Đại Học Quốc Gia Tp.

HCM ĐÁP ÁN ĐỀ THI HỌC KỲ I, 2017-2018

Trường Đại Học Bách Khoa MÔN: MẠCH ĐIỆN TỬ - EE2007
Khoa Điện - Điện Tử Ngày: 22/12/2017
Bộ Môn Viễn Thông Thời gian: 90 Phút (12g30 - 14g00)
ooOoo Sinh Viên Không Được Phép Sử Dụng Tài Liệu

Câu 1: (2 /
đ) Cho mạch khuếch đại liên tầng như Hình 1. Các BJT có các thông số như sau: 𝑄 :
𝛽 = ℎ𝑓 𝑒 = 80, 𝑟𝜋 = ℎ𝑖𝑒 = 2.5 kΩ, 𝑄
: 𝛽
= ℎ𝑓 𝑒
= 60, 𝑟𝜋
= ℎ𝑖𝑒
= 2 kΩ. Các tụ điện có giá trị rất lớn.

𝑉𝐶𝐶

𝑅 68 kΩ 𝑅 4.7 kΩ

𝑅𝑖𝑛 𝑅𝑜𝑢𝑡
𝑄

𝑅𝑠𝑖𝑔
𝐶
𝑄
0.5 kΩ 𝑣𝑜
𝐶

𝑣𝑠𝑖𝑔 𝑅
15 kΩ 𝐶
𝑅 6.8 kΩ 𝑅 10 kΩ
𝑅 1.2 kΩ 𝑅 0.2 kΩ

Hình 1: Câu 1.

1.1. Vẽ sơ đồ tương đương tín hiệu nhỏ của mạch trên.

𝑅𝑖𝑛
𝑅𝑠𝑖𝑔 𝑣𝑖 𝑐1 𝑣𝑐 𝑐2
𝑏1 𝑏2
0.5 kΩ 𝑖𝑖 𝑖𝑏 𝑖𝑐 𝑖𝑏
𝑖𝑐

𝑟𝜋 𝛽 𝑖𝑏 𝑟𝜋
𝛽
𝑖𝑏

𝑒1 𝑒2
𝑣𝑠𝑖𝑔 𝑅 ||𝑅
𝑅 4.7 kΩ 𝑣𝑜
𝑖𝑒 𝑖𝑒

𝑅 ||𝑅 𝑅 ||𝑅
𝑅𝑜𝑢𝑡

Hình 2: Câu 1

1.2. Tìm 𝑅𝑖𝑛 , 𝑅𝑜𝑢𝑡 , và tính độ khuếch đại 𝐺𝑣 = 𝑣𝑜 /𝑣𝑠𝑖𝑔 ?

∙ Tổng trở ngõ vào:
𝑣𝑖
𝑅𝑖𝑏 := = 𝑟𝜋 + (𝛽 + 1)𝑅 ||𝑅 ≃ 16.4 (𝑘Ω)
𝑖𝑏
𝑣𝑖
𝑅𝑖𝑛 := = 𝑅 ||𝑅
||𝑅𝑖𝑏 ≃ 7 (𝑘Ω)
𝑖𝑖

1/7
 ∙ Tổng trở ngõ ra:
⃒
𝑣𝑜 ⃒⃒ 𝑟𝜋
+ 𝑅
𝑅𝑜𝑢𝑡 := = 𝑅 ||𝑅 ||( ) ≃ 0.1 (𝑘Ω)
𝑖𝑜 ⃒𝑣𝑠𝑖𝑔  𝛽
+ 1

∙ Độ lợi khuếch đại áp 𝐺𝑣 = 𝑣𝑜 /𝑣𝑠𝑖𝑔 :

𝑣𝑜 𝑣𝑜 𝑣𝑐 𝑖𝑏 𝑣𝑖
𝐺𝑣 := = × × ×
𝑣𝑠𝑖𝑔 𝑣𝑐 𝑖𝑏 𝑣𝑖 𝑣𝑠𝑖𝑔
𝑅 ||𝑅 𝛽 × −(𝑅 ||(𝑟𝜋
+ (𝛽
+ 1) × 𝑅 ||𝑅 )) 𝑅𝑖𝑛
= × × ≃ − 21 (V/V)
𝑅 ||𝑅 + 𝑟𝑒
𝑟𝜋 + (𝛽 + 1)𝑅 ||𝑅 𝑅𝑖𝑛 + 𝑅𝑠𝑖𝑔

Câu 2: (2 /
đ) Cho mạch khuếch đại như ở Hình 3. Transitor có các thông số như sau 𝑔𝑚 = 2 mA/V, điện
trở 𝑟𝑜 = 𝑟𝑑𝑠 = 20𝑘Ω.
𝑉𝐷𝐷

𝑅𝑜𝑢𝑡
𝑅 10 MΩ 𝑅𝐷 2 kΩ
𝑅𝑖𝑛
𝑣𝑜 (𝑡)
𝑅𝑠𝑖𝑔 𝐶

𝑄
1 kΩ 𝐶

𝑅𝐿 10 kΩ
𝑣𝑠𝑖𝑔 (𝑡) 𝑅
10 MΩ
𝑅𝑆 1 kΩ
𝐶

Hình 3: Câu 2.

