‫نشریه مهندسی مکانیک امیرکبیر‬

‫نشریه مهندسی مکانیک امیرکبیر‪ ،‬دوره ‪ ،50‬شماره ‪ ،6‬سال ‪ ،1397‬صفحات ‪ 1361‬تا ‪1374‬‬
‫‪DOI: 10.22060/mej.2017.12703.5402‬‬

‫شبیه‌سازی انرژی و تحلیل پارامتری سیستم فتوولتائیک حرارتی آب خنک‬

‫‪3‬‬
‫مهدی شکوری‪ 1‬و ‪ ،2‬علیرضا نورپور‪ ،*1‬سودابه گلزار‪ ،2‬محمد ضامن‬
‫‪1‬دانشکده محیط زیست‪ ،‬پردیس دانشکده‌های فنی‪ ،‬دانشگاه تهران‪ ،‬تهران‪ ،‬ایران‬
‫‪2‬جهاد دانشگاهی‪ ،‬پژوهشکده توسعه صنایع شیمیایی ایران‪ ،‬گروه پژوهشی آب و انرژی‪ ،‬کرج‪ ،‬ایران‬
‫‪ 3‬دانشکده مهندسی مکانیک و مکاترونیک‪ ،‬دانشگاه صنعتی شاهرود‪ ،‬شاهرود‪ ،‬ایران‬

‫تاریخچه داوری‪:‬‬ ‫چکیده‪ :‬در این مقاله شبیه سازی انرژی سیستم فتوولتائیک حرارتی آب خنک با استفاده از توسعه کد در نرم افزار متلب انجام‬
‫دریافت‪ 8 :‬فروردین ‪1396‬‬
‫شده است‪ .‬آرایش سیستم به صورت کلکتور ورق و لوله مارپیچ است‪ .‬مدل ارائه شده در این مقاله با داده‌های تجربی اعتبار سنجی‬
‫بازنگری‪ 27 :‬مرداد ‪1396‬‬
‫شده و در ادامه عملکرد کلی سیستم مورد بررسی قرار گرفته است‪ .‬سپس برای تحلیل عملکرد انرژی سیستم شبیه‌سازی شده از‬
‫پذیرش‪ 15 :‬شهریور ‪1396‬‬
‫ارائه آنالین‪ 20 :‬شهریور ‪1396‬‬ ‫تحلیل پارامتری استفاده شده است‪ .‬بر این اساس تغییرات بازده کلی انرژی و افت فشار با تغییر دبی سیال خنک کن‪ ،‬فاصله بین‬
‫لوله‌ها و قطر لوله‌ها بررسی شده است‪ .‬با بررسی نمودارهای تحلیلی در حالت‌های مختلف‪ ،‬می‌توان محدوده پارامترهای کنترلی‬
‫کلمات کليدي‪:‬‬
‫و عملکردی را ارزیابی نمود و بر اساس آن خروجی مورد انتظار را در یک چارچوب منطقی به دست آورد‪ .‬این نوع تحلیل یک‬
‫سیستم فتوولتائیک حرارتی آب خنک‬
‫تحلیل انرژی‬ ‫گام مهم به منظور طراحی کاربردی سیستم خواهد بود و بر اساس آن می‌توان در شرایط اقلیمی مختلف‪ ،‬طراحی بهینه سیستم از‬
‫تحلیل پارامتری‬ ‫دیدگاه بهبود بازدهی انرژی را تطبیق داد‪ .‬نتایج نشان می‌دهد عملکرد سیستم فتوولتائیک حرارتی با دبی جرمی ‪ 0/016‬کیلوگرم‬
‫بهبود بازده انرژی‬ ‫بر ثانیه و با لوله‌هایی به قطر خارجی ‪ 1‬سانتیمتر و با فاصله ‪ 7‬تا ‪ 11‬سانتیمتر از یکدیگر بهینه است‪.‬‬

‫تجربی نشان می‌دهد که برای ارزیابی عملکرد ‪ ،PV/T‬مدل یک بعدی پایا‬ ‫‪1-1‬مقدمه‬
‫را می‌توان همانند مدل سه بعدی دینامیکی به کار برد [‪ .]2‬بررسی نتایج‬ ‫سیستم‌های فتوولتائیک حرارتی با گردش سیالی مانند آب یا هوا در‬
‫‪1‬‬

‫عملکرد کلکتورهای ‪ PV/T‬در سه طرح گوناگون جاذب شامل جریان موازی‪،‬‬
‫جریان مستقیم و انشعابی‪ ،‬نشان می‌دهد که طرح انشعابی از بازده باالتری‬
‫برخوردار است‪ .‬همچنین فاصله کمتر بین لوله‌ها‪ ،‬دمای آب ورودی پایین‌تر‬
‫به سیستم‪ ،‬ضریب اتالف حرارتی کلی کمتر و نیز افزایش دمای محیط منجر‬
‫به افزایش بازده ‪ PV/T‬می‌شود [‪ .]3‬شبیه سازی سیستم در یک مدل دیگر‬
‫نشان دهنده بازده حرارتی در حدود ‪ 58‬درصد است که بسیار نزدیک به مقدار‬
‫تجربی ‪ 61‬درصد است [‪ .]4‬شبیه‌سازی و تحلیل پارامتری هفت ساختار از‬
‫کلکتورهای جاذب ‪ PV/T‬نشان می‌دهد بهترین ساختار‪ ،‬طرح جریان حلزونی‬
‫است که در آن بازدهی حرارتی ‪ 50/12‬درصد و بازدهی الکتریکی سلول برابر‬
‫با ‪ 11/98‬درصد است [‪.]5‬‬
‫نتایج بررسی عملکرد سیستم ‪ PV/T‬هدر‪ -‬رایزر با استفاده از مدل‬
‫عددی و تاثیر تغییر پارامترهایی همچون دبی جرمی و زاویه قرارگیری کلکتور‬
‫نشان می‌دهد که افزایش زاویه قرارگیری ماژول ‪ PV/T‬باعث کاهش بازده‬
‫الکتریکی شده و افزایش دبی جرمی موجب کاهش دمای پنل فتوولتائیک‬
‫و در نتیجه افزایش بازدهی آن می‌شود [‪ .]6‬مقایسه میزان انرژی تولید شده‬
‫در یک سیستم ترکیبی ‪ PV/T‬با سیستم فتوولتائیک و کلکتور خورشیدی به‬
‫روش عددی نشان می‌دهد که انرژی الکتریکی تولید شده توسط ‪14 ،PV/T‬‬
‫اطراف سلول‌های فتوولتائیک‪ ،‬انرژی حرارتی اتالف شده را بازیابی می‌کنند‪.‬‬
‫این نوع سیستم‪ ،‬ترکیبی از سیستم فتوولتائیک و سیستم حرارتی خورشیدی‬
‫است که به طور همزمان حرارت و برق خورشیدی از آن تولید می‌شود‪ .‬در‬
‫این نوع سیستم انرژی‪ ،‬ضمن استفاده بهینه از فضاي نصب‪ ،‬افزایش بازدهی‬
‫ماژول فتوولتائیک امکان پذیر می‌شود‪ .‬سیال عامل در این نوع سیستم‌ها‬
‫می‌تواند شامل آب‪ ،‬هوا و سیال ترکیبی هوا‪/‬آب باشد [‪ .]1‬با توجه به کاربرد‬
‫بیشتر در خصوص مصارف آب گرم بهداشتی در ساختمان‌های مسکونی و‬
‫تجاری‪ ،‬سیستم با سیال خنک کننده آب استفاده فراوانی دارد‪.‬‬
‫بررسی عملکرد حرارتی و الکتریکی انواع سیستم‌های ‪ PV/T‬آب خنک‪،‬‬
‫به روش‌های تحلیلی و تجربی از اهمیت ویژه‌ای برخوردار است‪ .‬در بیشتر‬
‫پژوهش‌های قبلی‪ ،‬سیستم ‪ PV/T‬به روش‌های تحلیلی با معادالت ریاضی‬
‫یا با نرم افزار شبیه‌سازی شده است‪ .‬در پژوهشی در سال ‪ ،2002‬چهار‬
‫مدل عددی برای شبیه سازی عملکرد حرارتی سیستم ترکیبی ‪ PV/T‬ارائه‬
‫شد که شامل یک مدل سه بعدی دینامیکی و سه مدل حالت پایدار سه‬
‫بعدی‪ ،‬دوبعدی و یک بعدی است‪ .‬مقایسه نتایج به دست آمده با داده‌های‬
‫‪1‬‬ ‫)‪Photovoltaic Thermal system (PV/T‬‬
‫نویسنده عهده‌دار مکاتبات‪noorpoor@ut.ac.ir :‬‬

‫‪1361‬‬
 ‫نشریه مهندسی مکانیک امیرکبیر‪ ،‬دوره ‪ ،50‬شماره ‪ ،6‬سال ‪ ،1397‬صفحه ‪ 1361‬تا ‪1374‬‬
‫این تحقیق نسبت به نمونه‌های قبلی ‪ 40/5‬درصد وزن کمتری داشت [‪.]11‬‬
‫در پژوهشی در سال ‪ 2013‬عملکرد نمونه‌ای از سیستم ‪ PV/T‬آب خنک به‬
‫روش تحلیلی بررسی شد‪ .‬سیستم ارزیابی شده کانال‌های مستطیلی داشت‪ .‬با‬
‫توجه به معادالت تراز انرژی در الیه‌های ‪ ،PV/T‬پارامترهای عملکردی آن‬
‫نظیر بازده ‪ ،PV‬دمای سلول خورشیدی‪ ،‬دمای آب خروجی و حرارت مفید‬
‫دریافتی مورد محاسبه قرار گرفت‪ .‬سپس تاثیر تغییرات دمای آب ورودی‪،‬‬
‫تعداد ماژول‌های ‪ PV/T‬و دبی جریان آب بر پارامترهای عملکردی بررسی‬
‫شد‪ .‬نتایج نشان می‌دهد آب ورودی با دمای کمتر‪ ،‬دبی جرمی باالتر و‬
‫تعداد کمتر ماژول‌های ‪ PV/T‬منجر به بازده الکتریکی باالتر شدد [‪ .]12‬در‬
‫مطالعه‌ای در سال ‪ 2014‬به منظور بهینه سازی‌‪ ،‬نمونه‌ای از سیستم ‪PV/T‬‬
‫آب خنک شبیه سازی شد‪ .‬در این پژوهش تحلیل سیستم بر اساس قانون دوم‬
‫ترمودینامیک انجام شد‪ .‬در ادامه تاثیر تغییرات دمای آب ورودی بر عملکرد‬
‫حرارتی و الکتریکی ارزیابی شد‪ .‬بر اساس بازده اگزرژی‪ ،‬مقدار بهینه دمای‬
‫آب ورودی به دست آمد [‪ .]13‬در سال ‪ 2014‬نمونه‌ای از سیستم ‪ PV/T‬آب‬
‫خنک هدر‪-‬رایزر با استفاده از بهینه سازی تابع چند هدفه (‪ )NSGA-ІІ‬به‬
‫کمک نرم افزار متلب‪ 2‬بررسی شد‪ .‬پارامترهای دبی جرمی‪ ،‬طول کلکتور‪،‬‬
‫فاصله هوایی‪ ،‬حجم تانک ذخیره و تعداد ماژول‌های ‪ ،PV/T‬در این تحقیق‬
‫بهینه شدند‪ .‬توابع هدف شامل افزایش بازده حرارتی‪ ،‬کاهش افت فشار‪،‬‬
‫کاهش سرمایه گذاری اولیه و کاهش مصرف منبع گرمایی کمکی بود [‪.]14‬‬
‫در بیشتر پژوهش‌های قبلی‪ ،‬مدل‌های کانال با مقطع مستطیلی و صفحه‬
‫لوله با آرایش هدر‪-‬رایزر بررسی شده است‪ .‬در زمینه شبیه سازی مدل مارپیچ‬
‫تحقیقات چندانی انجام نشده است‪ .‬در سال ‪ 2014‬تحلیل پارامتری برای‬
‫بررسی تاثیر پارامترهای قطر لوله و تعداد لوله‌ها بر ضریب برداشت گرما‬
‫انجام شد‪ .‬با توجه به نتایج به دست آمده‪ ،‬لوله‌هایی با مقطع مستطیلی ضریب‬
‫برداشت گرمای باالتری داشتند‪ .‬همچنین قطر کوچکتر و بیشتر بودن تعداد‬
‫لوله‌ها منجر به ضریب برداشت گرمای باالتری شد [‪ .]15‬در ساخت بیشتر‬
‫نمونه‌های تجاری و تحقیقاتی سیستم ‪ PV/T‬دو ساختار هدر‪-‬رایزر و مارپیچ‬
‫استفاده شده است‪ .‬از میان سه طرح مارپیچی‪ ،‬هدر‪-‬رایزر و انشعابی بررسی‬
‫شده در یک تحقیق‪ ،‬طرح انشعابی بیشترین بازده و طرح هدر‪-‬رایزر کمترین‬
‫بازده را داشت [‪ .]3‬در دو طرح مارپیچی و هدر‪-‬رایزر‪ ،‬طرح مارپیچی بازده‬
‫بیشتری داشت [‪.]11‬‬
‫هدف از این پژوهش بررسی تحلیلی مدل مارپیچ به روش تحلیل انرژی‬
‫است‪ .‬با توجه به معادالت تراز انرژی که در منابع مختلف برای سیستم‌های‬
‫‪ PV/T‬و کلکتور خورشیدی ارائه شده است‪ ،‬معادالت ریاضی برای مدل‬
‫سازی این سیستم استخراج شد‪ .‬معادالت مرتبط با تحلیل انرژی با استفاده‬
‫از توسعه کد در نرم افزار متلب حل شده است‪ .‬مدل ارائه شده با اسفاده از‬
‫داده‌های تجربی سایر منابع اعتبار سنجی شد و از مدل نهایی برای تحلیل‬
‫پارامتری استفاده شده است‪ .‬با تحلیل پارامتری سیستم می‌توان تاثیر تغییرات‬
‫پارامترها را بهتر بررسی کرد و با بهینه سازی‪ ،‬سیستم مناسب را طراحی نمود‪.‬‬
‫‪2‬‬ ‫‪MATLAB‬‬
‫‪1362‬‬
‫درصد نسبت به انرژی الکتریکی تولید شده توسط ‪ PV‬کمتر است و انرژی‬
‫حرارتی آن نیز نسبت به کلکتورهای خورشیدی ‪ 19‬درصد کمتر می‌باشد‪.‬‬
‫در این پژوهش برای کاهش تلفات انرژی حرارتی و الکتریکی‪ ،‬استفاده از‬
‫پوشش‌های ضد انعکاس و ضد نشر پیشنهاد شده است [‪ .]7‬در مطالعه‌ای‬
‫دیگر‪ ،‬دو مدل از انواع سیستم‌های ‪ PV/T‬آب خنک شامل ساختار صفحه‬
‫لوله با لوله‌های هدر‪ -‬رایزر و پنل مونو کریستال و ساختار دارای کانال و پنل‬
‫فتوولتائیک پلی کریستال به روش تجربی و تئوری بررسی شد‪ .‬مدل تئوری‬
‫بر اساس معادالت تعادل انرژی ارائه شده است‪ .‬این مدل با داده‌های به دست‬
‫آمده از آزمایش‌های تجربی مقایسه شد‪ .‬بر اساس نتایج‪ ،‬نوع اول دارای بازده‬
‫حرارتی ‪ 40/7‬درصد و بازده الکتریکی ‪ 11/8‬درصد است و نوع دوم دارای‬
‫بازده حرارتی و الکتریکی به ترتیب ‪ 39/4‬و ‪ 11/5‬درصد بوده است‪ .‬همچنین‬
‫نتایج نشان می‌دهد که بازده ‪ PV‬در سیستم ترکیبی ‪ 4‬درصد باالتر از بازده‬
‫‪ PV‬استاندارد است [‪.]8‬‬
‫پارامترهای مختلف شامل پارامترهای آب و هوایی‪ ،‬هندسی‪،‬‬
‫ترمودینامیکی‪ ،‬اپتیکی و عملیاتی بر انرژی تولیدی سیستم ‪ PV/T‬تاثیر گذار‬
‫است‪ .‬با تحلیل پارامتری سیستم می‌توان تاثیر تغییرات پارامترها را بررسی‬
‫کرده و با انجام بهینه سازی‪ ،‬سیستم مورد نظر را به طور مناسب طراحی‬
‫نمود‪ .‬در پژوهشی در سال ‪ ،2007‬تاثیر دو پارامتر ضریب عبوردهی پوشش‬
‫شیشه‌ای و ضریب فشردگی بررسی شد‪ .‬در این پژوهش‪ ،‬سیستم ‪ PV/T‬با‬
‫کانال‌های مستطیلی شکل با روابط ریاضی مدل سازی شد‪ .‬بر اساس نتایج‬
‫این پژوهش‪ ،‬بازده حرارتی‪-‬الکتریکی با افزایش ضریب عبوردهی پوشش‬
‫شیشه‌ای‪ ،‬افزایش یافت‪ .‬همچنین با افزایش ضریب فشردگی‪ ،‬مساحت‬
‫پوشانده شده توسط سلول‌ها افزایش می‌یابد و به این ترتیب‪ ،‬مقدار انرژی‬
‫الکتریکی تولیدی توسط پنل ‪ 79‬درصد افزایش یافته اما بازدهی آن تغییرات‬
‫اندکی داشت [‪.]9‬‬
‫در پژوهشی دیگر‪ ،‬سیستم ‪ PV/T‬مدل هدر‪-‬رایزر با روابط ریاضی شبیه‬
‫سازی شد و در ادامه تاثیر تغییرات دبی آب‪ ،‬طول کلکتور و دمای صفحه جمع‬
‫کننده ارزیابی شد‪ .‬نتایج بیان‌گر آن است که با افزایش دبی و طول کلکتور‪،‬‬
‫بازده کلی افزایش و با زیاد شدن دمای جمع کننده‪ ،‬بازده کلی کاهش یافت‪.‬‬
‫در این پژوهش‪ ،‬تغییرات پارامترهای مذکور بر بازده اگزرژی نیز بررسی شد‪.‬‬
‫با افزایش دبی و طول کلکتور‪ ،‬نقطه بهینه‌ای برای بازده اگزرژی به دست‬
‫آمد‪ .‬در دبی ‪ 0/006‬کیلوگرم در ثانیه و طول ‪ 2‬متر‪ ،‬بازدهی اگزرژی به مقدار‬
‫بیشینه رسید اما با افزایش دمای جمع کننده‪ ،‬بازدهی اگزرژی نیز کاهش‬
‫یافت [‪ .]10‬در سال ‪ ،2011‬در پژوهشی‪ ،‬دو مدل ‪ PV/T‬هدر‪ -‬رایزر و مارپیچ‬
‫با استفاده از نرم افزار ای‪.‬ای‪.‬اس‪ 1.‬شبیه سازی شد‪ .‬در این پژوهش‪ ،‬تغییرات‬
‫پارامترهای قطر داخلی لوله‪ ،‬فاصله بین لوله‌ها‪ ،‬ضخامت صفحه جاذب‬
‫بررسی شد و مقادیر بهینه برای پارامترهای مذکور برای مدل هدر‪-‬رایزر و‬
‫مدل مارپیچ محاسبه شد‪ .‬نتایج نشان می‌دهد که نمونه به شکل مارپیچ‪ ،‬در‬
‫حدود ‪ 4‬درصد بازده باالتری داشت‪ .‬طرح جاذب مارپیچ بهینه ارائه شده در‬
‫‪1‬‬ ‫)‪Engineering Equation Solver (EES‬‬
 ‫نشریه مهندسی مکانیک امیرکبیر‪ ،‬دوره ‪ ،50‬شماره ‪ ،6‬سال ‪ ،1397‬صفحه ‪ 1361‬تا ‪1374‬‬

