1

บทที่ 4
การสะท้อนและการหักเหของแสง
(Reflection and Refraction of Light)
 𝐵𝑁1 = 𝐵𝑁2 (3.44)
𝐸𝑡1 = 𝐸𝑡2 (3.41)
𝐻𝑡1 = 𝐻𝑡2
𝐷𝑁1 = 𝐷𝑁2 (3.42) (3.45)
𝐵𝑡1 𝐵𝑡2
𝜀1 𝐸𝑁1 = 𝜀2 𝐸𝑁2 (3.43) 𝜇1
=
𝜇2
(3.46) 2
Polarization Dependent Loss rN, rp, tN, tp, Absorption
Polarization Mode Dispersion เฟสของ rN, rp, tN, tp และ OPL (index, thinckness)

3
คลื่นตกกระทบ 𝐸𝑖 = 𝐸𝑝𝑖 𝑥𝑐𝑜𝑠𝜃
ො 𝑖 + 𝑧𝑠𝑖𝑛𝜃
Ƹ 𝑖 + 𝐸𝑁𝑖 𝑦
ො
𝑛1 𝜔
𝑘𝑖 = 𝑘𝑖 𝑥𝑠𝑖𝑛𝜃
ො 𝑖 − 𝑧𝑐𝑜𝑠𝜃
Ƹ 𝑖 𝑘𝑖 =
𝑐
คลื่นสะท้อน 𝐸𝑟 = 𝐸𝑝𝑟 −𝑥𝑐𝑜𝑠𝜃
ො 𝑖 + 𝑧𝑠𝑖𝑛𝜃
Ƹ 𝑖 + 𝐸𝑁𝑟 𝑦
ො
𝑛1 𝜔
𝑘𝑟 = 𝑘𝑟 𝑥𝑠𝑖𝑛𝜃
ො 𝑟 − 𝑧𝑐𝑜𝑠𝜃
Ƹ 𝑟 𝑘𝑟 =
𝑐
คลื่นส่งผ่าน 𝐸𝑡 = 𝐸𝑝𝑡 −𝑥𝑐𝑜𝑠𝜃
ො 𝑡 + 𝑧𝑠𝑖𝑛𝜃
Ƹ 𝑡 + 𝐸𝑁𝑡 𝑦
ො
𝑛2 𝜔
𝑘𝑡 = 𝑘𝑡 𝑥𝑠𝑖𝑛𝜃
ො 𝑡 − 𝑧𝑐𝑜𝑠𝜃
Ƹ 𝑡 𝑘𝑡 =
𝑐
จากเงื่อนไขขอบเขตสําหรับสมการ Maxwell ณ จุดกําเนิด (z = 0) จะได้
𝑘𝑖 𝑠𝑖𝑛𝜃𝑖 = 𝑘𝑟 𝑠𝑖𝑛𝜃𝑟 = 𝑘𝑡 𝑠𝑖𝑛𝜃𝑡

𝑛1 𝑠𝑖𝑛𝜃𝑖 = 𝑛1 𝑠𝑖𝑛𝜃𝑟 𝜃𝑖 = 𝜃𝑟 กฎการสะท้อนของแสง

= 𝑛2 𝑠𝑖𝑛𝜃𝑟 𝑛1 𝑠𝑖𝑛𝜃𝑖 = 𝑛2 𝑠𝑖𝑛𝜃𝑡 กฎการหักเหของแสง
4
 TE หรือ S-Polarized
เงื่อนไขขอบเขต
สําหรับความเข้มสนามไฟฟ้า 𝐸𝑁𝑖 + 𝐸𝑁𝑟 = 𝐸𝑁𝑡
𝐵𝑡1 𝐵𝑡2 −𝐵𝑝𝑖 −𝐵𝑝𝑟 −𝐵𝑝𝑡
สําหรับความเข้มสนามแม่เหล็ก = 𝑐𝑜𝑠𝜃𝑖 + 𝑐𝑜𝑠𝜃𝑖 = 𝑐𝑜𝑠𝜃𝑡
𝜇1 𝜇2 𝜇1 𝜇1 𝜇2
𝑛1 𝑛2
𝑐𝑜𝑠𝜃 +
𝐸𝑁𝑟 𝜇1 𝑖 𝜇2 𝑐𝑜𝑠𝜃𝑡
𝑟𝑁 = =𝑛 𝑛2
𝐸𝑁𝑖 1
𝑐𝑜𝑠𝜃 +
𝜇1 𝑖 𝜇2 𝑐𝑜𝑠𝜃𝑡
𝑛
𝐸𝑁𝑡 2 𝜇1 𝑐𝑜𝑠𝜃𝑖
1
𝑡𝑁 = =𝑛 𝑛2
𝐸𝑁𝑡 1
𝑐𝑜𝑠𝜃 +
𝜇1 𝑖 𝜇2 𝑐𝑜𝑠𝜃𝑡

𝑡𝑁 + −𝑟𝑁 = 1

5
 TM หรือ P-Polarized

เงื่อนไขขอบเขต
𝐸𝑝𝑖 𝑐𝑜𝑠𝜃𝑖 − 𝐸𝑝𝑟 𝑐𝑜𝑠𝜃𝑟 = 𝐸𝑝𝑡 𝑐𝑜𝑠𝜃𝑡
สําหรับความเข้มสนามไฟฟ้า
(𝐵𝑁𝑖 + 𝐵𝑁𝑟 ) 𝐵𝑁𝑡
สําหรับความเข้มสนามแม่เหล็ก =
𝜇1 𝜇2
𝑛 𝑛
𝐸𝑝𝑟 − 2 𝑐𝑜𝑠𝜃𝑖 + 1 𝑐𝑜𝑠𝜃𝑡
𝜇 𝜇1
𝑟𝑝 = = 𝑛 2 𝑛2
𝐸𝑝𝑖 1
𝑐𝑜𝑠𝜃 +
𝜇1 𝑡 𝜇2 𝑐𝑜𝑠𝜃𝑖
𝑛
𝐸𝑝𝑡 2 𝜇1 𝑐𝑜𝑠𝜃𝑖
1
𝑡𝑝 = =𝑛 𝑛2
𝐸𝑝𝑡 1
𝑐𝑜𝑠𝜃 +
𝜇1 𝑡 𝜇2 𝑐𝑜𝑠𝜃𝑖

6
 TE หรือ S-Polarized TM หรือ P-Polarized

𝑛1 𝑐𝑜𝑠𝜃𝑖 − 𝑛2 𝑐𝑜𝑠𝜃𝑡 −𝑛2 𝑐𝑜𝑠𝜃𝑖 + 𝑛1 𝑐𝑜𝑠𝜃𝑡

𝑟𝑝 = 𝑟𝑝 =
𝑛1 𝑐𝑜𝑠𝜃𝑡 + 𝑛2 𝑐𝑜𝑠𝜃𝑖 𝑛2 𝑐𝑜𝑠𝜃𝑡 + 𝑛1 𝑐𝑜𝑠𝜃𝑖

2𝑛1 𝑐𝑜𝑠𝜃𝑖 2𝑛1 𝑐𝑜𝑠𝜃𝑖

𝑡𝑝 = 𝑡𝑝 =
𝑛1 𝑐𝑜𝑠𝜃𝑖 + 𝑛2 𝑐𝑜𝑠𝜃𝑡 𝑛2 𝑐𝑜𝑠𝜃𝑖 + 𝑛1 𝑐𝑜𝑠𝜃𝑡

𝑠𝑖𝑛(𝜃𝑖 − 𝜃𝑡 ) 𝑡𝑎𝑛(𝜃𝑖 − 𝜃𝑡 )
𝑟𝑁 = 𝑟𝑝 =
𝑠𝑖𝑛(𝜃𝑖 + 𝜃𝑡 ) 𝑡𝑎𝑛(𝜃𝑖 + 𝜃𝑡 )

2𝑠𝑖𝑛𝜃𝑡 𝑐𝑜𝑠𝜃𝑖 2𝑠𝑖𝑛𝜃𝑡 𝑐𝑜𝑠𝜃𝑖

𝑡𝑁 = 𝑡𝑝 =
𝑠𝑖𝑛(𝜃𝑖 + 𝜃𝑡 ) 𝑠𝑖𝑛 𝜃𝑖 + 𝜃𝑡 𝑐𝑜𝑠 𝜃𝑖 − 𝜃𝑡

𝑛𝑡 − 𝑛𝑖
𝑟𝑝 = −𝑟𝑁 = 𝑡𝑁 + −𝑟𝑁 = 1
𝑛𝑡 + 𝑛𝑖
มุมตกกระทบเท่ากับศูนย์
2𝑛𝑖
𝑡𝑝 = 𝑡𝑁 = 𝑡𝑝 + 𝑟𝑝 = 1 7
𝑛𝑡 + 𝑛𝑖
 การสะท้อนภายนอก การสะท้อนภายใน