2.1. Tìm 𝑅𝑖𝑛 , 𝑅𝑜𝑢𝑡 và tính độ khuếch đại dãy giữa 𝐺𝑣 = 𝑣𝑜 /𝑣𝑠𝑖𝑔 ?
∙ Sơ đồ tương đương tín hiệu bé ở dãy giữa của mạch khuếch đại:

𝑅𝑖𝑛 𝑅𝑜𝑢𝑡
𝑅𝑠𝑖𝑔 𝑖𝑖 𝑣𝑖 𝑖𝑔 𝑔 𝑖𝑜
𝑑
𝑣𝑜

𝑔𝑚 𝑣𝑔𝑠

𝑠
𝑣𝑠𝑖𝑔 𝑅 ||𝑅
𝑅𝐷 ||𝑟𝑜 𝑅𝐿
𝑖𝑠

Hình 4: Câu 2

2/7
 ∙ Tổng trở ngõ vào:
𝑣𝑖
𝑅𝑖𝑛 := = 𝑅 ||𝑅
= 5 (𝑀 Ω)
𝑖𝑖

∙ Tổng trở ngõ ra:

⃒
𝑣𝑜 ⃒⃒
𝑅𝑜𝑢𝑡 := = 𝑅𝐷 ||𝑟𝑜 = 1.8 (𝑘Ω)
𝑖𝑜 ⃒𝑣𝑠𝑖𝑔 

∙ Độ lợi khuếch đại áp dãy giữa 𝐺𝑣 = 𝑣𝑜 /𝑣𝑠𝑖𝑔 :

𝑣𝑜 𝑣𝑜 𝑣𝑔𝑠
𝐺𝑣 := = ×
𝑣𝑠𝑖𝑔 𝑣𝑔𝑠 𝑣𝑠𝑖𝑔
𝑅 ||𝑅

= −𝑔𝑚 × 𝑅𝐷 ||𝑟𝑜 ||𝑅𝐿 × ≃ − 3 (V/V)

𝑅 ||𝑅
+ 𝑅𝑠𝑖𝑔

2.2. Ở tần số cao có các tụ ký sinh 𝐶𝑔𝑠 = 10𝑝𝐹 và 𝐶𝑔𝑑 = 2𝑝𝐹 . Vẽ sơ đồ tương đương tín hiệu nhỏ của
mạch ở tần số cao? Tính tần số cắt cao của mạch 𝑓𝐻 ?
∙ Sơ đồ tương đương tín hiệu bé ở tần số cao của mạch khuếch đại:

𝑅𝑖𝑛 𝑅𝑜𝑢𝑡
𝑅𝑠𝑖𝑔 𝐶𝑔𝑑
𝑖𝑖 𝑣𝑖 𝑖𝑔 𝑔 𝑑 𝑖𝑜
𝑣𝑜

𝐶𝑔𝑠 𝑔𝑚 𝑣𝑔𝑠

𝑠
𝑣𝑠𝑖𝑔 𝑅 ||𝑅
𝑅𝐷 ||𝑟𝑜 𝑅𝐿
𝑖𝑠

Hình 5: Câu 2

∙ Tần số cắt cao gây ra bởi tụ điện 𝐶𝑖𝑛 :

𝐶𝑖𝑛 := 𝐶𝑔𝑠 + 𝐶𝑔𝑑 × (1 + 𝑔𝑚 𝑅𝐷 ||𝑟𝑜 ||𝑅𝐿 ) ≃ 18 (𝑝𝐹 )

1
𝑓𝐶𝑖𝑛 := ≃ 8.84 (𝑀 𝐻𝑧)
2𝜋 × 𝑅 ||𝑅
||𝑅𝑠𝑖𝑔 × 𝐶𝑖𝑛

∙ Tần số cắt cao gây ra bởi tụ điện 𝐶𝑜𝑢𝑡 :

