บ

ทความ
เจริญชัย เหลืองอ่อน
ศูนย์เทคโนโลยีโลหะและวัสดุแห่งชาติ

การวัดค่าความต้านทาน
ด้วยวิธีเข็มวัด 4 จุด
ความต้ า นทานไฟฟ้ า เป็ น สมบั ติ ที่ ส ำคั ญ ของ
l
วั ส ดุ ส ารกึ่ ง ตั ว นำที่ จ ำเป็ น จะต้ อ งพิ จ ารณาเมื่ อ R = r __ (1)
ต้อ งการนำวั ส ดุ นั้นมาใช้ในสิ่งประดิษฐ์ทางไฟฟ้ า – A
อิเล็กทรอนิกส์ กรณีที่สามารถควบคุมหรือตรวจวัด
พารามิเตอร์รอบข้างได้อย่างแม่นยำ การวัดค่าความ R คือ ค่าความต้านทานมีหน่วยเป็นโอห์ม (W)
ต้ า นทานช่ ว ยให้ ส ามารถประเมิ น คุ ณ ภาพของวั ส ดุ r คือ ค่าสภาพความต้านทานไฟฟ้า (resistivity)
และสิ่งประดิษฐ์ได้ง่าย รวดเร็ว มีความแม่นยำสูง ของวัสดุ ซึ่งมีค่าแตกต่างกันไปตามชนิดของวัสดุ
และยังเป็นการวัดแบบไม่ทำลาย มีหน่วยเป็นโอห์ม-เซนติเมตร (W.cm)
อย่ า งไรก็ ดี ในทางปฏิ บั ติ ก ารวั ด ค่ า ความ
ต้ า นทานให้ มี ค วามแม่ น ยำสู ง ทำได้ ค่ อ นข้ า งยาก สมการที่ (1) สามารถเขียนในรูปของค่าสภาพความ
เนื่องจากผลกระทบหลายด้าน เช่น อุณหภูมิ เครื่อง ต้านทานไฟฟ้าได้ คือ
มือวัด และการติดตั้งเครื่องมือวัด เป็นต้น บทความ
RA
นี้นำเสนอการวัดค่าความต้านทานด้วยวิธีเข็มวัด 4 r = __ (2)
จุด (four-point probe) ซึ่งเป็นวิธีการมาตรฐานใน l
การวัดค่าความต้านทานของวัสดุสารกึ่งตัวนำ โดย
เข็มวัดคู่หนึ่งใช้จ่ายกระแสให้กับชิ้นงานทดสอบ ส่วน การวัดค่าความต้านทานไฟฟ้าในลักษณะนี้ ขั้ว
เข็ ม วั ด อี ก คู่ จ ะใช้ วั ด แรงดั น ไฟฟ้ า ที่ ไ ด้ จ ากชิ้ น งาน ไฟฟ้ า ที่ ป ลายทั้ ง สองของแท่ ง วั ส ดุ จ ะต้ อ งเป็ น รอย
ทดสอบ ด้วยลักษณะเช่นนี้สามารถตัดผลกระทบจาก สัมผัสโอห์มมิก (ohmic contact)1 เพื่อให้กระแส
ความต้านทานของสายไฟที่ใช้วัด และแรงดันไฟฟ้า ไฟฟ้าไหลตั้งฉากกับพื้นที่หน้าตัดของวัสดุได้โดยตลอด
ตกคร่อมจุดวัด จึงทำให้ค่าความต้านทานที่คำนวณได้ แต่ในทางปฏิบัติวัสดุสารกึ่งตัวนำไม่ได้มีลักษณะเป็น
มีความถูกต้องมากขึ้น แท่งสี่เหลี่ยม การกำหนดความยาวและพื้นที่หน้าตัด
รวมไปถึงการสร้างรอยสัมผัสโอห์มมิกจึงทำได้ยาก
ทฤษฎี ทำให้การวัดด้วยวิธีข้างต้นจึงไม่เหมาะสม
การหาค่าความต้านทานไฟฟ้าของวัสดุกรณีที่มี วิธีที่ได้รับความนิยมและนำมาใช้กันอย่างแพร่
รูปร่างเป็นแท่งสี่เหลี่ยมพื้นที่หน้าตัด A มีขนาดยาว หลายคือ การวัดด้วยวิธีเข็มวัด 4 จุด ซึ่งสามารถวัด
l สามารถกำหนดได้จากสมการ ได้โดยไม่ต้องคำนึงถึงขนาดหรือรูปร่างของวัสดุ และ
ใช้เข็มวัดแทนการสร้างรอยสัมผัสโอห์มมิก
1
รอยสัมผัสโอห์มมิก (Ohmic contact) เป็นบริเวณหน้าสัมผัสระหว่างวัสดุสารกึ่งตัวนำกับโลหะที่แสดงพฤติกรรมของกระแสที่ไหลผ่านกับแรงดัน
ตกคร่อมในลักษณะสมมาตรและเป็นเชิงเส้น โดยทั่วไปการสร้างขั้วไฟฟ้าให้กับวัสดุสารกึ่งตัวนำจะต้องทำให้หน้าสัมผัสระหว่างขั้วไฟฟ้ากับวัสดุสาร
กึ่งตัวนำเป็นลักษณะของโอห์มมิก
 M T E C 75
มกราคม - มีนาคม 2554

