Ch1 X RAY 2021

Chương 1, Phân tích cấu trúc bằng tia X 3/10/2021
NGHIÊN CỨU CẤU TRÚC BẰNG TIA RƠNGHEN NGHIÊN CỨU CẤU TRÚC BẰNG TIA RƠNGHEN
TẠI SAO PHẢI NGHIÊN CỨU CẤU TRÚC?
Tính chất vật liệu được quyết định bởi

cấu trúc tinh thể
Diamond
Fullerene
C60
Graphite
NVDuc – duc.nguyenvan@hust.edu.vn NVDuc – duc.nguyenvan@hust.edu.vn

1 2
NGHIÊN CỨU CẤU TRÚC BẰNG TIA RƠNGHEN PHÂN TÍCH CẤU TRÚC BẰNG TIA RƠNGHEN
X_RAY

3 4
duc.nguyenvan@hust.edu.vn Viện KH& KT Vật liệu 1

PHÂN TÍCH CẤU TRÚC BẰNG TIA RƠNGHEN PHÂN TÍCH CẤU TRÚC BẰNG TIA RƠNGHEN
TỔ CHỨC CỦA VẬT LiỆU KIM LỌAI
-Gồm những pha gì;
-Thành phần % từng pha;
VẬT LIỆU NỘI DUNG
-Kích thước hạt từng pha;
-Hình dạng của từng pha; GÌ? ✓Cấu trúc mạng tinh thể
-Phân bố của các pha;
-Cấu trúc tinh thể của từng pha: ĐÃ ĐƯỢC ✓Vật lý tia Rơnghen;
+ Kiểu mạng tinh thể; XỬ LÝ NHƯ ✓Tương tác tia X – vật chất
+ Thông số mạng tinh thể;
THẾ NÀO?
+ Sắp xếp nguyển tử;
PHƯƠNG PHÁP NGHIÊN CỨU:
✓Nhiễu xạ tia X
- PHÂN TÍCH THÀNH PHẦN HÓA HỌC + GiẢN ĐỒ PHA
✓Phân tích cấu trúc bằng tia X
- HiỂN VI ( HVQH + SEM +TEM ): hình thái, kích thước, phân bố của pha
- NHIỄU XẠ TIA X: Phân tích pha định tính; Cấu trúc tinh thể; Phân tích định lượng

5 6
PHÂN TÍCH CẤU TRÚC BẰNG TIA RƠNGHEN Cấu trúc tinh thể của vật liệu kim lọai
Ô cơ sở →
3 véc tơ a, b và c lần lượt nằm trên các c

trục Ox, Oy và Oz → 3 véc tơ đơn vị →
b
CẤU TRÚC MẠNG TINH THỂ Độ lớn a, b và c → các hằng số
mạng
CỦA VẬT RẮN Các góc ,  và  là góc
→
a
tạo bởi các véc tơ đơn vị
Các hệ tinh thể khác nhau phụ thuộc vào mối quan hệ giữa cạnh và góc
Ba nghiêng (tam tà) abc 
Một nghiêng (đơn tà) abc ==900
Trực giao abc ===900
Ba phương (mặt thoi) a=b=c ==900
Sáu phương (lục giác) a=b c ==900, =1200
Chính phương (bốn phương) a=b c ===900
Lập phương a=b=c ===900

7 8

NGHIÊN CỨU CẤU TRÚC BẰNG TIA RƠNGHEN Crystal Structure of Metals and Ceramics
CaTiO3 – Calcium Titanate
K3C60 is an interesting material because of its

superconducting properties (Tc = 20 K) and metal
fullerides are the subject of much current research.
Sodium Chloride ( NaCl)

Structure observed as Cubes
NVDuc – duc.nguyenvan@hust.edu.vn
9 10
LẬP PHƯƠNG TÂM MẶT (A1) LẬP PHƯƠNG TÂM KHỐI (A2)
Số nguyên tử gốc: n=4

[[0,0,0]]; [[1/2;1/2;0]]; [[1/2;1/2;0]]; [[1/2;1/2;0]]
[[0,0,0]]; [[1/2; ½; ½]]
11 12

