分类号 ：  Ｔ Ｈ ７４ １  单位代码 ：  １ ０３ ３ ５

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密 级 ：

Ｘ
： 学 号 ： ２ １ ８ ３ ０ ００ ５
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士 学 位 论 文ｌ ｔ ．
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寒蠢 
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中 文论文题 目 ： ｅ 描 方式 图 案化 晶 圆
基于 明 暗场 成像 的 多 ｆ 
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检测技术研 究
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英文论文题 目 ： Ｒ ｅ ｓ ｅ ａ ｒ ｃ ｈ  ｏ ｎ  Ｐ ａ ｔ ｔ ｅ ｒ ｎ ｅ ｄ  Ｗ ａ ｆｅ ｒ  Ｉ ｎ ｓ ｐ ｅｃｔ ｏ ｎ
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Ｔｅ ｃ ｈ ｎ ｏ ｌ ｏ ｎ ｖ ｗ ｉ ｔ ｈ  Ｍｕ ｌ ｔ ｉ
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ｓｃ ａ ｎＭ ｏ ｄ ｅＢ ａ ｓ ｅ ｄ ｏ ｎ
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Ｂｒ ｉ ｇｈ ｔ ａ ｎ ｄ Ｄ ａ ｒ ｋ Ｆ ｅ ｌ ｄ Ｉ ｍ ａ ｇ ｉ ｎ ｇ
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申 请 人姓 名 ：


陈世 讳 
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

指导教师
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■


：

   ．

合 ｖ 杨 甬
：
英 
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

专业 名 称 ：

光 学 工 程 ．
：



，

研 宄方 向 精 密 光 学 柃测 技 术
：


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

所在 学院 光 电 科 学 与：
工 程学院 



论文提交 日 期 ２ ０ ２ １ 年 ４ 月 
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
 基于 明 暗场 成 像 的 多 扫描方式

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图 案化 晶 圆 检测 技术研 究

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论文作者签名 ： ？￥、 说 
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崎
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一

指 导教师签名 ：


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论文评 阅 人 １ ：

 ｜ １名 
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

评阅人  ２ ：

 
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

评阅人 ３ ：

 



评阅人 ４
：
 
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

评阅人 ５ ：

 
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

答辩委 员 会主席 ：
＾ ４  
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委员 １ ：
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委员 ２ ：

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委员 ３ ：

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委员 ４
：
 
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委员 ５ ：

 
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答辩 日 期 叫午 ＾ （
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 浙江大学研 究 生 学位 论文独创 性声 明

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本 人声 明 所呈 交 的 学位 论 文 是 本 人 在 导 师指 导 下 进 行 的 研 究 工 作 及 取 得 的



研究成果 。 除 了 文 中 特别 加 以 标注和 致谢 的 地 方外 ， 论文 中 不 包 含其他人 已 经 发




表或撰写 过 的研 究 成果 ， 也 不 包 含 为 获 得 浙 江 大 学 或 其 他 教 育 机构 的 学 位 或



证 书 而 使用 过 的 材料 。 与我
一

同 工作 的 同 志 对 本研 究 所 做 的 任 何 贡 献 均 已 在论文



中 作 了 明 确 的说 明 并表示谢 意 

。

学 位论文作者签名  签 字 ： 日 期 年 月 ／
ｒ日



学 位 论 文 版 权 使 用 授权 书



本学位论文作者完 全 了 解浙江大学有权保 留 并 向 国 家有 关 部 门 或机构送




交本论文 的 复 印 件和 磁 盘 ， 允许论文被查 阅 和 借 阅 。 本人授权浙江 大学 可 以 将




学 位论文 的 全部 或部 分 内 容编 入有 关数据库 进行 检 索 和 传 播 ， 可 以 采用 影 印 、 

缩

印 或扫 描等 复制 手段保存 、 汇编 学位论 文 

。

（ 保 密 的 学 位 论 文 在 解 密 后 适用 本授 权 书 

）

学 位论文作者签 名  导 师签名 ： 

：

签字 日 期 ： 年 ６月 以 日 签 字 日 期 年 月 

日
（
 致 谢



自 从来 到 了 浙江大 学 的 校 园 ， 我就被这所大 学 务实 求是 的 学 风 深深 吸 引 。 在美丽安静




的玉泉校 区 ， 度过 了 我 的研究 生 生涯 ，
心 中 剩 下 的 全是感 恩 

。

感谢 我 的导 师组 ， 白 剑 教授和 杨 甬 英教授 。 他们 以身 作则 的严 谨学风和 治学 态度 ， 


成

为 我研 究 生 生涯 的科研榜样 。 感谢 ３０８ 实验 室 的 所有 同 门 师兄弟 ， 与 团 队奋战 的 日 子令人




难忘 感谢我 的父母 你 们 对 我 的 支持 与 鼓励 直激励着 我

一

。 ， ， 

。

由 衷感谢所有 帮 助 我 的 亲长 师友 ， 谢谢你 们 

。

陈世炜



２０２ １ 年 ４ 月 于 求是 园





Ｉ
 摘 要



晶 圆 指半导体 电路制 作 中 用 到 的 硅 晶 片 ， 可在 晶 圆 上蚀 刻 出 各种 电 子器件 电路 ， 是半




导体 电路制 造过程 中 十分重要的 中 间 产物 。 随着半导体行业 以 摩 尔 定律逐步 发 展 ， 现如今




芯 片先进制 程工艺 已 达到 纳 米量级 ， 同 时 图 案化 晶 圆 蚀刻 图案也随着制程进步越发复杂精




细 ， 增加 了 在 图案化 晶 圆 中 检测缺 陷 的难度 。 因 此 精确 检测 出 细 微缺 陷 在 半导 体行业 中 


是

个重要且关键的 技术 半导体制 造商通过 晶 圆 检测 系 统 维持并提高 Ｃ 芯片制造的 良率



一

， １

从而 降低 生产 成 本 

。

本文 针对 图 案 化 晶 圆 缺 陷 尺度 小 、 背 景 图 案 复杂 等 技 术难 点 ， 搭建 了 多 扫 描 方式 明 暗



场 图 案 化 晶 圆 缺 陷 检 测 系 统 Ｍｕ （
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ｓ ｃ ａｎ ｎ ｉ ｎ
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Ｐ ａｔ ｅ ｒ ｎ ｅ ｄ  Ｗａ ｆｅ ｒ  ｄ ｅ ｆｅ ｃ ｔ  Ｄ ｅ ｔ ｅ ｃ ｔ ｉ ｏｎ  ｓ ｙ ｓ ｔ ｅ ｍ 

，

Ｍ Ｐ ＷＤ Ｓ ）
， 并研 究 了 该系 统 中 使用 的 相 应 技术 ， 其 中 包括 

：

对 图 案化 晶 圆 缺 陷 和 表 面散射场 进行研究 。 介绍 了 图案化 晶 圆 制 作流程 ， 从制 作流程




和 光刻 工艺角 度 ， 分析 晶 圆 常见缺 陷 的引 入原 因 ， 并根据不 同 的 分类标准将缺 陷 分类 ； 


将

图 案化 晶 圆 表 面 蚀 刻 图 案抽 象成 不 同 细微线段 矢 量 的 叠 加 ， 通过研 究单
一

细 微线 段矢量 简



化模型 ， 进 行 表 面 散射场分析 。 基于 Ｂ ＲＤ Ｆ 和 Ｒ ａｙ ｌ ｅ ｉ ｇｈ －
Ｒ ｉ ｃｅ 矢量 散射理论 ， 通过离 散化



仿真 ， 分析探讨 了 不 同 长度 、 宽度 、 角度 、 深度 的 细微线 段 矢量 存 在 情况 下 晶 圆 表 面 的 散



射场分布 ， 为 后续系 统设计 提供 了 理论基础 


。

具体给 出 Ｍ Ｐ ＷＤ Ｓ 系 统设计 方案 。 针 对 点 扫 描路径 提 出 螺旋路径规划 策 略 （

Ｓ ｐ ｉ ｒ ａ ｌ

分析扫 描路径 和 图 像 坐 标之 间 的 坐 标 映射 关 系 给出 ＰＭＴ 维光强序



—

ｓ ｃ ａｎｎ ｉ ｎ ｓ ｔ ｒ ａｔ ｅ
ｇ ｇｙ） ， ，

列 到 二 维 图像 的 重构策略 ； 分 析研 究 线 扫 、 面 阵成 像相机模型 ， 基 于 系 统 设 计 对扫 描路 径



进行规划 ， 计 算 推导 出 系 统 检 测 扫 描 效 率 与 系 统 参 量 之 间 的 制 约 关 系 

。

提 出 基于重复子结构序列 的缺陷提取算法 （
Ｒ ｅ ｐ ｅ ａｔ ｅ ｄ Ｓｕｂ ｓ ｔ ｒ ｕｃ ｔ ｕ ｒ ｅ  Ｓ ｅ ｑｕ ｅ ｎ ｃ ｅ  Ｄ ｅ ｆｅ ｃ ｔ

ｉ ｔ ｈｍ Ｒ Ｓ Ｓ Ｄ Ｅ Ａ ） 。
Ｅ ｘ ｔ ｒ ａ ｃ ｔ ｉ ｏｎ Ａ ｇ ｏ ｒｌ
，
通过频域 变 换进行 图 像 偏 转角 校正 ， 利 用 基 于形状 的模板



匹 配 在 校正 后 的 图 像 中 分割 出 重 复 子 结 构 区 域 图 像序 列 ， 并 通 过特殊数据 结 构 和 基 于 统 计



量的 自 适应 迭代算 法 ， 对晶元 （
Ｄ ｉ ｅ） 标准 图 进行 高 效求解 ， 从而 利 用 双 阈 值 分 割 最终得 到 缺



陷 位置 和 其特 征 信 息 

。

通 过 具 体 实 验 验 证本 文 内 容 。 搭建 晶 圆 检测 装置 ， 并 将文 中 所提算 法应 用 于 图像 中 

，

证明 了 本文提 出 系 统对 图 案化 晶 圆 缺陷检测 的有 效性 ； 对不 同 成像方式 的吞吐量和 检测 精






ｍ
度进行横 向 比较 ， 并 对 本文提 出 算 法 与 传 统算 法 进行纵 向 比较 ； 分析解释并校正 了 点扫描



缺 陷检测 实验过程 中 出 现的扇形暗 区现象 


。

最后对本文工作进行 总 结 ， 针对 不足之处给 出 解 决 方案 并展望 未来 后 续研 究 


。

关键词 ： 图案化 晶 圆 ； 晶 圆 缺 陷检测 ； 多 扫描方式明 暗场成像 ； 检测 精度 ； 吞吐量 ； 


重
复 子结构切割

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 Ａ ｂ ｓ ｔ ｒ ａ ｃ ｔ

Ｗａｆｅ ｒ ｒ ｅ ｆｅ ｒ ｓ  ｔ ｏ  ｔ ｈ ｅ  ｓ ｉ ｌ ｉ ｃ ｏ ｎ  ｗ ａ ｆｅ ｒ  ｕ ｓ ｅ ｄ  ｉ ｎ  ｔ ｈ ｅ
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ｈ ｅ  ｍ ａｎ ｕ ｆａ ｃ ｔ ｕ ｒ 
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  ｓ Ｌ ａｗ ，
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
 ｔｅ ｃ ｈｎ ｏ ｌ ｏ ｇｙ ｈ ａ ｓ 
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ｒ ａｔ ｅ  ｄ ｅ ｔ ｅ ｃ ｔ ｉ ｏ ｎ  ｏ ｆ  ｉ ｎ ｅ  ｄ ｅ ｆｅ ｃ ｔ ｓ  ｉ ｓ  ａ ｎ  ｉ ｍｐ ｏ ｒ ｔ ａｎｔ  ａｎｄ
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ｋ ｅ ｙ  ｔ ｅ ｃｈｎ ｏ ｌ ｏ ｇｙ
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ｉ ｎ ｇ  ｔ ｈ ｒ ｏ ｕ ｇ ｈ  ｗ ａ ｆｅ ｒ  ｉ ｎ ｓ ｏ ｎ ｓ ｙ ｓ ｔ ｅ ｍ ｓ  ｔ ｏ  ｒ ｅ ｄｕ ｃ ｅ


ｐ ｅｃ
ｉ ｔｉ

ｐｒｏ ｄｕ ｃ ｔｉ ｏ ｎ  ｃ ｏ ｓ ｔ ｓ 

．

Ｉ ｎ  ｔ ｈ ｉ ｓ ｐ ａｐ ｅ ｒ  ａ ｉ ｍ ｉ ｎ ｇ  ａ ｔ
 ，
 ｔｅ ｃ ｈ ｎ ｉ ｃ ａ ｌ  ｄｉ ｉ ｃｕ
ｆ ｌ ｔｉ ｅ ｓ  ｓ ｕ ｃ ｈ  ａ ｓ  ｔ ｈ ｅ  ｓ ｍ ａ ｌ ｌ  ｄ ｅ ｆｅ ｃ ｔ  ｓ ｉ ｚ ｅ  ｏ ｆ ｎ ｅ ｄ ｗ ａｆｅ ｒ ｓ
ｐ ａｔ ｔ ｅ ｒ 
 

ａｎ ｄ  ｃ ｏ ｍ
ｐ ｌ ｅ ｘ  ｂ ａ ｃ ｋ ｇ ｒ ｏ ｕ ｎｄ  ｐ ａ
ｔｔ ｅ ｎｓ
ｒ ， ａ
Ｍｕ ｌｔ ｉ
－

ｓ ｃ ａｎ ｎ ｉ ｎ ｔ ｎ ｅ ｄ  Ｗａ ｆｅ ｒ  Ｄ ｅ ｆｅ ｃ ｔ  Ｄ ｅ ｔ ｅ ｃ ｔ ｉ ｏｎ  Ｓ ｙ ｓ ｔ ｅ ｍ
ｇ  Ｐ ａｔ ｅｒ



（
ＭＰ ＷＤ Ｓ ） 
ｗ ａ ｓ  ｂｕ ｉ ｌ ｔ ａ ｎ ｄ  ｓ ｔ ｕｄ ｉ ｅ ｄ  ｉ ｎ ｔｈ ｉ ｓ  ｓ ｙ ｓ ｔ ｅ ｍ ．  Ｔ ｈ ｅ  ｃ ｏ ｒ ｒ ｅ ｓｐ ｏ ｎ ｄ ｎ ｇ ｉ

ｔｅ ｃ ｈ ｎｏ ｌ ｏ ｇ ｉ ｅ ｓ  ｉ ｓ  ｆｏ ｌ ｌ ｏ ｗ ｉ ｎ ｇ 

：

Ｒ ｅ ｓ ｅ ａ ｒ ｃ ｈ ｏ ｎ  ｐ ａｔ ｔ ｎ ｅ ｄｗ ａ ｆｅ ｒ  ｄ ｅ ｆｅ ｃ ｔ ｓ  ａ ｎｄ  ｓ ｕ ｒ ｆａ ｃ ｅ  ｓ ｃ ａ ｔ ｔ ｅ ｒ ｉ ｎ
ｅｒ
ｇ  ｆｉ ｅ ｌ ｄ  Ｔ ｈ ｅ  ｐ ａ ｅｒ
． ｔｔ ｎ ｅ ｄ ｗ ａ ｆｅ ｒ



ｐ ｒ ｏ ｄｕ ｃ ｔ ｉ ｏｎ  ｐ ｒ ｏ ｃ ｅ ｓ ｓ  ｉ ｓ  ｉ ｎ ｔ ｒ ｏ ｄｕ ｃ ｅ ｄ ．  Ｆ ｒ ｏ ｍ  ｔｈ ｅ  ｐ ｅ ｒ ｓ ｐ ｅ ｃ ｔｉ ｖ ｅ  ｏ ｆ  ｔ ｈ ｅ  ｐ ｒ ｏ ｄｕ ｃ ｔ ｏ ｎ  ｐ ｒ ｏ ｃ ｅ ｓ ｓ  ａ ｎ ｄ

 ｉ

ｐ ｈ ｏ ｔ ｏ ｌ ｉ ｔｈ ｏ ｇ ｒ ａｐ ｈ ｙ  ｐ ｒ ｏ ｃ ｅ ｓ ｓ ， 
ｔ ｈ ｅ  ｒ ｅ ａ ｓ ｏ ｎ ｓ  ｆｏ ｒ  ｔ ｈ ｅ  ｉ ｎ ｔ ｒ ｏ ｄｕ ｃ ｔ ｉ ｏ ｎ  ｏ ｆ ｃ ｏｍ ｍ ｏ ｎ  ｄ ｅ ｆｅ ｃ ｔ ｓ  ｏ ｎ  ｔｈ ｅ  ｗ ａｆｅ ｒ  ａｒ ｅ

 

ａｎ ａ ｌ
ｙｚ ｅ ｄ ， 
ａｎ ｄ  ｔ ｈ ｅ ｄ ｅ ｆｅ ｃ ｔ ｓ ａ ｒ ｅ
   ｃ ｌ ａｓ ｓ ｉ ｆ
ｉ ｅ ｄ  ａｃ ｃ ｏ ｒ ｄ ｉ ｎ ｇ 
ｔ ｏ  ｄ ｉ ｆ ｆｅ ｒ ｅ ｎ ｔ ｃ ｌ ａ ｓ ｓ ｉ ｆ
ｉ ｃ ａｔ ｉ ｏ ｎ  ｓ ｔ ａ ｎｄ ａ ｒ ｄ ｓ

； 
Ｔｈｅ  ｅｔ ｃ ｈｉ ｎ ｇ



ｈｅ  ｄ  ｉ ｎ ｔ ｏ  ｔｈ ｅ  ｓ ｕｐ ｅ ｒ ｐ ｏ ｓ ｉ ｔ ｉ ｏ ｎ  ｏ ｆ ｄ ｉ ｆ ｆｅ ｒ ｅ ｎ ｔ  ｆ ｉ ｎ ｅ  ｌ ｉ ｎ ｅ
ｐ ａｔ ｔ ｅ ｒｎ  ｏ ｆ ｐ ａ ｔｔ ｅ ｒ
ｎ ｅ ｄ  ｗ ａ ｆｅ ｒ  ｓ ｕ ｒ ｆａ ｃ ｅ  ｓ  ａ ｂ ｓ ｔ ｒａ ｃ ｔ ｅ 

 ｔ ｉ 

ｓｅ
ｇ ｍ ｅ ｎｔ ｖ ｅ ｃ ｏ ｒ ｓ
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， 
ａ ｎ ｄ  ｔ ｈ ｅ  ｓ ｕ ｒ ｆａ ｃ ｅ  ｓ ｃ ａｔ ｔ ｅ ｒ ｉ ｎ
ｇ  ｆ ｉ ｅ ｌ ｄ ａ ｎ ａ ｌ ｙ ｓ ｉ ｓ  ｉ ｓ  ｃ ａｒ ｒ
 ｉ ｅ ｄ  ｏ ｕｔ ｂ ｙ  ｓ ｔ ｕ ｄ ｙ ｉ ｎ ｇ 

ｔ ｈ ｅ  ｓ ｉ ｍｐ ｌ ｉ ｆ ｉ ｅ ｄ



ｍ ｏ ｄｅ ｌ ｏ ｆ ａ  ｓ ｉ ｎｇ ｌ ｅ  ｆ ｉ ｎ ｅ
  ｌｉ ｎｅ  ｓｅ
ｇ ｍ ｅ ｎｔ ｖ ｅ ｃ ｔ ｏ ｒ  ．  Ｂ ａｓｅ ｄ  ｏｎ  ｔ ｈｅ  Ｂ ＲＤ Ｆ  ａｎｄ  Ｒ ａｙ ｌ ｅ ｉ ｇｈ
－
Ｒ ｉ ｃ ｅ  ｔｈ ｅ ｏ ｒｙ ， 
ｔ ｈｒｏ ｕ ｇ ｈ
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ｄ ｉ ｓ ｃ ｒ ｅｔ ｉ ｚ ａ ｔ ｉ ｏ ｎ  ｓ ｉ ｍ ｕ ｌ ａ ｔ ｉ ｏ ｎ ， 
ｔ ｉ ｎ ｇ  ｆｉ ｅ ｌ ｄ  ｄ ｉ ｓ ｔｒ
ｈ ｅ  ｓ ｃ ａｔ ｔｅ ｒ ｉ ｂ ｕｔ ｉ ｏ ｎ  ｏ ｎ  ｔ ｈ ｅ  ｗ ａ ｆｅ ｒ  ｓ ｕ ｒ ｆａ ｃ ｅ  ｉ ｎ  ｔｈ ｅ  ｐ ｒ ｅ ｓ ｅ ｎ ｃ ｅ  ｏ ｆ

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ｉ ｎｅ
ｆ ｅｎ ｇｔｈ ｓ ｗ ｉ ｄ ｔｈ ｓ ｄ
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ｉｉ ｓ ｓ  ａｎ ａｌ
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 ｌｉ    ｌ  ｉ  ｓ 
，  ，  ，  
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，

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
 ｔ ｈ ｅ ｏ ｒ ｅ ｔ ｉ ｃ ａ ｌ  ｂ ａ ｓ ｉ ｓ  ｆｏ ｒ  ｓ ｕｂ ｓ ｅ ｑｕ ｅ ｎ ｔ  ｓ ｙ ｓ ｔ ｅ ｍ  ｄ ｅ ｓ ｉ ｇ ｎ 

．

Ｔ ｈ ｅ  ｄｅ ｓ ｇ ｎ  ｓ ｃ ｈ ｅ ｍ ｅ  ｏ ｆ  Ｍ Ｐ Ｗ Ｄ Ｓ  ｓ ｙ ｓ ｔ ｅ ｍ  ｉ ｓ  ｇ ｉ ｖ ｅ ｎ  ｎ  ｄ ｅ ｔ ａ ｉ
ｉ ｉ ｌ ．  Ａ Ｓｐ ｉｒ ａｌ  ｓ ｃ ａ ｎ ｎ ｉ ｎ ｇ  ｓ ｔ ｒ ａ ｔ ｅ ｇ ｙ  ｉ ｓ



ｐ ｒ ｏｐ ｏ ｓ ｅ ｄ  ｆｏ ｒ ｔ ｈ ｅ ｐ ｏ ｉ ｎ ｔ  ｓ ｃ ａ ｎ ｎ ｉ ｎ ｇ ｐ ａ ｔｈ
  ， 
ｔ ｈ ｅ  ｃ ｏ ｏ ｒ ｄ ｉ ｎ ａｔ ｅ  ｍ ａｐｐ ｉ ｎ ｇ  ｒ ｅ ｌ ａｔ ｉ ｏ ｎ ｓ ｈ ｉ ｐ  ｂ ｅ ｔ ｗ ｅ ｅ ｎ  ｔ ｈ ｅ  ｓ ｃ ａｎｎ ｉ ｎ ｇ



ｐ ａｔｈ  ａ ｎ ｄ  ｔ ｈ ｅ  ｉ ｍ ａｇ ｅ  ｃ ｏ ｏ ｒ ｄ ｉ ｎ ａｔ ｅ ｓ  ｉ ｓ  ａ ｎ ａ ｌｙｚ ｅ ｄ ａ
ｎ ｄ  ｔ ｈ ｅ  ｒ ｅ ｃ ｏ ｎ ｓ ｔ ｒ ｕ ｃ ｔ ｉ ｏ ｎ  ｓ ｔ ｒ ａｔ ｅ ｇｙ  ｆ ｒ ｏ ｍ  ｔｈ ｅ  Ｐ Ｍ Ｔ  ｏ ｎ ｅ


－



ｖ
ｄ ｉ ｍ ｅ ｎ ｓ ｉ ｏ ｎ ａ ｌ  ｌ ｉ ｇ ｈ ｔ  ｎｔ ｅ ｎ ｓ ｉ ｔ ｙ  ｓ ｅ ｑ ｕ ｅ ｎ ｃ ｅ  ｔ ｏ  ｔ ｈ ｅ  ｔ ｗｏ ｄ ｉ ｍ ｅ ｎ ｓ ｏｎ ａ
ｉ
－

ｉ ｌ  ｉ ｍａ ｎ ｌ ｓ ｉ ｓ  ａｎ ｄ
ｇ ｅ  ｉ ｓ  ｇ ｉ ｖ ｅ ｎ  ｔｈ ｅ  ａ ａ ｙ ；



ｒ ｅ ｓ ｅ ａｒ ｃ ｈ  ｏ ｆ  ｔ ｈ ｅ  ｌ ｉ ｎ ｅ  ｓ ｃ ａｎ ， 
Ｔｈ ｅ  ａ ｒ ｅ ａ ａ ｒ ｒ ａｙ 

ｉ ｍ ａ ｇ ｎ ｇ  ｃ ａ ｍ ｅ ｒ ａ ｍ ｏ ｄ ｅ ｌ ｐ ｌ ａｎ ｓ
ｉ 

ｔ ｈ ｅ  ｓ ｃ ａｎｎ ｉ ｎ ｇ ｐ ａｔｈ ｂ ａ ｓ ｅ ｄ ｏ ｎ

 
 

ｔ ｈ ｅ  ｓ ｙ ｓ ｔ ｅｍ  ｄ ｅ ｓ ｉ ｇｎ ，
ｉ ｖ ｅ ｓ  ｔｈ ｅ  ｒｅ ｓ ｔ ｒ
ａ ｎｄ  ｃ ａ ｌ ｃ ｕ ｌ ａ ｔ ｅ ｓ  ａ ｎｄ  ｄ ｅ ｒ ｉ ｃ ｔｉ ｏｎ  ｒｅ ｌ ａ ｔ
ｉ ｏ ｎ ｓ ｈ ｉ ｐ  ｂ ｅ ｔ ｗ ｅ ｅ ｎ  ｔｈ ｅ  ｓ ｙ ｓ ｔ ｅ ｍ



ｄ ｅ ｔ ｅ ｃ ｔ ｉ ｏ ｎ  ｓ ｃ ａ ｎｎ ｉ ｎ ｇ  ｅ ｆ
ｉ ｃ ｉ ｅｎ ｃ ｙ  ａｎ ｄ ｔ ｈ ｅ  ｓ ｙ ｓ ｔ ｅ ｍ ｐ ａ ｒ ａｍ ｅ ｔ ｅ ｒ ｓ



．

Ａ  ｄ ｅ ｆｅ ｃ ｔ  ｅ ｘ ｔ ｒ ａ ｃ ｔ ｉ ｏ ｎ ａ ｌ ｇ ｏ ｒ ｉ ｔｈ ｍ  ｂ ａ ｓ ｅ ｄ  ｏ ｎ ｒ ｅ ｐ ｅ ａｔ ｅ ｄ  ｓ ｕｂ ｓ ｔ ｒ ｕ ｃ ｔ ｕ ｒ ｅ  ｓ ｅ ｑｕ ｅ ｎ ｃ ｅ  （ Ｒ Ｓ Ｓ Ｄ Ｅ Ａ ）  ｉ ｓ



ｐ ｒｏｐ ｏ ｓ ｅ ｄ Ｔｈｅ ｍ ａ ｇ ｅ  ｄ ｅ ｆ ｌ ｅ ｃ ｔ ｉ ｏ ｎ  ａ ｎ ｇｌ ｅ  ｉ ｓ  ｃ ｏ ｒ ｒ ｅ ｃ ｔ ｅ ｄ  ｂ ｙ  ｆ
ｒｅ ｒ ａ ｎ ｓ ｆｏ ｒ ｍ ａ ｔ ｉ ｏ ｎ  ａｎ ｄ 
ｈｅ

ｑｕ ｅ ｎ ｃ ｙ  ｄ ｏｍ ａ ｉ ｎ 

． ｉ ｔ ｔ
，

ｍａ
ｇ ｅ  ｓ ｅ ｑｕ ｅ ｎ ｃ ｅ  ｏ ｐ ｅ ａ ｔ ｅ ｄ  ｓ ｕｂ ｓ ｔ ｒ ｕｃ ｔ ｕｒ ｅ  ｒ ｅ
ｇ ｉ ｏ ｎ ｓ  ｉ ｓ  ｓ ｅ ｇ ｍ ｅ ｎ ｔ ｅ ｄ  ｉ ｎ  ｔ ｈ ｅ  ｃ ｏ ｒｒ ｅ ｃ ｔ ｅ ｄ  ｉ ｍ ａ ｇ ｅ  ｂ ｙ  ｕ ｓ ｉ ｎ ｇ
ｆ ｒｅ －
ｉ 



ｓｈａ ｍｐ ａｔ ｅ ｍ ａ ｔ ｃ ｈ ｉ ｎ ｇ ｈｅ
ｐ ｅ ｂ ａｓ ｅ ｄ ｔｅ ａｎ ｄ ｓ
ｐ ｅ ｃ ｉ ａ ｌ ｄ ａｔ ａ ｓ ｔｒ ｕ ｃ ｔ ｕ ｒ ｅ  ａ ｎ ｄ ｔ ｈ ｅ  ａ ｄ ａ
ｐ ｔｉ ｖ ｅ ｅ ｒ ａ ｔ ｉ ｖ ｅ  ａｌ ｇ ｏ ｒ ｉ ｔ ｈ ｍ


－

 ｌ   ｔ     ｉｔ
， 

ｂ ａ ｓ ｅ ｄ  ｏ ｎ  ｓ ｔ ａｔ ｉ ｓ ｔ
ｉ ｃ ｓ  ａｒ ｅ  ｕ ｓ ｅ ｄ ｔ ｏ  ｇ ｅ ｔ  ｃ ｏ ｒ ｒ ｅ ｃｔ  Ｄ ｉ ｅ  ｉ ｍ ａｇ ｅ ．  Ｔ ｈ ｅ  ｓ ｔ ａ ｎ ｄ ａｒ ｄ  ｇ ｒ ａｐ ｈ  ｉ ｓ  ｅ ｆ
ｉｃ ｉ ｅ ｎｔ ｌ ｙ  ｓ ｏ ｌ ｖ ｅ ｄ ， 
ｓｏ



ｔ ｉ ｓ ｔ ｉ ｃ  ｉ ｎ ｆｏ ｒ ｍａ ｔ ｉ ｏ ｎ  ａｒ ｅ  ｆ
ｈ ａｔ  ｔｈ ｅ  ｄ ｅ ｆｅ ｃ ｔ  ｌ ｏ ｃ ａ ｔｉ ｏｎ  ａ ｎｄ  ｉ ｔ ｓ  ｃ ｈ ａ ｒ ａ ｃ ｔ ｅ ｒ ｉ ｎ ａ ｌ ｌ ｙ  ｏ ｂ ｔ ａ ｉ ｎ ｅ ｄ  ｂ ｙ  ｕ ｓ ｉ ｎ ｇ  ｄ ｏ ｕｂ ｌ ｅ



ｔ ｈｒｅ ｓ ｈ ｏ ｌ ｄ  ｓ ｅ ｇｍ ｅｎｔａｔｉ ｏ ｎ 

．

Ｖｅ ｒ ｉｆ
ｙ 
ｔ ｈ ｅ ｃ ｏ ｎ ｔ ｅ ｎｔ ｏ ｆ ｔ ｈ ｉ ｓ ａ ｒｔ ｉ ｃ ｌ ｅ
    ｔ ｈｒ ｏ ｕ ｇｈ  ｓ
ｐ ｅ ｃ ｉ ｆ ｉ ｃ ｅ ｘｐ ｅ ｒ ｉ ｍ ｅ ｎ ｔ ｓ
 ．  Ａ ｗ ａ ｆｅ ｒ
  ｉ ｎ ｓ ｐ ｅ ｃ ｔ ｉ ｏ ｎ ｄ ｅ ｖｉ ｃ ｅ ｗ ａ ｓ
 
 

ｎ ｄ  ｔｈ ｅ  ａ ｌ ｇ ｏ ｒ
ｉ ｔ ｈｍ
ｂｕｉ ｌ ｔａ
ｐ
ｒｏ
ｐ ｏ ｓ ｅ ｄ  ｉ ｎ  ｔｈ ｅ  ａｒ ｔ ｉ ｃ ｌ ｅ  ｗ ａ ｓ  ａｐ ｐ ｌ ｉ ｅ ｄ  ｔ ｏ  ｔ ｈ ｅ  ｉ ｍ ａ ｇ ｅ  ｗｈ ｉ ｃ ｈ  ｐ ｒ ｏ ｖ ｅ ｄ  ｔ ｈ ｅ

 ，

ｅ ｆ ｆｅ ｃ ｔ ｉ ｖ ｅ ｎ ｅ ｓ ｓ  ｏ ｆ  ｔ ｈ ｅ  ｓ ｙ ｓ ｔ ｅ ｍ
 ｐ ｒ ｏ ｐ ｏ ｓ ｅ ｄ  ｉ ｎ  ｔ ｈ ｉ ｓ  ａｒ ｔ ｉ ｃ ｌ ｅ  ｆｏ ｒ  ｄ ｅ ｔ ｅ ｃ ｔ ｉ ｎ ｎ ｅ ｄ  ｗ ａ ｆｅｒ  ｄ ｅ ｆｅ ｃ ｔ ｓ
ｇ  ｐ ａｔ ｔ ｅ ｒ ；  ｔｈ ｅ



ｔ ｈ ｒ ｏ ｕ ｇ ｈｐ ｕ ｔ  ａ ｎ ｄ  ｉ ｎ ｓ ｐ ｅ ｃ ｔ ｉ ｏ ｎ  ａ ｃ ｃ ｕ ｒ ａ ｃ ｙ  ｏ ｆ  ｄ ｉ ｆ ｆｅ ｒ ｅ ｎ ｔ  ｉ ｍ ａ ｇ ｉ ｎ ｇ  ｍ ｅ ｔ ｈ ｏ ｄ ｓ  ｗ ｅ ｒ ｅ  ｃ ｏ ｍ ｐ ａ ｒ ｅ ｄ  ｈ ｏ ｒ
ｉ ｚ ｏｎｔ ａ ｌ ｌ ｙ 

，

ａ ｎ ｄ  ｔ ｈ ｅ  ａｒ ｔ ｉ ｃ ｌ ｅ  Ｔ ｈ ｅ ａｌ ｇ ｏ ｒ
ｉ ｔ ｈｍ  ｉ ｎ  ｌ ｏｎ ｇ ｉ ｔ ｕ ｄ ｉ ｎ ａ ｌ
 ｐ ｒ ｏｐ ｏ ｓ ｅ ｄ  ａ ｌ ｇ ｏ ｒ
ｉ ｔ ｈ ｍ  ｉ ｓ  ｃ ｏ ｍ ｐ ａ ｒ ｅ ｄ ｗ ｉ ｔｈ  ｔｈ ｅ   ｔｒａ ｄｉ ｔ ｉ ｏ ｎ ａ ｌ

ｄ ｉ ｒ ｅ ｃ ｔ ｉ ｏｎ ； 
ｔ ｈ ｅ  ｆａｎ －

ｓ ｈ ａｐ ｅ ｄ ｄ ａ ｒｋ   ａｒ ｅ ａ
 ｐ ｈ ｅ ｎ ｏ ｍ ｅ ｎ ｏ ｎ  ｉ ｎ  ｈ ｅ ｐ ｒ ｏ ｃ ｅ ｓ ｓ  ｏ ｆ ｐ ｏ ｉ ｎ ｔ  ｓ ｃ ａ ｎ ｎ ｉ ｎ ｇ ｄ ｅ ｆｅ ｃ ｔ ｄ ｅ ｔ ｅ ｃ ｔ ｉ ｏ ｎ
ｔ


 
 

ｅ ｘｐ ｅ ｒ
ｉ ｍ ｅ ｎｔ  ｉ ｓ  ａ ｎ ａ ｌ ｙｚ ｅ ｄ ，
ｅｘ
ｐ ｌ ａ ｉ ｎ ｅ ｄ ａｎ ｄ  ｃ ｏ ｒｒ ｅ ｃ ｔ ｅ ｄ
 

．

Ｆ ｉｎａ ｌ ｌ
ｙ  ｓ ｕｍｍ ａ ｒ
，
ｉ ｚ ｅ  ｔ ｈ ｅ  ｗ ｏ ｒｋ  ｏ ｆ  ｔ ｈ ｉ ｓ  ｐ ａｐ ｅ ｒ  ｇ ｉ ｖ ｅ  ｓ ｏ ｕ ｔ ｉ ｏ ｎ ｓ  ｔ ｏ  ｔ ｈ ｅ  ｄ ，
ｌ ｉ ｓ ａ ｄ ｖ ａ ｎ ｔ ａ ｇ ｅ ｓ  ａ ｎｄ  ｏ ｏ ｋ

 ｌ

ｆｏ ｒ ｗ ａｒ ｄ  ｔ ｏ  ｆ ｕ ｔ ｕ ｒ ｅ  ｆｏ ｌ ｌ ｏ ｗ ｕ
ｐ  ｒ ｅ ｓ ｅ ａｒ ｃ ｈ
－



．

Ｋ ｅｙ ｗ ｏ ｒ ｄ ｓ ：

ｐ ａ
ｔｔ ｅ ｎ ｅ ｄ  ｗ ａｆｅ ｒ  ｄ ｅ ｆｅ ｃ ｔ  ｄ ｅ ｔ ｅ ｃ ｔ ｉ ｏ ｎ  ｍ ｕ ｌ ｔ ｉ
ｒ ； ；
－

ｓ ｃ ａｎｎ ｉ ｎ
ｇ  ｂ ｒ ｉ ｇ ｈ ｔ  ａ ｎ ｄ  ｄ ａ ｒｋ 
ｆｉ ｅ ｌ ｄ  ｉ ｍ ａ ｇｉ ｎ ｇ 

；

ｄ ｅ ｔ ｅ ｃ ｔ ｉ ｏ ｎ  ａｃ ｃ ｕｒ ａ ｃ ｙ ； 
ｔ ｈｒ ｏ ｕｇｈｐｕｔ ； 
ｒｅ
ｐ ｅ ａｔ ｅ ｄ  ｓ ｕｂ
－

ｓ ｔｒ ｕｃ ｔ ｕ ｒｅ  ｃ ｕｔ ｔ ｎ ｇ

 ｉ

Ｖ Ｉ
 目 

次

ｍ  

ｉ

ｍ＾  ｈｉ



Ａｂ ｓｔｒ ａ ｃｔ  

Ｖ

ｇ 次   ＶＩ Ｉ



１ ＾  

１

１ ． １课 题 背 景 与 研 究 意 义  

１

１ ． ２ 晶 圆 缺 陷 检 测 发 展 与 研 究 现 状 


４

１ ． ２ 缺 陷 检 测 技 术 分 类 和 发 展 路 线
． １  



４

１ ． ２ ２ ．
国 内 外研 究 现状  

６

１ ． ３本 文 主 要 研 究 工 作  

７

１ ． ３ 本 文 主 要 研 究 内 容
． １  

７

１ ． ３２ 本 文 主 要 创 新 点
．  

９

１ ． ４ 本 章 小 结  

９

２ 图 案 化 晶 圆 缺 陷 成 因 与 表 面 散 射场 分 析  １ 

０

２ ． １图 案 化 晶 圆 缺 陷 成 因 分 析    １ 

０

２ ． １ 半 导 体 芯 片 制 作 流 程
． １ 
１ 

０

２ ． １２ 光 刻 工 艺 流 程
． 
１ 

１

２ ． １ ． ３ 晶 圆 缺陷成 因 
１ 

２

２ ． １ ． ４ 晶 圆 缺 陷 分 类 
１ 

３

２ ２ ．
晶 圆 表 面 成 像 分 析 与 散 射 场 仿 真 实 验  １ 

５

２ ２ ． ． １ 基 于 Ｂ ＲＤ Ｆ 的 散射场 分析 
１ 

６

２ ２ ２ ． ．
基 于 Ｂ ＲＤ Ｆ 的 晶 圆 图 案散射场 仿 真   
１ 

８

２ ３ ．
本 章 小 结 
２３



３ 基 于 明 暗 场 多 扫 描 方式 图 案化 晶 圆 成 像研 究  ２４



３ ． １ 基 于 点 扫 描 的 暗 场 成 像 技 术  ２５



３ ． １
点 扫 描 暗 场 成 像 装 置 系 统 设 计
． １  ２５



３ ．
点 扫 描 路 径 规 划 与 图 像 构 成
１ ． ２  ２７



３ ．
点 扫 描 暗 场 装 置 时 间 效 率 分 析
１ ． ３  ３０



３ ． ２ 基 于 线 扫 描 的 明 暗 场 成 像 技 术  ３ 

１

３ ． ２ 线 扫 描 相 机 成 像 模 型
． １  ３ 

１

３ ． ２ ２ 基 于 线 扫 描 的 明 暗 场 成 像 系 统 设 计
．  ３５



３ ． ２ ３ ．
线 扫 描 明 暗 场 缺 陷 检 测 装 置 时 间 效 率 分 析  ３ ７



３ ３ ．
基 于 面 阵 的 明 暗 场 成 像 技 术 
３ ８



３ ． ３ 面 阵 相 机 成 像 模 型
． １ 
３８



３ ． ３ ２ ．
基 于 面 阵 的 明 暗 场 成 像 系 统 设 计 
４０



３ ． ３ ３ ．
面 阵 明 暗 场 缺 陷 检 测 装 置 时 间 效 率 分 析 
４３



３ ． ４ 本 Ｕ ＃ 
、

４４



４ 基 于重 复 子结 构 序 列 的 缺 陷 提取算 法  ４５



４ ． １ 基 于 频 谱 的 图 像 角 度 矫 正 
４５



ｖｎ


４ ． １ ． １ 基 于 频 谱 的 晶 圆偏转角 度求解  ４５



４ ． １ ． ２ 晶 圆 图 像 偏 移 角 度 矫 正  ４８



４ ２ ．
基 于 形 状 的 重 复 子 结 构 切 割  ４９



４ ２ ． ． １ 坐 标 空 间 位姿转换  ５０



４ ２ ２
． ．
基 于 模 板 相 似 度 衡 量 的 区 域 匹 配  ５ 

１

４ ２ ３
．
重 复 子 结 构 晶 元 区 域 分 离 切 割
．  ５３



４ ． ３ 基 于 统 计 量 的 迭 代 标 准 图 求 解  ５３



４ ３ ． ． １ 图 像 序 列 预 处 理  ５３



４ ． ３ ２横 向 统 计 量 计 算
．  ５６



４ ． ３ ３ 基 于 统 计 量 的 自 适 应 迭 代 标 准 图 求 解
．  ５８



４ ． ４ 基 于 差 分 的 双 阚 值 分 割 与 特 征 提 取  ６０



４ ４ ． ． １差 分 双 阈 值 分 割  ６０



４ ４ ． ． ２ 缺 陷 连 通 域 特 征 提 取  ６ 

１

４ ５ ．
本 章 小 结  ６４



５ 基 于 明 暗场 的 多 扫 描 方式 图 案 化 晶 圆 检测 实验  ６５



５ ． １ 实 验 系 统 硬 件 布 局  ６５



５ ． １ ． １ 基 于 点 扫 描 暗 场 成 像 系 统 硬 件 布 局  ６５



５ ． １ ． ２ 基 于 线 扫 描 明 暗 场 成 像 系 统 硬 件 布 局  ６６



５ ． １ ． ３ 基 于 面 阵 的 明 暗 场 成 像 系 统 硬 件 布 局  ６７



５ ２ ．
图 案 化 晶 圆 多 扫 描 方 式 明 暗场 图 像缺 陷 提取 实验  ６９



５ ２ ． ． １ 基 于 统 计 量 双 阈 值 缺 陷 定 位 算 法 验 证 实 验  ６９



５ ２ ２
． ．
不 同 成像方式检测 系 统性 能研 究  ７３



５ ３ ．
点 扫 描 暗 场 成 像 扇 形 暗 区 图 像 分 析  ７４



５ ４ ．
本 章 小 结  ７６



６ 总 结 与 展 望    ７８



６ ． １ 本 文 工 作 总 结  ７８



６ ２ ．
未 来 工 作 展 望  ７９



参考文献  ８１



作者 筒 历及主要研 究成果  ８６



ｖｍ



１ 绪论




１ 绪论



１ ． １ 课题 背景 与研 究 意义


“ 

”

