Phuong Phap Che Tao Vat Lieu 2 Pham Kim Ngoc Chuong 1 2 Phan Ung Pha Ran Hoi (Cuuduongthancong - Com)

Các Phương Pháp Tổng hợp Vật liệu 2
Chương 1: PHẢN ỨNG PHA RẮN – HƠI
om
.c
2.1. Kỹ thuật chân không
ng
co
2.2. Lắng đọng hơi vật lý (PVD)
an
- Bốc bay
- Phún xạ
th
o ng
du
u
cu
1
CuuDuongThanCong.com https://fb.com/tailieudientucntt
Ở một nhiệt độ cố định T, hơi có thể chuyển
om
thành pha lỏng hay pha rắn nếu lực nén đủ
.c
lớn (còn khí thì không).
ng
Xét trạng thái hơi thay đổi theo giản đồ pV
co
tại một nhiệt độ cố định:
- Tại điểm a?
an
- Tại điểm b?
th
ng - Khoảng b-c?
- Tại điểm c?
….
o
du
u
cu
2

Phân bố Maxwell Boltzmann
Các phân tử khí va chạm ngẫu nhiên liên tục với
om
nhau và với thành bình chứa. Trong quá trình va
chạm sẽ trao đổi năng lượng làm cho vận tốc các
.c
phân tử phân bố cân bằng theo phương trình
ng
Maxwell Boltzmann:
co
an
th
ng
N: tổng số phân tử trong hệ
o
v: vận tốc phân tử, m/s
du
dN/dv: số phân tử dN với độ biến thiên vận tốc dv

u
tại v
cu
m: phân tử lượng, kg
kB: hệ số Boltzmann, 1.38x10-23 J/K
T: nhiệ độ tuyệt đối, K
3

Thông lượng phân tử va chạm
(phân tử m-2s-1) là một thông số cơ bản để xác định tốc độ lắng đọng màng mỏng.
om
.c
ng
co
an
th
o ng
du
u
cu
4

Định luật khí lý tưởng
- Là một phương trình trạng thái mô tả mối quan hệ giữa áp suất, thể tích và nhiệt độ trong
om
vùng khí và hơi có thể tích lớn.
.c
Theo Newton, lực tương tác F trong quá trình va chạm giữa phân tử và bề mặt cân bằng với
tốc độ trao đổi moment động lượng. Với diện tích bề mặt A:
ng
co
an
th
ng
p: áp suất, N/m2
o
n = N/V: mật độ phân tử, molecules/m3 Định luật khí lý tưởng được áp dụng
du
nm = n/NA: nồng độ mol, mol/m3 khi tổng thể tích các phân tử khí nhỏ
u
Nm = N/NA: số mol khí

hơn rất nhiều so với thể tích khí và bỏ
cu
Vm: thể tích mol, m3/mol

qua lực kết dính giữa chúng
5

Đơn vị đo áp suất
om
.c
ng
co
an
th
o ng
du
u
cu
6

Phương trình Knudsen
om
.c
ng
Xét M = 40 g mol-1, T = 25 oC, p = 0.001 Pa, Ji = 2.4x1015 phân tử cm-2 s-1.
co
an
Với đường kính phân tử là 0.3 nm, có 1.x1015 phân tử cm-2 trên một đơn lớp (ML).
Giả sử tất cả các phân tử va chạm trên bề mặt đều dính lên trên bề mặt trong quá trình
th
lắng đọng màng mỏng thì tốc độ lắng đọng là 1.7 ML/s = 1.8 m/h.
o ng
Nếu khí trong buồng tạo mẫu là khí tạp chất thì màng mỏng sẽ có chứa lượng tạp chất
du
rất lớn. Để lắng đọng được màng mỏng có độ tinh khiết 99.9 % với tốc độ1.8 m/h, áp
u
suất p of khí tạp chất phải nhỏ hơn 10-6 Pa = 10-11 atm (UHV).
cu
Độ tinh khiết bộ phim có thể được cải thiện bằng cách tăng thông lượng va chạm các
phân tử tạo màng hoặc giảm giá trị áp suất riêng phần p của tạp chất.
7