MẠNG NGHỊCH Tính toán mạng nghịch

cos  .cos  − cos 
MẠNG THUẬN MẠNG NGHỊCH
a*, b*, c* cos * =

a, b, c
sin  .sin 
cos  .cos  − cos 
cos * =
3 tính chất của mạng nghịch sin  .sin 
+ T/c 1: Tích vô hướng các véctơ khác lọai bằng 0;
+ T/c 2: Tích vô hướng véctơ cùng lọai bằng 1; cos  .cos  − cos 
+ T/c 3: Véc tơ mạng nghịch r*HKL bất kỳ đều vuông góc với mặt (hkl) mạng thuận,
cos * =
với h=H/n; k=K/n và l=L/n; Ngòai ra |r*HKL|=1/ dhkl
sin  .sin 
Mạng thuận Mạng nghịch
Mạng A1 với hằng số mạng a Mạng A2, hằng số mạng a*=1/a
Mạng A2 với hằng số mạng a Mạng A1, hằng số mạng a*=1/a 1/ 2
V = abc 1 − cos 2 − cos 2  − cos 2 + 2cos  .cos  .cos  
13 14
1. Giới thiệu 2. Thu & nhận 3. Tương tác&nguyên lý 4. Thiết bị 5. Phương pháp 6. Ứng dụng
NGHIÊN CỨU CẤU TRÚC BẰNG TIA RƠNGHEN
Khoảng cách mặt nguyên tử dhkl Công thức tính khoảng cách dhkl
Cơ sở xác định:
Từ |r*HKL|=1/ dhkl ta có: 1/d2hkl = |r*HKL|2
=> Biểu thức dhkl của một số kiểu mạng tinh thể điển hình
For cubic crystals: For hexagonal crystals:
1 h2 + k 2 l 2
Mạng bốn phương
2
= + 2
d hkl a2 c
VÍ DỤ: Xác định khỏang cách mặt nguyên tử của một số mặt tinh thể của
mạng lập phương;
16
15 16

Tia X:
▪ Tia X được tìm ra bởi...? (sử dụng chùm điện tử)
Vật lý tia Rơnghen

Wilhelm Conrad Röntgen
(1845-1923)
1895
▪ Một số p.p. tạo tia X khác: nguồn đồng vị, synchrotron,... 18
17 18
1. Giới thiệu 2. Thu & nhận 3. Tương tác&nguyên lý 4. Thiết bị 5. Phương pháp 6. Ứng dụng
Giống như ánh sáng, sóng vô tuyến hoặc tia Bản chất tia X:
gamma, tia X là dạng sóng điện từ có đặc tính ▪ Tia X là bức xạ điện từ tương tự tia 
sóng và hạt, được xem như những foton chuyển - Tia X cứng (hard x-rays): tần số cao, năng lượng cao
- Tia X mềm (soft x-rays): tần số thấp, năng lượng thấp
động với tốc độ ánh sáng và có năng lượng :
 = h = hc/
Trong đó:
- h là hằng số Planck= 6,624.10-34 J.s=4,135.10-15 eV.s
- C là tốc độ ánh sáng = 2,988 108 m/s
-  là tần số bức xạ rơnghen [1/s]
-  là bước sóng bức xạ rơnghen X [m]
20
19 20

Những tính chất cơ bản của tia X: Tạo tia X trong máy nhiễu xạ XRD:
▪ Chùm điện tử (từ sợi đốt W) bắn phá kim
▪ Không nhìn thấy (vùng ánh sáng nhìn thấy:  = 400  700 nm;
loại (Cu, Mo, Al, Mg,...) → IX ~ kiZV2 →
còn vùng bước sóng của tia X:  = 0.1  0.001 nm)
thường dùng bia kim loại nặng
▪ Truyền thẳng trong không gian tự do. ▪ Khoảng 1% tổng năng lượng chùm e → bức
▪ Hấp thụ → bị suy giảm cường độ bởi môi trường. xạ tia X, phần còn lại → nhiệt!
▪ Các bia khác nhau → phổ tia X khác nhau
▪ Truyền qua → có tính “thấu quang” với nhiều môi trường không
trong suốt. Vì có bước sóng ngắn, năng lượng cao → khả năng
xuyên thấu cao.
▪ Khúc xạ → bởi chiết suất của môi trường vật chất.
▪ Phản ứng quang hóa → tác dụng lên phim ảnh.
▪ Nhiễu xạ bởi tinh thể.
▪ Hủy hoại cơ thể sống. 21 22
21 22
Phổ liên tục