十三五规划 以来 ， 我 国经济飞速发展 ， 制 造业 迅速扩张 ， 技术更新换代 ， 中 国 制造

“ ”
逐步 向 中 国 智造 过渡 。 随着 国 家供给侧 改革稳步 推进和 中 国 制 造 ２ ０２ ５ 行动纲领的批



复 ， 我 国 越来 越 追求 在 高 科 技 领域有 自 主研发的 能力 。 集 成 电路 产 业是支 撑 中 国 高科技发



“ ” “ ” “ ”
展 的核心 支柱产 业 ， 在耳 熟 能详的 大数据 、 人工智 能 、 物联 网 等新型 科技领域背



后 ， 都离 不开芯片 的支持 ， 离 不 开集成 电路行业技术 


。

我 国 半导体制 造业起步 晚 ， 市场份额小 ， 技术与 国 外有 代差 ， 人才 储备 不 充足 ， 领域




研发投入 落后 ， 上述 因 素 成 为 制 约 我 国 半导 体行业 发 展 的 因 素 。 且 发达 国 家不断 打压 我 国




高科技产业
”
对出 至 我 国 的 半导体零部件及技 术进行 严 格 审 查 瓦 森纳 协 定 

对
“
，
口 ， 例如

中 国 高 科 技行业 出 口 的严格审核 。 因 此在半导体行业 ， 我 国 存 在严 重 的 依赖现象 ， 在贸 易




上 体现 为 巨 大 逆 差 。 ２０ １ ９ 年 ， 我 国 半导体 出 口 数量 ２ １ ９５ 亿个 ， 进 口 数量 ４ ４４ ３ 亿个 ； 出 

口

金额 １ ０ １ ５ 亿元 进 ，
口 金额 ３ ０４ ０ 亿元 。 由 数 据可知 我 国 消 费 市场对 半导体芯 片 需 求 巨 大
， 

，

但严 重依赖 国 外先进半导体技术 ， 体现 在 半 导 体 行 业 上 贸 易 失衡 ， 存在 巨额逆差 


。

从美 国制 裁 中 兴 、 华 为 的事件可知 ， 核 心 科 技 产 业必 须 牢 牢 掌 握在 自 己 手心 ， 否则就


“ ”
会被 卡脖子 ， 成 为 谈判 的筹 码 。 国 家对 这种 情形 早 有 预 判 ， 《 关 于促进集成 电路产业和



软件产 业 高 质 量 发展 企业所 得税政 策 的 公告 》 发 布 ， 对于 国 内 半导体行业来说是个重大利




好 ， 从政策上支持我 国 国 内 半 导 体行业 发展 。 目 前台积电 （

Ｔ ＳＭＣ ） ５ ｎｍ 工艺 已 十分成熟 ， 

摩

尔 定律 也 已 渐 渐 接近 其 物 理 极 限 ， 中 国 半 导 体行业若 稳 定 发 展 定 能 打 破 国 外 垄 断 并 逐 步 赶



超至先进队列 

。

“
半导体工艺 复杂 ， 芯 片 电路单 元尺寸 极小 ， 若存在缺 陷 ， 根据 电 子 系 统检测 中 十倍


”
法则 ， 在 电路板层 面 发现 的 故 障 传导 至芯 片 级别 会造成 成本 十倍 的增 加 。 因 此缺 陷不仅



对性 能造成极大影响 ， 影 响 设备正 常 工作 还 会极大 增加 成 本 。 所 以 在 生产过程 中 ， 检测 环




节至关重要 

。



１
 浙江大 学硕 士 学 位论文
 



中 国 测 试 市 场 前 景 测 试 设 备 产 业 链



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Ｖ ｆ ｓ〇 ｃ 及 数字 芯 片 检测
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 ｜

Ｍ 前道检测设备 Ｉ

｜ 丨

存 储芯 片 检测
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丨

Ｓ 丨
后 道 检测设 幻 ｜
模拟及神 ￥ 片 检 测 

｜

亿元
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３９８
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｜
晶 圆厂 
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｜

、 Ｊ

２ ０２６ 年  ■ ｜
封测 厂 

｜

图 Ｕ 半导体测试 市场前景 与 设备产 业链示 意 图




半 导体测试在半导体设计 、 生产 、 封装 、 测试等 流程 中 至关重要 ， 是保证产 品 良 率的




关键 。 通过使用 特 定装置 ， 对待检器件 Ｄ Ｕ Ｔ  Ｄ ｅｖ （ ｉ ｃｅ Ｕ ｎ ｄ ｅｒ Ｔ ｅ ｓ ｔ ） 进行检测 ， 及时判别 发




现缺 陷 、 验证待检器件是否 符 合要求和设计 目 标 、 并分离 出 残次 品 。 如 图 １ ． １ 所示 ， 我国




半导体测试 市场前景广 阔 ， 行业细 分精细 化 ， 将测试设备按照 生产流程分为 上游 、 中 游 


、

下游三个部分 对于每 个环 节 都 需 要 检测设备及 时发现缺 陷

一

， 

。

现如今 ， 我 国 半导体缺 陷 检测设备工 艺 落后 ， 产 能低 ， 性能差 ， 晶 圆厂 商设备主 要依




赖于进 口 。 如图 １ ． ２ 所示 ， 国 际 中 知 名 的 厂 商 例 如 Ｋ ＬＡ －

Ｔｅ ｎ ｃ ｏ ｒ ， 
ＡＳＭＬ ， Ｔｏ ｋｙ ｏ
 Ｅ ｌ ｅ ｃ ｔｒ ｏ ｎ 

等

目 前拥 有 世界上 最为 先进 的 图 案 化 晶 圆 检测装置 ， 并形 成 垄 断 。 图案化晶 圆 表面 图案复杂 


、

缺 陷尺寸极小 ， 需 要精度极高 的光学检测装置 ， 且 要 考虑 工业效率 问 题 以 保证 实 时性 


。



２
 １ 绪论



ＥＢＯ 

Ｉ

（
ａ） Ｋ Ｌ Ａ Ｖｏ ｙ ａ ｇ ｅ ｒ 晶 圆

缺 陷 检 测 装 置 （
ｂ ） ＫＬ Ａ  ３ ９ ｘ ｘ 晶 圆 缺 陷检测 装置



图 １ ． ２ 国 外先进 图 案化 晶 圆 缺 陷 检测装置



如图 １ ． ３ 所示 ， 在集 成 电路产 业链 中 ， 每个环 节都与 检测 息 息 相关 。 不 同 细分 区域所




需 检测 技术不 同 ， 掌握检测 技术对于 生产半导体原件而言 至关 重 要 。 当 前全球半导体消 费




端需 求猛增 ， 晶 圆 生产 企业为 追求利 润 ， 需 要保证 良率 来 降低成本 。 国产 半导体行业为 


了

能在世 界 竞 争 激 烈 的 半 导体领域 中 生 存 ， 更 加 需 要 加 强 检 测 技 术研 发 ， 对检测设备领域 国




产化进行投 资 

。

隱 幽，■  ＾ｍａａａｓａａｍ ■嚐柳■ ｍｍａｓａａｍ

＾


 

 测试机 、 分选 台 、 探 针 台

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
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Ｂ ＳＩ＾Ｓ Ｉ


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Ｎ ＿ ＿ ￣
￣ ￣

＾ Ｓ Ｓ

＾［  
探 针 台  测 试 机 探针 台 

１
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｜

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
—

Ｉ ＨＩ 
＾ 



分 选 机   测 试 机 ｜ ｜ ｜  ｜
分选机



图 １ ． ３ 集成 电路产业 链 与 检测流 程 关 系 图



芯 片 是尖端科技 的 结 晶 同 时也是 切 前沿科技 的基础 随着 国 内 外半导体市场规模



一

， Ｄ

不断扩大 ， 集成 电路需 求量越来越高 ， 同 时半导体行业芯片 生产规模越来越大 。 如今 ， 


以

台 积 电 为 首 的 晶 圆 代 工厂 生 产 的 １ ４ ／ １ ６？ｍ 芯 片 已 经 十分普遍 ， 其 具有 代 表 性 的 前沿芯 片 将






３
 浙 江大 学硕 士 学 位论文
 



稳步推进 ， 朝 ５ｎ ｍ 或更先进的制 程工艺 方 向 发展 ， 这对 晶 圆 检测 精度提 出 了 严苛要求 。 


因

此 ， 研究 图案化晶 圆 缺 陷 检测 系 统具有 重 要 的现实 意 义和价值 


。

１ ． ２ 晶 圆 缺 陷 检测 发 展 与 研 究 现状



１ ．
２ ． １
缺 陷 检测 技术分类和 发展路 线



半导体 行业对 晶 圆 缺 陷 检测 的 要 求主 要有 两 个方面 是能准确识别 出 缺陷 并得到



一

： ，

缺 陷 的具体信息 ， 包括位置 、 面积等 ；

二 是满足 工业生产 要求 ， 性能高效 ， 做到 实 时监测 

。

目 前 表 面 检 测 技术分 为 接触 式和 非 接触式 ， 其 中 非 接触式又分为 成像 式和 非 成 像式 


。

接触式 中 代 表方 法是探针接触 法 是 种 通 过触 针 与 被测 物 体 的 表 面近距 离 接触 


将
一

， ，

物体表 面 的 形貌信息 通过探针和 传 感器传递给计算机处理系 统 。 如图 １ ． ４ 所示 ， 装置通过




高 精 移 动 控 制 装 置 控 制 探 针 接触 晶 圆 表 面 从 而 达 到 检测 效果 。 这种方式 由 于 需 要触针的 半



径极小 ， 理 想 情况接近于 ０ ， 检测 的 结 果 才 能 接近 真 实 形 貌 。 而这种 情况往往会对被测物




体 表 面 产 生 应 力 导 致 损坏 或 划 伤 ， 并且触针 由 于极细 也容易 磨损甚 至损坏 。 因 此探针接触




法对于 目 前 越 来 越精 密 的 集 成 电路设计 芯 片 来说不适用 ， 主要用 于早期 的缺 陷 表面检测 


。

行业 中 主 流 方 法 为 非 接触式 ， 因 其不会 改 变被测物 品 的 物理形貌属 性 ， 不会对其造成损坏 


。

— 一   

—

Ｐ ｅ ｒ ｆｏ ｒ ｍ ａ ｎ ｃ ｅ  ｂ ｏ ａ ｒ ｄ 

Ｔｅｓ  ｈｅ ａｄ

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Ｏ
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ｐ ｅｎｉｎｇ ｏ ｓ ｉｎ ｇ  
／ｃ
—

Ｔｅｓ
 —

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
  Ｓ ｐｒ ｎ ｉ
ｇ
 ｙ

Ｐ ｒｏ ｂ ｅｃ ａｒｄ

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ｃ ｏ ｎｔｒ ａ ｃ ｔｐ ｉ ｎ


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一 ｆ ’

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＇ Ｗ ａ ｆｅ ｒ ｃｈｕ ｃ 

ｋ
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
■


 ＼


Ｃａｂ ｌ
Ｔ

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 ＼

Ｍ ｅ ａ ｓ ｕｒｅ ｍ ｅ ｎ Ｓ ｔ ｔ ａ
ｇ ｅｔｒａ
ｖｅ ｌ  Ｗ ａ ｆｅ ｒ  ｈ ａｎｄ ｌ ｉ ｎｇ ｐ ａ ｒ ｔ Ｘ Ｙ ， ， Ｚ ＾ ，
． ｔ ｒａ ｖｅ ｌ  ｍ ｅｃｈａｎ ｉ ｓ 

ｍ

ｐ ａ ｒｔ  ｐａｒ 

ｔ

图 １ ． ４ 晶 圆 探针检测 台 结 构不 意 图



半导体行业 缺 陷检测 前主要通过 动 光 学 检测 系 统 Ａｕ Ｏｐ

１

中 目 ｏ ｍ ａ ｔ ｃ ｎｓｐｅｃｔｉｏｎ
］

自 ｃＩ
［

ｔ ｉ ｔ ｉ
（ 

，

ＡＯ Ｉ
） 及扫 描 电 子 显微镜 （
Ｓ ｃ ａ ｎｎ ｉ ｎ ｇ  Ｅ ｌ ｅ ｃｔｒ ｏ ｎ Ｍ ｉ ｃｒ ｏ ｓ ｃ ｏ
ｐｅ ， 
Ｓ ＥＭ ） 检 测 卩、 这 两 种 方 法 各 有 优 劣 

。

自 动光 学检测 （
ＡＯ Ｉ
）
基于光学原理 ， 主 要 方式就是通过设计照 明 系 统对被测 目 标进行照 明 

，

可分为 明场 暗场 透射场 等 成 像 方 式 利 用 成像系 统对被测 物体进行成像 时将搜



３
同
［ ］
、 、 。 ，

集 到 的被测物体光 学信息利 用 传感器传导 ， 并转化为 数 字信号 最终交 由 计算机系 统进行后






４
 １
绪论 


 

续处理 。 这其 中 涉 及 到 仪器平 台 的 精准定位与 运动 ， 光源 、 镜头 以及相机的选择等 ； 扫描




电子 显微镜 （
Ｓ ＥＭ） 成像机理不 同 于 传 统 显微镜 观 察 方 式 介 于 光 学 显微镜和 透射 电 子 显微

 ，

镜之 间 通过汇聚 能量极高 的极窄 电子束轰击被测样 表面 通过逐 点 采集扫描光



４］
［

。 ＳＥＭ 品 ，

束 与 物 质 间 的 相 互 作 用 产 生 的 微粒 ，
从 中 获取各种 物理信息 。 最终通过将信息进行发大 

、

扩充 、 再成 像 以达到 获取被测样 品 表面的 ３ Ｄ 形貌信息 ， 由 于其精度 高 ， 能达到 纳米级 


，

因 此在科 学研究领域具有 重 要作用 。 这两种 方法各有 优 劣 ， 其 中 


：

图 为 动 光 学 检 测 ＡＯ 系 统结构示意 图 其优 势是 速度快 面 阵 相机拍 摄



一

１ ． ５ 自 （
Ｉ
） ，
： １ ． 。

次耗 时极短 线扫描相机对 晶 圆 成 像取决于行频和 导轨移动速度 通常在几秒 内 能完成



一

， ，

次成 像 ；
２ ．
灵活度 高 ， 成本低 。 相机 、 镜头 、 光源 等可根据实 际 需 求进行 自 由 组合 ， 可操



作空 间 大 ， 设备 成本低 ；
３ ．
视场大 。 成像范 围广 ，
选定合适 的镜头 最大成 像 范 围 可覆盖整



块晶 圆 ， 可作为 全范 围 检测 （
Ｆｕ ｌ ｌ Ｓ ｃ ａ ｅ Ｓ ｃ ａｎ ） ４
ｌ
；
．
吞吐量大 。 由 于 成像速度快 ， 视场范 围 大 

，

能满足工业 生产 中 实 时性要求 ［
５ ］

。 缺点是 ：
成像分辨率较低 ， 检 出 缺 陷特征不 明 显 

。

ｍａ 

ｄ
ｇ ｅ
ｃａ
ｐ ｔ ｕ ｒ ｅｃ ａ ｒ
Ｉ

 



Ｃ Ｃ Ｄ Ｃ ＭＯ Ｓ ／


 ；

Ｓ ａ ｍｐｌｅ



Ｓｅｎｓｏｒ ＾＾＾ 〕 

＾

 ７
 ＾  Ｄ ｒ ｉｖ ｅ ｒ


＂

Ｂ ｅａ ｒ ｉ ｎｇ


—

ｍａ ｎ ｇｐ ｒｏ ｃ ｅ ｓ ｓ ｉｎ ｇ

Ｉ
Ｐ ｌ ａ ｔ ｆｏ ｒ ｍ ／ ｇ 

ｉ
， 
一

Ｚ  Ｍ ｏ ｔｉ ｏ ｎ  ｃ ｏ ｎ ｔｒ ｏ 


ｓ
ｙｓ ｔｅｍ


 — 

ｓ
ｙ ｓｔｅ 

ｍ

图 １ ． ５ 典型 ＡＯ Ｉ 系 统结构示意 图



图 １ ． ６ 为扫 描 电 子显徵镜 （
Ｓ ＥＭ） 结构示意 图 ， 其优 势是分辨率 高 ， 精度 高 ， 通常能达



到纳米量级 动光学检测 特点互补 但其速度慢 无法满足工业实 时性 要 求

６］
， 与 自 （
ＡＯ Ｉ
）
［

。 ， 

，

且造假 昂 贵 ， 成本极高 。 因 此通常将 自 动 光 学 检测 与 扫 描 电 子 显微镜 结 合使用 ， 通过 Ａ Ｏ Ｉ

系 统进行粗定位 ， 若有 进
一

步精度 或缺陷信 息 统计 要求 ， 再用 ＳＥＭ 进行扫 描 


。



５
 浙江大 学硕 士 学位论文 




￣
￣

Ｅ ｌ ｅ ｃ ｔ ｒｏ ｎ
 ［ Ｊ 三


ｓ ｏｕｒｃ ｅ  

Ｉ

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Ｌ 

—

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ｒ
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１

１  ￣
 

／
Ｃ ｏｎｄ ｅ ｎｓｅｒ
 —   丨
｜

ｊ
：
ｇ  〇 
ｒ
－
—


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，

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  ｉ
；
ｇ 
—

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＼ 

＼

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
１ 
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ｌ

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ｓｃ ａ ｔ ｅ ｒｅｄ 

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

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
Ａ
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，
、

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  一
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Ｓ ｅ ｃ ｏ ｎ ｄ ａ ｒｙ

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Ｅ ｌ ｅ ｃｔｒ ｏ ｎ  ｄ ｅｔ ｅ ｃ ｔ ｏｒ




 Ｗ  ａ ｆｅ ｒ  Ｓ ａ ｍ
ｐｌ


ｅ
＇

 Ｘ
￣
￣

ｓ ｔ ａ 

ｅ

 －

ｇ


＾ ） 

Ｖ
—

Ｉ
〇  ｓ ｔ ａ 

ｅ


ｇ

图 １ ． ６ 扫 描 电 子 显微镜结 构 示 意 图



１ ． ２ ２ ．
国 内 外研 究现状



晶 圆 缺 陷检测技术的趋势是 向 着高度 自 动化和精确化方 向 前行 。 国 际上最先进 的 晶 圆




代 工厂 使用 的 晶 圆 缺 陷检测设备有 最先进 的 光 学 以及 电 子束成 像 系 统 ， 并高度 自 动化 ， 


节

省 极大 的 人力 资 源并提升检 出 准确率 晶 圆 缺 陷 检测 也是 种 表面检测 技术 其技术与



一

了 。 ，

理论继承创新于 自 ２０ 世纪 ９０ 年代 以 来蓬勃 发展 的表 面检测 技术ｍ 。 其发展路线 与 创 新模




式可 以分为 两类 种是成像模式创新 种是 图像处理算法创新

一 一

， ，


。

成像模式 发展 ： Ｓ ｔ ａｎＳ ｔ ｏ ｋ ｏ ｗ ｓ ｋ ｉ
利 用 斜入射激光 ， 并改变其偏振态 ， 搜集 不 同 方位角



的 散射光来扫 描 图 案化 晶 圆 表面 并得到 表 面 图 像 ［
８
］

。 Ｇ ａｂ ｒ ｉ ｅ ｌ  Ｐ ｏｐ ｅ ｓ ｃ ｕ 和 Ｒ ｅ ｎｊ ｉ ｅ Ｚｈｏｕ 通过衍



射 干涉成像显微镜 获取光学 图像 并转换为 数 字 图 像加 以 处理 精度 能到达光源波



９］ ［
１ Ｇ ］
［

、 ， ，

长量级 。 Ｍ ｏｎ ａｓ ｔ
ｙｒ ｓ ｋｙ ｉ Ａ 提出 了 接触式 超声 锁相 检测 技术 ， 其 中 光源采用 红外光源 ， 并且



由 于超声 激励效应 强 能够对更 为 内 部 的 结 构进行检测 ＤＪ 利用 涡轮传感器 


利
１ １
［
Ｓ ａ ｄ ｅｒ
］

，
。 ｌ
，

用 被测 晶 圆 表 面 的 电 流 效应 ， 间 接复 原 表面形貌从而 检 出 缺陷 但 。 由 于 电流可 能损坏芯片 


，

并取决于芯 片 的导 电率 这 种 方 法 具有 局 限性
２
ＤＹ 通过设计 套系 统 基于计算


１ 一

Ｊａｎ
［ ］

， 。
ｇ ，

激光经过被测祥 品 的 透过 率 差值 以 及样 品 表面不 同 起 伏 造 成 的 强 度 偏 移 来 反推 形貌 信 息 

，

从而得到 晶 圆 完 整性程度 提出 种新颖的非光学缺陷检测系 统 利 用 接触



３
Ｌ  Ｂ ｒｙ ａ ｎ ｔ Ｒ
１ 一

了
［
。

点 电 位 差 成 像 ＣＰ Ｄ （
Ｉ
） 技 术对 整 块 晶 圆 进行 全领 域扫 描 能够检测 ，
出 非 视觉残 留 金属缺陷％ ］



。



６

１ 绪论




Ｋｒａ ｉ ｎ Ｒ 等 人基 于 相 机特 性 ， 基于 三种 不 同 的 发光机理设计 照 明 系 统 ， 并测 量 光 谱 。 通过



光谱特性检测 晶 圆 缺陷 等提 出 种基于高光谱成像的技术 该技术通过结

５］
Ｍ 

１

Ｔｕ ｒ ｅ ｋ
一

了
［

。 ，

合测 量 空 间 和 光 谱 分辨 的 反射特 征 ， 并进 行 后 续数据 分析 来 快速 定 位 和 分类 晶 圆 上 的缺 陷



和污染 ［
１ ６
ｋ Ｍｅ ｌｉ Ｌ 等 基 于 Ｄ ２ Ｂ ＲＤ 技 术 ，
一

种原 型光学 晶 圆 缺陷检查方法 ， 来检测 整个被




测 晶 圆 图案场上的 继 器缺 陷 １ ７］
中 ［


。

图 像处理算 法发展 ： 这类方法主 要通过 自 动 光学检测 （ ＡＯＩ ） 获取 图像 同 时进行算法




发展完善与 创新 。 将 传 统 缺 陷 检测 与 机器视 觉 、 计算 机视 觉 等 领域 相 结 合 ， 是 目 前普适性




强 成 本低 速度 快 的 种 通 用 技术路 线 其 中 Ｔｓ ａ Ｚ Ｄ 设计 种 多 带滤波器 对晶圆上



一 一

， ， 。 ｉ ，

的 二 维周 期 性 重 复 子结 构 区域缺 陷 进行 检测 等提 出 种基于 空 间 相 关 图来


８］
Ｙ
１ 一

Ｊｅ ｏ ｎ Ｓ
［
。
ｇ

检测 空 间 自 相 关 性 以 及 晶 片 图 上缺 陷 图 案 的 分类 的 方 法 ， 设计
一

种 动 态 时 间 规整算 法 ， 

并

根据 空 间 相 关 图 对模式 进行 动分类
９］
Ｌ ｎＨ Ｄ 等提 出 种 动 检查表 面 势 垒 层 ＳＢ Ｌ ）
１ 一
［

自 。 ｉ 了 自 （ 


芯 片 随机纹 理表 面 中 徽小 针孔 缺 陷 的 全局 方法 ， 通 过 基 于 离 散 余 弦 变 换 ＤＣＴ 的 图 像 恢 复

 （ ）

方案 ， 该 方法与 纹理特 征无关 ， 因 此 不 受基于 特 征提取方 法 的 局 限性 Ｂａ ｉ Ｘ 等提 出 


了

种 对测 试 图 像和 模板 图 像之 间 的 未对准不 敏感 的 技术 将 多 个测 试 图 像 的 集 合用 作输入


一

图像 ， 获得整个测试 图 像集合的 显着 区 域 ， 而 后 评估测 试 图 像 中 的 显着 区域与 无缺 陷 模板




图像 中 的相应 区域之 间 的局 部差异 等利用 暗场照 明 进行成 像 并在光照 系 统



２
Ｕ ｓ ｕｋ
１

Ｓ
ｆ 』
。 ｉ ，

加入 驻波偏移照 明 系 统 利 用 超分辨率 光 学 检 测 技 术来检测 被测 晶 圆 表 面缺 陷

２２］
中 了 ，
［


。

Ｙ ｉｉ ａ ｎ Ｔ 应用 基于相似性 的 聚类技术 ， 根据 局 部 缺 陷 的 空 间 位置将其分组 ， 通过微调 精调 两




个步 骤确 定 晶 圆 缺 陷所属 集群 ［
２３ ］
。 Ｃｈ ｉ ｅｎ  Ｊ Ｃ 利 用 深度 学 习 卷积神经 网 络 来识别 和 分类 

中

心缺 陷 局 部缺陷 随机缺陷和 刮擦缺陷

２４
， ，
［


＼

在国 刘 红侠等 利 用 快速 图 像 匹 配技术 以 及二 维离 散小 波变 换对 周 期 性重复图像



２５］
内 ，
［

进行提取 ［
２ ６］
来获取 晶 圆 重复子结构标准 图 。 电子科技大学马 磊 ｆ
２ ７］
在 晶 圆 检测 缺 陷 图 中 ， 

利

用 超 分 辨 重 建 技术提 高 图 像分辨 率 。 哈工大郭毅 强利 用 Ｚ ｈ ａｎ ｇ Ｓ ｕ ｅ ｎ

－
细化算 法提取 骨 架 

，

并基于 Ｙ Ｏ Ｌ Ｏ  ｖ３ 深度 学 习 网 絡 来检测 缺 陷 浙 江 大 学邡 鑫利 用 扫 描 电 子 显微 镜 （
Ｓ ＥＭ）



“
基于卷积神经 网 絡并 采用
”
图像 种新的 Ｚ Ｆ Ｎ ｅｔ 网 络进行分类 ２ ９］
南 京大学谢飞设计


一
［
， 。

种 改进型 基于相位 致性 的 线检测算 法 并利 用 神经 络将缺 陷进行分类

３ Ｇ］
ＢＰ 网
一
一
［
， 

。

１ ． ３ 本文 主要研 究 工 作



１ ． ３ ． １
本文主 要研 究 内 

容


７
 浙江大 学硕 士 学位论文
 



随着制程工艺进步 ， 图案化 晶 圆 中 蚀 刻 图 案线 宽 以 及缺 陷尺 寸越来越小 ， 检测 出 晶 


圆

中 存 在缺 陷 对 我 国 半 导体行 业 生 产有 着 十 分 重 要 的 意 义 。 本 文针 对 图 案化 晶 圆 ， 在基于散



射 场 理 论 分析 的基 础 上 ， 提 出 了 多 种扫 描方式 与 明 暗场相 结 合的 晶 圆 检测 装置 ， 搭建完 整




的 检测 装 置并通过 图 像分析处理获取缺 陷信 息 。 本文各个章 节具体 内 容如下 


：

第 １
章介绍 了 图 案化 晶 圆 缺 陷 检测 课题 背景 ， 对 缺 陷 检 测 技 术 和 发展路 线 进 行 分 类和



总 结 并对 国 内 外 目 前 半导 体 晶 圆 检测 研 究 现 状做 了 简 要介绍 。 概述 了 晶 圆缺陷检测 在半导




体行业 中 的 重 要地位 ， 探讨 了 图 案化 晶 圆 缺 陷检测 的技术难 点 和 其必要性 


。

第 ２ 章介绍 了 晶 圆缺陷 的形成原 因 ， 具体介绍 了 图 案化 晶 圆 形成 的工艺流程 ， 探讨 


了

工艺 引 入 的缺 陷类型 ， 并根据 不 同 判 别 方式对 晶 圆缺陷进行分类 。 第 ２ 章还将 图 案化 晶 


圆

中 的 蚀 刻 图案进行 了 细微线段矢量抽 象 ， 基 于双 向 反射分布 函 数 Ｂ ＲＤ Ｆ 和 Ｒａｙ ｌ ｅｉ ｇｈ

－

Ｒ ｉ ｃｅ



矢 量 散射理论分析 图 案化 晶 圆 表 面 散射场并探讨 了 入射 角 和 细 微线 段 矢 量 不 同 宽度 、 长度 

、

深度 、 方 位 角 对 散射场 的 影 响 

。

第 ３ 章介绍 了 本文提 出 的 基 于 点 扫 描 、 线扫描 、 面 阵与 明 暗成像方式结 合的成像系 统




（ Ｍ Ｐ ＷＤ Ｓ ） 。 分别 介绍 了 基于 点 扫描 的 暗 场成像装置 ， 对 点 扫 描路 径扫 描路 线 进 行规 划 并



进行 了 螺旋线扫 描 坐标运算推导 以 及 图 像重 构 流程 ； 对 线 扫 描 成 像模型 进 行 概述 ， 介绍 


了

基于 线 扫描的 明 暗场 成像装置 ， 并对线扫 装置对 图案化 晶 圆 的检测 时 间 效率做 了 理论推导 


；

对 面 阵 成 像模 型 进行概述 ， 介绍 了 基于面阵 的 明 暗场成像装置 ， 并对面 阵装置对 图 案化 晶




圆 扫 描路径进行规划 ， 并对检测 时 间 效率做 了 理论推导 


。

第 ４ 章提出 了 基于重 复 子结构序列 的缺陷提取 （ ＲＳ ＳＤＥＡ ） 算法 。 针对 由 第 ３ 章装置




获取的 图像 ， 分为 角 度校正 、 切割 重复子结构 区域 、 标准 图 获取和 特征提取 四 个步骤 ， 


分

别 介绍 了 每个步骤 的 原理 。 本 节 创 新地提 出 了 基 于统计量 的 迭代 求标准 图 算 法 能够 以 较快




的 速度 根据 图 像标准 图 ， 并利 用 标准 图 通过 差 分双 阐 值 分 割 得 到 缺 陷 连 通域进 行 后 续特 征



提取 

。

第 ５ 章 对本文提 出 的 多 扫 描 方式 明 暗场 晶 圆 检测 装置和 算 法进行 了 实验验证 。 搭建缺




陷检测装置 ， 并对 系 统布局 、 各功 能模块 、 硬件 配置 和 图 像 处理算 法进 行 了 介绍 。 证明 


了

本文提 出 的方案 能检测 出 图 案化 晶 圆 中 的 细 微缺 陷 ， 并对不 同 扫 描 方式 明 暗场 成像装置 的




性 能指标进行横 向 比 较 ， 同 时 比较 了 本文创 新 提 出 的 基 于 统计量 迭 代 求标准 图 算 法 与 前 人






８
 １ 绪论
 



算法相 比 的效率提升 。 最后针对 点 扫 描暗场实验过程 中 出 现的扇形暗区 ， 分析 原 因 、 给出




解释并校正 

。

第 ６ 章总结 了 本文 开展 的 各 项针对 图案化 晶 圆 检 测 的 相 关 工 作 ， 分析现有装置存 在 的




不足 ， 对未来 后续 改进 方案提供设 想 

。

１ ． ３ ２ ．

本文主 要创 新 点



本文 主 要创新 点有 

：

（ １ ） 创 新地将 图 案化 晶 圆 表 面 蚀刻 图 案抽 象成 不 同 细 微线 段 矢量 的 叠 加 ， 通过研 究



单
一

细 微线 段矢量 简 化模 型 ， 从而进行 表 面散射场 分析 。 利用 Ｂ ＲＤ Ｆ 理论和 离 散化仿 真 


，

分析探讨 了 不 同 长度 、
宽度 、 角度 、 深度 的 细 微线 段 矢 量 存 在 情况 下 晶 圆 表 面 的 散射场分



布 ， 为 后续 系 统设计提供 了 理论基础 

。

（ ２ ） 创 新地结 合 明 暗场成像和 多 种 扫 描 方式 ， 组合 出 不 同 晶 圆 成像系 统 。 针对每个




系统 ， 设计 了 其硬件布 局 和 规 划 其 扫 描路径 ， 并根据其路径计算 出 各个 成 像方式 的 时 间 效




率 

。

（ ３ ） 创 新地提 出 了 基于重 复子结构 的缺 陷提取算法 根据 图 案化 晶 圆 成像 图 的特征 。 


，

通过 变 换在频域找 到 其偏移角 度并进行校正 。 利 用 基 于 形状 的模板 匹 配对校正后 的 图 像进




行重 复子结 构 区 域分割 ， 并创 新性地 提 出 了 基于统计量 的迭 代标准 图 求解 ， 能够准确 快速




地获取 晶 元 （ Ｄ ｉ ｅ ） 标准 图 ， 并利 用 双 阈 值分割 最终得到 缺 陷位置和 其特征信 息 


。

１ ． ４ 本章小 结



本章介绍 了 图 案化 晶 圆 检测 的课题背景 ， 对 晶 圆 检测 方 法 的 研 究 现状 和 技术路 线 进行




了 分析 ， 结合国 内 外研究 现 状 ， 阐 明 了 图案化 晶 圆 检测难点 和 重 要性 。 最后 ， 对本文 的 研




究 内 容 、 创 新 点 和 各章 节 安排 进行 了 简 要说 明 

。



９
 浙江大 学硕 士 学位论文
 



２ 图案化 晶 圆 缺 陷成 因 与 表 面散射场 分析



２ ． １ 图 案化 晶 圆 缺 陷 成 因 分析



晶 圆 Ｗａｆｅ （
ｒ
） 的生产 由 二 氧化硅经提炼还原 成 冶炼 级 的 硅 通过化学 物理等反应 制 成棒

 ，

状或粒状 的 多 晶硅 。 晶 圆 制 造厂 将 多 晶 硅 融解 后拉 出 单 晶 硅 晶 棒 ， 经研磨 、 抛光 、 切片后 


，

制成无 图案晶 圆 。 之 后 通过光 刻 ， 在无 图案 晶 圆 上蚀刻 电路 图 ， 形成 图案化 晶 圆 。 在半导




体芯片制 作过程 中 ， 不 同 的环 节都有可 能造成缺 陷导致芯 片 良率 下 降 ， 本节 将介绍半导体




芯片制 造流程 以及其 中 重 要环节光刻 的工艺流程 ， 并对这 些 工艺 可 能导致 的 缺 陷 进行分类 


。

２ ． １ ． １ 半导体芯 片制 作流程



图 展示 半导体芯 片 制 作 的流程 图 其 中 些 基础模块 的 作 用 如 下

一

２ ． １ 了 ，


：

薄 膜处理 （
Ｔｈ ｎ ｆ
ｉ ｍ ｐｒｏ ｃｅｓ ｓ ）
ｉ ｌ ：
使用 物 理 或 化 学 手 段 进 行 气 相 沉 积 薄 膜 上 的 晶 体 ，
主要



手段有 化 学 气 相 沉积 Ｃ ＶＤ ） 和 物理气相沉积 化学 气相 沉积是 种 真 空 沉积方法

３
Ｐ ＶＤ ）
１ 一
ｆ ］

。
（ （ 

，

通过 化 学 反应 生 产 高 性 能 、 高 质量 固 体材料 ， 如制备半导体薄膜 ［
３２
］

； 物理气相 沉积为 通过



物理变化 （ 蒸发 、 溅射 等 机 制 ） 的 各种 真 空 沉积 方法 ， 可用 来制 造 薄膜或涂层 ， 例 如 半导



体器件 、 薄膜太 阳 能 电池板 ［

３３］


。

化 学机械 研磨 （
Ｃ ＭＰ ） ：
用 化 学 腐蚀和机械力 对加 工过程 中 的 硅 晶 圆 或 其 他 衬 底 材料 进



行平滑处 理 是机械加 工 中 唯 可 以 实现 表面 全局 平坦化 的技术 并可实现纳 米级到 原 子



一

。 ，

级的表面粗糙度 ［
３４］


。

光刻 Ｐ ｈ ｏ ｔ ｏ ｌ ｉ ｔ ｈ ｏ ｇ ｒ ａｐ ｈ ｙ ） 光刻 又 称 光 学 光 刻 或 ＵＶ 光 刻 是 种用 于微细加 工 的 工


一

： ，
（ ，

艺 ， 在 薄膜或基 片 也称 为 晶 圆 片 上绘制 图 案 （ ）
。 它 利 用 光将几何 图 案从光掩膜转移 到基片



上 的 光敏化学光刻肢上 。 然后 ，
一

系 列 的 化学处 理将 曝光 图 案蚀刻 到材料上 ， 或 使新材料




以 所 需 图 案 沉积 在 光 阻剂 下 面 的 材料 上
３５
［ ］


。

蚀刻 蚀 刻 是通过物理撞击或化学反应 移除材料指定 区域的 种技术 纪

３
Ｅ ｔ ｃｈ ｎｇ ）
一



目
［
ｉ ：
（

前有 两 种 成 熟 蚀 刻 技术分别 为 干蚀 刻 （
ｄｒｙ  ｅ ｔ ｃ ｈｉｎｇ） 和湿蚀刻 （
ｗ ｅ ｔ  ｅｔ ｃｈｉｎ ｇ ） 。 干蚀 刻 将特 定 气