ภาพที่ 1 เป็นการวัดความต้านทานด้วยวิธีเข็ม ตกคร่อม จึงทำการวัดค่ากระแสและค่าแรงดันที่เข็ม

วัด 4 จุด โดยเข็มทั้ง 4 มีระยะห่างระหว่างเข็มเท่า B และ C ที่วัดได้จะนำมาคำนวณหาค่าสภาพความ
กันคือ s การวัดเริ่มจากปล่อยกระแสไฟฟ้าคงที่เข้าที่ ต้านทานไฟฟ้า ตามสมการที่ 3 [1] ซึ่งเป็นสมการที่
เข็มด้านนอกสุด (เข็ม A และ D) กระแสจะไหล ได้จากการแก้สมการสนามไฟฟ้าบนผิวสารกึ่งตัวนำที่
จากเข็ม A ผ่านวัสดุไปยังเข็ม D ทำให้เกิดแรงดัน มีขอบเขตแบบกึง่ ไม่จำกัด (semi-infinite boundary)

A B C D
S S S

สารกึ่งตัวนำ

ภาพที่ 1 การวัดค่าความต้านทานไฟฟ้าด้วยวิธีเข็มวัด 4 จุด

V
r = 2ps __ (3)
I

ในทางปฏิบัติ ชิ้นงานตัวอย่างจริงอาจไม่เป็น เท่าที่ควร ต้องมีการปรับค่าโดยใช้แฟกเตอร์ความถูก

ไปตามเงื่อนไขของลักษณะขอบเขตไม่จำกัดทั้งในแนว ต้อง (correction factor) ซึ่งจะได้รูปแบบสมการดัง
ระนาบและแนวลึก สมการที่ 3 จึงให้ค่าไม่ถูกต้อง สมการที่ 4 [2]
V
r = 2psF __ (4)
I

F คือ แฟกเตอร์ความถูกต้อง แสดงได้ตามสมการที่ 5 [2]

F = F1F3[ln(2)F2 / p ] (5)

โดย F1 เป็นค่าปรับสำหรับความหนาของชิ้นงาน
F2 เป็นค่าปรับขนาดตามแนวระนาบ และ
F3 เป็นค่าปรับตำแหน่งการวางหัวโพรบเทียบกับขอบของชิ้นงาน
ค่า F ที่ใช้กันโดยทั่วไปได้จากการทดสอบเทียบกับค่ามาตรฐาน ซึ่งแปรผันตามลักษณะของชิ้นงาน
76 M T E C
มกราคม - มีนาคม 2554

ค่า F1 กำหนดได้จากสมการที่ 6 และ 7 สำหรับค่า F2 และ F3 แสดงในภาพที่ 2 และ 3 ตามลำดับ

F1 กรณีผิวด้านใต้ชิ้นงานเป็นผิวที่ไม่นำไฟฟ้า (non-conducting surface) [2]
t/s
F1 = F11 = ______________________

(6)
2ln[sinh(t/s) / sinh(t/2s)]


