KỸ THUẬT MÀNG MỎNG

và CÔNG NGHỆ NANO

1
Chương x. Nhập môn Kỹ thuật màng mỏng

 Giới thiệu chung

- Phương pháp lắng đọng pha hơi hóa học (CVD).
- Phương pháp hóa lý kết hợp.
 Phương pháp bay hơi Vật lý (PVD)

- Các khái niệm và đại lượng cơ bản.

- Kỹ thuật chân không và công nghệ màng mỏng.

- Phún xạ.

2
 1. Giới thiệu chung
 Định nghĩa: Màng mỏng được hiểu là lớp chất rắn phủ lên bề
mặt của vật rắn khác (đế) với chiều dày tới hạn - khi mà các
hiệu ứng vật lý và tính chất của nó thể hiện không giống như
trong vật liệu khối. Nhìn chung, chiều dày của màng mỏng được
đề cập trong các công nghệ vật liệu và linh kiện điện tử nằm
trong khoảng 10 – 1000 nm.
 Phân loại cách chế tạo màng mỏng:
Gồm ba nhóm chính:
- Phương pháp lắng đọng pha hơi hóa học (Chemical vapor
deposition - CVD)
- Phương pháp lắng đọng pha hơi vật lý (Physical vapor
deposition - PVD)
- Phương pháp hóa và hóa lý kết hợp.

3
1.1 Phương pháp lắng đọng pha hơi hóa học (CVD)

 Ưu điểm:
-   Hệ thiết bị đơn giản.
-   Tốc độ lắng đọng cao (đến 1m/phút).
-   Dễ khống chế hợp thức hóa học của hợp chất và dễ dàng pha
tạp chất.
-   Có khả năng lắng đọng hợp kim nhiều thành phần.
-   Có thể tạo màng cấu trúc hoàn thiện, độ sạch cao.
-   Đế được xử lý ngay trước khi lắng đọng bằng quá trình ăn
mòn hóa học.
-   Có thể lắng đọng lên đế cấu hình đa dạng, phức tạp.

4
 Nhược điểm:
-   Cơ chế phản ứng phức tạp.
-   Đòi hỏi nhiệt độ đế cao hơn trong các phương pháp khác.
-   Đế và các dụng cụ thiết bị có thể bị ăn mòn bởi các dòng
hơi.
-   Khó tạo hình linh kiện màng mỏng thông qua kỹ thuật
mặt nạ (mask).

5
 Các dạng CVD

Đặc trưng của phương pháp CVD được phân biệt bởi các phản
ứng hóa học trong quá trình lắng đọng. Có bốn loại phản ứng
chính, đó là:

1. Phản ứng phân hủy:

AB (khí)  A (rắn) + B (khí)

2. Phản ứng khử:

SiH4  Si + 2H2 (T=800-1300oC)

3. Vận chuyển hóa học

4. Phản ứng trùng hợp (polymerization)

6
 1.2 Phương pháp bay hơi vật lý (PVD)

 Các khái niệm và đại lượng cơ bản

Lắng đọng pha hơi vật lý là sản phẩm của pha hơi ngưng tụ tạo
ra bằng phương pháp vật lý, sau đó hơi này lắng đọng lên trên đế
tạo thành màng mỏng.
Có các phương pháp vật lý sau:
- Bốc bay nhiệt
- Bốc bay chùm tia điện tử
- Lắng đọng laser xung
- Phún xạ catốt, cao tần

7
 Các nguồn bốc bay

 Chén và thuyền

Súng điện tử

8
 Laser ablation
(bóc tách laser)

Phún xạ cao áp – cao tần

9
Các đại lượng đặc trưng trong VLKTMM

10
 Chương 1. Động học chất khí
 Khái niệm về chất khí (thuyết động học chất khí)
- Chất khí được coi là một hệ gồm nhiều nguyên tử và phân tử
(phân tử), có cùng khối lượng và kích thước (bỏ qua đặc
điểm về hình dạng và cấu tạo bên trong của chúng).

- Các phân tử coi như những quả cầu rắn va chạm một cách
đàn hồi, rất bé so với khoảng cách giữa chúng. chuyển động
hỗn loạn không ngừng, luôn va chạm nhau và va chạm với
thành bình chứa chúng.

- Ngoại trừ lúc va chạm nhau, không có lực tương tác nào
giữa chúng. Do vậy, áp suất của chất khí lên thành bình thực
chất là xung lượng mà các phân tử truyền cho thành bình
khi chúng va chạm.

11
1. Các hàm phân bố của phân tử

 Trong hệ tọa độ vuông góc, ba trục x, y và z biểu

diễn thành phần của tốc độ chuyển động của các
phân tử trong hệ khí, ký hiệu các tốc độ thành
phần là: v x , v y , v z .
2
 Tốc độ căn quân phương, kí hiệu vrms= vx
với
vx2   vx2 /N ,

và N là số phân tử trong hệ khí

v 2   v 2 /N  vx2  vy2  vz2 .