มุมหักเหเล็กกว่ามุมตกกระทบ มุมหักเหใหญ่กว่ามุมตกกระทบ

8
 สัมประสิทธิ์ของ Fresnel เมื่อ n1 = 1 (อากาศ) และ n2 = 1.5 (แก้ว)

ค่าของ rN จะมีค่าเป็นลบตลอดและจะติดลบมากขึ้นเมื่อมุมตกกระทบเพิ่มขึ้นด้วย
การที่ rN มีเครื่องหมายเป็นลบชี้ให้เห็นว่าเฟสของแสงสะท้อนจะมีค่าเท่ากับ 180 องศาเมื่อเทียบกับเฟส
9
ของแสงตก กระทบ
 สัมประสิทธิ์ของ Fresnel เมื่อ n1 = 1 (อากาศ) และ n2 = 1.5 (แก้ว)

• ค่าของ tN นั้นจะมีค่าเป็นบวกและจะลดลงจนเป็นศูนย์เมื่อมุมตกกระทบเข้าใกล้มุมฉาก
• เฟสของแสงส่งผ่านจะมีเฟส เดียวกันกับแสงตกกระทบ
10
 สัมประสิทธิ์ของ Fresnel เมื่อ n1 = 1 (อากาศ) และ n2 = 1.5 (แก้ว)

• rp จะมีค่าเป็นบวกจนกระทั่งมุมตกกระทบเท่ากับมุม Brewster จึงจะทําให้ค่า rp มีค่าเป็นศูนย์

• หลังจากนั้นเมื่อมุมตกกระทบเพิ่มขึ้นอีกค่าของ rp จะเป็นลบ
• ดังนัน้ แสงสะท้อนในกรณีนี้จะมีเฟสตรงกันกับแสงตกกระทบก็ต่อเมื่อมุมตกกระทบน้อยกว่าหรือ
เท่ากับมุม Brewster และจะมีเฟสตรงกันข้ามกันเมื่อมุมตกกระทบมากกว่ามุม Brewster 11
 สัมประสิทธิ์ของ Fresnel เมื่อ n1 = 1 (อากาศ) และ n2 = 1.5 (แก้ว)

• แสงส่งผ่านจะมีค่าสัมประสิทธิ์การส่งผ่านเป็นบวกอยูเ่ สมอและจะมีค่าลดลงเมื่อมุมตกกระทบเข้าใกล้มุมฉาก
• เฟสของแสงส่งผ่านจะมีตรงกับเฟสของแสงตกกระทบ
หมายเหตุ
ในที่นี้ก็คือเฟสที่เกิดขึ้นเป็นเฟสที่เกิดจากการสะท้อนและการส่งผ่านอันเนื่องมาจากรอยต่อระหว่างวัตถุสองชนิดเท่านั้น โดยไม่ได้
คํานึงถึงความหนาของวัตถุทั้งสอง 12
กําลังของแสงตกกระทบ = ขนาดของพอยน์ตงิ้ เวกเตอร์ที่ตกกระทบลงบนพื้นที่ A 𝐼𝑖 𝐴𝑐𝑜𝑠𝜃𝑖
กําลังของแสงสะท้อน = ขนาดของ พอยน์ตงิ้ เวกเตอร์ที่สะท้อนออกจากพื้นที่ A 𝐼𝑟 𝐴𝑐𝑜𝑠𝜃𝑟
กําลังของแสงส่งผ่าน = ขนาดของพอยน์ตั้งเวกเตอร์ที่ส่งผ่านๆ พื้นที่ A 𝐼𝑡 𝐴𝑐𝑜𝑠𝜃𝑡
13
 𝐼𝑟 𝐴𝑐𝑜𝑠𝜃𝑟 𝐼𝑟 𝐸𝑟 2
ค่าสัมประสิทธิ์กําลังของการสะท้อน 𝑅= = = 2 = 𝑟2
𝐼𝑖 𝐴𝑐𝑜𝑠𝜃𝑖 𝐼𝑖 𝐸𝑖

ค่าสัมประสิทธิก์ ําลังของการส่งผ่าน 𝐼𝑡 𝐴𝑐𝑜𝑠𝜃𝑡 𝑣𝑡 𝜀𝑡 𝐸𝑡 2 𝑐𝑜𝑠𝜃𝑡

𝑇= =
𝐼𝑖 𝐴𝑐𝑜𝑠𝜃𝑖 𝑣𝑖 𝜀𝑖 𝐸𝑖 2 𝑐𝑜𝑠𝜃𝑖

𝑛𝑡 𝑐𝑜𝑠𝜃𝑡 2
𝑇= 𝑡
𝑛𝑖 𝑐𝑜𝑠𝜃𝑖
จากกฎของการอนุรักษ์พลังงาน 𝑅𝑝 + 𝑇𝑝 = 1 𝑅𝑁 + 𝑇𝑁 = 1

ตัวอย่างสําหรับ n1=1.5 และ n2=1.5

14
 2
𝑛𝑡 − 𝑛𝑖
มุมตกกระทบเท่ากับศูนย์ 2
𝑅𝑝 = 𝑅𝑁 = 𝑟 =
𝑛𝑡 + 𝑛𝑖
4𝑛𝑖 𝑛𝑡
𝑇𝑝 = 𝑇𝑁 = 2
𝑛𝑖 + 𝑛𝑡
• ซึ่งสําหรับแสงตกกระทบระหว่างอากาศ (n=1) กับแก้ว (n=1.5) ค่ากําลังของแสงสะท้อนเท่ากับ 4%
• ค่ากําลังของแสง สะท้อนสามารถเพิ่มขึ้นได้โดยเลือกใช้วัตถุที่มีดัชนีหักเหของแสงมากขึ้น

15
ถึงแม้ว่าสัมประสิทธิ์กําลังสะท้อนจะมีค่าเพียง 4% สําหรับวัตถุที่มีดัชนีหักเหของแสงเท่ากับ 1.5 เช่น แก้ว แต่
ถ้าเรานําแผ่นแก้วมาวางซ้อนกันหลายๆ ชั้นจะทําให้ผลรวมของกําลังสะท้อนมีค่ามากขึ้นและกําลังส่งผ่านลดลง
ซึ่งเป็นผลให้เราสามารถมองเห็นหน้าเราเองได้ หรือ อีกนัยหนึ่งก็คือ เราสร้างกระจกขึ้นมาจากการนําแก้ว
หลายๆ แผ่นมาวางซ้อนกันนั่นเอง

16
จะเกิดได้ก็ต่อเมื่อการสะท้อนของแสงนั้นเป็นการสะท้อนภายใน หรือ อีกนัยหนึ่งก็คือ ni >nt
• นอกจากนี้แล้วมุมตกกระทบจะต้องมีค่ามากกว่ามุมวิกฤต ซึ่งเป็นมุมที่ทําให้แสงส่งผ่านเลือนหายไปอย่าง
รวดเร็ว (Evanescent Wave)
−1
𝑛𝑡
มุมวิกฤต 𝜃 𝑐 = 𝑠𝑖𝑛
𝑛𝑖
มุมวิกฤตจะมีค่าเท่ากับ 41.8 องศา เมื่อ ni = 1.5 (แก้ว) และ nt = 1 (อากาศ)
เมื่อมุมตกกระทบมีค่ามากกว่ามุมวิกฤตจะเป็นผลให้สัมประสิทธิ์การสะท้อนเป็นเลขจํานวนเชิงซ้อนซึ่งหมายความ
ว่ามีการเปลี่ยนแปลขึ้น
𝑐𝑜𝑠𝜃𝑖 − 𝑗 𝑠𝑖𝑛2 𝜃𝑖 − 𝑛2 𝑟𝑁 𝑒 −𝑗𝛼 𝑛𝑡
𝑟𝑁 = 𝑟𝑁 = +𝑗𝛼
= 𝑒 −2𝑗𝜃𝑇𝐸 𝑛=
𝑐𝑜𝑠𝜃𝑖 + 𝑗 𝑠𝑖𝑛2 𝜃𝑖 − 𝑛2 𝑒 𝑛𝑖

