You are on page 1of 30

‫دانشگاه صنعتي امیرکبیر‬

‫دانشکده مهندسی مکانیک‬

‫پروژه پایانی درس تبدیل مستقیم انرژی‬

‫استاد‪:‬‬

‫دکتر حسینی‬

‫تهیهکننده‪:‬‬

‫علیرضا دومیري گنجي‬

‫تبدیل انرژی‬ ‫دانشجوی ارشد مکانیک‬


‫شماره دانشجویی‪400126137:‬‬

‫بهمن ماه ‪1401‬‬


‫تمرین ‪4-1‬‬
‫تمرین‪5-1‬‬
‫تمرین ‪6-1‬‬
‫تمرین ‪8-1‬‬

‫پاسخ ) در ابتدا با داشتن مقادیر ‪ n ,  p‬باید مقدار ضرایب نفوذ را محاسبه کرد‪ .‬برای این کار میتوان‬
‫نوشت ‪:‬‬
‫‪qD n‬‬ ‫‪kT‬‬ ‫‪cm 2‬‬
‫= ‪n‬‬ ‫*‪= 0.1 → D n = 0.1‬‬ ‫‪= 0.1*8.615*10 −5 * 300 = 25.8‬‬
‫‪kT‬‬ ‫‪q‬‬ ‫‪sec‬‬
‫‪qD‬‬ ‫‪kT‬‬ ‫‪cm 2‬‬
‫*‪ p = p = 0.05 → D p = 0.05‬‬ ‫‪= 0.05*8.615*10 −5 * 300 = 12.9‬‬
‫‪kT‬‬ ‫‪q‬‬ ‫‪sec‬‬

‫‪1‬‬ ‫‪Dp‬‬ ‫‪1‬‬ ‫‪Dn‬‬


‫[ ‪ I 0 = qA ni2‬نیاز به‬ ‫‪+‬‬ ‫حال برای محاسبهی جریان اشباع ( ‪ ) I 0‬از رابطهی ]‬
‫‪Nd‬‬ ‫‪p‬‬ ‫‪Na‬‬ ‫‪n‬‬
‫محاسبهی ‪ n i‬داریم‪ .‬بنابراین خواهیم داشت ‪:‬‬
‫‪1.5‬‬
‫‪ 2 ( m p* m n* )0.5 kT  − 2‬‬
‫‪ni = 2 ‬‬ ‫‪2‬‬ ‫‪ e‬‬
‫‪kT‬‬

‫‪‬‬ ‫‪h‬‬ ‫‪‬‬

‫مقادیر ‪ m p* , m n* , ‬برای سیلیکان از جدول زیر جایگذاری میشوند ‪:‬‬


‫با جایگذاری مقادیر ثابتهای مختلف در رابطهی باال خواهیم داشت ‪:‬‬
‫‪ni = 8.51*109 cm −3‬‬

‫حال می توانیم ‪ I 0‬را محاسبه کنیم ‪:‬‬

‫‪1‬‬ ‫‪Dp‬‬ ‫‪1‬‬ ‫‪Dn‬‬


‫[ ‪I 0 = qA ni2‬‬ ‫‪+‬‬ ‫=]‬
‫‪Nd‬‬ ‫‪p‬‬ ‫‪Na‬‬ ‫‪n‬‬
‫‪ 1‬‬ ‫‪25.8‬‬ ‫‪1‬‬ ‫‪12.9 ‬‬
‫‪1.602 *10−19 *1* (8.51*109 ) 2 *  22‬‬ ‫‪−6‬‬
‫‪+ 22‬‬ ‫‪−18‬‬
‫‪ = 5.81*10 amper‬‬
‫‪10‬‬ ‫‪3*10‬‬ ‫‪10‬‬ ‫‪3*10−6 ‬‬

‫در مرحلهی بعد به سراغ محاسبهی ‪ I ph‬از طریق رابطهی ‪ I ph = 0 [(1 − )]n phq‬میرویم‪ .‬اما قبل از‬
‫آن الزم است تا کمیتهای موجود در این رابطه را به دست آوریم ‪:‬‬
‫‪0 = 0.6‬‬
‫‪E g n 4 = 173, Si → n = (173 / 1.12)0.25 = 3.52‬‬
‫‪ = ( n − 1) 2 / ( n + 1) 2 = 0.31‬‬
‫‪ = 1 − exp( −aL ) = 1 − exp( −103 *10−3 ) = 0.37‬‬
‫‪n ph = 3*1017 , q = 1.602 *10−19‬‬

