BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO

TRƯỜNG ĐẠI HỌC SƯ PHẠM KỸ THUẬT

THÀNH PHỐ HỒ CHÍ MINH

???
LUẬN VĂN THẠC SĨ
CAO NHƯ TUẤN

???????
PHÂN TÍCH KẾT CẤU TẤM/VỎ COMPOSITE BẰNG PHẦN
TỬ VỎ PHẲNG TAM GIÁC 3 NÚT 18 BẬC TỰ DO
CS-MITC3+
?????

????
NGÀNH: KỸ THUẬT XÂY DỰNG CÔNG TRÌNH DD VÀ CN - 60580208

Tp. Hồ Chí Minh, tháng 04/2018

 BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO
TRƯỜNG ĐẠI HỌC SƯ PHẠM KỸ THUẬT
THÀNH PHỐ HỒ CHÍ MINH

LUẬN VĂN THẠC SĨ

CAO NHƯ TUẤN

PHÂN TÍCH KẾT CẤU TẤM/VỎ COMPOSITE BẰNG PHẦN

TỬ VỎ PHẲNG TAM GIÁC 3 NÚT 18 BẬC TỰ DO
CS-MITC3+

NGÀNH: KỸ THUẬT XÂY DỰNG CÔNG TRÌNH DD VÀ CN - 60580208

Hướng dẫn khoa học:
TS. CHÂU ĐÌNH THÀNH

Tp. Hồ Chí Minh, tháng 04/2018

 LÝ LỊCH KHOA HỌC

I. LÝ LỊCH SƠ LƯỢC:
Họ & tên: Cao Như Tuấn Giới tính: Nam
Ngày, tháng, năm sinh: 31/08/1982 Nơi sinh: Quảng Trị
Quê quán: Quảng Trị Dân tộc: Kinh
Chỗ ở riêng hoặc địa chỉ liên lạc: 1886/78/11 Huỳnh Tấn Phát, Nhà Bè, Tp.HCM
Điện thoại cơ quan: Điện thoại riêng: 0984180233
Fax: E-mail: caonhutuan@gmail.com

II. QUÁ TRÌNH ĐÀO TẠO:

1. Đại học:
Hệ đào tạo: Chính quy Thời gian đào tạo từ 09/2006 đến 09/2010
Nơi học (trường, thành phố): Trường Đại học Khoa Học Tự Nhiên Tp.HCM
Ngành học: Địa chất công trình & địa chất thủy văn
Hệ đào tạo: Vừa học – vừa làm Thời gian đào tạo từ 09/2009 đến 09/2014
Nơi học (trường, thành phố): Trường Đại học Mở Tp.HCM
Ngành học: Kỹ thuật công trình xây dựng

III. QUÁ TRÌNH CÔNG TÁC CHUYÊN MÔN KỂ TỪ KHI TỐT NGHIỆP ĐẠI
HỌC:
Thời gian Nơi công tác Công việc đảm nhiệm
Công Ty Cp Tư Vấn Thiết Kế
2011 -2015 Kỹ sư kết cấu – Kỹ sư địa chất
Xây Dựng Sagen
Công Ty Cp Tư Vấn Xây Dựng
2015 -2016 Kỹ sư kết cấu – Kỹ sư địa chất
Công Trình VLXD (CCBM)
Công Ty Kỹ Thuật Kiến Trúc
2016 đến nay Kỹ sư kết cấu – Kỹ sư địa chất
Aplan

i
 LỜI CAM ĐOAN

Tôi xin cam đoan luận văn “PHÂN TÍCH KẾT CẤU TẤM/VỎ COMPOSITE
BẰNG PHẦN TỬ VỎ PHẲNG TAM GIÁC 3 NÚT 18 BẬC TỰ DO CS-MITC3+”
đây là công trình nghiên cứu của tôi.
Ngoại trừ những tài liệu tham khảo được trích dẫn trong luận văn này, tôi cam đoan
các số liệu, kết quả nêu trong luận văn là trung thực và chưa từng được ai công bố
trong bất kỳ công trình nào khác.
Tp. Hồ Chí Minh, ngày 04 tháng 04 năm 2018
Cao Như Tuấn

ii
 LỜI CẢM ƠN

Tôi xin trân trọng cảm ơn TS. Châu Đình Thành, người đã tận tình giúp đỡ, hướng
dẫn, định hướng đúng đắn cho tôi trong nghiên cứu khoa học và cung cấp các thông
tin cần thiết để tôi hoàn thành luận văn thạc sĩ này.
Xin cảm ơn thầy Châu Đình Thành đã hỗ trợ tôi chương trình Matlab cho phần tử
CS-MITC3+. Đồng thời tôi xin gửi lời cảm ơn đến quý thầy cô giáo trong Khoa
Xây Dựng của Trường Đại Học Sư Phạm Kỹ Thuật Thành Phố Hồ Chí Minh. Xin
cảm ơn tất cả người thân trong gia đình, công ty và đồng nghiệp đã giúp đỡ và tạo
điều kiện thuận lợi để tôi hoàn thành luận văn.
Vì kiến thức và thời gian thực hiện luận văn thạc sĩ có hạn nên không tránh khỏi
những hạn chế và thiếu sót. Tôi rất mong được sự đóng góp của quý thầy cô giáo,
bạn bè và đồng nghiệp để luận văn được hoàn thiện hơn.
Xin chân thành cảm ơn!
Tp. Hồ Chí Minh, ngày 04 tháng 04 năm 2018
Cao Như Tuấn

iii
 TÓM TẮT

Trong luận văn này, phần tử vỏ phẳng tam giác 3 nút 18 bậc tự do có kể đến bậc tự
do thực xoay quanh trục vuông góc với mặt phẳng trung bình của phần tử. Hiện
tượng khóa cắt khi chiều dày phần tử giảm được khắc phục bằng kỹ thuật MITC3+.
Phương pháp phần tử hữu hạn trơn trên miềm phần tử CS-FEM (Cell Smoonthed
Finite Element Method) được phát triển cho phần tử MITC3+. Với phương pháp
phần tử hữu hạn sử dụng lý thuyết biến dạng cắt bậc nhất luận văn xây dựng phần
tử tam giác 3 nút 18 bậc tự do CS-MITC3+.
Phần tử phát triển trong luận văn này được dùng phân tích tĩnh kết cấu tấm/vỏ
composite nhiều lớp theo lý thuyết biến dạng cắt bậc nhất. Ngôn ngữ lập trình
Matlab được sử dụng để mô phỏng và phân tích tính toán các ví dụ số. Kết quả tính
toàn tấm/vỏ composite bằng phần tử vỏ phẳng tam giác 3 nút 18 bậc tự do CS-
MITC3+ được so sánh với các kết quả của những nghiên cứu khác và kết quả mô
phỏng bằng phần mềm thương mại Abaqus để đánh giá độ tin cậy của phần tử này.

iv
 ABSTRACT

In this thesis, a 18-degree of freedom 3-node triangular flat shell element containing
the true drilling degrees of freedom that rotate around the axis perpendicular to the
mid plane of the element is studied. The shear locking phenomenon which occurs
when the element thickness decreases is overcome by the MITC3+ technique. The
cell smoonthed finite element method (CS-FEM) is developed for the MITC3+
element. Using the first-order shear deformation theory, this thesis is presents a cell-
based smoothing 18 degrees of freedom 3-node Triangular element, namely CS-
MITC3+.
The presented element in this thesis is used for static analysis of laminated
composite plate/shell according to the first-order shear deformation theory. Matlab
programming language is used to implement the developed theory. Some
benchmark composite plate/shell structures are numerical results given by the CS-
MITC3+ element are compared to those of other references and analysed the
commerial software Abaqus to evaluate the accuracy and robustress.

v
 MỤC LỤC

LÝ LỊCH KHOA HỌC .......................................................................................... i

LỜI CAM ĐOAN .................................................................................................. ii
LỜI CẢM ƠN ....................................................................................................... iii
TÓM TẮT ............................................................................................................. iv
ABSTRACT ........................................................................................................... v
MỤC LỤC............................................................................................................. vi
DANH SÁCH CÁC CHỮ VIẾT TẮT ............................................................... viii
DANH SÁCH CÁC KÝ HIỆU ............................................................................. ix
DANH SÁCH CÁC HÌNH ................................................................................... xi
DANH SÁCH CÁC BẢNG ................................................................................ xiii
Chương 1: TỔNG QUAN...................................................................................... 1
1.1 ĐẶT VẤN ĐỀ ................................................................................................... 1
1.2 TỔNG QUAN TÌNH HÌNH NGHIÊN CỨU ............................................................... 3
1.2.1 Tình hình nghiên cứu ngoài nước ............................................................ 3
1.2.2 Tình hình nghiên cứu trong nước ............................................................ 6
1.3 MỤC ĐÍCH NGHIÊN CỨU .................................................................................. 8
1.4 PHƯƠNG PHÁP NGHIÊN CỨU ............................................................................ 8
1.5 TÍNH MỚI CỦA ĐỀ TÀI ...................................................................................... 8
Chương 2: LÝ THUYẾT BIẾN DẠNG CẮT BẬC NHẤT CHO TẤM/VỎ
COMPOSITE ........................................................................................................ 9
2.1 GIỚI THIỆU...................................................................................................... 9
2.2 TRƯỜNG CHUYỂN VỊ ....................................................................................... 9
2.3 TRƯỜNG BIẾN DẠNG ..................................................................................... 10
2.4 TRƯỜNG ỨNG SUẤT ...................................................................................... 11
2.5 CÁC THÀNH PHẦN NỘI LỰC ........................................................................... 12
Chương 3: CÔNG THỨC PTHH CHO PHẦN TỬ CS_MITC3+ .................... 16
3.1 CÔNG THỨC PTHH TAM GIÁC 3 NÚT CS-MITC3+ TRONG HỆ TỌA ĐỘ CỤC BỘ16
3.1.1 Phần tử màng tam giác 3 nút .................................................................. 16
3.1.2 Phần tử tấm giác 3 nút MITC3+............................................................. 19
3.1.3 Kỹ thuật khử khóa cắt của phần tử MITC3+ .......................................... 21
3.1.4 Công thức phần tử hữu hạn trơn CS-MITC3+. ....................................... 22
3.1.5 Ma trận độ cứng phần tử CS-MITC3+ trong hệ tọa độ cục bộ................ 24
3.1.6 Kỹ thuật nén bậc tự do. .......................................................................... 26
3.2 CÔNG THỨC PTHH TAM GIÁC 3 NÚT CS-MITC3+ TRONG HỆ TỌA ĐỘ TOÀN
CỤC. ................................................................................................................... 26

vi
Chương 4: CÁC VÍ DỤ SỐ ................................................................................. 28
4.1 BÀI TOÁN PATCH TESTS. ............................................................................... 28
4.2 TẤM COMPOSITE ........................................................................................... 29
4.2.1 Tấm vuông composite liên kết tựa đơn 4 cạnh chịu tải phân bố đều ....... 30
4.2.2 Tấm vuông composite liên kết tựa đơn 4 cạnh chịu tải sin ..................... 33
4.2.3 Tấm vuông composite liên kết ngàm 4 cạnh chịu tải phân bố đều .......... 36
4.2.4 Tấm xiên composite liên kết tựa đơn 4 cạnh chịu tải phân bố đều .......... 39
4.3 VỎ COMPOSITE ............................................................................................. 42
4.3.1 Vỏ trụ composite liên kết ngàm chịu tải trọng tập trung ......................... 42
4.3.2 Vỏ mái vòm composite hai đầu liên kết ngàm chịu tải trọng bản thân .... 46
4.3.3 Vỏ chỏm cầu composite liên kết tựa đơn, chịu tải trọng tập trung .......... 50
Chương 5: KẾT LUẬN ....................................................................................... 55
5.1 KẾT LUẬN ..................................................................................................... 55
5.2 KIẾN NGHỊ .................................................................................................... 55
TÀI LIỆU THAM KHẢO ................................................................................... 56

vii
 DANH SÁCH CÁC CHỮ VIẾT TẮT

FEM ................................................................... Phương pháp phần tử hữu hạn

FSDT ............................................................. .Lý thuyết biến dạng cắt bậc nhất
HSDT ................................................................Lý thuyết biến dạng cắt bậc cao
S-FEM ........................................................ .Phương pháp phần tử hữu hạn trơn
CS-FEM ....................Phương pháp phần tử hữu hạn làm trơn trên miền phần tử
NS-FEM ...................... Phương pháp phần tử hữu hạn làm trơn trên nút phần tử
ES-FEM .................... Phương pháp phần tử hữu hạn làm trơn trên cạnh phần tử
MITC ............................... Phương pháp nội suy hỗn hợp các thành phần ten xơ
PTHH ...................................................................................... phần tử hữu hạn

viii
 DANH SÁCH CÁC KÝ HIỆU

 x ,  y ,  z ....................................................... Biến dạng dài theo phương x, y, z

u, v, w ................................................................. Chuyển vị theo phương x, y, z
u0 , v0 , w0 ...................Chuyển vị theo phương x, y, z trong mặt phẳng trung bình
 x , y , z ........................................................Chuyển vị xoay quanh trục x, y, z
 x ,  y ,  z ...... Chuyển vị xoay quanh trục x, y, z của pháp tuyến mặt trung bình
 xy ,  xz ,  yz .......................................... Biến dạng cắt trong mặt phẳng xy, xz, yz
 x , y , z .......................................................... Ứng suất pháp theo trục x, y, z
 xy , xz , yz ............ Ứng suất suất cắt trên các mặt có véc tơ pháp tuyến là x, y, z
 .............................................................................. Hệ số Possion của vật liệu
E .............................................................................................. Mô đun đàn hồi
h ................................................................................................. Chiều dày tấm
Qij .................................. Độ cứng giảm của vật liệu trong hệ tọa độ địa phương
Qij ....................................... Độ cứng giảm của vật liệu trong hệ tọa độ tổng thể
M x , M y .................................................................. Momen uốn quanh trục x, y
M xy .......................................................................... Momen xoắn quanh trục z
Qx , Qy .................................................................. Lực cắt theo phương trục x, y
N x , N y , N z .......................................................... Lực dọc theo phương trục x, y
A ................................................................................................ Độ cứng màng
B .......................................................................................... Độ cứng tương tác
D ...................................................................................................Độ cứng uốn
A s .................................................................................................. Độ cứng cắt
 ,  ...................................................... Các trục tọa độ địa phương của phần tử
N ( ,  ), f ( ,  ) ................................................................................. Hàm dạng
ε m ............................................................................................ Biến dạng màng
ε b ................................................................................................ Biến dạng uốn
ε s ................................................................................................. Biến dạng cắt
B m ............................... Ma trận quan hệ giữa biến dạng màng và chuyển vị nút
Bb ................................... Ma trận quan hệ giữa biến dạng uốn và chuyển vị nút
B s .................................... Ma trận quan hệ giữa biến dạng cắt và chuyển vị nút
K e .............................................................................. Ma trận độ cứng phần tử
 ........................ Ma trận quan hệ giữa biến dạng màng trơn và chuyển vị nút
B m

ix
 ............................ Ma trận quan hệ giữa biến dạng uốn trơn và chuyển vị nút
B b