𝑛2 𝑐𝑜𝑠𝜃𝑖 − 𝑗 𝑠𝑖𝑛2 𝜃𝑖 − 𝑛2 𝑟𝑝 𝑒 −𝑗𝛽

𝑟𝑝 = 𝑟𝑝 = = 𝑒 −2𝑗𝜃𝑇𝑀
𝑛2 𝑐𝑜𝑠𝜃𝑖 + 𝑗 𝑠𝑖𝑛2 𝜃𝑖 − 𝑛2 𝑒 +𝑗𝛽

𝑠𝑖𝑛2 𝜃𝑖 − 𝑛2 𝑠𝑖𝑛2 𝜃𝑖 − 𝑛2
เมื่อ 𝑡𝑎𝑛𝜃𝑇𝐸 = 𝑡𝑎𝑛𝜃𝑇𝑀 =
𝑐𝑜𝑠𝜃𝑖 𝑛2 𝑐𝑜𝑠𝜃𝑖 17
 ค่าความต่างเฟส(2𝜃𝑇𝐸 − 2𝜃𝑇𝑀 ) สําหรับแสงที่เคลื่อนที่ในตัวกลางที่เป็นแก้ว (nt =1.5) ตกกระทบตัวกลางที่
เป็นอากาศ (ni =1)

จะเห็นว่าที่มุมตกกระทบประมาณ 50 องศาจะทําให้ค่าความต่างเฟสมีค่าประมาณเท่ากับ 45 องศาทําให้เราสรุปได้ว่าถ้าเราสามารถทําให้

แสงตกกระทบสองครั้งเพื่อทําให้ความต่างเฟสมีค่าเท่ากับ 90 องศา เราสามารถสร้างอุปกรณ์เปลี่ยนโพลาไรเซชั่นของแสงได้

เปลี่ยนโพลาไรเซชั่นเชิงเส้นให้เป็นโพลาไรเซชั่นแบบวงกลม
18
หรือเปลี่ยนโพลาไรเซชั่นแบบวงกลมให้เป็นโพลาไรเซชั่นเชิงเส้น
การที่แสงส่งผ่านหายไปอย่างรวดเร็วที่บริเวณพื้นผิวที่แสงตกกระทบเมื่อมุมตกกระทบมากกว่ามุมวิกฤต ?
เนื่องจาก 𝜃𝑖 > 𝜃𝑐 จะได้

𝑠𝑖𝑛2 𝜃𝑖 𝑛𝑡
𝑐𝑜𝑠𝜃𝑡 = 𝑗 −1 𝑛=
𝑛2 𝑛𝑖

𝑘
𝑗𝜔𝑡 𝑗𝑥 𝑛𝑡 𝑠𝑖𝑛𝜃𝑖 −𝛾𝑦
𝐸𝑡 = 𝐸0𝑡 𝑒 𝑒 𝑒

ขนาดของคลื่นส่งผ่านจะลดลงแบบเอ็กซ์โปเนนเชียลเมื่อมันเคลื่อนที่ผ่านเข้าไปในตัวกลางที่สอง
ในกรณีนี้ความลึกของผิวหรือสกินเดปป์จะมีค่าเท่ากับ
1 𝜆0
𝛿= =
𝑘𝑡 𝛾 2𝜋 𝑛𝑖2 𝑠𝑖𝑛2 𝜃𝑖 − 𝑛𝑡2
19
เมื่อ 0 คือ ความยาวคลื่นในสูญญากาศจะเห็นว่าในกรณีที่เรามีวัตถุสองชนิดดังรูปข้างล่างอยู่ใกล้กันมากกว่า
ความลึกของผิว หรือสกินเดปป์จะทําให้คลื่นบางส่วนส่งผ่านออกไปได้ หลักการนี้ถูกเรียกว่า Frustrated
Total Internal Reflection (FTIR)

นําไปสร้างเป็น 1xN สวิทช์

(มีการจดสิทธิบัตรในสหรัฐฯ) 20
การเกิดโพลาไรเซชั่นเชิงเส้นนั้นนอกจากจะเกิดจากการใช้อุปกรณ์ที่เรียกว่า โพลาไรเซอร์แล้ว การสะท้อน
อย่างเหมาะสมที่ บริเวณรอยต่อ ระหว่างวัตถุสองชนิดก็ทําให้เกิดโพลาไรเซชั่นเชิงเส้นได้เช่นเดียวกัน
การเกิดโพลาไรเซชั่นเชิงเส้นอันเนื่องมาจากการสะท้อนนั้นจะเกิดขึ้น ในกรณีที่ค่าสัมประสิทธิ์การสะท้อนของ
ความเข้มสนาม ไฟฟ้าในทิศทางขนานกับระนาบของการตกกระทบมีค่าเท่ากับศูนย์เท่านั้น (rp = 0)
ใช้กฏการหักเหของแสง 𝜃𝑖 + 𝜃𝑡 = 90°

𝑠𝑖𝑛𝜃𝑖 𝑛𝑡
=
sin(90 − 𝜃𝑖 ) 𝑛𝑖

𝑛𝑡
𝑡𝑎𝑛𝜃𝑖 =
𝑛𝑖

มุม i ที่สอดคล้องกับสมการข้างต้นเรียกว่า
มุม Brewster (B)
21
 • AR Coating
• Omni-reflector
จากที่ผ่านมานั้นการสะท้อนและการหักเหของแสงจะเกิดเพียงครั้งเดียวที่บริเวณรอยต่อของวัตถุสองชนิด
อย่างไรก็ตามในความเป็นจริงนั้นวัตถุแต่ละชนิดจะมีความหนาเฉพาะและอาจจะประกอบด้วยวัตถุหลายชนิด
วางซ้อนกันอยู่ ดังนั้นในหัวข้อนี้จะศึกษาถึงการสะท้อนและการส่งผ่านจากตัวกลางอย่างชั้น ก่อนอื่นเราจะ
พิจารณาโดยเริ่มจากตัวกลางหนึ่งชั้นก่อนและหลังจากนั้นจะใช้พื้นฐานที่ ได้นี้ไปใช้ในการหาตัวแปรต่าง ๆ เมื่อ
มีตัวกลางมากกว่าหนึ่งชั้น
ตัวกลางหนึ่งชั้น

𝑡12 𝑡21 𝑟23 𝑒 −𝑗2𝜃

𝑟𝑖𝑛 𝑧 = −𝑑 − = 𝑟12 +
1 − 𝑟21 𝑟32 𝑒 −𝑗2𝜃
เมื่อ 𝜃 = 𝑘2 𝑑
22
 การเคลือบกันการสะท้อนอย่างง่าย

ถ้าสมมุติให้มุมตกกระทบเท่ากับศูนย์องศาจะทําให้ 𝜃𝑡 = 0 และ 𝑐𝑜𝑠𝜃𝑡 = 1 นอกจากนี้แล้วถ้า

𝑛3 > 𝑛2 > 𝑛1 การสะท้อนจะเป็นแบบภายนอกเป็นผลให้เฟสของการสะท้อนจากพื้นผิวทั้งสองมีค่าเท่ากัน

2𝑚 + 1 𝜆0 𝜆
𝑑= = 2𝑚 + 1 และ 𝑛2 = 𝑛1 𝑛3
4 𝑛2 4 23
การเคลือบกันการสะท้อนอย่างง่าย
𝑡12 𝑡21 𝑟23 𝑒 −𝑗2𝜃 2𝜋
𝑟𝑖𝑛 = 𝑟12 +
1 − 𝑟21 𝑟32 𝑒 −𝑗2𝜃
เมื่อ 𝜃 =𝑘∙𝑑 และ 𝑘=
𝜆
𝜆 𝜋
𝑑= 𝜃=
4 2

สมมุติให้ 𝑟𝑖𝑛 = 0 หาค่า 𝑛2

𝑡12 𝑡21 𝑟23 𝑒 −𝑗2𝜃
0 = 𝑟12 +
1 − 𝑟21 𝑟32 𝑒 −𝑗2𝜃
𝜋 𝜋
−𝑗2 2 −𝑗2 2
0 = 𝑟12 1 − 𝑟21 𝑟32 𝑒 + 𝑡12 𝑡21 𝑟23 𝑒