Phổ gồm một dãy liên tục các song rơnghen với bước
sóng khác nhau. Bức xạ liên tục còn gọi là bức xạ
trắng
Phổ vạch đặc trưng
Phổ gồm các tia rơnghen riêng biệt, rời rạc ứng với
bước sóng xác định. Mỗi anode sẽ có phổ vạch đặc
trưng cho nguyên tố làm anode.
Phổ vạch thường gồm các vạch xếp theo từng lớp
riêng biệt theo chiều tang bước sóng là các lớp K, L,
M, N…Mỗi lớp có nhiều vạch khác nhau, ví dụ lớp K
có 5 vạch ứng với các bước sóng: Kα1; Kα2; K1; K2
K3
23 24

Bộ lọc đơn sắc (MONOCHROMATOR): Bộ lọc đơn sắc (MONOCHROMATOR):

1. Bộ lọc (filter): vật liệu chỉ cho một bước sóng đi qua, nguyên tắc 1. Bộ lọc (filter):
chọn vật liệu lọc: có đỉnh hấp thụ K ngay bên trái đỉnh K của
vật liệu bia (target). Elements (kV)  of K1  of K2  of Kβ Kβ-Filter
radiation (Å) radiation (Å) radiation (Å) (nm)
K absorption edge
of Ni Ag 25.52 0.55941 0.5638 0.49707 Pd
1.4881Å
Mo 20 0.7093 0.71359 0.63229 Zr
Cu 8.98 1.540598 1.54439 1.39222 Ni
Ni 8.33 1.65791 1.66175 1.50014 Co
Co 7.71 1.78897 1.79285 1.62079 Fe
Fe 7.11 1.93604 1.93998 1.75661 Mn
Z Cr 5.99 2.2897 2.29361 2.08487 V
No filter Ni filter
25 26
25 26
Bước sóng của các bức xạ thường dùng

Thu tia X:
▪ Màn huỳnh quang
Lọai bức xạ , A0  trung bình, A0 Tấm lọc K
Anode
▪ Phim nhạy tia X (Phương pháp chụp ảnh): dùng phim ảnh để
K1
K2
1.54051
1.54433
1.54178 thu, độ đen của phim D=log I₀/I, nhược điểm tốn thời gian (vài
Cu V
K 1.39217 giờ)
K1 2.28962
2.29092
▪ Phương pháp bộ đếm
Cr K2 2.29351 Mn a. Ống đếm Geiger - Muller (Geiger - Muller tube counter)
K 2.08480
K1 1.93597
b. Ống đếm tỷ lệ (Proportional counter)
Fe K2 1.93991
1.93728
Fe c. Ống đếm nhấp nháy (Scintillation detector)
K 1.75653 d. Detector bán dẫn trạng thái rắn (Solid state semi conductor
Co
K1
K2
1.78892
1.79278
1.79020
Ni
detector)
K 1.62075 e. Detector bán dẫn (Semi conductor detectors)
K1 0.70926
0.71069
Mo K2 0.71354 Zr
K 0.63225
28
27 28

a. Geiger - Muller tube counter: b. Bộ dò nhấp nháy (scintillation detector):

▪ Ống đếm Geiger được điền đầy khí Ar ▪ Là tinh thể NaI pha tạp Thallium hoặc anthracene, napthalene and
▪ Sợi anod ở giữa được đặt điện áp 500  2500 V p-terphenol
▪ Bức xạ tia X ion hóa Ar → tạo cặp (điện tử + ion dương) ▪ Khi tia X đến → làm phát sinh ánh sáng → khuếch đại bằng bộ
nhân quang điện
▪ Dùng để đo các tia X bước sóng ngắn
▪ Các e bị gia tốc tiếp tục ion hóa → tạo ra rất nhiều e dịch chuyển
về phía anod 29 30
29 30
1. Tương tác với vật rắn:

Tương tác tia X – vật chất ▪ Một số khả năng tương tác có thể xẩy ra
-Tán xạ tia rơnghen:

+ Tán xạ kết hợp;
+ Tán xạ không kết hợp
Absorption
- Hấp thụ tia rơnghen
32
31 32