‫با جایگذاری این کمیتها در رابطهی ‪ I ph‬خواهیم داشت ‪:‬‬

‫‪I ph = 0.0125amper‬‬

‫قدم بعدی محاسبهی ولتاژ مدارباز از طریق رابطهی زیر است ‪:‬‬
‫اما با توجه به این که مقادیر طول نفوذ برای الکترون وحفره را در اختیار نداریم‪ ،‬از تقریب زیر استفاده‬
‫میکنیم ‪:‬‬
‫‪Eg‬‬
‫= ‪V oc‬‬ ‫‪− 0.5, Si →V oc = 1.12 − 0.5 = 0.62‬‬
‫‪q‬‬

‫در ادامه باید ‪ V max‬را از طریق رابطهی زیر محاسبه کنیم ‪:‬‬

‫با جایگذاری و انجام سعی و خطا ‪ V max‬به دست می آید ‪:‬‬


‫‪V max = 0.54volts‬‬

‫حال به محاسبهی ‪ I max‬میپردازیم ‪:‬‬


‫‪qV max / kT‬‬
‫= ‪I max‬‬ ‫‪* I ph = 0.012amper‬‬
‫‪1 + qV max / kT‬‬

‫در این مرحله میخواهیم ‪ (fulfill factor)k‬را محاسبه کنیم ‪:‬‬


‫‪V max I max‬‬
‫= ‪k‬‬ ‫‪= 0.83‬‬
‫‪V oc I ph‬‬

‫و در گام نهایی می توان راندمان بیشینهی سلول خورشیدی را محاسبه کرد ‪:‬‬
‫‪V oc I ph‬‬ ‫‪0.62 * 0.0125‬‬
‫‪max = k‬‬ ‫‪= 0.83‬‬ ‫‪−4‬‬
‫‪= 6.44%‬‬
‫‪W‬‬ ‫‪1000‬‬ ‫‪*10‬‬
‫‪I ( 2 )*A‬‬
‫‪m‬‬
‫تمرین ‪11-1‬‬
‫سیلیکان در ‪ 300‬کلوین با ‪ 5 × 1015 𝑐𝑚−3‬اتم پذیرنده ناخالص شده است‪.‬‬
‫حال اتم های دهنده اضافه میشوند تا نیمههادی نوع ‪ n‬تشکیل شود‪ .‬به گومه ای‬
‫که انرژی فرمی ‪ 0.512‬الکترون‪-‬ولت زیر باند هدایت قرار گیرد‪ .‬دانسیته‬
‫ناخالصی اتمهای دهنده اضافهشده را پیدا کنید‪.‬‬
‫با توجه به این که مقدار (‪ )Band Gap‬برای سیلیکان برابر با ‪ 1.12‬الکترون – ولت‬

‫است‪ ،‬برای این که شرط مورد نظر مسئله ارضا شود‪ ،‬باید سطح انرژی فرمی برابر‬
‫‪ 0.608‬الکترون – ولت باشد‪ .‬حال به سراغ رابطهی انرژی فرمی برای یک نیمههادی با‬

‫دو نوع ناخالصی میرویم ‪:‬‬

‫را محاسبه کنیم ‪:‬‬ ‫‪fi‬‬ ‫ابتدا باید‬


‫*‪m p‬‬ ‫‪0.811 0.75‬‬
‫(‪fi = 0.5* (c + v ) + KT ln‬‬ ‫*‬
‫(‪)0.75 = 0.5*1.12 + 0.0258* ln‬‬ ‫‪) = 0.554‬‬
‫‪m‬‬ ‫‪n‬‬ ‫‪1.08‬‬

