탄소나노튜브소자

탄소나노튜브 소자 기술
(Carbon Nanotube Device)
2006. 12
머 리 말
나노기술은 21세기 국가 과학기술경쟁력의 확보와 국가 경제 및 사회의

지속적인 발전을 위한 핵심기술입니다. 또한, 전통 제조 산업과 접목되어
기술혁신을 유도할 뿐만 아니라, 특히 IT, BT, CT 등의 첨단기술과 융합
하여 국가 미래 핵심전략산업을 한층 고도화시킬 수 있는 기반기술로서 차
세대 성장 동력으로 인식되고 있습니다.
“상상해 보세요. 강철 보다 강도는 열 배나 크지만 무게는 단지 몇 분의
일밖에 안되는 재료와 각설탕만한 크기의 소자에 국회도서관의 모든 정보
를 저장할 수 있으며, 세포 몇 개 크기인 암종양을 찾아낼 수 있다는 것
을”, 2000년 1월 21일 미국 클린턴 대통령은 “국가나노기술전략(NNI;
National Nanotechnology Initiative)”에 대해 이와 같이 연설하였습니
다. 이를 계기로 주요 선진국을 중심으로 본격적인 나노기술경쟁이 시작되
었습니다.
우리나라도 2001년 7월에 ‘나노기술종합발전계획’ 수립하였고, 2002년
12월에 세계최초로 ‘나노기술개발촉진법’을 제정하여 체계적이고 적극적인
지원을 하고 있습니다. 특히, 2005년 12월에는 ‘제2기 나노기술종합발전
계획’을 수립하여 2015년에 ‘나노기술 분야에서 세계 3대국의 기술경쟁력
확보’라는 비전을 제시하고, 이를 위해 최고수준의 ‘30대 실용화 기술’ 개
발을 적극 추진하고 있습니다.
이러한 정부정책 추진의 방향과 시대적 변화에 부응하기 위하여 한국과
학기술정보연구원(KISTI)은 ‘30대 실용화 기술’을 중심으로 한 나노분야의
핵심 전략기술에 대해 연구개발 동향 및 산업시장 전망 등에 관한 심층 분
석․연구를 수행하고, 이를 나노기술분석보고서로 발간하였습니다. 본 보고
서는 KISTI의 내부 연구원들뿐만 아니라 해당 기술분야의 외부 전문가들
i
과 함께 연구개발 현장의 최신기술 동향을 공동 집필하였습니다. 본 보고
서가 나노기술 연구개발자는 물론, 전략기술의 조기산업화를 추진하고 산
업 현장 및 국가 전략기술정책 수립에 기여함으로써 국가기술 경쟁력 강화
에 이바지 하고자 합니다.
이러한 목적으로 최근 꿈의 신소재로 주목받고 있는 탄소나노튜브를 이
용한 소자의 제작과 그 응용분야에 관해 최신 동향을 분석한 ｢탄소나노튜
브 소자 기술｣에 대한 분석보고서를 발간하게 되었습니다. 본 보고서는 탄
소나노튜브 소자 기술에 대하여 국내외 연구개발 동향 및 산업시장 현황과
논문 및 특허 분석 등 심층적 연구 ․ 분석을 수행하였습니다. 본 보고서가
해당 분야의 기술과 산업 발전에 조금이나마 보탬이 되기를 기대합니다.
본 연구는 과학기술부의 지원으로 수행되었으며, 본 연구원의 소대섭
책임연구원과 이일형 책임연구원, 배국진 선임연구원 및 삼성종합기술원
의 박완준 박사께서 공동 집필한 것으로 그 노고에 깊이 감사드립니다. 본
보고서에 수록된 내용은 집필자들의 사견이며 한국과학기술정보연구원의
공식의견이 아님을 밝혀둡니다.
2006. 12.
