sắc (color)

a. Truyền qua a. Truyền qua  Cadmium sulfide (CdS) có
 Ánh sáng có dải năng
vùng cấm khoảng 2,4 eV ->
lượng > E (2,4eV) bị
hấp thụ các quang tử có
hấp thụ chọn lọc bởi
năng lượng lớn hơn 2,4 eV,
các e chuyển dời từ hóa
tương ứng với dải phổ nhìn
trị lên dẫn
thấy màu xanh và màu tím;
 Màu sắc cảm nhận là tổ hợp của những bước sóng được  Trong khoảng 1,8 – 2,4 eV không bị hấp thụ -> CdS có
truyền qua. Đó là phần của ánh sáng nhìn thấy có năng màu vàng cam
lượng nhỏ hơn Eg (<2.4eV), không bị hấp thụ có chọn lọc
297 298

b. Thứ phát b. Thứ phát
 Một số cùng bức xạ bị hấp thụ lại thứ phát khi các e  Sự thứ phát không nhất thiết xảy ra cùng tần số như khi
nhảy về vị trí ban đầu. hấp thụ mà chuyển dời e bức xạ nhiều bước
299 300
75
1/5/2018

Màu trong gốm Màu trong gốm (ví dụ)
 Một số tạp chất đặc thù cũng
tạo nên các mức điện tử
Al2O3 + (0,5-1%) Cr
trong band gep
 Các photon có năng lượng nhỏ
hơn vùng band gep vẫn có khả
năng nhảy lên vùng dẫn
Al2O3
 Hệ quả: có sự hấp thụ chọn Ruby
 Nhôm oxyt hay saphia không màu
lọc
 Nếu thêm 0,5 – 2,0 % Crom thì trở thành Ruby đỏ chói
301 302
 u
4.3.3. TÍNH CHẤT QUANG CỦA PHI KIM LOẠI 4.4. TÍNH CHẤT NHIỆT
4.3.3.5 Màu sắc (color) 4.4.1. Nhiệt dung, nhiệt dung riêng
 Ion Cr3+ thay thế
Màu trong gốm
Al3+ trong cấu trúc  Nhiệt dung  Nhiệt dung riêng
tinh thể Al2O3 ->
Đưa các mức tạp
chất nằm trong
khe rộng của sa là lượng nhiệt thu vào hay là nhiệt dung cần truyền cho
phia
tỏa ra để tăng giảm 1°K một đơn vị khối lượng chất
 Có những bước sóng đặc thù sẽ bị hấp thụ chọn lọc do làm tăng nhiệt lên 1°C
hệ quả của những chuyển dời đến hay từ những điểm tạp
chất này -> Độ truyền qua là một hàm của bước sóng
303 304
76
1/5/2018
4.4. TÍNH CHẤT NHIỆT 4.4. TÍNH CHẤT NHIỆT

4.5.2. Sự dẫn nhiệt 4.5.2. Sự dẫn nhiệt (heat conduction)
Quá trình truyền nhiệt từ

phần tử này đến phần tử
khác khi chúng tiếp xúc trực
tiếp với nhau và có sự chênh
lệch nhiệt độ

305 306

Cơ chế dẫn nhiệt Mật độ nhiệt thông q:
 Độ dẫn nhiệt
là một đại lượng vật lý đặc

trưng cho khả năng dẫn
nhiệt của vật liệu
 – hệ số dẫn nhiệt.
 dT/dx - gradient nhiệt độ qua môi trường dẫn nhiệt

307 308
77
1/5/2018

Hệ số dẫn nhiệt Quá trình dẫn nhiệt qua tường phẳng
q1=1(t1-tT1) 
q2= (t -t )
1 T1 T2
q1=1(t1-tT1)

q2= (tT1-tT2)
1
Thành phần λ1 gây ra bởi q – dòng nhiệt
= 1+ e
chuyển động thuần các phonon
 - hệ số cấp nhiệt
Thành phần λe gây ra bởi điện
 - Hệ số dẫn nhiệt
tử tự do tham gia dẫn nhiệt
t – nhiệt độ
309 310

4.5.3. Hệ số dãn nở nhiệt 4.5.4. Ứng suất nhiệt
1 – hệ số dài của giãn nở nhiệt  E – modul đàn hồi

∆  r – hệ số giãn nở nhiệt dài
∆
v – hệ số thể tích giãn nở nhiệt

311 312
78
1/5/2018
VẬT LIỆU HỌC

Khoa CN Hóa
(Material Science )
Chương 5
Thanks for your
TỔNG HỢP VÀ GIA CÔNG
the attention VẬT LIỆU
(10 tiết)

313
TỔNG HỢP VÀ GIA CÔNG VẬT LIỆU 5.1.VẬT LIỆU KIM LOẠI
Nội dung Khái niệm
5.2 Tổng 5.3. Tổng 5.4. Tổng

5.1. Tổng
hợp và gia hợp và gia hợp và gia
hợp và gia
công công vật liệu công vật liệu
công kim loại
ceramics Polyme Composit

315 316
79
1/5/2018
5.1.VẬT LIỆU KIM LOẠI 5.1.1.2.CÔNG NGHỆ SẢN XUẤT GANG

5.1.1. Quy trình sản xuất kim loại

1. Nguyên liệu sản xuất gang?
Quy trình 2. Quá trình cấp nguyên liệu vào lò gang?
chung công 3. Các quá trình phản ứng xảy ra trong lò gang?
nghệ sản 4. Gang được hình thành ở đâu trong lò gang?
xuất gang 5. Sản phẩm đầu ra của lò gang là gì?
thép 6. Xỉ gang bao gồm những thành phần nào?