体置 于低压状态实施 电压 ， 将其激发成 电浆 ， 对特 定 薄 膜层加 以 化 学 性 蚀 刻 或 离 子 轰 击 


，

迗 到 去 除 膜层 的 效果 ； 湿蚀 刻 是 一

种 材料 去 除 工 艺 ， 它 使用 液体 化 学 药 品 或蚀 刻 剂 从 晶 圆



上去 除 材料 ， 即 不 受掩模保护 的 材 料 会被液 态 化 学 物 质 蚀 刻 掉 

。

１ 

０
 ２ 图案化 晶 圆 缺 陷 成 因 与 表 面散射场分析
 



离 子注入 ：
在低温条件下 ， 通过加速 一

个元 素 的 离 子进入 固 体 目 标 ， 从而 改变 目 标性



质 ， 离 子 注入 常 被用 于半导体器件制 造 和 金属 加 工 ， 以 及材料科 学研 究 

。

氧化 ：
减少 离 子注入 阶段可 能 发 生 的损坏 

。

金属 化 主 要执行金属 的连接
３ ８ ］
［

： 

。

洁净生产 空 间


＇

＜
晶 圆 ｉ  薄 膜 加 工 化 学 机 械 研 磨


＾

ＴＦＰ
  Ｃ ＭＰ （ ）
＼ ］
（ 

）

光 掩 膜 


？
光 刻 蚀 刻



「
＾
１


１

ｒ  Ｉ    ￡    ￡ 



ｉ又 计
Ｌ  （ Ｍｅ ｔ
金 属 化 离 子 注 入 氧 化 与
ａ ｌ ｌ ｉ ｚａｔ ｉ ｏｎ ）     
热处理
ｔ






Ｊ  （ ｂ ｏ ｎｄ ｉｎ
   软 ￣
ｇ


测


）
＿ ＿

Ｊ ＿ ＿
Ｊ

  
一
、

＆ 测试 Ｔ １

图 ２ ． １
半导体芯 片制 作流程 图



在上述工艺流程 中 ， 可 能导致缺 陷 发 生 的制 造过程 问 题类 型 涉及机械手 ， 污染 ， 流量




泄漏等 。 半导体工程 师可 以 使用 晶 圆 来定 位上述过程 中 的 问题来源 ， 这将成 为 帮助提高 良




率的线索 

。

２ ． １ ． ２ 光刻 工艺 流程



在 ２ ． １ ． 】
节介绍 的半导体芯片工 艺流程 中 ， 光 刻 是其 中 十分 重 要 的核心工 艺 。 如图 ２ ２
．


所示 ， 光刻 流程可分为 以 下步 骤 

：

１ ．

曝光预 处理 。 通过清洗沉底 ， 去 除表 面 污染物 ； 利 用 增 附剂和烘烤衬底表面 ， 增 强衬




底 与光刻胶粘附性 ； 利 用 旋转 、 喷射 等 方式 涂胶 ， 并通过 前烘 去除光 刻 胶 中 的溶剂 


、

增 强黏附性 释放光刻 胶膜 应 力 以 防 止 光 刻 胶 污 染设 备
３９

内
［ ］

、 

。

２ ．

曝光 。 即对光刻 胶进行光照 ［
３ ９］
。 掩模版的 衍射光 通 过 透镜 投 射于 光 刻 胶上 ， 由 于 照射



区域和 非 照射 区域在溶解 性上差异大 ， 光刻肢上形成差异 区域 ， 通过 后续显影 与 坚膜




可初步呈现掩膜上 的 图形 。 显影与 坚膜即将产 品 浸没于 显影液之 中 ， 此 时正性胶的曝




光 区 和 负 性胶 的 非 曝光 区 则 会在 显影 中 溶解 ， 以此呈现 出 三维的 图形 。 经过显影后的




１ 

１
 浙 江 大 学硕 士 学 位论 文
 



晶 片 需要 个高温处理过程 成为坚膜 主要作用 为 进 步增 强光刻 胶对衬底 的 附



一 一

， ， ，

着力 

。

３ ．

图像转移 。 通过蚀刻 、 离 子注入 、 电铸等工艺 ， 对 显 影 区 域进行 处理 ， 将版图 图 形从




光刻 胶层转移到衬底 。 蚀 刻 利 用 化 学试剂 刻 蚀光刻 胶未覆 盖 区域来形成版 图 图 形 。 


离

子注入通过 向 衬底 未覆 盖光刻 胶部 分注入特定参杂 离 子来形成 参杂 区 域 。 电 铸是利 用




金属 离 子 阴 极 电 沉积原 理 在衬底 未覆 盖 区 域光刻 胶 部 分沉积金属 ， 、 合金或 复 合材料 


。

通过上述步骤后 ， 对 显 影 区域进 行 去胶 ， 即 去 除多 余 的 光刻 胶和 其他物质 ， 使版 图 图




形完整的转移到衬底上 

。

—
？
 Ｉ
衬底清洗 ＾ ￣

ｙ
表面处 光刻胶旋涂 对准与 

０

＾ ＝＝
￥ｒ＝ １＾


先

去胶 ＾
形检测 ＞



ｍ＼
＂
＾
 离 子？主 入 命
 ｜

— ￣
１ ｆ
—
金属
— ■


图

１ １  ｎｒ ｔ 

形
Ｖ Ｖ ｖ ｖ 转


去胶 （ 干法 、 湿法 ）
 ｆ
ｒ 栘

 ［
ｆ
ｌ

图 ２ ２ ．
光刻流程示意 图



２ ． １ ． ３ 晶 圆 缺陷成 

因

晶 圆 缺 陷指的是在半导体芯片制 作流程 中 ， 由 于环境 、 操作 、

工艺 等原 因 对晶 圆 的 

处

理过程 中 留 下预想外的结构 ， 并 可 能 因 此导 致 晶 圆 上 芯 片 电路 工作 性 能 降 低甚 至 无 法工 作 

，

这类预想外结构称为 晶 圆缺陷 

。

由 ２ ． １ ． １
、 ２ ． １ ． ２ 节可知 ， 半导体芯 片 制 作流程工艺 步 骤 多 ， 每个工艺精准复杂 ， 都有



可能带来晶 圆 缺陷 。 随着半导体芯片制 程不断进步 ，

工艺愈趋 复杂 ， 导致 晶 圆 缺陷的原 

因

也随之增加 ， 其 中 主要原 因 有 

：

１ ．

光学邻近效应 （
ＯＰ Ｅ ）
。 由 于 目 前芯 片制 程发达 芯 片 上 图 案线 宽远小 于 光源 ， 中 心 波长 

，

此 时光 照 发 生 干涉和衍射效应 ， 并且 由 于环境 、 原 材料 以 及 工 艺 等 因 素 导致 最终蚀刻




的 图 案 与 掩模版上 的 图 像 存 在较大 不 同 ， 如线宽 比更窄 、 拐角 圆 滑化 ， 线端缩短等现




１ 

２
 ２ 图 案化 晶 圆 缺 陷 成 因 与 表 面散射 场分析
 



这种 会严 重 影响 最终制 成产 性 能 的现象被称 之为 光 学邻近效应 此类现象往



４Ｇ
象 。 品 ［ 】

往 需 要通过光 学 邻 近校正 （ ＯＰＣ ） 才 能消 除 ， 典 型 的 光学邻 近效应 如 图 ２ ３ ．

所示 

。

掩 膜 ｔ 刻 肢
拐 角 圆 滑化


＾
＂
＂  ￣
 …

 厂 了 

）

 曝 光

＾ 






？

￣
＂ ＂ ＂

  ＿  ＿  ＿
」     Ｉ 

！

窄线段端点收缩



图 ２ ３
．
典型 光 学 临近效应 示 意 图



２ ． 工 艺 引 入缺 陷 。 在 晶 圆 制 造冗长 的 生产 流程 中 ， 难免 由 于环境原 因 或者操作不 当 而导




致 的 缺 陷 如 表 面冗余物 机械划 痕缺 陷 等
， ，
。 表 面 冗余物通 常 为 几十纳 米 的 细微颗粒 

，

蚀刻 、 抛 光 等 工 序 引 入或 因 空 气 纯 净 度 未达标导致冗余物黏 附 于 晶 圆 上 ， 通常 由 工序



问 题或环境未达标 等 因 素 带 来 。 如图 ２ ４
．
所示 ， 冗余物 导 致 图 案 不 完 整 ， 进而可 能影



响芯片特性 ； 机械划 痕缺 陷是在抛光 或者切 片 过程 中 造成 的划痕 ， 通常 由 化学机械研




磨 （
Ｃ ＭＰ ） 产 生 。 缺 陷 会导致 电路连 通 性 受 损 ， 造成短路或开路 

。



＊
■

＾


＂
＇

ａ ：

图 ２ ４ ．
高倍 显微镜 下 晶 圆 表 面 的 冗余物



２ ． １ ． ４ 晶 圆缺 陷分类



１ 

３
 浙 江大 学 硕 士 学 位论 文 




晶 圆 缺陷根据不 同 分类标准 ， 有不 同 的 分类方式 ， 本节 将介绍根据 三种判 断标准 的 不




同 分类 方式 

。

若根据 标准 可将 晶 圆 缺陷分为 以 下三类

４
Ｋａｅｍｐｆ
１
［ ］

， 

：

１ ．

随机缺 陷 。 缺 陷 是均 匀 随机 的 具有 稳定 的平均 密 度 这种 类 型 的 缺 陷是随机产 生 的 ，

。 

，

没有 具体 的 聚类现 象 ， 如图 ２ ５ ．
所示 。 这种 类 型缺 陷 的 原 因 是复杂 的 ， 并不是 固 定在



特定模式上的 。 很难找 到 这种 类 型缺 陷 的 原 因 。 通过提高工艺 的稳定性和准确性 ， 


可

以 减少 由 这种 异 常 缺 陷 导 致 的 未合格 产 品 数 目 

。

２ ．

系 统缺 陷 此类缺 陷是系 统性 的 在 晶 圆 间 是可重复 的 如 图

。 ， 。 ２ ５
．
中 （
ｂ） 图和 （
ｃ） 图 所示 

，

这种 类 型 的缺 陷 具有 明 显 的 聚类现象 。 导致这类缺 陷 的 原 因 通 常 可 以 通过 晶 圆 上缺 陷



的 分布 来发现 ， 用 于发现工艺 或机器 中 的 异常 ， 如在光刻过程 中 掩模位置不对或在 工




艺过程 中 蚀刻 过度 等 

。

３ ．
组 合缺 陷 。 这种 缺 陷 因 晶 圆 片而 异 ， 也是半导体制 造 中 最 常见 的 企业 宣布 。 组 合缺 陷



是随机缺 陷和 系 统缺 陷 的组合 ， 如图 ２ ５
．
中 （
ｄ） 所示 。 在这种类型 的缺 陷 中 ， 消除随机



缺陷的原 因 ， 保 留 系 统性缺 陷 ， 使工程 师 能够找到 异 常 的原 因 是非 常重要的 


。

＿＿＿＿

 （
ａ ） 
ｒａ ｎ ｄ ｏ ｍ  ｄｅｆｅ ｃ ｔ  （ ｂ ）  ｒ ｅｐ ｅ ａ ｔ ａ ｂ ｌ ｅ  ｄｅｆｅ ｃ ｔ  （ ｃ ）  ｓｙ ｓ ｔ ｅ ｍ ａ ｔ ｉ ｃ  ｄｅｆｅ ｃ ｔ  （ ｄ

图 ２ ． ５ 晶 圆 缺陷示意 图


） 
ｃ ｏ ｍ ｂ ｉ ｎ ａ ｔ ｉ ｏ ｎ ａ ｌ  ｄｅ ｆｅ ｃ 

ｔ

如图 ２ ６ ．
， 依据缺 陷 表征 与 特性作 为 分类标准 ， 又可将 晶 圆 缺 陷 分类 为 以 下 三种 

：

１ ．

形貌 （
Ｔ ｏ ｐ ｏ ｇｒ ａ ｐ ｈ ｙ ） 缺 陷 。 常 见形貌缺 陷 有 微小 粗糙 面 、 凹 坑 。 通常是在抛光或光刻 工程



中 ，
工 人或机械操作不 当 带来的缺陷 

。

２ ．

污染物 （
Ｃ ｏ ｎ ｔ ａｍ ｉ ｎ ａｔ ｏ ｎ ）
ｉ 。 常见 污 染物如 颗 粒 通 常 由 环 境 ， 中 脏污如 灰尘污染晶 圆 所致 

。

在 分子 层 面上 包 括有 机层和无机层 等 污染物 ； 原子层面上包括 离 子 、 重金属缺 陷 等 


。

晶 体 Ｃ ｒｙ ｓ 缺陷 通常 体生长不均导致 硅晶片 存在 的 晶 体缺 陷 会影响构



４２］
３ ．

（
ｔ ａ ｌ
）
［

。 由 晶 ， 中

建在这些 晶 片 上的 器件 的 电性 能 ， 甚至 由 晶 体缺 陷 导 致 的 极端 退 化情况可 能导 致设备




故障 。 常 见 晶 体缺 陷有 ： 硅原 子 失位 、 硅原 子错位 、 非硅原 子掺杂 等 


。

１ 

４
 ２ 图案 化 晶 圆 缺 陷 成 因 与 表 面 散 射场 分析
 



Ｏ ｒｇａ ｎ ｉ 

ｃ

Ｍ ｉｃ ｒｏ  ｒ ｏ ｕ
ｇｈ ｎ ｅｓ ｓ Ｐ ａ ｒｔ ｉ ｃ ｌ ｅ
 ］ ａｖｅｒ



 ＾

 Ｐ ａ ｒｔ ｃｌｅ
／
ｉ

／  ／  ／  ／  ／  ／  Ｓｕ
？

Ｐ ｉｔ Ｉｏ ｎ ？ ｅ ｔ ａ ｌ
ｒ ｆａ ｃ ｅ



丄
丄
１  Ａ ｄ  ／ ／ ／ ＾ Ｘ


Ｓ ｅ ｍｉ ｃ ｏ ｎ ｄ ｕ ｃ ｔ ｏ ｒ
Ｃ 
°  

，
ｉ Ｔｚ ｔ ａ ｌ
’
＾

ｗ ａ ｆｅ ｒ ＾－
 ｄｅ ｆｅ ｃ ｔ
＾〇 

〇
〇

—
Ｔｏ ｐ ｏ ｇ ｒ ａ ｐ ｈ ｙ —
 ＜
－

Ｍｏ Ｉ ｅｃ ｕｌ ｅ
－

？＜

Ａ ｔ ｏｍ 


＞
ｆ ＞

ｉ  Ｃ ｏ ｎ ■

ｔ ａ ｍ ｉｎ ａ ｔｉ ｏｎ  

？

图 ２ ６ ．
晶 圆 缺 陷特性示意 图



若 根据 晶 圆 缺 陷 的排布 ， 又可将 晶 圆 缺 陷分为 全局缺 陷和局部缺 陷 两类 


：

１ ．
全局 缺陷 。 分布于 晶 圆 各处的缺陷 ， 通常 由 随机因 素造成 ， 例如无尘 室 中 的颗粒等随



机原 因 。 由 于这类缺 陷分布 范 围 广 ， 数 目 多 ， 因 此纠 正起来代价 昂 贵 ， 在晶 圆制作过




程 中 要尽量避 免此类缺 陷 

。

２ ．

局部缺陷 。 通常是 由 可指定 的原 因 产 生 的 ， 例如 ， 人为 错误 ， 设备颗粒和 化学污点 


。

上 述 因 素 会破坏 局 部 结 构 ， 产 生集合的缺 陷或局 部缺 陷簇 ［

４３ ］
。 通常 ， 局部缺陷 团 簇具



有 无定形 局 部缺 陷 簇 的特定模式反映 缺陷的产 生机



４４
线或环形 图案
４５］
、 线性 、 曲 ［ ］ ［

。 了

设备和化学污溃 的颗粒可 能会产 生 非 晶 态缺 陷 而 具有 曲 线 图 案



４ ６］
制 。 例如 ， 来 自 团 ［

的 团 簇 可 能是划 痕造成 的 

。

２ ２ ．

晶 圆 表 面 成 像分析 与 散射场仿 真 实验



如图 ２ ７ ．
所示 ， 图案化晶 圆表面蚀刻 电路图案 ， 当 入射照射 时 ， 存在 反射光 和 不 同 方



向 的 散射光 。 其 中 反射光集 中 了 主要的能量 ， 通常在明场成像系 统 中 收集 反射光 ； 散射光




存在于各个方 向 ， 不 同 方 向 强度不 同 ， 取决于入射光波长 、 晶 圆 表面 图 案形貌 、 出 入射角




度等 因 素 

。

研 究 图案化 晶 圆 表面散射场有 助于我们 了 解晶 圆 表面 的 光场分布 ， 并设计 合理 的 系 统




通过反射光和散射光 得到 晶 圆 表面 的 形貌信息 

。

１ 

５
 浙江大 学硕 士 学位论文
 



Ｓｕ ｒ ｆａ ｃ ｅ  Ｎ ｏｒｍ ａ 

ｌ

ｉ 

、

Ｓｃａ ｔｔｅｒｅｄ


ｄ ｅ ｎ ｔＬ
Ｉ ｎ ｃ ｉ ｉ
ｇ
ｈ ｔ

Ｌ ｉ
ｇ
ｈ ｔ

ｖ ．

 Ｑ  ／ Ｒ ｅ ｆｌ ｅ ｃ ｔ ｅ ｄ  Ｌ ｉ
ｇ
ｈｔ



Ｑ  ＾ ／Ｓ 
ｃａ ｔ ｔ ｅｒｉｎ


ｇ
ｎｃ ｄｅｎ  
Ｉ ｉ ｔ
／Ｐ ａ ｎｅ





＾
ｌ

Ｐ ｌ ａ ｎ ｅ
￣￣
？  ７

Ｗ ａ ｆｅ ｒ



图 ２ ７
．
晶 圆 表 面 成 像分析 示 意 图



２ ２ ． ． １ 基于 Ｂ ＲＤ Ｆ 的散射场分析



Ｂ ＲＤ Ｆ Ｂ ｄ
（
ｉ ｉ ｒ ｅｃ ｔｉ ｏｎａ ｌ ｒ ｅ ｌ
ｆ ｅ ｃ ｔ ａ ｎ ｃ ｅｄ ｉ ｓ ｔ ｒ
ｉ ｂ ｕｔ ｉ ｏ ｎ  ｆｕ ｎ ｃ ｔ ｏ ｎ ｉ
） 也称双 向 反射 率 分 布 函 数 ， 是 四 

个

实变量的函数 这些实变 量 定义 不透 明 表面如何反射光 这 四 个变 量 分别 为 入射



４ ７］
， 了
［

。 其 中

角 、 入射方位角 、 散射角 和散射方位角 。 Ｂ ＲＤ Ｆ 被广 泛应 用 于现实世界 中 光学领域 ， 计算




机 图 形 学和 计算机视觉 算 法等 领域 。 通过研 究 晶 圆 表 面 在入射光 照射下 的散射场分布 ， 


并

用 Ｂ ＲＤＦ 描述 ， 可 以直观 、 定 量 地分析 晶 圆 表面光场分布 


。

在图 ２ ８ ．
中 ，
Ｚ 轴为 Ｘ Ｙ －

平面 的法线 。 辐通量为 巧 的光在 ；ｃ ｏｚ 平面 内 以 入射天顶角 为




沒
，
入射至 晶 圆 样 品 表面 ， 照射 面积大小 为 心 。 辐照度指单位面积接收的辐通量 ， 常用 来表



征光照 ， 据此 可求得入射光辐照度如 下式 

：

＜
Ｄ ＝
立 （
２ ． １


）

 ｄＡ
１
，




辐 亮度 定义为 面 辐射源在 单位 时 间 内 通过垂直面元法线 方 向 《 上单位面积 、 单位立




体角 上辐射 出 的 能 量 。 对于 出 射天顶 角 为 ６ ， 出 射方位角 为 ＆ 的散射光而言 ， 由 晶 圆 


表

面反射或散射的光的辐亮度 Ｉ
，
．

， 计算公式如 下 

：

Ｌ
ｓ
＝ — 色 

—

ｄＡ －

ｄ ｃｏ －

ｃｏｓ ０

ｓ ｓ ｓ
２２
（ 

）

其 中 私 叫 ， ，
（ ／ ＜
＾ ，
￡
＾ 均 为 徽小 量 

。

１ 

６
 ２ 图案化晶 圆 缺 陷 成 因 与 表 面 散射场分析
 



Ｂ ＲＤ Ｆ 的 定义为 散射光辐亮度与 入射光辐照度之 比 ， 通常可令 以 ， 為 可得，

Ｂ ＲＤ Ｆ 

表

达式 为 

：

４ （
〇
ＡＡ ）
ｄＰ
Ｊ （
ｄＡ
ｓ
？

 ｄ ｃｏ ｓ
？

 ｃｏｓ ０ ）  ｄＰ 
Ｂ ＲＤＦ
，  ＿
Ｓ ｓ

 ＝ 

３

） Ｐ ／ ｄＡ
ｔ ｆ 
？

 ｃｆ
ｑ 
？

 ｃｏ ｓ
 

０

由 Ｂ ＲＤ Ｆ 的 定义可知 ， 对于空 间 散射场 中 任 意天顶角 、 方位角 的散射光 ， 可 以通过计




算 Ｂ ＲＤ Ｆ 值来表征其强度 

。

ｐ
？ 、

、
ｆＺ





ｘ

图 ２ ． ８Ｂ ＲＤ Ｆ 坐标示意 图



若要 求得 晶 圆 表 面 散射场 的 准确 分布 ， 需 要 利 用 麦 克斯 韦 方程组 带入所有 变 量 进 行 精




确求解 ， 计算量 巨大 。 图 案化 晶 圆 上蚀 刻 的 图 案可 以抽 象 成许 多 细微矢量 线段 的组合 。 


由

于制 程 的进步 晶 圆 上 的缺 陷和 图案尺寸远小 于光 波波长 满足 阶微扰 理 论 假 定 条 件

一

， ， 

，

矢量散射理论使用 场景
４
满足
８
Ｒ ａｙ ｌ ｅｉ
ｇｈ
－

Ｒ ｉ ｃｅ
［ ］



。

Ｒ ａｙ ｌ ｅｉ ｇｈ
－

Ｒ ｉ ｃｅ 理 论适 用 于 微小 尺 寸 的 矢 量 线 段 ， 且其深度远小于 光波波长 。 该理论将




细 微表 面 形貌结 构 分布 看 作 是许 多 拥 有 不 同 周 期 、 幅值与 方 向 的正弦光栅的 叠加组合 。 


根

据 Ｒ ａｙ ｌ ｅ ｉ
ｇ
ｈ －

Ｒ ｉ ｃｅ 理论 ，
ＢＲＤＦ 函 数与 Ｐ Ｓ Ｄ（ 功率谱密度函数 ） 相关 ， 其 中 Ｐ ＳＤ 表征的是



轮廓 的表 面 的统计信息 ， 为表面面型 函数 进 行傅 里 叶 变 换后 的表 达 式 。 ＰＳＤ 函数表




达式如下 

：



２

， ２ ，Ｉ
＾ ＋）
ｆｙ
ｐＳＤ ｛ ｆ 
（ ）

＝
ｚ ｘ ｙ）ｅ ｄｘ ｄｙ ２ ４）
ｆ）
￣

ｘ ，  ｛ ， （ 

｝
 Ｊ｜

１ 

７
 浙江大 学硕 士学位论文
 



其 中 ，
又 和 ／ ｖ
可 由 光栅方程推导 ， 即 

：

人
＝
々（ｓ ｎ ｃｏｓ ｎ
 ２ ５
－

ｉ
《 表  ｓ ｉ
ｇ ） （
．



）

ｆｙ 
＝
Ａ ：
（
ｓ ｉｎ
＾
－

ｓ ｉ ｎ ＾ ｓ ）  （
２ ６）
．




结 合光栅衍射公式 与 Ｂ ＲＤ Ｆ 定义式 ， 可得 

：

Ｂ Ｒ ＤＦ 
＝
 ｆ 
＝
 ｋ ｃｏ ｓ Ｏ
ｌ
Ｃ〇 ｓ ｄ＾ Ｑ ＰＳＤ ｆ
－

（ ｘ ，  ｆｙ ）  （
２ ７
．



）

其 中 ，
０ 为 偏振分类散射 因 子 ，
／； 、
／ｙ 表 示 ｘ ｑｙ 平面上空 间 频 率 。 ＰＳＤ 为 功率谱密度



函数 

。

由 式０ ． ７） 可知 ， 散射场分布 与 如下几个 因 素 有关 ： １ ） 几何 因 素 。 包括入射光 角 度 、 


散

射光角 度 、 散射光 方位 角 ；
２ ） 光学 因 素 。 包括入射光 波长 、 偏 振 等特性 ；
３ ） 元件表面 

。

包括原 件表面形貌分布 ， 粗糙程度 等 


。

２ ２ ２
．
．
基于 Ｂ ＲＤ Ｆ 的 晶 圆 图 案散射场仿 真



由 ２ ２ ． ． １
节可知 ， 图案化 晶 圆表面结构精密 ， 图 案复杂 ， 可将 图 案看作众 多 细 微线段



矢量叠加 如图 所示 可将图案化 晶 圆 上蚀刻 的 电路图 案 的 部 分抽 象成 细 微线 段

一

。 ２ ９
．
， 

，

其 中 该线段的宽度为 ｗ ， 长度为 Ｉ ， 高度 为 线段 与 水平 方 向 的 夹角为




／  ＾ｚ ｊ


儿  Ｔ

 Ｊ

Ｗ  ｉ １




（
ａ） 细 微 线 段 矢 量 示 意 图 （
ｂ） 细微线段矢量俯视 图



图 ２ ９ ． 细微线段矢量 表示示 意 图



仿真实验 中 将会探讨 不 同 宽度 ｗ ， 高度 ｄ 和角度 ａ 以 及入射角 ０ 对散射场 Ｂ ＲＤＦ 的影




响 。 实验 中 对 Ｐ ５Ｄ 函 数积分 的运算采用 离 散采样 ， 如 下式所示 


：

Ｐ ＳＤ ｆ
２ｎ ｘ
ｆ ＾ ｄｘｄ

＾ ｆｆ
［

ｆ）
＝
２ ｘ ｙ ｅ ｙ （
２ ８
．



）
ｘ ，

４ Ｊ ｛ ）
，
｛ ， 


并且 由 函数的定义可知 ，
Ｐ ５Ｄ 函 数是 中 心对称 的 ， 即 

：

１ 

８
 ２ 图 案化 晶 圆 缺陷 成 因 与 表面 散射场分析
 



ＰＳＤ （ ｆ Ｊ ＾
ＰＳＤ ｆ ｆｙ  ２ ９
－
－

） （ ） （ 

）
ｘ ｙ ｘ

因 此在实验 中 只 需计算
一

定范 围 函 数从而减少 计算量 。 在实验 中 ， 取乂 范围为




［
０ ，
４］ ， 采样 间 隔为 ０ ０２＿
；
／ 范 围为
＞
，

［
－

２ ，
２
］
， 采样 间 隔 为 ０ ０２＿ 

。

图 ２ ． １ ０ 是对实验结 果 中 Ｂ ＲＤ Ｆ 展示 图
一

个表示示意 。 图 中 彩色 区 域对应 的 Ｂ ＲＤ Ｆ 

指

数值 其 红色 区域数值高 蓝色 区域数值低 数据表示呈 圆 形分布 对于在原上的某



一

， 中 ，
。 ，

个点 Ｐ ， 该点与 圆 心的 连线 〇户 与 水平轴 的夹 角 Ａ 表示 空 间 中 该 点 的方位角 ， 点 Ｐ 与 圆心




的散射天顶角 必 标注 出
° °
的 距 离 ０Ｐ 代 表 ｜ ｜
了 点 Ｐ ， 其 中 图 中 已 ３
＝
１ ０ ，
０
＝
３ ０ ，
怂
＝
６０ 

，

０
＝
９０
。
的点 的集合 。 在该 图 中 ， 点 尸 代表 了０ ＝
７５ ．
６
。
，
武
＝
４５
。
的散射方 向 的 Ｂ ＲＤ Ｆ 值 

。

ｒ  

麵
Ｉ
—

＼
￣

ｘ ：；ｒ
－

ｙ
－


－



ｉ

｜ ｏｇ （
ＢＲ Ｄ Ｆ
）  ＾ ３ ２ ＾〇ｔ   ２



图 ２ ． １ ０ Ｂ ＲＤＦ 表示示意 图



仿真 中 入射光采用 中 心波长为 ４ ０ ５ ｍｎ 的激光 ， 具体仿真实验结 果如 下 


：

】 ． 细微线段矢 量方 向 与 Ｂ ＲＤ Ｆ 的关系



本实验 线段宽度 线段深度 长度



°
中 ， 入射光天顶角 ３
＝ ４５ ， 冰 ＝
０ ２ ／＾
．

，
＾／ 
＝
１ ５ ０ 狀２ ，

Ｚ＾ ｌ Ｏ ／＾ ｗ 。 如图 ２ ． １ １
所示 ， 线 段 与 水平线夹 角 为 ａ ， 散射场 Ｂ ＲＤ Ｆ 值最为集 中 的地方为



镜面反射 点 （ 指代反射光方 向 ） ， 并且散射场集 中 于该 点 分布 。 散射场延伸 方 向 与 线 段 方




向 垂直 ， 由 图 可以看出 ， 散射场延伸 方 向 随着角 度的 变化也随之改变 


。

１ 

９
 浙 江大 学 硕 士 学 位 论 文
 



° 。 °
ａ 
ｃ

ａ


°
ａ＝ ０ 
＝
 ３ ０ 
＝
 ４５ ａ＝ ６０
  ａ＝９０

Ｂ ＲＤ Ｆ
，

， 

 ？




，  ，

，

１
 ｌ ｏｇ ＜ 

＞

３ ｈ ｓ Ｓ ［Ｄ 
一



；

０Ｊ ３ ｔ
ｆ
－

Ｂ ＫＤ Ｆ 

）

＾
＾  ＾ ０± 
Ｉ


；

＿
． …
ｎ 臻 、
１ 

￡

图 ２ ． １ １ 不 同 角 度细 微线 段矢量 与 Ｂ ＲＤ Ｆ 关系示意图



２ ．
细微线段矢量宽度 ｗ 与 Ｂ ＲＤ Ｆ 的关系



入射光天顶角 细 微线段矢 量 深度
°
本实验 中 ，
３
＝ ４５ ，
３＝ １ ５ ０ ＾？ ， 长度 ／＾ １ ０ ／＾ 

，

°
如图 ２ ． １ ２ 所示 ，
细微线段 矢量 与 水平方 向 夹 角 《＝９ ０ ， 对于不 同 宽度 的细黴线段矢量 

，

散射场 Ｂ ＲＤ Ｆ 分布趋势 变 化不大 ， 呈水平状对称 分布 （ 线段方 向 为 竖直 走 向 ） ， 集 中 于镜




面 反射 点 （ 指代反射光方 向 ） 。 在 维 持 深度 ｄ 不变的情况下 ， 随着线段宽度的 变 化 ，

Ｂ ＲＤ Ｆ



幅值有所改变 。 从 Ｂ ＲＤ Ｆ 图示 中 可 以看出 ， 随着 宽度 增 加 ， 散射光延伸长度 压缩 ， 并沿延




伸方 向 垂直方 向 两 侧延展 ， 散射光分布范 围更加集 中 


。

＝
 ｕ 

ｗ
’

０４
？

二
０ ２ ｉ Ｗ ｕ ＝

／
／ ｗ ｍ 二
 ０ ６ ＂ ｗ ｗ 二 ０ ８／／ｗ

 ｌ ／ ／
／
．

／
．

ｍｍｍｍｒ
－

ａ ｉ 

ｉ

Ｂ Ｒ ＤＦ （ 对数 表示 ）

 ？醫＿＿＿ 图 ２ ． １ ２ 不 同 宽度 细微线 段矢 量 Ｂ ＲＤＦ 分布示意 图



墜 

：

２０


 ２ 图 案化 晶 圆 缺 陷 成 因 与 表 面散射场 分析
 



３ ．
入射 光 天 顶 角 ０ 与 Ｂ ＲＤ Ｆ 的关系



细微


°
本实验 中 ，
细微线 段 矢量 与 水平 线夹 角 ａ ＝ ４５ ，
细 微线段矢量 深度 ｄ＝ １ ５ ０ ｗｎ  ，

线段 宽度 ｗ 
＝
 ０ ２ ／／ ｍ．

， 长度 如图 ２ ． １ ３ 所示 ， 散射场分布趋势大致相 同 ，
Ｂ ＲＤ Ｆ



高值点集 中 与 镜面 反射 点 （ 指 代反射光 方 向 ） ，
且伸 展方 向 与 细微线段矢量走 向 垂直 。 

可

以 看 出 随着入射光天顶角 变 大 ， 散射光 分布集 中 点所成弧状弧度 变大 


。

〇 。 

。
６
？

：
＝
３ ０  ６ ？

；
二
 ４ ５  （ ９
， 
＝
６０

ｚ ｉ  Ｌ  ｅ
 」
ｉ ｏ
ｇ （
Ｂ ＲＤ Ｆ 

）

ｇ＾


？ Ｗｆ
Ｉ 

；



Ｉ
ＢＲＤＦ （ 对数表示 ）  丨

Ｉ  １ 

ｆ

， 蠓


图 ２ ．
１ ３ 不 同 入射光天顶角 Ｂ ＲＤ Ｆ 分布示 意 图



４ ．
细 微线 段 矢 量 深度 ｄ 与 Ｂ ＲＤ Ｆ 的关系



入射光天 顶 角 细微线 段矢 量 与 水平方 向 夹 角 细微线段



°
本实验
°
中 ，
０
＝
４５ ，
《＝４ ５ ，

宽度 ｗ 
＝
 ０ ２ ／＾ ｗ
．
， 长度 Ｌ 
＝
 １ ０ ／／ ｗ 。 如图 ２ ． １ ４ 所不 ， 散射场幅 度发 生 变 化 ， 分布不变 ， 并且



集 中 于 镜 面 反射 点 （ 指代反射光方 向 ） 。 由 式 （
２ ４） ．
和 式错误 未找到 引 用 源
！ 。 可知 ， 如果仅



对 进行缩放 倍 从 定义可 以 看 的值会随着缩放 倍 散射场 的 强



２
，
ＰＳＤ 出 ，
： Ｐ ＳＤ Ａ ： ，

度会发生变化 ， 但分布不 变 

。

２ 

１
 浙江大 学 硕 士 学 位论文
 



ｄ 
—

 ３ ０／７ ｗ ； ｄ 
—

 ５ ０ ｎ ｒｎ  ｄ  ３ ０ ０ ｗ ｍ ｄ 
＝ ５ ０ ０ ｎｍ





      ｌ ｏ ｇ （ Ｂ ＲＤ Ｆ 

）

Ｅ３  Ｂ０ Ｓ 
ｊ



■ ： ：

ｒ ％ ， ， ： ＇



图 ２ ． １ ４ 不 同 深度细微线段矢 量 Ｂ ＲＤ Ｆ 分布示意 图



５ ．

散射 体 边长 Ｚ 与 Ｂ ＲＤ Ｆ 的关系 

。

细微
°

本实验 中 ，
细 徵线 段 矢 量 与 水 平 线 夹 角 《 ＝ ４ ５ ，
细微线段矢量深度 ｄ＝ １ ５ ０ ｗｎ  ， 


线段宽度 ｗ ＝
０ ２ ／／ ｗ． 。 如图 ２ ． １ ５ 所示 ， 随着 Ｌ 的增大 ，
Ｂ ＲＤ Ｆ 高 值 点 愈加 集 中 ， 整体分布



不变 

。

Ｉ  ５ ｊｊ ｍ  Ｉ  １ ０ ／ ／ ｍ Ｌ １ ５ ／
／ ｗ
 ／２ ０ ／ ／ ｗ Ｉ ．
＾
３ ０ ／
／ 

ｗ

 ｏｅ Ｂ ＲＤＦ
ｆ


ｉ
ｌ
（

ｓ ｓ Ｓ Ｓ  Ｎ 

：

ｊ
ＯＢ ＾
－

ＨＫＤＨ 

）

 ？ 參
＂

＿ ＾
／ ｒ
：
Ｔ ｊ 

：

图 ２ ． １ ５ 不 同 散 射体边长 Ｂ ＲＤ Ｆ 分布示 意 图



通过本节仿真过程可 以看 出 ，
细 微线 段 矢 量 的 宽 度 ｗ ， 深度 ｃ ／ ， 长度 ｉ ，
入射天 顶 角



６ ＞

，
， 以及与 水平方 向 夹角 ａ 都 会影 响 散射 场分布 。 散射场集 中 于 镜 面反射 点 （ 指代反射光



方 向 ） ， 搜集孔径位于这个方 向 时相应 高 ， 能量大 ， 利 用 这部分光对 图案化 晶 圆 表面 成像




即 为 明 场照 明成像原理 

。

２２


 ２ 图 案化 晶 圆 缺 陷 成 因 与 表 面散射场分析
 



复杂化 图 案 晶 圆 可 以 看 作众 多 细 微线 段矢 量 的 集 合 ， 虽 然实 际情况 晶 圆 表 面散射场分




布复杂难 以仿真求得精确 解 ， 但是通过本节 仿 真可 以 得 出 ： 不 同 方 向 形状 的 细 微线 段 矢 量




在不 同 的 搜集孔径 下响 应 差 别 很大 ， 因 此在 晶 圆 检测 系 统 中 可 以 找 到 合适 的 散射角 ， 增强



图 案化 晶 圆 上缺 陷 的 响 应 而 降低 图 案 （ 蚀 刻 电路 ） 的响应 ， 从 而增 强 缺 陷 图 像 中 缺陷对 比



度 ， 通过 这 种 方 式 搭建 的 光路 即 为 暗 场 照 明 成 像 光路 

。

２ ３
．
本章 小结



本章 首 先 对 图 案化 晶 圆 缺陷成 因 进行分析 。 从工业 中 制 作 晶 圆 的 流程入手 ， 简述 了 


半

导体芯 片 制 作流程 ， 并着 重介绍 了 光刻流程 。 之后 分析 了 流程 中 可 能 引 入何种 缺 陷 ， 并根




据不 同 的 标 准对 缺 陷 进 行分类 。 其次 通过 将 图 案化 晶 圆 表 面 抽 象 为 细 微线 段 矢 量 ， 通过双



向 反射 率 函 数 Ｂ ＲＤＦ 进行 图案化 晶 圆 表面分析 探究 ， 了 细 微线段矢量和 入射光处于不 同 状




态 下 时对表面散射场 的 影响 

。

２３


 浙江 大 学 硕 士 学 位论 文 




３ 基于 明 暗场 多 扫 描 方式 图案化 晶 圆 成像研 究



根据 第 ２ 章 对 图 案化 晶 圆 表面散射场分析 ， 可 以依据散射场分布 ， 通过 明 场和 暗场 两



种照 明 方式对 图案化 晶 圆 进行成像 。 前者可 以得到较强的光学响应 ， 后者可 以通过选择合




适 的散射 角 从而得 到 具有 良好缺 陷 对 比度 的 图 像 


。

如图 ３ ． １ 所示 ， 入射光照射被测样 品 ， 相机位于反射光 方 向 并接 受绝大 多 数光 ， 这种




成 像方式称 为 明 场照 明 ； 若 光 源 与 相 机 的 布 局 使绝 大 多 数光没有 被相 机接 收 ， 仅使相 机接




收部分散射光 ， 这种成像方式称为 暗场照 明 


。

Ｄｅ ｔ ｅｃｔｏｒ  Ｄ ！
ｅｔｅ ｃｔｏｒ



Ｃｏ ｌ ｌ ｅｃ ｔｉ ｏｎ


／ ＼

Ｒｅａｃ
／ ／  ／ 
ｔ ｅｄ


＾


Ｙ

Ｚ
＇

為
＾

一 ＿ ＿

＿ ＿ 

＿

Ｓ ａ ｍｐ ｌｅ  Ｓ ａ ｍｐ ｌｅ



（
ａ ）Ｂ ｒｉ
ｇ ｈｔ ｆ ｅ ｄ
－

ｉ ｌ
 （
ｂ ）  Ｄ ａ ｒｋ ｉ
ｆｅｌｄ

 －

图 ３ ．
１
方 向 性照明示意 图



明场照明如 图 ３ ． １
（
ａ） 所示 ， 通过提供均 句 明 亮 的 光场 ， 使 图 像传 感 器 收集 反射光 ， 

这

种 照 明 方式 能得 到 没有 阴 影 ， 照明均匀 的图像 。 常见 明 场照 明设计如 图 ３ ． ２ 所示 ， 常在光




源 后 安装 漫反射板 以 提供 明 亮 均 匀 的照 明 。 暗场照 明 如 图 ３ ． １
（
ｂ） 所示 ， 镜头主要搜集被测



物体的散射光 。 不 同 散射角 、 不 同 方位角 的 散射光往 往 包含缺 陷 信 息 。 例 如缺 陷若 为 具有




定方 向 性 的划 痕缺 陷 位于特定角 度的散射光能得到缺陷对 比度 高 的 图 像
一

，


。

２４


 ３ 基于 明 暗场 多 扫 描方 式 图 案化 晶 圆 成 像研 究
 





—

Ｄ ｅ ｔｅ ｃ ｔｏ ｒ
 Ｄ ｅ ｔｅｃ ｔｏ ｒ



小 小 小 小 ａ ／ｎ ａ ／ｎ



＼ ＼＼＼ ＼ ＼＼＼＾ ＼＾ ＼ ＼ ＼ ＼ ＼ ＼ ＼ ＼＾ ＼＾＼  ＼ ＼ ＼ ＼ ＼＼＼ ＼ ＾

Ｓ ａ ｍｐ ｌ ｅ  Ｓ ａ ｍ ｌ ｅ
＿ ｖ
ｘ


ｌ
＼＼＼＼＼ Ｗ

 

