MỤC LỤC

Bài mở đầu: CƠ SỞ LÝ THUYẾT VỀ CÁC PHÉP TÍNH SAI 2

SỐ
Bài thí nghiệm số 1: XÁC ĐỊNH MOMENT QUÁN TÍNH CỦA 16
BÁNH XE VÀ LỰC MA SÁT TRONG Ổ TRỤC QUAY
Bài thí nghiệm số 2: XÁC ĐỊNH GIA TỐC TRỌNG TRƢỜNG 24
BẰNG CÁCH KHẢO SÁT DAO ĐỘNG CỦA CON LẮC VẬT
LÝ
Bài thí nghiệm số 3: XÁC ĐỊNH TỶ SỐ NHIỆT DUNG PHÂN 32
TỬ CHẤT KHÍ
Bài thí nghiệm số 4: ĐO ĐIỆN TRỞ R, ĐỘ TỰ CẢM L, ĐIỆN 39
DUNG C BẰNG DAO ĐỘNG KÝ ĐIỆN TỬ
Bài thí nghiệm số 5: KHẢO SÁT ĐẶC TÍNH CỦA DIODE VÀ 54
TRANSISTOR
Bài thí nghiệm số 6: XÁC ĐỊNH ĐIỆN TÍCH RIÊNG CỦA 71
ELECTRON BẰNG PHƢƠNG PHÁP MAGNETRON
Bài thí nghiệm số 7: NHIỄU XẠ ÁNH SÁNG QUA CÁCH TỬ 79
PHẲNG XÁC ĐỊNH BƢỚC SÓNG ÁNH SÁNG ĐƠN SẮC
Bài thí nghiệm số 8: KHẢO SÁT HIỆN TƢỢNG BỨC XẠ 90
NHIỆT NGHIỆM ĐỊNH LUẬT STEFAN – BOLTZMANN
Bài thí nghiệm số 9: KHẢO SÁT HIỆN TƢỢNG QUANG 99
ĐIỆN NGOÀI XÁC ĐỊNH CÔNG THOÁT ELECTRON
Phụ lục: GIỚI THIỆU DỤNG CỤ ĐO 108
TÀI LIỆU THAM KHẢO 120

1
 Bài mở đầu
CƠ SỞ LÝ THUYẾT VỀ CÁC PHÉP
TÍNH SAI SỐ

1. KHÁI NIỆM VỀ CÁC PHÉP ĐO

Những tính chất vật lý của vật thể, của trƣờng đều đƣợc đặc trƣng
bởi những đại lƣợng vật lý. Mục tiêu của các thí nghiệm vật lý là xác
định các đại lƣợng vật lý một cách định lƣợng, tức là phải đo đạc, thu
đƣợc các giá trị bằng số của các đại lƣợng vật lý đó.

1.1. Khái niệm về phép đo

Trong vật lý, phép đo (measurement) là so sánh giữa đại lƣợng

vật lý cần đo với đại lƣợng vật lý cùng thể loại, nhƣng ở những điều
kiện tiêu chuẩn (thƣờng là không thay đổi theo thời gian) gọi là đơn vị
đo. Việc đo này đem lại một con số thể hiện mối liên hệ về độ lớn giữa
đại lƣợng cần đo với đơn vị đo.

1.2. Phân loại phép đo

Về phƣơng diện toán, ngƣời ta chia các phép đo thành hai loại:
trực tiếp và gián tiếp.

1.2.1. Phép đo trực tiếp

Phép đo trực tiếp là phép đo trong đó ta đọc kết quả trực tiếp trên
dụng cụ đo.

1.2.2. Phép gián tiếp

Phép đo gián tiếp là phép đo mà kết quả đo đƣợc xác định thông
qua những biểu thức liên hệ giữa đại lƣợng cần đo với những đại lƣợng
đƣợc đo trực tiếp hoặc gián tiếp trƣớc đó. Tuy nhiên một số phép đo
trực tiếp thực chất là phép đo gián tiếp.

2
2. KHÁI NIỆM VỀ SAI SỐ PHÉP ĐO

Khi đo nhiều lần cùng một đại lƣợng, dù cẩn thận đến mấy, kết
quả giữa các lần đo cũng có sự khác nhau. Điều đó chứng tỏ rằng trong
kết quả đo đƣợc luôn luôn có sai số và kết quả chúng ta nhận đƣợc chỉ
là giá trị gần đúng.
Xác định giá trị thực của một đại lƣợng vật lý với sự chính xác
tuyệt đối là không thể, mà ta chỉ có thể xác định đƣợc giá trị thực của
đại lƣợng đó nằm trong khoảng tin cậy là bao nhiêu. VD: phép đo thời
gian thu đƣợc kết quả t = (2,5 ± 0,1).100 (s) tức là thời gian t nằm trong
khoảng từ 2,4 s đến 2,6 s.

2.1. Định nghĩa sai số phép đo

Sai số phép đo là giá trị chênh lệch giữa giá trị đo đƣợc hoặc tính
đƣợc và giá trị thực hay giá trị chính xác của một đại lƣợng cần đo.

2.2. Nguyên nhân gây ra sai số phép đo

Các nguyên nhân chính gây ra sai số phép đo:

- Do phƣơng pháp đo lƣờng không chính xác.
- Do thiết bị đo không chính xác.
- Do sự vụng về hay khéo léo của ngƣời đo.
- Do các yếu tố bên ngoài tác động đến phép đo.
2.3. Phân loại sai số

Sai số của phép đo có thể đƣợc phân loại theo cách thể hiện bằng
số, theo nguyên nhân gây ra sai số hoặc quy luật xuất hiện sai số.

2.3.1. Phân loại sai số theo quy luật xuất hiện

Tùy theo quy luật xuất hiện, ngƣời ta chia sai số ra làm ba loại:
sai số thô, sai số hệ thống và sai số ngẫu nhiên.
a. Sai số thô
Số liệu thu đƣợc bởi phép đo có sự chênh lệch một cách rõ rệt và
vô lý so với giá trị có thể có của đại lƣợng cần đo và chúng ta không
thể sử dụng số liệu đó. Ta nói số liệu đó có chứa sai số thô. Sai số thô
xuất hiện do các điều kiện cơ bản của phép đo bị vi phạm hoặc do sự sơ
suất của ngƣời làm thí nghiệm, hoặc do bị chấn động đột ngột từ bên
ngoài. Do thiếu ánh sáng có thể đọc nhầm 3 thành 8 hoặc 171,78 thành
1717,8 v.v….
3
 Khi gặp kết quả có chứa sai số thô, chúng ta phải loại trừ nó ra
khỏi kết quả đo bằng cách lặp lại nhiều lần phép đo và mạnh dạn bỏ nó
ra khỏi bảng số liệu. Nhƣ vậy trong phần tính toán sai số ta luôn xem
rằng các kết quả đo không chứa sai số thô.

b. Sai số hệ thống
Sai số hệ thống là sai số gây bởi những yếu tố tác động nhƣ nhau
lên kết quả đo, có giá trị không đổi trong các lần đo đƣợc tiến hành
bằng cùng một dụng cụ theo cùng một phƣơng pháp. Các sai số này có
thể tính đƣợc, chúng luôn làm cho kết quả đo lớn hơn hoặc nhỏ hơn
một đại lƣợng nào đó, hoặc thay đổi theo một quy luật nhất định. Ngƣời
ta thƣờng chia sai số hệ thống ra làm 2 loại:
- Sai số hệ thống biết đƣợc chính xác nguyên nhân và độ lớn: sai
số này xuất hiện khi dụng cụ đo đã bị sai lệch. Chẳng hạn, khi chƣa có
dòng điện chạy qua mà kim của ampere kế đã chỉ 0,1A; khi chƣa kẹp
vật cần đo chiều dài vào thƣớc kẹp mà thƣớc đã cho chiều dài là 0,1
mm… Sai số loại này có thể loại khỏi kết quả đo bằng cách hiệu chỉnh
lại dụng cụ đo, hoặc hiệu chỉnh lại kết quả (cộng thêm hoặc trừ bớt vào
kết quả thu đƣợc sai lệch ban đầu).
- Sai số hệ thống biết đƣợc nguyên nhân nhƣng không biết chính
xác độ lớn: Sai số này phụ thuộc vào độ chính xác của dụng cụ đo. Mỗi
dụng cụ đo đều có độ chính xác nhất định của nó. Ví dụ: đối với các
dụng cụ đo điện hiện kim thì sai số hệ thống có thể gặp 2 loại nhƣ sau:
sai số thứ nhất là sai số do nhà sản xuất quy định (sai số dụng cụ), sai
số thứ hai là sai số ở vạch chia nhỏ nhất của thang đo (sai số làm tròn).
c. Sai số ngẫu nhiên
Sai số ngẫu nhiên là sai số còn lại của phép đo sau khi đã loại trừ
hết sai số thô và sai số hệ thống. Sai số ngẫu nhiên gây nên bởi một số
rất lớn các nhân tố mà ta không thể tách riêng và tính riêng biệt cho
chúng đƣợc. Có thể xem sai số ngẫu nhiên là tác dụng tổng hợp của các
nhân tố đó. Chẳng hạn do giác quan của ngƣời làm thí nghiệm không
tinh, không nhạy dẫn đến không phân biệt đƣợc đúng chỗ trùng nhau
của hai vạch chia trên thƣớc kẹp, do điều kiện thí nghiệm thay đổi một
cách ngẫu nhiên ta không thể biết đƣợc mà dẫn đến kết quả đo mắc sai
số…Ví dụ, đo cƣờng độ dòng điện trong mạch có điện áp luôn thăng
giáng hoặc nhiệt độ, áp suất trong phòng luôn luôn thay đổi mà ta
không phát hiện đƣợc làm cho kết quả đo bị thăng giáng… Sai số ngẫu
nhiên có độ lớn và chiều thay đổi hỗn loạn. Chúng ta không thể loại trừ
chúng ra khỏi kết quả đo vì không biết chắc chắn, mà chúng ta chỉ có
4
thể sử dụng các phƣơng pháp toán học, nhƣ các lý thuyết xác suất để
tính ảnh hƣởng của chúng đến việc ƣớc lƣợng các giá trị chân thực của
các đại lƣợng. Và thƣờng sai số ngẫu nhiên của các phép đo đƣợc phân
bố theo phân bố chuẩn Gauss.
Có thể thấy rằng sai số ngẫu nhiên và sai số hệ thống luôn tồn tại
trong các phép đo vật lý. Chúng ta có thể làm giảm sai số ngẫu nhiên
bằng cách đo nhiều lần một phép đo, nhƣng sai số hệ thống thì không
thể giảm bằng cách đo nhiều lần mà chỉ có thể giảm bằng cách thay
bằng các dụng cụ có độ chính xác hơn, dụng cụ có sai số nhỏ hơn hoặc
canh chỉnh các dụng cụ chính xác, lựa chọn thang đo hợp lý.
2.3.2. Phân loại theo cách thể hiện bằng số
Theo cách thể hiện bằng số, ngƣời ta chia sai số ra làm hai loại:
sai số tuyệt đối và sai số tƣơng đối.
a. Sai số tuyệt đối
Sai số tuyệt đối là giá trị tuyệt đối (module) của hiệu số giữa giá
trị thực của x và giá trị đo đƣợc X của nó và đƣợc kí hiệu:
| | (1)
Khi đó khoảng [ ] sẽ bao quanh giá trị thực x,
nghĩa là:
(2)
Vậy sai số tuyệt đối cho biết độ lớn của sai số, nó chứa cả sai số
ngẫu nhiên và sai số hệ thống.
Ví dụ: Khi xác định khối lƣợng của một vật, ngƣời ta dùng cân và
đƣợc kết quả:
( )g
điều này có nghĩa là khối lƣợng thực của vật đƣợc xác định trong
khoảng giới hạn:
15,2 g m1 15,8g
b. Sai số tƣơng đối
Sai số tƣơng đối là tỉ số phần trăm giữa sai số tuyệt đối và giá
trị đo đƣợc X, ký hiệu là ε:
(3)
Sai số tƣơng đối cho biết độ chính xác của một phép đo, nó cũng
chứa cả sai số ngẫu nhiên và sai số hệ thống. Muốn đánh giá đầy đủ kết
quả của phép đo một đại lƣợng vật lý, chúng ta cần phải xác định đƣợc
sai số tuyệt đối và sai số tƣơng đối của phép đo đó.

5
3. CÁCH TÍNH SAI SỐ

Sai số ngẫu nhiên của phép đo vật lý sẽ đƣợc tính toán thông
qua giá trị độ lệch chuẩn (SD – standard deviation of mean).

3.1. Sai số của phép đo trực tiếp

3.1.1. Sai số hệ thống

Đối với các thiết bị đo, trong catalog hoặc trên dụng cụ có chỉ ra
giới hạn sai số của dụng cụ Δmax, số này có nghĩa là giá trị sai số lớn
nhất (giới hạn sai số) khi dụng cụ hoạt động ở điều kiện nhà sản xuất đề
ra. Và thông thƣờng sai số dụng cụ cũng đƣợc phân bố theo phân bố
chuẩn, vì vậy nhà sản xuất xác định giá trị Δmax, đƣợc đặc trƣng bằng
độ lệch chuẩn của sai số dụng cụ (đối với phân bố chuẩn theo quy tắc
3σ thì độ tin cậy đạt tới 0,997) :
(4)
Ví dụ : Đối với thƣớc kẹp, trên thƣớc có ghi 0,05 thì đó là giới
hạn sai số của phép đo Δmax=0,05 mm, và độ lệch bình phƣơng trung
bình của thƣớc kẹp :
Ngoài ra, nhƣ đã trình bày ở trên, trong đo đạc chúng ta còn gặp
sai số làm tròn, sai số chủ quan, …. Sai số làm tròn đƣợc tính từ vạch
chia nhỏ nhất của thang đo ω, do đó độ lệch chuẩn của sai số làm tròn :
(5)
Ví dụ : Trở lại với thƣớc kẹp ở trên, vạch chia nhỏ nhất của thƣớc
kẹp đó sẽ là 0,05 mm, do đó độ lệch chuẩn của sai số làm tròn của
thƣớc sẽ là :
Sai số hệ thống đƣợc tính theo công thức, độ lệch chuẩn của sai
số hệ thống nhân với hệ số bất đẳng thức Chebyshev :
√ (6)
√ (7)
với γα là hệ số của bất đẳng thức Chebyshev (xem bảng 1), trong
đó α là độ tin cậy.
Tiếp tục ví dụ trên, vậy thƣớc kẹp sẽ có sai số hệ thống (nếu lấy
độ tin cậy là 0,7) :

√ √( ) ( )

6
3.1.2. Sai số ngẫu nhiên
Nhƣ đã trình bày ở trên sai số ngẫu nhiên của các phép đo thƣờng
tuân theo các định luật thống kê. Giả sử chúng ta đo n lần một đại
lƣợng vật lý X và thu đƣợc các giá trị X1, X2, …Xn .
Bƣớc 1: Sau khi đo đạc các giá trị của phép đo trực tiếp. Lập
bảng các kết quả đo đƣợc.

Lần đo 1 2 3 … N
Giá trị đo đƣợc X1 X2 X3 … Xn

Bƣớc 2: Tính giá trị trung bình của các lần đo.
̅ ∑ (8)
Khi n càng lớn, ̅ càng gần với giá trị X.
Bƣớc 3: Tính sai số tuyệt đối cho từng lần đo:
| ̅| (9)
Bƣớc 4: Sai số ngẫu nhiên trung bình của phép đo đƣợc tính bằng
độ lệch chuẩn của các giá trị đo đƣợc:
̅ √ √ ∑ ( ̅) (10)

3.1.3. Sai số của phép đo trực tiếp

Vậy sai số tuyệt đối trung bình của phép đo trực tiếp đƣợc tính
theo công thức:
̅ √ ̅ (11)
Bảng 1 : Hệ số γα của bất đẳng thức Chebyshev
α 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9 … 0,95

γα 1,4 1,6 1,8 2,2 3,2 … 4,4

3.1.4. Sai số của phép đo gián tiếp

Giả sử, ta phải đo một đại lƣợng F liên hệ với các đại lƣợng x 1,
x2, x3,... bởi hàm số: F = f (x1, x2, x3,...) trong đó đại lƣợng x1, x2, x3,...
đƣợc đo trực tiếp. Từ phép đo và cách tính sai số của phép đo trực tiếp
đã trình bày ở trên, chúng ta thu đƣợc giá trị trung bình của các đại
lƣợng ̅̅̅ ̅̅̅ ̅̅̅ và sai số tuyệt đối trung bình của các đại lƣợng đó
̅̅̅ ̅̅̅ ̅̅̅,…
7
 Giá trị trung bình của đại lƣợng F đƣợc tính nhƣ sau:
̅ (̅̅̅ ̅̅̅ ̅̅̅ ) (12)
Sai số tuyệt đối trung bình ̅ đƣợc tính theo công thức lan
truyền sai số:
̅ √( ̅̅̅) ( ̅̅̅) (13)

Và sai số tƣơng đối đƣợc tính theo công thức:

̅
√( ̅̅̅) ( ̅̅̅) (14)

Tuy nhiên, khi không cần độ chính xác cao ngƣời ta lấy giới hạn
trên (sai số cực đại) theo công thức tính gần đúng nhƣ sau:
̅ | | ̅̅̅ | | ̅̅̅+… (15)
̅
̅
| | ̅̅̅ | | ̅̅̅+… (16)

Ví dụ 1: Cho

̅ ̅
Giá trị trung bình của đại lƣợng F: ̅
̅ ̅
Sai số tuyệt đối trung bình ̅ và sai số tƣơng đối trung bình
̅ của đại lƣợng F đƣợc tính nhƣ sau:
Cách 1: Áp dụng công thức (15), ta đƣợc:
Bƣớc 1: Tính các dạo hàm riêng theo 2 biến x, y:
| | |( )
|, | | |( )
|
Bƣớc 2: Thế các đạo hàm riêng trên vào công thức (15), ta đƣợc
sai số tuyệt đối trung bình của đại lƣợng F:
̅ | | ̅ | | ̅
( ) ( )
Bƣớc 3: Thế ̅ vào công thức (3), ta đƣợc sai số tƣơng đối trung
bình của đại lƣợng F:
̅
̅ | | ̅ | | ̅
̅
Cách 2: Áp dụng công thức (16), chúng ta có thể tính sai số
tƣơng đối trƣớc theo các bƣớc nhƣ sau:
Bƣớc 1: lnF = ln (x-y) – ln (x+y)
Bƣớc 2: ( ) ( )
8
 ̅
Bƣớc 3: ̅ ̅
| | ̅ | | ̅
̅ ̅ ̅ =| | ̅ |( | ̅
( ) )
* Chú ý: Hai cách trên cho cùng một kết quả. Nhƣ vậy, hai cách
trên tƣơng đƣơng nhau.

4. CÁCH LÀM TRÕN SỐ VÀ VIẾT KẾT QUẢ

4.1. Cách làm tròn số

Các bài thí nghiệm trong giáo trình thí nghiệm vật lý đại cƣơng
có yêu cầu về độ chính xác trong các phép đo không cao lắm vì số lần
đo một đại lƣợng vào khoảng 10 lần. Do đó, thông thƣờng trong sai số
chỉ giữ lại một đến hai chữ số có nghĩa khác 0.
Tuy nhiên, trong tính toán, sai số có thể gồm nhiều chữ số và ta
phải làm tròn theo qui tắc làm tròn sao cho độ tin cậy của phép đo
không bị giảm đi, tức là chữ số khác không đƣợc giữ lại sẽ tăng lên 1
đơn vị khi chữ số sau nó khác không. Thí dụ các sai số 0,164; 0,275;
0,285; 1,94 đƣợc làm tròn thành 0,2; 0,3; 0,3; 2.
Trong trƣờng hợp làm tròn theo cách trên mà sai số đã làm tròn
tăng lên quá 25% so với sai số ban đầu thì có thể giữ lại hai chữ số
khác không. Thí dụ 0,127 thành 0,13.

4.2. Chữ số có nghĩa và chữ số vô nghĩa

Mọi số A bất kỳ đều có thể viết dƣới dạng chuẩn hóa:

A = a.10n
Trong đó 1< a < 10 và n đƣợc gọi là bậc của số A.
Ví dụ: 5,12 =5,12.100 (bậc 0); 0,0031 = 3,1.10-3(bậc -3)
Từ khái niệm bậc của một số chúng ta đi đến khái niệm về chữ số
tin cậy, chữ số nghi ngờ và chữ số không tin cậy của một giá trị đo nào
đó nhƣ sau:
- Những chữ số của giá trị trung bình có bậc lớn hơn bậc của sai
số là chữ số tin cậy.
- Những chữ số có cùng bậc với sai số là chữ số nghi ngờ
- Những chữ số có bậc nhỏ hơn bậc của sai số là chữ số không tin
cậy.
Ví dụ:
Giá trị Sai số Chữ số tin cậy Chữ số nghi Chữ số
trung ngờ không tin
bình cậy

9
 216 3 2;1 6 -
0,365 0,01 3 6 5
1,34 0,03 1;3 4 -
13100 10 1;3;1 0 0
Từ cách phân biệt các loại chữ số, chúng ta có thể chia làm hai
loại chữ số là chữ số có nghĩa và chữ số vô nghĩa:
- Chữ số có nghĩa là các chữ số tin cậy và nghi ngờ.
- Chữ số vô nghĩa là chữ số không tin cậy, chữ số không đứng
đầu một số trƣớc dấu phẩy và các chữ số không đứng ngay sau dấu
phẩy.
Ví dụ:
Giá trị trung bình Sai số Chữ số có nghĩa Chữ số vô nghĩa
0,025 0,001 2;5 0;0
0,78 0,01 7;8 0
13100 10 1;3;1;0 0

4.3. Cách viết kết quả

Chúng ta viết kết quả theo qui tắc sau đây:
- Giá trị trung bình của đại lƣợng cần đo đƣợc viết dƣới dạng
chuẩn hóa.
- Làm tròn sai số (theo quy tắc làm tròn trình bày ở trên).
- Bậc của chữ số có nghĩa nhỏ nhất của giá trị trung bình bằng
bậc của sai số (nghĩa là cần làm tròn giá trị trung bình khi bậc của chữ
số khác không của nó nhỏ hơn bậc của sai số).
Ví dụ: Viết kết quả của phép đo một đại lƣợng vật lý khi đã biết
giá trị trung bình và sai số
Giá trị trung bình Sai số Kết quả
279,16 0,27 (2,792  0,003).102
1000 1 (1,000  0,001).103
0,062 0,001 (6,2  0,1).102
12,54 0,26 (1,25  0,03)10

Lƣu ý:
- Trong một tổng của nhiều sai số tƣơng đối, nếu một số hạng nào
đó nhỏ hơn 1/10 số hạng khác thì có thể bỏ qua số hạng đó.
- Cách sử dụng các hằng số: khi tính kết quả trong công thức ta
thƣờng gặp các hằng số nhƣ , g, … việc lấy đến mấy số lẻ trong các
10
hằng số này phụ thuộc vào các đại lƣợng trong bài thí nghiệm. Tốt nhất
là nên lấy đến số lẻ sao cho sai số tƣơng đối của hằng số đó nhỏ hơn
1/10 sai số của các đại lƣợng khác.
5. CÁCH VẼ ĐƢỜNG BIỂU DIỄN THỰC NGHIỆM
Trong một bài thí nghiệm chúng ta cần biểu diễn kết quả trên đồ
thị. Để vẽ đồ thị bƣớc đầu tiên là chọn tỉ lệ cho hệ trục tọa độ. Tỉ lệ của
các hệ trục phải đƣợc chọn sao cho góc nghiêng của các đƣờng thẳng
(hoặc các đƣờng tiếp tuyến với đƣờng cong) trên đồ thị gần 45 độ. Các
đƣờng biểu diễn phải chiếm gần hết phần mặt đồ thị.
Phía bên trái và phía trên các trục phải viết tên, kí hiệu, đơn vị đo
của các đơn vị đƣợc thể hiện trên 2 trục đó.

lnI
3

Điểm biểu diễn

0
Ô sai số
2Δ Yi
-1
2ΔXi

-2
5.20 5.25 5.30 5.35 5.40 5.45 5.50
1/T, 10-4K-1
Hình 1: Ví dụ một đồ thị biểu diễn ln(I)=f(1/T)
Chẳng hạn cần vẽ đồ thị của hàm số Y = f(X). Bằng thực nghiệm,
ta đã tìm đƣợc các giá trị của Yi theo Xi. Vì phép đo có sai số nên ứng
với một cặp (Xi Xi) và (Yi Yi) nên điểm thực nghiệm không phải
là một điểm mà là một hình chữ nhật có hai cạnh là 2Xi và 2Yi (hình
1). Lúc đó đƣờng biểu diễn hàm số Y = f(X) phải đƣợc vẽ sao cho
đƣờng biểu diễn đều đi qua các hình chữ nhật ấy.
Cần chú ý rằng đƣờng cong thực nghiệm biểu diễn mối quan hệ
giữa hai đại lƣợng là một đƣờng cong trơn tru, không thể là một đƣờng

11
gãy khúc. Do đó, khi vẽ đƣờng biểu diễn, chúng ta cần lƣu ý không nối
các điểm thực nghiệm lại mà phải là đƣờng đi qua ô sai số.

6. TRÌNH TỰ TIẾN HÀNH MỘT BÀI THÍ NGHIỆM VÀ VIẾT

BÁO CÁO CÁC KẾT QUẢ
6.1. Trình tự làm bài thí nghiệm
a. Đọc kỹ tài liệu thí nghiệm tại nhà.
b. Làm quen với dụng cụ của bài thí nghiệm đƣợc giao. Đối với
các bài thí nghiệm về điện phải tuân theo sự chỉ dẫn của ngƣời hƣớng
dẫn trƣớc khi đóng mạch.
c. Tiến hành thí nghiệm thận trọng, nghiêm túc và đều phải làm
nhiều lần. Ghi kết quả thu đƣợc vào bảng số liệu.
d. Tính toán kết quả và tính sai số.
e. Làm báo cáo kết quả.
6.2. Mẫu báo cáo

Ngày…tháng…năm… Phòng thí nghiệm: …..

Bài thí nghiệm số…: TÊN BÀI THÍ NGHIỆM
Nhóm…: 1. Họ và tên sinh viên 1 Xác nhận của giáo viên:
2. Họ và tên sinh viên 2
…….
1. Mục đích thí nghiệm:

………………………………………………………………………………………..

2. Bảng số liệu:
Lần đo Đại lƣợng ΔXnn Đại lƣợng ΔYnn
X Y
1 X1 Y1
2 X2 Y2
….

3. Tính toán các giá trị trung bình và các sai số

4. Đồ thị (nếu có)
5. Viết kết quả tính toán

&&&&&&&
12
 Bài thí nghiệm số 1
XÁC ĐỊNH MOMENT QUÁN TÍNH CỦA BÁNH
XE VÀ LỰC MA SÁT TRONG Ổ TRỤC QUAY
------ooo------

Mục tiêu: Sau khi học xong bài này các sinh viên có khả năng:
- Về kiến thức: Nêu đƣợc phƣơng pháp đo và các bƣớc tiến hành thí
nghiệm xác định moment quán tính của bánh xe và lực ma sát trong
ổ trục quay.
- Về kỹ năng: Sử dụng thành thạo các dụng cụ đo, tiến hành đúng
trình tự thí nghiệm để thu đƣợc số liệu chính xác.
- Về thái độ: Cẩn thận, kiên trì, chính xác, trung thực, khách quan.

1. CƠ SỞ LÝ THUYẾT
1.1. Các khái niệm
A
1.1.1. Moment quán tính
Moment quán tính (I) của một vật rắn
C
đối với một trục quay () là đại lƣợng đặc
trƣng cho mức quán tính của vật rắn đó khi
quay xung quanh trục. h1
Công thức tính moment quán tính của một
vật rắn phân bố liên tục: h2

I   R 2dm (1.1)
m

(Với R: khoảng cách từ chất điểm dm đến B

trục quay ()). Hình 1.1: Sơ đồ phân
1.1.2. Lực ma sát tích lực
Khi hai vật tiếp xúc có chuyển động tƣơng đối với nhau, ở chỗ tiếp
xúc xuất hiện một lực làm cản trở chuyển động của vật. Lực này gọi là
lực ma sát. Nếu hai vật tiếp xúc là những lớp chất lỏng hoặc một vật rắn
chuyển động trên chất lỏng, ta có ma sát nhớt, còn nếu hai vật tiếp xúc
đều là vật rắn thì ta có ma sát khô. Nếu vật rắn này lăn trên vật rắn kia ta
có lực ma sát lăn, nếu vật này trƣợt trên vật kia ta có lực ma sát trƣợt.

