Chương 4: Các hố lượng tử và các hệ thấp chiều

Các điện tử thực là các điện tử 3 chiều nhưng chúng có thể được tạo ra để xử
sự dường như chúng chỉ tự do chuyển động theo số chiều ít hơn. Điều này có
thể đạt được bằng cách bẫy chúng trong một hố thế hẹp để giới hạn chuyển
động của chúng theo 1 chiều tới các mức năng lượng gián đoạn. Nếu sự tách ra
giữa các mức năng lượng này là đủ lớn, các điện tử dường như bị đóng băng
vào trong các trạng thái cơ bản và không thể có chuyển động theo chiều này.
Kết quả là một khí điện tử 2 chiều (2DEG). Cùng một hiệu ứng có thể đạt được
với một hố thế 2 chiều nhằm làm cho các điện tử chỉ chuyển động tự do theo 1
chiều. Đó là một dây lượng tử.
Phần đầu của chương này liên quan đến một số hố thế 1 chiều đơn giản dùng
để bẫy các điện tử. Không thể tạo ra hố vuông góc sâu vô hạn trong thực tế
nhưng tính đơn giản của hố này làm cho nó trở thành một mô hình được sử
dụng thường xuyên. Hố có độ sâu hữu hạn cung cấp một sự mô tả tốt hơn
nhiều đối với một hố lượng tử thực. Các hố parabol có thể được nuôi bằng
cách thay đổi thành phần của bán dẫn một cách liên tục nhưng hố thế này liên
quan nhiều nhất đến nghiên cứu từ trường. Ví dụ cuối cùng là một hố thế tam
giác mà nó được dùng như một mô tả thô đối với 2DEG tạo thành tại một dị
 Chương 4: Các hố lượng tử và các hệ thấp chiều
chuyển tiếp pha tạp. Tiếp theo ta sẽ xét xem làm thế nào để các hố thế này
làm cho các điện tử xử sự dường như chúng là 2 chiều. Các phần cuối liên
quan tới sự giam cầm nhiều hơn nữa để cho các hệ 1 chiều hoặc 0 chiều và
một vài chi tiết thay đổi do các khói lượng hiệu dụng khác nhau trong các dị
cấu trúc.
Ta sẽ xem xét các hệ 1, 2 và 3 chiều và điều quan trọng là cần có một kí hiệu
rõ ràng để phản ánh điều này. Gọi z là hướng nuôi và hướng này vuông góc

với các mặt phẳng của một cấu trúc xếp thành lớp. Vectơ r  ( x , y ) là vectơ

2 chiều vuông góc với z. Vectơ R  r, z   ( x , y , z ) là vectơ 3 chiều.
4.1. Hố vuông góc sâu vô hạn
Hố vuông góc sâu vô hạn là ví dụ đơn giản nhất của một hố lượng tử. Nó
cũng đã được xem xét ở chương 1. Để so sánh với hố sâu hữu hạn, ta lấy gốc
tọa độ tại chính giữa hố sao cho V(z) = 0 trong vùng – a/2 < z < a/2 và các
rào thế cao vô hạn chống lại các hạt bẫy đi ra khỏi vùng này. Ta dùng tọa độ
z thay cho cho x trong chương này vì nó qui ước được sử dụng để kí hiệu
hướng nuôi trong các dị cấu trúc. Các hàm sóng là
 4.1. Hố vuông góc sâu vô hạn
 2 nz
 cos ( n  2 l  1)
 a a
n (z)   ( 4 . 1)
 2 nz
 a sin (n  2l )
a
2
với năng lượng 2  n 
n    , n  1, 2 ,....( 4 . 2 )
2m  a 
Các hàm sóng là các hàm chẵn của z đối với n lẻ (tính chẵn lẻ dương (trạng
thái chẵn)) và có tính chẵn lẻ âm (trạng thái lẻ) đối với n chẵn với trạng thái
thấp nhất là trạng thái chẵn. Các kết quả của mô hình này là đơn giản đến mức
chúng được sử dụng rộng rãi bất kể bản chát không thực của chúng.
4.2. Hố vuông góc sâu hữu hạn
Các hố lượng tử được tạo ra trong hệ GaAs – AlGaAs là xa với trường hợp lí
tưởng hoá của độ sâu hữu hạn. Độ sâu đối với các điện tử được thiết lập bởi
gián đoạn trong CB mà nó thường được giữ ở dưới khoảng 0,3 eV để
EC
tránh vấn đề của một khe vùng gián tiếp trong AlGaAs.Gián đoạn trong
 EV
 4.2. Hố vuông góc sâu hữu hạn
trong VB thậm chí nhỏ hơn mặc dù nó được bù trừ bởi khối lượng hiệu dụng
lớn hơn. Các độ sâu này là khá nhỏ đối với nhiều ứng dụng nhất là ở nhiệt độ
phòng mà nó khuyến khích việc sử dụng các chuyển tiếp khác trong đó có
 E C và  E V lớn hơn.
Hố vuông góc với độ sâu V 0 được chỉ ra trên hình 4.1. Hố này cho phép đối
với giá trị hữu hạn của  E C hoặc  E V . Nó còn là một sự đơn giản hoá đáng
kể của một hệ thực vì thế bị uốn cong chẳng hạn nếu hệ không trung hòa
điện ở khắp nơi. Năng lượng
 được đo từ đáy hố để cho phép dễ dàng so
sánh với các kết quả đối với hố sâu vô
hạn. Các trạng thái với   V 0 bị
bẫy bên trong hố trong khi các
trạng thái với   V 0 có thể lan
Hình 4.1. Hố vuông góc sâu hữu hạn trong
GaAs có độ sâu eV và bè rộng
V 0  0 ,3
a = 10 nm và nó chỉ ra 3 trạng thái liên kết.
 4.2. Hố vuông góc sâu hữu hạn
. truyền từ z   đến z   . Các trạng thái liên kết thường được mô tả
bởi năng lượng liên kết B của chúng. Đó là năng lượng đòi hỏi nâng điện tử
lên từ trạng thái liên kết của nó sao cho nó có thể thoát khỏi hố. Điều đó có
nghĩa là B  V 0   .
Lúc đầu ta xét các trạng thái liên kết. Các hàm sóng ở bên trong hố tương tự
như các hàm sóng đối với hố sâu vô hạn và có cùng đối xứng chẵn lẻ
(phương trình (4.1)). Viết cả 2 khả năng thành  cos 
 (z)  C   kz ( 4 . 3 )
 sin 
đối với – a/ 2 < z < a/2 với    2 k 2 /( 2 m ). Bên ngoài hố,  ( z ) thỏa mãn
  2
 
/ 2 m d 2 / dz 2  ( z )  V 0 ( z )   ( z )( 4 . 4 )
với   V 0 . Các nghiệm là  ( z )  D exp   z ( 4 . 5 )
với  2  2 / 2 m  V 0    B .( 4 . 6 )
Nó cần phải như thế để chuẩn hoá các hàm sóng và do đó, hàm mũ dương
trong (4.5) khi z < 0 và hàm mũ âm khi z > 0. Do các hàm sóng là chẵn hoặc
lẻ nên chỉ cần xét hàm mũ âm đối với z > 0 và dùng đối xứng để tìm  ( z )
đối với z < 0.
 4.2. Hố vuông góc sâu hữu hạn
Các hàm sóng (4.3) và (4.6) bây giờ cần được làm khớp tại z = a/2. Tính liên
tục của  ( z ) đòi hỏi  cos   ka   a 
 (a / 2)  C     D exp   .( 4 . 7 )
 sin   2   2 
Tương tự, việc làm khớp các đạo hàm cho
 d    sin   ka   a 
  za /2  Ck      D  exp   .( 4 . 8 )
 dz   cos  2   2 
Cần phải thay đổi điều này nếu các khối lượng hiệu dụng trong 2 vật liệu là
khác nhau.
Trong (4.7) và (4.8) chưa biết các hệ số chuẩn hoá C và D và năng lượng 
mà nó xác định k và  . Có thể loại trừ C và D bằng cách lấy (4.8) chia cho
(4.7). Khi đó,   tan   ka 
k
     .( 4 . 9 )
 cot
 2 
Thực ra, ta đang làm khớp hàm đơn giản 1 d d ln 
 .( 4 . 10 )
 dz dz
Nó là đạo hàm hàm lôga mà từ đó loại bỏ sự chuẩn hóa. Từ (4.9) suy ra
 4.2. Hố vuông góc sâu hữu hạn
 tan   ka   1 2m 2 mV 0
      2
V 0    2 2
 1 .( 4 . 11 )
  cot  2  k k   k
Nghiệm của của phương trình siêu việt này không thể thu được một cách chính
xác nhưng là một bài toán tính số dễ dàng.
Có thể xét các nghiệm từ một đồ thị mà nó được sử dụng để phóng đoán một
giá trị ban đầu cho phép lặp lại. Nếu dùng biến số không thứ nguyên
  ka / 2 , (4.11) trở thành
 tan  2
mV 0 a 1 2
0
    2 2
1  2
 1 , ( 4 . 12 )
  cot  2  
2 mV 0 a 2
0  2
.( 4 . 13 )
2
Khối lượng hạt, độ sâu và bề rộng của hố bị sát nhập vào trong thông số không
thứ nguyên Thông2 số này xác định các giá trị cho phép của và
0 . 
cũng đơn giản hơn việc giải phương trình bằng số ở dạng không thứ nguyên
này . Cả 2 vế của (4.12) được vẽ đồ thị theo trên hình 4.2 đối với các điện tử
trong một hố trong GaAs. Nó có  và
m  m 0 m e , m e  0 , 067 , V 0  0 , 3 eV
 4.2. Hố vuông góc sâu hữu hạn
Hình 4.2. Nghiệm đồ thị của phương trình
(4.12) đối với một hố vuông góc trong GaAs
với độ sâu hố V 0  0 , 3 eV và bề rộng a = 10
nm. Nó cho  2  13 , 2 và có 3 trạng thái
0
liên kết.

