Bài mở đầu

CƠ SỞ LÝ THUYẾT VỀ CÁC PHÉP

TÍNH SAI SỐ

1. KHÁI NIỆM VỀ CÁC PHÉP ĐO

Những tính chất vật lý của vật thể, của trường đều được đặc
trưng bởi những đại lượng vật lý. Mục tiêu của các thí nghiệm vật lý
là xác định các đại lượng vật lý một cách định lượng, tức là phải đo
đạc, thu được các giá trị bằng số của các đại lượng vật lý đó.

1.1. Khái niệm về phép đo

Trong vật lý, phép đo (measurement) là so sánh giữa đại lượng

vật lý cần đo với đại lượng vật lý cùng thể loại, nhưng ở những điều
kiện tiêu chuẩn (thường là không thay đổi theo thời gian) gọi là đơn vị
đo. Việc đo này đem lại một con số thể hiện mối liên hệ về độ lớn giữa
đại lượng cần đo với đơn vị đo.

1.2. Phân loại phép đo

Về phương diện toán, người ta chia các phép đo thành hai

loại: trực tiếp và gián tiếp.

1.2.1. Phép đo trực tiếp

Phép đo trực tiếp là phép đo trong đó ta đọc kết quả trực tiếp
trên dụng cụ đo.

1.2.2. Phép gián tiếp

Phép đo gián tiếp là phép đo mà kết quả đo được xác định

thông qua những biểu thức liên hệ giữa đại lượng cần đo với những
đại lượng được đo trực tiếp hoặc gián tiếp trước đó. Tuy nhiên một số
phép đo trực tiếp thực chất là phép đo gián tiếp.

2
2. KHÁI NIỆM VỀ SAI SỐ PHÉP ĐO

Khi đo nhiều lần cùng một đại lượng, dù cẩn thận đến mấy,
kết quả giữa các lần đo cũng có sự khác nhau. Điều đó chứng tỏ rằng
trong kết quả đo được luôn luôn có sai số và kết quả chúng ta nhận
được chỉ là giá trị gần đúng.
Xác định giá trị thực của một đại lượng vật lý với sự chính
xác tuyệt đối là không thể, mà ta chỉ có thể xác định được giá trị thực
của đại lượng đó nằm trong khoảng tin cậy là bao nhiêu. VD: phép đo
thời gian thu được kết quả t = (2,5 ± 0,1).100 (s) tức là thời gian t nằm
trong khoảng từ 2,4 s đến 2,6 s.

2.1. Định nghĩa sai số phép đo

Sai số phép đo là giá trị chênh lệch giữa giá trị đo được hoặc
tính được và giá trị thực hay giá trị chính xác của một đại lượng cần
đo.

2.2. Nguyên nhân gây ra sai số phép đo

Các nguyên nhân chính gây ra sai số phép đo:

- Do phương pháp đo lường không chính xác.
- Do thiết bị đo không chính xác.
- Do sự vụng về hay khéo léo của người đo.
- Do các yếu tố bên ngoài tác động đến phép đo.
2.3. Phân loại sai số

Sai số của phép đo có thể được phân loại theo cách thể hiện bằng
số, theo nguyên nhân gây ra sai số hoặc quy luật xuất hiện sai số.

2.3.1. Phân loại sai số theo quy luật xuất hiện

Tùy theo quy luật xuất hiện, người ta chia sai số ra làm ba loại:
sai số thô, sai số hệ thống và sai số ngẫu nhiên.
a. Sai số thô
Số liệu thu được bởi phép đo có sự chênh lệch một cách rõ rệt
và vô lý so với giá trị có thể có của đại lượng cần đo và chúng ta
không thể sử dụng số liệu đó. Ta nói số liệu đó có chứa sai số thô. Sai
số thô xuất hiện do các điều kiện cơ bản của phép đo bị vi phạm hoặc
do sự sơ suất của người làm thí nghiệm, hoặc do bị chấn động đột

3
 ngột từ bên ngoài. Do thiếu ánh sáng có thể đọc nhầm 3 thành 8 hoặc
171,78 thành 1717,8 v.v….
Khi gặp kết quả có chứa sai số thô, chúng ta phải loại trừ nó ra
khỏi kết quả đo bằng cách lặp lại nhiều lần phép đo và mạnh dạn bỏ
nó ra khỏi bảng số liệu. Như vậy trong phần tính toán sai số ta luôn
xem rằng các kết quả đo không chứa sai số thô.

b. Sai số hệ thống
Sai số hệ thống là sai số gây bởi những yếu tố tác động như
nhau lên kết quả đo, có giá trị không đổi trong các lần đo được tiến
hành bằng cùng một dụng cụ theo cùng một phương pháp. Các sai số
này có thể tính được, chúng luôn làm cho kết quả đo lớn hơn hoặc
nhỏ hơn một đại lượng nào đó, hoặc thay đổi theo một quy luật nhất
định. Người ta thường chia sai số hệ thống ra làm 2 loại:
- Sai số hệ thống biết được chính xác nguyên nhân và độ
lớn: sai số này xuất hiện khi dụng cụ đo đã bị sai lệch. Chẳng hạn, khi
chưa có dòng điện chạy qua mà kim của ampere kế đã chỉ 0,1A; khi
chưa kẹp vật cần đo chiều dài vào thước kẹp mà thước đã cho chiều
dài là 0,1 mm… Sai số loại này có thể loại khỏi kết quả đo bằng cách
hiệu chỉnh lại dụng cụ đo, hoặc hiệu chỉnh lại kết quả (cộng thêm
hoặc trừ bớt vào kết quả thu được sai lệch ban đầu).
- Sai số hệ thống biết được nguyên nhân nhưng không
biết chính xác độ lớn: Sai số này phụ thuộc vào độ chính xác của
dụng cụ đo. Mỗi dụng cụ đo đều có độ chính xác nhất định của nó. Ví
dụ: đối với các dụng cụ đo điện hiện kim thì sai số hệ thống có thể
gặp 2 loại như sau: sai số thứ nhất là sai số do nhà sản xuất quy định
(sai số dụng cụ), sai số thứ hai là sai số ở vạch chia nhỏ nhất của
thang đo (sai số làm tròn).
c. Sai số ngẫu nhiên
Sai số ngẫu nhiên là sai số còn lại của phép đo sau khi đã loại
trừ hết sai số thô và sai số hệ thống. Sai số ngẫu nhiên gây nên bởi
một số rất lớn các nhân tố mà ta không thể tách riêng và tính riêng
biệt cho chúng được. Có thể xem sai số ngẫu nhiên là tác dụng tổng
hợp của các nhân tố đó. Chẳng hạn do giác quan của người làm thí
nghiệm không tinh, không nhạy dẫn đến không phân biệt được đúng
chỗ trùng nhau của hai vạch chia trên thước kẹp, do điều kiện thí
nghiệm thay đổi một cách ngẫu nhiên ta không thể biết được mà dẫn
đến kết quả đo mắc sai số…Ví dụ, đo cường độ dòng điện trong mạch
có điện áp luôn thăng giáng hoặc nhiệt độ, áp suất trong phòng luôn
4
luôn thay đổi mà ta không phát hiện được làm cho kết quả đo bị thăng
giáng… Sai số ngẫu nhiên có độ lớn và chiều thay đổi hỗn loạn.
Chúng ta không thể loại trừ chúng ra khỏi kết quả đo vì không biết
chắc chắn, mà chúng ta chỉ có thể sử dụng các phương pháp toán học,
như các lý thuyết xác suất để tính ảnh hưởng của chúng đến việc ước
lượng các giá trị chân thực của các đại lượng. Và thường sai số ngẫu
nhiên của các phép đo được phân bố theo phân bố chuẩn Gauss.
Có thể thấy rằng sai số ngẫu nhiên và sai số hệ thống luôn tồn
tại trong các phép đo vật lý. Chúng ta có thể làm giảm sai số ngẫu
nhiên bằng cách đo nhiều lần một phép đo, nhưng sai số hệ thống thì
không thể giảm bằng cách đo nhiều lần mà chỉ có thể giảm bằng cách
thay bằng các dụng cụ có độ chính xác hơn, dụng cụ có sai số nhỏ
hơn hoặc canh chỉnh các dụng cụ chính xác, lựa chọn thang đo hợp
lý.
2.3.2. Phân loại theo cách thể hiện bằng số
Theo cách thể hiện bằng số, người ta chia sai số ra làm hai
loại: sai số tuyệt đối và sai số tương đối.
a. Sai số tuyệt đối
Sai số tuyệt đối là giá trị tuyệt đối (module) của hiệu số giữa
giá trị thực của x và giá trị đo được X của nó và được kí hiệu:
∆𝑋 = |𝑥 − 𝑋| (1)
̅ ̅
Khi đó khoảng [𝑋 − ∆𝑋, 𝑋 + ∆𝑋 ] sẽ bao quanh giá trị thực
x, nghĩa là:
𝑋 − ∆𝑋 ≤ 𝑥 ≤ 𝑋 + ∆𝑋 (2)
Vậy sai số tuyệt đối cho biết độ lớn của sai số, nó chứa cả sai
số ngẫu nhiên và sai số hệ thống.
Ví dụ: Khi xác định khối lượng của một vật, người ta dùng
cân và được kết quả:
𝑚1 = (15,5 ± 0,3) g
điều này có nghĩa là khối lượng thực của vật được xác định trong
khoảng giới hạn:
15,2 g ≤ m1≤15,8g
b. Sai số tương đối
Sai số tương đối là tỉ số phần trăm giữa sai số tuyệt đối ∆𝑋 và
giá trị đo được X, ký hiệu là ε:
∆𝑋
𝜀 = 𝑋 100% (3)
Sai số tương đối cho biết độ chính xác của một phép đo, nó
cũng chứa cả sai số ngẫu nhiên và sai số hệ thống. Muốn đánh giá đầy

5
 đủ kết quả của phép đo một đại lượng vật lý, chúng ta cần phải xác
định được sai số tuyệt đối và sai số tương đối của phép đo đó.

3. CÁCH TÍNH SAI SỐ

Sai số ngẫu nhiên của phép đo vật lý sẽ được tính toán thông
qua giá trị độ lệch chuẩn (SD – standard deviation of mean).

3.1. Sai số của phép đo trực tiếp

3.1.1. Sai số hệ thống

Đối với các thiết bị đo, trong catalog hoặc trên dụng cụ có chỉ
ra giới hạn sai số của dụng cụ Δmax, số này có nghĩa là giá trị sai số
lớn nhất (giới hạn sai số) khi dụng cụ hoạt động ở điều kiện nhà sản
xuất đề ra. Và thông thường sai số dụng cụ cũng được phân bố theo
phân bố chuẩn, vì vậy nhà sản xuất xác định giá trị Δmax, được đặc
trưng bằng độ lệch bình phương trung bình (đối với phân bố chuẩn
theo quy tắc 3σ thì độ tin cậy đạt tới 0,997) :
Δ
𝜎𝑑𝑐 = 𝑚𝑎𝑥 (4)
3
Ví dụ : Đối với thước kẹp, trên thước có ghi 0,05 thì đó là giới
hạn sai số của phép đo Δmax=0,05 mm, và độ lệch bình phương trung
Δ 0.05
bình của thước kẹp : 𝜎𝑑𝑐 = 𝑚𝑎𝑥 = 3 𝑚𝑚
3
Ngoài ra, như đã trình bày ở trên, trong đo đạc chúng ta còn
gặp sai số làm tròn, sai số chủ quan, …. Sai số làm tròn được tính từ
vạch chia nhỏ nhất của thang đo ω, do đó độ lệch chuẩn của sai số
làm tròn :
ω
𝜎𝑙𝑡 = 3 (5)
Ví dụ : Trở lại với thước kẹp ở trên, vạch chia nhỏ nhất của
thước kẹp đó sẽ là 0,05 mm, do đó độ lệch chuẩn của sai số làm tròn
0.05
của thước sẽ là : 𝜎𝑙𝑡 = 3 𝑚𝑚
Sai số hệ thống được tính theo công thức, độ lệch chuẩn của sai
số hệ thống nhân với hệ số bất đẳng thức Chebyshev :
𝜎ℎ𝑡 = √𝜎𝑑𝑐 2 + 𝜎𝑙𝑡 2 + ⋯ (6)
2 2
∆𝑋ℎ𝑡 = 𝛾𝛼 . 𝜎ℎ𝑡 = 𝛾𝛼 . √𝜎𝑑𝑐 + 𝜎𝑙𝑡 + ⋯ (7)
với γα là hệ số của bất đẳng thức Chebyshev (xem bảng 1), trong đó α
là độ tin cậy.
Tiếp tục ví dụ trên, vậy thước kẹp sẽ có sai số hệ thống (nếu
lấy độ tin cậy là 0,7) :

6
 0.05 2 0.05 2
∆𝑋ℎ𝑡 = 𝛾𝛼 . √𝜎𝑑𝑐 2 + 𝜎𝑙𝑡 2 = 1,8. √( ) +( ) ≈ 0,0424 𝑚𝑚
3 3
3.1.2. Sai số ngẫu nhiên
Như đã nói ở trên sai số ngẫu nhiên của các phép đo thường
tuân theo các định luật thống kê. Giả sử chúng ta đo n lần một đại
lượng vật lý X và thu được các giá trị X1, X2, …Xn .
Bước 1: Sau khi đo đạc các giá trị của phép đo trực tiếp. Lập
bảng các kết quả đo được.

Lần đo 1 2 3 … N
Giá trị đo được X1 X2 X3 … Xn

Bước 2: Tính giá trị trung bình của các lần đo.
𝑋 +𝑋 +𝑋 +⋯+𝑋𝑛 1
𝑋̅ = 1 2 𝑛3 = 𝑛 ∑𝑛𝑖=1 𝑋𝑖 (8)
Khi n càng lớn, 𝑋̅ càng gần với giá trị X.
Bước 3: Tính sai số tuyệt đối cho từng lần đo:
∆𝑋𝑖 = |𝑋𝑖 − 𝑋̅| (9)
Bước 4: Sai số ngẫu nhiên trung bình của phép đo được tính
bằng độ lệch chuẩn của các giá trị đo được:
2 2
∆𝑋 +∆𝑋2 +∆𝑋3 +⋯+∆𝑋𝑛2 1 2
̅̅̅̅
∆𝑋𝑛𝑛 = √ 1 = √ ∑𝑛 (𝑋 − 𝑋̅)2 (10)
𝑛−1 𝑛−1 𝑖=1 𝑖

3.1.3. Sai số của phép đo trực tiếp

Vậy sai số tuyệt đối trung bình của phép đo trực tiếp được tính
theo công thức:
2
𝛥𝑋̅ = √̅̅̅̅
∆𝑋𝑛𝑛 + 𝛥𝑋ℎ𝑡 2 (11)
Bảng 1 : Hệ số γα của bất đẳng thức Chebyshev
α 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9 … 0,95

γα 1,4 1,6 1,8 2,2 3,2 … 4,4

3.1.4. Sai số của phép đo gián tiếp

Giả sử, ta phải đo một đại lượng F liên hệ với các đại lượng x 1,
x2, x3,... bởi hàm số: F = f (x1, x2, x3,...) trong đó đại lượng x1, x2, x3,...

7
được đo trực tiếp. Từ phép đo và cách tính sai số của phép đo trực tiếp
đã trình bày ở trên, chúng ta thu được giá trị trung bình của các đại
lượng ̅̅̅,
𝑥1 ̅̅̅,
𝑥2 𝑥 ̅̅̅,
3 … và sai số tuyệt đối trung bình của các đại lượng đó
∆𝑥̅1 , ∆𝑥̅2 ∆𝑥̅3 ,…
Giá trị trung bình của đại lượng F được tính như sau:
𝐹̅ = 𝑓(𝑥
̅̅̅,
1 𝑥̅̅̅,
2 𝑥̅̅̅,
3 …) (12)
Sai số tuyệt đối trung bình ∆𝐹̅ được tính theo công thức lan
truyền sai số:
𝜕𝐹 𝜕𝐹 2 2
∆𝐹̅ = √( 𝛥𝑥
̅̅̅)
1 + ( 𝛥𝑥̅̅̅)
2 +⋯ (13)
𝜕𝑥1 𝜕𝑥2

Và sai số tương đối được tính theo công thức:

∆𝐹̅ 𝜕𝑙𝑛𝐹 2 𝜕𝑙𝑛𝐹 2
= √( 𝜕𝑥 𝛥𝑥
̅̅̅)
1 + ( 𝜕𝑥 𝛥𝑥
̅̅̅)
2 +⋯ (14)
𝐹 1 2

Tuy nhiên, khi không cần độ chính xác cao người ta lấy giới
hạn trên (sai số cực đại) theo công thức tính gần đúng như sau:
𝜕𝐹 𝜕𝐹
∆𝐹̅ = |𝜕𝑥 | ∆𝑥
̅̅̅1 + |𝜕𝑥 | ∆𝑥
̅̅̅+…
2 (15)
1 2

∆𝐹̅ 𝜕𝑙𝑛𝐹 𝜕𝑙𝑛𝐹

= | 𝜕𝑥 | ̅̅̅̅̅
∆𝑥1 + | 𝜕𝑥 | ̅̅̅̅̅
∆𝑥2 +… (16)
𝐹̅ 1 2

𝑥−𝑦
Ví dụ 1: Cho 𝐹 =
𝑥+𝑦
𝑥̅ −𝑦̅
̅=
Giá trị trung bình của đại lượng F: 𝐹
𝑥̅ +𝑦̅
̅̅̅̅ và sai số tương đối trung bình
Sai số tuyệt đối trung bình ∆𝐹
𝜀𝐹̅ của đại lượng F được tính như sau:
Cách 1: Áp dụng công thức (15), ta được:
Bước 1: Tính các dạo hàm riêng theo 2 biến x, y:
𝜕𝐹 2𝑦 𝜕𝐹 −2𝑥
| | = |( |, | | = |( |
𝜕𝑥 𝑥+𝑦)2 𝜕𝑦 𝑥+𝑦)2
Bước 2: Thế các đạo hàm riêng trên vào công thức (15), ta
được sai số tuyệt đối trung bình của đại lượng F:
2𝑦 −2𝑥
̅̅̅̅
∆𝐹 = | | ∆𝑥̅ + | | ∆𝑦̅
(𝑥 + 𝑦)2 (𝑥 + 𝑦)2
Bước 3: Thế ∆𝐹̅ vào công thức (3), ta được sai số tương đối
trung bình của đại lượng F:
̅̅̅̅
∆𝐹 2𝑦 −2𝑥
𝜀𝐹̅ = =| 2 | ∆𝑥 + | | ∆𝑦
𝐹̅ 𝑥 − 𝑦2 𝑥2 − 𝑦2

8
 Cách 2: Áp dụng công thức (16), chúng ta có thể tính sai số
tương đối trước theo các bước như sau:
Bước 1: lnF = ln (x-y) – ln (x+y)
𝑑𝐹 2𝑦 2𝑥
Bước 2: 𝑑(𝑙𝑛𝐹) = = 𝑑𝑥 − ( ) 𝑑𝑦
𝐹 𝑥 2 −𝑦 2 𝑥 2 −𝑦 2
̅̅̅̅
∆𝐹 2𝑦 −2𝑥
Bước 3: 𝜀𝐹̅ = ̅ = | 2 2 | ∆𝑥 + | 2 2 | ∆𝑦
𝐹 𝑥 −𝑦 𝑥 −𝑦
̅̅̅̅ = 𝜀𝐹̅ ∗ 𝐹̅ =| 2𝑦 2 | ∆𝑥
∆𝐹 ̅̅̅̅ + | −2𝑥 2 | ∆𝑦
̅̅̅̅
(𝑥+𝑦) (𝑥+𝑦)
* Chú ý: Hai cách trên cho cùng một kết quả. Như vậy, hai
cách trên tương đương nhau.

4. CÁCH LÀM TRÒN SỐ VÀ VIẾT KẾT QUẢ

4.1. Cách làm tròn số

Các bài thí nghiệm trong giáo trình thí nghiệm vật lý đại
cương có yêu cầu về độ chính xác trong các phép đo không cao lắm
vì số lần đo một đại lượng vào khoảng 10 lần. Do đó, thông thường
trong sai số chỉ giữ lại một đến hai chữ số có nghĩa khác 0.
Tuy nhiên, trong tính toán, sai số có thể gồm nhiều chữ số và
ta phải làm tròn theo qui tắc làm tròn sao cho độ tin cậy của phép đo
không bị giảm đi, tức là chữ số khác không được giữ lại sẽ tăng lên 1
đơn vị khi chữ số sau nó khác không. Thí dụ các sai số 0,164; 0,275;
0,285; 1,94 được làm tròn thành 0,2; 0,3; 0,3; 2.
Trong trường hợp làm tròn theo cách trên mà sai số đã làm
tròn tăng lên quá 25% so với sai số ban đầu thì có thể giữ lại hai chữ
số khác không. Thí dụ 0,127 thành 0,13.

4.2. Chữ số có nghĩa và chữ số vô nghĩa

Mọi số A bất kỳ đều có thể viết dưới dạng chuẩn hóa:

A = a.10n
Trong đó 1< a < 10 và n được gọi là bậc của số A.
Ví dụ: 5,12 =5,12.100 (bậc 0); 0,0031 = 3,1.10-3(bậc -3)
Từ khái niệm bậc của một số chúng ta đi đến khái niệm về
chữ số tin cậy, chữ số nghi ngờ và chữ số không tin cậy của một giá
trị đo nào đó như sau:
- Những chữ số của giá trị trung bình có bậc lớn hơn bậc của
sai số là chữ số tin cậy.
- Những chữ số có cùng bậc với sai số là chữ số nghi ngờ

9
 - Những chữ số có bậc nhỏ hơn bậc của sai số là chữ số không
tin cậy.
Ví dụ:
Giá trị Sai số Chữ số tin cậy Chữ số nghi Chữ số
trung ngờ không tin
bình cậy
216 3 2;1 6 -
0,365 0,01 3 6 5
1,34 0,03 1;3 4 -
13100 10 1;3;1 0 0
Từ cách phân biệt các loại chữ số, chúng ta có thể chia làm hai
loại chữ số là chữ số có nghĩa và chữ số vô nghĩa:
- Chữ số có nghĩa là các chữ số tin cậy và nghi ngờ.
- Chữ số vô nghĩa là chữ số không tin cậy, chữ số không đứng
đầu một số trước dấu phẩy và các chữ số không đứng ngay sau dấu
phẩy.
Ví dụ:
Giá trị trung bình Sai số Chữ số có nghĩa Chữ số vô nghĩa
0,025 0,001 2;5 0;0
0,78 0,01 7;8 0
13100 10 1;3;1;0 0

4.3. Cách viết kết quả

Chúng ta viết kết quả theo qui tắc sau đây:
- Giá trị trung bình của đại lượng cần đo được viết dưới dạng
chuẩn hóa.
- Làm tròn sai số (theo quy tắc làm tròn trình bày ở trên).
- Bậc của chữ số có nghĩa nhỏ nhất của giá trị trung bình bằng
bậc của sai số (nghĩa là cần làm tròn giá trị trung bình khi bậc của chữ
số khác không của nó nhỏ hơn bậc của sai số).
Ví dụ: Viết kết quả của phép đo một đại lượng vật lý khi đã biết giá
trị trung bình và sai số
Giá trị trung bình Sai số Kết quả
279,16 0,27 (2,792  0,003).102
1000 1 (1,000  0,001).103
0,062 0,001 (6,2  0,1).102
12,54 0,26 (1,25  0,03)10

10
 Lưu ý:
- Trong một tổng của nhiều sai số tương đối, nếu một số hạng
nào đó nhỏ hơn 1/10 số hạng khác thì có thể bỏ qua số hạng đó.
- Cách sử dụng các hằng số: khi tính kết quả trong công thức ta
thường gặp các hằng số như , g, … việc lấy đến mấy số lẻ trong các
hằng số này phụ thuộc vào các đại lượng trong bài thí nghiệm. Tốt nhất
là nên lấy đến số lẻ sao cho sai số tương đối của hằng số đó nhỏ hơn
1/10 sai số của các đại lượng khác.
5. CÁCH VẼ ĐƯỜNG BIỂU DIỄN THỰC NGHIỆM
Trong một bài thí nghiệm chúng ta cần biểu diễn kết quả trên đồ
thị. Để vẽ đồ thị bước đầu tiên là chọn tỉ lệ cho hệ trục tọa độ. Tỉ lệ của
các hệ trục phải được chọn sao cho góc nghiêng của các đường thẳng
(hoặc các đường tiếp tuyến với đường cong) trên đồ thị gần 45 độ. Các
đường biểu diễn phải chiếm gần hết phần mặt đồ thị.
Phía bên trái và phía trên các trục phải viết tên, kí hiệu, đơn vị
đo của các đơn vị được thể hiện trên 2 trục đó.
Chẳng hạn cần vẽ đồ thị của hàm số Y = f(X). Bằng thực
nghiệm, ta đã tìm được các giá trị của Yi theo Xi. Vì phép đo có sai số
nên ứng với một cặp (Xi Xi) và (Yi Yi) nên điểm thực nghiệm
không phải là một điểm mà là một hình chữ nhật có hai cạnh là 2Xi
và 2Yi (hình 1). Lúc đó đường biểu diễn hàm số Y = f(X) phải được
vẽ sao cho đường biểu diễn đều đi qua các hình chữ nhật ấy.
Cần chú ý rằng đường cong thực nghiệm biểu diễn mối quan
hệ giữa hai đại lượng là một đường cong trơn tru, không thể là một
đường gãy khúc. Do đó, khi vẽ đường biểu diễn, chúng ta cần lưu ý
không nối các điểm thực nghiệm lại mà phải là đường đi qua ô sai số.