24
 การเคลือบกันการสะท้อนอย่างง่าย
จากสัมประสิทธิการสะท้อนสนามไฟฟ้า Fresnal (𝑟𝑛 , 𝑟𝑝 )
𝑛1 𝑐𝑜𝑠𝜃𝑖 − 𝑛2 𝑐𝑜𝑠𝜃𝑡 𝑛 𝑐𝑜𝑠𝜃𝑡 − 𝑛2 𝑐𝑜𝑠𝜃𝑖
𝑟𝑛12 = และ 𝑟𝑝12 = 1 เมื่อ 𝜃𝑖 = 𝜃𝑡 = 0
𝑛1 𝑐𝑜𝑠𝜃𝑖 + 𝑛2 𝑐𝑜𝑠𝜃𝑡 𝑛1 𝑐𝑜𝑠𝜃𝑡 + 𝑛2 𝑐𝑜𝑠𝜃𝑖
𝑛1 − 𝑛2 𝑛2 − 𝑛1 2𝑛1
𝑟𝑛12 = 𝑟𝑝12 = 𝑟12 = 𝑟21 = = −𝑟12 𝑡12 = = 1 − 𝑟12
𝑛1 + 𝑛2 𝑛2 + 𝑛1 𝑛2 + 𝑛1
𝜋 𝜋 𝑡21 = 1 − 𝑟21 = 1 + 𝑟12
ดังนั้น 0 = 𝑟12 1 − 𝑟21 𝑟23 𝑒 −𝑗2 2
+ 𝑡12 𝑡21 𝑟23 𝑒 −𝑗2 2

2
0 = 𝑟12 − 𝑟12 𝑟23 − ( 1 − 𝑟12 (1 + 𝑟12 )𝑟23 )
2 2 2 2
0 = 𝑟12 − 𝑟12 𝑟23 − 12 − 𝑟12 𝑟23 = 𝑟12 − 𝑟12 𝑟23 − 𝑟23 + 𝑟12 𝑟23
𝑛1 − 𝑛2 𝑛2 − 𝑛3
𝑟12 = 𝑟23 =
𝑛1 + 𝑛2 𝑛2 + 𝑛3
𝑛1 − 𝑛2 𝑛2 + 𝑛3 = 𝑛1 + 𝑛2 𝑛2 − 𝑛3
𝑛1 𝑛2 + 𝑛1 𝑛3 − 𝑛2 𝑛2 − 𝑛2 𝑛3 = 𝑛1 𝑛2 + 𝑛2 𝑛2 − 𝑛1 𝑛3 − 𝑛2 𝑛3

2𝑚 + 1 𝜆0 𝜆 𝜆
𝑛2 𝑛2 = 𝑛1 𝑛3 𝑛2 = 𝑛1 𝑛3 𝑑= = 2𝑚 + 1 = 25
4 𝑛2 4 4
 การเคลือบกันการสะท้อนอย่างง่าย
ตัวกลางมากกว่าหนึ่งชั้น

ดังนั้น
𝑟𝑖𝑛 = 𝑟0 + 𝑟1 𝑒 −𝑗2𝑘1𝑑1 + 𝑟2 𝑒 −𝑗2(𝑘1𝑑1+𝑘2𝑑2) + ⋯ + 𝑟𝑁 𝑒 −𝑗2(𝑘1𝑑1+𝑘2𝑑2+⋯+𝑘𝑁𝑑𝑁 )

สมการข้างต้นสามารถทําให้อยู่ในรูปอย่างง่ายได้หลายวิธี วิธีที่ใช้กันทั่วไปมีอยู่ 3 วิธีคือ

• หลักการความยาวคลื่นส่วนสี (Quarter Wavelength Transformer)
• หลักการไบโนเมียล (Binomial Transformer)
• หลักการ Tschebyscheff (Tschebyscheff Transformer) 26
 หลักการความยาวคลื่นส่วนสี่ (Quarter wavelength transformer)
𝜆𝑖
𝑑𝑖 = ความหนาของสารเคลือบ
4

𝑟𝑖𝑛 (𝜈) = 𝑟0 + 𝑟1 𝑒 −𝑗2𝜃 + 𝑟2 𝑒 −𝑗4𝜃 + ⋯ + 𝑟𝑁 𝑒 −𝑗2𝑁𝜃 = σ𝑁

𝑛=0 𝑟𝑛 𝑒
−𝑗2𝑛𝜃

𝜂𝑛+1 − 𝜂𝑛
เมื่อ 𝑟𝑛 =
𝜂𝑛+1 + 𝜂𝑛
2𝜋 𝜆𝑛0 𝜋𝜐
𝜃 = 𝑘𝑛 𝑑𝑛 = =
𝜆𝑛 4 2 𝜐0

ในกรณีที่โครงสร้างในรูปเป็นแบบสมมาตรคือ 𝑟0 = 𝑟𝑛 , 𝑟1 = 𝑟𝑛−1 , ⋯ จะได้

𝑟𝑖𝑛 𝜈 ≈ 2𝑒 −𝑗𝑁𝜃 [𝑟0 𝑐𝑜𝑠𝑁𝜃 + 𝑟1 cos(𝑁 − 2)𝜃 + 𝑟2 (𝑁 − 4)𝜃 + ⋯ ]

ซึ่งเทอมสุดท้ายจะอยู่ในรูป 𝑟(𝑁−1)Τ2 𝑐𝑜𝑠𝜃 สําหรับ N ที่เป็นเลขคี่ และ (1Τ2)𝑟𝑁Τ2 สําหรับ N ที่เป็นเลขคู่

27
 หลักการความยาวคลื่นส่วนสี่ (Quarter wavelength transformer)
กําหนดให้ N = จํานวน layer ในการ Coating
𝑉𝑖 𝜆𝑖
𝑟𝑖𝑛 (𝜃) = 𝑟0 + 𝑟1 𝑒 −𝑗2𝜃 + 𝑟2 𝑒 −𝑗4𝜃 + ⋯ + 𝑟𝑁 𝑒 −𝑗2𝑁𝜃 = σ𝑁
𝑛=0 𝑟𝑛 𝑒
−𝑗2𝑛𝜃 เมื่อ 𝑣= และ 𝑑 =
𝜆 4
และจากสัมประสิทธิ์การสะท้อนสนามไฟฟ้าของ Fresnel ที่มุมตกกระทบ 0 องศา
𝑛𝑛 𝑛𝑛+1 1 1
𝑛𝑛 − 𝑛𝑛+1 − − 𝜂𝑛+1 − 𝜂𝑛
𝜂 𝜂 𝜂 𝜂𝑛+1 𝑟𝑛 =
𝑟𝑛 = = 𝑛0 𝑛 0 = 𝑛 𝜂𝑛+1 + 𝜂𝑛
𝑛𝑛 + 𝑛𝑛+1 𝑛
+ 𝑛+1 1 1
𝜂0 𝜂0 +
𝜂𝑛 𝜂𝑛+1

2𝜋 𝜆𝑛0 2𝜋 𝜆𝑛0 เมื่อ 𝜆𝑛0 = designed wavelength

𝜃 = 𝑘𝑛 𝑑𝑛 = =
𝜆𝑛 4 4 𝜆𝑛 𝜆𝑛 = actual wavelength
𝜋 𝜆𝑛0 𝑉𝑛
= ∗
2 𝑉𝑛 𝜆𝑛 𝜐0 = designed frequency
𝜋 𝜐 𝜐 = actual frequency
=
2 𝜐0
28
 หลักการความยาวคลื่นส่วนสี่ (Quarter wavelength transformer)
กําหนดให้ N = จํานวน layer ในการ Coating = เลขคู่
จากสัมประสิทธิ์การสะท้อนสนามไฟฟ้าของ Fresnel ที่มุมตกกระทบ 0 องศา
𝑟𝑖𝑛 (𝜃) = 𝑟0 + 𝑟1 𝑒 −𝑗2𝜃 + 𝑟2 𝑒 −𝑗4𝜃 + ⋯ + 𝑟𝑁 𝑒 −𝑗2𝑁𝜃 = σ𝑁
𝑛=0 𝑟𝑛 𝑒
−𝑗2𝑛𝜃
Symmetric design
−𝑗2𝜃 −𝑗4𝜃 −𝑗2
𝑁
𝜃 𝑟0 = 𝑟𝑁 , 𝑟1 = 𝑟𝑁−1 , ⋯ , 𝑟𝑁
𝑟𝑖𝑛 (𝜃) = 𝑟0 + 𝑟1 𝑒 + 𝑟2 𝑒 + ⋯ + 𝑟𝑁 𝑒 2 2
2
+ ⋯ + 𝑟𝑁−2 𝑒 −𝑗2 𝑁−2 𝜃
+ 𝑟𝑁−1 𝑒 −𝑗2(𝑁−1)𝜃 + 𝑟𝑁 𝑒 −𝑗2𝑁𝜃
= 𝑒 −𝑗𝑁𝜃 ቀ 𝑟0 𝑒 +𝑗𝑁𝜃 + 𝑟1 𝑒 +𝑗(𝑁−2)𝜃 + 𝑟2 𝑒 +𝑗(𝑁−4)𝜃 + ⋯ + 𝑟𝑁 𝑒 +𝑗 𝑁−𝑁 𝜃
2
+ ⋯ + 𝑟𝑁−2 𝑒 −𝑗 𝑁−4 𝜃 + 𝑟𝑁−1 𝑒 −𝑗(𝑁−2)𝜃 + 𝑟𝑁 𝑒 −𝑗𝑁𝜃 ቁ
= 2𝑒 −𝑗𝑁𝜃 𝑟0 𝑐𝑜𝑠𝑁𝜃 + 𝑟1 cos(𝑁 − 2)𝜃 + 𝑟2 cos(𝑁 − 4)𝜃 + ⋯ + 𝑟𝑁 cos(𝑁 − 𝑁)𝜃
2
1
= 2𝑒 −𝑗𝑁𝜃 𝑟0 𝑐𝑜𝑠𝑁𝜃 + 𝑟1 cos(𝑁 − 2)𝜃 + 𝑟2 cos(𝑁 − 4)𝜃 + ⋯ + 𝑟𝑁
2 2