a = 10 nm mà nó cho  2  13 , 2 .
0
Căn bậc 2 ở vế phải luôn luôn
dương và do đó ta chỉ cần xét các
khoảng của trong đó maim một trong vế là dương. Đối với nó có
 tan  ,
nghĩa là trong khi làm đầy các khe vì nó
0 ,  / 2 ,  ,3 / 2 ,...  cot 
dương đối với trong các khoảng Có các cách khác
  / 2 ,  , 3 / 2 , 2  ,....
để viết lại (4.12) ví dụ như nó có thể được thu gọn thành

 cos   
   .( 4 . 14 )
nhưng cần thận trọng khi sử sin
dụng  0 chính xác của vế trái trong mỗi
 lựa chọn
 4.2. Hố vuông góc sâu hữu hạn
một khoảng của  . Do đó, ta sẽ dùng biểu thức ban đầu. Các nghiệm của
(4.14) xảy ra khi 2 đường cắt nhau. Có 3 nghiệm kí hiệu là n = 1, n = 2 và n
= 3. Một số kết quả quan trọng rút ra từ đồ thị này như sau.
(i) Đường cong đối với vế phải của (4.12) cặt trục  tại  0 trong khi các
đường cong của tan  và  cot  cắt tại   n  / 2 ( n  0 ,1, 2 ,...). Do đó, số
nghiệm được cho bởi 2 2 mV a 2
0  0
2
( 4 . 15 )
  2
được làm tròn tới số nguyên gần nhất. Điều này chứng tỏ rằng luôn luôn có ít
nhất một nghiệm của (4.12). Một hố vuông góc 1 chiều luôn luôn có ít nhất
một trạng thái liên kết nhưng làm nông hoặc thu hẹp hố (mặc dù trạng thái có
thể bị liên kết rất yếu). Kết quả này đúng cho mọi hố 1 chiều chứ không phải
chỉ đối với hố vuông góc. Nó cũng đúng trong trường hợp 2 chiều mặc dù
các hố nông có một trạng thái liên kết rất yếu. Nó không đúng đối với các hố
3 chiều mà chúng cần phải vượt qua một bán kính hoặc độ sâu tới hạn để tồn
tại một trạng thái liên kết.
(ii) Xét một hố rất nông với chỉ một trạng thái liên kết và  nhỏ. Ta dùng
0
 4.2. Hố vuông góc sâu hữu hạn
 02
phép gần đúng tan   trong  (4.12) mà nó trở thành   2
 1 .( 4 . 16 )
4 2 2

Nó có thể chuyển thành phương trình bậc 2      với0  nghiệm
1 là
 
 2  1 / 2   1  1  4 02 .( 4 . 17 )
Dấu “–” có thể không được tính đến do cần phải thực. Việc khai triển căn bậc 2
theo định lí nhị thức tới bậc 2 cho
2
2 2 4 mV 0 a 2  mV 0 a 2 
  0 0  2
  2
 .( 4 . 18 )
2  2 
Do đó, năng lượng là 2 4 2 ma 2V 02
  2
  V0  2
.( 4 . 19 )
2m a 2
Năng lượng liên kết là ma V 02
2
B  V0    2
.( 4 . 20 )
2
Nó phụ thuộc vào và do đó là nhỏ đối với một hố nông.
V 02
(iii) Nếu hố là rất sâu, các nghiệm nằm trên các phần dốc đứng của các
V0   ,
đường cong tiếp giáp và các giao điểm tiến đến Khi đó
  n  , n  1, 2 ,...
và các năng lượng được cho bởi giống như
k  n / a 2

 / 2 m n  / a 
2

các năng lượng đối với một hố sâu vô hạn (phương trình (4.2)).
 4.2. Hố vuông góc sâu hữu hạn
(iv) Tập trung vào một nghiệm với n đã cho như một hàm của V 0 . Phương
trình (4.15) chứng minh rằng trạng thái liên kết này xuất hiện khi   n  1  ,
k  n  1  / a và độ sâu của hố là  2 / 2 m ( n  1) / a 2 . Trạng thái chỉ
liên kết yếu và B là nhỏ khi V 0 không lớn hơn nhiều so với nó. Hằng số suy
giảm dạng hàm mũ  trong hàm sóng (4.5) ở bên ngoài hố là nhỏ và hàm
sóng xuyên qua một quãng đường dài vào trong các rào. Xác suất tìm thấy
hạt bên trong hố là nhỏ và được đo bởi a/2
2

2

a /2
 ( z ) dz /   (z)

dz .( 4 . 21 )

Việc làm cho hố sâu hơn nữa dẫn đến làm tăng  , B ,  và trạng thái trở nên
liên kết tốt hơn.
(v) Đặc điểm của các hàm sóng thay đổi khi trạng thái trở nên liên kết tốt
hơn. Khi trạng thái trở thành trạng thái liên kết ở trong hố và   n  1  ,
đạo hàm hầu như bằng 0 tại thành hố và nó được làm khớp với một sóng
giảm chậm trong các rào. Sự tăng V 0 làm tăng động năng của nó để cho
  n mà tại điểm đó, biên độ hàm sóng hầu như bằng 0 tại các biên và
đuôi dạng hàm mũ chỉ có một biên độ nhỏ.
 4.2. Hố vuông góc sâu hữu hạn
Hầu hạt các kết quả này áp dụng cho bất kì hố thế nào.
Các trạng thái với   V 0 không phải là các trạng thái liên kết. Chúng kéo
dài từ   đến   theo trục z và tất cả các năng lượng đều được phép với
2 nghiệm đối với mỗi năng lượng. Nó không có nghĩa là các hàm sóng là các
sóng phẳng đơn giản với mật độ đồng đều ở mọi nơi. Chúng bị méo khi
chúng đi qua hố nhất là khi năng lượng của chúng ở không xa trên V 0 .Điều
này được tính toán theo cùng một cách như các rào vuông góc.
Một cách chỉ ra sự méo là với mật độ trạng thái địa phương n  .z . Nó được
định nghĩa bởi (1.102) và thiên về
các mức năng lượng của hệ với
mật độ hàm sóng của chúng tại z.
Hình 4.3. Mật độ trạng thái địa phương
n E , z  0  ở giữa hố vuông góc trong
GaAs có bề rộng 10 nm và độ sâu 0,3 eV.
Kết quả đối với các điện tử tự do tỉ lệ với
E  1 / 2 được chỉ ra để so sánh.
 4.2. Hố vuông góc sâu hữu hạn
Nó được vẽ đồ thị trên hình 4.3 đối với tâm hố trên hình 4.1. Mỗi một trong 3
trạng thái liên kết đóng góp một hàm Trạng
 . thái liên kết thứ hai trong số đó
có một nút tại z = 0 và do đó mật độ trạng thái địa phương của nó triệt tiêu tại
điểm này. Vì thế, nó được chỉ ra như một đường đứt nét. Các trạng thái là tự do
đối với nhưng mật Vđộ
0 trạng thái địa phương bị méo mạnh đối với các
năng lượng thấp và điều đó phản ánh một sự méo của các sóng phẳng bởi hố.
Đặc biệt là tăng từ 0 giống n  như
,0  khác với sựphân
 V 0 kì
1 / 2kiểu
đối với cácđiện 0 
 Vtử tự do. Sự méo của các hàm sóng là quan trọng
1 / 2

trong các quá trình trong đó một điện tử bị kích thích từ một trạng thái liên kết
tới một trạng thái chỉ ở ngay trên đỉnh hố và dẫn tới các ảnh hưởng trạng thái
cuối. Một ví dụ là sự hấp thụ quang. Mật độ trạng thái địa phương đối với
là thấp hơn mật độ trạng Vthái
0
địa phương đối với các điện tử tự do do một
phần của nó đi vào các trạng thái liên kết.
Có thể thu gọn hố vuông góc tới hàm Cường độ S có thứ
V ( z )   S  ( z ).
nguyên của năng lượng nhân với chiều dài. Để sử dụng kết quả đối với hố hữu
hạn, ta lấy giới hạn trong khi giữ là hằng số. Khi đó,
a  0,V0   S  V0a
và ta có thể dùng kết quả đối với một hố vuông góc (phương
  0
0
 4.2. Hố vuông góc sâu hữu hạn
trình (4.20)). Nó chứng tỏ rằng chỉ có một trạng thái liên kết có năng lượng
liên kết mS 2
B  2
.( 4 . 22 )
2
4.3. Hố thế parabol
Nó có một thế năng được cho bởi V ( z )  Kz 2 / 2 ( 4 . 23 )
và mô tả một dao động tử điều hoà. Một thực hành vật lí đơn giản là một khối
lượng ở trên đầu của một lò xo. Trong trường hợp này, z là độ dời từ cân
bằng và K là hằng số lò xo (đo bằng Nm  1 hoặc Jm  1 ). Các dao động của
mạng tinh thể (các phonon) cũng có thể được mô tả bởi các thế parabol. Một
ví dụ khác là một vùng có mật độ điện tích không đổi mà ở đó nghiệm của
phương trình Poisson có dạng parabol. Cũng có thể nuôi các hố parabol bằng
cách thay đổi liên tục thành phần của hợp kim. Một từ trường cũng sinh ra
một thế parabol.
Một hạt cổ điển có khối lượng m chuyển động trong thế (4.23) thực hiện dao
động điều hoà z  z 0 cos  0 t  với tần số  0  K / m .( 4 . 24 )
Đặc tính quan trọng là tần số không phụ thuộc vào biên độ z 0 (mặc dù nó
 4.3. Hố thế parabol
không phải là duy nhất đối với thế parabol). Kết quả này bị hạn chế trong thực
hành do thế (4.23) thường là một phép gần đúng chỉ áp dụng đối với z nhỏ.
Trong cơ học lượng tử, ta cần giải phương trình Schrodinger không phụ thuộc
vào thời gian