B MITC
s
3
Ma trận quan hệ giữa biến dạng cắt và chuyển vị nút sử dụng kỹ thuật
MITC3+
K .......................................................................... Ma trận trận độ cứng tấm/vỏ
U ........................................................................................................chuyển vị
F ....................................................................................................... Ngoại lực
P .................................................Tải trọng tập trung tác dụng lên bề mặt tấm/vỏ
q, p ............................................ Tải trọng phân bố tác dụng lên bề mặt tấm/vỏ
fb ................................................................. Tải trọng tác dụng lên biên tấm/vỏ

x
 DANH SÁCH CÁC HÌNH

Hình 1.1. Cấu trúc của trụ sở Tập đoàn Aldar. Nguồn: Internet ............................... 1
Hình 1.2. Trung tâm tại Đài Loan. Nguồn: Internet ................................................. 2
Hình 1.3. Đền Hoa sen ở New Delhi, Ấn Độ. Nguồn: Internet ................................. 2
Hình 1.4. Vật liệu composite sử dụng cho máy bay ATR 72. Nguồn:
https://www.compositesworld.com .......................................................................... 3
Hình 1.5. Vật liệu composite sử dụng cho xe hơi. Nguồn: http://www.toray.com .... 3
Hình 2.1. Biến dạng của tấm theo lý thuyết biến dạng cắt bậc nhất .......................... 9
Hình 2.2. Các thành phần ứng suất tấm.................................................................. 11
Hình 2.3. Tấm composite gia cường sợi một phương ............................................. 12
Hình 2.4. Các thành phần nội lực màng ................................................................. 13
Hình 2.5. Các thành phần Mô-men uốn ................................................................. 14
Hình 2.6. Các thành phần lực cắt ........................................................................... 14
Hình 2.7. Hệ trục tọa độ của tấm/vỏ nhiều lớp ....................................................... 15
Hình 3.1. Phần tử màng tam giác ........................................................................... 16
Hình 3.2. Phần tử tấm tam giác 4 nút MITC3+ ...................................................... 19
Hình 3.3. Điểm buộc của phần tử tấm MITC3+ ..................................................... 21
Hình 3.4. Miền tam giác con ∆1; ∆2; ∆3 .................................................................. 22
Hình 3.5. Hệ tọa độ toàn cục, cục bộ và hệ tọa độ của sợi...................................... 25
Hình 4.1. Mô phỏng tấm Patch tests ...................................................................... 29
Hình 4.2. Tấm vuông composite liên kết tựa đơn (BC1) và liên kết ngàm (BC2) ... 30
Hình 4.3. Tấm vuông composite chịu tải phân bố đều (A) hoặc tải sin (B)............. 30
Hình 4.4. Độ võng tại tâm tấm vuông composite [00/900], biên BC1, tải đều ......... 32
Hình 4.5. Độ võng tại tâm tấm vuông composite [00/900/00], biên BC1, tải đều ..... 32
Hình 4.6. Độ võng chưa chuẩn hóa, tấm [00/900], BC1, tải đều, h/a=0.01 .............. 33
Hình 4.7. Độ võng tại tâm tấm vuông composite [00/900], biên BC1, tải Sin .......... 35
Hình 4.8. Độ võng tại tâm tấm vuông composite [00/900/00], biên BC1, tải Sin...... 35

xi
Hình 4.9. Độ võng chưa chuẩn hóa, tấm composite [00/900], lưới méo, tải sin ....... 36
Hình 4.10. Độ võng tấm vuông composite, biên BC2, tải đều ................................ 38
Hình 4.11. Độ võng tấm vuông composite, biên BC2, tải đều ................................ 38
Hình 4.12. Độ võng chưa chuẩn hóa, tấm composite [150/-150], BC2, tải đều ...... 39
Hình 4.13. Tấm composite xiên, biên tựa đơn 4 cạnh, tải đều ................................ 39
Hình 4.14. Độ võng tấm xiên composite [00/900/00], biên tựa đơn, tải đều ............. 41
Hình 4.15. Độ võng tấm xiên composite [450/-450/450], biên tựa đơn, tải đều ........ 41
Hình 4.16. Độ võng chưa chuẩn hóa, tấm xiên composite [450/-450/450], tải đều ... 42
Hình 4.17. Vỏ trụ composite, liên kết ngàm, chịu tải tập trung .............................. 43
Hình 4.18. Độ võng Vỏ trụ [00/900], biên BC3, tải trọng tập trung ......................... 45
Hình 4.19. Độ võng Vỏ trụ [00/900]5, biên BC3, tải trọng tập trung ........................ 45
Hình 4.20. Độ võng chưa chuẩn hóa Vỏ trụ [00/900], biên BC3, tải tập trung P...... 46
Hình 4.21. Mái vòm composite, liên kết ngàm, chịu tải trọng bản thân .................. 47
Hình 4.22. Độ võng chưa chuẩn hóa, mái vòm [00/900], BC4, tải trọng bản thân ... 47
Hình 4.23. Độ võng mái vòm [00/900] , biên BC4, chịu tải trọng bản thân ............. 49
Hình 4.24. Độ võng mái vòm [00/900]5 , biên BC4, tải trọng bản thân .................... 49
Hình 4.25. Chỏm cầu composite, liên kết tựa đơn, chịu tải tập trung ..................... 50
Hình 4.26. Độ võng chỏm cầu [00/900] , biên BC5, chịu tải tập trung P.................. 51
Hình 4.27. Độ võng chỏm cầu [00/900/00] , biên BC5, chịu tải tập trung P ............. 52
Hình 4.28. Độ võng chưa chuẩn hóa chỏm cầu [00/900], biên BC5, tải tập trung .... 52

xii
 DANH SÁCH CÁC BẢNG

Bảng 1. Tọa độ điểm buộc của phần tử MITC3+ với d=1/10000 [9] ...................... 21
Bảng 2. Chuyển vị và moment trong bài toán Patch test ........................................ 29
Bảng 3. Độ võng tại tâm tấm composite, biên BC1, tải trọng phân bố đều. ............ 31
Bảng 4. Độ võng tấm vuông, biên BC1 chịu tải trọng hình sin ............................... 34
Bảng 5. Độ võng tấm vuông composite, biên BC2, tải phân bố đều ....................... 37
Bảng 6. Độ võng tấm composite xiên, biên tựa đơn 4 cạnh, chịu tải phân bố đều .. 40
Bảng 7. Độ võng vỏ trụ composite, biên BC3, chịu tải tập trung ............................ 44
Bảng 8. Độ võng mái vòm composite, biên BC4, chịu tải trọng bản thân ............... 48
Bảng 9. Độ võng chỏm cầu composite, biên BC5, tải trọng tập trung..................... 51
Bảng 10. Độ võng chỏm cầu composite, biên BC5, tải trọng tập trung ................... 53

xiii
 Chương 1: TỔNG QUAN

1.1 Đặt vấn đề

Ngày nay, do yêu cầu của phát triển của các ngành kinh tế, đặc biệt là trong giao
thông vận tải và xây dựng, các kết cấu tấm/vỏ được nghiên cứu và từng bước được
đưa vào ứng dụng như một kết cấu chính. Với khả năng chịu tải lớn, trọng lượng
thấp, kết cấu tấm/vỏ có những ưu điểm lớn dùng để chế tạo các phương tiện giao
thông như ô tô, tàu thủy, máy bay, tàu ngầm Đặc biệt trong ngành xây dựng với yêu
cầu về không gian kiến trúc, cần các kết cấu vượt nhịp lớn và không làm mất tính
mĩ quan mà giải pháp kết cấu truyền thống không đáp ứng được, thì giải pháp kết
cấu tấm/vỏ hoàn toàn có thể đáp ứng được về độ bền cũng như mĩ quan. Ngoài ra,
cấu trúc vỏ tồn tại khá phổ biến trong tự nhiên, đó là nguồn cảm hứng thiết kế cho
nhiều kiến trúc sư sáng tác ra những công trình vĩ đại (xem Hình 1.1, Hình 1.2 và
Hình 1.3). Tuy nhiên hiện nay, những nghiên cứu và ứng dụng về tấm/vỏ như một
cấu kiện kết cấu chính có thể nói chỉ là bước đầu do những khó khăn trong việc mô
hình một cách chính xác ứng xử của tấm/vỏ. Cũng như các kết cấu khác, phương
pháp phần tử hữu hạn là phương pháp vượt trội và thành công nhất trong nghiên
cứu tấm/vỏ. Trong phương pháp phần tử hữu hạn, miền tính toán được rời rạc thành
các phần tử mà ứng xử được xác định bởi hữu hạn các thành phần như chuyển vị,
góc xoay…

Hình 1.1. Cấu trúc của trụ sở Tập đoàn Aldar. Nguồn: Internet

1
 Hình 1.2. Trung tâm tại Đài Loan. Nguồn: Internet

Hình 1.3. Đền Hoa sen ở New Delhi, Ấn Độ. Nguồn: Internet
Hiện nay vật liệu composite đã và đang được nghiên cứu và ứng dụng rộng rãi trong
nhiều lĩnh vực như giao thông, hàng không vũ trụ, xây dựng…Với đặc tính cơ học
nổi trội là độ cứng cao, trọng lượng thấp, chịu nhiệt tốt, thân thiện với môi trường,
vật liệu composite rất phù hợp với các cấu kiện kết cấu tấm/vỏ. Tuy nhiên, việc tính
toán kết cấu tấm hay vỏ bằng vật liệu composite tối ưu khá phức tạp, đòi hỏi phải
phát triển các lý thuyết phân tích thích hợp nhằm đưa ra những kết quả, từ đó dự
đoán chính xác các ứng xử của kết cấu làm từ vật liệu này dưới tác dụng của các tải
trọng khác nhau. Một số ví dụ về việc ứng dụng hiệu quả kết cấu tấm/vỏ bằng vật
liệu composite được minh họa ở Hình 1.4 và Hình 1.5

2
 Hình 1.4. Vật liệu composite sử dụng cho máy bay ATR 72. Nguồn:
https://www.compositesworld.com

Hình 1.5. Vật liệu composite sử dụng cho xe hơi. Nguồn: http://www.toray.com

1.2 Tổng quan tình hình nghiên cứu

1.2.1 Tình hình nghiên cứu ngoài nước

Lý thuyết tấm/vỏ được các tác giả nước ngoài nghiên cứu rất sớm. Từ năm 1888,
tác giả Love bằng cách sử dụng các giả thiết được đề xuất bởi Kirchhoff đã đưa ra

3
lý thuyết Kirchhoff – Love[1]. Lý thuyết Kirchhoff ra đời đặt nền móng cho nhiều
nghiêu cứu về tấm/vỏ sau này. Tuy nhiên giả thiết cơ bản của lý thuyết này là đoạn
thẳng vuông góc với mặt phẳng trung bình của tấm vẫn thẳng và vuông góc với mặt
phẳng trung bình sau biến dạng, tức là bỏ qua biến dạng cắt ngang thẳng góc nên
khi tấm mỏng lý thuyết cho kết quả hợp lý nhưng khi tấm dày ảnh hưởng của biến
dạng cắt ngang không thể bỏ qua, vì vậy lý thuyết này không còn phù hợp.
Nhiều giả thiết được đưa ra và phát triển nhằm khắc phục những hạn chế của lý
thuyết tấm cổ điển như Reissner[2] và Mindlin[3] với đề xuất lý thuyết biến dạng
cắt bậc nhất (FSDT). Điểm khác biệt lớn trong giả thuyết tính toán cắt bậc nhất và
lý thuyết tấm cổ điển là các pháp tuyến sau biến dạng tuy vẫn còn thẳng nhưng
không còn vuông góc với mặt phẳng trung bình nữa. Tuy nhiên lý thuyết FSDT giả
định ứng suất cắt ngang bất biến vì vậy cần hệ số điều chỉnh cắt để thỏa mãn các
điều kiện biên tự do tại bề mặt trên và dưới của tấm.
Mặc dù vẫn còn những hạn chế nhưng lý thuyết FSDT vẫn có ưu thế hơn những lý
thuyết trước đó nên việc cải thiện lý thuyết FSDT là cần thiết. Từ đó, lý thuyết cắt
biến dạng bậc cao (HSDT) được hình thành và phát triển. Theo các lý thuyết này,
yếu tố điều chỉnh biến dạng có thể bỏ qua nhưng vẫn cho ra kết quả tính toán ứng
suất cắt ngang ổn định, chính xác hơn.
Theo lý thuyết biến dạng cắt bậc nhất vì chuyển vị và các góc xoay là các thành
phần độc lập nhau, nên chúng ta cần có các hàm dạng để nội suy chúng một cách
độc lập. Do đó, với phần tử tấm chịu uốn có kể đến biến dạng cắt ngang này được
Ahmad và công sự[4] đã đưa ra phần tử đẳng tham số C0 nội suy trường chuyển
vị và góc xoay độc lập. Phần tử này kể đến ảnh hưởng của biến dạng cắt và được
dùng để phân tích kết cấu tấm/vỏ dày theo lý thuyết Reissner[2]- Mindlin[3].
Khoảng thời gian tiếp theo, việc nghiên cứu tấm/vỏ nhiều lớp hầu hết đều dựa trên
phương pháp mà Ahmad và công sự[4] đưa ra. Tuy nhiên phương pháp này dẫn đến
hiện tượng “khóa cắt” khi chiều dày của tấm trở nên mỏng và dẫn đến sự
chuyển vị của tấm/vỏ giảm khi bề dày giảm do năng lượng biến dạng cắt không