11
 lnI
3

Điểm biểu diễn

0
Ô sai số
2Δ Yi
-1
2ΔXi

-2
5.20 5.25 5.30 5.35 5.40 5.45 5.50
1/T, 10-4K-1
Hình 1: Ví dụ một đồ thị biểu diễn ln(I)=f(1/T)
6. TRÌNH TỰ TIẾN HÀNH MỘT BÀI THÍ NGHIỆM VÀ VIẾT
BÁO CÁO CÁC KẾT QUẢ
6.1. Trình tự làm bài thí nghiệm
a. Đọc kỹ tài liệu thí nghiệm tại nhà.
b. Làm quen với dụng cụ của bài thí nghiệm được giao.
Đối với các bài thí nghiệm về điện phải tuân theo sự chỉ dẫn của
người hướng dẫn trước khi đóng mạch.
c. Tiến hành thí nghiệm thận trọng, nghiêm túc và đều phải
làm nhiều lần. Ghi kết quả thu được vào bảng số liệu.
d. Tính toán kết quả và tính sai số.
e. Làm báo cáo kết quả.
6.2. Mẫu báo cáo

Ngày…tháng…năm… Phòng thí nghiệm: …..

Bài thí nghiệm số…: TÊN BÀI THÍ NGHIỆM
Nhóm…: 1. Họ và tên sinh viên 1 Xác nhận của giáo viên:
2. Họ và tên sinh viên 2

12
 …….
1. Mục đích thí nghiệm:

………………………………………………………………………………………..

2. Bảng số liệu:
Lần đo Đại lượng ΔXnn Đại lượng ΔYnn
X Y
1 X1 Y1
2 X2 Y2
….

3. Tính toán các giá trị trung bình và các sai số

4. Đồ thị (nếu có)
5. Viết kết quả tính toán

&&&&&&&

13
 Bài thí nghiệm số 9

KHẢO SÁT TƯƠNG TÁC TỪ CỦA DÒNG ĐIỆN

NGHIỆM ĐỊNH LUẬT AMPRE VỀ LỰC TỪ

-----ooo-----

Mục tiêu: Sau khi học xong bài này sinh viên có khả năng:

- Về kiến thức: Nêu được phương pháp đo và các bước tiến hành thí nghiệm khảo sát tương tác
từ của dòng điện, nghiệm định luật Ampre về lực từ.
- Về kỹ năng: Sử dụng thành thạo các dụng cụ đo, tiến hành đúng trình tự thí nghiệm để thu
được số liệu chính xác.
- Về thái độ: Cẩn thận, kiên trì, chính xác, trung thực, khách quan.

1. CƠ SỞ LÝ THUYẾT

Từ trường là một dạng vật chất đặc biệt xuất hiện trong không gian xung quanh các điện tích
chuyển động. Sự tồn tại của từ trường trong một không gian nào đó thể hiện ở chỗ : bất kì một
dòng điện,một điện tích chuyển động hay một kim nam châm…đặt trong không gian đó đều chịu
tác dụng một lực từ F . Phương, chiều, độ lớn của lực từ F tác dụng lên một dòng điện đặt trong
từ trường không những phụ thuộc phương, chiều, cường độ dòng điện, kích thước, hình dạng dây
dẫn, mà còn phụ thuộc đặc trưng của từ trường. Như vậy, có thể căn cứ vào tác dụng lực của từ
trường để đưa ra một đại lượng đặc trưng cho từ trường trong không gian nào đó, không phụ thuộc
vào sự có mặt hay không của dòng điện, hay điện tích chuyển động…. trong không gian đó. Đại
 
lượng đó là véc tơ cảm ứng từ B . Phương chiều của vec tơ B tại một điểm được định nghĩa trùng
với phương chiều của kim nam châm thử đặt tại điểm đó ( đi từ cực S đến cực N của kim nam
châm thử).

Trong bài thí nghiệm này, ta khảo sát lực từ F do một từ trường đều tác dụng lên các đoạn
dòng điện thẳng có cường độ I và độ dài l khác nhau ( đặc trưng bởi véc tơ đoạn dòng điện I .l ),
được đặt theo các hướng khác nhau trong từ trường.

Từ các kết quả nhận được, nghiệm lại định luật Am pe về lực từ và tính ra độ lớn cảm ứng

từ B của từ trường đã cho.

2. DỤNG CỤ VÀ PHƯƠNG PHÁP ĐO

2.1. Dụng cụ đo:

 Các dụng cụ thí nghiệm gồm có:

- Cân dòng điện.

- Lực kế 0.1N.
- Thiết bị tạo từ trường đều, kích thước 70x90x40, sử dụng nam châm đất hiếm, tối đa 0.3T.
- Bộ giá quay có thước đo góc 0-360°/1° bằng vật liệu phi từ tính.
- Hộp chứa linh kiện.
- Bộ ba khung dây 100 vòng, đường kính 0.3mm có cơ cấu cắm lấy điện kiểu lỗ cắm 4mm,
k.thước (80x60)mm; (80x40)mm; (80x20)mm.
- Đồng hồ đa năng hiện số DT9205A.
- Quả rọi.
- Dây đồng hồ có hai đầu phích, dài 60cm.
- Dây nối mạch có hai đầu phích dài 800/0.75m.
- Bộ nguồn ổn áp 220V/0-12VDC3A điều chỉnh liên tục, có hai đồng hồ chỉ thị dòng và thế.
Các dụng cụ thí nghiệm này được lắp đặt như ở hình vẽ 1.

Hình 1: Thí nghiệm khảo sát tương tác từ của dòng điện bằng cân dòng điện.

2.2. Phương pháp đo:

- Từ trường đều B , tạo bởi hệ nam châm vĩnh cửu đặt song song cùng chiều giữa hai bản cực
làm bằng vật liệu sắt từ mềm, kích thước 90x60x9mm (Hình 2). Toàn bộ hệ thống được đặt trên
một đĩa quay có chia độ 0 -3600, ĐCNN 10.

- Ba khung dây hình chữ nhật (1-H1) có số vòng n bằng nhau (n =100 vòng), nhưng kích thước
khác nhau ( a x b = 80 x 22.5; 80 x 42.5 và 80 x 62.5mm), trong đó cạnh đáy b của khung sẽ được
đặt nằm trong từ trường đều. Như vậy, nếu cho dòng điện cường độ I chạy trong khung , thì tại
cạnh đáy b của khung, véc tơ đoạn dòng điện có cường độ / I .l / = 100.I.b. Ở đầu trên của khung
có hai lỗ cắm dẫn diện vào khung.

N B S

N S
 - Cân lực từ, gồm một giá thẳng đứng (5) lắp trên đế bằng vật liệu phi sắt từ (8); một đòn cân
(3) có giá treo khung dây , móc lực kế và quả đối trọng có vít hãm(4) ; dây treo và ròng rọc trên
giá treo lực kế (6) để treo lực kế và chỉnh thăng bằng cho đòn cân. Một bảng chỉ thị thăng bằng và
một dây dọi cũng được lắp trên giá thẳng đứng để xác định vị trí cân bằng của cân. Phía dưới bệ
đỡ đòn cân có một bảng điện nhỏ, có hai lỗ cắm nối qua một công tắc đảo chiều dòng điện dẫn vào
khung dây.

- Lực kế nhạy (7) có phạm vi đo 0-100mN ; ĐCNN 1 mN, dùng đo cường độ lực từ.

- Nguồn điện một chiều DC 0 -12V /3A, điều chỉnh liên tục.

Một đồng hồ đo điện đa năng hiện số DT 9205A+, dùng đo cường độ dòng điện.

Một biến trở con chạy 50Ω1.5A, dùng điều chỉnh cường độ dòng điện I.

- Bộ 4 dây nối mạch điện tiết diện 0.75 mm2, có hai đầu phích ( 3 dây dài 40-50 cm, 1 dây dài 80
cm).

3. TRÌNH TỰ THÍ NGHIỆM

1. Lắp ráp thí nghiệm :

Chú ý : Thận trọng khi lắp ráp và sử dụng lực kế 0,100N. Đây là loại lực kế lò xo rất nhạy và
có độ chính xác cao, tuyệt đối không treo trọng vật có khối lượng quá 10g. Trước khi treo
lực kế vào cân lực từ, ta treo khung dây vào đòn cân và điều chỉnh vị trí gia trọng cho đòn
cân đạt thăng bằng ( hơi lệch về phía khung dây), khoá vít gia trọng rồi mới móc lực kế vào
đòn cân.

Thực hiện lắp ráp thí nghiệm theo trình tự sau :

1-1. Lắp và xoay đĩa tròn đỡ nam châm đến vị trí 900.
1-2. Lắp khung dây nhỏ nhất (có cạnh 22.5mm) vào đòn cân.
1-3. Điều chỉnh vị trí gia trọng bằng cách xoay nó theo chiều kim đồng hồ để nới lỏng vít hãm, rồi
dịch chuyển dọc theo cánh tay đòn để tìm được vị trí thăng bằng cho đòn cân ( hơi lệch về
phia khung dây), sau đó xoay quả gia trọng theo hướng ngược lại để khoá vít hãm.
1-4. Xoay ròng rọc để hạ thấp lực kế và móc nó vào đòn cân ngay phía trên khung dây.
1-5. Kiểm tra và điều chỉnh cân bằng cho toàn hệ thống như sau :
▪ Trụ thép Φ10, phải thẳng đứng, kiểm tra bằng dây rọi (song song với vạch thẳng đứng trên
bảng chỉ thị) và điều chỉnh bằng bốn vít ở tấm đế.
▪ Khung dây nằm giữa khe từ, mặt phẳng khung song song với hai má từ , cạnh dưới của khung
nằm dưới mép khe từ khoảng 2,5-3 cm : Điều chỉnh bằng cách xê dịch vị trí khớp đa năng.
▪ Xoay ròng rọc kéo lực kế lên- xuống, sao cho đòn cân song song với vạch ngang trên mặt chỉ
thị, đồng thời lực kế chỉ giá tri F0 khoảng 10- 15 mN .
1-6. Lắp mạch điện như sau :
▪ Nguồn ổn áp một chiều đang ở vị trí 0V. Dùng dây nối mạch dài 80cm nối giữa cực âm của nó
với lỗ cắm (-) (màu đen ) trên bảng điện của cân lực từ.
▪ Am pe kế A ( Sử dụng thang đo DC10A của đồng hồ DT-9205A+, với 2 lỗ cắm COM và 10A)
được mắc nối tiếp với biến trở con chạy VR ( con chạy đặt ở vị trí giữa biến trở ), rồi nối giữa cực
+ của nguồn một chiều DC và lỗ cắm +( màu đỏ) trên bảng điện của cân lực từ.
▪ Mời giáo viên đến kiểm tra thiết bị đã được lắp ráp, hệ thống sẵn sàng hoạt động.

2. Khảo sát chiều của lực từ F phụ thuộc chiều của các véc tơ I .l và B .
Tiến hành thí nghiệm với khung dây có b=22.5mm, trong trường hợp I .l ⊥ B ( đĩa số gắn nam
châm được xoay về vị trí 900. Nếu mặt phằng của khung dây chưa thật song song với mặt phẳng
của các má từ thì ta có thể xoay đĩa số lân cận vị trí 900 sao cho chúng thật song song ).

2-1 – Căn cứ theo sơ đồ cuốn dây vẽ trên khung dây và vị trí cực + của nguồn cung cấp để
xác định chiều dòng điện chạy trong khung.

Căn cứ các cực N ( màu đỏ) và S( màu xanh) của các má từ để xác định chiều của véc tơ B .

Biểu diễn các véc tơ I .l và B lên giấy.

Bật công tắc nguồn một chiều, điều chỉnh cường độ dòng điện bằng 0.2A đồng thời quan sát
chiều dịch chuyển của khung dây để suy ra chiều của lực F . Biểu diễn véc tơ F cùng với các véc

tơ I .l và B .

2-2 Đảo chiều véc tơ I .l bằng cách bật công tắc chuyển mạch “thuận-nghịch” sang vị trí

“nghịch” hoặc ngược lại, đảo chiều véc tơ B bằng cách quay đĩa đặt nam châm 1800 . Xác định
chiều của lực từ F trong mỗi trường hợp, biểu diễn trên sơ đồ véc tơ.
 
2-3 Rút ra kết luận về mối quan hệ về phương chiều giữa lực F với các véc tơ I .l và B .

3. Khảo sát lực từ F phụ thuộc vào cường độ dòng điện chạy trong khung
Thực hiện thí nghiệm với khung có b=22.5mm, xét trường hợp I .l ⊥ B , thay đổi cường độ dòng
điện bằng cách điều chỉnh điện áp ra một chiều của nguồn DC, phối hợp điều chỉnh biến trở con
chạy VR.

Có thể thực hiện theo trình tự sau :

3.1- Kiểm tra và điểu chỉnh lại vị trí cân bằng ban đầu cuả cân, vị trí của khung trong từ trường,

chọn chiều dòng điện và chiều của véc tơ B sao cho lực F có chiều hướng xuống dưới. Điều
chỉnh thăng bằng cho đòn cân và ghi lại giá trị Fo chỉ trên lực kế (7) vào bảng 1.

3.2- Bật công tắc nguồn một chiều, quan sát sự dịch chuyển của khung dây. Điều chỉnh cường
độ dòng điện bằng 0.1A, đòn cân phía cuộn dây chúc xuống. Xoay ròng rọc để đưa đòn cân về vị
trí cân bằng. Đọc giá trị lực F’ chỉ trên lực kế và ghi vào bảng 1.

3.3- Tiếp tục tăng dần cường độ dòng điện lên 0.2 ; 0.3 ; 0.4 và 0.5A, thực hiện theo 3.1, 3.2,
ghi tiếp các số liệu thu được vào bảng 1.

Bảng 1 :

b = 22.5mm, n = 100 vòng,  = 900.

I Fo F’ F=F’-Fo
(A) (mN) (mN) (mN)
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5


4. Khảo sát lực từ F phụ thuộc vào góc  giữa I .l và B :
Để thực hiện bước này ta vẫn chọn khung có cạnh b=22.5mm, để có thể xoay hướng khác nhau
trong không gian có từ trường.

Cố định dòng điện chạy trong khung ( ví dụ chọn I = 0.5A ). Đo lực từ F phụ thuộc góc 

giữa I .l và B bằng cách xoay đĩa tròn gắn nam châm định vị ở các góc khác nhau ( ví dụ  =
900, 600, 450, 300, và 00)
 Thực hiện các bước tương tự (3.1) , (3.2) với cường độ I đã chọn không thay đổi và đĩa tròn
chia độ được định vị ở các góc khác nhau như trên. Ghi kết quả vào bảng 2.

Bảng 2 :

I = ……(A), n= 100 vòng, b = 22,5 mm.

 Fo F’ F=F’-Fo
(độ ) (mN) (mN) (mN)
90
60
45
30
0
5. Khảo sát lực từ F phụ thuộc vào độ dài đoạn dòng điện :
Để thực hiện bước này ta cố định dòng điện trong khung ( ví dụ cho I=0.4A) và đo lực từ F tác
dụng lên các khung có độ dài cạnh b khác nhau.

Thực hiện các bước tương tự (3.1), (3.2) nhưng với cường độ I đã chọn không thay đổi, sau khi
lần lượt lắp các khung có kích thước khác nhau vào đòn cân. Ghi kết quả vào bảng 3.

Bảng 3 :

I= ……..(A), n =100 vòng,  = 900.

b Fo F’ F=F’-Fo
(mm) (mN) (mN) (mN)
22,5
42,5
62,5
6. Kết thúc thí nghiệm :
- Ghi lại thang đo và cấp chính xác của đồng hồ đo điện, các thông số của khung dây, phạm vi đo và ĐCNN
của lực kế .

- Ngắt công tắc nguồn , rút phích nguồn ra khỏi ổ điện 220V, ngắt nguồn điện cho đồng hồ đa năng hiện
số, tháo mạch điện xếp lại gọn gàng.

- Tháo lực kế xếp vào hộp đựng, rút khung dây ra khỏi đòn cân và chỉnh lại thăng bằng ( không tải) cho
đòn cân.
- Xếp các khung dây vào hộp đựng.

Kết thúc thí nghiệm.

4. TRÌNH BÀY KẾT QUẢ

- Thang đo cực đại của ampere kế điện tử: Im=…………, cấp chính xác: kI=……………, độ
chia nhỏ nhất: I=…………
- Độ chia nhỏ nhất của lực kế:
- Độ chia nhỏ nhất của thước góc:
1 - Khảo sát sự phụ thuộc của từ lực F vào các đặc trưng của dòng điện và của từ trường
Bảng 1 : Khảo sát sự phụ thuộc của lực từ F vào cường độ dòng điện I chạy trong khung dây :

Với b = 22.5mm, n = 100 vòng,  = 900.

I Fo F’ F=F’-Fo (mN)
(A) (mN) (mN)
0.1

0.2

0.3

0.4

0.5
a. Tính F=F’-F0 (mN) theo I rồi ghi vào bảng số liệu.
b. Tính sai số của F.
c. Vẽ đồ thị mô tả mối quan hệ F~ f(I), và nhận xét về dạng đồ thị.
Bảng 2 : Khảo sát sự phụ thuộc của lực từ F vào góc  giữa phương của dòng điện và phương
của từ trường, với I = 0,5(A), n = 100 vòng, b = 22,5 mm

 Fo F’ Sin  F=F’-Fo
(độ ) (mN) (mN) (mN)
90
60
45
30
0
a. Tính F=F’-F0 (mN) theo α rồi ghi vào bảng số liệu.
b. Vẽ đồ thị mô tả mối quan hệ F~ f(sinα), và nhận xét về dạng đồ thị, từ đó rút ra kết luận
về mối quan hệ giữa lực từ và góc giữa dòng điện và từ trường.
Bảng 3 : Khảo sát sự phụ thuộc của lực từ F vào độ dài b của các đoạn dòng điện

Với I = ………(A), n = 100 vòng ,  = 900.

b Fo F’ F=F’-Fo
(mm) (mN) (mN) (mN)
22,5

42,5

62,5
a. Tính F=F’-F0 (mN) theo b rồi ghi vào bảng số liệu.
b. Vẽ đồ thị mô tả mối quan hệ F~ f(b), và nhận xét về dạng đồ thị, từ đó rút ra kết luận về
mối quan hệ giữa lực từ F , cường độ dòng điện I, độ dài đoạn dòng điện l và góc giữa dòng
điện và từ trường α , từ đó thiết lập công thức và nghiệm lại định luật Ampere

2- Xác định giá trị độ lớn của véc tơ B của từ trường đã cho :

Từ kết luận : F ~ I .n.l.sin  hay là : F = k.I .n.l.sin .

Trong đó hệ số tỷ lệ k chính là đại lượng đặc trưng cho từ trường, có giá trị bằng độ lớn của véc tơ cảm

ứng từ B .

Ta xác định giá trị của B từ các kết quả đo với  = 900 ( bảng 1 và bảng 2):

Theo bảng 1:

I n l=b F F
k= =B
(A) Số vòng (m) (N) n.I .l
0.1 100 0,0225
0.2 100 0,0225
0.3 100 0,0225
0.4 100 0,0225
0.5 100 0,0225
Trung bình

Kết quả đo B: B = B  B

&&&&&&&
1. CƠ SỞ LÝ THUYẾT
 Bài thí nghiệm số 1

PHÂN CỰC ÁNH SÁNG

-----ooo-----
Mục tiêu: Sau khi học xong bài này sinh viên có khả năng:
- Về kiến thức: Nêu được phương pháp đo và các bước tiến hành thí nghiệm phân cực ánh sáng.
- Về kỹ năng: Sử dụng thành thạo các dụng cụ đo, tiến hành đúng trình tự thí nghiệm để thu
được số liệu chính xác.
- Về thái độ: Cẩn thận, kiên trì, chính xác, trung thực, khách quan.

1. CƠ SỞ LÝ THUYẾT
Ánh sáng tự nhiên phát ra từ nguồn sáng thông thường như mặt trời, đèn có vô số phương dao
động đối xứng tròn xoay quanh phương truyền. Khi ánh sáng tự nhiên đi qua một môi trường
dị hướng như calcit, băng tan, bản palaroid, lăng kính nicol… thì sánh sáng ló sẽ chỉ còn một
phương dao động (song song với một phương đặc biệt của môi trường gọi là trục hay phương
ưu đãi ) và được gọi là ánh sáng phân cực. Ánh sáng phân cực cũng có thể được tạo ra bởi sự
phản xạ và khúc xạ ánh sáng.
Các dụng cụ biến ánh sáng tự nhiên thành ánh sáng phân cực gọi là kính phân cực. Thông dụng
nhất là bàn Polaroid làm bằng bản cenlluloid có phủ một lớp tinh thể iodosulfat quinin có khả
năng làm phân cực hoàn toàn các tia tới vuông góc với mặt bản (tia ló là tia bất thường).
Loại kính phân cực khác cũng rất phổ biến là lăng kính nicol gồm hai lăng kính bằng tinh thể
băng lan dán lại với nhau bằng một lớp nhựa thơm Canada có chiết suất khoảng 1.55.
Tia sáng tự nhiên tới nicol sẽ bị tách thành hai tia thường (o) và tia bất thường (e), đó là tính
lưỡng chiết, vì chiết suất n0 > ne nên tia thường bị khúc xạ nhiều hơn, bị phản xạ toàn phần trên
lớp nhựa thơm và bị hấp thụ do mặt dưới bội đen, còn tia bất thường truyền qua lớp nhựa và
ló ra song song với tia tới. Tia thường có vector dao động vuông góc với mặt phẳng chính.
Khi cho ánh sáng phân cực đi qua lăng kính nicol (hoặc một bản palaroid) thì cường đô ánh
sáng ló sẽ thay đổi tuỳ theo góc giữa phương dao động của ánh sáng phân cực và ưu tiên của
bản.
Gọi I0 là cường độ ánh sáng tới: I là cường độ ánh sáng io, theo định luật Malus:
𝑰 = 𝑰𝑶 cos2𝝋
Một số môi trường có tính quang hoạt (hay tính triển quang) tức là làm quay mặt phẳng phân
cực của ánh sáng phân cực truyền qua chúng. Góc quay phụ thuộc vào bản chất phân tử, bề dày,
mật độ (hay nống độ đối với các dung dịch) Nếu góc quay ngược chiều kim đồng hồ: chất tả triền.
Nếu góc quay là cùng chiều kim đồng hồ: chất hữu triền.
2. DỤNG CỤ VÀ PHƯƠNG PHÁP ĐO
2.1. Dụng cụ đo:
Các dụng cụ thí nghiệm gồm có:
- Nguồn Laser.
- Kính phân cực.
- Cảm biến photodiode.
- Volt kế.
- Giá đỡ quang học.
- Brn tinh thể.
- Dây nối.
Các dụng cụ thí nghiệm này được lắp đặt như ở hình vẽ 1.

Hình 1: Thí nghiệm phân cực ánh sáng.

2.2. Phương pháp đo:

 Hình 2: Bố trí thí nghiệm phân cực ánh sáng.
2.2.1 Kiểm chúng định luật Malus
- Chiếu tia laser qua kính phân cực đến cảm biến.
- Tiến hành quay 1 góc  của kính phân cực từng 100 bắt đầu từ 00 tới 1800
- Xác định một vị trí cực đại và một vị trí cực tiểu.
Cực đại: 𝑼𝑚𝑎𝑥 tương ứng với φ=00
Cực tiểu: 𝑼𝑚𝑖𝑛 tương ứng với φ=900
-
Dựa vào 2 vị trí trên ta hiệu chỉnh lại các góc φ còn lại cho phù hợp.
- Đồ thị biểu diễn mối quan hệ U theo f(cos2) là một đường thẳng.
- Kiểm chứng định luật Malus: 𝑰 = 𝑰𝑶 cos2𝝋
2.2.2 Xác định quang hoạt của bản tinh thể
- Đặt kính phân cực tại vị trí cực tiểu thứ nhất.
- Chiếu tia laser bản tinh thể kính phân cực đến cảm biến.
- Quay góc ’ của kính phân cực, số chỉ của của mili-volt kế đổi chứng tỏ phương dao động
của ánh sáng phân cực (qua kính phân cực) đã bị quay 1 góc nào đó.
- Biểu diễn U’=f(ϕ;) lên cùng đồ thị của U=f(ϕ), dựa vào đồ thị ta thấy nếu quay ngược kim
đồng hồ: chất tả triển. Nếu góc quay là cùng chiều kim đồng hồ: chất hữu triển.
- Từ thí nghiệm, kết luận: bản tinh thể có tính chất hữu triển hay tả triển.

