1

E
(

2
 (
-vacant atomic sites in a structure.

Vacancy
distortion
of planes

- การ แทรก ตัว ของ อะตอม ชนิด เดียว กัน

-"extra" atoms positioned between atomic sites.

self-
distortion interstitial
of planes

3
 เป็น คู่ ประจุ บวก 1 อัน
อัน
ประจุ ลบ 1

ดุ
ย้าย ที่

4
 ⑤
No. of defects Activation energy

-
รูปแบบ สมการ นาย ส ND QD
exp
อาเรา

มี อะตอม ทั้งหมด ที่ เกิด จุด ว่าง

N kT
No. of→potential Temperature
defect sites. Boltzmann's constant
(1.38 x 10 -23 J/atom K)
(8.62 x 10 -5 eV/atom K)
Each lattice site
is a potential NA = avogado no
vacancy site N = NA /A = Density
A = atomic weight
5
-

3
• Find the equil. # of vacancies in 1m of Cu at 1000C.
• Given:
= 8.4 g / cm3 ACu = 63.5g/mol
QD = 0.9eV/atom NA = 6.02 x 10 23 atoms/mole ×

Y "
เป็น กราฟ exponential "

/ ฐู๋รุ๋
0.9eV/atom

N
ND |
exp
kT
QD -4 ✓
ถ้า อุณหภูมิ
สูง

"

1273K
- ×
. .
e.
ทั้งหมด
→
ยํ
.
= 1 อะตอม จะ

โดด
8.62 x 10-5 eV/atom-K เป็น กลาย

NA
For 1m 3, N = x x 1m3 = 8.0 x 1028 sites
ACu \ ที่ เกิดได้
• Answer: จุด
ว่าง
สูง สุด

ดวง
28
อะตอม
แ
= 103 ทุก ๆ 1,000
Fg จะ มี จุด ว่า งา จุด 6
• We can get Q from
an experiment.

• Measure this... • Replot it...

ND slope
1
ln
N
-QD/k

1/T
"
ฆ *

การ หา ค่า พลังงาน

กระตุ้น
7
 ขึ้น
อุณหภูมิ สูง ขึ้น จุด ว่าง จะ มาก

• Low energy electron

อุณหภูมิ ลด จุด ว่าง
ลง จะ ลด ลง

microscope view of
a (110) surface of NiAl.
• Increasing T causes
surface island of
atoms to grow.
• Why? The equil. vacancy
conc. increases via atom
motion from the crystal
to the surface, where
they join the island.

8
 อัลลอย ด์
-
เจือ ( ตัว ที่ มี น้อย กว่า ) ที่ มี มาก กว่า

ะ
สาร สาร

Two outcomes if -
impurity (B) added to host (A):
• Solid solution of B in A (i.e., random dist. of point defects)

OR

การ แทน ที่ การแทรก ท

Substitutional alloy
- Interstitial alloy
. ^
(e.g., Cu in Ni) (e.g., C in Fe) เหล็กกล้า
• Solid solution of B in A plus particles of a new
phase (usually for a larger amount of B)
Second phase particle
--different composition
--often different structure.

9
 (

: <15%

ถ้า en ต่าง กัน มาก จะ เกิด เป็น สาร ประกอบ

โลหะ < อโลหะ

10
• Low energy electron
microscope view of
a (111) surface of Cu.
• Sn islands move along
the surface and "alloy"
the Cu with Sn atoms,
to make "bronze".
• The islands continually
move into "unalloyed"
regions and leave tiny
bronze particles in
their wake.
• Eventually, the islands
disappear.
11
 (
Idea ! ให้ ค รพ .
แบบ หนึ่ง ต้อง หา คลับ อีก แบบ หนึ่งไถ้
.

At0MY.tt/deightY._ros--anm-e
Two descriptions:
• Weight % • Atom %

• Conversion between wt % and at% in an A-B alloy:

C'BAB
CB = x 100
C'AAA + C'BAB
• Basis for conversion:

12
Dislocations:
-
• are line defects,
• cause slip between crystal plane when they move,
• produce- permanent (plastic) deformation.
การ เสีย รูป แบบ ถาวร ( เลย จุด ที่ สามารถ กลับ ไป แบบ เกิน ไถ้ )

Schematic of a Zinc (HCP):

• before deformation • after tensile elongation

slip steps
การ เลื่อน ของ ระนาบ

13
14
• Dislocation motion requires the successive bumping
of a half plane of atoms (from left to right here).
• Bonds across the slipping planes are broken and
remade in succession.

Atomic view of edge

dislocation motion from
left to right as a crystal
is sheared.

15
 (Burgers vector b)
-
Edge dislocation
|

สัญลักษณ์
dislocation
หาง
ของ การ

แบบ ขอบ

ตัว ที ชั้ เข้า หา ระนาบ

| yaisi.cati.ni.no ดํ๋
B " "" "

✓
'

ที แทรก เข้า มา

ระ
0miแทรก เข้า มา

Edge dislocation
(extra half plane)
16
 (Burgers vector b)
Screw dislocation

Screw dislocation line

ความ เค้น เฉือน -

พท .
รับ แรง ขนาน กับ แรง ถึง

Screw dislocation -
(Cutting plane)
17
edline_ee.ge
"

b เป็น
ขอบ

18
Edge dislocation b กับ disbcation Iine

Screw dislocation b กับ dislocationline

19
Edge dislocation

20
การ dislocation เกิด ขึ้น
ได้ แต่ ต้องไม่ เคลื่อน ที่
จึง จะ ไม่ ทำ ให้ วัสดุ เสียหาย
เพราะ การ disbcation

มี ความ เ ค้น
_

( ) 21
• Edge dislocation b
• Screw dislocation b
22
 2 2

• l
มุม สูง , มุม
ต่ำ )

• พลังงาน พ้น ผิว ด้าน นอก

สูง กว่า
ด้าน ใน

•
• เกิด จาก แรง กล BCC ,
HCP
,
จาก การ อบ คืน ตัว FCC

23
twinning

twin
(99.77%)

24
 Schematic Metal Ingot
แต่ละ grain อะตอม จะ เรียง ตัว แนว เถียง กัน ~ 8cm

e- ทิศทาง การ เรียง ตัว ของ อะตอม

grain
boundaries
ช่วย เพิ่ม ค แข็งแรง

o
.

ให้ กับ
วัสดุ เพราะ การ แตก ของ
วัสดุ จะ แตก ตาม แนว การ เรียง
ตัว ของ อะตอม ขอบ เกรน
มุม สูง
ท่า ให้ รอย แตก ต้อง เปลี่ยน ทิศ โดย
เลย แข็ง แรง ขึ้น
ใช้ พลังงาน มาก
วัสดุ
สูง การ เปลี่ยน ทิศ ของ อะตอม > I-3
มุม heat
°

ขอบ เกรน

ขอบ เกรนตํ่t
มุม การ เปลี่ยน ทิศ ของ อะตอม < 2 -3 25
°

flow
°
 1
2000
(

close-packed planes

micrograph of
Brass (Cu and Zn)
0.75mm
26
2

27
 1 64

2n-1
/ 2 100x
ASTM

2n-1
-1 2
1 -1 0.301
7
28
•
• 0.03
•
•

-Transmission electron microscopy (TEM)

-Scanning electron microscopy (SEM)

29
 2
• Transmission Electron Microscopy (TEM)
-
-
-
-
• Scanning Electron Microscopy (SEM)
-
-
-
- CRT
30
 P M

•
•

•
• SPM
•

31
( )
(

( -

32
( )
(

( -

32