F1 กรณีผิวด้านใต้ชิ้นงานเป็นผิวที่นำไฟฟ้า (conducting surface) [2]
t/s
F1 = F12 = ______________________ (7)
2ln[cosh(t/s) / cosh(t/2s)]


โดย t คือ ค่าความหนาของชิ้นงาน

ภาพที่ 2 ค่าปรับ F2 สำหรับขนาดตามแนวระนาบของชิ้นงานที่เป็นแผ่นวงกลม และแผ่นสี่เหลี่ยม [3]

ค่าปรับขนาดของชิ้นงานตามแนวระนาบ หรือ ในกรณีที่ชิ้นงานเป็นรูปสี่เหลี่ยมที่มีความยาว

F2 ตามภาพที่ 2 แบ่งได้เป็น 2 กรณีคือ ชิ้นงานรูป
วงกลมและชิ้นงานรูปสี่เหลี่ยม ในกรณีชิ้นงานรูป
วงกลมมีเส้นผ่านศูนย์กลาง d จะพิจารณาขนาดเส้น
ผ่านศูนย์กลางของชิ้นงานเทียบกับระยะระหว่างเข็ม
วัด พบว่าถ้าขนาดเส้นผ่านศูนย์กลางของชิ้นงานมีค่า
มากกว่าระยะระหว่างเข็มวัดมาก (อัตราส่วนของ d/s
มากกว่า 20 ขึ้นไป) ค่าปรับ F2 จะถูกจำกัดไว้ที่ค่า
สูงสุด คือประมาณ 4.532
งานมีค่ามากกว่าระยะระหว่างเข็มวัดมากๆ เหมือน
a และความกว้าง d จะต้องพิจารณาขนาดของชิ้น
งานตามแนวยาวเทียบกับขนาดตามแนวกว้างก่อน
(a/d) ซึ่งตามภาพที่ 2 ได้แสดงลักษณะของเส้น
กราฟไว้ 2 กรณี คือ a/d = 1 และ a/d > 3 จาก
นั้ น จึ ง หาอั ต ราส่ ว นระหว่ า งความกว้ า งของชิ้ น งาน
เทียบกับระยะระหว่างเข็มวัด (d/s) โดยพบว่าค่า
ปรับ F2 จะให้ค่าสูงสุด ถ้าขนาดความกว้างของชิ้น
ในกรณีชิ้นงานรูปวงกลม
 M T E C
77
มกราคม - มีนาคม 2554

และเมื่อพิจารณากรณีที่ F2 มีค่าสูงสุด คือ 4.532 หรือ (p/ln 2) พบว่าจะทำให้เทอม [ln (2) F2/p ]
ในสมการที่ 5 มีค่าเท่ากับ 1 และส่งผลให้ค่าแฟกเตอร์ความถูกต้อง F ขึ้นอยู่กับค่าปรับ F1 และ F3 เท่านั้น

F3

F3

ภาพที่ 3 ค่าปรับ F3 สำหรับการวางหัวโพรบใกล้บริเวณขอบชิ้นงาน [2]