13
1.2. Cơ sở lý thuyết để xây dựng công thức tính moment quán tính và
lực ma sát
Xét một cơ hệ nhƣ hình 1.1 gồm có một bánh xe bán kính trục R có
moment quán tính I quay quanh một trục nằm ngang. Trên trục bánh xe
có quấn một dây nhẹ, không dãn, đầu còn lại có treo vật nặng khối lƣợng
m. Lúc đầu, bánh xe đứng yên và vật nặng ở vị trí A có độ cao h1 so với
vị trí thấp nhất của nó tại B. Sau đó thả cho hệ vật chuyển động dƣới tác
dụng của trọng lực P  mg của quả nặng. Quả nặng chuyển động tịnh
tiến từ A đến B, đồng thời bánh xe quay quanh trục của nó.
Áp dụng định luật II Newton đối với chuyển động tịnh tiến của
quả nặng và phƣơng trình moment đối với chuyển động quay của bánh xe
ta đƣợc:
mg  T1  ma (1.2)
Mms  RT2  I (1.3)
Ngoài ra, do dây nhẹ, không dãn và không trƣợt trên ròng rọc nên:

a  R (1.4)
T1  T2 (1.5)
Từ (1.2), (1.3), (1.4), (1.5), ta tính đƣợc gia tốc a của vật nặng:

M ms
mg 
a R  const (1.6)
I
m 2
R
và gia tốc góc của bánh xe:
mg  f ms
  const (1.7)
mR   I R 
Các hệ thức (1.6) và (1.7) chứng tỏ quả nặng chuyển động thẳng
biến đổi đều theo phƣơng thẳng đứng với gia tốc a và bánh xe quay
quanh trục của nó với gia tốc góc  không đổi.
Gọi v vận tốc của vật nặng và  là vận tốc góc của bánh xe tại B, t
là thời gian vật nặng chuyển động trên quãng đƣờng, ta có:

14
 1 2h
h1  at 2  a  2 1
2 t
2h1
Suy ra v  at  (1.8)
t
v 2h1
  (1.9)
R tR
Chọn gốc thế năng tại B, cơ năng của hệ tại A chính là thế năng của
vật nặng m
EA  mgh1 (1.10)
Cơ năng của hệ tại B gồm động năng tịnh tiến của vật nặng và động
năng quay của bánh xe:
1 1
EB  mv2  I2
2 2 (1.11)
Độ biến thiên cơ năng của hệ trên F321
quãng đƣờng AB bằng công của lực ma sát Đ G
trong ổ trục bánh xe
EB  EA  f ms h1 cos  (1.12) C1 C2
1 1 M A
mv2  I2  mgh1   f ms h1 (1.13)
2 2
Thay (1.8) và (1.9) vào phƣơng trình C
(1.13), ta đƣợc:
m
2
1  2h1  1  2h1 
2

(1.14) T
m   I   mgh1   f ms h1
2  t  2  tR 
QĐ
Khi quả nặng đến vị trí thấp nhất B,
bánh xe tiếp tục quay theo quán tính làm B
cho sợi dây lại tự động cuốn vào trục quay
và quả nặng chuyển động lên đến vị trí C H
có độ cao h 2  h 2  h1  . Cơ năng của hệ tại V
C chỉ gồm thế năng của vật nặng: Hình 1.2: Mô hình thí nghiệm

EC  mgh 2 (1.15)

15
 Độ biến thiên cơ năng của hệ trong quá trình vật nặng chuyển động
trên đoạn đƣờng h1 từ A đến B và h2 từ B đến C bằng công của lực ma
sát trong ổ trục bánh xe trên hai quãng đƣờng đó:
E C  E A  f ms h1  h 2 cos 

mgh 2  mgh1   f ms  h1  h 2  (1.16)

Từ hệ thức (1.11), ta suy ra giá trị của lực ma sát:
h1  h 2
f ms  mg. (1.17)
h1  h 2

Từ phƣơng trình (1.14) nếu thay f ms từ (1.17) và R  d 2 với d là

đƣờng kính của trục bánh xe, ta đƣợc:
md 2  2 h2 
I gt .  1 (1.18)
4  h1 (h1  h 2 ) 

Vậy nếu biết khối lƣợng m của quả nặng, đo các độ cao h1 , h 2 ,
đƣờng kính d của trục bánh xe, thời gian t khi quả nặng m chuyển động
từ A đến B, ta có thể xác định đƣợc lực ma sát trong ổ trục bánh xe từ
công thức (1.17) và moment quán tính I của bánh xe từ công thức (1.18)

2. DỤNG CỤ ĐO

2.1. Dụng cụ thí nghiệm

 Bộ thiết bị vật lý BKM-050 (hình 1.2):
- Giá đỡ (G) dựng thẳng đứng trên hộp chân đế (H), hai ổ trục
(C1) và (C2) gắn cố định vào giá đỡ (G).
- Bánh xe (M) có trục quay gối trong 2 ổ trục (C1) và (C2).
- Quả nặng khối lƣợng m đƣợc buộc vào đầu một sợi dây mảnh
và không dãn, đầu dây còn lại đƣợc cuốn sít nhau thành một
lớp trên trục bánh xe.
- Thƣớc thẳng milimét (T) gắn vào giá đỡ để xác định vị trí của
quả nặng m.
 Đầu cảm biến thu phát quang điện hồng ngoại (QĐ) đƣợc gắn vào
máy đo thời gian vạn năng hiệu số MC-963A dùng để đo khoảng
thời gian chuyển động của quả nặng m và bánh xe (M).
 Hộp điều khiển (Đ) gắn trên giá đỡ (G) dùng để khởi động máy.

16
 Chức năng các nút:
- Nút F: dùng để hãm phanh.
- Nút 1: dùng để nhả phanh và kích hoạt máy đo thời gian.
- Nút 2: dùng để kích hoạt cảm biến hoạt động.
- Nút 3: dùng để nhả tất cả các nút.
 Thƣớc kẹp dùng để đo đƣờng kính d của trục bánh xe.
2.2. Phƣơng pháp đo
2.2.1. Đo khoảng thời gian chuyển động t và các độ cao h1, h2
Thả quả nặng m chuyển động xuống đến vị trí thấp nhất B. Ghi
nhận toạ độ ZB của vị trí B trên thƣớc thẳng milimét (T). Quay nhẹ bánh
xe (M) để dây treo quả nặng m cuốn vào trục quay của bánh xe tạo thành
một lớp sít nhau cho tới khi quả nặng m nằm ở vị trí cao nhất A nào đó
(tùy ý chọn – cố định vị trí này trong 10 lần đo). Ghi nhận tọa độ ZA của
vị trí A trên thƣớc thẳng milimét (T). Độ cao quả nặng m tại vị trí A (so
với điểm B) là h 1  Z B  Z A .
Thả cho bánh xe quay và quả nặng m chuyển động xuống. Đo
thời gian t khi quả nặng m chuyển động từ A đến B.
Theo dõi chuyển động đi lên của quả nặng m đến khi nó đạt tới vị
trí C có độ cao cực đại. Ghi nhận tọa độ ZC của vị trí C trên thƣớc thẳng
milimét (T). Khi đó, độ cao của quả nặng m tại vị trí C là h 2  Z B  Z C .
2.2.2. Đo đƣờng kính d của trục bánh xe M bằng thƣớc kẹp
Xem cách đo kích thƣớc một vật bằng thƣớc kẹp ở phần phụ lục.

3. TRÌNH TỰ THÍ NGHIỆM

3.1. Đo đƣờng kính d của trục bánh xe M bằng thƣớc kẹp

a. Dùng thƣớc kẹp đo 10 lần đƣờng kính d của trục bánh xe. Đọc và
ghi giá trị d của mỗi lần đo vào bảng số liệu (xem cách đo kích
thƣớc một vật bằng thƣớc kẹp ở phần phụ lục).
b. Đọc và ghi các số liệu sau đây vào bảng số liệu:
 Khối lƣợng m của quả nặng và sai số của nó
 Độ chính xác của thƣớc thẳng milimét (T)
 Độ chính xác của thƣớc kẹp
 Độ chính xác của máy đo thời gian hiện số MC - 963A

17
3.2. Đo khoảng thời gian chuyển động t và các độ cao h1, h2
Kiểm tra: núm chọn cách đo thời gian “MODE" phải để ở vị trí
A  B và gạt núm chọn giới hạn thang đo thời gian TIME RANGE”
sang vị trí 9,999.
a. Tìm điểm B: Kéo cảm biến xuống tận cùng phía dƣới. Bấm núm
3 của bộ điều khiển (Đ) (đặt trên xà ngang của giá đỡ G) để nhả
má phanh hãm bánh xe (M): bánh xe (M) quay, quả nặng m đƣợc
thả xuống đến vị trí thấp nhất, gọi là vị trí B. Đặt một cạnh của
thƣớc êke ép sát vào mặt thƣớc thẳng milimét (T) và cạnh kia của
thƣớc êke chạm sát đáy của quả nặng m để xác định tọa độ ZB của
đáy quả nặng m trên thƣớc milimét (T). Đọc và ghi toạ độ ZB của
vị trí B (tính từ đáy của quả nặng) trên thƣớc vào bảng số liệu 1.
b. Giữ quả nặng m nằm yên ở vị trí B. Dịch cảm biến quang điện
(QĐ) lên để tìm vị trí đáy của quả nặng mà tại đó các chữ số hiển
thị trên mặt máy MC - 963A bắt đầu thay đổi trạng thái. Vị trí này
của cảm biến quang điện (QĐ) trên thƣớc milimét (T) trùng đúng
với vị trí thấp nhất B của đáy quả nặng m.
c. Quay nhẹ bánh xe (M) để sợi dây treo quả nặng m cuốn vào trục
quay của bánh xe thành một lớp sít nhau cho tới khi đáy của quả
nặng m nằm ở vị trí cao nhất A tùy ý chọn trƣớc (có thể chọn
trùng với vị trí nằm trong khoảng từ 5cm đến 10cm đọc đƣợc trên
thƣớc milimét (T)). Bấm núm F của bộ điều khiển (Đ) để hãm
bánh xe đứng yên tại vị trí A. Dùng thƣớc êke để xác định tọa độ
ZA của đáy quả nặng m trên thƣớc milimét (T). Khi đó, độ cao
của đáy quả nặng m tại vị trí A bằng: h1  ZB  ZA .
Bấm núm RESET” trên mặt máy đo thời gian MC-963A để các
chỉ thị hiện số chuyển về trạng thái số 0.
d. Bấm núm 1 của bộ điều khiển (Đ) khi này bánh xe quay và máy
đếm thời gian bắt đầu đếm. Ngay sau đó, bấm tiếp núm 2 của bộ
điều khiển (Đ) để cho phép cảm biến hoạt động. Khi đáy quả
nặng m xuống đến vị trí thấp nhất B (trùng với vị trí của cảm biến
quang điện (QĐ)) thì máy đo thời gian MC - 963A ngừng đếm.
Lúc này các chữ số hiển thị trên khung cửa sổ THỜI GIAN” xác
định khoảng thời gian t của hệ vật ta xét trên đoạn đƣờng AB có
độ dài h1  ZB  ZA .
Tiếp tục theo dõi chuyển động đi lên của quả nặng m đến khi nó
đạt tới vị trí C có độ cao cực đại thì bấm núm (F) của bộ điều
khiển (Đ) để hãm bánh xe (M) dừng lại. Xác định tọa độ ZC của

18
 vị trí C trên thƣớc thẳng milimét (T) bằng thƣớc êke. Khi đó, độ
cao của đáy quả nặng m tại vị trí C có giá trị bằng: h 2  ZB  ZC .
Bấm núm RESET” trên mặt máy đo thời gian MC - 963A để các
chỉ thị hiện số chuyển về trạng thái số 0.
e. Thực hiện 10 lần phép đo bằng cách lặp lại các động tác (c) và
(d). Đọc và ghi vào bảng số liệu giá trị của khoảng thời gian
chuyển động t của hệ vật và giá trị ZC trong mỗi lần đo vào bảng
số liệu.

4. BÁO CÁO THÍ NGHIỆM

4.1. Bảng số liệu

- Khối lƣợng quả nặng: m = (……………  ………….)kg
- Vị trí A: ZA=………………………………(mm )
- Vị trí B: ZB =………………………………(mm )
- h1 = ………..…..…… …..……….(mm )
- g = (9,78  0,02) m/s2

Lần đo d (mm) d (mm) t (s) t (s) ZC(mm) ZC(mm)

1
2
.
.
.
10
Trung
bình
4.2. Tính lực ma sát ổ trục

a. Tính giá trị trung bình f ms theo công thức (1.17).

b. Tính các sai số của fms.
c. Viết kết quả đo lực ma sát fms.
4.3. Tính moment quán tính của bánh xe và trục quay
a. Tính giá trị trung bình của moment quán tính I theo công thức (1.18).
19
 2 h2
b. Trong công thức (1.18), nếu số hạng g t  1 thì:
h1 (h1  h2 )
2
md 2 h2
I .g t (1.19)
4 h1 (h1  h2 )
c. Tính các sai số của I.
d. Viết kết quả đo moment quán tính I.

5. CÂU HỎI KIỂM TRA

1- Phát biểu và viết phƣơng trình cơ bản của chuyển động quay của
vật rắn quanh một trục cố định. Nêu ý nghĩa của moment quán
tính và đơn vị của nó.
2- Mô tả thiết bị thí nghiệm và phƣơng pháp xác định moment quán
tính của bánh xe và lực ma sát trong ổ trục.
3- Khi tiến hành phép đo, tại sao phải cuộn sợi dây treo quả nặng m
trên trục quay của bánh xe thành một lớp sít nhau? Nếu cuộn sợi
dây này làm nhiều vòng chồng lên nhau có đƣợc không?
4- Nói rõ nguyên tắc cấu tạo của thƣớc kẹp và của du xích thẳng.
Trình bày cách sử dụng thƣớc kẹp để đo độ dài hoặc đƣờng kính
của các vật.
&&&&&&&

20
 Bài thí nghiệm số 2
XÁC ĐỊNH GIA TỐC TRỌNG TRƢỜNG BẰNG
CÁCH KHẢO SÁT DAO ĐỘNG CỦA CON LẮC
VẬT LÝ
------ooo------

Mục tiêu: Sau khi học xong bài này các sinh viên có khả năng:
- Về kiến thức: Nêu đƣợc phƣơng pháp đo và các bƣớc tiến hành thí
nghiệm xác định gia tốc trọng trƣờng bằng cách khảo sát dao động
của con lắc vật lý.
- Về kỹ năng: Sử dụng thành thạo các dụng cụ đo, tiến hành đúng
trình tự thí nghiệm để thu đƣợc số liệu chính xác.
- Về thái độ: Cẩn thận, kiên trì, chính xác, trung thực, khách quan.

1. CƠ SỞ LÝ THUYẾT
1.1. Con lắc vật lý
Con lắc vật lý là một vật rắn có trọng
tâm G quay quanh một trục nằm ngang cố định
qua O (O là giao điểm của trục quay với mặt O l
phẳng thẳng đứng qua G). 
1.2. Cơ sở lý thuyết để xây dựng công thức
tính gia tốc trọng trƣờng bằng cách khảo G
sát dao động của con lắc vật lý
Khi con lắc ở vị trí cân bằng thì OG
thẳng đứng. Kéo con lắc ra khỏi vị trí cân bằng 𝑃
để nó dao động. Vị trí con lắc ở thời điểm t Hình 2.1: Mô hình
con lắc
đƣợc xác định bởi góc  (góc hợp bởi phƣơng
vật lý
thẳng đứng và đƣờng OG). Nếu bỏ qua ma sát ở trục quay và lực cản
không khí thì lực tác dụng lên con lắc gồm có:
- Trọng lực P có điểm đặt ở trọng tâm G
- Phản lực R của trục quay có điểm đặt tại O.

21
 Tổng moment của các lực tác dụng lên con lắc chỉ còn moment của
trọng lực P đối với trục quay vì moment của phản lực R đối với trục
quay bằng không.
Do đó, phƣơng trình chuyển động của con lắc quanh trục quay qua O là
mg sin   I  (2.1)
Trong đó: m - khối lƣợng con lắc
g - gia tốc trọng trƣờng
l = OG
I - moment quán tính của con lắc đối với trục quay
qua O.
 - gia tốc góc của con lắc
d2 
 (2.2)
dt 2
Thay (2.2) vào (2.1) ta thu đƣợc phƣơng
trình sau đây
O
d2  m g L
 sin   0
dt 2 I 

Nếu chỉ xét các dao động nhỏ thì sin và

G
d  mg
2
 0 M
dt 2 I
mg
Đặt: 2  Hình 2.2: Con lắc vật
I lý có trục quay qua O

d 2
Ta đƣợc 2
 2   0
dt M
Đây là phƣơng trình vi phân của dao G
động điều hòa. Nghiệm của phƣơng trình này L
là 

   0 cos(t   )
Trong đó: o: biên độ góc O
: tần số góc Hình 2.3: Con lắc vật lý
với trục quay qua M
22
 : pha ban đầu
Chu kỳ dao động T của con lắc vật lý là
2 I
T  2 (2.3)
 mg
Khác với con lắc toán, chu kỳ dao động của con lắc vật lý phụ
thuộc vào khối lƣợng của nó.
I
Nếu đặt L (2.4)
m
thì chu kỳ dao động của con lắc vật lý có dạng giống nhƣ chu kỳ
L
dao động của con lắc toán: T  2  (2.5)
g
L đƣợc gọi là chiều dài rút gọn của con lắc vật lý.
Nhƣ vậy con lắc vật lý với chiều dài rút gọn là L có cùng chu kỳ
dao động với con lắc toán có chiều dài l0  L . Tổng khối lƣợng của con
lắc toán coi nhƣ tập trung tại điểm M cách trục quay qua O một khoảng
bằng L. Điểm M đƣợc gọi là tâm dao động của con lắc ứng với trục quay
qua O. Đối với mỗi trục quay, con lắc có một tâm dao động ứng với trục
quay đó.
Cho con lắc dao động quanh trục quay qua M, chu kỳ dao động của
con lắc đƣợc tính tƣơng tự là

L,
T,  2  (2.6)
g
L' là chiều dài rút gọn của con lắc đối với dao động của con lắc
quanh trục quay qua M.
I,
L,  (2.7)
m (L )
I' là moment quán tính của con lắc đối với trục quay qua M.
Gọi I0 là moment quán tính của con lắc đối với trục qua khối tâm
G, ta có
2
I = I0 + m (2.8)
I' = I0 + m (L  )2 (2.9)

23
 Io  m 2
Thay (2.8) vào (2.4), ta có L (2.10)
m
Io
hay L   (2.11)
m
Hệ thức (2.11) chứng tỏ chiều dài rút gọn của con lắc vật lý luôn
luôn lớn hơn khoảng cách giữa trọng tâm và trục quay. Do đó, nếu khối
lƣợng con lắc càng tập trung gần trọng tâm thì chu kỳ dao động con lắc
vật lý càng giảm và tần số dao động càng tăng.
Thay (2.9) vào (2.7), ta đƣợc
I o  m (L   ) 2
L' 
m (L   )
I0
L'   (L  ) (2.12)
m(L  )
Thay (2.10) vào (2.11), ta đƣợc
I0 I m 2

L'   0  
I m 2

   
m
m 0
 m 
I0  I 
L'   0   
 I  m
m 0     
m 

 I  I m 2
L'    0  0 L
m  m

L
Do đó T  T '  2 (2.13)
g
Nhƣ vậy con lắc vật lý có thể dao động quanh một trong hai trục đi
qua O và M nằm trên cùng đƣờng thẳng đi qua trọng tâm G, sao cho chu
kỳ dao động của con lắc đối với hai trục này có giá trị bằng nhau.
Khoảng cách giữa hai trục quay bằng chiều dài rút gọn của con lắc. Do
đó, con lắc vật lý còn đƣợc gọi là con lắc kép hay con lắc thuận nghịch.

24
2. DỤNG CỤ VÀ PHƢƠNG PHÁP ĐO

2.1. Dụng cụ đo
Các dụng cụ thí nghiệm gồm có:
 Con lắc vật lý: Gồm có thanh kim loại 6 trên đó có gắn hai con
dao cố định 1 và 2, hai quả gia trọng 3 và 4 (gia trọng 4 có thể
dịch chuyển khi quay trên thân vít của nó). Cạnh của dao 1 hoặc 2
đƣợc đặt tựa trên mặt kính phẳng nhẵn của gối đỡ 5.
 Cảm biến quang điện hồng ngoại 8: Gồm có một đèn phát tia
hồng ngoại đặt đối diện với một tế bào quang điện hồng ngoại và
đƣợc gắn trên một thƣớc 7. Cảm biến 8 đặt gần vị trí cân bằng
thẳng đứng để giới hạn biên độ dao động của con lắc và đƣợc nối
với máy đo thời gian hiện số MC-963A.
 Giá đỡ con lắc 9 và hộp chân đế 10: có vít điều chỉnh thăng bằng
ở đáy hộp.
 Máy đo thời gian hiện số MC-963A: dùng để đo số chu kỳ và
khoảng thời gian dao động của con lắc. Khi con lắc dao động,
thanh kim loại 6 đi qua khe cảm biến 8 và chắn chùm tia hồng
ngoại dọi vào tế bào quang điện, gây
ra xung điện điều khiển bộ đếm của
máy đo thời gian MC-963A và các số
chỉ thị hiện trên mặt máy sẽ cho biết
số chu kỳ dao động và khoảng thời
gian tƣơng ứng.
2.2. Phƣơng pháp đo
Trong thí nghiệm này chúng ta sử dụng
con lắc vật lý có chiều dài rút gọn L bằng
khoảng cách giữa hai dao 1và 2. Con lắc vật
lý có thể dao động quanh hai trục qua dao 1 3
và 2. Vị trí khối tâm G của con lắc có thể
thay đổi bằng cách dịch chuyển gia trọng 4
theo khoảng cách a từ gia trọng 4 đến đầu
thanh vít. Gia trọng 3 đƣợc giữ cố định.
Đo lần lƣợt chu kỳ dao động T1 và T2
Hình 2.4: Mô hình thí
của con lắc quanh trục 1 và 2 ứng với các giá
nghiệm
trị khác nhau của khoảng cách a. Vẽ 2 đồ thị
của hàm T1 = f(a) và T2 = f(a) trên cùng hệ trục tọa độ, giao điểm của hai
đƣờng cong này chính là chu kỳ dao động T của con lắc vật lý:

25
 L
T1  T2  TVL  2 (2.14)
g
Từ đó tính gia tốc trọng lực g bằng công thức:
4 2 L
g (2.15)
TVL 2
Trong bài thí nghiệm này ta sẽ đo các chu kỳ dao động trung bình T1
và T2 bằng cách đo thời gian dao động t1 và t2 của 50 chu kỳ của con lắc
quanh trục 1 và 2 ứng với các giá trị khác nhau của khoảng cách a.

3. TRÌNH TỰ THÍ NGHIỆM

a. Đo chiều dài rút gọn L (khoảng cách giữa hai dao O1O2) của con
lắc vật lý.
b. Vặn gia trọng 4 tới vị trí O trên thân vít của nó. Đặt nhẹ nhàng
dao 1 của con lắc lên gối đỡ 5.

ELECTRONIC TIME MEASURING DEVICE MC -

963A
A+B A B
0.0 00.00 B n = 50
N Time (s) A n = N/2
n = N -1 TIME (s) MODE
K1 K2 K F
9,999
A B Reset TIME RANGE ON-OFF To interface
(s) PC

Hình 2.4: Máy đo thời gian

c. Cắm phích lấy điện của máy đo thời gian MC - 963A vào nguồn
điện xoay chiều 220V và cắm đầu nối của cảm biến 8 vào ổ A
trên mặt máy. Vặn núm chọn kiểu đo "MODE" sang vị trí n = 50.
Gạt núm chọn thang đo thời gian "TIME RANGE" sang vị trí
99,99. Bấm khóa K, các số chỉ thị phát sáng hiện trên khung cửa
sổ "CHU KỲ" và "THỜI GIAN".
Kiểm tra hoạt động của máy đo thời gian MC - 963A bằng cách
thử đo con lắc dao động nhẹ sao cho đầu dƣới của thanh kim loại

26
 6 đi qua khe của đầu cảm biến 8. Khi đó các chỉ thị hiện số trên
mặt máy MC - 963 sẽ thay đổi liên tục.
d. Kéo đầu dƣới của con lắc lệch khỏi vị trí thẳng đứng một góc nhỏ
 (< 90) sao cho thanh kim loại 6 vừa đủ che ngang cửa sổ của
tế bào quang điện trong đầu cảm biến 8 rồi thả cho con lắc dao
động nhẹ nhàng. Chờ sau vài chu kỳ dao động, ấn nút "RESET",
máy đo thời gian MC - 963A bắt đầu đếm thời gian của 50 chu kỳ
dao động của con lắc. Khi trên cửa sổ "CHU KỲ" xuất hiện số 51
thì máy đo ngừng đếm. Đọc và ghi giá trị của khoảng thời gian
dao động t1 vào bảng số liệu.
e. Đảo ngƣợc con lắc và đặt dao 2 lên mặt gối tựa 5. Tiến hành phép
đo tƣơng tự động tác 2. Đọc và ghi khoảng thời gian dao động t 2
vào bảng số liệu.
f. Di chuyển gia trọng 4 để tăng khoảng cách a giữa nó và đầu thanh
vít, mỗi lần tăng thêm 5mm cho đến khi a = 35mm. Dùng thƣớc
kẹp để đo khoảng cách a, xem cách sử dụng thƣớc kẹp ở phần
phụ lục. Tại mỗi vị trí mới của a lại tiến hành đo thời gian t 1 và t2
nhƣ trên rồi ghi các giá trị của chúng vào bảng số liệu.
t1
Chu kỳ dao động của con lắc vật lý theo chiều thuận T1 
50
t2
và theo chiều nghịch T2 
50
Khi làm thí nghiệm xong, bấm khóa K để tắt máy đo MC - 963A và rút
phích cắm điện của nó ra khỏi nguồn điện xoay chiều 220V.
4. BÁO CÁO THÍ NGHIỆM

Bảng số liệu
Chiều dài con lắc vật lý: L=………………

a ( mm ) t1(s) T1(s) t2(s) T2(s)

0
5
10
15
20

27
 25
30
35
a. Vẽ đồ thị hàm T1 = f(a) và T2 = f(a) trên cùng một hệ trục tọa độ.
Hai đƣờng cong này giao nhau tại a =...................(mm) ứng với
T1 = T2 = TVL =............. (s).
Vậy chu kỳ dao động của con lắc vật lý là: TVL  TVL  TVL .
4 2 L
b. Tính gia tốc trọng trƣờng g theo công thức: g 
TVL 2
c. Tính các sai số của g.
d. Viết kết quả đo g.

5. CÂU HỎI KIỂM TRA

1- Định nghĩa con lắc thuận nghịch. Nêu rõ nguyên nhân gây ra dao
động của con lắc và viết biểu thức xác định chu kỳ dao động của
nó.
2- Trình bày cách xác định chu kỳ dao động T của con lắc thuận
nghịch.
3- Trong thí nghiệm xác định gia tốc trọng trƣờng bằng con lắc
thuận nghịch, tại sao:
- Phải đo chu kỳ dao động của con lắc với góc lệch  nhỏ (< 9o)?
- Không đo 1 chu kỳ dao động, mà phải đo nhiều chu kỳ (50
chu kỳ chẳng hạn)?
4- Dựa vào công thức (2.14), chứng minh công thức tính sai số
tƣơng đối của gia tốc trọng trƣờng g có dạng:
g    T   L
 2.   
g   T  L
Trong công thức trên, số hạng sai số tƣơng đối nào là lớn nhất và
phải lấy giá trị của hằng số  đến chữ số nào? Giải thích tại sao?
&&&&&&&

28
 Bài thí nghiệm số 3
XÁC ĐỊNH TỶ SỐ NHIỆT DUNG PHÂN TỬ
CHẤT KHÍ
------ooo------

Mục tiêu: Sau khi học xong bài này các sinh viên có khả năng:
- Về kiến thức: Nêu đƣợc phƣơng pháp đo và các bƣớc tiến hành thí
nghiệm xác định tỷ số nhiệt dung phân tử chất khí.
- Về kỹ năng: Sử dụng thành thạo các dụng cụ đo, tiến hành đúng
trình tự thí nghiệm để thu đƣợc số liệu chính xác.
- Về thái độ: Cẩn thận, kiên trì, chính xác, trung thực, khách quan.

1. CƠ SỞ LÝ THUYẾT
Giả sử Q là lƣợng nhiệt cần truyền cho một khối khí có khối
lƣợng là m để nhiệt độ của khối khí tăng thêm một lƣợng là dT. Theo
định nghĩa, nhiệt dung riêng c của chất khí là một đại lƣợng đo bằng
nhiệt lƣợng cần truyền cho một kilôgam chất khí để nhiệt độ của khối khí
tăng thêm 1K (độ Kelvin):
Q
c (3.1)
m.dT
Nếu  là khối lƣợng của 1 mol chất khí thì nhiệt dung phân tử C
của chất khí (tức nhiệt dung của 1 mol chất khí) sẽ bằng:
C = . c (3.2)
Đơn vị đo của c là J/kg.K, của C là J/mol.K và của  là kg/mol.
Nhiệt dung của chất khí phụ thuộc vào điều kiện của quá trình nung
nóng. Thực vậy, theo nguyên lý thứ nhất của nhiệt động lực học: "Lƣợng
nhiệt Q mà hệ vật nhận từ ngoài vào trong quá trình biến đổi trạng thái
vô cùng nhỏ bằng tổng độ tăng nội năng dU của hệ vật và công A' do hệ
vật sinh ra trong quá trình đó
Q = dU + A' (3.3)
ở đây A' = p.dV, với p là áp suất và dV là độ biến thiên thể tích của khối
khí trong quá trình biến đổi trạng thái của nó. Thay (3.3) vào (3.1), ta
nhận đƣợc biểu thức xác định nhiệt dung riêng
29
 dU p.dV
c  (3.4)
dT dT

y1 2

BB
y2
0

Hình 3.1: Mô hình thí nghiệm

Trong quá trình đẳng tích: V = const và dV = 0, nên A' =p.dV = 0.