317 318
5.1.1.2.CÔNG NGHỆ SẢN XUẤT GANG 5.1.1.2.CÔNG NGHỆ SẢN XUẤT GANG
a/ Khái niệm
Gang là hợp kim của Fe với C trong đó có từ 2 − 5% khối

lượng C, ngoài ra còn một lượng nhỏ Si, Mn, S,...
319 320
80
1/5/2018
b/ Phân loại, tính chất và ứng dụng của gang c/ Nguyên liệu
Gang trắng: chứa ít cacbon, rất

Quặng sắt chứa 30 − 95% oxit
ít silic, chứa nhiều xementit
sắt, không chứa hoặc chứa ít S,P..
Fe3C. Gang trắng rất cứng và
Than cốc: cung cấp nhiệt khí cháy,
giòn, được dùng để luyện thép
tạo ra chất khử là CO và tạo thành
Gang xám: chứa nhiều cacbon và gang
silic. Gang xám kém cứng và kém
Chất chảy CaCO3: kết hợp với SiO2
giòn hơn gang trắng. Dùng đúc
tạo thành xỉ silicat dễ nóng chảy, có
các bộ phận của máy, ống dẫn
khối lượng riêng nổi lên trên gang
nước, cánh cửa,. Đoàn Mạnh Tuấn
321 322
Các phản ứng trong lò gang d/ Cấu tạo lò

 Miệng lò: Ở đây xảy ra các quá
trình bốc hơi nước của liệu
 Thân lò: Ở đây xảy các phản
ứng hoàn nguyên gián tiếp bằng
khí
 Bụng lò: Có đường kính lớn
nhất. Ở đây phần lớn xảy ra các
phản ứng hoàn nguyên trực tiếp
 Nồi lò: là nơi xảy ra vùng cháy,
tạo gang, tạo xỉ.
323 324
81
1/5/2018
e/ Những phản ứng hóa học xảy ra Các yếu tố ảnh hưởng đến quá trình cháy
 Phản ứng tạo
 Áp suất của gió nóng: càng
thành chất khử
lớn thì vùng cháy sẽ được
CO (1)
đưa sâu vào trong. Nhưng
2  Phản ứng khử
quá áp suất lớn có thể gây
oxi sắt (2)
4 treo liệu
3  Nhiệt độ gió nóng: nhiệt độ
xỉ (3)
gió càng nóng → mở rộng
1 vùng cháy vào phía bên
gang (4)
trong. (lấy từ buồng trao
Đoàn Mạnh Tuấn Đoàn Mạnh Tuấn đổi nhiệt với khí thải)
325 326
Các yếu tố ảnh hưởng đến quá trình cháy Các yếu tố ảnh hưởng đến quá trình cháy
 Nhiên liệu phụ: làm

Công dụng than coke :
giảm lượng tiêu thụ
 Cháy cấp nhiệt cho lò.
coke. Song làm giảm
 Tạo ra gang lò cao Fe3C
nhiệt độ của vùng cháy.
 Làm bộ khung cho lò
Do đó phải tăng nhiệt độ
cao.
gió nóng hoặc phun gió
giàu ôxy

327 328
82
1/5/2018
5.1.1.3.CÔNG NGHỆ SẢN XUẤT THÉP 5.1.1.3.CÔNG NGHỆ SẢN XUẤT THÉP
a/Khái niệm b/Phân loại, tính chất và ứng dụng của thép
Thép thường (hay thép cacbon): chứa

Thép là hợp kim của Fe với
ít C, Si, Mn.
C, trong đó có từ 0,01 - 2%
 Độ cứng của thép phụ thuộc vào
khối lượng của C. Ngoài ra
hàm lượng cacbon. Thép cứng
còn có một số nguyên tố
C>0,9%, thép mềm C<0,1%.
khác (Si,Mn,Cr,Ni,...)
 Loại thép này thường được sử dụng
trong xây dựng nhà cửa, chế tạo các
vật dụng trong đời sống

329 330
5.1.1.3.CÔNG NGHỆ SẢN XUẤT THÉP 5.1.1.3.CÔNG NGHỆ SẢN XUẤT THÉP
b/Phân loại, tính chất và ứng dụng của thép c/ Công nghệ sản xuất thép
 Thép đặc biệt: là thép  Nguyên liệu:
có chứa thêm các gang trắng hoặc gang
nguyên tố khác như: Si, xám, sắt thép phế

Cr-Ni W − Mo − Cr liệu; chất chảy là canxi
Mn, Cr, Ni, W, V,... Thép
đặc biệt có những tính oxit; nhiên liệu là dầu
chất cơ học, vật lý rất ma zút hoặc khí đốt;
quý khí oxi
Si Mn

331 332
83
1/5/2018
5.1.1.3.CÔNG NGHỆ SẢN XUẤT THÉP CÁC PHƯƠNG PHÁP LUYỆN THÉP
Quá trình phản ứng chuyển gang thành thép Phương pháp Bet-xơ-me (thổi lò oxi)
C và S bị oxi hóa thành khí là CO2 và SO2 tách ra khỏi gang  Oxi nén dưới áp suất 10atm được thổi
C + O2 → CO2 trên bề mặt và trong lòng gang nóng
S + O2 → SO2 chảy
Si và P bị oxi hóa thành những oxit khó bay hơi là SiO2 và P2O5  Ưu điểm là các phản ứng xảy ra bên
Si + O2 → SiO2 trong khối gang tỏa rất nhiều nhiệt, thời
4P + 5O2 → 2P2O5 gian luyện thép ngắn. Lò cỡ lớn có thể
Những oxit này hóa hợp với chất chảy là CaO tạo thành xỉ (canxi luyện được 300 tấn thép trong thời gian
photphat và canxi silicat) nổi lên trên bề mặt thép lỏng: 45 phút.
3CaO + P2O5 → Ca3(PO4)2  Ngày nay có khoảng 80% thép được sản
CaO + SiO2 → CaSiO3 xuất bằng phương pháp này
333 334
5.1.1.3.CÔNG NGHỆ SẢN XUẤT THÉP CÁC PHƯƠNG PHÁP LUYỆN THÉP
Lò Martin Phương pháp Mac-tanh (lò bằng)
Nhiên liệu là
khí đốt hoặc
dầu cùng với
không khí và
oxi được phun
vào lò để oxi
hóa các tạp
chất trong gang

335 336
84
1/5/2018
CÁC PHƯƠNG PHÁP LUYỆN THÉP CÁC PHƯƠNG PHÁP LUYỆN THÉP
Phương pháp Mac-tanh (lò bằng) Phương pháp lò điện

Kiểm soát
được tỉ lệ các
nguyên tố trong
thép Mn, Ni, Cr,
Mo, W, V,...
Do vậy, có thể
luyện được
những loại thép
có chất lượng
cao
337 338
CÁC PHƯƠNG PHÁP LUYỆN THÉP CÁC PHƯƠNG PHÁP LUYỆN THÉP
Phương pháp lò điện Phương pháp lò điện
Ưu: luyện được những loại thép

Các thanh than chì là một điện cực,
đặc biệt mà thành phần có những
gang được dùng như là điện cực
kim loại khó nóng chảy như vonfam
thứ hai.
(tnc33500C) molipđen (tnc26200C),
Hồ quang sinh ra giữa chúng tạo
crom (tnc18900C) và loại được hầu
được nhiệt độ cao hơn và dễ điều
hết những nguyên tố có hại cho
chỉnh hơn so với các loại lò trên
thép : S, P..
Nhược: Dung tích nhỏ