trong đó(4.24) 2 m ddùng

  2 / được 2
/ dzđể
2
loại(1 /trừ
2)m 0 z 
Knhằm
2 2
sửzdụng
   z , (Bước
4 . 25 )đầu tiên là
loại bỏ và thay chúng bằng các số thuần túy (cácđại lượng không thứ
0.
nguyên) z. ,Bài
 toán vật lí (4.25) bằng cách đó được rút gọn về một bài toán toán
học thuần túy. Ta làm điều này bằng cách định nghĩa một “thang chiều dài”
và một “thang năng lượng” như dưới đây. Việc nhân (4.25) với
z 0 cho 0
2Số
m /hạng
 2 I trong  
móc
d 2 vuông
/ dz 2 cómthứ
 0 /nguyên 
  z 2 của
2
 2 m đảo
z nghịch  zphương
/  bình
2
.( 4 . 26 )chiều
dài trong lúc số hạng II có thứ nguyên của bình phương chiều dài từ Do
đó, hệ số ở trước cần phải có thứ nguyên của nghịch đảo lũy thừa bâc 4 của
z 2.
chiều dài. Điều đó gợi 2
ý cho ta định nghĩa thang chiều dài để loại bỏ
z
z0
 4.3. Hố thế parabol
hệ số hằng số m  0 /  2 bằng cách đặt z  z / z 0 , z 0   / m  0 .( 4 . 27 )
Từ đó suy ra  d 2 / dz 2  z 2  ( z )  2  /   0  ( z ).( 4 . 28 )
Dễ dàng thoát khỏi các đại lượng vật lí còn lại bằng cách định nghĩa thang
năng lượng  0 sau    /  0 ,  0    0 .( 4 . 29 )
Kết quả là phương trình Schrodinger không thứ nguyên
d 2
/ d z 2  ( z )  2   z 2  ( z )  0 .( 4 . 30 )
Lưu ý z ,  là các số thuần túy. Ta kì vọng kích thước của các hàm sóng sẽ gần
đúng là và sự tách ra giữa các mức năng lượng sẽ gần đúng là
z0  0.
Không thể tìm được các số chính xác mà không giải các phương trình nhưng
các ước tính này là có giá trị.
Bây giờ ta giải phương trình (4.30). Tại lớn, số hạng 2  có thể bỏ qua khi
z 0
so sánh với 2 và  ' ' ~ z 2 . Có thể loại bỏ số hạng này nếu thay
z
 z   exp  z 2 / 2 u z ( 4 . 31 )
vào (4.30). Một hàm mũ dương cũng sẽ loại bỏ 2 nhưng hàm sóng có thể
z
u z 
không được chuẩn hoá. Kết quả là phương trình Hermite đối với sau
 4.3. Hố thế parabol
u ''  2 z u '  2   1 u  0 .( 4 . 32 )
Có thể giải (4.32) bằng cách khai triển u z  thành một chuỗi lũy thừa (Phụ
lục 4). Nó có các nghiệm đa thức u n z  chỉ khi 2   1 là một số nguyên
chẵn, nghĩa là   n  1 / 2 . Từ đó,  n  n  1 / 2   0 , n  1, 2 ,...( 4 . 33 )
Nó là kết quả đối với các mức năng lượng của một dao động tử điều hoà
trong cơ học lượng tử. Chúng ở cách đều nhau một khoảng là   0 ở trên
năng lượng điểm không (1 / 2 )   0 . Lưu ý các mức năng lượng của dao động
tử điều hoà thường được tính từ 0 nhưng ở đây được tính từ 1 để phù hợp với
các hố thế khác. Các hàm u n z  là các đa thức Hermite H n  1 z  ngoài một
hệ số để chuẩn hoá. Một số đa thức Hermite đầu tiên là
H 0 ( t )  1,
H 1 (t )  2 t ,
H 2 (t )  4 t 2  2 ,
H 3 ( t )  8 t 3  12 t .( 4 . 34 )
Các hàm sóng theo z bao hàm cả sự chuẩn hoá là
 4.3. Hố thế parabol
1/ 2 1/ 4
 1   m0   m0z2   m  0 1 / 2 
 n 1 ( z )   n    exp    H n    z  .( 4 . 35 )
 2 n!       2      
Một số hàm sóng thấp nhất được vẽ đồ thị trên hình 4.4. Chúng chỉ ra sự xen
kẽ chẵn – lẻ nhìn thấy được trong các hố vuông góc đối xứng. Hàm sóng đối
với n = 1 là một hàm Gauss đơn giản có mật độ xác suất là
1/ 2
2  m0   m0z2 
1 ( z )   exp    .( 4 . 36 )
      
Độ lệch chuẩn của mật độ này là z   / 2m  0  z0 / 2 .( 4 . 37 )

Hình 4.4. Hố thế

V ( z ), các mức năng lượng
các các hàm sóng của một dao động tử điều
hoà. Thế sinh ra bởi một từ trường là 1 T tác
dụng lên các điện tử trong GaAs.
 4.3. Hố thế parabol
Các kết quả này có vai trò rất quan trọng đối với một phạm vi rộng của các
bài toán. Sự cách đều của các mức năng lượng là sự tương tự của tần số cổ
điển độc lập với biên độ. Nó có nghĩa là bất kì bó sóng nào tạo ra bằng cách
chồng chập các trạng thái khác nhau dao động với cùng tần số  0 (so sánh
phương trình (1.55)).
Một ví dụ về một hố parabol dược nuôi bằng cách thay đổi thành phần của
Al x Ga 1  x As được chỉ ra trên hình 4.5. Các mức năng lượng có thể được đo bởi
các chuyển tiếp quang giữa các trạng thái trong các hố trong CB và VB.

Hình 4.5. (a) Thế parabol trong cả

CB và VB được nuôi vào trong
GaAs bởi một thành phần thay đổi
từ từ của Al Ga Khe vùng
x 1  x As .
được rút gọn trong phác họa này và
chỉ lỗ trống nặng được chỉ ra. (b) Sự
quang phát quang trong các hố .
parabol.
 4.3. Hố thế parabol
Một qui tắc lọc lựa đòi hỏi rằng cả 2 trạng thái có cùng tính chẵn lẻ. Các chuyển tiếp
được đánh số là trong đó Emmnh
là ,trạng thái điện tử, n là trạng thái lỗ trống (bỏ đi
nếu nó giống nhau và h chỉ các lỗ trống nặng và l chỉ các lỗ trống nhẹ. Thành phần
của mỗi một hố thay đổi từ từ từ GaAs tới
Al 0 , 3 Ga 0 , 7 As qua khoảng cách 25,5 nm. Khi sử dụng giá trị được chấp nhận hiện
nay của Q   E C ta
/ có
E các
g , giá trị cực đại

 E C  0 , 23 eV ,  E V  0 ,14 eV .
Độ cong của CB và VB và do đó các mức năng lượng phụ thuộc vào và
EC
 E V . Điều này tương phản với một hố vuông góc mà ở đó không có sự phụ thuộc
vào và  E C của  E Vrào trong mô hình đơn giản nhất là một hố sâu vô hạn và
các
sự phụ thuộc là yếu đối với các trạng thái sâu trong một hố hữu hạn. Khi đó, thí
nghiệm về các hố parabol là một phép thử nhạy đối với giá trị của Q.
4.4. Hố thế tam giác
o Hố tam giác trên hình 4.6 là một sự mô tả đơn giản của hố thế tại một dị chuyển
tiếp pha tạp. Có một rào cao vô hạn đối với z < 0 và một thế tuyến tính
đối với z > 0. Viết V(z) theo cách này là thuận tiện để nó
mô tảVmột
( z )điện
 eFz
tích e trong điện trường F (tích eF được giả thiết là dương).
 4.4. Hố thế tam giác
Hình 4.6. Hố thế tam giác V ( z )  eFz
trong đó chỉ ra các mức năng lượng và các
hàm sóng. Các thang đối với các điện tử
trong GaAs và một trường là 5 MVm  1 .

Lưu ý F được dùng đối với điện

trường khác với E để tránh nhầm
lẫn với năng lượng.
Ta cần giải phương trình Schrodinger
  2