‫در این پژوهش تاثیر تغییرات پارامترهای مختلف شامل دبی جرمی جریان‬
‫آب‪ ،‬قطر لوله و فاصله بین لوله‌ها (تعداد لوله‌ها) بر عملکرد سیستم ارزیابی‬
‫شد‪ .‬تغییرات در عملکرد با استفاده از بازده حرارتی‪ ،‬بازده الکتریکی‪ ،‬بازده کلی‬
‫و افت فشار نشان داده شده است‪ .‬در ادامه به منظور مقایسه نتایج‪ ،‬نمودارهای‬
‫تحلیلی ترسیم شده است‪.‬‬

‫‪2-2‬معادالت حاکم و شبیه سازی سیستم ‪PV/T‬‬

‫در این بخش پس از توصیف معادالت حاکم بر سیستم ‪ ،PV/T‬شبیه‬
‫سازی سیستم با استفاده از توسعه کد نرم افزاری انجام شده است‪.‬‬

‫‪2-22-2‬معادالت حاکم بر سیستم ‪PV/T‬‬

‫در شکل ‪ 1‬و ‪ 2‬شمایی از مقطع ‪ PV/T‬آب خنک این مقاله در یک‬
‫مجرای جریان و مدار مقاومت حرارتي معادل آن مشاهده می‌شود‪ .‬معادالت‬
‫ریاضی به کار برده شده برای شبیه سازی سیستم ‪ ،PV/T‬از مراجع [‪،4 ،2‬‬
‫]‪Fig. 2. Thermal resistance circuit diagram of PV/T [4, 10‬‬
‫شکل ‪ :2‬مدار مقاومت حرارتی معادل سیستم ‪[10 ، 4] PV/T‬‬
‫‪ 16 ،10‬و ‪ ]17‬استخراج شده است‪ .‬معادالت ریاضی به روش مقاومت بندی‬
‫گرمایی و تراز انرژی برای الیه‌های مختلف ‪ PV/T‬ارائه شده است‪.‬‬
‫عبوری از هدر در ‪ N‬لوله رایزر تقسیم می‌شود‪.‬‬
‫در مدل مارپیچ جریان سیال عبوری از هر لوله وارد لوله بعد می‌شود و‬
‫به این ترتیب توزیع دما از هر لوله به لوله بعد تغییر می‌کند که این مورد‬
‫در شکل‌های ‪ 3‬و ‪ 4‬نشان داده شده است‪ .‬برای مدل سازی این بخش از‬
‫‪ PV/T‬از مدل عددی ارائه شده در منبع [‪ ]18‬استفاده شده که در آن با‬
‫نوشتن معادله انرژی برای یک المان از هر لوله و با استفاده از روش عددی‪،‬‬
‫حرارت مفید دریافت شده محاسبه شده است‪ .‬سیستم ‪ PV/T‬فوق متشکل از‬
‫پنل کریستالی است که توسط چسبی با قابلیت هدایت باال به صفحه جاذب‬
‫آلومینیومی متصل شده است‪.‬‬
‫‪Fig. 1. Cross section view of PV/T system‬‬
‫شکل ‪ :1‬شمایی از مقطع سیستم ‪ PV/T‬روی یک مجرای جریان‬

‫به منظور توسعه تراز انرژی فرضیات زیر برقرار است [‪:]10 ،4‬‬
‫• تمام فرآيندها در حالت جريان‪-‬دائم هستند؛‬
‫• جريان سیال در مجاري جريان‪ ،‬توسعه يافته و یکنواخت است؛‬
‫• از ظرفیت گرمای ویژه همه اجزا به جز سیال داخل مجاری جریان‬
‫صرف نظر شده است؛‬
‫• در هر الیه دمای متوسط در نظر گرفته شده است؛‬
‫• دماي محيط اطراف در مجاورت قسمت تحتاني و فوقاني و جوانب‬
‫ماژول ‪ PV/T‬یکسان است و اتالف گرما از قسمت‌هاي فوقاني و‬
‫تحتاني و جوانب ماژول ‪ PV/T‬به محيط با دماي يكسان است؛‬
‫• برای محاسبات بازده الکتریکی‪ ،‬مرز در نظر گرفته شده فقط شامل‬
‫المان ‪ PV/T‬است و فرض بر آن است انرژی الکتریکی مصرف‬
‫شده برای پمپ از منبع دیگری تامین شده است‪.‬‬
‫‪Fig. 3. Schematic diagram of absorber plate and serpentine tube‬‬
‫شکل ‪ :3‬شمایی از صفحه جاذب و لوله ‪ PV/T‬مارپیچی [‪]18‬‬
‫در مدل هدر‪ -‬رایزر توزیع دما در تمام لوله‌ها یکسان و جریان سیال‬

‫‪1363‬‬
 τ G α g G (t ) bdx = bdx
( hr ,cg + hconv ,cg )(T g −T cell ) 
 
 (h hconv ,t + +h hr ,gs )(T T g −T a ) +
ττ G α gG ((tt )) bdx =  ( conv conv ,,tt gs )( gg − T aa ) + 
rr ,, gs
 bdx
α G bdx  ,cg + hconv ,cg )(T g −T cell )  bdx
τ G αc βcG (t ) + (1((−hhβrrrconv
=
cg))( )( )
)  ‫ صفحه‬،1397 ‫ سال‬،6 ‫ شماره‬،50 ‫ دوره‬،‫نشریه مهندسی مکانیک امیرکبیر‬
G
G g g
c ),t T conv
,,cg
cg α
+ +
h Gh
conv r(, gs
t ,,cg  T 1374
T
bdx
 ggg acell − −T= ‫تا‬
T 1361
cell+
τ G α g G (t ) bdx =  bdx
U t (T c − T amb ) + U (Th(rT,cgc +− Thconv bs )  )(T +g η−cTGcell(t)) βcbdx
 ,cgbdx
ττ G α c βcG (t ) + (1 − βc ) αT G (tt ) 
‫دست‬ G α cc βccG (t ) + (1 − βcc ) αT
G
‫ به‬Tbs ‫ و‬Tcell ‫برای دماهای‬T G‫معادالتی‬ ( ) bdx bdx =
=
،)2( ‫) و‬1( ‫با استفاده از روابط‬ ‫ سانتیمتر از‬2 ‫الیه فوقانی سیستم پوششی شیشه‌ای دارد که با فاصله‬
U τU U  t (α (
(
T T c −−TTamb )))bdx
T β − G T (bs‫دست م)ی‬
t +
+ U T=
+( TT ‫به‬cTcc)4(
1
U − (
(
β T
Th c α (−TT bs−))T
) T‫معادله‬
− T G
 bdx
bs (  )f 
t bdx ) bdx+ ηcG ((t )) βc bdx
+ η = G t β bdx
GT  tt ccell cc c .‫‌آید‬ amb
amb bsbs
،)1( ‫معادله‬ cc ‫دادن در‬ cc ‫می‌آید که با قرار‬ ‫ جنس صفحه‬.‫سطح پنل قرار دارد و تلفات حرارتی سیستم را کاهش می‌دهد‬
U t (T c − T amb ) + U T (T c − T bs )  bdx + ηcG (t ) βc bdx ،‫ در مدل توسعه داده شده‬.‫جاذب از آلومینیوم و جنس لوله‌ها از مس است‬
U hTTT (((TT cell−− T= T bs) ) bdx U T (T
bs ) bdx
=hT −(TTbs=
hTT (T+bs
−) T f ) bdx
− T ff)()Tbdx−T ) + 
U T Tbs cell − T
cell f bs
( =
 ( hconv ,t + hr ,gs )(T g −T a ) + 
h cell
conv ,t h
bs
bs
r , gs g a )(( ‫ قطر خارجی لوله‌ها‬،W ‫ فاصله بین لوله‌ها‬.‫ قسمت است‬N ‫کلکتور دارای‬
(ggTpG2cell(((τα
ττhGpα 1h
G tt )) bdx )effbs )Gbdx  −U (T −T )
=(t )=
=  bdx
GTα − Tbdx tw(T f − T amb ) bdx
( h conv ,cg )( )
U h bdx
hT (T bs − T= f ) U T((T
hrrcell T
,cg +T
,cg − +h bs
h= ) ,cg )(TT gg −−TT cell
f
cell ) 
 ‫ دمای آب خروجی‬.‫ است‬L ‫ و طول لوله در هر قسمت‬Di ‫ قطر داخلی‬،Do
hTT (T bs bs − T= ff ) U T T (T cell cell − T = bs )
conv
bs
‫معادالت‬ ‫استفاده از‬ ‫(با‬t ‫واحد‬ ‫(طول‬T‫ام با‬−Ti ‫میزان جریان حرارت برای )لوله‬
bs
.‫از هر قسمت به عنوان دمای آب ورودی قسمت بعد در نظر گرفته می‌شود‬
qhhhippp+111(hh=Tpppκ222 (([−τα θTi −= ) − θG
1)eff ) (Tt ))(T−−cell
GiUcosh U
m tw ] (T= amb )
bsf )
τα U tw− T
f − T amb
.‫‌شود‬ ‫ی‬ ‫م‬ ‫محاسبه‬ ‫محدود‬ ‫تفاضل‬ ‫روش‬ ‫به‬ ‫و‬ )9( ‫تا‬ )5(
tw f amb
ττ G α T bs
β G f eff
(eff
t ) + ( 1 − β ) α G ( t )  bdx = ‫فرض بر این است که دمای صفحه جاذب در محل اتصال به لوله در راستای‬
)eff G=(t )(( hh−conv )( TTbdx a)+
cG (t ) + (1  − βcc ),α T G (t ) 
(hG2p 1≤hαpicc2 ≤β(τα cN ) + h ,gs )(
U tw,tt (T+Thf rr − , gsT amb
T=
g) − T a ) + 
g −

ττqU G+ α
α G
+ ( κc[(θ ) amb
T
G ( − t
t T) bdx
bdx − θ))i+cosh
=+ U T (
conv
T,cgcc]]+− Thconv
T − T bs )  bdx + η G t bdx
((t )) βcc bdx
 β
bdx bdx ‫ است و از گرادیان دما برای صفحه جاذب‬Tbi ‫طول لوله یکنواخت و برابر با‬
qU G i+ t=g(T
g
ii t= κc[θ ii −
−iT−11amb
−1 − θ ii cosh
U ((Th (mm bs ) 
hr ,gs,,cg
 bdx
cg)( )()(TTTg+gg −η−−TccTTGacell
) +)) 
 hrrconv
,cg ,+ t + hconv cell
) ((
= τq(( G22i+−α≤
q i ≤=giκ
iG≤[(θtN) bdx
κ≤[θNii +−11)−
)− θθi=cosh  m]
]+Thconv−T,cg )(bdx
 bdx ‫ در این معادالت صفحه جاذب‬.‫در راستای طول لوله صرف نظر شده است‬
i cosh ( hrm T − T ) 
U T (T cell − T bs ) bdx
T − T bdx = h T ( (TTbsbsG −(tT)ff)) bdx .‫متصل به لوله به شکل مسئله پره در نظر گرفته شده است‬
ττ((1G2T≤≤(α −(bst1))+ (1 −= 
,cg g cell
U ii cell
≤β NN βhcT) α
cG )  bdx bdx =
G− α c βcG (t ) + (1 − βc ) αT G (t ) 
c≤ =
=
=
q i−− κ
q ii (Tκ [θ−iiT++11 − θ)ii+cosh [ θ − θ cosh m
m ]
]α−−TTGbs ))t bdx
1 −TTTβ((cell cG (t ) βc bdx )((
i + 1 i
τ(hh1U U (
tt Tα (iTbsc≤ccβ−−−cNGTTT= ())t1)))+U +(U T (
U T
Tc cc)− TT =bs )(  ) bdx  bdx +η
+ η= cG (t ) βc bdx
(
amb
=
= q (
T+≤
G T
q i κ [θi +1 − θi cosh m ]
1
T
1
−
≤ i κθ
bs≤ 1N [ 1 = f−
f−
amb
− cosh
1 ) U (
T m ]cell − T =
T bs )
bs

hhUp 1thh(pT2 c((τα − T))amb ) +((Utt ))T −−(U

G T ctw−((TT f )− T Tbdx amb ) + ηcG (t ) βc bdx
τα eff G U tw T f − amb )
bs
(U1p+TT≤1 ((TTip 2cell
U ≤ N−
cell −1T−bscosh
T − )
eff1 bdx =
) bdxm= h ( T
hT (T bs − T f ) bdx− T ) bdx
1 [ 1 − cosh m] )((
bs T bs f
qqq111N++ κθ κθ
11N[1[− cosh m ] ]
=
=
=
−
+
κθ
U qq i+T = ( T κ [ θ − T −
= κcell[θii −−11 bs− θ ii cosh mT ] bs θ) bdxcosh = mh ] ( T − T ) bdx
−1 [T T]cell −
f
= qhhT1i−+ ((T Tκθ bs − T1= = f −) ) coshU Tm((T
U −T T= bs )
= )
= ( 2
q2N− ≤ qiκθ
q(h=
T ≤ ibs
≤+NNNq[[11)i −
≤ N f ) cosh m ]
− cosh T cell bs
)((
] tw ((TT f −−TT amb ))
− +
q −
κθ
=
hhTNpp 11(hhTppbs22 ((−τα
iN i τα N )
)f effeff) GG ((tt ))m− −U U
T= U T (T cell tw− T = bsf ) amb
= q N− κθ −
[1 −θGcosh m]
−([ θθ+−Ni Tqq+1)i+++eff− ( t ) −U / Utw]] (T ) f −T amb )
κ − τα
=
= θqqqh= = − h pq
iip 1= Tqκ2i− [ + − θ i cosh
− (
coshS abs m
m
)((
ii+
qq(1iii+≤= =κ κbiii [[θθii +−11iiamb −θ
− θii cosh
cosh m ]] L
m
(q(= 1 ≤ iiq≤ ≤− + N
Ni q−1− −+ 1 1)) i
θθq( 2iuii+==
2≤ ≤=Tiiκqbii≤ ≤θ−N ))i −Uθ−θcosh :‫در معادالت مذکور‬
T i[ −
= NiT−D i ((iSS abs m// U U] L ))
ii bi
bi amb
amb ( abs
abs T1amb
L
L ) o − L

= qq( 21++ ≤ iκθ κθ≤1N [[11 −−) cosh m]