ภาพที่ 3 แสดงค่าปรับตำแหน่งการวางหัวโพรบ F34 เป็นค่าปรับ กรณีวางแนวของเข็มวัด

เที ย บกั บ ขอบของชิ้ น งาน เมื่ อ กำหนดให้ d เป็ น ขนานกับแนวขอบชิ้นงาน
ระยะจากขอบชิ้นงานถึงเข็มวัด ค่า F3 พิจารณาได้ เมื่อพิจารณาค่าปรับตำแหน่งการวางหัวโพรบ
จากอัตราส่วนระหว่างระยะจากขอบของชิ้นงานถึง เทียบกับขอบของชิ้นงาน ทั้งสองกรณี พบว่า ถ้า
เข็มวัดกับระยะห่างระหว่างเข็มวัด (d/s) แบ่งได้ 2 ระยะจากขอบชิ้นงานถึงเข็มวัดมีค่ามากกว่าระยะห่าง
กรณี คือ ระหว่างเข็มวัดมากๆ (อัตราส่วนมากกว่า 3 ขึ้นไป)
1. กรณีขอบเขตที่ออกจากขอบชิ้นงานไม่นำ ค่าปรับ F3 จะถูกจำกัดให้มีค่าเท่ากับ 1
ไฟฟ้า (non-conducting boundary) ค่าปรับใน
กรณีนี้มีสองลักษณะ คือ วิธีการทดสอบ
F31 เป็นค่าปรับ กรณีวางแนวของเข็มวัด • ชิ้นงานตัวอย่าง
ตั้งฉากกับแนวขอบชิ้นงาน แผ่ น ซิ ลิ ค อนเวเฟอร์ ที่ ท ราบค่ า สภาพความ
F32 เป็นค่าปรับ กรณีวางแนวของเข็มวัด ต้านทานไฟฟ้าจากผู้ผลิต มีลักษณะ ดังนี้
ขนานกับแนวขอบชิ้นงาน ขนาดเส้นผ่านศูนย์กลาง (d) 125 +/- 0.5
2. กรณี ข อบเขตที่ อ อกจากขอบชิ้ น งานนำ มิลลิเมตร
ไฟฟ้า (conducting boundary) ค่าปรับในกรณีนี้มี สารกึ่ ง ตั ว นำชนิ ด พี เจื อ ด้ ว ยสารโบรอน,
สองลักษณะ คือ ระนาบ (100)
F33 เป็นค่าปรับ กรณีวางแนวของเข็มวัด ความหนา (t) 260-340 ไมโครเมตร
ตั้งฉากกับแนวขอบชิ้นงาน ค่าสภาพความต้านทานไฟฟ้า 0.5–2 โอห์ม-
78 M T E C
มกราคม - มีนาคม 2554

เซนติเมตร
• เครื่องมือ
1. เครื่องจ่ายกระแสไฟฟ้า/แรงดันไฟฟ้า ADVANTEST รุ่น R6144
2. เครื่องวัดค่าแรงดันไฟฟ้า Agilent รุ่น 34420A

เข็มวัด 4 จุด

เครื่องวัดค่าแรงดันไฟฟ้า

เครื่องจ่ายกระแสไฟฟ้า/แรงดันไฟฟ้า

ภาพที่ 4 เครื่องมือวัดค่าความต้านทาน

3. เข็มวัด 4 จุด (Four Point Probe) ระยะระหว่างเข็มวัด (s) 1.27 มิลลิเมตร

• ขั้นตอนการทดสอบ
1. วางชิ้นงาน ณ จุดวัด กดเข็มวัดทั้ง 4 ลงสัมผัสกับชิ้นงาน
2. กำหนดค่ากระแสไฟฟ้าที่จ่ายให้กับชิ้นงานตัวอย่าง โดยกำหนดช่วงตั้งแต่ -0.5 ถึง 0.5 มิลลิแอมป์
3. จ่ายกระแสไฟฟ้าให้กับชิ้นงานตัวอย่าง พร้อมทั้งวัดค่าแรงดันไฟฟ้าที่เกิดขึ้น
4. หาค่าความต้านทานจากอัตราส่วนของแรงดันไฟฟ้าต่อกระแสไฟฟ้า

ภาพที่ 5 แสดงตำแหน่งเข็มวัด 4 จุดบนชิ้นงาน

 M T E C 79
มกราคม - มีนาคม 2554

5. คำนวณค่าสภาพต้านทานตามสมการที่ 4 ตารางที่ 1 แสดงค่าสภาพต้านทานของชิ้นงานตัวอย่างที่ค่าความหนา

ต่ำสุดและสูงสุด

ความหนาของชิ้นงาน ค่าต่ำสุด ค่าสูงสุด

ตัวอย่าง 260 mm 340 mm
F1 = F11 0.147 0.191
F2 4.532 4.532
F3 = F31 1 1
F 0.147 0.191
ค่าสภาพต้านทาน 0.7 0.92
ภาพที่ 6 กราฟแสดงค่ากระแสไฟฟ้าที่จ่ายให้ชิ้นงานตัวอย่าง
กับค่าแรงดันไฟฟ้าที่วัดได้ (โอห์ม–ซ.ม.)