ｐ 

（
ａ
） 平 板 漫 射 （
ｂ） 同 轴光漫射



Ｄ ｅｔｅｃ
Ｄ ｅ ｔｅ ｃｔｏ ｒ  ｔ ｏｒ



ｖ
＇


Ｗ
Ｗ ；＼  Ｗ＼ ７＼ ＼ ＼ ＼ ＼ ｓ＼ ｎ 
ｌ
＇

、
 ；＼ ．

Ｓ ａ ｍｐ ｌ ｅ  Ｓ ａ ｍｐ ｌｅ



（
ｃ
） 半 球 形 照 明 （
ｄ） 漫反射半球



图 ３ ． ２ 部分明场照 明形式示意 图



本节将结合明 暗场照 明和 多 种扫描 图 案化晶 圆 样 品 手段 ， 搭载不 同 成像系 统 ， 实现对




图 案化 晶 圆 的缺 陷 检测 ， 给 出 Ｍ Ｐ ＷＤ Ｓ 系 统设计方案 ， 得到 图像进行后续 图像处理 


。

３ ． １ 基于 点 扫 描 的 暗场成 像技术



３ ． １ ． １ 点 扫 描 暗场成像装置 系 统设计



点 扫描暗场成像装置设计如 图 ３ ． ３ 所示 ， 基 于 上 文介绍 的 暗场照 明 原 理 ， 利用 激光作




为 光 源 斜入射至 图 案 化 晶 圆 样 品 表 面 激光 发 出 的光 会在 晶 圆 表 面形成 个 明 亮 的光 斑
一

。 

，

晶 圆 置于水平 、 竖直方 向 移动平 台 和 自 旋平 台 上 ， 通过螺旋扫 描 的 方式 将 照 明 点 扫 过整个




晶 圆 表面 

。

２５


 浙江大学硕 士 学 位论文
 



＾
？

７  Ｌ ａ ｓ ｅ ｒ
ＰＭＴ


—

Ｃｏ ｌ ｌ ｉ ｍａ ｔ ｉ ｎｇ



Ａ
‘



＾ｌ  Ｒ ｏ
＂ ￣
一

ｒ
￣

ｏｎ


－

＼ 
ｉ
７ ｔ ａｔ ｉ

ｓ ｔａ 

ｅ

「
ｇ



－

ｔ
ｖ
－

 Ｊ ． 
Ｘ  ｓｔ ａ ｇｅ



ｖ 
Ｐ
＿
 Ｙ  ｓ ｔａ
ｇｅ


ｆ 

图 ３ ． ３ 点扫 描 暗场成像装置示 意 图



如图 ３ ． ３ ， 激光通过准直镜产 生平行光束 ， 并通过汇聚透镜形 成照 明 点 。 如此设计 的




目 的是为 了 提升光斑 的 能量 ， 提 升分辨 能 力 ， 同 时加 强散射光强度 。 系 统仅 收集 散射 光 


，

目 的是为 了 降低 图案化晶 圆 的背景 ， 提升缺 陷 的对 比 度 


。

装置在垂直 于 晶 圆 表 面处放置 个 收集器 通 常 为 凸透镜组 使得 晶 圆 表面光斑点 与



一

， ，

收集器采集点 共轭 。 由 ２ ２ ２
． ．
节可知 ， 散射光在 空 间 中 均有 分布 ， 因 此采用 收集器使得 

一

定散射天顶 角 范 围 内 的 散射光 能 收集 到 图 像传感 器 中 ， 增 强散射光 强度 ， 避免微弱 缺 陷 


因

散射光强度太低而漏检 

。

图 像探测 器 采用 光 电倍增 管 Ｐ ｈ ｏ ｔ ｏ ｍｕ ＰＭＴ 是 类真空 光 电管

一

（ ｌ ｔ ｉ
ｐ ｌ ｉ ｅｒ ｔ ｕｂｅ ｓ ） 。
（
ｖ ａ ｃ ｕ ｕｍ



ｐｈ ｏｔｏｔｕｂ ｅｓ ） ， 对 电磁光谱 中 紫外线 ， 可见光和近红外光谱 范 围 内 的 光 非 常敏感 的检测器 


，

它 以光 电子学为 理论基础 ， 利用 光 电 子发射 、

二 次 电 子发射的原理制 作 。 如图 ３ ． ４ 所示 

，

入射光 子撞 击光 电 阴 极材料 ， 光 电 阴 极材料通 常 是在设备进入 窗 口 内 部 的 薄 气相沉积导 电




层 。 由 于光 电效应 ， 电 子从表 面 弹 出 。 这些 电子 由 聚 焦 电极导 向 电 子倍增器 ， 在此 电 子通




过 二 次发射过程倍增 如 此往 复倍增 最终放大倍数高达 至 Ｔ 倍 电 子数不断增 加 形



８

。 ，
１ ０ １ （ ，

成 电流 ， 并最终可在高 电位阳极处 收集 ， 且该光 电流 强度 正 比于入射光 子数 。 光 电倍增 管




输 出 的 电 流信号经过放大 电路转换 为 电压信号 ， 经模数转换数据采集 卡采 集量 化得到 数 字




电压值 ， 可用 于 表征散射光信号 的 强度值 


。

２６


 ３ 基于 明 暗场 多 扫 描 方式 图案化 晶 圆 成 像研 究
 



Ｆ ｏ ｃ ｕ ｓ ｉ ｎｇ



ｅ ｌ ｅ ｃ ｔ ｒｏ ｄ ｅ Ｆ ｉ ｎａ ｌｄ ｙｎｏ ｄ ｅ



／Ｉ
ｉ 
＾  ｅ ｌ ｅ ｃ ｔｒ ｏ ｎ ｓ 
＇

＾＝
，




ｖ

Ｗ
ｉ
＿

Ｌ ｇ ｈｔ 
．

ｎ ｐ ｕ ｔｔ
ｉ

ｎｄｏｗ

」
人 ｗｎ

 Ｉ

卜 ＿

／
，



、



＇

ｉ
 
乂

Ａｎ ｏ ｄ ｅ



Ｐ ｈｏｔｏ Ｅ ｌ ｅ ｃ ｔ ｒ ｏ ｎｍ ｕ ｌ ｔ ｉ
ｐ ｌ ｉ ｅｒ



ｃ ａｔｈｏｄ ｅ  （ ｄ ｙ ｎｏ ｄ ｏ ｓ 

）

图 ３ ． ４ 光 电倍增 管 （
ＰＭ Ｔ ） 结 构示意简 图



在点扫描暗场成像装置 中 选择光 电 倍增 管 作为 图 像传 感 器的 原 因 是 

：

１ ．
响应 时 间 短 。 为提高吞吐量 ， 点 扫 描暗场装置 中 自 旋平 台角 速度大 ， 这就 要求在检测



扫描过程 中 探测器 能够实 时获得 当 前扫描 点位 的散射光强 ， 来 保证后续重 构 的 图 像 不




会 出 现像 素 点 缺失或错位 。 而 光 电 倍 增 管 具有 响 应 速度 极快 的 特 点 ， 用 作探测 器能满




足装置实 时性要求 

。

２ ．
灵敏度 高 。 在 点 扫描 暗场装置 中 ， 由 于探测器 收集 的是散射光 ， 通 常光强极其微弱 

，

为 保证有 信号反馈 ， 需 要 灵敏度极 高 的探测器 。 光 电倍增 管 灵敏度极 高 ， 能对微弱 缺




陷散射光信号做 出 响 应 ， 并 能 以 合适 的增 益 最终获得较好 的 缺 陷 图 像 

。

３ ． １ ． ２ 点 扫 描路径 规 划 与 图 像构 成



为 检测 图案化 晶 圆 表面缺 陷 ， 应 依次根据激光 照 明 点 的位置扫描 晶 圆 上 的 每个位置 ， 并通




过数据采集卡 同 步记录每个检测 点 的光强度信号 。 为 确 保没有 遗漏 ， 需 要规划好合理 的 点扫 描




路径使得扫描尽可 能 高效 。 如图 ３ ． ５ 所示 点 扫 描 暗 场 成 像装 置 使用 螺 旋 线 扫 描轨迹 ， 其 中 用



蓝色 圆 圈 代表光斑覆盖范 围 ， 传动 装置 由 旋转工作 台 （
ｒ ｏ ｔ ａｔ ｉ ｏ ｎｓ ｔ ａ
ｇｅ） 和 水平安装在移动导轨上



的 二 维移动平 台组成 。 平移移动 和 自 旋 运动 组 合使得 照 明 点 在 图 案 化 晶 圆 上 以 螺 旋 线 轨 迹 扫




描 ， 通 过设定 合理 的 平移速度 ｖ 和 自 旋角 速度 ｗ ， 能够实现 晶 圆 表 面 的快速全覆盖扫 描检测 


。

由 于 在扫描过程 中 ，
Ｐ ＭＴ 在 每个扫 描 点 以 电压值 作 为 信 号 响 应 ， 因 此扫描完成后探测器得到



的是 个 维离 散 电压值序列 用 来 表征扫 描轨迹螺 旋线 上逐 点 的 光 强信 号 以螺 旋线扫描 


中
一 一

， 。

心为起点 ， 通过建立螺旋线上每个点 在序 列 中 的序号与 晶 圆 表面 坐标 系 中 坐标的 对应 关 系 


，

可重构 出 完 整的晶 圆 暗场 图 像 以 便后续 图 像处理找 出 缺 陷 


。

２７


 浙江大 学硕士 学位论文
 



Ｍ ｏｖｅｍ ｅ ｎ 

ｔ

＾
ｄ ｉ ｒｅｃ ｔｉ ｏｎ





．

 ／ｆ ｒ ｗ ＾ ｎ 

．

二
零
．

Ｆ


：

＇
：

 Ｊ ．
： ：



＾
１ — —

图 ３ ． ５ 扫 描轨迹示意 图



扫 描 点 的轨迹坐标计算 可 以拆解 成 两 个运动 的 组合 ： 平移运动 和 旋转运动 。 设导轨移




动速度 为 Ｖ ， 图案化 晶 圆 自 旋 速度 为 ？ 。 如 图 ３ ． ６ 所示 ， 当 时刻 为 ｆ 时 ， 平移运 动产 生 的位




移为 ｓ＝ 自 旋 运 动 产 生 的 角 度 为 ａ＝ 将 两 种 运 动 组 合 起 来 可 以得到 ｔ 时刻 广 点




的坐标 Ｏ＾ Ｐ ＯＸ
＇ ＇

 ＣＰ ）


：

＾  ＾

＾ ｍ ＾ｉ ｍ
ｊ
ｒ ｃｏ ｓ ｒ ｏ ｌ ｖｒ ！
－

ｓ ｓ
）
１
３１
（ 

｝

Ｐ ｓ ｉ ｎ ？ ｒ  ｃ ｏ ｓ ｃｏ ｔ  ｖ ｔ  ｖ ｔ  ｃ ｏ ｓ （？ｒ 

）

卢＇
： 

、

— —
—

Ｗ


）

＝
ｖ
－


（ｆ   

／



７
图 ３ ． ６ｔ 时刻 扫描轨迹坐 标示 意 图



以 上述螺旋轨迹扫 描 晶 圆 可得到表征 晶 圆 表面散射光场分布 的 维 电压值信号序列

一

，


。

但 一

维信号 限制 了 系 统描述缺 陷 信息 的 能 力 ， 可 以 通过采集 到 的 散射光信号 与 被测 晶 圆 表



２ ８



３ 基于 明 暗场 多 扫 描方 式 图 案化 晶 圆 成 像研 究




面对应 的 序 号 坐标 映射关 系 重构 图 像 ， 并最终得到

一

个 能 描述缺 陷 形 态 特征和 位置 分布 的



暗场 图像 。 由 式 （３ ． １
） 可得到 时刻 图案化 晶 圆 表面扫描点 ｆ （ 激光照 明 点 ） 在 以 晶 圆 圆心为



中 心 的表面 坐标 系 中 的相对坐标 。 基 于 此 对应 关 系 ， 可建立 ＰＭ Ｔ 采 样序 列 第 ｎ 个点与 晶




圆 上 实 际 扫 描 点 的 坐 标 映射 。 设采样序 列
一

共有 ＃ 个 点 ， 分别 为 及乂 ． ．
设 Ｐ ＭＴ 采样频



率为 ／ ， 则 在 时刻 ｆ ， 有 

：

，
＝ －

 （
３ ２ ．



）



／

为 重构 出 图像 ， 还要建立 以 晶 圆 圆心为 原 点 的 表 面 坐标 系 到 图 像坐标 系 的 映射 关 系 


，

从而 建立光强序 列 忍 到 表面坐标系 （
；ｃ
， ＞〇 再到 图像坐标系 （
ｒ ，
ｃ） 的转换 。 具体转换运算 如 下 

：

￣ ￣

 °

 
０
Ｉ ＾ ｒ ｃ
ｙ ｎ ＝ ０ ２ Ｖ  ３ ３
－ －

．  ｌ ． ． ｉ ｌ ．


）
．

ｎ （ ｎ ，
ｎ ３ ， ， ３ （
＼
，



Ｋ

其 中 ａ ｃ ，
。
表示 图像原 点 坐标 ， 为 保 证 图 像 坐 标均 为 正 值 ， 可将其设 为 零值 。 表示



个像素 代表 的实际尺寸 为 保证扫描过程 无遗漏对样 品 全覆盖且保证扫描效率 实验



一

， 了 ，

中 将 岣 设置为 旋 台旋转 周 传动平 台 步进 的距 离 即

一

自 ， 

：

Ｋ
＝ —

 （
３ ． ４）


ＣＯ



由 于 ＰＭＴ 所获得 的信号 为 电压值 ， 设待测 图 案化 晶 圆 上 时刻 所采样 的 电压值 为 ￡ Ｆ ，



，

则 对应 重构 点 的 灰度值有 

：

Ｇｒａｙ （ ｒ 
＾
ｃ ＝ －
－

Ｉ ３ ５）
，
） Ｍ （
．




其 中 为 ＰＭＴ 采样 电压值上限 ，
＆ 为 像 素 最大值 ， 如 ８ 位 图 像 ／Ｍ 的 值 为 ２５５ 

。

由 图 可以看出 当 螺 旋 扫 描路径 位 于 内 圈 时 采样点 密集分布 图 像上 同 


像
一

３ ． ５ ， ， ，

素可 能对应 多 个采样 点 ， 而扫 描路径位于外 圈 时 ， 采样 点 分布稀疏 ， 可 能导致 图 像像素




不存在对应采样 点 ， 导 致像 素 缺 失 。 实际实验 中 采 取 的 方 法 时进行 采样 点 数矫 正 策 略 


：

首先设置较大 的采样频率 此时 旋 周 对应 的 采样 点 数 为 设 时刻 处于螺旋扫描



一

／ ， 自 《 ，
？

２９


 浙江大 学 硕 士 学 位论 文
 



线的第 ／
圈 ， 有 ／
＝
设 ％ 为 校 正 后 第 圈 的 采 样 点 数 有 巧 丄 ｆ
，
： ＝ ＿

ＡＴ 其 中 尺 表示扫描


Ｉ ｎ Ｋ
，
＇




到 最外 圈 的扫描序号 ，
＃ 表示 能够均句 采样最外 圈 的采样点 数 ，
Ｔ Ｖ 计算公式如下 

：

２ ／ｒ ｒ  ｃｏ ｒ


Ｎ 
＝
 ａ
￣ —

＝
 ａ


 （
３ ． ６


）

Ｋ ｖ



其 中 ａ 为 常量系数 ， 取值通 常 取 ２ 到 ３ 。 通过采 样矫正 ， 可 以 保证对 图案化 晶 圆 均句




采样的 同 时 ， 不会造成大量算力 浪费 。 当 图 像上
一

个像 素 点 对应 多 个采 样点时 ， 采取平均



值策略 ， 对 多 个采样 点 信号 取平均 值 作 为 重构 图 像 的 灰 度值 


。

３ ． １ ．
３ 点扫 描暗场装置 时 间 效率分析



图 案化 晶 圆 是 由 重 复 子结构单元 晶元 （ Ｄ ｉ ｅ ） 所构 成 ， 每块 晶 元 通 常 呈 矩形 ， 因 此以矩



形 区 域为 例 分析 点 扫 描暗场技术扫 描 图 案化 晶 圆 时间 效率 。 如图 ３ ． ７ 所示 ， 矩形 区域长度



为 《 ， 宽度 为 ６ ， 传 动平 台 平移速度 为 Ｖ 。 对于螺旋线扫 描 ， 可将其转移到极坐标系 下表




示 ， 则 螺旋线极坐标表示方程为 

：

（
３ ＿ ７）



如图 ３ ． ７
（
ｂ） 表示 ， 在极坐标 系 下 ， 遍历所需 时间 ４ 即 为 沿极轴 方 向 平移到 边缘所需 花



费的时间 

：

２ 

２

＾ａ ＋ ｂ
３ ＿ ８
（ 

）

Ｓ Ｌ Ｚ Ｌ


（
ａ）
ａ

笛 卡 尔 坐 标 系 下 轨 迹
Ｉ

（
ｂ） 极坐标系 下轨迹


ｙ
ｊａ
２
 ＋ ｂ



＂

图 ３ ．
７ 点扫描轨迹示意 图



３ ０


 ３ 基于 明 暗场 多 扫 描方式 图案化 晶 圆 成像研 究
 



如图 ３ ． ８ 所示 ， 以 全覆盖无遗漏扫 描 晶 圆 区域为 前提 ， 此 时可设采样频 率足够大 。 


若

采用 沿直线 Ｓ 型扫描 晶 元 区域 ， 晶 元矩形 区 域长 和 宽分别 为 ａ 和 激光扫描 点 处所成光




斑直径 为 ＾／
， 传动 机构 水平移动 速度 为 ｖ ， 则 Ｓ 形扫描 晶 元矩形 区域所耗费 时 间 为 

：

ａ ｂ ｂ
 

＾
ｔ
， 
＝
－
？ －

 ＋ 
－

 （
３ ． ９


）

ｖ ａ ｖ





ｂ




ａ

图 ３ ． ８ 直线 Ｓ 型扫 描 晶 元轨迹示 意 图



若 比较两种扫描方式 时 间 效率 ， 只 需 将其做差 ， 如式 （
３ ． １ ０） 

：

￣
２

編 綱

４ ＋
」
义
（ ） （

叫 十 ＂ ２
（
３ ． １ 〇）



２ ｖ （ ａ ｂ ＋ ｂｄ ＋
    ＼ｌ ａ  ＋ ｂ 


）

由 于光斑采样 区 域直径 ｄ 远小 于 晶 元 宽 度 ， 因 此有 Ａ （ ＜ ０ ， 即 ＾ ＜ ６
。 也就 是说 ， 

当

采取 点 扫 描 暗场成像装置对待测 晶 圆 样 品 扫描时 ， 采用 螺旋线扫描策略 比直 线 Ｓ 型扫描策




略所需 时 间 更短 ， 效率更高 ， 符合 ３ ． １ ． １
所示装置设计 

。

３ ． ２ 基于线扫描 的 明 暗场成像技术



３ ． ２ ． １
线扫描相机成 像模 型



线扫描相机 ， 是采用 线 阵 图 像传感器 的相 机 ， 线 阵 图 像传感器 以 ＣＣＤ 为主 。 在图案




化晶 圆 检测 中 ， 线扫 描相机 由 于 其横 向分辨率 高 ， 并且扫 描速度快 ， 能够满足某 些吞吐量




要求高 的 图 案化 晶 圆 检测场景 。 如图 ３ ． ９ 所示 ， 线扫 描相机通过逐行扫 描运动 中 的 待测样




品 获得 图像 其 图像是 由 帧 帧的像素构成
一 一

， 

。

３ 

１
 浙江大 学硕 士 学位论文



Ｌ ｎｅｉ
－

ｓｃ ａｎ  Ｔ ｌｉ ｅｉ ｍ ａ
ｇ
ｅｉ ｓ



＼  Ｃ ａ ｍ ｅ ｒａ ｃｏｍ
ｐ ｏ ｓ ｅ ｄｏ ｆ



  Ｓ ｃ ａｎ
 ｌ ｉ ｎ ｅ  ｆｒ ａ ｍ ｅ ｓ





Ｘ

图 ３ ． ９ 线扫描相机工作示意 图



线扫描相机构成 主要有 以下几个部分 ： １ ．

控制 分析主机系 统 。 用 来 实现控制 内 部 芯 片



响 应 以 及 数模信 号 转 换 等 功 能 ；
２ ．
固 定用 机械机构 。 用 来 固 定线 扫描 相 机位姿 ；
３ ．
视觉控



制装置 。 包括线 阵相机 、 镜头 、 光源 、 线扫描影像采集 卡 ， 是获 取 图 像 的 主 要 机构 ；

４ ． 

运

动控制 装置 。 包括马 达 、 马 达驱 动 器 、 旋转编码器 、 运 动 控制 卡 、 ＰＬＣ 、 传感器等 ， 用来




控制 样 品 及装置的运动 

。

线扫 描相 机必须相 对于物体移动 以 获取有用 的 图 像 。 相机和物体之 间 的 相对运动 与相




机 内 参相关 。 目 前最 常见 的 相 对运动 方式是线 性运动 ， 即 相 机相 对 于 物 体沿直 线 以 恒 定 的




速度移动 ， 相 机的 方 向 相 对于物体是恒定 的 ， 并且对于 所有 图 像而 言 相 对位置都 相 同 。 


在

这种情况下 ， 可 以通过运动矢量 〖
／＝
（ ＼ ＆ 圪， ， ） 来描述匀 速线 性运动 ， 如图 ３ ． １ ０ 所示 ， 

向

量 ｒ 很好 的描述 了 单位时 间 内 扫描线步进的距离 。 在 实 际 检测 系 统 中 ， 相机往往是 固 定 的 


，

而样 品 放在传统 装置上进行匀 速移动 ， 因此

－

Ｆ 可 以用 来描述运动矢量 

。

３ 

２
 ３ 基于 明 暗场 多 扫 描 方式 图 案 化 晶 圆 成 像研 究 



 

Ｌ ｎｅ ａｒ
ｉ ｉ ｍ ａ ｇ ｅ  ｓ ｅ ｎｓ ｏ ｒ  ／





寶



ｓ
ｎ
．

图 ３ ． １ ０ 线 扫 描相 机模 型示 意 图



图 ３ ． １ １
为 线扫描 相 机拍 摄模型 示 意 图 。 如 图所示 ， 相 机坐标系 原 点 位于投影 中 心 

，

相机坐标系 ＆ 轴与光轴重合 ， 并设定 方 向 为 使 相 机 前 端所有 点 ２

；
轴坐标为 正数 的方 向



轴与 由 １ 轴 和 传 感 器构 成 的 平 面所 垂直 并设定方 向 使运动 矢 量 ，
Ｆ 为 正数 通过上述设定
。 

，

当 被测物体静止 ， 相机移动 时 ，
又 轴 指 向 运动方 向 ；
当 相机静止 ， 被测 物体运动 时 ，
义 

轴

指 向 运动 反方 向 。 由 于运动方 向 相对 ， 下文 以 被测样 品 静止 ， 相机运动 情况做假设 ， 不影




响 后续分析 

。

与 点扫描暗场装置类似 ， 同 样需要完 成从世界坐标系 （ ＷＣ Ｓ ） 到 图像坐标系 （ Ｉ ＰＣ Ｓ 


）

的转化 。 随着被测物 品 的 移动 ， 世界坐标 系 与 相机坐标 系 的相 对位置 每个 时 刻 都不 同 ， 


意

味相 机每扫 描到新 的 行 就有 个不 同 的 相 对位姿 利 用 运动 为 匀 速线 性运动 的 特 点

一 一

，
。 

，

可 以求解任意 时刻世界坐标系 与 相机坐标系 的转换关系 。 这种关系 可以用 （

《 ， ／
？
， ７４ ，
 ＆ Ｇ ， 

）

来描述 。 这 六 个参数 称 为 线 扫 描相 机外参 ， 可用 来表示世界坐标系 与 相机坐标系 的坐标转




换关系 

。

通过外参得到 了 世界坐标 系 到 相机坐标 系 的 相 互 转换关 系 ， 只 需得到 线扫描模型下相




机坐标系 到 图像坐标系 的转换关 系 ， 就可完 成 图 像像 素 与 拍 摄样 品 的位置 映射 


。

３３


 浙江大 学 硕 士 学 位论文
 



－

Ｃ ａ ｍ ｅ ｒ ａｃ ｏ ｏ ｒ ｄ ｉ ｎ ａ ｔ ｅｓ
ｙｓ ｔ ｅ ｍ



， ／Ｋ （
＋

ｗｖ ，
：
ｒ 

）

． ＼  ＼ Ｌ ｉ ｎ ｅ ｒｉ ｍａ
ｇ ｅｓ ｅ ｎｓｏｒ



ｊ
ｊ

＾ 
＼ Ｓ  ＇
ｃ ｏ ｏ ｒｄ ｉ ｎ ａ ｔ ｅｓ
ｙｓｔ ｅ ｍ



＾

￣

ｙ／  ／  ／  ｙ  ｙ  （
／
％ ｃ 

）
Ｖ ｉ ｒｔ ｕ ａ ｌｉ ｍ ａ ｇｅｐ ｌ ａｎ ｅ  ７  ７ｐ ＼ 
 ｊ
Ｉ


产＼
… ―

ｒ Ｖ 

＼



Ｉ ｍ ａ ｇ ｅｐ ｌ ａ ｎ ｅ ＼



ｃ ｏ ｏｒｄ ｉ ｎ ａ ｔ ｅｓｖｓ ｔ ｅ ｍ
＼



（ ＇
－

，
，


〇
？

图 ３ ．
１ １
线扫描相 机拍摄 图 像示 意 图



确 定 相 机 坐 标 系 到 图 像 坐 标 系 的 参 数 称 为 线 扫 描 相 机 内 参 ， 记 为



其 中 为 比例 因 子 ， 描述 了 线扫描相机坐标系 到 图像坐标系



的单位 （ 像素 ） 转换关 系 。 Ｋ 为径 向畸变 因 子 ， 若无畸变则 Ａ Ｔ  ＝ 〇 。

＆ ＆ ， ．
描述线阵 图像传



感器相 对于投影 中 心 的偏移量 。 如图 ３ ． １ １ ， 通过 建 立 点 世 界 坐标 系 中 点 尸 与 图 像坐标 系 点




Ｐ 的 几何关系 ， 可 以 求得相 机坐标系 到 图 像 坐标 系 的 转换关 系 。 假设 Ｐ 点投射到 成像平面




相机坐标系 的坐标为 （
Ｗ ，
ｌ
〇 ， 考虑镜头畸变后 的坐标为 （
Ｗ ｊ ） ， 并求 解 非 线性 方程组 

：

Ｘｄｕ ｘ ｔｖ
—

ｃ 

ｘ

ｌｄ ｖ

＝
ｖ
－


ｙｃ ｔ ３ ． １ １
 （ 

）
ｙ

Ａｆ 
＝
 ｚ
－

ｔ ｖ
ｃ 

：

通过式 （
３ ． １ １
）
得到 ２ ，
ｗ 和 ／ 。 并根据式 （
３ ． １ ２
）
得到 图 像坐标系 坐标 

：

（
ｔ  ＼
（


Ａ
＝
ｕ  （
３ ． １ ２


）
—

＋ ｃ


ｘ

Ｕ 

Ｊ

３４


 ３ 基于 明 暗场多 扫 描方式 图案化 晶 圆 成像研究
 



最终通过标定确 定 摄像机外参和 内 参 ， 完 成从世界坐标 系 到 图像坐标系 的 转换并建立




映射 ， 从而构建 出 线扫描 图像 

。

３ ． ２ ２ ．

基于线扫 描 的 明 暗场成 像 系 统设计




图 ３ ．
１ ２ 展示 了 线扫描明 暗场成像装置 ， 系 统 由 四 个部分构 成 ， 分别 为 照 明 系 统 ， 

运

动控制 系 统 、 成像系 统和 图 像处理 系 统组成 。 照 明 系 统采用 ＬＥＤ 作为 光源 ， 通过准直 镜




产 生平行均匀 光 ， 以 明 亮带状照明 至 晶 圆表面 ； 传动系 统 由 电机 、 传动轴 、 承载装置等构




成 ， 将 待测 晶 圆 经 上 料 装 置 以 放 上承 载 盘 ， 通过精密机械控制 晶 圆 图案上 重 复 子结 构矩形




长方 向 与传动方 向 垂直 ， 设 定 传 动 速度 与 线 扫 相 机行频 相 匹 配 ； 成像系统分为 明 场成像系




统和 暗场 成 像 系 统 ， 明场成像系 统置于反射光方 向 ， 主 要 收集反射光 ， 暗场成像系 统置于




晶 圆 法线方 向 ， 收集散射光 ； 图 像处理系 统对通过线扫 描相机获取 到 的 图 像进行处理 以 及




缺 陷 的 定位和 特征提取 

。

Ｌ ｎｅ Ｓ ｃ ａｎ
ｉ 
 －

ＣＣＤ




￣

ＬＥＤ 
ｎ Ｉ
１

 Ｌ ｎｅ Ｓ ｃ ａｎ
ｉ 
 －

Ｖｐ ｉ ｍ ａ ｇ ｉ ｎ ｇＬ ｅｎｓ  ＣＣＤ




Ｃｏ ｌ ｌ ｉ ｍ ａ ｔｉｎ ｇ
 

丨

＾
Ｌ ｅｎ ｓ ｅ ｓ ，
＾  Ｉ ｍ ａ ｇ ｉ ｎｇ Ｌ ｅ ｎｓ



ｃ 〇 ｎｖｅｙ 〇 ｒ
二 丄二 

＇



￣

＾
（ Ｖ Ｖ Ｖ Ｖ （ （ （ Ｖ ＼ Ｗ （
ａ ｆｅ ｒ



ｏ ｎ
Ｓ ｍｐ ａ 

ｅ
 Ｍｏ ｖ
ｌ
＜ ｉ ｎｇｄ ｉｒ ｅ ｃ ｔ ｉ

图 ３ ． １ ２ 线扫描明 暗场成像 系 统示意 图




通过线扫 描相机获取 图案化 晶 圆 有 以下优 势 


：

１ ．

线 扫 描传 感器 当 前水平分辨 率 最高 可达 １ ６ ３ ８４ 像素 ， 且垂直方 向 不受 限制 ， 与 面 阵相



机 比 具有 更高 的横 向 分辨率 

。

２ ．

动态范围广 。 扫描速度和 信号 转换速度 较快 ， 具有很 高 的 响应度 ， 即 便是在低照 明 的




工 作环境 当 中 ， 也 能进行动态测量 

。

３ ．

传输效率高 。 具备 高速 的 数据 传输 效率 和 速度 ， 适用 于 高速检测 ， 运用 在 晶 圆 检测 生



产线 中 能 提高晶 圆吞吐量 

。

３ ５


 浙江大 学硕 士 学位论文
 



４ ．
结构简单 ， 成本较低 。 检测 同 等范 围 区域 内 样 品 所 需 相 机数远小 于 面 阵相 机 ， 通常只



需 台线扫 描 相 机就 能 完 成 定区域 内 检测功 能

一 一



。

由 图 ３ ． １ ２ 可以看出 ， 通过将线 阵扫描方式 与 明 暗场成像相 结 合 ， 能够 同 时在 晶 圆 运




动扫描过程 中 获得明场和暗场 图像 ， 而 不 需 再另 外搭建成 像 系 统 


。

在照明 方面 ， 通过 ＬＥＤ 宽光谱可见光源并利 用 准直镜提供均匀 的线状光斑 。 ＬＥＤ 


光

源具有稳定性 高 ， 寿命长 ， 低功 耗 ， 亮度高 ， 频谱范 围广 等特点 。 ＬＥＤ 光源通 过准直 镜形




成 的线形光斑能 最大程度集 中 能 量 于 线扫 相 机扫 描线 附近 ， 加 强反射光和 散射光 的 响 应 


，

增 强微弱 缺 陷 的检测 能力 

。

Ｓ ａ ｍｐ ｌ ｅｍ ｏ ｖ ｎ


ｇ
ｉ

ｄ ｉ ｒｅｃ ｔ ｉ ｏ ｎ



０２４ ６ ３ ８４） ｘ
ｐ
－
１ ｌ
（
１
 ｉ ｘ ｅ ｌ

Ｐｉｘｅｌｓ
Ｊ


Ｍ  Ｍ Ｍ Ｍ             
Ｉ    Ｍ  
Ｉ Ｉ Ｉ Ｉ Ｉ Ｉ  Ｉ Ｉ   
Ｉ Ｉ Ｉ Ｉ Ｉ Ｉ Ｉ Ｉ Ｉ Ｉ Ｉ Ｉ Ｉ Ｉ １ １ Ｉ １ ｉ １ １ Ｉ Ｉ １ １
Ｉ
１ Ｉ 

Ｉ

图 ３ ． １ ３ 线扫描芯片结构示意 图



图 展示 线扫描相机芯 片 内 部结构示意图 前每 行最高 能有 个像素

一

３ ．
１ ３ 了 。 目 １ ６３ ８４ 

。

通 常 线扫描相机 图像传感器采用 的是线阵 Ｃ ＣＤ ， 市面上线阵 ＣＭＯ Ｓ 为少数 。 如图 ３ ． １ ４ 


所

示 线阵 ＣＣＤ 传感器 由 行对光照 十分敏 感 的 光 电探测 器组成 光 电探测器是 种基于



一
一

， 。

光 电效应 ， 把光信号 转化为 电子信号 的 器件 ， 对于线 阵 ＣＣ Ｄ 而言 ， 光 电探测 器通 常 为 光




电 二 极管 。 光 在 光 电 转换器 中 转换为 电荷 后 ， 转移至 串 行读 出 寄 存器 中 ， 后通过 电荷转换




器 以 及放大器放大读 出 

。

线 阵 ＣＣ Ｄ



光电 二 极管


ｙ
＿＿ ＿ ＿ ＿  ＿  ＿ ＿

Ｍ １ １ Ｍ Ｍ Ｍ

  

Ｊ  ＾

串 行 读 出 寄 存 器 电 荷 转 换 及 放 大



图 ３ ．
１ ４ 线阵 ＣＣＤ 结构示意图



３ ６


 ３ 基于 明 暗场 多 扫描方式 图 案化 晶 圆 成 像研 究
 



如图 ３ ． １ ２ 所示 ， 本节 所研 究 装置将线扫描成像装 置 与 明 暗场 成 像结 合 ， 空 间 上在机



构 中 同 时部 署 了 明场 、 暗场线 阵 图 像传感器 ， 做到 了 实 时 明 暗 场数据对应 ， 为 后续 图案化




晶 圆 缺 陷检测 提供 了 信息 数据来源 

。

３ ２ ３
． ．
线 扫 描 明 暗场 缺 陷 检测 装置 时 间 效 率 分析



线 扫描相 机行频指 的是单位 时 间 内 相机采集 多 少 行 图像数据 ， 单 位 通 常 为 好ｆ

ｃ 。 扫描



速度 是相 机 的 重 要 参数 ， 在 图 案化 晶 圆 检测过程 中 ， 物体移动速度 需 要 匹 配行频 ， 否则所




成 像模糊 、 扭 曲 ， 无法反映 出 被测 物体 。 线扫 描 相 机 的 行频 受 到 芯 片 所 能 承 受 最 高 时钟 数



的制约 

。

设线 阵 相 机扫 描 线 上 的 像 素 数为 丑  ￡
（ 单位 ：
ｐｉｘｅｌ ） ， 待测样 品 宽幅为 总 （ 单位 ： ｍ ） 

，

样 品 匀 速传动速率为 ， 线扫描采样频率 ，
ｆ 表示 每秒扫 描 多 少 线
即 行 频 记 作 Ｇ  单 位 ／ｅ （
，
） 

。

可得到 横 向 的 扫 描 精 度 Ｐｉ ｆ 为 

：

ＰＨ ：

今  （
３ ． １ ３


）

纵 向 扫描精度 ＰＬ 为 

：

ＰＬ ＝
Ｊ
－ ＾ （
３ ． １ ４）



Ｋ Ｔ
．



。

其 中 ７
；
为扫描
一

帧 图 像线扫描 相 机所需 要 的扫描 时 间 ，

ｒ。 为扫描
一

帧 图像 目 标物运 行



的时间 ， 因 此有 ７
；
＝
７
；


。

由 横 向 分辨率和纵 向 分辨率相 等 ， 即Ｐ ／／  ＝  ＰＺ ：
， 可得 

：

ＬＶ


＾
Ｖ〇 ＝
 ３ ５）
－

Ｔ
１
７
－

（ 


Ｈ 

ｃ

通过式 （
３ ． １ ５
） ， 建立 了 待测样 品 移动 速度 ｒ。 与 行频 匕 之 间 的约束关系 ， 设 图案化 晶 

圆

检测 表 面 待检测 重 复 子结 构 晶 元长度 为 可得扫描 行 晶元所需 要 的 时 间 为

一

，
？ 

：

ｔ
＝ ＾Ｒ ＪＬ  （
３ ． １ ６）


Ｌ０ Ｖ 

Ｃ

３ 

７
 浙 江大 学 硕 士 学 位论 文
 



由 式 （
３ ． １ ６） 可知 ， 扫描时 间 ？ 与 行频 Ｇ 成 反 比 ， 因 此在适 当 范围 内 提高范 围能 减少 晶 元



扫描 时 间 从而提升线扫描 明 暗场 晶 圆 检测系 统吞吐量 


。

３ ． ３ 基于 面 阵 的 明 暗场成像技术



３ ．
３ ． １
面 阵相机成像模型



面 阵相机是 以
一

定矩形 区域为 成 像 范 围 的相机 ， 它采用 面阵 ＣＣＤ 或面阵 ＣＭＯ Ｓ 作为




图像传感 器 。 由 于成像时 ＣＣＤ 或 ＣＭＯＳ 靶面 为 矩形 ， 因 此所 成视场 也 成 矩形状 ， 并可通




过相 机拍 摄 最终获得描述 目 标物体信 息 的 二 维像 素 矩 阵 。 和 线扫 描相 机相 比 面 阵相 机拍 摄



时物体无须运动 ， 因 此相 比之下适用 范 围 更广 ， 可方便地对指定 区 域进行 成像 


。

如图 ３ ． １ ５ 所示 ， 采用 针孔相 机模 型 对 面 阵相 机成 像做 筒 要 说 明 。 图 中 展示 的 为 针孔



相 机成 像 的投影模型 ，
尺 为 待成像物 点
， ， 位于世界坐标系 中 （ ＷＣ Ｓ ）
。 通过投影 中 心进



行投影 变 换 至 成 像平面 尸 点 。 考 虑 无畸变情况 ， ，

与 尸 点 连线理论 上应过投影 中 心 ， 但 

由

于畸变存在 ， 将导致 Ｐ 点 位置偏移 


。

Ｗｏ ｒ ｄ
ｌ  ｃ ｏ ｏ ｒ ｄｉ ｎ ａ ｔ ｅ  ｓ
ｙｓ ｔ ｅ ｍ  （
．
＇
＇ ｉ
．

，
只 ｖ
，
么
、 ｖ ）  ｒ
 ？ ＾ －



ｖ


＂

Ｃａ ｍ ｅ ｒ ａ  ｃ ｏ ｏ ｒｄｉ ｎａ ｔ ｅ  ｓ
ｙｓ ｔ ｅｍ
（
Ａ ，

， Ｖ ，
Ｚ 

）
ｃ

ｆ （

图 ３ ． １ ５ 针孔相机成 像模 型



像面 与 投影 中 心距离 为 ／ ， 位于投影 中 心正后端 ，

／ 为 相机主距 。 通过 图 ３ ． １ ５ 可知



在物空 间 内 ， 位于世界坐标系 的物 电通过投影 中 心进行投影变 换成 像 与 像 空 间 的像面 。 


基

于此可 以 得到 三维世界坐标 系 与 二 维成像平面 的 坐标变 换规则 


。

３ ８


 ３ 基 于明 暗场 多 扫描方式 图案化 晶 圆成 像 研究





Ｖ ｉ ｒ ｔ ｕ ａ ｌ  ｉｍ ａ
ｇｅ ｐ 
ｌ ａｎｅ



ｙｓ ｔ ｅ ｍ  （ ｘ
＇

Ｍ ｏｒｌｄ
  ｃ ｏ ｏ ｒ ｄｉ ｎ ａ ｔ ｅ  ｓ ．

， １ ｒ
Ｚｕ 

）
ｕ ｌ ｔ


Ｃａ ｍ ｅ ｒ ａ ｃ ｏ ｏ ｒ ｄｉ ｎ ａ ｔ ｅ ｓ ｙ ｓ ｔ ｅ ｍ
 （ Ｖｃ Ｖ ２



－
  ．

，  ． 

ｒ ）
ｒ ｊ

图 ３ ． １ ６ 面 阵相机坐标转换示意 图



图 ３ ． １ ６ 描述 了 面 阵相机模 型 中 ３ Ｄ 世界坐标到 ２Ｄ 图像平面和相应 的相 机参数 的 映




射 与 尺 同 侧 的平面为 虚拟成像平面 为 成 像平面关于投影 中 心 的 对称 通过虚拟成像



一

， ．
， ，

平面能够方便得到 变 换后 的坐标 。 首先 ， 点 及 位于世界坐标系 （

ＷＣ Ｓ ）
中 的物点 ， 由 物点到



最终 图像坐标系 中 需要 首先将其转换为 相机坐标系 （ ＣＣＳ ） 。 定义 ＣＣ Ｓ 的 ｘ 轴和 ｙ 轴分别




平行于 图 像 的列 轴和行轴 ， ｚ 轴 垂直于 图 像平 面 其方 向 为 指 向 前方 的 点 具有 正 的 ， Ｚ 坐标




从 ＷＣ Ｓ 到 ＣＣＳ 的 转 变 是
一

种 刚 性 的转变 ， 即 先旋转后平移 。 则 世界坐标 系 中 点




与 相机坐标系 中 点 的 坐标转换关系 如下 

：

Ｐ Ｃ
＝
Ｒ Ｐ， Ｔ  （
３ ． １ ７）



其 中 及 八／ 为 个旋转矩 阵 为 横 向 平移 向 量 旋转矩阵 ｒ 中


一

，
＝
 ／？
（
？ ， ）
， 。

？ ，
０ ，
， 分为 为 绕相机坐标轴 ｘ 轴 ，
ｙ 轴 ，
ｚ 轴的角 度 。 具体表达式如下 

：

’ 