Từ (3.4) suy ra nhiệt dung phân tử đẳng tích
dU
CV   (3.5)
dT
Trong quá trình đẳng áp: p = const và dp = 0. Khi đó, theo phƣơng
trình trạng thái của 1 mol chất khí
p.V = R.T (3.6)
với R = 8,31 J/ mol.K là hằng số chất khí. Lấy vi phân của (3.6):
p.dV + V.dp = R.dT (3.7)
Thay (3.5) và (3.7) vào (3.4) với dp = 0, ta suy ra nhiệt dung phân
tử đẳng áp: Cp = C v + R (3.8)
Trong quá trình đoạn nhiệt (hệ không trao đổi nhiệt với bên ngoài): Q =
0. Khi đó, từ (3.3), (3.4) và (3.5), ta có
p.dV = - Cv.dT (3.9)
Chia (3.7) cho (3.9) và chú ý đến (3.8), ta tìm đƣợc
30
 V dp Cp  Cv Cp
1   1
p dV Cv Cv

dp dV Cp
hay   với  1 (3.10)
p V Cv
Thực hiện phép tích phân đối với (3.10), ta tìm đƣợc phƣơng trình
Poisson: p.V   const (3.11)
với  là tỷ số nhiệt dung phân tử của chất khí hay còn gọi là hệ số
Poisson.
Phƣơng trình (3.11) cho biết trong quá trình giãn nở đoạn nhiệt, khi
thể tích V tăng thì áp suất p giảm nhanh hơn nhiều so với quá trình đẳng
nhiệt (p.V = const).
Trong thí nghiệm này, ta sẽ xác định tỷ số nhiệt dung phân tử của
không khí theo phƣơng pháp giãn nở đoạn nhiệt nhờ các dụng cụ bố trí
nhƣ hình 3.1. Bình thủy tinh A chứa không khí đƣợc nối thông với áp kế
cột nƣớc M, đồng thời đƣợc nối thông hoặc với bơm nén khí B hoặc với
khí quyển bên ngoài nhờ một khóa ba chạc K. Toàn bộ các dụng cụ này
đƣợc lắp đặt trên một hộp chân đế G bằng kim loại.
Lúc đầu, vặn khóa K sang vị trí 1-1 để nối thông bình A với áp kế
M và bơm B. Dùng bơm B, bơm không khí vào bình A làm tăng dần áp
suất trong bình đến giá trị ổn định p1
p1 = Ho + H (3.12)
với Ho là áp suất khí quyển, H là độ chênh lệch áp suất của không khí
trong bình A so với áp suất khí quyển đọc trên áp kế M. Các đại lƣợng
Ho và H đƣợc tính theo đơn vị milimét cột nƣớc (mmH2O).
Tiếp đó, vặn khóa K sang vị trí 2 để không khí phụt nhanh ra ngoài
cho tới khi áp suất không khí trong bình A giảm tới giá trị p2 = Ho, rồi lại
vặn khóa K về vị trí 1.
Giả sử sau khi bơm không khí vào bình A: lƣợng không khí trong
bình có khối lƣợng mo, chiếm thể tích Vo của bình, có áp suất p1 và nhiệt
độ T1 (bằng nhiệt độ trong phòng). Khi mở khóa K: khối lƣợng không
khí phụt ra ngoài bình A là m. Do đó, khối lƣợng không khí còn lại
trong bình chỉ còn bằng: m = mo - m.
Khối lƣợng không khí m bây giờ chiếm thể tích V2 = Vo, nhƣng có
áp suất p2  p1 . Nhƣ vậy, suy ra trƣớc khi mở khóa K: khối lƣợng m của
không khí trong bình A ở áp suất p1 và nhiệt độ T1 chỉ chiếm thể tích
31
 V1  Vo . Vì quá trình giãn nở của khối lƣợng không khí m trong bình A từ
trạng thái (p1, V1) sang trạng thái (p2, V2 = Vo) xảy ra rất nhanh, không kịp
trao đổi nhiệt với bên ngoài (Q = 0) nên có thể coi gần đúng là quá trình
giãn nở đoạn nhiệt. Trong quá trình này, khối lƣợng m của không khí bị lạnh
đi và nhiệt độ của nó giảm từ nhiệt độ phòng T1 xuống đến nhiệt độ T2  T1 .
Áp dụng phƣơng trình Poisson (3.10) đối với khối lƣợng không khí m
giãn nở đoạn nhiệt từ trạng thái 1 (p1, V1, T1) sang trạng thái 2 (p2, V2 = Vo,
T2) biểu diễn bởi đƣờng cong đoạn nhiệt 1-2 trên đồ thị hình 2, ta có
p1 . V1  p 2 . V2

p1  V2 
hay   (3.13)
p 2  V1 
Tiếp đó khối khí m vẫn chiếm thể tích Vo của bình A và thu nhiệt
từ ngoài qua thành bình: trong quá trình biến đổi đẳng tích này, nhiệt độ
tăng dần từ T2 đến T1, còn áp suất tăng từ p2 đến p 3
p3 = Ho + h (3.14)
với h là độ chênh áp suất giữa khối lƣợng không khí m trong bình A so
với áp suất khí quyển bên ngoài đọc trên áp kế M. Từ đồ thị hình 3.2, ta
nhận thấy trạng thái 1 và 3 thuộc cùng một quá trình đẳng nhiệt T1 biểu
diễn bởi đƣờng cong đứt nét 1  3 .
p
Áp dụng định luật Boilt-Marriot
1
(p.V= const) cho khối khí m trong quá p1
trình biến đổi đẳng nhiệt từ trạng thái 1
(p1, V1, T1) đến trạng thái 3 (p3, V2 = Vo,
T1), ta có
p3 3
p1 V2
p1 V1  p3V2 hay  (3.15)
p3 V1 p2 2
So sánh (3.13) với (3.15) và thay O V1 V2 V
thế các giá trị của áp suất p1, p2, p3 theo
Hình 3.2: Đồ thị p-V biểu
độ chênh milimét cột nƣớc Ho, H, h trên
diễn các quá trình.
áp kế M, đồng thời chú ý đến điều kiện
H  Ho , h  Ho và hệ thức gần đúng n 1  x   x khi x  1 , ta tìm
đƣợc kết quả
H
 (3.16)
Hh
32
 Công thức (3.16) cho phép xác định đƣợc tỷ số nhiệt dung phân tử
Cp
 của không khí sau khi đo đƣợc độ chênh lệch milimét cột nƣớc
CV
H và h trên áp kế M ứng với quá trình giãn nở đoạn nhiệt 1-2 và quá trình
nung nóng đẳng tích 2-3 của khối lƣợng không khí m chứa trong bình A.
Từ (3.16) suy ra số bậc tự do i của phân tử khí
2
i (3.17)
 1
2. DỤNG CỤ VÀ PHƢƠNG PHÁP ĐO
2.1. Dụng cụ đo
Các dụng cụ thí nghiệm gồm có:
 Bình thủy tinh hình trụ 10 lít.
 Áp kế cột nƣớc hình chữ U có thƣớc milimét.
 Hộp chân đế có giá đỡ áp kế chữ U.
 Bơm nén khí dùng quả bóp cao su.
 Khóa ba chạc kim loại.
Các dụng cụ thí nghiệm này đƣợc lắp đặt nhƣ ở hình vẽ 3.1.
2.2. Phƣơng pháp đo
Đo độ chênh lệch áp suất H (mm cột nƣớc) của khối lƣợng không
khívừa bơm vào bình so với áp suất khí quyển bên ngoài.
Đo độ chênh lệch áp suất h (mm cột nƣớc) của khối lƣợng không
khí còn lại trong bình A so với áp suất khí quyển bên ngoài sau khi vặn
nhanh khóa bình A cho không khí trong bình phụt ra ngoài.
H C i2
Dùng công thức    P 
H  h CV i
để tính tỷ số nhiệt dung phân tử của chất khí.

3. TRÌNH TỰ THÍ NGHIỆM

a. Vặn nhẹ khóa K sang vị trí 1 để thông bình A với bơm nén khí B
và áp kế M. Bơm không khí vào bình A (không bơm quá mạnh để
tránh làm nƣớc trong áp kế M phụt ra ngoài) tới khi độ chênh lệch
cột nƣớc trên hai nhánh áp kế M đạt khoảng 250  300mm (tùy
chọn) thì ngừng bơm.

33
 b. Vặn khoá K để đóng kín bình A. Chờ khoảng 4 đến 5 phút để
nhiệt độ của khối không khí vừa bơm vào bình A cân bằng với
nhiệt độ trong phòng. Vặn từ từ khoá K để giảm lƣợng không khí
trong bình A cho tới khi các toạ độ y1 và y2 trên hai nhánh của áp
kế M đạt giá trị ổn định ứng với một giá trị không đổi của độ
chênh lệch áp suất H (chọn tùy ý trong khoảng 200-250 mm cột
nƣớc). Đọc và ghi các giá trị y1 và y2 vào bảng số liệu.
Vậy H = y1 – y2 (mmH2O)
c. Vặn nhanh khóa K sang vị trí 2 để không khí trong bình A phụt ra
ngoài. Khi áp suất không khí trong bình A cân bằng với áp suất
khí quyển bên ngoài, ta lại vặn nhẹ khóa K để đóng kín bình A.
Để phép đo chính xác, cần quan sát nhanh và đóng kín khóa K
ngay khi cột nƣớc trong hai nhánh áp kế M vừa đạt mức
ngang nhau, kết hợp với tai nghe tiếng xì của không khí thoát
ra khỏi bình A vừa dứt. Chờ khoảng thời gian cho nhiệt độ của
khối lƣợng không khí trong bình A cân bằng với nhiệt độ trong
phòng. Khi đó, các toạ độ y3 và y4 của các cột nƣớc trên hai
nhánh áp kế M đạt giá trị ổn định. Đọc và ghi các giá trị y3 và y4
vào bảng số liệu.
Vậy h = y3 – y4 (mmH2O)
d. Lặp lại phép đo 10 lần ứng với cùng giá trị đã chọn của H. Ghi
các kết quả đo y3 và y4 tƣơng ứng vào bảng số liệu.
4. TRÌNH BÀY KẾT QUẢ

Độ chênh lệch áp suất ban đầu:

H = y1 – y2 =.......…………………………(mmH2O)
Bảng số liệu

Lần đo y3 (mm) ∆y3(mm) y4 (mm) ∆y4(mm)

1
2
.
.
.
10
Trung bình

34
 a. Tính giá trị trung bình h  y3  y4 và các sai số tuyệt đối trung
bình:  y3 ,  y 4 ,  h .
b. Tính giá trị trung bình của tỷ số nhiệt dung phân tử  và số bậc tự
do i của phân tử khí theo công thức (3.16) và (3.17).
c. Tính các sai số của  , i.
d. Viết kết quả đo  , i.

5. CÂU HỎI KIỂM TRA

1- Định nghĩa và viết biểu thức của nhiệt dung riêng và nhiệt dung
phân tử. Nhiệt dung của chất khí có phụ thuộc điều kiện của quá
trình nung nóng không?
2- Phân biệt nhiệt dung phân tử đẳng tích Cv và đẳng áp Cp. Tìm
biểu thức liên hệ giữa chúng để chứng tỏ Cp> Cv.
3- Trong thực tế, khi nào có thể coi gần đúng các quá trình nén hoặc
giãn khí là đẳng nhiệt hoặc đoạn nhiệt? Sau khi nén hoặc giãn khí
chứa trong bình A, tại sao phải chờ một khoảng thời gian nào đó
thì độ chênh cột nƣớc trên hai nhánh áp kế M đạt giá trị ổn định?
4- Tại sao trong thí nghiệm này, ta phải dùng áp kế cột nƣớc mà
không dùng áp kế thủy ngân?
5- Muốn đảm bảo kết quả đo đƣợc chính xác, tại sao phải đóng kín
khóa K ngay khi cột nƣớc trong hai nhánh áp kế M vừa đạt mức
ngang nhau?
H
6- Chứng minh công thức tính sai số tƣơng đối của   có
Hh
 H.  h  h .  H

 H.  H  h 
dạng:
7- Tính giá trị lý thuyết của tỷ số nhiệt dung phân tử không khí khô
(coi nhƣ chỉ gồm các phân tử oxy O2 và nitơ N2) theo số bậc tự do
i của các phân tử khí.
8- Nếu không khí trong bình có độ ẩm cao chứa nhiều hơi nƣớc thì
giá trị lý thuyết của tỷ số nhiệt dung phân tử của không khí sẽ
thay đổi nhƣ thế nào (tăng hay giảm so với không khí khô)? Giải
thích tại sao?
&&&&&&&
35
 Bài thí nghiệm số 4
XÁC ĐỊNH GIÁ TRỊ ĐIỆN TRỞ, ĐIỆN DUNG,
ĐỘ TỰ CẢM, TẦN SỐ CỘNG HƢỞNG BẰNG
OSCILLOSCOPE
------ooo------
Mục tiêu: Sau khi học xong bài này các sinh viên có khả năng:
- Về kiến thức: Biết cách sử dụng máy oscilloscope, máy phát tần
số, nêu đƣợc phƣơng pháp đo và các bƣớc tiến hành thí nghiệm
xác định R, L, C, tần số cộng hƣởng bằng phƣơng pháp sử dụng
oscilloscope.
- Về kỹ năng: Sử dụng thành thạo các dụng cụ đo, tiến hành đúng
trình tự thí nghiệm để thu đƣợc số liệu chính xác.
- Về thái độ: Cẩn thận, kiên trì, chính xác, trung thực, khách quan.
1. CƠ SỞ LÝ THUYẾT
1.1. Dao động ký điện tử (Oscilloscope)
1.1.1. Mô tả dao động ký điện tử

Dao động ký điện tử là một dụng cụ vạn năng dùng để quan sát và
nghiên cứu độ lớn và hình dạng của dòng điện và hiệu điện thế trong các
mạch điện. Cấu tạo của dao động ký điện tử đƣợc biểu diễn bằng sơ đồ
khối trên hình 4.1 gồm có:
- Một ống phóng điện tử
- Các mạch điện điều khiển tia electron
- Bộ khuếch đại tín hiệu trục y (KĐY) để khuếch đại tín hiệu trƣớc
khi đặt vào hai bản cực nằm ngang trong ống phóng điện tử
- Bộ khuếch đại tín hiệu trục x (KĐX) để khuếch đại tín hiệu trƣớc
khi đặt vào hai bản cực thẳng đứng trong ống phóng điện tử
- Bộ phát tín hiệu răng cƣa (Q-X) để quét chùm tia điện tử
- Bộ nguồn cung cấp điện áp thấp một chiều và cung cấp cao áp
cho Anode và các cực điều khiển của ống phóng điện tử.

36
 Hình 4.1: Sơ đồ khối của dao động ký điện tử.
Ống phóng điện tử là một ống thủy tinh kín đƣợc hút chân không
cao 10-6mmHg), có các điện cực bên trong. Catod K đƣợc nung nóng nhờ
dây điện trở FF sẽ phát xạ ra các điện tử.
Giữa các anod A1, A2 và catod K có hiệu điện thế cỡ 1000V, nhờ
đó mà các điện tử phát xạ từ catod sẽ đƣợc gia tốc và bay đến đập vào
màn hình M có phủ lớp huỳnh quang và làm cho màn hình phát sáng tại
những điểm có điện tử đập vào. Một ống trụ kim loại G, bao quanh catod
K, gọi là lƣới điều khiển, có điện thế âm so với catod sẽ có tác dụng làm
giảm số điện tử đi qua nó và do đó sẽ giảm cƣờng độ phát sáng trên màn
huỳnh quang. Anod A2, có điện thế cao hơn A1, dùng gia tốc và hội tụ
chùm tia điện tử. Sau khi ra khỏi anod A2, chùm tia điện tử sẽ bay vào
giữa hai cặp bản cực Y1Y2 và X1X2. Nếu giữa mỗi cặp bản cực X1X2
hoặc Y1Y2 có một hiệu điện thế thì điện trƣờng do chúng tạo nên sẽ làm
cho chùm tia điện tử bị lệch khỏi phƣơng truyền thẳng.
Chùm tia điện tử bị lệch đi một khoảng x theo phƣơng nằm ngang
trên màn hình M khi có một điện thế Ux giữa hai bản cực X1X2 và lệch đi
một khoảng y theo phƣơng đứng khi có một điện thế Uy giữa hai bản cực
Y1Y2.
Theo định nghĩa, các đại lƣợng
x y
x  và  y  (4.1)
Ux Uy
có đơn vị là độ chia/V và đƣợc gọi là độ nhạy của ống phóng điện tử theo
chiều ngang và theo chiều dọc đối với các hiệu điện thế U x và U y .

37
 Các điện tử chuyển động trong ống phóng với vận tốc rất lớn (cỡ
107m/s) nên có thể xem chúng truyền tới đập tức thời vào màn hình M và
có thể xem rằng ống phóng tia điện tử là một dụng cụ không có quán tính.
Nhờ ƣu điểm này mà ngƣời ta đã chế tạo ra các dao động ký có thể hoạt
động trong dải tần số rộng (0  100 MHz).
Vị trí các vệt sáng trên màn hình M là kết quả chuyển động tổng
hợp của hai chuyển động có thành phần vuông góc với nhau của chùm tia
điện tử dƣới tác dụng đồng thời của các hiệu điện thế U x và U y đặt vào
các bản cực X1X2 và Y1Y2.
1.1.2. Phƣơng pháp quan sát dạng tín hiệu nhờ dao động ký điện tử
Quan sát dạng tín hiệu nghĩa là quan sát sự biến thiên theo thời gian
của hiệu điện thế hoặc dòng điện.
Nếu đặt lên hai bản cực X1X2 (nghĩa là đặt lên lối vào kênh X của
Bộ khuếch đại KĐX) một hiệu điện thế xoay chiều cần khảo sát:
u x  Uox .cos t (4.2)
Dƣới tác dụng của hiệu điện thế này, chấm sáng trên màn hình M sẽ
dao động theo phƣơng ngang, nhƣng do quán tính sáng của màn hình và
khả năng lƣu ảnh của mắt, ta chỉ nhìn thấy một vệt sáng nằm ngang cố
định trên màn hình. Độ dài của vệt sáng này tỉ lệ với biên độ U ox và
bằng
x  K.x .2Uox  K x .2Uox (4.3)
Trong đó K là hệ số khuếch đại của bộ khuếch đại KĐX,
K x  K. x là độ nhạy theo chiều dọc của dao động ký điện tử hay còn
gọi là hệ số truyền kênh X.
Tƣơng tự, nếu ta đặt lên lối vào kênh Y của bộ khuếch đại KĐY
một hiệu điện thế xoay chiều
u y  Uoy .cos t (4.4)

Dƣới tác dụng của hiệu điện thế này, chấm sáng trên màn hình M sẽ
dao động theo phƣơng thẳng đứng và ta nhìn thấy một vệt sáng đứng cố
định trên màn hình. Độ cao của vệt sáng này tỉ lệ với biên độ U oy và
bằng
y  K. y .2Uoy  K y .2Uoy (4.5)

Trong đó K là hệ số khuếch đại của bộ khuếch đại KĐY,

K y  K. y là độ nhạy theo chiều dọc của dao động ký điện tử hay còn
gọi là hệ số truyền kênh Y.

38
 Nếu ta đặt đồng thời lên hai bản cực Y1Y2 một hiệu điện thế xoay
chiều có dạng (4.2) và lên hai bản cực X1X2 một hiệu điện thế tăng tuyến
tính theo thời gian với hệ số tỉ lệ a không đổi
u x  a.t (4.6)
Khi đó vệt sáng trên màn hình M sẽ là tổng hợp của hai chuyển
động vuông góc với nhau
x  K x Ux  K x .a.t (4.7)

x
Và y  K y U y  K y U0y cos t  K y U 0y cos  (4.8)
Kxa
Nhƣ vậy, chùm tia điện tử sẽ vẽ lên trên màn hình M một tín hiệu
y  y  x  hoàn toàn đồng dạng với tín hiệu (4.3) cần nghiên cứu.
Trong dao động ký điện tử, để thực hiện việc quét chùm tia điện tử
theo chiều ngang, ngƣời ta dùng một bộ phát tín hiệu răng cƣa Q-X để
tạo ra một hiệu điện thế u x  a.t tăng tuyến tính theo thời gian đến một
giá trị cực đại U max xác định rồi giảm nhanh về giá trị ban đầu U o .

Hình 4.2: Dạng tín hiệu răng cưa của Bộ phát quét Q – X
Khi đặt tín hiệu ux nói trên lên hai bản cực X1X2, chấm sáng trên
màn hình M sẽ dịch chuyển ngang từ trái sang phải với vận tốc không đổi
(từ vị trí ban đầu bên trái sang vị trí cực đại bên phải) và lặp đi lặp lại với
một chu kỳ xác định gọi là chu kỳ quét Tq liên hệ với tần số quét theo
biểu thức
1
f (4.9)
Tq
- Nếu Tq = T, với T là chu kỳ tính hiệu cần nghiên cứu, trên màn hình
M sẽ hiện lên dạng dao động toàn phần của tín hiệu (hình 4.3a).
- Nếu Tq = n.T, với n là số nguyên, trên màn hình M sẽ hiện lên n dao
động toàn phần (hình 4.3b).
39
- Nếu Tq  n.T, trên màn hình M sẽ hiện một hình có dạng phức tạp
hoặc các đƣờng cong luôn dịch chuyển (hình 4.3c)
(a) (b) (c)

Tq = T Tq = n.T Tq = 3T/2

Hình 4.3: Các dạng tín hiệu xuất hiện trên màn hình dao động ký điện tử
Để hình ổn định, ngƣời ta sử dụng một núm điều chỉnh tần số quét
ngay trên mặt máy của dao động ký điện tử. Khi vặn núm này, các giá trị
U o và U max của tín hiệu răng cƣa không đổi nhƣng tốc độ quét thay đổi,
do đó chu kỳ quét Tq thay đổi, và độ dốc của đồ thị u x  t  thay đổi. Nếu
điều chỉnh núm này sao cho Tq  nT , ta sẽ có n dao động toàn phần ổn
định trên màn hình M. Nếu so sánh với tín hiệu chuẩn có biên độ và chu
kỳ đã biết, ta có thể xác định đƣợc biên độ và chu kỳ của tín hiệu cần
nghiên cứu.
1.1.3. Phƣơng pháp quan sát dao động tổng hợp của hai dao động
vuông góc

Nếu đặt lên hai bản cực X1X2 một hiệu điện thế: u x  Uox .cos x t
và đặt lên hai bản cực Y1Y2 một hiệu điện thế: u y  Uoy .cos  y t    thì
vệt sáng trên màn hình M sẽ thực hiện đồng thời hai dao động vuông góc
x  K x u x  Xo cos x t (4.10)
y  K y u y  Yo cos  y t    (4.11)
- Nếu y  n x (với n là số nguyên) thì quỹ đạo của chùm tia điện
tử trên màn hình M là các đƣờng Lissajou.
- Nếu y   x (với n = 1), thì quỹ đạo của chùm tia điện tử trên
màn hình M đƣợc xác định bởi phƣơng trình
2 2
 x   y  x.y
      2. cos   sin 2 
 Xo   Yo  Xo Yo
(4.12)
Tuỳ theo độ lệch pha , quỹ đạo sẽ là một đƣờng thẳng hay elip.

40
 - Khi   0 và    , quỹ đạo là một đƣờng thẳng. Nếu Uox  Uoy
thì quỹ đạo là một đƣờng thẳng nghiêng 450 (hình 4.4a, e).
- Khi     2 quỹ đạo là một đƣờng elip ngang (hình 4.4 c). Nếu
Uox  Uoy thì quỹ đạo là một đƣờng tròn (hình 4.4 f).
- Khi  có giá trị bất kỳ, quỹ đạo là một đƣờng elip xiên.

Hình 4.4: Các dạng quỹ đạo tổng hợp của hai dao động vuông
góc cùng tần số  với độ lệch pha  khác nhau.
1.2. Khảo sát đoạn mạch điện xoay chiều
1.2.1. Đoạn mạch chứa R, L, C nối tiếp
Xét một đoạn mạch AB gồm điện trở thuần R, cuộn dây thuần cảm
kháng có độ tự cảm L và tụ điện có điện dung C đƣợc mắc nối tiếp. Nối
hai đầu đoạn mạch AB với nguồn điện xoay chiều mà hiệu thế hai đầu là
u AB  U 2 sin   t   (4.13)
thì trong mạch sẽ xuất hiện dòng điện xoay chiều
iI 2 sin  t (4.14)
trong đó U và I là các giá trị hiệu dụng của hiệu thế và cƣờng độ dòng
điện,  là tần số góc của dòng điện xoay chiều,  là độ lệch pha giữa uAB
và i.
R L C
A M N B

~
Hình 4.5: Mạch RLC nối tiếp.

Gọi u R , u L , u C lần lƣợt là hiệu điện thế giữa hai đầu điện trở,
cuộn dây và tụ điện. Áp dụng định luật Ohm đối với đoạn mạch AM chỉ
chứa điện trở R

41
 u R  Ri  U R 2 sin t (4.15)
trong đó UR  RI
Vậy hiệu thế giữa hai đầu điện trở đồng pha với dòng điện qua nó.
1.2.2. Đoạn mạch MN chỉ chứa cuộn dây thuần cảm L
Do có dòng điện I biến thiên qua cuộn dây nên trong cuộn dây xuất
di
hiện một suất điện động tự cảm tc  L và hiệu thế giữa hai đầu cuộn
dt
dây là
di
u L   tc  L  L I 2 cos t
dt
 
u L  U L 2 sin   t   (4.16)
 2
trong đó UL  L I  ZL I và ZL  L là tổng trở của cuộn dây thuần
cảm
Vậy hiệu thế giữa hai đầu cuộn dây thuần cảm nhanh pha hơn dòng
điện qua nó một góc  2 .
1.2.3. Đoạn mạch NB chỉ chứa tụ điện C
Gọi q là điện tích trên mỗi bản tụ điện vào thời điểm t, cƣờng độ
dòng điện qua tụ điện là
dq
i  dq  i.dt
dt
I
q   i.dt   I 2 sin t dt   2 cos t

Hiệu thế giữa hai bản tụ điện
q I
uC    2 cos t
C C
 
u C  UC 2 sin  t   (4.17)
 2
I 1
trong đó UC   ZC I và ZC  là dung kháng của tụ điện.
C C
Vậy hiệu thế giữa hai đầu tụ điện chậm pha dòng điện qua nó
một góc  2 .
1.2.4. Đoạn mạch AB gồm R, L, C nối tiếp

42
 Biểu diễn các hiệu thế u R , u L , u C , u AB và dòng điện I bằng các
vectơ quay U R , U L , U C , U AB , I , ta có giản đồ vectơ mô tả ở hình
4.6a và 4.6b.
Do u AB  u R  u L  u C

 UAB  UR  UL  UC

Từ giản đồ vectơ, ta có

UAB2  UR 2   UL  UC 
2

Tổng trở của đoạn mạch AB này là

U
Z  AB  R 2   ZL  ZC  2 (4.18)
I
Độ lệch pha     pha u AB  pha i  giữa u AB và I là




Hình 4.6a: i chậm pha hơn Hình 4.6b: i nhanh pha hơn
(> 0) (< 0)
U  UC ZL  ZC
tg   L  (4.19)
UR R
- Cộng hƣởng thế
Khi tần số dòng điện xoay chiều đạt giá trị o sao cho:
Lo  1 o C (nghĩa là ZL  ZC ) hay o  1 LC thì theo công thức
(4.18), tổng trở mạch đạt giá trị cực tiểu Zmin  R và cƣờng độ hiệu dụng
của dòng điện trong mạch sẽ đạt giá trị cực đại I max  UAB R . Khi đó,
u L  u C và u AB  u R , nghĩa là u AB và I đồng pha. Mạch điện lúc đó
43
đƣợc gọi là mạch cộng hƣởng RLC nối tiếp và tần số dòng điện xoay
chiều là
 1
fo  o  (4.20)
2 2 LC
đƣợc gọi là tần số cộng hƣởng.
2. DỤNG CỤ VÀ PHƢƠNG PHÁP ĐO
2.1. Dụng cụ đo
Dụng cụ thí nghiệm gồm có:
- Dao động ký điện tử
- Máy phát xung
- Bảng lắp ráp mạch điện
- Hộp điện trở mẫu 0  9999,9 
- Tụ điện Cx
- Điện trở Rx
- Cuộn cảm Lx
2.2. Phƣơng pháp đo

2.2.1. Đo điện trở, độ tự cảm cuộn dây và điện dung tụ điện

a. Đo điện trở Rx
- u1 là điện áp xoay chiều lấy từ máy phát tần số.
- Ro là điện trở lấy Ký hiệu oscilloscope
từ hộp điện trở
0  9999,9
- Rx là điện trở cần Y
đo X X
Rx
- X1X2 và Y1Y2 là
các bản cực của
u1 ~ Y
oscilloscope.
Ro
Nếu √ (
) thì gọi dòng điện I Hình 4.7a: Sơ đồ mạch dùng để đo điện trở R
x
chạy qua toàn mạch và
các hiệu thế và đồng pha với u1. Do đó i  I 2 sin t ,
√ ( ), √ ( ).
Mắc mạch điện theo sơ đồ hình 4.7a.