한국과학기술정보연구원
원장
ii
목 차
제1장 서 론 ·
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1. 연구 배경 ·
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2. 연구 목적 ·
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3. 연구 방법 ·
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제2장 기술동향 분석 ·
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1. 기술의 개요 ·
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가. 탄소나노튜브 기술 개요 ·
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(1) 탄소나노튜브 원자구조 및 기본성질 ·
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(2) 탄소나노튜브 응용분야 ·
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나. 탄소나노튜브소자 기술 개요 ·
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(1) 탄소나노튜브의 합성기술 ·
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(2) 탄소나노튜브의 복합재료 기술 ·
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(3) 탄소나노튜브의 물성제어 ·
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(4) 탄소나노튜브소자 공정기술 ·
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다. 탄소나노튜브 전자소자 개요 ·
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(1) 나노전자소자의 필요성 ·
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(2) 탄소나노튜브 전자소자의 잠재효과 ·
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라. 탄소나노튜브 전자소자 기술동향 ·
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(1) 탄소나노튜브 트랜지스터를 이용한 전자회로 ·
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(2) 탄소나노튜브 광소자 ·
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(3) 탄소나노튜브 박막트랜지스터 ·
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(4) 기타 탄소나노튜브 소자 응용기술 ·
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2. 연구개발 동향 ·
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가. 국내외 연구개발 동향 ·
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(1) 산업계의 연구동향 ·
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(2) 학계의 연구동향 ·
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(3) 국내 연구개발 동향 ·
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나. 기술 비교 분석 ·
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(1) 특허기술 비교 ·
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(2) 기초기술 비교 ·
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제3장 문헌 ․ 특허 정보 분석 ·
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가. 정보 분석 대상 DB와 검색조건 ·
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2. 특허정보 분석 ·
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가. 정보 분석 대상 DB와 검색조건 ·
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다. 국가별 특허 동향 ·
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(2) 미국특허 ·
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(3) 일본특허 ·
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(4) 유럽특허 ·
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마. 세부분야별 동향 분석 ·
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제4장 산업시장 동향 및 전망 ·
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1. 시장 동향 ·
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2. 시장 전망 ·
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제5장 결 론 ·
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1. 전망 ·
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가. 탄소나노튜브 전자소자 기술 ·
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나. 탄소나노튜브 광소자 기술 ·
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다. 탄소나노튜브 센서 기술 ·
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라. 탄소나노튜브 에너지소자 기술 ·
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마. 탄소나노튜브 기계소자 기술 ·
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바. 탄소나노튜브 복합재료 기술 ·
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2. 파급효과 ·
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참고 문헌 ·
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v
표 차례
<표 2-1> 탄소의 다양성 ·

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<표 2-2> 탄소나노튜브의 물리적 성질 비교 ·
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<표 2-3> 탄소나노튜브 대량합성기술 비교 ·
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<표 2-4> 나노튜브 위치제어용 ER/Catalyst mixture를
만족하는 Catalyst 후보 ·
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·20
<표 2-5> 탄소나노튜브 소자의 분야별 응용기술 요약 ·
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·32
<표 2-6> 탄소나노튜브 전자소자분야 원천기술 요약 ·
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·40
<표 3-1> 문헌검색 키워드 및 검색건수 ·
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<표 3-2> 국가별 연도별 특허건수 ·
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<표 3-3> 탄소나노튜브 소자 관련 특허의 연도별 출원 건수 ·
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<표 3-4> 국가별 중분류별 출원건수 ·
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<표 3-5> 탄소나노튜브 소자 관련 한국특허의 연도별 출원 건수 ·
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·63
<표 3-6> 탄소나노튜브 소자 관련 미국특허의 연도별 출원 건수 ·