1
𝐶𝑜𝑢𝑡 := 𝐶𝑔𝑑 × (1 + ) ≃ 2.67 (𝑝𝐹 )
𝑔𝑚 𝑅𝐷 ||𝑟𝑜 ||𝑅𝐿
1
𝑓𝐶𝑜𝑢𝑡 := ≃ 38.96 (𝑀 𝐻𝑧)
2𝜋 × 𝑅𝐷 ||𝑟𝑜 ||𝑅𝐿 × 𝐶𝑜𝑢𝑡

∙ Tần số cắt cao của mạch:

1
𝑓𝐻 := √︂ ≃ 8.62(𝑀 𝐻𝑧)
1 1

𝑓𝐶𝑖𝑛 𝑓𝐶𝑜𝑢𝑡

3/7
2.3. Các tụ điện 𝐶 = 𝐶
= 100𝑢𝐹 , 𝐶 có giá trị vô cùng lớn. Tìm tần số cắt thấp của mạch 𝑓𝐿 ?
∙ Sơ đồ tương đương tín hiệu bé ở tần số thấp của mạch khuếch đại khi 𝐶 có giá trị vô cùng lớn:

𝑅𝑠𝑖𝑔 𝑖𝑔 𝑔 𝑑
𝑣𝑜
𝐶 𝐶

𝑔𝑚 𝑣𝑔𝑠

𝑠
𝑣𝑠𝑖𝑔 𝑅 ||𝑅
𝑅𝐷 ||𝑟𝑜 𝑅𝐿
𝑖𝑠

Hình 6: Câu 2

∙ Tần số cắt thấp gây ra bởi tụ điện 𝐶 :

1
𝑓𝐶 := ≃ 0.31 × 10− (𝐻𝑧)
2𝜋(𝑅 ||𝑅
+ 𝑅𝑠𝑖𝑔 )𝐶

∙ Tần số cắt thấp gây ra bởi tụ điện 𝐶

:
1
𝑓𝐶
:= ≃ 0.13 (𝐻𝑧)
2𝜋(𝑅𝐷 ||𝑟𝑜 + 𝑅𝐿 )𝐶

∙ Tần số cắt thấp của mạch:

𝑓𝐿 := 𝑓𝐶 + 𝑓𝐶
≃ 0.13 (𝐻𝑧)

2.4. Các tụ điện 𝐶 = 𝐶

= 𝐶 = 100𝑢𝐹 . Tìm tần số cắt thấp của mạch 𝑓𝐿 ?
∙ Sơ đồ tương đương tín hiệu bé ở tần số thấp của mạch khuếch đại:

𝑅𝑠𝑖𝑔 𝑖𝑔 𝑔 𝑑
𝑣𝑜
𝐶 𝐶

𝑔𝑚 𝑣𝑔𝑠 𝑟𝑜

𝑠
𝑣𝑠𝑖𝑔 𝑅 ||𝑅
𝑅𝐷 𝑅𝐿
𝑅𝑆
𝐶

Hình 7: Câu 2

∙ Tần số cắt thấp gây ra bởi tụ điện 𝐶 :

𝑔𝑚 + 1/𝑅𝑆
𝑓 𝐶 ≃ ≃ 5 (𝐻𝑧)
2𝜋𝐶𝑆

∙ Tần số cắt thấp của mạch:

𝑓𝐿 ≃ 𝑓𝐶 ≃ 5 (𝐻𝑧)

4/7
Câu 3: (2 /
đ) Cho mạch khuếch đại dùng OpAmp lý tưởng như Hình 8.

𝑣𝑖 𝑣𝑂

𝑅
𝑅 𝑅
𝑅

𝑣𝑂
𝑅
𝑅
𝑅

𝑣𝑖
𝑣𝑂

Hình 8: Câu 3.

3.1. Tìm biểu thức điện áp ngõ ra 𝑣𝑜 theo các điện áp ngõ vào 𝑣𝑖 và 𝑣𝑖
?
∙ Điện áp ngõ ra 𝑣𝑜 :
𝑅 𝑅 𝑅

𝑣𝑜 := (𝑣𝑜
− 𝑣𝑜 ) = (1 + )(𝑣𝑖
− 𝑣𝑖 )
𝑅 𝑅 𝑅

3.2. Nếu 𝑣𝑖 = 1𝑉 , 𝑣𝑖
= 2𝑉 , 𝑅 = 1𝑘Ω, 𝑅
= 2𝑘Ω, 𝑅 = 3𝑘Ω, 𝑅 = 4𝑘Ω. Tính điện áp ngõ ra 𝑣𝑜 ? Nhận
xét về vai trò của các OpAmp sử dụng trong mạch?
∙ Điện áp ngõ ra 𝑣𝑜 :
𝑅 𝑅
4 2
𝑣𝑜 := (1 + )(𝑣𝑖
− 𝑣𝑖 ) = (1 + )(2 − 1) = 4(𝑉 )
𝑅 𝑅 3 1