/ 2 m d 2 / dz 2
 eFz  ( z )   ( z )( 4 . 38 )
với điều kiện biên  z  0   0 áp đặt bởi rào vô hạn. Ta lại đưa vào các
biến số không thứ nguyên. Thao tác tương tự như đối với dao động tử điều
hoà chỉ ra rằng các thang khoảng cách và năng lượng là
1/ 3 1/3
 2   eF  2 
z 0    , 0     eFz 0 .( 4 . 39 )
 2 meF   2 m 
Phương trình Schrodinger trở thành
 4.4. Hố thế tam giác
d 2 / dz 2
 z    z .( 4 . 40 )
Nó có thể được đơn giản hoá hơn nữa bằng cách định nghĩa một biến số độc
lập mới s  z   và (4.40) được rút gọn thành phương trình Stokes hay
phương trình Airy d 2 / ds 2  s  .( 4 . 41 )
Nó được xem xét trong Phụ lục 5. 2 nghiệm độc lập của nó là các hàm Airy
Ai(s) và Bi(s). Ta đòi hỏi một hàm sóng mà nó giữ được tính chất khi
z   giống như khi s   . Điều này có nghĩa là ta có thể loại bỏ Bi(s).
Biên cao tại z = 0 đòi hỏi  z  0    s      0 . Có vô số các giá trị âm
của s mà ở đó Ai(s) = 0 được kí hiệu là a n hoặc  c để loại bỏ dấu. Do đó, ta
n
cần để
  cn bảo đảm rằng các hàm sóng triệt tiêu tại z = 0 và các mức năng
lượng cho phép được cho bởi 2 1/ 3
 eF   
n  cn   , n  1, 2 ,...( 4 . 42 )
 2 m 
Mức thấp nhất có c  2 ,338 . Có một công thức gần đúng có ích là
1
2/3
3  1 
cn ~    n  
2  4 
mà nó được rút ra từ lí thuyết WKB. Mặc dù điều này là chính xác nhất đối
 4.4. Hố thế tam giác
với n lớn, nó cho c1  2 ,320 và do đó là khá tốt đối với mọi n. Nó cũng chỉ
ra rằng các mức năng lượng càng gần nhau hơn khi n tăng do hố mở rộng khi
năng lượng tăng. Điều này tương phản với hố vuông góc sâu vô hạn có bề
rộng không đổi trong đó các mức năng lượng càng ở xa nhau hơn khi n tăng.
Hố parabol cung cấp một trường hợp trung gian với các mức năng lượng tách
ra không đổi.
Các hàm sóng không được chuẩn hoá được cho bởi
 eFz   
 n ( z )  Ai ( s )  Ai z     Ai   .( 4 . 43 )
 0 
Tất cả các hàm sóng có cùng dạng hàm và trượt đơn giản dọc theo z khi năng
lượng thay đổi:  1 chứa một nửa chu kì,  2 chứa hai nửa chu kì, v.v... Các
hàm sóng thiếu đối xứng chẵn lẻ mà ta tìm thấy nó trong các hố xem xét
trước đây vì thế tam giác tự nó là không đối xứng theo z. Sự chuẩn hoá được
đề cập trong Phụ lục 5.
4.5. Các hệ thấp chiều
Bây giờ ta sẽ sử dụng các kết quả ở trên để xem làm thế nào mà các điện tử 3
 4.5. Các hệ thấp chiều
chiều có thể được tạo ra để xử sự dường như chúng là thấp chiều.
Điểm xuất phát là phương trình Schrodinger
 
3 chiềukhông phụ thuộc vào thời
gian   2 / 2 m  2  V R  R   E  R .( 4 . 44 )

Không có cách giải dễ dàng phương trình này nếu
 V R một thế năng tổng
là
quát nhưng một số dạng của V cho
R  phép những sự đơn giản hoá lớn.
Trong một cấu trúc tạo lớp, thế nắng chỉ phụ thuộc vào tọa độ z vuông góc với
các lớp. Điều này bao hàm các hố lượng tử được tạo ra từ sự xen kẽ các lớp
GaAs và AlGaAs và các điện tử bị bẫy tại một dị chuyển tiếp pha tạp. Như

vậy, chỉ có V R   Vvà( z(4.44)
) trở thành
 2  2 2 2  
  2
 2
 2
  V ( z )  ( x , y , z )  E  ( x , y , z ).( 4 . 45 )
 2m   x  y  z  
Thế năng không cho phép các điện tử chuyển động tự do dọc theo x và y. Các
hàm sóng là các sóng phẳng nếu không có một thế nào cả. Nó gợi ý cho ta thử
các sóng phẳng dọc theo x và y. Viết hàm sóng dưới dạng
 ( x , y , z )  exp ik x x exp ik y y u ( z ).( 4 . 46 )
Có thể thay (4.46) vào (4.45) để kiểm tra xem nó có cho một nghiệm chính
 4.5. Các hệ thấp chiều
xác đối với x và y và tìm phương trình đối với hàm chưa biết u z . Phương
trình (4.45) trở thành
 2  2 2 2  
  2
 2
   V ( z )  exp ik x x exp ik y y u z  
 2m  x y z 2  
  2 k x2  2 k y2 2 2 
    2
 V z  exp ik x x exp ik y y u z  
 
 2 m 2m 2m z 
 E exp ik x x exp ik y y u z .( 4 . 47 )
Các hàm mũ bị loại bỏ khỏi 2 vế của (4.47). Điều đó xác nhận rằng dự đoán
(4.46) là chính xác. Chỉ những hàm của z được giữ lại
  2 k x2  2 k y2 2 2 
   2
 V z  u z   Eu z .( 4 . 48 )
 2 m 2 m 2 m  z 
Năng lượng của các sóng phẳng có thể được chuyển qua vế phải và do đó,
 2 2    2 2
k  2 2
ky 
  V z  u z   E  x
  u z .( 4 . 49 )
2 m  z 2  2 m 2m 
   
Một sự thay thế tiếp theo đối với năng lượng
 4.5. Các hệ thấp chiều
  E   2 / 2 m k x2  k y2 
rút gọn (4.49) thành   2 / 2 m d 2 / dz 2  V z u z    u z .( 4 . 50 )
Nó là phương trình Schrodinger 1 chiều thuần túy theo hướng z, còn 2 chiều
khác bị loại bỏ.
Bây giờ giả sử rằng ta đã giải được phương trình này. Nó có thể là một hố
vuông góc hoặc nó có thể cần được tính số. Giả sử các hàm sóng là u n z 
với năng lượng  n . Từ (4.46) và (4.50) suy ra nghiệm của bài toán 3 chiều là
 k x ,k y ,n ( x , y , z )  exp ik x x exp ik y y u n ( z ), ( 4 . 52 )
  
E n k x , k y    n   2 / 2 m k x2  k y2 .( 4 . 53 )
3 số lượng tử k , k và n dùng để kí hiệu các trạng thái do chúng là 3 chiều
x y
không gian. Có thể viết gọn (4.52) và (4.53) bằng cách định nghĩa các vectơ
2 chiều đối với chuyển động trong mặt phẳng xy là r  ( x , y ), k  k , k .
 x y
  r , z   exp i k r u n ( z ), ( 4 . 54 )
Do đó, 
k ,n
 2
 2
E n k   n   k / 2 m .( 4 . 55 )
Các kết quả trên được minh họa trên hình 4.7. Bên trái là hố thế V(z) với các
 4.5. Các hệ thấp chiều
năng lượng cho phép  n và các hàm sóng u n z  của nó. Hệ thức tán sắc
(4.55) được vẽ đồ thị ở hình ở giữa. Đối với một giá trị cố định của n, nó
đơn giản là hệ thức giữa năng lượng và vectơ sóng của một 2DEG tự do với
đáy vùng dịch chuyển tới  n . Hệ thức đối với mỗi một n cho một parabol
 gọi
là vùng con (chính xác là vùng con điện) bắt đầu tại năng lượngE n k  0    n

khi vẽ đồ thị theo k . Không có các vùng con đối với 0  E   1 mặc dù
cần có các trạng thái cho phép ở đây nếu không có sự giam cầm. Đối với
Hình 1.7. (a) Hố thế với các mức
năng lượng; (b) Năng lượng toàn
phần bao gồm động năng ngang đối
với mỗi vùng con và (c) Mật độ trạng
thái kiểu bậc của một hệ giả 2 chiều.
Ví dụ là một hố vuông góc sâu vô hạn
trong GaAs với bề rộng10 nm. Đường
cong mảnh trong (c) là mật độ trạng
thái dạng parabol đối với các điện tử
3 chiều không bị giam cầm.
 4.5. Các hệ thấp chiều
 1  E   2 , chỉ có các trạng thái trong vùng con thấp nhất. Đối với
 2  E   3 , có các trạng thái trong 2 vùng con thấp nhất với n = 1 và n = 2.
Năng lượng bị chia cắt khác nhau trong 2 vùng con. Vùng con với n = 2 có
động năng cao hơn theo hướng z, có  khác với  1và do đó có động năng và
 2
vận tốc thấp hơn theo mặt phẳng ngang.
k Sự tách năng lượng này thành “các
thành phần” khác nhau như thể nó là một vectơ dựa vào dạng đơn giản của
toán tử động năng trong phương trình Schrodinger và sẽ không được duy trì
nếu ta cần sử dụng một hàm Hamilton hiệu dụng phức tạp hơn. Có nhiều vùng
con hơn tại các năng lượng toàn phần cao hơn. Do đó, các điện tử với cùng
năng lượng toàn phần có thể có một số vectơ sóng ngang  nhau. Điều
khác
k
này tương tự với bài toán trong lí thuyết điện từ của một dẫn sóng với nhiều
mode cho phép.
Các vùng con làm thay đổi dạng của mật độ trạng thái n(E). Đối với một vùng
con cho trước (n cố định), năng lượng (4.55) là năng lượng của 2DEG với đáy
vùng tại Do đó, mật độ trạng thái là mật độ trạng thái của 2DEG. Đó là
 n.
một hàm bậc có chiều cao bắt đầu tại Mỗivùng con đóng góp một
m /  2 n.
bậc. Do đó, mật độ trạng thái tổng cộng n(E) trông giống như cầu
 4.5. Các hệ thấp chiều
thang với các bước nhảy tại các năng lượng của các vùng con. Lưu ý rằng nó
là mật độ trạng thái ứng với một đơn vị diện tích chứ không phải thể tích. Sự
hấp thụ quang mật độ trạng thái n(E).
4.6. Sự lấp đầy của các vùng con
Do ta đã tính được các mức năng lượng cho phép, ta cần phải xem điều gì
xảy ra khi ta làm đầy hệ với các điện tử. Số các vùng con bị lấp đầy phụ
thuộc vào mật độ điện tử và nhiệt độ. Mật độ điện tử. ứng với một đơn vị
diện tích n 2 D có thể tìm được theo cách thông thường bằng cách lấy tích
phân tích của mật độ trạng thái n(E) và hàm lấp đầy Fermi-Dirac f E , E F ,
trong đó E F là năng lượng Fermi: n   n ( E ) f E , E dE .( 4 . 56 )
2D 