Hình 3: Bản tinh thể có tính chất hữu triển khi góc quay cùng chiều kim đồng hồ
 Hình 3: Bản tinh thể có tính chất tả triển khi góc quay ngược chiều kim đồng hồ

3. TRÌNH TỰ THÍ NGHIỆM

1. Kiểm chứng định luật Malus:
- Bố trí thí nghiệm như hình 2 nhưng không gắn bản tinh thể vào hệ.
- Bật công tắc nguồn laser.
- Bật công tắc của volk kế sang vị trí ON và thang đo ở vị trí 2V DC.
- Chỉnh trục quang học: tháo rời khỏi hệ quang học sao cho chỉ còn nguồn laser và cảm biến.
chỉnh tia laser rọi thẳng góc đến cảm biến. Quan sát sao cho volt kế đặt giá trị cực đại. Gắn
kính phân cực vào hệ sao cho vuông góc với trục quang học.
- Tiến hành quay 1 góc  của kính phân cực từng 100 bắt đầu từ 00 tới 1800 và ghi số chỉ của
mili volt kế tương ứng vào bảng số liệu.
- Kiểm chứng định luật Malus: 𝑰 = 𝑰𝑶 cos2𝝋
- Từ bản số liệu, có 1 vị trí cực đại và 1 vị trí cực tiểu.
Cực đại: 𝑼𝑚𝑎𝑥 tương ứng với φ=00
Cực tiểu: 𝑼𝑚𝑖𝑛 tương ứng với φ=900
- Dựa vào 2 giá trị trên ta hiệu chỉnh lại các góc φ còn lại cho phù hợp. Biểu diễn U=f(cos2φ)
ứng với 00<φ<900. Nếu đồ thị nhận được là đường thẳng qua gốc toạ độ thì định luật Malus
được nghiệm đúng.
2. Xác định quang hoạt của bản tinh thể:
- Xoay kính phân cực tại vị trí cực tiểu thứ nhất.
- Bố trí thí nghiệm như hình 2.
 - Đặt bản tinh thể dị hướng vào chính giữa laser và kính phân cực: số chỉ của mili-volt kế
thay đổi chứng tỏ phương dao động của ánh sáng phân cực (qua kính phân cực) đã bị quay
1 góc nào đó. Tuỳ theo chất liệu và bề dày bản thì góc quay có thể theo chiều kim đồng
hồ hoặc ngược lại.
- Thực hiện góc quay ϕ0 của kính phân cực mỗi bước 1 góc 100 và ghi vào bảng số liệu
- Biểu diễn U’=f(ϕ;) lên cùng đồ thị của U=f(ϕ). Dựa vào đồ thị ta thấy nếu quay ngược kim
đồng hồ: chất tả triển. Nếu góc quay là cùng chiều kim đồng hồ: chất hữu triển.

3. Kết thúc thí nghiệm :

- Tắt nguồn laser và volt kế.

- Sắp xếp gọ gàng các dụng cụ thí nghiệm.

Kết thúc thí nghiệm.

4. TRÌNH BÀY KẾT QUẢ

- Thang đo cực đại của volt kế điện tử: Um=…………, cấp chính xác: kI=……………, độ
chia nhỏ nhất: I=…………
- Độ chia nhỏ nhất của bản chia độ:
4.1 Kiểm chứng định luật Malus
Bảng 1:

Kiểm chứng định luật Malus

0 U(mV) 0 cos2
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
110
120
130
140
150
160
170
180
 a. Từ bảng số liệu, chọn Umin tương ứng với φ=900 hoặc Umax tương ứng với φ=00. Từ đó
hiệu chỉnh các góc  cho phù hợp rồi ghi vào bảng số liệu 1.
b. Tính các giá trị cos2 và ghi vào bảng số liệu 1.
c. Tính các sai số của  và U.
d. Vẽ đồ thị hàm U=f(cos2) trong miền 0<900 và kết luận định luật Malus có nghiệm đúng
hay không.
4.2 Xác định quang hoạt
Bảng số liệu 2

Xác định quang hoạt

’0 U’(mV)
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
110
120
130
140
150
160
170
180

Biểu diễn U=f() và U’=f(’) lên cùng đồ thị. Dựa vào cực tiểu của hai đường biểu diễn
này hãy cho biết phương dao động của kính phân cực bị quay (cùng/ngược) chiều kim đồng
hồ. Từ đó kết luận bản tinh thể là chất tả triên hay hữu triền.

&&&&&&&
 Bài thí nghiệm số 4
XÁC ĐỊNH GIÁ TRỊ ĐIỆN TRỞ, ĐIỆN DUNG,
ĐỘ TỰ CẢM, TẦN SỐ CỘNG HƯỞNG BẰNG
OSCILLOSCOPE
------ooo------
Mục tiêu: Sau khi học xong bài này các sinh viên có khả năng:
- Về kiến thức: Biết cách sử dụng máy oscilloscope, máy phát tần
số, nêu được phương pháp đo và các bước tiến hành thí nghiệm
xác định R, L, C, tần số cộng hưởng bằng phương pháp sử dụng
oscilloscope.
- Về kỹ năng: Sử dụng thành thạo các dụng cụ đo, tiến hành đúng
trình tự thí nghiệm để thu được số liệu chính xác.
- Về thái độ: Cẩn thận, kiên trì, chính xác, trung thực, khách quan.
1. CƠ SỞ LÝ THUYẾT
1.1. Dao động ký điện tử (Oscilloscope)
1.1.1. Mô tả dao động ký điện tử

Dao động ký điện tử là một dụng cụ vạn năng dùng để quan sát và
nghiên cứu độ lớn và hình dạng của dòng điện và hiệu điện thế trong các
mạch điện. Cấu tạo của dao động ký điện tử được biểu diễn bằng sơ đồ
khối trên hình 4.1 gồm có:
- Một ống phóng điện tử
- Các mạch điện điều khiển tia electron
- Bộ khuếch đại tín hiệu trục y (KĐY) để khuếch đại tín hiệu trước
khi đặt vào hai bản cực nằm ngang trong ống phóng điện tử
- Bộ khuếch đại tín hiệu trục x (KĐX) để khuếch đại tín hiệu trước
khi đặt vào hai bản cực thẳng đứng trong ống phóng điện tử
- Bộ phát tín hiệu răng cưa (Q-X) để quét chùm tia điện tử
- Bộ nguồn cung cấp điện áp thấp một chiều và cung cấp cao áp
cho Anode và các cực điều khiển của ống phóng điện tử.

37
 Hình 4.1: Sơ đồ khối của dao động ký điện tử.
Ống phóng điện tử là một ống thủy tinh kín được hút chân không
cao 10-6mmHg), có các điện cực bên trong. Catod K được nung nóng nhờ
dây điện trở FF sẽ phát xạ ra các điện tử.
Giữa các anod A1, A2 và catod K có hiệu điện thế cỡ 1000V, nhờ
đó mà các điện tử phát xạ từ catod sẽ được gia tốc và bay đến đập vào
màn hình M có phủ lớp huỳnh quang và làm cho màn hình phát sáng tại
những điểm có điện tử đập vào. Một ống trụ kim loại G, bao quanh catod
K, gọi là lưới điều khiển, có điện thế âm so với catod sẽ có tác dụng làm
giảm số điện tử đi qua nó và do đó sẽ giảm cường độ phát sáng trên màn
huỳnh quang. Anod A2, có điện thế cao hơn A1, dùng gia tốc và hội tụ
chùm tia điện tử. Sau khi ra khỏi anod A2, chùm tia điện tử sẽ bay vào
giữa hai cặp bản cực Y1Y2 và X1X2. Nếu giữa mỗi cặp bản cực X1X2
hoặc Y1Y2 có một hiệu điện thế thì điện trường do chúng tạo nên sẽ làm
cho chùm tia điện tử bị lệch khỏi phương truyền thẳng.
Chùm tia điện tử bị lệch đi một khoảng x theo phương nằm ngang
trên màn hình M khi có một điện thế Ux giữa hai bản cực X1X2 và lệch đi
một khoảng y theo phương đứng khi có một điện thế Uy giữa hai bản cực
Y1Y2.
Theo định nghĩa, các đại lượng
x y
x  và  y  (4.1)
Ux Uy
có đơn vị là độ chia/V và được gọi là độ nhạy của ống phóng điện tử theo
chiều ngang và theo chiều dọc đối với các hiệu điện thế U x và U y .

38
 Các điện tử chuyển động trong ống phóng với vận tốc rất lớn (cỡ
107m/s) nên có thể xem chúng truyền tới đập tức thời vào màn hình M và
có thể xem rằng ống phóng tia điện tử là một dụng cụ không có quán tính.
Nhờ ưu điểm này mà người ta đã chế tạo ra các dao động ký có thể hoạt
động trong dải tần số rộng (0  100 MHz).
Vị trí các vệt sáng trên màn hình M là kết quả chuyển động tổng
hợp của hai chuyển động có thành phần vuông góc với nhau của chùm tia
điện tử dưới tác dụng đồng thời của các hiệu điện thế U x và U y đặt vào
các bản cực X1X2 và Y1Y2.
1.1.2. Phương pháp quan sát dạng tín hiệu nhờ dao động ký điện tử
Quan sát dạng tín hiệu nghĩa là quan sát sự biến thiên theo thời gian
của hiệu điện thế hoặc dòng điện.
Nếu đặt lên hai bản cực X1X2 (nghĩa là đặt lên lối vào kênh X của
Bộ khuếch đại KĐX) một hiệu điện thế xoay chiều cần khảo sát:
u x  Uox .cos t (4.2)
Dưới tác dụng của hiệu điện thế này, chấm sáng trên màn hình M sẽ
dao động theo phương ngang, nhưng do quán tính sáng của màn hình và
khả năng lưu ảnh của mắt, ta chỉ nhìn thấy một vệt sáng nằm ngang cố
định trên màn hình. Độ dài của vệt sáng này tỉ lệ với biên độ U ox và bằng
x  K.x .2Uox  K x .2Uox (4.3)
Trong đó K là hệ số khuếch đại của bộ khuếch đại KĐX,
K x  K. x là độ nhạy theo chiều dọc của dao động ký điện tử hay còn
gọi là hệ số truyền kênh X.
Tương tự, nếu ta đặt lên lối vào kênh Y của bộ khuếch đại KĐY
một hiệu điện thế xoay chiều
u y  Uoy .cos t (4.4)

Dưới tác dụng của hiệu điện thế này, chấm sáng trên màn hình M sẽ
dao động theo phương thẳng đứng và ta nhìn thấy một vệt sáng đứng cố
định trên màn hình. Độ cao của vệt sáng này tỉ lệ với biên độ U oy và
bằng
y  K. y .2Uoy  K y .2Uoy (4.5)

Trong đó K là hệ số khuếch đại của bộ khuếch đại KĐY,

K y  K. y là độ nhạy theo chiều dọc của dao động ký điện tử hay còn
gọi là hệ số truyền kênh Y.

39
 Nếu ta đặt đồng thời lên hai bản cực Y1Y2 một hiệu điện thế xoay
chiều có dạng (4.2) và lên hai bản cực X1X2 một hiệu điện thế tăng tuyến
tính theo thời gian với hệ số tỉ lệ a không đổi
u x  a.t (4.6)
Khi đó vệt sáng trên màn hình M sẽ là tổng hợp của hai chuyển
động vuông góc với nhau
x  K x Ux  K x .a.t (4.7)

x
Và y  K y U y  K y U0y cos t  K y U 0y cos  (4.8)
Kxa
Như vậy, chùm tia điện tử sẽ vẽ lên trên màn hình M một tín hiệu
y  y  x  hoàn toàn đồng dạng với tín hiệu (4.3) cần nghiên cứu.
Trong dao động ký điện tử, để thực hiện việc quét chùm tia điện tử
theo chiều ngang, người ta dùng một bộ phát tín hiệu răng cưa Q-X để
tạo ra một hiệu điện thế u x  a.t tăng tuyến tính theo thời gian đến một
giá trị cực đại U max xác định rồi giảm nhanh về giá trị ban đầu U o .

Hình 4.2: Dạng tín hiệu răng cưa của Bộ phát quét Q – X
Khi đặt tín hiệu ux nói trên lên hai bản cực X1X2, chấm sáng trên
màn hình M sẽ dịch chuyển ngang từ trái sang phải với vận tốc không đổi
(từ vị trí ban đầu bên trái sang vị trí cực đại bên phải) và lặp đi lặp lại với
một chu kỳ xác định gọi là chu kỳ quét Tq liên hệ với tần số quét theo
biểu thức
1
f (4.9)
Tq
- Nếu Tq = T, với T là chu kỳ tính hiệu cần nghiên cứu, trên màn hình
M sẽ hiện lên dạng dao động toàn phần của tín hiệu (hình 4.3a).
- Nếu Tq = n.T, với n là số nguyên, trên màn hình M sẽ hiện lên n dao
động toàn phần (hình 4.3b).
40
- Nếu Tq  n.T, trên màn hình M sẽ hiện một hình có dạng phức tạp
hoặc các đường cong luôn dịch chuyển (hình 4.3c)
(a) (b) (c)

Tq = T Tq = n.T Tq = 3T/2

Hình 4.3: Các dạng tín hiệu xuất hiện trên màn hình dao động ký điện tử
Để hình ổn định, người ta sử dụng một núm điều chỉnh tần số quét
ngay trên mặt máy của dao động ký điện tử. Khi vặn núm này, các giá trị
U o và U max của tín hiệu răng cưa không đổi nhưng tốc độ quét thay đổi,
do đó chu kỳ quét Tq thay đổi, và độ dốc của đồ thị u x  t  thay đổi. Nếu
điều chỉnh núm này sao cho Tq  nT , ta sẽ có n dao động toàn phần ổn
định trên màn hình M. Nếu so sánh với tín hiệu chuẩn có biên độ và chu
kỳ đã biết, ta có thể xác định được biên độ và chu kỳ của tín hiệu cần
nghiên cứu.
1.1.3. Phương pháp quan sát dao động tổng hợp của hai dao động
vuông góc

Nếu đặt lên hai bản cực X1X2 một hiệu điện thế: u x  Uox .cos x t
và đặt lên hai bản cực Y1Y2 một hiệu điện thế: u y  Uoy .cos  y t    thì
vệt sáng trên màn hình M sẽ thực hiện đồng thời hai dao động vuông góc
x  K x u x  Xo cos x t (4.10)
y  K y u y  Yo cos  y t    (4.11)
- Nếu y  n x (với n là số nguyên) thì quỹ đạo của chùm tia điện
tử trên màn hình M là các đường Lissajou.
- Nếu y   x (với n = 1), thì quỹ đạo của chùm tia điện tử trên
màn hình M được xác định bởi phương trình
2 2
 x   y  x.y
      2. cos   sin 2 
 Xo   Yo  Xo Yo
(4.12)
Tuỳ theo độ lệch pha , quỹ đạo sẽ là một đường thẳng hay elip.

41
 - Khi   0 và    , quỹ đạo là một đường thẳng. Nếu Uox  Uoy
thì quỹ đạo là một đường thẳng nghiêng 450 (hình 4.4a, e).
- Khi     2 quỹ đạo là một đường elip ngang (hình 4.4 c). Nếu
Uox  Uoy thì quỹ đạo là một đường tròn (hình 4.4 f).
- Khi  có giá trị bất kỳ, quỹ đạo là một đường elip xiên.

Hình 4.4: Các dạng quỹ đạo tổng hợp của hai dao động vuông
góc cùng tần số  với độ lệch pha  khác nhau.
1.2. Khảo sát đoạn mạch điện xoay chiều
1.2.1. Đoạn mạch chứa R, L, C nối tiếp
Xét một đoạn mạch AB gồm điện trở thuần R, cuộn dây thuần cảm
kháng có độ tự cảm L và tụ điện có điện dung C được mắc nối tiếp. Nối
hai đầu đoạn mạch AB với nguồn điện xoay chiều mà hiệu thế hai đầu là
u AB  U 2 sin   t   (4.13)
thì trong mạch sẽ xuất hiện dòng điện xoay chiều
i  I 2 sin  t (4.14)
trong đó U và I là các giá trị hiệu dụng của hiệu thế và cường độ dòng
điện,  là tần số góc của dòng điện xoay chiều,  là độ lệch pha giữa uAB
và i.
R L C
A M N B

~
Hình 4.5: Mạch RLC nối tiếp.

Gọi u R , u L , u C lần lượt là hiệu điện thế giữa hai đầu điện trở,
cuộn dây và tụ điện. Áp dụng định luật Ohm đối với đoạn mạch AM chỉ
chứa điện trở R

42
 u R  Ri  U R 2 sin t (4.15)
trong đó UR  RI
Vậy hiệu thế giữa hai đầu điện trở đồng pha với dòng điện qua nó.
1.2.2. Đoạn mạch MN chỉ chứa cuộn dây thuần cảm L
Do có dòng điện I biến thiên qua cuộn dây nên trong cuộn dây xuất
di
hiện một suất điện động tự cảm  tc  L và hiệu thế giữa hai đầu cuộn
dt
dây là
di
u L   tc  L  L I 2 cos t
dt
 
u L  U L 2 sin   t   (4.16)
 2
trong đó UL  L I  ZL I và ZL  L là tổng trở của cuộn dây thuần
cảm
Vậy hiệu thế giữa hai đầu cuộn dây thuần cảm nhanh pha hơn dòng
điện qua nó một góc  2 .
1.2.3. Đoạn mạch NB chỉ chứa tụ điện C
Gọi q là điện tích trên mỗi bản tụ điện vào thời điểm t, cường độ
dòng điện qua tụ điện là
dq
i  dq  i.dt
dt
I
q   i.dt   I 2 sin t dt   2 cos t

Hiệu thế giữa hai bản tụ điện
q I
uC    2 cos t
C C
 
u C  UC 2 sin  t   (4.17)
 2
I 1
trong đó UC   ZC I và ZC  là dung kháng của tụ điện.
C C
Vậy hiệu thế giữa hai đầu tụ điện chậm pha dòng điện qua nó
một góc  2 .
1.2.4. Đoạn mạch AB gồm R, L, C nối tiếp

43
 Biểu diễn các hiệu thế u R , u L , u C , u AB và dòng điện I bằng các
vectơ quay U R , U L , U C , U AB , I , ta có giản đồ vectơ mô tả ở hình
4.6a và 4.6b.
Do u AB  u R  u L  u C

 UAB  UR  UL  UC

Từ giản đồ vectơ, ta có

UAB2  UR 2   UL  UC 
2

Tổng trở của đoạn mạch AB này là

U
Z  AB  R 2   ZL  ZC  2 (4.18)
I
Độ lệch pha     pha u AB  pha i  giữa u AB và I là
U L  UC ZL  ZC
tg    (4.19)
UR R




Hình 4.6a: i chậm pha hơn Hình 4.6b: i nhanh pha hơn
(> 0) (< 0)
- Cộng hưởng thế
Khi tần số dòng điện xoay chiều đạt giá trị o sao cho: Lo  1 o C
(nghĩa là ZL  ZC ) hay o  1 LC thì theo công thức (4.18), tổng trở
mạch đạt giá trị cực tiểu Zmin  R và cường độ hiệu dụng của dòng điện
trong mạch sẽ đạt giá trị cực đại I max  UAB R . Khi đó, u L  u C và
u AB  u R , nghĩa là u AB và I đồng pha. Mạch điện lúc đó được gọi là
mạch cộng hưởng RLC nối tiếp và tần số dòng điện xoay chiều là

44
 o 1
fo   (4.20)
2 2 LC
được gọi là tần số cộng hưởng.
2. DỤNG CỤ VÀ PHƯƠNG PHÁP ĐO
2.1. Dụng cụ đo
Dụng cụ thí nghiệm gồm có:
- Dao động ký điện tử
- Máy phát xung
- Bảng lắp ráp mạch điện
- Hộp điện trở mẫu 0  9999,9 
- Tụ điện Cx
- Điện trở Rx
- Cuộn cảm Lx
2.2. Phương pháp đo

2.2.1. Đo điện trở, độ tự cảm cuộn dây và điện dung tụ điện

a. Đo điện trở Rx
- u1 là điện áp xoay chiều lấy từ máy phát tần số.
- Ro là điện trở lấy
từ hộp điện trở Ký hiệu oscilloscope
0  9999,9
- Rx là điện trở cần
đo
Y
- X1X2 và Y1Y2 là
các bản cực của X X
oscilloscope. Rx
u1
Nếu 𝑢1 = 𝑈√2𝑠𝑖𝑛(𝜔𝑡 + ~ Y
Φ) thì gọi dòng điện I
chạy qua toàn mạch và Ro
các hiệu thế 𝑢𝑅𝑜 và 𝑢𝑅𝑥
đồng pha với u1. Do đó Hình 4.7a: Sơ đồ mạch dùng để đo điện trở Rx
i  I 2 sin t , 𝑢𝑅𝑜 = 𝑅𝑜 𝐼√2𝑠𝑖𝑛(𝜔𝑡), 𝑢𝑅𝑥 = 𝑅𝑥 𝐼√2𝑠𝑖𝑛(𝜔𝑡).
Mắc mạch điện theo sơ đồ hình 4.7a.
Các hiệu điện thế được đưa vào các bản cực X1X2 và Y1Y2 lần lượt là

45
 𝑢𝑥 = 𝑢𝑅𝑜 = 𝑅𝑜 𝐼√2𝑠𝑖𝑛(𝜔𝑡)
𝑢𝑦 = −𝑢𝑅𝑥 = −𝑅𝑥 𝐼√2𝑠𝑖𝑛(𝜔𝑡) = 𝑅𝑥 𝐼√2𝑠𝑖𝑛(𝜔𝑡 + 𝜋)
Khi đó, trên màn hình dao động ký điện tử xuất hiện một đoạn
thẳng xiên. Nếu điều chỉnh R o để đoạn thẳng nghiêng một góc 45o thì
U x  U y (xem hình 4.4e). Do đó

Rx  Ro (4.21)
b. Đo điện dung Cx của tụ điện
Mắc mạch điện theo Y
sơ đồ hình 4.7b trong đó Cx
là tụ điện.
X X
Cx
Nếu 𝑢1 = 𝑈√2𝑠𝑖𝑛(𝜔𝑡 + u1
Φ) thì i  I 2 sin t ,
𝑢𝑅𝑜 = 𝑅𝑜 𝐼√2𝑠𝑖𝑛(𝜔𝑡), ~
𝜋 Y
𝑢𝐶𝑥 = 𝑍𝐶 𝐼√2𝑠𝑖𝑛 (𝜔𝑡 − ).
2
Ro
Các hiệu điện thế được
đưa vào các bản cực X1X2 và
Y1Y2 lần lượt là
Hình 4.7b: Sơ đồ mạch dùng để đo Cx.

𝑢𝑥 = 𝑢𝑅𝑜 = 𝑅𝑜 𝐼√2𝑠𝑖𝑛(𝜔𝑡)
𝜋 𝜋
𝑢𝑦 = −𝑢𝑍𝐶 = −𝑍𝐶 𝐼√2𝑠𝑖𝑛 (𝜔𝑡 − ) = 𝑍𝐶 𝐼√2𝑠𝑖𝑛 (𝜔𝑡 + )
2 2
Khi đó, trên màn hình dao động ký điện tử xuất hiện một elip. Nếu
điều chỉnh R o để elip trở thành hình tròn thì U x  U y (xem hình 4.4f).

Do đó ZC  R o . Thay Y
1 1
ZC   , ta suy ra X X
C 2 f.C u1 Lx

~
1
Cx  (4.22)
2 f.R o Y

c. Đo độ tự cảm Lx của cuộn Ro

dây thuần cảm
46
Hình 4.7c: Sơ đồ mạch dùng để đo Lx
 Mắc mạch điện theo sơ đồ hình 4.7c trong đó Lx là cuộn dây thuần
cảm (không có lõi sắt).
Nếu 𝑢1 = 𝑈√2𝑠𝑖𝑛(𝜔𝑡 + Φ) thì i  I 2 sin t , 𝑢𝑅𝑜 = 𝑅𝑜 𝐼√2𝑠𝑖𝑛(𝜔𝑡),
𝜋
𝑢𝑍𝐿 = 𝑍𝐿 𝐼√2𝑠𝑖𝑛 (𝜔𝑡 + 2 )
Các hiệu điện thế được đưa vào các bản cực X1X2 và Y1Y2 lần lượt là
𝑢𝑥 = 𝑢𝑅𝑜 = 𝑅𝑜 𝐼√2𝑠𝑖𝑛(𝜔𝑡)
𝜋 𝜋
𝑢𝑦 = −𝑢𝑍𝐿 = −𝑍𝐿 𝐼√2𝑠𝑖𝑛 (𝜔𝑡 + ) = 𝑍𝐶 𝐼√2𝑠𝑖𝑛 (𝜔𝑡 − )
2 2
Khi đó, trên màn hình dao động ký điện tử xuất hiện một elip. Nếu
điều chỉnh R o để elip trở thành hình tròn thì U x  U y (xem hình 4.4f).
Do đó ZL  R o .
Y
Thay ZL  L  2 f.Lx suy ra
Cx
Ro X X
Lx  (4.23) u1
2 f Lx
2.2.2. Khảo sát mạch cộng hưởng ~ Y
Mắc mạch điện theo sơ đồ hình 4.8.
Ro
Nếu 𝑢1 = 𝑈√2𝑠𝑖𝑛(𝜔𝑡 + Φ) thì
i  I 2 sin t ,
Hình 4.8: Mạch RLC nối tiếp
𝑢𝑥 = 𝑢𝑅𝑜 = 𝑅𝑜 𝐼√2𝑠𝑖𝑛(𝜔𝑡),
𝜋 𝜋
𝑢𝑦 = − (𝑢𝐶𝑥 + 𝑢𝐿𝑥 ) = −𝑍𝐿,𝐶 𝐼√2𝑠𝑖𝑛 (𝜔𝑡 ± 2 ) = 𝑍𝐿,𝐶 𝐼√2𝑠𝑖𝑛 (𝜔𝑡 ∓ 2 )
Khi đó, trên màn hình dao động ký điện tử xuất hiện một elip.
Chọn một giá trị R o xác định và thay đổi tần số f của nguồn u1
đến giá trị f o để elip trở thành đường thẳng nằm ngang. Lúc đó u y  0 ,
u1  u x  u y  u x . Do u x đồng pha với I nên u1 đồng pha với I, nghĩa
là   0 . Theo công thức (4.19) , ZL  ZC . Trong mạch có cộng hưởng
thế với tần số cộng hưởng f o xác định bởi công thức (4.20).
3. TRÌNH TỰ THÍ NGHIỆM

*** Lưu ý: SV không tháo que đo ra khỏi máy Oscillocope, không tự

ý điều chỉnh các núm trên Oscillocope khi chưa có sự đồng ý của GV.

