‫شرح‬ ‫الکترولیز به حدود ‪ 1410‬درجه س انتیگراد ی ا بیش تر برس د‪ ،‬یع نی‬

‫نقط ه ذوب س یلیکون‪ ،‬واکنش معک وس ک اهش می یاب د‪ .‬س یلیکون‬

‫حوزه فنی‬ ‫الکترولیز ران دمان ت وان را ک اهش می ده د و انتخ اب م واد ک وره‬
‫مناسب که می توانند در دمای باال استفاده شوند محدود است‪ .‬به این‬
‫‪.‬خالص یا تصفیه شده مربوط می شود‬ ‫دالیل‪ ،‬انج ام این فرآین د در مقی اس ب زرگ دش وار اس ت‪ .‬ب ه همین‬
‫دلیل‪ ،‬با توجه به پاالیش الکتریکی فلزات و مواد نیمه فلزی غ یر از‬
‫پیشینه فنی‬ ‫سیلیکون‪ ،‬به عنوان مثال ژرمانیوم‪ ،‬به ویژه م وادی ک ه نقط ه ذوب‬
‫آن در ک وره ق وس الک تریکی تولی د می ش ود‪ .‬ت ری کلروس یالن ب ا‬ ‫آنها نسبتًا باال اس ت ی ا الکترول یز آنه ا در ی ک محل ول آبی دش وار‬
‫واکنش سیلیکون متالورژیکی ب ا هیدروکلرای د س نتز می ش ود و ب ا‬ ‫است‪ ،‬انجام آن بر روی یک محلول بزرگ دشوار است‪ .‬مقی اس در‬
‫یکسوسازی خالص می شود‪ .‬سپس کاهش دم ای ب اال ب ا اس تفاده از‬ ‫اکثر موارد‬
‫هیدروژن انجام می شود‪ .‬سیلیکون نیمه هادی به این ص ورت تولی د‬
‫می شود‪ .‬در ح ال حاض ر‪ ،‬ب ه عن وان م اده اولی ه اص لی س یلیکون‬ ‫هدف این اخ تراع ارائ ه روش ی ب رای تولی د ی ک فل ز ی ا نیم ه فل ز‬
‫م ورد اس تفاده ب رای س لول ه ای خورش یدی‪ ،‬از ی ک محص ول کم‬ ‫خالص یا تصفیه شده است که در آن دمای الکترولیز می تواند کمتر‬
‫عیار تشکیل شده در ط ول تولی د س یلیکون نیم ه ه ادی اس تفاده می‬ ‫از نقطه ذوب یک عنصر فلزی ی ا عنص ر نیم ه فل زی باش د‪ .‬تم یز‬
‫شود‪ .‬در فرآیند تولی د س یلیکون نیم ه ه ادی‪ ،‬می ت وان س یلیکون ب ا‬ ‫ش ود و رش د دن دریتیک محص ول تم یز ش ده و احتب اس حم ام‬
‫خلوص بسیار باال تولید کرد‪ ،‬اما این فرآیند به دالیل زیر هزین ه ب ر‬ ‫‪.‬الکترولیز در محصول تمیز شده را می توان سرکوب کرد‬
‫است‪ :‬نرخ تبدیل گاز ت ری کلروس یالن ب ه س یلیکون پ ایین اس ت و‬ ‫راه حل مشکل‬
‫برای تولید آن ب ه مق دار زی ادی هی دروژن نی از اس ت‪ .‬تع ادل مفی د‬
‫برای سیلیکون؛ مقدار زیادی از گاز واکنش نداده باید بازیافت ش ود‬ ‫یک فرآیند برای تولید یک فل ز ی ا نیم ه فل ز تص فیه ش ده مط ابق ب ا‬
‫و دوباره مورد استفاده قرار گیرد تا نرخ تبدیل اف زایش یاب د‪ .‬ان واع‬ ‫اختراع حاضر شامل یک مرحله الکترولیز‪ ،‬یک مرحله حذف‪ ،‬یک‬
‫هالیدهای سیالن به طور همزمان در گ از ت ری کلروس یالن واکنش‬ ‫‪ .‬مرحله رسوب گذاری و یک مرحله بازیابی است‬
‫ن داده وج ود دارن د و بن ابراین جداس ازی ب ا یکسوس ازی مج ددًا‬
‫ضروری است‪ .‬در نهایت مقدار زی ادی تتراکلری د س یلیکون ک ه ب ا‬ ‫مرحله الکترولیز‪ ،‬در ی ک حم ام الکترول یز واق ع در ظ رفی ب رای‬
‫‪.‬هیدروژن احیا نمی شود تشکیل می شود و مانند آن‬ ‫الکترول یز‪ ،‬ک ه در آن م اده ای متش کل از ی ک عنص ر فل زی ی ا‬
‫عنصر نیمه فل زی و م اده خ ارجی ب ه عن وان آن د و آلی اژی ح اوی‬
‫از سوی دیگر‪ ،‬سلول های خورشیدی این روزها به عنوان ]‪[0004‬‬ ‫همان عنصر فلزی ی ا نیم ه فل زی عم ل می کن د‪ .‬عنص ر فل زی ب ه‬
‫یک راه حل موثر برای مشکالت زیست محیطی مانند اف زایش گ از‬ ‫عن وان عنص ر فل زی ی ا عنص ر نیم ه فل زی موج ود در آن د و فل ز‬
‫دی اکسید کربن مورد توجه ق رار گرفت ه ان د و تقاض ا ب رای س لول‬ ‫متوسطی که اساسًا با عنصر فلزی ی ا عنص ر نیم ه فل زی کریس تال‬
‫های خورشیدی به طور قابل توجهی اف زایش یافت ه اس ت‪ .‬ب ه همین‬ ‫مخلوط نمی‌شود و دمای انجماد کام ل دارد ک ه کم تر از نقط ه ذوب‬
‫دلیل‪ ،‬اگر فقط از محصول کم عیار سیلیکون نیمه ه ادی ب ه عن وان‬ ‫است‪ .‬عنصر فلزی یا عنصر غیرفلزی به عنوان یک کاتد عمل می‬
‫ماده اولیه سلول های خورشیدی استفاده شود‪ ،‬ممکن اس ت در آین ده‬ ‫کند‪ ،‬الکترولیز در دمای الکترول یز انج ام می ش ود ک ه در آن آلی اژ‬
‫کمبود مواد اولیه ایجاد شود‪ .‬عالوه بر این‪ ،‬از آنجایی ک ه س یلیکون‬ ‫کاتد می تواند یک فاز مایع برای ح رکت عنص ر فل زی ی ا عنص ر‬
‫برای سلول های خورشیدی و موارد مشابه گران است‪ ،‬سلول ه ای‬ ‫‪.‬نیمه فلزی در آند باشد‪ .‬به آلیاژ کاتد‬
‫خورشیدی در حال حاضر گران هستند‪ .‬قیمت برق به دست آم ده از‬
‫س لول ه ای خورش یدی چن دین براب ر ب رق تج اری اس ت و ت امین‬ ‫دمای انجماد کامل یک آلی اژ‪ ،‬دم ایی اس ت ک ه مرب وط ب ه کم ترین‬
‫سیلیکون ارزان قیمت برای سلول های خورشیدی مورد نظر است‪.‬‬ ‫مقدار منحنی مایع در نمودار فاز جامد‪ -‬مایع آلیاژ اس ت ‪ .‬در دم ای‬
‫سیلیکون همچنین می توان د ب ا الکترول یز خ الص ش ود‪ .‬در ادبی ات‬ ‫‪.‬کمتر از دمای انجماد کامل‪ ،‬آلیاژ نمی تواند حاوی فاز مایع باشد‬
‫ثبت اختراع ‪ 1‬و ادبیات ثبت اخ تراع ‪ ،2‬تم یز ک ردن الکترول یز ب ا‬ ‫این ویژگی که فلز متوسط اساسًا بلوری مخلوط ب ا عنص ر فل زی ی ا‬
‫استفاده از سیلیکون جامد به عنوان کاتد مورد مطالع ه ق رار گرفت ه‬ ‫عنصر نیمه فلزی تشکیل نمی دهد به این معنی است که حد حاللیت‬
‫است‪ .‬در کتاب ثبت اختراع ‪ ،3‬تمیز کردن الکترولیز ب ا اس تفاده از‬ ‫جامد فلز متوسط در مقایسه با عنصر فلزی یا عنصر نیمه فلزی در‬
‫‪.‬مذاب سیلیکون به عنوان کاتد مورد مطالعه قرار گرفته است‬ ‫دمای انجماد کامل نیست‪ .‬بیش از ‪ %1‬ج رمی ‪ .‬در مرحل ه ح ذف‪،‬‬
‫پس از مرحله الکترولیز ‪ ،‬بخشی یا تمام آلیاژ کاتد برای الکترول یز‬
‫لیست مرجع‬
‫از ظرف خارج می شود‪ .‬در مرحله حذف‪ ،‬می ت وان آلی اژ کات د را‬
‫ادبیات ثبت اختراع‬ ‫که در آن غلظت عنصر نیمه فلزی یا عنصر فلزی بیشتر از ترکیب‬
‫مربوط به دمای انجماد کامل آلیاژ است‪ ،‬برای الکترول یز از ظ رف‬
‫]‪[0006‬‬ ‫‪.‬خارج کرد‬
‫‪: WO 2008/115072‬ادبیات ثبت اختراع ‪1‬‬
‫پتنت ادبیات ‪ :2‬ثبت اختراع ایاالت متحده ‪3219561‬‬ ‫دمای الکترولیز خنک می شود تا عنصر فلزی یا عنصر نیمه فلزی‬
‫پتنت ادبیات ‪ :3‬ثبت اختراع ایاالت متحده ‪3254010‬‬ ‫موجود در آلیاژ رسوب کند‪ .‬در مرحله استخراج ‪ ،‬عنصر فل زی ی ا‬
‫عنصر نیمه فلزی رسوب‌شده از آلیاژ سرد شده بازیافت می‌شود‪ .‬ب ا‬
‫خالصه اختراع‬ ‫توجه به اختراع حاضر‪ ،‬از آنجایی که آلیاژ متشکل از عنصر فلزی‬
‫یا عنصر نیمه فلزی و فلز متوسط و دارای دمای انجماد کامل کمتر‬
‫مشکل فنی‬ ‫از نقطه ذوب عنصر فلزی یا عنصر نیمه فلزی می تواند به عن وان‬
‫در فرآین د پ االیش الک تریکی س یلیکون ب ا روش‌ه ای افش ا ش ده در‬ ‫کاتد عمل کند‪ .‬دمای الکترولیز که ب رای ارائ ه کات د ب ه عن وان ف از‬
‫کتاب ثبت اختراع ‪ 1‬و کتاب ثبت اختراع ‪ ،2‬که در آن الکترولیز ب ا‬ ‫مایع ضروری است‪ ،‬می تواند در مقایسه با حالتی ک ه ی ک عنص ر‬