Quãng đường tự do trung bình
Quãng đường tự do trung bình, l, là khoảng cách trung bình di chuyển của khí trước khi va
om
chạm với các phân tử khí khác.
- Đường kính phân tử khí a
.c
- Đường kính va chạm hiệu dụng 2a
- Trong 1 s, phân tử chuyển động trong thể tích a2v
ng
- Nếu nồng độ khí là n, số va chạm mà phân tử khí này
co
phải chịu là na2v.
an
 Quãng đường tự do trung bình:
th
o ng
Trong trường hợp va chạm phân tử - phân tử đôi khi
du
phân tử va chạm trực diện hay va chạm bên hông

Tính trung bình, chúng va chạm theo 90o. Vì vậy, vận
u
cu
tốc trung bình là sqrt(2)v

 Quãng đường tự do trung bình:
8

Quãng đường tự do trung bình
om
Hệ số Knudsen
.c
ng
co
L: kích thước của quá trình lắng đọng (k/c nguồn lắng đọng – đế)
an
th
Với Kn > 1, quá trình thực hiện trong chân không cao. Đây là chế độ dòng chảy phân tử,
nghĩa là các phân tử chuyển động một cách độc lập nhau và chỉ có va chạm với thành buồng.
o ng
du
Ngược lại, với Kn < 0.01, quá trình tuân theo dòng chảy chất lỏng.
u
cu
9

Đặc điểm truyền
om
Bao gồm tốc độ truyền khối (khuếch tán), moment động lượng (độ nhớt), năng lượng (dẫn
.c
nhiệt) thông qua dòng khí. Quá trình truyền diễn ra bởi các phân tử chuyển động ngẫu nhiên
trong pha khí.
ng
co
an
th
o ng
du
u
cu
10

Đặc điểm truyền
om
Bao gồm tốc độ truyền khối (khuếch tán), moment động lượng (độ nhớt), năng lượng (dẫn
nhiệt) thông qua dòng khí. Quá trình truyền diễn ra bởi các phân tử chuyển động ngẫu nhiên
.c
trong pha khí.
ng
co
an
th
o ng
du
u
cu
11

Mức chân không
om
.c
ng
co
an
th
o ng
du
u
cu
12
om
.c
ng
co
an
th
o ng
du
u
cu
13
om
.c
ng
co
an
th
o ng
du
u
cu
14
om
Quá trình tạo màng mỏng
.c
PVD: Vật liệu rắn được hóa hơi bởi nhiệt
hoặc năng lượng của các điện tử, photons
ng
hay các ion dương để vận chuyển hạt tới đế.
co
an
CVD: Các vật liệu nguồn từ pha khí, hơi
th
chất lỏng, chất rắn dạng khí hóa học…
o ng
du
u
cu
15
2.2. Phương pháp lắng đọng hơi vật lý (PVD)
om
.c
ng
co
an
th
o ng
du
u
cu
16
om
.c
ng
co
an
th
o ng
du
u
cu
17

Bốc bay nhiệt điện trở
om
Kỹ thuật phủ màng bằng
phương pháp nhiệt chân không
.c
bao gồm việc đun nóng trong
ng
chân không cho đến khi có sự
co
bay hơi của vật liệu để phủ
màng.
an
th
Hơi vật liệu cuối cùng sẽ
ng
ngưng tụ dưới dạng màng mỏng
o
trên bề mặt lạnh của đế (và trên
du
thành buồng chân không).

u
cu
tránh phản ứng giữa

P =10-6 hoặc 10-5 torr hơi vật liệu và không khí
18

om
.c
Bốc bay chân không là quá
trình vật liệu nguồn được
ng
hóa hơi bay đến đế mà
co
không xãy ra va chạm với
an
phân tử khí trong không
gian giữa nguồn và đế.
th
o ng
du
u
cu
19

- Tạo các màng từ đơn kim loại (Au, Ag,
om
Al, Cr...) hoặc các hợp chất bay hơi
.c
không bị phân li (SiO, TiO, MgF2,
Al2O3...)
ng
- Thành phần hợp thức của lớp phủ phụ
co
thuộc các thông số của quá trình.
an
- Có thể dùng Plasma để tăng năng lượng
th
thực hiện cho quá trình phản ứng của
các hạt vật liệu.
ng
- Phương pháp này không áp dụng được
o
du
cho vật liệu có độ nóng chảy cao và các

hợp chất trong đó các chất thành phần
u
cu
có độ bay hơi khác nhau.