12
Ý nghĩa
 Áp suất P trên hướng x được tính bằng:
P   N / V  .mvx .
2

 Do phân bố của tốc độ là đẳng hướng theo

ba trục tọa độ, cho nên:
v v v ,
2
x
2
y
2
z

 Vì vậy:
2 1 2
vx  v .
3
13
 Thay vào phương trình trên, chúng ta có:
1 N  2
P   .mv .
3 V 

Đây là biểu thức về áp suất, hay còn gọi là lực riêng

phần, mà khi va chạm, phân tử đã tác động lên thành
bình.
Hơn nữa, như đã biết: P   N / V  .kT  nkT,

trong đó n là số phân tử trong đv thể tích. Vậy chúng ta

có:
18  P 3
n  9, 565  10   cm .
T
(P tính theo Torr) 14
So sánh các công thức trên, dễ nhận thấy:
m v 2 3kT ,

2 2 1/2
Tốc độ căn quân phương bằng: vr ms  3kT .
 
 m 
 Vì tốc độ bình phương trung bình bao gồm ba
thành phần bình đẳng (là u 2 , v 2 , w 2 ),
công thức trên còn cho thấy tổng năng lượng
của các phân tử được phân bố đều theo ba
hướng vuông góc nhau và trên mỗi bậc tự do
của chuyển động tịnh tiến có năng lượng trung
bình bằng 1/2 kT.
15
Trong một hệ khí, ngoài các đại lượng đặc
trưng cho tốc độ của phân tử, thì phân bố các
giá trị tốc độ và các phân tử có tốc độ tương
ứng đóng vai trò quan trọng.
Từ các tính toán mang tính vật lý thông kê,
chúng ta nhận được đại lượng vân tốc có xác
suất cao nhât (vp) là:
2 2
v 2p  v ,
3

1/2
hay:  2kT  .
vp   
 m 
16
 So sánh ba đại lượng tốc độ

 Tốc độ căn quân phương: v  v2  3kT/m ,

rms

 Tốc độ trung bình: 1/2

 8kT  .
vav   
 m 
1/2
 Tốc độ XSCN:  2kT  ,
vp  
m 
 

 Tỷ số giữa ba tốc độ là:

vrms : vav : vp  3/2 : 4 /  :1  1, 23 :1,13 :1.
17
 2. Tần suất va chạm của phân tử khí

 Định nghĩa:
Tần suất va chạm (Z) là số va chạm của phân tử khí trong
một hệ tĩnh với một đơn vị diện tích bề mặt trong đơn vị
thời gian.

 Biểu thức của Z:

Cho rằng trong thể tích V có N phân tử, số phân tử có tốc
độ v được biểu thị bằng công thức đã biết

x  
dN v  N vx2 dvx .
18
 Trong khoảng thời gian dt chỉ có một phần
phân tử có thể va chạm với bề mặt. Đó là
những phân tử ở trong khoảng cách vxdt tính
từ bề mặt. Gọi Aw là diện tích bề mặt mà
các phân tử va chạm, thì  vx d t.A w  /V là
phần thể tích chứa các phân tử va chạm
được với bề mặt.
Số phân tử có tốc độ vx trong khoảng vx + dvx
và mà chúng va chạm với bề mặt trong thời
gian dt là
d N vx   N / V  A w v x   v x  dv x dt.
2 2
19
Vì tốc độ của phân tử có các giá trị từ 0 đến 
cho nên trong ct trên có phần liên quan đến tốc
độ. Gọi phần đó là N* , chúng ta có:
   vx2 
  vx   v  dv  A  vx . exp   2  d vx   kT / 2  m  .
* 2 1/ 2
N x x
v
 p
0 0

Khi đó ta có:
NA w  kT 1/2
dN i    dt ,
V  2.m 

dNi chính là tổng số phân tử tham gia va chạm

trong khoảng thời gian dt
20
  Vì vậy ta có TSVC bằng:
1
dN i N  kT . /2
z  
A w dt V  2.m 

1N
z vav
4V
1
z  P.  2.mkT 

2

z = 3,5431022 P(MT)-1/2 Ở đây P tính theo Torr và

M là phân tử gam.
21
 TSVC tính theo tốc độ trung bình là:

nvav .
z
4

Tần suất va chạm tổng hợp trong trường hợp hệ

khí có nhiều chất khí chính là tổng của tất cả các
tần suất va chạm riêng biệt. Điều này phù hợp với
cơ sở của định luật Dalton với thuyết động học:
“Áp suất của hệ khí gồm hai hay nhiều chất khí
khác nhau đơn giản chỉ là tổng áp suất mà mỗi
chất khí có được khi chúng cùng chiếm một thể
tích như nhau”.
22
 Phân bố phân tử H2
và Al theo tốc độ.