‫استفاده از سیلیکون جامد ب ه عن وان کات د انج ام می‌ش ود‪ ،‬س یلیکون‬ ‫فلزی یا عنصر نیمه فلزی به عنوان کات د س اخته ش ده اس ت ک اهش‬
‫رسوب‌شده روی کاتد به ص ورت دن دریتیک رش د می‌کن د و ب اعث‬ ‫یابد‪ .‬عالوه بر این‪ ،‬در مرحله الکترول یز‪ ،‬از آنج ایی ک ه کات د ی ک‬
‫ایجاد اتصال کوت اه بین الکتروده ا می‌ش ود ‪ .‬ب ه همین دلی ل‪ ،‬ادام ه‬ ‫فاز مایع است‪ ،‬اتصال کوتاه بین الکترودها ناشی از رشد دندریتیک‬
‫الکترولیز دشوار است و جلوگیری از باقی مان دن حم ام الکترول یز‬ ‫عنصر فلزی یا عنصر متالوئید و حفظ حمام الکترولیز در محصول‬
‫در یک رسوب بسیار دشوار است‪ .‬عالوه بر این‪ ،‬در روشی که در‬ ‫تصفیه شده عنصر فلزی یا عنصر متالوئیدی را می ت وان س رکوب‬
‫کتاب ثبت اختراع ‪ 3‬افشا شده است ک ه در آن الکترول یز ب ا اس تفاده‬ ‫‪. .‬کرد‬
‫از مذاب سیلیکون به عنوان کاتد انج ام می ش ود‪ ،‬زم انی ک ه دم ای‬
 ‫‪DE 11 2010 004 425 T5 2012.11.29‬‬
‫از آنجایی که فلز متوسط اساسًا با عنصر فلزی یا عنصر نیمه فلزی‬ ‫باید تمیز شود‪ .‬عنص ری ک ه بای د تم یز ش ود مح دود نیس ت‪ .‬نمون ه‬
‫محلول جامد تشکیل نمی دهد‪ ،‬غلظت عنصر فلزی ی ا عنص ر نیم ه‬ ‫هایی از عنصر فلز شامل فل زات قلی ایی خ اکی مانن د ب ریلیم اس ت‪.‬‬
‫فلزی در آلیاژ کاتد ک ه تحت مرحل ه الکترول یز و مرحل ه اس تخراج‬ ‫اولین عناصر انتقالی مانند اسکاندیم‪ ،‬تیتانیوم و نیکل‪ .‬عناصر انتقال‬
‫قرار گرفته است‪ .‬و به مرحله رسوب گذاری باالتر از ترکیب است‬ ‫دوم مانند زیرکونیوم و ایتریم‪ .‬النتانوئیدها مانن د النت انیم‪ ،‬نئ ودیمیم‪،‬‬
‫که مربوط به دمای انجماد کام ل اس ت‪ .‬بن ابراین‪ ،‬عنص ر فل زی ی ا‬ ‫یوروپیوم‪ ،‬دیسپروزیم‪ ،‬رنی وم و س اماریوم؛ اکتینی دها مانن د ت وریم‪،‬‬
‫عنصر نیمه فلزی موجود در آلیاژ را می توان ب ه ط ور انتخ ابی ب ا‬ ‫اورانی وم‪ ،‬پلوتونی وم و آمریکی وم؛ و عناص ر انتق ال س وم‪ ،‬مانن د‬
‫‪.‬خلوص باال با سرد کردن رسوب داد‬ ‫‪.‬پالتین‬
‫فلزی یا عنصر نیمه فلزی خالص‌شده را می‌توان به راحتی به دست‬ ‫نمونه هایی از عنصر نیمه فل زی عبارتن د از س یلیکون‪ ،‬آرس نیک‪،‬‬
‫‪.‬آورد‬ ‫آن تیموان و ژرم انیوم‪ .‬از بین این عناص ر فل زی ی ا عناص ر نیم ه‬
‫فلزی‪ ،‬سیلیکون‪ ،‬ژرمانیوم‪ ،‬نیکل‪ ،‬النتانیدها و اکتینیدها ترجیح داده‬
‫متوس ط می توان د دارای ی ک نقط ه یوتکتی ک ب ا عنص ر فل زی ی ا‬ ‫می شوند و سیلیکون و ژرمانیوم به ویژه هنگامی که سهولت بدست‬
‫عنص ر نیم ه فل زی باش د‪ .‬در این ح الت‪ ،‬غلظت عنص ر فل زی ی ا‬ ‫آوردن از آلیاژ کاتد که ی ک ف از م ایع اس ت در نظ ر گرفت ه ش ود‪،‬‬
‫عنصر نیمه فلزی در آلیاژ کاتد که تحت مرحله الکترولیز و مرحل ه‬ ‫ترجیح داده می شوند ‪ .‬مرحله الکترولیز‬
‫اس تخراج ق رار گرفت ه و ب ه مرحل ه رس وب گ ذاری رس یده اس ت‪،‬‬
‫بیشتر از ترکیب مربوط به نقطه یوتکتیک است‪ .‬در نتیج ه‪ ،‬عنص ر‬ ‫مرحله الکترولیز‪ ،‬در ی ک حم ام الکترول یز واق ع در ظ رفی ب رای‬
‫فلزی یا عنصر نیمه فلزی موجود در آلیاژ را می توان ب ه ص ورت‬ ‫الکترولیز‪ ،‬که در آن ماده ای شامل عنصری که باید خالص ش ود و‬
‫‪.‬انتخابی با خلوص باالتر با سرد کردن رسوب داد‬ ‫م اده خ ارجی ب ه عن وان آن د عم ل می کن د و آلی اژی ح اوی هم ان‬
‫عنصر به عنوان آن عنصر خالص می شود‪ .‬تم یز ش ود ک ه در آن د‬
‫عنصر فلزی رسوب شده یا عنص ر نیم ه فل زی از آلی اژ س رد ش ده‬ ‫وجود دارد و یک فلز متوسط و دارای دمای انجماد کام ل اس ت ک ه‬
‫کاتد به عنوان کاتد در مرحله الکترول یز باش د‪ .‬باقیمان ده ب ه معن ای‬ ‫کمتر از نقطه ذوب عنصری است که بای د تم یز ش ود (در ادام ه ب ا‬
‫جسم باقی مانده است و این می تواند مایع یا جام د باش د‪ .‬در نتیج ه‪،‬‬ ‫جزئیات بیشتر توضیح داده شد) باعث می شود به عنوان کاتد عم ل‬
‫باقیمانده ای که در آن غلظت عنصر فلزی یا عنصر نیم ه فل زی ب ه‬ ‫کند‪ ،‬الکترولیز در س اعت انج ام می ش ود‪ .‬دم ای الکترول یز‪ ،‬آلی اژ‬
‫اندازه کافی ک اهش می یاب د‪ ،‬ب ه عن وان کات د در مرحل ه الکترول یز‬ ‫کاتد ممکن است یک فاز مایع باشد‪ ،‬به موجب آن عنصری ک ه بای د‬
‫مج ددا اس تفاده می ش ود‪ .‬ب ر این اس اس‪ ،‬ح رکت عنص ر فل زی ی ا‬ ‫در آند تمیز شود به آلیاژ کاتد منتقل می‌شود‪ .‬ب ه ط وری ک ه آلی اژی‬
‫عنصر نیمه فلزی از آند به کاتد می تواند ب ه ط ور م داوم ب ه ط ور‬ ‫ک ه در آن غلظت عنص ری ک ه بای د خالص‌س ازی ش ود بیش تر از‬
‫‪.‬موثر انجام شود‬ ‫غلظت عنصری است ک ه بای د خالص‌س ازی ش ود در ت رکیب آلی اژ‬
‫ترجیحا عنصر فل زی ی ا عنص ر نیم ه فل زی س یلیکون ی ا ]‪[0022‬‬ ‫مربوط به دمای انجماد کامل (که بعدًا با جزئیات بیشتر توضیح داده‬
‫‪.‬ژرمانیوم باشد‬ ‫‪.‬خواهد شد) در کاتد به دست می‌آید‬

‫در ص ورتی ک ه عنص ر فل زی ی ا عنص ر نیم ه فل زی س یلیکون ی ا‬ ‫آند‬

‫ژرمانیوم باشد‪ ،‬ترجیح داده می شود که آلیاژ کاتد شامل یک یا چن د‬ ‫ماده برای آن د م اده ای اس ت ک ه ش امل ی ک عنص ر ب رای خ الص‬
‫عنصر فلزی باشد که از گروه آلومینیوم‪ ،‬نقره‪ ،‬مس و روی انتخ اب‬ ‫سازی و ماده خارجی است و جنبه بیشتر ماده خام ب رای پ االیش را‬
‫‪ .‬شده اند‬ ‫دارد ‪ .‬م اده ب رای آن د ممکن اس ت م اده ای باش د ک ه در دم ای‬
‫الکترولیز فاز جامد از خود نشان دهد‪ .‬برای سهولت کار در واکنش‬
‫ترجیحًا‪ ،‬مواد آند شامل یک یا چند عنصر فلزی اس ت ک ه از گ روه‬
‫الکترولیز‪ ،‬ترجیح داده می شود که ماده آند‪ ،‬م اده ای باش د ک ه ف از‬
‫‪.‬نقره‪ ،‬مس‪ ،‬قلع و سرب انتخاب شده‌اند‬
‫‪.‬مایع در دمای الکترولیز را نشان دهد‬
‫ترجیحًا شامل حمام الکترولیز است ]‪[0025‬‬
‫م واد خ ارجی موج ود در م اده آن د‪ ،‬عناص ر نجیب‌ت ری نس بت ب ه‬
‫‪.‬کرایولیت‬ ‫عنصری که باید تمیز شود یا عناصر نجیب‌تری نسبت به عنص ری‬
‫ترجیحًا دم ای الکترول یز ب االتر از دم ای انجم اد کام ل و کم تر از‬ ‫ک ه بای د تم یز ش ود‪ ،‬هس تند ‪ .‬در م واردی ک ه عنص ری ک ه بای د‬
‫‪.‬نقطه ذوب عنصر فلزی یا عنصر نیمه فلزی باشد‬ ‫خالص‌سازی شود سیلیکون باشد‪ ،‬نمونه‌هایی از عناصر نجیب‌تر از‬
‫سیلیسیم شامل نقره و مس و نمونه‌هایی از عناصر کمتر نجیب‌تر از‬
‫اثرات سودمند اختراع با توجه به اختراع حاضر‪ ،‬روش ی‬ ‫سیلیسیم شامل سدیم و من یزیم اس ت‪ .‬م ورد ژرم انیوم مش ابه م ورد‬
‫برای تولید یک عنصر فلزی یا عنصر نیمه فلزی تصفیه شده ارائ ه‬ ‫سیلیکون است‪ .‬نمونه هایی از عناصر نجیب تر از ژرمانیوم ش امل‬