F

Để thuận tiện, ta chia tách nó thành các vùng con: n 2 D   n j , ( 4 . 57 )

j
trong đó n j là mật độ điện tử trong một vùng 2 chiều bắt đầu tại  j . Nó được
cho bởi (1.114) và trở thành
m

mk B T   EF   
 f E , E F dE 
j
nj  ln 1  exp    .( 4 . 58 )
 2 j
 2   k BT 
 4.6. Sự lấp đầy của các vùng con
Nó có thể được đơn giản hoá trong giới hạn nhiệt độ cao và nhiệt độ thấp
(khi so với E F   j / k B ) như trước đây.
Giả sử rằng ta đang ở giới hạn nhiệt độ thấp mà ở đó các điện tử là suy biến.
Khi đó, m
   
n2D  n
j
j 
 2

j
EF   j  E F   j .( 4 . 59 )

Nó được minh họa trên hình 4.8 đối với 2 giá trị của E F . Giá trị E F(1 ) thấp
hợn ở dưới  2 và chỉ nằm trong vùng con thứ nhất. Có một sự lấp đầy nhỏ
có thể bỏ qua của các vùng con thứ hai và cao hơn với điều kiện là
 2  E F(1 )  k B T . Các điện tử xử sự dường như chúng ở trong một hệ 2 chiều
với một mật độ trạng thái kiểu bậc đơn giản. Tất cả các điện tử bị giữa trong
cùng trạng thái u 1 ( z ) đối với chuyển động vuông góc với thế giam cầm và
không thể chuyển động dọc theo z khi nó đòi hỏi chúng thay đổi trạng thái
Hình 4.8. Sự lấp đầy của mật độ trạng thái kiểu bậc đối với
một hệ giả 2 chiều. Chỉ có một vùng con bị lấp đầy nếu năng
lượng Fermi lấy giá trị E (1 ) thấp hơn nhưng 2 vùng con bị
F
lấp đầy tại giá trị E ( 2 ) cao hơn.
F
 4.6. Sự lấp đầy của các vùng con
của chúng. Giới hạn này có thể đạt được bằng thí nghiệm đối với một 2DEG.
Bản chất 2 chiều là hơi tinh tế và dễ dàng mất đi nếu nhiệt độ tăng lên hoặc nếu
các điện tử thu được năng lượng từ nguồn bên ngoài nào đó như điện trường và
đi vào vùng con cao hơn.
Năng lượng Fermi đi vào vùng con thứ hai nếu mật độ điện tử tăng quá xa như
trường hợp đối với Các
E F( 2 )điện
. tử tại năng lượng Fermi bây giờ có thể ở một
trong 2 vùng con. Các vùng con này có các vận tốc khác nhau trong mặt phẳng
ngang. Một mức độ giới hạn đối với chuyển động dọc theo z là có thể có bởi tán
xạ giữa và Nóucho một dấu
u 2 ( zhiệu
). thí nghiệm khi có hơn một vùng
1(z)
con bị lấp đầy: sự tán xạ giữa các vùng con làm cho độ linh động giảm. Hệ chỉ
là giả 2 chiều mặc dù nó giữ ở xa trường hợp giới hạn của chuyển động tự do
theo tất cả 3 chiều. Mật độ điện tử cực đại mà nó có thể lấp đầy hệ trước khi
đi vào vùng con thứ hai được cho bởi
Sự tách giữa các mức năng lượng dọc theo z sẽ được làm cực
đại
m /   2  2   1 .
để tăng mật độ này. Một hố hẹp đạt được điều đó cho đến khi các mức năng
lượng bị ép ra ngoài đỉnh.
Một tình huống thú vị xảy ra nếu các mức năng lượng được vẽ lại đối với
 4.6. Sự lấp đầy của các vùng con
Hình 4.9. Hệ giả 2 chiều trong một
hố thế sâu hữu hạn. Các điện tử với
cùng năng lượng toàn phần có thể bị
liên kết bên trong hố (A) hoặc tự do
(B).

hố thế sâu hữu hạn. Hình 4.9

chỉ ra 3 trạng thái liên kết
trong hố. Tất cả các năng lượng đều được phép đối với chuyển động dọc theo z
ở trên đỉnh hố. Bây giờ có thể có 2 điện tử với cùng năng lượng toàn phần bị
liên kết trong hố với lớn
 (A) hoặc tự do dọc theo z (B). Điều đó phụ thuộc
vào năng lượng được chia ktách như thế nào giữa z và mặt phẳng ngang. Điện tử
A bị liên kết khá không chắc chắn vì thậm chí đối với một sự kiện tán xạ đàn
hồi mà nó bảo toàn năng lượng toàn phần của điện tử, người ta có thể lấy nó từ
A đến B và cho phép nó thoát khỏi hố. Nó được gọi là sự chuyển tiếp không
gian thực bởi sự tương tự với sự chuyển không gian trong các 
vật liệu như GaAs mà ở đó các điện tử tán xạ từ thung lũng tớikcác thung

 4.6. Sự lấp đầy của các vùng con
lũng X ở các điện trường lớn. Trong cả 2 trường hợp, sự giảm độ linh động
gắn với sự chuyển tiếp có thể cho trở kháng vi phân âm.
4.7. Các hố thế 2 chiều và 3 chiều
Người ta đã sử dụng nhiều mô hình của các hố thế 2 chiều và 3 chiều. Mô
hình đơn giản nhất là mở rộng hố vuông góc sâu vô hạn bằng cách cùng nhân
với một thế như vậy đối với mỗi một chiều. Trong trường hợp 2 chiều, nó
dẫn tới một thế hình chữ nhật đối với một hộp (với các cạnh có chiều dài a và
b) trong mặt phẳng xy. Hàm sóng là một tích của các sóng sin theo mỗi một
chiều và nó cho năng lượng  2  2  n x2 n y2 
 n x ,n y    2  .( 4 . 60 )

2m  a 2
b 
Một hố vuông góc với a = b có các mức năng lượng suy biến. Sự đối xứng
giữa x và y đòi hỏi  n , n   n , n và có những suy biến “tai nạn” như  8 ,1   4 , 7
x y y x

Một hố hình chữ nhật 3 chiều có thể được nghiên cứu theo cách tương tự.
Mặc dù các kết quả này là đơn giản, các hệ thực thường có đối xứng trụ hoặc
cầu. Ta sẽ xem xét ngắn gọn một số ví dụ.
4.7.1. Hố trụ
 4.7. Các hố thế 2 chiều và 3 chiều

Ta bắt đầu với các điện tử tự do theo 2 chiều với r  x , y . Hàm sóng dễ
hiểu nhất có các sóng phẳng theo cả x và y và nó cho


   
 r   exp i k x x  k y y   exp i k r .

Nó là một sóng phẳng chuyển động theo một hướng được thiết lập bởi k và
với năng lượng  0 ( k )   2 k 2 / 2 m . Trong tọa độ cực r  r ,  , nó có thể
 
được viết thành  r   exp ikr cos  , trong đó  được đo từ hướng của k .
Nó còn là một sóng phẳng.
Để thay thế, ta có thể mong muốn mô tả các sóng đi ra theo mọi hướng từ một
nguồn điểm hình trụ khác với các sóng phẳng. Để làm điều đó, ta cần viết lại
phương trình Schrodinger đối với các điện tử tự do theo 2 chiều khi dùng các
tọa độ cực 2  2 1  1 2 
  2
  2 2
 r ,    E  r ,  .( 4 . 61 )
2 m  r r r r  
Góc  chỉ xuất hiện như một đạo hàm và do đó, một hàm sóng có thể được
tách ra dưới dạng  r ,    u ( r ) exp i   là một nghiệm. Nó giống với một
sóng phẳng theo  và điều đó phản ánh đối xứng quay trong hệ. Mặc dù nó là
một nghiệm đối với mọi hàm sóng cần phải đơn giá. Nó cần quay lại
,
 4.7. Các hố thế 2 chiều và 3 chiều
cùng một giá trị nếu ta bao quanh gốc và thêm 2  vào  . Nó giới hạn số
lượng tử xung lượng góc  là các số nguyên   0 ,  1,  2 ,... . Nó thường
được viết là m theo 2 chiều nhưng khi đó nó có thể bị nhầm lẫn với khối
lượng.
Hàm bán kính u ( r ) thỏa mãn phương trình
 2  d2 1 d   2 2 
  2
   2  u ( r )  Eu r .( 4 . 62 )
 2m  dr r dr  2 mr 
Chuyển động góc để lại số hạng li tâm  2  2 / 2 mr 2 trong thế năng mà nó
đẩy các trạng thái ra xa gốc khi xung lượng góc của chúng tăng. Việc thay E
bằng k  2 mE /  đối với E > 0 cho

r 2 d 2 u / dr 2
 r du / dr   kr 
2
  2 u  0 .( 4 . 63 )
Nó là phương trình Bessel đối với các nghiệm J kr  và Y  ( kr ). Đó là các

hàm Bessel bậc  loại I và loại II. Y  loại II phân kì tại gốc và do đó không
thể dùng được qua toàn bộ không gian. Các hàm Bessel này là những sóng
đứng nhưng có thể được kết hợp lại để cho các sóng chạy. Bản chất giống
sóng của chúng là rõ ràng ở dạng tiệm cận đối với các biến lớn
 4.7. Các hố thế 2 chiều và 3 chiều
J  ( kr ) ~ 2 /  kr cos kr   / 2   / 4 , ( 4 . 64 )
Y  có sin thay cho cosin. Các sóng dao động như mong muốn và sự giảm kiểu
về
r  1biên
/2 độ trở thành vềr cường
1
độ mà nó cân bằng với sự tăng chu vi
khi sóng tản ra trong mặt phẳng. Nếu E < 0, các nghiệm là các hàm Bessel biến
dạng và I (  r ) Chúng

 r . như các hàm mũ thực:
K giống 
tăng trong lúc K giảm từ một sự phân kì ở gốc.