4
được loại bỏ. Mặc dù các nghiên cứu sau đó cố gắng giải quyết hiện tượng “khóa
cắt” nhưng kết quả thu được chưa thỏa đúng như kỳ vọng.
Năm 1985, Bathe và cộng sự[5] đã đưa ra phương pháp nội suy hỗn hợp các
thành phần ten-xơ (MITC - Mixed Interpolation Tensorial Components) và
phương pháp MITC đã giải quyết được vấn đề “khoá cắt”. Từ đấy, MITC là phương
pháp ưu việt trong phân tích hay tính toán kết cấu tấm/vỏ nhiều lớp với kết quả đạt
được có độ tin cậy cao. Phương pháp MITC được nghiên cứu và phát triển để khử
hiện tượng khóa cắt rất hữu hiệu khi nghiên cứu tấm/vỏ mỏng, với các nghiên cứu
ban đầu cho phần tử 4 nút (MITC4) và phần tử 8 nút (MITC8)[6], [5] để phân tích
tấm/vỏ, sau đó được mở rộng phát triển đến 9 nút (MITC9) và 16 nút (MITC16)
theo nghiên cứu của Bucalem và cộng sự[7]. Những năm gần đây phần tử 3 nút
(MITC3) và (MITC3+) được xây dựng[8], [9], [10] đạt được những kết quả rất tốt.
Một vấn đề quan trọng khác được nhiều tác giả xem xét tới là bậc tự do thực xoay
quanh trục vuông góc với mặt phẳng trung bình, hay còn gọi là ‘Drilling rotation’.
Trong lý thuyết tấm/vỏ mỗi nút ta chỉ có năm bậc tự do gồm ba bậc tự do chuyển vị
theo phương x, y, z và hai góc xoay của pháp tuyến mặt trung bình quanh hai trục x,
y. Tuy nhiên để xây dựng được ma trận chuyển đổi từ hệ tọa độ địa phương sang hệ
tọa độ tổng thể cũng như ghép nối ma trận giữa các phần tử, bậc tự do thứ sáu cần
được kể đến. Khi đó mỗi nút phần tử ta có sáu bậc tự do, ba bậc tự do là chuyển vị
dọc ba trục x, y, z và ba góc xoay quanh ba trục x, y, z. Để khắc phục vấn đề này
một số tác giả đã đề xuất dùng kỹ thuật độ cứng giả tạo như Zienkiewicz[11]. Đây
là một giải pháp được sử dụng rộng rãi nhất là trong các nghiên cứu và các phần
mềm tính toán hiện nay, bên cạnh đó cũng có những ý tưởng đưa bậc tự do xoay
quanh trục z vuông góc với mặt phẳng trung bình trong phần tử màng, nổi bật là
phương pháp được tác giả Allman[12] nêu ra vào 1984. Dựa vào đó nhiều tác giả
đã nghiên cứu ảnh hưởng của bậc tự do này đến phần tử như Kim[13]. Trong luận
văn này bậc tự do thứ sáu của mỗi nút cũng được kể đến trong phần tử tam giác ba
nút dựa vào công thức của tác giả Allman[12].

5
Nhằm cải thiện độ chính xác của phương pháp phần tử hữu hạn truyền thống nhiều
nhà khoa học đã đề xuất thêm nhiều phương pháp mới, nhiều kỹ thuật mới, điển
hình là phương pháp phần tử hữu hạn làm trơn (S-FEM-Smoothed finite element
method). Phương pháp này được đề xuất và phát triển bởi Liu và các cộng sự[14].
S-FEM có các biến thể NS-FEM làm trơn trên nút phần tử, ES-FEM làm trơn trên
cạnh phần tử và CS- FEM làm trơn trên miền phần tử.
Phương pháp CS-FEM với sự ổn định khoảng cách cắt rời rạc (DSG) bằng lưới tam
giác (CS-DSG) gần đây được đề xuất để nâng cao độ chính xác của phương pháp
phần tử hữu hạn trong việc phân tích tấm đẳng hướng Reissner/Mindlin. Có thể kể
đến tác giả Nguyen-Thoi và cộng sự[15] đã đề xuất phần tử CS-DSG3 nhằm phân
tích dao động và phân tích tĩnh cho kết cấu vỏ, bên cạnh đó tác giả Pham-Quoc và
cộng sự[16] sử dụng phần tử CS-DSG3 phân tích tĩnh và giao động cho vỏ
composite. Ngoài ra tác giả Pham-Quoc và cộng sự[17] sử dụng phương pháp phần
tử hữu hạn làm trơn trên cạnh phần tử ES-FEM kết hợp với khử khóa cắt MITC3
cho phân tích tĩnh và dao động kết cấu vỏ composite kết quả khá chính xác và tốt
hơn phương pháp phần tử hữu hạn thông thường. Tác giả Luong-Van và cộng sự
[18] đã phân tích tấm composite phi tuyến nhiều lớp bằng các sử dụng lý thuyết
biến dạng cắt bậc cao sử dụng S-FEM trên phần tử 3 nút (CS-FEM-MIN3). Kết quả
tính toán cho thấy phương pháp này hiệu quả hơn, chính xác hơn so với phương
pháp phần tử hữu hạn truyền thống.
Với những ưu thế vượt trội, S-FEM đã được nghiên cứu và áp dụng trong nhiều bài
toán như phân tích kết cấu tấm/vỏ nhiều lớp trong điều kiện môi trường khác nhau,
phân tích kết cấu tấm/vỏ hình học phi tuyến, phân tích các vết nứt trong kết cấu.
1.2.2 Tình hình nghiên cứu trong nước
Kết cấu tấm/vỏ là một vấn đề rất phức tạp và được rất nhiều tác giả trong nước đ ã
nghiên cứu nhiều khía cạnh bằng nhiều phương pháp khác nhau, để cho ra những
kết quả phân tích chính xác nhất. Tình hình nghiên cứu trong nước trong những
năm gần đây về vấn đề phân tích kết cấu tấm/vỏ sẽ trình bày sơ lược nghiên cứu
của một số tác giả.

6
Tác giả Nguyen-Van[19] đã phân tích phi tuyến hình học kết cấu tấm/vỏ bằng
phương pháp phần tử hữu hạn dùng phần tử tứ giác. Kết quả phân tích cho thấy kỹ
thuật phần tử hữu hạn trơn giúp cho kết quả tính toán vẫn chính xác ngay cả khi
lưới phần tử có hình dạng méo hay thô.
Ngoài ra Nguyen-Van và cộng sự[20] tiếp tục nghiên cứu phát triển phần tử tứ giác
phẳng với bậc tự do thực xoay quanh trục vuông góc với mặt phẳng trung bình và
kết hợp với phương pháp phần tử hữu hạn trơn. Kết quả của nghiên cứu này cho
thấy độ chính xác ngay cả với những phần tử lưới không đều.
Ngoài ra phần tử tam giác cũng được nhiều tác giả nghiên cứu như Nguyen -Thoi
[21] còn sử dụng phương pháp phần tử trơn cắt khoảng (cell-based smoothed
discrete shear gap method CS-DSG3) để phân tích tĩnh và phân tích rung động của
tấm Reissner – Mindlin. Phương pháp này sử dụng kỹ thuật trơn kết hợp với
phương pháp cắt khoảng (Shear gap) với phần tử 3 nút tam giác. Nhờ đó cũng
giải quyết được hiện tượng “shear Locking” và kết quả phân tích của nghiên cứu
này cho thấy giải pháp chính xác trong việc phân tích tấm. Bậc tự do thứ 6 được
tác giả Nguyen-Minh[22] xét đến trong phần tử tam giác bằng phương pháp phần tử
hữu hạn thông thường phân tích tĩnh và động các tấm và vỏ gia cường gân. Kết quả
cho thấy việc thêm bậc tự do thực thứ 6 vào phần tử nâng cao độ chính xác của
phần tử.
Phương pháp phần tử trơn 3 nút được tác giả Phung-Van[23] sử dụng trong phân
tích phi tuyến tấm dựa trên cơ sở lý thuyết tấm Mindlin. Tác giả Dinh-Cong[24] với
đề tài: “Phân tích tĩnh và dao động tự do vỏ Composite nhiều lớp sử dụng lý thuyết
Layerwise bằng phần tử hữu hạn trơn CS-MIN3” đã ứng dụng phần tử hữu hạn trơn
CS-MIN3 giải quyết một số bài toán phân tích tĩnh và dao động tự do cho vỏ
Composite nhiều lớp từ đó đưa ra kết luận. Với phương pháp phần tử hữu hạn làm
trơn trên nút phần tư NS-FEM kết hợp khử khóa cắt MITC3 được tác giả Chau-
Dinh và công sự[25] sử dụng phân tích tĩnh và dao động tấm composite. Từ tình
hình nghiên cứu trên việc xây dựng phần tử vỏ phẳng tam giác ba nút 18 bậc tự do
được làm trơn trên miền phần tử là rất cần thiết, từ ý tưởng đó luận văn xây dựng

7
phần tử và ứng dụng phân tích tĩnh kết cấu tấm vỏ composite kết quả phân tích so
sánh với nghiên cứu khác nhằm đánh giá tính chính xác của phần tử.
1.3 Mục đích nghiên cứu
Mục tiêu của đề tài là xây dựng phần tử vỏ phẳng tam giác 3 nút 18 bậc tự do có xét
đến bậc tự do thực góc xoay quanh trục vuông góc măt phẳng trung bình. Khi
tấm/vỏ có bề dày nhỏ xuất hiện hiện tương khóa cắt, để loại bỏ hiện tương khóa cắt,
luận văn sử dụng phương pháp MITC3+. Phần tử được làm trơn trên miền phần tử
bằng phương pháp phần tử hữu hạn CS-FEM. Với phần tử đã pháp triển trong luận
văn ứng dụng phân tích tĩnh kết cấu tấm/vỏ composite, kết quả tính toán so sánh với
các nghiên cứu trước đây và kết quả tính toán bằng phần mềm Abaqus.
1.4 Phương pháp nghiên cứu
Để đạt được các mục tiêu trên luận văn đề ra phương pháp nghiên cứu sau:
- Tìm hiểu các lý thuyết đã và đang được áp dụng, nghiên cứu phần tử vỏ
phẳng đặc biệt là lý thuyết biến dạng cắt bậc nhất là lý thuyết được sử dụng
trong luận văn này.
- Tìm hiểu bậc tự do thực xoay quanh trục vuông góc với mặt phẳng trung
bình.
- Tìm hiểu về phần tử hữu hạn trơn đặc biệt là CS-FEM phương pháp phần tử
hữu hạn làm trơn trên miền phần tử.
- Tìm hiểu các nghiên cứu về việc khử khóa cắt đặc biệt là phương pháp
MITC3+ sẽ được áp dụng trong luận văn này.
- Xây dựng phần tử vỏ phẳng tam giác 3 nút 18 bậc tự do ứng dụng vào phân
tích tĩnh kết cấu tấm/vỏ composite. So sánh kết quả và rút ra kết luận về phần
tử đã pháp triển trong luận văn.
1.5 Tính mới của đề tài
Trong các phần tử CS-MITC3+ được nghiên cứu trước đây chưa kể đến bậc tự do
thực xoay quanh trục vuông góc với mặt phẳng trung bình, phân tử CS-MITC3+
trong đề tài có kể đến bậc tự do thực xoay quanh trục vuông góc với mặt phẳng
trung bình, phần tử được ứng dụng phân tích tĩnh kết cấu tấm/vỏ composite.

8
Chương 2: LÝ THUYẾT BIẾN DẠNG CẮT BẬC NHẤT
CHO TẤM/VỎ COMPOSITE

2.1 Giới thiệu

Đối với các tấm mỏng, lý thuyết tấm cổ điển dựa trên những giả thiết của Kirchhoff
mà biến dạng cắt ngoài mặt phẳng được bỏ qua cho kết quả chính xác. Với các tấm
dày, biến dạng cắt cần được kể đến. Khi đó, ta cần áp dụng lý thuyết cắt bậc nhất,
hay còn gọi là lý thuyết của Mindlin-Reissner [2], [3]. Điểm khác biệt lớn trong giả
thuyết tính toán cắt bậc nhất và lý thuyết tấm cổ điển là các pháp tuyến sau biến
dạng tuy vẫn còn thẳng nhưng không còn vuông góc với mặt phẳng trung bình nữa,
mà xoay quanh trục x, y một góc tương ứng x ,  y như Hình 2.1.

Hình 2.1. Biến dạng của tấm theo lý thuyết biến dạng cắt bậc nhất
2.2 Trường chuyển vị
Trường chuyển vị theo lý thuyết biến dạng cắt bậc nhất được viết dưới dạng
u( x, y, z ) = u0 ( x, y )  z  x ( x, y)
v( x, y, z ) = v0 ( x, y )  z  y ( x, y ) (2.1)
w( x, y, z ) = w0  x, y 

9
Trong đó: u0; v0; w0 lần lượt là các thành phần chuyển vị của mặt trung bình theo
phương x; y; z; βx; βy lần lượt là góc xoay của pháp tuyến mặt trung bình quay
quanh trục y và trục x với chiều dương như Hình 2.1.
2.3 Trường biến dạng
Trường biến dạng suy ra từ trường chuyển vị theo quan hệ chuyển vị - biến dạng
u u0  x
x   z
x x x
v v0  y
y   z
y y y
w w0
z   0
z z
(2.2)
u v u0 v0    y 
 xy  2 xy      z x  
y x y x  y x 
u w w0
 xz  2 xz     x
z x x
v w w0
 yz  2 yz     y
z y y
Trường biến dạng (2.2) có thể viết lại dưới dạng
ε m  εb   0 
T      
ε   x  y  xy  xz  yz  z    0    0    γ s  (2.3)
 0  0 0 
     
 u0 
 
 x 
 v0 
Với biến dạng màng εm    (2.4)
 y 
 u0 v0 
  
 y x 

10
   x 
 
 x 
  y 
Biến dạng uốn εb  z   (2.5)
 y 
   y 
 x  
 y x 

 w0 
 x   x 
Và biến dạng cắt γs    (2.6)
 w0   y 
 y 

2.4 Trường ứng suất

Hình 2.2. Các thành phần ứng suất tấm

Khi bỏ qua thành phần ứng suất z (z =0) thì các thành phần ứng suất trong lớp thứ
k của tấm composite nhiều lớp như Hình 2.2 được tính từ trường biến dạng như sau:
Q11 Q12 Q16 
T  
 x  y  xy   Q12 Q 22 Q 26   ε m  zε b   Q  ε m  zε b  (2.7)
 
Q16 Q 26 Q 66 

T Q Q 45  *
 xz  yz    44  γs  Q γs (2.8)
Q 45 Q55 
Trong đó:

11
 Q11 Q12 0 
Q  T Q12 Q22 0  TT (2.9)
 0 0 Q66 

* Q 0  T
Q  Tεs  55 T (2.10)
 0 Q44  εs

c s2 2cs 
 2 
T   s c 2cs  (2.11)
 cs cs c 2  s 2 
 
 c s
T s    (2.12)
s c 
E1 v E E2
Q11  ; Q12  12 2 ; Q22 
1  v12 v21 1  v12 v21 1  v12 v21 (2.13)
Q66  G12 ; Q44  G23 ; Q55  G13 ; c  cos( ); s  sin( )