、
 ０ ０  ０ ｓ ０
 ｃｏｓ ？ ｎ ｃｏｓ ｙ ｎ ｙ
－

１ ｉ ？ ｓ ｉ
／ ／
） 〔 〕 「

Ｒ （ａ ，
３ ／）
ｊ ，
＝
 ０ｃ ｏ ｓ ａ
－

ｓ ｉ ｎ ａ ？

 ０  ０ １
？

ｓ ｎ ＾ ｃ ｏ ｓ 尸
ｉ
 ０ （
３ ． １ ８ 

）

ｖ
〇 ｓ ｉ ｎ ｏ ｃｏ ｓ ａ
 ｒ

 八 —

ｓ ｉ ｎ  ００ｃ ｏ ｓ ｆ 
 八 ０  ０ ＼


ｙ

及 和 ｒ 中 的六个参数 为 面 阵相 机外参 ， 决定 了 相 机坐标 系 与 世界 坐标 系 的 相 对位置 


。

下 步要将三维 空 间 点 ｇ 从相机坐标系 投影 至 图 像平面 坐标 系 ＰＣＳ 对于 针孔 相 机模



一

（ Ｉ ） 。

型 ， 投影 为 透视投影 ， 表示为 

：

３ ９



浙江大 学碩 士 学位论文 





、

ｆ（ Ｘ
＝ 丄  ｃ

（
３ ． １ ９）



ｌ
ｖ
Ｊ  ｚＡ ｙ 〇 

Ｊ

对于远心镜头相机而 言 ， 该投影 为 平行投影 ， 表示为 


：

ｆｕ
＼
 （ ｘ  ＼ ｃ
＝
 （
３ ２０．



）

式 （
３ ２０．

） 说明 ， 远心镜头 目 标与 相机的距离 ＆ 不影响 图像坐标系 中 坐标 


。

若考虑畸变 ， 导致坐标 （
ｍ ｖ），
发生偏移 ， 记作 （
Ｍ ， ｂ ， 对于 多 数镜头 ， 该畸 变 可近似 看 作



径 向 畸 变 文献 （ ，
Ｐ２ ５ ９） ， 偏移变化如式表示 

：

Ｍ
＇

２ ｆｕ 

］
＝
 ３ ２
￣ ￣ ￣ － －

厂 
－
－
（ 

）
２ ２
＋ ４ ｋ（ｕ ＋ ｖ ｖ


Ｊ
－

Ｖ
＼
 ＾ １ 
）

其 中 ｓ： 为 径 向畸变 因 子 ， 若为正值为 枕型畸变 ， 负值为桶形畸变 


。

最终将 卜 ， 转换到 图 像坐标系 上 ， 如下式所示 


：

＼
Ａ

广 


＋  

ｃ

Ｍ 


ｙ
ｓ


ｙ
＝
（
３ ２２）
．



ｃ
ｖ ｙ ｕ


＋


心
—

ｓ
＼ ｘ ｙ



其 中 为 比例 缩放 因 子 。 对 于 针孔相 机模 型 ， 缩放 比 例 因 子 表示 图 像传 感 器上水平



和垂直方 向 上相邻像 素 的距离 ； 对 于 远心相 机模 型 而 言 ， 比 例 缩放 因 子表示像 素 在 世界坐




标系 （ ＷＣ Ｓ ） 的尺寸 。 ｃ
ｘ ，
ｃ
ｙ
表示 图 像主 点 

。

参数 ／ （ ， ＆＼ ＼ ４ ， ， ，
￡ ：

＞
） ）
称 为 面 阵相机的 内 参 ， 确定 了 相机从三维 空 间 到 二 维 空 间 的投



影 。 通过标定相机的外参和 内 参并矫正 畸 变 ， 最终 能够实现对三维 空 间 的 物体成 像 ， 将其




以 二 维空 间 的 图 像进行表示 

。

３ ３ ２
． ．
基 于 面 阵 的 明 暗 场 成像 系 统设计



图 ３ ． １ ７ 展示 了 基 于 面 阵 的 图 案化 晶 圆 案场检测 装置 。 如图 ， 该装置可 以 分为 照 明 系



统 、 成像系 统 、 运动控制 系 统和 图像处理系 统 四 个部分 


。

４０



３ 基于 明 暗场多 扫描方式 图案化 晶 圆 成像研 究









｜ 
Ｃ Ｃ Ｄ 

丨

 Ｏ ＾
Ｉ
ｐ ｔ ｃ ａ ｌｚ ｏ ｏ ｍ
ｉ 


 ｜
ｍ ｉ ｃ ｒ ｏ ｓ ｃ ｏｐ ｅ



Ｃ ｉ ｒｃｕ ｌ ａｒ ＬＥ Ｄ  ）


Ｌ ｉ
ｇ ｈ ｔ  ｓ ｏ ｕｒ ｃ ｅ 
 



－ …

暫 十


禮
， －

Ｓ ｃ ａ ｔｔ ｅ ｒｉｎ ｅ  一


广

？  Ｗ ａ ｆｅ ｒ  Ｓ ａ ｍｐ ｌ ｅ



／ － ￣ ￣
—

Ｘｓ ｔ ａｇｅ



Ｚ
．

 Ｒ Ｙ
一

ｓｔ ａ
ｇｅ


－


］  

图 ３ ． １ ７ 基于 面 阵 的 图 案化 晶 圆 暗场检测 装置



照 明 系 统采用 环形 白 光宽广谱 ＬＥＤ 光源 ， 通过 准 直 后 以 特 定 角 度 斜入射 于 被 测 晶 圆




表面 。 其 中 通过 机构 控制 可 以 调 整入射角 ， 采用 环形光 源可 以 保证均匀 照 明 没有 阴 影 。 


照

明 方式 为 暗场散射 ， 装置基于 暗场散射 ， 能 够 检 测 出 较微弱 缺 陷 


。

运动控制 系 统 为 一

个二维 ＸＹ 导轨平移平 台 。 由 于 图 像传感 器成像接 收面 为 矩形 ， 


因

此 对 应 物 方视场 也 为 个矩形 基于此 采取 平移蛇形扫描策 略 利 用 ＸＹ 导 轨 平 台 精



一

。 ， 了 ，

确 带动被测 晶 圆 样 品 ， 并实现 晶 圆 扫描矩形 全覆盖 


。

成像系统 中 采用 ＣＣＤ 作为 图像传感器 ， 并采用 变 焦 镜头 根据不 同 精度 控 制 放 大 倍数 


，

更 加 灵活 的 调 整 吞 吐 量 与 精度之 间 的 平衡 。 图 中 《 为 成 像 系 统散射 收集角 ， 该 角 与 入射 角




与 焦距有 关 ， 通 常该 角 越大 ， 收集到 的散射光 强度越 强 。 采用 面 阵 ＣＣＤ 的优 点 是可直接




获取二维 图 像信 息 ， 测 量 图 像直观 。 图 ３ ． １ ８ 为 全 帧 转 移 型 Ｃ ＣＤ 面 阵 传 感 器 的 基 本 原 理 

，

光在光 电探测器 中 转化为 电荷 ， 按行顺序 转 移 到 串 行读 出 寄 存器 中 ， 后 如 线 阵传 感 器般逐




行转 出 图 像信号 

。

４ 

１
 浙江大 学硕 士 学 位论文
 



面 阵 Ｃ Ｏ）



Ｘｙ  ｙ ｙ ｙ ｙ    

：
ｐ

ｘ ｙ ｙ ｙ ｙ ｙ      

ｘ

ｘｙ ｙ ｙ ｙ ｙ     

Ｘ

串 行读 出 寄存器
＝ ５ ｛ ＞ 电 荷 转 换 及 放 大 

图 ３ ． １ ８ 全帧转移型 ＣＣＤ 结构示意 图




图 像处 理 系 统通过计算机获取 图 像数据 ， 进行 图 像增 强 、 图 像分割 、 特征提取 等步骤 ， 


定

位图案化晶 圆 表面 缺 陷 位置并提取其特征 

。

图 ３ ． １ ９ 展示 了 基于面 阵的 图案化 晶 圆 明 场检测 系 统示意 图 。 如 图所示 ， 该装置可分




为 照明 系统 、 成像系统 、 机械控制 系 统和 图 像处理 系 统 。 机械控制 系 统与 图像处理 系 统与




上文装置类似在此不加 赘述 。 如图 ３ ． １ ９ ， 照明系统 中 的照 明 光路 与 成像系 统 中 的 成 像光路




通 过 分光镜进行耦合 ， 利 用 照 明 光路对物体进行 明 亮均匀 的照 明 从而 实现 明 场成像 


。

Ｃ ＣＤ ＣＭ Ｏ Ｓ

 ／

Ｅｙｅｐ ｉ ｅｃ ｅ





ｔ
Ｉ ｎ ｔ ｅ ｒｍｅ ｄ ｉ ａ ｔ 

ｅ

ｊ  Ｉ ｍａ ｇ
ｅＰ ｌ ａ ｎｅ



Ｆ ｉ ｅｌｄ Ｄ ｉ ａ
ｐ
ｈｒ ａ
ｇ


ｍ

Ｌ ｉ
ｇ
ｈ ｔ
 

＼

＂一


＋
鲁 ４
本
—  —  — －

 ｜
＼ 卜  Ａ ｐｅ ｒｔ ｕ ｒｅ  Ｓ ｏ ｌ



ｐ
Ｌ ｈ ｔ  Ｓ ｏ ｕｒ ｃ ｅ  

１
ｇ
ｉ

ｃｏｎ ｕ ａ ｔ 

ｅ
ｊ ｇ

Ｏｂ ｊ
ｅｃ ｔ ｉ ｖｅ  Ｌ ｅ ｎｓ



Ｓａｍ
ｐ
ｌ ｅＬ ｉ
ｇ
ｈ ｔ  Ｐａ ｔ ｈ ＿
＿
＿  

Ｉ

Ｉ ｌ ｌ ｕｍ ｎａ ｉ
ｔ ｉ ｏｎＬ ｉ
ｇｈ Ｐ
ｔ ａｔｈ 
Ｗ ａ ｆｅ ｒ  Ｓ ａ ｍｐ ｌ 

ｅ



Ｔ

一
－
 Ｘ ｓ ， ａ
？


ｅ
一


＂

Ｉ ｂ ］
？ 
Ｙ  ｓｔ ａ
ｇ


ｅ

图 ３ ． １ ９ 基于 面 阵的 图 案化晶 圆 明 场检测 系 

统

成像光路通过物镜和 目 镜 两 个透镜组成 的 放大 系 统对待测 图 案化 晶 圆 成像 并用 ， ＣＣＤ




接收放大后 的像 ； 照 明 系 统使用 科勒照 明 ， 在整个视野 范 围 内 提供明 亮均匀 的照 明 


。

４２


 ３ 基于 明 暗场 多 扫 描方式 图 案化 晶 圆 成 像研 究
 



科勒照 明 系 统 由 光源 、 视场光 阑 、 聚光孔 阑 （

ｃ ｏ ｎ ｄ ｅ ｎ ｓ ｅ ｒ ａｐ ｅ ｒｔ ｕ ｒ ｅ ） 和 聚光透镜构 成 。 照明



系 统 被 配 置 为 使 得 光 源 的 图 像 完 全充 满 聚 光 孔 懒 。 通过调整装置位置 ， 使得 目 镜 的视场光



阑 ，
ＣＣＤ 中 的视场 光 阑 ， 物平面和 中 间 图 像面位于 共轭平面 内 。 同 样 ， 灯丝 ， 聚光镜的前



孔径 ， 显微镜物镜 的 后 焦平面 （ 孔径光 阑 ） ， 目 镜的 出 瞳 也位 于 共 轭平 面 上 。 科勒 照 明 通过




使光 源处于 相对于 被照 晶 圆 样 品 无 限远处来获得均匀 的 照 明 


。

综上 ， 该系 统通过科勒照 明得到 均匀 照 明 的 明 场成像 图 片 ， 并通过精 密 运动控制 系 统




迭代 地扫 描被测样 品 ， 最终通过 图 像处理 系 统矫正畸 变 并定位 图 案化 晶 圆 表 面 缺 陷位置并




完 成特征提取 

。

３ ．
３ ． ３ 面 阵 明 暗场缺 陷检测装 置 时 间 效率 分析



３ ． ３ ． ２ 节介绍 了 面 阵明 暗场缺 陷检测装置 。 不论是明 场和 暗场 ， 都是 通过运动控制 系 统




进行蛇形扫描对 晶 圆 进行检测 。 由 于 图 案化 晶 圆 检测 要求检测精度 高 ， 因 此成 像放大 系 数




大 ， 视场范 围小 。 现考虑 对 图 案化 晶 圆 上的 重 复子结构 单元 ， 即晶元 （ Ｄ ｉ ｅ ） 的 检测 进行 时




间 效率分析 

。

ｙ
ｆ



Ａ ｉ Ａ ２
 ＃ ＃ ＃ ４ ， ７






＾
ａ


？  

ｙ

＾
＊
Ｄ ｉ ｅｔｏｂ ｅ



ｄ ｅｔ ｅｃ ｔ ｅｄ





卜

图 ３ ． ２０ 基于面 阵 晶 圆 检测 装置扫 描路线示意 图




如图 ３ ． ２０ 所示 ， 待检 晶 元呈 矩形 。 设面阵 Ｃ ＣＤ 成像面 大小 为 ｌ ｘ
ｆ Ｚ？
， 晶元 Ｄ （
ｉ ｅ
） 大小 为



ｍ ｘ ／ｊ ， 设成像系 统放大倍数为 则 物方视场大小 为 


：

Ｆ － ￣

 （
３ ． ２３ 

）

４３



浙江 大学 硕 士 学位论 文 



在扫描过程 中 为 保证扫描过程无遗漏 在 两个视场 中 间 需要 定 的 重叠量 设水



一

， ， 。

平 竖直 两 个 方 向 物 防视场 重 叠量 大小 分别 为 ＾ 和 ／
＾
可 计算 出 完 整 无遗 漏扫 描 晶 元所 需 要



的拍 摄成 像次数 ＃ ， 如下式所示 

：

＃ 
＝
 （
３ ． ２４）



ａ
－

ｌ
ｊ ｂ －

ｌ
ｙ


ｐ

设成像过程所需 时 间 为 导轨移 动样 品 至下 个视场 时 间 间 隔为 可 以得到扫



一

？
＾
， ，
。

描晶元所需的总 时 间



Ｔ 
＝
 Ｎ －

ｔ
０
＋  （
Ｎ －

ｌ
）
－

ｔ
ｌ 
＝ ■

（
ｔ
．
＋ Ｏ
－

ｔ
，  （
３ ． ２５）



ａ
ｊ ｂ 

Ｐ
－
－

ｌ ｌ
ｙ

由 式 （
３ ． ２ ５） 可以看出 ， 扫描时 间 与 放大倍数 以 及导轨传 动速度有 关 。 成 像系 统放大倍



数越大 ， 扫 描 晶 元 所耗 费 总 时 间 越长 

。

３ ４ ．
本章小结



本章 结 合明 暗场成 像和 不 同 扫描方式 ， 分别研究 了 基于 点 扫描 的暗场成像技术 、 基于




线 扫描 的 明 暗场 成像技术和 基于 面 阵 的 明 暗场成 像技术 。 其 中 介绍 了 点 扫 描 的 暗场成 像 的




装置 ， 并规划 了 点 扫描路径 、 推导 对应 轨 迹 坐 标和 重构 了 图像 ； 概述 了 线扫描 成像模型和




原理 ， 介绍 了 基于线扫 描的 明 暗场成像装置不 同 模块 ， 并从理 论 上 分析 了 扫描 时 间 效率 


；

概述 了 面 阵成像相机模型 ， 介绍 了 基于 面 阵 的 明 暗场成像装置不 同 模块 ， 规划 了 无遗漏检




测 晶 圆 表面 的扫描路径 ， 并对检测 时 间 效率做 了 理论推导 


。

４４


 ４ 基于 重 复 子结 构 序列 的缺陷 提取算法
 



４ 基 于 重 复 子结构 序 列 的缺 陷 提取算 法



通过第 ３ 章装置 的设计研究 ， 可 以 得到 不 同 扫描方式 与 明 暗场成 像相 结合的 图像 。 


本

章将给 出 基于重 复子结构序列 的缺 陷提取算法 （ Ｒ Ｓ ＳＤＥＡ ） 算 法 的 具体流 程 ， 对所得 图 像




进行处理 ， 最终检测 出 缺 陷并获得其特征 


。

４ ． １ 基于频谱 的 图 像角 度矫正



通过 多 扫描 明 暗场成像装置采集 系 统获取 的 图 像 由 于装置抖动 或 者 起始位置 不 正 ， 


可

能 导 致获取 的 图 像有 角 度 偏移 。 由 于检测缺 陷 的 思路是 比对重 复结构 单元且该单元是

一



个

矩形 ， 因 此应 保证 重 复 子单元矩形 为 竖直 方 向 ， 即长 与 宽和 图 像 的横轴纵轴保持平行 

。

本节 中 创新地利用 基 于频谱 的几何基元拟 合来进行矫正 。 原理为在 图案化 晶 圆 图 中 


，

每个重 复子结构 成块状重 复分布 。 并 且 蚀 刻 的 电 路 大 多 与 矩形 边框 平 行 ， 从 图像上看为 在




某个方 向 上存在着 定频率重复 出 现的纹理 基 于这 个特征 对 图 像进行 ＤＦＴ 变换 


可
一

。 ， ，

以看 到 频谱谱 线 具有 明 显 的倾斜 。 由 傅 里 叶 变 换 的平移特性可知 ， 这个倾斜 的 角 度 与 重 复




子 结 构 边框 与 图 像横纵轴夹角 角 度相 同 。 其算法流程 图 为 

：

， 输 入 ／
＾ ｊ截取感兴 ＋ 将
该 区域 Ｕ Ｕ 霍 夫 变ｉＵ 计 算 直 线 Ｕ 对 图 像 进 行
＾ ＋


＞
图像 趣 区 域 变 换到 频域 拟合直线 偏折角 度  仿 射 变 换



／        
  



图 ４ ． １ 基于频谱 的几何基元矫正算法流程 图



４ ．
１ ． １
基于频谱 的 晶 圆 偏 转角 度求解



晶 圆 图像 中 晶元单元矩形 区域与 图 像坐标系 坐 标轴不平行 ， 不利 于后续 图 像处理 。 


为

解决这个 问 题 ， 应先对 图像进行角 度矫正 ， 具体步骤 为 


：

１ ．

截取感兴趣区域 （ ＲＯ Ｉ ） 。 造 成 重 复 子结构 倾斜的 主 要原 因 是上料 时 由 于操作或系 统原




因 存在 一

定的角度偏差 ， 但 由 于 晶 圆 可看作刚 性物质 ， 即 整块物体是 同 时移动 ， 不存




在 错位现 象 因 此 只 需截取 块感 兴趣 区域作 为 频域变 换 即 可 不仅能准确得到 变



一

。 ， ，

换角 度 ， 还能提高算法效率 。 截取 的部分只 需 包含重 复子结构 区 域 内 直线 的细节 即可 


，

如图 ４ ２ 所示 在晶圆原图 中 截取 块矩 形 图 中 使用 黄 色标注 矩形 区 域 的 大小


一

．
， （ ） ，

为 
９０ ０ ｘ １ ６００ 

。

４５


 浙江大 学硕 士 学位论文
 



２ ．

图 像频
■ ■
域分析

 （
ａ）

。
截 取 感 兴 趣 区 域 示 意 图

如式 （
４ ．
图

１
） 所示
４ ２ ．

，
截取矫正参考感 兴趣 区 域示 意 图



区 域 内 的 直 线 灰度 变换可看 作 是周 期 性的 纹理变 化 时
（
ｂ） 左 图 黄框 区域放大 图





，

通过 二 维 离 散傅里 叶 变 换将 图 像从空 域转 到 频域容易 找 出 偏 转 角 度




Ａ／
 ｎ ｕｘ
－

１
＾ （ 

＼

 ＂
＝
）  （
４ － １


）

０ ？ ＝


０

其 中 ／（ｕ ）
表示截取感 兴趣 区 域 图 像位于 坐标 的 灰度 ， Ｆ （
Ｗ ，
Ｖ） 表示截取的感 兴



趣 区域的频谱 。 如图 ４ ． ３
（
ａ） 所示 的 为 截 取 的 ＲＯ Ｉ 在频 谱 上 的 幅 值 图 。 由 图 可知 ， 在频



谱幅值图 中 ， 幅值大 的 点 具有 明 显 的 共 线性 ， 并且主要分布在两个反 向 上并且共 线 


，

且这 些直线分别与 图 像坐标轴 中 的横轴和纵轴所成 的角 度相 同 。 而这个角 度即为 重复




晶 圆 子结 构 矩形 与 竖直 方 向 的夹 角 。 图 ４ ３
．

（
ｂ
）
通过选取 合适 的 阈 值 ， 能够 更加 明 显 的



看 出 幅值 高 的 点 所代表 的频 率具有 共线 性 

。

４６


 ４ 基于 重 复 子结 构序列 的缺 陷 提 取 算法
 



（
ａ） 感 兴 趣 区 域 频 谱 幅 值 图 （
ｂ
）
感 兴趣 区 域频 谱 二 值图



图 ４ ３ ．

角 度矫正截取感 兴趣 区域频谱 图



３ ．

霍夫变 换直 线拟合 。 通过频域 变 换 得 到 的 点 具有 共 线性 ， 这些直线 可 以通过霍夫变换




进行拟合 。 通常对 图 像进行二值化 ， 通过霍夫变 换找 出 图 像 中 的直线基元 。 如图 ４ ４


 ．

所示 ， 需 注 意 霍 夫变 换参数设定 时 需 要选取 合适 的 阈 值 ， 若 阈 值选取不 恰 当 会导致拟




合的 曲 线过 多 或 多 少导致最后直线选取 。 通过拟合后的直 线得到 的斜率 ， 便可知道重




复 子结构 区 域的旋转角 

。

＿ ■


ｋ｜Ｈ｜
ｉ ｓ Ｉ Ｒ ｍ ｉ


（
ａ
）
幅 值 图 经 边 缘 提 取 拟 合 的 直 线 图 二 值 图 拟 合 的 直 线 图



图 ４ ４ ．
幅值 图 经几何基元拟合得到 的 共 点 直 线示 意 图



通过选取 合适 的 阈 值 ， 能够得到检测到 的直线集合 Ｉ ， 可 以很容易 的把检测 到 的直线




分为 水平和 竖直 方 向 的 两个集 合 ， 如式 （
４ ２）．
所示 ， 每
一

个直线 对应
一

个角



度 

。

６ ＝
ａ ｔａ ｎ（ Ａ ｂ  ＾Ｌ
 ４ ２）
－

  ：
ｌ ．

ｔ ／
，
， ） （ 


４７



浙江大 学硕 士 学位论文 



其 中 勻 和 ｈ 是直 线 的 斜 率 和 截 距／ 。 由 此可 以得到变换的角 度为 

：

０Ｖ＝
Ｚ 〇 ０ ＾０  ４ ３）

－

＝ －

Ｈ ．
ｖｉ ｈｉ （ 


其 中 瓦 表示 ，
直线集合 中 ， 直 线 与 水平轴 的 平均夹 角 ， 这个角 度可表征重复 子结



构 区 域在 竖直 方 向 的 偏角 ， ＆ 表示 Ｚ
Ａ （） ｒｆ
ｅ （ Ｍ ，ａ ，
直线集合 中 ， 直 线 与水平轴 的平均夹角 ， 这个



角 度可 表征重 复 子 结 构 区 域在 水平 方 向 的偏角 ， 同 时有 孓 ＋ ＾ ＝ ￥ 

。



２

４ ． １ ． ２ 晶 圆 图 像偏移角 度矫正



得到 感兴趣 区域 的偏转角 度后 ， 利 用 这 个 角 度来矫正整个 图 像 ， 通 过 仿射 变 换矫 正 原




图 由 上 步 通过 霍 夫变 换拟 合直 线 得到 两 个 角 度 可得 到 最终 的 变 换角 度
一

。 

：

０
Ｒ 〇Ｉ
＝ — —

 （
４ ４）


．

其 中 ％ 表示截取 的 感 兴趣 区 域的偏移角 度 。 由 上文分析可知 ， 该 角 度与 整块 晶 圆 的




偏转角 度相 同 ， 即 

：

０ｍａ
ｇｅ 
＝
 ｅ
Ｒ Ｏｌ  （
４ ． ５）



其 表示所 采集得到 的 晶 圆 图 像的偏转角 度 以 图 像左上 角 原 点 为 锚点 可以得



■

中 。 ，

到 仿射变 换 旋转矩阵
５ ＜）
［ ］


：

＇ 

＂

ｃ〇ｓ ０ ｓ ｉｎ
＾ ０
－

ｉ ｍａ
ｇ ｅ 

Ｍ Ｈｏ ＝
ｃｏｓ ０
 ０ ４ ６）．

ｍ Ｒｏ ｔ ａｔ ｅ
—ｅ （ 


０  ０ 

１

将该矩阵应 用 于输入原 图 中 可得到 变 换后 的矩阵 ， 即 


：

Ｉ
〇ｍ 
＿

 ＾ Ｈｏ ｍＲ ｏ ｔａ ｔｅ
＾
ｉ ｎ  （
４ ． ７


）

如图 ４ ． ５ 所示 ，
ＲＯＩ 区 域通过仿射变换 ， 图 中 的纹理信 息 已经呈 竖直和水平分布 ， 

原

图通过仿射变换 ， 得到 的重 复 子结构矩形 区域的长短轴 与 图 像坐标轴平行 


。

４８


 ４ 基于 重 复子结构 序 列 的缺 陷提取算 法
 



ｍｍｉ  Ｈ ｉ



議
一

（
」

ａ
） 截取的
■
 

Ｉ

ＲＯ Ｉ 图 像 （
ｂ）


＿矫正后 的 ＲＯＩ 图 

像

图 ４ ５
．
角 度 矫 正 后 ＲＯ Ｉ 图 像变 化示 意 图



如图 ４ ６ ．
所示 ， 通 过矫正 ＲＯＩ 区域 ， 最终能将整幅 图片 的角 度进行矫正 。 由 于选取



ＲＯ Ｉ 只利用 图像
一

部 分信 息便可将整幅 图 像偏 转 的 角 度矫正 ， 大大提升 了 算法效率 ， 降低




了 时 间 复杂度 

。

Ｉ ｉ
ｆ ｉ  ；
：
Ｉ  ＃ １ ｒ 

１

（
ａ
）
晶 圆 明 场 图 像 （
ｂ） 角 度矫正后 图 像



图 ４ ６ ．
角 度矫正 后 晶 圆 图 像示意 图



４ ２
．

基于形状 的 重 复子结构 切割



通过角 度矫正 ， 已 经把 晶 圆 整体 图 像矫正为 竖直 方 向 。 现如今要从角 度矫正后 的 晶 


圆

图 中 划分除
一

个个 重 复 子结构 区 域进行独立检测 。 该步骤 的 要 求是 ： Ｌ 保证找到 的 重复 子




结构 区 域大小 形状严格相 同 。 ２ ．
保证算法 的 高效 ， 以 满足实 时性 

。

本节 利 用 基于形状 的模板 匹 配 进行重 复子结构 的定位 满足算法效率 再匹配



５
为
１

中 ［ ］
。 ，

过程 中 加入 了 图 像金字 塔进行优 化 

。

具 体 的算 法流 程 图 为 

：

４９


 浙江大 学硕 士学位论文
 



／ 获 取模
—
坐标空 间 Ｌ 位姿线性 引 入 图像 Ｕ 相 似度
４
记录 匹 配


区 域
｜

／ 板 图像 ，
转换 变 换 金 字 塔 衡量 


图 ４ ７
．

基于形状 的模板 匹 配算法流程 图




如图 所示 图 红色标注 区域为 以其 中 幅 图 为 标准 图 模板 匹配到 的重复子结



一

４ ８
．

（
ａ） ，
中 ，

构 区域 ， 结果如 图 ４ ８ （ｂ
．

）
中 绿色部分所示 

。

３ ｊ  
－



１

Ｓ １ … 

１

ｆ ＾
屬  ＾ 

）

（
ａ） 待 模 板 匹 配 图 （
ｂ） 匹 配结果



图 ４ ． ８ 基于形状 的模板 匹 配示 意 图



如 所示 ， 该表展示 了 部分匹 配 区域的参数信息 ， 可知通 过算法可 以得到 每

一

个匹配区



域的位置信息和 偏移角 度 。 由 表可知 ， 这些 匹 配 区域在精度 范 围 内 偏 移 角 度约 为 ０ ， 通过




匹 配区域的坐标可切割 出 重 复子结构 区域 

。

４ ２ ． ． １ 坐标 空 间 位姿转换



基 于 形状 的 坐标 匹 配利 用 的 是计算模板 图 像 与 被测 物体 图 像之 间 的 相似度 ， 而该相似




度用 两者的 空 间 向 量 来衡量 。 其 具 体步 骤 是 

：

１ ．

将模板 图像从坐标 空 间 转换到 向 量空 间 。 将 目 标对象 的模板定义 为 点 集 ａ ＝

（ ￣ ，
ｃ ｙ
，


。

我们 要将 图 像转换到 向 量 空 间 ， 需 计算 每个点对应 的 向 量 。 即 

：

腦 （
４ ＿ ８


）

５ 

０
 ４ 基于重复子结构序列 的缺陷提取算法





其 中 ，
ｘ ７ ，
表示模板 的 坐标 ，
／〇 ， ＞〇 表 示其 坐标值 。 在模板 图 像 中 求方 向 向 量可 以用



到 Ｓｏｂｅｌ 算子 ， 对模板 图 像在 空 域上用 Ｓ ｏｂ ｅ ｌ 算 子 的卷积 核进行卷积 即 可 得 到 方 向 


向

量 。 Ｓ ｏｂｅ ｌ
算 子表迖式如 下 

：

＇ 

＿

０
 ２ 
－

１ １ １ １

］ 「

Ｓｏ ｂ ｅ ｌ ｘ ＝
２  ０  ２  Ｓｏ ｂ ｅ ｌ ＾＝
００ ０ ４ ９）
－

（ 

ｙ

１  ０ １
」  －

２  －



１

如式 （
４ ９）
．
所示 ， 分别用 横 向 和纵 向 的 Ｓ ｏｂ ｅ ｌ 算 子 与 模板 图 像进行卷积 ， 即 可 得到 模板



图像的空 间 向 量 孓 

。

２ ．
将 目 标 图 像从坐标 空 间 转换到 向 量空 间 。 将 目 标对 象 的 每个点 （
ｒ ，
ｃ） 计算
一

个方 向 

向

量 。 即 

：

ｅ
ｒ
， Ｋｄ
（
，
）
＝
ｇ（ｒ ，
ｃ） ，

＾  （
４ ＿ １ 〇）



同 样地 ， 在图像 中 求方 向 向 量 可 以用 到 Ｓ ｏｂ ｅ ｌ
算子 

。

３ ．

位姿线性变 换 。 对整个 图 像进行 向 量 空 间 搜索 匹配 ， 即 将 转 换 后 的 模板 中 向 量 孓 与 图




像转换后 的 向 量 ＾ 进行 比对 。 通常 ， 这种 变换是个仿射变 换 ， 将 仿射变 换 中 的平移




分量分离 出 来可进行后续相似度衡量 。 因 此 ，
一

个线性 变 换模型 可 以通过 点 


；

以 及相应 的 变 换后 方 向 向 量 ４ 来 给 求得 表达式如 下
Ｉ

出
＇

ｃ／
， 
 ＝
（
ｄ ） 
，
ｄ 

：

（ ａ  ａ ．
－
．



＼

，


，
１ １ １

（
４ ． １ １


）

Ｖ
ｌ２
ｆ １ ａ ２２ 

Ｊ

通过上式 ， 该矩阵描述 了 图像 中 任 意 点 与 匹 配模板转换 的 线性 变 换模 型 


。

４ ２ ２
．
．
基 于模板 相 似 度衡 量 的 区 域 匹 配



通过计算模板 与 目 标图像任意点 区域的相似度 ， 即可获得该 区域与模板 的相 似 程度 


。

本节采用 的 方法基于 图 像的形状特征 （ ｓ ｈ ａｐ ｅ ｂ ａ ｓ ｅ ｄ －

） 通过 向 量 空 间 转换衡量 相似度 。 当 

该

相似程度大于 定阈值时 我们 即可认为该 区域匹配 通 过设 定 匹 配 分值计 算 规 则 并在



一

， 。 ，

匹 配过程 中 引 入 图 像金字 塔 以 加快效率 ， 达到 后续切割 重复子结构 晶 元 目 的 。 具体步骤为 


：

１ ．

相似度衡量 。 为 使相 似度 不 受遮挡 混乱 ， 通过计算 归 一

化后的 向 量 点积来表示其相似



度 

。

５ 

１
 浙江大 学硕 士 学 位论文
 



 ｅｐ ＋ ｐ Ｖ
Ｊ
Ｕ
＇

ｒ
＾ １
 Ｖ ＋ｃ
＇


．


＇

＋ｒ ＋ｃ
Ｙ ｙ
ｒ
１

ｃ
１
ｉ
－
  ，
＼ ｉ ，

４１ ２ 、
＿ ＿

  ｆ 


Ｐ， 
２ ２
” ｎ
， ，

ｅ ＋Ｍ ＋ Ｗｒ
Ｖ
％ ％
＝

Ｖ
＝ １
ｒ
．

ｉ

Ｐ＋ Ｐ
ｉ １
   ＇ 

＇


＇ ＇

Ｉ ｜
 Ａ ｒ ｃ＋ｃ ｃ ＋ｃ
／
｜
ｉ ｉ  ， ，
， ，

其 中 表 示变 换后 的模板 方 向 向量 表示 标 图像 点 的对应方 向 向 量
＇

，
式 ， ｅ ，
目 

。
ｐ＋／ ）

２ ．
引 入图 像金字塔 。 由 于 要 求检测缺 陷精度 高 ， 晶 圆 图像通 常很大 。 遍历 完 整幅 图 像很



耗时 ， 故可基 于金 字 塔对模板 匹 配进行优化 。 优化过程分为 以 下 三个步骤 ：

（
１
） 设置 金



字塔层数 。 构 建被测 目 标 图 像与 模板 图 像对应 的 层金 字 塔 图 像 ；

（
２
） 从金 字塔最顶层



起 ， 进行模板 匹 配 。 每
一

层都设置 一

个匹配阈值 ， 当 在该 点 小 于 阈 值 时直接舍弃 ， 在识



别 出 潜在 的 匹 配之后 ， 将在金字 塔 中 对其进行跟踪 ， 直 到 在 图 像金 字 塔 的 最低级别 找




到 它们为止 即 将金 字 塔 模板 匹 配 看 作 是 个搜索树 毎 层对应 个金字 塔 图 层

一 一 一

。 ， 

。

对于 目 标 图像的任意 区域 ， 在金 字 塔 高层低 分辨 率层数 得 到 的分值如 果低 于 阈 值 ， 


即

可判 定不 匹配 ， 跳到 下
一

个搜 索 点 。 这表现在搜 索 树上 即 为 搜 索 剪枝操作 。 事实上 ， 


可

采取不 同 的搜索策略 ， 如 表现 在 搜 索 树上 的 宽 度优 先 搜 索 和 深度优 先 搜 索 。 通过实验




证明 ， 宽度优先搜 索 的 效率 高 于深度优先搜 索 。
（
３
） 对查找 到 的金字 塔高层 匹 配信息 进



行 坐标映射还原 与 更新 。 对于高层 匹配到 的坐标点 ， 映射到 底层 时通 常是横 纵 坐标 乘




二 在下 层 中 的搜索 区 域对上层 的 匹 配坐 标 的 邻 域 内 进行校准 具 体 通过 再次计 算



一

。 ，

相似度量 、 进行 阈 值分割 以 及提取局 部极值 


。

表 ４ ． １ 展示 了 图 ４ ８ ．
中 ， 匹 配结果的 重心亚像素级坐标 ， 偏 转 角 度 以 及 匹 配分值 

。

表 ４ ． １ 匹配区 域参数表



匹 配 编 号 横 坐 标 纵 坐 标 偏 移 角 度 （
ａｄ）
ｒ 匹 配分值



１  ３ ５ ６９ ． ２６  １ ５ ４９ ． ０ ０ ０  ０ ０ ００ ２ ９ ３ ２ ９ ６  ０ ９ ２ ２ ３ ８ ６

 －

． ．

２  ３ ５ ６９ ． ４ ５ ７ ７ ３ ７ ９４ ．
－

０ ０ ０ ０ ２ ３ ０２ ９ ３
． ０ ． ９ １ １ ２ ６４



３  ２９８６ ． ６８  １ ５４９ ． ４ ３ ６ ０ ０ ０ ０２ ． １ ０４ ６ ７  ０ ９ ０ ３ ９ ６ ６

 ．

４ ２ ９ ８ ６ ８ ４ ７ ７ ３ ７ ８ ９ ０ ０ ０ ０ ． ． ． １ ０４ ９ ６ ３  ０ ９ ０ ２ ４ ５ ８

 ．

通过上表可 以看 出 ， 通过基于形状的模板 匹 配可 以找 出 所有 重 复 子结构 晶 元 区 域 。 


同

块晶 圆上 重复子结构单元 晶元 相似度极高 进行 分割 处 理后 对所有 晶 元 可 以 采取



一

， （ ） ，

相 同 的缺陷提取策略 

。

５２


 ４ 基于 重 复子 结构 序列 的缺 陷提取算法
 



４ ２ ．
． ３ 重 复 子结 构 晶 元 区 域分 离 切 割



通过模板 匹 配可 以得到 每 个重 复 子 结 构 区域重 心位置和 偏移角 度 由 于之前 已经进



一

行过角 度矫正 ， 由 表 ４ ． １ 可知 ， 这些旋转角 度在精度范 围 约等于 ０ 。 因 此可 以直接利 用 重




心 以 及 区 域 的 矩形 大小 来 进行 重 复 子 区 域切 割 得到 系 列 重 复子结构 图 像序 列 图 ４ ９
一

， 。 ．


展示 了 切割 后的重 复子结构 区域 图像 

。

ｂＭ ｐ ｉ ｌｆＭ

 －

Ｕ  Ｕｎ   ，


多

 Ｉ ｉ
图 ４ ９ ．
切割后晶 圆 重 复 子结 构 区域示意 图



４ ３ ．
基于统计量 的迭代标准 图 求解



通过模板 匹 配和 重 复 子 结构 区 域切割 ， 能够得到

一

系 列待测 １ Ｃ 电路 区域 图 像 ， 这些



图像的共 同 点是相似度极高 ， 差异处可 能为 缺陷或 随机噪声 。 因 此检测缺 陷 的 思 路即为求




出 无缺 陷 的 标准 图 ， 并将 每幅 图 与 标准 图 进行 比 对求 出 缺陷 区域 。 该步骤的要求是 ： １ ．


保

证找 到 的 重 复子 结构 区域标准 图 无任何 随 机 噪声 ， 且 与 重 复 子 结构 图 像序 列 大部 分严 格相



同 。 ２ ．
保证算 法 的 高效 ， 以 满足实 时性 

。

本节 中 创 新地使用 了 基于统计量 的双 阈 值迭代 求标准 图 算 法 ， 得到 无 噪声 无缺 陷 标准




图 作 为 对 比模板 ， 具体 的 算 法流程 图 如 下 图 所示 

：

图像序列 预处 理


一

／ 图像 链式存储 横 向求 迭代更 平均求标


於 丨 Ｊ ＋， 
＋ Ｊ ＾
＋ Ｊ
序列 图像 统计量 至收敛 准图


／

图 ４ ． １ ０ 基 于统计 量 的双 阈 值迭代 求标准 图 算 法示 意 图




４ ． ３ ． １
图 像序列 预处理



通过 节 已 经将 块晶 圆 大图 中 所有 重 复 子结构 单元分割 在求标准 图 的过程



一

４ ２ ３
． ．
，
。

中 ， 假定的前提是重 复 子结 构 区域大小严格相 同 ， 灰度在缺 陷 区域外大致相 同 。 但是 ， 


在

实 际 生产条件 中 ， 由 于环境杂散背景光或照 明 系 统存在缺陷等 因 素 ， 可能导致 图 像不符合




上述条件 。 因此 ， 有必要通过滤波手段 ， 去 除光照影响 


。

５３


 浙江 大 学硕 士 学 位论文
 



同 态 滤 波 结 合频 域和 空 域过 滤 乘性 噪声 ， 能 改善 光 照 不 均 的 情况 。 同 时拉伸 缺 陷 与 背



景的对 比度 ， 有利 于 后续 的 图 像分割 。 同 态滤波具体操作如 下 


：

１ ．
对数变 换 。 如式 （
４ ． １ ３
） 所示 ， 将 图 像看 作 是光 照 与 反射 率 的 乘积 

。

ｍｉｘ ｙ） ，  
＝
 ｉ
｛
ｘ ｙ）？ｒ（ｘ
， 
，  ｙ）  （
４ ． １ ３


）

其 中 ， ｍ 表示 图 像 ，
／ 表示照 明 ，
ｒ 表 示反射 率 。 通 过 将 图 像从 空 域转 到 频 域应 用 高 通



滤 波器迗 到 滤 波 效果 。 由 于光照 与 反射率 率 是乘积形 式 ， 转移至频域 内 不 方便运算 


，

因 此 可将其表示 成 对数相加 的 形 式 。 如式 （
４ ． １ ４） 所示 

：

ｌ ｎ （ ｍ （ｘ ＾ ） ）
，  
＝
 ｌ ｎ（ ｉ （ ｘ ｙ ） ） ＋ ｌ ｎ（ ｒ （ ｘ ｊ ） ）
，  ，   （
４ ． １ ４）



转 换 到 对 数域 后 ， 就 能把原 先乘法形 式 改写 成加 法形式 


。

２ ．
由 空 域转 向 频域 。 对前面进行对数变 换后 的 图 像应用 傅里 叶变 换 ， 将其从 空 域转到 频



域 。 如式 （
４ ． １ ５
） 所示 

：

Ｍ （ｕ ，
ｖ ）＝ ／ （？ 
， 
ｖ
）
＋ Ｒ （ ｕ ｖ）

 ， 

／ （Ｍ ，
ｖ）＝  ＾ （
ｌ ｎ（ ／ （ ｘ ＾ ）） ，  （
４ ． １ ５


）

其 中 表示傅里叶变 换 

。

３ ．
接下来 ， 对 图 像 在 频 域 使用 高 通 滤 波 器滤 波 使 图 像 背 景 照 明 更加 均 句 ， 如 下 式 所示 