‫سپس خواهیم داشت ‪:‬‬


‫‪Nd −Na‬‬
‫(‪→ KT ln‬‬ ‫‪) = f − fi = 0.608 − 0.554 = 0.054ev‬‬
‫‪ni‬‬
‫‪Nd −Na‬‬ ‫‪0.054‬‬
‫(‪→ ln‬‬ ‫=)‬ ‫‪= 2.09, ni = 8.51*109 cm −3 , N a = 5*1015‬‬
‫‪ni‬‬ ‫‪0.0258‬‬
‫‪→ N d = 5.00007 *1015cm 3‬‬
‫تمرین‪12-1‬‬
‫سیلیکان در ‪ 300‬کلوین با اتم های پذیرنده با دانسیته ‪ 𝑁𝑎 = 7 × 1015 𝑐𝑚−3‬ناخالص شده است‪.‬‬
‫ابتدا مقدار 𝑐𝐸 ‪ 𝐸𝑓 −‬را حساب کنید و سپس دانسیته اتم های پذیرنده را که باید اضافه شوند تا انرژی‬
‫فرمی به اندازه ‪ KT‬به باند ظرفیت افزوده شود پیدا کنید‪.‬‬
‫بخش اول )‬
‫در این مسئله نیز از رابطهی سطح انرژی فرمی برای نیمههادی با ناخالصی استفاده میکنیم؛ البته چون‬
‫دانسیتهی ناخالصیها بسیار بیشتر از ‪ n i‬است میتوان از رابطهی زیر استفاده کرد‪ .‬مقدار ناخالصی از‬
‫نوع اتمهای دهنده را صفر قرار میدهیم‪ fi .‬که نسبت به سوال قبل فرقی نمیکند و برابر است با‬
‫‪ 0.554‬الکترون – ولت‪ .‬حال ترم دوم موجود در رابطهی ‪  f‬را محاسبه میکنیم تا نهایتا بتوانیم ‪  f‬را‬

‫محاسبه کنیم ‪:‬‬

‫‪Nd −Na‬‬ ‫‪0 − 7 *1015‬‬


‫(‪→ KT ln‬‬ ‫|(‪) = 0.0258* ln‬‬ ‫‪|) = 0.351‬‬
‫‪ni‬‬ ‫‪8.51*109‬‬
‫‪→ f = 0.554 − 0.351 = 0.203ev‬‬
‫‪→ E f − E c = 0.203 − 1.12 = −0.909ev‬‬

‫بخش دوم )‬

‫اگر سطح انرژی فرمی به اندازهی ) ‪ ( KT = 0.0258ev‬به باند ظرفیت نزدیک شود‪ ،‬آنگاه خواهیم داشت‬
‫‪:‬‬

‫‪f = 0.203 − 0.0258 = 0.178‬‬

‫حال برای این سطح جدید انرژی فرمی با استفاده از رابطهی بخش قبل میتوان دانسیتهی جدید اتمهای‬
‫ناخالصی پذیرنده را محاسبه کرد ‪:‬‬

‫‪Nd −Na‬‬ ‫‪0−Na‬‬


‫(‪→ KT ln‬‬ ‫(‪) = 0.0258* ln‬‬ ‫‪) = f − fi = 0.178 − 0.554 = −0.376‬‬
‫‪ni‬‬ ‫‪8.51*109‬‬
‫‪0−Na‬‬ ‫‪−0.376‬‬
‫(‪→ ln‬‬ ‫‪9‬‬
‫=)‬ ‫‪= −14.57 → N a ,new = 1.82 *1016‬‬
‫‪2 *8.51*10‬‬ ‫‪0.0258‬‬
‫‪→ N a ,new − N a ,old = (1.82 − 0.7) *1016 = 1.12 *1016‬‬
‫تمرین ‪16-1‬‬
‫در جدول ‪11-1‬درباره ی درسی مقادیر داده شده برای کمیت ها تحقیق کنید‪.‬‬
‫حل‪ :‬توجه به این نکته ضروری است که در روابط مورد استفاده‪ x 0+ ،‬عمق فضای تخلیه بار درون نوع‬
‫ضخامت فضای تخلیه بار الکتریکی ‪ x 0‬نیمه هادی‪ x 0− ، P،‬عمق فضای تخلیه بار درون نوع ‪n‬نیمه هادی‬
‫ظرفیت خازنی فضای تخلیه بار و ‪ 0‬پتانسیل اتصال‪C،‬میدان الکتریکی متناظر با پتانسیل کلی‪ E 0 ،‬متحرک‪،‬‬
‫بار الکترون‪  0 ،‬ثابت دی الکتریک خال‪  r ،‬ثابت دی الکتریک نسبی نیمه ‪ V 0 q‬ولتاژ اعمال شده خارجی‪،‬‬
‫ثابت دی الکتریک است‪ .‬دمای نیمه هادی را نیز برابر با ‪ 300‬درجه کلوین در نظر می گیریم‪ k .‬هادی‪،‬‬
‫صحت نتایج جدول مورد نظر را برای دو حالت زیر بررسی مینماییم‪:‬‬
‫حالت اول‪)1 :‬‬
‫‪N d = 1014 (cm −3 ), N a = 1014 (cm −3 ),‬‬
‫‪0 = 0.0702(V ), V0 = −5(V ),‬‬
‫‪C2‬‬
‫( ‪k = 4 r  0 = 16  (4  8.85  10−12 ) = 1.779  10−9‬‬ ‫‪2‬‬
‫) ‪), q = 1.6  10−19 (C‬‬
‫‪Nm‬‬
‫در اینجا روابط را ذکر نموده و پارامترهای مورد استفاده را در آنها قرار میدهیم‪ .‬با جایگذاری‬
‫پارامترهای مورد نظر خواهیم داشت‪:‬‬