𝑒 +𝑗𝑁𝜃 + 𝑒 −𝑗𝑁𝜃
𝑐𝑜𝑠𝑁𝜃 =
2 29
 หลักการความยาวคลื่นส่วนสี่ (Quarter wavelength transformer)
กําหนดให้ N = จํานวน layer ในการ Coating = เลขคี่
จากสัมประสิทธิ์การสะท้อนสนามไฟฟ้าของ Fresnel ที่มุมตกกระทบ 0 องศา
𝑟𝑖𝑛 (𝜃) = 𝑟0 + 𝑟1 𝑒 −𝑗2𝜃 + 𝑟2 𝑒 −𝑗4𝜃 + ⋯ + 𝑟𝑁 𝑒 −𝑗2𝑁𝜃 = σ𝑁
𝑛=0 𝑟𝑛 𝑒
−𝑗2𝑛𝜃

𝑁−1 𝑁−1
−𝑗2 𝜃 −𝑗2 𝜃 𝑟0 + 𝑟𝑁
𝑟𝑖𝑛 (𝜃) = 𝑟0 + 𝑟1 𝑒 −𝑗2𝜃 + 𝑟2 𝑒 −𝑗4𝜃 + ⋯ + 𝑟𝑁−1 𝑒 2 + 𝑟𝑁+1 𝑒 2
2 2 Symmetric design
+ ⋯ + 𝑟𝑁−2 𝑒 −𝑗2 𝑁−2 𝜃 + 𝑟𝑁−1 𝑒 −𝑗2(𝑁−1)𝜃 + 𝑟𝑁 𝑒 −𝑗2𝑁𝜃 𝑟1 = 𝑟𝑁−1 , ⋯ , 𝑟𝑁−1 = 𝑟𝑁
2 2

= 𝑒 −𝑗𝑁𝜃 ቀ 𝑟0 𝑒 +𝑗𝑁𝜃 + 𝑟1 𝑒 +𝑗(𝑁−2)𝜃 + 𝑟2 𝑒 +𝑗(𝑁−4)𝜃 + ⋯ + 𝑟𝑁−1 𝑒 +𝑗 𝑁−(𝑁−1) 𝜃

2
+ 𝑟𝑁−1 𝑒 +𝑗 𝑁+1−𝑁 𝜃 + ⋯ + 𝑟𝑁−2 𝑒 −𝑗 𝑁−4 𝜃 + 𝑟𝑁−1 𝑒 −𝑗(𝑁−2)𝜃
+ 𝑟𝑁 𝑒 −𝑗𝑁𝜃 ቁ
2

= 2𝑒 −𝑗𝑁𝜃 𝑟0 𝑐𝑜𝑠𝑁𝜃 + 𝑟1 cos(𝑁 − 2)𝜃 + 𝑟2 cos(𝑁 − 4)𝜃 + ⋯ + 𝑟𝑁−1 cos(𝑁 − 𝑁 + 1)𝜃

2

= 2𝑒 −𝑗𝑁𝜃 𝑟0 𝑐𝑜𝑠𝑁𝜃 + 𝑟1 cos(𝑁 − 2)𝜃 + 𝑟2 cos(𝑁 − 4)𝜃 + ⋯ + 𝑟𝑁+1 𝑐𝑜𝑠𝜃

2

𝑒 +𝑗𝑁𝜃 + 𝑒 −𝑗𝑁𝜃
𝑐𝑜𝑠𝑁𝜃 =
2 30
 หลักการความยาวคลื่นส่วนสี่ (Quarter wavelength transformer)
กรณีให้ N >= 1 (จํานวน layer) ในการ Coating
2𝑚 + 1 𝜆0 𝜆 𝜆
𝑛𝑛 = 𝑛𝑛−1 𝑛𝑛+1 𝑑= = 2𝑚 + 1 =
4 𝑛2 4 4

𝜂𝑛+1 − 𝜂𝑛
𝑟𝑛 =
𝜂𝑛+1 + 𝜂𝑛

𝑛𝑛 − 𝑛𝑛+1
=
𝑛𝑛 + 𝑛𝑛+1

31
 หลักการไบโนเมียล (Binomial transformer)
หลักการนี้เป็นหลักการที่ให้ผลตอบสนองเรียบที่สุด ข้อดีของวิธีนี้คือค่าสัมประสิทธิ์การสะท้อนจะค่อยๆ เพิ่มขึ้น
จากความถี่กลางที่ออกแบบไว้ และ จะให้ค่าสัมประสิทธิ์ การสะท้อนมีค่าน้อยกว่าค่าที่กําหนดได้ในช่วงความถี่ที่
ต้องการ ในกรณีนี้ rin จะอยู่ในรูปของ
𝑁
𝜂 − 𝜂0
−𝑖𝑁𝜃 𝐿
𝜂𝐿 − 𝜂0
𝑟𝑖𝑛 (𝜐) = 𝑒 𝑐𝑜𝑠 𝑁 𝜃 = 2−𝑁 ෍ 𝐶𝑛𝑁 𝑒 −𝑗2𝑛𝜃
𝜂𝐿 + 𝜂0 𝜂𝐿 + 𝜂0
𝑛=0

𝑁!
𝐶𝑛𝑁 =
𝑁 − 𝑛 ! 𝑛!

ตัวแปรที่สําคัญอีกอย่างหนึ่งคืออัตราส่วนความกว้างของความถี่ใช้งานต่อความถี่กลางซึ่งอัตราส่วนนี้เรียกว่า
Fractional Bandwidth ซึ่งมีค่าเท่ากับ
1ൗ
∆𝜐 4 −1
𝑟𝑚𝑎𝑥 𝑁
= 2 − 𝑐𝑜𝑠
𝜐0 𝜋 (𝜂𝐿 − 𝜂0 )
൘(𝜂 + 𝜂 )
𝐿 0

𝑟𝑚𝑎𝑥 คือ ค่าเบี่ยงเบนของสัมประสิทธิ์การสะท้อนที่ต้องการ 32

 หลักการไบโนเมียล (Binomial transformer) Symmetric design
จาก 𝑟𝑖𝑛 (𝜃) = 𝑟0 + 𝑟1𝑒 −𝑗2𝜃 + 𝑟2 𝑒 −𝑗4𝜃 + ⋯ + 𝑟𝑁 𝑒 −𝑗2𝑁𝜃 = σ𝑁𝑛=0 𝑟𝑛 𝑒 −𝑗2𝑛𝜃 𝑟0 = 𝑟𝑁 , 𝑟1 = 𝑟𝑁−1 , ⋯ , 𝑟𝑁
2
1
= 2𝑒 −𝑗𝑁𝜃 𝑟0 𝑐𝑜𝑠𝑁𝜃 + 𝑟1 cos(𝑁 − 2)𝜃 + 𝑟2 cos(𝑁 − 4)𝜃 + ⋯ + 𝑟𝑁 N = even
2 2
= 2𝑒 −𝑗𝑁𝜃 𝑟0 𝑐𝑜𝑠𝑁𝜃 + 𝑟1 cos(𝑁 − 2)𝜃 + 𝑟2 cos(𝑁 − 4)𝜃 + ⋯ + 𝑟𝑁+1 𝑐𝑜𝑠𝜃 N = odd
2
𝑁
𝑁
กําหนดให้ 𝑟𝑖𝑛 𝜃 = 𝐴 1 + 𝑒 −𝑗2𝜃 = 𝐴 ෍ 𝑁𝐶𝑛 𝑒 −𝑗2𝑛𝜃
𝑛=0 2𝑚 + 1 𝜆0 𝜆 𝜆
𝑛0 − 𝑛𝐿 𝜂𝐿 − 𝜂0 เมื่อ 𝑑= = 2𝑚 + 1 =
𝑟0𝐿 = 𝐴(2)𝑁 = = 4 𝑛2 4 4
𝑛0 + 𝑛𝐿 𝜂𝐿 + 𝜂0
𝜂𝐿 − 𝜂0 𝑛0 − 𝑛𝐿 𝜂𝑛+1 − 𝜂𝑛 𝑛𝑛 − 𝑛𝑛+1
𝐴= (2)−𝑁 = (2)−𝑁 𝑟𝑛 = =
𝜂𝐿 + 𝜂0 𝑛0 + 𝑛𝐿 𝜂𝑛+1 + 𝜂𝑛 𝑛𝑛 + 𝑛𝑛+1