Nghiệm đối với một hố trụ với các thành cao vô hạn được rút ra từ các kết quả
này. Hố này có V(r) = 0 đối với r < a và một rào không thể xuyên qua đối với r
> a. Hàm sóng cần phải triệt tiêu tại r = a mà nó đòi hỏi J  ka   0 .
Hàm Bessel triệt tiêu tại các không được kí hiệu bởi đối
j  , n với n = 1,2,... Như
vậy, các giá trị cho phép của vectơ sóng này là và các hàm sóng và
k  j , n / a
năng lượng là 2 2
  j , n
 n  r   J  a exp i  ,  n   .( 4 . 65 )
2 ma 2
Trạng thái với năng lượng thấp nhất có xung lượng góc bằng không
(   0 ).
Khai triển tiệm cận (4.64) chỉ ra rằng Nó là chính
j  , n ~ n   / 2  1 / 4  .
xác khi n   nhưng không sai lắm thậm chí đối với j 0 ,1  2 , 405  0 , 765 
 4.7. Các hố thế 2 chiều và 3 chiều
khi so sánh với gần đúng tiệm cận 3 / 4 .
Hình 4.10 chỉ ra một thí nghiệm trong đó các nguyên
ử sắt trên bề mặt của vàng được thí nghiệm với đầu của
một kính hiển vi tunnen quét để tạo thành một rào bao
quanh gọi là “bãi quây lượng tử”. Kính hiển vi tunnen
quét khi đó được sử dụng để tạo ảnh của các trạng thái
trong “bãi quây”. Đó là một chứng minh đáng chú ý
của sự bẫy trụ. Các phép đo có thể
được làm khớp khi dùng mô hình
hố lượng tử mà ta vừa xét mặc dù
các nguyên tử sắt xử sự theo một
cách phức tạp hơn so với một thành
cứng đơn giản.
Hình 4.10. (a) Ảnh không gian của các trạng thái riêng của một “bãi quây lượng tử”; (b) Tiết

diện của một bãi quây được làm khớp với một két hợp của các trạng thái đối với một hộp trụ.
 4.7. Các hố thế 2 chiều và 3 chiều
4.7.2. Hố parabol 2 chiều
Có 2 cách tiếp cận để giải bài toán thế parabol V ( r )  Kr 2 / 2 trong trường
hợp 2 chiều. Cách I là thêm thế này vào phương trình Schrodinger bán kính
(4.62) và tìm các năng lượng cho phép và các hàm sóng. Các trạng thái thu
được có các giá trị hữu hạn của xung lương góc  và cần để nghiên cứu từ
trường khi dùng “chuẩn đối xứng”. Các mức năng lượng của dao động tử là
 n   2 n    1   0 ,  0  K / m .n  1, 2 ,... giống như trước. Mức thấp
nhất có năng lượng điểm không  1, 0    0 và có N trạng thái suy biến với
năng lượng N   0 . Thang của các mức năng lượng cách đều nhau được bảo
toàn. Đó là đặc tính quan trọng nhất của dao động tử điều hoà 1 chiều.
Cách II là lưu ý rằng thế có thể tách ra Kr 2 / 2  Kx 2 / 2  Ky 2 / 2 và do đó
phương trình Schrodinger trong các tọa độ Descartes có thể được thu gọn
thành các phương trình tách rời đối với x và y. Mỗi một phương trình trong
số đó là một bài toán 1 chiều mà ta đã giải. Như vậy, năng lượng toàn phần là
 n , n  n x  1 / 2   n y  1 / 2   0 mà nó là một thang sinh ra từ   0 . Một
x y

năng lượng N   0 có thể được chia tách theo N cách khác nhau giữan x và n .
y
 4.7. Các hố thế 2 chiều và 3 chiều
Điều đó xác nhận kết quả đối với sự suy biến. Cách tiếp cận này có thể được
mở rộng cho các thế parabol kém đối xứng hơn ở dạng K x x 2 / 2  K y y 2với
K x  K y và các thế parabol 3 chiều có thể được giải theo cách tương tự.
4.7.3. Thế Coulomb 2 chiều
Thế Coulomb hút V ( r )   e 2 / 4  r  có vô số các trạng thái liên kết với
năng lượng  n   / n  1 / 2 2 . Hàm sóng thấp nhất có sự suy giảm theo
kiểu hàm mũ đơn giản  1 ( r )  exp  2 r / a B . Phương trình Schrodinger bán
kính có thể được giải theo cùng một cách như đối với hố parabol mà ta không
đưa ra các chi tiết ở đây. Các thang năng lượng và chiều dài là năng lượng
Rydberg và bán kính Bohr đượca cho bởi
 B

e2 m 2 1 e2
  2
 2
 , ( 4 . 66 )
4  2  2 ma B 2 4  a B
4   2
aB  .( 4 . 67 )
me 2
Đối với hiđrô, Trong một bán
m  m 0 ,    0 ,   13 , 6 eV , a B  0 , 053 nm .
dẫn, ta thay m bằng trong đó *
là khối lượng hiệu dụng của hạt tải
*
m0m , m
 4.7. Các hố thế 2 chiều và 3 chiều
bao hàm và thay  bằng  0  b , trong đó  b là hằng số điện môi phông của
vật liệu. Các thay thế này làm thay đổi nhiều các thang và cho   5 meV và
a B  10 nm đối với các điện tử trong GaAs. Các số này là quan trọng vì chúng
thiết lập các thang tự nhiên đối với nhiều quá trình trong các bán dẫn. Thực sự
chúng thường được sử dụng như là các thang nâng lượng và chiều dài theo các
đơn vị nguyên tử không thứ nguyên hoặc đơn vị Rydberg để đơn giản các tính
toán.
Trạng thái thấp nhất có năng lượng liên kết là 4 mà nó lớn hơn 4 lần so với
không gian 3 chiều tương ứng. Điều này đặc biệt quan trọng đối với một
exciton, một điện tử và một lỗ trống được liên kết với nhau bởi sự hút
Coulomb của chúng.
4.7.4. Hố cầu
Xuất phát điểm lại là lời giải cho chuyển động 3 chiều tự do trong các tọa độ
cực. Bây giờ có 2 số lượng tử xung lượng góc là mà nó cho xung
  0 ,1, 2 ,...
lượng góc tổng cộng và mà nó cho thành phần của
m  0 ,  1,  2 ,...,  
nó dọc theo một trục riêng được chọn theo qui ước là z. Phần bán kính của
 4.7. Các hố thế 2 chiều và 3 chiều
nghiệm u ( R ) có thể được viết thành w ( R ) / R , trong đó w ( R ) tuân theo
phương trình  2 d 2  2 (   1 ) 
 2
  V ( R )  w ( R )  Ew ( R ).( 4 . 68 )
 2 m dR 2m R2 
Nó rất gần với phương trình Schrodinger 1 chiều thông thường. Nó bao hàm
một thế li tâm như trong trường hợp 2 chiều và một thế năng V(R) đối xứng
cầu được lồng vào.
Năng lượng không phụ thuộc vào số lượng tử m. Nghiệm năng lượng thấp
nhất có đối xứng cầu với   m  0 và trong trường hợp này, ta có bài toán 1
chiều quen thuộc đối với w ( R ). Có một sự khác biệt quan trọng về các điều
kiện biên: hàm sóng u ( R ) cần phải không phân kì tại gốc mà nó đòi hỏi
w ( R  0 )  0 . Đó là cùng một điều kiện mà các trạng thái lẻ trong một hố 1
chiều đối xứng cần phải tuân theo và cấm các nghiệm chẵn. Như vậy, trạng
thái thấp nhất trong một hố cầu sâu vô hạn có bán kính a có  R 
w ( R )  sin  
với năng lượng    2  2 / 2 ma 2 .  a 
100
Một hố hữu hạn có bán kính a và độ sâu có thể được giải bằng sự tương tự
V0
với một hố 1 chiều có chiều rộng đầy đủ 2a. Trạng thái thấp nhất trong hố
 4.7. Các hố thế 2 chiều và 3 chiều
cầu tương ứng với trạng thái thứ hai trong hố 1 chiều được cho bởi đường cong
trên hình 4.2 đối với nằmgiữa và
 / 2 Vùng  . đối với   /2
bị cấm vì nó cho một trạng thái chẵn. Nó có hệ quả quan trọng là một hố cầu
nông không có trạng thái lien kết. Nó tương phản với trường hợp 1 chiều trong
đó ít nhất luôn luôn có một trạng thái liên kết. Hố cầu đòi hỏi 0   / 2
hay a 2V 0   2  2 / 2để
m liên kết một trạng thái. Các đặc tính khác của nghiệm
rút ra từ trường hợp 1 chiều.
4.7.5. Thế Coulomb 3 chiều
Hố thế Coulomb 3 chiều có vô số trạng thái liên kết với
V ( R )   e 2 / 4  R 
năng lượng Trạng thái thấp nhất là một hàm mũ
   / n 2 .
n