Hình 2.3. Tấm composite gia cường sợi một phương

Ma trận độ cứng trong hệ tọa độ địa phương (x1, y1, z1): Qij

Ma trận độ cứng trong hệ tọa độ tổng thể (x, y, z): Qij

Với E1, E2 là mô-đun đàn hồi theo phương dọc và ngang sợi, ij là hệ số Poisson và
Gij là mô-đun đàn hồi trượt, α là góc phương sợi.
2.5 Các thành phần nội lực
Các thành phần nội lực trong lớp thứ k của tấm composite nhiều lớp:

12
 Hình 2.4. Các thành phần nội lực màng

 N x  h 2  x   Q11 Q12 Q16 

h2
     
Lực màng N   N y     y  dz   Q12 Q 22 Q 26   ε m  zε b  dz (2.14)
 N   h 2   h 2  
 xy   xy  Q16 Q 26 Q 66 

 A11 A12 A16   u 0 x   B11 B12 B16    x x 

    
N   A12 A22 
A26   v0 y    B12 B22 
B26    y y  (2.15)
 A16 A26 A66  u0 y  v0 x   B16 B26 B66   x y   y x 

Trong đó:
n
Aij   ( zk 1  zk )(Qij )k ;(ij  1, 2,6)
k 1
(2.16)
1 n
Bij   ( zk21  zk2 )(Qij ) k ;(ij  1, 2,6)
2 k 1

13
 Hình 2.5. Các thành phần Mô-men uốn

 M x  h 2  x  Q11 Q12 Q16 

h2
     
Mô-men uốn M   M y     y  zdz   Q12 Q 22 Q 26   ε m  zε b  zdz (2.17)
 M   h 2   h 2  
 xy   xy  Q16 Q 26 Q 66 

 B11 B12 B16   u 0 x   D11 D12 D16    x x 

    
M   B12 B22 
B26   v0 y    D12 D22 
D26    y y  (2.18)
 B16 B26 B66  u0 y  v0 x   D16
 D26 D66   x y   y x 
 

Trong đó:
1 n 3
Dij   ( zk 1  zk3 )(Qij )k ;(ij  1, 2,6) (2.19)
3 k 1

Hình 2.6. Các thành phần lực cắt

14
 Qx  h 2  xz  h2
Q Q 45 
Lực cắt Q        dz    44  γ s dz (2.20)
Qy  h 2  yz  Q 45
h 2  Q55 

A A45   w0 x   x 
Q   44   (2.21)
 A45 A55  w0 y   y 

Trong đó:
n
ASij  K  ( zk 1  zk )(Qij )k ;(ij  4,5) (2.22)
k 1

zk, zk+1 – khoảng cách từ mặt trung bình đến mặt trên và mặt dưới lớp thứ k.
K – hệ số hiệu chỉnh cắt.

1
h/2
t/2

z1
z2
z3
x

zk
z k+1
h/2
t/2

zL
L

Hình 2.7. Hệ trục tọa độ của tấm/vỏ nhiều lớp

15
 Chương 3: CÔNG THỨC PTHH CHO PHẦN TỬ
CS_MITC3+

3.1 Công thức PTHH tam giác 3 nút CS-MITC3+ trong hệ tọa độ cục bộ
3.1.1 Phần tử màng tam giác 3 nút
Phần tử màng trong luận văn củng là phần tử màng như các phần tử CS MITC3+
nghiên cứu trước đây [26] nhưng tại mổi nút phần tử có thêm bậc tự do xoay Hình
3.1. Bậc tự do này được tác giả Allman đưa vào phần tử tam giác năm 1984[12]. Do
đó xấp xỉ chuyển vị trong mặt phẳng được biểu diển.
6
u   N i ui
i 1
6
(3.1)
v   N i vi
i 1

Trong đó:
N1  (    1)(2  2  1)
N 2   (2  1)
N 3   (2  1)
(3.2)
N 4  4 (    1)
N 5  4
N 6  4 (    1)

Hình 3.1. Phần tử màng tam giác

16
un , ut là chuyển vị theo phương pháp tuyến và tiếp tuyến của cạnh tam giác.
Xét cạnh 1-2 của phần tử màng tam giác ta có công thức Allam đề xuất
s s s s
un ( s )  (1  ) u n1  un 2  (1  )( z 2   z1 )
l12 l12 2 l12
(3.3)
s s
ut ( s )  (1  )ut1  ut 2
l12 l12

Với l12 là độ dài cạnh 1-2, s là tọa độ điểm dọc cạnh 1-2, u n1, u n 2, ut 1, ut 2, là chuyển

vị pháp tuyến và tiếp tuyến cạnh tại nút 1 và 2,  z 1, z 2 là bậc tự do xoay tại các nút

1 và 2.

un   sin( 12 ) sin( 12 )  u 

 u     sin( ) cos( )  . v  (3.4)
 t  12 12   

Với 12 là góc tạo bởi chiều dương trục x và pháp tuyến ngoài của cạnh 1-2.

x21 y
sin( 12 )   ;cos( 12 )  21 (3.5)
l12 l12
Xét nút 4 tại trung điểm canh 1-2.
Theo (3.3)
 1 1 1
un 4  un .( 2 l12 )  2 (un1  un 2 )  8 l12 ( z 2   z1 )
 (3.6)
 1 1
ut 4  ut .( l12 )  (ut1  ut 2 )
 2 2
Chuyển vị nút 5 và 6 tính tương tự.
Véc tơ các bậc tự do của phần tử màng:

dTm  u1, v1,z1, u2 , v2 ,z 2 , u3 , v3 ,z3  (3.7)

Công thức (3.1) viết lại dưới dạng:

u  ,   Nu .d m
 (3.8)
v  ,   Nv .d m
Trong đó:

17
  1    
 0 
 
 (1     )( y13  y21 ) / 2 
 
  
T
Nu   0  (3.9)
 
 ((1     ) y21  y32 ) / 2 
  
 
 0 
 ( (1     ) y   y  ) / 2 
 13 32 
 0 
 1    
 
 (1     )( x13  x21 ) / 2 
 
 0 
T
Nv     (3.10)
 
 ((1     ) x21  x32 ) / 2 
 0 
 
  
 ((1     ) x   x  ) / 2 
 13 32 

 NTu 
 
x
x   T

   N v 
εm    x     d m  B m .d m (3.11)
   y 
 xy   T 
N u NTv
  
 y x 
Trong đó: dm Véc tơ các bậc tự do của phần tử màng.

dTm  u1, v1,z1, u2 , v2 ,z 2 , u3 , v3 ,z3  (3.12)

Bm là ma trận quan hệ biến dạng và chuyển vị màng.

18
  NTu 
 
 x 
 NTv 
Bm    (3.13)
 y 
 NT NT 
 u  v
 y x 

3.1.2 Phần tử tấm giác 3 nút MITC3+.

Phần tử tấm tam giác ba nút chịu uốn và chịu cắt sử dụng nút ở trọng tâm. Tại mỗi
nút đỉnh có 3 bậc tự do bao gồm độ võng w theo phương z và  x , y là chuyển vị

xoay quanh trục x, y tương ứng. Tại nút trọng tâm chỉ kể đến 2 bậc tự do  x ; y .

Hình 3.2. Phần tử tấm tam giác 4 nút MITC3+

Trường chuyển vị trong phần tử được xấp xỉ thông qua các nút ở đỉnh và nút ở tâm
phần tử như sau:
3
w   fi   ,  wi (3.14)
i 1

4
 x   f k  ,  yi (3.15)
k 1

4
 y   f k  ,  xi (3.16)
k 1

19
 1 1 1
Với: f1  1      f 4 ; f 2    f 4 ; f 3    f 4 ; f4  27(1    )
3 3 3
 ; là tọa độ tư nhiên của phần tử.
Biến dạng uốn trong phần tử được xấp xỉ từ những chuyển vị nút theo công thức:
  x   4
fi 

x
  
i 1 x
y 
x     
  
  y

  4
f 
εb    y   z    z  i  x  (3.17)
   y   i 1 y 
 xy       4
f 4
f 
y
 x   i  y   i  x 
 y x   i 1 x i 1 y 
Công thức (3.17) được viết lại như sau:
εb  zBb db (3.18)
Trong đó : db là vector chuyển vị nút phần tử.
 wi 
 
d b   xi  (3.19)
 
 yi 
Bb là ma trận quan hệ biến dạng và chuyển vị uốn.
 f1 f 2 f 3 f 4 
0 0 0 0 0 0 0 
 x x x x 
 f f 2 f3 f 4 
Bb  0  1 0 0  0 0  0  0  (3.20)
 y y y y 
 f1 f1 f f 2 f f 3 f f 4 
0  0  2 0  3  4 
 x y x y x y x y 
Biến dạng cắt được xấp xỉ từ chuyển vị nút theo công thức:
3 4
 w   f i w  
   x   i  f i yi 

 xz   x   i 1 x i 1 
εs     z    3  (3.21)
 yz   w   y   f i w 
4
f i xi 
 y   
i 1 y
i 
i 1 
Công thức (3.21) được viết lại như sau:
ε s  Bs d s (3.22)

20
Trong đó: Bs là ma trận quan hệ biến dạng và chuyển vị cắt.
 f1 f 2 f 3 
 x 0 f1 0 f2 0 f3 0 f4 
x x
Bs    (3.23)
 f1 0  f1
f 2
0  f2
f 3
 f3 0  f4 0
 y y y 

3.1.3 Kỹ thuật khử khóa cắt của phần tử MITC3+

Khi chiều dày tấm giảm hiện tượng khóa cắt xảy ra, theo Lee và cộng sự [9] để khắc
phục hiện tượng này ta cần xấp xỉ lại các biến dạng cắt theo hàm khác thông qua
các biến dạng cắt tại các điểm buộc.

Hình 3.3. Điểm buộc của phần tử tấm MITC3+

Tọa độ các điểm buộc
Điểm buộc  
A 1/6 2/3
B 2/3 1/6
C 1/6 1/6
D 1/3+d 1/3-2d
E 1/3-2d 1/3+2d
F 1/3+d 1/3+d
Bảng 1. Tọa độ điểm buộc của phần tử MITC3+ với d=1/10000 [9]
Biến dạng cắt được xấp xỉ thông qua các biến dạng cắt tại các điểm buộc theo công
thức:

21
 2 (B) 1 (B) 1 1
 t  (  t    t )  ( ( Ct )   ( Ct ) )   (3  1) (3.24)
3 2 3 3
2 1 1 1
 t  ( ( tA)   ( tA) )  ( (Ct )   ( Ct ) )   (1  3 ) (3.25)
3 2 3 3
Trong đó:
  ( ( tF )   ( tD ) )  ( ( tF )   ( tE ) ) (3.26)

Từ (3.14-3.16) tính được các biến dạng theo chuyển vị nút trong hệ tọa độ cục bộ
sau đó chuyển hệ trục sang hệ tọa độ tự nhiên từ đó ta có công thức quan hệ biến
dạng cắt và chuyển vị được viết lại dưới dạng.
 t 
ε MITC
s
3
 MITC 3
   B s ds (3.27)
 t 
Trong đó: B MITC
s
3
là ma trận quan hệ biến dạng và chuyển vị cắt.
3.1.4 Công thức phần tử hữu hạn trơn CS-MITC3+.
Theo kết quả nghiên cứu của tác giả Liu và cộng sự[14]. Trong làm trơn biến dạng
màng và uốn phần tử tam giác CS-MITC3+ được chia thành 3 miền tam giác nhỏ
bằng cách nối 3 đỉnh tam giác với nút trọng tâm như Hình 3.4 . Các biến dạng được
làm trơn trên các miền trơn tam giác con, việc tính toán các ma trận độ cứng uốn
không còn phụ thuộc vào phần tử mà dựa vào các miền trơn tam giác con ∆1; ∆2;
∆3.

Hình 3.4. Miền tam giác con ∆1; ∆2; ∆3

22
Xét một phần tử Ωc biến dạng màng trơn εm trên phần tử Xc được xác định như sau:

ε ( X C )   ε ( X ) ( X  X C )d (3.28)
C

Trong đó: ( X  XC ) là hàm làm trơn thỏa mãn điều kiện:

( X  X C )  0 và  ( X  X C )d  1 (3.29)
C

Để đơn giản, hàm ( X  X C ) được chọn là hằng số theo miền phần tử tam giác:

1
 X C
( X  X C )   AC (3.30)
 0 X 
 C

Trong đó: AC   d là diện tích miền phần tử tam giác đang xét.
C

Trong làm trơn biến dạng màng, công thức quan hệ biến dạng màng trơn và chuyển
vị (3.28) được viết lại dưới dạng.
 NTu 
 
 x 
T
1  N  C
ε m ( X C )   
v
 nh d( x)d  B m ( X C )d m (3.31)
AC C  y 
 NT NT 
 u  v
 y x 

Trong đó:
T
dm  ui vi  (3.32)

B m là ma trận quan hệ biến dạng màng trơn và chuyển vị uốn

 NTu nx
neg
0 
 (x )  1   0
B
k
NTv ny leC (3.33)
AC k 1  T
m c
 Nu n y NTv nx 


23
Trong đó nx , ny là các thành phần vector đơn vị của pháp tuyến đơn vị dương n trên

đường biên ( k ) , neg , leC

k
số cạnh biên và chiều dài canh biên k. nG  2 là số điểm tích

phân Gauss của canh biên ( k )

Trong làm trơn biến dạng uốn, công thức quan hệ biến dạng uốn trơn và chuyển vị
(3.28) được viết lại dưới dạng.
4
1
ε b ( X C )    ( X )d
fi ( x)nhC d( x)d  B b C b (3.34)
AC i 1 C

Trong đó:
db là vector chuyển vị nút phần tử.
T
db  wi  xi  yi  (3.35)

B b là ma trận quan hệ biến dạng uốn trơn và chuyển vị uốn

nG
 
0 0  f (x
i i
i kn )nx 
neg
 
nG
1  k
B b ( xc )   0  fi ( xkn )ny 0 leC (3.36)
AC k 1  i i

nG nG
 
0  fi ( xkn )nx  fi ( xkn )ny 
 i i i i 
Trong đó nx , ny là các thành phần vector đơn vị của pháp tuyến đơn vị dương n trên

đường biên i( k ) , neg , leC

k
số cạnh biên và chiều dài canh biên k. nG  2 là số điểm

tích phân Gauss của canh biên i( k )