339 340
85
1/5/2018
5.1.2. GIA CÔNG KIM LOẠI 5.1.2. GIA CÔNG KIM LOẠI
a/ Đúc (Casting) a/ Đúc (Casting)
Là phương pháp chế Ưu điểm:
tạo chi tiết bằng Đúc được tất cả kim loại và hợp
cách rót kim loại kim
lỏng vào khuôn đúc Đúc được các chi tiết lớn, các chi
tiết có cấu tạo và hình dạng phức
tạp
Năng suất cao
Nhược điểm: Có thể tạo ra những
khuyết tật như rỗ khí, rỗ xỉ…

341 342
b/ Rèn (Forging) Ép kim loại
Là quá trình gia

công tạo hình sử
dụng lực mạnh
(thường là nén) để
tạo biến dạng dẻo
trong kim loại

343 344
86
1/5/2018
Dập kim loại C/ Cán (Rolling)

345 346
C/ Cán (Rolling) d/ Đùn (Ép chảy: Extrusion)

347 348
87
1/5/2018
e/ Luyện Kim Bột (Powder Metallurgy) e/ Luyện Kim Bột (Powder Metallurgy)
 các chi tiết máy phức tạp

 những chi tiết ghép từ các vật
liệu khác biệt ( kim loại-chất
dẻo; kim loại thủy tinh; vv... )
 những chi tiết có độ cứng cao
và nhiệt độ làm việc siêu cao
trong ngành công nghiệp hạt
nhân, vũ trụ
 Tạo bột
349 350
 Chế tạo bột kim loại, hợp

kim hay phi kim có thành
phần đúng với yêu cầu.
 phương pháp: nghiền,
phun tia kim loại lỏng dưới
áp lực cao vào môi trường
nguội nhanh, điện phân,
...
 Quy trình công nghệ

351 352
88
1/5/2018
 Tạo hình : các loại bột theo tỉ Thiêu kết :

lệ xác định và trộn lẫn thật  nung nóng đến nhiệt độ và
đều rồi đưa vào khuôn ép trong khoảng thời gian xác
nén dưới áp lực 100- 1000 định trong chân không hoặc
MPa. trong môi trường khí bảo vệ.
 Muốn có khối lượng riêng lớn  kết tinh lại tạo ra các hạt mới
và đồng đều phải ép dưới áp đa cạnh, các hạt liên kết bền
lực cao đồng thời rung cơ học vững với nhau làm tăng cơ lý
tính của sản phẩm
353 354
5.1.2. GIA CÔNG KIM LOẠI 5.2. VẬT LIỆU GỐM SỨ

e/ Luyện Kim Bột (Powder Metallurgy) 5.2.1. Vật liệu gốm sứ

 Nguyên liệu được sử dụng gần
như triệt để
 Sản phẩm ra có tính đồng nhất
cao và ít phải gia công.
 Cấu trúc tế vi: không xít chặt
luôn có lỗ rỗng.
 Chế tạo theo phương pháp kim
loại bột sẽ rẻ hơn nhiều so với
phương pháp truyền thống.

355 356
89
1/5/2018
5.2. VẬT LIỆU GỐM SỨ 5.2. VẬT LIỆU GỐM SỨ

Quy trình công nghệ Nguyên liệu

Cao lanh:
Nguyên liệu Nghiền bi Chế biến NL Khoáng Caolinite có công

thức Al2O3.2SiO2.2H2O
hay Al2Si2O5(OH)4
Caolinite là khoáng chủ
Sấy Làm nguội Tạo hình
yếu , nó tạo ra khoáng
Mullite tạo độ bền cho
Trang trí Nung Sản phẩm gốm sứ

357 358

Nguyên liệu Nguyên liệu
Tràng thạch: Cát

Là nguyên liệu cung cấp oxýt Là nguyên liệu cung cấp SiO2
Na2O, CaO, K2O. Đóng vai trò là chất độn trong
Đóng vai trò là chất chảy xương sứ
trong mộc và men gốm sứ

359 360
90
1/5/2018

Chế biến nguyên liệu Chế biến nguyên liệu
Máy nghiền bi: Sau khi nguyên liệu được

Dùng phổ biến là nghiền ướt nghiền mịn dạng huyền phù,
trong máy nghiền bi gián chúng được qua máy ép
đoạn hay máy nghiền bi liên khung bản (The frame filter
tục nhiều ngăn (sức căng bề presses) hay máy sấy phun
mặt nước giúp tăng cường (Spray Dryer) để loại nước
quá trình nghiền) theo yêu cầu

361 362

Tạo hình gốm sứ Tạo hình gốm sứ
Tạo hình bằng ép dẻo

Đổ rót (vacuum extrusion)
363 364
91
1/5/2018

Tạo hình gốm sứ Sấy sản phẩm:( Ceramic Drying)
Độ bền của sản phẩm

mới được tạo hình
không cao. Để việc
sửa mộc, vận chuyển,
tráng men và nung dễ
dàng bắt buộc ta phải
sấy sản phẩm
Tạo hình ép khô và bán khô
(dry pressing)

365 366

Trang trí (ceramic decorating) Nung sản phẩm (sintering ceramics process)
 Là quá trình gia nhiệt vật

 Sản phẩm được trang trí liệu ở dạng bột mịn đến kết
bằng màu pigment sau khối mà không bị biến
đó người ta phủ lên trên dạng, đồng thời làm tăng độ
một lớp men (lớp thủy bền, tăng mật độ của sản
tinh) trong để bảo vệ phẩm, đồng thời làm giảm
độ xốp, độ hút nước.

367 368
92
1/5/2018

Lò nung gốm sứ Lò nung gốm sứ

369 370

Nung sản phẩm (sintering ceramics process) Sản phẩm gốm sứ
Cấu trúc
sau khi
nung

371 372
93
1/5/2018
5.3.1. TỔNG HỢP VẬT LIỆU POLYMER 5.3.1. TỔNG HỢP VẬT LIỆU POLYMER
Addition polymerization Addition polymerization
 Phương pháp này dùng để sản xuất polymer nhiệt dẻo

với mạch thẳng.
 Các monomer trùng hợp là những chất đơn giản, khối
lượng phân tử thấp, có chứa liên kết đôi.
Trùng hợp theo cơ chế gốc tự do, có nối đôi
373 374
5.3.1. TỔNG HỢP VẬT LIỆU POLYMER 5.3.2. GIA CÔNG VẬT LIỆU POLYMER
Condensation polymerization Nghiền