‫شده است که در آن دمای الکترول یز می توان د کم تر از نقط ه ذوب‬ ‫نقره و مس و نمونه هایی از عناصر نجیب تر از ژرمانیوم عبارتند‬
‫عنصر فلزی یا عنصر نیمه فلزی باش د‪ .‬ش یئی اس ت ک ه بای د تم یز‬ ‫از سدیم و منیزیم‪ .‬غلظت ماده خارجی به طور خاص محدود نیست‬
‫شود و رشد دن دریتی ی ک محص ول تص فیه ش ده ی ا تص فیه ش ده و‬ ‫و غلظت آن از ده ها پی پی ام تا چند بر اس اس نس بت ج رم آن د ب ه‬
‫احتباس حمام الکترولیز در محصول تصفیه ش ده ی ا تص فیه ش ده را‬ ‫عنوان مثال است‪ .‬ترجیحًا‪ ،‬م اده آن د آلی اژی از عنص ری اس ت ک ه‬
‫می توان سرکوب کرد‪ .‬شرح مختصری از نقش ه ه ا ش کل ‪ 1‬ی ک‬ ‫باید تمیز شود و مواد خارجی غیر از عنصری ک ه بای د تم یز ش ود‬
‫‪.‬نمودار فاز جامد‪/‬مایع از یک سیستم ژرمانیوم‪-‬سرب است‬ ‫(که از این پس در برخی موارد فلز متوسط آن د نامی ده می ش ود) و‬
‫ترجیحًا ماده آند یک آلیاژ باشد‪ .‬با نقطه یوتکتیک پایین تر به عنوان‬
‫شکل ‪ 2‬نمودار فاز جامد‪ /‬م ایع ی ک سیس تم س یلیکون آلومی نیومی‬ ‫نقطه ذوب عنصری که باید خالص شود‪ .‬در این ح الت ت رجیح داده‬
‫‪.‬است‬ ‫می شود که فشار بخ ار در آلی اژ کم و پای دار باش د‪ .‬عالوه ب ر این‪،‬‬
‫شرح تجسم ها روش تولید یک فلز یا نیمه فلز تص فیه ش ده‬ ‫ترجیح داده می شود که فلز متوسط آند نسبت ب ه عنص ری ک ه بای د‬
‫طبق اختراع حاضر عمدتًا شامل یک مرحله الکترولیز‪ ،‬یک مرحله‬ ‫تمیز شود‪ ،‬عنصر نجیب تری باشد‪ .‬عنصری ک ه بای د تم یز ش ود و‬
‫استخراج‪ ،‬یک مرحل ه رس وب گ ذاری‪ ،‬ی ک مرحل ه بازی ابی و در‬ ‫فلز محیط آند را می توان به طور مناسب انتخ اب ک رد‪ ،‬ب ه عن وان‬
‫‪.‬صورت لزوم یک مرحله استفاده مجدد است‬ ‫مث ال‪ ،‬ب ر اس اس ولت اژ تجزی ه نظ ری ب ا توج ه ب ه داده ه ای‬
‫ترمودینامیکی‪ .‬نمونه هایی از تنش تجزیه تئوری عناصر منف رد در‬
‫عنص ر فل زی ی ا عنص ر نیم ه فل زی در اخ تراع حاض ر‪،‬‬ ‫زیر آورده شده است‪ .‬محاسبه ولت اژ تجزی ه نظ ری را می ت وان ب ا‬
‫عنصر فلزی یا عنصر نیمه فل زی (از این پس ب ه عن وان عنص ری‬ ‫روشی انجام داد که در آن گونه های محلول ه ر عنص ر تع یین می‬
‫که در برخی موارد باید تمیز شود نامیده می ش ود) ش یئی اس ت ک ه‬ ‫شود و انرژی آزاد تشکیل شده مورد بررسی قرار می گ یرد‪ ،‬ی ا ب ا‬

‫‪3_ 10‬‬
 ‫‪DE 11 2010 004 425 T5 2012.11.29‬‬
‫روشی که در آن برآوردی بر اساس انرژی آزاد تشکیل ش ده انج ام‬ ‫نقره‪ ،‬مس و روی ترجیح داده می شود‪ .‬آلیاژ ممکن است ح اوی دو‬
‫می شود‪ .‬از یک ترکیب فلزی‪ ،‬به عنوان مثال یک هالید‪ ،‬که بدس ت‬ ‫یا چند فلز متوسط کاتدی باشد‪ .‬به عنوان مث ال‪ ،‬نم ودار ف از جام د‪-‬‬
‫آوردن آن نسبتا آسان است‪ .‬به عنوان مثال‪ ،‬اگر ولتاژ تجزیه نظری‬ ‫مایع یک سیستم ژرمانیوم‪-‬سرب که در آن عنصری که باید خ الص‬
‫در نمک فلوراید مذاب بر اساس انرژی آزاد تشکیل شده توسط ه ر‬ ‫و فلز محیط کاتدی سرب است در شکل ‪ 1‬نش ان داده ش ده ‪ Ge‬شود‬
‫فلوراید فلز تخمین زده شود‪ ،‬ولتاژ تجزی ه نظ ری ب ه ص ورت زی ر‬ ‫اس ت و دم ای انجم اد کام ل در این سیس تم ‪ 327‬درج ه س انتیگراد‬
‫‪ Fe(II)، 3، 4 V‬برای ‪ Cu، 2.8 V‬برای ‪ V‬محاسبه می شود‪1.9 :‬‬ ‫‪ B.‬است‪ ،‬یع نی نقط ه ‪ A‬است ‪ ، .‬که کمترین مقدار در منحنی مایع‬
‫برای ‪ Si، 4.1 V‬برای ‪ Mn(II)، 3.7 V‬برای ‪ Ti(IV)، 3.6 V‬برای‬ ‫غلظت جنرال الکتریک (عنصری که باید خالص شود)‪ ،‬مربوط ب ه‬
‫‪ V‬و ‪ Mg 5.3‬برای ‪ Na، 4.7 V‬برای ‪ K، 4.6 V‬برای ‪Al، 4.6 V‬‬ ‫‪.‬دمای انجماد کامل‪ ،‬در آلیاژ ‪ ٪0‬وزنی است‬
‫این ولتاژه ای ‪ Si،‬غ یر از ‪ M‬در م ورد ی ک عنص ر ‪ Ca.‬ب رای‬
‫تجزیه نظری با این فرض محاس به می ش وند ک ه واکنش نش ان داده‬ ‫یک نمودار فاز جامد‪ -‬مایع از یک سیستم سیلیکون‪-‬آلومینیوم ک ه ‪،‬‬
‫شده توسط معادله زیر رخ می دهد‪ .‬در ه ر م ورد فع الیت ‪ 1‬و دم ا‬ ‫است‪ Al ،‬و فلز کاتدی ‪ Si‬در آن عنصری که باید خالص‌سازی شود‬
‫‪ 1000.‬درجه سانتیگراد است‬ ‫در شکل ‪ 2‬نشان داده شده است‪ .‬دمای انجماد کام ل در این سیس تم‬
‫کم ترین مق دار (ح داقل ‪ 577 C‬درج ه س انتیگراد اس ت ک ه نقط ه‬
‫)گاز( ‪) + x/2 F 2‬ثابت( ‪) → M‬ثابت( ‪MF x‬‬ ‫‪ C،‬نش ان می ده د‪ .‬ب ا توج ه ب ه نقط ه ‪ A‬نسبی) را در منحنی مایع‬
‫نقط ه ای ک ه منح نی م ایع در آن ح داقل مق دار را دارد‪ ،‬نقط ه‬
‫تنش تجزیه نظری با این فرض محاسبه می ش ود ک ه ‪ Si،‬در مورد‬ ‫در ت رکیب مرب وط ب ه دم ای ‪ Si‬یوتکتیک نامی ده می ش ود‪ .‬غلظت‬
‫واکنش نشان داده شده توسط معادله زیر رخ می دهد ‪ .‬در هر مورد‬ ‫انجماد کامل آلیاژ حدود ‪ 12.6‬درصد وزنی است و ت رکیب ترکی بی‬
‫‪.‬فعالیت ‪ 1‬و دما ‪ 1000‬درجه سانتیگراد است‬ ‫است مطابق با نقط ه یوتکتی ک و ب ه آن ت رکیب یوتکتی ک ن یز می‬
‫)گاز( ‪) + 2 F 2‬جامد( ‪) → Si‬گاز( ‪SiF 4‬‬ ‫گویند‪ .‬یک سیستم آلیاژی مانن د ی ک سیس تم س یلیکون‪-‬نق ره و ی ک‬
‫سیستم ژرمانیوم‪-‬روی نم ودار ف ازی ب ا نقط ه یوتکتی ک مش ابه در‬
‫گروه مس‪ ،‬قلع‪ ،‬نقره‪ ،‬طال‪ ،‬جیوه و سرب انتخاب شده و با در نظ ر‬ ‫‪ .‬شکل ‪ 2‬را نشان می دهد‬
‫گرفتن هزینه و تأثیر بر محیط‪ ،‬یک یا چند عنص ر انتخ اب ش ده از‬
‫مس‪ ،‬نقره‪ ،‬قلع و سرب ارجحیت دارند‪ .‬آلیاژ آند ممکن است ح اوی‬ ‫‪N‬عالوه بر این‪ ،‬به دلیل خلوص فل ز محی ط کات دی‪ ،‬ن ه کم تر از ‪3‬‬
‫‪.‬دو یا چند فلز متوسط آند باشد‬ ‫مطلوب تر است و نه کمتر از ‪N‬ترجیح داده می شود‪ ،‬نه کمتر از ‪5‬‬
‫هر کدام ‪ B‬و ‪ P‬ترجیح داده می شود‪ .‬به طور خاص‪ ،‬محتوای ‪6N‬‬
‫ترجیح داده می ‪N‬عالوه بر این‪ ،‬به دلیل خلوص فلز آند‪ ،‬کمتر از ‪3‬‬ ‫و ح تی ‪ ppm‬ترجیحًا بیشتر از ‪ ppm، 0.3‬ترجیحًا بیشتر از ‪0.5‬‬
‫ترجیح داده می ‪N‬مطلوب تر است‪ ،‬و کمتر از ‪N 6‬شود‪ ،‬کمتر از ‪5‬‬ ‫‪.‬بر اساس فلز محیط کاتدی نباشد ‪ ppm‬بهتر از ‪0.1‬‬
‫شود‪ .‬فل زات ب ه ان دازه ک افی نجیب ت ر از س یلیکون‪ ،‬مانن د نق ره و‬
‫مس‪ ،‬و فلزات به اندازه کافی نجیب ت ر از س یلیکون‪ ،‬مانن د س دیم و‬ ‫محتوای عنصر در آلیاژ کاتد در زم ان ش روع الکترول یز ب ه وی ژه‬
‫من یزیم‪ ،‬ب ا الکترول یز ح ذف می ش وند‪ .‬عالوه ب ر این‪ ،‬فل ز م ورد‬ ‫مح دود نیس ت و می ت وان از ی ک فل ز متوس ط کات دی ک ه ح اوی‬
‫استفاده به عنوان فلز محیط کاتدی که بع دا توض یح داده خواه د ش د‬ ‫عنصری برای خالص سازی (حاوی آلیاژ) نباشد اس تفاده ک رد ‪ .‬ب ا‬
‫در مرحله رسوب گیری حذف می شود و بر خلوص سیلیکون تأثیر‬ ‫این حال‪ ،‬اگر مرحله استخراج پس از انجام مرحله الکترولیز انج ام‬