：

Ｎ（ ｕ ，
ｖ） 
＝
 Ｈ （ ｕ ｖ）， 

？  Ｍ （ ｕ ｖ） ， 
 （
４ ． １ ６）



其 中 ， 代表高通滤 波器 ， ｉ Ｖ（ ？ ｖ ） ，
代表频域滤 波后 的 图 像 

。

４ ．
将滤波后 的 图像 由 频域转为 空 域 ， 如式 （
４ ． １ ７） 所示 

。

， 释 
丨

？ （Ｍ ｖ） ， 
＝
（
１１１
（ ， 少）） （
４ ． １ ７）



５ ．
最后 ， 利 用 指 数 函 数将 图 像从对数域 中 转 回 原域 

。

ｎｅｗ ｌｍ ａｇｅ （ ｘ ｙ ） ，  
＝
 ｅ ｘｐ （ ｎ
（
ｕ ｖ） ） ，   （
４ ． １ ８


）

如图 ４ ． １ １ 所示 ， 将切 割 后 的 重 复子结构 （ 晶元 ） 图像通过 同 态滤波后 ， 能够去除光照




影 响并拉伸缺 陷对 比度 ， 有 利 于 后 续缺 陷 检 出 

。

５ 

４
 ４ 基于 重 复 子结构 序 列 的缺 陷 提取算 法
 



繼＿


图 ４ ． １ １
同
■＿
态滤波前后 图像对 比
（ ｃ ） 

（
ａ）
ｉ ｌｌ

晶元明



场成像图


感 ；
（
ｂ
）
图
（

ａ
ｄ 

）

晶元 同 态 滤 波效果 图 ；
（
ｃ ） 

晶

元光照条件不 同 明场成像 图 ；
（
ｄ） 图 ｃ 同 态 滤 波效果 图



通过 同 态滤波 ， 将 多 个 晶 元 图 像进行光 照 不 均 校正 ， 并在横 轴 上排列 分割 后 并经 过 


同

态滤波后得到 的 图像 ， 如图 ４ ． １ ２ 所示 

。

（
ｒ
， ． ｃ
２ ）  （
ｒ
３
． Ｃ
ｊ
）  （
ｒ
４
－ ｒ
ｊ （
ｒ
？
． ｃ
；


）

Ｎ ｉ ｍａ
ｇ
ｅｓ



图 ４ ． １ ２ 图 像 序 列 沿横 轴排 列 示 意 图



在后续 的处理 中 ， 需 要对该 图像序 列 在横 向 上执行操 作 ， 并对序 列 中 部分 图像进行删




除 更新操作 。 考虑 到 算法高效实 时性 ， 采 用 合适 的 数据 结 构 存 储 图 像 序 列 十 分 重 要 

。

这 里采用 链式 存储策 略 在 图像坐标轴上 将 每个坐 标看作独立 的 单元 单独存放



一

。 ， ，

个链表 。 根据不 同 的 将 沿横 轴 排布 的 图 像序 列 对 应 点 的 像 素 值 用 链表 存 储 ， 构成



Ｗ ｘ ／／ 个链表 。 由 于后续操作可能有频繁的删 除操 作 ， 适 合链表 这种 删 除操 作是 ０（ １

） 复杂



度的数据结构 存储 。 如图 ４ ． １ ３ 所示 ， 用 链表存储 能方便地对 图 像上对应 点 灰度序 列 中 的




某 单元进行删 除
一



。

５５


 浙江大学硕士 学位论文
 




＾
—

１
—





Ｚ （
ｒ ． ｃ）
ｆ ２
（
ｒ ． ｃ ）
ｆ ｓ
｛
ｒ ＿ ｃ）
乂 
（
ｒ ． ｃ
）  ｆｊｊ ＇ ｃ 

）

１
 Ｔ  Ｖ 

Ｔ

ｎ 
Ｊ




１

＾   Ｉ １


ｒ
］
乂 厂 Ｃ）
 ／ ｆ
＇ Ｉ

ｃ ｒ ｃ）
ｆ 

 Ｖ
＇

ｄ ／
？

（
＾ｒ ｃ）
■

（ ）
 ：
．

＞ ．  ｒ
？ （ 

）
．

图 ４ ． １ ３ 链式存储 坐标删 除节 点 示 意 图



４ ．
３ ． ２ 横 向 统计量计算



对于重 复子结构而言 横轴上每 幅 图 像具有 相 同 的 大小 并且 除缺 陷 区 域外 大部



一

， ， ，

分图像的灰度值相差不大 如 图所示 对链式存储的 图 像序 列 中 的某 点 灰度值在横轴上



一

。 ，

的 灰度排布可知 ， 出 现 的 奇 异 点 往 往是缺 陷 点 或 噪声 。 若要 求解标准 图 作 为 做差模板 ， 


则

需将这些异常 点排除 

。

０
    



１ １

０ ０ 
－


－

１ ？ 

９０



”

乜  ８０ 


５
７０



６０ 

５０



，
奇异点


   
    



４ ０

１ ２ ３ ４ ５ ６ ７ ８ ９  １ 

０

图像卬号



图 ４ ． １ ４ 图 像序 列 中 坐标对应 点 序 列 灰度示 意 图



记随机变 量 ｘ ， 有 

：

４ ． １ ９
（ 

）

由 式 （
４ ． １ ９
）
可知 ，
义 表征标准 图 中 坐标为 （
ｒ ，
ｃ） 的像素 点 的灰度值 ，
／ ；
（
ｒ ，
ｃ
〇 为 第 ／
张重



复子结构 区域图坐标为 的灰度值 在横轴上 可 以把每 个 看作是 个随机变



一 一

。 ，
／Ｘ ｒ ，
ｃ）

量 ， 则 可计算 出 横 向 平均值和 方差 

：

５ ６


 ４ 基于 重 复 子结 构序 列 的缺 陷 提取算法
 



７（ｒ ｃ ）＝
Ｘｙ ｒ Ｃ）
 ４ ２ ０）
－

，
： （ ５ （ 


其 中 ７Ｘ ｒ 表示这 ｎ 张 图 在位置 〇 的 平均 灰度值

？

，
ｃ） 〇 ，


。

ｉ

２ ２

ｃｒ ｒ ｃ）＝
之 ｒ ｃ） ７ （ｒ ｃ ４ ２
 －

 （ ，
 ￣
（ 乂 
（ ，   ， ）） （
． １


）

ｎ ｌ 

ｉ

其 中 ／ （
ｒ ，
ｃ） 看作这 ｎ 张 图 在位置 （
ｒ ，
ｃ） 的 方差 

。

为 了 求解 最终 的标准 图 ， 需 要 求解横 向 统计量 。 计算横 向 统计量 中 存在奇异点 ， 且这




些 奇异 点 有 很大概率 是缺 陷 ， 因 此在求标准 图 的过程 中 ， 需 要把 这些 点剔 除掉 。 对于对应




点 坐 标序 列 中 的 某 点 而言 当 它 从对应 点 链 表 中 剔除时 随 机 变 量 义ｍ 的 标 准 值 和 方 差


一

， ，

也 随之改动 

。

记删 除后 的 某
一

图片为 Ａ ， 其 中 ｅ｛
Ｈ Ｕ ． ．

， 记 删 除 Ａ 后 的 样本平 均 值 为 ．



，

有 

：

万 ＝

 你，
  Ｗ
－

１
Ｍ
：
？
－



１
（
４ ２２）
－



记删 除 孕 后 的样本方差 为 ￥ （
ｒ ，
ｃ
〇 ， 有 

：

 ＾ 
？

〇 〇 ｉｒ ｃ ） ，  
＝
ｃ
）
￣

 ｆ〇 （
ｒ ＞ 
ｃ） ｆ （
４ ２３）
．



 

把式 （
４ ２ ２）
．
带入式 （
４ ２３ ）
．
， 并进 行整理可 得 

：

（
４ ２４）
．



ｊ ＾
ｎ ｎ
－ －

＼ 

１
＼

在计算未删 除 的 方差 时 作 为 中 间 变 量 存储在 电脑 内 存


２

其 中 ，
＇ （
ｒ ，
ｃ
）
为 各项平 方和 ， ，

中 。 换句 话说 ， 删 除 图像序 列 中 的 某
一

幅图像时 ， 每个 点 的 方差和 统计量只 需进行

一

次运



算操作就可更新 ， 而 无 需 遍历 所有 图 像 

。

在图像 中 ， 也存在 一

些点 ， 介于标准 图 对应 点 的 灰度和 奇异 点 灰度之 间 ， 这些点 的灰




度偏移往往是 由 光照造成 的 对于 这 些 点 可 以 进行灰度矫正 若链表 中 某 点 的值 发 生 改



一

， 。

变 ， 即 

：

５ 

７
 浙江大 学硕 士 学位论文 




？ ／Ｔ （
ｒ ｃ）， 
＝
 ＾ （ｒ ，
ｃ） ＋ ａ ｆ
ｌ ｅ ，
Ｚ （
４ ２５）
．



此时 ， 横 向 统计量 也会随之发 生 改变 ， 即 尤 的 标准值和 方差 也随 之 改动

。
。 记灰度矫



正后 的均值为 ／ 方差为 则有
■
■

ｒ ｃ） 〇】 ／ ｃ） 

：
ｌ （
，
ｆ ，
，
（ ，

／ａ （ ＾ ｃ）＝
Ｘ／ ＾ ｃ） ＋ ａ） ＝
／ ｒ ｃ） ＋  ４ ２６）
－ －


  ．

（ （    （ ，  （ 


ｎ  ｔｆ  ｎ

２ ２ 

２

Ｚ ｆ ｆ ｒ ｆ） Ｈｒ ＋ ａ ｊ）
－

（
－ － －

（ ） ） （

２
ｃｒ
ａ
＝ 

 （
４ ２７）
．






ｎ

将式 （
４ ２
． １
）
代 入式 （
４ ２７）
．
可得 

：

２ａ（ ＋ ａ
＼ａ
ｒ， ｃ））
ｆ ＼ ｒ ｃ） ｆ
－


， （ ２




＝
ｒ ｃ） （
４ ２８）
．



（



ｎ

同 样地 ， 计算灰度矫正 后 的 横 向 统计量 时 ， 无 需 遍历 所有 图 像 ， 仅 与 之 前计算 的 中 间




变 量和修 改值 的大小有关 

。

对于 图像上每 个点 而言 在横轴 方 向 求解平 均 值和 方 差 时 相 互 独 立 的 即不同



一

（
ｒ ，
ｃ） ， ，

的 相对独立 ， 因 此可 以 并行 地对所有 的 坐标 （
ｒ， ｃ
）
进行 统计 量 计 算 。 上述过程通过利 用



ＧＰＵ 加 速可极大节省 时 间 开销 

。

４ ． ３ ． ３ 基 于 统计 量 的 自 适应 迭代 标准 图 求解



通过计算横轴上每个 点 的横 向 统计量 ， 可 以判断出如 图 ４ ． １ ４ 所示 的 奇 异 点 。 通过前




导步骤 中 的 同 态滤波 已 大幅 降低光照影响 但是 由 于 图 案化 晶 圆 图案复杂 对应 点



一

， 。 ， 同

上不 同 的 图 案 还 是有 定的灰度起伏 在本节提 出 采用 基于统计 量 的双 阈 值筛 出 奇异点

一

， 

，

并最终获得标准 图 。 其算法流程 图如 下 

：

５８


 ４ 基于重 复 子结构序 列 的缺陷提取算 法





 

—

输 入 图像  ：
：

＾  ＾ 



疋 否 收 敛 ，


’

序 列 
、

／  

７ Ｘ
、

ｘ 

＞
，
否




，

ｚ
 

 
 




＇
＇

求 解 各 坐 标 建 立 坐 标 对 应 Ｍ  — ．

第 ｉ个节点是 否
＾
逛 坊 进 衣

＂
￣ 一

横 向统计量 横 向存储链 表 ＇
声 足 筛 选 条件





是

｜
更 新节点 、

更 新统计量

图 ４ ． １ ５ 基于 统计量 的双 阈 值筛选算 法流程 图




其 中 ， 流程 图 中 筛选 条件采用 双 阈 值筛选策略 ， 具体判 断条件如 下 


：

１ ．

对于坐标点 （
ｒ ，
Ｃ） ， 若第 幅 图像 （
中 的 乂 
（
ｒ ，
ｃ
） 满足如下条件 

：

＞３ 〇
 ４ ２９）
－

ｆ ｒ ｃ） ｆ ｒ ｃ ｒ ｃ）
－

（ ｛
．

ｉ 
，   
， 
） （ ，  （ 

｜ 

可认为这幅 图像上的点 （
ｒ ，
ｃ） 位于缺陷 区域 内 或为噪点 ， 即该点 为 奇异点 。 此时将该点



从对应 点 链表 中 删除 ， 并更新该 点 的横 向 统计量 。 横 向 统计量 的更新规则 式 （

４ ２２）
．


和

式 （
４ ２ ４）
．
所示 

。

２ ．

对于坐标点 （
／
％ 〇
〇 ， 若第 幅图像 ｚ
中 的 ／ （
ｒ ，
ｃ） 满足如 下条件 

：

＜
２ａ ｒ ｃ ｒ ｃ） ｆ ｒ ｃ ＜ ３ ａ（ ｒ ｃ）  ４ ３ ０ ）
－

（ ， ） ／ ； （ ， 
  ｛ ， ）

， （
．

 ｜
｜ 

可认为 这幅 图 像上 的 点 （
ｒ５ ｃ
）
可能 由 于光照 等 因 素 出 现灰度偏移 。 此 时在节 点链表 

中

修 改该值 ， 通过 实验 ， 如 下修 改规则 进行线性 灰度拉伸 能更好减少 奇异 点 对标准 图 的




灰度偏移影响 

：

 
＇

ｆ ｃ ）＝ Ｊ ｒ ＋ ｃ） ｒ ４ ３
＼ｒ ｃ）
／ ｒ
７ ｃ
－

． １
，
，  ｛ ，
 （ （ ， （ ，
） ） （ 

）



ａ

其 表示更新后 的 第 幅 图像坐标为 的像 素 点 的 灰度值

’

中 ｙ ； （
ｒ ，
ｃ） ｆ
（
ｒ ＾） 

。

通过上述策略 ， 不停迭代 的删 除或修 改链表 中 的 节 点 直 至 收敛 ， 此 时每个坐标点 上 收




敛的灰度值 ／ （
／
％ ｃ） 即 为 标准 图 中 坐标为 （
ｒ ，
ｃ） 点 的灰度值 。 在实验 中 ， 取 图 像序列 张数 《＝７ 

，

记 为 坐标为 （
ｒ ，
ｃ） 的 点 求标准 图过程 中 的 迭 代 次数 ， 有 

：

５９


 浙江大 学 硕 士 学 位论 文
 



ｋｒ ，
ｃ
＝ —

 Ｙ
＾ 
ｋ
ｒ ｃ

 （
４ ． ３ ２


）

ＷＨ
＇

其 中 妒 表示 图 像 的宽 ，
／／ 表示 图 像的高 ，
：

＾＜ 为 图 像 的 平 均 迭 代 次数 。 该值越接近 Ｉ


，

说 明 迭代次数对时 间 复 杂度 的影响不大 

。

Ｈ ｜

１
 

＿
■ ｌ ｌ


＿ ｉ
图 像序列 中 帧 通过双 阈 值迭代求得的标准 图


一

（
ａ）
（
ｂ）

图 ４ ． １ ６ 重 复 子结 构 图 像序 列 中 图 像 与 标准 图 对 比示 意 图



由 图 ４ ． １ ６ 和图 ４ ． １ ７ 可知 ， 通过双 阈 值迭代 求解 的标准 图 ， 能够满足标准 图 所需 达到




的标准 其 ，
中 图 像序 列 中 图 像所存在 的 随机噪声 已 经去除 

。

——４ — ——
 —
  
 — ■ ■ ■  ■ ■ ■  
  １  ■   ■  

＿

，
．   ， ｍｍ ｍ ｍ ． ｍ ｍ ｍ ，  ＂  ■  ■  ＿

■
，
＿
 ■ － 
明 ＂
 ■ ■ ■  ■
 ■    ． ．  ■ ｎ ．    ＞ ｎ ？ — — ｍ  ．

＾
＿ … －

ｒ ＝  ＝＝
＿

ｒ
＜ ｜

ｇ ｒ
－ －

： ：
Ｔ ＝
｜


 ＾＾ ＾ ＊ ＊ 
＂ １ ＂
Ｔ ＂
＾
ＴＴ Ｔ  上
 
Ｌ
３ Ｓ
＊ １ １
＂＊ ＂＂＂＂ ＂
Ｉ
１ ＇

 ■ ＂ ＿

ＳＵ Ｓ 二 ：
１

ｔ  ■ ＊ ＊ ＊ ＊ ＊ ＇ ｌ
１ 

‘

ａ
： ？ Ｔ ？
！

． ＾   Ｔ ｉ ＾ ｒ ｔ ｊ ！


ｆ
；
｜ ！

＾
ｊ

 ｇ
＿
ｉ

＂ ｒ ＊ ， ＊ ＊  ＂
ｒ 
＊
ｊ

， ，  ＊
７？
ｉ ，

＾
＂

Ｈ Ｂｆ Ｈ  ３
 — －
ｃＳ
ｆ
ｒ ７
 ．




．

ｊ
＾
１

 ｕ ７ ｜
ｊ
１

 ｆ  ｉ ，

＾Ｔｆ ＃ＷＷ＃
＾
Ｍ ？ ＊
 ｌ Ｊ Ｊ
ＨＴ Ｈ ＂
ｙ
４ １ ｔ 
ｕ ＇ １

 ｈ
１ Ｊ １

ｌ
＇ Ｕ Ｉ １

＾
－ －

  ？ ３  Ｌ
 ：  ｊ ｊ ： ！ ；  Ｉ       ＞

ｎ ｆ ■    ■ Ｊ ｎ  －  ？ —

 
■
ｉ  Ｉ
 Ｉ
Ｉ Ｉ Ｉ Ｉ Ｉ ｉ
１

■ ， ＿ ＿  ＂
” ”
 ＿ Ｂ ＿
 ”
１
．
Ｉ Ｉ
■
＜  １
１ ｜ 

ｉ

＾
＇ ＊  ＾ ＊


＇

８３
？？７ｒ
１

 Ｔ    ＾ 
 ＾  ？ ＿Ｔ
＾
 

．

Ｉ ｎ  ｍ ＾  Ｉ
．  ＾ ｍ  ｉ  ｒ ｒ  ｒ ｉ ！   ｒ

｜ ｇ ｌ ｉ ？
７

 ＊ —
Ｖ ＂
３
ｌ
Ｃ ＊ ｌ
ｌ １ １


— —？ ？ ？ ？ ？ — ｍ －  —  ■ ｍ  ＿  

－
！

ｗ  ■ 
＿

邏，
    

４
．

： 说 


（
ａ） 重 复 子 结 构 图 像 部 分 区 域 放 大 图 （
ｂ） 标准 图 对应 区 域放大 图



图 ４ ． １ ７ 噪声 放大部 分 图 像与 标准对应 区 域 图 像对 比 示 意 图



４ ４ ．
基于 差分的双 阈 值分割 与 特征提取



４ ４
． ． １ 差分双 阈 值分割



通过 ４ ３ ． ． ３ 节迭代求解标准 图 ， 能 够得 到 重 复 子 结 构 区 域差 分模板 。 现只 需 比 对待测




图 案化晶 圆 的重 复子结构 （ 晶元 ） 图像与 标准图之间 的差异 ， 通过 图像分割 ， 能够将缺 陷




从背景 图 （ 即 图案化 晶 圆 表面蚀刻 电路 图像 ） 中 分离 出 来 。 通 过 提取连通 域 即 可 得到 缺 陷




区 域 的 几何特征和 灰度特征 。 如式 （
４ ． ３ ３
） 所示 ， 通过做差 可 求得 晶 元差 分 图 像序 列 

。


＊
Ｉ ＝
Ｉ ｌ 〇ｃ ＋ ／３ ４ ３ ３
「
 ．

一 ｉ ｓｔｄ ）  （ 

）

６０


 ４ 基于 重 复子结构 序列 的缺陷 提取算法
 



其 中 ，
表示差分图 ，

心 表示第 ？ ／ 个 晶 元检测 区域 ， 《 ，
夕 为 线性灰度拉伸 系 数 

。

得到 差分 图 后 ， 为 能完整筛选 出 缺陷 区域 ， 采用 双 阈 值分割和滞后判 断来确 定 图像 区




域 。 具体步骤是 

：

１ ．

设定双阈值 ７
； ，
和 ７
；ｗ ， 对于差分图 中 的某个点 （
ｒ ，
ｃ） ，
记该 点 的灰度值 为 ｇ （ｒ ，
ｃ） ， 则有若



ｇ（ｒ ，
ｃ） ＞ ７
； ，
， 则 标记该 点 为 分割 出 的 区 域点 集 内 的点若 ｇ （ ／％ ｃ
）
＜ Ｔ ；

／ ＴＶ
Ｏ
， 贝 ！
Ｊ 该点不为缺陷



区域 内 的 点 

。

２ ．
迟滞跟踪 。 对于 的点 ， 若 该 点 与 之 前标记 的 点 相 邻 ， 则 标记该点 ， 

否

则舍弃 

。

通过上述双 阈 值分割 策 略 ， 并利 用 宽度优先搜 索 标记所有缺 陷 连通域 作 为 缺 陷 候 补 


，

进行后续特征提取 与 筛选 。 如图 ４ ．
１ ８ （
ａ
） 所示 ， 黄色 圆 圈标注的为 原 图 中 缺陷区域 ， 由 图



４ ． １ ８
（
ｂ） 和 图 ４ ． １ ８
（
ｃ） 图 可知 ， 通过差分 图 和双 阈 值分割 能够筛选 出 图 案化晶 圆 重 复子结构



（ 晶 元 ） 中 的缺陷 

。

｜ ｜ｂ

 ■ ■ ■■ ＨＨＨ １


（
ａ
）
缺 陷 标 记 图 （
ｂ） 对 应 区 域 差 分 图 （
Ｃ ） 对应 区域二值 图



图 ４ ． １ ８ 复杂 图案 晶 圆 缺 陷 分割 示 意 图



４ ４ ２ ． ．

缺 陷连通域特征提取



通过差分 阈 值分割 ， 可 以得到 以缺陷 为 前景的二值化 图像 。 此 时在 图 像上使用 搜 索 算




法遍历 遍 即 可得到 所有 的 连通域块 特征提取 的 的 就 是通过 提 取连 通域块 的 几 何特



一

，
。 目

征和 灰度特征 ， 有助于判 别 是否 为 误判且能更好的判 别缺陷类 型 、 成 因 与 影响 。 常见 的特




征分为 几何特 征和 灰度特征 


。

几何特征指连通域即缺 陷 点 集 Ｐ 中 ， 坐标分量 所 包含信息构 成 的 特征 ， 在视觉 系 统 中 


，

直观的感 受就是缺 陷 的形状 。 几何特征包括 了 缺陷 几何形状 的参数信息 。 常见 的 几何特征




有 

：

面积 如式 ４ ３ ４） 对于 个连通 区域 面积定义 为 区域 的像 素 数
一

１ ．
。 ． 

：
（ ， ，

６ 

１
 斯江大 学硕士 学位论文
 



ａ ｒ ｅａ  —

［ １
 （
４ ３４）


．

（
ｘ ，
ｙ ）
ｅ 

Ｒ

其 中 （
ｘ ，
＿ ｙ） 表示连通域 内 的点 的坐标 

。

２ ．

重心 。 重心 常用 来描述连通域的位置 ， 如式 （
４ ３５ ．

） 可计算重心坐标 

：

１
Ｐ ＝
ｒ ｃ ＝

２ ｒ
２ ｃ
 ４ ３ ５
－

  
．

（ ，
） ｛ ０ ０ ） （ 

）
ｇ ｇ ｇ
＾ ｒ ｃ ｅ Ｒ  ＾ ｒ ｃ ｅ 

Ｒ
 （ ，
） （
．

其 中 ｄ 表示该 区域的面积 ，
（
ｒ
ｓ
，
ｑ ）
为 重心 的 横纵坐 标 

。

３ ．

矩 。 矩是表征
一

个 区 域几何特征 的 重 要 参数 ， 用 来表征 ， 其 中 ＋ ｇ

为 矩的



阶数 。 如式 （
４ ３ ６）
．
所示 ， 通过坐标参数可 以计算矩 

：


Ｐ
Ｍ
Ｈ
ｑ
＝
ｒ
－

ｒ） ｃ
－

ｃ） ４ ３ ６

．

（ （ （ 

）
ｐａ 〇 ０

（
ｒ
，
ｃ ）
＾ 

Ｒ

其 中 ，
（
ｒ
Ｑ ，
ｃ
。 ）
表示连通域的重心坐标 

。

４ ．
宽度 与 高度 。 每个 区 域都有 个 最小 的 竖直外接矩形 ， 该矩形 的长和 宽平行于 图像的横



轴和纵轴 。 通过计算这个矩形 的长和 宽 ， 就可 以得到 区域的宽度和 高度 


。

５ ．

椭圆度 。 椭 圆 度衡量 与 连 通域具有 相 同 方 向和高宽 比 的椭 圆 的长短轴和方 向 。 对于判




断 连通 域 的 位 姿 十 分有 用 如式 所示 通过 使用 归 化的矩 可 以 计算该椭 圆 的


一

。
（
４ ３７ ．
，
） ，

长短轴和偏移角 

。

＾
２ ２

８（ Ｍ ２０
＋ Ｍ ０ ２
＋ ，
ｙ（
Ａ／
２ ０
－

Ｍ ０２ ）
 ＋ ４Ｍ


）
Ｄ
， ，

Ｋ ｎ 
＝ 



２



Ｋ
Ｄ ＾ ＝
 ８ （
Ｍ ２ ０
＋  Ｍ Ｑ２
＋
 ｙ ｆ｛
Ｍ ２ ０
－

Ｍ ０ ２ ｆ＋  ＡＭ
＾ ）
… ，
４ 」 。


、

 
ａ （ 

２

沒 二
一

０ ５ａ ．  ｔ ａ ｎ２ （
２ Ａ／
ｊ  】
，
Ｍ ０ ２
－

 Ｍ ２ 〇 

）

如式 （
４ ３ ８）
．
所示 ， 通过计算长短轴之 比可 以判 断 区 域的扁 平程度 ， 可 用 来描述
一

个区



域的细长程度 

。

＝
 ４
￣

Ｐ ． ３ ８ 

）
（

Ｋ ｂ

周 长 对于 个连通域 周 长即 为 外 围 轮廓 所构 成 的 点 集 的 个 数 如式 所示
一

６ ． 。 ， 。 ４ ３ ９）
． 

：

Ｌ ＝

Ｘ  ｘ £ ｃ ｏ ｎ ｔｏ ｕ ｒ


１
（
４ ． ３ ９


）

（
， ｖ ）

６２


 ４ 基 于 重 复 子 结 构 序 列 的 缺 陷 提 取算 法
 



７ ．
最 小 外 接 矩 形 ＭＢ Ｒ （ ）
。 找 到 能够包含 区 域 内 所有 点 的 最 小 外 接 矩 形 ， 该矩形不 必 与 图



像 坐 标轴 严 格平行 可 能有 定的转角
一

， 

。

灰 度 特征指 连通域 即缺 陷 点 集 Ｐ 中 ， 灰度分 量 所 包 含信 息 构 成 的 特征 在视 觉 系 统 。 中 


，

缺 陷 的 明 显 程 度 往 往 与 缺 陷 的 灰度 特 征有 关 。 常 见 的 灰度特征有 

：

１ ．

灰度 最值 。 表示在
一

个 区域 中 灰度 的 最大值和 最小值 

：


（
ｒ ＇
ｅ） ｅ

（
４ ４ ０）


．

平均灰度 表示 个区域 内 灰度 的平均值 用 来表征平均亮 度

一

２ ．
。 ， 

：

ＺＳ  ４ ４
＝ ￣

ｇ 
 ｒ 〇 （
－ １


）

％
，

ａ ｒ 

Ｒ
（

３ ．
区 域灰度 方差 。 通过计算 区 域灰度 方差 ， 可 以表征
一

个 区域 内 灰度变化 的激烈程度和



区域 内 纹理的 多 少 将 区 域 内 通过计算得 到 的 灰 度平均 值和 方差 Ｐ 作 为 参数建 立 


个
一

线 性灰度 值 变 换可 以 补偿亮 度 变 化 ， 且标准偏 差 ｓ 还 能够用 来调整分割 阈 值 。 将

一



个

区 域 内 的 灰度看作 变量 ， 可 以计算 出 它 的 方差 

：

」
ＺＵ 
２
玉 ＝
） （
４ ４２）
．



７ 
ａ
％
￣

＾
（
ｒ 

Ｒ

其 中 ， ａ 表示 区 域 内 点 的 个数 ， 即 面积 。
ｉ 表示 区域 内 平均 灰度 

。

４ ．
灰度重心 。 在重 心 时考虑 图 像 的 灰度值 ， 能够得到 灰度 中 心 ， 表征 图 像 中 高灰度 区域



位置 的 平均位置 。 如式 （
４ ４３ ）
．
所示 

：

＾
Ｐ ＝
ｒ ｃ ＝
＾ ＾ ｒ
ｇ（ｒ ｃ）
＾  ｃｇ ｒ ｃ））
 ４ ４３ ）
￣
－

ｉ
 
．
， ）  ， ， （ ， （ 

ｇ ｇ ｇ
＾ ｒ ｃ ｅ Ｒ
＾ ｒ ｃ ｅＲ


（ ， ） （ ， ）

其 中 ，

＆ 表示灰度 中 心 ，

＆
在行方 向 上灰度重心坐标 ， ｃ
ｇ
在列 方 向 上灰度 重 心坐标 

，

Ｊ 表示 连 通域面 积 ，
〇％ ｃ〇 表 示 连 通域 内 点 的 坐 标 

。

５ ．
灰度矩 。 在 几何矩 的基础 上加 入灰度特 征 ， 可方便地作 为 灰度特征 中 其他特征的 中 间



变量 

：

Ｕ
Ｚｆ ｒ ｃ ｒ ｒ Ｙ （ｃ ｃ ｒ ４ ４４ ）
－ － －

 ）（ 

．

（ ，
０ ０ （
Ｐ ９ ，

（
ｒ ，
ｃ
）
＾Ｒ



６３



浙江大 学硕士 学位论文




其 中 （
ｒ
。 ，
＾ ） 表示连通域 的 重心 坐标 ，
／ （ｒ ，
ｃ） 表示位于坐标 （
ｒ ，
ｃ） 点 的 灰度值 

。

除 上述特征外 通过实验本文还定义 种 对 比 度特征可 以 很好描 述缺陷 信 息 其定



一

， 了 ，

义如下式 

：

ｆｏ ｒ ｅｇｒ ｏ ｕｎ ｄ  ｂａ ｃ ｋｇｒ ｏ ｕ ｎ ｄ  ，
．  

．

Ｃｏ ｎ ｔｒ ａｓ ｔ
＝ 

 （
４ ４５ ）
．




Ｌ ｅ ｖ ｅｌ

式 子计算 出 缺 陷 区 域 的平均 灰度值 与 背景 区 域 的平均 灰度值 的差 并进行 归 化 其 


中
一

背景 区 域定义为 缺 陷 区域外 定像素宽度 的邻域范 围 变量可 以 表征缺 陷 的 显著



一

程度 。 对 ＜ １ ， 且该值越接近 １ ， 代 表缺 陷 越 明 显 

。

下表展示 了 识别 出 的 缺 陷 的 部 分特征参数 

：

表 ４ ２
．
缺 陷特征参数表



缺 陷 序 号 重 心 坐 标 面 积 平 均 灰 度 长 宽 比 对 比 度



１
 （
３ ０４ ２ ９ ７ ， ）  １ ２  １ ８４  １ ． ４ ０ ３ ０ ６ ３ ２

 ．

２
 （
２８ １ ３ ，
６ ９ ８ ７）  ２ ３ １ ５７ ２ ． １ ９４ ０ ． ５３４



３
 （
４ １ ７７ ５ ８ ０，
１
）  ９ ２ ２ ６ １ ． ０５ １ ０ ． ７０ 

１

４
 （
３７ ９ １
，
６ ６４ ８
） ４ １  ２０  ５ １ ． ３ ８４ ０ ． ８ １ 

９

４ ５ ．
本章小结



本章 具体介绍 了 明 暗场结 合多 扫 描 方式 检测 系 统 图 像处理算法部 分 。 首先通过频域变




换 ， 具体求解 晶 元矩形 区域偏 转角 度 ， 利 用 仿射变 换将其校正 回 竖 直 方 向 ； 其次利 用 基于




形状 的 模板 匹 配 ， 获 取 毎个 重 复 子 结构 矩形 区 域 的 坐 标 等 信 息 ， 将其切割 为 重 复 子结构 图



像序 列 ； 然 后 利 用 本 文创 新提 出 地基 于 统 计 量 的 迭 代 求 标 准 图 算 法 求得 重 复 子 结 构 区 域标



准图像 ； 最终利 用 标准 图 像 与 待测 晶 元 图像 求差 ， 利 用 双 阈 值分割得到 缺 陷连通域并获 得




连 通 域 特 征信 息 

。

６４


 ５ 基 于 明 暗场的 多扫 描方式 图 案化 晶 圆检测 实验
 



５ 基于 明 暗场 的 多 扫 描方式 图案化 晶 圆 检测 实验



本章 将通过具体实验利 用 第 ３ 章 介绍 装 置得 到 明 暗场 成像结 合不 同 扫 描方式 的 晶 圆




缺陷 图像 ， 并 同 时通过 第 四 章提 出 的缺 陷提取算 法 ， 得 到缺 陷 的具体位置 与 特征信息 ， 


验

证本文提 出 算法 的 可行性 。 图 ５ ． １ 为 图 案化 晶 圆 祥 品 实物图 ， 能够很直观地看 出 晶 圆 表 面




有 重 复 的 矩形 区 域 ， 此即为 晶元 。 多 扫描方式 明 暗场检测装置的 目 的 即 为 检 出 每个 晶 元 区




域的缺陷 

。

Ｌ Ｊ
图

５ ． １ 被测 图案化 晶 圆 样 品 实 物图



５ ． １
实验 系 统硬件布局



５ ． １ ． １
基于 点 扫 描 暗场成 像 系 统硬件布局



本文 ３ ． １ ． １ 中 已 将点扫描 图案化 晶 圆 暗场成 像结构示 意 图给 出 ， 根据 图 ３ ． ３ 搭建 了 


如

图 ５ ． ２ 所示点扫 描暗场实验装置 （ 图 中 祥品 未放入 ） 


。

６５


 浙江大 学硕 士 学位论文



ｐｍｔ



照明



Ｈ ＰＶ 


精

图 ５ ． ２ 点扫描暗场成像装置实物 图



图 案化晶 圆 点 扫描暗场成 像装置可 以分为 以 下几个模块 


：

１ ．

照 明 与 探测 模块 。 光源采用 激光照 明 ，
配备准直 聚焦透镜组 ， 使其在被测 晶 圆 样 品 

表

面 上呈 明 亮 光斑 激光 为 光纤耦合激光光源 ， ， 中 心 波长 ４ ０ ５？ ｍ ， 光谱 范 围 ３ ９５
？
４ １


，

输出功率 ６ ０ｍ ． Ｆ ； 激光输 出 准直镜头采用 光纤输 出 准直镜头 ； 激光斜入射 天顶 角 为




° ° °
反射 光反射角 为
°
４５ ， 方位角 为 １ ８ ０ ，
４５ ， 方位角 为 ０ 。 散射光 收集器采用 精 密 加


°
透镜组 收集天顶角 为
°
工的 ，
０ 到 ２５ 之 间 的 散射光使激光照射表 面光斑与 ＰＭ Ｔ 共轭 

。

ＰＭＴ 配备放大器作 为 散射光接 收器组 ， 能满足灵敏度 、 低噪声 要求 。 采用 高传输数据




采集卡 能实 时将 ＰＭ Ｔ 采集 到 的模拟信号转 为 数 字 信号 并存储 与 计算机 内 ， 其采样频




率 峰值 为 ］ ０ Ｍ／ ／ｒ ， 实验 中 取 ２ ＭＨ ｒ 

。

２ ．

平移传动控制 模块 。 平 面 二 维直 线 导轨 与 旋转 直 驱 电机构 成 检测 系 统运动 模块 ， 位于




整个检测 系 统底部 ， 固 定 在水平大理石基板上保持其稳定 。 被测 图案化 晶 圆 通过夹持




机构 固 定于旋转 台 上 ， 旋转 台 固 定于二 维平移平 台 ； 旋转 台 使用 ＤＤ 马 迖 ， 实验 中 


转

速为 ８ ；ｒ ｒａｄ／Ｓ ； 将照 明 模块 与 探测模块捆绑于 ｚ 轴平 台 ， 通过计算机控制 对焦距离 实现




精准对焦 

。

５ ． Ｌ２ 基于线扫描明 暗场成像系 统硬件布局




６６


 ５ 基于 明 暗场 的 多 扫 描 方式 图 案化 晶 圆 检测实验
 



本文 ３ ． ２ ２ ．
中 已 将线扫描 图案化 晶 圆 暗场成像结构示 意 图 给 出 。 根据 图 ３ ． ３ 搭建 了 

如

图 ５ ． ３ 示点扫描暗场实验装置 

。

ｍ ｜


（
ａ）
 （
ｂ）
 （
ｃ）



图 ５ ． ３ 线扫描配件实物演示 图



图 案化 晶 圆 线扫描 暗场成像装置分为 以 下几个模块 


：

１ ．

成 像模块 。 相 机选用 高 端 线 阵相 机 。 该相机基 于 ＣＭＯＳ 线扫描传 感器技术 ， 分辨率为




１ ６ ３ ８４ ｘ １ ， 像元尺寸 为 ３ ． ５ ／／ ｍ ｘ ３ ． ５ ／＾ ｎ ， 最大行频为 ７ １ ｋＨ ｚ ； 镜头选用 大恒定制 线扫相




机镜头 ， 分辨 率 为 １ ６ｋ ，
实验 中 镜头放大倍率为 ０ ７３
．
倍 ； 光 源采用 定 制 线 性 光 源 

＾

２ ．

移 动 控 制 处理模块 。 采用 定制直线导轨 ， 能达到 定 位精度 为 ２

／＾ ｍ


。

５ ． １ ． ３ 基于 面 阵 的 明 暗场成 像 系 统硬件布 局



上文 ３ ． ３ ． ２ 节 中 介绍 了 基于面 阵的 图案化 晶 圆 暗场检测 装置 图 ，

５ ４ ．
展示 了 其实物 图 

。

基于 面 阵 的 暗 场检测 装置 分 为 两 个模块 

：

１ ．

散射光检测 模块 。 照明部分 由 环形光源进行照 明 ， 为 自 行设计 的 多 束均 勻 环形光照 明




光源 ； 图 像传感 器为 面 阵 ＣＭＯ Ｓ 传感器 ， 像素尺寸 为 ２ ５ ／／ ｍ ｘ ２ ５ ／／ ｍ

． ．
， 分辨率 为



５ １ ２ ０ （ ／／ ） ｘ ５ １ ２０（ Ｆ） ； 镜头为 变 焦距镜头 变 倍 范 围 为 ，

０ ７ ８ｘ
．
？
９ ． ７ ｘ ，
工 作距离 为 ５２ｗｍ 

。

２ ． 三维运动控制 模块 。 分为 对样 品 进行蛇 形 扫 描 的 二 维移动导轨 以 及用 于变 焦后对




焦的 Ｚ 向 导轨 ， 定位精度 为 ３ ／／ Ｗ ； 调 平机构 用 作 测 量 初 始 阶段 待测 图 案 化 晶 圆 样 品 的



调平 

。

６７


 浙 江大 学 硕 士 学 位论 文
 



ＭＢ


ｓ ＾ ｌ ｌ ｇ



⑷ （
ｂ）



图 ５ ４
．
面 阵暗场成像装置 图 （
ａ） 内 部结构实物 图 （
ｂ） 整机实物 图



图 ５ ． ５ 为 面 阵 明 场成像装置 图 。 图 中 所用 器材 为 Ｏ ｌ
ｙ ｍｐ ｕ ｓ 显微镜 ＤＰ２７ ， 该显微镜传



感器为 ＣＣＤ 传感器 ， 像元尺寸为 ３ ． ４ ５ ／ ＾＾ ３ ． ４ ５ ／＾ ， 分辨率为 ２ ４４８ ｘ １ ９２０ 像素 。 物镜最高




可选放大倍数为 ｌ 〇〇 ｘ 

。

＾ 

Ｃ Ｃ Ｄ



图 ５ ． ５ 面阵明场成像装置 图



６８


 ５ 基于 明 暗场 的 多 扫描方式 图 案 化 晶 圆 检测实验
 



５ ２ ．

图 案 化 晶 圆 多 扫 描方式 明 暗场 图 像缺 陷 提取实 验



５ ２
． ．
１ 基于统计量双 阈 值缺 陷 定位算 法验证 实验



如图 ５ ． １ 所示 ， 晶 圆 上 由 重 复 图 案 的 子 结 构 单 元构 成 。 不论采用 何种扫 描方式 ， 晶 圆




缺陷的检 出 算法的核心思路为 ：
首先 ， 校正偏移角 度使重 复 子结 构 矩 阵 区域 与 图 像坐标 轴



平行 并以其 中 块重 复 子结构 区域作 为 模板切 割 出 所有 晶 元 区域 其次 利 用 基于统计



一

， ； ，

量双 阈 值迭代算法计算 出 标准 图 ； 最后 ， 利 用 标准 图做差拉伸缺 陷对 比度 。 本节 也将从这




三个步 骤验证 多 扫描 方式 明 暗场 晶 圆 检测 的可行性 


。

如图 ５ ． ６ 所示 ， 通过 ４ ． １ 介绍 的基于频谱 的 晶 圆 角 度校正算法 ， 能够将通过 多 扫描方




式 明 暗场成像获取的 图 像 中 的 重 复 子结 构 矩形 区 域校正 回 与 图 像坐标轴 相 平行 的 位置 。 


由

图可 以看 出 ， 重 复 子结 构 区 域 内 含许 多 直 线特征 ， 不论何种 成 像 方式 ， 都可 以利 用 这个特




点进行角 度校正 。 实验 中 取校正 区 域矩形大小 ＲＯＩ 为 １ ６００（ ＾ ｘ ９００ （

７／ ；
） ， 单帧 图像在 以



Ｃ ＋＋ 以 及 ＯｐｅｎＣＶ 库 支 持 的 程 序 子 模 块 中 运 行 平 均 耗 时 为 ０ ０ ． １ ４６ｓ 

。

ｍｍ  —  ｍｍｍ  ：ｗｍ


■■■ ＿ 幽
ｆ

忠

  