44
 Các hiệu điện thế đƣợc đƣa vào các bản cực X1X2 và Y1Y2 lần lƣợt là
√ ( )

√ ( ) √ ( )
Khi đó, trên màn hình dao động ký điện tử xuất hiện một đoạn
thẳng xiên. Nếu điều chỉnh R o để đoạn thẳng nghiêng một góc 45o thì
U x  U y (xem hình 4.4e). Do đó

R x  Ro (4.21)
b. Đo điện dung Cx của tụ điện
Mắc mạch điện theo Y
sơ đồ hình 4.7b trong đó Cx
là tụ điện.
X X
Cx
Nếu √ ( u1
) thì i  I 2 sin t ,
√ ( ),
~
Y
√ ( ).
Các hiệu điện thế đƣợc Ro
đƣa vào các bản cực X1X2 và
Y1Y2 lần lƣợt là
√ ( ) Hình 4.7b: Sơ đồ mạch dùng để đo Cx.

√ ( ) √ ( )

Khi đó, trên màn hình dao động ký điện tử xuất hiện một elip. Nếu
điều chỉnh R o để elip trở thành hình tròn thì U x  U y (xem hình 4.4f).
1 1
Do đó ZC  R o . Thay ZC   , ta suy ra
C 2 f.C
1
Cx  (4.22)
2 f.R o
c. Đo độ tự cảm Lx của cuộn dây thuần cảm
Mắc mạch điện theo sơ đồ hình 4.7c trong đó Lx là cuộn dây thuần
cảm (không có lõi sắt).

45
Nếu √ ( ) Y
thì i  I 2 sin t ,
√ ( ), X X
u1 Lx
√ ( )
~ Y
Các hiệu điện thế đƣợc
đƣa vào các bản cực X1X2 và
Y1Y2 lần lƣợt là Ro

√ ( )
Hình 4.7c: Sơ đồ mạch dùng để đo Lx

√ ( ) √ ( )
Khi đó, trên màn hình dao động ký điện tử xuất hiện một elip. Nếu
điều chỉnh R o để elip trở thành hình tròn thì U x  U y (xem hình 4.4f).
Do đó ZL  R o .
Thay ZL  L  2 f.Lx suy ra
Ro
Lx  (4.23)
2 f
2.2.2. Khảo sát mạch cộng hƣởng
Mắc mạch điện theo sơ đồ
hình 4.8. Y
Cx
Nếu √ ( ) thì X X
i  I 2 sin t , u1
Lx
√ ( ), ~ Y
( )
Ro
√ ( )
√ ( )
Hình 4.8: Mạch RLC nối tiếp
Khi đó, trên màn hình dao
động ký điện tử xuất hiện một
elip.
Chọn một giá trị R o xác định và thay đổi tần số f của nguồn u1
đến giá trị f o để elip trở thành đƣờng thẳng nằm ngang. Lúc đó u y  0 ,

46
u1  u x  u y  u x . Do u x đồng pha với I nên u1 đồng pha với I, nghĩa
là   0 . Theo công thức (4.19) , ZL  ZC . Trong mạch có cộng hƣởng
thế với tần số cộng hƣởng f o xác định bởi công thức (4.20).
3. TRÌNH TỰ THÍ NGHIỆM

*** Lƣu ý: SV không tháo que đo ra khỏi máy Oscillocope, không tự

ý điều chỉnh các núm trên Oscillocope khi chƣa có sự đồng ý của GV.
Quan sát máy
- Dao động ký điện tử- Oscillocope (Cách sử dụng: xem phụ lục)
- Máy phát tần số (Cách sử dụng: xem phụ lục)
- Hộp điện trở (Cách sử dụng: xem phụ lục)
Tiến hành thí nghiệm
3.1. Tổng hợp hai dao động điều hòa vuông góc, cùng tần số
a. Mắc mạch điện nhƣ sơ đồ hình 4.7a.
b. Đặt vào hai đầu mạch một điện áp xoay chiều hình sin u1 lấy từ
máy phát tần số. Bật điện. Chọn mức điện áp xoay chiều u1 đạt
giá trị thích hợp nào đó.
c. Hiệu điện thế giữa hai đầu điện trở mẫu Ro đƣợc đƣa vào đầu X
của que đo, còn hiệu điện thế giữa hai đầu điện trở R x đƣợc đƣa
vào đầu Y của que đo.
3.2. Chuẩn hai kênh X và Y của dao động ký để chúng có cùng độ
nhạy (có hệ số truyền kênh nhƣ nhau)
a. Kiểm tra xem nút XY đã đƣợc nhấn chƣa, nếu chƣa, nhấn nút XY
trên dao động ký.
b. Nối đầu vào que đo X và đầu vào que đo Y của dao động ký điện
tử cùng chung một điểm. Với cách mắc này, cả hai kênh X và Y
đều đƣợc nối chung một tín hiệu (cùng tần số, biên độ và pha).
c. Chọn tín hiệu sóng sin có tần số f nằm trong khoảng từ 200Hz
đến 1000Hz. Trên màn hình sẽ có một đoạn thẳng sáng nghiêng.
d. Điều chỉnh các núm chỉnh biên độ điện áp sao cho đoạn sáng
thẳng nghiêng 45o so với trục tọa độ. Khi đó hai kênh X và Y có
độ nhạy bằng nhau nghĩa là: K x  K y .

47
 e. Giữ nguyên giá trị của 2 núm chỉnh biên độ điện áp trong suốt
quá trình thực hiện các thí nghiệm tiếp theo.
f. Nối đầu vào que đo X của dao động ký điện tử / đầu vào que đo Y
của dao động ký điện tử về lại vị trí ban đầu.
3.3. Đo điện trở Rx
a. Mắc mạch điện theo sơ đồ hình 4.7a.
b. Chọn tần số tín hiệu f của máy phát tần số nằm trong khoảng từ
200Hz đến 2000Hz.
c. Trên màn hình xuất hiện một đoạn thẳng sáng. Điều chỉnh điện
trở R0 của hộp điện trở mẫu cho tới khi trên màn hình dao
động ký xuất hiện một đƣờng thẳng nghiêng một góc 45o so
với các trục tọa độ. Khi đó, biên độ UR x  URo và ta có R x  R o .
d. Thực hiện động tác này 3 lần với 3 giá trị khác nhau của tần số f
và ghi các giá trị Ro vào bảng số liệu 1.
3.4. Đo điện dung Cx
a. Mắc mạch điện theo sơ đồ hình 4.7b.
b. Chọn tần số của máy phát tần f  200Hz –2000Hz
c. Điều chỉnh điện trở R o của hộp điện trở mẫu để hình elip trở
thành hình tròn. Khi đó, biên độ UC  URo , và ta có ZC  R o .
d. Thực hiện phép đo này 3 lần với 3 giá trị khác nhau của tần số f. Ghi
giá trị tần số f và các giá trị của điện trở R o vào bảng số liệu 2.

3.5. Đo độ tự cảm Lx
a. Mắc mạch điện theo sơ đồ hình 4.7c.
b. Chọn tần số của máy phát tần số f  5.000Hz - 20.000Hz.
c. Điều chỉnh điện trở RO của hộp điện trở để hình elip trở
thành hình tròn. Khi đó, biên độ UL  UR o , và ta có ZL  R o .
d. Thực hiện phép đo này 3 lần với 3 giá trị khác nhau của tần số f. Ghi
giá trị tần số f và các giá trị của điện trở R o vào bảng số liệu 3.
3.6. Tìm giá trị tần số cộng hƣởng

a. Mắc mạch điện theo sơ đồ hình 4.8.

48
 b. Quan sát dạng tín hiệu trên màn hình của dao động ký, tín hiệu có
dạng elip.
c. Chọn Ro = 300. Điều chỉnh tần số máy phát trong khoảng
1.000  20.000Hz và quan sát sự thay đổi dạng của elip trên màn
hình cho tới khi xảy ra cộng hƣởng. Khi đó, hình elíp trở thành
một đƣờng thẳng nằm ngang.
d. Thực hiện động tác này 3 lần. Đọc và ghi tần số cộng hƣởng f o
vào bảng số liệu 4.
4. BÁO CÁO THÍ NGHIỆM
 0.0016
 ;
 3.14
4.1. Bảng 1: Xác định điện trở thuần R x :

Lần đo f (Hz) R0 () Rx () Rx

1
2
3
Trung bình
a. Tính sai số tƣơng đối Rxi cho từng lần đo rồi ghi vào bảng số
liệu.
b. Tính giá trị trung bình của điện trở cần đo R x .
c. Tính các sai số của Rx.
d. Viết kết quả đo R x = R x ± R x .
e. Tại sao khi Rx = Ro, tín hiệu đo là đƣờng thẳng nghiêng 45o?

4.2. Bảng 2: Xác định dung kháng ZC và điện dung Cx.

Lần đo f (Hz) Zc = Ro () Cx (F) Cx

1
2
3
Trung
bình
a. Tính giá trị của điện dung C x và sai số tƣơng đối Cxi cho từng
lần đo rồi ghi vào bảng số liệu.

49
 b. Tính giá trị trung bình của điện dung Cx.
c. Tính sai số các sai số của Cx
d. Viết kết quả đo Cx  Cx  Cx .
e. Tại sao khi Zc = R0, tín hiệu đo là đƣờng tròn?
4.3. Bảng 3: Xác định cảm kháng ZLx , độ tự cảm L x (cuộn dây không
lõi sắt)

Lần đo f (Hz) ZLx =Ro () Lx (H) Lx

1
2
3
Trung
bình

a. Tính giá trị của độ tự cảm Lx và sai số tƣơng đối Lxi từng lần đo
rồi ghi vào bảng số liệu.
b. Tính giá trị trung bình của độ tự cảm L x
c. Tính các sai số của Lx
d. Viết kết quả đo Lx  Lx  Lx .
e. Tại sao khi ZL = R0, tín hiệu đo là đƣờng tròn?
4.4. Bảng 4: Xác định tần số cộng hƣởng fo
Lần đo Mạch RLC nối tiếp
fo (Hz) fo (Hz)
1
2
3
Trung bình

a. So sánh giá trị tần số cộng hƣởng f o và . Với Lx, Cx

√
lần lƣợt là giá trị độ tự cảm, tụ điện đã tìm đƣợc ở trên. Nêu
nhận xét.
b. Tại sao khi tần số f đạt giá trị cộng hƣởng, hình elíp trở thành
một đƣờng thẳng nằm ngang?

5. CÂU HỎI KIỂM TRA

1- Trình bày cách chuẩn hệ số truyền kênh Y và cách đo biên độ
điện áp ra của máy phát tần số.
50
2- Mô tả cách đo điện trở thuần Rx, tụ dung Cx và điện cảm Lx bằng
dao động ký điện tử và máy phát tần số.
3- Ngoài cách tìm giá trị điện trở thuần Rx, tụ dung Cx và điện cảm
Lx bằng dao động ký điện tử và máy phát tần số, ta còn có thể tìm
giá trị của chúng bằng cách nào khác?
&&&&&&&

51
 Bài thí nghiệm số 5
KHẢO SÁT ĐẶC TÍNH CỦA DIODE VÀ
TRANSISTOR
------ooo------

Mục tiêu: Sau khi học xong bài này các sinh viên có khả năng:
- Về kiến thức: Nêu đƣợc phƣơng pháp đo và các bƣớc tiến hành thí
nghiệm xác định đặc tính của Diode và Transitor.
- Về kỹ năng: Sử dụng thành thạo các dụng cụ đo, tiến hành đúng
trình tự thí nghiệm để thu đƣợc số liệu chính xác.
- Về thái độ: Cẩn thận, kiên trì, chính xác, trung thực, khách quan.

1. CƠ SỞ LÝ THUYẾT

1.1. Diode bán dẫn

1.1.1. Bán dẫn tinh khiết và bán dẫn tạp chất
Căn cứ vào tính dẫn điện của các chất ngƣời ta chia các chất rắn ra
làm 3 loại: kim loại, bán dẫn và điện môi. Trong kim loại mật độ electron
tự do rất lớn, nên điện trở suất của kim loại rất nhỏ  = (10-6- 10-4) .cm.
Trong điện môi mật độ electron rất nhỏ, không đáng kể nên điện trở suất
của điện môi rất lớn vào khoảng 1010 đến 1015.cm. Những chất có điện
trở suất lớn hơn kim loại nhiều lần nhƣng cũng nhỏ hơn điện trở suất của
điện môi nhiều lần đƣợc gọi là chất bán dẫn. Điện trở suất của các chất
bán dẫn có giá trị trong khoảng từ 1 .cm đến cỡ 108.cm. Các chất bán
dẫn có thể là những chất tinh khiết nhƣ germanium (Ge), telua (Te),
silicium (Si),..., có thể là hợp chất của các kim loại nhƣ: oxit, sulfua,
telua, ví dụ: Cu 2 O , ZnO, PbS, CdS, PbTe, v.v...
Đặc điểm chủ yếu của các chất bán dẫn là tính dẫn điện của chúng
phụ thuộc vào nhiều điều kiện và bị ảnh hƣởng của nhiều yếu tố vật lý
khác nhau nên tính dẫn điện của chúng thay đổi trong khoảng khá lớn.
Những điều kiện và yếu tố vật lý tác động mạnh nhất là nhiệt độ, nồng độ
tạp chất trong bán dẫn, độ rọi sáng, điện trƣờng, từ trƣờng. Đặc biệt, khi
tăng nhiệt độ hoặc nồng độ tạp chất thì điện trở suất của chất bán dẫn
giảm đi rõ rệt, khác hẳn với kim loại. Dƣới đây, chúng ta sẽ khảo sát một
cách khái quát tính dẫn điện của các chất dẫn điện.

52
 a. Bán dẫn tinh khiết
Ge
Chẳng hạn chúng ta xét nguyên
tố germanium (Ge) có hoá trị 4.Trong Ge Ge
trạng thái tinh thể mỗi nguyên tử Ge
Ge Ge Ge
liên kết với 4 nguyên tử Ge khác bao
quanh nó bởi 4 cặp electron hoá trị. Ge
Ge
Sự liên kết đó đƣợc biểu diễn trên
hình 5.1, mỗi cặp electron hoá trị Ge
đƣợc biểu diễn bằng hai đọan thẳng
nối liền các nguyên tử. Hình 5.1: Mạng tinh thể Ge
Ở nhiệt độ bình thƣờng, một số
electron trong tinh thể Ge có năng lƣợng chuyển động nhiệt khá lớn. Với
năng lƣợng này các electron đó có thể tự phá vỡ liên kết, rời khỏi nguyên
tử và trở thành các electron tự do.
Do electron mang điện âm (-e), nên chuyển động của electron rời
khỏi vị trí liên kết tƣơng đƣơng với
chuyển động của một điện tích Ge
dƣơng (+e) lấp vào vị trí liên kết đó.
Vị trí liên kết mà electron vừa rời Ge Ge
khỏi trở thàng một lỗ trống”. Nhƣ
vậy, lỗ trống” đƣợc xem tƣơng Ge As -e Ge
đƣơng nhƣ một điện tích dƣơng. Ta
nói nó là một hạt mang điện dƣơng Ge Ge
(+e).
Nhƣ vậy, trong mạng tinh thể Ge
có thể xuất hiện nhiều electron tự do
và nhiều lỗ trống”. Khi một lỗ Hình 5.2: Bán dẫn Ge pha tạp As
trống” xuất hiện, có thể nó lại bị một
electron của nguyên tử Ge khác ở gần đấy nhảy đến chiếm chỗ và quá
trình này đƣợc tiếp diễn trong toàn mạng tinh thể Ge, ta nói các lỗ
trống” chuyển động trong mạng tinh thể. Ở điều kiện bình thƣờng, các
electron tự do và lỗ trống” trong mạng tinh thể chuyển động hỗn loạn.
Nhƣng khi có điện trƣờng, các electron sẽ chuyển động ngƣợc chiều điện
trƣờng, còn các lỗ trống” chuyển động cùng chiều với điện trƣờng tạo
thành dòng điện trong chất bán dẫn.
Rõ ràng, chất bán dẫn tinh khiết vừa dẫn điện bằng electron vừa
dẫn điện bằng lỗ trống”. Mặt khác, mỗi electron vừa rời khỏi vị trí liên
kết với nguyên tử để trở thành electron tự do lại tạo ra một lỗ trống”,

53
nên trong bán dẫn tinh khiết mật độ electron tự do và mật độ lỗ trống
bằng nhau.
b. Bán dẫn có tạp chất
Bán dẫn có tạp chất gồm có 2 loại: bán dẫn loại n và bán dẫn loại p.
- Bán dẫn loại n
Ta xét bán dẫn Ge, nếu ngƣời ta thêm một ít tạp chất chẳng hạn
một lƣợng rất nhỏ asen (As) thì khi đó trong mạng tinh thể Ge, một số
nguyên tử Ge sẽ bị nguyên tử As chiếm chỗ (hình 5.2). Vì nguyên tố As
có hoá trị 5 (có 5 electron hoá trị) nên khi liên kết với 4 nguyên tử Ge
bao quanh nó sẽ có một electron dƣ ra. Electron hoá trị dƣ ra này liên kết
rất yếu với nguyên tử As, vì vậy ngay ở nhiệt độ bình thƣờng năng lƣợng
liên kết của nó đã lớn hơn năng lƣợng kiên kết yếu đó. Nó dễ dàng phá
vỡ liên kết với nguyên tử để trở thành electron tự do. Rõ ràng, electron tự
do này không tạo ra lỗ trống.
Nhƣ vậy, khi có một lƣợng rất nhỏ tạp chất As trong mạng tinh thể
của tinh chất Ge đã có thêm một lƣợng electron tự do, kết quả là mật độ
electron tự do tăng lên rất nhiều so với mật độ lỗ trống” đã có sẵn trong
bán dẫn tinh khiết Ge trƣớc đây.
Khi có điện trƣờng ngoài, dƣới tác dụng của lực điện trƣờng, trong
chất bán dẫn Ge đã có pha tạp chất As sẽ có dòng electron chuyển động
ngƣợc chiều với điện trƣờng lớn hơn rất nhiều so với dòng các lỗ trống”
chuyển động cùng chiều với điện trƣờng. Ta nói bán dẫn Ge có pha As
có tính dẫn điện chủ yếu bằng các electron tự do. Những chất bán dẫn có
tính dẫn điện chủ yếu bằng electron đƣợc gọi là bán dẫn loại n (do chữ
negative nghĩa là âm).
- Bán dẫn loại p
Nếu ta không pha tạp chất As vào bán dẫn tinh khiết Ge mà lại pha
một hàm lƣợng rất nhỏ tạp chất indium (In) là một nguyên tố hoá trị 3 (có
3 electron hoá trị) thì tính chất của bán dẫn lại thay đổi khác hẳn. Khi đó,
một nguyên tử In liên kết với 4 nguyên tử Ge bao quanh sẽ biến một
electron, tức là sẽ dƣ ra một lỗ trống” (liên kết này đƣợc mô tả trên hình
5.3). Do trong bán dẫn tinh khiết đã có sẵn các electron có thể trở thành
tự do nên các electron này sẽ nhảy vào vị trí lỗ trống” ở trên và ở vị trí
cũ của electron đó lại xuất hiện lỗ trống”.Quá trình trên có thể xảy ra
trên toàn bộ tinh thể.Kết quả là trong chất bán dẫn bây giờ mật độ lỗ
trống” lớn hơn mật độ electron tự do đã có sẵn trong chất bán dẫn tinh
khiết trƣớc dây.

54
 Khi có điện trƣờng ngoài, dƣới tác dụng của lực điện trƣờng, trong
chất bán dẫn Ge có pha tạp chất In sẽ có dòng lỗ trống” chuyển động
cùng chiều với điện trƣờng, mạnh hơn
rất nhiều dòng electron chuyển động Ge
ngƣợc chiều với điện trƣờng. Ta nói chất
bán dẫn này có tính dẫn điện chủ yếu Ge Ge
bằng lỗ trống”. Những chất bán dẫn có
tính dẫn điện bằng lỗ trống” đƣợc gọi là Ge In Ge
bán dẫn loại p (do chữ positive nghĩa là
dƣơng). Ge Ge
Từ những kết quả đã dẫn ra, ta
thấy tùy theo loại tạp chất và nồng độ Ge
chúng ta pha vào chất bán dẫn tinh khiết
mà ta sẽ có bán dẫn loại p hay bán dẫn
loại n. Hình 5.3: Bán dẫn Ge pha tạp In

Những electron tự do trong bán dẫn loại n và những lỗ trống”

trong bán dẫn loại p đƣợc gọi là những phần tử tải điện chủ yếu, còn
những lỗ trống” trong bán dẫn loại n và những electron tự do trong bán
dẫn loại p đƣợc gọi là phần tử tải điện không chủ yếu.
Muốn giải thích sâu sắc và đầy đủ về bản chất và đặc điểm về tính
dẫn điện trong chất bán dẫn chúng ta phải dùng lý thuyết vùng năng
lƣợng trong chất rắn mà cơ sở của lý thuyết này là cơ học lƣợng tử sẽ
đƣợc khảo sát trong phần cuối của chƣơng trình vật lý đại cƣơng.
1.1.2. Tác dụng chỉnh lƣu của lớp tiếp xúc bán dẫn p-n
Giả sử ta có hai loại: bán dẫn Ge loại n và bán dẫn Ge loại p có
cùng nồng độ tạp chất. Ta ghép chúng tiếp xúc với nhau. Tại mặt tiếp
xúc, do chuyển động nhiệt các phần tử tải điện chủ yếu trong hai bán dẫn
khác loại sẽ khuếch tán sang nhau: electron từ bán dẫn loại n sẽ khuếch
tán sang bán dẫn loại p, ngƣợc lại lỗ trống” từ bán dẫn loại p khuếch tán
sang bán dẫn loại n. Kết quả là ở chỗ tiếp xúc giữa hai mặt của hai chất
bán dẫn khác loại sẽ có điện tích trái dấu: mặt bên phía bán dẫn loại n
mang điện dƣơng (+) còn mặt bên phía bán dẫn loại p thì mang điện âm
(-). Hai mặt mang điện này tạo thành một lớp điện tích kép, do đó giữa
chúng xuất hiện một điện trƣờng. Lớp tiếp xúc nhƣ vậy đƣợc gọi là lớp
tiếp xúc p-n (xem hình vẽ 5.4). Điện trƣờng xuất hiện trong lớp điện tích
kép này có tác dụng làm giảm sự khuếch tán của các phần tử tải điện chủ
yếu. Ta gọi cƣờng độ điện trƣờng đó là E o .

55
 Khi hai bán dẫn tiếp xúc nhau, đồng thời với sự khuếch tán của các
phần tử tải điện chủ yếu còn có sự khuếch tán của các phần tử tải điện
không chủ yếu: các lỗ trống” từ bán dẫn n sang bán dẫn p, và ngƣợc lại,
các electron từ bán dẫn p sang bán dẫn n. Tuy nhiên, lý thuyết chứng tỏ
rằng sự khuếch tán của các phần tử tải điện không chủ yếu này không
phụ thuộc điện trƣờng E o trong lớp điện tích kép.
Bán dẫn loại p - + Dòng lỗ trống không chủ yếu
Dòng lỗ trống chủ yếu - +
- + Dòng electron chủ yếu
Dòng electron không chủ yếu - + Bán dẫn loại n
- +

Hình 5.4: Lớp tiếp xúc p-n

Sự khuếch tán của các phần tử tải điện chủ yếu ban đầu lớn hơn sự
khuếch tán của các phần tử không chủ yếu, nhƣng do điện trƣờng E o
ngăn cản nên dòng khuếch tán của các phần tử chủ yếu giảm dần cho tới
khi cân bằng với sự khuếch tán các phần tử tải điện không chủ yếu. Lúc
đó trạng thái cân bằng động đƣợc thiết lập, lớp điện kép sẽ có hiệu điện
thế Vo đạt tới giá trị ổn định vào khoảng vài phần mƣời volt và có độ dày
vào cỡ 10-7–10-6 mét.

p n p n

+ - - +
Hình 5.5: Phân cực thuận và nghịch cho diode

Bây giờ, nếu ta nối bán dẫn p với cực dƣơng của nguồn điện và bán
dẫn n với cực âm của nguồn thì giữa hai bán dẫn sẽ có một điện trƣờng
E ngƣợc chiều với điện truờng E o của lớp điện tích kép.

Vì E > E o nên điện trƣờng tổng ( E + E o ) có chiều trùng với điện

trƣờng E , do đó nó có tác dụng làm cho sự khuếch tán của các phần tử tải
điện chủ yếu qua lớp điện tích kép tăng lên rất nhiều so với sự khuếch tán
của các phần tử không chủ yếu. Trong trƣờng hợp này, lớp điện tích kép

56
đã cho dòng điện có chiều từ bán dẫn p sang bán dẫn n. Dòng điện này
đƣợc gọi là dòng điện thuận (xem hình 5.5).
Ngƣợc lại, nếu ta nối bán dẫn p với cực âm và bán dẫn n với cực
dƣơng của nguồn điện thì điện trƣờng giữa hai bán dẫn do nguồn gây nên
sẽ có chiều trùng với điện trƣờng trong lớp điện tích kép. Điện trƣờng
tổng ( E + E o ) sẽ có chiều trùng với E o và có tác dụng làm cho các phần
tử tải điện không chủ yếu khuếch tán mạnh qua lớp tiếp xúc nhiều lên và
ngăn hoàn toàn sự khuếch tán của các phần tử tải điện chủ yếu qua lớp
tiếp xúc.Tuy có dòng các phần tử tải điện không chủ yếu nhƣng vì mật độ
của chúng rất nhỏ, nên dòng điện này có cƣờng độ rất nhỏ.Dòng điện này
đƣợc gọi là dòng điện nghịch. Trong trƣờng hợp này, lớp điện tích kép
đƣợc gọi là lớp ngăn.
Nhƣ vậy. Ta thấy khi đặt một hiệu điện thế I
xoay chiều vào hai đầu bán dẫn p-n chỉ có dòng
điện chạy qua nó theo chiều thuận (từ p sang n) và
hầu nhƣ không có dòng chạy theo chiều nghịch (từ
n sang p). Nói cách khác, bán dẫn p-n có thể biến
đổi dòng điện xoay chiều thành dòng điện một
chiều. Đó là tác dụng chỉnh lƣu của bán dẫn p-n.
Bán dẫn p-n đƣợc gọi là cái chỉnh lƣu hay là diode U
bán dẫn. Ngƣời ta thƣờng ký hiệu diode nhƣ sau:
Hình 5.7: Đặc tuyến
p n
của diode bán dẫn

Hình 5.6: Ký hiệu của diode

Lý thuyết và thực nghiệm chứng tỏ rằng, cƣờng độ dòng điện toàn
phần I chạy qua diode bán dẫn p-n thay đổi phụ thuộc vào hiệu điện thế
U đặt vào giữa hai đầu của diot đó theo qui luật:
  e U  
I  I o  e k T   1  (5.1)
 
 
trong đó: k là hằng số Bolztman
k = 1,38.10 –23 J/K = 8,625.10 –5 eV/K
T là nhiệt độ tuyệt đối của lớp tiếp xúc p-n
e (ở số mũ) = 1,6.10 –19 C, là điện tích của điện tử

57
 Io là cƣờng độ bão hòa của dòng điện ngƣợc It. Giá trị Io rất nhỏ,
phụ thuộc cấu tạo của diode và nhiệt độ (ở nhiệt độ phòng, mật độ dòng
Io chỉ vào khoảng 10-12A/cm2 đối với diode Si và 10-6 A/cm2 đối với
diode Ge).
Đƣờng biểu diễn của hàm số (5.1) có dạng nhƣ trên hình 5.7 và
đƣợc gọi là đặc tuyến (đƣờng đặc trƣng volt-ampere) của các diode bán
dẫn (nếu hiệu thế ngƣợc U không có trị số âm quá lớn).
Nếu hiệu thế ngƣợc U có trị số âm khá lớn và vƣợt giá trị Uz (phụ
thuộc bản chất lớp tiếp xúc p-n) thì cƣờng độ dòng điện nghịch tăng lên
rất nhanh trong khi hiệu thế ngƣợc hầu nhƣ không đổi ở giá trị U z. Hiện
tƣợng này gọi là hiện tƣợng thác đổ.
Trong các diode bán dẫn dùng để chỉnh lƣu, lớp tiếp xúc p-n
thƣờng không đƣợc chế tạo đặc biệt để có thể chịu đựng đƣợc hiện tƣợng
thác đổ. Do đó, khi hiệu thế ngƣợc U vƣợt quá giá trị Uz thì diode sẽ bị
hỏng do dòng điện nghịch quá lớn, nhiệt độ lớp tiếp xúc tăng nhanh làm
cháy diode.
1.2. Transistor

n p n C p n p C
E

B B
lớp tiếp giáp E-B lớp tiếp giáp B-C

Hình 5.8: Cấu tạo của transitor

1.2.1. Cấu tạo của transistor
Transistor là một linh kiện bán dẫn gồm 3 lớp bán dẫn đặt tiếp xúc
nhau bởi hai lớp tiếp giáp, trong đó lớp ở giữa là loại bán dẫn có tính dẫn
điện khác với hai lớp bên cạnh.
Lớp bán dẫn ngoài cùng có nồng độ tạp chất lớn gọi là cực phát E
(Emitter). Nhờ đó, số hạt tải điện chủ yếu trong miền này (electron nếu là
bán dẫn loại n hay lỗ trống nếu là bán dẫn loại p) rất lớn và có khả năng
cung cấp một dòng hạt tải điện rất lớn. Lớp giữa có bề dầy rất mỏng (m)
có nồng độ tạp chất thấp gọi là cực nền B (Base). Cực B dùng để điều
khiển dòng hạt tải điện khuếch tán từ cực phát E. Lớp ngoài cùng còn lại
có nồng độ tạp chất trung bình gọi là cực thu C (Collector). Cực này
dùng để thu thập dòng hạt tải điện khuếch tán từ cực phát E.