‫نمی گذارد‪ .‬بن ابراین الزم نیس ت فل ز ب ه عن وان م اده خ ارجی فل ز‬ ‫شود‪ ،‬غلظت عنصری که باید در آلیاژ کاتد خالص شود بای د بیش تر‬
‫‪.‬محیط آند در نظر گرفته شود‬ ‫‪.‬از ترکیب مربوط به دمای انجماد کامل باشد‬
‫اس تخراج خ الص ش ود بای د بیش تر از ت رکیب مرب وط ب ه نقط ه‬
‫کاتد‬
‫یوتکتیک باشد‪ .‬به عب ارت دیگ ر‪ ،‬ب ه عن وان مث ال‪ ،‬در ش کل ‪، 2‬‬
‫یک آلیاژ به عنوان کاتد استفاده می شود ک ه ش امل هم ان عنص ری‬ ‫که عنص ری اس ت ک ه بای د خ الص ش ود‪ ،‬در آلی اژ در ‪ Si،‬غلظت‬
‫است که باید تمیز شود به عنوان عنصری که باید در آند تم یز ش ود‬ ‫زمان استخراج باید بیش از ‪ 12.6‬درصد وزنی باش د‪ ،‬یع نی غلظت‬
‫و یک فلز متوسط متفاوت از عنص ری ک ه بای د تم یز ش ود (از این‬ ‫یوتکتی ک‪ .‬ت رکیب بن دی‪ .‬عالوه ب ر این‪ ،‬ب رای ب ه دس ت آوردن‬
‫پس در برخی موارد فلز متوسط کاتدی نامی ده می ش ود)‪ .‬دم ایی از‬ ‫عنص ری ک ه بای د تم یز ش ود‪ ،‬ت رجیح داده می ش ود ک ه در دم ای‬
‫انجماد کامل برخوردار است که کمتر از نقطه ذوب عنصری اس ت‬ ‫الکترولیز از پیش تعیین شده‪ ،‬غلظت عنصری که باید در آلیاژ کاتد‬
‫که باید تمیز شود‪ .‬فلز متوسط کاتدی اساسًا یک کریستال مخل وط ب ا‬ ‫تمیز شود‪ ،‬با الکترولیز افزایش یابد تا زم انی ک ه ب ه غلظت اش باع‬
‫‪.‬عنصری که باید تمیز شود تشکیل نمی دهد‬ ‫نزدیک شود‪ .‬عنصری که باید تمیز شود‪ ،‬یعنی‬
‫اچ‪ .‬حداکثر غلظت عنصری اس ت ک ه بای د خ الص ش ود ک ه در آن‬
‫دمای انجماد کامل یک آلیاژ دمایی است که مربوط به کمترین مقدار‬ ‫آلیاژ کاتد می تواند به عنوان یک فاز منفرد از یک فاز م ایع وج ود‬
‫منحنی مایع در نمودار فاز جامد‪ -‬مایع آلیاژ اس ت ‪ .‬در دم ای کم تر‬ ‫داشته باشد‪ .‬حمام الکترولیز‬
‫‪.‬از دمای انجماد کامل‪ ،‬آلیاژ نمی تواند حاوی فاز مایع باشد‬
‫قادر به هدایت یونهای عنصری است که بای د خ الص ش ود مح دود‬
‫این ویژگی ک ه فل ز محی ط کات دی اساس ًا ی ک کریس تال مخل وط ب ا‬ ‫نیست و هالیدهای فلزی ترجیح داده می شوند‪ .‬نمونه ه ایی از ی ک‬
‫عنصری که باید تمیز شود تشکیل نمی ده د ب ه این مع نی اس ت ک ه‬ ‫عنصر فلزی که یک متال هالید را تشکیل می دهد شامل یک یا چند‬
‫حد حاللیت جامد فلز محیط کات دی نس بت ب ه عنص ری ک ه بای د در‬ ‫عنص ر انتخ اب ش ده از فل زات قلی ایی‪ ،‬فل زات قلی ایی خ اکی‪،‬‬
‫دمای انجماد کامل تمیز شود بیش تر از ‪ 1‬نیس ت‪ .‬درص د ب ر حس ب‬ ‫آلومینیوم‪ ،‬روی و مس است‪ .‬عالوه بر این‪ ،‬نمونه هایی از ه الوژن‬
‫جرم‬ ‫تشکیل دهنده هالید فلزی شامل یک ی ا چن د عنص ر انتخ اب ش ده از‬
‫کاتدی ممکن است دارای یک نقطه یوتکتیک با فلزی باش د ک ه بای د‬ ‫گروه فلوئور‪ ،‬کلر و برم است‪ .‬عالوه ب ر این‪ ،‬دو ی ا چن د م ورد از‬
‫تمیز شود‪ .‬بر این اساس‪ ،‬آلیاژی از فلز متوس ط کات دی و فل زی ک ه‬ ‫این فلز هالیدها را می توان مخلوط و اس تفاده ک رد‪ .‬نمون ه ه ایی از‬
‫باید تمیز شود می‌توان د دارای ح داقل مق دار در منح نی م ایع باش د‪.‬‬ ‫مخلوط هالیدهای فلزی شامل مخل وطی از فلورای د س دیم و فلورای د‬
‫عالوه بر این ‪ ،‬اگر فشار بخار در آلی اژ کم و پای دار باش د‪ ،‬ت رجیح‬ ‫کلرید کلسیم و موارد ‪ (3 NaF·AlF 3 )،‬آلومینیوم است‪ .‬کرایولیت‬
‫داده می شود‪ .‬در صورتی که عنصری که باید تمیز ش ود س یلیکون‬ ‫مشابه به دلیل در دسترس بودن صنعتی‪ ،‬ب ه وی ژه ب ه عن وان حم ام‬
‫باشد‪ ،‬نمونه ه ایی از چ نین فل زی کات دی ش امل ی ک ی ا چن د ج زء‬ ‫الکترولیز ترجیح داده می شوند‪ .‬این حمام های الکترولیز در ح الت‬
‫انتخاب شده از گروه آلومینیوم‪ ،‬مس‪ ،‬قلع‪ ،‬گالیم‪ ،‬ایندیم‪ ،‬نق ره‪ ،‬طال‪،‬‬ ‫‪.‬مذاب استفاده می شوند‬
‫جیوه و سرب است‪ .‬از این میان با در نظر گرفتن هزینه و تاثیر ب ر‬ ‫در مواردی که تمایل به افزایش خلوص عنصری ک ه بای د ]‪[0053‬‬
‫محیط زیست‪ ،‬ی ک ی ا چن د ج زء انتخ اب ش ده از گ روه آلومی نیوم‪،‬‬ ‫تمیز شود به عنوان شیئی که باید تم یز ش ود‪ ،‬ت رجیح داده می ش ود‬

‫‪4_ 10‬‬
 ‫‪DE 11 2010 004 425 T5 2012.11.29‬‬
‫که خلوص حمام الکترولیتی افزایش یاب د‪ .‬از این منظ ر‪ ،‬از آنج ایی‬ ‫از ‪ 700‬درجه سانتیگراد‪ ،‬ترجیحًا کمتر از ‪ 900‬درجه سانتیگراد و‬
‫ترجیح داده می شود‪ ،‬کمتر ‪N‬که خلوص حمام الکترولیز کمتر از ‪3‬‬ ‫حتی ترجیحًا کم تر از ‪ 1100‬درج ه س انتیگراد نباش د‪ .‬ب ا توج ه ب ه‬
‫ترجیح داده می شود‪ .‬عالوه ‪N‬مطلوب تر است و کمتر از ‪N 6‬از ‪5‬‬ ‫محدودیت هایی که در مورد مواد ظرف الکترولیز یا م وارد مش ابه‬
‫بر این‪ ،‬به ویژه در صورتی که سیلیکون ی ا ژرم انیوم ش یئی اس ت‬ ‫وج ود دارد‪ ،‬ترجیح ًا دم ای الکترول یز بیش از ‪ 1300‬درج ه‬
‫‪ ppm،‬ترجیح ًا بیش تر از ‪ B 0.5‬و ‪ P‬که باید تمیز ش ود‪ ،‬محت وای‬ ‫‪.‬سانتیگراد نباشد‬
‫نباش د‪ .‬ب ر ‪ ppm‬و ح تی به تر از ‪ ppm 0.1‬ترجیحًا بیش از ‪0.3‬‬
‫اساس حمام الکترولیز‪ .‬در اختراع حاضر ‪ ،‬عناصر فل زی قلی ایی و‬ ‫از ‪ 600‬درج ه س انتیگراد و ح تی ترجیح ًا کم تر از ‪ 700‬درج ه‬
‫عناص ر فل زی قلی ایی خ اکی نبای د ب ه عن وان م واد خ ارجی حم ام‬ ‫سانتیگراد نباشد‪ .‬با توجه به محدودیت هایی که در مورد مواد برای‬
‫الکترولیز در نظ ر گرفت ه ش وند‪ .‬در مرحل ه الکترول یز‪ ،‬انتق ال این‬ ‫ظ رف الکترول یز ی ا م وارد مش ابه وج ود دارد‪ ،‬ترجیح ًا دم ای‬
‫عناصر به کاتد سخت تر از سیلیکون و ژرمانیوم است و به س ختی‬ ‫‪.‬الکترولیز بیش از ‪ 900‬درجه سانتیگراد نباشد‬
‫با آلیاژ کاتد مخلوط می شوند‪ .‬عالوه بر این‪ ،‬فل ز م ورد اس تفاده ب ه‬ ‫ب ه عن وان مث ال‪ ،‬در م وردی ک ه عنص ری ک ه بای د خ الص ش ود‬
‫عنوان فلز محیط کاتدی نباید به عنوان ماده خارجی حمام الکترولیز‬ ‫سیلیکون است‪ ،‬آلومینیوم به عنوان فلز محیط کاتد‪ ،‬آلومینیوم خالص‬
‫در نظر گرفته شود‪ .‬در مواردی که از آند جامد استفاده می شود‪ ،‬با‬ ‫به عنوان کاتد استفاده می شود و مرحله الکترولیز شروع می شود‪،‬‬
‫توجه به چگالی نسبی آلیاژ کات د و حم ام الکترولی تی‪ ،‬کات د و حم ام‬ ‫نقطه ذوب آلومینیوم ‪ 660‬درجه سانتیگراد اس ت و نقط ه یوتکتی ک‬
‫الکترولیتی‪ ،‬آند با چگالی نسبی ب االتر می توان د در م وقعیت نس بتًا‬
‫حدود ‪ 580‬درجه سانتیگراد‪ .‬بنابراین‪ ،‬واکنش الکترولیز ابتدا ‪AlSi‬‬
‫کمتری قرار گیرد‪ .‬آند با چگالی نسبی یک کمتر را می توان متصل‬ ‫در دمای کمتر از ‪ 660‬درجه سانتیگراد شروع می شود‪ ،‬ک ه در آن‬
‫کرد و آند را می توان به مکانی دور از کاتد وصل کرد یا در حم ام‬ ‫آلومینیوم به عنوان یک کاتد یک فاز مایع است‪ .‬سپس س یلیکون ب ه‬
