Professional Documents
Culture Documents
ПОЛУСПРОВОДНИЦ
Електрична спроводливост
Различни материјалите различно го спроведуваат електрицитетот.
Најдобри спроводници на електрицитет се:
- металите, јагленот, графитот, водените раствори на соли, бази и киселини...
Слаби спроводници или изолатори се:
- стаклото, поливинилот, парафинот, смолата, чистата вода, сувото дрво, хартијата, гумата, ваздухот...
Разликата во спроводливоста помеѓу материјалите е условена од нивната различна градба и структура.
Матреијалите во однос на нивната спроводливост се поделени на:
спроводници – имаат голем број на слободни полнежи
полуспроводници -нагло ја зголемуваат својата спроводливост под дејство на надворешни фактори
(температура, притисок, електрично поле...)
изолатори – електроните се цврсто врзани за атомското јадро – концентрацијата на слободни
електрони е занемарливо мала
Материјалите кои добро го спроводуваат електрицитетот се нарекуваат спроводници, а оние кои не го
спроведуваат електрицитетот или лошо го спроведуваат се нарекуваат изолатори. Не постои остра граница
помеѓу проводниците и изолаторите. Некои супстанции под едни услови се спроводници, а под други услови
се изолатори.
Во електротехниката се користи и таканареченото име полуспроводници, тоа се материјали кои
електроспроводливоста можат нагло да ја променат во зависност од надворешните услови.
Носители на електрицитет во материјалите се:
електроните, протоните, позитивните и негативни јони
ЈОНИ – атоми кои имаат вишок на електрони или атоми кои имаат кусок на електрони
Во металите електричната струја ја чинат електроните, во течностите електричната струја ја чинат
позитивните и негативни јони, додека во гасовите покрај јоните се јавуваат и слободни електрони како
носители на електрицитет.
Сите електрони во атомот се врзани со ковалентни врски, па затоа кај нив нема слободни електрони.
За да некој електрон стане слободен неговата валентна врска треба да се раскине. Најмалата енергија која е
потреба за да предизвика кинење на валентната врска е еднаква на ширината на енергетскиот процеп
(забранетата зона). Таа изнесува 0,7eV за германиумот и 1,1eV за силициумот. Местото кое електронот ќе го
напушти откако ќе се раскине ковалентната врска ќе стане позитивно наелектризирано и се нарекува
празнина. Оваа место може да буде пополнето со друг валентен електрон од соседниот атом, така да се
добива изглед како да празнините се движат во спротивна насока. Без надворешно влијание движењето на
празнините е целосно неуредено (хаотчно). Меѓутоа, под дејство на електрично пола движењето на
празнините станува насочено. Што значи дека празнините стануваат слободни носители на количеството
електричество и учествуваат во спроведувањето на електричната струја. Концентрацијата на празнини во
чистиот полупроводник е секогаш еднаков на концентрацијата на слободните електрони. Запомни:
електроните се наоѓаат во проводната зона, а шуплине во валентната зона.
На ниски температури електроните во валентното ниво немаат доволно енергија да го савладат
енергетскиот процеп, при што тие остануваат врзани за атомот. Во овој случај велиме дека чистиот
полупроводник се однесува како изолатор. Меѓутоа веќе на собна температура еден дел од електроните на
валентното ниво ќе имаат доволно енергија да го савладаат енергетскиот процеп и да поминат на проводното
ниво. Кага електронот ќе го напушти атом на негово место останува празно место-празнина а целиот атом
претставува позитивен јон.
Електроните се како што е познато, негативно наелектризирани па нив ги нарекуваме негативни
носители на количеството електричество, додека шуплините се места на кои всушност се наоѓа позитивен јон,
па затоа нив ги нарекуваме позитивни носители на количеството електричество.
Електричната спроводливост на чистите полупроводници се нарекува сопствена спроводливост на
полуспроводникот. Сопствената спроводливост на полупроводникот се остварува со слободни електрони и
шуплини.
3
e-
донорски ниво
E
Валентното ниво на атомот на петовалентните примеси се нарекува донорско ниво, бидејќи дава електрони
на проводната зона на полуспроводникот.
Некои од атомите на полуспроводникот (силициум) во кристалната решетки може да биде заменен со
тривалентен атом - бор (В), инидиум (In), алуминиум (Al). Атомот на примесата нема да има доволно
електрони за да се воспостават сите ковалентни врски со соседните атоми. Една валентна врска за секој атом
ќе недостасува.
И во овој случај ќе биде потребна многу мала енергија за да валентен електрон од соседните атоми да го
даде на примесата. Тоа значи дека во валентната зона на полуспроводникот настанува празнина. Бидејќи
електронот само поминал од еден атом на друг, појавата на празнина не е попратена со појава на слободни
електрони. Бројот на празнини станува поголем од бројот на слободни електрони.
Празнините стануваат главни носители на електричната струја, а слободните електрони се споредни носители
на електрична струја. Примесите кои со внесување во полуспроводникот ги зголемуваат бројот на празнини
се нарекуваат акцептори. Полупроводниците добиени на овој начин се нарекуваат полуспроводници од p-
типа.
5
Бидејќи е потребна многу мала енергија за да валентниот електрон на атомот на полуспроводникот помине
во атомот на примесата, тоа значи дека енергетското ниво (акцепторски ниво) на примесата е многу близу до
валентната зона.
Валентното ниво на тривалентните атоми на примеаите се нарекува акцепторско ниво бидејќи ги прифаќа
електроните од валентната зона на полуспроводникот
https://www.youtube.com/watch?v=s6rQI7t9XM4&feature=emb_logo
https://www.youtube.com/watch?v=kD1O9B5CUUw&feature=emb_logo
https://www.youtube.com/watch?v=zdmEaXnB-5Q
ДОМАШНА РАБОТА
Од содржината полуспроводници составете 10 прашања и истите одговорете ги!