Bay hơi trực tiếp
20

om
Vật liệu làm dây tóc Vật liệu bốc bay
.c
ng
Nhiệt độ nóng chảy cao Nhiệt độ nóng chảy thấp
co
an
Al(6600C)
Wolfram (TM=33800C)
th
Ag (961,930C)
tantalus Ta (TM=29800C)
Au(1064,330C)
ng
Molibdene (TM=26300C)
SiO, Cr…
o
du
u
Nhiệt lượng Cường độ dòng điện qua “thuyền”

cu
tỏa ra Q  R.I 2 .t
Điện trở của thuyền Thời gian tỏa nhiệt
21
Vòng dây điện trở  1 hay nhiều vòng dây
om
.c
 Làm bằng
ng
 Vật liệu cần bốc bay được quấn
co
trong các vòng dây
an
Thuyền điện trở
th
 Tấm kim loại dạng thuyền để chứa vật liệu
o ng
du
 Làm bằng
u
cu
Chén điện trở  Chén được đốt nóng bằng các sợi
điện trở quấn quanh nồi d > 1μm
 Làm bằng Thạch anh phủ

chịu nhiệt Al22
2O3
22

Tốc độ bay hơi(1): Phương trình Hertz-Knudsen
om
Áp suất hơi cân bằng
Số nguyên tử bốc bay
của chất bay hơi
.c
trong 1 đơn vị thời gian Áp suất của
chất bay hơi trong
ng
dNe p* p
 e . buồng chân không
co
Diện tích bề mặt của Ae .dt 2 .m.k BT Nhiệt độ tuyệt đối (K)
an
nguồn bốc bay.
Hệ số bốc bay(2)
th Khối lượng Hằng số Boltzmann
ng
nguyên tử (1,38.10-23J/K )
o
du
Trong đó, áp suất hơi cân bằng là 1 hàm theo nhiệt độ:
u
cu
L0 Nhiệt ẩn bốc bay của 1


nguyên tử hay phân tử
Hằng số p*  p0 .e k BT
(1) Tốc độ bay hơi: Số nguyên tử bốc bay đi qua 1 đơn vị diện tích trong 1 đơn vị thời gian.
(2)
Hệ số bốc bay (Evaporation Coefficient): Hệ số dính chặt của nguyên tử bay hơi trên bề mặt.
om
.c
ng
co
an
th
o ng
du
u
cu
24

Bốc bay bằng chùm điện tử (EB)
om
.c
ng
co
an
th
o ng
du
u
cu
Mẫu được cung cấp năng lượng để hóa

hơi từ sự va chạm với chùm điện tử có
động năng lớn.
25

om
.c
ng
co
an
th
ng
 Cathode được đốt nóng  Phát
o
du
xạ nhiệt điện tử, tuân theo phương

trình Richardson: Nhiệt độ kim loại
u
cu
Mật độ dòng 0
 Công thoát
phát xạ
nhiệt điện tử j  A0 DT e 2 k BT
của e ra
khỏi kim loại
Hằng số Hệ số truyền Hằng số Boltzmann
kim loại qua trung bình
26

om
Có nhiều loại súng điện tử khác nhau: chùm e truyền thẳng đến vật liệu cần bốc bay hoặc đi
theo 1 góc nào đó.
.c
ng
co
an
th
o ng
du
u
cu
27

Nguồn dạng hình cầu, J phụ thuộc . Với tốc
om
độ bốc bay tổng cộng là Q (phân tử/s) ta có:
.c
ng
J0: thông lượng bốc bay theo hướng vuông góc
co
Nguồn dạng đĩa:
an
Tốc độ bốc bay tổng cộng từ nguồn đĩa:
th
o ng
du
u
Vì J tỷ lể nghịch với r2, nên thông lượng qua

cu
mặt cầu r tại vị trí đế S: Tốc độ lắng đọng tại điểm S, vuông góc với đế, J﬩,
28
om
.c
ng
co
an
th
o ng
du
u
cu
29
Phún xạ (sputtering)
om
.c
ng
co
an
th
o ng
du
u
cu
30

om
Gốm
.c
Kim loại/ Bia (dẫn điện/
Hợp kim
ng
điện môi)
co
an
th
o ng
du
u
cu
31

om
.c
ng
co
an
th
ng
Đế
o
du
u
cu
32
- Phún xạ diod phẳng là phương pháp
om
phủ màng bằng phún xạ trong
.c
plasma. Tạo plasma từ dòng khí Ar,
ng
N2, C2H2 hay O2...
co
- Màng tạo thành là các hợp chất oxid
an
Al2O3, SnO2, SiO2, InO3..., nitride
th
TaN, TiN, Si3N4..., carbide TiC,
ng
WC, SC.., sulfide CaS, CuS, ZnS...
o
du
u
cu
- Hiệu điện thế DC có cực (+) đặt vào đế, cực (–) vào bia. Các ion khi được gia tốc
bởi điện trường giữa hai điện cực bắn phá bề mặt bia, làm bật các nguyên tử bia,
phún xạ về phía đế và lắng đọng thành màng.
33