‫الکترولیز آند و کاتد به مکان ه ایی ب ا فاص له از یک دیگر در جهت‬ ‫را در کاتد ‪، Al-Si‬سمت کاتد حرکت می‌کند و در جریان الکترولیز‬
‫افقی متصل می ش وند‪ .‬عالوه ب ر این‪ ،‬در م واردی ک ه از آن د م ایع‬ ‫تش کیل می‌ده د‪ .‬پس از آن‪ ،‬دم ای الکترول یز را می ت وان ب ه ‪580‬‬
‫اس تفاده می ش ود‪ ،‬در حم ام الکترول یز‪ ،‬آن د و کات د ممکن اس ت در‬ ‫درجه سانتی گراد کاهش داد‪ ،‬زیرا آلیاژ می تواند یک ف از م ایع در‬
‫جهت افقی از یکدیگر فاصله داشته باشند‪ .‬یا به همان ترتیبی ک ه در‬ ‫دمایی نه کمتر از نقطه یوتکتیک باشد‪ .‬با این ح ال‪ ،‬در دم ای پ ایین‬
‫مورد فرآیند پاالیش الکتریکی سه الیه آلومینیوم‪ ،‬یعنی ب ا توج ه ب ه‬ ‫تر از نقطه یوتکتیک‪ ،‬جامد رسوب می کند و باعث رشد دندریتیک‬
‫چگالی نسبی مایعات آند‪ ،‬حم ام الکترول یز و کات د ب ه ت رتیب کات د‪،‬‬ ‫‪.‬سیلیکون می شود‬
‫حمام الکترولیز و آند از در ب اال ی ا ب ه ت رتیب معک وس آن د‪ ،‬حم ام‬
‫الکترولیز و کات د از ب اال‪ ،‬این س ه عنص ر ب ه گون ه ای متص ل می‬ ‫به عنوان مثال‪ ،‬در مواردی که عنصری که قرار است خالص ش ود‬
‫شوند که تراکم نسبی عنصر در موقعیت پایین بیشتر باشد‪ .‬از نقط ه‬ ‫ژرمانیوم است‪ ،‬روی به عن وان فل ز محی ط کات د‪ ،‬روی خ الص ب ه‬
‫نظر بهبود هندلینگ‪ ،‬کاهش اندازه مخزن واکنش و توزیع یکنواخت‬ ‫عنوان کاتد استفاده می ش ود و مرحل ه الکترول یز ش روع می ش ود‪،‬‬
‫نیرو‪ ،‬همان ترتیبی که در مورد فرآیند پ االیش الک تریکی س ه الی ه‬ ‫نقطه ذوب روی ‪ 419‬درج ه س انتی گ راد اس ت و نقط ه یوتکتی ک‬
‫آلومینیوم ت رجیح داده می ش ود‪ .‬در ص ورتی ک ه پ االیش س یلیکون‬ ‫روی ‪ -‬ج نرال الکتری ک ح دود ‪ 398‬درج ه س انتیگراد‪ .‬بن ابراین‪،‬‬
‫م ورد نظ ر باش د‪ ،‬ب ه وی ژه ت رجیح داده می ش ود ک ه کات د‪ ،‬حم ام‬ ‫واکنش الکترول یز ابت دا در دم ای کم تر از ‪ 419‬درج ه س انتیگراد‬
‫الکترول یز و آن د ب ه این ت رتیب از ب اال چی ده ش وند‪ .‬در اخ تراع‬ ‫شروع می شود‪ ،‬که در آن روی به عنوان یک کات د ی ک ف از م ایع‬
‫حاض ر‪ ،‬آن د و کات د در داخ ل ظ رف ب رای الکترول یز از یک دیگر‬ ‫است‪ .‬سپس ژرمانیم به سمت کاتد حرکت می‌کند‪ ،‬و روی‪-‬جنفرم در‬
‫فاص له دارن د و آن د و کات د از طری ق حم ام الکترول یز در مرحل ه‬ ‫کاتد تشکیل می‌شود ک ه الکترول یز ادام ه می‌یاب د‪ .‬پس از آن‪ ،‬دم ای‬
‫‪.‬الکترولیز عمل می کنند‬ ‫الکترولیز را می توان به ‪ 398‬درجه سانتی گراد ک اهش داد‪ ،‬زی را‬
‫آلیاژ می تواند یک فاز مایع در دمایی ن ه کم تر از نقط ه یوتکتی ک‬
‫شرایط الکترولیز‬ ‫باش د‪ .‬ب ا این ح ال‪ ،‬در دم ای پ ایین ت ر از نقط ه یوتکتی ک‪ ،‬جام د‬
‫دمای الکترولیز با توجه به ترکیب آلیاژ کات د ب ه گون ه ای تنظیم می‬ ‫‪.‬رسوب می کند و باعث رشد دندریتی ژرمانیوم می شود‬
‫شود که آلی اژ کات د در ف از م ایع نگ ه داش ته ش ود ‪ .‬ترجیح ًا دم ای‬
‫مرحله الکترولیز به طور خاص محدود نیس ت‪ .‬ه وا ی ا گ از بی‌اث ر‬
‫الکترولیز باالتر از دم ای انجم اد کام ل آلی اژ کات د باش د‪ .‬در دم ای‬
‫ت رجیح داده می‌ش ود و اگ ر آب‪ ،‬اکس یژن و م واردی از این قبی ل‬
‫الکترولیز باالتر‪ ،‬حاللیت عنص ری ک ه بای د در آلی اژ کات د خ الص‬
‫‪.‬وجود نداشته باشد‪ ،‬الکترولیز بهتر است‬
‫شود بهبود می یابد‪ .‬بن ابراین‪ ،‬مق دار بیش تری از عنص ری ک ه بای د‬
‫تمیز شود را می توان به کاتد منتق ل ک رد و بازی ابی ک رد‪ .‬ترجیح ا‬ ‫ظرف برای الکترولیز‬
‫دمای الکترولیز کمتر از نقط ه ذوب عنص ری اس ت ک ه بای د تم یز‬
‫شود‪ .‬هنگ امی ک ه دم ای الکترول یز کم تر از نقط ه ذوب عنص ری‬ ‫مواد برای ظرف الکترول یز ک ه حم ام الکترول یز را در خ ود ج ای‬
‫است که باید خالص‌سازی شود‪ ،‬ب ازده ان رژی در الکترول یز بهب ود‬ ‫داده است به طور خاص محدود نیست ‪ .‬آنهایی که ب ا عنص ری ک ه‬
‫‪.‬می‌یابد و انتخاب ماده برای ظرف برای الکترولیز آسان‌تر می‌شود‬ ‫باید تمیز شود و حمام الکترولیز واکنش نشان نمی دهند ت رجیح داده‬
‫می شوند‪ .‬به عنوان مثال می توان به اکسیدها‪ ،‬نیتریدها‪ ،‬کاربیدها و‬
‫آلیاژ کات د اس تفاده می‌ش ود‪ ،‬دم ای انجم اد کام ل آلی اژ‪ ،‬یع نی نقط ه‬ ‫م واد کرب نی اش اره ک رد‪ .‬در م وردی ک ه عنص ری ک ه بای د‬
‫یوتکتیک‪ 577 ،‬درج ه س انتی‌گراد اس ت‪ .‬بن ابراین‪ ،‬ترجیح ًا دم ای‬ ‫خالص‌سازی شود سیلیکون است‪ ،‬نمونه‌هایی از اکسیدها عبارتند از‬
‫الکترول یز در دم ای ب االتر از ‪ 577‬درج ه س انتیگراد و کم تر از‬ ‫دی اکسید سیلیکون‪ ،‬آلومینا‪ ،‬اکسید زیرکونیوم‪ ،‬دی اکس ید تیت انیوم‪،‬‬
‫‪ 1410‬درجه سانتیگراد‪ ،‬یعنی نقط ه ذوب س یلیکون تنظیم ش ود‪ .‬ب ه‬ ‫اکسید روی‪ ،‬اکس ید من یزیم و اکس ید قل ع‪ .‬نمون ه ه ایی از نیتری دها‬
‫عنوان مثال‪ ،‬در م وردی ک ه عنص ری ک ه بای د خالص‌س ازی ش ود‬ ‫عبارتند از نیترید سیلیکون و نیترید آلومینیوم و همچ نین آنه ایی ک ه‬
‫ژرم انیوم اس ت و روی‪-‬ژرم انیوم ب ه عن وان آلی اژ کات د اس تفاده‬ ‫در آنها این عناصر تشکیل دهنده تا حدی با عناصر دیگر ج ایگزین‬
‫می‌شود‪ ،‬دمای انجماد کامل آلیاژ‪ ،‬یعنی نقطه یوتکتیک‪ 398 ،‬درجه‬ ‫شده ان د‪ .‬ب رای مث ال می ت وان از ترکی بی مانن د س یالون ک ه ش امل‬
‫سانتی‌گراد است‪ .‬بنابراین‪ ،‬ترجیح داده می شود که دمای الکترول یز‬ ‫س یلیکون‪ ،‬آلومی نیوم‪ ،‬اکس یژن و نی تروژن اس ت اس تفاده ک رد‪.‬‬
‫در دم ای ب االتر از ‪ 398‬درج ه س انتیگراد و کم تر از ‪ 958‬درج ه‬ ‫و نمونه‌هایی از مواد کربنی ‪ SiC‬نمونه‌هایی از کاربیدها عبارتند از‬
‫سانتیگراد‪ ،‬یعنی نقطه ذوب ژرمانیوم تنظیم شود‪ .‬با توجه ب ه ب ازده‬ ‫شامل گرافیت‪ .‬آنهایی که در آنها این عناصر تشکیل دهنده ت ا ح دی‬
‫عنصری که باید در طی واکنش الکترولیز تم یز ش ود‪ ،‬ت رجیح داده‬ ‫با عناص ر دیگ ر ج ایگزین ش ده ان د ن یز می توانن د اس تفاده ش وند‪.‬‬
‫می شود که دمای الکترولیز تا حد امکان در دمایی که بیش از نقطه‬ ‫عالوه بر این‪ ،‬مشابه الکترولیز آلومی نیوم‪ ،‬روش ی ک ه در آن حم ام‬
‫‪ .‬ذوب عنصری که باید تمیز می شود باالتر باشد‬ ‫الکترولیز توسط یک الکترولیت جامد شده (مانن د کرای ولیت) حف ظ‬
‫می شود‪ ،‬می تواند استفاده شود‪ .‬در صورتی ک ه عنص ری ک ه بای د‬
‫‪.‬خالص سازی شود ژرمانیوم باشد همین امر صدق می کند‬

‫‪5_ 10‬‬
 ‫‪DE 11 2010 004 425 T5 2012.11.29‬‬
‫مرحله خروج‬ ‫ح داکثر ‪ 60‬درص د ج رمی اس ت‪ .‬هنگ امی ک ه آلی اژ از ظ رف‬