=
=θ q1ii−−==Tκ κqbi[[θθ1−−i T+D
cosh
−Uθ (Smabs] m
θ−i θcosh
cosh m / U] L ) )(1(
= q
qq= ui
uii= (Ti bi−i −
q D
1 −
amb
+1To fi )L
U iθ /R i ]
((11ui−≤≤ iiκκθ 1))‫لوله‬
ui i
i o
o L i L i
‫نرخ‬ ≤
≤[θ ‫و‬N
N ‫است‬
Ni +[
−−−1
− ‫هر‬m ]]‫باالی‬] ‫ دمای پایه قسمت‬Tbi )10( ‫در معادله‬
=
=
= quiiNN−=Sabs
q
qκθ − [
D11
1 −θcosh
oU L θ i
i cosh
cosh mm
‫مفید‬ q
θq(= ==1uiiuiui≤ ‫انرژی‬ (T
iθ(fi≤
i N
T bibibi+N Rq .‫‌رسد‬
−
− T )
−T1uifififi)‫م )ي‬/ R‫حرارت به ازاي واحد سطح است كه به صفحه جاذب‬
/ R Fig. 4. Temperature distribution of plate between segments i and i+1
= q1++ κθ κθ − 1 [1 1 cosh m
−++ cosh m ]] [18] i+1 ‫ و‬i ‫ توزیع دمای صفحه جاذب بین لوله‌های‬:4 ‫شکل‬
‫محاسبه‬ − 1+[ q−
i )11( ‫رابطه‬ ‫واحد از‬ ‫ ام به طول‬i ‫به دست آمده توسط سیال در لوله‬
= q = q
q= = 1i
i
ui q(T i bi + q−iiT fi ) / R
θ = + θ fi + Rq ui
= θκ‫م‬fifi[‫منتقل‬δ1+[1−Rq R Γ] m
− 1
،‫‌شود‬
= θq= 1uii ‫ی‬κθ
i
‫سیال‬
−κcosh
ui
ui ‫به‬Γ]‫جاذب‬
θ f ‫ از طرفی انرژی حرارتی مفید که از‬،‫می‌شود‬
‫ ارائه شده‬1 ‫معادله تراز انرژی برای الیه پوشش شیشه‌ای در معادله‬
=
=θθqq=
−
−
N= T κθ
κθ − NT [
[ 1
1 −
amb − (
− cosh
cosh
− S m
m ]]/ U L )
iN =
i Tθbibifi +−N TRq amb ui (S−1abs
abs / U L ) .‫) محاسبه می‌شود‬12( ‫از رابطه‬ .‫است‬
= qqΓuuuN−ij== = κ κκθ(γ[[δδN+−−[δ1κκi 1−RR+cosh Γδ]iN−1)m
Γ ]
− 1 Γδθ
Γ θij]fff + δ ij +1 + δ ij −1
)(1(
− +
q
q = i= q qi− +− −q Dii+oUU Lθ
qq= i= qqi i + qD  ( hconv ,t + hr ,gs )(T g −T a ) + 
u= κ [ Γθ]ii Γθ f
−1
iδ −κ oRL
ui
ui

qΓ Γ= ij == q(−
(iγγ +++qδδi+iii 111 ++ δδ iNiNiN )) δδ ijijij ++ δδ ijijij +++111 ++ δδ ijijij −−−111 τ G α g G (t ) bdx =   bdx )((
iij
− (S ( hr ,cg + hconv ,cg )(T g −T cell ) 
U LL ))
ij
θθq= = T
T(bibiT −T
− abs // U
T fifi+))−δ//(R
iui =
T
T−amb S abs  
qΓ ui = ( (Tγ bibi+−δamb R )(1(
i
=
ij i1 iN ) δ ij + δ ij +1 + δ ij −1
θi =T bi −T amb − ( S abs / U L ) ‫ ضرایب انتقال حرارت تابشی به ترتیب بین‬hr,cg ‫ و‬hr,gs )1( ‫در معادله‬
‫به‬θθqq= = i=
=‫ ام‬iθθqqfi‫لوله‬
i + −
− Rq ‫باالیی‬
D
Rq
D oU
oU Lθi
θ‫سطح‬ ‫ انرژی جمع آوری شدن در‬-DoULθi ‫عبارت‬ τ G αc βcG (t ) + (1 − βc ) αT G (t )  bdx =
‫ همچنین ضرایب‬.‫ سلول‌های خورشیدی است‬- ‫ محیط و شیشه‬- ‫شیشه‬
ui ui L i
ui i +
i fi ui
‫به‬qui=‫معادله‬q i ‫دادن‬
− Do‫قرار‬
U L θ‫ و‬i)9( ‫) در معادله‬13( ‫ با قرار دادن معادله‬.‫طول واحد است‬ U t (T c −T amb ) + U T (T c −T bs )  bdx + ηcG (t ) βc bdx
( fi )
‫ ضرایب انتقال حرارت جابجایی به ترتیب بین پوشش‬hconv,cg ‫ و‬hconv,t
qq=
=
quiuu == κ
ui T
κ(.‫‌شود‬
− T
T[δbibi −‫ی‬T )ΓΓ//]]RR−−11 ΓΓ)14(
[δ − κκ‫م‬fiRR‫حاصل‬ θθ f ‫ معادله‌ای ماتریسی‬،)11( ‫دست آمده در معادله‬
f
‫تراز‬
U T (.‫است‬T cell −‫خورشیدی‬
T bs ) bdx (‫‌های‬
=hT‫سلو(ل‬-‫‌ای‬T bsh− T‫ه‬f)( ‫شیش‬
)Tbdx ‫ محیط و پوشش‬- ‫شیشه‌ای‬
(T bi T aa )) +
q= − T fi ) / R  ( hhconv 
ui
θθ=
= θ + Rq
Γiiij == θ((fifiγγ ++
Rq
+ δδ iN )) δδ ij + )(1( ‫در‬ττ G‫ترتیب‬
α G (‫به‬
t )‫تدالر‬
bdx ‫زیرین‬
=  ‫سطح‬
conv
,t +
,t + h
‫برای‬r , ‫و‬
r , gs
gs )(T g −
g
T
‫تدالر‬-‫شیشه‬
− +PV ‫انرژی برای ماژول‬
 bdx
G α g G (t ) bdx =  h
+ δδ i 1uiui+ + δδ ij +1 +
+ δδ ij −1 
(( hrr ,,cg hhconv ,cg )(T cell ) 
 bdx
g
Γ
conv ,cg )( g.‫است‬cell ) ‫ ارائه‬3 ‫ و‬2 ‫معادالت‬
+ g − T
+ T − T ‫شده‬
ij i1 iN ij ij +1 ij −1
θ=i θ fi + Rqui −1 hT (T bs − T= f ) U T (T cell − T =
cg
bs )

qqu == κ κ [[δδ − −κ κR RΓ Γ ]]−1 Γ

Γθ θf )(1( h p 1h p 2 (τα )eff G (t ) −U tw (T f − T amb )
u f
ττ G α c βcG (t ) + (1 − βc ) αT G (t )   bdx
bdx =
qu = κ [δ − κ R Γ ] Γθ f G α c βcG (t ) + (1 − βc ) αT G (t )  = )((
−1

:14 ‫که در رابطه‬ ( ) ( )

Γijij == (( γγ +
Γ + δδ ii 11 +
+ δδ iN ) δ ij + δ ij +1 + δ ij −1
iN ) δ ij + δ ij +1 + δ ij −1
U
qU + t T − T + U
(T c −T amb− θ)i+cosh
i t= κc[θ i −1amb
T
U TT (m − T 
bs ) 
T cc] − T bs + η G ((tt )) β
 bdx + ηccG
bdx βcc bdx
bdx
Γij = (γ + δ i 1 + δ iN ) δ ij + δ ij +1 + δ ij −1 )(1( (2 ≤ i ≤ N )
U TT ((T
U −T bs ) bdx =hhT (T
cell − T bs ) bdx =
T cell bs − T f ) bdx
T (T bs − T f ) bdx )((
‫ دمای‬،‫به منظور محاسبه تراز انرژی برای سیال عامل در مجرای جریان‬
q i− κ [θi +1 − θi cosh m ]
=
h (T − T= f ) U T (T cell − T = bs )
(h1TT ≤(Ti bsbs≤−NT=
f−)1) U T (T cell − T =
bs )

hh p 1hh p 2 (τα
p1 p 2 τα )eff G
G (tt ) −
( )eff ( ) tw ( U tw (T
−U Tf − T amb )
−T f amb )
1364
q1+ κθ1 [1 − cosh m ]
=
=κκ [[θθii −−11 −
−θθii cosh m ]]
+
qq ii+ = cosh m
( 2− ≤ i ≤ N )
 FRR Acc  h pp 11h pp 22 (τα )eff
eff
G (t ) − U LL (T ff ,,inin −T amb
amb ) 


F
exp (( F − 11)) // B
FRR =
FR F B 11 −
B
= − exp F2 − B  
B 1 − exp ( F22 − 1) / B  
F11 = 1374 ‫ تا‬1361 ‫ صفحه‬،1397 ‫ سال‬،6 ‫ شماره‬،50 ‫ دوره‬،‫نشریه مهندسی مکانیک امیرکبیر‬
F1
F1 =
F NKL // F
= NKL F2 A
AcUU LCC
F11 = NKL / F22 AccU LLC
.‫) محاسبه می‌شود‬16( ‫ از معادله دیفرانسیل‬Tfi ‫ ام‬i ‫سیال در لوله‬
B
B=  pw // F
mC
= mC F1A
AcU L
1 cU L
)(2(
B = mC pw / F1AcU L
 pw dT fi
+ ( −1) qui =0 )(1(
i
 C pw
m
dy
 R (1 + γ )22 − 1 − γ − κ R 
=
=F22 11 // κ
F κ R (1 + γ )2 − 1 − γ − κ R  )(2(
=F2 1 / κ R (1 + γ ) − 1 − γ − κ R 

  ‫به‬d Φ ‫ماتریسی‬
κ L ‫معادله دیفرانسیل‬−1 )16( ‫) در معادله‬14( ‫با قرار دادن معادله‬
+ dT ∈ [δ − iκ R Γ ] ΓΦ = 0
R
R=((11 // C
= C bo )) +
+ ((11 // π
πDD i hhf )) +
+ (( ln(
ln(D D i )) // 22π
Do // D πKK tube )) ‫روابط‬
md ηC pw‫در‬m
‫شده‬
dT
dT ‫اشاره‬−11‫مرزی‬
+ (( −
c fififip + ))iii qqquiui ‫شرایط‬
0 ‫ با حل این معادله با توجه به‬.‫دست می‌آید‬
=0
R= (1 / C bobo ) + (1 / π D ii hff ) + ( ln(Doo / D ii ) / 2π K tube tube )
)(3( m
m
m  C
C
C pw
dT
pw dyfi + + ( −
− 1
1 ) q ui =
=
=0
0
dyfi .‫ نمود‬i ‫) می‌توان توزیع دما در هر لوله را محاسبه‬20( ‫) تا‬17(
pw dydy ui
dT
m  C pw + ( −1) qui =0
at= η 0 Φ = 1
dd Φ Φ κ κdyLL
1

)(3( ∈ [[δδδ − Γ ]]−−−111 ΓΦ )(1(

−1
R (11 + γ ) − 11 − (κ RR ))
2 2
d Φ + κ L ∈ −κκR ΓΦ == 00
κ C
= dd Φ +m κ cL ∈ − RΓΓ
2
R ((1 ++ γγ )) − − ((κ
2
+ κ R ΓΦ
ΓΦ ==0
κκR C
= − 1 − η [ ]
2
κR ) δ κ
2
C
= 2 dη
d η m+ m 
 c pp
c p ∈ − R Γ 0
κ R (1 + γ ) − 1 − (κ R ) κ cLp Φ i +1 =αΦ i −−11 ( i =even )
2
C
= at
dd Φηη =0m
 c fip + [ −1 i q =
+
dT ∈ δ − κ R Γ ] ΓΦ = 0
d η m
=
=κ
κ K K
K abs abs L
Labs m // (( W
abs m W− −DDoo ))) sinh
D sinh ((( m
sinh m ))
m
)(3( m
at = C
η
η pw 0
η =1000dy Φ
Φ
= ( 11) ui 0
)(1(
abs L abs m / ( W − 2 m)
=κ at=
at = Φ
=
Φ
= 1
1αΦ
=κ K
C κabsR (abs
= L m / ( W −
2
D o
1 + γ ) − 1 − (oκ R )) sinh ( ) at = η Φ
= 11
1
= i1+1 ( i =odd ) i

at =η =00 Φ Φ = 1
Φ i −1 ( ii = even )
(((W o ) 2 (U L // K
2
m=2
−D abs L abs )
at η 1 =α αΦ =even
Doo ))2 ((U
at
dΦ η = 0κL Φ i +1 =
ii ] ( 0 )) )(1(
2
m
m=
2
W
W − −D U LL / K Labs ) at η = 0 Φ =κα
= Φ ii = even
=2
abs L abs )
K abs )(3( Φ η=[+
at = 10/ θ fi ]ηΦ ∈=0[i θ+δ11f −
ii ++1
αR ΦΓ (ΓΦ ==even
κ K(abs Labs mo /) ( W −
2
=m= W − D (U /
L Do )
K L
sinh
abs abs()m ) dη m  cp
i

at η =0 Φ i +1 =αΦ i ( i =even )
γ= −222 cosh
− ( m )) −− ((U L / K abs L abs )
at
at η=
η =1 1dT fi Φ Φ+ii ++11−= = αi Φ
α Φ iii =0(( iii = =odd odd ))
L fi Φ+ii ((++11−=
1)α
cosh (( m
at η =1 =odd
γγ =
= − cosh m ) − (U U LL // K Labs )
abs L abs )
K abs m
ηat
m
C
 η pw
=
C ypw
= 1/dT Φ =
1 ) αi qqΦΦuii =0( i = odd ) )(2(
2 −2 cosh ( m )2 − (U / K
γm=
= (W − D ) (U L/ K absL abs) ) L )(3( at= η 0dy Φ dy = 1 ui
at η =1 Φ ii ++11 =αΦ ii ( i =odd )
1
o L abs abs
=[1
= τα )e ff ((ττ )[
((τα αcell ββcell + 2
+ (1 − βcell ))α
αT − βcellη ηcell ]] Φ=
Φ
Φ = [[(111−////κ1θθθθ)Lfifififii δ]]]ηηη ===000 θθθθffff :‫که در روابط باال‬
‫رابطه‬
(τα ))ee‫از‬ff
ff‫است و‬
(τ ‫موثر‬α‫انتقال‬-‫جذب‬ (1‫فاکتور‬
β − ‫عبارت‬
β cell ηce،)4( ‫در معادله‬
= )[ G 22 −β Φ =
= )[α cell βcell + (1 − cell )αT eff
cell )τα)
T − β cell cell ]
∈ d Φ =
∈ [i +δ1 − i ]−1 (ΓΦ 0 )
G2 ll
(γτα ) (τ )[α β (1 β )α β η at η+ =0κ L Φ ηij=0
=καR ΦΓ −1
i ==even
ff cell cell ]
ij
= cell cell
−e 2 cosh ( m ) − cel +
G
− − dΦ
= (Ul cell/ K L )cell T
G
L abs abs
:‫زیر محاسبه می‌شود‬ η
Φd η=[+1 m
d η= y /
/θcfifip]η∈=0[θδff − κ R Γ ] ΓΦ = 0
m L c =0 )(2(
hhconv= = 2.8
2.8 + 333V
+ V η=
η = yy // L L p
hconv
,t
2.8 + Vw
w
η = y / L
conv= at η =1 Φ i +1 D UΦL iW ( i =  odd )
,t
hconv= ,t
2.8 + 32V ww =oα
)(3( = α η yexp −Φ
= (τα )e ff (τ G )[αcell2βcell + (1 − βcell )αT − βcellηcell ] ηat= /0Lii m = 1 
)(2(
,t
= = c1 p (11 + RDU L ) 
= C  κ R (Nu
1 + γ )
K − 1  22 − ( κ R ) 22
2 ∈
∈atij= η== (( − − 01
1 ))ii δδΦ
= C  κ R 1 + γ − 1  − κ R 1 δ
= (((Nu )) −−airair11 22 −− ((κκ RR ))22
= C hhconv ,cgκ R= Nu
1 +airγ K
air air ∈ ij =
∈ijij = ( −1) δ ijij − ij 1
ij
= C κ
κR Nu
11 + γγ K K Φ =[1 / θ fii ]η =0 θ f
‫اتالف‬
= C conv 
hhconv cg‫ضرایب‬
,,cg R= ‫و‬
+Lair
L
air
‫حرارت‬
) −air1 −‫انتقال‬ (κ R ‫ضرایب‬ ) ‫در ادامه معادالت مربوط به‬ =αΦ i ( i =even )
conv= 2.8 + 3 V atijη= = (m−001C) pwδΦ )(2(
air i
conv ,,tcg = ∈ ij(Ti +1 =α
fi ,in ) ( i 
Lair w
=Qatijuη = −Φ T
= =even )
 Φ
ij
‫انتقال‬ K‫ضرایب‬ Labs .‫است‬
L ‫شده‬−−− D ‫بیان‬ ‫ ((سیستم‬m m‫سازی‬
)) ‫حرارت قابل کاربرد در شبیه‬
air
κ K m /// ( W oo ) sinh
f 1,D out U
oU L W
=
(W D
) sinh m 
i+
κ K L m  D LW
air
= κ = α exp − D oU L W
= abs L abs m W D sinh 