𝜂𝐿 − 𝜂0 𝑁
𝑟𝑖𝑛 (𝜃) = (2)−𝑁 1 + 𝑒 −𝑗2𝜃
𝜂𝐿 + 𝜂0 1 + 𝑟𝑛
𝑛𝑛+1 = 𝑛𝑛
𝑁 1 − 𝑟𝑛
𝜂𝐿 − 𝜂0
𝑟𝑖𝑛 (𝜃) = (2)−𝑁 ෍ 𝑁𝐶𝑛 𝑒 −𝑗2𝑛𝜃
𝜂𝐿 + 𝜂0
𝑛=0
33
 หลักการไบโนเมียล (Binomial transformer) Symmetric design
จาก 𝑟𝑖𝑛 (𝜃) = 𝑟0 + 𝑟1𝑒 −𝑗2𝜃 + 𝑟2 𝑒 −𝑗4𝜃 + ⋯ + 𝑟𝑁 𝑒 −𝑗2𝑁𝜃 = σ𝑁𝑛=0 𝑟𝑛 𝑒 −𝑗2𝑛𝜃 𝑟0 = 𝑟𝑁 , 𝑟1 = 𝑟𝑁−1 , ⋯ , 𝑟𝑁
2
1
= 2𝑒 −𝑗𝑁𝜃 𝑟0 𝑐𝑜𝑠𝑁𝜃 + 𝑟1 cos(𝑁 − 2)𝜃 + 𝑟2 cos(𝑁 − 4)𝜃 + ⋯ + 𝑟𝑁 N = even
2 2
= 2𝑒 −𝑗𝑁𝜃 𝑟0 𝑐𝑜𝑠𝑁𝜃 + 𝑟1 cos(𝑁 − 2)𝜃 + 𝑟2 cos(𝑁 − 4)𝜃 + ⋯ + 𝑟𝑁+1 𝑐𝑜𝑠𝜃 N = odd
2
𝑁
𝜂𝐿 − 𝜂0
กําหนดให้ 𝑟𝑖𝑛 (𝜃) = (2)−𝑁 ෍ 𝑁𝐶𝑛 𝑒 −𝑗2𝑛𝜃
𝜂𝐿 + 𝜂0 𝑁
𝑛=0
𝜂𝐿 − 𝜂0
เมื่อ ෍ 𝑁𝐶𝑛 = 2𝑁 และ 𝑟0𝐿 =
𝜂𝐿 + 𝜂0
𝑛=0

𝑟0𝐿 −𝑗2(0)𝜃
𝑟0𝐿 −𝑗2(1)𝜃
𝑟0𝐿
= 𝑁𝐶0 𝑒 + 𝑁𝐶1 𝑒 +⋯+ 𝑁𝐶𝑁 𝑒 −𝑗2(𝑁)𝜃
σ𝑁
𝑛=0 𝑁𝐶𝑛 σ𝑁
𝑛=0 𝑁𝐶𝑛 σ𝑁
𝑛=0 𝑁𝐶𝑛

= 𝑟0 + 𝑟1 𝑒 −𝑗2(1)𝜃 + ⋯ + 𝑟𝑁 𝑒 −𝑗2𝑁𝜃

34
 หลักการไบโนเมียล (Binomial transformer)
𝑁
2𝑒 −𝑗𝜃 (𝑒 +𝑗𝜃 + 𝑒 −𝑗𝜃 )
−𝑗2𝜃 𝑁
จาก 𝑟𝑖𝑛 𝜃 = 2 −𝑁
𝑟0𝐿 1+𝑒 = 2 −𝑁 𝑟0𝐿
2
−𝑁
𝑟𝑖𝑛 𝜃 = 2 𝑟0𝐿 2 𝑁 𝑒 −𝑗𝑁𝜃 𝑐𝑜𝑠 𝑁 𝜃 = 𝑟0𝐿 𝑒 −𝑗𝑁𝜃 𝑐𝑜𝑠 𝑁 𝜃

กําหนดให้ 𝑟𝑖𝑛 𝜃𝑚𝑎𝑥 = 𝑟0𝐿 𝑒 −𝑗𝑁𝜃𝑚𝑎𝑥 𝑐𝑜𝑠 𝑁 𝜃𝑚𝑎𝑥

𝑟𝑖𝑛 𝜃𝑚𝑎𝑥 = 𝑟0𝐿 𝑐𝑜𝑠 𝑁 𝜃𝑚𝑎𝑥

1ൗ
𝑟𝑖𝑛 𝜃𝑚𝑎𝑥 𝑁
𝜃𝑚𝑎𝑥 = 𝑐𝑜𝑠 −1
𝑟0𝐿

2𝜋 𝜆𝑛0 𝜋 𝜐
𝜃 = 𝑘𝑛 𝑑𝑛 = =
𝜆𝑛 4 2 𝜐0
𝜐0 = designed frequency
1ൗ
𝜋 𝜐𝑚𝑎𝑥 𝑟𝑖𝑛 𝜃𝑚𝑎𝑥 𝑁
−1
𝜃𝑚𝑎𝑥 = = 𝑐𝑜𝑠
2 𝜐0 𝑟0𝐿 𝜐 = actual frequency

1ൗ 1ൗ
𝑁 1 ± 𝜐𝑚𝑎𝑥 ∆𝜐 4 𝑟𝑖𝑛 𝜃𝑚𝑎𝑥 𝑁
𝜐𝑚𝑎𝑥 2 −1
𝑟𝑖𝑛 𝜃𝑚𝑎𝑥 = = 2 ± 𝑐𝑜𝑠 −1
= 𝑐𝑜𝑠 𝜐0 𝜐0 𝜋 𝑟0𝐿 35
𝜐0 𝜋 𝑟0𝐿 2 𝑠𝑖𝑑𝑒
 หลักการไบโนเมียล (Binomial transformer)
ตัวอย่าง N=3
𝑟0𝐿 𝑟0𝐿 𝑟0𝐿 𝑟0𝐿
จาก 𝑟𝑖𝑛 𝜃 = 1 𝑒 −𝑗2 0 𝜃
+ 3 𝑒 −𝑗2 1 𝜃
+ 3 𝑒 −𝑗2 2 𝜃
+ 3 𝑒 −𝑗2 3 𝜃
8 8 8 8
𝑟0𝐿 1 + 𝑟0 𝜆0
𝑟0 = 1 𝑛1 = 𝑛0 𝑑1 =
8 1 − 𝑟0 4𝑛1
𝑟0𝐿 1 + 𝑟1 𝜆0
𝑟1 = 3 𝑛2 = 𝑛1 𝑑2 =
8 1 − 𝑟1 4𝑛2
𝑟0𝐿 1 + 𝑟2 𝜆0
𝑟2 = 3 𝑛3 = 𝑛2 𝑑3 =
8 1 − 𝑟2 4𝑛3
𝑟0𝐿 1 + 𝑟3
𝑟3 = 1 𝑛𝑓 = 𝑛3
8 1 − 𝑟3

36
 หลักการไบโนเมียล (Binomial transformer)
ตัวอย่าง N=3 Symmetric design
𝑟0 = 𝑟𝑁 , 𝑟1 = 𝑟𝑁−1 , ⋯ , 𝑟𝑁
จาก 𝑟𝑖𝑛 (𝜃) = 𝑟0 + 𝑟1𝑒 −𝑗2𝜃 + 𝑟2 𝑒 −𝑗4𝜃 + ⋯ + 𝑟𝑁 𝑒 −𝑗2𝑁𝜃 = σ𝑁𝑛=0 𝑟𝑛 𝑒 −𝑗2𝑛𝜃 2