‫الکترولیز خارج می شود و تا دم ای ‪ 450‬درج ه س انتیگراد خن ک‬
‫در مرحله استخراج‪ ،‬قسمتی یا تم ام آلی اژ کات د ک ه تحت الکترول یز‬ ‫می شود‪ ،‬غلظت ژرمانیوم به تعادل نمی رسد ت ا زم انی ک ه غلظت‬
‫قرار می گیرد از ظرف برای الکترولیز خارج می شود که در ب اال‬ ‫ژرمانیوم به ‪ ٪12‬وزنی کاهش یابد‪ .‬بن ابراین ژرم انیوم مرب وط ب ه‬
‫توضیح داده شد ‪ .‬روش استخراج محدود نیست‪ .‬برداش ت می توان د‬ ‫اختالف ‪ 48‬درصد جرمی را می توان ب ه ص ورت جام د ب ه دس ت‬
‫‪.‬به صورت ناپیوسته یا پیوسته انجام شود‬ ‫آورد‪ .‬به عنوان روشی برای خنک کردن آلی اژ کات د ‪ ،‬می ت وان از‬
‫مرحله رسوب گذاری‬ ‫یک روش ش ناخته ش ده اس تفاده ک رد‪ .‬بن ابراین‪ ،‬نمونه‌ه ایی از این‬
‫روش عبارتند از روش نگهداری آلیاژ حذف‌شده کاتد در ظرفی ک ه‬
‫برای الکترولیز در دمایی باالتر از دم ای انجم اد کام ل و کم تر از‬ ‫در دمای خنک‌کننده نگه داری می‌ش ود‪ ،‬و روش ی ب رای نگه داری‬
‫دمای الکترولیز خنک می شود تا عنصری ک ه بای د تم یز ش ود‪ ،‬ب ه‬ ‫کات د حذف‌ش ده در ظ رفی ک ه در دم ای کمی ب االتر از دم ای‬
‫دست می آید که در آلیاژ حذف شده ق رار دارد ‪ .‬ب ه ص ورت جام د‬ ‫خنک‌کننده غوطه‌ورسازی ق رار می‌گ یرد‪ .‬هیت س ینک‪ ،‬ک ه در آن‬
‫‪.‬رسوب کند‬ ‫دمای خنک کننده تنظیم می شود‪ ،‬در آلیاژ کاتد و رس وب عنص ری‬
‫که باید روی سطح هیت سینک تمیز شود‪ .‬مرحله استخراج‬
‫اگر دمای خنک‌کننده باالتر از دمای انجماد کامل آلی اژ کات د نباش د‪،‬‬
‫فلز متوسط غیر از عنصری ک ه بای د تم یز ش ود‪ ،‬یع نی فل ز محی ط‬ ‫رسوب سرد شده است‪ ،‬رسوب جامد عنصری که بای د تم یز ش ود‪،‬‬
‫کاتدی نیز با عنصری که باید تمیز شود‪ ،‬رسوب می‌کند ‪ .‬بن ابراین‪،‬‬ ‫به دست می آید ‪ .‬روش بازیابی به ویژه محدود نیست و نمونه هایی‬
‫بازیابی انتخابی تنها عنصر مورد نظر برای خالص سازی از آلی اژ‬ ‫‪.‬از آن شامل فیلتراسیون و سانتریفیوژ است‬
‫کاتد دشوار است‪ .‬در مقابل‪ ،‬در اختراع حاض ر‪ ،‬دم ای خنک‌ک اری‬
‫باالتر از دمای انجماد کامل آلیاژ کات د اس ت و غلظت عنص ری ک ه‬ ‫سطح استفاده مجدد‬
‫باید خالص‌سازی شود در آلیاژ کاتدی که برای الکترولیز از ظ رف‬ ‫بازی ابی بازی افت می‌ش ود ‪ ،‬ب ه عن وان کات د در مرحل ه الکترول یز‬
‫خارج می‌شود‪ ،‬بیشتر از غلظت ترکیب است‪ ، .‬که مربوط به دم ای‬ ‫‪.‬استفاده می‌شود‬
‫انجم اد کام ل آلی اژ اس ت‪ .‬بن ابراین‪ ،‬ب ا خن ک ک ردن در دم ای‬
‫خنک‌کننده کمتر از دمای الکترولیز و باالتر از دمای انجماد کام ل‪،‬‬ ‫نیمه فلزی‪ ،‬یعنی عنصری که باید خ الص ش ود‪ ،‬عنص ری ک ه بای د‬
‫عنصری که باید خالص‌سازی شود را می‌توان به ط ور انتخ ابی از‬ ‫خالص‌سازی شود و فل زی کم تر از آن نجیب از م اده آن د در حم ام‬
‫‪.‬آلیاژ کاتد رسوب داد‬ ‫الکترولیز حل می‌شود‪ .‬و عنص ری ک ه بای د خ الص ش ود ب ه ط ور‬
‫انتخابی از حمام الکترولیز به آلیاژ کاتد حرکت می کند و تجم ع می‬
‫حد ب االیی دم ای خن ک کنن ده دم ای الکترول یز اس ت‪ .‬مق دار قاب ل‬ ‫‪.‬یابد‬
‫بازیافت عنصری که باید خالص شود مربوط به تفاوت بین ترکیبات‬
‫در منحنی مایع آلیاژ مربوط به تفاوت بین دمای الکترول یز و دم ای‬ ‫غلظت عنصری که بای د خالص‌س ازی ش ود اف زایش می‌یاب د و ف از‬
‫خنک کننده است‪ .‬بنابراین‪ ،‬به منظور اف زایش مق دار قاب ل بازی افت‬ ‫مایع است‪ ،‬ب رای الکترول یز از ظ رف خ ارج می‌ش ود‪ .‬در مرحل ه‬
‫عنصری که باید خالص‌سازی شود‪ ،‬ترجیح داده می‌شود که اختالف‬ ‫رسوب‪ ،‬عنصری که باید تمیز شود به طور انتخابی با خل وص ب اال‬
‫دمای الکترولیز و دمای خنک‌کننده بیشتر باش د‪ .‬هم در م وردی ک ه‬ ‫رس وب می ش ود‪ .‬در مرحل ه اس تخراج‪ ،‬عنص ری ک ه ق رار اس ت‬
‫المن تی ک ه بای د تم یز ش ود س یلیکون اس ت و هم در م وردی ک ه‬ ‫‪.‬خالص شود که از آلیاژ کاتد ته نشین شده است‪ ،‬بازیابی می شود‬
‫عنص ری ک ه بای د تم یز ش ود ژرم انیوم باش د‪ ،‬تف اوت بین دم ای‬
‫الکترول یز و دم ای خن ک کنن ده ترجیح ًا کم تر از ‪ 100‬درج ه‬ ‫مرحله الکترولیز‪ ،‬آلیاژی که عنصری که باید خالص‌س ازی ش ود و‬
‫سانتیگراد و ترجیحًا کمتر از ‪ 200‬نباشد ‪ .‬درجه س انتیگراد و ح تی‬ ‫فل ز متوس ط اس ت و دم ای انجم اد کام ل آن کم تر از نقط ه ذوب‬
‫بهتر است کمتر از ‪ 300‬درجه سانتیگراد نباشد‪ .‬با این حال‪ ،‬تف اوت‬ ‫عنصری است که باید خالص‌س ازی ش ود‪ ،‬ب ه عن وان کات د اس تفاده‬
‫بیشتر در دما منجر ب ه از دس ت دادن ح رارت بیش تر می ش ود‪ .‬ب ه‬ ‫می‌شود‪ .‬بنابراین‪ ،‬کاتد می تواند به راحتی ب ه ی ک ف از م ایع تب دیل‬
‫همین دلیل‪ ،‬در صورتی که تغییر ترکیب در منحنی مایع با توجه به‬ ‫شود و دمای الکترولیز می توان د کم تر از ح التی باش د ک ه از ی ک‬
‫دم ا ک افی باش د‪ ،‬اختالف دم ای الکترول یز و دم ای خنک‌کنن ده‬ ‫عنصر منفرد برای خالص سازی به عنوان کاتد در فاز مایع استفاده‬
‫نمی‌تواند زیاد باشد و می‌توان خنک‌س ازی را ب ا اختالف دم ا بهین ه‬ ‫می شود‪ .‬ب ه همین دلی ل‪ ،‬الکترول یز را می ت وان در دم ای کم تری‬
‫‪.‬اقتصادی انجام داد‪ .‬در یک محدوده دمایی موجود تبدیل می شود‬ ‫نسبت به نقطه ذوب عنصری که قرار است تمیز ش ود‪ ،‬انج ام داد و‬
‫بار انرژی و تنش وارده بر ماده ظرف برای الکترولیز را می توان‬
‫دم ای انجم اد کام ل آلی اژ کات د ک اهش داد (ب ه عن وان مث ال نقط ه‬ ‫با حالتی که یک عنصر منفرد باید مقایسه کرد‪ .‬تمیز شده ب ه عن وان‬
‫یوتکتیک)‪ .‬با این حال‪ ،‬از نظر عملیات خنک سازی آسان‪ ،‬ت رجیح‬ ‫یک کات د اس تفاده می ش ود‪ ،‬ک اهش می یاب د‪ ،‬و این س ودمند اس ت‪.‬‬
‫داده می شود که دمای خنک کنن ده کم تر از نقط ه ذوب فل ز محی ط‬ ‫عالوه بر این‪ ،‬از آنجایی که کات د ی ک ف از م ایع اس ت‪ ،‬ی ک راب ط‬
‫‪.‬کاتدی نباشد‬ ‫الک ترود پای دار تش کیل می ش ود‪ .‬وق تی آلی اژی ک ه در آن غلظت‬
‫عنص ری ک ه بای د خالص‌س ازی ش ود بیش تر از غلظت مرب وط ب ه‬
‫به عنوان مثال‪ ،‬در موردی که عنصری که بای د خالص‌س ازی ش ود‬ ‫دمای انجماد کامل در کاتد باشد‪ ،‬رشد دن دریتیک عنص ری ک ه بای د‬
‫سیلیکون است و از آلیاژ آلومی نیوم‪-‬س یلیکون ب ه عن وان آلی اژ کات د‬ ‫خالص‌سازی شود برای ایجاد اتصال کوتاه بین الکتروده ا س رکوب‬
‫استفاده می‌شود‪ ،‬در دمای الکترولیز ‪ 1100‬درجه س انتی‌گراد‪ ،‬کات د‬ ‫می‌شود‪ .‬و حفظ حمام الکترولیز در محصول عنصری که باید تم یز‬
‫می‌تواند حالت فاز مایع را ت ا زم انی ک ه غلظت س یلیکون در آلی اژ‬ ‫ش ود س رکوب می ش ود‪ .‬از آنج ایی ک ه فل ز متوس ط اساس ًا ی ک‬