ผลการทดสอบ ไป เป็นขอบเขตที่ไม่นำไฟฟ้า) ค่าสภาพต้านทาน

จากกราฟได้ อั ต ราส่ ว นของแรงดั นไฟฟ้ า ต่ อ
กระแสไฟฟ้า (V/I) คือ 6.0 โอห์ม ค่าสภาพความ
ต้านทานไฟฟ้า คำนวณได้จากสมการที่ 4 ภายใต้ข้อ
กำหนดของแฟกเตอร์ความถูกต้องตามสมการที่ 5
โดย F1 คำนวณจากสมการที่ 6 เนื่องจากพื้นผิวใต้
ชิ้นงานตัวอย่างเป็นผิวที่ไม่นำไฟฟ้า สามารถคำนวณ
ได้สองค่า เนื่องจากค่าความหนาของชิ้นงานตัวอย่าง
ทางบริษัทผู้ผลิตกำหนดมาเป็นช่วง ดังนั้นจึงคำนวณ
โดยใช้ค่าความหนาที่มีค่าต่ำสุด และสูงสุด F2 มีค่า
สูงสุด คือ 4.532 (เนื่องจากขนาดเส้นผ่านศูนย์กลาง
ของชิ้ น งานตัวอย่างมีขนาดใหญ่กว่าระยะระหว่ า ง
เข็มวัดมาก) และ F3 มีค่าสูงสุดเช่นเดียวกัน คือ 1
(เนื่ อ งจากระยะระหว่ า งจุ ด วั ด กั บ ขอบของชิ้ น งาน
ตัวอย่างมีค่ามากกว่าระยะระหว่างเข็มวัดมาก โดย
พิจารณากรณีขอบเขตจากขอบชิ้นงานตัวอย่างออก
สามารถแสดงได้ดังตารางที่ 1 โดยค่าที่คำนวณได้อยู่
ในช่วงของค่าที่กำหนดมาจากทางผู้ผลิต
สรุปผลการทดสอบ
การวัดค่าความต้านทานด้วยวิธีเข็มวัด 4 จุด
เป็นวิธีการมาตรฐานในการวัดค่าความต้านทานของ
วัสดุสารกึ่งตัวนำ ที่สามารถตัดผลกระทบจากความ
ต้ า นทานของสายไฟที่ ใ ช้ วั ด และแรงดั นไฟฟ้ า ตก
คร่อมจุดวัดออกไปได้ จึงทำให้ค่าความต้านทานที่
คำนวณได้มีความถูกต้อง แม่นยำมากขึ้น รวมไปถึง
สามารถวัดได้โดยไม่ต้องคำนึงถึงขนาดและรูปร่าง
ของวั ส ดุ วิ ธี ก ารนี้ จึ ง เหมาะสำหรั บ ใช้ ป ระเมิ น
คุ ณ ภาพของวั ส ดุ หรื อ สิ่ ง ประดิ ษ ฐ์ ท างไฟฟ้ า –
อิเล็กทรอนิกส์ อย่างรวดเร็ว ทั้งยังเป็นการทดสอบ
แบบไม่ทำลายอีกด้วย

เอกสารอ้างอิง
สำหรับผู้ที่สนใจข้อมูลเพิ่มเติม สามารถติดต่อได้ที่ [1] ASTM Designation : F43-93, “Standard Test
นายเจริญชัย เหลืองอ่อน Methods for Resistivity of Semiconductor
ห้องปฏิบัติการวัสดุสำหรับผลิตภัณฑ์ที่ปราศจากสาร Materials”, ASTM, 1993
[2] นุจรินทร์ รามัญกุล, “การปลูกผลึกซิลิกอนหลายชั้นโดย
อันตราย หน่วยปฏิบัติการวิจัยด้านสิ่งแวดล้อม วิธีอีพิแทคซี่ สำหรับเซลล์แสงอาทิตย์”,
ศูนย์เทคโนโลยีโลหะและวัสดุแห่งชาติ ศูนย์เทคโนโลยีโลหะและวัสดุแห่งชาติ, 2546.
โทร 02 564 6500 ต่อ 4122 [3] S.M.Sze, “Physics of Semiconductor Devices”,
JOHN WILEY & SONS ,New York, 1981.