47
Quan sát máy
- Dao động ký điện tử- Oscillocope (Cách sử dụng: xem phụ lục)
- Máy phát tần số (Cách sử dụng: xem phụ lục)
- Hộp điện trở (Cách sử dụng: xem phụ lục)
Tiến hành thí nghiệm
3.1. Tổng hợp hai dao động điều hòa vuông góc, cùng tần số
a. Mắc mạch điện như sơ đồ hình 4.7a.
b. Đặt vào hai đầu mạch một điện áp xoay chiều hình sin u1 lấy từ
máy phát tần số. Bật điện. Chọn mức điện áp xoay chiều u1 đạt
giá trị thích hợp nào đó.
c. Hiệu điện thế giữa hai đầu điện trở mẫu Ro được đưa vào đầu X
của que đo, còn hiệu điện thế giữa hai đầu điện trở R x được đưa
vào đầu Y của que đo.
3.2. Chuẩn hai kênh X và Y của dao động ký để chúng có cùng độ
nhạy (có hệ số truyền kênh như nhau)
a. Kiểm tra xem nút XY đã được nhấn chưa, nếu chưa, nhấn nút XY
trên dao động ký.
b. Nối đầu vào que đo X và đầu vào que đo Y của dao động ký điện
tử cùng chung một điểm. Với cách mắc này, cả hai kênh X và Y
đều được nối chung một tín hiệu (cùng tần số, biên độ và pha).
c. Chọn tín hiệu sóng sin có tần số f nằm trong khoảng từ 200Hz
đến 1000Hz. Trên màn hình sẽ có một đoạn thẳng sáng nghiêng.
d. Điều chỉnh các núm chỉnh biên độ điện áp sao cho đoạn sáng
thẳng nghiêng 45o so với trục tọa độ. Khi đó hai kênh X và Y có
độ nhạy bằng nhau nghĩa là: K x  K y .
e. Giữ nguyên giá trị của 2 núm chỉnh biên độ điện áp trong suốt
quá trình thực hiện các thí nghiệm tiếp theo.
f. Nối đầu vào que đo X của dao động ký điện tử / đầu vào que đo Y
của dao động ký điện tử về lại vị trí ban đầu.
3.3. Đo điện trở Rx
a. Mắc mạch điện theo sơ đồ hình 4.7a.

48
 b. Chọn tần số tín hiệu f của máy phát tần số nằm trong khoảng từ
200Hz đến 2000Hz.
c. Trên màn hình xuất hiện một đoạn thẳng sáng. Điều chỉnh điện
trở R0 của hộp điện trở mẫu cho tới khi trên màn hình dao
động ký xuất hiện một đường thẳng nghiêng một góc 45o so
với các trục tọa độ. Khi đó, biên độ UR x  UR o và ta có R x  R o .
d. Thực hiện động tác này 3 lần với 3 giá trị khác nhau của tần số f
và ghi các giá trị Ro vào bảng số liệu 1.
3.4. Đo điện dung Cx
a. Mắc mạch điện theo sơ đồ hình 4.7b.
b. Chọn tần số của máy phát tần f  200Hz –2000Hz
c. Điều chỉnh điện trở R o của hộp điện trở mẫu để hình elip trở
thành hình tròn. Khi đó, biên độ UC  UR o , và ta có ZC  R o .
d. Thực hiện phép đo này 3 lần với 3 giá trị khác nhau của tần số f. Ghi
giá trị tần số f và các giá trị của điện trở R o vào bảng số liệu 2.

3.5. Đo độ tự cảm Lx
a. Mắc mạch điện theo sơ đồ hình 4.7c.
b. Chọn tần số của máy phát tần số f  5.000Hz - 20.000Hz.
c. Điều chỉnh điện trở RO của hộp điện trở để hình elip trở
thành hình tròn. Khi đó, biên độ UL  URo , và ta có ZL  R o .
d. Thực hiện phép đo này 3 lần với 3 giá trị khác nhau của tần số f. Ghi
giá trị tần số f và các giá trị của điện trở R o vào bảng số liệu 3.
3.6. Tìm giá trị tần số cộng hưởng

a. Mắc mạch điện theo sơ đồ hình 4.8.

b. Quan sát dạng tín hiệu trên màn hình của dao động ký, tín hiệu có
dạng elip.
c. Chọn Ro = 300. Điều chỉnh tần số máy phát trong khoảng
1.000  20.000Hz và quan sát sự thay đổi dạng của elip trên màn
hình cho tới khi xảy ra cộng hưởng. Khi đó, hình elíp trở thành
một đường thẳng nằm ngang.

49
 d. Thực hiện động tác này 3 lần. Đọc và ghi tần số cộng hưởng f o
vào bảng số liệu 4.
4. BÁO CÁO THÍ NGHIỆM
 0.0016 ∆𝑓
 ; = 2,5%
 3.14 𝑓
4.1. Bảng 1: Xác định điện trở thuần R x :

Lần đo f (Hz) R0 () Rx () Rx

1
2
3
Trung bình
a. Tính sai số tương đối Rxi cho từng lần đo rồi ghi vào bảng số
liệu.
b. Tính giá trị trung bình của điện trở cần đo R x .
c. Tính các sai số của Rx.
d. Viết kết quả đo R x = R x ± R x .
e. Tại sao khi Rx = Ro, tín hiệu đo là đường thẳng nghiêng 45o?

4.2. Bảng 2: Xác định dung kháng ZC và điện dung Cx.

Lần đo f (Hz) Zc = Ro () Cx (F) Cx

1
2
3
Trung
bình
a. Tính giá trị của điện dung C x và sai số tương đối Cxi cho từng
lần đo rồi ghi vào bảng số liệu.
b. Tính giá trị trung bình của điện dung Cx.
c. Tính sai số các sai số của Cx
d. Viết kết quả đo Cx  Cx  Cx .
e. Tại sao khi Zc = R0, tín hiệu đo là đường tròn?
4.3. Bảng 3: Xác định cảm kháng ZLx , độ tự cảm L x (cuộn dây không
lõi sắt)
50
 Lần đo f (Hz) ZLx =Ro () Lx (H) Lx
1
2
3
Trung
bình

a. Tính giá trị của độ tự cảm Lx và sai số tương đối Lxi từng lần đo
rồi ghi vào bảng số liệu.
b. Tính giá trị trung bình của độ tự cảm L x
c. Tính các sai số của Lx
d. Viết kết quả đo Lx  Lx  Lx .
e. Tại sao khi ZL = R0, tín hiệu đo là đường tròn?
4.4. Bảng 4: Xác định tần số cộng hưởng fo
Lần đo Mạch RLC nối tiếp
fo (Hz) fo (Hz)
1
2
3
Trung bình
1
a. So sánh giá trị tần số cộng hưởng f o và 𝑓 = 2𝜋√𝐿 . Với Lx, Cx
𝑥 𝐶𝑥
lần lượt là giá trị độ tự cảm, tụ điện đã tìm được ở trên. Nêu
nhận xét.
b. Tại sao khi tần số f đạt giá trị cộng hưởng, hình elíp trở thành
một đường thẳng nằm ngang?

5. CÂU HỎI KIỂM TRA

1- Trình bày cách chuẩn hệ số truyền kênh Y và cách đo biên độ
điện áp ra của máy phát tần số.
2- Mô tả cách đo điện trở thuần Rx, tụ dung Cx và điện cảm Lx bằng
dao động ký điện tử và máy phát tần số.
3- Ngoài cách tìm giá trị điện trở thuần Rx, tụ dung Cx và điện cảm
Lx bằng dao động ký điện tử và máy phát tần số, ta còn có thể tìm
giá trị của chúng bằng cách nào khác?
&&&&&&&

51
 Bài thí nghiệm số 5
KHẢO SÁT ĐẶC TÍNH CỦA DIODE VÀ
TRANSISTOR
------ooo------

Mục tiêu: Sau khi học xong bài này các sinh viên có khả năng:
- Về kiến thức: Nêu được phương pháp đo và các bước tiến hành thí
nghiệm xác định đặc tính của Diode và Transitor.
- Về kỹ năng: Sử dụng thành thạo các dụng cụ đo, tiến hành đúng
trình tự thí nghiệm để thu được số liệu chính xác.
- Về thái độ: Cẩn thận, kiên trì, chính xác, trung thực, khách quan.

1. CƠ SỞ LÝ THUYẾT

1.1. Diode bán dẫn

1.1.1. Bán dẫn tinh khiết và bán dẫn tạp chất
Căn cứ vào tính dẫn điện của các chất người ta chia các chất rắn ra
làm 3 loại: kim loại, bán dẫn và điện môi. Trong kim loại mật độ electron
tự do rất lớn, nên điện trở suất của kim loại rất nhỏ  = (10-6- 10-4) .cm.
Trong điện môi mật độ electron rất nhỏ, không đáng kể nên điện trở suất
của điện môi rất lớn vào khoảng 1010 đến 1015.cm. Những chất có điện
trở suất lớn hơn kim loại nhiều lần nhưng cũng nhỏ hơn điện trở suất của
điện môi nhiều lần được gọi là chất bán dẫn. Điện trở suất của các chất
bán dẫn có giá trị trong khoảng từ 1 .cm đến cỡ 108.cm. Các chất bán
dẫn có thể là những chất tinh khiết như germanium (Ge), telua (Te),
silicium (Si),..., có thể là hợp chất của các kim loại như: oxit, sulfua,
telua, ví dụ: Cu 2 O , ZnO, PbS, CdS, PbTe, v.v...
Đặc điểm chủ yếu của các chất bán dẫn là tính dẫn điện của chúng
phụ thuộc vào nhiều điều kiện và bị ảnh hưởng của nhiều yếu tố vật lý
khác nhau nên tính dẫn điện của chúng thay đổi trong khoảng khá lớn.
Những điều kiện và yếu tố vật lý tác động mạnh nhất là nhiệt độ, nồng độ
tạp chất trong bán dẫn, độ rọi sáng, điện trường, từ trường. Đặc biệt, khi
tăng nhiệt độ hoặc nồng độ tạp chất thì điện trở suất của chất bán dẫn
giảm đi rõ rệt, khác hẳn với kim loại. Dưới đây, chúng ta sẽ khảo sát một
cách khái quát tính dẫn điện của các chất dẫn điện.

52
 a. Bán dẫn tinh khiết
Ge
Chẳng hạn chúng ta xét nguyên
tố germanium (Ge) có hoá trị 4.Trong Ge Ge
trạng thái tinh thể mỗi nguyên tử Ge
Ge Ge Ge
liên kết với 4 nguyên tử Ge khác bao
quanh nó bởi 4 cặp electron hoá trị. Ge
Ge
Sự liên kết đó được biểu diễn trên
hình 5.1, mỗi cặp electron hoá trị Ge
được biểu diễn bằng hai đọan thẳng
nối liền các nguyên tử. Hình 5.1: Mạng tinh thể Ge
Ở nhiệt độ bình thường, một số
electron trong tinh thể Ge có năng lượng chuyển động nhiệt khá lớn. Với
năng lượng này các electron đó có thể tự phá vỡ liên kết, rời khỏi nguyên
tử và trở thành các electron tự do.
Do electron mang điện âm (-e), nên chuyển động của electron rời
khỏi vị trí liên kết tương đương với
chuyển động của một điện tích Ge
dương (+e) lấp vào vị trí liên kết đó.
Vị trí liên kết mà electron vừa rời Ge Ge
khỏi trở thàng một “lỗ trống”. Như
vậy, “lỗ trống” được xem tương Ge As -e Ge
đương như một điện tích dương. Ta
nói nó là một hạt mang điện dương Ge Ge
(+e).
Như vậy, trong mạng tinh thể Ge
có thể xuất hiện nhiều electron tự do
và nhiều “lỗ trống”. Khi một “lỗ Hình 5.2: Bán dẫn Ge pha tạp As
trống” xuất hiện, có thể nó lại bị một
electron của nguyên tử Ge khác ở gần đấy nhảy đến chiếm chỗ và quá
trình này được tiếp diễn trong toàn mạng tinh thể Ge, ta nói các “lỗ
trống” chuyển động trong mạng tinh thể. Ở điều kiện bình thường, các
electron tự do và “lỗ trống” trong mạng tinh thể chuyển động hỗn loạn.
Nhưng khi có điện trường, các electron sẽ chuyển động ngược chiều điện
trường, còn các “lỗ trống” chuyển động cùng chiều với điện trường tạo
thành dòng điện trong chất bán dẫn.
Rõ ràng, chất bán dẫn tinh khiết vừa dẫn điện bằng electron vừa
dẫn điện bằng “lỗ trống”. Mặt khác, mỗi electron vừa rời khỏi vị trí liên
kết với nguyên tử để trở thành electron tự do lại tạo ra một “lỗ trống”,

53
nên trong bán dẫn tinh khiết mật độ electron tự do và mật độ lỗ trống
bằng nhau.
b. Bán dẫn có tạp chất
Bán dẫn có tạp chất gồm có 2 loại: bán dẫn loại n và bán dẫn loại p.
- Bán dẫn loại n
Ta xét bán dẫn Ge, nếu người ta thêm một ít tạp chất chẳng hạn
một lượng rất nhỏ asen (As) thì khi đó trong mạng tinh thể Ge, một số
nguyên tử Ge sẽ bị nguyên tử As chiếm chỗ (hình 5.2). Vì nguyên tố As
có hoá trị 5 (có 5 electron hoá trị) nên khi liên kết với 4 nguyên tử Ge
bao quanh nó sẽ có một electron dư ra. Electron hoá trị dư ra này liên kết
rất yếu với nguyên tử As, vì vậy ngay ở nhiệt độ bình thường năng lượng
liên kết của nó đã lớn hơn năng lượng kiên kết yếu đó. Nó dễ dàng phá
vỡ liên kết với nguyên tử để trở thành electron tự do. Rõ ràng, electron tự
do này không tạo ra lỗ trống.
Như vậy, khi có một lượng rất nhỏ tạp chất As trong mạng tinh thể
của tinh chất Ge đã có thêm một lượng electron tự do, kết quả là mật độ
electron tự do tăng lên rất nhiều so với mật độ “lỗ trống” đã có sẵn trong
bán dẫn tinh khiết Ge trước đây.
Khi có điện trường ngoài, dưới tác dụng của lực điện trường, trong
chất bán dẫn Ge đã có pha tạp chất As sẽ có dòng electron chuyển động
ngược chiều với điện trường lớn hơn rất nhiều so với dòng các “lỗ trống”
chuyển động cùng chiều với điện trường. Ta nói bán dẫn Ge có pha As
có tính dẫn điện chủ yếu bằng các electron tự do. Những chất bán dẫn có
tính dẫn điện chủ yếu bằng electron được gọi là bán dẫn loại n (do chữ
negative nghĩa là âm).
- Bán dẫn loại p
Nếu ta không pha tạp chất As vào bán dẫn tinh khiết Ge mà lại pha
một hàm lượng rất nhỏ tạp chất indium (In) là một nguyên tố hoá trị 3 (có
3 electron hoá trị) thì tính chất của bán dẫn lại thay đổi khác hẳn. Khi đó,
một nguyên tử In liên kết với 4 nguyên tử Ge bao quanh sẽ biến một
electron, tức là sẽ dư ra một “lỗ trống” (liên kết này được mô tả trên hình
5.3). Do trong bán dẫn tinh khiết đã có sẵn các electron có thể trở thành
tự do nên các electron này sẽ nhảy vào vị trí “lỗ trống” ở trên và ở vị trí
cũ của electron đó lại xuất hiện “lỗ trống”.Quá trình trên có thể xảy ra
trên toàn bộ tinh thể.Kết quả là trong chất bán dẫn bây giờ mật độ “lỗ
trống” lớn hơn mật độ electron tự do đã có sẵn trong chất bán dẫn tinh
khiết trước dây.

54
 Khi có điện trường ngoài, dưới tác dụng của lực điện trường, trong
chất bán dẫn Ge có pha tạp chất In sẽ có dòng “lỗ trống” chuyển động
cùng chiều với điện trường, mạnh hơn
rất nhiều dòng electron chuyển động Ge
ngược chiều với điện trường. Ta nói chất
bán dẫn này có tính dẫn điện chủ yếu Ge Ge
bằng “lỗ trống”. Những chất bán dẫn có
tính dẫn điện bằng “lỗ trống” được gọi là Ge In Ge
bán dẫn loại p (do chữ positive nghĩa là
dương). Ge Ge
Từ những kết quả đã dẫn ra, ta
thấy tùy theo loại tạp chất và nồng độ Ge
chúng ta pha vào chất bán dẫn tinh khiết
mà ta sẽ có bán dẫn loại p hay bán dẫn
loại n. Hình 5.3: Bán dẫn Ge pha tạp In

Những electron tự do trong bán dẫn loại n và những “lỗ trống”

trong bán dẫn loại p được gọi là những phần tử tải điện chủ yếu, còn
những “lỗ trống” trong bán dẫn loại n và những electron tự do trong bán
dẫn loại p được gọi là phần tử tải điện không chủ yếu.
Muốn giải thích sâu sắc và đầy đủ về bản chất và đặc điểm về tính
dẫn điện trong chất bán dẫn chúng ta phải dùng lý thuyết vùng năng
lượng trong chất rắn mà cơ sở của lý thuyết này là cơ học lượng tử sẽ
được khảo sát trong phần cuối của chương trình vật lý đại cương.
1.1.2. Tác dụng chỉnh lưu của lớp tiếp xúc bán dẫn p-n
Giả sử ta có hai loại: bán dẫn Ge loại n và bán dẫn Ge loại p có
cùng nồng độ tạp chất. Ta ghép chúng tiếp xúc với nhau. Tại mặt tiếp
xúc, do chuyển động nhiệt các phần tử tải điện chủ yếu trong hai bán dẫn
khác loại sẽ khuếch tán sang nhau: electron từ bán dẫn loại n sẽ khuếch
tán sang bán dẫn loại p, ngược lại “lỗ trống” từ bán dẫn loại p khuếch tán
sang bán dẫn loại n. Kết quả là ở chỗ tiếp xúc giữa hai mặt của hai chất
bán dẫn khác loại sẽ có điện tích trái dấu: mặt bên phía bán dẫn loại n
mang điện dương (+) còn mặt bên phía bán dẫn loại p thì mang điện âm
(-). Hai mặt mang điện này tạo thành một lớp điện tích kép, do đó giữa
chúng xuất hiện một điện trường. Lớp tiếp xúc như vậy được gọi là lớp
tiếp xúc p-n (xem hình vẽ 5.4). Điện trường xuất hiện trong lớp điện tích
kép này có tác dụng làm giảm sự khuếch tán của các phần tử tải điện chủ
yếu. Ta gọi cường độ điện trường đó là E o .

55
 Khi hai bán dẫn tiếp xúc nhau, đồng thời với sự khuếch tán của các
phần tử tải điện chủ yếu còn có sự khuếch tán của các phần tử tải điện
không chủ yếu: các “lỗ trống” từ bán dẫn n sang bán dẫn p, và ngược lại,
các electron từ bán dẫn p sang bán dẫn n. Tuy nhiên, lý thuyết chứng tỏ
rằng sự khuếch tán của các phần tử tải điện không chủ yếu này không
phụ thuộc điện trường E o trong lớp điện tích kép.
Bán dẫn loại p - + Dòng lỗ trống không chủ yếu
Dòng lỗ trống chủ yếu - +
- + Dòng electron chủ yếu
Dòng electron không chủ yếu - + Bán dẫn loại n
- +

Hình 5.4: Lớp tiếp xúc p-n

Sự khuếch tán của các phần tử tải điện chủ yếu ban đầu lớn hơn sự
khuếch tán của các phần tử không chủ yếu, nhưng do điện trường E o
ngăn cản nên dòng khuếch tán của các phần tử chủ yếu giảm dần cho tới
khi cân bằng với sự khuếch tán các phần tử tải điện không chủ yếu. Lúc
đó trạng thái cân bằng động được thiết lập, lớp điện kép sẽ có hiệu điện
thế Vo đạt tới giá trị ổn định vào khoảng vài phần mười volt và có độ dày
vào cỡ 10-7–10-6 mét.

p n p n

+ - - +
Hình 5.5: Phân cực thuận và nghịch cho diode

Bây giờ, nếu ta nối bán dẫn p với cực dương của nguồn điện và bán
dẫn n với cực âm của nguồn thì giữa hai bán dẫn sẽ có một điện trường
E ngược chiều với điện truờng E o của lớp điện tích kép.

Vì E > E o nên điện trường tổng ( E + E o ) có chiều trùng với điện

trường E , do đó nó có tác dụng làm cho sự khuếch tán của các phần tử tải
điện chủ yếu qua lớp điện tích kép tăng lên rất nhiều so với sự khuếch tán
của các phần tử không chủ yếu. Trong trường hợp này, lớp điện tích kép

56
đã cho dòng điện có chiều từ bán dẫn p sang bán dẫn n. Dòng điện này
được gọi là dòng điện thuận (xem hình 5.5).
Ngược lại, nếu ta nối bán dẫn p với cực âm và bán dẫn n với cực
dương của nguồn điện thì điện trường giữa hai bán dẫn do nguồn gây nên
sẽ có chiều trùng với điện trường trong lớp điện tích kép. Điện trường
tổng ( E + E o ) sẽ có chiều trùng với E o và có tác dụng làm cho các phần
tử tải điện không chủ yếu khuếch tán mạnh qua lớp tiếp xúc nhiều lên và
ngăn hoàn toàn sự khuếch tán của các phần tử tải điện chủ yếu qua lớp
tiếp xúc.Tuy có dòng các phần tử tải điện không chủ yếu nhưng vì mật độ
của chúng rất nhỏ, nên dòng điện này có cường độ rất nhỏ.Dòng điện này
được gọi là dòng điện nghịch. Trong trường hợp này, lớp điện tích kép
được gọi là lớp ngăn.
Như vậy. Ta thấy khi đặt một hiệu điện thế I
xoay chiều vào hai đầu bán dẫn p-n chỉ có dòng
điện chạy qua nó theo chiều thuận (từ p sang n) và
hầu như không có dòng chạy theo chiều nghịch (từ
n sang p). Nói cách khác, bán dẫn p-n có thể biến
đổi dòng điện xoay chiều thành dòng điện một
chiều. Đó là tác dụng chỉnh lưu của bán dẫn p-n.
Bán dẫn p-n được gọi là cái chỉnh lưu hay là diode U
bán dẫn. Người ta thường ký hiệu diode như sau:
Hình 5.7: Đặc tuyến
p n
của diode bán dẫn

Hình 5.6: Ký hiệu của diode

Lý thuyết và thực nghiệm chứng tỏ rằng, cường độ dòng điện toàn
phần I chạy qua diode bán dẫn p-n thay đổi phụ thuộc vào hiệu điện thế
U đặt vào giữa hai đầu của diot đó theo qui luật:
  e U  
I  I o  e k T   1  (5.1)
 
 
trong đó: k là hằng số Bolztman
k = 1,38.10 –23 J/K = 8,625.10 –5 eV/K
T là nhiệt độ tuyệt đối của lớp tiếp xúc p-n
e (ở số mũ) = 1,6.10 –19 C, là điện tích của điện tử

57
 Io là cường độ bão hòa của dòng điện ngược It. Giá trị Io rất nhỏ,
phụ thuộc cấu tạo của diode và nhiệt độ (ở nhiệt độ phòng, mật độ dòng
Io chỉ vào khoảng 10-12A/cm2 đối với diode Si và 10-6 A/cm2 đối với
diode Ge).
Đường biểu diễn của hàm số (5.1) có dạng như trên hình 5.7 và
được gọi là đặc tuyến (đường đặc trưng volt-ampere) của các diode bán
dẫn (nếu hiệu thế ngược U không có trị số âm quá lớn).
Nếu hiệu thế ngược U có trị số âm khá lớn và vượt giá trị Uz (phụ
thuộc bản chất lớp tiếp xúc p-n) thì cường độ dòng điện nghịch tăng lên
rất nhanh trong khi hiệu thế ngược hầu như không đổi ở giá trị U z. Hiện
tượng này gọi là hiện tượng thác đổ.
Trong các diode bán dẫn dùng để chỉnh lưu, lớp tiếp xúc p-n
thường không được chế tạo đặc biệt để có thể chịu đựng được hiện tượng
thác đổ. Do đó, khi hiệu thế ngược U vượt quá giá trị Uz thì diode sẽ bị
hỏng do dòng điện nghịch quá lớn, nhiệt độ lớp tiếp xúc tăng nhanh làm
cháy diode.
1.2. Transistor

n p n C p n p C
E

B B
lớp tiếp giáp E-B lớp tiếp giáp B-C

Hình 5.8: Cấu tạo của transitor

1.2.1. Cấu tạo của transistor
Transistor là một linh kiện bán dẫn gồm 3 lớp bán dẫn đặt tiếp xúc
nhau bởi hai lớp tiếp giáp, trong đó lớp ở giữa là loại bán dẫn có tính dẫn
điện khác với hai lớp bên cạnh.
Lớp bán dẫn ngoài cùng có nồng độ tạp chất lớn gọi là cực phát E
(Emitter). Nhờ đó, số hạt tải điện chủ yếu trong miền này (electron nếu là
bán dẫn loại n hay lỗ trống nếu là bán dẫn loại p) rất lớn và có khả năng
cung cấp một dòng hạt tải điện rất lớn. Lớp giữa có bề dầy rất mỏng (m)
có nồng độ tạp chất thấp gọi là cực nền B (Base). Cực B dùng để điều
khiển dòng hạt tải điện khuếch tán từ cực phát E. Lớp ngoài cùng còn lại
có nồng độ tạp chất trung bình gọi là cực thu C (Collector). Cực này
dùng để thu thập dòng hạt tải điện khuếch tán từ cực phát E.