Sự suy giảm cường độ tia X khi đi qua vật chất

Khi đi qua vật chất, cường độ của bức xạ tia X bị suy giảm.
Sự suy giảm cường độ phụ thuộc vào chiều dày mẫu (đường
đi của tia X trong mẫu) và hệ số hấp thụ của mẫu:
Id= I0 exp (-µd) NHIỄU XẠ TIA RƠNGHEN

trong đó:
- Io; Id : cường độ tia tới và tia sau khi đi qua mẫu;
- d: chiều dày mẫu
- µ : hệ sô suy giảm hay hệ số hấp thụ thẳng
33 34
Nhiễu xạ tia X:
▪ Nhiễu xạ tia X trong tinh thể được khám phá
bởi Max von Laue
Diffraction Experiment Diffraction Pattern
CuSO4
How can 2θ scans ( Diffraction Pattern) help us determine crystal
▪ Laue đưa ra 2 giả thuyết: ▪tia X có tính sóng
structure type and distances between Miller Indexed planes
(I.e. structural parameters)?
▪tinh thể có cấu trúc tuần hoàn 3 chiều
35
ĐHBK HàNội, 2021
35 36


CƯỜNG ĐỘ TIA RƠNGHEN
Nhiễu xạ tia X:
▪ Nhiễu xạ tia X dựa trên sự giao thoa tăng 2
I 0 3  e 2  M ( hkl) 2  1 + cos ( 2 ) cos ( 2 ) 
2 2
v
I ( hkl) =   F( hkl)  m

cường của tia X đơn sắc với một mẫu tinh thể 64r  me c 2  V2  sin 2
 cos   hkl  s
theo định luật Bragg
Bragg
2dhkl sin  = n
37
37 38
THỪA SỐ CẤU TRÚC /S/2 VÀ HIỆU ỨNG TẮT TIA Mạng lập phương tâm khối ( A2 )
BODY CENTERED CUBIC

[[0,0,0]]; [[1/2; ½; ½]]
Thừa số cấu trúc phụ thuộc vào:

-Nguyên tố ( hàm tán xạ fj );
-Kiểu mạng tinh thể:
+ Số nguyên tử cơ bản trong ô cơ sở;
+ Tọa độ của các nguyên tử;
- Chỉ số (hkl) của mặt nguyên tử
39 40

LẬP PHƯƠNG TÂM MẶT (A1) FACE – CENTERED CUBIC

[[0,0,0]]; [[1/2;1/2;0]]; [[1/2;1/2;0]]; [[1/2;1/2;0]]
41 42
h, k, l are the Miller

Indices of the planes of
atoms that scatter!
So they determine the
important planes of
atoms, or symmetry.
Distances between Miller Indexed planes

For cubic crystals: For hexagonal crystals:
ĐHBK HàNội – 2021
43 44

Tổng h + k + l là chẵn ( hình vẽ ) do đó

mạng tinh thể là A2 ( lftk)
45 46

Ewald sphere - Cầu Ewald
Phân tích cấu trúc bằng tia X
- Xác định cấu trúc tinh thể đơn pha;
- Phân tích pha định tính cho vật liệu đa pha;
- Phân tích pha định lượng;
- Phân tích trạng thái cấu trúc:
+ Xác định ứng suất dư thô đại ( lọai I);
+ Xác định kích thước hạt (10-1 – 10-2 ) mm;
+ Ứng suất dư tế vi ( lọai II ); J. Krawit, Introduction to Diffraction in
Materials Science and Engineering,
+ Tổ chức thép sau tôi ( mactenxit + austenit dư ) Wiley New York 2001
47 48

Xác định cấu trúc mạng: Xác định cấu trúc mạng của chất một pha:
1. Chụp ( ghi ) ảnh nhiễu xạ ( nên lọc bỏ bức xạ K );
2. Tách riêng các píc nhiễu xạ của K và K nếu
không dùng tấm lọc (cường độ =1/5);
3. Xác định cách góc 2 của tất cả các píc nhiễu xạ