58
Tùy theo thứ tự sắp xếp các lớp bán dẫn p, n mà ta có hai loại transistor
npn và pnp. Hai loại này đƣợc ký hiệu trên hình 5.9.
C

B B

E E
npn pnp
Hình 5.9: Kí hiệu transitor

1.2.2. Phân cực transistor

Để transistor hoạt động, ta phải phân cực cho nó. Ta dùng transistor
npn làm ví dụ:
Thông thƣờng lớp tiếp giáp EB đƣợc phân
cực thuận và lớp tiếp giáp BC đƣợc phân cực - +
nghịch. Do lớp phát nền phân cực thuận nên - e2 IC
electron (hạt tải điện chủ yếu) từ cực E khuếch
IB C
tán mạnh vào vùng nền, và lỗ trống (hạt tải điện
đa số trong vùng nền) từ cực nền khuếch tán vào B
vùng cực phát E. Tuy nhiên, do vùng cực B có E
nồng độ tạp chất thấp nên dòng lỗ trống nhỏ so IE
với dòng điện tử. Nhƣ vậy sự khuếch tán của -
dòng electron từ cực phát sang cực nền và của + -
dòng lỗ trống từ cực nền sang cực phát tạo nên Hình 5.10: Phân
dòng điện gọi là dòng cực phát IE. cực transitor
Do electron khuếch tán từ cực E vào B nên số electron ở lớp tiếp
giáp EB (bên cực E) nhiều hơn ở lớp tiếp giáp BC (bên cực C). Do đó,
electron sẽ khuếch tán vào C. Trong thời gian electron khuếch tán trong
vùng B thì có một số electron tái hợp với lỗ hổng làm cho vùng B mất
cân bằng điện tích. Để lập lại cân bằng điện tích, nguồn e1 sẽ hút các
electron tái hợp ra và tạo dòng IB. Do lớp tiếp giáp BC đƣợc phân cực
nghịch nên các electron sau khi khuếch tán sang vùng B lại tiếp tục
khuếch tán sang vùng C và tạo ra dòng điện cực thu IC. Nồng độ tạp chất
ở vùng C tuy nhỏ hơn vùng E, nhƣng lớn hơn ở vùng B để giảm điện trở
ở vùng C, do đó tăng khả năng dẫn dòng của vùng C.
Ta có hệ thức sau đây về dòng điện trong transistor
IE = IB + IC (5.2)
Để đánh giá mức độ hao hụt dòng khuếch tán trong vùng nền,
ngƣời ta dùng hệ số truyền đạt 

59
 IC
 (5.3)
IE
Hệ số  xác định chất lƣợng của transistor, và nó càng gần 1 càng tốt.
Đặc điểm nổi bật nhất của transistor là tính khuếch đại. Với dòng
điện tƣơng đối nhỏ vào cực nền, ta có thể thu đƣợc dòng điện rất lớn qua
cực thu.
1.2.3. Các đặc tuyến của transistor
Tùy thuộc vào cách mắc sơ đồ, cực nào chung giữa đầu vào và đầu
ra, các kiểu mạch bằng transistor có 3 kiểu mắc cơ bản: mắc cực phát
chung, cực nền chung và cực thu chung. Ở đây chúng ta chỉ xét trƣờng
hợp mắc cực phát chung với
transistor npn. Mạch khuếch đại có
cực phát chung có thể khuếch đại R1 IC
đồng thời cả dòng điện và điện áp
nên có độ lợi khuếch đại công suất
rất lớn. Do đó, nó đƣợc sử dụng rất
rộng rãi. Transistor thƣờng đƣợc IB
phân cực nhƣ ở hình 5.11. U BE
Nếu giữ cƣờng độ dòng điện R2 IE
IB ở một giá trị xác định nào đó,
thay đổi điện áp UCE thì IC thay đổi
theo và ta thu đƣợc đƣờng cong IC Hình 5.11: Mô hình phân
= f (UCE), đƣờng cong này đƣợc cực transitor npn
gọi là đặc tuyến ra của transistor.
Ứng với một giá trị của IB, ta đƣợc một đặc tuyến ra của transistor. Thay
đổi IB ta thu đƣợc một họ đặc tuyến ra của transistor.
Nếu giữ UCE cố định, thay đổi IB thì IC cũng thay đổi và ta thu đƣợc
đƣờng cong IC  f  IB  , đƣờng cong này đƣợc gọi là đặc tuyến truyền
đạt của transistor. Khi thay đổi UCE, ta thu đƣợc một họ các đặc tuyến
truyền đạt (xem hình 5.12)
1.2.4. Các vùng hoạt động và điểm hoạt động của transistor
Từ đặc tuyến ra của transistor ta xác định đƣợc 3 vùng làm việc của
Transistor.
a. Vùng ngƣng dẫn

60
 Với transistor npn khi cực B hở mạch hay VBE < 0 thì lớp tiếp giáp
BE bị phân cực nghịch, không có dòng khuếch tán của điện tử từ cực
phát sang cực nền nên IB = 0 và IC  0 (thật ra có một dòng điện rỉ rất
nhỏ khoảng vài A). Nhƣ vậy, khi hai lớp tiếp giáp đều phân cực nghịch
thì transistor ở trạng
thái ngƣng dẫn. Trên IC(mA)
đồ thị (hình 5.13) vùng
bên dƣới đƣờng IB = 0 UCE = 6V
là vùng ngƣng dẫn của IB = 80A
Transistor. 4 IB = 60A
b. Vùng khuếch IB = 40A
đại 2
UCE = 2V IB = 20A
Khi lớp tiếp giáp IB = 0A
BE đƣợc phân cực
thuận (tạo dòng IB) và IB(A) 60 40 3 4 5 6 UCE (V)
BC phân cực nghịch,
có một dòng electron Hình 5.12: Đặc tuyến transitor
khuếch tán từ cực E
IC
vƣợt qua vùng B vào
cực C (tạo dòng IC). Khi đó
IE = IB + IC, do IB << IC nên
IE  IC. Ta nói rằng transistor Vùng
bão hoà Vùng khuếch đại
đang làm việc trong vùng
khuếch đại (vùng không bi
gạch chéo trên hình 5.13). Ở
một phạm vị hoạt động nhất IB = 0
định, giữa IB và IC có một tỷ
lệ xác định chỉ phụ thuộc vào O Vùng ngƣng dẫn UCE
cấu tạo của mỗi loại
Hình 5.13: Vùng khuếch đại
transistor.
IC (mA)
Khi dòng IB thay đổi
một lƣợng IB, dòng IC cũng thay
đổi một lƣợng tƣơng ứng IC với IC (bh)
cùng một tỷ lệ. Nói cách khác,
một dòng IB nhỏ có thể điều khiển
một dòng IC lớn. Khi đó transistor
làm việc ở chế độ khuếch đại
tuyến tính ứng với đoạn OM của
O IB(bh) IB (A)
đƣờng đặc trƣng IC  f  IB  vẽ
Hình 5.14: Đường đặc trưng vùng
khuếch đại 61
trên hình 5.14. Ngƣời ta lợi dụng tính chất này của transistor để sử dụng
nó làm dụng cụ khuếch đại dòng điện.
Hệ số khuếch đại dòng điện của transistor bằng:
IC
 (5.4)
I B
c. Vùng bão hòa
Khi tiếp giáp BE đƣợc phân cực thuận quá lớn (vƣợt qua giá trị
giới hạn) thì dòng IC tăng lên rất mạnh làm cho UCE giảm (hình 5.11).
Khi UCE quá thấp thì cực thu không nhận thêm dòng electron khuếch tán
từ cực phát nữa. Ta nói transistor đã vào vùng bão hòa. Trong vùng bão
hòa nếu tiếp tục làm tăng dòng IB thì dòng IC vẫn không tăng đƣợc nữa
(chỉ có IE tăng theo IB).
Khi UCE UBE thì transistor vừa vào vùng bão hòa. Khi UCE < UBE thì
transistor đã vào sâu trong vùng bão hòa. Nhƣ vậy, khi cả hai lớp tiếp
giáp BE và BC đều phân cực thuận thì transistor nằm trong vùng bão
hòa.
Tóm lại, transistor có thể làm việc ở 3 vùng trạng thái: khuếch đại,
bão hòa và ngƣng dẫn.
Ở trạng thái tĩnh, khi chƣa có tín hiệu xoay chiều ở đầu vào của
transistor (giữa cực nền và phát) trên đồ thị IC = f (UCE), mỗi điểm đƣợc
xác định bởi 3 thông số IC, UCE và IB. Điểm đƣợc xác định bởi 3 thông số
trên đƣợc gọi là điểm hoạt động của transistor.
Từ sơ đồ hình 5.11, ta có:
RC IC = U – UCE hay: IC(mA)
IB = 100A
U  U CE
IC  (5.5)
RC IB = 80A
Phƣơng trình (5.5) chứng tỏ IB = 60A
đƣờng biểu diễn của IC theo UCE IB = 40A
IB = 20A
là một đƣờng thẳng. Vẽ đƣờng
thẳng này trên cùng đồ thị với
đặc tuyến ra ta đƣợc hình 5.16. O U UCE (V)
Giao điểm của đƣờng thẳng Hình 5.16: Đặc tuyến ra transitor
này với đặc tuyến ra cho ta điểm
hoạt động của transistor. Khi có tín hiệu ở đầu vào của transistor thì điểm
này sẽ di động trên đồ thị. Khi dùng transistor để khuếch đại tín hiệu ta
nên chọn điểm hoạt động của transistor nằm ở giữa
62
 vùng khuếch đại để bảo đảm rằng khi có tín hiệu ở đầu vào thì điểm hoạt
động chỉ thay đổi trong vùng khuếch đại, khi đó tín hiệu ra sẽ không bị
biến dạng.
Trong thí nghiệm này, ta khảo sát đặc tính chỉnh lƣu của diode
bằng cách vẽ đƣờng đặc trƣng Volt-Ampere I = f (U) của diode và khảo
sát đặc tính khuếch đại của transistor bằng cách vẽ đƣờng đặc trƣng IC = f
(IB), từ đó xác định vùng hoạt động tuyến tính để xác định hệ số khuếch
đại dòng điện  của transistor.
2. DỤNG CỤ VÀ PHƢƠNG PHÁP ĐO
2.1. Dụng cụ đo
Dụng cụ thí nghiệm gồm có:
- Bộ thí nghiệm vật lý BKE-050 hay MC-95.7
- Diode (silic) và transistor (npn)
- Các điện trở 820 và 100k
- Bộ dây nối mạch điện (7 dây)
- Nguồn điện 220VAC
2.2. Phƣơng pháp đo
2.2.1. Vẽ đặc tuyến của diode
Để khảo sát đặc tuyến của các diode bán dẫn, ta mắc diode vào
mạch điện theo sơ đồ hình 5.17a để khảo sát dòng thuận và theo sơ đồ
hình 5.17b để khảo sát dòng nghịch. Trong đó:
D là diode Si
E là nguồn điện một chiều có núm xoay để điều chỉnh điện áp ra.
V là volt kế một chiều DC để đo điện áp ở hai đầu mạch.
A là miliampere kế DC hoặc microampere kế DC để đo cƣờng độ
dòng điện trong mạch.
A A
- + - +
+ +
+ +
D V E D V E
- - - -

Hình 5.17a: Phân cực thuận diode Hình 5.17b: Phân cực nghịch diode

63
 Khi thay đổi giá trị và chiều của hiệu điện thế đặt ở hai đầu của
diode D, ta đo đƣợc cƣờng độ dòng điện toàn phần I chạy qua diode
tƣơng ứng với chiều thuận và nghịch của nó. Từ đó, ta có thể dễ dàng xác
định đƣợc dạng đƣờng đặc trƣng volt-ampere của diode.
Tuy nhiên, trong điều kiện thí nghiệm, ta chỉ khảo sát dòng thuận.
2.2.2. Vẽ đƣờng đặc trƣng IC = f(IB) và I
đo hệ số khuếch đại  của transistor
Vẽ họ đƣờng cong IC = f (UCE)
biểu diễn sự phụ thuộc của dòng IC vào
hiệu điện thế UCE ứng với các giá trị
không đổi khác nhau của dòng IB.
Xác định giá trị của dòng IC bão
hòa ứng với cùng giá trị của hiệu điện
thế UCE trên mỗi đƣờng cong IC = f
O U
(UCE). Từ đó vẽ đƣờng đặc trƣng IC = f
(IB) của transistor có dạng đƣờng thẳng Hình 5.18: Đặc tuyến của diode
qua gốc O nhƣ hình vẽ 5.19 và suy ra hệ
số khuếch đại dòng  của transistor có trị số bằng độ dốc tg của đƣờng
thẳng này:
ICi  ICj
  tg   (5.6)
IBi  IBj

IC(mA)

IB = 20A

IB = 15A

IB = 10A

IB = 5A

IB(A) 20 15 10 5 0 0,3 UCE (V)

V
Hình 5.19: Đặc tuyến của transistor

3. TRÌNH TỰ THÍ NGHIỆM

3.1. Vẽ đƣờng đặc trƣng Volt-Ampere của diode

64
 a. Mắc mạch điện trên mặt máy của bộ BKE-050 hay MC-95.7 theo
sơ đồ hình 5.20 nhưng chưa cắm phích lấy điện của nó vào nguồn
điện 220 VAC.
b. Kiểm tra các núm chuyển mạch thang đo của các đồng hồ điện
thích hợp với giá trị: Ampekế A2: 10mA, Voltkế V: 1V, Nút
chuyển mạch pnp/npn: npn. Công tắc K ở vị trí ngắt mạch, núm
xoay điều chỉnh các
+ 12V
nguồn điện U1, U2 ở vị trí
G N
0. P
A2
c. Mời giáo viên kiểm tra - +
U2
+ R=820
mạch điện và cắm phích
lấy điện của bộ BKE-050 V
hay MC-95.7 vào nguồn -E
điện xoay chiều 220V.
Bấm công tắc K đƣa điện
Hình 5.20: Sơ đồ mạch điện khảo
vào máy (đèn LED phát
sát diode
sáng).
d. Vặn từ từ núm xoay của nguồn U2 để thay đổi hiệu thế U giữa hai
cực của diode đọc trên Voltkế V tăng dần từng 0,1V từ 0 đến giá
trị lớn nhất. Chú ý:nếu cƣờng độ dòng điện tăng nhanh thì
tăng U với khoảng nhỏ hơn. Đọc và ghi các giá trị của cƣờng độ
dòng điện thuận I trên Ampekế A2 vào bảng số liệu 1.
e. Vặn núm xoay của nguồn U2 về vị trí 0. Bấm công tắc K để ngắt
điện.
3.2. Khảo sát đặc tính khuếch đại của transistor
a. Mắc mạch điện trên mặt máy BKE-050 hay MC-95.7 theo sơ đồ
hình 5.21 nhưng chưa cắm phích lấy điện của nó vào nguồn điện
220 VAC.
+ 12V
+ 12V
C G N P
A2
H M B - +
U2
U1 + RC=820
A1 IC
RB=150k
+ - V
IB
IE -
E Q

Hình 5.21: Sơ đồ mạch điện khảo sát transitor

65
 b. Kiểm tra các núm chuyển mạch thang đo của các đồng hồ điện
thích hợp với giá trị: Ampekế A1: chọn thang đo nhỏ nhất,
Ampekế A2: 10mA, Voltkế V: 1V, nút chuyển mạch pnp/npn:
chọn npn. Công tắc K ở vị trí ngắt mạch, núm xoay điều chỉnh
các nguồn điện U1, U2 ở vị trí 0.
Mời giáo viên kiểm tra mạch điện và bấm công tắc K đƣa điện
vào máy.
c. Vặn núm điều chỉnh nguồn U1 sao cho ampere-kế A1 chỉ dòng IB
có 1 giá trong khoảng từ 4A đến 20A.
d. Điều chỉnh nguồn U2 sao cho volt-kế V chỉ hiệu điện thế UCE tăng
dần từ 0V đến 1V (mỗi lần 0,1V), đồng thời ghi giá trị cƣờng độ
dòng IC trên ampere-kế A2 vào bảng số liệu 2. Nếu IC chƣa bão
hòa thì chuyển thang đo của volt-kế V sang 10V, tiếp tục đo mỗi
lần 1V cho đến khi dòng IC ổn định.
Chú ý: trong quá trình tăng dần UCE, cần theo dõi và giữ cho
giá trị chọn trƣớc của dòng IB không thay đổi bằng cách điều
chỉnh nguồn U1. Vặn các núm điều chỉnh các nguồn U1 và U2 về
vị trí 0.
e. Thực hiện lại các động tác trên với 3 giá trị không đổi khác của
dòng IB trong khoảng từ 4A đến 20A. Đọc và ghi các giá trị
tƣơng ứng của UCE và IC vào bảng số liệu 2. Vặn các núm điều
chỉnh các nguồn U1 và U2 về vị trí 0.
f. Bấm công tắc K để ngắt điện vào máy. Rút phích lấy điện ra khỏi
nguồn 220VAC. Tháo các dây nối điện trên mặt máy BKE-050
hay MC-95.7 và thu xếp gọn gàng các dụng cụ thí nghiệm.
4. TRÌNH BÀY KẾT QUẢ
4.1. Vẽ đƣờng đặc trƣng Volt-Ampere I = f (U) của diode:
a. Bảng số liệu 1
Cấp chính xác của Volt kế: kV = ……%
Thang đo Volt kế: Um = ……
Vạch chia nhỏ nhất của thang đo Volt kế: ωV = ……
Cấp chính xác của Ampere kế: kA = ……%
Thang đo Ampere kế: Im = ……
Vạch chia nhỏ nhất của thang đo Ampere kế: ωA = ……

U (V)
I (mA)

66
 b. Vẽ đặc tuyến I = f (U) của diode bán dẫn.
4.2. Vẽ đƣờng đặc trƣng IC = f (UCE,IB) của transistor
a. Bảng số liệu 2.
Cấp chính xác của Volt kế: kV = ……%
Thang đo Volt kế: Um = ……
Vạch chia nhỏ nhất của thang đo Volt kế: ωV = ……
Cấp chính xác của Ampere kế 1: kA1 = ……%
Thang đo Ampere kế 1: I1m = ……
Vạch chia nhỏ nhất của thang đo Ampere kế 1: ωI1 = ……
Cấp chính xác của Ampere kế 2: kA2 = ……%
Thang đo Ampere kế 2: I2m = ……
Vạch chia nhỏ nhất của thang đo Ampere kế 2: ωI2 = ……

UCE (V)
IB = µA IC (mA)
UCE (V)
IB = µA IC (mA)
UCE (V)
IB = µA IC (mA)
UCE (V)
IB = µA IC (mA)
b. Vẽ đồ thị IC = f (IB) và IC = f (UCE) trên cùng một hệ trục tọa độ.
Chọn ij là đoạn thẳng nhất trên đồ thị.
c. Xác định hệ số khuếch đại dòng điện  của transistor:
I Ci  I Cj
  tg 
I Bi  I Bj
.
d. Tính các sai số của β.
e. Viết kết quả đo: β = β ± ∆β

5. CÂU HỎI KIỂM TRA

1. Mô tả cấu tạo và ký hiệu của diode. Giải thích sự xuất hiện lớp
tiếp xúc p-n và đặc tính chỉnh lƣu của diode.

67
 2. Nêu qui luật biểu diễn cƣờng độ dòng điện I chạy qua diode phụ
thuộc vào hiệu điện thế U giữa hai điện cực của nó. Vẽ đƣờng đặc
trƣng volt-ampere của diode và sơ đồ mạch điện dùng để xác định
đƣờng đặc trƣng Volt-Ampere này.
3. Mô tả cấu tạo và ký hiệu của transistor loại npn và loại pnp. Giải
thích đặc tính khuếch đại dòng điện của transistor loại npn.
4. Viết biểu thức hệ số khuếch đại dòng điện của transistor. Vẽ đồ
thị biểu diễn sự phụ thuộc của dòng IC vào dòng IB và sơ đồ mạch
điện dùng xác định đồ thị này
&&&&&&&

68
 Bài thí nghiệm số 6
XÁC ĐỊNH ĐIỆN TÍCH RIÊNG CỦA ELECTRON
BẰNG PHƢƠNG PHÁP MAGNETRON
------ooo------

Mục tiêu: Sau khi học xong bài này các sinh viên có khả năng:
- Về kiến thức: Nêu đƣợc phƣơng pháp đo và các bƣớc tiến hành thí
nghiệm xác định điện tích riêng của electron.
- Về kỹ năng: Sử dụng thành thạo các dụng cụ đo, tiến hành đúng trình
tự thí nghiệm để thu đƣợc số liệu chính xác.
- Về thái độ: Cẩn thận, kiên trì, chính xác, trung thực, khách quan.

1. CƠ SỞ LÝ THUYẾT
1.1. Chuyển động của electron trong từ trƣờng đều
Sau khi đƣợc gia tốc bằng một điện trƣờng, electron bay vào trong
một từ trƣờng đều B với vận tốc ban đầu v . Trong từ trƣờng, electron
chịu tác dụng bởi lực Lorentz
F  ev  B (6.1)
Lực F có phƣơng vuông góc với v và B .
Trong trƣờng hợp phƣơng của vectơ -e
vận tốc v vuông góc với vectơ cảm ứng
từ B thì độ lớn của lực F là
F=evB (6.2)
Theo định luật II Newton
 
F  ma

Do F vuông góc với v nên F đóng vai

trò của lực hƣớng tâm Hình 6.1: Quỹ đạo chuyển động
  của electron trong từ trường.
F  ma n

69
 m v2
 e v B=
r
Bán kính cong của quỹ đạo của electron là
mv
r (6.3)
eB

Vì F vuông góc với v nên lực F không thực hiện công và do đó động
năng của electron sẽ đƣợc bảo toàn, nghĩa là v = const. Từ (6.3), ta suy ra
r = const.
Vậy electron chuyển động tròn đều trên quỹ đạo tròn bán kính r
đƣợc xác định từ công thức (6.3).
e
Từ đó, ta suy ra tỉ số
m
e v
 (6.4)
m Br
Để tạo ra chùm electron chuyển động với vận tốc không đổi v trong
từ trƣờng, ngƣời ta dùng một đèn magnetron M đặt ở bên trong một ống
dây solenoid D.
1.2. Mô tả hoạt động của đèn magnetron
Đèn magnetron M là một bóng thủy tinh, bên trong có độ chân
không cao 10 7  108 mmHg  và có ba điện cực: cathode K và anode A
là hai ống kim loại hình trụ, lƣới G là một lƣới kim loại hình trụ ngăn giữa
anode và cathode. Các điện cực này đƣợc đặt cùng trục với đèn magnetron
M, nhƣng cathode K nằm gần lƣới G hơn và có đƣờng kính khá nhỏ so với
anode A. Cathode K đƣợc nung nóng bằng một dây kim loại nối với nguồn
điện U2. Nguồn điện U3 đƣợc nối giữa cathode K và lƣới G, tạo ra một
điện trƣờng làm tăng tốc các electron nhiệt phát ra từ cathode K. Các
electron này chuyển động qua lƣới G đến anode A tạo thành dòng điện
anode I2 đƣợc đo bằng miliampere-kế A2 (hình 6.3). Động năng của
electron khi bay tới lƣới G có trị số bằng công của lực điện trƣờng giữa
cathode K và lƣới G
1
mv 2  eU (6.5)
2

70
với U là hiệu điện thế giữa cathode K và lƣới G đo bằng volt-kế V, còn e
và m là độ lớn của điện tích và khối lƣợng của electron, v là vận tốc của
electron khi bay tới lƣới G.
Vì anode A đƣợc nối với lƣới G bằng một dây dẫn có điện trở rất
nhỏ nên hiệu điện thế giữa chúng coi nhƣ bằng không. Electron sẽ
chuyển động thẳng đều từ lƣới G về anode A với vận tốc không đổi v để
tạo ra dòng điện có cƣờng độ I2 chạy qua miliampere-kế A2. Từ công
thức (6.5), ta suy ra vận tốc v của electron:

2eU
v (6.6)
m
Ống dây solenoid D đƣợc nối với nguồn điện U1. Dòng điện chạy
qua cuộn dây này có cƣờng độ I sẽ tạo ra trong lòng ống dây solenoid D
một từ trƣờng có vectơ cảm ứng từ B hƣớng dọc theo trục của đèn
magnetron M và vuông góc với vectơ vận tốc v của electron. Từ trƣờng
tác dụng lên electron một lực Lorentz FL (tính theo công thức (6.1) và có
giá trị tính theo công thức (6.2)) làm electron chuyển động theo quỹ đạo
tròn bán kính r đƣợc xác định bởi công thức (6.3).
Thay (6.6) vào (6.4), ta đƣợc
e 1 2eU

m Br m
e 2U
  2 2 (6.7)
m B r
Cảm ứng từ B trong lòng của ống dây solenoid D khi có dòng điện
cƣờng độ I chạy qua tính bằng công thức
B  o n I (6.8)
với o  410 7 H / m là hằng số từ, n là số vòng dây trên một đơn vị dài
của ống dây,  là hệ số tỷ lệ phụ thuộc vào cấu tạo của ống dây solenoid
D.
Thay (6.8) vào (6.7), ta có
e 2U
 (6.9)
m   o n I 2 r 2

Theo (6.3), bán kính r của quỹ đạo tròn của electron tỷ lệ nghịch
với cảm ứng từ B. Theo (6.8), cảm ứng từ B tỷ lệ thuận với cƣờng độ
71
dòng điện I qua ống dây. Vì vậy, khi I tăng thì r giảm. Khi I tăng tới giá
d
trị I1 giới hạn thì r  với d là khoảng cách giữa anode A và lƣới G.
2
d
Nếu I  I1 thì r  , lúc này các electron không tới đƣợc anode A nên
2
cƣờng độ dòng điện anode I 2 sẽ bằng không (hình 6.2.).
d A
Thay I  I1 và r  vào (6.9),
2 K
ta tìm đƣợc:
e 8U
 (6.10)
m   o n I1d 2

Trong thí nghiệm này, ta sẽ

e
xác định điện tích riêng của e1
m
electron dựa theo công thức (6.10) G
bằng cách dùng volt-kế V để đo Hình 6.2: Quỹ đạo của electron
hiệu điện thế U giữa cathode K và trong từ trường ứng với các trường
lƣới G, đồng thời dùng ampere-kế hợp khác nhau của dòng điện I qua
A1 để xác định cƣờng độ dòng điện cuộn dây.
I1 chạy qua ống dây solenoid D lúc dòng điện anode I2 bắt đầu triệt tiêu.
2. DỤNG CỤ VÀ PHƢƠNG PHÁP ĐO
2.1. Dụng cụ đo
Bộ thí nghiệm vật lý BKE-100PS gồm có:
- Đèn magnetron.
- Ống dây solenoid dùng tạo ra từ trƣờng.
- Nguồn một chiều U1 (0-6V - 5A) cung cấp dòng điện qua cuộn dây.

- Nguồn một chiều U 2 (0-6V - 0,5A) dùng để đốt nóng cathode.

- Nguồn một chiều U 3 (0-12V - 100mA) dùng để tạo dòng anode qua
đèn.
- Ampere-kế A1 dùng để đo dòng điện I qua cuộn dây.

- Ampere-kế A 2 dùng để đo dòng anode I 2 .