Với biến dạng cắt ta không sử dụng kỹ thuật làm trơn.
3.1.5 Ma trận độ cứng phần tử CS-MITC3+ trong hệ tọa độ cục bộ
Từ lý thuyết khử khóa cắt và làm trơn phần tử trình bày ở trên ta xác định được ma
 , uốn B
trận quan hệ biến dạng và chuyển vị màng B  , cắt B MITC 3
m b s

Độ cứng Ke của phần tử được xác định bởi:

24
  
 B Dm B m d   B Tb Db B b d   B Tm Dmb B b d   B Tb Dbm B m d
T
K e m
Ae Ae Ae Ae

MITC 3  T MITC 3 
  (B s ) Ds B s d
Ae
(3.37)
 B Tm D m B m Ae  B Tb Db B b Ae  B Tm D mb B b Ae  B Tb Dbm B m Ae  (B MITC
s
3 T
) D s B MITC
s
3
Ae
K  K  K  K  K 
m b mb bm s

Trong đó:
Dm  TT AT (3.38)

Db  TT DT (3.39)

Dmb  Dbm  TT BT (3.40)

Ds  TT A s T (3.41)

Với:
 cos 2  sin 2  sin  cos  
 
T   sin 2  cos 2   sin  cos   (3.42)
 2sin  cos  2sin  cos  cos 2   sin 2  


Hình 3.5. Hệ tọa độ toàn cục, cục bộ và hệ tọa độ của sợi

Phương trình cân bằng phân tích tĩnh trong tấm/vỏ:
KU = F (3.43)
Trong đó: K là độ cứng, U là chuyển vị, F là ngoại lực được xác định bởi:
F   qNdA  fb (3.44)
Ae

25
Với q là tải trọng phân bố trên bề mặt tấm/vỏ, fb là tải trọng tác dụng trên biên của
tấm/vỏ.
3.1.6 Kỹ thuật nén bậc tự do.
Trong quá trình làm trơn trên miền phần tử ta sử dụng thêm nút trung tâm nên ta
phải sử dụng kỹ thuật nén bậc tự do.
Phương trình cân bằng của phần tử khi chịu tác dung của ngoại lực.
 d
fe  K (3.45)
e e
(20 x1) (20 x 20)

Phương trình (3.45) được viết lại.

 f1   K11 K12   u1 
 (18 x1)    (18 x18) (18 x 2)   (18 x1)  (3.46)
 0   K 21 K 22   u 2 
 (2 x1)   (2 x18) (2 x 2)   (2 x1) 
Từ (3.46) ta có:
0  K 21 u1  K 22 u 2  u 2  K 122 K 21 u1 (3.47)
(2 x18) (18 x1) (2 x 2) (2 x1) (2 x1) (2 x 2) (2 x18) (18 x1)

Trong đó u1, u2 là các vector chyển vị các nút ở đỉnh và tâm của phần tử.

Từ (3.46) và (3.47) ta có
f1  K 11 u1  K 12 u 2  ( K 11  K 12 K 122 K 21 ) u1 (3.48)
(18 x1) (18 x18) (18 x1) (18 x 2) (2 x1) (18 x18) (18 x 2) (2 x 2) (2 x18) (18 x1)

Từ (3.48) ta có:
f l u
 ( K 11  K12 K 122 K 21 ) u1  K (3.49)
1 e 1
(18 x1) (18 x18) (18 x 2) (2 x 2) (2 x18) (18 x1) (18 x18) (18 x1)

Cuối cùng ta có ma trận độ cứng phần tử vỏ phẳng CS-MITC3+ trong hệ toa độ cục
bộ như sau.
 l  K  K K 1 K
K (3.50)
e 11 12 22 21
(18 x18) (18 x18) (18 x 2) (2 x 2) (2 x18)

3.2 Công thức PTHH tam giác 3 nút CS-MITC3+ trong hệ tọa độ toàn cục.
Để ghép nối ma trận độ cứng của mổi phần tử trong hệ trục tọa độ địa phương thành
ma trận độ cứng tổng thể ở hệ trục tọa độ toàn cục thì cần phải chuyển đổi hệ trục
tọa độ trước khi tiến hành ghép nối. Giả sử ma trận chuyển đổi hệ trục tọa độ là T,
ta có:

26
 d  Td g (3.51)

Trong đó, d g Là chuyển vị trong hệ tọa độ toàn cục, T Là ma trận chuyển đổi các

bậc tự do chung sang các bậc tự do địa phương. Ma trận chuyển đổi đối với phần tử
tam giác 3 nút sẽ được biểu diển dưới dạng:
Td 0 0
T   0 Td 0  (3.52)
 0 0 Td 

Trong đó ma trận Td chứa các cosin chỉ phương các trục tọa độ địa phương trong hệ
trục toa độ tổng thể.
 c11 c12 c13 0 0 0
c c22 c23 0 0 0 
 21
c c32 c33 0 0 0
Td   31  (3.53)
0 0 0 c11 c12 c13 
0 0 0 c21 c22 c3 
 
 0 0 0 c31 c32 c33 

Từ đó ta xác định được ma trận độ cứng phần tử tám giác ba nút 18 bậc tự do trong
hệ trục tọa độ tổng thể như sau:
 T
K eg  TT K (3.54)
(18 x18)

27
 Chương 4: CÁC VÍ DỤ SỐ

Phần tử CS-MITC3+ ba nút 18 bậc tự do được xây dựng chương trước sẽ được áp
dụng phân tích tĩnh kết cấu tấm/vỏ cho vật liệu composite, hệ số chỉnh cắt K=5/6.
Ví dụ đầu tiên là bài toán Patch tests nhằm kiểm tra tính hợp lý của phần tử, tiếp
đến là bài toán phân tích tĩnh các tấm composite điển hình và cuối cùng là các bài
toán phân tích tĩnh các vỏ composite. Việc chuyển trục tọa độ cũng như tính tích
phân số trong phương pháp PTHH ảnh hưởng bởi hình dáng của phần tử. Do đó, để
khảo sát tính hiệu quả của phần tử đề xuất, trường hợp lưới méo được luận văn khảo
sát trong một số ví dụ điển hình.
Kết quả tính toán trong các ví dụ được so sánh với lời giải giải tích [27], [28], [29]
và các phương pháp NS – DSG3 [30], MITC3, NS – MITC3 [25], [31], ES-MITC3
[16], [17], MISQ20, MISQ24 [19], S3/S3R [32] để kiểm tra tính chính xác của phần
tử CS-MITC3+ ba nút 18 bậc tự do. Trong đó S3/S3R [32] là phần tử vỏ khối sử
dụng lý thuyết FSDT trong phần mềm thương mại Abaqus.
4.1 Bài toán Patch tests.
Để kiểm tra khả năng tái lập trường chuyển vị và ứng suất của phần tử CS-MITC3+
ba nút 18 bậc tự do. Ta khảo sát tấm chử nhật như Hình 4.1 chiều dày 0.01m, vật
liệu đồng nhất đẳng hướng với E  1000000( KN / m 2 ) , v  0.25 . Chuyển vị biên
1
được giả định là: w( x, y )  (1  x  2 y  x 2  xy  y 2 )
2
Kết quả khảo sát phần tử CS-MITC3+ ba nút 18 bậc tự do trong bài toán Patch tests
cho kết quả chính xác như Bảng 2.

28
 Hình 4.1. Mô phỏng tấm Patch tests

Bảng 2. Chuyển vị và moment trong bài toán Patch test

Phần tử w5  x5  y5 mx 5 my5 m xy 5

CS-MITC3+ 0.6422 1.13 -0.64 -0.0111 -0.0111 -0.0033

Exact 0.6422 1.13 -0.64 -0.0111 -0.0111 -0.0033
4.2 Tấm composite
Khảo sát tấm vuông composite cạnh a bề dày h, chịu tải phân bố đều hoặc tải sin, 4
cạnh liên kết ngàm hoặc tựa đơn.
Vật liệu:
- MAT1: E1 = 25.106; E2 = 106; G12 = G13 = 0.5x106; G23 = 0.2x106; 12 = 0.25
- MAT2: E1 = 40 .106; E2 = 106; G12 = G13 = G23 = 0.5 x 106; 12 = 0.25
Điều kiện biên:
Điều kiện biên khi xét 1/4 tấm liên kết tựa đơn (BC1):
- Tại x=a/2: v  w   x  0 và x=0: u   y  0

- Tại y=a/2: u  w   y  0 và y=0: v   x  0

- Toàn tấm:  z  0
Điều kiện biên khi xét 1/4 tấm liên kết ngàm (BC2):
- Tại x=a/2: u  v  w   x   y  0 và x=0: u   y  0

- Tại y=a/2: u  v  w   x   y  0 và y=0: v   x  0

- Toàn tấm:  z  0
Tải trọng:
- Phân bố đều q: q=1
 .x  .y
- Tải sin p: p  sin( ).sin( )
a a

29
 Y Y

X
X

(BC1) (BC2)

Hình 4.2. Tấm vuông composite liên kết tựa đơn (BC1) và liên kết ngàm (BC2)

Hình 4.3. Tấm vuông composite chịu tải phân bố đều (A) hoặc tải sin (B)
4.2.1 Tấm vuông composite liên kết tựa đơn 4 cạnh chịu tải phân bố đều
Tương tự [27] chúng ta xét các tấm vuông composite cạnh a, chiều dày h=0.1a và
h=0.01a, vật liệu MAT1, điều kiện biên BC1, chịu tải phân bố đều q = 1. Khảo sát
độ võng tại tâm tấm khi số lớp và chiều dày thay đổi.
Sử dụng phần tử CS-MITC3+ giải bài toán đối xứng, tính độ võng không thứ
nguyên w*=100E2wh3/(qa4) tại tâm tấm, so sánh với lời giải giải tích [27] và các
phương pháp khác [30], [25]. Kết quả so sánh được thể hiện trong Bảng 3, Hình 4.4
và Hình 4.5.Ta thấy kết quả phần tử CS-MITC3+ hội tụ nhanh và chính xác hơn
MITC3 [25] và S3R. Đặc biệt trong trưởng hợp vật liệu composite đối xứng CS-

30
MITC3+ cho kết qua chính xác hơn nhiều các phương pháp còn lại NS-DSG3 [30],
NS-MITC3[25] kể cả tấm dày và tầm mỏng điều đó chứng tỏ phần tử đã được khử
khóa cắt.
Bảng 3. Độ võng tại tâm tấm composite, biên BC1, tải trọng phân bố đều.

Chia lưới Chênh

Hướng sợi

Phương Exact
h/a lệch
[0 /90 ]

pháp 4x4 6x6 8x8 10x10 [27]

(%)
Độ võng giữa tấm w*=100E2wh3/(qa4)
MITC3 1.8607 1.9092 1.9259 1.9336 -0.68
NS-DSG3 2.0321 1.9810 1.9640 1.9566 0.50
0.1 NS-MITC3 2.0023 1.9735 1.9625 1.9570 1.9468 0.52
S3R 1.8300 1.8940 1.9160 1.9260 -1.07
[00/900]

CS-MITC3+ 1.865 1.9111 1.9269 1.9342 -0.65

MITC3 1.5811 1.6535 1.6742 1.6830 -0.88
NS-DSG3 1.7065 1.7109 1.7083 1.7058 0.46
0.01 NS-MITC3 1.7615 1.7290 1.7163 1.7099 1.6980 0.70
S3R 1.5340 1.6360 1.6640 1.6750 -1.35
CS-MITC3+ 1.6004 1.6570 1.6755 1.6838 -0.84
MITC3 0.9947 1.0105 1.0158 1.0181 -0.37
NS-DSG3 1.1378 1.0773 1.0549 1.0443 2.19
0.1 NS-MITC3 1.0401 1.0306 1.0271 1.0253 1.0219 0.33
S3R 1.1250 1.1492 1.1570 1.1617 13.68
[00/900/00]

CS-MITC3+ 0.9988 1.0123 1.0167 1.0187 -0.31

[0 /90 ]

MITC3 0.637 0.6558 0.662 0.6648 -0.73

NS-DSG3 0.6808 0.6781 0.6762 0.6746 0.73
0.01 NS-MITC3 0.6987 0.6828 0.6772 0.6745 0.6697 0.72
S3R 0.6269 0.6524 0.6608 0.6647 -0.75
CS-MITC3+ 0.642 0.6577 0.663 0.6654 -0.64

31
 2.05 1.80

Độ võng tương đối tại tâm tấm

Độ võng tương đối tại tâm tấm

1.75
2.00
1.70
1.95
1.65

1.90 1.60

1.55
1.85
1.50
1.80
1.45

1.75 1.40
4 6 8 10 4 6 8 10
Số phần tử trên mỗi 1/2 cạnh
Số phần tử trên mỗi 1/2 cạnh
Exact NS-DSG3 Exact NS-MITC3

NS-MITC3 MITC3 NS-DSG3 MITC3

CS-MITC3+ S3R_Abaqus S3R_Abaqus CS-MITC3+

(h/a=0.1) (h/a=0.01)

Hình 4.4. Độ võng tại tâm tấm vuông composite [00/900], biên BC1, tải đều

1.20 0.72
Độ võng tương đối tại tâm tấm

Độ võng tương đối tại tâm tấm

0.70
1.15

0.68
1.10

0.66
1.05
0.64

1.00
0.62

0.95 0.60
4 6 8 10 4 6 8 10
Số phần tử trên mỗi 1/2 cạnh Số phần tử trên mỗi 1/2 cạnh
Exact MITC3 Exact NS-MITC3
S3R_Abaqus CS-MITC3+ NS-DSG3 MITC3
NS-DSG3 NS-MITC3 S3R_Abaqus CS-MITC3+

(h/a=0.1) (h/a=0.01)

Hình 4.5. Độ võng tại tâm tấm vuông composite [00/900/00], biên BC1, tải đều

32
 CS-MITC3+ S3R_Abaqus

Hình 4.6. Độ võng chưa chuẩn hóa, tấm [00/900], BC1, tải đều, h/a=0.01
4.2.2 Tấm vuông composite liên kết tựa đơn 4 cạnh chịu tải sin
Tương tự [27] xét các tấm vuông composite cạnh a, chiều dày h=0.1a và h=0.01a,
 .x  .y
vật liệu MAT1, điều kiện biên BC1, chịu tải sin p  sin( ).sin( ) . Khảo sát độ
a a
võng tại tâm tấm khi góc phương sợi, chiều dày thay đổi hay lưới không đều.
Sử dụng phần tử CS-MITC3+ ba nút 18 bậc tự do giải bài toán đối xứng, khảo sát
không thứ nguyên w*=100E2wh3/(pa4) tại tâm tấm, so sánh với lời giải giải tích
[27] và các phương pháp khác. Kết quả so sánh được thể hiện trong Bảng 4, Hình
4.7 và Hình 4.8. Tương tự trường hợp tải phân bố đều ta thấy kết quả phần tử CS-
MITC3+ hội tụ khi tăng số phần tử, khi tấm mỏng độ võng khá chính xác chứng tỏ
phần tử đã được khử khóa cắt. Kết quả chuyển vị của tấm khi dùng phần tử CS-
MITC3+ khá chính xác với các trường hợp tải trọng khác nhau. Ngoài ra khi chia
lưới không đều cho kết quả chuyển vị phần tử CS-MITC3+ khá chính xác và tốt
hơn phần tử S3R.

