Professional Documents
Culture Documents
Domiri Project
Domiri Project
استاد:
دکتر حسینی
تهیهکننده:
پاسخ ) در ابتدا با داشتن مقادیر n , pباید مقدار ضرایب نفوذ را محاسبه کرد .برای این کار میتوان
نوشت :
qD n kT cm 2
= n *= 0.1 → D n = 0.1 = 0.1*8.615*10 −5 * 300 = 25.8
kT q sec
qD kT cm 2
* p = p = 0.05 → D p = 0.05 = 0.05*8.615*10 −5 * 300 = 12.9
kT q sec
در مرحلهی بعد به سراغ محاسبهی I phاز طریق رابطهی I ph = 0 [(1 − )]n phqمیرویم .اما قبل از
آن الزم است تا کمیتهای موجود در این رابطه را به دست آوریم :
0 = 0.6
E g n 4 = 173, Si → n = (173 / 1.12)0.25 = 3.52
= ( n − 1) 2 / ( n + 1) 2 = 0.31
= 1 − exp( −aL ) = 1 − exp( −103 *10−3 ) = 0.37
n ph = 3*1017 , q = 1.602 *10−19
I ph = 0.0125amper
قدم بعدی محاسبهی ولتاژ مدارباز از طریق رابطهی زیر است :
اما با توجه به این که مقادیر طول نفوذ برای الکترون وحفره را در اختیار نداریم ،از تقریب زیر استفاده
میکنیم :
Eg
= V oc − 0.5, Si →V oc = 1.12 − 0.5 = 0.62
q
در ادامه باید V maxرا از طریق رابطهی زیر محاسبه کنیم :
و در گام نهایی می توان راندمان بیشینهی سلول خورشیدی را محاسبه کرد :
V oc I ph 0.62 * 0.0125
max = k = 0.83 −4
= 6.44%
W 1000 *10
I ( 2 )*A
m
تمرین 11-1
سیلیکان در 300کلوین با 5 × 1015 𝑐𝑚−3اتم پذیرنده ناخالص شده است.
حال اتم های دهنده اضافه میشوند تا نیمههادی نوع nتشکیل شود .به گومه ای
که انرژی فرمی 0.512الکترون-ولت زیر باند هدایت قرار گیرد .دانسیته
ناخالصی اتمهای دهنده اضافهشده را پیدا کنید.
با توجه به این که مقدار ( )Band Gapبرای سیلیکان برابر با 1.12الکترون – ولت
است ،برای این که شرط مورد نظر مسئله ارضا شود ،باید سطح انرژی فرمی برابر
0.608الکترون – ولت باشد .حال به سراغ رابطهی انرژی فرمی برای یک نیمههادی با
بخش دوم )
اگر سطح انرژی فرمی به اندازهی ) ( KT = 0.0258evبه باند ظرفیت نزدیک شود ،آنگاه خواهیم داشت
:
حال برای این سطح جدید انرژی فرمی با استفاده از رابطهی بخش قبل میتوان دانسیتهی جدید اتمهای
ناخالصی پذیرنده را محاسبه کرد :
kq N Na 1 kq N N a
0 − V0 = d = 2 d =
8 C ( N d + N a ) C 8 ( N d + N a )
2
= 0.0002306 m
x0 = x0+ + x0− = 2.306 m
راه حل:
تمرین 7-3
تمرین 8-3