Đồ thị phân bố các giá trị tuyệt đối của tốc độ các
phân tử hơi nhôm tại 1200oC (áp suất 10-2 Torr) và
phân tử hyđro tại 25oC và 1200oC cho thấy tốc độ
phân tử có giá trị trong khoảng 10 5 m/s. Hơn nữa vì
phân tử khí H2 nhẹ hơn nguyên tử hơi nhôm cho nên
chúng có tốc độ cao nhiều hơn và khi nhiệt độ tăng
thì số phân tử có tốc độ cao cũng tăng lên. 23
 3. Quãng đường tự do của phân tử khí

 MÆc dÇu ph©n tö khÝ cã tèc ®é chuyÓn ®éng rÊt lín, song
v× cã va ch¹m liªn tôc lµm lÖch h­íng chuyÓn ®éng cho nªn
chóng kh«ng thÓ v­ît ®­îc qu·ng ®­êng lín. Khi xÐt hiÖn t­îng
truyÒn khèi l­îng trong tr¹ng th¸i khÝ chóng ta cÇn biÕt qu·ng
®­êng mµ c¸c ph©n tö v­ît qua gi÷a c¸c lÇn va ch¹m. Sù va ch¹m
lµ ngÉu nhiªn, cho nªn “qu·ng ®­êng” Êy còng cã nh÷ng gi¸ trÞ
rÊt kh¸c nhau vµ mang tÝnh thèng kª.

Định nghĩa QĐTD () là khoảng cách trung bình

giữa hai lần va chạm liên tiếp của một phân tử.
24
 .d 2

Diễn giải công thức Để dễ tính toán, trước hết, cho

rằng tất cả các phân tử đứng yên, trừ phân tử đang
xem xét. Giả sử phân tử này có tốc độ trung bình là
vav , thì sau khoảng thời gian dt nó sẽ đi được quãng
đường vdt. Cho rằng các phân tử có cùng một đường
kính d , khi đó phân tử chuyển động sẽ va chạm với
tất cả các phân tử trong tiết diện d2 trên quãng
đường vdt .

25
H×nh 1.2. DiÖn tÝch x¶y ra va ch¹m
 d 2 vav dt là thể tích chứa va chạm kể trên

vav dt 1 .
Do vậy QĐTD bằng:  2  2
d nvav dt d n

Nếu tính đến sự chuyển động đồng thời của tất cả các
phân tử, thì vận tốc tương đối của các phân tử có giá
trị là 2,v av do đó chúng ta có: 1
 .
2d 2 n

Bài tập. Tính quãng đường tự do trong khí nitơ

dưới áp suất khí quyển tại nhiệt độ phòng.
26
Mật độ của các phân tử khí nitơ theo thuyết động
học chất khí lý tưởng là:

1,01  105 Pa
n  2, 46  10 25 m 3 .
1,38  1023 J / K  298K

Vì đường kính của phân tử khí nitơ là 0,375 nm = 3,75 x

10-10 m, quãng đường tự do là:
1
  65  10 9 m  65nm
2    3,75   (1010 ) 2  2, 46  1025 m 3
2

Quãng đường tự do phụ

thuộc vào áp suất khí hê-li
và hơi nước
27
4. Dòng khí

 Dòng khí chảy qua ống tròn hình trụ (gọi tắt là
ống) hoặc lỗ hổng (chiều dày của lỗ hổng được
bỏ qua) thay đổi theo kích thước tương đối của
cấu trúc ống so với QĐTD và tốc độ dòng khí.
Đại lượng đặc trưng cho chế độ dòng khí là hệ
số Knudsen (Kn).
- QĐTD
 l - là đường kính của dòng khí
Kn 
l (tức đường kính trong của ống dẫn
khí) 28
Phân biệt hai trường hợp chính của chế độ dòng
khí:

Trường hợp áp suất khí còn cao (tức là

K n 1, chân không thấp) dòng khí ứng với chế độ
dòng nhớt. Va chạm giữa các phân tử khí
quyết định độ lớn của dòng.

K n 1, Trường hợp chân không cao, QĐTD lớn

hơn rất nhiều kích thước của chuông chân
không. Dòng khí ứng với chế độ dòng phân
tử hay còn gọi là chế độ Knudsen. Chỉ còn
va chạm của phân tử khí với thành bình
29
 • Dòng khí trong chế độ nhớt

Xét trường hợp dòng khí chảy qua

một ống dài, cấu trúc mặt cắt
được mô tả trên hình bên. Tốc
độ dòng khí u(r) là hàm của
một biến số r - khoảng cách
tính từ tâm của ống. Tốc độ này
rõ ràng lớn nhất ở tâm và giảm
dần đến 0 ở thành ống (r = a).
2 dP
Lực do chênh lệch áp suất gây nên có độ lớn:  .r  dz.
dz
Tác động ngược chiều với lực trên là lực ma sát
của chất khí với độ nhớt  có độ lớn là: . du .
 2 .rdz.
dr 30
 Ở trạng thái cân bằng:
.  du / dr  2.rdz  .r 2  dP / dz  dz  0,
Do đó dP .
du / dr    r / 2  
dz
Vì phân bố tốc độ trong ống có dạng parabôn, cho nên
hàm phụ thuộc cần phải thỏa mãn điều kiện biên:

dP .