 Tăng cường khả năng trộn lẫn
giữa các cấu tử
 Giúp cho quá trình sấy và nóng
chảy nhanh hơn.
 Nều kích thước của hạt quá nhỏ
thì dễ bị dính vón. Do vậy phải
điều chỉnh kích thước của hạt
cho hợp lý với từng loại polymer
 quá trình polymer condensation xảy ra giữa các nhóm
chức khác nhau của monomer
375 376
94
1/5/2018
5.3.2. GIA CÔNG VẬT LIỆU POLYMER 5.3.2. GIA CÔNG VẬT LIỆU POLYMER
Trộn Trộn
 Trộn đều các loại vật liệu khác  Một số trường hợp khi
nhau trong hỗn hợp trộn cần tránh không
 Hỗ trợ cho việc truyền nhiệt giúp cho không khí lẫn vào
cho khối vật liệu có nhiệt độ đồng vật liệu, người ta thường
đều trộn chung trong các
 Ngoài ra nếu hỗn hợp ở dạng Past máy khuấy kín và có
thì quá trình trộn còn làm nhuyễn bơm chân không để tạo
và dẻo vật liệu, tạo điều kiện chân không cho thiết bị
thuận lợi cho quá trình gia công
Đoàn Mạnh Tuấn như cán Đoàn Mạnh Tuấn

377 378
Trộn
 Đối với các vật liệu dạng hạt  Có những phương pháp tạo hình polymer nào?
có kích thước khác nhau, để  Nói rõ nguyên tắc làm việc từng loại?
trộn các phụ gia dạng bột,
người ta thường sử dụng máy
trộn hình tang quay.
 Trong quá trình chung chuyển
động ngược chiều các phần tử
phụ gia sẽ bám vào các hạt
vật liệu

379 380
95
1/5/2018
Phương pháp đùn liên tục (Extruder)
 Đùn là một phương pháp gia công chủ yếu dùng cho nhựa
dẻo và các vật liệu đàn hồi như đường ống …
 Vật liệu ở trạng thái chảy nhớt được đẩy liên tục qua 1 khe
hở có tiết diện nhất định gọi là đầu tạo hình
381 382
Phương pháp đùn liên tục (Extruder) Phương pháp ép phun (Injection Mold)
Phân loại:
 Theo số vít hoạt động
 Theo công dụng
 Phân loại theo số trục
vít hoạt động

383 384
96
1/5/2018
Phương pháp ép phun (Injection Mold) Phương pháp ép phun (Injection Mold)
Quá trình nhựa hóa - tạo hình : nhựa hóa trong xy lanh,
và tạo hình trong khuôn đúc.
Quá trình tạo hình chỉ tiến hành sau khi đã khép kín 2
nửa khuôn lại với nhau
385 386
Phương pháp ép phun (Injection Mold) Phương pháp ép phun (Injection Mold)
Giai đoạn đúc:

 hệ thống thủy lực làm việc đẩy
trục vít về phía trước tạo áp
suất đẩy nhựa lỏng vào khuôn.
Giai đoạn nhựa hóa:  khi đã lấp đầy vùng tạo hình,
 trục vít bắt đầu quay tròn lùi về phía sau. áp suất được duy trì không đổi
 nguyên liệu từ phễu nạp liệu rồi vào rãnh vít ->chuyển về tương ứng với đầu vít ở trục vít
phía trước, đi vào vùng đốt nóng -> khối vật liệu nóng lên sát đầu phun nhất.
và chuyển dần đến trạng thái chảy nhớt khi đến đầu vít.  Kết thúc, tách khuôn
387 388
97
1/5/2018
Phương pháp thổi (Blow Molding) Phương pháp thổi (Blow Molding)

389 390
Thermoforming process
 Dùng chân
không để tạo
sự sai biệt về
áp suất ở 2
bên thành
tấm vật liệu

391 392
98
1/5/2018
Thermoforming process Mechnical Thermoforming
 Tạo hình phương

pháp nhiệt kết
hợp chày nóng

393 394
Tạo hình chân không kết hợp khí nén Tạo hình bằng khuôn ép (Compression Molds)
 Phương pháp này

cho phép sản
xuất được nhiều
sản phẩm có
đường viền phức
tạp, độ cong
không đều nhau
 vật liệu nhựa thường được gia nhiệt trước, được đặt
trong một khuôn mở được gia nhiệt
395 396
99
1/5/2018
5.4. GIA CÔNG VẬT LIỆU COMPOSIT 5.4. GIA CÔNG VẬT LIỆU COMPOSIT
Vật liệu nền: Polymer (resin) Vật liệu nền: Polymer (resin)
polyester resin epoxy resin
 Polyeste chưa no là loại  Đây là loại polymer nhiệt rắn
nhựa được ứng dụng rộng mạch thẳng
rãi nhất  Độ co ngót của sản phẩm thấp,
 Trong phản ứng đóng rắn, thích hợp với sản phẩm đòi hỏi
polyeste tỏa nhiệt ở mức sức bền cao, kích thước chính
trung bình. xác: dụng cụ đồ nghề, chi tiết
 Thấm ướt sợi thủy tinh tốt. trong máy bay…
 Thời gian đông và đóng rắn  Nhược điểm của epoxy là đắt
tương đối nhanh. tiền hơn polyeste
397 398
Vật liệu nền: Polymer (resin) Các loại vải sợi thủy tinh gia cường
Vải mịn (tissue)
vinyl ester resin
 phục vụ cho việc tạo các lớp bề mặt
 Đây là một dạng đặc biệt của
nhẵn, mịn.
polyeste, chỉ khác ở nguyên liệu
 là lớp phủ đầu tiên ngay sau lớp
thô nấu ra chúng.
gelcoat, đóng vai trò là cầu nối để liên
 Chịu tác dụng của hóa chất cao.
kết lớp gelcoat với các lớp laminate
 Các đặc tính cơ lý: tính đàn hồi
tiếp theo
cao, chịu lực cao.
 là lớp phủ ngoài cùng sau khi hoàn
 Nhiệt độ biến dạng cao.
thành các lớp laminate trước khi sơn

hoặc quét lớp gelcoat.
399 400
100
1/5/2018
Các loại vải sợi thủy tinh gia cường Các loại vải sợi thủy tinh gia cường
MAT cắt ngắn (MAT CSM) Roving
 Là sản phẩm cấu tạo từ các  Đây là các tạo sợi gồm khoảng
tao sợi thủy tinh cắt ngắn 60 sợi đơn, được cung ứng trên
có chiều dài khoảng 50mm, thị trường dưới dạng con suốt
được liên kết với nhau bằng lớn khoảng 16 kg, và là loại rẻ
chất tẩm dính, phân bố tiền nhất.
ngẫu nhiên theo các chiều  Nó được ứng dụng phần lớn
hướng khác nhau trong công nghệ “súng phun”