- Volt-kế V dùng để đo hiệu thế giữa lƣới G và cathode K.
72
 _ +
M A A2
Ge G

+ + +
U1 VG U3
e _
-Ge + _
-
_- A1

D U2 K
Hình 6.3: Sơ đồ mạch điện trong thí nghiệm xác định điện tích
riêng của electron bằng phương pháp phương pháp magnetron.

2.2. Phƣơng pháp đo

Mắc mạch điện nhƣ ở hình vẽ 6.3. Theo lý luận nêu trên, điện tích
e
riêng của electron đƣợc xác định theo công thức (6.10), trong đó µo
m
là hằng số từ,  và n là các hằng số phụ thuộc vào cấu tạo của ống dây
solenoid D, d là khoảng cách giữa lƣới G và anode A của đèn magnetron.
Nhƣ vậy, ta cần đo hiệu thế U giữa anode
A và lƣới G bằng volt-kế V, và cƣờng độ I
dòng điện I1 qua cuộn dây bằng ampere- 2
a
kế A1 khi dòng anode I2 bắt đầu triệt tiêu.

Để xác định cƣờng độ dòng điện I1 ,

ta chỉ cần tăng dần cƣờng độ dòng điện I
qua cuộn dây trên miliampe-kế A1 từ giá b
trị 0 và đồng thời theo dõi quá trình giảm O I1 I
dần của cƣờng độ dòng điện I 2 trên Hình 6.4: Đồ thị thể
miliampe-kế A2. Khi cƣờng độ dòng điện hiện sự phụ thuộc của I2
I 2 bắt đầu triệt tiêu thì I  I1 . Nhƣng vì vào I.
các electron nhiệt phát ra từ cathode K có vận tốc khác nhau nên một số
electron có vận tốc lớn vẫn có thể bay tới anode A ngay cả khi I  I1 nên
dòng điện I 2 không hoàn toàn triệt tiêu. Do đó, đồ thị I2  f  I  biểu diễn
sự phụ thuộc của dòng điện I 2 vào dòng điện I có dạng một đƣờng cong

73
nhƣ hình 6.4, đoạn dốc nhất ab của nó ứng với trƣờng hợp đa số electron
không tới đƣợc anode A. Nhƣ vậy, ta không thể xác định giá trị chính xác
của cƣờng độ dòng điện I1 trên ampere-kế A1 khi dòng I 2 trên
miliampere-kế A 2 bắt đầu triệt tiêu. Để xác định tƣơng đối chính xác giá
trị I1 , ta vẽ đồ thị I2  f  I  . Sau đó, vẽ tiếp tuyến với đƣờng cong này tại
đoạn ab. Tiếp tuyến này sẽ cắt trục hoành OI tại điểm có giá trị I1 .
3. TRÌNH TỰ THÍ NGHIỆM
3.1. Chuẩn bị thí nghiệm

BKE - 100PS A -
ANOT Đ
A2
G +
LƢỚI
+
1mA 5mA
A1 D
+
+ - K
+ V
+2,5A 5A CATO -
F F tuy
Sợi nung T2
3V 10V
FUSE FUSE FUSE
+ -
10A + - 1A + - 0,5A U3
U1 U2 012V/
0 0 0
K1 06V/5A K2 06V/5A K3 100mA

Hình 6.5: Bộ thí nghiệm BKE-100PS.

a. Chƣa cắm phích lấy điện của bộ BKE-100PS vào nguồn điện
xoay chiều 220V. Quan sát mặt máy (hình 6.5). Dùng các dây dẫn
mắc mạch điện theo sơ đồ hình 6.3.
b. Gạt các núm chuyển mạch để đặt đúng: ampere-kế A1 ở thang đo
5A, miliampere-kế A 2 ở thang đo 5mA.
c. Vặn núm xoay của các nguồn điện U1, U2, U3 về vị trí số 0.
d. Đặt các công tắc K1, K2, K3 ở trạng thái ngắt mạch.
Chú ý: Trƣớc khi cắm phích lấy điện của bộ BKE-100PS vào nguồn
điện xoay chiều 220V, phải mời giáo viên tới kiểm tra mạch điện vừa
mắc trên mặt máy và hƣớng dẫn cách sử dụng để tránh làm hỏng
máy.

74
3.2. Tiến hành đo
a. Cắm phích lấy điện của bộ BKE-100PS vào nguồn xoay chiều
220V.
b. Bấm các công tắc K1, K2, K3, các đèn LED phát sáng báo hiệu các
nguồn U1, U2, U3 đã hoạt động.
c. Vặn núm xoay của nguồn U3 để tăng hiệu điện thế giữa lƣới G và
cathode K (đo bằng volt-kế) đạt giá trị không đổi U= 6V.
d. Vặn núm xoay của nguồn U2 từ từ để đốt nóng sợi nung FF của
đèn magnetron. Khi đó, miliampere-kế A2 chỉ cƣờng độ dòng
anode I2, chọn giá trị I2 ổn định trong khoảng từ 3mA đến 5mA.
e. Vặn từ từ núm xoay của nguồn U1 để tăng dần cƣờng độ dòng
điện I (đo bằng ampere-kế A1) mỗi lần 0.5A chạy qua ống dây
solenoid từ 0 đến giá trị lớn nhất. Trong quá trình này, đọc và ghi
các giá trị của I và I2 vào bảng số liệu. Chú ý: khi thấy I2 giảm
nhanh thì tăng I với những khoảng nhỏ hơn.
f. Vặn các núm xoay của nguồn U1, U2, U3 theo đúng thứ tự này về
vị trí 0. Sau đó, bấm các nút K1, K2, K3 để tắt máy.
4. TRÌNH BÀY KẾT QUẢ

Bảng số liệu:
- Volt-kế V: Umax =………., cấp chính xác: kV =……..,
độ chia nhỏ nhất ωV = ……
- Ampere-kế A1: I max =……, cấp chính xác: kA1 =…….,
độ chia nhỏ nhất ωA1 = ……
- Ampere-kế A2: I2 max =…..., cấp chính xác: kA2 =…….,
độ chia nhỏ nhất ωA2 = ……
- Mật độ vòng dây của ống dây D: n =………………….(vòng/m)
- Hệ số của ống dây D:  = …………..
- Khoảng cách anode - lƣới: d =……………(m)
- Hiệu điện thế giữa lƣới G và cathode K: U = 6V.
I(A)
I2(mA)
a.
75
 b. Vẽ đồ thị I2 = f(I). Căn cứ vào đồ thị, xác định giá trị dòng điện I1:
I1 =..... ...... (A)
e 8U
c. Tính giá trị của điện tích riêng: X   2 2 2 2 2.
m  0 n I1 d
d. Tính các sai số và viết kết quả đo của điện tích riêng X.
e
e. So sánh giá trị đo X với giá trị lý thuyết
m
1,6.1019
Xlt  31
 17,6.1010 C . Tính độ lệch tỷ đối
9,1.10 kg

X lt  X
x100% .
X lt
f. Tại sao khi tăng dòng điện I thì dòng điện I2 qua cuộn dây lại
giảm?
5. CÂU HỎI KIỂM TRA
1- Nêu định nghĩa và đơn vị đo điện tích riêng của electron.
2- Trình bày phƣơng pháp xác định điện tích riêng của electron bằng
phƣơng pháp magnetron
- Vẽ sơ đồ mạch điện và mô tả cấu tạo của đèn magnetron.
- Giải thích rõ chuyển động của electron nhiệt phát ra từ cathode
đƣợc nung nóng trong đèn magnetron do tác dụng của điện
trƣờng và từ trƣờng trong mạch điện.
3- Trong sơ đồ mạch điện thí nghiệm trên hình 6.3, tại sao phải mắc
cực (-) của miliampekế A2 vào anode A và cực dƣơng (+) của nó
vào lƣới G của đèn magnetron?
4- Tại sao phải giữ giá trị hiệu điện thế của nguồn điện U2 không
thay đổi trong suốt thời gian tiến hành thí nghiệm?
&&&&&&&

76
 Bài thí nghiệm số 7
XÁC ĐỊNH BƢỚC SÓNG ÁNH SÁNG ĐƠN SẮC
BẰNG PHƢƠNG PHÁP NHIỄU XẠ QUA CÁCH
TỬ PHẲNG
------ooo------

Mục tiêu: Sau khi học xong bài này các sinh viên có khả năng:
- Về kiến thức: Nêu đƣợc phƣơng pháp đo và các bƣớc tiến hành thí
nghiệm xác định bƣớc sóng ánh sáng đơn sắc.
- Về kỹ năng: Sử dụng thành thạo các dụng cụ đo, tiến hành đúng
trình tự thí nghiệm để thu đƣợc số liệu chính xác.
- Về thái độ: Cẩn thận, kiên trì, chính xác, trung thực, khách quan.

1. CƠ SỞ LÝ THUYẾT
Nhiễu xạ ánh sáng là hiện tƣợng các tia sáng bị lệch khỏi phƣơng
truyền thẳng khi đi qua các vật chƣớng ngại (khe hẹp, lỗ tròn nhỏ, đĩa
tròn,...). Trong bài thí nghiệm này, ta khảo sát hiện tƣợng nhiễu xạ ánh
sáng gây bởi chùm tia sáng phẳng đơn sắc. Đó là nhiễu xạ Fraunhofer.
1.1. Nhiễu xạ ánh sáng qua một khe hẹp
Chiếu một chùm tia sáng đơn sắc, song song có bƣớc sóng  vuông
góc với mặt phẳng của khe hẹp AB có bề rộng b. Sau khi truyền qua khe
hẹp, các tia sáng bị nhiễu xạ theo mọi phƣơng và giao thoa với nhau. Do
chùm tia nhiễu xạ là chùm tia song song nên để quan sát ảnh nhiễu xạ, ta
đặt một thấu kính hội tụ L ở phía sau khe hẹp AB. Khi đó, ảnh nhiễu xạ

L E
A 
A  M
 
b F
O
B A1
o /2
1
2 o
3
4 1
Hình 7.1: Nhiễu xạ ánh Hình 7.2: Hiệu quang
sáng qua một khe hẹp. lộ của hai tia kế tiếp.
77
sẽ hiện trên mặt tiêu của thấu kính hội tụ L (hình 7.1). Xét chùm nhiễu xạ
song song có phƣơng hợp với pháp tuyến của mặt phẳng khe một góc ,
chùm nhiễu xạ này giao nhau tại điểm M trên mặt phẳng tiêu.
Để khảo sát sự phân bố cƣờng độ sáng I trong ảnh nhiễu xạ qua khe
hẹp trên màn E (đặt trùng trên mặt tiêu của thấu kính hội tụ L) ta dùng
phƣơng pháp đới cầu Fresnel. Muốn vậy, ta hãy vẽ các mặt phẳng o, 1,
2,... vuông góc với chùm tia nhiễu xạ này và cách nhau /2. Các mặt
phẳng này song song nhau và chia mặt phẳng của khe AB thành các dải
sáng rất hẹp có độ rộng bằng nhau

AA1 = A1A2 =......... = λ

2sinφ
Nhƣ vậy, số dải sáng chứa trên khe hẹp là
b 2 bsinφ
n= = (7.1)
λ λ
2sinφ
Vì các tia nhiễu xạ từ hai dải sáng kế tiếp truyền đến điểm M có
hiệu quang lộ bằng /2 nên dao động sáng của chúng đối pha và khử lẫn
nhau. Do đó
Nếu khe hẹp chứa một số chẵn các dải sáng: n = 2.k (với k là số
nguyên), thì dao động sáng do mỗi cặp dải sáng kế tiếp truyền đến điểm
M sẽ khử lẫn nhau và điểm M là một điểm tối - gọi là cực tiểu nhiễu xạ.
Vị trí của các cực tiểu nhiễu xạ trên mặt tiêu của thấu kính L đƣợc xác
định bởi hệ thức
2 bsinφ
 2k
λ
λ
hay sinφ=k (7.2)
b
với k =  1,  2,.... (k  0) .
Theo công thức (7.2), khi k = 0 thì  = 0, các tia sáng truyền thẳng qua
khe hẹp AB và hội tụ tại tiêu điểm F của thấu kính L. Các tia này có cùng
quang lộ nên tại tiêu điểm F, chúng dao động cùng pha và tăng cƣờng lẫn
nhau. Do đo, điểm F là một điểm rất sáng - gọi là cực đại giữa (k = 0).
Nếu khe hẹp chứa một số lẻ các dải sáng: n = 2k + 1 thì dao động
sáng do mỗi cặp dải sáng kế tiếp truyền tới điểm M sẽ khử lẫn nhau, chỉ

78
còn lại dao động sáng do dải sáng lẻ gây ra tại điểm M không bị khử. Do
đó, điểm M cũng là điểm sáng, nhƣng cƣờng độ của nó nhỏ hơn nhiều so
với cực đại giữa và đƣợc gọi là cực đại nhiễu xạ bậc k (k  0). Vị trí của
các cực đại nhiễu xạ bậc k trên mặt tiêu của thấu kính L đƣợc xác định
bởi hệ thức
2 bsinφ
=2k+1
λ
λ
hay sinφ=(2k+1) (7.3)
2b
với k=1, ± 2, ± 3….( k ≠ 0, -1).
Vị trí của các cực đại và cực tiểu nhiễu xạ trên màn ảnh E và sự

I
Io

I1 = 0,047 Io
I2 = 0,016 Io

O sin

Hình 7.3: Sự phân bố cường độ sáng khi ánh

sáng nhiễu xạ qua một khe hẹp.
phân bố cƣờng độ sáng I của các cực đại nhiễu xạ phụ thuộc giá trị của
sin nhƣ hình 7.3.
Từ hình vẽ 7.3, ta nhận thấy cực đại giữa có bề rộng lớn gấp đôi và
có cƣờng độ lớn hơn nhiều so với các cực đại nhiễu xạ khác – các cực đại
này nằm đối xứng về hai phía của cực đại giữa. Dựa vào lý thuyết, ngƣời
ta tính đƣợc tỷ lệ giữa cƣờng độ sáng I1, I2,...của các cực đại nhiễu xạ
thứ k = 1, 2,... so với cƣờng độ sáng Io của cực đại giữa
I1 I2
 0, 047 ;  0, 016 ; ........... (7.4)
Io Io

79
 Các hệ thức (7.2) và (7.3) chứng tỏ vị trí các cực đại và cực tiểu
nhiễu xạ trên màn ảnh E không phụ thuộc vị trí của khe hẹp AB. Vì thế
nếu dịch chuyển khe hẹp song song với chính nó (giữ cố định thấu kính L
và màn ảnh E) thì ảnh nhiễu xạ trên màn ảnh E không thay đổi.
1.2. Nhiễu xạ ánh sáng qua cách tử phẳng
Tập hợp một số lớn khe hẹp giống nhau, nằm song song và cách
đều nhau trên cùng một mặt phẳng gọi là cách tử phẳng. Khoảng cách d
giữa hai khe hẹp kế tiếp nhau gọi là chu kỳ của cách tử và số khe hẹp trên
1
một đơn vị độ dài của cách tử n = .
d
Chiếu một chùm sáng đơn sắc song song có bƣớc sóng  vuông
góc với mặt của một cách tử phẳng gồm N khe hẹp (hình 7.4). Mỗi khe
hẹp có độ rộng bằng b và chu kỳ của cách tử bằng d. Khi đó sẽ đồng thời
xảy ra hiện tƣợng nhiễu xạ ánh sáng gây ra bởi mỗi khe hẹp và hiện
tƣợng giao thoa của các chùm tia nhiễu xạ từ N khe hẹp truyền tới mặt
tiêu của thấu kính hội tụ L. Vì vậy, ảnh nhiễu xạ trên mà E trong trƣờng
hợp này trở nên phức tạp hơn nhiều so với ảnh nhiễu xạ qua một khe.
Trƣớc tiên, ta nhận thấy rằng tại những điểm mà góc nhiễu xạ 
thỏa mãn điều kiện
λ
sinφ=k (7.5)
b
với k =  1,  2,..... thì mọi khe hẹp đều cho cực tiểu nhiễu xa. Các cực
tiểu nhiễu xạ này gọi là cực tiểu chính.
L
E

 M
b

F
O
d

Hình 7.4: Nhiễu xạ ánh sáng qua cách tử phẳng.

80
 Bây giờ ta khảo sát sự phân bố cƣờng độ sáng giữa hai cực tiểu
chính bằng cách xét sự giao thoa của hai chùm tia nhiễu xạ từ hai khe hẹp
kế tiếp truyền tới điểm M trên màn ảnh E. Hiệu quang lộ giữa hai chùm
tia nhiễu xạ từ hai khe kế tiếp gửi đến điểm M bằng
ΔL=L2 -L1 =dsinφ (7.6)

Nếu ΔL=dsinφ=kλ (bằng số nguyên lần của bƣớc sóng ) thì dao
động sáng do hai chùm tia nhiễu xạ này (và do cả các chùm tia nhiễu xạ
từ các khe hẹp khác) gửi đến điểm M đều đồng pha với nhau. Kết quả
điểm M sẽ sáng và đƣợc gọi là cực đại chính. Vị trí của các cực đại chính
xác định bởi công thức:
λ
sinφ=k , trong đó k = 0,  1,  2,.... (7.7)
d
Với k = 0, sin  = 0 ta có cực đại chính giữa nằm tại tiêu điểm F
của thấu kính hội tụ L. Vì d > b, nên giữa hai cực tiểu chính sẽ có nhiều
cực đại chính (hình 7.5).
Theo (7.7), những điểm nằm chính giữa hai cực đại chính kế tiếp sẽ
ứng với góc  thỏa mãn điều kiện
λ
sinφ=(2k+1) (7.8)
2d
Tại các điểm này, hiệu quang lộ giữa hai chùm tia nhiễu xạ do hai
khe kế tiếp truyền tới điểm M có giá trị bằng
λ
ΔL=d sinφ=(2k+1)
2
nên dao động do hai chùm tia nhiễu xạ này truyền tới M sẽ ngƣợc pha và
khử lẫn nhau. Tuy nhiên, những điểm chính giữa hai cực đại chính chƣa
chắc là điểm tối.
Thực vậy, ta hãy xét các trƣờng hợp cụ thể sau đây:
Với số khe hẹp N = 2 (hình 7.5a): dao động sáng từ hai khe kế tiếp
truyền tới M sẽ khử nhau. Khi đó, điểm chính giữa hai cực đại chính là
một điểm tối.
Với số khe hẹp N = 3 (hình 7.5b): dao động sáng từ hai khe kế tiếp
truyền tới M sẽ khử nhau, còn dao động sáng do khe thứ ba truyền tới M
không bị khử. Khi đó, điểm chính giữa hai cực đại chính là một điểm
sáng, nhƣng cƣờng độ sáng của nó nhỏ hơn nhiều so với cực đại chính

81
nên gọi là cực đại phụ. Dĩ nhiên, giữa cực đại phụ này với hai cực đại
chính nằm ở hai bên nó sẽ có hai cực tiểu - gọi là cực tiểu phụ.

I I
Cực đại
chính
Cực đại
phụ
Cực tiểu
chính

O sin O sin

(a) (b)
Hình 7.5: Sự phân bố cường độ sáng khi ánh sáng
nhiễu xạ qua cách tử phẳng trong trường hợp
a) Số khe hẹp N=2 và d=3b,
b) Số khe hẹp N=3 và d=3b.
a)
Với số khe hẹp N khá lớn, ngƣời ta chứng minh đƣợc rằng giữa hai
cực đại chính sẽ có N-1 cực tiểu phụ và N-2 cực đại phụ. Khi đó các cực
đại chính thanh nét hơn, đồng thời cƣờng độ sáng của các cực đại phụ trở
nên rất nhỏ không đáng kể so với các cực đại chính. Kết quả là ảnh nhiễu
xạ qua cách tử phẳng sẽ là một dãy các vạch sáng song song nằm cách
đều nhau. Vị trí của các vạch sáng đƣợc xác định bởi hệ thức (7.7) với
cƣờng độ sáng (xét trong phạm vi giữa hai cực tiểu chính) giảm nhanh từ
cực đại chính giữa ra xa nó.
Trong thí nghiệm này, ta sẽ khảo sát hiện tƣợng nhiễu xạ của chùm
tia laser qua một cách tử phẳng và xác định bƣớc sóng  của chùm tia
laser này, đồng thời xác định sự phân bố cƣờng độ sáng trên ảnh nhiễu xạ
của nó qua cách tử phẳng.
2. DỤNG CỤ VÀ PHƢƠNG PHÁP ĐO
2.1. Dụng cụ đo

82
 - Giá quang học (G) có gắn thƣớc thẳng milimét (T) 1000mm -
1mm, giá đỡ nguồn laser (A), bàn trƣợt (B) và màn quan sát (E).
- Nguồn phát tia laser bán dẫn 3,8V - 5mW (DL) đƣợc giữ bởi giá
đỡ (A). Đó là nguồn phát ra các bức xạ điện từ có độ đơn sắc cao,
có cƣờng độ lớn, có tính kết hợp và định hƣớng cao (độ phân kỳ
khá nhỏ), LASER là chữ viết tắt của cụm từ tiếng Anh "Light
Amplification by Simulated Emisson of Radiation" có nghĩa là
"khuếch đại ánh sáng bằng phát xạ cảm ứng". Nguồn Laser này
phát ra chùm tia laser màu đỏ.
- Cách tử nhiễu xạ (CT) có chu kỳ d cho sẵn, đƣợc gắn trên bàn
trƣợt (B).
- Thấu kính hội tụ (TK) có độ tụ 2 điôp đƣợc đặt trong hộp bảo vệ
ở ngay sau cách tử (CT) và cũng đƣợc gắn trên bàn trƣợt (B).
- Màn quan sát ảnh nhiễu xạ (E) đƣợc gắn trên giá quang học (G).
- Thƣớc panme (P) 25mm - 0,01 mm.
- Cảm biến quang điện silicon (QĐ).
- Bộ khuếch đại và chỉ thị cƣờng độ phổ nhiễu xạ (KĐ).
Các dụng cụ trên đƣợc bố trí nhƣ sau: Nguồn diode laser (DL)
đƣợc gắn trên giá đỡ (A) và phát ra chùm tia laser màu đỏ chiếu vuông
góc với mặt phẳng của cách tử (CT). Qua cách tử, chùm tia laser bị nhiễu
xạ và truyền qua thấu kính hội tụ (TK). Ảnh nhiễu xạ thu đƣợc trên màn
E trùng với mặt tiêu của thấu kính. Thấu kính đƣợc đặt ngay sau cách tử
sao cho trục chính vuông góc với cách tử phẳng và cả hai đƣợc gắn trên
bàn trƣợt (B) có thể di chuyển đƣợc. Một màn ảnh E ( bằng kim loại) đặt
thẳng đứng và trùng với mặt tiêu của thấu kính (cách thấu kính một
khoảng f = 500mm). Để xác định vị trí các cực đại nhiễu xạ và khảo sát

A

A E
K1
CT TK QĐ “0”
R
DL P 10
1 10
K 0
B T
G C + -

Hình 7.6: Sơ đồ thí nghiệm xác định bước sóng ánh sáng
đơn sắc bằng phương pháp nhiễu xạ qua cách tử phẳng.
83
sự phân bố cƣờng độ sáng của chúng, ta dùng một cảm biến quang điện
silicon (QĐ) có thể di chuyển đƣợc trên mặt của màn ảnh E nhờ một
thƣớc panme (P) gắn liền với nó.
Tất cả các dụng cụ trên đƣợc đặt trên cùng một giá quang học (G).
Tín hiệu laser (sau khi qua thấu kính) rọi vào cảm biến quang điện (QĐ)
để chuyển thành tín hiệu điện và đƣợc đƣa vào bộ khuếch đại và chỉ thị
cƣờng độ phổ nhiễu xạ (KĐ) bằng một chốt cắm nhiều đầu (C).
2.2. Phƣơng pháp đo
2.2.1. Xác định bƣớc sóng của chùm tia laser qua cách tử phẳng
Áp dụng công thức (7.7) đối với cực đại chính bậc 1 trong ảnh
nhiễu xạ của chùm tia laser qua cách tử phẳng, ta suy ra công thức xác
định bƣớc sóng của chùm tia laser
L k = +1
λ=dsinφ
Đối với cực đại chính bậc 1 (xem
O 
hình 7.7), góc  khá nhỏ nên ta có thể F a
coi gần đúng 

a
sin   tg  k = -1
2f
a
Do đó   d. (7.9) Hình 7.7: Ảnh nhiễu xạ trong
2f thí nghiệm xác định bước sóng
Đo khoảng cách a giữa 2 cực đại ánh sáng qua cách tử phẳng.
chính bậc 1 (ở hai bên cực đại chính
giữa), biết chu kỳ d của cách tử phẳng và tiêu cự thấu kính hội tụ, ta tính
đƣợc bƣớc sóng  của chùm tia laser.
2.2.2. Khảo sát sự phân bố cƣờng độ sáng trong ảnh nhiễu xạ
Cƣờng độ sáng trong ảnh nhiễu xạ tỷ lệ với cƣờng độ I của dòng
quang điện qua cảm biến (QĐ). Do đó, ta có thể khảo sát sự phân bố
cƣờng độ sáng trong ảnh nhiễu xạ bằng cách khảo sát sự biến thiên
cƣờng độ I của dòng quang điện theo vị trí x của các cực đại chính nằm
trong khoảng giữa hai cực tiểu chính ứng với k  1 trong ảnh nhiễu xạ
của chùm tia laser qua cách tử phẳng.
3. TRÌNH TỰ THÍ NGHIỆM
3.1. Tìm ảnh nhiễu xạ của chùm tia laser qua cách tử phẳng

84
 a. Cắm phích lấy điện của bộ nguồn laser (DL) vào nguồn điện xoay
chiều 220V. Bật công tắc K1 của nguồn laser (DL), ta sẽ có chùm
tia laser màu đỏ.
b. Vặn thƣớc panme (P) để số đo của nó ở vị trí khoảng 12mm.
c. Dịch chuyển bàn trƣợt (B) tới vị trí sao cho mặt của thấu kính
(TK) nằm cách mặt cảm biến quang điện (QĐ) một khoảng f =
500mm (đọc trên thƣớc thẳng milimét (T)). Giữ cố định khoảng
cách này trong suốt quá trình đo.
d. Vặn nhẹ các vít hãm trên cần bàn trƣợt (B) để xoay cách tử (CT)
nằm nghiêng, không chắn chùm tia laser. Tiếp theo, điều chỉnh vị
trí nguồn laser (DL) sao cho chùm tia laser chiếu trực tiếp vào
giữa khe hở trên mặt cảm biến quang điện (QĐ) (bằng cách điều
chỉnh cửa sổ của nguồn laser (DL) ở cùng độ cao với khe hở của
mặt cảm biến quang điện (QĐ).
e. Xoay cách tử sao cho mặt cách tử vuông góc với mặt bàn trƣợt.
Vặn các vít hãm để điều chỉnh chùm tia laser đi qua cách tử tạo
các vân sáng – tối trên mặt cảm biến. Sau đó, điều chỉnh vị trí của
cách tử (CT) trong mặt phẳng thẳng đứng để chùm tia laser rọi
vuông góc vào giữa mặt cách tử (CT). Khi đó chùm tia laser
phản xạ trên mặt cách tử (CT) sẽ cho ảnh trùng đúng với cửa
sổ của nguồn laser (DL).
3.2. Điều chỉnh bộ khuếch đại và chỉ thị phổ nhiễu xạ
a. Cắm phích lấy điện của bộ khuếch đại và chỉ thị phổ nhiễu xạ
(KĐ) vào nguồn điện xoay chiều 220V.
Đặt núm chọn thang đo của microampe-kế điện tử ở vị trí thang
đo nhỏ nhất và vặn núm biến trở R của nó về vị trí tận cùng bên
trái. Bấm khóa đóng điện K trên mặt của bộ khuếch đại (KĐ).
Chờ khoảng 3 phút để bộ khuếch đại ổn định và tiến hành kiểm
tra số 0 của microampe-kế (A) bằng cách: Chắn sáng hoàn toàn
khe hở của cảm biến quang điện (QĐ), nếu kim của microampe-
kế lệch khỏi số 0 thì phải vặn từ từ núm "qui 0" của microampe-
kế để điều chỉnh cho kim của nó quay trở về đúng số 0. Chú ý:
giữ nguyên vị trí nút “qui 0”.
b. Vặn từ từ thƣớc panme (P) sao cho vạch sáng giữa (microampe-
kế có cƣờng độ sáng lớn nhất) của ảnh nhiễu xạ lọt vào đúng
giữa khe hở của cảm biến quang điện (QĐ). Khi đó kim của
microampe-kế lệch mạnh nhất. Điều chỉnh núm xoay của biến
trở R của bộ khuếch đại (KĐ) sao cho kim của microampe-kế
85
 (A) lệch tới giá trị cao nhất có thể đọc đƣợc (chú ý: giá trị µA
đọc đƣợc tùy thuộc vào thang đo đang sử dụng).
3.3. Xác định bƣớc sóng của chùm tia laser
a. Thƣớc panme đang ở vị trí cực đại chính giữa ứng với k = 0, lúc
này hai cực đại chính bậc nhất ứng với k = 1 nằm đối xứng ở hai
bên cực đại chính giữa. Vặn từ từ thƣớc panme sao cho khe hở
trên mặt cảm biến lần lƣợt dịch sang bên trái để xác định tọa độ
cựa đại bậc 1 là x-1 và bên phải để xác định cực đại bậc 1 là x+1 (vị
trí mà kim của microampe-kế lệch mạnh nhất của vân sáng
đó chính là tọa độ x+1 và x-1). Khi đó, khoảng cách a giữa 2 cực
đại bậc 1 đƣợc xác định bởi a  x1  x1 (7.10)
Chú ý cách đọc số trên thước panme: xem phần phụ lục.
b. Thực hiện phép đo này 3 lần. Đọc và ghi giá trị của x+1 và x-1 trên
thƣớc panme vào bảng số liệu 1.
3.4. Khảo sát sự phân bố cƣờng độ sáng trong ảnh nhiễu xạ
Vặn thƣớc panme để dịch chuyển khe hở của cảm biến quang
điện (QĐ) trong khoảng giữa hai cực tiểu bậc 1. Mỗi lần chỉ dịch chuyển
một khoảng khá nhỏ bằng 0,05 - 0,1mm. Đọc, ghi các vị trí x đó và giá trị
cƣờng độ I của dòng quang điện trên microampe-kế (A) tƣơng ứng với
mỗi vị trí x đọc đƣợc trên panme (P) vào bảng số liệu 2.
4. TRÌNH BÀY KẾT QUẢ
4.1. Xác định bƣớc sóng của chùm tia laser
Bảng số liệu 1

- Chu kỳ của cách tử phẳng: d = …………….mm

- Tiêu cự của thấu kính hội tụ: f = (500 ± 1) mm
- Độ chính xác của panme:

Lần đo x+1(mm) x+1(mm) x-1(mm) x-1(mm)

1
2
3
GTTB

86
 a. Tính giá trị trung bình của khoảng cách a
a  x 1  x 1 .

a. Tính sai số ̅.
a
b. Tính giá trị trung bình của bƣớc sóng :   d
2f
c. Tính các sai số của bƣớc sóng .
d. Viết kết quả đo bƣớc sóng .
4.2. Khảo sát sự phân bố cƣờng độ sáng trong ảnh nhiễu xạ
Bảng số liệu 2

Ampere-kế A: I max =…………, cấp chính xác: kA =……….%

Độ chia nhỏ nhất trên thang đo ampere-kế: ωA = ………

x(mm)
I(A)
Vẽ đồ thị I = f (x).
&&&&&&&

87
 Bài thí nghiệm số 8
KHẢO SÁT HIỆN TƢỢNG BỨC XẠ NHIỆT VÀ
NGHIỆM LẠI ĐỊNH LUẬT STEFAN -
BOLTZMANN
------ooo------

Mục tiêu: Sau khi học xong bài này các sinh viên có khả năng:
- Về kiến thức: Nêu đƣợc phƣơng pháp đo và các bƣớc tiến hành thí
nghiệm kiểm chứng định luật Stefan - Boltzmann.
- Về kỹ năng: Sử dụng thành thạo các dụng cụ đo, tiến hành đúng
trình tự thí nghiệm để thu đƣợc số liệu chính xác.
- Về thái độ: Cẩn thận, kiên trì, chính xác, trung thực, khách quan.