∙ Vai trò của các OpAmp trong mạch:

– Hai OpAmp tại ngõ vào đóng vai trò nâng tổng trở ngỏ vào của mạch lên vô cùng lớn
– OpAmp tại ngõ ra đóng vai trò triệt nhiễu đồng pha tín hiệu ngõ vào, nâng cao hệ số CMRR của
mạch
3.3. Các hạn chế của mạch trên là gì? Đề xuất giải pháp khắc phục các hạn chế này?
∙ Các hạn chế của mạch trên:
– Tín hiệu chung ở ngõ vào được khuếch đại qua tầng đệm ngõ vào, làm cho hệ số CMRR cũa toàn
bộ mạch bị giảm.
– Để thay đổi độ lợi của mạch, cần phải thay đổi đồng thời hai điện trở 𝑅 .
∙ Giải pháp khắc phục hạn chế trên của mạch:
– Bỏ đi điểm nối đất giữa hai điện trở 𝑅 .
– Thay hai điện trở 𝑅 bằng một điện trở tương đương 𝑅𝑓 . Mạch trên trở thành mạch Instrumentation
Amplifier.

5/7
Câu 4: (2 /
đ) Cho mạch khuyếch đại công suất đẩy kéo lớp B (AB) dùng cặp Transistor bổ phụ 𝑄 , 𝑄

như Hình 9. Các BJT có các thông số như sau: 𝑄 : 𝑉𝐵𝐸 = 𝑉𝛾 = 0.6 V, 𝑄
: 𝑉𝐸𝐵
= 𝑉𝛾
= 0.6 V. Giả sử bỏ
qua tổn hao công suất trên các điện trở 𝑅 , 𝑅
, 𝑅 .

12 kΩ

𝑄
𝐶
𝐸 15 V

𝑅𝑒 1Ω
𝑅𝑜
𝑅
4Ω
𝑅𝑒
1Ω
𝑣𝑠𝑖𝑔
𝐸 15 V

𝐶
𝑅

12 kΩ

Hình 9: Câu 4.

4.1. Tìm công suất tiêu thụ xoay chiều tối đa trên tải 𝑅𝑜 ?
∙ Biên độ dòng điện lớn nhất chảy qua điện trở tải 𝑅𝑜 :
𝑉𝐶𝐶 15
𝑅𝑐𝑚,𝑚𝑎𝑥 := = = 3(𝐴)
𝑅𝑜 + 𝑅𝑒 4+1
∙ Công suất tiêu thụ trên điện trở tải 𝑅𝑜 , 𝑃𝑅𝑜 :
∫︁𝑇 ∫︁𝑇

4 × 3

(︂ )︂
1 1 2𝜋 𝑅𝑜 𝐼𝑐𝑚
𝑃𝑅 𝑜 := 𝑖
𝑅𝑜 𝑅𝑜 𝑑𝑡 =

𝐼𝑐𝑚

sin 𝑡 𝑅𝑜 𝑑𝑡 = = = 18(𝑊 )
𝑇 𝑇 𝑇 2 2
 

4.2. Tìm công suất tiêu tán trung bình trên điện trở 𝑅𝑒 khi biên độ điện áp trên tải là 4𝑉 ?
∙ Biên độ dòng điện chảy qua điện trở tải 𝑅𝑜 :
𝑉𝑜 4
𝑅𝑐𝑚,𝑚𝑎𝑥 := = = 1(𝐴)
𝑅𝑜 4
∙ Dòng điện chảy qua điện trở 𝑅𝑒 là dòng chỉnh lưu bán kỳ chảy qua điện trở 𝑅𝑜 . Do đó công suất tiêu
thụ trên điện trở 𝑅𝑒 , 𝑃𝑅𝑒 :

1 𝑅𝑒 𝐼𝑐𝑚 1 × 1

𝑃𝑅𝑒 := = = 0.25(𝑊 )
2 2 4
4.3. Xác định giá trị điện trở 𝑅 để tránh méo xuyên tâm?
∙ Hiện tượng méo xuyên tâm: Do mỗi Transistor có thông số 𝑉𝛾 = 0.6 V ̸= 0 nên khi |𝑣𝑠𝑖𝑔 | < 0.6 V
thì 𝑄 hoặc 𝑄
chưa dẫn ⇒ gây ra méo dạng tín hiệu.
∙ Để tránh méo xuyên tâm, ta cần phải phân cực 𝑉𝑅 = 𝑉𝛾 + 𝑉𝛾
= 1.2 V
𝑅
⇒ 2𝐸 = 1.2 𝑉 ⇒ 𝑅 = 1 𝑘Ω
𝑅 + 𝑅
+ 𝑅