＾

＾＝ ６ ９ ５
．
°
ｎ ｍ Ｔ ｉ ｎ ｎ 
Ｕ  ９ ＼ 
＝
 ９ ６８．


°

矫 正 ３ ｒ  Ａ Ｍ 。 卜  １ ７８
。
０ 
＝
 ０ ７３


。

＾
．


Ｓ
５ －４

角 度 图 示 

：



｜

（
ａ ）  （
ｂ ）  （
ｃ ）  （
ｄ）  （
ｅ）



图 ５ ． ６ 角 度校正示意 图 （
ａ
） 点扫描暗场 （
ｂ） 线扫描暗场 （
ｃ） 面阵暗场 （
ｄ） 线扫描明场 （
ｅ） 面阵明





场

由 本文 ４ ２ ．
节可知 ， 通过 图 像校正 ， 重 复 子 结 构 矩形 区 域 与 图 像 坐 标轴 平行 。 此 时选



取其 中
一

块矩形 区域作为 模板 可 匹 配 出 所有 晶 元 区 域 。 为 评 价模板 匹 配切 割 得到 的 区 域效




果 ， 定义切 割 度量 ０ 来衡量切割 效果 

：

６９


 浙江大学硕 士学位论文
 



ａ 
上总 （
５ ． １


）

ｗ ｈ



其 中 ａ 表示横 ． 向 矩形 匹配程度 ，
込 表示纵 向 矩形 匹配程度 ， 为横 向切割 区域与模



板亚像 素 差 ，
灿 为 纵 向 切 割 区 域与 模板亚像 素 差 ， Ｗ 为 模板宽度 ，
Ａ 为 模板长度 

。

为 能准确 定量衡量 匹 配效果 ， 式 （

５ ． １
）
单位均 为 亚像 素 。 实验 中 通过对重 复 子结构 区域



进行边缘检测 ， 并利用 二 次插值 法取极值 点 坐标作 为 亚像 素 边缘 。 以线扫描明 场成像为例 


，

实验 中 所 匹 配重 复子结构数量为 １ ６ ， 横 向 矩形 匹 配程度均值 ＆ ｗ
＝
 ２ ３４６ ｘ
． Ｉ （ Ｔ ， 纵 向 矩形



匹 配程度均值 色 ＝
１ ． ９８９ ｘ １ ０ ＇ 由 于 么 与 包 的值都极小 ， 可 以判 断 匹 配算法效果 良好 

，

能切割 出 相 同 大小 的 重 复 子结 构矩形 区 域 

。

如图 ５ ． ７ 、 图 ５ ． ８ 所示 ， 通过本文 ４ ３ ．

介绍 的对 图 像序列 求标准 图 算法 ， 可得到如 图




示标准 图 。 标准 图 可理解 为 图像序列 中 的 最大公共部分 ， 其不 含缺 陷 不 含噪 点 ， 通过求解




标准图 ， 对于后续做差 求缺陷十分必要 


。

ｉ
 Ｈ 

Ｕ
重 复 子结触 场 酿賴



图 ５ ． ７ 暗场图像标准 图求解示意 图



能 够从 图 像上很直 观 的 看 出 缺 陷 即 为 图 像序 列 中 某 帧 图 像 与 标准 图 的差异部 分 

因
一

此标准 图 求解十分重要 ， 若标准图 自 身 带缺陷 ， 反而 会 将缺 陷 误认 为 背 景 ， 造成其余晶元




图 像误判 缺 陷 ， 因 此通 常增 加 重 复子结构 图 像序列 Ｗ 能 降低标准 图 求解错误风险 。 标准 图




求解 还 具有 离 线 性 质 只 需 求解 次标准 图 对于 晶 圆 上 的 所有 重 复 子 结 构 区 域都可


一

同
一

， ，

用 此标准 图 作 为 对照 

。

７０


 ５ 基于 明 暗场 的 多扫描方式 图 案化 晶 圆 检测实验
 



Ｍ ＨＨ  ｊ


Ｉ


 
＾

Ｗｍ


重 复子 结构 明场 图像序列



图 ５ ． ８ 明 场 图 像标准 图 求解示 意 图



在实验 中 ， 求标准 图 的 重 复 子结构 序列 图像数 目 ＃ 

＝
 ７ 。 由 式 （
４ ． ３ ２
）
可知 ， 可用 平均 迭



代次数 衡量算法迭代效率 。 表 ５ ． １ 为 实验 中 不 同 成 像方式平均 迭代次数 ， 该系 数与 图




像序 列 中 同 坐标对应奇异点差值有 关
一



。

表 ５ ． １ 不 同 扫描方式平均迭代次数



扫 描 方 式 点 扫 描 暗 场 线 扫 描 暗 场 线 扫 描 明 场 面 阵 暗 场 面 阵 明 场



７ １ ． ０４９  １ ． ０５２  １ ． １ ９４  １ ． ０９４  １ ． ２３ 


１
ｆｉ  ｒ 

ｃ
，

求得标准 图 目 的 为 使 所有 重 复 子 结 构 区 域 的 缺 陷 能 够 从 背 景 中 区分出来 ， 也就是说标




准 图 所得 图 像 即 为 背景 图 像 通过计算机将缺 陷 图 像从 背景 图 像分离 ， 出 来 。 如图 ５ ． ９ 所示 

，

通过将 图 像序 列 中 的每 帧 图像与 标准 图做差 通过放缩拉伸 图像对 比度 从图像 中 可以



一

， 。

看出 ， 经过标准 图做差求解 ， 缺 陷 的对 比度得到 明 显提升 ， 能 够很 容 易 的 从 背 景 中 区 分 出




Ｈ Ｕ ＿調

  

議 

：

— —

＿■■■■

 （
ａ ）  （
ｂ ）  （
ｃ ）  （
ｄ ）  （
ｅ 

）

图 ５ ． ９ 对 比度拉伸示意 图 （
ａ
） 点 扫描暗场 （
ｂ） 线扫描暗场



（
ｃ
）
面 阵暗场 （
ｄ） 线扫描明场 （
ｅ
）
面阵明场



７ 

１
 浙江大 学 硕 士 学 位论文
 



通过上述步骤 ， 验证 了 本文提 出 的 基 于统计量 的 迭代 求标准 图 算法通过求差值 图 能够




拉伸缺陷对 比度 。 本文 ４ ３ ３
． ．
中 介绍 了 图 像 分割 的 具体算 法 ， 对于不 同 成像方式 ， 需 要标



定不 同 的参数 ， 具体 阈 值如 下表所示 

：

表 ５ ． ２ 不 同 扫描方式双 阈 值取值



扫 描 方 式 点 扫 描 暗 场 线 扫 描 暗 场 线 扫 描 明 场 面 阵 暗 场 面 阵 明 场



（
Ｔ
ｌ ｏｗ ，
Ｔ
ｈ ｉ
）  （
２４ ４７）
，  （
３ ５ ，
７ １
）  （
１ ０８ ，
１ ５７
）  （
４２ ，
８２）  （
１ １ ４ ，
１ ６３ 

）

通 过双 阈 值分割 与 特征提取 ， 能够得到 每个疑似缺陷连通块 的 几何特征和 灰度特征 


，

最终通过特征筛 选定位 出 缺 陷并定位其位置信息 。 图 ５ ． １ ０ 给 出 了 不 同 扫描方式缺陷标注




示意图像 ， 通过 实验获 得 毎个疑似缺 陷 的特征信 息 ， 验证 了 本文 提 出 的 缺 陷检测装置 与 算




法 能够有 效识别 出 图案化 晶 圆 上 的缺 陷 


。

■■■■■

 （
ａ ）  （
ｂ ）  （
ｃ）  （
ｄ ）  （
ｅ 

）

图 ５ ．
１ ０ 图案化晶 圆 缺陷检 出 示意图 （
ａ） 点扫描暗场 （
ｂ） 线扫描暗场



（
ｃ
）
面 阵暗场 （
ｄ） 线扫描明场 （
ｅ
）
面阵明场



通过实验 ， 验证 了 无论哪种 成像方式 ， 本文提 出 的缺 陷 检测算法有效 。 表 ５ ． ３ 给 出 了




图 ５ ． １ ０ 中 对应 缺 陷 的部 分特征 向 量 ， 其 中 将被检 晶 圆 中 重 复子结 构序列 自 上而下 ， 自 


左

向 右编 号 即 为 晶 元编 号 。 通过这些参数 ， 能很好 的描述缺 陷特征 ， 判 断其缺 陷类 型 


。

表 ５ ． ３ 缺 陷特征提取参数表



缺 陷 序 号 面 积 像 素 数 （ ） 长 宽 比 对 比 度 所 属 晶 元 编 号



（
ａ）  ２ ０ ６ ５ ４ ６ ０ ． ． ３ ９ ９



（
ｂ）  １ ７  １ ．
１ ６ ０ ． ８９ ５



（
ｃ ）  ３ ５  １ ． ７６ ０ ． ４４ ４



（
ｄ）  ５ ３ ７ ． ２ １ ０ ． ８６ ３



（
ｅ）  １ ２４  １ ． ２７ ０ ． ６ １  １ 

２

７２


 ５ 基于 明 暗场 的 多 扫 描 方式 图 案化 晶 圆 检测 实验
 



５ ２ ２
． ．
不 同 成 像方式检测 系 统性 能研 究



衡量 图 案化 晶 圆 检测装置系 统性 能有 三个指标 ， 即吞吐量 、 检测精度和 准确 率 。 图 


案

化 晶 圆 检测 系 统的 吞吐量指 定时间 内 能检 出 的 晶 圆 数量 这个指标衡量 晶 圆 检测 时 间



一

， 了

效率 ， 本节 中 以 扫描
一

个重复子结构 （ 晶元 ） 区域所 需 时 间 ？
＾ 来表征吞吐量 ； 检测精度指



检测 系 统最小 检 出 晶 圆 缺陷尺寸 ， 由 于摩尔定律 ， 半导体 １ Ｃ 制 造业制 程越 来越先进 ， 


缺

陷 可 能 极其 细 微至 几 个纳 米 量 级 ， 因 此 检测 精度 体现 了 图 案化 晶 圆 检测 系 统 的先进 程度 

，

本节 中 用 图 像最小 可 分辨 实 物 距 离 表征 ； 准确率 ， 衡量检测 系 统对于缺 陷 的 敏感 程度 


，

与 图 像成像质 量和算法稳定性相 关 ， 本节 中 准确 率 定义如 下 式 


：

＝
 （
５ ２）
．




ｔ ｏ ｔａ ｌ



上式 中 Ｊ ｃｃ 为 准确 率 ， 表示漏检数 目 ，
ｏ ｖ ｅ ｒｆ
ｃ７／ 表 示过杀数 目 ，
ｏｔ
ｔ ｏ／ 表示缺 陷 总



数 

。

表 ５ ４ ．
比较 了 不 同 成像方式 图 案化 晶 圆 检测 系 统各项指标 。 其 中 由 于 点 扫 描 暗场检测



装置为 螺旋线扫 描 ， 因 此表格 中 点 扫 描 暗场 装 置 ｋ 是经过 换算 的 ， 换算规则 为




，
表示扫 描整个 晶 圆 所 需 时 间 ，
％ 表示
一

个 晶 圆 所包含重 复子结构个



数 。 实验 中 每个重 复子结构 （ 晶元 ） 大小为 ２３ ６ ｗｗ ｘ

． ｌ ６ ４ｗｍ
．


。

表 ５ ４
．
不 同 成 像 方式 晶 圆 缺 陷检测 系 统指标



成 像 方 式  点 扫 暗 场 线 扫 暗 场 线 扫 明 场 面 阵 暗 场 面 阵 明 场



ｔ
Ｄ ｉ ｅ  １ ７ １ ． ４ ｓ ８ ９ ｓ ８ ９ ｓ ２ ４ ８ ３ ｓ ４ ３ ２ ． ． ． ． １ 

ｓ

８ｄ  ４ ６ ．
／／ ｗ ７ ． ３ ／／ ｍ  ５ ３ ７ ｎｍ  ３ ４ ９ ｎｍ



Ａ ｃ ｃ  ６ ７ ％ ７ ４ ％ ８ ２ ％  ８ ６ ％ ９ １ 

％

通过表格可 以 看 出 ， 吞吐量 与 检测 精度相 互 制 约 。 对于 同 样靶面尺寸 的 图像传感器 


，

若检测精度 高 ， 意 味着 检测 视 场 范 围 缩小 ， 导致扫 描 这个 区 域 的 时 间 增 加 。 因此 ， 不 同 

扫

描方式对吞吐量 和 检测精度各有侧 重 ， 在实 际 生产过程 中 可 根据 生 产 要 求 选择 合适 的 成 像




方式 

。

７３


 浙江大 学硕 士 学位论 文
 



由 于本文提 出 的算 法对于 每个像 素 点 而 言在横轴 上都是相 互 独立 的 ， 所 以 可 以 并行计




算 从 而 通 过 ＧＰＵ 进 行 加 速 。 该算 法可与基于小波变 换的求标准 图算法作为 比 较 ， 采用 的




电脑 Ｃ ＰＵ 为 Ｉ ７
－

９ ７００ Ｋ ，
Ｇ Ｐ Ｕ 为 ＲＴＸ －

２０６０ ， 比 较 结 果如 下表所示 

：

表 ５ ． ５ 算法 比对结果表



检 测 方 式 检 测 晶 元 数 目 检 出 缺 陷 个 数 漏 检 过 杀 算 法 耗 时

 ／

小 波 变 换 ２ ８ ０ ２ ９ ４ ８ ０ ／ ４ ２ １ ０３４ ９ｓ

 ．

本 文 算 法 ２ ８ ０ ３ ０３ ７ １ ／ ２６ ７ １ ２ ４ｓ
． 


人 工 精 细 比 对 ２ ８ ０ ２ ７ ４



由 表 ５ ． ５ 可 以看 出 ， 本文 提 出 算法在时 间 效率上超过 了 小波变换算法 ， 原 因是因为本




文 提 出 的 基 于 重 复 子结构 序 列 的缺 陷 提取算法 中 ， 标准图求解各个像素 互相独立可 以并行




求解 ， 这个特质 能充分利用 ＧＰＵ 图 像加速 的特 点 ， 利用 ＯｐｅｎＣＶ 库 中 ＧＰＵ 加速函数 ， 


减

少 了 程序运行 时 间 

。

５ ． ３ 点 扫 描 暗场 成 像 扇 形 暗 区 图 像 分析



如图 ５ ． １ ］
所示 ， 在第 ３ ． １ 节 中 介绍 的 点扫描 成像过程 中 ， 会出现图 中 扇 形暗 区情况 

，

并且 同 时存在多 个扇 形暗 区 。 本节 将对这种 现 象进行研 究并给 出 解释 


。

■ Ｐ９


（
ａ） 点 扫 描 暗 场 图 像 （
ｂ） 扇 形暗区示意 图



图 ５ ． １ １
点扫描暗场成像扇 形暗 区示 意 图



点 扫 描 暗场成像装置 图 像 传 感器选用 的 ＰＭＴ ， 将 收集到 的光信号转化为 电压 ， 并利用




点扫描 重构算 法进行 图 像 重构 。 出 现暗区 的直接原 因 为 ＰＭＴ 没有 收集 到 光信号 或 光信号




弱 ， 造成读 出 电 压值太低 ， 重构 图 像 时对应 的 灰度值低 


。

７４


 ５ 基于 明 暗场的 多 扫 描方式 图 案化 晶 圆 检测实验
 



图 ５ ． １ ２ 为 ＰＭＴ 收集不 到 光信号或光信号 弱 时 的装置情形 。 由 图可 以 看出 ， 晶 圆 在旋




转过程 中 出 现 了 摆动 ， 此时晶 圆 中 心 仍与旋转轴 中 心 重合 。 设旋转轴 转动 角 速度 为 ？ ， 


平

移平 台 移动速度 为 Ｖ 。 图 中 为 ｆ 时刻 重 复 子结 构 矩形 区 域边界线 与 水平轴 之 间 的夹 角 


。

初始 时 如 ＝
０ ， 在 ｔ 时刻 ， 有 如 ＝
Ａ 点为 ＰＭＴ 光轴 与 Ｚ 时刻 晶 圆 表面交点 ，
Ｂ 点为



＾ 时刻 激光光斑在 晶 圆 表面 的位置



ｄｅａ ｕ ａ ｔ ｉ ｏ ｎ
Ｉ ｌ ｓ ｉ ｔ
Ｔ ｉ ｌ ｔ ｓ ｉ ｔ ｕ ａｔ ｏｎ
ｉ 


田
。 ＭＴ 。 ＭＴ


—

中 
 Ａｘ ｉ ｓ  ｏｆ ｒ ｏｔａｔ ｉ ｏｎ 

Ａ

Ｌ ａｓ ｅｒ  Ｌ ａ ｓ ｅｒ  Ａ  Ａｘ
１

 ｉ
ｉ ｓ  ｏｆ  ｒｏ ｔ ａ ｔ ｉ ｏｎ


，

  Ｒｅ ｆ
＇

ｉ  ｉ

ｌｅ ｃ ｔ ｅｄ



Ｌ ｌ ｇｈ
／


ｔ

Ｒ ｅ ｌｅ ｃ
ｆ ｔ ｅｄ
 
Ｉ ｎｃ ｄ ｅ ｎｉ ｔ
  Ｌ ｉ
ｇｈ
ｔ
 Ｉ ｎｃ ｄ
ｉ ｅｎ ｔ   ／



图 ５ ． １ ２ 点扫描装置扇 形暗 区情况示 意 图



通过 图 ５ ． １ ２ 可 以 解释扇 形 暗 区 出 现的原 因 

：

首先 ， 出 现暗区的原 因 是 由 于 当 晶 圆 出 现倾斜 时 ， 激光 发射模块形成 的 光斑 中 心 Ｂ 不




在 ＰＭＴ 光轴上 ， 并且 ＰＭ Ｔ 光轴与 晶 圆 表面交点 Ａ 此时不与 ＰＭＴ 光信 号 收集 点 关 于透镜




组共轭 ， 由 于激光平行度很 高 ，
Ａ 点 的 光强低 ， 并且 由 于倾斜导致 Ａ 点 关于透镜像 点 不在



ＰＭＴ 光信号 收集点 上 ， 使得 ＰＭ Ｔ 收集到 的光 学信号很弱 


；

其次 ， 如图 ５ ． １ ３ 所不 ， 设 表不 当 晶 圆 旋转时 ｔ 时刻 晶 圆 所在平面 与初始状 态 晶 圆




所在平面所称夹 角 ， 表征 了 晶 圆 的倾斜程度 。 随着 晶 圆 表面 的螺旋线扫描进行 ， 在 ？ 时刻 


，

有 ＝
仞 ＂ ＝
２ 灸 ７Ｔ ＋
々 ， 其 中 众 表示旋转轴旋转 圈 数 ，
々 为 倾斜轴线 方位角 。 记 （ ９
，
＝
六 （
＆〇 

，

如图 ５ ． １ ３
（
ａ） 示 ，
必 是关于 而 的连续 函 数 。 在
一

定的角度范 围 内 ， 当 不为 ０ 时 ， 由 上文



分析可知 ，
ＰＭ Ｔ 采集光 强序列 中 该 点 信号很弱 ， 在 同
一

个周 期 内 ，
０ ＊ ０ 的 点对应 为
一



定

角 度范围的加 ， 体现在 图 像上 为 低 灰度值 圆 弧 点 集 合 。 且 由于 Ａ 函数为周期 函 数 ， 随着转




轴 不停转动 ， 这些不 同 周 期 的 圆 弧叠加 最终形 成 扇 形 暗 区 


。

７５


 浙江大 学硕 士 学位论文
 



区 
ｅ
，
ｅ
出 现暗
ｊ

£
 ＼   ＼
  Ｓ 



   
—

 －  

？  

＾ ＂

？
Ｉ
ｊ １

Ｓａ  ２牙 ４ ；ｒ



ｅ


一

￡
＾ ￣
￣ ￣ ￣  

＇
￣

＼ ＼  ＼


Ｉ

Ｉ
｜

Ｖ ＾

 ．

旋转周 期



（
ａ） 校正前 角 度 变 化 （
ｂ） 校正后 角 度变化



图 ５ ． １ ３ 扇 形状 暗 区 分析 图



通过实验得知 ， 当 吟 ｜
＜ ￡ 时 ， 不会出现暗区 ， 其 中 ｅ 为
一

极小量 。 如图 ５ ． １ ３
（
ｂ） 所示 

，

可 以 通过 改进 自 旋装置 ， 使其摆 动小 于 避免 出 现扇 形暗区状况 


。

如图 ５ ． １ ４ 所示 ， 通过将摆动角 度 约束在小于 ｆ 的范围 内 ， 最终可 实现 摆动 近似 平




稳 ， 实现无暗 区 成像 

。

５ ． ４ 本章小结


■ ■

 （
ａ
）
校 正 前 点 扫 描 图 像

图 ５ ． １ ４

校正前后 点扫 描 图 像对 比 图


（
ｂ） 校正 后点 扫 描 图 

像

本章 通过具体实 验对本文提 出 的 多 扫 描 方式 明 暗场 晶 圆 检测 装置和算法进行验证 。 


首

先搭建 了 不 同 扫 描方式的 实验装置 ， 对具体 系 统布 局 、 硬件参数进行 了 介绍 ； 其次通过实




验证 明 了 本文提 出 晶 圆 检测算法 能有 效检测 出 晶 圆 中 的 细 微缺 陷 ， 并对不 同 扫描方式 明 暗



７６



５ 基于 明 暗场 的 多 扫描方式 图 案化 晶 圆 检测 实验




场成 像装置性 能指标进行横 向 比 较 ， 并将本文 创 新 提 出 的 基 于 统 计 量 迭 代 求标准 图 算 法 与




二 维小 波 变换求标准 图 算 法进行 性 能对 比 ； 最后针对 点 扫 描 暗场 实 验过程 中 出 现的扇形暗




区 ， 从 光 学 机械 层 面 给 出 分析解 释并校正 

。

７７



浙江大 学硕 士 学位论文 



６ 总 结 与 展望



６ ． １ 本文工作 总 结



半导体产 业为 现 代 电 子信 息 产 业 的 基础 ， 与 国 家 的高新科技水平息 息 相 关 ， 整个产业




上下游分工 明 确 ， 属于资金密集型产业 。 由 于我 国半导体产业起步 晚 ， 半导体市场被 国 际




巨头垄断 ， 在晶 圆制造工艺上 ， 缺少 高 端技术人才 ， 资 金投入不足 ， 国 际上对 中 国 封锁 等



“ ”
因 素 导致 我 国 半导体行业较为 落后 。 但近年来西方 国 家 以 国 家安 全为 名 借 科技战 打击


“ ”
中 国 高 科技产业 ， 在许 多 核心领域被 卡脖子 ， 因 此 掌 握半导体产 业核 心技 术对 我 国 发



展至关重要 其 中 晶 圆 检测 在半导体 生产环 节 中 为 十分重要不可替代 环 直接影响 


厂
一

。 ， 了

商半导体芯片 的 良率 。 本文 以 此 为 背 景 提 出 了
一

种 基于 多 扫 描方式 明 暗场结 合 的 图案化 晶




圆 检测系 统 ， 具体工作如下 

：

对缺 陷检测 技 术和 发展路线进行 调 研 ， 总结研究 了 目 前国 内 外晶 圆 检测路线 与 方法 


。

对厂 商制 作 图案化 晶 圆 所需 工艺流程进行探 究 ， 并 深入 了 解 各个环 节 可 能 引 入 的 缺 陷 类 型 


，

针对 性地 将缺 陷 依据不 同 标准分类 。 从理论角 度 ， 对 图案化 晶 圆 中 的蚀刻 图案抽象 ， 将复




杂 图 像看作是细 微线 段矢 量 的 叠加 并据此利 用 双 。 向 反射分布 函 数 Ｂ ＲＤ Ｆ 和 Ｒ ａｙ ｌ ｅｉ

ｇｈ
－

Ｒ ｉ ｃｅ



矢 量 散射理论 深入分 析 图 案化 晶 圆 表 面 散射场 ， 探讨 了 不 同 宽度 、 长度 、 深度和 方位角 的




细 微线 段 矢量和 光 线 入射 角 对散射场 的 影 响 

。

对基于 点 扫 描 、 线扫描 、 面 阵与 明 暗成像方式结合的成像系 统 （ ＭＰ ＷＤ Ｓ ） 进行深入




研究 。 分别 设计 了 基 于 点 扫 描 的 暗场成 像装置 ， 并对 点 扫描路线进行路径规划 ， 同 时对螺




旋 线 扫 描 方 式 下 的 坐标 推导进行 计算 以 便后续 图 像 重 构 ； 对线扫 描成像模型 进行研究 ， 


以

线 扫 模 型 为 基础 设计 了 基于线扫 描 的 明 暗场成像装置 ， 并根据线扫相机 的行频约束推导 


了

扫 描速率和 行频 的 关 系 ， 进行 了 理论效率分析 ； 研究 了 面 阵模 型 成像原理 ， 据此设计 了 


基

于面阵的 明 暗场成像装置 ， 并对面 阵装置对 图案化 晶 圆 扫 描路径 进行规划 ， 从无遗漏角 度




计算 了 理论上扫 描整个 晶 元所需 时 间 


。

根据本文提 出 的 晶 圆 检测装置所获取 的 图像 ， 针对性地提 出 了 基于重复子结构序列 的




缺 陷 提取算法 （ Ｒ Ｓ Ｓ Ｄ ＥＡ ） 。 该算 法通过角 度校正 、 切割重复子结构 区域 、 标准 图获取和特




征提取 四 个步骤来获取缺 陷 的位置和信 息 利 用 所拍 摄 的 图 像具有 许 多 重 复 结 构 区 域这



一

性质 ， 创 新 地提 出 了 基于 统计量 的 迭 代 求标准 图 算法 ， 能够 以 较低 的 时 间 复杂度得到 精准




７８


 ６ 总 结 与展望
 



的无噪声 无偏移标准 图 。 并 最终利 用 标准 图 通 过差 分双 阈 值分割 得 到 缺 陷 连通域进行 后续




特征提取 

。

对 本文提 出 的 多 扫 描 方式 明 暗 场 晶 圆 检测 装置 和 算 法进行 了 实 验验证 。 搭建 了 多 扫描




方 式 明 暗 场 结 合缺 陷 装 置 ， 利 用 本文 提 出 的 缺 陷 检 测 算 法对 图 案化 晶 圆 中 的 细 微缺 陷 进 行



检测 。 对 不 同 扫 描方式 明 暗场成 像装置 的 性 能指标进行横 向 比 较 ， 对本文创 新提 出 的基 于




统 计量 迭 代 求 标准 图 算 法 与 前 人 提 出 的 二 维 小 波 变 换求标 准 图 算 法 在 时 间 效 率 上进 行 纵



向 比较 ， 验证 了 本文提 出 算 法 的 可 行 性 。 针对 点 扫 描 暗场实 验过 程 中 出 现的扇形暗区 ， 


从

光 学 机械 多 角 度 入手 进行 研 究 ， 并 最终给 出 解释 并校正 

。

６ ２ ．
未来工作展望



本 文 通 过 对 图 案 化 晶 圆 表 面 蚀 刻 图 案 进 行 细 微线 段 矢 量 抽 象 ， 探 讨 其表 面 散射场分 布



并 以 此 为 理论基础 提 出 ， 了 基于 明 暗场 的 多 扫 描方 式 图 案化 晶 圆 检测 系 统 通 过 实 验证 明 。 

，

依据 本文构 建 的 晶 圆 缺 陷检测 系 统 能 实现 晶 圆 上 细 微缺 陷 的 检 测 ， 但 系 统仍有 许 多 可 改进




的地方 ， 主 要 包括 以 下几 点 

：

１ ．
特殊 区 域 内 缺陷 。 对于 复杂 图 案缺 陷检测 ， 本身 所 成 像 中 图 案 就 有 灰 度 的 起 伏 变



化 。 在所成 图像 中 某 些灰度值 与 缺 陷类似 的 区域 ， 缺 陷往往在后续 图像处理 中 无法判 别是




缺 陷 本身 还是蚀 刻 图案 且 这些缺 陷在 图像上 的 表征往 往是 到 两个像素 的偏差 无法通



一

。 ，

过设 定 阈 值将其 筛 选 出 来 。 因 此 ， 在后续的工作 中 ， 尝试使用 更 高精 度 的 相 机和 多 位姿 角




度拍 摄来 解 决这个 问 题 

。

２ ．
点 扫 描成像 背景 噪声 强 。 在基于 点扫 描 的 暗场成像实验 中 ， 最终 所 成 图 像 背 景 嗓声



国强 。 这是 由 于 ＰＭ Ｔ 的 高 灵敏度对任何细 微 的光 强 变 化 都 十 分敏 感 。 由 于 点 扫 描装置检



测 时是个动 态 的过程 ， 在这过程 中 环境 、 运动 机构 等 因 素 会影响采集过程 中 ＰＭＴ 所得 电




压值 ， 并最终导致背景噪声 过强 。 因此 ， 在后续过程 中 可 从机构 入 手 ， 如采取更加 精 密 的




转动装置 、 平移装置和承 载装置 ， 保 证 检测 过 程 中 不 会 由 于 晶 圆 处 于 旋 转 平移运 动 导 致 图




像质量不高 

。

检测 速度 与 精度有 待进 步提升 本文提 出 的 图 案化 晶 圆 缺 陷检测 系 统 已被实验



一

３ ． 。

证实有效 但 是其检测精度 与吞吐 量 能有进 步提升 空 间 前采取 的 多 种 成像方式 在 时



一

， 。 目

间 效 率上 还是无 法满足工业 实 时性 要 求 ， 且 国 外先 进检测 设备检测 精度 已 达到 几 个纳 米量




７９



浙江 大 学硕 士 学 位论文 



级 在吞吐量和 检测 精度 两 个指标上 与 国 外先进厂 商 存 在较大差距 因 此有必要进行进 


一

，
。

步研究 ， 从成像装置和 成 像算法入手 ， 利 用 先 进 技 术提 升 吞吐 量 和 检测 精度 


。

８０


 参考文献
 



参考文献



［
１
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  ｆ ｕ ｎｄ ａ ｍ ｅ ｎ ｔ ａ ｌ ｓ ， 
Ｈ ｏｗ  ｔ ｏ  ｍ ａｋ ｅ  ｒ ｏ ｂ ｏ ｔ ｓ  ｓ ｅ ｅ ［ Ｊ］ ．  ＮＡ Ｓ Ａ Ｔｅ ｃ ｈ Ｂ ｒ
ｉ ｅ ｆｓ  
， 
２０ １ １


，

３５ ６ ： ６０
－
６２ 

．

（ ）

２
 Ｍ ｃ Ｍｕ ａｎ Ｄ Ｓ ｃ ａ ｎｎ ｉ ｎ ｇ  ｅ ｌ ｅ ｃ ｔ ｒ ｏ ｎ ｍ ｉ ｃ ｒ ｏ ｓ ｃ ｏｐ ｙ  １ ９ ２ ８ ９６５ Ｊ Ｓ ｃ ａｎ ｎｉ ｎ ｇ ９９５ ７ （ ３ ） １ ７ ５ ８５
－

１
－

ｌｌ  １  １ １ 

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６ ］ Ｋ ｌ ｅ ｉｎ  Ｔ Ｂ ｕｈｒ Ｅ Ｆ ｒ ａ ｓ ｅ Ｃ Ｇ Ｔ Ｓ Ｅ Ｍ Ａ
，

，
  ．  ：   ｒ ｅｖ ｉ ｅ ｗ  ｏ ｆ ｓ ｃ ａ ｎｎｉ ｎ 

ｇ 
ｅ ｌ ｅ ｃｔ ｒ ｏ ｎ  ｍ ｉ ｃ ｒ ｏ ｓ ｃ ｏｐｙ 
ｉ ｎ  ｔｒａ 

ｎ ｓ ｍ ｉ ｓ ｓ ｉ ｏｎ

ｍ ｏ ｄ ｅ ａｎ ｄ   ｉｔ ｓａ
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ｉ ｃ ａｔ ｉ ｏ ｎ ｓ ［
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／／ Ａ ｄｖ ａ ｎ ｃ ｅ ｓ ｉ ｎ ｉ ｍ ａｇｉ ｎ ｇ 
ａｎ ｄ  ｅｌ ｅ ｃｔ ｒｏ ｎ
 ｐ ｈｙ ｓ ｉ ｃ ｓ ．  Ｅ ｌ ｓ ｅｖ ｉ ｅ ｒ，  ２ ０ １ ２ ， １ ７ １ 

：

２９７ ３ ５６ －



．

［
７ ］  Ｃ ｈ ｉ ｎ  Ｒ  Ｔ  Ｈ ａｒｌ ｏ ｗ  Ｃ  Ａ ｓ
．  Ａｕ ｔ ｏ ｍ ａｔ ｅ ｄ  ｖ ｉ ｓ ｕ ａ ｌ  ｉ ｎ ｓ ｐ ｅ ｃｔ ｉ ｏ ｎ  Ａ  ｓ ｕ ｒ ｖ ｅ ｙ ［ Ｊ ］  Ｉ Ｅ Ｅ Ｅ  ｔ ｒ ａｎ ｓ ａｃ ｔ ｉ ｏ ｎ ｓ  ｏ ｎ

 ： ．

ｐ ａ ｔ ｔ ｅ ｒ ｎ  ａ ｎ ａ ｌ ｙ ｓ ｉ ｓ  ａ ｎｄ  ｍ ａ ｃ ｈ ｉ ｎ ｅ  ｉ ｎ ｔ ｅ ｌ ｌ ｇ ｅ ｎ ｃ ｅ ９ ８ ２（ ６ ） ５ ５７ ５７３
－

１
ｉ ： 

．

［
８
］  Ｓｔｏｋｏｗ ｓ ｋ Ｓ ｉ
，
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Ｉ ｒ ａｖ ａ ｎ ｉ  Ｍ Ｗａｆｅ ｒ  ． ｉ ｎ ｓ ｐ ｅ ｃ ｔ ｉ ｏ ｎ  ｔ ｅ ｃ ｈ ｎ ｏ ｌ ｏ ｇｙ  ｃ ｈ ａ ｌ ｌ ｅ ｎ ｇ ｅ ｓ  ｆｏ ｒ Ｕ Ｌ Ｓ Ｉ



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４４９（ １
）


：

４０５ ４ －
１ ５ 

．

［
９ ］  Ｚ ｈ ｏｕ  Ｒ Ｅ ｄｗ ａ ｒ ｄ ｓ Ｃ Ａ ｒｂ ａｂ Ａ
，

，
ｉ
，
ｅ ｔ  ａｌ ．  Ｄｅ ｔｅ ｃ ｔ ｉ ｎ ｇ ２ ０ ｎｍ ｗ ｉ ｄ ｅ  ｄ ｅ ｆｅ ｃ ｔ ｓ  ｉ ｎ  ｌ ａ ｒｇ ｅ  ａｒ ｅ ａ  ｎ ａ ｎ ｏ ｐ ａｔ ｅ ｍ ｓ

  


ｕ ｓ ｉ ｎ ｇ  ｏｐ ｔ ｉ ｃ ａ ｌ  ｉ ｎ ｔ ｅ ｒ ｆｅ ｒ ｏ ｍ ｅ ｔ ｒ ｉ ｃ  ｍ ｉ ｃ ｒ ｏ ｓ ｃ ｏ ｐ ｙ ［ Ｊ ］ ．  Ｎ ａｎ ｏ ｌ ｅｔｔ ｅ ｒｓ ， 
２０ １ ３ １ ３
， （
８
）
： ３ ７ １ ６ ３ ７２
－