58
Tùy theo thứ tự sắp xếp các lớp bán dẫn p, n mà ta có hai loại transistor
npn và pnp. Hai loại này được ký hiệu trên hình 5.9.
C

B B

E E
npn pnp
Hình 5.9: Kí hiệu transitor

1.2.2. Phân cực transistor

Để transistor hoạt động, ta phải phân cực cho nó. Ta dùng transistor
npn làm ví dụ:
Thông thường lớp tiếp giáp EB được phân
cực thuận và lớp tiếp giáp BC được phân cực - +
nghịch. Do lớp phát nền phân cực thuận nên - e2 IC
electron (hạt tải điện chủ yếu) từ cực E khuếch
IB C
tán mạnh vào vùng nền, và lỗ trống (hạt tải điện
đa số trong vùng nền) từ cực nền khuếch tán vào B
vùng cực phát E. Tuy nhiên, do vùng cực B có E
nồng độ tạp chất thấp nên dòng lỗ trống nhỏ so IE
với dòng điện tử. Như vậy sự khuếch tán của -
dòng electron từ cực phát sang cực nền và của + -
dòng lỗ trống từ cực nền sang cực phát tạo nên Hình 5.10: Phân
dòng điện gọi là dòng cực phát IE. cực transitor
Do electron khuếch tán từ cực E vào B nên số electron ở lớp tiếp
giáp EB (bên cực E) nhiều hơn ở lớp tiếp giáp BC (bên cực C). Do đó,
electron sẽ khuếch tán vào C. Trong thời gian electron khuếch tán trong
vùng B thì có một số electron tái hợp với lỗ hổng làm cho vùng B mất
cân bằng điện tích. Để lập lại cân bằng điện tích, nguồn e1 sẽ hút các
electron tái hợp ra và tạo dòng IB. Do lớp tiếp giáp BC được phân cực
nghịch nên các electron sau khi khuếch tán sang vùng B lại tiếp tục
khuếch tán sang vùng C và tạo ra dòng điện cực thu IC. Nồng độ tạp chất
ở vùng C tuy nhỏ hơn vùng E, nhưng lớn hơn ở vùng B để giảm điện trở
ở vùng C, do đó tăng khả năng dẫn dòng của vùng C.
Ta có hệ thức sau đây về dòng điện trong transistor
IE = IB + IC (5.2)
Để đánh giá mức độ hao hụt dòng khuếch tán trong vùng nền,
người ta dùng hệ số truyền đạt 

59
 IC
 (5.3)
IE
Hệ số  xác định chất lượng của transistor, và nó càng gần 1 càng tốt.
Đặc điểm nổi bật nhất của transistor là tính khuếch đại. Với dòng
điện tương đối nhỏ vào cực nền, ta có thể thu được dòng điện rất lớn qua
cực thu.
1.2.3. Các đặc tuyến của transistor
Tùy thuộc vào cách mắc sơ đồ, cực nào chung giữa đầu vào và đầu
ra, các kiểu mạch bằng transistor có 3 kiểu mắc cơ bản: mắc cực phát
chung, cực nền chung và cực thu chung. Ở đây chúng ta chỉ xét trường
hợp mắc cực phát chung với
transistor npn. Mạch khuếch đại có
cực phát chung có thể khuếch đại R1 IC
đồng thời cả dòng điện và điện áp
nên có độ lợi khuếch đại công suất
rất lớn. Do đó, nó được sử dụng rất
rộng rãi. Transistor thường được IB
phân cực như ở hình 5.11. U BE
Nếu giữ cường độ dòng điện R2 IE
IB ở một giá trị xác định nào đó,
thay đổi điện áp UCE thì IC thay đổi
theo và ta thu được đường cong IC Hình 5.11: Mô hình phân
= f (UCE), đường cong này được cực transitor npn
gọi là đặc tuyến ra của transistor.
Ứng với một giá trị của IB, ta được một đặc tuyến ra của transistor. Thay
đổi IB ta thu được một họ đặc tuyến ra của transistor.
Nếu giữ UCE cố định, thay đổi IB thì IC cũng thay đổi và ta thu được
đường cong IC  f  IB  , đường cong này được gọi là đặc tuyến truyền
đạt của transistor. Khi thay đổi UCE, ta thu được một họ các đặc tuyến
truyền đạt (xem hình 5.12)
1.2.4. Các vùng hoạt động và điểm hoạt động của transistor
Từ đặc tuyến ra của transistor ta xác định được 3 vùng làm việc của
Transistor.
a. Vùng ngưng dẫn

60
 Với transistor npn khi cực B hở mạch hay VBE < 0 thì lớp tiếp giáp
BE bị phân cực nghịch, không có dòng khuếch tán của điện tử từ cực
phát sang cực nền nên IB = 0 và IC  0 (thật ra có một dòng điện rỉ rất
nhỏ khoảng vài A). Như vậy, khi hai lớp tiếp giáp đều phân cực nghịch
thì transistor ở trạng
thái ngưng dẫn. Trên IC(mA)
đồ thị (hình 5.13) vùng
bên dưới đường IB = 0 UCE = 6V
là vùng ngưng dẫn của IB = 80A
Transistor. 4 IB = 60A
b. Vùng khuếch IB = 40A
đại 2
UCE = 2V IB = 20A
Khi lớp tiếp giáp IB = 0A
BE được phân cực
thuận (tạo dòng IB) và IB(A) 60 40 3 4 5 6 UCE (V)
BC phân cực nghịch,
có một dòng electron Hình 5.12: Đặc tuyến transitor
khuếch tán từ cực E
IC
vượt qua vùng B vào
cực C (tạo dòng IC). Khi đó
IE = IB + IC, do IB << IC nên
IE  IC. Ta nói rằng transistor Vùng
bão hoà Vùng khuếch đại
đang làm việc trong vùng
khuếch đại (vùng không bi
gạch chéo trên hình 5.13). Ở
một phạm vị hoạt động nhất IB = 0
định, giữa IB và IC có một tỷ
lệ xác định chỉ phụ thuộc vào O Vùng ngưng dẫn UCE
cấu tạo của mỗi loại
Hình 5.13: Vùng khuếch đại
transistor.
IC (mA)
Khi dòng IB thay đổi
một lượng IB, dòng IC cũng thay
đổi một lượng tương ứng IC với IC (bh)
cùng một tỷ lệ. Nói cách khác,
một dòng IB nhỏ có thể điều khiển
một dòng IC lớn. Khi đó transistor
làm việc ở chế độ khuếch đại
tuyến tính ứng với đoạn OM của
O IB(bh) IB (A)
đường đặc trưng IC  f  IB  vẽ
Hình 5.14: Đường đặc trưng vùng
khuếch đại 61
trên hình 5.14. Người ta lợi dụng tính chất này của transistor để sử dụng
nó làm dụng cụ khuếch đại dòng điện.
Hệ số khuếch đại dòng điện của transistor bằng:
IC
 (5.4)
I B
c. Vùng bão hòa
Khi tiếp giáp BE được phân cực thuận quá lớn (vượt qua giá trị
giới hạn) thì dòng IC tăng lên rất mạnh làm cho UCE giảm (hình 5.11).
Khi UCE quá thấp thì cực thu không nhận thêm dòng electron khuếch tán
từ cực phát nữa. Ta nói transistor đã vào vùng bão hòa. Trong vùng bão
hòa nếu tiếp tục làm tăng dòng IB thì dòng IC vẫn không tăng được nữa
(chỉ có IE tăng theo IB).
Khi UCE UBE thì transistor vừa vào vùng bão hòa. Khi UCE < UBE thì
transistor đã vào sâu trong vùng bão hòa. Như vậy, khi cả hai lớp tiếp
giáp BE và BC đều phân cực thuận thì transistor nằm trong vùng bão
hòa.
Tóm lại, transistor có thể làm việc ở 3 vùng trạng thái: khuếch đại,
bão hòa và ngưng dẫn.
Ở trạng thái tĩnh, khi chưa có tín hiệu xoay chiều ở đầu vào của
transistor (giữa cực nền và phát) trên đồ thị IC = f (UCE), mỗi điểm được
xác định bởi 3 thông số IC, UCE và IB. Điểm được xác định bởi 3 thông số
trên được gọi là điểm hoạt động của transistor.
Từ sơ đồ hình 5.11, ta có:
RC IC = U – UCE hay: IC(mA)
IB = 100A
U  U CE
IC  (5.5)
RC IB = 80A
IB = 60A
Phương trình (5.5) chứng tỏ
đường biểu diễn của IC theo UCE IB = 40A
IB = 20A
là một đường thẳng. Vẽ đường
thẳng này trên cùng đồ thị với
đặc tuyến ra ta được hình 5.16. O U UCE (V)
Giao điểm của đường thẳng Hình 5.16: Đặc tuyến ra transitor
này với đặc tuyến ra cho ta điểm
hoạt động của transistor. Khi có tín hiệu ở đầu vào của transistor thì điểm
này sẽ di động trên đồ thị. Khi dùng transistor để khuếch đại tín hiệu ta
nên chọn điểm hoạt động của transistor nằm ở giữa
62
 vùng khuếch đại để bảo đảm rằng khi có tín hiệu ở đầu vào thì điểm hoạt
động chỉ thay đổi trong vùng khuếch đại, khi đó tín hiệu ra sẽ không bị
biến dạng.
Trong thí nghiệm này, ta khảo sát đặc tính chỉnh lưu của diode
bằng cách vẽ đường đặc trưng Volt-Ampere I = f (U) của diode và khảo
sát đặc tính khuếch đại của transistor bằng cách vẽ đường đặc trưng IC = f
(IB), từ đó xác định vùng hoạt động tuyến tính để xác định hệ số khuếch
đại dòng điện  của transistor.
2. DỤNG CỤ VÀ PHƯƠNG PHÁP ĐO
2.1. Dụng cụ đo
Dụng cụ thí nghiệm gồm có:
- Bộ thí nghiệm vật lý BKE-050 hay MC-95.7
- Diode (silic) và transistor (npn)
- Các điện trở 820 và 100k
- Bộ dây nối mạch điện (7 dây)
- Nguồn điện 220VAC
2.2. Phương pháp đo
2.2.1. Vẽ đặc tuyến của diode
Để khảo sát đặc tuyến của các diode bán dẫn, ta mắc diode vào
mạch điện theo sơ đồ hình 5.17a để khảo sát dòng thuận và theo sơ đồ
hình 5.17b để khảo sát dòng nghịch. Trong đó:
D là diode Si
E là nguồn điện một chiều có núm xoay để điều chỉnh điện áp ra.
V là volt kế một chiều DC để đo điện áp ở hai đầu mạch.
A là miliampere kế DC hoặc microampere kế DC để đo cường độ
dòng điện trong mạch.
A A
- + - +
+ +
+ +
D V E D V E
- - - -

Hình 5.17a: Phân cực thuận diode Hình 5.17b: Phân cực nghịch diode

63
 Khi thay đổi giá trị và chiều của hiệu điện thế đặt ở hai đầu của
diode D, ta đo được cường độ dòng điện toàn phần I chạy qua diode
tương ứng với chiều thuận và nghịch của nó. Từ đó, ta có thể dễ dàng xác
định được dạng đường đặc trưng volt-ampere của diode.
Tuy nhiên, trong điều kiện thí nghiệm, ta chỉ khảo sát dòng thuận.
2.2.2. Vẽ đường đặc trưng IC = f(IB) và I
đo hệ số khuếch đại  của transistor
Vẽ họ đường cong IC = f (UCE)
biểu diễn sự phụ thuộc của dòng IC vào
hiệu điện thế UCE ứng với các giá trị
không đổi khác nhau của dòng IB.
Xác định giá trị của dòng IC bão
hòa ứng với cùng giá trị của hiệu điện
thế UCE trên mỗi đường cong IC = f
O U
(UCE). Từ đó vẽ đường đặc trưng IC = f
(IB) của transistor có dạng đường thẳng Hình 5.18: Đặc tuyến của diode
qua gốc O như hình vẽ 5.19 và suy ra hệ
số khuếch đại dòng  của transistor có trị số bằng độ dốc tg của đường
thẳng này:
ICi  ICj
  tg   (5.6)
IBi  IBj

IC(mA)

IB = 20A

IB = 15A

IB = 10A

IB = 5A

IB(A) 20 15 10 5 0 0,3 UCE (V)

V
Hình 5.19: Đặc tuyến của transistor

3. TRÌNH TỰ THÍ NGHIỆM

3.1. Vẽ đường đặc trưng Volt-Ampere của diode

64
 a. Mắc mạch điện trên mặt máy của bộ BKE-050 hay MC-95.7 theo
sơ đồ hình 5.20 nhưng chưa cắm phích lấy điện của nó vào nguồn
điện 220 VAC.
b. Kiểm tra các núm chuyển mạch thang đo của các đồng hồ điện
thích hợp với giá trị: Ampekế A2: 10mA, Voltkế V: 1V, Nút
chuyển mạch pnp/npn: npn. Công tắc K ở vị trí ngắt mạch, núm
xoay điều chỉnh các
+ 12V
nguồn điện U1, U2 ở vị trí
G N
0. P
A2
c. Mời giáo viên kiểm tra - +
U2
+ R=820
mạch điện và cắm phích
lấy điện của bộ BKE-050 V
hay MC-95.7 vào nguồn -E
điện xoay chiều 220V.
Bấm công tắc K đưa điện
Hình 5.20: Sơ đồ mạch điện khảo
vào máy (đèn LED phát
sát diode
sáng).
d. Vặn từ từ núm xoay của nguồn U2 để thay đổi hiệu thế U giữa hai
cực của diode đọc trên Voltkế V tăng dần từng 0,1V từ 0 đến giá
trị lớn nhất. Chú ý:nếu cường độ dòng điện tăng nhanh thì
tăng U với khoảng nhỏ hơn. Đọc và ghi các giá trị của cường độ
dòng điện thuận I trên Ampekế A2 vào bảng số liệu 1.
e. Vặn núm xoay của nguồn U2 về vị trí 0. Bấm công tắc K để ngắt
điện.
3.2. Khảo sát đặc tính khuếch đại của transistor
a. Mắc mạch điện trên mặt máy BKE-050 hay MC-95.7 theo sơ đồ
hình 5.21 nhưng chưa cắm phích lấy điện của nó vào nguồn điện
220 VAC.
+ 12V
+ 12V
C G N P
A2
H M B - +
U2
U1 + RC=820
A1 IC
RB=150k
+ - V
IB
IE -
E Q

Hình 5.21: Sơ đồ mạch điện khảo sát transitor

65
 b. Kiểm tra các núm chuyển mạch thang đo của các đồng hồ điện
thích hợp với giá trị: Ampekế A1: chọn thang đo nhỏ nhất,
Ampekế A2: 10mA, Voltkế V: 1V, nút chuyển mạch pnp/npn:
chọn npn. Công tắc K ở vị trí ngắt mạch, núm xoay điều chỉnh
các nguồn điện U1, U2 ở vị trí 0.
Mời giáo viên kiểm tra mạch điện và bấm công tắc K đưa điện
vào máy.
c. Vặn núm điều chỉnh nguồn U1 sao cho ampere-kế A1 chỉ dòng IB
có 1 giá trong khoảng từ 4A đến 20A.
d. Điều chỉnh nguồn U2 sao cho volt-kế V chỉ hiệu điện thế UCE tăng
dần từ 0V đến 1V (mỗi lần 0,1V), đồng thời ghi giá trị cường độ
dòng IC trên ampere-kế A2 vào bảng số liệu 2. Nếu IC chưa bão
hòa thì chuyển thang đo của volt-kế V sang 10V, tiếp tục đo mỗi
lần 1V cho đến khi dòng IC ổn định.
Chú ý: trong quá trình tăng dần UCE, cần theo dõi và giữ cho
giá trị chọn trước của dòng IB không thay đổi bằng cách điều
chỉnh nguồn U1. Vặn các núm điều chỉnh các nguồn U1 và U2 về
vị trí 0.
e. Thực hiện lại các động tác trên với 3 giá trị không đổi khác của
dòng IB trong khoảng từ 4A đến 20A. Đọc và ghi các giá trị
tương ứng của UCE và IC vào bảng số liệu 2. Vặn các núm điều
chỉnh các nguồn U1 và U2 về vị trí 0.
f. Bấm công tắc K để ngắt điện vào máy. Rút phích lấy điện ra khỏi
nguồn 220VAC. Tháo các dây nối điện trên mặt máy BKE-050
hay MC-95.7 và thu xếp gọn gàng các dụng cụ thí nghiệm.
4. TRÌNH BÀY KẾT QUẢ
4.1. Vẽ đường đặc trưng Volt-Ampere I = f (U) của diode:
a. Bảng số liệu 1
Cấp chính xác của Volt kế: kV = ……%
Thang đo Volt kế: Um = ……
Vạch chia nhỏ nhất của thang đo Volt kế: ωV = ……
Cấp chính xác của Ampere kế: kA = ……%
Thang đo Ampere kế: Im = ……
Vạch chia nhỏ nhất của thang đo Ampere kế: ωA = ……

U (V)
I (mA)

66
 b. Vẽ đặc tuyến I = f (U) của diode bán dẫn.
4.2. Vẽ đường đặc trưng IC = f (UCE,IB) của transistor
a. Bảng số liệu 2.
Cấp chính xác của Volt kế: kV = ……%
Thang đo Volt kế: Um = ……
Vạch chia nhỏ nhất của thang đo Volt kế: ωV = ……
Cấp chính xác của Ampere kế 1: kA1 = ……%
Thang đo Ampere kế 1: I1m = ……
Vạch chia nhỏ nhất của thang đo Ampere kế 1: ωI1 = ……
Cấp chính xác của Ampere kế 2: kA2 = ……%
Thang đo Ampere kế 2: I2m = ……
Vạch chia nhỏ nhất của thang đo Ampere kế 2: ωI2 = ……

UCE (V)
IB = µA IC (mA)
UCE (V)
IB = µA IC (mA)
UCE (V)
IB = µA IC (mA)
UCE (V)
IB = µA IC (mA)
b. Vẽ đồ thị IC = f (IB) và IC = f (UCE) trên cùng một hệ trục tọa độ.
Chọn ij là đoạn thẳng nhất trên đồ thị.
c. Xác định hệ số khuếch đại dòng điện  của transistor:
I Ci  I Cj
  tg 
I Bi  I Bj
.
d. Tính các sai số của β.
e. Viết kết quả đo: β = β ± ∆β

5. CÂU HỎI KIỂM TRA

1. Mô tả cấu tạo và ký hiệu của diode. Giải thích sự xuất hiện lớp
tiếp xúc p-n và đặc tính chỉnh lưu của diode.

67
 2. Nêu qui luật biểu diễn cường độ dòng điện I chạy qua diode phụ
thuộc vào hiệu điện thế U giữa hai điện cực của nó. Vẽ đường đặc
trưng volt-ampere của diode và sơ đồ mạch điện dùng để xác định
đường đặc trưng Volt-Ampere này.
3. Mô tả cấu tạo và ký hiệu của transistor loại npn và loại pnp. Giải
thích đặc tính khuếch đại dòng điện của transistor loại npn.
4. Viết biểu thức hệ số khuếch đại dòng điện của transistor. Vẽ đồ
thị biểu diễn sự phụ thuộc của dòng IC vào dòng IB và sơ đồ mạch
điện dùng xác định đồ thị này
&&&&&&&

68
 Bài thí nghiệm số 6
XÁC ĐỊNH ĐIỆN TÍCH RIÊNG CỦA ELECTRON
BẰNG PHƯƠNG PHÁP MAGNETRON
------ooo------

Mục tiêu: Sau khi học xong bài này các sinh viên có khả năng:
- Về kiến thức: Nêu được phương pháp đo và các bước tiến hành thí
nghiệm xác định điện tích riêng của electron.
- Về kỹ năng: Sử dụng thành thạo các dụng cụ đo, tiến hành đúng trình
tự thí nghiệm để thu được số liệu chính xác.
- Về thái độ: Cẩn thận, kiên trì, chính xác, trung thực, khách quan.

1. CƠ SỞ LÝ THUYẾT
1.1. Chuyển động của electron trong từ trường đều
Sau khi được gia tốc bằng một điện trường, electron bay vào trong
một từ trường đều B với vận tốc ban đầu v . Trong từ trường, electron
chịu tác dụng bởi lực Lorentz
F  ev  B (6.1)
Lực F có phương vuông góc với v và B .
Trong trường hợp phương của vectơ -e
vận tốc v vuông góc với vectơ cảm ứng
từ B thì độ lớn của lực F là
F=evB (6.2)
Theo định luật II Newton
 
F  ma

Do F vuông góc với v nên F đóng vai

trò của lực hướng tâm Hình 6.1: Quỹ đạo chuyển động
  của electron trong từ trường.
F  ma n

69
 m v2
 e v B=
r
Bán kính cong của quỹ đạo của electron là
mv
r (6.3)
eB

Vì F vuông góc với v nên lực F không thực hiện công và do đó động
năng của electron sẽ được bảo toàn, nghĩa là v = const. Từ (6.3), ta suy ra
r = const.
Vậy electron chuyển động tròn đều trên quỹ đạo tròn bán kính r
được xác định từ công thức (6.3).
e
Từ đó, ta suy ra tỉ số
m
e v
 (6.4)
m Br
Để tạo ra chùm electron chuyển động với vận tốc không đổi v trong
từ trường, người ta dùng một đèn magnetron M đặt ở bên trong một ống
dây solenoid D.
1.2. Mô tả hoạt động của đèn magnetron
Đèn magnetron M là một bóng thủy tinh, bên trong có độ chân
không cao 10 7  108 mmHg  và có ba điện cực: cathode K và anode A
là hai ống kim loại hình trụ, lưới G là một lưới kim loại hình trụ ngăn giữa
anode và cathode. Các điện cực này được đặt cùng trục với đèn magnetron
M, nhưng cathode K nằm gần lưới G hơn và có đường kính khá nhỏ so với
anode A. Cathode K được nung nóng bằng một dây kim loại nối với nguồn
điện U2. Nguồn điện U3 được nối giữa cathode K và lưới G, tạo ra một
điện trường làm tăng tốc các electron nhiệt phát ra từ cathode K. Các
electron này chuyển động qua lưới G đến anode A tạo thành dòng điện
anode I2 được đo bằng miliampere-kế A2 (hình 6.3). Động năng của
electron khi bay tới lưới G có trị số bằng công của lực điện trường giữa
cathode K và lưới G
1
mv 2  eU (6.5)
2

70
với U là hiệu điện thế giữa cathode K và lưới G đo bằng volt-kế V, còn e
và m là độ lớn của điện tích và khối lượng của electron, v là vận tốc của
electron khi bay tới lưới G.
Vì anode A được nối với lưới G bằng một dây dẫn có điện trở rất
nhỏ nên hiệu điện thế giữa chúng coi như bằng không. Electron sẽ
chuyển động thẳng đều từ lưới G về anode A với vận tốc không đổi v để
tạo ra dòng điện có cường độ I2 chạy qua miliampere-kế A2. Từ công
thức (6.5), ta suy ra vận tốc v của electron:
2eU
v (6.6)
m
Ống dây solenoid D được nối với nguồn điện U1. Dòng điện chạy
qua cuộn dây này có cường độ I sẽ tạo ra trong lòng ống dây solenoid D
một từ trường có vectơ cảm ứng từ B hướng dọc theo trục của đèn
magnetron M và vuông góc với vectơ vận tốc v của electron. Từ trường
tác dụng lên electron một lực Lorentz FL (tính theo công thức (6.1) và có
giá trị tính theo công thức (6.2)) làm electron chuyển động theo quỹ đạo
tròn bán kính r được xác định bởi công thức (6.3).
Thay (6.6) vào (6.4), ta được
e 1 2eU

m Br m
e 2U
  2 2 (6.7)
m B r
Cảm ứng từ B trong lòng của ống dây solenoid D khi có dòng điện
cường độ I chạy qua tính bằng công thức
B  o n I (6.8)
với o  410 7 H / m là hằng số từ, n là số vòng dây trên một đơn vị dài
của ống dây,  là hệ số tỷ lệ phụ thuộc vào cấu tạo của ống dây solenoid
D.
Thay (6.8) vào (6.7), ta có
e 2U
 (6.9)
m   o n I 2 r 2

Theo (6.3), bán kính r của quỹ đạo tròn của electron tỷ lệ nghịch
với cảm ứng từ B. Theo (6.8), cảm ứng từ B tỷ lệ thuận với cường độ
71
dòng điện I qua ống dây. Vì vậy, khi I tăng thì r giảm. Khi I tăng tới giá
d
trị I1 giới hạn thì r  với d là khoảng cách giữa anode A và lưới G.
2
d
Nếu I  I1 thì r  , lúc này các electron không tới được anode A nên
2
cường độ dòng điện anode I 2 sẽ bằng không (hình 6.2.).
d A
Thay I  I1 và r  vào (6.9),
2 K
ta tìm được:
e 8U
 (6.10)
m   o n I1d 2

Trong thí nghiệm này, ta sẽ

e
xác định điện tích riêng của e1
m
electron dựa theo công thức (6.10) G
bằng cách dùng volt-kế V để đo Hình 6.2: Quỹ đạo của electron
hiệu điện thế U giữa cathode K và trong từ trường ứng với các trường
lưới G, đồng thời dùng ampere-kế hợp khác nhau của dòng điện I qua
A1 để xác định cường độ dòng điện cuộn dây.
I1 chạy qua ống dây solenoid D lúc dòng điện anode I2 bắt đầu triệt tiêu.
2. DỤNG CỤ VÀ PHƯƠNG PHÁP ĐO
2.1. Dụng cụ đo
Bộ thí nghiệm vật lý BKE-100PS gồm có:
- Đèn magnetron.
- Ống dây solenoid dùng tạo ra từ trường.
- Nguồn một chiều U1 (0-6V - 5A) cung cấp dòng điện qua cuộn dây.