1. CƠ SỞ LÝ THUYẾT
1.1. Bức xạ nhiệt cân bằng và các đặc trƣng của nó
Khi bị kích thích, các nguyên tử, phân tử của vật chất sẽ chuyển lên
trạng thái có năng lƣợng cao. Sau một thời gian ngắn, chúng sẽ chuyển
về trạng thái có năng lƣợng thấp hơn và phát ra sóng điện từ. Nếu nguyên
nhân kích thích là nhiệt (nung nóng) thì bức xạ điện từ phát ra là bức xạ
nhiệt. Bức xạ nhiệt là chính các sóng điện từ phát ra từ các vật bị kích
thích bởi tác dụng nhiệt. Khi năng lƣợng bức xạ do vật phát ra bằng năng
lƣợng vật nhận vào do hấp thụ bức xạ thì các bức xạ nhiệt tồn tại ở trạng
thái cân bằng (động) với vật ở nhiệt độ không đổi.
Để đặc trƣng cho mức độ phát ra hoặc hấp thụ mạnh hay yếu của
các vật đối với các bức xạ nhiệt ở trạng thái cân bằng, ngƣời ta dùng các
đại lƣợng vật lý: năng suất phát xạ và hệ số hấp thụ bức xạ nhiệt.
1.1.1. Năng suất phát xạ
Gọi dW(, t) là năng lƣợng bức xạ phát ra từ diện tích mặt ngoài
dS của vật ở nhiệt độ T, đƣợc mang đi bởi các bức xạ có tần số từ  đến 
+ d trong một đơn vị thời gian thì:
dW(, T) = r(,T). dS.d (8.1)

88
trong đó hệ số tỷ lệ r(,T) đƣợc gọi là năng suất phát xạ đơn sắc của vật ở
nhiệt độ T ứng với bức xạ nhiệt có tần số . Từ (1) suy ra:
( )
( )  (8.2)

dW  , T 
Rõ ràng, tỷ số xác định công suất bức xạ của một đơn vị
dS
diện tích mặt ngoài của vật ở nhiệt độ T bởi các bức xạ có tần số từ  đến
 + d. Nhƣ vậy, công suất bức xạ của một đơn vị diện tích mặt ngoài
của vật ở nhiệt độ T ứng với mọi bức xạ là:

R  T    r  , T  .d  (8.3)
0

Đại lƣợng R(T) gọi là năng suất phát xạ toàn phần của vật ở nhiệt
độ T và đƣợc đo bằng đơn vị W/m2.
1.1.2. Hệ số hấp thụ
Giả sử trong một đơn vị thời gian, năng lƣợng mà các bức xạ đơn
sắc có tần số từ  đến  + d gửi tới diện tích dS của vật ở nhiệt độ T là
dW (, T), nhƣng dS chỉ hấp thụ một phần năng lƣợng là dW’ (,T). Khi
đó, tỷ số:
dW  , T 
a  , T   (8.4)
dW  , T 
đƣợc gọi là hệ số hấp thụ đơn sắc của vật ở nhiệt độ T ứng với bức xạ có
tần số .
Những vật có khả năng hấp thụ hoàn toàn năng lƣợng của mọi bức
xạ nhiệt đơn sắc ở mọi nhiệt độ của nó gọi là vật đen tuyệt đối. Vật đen
tuyệt đối có hệ số hấp thụ bằng đơn vị, nghĩa là a(,T) = 1 với mọi  và
T. Trong thực tế, không có vật đen tuyệt đối vì a(,T) < 1.
1.2. Định luật Stefan - Boltzmann về bức xạ nhiệt cân bằng
Theo định luật Stefan - Boltzmann thì: Năng suất phát xạ toàn
phần của vật đen tuyệt đối tỷ lệ thuận với lũy thừa bốn của nhiệt độ tuyệt
đối của vật.”
R  T    T4 (8.5)

89
trong đó  = 5,67.10-8 W/m2K4 gọi là hằng số Stefan-Boltzmann và nhiệt
độ tuyệt đối T liên hệ với nhiệt độ Celcius t (hay nhiệt độ bách phân) bởi
hệ thức T = t(oC) + 273.
Thực nghiệm cho thấy mối quan hệ R (T) ~ T4 cũng đúng với các
vật không đen (còn gọi là vật xám). Trong thí nghiệm này, ta sẽ nghiệm
lại định luật Stefan-Boltzmann, bằng cách dùng cảm biến nhiệt điện (cặp
nhiệt bán dẫn) để đo công suất của các bức xạ nhiệt ở nhiệt độ T, phát ra
từ dây tóc của bóng đèn điện - đƣợc coi nhƣ một vật xám.

2. DỤNG CỤ VÀ PHƢƠNG PHÁP ĐO

2.1. Dụng cụ đo
- Nguồn điện ổn áp một chiều 0 - 12V/10A
- Volt-kế điện tử và bộ khuếch đại
- Giá quang học dài 600mm và bàn trƣợt
- Bóng đèn dây tóc vônfram 6V-5A và đuôi đèn
- Cảm biến nhiệt điện và ống che sáng
- Volt-kế hiện số
- Ampere-kế hiện số
- Điện trở nhiệt 47-1W
- Bộ dây nối mạch có hai đầu cốt dài 60cm (8 dây)
Các dụng cụ thí nghiệm đƣợc bố trí nhƣ hình 8.1:
E
Đ F NĐ mV

A1 V
1
“0”
N Rf
B A 1
10
10
100
K 0
K + _
- mV
m
1 _ G C +V -

A V

Hình 8.1: Mô hình bố trí dụng cụ thí nghiệm

90
 Trên giá quang học (G) có gắn giá đỡ (A) cố định và bàn trƣợt (B):
bóng đèn điện (Đ) loại 6V-5A đƣợc giữ bởi giá đỡ (A), cảm biến nhiệt
điện (NĐ) đƣợc gắn trên bàn trƣợt (B). Ống che sáng (F) đặt ở mặt trƣớc
của cảm biến nhiệt điện (NĐ) để tránh nhiễu do ánh sáng ngoài gây ra.
Dây tóc đèn (Đ) đƣợc nung nóng nhờ dòng điện chạy qua nó, đƣợc cung
cấp bởi nguồn điện một chiều ổn áp (E) 0-12V/10A. Nguồn điện này có
chỉ thị điện áp bằng volt-kế V1 và chỉ thị dòng điện bằng ampere-kế A1.
Hiệu điện thế U giữa hai đầu dây tóc đèn (Đ) đƣợc đo bằng volt-kế hiện
số (V) và cƣờng độ dòng điện I chạy qua dây tóc đèn đƣợc đo bằng
ampere-kế hiện số (A).
Bức xạ nhiệt phát ra từ đèn (Đ) đƣợc truyền đến một cảm biến
nhiệt điện đặt trong ống che sáng (F). Cảm biến nhiêt điện (NĐ) chuyển
năng lƣợng bức xạ nhiệt thành tín hiệu điện, đƣợc khuếch đại và đƣợc đo
bằng volt-kế điện tử (mV).
2.2. Phƣơng pháp đo
Với khoảng cách cố định giữa dây tóc đèn điện (Đ) và cảm biến
nhiệt điện (NĐ), năng lƣợng bức xạ nhiệt  gửi tới mặt cảm biến nhiệt
điện trong một đơn vị thời gian sẽ tỷ lệ với năng suất phát xạ toàn phần
R  T  của dây tóc đèn điện

 ~ R T (8.6)

Mặt khác, suất nhiệt điện động E của cảm biến nhiệt điện lại tỷ lệ với 
E~  (8.7)
Nếu cảm biến nhiệt điện đang ở nhiệt độ 0K (không độ tuyệt đối),
thì ta có thể viết
E ~ T4 (8.8)
Nhƣng vì cảm biến nhiệt điện đang ở nhiệt độ của phòng thí
nghiệm Tp, nên hệ thức (8.8) trở thành
( - ) (8.9)
Trong bài thí nghiệm này, có thể bỏ qua so với T4 nên ta vẫn áp
dụng đƣợc hệ thức (8.8). Khi đó
gE  4 gT  const (8.10)
Đồ thị biểu diễn mối quan hệ gE theo gT là một đƣờng thẳng
có độ dốc S  4 .

91
 Suất nhiệt điện động E của cảm biến nhiệt điện đƣợc đo bởi volt-kế
điện tử (mV). Nhiệt độ tuyệt đối T của dây tóc đèn đƣợc xác định từ phép
đo điện trở của nó nhƣ sau:
Đối với dây tóc đèn bằng
vônfram dùng trong bài thí
nghiệm này, điện trở của nó phụ
thuộc nhiệt độ K theo công thức p2
R t  R o 1   t   t 2  (8.11)

với Rt và Ro là điện trở của dây

tóc đèn ở nhiệt độ toC và 0oC, các
hệ số 
α = 4,82.10-3 C-1 và β = 6,76.10-7 O
C-2 gọi là các hệ số nhiệt điện trở Hình 8.2: Đồ thị biểu diễn mối quan hệ
của vônfram. theo
Giải phƣơng trình (8.11)
theo t rồi đổi ra nhiệt độ tuyệt đối T = t + 273, ta đƣợc

1  2 R   R
T  273     4   t  1     103 * 11,23  1,48 * t  3292
2    
  R0  
R0
(8.12)
Nhƣ vậy, ta có thể xác định đƣợc nhiệt độ tuyệt đối T của dây tóc
đèn bằng cách đo điện trở Rt của nó ở nhiệt độ t (ứng với nhiệt độ tuyệt
đối T) và điện trở Ro của nó ở 0oC. Điện trở Ro của dây tóc đèn ở 0oC
đƣợc xác định bằng cách đo điện trở RP của dây tóc đèn ở nhiệt độ phòng
tp, và đƣợc tính từ công thức sau
RP
Ro  (8.13)
1   .t P   .t P2

Nhiệt độ phòng t P đƣợc đo bằng nhiệt kế. Các giá trị của RP và Rt có
thể đƣợc xác định bằng cách dùng volt-kế hiện số (V) đo hiệu điện thế U
giữa hai đầu dây tóc đèn điện và dùng ampere-kế hiện số (A) đo cƣờng độ
dòng điện I chạy qua dây tóc đèn ở các nhiệt độ tƣơng ứng tP và t. Khi đó,
điện trở R của dây tóc đèn đƣợc tính theo công thức của định luật Ohm
U
R
I (8.14)

92
3. TRÌNH TỰ THÍ NGHIỆM
3.1. Đo điện trở R P của dây tóc đèn (Đ) ở nhiệt độ phòng t P
a. Chƣa cắm phích lấy điện
của nguồn điện một IC
chiều ổn áp (E) vào + +
nguồn xoay chiều 220V, E V Đ
mắc mạch điện theo sơ _
_
đồ hình 8.3 (điện trở 47
mắc nối tiếp với đèn (Đ) _ A +
để bảo đảm cƣờng độ
dòng điện qua đèn đủ Hình 8.3: Sơ đồ mạch điện đo điện trở
nhỏ sao cho có thể bỏ của dây tóc đèn (Đ)
qua hiệu ứng nhiệt ảnh
hƣởng đến điện trở của dây tóc đèn).
b. Vặn núm xoay của:
- Volt-kế hiện số (V) để đặt nó ở vị trí 200mV của thang đo
hiệu điện thế một chiều DCV.
- Ampere-kế hiện số (A) để đặt nó ở vị trí 200mA (hoặc
10A, 20A) của thang đo cƣờng độ dòng điện một chiều
DCA.
c. Cắm phích lấy điện của nguồn điện một chiều ổn áp (E) vào
nguồn xoay chiều 220V. Bấm khóa K1 trên mặt bộ nguồn (E), đèn
LED phát sáng, báo hiệu bộ nguồn (E) đã sẵn sàng hoạt động.
d. Vặn từ từ núm xoay (N) của chiết áp trên mặt bộ nguồn (E) sao
cho cƣờng độ dòng điện chạy qua dây tóc đèn (Đ) đo bởi ampere-
kế (A) đạt giá trị lần lƣợt bằng 50mA và 100mA (hoặc 0,05 A và
0,1A đối với thang 10A, 20A) (những cƣờng độ dòng điện này đủ
nhỏ để có thể bỏ qua hiệu ứng nhiệt ảnh hƣởng đến điện trở của
dây tóc đèn (Đ)). Đồng thời đọc và ghi vào bảng số liệu 1 các giá
trị tƣơng ứng của hiệu điện thế giữa hai đầu dây tóc đèn (Đ) đo
bởi volt-kế (V).
e. Vặn núm xoay (N) của chiết áp trên mặt bộ nguồn (E) về vị trí 0.
Bấm khóa K1 trên mặt bộ nguồn (E) để tắt nguồn điện.
f. Đọc nhiệt độ phòng t P trên nhiệt kế và ghi vào bảng số liệu 1.
3.2. Đo suất nhiệt điện động E và điện trở Rt
a. Mắc lại mạch điện theo sơ đồ hình 8.4 (tháo bỏ điện trở 47 khỏi
mạch điện).
93
 b. Đặt volt-kế (V) ở vị trí
20V của thang đo DCV +1
+
và đặt ampere-kế (A) ở
vị trí 10A hoặc 20A của _ EA V Đ
thang đo DCA. _1
c. Kiểm tra đầu nối của _ A
cảm biến nhiệt điện +
(NĐ) vào ổ (C) của volt- Hình 8.4: Đo suất nhiệt điện động E
kế điện tử (mV). và điện trở RtG
d. Cắm phích lấy điện của
volt-kế điện tử (mV) vào nguồn xoay chiều 220V. Bấm khóa K
trên mặt máy, đèn LED phát sáng, báo hiệu volt-kế điện tử (mV)
đã sẵn sàng hoạt động.
e. Vặn núm biến trở Rf của nó về vị trí tận cùng bên trái. Điều chỉnh
núm qui "0" của volt-kế điện tử (mV) để kim chỉ thị chỉ đúng số 0
trên mặt thang đo của nó. Chú ý: Giữ nguyên vị trí này của
núm qui "0" trong suốt quá trình làm thí nghiệm.
f. Cắm phích điện cho đèn (Đ). Đặt trục hình trụ của dây tóc đèn
(Đ) hƣớng vuông góc với trục của giá quang học (G). Đặt cảm
biến nhiệt điện (NĐ) trong ống che sáng (F) ở cùng độ cao với
dây tóc đèn (Đ) và cách đèn (Đ) khoảng 10cm.
g. Bấm khóa K1 trên mặt bộ nguồn (E), đèn LED phát sáng, báo
hiệu bộ nguồn (E) đã sẵn sàng hoạt động. Vặn núm xoay (N) của
nguồn (E) một hiệu điện thế Unguồn = 6V.
h. Đặt ống che sáng (F) của cảm biến nhiệt điện (NĐ) sát đèn, điều
chỉnh biến trở Rf trên volt kế điện tử để suất nhiệt điện động E
đạt giá trị cực đại (giá trị E có thể nằm trong khoảng 80%-90%
giá trị thang đo). Giữ nguyên giá trị Rf trong suốt quá trình đo
tiếp theo.
i. Ghi vào bảng số liệu 2 giá trị hiệu điện thế trên volt-kế (V),
cƣờng độ dòng điện I trên ampere-kế (A) chạy qua dây tóc đèn
(Đ) và giá trị cực đại E của suất nhiệt điện động tƣơng ứng với
giá trị hiệu điện thế Unguồn = 6V.
j. Vặn núm xoay (N) của bộ nguồn (E) để giảm dần hiệu điện thế
nguồn từ 6V đến 1V, mỗi lần giảm 1V. Đọc và ghi vào bảng số
liệu 2 các giá trị tƣơng ứng trong mỗi lần đo của hiệu điện thế
giữa hai đầu đèn (Đ), của cƣờng độ dòng điện I chạy qua đèn (Đ)
và giá trị của suất nhiệt điện động E
94
 k. Khi làm xong thí nghiệm, vặn núm điều chỉnh hiệu điện thế
nguồn về 0, bấm khóa K1 trên mặt bộ nguồn (E) để tắt điện của bộ
nguồn (E) trƣớc, sau đó mới tắt điện của các đồng hồ volt-kế hiện
số (V) và ampere-kế hiện số (A). Bấm khóa K trên mặt volt-kế
điện tử (mV). Rút các phích cắm của nguồn (E) và volt-kế điện tử
(mV) ra khỏi nguồn điện xoay chiều 220V. Sắp xếp gọn gàng các
dụng cụ thí nghiệm.
4. TRÌNH BÀY KẾT QUẢ

4.1. Bảng số liệu 1

Nhiệt độ phòng thí nghiệm:

I ( A) U (mV) RP ()
50
100
Giá trị trung bình

a. Tính R P theo công thức (8.14) cho mỗi lần đo, rồi ghi vào bảng
số liệu 1, sau đó tính giá trị trung bình R P của nó.

b. Tính giá trị trung bình của điện trở dây tóc đèn R o theo công thức
(8.13).
4.2. Bảng số liệu 2
- Thang đo cực đại của Volt-kế điện tử (mV): Um =………
- Cấp chính xác của của Volt-kế điện tử : kV =…………
- Độ chia nhỏ nhất của thang đo: ωV = ………...

Ung(V) U(V) I (A) Rt() E(mV) gE ∆ gE T (K) g T

a. Tính nhiệt độ tuyệt đối T của dây tóc bóng đèn (Đ) theo công
thức (8.12).
95
 E
b. Tính sai số  gE  .
E.ln10
c. Vẽ đồ thị hàm gE = f ( gT ) biểu diễn trong hệ trục tọa độ gE
và gT . Cho ∆ gT = 0,01.
d. Dùng đồ thị tính độ dốc (hệ số góc của đoạn thẳng dài nhất)
gEi  gE j
tg theo công thức: S  tg 
g Ti  g Tj
e. Tính các sai số và viết kết quả của S.
f. So sánh với giá trị của S=4 trong công thức (8.10) và kết luận:
Định luật Stefan - Boltzmann đƣợc nghiệm đúng hay không
nghiệm đúng?
&&&&&&&

96
 Bài thí nghiệm số 9
KHẢO SÁT HIỆN TƢỢNG QUANG ĐIỆN
NGOÀI – XÁC ĐỊNH CÔNG THOÁT
ELECTRON
------ooo------

Mục tiêu: Sau khi học xong bài này các sinh viên có khả năng:
- Về kiến thức: Nêu đƣợc phƣơng pháp đo và các bƣớc tiến hành thí
nghiệm về khảo sát hiện tƣợng quang điện ngoài, xác định đƣợc
công thoát electron.
- Về kỹ năng: Sử dụng thành thạo các dụng cụ đo, tiến hành đúng
trình tự thí nghiệm để thu đƣợc số liệu chính xác.
- Về thái độ: Cẩn thận, kiên trì, chính xác, trung thực, khách quan.

1. CƠ SỞ LÝ THUYẾT
Hiện tƣợng quang điện là hiện tƣợng các
electron thoát ra khỏi bề mặt kim loại khi nó đƣợc
chiếu sáng bằng chùm ánh sáng có bƣớc sóng thích
hợp.
Để nghiên cứu hiện tƣợng này, ngƣời ta dùng
một tế bào quang điện chân không. Cấu tạo của nó
gồm một bóng thủy tinh đã hút chân không (10-6 - 10-
8
mmHg), bên trong có hai điện cực: anode A là một
vòng dây kim loại đặt ở giữa, cathode K là một lớp
chất nhạy quang phủ lên một nửa mặt phía trong của Hình 9.1: Tế
bóng thủy tinh (xem hình 9.1). bào quang điện
1.1. Thí nghiệm về hiện tƣợng quang điện
Nối anode A của tế bào quang điện với cực dƣơng và cathode K
của nó với cực âm của nguồn điện không đổi qua một microampere kế
nhƣ ở hình 9.2. Hiệu điện thế UAK giữa anode A và cathode K đƣợc đo
bằng volt-kế V và có thể thay đổi dễ dàng nhờ một biến trở R. Khi
cathode chƣa đƣợc chiếu sáng thì không có dòng điện trong mạch. Khi
chiếu sáng cathode bằng một nguồn sáng đơn sắc có bƣớc sóng thích hợp
thì trong mạch xuất hiện dòng điện đƣợc gọi là dòng quang điện, có
97
cƣờng độ I đƣợc đo bằng Cathode
microampere-kế. Ứng với một giá K Ánh
trị xác định của cƣờng độ ánh sáng sáng
chiếu đến cathode, cƣờng độ I tăng A
dần theo hiệu điện thế UAK, cho tới kế
khi UAK  U0 thì cƣờng độ I Anode
V A
không tăng nữa và đạt giá trị
không đổi Ibh, gọi là cƣờng độ
dòng quang điện bão hòa.
Đồ thị I  f  UAK  biểu diễn R
sự phụ thuộc của I vào UAK gọi là _ +
đƣờng đặc trƣng volt-ampere của
tế bào quang điện chân không. Hình 9.2: Sơ đồ thí nghiệm
với tế bào quang điện
Ngoài ra, cƣờng độ dòng
quang điện còn phụ thuộc vào
cƣờng độ sáng của chùm ánh sáng chiếu tới cathode. Đồ thị mô tả ở hình
9.3 cho thấy cƣờng độ dòng quang điện bão hòa tăng tỷ lệ thuận với
cƣờng độ của chùm sáng thích hợp chiếu vào cathode.
Cƣờng độ dòng quang điện bão hòa:
Ibh  n.e (9.1)
với n là số quang I
electron bứt ra Cƣờng độ ánh sáng 1
khỏi cathode và Ibh2
chuyển về anode Cƣờng độ ánh sáng 2
Ibh1
trong một đơn vị I02
thời gian.
I01
Đồ thị ở
hình 9.3 cũng cho
thấy, nếu đảo hai Uc O U0 UAK
cực nguồn điện
(nghĩa là anode Hình 9.3: Đặc tuyến Volt-ampere của tế bào quang điện
nối với cực âm
còn cathode nối với cực dƣơng nguồn điện) và tăng độ lớn hiệu điện thế
UAK thì cƣờng độ dòng quang điện sẽ giảm dần và triệt tiêu (I = 0) khi
hiệu điện thế UAK đạt giá trị Uc. Hiệu điện thế Uc đƣợc gọi là hiệu điện
thế cản.
1.2. Giải thích hiện tƣợng quang điện

98
 Sự xuất hiện của dòng quang điện trong mạch có thể đƣợc giải
thích nhờ thuyết lƣợng tử ánh sáng của Einstein. Theo thuyết này, ánh
sáng cấu tạo bởi vô số các photon (lƣợng tử ánh sáng). Mỗi photon mang
một năng lƣợng xác định bằng:
c
  h.f  h. (9.2)

với h = 6,625.10-34J.s là hằng số Planck, c = 3.108 m/s là vận tốc ánh sáng
trong chân không,  là tần số và  là bƣớc sóng của ánh sáng đơn sắc.
Nhƣ đã biết, electron tự do trong kim loại muốn thoát ra khỏi bề
mặt kim loại thì cần phải nhận đƣợc một năng lƣợng tối thiểu bằng công
thoát A của nó đối với kim loại đó.
Nếu chiếu ánh sáng thích hợp vào bề mặt kim loại, electron nằm ở
gần sát bề mặt này sẽ hấp thụ hoàn toàn năng lƣợng   h . f của photon
để chuyển một phần thành công thoát A của nó và phần còn lại chuyển
thành động năng ban đầu cực đại khi vừa thoát khỏi bề mặt kim loại. Áp
dụng định luật bảo toàn năng lƣợng đối với các quang electron, ta nhận
đƣợc phƣơng trình Einstein:
m v2max
  h.f  A  (9.3)
2
m v 2max c
Vì  0 , nên h  A . Thay f  , ta suy ra điều kiện xảy
2 
ra hiện tƣợng quang điện
h .c
  o
A
Với chùm ánh sáng thích hợp (o) chiếu vào cathode, ta nhận
thấy:
Khi UAK> 0 và càng tăng thì số quang electron chuyển động từ
cathode K về anode A trong mỗi đơn vị thời gian càng nhiều và cƣờng độ
I của dòng quang điện càng tăng.
Khi UAK U0 thì toàn bộ số quang electron thoát khỏi cathode K
trong mỗi đơn vị thời gian đều bị hút hết về anode A, do đó cƣờng độ I
của dòng quang điện không tăng nữa và đạt giá trị bão hòa Ibh. Nếu
cƣờng độ chùm ánh sáng thích hợp chiếu vào cathode K càng mạnh thì
số photon đến đập vào cathode K trong mỗi đơn vị thời gian càng nhiều.
Do đó, số quang electron thoát khỏi cathode K và chuyển động về anode

99
A trong mỗi đơn vị thời gian càng nhiều, nên cƣờng độ dòng quang điện
bão hòa Ibh càng lớn.
Rõ ràng là ngay cả khi UAK = 0, một số quang electron có động
năng cực đại đủ lớn vẫn có thể bay từ cathode K sang anode A để tạo
thành dòng quang điện có cƣờng độ nhỏ Io  0 nhƣ trên hình 9.3. Muốn
triệt tiêu dòng quang điện (I = 0), ta phải đặt vào hai cực của tế bào
quang điện một hiệu điện thế cản Uc có giá trị âm sao cho công cản của
điện trƣờng giữa anode A và cathode K có trị số bằng động năng cực đại
của quang electron.
m.v 2max
e.Uc  (9.4)
2
ở đây e = - 1,6.10 -19 C là điện tích của quang electron. So sánh
(9.2) với (9.4), ta tìm đƣợc.
e.Uc  hf  A (9.5)
Với các ánh sáng đơn sắc có tần số lần lƣợt là f, hiệu điện thế cản
có giá trị tƣơng ứng là Uc. Từ đó, ta suy ra giá trị của công thoát electron.
A  hf  e.Uc (9.6)
Trong thí nghiệm này, ta sẽ khảo sát hiện tƣợng quang điện bằng
cách vẽ đƣờng đặc trƣng volt-ampere I = f (UAK) của tế bào quang điện
chân không và xác định công thoát electron A theo công thức (9.6).