401 402
5.4. GIA CÔNG VẬT LIỆU COMPOSIT 5.4.1 CÔNG NGHỆ ĐÚC TIẾP XÚC
Các loại vải sợi thủy tinh gia cường Hand lay-up, Spray up
Vải Roving dệt

Đây là vải dệt từ các sợi Roving
với các chiều khác nhau
thường được áp dụng cho các sản
phẩm lớn, laminate dày như: tàu
thuyền, bồn chứa…
Vải Roving dễ thấm resin, thường  chuẩn bị kỹ lưỡng khuôn và trát lên bề mặt lớp keo ngoài,
được kết hợp với MAT để tăng xếp cốt sợi lên khuôn và sau đó cẩn thận trát tiếp lên từng
cường độ chịu uốn, va đập lớp cốt những lớp nền đã được trộn kỹ
403 404
101
1/5/2018
5.4.2.CÔNG NGHỆ ĐÚC CHUYỂN RESIN RTM 5.4.3.CÔNG NGHỆ ĐÚC KÉO
Resin Transfer Moulding Pultrusion

 Đường cấp nhựa
thường được đặt tại vị
trí thấp nhất trong
khuôn.
 Nhựa polymer được
điền vào khuôn theo
hướng từ dưới lên để
đảm bảo đẩy các bọt  kéo một bó sợi dài liên tục qua một bể nhựa để thấm ướt bó
khí trong khuôn sợi ->khuôn định hình sơ bộ để sắp xếp vị trí sợi phù hợp
với thiết kế -> khuôn nhiệt để phản ứng đóng rắn
405 406
5.4.4.CÔNG NGHỆ KÉO SỢI 5.4.5.CÔNG NGHỆ TẠO LỚP LIÊN TỤC
Filament Winding Continuous Laminating
 Góc nạp sợi được xác định: trục quay và bộ phận chuyển
động ngang
 Sợi được kéo căng, tạo ứng suất, do đó làm giảm bọt khí
407 408
102
1/5/2018
VẬT LIỆU HỌC

Khoa CN Hóa
(Material Science )
Thanks for your Chương 6

the attention
PHÂN TÍCH VÀ ĐÁNH GIÁ
VẬT LIỆU
(8 tiết)

409
TỔNG HỢP VÀ GIA CÔNG VẬT LIỆU 6.1.HARDNESS TEST

Nội dung 6.1.1. Phương pháp đo độ cứng Brinell

Một tải trọng P ép một khối
cầu bằng thép cứng có đường
kính D, trong khoảng thời gian
6.2. 6.5. Kỹ
6.1. 6.3. 6.4. 6.6. nhất định, bi thép sẽ lún sâu
Phân thuật
Phân Phân Phân Phân vào mẫu thử (Mũi thử trong
tích độ kính
tích cơ tích tích tích bề phương pháp đo này là bi thép
dẫn hiển vi
học nhiệt XRD mặt có đường kính 10 mm với lực
điện điện tử
ấn 3000 kg ấn lõm vào bề mặt
kim loại

411 412
103
1/5/2018
6.1.HARDNESS TEST 6.1.HARDNESS TEST

6.1.1. Phương pháp đo độ cứng Brinell Bảng tra để xác định đường kính bi và tải trọng đặt vào
2
trị số độ cứng gọi là
. .
HB được xác định
Trong đó : bằng áp lực trung
P – Áp lực ấn vuông góc với mặt mẫu thử và bình, biểu thị bằng
được qui định theo tiêu chuẩn. (Bảng 1). N/mm2 diện tích mặt
D – Đường kính bi đo (mm) được quy định cầu do vết lõm để lại
theo TCVN. (Bảng 1).
Di – Đường kính vết lõm (mm).

413 414

Bảng tra để xác định đường kính bi và tải trọng đặt vào 6.1.1. Phương pháp đo độ cứng Brinell
Phạm vi ứng dụng:

 Dùng cho các thiết bị lớn,
độ chính xác không quá
cao như vật đúc, rèn.
 Không dùng cho các vật
liệu quá cứng, các tấm
vật liệu mỏng, các bề
mặt cong

415 416
104
1/5/2018

6.1.2.Phương pháp đo độ cứng Rockwell 6.1.2.Phương pháp đo độ cứng Rockwell
 Nguyên tắc: một mũi nhọn N: là hằng số (dùng bi k= 130, dùng
kim cương có góc ở đỉnh là mũi kim cương thì k = 100.)
1200 và bán kính cong R = s: là giá trị 1 HR vạch đồng hồ (e)

0,2mm hay viên bi thép tôi HR = N- h/s
với đo cứng s = 0,002mm.
cứng có đường kính 1/16,
với đo cứng bề mặt s = 0,001mm.
1/8, 1/4, 1/2 inchs được
ấn lên bề mặt thử. h: là hiệu độ sâu hai lần ấn (mm)
h= h2-h1

417 418
6.1.PHÂN TÍCH CƠ HỌC 6.1.HARDNESS TEST

6.1.2.Phương pháp đo độ cứng Rockwell 6.1.2.Phương pháp đo độ cứng Rockwell
HRB = 130 - r/s HRB = 100 - r/s
Phương pháp Rockwell B: ký hiệu HRB

Phương pháp Rockwell C: ký hiệu HRC
một quả cầu bằng thép tôi có đường kính 1/16 inch (1,59
Một mũi kim cương hình nón với góc nhọn 1200 -> một lực
mm) được một lực Fo=98N, tiếp F0+F1=981N, cuối cùng
Fo=98N, sau đó F0+F1=1468N. Ứng dụng: thép qua tôi luyện
Fo=98N. Ứng dụng: thép mềm
419 420
105
1/5/2018

6.1.3. Phương pháp đo độ cứng Vickers 6.1.3. Phương pháp đo độ cứng Vickers
 mũi thử kim cương hình
Phương pháp này được coi chóp 4 cạnh có kích thước
là độ cứng chuẩn trong tiêu chuẩn, góc giữa các
nghiên cứu khoa học. Chủ mặt phẳng đối diện là
yếu sử dụng tại các phòng 136o(±3o).
thí nghiệm và nghiên cứu  mũi thử được ấn vào vật

liệu dưới tác dụng của các
tải trọng 50N,100N, 200N,
300N, 500N, 1000N
421 422

6.1.3. Phương pháp đo độ cứng Vickers 6.1.3. Phương pháp đo độ cứng Vickers
 Độ cứng vickers tính bằng
F/S. Lấy lực thử F chia cho . 0,102. 0,102.2. .
2
diện tích bề mặt lõm S.
 Bề mặt lõm S được tính theo HV: Độ cứng Vickers.