abs
2/ ( W 2− D o ) sinh ( m ) = α exp / L − −h m D1oU W  L (T f ,in −T amb ) 
( ) α
abs abs
κ F =Ayexp 2 ccc(τα p (1 ( )(LLi ))=
((11)αU
= κ K L m ( ( ) )( ) ‫حرارت جابجایی بین پوشش‬ =η c  h p
o
+ RDURDU
LG t − U
=‫‌ای‬ hhhrr‫ه‬,,gs ‫شیش‬
K
== εε=‫پوشش‬
= abs ε L
Gσ (
abs T G2‫و‬
σ
abs
Nu
(
m
T
TairGG2K+
/
+)airhT
+ W T −
s2 )
s2 ( (T‫محیط‬-‫‌ای‬
D T o +sinh
T
s )
m‫شیشه‬ = α
atRη exp =1 1− Φ pm
m = +
+ RDU
ΦRDU  odd ) 
s ) (T G + T s )
absG σ 2 2 oG + T s
L )
gs eff
Tconv,t =1  − Φ i +1 =ooαΦLL i ( i = m  ic+1pp D +
 odd )
 W
hr ,22gs = εG σ (TLG 222+ T s ) (T G + T s )
i
G
at η exp
)(2(
p L
r , gs ,cg G = α
‫محاسبه‬ )37(−−− ‫و‬D D)36( ‫روابط‬ K‫از‬abs ‫استفاده‬ )) ‫) با‬hconv,cg( ‫ سلول‌های خورشیدی‬-
conv
m
m= ((W oair) 2 ( ((U L /// K L abs )
− 1C) δ ij(T pp ( − T
= W U Labs i m  c 1 + RDU LL ) 
D×oooT)))2 ((U
2
m = W D U K abs L ijR = (m
=T
-‫شیشه‬
m=
m = 22
(
(W −
W
0.0552 −D
‫) و‬hr,gs××( oTT‫محیط‬-‫شیشه‬
U L
1.5 L / K abs L abs )
/ K abs‫بین‬ L )
abs‫تابشی‬ ‫ ضرایب انتقال حرارت‬.‫می‌شود‬
=
=
∈
Q
Q F
Φuu =[1m
 m 
/C
= C θBpw ]]1η((=−
 T
T0 θffexp −(T
− =
T
= )
Fff2 ,,inin−)1) / B   
f ,in )
1.5 L abs abs
=Q u
C pw f , out
= f ,in
T ss 0.0552
=T out 
=
s
0.0552
amb 1.5 L
amb 1.5 =QΦu = F[11m / θ fifipw
pw
T θf ,,,fout
out −T =
=Tγhsr=
.‫‌شود‬
0.0552
=
‫ی‬−−‫م‬22‫محاسبه‬ ε σ ( ×mGT )amb
(
T m)40(
2 amb 2
+ T ) ( T + T ) ‫استفاده‬
F A  ‫مورد‬
h h
p 1h p 2T(τα )eff ‫شده‬
η =0 f
( τα ‫جذب‬ ) Gff‫مفید‬
G ((ttt )) −−−‫حرارت‬
U LLL (((T
U T‫نرخ‬ ،‫باال‬
− T ‫معادالت‬
) ‫با استفاده از‬
amb ) 
2 cosh
) −−− ‫(((و‬U( U)38(
U / ‫روابط‬
K L‫از‬abs‫استفاده‬
L ) ‫) با‬hr,gs( ‫سلول‌های خورشیدی‬  h pp(22 (τα t )) − U
− − F R Ac m  h G U T fff ,,,ininin − T
γγγ = =, gs cosh ( m
cosh
G s L // K K
G abs L s
abs )
) =Q FRRuu A
F Acc  h  C
h pp 11pw h τα out)eff
−
eff G T
= ( T −
− T amb
T )
cosh ((εεm mG εε)) cell
L abs
abs L abs  ff ,,out
D U W
,,in
 amb
γ= −22 cosh
− − (U U LL // K )) pw in
α‫بلیس‬-‫واالیر‬-‫هاتل‬  −/ F2 AcU‫رابطه‬ ‫ مشابه‬‫ این رابطه‬.‫ می‌آید‬‫) به دست‬25( ‫با رابطه‬
L
K abs 1η = y / L 
absTL abs
R c p 1 p 2 L f ,in amb
=
( g ) (‫انتقال‬
2 + T g2 )
eff

‫در‬ r ,‫هوا‬
cg ‫دلیل جریان‬ ‫به‬ ‫که‬ ‫است‬ ‫آزاد‬
cell ‫حرارت‬ 2 +‫ضریب‬
= = exp
) conv,cg ‫ضریب‬
o L
σ ηF NKL LC
2
T 22 h ( amb ) 
h T T
=
(
abs +
=
= h
hr ,cg εG + ε cell ε + ε
εGG ε cell
ε ε −
cell
ε ε σ (
1.5G cell σ (T cell + T g ) (T cell
T + T ) T
2 + T gg2 )
cell F1R=Ayc /hLp1h pm 2 c(τα p (1 eff
) (
+ RDU L )  L f ,in
G t ) − U T − T
( ) ( ll) ]
F .‫است‬ ‫خورشیدی‬ ‫برای محاسبه کلکتورهای‬
r ,cg cell g cell
==
=T((hτα τα ) 0.0552
ff (τ × T
G2 cell
)[ −α ε ε
β σ+ (1
T − β + T ) α T − β + T η ]] FRRR =  ( ) 
.‫‌شود‬
r ,cg)ee‫ی‬
e ff‫م‬
ε G‫ایجاد‬ τ ε ‫خورشیدی‬ α ε ε
β ‫‌های‬ +‫(ل‬1‫سلو‬ − β‫و‬cell
β ‫‌ای‬ ‫شیشه‬
α cell‫پوشش‬
β η ll‫بین‬] ‫فاصله هوایی‬
F B 1 − exp  F − 1 / B 
2
= (τα ) ff +(
(τ GGGcell )[ −
)[αεcel celGll βcell + (1 − )
)gα − Bi 1 exp ( F 1) / B  
T −β cell η
= s G 2
cell amb G cell T − FR F = 1− − exp F2 − 1
B − 1) // B
cell cell gce
1 = ( F222 −
cell
ffεG +((ττεGGcell
((τα 2 )[− cell ε cell cell T cell cell
ce
)[α Gl β β ))α β η Bij==F
2
= τα ))ee ff + (1 − F 1(− = B)i δ1/ F −A exp B  
cell cell
= αcel β cell
cell + (1 − β cell α T − β cell η
cell cell ]
cell ∈ mC 1
F −1pw δ ij 1 c L U
FijRu = 1(m  CB) pw1ij(−
cell cell cell T 1
−1 =∈
Q =  fexp
T ,out −(T = )
 Ff2 ,in− 1) / B  
U h h
hconv =
=
==
 L2.8
L 2.8
L2.8
T
++
+
+L
ε L
3
3
L V
V ε
si cell
+
3Vsisi ww + Ladh
L
L adh  −1
 −1
σ−1(T cell + T g ) (T cell 2
+ T g2 ) )(3( F1 = F
= NKL NKL // F F2 A AcU U LC C )(2(
= = ,,tt  K
conv , t G w 1
1
L2CG (t ) − U (T
LR  f ,in − T amb ) 
U conv
T +
T
F
hhconv = 2.8 +ε K 33VVsisi− F = cNKL
=  hp1h//pF F2(1222(A ccU )o)U
rT 
U T = ,,tt 
T,cg=
 εLG2.8
K TT ++ + KL w+
w ε K
Lεadh
K  = F111R A
F NKL
1  / κ R A τα+ D U
γ L CL−W 1 − γ −  κ
U T =  K TT + K sisi + K adh
conv cell G adh
adh
cell  = α2 exp −
c
DoU L W
effL
 
 K TNu KKsi K adh adh  = αF1 = exp NKL  −//m F  c2 Ap c(U 1 +LCRDU L )  2
hhhconv ,cg = = Nu
=
Nu air
Nu
air K K air
air K air air −−11 )(3( ‫طراحی‬
B
B
B
B=
F
=
=
= mC
mC
mC
mC  ‫در‬pw


pw // F
pw ‫مهم‬F11AA‫پارامتری‬
/ m F
F c 1 A
Ap cU L
c (
cU L
U
1
U + L RDU ‫ که‬L‫است‬ )  ‫ ضریب برداشت گرما‬FR ‫عبارت‬
NuL K air
hhconv conv ,,cg cg L = L  −1 ( Bpwbo1)−+1exp ( 1c / πL(D F2i h−f 1))+/ (Bln(  Do / D i ) / 2π K tube )
air
airL
si 1
L air L
L RR = 1= /C
cg L = adh  −1
‫محاسبه‬ 1 )26(/ ‫رابطه‬ ‫اساس‬ ‫معادالت قبل بر‬ ‫ این پارامتر با استفاده از‬.‫است‬
air
=U conv ,,cg
conv = 
  L
gT
g + + L air
air + 1
1 
 B =F mC F A U
+ LhKair
−1
pw (T f ,out − f ,in )
=U
U tt K
T
t
LKgggT + air
 
Qu mC 
si ,t 1+Kh
= = 2T=
r ,cs 
pw 1 c L
( ) −)γγ ‫معادالت‬
U t  K g + h conv ,t + h   κ γ γ κ 
‫بیان‬
= F222u )34(
F 1 // ‫تا‬κ
1 / R
)27( (111f+++‫روابط‬
1 +
γγγ ))2 ‫در‬ − 1‫باال‬
− 1 − − κ R  ‫ پارامترهای استفاده شده در‬.‫می‌شود‬
R
adh
= K h
conv
+ h r ,cs  =
=Q m  C κpwR T −2T
2
=−f1 1,in− −κ 
+ T = F2 A 1
F 1/hκhR − −γ − −κR
p 1 /pF2(2(A
 K
( )
,out
εεεGGgσ hGconv2
t + 2 h(rT
2
= R R
hhhrr ,,gs T T T CG (t ) − U L (T f ,in −T amb ) 
g conv , t r ,cs
gs === +
TGG22 + T ss22 TGG + Ts ) )
σ )(3(
2 2
σ T 2 + ,T ,csG  F1R = cNKL ταcU
(TG ++TT−−11ss ) ((TTGG +++−1TTT ssss )) F2 1/ κ R (1 + γ ) − 1 − γ − κ R(T f ‫از‬,in ‫برگرفته‬ −T amb )‫معادالت‬
s
hhr ,gs == εεG σ
r , gs G F A  hp 1h p 2 (τα )eff.‫است‬
 effL
G ( t ]18[
) − U ‫مرجع‬  ‫شده‌اند که این‬
G σ TG
2
= R c L 
r , gs
L g1 11  −11  R = ( 1 / C ) + (1 / π D h ) + ( ln(D  / D ) / 2π K )
=U =  11 ++ 1  −1.5  R=
R = ((111 /// C C bo bo ) + (1 / π D i hf ) + ( ln( D o / D i ) / 2π K tube )
+1A(1
+ // ππL D D iii h hfff ) + + ( ln( ln(D Dooo // D 2π
D iii )) // 2πK
bo/)F
U = + 1
1.5
R
BR== Cpwbo 1cU tube )
K tube
=T tT 0.0552 × T mC
ttT
=U
T = 

0.0552 K U 1 + × h U T t 
1amb + hr ,cs  F
   ( ) )(2(
1.5
=T sstT 0.0552  × T  tube
  1 exp 1 / 
U U )(3( = B −  F − B 
s
=U
T = sstT 0.0552
gT
U TT +× ×U T
convamb
t 
,t 1.5
 1.5 FR F    
=T 0.0552
U T U amb
T amb
amb
t 
t 
R= F (
11= / CB bo bo
1)−+exp ( 1 / π  (D
 i fF 2
2
i h − f )
1 ) + / (
B ln( 
 oD o / D i
i
) / 2π K tube )
tube
1
ε ε cell−−−111 F2 1 / κ R (1 + γ ) − 1 − γ − κ R 
2
 111 εεεGGG111εεε cell ((TTT cell T ggg )) ((T ))
 −1 σ 222 22 =
=
=
=hhhrr ,,cg cell σ
σ +
+T
+ T T
T +
+T
+ T
T gg2  / F2 AcU LC
F1 = NKL 
σ (T T gg ) (T )
U
= +εεε+εcell
+ ε cell cell
= εεεGG11+ + G1 −εεε−1GG εεε cell )(2(
cg cell cell
=U
= h r ,cg G
− σ cell
+T
+ 22
cell
+T
+ g22 F1 = NKL / F2 AcU LC
= hrrtTtw + − T cell T T )(4(
cell
U
= tw ,,cg
cg
εεUU tT+ ε hT+ U h1
cell
− εG ε cell cell cell cell gg
hTT −εGG ε cell
G cell cell cell
U tw
= UGG tTtT+ ε+cell
tw T cell t

U tT hT  −1
R
B ==(1 / Cpwbo/)F+1A(1cU/ πL D i hf ) + ( ln(Do / D i ) / 2π K tube )
mC
 L L −1 L  −−−111 B = mC
 pw / F1AcU L
‫خورشیدی‬
U
U

=== L
hh pTTT1 =
L
L
LU
‫سلول‬
U
T
T1 +
T T + ‫از‬
L
L si‫هدایتی‬
L1sisi +
si + L
L ‫حرارت‬
adh
adh
adh 
Ladh  −1 ‫) نشان دهنده ضریب انتقال‬41( ‫رابطه‬

1 Hottel-Whillier-Bliss Equation
U
U
= = K U
T T ++KL +L
sisi + K
h = = U  K U +T+U K K adh 
U T = U K T+UK si + K adh 
p 1 TT adh
adh
tw
h ppT11 = U U
KTTT+ t hsi
K T  K K adh 2F2 Heat
= 1 / κremoval
R (1 + γ )factor
2
2 −1− γ − κ R

 KT T+ U K 
T TtT t si
UT +U t t si adh =F2 1 / κ R (1 + γ ) − 1 − γ − κ R 


 
−1
 L LU 111  −−−111
U
= L g
(1 / C ) + (1 / π D h ) + ( ln(D / D ) / 2π K tube )
h pttt 1 =  K
U
= L ggg T++  −1 R=
U
=
U t UK
= L +
KTgggg ++ hconv ,t 11+ +h hr ,cs  (1 / C bobo ) + (1 / π D ii hff ) + ( ln(Doo / D ii ) / 2π K tube
1365 R = )
U
=  KK +Uhhht conv
conv ,,tt + h rr ,,cs

conv ,,tt + + hhrr ,,cscs
t cs
 gg hconv 
1
−1 −1
 11 11  −1
−
 −1 hhconv =
cg =
airair air
 L Ph 1  conv ,,cg
L
Lair
hhTTp 2 = P T+
=  air
UKtTpp + hhTff
σ (T T ss2 ) (T
 = εG σ T ss )
2 2
hhrr ,,gsgs = ε G +T
T GG2 + +T
T GG +
1374 ‫ تا‬1361 ‫ صفحه‬،1397 ‫ سال‬،6 ‫ شماره‬،50 h‫دوره‬ ،‫امیرکبیر‬
= ε
gs = ε G
rr ,, gs σ (
‫مکانیک‬
T
G σ TG
2
2 +‫مهندسی‬
T
G + T ss
2
2
) (T‫نشریه‬ T ss )
T GG + T
+
U= ULtw tw + U b
−1
L
L 1b  =
=T ss 0.0552
T 0.0552 × ×T T amb
1.5
1.5
= hT  P
+  amb

 K p hf 
1.5
=
=T ss 0.0552
T 0.0552 × ×T T amb 1.5
‫زاویه قرار‬ θ ‫فاصله هوایی و‬ −11 ‫ عدد رایلی مربوط به‬،Ra ،‫در این معادله‬
− ‫عبارت‬ )42( ‫ معادله‬amb ‫ همچنین در‬.)UT( ‫به صفحه جاذب از طریق تدالر است‬
 Lins 1  εεGG εε cell
=‫براکت‬
U bb ‫داخل‬  ‫عبارت‬
ins
+ ‫است که‬  ‫ نماد *[] بیان‌گر این‬.‫ است‬PV/T ‫گیری کلکتور‬ =
= ‫طریق‬
hhrr ,,cg cg ‫خورشیدی به محیط اطراف از‬
ε + ε ε ε
cell
− ε ε
σ (T
σ ‫سلول‬
T cell
cell +T
+ g
g
) (TT cell
T ‫باالی‬ cell +T
+ T gg2 )‫ ضریب اتالف‬Ut
‫از‬2 ‫حرارت‬
2 2

U= 
U K + U h  ε ε ε ε ε ε
L  twins ins conv
b conv ,b
‫ و در‬،‫=صورتی در محاسبات لحاظ می‌شود که از نظر مقداری مثبت باشد‬
,b  =
‫در‬
hhrr ,,cgcg
G
G
εεGG +
+
ε
cell
G
cell −
G cell G cell σ (T
cell
− ε
G

ε
cell
σ T cell +T
cell + (TT cell
T gg ).‫است‬
2
cell +
2
+TT gg2 )‫پوشش شیشه‌ای‬
PV/T
2

+ ε cellcell − ε G G ε cell cell

‫حرارت‬ h
h p 2 = ‫ انتقال‬T‫ضريب‬.‫ی‌شود‬ −1‫در نظر گرفته م‬1.6 ‫صفر‬ ‫مقدار‬ ،‫بودن‬ ‫منفی‬ ‫صورت‬  L  −1
−1
ULins+ h 1 1708 ( sin1.8θ )1.6   LTT Lsisi Ladh
*
L L adh 
*
1708
‫به‬UNu‫توجه‬ airx ‫با‬ ‫و‬tT1‫يافته‬ + T‫توسعه‬ 1 −‫ال‬ ً  ‫جريان كام‬
 U TT == 
U +
+ +
+ )(4(
Racos‫فرض‬ θ ‫جريان با‬
= = + 1.44  1 −‫درون مجراي‬  ‫جابجايي‬  K
 −−11
K
L
LTTTT + K KL
Lsisisisi + K K
L adh  
  Racos θ 
b air
 K ins hconv  Ladh
 ,b  U =
x
U T =   + + adh
adh