33
 Bảng 4. Độ võng tấm vuông, biên BC1 chịu tải trọng hình sin

Chia lưới
Hướng sợi

Chênh
Exact
h/a Phương pháp lệch
4x4 6x6 8x8 10x10 [27]
(%)

Độ võng giữa tấm w*=100.E2.w.h3/(p.a4)

S3R 1.1370 1.1920 1.2110 1.2200 -1.40
CS-MITC3+ 1.1586 1.2027 1.2180 1.2250 -0.99
0.1 1.2373
S3R_Irregular 1.1400 1.1800 1.1967 1.2158 -1.73
CS-MITC3+
1.1554 1.1939 1.2077 1.2236 -1.11
[00/900]

Irregular
/90 ]

S3R 0.9393 1.0150 1.0380 1.0470 -1.72

CS-MITC3+ 0.9797 1.0284 1.0449 1.0523 -1.22
0.01 1.0653
S3R_Irregular 0.9228 0.9992 1.0192 1.0425 -2.14
CS-MITC3+
0.9731 1.0134 1.0305 1.0505 -1.39
Irregular
S3R 0.7175 0.7438 0.7528 0.7568 13.07
CS-MITC3+ 0.6381 0.6560 0.6620 0.6648 -0.67
0.1 0.6693
S3R_Irregular 0.7202 0.7414 0.7461 0.7543 12.69
CS-MITC3+
[00/900/00]

0.6364 0.6524 0.6580 0.6642 -0.76

Irregular
/90 ]

S3R 0.3917 0.4162 0.4244 0.4282 -1.27

CS-MITC3+ 0.4032 0.4202 0.4261 0.4289 -1.11
0.01 0.4337
S3R_Irregular 0.3899 0.4150 0.4189 0.4268 -1.60
CS-MITC3+
0.4017 0.4160 0.4225 0.4283 -1.25
Irregular

34
 1.26 1.10

1.24
Độ võng tương đối tại tâm tấm

Độ võng tương đối tại tâm tấm

1.05
1.22

1.20
1.00
1.18

1.16
0.95
1.14

1.12 0.90
1.10

1.08 0.85
4 6 8 10 4 6 8 10
Số phần tử trên mỗi 1/2 cạnh Số phần tử trên mỗi 1/2 cạnh
Exact S3R Exact CS-MITC3+
CS-MITC3+ CS-MITC3+_Irregular S3R_Abaqus CS-MITC3+_Irregular
S3R_Irregular S3R_Irregular

(h/a=0.1) (h/a=0.01)

Hình 4.7. Độ võng tại tâm tấm vuông composite [00/900], biên BC1, tải Sin

0.78 0.44
0.76
0.43
Độ võng tương đối tại tâm tấm

Độ võng tương đối tại tâm tấm

0.74
0.72 0.42
0.70 0.41
0.68
0.66 0.40
0.64 0.39
0.62
0.38
0.60
0.58 0.37
0.56
0.36
4 6 8 10
4 6 8 10
Số phần tử trên mỗi 1/2 cạnh
Số phần tử trên mỗi 1/2 cạnh
Exact S3R_Abaqus
Exact CS-MITC3+
CS-MITC3+ CS-MITC3+_Irregular
S3R_Abaqus CS-MITC3+_Irregular
S3R_Irregular S3R_Irregular

(h/a=0.1) (h/a=0.01)

Hình 4.8. Độ võng tại tâm tấm vuông composite [00/900/00], biên BC1, tải Sin

35
 CS-MITC3+ (a/h=0.01) S3R_Abaqus (a/h=0.01)
Hình 4.9. Độ võng chưa chuẩn hóa, tấm composite [00/900], lưới méo, tải sin
4.2.3 Tấm vuông composite liên kết ngàm 4 cạnh chịu tải phân bố đều
Tương tự [29] xét tấm vuông composite hai lớp có hướng sợi phản xứng [θ0 / – θ0],
cạnh a, chiều dày h = 0.002a, điều kiện biên BC2, chịu tải trọng phân bố đều q = 1.
Vật liệu MAT2. Khảo sát độ võng tại tâm tấm khi góc θ thay đổi.
Sử dụng phần tử CS-MITC3+ ba nút 18 bậc tự do giải bài toán đối xứng, xác định
độ võng không thứ nguyên w*=100E2h3/(q.a4) tại tâm tấm, so sánh với lời giải giải
tích [29] và các phương pháp khác [19], [30], [25]. Từ kết quả độ võng tại tâm tấm
trong Bảng 5, Hình 4.10 và Hình 4.11 ta thấy phần tử CS-MITC3+ cho kết quả khá
tốt đối với tấm mỏng. Kết quả độ võng hội tụ nhanh và chính xác hơn các phương
pháp MITC3, NS-MITC3[25], NS–DSG3[30], MISQ24, MISQ20[19] , S3R điều
này chứng tỏ phần tử khử hiện tượng khóa cắt rất tốt đối với tấm rất mỏng (h/a =
0.002). Trong trường hợp vật liệu [450/-450] kết quả không tốt bằng các phương
pháp khác tuy nhiên khi góc hướng sợi thay đổi thì kết quả sai số độ võng dao động
nhỏ hơn các phương pháp khác chỉ từ -2.3% đến -6.4% so với lời giải giải tích điều
này chứng tỏ phần tử CS-MITC3+ khá ổn định khi góc phương sơi khác nhau.

36
 Bảng 5. Độ võng tấm vuông composite, biên BC2, tải phân bố đều

Chia lưới Chênh

Hướng Exact
Phương pháp lệch
sợi 4x4 6x6 8x8 10 x 10 [29]
(%)
Độ võng không thứ nguyên w*=100E2wh3/(qa4) tại tâm tấm
MITC3 0.0717 0.0966 0.0984 0.0990 4.65
NS – DSG3 0.1095 0.1076 0.1055 0.1046 10.57
NS – MITC3 0.1066 0.1078 0.1063 0.1052 11.21
[50/ – 50]
[0 /90 ]

MISQ20 0.1010 0.1013 0.1023 0.0946 8.14

MISQ24 0.1022 0.1018 0.1025 8.35
S3R 0.0651 0.0954 0.0987 0.0997 5.37
CS-MITC3+ 0.0955 0.0974 0.0985 0.0992 4.86
MITC3 0.0918 0.1493 0.1648 0.1716 1.48
NS – DSG3 0.1770 0.1925 0.1946 0.1943 14.90
NS – MITC3 0.1884 0.1979 0.1975 0.1960 15.91
[150/-150]

MISQ20 0.1961 0.1964 0.1971 0.2009 16.56

MISQ24 0.1980 0.1976 0.1977 16.91
S3R 0.1007 0.1512 0.1668 0.1737 2.71
CS-MITC3+ 0.1439 0.1596 0.1680 0.1731 2.37
MITC3 0.1042 0.1849 0.2118 0.2228 -5.39
NS – DSG3 0.2031 0.2397 0.2480 0.2495 5.94
NS – MITC3 0.2336 0.2532 0.2546 0.2531 7.47
[250/-250]

MISQ20 0.2909 0.2895 0.2889 0.2355 22.68

MISQ24 0.2881 0.2882 0.2882 22.38
S3R 0.1302 0.1956 0.2174 0.2266 -3.80
CS-MITC3+ 0.1875 0.2097 0.2205 0.2265 -3.82
MITC3 0.1181 0.2199 0.2530 0.2647 -8.41
NS – DSG3 0.2144 0.2668 0.2812 0.2841 -1.70
NS – MITC3 0.2559 0.2863 0.2902 0.2889 -0.03
[450/-450]

MISQ20 0.3013 0.2993 0.2986 0.2890 3.32

MISQ24 0.2947 0.2956 0.2962 2.49
S3R 0.1920 0.2489 0.2638 0.2694 -6.80
CS-MITC3+ 0.2455 0.2611 0.2673 0.2705 -6.40

37
 0.12 0.25

Độ võng tương đối tại tâm tấm

Độ võng tương đối tại tâm tấm
0.10
0.20

0.08
0.15

0.06
0.10
0.04

0.05
0.02

0.00
0.00
4 6 8 10
4 6 8 10
Số phần tử trên mỗi 1/2 cạnh Số phần tử trên mỗi 1/2 cạnh
Exact CS-MITC3+ Exact CS-MITC3+
NS-DSG3 MITC3 NS-DSG3 MITC3
S3R_Abaqus NS-MITC3 S3R_Abaqus NS-MITC3

[50/-50] [150/-150]

Hình 4.10. Độ võng tấm vuông composite, biên BC2, tải đều

0.30 0.35

0.30
Độ võng tương đối tại tâm tấm

0.25
Độ võng tương đối tại tâm tấm

0.25
0.20
0.20
0.15
0.15

0.10
0.10

0.05 0.05

0.00 0.00
4 6 8 10 4 6 8 10
Số phần tử trên mỗi 1/2cạnh Số phần tử trên mỗi 1/2 cạnh
Exact CS-MITC3+ Exact CS-MITC3+
NS-DSG3 MITC3 NS-DSG3 MITC3
S3R_Abaqus NS-MITC3 S3R_Abaqus NS-MITC3
[250/-250] [450/-450]

Hình 4.11. Độ võng tấm vuông composite, biên BC2, tải đều

38
 CS-MITC3+, (10x10) S3R_Abaqus, (10x10)

Hình 4.12. Độ võng chưa chuẩn hóa, tấm composite [150/-150], BC2, tải đều

4.2.4 Tấm xiên composite liên kết tựa đơn 4 cạnh chịu tải phân bố đều
Tương tự [19] xét tấm composite xiên góc ∝ so với trục x, cạnh a, chiều dày h =
0.01a, tải trọng phân bố đều q= 1, biên tựa đơn 4 cạnh, vật liệu MAT1. Khảo sát độ
võng tại tâm tấm khi hướng sợi và góc xiên thay đổi.

Hình 4.13. Tấm composite xiên, biên tựa đơn 4 cạnh, tải đều
Sử dụng phần tử CS-MITC3+ ba nút 18 bậc tự do giải bài toán không đối xứng, xác
định độ võng không thứ nguyên w*=1000E2h3/(qa4) tại tâm tấm, so sánh với lời giải
chính xác [19] và các phương pháp khác [30], [31].

39
Kết quả so sánh được thể hiện trong Bảng 6, Hình 4.14 và Hình 4.15 ta thấy phần tử
CS-MITC3+ cho kết quả hội tụ tốt và ổn định hơn phần tử NS-DSG3[30], MITC3,
NS-MITC3[31]. Khi thay đổi góc xiên kết quả sai số chuyển vị thay đổi từ -0.04%
đến -2.24% chứng tỏ sai số chuyển vị không phụ thuộc nhiều vào hình dạng của
tấm.
Bảng 6. Độ võng tấm composite xiên, biên tựa đơn 4 cạnh, chịu tải phân bố đều

Chia lưới Chênh

Góc Phương Exact
lệch
Hướng sợi

alpha pháp 8x8 10x10 12x12 14x14 [19]

[0 /90 ]

(%)

Độ võng giữa tấm w*=1000E2wh3/(qa4)

MITC3 3.3151 3.4289 3.4894 3.5269 -2.84

NS-DSG3 3.9892 3.7787 3.8916 3.7368 2.94
450 NS-MITC3 3.8699 3.7292 3.7901 3.7064 3.6300 2.10
S3R 3.4725 3.5458 3.5867 3.6125 -0.48
[00/900/0]

CS-MITC3+ 3.3913 3.4708 3.5171 3.5472 -2.28

MITC3 5.1106 5.2385 5.3058 5.3467 -2.17
NS-DSG3 5.7465 5.5292 5.6590 5.5029 0.69
600 NS-MITC3 5.6670 5.5385 5.5751 5.5112 5.4654 0.84
S3R 5.2867 5.3192 5.3958 5.3983 -1.23
CS-MITC3+ 5.1756 5.2750 5.3307 5.3653 -1.83
MITC3 3.3187 3.4312 3.4909 3.5278 -2.82
NS-DSG3 4.0001 3.7744 3.9071 3.7336 2.85
3.6301
450 NS-MITC3 3.8820 3.7258 3.8010 3.7039 2.03
S3R 3.4800 3.5533 3.5942 3.6200 -0.28
[450/-450/450]

CS-MITC3+ 3.3949 3.4734 3.5191 3.5488 -2.24

MITC3 5.5530 5.6491 5.7023 5.7361 -0.94
/90 ]

NS-DSG3 6.6025 6.1929 6.3607 6.0810 5.02

600 NS-MITC3 6.2005 5.9658 6.0852 5.9507 5.7904 2.77
S3R 5.5875 5.6808 5.7442 5.7833 -0.12
CS-MITC3+ 5.6795 5.7360 5.7678 5.7881 -0.04

40
 4.1 5.80

4 5.70
3.9
5.60
Độ võng trung tâm

Độ võng trung tâm

3.8
5.50
3.7
5.40
3.6
5.30
3.5

3.4 5.20

3.3 5.10

3.2 5.00
8 10 12 14 8 10 12 14
Số phần tử trên mổi cạnh Số phần tử trên mổi cạnh
CS-MITC3+ S3R_Abaqus CS-MITC3+ S3R_Abaqus
NS-MITC3 Exact NS-MITC3 Exact
NS-DSG3 MITC3 NS-DSG3 MITC3

α=450 α=600

Hình 4.14. Độ võng tấm xiên composite [00/900/00], biên tựa đơn, tải đều

4.1
6.80
4
6.60
3.9
Độ võng trung tâm

6.40
Độ võng trung tâm

3.8

3.7 6.20

3.6
6.00
3.5
5.80
3.4
5.60
3.3

3.2 5.40
8 10 12 14 8 10 12 14
Số phần tử trên mổi cạnh
Số phần tử trên mổi cạnh CS-MITC3+ S3R_Abaqus
CS-MITC3+ S3R_Abaqus
NS-MITC3 Exact NS-MITC3 Exact
NS-DSG3 MITC3 NS-DSG3 MITC3

α=450 α=600

Hình 4.15. Độ võng tấm xiên composite [450/-450/450], biên tựa đơn, tải đều

41
 0 S3R_Abaqus, (10x10, α=600)
CS-MITC3+, (10x10, α=60 )

Hình 4.16. Độ võng chưa chuẩn hóa, tấm xiên composite [450/-450/450], tải đều

4.3 Vỏ composite
4.3.1 Vỏ trụ composite liên kết ngàm chịu tải trọng tập trung
Tương tự [27] xét vỏ trụ composite chiều dài a=600, bán kính R=300, bề dày h,
hai đầu liên kết ngàm, chịu tải trọng tập trung. Khảo sát độ võng tại vị trí lực tác
dụng khi hướng sợi và bề dày thay đổi.
Vật liệu:
MAT1:
- E1 = 25.106; E2 = 106; G12 = G13 = 0.5x106; G23 = 0.2x106; 12 = 0.25
Điều kiện biên:
Điều kiện biên khi xét 1/8 vỏ trụ hai đầu liên kết ngàm phẳng (BC3):
- Tại AD: u   y  0 và Tại BC: u  w   y  0

Tại AB: v   x  0 và Tại DC: v   x  0

-
Tải trọng:
- Tải trọng tập trung P: P=1

42
 Hình 4.17. Vỏ trụ composite, liên kết ngàm, chịu tải tập trung

Sử dụng phần tử CS-MITC3+ ba nút 18 bậc tự do giải bài toán đối xứng, xác định
độ võng không thứ nguyên w*=10E2h3/(PR2) tại vị trí lực tác dụng, so sánh với lời
giải giải tích [27] và phương pháp khác [19].
Kết quả so sánh được thể hiện trong Bảng 7, Hình 4.18 và Hình 4.19 ta thấy phần tử
CS-MITC3+ cho kết quả hội tụ tốt hơn phần tử MISQ20[19] và S3. Kết quả độ
võng hội tụ đến giá trị chính xác khi tăng số phần tử khi vỏ càng mỏng độ chính xác
càng cao. Khi tăng số lớp phần tử mà chiều dày vỏ không đổi độ chính xác của phần
tử tăng chứng tỏ tính hợp lý của phần tử CS-MITC3+.