‫کاتدی حداکثر ب ه ح دود ‪ 55‬درص د ج رمی می رس د‪ .‬هنگ امی ک ه‬ ‫کریستال مخلوط با عنص ری ک ه بای د تم یز ش ود تش کیل نمی‌ده د‪،‬‬
‫آلی اژ ب رای الکترول یز از ظ رف خ ارج می ش ود و ت ا دم ای ‪600‬‬ ‫غلظت عنصری که باید تم یز ش ود در آلی اژ کات د‪ ،‬ک ه در مع رض‬
‫درج ه س انتیگراد خن ک می ش ود‪ ،‬غلظت س یلیکون ب ه تع ادل نمی‬ ‫مرحل ه الکترول یز و مرحل ه اس تخراج ق رار می‌گ یرد و ب ه مرحل ه‬
‫رس د ت ا زم انی ک ه غلظت س یلیکون ب ه ‪ ٪15‬وزنی ک اهش یاب د‪.‬‬ ‫رسوب می‌رسد‪ ، .‬باالتر از ترکیب است که مطابق با دم ای انجم اد‬
‫بنابراین سیلیکون مربوط به اختالف ‪ 40‬درصد جرمی را می ت وان‬ ‫کامل است‪ .‬بنابراین‪ ،‬عنص ری ک ه بای د در کات د خ الص ش ود‪ ،‬می‬
‫‪.‬به صورت جامد به دست آورد‬ ‫تواند به طور انتخابی ب ا خل وص ب اال ب ا خن ک ک ردن رس وب داده‬
‫به عنوان مثال‪ ،‬در موردی که عنصری که قرار است خ الص ش ود‬ ‫ش ود‪ .‬در نتیج ه‪ ،‬خل وص عنص ر فل زی ی ا عنص ر نیم ه فل زی‬
‫ژرم انیوم باش د و از آلی اژ روی‪-‬ژرم انیوم ب ه عن وان آلی اژ کات د‬ ‫به‌دست‌آمده می‌تواند به اندازه کافی ب االتر از م اده تش کیل‌دهنده آن د‬
‫استفاده شود‪ ،‬در دمای الکترولیز ‪ 800‬درجه سانتی گ راد‪ ،‬کات د می‬ ‫باشد و عنصری که باید تمیز شود به راحتی در حالت تمیز ش ده ب ه‬
‫تواند حالت فاز مایع را تا زمانی که غلظت ژرمانیوم در آلی اژ کات د‬ ‫‪.‬دست می‌آید‬

‫‪6_ 10‬‬
 ‫‪DE 11 2010 004 425 T5 2012.11.29‬‬
‫در مرحله استفاده مج دد‪ ،‬پس از بازی ابی عنص ری ک ه ق رار اس ت‬
‫خالص شود از آلیاژ سرد شده کاتد رسوب کرده اس ت‪ ،‬باقیمان ده در‬
‫مرحل ه الکترول یز ب ه کات د بازگردان ده می ش ود ‪ .‬ب ه این ت رتیب‪،‬‬
‫آلی اژی ک ه در آن غلظت عنص ری ک ه بای د خالص‌س ازی ش ود ب ه‬
‫اندازه ک افی ک اهش می‌یاب د‪ ،‬می‌توان د دوب اره به‌عن وان کات د م ورد‬
‫استفاده قرار گیرد‪ ،‬و حرکت عنصری که قرار اس ت خالص‌س ازی‬
‫شود از ماده آند به کات د و اف زایش غلظت می‌توان د انج ام ش ود‪ .‬ب ه‬
‫ط ور م داوم ب ا ران دمان ب اال‪ .‬بن ابراین‪ ،‬در مرحل ه الکترول یز‪،‬‬
‫عنصری که باید تم یز ش ود ب ه غلظت اش باع نمی رس د ک ه ب اعث‬
‫رکود الکترولیز شود و تا زمانی که سیالیت آلی اژ کات د حف ظ ش ود‪،‬‬
‫‪.‬می توان تمیز کردن را به طور مداوم انجام داد‬
‫به دست آید‪ .‬عالوه ب ر ‪ pn‬کریستالی تشکیل می شود تا یک اتصال‬
‫اگر آند آلیاژی باشد که فاز مایع در دمای الکترولیز باشد‪ ،‬ترجیح ‪،‬‬
‫داده می شود‪ .‬در نتیجه‪ ،‬ماده ای که به عنوان آند عمل می کن د‪ ،‬ب ه‬
‫س ادگی ب ه حم ام الکترول یز ب ه روش ی مناس ب اض افه می ش ود و‬
‫‪.‬مرحله الکترولیز به طور مداوم و حتی راحت تر انجام می شود‬
‫در ص ورتی ک ه عنص ری ک ه بای د خالص‌س ازی ش ود ]‪[0083‬‬
‫سیلیکون باش د‪ ،‬طب ق اخ تراع حاض ر‪ ،‬بیش از ‪ 40‬درص د ج رمی‬
‫سیلیکون در مرحله الکترول یز ب ر اس اس کات د (از جمل ه در م ورد‬
‫استفاده از آلومینیوم ب ه عن وان فل ز محی ط کات د و در زم ان ش روع‬
‫مرحله الکترول یز از آلومی نیوم خ الص ب ه عن وان کات د اس تفاده می‬
‫ش ود) و ب ه عن وان مث ال در مرحل ه بازی ابی کم تر از ‪ 45‬درص د‬
‫ج رمی س یلیکون ب ه دس ت می آی د‪ .‬عالوه ب ر این‪ ،‬در م وردی ک ه‬
‫عنص ری ک ه بای د خالص‌س ازی ش ود ژرم انیوم باش د‪ ،‬بیش از ‪40‬‬
‫درصد جرمی ژرم انیوم در مرحل ه الکترول یز ب ر اس اس کات د (از‬
‫جمله در م وردی ک ه روی ب ه عن وان فل ز کات د و روی خ الص ب ه‬
‫عنوان کاتد استفاده می‌شود‪ .‬زمان مورد استفاده برای شروع مرحله‬
‫الکترولیز) و ب رای مث ال بیش از ‪ 50‬درص د ج رمی ژرم انیوم ب ه‬
‫دست می آید‪ .‬بنابراین‪ ،‬با توجه به اختراع حاض ر‪ ،‬ب ازده س یلیکون‬
‫و ژرم انیوم به‌دس ت‌آمده بس یار ب اال اس ت و این از نظ ر اقتص ادی‬
‫سودمند است‪ .‬برای فرآیند مطابق با اختراع حاض ر‪ ،‬مق دار تش کیل‬
‫‪.‬شده توسط جریان کنترل می شود‬
‫خلوص محصول بازیافت شده عنصری که ب ه این ت رتیب تم یز می‬
‫شود بسیار باالتر از ماده آند به عن وان م اده خ ام اس ت و محص ول‬
‫بازیافت ش ده ب ه ط ور مطل وب ب رای دس تگاه ه ای الک ترونیکی و‬
‫اهداف کندوپاش و به عنوان م اده خ ام ب رای س یلیکون اس تفاده می‬
‫شود‪ .‬برای س لول ه ای خورش یدی‪ ،‬ب ه وی ژه در م ورد س یلیکون‪،‬‬
‫‪.‬استفاده می شود‬
‫‪ 3‬س اعت در دم ای ‪ 700‬درج ه س انتیگراد نگه داری می ش ود در‬
‫لزوم ‪ ،‬محصول بازیافت شده به دس ت آم ده از عنص ری ک ه ق رار‬
‫است خالص شود‪ ،‬ب ا ی ک اس ید ی ا ی ک ب از پ ردازش می ش ود ت ا‬
‫باقیمانده متصل به یک جزء فلزی و ی ک ج زء فل زی واکنش ن داده‬
‫ح ذف ش ود‪ ،‬و بیش تر تحت تفکی ک ق رار می گ یرد مانن د انجم اد‬
‫جهت‪ ،‬انحالل انج ام ش ده در خالء ب اال‪ .‬و مانن د آن؛ ب دین ت رتیب‪،‬‬
‫عناصر خارجی موجود در محصول بازیافتی عنصری که باید تمیز‬
‫ش ود را می ت وان بیش تر ک اهش داد‪ .‬در م ورد س یلیکون‪ ،‬اگ ر‬
‫سیلیکون پلی کریستالی به دست آمده به منظور اف زایش خل وص در‬
‫مع رض انجم اد جهت دار ق رار گ یرد‪ ،‬بس یار س ودمند اس ت‪ .‬در‬
‫اختراع حاضر‪ ،‬سیلیکون به دست آمده در مواردی که عنصری ک ه‬
‫باید خالص‌سازی شود سیلیکون باش د‪ ،‬ب ه عن وان مث ال ی ک س لول‬
‫خورش یدی ب ا اس تفاده از س یلیکون پلی کریس تالی توض یح داده‬
‫‪ .‬می‌شود‬
‫سیلیکون به دست آمده بر اس اس اخ تراع حاض ر‪ ،‬ش مش ب ه روش‬
‫ریخته گری یا ریخته گری الکترومغناطیسی س اخته می ش ود‪ .‬ن وع‬
‫است‪ .‬ب ه ‪ p‬رسانایی یک بستر در سلول خورشیدی معموًال از نوع‬
‫عنوان مثال‪ ،‬بور به سیلیکون اضافه می شود یا آلومینیوم در زم ان‬
‫خالص سازی سیلیکون باقی می ماند‪ .‬در نتیجه‪ ،‬یک م اده ناخ الص‬
‫به دست آید‪ p .‬می تواند به سیلیکون وارد شود و یک سیلیکون نوع‬
‫بلوک با استفاده از تیغه برش قطر داخلی‪ ،‬اره چند دندان ه ی ا م وارد‬
‫مشابه برش داده می شود‪ .‬پس از برش‪ ،‬در صورت ل زوم‪ ،‬س طوح‬
‫‪7_ 10‬‬
‫برش با استفاده از دانه های ساینده آزاد پوشش داده می شود‪ .‬عالوه‬
‫بر این‪ ،‬به منظور حذف الیه آسیب دیده‪ ،‬دیسک بلوک پوشیده ش ده‪،‬‬
‫به عنوان مثال‪ ،‬در محل ول اچ مانن د اس ید هی دروفلوئوریک غوط ه‬
‫ور می شود‪ ،‬در نتیجه یک بستر سیلیکونی پلی کریس تال ب ه دس ت‬
‫می آی د‪ .‬ب ه منظ ور ک اهش تلف ات انعک اس ن وری ب ر روی س طح‬
‫ب ه ص ورت ‪ V‬زیرالی ه س یلیکون پلی کریس تالی‪ ،‬ی ک بری دگی‬
‫مکانیکی بر روی سطح با استفاده از یک دس تگاه دایس تش کیل می‬