4. Xác định các khoảng cách mặt dhkl ứng
với mỗi píc nhiễu xạ
5. Phân tích xác định cấu trúc.
50 51
50 51
CHỈ SỐ NHIỄU XẠ VÀ DÃY TỶ SỐ SIN2 CỦA MỘT SỐ KIỂU MẠNG LẬP PHƯƠNG
Xác định chỉ số nhiễu xạ và hằng số mạng của chất đơn pha
có kiểu mạng thuộc hệ lập phương:
Đối với hệ lập phương
Định luật Bragg

trở thành:
Đối với kim loại
Nên: xác định
Luôn là số
nguyên
52
52 53


VÍ DỤ
Mẫu kim lọai hình trụ được chụp rơnghen với bức xạ Fe không có tấm lọc. Vị trí các Xác định chỉ số nhiễu xạ và hằng số mạng đối với hệ lập phương:
vạch nhiễu xạ và cường độ được đánh giá và ghi trong bảng dưới.
Cần xác định cấu trúc mạng tinh thể của kim lọai đó?
KẾT LUẬN: Mẫu phân tích là sắt alpha Fe có mạng tinh thể..............................

55
54 55

Indexing PHÂN TÍCH PHA ĐỊNH TÍNH MẪU ĐA PHA
FCC; wavelength=1.54056Å
Simple
BCCCubic
SS1 (mm) () () sin2 h22+k
sin
2 2
 +l 22+k/
hsin
2
22+lh
2 2+l2
22 +k sin 22/ Lattice
h22+k22+l22Parameter, a (Å)
1
(mm)
38 19.0 0.11 21 0.11
0.055
38 19.0 0.11 3 0.037 4.023
45 22.5 0.15 42 0.75
0.038
45 22.5 0.15 4 0.038 3.978
66 33.0 0.30 63 0.10
0.050
66 33.0 0.30 8 0.038 3.978
78 39.0 0.40 84 0.10
0.050
78 39.0 0.40 11 0.036 4.039 Not
NotSimple
BCC
83 41.5 0.45 5
10 0.09
0.045
Cubic
83 41.5 0.45 12 0.038 3.978
97 49.5 0.58 6
12 0.097
0.048
97 49.5 0.58 16 0.036 4.046
113 56.5 0.70 8
14 0.0925
0.050
113 56.5 0.70 19 0.037 But
4.023what is the lattice
118 59.0 0.73 9
16 0.081
0.046 parameter?
118 59.0 0.73 20 0.037 4.023
139 69.5 0.88 10
18 0.088
0.049
139 69.5 0.88 24 0.037 4.023
168 84.9 0.99 11
20 0.09
0.050
168 84.9 0.99 27 0.037 4.023
Not Constant
Constant; so it is FCC
56 57

PHÂN TÍCH PHA ĐỊNH TÍNH

2 PHƯƠNG PHÁP:
Cơ sở của phương pháp nhiễu xạ tia X: - Đối chiếu với các ảnh nhiễu xạ có sẵn của các pha dự kiến;
▪ Mỗi tinh thể có kiểu mạng xác định → phổ nhiễu xạ (vị trí, số - Đối chiếu với các bảng khỏang cách mặt sẵn có.
lượng và cường độ) các đỉnh nhiễu xạ xác định tương ứng với
kiểu mạng đó
▪ Phân tích pha định tính (dựa trên nguyên lý ngược lại): phổ
nhiễu xạ (vị trí, số lượng và cường độ) → kiểu mạng → cấu
trúc tinh thể của chất gì
▪ Nếu mẫu đơn pha → phân tích phổ nhiễu xạ cho phép xác định
pha gì (vì ít khi 2 cấu trúc mạng khác nhau lại cho phổ giống
nhau)
▪ Nếu mẫu là hợp chất: phổ là hợp của phổ các pha thành phần
(với cường độ tỷ lệ thuận với thành phần pha → định lượng)

58
58 59
Cơ sở của phương pháp nhiễu xạ tia X:
62
CHƯƠNG I: PHƯƠNG PHÁP PHÂN TÍCH XRD
60 62