= 2𝑒 −𝑗𝑁𝜃 𝑟0 𝑐𝑜𝑠𝑁𝜃 + 𝑟1 cos(𝑁 − 2)𝜃 + 𝑟2 cos(𝑁 − 4)𝜃 + ⋯ + 𝑟𝑁+1 𝑐𝑜𝑠𝜃 N = odd

2
2𝜋 𝜆𝑛0 𝜋 𝜐
= 2𝑒 −𝑗3𝜃 𝑟0 𝑐𝑜𝑠3𝜃 + 𝑟1 cos 𝜃 เมื่อ 𝜃 = 𝑘𝑛 𝑑𝑛 =
𝜆𝑛 4
=
2 𝜐0
1ൗ
∆𝜐 4 𝑟𝑚𝑎𝑥 𝑁 1ൗ
4 0.5𝑟0𝐿 3
𝐵𝑊 = = 2 − 𝑐𝑜𝑠 −1 𝐵𝑊0.5 = 2 − 𝑐𝑜𝑠 −1 = 1.167
𝜐0 𝜋 𝑟0𝐿 𝜋 𝑟0𝐿

37
 หลักการ Tschebyscheff (Tschebyscheff Transformer)
หลักการนี้เป็นหลักการที่ทําให้การออสซิลเลทของค่าสัมประสิทธิ์การสะท้อนมีค่าคงที่ในช่วงความถี่ที่ต้องการ
สาเหตุที่เรียกว่าหลัก การนี้ว่าหลักการ Tschebyschef เนื่องจากค่า rin จะอยู่ในรูปของสมการ Tschebyscheff
ดังนี้ 𝜂 − 𝜂0 𝑇𝑁 (𝑠𝑒𝑐𝜃𝑚𝑎𝑥 𝑐𝑜𝑠𝜃)
−𝑗𝑁𝜃 𝐿
𝑟𝑖𝑛 (𝜐) = 𝑒
𝜂𝐿 + 𝜂0 𝑇𝑁 (𝑠𝑒𝑐𝜃𝑚𝑎𝑥 )
𝑇𝑁 (𝑧) เป็นสัมประสิทธิ์ Tschebyscheffลําดับที่ N ค่าสูงสุดของ r ที่ยอมรับได้จะเกิดขึ้น ณ ตําแหน่ง 𝜃 = 𝜃𝑚𝑎𝑥
และ 𝑇𝑁 𝑠𝑒𝑐𝜃𝑚𝑎𝑥 𝑐𝑜𝑠𝜃𝑚𝑎𝑥 = 1 ในที่นี้ค่า 𝑟𝑚𝑎𝑥 จะมีค่าเท่ากับ
𝜂𝐿 − 𝜂0 1
𝑟𝑚𝑎𝑥 =
𝜂𝐿 + 𝜂0 𝑇𝑁 (𝑠𝑒𝑐𝜃𝑚𝑎𝑥 )

ตัวอย่างของสัมประสิทธิ์ Tschebyscheff ลําดับที่ 1, 2 และ 3 แสดงได้ดังนี้

𝑇1 𝑠𝑒𝑐𝜃𝑚𝑎𝑥 𝑐𝑜𝑠𝜃 = 𝑠𝑒𝑐𝜃𝑚𝑎𝑥 𝑐𝑜𝑠𝜃
2
𝑇2 𝑠𝑒𝑐𝜃𝑚𝑎𝑥 𝑐𝑜𝑠𝜃 = 2 𝑠𝑒𝑐𝜃𝑚𝑎𝑥 𝑐𝑜𝑠𝜃 − 1 = 𝑠𝑒𝑐 2 𝜃𝑚𝑎𝑥 𝑐𝑜𝑠2𝜃 + (𝑠𝑒𝑐 2 𝜃𝑚𝑎𝑥 − 1)
𝑇3 𝑠𝑒𝑐𝜃𝑚𝑎𝑥 𝑐𝑜𝑠𝜃 = 4 𝑠𝑒𝑐𝜃𝑚𝑎𝑥 𝑐𝑜𝑠𝜃 3 − 3𝑠𝑒𝑐 2 𝜃𝑚𝑎𝑥
= 𝑠𝑒𝑐 3 𝜃𝑚𝑎𝑥 𝑐𝑜𝑠3𝜃 + 3(𝑠𝑒𝑐 3 𝜃𝑚𝑎𝑥 − 𝑠𝑒𝑐𝜃𝑚𝑎𝑥 ) 𝑐𝑜𝑠𝜃
38
 หลักการ Tschebyscheff (Tschebyscheff Transformer)
จาก Chebyshev polynomials Tn(x)
𝑇1 𝑥 =𝑥
𝑇2 𝑥 = 2𝑥 2 − 1
𝑇3 𝑥 = 4𝑥 3 − 3𝑥
𝑇𝑛 𝑥 = 2𝑥𝑇𝑛−1 𝑥 − 𝑇𝑛−2 𝑥

ดังนั้น 𝑇𝑛 𝑐𝑜𝑠𝜃 = cos(𝑛𝜃) ให้ 𝑥 = cos(𝜃)

cos 𝑛𝑐𝑜𝑠 −1 𝑥 , 𝑓𝑜𝑟 𝑥 < 1
𝑇𝑛 𝑥 = ൝
cosℎ 𝑛𝑐𝑜𝑠ℎ−1 𝑥 , 𝑓𝑜𝑟 𝑥 > 1

𝑐𝑜𝑠𝜃
ให้ 𝜃𝑚 𝑡𝑜 𝑥 = 1 และ 𝜋 − 𝜃𝑚 𝑡𝑜 𝑥 = −1 𝑥=
𝑐𝑜𝑠𝜃𝑚

𝑐𝑜𝑠𝜃
𝑇𝑛 = 𝑇𝑛 (𝑠𝑒𝑐𝜃𝑚 cos 𝜃 )
𝑐𝑜𝑠𝜃𝑚
𝑐𝑜𝑠𝜃
= cos(𝑛) 𝑐𝑜𝑠 −1
𝑐𝑜𝑠𝜃𝑚 39
 หลักการ Tschebyscheff (Tschebyscheff Transformer)
ดังนั้น Chebyshev polynomials 𝑇𝑛 𝑠𝑒𝑐𝜃𝑚 cos(𝜃)
𝑇1 𝑠𝑒𝑐𝜃𝑚 cos 𝜃 = 𝑠𝑒𝑐𝜃𝑚 cos 𝜃
𝑇2 𝑠𝑒𝑐𝜃𝑚 cos 𝜃 = 𝑠𝑒𝑐 2 𝜃𝑚 (1 + cos 2𝜃) − 1
𝑇3 𝑠𝑒𝑐𝜃𝑚 cos 𝜃 = 𝑠𝑒𝑐 3 𝜃𝑚 (cos 3𝜃 + 3 cos 𝜃) − 3𝑠𝑒𝑐𝜃𝑚 cos 𝜃
𝑇𝑛 𝑠𝑒𝑐𝜃𝑚 cos 𝜃 = 2(𝑠𝑒𝑐𝜃𝑚 cos 𝜃)𝑇𝑛−1 𝑠𝑒𝑐𝜃𝑚 cos 𝜃 − 𝑇𝑛−2 𝑠𝑒𝑐𝜃𝑚 cos 𝜃
ดังนั้น กําหนดให้
2𝜋 𝜆𝑛0 𝜋 𝜐
𝑟𝑖𝑛 (𝜃) = 𝐴𝑒 −𝑗𝑁𝜃 𝑇𝑛 𝑠𝑒𝑐𝜃𝑚 cos 𝜃 และ 𝜃 = 𝑘𝑛 𝑑𝑛 = =
2 𝜐0
𝜆𝑛 4
เท่ากับ Symmetric design
𝑟0 = 𝑟𝑁 , 𝑟1 = 𝑟𝑁−1 , ⋯ , 𝑟𝑁
𝑟𝑖𝑛 (𝜃) = 𝑟0 + 𝑟1 𝑒 −𝑗2𝜃 + 𝑟2 𝑒 −𝑗4𝜃 + ⋯ + 𝑟𝑁 𝑒 −𝑗2𝑁𝜃 = σ𝑁
𝑛=0 𝑟𝑛 𝑒
−𝑗2𝑛𝜃
2