Phún xạ magnetron
om
.c
ng
co
an
th
o ng
du
u
cu
34
om
.c
ng
co
an
th
Từ trường Các e chịu tác dụng ng Từ trường Các e ít chịu tác dụng
khép kín của từ trường ngang không khép kín của từ trường ngang
o
du
Đế ít bị e e chủ yếu chuyển Đế bị nhiều e e theo điện trường

u
cu
va đập động gần bia va đập mạnh đến đế với v lớn
Đế ít bị Thích hợp tạo màng cho Đế bị Thích hợp tạo các

đốt nóng các loại đế không chịu đốt nóng màng yêu cầu T0 cao
được T0 cao: nhựa, giấy,… 35

Phún xạ magnetron DC và RF
om
.c
ng
co
an
th
o ng
du
u
cu
36

Phún xạ phản ứng
om
.c
ng
co
an
th
o ng
du
u
cu
37

Các thông số phún xạ
1. Ngưỡng phún xạ
om
• Để xãy ra phún xạ, các ion đập vào cathode phải có một năng lượng tối
.c
thiểu nào đó – gọi là năng lượng ngưỡng E0 của quá trình phún xạ. Nếu
ng
năng lượng của ion bắn phá nhỏ hơn E0 thì phún xạ không xãy ra.
• Ngưỡng phún xạ phụ thuộc ít vào khối lượng ion nhưng phụ thuộc lớn vào
co
bản chấ của từng loại bia.
an
• Ngưỡng phún xạ thường nằm trong khoảng 10 – 30 eV.
th
2. Hệ số phún xạ
ng
Hệ số phún xạ S phụ thuộc vào :
na
o
Bản chất của vật liệu phún xạ
s
du
Loại ion và năng lượng của ion bắn phá lên bia
ni
u
Góc đập của ion lên bề mặt cathode

cu
Phụ thuộc vào áp suất khí làm việc

s là hệ số phún xạ
nα là số nguyên tử bị phún xạ
ni là số ion đập vào bề mặt cathode
38

om
.c
ng
co
an
th
o ng
du
u
cu
39

3. Sự phân bố theo góc của các hạt phún xạ
om
- Tuỳ theo năng lượng bắn phá của các ion mà các hạt phún xạ sẽ phân bố theo các gó
.c
khác nhau.
ng
- Khi năng lượng ion càng lớn thì sự phân bố góc của các hạt phún xạ càng gần với
định luật cosin.
co
an
4. Năng lượng hạt phún xạ
th
Hàm phân bố theo năng lượng của các hạt phún xạ có cực đại trong khoảng từ 1 – 2 eV
ng
và trải rộng đến hàng trăm eV.
o
du
5. Vận tốc phún xạ (NL của ion thấp và trung bình)

u
cu
dN I 3 4m1m2 E
S S   V
Adt e 4 2
m1m2  E0
2
40
EVAPORATION SPUTTERING
om
low energy atoms higher energy atoms
.c
ng
co
high vacuum path low vacuum, plasma path
 few collisions  many collisions
an
 line of sight deposition  less line of sight deposition
th
 little gas in film ng  gas in film
o
du
larger grain size smaller grain size

u
fewer grain orientations many grain orientations

cu
poorer adhesion better adhesion
41
Câu hỏi gợi ý
om
.c
1. Vai trò của chân không trong quá trình chế tạo vật liệu?
ng
2. Liệt kê các phương pháp tạo màng bằng PVD?
co
an
3. So sánh bốc bay nhiệt điện trở và bốc bay bằng chùm điện tử
4. Nguyên lý của quá trình phún xạ

th
o ng
5. Vai trò của hệ magnetron trong quá trình phún xạ
du
u
cu
42

Phuong Phap Che Tao Vat Lieu 2 Pham Kim Ngoc Chuong 1 2 Phan Ung Pha Ran Hoi (Cuuduongthancong - Com)

Uploaded by

Document Information

Original Title

Copyright

Available Formats

Share this document

Share or Embed Document

Sharing Options

Did you find this document useful?