‫محدوده‬
h p 2 = ‫براي‬T‫جريان‬
h
1.3 −1 *
‫ناسلت‬ *
‫ عدد‬.‫رژيم جريان و عدد ناسلت محاسبه مي‌شود‬ T
 K K TT K K sisi K K adh adh  
 Racos ULtTP +θ h1T1.3  
=)52(h+T‫ و‬)51( ‫رابطه‬ +  ‫اساس‬ − 1 ‫ بر‬PV/T ‫مجراي جريان‬ ‫رينولدز مختلف در‬ ‫اعداد‬  L L 1
1
−1
 −1
 K p h f   1708 ( sin1.8θ )  
1.6 *
1708  )(4(
g
=U
U tt  L +
Nu airx5830  −−11
g
= +
= 1 + 1.44 1 − .]19
 1 ‫و‬−16 ،2[ ‫‌شود‬ ‫تعريف مي‬  K L gggg hhconv
K conv ,,tt 1 1 +
+ hhrr ,,cscs 
 −1 Racos θ   Racos θ  =
=U
U 
  +
+ 
 
 LP 1   t
t
 K K gg hhconv + h cs 
conv ,,tt + h rr ,,cs
=U h=
Re T ≤U2300
L DD Racos ++U 1.3 * =
 Ktwp θ hbf  DD Nu 3.657 )(5 ( .‫محاسبه می‌شود‬

)47( ‫) تا‬43( ‫سایر ضرایب ترکیبی از روابط‬
  11
−11
−
+   − 1 U
= + 11 
 5830   U
= tT  +  −−11
U1TT U11tt 
 U 1 U
tT

)(5 ( )(4(
−1 0.8 0.5
U Re= D > U 2300
L h+T U Nu 1 D = 0.023Re
0.8
Pr 0.5 U
=  + 
h pL2 =  twinsT + b
D h D tT
tT
=U h pb2 = U + h  U TT U tt 
Re D ≤UK
‫جابجايي‬ 2300
tTins+ hT‫انتقال‬
‫حرارت‬
tT Thconv
Nu,bD‫ضريب‬ = 3.657
‫خواص سيال در دماي متوسط سيال و‬ −11
−
hff = Nu DD K / D ii  11 1 
1
−1 U tw
=
U
=  +
+  −1
=‫رابطه‬
U b ‫این‬
 L‫در‬ins.‫می‌شود‬1−1‫محاسبه‬
+
 )53( ‫درون مجراي جريان با استفاده از رابطه‬ tw
UU11tTtT hh11TT  −1
Re D >
hT =
  L
K2300 1h Nu  −1 
 ,bD 1708 = 0.023 ( sinRe
0.8 1.60.5
1.8θPr ) .‫است‬ * U
=
U tw
= U + h  + )(4(
L1(T−‫سیال‬ ‫هدایت‬) ‫ قابلیت‬K
= L 1 conv 1708 tw
1Pins++
P
= Nu
hT airx KQ + 1.44
h  1 − U − T  U tTtT hTT 
= ηthth = K pp uu hff F  RR  h pp 11h ppRacos θ
22 (τα )eff −  L f Racos
f ,in
,in θ
amb
amb
U TT
U
* )(5(
hf = Nuc D K / 1.3A c G ( t ) D i *  eff
G ( t )  hh pp 11 = =
U TU+ Ut
 Racos θ    1708 ( sin1.8θ )   U +T U
1.6
1708  hh pp 11 = = T T t )(4(
U Nu
=
+  U= 1 ++1.44 Ub −11−  1 − U
U TT + U +
‫قانون‬
U=
L  ‫اساس‬
L airx U 5830tw +‫بر‬
tw U‫و‬b ‫انرژی‬
   ‫جنبه‬Racos ‫‌توان از‬θ‫ را می‬PV/T  Racos ‫سیستم‬θ ‫عملکرد‬ 
 U tt
ηel = ηelel Q  1 − β (Tcell cell − T ref ref )  U (T f ,in −T amb ) 
،‫انرژی‬
ηelth ‫تراز‬ ‫نوشتن‬ 1.3‫با‬F‫قانون و‬ ‫اساس این‬ ‫ بر‬.‫کرد‬L ‫بررسی‬ ‫ترمودینامیک‬ ‫اول‬
,,ref
ref
= = R  h−p11h p 2 (τα )eff −
u *
 h
hTT
 RacosA θ
 cLGins(t ) 1− 1 −1
 G (t ) h =
=‫شامل‬
U Reb D ‫پارامترها‬
+  
≤5830 Lins +‫این‬
2300  Nu .‫کرد‬
1 D ‫محاسبه‬ = 3.657 ‫را‬ ‫سیستم‬ ‫عملکردی‬ ‫پارامترهای‬

 ‫‌توان‬‫ی‬ ‫م‬ h p
p 2
2 =
U
U tTtT + +h hTT
)(4(
=Uηov = b  η  K + η +el h  
th ins el conv ,b 
‫حرارتی برای‬  K ins‫بازده‬hconv .‫است‬,b ‫ بازده الکتریکی و بازده کلی سیستم‬،‫بازده حرارتی‬
ov th

ηel = ηel ,ref 1 − β (T cell −T ref )  0.8 0.5

‫جذب‬Re DD ‫مفید‬ 2300 ‫حرارت‬ ηelel ‫نرخ‬ Nu‫نسبت‬ ‫صورت‬Re‫ و به‬Pr
0.023 )54( ‫تمام مدل*‌ها مبتنی بر رابطه‬
−1
Re > 2300
≤ Nu D = 3.657  L 1  −1
D = L 1
ηov = ηthth + 
1 − 1708 (( sin 1.8θ )1.6  
1.6

1.8θ )‫نرخ‬ ‫به‬1 −‫عامل‬1708
=
= hTT 
h
P
P + 
+ )(4(
‫سطح‬ air‫روی‬ 1‫رسیده‬ f ‫خورشیدی‬
1708‫تابش‬ sin‫انرژی‬ ‫ سیال‬‫شده توسط‬
*
Nuov
= +C1.44 1708  K K pp h hff 
Nu
ηhov==airxNu x = 1
ηth +Kηel/ D  + 1.44f 1 −  
Racos θ0.8 0.5  Racos θ 1 −
Re f
D > 2300
D
Nu i
 D = 0.023 Racos Reθ Pr   .‫‌شود‬ Racos ‫تعریف می‬ θ  PV/T
* ‫ به ترتيب ضخامت و ضريب هدايت صفحه‬Kp ‫ و‬Lp ،‫در روابط اخیر‬
f = 64 / Reθ 1.3 *
1.3
Racos U
U = U tw h+ +TT U
+  Racos θηel − 1 h= L =U tw U bb
‫است‬ 2 ‫ ضريب انتقال حرارت جابجايي درون مجاري جريان‬hf ‫جاذب هستند و‬
L

=
ηh+ov= = Nu
ηthf  5830
η 5830
=
Q 
+
th DuK / D i 
 − 1 

C f FR  h p 1h p 2 (τα )eff −
U L ( T f ,in − T amb ) 
 )(5(
p2
p
U + hTT
ً ‫که با فرض جريان كام‬
tT
‫حرارت‬ ‫اتالف‬ ‫ضریب‬ .‫ي‌شود‬−−11‫ال توسعه يافته محاسبه م‬
tT

f = 0.3164 AcG (t Re ) −0.25 

− 0.25 G (t ) 
 L L h 1
1 
≤ 2300 3.657 U L (T f ,in −T amb )  ‫رویی‬
=
=U
U h pbb2 =‫سطح‬
UL
ins
‫حرارت از‬
ins + T
+  −−11‫اتالف‬  ‫ است که حاصل جمع‬UL ‫ عبارت‬PV/T ‫کلی‬
fRe
Re =DD 64≤ /QRe
2300  Nu D =
Nu = 3.657 K
K + h1Thhconv 
=)55(
η∆thP ‫رابطه‬ = ‫از‬
u
‫استفاده‬
22 FR ‫با‬ h‫فتوولتائیک‬
) /(T
D h ( τα ‫دمای‬
) − ‫حسب‬ ‫بر‬ ‫الکتریکی‬ ‫بازده‬
 ‫محاسبه‬
= h 
 
‫شکل زیر‬
tTP
Pins
ins + conv ,,bb 
‫ و به‬‫) است‬Ub) PV/T ‫) و سطح زیرین ماژول‬Utw(

ρ LV )
2 ρ g ( NW
 eff )sinϕ G ( ρV 2 ) / 2
2
ηel = ηA(elfcG ,ref ( t1) − β (2cell Dpoo−1) +
Tp ref  + K(tloss )
loss
T
T
 K h 

.]20
0.8 ‫ و‬0.519 ،7 ،4 ،2[ ‫می‌شود‬ ‫محاسبه‬  p f 
p f

fRe = > 2300Re −Nu

0.3164
Re D > 2300 Nu D = 0.023Re Pr
0.25 D = 0.023Re 0.8 Pr 0.5 −1 :‫می‌شود‬
1  1708 1708 ( sin 1.8θ )1.6  
1.6
D
 LP sin 1.8 1708
1708  **
= hT airx = ++1.44 
η = ηth + η1el − β (T  −T )  Nu
Nu = 11 + 1.4411 − −  11 − −
Racos θ  )(4(
2
ηov el = ηel ,ref  ∑  100 ×ref( X sim
cell exp ,,ii ) / X sim
sim ,,ii − X exp
2
sim ,,ii 
)(5( U = L airx
L UKtw
 tw + U
p hbbf 
 Racos
Racos θ 
  Racos 
hRMS = Nu Erro Kr =/ D  
h∆ffP = Nu (f DDρK LV/ D)ii / (2Do ) + ρ g (NW
2
n )sinϕ + K loss ( ρV ) / 2
2
**
‫ گزارش‬0.12 ‫با‬η‫برابر‬ ‫و‬ ‫سلسیوس‬ ‫درجه‬ 25 ‫که در آن بازده در دمای مرجع‬  Racos θ 1.3  −−11
1.3
Racos 1
ηov= ηth + ηel el
U +
+= L  U  Ltwins+ Ub 1− 1  −
‫صورت تجربی‬ Qinu −C‫به‬Tf amb ‫است که‬  ‫بازده سلول خورشیدی‬ U L‫دمایی‬( T f ,in‫ضریب‬
−T ambβ2 ).‫است‬  ‫شده‬ =U bb 5830 5830 ins
+   )(4(
= η (
=T Q F ∑) 
  h
100 h
p 1h×p 2( X( τα ) − −XU ( T
) / X − T  ) 
 
 K hconv b 
p2 ( )eff‫برای سلول‌های‬
L f ,in amb ins conv ,,b
η
.‫است‬ ‫شده‬
in amb
τα
AcG‫گزارش‬
t )= 0/0045  p 1‫کریستالی‬ G (t‫‌شود )و‬
G (t ) ‫می‬ ‫محاسبه‬
=T th = =
red AErro G (rη
u
F R h
R   sim eff
, i − exp , i sim , i  
ins

+( el)
RMS
red
th
Gt −1
ηf ov= ηthc/ Re  n  2300 Lins 1 =
= 64
،‫معادالت مربوطه‬ C f ‫) و ساير‬55( ‫ در معادله‬ηel ‫وجود پارامتر بازده الكتريكي‬ ‫صورت‬
=U Re
Re bD 
D ≤
≤ ‫به‬ ‫آزاد‬
2300 ‫جریان‬
+ Nu
Nu ‫برای‬ D  Nu
D = 3.657
3.657 ،]19 ‫ و‬16 1.6 ،2[ ‫اساس معادالت منابع‬ ‫بر‬
 ,b 1708 ( sin1.8θ )1.6  
air *
 K ins hconv
 1708 *
‫وابسته‬  1 − .‫محاسبه می‌شود‬ ‫زیر‬
η‫فتوولتائيك‬ −amb−β‫ماژول‬ ‫الكتريكي‬
−T ref )  ‫ را به تحليل‬PV/T ‫تحليل حرارتي‬
η η β0.25(T Nu air = 1 + 1.44 1 −
ηf elel=== 0.3164 el ,ref 
(
elT,ref in −
11T− )(T cellcell − T ref ) 
airxx
Racos θ0.8  Racos θ 
Tf.‫‌شود‬ =  Re  Re
Re DD > > 2300 2300 Nu 

Nu DD = = 0.023 0.023Re Re Pr
0.8 Pr 0.5
0.5

red =‫ی‬ 64‫محاسبه م‬ / Re )57( ‫) و‬56( ‫ بازده کلی سیستم به دو روش روابط‬.‫مي‌كند‬
G 1.3  ( )  1 − 1708 *
** 1.6
 Racos θ1.44
1.3
 1708 sin 1.8 θ
η
η∆ov =
= η(fthth ρ+LV
ov η + η
ηelel 2−)0.25 2 )(5(
Nu
+ airxNu K / D − 1 = 1 + 1 −  
f P= 0.3164 Re / (2Do ) + ρ g (NW )sinϕ + K loss ( ρV ) / 2 h
hff = = Nu 5830 D K / D ii  Racos θ   Racos θ  )(5(
 D 
*
η  Racos θ 1.3 
η = ηth + ηelel 2 )(5( U LL (T ) 
η∆ov +  2300  − 1 3.657
P η(fth ρ+LV
= + (ρXgsim ,i − X exp ,i ) / X loss
Quu  Nu U −T
T ff ,,inin −
2
C f )∑/ (2D o )× (NW )sinϕ + K sim ,(i ρV 2 ) / 2 Q T amb
100 ηRe DD ≤5830 =
( )
ov
C   =
= =
= F
F  h
D
D
h h
h τα −
−
amb

RMS Error =f th
th
A
AccGG (tt )
R
R

p 1
p1 p 2p 2 eff
eff
G (tt )
G 
n
f = 64 / Re Re 2300 Nu
> 2300 Nu DD = 0.023Re Pr
= 3.657 0.8
0.8 0.5
0.5
100 × ( X sim ,i − X exp ,i ) / X sim ,i 
2
Re DDD ≤
f = 64 / Re ∑  
D

(T r−T=amb ) 1 − (T cell )

RMS Erro
T red = in n 1366ηelel == ηelel ,,ref 1
ref 
− β T cell − −T T ref
ref 
f = 0.3164 Re −0.25 hff = Nu DD K / D ii
f = 0.3164GRe −0.25 Re > 2300 Nu = 0.023Re 0.8 Pr 0.5
D D

(T in −T amb ) ηov
= ηthth +
=
ov + ηelel
2 2
 ‫‪K ins hconv,b ‬‬
‫‪ 5830‬‬ ‫‪‬‬
‫*‪‬‬
‫‪ Racos θ ‬‬ ‫‪1.3‬‬
‫‪‬‬
‫‪+ ‬‬ ‫‪ − 1‬‬
‫‪ReD ≤5830‬‬ ‫*‪( sin1.8θ )  1 − 1708 ‬‬
‫‪1.6‬‬
‫‪2300  Nu D1708‬‬ ‫‪3.657‬‬
‫=‬
‫‪ ،50 Nu‬شماره ‪ ،6‬سال ‪ ،1397‬صفحه ‪ 1361‬تا ‪1374‬‬
‫امیرکبیر‪air،‬دوره‬
‫=‬ ‫مکانیک‪1 +‬‬
‫مهندسی‪1.44 1‬‬
‫‪−‬‬ ‫نشریه‬ ‫‪‬‬ ‫‪‬‬
‫‪x‬‬

‫‪‬‬ ‫‪Racos θ‬‬ ‫‪  Racos θ ‬‬

‫‪‬‬
‫‪> 2300‬‬
‫‪Re DRacos‬‬
‫≤‬
‫‪θ‬‬
‫‪1.3 Nu‬‬ ‫‪= 3.657‬‬
‫= ‪D‬‬ ‫‪0.023Re Pr‬‬
‫*‬ ‫‪0.8‬‬ ‫‪0.5‬‬

‫می‌شوند‪ .‬در شکل ‪ 5‬الگوریتم کد توسعه داده شده و نحوه محاسبات بازده‬ ‫الکتریکی‬
‫‪+‬‬ ‫‪‬‬ ‫و‬ ‫حرارتی‬
‫بازده ‪ −‬‬
‫کلی به شکل مجموع ‪1‬‬ ‫در رابطه (‪ )56‬بازده‬
‫‪ 5830 ‬‬ ‫‪‬‬
‫‪h‬‬ ‫حرارتی و الکتریکی ‪ PV/T‬نشان داده شده است‪.‬‬ ‫مجموع‬
‫> =‪hf D‬‬
‫‪Re‬‬ ‫شکل‬
‫‪Nu‬‬ ‫کلی ‪/‬به‪D K‬‬
‫‪2300‬‬ ‫بازده ‪i‬‬
‫‪DNu‬‬ ‫(‪D = )57‬‬ ‫‪0.023‬‬ ‫رابطه‬
‫تعریف شده است [‪ 9‬و ‪ .]21‬اما‪Pr‬در ‪Re‬‬
‫‪0.8‬‬ ‫‪0.5‬‬