độ dài trung bình hai đường k: Là một hằng số (k = 0,102);
chéo d. Bề mặt lõm được tạo F: Lực F
thành khi tác dụng một lực S: Diện tích bề mặt lõm;
vào mẫu thử với mũi đột kim d: Độ dài đường kính trung bình : d =(d1+d2)/2
cương, hình chóp θ: Góc hợp với hai mặt đối diện = 1360.
423 424
106
1/5/2018

6.1.3. Phương pháp đo độ cứng Vickers 6.1.4. Độ bền va đập (impact resistance)
Phạm vi ứng dụng:
 Các chi tiết nhỏ, chính xác.
 Vật liệu tấm mỏng.
 Vật liệu mạ phủ

 Có 02 loại mẫu thử Charpy và Izod tương ứng với 02
tiêu chuẩn thử khác nhau dùng cho máy máy đo độ
bền va đập

425 426

6.1.4. Độ bền va đập (impact resistance) 6.1.4. Độ bền va đập (impact resistance)
 Rãnh chữ V phải có góc  Làm gãy mẫu thử có rãnh khía
45°, chiều sâu là 2 mm, bằng một dao động của con lắc.
và các bán kính đáy là
 Rãnh trên mẫu phải được quy định
0,25 mm
hình dạng và được đặt đối diện với
 Rãnh chữ U phải có chiều vị trí bị va đập trong khi thử.
sâu là 5 mm và các
 Độ bền va đập được xác định
đường kính đáy là 1 mm
bằng năng lượng hấp thụ trong
thử va đập
427 428
107
1/5/2018
6.2. PHÂN TÍCH ĐỘ DẪN ĐIỆN 6.2. PHÂN TÍCH ĐỘ DẪN ĐIỆN
6.2.1.Đo điện trở bằng Vôn kế và Ampe kế Cách mắc Volt kế trước-Ampe kế sau
 Chỉ số Volt kế: U = UA + Ux
 Chỉ số trên Ampe kế: I
ố é đ ∆
Do vậy, sai số của phép đo phụ thuộc vào nội trở của ampe
 Đây là phương pháp đo “nóng” điện trở đang hoạt kế. Nếu RA << Rx thì ảnh hưởng của nội trở kế không đáng
động. Có hai cách mắc kể, phép đo càng chính xác

429 430
Cách mắc Ampe kế trước-Volt kế sau 6.2.2. Cầu Wheatstone cân bằng đo điện trở
 Chỉ số Ampe kế: I = IV + Ix R1, R2 và R3 là các điện trở mẫu (ít

nhất một trong các điện trở này
 Chỉ số trên Volt kế: I
phải thay đổi được), Rx là điện trở
1 1 .
1 1 cần đo. Thay đổi điện trở sao cho
dòng qua G bằng 0.
.
Sai số phép đo: ∆ 1
.
U 1 = U x ; U3 = U 4 →
Nếu R << Rv thì ảnh hưởng của nội trở Volt kế rất lớn ,
phép đo càng chính xác
431 432
108
1/5/2018
6.2.3. Đo điện trở bề mặt vật liệu cách điện 6.2.3. measuring surface resistivity
d2
 Khi đặt điện áp hai đầu vật
d1
liệu thì xuất hiện 2 dòng Bề mặt đo
điện : dòng điện khối Iv và A
dòng điện mặt Is 4 1
2
 Với các vật liệu khác kim 3
loại việc xác định điện trở
bề mặt là một thông số Yêu cầu đo: Chỉ đo dòng điện bề mặt, loại bỏ dòng điện khối
hết sức quan trọng

433 434
6.2.3. measuring surface resistivity 6.2.3. measuring surface resistivity

d2 ⁄ ⁄
d1
Bề mặt đo ⁄ ⁄
A
4 1 Điện trở bề mặt phụ

2
thuộc vào chất liệu
3
và kích thước hình
Từ cách mắc trên: Đồng hồ chỉ dòng điện mặt Is , dòng điện học của điện cực
khối Iv qua cực 3 về Masse, Số 2: vật liệu cần đo. Các cực:
1,3,4
435 436
109
1/5/2018
6.3. PHÂN TÍCH NHIỆT VI SAI 6.3. PHÂN TÍCH NHIỆT VI SAI
6.3.1. Khái niệm về các phép phân tích nhiệt 6.3.2. Phân tích định tính bằng đường cong DTA
 Mọi phản ứng đều kèm theo

 Đo chênh lệch nhiệt độ mẫu
hiệu ứng nhiệt.
chuẩn và mẫu cần nghiên
 Trong công nghệ vật liệu, cứu bằng cặp nhiệt điện.
các phương pháp phân tích
 Chất chuẩn thường là những
nhiệt không thể thiếu. Xác
chất hoàn toàn không có
định độ ẩm, kết tinh, MKN..
biến đổi gây hiệu ứng nhiệt
đều có thể coi như ví dụ về
nào trong khoảng nhiệt độ
phép phân tích nhiệt.
nghiên cứu
437 438
6.3. PHÂN TÍCH NHIỆT VI SAI 6.3. X-RAY DIFFRACTION (XRD)

6.3.2. Differential Thermal Analysis
 phương pháp quan trọng hàng đầu trong các phương

Đường xanh là đường TG, đỏ là DTA, đen là dDTA pháp nghiên cứu cấu trúc vật liệu.
439 440
110
1/5/2018
6.3. X-RAY DIFFRACTION (XRD) 6.3. X-RAY DIFFRACTION (XRD)

6.4.1.Nguyên lý chung, Định luật Vulf-Bragg 6.4.2. Phương pháp debai – serek ( Phương pháp bột)
 Khi chiếu tia X đơn sắc lên đa tinh thể, do mẫu đa tinh
n λ = 2 d sinθ
thể chứa vô số những đơn tinh thể định hướng ngẫu
 Phần tia phản xạ sẽ gây hiện tượng nhiễu xạ nếu thỏa nhiên so với tia tới. Chỉ có những tinh thể thỏa mãn điều
mãn điều kiện định luật Wulf-Bragg kiện Wulf-Braag mới tạo tia phản xạ
441 442

6.4.2. Phương pháp debai – serek ( Phương pháp bột) XRD principle
 Những hệ mặc cùng d (sẽ

có cùng h, k, l )sẽ có
những vết nhiễu xạ phân
bố nằm trên cùng một
vòng tròn.(do có cùng
gốc thỏa mãn điều kiện
wulf-bragg ). n = 2dhkl sin
x ray Cone debye