- Nguồn một chiều U 2 (0-6V - 0,5A) dùng để đốt nóng cathode.

- Nguồn một chiều U 3 (0-12V - 100mA) dùng để tạo dòng anode qua
đèn.
- Ampere-kế A1 dùng để đo dòng điện I qua cuộn dây.

- Ampere-kế A 2 dùng để đo dòng anode I 2 .

- Volt-kế V dùng để đo hiệu thế giữa lưới G và cathode K.
72
 _ +
M A A2
Ge G

+ + +
U1 VG U3
e _
-Ge + _
-
_- A1

D U2 K
Hình 6.3: Sơ đồ mạch điện trong thí nghiệm xác định điện tích
riêng của electron bằng phương pháp phương pháp magnetron.

2.2. Phương pháp đo

Mắc mạch điện như ở hình vẽ 6.3. Theo lý luận nêu trên, điện tích
e
riêng của electron được xác định theo công thức (6.10), trong đó µo
m
là hằng số từ,  và n là các hằng số phụ thuộc vào cấu tạo của ống dây
solenoid D, d là khoảng cách giữa lưới G và anode A của đèn magnetron.
Như vậy, ta cần đo hiệu thế U giữa anode
A và lưới G bằng volt-kế V, và cường độ I
dòng điện I1 qua cuộn dây bằng ampere- 2
a
kế A1 khi dòng anode I2 bắt đầu triệt tiêu.

Để xác định cường độ dòng điện I1 ,

ta chỉ cần tăng dần cường độ dòng điện I
qua cuộn dây trên miliampe-kế A1 từ giá b
trị 0 và đồng thời theo dõi quá trình giảm O I1 I
dần của cường độ dòng điện I 2 trên Hình 6.4: Đồ thị thể
miliampe-kế A2. Khi cường độ dòng điện hiện sự phụ thuộc của I2
I 2 bắt đầu triệt tiêu thì I  I1 . Nhưng vì vào I.
các electron nhiệt phát ra từ cathode K có vận tốc khác nhau nên một số
electron có vận tốc lớn vẫn có thể bay tới anode A ngay cả khi I  I1 nên
dòng điện I 2 không hoàn toàn triệt tiêu. Do đó, đồ thị I2  f  I  biểu diễn
sự phụ thuộc của dòng điện I 2 vào dòng điện I có dạng một đường cong
73
như hình 6.4, đoạn dốc nhất ab của nó ứng với trường hợp đa số electron
không tới được anode A. Như vậy, ta không thể xác định giá trị chính xác
của cường độ dòng điện I1 trên ampere-kế A1 khi dòng I 2 trên
miliampere-kế A 2 bắt đầu triệt tiêu. Để xác định tương đối chính xác giá
trị I1 , ta vẽ đồ thị I2  f  I  . Sau đó, vẽ tiếp tuyến với đường cong này tại
đoạn ab. Tiếp tuyến này sẽ cắt trục hoành OI tại điểm có giá trị I1 .
3. TRÌNH TỰ THÍ NGHIỆM
3.1. Chuẩn bị thí nghiệm

BKE - 100PS A -
ANOT Đ
A2
G +
LƯỚI
+
1mA 5mA
A1 D
+
+ - K
+ V
+2,5A 5A CATO -
F F tuy
Sợi nung T2
3V 10V
FUSE FUSE FUSE
+ -
10A + - 1A + - 0,5A U3
U1 U2 012V/
0 0 0
K1 06V/5A K2 06V/5A K3 100mA

Hình 6.5: Bộ thí nghiệm BKE-100PS.

a. Chưa cắm phích lấy điện của bộ BKE-100PS vào nguồn điện
xoay chiều 220V. Quan sát mặt máy (hình 6.5). Dùng các dây dẫn
mắc mạch điện theo sơ đồ hình 6.3.
b. Gạt các núm chuyển mạch để đặt đúng: ampere-kế A1 ở thang đo
5A, miliampere-kế A 2 ở thang đo 5mA.
c. Vặn núm xoay của các nguồn điện U1, U2, U3 về vị trí số 0.
d. Đặt các công tắc K1, K2, K3 ở trạng thái ngắt mạch.
Chú ý: Trước khi cắm phích lấy điện của bộ BKE-100PS vào nguồn
điện xoay chiều 220V, phải mời giáo viên tới kiểm tra mạch điện vừa
mắc trên mặt máy và hướng dẫn cách sử dụng để tránh làm hỏng
máy.

74
3.2. Tiến hành đo
a. Cắm phích lấy điện của bộ BKE-100PS vào nguồn xoay chiều
220V.
b. Bấm các công tắc K1, K2, K3, các đèn LED phát sáng báo hiệu các
nguồn U1, U2, U3 đã hoạt động.
c. Vặn núm xoay của nguồn U3 để tăng hiệu điện thế giữa lưới G và
cathode K (đo bằng volt-kế) đạt giá trị không đổi U= 6V.
d. Vặn núm xoay của nguồn U2 từ từ để đốt nóng sợi nung FF của
đèn magnetron. Khi đó, miliampere-kế A2 chỉ cường độ dòng
anode I2, chọn giá trị I2 ổn định trong khoảng từ 3mA đến 5mA.
e. Vặn từ từ núm xoay của nguồn U1 để tăng dần cường độ dòng
điện I (đo bằng ampere-kế A1) mỗi lần 0.5A chạy qua ống dây
solenoid từ 0 đến giá trị lớn nhất. Trong quá trình này, đọc và ghi
các giá trị của I và I2 vào bảng số liệu. Chú ý: khi thấy I2 giảm
nhanh thì tăng I với những khoảng nhỏ hơn.
f. Vặn các núm xoay của nguồn U1, U2, U3 theo đúng thứ tự này về
vị trí 0. Sau đó, bấm các nút K1, K2, K3 để tắt máy.
4. TRÌNH BÀY KẾT QUẢ

Bảng số liệu:
- Volt-kế V: Umax =………., cấp chính xác: kV =……..,
độ chia nhỏ nhất ωV = ……
- Ampere-kế A1: I max =……, cấp chính xác: kA1 =…….,
độ chia nhỏ nhất ωA1 = ……
- Ampere-kế A2: I2 max =…..., cấp chính xác: kA2 =…….,
độ chia nhỏ nhất ωA2 = ……
- Mật độ vòng dây của ống dây D: n =………………….(vòng/m)
- Hệ số của ống dây D:  = …………..
- Khoảng cách anode - lưới: d =……………(m)
- Hiệu điện thế giữa lưới G và cathode K: U = 6V.
I(A)
I2(mA)
a.
75
 b. Vẽ đồ thị I2 = f(I). Căn cứ vào đồ thị, xác định giá trị dòng điện I1:
I1 =..... ...... (A)
e 8U
c. Tính giá trị của điện tích riêng: X   2 2 2 2 2.
m  0 n I1 d
d. Tính các sai số và viết kết quả đo của điện tích riêng X.
e
e. So sánh giá trị đo X với giá trị lý thuyết
m
1, 6.1019
Xlt  31
 17, 6.1010 C . Tính độ lệch tỷ đối
9,1.10 kg

X lt  X
x100% .
X lt
f. Tại sao khi tăng dòng điện I thì dòng điện I2 qua cuộn dây lại
giảm?
5. CÂU HỎI KIỂM TRA
1- Nêu định nghĩa và đơn vị đo điện tích riêng của electron.
2- Trình bày phương pháp xác định điện tích riêng của electron bằng
phương pháp magnetron
- Vẽ sơ đồ mạch điện và mô tả cấu tạo của đèn magnetron.
- Giải thích rõ chuyển động của electron nhiệt phát ra từ cathode
được nung nóng trong đèn magnetron do tác dụng của điện
trường và từ trường trong mạch điện.
3- Trong sơ đồ mạch điện thí nghiệm trên hình 6.3, tại sao phải mắc
cực (-) của miliampekế A2 vào anode A và cực dương (+) của nó
vào lưới G của đèn magnetron?
4- Tại sao phải giữ giá trị hiệu điện thế của nguồn điện U2 không
thay đổi trong suốt thời gian tiến hành thí nghiệm?
&&&&&&&

76
 Bài thí nghiệm số 7
XÁC ĐỊNH BƯỚC SÓNG ÁNH SÁNG ĐƠN SẮC
BẰNG PHƯƠNG PHÁP NHIỄU XẠ QUA CÁCH
TỬ PHẲNG
------ooo------

Mục tiêu: Sau khi học xong bài này các sinh viên có khả năng:
- Về kiến thức: Nêu được phương pháp đo và các bước tiến hành thí
nghiệm xác định bước sóng ánh sáng đơn sắc.
- Về kỹ năng: Sử dụng thành thạo các dụng cụ đo, tiến hành đúng
trình tự thí nghiệm để thu được số liệu chính xác.
- Về thái độ: Cẩn thận, kiên trì, chính xác, trung thực, khách quan.

1. CƠ SỞ LÝ THUYẾT
Nhiễu xạ ánh sáng là hiện tượng các tia sáng bị lệch khỏi phương
truyền thẳng khi đi qua các vật chướng ngại (khe hẹp, lỗ tròn nhỏ, đĩa
tròn,...). Trong bài thí nghiệm này, ta khảo sát hiện tượng nhiễu xạ ánh
sáng gây bởi chùm tia sáng phẳng đơn sắc. Đó là nhiễu xạ Fraunhofer.
1.1. Nhiễu xạ ánh sáng qua một khe hẹp
Chiếu một chùm tia sáng đơn sắc, song song có bước sóng  vuông
góc với mặt phẳng của khe hẹp AB có bề rộng b. Sau khi truyền qua khe
hẹp, các tia sáng bị nhiễu xạ theo mọi phương và giao thoa với nhau. Do
chùm tia nhiễu xạ là chùm tia song song nên để quan sát ảnh nhiễu xạ, ta
đặt một thấu kính hội tụ L ở phía sau khe hẹp AB. Khi đó, ảnh nhiễu xạ

L E
A 
A  M
 
b F
O
B A1
o /2
1
2 o
3
4 1
Hình 7.1: Nhiễu xạ ánh Hình 7.2: Hiệu quang
sáng qua một khe hẹp. lộ của hai tia kế tiếp.
77
sẽ hiện trên mặt tiêu của thấu kính hội tụ L (hình 7.1). Xét chùm nhiễu xạ
song song có phương hợp với pháp tuyến của mặt phẳng khe một góc ,
chùm nhiễu xạ này giao nhau tại điểm M trên mặt phẳng tiêu.
Để khảo sát sự phân bố cường độ sáng I trong ảnh nhiễu xạ qua khe
hẹp trên màn E (đặt trùng trên mặt tiêu của thấu kính hội tụ L) ta dùng
phương pháp đới cầu Fresnel. Muốn vậy, ta hãy vẽ các mặt phẳng o, 1,
2,... vuông góc với chùm tia nhiễu xạ này và cách nhau /2. Các mặt
phẳng này song song nhau và chia mặt phẳng của khe AB thành các dải
sáng rất hẹp có độ rộng bằng nhau

AA1 = A1A2 =......... = λ

2sinφ
Như vậy, số dải sáng chứa trên khe hẹp là
b 2 bsinφ
n= = (7.1)
λ λ
2sinφ
Vì các tia nhiễu xạ từ hai dải sáng kế tiếp truyền đến điểm M có
hiệu quang lộ bằng /2 nên dao động sáng của chúng đối pha và khử lẫn
nhau. Do đó
Nếu khe hẹp chứa một số chẵn các dải sáng: n = 2.k (với k là số
nguyên), thì dao động sáng do mỗi cặp dải sáng kế tiếp truyền đến điểm
M sẽ khử lẫn nhau và điểm M là một điểm tối - gọi là cực tiểu nhiễu xạ.
Vị trí của các cực tiểu nhiễu xạ trên mặt tiêu của thấu kính L được xác
định bởi hệ thức
2 bsinφ
 2k
λ
λ
hay sinφ=k (7.2)
b
với k =  1,  2,.... (k  0) .
Theo công thức (7.2), khi k = 0 thì  = 0, các tia sáng truyền thẳng qua
khe hẹp AB và hội tụ tại tiêu điểm F của thấu kính L. Các tia này có cùng
quang lộ nên tại tiêu điểm F, chúng dao động cùng pha và tăng cường lẫn
nhau. Do đo, điểm F là một điểm rất sáng - gọi là cực đại giữa (k = 0).
Nếu khe hẹp chứa một số lẻ các dải sáng: n = 2k + 1 thì dao động
sáng do mỗi cặp dải sáng kế tiếp truyền tới điểm M sẽ khử lẫn nhau, chỉ

78
còn lại dao động sáng do dải sáng lẻ gây ra tại điểm M không bị khử. Do
đó, điểm M cũng là điểm sáng, nhưng cường độ của nó nhỏ hơn nhiều so
với cực đại giữa và được gọi là cực đại nhiễu xạ bậc k (k  0). Vị trí của
các cực đại nhiễu xạ bậc k trên mặt tiêu của thấu kính L được xác định
bởi hệ thức
2 bsinφ
=2k+1
λ
λ
hay sinφ=(2k+1) (7.3)
2b
với k=1, ± 2, ± 3….( k ≠ 0, -1).
Vị trí của các cực đại và cực tiểu nhiễu xạ trên màn ảnh E và sự

I
Io

I1 = 0,047 Io
I2 = 0,016 Io

O sin

Hình 7.3: Sự phân bố cường độ sáng khi ánh

sáng nhiễu xạ qua một khe hẹp.
phân bố cường độ sáng I của các cực đại nhiễu xạ phụ thuộc giá trị của
sin như hình 7.3.
Từ hình vẽ 7.3, ta nhận thấy cực đại giữa có bề rộng lớn gấp đôi và
có cường độ lớn hơn nhiều so với các cực đại nhiễu xạ khác – các cực đại
này nằm đối xứng về hai phía của cực đại giữa. Dựa vào lý thuyết, người
ta tính được tỷ lệ giữa cường độ sáng I1, I2,...của các cực đại nhiễu xạ
thứ k = 1, 2,... so với cường độ sáng Io của cực đại giữa
I1 I2
 0, 047 ;  0, 016 ; ........... (7.4)
Io Io

79
 Các hệ thức (7.2) và (7.3) chứng tỏ vị trí các cực đại và cực tiểu
nhiễu xạ trên màn ảnh E không phụ thuộc vị trí của khe hẹp AB. Vì thế
nếu dịch chuyển khe hẹp song song với chính nó (giữ cố định thấu kính L
và màn ảnh E) thì ảnh nhiễu xạ trên màn ảnh E không thay đổi.
1.2. Nhiễu xạ ánh sáng qua cách tử phẳng
Tập hợp một số lớn khe hẹp giống nhau, nằm song song và cách
đều nhau trên cùng một mặt phẳng gọi là cách tử phẳng. Khoảng cách d
giữa hai khe hẹp kế tiếp nhau gọi là chu kỳ của cách tử và số khe hẹp trên
1
một đơn vị độ dài của cách tử n = .
d
Chiếu một chùm sáng đơn sắc song song có bước sóng  vuông
góc với mặt của một cách tử phẳng gồm N khe hẹp (hình 7.4). Mỗi khe
hẹp có độ rộng bằng b và chu kỳ của cách tử bằng d. Khi đó sẽ đồng thời
xảy ra hiện tượng nhiễu xạ ánh sáng gây ra bởi mỗi khe hẹp và hiện
tượng giao thoa của các chùm tia nhiễu xạ từ N khe hẹp truyền tới mặt
tiêu của thấu kính hội tụ L. Vì vậy, ảnh nhiễu xạ trên mà E trong trường
hợp này trở nên phức tạp hơn nhiều so với ảnh nhiễu xạ qua một khe.
Trước tiên, ta nhận thấy rằng tại những điểm mà góc nhiễu xạ 
thỏa mãn điều kiện
λ
sinφ=k (7.5)
b
với k =  1,  2,..... thì mọi khe hẹp đều cho cực tiểu nhiễu xa. Các cực
tiểu nhiễu xạ này gọi là cực tiểu chính.
L
E

 M
b

F
O
d

Hình 7.4: Nhiễu xạ ánh sáng qua cách tử phẳng.

80
 Bây giờ ta khảo sát sự phân bố cường độ sáng giữa hai cực tiểu
chính bằng cách xét sự giao thoa của hai chùm tia nhiễu xạ từ hai khe hẹp
kế tiếp truyền tới điểm M trên màn ảnh E. Hiệu quang lộ giữa hai chùm
tia nhiễu xạ từ hai khe kế tiếp gửi đến điểm M bằng
ΔL=L2 -L1 =dsinφ (7.6)

Nếu ΔL=dsinφ=kλ (bằng số nguyên lần của bước sóng ) thì dao
động sáng do hai chùm tia nhiễu xạ này (và do cả các chùm tia nhiễu xạ
từ các khe hẹp khác) gửi đến điểm M đều đồng pha với nhau. Kết quả
điểm M sẽ sáng và được gọi là cực đại chính. Vị trí của các cực đại chính
xác định bởi công thức:
λ
sinφ=k , trong đó k = 0,  1,  2,.... (7.7)
d
Với k = 0, sin  = 0 ta có cực đại chính giữa nằm tại tiêu điểm F
của thấu kính hội tụ L. Vì d > b, nên giữa hai cực tiểu chính sẽ có nhiều
cực đại chính (hình 7.5).
Theo (7.7), những điểm nằm chính giữa hai cực đại chính kế tiếp sẽ
ứng với góc  thỏa mãn điều kiện
λ
sinφ=(2k+1) (7.8)
2d
Tại các điểm này, hiệu quang lộ giữa hai chùm tia nhiễu xạ do hai
khe kế tiếp truyền tới điểm M có giá trị bằng
λ
ΔL=d sinφ=(2k+1)
2
nên dao động do hai chùm tia nhiễu xạ này truyền tới M sẽ ngược pha và
khử lẫn nhau. Tuy nhiên, những điểm chính giữa hai cực đại chính chưa
chắc là điểm tối.
Thực vậy, ta hãy xét các trường hợp cụ thể sau đây:
Với số khe hẹp N = 2 (hình 7.5a): dao động sáng từ hai khe kế tiếp
truyền tới M sẽ khử nhau. Khi đó, điểm chính giữa hai cực đại chính là
một điểm tối.
Với số khe hẹp N = 3 (hình 7.5b): dao động sáng từ hai khe kế tiếp
truyền tới M sẽ khử nhau, còn dao động sáng do khe thứ ba truyền tới M
không bị khử. Khi đó, điểm chính giữa hai cực đại chính là một điểm
sáng, nhưng cường độ sáng của nó nhỏ hơn nhiều so với cực đại chính

81
nên gọi là cực đại phụ. Dĩ nhiên, giữa cực đại phụ này với hai cực đại
chính nằm ở hai bên nó sẽ có hai cực tiểu - gọi là cực tiểu phụ.

I I
Cực đại
chính
Cực đại
phụ
Cực tiểu
chính

O sin O sin

(a) (b)
Hình 7.5: Sự phân bố cường độ sáng khi ánh sáng
nhiễu xạ qua cách tử phẳng trong trường hợp
a) Số khe hẹp N=2 và d=3b,
b) Số khe hẹp N=3 và d=3b.
a)
Với số khe hẹp N khá lớn, người ta chứng minh được rằng giữa hai
cực đại chính sẽ có N-1 cực tiểu phụ và N-2 cực đại phụ. Khi đó các cực
đại chính thanh nét hơn, đồng thời cường độ sáng của các cực đại phụ trở
nên rất nhỏ không đáng kể so với các cực đại chính. Kết quả là ảnh nhiễu
xạ qua cách tử phẳng sẽ là một dãy các vạch sáng song song nằm cách
đều nhau. Vị trí của các vạch sáng được xác định bởi hệ thức (7.7) với
cường độ sáng (xét trong phạm vi giữa hai cực tiểu chính) giảm nhanh từ
cực đại chính giữa ra xa nó.
Trong thí nghiệm này, ta sẽ khảo sát hiện tượng nhiễu xạ của chùm
tia laser qua một cách tử phẳng và xác định bước sóng  của chùm tia
laser này, đồng thời xác định sự phân bố cường độ sáng trên ảnh nhiễu xạ
của nó qua cách tử phẳng.
2. DỤNG CỤ VÀ PHƯƠNG PHÁP ĐO
2.1. Dụng cụ đo

82
 - Giá quang học (G) có gắn thước thẳng milimét (T) 1000mm -
1mm, giá đỡ nguồn laser (A), bàn trượt (B) và màn quan sát (E).
- Nguồn phát tia laser bán dẫn 3,8V - 5mW (DL) được giữ bởi giá
đỡ (A). Đó là nguồn phát ra các bức xạ điện từ có độ đơn sắc cao,
có cường độ lớn, có tính kết hợp và định hướng cao (độ phân kỳ
khá nhỏ), LASER là chữ viết tắt của cụm từ tiếng Anh "Light
Amplification by Simulated Emisson of Radiation" có nghĩa là
"khuếch đại ánh sáng bằng phát xạ cảm ứng". Nguồn Laser này
phát ra chùm tia laser màu đỏ.
- Cách tử nhiễu xạ (CT) có chu kỳ d cho sẵn, được gắn trên bàn
trượt (B).
- Thấu kính hội tụ (TK) có độ tụ 2 điôp được đặt trong hộp bảo vệ
ở ngay sau cách tử (CT) và cũng được gắn trên bàn trượt (B).
- Màn quan sát ảnh nhiễu xạ (E) được gắn trên giá quang học (G).
- Thước panme (P) 25mm - 0,01 mm.
- Cảm biến quang điện silicon (QĐ).
- Bộ khuếch đại và chỉ thị cường độ phổ nhiễu xạ (KĐ).
Các dụng cụ trên được bố trí như sau: Nguồn diode laser (DL)
được gắn trên giá đỡ (A) và phát ra chùm tia laser màu đỏ chiếu vuông
góc với mặt phẳng của cách tử (CT). Qua cách tử, chùm tia laser bị nhiễu
xạ và truyền qua thấu kính hội tụ (TK). Ảnh nhiễu xạ thu được trên màn
E trùng với mặt tiêu của thấu kính. Thấu kính được đặt ngay sau cách tử
sao cho trục chính vuông góc với cách tử phẳng và cả hai được gắn trên
bàn trượt (B) có thể di chuyển được. Một màn ảnh E ( bằng kim loại) đặt
thẳng đứng và trùng với mặt tiêu của thấu kính (cách thấu kính một
khoảng f = 500mm). Để xác định vị trí các cực đại nhiễu xạ và khảo sát