1
= 2𝑒 −𝑗𝑁𝜃 𝑟0 𝑐𝑜𝑠𝑁𝜃 + 𝑟1 cos(𝑁 − 2)𝜃 + 𝑟2 cos(𝑁 − 4)𝜃 + ⋯ + 𝑟𝑁 N = even
2 2
= 2𝑒 −𝑗𝑁𝜃 𝑟0 𝑐𝑜𝑠𝑁𝜃 + 𝑟1 cos(𝑁 − 2)𝜃 + 𝑟2 cos(𝑁 − 4)𝜃 + ⋯ + 𝑟𝑁+1 𝑐𝑜𝑠𝜃 N = odd
2
40
 หลักการ Tschebyscheff (Tschebyscheff Transformer)
ดังนั้น หากกําหนดให้ 𝜃 = 0 𝑟𝑖𝑛 (0) = 𝐴𝑒 −𝑗𝑁 0 𝑇𝑛 𝑠𝑒𝑐𝜃𝑚 cos(0) = 𝐴𝑇𝑛 𝑠𝑒𝑐𝜃𝑚 = 𝑟0𝐿
𝜂𝐿 − 𝜂0
𝑟0𝐿 =
𝜂𝐿 + 𝜂0
1 𝜂𝐿 − 𝜂 0 1
∴ 𝐴 = 𝑟0𝐿 =
𝑇𝑛 𝑠𝑒𝑐𝜃𝑚 𝜂𝐿 + 𝜂0 𝑇𝑛 𝑠𝑒𝑐𝜃𝑚

และ กําหนดให้ 𝜃 = 𝜃𝑚 𝑟𝑖𝑛 (𝜃𝑚 ) = 𝐴𝑒 −𝑗𝑁 𝜃𝑚

𝑇𝑛 𝑠𝑒𝑐𝜃𝑚 cos(𝜃𝑚 ) = 𝐴𝑇𝑛 1 = 𝐴
∴ 𝑟𝑖𝑛 (𝜃𝑚 ) = 𝑟𝑖𝑛,𝑚𝑎𝑥 = 𝐴

∆𝜐 2𝜃𝑚
ดังนั้นจาก 𝐵𝑊 = =2 1−
𝜐0 𝜋
1 𝜂𝐿 − 𝜂0 1
ที่ 𝜃=0 𝑇𝑁 𝑠𝑒𝑐𝜃𝑚 = 𝑟0𝐿 =
𝑟𝑚𝑎𝑥 𝜂𝐿 + 𝜂0 𝑟𝑖𝑛,𝑚𝑎𝑥
= cosh(𝑁𝑐𝑜𝑠ℎ−1 𝑠𝑒𝑐𝜃𝑚 )
1 𝜂𝐿 − 𝜂0 1
𝑠𝑒𝑐𝜃𝑚 = 𝑐𝑜𝑠ℎ 𝑐𝑜𝑠ℎ−1
𝑁 𝜂𝐿 + 𝜂0 𝑟𝑚𝑎𝑥
41
หลักการ Tschebyscheff (Tschebyscheff Transformer)

As frequency decreases, x increases.

42
 หลักการ Tschebyscheff (Tschebyscheff Transformer)
ตัวอย่าง กําหนดให้ N = 3, rmax = 0.05 และ n0 = 1, nL = 2 โดยที่ symmetrical design r01 = r3L, r12 = r23
𝜂𝐿 − 𝜂0 𝑛𝐿 − 𝑛0 1 − 2
𝑟0𝐿 = = = = 0.333 𝐴 = 𝑟𝑚𝑎𝑥 = 0.05
𝜂𝐿 + 𝜂0 𝑛𝐿 + 𝑛0 1 + 2
𝑟0𝐿 𝑟0𝐿 0.166
𝑇𝑁 𝑠𝑒𝑐𝜃𝑚 = = = = 6.667
𝑟𝑚𝑎𝑥 𝐴 0.05
1 𝜂𝐿 − 𝜂0 1 1 𝑟0𝐿
𝑠𝑒𝑐𝜃𝑚 = 𝑐𝑜𝑠ℎ 𝑐𝑜𝑠ℎ−1 = 𝑐𝑜𝑠ℎ 𝑐𝑜𝑠ℎ−1
𝑁 𝜂𝐿 + 𝜂0 𝑟𝑚𝑎𝑥 𝑁 𝑟𝑚𝑎𝑥
1
= 𝑐𝑜𝑠ℎ 𝑐𝑜𝑠ℎ−1 6.667 = 1.3946
3
𝜃𝑚 = 0.771 𝑟𝑎𝑑 Symmetric design
𝑟𝑖𝑛 (𝜃) = 𝑟0 + 𝑟1 𝑒 −𝑗2𝜃 + 𝑟2 𝑒 −𝑗4𝜃 + 𝑟3 𝑒 −𝑗6𝜃 = σ3𝑛=0 𝑟𝑛 𝑒 −𝑗2𝑛𝜃 𝑟0 = 𝑟3 , 𝑟1 = 𝑟2

= 2𝑒 −𝑗𝑁𝜃 𝑟0 𝑐𝑜𝑠3𝜃 + 𝑟1 cos 𝜃 (1)

𝑟𝑖𝑛 (𝜃) = 𝐴𝑒 −𝑗3 𝜃
𝑇3 𝑠𝑒𝑐𝜃3 cos(𝜃)
= 𝑟𝑚𝑎𝑥 𝑒 −𝑗3 𝜃 𝑠𝑒𝑐 3 𝜃𝑚 𝑐𝑜𝑠3𝜃 + 3𝑐𝑜𝑠𝜃 − 3𝑠𝑒𝑐𝜃𝑚 𝑐𝑜𝑠𝜃
= (0.05)𝑒 −𝑗3 𝜃 𝑠𝑒𝑐 3 𝜃𝑚 𝑐𝑜𝑠3𝜃) + 3(𝑠𝑒𝑐 3 𝜃𝑚 − 3𝑐𝑜𝑠𝜃 𝑐𝑜𝑠𝜃 (2) 43
 หลักการ Tschebyscheff (Tschebyscheff Transformer)
ตัวอย่าง กําหนดให้ N = 3, rmax = 0.05 และ n0 = 1, nL = 2 โดยที่ symmetrical design r01 = r3L, r12 = r23
(0.05)𝑠𝑒𝑐 3 𝜃𝑚 (0.05)𝑠𝑒𝑐 3 (0.771)
𝑟0 = = = 0.068
2 2
0.05 3(𝑠𝑒𝑐 3 𝜃𝑚 − 3 sec 𝜃𝑚 ) 0.05 3(𝑠𝑒𝑐 3 (0.771) − 3 sec(0.771))
𝑟1 = = = 0.099
2 2
1 + 𝑟0 𝜆0
𝑟0 𝑛1 = 𝑛0 = 1.145 𝑑1 =
1 − 𝑟0 4𝑛1
1 + 𝑟1 𝜆0
𝑟1 𝑛2 = 𝑛1 = 1.397 𝑑2 =
1 − 𝑟1 4𝑛2
1 + 𝑟2 𝜆0
𝑟2 = 𝑟1 𝑛3 = 𝑛2 = 1. 703 𝑑3 =
1 − 𝑟2 4𝑛3
1 + 𝑟3
𝑟𝐿 = 𝑟0 𝑛𝐿 = 𝑛3 = 1. 951
1 − 𝑟3
𝑟𝑖𝑛 (𝜃) = 2𝑒 −𝑗3𝜃 𝑟0 𝑐𝑜𝑠3𝜃 + 𝑟1 cos 𝜃
𝑟𝑖𝑛 (𝜃) = 2𝑒 −𝑗3𝜃 (0.068)𝑐𝑜𝑠3𝜃 + (0.099)cos 𝜃
∆𝜐 2𝜃𝑚 44
𝐵𝑊 = =2 1− = 1.108 = (0.446 ↔ 1.554)
𝜐0 𝜋
 หลักการ Tschebyscheff (Tschebyscheff Transformer)

ผลลัพธ์ที่ได้จากวิธีการทั้งสามแสดงได้ดังรูปซึ่งจะพบว่า
ค่ า การสะท้ อ นจากการใช้ วั ต ถุ ห นึ่ ง ชั้ น ที่ มี ค วามหนา
เท่ากับหนึ่งส่วนสี่ของความยาวคลื่นจะมากกว่าค่าที่ได้
จากวิธีของ Binomial และ วิธีของ Tschebyschef

นอกจากนี้แล้วเมื่อเปรียบเทียบผลลัพธ์ที่ได้จากวิธี Binomial และ วิธี Tschebyschefจะพบว่าเมื่อแบนด์วิธมี

ค่าคงที่ ค่าสูงสุดของการสะท้อนที่ได้จากวิธี Tschebyschef จะมีค่าน้อยกว่าค่าที่ได้จากวิธี Binomial
และในกรณีที่ค่าสูงสุดของการสะท้อนมีค่าคงที่ค่าแบนด์จาก วิธี Tschebyscheffจะกว้างกว่าจากวิธี Binomial
45