6/7
4.4. Tìm công suất tiêu tán tối đa trên mỗi BJT?
∙ Công suất mỗi nguồn DC cung cấp, 𝑃𝐶𝐶 :
𝑇
∫︁𝑇 ∫︁2 (︂ )︂
1 1 2𝜋 𝐼𝑐𝑚 𝐸
𝑃𝐶𝐶 := 𝐸 𝑖𝑅𝑒 𝑑𝑡 = 𝐸 𝐼𝑐𝑚 sin 𝑡 𝑑𝑡 =
𝑇 𝑇 𝑇 𝜋
 

∙ Công suất tiêu thụ trên điện trở tải 𝑅𝑜 , 𝑃𝑅𝑜 :

∫︁𝑇 ∫︁𝑇 (︂ )︂

1 1 2𝜋 𝑅𝑜 𝐼𝑐𝑚
𝑃𝑅 𝑜 := 𝑖
𝑅𝑜 𝑅𝑜 𝑑𝑡 =

𝐼𝑐𝑚 sin

𝑡 𝑅𝑜 𝑑𝑡 =
𝑇 𝑇 𝑇 2
 

∙ Công suất tiêu thụ trên điện trở 𝑅𝑒 :

𝑇
∫︁𝑇 ∫︁2 (︂ )︂

1 1 2𝜋 𝑅𝑒 𝐼𝑐𝑚
𝑃𝑅𝑒 := 𝑖
𝑅𝑒 𝑅𝑒 𝑑𝑡 =

𝐼𝑐𝑚 sin

𝑡 𝑅𝑒 𝑑𝑡 =
𝑇 𝑇 𝑇 4
 

∙ Định luật bảo toàn công suất:

2𝑃𝐶𝐶 + 𝑃𝑠𝑖𝑔 = 2𝑃𝐷𝐼𝑆𝑆 + 𝑃𝑅𝑒 + 𝑃𝑅𝑒

+ 𝑃𝑅𝑜 + 𝑃𝑅 + 𝑃𝑅
+ 𝑃𝑅

∙ Bỏ qua ảnh hưởng công suất 𝑃𝑠𝑖𝑔 của tín hiệu vào 𝑣𝑠𝑖𝑔 và công suất 𝑃𝑅 , 𝑃𝑅
, 𝑃𝑅 tiêu tán trên các điện
trở 𝑅 , 𝑅
, 𝑅 ; công suất tiêu tán trên mỗi transistor 𝑃𝐷𝐼𝑆𝑆 :

2𝑃𝐷𝐼𝑆𝑆 = 2𝑃𝐶𝐶 − 𝑃𝑅𝑒 − 𝑃𝑅𝑒

− 𝑃𝑅𝑜

2𝐸𝐼𝑐𝑚 𝑅𝑒 𝐼𝑐𝑚 𝑅𝑜 𝐼𝑐𝑚

= − −
𝜋 2 2
∙ Để công suất tiêu tán 𝑃𝐷𝐼𝑆𝑆 trên mỗi Transistor đạt giá trị tối đa 𝑃𝐷𝐼𝑆𝑆   :
𝜕𝑃𝐷𝐼𝑆𝑆 2 𝐸
⇒ = 0 ⇒ 𝐼𝑐𝑚 = = 1.91 𝐴 ⇒ 𝑃𝐷𝐼𝑆𝑆   = 9.12 𝑊
𝜕𝐼𝑐𝑚 𝜋 𝑅𝑒 + 𝑅𝑜

4.5. Xác định biểu thức và vẽ dạng sóng điện áp 𝑣𝑐𝑒 (𝑡) của BJT Q1 khi biện độ dòng qua tải là
𝑖 = 𝑠𝑖𝑛(1000𝜋𝑡) (A), đơn vị của t là s?
∙ Điện áp 𝑣𝑐𝑒 (𝑡) rơi trên BJT Q1:

𝑣𝑐𝑒 (𝑡) = 𝐸 − 𝑅𝑒 𝑖𝑐 − 𝑅𝑜 𝑖𝑜

∙ Dạng sóng điện áp 𝑣𝑐𝑒 (𝑡):

𝑣𝑐𝑒 (𝑡)
5

𝑡(𝑚𝑠)
0.5 1.5 2.5 3.5

-5

Hình 10: Câu 4.

Hết