‫شود یا یک ساختار بافت با حکاکی یونی واکنشی یا اچ با استفاده از‬
‫یک اسید‪ ،‬یک باز یا یک ساختار بافت تشکیل می ش ود‪ .‬مانن د‪ .‬پس‬
‫مانند فسفر و ‪ n‬از آن‪ ،‬یک الیه انتشار حاوی یک ناخالصی از نوع‬
‫آرسنیک بر روی سطح دریافت کنن ده ن ور از بس تر س یلیکونی پلی‬
‫یا مانند آن بر روی سطح الیه ‪ TiO 2‬این‪ ،‬یک الیه نازک از اکسید‬
‫انتشار تشکیل می شود‪ ،‬الکترودها در الیه های مربوط ه ارائ ه می‬
‫یا موارد مشابه تشکیل می ‪ MgF 2‬شوند و یک الیه ضد انعکاس با‬
‫شود تا از دست دادن انرژی نور را کاهش ده د‪ .‬ناش ی از انعک اس‬
‫پیوست شده است‪ .‬به ط وری ک ه می ت وان س لول خورش یدی را از‬
‫‪.‬این طریق تولید کرد‬
‫در توضیحات فوق‪ ،‬یک تجسم مطابق با اختراع حاض ر ش رح داده‬
‫شده است‪ ،‬اما تجسم مطابق با اختراع حاضر که در ب اال ف اش ش ده‬
‫است تنه ا ی ک نمون ه اس ت و دامن ه اخ تراع حاض ر ب ه این تجس م‬
‫محدود نمی شود ‪ .‬دامن ه اخ تراع حاض ر ب ا ادعاه ای ثبت اخ تراع‬
‫مشخص می شود و شامل کلیه تغییراتی است که مع ادل توض یحات‬
‫در ادعاهای ثبت اختراع با توجه به معنی و دامنه آن است‪ .‬مثال ها‬
‫در زیر برای توصیف جزئیات بیشتر اختراع ارائه ش ده اس ت‪ ،‬ام ا‬
‫‪.‬اختراع حاضر به آن محدود نمی‌شود‬
‫مثال ‪1‬‬
‫بوته در یک کوره الکتریکی با ی ک لول ه ک وره م والیت ق رار می‬
‫گیرن د‪ .‬س پس‪ ،‬س یلیکون جام د ح اوی م واد خ ارجی در حم ام‬
‫الکترولیز در دمای ‪ 1100‬درج ه س انتیگراد غوط ه ور می ش ود و‬
‫الکترولیز با استفاده از سیلیکون جامد به عنوان آن د و آلومی نیوم در‬
‫فاز مایع موجود در کف بوته گرافیتی به عنوان کاتد انجام می شود‪.‬‬
‫پس از الکترولیز‪ ،‬آلیاژ کاتد با سرد کردن ب ه دس ت می آی د ‪ .‬آلی اژ‬
‫حاصل توسط اسید هیدروکلریک حل می شود‪ .‬این اجازه می دهد تا‬
‫سیلیکون خالص به دست آید‪ .‬عالوه بر این‪ ،‬آلیاژ پس از الکترول یز‬
‫در دمای ‪ 1100‬درجه سانتیگراد از کاتد خارج می شود و ب ه م دت‬
‫حالی که تا حدی ب ا جداس ازی جام د‪-‬م ایع رس وب می کن د‪ .‬ب ه این‬
‫ترتیب‪ ،‬رسوبی که در آن غلظت سیلیکون نسبتًا زی اد اس ت و آلی اژ‬
‫مایعی که غلظت سیلیکون در آن نسبتًا کم است‪ ،‬ب ه دس ت می‌آی د و‬
‫سیلیکون خالص شده می‌تواند به دست آید‪ .‬آلی اژ م ایع (بقای ای) پس‬
‫از جداس ازی رس وب (س یلیکون خ الص) را می ت وان ب ه بوت ه‬
‫گرافیتی در کوره الکترولیز برگرداند تا پاالیش الکتریکی س یلیکون‬
‫‪.‬انجام شود‬
‫مثال ‪2‬‬
‫آلیاژی از مس و سیلیکون‪ ،‬کرای ولیت‪ ،‬دی اکس ید س یلیکون‪ ،‬کلری د‬
‫کلسیم‪ ،‬کلرید باریم و آلیاژ آلومینیوم و سیلیکون در یک بوته منیزیم‬
‫و بوته در یک کوره الکتریکی با یک لوله کوره م والیت ق رار می‬
‫گ یرد ‪ .‬س پس‪ ،‬الکترول یز در دم ای ‪ 1100‬درج ه س انتی گ راد ب ا‬
‫استفاده از آلیاژ مس و س یلیکون ب ه عن وان آن د و آلی اژ آلومی نیوم و‬
‫‪.‬سیلیکون به عنوان کاتد انجام می شود‬
‫پس از الکترولیز‪ ،‬آلیاژ کاتد با سرد کردن ب ه دس ت می آی د ‪ .‬آلی اژ‬
‫حاصل توسط اسید هیدروکلریک حل می شود‪ .‬این اجازه می دهد تا‬
‫سیلیکون خالص به دست آید‪ .‬عالوه بر این‪ ،‬آلیاژ پس از الکترول یز‬
‫در دمای ‪ 1100‬درجه سانتیگراد از کاتد خارج می شود و ب ه م دت‬
‫‪ 3‬س اعت در دم ای ‪ 700‬درج ه س انتیگراد نگه داری می ش ود در‬
‫حالی که تا حدی ب ا جداس ازی جام د‪-‬م ایع رس وب می کن د‪ .‬ب ه این‬
 ‫‪DE 11 2010 004 425 T5 2012.11.29‬‬
‫ترتیب‪ ،‬رسوبی که در آن غلظت سیلیکون نسبتًا زی اد اس ت و آلی اژ‬ ‫برای بازیابی عنصر فل زی ی ا عنص ر فل زی رس وب ش ده از آلی اژ‬
‫مایعی که غلظت سیلیکون در آن نسبتًا کم است‪ ،‬ب ه دس ت می‌آی د و‬ ‫‪.‬سرد شده‬
‫سیلیکون خالص شده می‌تواند به دست آید‪ .‬آلی اژ م ایع (بقای ای) پس‬
‫از جداس ازی رس وب (س یلیکون خ الص) را می ت وان ب ه بوت ه‬ ‫‪2.‬‬ ‫روش مطابق ادعای ‪ ،1‬که در آن فلز متوسط دارای ی ک‬
‫گرافیتی در کوره الکترولیز برگرداند تا پاالیش الکتریکی س یلیکون‬ ‫‪.‬نقطه یوتکتیک با عنصر فلزی یا عنصر نیمه فلزی است‬
‫‪.‬انجام شود‬ ‫‪3.‬‬ ‫روشی مطابق ادعای ‪ 1‬یا ‪ ،2‬که بیشتر شامل یک مرحله‬
‫ادعاهای ثبت اختراع‬ ‫استفاده مجدد از استفاده از باقیمانده پس از بازیابی عنصر فل زی ی ا‬
‫عنص ر فل زی رس وب ش ده از آلی اژ س رد ش ده ب ه عن وان کات د در‬
‫‪.‬مرحله الکترولیز است‬
‫‪1.‬‬ ‫فرآیند تولید یک یا خ الص ش ده فل ز ی ا نیم ه فل ز تص فیه‬
‫ش ده‪ ،‬ش امل‪ :‬مرحل ه الکترول یز ب رای انج ام الکترول یز در حم ام‬ ‫‪4.‬‬ ‫روشی طبق هر یک از ادعاهای ‪ 1‬تا ‪ 3‬که در آن عنصر‬
‫الکترولیز واقع در ظرفی برای الکترولیز‪ ،‬که باعث می ش ود م اده‬ ‫‪.‬فلزی یا عنصر متالوئید سیلیکون یا ژرمانیوم است‬
‫ای متشکل از یک عنصر فلزی یا یک عنص ر نیم ه فل زی و م واد‬
‫خارجی به عنوان آند عمل کنن د‪ ،‬و آلی اژ متش کل از هم ان عنص ر‬ ‫‪5.‬‬ ‫روش ادعای ‪ ،4‬که در آن آلیاژ کات د ش امل ی ک ی ا چن د‬
‫فل زی ی ا عنص ر نیم ه فل زی عنص ر فل زی ی ا عنص ر نیم ه فل زی‬ ‫عنصر فل زی انتخ اب ش ده از گ روه آلومی نیوم‪ ،‬نق ره‪ ،‬مس و روی‬
‫موجود در آند و یک فلز متوسط که اساسًا بلوری مخلوط با عنص ر‬ ‫‪.‬است‬
‫فلزی ی ا عنص ر نیم ه فل زی تش کیل نمی ده د و دارای ی ک دم ای‬
‫انجماد کامل که کمتر از نقط ه ذوب عنص ر فل زی ی ا عنص ر نیم ه‬ ‫‪6.‬‬ ‫روشی مطابق ادعای ‪ 4‬ی ا ‪ ،5‬ک ه در آن م واد ب رای آن د‬
‫فلزی است‪ ،‬به عنوان کاتد عمل می کند‪ ،‬در دمای الکترولیز که ب ه‬ ‫شامل یک یا چند عنصر فلزی است که از گ روه نق ره‪ ،‬مس‪ ،‬قل ع و‬
‫آلیاژ اجازه می دهد تا فاز مایع باشد‪ ،‬که در آن عنصر فلزی یا نیمه‬ ‫‪.‬سرب انتخاب شده اند‬
‫‪.‬فلزی عنصر فلزی در آند به آلیاژ کاتد منتقل می شود‬ ‫‪7.‬‬ ‫روشی طبق هر یک از ادعاهای ‪ 1‬ت ا ‪ 6‬ک ه در آن حم ام‬
‫مرحله تخلیه بخشی یا تمام آلیاژ کاتد از ظرف ب رای الکترول یز پس‬ ‫‪.‬الکترولیز شامل کرایولیت است‬
‫‪.‬از مرحله الکترولیز‬
‫مرحله رسوب سرد کردن آلی اژ اس تخراج ش ده در دم ای ب االتر از‬ ‫‪8.‬‬ ‫روش ی طب ق یکی از ادعاه ای ‪ 1‬ت ا ‪ 7‬ک ه در آن دم ای‬
‫دمای انجماد کامل و کمتر از دمای الکترولیز برای رس وب عنص ر‬ ‫الکترولیز باالتر از دمای انجماد کامل و کمتر از نقطه ذوب عنصر‬
‫فلزی یا عنصر نیمه فلزی موجود در آلی اژ‪ .‬و ی ک مرحل ه بازی ابی‬ ‫‪.‬فلزی یا عنصر نیمه فلزی است‬
‫دو برگه نقاشی در ادامه می آید‬

‫‪8_ 10‬‬
‫‪DE 11 2010 004 425 T5 2012.11.29‬‬
‫نقشه های پیوست شده‬

‫‪9_ 10‬‬
DE 11 2010 004 425 T5 2012.11.29

10_ 10