‫= ‪hp 2‬‬ ‫‪T‬‬

‫‪U tT + hT‬‬ ‫‪20‬‬‫‪Re،9‬‬‫[‪D ،4‬‬
‫‪≤ 2300‬‬ ‫تعریف می‌شود‬
‫= ‪Nu D‬‬ ‫الکتریکی‬
‫بازده حرارتی و بازده حرارتی معادل بازده ‪3.657‬‬
‫الکتریکی‬ ‫انرژی‬
‫تبدیل ‪QDu‬‬ ‫ضریب تبدیل به منظور ‪i‬‬ ‫یک‪U‬‬‫‪L (TC‬‬ ‫اخیر‪f f,in‬‬ ‫و ‪ .]21‬در ) ‪amb‬‬
‫رابطه‪−T‬‬
‫‪h‬‬ ‫‪f‬‬ ‫=‬ ‫‪Nu‬‬ ‫‪‬‬ ‫‪K‬‬ ‫‪/‬‬ ‫‪D‬‬ ‫‪‬‬ ‫‪‬‬
‫=‬‫= ‪ηth‬‬ ‫‪FR  h p 1h p 2 (τα0.8)eff 0.5‬‬ ‫‪−‬‬ ‫‪‬‬
‫‪L‬‬ ‫‪1‬‬
‫‪−1‬‬
‫انرژی‬
‫‪A2300‬از> ‪Re D‬‬ ‫الکتریکی) ‪G (t‬‬
‫بیشتر‪c‬‬ ‫حرارتی ‪(t‬آن‪G‬است زیرا کیفیت انرژی ‪‬‬
‫‪Nu D = 0.023‬‬ ‫‪Re Pr‬‬ ‫)‬ ‫به معادل‪‬‬
‫‪hT  P + ‬‬
‫=‬
‫‪ K p hf ‬‬ ‫مناطق‬ ‫=در‬
‫‪‬‬ ‫‪‬‬
‫ضریب‪ L،‬بازده نیروگاه‌های حرارتی است ‪u‬که‪Q‬‬ ‫‪U‬‬ ‫است‪ amb.‬این ‪( f ,in‬‬
‫‪T‬‬ ‫‪−‬‬ ‫‪T‬‬ ‫حرارتی ‪) ‬‬
‫=‬‫‪ηhth = Nu‬‬
‫‪D K t /)D i‬‬
‫‪F‬‬ ‫‪‬‬ ‫‪h‬‬ ‫‪h‬‬ ‫(‬‫‪τα‬‬ ‫)‬ ‫‪−‬‬
‫‪cG (‬‬ ‫مختلف ‪‬متفاوت ) ‪(t‬‬
‫‪R‬‬ ‫‪p‬‬ ‫‪1‬‬ ‫‪p‬‬ ‫‪2‬‬
‫شده‪= ηAel‬‬ ‫است‪G.‬مقدار این ‪)‬‬
‫‪eff‬‬
‫است‪ηel.‬با‬ ‫گرفته ‪,ref‬‬
‫نظر‪1 − β‬‬
‫‪ −0/35‬در‪(Tcell‬‬
‫ضریب ‪T ref‬‬
‫‪f‬‬

‫=‪U‬‬ ‫‪U tw + U b‬‬

‫‪L‬‬
‫مقدار مطلق ندارد و در‪‬هر کشور و‪ ‬هر نیروگاه‬ ‫توجه به این که ضریب ‪C‬‬
‫‪U L (T ff ,in −T amb ) ‬‬
‫‪Qu‬‬
‫(‪)56‬‬ ‫=‬ ‫‪η‬‬
‫رابطه ‪ov‬‬
‫‪‬‬‫‪1‬‬ ‫‪−‬‬ ‫‪β‬‬ ‫(‬‫‪T‬‬ ‫‪−‬‬ ‫‪T‬‬ ‫(‬ ‫)‬ ‫)‬
‫‪‬‬
‫کلی‪(t‬از‪ActhG‬‬
‫بازده ‪el ,ref el‬‬
‫محاسبه‪) R ‬‬ ‫بنابراین‪(t‬در‪G‬این تحقیق‪eff،‬برای‬ ‫است‪،‬‬ ‫متفاوت‬
‫=‬‫‪η‬‬ ‫=‬ ‫‪η‬‬
‫=‬ ‫‪+‬‬ ‫‪η‬‬ ‫‪F‬‬ ‫‪‬‬ ‫‪h‬‬ ‫‪h‬‬ ‫‪τα‬‬ ‫‪−‬‬ ‫‪‬‬
‫‪L‬‬
‫‪−1‬‬
‫‪el‬‬
‫‪th‬‬ ‫‪cell‬‬
‫‪p 1 p 2 ref‬‬
‫)‬ ‫‪‬‬
‫‪1 ‬‬ ‫‪.‬‬
‫‪U b  ins +‬‬
‫=‬ ‫‪‬‬ ‫استفاده شده است‪ .‬در مدل مارپیچ دبی سیال عامل در لوله‌ها ‪ m‬است‪ .‬برای‬
‫‪K‬‬
‫‪ ins‬‬ ‫‪h‬‬ ‫‪‬‬
‫‪conv ,b ‬‬ ‫‪η = ηth + ηηelel‬‬
‫بودن‬‫یافته ==‬
‫‪ηelov‬‬
‫‪η‬‬ ‫‪ov‬‬ ‫توسعه‪ηηelth,ref‬‬
‫فرض ‪+1 −‬‬ ‫محاسبه ضریب اصطکاک درون مجرای دایره‌ای با‬
‫‪C f β (T cell −T ref ) ‬‬
‫‪ 1708 ( sin1.8θ )1.6  ‬‬
‫در جریان آرام‪ ،‬از رابطه (‪ )58‬استفاده می‌شود‪.‬‬
‫‪1708 ‬‬
‫*‬
‫‪η‬‬
‫‪1 + 1.44 1 −‬‬
‫= ‪Nu airx‬‬ ‫‪ 1 −‬‬ ‫=‪ηovov‬‬
‫‪η‬‬ ‫‪= ηη ++η el‬‬
‫‪‬‬ ‫‪Racos θ‬‬ ‫‪‬‬
‫‪  Racos θ ‬‬
‫‪f = 64thth/ ReCel f‬‬ ‫(‪)(5‬‬
‫سطوح‪ηel‬کامال صاف از‬ ‫ضریب اصطکاک در جریان مغشوش با فرض‬
‫*‬
‫‪ Racos θ 1.3 ‬‬
‫‪+ ‬‬ ‫‪ − 1‬‬ ‫‪ηf ov== 0.3164‬‬
‫‪ηth/ +Re Re −0.25‬‬
‫‪64‬‬
‫‪ 5830 ‬‬ ‫‪‬‬ ‫‪Cf‬‬ ‫رابطه مشهور بالزیوس (‪ )59‬محاسبه می‌شود‪.‬‬

‫‪Re D ≤ 2300‬‬ ‫‪3.657‬‬

‫= ‪Nu D‬‬ ‫=‬ ‫‪0.3164‬‬
‫‪ff∆P== 64‬‬ ‫‪ρ LV‬‬
‫‪(f/ Re‬‬ ‫‪/ (2Do ) + ρ g (NW )sinϕ + K loss ( ρV 2 ) /)(5‬‬
‫‪Re2 −)0.25‬‬ ‫( ‪2‬‬

‫فشار در مسیر سیال با‬ ‫فرض ورود آب از پایین سیستم ‪ ،PV/T‬افت‬ ‫با‬
‫=‬ ‫∆‬
‫‪f‬‬ ‫‪P‬‬ ‫(‬ ‫‪f‬‬
‫‪0.3164‬‬ ‫‪ρ‬‬ ‫‪LV‬‬
‫‪Re‬‬
‫‪20.25‬‬
‫‪−‬‬ ‫)‬ ‫‪/‬‬ ‫‪(2‬‬ ‫‪D‬‬ ‫)‬ ‫‪+‬‬ ‫‪ρ‬‬ ‫‪g‬‬ ‫(‬ ‫‪NW‬‬ ‫)‬‫‪sin‬‬ ‫‪ϕ‬‬ ‫‪+‬‬ ‫‪K‬‬ ‫(‬ ‫‪ρ‬‬‫‪V‬‬ ‫‪2‬‬
‫)‬ ‫‪/‬‬ ‫‪2‬‬
‫=‬ ‫‪100 × ( X sim‬‬ ‫‌شود‪.‬‬
‫ی ‪,i‬‬ ‫(‪exp ,i ) / )60‬‬
‫محاسبه‪X‬م ‪−‬‬ ‫رابطه‪X sim‬‬ ‫استفاده از ‪‬‬
‫‪0.8‬‬ ‫‪0.5‬‬ ‫‪2‬‬
‫‪Re D > 2300 Nu D = 0.023Re Pr‬‬
‫= ‪RMS Error‬‬
‫∑‬ ‫‪‬‬
‫‪o‬‬ ‫‪loss‬‬
‫‪,i ‬‬

‫‪n‬‬
‫‪hf = Nu D K / D i‬‬ ‫=‬ ‫(‪∆P (f ρ LV 2 ) / (2Do ) + ρ g (NW )sinϕ + K loss ( ρV 2 2) / 2 )(6‬‬
‫‪∑‬‬ ‫‪‬‬ ‫‪100‬‬ ‫×‬ ‫(‬ ‫‪X‬‬ ‫‪sim ,i − X exp ,i ) / X sim ,i ‬‬
‫‪‬‬
‫= ‪RMS Error‬‬
‫در‬
‫سیال‪T red‬‬
‫متوسط =‬ ‫سرعت‬
‫‪(T in −T amb‬‬ ‫در رابطه ‪2‬اخیر ‪ φ ، ρ ، V‬و‪ Kloss n‬به ترتیب )‬
‫‪Qu‬‬ ‫‪‬‬ ‫‪U L (T f ,in −T amb ) ‬‬ ‫‪× ( X sim ,i − X exp ,i ) / X sim ,i ‬‬
‫=‬‫‪ηth = FR  h p 1h p 2 (τα )eff −‬‬ ‫‪‬‬ ‫ضریب‬
‫‪RMS‬‬ ‫‪ PV/T‬و‬
‫‪Erro‬‬ ‫‪r‬‬ ‫=‬
‫‪∑ 100‬‬
‫سیستم ‪G‬‬ ‫شیب‬ ‫مجرای جریان‪ ،‬چگالی سیال عامل‪ ،‬زاویه‬
‫) ‪A c G (t‬‬ ‫‪‬‬ ‫‪G‬‬ ‫(‬ ‫‪t‬‬ ‫)‬ ‫‪‬‬
‫‪Fig. 5. Thermal and electrical energy efficiencies calculation algorithm‬‬ ‫= ‪T red‬‬
‫(‬‫) ‪T in −T amb‬‬ ‫‪n‬‬
‫اتالفات فرعی در اتصاالت است‪.‬‬
‫‪in developed model‬‬ ‫‪G‬‬
‫سیستم ‪ηel‬‬ ‫‪ cell‬و‪1 − β (T‬‬
‫الكتريكي‪= ηel ,ref‬‬ ‫شکل ‪ :5‬الگوريتم نحوه محاسبات ‪)‬‬
‫بازده‪−T ref‬‬
‫حرارتي‬ ‫) ‪(T −T amb‬‬
‫‪T red = in‬‬
‫‪G‬‬ ‫‪2-22-2‬شبیه سازی سیستم ‪PV/T‬‬
‫مارپیچ‪ηov‬با‬
‫مدل‪= ηth‬‬ ‫برای بررسی و اعتبار سنجی‪ ،‬نتایج حاصل از شبیه سازی‪+ ηel‬‬ ‫برای حل معادالت ریاضی این سیستم‪ ،‬در نرم افزار متلب کد توسعه‬
‫نتایج آزمایشگاهی منبع [‪ ]2‬مقایسه شده است‪.‬‬ ‫داده شده است و عملکرد سیستم بر اساس آن محاسبه شده است‪ .‬مبتنی بر‬
‫كريستالي‬
‫دستگاه آزمايشگاهي شامل يك ماژول فتوولتائيك ‪ el‬پلي‪ηov= ηth +‬‬
‫‪η‬‬ ‫الگوریتم برنامه رایانه‌ای‪ ،‬روند حل معادالت به گونه‌ای است که در ابتدا مقدار‬
‫‪Cf‬‬
‫استاندارد است‪ .‬ماژول‬ ‫سيليكون با بازده الکتریکی ‪ 9/7‬درصد در شرایط‬ ‫پارامترهای مستقل سیستم در برنامه وارد می‌شود‪ .‬این پارامترها شامل شرایط‬
‫‌ها‬
‫‪64‬لول=ه ‪f‬‬
‫مارپیچ‬
‫فتوولتائیک بر يك صفحه جاذب كه زير آن کلکتور با آرایش ‪/ Re‬‬ ‫آب و هوایی‪ ،‬هندسه سیستم‪ ،‬پارامترهای ترمودینامیکی‪ ،‬پارامترهای اپتیکی‬
‫تعبيه شده‪ ،‬مستقر است و این ماژول دارای پوشش شیشه‌ای است‪.‬‬ ‫و پارامترهای عملیاتی است‪ .‬پس از ورود مقادیر پارامترهای ذکر شده‪ ،‬یک‬
‫مقادير‬ ‫سازي‪Re‬نسبت به‬
‫‪f = 0.3164‬‬ ‫‪−0.25‬‬
‫به منظور محاسبه خطاي مقادير پارامترهاي شبيه‬ ‫دمای اولیه برای سلول فتوولتائیک فرض می‌شود (‪ .)Tcell=Tcell, initial‬سپس‬
‫تجربي‪ ،‬خطای درصدی مجذور مربعات متوسط‪ 1‬هر پارامتر توسط رابطه (‪)61‬‬ ‫بازده الکتریکی و ضرایب انتقال حرارت و اتالف حرارت محاسبه می‌شوند‪.‬‬
‫=‬ ‫است‪∆P (f ρ LV 2 ) / (2Do ) + ρ g (NW )sinϕ + K loss.‬‬ ‫شده‪( ρV 2‬‬
‫محاسبه‪) / 2‬‬ ‫به دنبال آن پارامترهاي حرارتي و در انتها مقدار دمای اجزای مختلف شامل‬
‫سلول‌های فتوولتائیک‪ ،‬دمای آب خروجی و مقدار متوسط دمای آب محاسبه‬
‫‪∑ 100 × ( X‬‬ ‫‪− X exp ,i ) / X sim ,i ‬‬
‫‪2‬‬
‫‪sim ,i‬‬ ‫(‪)(6‬‬ ‫می‌شوند‪ .‬اين روند تكرار مي‌شود تا تفاوت مقدار دمای سلول فتوولتائيك در‬
‫= ‪RMS Error‬‬
‫‪n‬‬ ‫طول دو تكرار متوالي از يك مقدار كوچك از پيش تعريف شده كمتر شود‪.‬‬
‫مقدار پارامتر‬ ‫پس از این مرحله‪ ،‬پارامترهای عملکردی شامل حرارت مفید جذب شده‪ ،‬بازده‬
‫آزمايش‪−‬و ‪(T in‬‬
‫در این معادله‪ n ،‬و ‪ X‬به ترتيب تعداد دفعات انجام ) ‪T amb‬‬
‫= ‪T red‬‬
‫‪G‬‬ ‫حرارتی‪ ،‬بازده الکتریکی‪ ،‬بازده کلی و مقدار افت فشار در سیستم محاسبه‬
‫‪1‬‬ ‫‪Root Mean Square of Percentage Error‬‬

‫‪1367‬‬
 ‫‪Re D > 2300‬‬ ‫‪Nu D = 0.023Re 0.8 Pr 0.5‬‬
‫نشریه مهندسی مکانیک امیرکبیر‪ ،‬دوره ‪ ،50‬شماره ‪ ،6‬سال ‪ ،1397‬صفحه ‪ 1361‬تا ‪1374‬‬
‫‪hf = Nu D K / D i‬‬

‫‪Qu‬‬ ‫‪‬‬ ‫‪U L (T f ,in −T amb ) ‬‬ ‫تجربي يا شبيه سازي هستند‪ .‬پارامترهای مورد استفاده جوی‪ ،‬عملکردی و‬
‫=‬‫‪ηth‬‬ ‫=‬ ‫‪FR  h p 1h p 2 (τα )eff −‬‬
‫) ‪A c G (t‬‬ ‫‪‬‬ ‫) ‪G (t‬‬
‫‪‬‬ ‫طراحی سیستم ‪ PV/T‬در فرآیند اعتبار سنجی در جدول ‪ 1‬و ‪ 2‬ارائه شده‬
‫‪‬‬
‫است‪ .‬در شکل ‪ 6‬مقادير تجربي و شبيه سازي بازدهی حرارتی بر حسب‬
‫‪ηel = ηel ,ref 1 − β (T cell −T ref ) ‬‬ ‫پارامتر ‪ )Tin-Tamb)/G‬نشان داده شده است‪ .‬از بررسي اين شكل مشاهده‬
‫مي‌شود كه انطباق مناسبی بين مقادير شبيه سازي مقاله کنونی و مقادير‬
‫‪ηov= ηth + ηel‬‬ ‫تجربي مرجع [‪ ]2‬وجود دارد‪ .‬مقدار خطا ‪ 2/73‬درصد است‪.‬‬

