EMPEDANS SPEKTROSKOPİSİ (IS)

Empedans spektroskopisi (IS) veya elektrokimyasal empedans spektroskopisi (EIS) birçok

elektronik cihazın elektriksel özelliklerini belirlemek ve malzemelerin analizi için kullanılan

bir yöntemdir. Bu yöntem, korozyon çalışmalarında; elektronik ve iyonik iletken polimerlerin

özelliklerinin incelenmesinde; depolanan enerjinin ölçülmesinde; piller ve yakıt hücreleri ile

ilgili sistemlerde; biyolojik analizler ve biyomedikal sensör, yarıiletken ve elektrolitlerin

ölçümlerinde kullanılmaktadır [14-16]. Empedans spektroskopisi, geniş bir frekans aralığında

bir malzemenin küçük genlikli sinyallere karşı verdiği tepkinin ölçüsüdür. IS yöntemi polimer,

oksit, cam ve seramik gibi malzemelerin elektrik ve dielektrik karakterizasyonunda kullanılır.

Bu yöntemle, özellikle empedans (Z), admitans (Y), elektrik modülüs (M) ve dielektrik

geçirgenlik (ε) gibi empedans ilişkili fonksiyonlar analiz edilir. Empedans spektroskopisinden

(IS) eşdeğer devrenin yapısı ve malzemenin elektrik ve dielektrik parametre değerleri elde

edilir. Ayrıca, empedans spektroskopisi dielektrik spektroskopisi ile ilişkilidir. Yani, dielektrik

spektroskopisi empedans spektroskopisinin bir parçasıdır.

Dielektrik materyalli bir aygıt paralel RC devresi ile temsil edilebilir. Bu durumda, admitans

(Y) değerinden empedans (Z) değerini elde etmek daha kolaydır. Bir paralel RC devresinde

admitans değeri [1, 2];

𝑌(𝜔) = 1⁄𝑅 + 𝑖𝜔𝐶 (5.1)

ile verilmektedir. Bu ifadeden empedans değeri;

𝑍(𝜔) = 1⁄𝑌(𝜔) (5.2)

 1
𝑍(𝜔) = (5.3)
1⁄𝑅+𝑖𝜔𝐶

olarak ifade edilir.

Şekil 5.1’de MOS kapasitörün eşdeğer devre modeli gösterilmiştir. Bu eşdeğer devre, paralel

bağlı Rp ve Cp ile gösterilen direnç ve kondansatöre seri olarak bağlanan Rs ile gösterilen bir

seri dirençten oluşmaktadır [14-16, 37-39].

Şekil 5.1. Eşdeğer devre modeli

Bu eşdeğer devrenin empedansı, kapasitans ve direnç katkılarının toplamına eşit olup aşağıdaki

denklem ile verilmektedir.

𝑅𝑝 𝑅𝑝 2𝐶
𝜔𝑅𝑝 𝑝
𝑍(𝜔) = 𝑅𝑠 + 1+𝑖𝜔𝑅 = [𝑅𝑠 + 2 ]−𝑖[ 2 ] (5.4)
𝑝 𝐶𝑝 1+(𝜔𝑅𝑝 𝐶𝑝 ) 1+(𝜔𝑅𝑝 𝐶𝑝 )

Ayrıca, kompleks empedans (Z*),

Z ∗ (ω) = Z ′ + iZ ′′ (5.5)
şeklinde ifade edilir. Burada, reel (Z') ve imajiner (Z'') kompleks empedansın bileşenleridir.

Kompleks dielektrik sabiti (ɛ*) kompleks empedans cinsinden yazılabilir.

1
ɛ∗ (ω) = iωC ∗
(5.6)
0 Z (ω)

Ayrıca kompleks dielektrik sabiti,

ɛ∗ (ω) = ɛ′ − iɛ′′ (5.7)

Z′′ Z′
ɛ∗ (ω) = ωC (Z′ (ω)2 +Z′′ (ω)2 )
− i ωC (Z′ (ω)2 +Z′′ (ω)2 )
(5.8)
0 0

şeklinde ifade edilir. Bu denklemden kompleks dielektrik sabitinin reel ve imajiner kısımları

yani dielektrik sabiti ve dielektrik kayıp,

Z′′
ɛ′ (ω) = ωC ′ 2 ′′ 2
(5.9)
0 (Z (ω) +Z (ω) )

Z′
ɛ′′ (ω) = ωC (Z′ (ω)2 +Z′′ (ω)2 )
(5.10)
0

empedansın reel ve imajiner terimleri cinsinden ifade edilir.

Kompleks elektrik modülüs (M*),

M ∗ (ω) = M ′ + iM ′′ (5.11)
şeklinde verilir. Kompleks modülüs, ɛ* ve Z* cinsinden ifade edilebilir.

1
M ∗ (ω) = ɛ∗ (ω) (a) veya M ∗ (ω) = iωC0 Z ∗ (ω) (b) (5.12)

Yukarıdaki denklemden kompleks modülüsün reel ve imajiner kısımları,

M ′ (ω) = ωC0 Z ′′ (ω) (5.13)

M ′′ (ω) = ωC0 Z ′ (ω) (5.14)

şeklinde yazılabilir.