A

A E
K1
CT TK QĐ “0”
R
DL P 10
1 10
K 0
B T
G C + -

Hình 7.6: Sơ đồ thí nghiệm xác định bước sóng ánh sáng
đơn sắc bằng phương pháp nhiễu xạ qua cách tử phẳng.
83
sự phân bố cường độ sáng của chúng, ta dùng một cảm biến quang điện
silicon (QĐ) có thể di chuyển được trên mặt của màn ảnh E nhờ một
thước panme (P) gắn liền với nó.
Tất cả các dụng cụ trên được đặt trên cùng một giá quang học (G).
Tín hiệu laser (sau khi qua thấu kính) rọi vào cảm biến quang điện (QĐ)
để chuyển thành tín hiệu điện và được đưa vào bộ khuếch đại và chỉ thị
cường độ phổ nhiễu xạ (KĐ) bằng một chốt cắm nhiều đầu (C).
2.2. Phương pháp đo
2.2.1. Xác định bước sóng của chùm tia laser qua cách tử phẳng
Áp dụng công thức (7.7) đối với cực đại chính bậc 1 trong ảnh
nhiễu xạ của chùm tia laser qua cách tử phẳng, ta suy ra công thức xác
định bước sóng của chùm tia laser
L k = +1
λ=dsinφ
Đối với cực đại chính bậc 1 (xem
O 
hình 7.7), góc  khá nhỏ nên ta có thể F a
coi gần đúng 

a
sin   tg  k = -1
2f
a
Do đó   d. (7.9) Hình 7.7: Ảnh nhiễu xạ trong
2f thí nghiệm xác định bước sóng
Đo khoảng cách a giữa 2 cực đại ánh sáng qua cách tử phẳng.
chính bậc 1 (ở hai bên cực đại chính
giữa), biết chu kỳ d của cách tử phẳng và tiêu cự thấu kính hội tụ, ta tính
được bước sóng  của chùm tia laser.
2.2.2. Khảo sát sự phân bố cường độ sáng trong ảnh nhiễu xạ
Cường độ sáng trong ảnh nhiễu xạ tỷ lệ với cường độ I của dòng
quang điện qua cảm biến (QĐ). Do đó, ta có thể khảo sát sự phân bố
cường độ sáng trong ảnh nhiễu xạ bằng cách khảo sát sự biến thiên
cường độ I của dòng quang điện theo vị trí x của các cực đại chính nằm
trong khoảng giữa hai cực tiểu chính ứng với k  1 trong ảnh nhiễu xạ
của chùm tia laser qua cách tử phẳng.
3. TRÌNH TỰ THÍ NGHIỆM
3.1. Tìm ảnh nhiễu xạ của chùm tia laser qua cách tử phẳng

84
 a. Cắm phích lấy điện của bộ nguồn laser (DL) vào nguồn điện xoay
chiều 220V. Bật công tắc K1 của nguồn laser (DL), ta sẽ có chùm
tia laser màu đỏ.
b. Vặn thước panme (P) để số đo của nó ở vị trí khoảng 12mm.
c. Dịch chuyển bàn trượt (B) tới vị trí sao cho mặt của thấu kính
(TK) nằm cách mặt cảm biến quang điện (QĐ) một khoảng f =
500mm (đọc trên thước thẳng milimét (T)). Giữ cố định khoảng
cách này trong suốt quá trình đo.
d. Vặn nhẹ các vít hãm trên cần bàn trượt (B) để xoay cách tử (CT)
nằm nghiêng, không chắn chùm tia laser. Tiếp theo, điều chỉnh vị
trí nguồn laser (DL) sao cho chùm tia laser chiếu trực tiếp vào
giữa khe hở trên mặt cảm biến quang điện (QĐ) (bằng cách điều
chỉnh cửa sổ của nguồn laser (DL) ở cùng độ cao với khe hở của
mặt cảm biến quang điện (QĐ).
e. Xoay cách tử sao cho mặt cách tử vuông góc với mặt bàn trượt.
Vặn các vít hãm để điều chỉnh chùm tia laser đi qua cách tử tạo
các vân sáng – tối trên mặt cảm biến. Sau đó, điều chỉnh vị trí của
cách tử (CT) trong mặt phẳng thẳng đứng để chùm tia laser rọi
vuông góc vào giữa mặt cách tử (CT). Khi đó chùm tia laser
phản xạ trên mặt cách tử (CT) sẽ cho ảnh trùng đúng với cửa
sổ của nguồn laser (DL).
3.2. Điều chỉnh bộ khuếch đại và chỉ thị phổ nhiễu xạ
a. Cắm phích lấy điện của bộ khuếch đại và chỉ thị phổ nhiễu xạ
(KĐ) vào nguồn điện xoay chiều 220V.
Đặt núm chọn thang đo của microampe-kế điện tử ở vị trí thang
đo nhỏ nhất và vặn núm biến trở R của nó về vị trí tận cùng bên
trái. Bấm khóa đóng điện K trên mặt của bộ khuếch đại (KĐ).
Chờ khoảng 3 phút để bộ khuếch đại ổn định và tiến hành kiểm
tra số 0 của microampe-kế (A) bằng cách: Chắn sáng hoàn toàn
khe hở của cảm biến quang điện (QĐ), nếu kim của microampe-
kế lệch khỏi số 0 thì phải vặn từ từ núm "qui 0" của microampe-
kế để điều chỉnh cho kim của nó quay trở về đúng số 0. Chú ý:
giữ nguyên vị trí nút “qui 0”.
b. Vặn từ từ thước panme (P) sao cho vạch sáng giữa (microampe-
kế có cường độ sáng lớn nhất) của ảnh nhiễu xạ lọt vào đúng
giữa khe hở của cảm biến quang điện (QĐ). Khi đó kim của
microampe-kế lệch mạnh nhất. Điều chỉnh núm xoay của biến
trở R của bộ khuếch đại (KĐ) sao cho kim của microampe-kế
85
 (A) lệch tới giá trị cao nhất có thể đọc được (chú ý: giá trị µA
đọc được tùy thuộc vào thang đo đang sử dụng).
3.3. Xác định bước sóng của chùm tia laser
a. Thước panme đang ở vị trí cực đại chính giữa ứng với k = 0, lúc
này hai cực đại chính bậc nhất ứng với k = 1 nằm đối xứng ở hai
bên cực đại chính giữa. Vặn từ từ thước panme sao cho khe hở
trên mặt cảm biến lần lượt dịch sang bên trái để xác định tọa độ
cựa đại bậc 1 là x-1 và bên phải để xác định cực đại bậc 1 là x+1 (vị
trí mà kim của microampe-kế lệch mạnh nhất của vân sáng
đó chính là tọa độ x+1 và x-1). Khi đó, khoảng cách a giữa 2 cực
đại bậc 1 được xác định bởi a  x1  x1 (7.10)
Chú ý cách đọc số trên thước panme: xem phần phụ lục.
b. Thực hiện phép đo này 3 lần. Đọc và ghi giá trị của x+1 và x-1 trên
thước panme vào bảng số liệu 1.
3.4. Khảo sát sự phân bố cường độ sáng trong ảnh nhiễu xạ
Vặn thước panme để dịch chuyển khe hở của cảm biến quang
điện (QĐ) trong khoảng giữa hai cực tiểu bậc 1. Mỗi lần chỉ dịch chuyển
một khoảng khá nhỏ bằng 0,05 - 0,1mm. Đọc, ghi các vị trí x đó và giá trị
cường độ I của dòng quang điện trên microampe-kế (A) tương ứng với
mỗi vị trí x đọc được trên panme (P) vào bảng số liệu 2.
4. TRÌNH BÀY KẾT QUẢ
4.1. Xác định bước sóng của chùm tia laser
Bảng số liệu 1

- Chu kỳ của cách tử phẳng: d = …………….mm

- Tiêu cự của thấu kính hội tụ: f = (500 ± 1) mm
- Độ chính xác của panme:

Lần đo x+1(mm) x+1(mm) x-1(mm) x-1(mm)

1
2
3
GTTB

86
 a. Tính giá trị trung bình của khoảng cách a
a  x 1  x 1 .

a. Tính sai số 𝛥𝑎̅.

a
b. Tính giá trị trung bình của bước sóng :   d
2f
c. Tính các sai số của bước sóng .
d. Viết kết quả đo bước sóng .
4.2. Khảo sát sự phân bố cường độ sáng trong ảnh nhiễu xạ
Bảng số liệu 2

Ampere-kế A: I max =…………, cấp chính xác: kA =……….%

Độ chia nhỏ nhất trên thang đo ampere-kế: ωA = ………

x(mm)
I(A)
Vẽ đồ thị I = f (x).
&&&&&&&

87
 NGOÀI
ELECTRON
------ooo------

.
-
xác.
-

1.

-6
- 10-
8
mmHg),
vòn cathode
Hình 9.1:
9.1).
1.1. m v hi n t i n
anode cathode K

9.2 AK anode A và cathode

-
cathode
cathode

97
 Cathode
microampere- Ánh
sáng
cathode A
AK
khi U AK U0 Anode
V A
bh

I f UAK R
AK _ +
-
Hình 9.2:

cathode
9.3
cathode.

Ibh n.e (9.1)

quang I
electron
cathode và Ibh2
anode Ibh1
I02
I01
hình 9.3
ai Uc O U0 UAK

anode Hình 9.3: -

còn cathode
UAK
AK c Uc

1.2.

98
 photon oton mang

c
h .f h. (9.2)

-34 8

trong chân không,

t, electron t do trong kim lo i mu n thoát ra kh i b
m t kim lo i thì c n ph i nh c m t n ng l ng t i thi u b ng công
thoát A c i v i kim lo
u chi u ánh sáng thích h p vào b m t kim lo i, electron
h. f photon

electron

m v2max
h .f A (9.3)
2
m v 2max c
Vì 0 , nên . Thay f ,
2

h .c
o
A
o cathode,

Khi UAK electron chu

cathode anode

Khi UAK U0 quang electron cathode K

anode
bh
cathode thì
photon cathode
quang electron cathode anode

99
bão hòa Ibh
khi UAK = 0, electron
cathode K sang anode
o 9.3

c
anode A và cathode
electron.
m.v 2max
e.U c (9.4)
2
-19
- 1,6.10 electron. So sánh
(9. 9.4), ta tìm
e.Uc hf A (9.5)

c. electron.
A hf e.Uc (9.6)

-ampere I = f (UAK
nh công thoát electron 9.6).

2.
2.1. n

a. thí nghi m v t lý BKO-100PS g m có:

- n m t chi u n áp 0 - 100V
- -
-
-

- Volt-
- Microampere-

100
 b. cs c
c.
d.
2.2.
2.2.1.

9.4.
UAK và Q
-

-
I f UAK .
electron
Hình 9.4:
anode
gian theo công 9.1).
2.2.2. ông thoát
electron

9.5. cathode

UAK

I f UAK Hình 9.5:

c.

AK
c
.
công thoát electron A theo công
Hình 9.6:
3. c

3.1. n b b thí nghi m

101
 BKO-100PS
a. a c m phích l n c a b MC-
.
b. 9.4.
c. t các núm chuy a volt-k v trí 100V và c a
microampere-k A.
d. t núm xoay UAK
e. - 8cm
-3A.
f. 1

g. M i giáo viên t i ki m tra m ch i n trên m t máy BKO-100PS

và c m phích l y i n vào ngu n i n xoay chi u 220V.
h. B m 1

3.2. nh s quang electron b t ra kh i m t kim lo i

a. tc ng u v trí 1 (tùy ý). V n t t núm
xoay UAK - -
- 4V (
-

xoay UAK
b.

AK

3.3.
a.
9.5.
b. -
microampere- -

tác "

Chú ý: G

102
 c. ng nh a dùng che ánh sáng

-
A 0,9
Volt- và microampere- o

d. KA -
-

UAK
e. volt- microampere-
trên volt- là c.

f. -
AK) (hình 9.6),
c
AK là giá
c .
g. núm xoay UAK
- và microampere-
K1
BKO-

h. y và :
- m V -

- m ác kA -

4.
4.1.
103
 a. ng s li u 1:

- m =
- V =
V=
- m =
- A =
A=

UAK (V)
I ( A)

UAK (V)
I ( A)

b. I f UAK

c. Xác bh1 và
Ibh2.
d. electron
anode

Ibh
n
e
e. Tính các
electron.
f.
4.2. thoát electron
a. ng s li u 2:
o c c i c a volt-k : Um =
p chính xác c a volt-k : kV =
chia nh nh t c a thang o volt-k : V=
o c c i c a ampere-k : Im =
104
 p chính xác c a ampere-k : kA =
chia nh nh t c a thang o ampere-k : A=

: =........................( m)
UAK (V)
I ( A)

b. th I f UAK

c
- n s ánh sáng màu: f

- c.
c. c a công thoát electron
d. Tính các và v
electron.

5.
1- nh ngh a hi n t n ngoài. V s và mô t m ch
n dùng t kh o sát hi n t ng
này.
2-
-ampere I = f
(UAK
3- Cathode

anode và cathode (UAK =

I 0)?
4- công thoát electron A trong thí
c
AK AK
anode và cathode
&&&&&&&

105
 Bài thí nghi m s 3

C X VÀ S PHÂN C C C A SÓNG DECIMET - U CH TRONG

VÙNG SÓNG DECIMET - NG H NG S N MÔI TRONG VÙNG SÓNG DECIMET

I.
1.
n t là quá trình lan truy n trong không gian c nt ng bi n thiên tu n hoàn theo th i gian.
n t truy ng v t ch t và c trong chân không. V n t c truy n nt
8
trong chân không l n nh t, b ng v n t c ánh sáng c = 3.10 m/s. ng v t ch t có chi t su t n thì sóng
n t có v n t c

Sóng n t là sóng ngang.

Hình 3.1.
S lan truy n c nt c gi i thích d a theo thuy nt ng c a
Maxwell: gi s t m O trong không gian có m n ng bi n thiên E không t t d n. Nó sinh ra m
lân c n O m t t ng xoáy B bi n thiên; t ng bi n thiên B l i sinh ra m l n c n nó m ng
bi n thiên E1 và c ti p t c lan r ng ra trong không gian và càng ngày càng m O.
2.
nt c sóng t c dùng trong thông tin liên l c vô tuy n g i là sóng
vô tuy n.
Ta bi t r ng thông tin vô tuy m b o vi nt ng truy n sóng
(khí quy n trên m a ch t c a m t) là chung cho nhi u kênh thông tin vô
tuy n. Vi c phân kênh ch y u d a vào tiêu chu n t n s . M t cách t ng quát, ph t n t ng c ng và mi n áp d ng
c c ch ra trên hình
 3.
T n s c c cao (UHF) ch nh các ITU t n s vô tuy n ph m vi c n t sóng gi a 300 MHz và 3 GHz
(3000 MHz).
m UHF chính c a truy n d n UHF là anten nh g n, vì c sóng UHF nh , nên kích c anten có
th so sánh cv i c sóng. Các anten nh có th c dùng cho các t n cao
c m UHF chính c a UHF là kho ng cách thu phát ng n, ng trong t m nhìn th ng gi a anten tr m
phát truy n hình và anten thu c a khách hàng.

4. P

Có Phân c c th ng, phân c c tròn, phân c c elip.

Phân c c th ng: h u h t truy n d n vô tuy n s d ng phân c c tuy ng g i là

phân c ng vuông góc v i m t và phân c c c g i là phân c n
ng song song v i m

5.

Mu n thu sóng có t n s u ch nh máy thu sao cho có s c ng v i máy phát.

6. Anten

Anten: là thi t b thu hay phát nt

c dùng cho vi c truy ng gi a máy phát và máy thu mà không c n m t s tham gia c a
ng dây d n.
V i m t ngu n t , anten phát s b c x só n t . Sóng này lan truy n trong không gian
và kích chuy ng s n t thành tín hi ng t i tin.
7. Anten l

Anten sóng 1/4

anten
 vd: N -ten phát ra t n s 600 MHz, chi u dài anten b ng bao nhiêu?
M c sóng ng c c n c sóng là 0,25 m.

Hình 3.3:

Hình 3.4: i d c theo chi n áp u cu i c n áp c c ti u

t m gi cl i

Hình 3.5
Theo Hertz, m ng b c x nt b c x m nh nh t khi chi u dài dây d n b ng
m tn cg ng c c ). Các thí nghi n hi c bi t thành công
c sóng trong d i decimet.
Các sóng b c x có th c phát hi n b ng cách dùng m t dây d n th t song song v
u dài (c ng). ng b c x xoay chi u sinh ra m t dòng c m ng xoay chi u
trong anten, và các sóng decimet có th c phát hi n b ng cách dùng m c n
ng b c x nh n áp sau khi qua m t ch ns c cung c p cho thi t b
 ng c c dùng trong th c t b ng h ng kính h u h n, có m t
h s i v i toàn b chi i r ng do s làm ph ng cong c ng c
m tiêu bi u c a m ng c c là s phân b góc và s phân c c c a các sóng b c x ng
b c x b ng không d c theo tr c c ng vuông góc v i tr a, các sóng b
phân c c th ng ng tr c c c nghiên c u trong thí
nghi m b ng m t máy phát t n s c c cao (UHF) v i m ng c c vòng. Bên c c x và phân
c c, ta s nghiên c u nh ng do m có tác d t v t ph n x ho c v u khi n lên
ng b c x .
8.
u ch tín hi u là quá trình bi i m t hay nhi u thông s c a m t tín hi u tu n hoàn theo s im t
tín hi u mang thông tin c n truy u tu n hoàn g i là sóng mang. Tín hi u mang thông tin g i là tín
hi c u ch . u thu b gi u ch s d a vào s i thông s a sóng mang tái t o l i tín
hi u mang thô u. Các thông s c u ch có th là biên
, pha, t n s .
Ví d : tín hi u ti ng nói có t n s th p, không th truy i ta dùng m t tín hi u hình sin có t n
s cao có th truy c) làm sóng mang. Bi c at ns u ti ng nói.
u thu i ta d a vào s c a tín hi tái t o l i tín hi u ti u.
V i máy phát t n s c c cao (UHF), các tín hi u âm t n trong d i t n s t n 10 kHz có th c
truy k thu u biên.

G i là tín hi u sóng mang

sóng mang

là t n s phát

u(t) là tín hi u âm t c phát b i máy phát UHF.

Tín hi u bi n có d ng:

.u(t)).cos(2 AM là h s ghép.

T i máy thu, tín hi c qua m t ng c c tích h p v i m t m ch ch n ng c c

ng c c thu ho ng t b l c nh m lo i b thành ph n t n s cao và ch cho tín hi u t n s th p
qua. Tín hi u âm thanh ngõ ra c khu i và m t cái loa d i r ng.

9.
Ch n môi làm suy gi m s d n gi a 2 b n t n dung c a t n. H s
thêm này g i là h ng s

10. Sóng decimet

Nghiên c u v n t ph ng, truy ng nh ng. Gi i h
c v n t c truy n lan c a sóng ( v n t c pha)
 H s t th m

Tr kháng sóng Z: Bi u th ng c ng t i quá trình truy n sóng

V i không gian t do ( chân không) : ;

Do nh , b qua thì:

M t khác: v c sóng, f: t n s

G i n là chi t su t t ic ng.

Chi t su t t i gi a ng c chân không:

hi truy n t ng có chi t su t th ng có chi t su t cao thì v n t c sóng cùng

gi n

H ng s cr tl c l i, chúng ta gi s h ng s n môi c a không khí x p x b ng 1.

ng h p cùng t n s c sóng c n t khi truy c ng c sóng khi

truy n trong không khí.

Hình 3.6 thí nghi m cho ph n tính chi t su n môi

 : chi ng không khí

: chi c

II.
1.
2.

3.
sáng?
4.
5.
6.
thích
7.

III.
Quan sát

Các d ng c thí nghi m g m

phát 433.92
MHz,
 B ng c c c

Hình 3.7: Các d ng c thí nghi m

Th c hành
1.

B ng c c thu v

(có )
 Hình 3.8

3.

Hình 3.9: Các v trí c ng c c thu

B ng c c thu (có diode).

Th c hi n a.
 a. (có ) ( có diode)
b. có diode)
c.
.
d.
3.1.

2.

a. ng c c thu (có diode) 1 -1,7

3.9. vônk ng cách t ng c c thu.
b. ng c c thu (có diode).
Ghi l i giá tr c i mà vônk c ng cách t
c. ng c c thu (có diode)
(trong kho ng 0-1m so v ng c c thu). Ghi l i giá tr c i mà vônk c ng cách t

d.
3. T máy phát UHF
L p t thí nghi m hình 3.10.

Hình 3.10: b trí thí nghi m cho vi c truy n t i tín hi u âm thanh b ng máy phát UHF
-
a. :
- mode AC
 - V n nút CAL t n cùng sang trái.
- .
b. :
-
-
-
- âm thanh phát ra .
c.
4.
5. C n cho máy phát.

Hình 3.11 b trí thí nghi ng h ng s n môi c c trong vùng sóng dm

- c cách anten phát kho ng 40cm, di chuy n khay l i g n
ng c . Ta th nv n v i anten nh không
sáng.
- ct t a anten dài t anten ng n sáng.
6. nh h ng s n môi trong vùng sóng decimet
- chi u dài angten phát trong không khí
- u dài angten c
- nh h ng s n môi c c

: chi ng không khí

: chi c

***Sau khi th t t máy, ph ng c thí nghi m, x p gh l i g n gàng ngay

ng n.
 IV. Bài báo cáo

1.
B ng 3.1

U(V)

1a

1b

2a

2b

3a

3b

..............................................................................................................................
.....................................................................................................................................................................................
.....................................................................................................................................................................................
.....................................................................................................................................................................................
.....................................................................................................................................................................................
2.

..............................................................................................................................
.....................................................................................................................................................................................
.....................................................................................................................................................................................
.....................................................................................................................................................................................
.....................................................................................................................................................................................
.....................................................................................................................................................................................
.....................................................................................................................................................................................
3. T máy phát UHF
Nh n xét âm thanh phát ra khi i t n s c a máy phát hàm s trong kho n 10KHz.
 ...................................................................................................................................................................
...................................................................................................................................................................
...................................................................................................................................................................
...................................................................................................................................................................
...................................................................................................................................................................
...................................................................................................................................................................
t m t v t c n kim lo i gi a 2 thi t b thu và phát (ch ng h n xét âm thanh phát ra.

.........................................................................................................................................................................
.........................................................................................................................................................................
.........................................................................................................................................................................
.........................................................................................................................................................................
.........................................................................................................................................................................
.........................................................................................................................................................................
4.
.
.........................................................................................................................................................................
.........................................................................................................................................................................
.........................................................................................................................................................................
.........................................................................................................................................................................
.........................................................................................................................................................................
.........................................................................................................................................................................
5. nh h ng s n môi trong vùng sóng decimet
- =
- =
- nh h ng s n môi c c:
.........................................................................................................................................................................
.........................................................................................................................................................................
.........................................................................................................................................................................
- So sánh giá tr này v i giá tr n môi c c nguyên ch t
.........................................................................................................................................................................
.........................................................................................................................................................................
-
.........................................................................................................................................................................
.........................................................................................................................................................................
.........................................................................................................................................................................
 Bài thí nghiệm số 6
XÁC ĐỊNH VẬN TỐC TRUYỀN XUNG TRONG DÂY CÁP ĐỒNG TRỤC
-----ooo-----
Mục tiêu: Sau khi học xong bài này sinh viên có khả năng:
1. Về kiến thức: Nêu được phương pháp đo và các bước tiến hành thí nghiệm đo vận tốc truyền xung trong
dây cáp đồng trục
2. Về kỹ năng: Sử dụng thành thạo các dụng cụ đo, tiến hành đúng trình tự thí nghiệm để thu được số liệu
chính xác.
3. Về thái độ: Cẩn thận, kiên trì, chính xác, trung thực, khách quan.
I. CƠ SỞ LÝ THUYẾT
Dây cáp được sử dụng để truyền tải tín hiệu điện. Do lõi dẫn điện được bọc
bởi lớp bên ngoài (hình 6.1) nên tín hiệu bên trong cáp không bị nhiễu bởi môi
trường ngoài. Xung truyền đi được tính từ phương trình điện tín (telegraph
equation). Bỏ qua điện trở thì vận tốc truyền xung là:
1
𝑣= (6.1)
√𝐿𝐶
với L, C lần lượt là độ tự cảm và điện dung tính trên một đơn vị chiều dài dây.
Trường hợp tần số tín hiệu lớn, vận tốc truyền xung lúc này là:
𝑐
𝑣= 𝜀𝜇 (6.2)
√ 𝑟 𝑟
với 𝜀𝑟 , 𝜇𝑟 là hằng số điện môi tỉ đối và hằng số từ thẩm tỉ đối của lớp điện môi
giữa phần trong và ngoài của vật dẫn; c là vận tốc ánh sáng trong chân không.
Hình 6.1: Cấu tạo của dây
Trong dây cáp luôn tồn tại một trở kháng Z, liên hệ với cường độ dòng I và
cáp đồng trục. 𝑼
hiệu điện thế U giữa lớp trong và lớp ngoài của dây theo biểu thức 𝒁 = 𝑰 . Khi
truyền tín hiệu, trong dây cáp bao gồm hai thành phần: xung tới và xung phản xạ. Nếu đầu cuối dây để hở, xung
phản xạ có cùng biên độ với xung tới (hình 6.2a). Nếu kết thúc dây là điện trở R thì biên độ của xung phản xạ được
tính theo biểu thức
𝑹−𝒁
𝑽𝒓 = 𝑹+𝒁 𝑽𝒊 , (6.3)
với Vr, Vi lần lượt là biên độ xung phản xạ và biên độ xung tới. Đặc biệt khi R = 0 (hiện tượng đoản mạch),
xung phản xạ ngược dấu so với xung tới (hình 6.2b).