Quy trình:
1. Chụp ( ghi ) ảnh nhiễu xạ, nên chụp có tấm lọc bức xạ K để giảm bớt sự
phức tạp;
2. Xác định các pích nhiễu xạ và góc nhiễu xạ 2 tương ứng;
3. Xác định dãy khỏang cách mặt dhkl cho các vạch nhiễu xạ;
4. Đánh giá cường độ các vạch theo % theo vạch có cường độ mạnh nhất,
hoặc đánh giá theo 5 cấp độ: rất mạnh (RM); mạnh (M); trung bình (TB); yếu
(Y); rất yếu (RY);
5. Theo vạch mạnh nhất, trên cơ sở dữ liệu (sổ tay tra cứu ), dự kiến pha đầu
tiên có trong vật liệu. Vạch mạnh nhất sẽ ứng với vạch mạnh nhất của pha
trong sổ tay tra cứu. Để khẳng định sự có mặt của 1 pha nào đó, cần có mặt
ít nhất 3 vạch mạnh nhất; lưu ý pha dung dịch rắn!
6. Đánh dấu tất cả các vạch của pha 1;
7. Coi các vạch còn lại như giản đồ nhiễu xạ mới và tiêp tục lặp lại bước 4,5,6
để xác định pha thứ 2.
8. Tiếp tục cho đến hết 63
63 64
NGHIÊN CỨU CẤU TRÚC THÉP TÔI

Các ứng dụng cơ bản
So sánh ảnh nhiễu xạ của thép trước và sau khi tôi • Phân biệt trạng thái vật chất
• Mức độ tinh thể hóa
• Xác định thành phần pha: phân tích định lượng bằng cách so
sánh cường độ tương đối
• Xác định cấu trúc tinh thể (phương pháp Rietveld)
• Xác định thông số mạng và xác định chỉ số của các đỉnh
• Biến dạng dẻo (biến dạng dẻo thô đại)
• Texture và định hướng tinh thể
• Xác định kích thước tinh thể và biến dạng tế vi
• Phân tích in-situ (khảo sát trạng thái theo: , To, môi trường)
66
65 66

▪ Phân biệt trạng thái vật chất: ▪ Biến dạng dẻo:
No Strain
Cristobalite, SiO2
Intensity (a.u.)
Beta-Quartz, SiO2
Uniform Strain
(d1-do)/do
Alpha-Quartz, SiO2 Peak moves, no shape
changes
Amorphous
SiO2 Glass
Non-uniform Strain
10 20 30 40 50 D1 =/constant
2 (deg.)
68 Peak broadens 69
CHƯƠNG I: PHƯƠNG PHÁP PHÂN TÍCH XRD CHƯƠNG I: PHƯƠNG PHÁP PHÂN TÍCH XRD
68 69
▪ Kích thước tinh thể và biến dạng dẻo tế vi: ▪ Kích thước tinh thể và biến dạng dẻo tế vi:
Kích thước tinh thể bằng công thức Scherrer Kích thước tinh thể bằng công thức Scherrer
K
B(2 ) =
L cos 
70
CHƯƠNG I: PHƯƠNG PHÁP PHÂN TÍCH XRD CHƯƠNG I: PHƯƠNG PHÁP PHÂN TÍCH XRD
70 71

ĐỘ RỘNG PÍC NHIỄU XẠ - KÍCH THƯỚC HẠT

▪ Kích thước tinh thể và biến dạng dẻo tế vi:
Ứng suất tế vi bằng phương pháp Williamson-Hull
K 
FWHM  cos( ) = + Strain 4  sin( )
Size
Crystallite size can be
(FWHMobs-FWHMinst)
y-intercept slope calculated using

Scherrer Formula
0.9
cos( )
t=
B cos  B
Grain size broadening
4 x sin() Instrumental broadening must be subtracted

K≈0.94
Gausian Peak Shape Assumed 72 (From “Elements of X-ray Diffraction”, B.D. Cullity, Addison Wesley)
72 73
1. Mẫu bột (Powders):
0.1 μm < particle size < 40 μm

Peak broadening less diffraction occurring
Double sided tape
Glass slide
2.Mẫu khối (Bulks):

- Bề mặt phẳng
- Nếu có đánh bóng thì phải ủ để loại bỏ biến dạng bề mặt
74
74

Ch1 X RAY 2021

Uploaded by

Document Information

Original Title

Copyright

Available Formats

Share this document

Share or Embed Document

Sharing Options

Did you find this document useful?

Is this content inappropriate?