‫‪ηel‬‬ ‫جدول ‪ :1‬شرایط جوی و عملیاتی در فرآيند اعتبارسنجي [‪]2‬‬

‫‪ηov= ηth +‬‬
‫‪Cf‬‬ ‫‪Table 1. Values for operational weather condition during the validation‬‬
‫]‪process [2‬‬

‫‪f = 64 / Re‬‬ ‫مقدار‬ ‫پارامتر‬

‫‪Fig. 6. Comparison−0.25‬‬
‫‪of thermal efficiency figures between reference [2] results‬‬ ‫)‪20 (oC‬‬ ‫دمای محیط (‪)Tamb‬‬
‫‪f = 0.3164 Re‬‬
‫شکل ‪ :6‬مقایسه مقادير شبيه سازي بازده حرارتی با نتایج مرجع [‪]2‬‬ ‫)‪800 (W/m2‬‬ ‫شدت تابش خورشیدی (‪)G‬‬
‫نتايج ‪(f ρ LV‬‬
‫‪2‬‬
‫روي‪) / (2‬‬ ‫‪(PV/T‬و‪+ ρ g‬‬
‫بحث) ‪Do‬‬ ‫‪ϕ+K‬‬ ‫تحلیل ‪loss ( ρV‬‬
‫‪2‬‬
‫)‪1 (m/s‬‬ ‫سرعت باد (‪)Vw‬‬
‫‪∆P‬‬ ‫سیستم‬
‫‪NW )sin‬‬ ‫پارامتری‬ ‫‪) / 22-22-2‬‬
‫‪.‬‬
‫برای مقایسه مدل‌ها و نیز پارامترهای مختلف‪ ،‬شرایط عملیاتی و آب‬ ‫)‪0/02 (kg/s‬‬ ‫نرخ جریان سیال (‪)m‬‬
‫دارد‪× (.‬‬ ‫‌های‪) / X sim‬‬ ‫˚‪45‬‬ ‫زاویه قرار گیری سیستم ‪)φ) PV/T‬‬
‫‪2‬‬
‫رابطه‬ ‫طبق‬ ‫یافته‬
‫= ‪RMS Error‬‬
‫∑‬
‫کاهش‬ ‫دمای‬
‫‪100‬‬
‫‪‬‬ ‫مطابقت ‪X sim‬‬
‫جدول ‪,i − X exp3,i‬‬ ‫و هوایی با داده ‪,i ‬‬
‫‪‬‬
‫‪n‬‬ ‫(‪ )62‬تعریف می‌شود‪.‬‬ ‫جدول ‪ :2‬پارامترهاي عملیاتی و طراحی در فرآیند اعتبارسنجي [‪]2‬‬

‫= ‪T red‬‬
‫) ‪(T in −T amb‬‬ ‫(‪)(6‬‬
‫‪Table 2. Values for design and operational parameters during the‬‬
‫]‪validation process [2‬‬
‫‪G‬‬
‫مقدار‬ ‫پارامتر‬
‫با افزایش دمای کاهش یافته‪ ،‬دمای آب خروجی و دمای سلول‬
‫فتوولتائیک افزایش می‌یابد‪ ،‬ولی بازده حرارتی‪ ،‬الکتریکی و بازده کلی کاهش‬ ‫)‪1/12 (m2‬‬ ‫سطح جاذب (‪)Aabs‬‬
‫می‌یابند‪.‬‬ ‫)‪0/94 (m2‬‬ ‫سطح فتوولتائیک (‪)APV‬‬
‫در شکل‌های ‪ 7‬و ‪ 8‬تغییرات دمای آب خروجی و دمای پنل فتوولتائیک‪،‬‬ ‫)‪9/7 (%‬‬ ‫بازدهی پنل فتوولتائیک در شرایط مرجع (‪)ηel,ref‬‬
‫بازده حرارتی‪ ،‬بازده الکتریکی و بازده کلی بر حسب تغییر دمای کاهش یافته‬ ‫)‪0/776 (m‬‬ ‫طول کلکتور (‪)Lc‬‬
‫ترسیم شده است‪.‬‬ ‫)‪0/724 (m‬‬ ‫طول مجاری جریان (‪)L‬‬
‫جدول ‪ :3‬شرایط آب و هوا و شرایط عملیاتی در تحلیل پارامتری‬ ‫‪0/9‬‬ ‫ضریب صدور شیشه (‪)εg‬‬
‫‪Table 3. Weather condition and operational parameters for parametric analysis‬‬
‫‪0/9‬‬ ‫ضریب صدور فتوولتائیک (‪)εPV‬‬
‫مقدار‬ ‫پارامتر‬ ‫)‪4200 (J/kg.K‬‬ ‫ظرفیت حرارتی آب (‪)Cpw‬‬
‫)‪25 ( C‬‬
‫‪o‬‬
‫دمای محیط (‪)Tamb‬‬ ‫)‪0/025 (W/m.K‬‬ ‫ضریب هدایت حرارتی هوا (‪)kair‬‬
‫)‪800 (W/m2‬‬ ‫شدت تابش خورشیدی (‪)G‬‬ ‫)‪0/9 (W/m.K‬‬ ‫ضریب هدایت حرارتی شیشه (‪)kglass‬‬
‫)‪1 (m/s‬‬ ‫سرعت باد (‪)Vw‬‬ ‫)‪0/6 (W/m.K‬‬ ‫ضریب هدایت حرارتی آب (‪)kwater‬‬
‫‪.‬‬
‫)‪0/016 (kg/s‬‬ ‫نرخ جریان سیال (‪)m‬‬ ‫)‪0/0032(m‬‬ ‫ضخامت پوشش شیشه‌ای (‪)Ltopglass‬‬
‫)‪20-50 (oC‬‬ ‫دمای آب ووردی (‪)Tin‬‬ ‫)‪0/003 (m‬‬ ‫ضخامت شیشه فتوولتائیک (‪)LPVglass‬‬
‫) ‪1/5 (m‬‬ ‫‪2‬‬
‫سطح کلکتور (‪)A‬‬ ‫)‪0/00035 (m‬‬ ‫ضخامت سلول سیلیکونی (‪)Lcell‬‬
‫)‪12 (%‬‬ ‫بازدهی پنل فتوولتائیک در شرایط مرجع (‪)ηel,ref‬‬ ‫)‪0/002 (m‬‬ ‫ضخامت صفحه جاذب (‪)Labs‬‬
‫)‪0/002 (m‬‬ ‫ضخامت صفحه جاذب (‪)Labs‬‬ ‫)‪0/01 (m‬‬ ‫قطر خارجی لوله (‪)Do‬‬
‫)‪0/01 (m‬‬ ‫قطر خارجی لوله (‪)Do‬‬ ‫)‪0/008 (m‬‬ ‫قطر داخلی لوله (‪)Di‬‬
‫)‪0/008 (m‬‬ ‫قطر داخلی لوله (‪)Di‬‬ ‫)‪0/095 (m‬‬ ‫فاصله بین لوله‌ها (‪)W‬‬
‫)‪0/1 (m‬‬ ‫فاصله بین لوله‌ها (‪)W‬‬ ‫)‪0/02 (m‬‬ ‫عرض الیه هوا (‪)Lair‬‬

‫‪1368‬‬
 ‫نشریه مهندسی مکانیک امیرکبیر‪ ،‬دوره ‪ ،50‬شماره ‪ ،6‬سال ‪ ،1397‬صفحه ‪ 1361‬تا ‪1374‬‬

‫‪Fig. 7. Variation of outlet water and panel temperature with reduced‬‬

‫‪temperature‬‬

‫شکل ‪ :7‬تغییر دمای آب خروجی و دمای پنل با تغییر دمای کاهش یافته‬

‫‪Fig. 9. Variation of overall efficiency and pressure drop with flow rate‬‬
‫شکل ‪ :9‬تغییر بازده کلی و افت فشار با تغییر دبی‬

‫مغشوش باالتر است‪.‬‬

‫یکی از مزایای سیستم‌های مارپیچ نسبت به هدر‪-‬رایزر این است که این‬
‫سیستم‌ها در دبی پایین جریان مغشوش دارند و ضریب انتقال حرارت بیشتر‬
‫از مدل‌های هدر‪-‬رایزر است‪ .‬در ناحیه جریان مغشوش‪ ،‬افزایش دبی تاثیر‬
‫اندکی در افزایش بازدهی کلی دارد‪ .‬در شکل ‪ 9‬افزایش افت فشار با افزایش‬
‫دبی قابل مشاهده است‪ .‬با افزایش دبی در گستره اشاره شده‪ ،‬افت فشار در‬
‫ساختار مارپیچ از ‪ 8‬تا ‪ 21‬کیلوپاسکال افزایش پیدا می‌کند‪ .‬برای لوله با قطر‬
‫در نظر گرفته شده‪ ،‬سیال می‌تواند با دبی ‪ 0/016‬کیلوگرم بر ثانیه جریان‬
‫یابد‪ .‬در این دبی‪ ،‬جریان مغشوش است و مقدار افت فشار نیز اندک است‬
‫و در این حالت‪ ،‬انرژی مصرفی توسط پمپ می‌تواند با الکتریسیته تولیدی‬
‫توسط پنل‌ها نیز تامین شود‪.‬‬
‫‪Fig. 8. Variation of thermal, electrical and overall efficiency with‬‬
‫در شکل ‪ 10‬تغییرات بازده کلی و افت فشار با تغییر قطر لوله‌ها بررسی‬ ‫‪reduced temperature‬‬

‫شده است‪ .‬با توجه به اندازه لوله‌های مسی استاندارد موجود در بازار مقادیر‬ ‫شکل ‪ :8‬تغییر بازده حرارتی‪ ،‬الکتریکی و کلی با دمای کاهش یافته‬
‫‪ 1/5 ،1/2 ،1 ،0/8 ،0/635‬و ‪1/6‬سانتیمتر برای قطر خارجی لوله‌ها در نظر‬
‫همان‌طور که در شکل ‪ 8‬مشاهده می‌شود‪ ،‬بیشتر شدن مقدار دمای‬
‫گرفته شده است‪.‬‬
‫کاهش یافته‪ ،‬تاثیر بیشتری بر کاهش میزان بازدهی حرارتی و در نتیجه‬
‫در شکل ‪ 10‬فاصله مرکز تا مرکز لوله‌ها به اندازه ‪ W =0/1‬متر در نظر‬
‫بازدهی کل سیستم دارد‪ .‬در شکل ‪ 9‬تغییرات بازده کلی و افت فشار با تغییر‬
‫گرفته شده و به این ترتیب تعداد لوله‌ها ثابت فرض می‌شود‪ .‬با این فرض با‬
‫دبی بررسی شده است‪ .‬با فرض دمای آب ورودی ‪ 25‬درجه سلسیوس‪ ،‬با‬
‫افزایش قطر لوله‌ها‌‪ ،‬افت فشار کاهش می‌یابد‪.‬‬
‫افزایش دبی از ‪ 0/005‬تا ‪ 0/014‬کیلوگرم بر ثانیه‪ ،‬بازده کلی افزایش ‪6/9‬‬
‫مقدار افت فشار در قطرهای ‪ 0/635‬و ‪ 0/8‬سانتیمتر باالست‪ .‬اما در‬
‫درصدی دارد‪ .‬اما با افزایش دبی از ‪ 0/014‬به ‪ 0/016‬کیلوگرم بر ثانیه‪،‬‬
‫قطرهای بزرگتر‪ ،‬مقدار افت فشار کمتر از ‪ 15‬کیلوپاسکال است‪ .‬اما در مورد‬
‫بازده کلی از ‪ 56‬درصد تا ‪ 59‬درصد افزایش می‌یابد و جهش قابل توجهی‬
‫بازده کلی‪ ،‬با افزایش قطر‪ ،‬بازده کلی تغییر اندکی دارد مگر در تغییر از قطر‬
‫در افزایش بازده کلی مشاهده می‌شود‪ .‬علت آن گذار رژیم جریان سیال از‬
‫خارجی‪ 1‬تا ‪ 1/2‬سانتیمتر‪ ،‬که در دبی در نظر گرفته شده‪ ،‬در لوله با قطر‬
‫حالت آرام به حالت مغشوش است‪ .‬با قطر لوله و نیز دمای آب ورودی در‬
‫خارجی ‪ 1‬سانتیمتر و کمتر از آن‪ ،‬جریان مغشوش است و برای لوله با قطر‬
‫نظر گرفته شده‪ ،‬تا محدوده دبی ‪ 0/014‬کیلوگرم بر ثانیه‪ ،‬جریان در ناحیه‬
‫خارجی ‪ 1/2‬سانتیمتر و بیشتر جریان آرام است و کاهش بازده کلی از ‪ 64‬تا‬
‫آرام قرار دارد و با افزایش دبی بیش از مقدار ذکر شده وارد ناحیه مغشوش‬
‫‪ 61/7‬درصد است‪.‬‬
‫می‌شود که ضریب انتقال حرارت افزایش یافته و بازده حرارتی در جریان‬

‫‪1369‬‬
 ‫نشریه مهندسی مکانیک امیرکبیر‪ ،‬دوره ‪ ،50‬شماره ‪ ،6‬سال ‪ ،1397‬صفحه ‪ 1361‬تا ‪1374‬‬

‫کاهش می‌یابد‪ .‬با افزایش فاصله بین لوله‌ها‪ ،‬تعداد لوله‌ها در مساحت معین‬
‫کاهش می‌یابد‪ .‬با کاهش تعداد لوله‌ها بازده حرارتی سیستم کم می‌شود‪.‬‬
‫همچنین با کاهش تعداد لوله‌ها‪ ،‬طول لوله‌ها کمتر شده و افت فشار نیز‬
‫کاهش می‌یابد‪ .‬با افزایش فاصله بین لوله‌ها به بیش از ‪ 0/01‬متر‪ ،‬کاهش‬
‫افت فشار در سیستم ناچیز بوده و در محدوده ‪ 11‬تا ‪ 9‬کیلوپاسکال است‪.‬‬
‫در تعیین فاصله بین لوله‌ها‪ ،‬اندازه سلول‌های خورشیدی مهم است‪،‬‬
‫بهترین حالت این است که زیر هر سلول خورشیدی حداقل یک لوله عبور‬
‫کند تا دمای آن سلول را کاهش دهد‪ .‬با کاهش فاصله بین لوله‌ها‪ ،‬بازده‬
‫کلی افزایش می‌یابد‪ ،‬ولی باید به این نکته توجه داشت که افزایش تعداد‬
‫لوله باعث افزایش هزینه ساخت و نیز افزایش افت فشار و در نتیجه افزایش‬
‫انرژی مصرفی پمپ می‌شود‪ .‬در ادامه برای بررسی بهتر تاثیر تغییر پارامترها‪،‬‬
‫تغییرات بازده کلی و افت فشار با تغییر دو پارامتر بررسی شده است‪ .‬در‬
‫شکل‌های ‪ 12‬و ‪ 13‬تغییرات بازده کلی و افت فشار با تغییر دبی و فاصله بین‬
‫لوله‌ها ارائه شده است‪.‬‬ ‫‪Fig. 10. Variation of overall efficiency and pressure drop with pipe diameter‬‬

‫در دبی باالتر از ‪ 0/014‬کیلوگرم بر ثانیه‪ ،‬رژیم جریان مغشوش می‌شود‬ ‫شکل ‪ :10‬تغییر بازده کلی و افت فشار با قطر لوله‬
‫و در فاصله بین لوله‌ها برابر با ‪ 5‬و ‪ 7‬سانتیمتر‪ ،‬افت فشار به بیش از ‪15‬‬
‫در ناحیه مغشوش یا آرام‪ ،‬با افزایش قطر‪ ،‬ضریب انتقال حرارت در لوله‬
‫کیلوپاسکال می‌رسد‪ .‬آنچه مطلوب طراحی است‪ ،‬حالتی است که بیشترین‬
‫کاهش می‌یابد که منجر به کاهش بازده حرارتی می‌شود‪ .‬البته شیب کاهش‬
‫بازده و کمترین افت فشار اتفاق بیفتد‪.‬‬
‫اندک است‪ .‬اندازه قطر لوله در مدل مارپیچ اهمیت فراوانی دارد‪ .‬به منظور‬
‫در شکل‌های ‪ 14‬و ‪ 15‬تغییرات بازده کلی و افت فشار با تغییر دبی‬
‫دستیابی به جریان مغشوش‪ ،‬بهتر است قطر لوله کوچک‌تر باشد‪ .‬با توجه‬
‫و قطر لوله‌ها نشان داده شده است‪ .‬افت فشار در قطرهای کوچک (کمتر‬
‫به مقدار افت فشار در این شکل‪ ،‬لوله با قطر خارجی ‪ 1‬سانتیمتر نسبت به‬
‫از ‪ 1‬سانتیمتر) باالست‪ .‬در مورد بازده کلی‪ ،‬تغییرات بازده با افزایش قطر‬
‫قطرهای کوچک‌تر‪ ،‬افت فشار کمتری دارد و می‌تواند انتخاب مناسبی برای‬
‫اندک است‪ .‬آن‌چه از تغییرات بازده کلی نتیجه گیری می‌شود این است که‬
‫قطر لوله باشد‪ .‬در شکل ‪ 11‬تغییرات بازده کلی و افت فشار با تغییر فاصله‬
‫با افزایش قطر‪ ،‬جریان در دبی‌های باالتری از ناحیه آرام به ناحیه مغشوش‬
‫بین لوله‌ها بررسی شده است‪.‬‬
‫گذر می‌کند‪ ،‬بنابراین قطر کوچک‌تر با افت فشار کمتر انتخاب مناسب‌تری‬
‫فاصله بین لوله‌ها از ‪ 0/05‬تا ‪ 0/18‬متر تغییر می‌کند‪ .‬با افزایش فاصله‬
‫خواهد بود‪.‬‬
‫بین لوله‌ها‪ ،‬بازده کلی از ‪ 59‬تا ‪ 55‬درصد و افت فشار از ‪ 17‬تا ‪ 9‬کیلو پاسکال‬