(a)

(b)

Hình 6.2: Xung phản xạ trong hai trường hợp:

a – Dây cáp hở,
b – Đoản mạch (điện trở R = 0).
Trang 43
 Sự phản xạ xung ở cuối dây được sử dụng trong việc đo vận tốc truyền. Sau khi phản xạ, xung quay trở lại
dao động kí và bị trễ bằng khoảng thời gian truyền.
II. DỤNG CỤ VÀ PHƯƠNG PHÁP ĐO
1. Dụng cụ đo:
Dụng cụ thí nghiệm gồm:
• Bộ nguồn phát xung ánh sáng, bên trong gồm đèn led, kính bán mạ S đặt 45o và diode tiếp nhận ánh sáng
(1).
• Dao động ký điện tử (2).
• Hai dây cáp đồng trục dài 1m (3).
• Dây cáp đồng trục dài 10m (4).
• Biến trở 1kΩ (5).
• Điện trở 47Ω (6).
• Cổng T chuyển đổi (7).
• Gương nhỏ (8).
Các dụng cụ thí nghiệm này được lắp đặt như ở hình vẽ 6.3:

Hình 6.3: Sơ đồ bố trí thí nghiệm

2. Phương pháp đo
i. Xác định vận tốc truyền tín hiệu trong dây cáp đồng trục
Xung truyền đi với quãng đường bằng 2 lần chiều dài dây trong thời gian t nên vận tốc truyền xung trong dây
cáp là
2𝑙
𝑣= 𝑡 (6.4)
với l là chiều dài dây cáp, t là khoảng thời gian sai biệt giữa xung tới và xung phản xạ (đọc từ máy dao động
ký).
ii. Khảo sát sự phản xạ ở cuối dây cáp

Trang 44
 Ứng với mỗi giá trị của biến trở gắn ở cuối dây, biên độ của xung phản xạ sẽ thay đổi so với xung tới (thể
hiện trên máy dao động ký).

III. TRÌNH TỰ THÍ NGHIỆM

Thí nghiệm được lắp ráp như hình 6.3.
- Bật bộ nguồn phát xung và đặt gương nhỏ ở cửa sổ trên cùng của bộ nguồn.
- Nối cổng T với máy dao động ký theo kênh CH1 và sử dụng cáp 1m để nối cổng “Pulses” của nguồn phát
xung với cổng T.
- Dùng dây cáp 1m nối cổng “Trigger” của nguồn phát xung với cổng “Ext. Trig” trên máy dao động ký.
- Điều chỉnh máy dao động ký trước khi tiến hành thí nghiệm:
o Cường độ sáng INTENS: vừa đủ sáng để thấy tín hiệu.
o Đối với kênh CH1:
▪ Nhấn nút CH1 ở phía dưới nút POWER.
▪ Chế độ DC.
▪ Độ phóng đại theo phương thẳng đứng VOLTS/DIV: tùy chọn trong khoảng 5-100 mV/cm.
o Đối với Trigger:
▪ Chọn EXT, AC.
▪ Chế độ AUTO.
▪ Tốc độ quét TIME/DIV: 0,2 µs/cm (có thể chọn trong khoảng 0,1 - 0,5 µs/cm).
▪ Độ phóng đại theo phương ngang X-MAG: 1x hoặc 10x.
o Núm X-POSITION: thay đổi vị trí tín hiệu theo trục ngang.
o Núm POSITION 1: thay đổi vị trí theo trục thẳng đứng.
- Điều chỉnh các núm vị trí để quan sát tín hiệu xung tới trên màn hình dao động ký.

Lưu ý:
Trên máy dao động ký, nếu ta chọn Time/div: 0,5 µs/cm ; X-Mag: 10x,
và đọc được khoảng cách giữa hai đỉnh xung x = 5cm (hình 8.4) thì thời
gian xung truyền trong dây cáp là
1
𝑡 = 5𝑐𝑚. 10 . 0,5𝜇𝑠/𝑐𝑚 = 0,25𝜇𝑠.
a. Đo vận tốc truyền xung
- Nối cáp 10m với cổng T.
- Bật độ phóng đại X-MAG của máy dao động kí tới 10x.
- Dịch điểm cực đại của xung tới đến một đường thẳng đứng bên trái
máy bằng cách thay đổi vị trí X-POSITION.
- Nếu tín hiệu quá lớn theo trục thẳng đứng, ta điều chỉnh nút Hình 6.4. Tín hiệu trên màn hình
VOLTS/DIV để quan sát được cả hai xung trên màn hình dao động ký. dao động ký.
- Xác định khoảng cách giữa hai đỉnh xung x (thực hiện 3 lần) và viết
các kết quả đo vào bảng số liệu.
- Từ đó tính thời gian sai khác t giữa xung tới và xung phản xạ.
b. Khảo sát sự phản xạ ở cuối dây cáp
- Nối biến trở với đầu cuối dây cáp.
- Vặn biến trở đến giá trị lớn nhất 1kΩ và quan sát tín hiệu trên màn hình dao động ký.
- Thay đổi biến trở đến các giá trị thấp hơn và dần tới 0, đồng thời quan sát sự thay đổi tín hiệu trên màn
hình dao động ký.
- Thay biến trở bằng điện trở 47Ω và quan sát tín hiệu.
IV. BÁO CÁO THÍ NGHIỆM

1. Đo vận tốc truyền xung

Trang 45
 Chiều dài dây cáp: l = (10,00 ± 0,01) m; Độ phóng đại X-MAG: ………………………. Tốc độ quét
TIME/DIV: ………………

a. Đo khoảng cách giữa 2 đỉnh xung x và tính sai số tuyệt đối của phép đo x
b. Tính thời gian truyền xung t, sai số Δt
c. Tính vận tốc truyền xung v trong dây cáp, sai số tuyệt đối Δv và sai số tương đối εv
d. Viết kết quả đo vận tốc v
So sánh với vận tốc truyền xung lý thuyết tính theo biểu thức (6.2) khi chất điện môi là Teflon, biết 𝜇𝑟 = 1
và 𝜀𝑟 = 2,25. Nhận xét kết quả đo.
2. Khảo sát sự phản xạ ở cuối dây cáp
a. Từ tín hiệu thu được trên màn hành dao động ký, vẽ đồ thị V = f(t) (với V : điện thế của xung tín hiệu, t :
thời điểm) thể hiện sự thay đổi của biên độ xung phản xạ so với xung tới ứng với các giá trị R = 1 kΩ, R = 0 Ω, R
= 47 Ω.
b. Nhận xét đồ thị thu được so với biểu thức (6.3)
V. CÂU HỎI CHUẨN BỊ
1. Cáp đồng trục: cấu tạo và ứng dụng?
2. Trên oscilocope, nếu Time/div ở giá trị 0,2 𝜇𝑠 , X-mag: × 10 , quan sát khoảng cách giữa 2 đỉnh xung và
tính vận tốc truyền xung trong dây cáp đồng trục.
3. Trong bài thí nghiệm đo vận tốc truyền xung trong dây cáp đồng trục, giải thích tại sao biên độ xung phản
xạ lại nhỏ hơn biên độ xung tới?
4. Giải thích vì sao tín hiệu thu được trên màn hình dao động ký, thể hiện sự thay đổi của biên độ xung phản
xạ so với xung tới ứng với các giá trị R = 1 kΩ, R = 0 Ω, R = 47 Ω lại khác nhau?
5. Trình bày dụng cụ và nguyên tắc đo.

Trang 46
 PHỤ LỤC
GIỚI THIỆU DỤNG CỤ ĐO

1. THƯỚC KẸP
1.1. Công dụng
Thước kẹp là dụng cụ dùng để đo các kích thước ngoài (chiều dài,
chiều rộng, chiều cao, đường kính trụ ngoài…), các kích thước trong
(đường kính lỗ, chiều rộng rãnh…) và chiều sâu.

Hình 1: Thước kẹp

Hình 2: Công dụng của thước kẹp

106
1.2. Cách đọc thước kẹp
Giả sử khi đo, số 0 của du xích nằm trong khoảng chia giữa vạch
chia thứ m và thứ (m+1) của thước milimét; n: số khoảng chia trên du
xích tính từ giá trị 0 đến vạch trên du xích trùng với một vạch chia trên
thân thước chính, a là giá trị của mỗi độ chia của thước milimét trên thân
a
thước chính, b là giá trị của mỗi độ chia của du xích. Tỷ số được gọi
N
là độ chính xác của du xích, nó có giá trị bằng hiệu số độ dài của một độ
chia trên thước milimét và một độ chia trên du xích.

a
L  ma  n
N

Thực tế: ta có thể đọc trực tiếp độ dài L của vật trên thước kẹp
bằng cách đọc phần nguyên m của milimet trên thân thước ở bên trái số 0
của du xích, còn đọc phần lẻ n của milimet trên du xích tại vị trí một
vạch chia nào đó trên du xích trùng nhất với một vạch chia trên thân
thước.
Ví dụ: giới hạn sai số của thước kẹp 0.05mm.
m=16mm
n=8 (từ 0 đến 4 có 8 khoảng)
L  16  8 * 0.05  16.4mm (Hình 3)
1.3. Cách bảo quản
- Không dùng thước để đo khi vật đang quay.
- Không đo các mặt thô bẩn.
- Không ép mạnh hai mỏ đo vào vật đo.
- Cần hạn chế việc lấy thước ra khỏi vật đo rồi mới đọc trị số đo.
- Thước đo xong phải đặt đúng vị trí ở trong hộp, không đặt thước
chồng lên các dụng cụ khác hoặc đặt các dụng cụ khác chồng lên
thước.
- Luôn giữ cho thước không bị bụi bẩn bám vào thước.
- Hàng ngày hết ca làm việc phải lau chùi thước bằng giẻ sạch và bôi
dầu mỡ.

107
 Hình 3

2. THƯỚC PANME
2.1. Công dụng
Thước panme dùng để đo chiều dài hay đường kính của chi tiết.
2.2. Cấu tạo

Hình 4: Thước panme

Giới hạn sai số của panme: 0.01mm.
Thước kép thẳng của panme gồm hai thước thẳng milimét song
song nằm ở hai phía của vạch chuẩn ngang và có các độ chia khắc so le
nhau từng 0,50 mm.

108
 Vị trí x bất kỳ của trục vít panme được xác định theo công thức:
Nếu du xích tròn nằm bên phải gần sát vạch chia của thước milimét
phía trên:
x = N + 0,01* n (mm)
Ví dụ: Hình 5: x = 8,15mm.

Hình 5: Giá trị trên thước panme là 8,15mm

Nếu du xích tròn nằm bên phải gần sát vạch chia của thước
milimét phía dưới:
x = N + 0,50 + 0,01*n (mm)
trong đó N là số milimét, còn n là số thứ tự của vạch chia trên du xích
tròn nằm đối diện trùng với vạch chuẩn ngang của thước kép thẳng trên
panme.
Ví dụ: Hình 6: x = 8,65mm.
Chú ý khi đọc giá trị đo phải nhìn chính diện
2.3. Cách bảo quản
- Không được phép cầm thanh xoay để xoay khung.
- Sau khi sử dụng xong không vặn chặt 2 mặt đo mà để hở ra giữa 2
mặt đo khoảng 1-2mm.
- Lau sạch bề mặt đo.

109
 Hình 6: giá trị trên thước panme là 8,65mm
3. Đồng hồ đa năng hiện số VOM
3.1. Công dụng
Đồng hồ đo vạn năng kiểu hiện số dùng đ̉ể đo:
- Đo điện thế một chiều (DCV).
- Đo điện thế xoay chiều (ACV).
- Đo dòng điện một chiều (DCA).
- Đo dòng điện xoay chiều (ACA).
- Đo điện trở (R).
- Đo điện dung tụ điện (C).
- Đo diode.
- Đo transistor.
3.2. Cách sử dụng
Bật công tắc On - Off sang vị trí ON, các giá trị đo được sẽ hiển thị
trên màn hình tinh thể lỏng.
3.2.1. Đo hiệu điện thế
- Cắm dây đo màu đen vào chốt COM và dây đo màu đỏ vào chốt V
mA.
- Bật chuyển mạch của đồng hồ về thang đo ở vị trí 𝑉 − ~ và chọn
thang đo thích hợp, sau đó đưa 2 đầu que đo còn lại của 2 dây vào
2 điểm cần đo, đọc chỉ số hiển thị trên màn hình LCD. Nếu trước
chỉ số có dấu (-) ta phải đảo lại đầu que đo.

110
 - Nếu chưa biết điện thế muốn đo là bao nhiêu Volt thì nên để thang
đo ở vị trí cao nhất và giảm xuống từ từ cho phù hợp với hiệu điện
thế muốn đo.
- Khi đo nếu thấy số "1" hiện trên phía trái màn hình thì thang đo
đang ở mức thấp nên chọn thang đo ở mức cao hơn.
Lưu ý: Không được đo nguồn điện cao hơn 750V vì nó có thể làm
hỏng các mạch điện bên trong máy đo.

Hình 7: Đồng hồ VOM

111
3.2.2. Đo dòng điện
- Cắm dây đo màu đen vào chốt COM và dây đo màu đỏ vào chốt V
mA cho thang đo từ 200µA đến 20mA, nếu dòng điện cần đo trên
20mA đến 10A (hoặc 20A) thì dời dây đo màu đỏ đến chốt 10A
(hoặc 20A).
- Bật chuyển mạch của đồng hồ về thang đo 𝐴 − ~ và chọn thang đo
thích hợp, sau đó mắc nối tiếp 2 que đo vào mạch điện muốn đo,
đọc trị số trên màn hình LCD.
- Nếu chưa biết giá trị của dòng điện đang đo thì chọn thang đo ở vị trí
cao nhất và giảm xuống từ từ cho phù hợp với dòng điện đang đo.
- Khi đo nếu thấy số "1" hiện trên phía trái màn hình thì thang đo
đang ở mức thấp nên chọn thang đo ở mức cao hơn.
Lưu ý: Phải rất cẩn thận khi sử dụng thang đo dòng điện, không
được mắc song song hai que đo vào nguồn điện hoặc mạch điện có
cao thế nó có thể làm hỏng máy đo.
3.2.3. Đo điện trở
- Cắm dây đo màu đen vào chốt COM và dây đo màu đỏ vào chốt V
mA.
- Bật chuyển mạch của đồng hồ về thang đo , chọn thang đo thích
hợp, sau đó đưa đầu 2 que đo vào hai đầu điện trở cần đo, đọc trị số
trên màn hình LCD.
- Nếu giá trị của điện trở đang đo lớn hơn thang đo đang chọn thì bên
trái màn hình sẽ xuất hiện số ("1") nên chọn thang đo cao hơn. Với
điện trở có giá trị từ 1M trở lên thì phải mất một vài giây thì số
đo trên màn hình mới ổn định.
- Khi chưa đo, bên trái màn hình sẽ xuất hiện số ("1") như trường
hợp thang đo chưa thích hợp.
- Lưu ý: không được chạm tay vào chân linh kiện đồng hồ sẽ không
chính xác khi đo cả nội trở của tay người. Cũng không nên đo linh
kiện trong mạch bởi R có thể là của linh kiện khác trong mạch.
3.2.4. Đo điện dung tụ điện
- Bật chuyển mạch của đồng hồ về thang đo tụ F, chập hai đầu của tụ
để phóng hết điện tích trên hai bản cực của tụ. Đưa hai que đo vào
hai bản cực của tụ, chọn thang đo thích hợp và đọc trị số điện dung
đo được trên màn hình LCD.
- Lưu ý: Tụ điện không còn tích điện trước khi đo.

112
3.2.5. Đo tần số Hz
- Cắm dây đo màu đen vào chốt COM và dây đo màu đỏ vào chốt V
mA.
- Bật chuyển mạch của đồng hồ về thang đo ở vị trí Hz và đưa 2 đầu
que đo còn lại của 2 dây vào 2 điểm cần đo, đọc chỉ số hiển thị trên
màn hình LCD.
3.3. Nguyên tắc an toàn của đồng hồ đo điện
- Đóng vỏ hộp máy đo chắc chắn trước khi đo để bảo đảm an toàn.
- Không ứng dụng cho ngõ vào vượt quá thang đo lớn nhất hoặc
trang thiết bị có khả năng xảy ra hư hỏng.
- Phải bảo đảm thang đo được đặt ở tầm đo đúng trước khi tiến hành
đo. Nếu độ lớn của dòng điện không biết trước, luôn luôn bắt đầu
với thang đo cao nhất và giảm dần cho đến khi đạt được giá trị
thích hợp.
- Phải kiểm tra các dây đo đỏ và đen được cắm đúng vào ổ cắm hay
không trước khi tiến hành đo.
- Không bao giờ xoay công tắc trong suốt thời gian đo điện áp hoặc
dòng điện.
- Luôn luôn thay thế dây chì chảy bởi dây chì mới đúng theo danh
định. Không dùng dây chì được sữa lại hoặc dây chì vắt ngang vỏ
cầu chì.
- Phải thay nguồn pin ngay khi chỉ báo pin yếu xuất hiện, vì nếu
không trị số đo sẽ không chính xác.
- Tháo nguồn pin ra khỏi máy đo nếu máy đo không được sử dụng
trong một thời gian dài.
Chú ý: Khi không còn sử dụng máy đo nữa nhớ bật công tắc On -
Off sang vị trí OFF để bảo vệ nguồn PIN của máy đo.
4. MÁY PHÁT TẦN SỐ
Máy phát xung hay máy tạo sóng đo lường là bộ nguồn tạo ra các
tín hiệu chuẩn về biên độ, tần số và dạng sóng dùng trong thử nghiệm và
đo lường.
Máy phát tần dạng hiển thị số:

113
 Hình 8: Máy phát tần số dạng hiện thị số
OUT: dây nối đầu ra.
DADJ: núm thay đổi độ biến dạng.
FADJ: núm thay đổi tần số.
AADJ: núm thay đổi biên độ.
ATT (Attenuator): nút chỉnh độ suy giảm tín hiệu.
WAVE: nút điều chỉnh dạng sóng.
 1: sóng sin.
 2:sóng vuông.
 3: sóng tam giác.
RANGE: nút thay đổi tần số, nút Range thay đổi từ 1-7, có giá trị từ 0Hz
~ 2343 KHz, giá trị dãy tần số tùy thuộc vào nút bấm.
 Range 1: giá trị dãy tần số thay đổi từ 0 Hz-> khoảng 2.7 Hz.
 Range 2: giá trị dãy tần số thay đổi từ 2 Hz-> khoảng 27 Hz.
 Range 3: giá trị dãy tần số thay đổi từ 11 Hz -> khoảng 260 Hz.
 Range 4: giá trị dãy tần số thay đổi từ 111 Hz-> khoảng 2617 Hz.
 Range 5: giá trị dãy tần số thay đổi từ 1100 Hz-> khoảng 26 kHz.
 Range 6: giá trị dãy tần số thay đổi từ 9754 Hz-> khoảng 230 kHz.
 Range 7: giá trị dãy tần số thay đổi từ 105 KHz -> khoảng 2340 kHz.

114
RUN: cho máy chạy.
RESET: khởi lập lại các giá trị ban đầu.
POWER: Bật, tắt máy (ở mặt sau của máy).
Máy phát tần số dạng kim

Hình 9: Máy phát tần số dạng kim

5. DAO ĐỘNG KÝ ĐIỆN TỬ- MÁY HIỆN SÓNG OSCILOCOPE
5.1. Công dụng

115
 Hình 10: Dao động ký điện tử - Oscillocope

Hình 11: Que đo X/Y

Dao động ký là máy đo có các tính năng sau:
- Quan sát toàn cảnh tín hiệu.
- Đo các thông số cường độ của tín hiệu:
 Đo điện áp, đo dòng điện, đo công suất.
 Đo tần số, chu kì, khoảng thời gian của tín hiệu.
 Đo độ di pha của tín hiệu.
 Vẽ tự động và đo được đặc tính phổ của tín hiệu.
- Vẽ đặc tuyến Vôn-ampe của linh kiện.
- Vẽ tự động, đo đặc tuyến biên độ-tần số.
5.2. Cách sử dụng

116
POWER: Công tắc chính của máy, khi bật công tắc lên thì đèn led sẽ
sáng.
INTEN: Điều chỉnh độ sáng của điểm hoặc tia.
FOCUS: Điều chỉnh độ sắc nét của hình.
TRACE RATOTION: Điều chỉnh tia song song với đường kẻ ngang trên
màn hình.
CH1 (X): Đầu vào vertical CH1 là trục X trong chế độ X-Y.
CH2 (Y): Đầu vào vertical CH2 là trục Y trong chế độ X-Y.
AC-GND-DC: Chọn lựa chế độ của tín hiệu vào và khuếch đại dọc.
- AC nối AC.
- GND khuếch đại dọc tín hiệu vào được nối đất và tín hiệu vào được
ngắt ra.
- DC nối DC.
VOLTS/DIV: Chọn lựa độ nhạy của trục dọc từ 5mV/DIV đến 5V/DIV.
VARIABLE: Tinh chỉnh độ nhạy với giá trị > 1/2.5 giá trị đọc được. Độ
nhạy được chỉnh đến giá trị đặc trưng tại vị trí CAL.
POSITION: Dùng để điều chỉnh vị trí của tia theo chiều ngang hoặc dọc.
VERT MODE: Lựa chọn kênh.
- CH1: Chỉ có 1 kênh CH1.
- CH2: Chỉ có 1 kênh CH2.
- DUAL: Hiện thị cả hai kênh.
- ADD: Thực hiện phép cộng (CH1 + CH2) hoặc phép trừ (CH1-
CH2) (phép trừ chỉ có tác dụng khi CH2 INV được nhấn).
ALT/CHOP: Khi nút này được nhả ra trong chế độ Dual thì kênh 1 và
kênh 2 được hiển thị một cách luân phiên, khi nút này được ấn vào trong
chế độ Dual, thì kênh 1 và kênh 2 được hiển thị đồng thời.
TIME/DIV: Cung cấp thời gian quét từ 0.2 μs/ vạch đến 0.5 s/vạch với
tổng cộng 20 bước.
X-Y: Dùng oscilloscope ở chế độ X-Y.
SWP.VAR: Núm điều khiển thang chạy của thời gian quét được sử dụng
khi CAL và thời gian quét được hiệu chỉnh giá trị đặt trước tại
TIME/DIV. Thời gian quét của TIME/DIV có thể bị thay đổi một cách

117
liên tục khi trục không ở đúng vị trí CAL. Xoay núm điều khiển đến vị trí
CAL và thời gian quét được đặt trước giá trị tại TIME/DIV. Vặn núm
điều khiển ngược chiều kim đồng hồ đến vị trí cuối cùng để giảm thời
gian quét đi 2.5 lần hoặc nhiều hơn.
X10 MAG: Phóng đại 10 lần.
CAL: Cung cấp tín hiệu 2Vp-p, 1KHz, xung vuông dùng để chỉnh que
đo.
GND: Tiếp đất thiết bị với sườn máy.

6. HỘP ĐIỆN TRỞ

Hộp điện trở là một dụng cụ tương tự như biến trở, gồm các điện
trở thuần có thể biến đổi giá trị theo ý muốn. Chúng có thể được sử dụng
trong các mạch điện để điều chỉnh hoạt động của mạch điện.
Hộp điện trở dưới gồm 5 núm, có thể thay đổi giá trị điện trở từ 0
đến 9999.9 Ω
Giả sử ta chỉnh các núm vặn với các giá trị như hình 12.

Hình 12: Hộp điện trở đã được điều chỉnh

Giá trị điện trở tương ứng của hộp điện trở:
R = 2*1000+3*100+9*10+1*1+0*0,1 = 2391,0 (Ω)
Giả sử cấp chính xác tương ứng với mỗi núm điều chỉnh như sau:
Giai đo R(Ω) 1000 100 10 1 0.1
118
 Cấp chính xác k(%) 0,5% 0,5% 0,5% 1% 5%

∆𝑚𝑎𝑥 = ∑ 𝑘𝑖 ∗ 𝑔𝑖á 𝑡𝑟ị đ𝑜 ∗ 𝑅 𝑖

𝜔 = ∑ 𝑘𝑖 ∗ 𝑔𝑖á 𝑡𝑟ị 𝑛ℎỏ 𝑛ℎấ𝑡 𝑐ủ𝑎 𝑡ℎ𝑎𝑛𝑔 đ𝑜

Ứng với giá trị hộp điện trở R=2391 Ω

∆𝑚𝑎𝑥 = 0,5% ∗ 2000 + 0,5% ∗ 300 + 0,5% ∗ 90 + 1% ∗ 1 + 5% ∗ 0
= 11,96 (Ω)

𝜔 = 0,5% ∗ 1000 + 0,5% ∗ 100 + 0,5% ∗ 10 + 1% ∗ 1 = 5,56 (Ω)

119
 TÀI LIỆU THAM KHẢO
Tiếng Việt
1. Nguyễn Minh Châu, Nguyễn Dương Hùng. Thí nghiệm vật lý
đại cương A.- Đại học quốc gia Tp. Hồ Chí Minh, 2011.
2. Lương Duyên Bình. Vật lý đại cương tập I, II, III. - NXB Giáo
Dục, 1995.
Tiếng Anh
3. John L. Standford, Stephen B. Vardeman. Statistical methods
for physical science.- Academic Press, 1994.
4. Philip R. Bevington, D. Keith Robinson. Data reduction and
error analysis for the physical sciences, Mc Graw Hill, 2003.
Tiếng Nga
5. В.А. Яворский. Планирование научного эксперимента и
обработка экспериментальных данных. - Москва, 2006.
6. И.Б. Крынецкого и Б.А. Струкова. Oбщая физика Учебное
пособие руководство по лабораторному практикуму. -
ИНФРА-М, 2008.

120