2. DỤNG CỤ VÀ PHƢƠNG PHÁP ĐO

2.1. Dụng cụ thí nghiệm
Các dụng cụ thí nghiệm gồm có:
a. Bộ thí nghiệm vật lý BKO-100PS gồm có:
- Nguồn điện một chiều ổn áp 0 - 100V
- Nguồn xoay chiều 6V-3A cấp điện cho đèn chiếu
- Tế bào quang điện chân không
- Đèn chiếu Đ có cần gạt để thay đổi cƣờng độ ánh sáng chiếu vào
tế bào quang điện
- Volt-kế
- Microampere-kế

100
 b. Các kính lọc sắc
c. Miếng nhựa che ánh sáng chiếu vào tế bào quang điện
d. Bộ dây dẫn dùng nối mạch điện (9 dây)
2.2. Phƣơng pháp đo
2.2.1. Xác định số quang electron bứt ra khỏi mặt kim loại
Mắc mạch điện nhƣ ở hình Q _
vẽ 9.4. Thay đổi hiệu điện thế A
+ -
UAK > 0 giữa hai điểm P và Q K _
(chỉ bởi volt-kế) để thay đổi
cƣờng độ dòng quang điện I (chỉ V
bởi microampere-kế). Từ số liệu +
A
thu đƣợc, vẽ đồ thị I  f  UAK  .
P
Xác định số quang electron bứt
ra khỏi mặt kim loại và chuyển Hình 9.4: Sơ đồ mạch điện xác
định số quang electron +
về anode trong một đơn vị thời
gian theo công thức (9.1). Q _
2.2.2. Xác định công thoát
electron A _
Mắc mạch điện nhƣ ở hình V
vẽ 9.5. Chiếu vào cathode của tế
bào quang điện chùm bức xạ có K +
bƣớc sóng, thay đổi hiệu điện thế A
UAK < 0 giữa hai điểm P và Q để +  - P
thay đổi cƣờng độ dòng quang
điện I. Vẽ đồ thị I  f  UAK  để Hình 9.5: Sơ đồ mạch điện +
xác định công thoát electron
xác định hiệu điện thế cản Uc. I(A)
Giao điểm của đƣờng tiếp tuyến Io
với đoạn ab (đoạn thẳng nhất trên
đồ thị) ở phía cuối đồ thị này và
trục hoành UAK sẽ xác định giá trị
hiệu điện thế cản Uc đối với ánh b a
sáng có bƣớc sóng . Xác định
công thoát electron A theo công Uc O U (V)
AK
thức (9.6). Hình 9.6: Đồ thị cách xác định hiệu
3. TRÌNH TỰ THÍ NGHIỆM điện thế cản Uc

3.1. Chuẩn bị bộ thí nghiệm

101
 BKO-100PS
a. Chƣa cắm phích lấy điện của bộ MC-959 vào nguồn điện xoay
chiều 220V.
b. Mắc mạch điện theo sơ đồ mạch điện hình 9.4.
c. Đặt các núm chuyển thang đo của volt-kế ở vị trí 100V và của
microampere-kế ở vị trí 100 A.
d. Đặt núm xoay UAK của biến trở PQ ở vị trí 0.
e. Kiểm tra xem đèn chiếu Đ cách tế bào quang điện AK từ 6 - 8cm
và nối với nguồn điện xoay chiều 6V-3A.
f. Các công tắc K và K1 đƣợc đặt ở vị trí ngắt điện.
g. Mời giáo viên tới kiểm tra mạch điện trên mặt máy BKO-100PS
và cắm phích lấy điện vào nguồn điện xoay chiều 220V.
h. Bấm các công tắc K và K1 trên mặt máy: các đèn LED và đèn
chiếu Đ phát sáng báo hiệu máy đã sẵn sàng hoạt động.
3.2. Xác định số quang electron bứt ra khỏi mặt kim loại
a. Đặt cần gạt trên đèn chiếu Đ ở vị trí 1 (tùy ý). Vặn từ từ núm
xoay UAK để số chỉ của volt-kế tăng dần từ 0 - 80V, mỗi lần tăng
khoảng 2 - 4V (Nếu số chỉ cường độ I của dòng quang điện tương
ứng trên microampere-kế tăng chậm ta có thể thay đổi khoảng
tăng lớn hơn). Đọc và ghi các số chỉ cƣờng độ I. Sau đó, vặn núm
xoay UAK trở về vị trí 0.
b. Quay cần gạt trên đèn chiếu Đ sang vị trí 2 để tăng cƣờng độ sáng
của ánh sáng chiếu vào tế bào quang điện. Lặp lại các động tác
nhƣ ở phần a. Sau đó, vặn núm xoay UAK trở về vị trí 0. Tắt đèn
chiếu Đ.
3.3. Xác định công thoát electron A
a. Dùng miếng nhựa che ánh sáng chiếu vào tế bào quang điện AK.
Mắc mạch điện theo sơ đồ hình 9.5.
b. Vặn núm chuyển thang đo của volt-kế sang vị trí 1V và của
microampere-kế sang vị trí 1 A. Nếu kim của microampere-kế
không chỉ đúng vị trí số 0 của thang đo thì phải thực hiện động
tác "qui 0" bằng cách vặn từ từ núm "0" ở phía bên trái để đƣa
kim chỉ thị về đúng số 0 của thang đo. Gạt cần gạt trên đèn chiếu
Đ về vị trí đèn sáng yếu nhất.
Chú ý: Giữ nguyên vị trí nút “qui 0”.

102
 c. Thay miếng nhựa dùng che ánh sáng bằng kính lọc sắc màu có
bƣớc sóng  . Bật đèn chiếu Đ. Chỉnh cƣờng độ sáng của đèn Đ
bằng cách di chuyển từ từ cần gạt sao cho kim của microampere-
kế lệch tới giá trị nằm trong khoảng 0,8A – 0,9A. Khi đó,
Volt-kế vẫn ở giá trị 0 và microampere-kế chỉ giá trị Io của dòng
quang điện.
d. Vặn từ từ núm xoay UKA để số chỉ của volt-kế tăng dần, mỗi lần
tăng khoảng 0,1V. Khi đó, số chỉ của microampere-kế giảm dần
về giá trị 0. Đọc và ghi các số chỉ tƣơng ứng của hiệu điện thế
UAK và cƣờng độ I của dòng quang điện vào bảng số liệu 2.
e. Nếu chỉ số của volt-kế tại đó làm chỉ số microampere-kế có giá trị
bằng 0 thì chỉ số trên volt- kế là giá trị hiệu điện thế cản Uc.
f. Nếu số chỉ của microampere-kế không về 0 thì ta dựa vào các số
liệu trong bảng 2, vẽ đồ thị I = f (UAK) (hình 9.6), xác định giá trị
hiệu điện thế cản Uc bằng cách vẽ đƣờng tiệm cận với đoạn ab ở
phía cuối của đồ thị, giao điểm của nó với trục hoành UAK là giá
trị hiệu điện thế cản Uc đối với ánh sáng màu có bƣớc sóng λ.
g. Vặn núm xoay UAK trở về vị trí 0 của nó. Vặn núm chuyển thang
đo của volt-kế và microampere-kế về vị trí 0. Bấm các công tắc
K1 và K để tắt đèn chiếu Đ và ngắt điện của bộ thiết bị thí nghiệm
BKO-100PS khỏi nguồn xoay chiều 220V. Tháo các dây nối
mạch điện trên mặt máy và sắp xếp gọn gàng. Dùng miếng nhựa
che ánh sáng chiếu vào tế bào quang điện AK.
h. Ghi các số liệu sau đây vào bảng số liệu 1 và 2:
- Các giá trị cực đại Um và cấp chính xác kV của volt-kế ứng với
mỗi thang đo.
- Các giá trị cực đại Im và cấp chính xác kA của microampere-kế
ứng với mỗi thang đo.
- Giá trị bƣớc sóng  của kính lọc sắc màu:
Lam:  = 0,45m
c:  = 0,5m

4. TRÌNH BÀY KẾT QUẢ

4.1. Xác định số quang electron bứt ra khỏi bề mặt kim loại
103
 a. Bảng số liệu 1:
 e c h
 103 ;  10-7 ;  0,6% ;  5%
 e c h
Thang đo cực đại của volt-kế: Um =
Cấp chính xác của volt-kế: kV =
Độ chia nhỏ nhất của thang đo: ωV =
Thang đo cực đại của ampere-kế: Im =
Cấp chính xác của ampere-kế: kA =
Độ chia nhỏ nhất của thang đo: ωA=

Cần gạt đèn chiếu ở vị trí 1

UAK (V)
I (A)
Cần gạt đèn chiếu ở vị trí 2
UAK (V)
I (A)

b. Vẽ hai đƣờng đặc trƣng I  f  UAK  ứng với hai cƣờng độ

sáng khác nhau của đèn chiếu.
c. Xác định giá trị cƣờng độ dòng quang điện bão hòa Ibh1 và
Ibh2.
d. Tính số quang electron bứt ra khỏi bề mặt kim loại và
chuyển về anode trong một đơn vị thời gian ứng với hai
trƣờng hợp
I
n  bh
e
e. Tính các sai số và viết kết quả của phép xác định số quang
electron.
f. Nhận xét kết quả 2 giá trị n.
4.2. Xác định công thoát electron
a. Bảng số liệu 2:
Thang đo cực đại của volt-kế: Um =
Cấp chính xác của volt-kế: kV =
Độ chia nhỏ nhất của thang đo volt-kế: ωV=

104
 Thang đo cực đại của ampere-kế: Im =
Cấp chính xác của ampere-kế: kA =
Độ chia nhỏ nhất của thang đo ampere-kế: ωA=
Kính lọc sắc màu:  =........................(m)
UAK (V)
I (A)

b. Vẽ đồ thị I  f  UAK  đối với ánh sáng màu có bƣớc sóng .

c
- Tính tần số ánh sáng màu: f 

- Giá trị hiệu thế cản Uc.
c. Tính giá trị của công thoát electron A theo công thức (9.6)
d. Tính các sai số và viết kết quả của phép xác định công thoát
electron.

5. CÂU HỎI KIỂM TRA

1- Định nghĩa hiện tƣợng quang điện ngoài. Vẽ sơ đồ và mô tả mạch
điện dùng tế bào quang điện chân không để khảo sát hiện tƣợng
này.
2- Phát biểu thuyết lƣợng tử ánh sáng của Einstein. Ứng dụng thuyết
này để giải thích dạng của đƣờng đặc trƣng volt-ampere I = f
(UAK) đối với tế bào quang điện chân không.
3- Cathode của tế bào quang điện chân không đƣợc chiếu sáng qua
kính lọc sắc (lam hoặc lục). Giải thích tại sao khi chƣa có hiệu
điện thế giữa anode và cathode (UAK = 0) mà vẫn có dòng quang
điện (I 0)?
4- Trình bày phƣơng pháp xác định công thoát electron A trong thí
nghiệm này. Nói rõ cách tìm giá trị của hiệu điện thế cản Uc bằng
đồ thị I = f (UAK) khi đặt hiệu điện thế ngƣợc (UAK< 0) giữa
anode và cathode của tế bào quang điện.
&&&&&&&

105
 PHỤ LỤC
GIỚI THIỆU DỤNG CỤ ĐO

1. THƢỚC KẸP
1.1. Công dụng
Thƣớc kẹp là dụng cụ dùng để đo các kích thƣớc ngoài (chiều dài,
chiều rộng, chiều cao, đƣờng kính trụ ngoài…), các kích thƣớc trong
(đƣờng kính lỗ, chiều rộng rãnh…) và chiều sâu.

nh 1: Thước kẹp

nh : Công dụng của thước kẹp

106
1.2. Cách đọc thƣớc kẹp
Giả sử khi đo, số 0 của du xích nằm trong khoảng chia giữa vạch
chia thứ m và thứ (m+1) của thƣớc milimét; n: số khoảng chia trên du
xích tính từ giá trị 0 đến vạch trên du xích trùng với một vạch chia trên
thân thƣớc chính, a là giá trị của mỗi độ chia của thƣớc milimét trên thân
a
thƣớc chính, b là giá trị của mỗi độ chia của du xích. Tỷ số đƣợc gọi
N
là độ chính xác của du xích, nó có giá trị bằng hiệu số độ dài của một độ
chia trên thƣớc milimét và một độ chia trên du xích.

Thực tế: ta có thể đọc trực tiếp độ dài L của vật trên thƣớc kẹp
bằng cách đọc phần nguyên m của milimet trên thân thƣớc ở bên trái số 0
của du xích, còn đọc phần lẻ n của milimet trên du xích tại vị trí một
vạch chia nào đó trên du xích trùng nhất với một vạch chia trên thân
thƣớc.
Ví dụ: giới hạn sai số của thƣớc kẹp 0.05mm.
m=16mm
n=8 (từ 0 đến 4 có 8 khoảng)
L  16  8 * 0.05  16.4mm (Hình 3)
1.3. Cách bảo quản
- Không dùng thƣớc để đo khi vật đang quay.
- Không đo các mặt thô bẩn.
- Không ép mạnh hai mỏ đo vào vật đo.
- Cần hạn chế việc lấy thƣớc ra khỏi vật đo rồi mới đọc trị số đo.
- Thƣớc đo xong phải đặt đúng vị trí ở trong hộp, không đặt thƣớc
chồng lên các dụng cụ khác hoặc đặt các dụng cụ khác chồng lên
thƣớc.
- Luôn giữ cho thƣớc không bị bụi bẩn bám vào thƣớc.
- Hàng ngày hết ca làm việc phải lau chùi thƣớc bằng giẻ sạch và bôi
dầu mỡ.

107
 Hình 3

2. THƢỚC PANME
2.1. Công dụng
Thƣớc panme dùng để đo chiều dài hay đƣờng kính của chi tiết.
2.2. Cấu tạo

Hình 4: Thƣớc panme

Giới hạn sai số của panme: 0.01mm.
Thƣớc kép thẳng của panme gồm hai thƣớc thẳng milimét song
song nằm ở hai phía của vạch chuẩn ngang và có các độ chia khắc so le
nhau từng 0,50 mm.

108
 Vị trí x bất kỳ của trục vít panme đƣợc xác định theo công thức:
Nếu du xích tròn nằm bên phải gần sát vạch chia của thƣớc milimét
phía trên:
x = N + 0,01* n (mm)
Ví dụ: Hình 5: x = 8,15mm.

nh Giá trị trên thước panme là ,1 mm

Nếu du xích tròn nằm bên phải gần sát vạch chia của thƣớc
milimét phía dƣới:
x = N + 0,50 + 0,01*n (mm)
trong đó N là số milimét, còn n là số thứ tự của vạch chia trên du xích
tròn nằm đối diện trùng với vạch chuẩn ngang của thƣớc kép thẳng trên
panme.
Ví dụ: Hình 6: x = 8,65mm.
Chú ý khi đọc giá trị đo phải nhìn chính diện
2.3. Cách bảo quản
- Không đƣợc phép cầm thanh xoay để xoay khung.
- Sau khi sử dụng xong không vặn chặt 2 mặt đo mà để hở ra giữa 2
mặt đo khoảng 1-2mm.
- Lau sạch bề mặt đo.

109
 nh giá trị trên thước panme là , mm
3. Đồng hồ đa năng hiện số VOM
3.1. Công dụng
Đồng hồ đo vạn năng kiểu hiện số dùng để đo:
- Đo điện thế một chiều (DCV).
- Đo điện thế xoay chiều (ACV).
- Đo dòng điện một chiều (DCA).
- Đo dòng điện xoay chiều (ACA).
- Đo điện trở (R).
- Đo điện dung tụ điện (C).
- Đo diode.
- Đo transistor.
3.2. Cách sử dụng
Bật công tắc On - Off sang vị trí ON, các giá trị đo đƣợc sẽ hiển thị
trên màn hình tinh thể lỏng.
3.2.1. Đo hiệu điện thế
- Cắm dây đo màu đen vào chốt COM và dây đo màu đỏ vào chốt V
mA.
- Bật chuyển mạch của đồng hồ về thang đo ở vị trí và chọn
thang đo thích hợp, sau đó đưa đ u que đo c n i c a v o
điểm c n đo, đọc chỉ số hiển thị trên màn hình LCD. Nếu trƣớc
chỉ số có dấu (-) ta phải đảo lại đầu que đo.

110
 - Nếu chƣa biết điện thế muốn đo là bao nhiêu Volt thì nên để thang
đo ở vị trí cao nhất và giảm xuống từ từ cho phù hợp với hiệu điện
thế muốn đo.
- Khi đo nếu thấy số "1" hiện trên phía trái màn hình thì thang đo
đang ở mức thấp nên chọn thang đo ở mức cao hơn.
Lưu ý: Không đƣợc đo nguồn điện cao hơn 750V vì nó có thể làm
hỏng các mạch điện bên trong máy đo.

nh 7: Đồng hồ VOM

111
3.2.2. Đo dòng điện
- Cắm dây đo màu đen vào chốt COM và dây đo màu đỏ vào chốt V
mA cho thang đo từ 200µA đến 20mA, nếu dòng điện cần đo trên
20mA đến 10A (hoặc 20A) thì dời dây đo màu đỏ đến chốt 10A
(hoặc 20A).
- Bật chuyển mạch của đồng hồ về thang đo và chọn thang đo
thích hợp, sau đó mắc nối tiếp 2 que đo vào mạch điện muốn đo,
đọc trị số trên màn hình LCD.
- Nếu chƣa biết giá trị của dòng điện đang đo thì chọn thang đo ở vị trí
cao nhất và giảm xuống từ từ cho phù hợp với dòng điện đang đo.
- Khi đo nếu thấy số "1" hiện trên phía trái màn hình thì thang đo
đang ở mức thấp nên chọn thang đo ở mức cao hơn.
Lưu ý: Phải rất cẩn thận khi sử dụng thang đo dòng điện, không
đƣợc mắc song song hai que đo vào nguồn điện hoặc mạch điện có
cao thế nó có thể làm hỏng máy đo.
3.2.3. Đo điện trở
- Cắm dây đo màu đen vào chốt COM và dây đo màu đỏ vào chốt V
mA.
- Bật chuyển mạch của đồng hồ về thang đo , chọn thang đo thích
hợp, sau đó đƣa đầu 2 que đo vào hai đầu điện trở cần đo, đọc trị số
trên màn hình LCD.
- Nếu giá trị của điện trở đang đo lớn hơn thang đo đang chọn thì bên
trái màn hình sẽ xuất hiện số ("1") nên chọn thang đo cao hơn. Với
điện trở có giá trị từ 1M trở lên thì phải mất một vài giây thì số
đo trên màn hình mới ổn định.
- Khi chƣa đo, bên trái màn hình sẽ xuất hiện số ("1") nhƣ trƣờng
hợp thang đo chƣa thích hợp.
- Lƣu ý: không đƣợc chạm tay vào chân linh kiện đồng hồ sẽ không
chính xác khi đo cả nội trở của tay ngƣời. Cũng không nên đo linh
kiện trong mạch bởi R có thể là của linh kiện khác trong mạch.
3.2.4. Đo điện dung tụ điện
- Bật chuyển mạch của đồng hồ về thang đo tụ F, chập hai đầu của tụ
để phóng hết điện tích trên hai bản cực của tụ. Đƣa hai que đo vào
hai bản cực của tụ, chọn thang đo thích hợp và đọc trị số điện dung
đo đƣợc trên màn hình LCD.
- Lưu ý: Tụ điện không còn tích điện trƣớc khi đo.

112
3.2.5. Đo tần số Hz
- Cắm dây đo màu đen vào chốt COM và dây đo màu đỏ vào chốt V
mA.
- Bật chuyển mạch của đồng hồ về thang đo ở vị trí Hz và đƣa 2 đầu
que đo còn lại của 2 dây vào 2 điểm cần đo, đọc chỉ số hiển thị trên
màn hình LCD.
3.3. Nguyên tắc an toàn của đồng hồ đo điện
- Đóng vỏ hộp máy đo chắc chắn trƣớc khi đo để bảo đảm an toàn.
- Không ứng dụng cho ngõ vào vƣợt quá thang đo lớn nhất hoặc
trang thiết bị có khả năng xảy ra hƣ hỏng.
- Phải bảo đảm thang đo đƣợc đặt ở tầm đo đúng trƣớc khi tiến hành
đo. Nếu độ lớn của dòng điện không biết trƣớc, luôn luôn bắt đầu
với thang đo cao nhất và giảm dần cho đến khi đạt đƣợc giá trị
thích hợp.
- Phải kiểm tra các dây đo đỏ và đen đƣợc cắm đúng vào ổ cắm hay
không trƣớc khi tiến hành đo.
- Không bao giờ xoay công tắc trong suốt thời gian đo điện áp hoặc
dòng điện.
- Luôn luôn thay thế dây chì chảy bởi dây chì mới đúng theo danh
định. Không dùng dây chì đƣợc sữa lại hoặc dây chì vắt ngang vỏ
cầu chì.
- Phải thay nguồn pin ngay khi chỉ báo pin yếu xuất hiện, vì nếu
không trị số đo sẽ không chính xác.
- Tháo nguồn pin ra khỏi máy đo nếu máy đo không đƣợc sử dụng
trong một thời gian dài.
Chú ý: Khi không còn sử dụng máy đo nữa nhớ bật công tắc On -
Off sang vị trí OFF để bảo vệ nguồn PIN của máy đo.
4. MÁY PHÁT TẦN SỐ
Máy phát xung hay máy tạo sóng đo lƣờng là bộ nguồn tạo ra các
tín hiệu chuẩn về biên độ, tần số và dạng sóng dùng trong thử nghiệm và
đo lƣờng.
Máy phát tần dạng hiển thị số:

113
 nh 8: Máy phát tần số dạng hiện thị số
OUT: dây nối đầu ra.
DADJ: núm thay đổi độ biến dạng.
FADJ: núm thay đổi tần số.
AADJ: núm thay đổi biên độ.
ATT (Attenuator): nút chỉnh độ suy giảm tín hiệu.
WAVE: nút điều chỉnh dạng sóng.
 1: sóng sin.
 2:sóng vuông.
 3: sóng tam giác.
RANGE: nút thay đổi tần số, nút Range thay đổi từ 1-7, có giá trị từ 0Hz
~ 2343 KHz, giá trị dãy tần số tùy thuộc vào nút bấm.
 Range 1: giá trị dãy tần số thay đổi từ 0 Hz-> khoảng 2.7 Hz.
 Range 2: giá trị dãy tần số thay đổi từ 2 Hz-> khoảng 27 Hz.
 Range 3: giá trị dãy tần số thay đổi từ 11 Hz -> khoảng 260 Hz.
 Range 4: giá trị dãy tần số thay đổi từ 111 Hz-> khoảng 2617 Hz.
 Range 5: giá trị dãy tần số thay đổi từ 1100 Hz-> khoảng 26 kHz.
 Range 6: giá trị dãy tần số thay đổi từ 9754 Hz-> khoảng 230 kHz.
 Range 7: giá trị dãy tần số thay đổi từ 105 KHz -> khoảng 2340 kHz.

114
RUN: cho máy chạy.
RESET: khởi lập lại các giá trị ban đầu.
POWER: Bật, tắt máy (ở mặt sau của máy).
Máy phát tần số dạng kim

Hình 9: Máy phát tần số dạng kim

5. DAO ĐỘNG KÝ ĐIỆN TỬ- MÁY HIỆN SÓNG OSCILOCOPE
5.1. Công dụng

115
 nh 1 : Dao động ký điện tử - Oscillocope

nh 11: Que đo X/Y

Dao động ký là máy đo có các tính năng sau:
- Quan sát toàn cảnh tín hiệu.
- Đo các thông số cƣờng độ của tín hiệu:
 Đo điện áp, đo dòng điện, đo công suất.
 Đo tần số, chu kì, khoảng thời gian của tín hiệu.
 Đo độ di pha của tín hiệu.
 Vẽ tự động và đo đƣợc đặc tính phổ của tín hiệu.
- Vẽ đặc tuyến Vôn-ampe của linh kiện.
- Vẽ tự động, đo đặc tuyến biên độ-tần số.
5.2. Cách sử dụng

116
POWER: Công tắc chính của máy, khi bật công tắc lên thì đèn led sẽ
sáng.
INTEN: Điều chỉnh độ sáng của điểm hoặc tia.
FOCUS: Điều chỉnh độ sắc nét của hình.
TRACE RATOTION: Điều chỉnh tia song song với đƣờng kẻ ngang trên
màn hình.
CH1 (X): Đầu vào vertical CH1 là trục X trong chế độ X-Y.
CH2 (Y): Đầu vào vertical CH2 là trục Y trong chế độ X-Y.
AC-GND-DC: Chọn lựa chế độ của tín hiệu vào và khuếch đại dọc.
- AC nối AC.
- GND khuếch đại dọc tín hiệu vào đƣợc nối đất và tín hiệu vào đƣợc
ngắt ra.
- DC nối DC.
VOLTS/DIV: Chọn lựa độ nhạy của trục dọc từ 5mV/DIV đến 5V/DIV.
VARIABLE: Tinh chỉnh độ nhạy với giá trị > 1/2.5 giá trị đọc đƣợc. Độ
nhạy đƣợc chỉnh đến giá trị đặc trƣng tại vị trí CAL.
POSITION: Dùng để điều chỉnh vị trí của tia theo chiều ngang hoặc dọc.
VERT MODE: Lựa chọn kênh.
- CH1: Chỉ có 1 kênh CH1.
- CH2: Chỉ có 1 kênh CH2.
- DUAL: Hiện thị cả hai kênh.
- ADD: Thực hiện phép cộng (CH1 + CH2) hoặc phép trừ (CH1-
CH2) (phép trừ chỉ có tác dụng khi CH2 INV đƣợc nhấn).
ALT/CHOP: Khi nút này đƣợc nhả ra trong chế độ Dual thì kênh 1 và
kênh 2 đƣợc hiển thị một cách luân phiên, khi nút này đƣợc ấn vào trong
chế độ Dual, thì kênh 1 và kênh 2 đƣợc hiển thị đồng thời.
TIME/DIV: Cung cấp thời gian quét từ 0.2 μs/ vạch đến 0.5 s/vạch với
tổng cộng 20 bƣớc.
X-Y: Dùng oscilloscope ở chế độ X-Y.
SWP.VAR: Núm điều khiển thang chạy của thời gian quét đƣợc sử dụng
khi CAL và thời gian quét đƣợc hiệu chỉnh giá trị đặt trƣớc tại
TIME/DIV. Thời gian quét của TIME/DIV có thể bị thay đổi một cách

117
liên tục khi trục không ở đúng vị trí CAL. Xoay núm điều khiển đến vị trí
CAL và thời gian quét đƣợc đặt trƣớc giá trị tại TIME/DIV. Vặn núm
điều khiển ngƣợc chiều kim đồng hồ đến vị trí cuối cùng để giảm thời
gian quét đi 2.5 lần hoặc nhiều hơn.
X10 MAG: Phóng đại 10 lần.
CAL: Cung cấp tín hiệu 2Vp-p, 1KHz, xung vuông dùng để chỉnh que
đo.
GND: Tiếp đất thiết bị với sƣờn máy.

6. HỘP ĐIỆN TRỞ

Hộp điện trở là một dụng cụ tƣơng tự nhƣ biến trở, gồm các điện
trở thuần có thể biến đổi giá trị theo ý muốn. Chúng có thể đƣợc sử dụng
trong các mạch điện để điều chỉnh hoạt động của mạch điện.
Hộp điện trở dƣới gồm 5 núm, có thể thay đổi giá trị điện trở từ 0
đến 9999.9 Ω
Giả sử ta chỉnh các núm vặn với các giá trị nhƣ hình 12.

Hình 12: Hộp điện trở đã được điều chỉnh

Giá trị điện trở tƣơng ứng của hộp điện trở:
R = 2*1000+3*100+9*10+1*1+0*0,1 = 2391,0 (Ω)
Giả sử cấp chính xác tƣơng ứng với mỗi núm điều chỉnh nhƣ sau:
Giai đo R(Ω) 1000 100 10 1 0.1
118
 Cấp chính xác k(%) 0,5% 0,5% 0,5% 1% 5%

∑ ́

Ứng với giá trị hộp điện trở R=2391 Ω

( )

( )

119
 TÀI LIỆU THAM KHẢO
Tiếng Việt
1. Nguyễn Minh Châu, Nguyễn Dƣơng Hùng. Thí nghiệm vật lý
đại cƣơng A.- Đại học quốc gia Tp. Hồ Chí Minh, 2011.
2. Lƣơng Duyên Bình. Vật lý đại cƣơng tập I, II, III. - NXB Giáo
Dục, 1995.
Tiếng Anh
3. John L. Standford, Stephen B. Vardeman. Statistical methods
for physical science.- Academic Press, 1994.
4. Philip R. Bevington, D. Keith Robinson. Data reduction and
error analysis for the physical sciences, Mc Graw Hill, 2003.
Tiếng Nga
5. В.А. Яворский. Планирование научного эксперимента и
обработка экспериментальных данных. - Москва, 2006.
6. И.Б. Крынецкого и Б.А. Струкова. Oбщая физика Учебное
пособие руководство по лабораторному практикуму. -
ИНФРА-М, 2008.

120