Is this content inappropriate?

Copyright:

Available Formats

Phuong Phap Che Tao Vat Lieu 2 Pham Kim Ngoc Chuong 1 2 Phan Ung Pha Ran Hoi (Cuuduongthancong - Com)

Uploaded by

Copyright:

Available Formats

Các Phương Pháp Tổng hợp Vật liệu 2

Chương 1: PHẢN ỨNG PHA RẮN – HƠI

2.1. Kỹ thuật chân không

Ở một nhiệt độ cố định T, hơi có thể chuyển

2.1. Kỹ thuật chân không

dN/dv: số phân tử dN với độ biến thiên vận tốc dv

2.1. Kỹ thuật chân không

2.1. Kỹ thuật chân không

Nm = N/NA: số mol khí

Vm: thể tích mol, m3/mol

2.1. Kỹ thuật chân không

2.1. Kỹ thuật chân không

2.1. Kỹ thuật chân không

phân tử va chạm trực diện hay va chạm bên hông

tốc trung bình là sqrt(2)v

2.1. Kỹ thuật chân không

2.1. Kỹ thuật chân không

2.1. Kỹ thuật chân không

2.1. Kỹ thuật chân không

2.1. Kỹ thuật chân không

2.2. Phương pháp lắng đọng hơi vật lý (PVD)

2.2. Phương pháp lắng đọng hơi vật lý (PVD)

2.2. Phương pháp lắng đọng hơi vật lý (PVD)

thành buồng chân không).

tránh phản ứng giữa

2.2. Phương pháp lắng đọng hơi vật lý (PVD)

2.2. Phương pháp lắng đọng hơi vật lý (PVD)

cho vật liệu có độ nóng chảy cao và các

có độ bay hơi khác nhau.

2.2. Phương pháp lắng đọng hơi vật lý (PVD)

Nhiệt lượng Cường độ dòng điện qua “thuyền”

2.2. Phương pháp lắng đọng hơi vật lý (PVD)

Vòng dây điện trở  1 hay nhiều vòng dây

 Làm bằng Thạch anh phủ

2.2. Phương pháp lắng đọng hơi vật lý (PVD)

L0 Nhiệt ẩn bốc bay của 1

2.2. Phương pháp lắng đọng hơi vật lý (PVD)

2.2. Phương pháp lắng đọng hơi vật lý (PVD)

Mẫu được cung cấp năng lượng để hóa

2.2. Phương pháp lắng đọng hơi vật lý (PVD)

xạ nhiệt điện tử, tuân theo phương

2.2. Phương pháp lắng đọng hơi vật lý (PVD)

2.2. Phương pháp lắng đọng hơi vật lý (PVD)

Vì J tỷ lể nghịch với r2, nên thông lượng qua

2.2. Phương pháp lắng đọng hơi vật lý (PVD)

2.2. Phương pháp lắng đọng hơi vật lý (PVD)

2.2. Phương pháp lắng đọng hơi vật lý (PVD)

2.2. Phương pháp lắng đọng hơi vật lý (PVD)

2.2. Phương pháp lắng đọng hơi vật lý (PVD)

- Phún xạ diod phẳng là phương pháp

2.2. Phương pháp lắng đọng hơi vật lý (PVD)

2.2. Phương pháp lắng đọng hơi vật lý (PVD)

Đế ít bị e e chủ yếu chuyển Đế bị nhiều e e theo điện trường

va đập động gần bia va đập mạnh đến đế với v lớn

Đế ít bị Thích hợp tạo màng cho Đế bị Thích hợp tạo các

2.2. Phương pháp lắng đọng hơi vật lý (PVD)

2.2. Phương pháp lắng đọng hơi vật lý (PVD)

2.2. Phương pháp lắng đọng hơi vật lý (PVD)

Góc đập của ion lên bề mặt cathode

Phụ thuộc vào áp suất khí làm việc

2.2. Phương pháp lắng đọng hơi vật lý (PVD)

2.2. Phương pháp lắng đọng hơi vật lý (PVD)

5. Vận tốc phún xạ (NL của ion thấp và trung bình)