Copyright:

Available Formats

Ch1 X RAY 2021

Uploaded by

Copyright:

Available Formats

Chương 1, Phân tích cấu trúc bằng tia X 3/10/2021

Tính chất vật liệu được quyết định bởi

NVDuc – duc.nguyenvan@hust.edu.vn NVDuc – duc.nguyenvan@hust.edu.vn

NVDuc – duc.nguyenvan@hust.edu.vn NVDuc – duc.nguyenvan@hust.edu.vn

duc.nguyenvan@hust.edu.vn Viện KH& KT Vật liệu 1

NVDuc – duc.nguyenvan@hust.edu.vn NVDuc – duc.nguyenvan@hust.edu.vn

3 véc tơ a, b và c lần lượt nằm trên các c

NVDuc – duc.nguyenvan@hust.edu.vn NVDuc – duc.nguyenvan@hust.edu.vn

duc.nguyenvan@hust.edu.vn Viện KH& KT Vật liệu 2

CaTiO3 – Calcium Titanate

K3C60 is an interesting material because of its

Sodium Chloride ( NaCl)

Số nguyên tử gốc: n=4

duc.nguyenvan@hust.edu.vn Viện KH& KT Vật liệu 3

MẠNG NGHỊCH Tính toán mạng nghịch

a*, b*, c* cos * =

For cubic crystals: For hexagonal crystals:

duc.nguyenvan@hust.edu.vn Viện KH& KT Vật liệu 4

NGHIÊN CỨU CẤU TRÚC BẰNG TIA RƠNGHEN

Vật lý tia Rơnghen

▪ Một số p.p. tạo tia X khác: nguồn đồng vị, synchrotron,... 18

duc.nguyenvan@hust.edu.vn Viện KH& KT Vật liệu 5

Phổ liên tục

duc.nguyenvan@hust.edu.vn Viện KH& KT Vật liệu 6

Bộ lọc đơn sắc (MONOCHROMATOR): Bộ lọc đơn sắc (MONOCHROMATOR):

NGHIÊN CỨU CẤU TRÚC BẰNG TIA RƠNGHEN

Bước sóng của các bức xạ thường dùng

duc.nguyenvan@hust.edu.vn Viện KH& KT Vật liệu 7

a. Geiger - Muller tube counter: b. Bộ dò nhấp nháy (scintillation detector):

NGHIÊN CỨU CẤU TRÚC BẰNG TIA RƠNGHEN

1. Tương tác với vật rắn:

-Tán xạ tia rơnghen:

- Hấp thụ tia rơnghen

duc.nguyenvan@hust.edu.vn Viện KH& KT Vật liệu 8

Sự suy giảm cường độ tia X khi đi qua vật chất

Id= I0 exp (-µd) NHIỄU XẠ TIA RƠNGHEN

NGHIÊN CỨU CẤU TRÚC BẰNG TIA RƠNGHEN

Diffraction Experiment Diffraction Pattern

duc.nguyenvan@hust.edu.vn Viện KH& KT Vật liệu 9

NGHIÊN CỨU CẤU TRÚC BẰNG TIA RƠNGHEN

Số nguyên tử gốc: n=2

Thừa số cấu trúc phụ thuộc vào:

duc.nguyenvan@hust.edu.vn Viện KH& KT Vật liệu 10

Số nguyên tử gốc: n=4

h, k, l are the Miller

Distances between Miller Indexed planes

ĐHBK HàNội – 2021

duc.nguyenvan@hust.edu.vn Viện KH& KT Vật liệu 11

Tổng h + k + l là chẵn ( hình vẽ ) do đó

NGHIÊN CỨU CẤU TRÚC BẰNG TIA RƠNGHEN

duc.nguyenvan@hust.edu.vn Viện KH& KT Vật liệu 12

3. Xác định cách góc 2 của tất cả các píc nhiễu xạ

Đối với hệ lập phương

Định luật Bragg

duc.nguyenvan@hust.edu.vn Viện KH& KT Vật liệu 13

NGHIÊN CỨU CẤU TRÚC BẰNG TIA RƠNGHEN

ĐHBK HàNội – 2019

NGHIÊN CỨU CẤU TRÚC BẰNG TIA RƠNGHEN

duc.nguyenvan@hust.edu.vn Viện KH& KT Vật liệu 14

PHÂN TÍCH PHA ĐỊNH TÍNH

ĐHBK HàNội – 2015

Cơ sở của phương pháp nhiễu xạ tia X:

duc.nguyenvan@hust.edu.vn Viện KH& KT Vật liệu 15

a, b, c* cos * =