１ 

．

［
１ ０］ 
Ｚ ｈ ｏｕ  Ｒ ， 
Ｐ ｏ ｐ ｅ ｓ ｃｕ  Ｇ ，  Ｇ ｏ ｄｄ ａ ｒ ｄ  Ｌ  Ｌ ．  ２ ２  ｎｍ  ｎ ｏ ｄ ｅ  ｗ ａｆｅ ｒ  ｉ ｎ ｓ
ｐ ｅ ｃ ｔ ｉ ｏ ｎ  ｕ ｓ ｉ ｎ ｇ  ｄｉ ｆ ｆ
ｒ ａ ｃｔ ｉ ｏ ｎ  ｐ ｈ ａ ｓ ｅ



ｍ ｉ ｃ ｒ ｏ ｓ ｃ ｏｐ ｙ  ａｎ ｄ  ｉ ｍ ａ ｇ ｅ  ｐ ｏ ｓ ｔ ｐ ｒ ｏ ｃ ｅ ｓ ｓ ｉ ｎ ｇ ［ Ｃ ］ ／／ Ｍ ｅ ｔ ｒ ｏ ｌ ｏ ｇ ｙ －

，  Ｉ ｎ ｓｐ ｅ ｃ
ｔｉ ｏｎ ＾  ａｎ ｄ  Ｐ ｒ ｏ ｃ ｅ ｓ ｓ  Ｃ ｏｎ ｔ ｒ ｏ ｌ  ｆｏ ｒ



Ｍ ｉ ｃ ｒ ｏ ｌ ｉ ｔ ｈ ｏ ｇ ｒ ａｐ ｈ
ｙ
ＸＸ Ｖ Ｈ  Ｉｎｔ ｅ ｒ
ｎａ ． ｔｉ ｏ ｎ ａ ｌ  Ｓ ｏ ｃ ｉ ｅ ｔ ｙ  ｆｏ ｒ  Ｏ ｐ ｔ ｉ ｃ ｓ  ａ ｎ ｄ  Ｐｈ ｏ ｔ ｏ ｎ ｉ ｃ ｓ  ２ ０ ，
１ ３ ， ８ ６ ８ １ 

：

８６８ １ ０Ｇ 

．

［
１ｌ
Ｊ
Ｍｏｎａｓ ｔ
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Ｏｓ ｔ ａ
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ｔ ａｌ ．  Ｒ ｅ ｓ ｏ ｎ ａｎ ｃ ｅ  ｕ ｌ ｔ ｒ ａ ｓ ｏ ｎ ｉ ｃ  ｖ ｉ ｂ ｒ ａ ｔ ｉ ｏ ｎ ｓ  ｆｏ ｒ  ｉ ｎ
－

ｌｉ ｎｅ



ｃ ｒ ａ ｃ ｋ  ｄ ｅ ｔ ｅ ｃ ｔ ｉ ｏ ｎ  ｉ ｎ  ｓ ｉ ｌ ｉ ｃ ｏ ｎ  ｗ ａｆｅｒ ｓ  ａ ｎｄ  ｓ ｏ ｌ ａｒ  ｃ ｅ ｌ ｌ ｓ ［ Ｃ ］ ／ ／ ２ ０ ０ ８  ３ ３ ｒ ｄ Ｉ Ｅ Ｅ Ｅ Ｐ ｈ ｏ ｔ ｏｖ ｏ   ｌｔ ａｉ ｃ  Ｓ ｐ ｅ ｃ ｉ ａ ｌ ｉ ｓ ｔ ｓ



Ｃ ｏ ｎ ｆｅ ｒ ｅ ｎ ｃ ｅ ． Ｉ ＥＥＥ ， 
２ ０ ０ ８ １ ：
－

６ 

．

２ ］ Ｓ ａ ｄ ｌ ｅ ｒ  Ｄ  Ｊ  Ａ ｈｎ  Ｃ  Ｈ  Ｏ ｎ ｃ ｈ ｉ ｐ  ｅ ｄ ｄｙ  ｃｕ ｒ ｒ ｅ ｎｔ  ｓ ｅ ｎ ｓ ｏ ｒ  ｆｏ ｒ 

ｋ
 ｐ ｒ ｏ ｘ ｉ ｍ ｉ ｔ ｙ  ｓ ｅ ｎ ｓ ｉ ｎ ｇ ａｎ ｄ  ｃ ａｃ
１ ． ｒ －

［ 
，

ｄ ｅｔｅ ｃ ｔｉ ｏ ｎ ［ Ｊ］ ．  Ｓ ｅ ｎ ｓ ｏ ｒ ｓ  ａｎｄ  Ａ ｃ ｔ ｕ ａｔ ｏ ｒ ｓ Ａ  ：  Ｐｈｙ ｓ ｉ ｃ ａｌ ， 

２００ １
， 
９ １
（
３ ）
： ３ ４０ ３ ４ ５ －



．

８ 

１
 浙江 大学硕 士 学位论文
 



［
１ ３
］ 
Ｊ ａｎ
ｇ Ｄ Ｙ ？ 
Ａ ｈｎ  Ｈ  Ｓ ５  Ｍ ｅｈｄ ｉ ＳＳ Ｍ ，  ｅ ｔ  ａｌ  ． Ｄ ｅｖ ｅ ｌ ｏ ｐ ｍ ｅ ｎ ｔ  ｏ ｆ ｗ ａ ｆｅ ｒ  ｂ ｏ ｎｄ  ｉ ｎ ｔ ｅ ｇ ｒ ｉ ｔ ｙ  ｉ ｎ ｓｐ ｅ ｃ ｔ ｉ ｏ ｎ
 


ｓ
ｙ ｓ ｔ ｅｍ ｂ ａｓ ｅ ｄ ｏ ｎ   ｌ ａｓ ｅ ｒ  ｔｒ ａ ｎ ｓ ｍ ｉ ｔｔａｎ ｃ ｅ ［ Ｊ］ ，  Ｊ ｏ ｕｒ
ｎ ａｌ  ｏ ｆ  ｔ ｈｅ  Ｍ ｉ ｃｒ ｏ ｅ ｌ ｅ ｃ ｔ ｒ ｏ ｎｉ ｃ ｓ  ＆  Ｐ ａ ｃ ｋａｇ ｉ ｎ ｇ  Ｓ ｏ ｃ ｉ ｅｔ ｙ 

，

２０ １ ０ ，
１ ７ （２） ：  ２９ ３ ３ －



．

［
１ ４］ Ｂ ｒ ｙ ａｎｔ Ｒ Ｈ 
， 
ｉ ｃ ｋ ｓ ｏｎ  Ｊ ５ 
Ｈ ａｗ ｔ ｈ ｏｒ ｎ ｅ  Ｊ ．  Ｎ ｏｖｅ ｌ Ｆ ｕ ｌ ｌ  Ｗａｆｅ ｒ  Ｉ ｎ ｓｐ ｅ ｃ ｔｉ ｏ ｎ Ｔ ｅ ｃ ｈｎ ｏ ｌ ｏ ｇ ｙ  ｆｏ ｒ   Ｎ ｏｎ Ｖ －

ｉ ｓ ｕ ａｌ

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Ｒｅｓ ｉ ｄ ｕ ｅ  Ｄ ｅ ｆｅ ｃ ｔ ｓ ［ Ｃ ］ ／／ Ｓ ｏ ｌ ｉ ｄ  Ｓ ｔ ａ ｔ ｅ  Ｐ ｈ ｅ ｎ ｏ ｍ ｅ ｎ ａ ．  Ｔ ｒａ ｎ ｓ  Ｔｅ ｃ ｈ  Ｐ ｕｂ ｌｉ ｃ ａｔ ｉ ｏ ｎ ｓ  Ｌ ｔ ｄ ， 
２ ０ ０ ８ １ ３ ４ ，
： ２ ８ ９ 

－

２ ９２ 

．

［
１ ５
］
Ｋｒ ａ ｉ ｎＲ ，
Ｂｅ ｌ
ｊ
ａｋ ｏ ｖａ  Ｓ ，
Ｈ ｅｒ ｌ ｕ ｆｓ ｅ ｎ  Ｓ ，
ｅｔ  ａｌ ．  Ｃ ｌ ａ ｓ ｓ ｉ ｆ ｉ ｃ ａｔ ｉ ｏ ｎ  ｏ ｆ  ｄ ｅ ｆｅ ｃ ｔｉ ｖ ｅ  ｒ ｅ ｇ ｉ ｏ ｎ ｓ  ｉ ｎ  ｐ －
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ｙｐ ｅ



ｎ ｅ  ｓ ｉ ｌ ｉ ｃ ｏ ｎ  ｂ ｙ  ｃ ｏ ｍｐ ａ ｒ ｉ ｎ ｇ  ｌ ｕｍ ｉ ｎ ｅ ｓ ｃ ｅ ｎ ｃ ｅ  ｉ ｍ ａ
ｍ ｕ ｌ ｔ ｃ ｒｙ ｓ ｔａｌ ｇ ｅ ｓ  ｍ ｅ ａ ｓ ｕ ｒ ｅ ｄ  ｕｎ ｄ ｅ ｒ  ｄ ｉ ｆ ｆｅ ｅ ｎ
ｉ ｌ ｉ ｒ 

ｔ

ｃ ｏｎ ｄ ｉ ｔ ｉ ｏ ｎ ｓ  ［
Ｊ
］
，  Ｅ ｎ ｅ ｒｇｙ Ｐ ｒ ｏ ｃ ｅ ｄ ｉ ａ  ， 
２０ １ ３ ， 
３ ８ １ ０ ： １
－

１ ０７ 

．

［
１ ６］ Ｔｕ ｒ ｅ ｋ Ｍ 
， 
Ｂ ａｃ ｋｈ ａｕ ｓ Ａ  Ｍ ｅ ｙ ｅ ｒ  Ｓ 
， ， 
ｅ ｔ  ａｌ ． Ｉ ｄ ｅ ｎ ｔ ｉ ｆ ｉ ｃ ａ ｔ ｉ ｏ ｎ  ａ ｎ ｄ  ｃ ｌ ａ ｓ ｓ ｉ ｆ ｉ ｃ ａｔ
ｉ ｏ ｎ  ｏ ｆ ｃ ｏ ｎ ｔ ａ ｍ ｉ ｎ ａｔ ｉ ｏ ｎ ｓ  ｏ ｎ

 

ｗ ａｆｅ ｒ ｓ  ｕ ｓ ｉ ｎ ｇ ｈｙ ｐ ｅ ｒ ｓ ｐ ｅ ｃ ｔ ｒ ａ 
ｌｉ ｍ ａｇｉ ｎ ｇ ［ Ｊ］ ．  Ｅ ｎ ｅ ｒｇ ｙ Ｐ ｒ ｏ ｃ ｅ ｄ ｉ ａ  ２ ０ １  ，
６ ， 
９２ ：  ２３２ ２３５ －



．

［
１ ７］ Ｍｅ ｌ ｉ Ｌ Ｂ ｏ ｎ ａｍ Ｒ， 

， 
Ｈａ ｌ ｌ ｅＳ ５ 
ｅｔ ａｌ  ．  Ｄｅ ｔ ｅ ｃｔｉ ｏｎｏ ｆ
ｐ ｒ ｉ ｎ ａｂ
ｔ ｌ ｅＥ ＵＶ  ｍ ａ ｓ ｋ ａｂ ｓ ｏ ｒｂ ｅ ｒ ｄ ｅ ｆｅ ｃ ｔ ｓ ａｎ ｄ ｄ ｅ ｆｅ ｃ ｔ
 
   

ａ ｄ ｄｅｒ ｓ  ｂｙ  ｏ
ｆ ｉｌ  ｃ ｈ ｉ ｐ  ｏｐ ｔ ｉ ｃ ａｌ  ｉ ｎ ｓ ｐ ｅ ｃ ｔｉ ｏｎ  ｏ ｆ  Ｅ ＵＶ  ｐ ａ ｔｔ ｅ ｎ ｅ ｄ  ｗ ａ ｆｅ ｒｓ ［ Ｊ ］  Ｉ ＥＥ Ｅ  Ｔｒａ ｎ ｓ ａ ｃ ｔ ｉ ｏ ｎ ｓ  ｏｎ
ｒ 
 ，

Ｓ ｅ ｍ ｉ ｃ ｏｎ ｄｕ ｃ ｔ ｏ ｒ  Ｍ ａｎｕ ｆａ ｃ ｔ ｕ ｒ
ｉｎ ｇ ， 
２０ １ ７ ， 
３ ０ （４） ：  ４ ０２ ４０９ －


．

［
１ ８］ 
Ｔｓ ａ ｉ Ｚ Ｄ Ｐ ｅ ｍ ｇ Ｍ Ｈ  Ｄ ｅ ｆｅ ｃ ｔ ｄ ｅ ｔ ｅ ｃ ｔ

，  
 ．  ｉ ｎ ｓ  ｕ ｓ ｉ ｎ ｇ  ａ ｍｕ ｌ ｔ ｉ ｂ ａ ｎ ｄ ｐ ａ ｓ ｓ  ｆｉ ｌ ｔ ｅ ｒ ［ Ｊ ］
ｏ ｎ  ｉ ｎ  ｐ ｅ ｒ ｉ ｏ ｄ ｉ ｃ  ｐ ａｔ ｔ ｅ ｒ 
－ －



．

Ｍ ａｃ ｈ ｉ ｎｅ ｖ  ｉ ｓ ｉ ｏ ｎ  ａ ｎｄ  ａ
ｐｐ ｌ ｉ ｃ ａｔ ｉ ｏ ｎ ｓ ， 
２０ １ ３ ， 
２ ４（３ ） ： ５ ５ １
－
５ ６５ 

．

［
１ ９ ］ Ｊｅ ｏｎｇ
 
Ｙ  Ｓ ，
Ｋ ｉ ｍＳＪ ，
Ｊｅ ｏ ｎ
ｇ 
Ｍ Ｋ Ａｕ  ．  ｔ ｉ ｃ  ｉ ｄ ｅ ｎｔ ｉ ｆ
ｏ ｍ ａｔ ｉ ｃ ａｔ
ｉ ｏ ｎ  ｏ ｆ ｄ ｅ ｆｅ ｃ ｔ 

 ｐ ａｔ ｅ ｒ ｎ ｓ ｉ ｎ  ｓ ｅｍ ｉ ｃ ｏ ｎ ｄｕ ｃ ｔ ｏ ｒ



ｗ ａ ｆｅｒ  ｍ ａ ｐ ｓ  ｕ ｓ ｉ ｎ ｇ  ｓ ｐ ａｔ ｉ ａ ｌ  ｃ ｏ ｒｒ ｅ ｌ ｏ ｇ ｒ ａｍ  ａ ｎ ｄ  ｄｙ ｎ ａｍ ｉ ｃ  ｔ ｉ ｍ ｅ  ｗ ａ ｔ ｐ ｉ ｎ ｇ ［ Ｊ ］ ， Ｉ Ｅ ＥＥ Ｔ ｒ ａｎ ｓ ａ ｃ ｔ  ｉ ｏｎ ｓ  ｏｎ



Ｓ ｅ ｍ ｉ ｃ ｏ ｎ ｄｕ ｃ ｔ ｏ ｒ ｍ ａ ｎｕ ｆａ ｃ ｔ ｕ ｒ
ｉ ｎｇ 
， 
２ ００ ８ ，
２ １
（
４） ： ６２ ５ －
６３ ７ 

．

［
２０
］ 
Ｌ ｎ Ｈ Ｄ Ｈｏ Ｄ Ｃ Ｄ ｅｔｅｃｔ
ｉ  
， 
  ． ｉ ｏ ｎ  ｏ ｆ ｐ ｉ ｎｈ ｏ ｌ ｅ  ｄ ｅ ｆｅ ｃ ｔ ｓ  ｏ ｎ  ｃ ｈ ｉ ｐ ｓ  ａ ｎ ｄ ｗ ａｆｅ ｒ ｓ  ｕ ｓ ｉ ｎ ｇ Ｄ Ｃ Ｔ  ｅ ｎ ｈ ａ ｎ ｃ ｅ ｍ ｅ ｎ ｔ
 

 

ｉ ｎ  ｃ ｏ ｍｐ ｕ ｔ ｅ ｒ  ｖ ｉ ｓ ｉ ｏ ｎ  ｓ ｙ ｓ ｔ ｅ ｍ ｓ ［ Ｊ ］  Ｔ ｈ ｅ  Ｉ ｎ ｔ ｅ ｒ ｎ ａ ｌ  ｏ ｆ  Ａ ｄｖ ａｎ ｃ ｅ ｄ  Ｍ ａ ｎｕ ｆａ ｃ ｔ ｕ ｒ ｉ ｎ ｇ
ｎ ａｔ ｉ ｏ ｎ ａ  Ｊ ｏ ｕｒ 
 ， ｌ

Ｔｅ ｃ ｈｎ ｏ ｌ ｏ ｇｙ ， 
２００７ ， 
３４
（
５ －

６） ： ５ ６７ －

５ ８３ 

．

［
２ １
］
Ｂａ ｉ Ｘ ，  Ｆ ａｎ ｇ 
Ｙ Ｌ ，
ｉ ｎ Ｗ ， ｅｔ
ａ ｌ  Ｓ ａ ｌ ｉ ｅ ｎ ｃ ｙ ｂ ａ ｓ ｅ ｄ  ｄ ｅ ｆｅ ｃ ｔ  ｄ ｅ ｔ ｅ ｃ ｔ ｉ ｏ ｎ  ｉ ｎ  ｉ ｎ ｄ ｕ ｓ ｔ ｒ
．
－

ｉ ａ ｌ  ｉ ｍ ａｇ ｅ ｓ  ｂ ｙ  ｕ ｓ ｉ ｎ ｇ



ｐ ｈ ａ ｓ ｅ  ｓ ｐ ｅ ｃ ｔ ｒ ｕｍ ［ Ｊ］ ． Ｉ Ｅ Ｅ Ｅ Ｔ ｒ ａｎ ｓ ａ ｃ ｔ
ｉ ｏ ｎ ｓ  ｏ ｎ  Ｉ ｎ ｄｕ ｓ ｔ ｒ
 ｉａ ｌＩ ｎ ｆｏ ｒ ｍ ａ ｔ ｉ ｃ ｓ ， 
２０ １ ４ ， １ ０ （４ ） ：  ２ １ ３５
－
２ １ ４５ 

．

［
２２
］
Ｕ ｓ ｕｋ ｉ Ｓ ， 
Ｎ ｉ ｓ ｈ ｉ ｏ ｋａ  Ｈ ， 
Ｔａ ｋ ａ ｈ ａ ｓ ｈ ｉ Ｓ ， 
ｅｔ  ａ ｌ ．  Ｅ ｘｐ ｅ ｒ
ｉ ｍ ｅ ｎｔ ａ ｖｅ ｒ
ｉ ｆｉ ｃ ａｔ ｏｎ ｌ ｉ  ｏｆ  ｓｕ
ｐ ｅｒ
－

ｒ ｅ ｓ ｏ ｌ ｕｔ
ｉ ｏｎｏ ｐ
ｔｉ ｃ ａ ｌ

ｉ ｔ ［ Ｊ］  Ｔ ｈ ｅ
ｎ ｓｐ ｅ ｃ ｔ ｉ ｏ ｎ  ｆｏ ｒ  ｓ ｅ ｍ ｉ ｃ ｏｎ ｄ ｕ ｃ ｔ ｏ ｒ  ｄ ｅ ｆｅ ｃ ｔ  ｂ ｙ  ｕ ｓ ｉ ｎ ｇ  ｓ ｔ ａ ｎ ｄ ｉ ｎ ｇ  ｗ ａｖｅ  ｉ ｌ ｌ ｕ ｍ ｉ ｎ ａｔ ｉ ｏ ｎ ｓ ｈ ｉ ｆ 
 ．

Ｉｎｔ ｅ ｎ ａｔ ｉ ｏ ｎ ａ
ｒ ｌ Ｊ ｏ ｕｒ
ｎａ ｌｏｆ Ａ ｄ ｖ ａｎ ｃ ｅ ｄ Ｍ ａｎｕ ｆａ ｃ ｔ ｕ ｒ  ｉ ｎ ｇ Ｔｅ ｃ ｈ ｎ ｏ ｏ ｇ ｙ

ｌ
，
２０ １ ０ ， 
４６（９ －
１ ２） ： ８ ６３ －

８７５ 

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８２


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


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ｅｔａｌ ．  Ｄ ｅ ｆｅ ｃ ｔ  ｄ ｅ ｔ ｅ ｃ ｔ ｏ ｎ ｏ ｆ Ｉ Ｃ ｗ ａ ｆｅ ｒ ｂ ａ ｓ ｅ ｄ ｏ ｎ
ｉ      ｔ ｗ ｏ ｄ ｉ ｍ ｅ ｎ ｓ ｏｎ ｗ ａ ｖ ｅ ｌ ｅ ｔ
－

 ｉ 

ｔｒ ａ ｎ ｓ ｆｏ ｒ ｍ ［ Ｊ ］ ．  Ｍ ｉ ｃ ｒ ｏ ｅ ｌ ｅ ｃｔ ｒ ｏ ｎ ｉ ｃ ｓ
 ｊ
ｏ ｕｒ
ｎ ａｌ ， 
２０ １ ０ ，
４ １
（
２ －

３
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： １ ７ １
－

１ ７７ 
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Ｄ ］ ［
Ｄ ］
．
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２０ １ ３ 

．

［
３ １
］
Ｔ ｈ ｎ ｆｉ ｌ ｍ ｐ ｒ ｏ ｃ ｅ ｓ ｓ ｅ ｓ  Ｉ Ｉ ［Ｍ ］
ｉ

．  Ｇｕ ｌ ｆ Ｐ ｒ ｏ ｆｅ ｓ ｓ ｉ ｏ ｎａｌ  Ｐ ｕｂ ｌ ｉ ｓ ｈ ｉ ｎ ｇ  １ ９ ９


，
１ 

，

［
３２
］
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ｐｒ ｉ ｎ ｃ ｉｐ ｌ ｅ ｓ ，  ｔｅ ｃ ｈ ｎ ｏ ｌ ｏ ｇｙ  ａ ｎ ｄ



ａ
ｐｐ
ｌｉ ｃ ａｔ ｉ 〇ｎ ｓ
［
Ｍ ］
．  Ｗ ｉｌ ｌｉ ａｍ  Ａ ｎ ｄｒ ｅ ｗ ， １ ９９９ 

．

Ｒｅ Ｋ Ｘ Ｔｈｅ ｐ ｒ ｅｐ ａ ｒ ａ ｔ ｉ ｏ ｎ ｏ ｆ ｔ ｈ ｉ ｎ ｆ
ｉ ｌ ｍ ｓ ｂ ｙ ｐ ｈ ｙ ｓ ｉ ｃ ａ ｌ  ｖ ａｐ ｏ ｘ ｕ ｄ ｅｐ ｏ ｓ ｉ ｔ ｉ ｏ ｎ ｍ ｅ ｔ ｈ ｏ ｄ ｓ ［ Ｊ ］
＊

［
３ ３］ ｉｃ ｈｅ ｌｔ 
， 
Ｊ ｉ ａｎ
ｇ 
． 

   

  

．

Ｔ ｈｉ ｎ  Ｓ ｏ ｌｉ ｄ Ｆ ｉｌｍ ｓ

， 
１ ９９０ ５
１ ９ １
（
１
）
：  ９ １
－

１ ２６ 

．

［
３４
］ 
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．
－

 ｍ ｅ ｃ ｈ ａ ｎ ｉ ｃ ａ ｌ  ｐ ｏ ｌ ｉ ｓ ｈ ｉ ｎ ｇ  ｆｏ ｒ



ｆａｂ ｒ ｉ ｃ ａｔ ｉ ｎ
ｇｐ ａ
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ｒ  ｉ ｎ ｔ ｅ ｒ ｃ ｏ ｎｎ ｅ ｃ ｔ ｓ ＾ ］ ． ｎａ ｏ ｆ
 Ｊ ｏ ｕｒ ｌ ｔ ｈｅ



Ｅ ｌ ｅ ｃ ｔ ｒ ｏ ｃ ｈ ｅ ｍ ｉ ｃ ａｌ  Ｓ ｏ ｃ ｉ ｅ ｔ ｙ  １ ９ ９ ，
１
， １ ３ ８ （ １ １
）
； ３ ４６０ 

．

［
３ ５
］
Ｌ ｅｖｅｎ ｓ ｏｎ ＭＤ ， 
Ｖ ｉ ｓ ｗ ａｎ ａｔｈ ａｎ  Ｎ  Ｓ ５  Ｓ ｉ ｍｐ ｓ ｏ ｎ  ＲＡ  ． Ｉｍ
ｐ ｒ ｏ ｖ ｉ ｎ ｇ  ｒ ｅ ｓ ｏ ｌ ｕｔ ｉ ｏ ｎ  ｉ ｎ  ｐ ｈ ｏ ｔ ｏ ｌ ｉ ｔ ｈ ｏ ｇ ｒ ａｐ
ｈｙ



ｗ ｉ ｔｈ  ａ  ｐ ｈ ａ ｓ ｅ －

ｓ ｈｉ ｆ
ｔ ｉ ｎ ｇ  ｍａ ｓ ｋ ［ Ｊ］ ， Ｉ Ｅ Ｅ Ｅ  Ｔｒ ａｎ ｓ ａ ｃ ｔ ｉ ｏ ｎ ｓ  ｏ ｎ  ｅ ｌ ｅ ｃ ｔ ｒ ｏｎ  ｄ ｅ ｖ ｉ ｃ ｅ ｓ  １ ９ ８ ２ ， ？ 
２９（ １ ２ ） １ ８ ２ ８
：


－

１ ８３ ６ 

．

［
３ ６］ Ｂ ｅ ａ ｎ  Ｋ  Ｅ Ａ ｎ ｉ ｓ ｏ ｔ ｒ ｏｐ ．  ｉ ｃ  ｅｔ ｃ ｈｉｎ
ｇｏ
ｆ  ｓ ｉ ｌ ｉ ｃ ｏ ｎ ［ Ｊ ］  Ｉ Ｅ Ｅ Ｅ  Ｔ ｒ ａｎ ｓ ａ ｃ ｔ ｉ ｏ ｎ ｓ  ｏ ｎ  ｅ ｌ ｅ ｃ ｔ ｒ ｏ ｎ  ｄ ｅ ｖ ｉ ｃ ｅ ｓ  １ ９ ７ ８
．

， 

，

２５ １ ０） １ ： １ ８５
－

１ １ ９３ 

．

８３


 浙江 大 学硕 士 学位论 文
 



［
３７
］
Ｔｏ ｗ ｎ ｓ ｅ ｎ ｄ  Ｐ Ｄ 
３ 
Ｃ ｈａｎ ｄ ｌ ｅｒ  Ｐ  Ｊ ， 
Ｚ ｈａｎ ｇ  Ｌ ．  Ｏｐｔ ｉ ｃ ａｌ  ｅ ｆｅ ｃ ｔｓ ｏｆ  ｉ ｏ ｎ  ｉ ｍｐ ｌ ａ ｎ ｔ ａｔｉ ｏ ｎ ［ Ｍ ］ ．  Ｃ ａｍｂ ｒ ｉ ｄｇｅ



Ｕｎ ｉ ｖ ｅ ｒｓ ｉ ｔｙ  Ｐ ｒｅ ｓ ｓ ， 
２００６ 

．

［
３８
］ 
Ｖａ ｌ ｏｖ  Ｉ
，
Ｗａ ｓ ｅ ｒ Ｒ 
，
Ｊ ａｍ ｅ ｓ ｏ ｎ Ｊ   Ｒ ， 
ｅｔ ａｌ  ．  Ｅ ｌ ｅ ｃ ｔ ｒ ｏ ｃ ｈ ｅ ｍ ｉ ｃ ａ ｌ  ｍ ｅ ｔ ａ ｌ ｌ ｉ ｚ ａｔ ｉ ｏ ｎ  ｍ ｅｍ ｏ ｒ
ｉ ｅｓ —

ｆ ｕｎ ｄ ａ ｍ ｅ ｎ ｔ ａ ｌ ｓ 

，

ａｐ
ｐ ｌ ｉ ｃ ａｔ ｉ ｏ ｎ ｓ ，  ｐ ｒ ｏ ｓｐ ｅ ｃｔ ｓ ［ Ｊ］ ，  Ｎ ａｎ ｏ ｔｅ ｃ ｈ ｎ ｏ ｌ ｏ ｇｙ ， 
２０ １ １
，
２２ ２ ５ ）
（
：  ２ ５ ４００ ３ 

．

［
３９ 

］
Ｉｔ ｏ  Ｔ Ｏ ｋａ ｚ ａ ｋ
，
ｉ Ｓ ．  Ｐ ｕ ｓ ｈｉｎ ｇ  ｔ ｈ ｅ  ｌ ｉ ｍｉ ｔ ｓ  ｏ ｆ  ｌ ｉｔ ｈ ｏ ｇｒａ ｈｙ ［ Ｊ］
ｐ ．  Ｎａ ｔ ｕｒｅ ，
２ ０００ ，
４０６（ ６ ７９９） ： １ ０２ ７
－

１ ０３ １ 

．

［
４ ０ ］ Ｓ ｕｇ ａｗ ａｒ ａ  Ｍ
 ， 
Ｋ ａｗ ａ ｈ ｉ ｒａ Ｈ Ｔｓ ｕｄ ａ ｋ ａ Ｋ
， 

， 
ｅｔ  ａ ｌ ．  Ｐ ｒ ａ ｃ ｔ ｉ ｃ ａ ｌ  ｅ ｖ ａ ｕ ａ ｔ ｉ ｏ ｎ  ｏ ｆ ｏ ｐ ｔ ｉ ｃ ａ ｌ ｐ ｒｏ ｘ ｉ ｍ ｉ ｔ ｙ  ｅ ｆ ｆｅ ｃ ｔ
ｌ 
 
－

ｃ ｏ ｒｒ ｅ ｃ ｔｉ ｏ ｎ  ｂ
ｙ  Ｅ Ｄ Ｍ  ｍ ｅ ｔｈ ｏ ｄ ｏ ｌ ｏ ｇ ｙ ［ Ｃ ］ ／ ／ Ｏ ｐ ｔ ｉ ｃ ａ ｌ ／
Ｌ ａ ｓ ｅｒ  Ｍ ｉ ｃ ｒ ｏ ｌ ｉ ｔ ｈ ｏ ｇ ｒ ａｐ ｈ ｙ

Ｖ ＩＩＩ ．  Ｉ ｎｔ ｅ ｒ
ｎ ａｔ ｏ ｎ ａ ｌ ｉ

Ｓ ｏ ｃ ｉ ｅ ｔ ｙ  ｆｏ ｒ  Ｏ ｐｔ ｉ ｃ ｓ  ａ ｎ ｄ  Ｐｈ ｏ ｔ ｏ ｎ ｉ ｃ ｓ ， 
１ ９９ ５ ， 
２ ４４ ０ ：  ２ ０７ ２ －

１ ９ 

．

［
４ １
］
Ｋ ａ ｅ ｍｐ ｆ  Ｕ Ｔ ｈ ｅ  ｂ ． ｉ ｎｏ ｍｉ ａ ｌ  ｔ ｅ ｓ ｔ  Ａ  ｓ ｍｐ ： ｉ ｌ ｅ  ｔ ｏ ｏ ｌ  ｔ ｏ  ｉ ｄ ｅ ｎｔ ｉ ｆ ｙ  ｐ ｒｏ ｃ ｅ ｓ ｓ
 ｐ ｒ ｏｂ ｌ ｅ ｍ ｓ ［ Ｊ ］  Ｉ Ｅ Ｅ Ｅ

 ．

Ｔｒ ａ ｎ ｓ ａ ｃ ｔ ｉ ｏ ｎ ｓ  ｏ ｎ  ｓ ｅ ｍ ｉ ｃ ｏ ｎ ｄ ｕ ｃ ｔ ｏ ｒ ｍ ａ ｎ ｕ ｆａ ｃ ｔ ｕ ｒ
ｉ ｎｇ 
， １ ９９５ ， 
８
（
２ ） １ ６ ０ ：
－

１ ６６ 

．

［
４２ ］ Ｂ ｏ ｍ ａｎｎ  Ｗ  Ｃ ｒ ｙ ｓ ｔ ａ
ｌｌ ． ｌ  ｄ ｅ ｆｅ ｃ ｔ ｓ  ａ ｎ ｄ  ｃ ｒ
ｙ ｓ ｔａ ｌ ｌ ｉ ｎ ｅ  ｉ ｎ ｔ ｅ ｒ ｆａ ｃ ｅ ｓ ［ Ｍ ］  Ｓ ｐ ｒ ｉ ｎ ｇ ｅ ｒ  Ｓ ｃ ｉ ｅ ｎ ｃ ｅ  ＆  Ｂ ｕ ｓ ｉ ｎ ｅ ｓ ｓ

 ．

Ｍ ｅｄ ｉ ａ ，
２０ １ ２ 

．

［
４３
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Ｈ ｗ ａ ｎ ｇ  Ｊ  Ｙ  Ｋｕ ｏ  Ｗ  Ｍ ｏ ｄ ｅ ，
． ｌ
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ｂ ａ ｓ ｅ ｄ  ｃ ｌ ｕ ｓ ｔ ｅ ｒ ｉ ｎ ｇ  ｆｏ ｒ  ｉ ｎ ｔ ｅ ｇ ｒ ａｔ ｅ ｄ  ｃ ｉ ｒ ｃ ｕ ｉ ｔ  ｙ ｉ ｅ ｌ ｄ  ｅ ｎ ｈ ａｎ ｃ ｅ ｍ ｅ ｎｔ ［ Ｊ ］ 

．

Ｅ ｕ ｒ ｏ ｐ ｅ ａｎ  Ｊ ｏ ｕ ｒ
ｎａ ｌ ｏｆ  Ｏ ｐ ｅ ｒ ａｔ ｉ ｏ ｎ ａｌ  Ｒ ｅ ｓ ｅ ａｒ ｃ ｈ ， 
２００７ ， １ ７ ８ （
１
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： １ ４３ －

１ ５３ 

．

４４ Ｃ ｈ ｅｎ Ｆ  Ｌ Ｌ ｕＳ Ｆ  Ａ  ｎ ｅｕ ｒ ａ ｌ ｎ ｅ ｔ ｗ ｏ ｒｋ  ａｐ ｐ ｒ ｏ ａ ｃ ｈ  ｔ ｏ  ｒ ｅ ｃ ｏ ｇ ｎ ｉ ｚ ｅ  ｄ ｅ ｆｅ ｃ ｔ  ｓ ｐ ａｔ ｉ ａｌ  ｐ ａｔ ｅ ｒ ｎ  ｉ ｎ


－

ｉ ＿

［ ］ ，

ｓ ｅ ｍ ｉ ｃ ｏ ｎ ｄ ｕ ｃ ｔ ｏ ｒ  ｆａｂ ｒ
ｉ ｃ ａｔ ｉ ｏ ｎ ［ Ｊ ］ ，  Ｉ Ｅ Ｅ Ｅ  ｔ ｒ ａ ｎ ｓ ａ ｃ ｔ ｉ ｏ ｎ ｓ  ｏ ｎ  ｓ ｅ ｍ ｉ ｃ ｏ ｎ ｄ ｕ ｃ ｔ ｏ ｒ  ｍ ａ ｎ ｕ ｆａ ｃ ｔ ｕ ｒ ｉ ｎ ｇ  ２ ０ ０ ０ ， 

，

１ ３ （
３ ）
： ３ ６６ ３ ７３ －



．

［
４５ ］ 
Ｗａ ｎ ｇ  Ｃ  Ｈ  Ｋｕ ｏ  Ｗ  Ｂ ｅ ｎ ｓ ｍ ａ  Ｈ  Ｄ ｅ ｔ ｅ ｃ ， ，
ｉ ｌ ． ｔｉ ｏ ｎ ａ ｎ ｄ  ｃ ｌ ａ ｓ ｓ ｉ ｆ ｉ ｃ ａｔ
ｉ ｏ ｎ  ｏ ｆ  ｄ ｅ ｆｅ ｃ ｔ  ｐ ａ ｔ ｔ ｅ ｒ
ｎ ｓ  ｏｎ



ｓ ｅ ｍ ｉ ｃ ｏ ｎ ｄｕ ｃ ｔ ｏ ｒ  ｗ ａｆｅ ｒ ｓ
 ［
Ｊ］  Ｉ Ｉ． Ｅ ｔ ｒａｎ ｓ ａ ｃ ｔ ｉ ｏ ｎ ｓ
， 
２ ００６ ， 
３８
（
１ ２ ） １ ０ ５ ９：
－

１ ０６８ 

．

［
４６
］
Ｇ ｌ ｅ ａｓ ｏ ｎ  Ｓ  Ｓ ， 
Ｔｏ ｂ ｉ ｎ  Ｊｒ  Ｋ Ｗ Ｋ ａｍ ｏ ｗ ｓ ｋ Ｔ

， 
ｉ  Ｐ  ｅｔ ａ ｌ
５
 ．  Ｒ ａｐ ｉ ｄ ｙ ｉ ｅ ｌ ｄ  ｌ ｅ ａｒ ｎ ｉ ｎ ｇ
 
ｔ ｈ ｒ ｏ ｕ ｇ ｈ  ｏｐ ｔｉ ｃ ａ ｌ  ｄ ｅｆｅｃ ｔ



ａｎ ｄ  ｅ ｌ ｅ ｃ ｔｒ ｉ ｃ ａｌ  ｔｅ ｓｔ  ａｎａ ｙ ｓ ｌ ｉ ｓ
［
Ｃ ］ ／／ Ｍ ｅ ｔ ｒ ｏ ｌ ｏ ｇｙ ，  Ｉ ｎｓ
ｐｅｃ ｔ ｏｎ ｉ
，  ａ ｎ ｄ  Ｐ ｒ ｏ ｃ ｅ ｓ ｓ  Ｃ ｏ ｎ ｔ ｒ ｏ  ｆｏ ｒ

 ｌ

Ｍ ｉ ｃ ｒｏ ｌ ｉ ｔｈ ｏ
ｇ ｒ ａｐ
ｈｙ 
ＸＩ Ｉ ． Ｉ ｎｔｅｒ
ｎ ａｔ ｉ ｏｎ ａ ｌ  Ｓ ｏ ｃ ｉ ｅ ｔ ｙ  ｆｏ ｒ  Ｏ ｐ ｔ ｉ ｃ ｓ  ａ ｎ ｄ  Ｐ ｈ ｏ ｔ ｏ ｎ ｉ ｃ ｓ ， 
１ ９９８ ， 
３３３２ ： ２ ３２
－

２４２ 
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４ ７］ 
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４８］ 
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４９ ］ 
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：  
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．
， ，

８４
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参考文献 
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［
５ ０ ］ Ｓｕ Ｂ ， Ｓ
ｌ Ｂ ｎ ｅ  ｄ ｉ ｆ ｆｅ ｒ ｅ ｎ ｔ ｉ ａ ｌ  ｇ ｅ ｏ ｍ ｅ ｔ ｒ ｙ ［ Ｍ ］
ｕ Ｐ  Ａ ｆ
． ．  Ｃ ＲＣ Ｐ ｒ ｅ ｓ ｓ

， １ ９ ８ ３ 

．

［
５ １
］
Ｓ ｔ ｅ ｇ ｅｒ  Ｃ ． Ｓ ｉ ｍ ｉ ｌ ａｒ
ｉ ｔ ｙ ｍ ｅ ａ ｓ ｕ ｒ ｅ ｓ  ｆｏ ｒ  ｏ ｃ ｃ ｌ ｕ ｓ ｉ ｏ ｎ ，
ｃ ｌ ｕｔ ｅ ｒ ，
ａｎ ｄ  ｉ ｌ ｌ ｕ ｍ ｉ ｎ ａｔ ｉ ｏ ｎ  ｉ ｎｖ ａｒ
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ｇｅｒ ，  Ｂ ｅｒ ｌ ｉ ｎ ， 
Ｈｅ ｉ ｄ ｅ ｌ ｂ ｅｒｇ ， 
２００ １ 
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：

１ ４８ －

１ ５４ 
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．

８５
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 浙江 大 学硕 士 学位论文
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作者 筒历及主要研究成 果
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作者简历
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一

陈世炜 ， 男 ，
１ ９９５ 年 ３ 月 出 生于福 建省 龙岩 市 。 ２０ １ ４ 年 ９ 月 至 ２０ １ ８ 年 ６ 月 就读于 南
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开大学 光 电信息科 学 与 工程专业 ， 获得工学 学士 学位 。 ２０ １ ８ 年 ９ 月 至今于浙江大学 光 电科

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学与 工程学 院攻读硕 士研 究 生 学 位 ， 师从 白 剑 教授 、 杨 甬 英 教授 ， 主 要 从事机器视觉 、 

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光

学精 密 检测 方 向 的 研究
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二 、 攻读 硕 士期 间 主要研 究 成 果
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１ ６７ ６（ １
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０ １ ２２２ ５ ．

（
Ｅｌ收 录 
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）

８６
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