‫) ‪k (0 − V0‬‬ ‫‪Na‬‬ ‫)‪1.779 10−9 (0.0702 + 5‬‬ ‫‪1014‬‬


‫= ‪x0 +‬‬ ‫‪‬‬ ‫=‬ ‫‪‬‬ ‫‪103 = 6.698 m‬‬
‫‪2 q‬‬ ‫) ‪Nd ( Nd + Na‬‬ ‫‪2 1.6 10‬‬ ‫‪−19‬‬
‫) ‪10 (10 + 10‬‬
‫‪14‬‬ ‫‪14‬‬ ‫‪14‬‬

‫) ‪k (0 − V0‬‬ ‫‪Nd‬‬ ‫)‪1.779 10−9 (0.0702 + 5‬‬ ‫‪1014‬‬


‫= ‪x0 −‬‬ ‫‪‬‬ ‫=‬ ‫‪ 14 14‬‬ ‫‪103 = 6.698 m‬‬
‫‪2 q‬‬ ‫) ‪Nd ( Nd + Na‬‬ ‫‪2 1.6 10‬‬ ‫‪−19‬‬
‫) ‪10 (10 + 10‬‬
‫‪14‬‬

‫‪x0 = x0+ + x0− = 6.698 + 6.698 = 13.396m‬‬


‫)‪8 1.6 10−19  (0.0702 + 5‬‬ ‫‪1‬‬ ‫‪1 −1‬‬ ‫‪−3‬‬ ‫‪4 1.6 104  5.0702‬‬ ‫‪kv‬‬
‫= ‪E0‬‬ ‫‪‬‬ ‫(‬ ‫‪+‬‬ ‫)‬ ‫‪‬‬ ‫‪10‬‬ ‫=‬ ‫‪10−3 = 7.5699‬‬
‫‪1.779 10−9‬‬ ‫‪1014 1014‬‬ ‫‪1.779‬‬ ‫‪cm‬‬
2(0 − V0 ) 2(0.0702 + 5) kv
E0 = = 10 = 7.5697
x0 14.2 cm
kq N  Na 1 1.779 10−9 1.6 10−19 1014  1014
C=  d =  14  109 =
2 (0 − V0 ) ( N d + N a ) 2 2 (0.0702 + 5) (10 + 10 )
14

1 1.779 10−14 1.6 f


109 = 0.0010568 2
4  (5.0702) cm

kq N  Na 1  kq N  N a 
0 − V0 =  d = 2   d =
8 C ( N d + N a ) C  8 ( N d + N a ) 
2

1 1.779 10−9 1.6 10−19 1014 1014 


  14 14 
10−9 =
2
0.0010568  8 (10 + 10 ) 
1 1.779 1.6 10−14 1 
   10−9 = 5.070379 V
2
0.0010568  8 (2) 