443 444
111
1/5/2018

Detection of Diffracted X-rays by Photographic film Powder diffraction data from a 2-D detector
Region scanned
by a 1-D detector

445 446

Powder diffraction data from a 2-D detector XRD Spectrum

MAU_UYEN NHI VA THANH PHAN KHOANG CO TRONG MAU
d=3.34588
300
Lin(Counts)
200
d=4.26270
100
d=3.19328
d=1.81899
d=2.45609
d=4.02862
d=2.54798
d=1.37195
d=3.46904
d=1.60035
70
d=1.54243
d=2.28147
d=2.13711
d=2.08428
72
d=2.20966
79
d=1.98198
=.3
d1
d= 80
1.3
0
10 20 30 40 50 60 7
2-Theta - Scale
MAU_UYEN NHI_WOO - File: MAU_UYEN NHI_WOO.raw - Type: 2Th/Th locked - Start: 10.000 ° - End: 70.000 ° - Step: 0.030 ° - Step time: 1. s - Temp.: 25 ° C (Room) - Time Started: 12 s - 2-Theta: 10.000 ° - Theta:
Operations: Smooth 0.100 | Strip kAlpha2 0.500 | Background 1.000,0.100 | Import
01-089-1961 (C) - Quartz low, dauphinee-twinned - SiO2 - Y: 86.51 % - d x by: 1. - WL: 1.5406 - Hexagonal - a 4.92100 - b 4.92100 - c 5.41600 - alpha 90.000 - beta 90.000 - gamma 120.000 - Primitive - P6222 (180) - 3 - 113.5
00-020-0528 (C) - Anorthite, sodian, ordered - (Ca,Na)(Al,Si)2Si2O8 - Y: 14.54 % - d x by: 1. - WL: 1.5406 - Triclinic - a 8.17800 - b 12.87000 - c 14.18700 - alpha 93.500 - beta 115.900 - gamma 90.630 - Primitive - P-1 (2) - 8 -

447 448
112
1/5/2018
6.5. ELECTRON MICROSCOPE 6.5. ELECTRON MICROSCOPE

6.5.1. Scanning Electron Microscope (SEM) 6.5.1. Scanning Electron Microscope (SEM)
Điện tử tán xạ ngược: là

điện tử tán xạ đàn hồi hoặc
không đàn hồi phân bố suốt
dải rộng về năng lượng
Điện tử thứ cấp: là các điện
tử của nguyên tử trong mẫu
phát xạ từ bề mặt mẫu do
kích thích bởi điện tử tới.
Chúng có năng lượng thấp
449 450

Điện tử Auger: là điện tử lớp Hiện tượng huỳnh quang: chỉ
ngoài của nguyên tử trong xảy ra đối với một số chất có
mẫu phát xạ do quá trình tính phát quang khi chiếu
ion hóa nguyên tử chùm tia điện tử vào
Tia X: liên tục với bước sóng Điện tử truyền qua: Nhận
ngắn nhất được xác định bởi được trong trường hợp mẫu
năng lượng điện tử tới và đủ mỏng. Chúng xuyên vào
phân bố trong một dải bước mẫu và giảm số lượng khi
sóng khá rộng chiều dày khối lượng tăng
451 452
113
1/5/2018

Ứng dụng Tín hiệu

Hình thái học Tất cả cá dạng tín hiệu trừ tia X và điện tử Auger
Phân tích nguyên Tia X, huỳnh quang catốt, điện tử Auger và điện tử
tố tán xạ ngược.
Tinh thể học Điện tử tán xạ ngược, điện tử truyền qua, điện tử
thứ cấp và tia X.
Điện tử được phát ra, tăng tốc và hội tụ thành một chùm
Liên kết hóa học Điện tử Auger và tia X. điện tử hẹp (cỡ vài trăm Angstrong đến vài nanomet) nhờ hệ
Tính chất điện từ Điện tử thứ cấp và suất điện động.

thống thấu kính từ, sau đó quét trên bề mặt mẫu nhờ các
cuộn quét tĩnh điện
453 454

6.5.1. Scanning Electron Microscope (SEM) 6.5.2. Transmission electron microscopy (TEM)
Các bức xạ được SEM vận dụng:

Điện tử thứ cấp (Secondary
electrons) và Điện tử tán xạ
ngược (Backscattered electrons)

455 456
114
1/5/2018

6.5.2. Transmission electron microscopy (TEM) 6.5.2. Transmission electron microscopy (TEM)
 là một thiết bị nghiên cứu vi cấu

trúc vật rắn, sử dụng chùm điện Nguyên tắc tạo ảnh của TEM:
tử có năng lượng cao chiếu gần giống với kính hiển vi
xuyên qua mẫu vật rắn mỏng và quang học, điểm khác quan
sử dụng các thấu kính từ để tạo trọng là sử dụng sóng điện
ảnh với độ phóng đại lớn, ảnh có tử thay cho sóng ánh sáng
thể tạo ra trên màn huỳnh và thấu kính từ thay cho
quang hay ghi nhận bằng các thấu kính thủy tinh.
máy chụp kỹ thuật số

457 458

6.5.2. Transmission electron microscopy (TEM) 6.5.2. Transmission electron microscopy (TEM)
 Các tia nhiễu xạ Bragg
kết hợp sau khi qua mẫu
tạo thành ảnh trung gian
với độ phóng đại thấp I1
 Thấu kính trung gian tạo
ảnh trung gian thứ hai I2
và được phóng đại trên
màn hình quan sát.
 Ảnh phổ TEM

459 460
115
1/5/2018
6.6. PHÂN TÍCH BỀ MẶT (BET) 6.6. PHÂN TÍCH BỀ MẶT (BET)
Brunauer- Emmett- Teller (Bet)
P: Áp suất chất bị hấp phụ ở pha khí

Po: áp suất hơi bão hòa của chất bị hấp phụ
V: thể tích chất bị hấp phụ ở áp suất P
Vm: thể tích lớp hấp phụ ở lớp thứ nhất (đơn phân tử) trên toàn bộ bề mặt S
C: thừa số năng lượng, co biểu thức:
với qn là nhiệt hóa lỏng, q1 là nhiệt hấp thụ khi trong lớp đơn phân tử
461 462
V và P là kết quả quá trình đo BET