43
 Bảng 7. Độ võng vỏ trụ composite, biên BC3, chịu tải tập trung
Hướng sợi
[0 /90 ] Chia lưới Chênh
Exact
R/h Phương pháp lệch
8x8 12x12 16x16 20x20 24x24 28x28 32x32 [27]
(%)

Độ võng vị trí lực tập trung w*=10E1wh3/(PR2)

S3 4.6266 4.9988 5.1956 5.3222 5.4131 5.4834 5.5406 -8.78
MISQ24 6.0162 -0.95
20 6.0742
MISQ20 4.4678 -26.45
[00/900]

CS-MITC3+ 4.5164 4.8965 5.0922 5.2182 5.3096 5.3809 5.4392 -10.45

S3 0.8363 1.0035 1.0815 1.1243 1.1505 1.1685 1.1813 -5.12
MISQ24 1.2536 0.69
100 1.2450
MISQ20 0.8162 -34.44
CS-MITC3+ 0.8329 0.9921 1.0712 1.1152 1.1420 1.1598 1.1724 -5.83
S3 2.9522 3.1463 3.2569 3.3328 3.3900 3.4350 3.4734 -17.53
MISQ24 3.7960 -9.87
20 4.2118
MISQ20 4.2020 -0.23
[00/900]5

CS-MITC3+ 3.1492 3.3726 3.5044 3.5974 3.6693 3.7281 3.7779 -10.30

S3 0.5411 0.6164 0.6502 0.6687 0.6803 0.6881 0.6938 -6.30
MISQ24 0.7566 2.17
100 0.7405
MISQ20 0.4895 -33.90
CS-MITC3+ 0.5782 0.6422 0.6716 0.6879 0.6982 0.7053 0.7106 -4.04

44
 7.00 1.40

6.00
Độ võng tại vị trí lực tác dụng

1.20

Độ võng tại vị trí lực tác dụng

5.00 1.00

4.00 0.80

3.00 0.60

2.00 0.40

1.00 0.20

0.00 0.00
8 12 16 20 24 28 32 8 12 16 20 24 28 32

Số phần tử trên mỗi 1/2 cạnh Số phần tử trên mỗi 1/2 cạnh
Exact S3_Abaqus CS-MITC3+
Exact CS-MITC3+ S3_Abaqus

(R/h=20) (R/h=100)
Hình 4.18. Độ võng Vỏ trụ [00/900], biên BC3, tải trọng tập trung

4.50 0.80
Độ võng tại vị trí lực tác dụng

4.00 0.70
3.50
Độ võng tại vị trí lực tác dụng

0.60
3.00
0.50
2.50
0.40
2.00
0.30
1.50

1.00 0.20

0.50 0.10

0.00 0.00
8 12 16 20 24 28 32 8 12 16 20 24 28 32
Số phần tử trên mỗi 1/2 cạnh Số phần tử trên mỗi 1/2 cạnh
Exact S3_Abaqus CS-MITC3+ Exact S3_Abaqus CS-MITC3+

(R/h=20) (R/h=100)

Hình 4.19. Độ võng Vỏ trụ [00/900]5, biên BC3, tải trọng tập trung

45
 CS-MITC3+, 20x20, R/h=100 S3_Abaqus, 20x20, R/h=100
Hình 4.20. Độ võng chưa chuẩn hóa Vỏ trụ [00/900], biên BC3, tải tập trung P

4.3.2 Vỏ mái vòm composite hai đầu liên kết ngàm chịu tải trọng bản thân
Tương tự [27] xét mái vòm composite chiều dài a=600, bán kính R=300, bề dày h,
hai đầu liên kết ngàm, chịu tải trọng bản thân. Khảo sát độ võng tại vị trí lực tác
dụng khi hướng sợi và bề dày thay đổi.
Vật liệu:
- MAT3: E1 = 25.106; E2 = 106; G12 = G13 = 0.5x106; G23 = 0.2x106; 12 = 0.25;
δ=0.208333.
Điều kiện biên:
Điều kiện biên khi xét 1/4 vỏ mái vòm hai đầu liên kết ngàm phẳng (BC4):
- Tại EH: u   y  0 và Tại FG: u  w   y  0

Tại EF: v   x  0 và Tại GH: Tự do

-
Tải trọng:
- Tải trọng bản thân: q0= h*δ

46
 Hình 4.21. Mái vòm composite, liên kết ngàm, chịu tải trọng bản thân
Sử dụng phần tử CS-MITC3+ giải bài toán đối xứng, xác định độ võng không thứ
nguyên w*=10E1h3/(q0R4), so sánh với lời giải giải tích [27] và các phương pháp
khác. Kết quả so sánh được thể hiện trong Bảng 8, Hình 4.23 và Hình 4.24 ta thấy
phần tử CS-MITC3+ cho kết quả hội tụ đến giá trị chính xác [27] khi tăng số phần
tử, khi vỏ mỏng độ chính xác vẫn cao chứng tỏ phần tử đã khử khóa cắt tốt, kể cả
trường hợp lưới không đều. Khi tăng số lớp phần tử mà chiều dày vỏ không đổi độ
chính xác của phần tử tăng chứng tỏ tính hợp lý của phần tử CS-MITC3+.

CS-MITC3+_Irregular, 8x8, R/h=20 S3_Abaqus_Irregular,8x8, R/h=20

Hình 4.22. Độ võng chưa chuẩn hóa, mái vòm [00/900], BC4, tải trọng bản thân

47
 Bảng 8. Độ võng mái vòm composite, biên BC4, chịu tải trọng bản thân
Hướng sợi
[0 /90 ] Chia lưới Chênh
Exact
R/h Phương pháp lệch
8x8 12x12 16x16 20x20 24x24 28x28 32x32 [27]
(%)
Độ võng vị trí tâm mái w*=10E1wh3/(q0R4)
S3 12.3067 12.4367 12.5367 12.6133 12.6700 12.6833 12.6933 1.31
CS-MITC3+ 12.1840 12.2440 12.2727 12.2901 12.3027 12.3132 12.3229 -1.64
20 12.5290
S3_Irregular 12.1400
[00/900]

CS-MITC3+_Irregular 12.1739
S3 3.3360 3.4533 3.5411 3.5840 3.6200 3.6333 3.6413 16.74
CS-MITC3+ 3.1583 3.1698 3.1769 3.1809 3.1832 3.1848 3.1859 2.14
100 3.1191
S3R_Irregular 3.2747
CS-MITC3+_Irregular 3.1573
S3R 8.3567 8.4600 8.5300 8.5667 8.6067 8.6167 8.6233 -1.15
CS-MITC3+ 8.5859 8.6370 8.6575 8.6679 8.6735 8.6783 8.6814 -0.49
20 8.7239
[00/900]5

S3_Irregular 8.2067
CS-MITC3+_Irregular 8.5823
S3 2.0373 2.0800 2.1173 2.1360 2.1533 2.1587 2.1613 14.50
CS-MITC3+ 1.8804 1.8852 1.8881 1.8896 1.8905 1.8911 1.8915 0.200
100 1.8877
S3_Irregular 2.0093
CS-MITC3+_Irregular 1.8784

48
 13.00
Độ võng lớn nhất của mái
4.00

3.50
12.50

Độ võng lớn nhất của mái

3.00
12.00

2.50

11.50
2.00

11.00 1.50
8 12 16 20 24 28 32 8 12 16 20 24 28 32
Số phần tử trên mỗi 1/2 cạnh Số phần tử trên mỗi 1/2 cạnh
Exact S3_Abaqus CS-MITC3+ Exact CS-MITC3+ S3_Abaqus

(R/h=20) (R/h=100)
Hình 4.23. Độ võng mái vòm [00/900] , biên BC4, chịu tải trọng bản thân

8.80 2.20

8.70 2.15
Độ võng lớn nhất của mái

2.10
Độ võng lớn nhất cùa mái

8.60
2.05

8.50 2.00
1.95
8.40
1.90
8.30 1.85
1.80
8.20
1.75
8.10 1.70
8 12 16 20 24 28 32 8 12 16 20 24 28 32
Số phần tử trên mỗi 1/2 cạnh Số phần tử trên mỗi 1/2 cạnh
Exact S3_Abaqus CS-MITC3+
Exact S3_Abaqus CS-MITC3+

(R/h=20) (R/h=100)
Hình 4.24. Độ võng mái vòm [00/900]5 , biên BC4, tải trọng bản thân

49
4.3.3 Vỏ chỏm cầu composite liên kết tựa đơn, chịu tải trọng tập trung
Tương tự [28] xét vỏ chỏm cầu composite Hình 4.25 với chiều dài a=1, bán kính
R=Rx= Ry, bề dày h=0.1, liên kết tựa đơn, chịu tải trọng tập trung tại tâm của vỏ.
Khảo sát độ võng tại vị trí lực tác dụng khi tỷ lệ R/a và hướng sợi thay đổi.
Vật liệu:
- MAT1: E1 = 25.106; E2 = 106; G12 = G13 = 0.5x106; G23 = 0.2x106; 12 = 0.25
Điều kiện biên:
Điều kiện biên khi xét 1/4 Chỏm cầu liên kết tựa đơn (BC5):
- Tại ML: v  w   x   z  0 và Tại IK: u   y  0

- Tại KL: u  w   y   z  0 và Tại MI: v   x  0

Tải trọng:
- Tải trọng tập trung P: P=1

Hình 4.25. Chỏm cầu composite, liên kết tựa đơn, chịu tải tập trung
Sử dụng phần tử CS-MITC3+ ba nút 18 bậc tự do giải bài toán đối xứng, xác định
độ võng không thứ nguyên w*=100E2h3/(Pa4) tại tâm vỏ, so sánh với lời giải giải
tích [28] và các phương pháp khác [16], [17]. Kết quả so sánh được thể hiện trong
Bảng 9, Hình 4.26 và 4.27 ta nhận thấy khi tăng số phần tử kết quả độ võng hội tụ
về kết quả giải tích [28] tốc độ hội tụ và kết quả CS-MITC3+ tốt hơn hẳn phần tử

50
 CS-DSG3 [17]. Trong Bảng 10 thể hiện khá rỏ, kết quả phần tử CS-MITC3+ chính
xác hơn MITC3, MITC4 [16], CS-DSG3[17]. Độ chính xác dao động nhỏ khi vỏ
thay đổi độ cong chứng tỏ tính ổn định của phần tử. ngoài ra khi độ cong giảm dần
độ võng tăng dần và sai số giảm dần chứng tỏ tính hợp lý của phần tử CS-MITC3+
Bảng 9. Độ võng chỏm cầu composite, biên BC5, tải trọng tập trung
Chia lưới Chên
Exact
R/a Phương pháp h lệch
Hướng

8x8 12x12 24x24 [28]

(%)
Độ võng giữa tấm w*=100E2wh3/(Pa4)
CS-DSG3 6.0590 6.4279 6.9145 -6.35
10 7.3836
[00/900]

CS-MITC3+ 6.5845 6.8346 7.2403 -1.94

CS-DSG3 6.1833 6.5578 7.0489 -5.94
100 7.4940
CS-MITC3+ 6.6928 6.9402 7.3365 -2.10
CS-DSG3 3.9479 4.2636 4.7133 -9.83
10 5.2273
[00/900/00]

CS-MITC3+ 4.4478 4.6897 5.1015 -2.41

0

CS-DSG3 3.9930 4.3109 4.7624 -9.57

100 5.2666
0

CS-MITC3+ 4.4783 4.7164 5.1093 -2.99

8.00 8.75
7.00
Độ võng tương đối tại tâm

7.75
Độ võng tương đối tại tâm

6.00
6.75
5.00
5.75
4.00
4.75
3.00

2.00 3.75

1.00 2.75

0.00 1.75
8 12 16 20 24 8 12 16 20 24
Số phần tử trên mỗi 1/2 cạnh Số phần tử trên mỗi 1/2 cạnh
Exact CS-DSG3 CS-MITC3+ Exact CS-DSG3 CS-MITC3+

(R/a=10)
(R/a=100)
0 0
Hình 4.26. Độ võng chỏm cầu [0 /90 ] , biên BC5, chịu tải tập trung P

51
 5.60
5.95
5.10
5.45
Độ võng tương đối tại tâm

Độ võng tương đối tại tâm

4.60
4.95
4.10
4.45
3.60
3.95
3.10 3.45
2.60 2.95
2.10 2.45
1.60 1.95
1.10 1.45
0.60 0.95
8 12 16 20 24 8 12 16 20 24
Số phần tử trên mỗi 1/2 cạnh Số phần tử trên mỗi 1/2 cạnh