:‫) حالت دوم‬2


N d = 1014 (cm −3 ), N a = 1018 (cm −3 ),
)2 V0 = 0(V ), 0 = 0.3005(V )
C2
k = 4 r  0 = 1.779 10−9 ( 2
), q = 1.6 10−19 (C )
Nm

1.779 10−9  (0.3005 − 0) 1018 1.779  (0.3005 − 0) 1


x0 + =  103 =  4 103
2 1.6 10 −19
10 (10 + 10 )
14 14 18
2 1.6 (10 + 1)
= 2.306 m
1.779 10−9 (0.3005 − 0) 1014 1.779(0.3005 − 0) 105
x0 − =  18 14 10 =
3
 13 103
2 1.6 10 −19
10 (10 + 10 )
18
2 1.6 10 (1 + 10 )
4

= 0.0002306 m
x0 = x0+ + x0− = 2.306 m

8 1.6 10−19  (0.3005 − 0) 1 1 kv


E0 = −9
 ( 14 + 18 ) −1 10−3 = 2.6062
1.779 10 10 10 cm
‫‪1 1.779 10−9 1.6 10−19 1014 1018‬‬ ‫‪f‬‬
‫=‪C‬‬ ‫‪ 14‬‬ ‫‪109 = 0.00614 2‬‬
‫‪2‬‬ ‫)‪2 (0.3005 − 0‬‬ ‫) ‪(10 + 10‬‬
‫‪18‬‬
‫‪cm‬‬

‫‪1‬‬ ‫‪1.779 10−9 1.6 10−19 1014 1018 ‬‬


‫= ‪0 − V0‬‬ ‫‪‬‬ ‫‪ 14‬‬ ‫‪10−9 = 0.3005 V‬‬
‫‪0.00613912 ‬‬ ‫‪8‬‬ ‫‪(10 + 1018 ) ‬‬
‫به منظور درک بهتر نتایج و مقایسه آنها‪ ،‬پارامترهای مربوطه را در جدول زیر نمایش میدهیم‪:‬‬

‫جدول ‪ .1‬حالت اول‬


‫‪f‬‬ ‫‪kv‬‬
‫) ‪0 − V0 (V‬‬ ‫( ‪C‬‬ ‫)‬ ‫) ( ‪E0‬‬ ‫)‪x0 (  m‬‬ ‫)‪x0 − ( m‬‬ ‫)‪x0 + ( m‬‬ ‫پارامترها‬
‫‪cm 2‬‬ ‫‪cm‬‬
‫‪5.0702‬‬ ‫‪0.00105‬‬ ‫‪7.57‬‬ ‫‪13.4‬‬ ‫‪6.69‬‬ ‫‪6.69‬‬ ‫مقدار موجود در جدول‬
‫‪5.07038‬‬ ‫‪0.001057‬‬ ‫‪7.57‬‬ ‫‪13.396‬‬ ‫‪6.698‬‬ ‫‪6.698‬‬ ‫مقدار محاسبهای‬

‫جدول ‪ .2‬حالت دوم‬


‫‪f‬‬ ‫‪kv‬‬
‫) ‪0 − V0 (V‬‬ ‫( ‪C‬‬ ‫)‬ ‫) ( ‪E0‬‬ ‫)‪x0 (  m‬‬ ‫)‪x0 − ( m‬‬ ‫)‪x0 + ( m‬‬ ‫پارامترها‬
‫‪cm 2‬‬ ‫‪cm‬‬
‫‪0.3005‬‬ ‫‪0.00613‬‬ ‫‪2.61‬‬ ‫‪2.31‬‬ ‫‪0.00023‬‬ ‫‪2.31‬‬ ‫مقدار موجود در جدول‬
‫‪0.3005‬‬ ‫‪0.00614‬‬ ‫‪2.6062‬‬ ‫‪2.306‬‬ ‫‪0.00023‬‬ ‫‪2.306‬‬ ‫مقدار محاسبهای‬
‫تمرین‪10-2‬‬
‫تمرین ‪9-2‬‬
‫تمرین‪5-3‬‬

‫راه حل‪:‬‬
‫تمرین ‪7-3‬‬
‫تمرین ‪8-3‬‬

‫راه حل قسمت ب)‬


‫تمرین ‪6-4‬‬
‫تمرین ‪7-4‬‬

You might also like