 ( R )   a B3  exp  R / a B .( 4 . 69 )
1 / 2

Năng lượng Rydberg và bán kính Bohr được định nghĩa bởi (4.66) và (4.67).
Các kết quả này điều khiển sự liên kết của các điện tử trên các chất cho hiđrô
(thông thường) và các exciton 3 chiều.
4.8. Sự giam cầm khác ngoài 2 chiều
Trong phần 4.5, ta đã nghiên cứu các điện tử bị giam cầm trong một trạng
 4.8. Sự giam cầm khác ngoài 2 chiều
thái liên kết dọc theo z và xử sự dường như chúng là 2 chiều. Có thể giam
cầm chúng nhiều hơn nữa và rút gọn số chiều hiệu dụng của chúng xuống 1

hoặc 0. Nếu ta lấy thế giam cầm là một hàm của r  ( x , y ), các điện tử duy
trì chuyển động tự do dọc theo z và kết quả là một dây lượng tử tương tự như
một ống dẫn sóng điện từ.
Phân tích rút ra từ phân tích đối với 2DEG. Ta bắt đầu với phương trình
Schrodinger 2 chiều đối với thế giam cầm
 2  2 2     
  2
 2
  V ( r )  u m , n ( r )   m , n u m , n ( r ).( 4 . 70 )
 2m   x  y  
Có thể sử dụng một trong các mô hình đơn giản hoá đã xem xét ở phần trước
đối với (4.70) hoặc nó có thể đòi hỏi các phương pháp số nhưng giả thiết
rằng nó đã được giải. Khi đó, hàm sóng và năng lượng toàn phần được cho

 m , n , k R   u m , n r exp ik z z , ( 4 . 71 )

bởi z

 2 k z2
E m ,n ( k z )   m ,n  .( 4 . 72 )
2m
Chúng là các tương tự của (4.52) và (4.53) và giải thích của chúng là tương
 4.8. Sự giam cầm khác ngoài 2 chiều
tự. Mỗi một giá trị của  m , n trở thành đáy của một vùng con 1 chiều mà mật
độ trạng thái của nó thay đổi theo kiểu E  1 / 2 . Mật độ trạng thái toàn phần
(ứng với một đơn vị chiều dài) là 2m
n(E )    E   m , n .( 4 . 73 )
m ,n E   m ,n
Nó được phác họa trên hình 4.11 với parabol đối với các điện tử 3 chiều để
so sánh. Mật độ bị méo ra khỏi trường hợp tự do thậm chí nhiều hơn trong
trường hợp 2 chiều. Các đáy của các vùng con trở nên có các đặc tính mạnh
hơn: các phân kì khác với các bậc mà nó quan trọng trong các hiệu ứng
quang phản ánh mật độ trạng thái.

Hình 4.11. Mật độ trạng thái của một hệ

giả 1 chiều. Đường cong được tính đối với
các điện tử trong một hố 9 x 11 nm sâu vô
hạn trong GaAs. Parabol mảnh là mật độ
trạng thái đối với các điện tử 3 chiều không
bị giam cầm.
 4.8. Sự giam cầm khác ngoài 2 chiều
Có thể tiến tới một giai đoạn xa hơn khi giam cầm các điện tử hoặc lỗ trống
theo tất cả 3 chiều. Điển hình là chúng bị giam cầm theo 1 chiều bằng cách
nuôi một hố lượng tử hoặc một dị chuyển tiếp pha tạp và sau đó giới hạn tới
một vùng nhỏ bằng cách khắc axit hoặc một thế tĩnh điện. Kết quả là một chấm
lượng tử. Về cơ bản, nó là một nguyên tử nhân tạo. Mật độ trạng thái chỉ là
một hệ của các hàm vì không  có chuyển động tự do theo bất kì chiều nào.
4.9. Các hố lượng tử trong các dị cấu trúc
Mặc dù tất cả các thế được mô tả ở các phần trước cần các dị cấu trúc để sinh
ra chúng, ta nghiên cứu chúng như các hố thế đơn giản và bỏ qua tất cả các khó
khăn đã mô tả trong phần 3.11. Ta sẽ tiếp tục giả thiết rằng đáy CB là ở cùng
một điểm trong không gian k trong tất cả các vật liệu bao hàm và không
tính đến những phức tạp lớn hơn nhiều  gắn với các VB. Vấn đề giữ lại là các
khối lượng hiệu dụng khác nhau trong các vật liệu. Nó có 2 ảnh hưởng: giải
pháp thế giam cầm cần phải tính đến các khối lượng hiệu dụng khác nhau khi
làm khớp các hàm sóng trong các vật liệu khác nhau và sự rút gọn của bài toán
3 chiều ban đầu thành bài toán 1 chiều hoặc 2 chiều trở nên
 4.9. Các hố lượng tử trong các dị cấu trúc
kém khéo léo hơn một chút.
Để đơn giản, ta xét các điện tử bị liên kết trong một hố lượng tử của GaAs bị
kẹp ở giữa hai lớp AlGaAs. Trước tiên ta sẽ nghiên cứu ảnh hưởng của các
khối lượng khác nhau lên bài toán 1 chiều là một hố hữu hạn với bề rộng a và
độ sâu V 0 mà ta đã giải đối với một cấu trúc đồng nhất ở phần 4.2. Các số
sóng bên trong và bên ngoài được cho bởi các biểu thức biến dạng
2 m 0 m W E  E CW  2 m 0 m B E CB  E 
k  ,  .( 4 . 74 )
 
Ở đây, m W là khối lượng hiệu dụng trong hố với E CW là đáy CB; m B và E CB
là các đại lượng tương ứng trong rào. Độ sâu hố là V 0  E CB  E CW   E C .
Điều kiện làm khớp lên hàm sóng tại một giao diện cần phải thay đổi như
trong phần 3.11. Sự làm khớp đạo hàm trong (4.8) được thay bởi điều kiện
1 d 1 d
za / 2  za / 2 .( 4 . 75 )
m W dz m B dz

Ck   sin   ka  D  a 
      exp   ( 4 . 76 )
Như vậy, các đạo hàm tuân theo m W  cos  2  mB  2 
 4.9. Các hố lượng tử trong các dị cấu trúc
và việc chia cho điều kiện làm khớp không thay đổi đối với  a / 2  cho
 tan   ka  m W  mW  2 m 0 mW V0 
     2 2
 1  .( 4 . 77 )
  cot  2  mBk mB   k 

Bảng 4.1. Sự phụ thuộc vào khối lượng hiệu dụng trong các rào m B của các năng lượng của
các trạng thái bị liên kết trong một hố rộng 5 nm và sâu 1 eV với khối lượng hiệu dụng
m W  0 , 067 bên trong hố.

mB  1 ( eV )  2 ( eV )  3 ( eV )
0,067 0,131 0,504 0,981
0,15 0,108 0,446 0,969

m 0 mW V0 a 2
Ta lại định nghĩa   ka / 2 và  0
2
 2
( 4 . 78 )
2
mà nó chỉ phụ thuộc vào khối lượng trong hố. Khi đó, điều kiện làm khớp là
 tan  mW   02 
    2  1  .( 4 . 79 )
  cot  mB  
 4.9. Các hố lượng tử trong các dị cấu trúc
Nó có thể được giải chính xác theo cùng một cách như đối với trường hợp của
các khối lượng bằng nhau. Lời giải đồ thị trên hình 4.2 được tiến hành như
trước ngoại trừ điều là đường cong căn bậc 2 được đặt thang bởi hệ số
m W / m B . Ví dụ giả sử rằng m B có thể thay đổi và giữ m W và V 0 không
đổi. Sự tăng m B làm giảm vế phải của (4.79) và do đó, các năng lượng của
các trạng thái liên kết đều giảm. Nó không gây ra sự ngạc nhiên vì nói chung ta
mong muốn một khối lượng cao hơn để dẫn tới các năng lượng thấp hơn. Tuy
nhiên, số trạng thái liên kết giữ không đổi do nó phụ thuộc vào chỉ chứa
0
các tính chất của hố.
Để làm ví dụ, xét một hố GaAs rộng 5 nm bị kẹp giữa AlAs mà nó làm nghi
ngờ giả thuyết cho rằng ta chỉ cần xét thung lũng và các vùng có dạng

parabol. Các khối lượng là m  0 , 067 , m  0 ,15 với V  1eV Nó . là một ví
W B 0
dụ khá cực đoan hơn so với cấu trúc thông thường hơn
GaAs  Al x Ga 1  x As
với x  0và
, 3 được chọn để khuếch đại ảnh hưởng của các khối lượng khác
nhau. Hố này có  0 và do đó có 3 trạng thái liên kết với các năng lượng
3 ,3
được đưa ra trong Bảng 4.1. Tất cả các năng lượng làm giảm năng lượng ở
giữa trên 50 meV khi tăng (như
m mong muốn). Trạng thái đỉnh bị
B
 4.9. Các hố lượng tử trong các dị cấu trúc
liên kết yếu đến mức đạo hàm của nó tại biên gần như bằng 0 và sự thay đổi
khối lượng ít ảnh hưởng đến nó. Các hàm sóng đối vớim B  0 ,15 được vẽ
đồ thị trên hình 4.12. Nút trong các hàm sóng được đưa vào bởi điều kiện
làm khớp (4.75) là rõ ràng. Mặc dù hàm sóng đầy đủ cần phải trơn, các tính
toán hoàn chỉnh xác nhận rằng hàm bao chỉ ra dáng điệu này (hình 3.22).
Vấn đề thứ hai là sự rút gọn phương trình Schrodinger 3 chiều ban đầu thành
một phương trình 1 chiều. Các phương trình Schrodinger trong 2 vật liệu là
E CW   2 / 2 m 0 m w  2  r   E  r  (hố), (4.80)
E CB   2 / 2 m 0 m B  2  r   E  r  (
(rào) (4.81)

Hình 4.12. Hố vuông góc hữu hạn với độ

sâu bề rộng a = 5 nm dọc
V 0  1eV ,
theo z và các khối lượng hiệu dụng m 
W
= 0,067 trong hố và trong
m B  0 ,15
rào.
 4.9. Các hố lượng tử trong các dị cấu trúc
Thế hiệu dụng từ  E C chỉ thay đổi dọc theo z giống như trong phần 4.5 và
 k , n ( r , z )  exp i k r u n ( z ).( 4 . 82 )
 
do đó ta có thể viết hàm sóng thành
Thay hàm sóng này vào 2 phương trình Schrodinger 3 chiều dẫn tới một cặp
phương trình 1 chiều
E W
C 
  2 / 2 m 0 mW d 2
/ dz 2
  k 2 2

/ 2 m 0 m W u n ( z )  Eu n ( z ), ( 4 . 83 )
E B
C   2
/ 2m0m B d 2
/ dz 2
  k
2 2