Exact CS-MITC3+ CS-DSG3 Exact CS-MITC3+ CS-DSG3

(R/h=10) (R/h=100)
Hình 4.27. Độ võng chỏm cầu [00/900/00] , biên BC5, chịu tải tập trung P

CS-MIT C3+, 24x24, R/a=100 CS-MITC3+, 8x8, R/a=10

Hình 4.28. Độ võng chưa chuẩn hóa chỏm cầu [00/900], biên BC5, tải tập trung

52
 Bảng 10. Độ võng chỏm cầu composite, biên BC5, tải trọng tập trung

R/a Phương pháp [0o/90o] [0o/90o/0o] [0o/90o/90o/0o]

Exact (FSDT) [28] 7.1015 5.1410 4.9360
6.5263 4.5305 4.3329
MITC3 (20x20)
(8.09%) (11.87%) (12.21%)
6.8155 4.8451 4.6427
MITC4 (20x20)
(4.02%) (5.75%) (5.94%)
5 ES-MITC3 6.9448 4.9720 4.7650
(20x20) (2.20%) (3.28%) (3.46%)
6.5315 4.5653 4.3682
CS-DSG3 (24x24)
(-8.03%) (-11.2%) (-11.5%)
CS-MITC3+ 6.8520 4.9404 4.7363
(20x20) (3.51%) (3.90%) (4.05%)
Exact (FSDT) [28] 7.3836 5.2273 5.0186
6.8404 4.6281 4.4260
MITC3 (20x20)
(7.35%) (11.46%) (11.80%)
7.1191 4.9405 4.7343
MITC4 (20x20)
(3.58%) (5.48%) (5.66%)
10 ES-MITC3 7.2217 5.0492 4.8384
(20x20) (2.19%) (3.40%) (3.59%)
6.9145 4.7133 4.5109
CS-DSG3 (24x24)
(-6.35%) (-9.83%) (-10.12%)
CS-MITC3+ 7.1342 4.9916 4.7991
(20x20) (3.38%) (4.51%) (4.96%)
Exact (FSDT) [28] 7.4692 5.2594 5.0496
6.925 4.6532 4.4500
MITC3 (20x20)
20 (7.28%) (11.52%) (11.87%)
7.2012 4.9652 4.7581
MITC4 (20x20)
(3.58%) (5.59%) (5.77%)

53
 ES-MITC3 7.2968 5.0693 4.8576
(20x20) (2.30%) (3.61%) (3.80%)
CS-MITC3+ 7.2095 5.0033 4.7991
(20x20) (3.48%) (4.87%) (4.96%)
Exact (FSDT) [28] 7.4909 5.2657 5.0557
6.9495 4.6603 4.4560
MITC3 (20x20)
(7.22%) (11.52%) (11.87%)
7.2246 4.9722 4.7648
MITC4 (20x20)
50 (3.58%) (5.59%) (5.77%)
ES-MITC3 7.3182 5.0751 4.8631
(20x20) (2.30%) (3.61%) (3.80%)
CS-MITC3+ 7.2310 5.0065 4.8023
(20x20) (3.47%) (4.92%) (5.01%)
Exact (FSDT) [28] 7.4940 5.2666 5.0565
6.9530 4.6594 4.4566
MITC3 (20x20)
(7.21%) (11.52%) (11.86%)
7.2280 4.9732 4.7658
MITC4 (20x20)
(3.54%) (5.57%) (5.74%)
100 ES-MITC3 7.3213 5.0759 4.8638
(20x20) (2.30%) (3.62%) (3.81%)
7.0489 4.7624 4.5589
CS-DSG3 (24x24)
(-5.94%) (-9.57%) (-9.84%)
CS-MITC3+ 7.2341 5.007 4.8028
(20x20) (3.47%) (4.93%) (5.02%)

54
 Chương 5: KẾT LUẬN

5.1 Kết luận

Với những kết quả phân tích và so sánh như trên luận văn có thể rút ra một số kết
luận như sau:
Luận văn đã đưa bậc tự do thực xoay quanh trục vuông góc với mặt phẳng trung
bình vào phần tử tam giác, sử dụng lý thuyết biến dạng cắt bậc nhất kết hợp kỹ thuật
khử khóa cắt của phần tử MITC3+ và kỹ thuật làm trơn trên miền phần tử CS FEM
để xây dựng phần tử tam giác ba nút 18 bậc tự do CS-MITC3+. Phần tử được sử
dụng phân tích tĩnh kết cấu tấm và vỏ composite, kết quả phân tích so sánh với lời
giải giải tích và các nghiên cứu trước đây. Kết quả phân tích cho thấy sự hội tụ
nhanh khi chia nhỏ phần tử, chính xác hơn các phần tử MITC3, NS-MITC3, NS-
DSG3, CS-DSG3, MITC4, MISQ20 và kết quả mô phỏng bằng phần mềm Abaqus.
Nghiên cứu cho thấy, phần tử tam giác 18 bậc tự do CS-MITC3+ cho kết quả tốt
với các loại kết cấu tấm/vỏ khác nhau như tấm vuông, tấm xiên, vỏ trụ, vỏ mái vòm,
vỏ chỏm cầu. Điều kiện biên khác nhau như biên ngàm, biên khớp. Tải trọng khác
nhau như tải trong phân bố đều, tải trọng sin, tải trọng tập trung. Số lớp thay đổi,
lưới không đều, góc hướng sợi khác nhau ngoại trừ trường hợp tấm [450/-450] liên
kết ngàm, phần tử luận văn không tốt bằng các phần tử khác. Phần tử này cũng cho
kết quả tốt với kết quả tấm/vỏ dày lẫn mỏng chứng tỏ phần tử CS-MITC3+ đã khắc
phục tốt hiện tượng khóa cắt.
5.2 Kiến nghị
- Vì thời gian có hạn nên luận văn này mới chỉ tập trung phân tích tĩnh kết cấu
tấm/vỏ composite nhiều lớp. Những nghiên cứu tiếp theo sẽ sử dụng phần tư CS–
MITC3+ ba nút 18 bậc tự do phân tích dao động, ổn định cho kết cấu tấm/vỏ.

55
 TÀI LIỆU THAM KHẢO

[1] A. E. H. Love, “The Small Free Vibrations and Deformation of a Thin Elastic Shell,”
Philosophical Transactions of the Royal Society of London A: Mathematical,
Physical and Engineering Sciences, vol. 179, pp. 491–546, Jan. 1888.
[2] E. Reissner, “‘The Effect of Transverse Shear Deformation on the Bending of Elastic
Plates,’” ASME Journal of Applied Me-chanics, pp. A68–A77, Vol-1945.
[3] “R. D. Mindlin, ‘Influence of Rotary Inertia and Shear on Flexural Motions of
Isotropic, Elastic Plates,’ Journal of Applied Mechanics, Vol. 18, No. 1, 1951, pp. 31-
38. - References - Scientific Research Publish.” .
[4] S. Ahmad, B. M. Irons, and O. C. Zienkiewicz, “Analysis of thick and thin shell
structures by curved finite elements,” Int. J. Numer. Meth. Engng., vol. 2, no. 3, pp.
419–451, Jul. 1970.
[5] K.-J. Bathe and E. N. Dvorkin, “A formulation of general shell elements—the use of
mixed interpolation of tensorial components,” Int. J. Numer. Meth. Engng., vol. 22,
no. 3, pp. 697–722, Mar. 1986.
[6] Eduardo N. Dvorkin and Klaus-Jürgen Bathe, “A continuum mechanics based four-
node shell element for general non-linear analysis,” Engineering Computations, vol.
1, no. 1, pp. 77–88, Jan. 1984.
[7] M. L. Bucalem and K.-J. Bathe, “Higher-order MITC general shell elements,” Int. J.
Numer. Meth. Engng., vol. 36, no. 21, pp. 3729–3754, Nov. 1993.
[8] H.-M. Jeon, P.-S. Lee, and K.-J. Bathe, “The MITC3 Shell Finite Element Enriched
by Interpolation Covers,” Comput. Struct., vol. 134, pp. 128–142, Apr. 2014.
[9] Y. Lee, P.-S. Lee, and K.-J. Bathe, “The MITC3+ shell element and its performance,”
Computers & Structures, vol. 138, pp. 12–23, 2014.
[10] H.-M. Jeon, Y. Lee, P.-S. Lee, and K.-J. Bathe, “The MITC3+ shell element in
geometric nonlinear analysis,” Computers & Structures, vol. 146, pp. 91–104, 2015.
[11] “Zienkiewicz, O. C. Parekh, C. J . & King, I. P, ‘Arch dams analysed by a linear
finite,’ Proc. Symp. Arch Dams, Pergamon Press, Oxford, 1965.”
[12] D. J. Allman, “A compatible triangular element including vertex rotations for plane
elasticity analysis,” Computers & Structures, vol. 19, no. 1, pp. 1–8, Jan. 1984.
[13] K. D. Kim, G. R. Lomboy, and G. Z. Voyiadjis, “A 4-node assumed strain quasi-
conforming shell element with 6 degrees of freedom,” Int. J. Numer. Meth. Engng.,
vol. 58, no. 14, pp. 2177–2200, Dec. 2003.
[14] G. R. Liu, K. Y. Dai, and T. T. Nguyen, “A Smoothed Finite Element Method for
Mechanics Problems,” Comput Mech, vol. 39, no. 6, pp. 859–877, May 2007.
[15] T. Nguyen-Thoi, P. Phung-Van, H. Nguyen-Xuan, and C. Thai-Hoang, “A cell-based
smoothed discrete shear gap method using triangular elements for static and free
vibration analyses of Reissner–Mindlin plates,” International journal for numerical
methods in Engineering, vol. 91, no. 7, pp. 705–741, 2012.
[16] Q.-H. Pham, T.-V. Tran, T.-D. Pham, and D.-H. Phan, “An Edge-Based Smoothed
MITC3 (ES-MITC3) Shell Finite Element in Laminated Composite Shell Structures
Analysis,” Int. J. Comput. Methods, p. 1850060, Dec. 2017.

56
[17] P. Q. Hoa et al., “Static and free vibration analyses of laminated composite shells by
cell-based smoothed discrete shear gap method (CS-DSG3) using three-node
triangular elements,” Vietnam Journal of Mechanics, vol. 40, no. 1, pp. 89–103, Mar.
2018.
[18] H. Luong-Van, T. Nguyen-Thoi, G. R. Liu, and P. Phung-Van, “A cell-based
smoothed finite element method using three-node shear-locking free Mindlin plate
element (CS-FEM-MIN3) for dynamic response of laminated composite plates on
viscoelastic foundation,” Engineering Analysis with Boundary Elements, vol. 42, pp.
8–19, May 2014.
[19] H. Nguyen-Van, “Development and application of assumed strain smoothing finite
element technique for composite plate/shell structures,” University of Southern
Queensland, 2009.
[20] H. Nguyen Van, V. Vo Anh, N. Nguyen Hoai, T. Chau Dinh, and D. Nguyen Ngoc,
“Analysis of shell structure via a smoothed four – node flat element,” Proceeding of
the International Conference On Advances In Computational Mechanics (ACOME),
2012.
[21] T. Nguyen-Thoi, P. Phung-Van, C. Thai-Hoang, and H. Nguyen-Xuan, “A cell-based
smoothed discrete shear gap method (CS-DSG3) using triangular elements for static
and free vibration analyses of shell structures,” International Journal of Mechanical
Sciences, vol. 74, pp. 32–45, 2013.
[22] N. Nguyễn Minh, “Phân Tích Ứng Xử Vỏ Kirchhoff Được Gia Cường Gân Bằng
Phần Tử DKT,” Luận Văn Tốt Nghiệp Đại Học, Trường Đại Học Khoa Học Tự
Nhiên TPHCM, 2013.
[23] P. Phung-Van, T. Nguyen-Thoi, H. Luong-Van, and Q. Lieu-Xuan, “Geometrically
nonlinear analysis of functionally graded plates using a cell-based smoothed three-
node plate element (CS-MIN3) based on the C0-HSDT,” Computer Methods in
Applied Mechanics and Engineering, vol. 270, pp. 15–36, Mar. 2014.
[24] D. Đinh Công, “Phân tích tĩnh và dao động tự do vỏ Composite Sandwich sử dụng lý
thuyết Layerwise bằng phần tử hữu hạn trơn CS_MIN3,” 2014.
[25] T. Châu-Đình, D. Nguyễn-Văn, “Phân tích tĩnh và dao động riêng tấm composite
nhiều lớp bằng phần tử MITC3 có biến dạng được trung bình trên miền nút phần tử
(NS-MITC3),” Hội nghị Khoa học toàn quốc Vật liệu và Kết cấu Composite Cơ học,
Công nghê và ứng dụng, 2016.
[26] P. Nguyễn-Hoàng, “Phân Tích Kết Cấu Vỏ Bằng Phần Tử Mitc3+ Được Làm Trơn
Trên Phần Tử Với Hàm Bubble (Bcs – Mitc3+),” Luận văn thạc sĩ, Trường Đại Học
Sư Phạm Kỹ Thuật Thành Phố Hồ Chí Minh, 2016.
[27] J. N. Reddy, Mechanics of Laminated Composite Plates and Shells: Theory and
Analysis, Second Edition. CRC Press, 2004.
[28] J. N. Reddy and C. F. Liu, “A higher-order shear deformation theory of laminated
elastic shells,” International Journal of Engineering Science, vol. 23, no. 3, pp. 319–
330, Jan. 1985.
[29] J. M. Whitney, “The Effect of Boundary Conditions on the Response of Laminated
Composites,” Journal of Composite Materials, vol. 4, no. 2, pp. 192–203, Feb. 1970.
[30] C. H. Thai, L. V. Tran, D. T. Tran, T. Nguyen-Thoi, and H. Nguyen-Xuan, “Analysis
of laminated composite plates using higher-order shear deformation plate theory and
node-based smoothed discrete shear gap method,” Applied Mathematical Modelling,
vol. 36, no. 11, pp. 5657–5677, Nov. 2012.

57
[31] D. Nguyễn-Văn, “Phân Tích Kết Cấu Tấm Bằng Phần Tử Biến Dạng Trơn NS –
MITC3,” Luận văn thạc sĩ, Trường Đại Học Sư Phạm Kỹ Thuật Thành Phố Hồ Chí
Minh, 2016.
[32] “Abaqus/CAE User’s Guide (6.14).” [Online]. Available:
http://abaqus.software.polimi.it/v6.14/books/usi/default.htm. [Accessed: 14-Apr-
2018].

58