‫‪Fig. 12. Variation of overall efficiency with flow rate and the distance‬‬ ‫‪Fig. 11. Variation of overall efficiency and pressure drop with the‬‬
‫‪between pipes‬‬ ‫‪distance between pipes‬‬
‫شکل ‪ :12‬تغییر بازده کلی با تغییر دبی و فاصله بین لوله‌ها‬ ‫شکل ‪ :11‬تغییر بازده کلی و افت فشار با تغییر فاصله بین لوله‌ها‬

‫‪1370‬‬
 ‫نشریه مهندسی مکانیک امیرکبیر‪ ،‬دوره ‪ ،50‬شماره ‪ ،6‬سال ‪ ،1397‬صفحه ‪ 1361‬تا ‪1374‬‬

‫‪3-3‬نتیجه‌گیری‬
‫در این مقاله شبیه سازی و تحلیل پارامتری سیستم فتوولتائیک حرارتی‬
‫با آرایش ورق و لوله مارپیچ انجام شده است‪ .‬شبیه سازی مبتنی بر مدل‬
‫عددی در آرایش ورق و لوله مارپیچ برای سیستم ‪ PV/T‬آب خنک انجام‬
‫شده است‪ .‬بر این اساس با توسعه یک کد در نرم افزار متلب‪ ،‬مدل ارائه شده‬
‫با خطایی در حدود ‪ 2/73‬درصد‪ ،‬تطابق خوبی با داده‌های تجربی دارد‪ .‬نتایج‬
‫نشان می‌دهد‪ ،‬نمونه مدل شده‪ ،‬بازدهی حرارتی در حدود ‪ 40‬تا ‪ 50‬درصد و‬
‫بازدهی الکتریکی در حدود ‪ 10‬درصد دارد‪.‬‬
‫در ادامه به منظور بررسی وضعیت پارامترهای عملکردی بر اساس‬
‫پارامترهای کنترلی و مستقل‪ ،‬تحلیل پارامتری انجام شده است‪ .‬در یک‬
‫رویکرد کلی‪ ،‬تغییرات بازده کلی و افت فشار با تغییر پارامترهای دبی سیال‪،‬‬
‫فاصله بین لوله‌ها و قطر لوله‌ها بررسی شده است‪ .‬نتایج نشان می‌دهد که‬ ‫‪Fig. 13. Variation of pressure drop with flow rate and the distance‬‬
‫‪between pipes‬‬
‫افزایش دبی‪ ،‬کاهش فاصله بین لوله‌ها و کاهش قطر لوله‌ها منجر به افزایش‬
‫شکل ‪ :13‬تغییر افت فشار با تغییر دبی و فاصله بین لوله‌ها‬
‫بازده کلی می‌شود‪ .‬در حالی که افت فشار با افزایش دبی‪ ،‬کاهش فاصله بین‬
‫لوله‌ها و کاهش قطر لوله‌ها افزایش می‌یابد‪.‬‬
‫آن‌چه مطلوب طراحی است‪ ،‬حالتی است که در آن بیشترین بازده و‬
‫کمترین افت فشار به دست آید‪ .‬در شرایط آب و هوایی در نظر گرفته شده‬
‫در این پژوهش‪ ،‬عملکرد سیستم ‪ PV/T‬با دبی جرمی ‪ 0/016‬کیلوگرم بر‬
‫ثانیه و با لوله‌هایی به قطر خارجی ‪ 1‬سانتیمتر و با فاصله ‪ 7‬تا ‪ 11‬سانتیمتر‬
‫از یکدیگر مطلوب است‪ .‬محدوده مورد نظر برای پارامترهای دبی‪ ،‬قطر لوله و‬
‫تعداد لوله‌ها‪ ،‬با توجه به شرایط آب و هوایی مختلف متغیر خواهد بود‪ .‬با بهینه‬
‫سازی سیستم‪ ،‬می‌توان به کمک تجهیزات کنترلی شرایط بهینه عملکرد را‬
‫تنظیم کرد‪.‬‬
‫مبتنی بر نتایج حاصل شده‪ ،‬با تحلیل پارامتری می‌توان شرایط پارامترهای‬
‫کنترلی و عملکردی را مورد ارزیابی قرار داده و بر اساس آن خروجی مورد‬
‫انتظار را در یک چارچوب منطقی مشخص کرد‪ .‬این موضوع یک گام مهم‬ ‫‪Fig. 14. Variation of overall efficiency with flow rate and pipe diameter‬‬
‫جهت کمک به طراحی سیستم خواهد بود‪ .‬در ادامه این پژوهش سعی بر‬ ‫شکل ‪ :14‬تغییر بازده کلی با تغییر دبی و قطر لوله‬
‫آن است که با استفاده از نتایج شبیه سازی‪ ،‬طراحی و ساخت یک نمونه‬
‫سیستم ‪ PV/T‬با مشخصات مذکور انجام پذیرد و مبانی تئوری مسأله در‬
‫حالت تجربی مورد ارزیابی قرار گیرد‪ .‬در نهایت مبتنی بر نتایج شبیه سازی‬
‫و خروجی داده‌های سیستم طراحی و ساخته شده‪ ،‬با در نظر گرفتن مسائل‬
‫اقتصادی‪ ،‬مدل بهینه سیستم توسعه داده شود‪.‬‬

‫تشکر و قدردانی‬
‫نویسندگان مقاله از معاونت محترم پژوهش و فناوری جهاد دانشگاهی و‬
‫رئیس محترم پژوهشکده توسعه صنایع شیمیایی ایران به علت حمایت از به‬
‫انجام رسیدن این پژوهش تقدیر می‌نمایند‪.‬‬

‫‪Fig. 15. Variation of pressure drop with flow rate and pipe diameter‬‬
‫شکل ‪ :15‬تغییر افت فشار با تغییر دبی و قطر لوله‬

‫‪1371‬‬
 ‫نشریه مهندسی مکانیک امیرکبیر‪ ،‬دوره ‪ ،50‬شماره ‪ ،6‬سال ‪ ،1397‬صفحه ‪ 1361‬تا ‪1374‬‬

‫عالمت یونانی‬ ‫فهرست عالئم‬

‫ضریب جذب نور‬ ‫‪α‬‬ ‫مساحت‪m2 ،‬‬ ‫‪A‬‬

‫ضریب صدور‬ ‫‪ε‬‬ ‫سطح صفحه جاذب‪m2 ،‬‬ ‫‪Ac‬‬

‫بازده‬ ‫‪η‬‬ ‫سطح سلول‌های خورشیدی‪m2 ،‬‬ ‫‪Acell‬‬

‫ضریب انتقال نور‬ ‫‪τ‬‬ ‫عرض صفحه جاذب روی یک مجرای جریان‪m ،‬‬ ‫‪B‬‬

‫ثابت استفان بولتزمن‪W/m2K4 ،‬‬ ‫∑‬ ‫ظرفیت حرارتی ویژه آب‪J/kg.K ،‬‬ ‫‪Cpw‬‬

‫تابع دلتا‬ ‫‪δ‬‬ ‫قطر‪m ،‬‬ ‫‪D‬‬

‫چگالی سیال‬ ‫‪ρ‬‬ ‫ضریب پرکنندگی‬ ‫‪FF‬‬

‫ضریب انتقال‪-‬جذب موثر‬ ‫‪(τα)eff‬‬ ‫ضریب اصطکاک‬ ‫‪f‬‬

‫ضریب دمایی‬ ‫‪β‬‬ ‫ضریب برداشت حرارت‬ ‫‪FR‬‬

‫ضریب فشردگی‬ ‫‪βcell‬‬ ‫شدت تابش خورشیدی‪W/m2 ،‬‬ ‫‪Gt‬‬

‫زاویه شیب سیستم ‪PV/T‬‬ ‫‪φ‬‬ ‫ضریب انتقال حرارت‪W/m2.K ،‬‬ ‫‪H‬‬

‫زیرنویس‬ ‫قابلیت هدایت حرارتی‪W/m.K ،‬‬ ‫‪K‬‬

‫جاذب‬ ‫‪abs‬‬ ‫ضخامت‪ ،‬طول مجاری جریان‪m ،‬‬ ‫‪L‬‬

‫‪.‬‬
‫چسب‬ ‫‪adh‬‬ ‫نرخ جریان‪kg/s ،‬‬ ‫‪m‬‬

‫هوا‬ ‫‪air‬‬ ‫تعداد مجاری جریان‬ ‫‪N‬‬

‫هوای محیط‬ ‫‪amb‬‬ ‫عدد ناسلت‬ ‫‪Nu‬‬

‫پایه‪ ،‬سطح زیرین‬ ‫‪b‬‬ ‫عدد رایلی‬ ‫‪Ra‬‬

‫پشت تدالر‬ ‫‪bs‬‬ ‫عدد رینولدز‬ ‫‪Re‬‬

‫جابه‌جایی‬ ‫‪conv‬‬ ‫عدد پرانتل‬ ‫‪Pr‬‬

‫‪.‬‬
‫سلول خورشیدی‬ ‫‪cell‬‬ ‫نرخ انتقال حرارت‬ ‫‪Q‬‬

‫قطر‬ ‫‪D‬‬ ‫جریان حرارتی وارد شده به قسمت ‪ i‬ام‬ ‫‪qi‬‬

‫‪.‬‬
‫الکتریکی‬ ‫‪el‬‬ ‫نرخ انتقال حرارت‬ ‫‪S‬‬

‫سیال‬ ‫‪F, f‬‬ ‫دما‪˚C ،‬‬ ‫‪T‬‬

‫شیشه‪ ،‬پوشش شفاف‬ ‫‪G, g‬‬ ‫ضریب انتقال حرارت کلی ازسطح پایین ‪ PV/T‬به محیط‪،‬‬
‫‪Ub‬‬
‫داخلی‬ ‫‪i‬‬ ‫‪W/m2.K‬‬

‫ورودی‬ ‫‪in‬‬ ‫ضریب اتالف حرارتی کلی‪W/m2.K ،‬‬ ‫‪UL‬‬

‫عایق‬ ‫‪ins‬‬ ‫ضریب اتالف حرارت از باالی ‪ PV/T‬به محیط‪W/m2.K ،‬‬ ‫‪Ut‬‬

‫خارجی‬ ‫‪o‬‬ ‫ضریب انتقال حرارت هدایتی از سلول خورشیدی به سیال‬

‫‪UT‬‬
‫از طریق تدالر‪W/m2.K ،‬‬
‫خروجی‬ ‫‪out‬‬
‫کلی‬ ‫‪ov‬‬
‫ضریب انتقال حرارت کلی از شیشه به جریان سیال از‬
‫‪Utw‬‬
‫طریق تدالر و سلول خورشیدی‪W/m2.K ،‬‬
‫صفحه جاذب‬ ‫‪P‬‬
‫سرعت متوسط سیال‬ ‫‪V‬‬
‫تابشی‬ ‫‪r‬‬
‫سرعت باد‬ ‫‪Vw‬‬
‫مرجع‬ ‫‪ref‬‬
‫فاصله مجاری جریان‪m ،‬‬ ‫‪W‬‬
‫آسمان‬ ‫‪s‬‬
‫سیلیکون‬ ‫‪si‬‬

‫‪1372‬‬
 1374 ‫ تا‬1361 ‫ صفحه‬،1397 ‫ سال‬،6 ‫ شماره‬،50 ‫ دوره‬،‫نشریه مهندسی مکانیک امیرکبیر‬
system with natural circulation, Applied Energy, 84(2),
(2007) 222-237.
[10] A. Tiwari, S. Dubey, G.S. Sandhu, M.S. Sodha, S.I.
Anwar, Exergy analysis of integrated photovoltaic
thermal solar water heater under constant flow rate and
constant collection temperature modes, Applied Energy,
86(12), (2009) 2592-2597.
[11] P. Charalambous, S.A. Kalogirou, G.G. Maidment, K.
Yiakoumetti, Optimization of the photovoltaic thermal
(PV/T) collector absorber, Solar Energy, 85(5), (2011)
871-880.
[12] F. Shan, L. Cao, G. Fang, Dynamic performances
modeling of a photovoltaic–thermal collector with water
heating in buildings, Energy and Buildings, 66, (2013)
485-494.
[13] G. Evola, L. Marletta, Exergy and thermoeconomic
optimization of a water-cooled glazed hybrid
photovoltaic/thermal (PVT) collector, Solar Energy, 107,
(2014) 12-25.
[14] J. Tamayo Vera, T. Laukkanen, K. Sirén, Performance
evaluation and multi-objective optimization of hybrid
photovoltaic–thermal collectors, Solar Energy, 102,
(2014) 223-233.
[15] M.A.M. Rosli, S. Misha, K. Sopian, S. Mat, M.Yusof
Sulaiman, E. Salleh, Parametric analysis on heat removal
factor for a flat plate solar collector of serpentine tube,
World Applied Sciences Journal, 29(2), (2014) 184-187.
[16] H.A. Zondag, D.W. de Vries, W.G.J. van Helden,
R.J.C. van Zolingen, A.A. van Steenhoven, The yield of
different combined PV-thermal collector designs, Solar
energy, 74(3), (2003) 253-269.
[17] J. Duffie, W. Beckman, Solar Engineering of Thermal
Processes, A Wiley-Inter science Publication, John Wiley
& Sons, New York, 1980.
[18] S.I. Abdel-Khalik, Heat removal factor for a flat-plate
solar collector with a serpentine tube, Solar Energy,
18(1), (1976) 59-64.
[19] T.T. Chow, Performance analysis of photovoltaic-
thermal collector by explicit dynamic model, Solar
Energy, 75(2), (2003) 143-152.
[20] J. Ji, H. He, T. Chow, G. Pei, W. He, K. Liu,
Distributed dynamic modeling and experimental study
of PV evaporator in a PV/T solar-assisted heat pump,
International Journal of Heat and Mass Transfer, 52(5-
6), (2009) 1365-1373.
1373
‫سطح باالیی‬ t
‫تدالر‬ T
‫حرارتی‬ th
‫لوله‬ tube
‫باد‬ w
‫ مفید‬u, useful
‫منابع‬
[1] X. Zhang, X. Zhao, S. Smith, J. Xu., X. Yu, Review
of R&D progress and practical application of the solar
photovoltaic/thermal (PV/T) technologies, Renewable
and Sustainable Energy Reviews, 16, (2012) 599-617.
[2] H.A. Zondag, D.W. de Vries, W.G.J. van Helden, R.J.C.
van Zolingen, A.A. van Steenhoven, The thermal and
electrical yield of a PV-thermal collector, Solar Energy,
72(2), (2002) 113-128.
[3] K. Sopian, G.L. Jin, M. Yusof Othman, S.H. Zaidi,
M. Hafidz Ruslan, Advanced Absorber Design for
Photovoltaic Thermal (PV/T) Collectors, Recent
Researches in Energy, Environment and Landscape
Architecture, 978-1-6180, (2011) 77-83.
[4] A. Tiwari, M. Sodha, Performance evaluation of solar
PV/T system: an experimental validation, Solar Energy,
80(7), (2006) 751-759.
[5] A. Ibrahim, M.Y. Othman, M.H. Ruslan, M.A. Alghoul,
M. Yahya, A. Zaharim, K. Sopian, Performance of
photovoltaic thermal collector (PVT) with different
absorbers design, WSEAS Transactions on Environment
and Development, 5(3), (2009) 321-330.
[6] M. Boubekri, A. Chaker, A. Cheknane, Numerical
approach for performance study of hybrid PV/Thermal
collector, Revue des Energies Renouvelables, 12(3),
(2009) 355-368.
[7] R. Santbergen, C.C.M. Rindt, H.A. Zondag, R.J.Ch.
van Zolingen, Detailed analysis of the energy yield of
systems with covered sheet-and-tube PVT collectors,
Solar Energy, 84, (2010) 867-878.
[8] S. Dubey, A.A.O. Tay, Testing of two different types of
photovoltaic–thermal (PVT) modules with heat flow
pattern under tropical climatic conditions, Energy for
Sustainable Development, 17(1), (2013) 1-12.
[9] J. Ji, J.P. Lu, T.T. Chow, W. He, G. Pei, A sensitivity
study of a hybrid photovoltaic/thermal water-heating
 collector with and without glass cover, Applied Energy, [21] T.T. Chow, G. Pei, K.F. Fong, Z. Lin, A.L.S. Chan, J.
86(3), (2009) 310-316 Ji, Energy and exergy analysis of photovoltaic–thermal

:‫براى ارجاع به این مقاله از عبارت زیر استفاده کنید‬

Please cite this article using:

M. Shakouri, A. Noorpoor, S. Golzari, M. Zamen, Energy Simulation and Parametric Analysis of Water Cooled

Photovoltaic/Thermal System, Amirkabir J. Mech. Eng., 50(6) (2018) 1361-1374.

DOI: 10.22060/mej.2017.12703.5402