/ 2 m 0 m B u n ( z )  Eu n ( z ).( 4 . 84 )
Sự khác biệt năng lượng giữa 2 vùng mà nó tạo thành hố bây giờ phụ thuộc
vào k  k và được cho bởi
 B  2k 2   W  2k 2   2k 2  1 1 
V 0 ( k )   E C     E C     E C     .( 4 . 85 )
 2m0m B   2 m 0 mW  2m0  mB mW 
Hiệu chỉnh là âm đối với GaAs-AlGaAs do m B  m W và do đó, hố thế trở nên
nông hơn khi động năng ngang tăng. Như vậy, năng lượng toàn phần của một
điện tử trong một trạng thái liên kết được cho bởi


E n k   2 k 2 / 2 m 0 m W   n ( k ), ( 4 . 86 )
trong đó năng lượng  n của trạng thái liên kết cũng phụ thuộc vào k thông
qua sự thay đổi độ sâu của hố.
 4.9. Các hố lượng tử trong các dị cấu trúc

Bảng 4.2. Sự phụ thuộc của vectơ sóng ngang kcủa
 các năng lượng của các trạng thái
liên kết trong một hố rộng 5 nm và sâu 1 eV với khối lượng hiệu dụng m W  0 , 067trong
hố và m B  0 ,15 ở ngoài hố.
 2k 2  2k 2
k 2 m 0mW 2m0m B V0 (k ) 1 2 3 m hd
(nm) ( eV ) ( eV ) ( eV ) ( eV ) ( eV ) ( eV )
0,0 0,000 0,000 1,000 0,108 0,446 0,969 0,057
0,5 0,142 0,064 0,921 0,106 0,435 0,919 0,069
1,0 0,570 0,254 0,685 0,096 0,397 - 0,076
Ta lấy lại hố GaAs rộng 5 nm bị kẹp giữa AlAs làm ví dụ với các số sóng k =
0, 0,5 và 1,0 nm  1 .Các động năng, độ sâu hiệu dụng và năng lượng của các trạng
thái liên kết được đưa ra trong Bảng 4.2. Độ sâu của hố được rút gọn nhiều tại số
sóng cao nhất sao cho trạng thái thứ ba không còn bị liên kết nữa. Năng lượng của
trạng thái thứ hai giảm đi 49 mV so với động năng của nó là 570 meV. Ta có thể tính
đến điều đó một cách gần đúng bởi việc đưa vào một khối lượng hiệu dụng khác ví
dụ như là năng lượng ở trên nó tại k 2=k 02 tính
/ 2 mđến cả sự tăng động
0 m hd
năng ngang và sự giảm năng
lượng trạng thái liên kết dọc theo z. Như vậy,
 4.9. Các hố lượng tử trong các dị cấu trúc


E n k   n ( k  0 )   2 k 2 / 2 m 0 m hd .( 4 . 87 )
Các khối lượng hiệu dụng mới này phụ thuộc vào chỉ số n của trạng thái liên
kết và được lập bảng. Một cách vật lí hơn để giải thích nguồn gốc của chúng
là lưu ý rằng điện tử sử dụng phần thời gian của nó ở trong rào chứ không
phải ở ngay hố và do đó có xu hướng đạt được một số đặc trưng của rào. Có
thể chứng minh rằng m hd  m W PW  m B PB , trong đó PW là xác suất tìm thấy
điện tử trong hố và PB là xác suất tìm thấy điện tử trong rào.
Có thể tiến hành nghiên cứu sâu hơn khi cấu trúc vùng trong 2 vật liệu trên
bên này hoặc bên kia của một dị chuyển tiếp là khác nhau một cách định
tính. Một ví dụ là GaAs-AlAs trong đó CB thấp nhất là ở tại trên một bên
của chuyển tiếp và tại X ở bên kia. Khi đó xuất hiện sự xuyên hầm. Các CB
và VB xen phủ trong một chuyển tiếp loại III giống như giữa InAs và GaSb.
Điều này kết thúc thảo luận về liên kết điện tử trong các hố lượng tử. Trong
chương 5, ta sẽ xem xét tình huống ngược lại của các rào thay cho các hố và
sự vận chuyển do sự xuyên hầm của các điện tử.
 Bài tập chương 4
4.1. Tính số trạng thái liên kết và mức năng lượng thấp nhất đối với các điện tử
và các lỗ trống nặng và nhẹ trong một hó GaAs rộng 6 nm bị kẹp giữ các lớp
Al 0 , 35 Ga 0 . 65 As . Đánh giá phép gần đúng là một hố sâu vô hạn trong bài toán
này. Tính lại năng lượng của chuyển tiếp quang trong hố 6 nm trong mẫu mà
sự quang phát quang của nó được chỉ ra trên hình 1.4. Độ sâu hữu hạn tạo ra sự
khác nhau như thế nào? Nó có làm tăng sự phù hợp với thực nghiệm hay
không hoặc có bất kì các dun hiệu sai số nào không (trong mô hình hoặc sự
nuôi)? Một sự dịch như thế nào xảy ra nếu bề dày hố thâng giảng một đơn lớp?
4.2. Tính xác suất tìm thấy một điện tử ở trạng thái liên kết thấp nhất bên trong
một hố rộng 4 nm khi dùng phương trình (4.21). Nó đòi hỏi tỉ số của các hệ số
D/ C mà tỉ số này có thể tính từ (4.7) hoặc (4.8) sau khi tìm được (và sau đó
là k và Giải thích một cách định tính về sự phụ thuộc của phần này vào
 bề
rộng hố.  ).
4.3. Vẽ đồ thị năng lượng của các trạng thái liên kết trong một hố GaAs sâu 0,3
eV như một hàm của bề rộng hố từ 0 đến 20 nm.
4.4. Làm thế nào để tìm các trạng thái liên kết trong một hố không đối xứng
 Bài tập chương 4
như hố trên hình 4.13? Không cần đưa ra lời giải chi tiết. Cần phải loại bỏ tất
cả những sự đơn giản hoá do đối xứng. Hầu hết các hố nuôi trong thực tế là
đối xứng.Giả sử rằng V L trở nên vô cùng lớn để tạo ra một tường cứng.
Chứng minh rằng bài toán bây giờ lại trở nên đơn giản khi sử dụng các kết
quả của phần 4.2.
Hình 4.13. Một hố thế không đối xứng với các rào có
chiều cao V L ở bên trái và V R ở bên phải.

4.5. Giải bài toán đối với hố thế có dạng hàm  với V ( z )   S  ( z ) một cách
trực tiếp. Hàm sóng là một hàm mũ giảm ở khắp nơi  ( z )  exp   z 
giống như hàm sóng ở bên ngoài một hố hữu hạn. Sự gián đoạn của nó theo
độ nghiêng tại z = 0 cần được làm cân bằng bởi hàm trong thế. Lấy tích
phân phương trình Schrodinger theo z từ ngay dưới 0 tới ngay trên 0 để
chứng minh rằng d

d
 
2 mS
 ( 0 )( E 4 . 1)
z0 z0
dz dz 2
(vế phải triệt tiêu do nó không chứa các kì dị). Chứng minh rằng nó cho
  mS /  2 , B   2 k 2 / 2 m phù hợp với (4.22).
 Bài tập chương 4
4.6. Một từ trường B sinh ra một thế parabol với một “hằng số đàn hồi”
K  e 2 B 2 / m  m  C2 , trong đó e là điện tích của hạt, m là khối lượng của nó
và  C  eB / m là tần số xiclotron. Tính năng lượng xiclotron và thang chiều
dài z 0 (còn được gọi là độ dài từ  B ) đối với một điện tử trong GaAs trong
một trường 1 T.
4.7. Tính các năng lượng của các trạng thái liên kết trong một thế có dạng
parabol đối với x > 0 với một tường cứng tại x = 0.
4.8. Dùng hệ thức bất định Heisenberg (1.63) để ước tính năng lượng điểm
không trong một hố parabol. Nếu sự mở rộng hàm sóng là  x , thế năng có
thể viết thành (1 / 2 ) K  x 2 và động năng là  p 2 / 2 m . Viết năng lượng
toàn phần  theo  x , tìm giá trị của  x mà nó làm cực tiểu  và thu
được kết quả chính xác   (1 / 2 )   .
4.9. Một giá trị thô của điện trường giam cầm các điện tử gần một dị chuyển
tiếp pha tạp là 5 MVm  1 . Xác định một vài mức năng lượng đầu tiên trong
một thế tam giác với độ nghiêng này. Các kết quả có ích hay không đối với
hệ GaAs-AlGaAs trong đó rào tại z = 0 chỉ cao khoảng 0,3 eV?
 Bài tập chương 4
4.10. Một chấm lượng tử bị giam cầm theo 2 chiều bởi một thế parabol mà nó
tăng lên 50 meV qua một bán kính là 100 nm. Sự giam cầm là mạnh hơn
nhiều theo chiều thứ ba và có thể giả thiết rằng tất cả các điện tử giữ ở trạng
thái thấp nhất đối với chiều này. Có bao nhiêu trạng thái bị lấp đầy nếu mức
Fermi nằm cao hơn cực tiểu 12 meV? Các kết quả sẽ như thế nào nếu chấm
được mô hình hoá với một tường cứng tại bán kính là 50 nm.
4.11. Tính mật độ trạng thái đối với các điện tử bị bẫy trong hố 11 x 9 nm 2
chiều sâu vô cùng. Các năng lượng của các vùng con được cho trong (4.60).
So sánh nó với kết quả 3 chiều (được chuyển đổi tới mật độ ứng với một đơn
vị chiều dài).
4.12. Sự thay đổi độ sâu của một hố thế trong một dị cấu trúc như một hàm của

vectơ sóng ngang k ảnh hưởng như thế nào đến sự bẫy của các điện tử trong
các vùng con khác nhau như chỉ ra trên hình 4.9 đối với một cấu trúc đồng
nhất? Dùng cấu trúc GaAs – AlAs để minh họa.