Brunauer- Emmett- Teller (Bet)
1

1

c  1 p
V  po / p   1 Vm c Vm c po Biết Vm ta có thể tính được
bề mặt vật hấp phụ S0
Y  a  bX Trong đó:
1
V  p o / p  1
N : số Avogadro
1
Vm  Wm : bề mặt chiếm bởi một phân tử
ab
.
chất bị hấp phụ ở lớp đơn phân tử
0,05  p / po  0,30 Vo : thể tich 1 mol khi ở điều kiện

chuẩn (22400 cm3/mol)
0,1 0,2 0,3 p / po Đoàn Mạnh Tuấn
463
463 464
116
1/5/2018
Brunauer- Emmett- Teller (Bet) Brunauer- Emmett- Teller (Bet)
1- Ống nhánh phân tích xác định chính xác

thể tích và nhiệt độ
2- Hệ thống bơm chân không
3- Nguồn khí hấp phụ
4 - Bộ chuyển đổi áp suất và đầu dò nhiệt độ
5 - Công cụ ghi lại
6 - Ống đựng mẫu
7) Valve kết nối
8) Bể ổn nhiệt

465 466

Chuyển ống nhánh:
Chuẩn bị mẫu:
 Valve 3 được mở đưa ống
 valve (3) đóng; bơm (2) và
nhánh đến một áp suất (Pm)
valve mẫu (7) được mở,
thấp nhờ máy bơm hút chân
 Ống mẫu được hút chân không.
không
 Khi máy bơm hoạt động xong,
 Lượng khí trong ống nhánh có
valve 2 và 7 đóng và bể làm
thể định lượng bằng định luật
lạnh nâng lên, làm lạnh mẫu
khí lý tưởng:
.

467 468
117
1/5/2018

Cân bằng:  Quá trình này tiếp tục cho đến khi áp
 Valve 7 được mở suất phân tích gần bằng áp suất bão
 Một lượng khí sẽ bị hấp phụ bởi hòa
mẫu và tách ra khỏi pha khí. Áp  Đường đẳng nhiệt giải hấp phụ được đo
suất được kiểm soát cho đến khi từng bước ngược lại với sự đo hấp phụ;
nó ổn định. Áp suất lúc cân bằng nghĩa là làm giảm áp suất thấp hơn so
(Pe) sẽ được ghi lại với áp suất trong ống đựng mẫu.
 Lượng khí (Số ptg khí ne) còn lại trong ống nhánh và trong  Tại thời điểm này, hầu hết các phân tử chất hấp phụ sẽ
ống đựng mẫu (Vm + Vs) được tính theo định luật khí được giải hấp phụ từ bề mặt vật liệu

469 470
Khoa CN Hóa
Thanks for your
the attention

471
118

Vat Lieu Hoc-Hinh Anh Dep

Uploaded by

Document Information

Original Title

Copyright

Available Formats

Share this document

Share or Embed Document

Sharing Options

Did you find this document useful?

Is this content inappropriate?

Copyright:

Available Formats

Vat Lieu Hoc-Hinh Anh Dep

Uploaded by

Copyright:

Available Formats

1/5/2018

GIỚI THIỆU MÔN HỌC

Mục tiêu môn học

(1tiết) giá vật liệu.

MK : Caolinite@12 đoán thiết kế vật liệu theo yêu cầu

Đoàn Mạnh Tuấn

GIỚI THIỆU MÔN HỌC GIỚI THIỆU MÔN HỌC

Tài liệu tham khảo Nội dung môn học

 Lê Công Dưỡng ,Vật liệu học,

Đoàn Mạnh Tuấn Đoàn Mạnh Tuấn

GIỚI THIỆU MÔN HỌC GIỚI THIỆU MÔN HỌC

Phân bố chương trình Hình thức đánh giá

Chương Nội dung Số tiết

Đoàn Mạnh Tuấn Đoàn Mạnh Tuấn

VẬT LIỆU HỌC

GIỚI THIỆU CHUNG

Đoàn Mạnh Tuấn

1. GIỚI THIỆU CHUNG 1. GIỚI THIỆU CHUNG

1.1. Developed history of material 1.1. Developed history of materials

Đoàn Mạnh Tuấn Đoàn Mạnh Tuấn

1. GIỚI THIỆU CHUNG 1. GIỚI THIỆU CHUNG

The importance of materials science Vật liệu (Materrials) là gì?

- Hiểu rõ các tính chất  Chất hoặc hợp chất

Đoàn Mạnh Tuấn Đoàn Mạnh Tuấn

1. GIỚI THIỆU CHUNG 1. GIỚI THIỆU CHUNG

Khoa học vật liệu? Khoa học vật liệu?

Khoa học liên ngành  Các tính chất được

nghiên cứu về mối nghiên cứu là cấu trúc,

quan hệ giữa thành tính chất điện, từ, nhiệt,

phần, cấu trúc, các cơ hoặc tổ hợp của các

công nghệ chế tạo, xử tính chất đó → Tạo ra các

lý và tính chất của vật liệu đáp ứng nhu cầu

vật liệu kỹ thuật

Đoàn Mạnh Tuấn Đoàn Mạnh Tuấn

1. GIỚI THIỆU CHUNG 1. GIỚI THIỆU CHUNG

1.2. Phân loại vật liệu Kim loại

1. Bán dẫn Chứa sắt Không chứa sắt

1. GIỚI THIỆU CHUNG 1. GIỚI THIỆU CHUNG

Vật liệu Silicat Vật liệu Polyme

Polymer thiên nhiên Polymer tổng hợp

Đoàn Mạnh Tuấn Đoàn Mạnh Tuấn

1. GIỚI THIỆU CHUNG 1. GIỚI THIỆU CHUNG

Vật liệu Polyme Vật liệu Composite

Theo cấu trúc

Mạch thẳng Mạch nhánh Mạch lưới Mạch không gian

Cốt hạt Cốt sợi Composite cấu trúc

Hạt thô Hạt mịn Liên tục Gián đoạn

1. GIỚI THIỆU CHUNG 1. GIỚI THIỆU CHUNG

Động cơ máy bay

Thép kết cấu Nha khoa - implant

1. GIỚI THIỆU CHUNG 1. GIỚI THIỆU CHUNG

Vật liệu silicat Vật liệu silicat

Đoàn Mạnh Tuấn Đoàn Mạnh Tuấn

1. GIỚI THIỆU CHUNG 1. GIỚI THIỆU CHUNG

Vật liệu Polyme Vật liệu Composite

Đoàn Mạnh Tuấn Đoàn Mạnh Tuấn

1. GIỚI THIỆU CHUNG 1. GIỚI THIỆU CHUNG

Vật liệu Composite Vật liệu cao cấp

 Vật liệu có cấu trúc nano: những vật

VẬT LIỆU HỌC

CẤU TRÚC TINH THỂ

Đoàn Mạnh Tuấn

Nội dung Liên kết ion