2 2

u  r   a  r / 4 
 
 dz

Dòng tổng (J) của các phân tử trên một giây sẽ là:
31
 
n dP a 2 2

a
J   nu  r  2 .rdr    a  r rdr
0 2 dz 0
n a 4 dP  a 4 dP
   P
8 dz 8 kT dz

Vì J không phụ thuộc vào tọa độ z, cho nên nếu như ống
có độ dài L và chênh lệch áp suất giữa hai đầu ống là
nhỏ thì chúng ta có thể lấy gần đúng như sau:
 
P  dP   Pav  P
 dz  L

Khi đó: .a 4

J  Pav  P .
8kT L

Biểu thức trên chính là công thức Poiseuille, mô tả độ

lớn của dòng khí chảy qua ống dài ở chế độ dòng nhớt.32
 •Dòng khí trong chế độ Knudsen -
Dòng phân tử

Để thiết lập biểu thức cho dòng

khí trong chế độ Knudsen,
chúng ta cần phân tích dòng
tổng hợp chảy qua tiết diện của
ống (như mô tả trên hình
bên)ờng các tính toán chi tiết
theo gradient dòng dọc theo
bán kính ống, nhận được kết
quả cuối cùng:
dy  n / L,
Cũng dn / coi
J   .a 2   2 av a / 3   dn / dy  . khi đó dòng tổng hợp là:
33
 2 8z.a ,
J   .a 
3L

z là chênh lệch tần suất va chạm ở hai đầu ống

dẫn.
 Đối với dòng khí chảy qua lỗ hổng ở chế độ
Knudsen, việc tính toán trở nên đơn giản. Lúc
này, dòng khí J chính bằng tích của độ chênh
lệch tần suất với diện tích của thiết diện ống:
1/2
J  A.z  A  2 mkT  P .

 Đây chính là phương trình Hertz-Knudsen.

34
5. Độ dẫn của cấu trúc dẫn khí

 Các vật dụng để dẫn khí gọi là cấu trúc dẫn

khí. Độ dẫn khí của một cấu trúc là tỷ số J .
của dòng tổng đi qua thiết diện trên độ C 
p
hiệu áp suất giữa hai đầu của cấu trúc đó:
 Tương tự trong mạch điện, ở đây áp suất đóng vai trò
như hiệu điện thế, dòng khí giống như dòng điện, còn độ
dẫn khí đóng vai trò độ dẫn điện (cấu trúc dẫn khí như
một điện trở)
Về ý nghĩa vật lý, độ dẫn khí có thể hiểu là dòng tổng
đi qua một cấu trúc chia cho độ chênh lệch mật độ khí mà
độ chênh lệch này do dòng khí tạo nên. Chúng ta có hai
35
trường hợp:
 Đối với dòng nhớt trong ống dài, độ dẫn Cv,tub
được xác định từ phương trình Poisseuille:
a4 kT n .
C v,tube   av
8L
 Độ dẫn của lỗ hổng (L=0) với cùng một tiết diện
a2 trong chế độ dòng nhớt là:
1/ 2
1/ 2 1/ 2  

1 /  
4 2   kT  Plo   Plo   
.
C v,orif  .a       1  
  1   m  Phi   Phi 

 
 Trong chế độ Knudsen, công thức tính độ dẫn
của cấu trúc hình ống có độ dài L và lỗ hổng
như sau:
2 a 2 a 3
 av . A. av .
C v,tube 4
 a  av
 C v,oriff 
3L 3L 4
36
Bài tập: So sánh độ dẫn của lỗ hổng và ống trong
chế độ dòng phân tử tại nhiệt độ phòng. Bán kính
của cả hai đều là 0,5 cm, chiều dài của ống là 10 cm.
Cho chất khí là nitơ.
 Biết tốc độ trung bình của phân tử khí nitơ là
475m/s. Do vậy độ dẫn của ống là:
   0,5cm   2   475m/s   0,5cm
2
Cm, tub   1, 24l/s.
3  10cm
Độ dẫn của lỗ hổng là:
 475m /s 
Cm,orif     0,5cm  
2
 9,32  103 m3 / s  9,32l/s .
4

Vậy, độ dẫn của lỗ hổng lớn hơn nhiều lần độ dẫn

của ống cùng đường kính. 37