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<표 3-7> 탄소나노튜브 소자 관련 일본특허의 연도별 출원 건수 ·
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·67
<표 3-8> 탄소나노튜브 소자 관련 유럽특허의 연도별 출원 건수 ·
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·70
<표 3-9> 국가별 IPC별 특허건수 ·
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<표 4-1> 탄소나노튜브의 시장 규모 ·
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<표 4-2> 탄소나노튜브 관련 주요 기업 ·
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vi
그림 차례
<그림 2-1> 탄소나노튜브의 카이랄성(Chirality) ·

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<그림 2-2> 겹의 수에 따른 탄소나노튜브 ·
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·7
<그림 2-3> 미래기술별 실용화 관점의 기술수준 분석 ·
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·8
<그림 2-4> CVD법으로 제조된 탄소나노튜브 ·
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··11
<그림 2-5> Dielectrophoresis를 이용한 반도체성과
금속성 탄소나노튜브를 분리 ·
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·14
<그림 2-6> 과전류 적용 Joule heating을 이용한 금속성 나노튜브의
제거 혹은 다중겹의 외겹제거로 단일겹 형성 ·
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··15
<그림 2-7> 자기조립법을 이용한 탄소나노튜브 대량 조립 기술의 개념 ·
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·16
<그림 2-8> PR/Catalyst mixture를 이용한 위치제어 공정도 ·
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·17
<그림 2-9> PR/Catalyst mixture를 이용한 나노튜브 위치제어 성장·
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··18
<그림 2-10> 식각 표준공정 적용 개별 단일겹 탄소나노튜브 위치제어 방법·
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·19
<그림 2-11> Photo resist의 etch mask기능으로 패턴화된 구조물에서
개별 단일겹 탄소나노튜브를 성장 ·
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··19
<그림 2-12> 기술개발 기준으로 예측된 트랜지스터 기술로드맵 ·
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·21
<그림 2-13> 최초 탄소나노튜브 트랜지스터 구조 ·
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<그림 2-14> 탄소나노튜브 트랜지스터를 이용한 인버터회로 ·
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··26
<그림 2-15> 탄소나노튜브 트랜지스터를 이용한 Ring Oscillator 회로 ·
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<그림 2-16> 금속성 기판위에 성장된 단일겹 탄소나노튜브의
Field Emission 특성 ·
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<그림 2-17> 탄소나노튜브를 이용한 발광소자 ·
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·29
<그림 2-18> 탄소나노튜브 박막트랜지스터와 전기특성해석 ·
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··30
<그림 2-19> 탄소나노튜브의 기계적인 특성과 전기특성을
조합한 새로운 개념의 메모리소자 (미국 Nantero사) ·
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vii
<그림 2-20> 특허등록에서 나타난 초기 탄소나노튜브 기술의 흐름도 ·
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<그림 2-21> 국가별 특허건수 ·
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···36
<그림 2-22> 국가별 특허 출원에 관한 탄소나노튜브 응용기술 비율·
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··37
<그림 2-23> 응용기술 분야별, 국가별 특허 동향분석 ·
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·37
<그림 2-24> 미국특허의 출원인별 기술동향 ·
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·38
<그림 2-25> 미국특허의 출원인별 CPP 분석 ·
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<그림 3-1> 연도별 논문건수 동향 ·
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<그림 3-2> 응용분야별 논문 건수 ·
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<그림 3-3> 탄소나노튜브 소자의 주요 국가별 랭킹 ·
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<그림 3-4> 주요국가의 분야별 점유율 ·
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<그림 3-5> 탄소나노튜브 광소자의 주요 국가별 랭킹 ·
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<그림 3-6> 탄소나노튜브 전자소자의 주요 국가별 랭킹 ·
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<그림 3-7> 탄소나노튜브 에너지소자의 주요 국가별 랭킹 ·
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<그림 3-8> 탄소나노튜브 기계소자의 주요 국가별 랭킹 ·
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<그림 3-9> 탄소나노튜브 소자의 주요 저자별 랭킹 ·
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<그림 3-10> 탄소나노튜브 광소자의 주요 저자별 랭킹 ·
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<그림 3-11> 탄소나노튜브 전자소자의 주요 저자별 랭킹 ·
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<그림 3-12> 탄소나노튜브 에너지소자의 주요 저자별 랭킹 ·
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<그림 3-13> 탄소나노튜브 기계소자의 주요 저자별 랭킹 ·
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<그림 3-14> 탄소나노튜브 소자의 주요 기관별 랭킹 ·
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<그림 3-15> 탄소나노튜브 광소자의 주요 기관별 랭킹 ·
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<그림 3-16> 탄소나노튜브 전자소자의 주요 기관별 랭킹 ·
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<그림 3-17> 탄소나노튜브 에너지소자의 주요 기관별 랭킹 ·
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<그림 3-18> 탄소나노튜브 기계소자의 주요 기관별 랭킹 ·
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<그림 3-19> 탄소나노튜브 소자의 주요 저널별 랭킹 ·
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<그림 3-20> 탄소나노튜브 광소자의 주요 저널별 랭킹 ·
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<그림 3-21> 탄소나노튜브 전자소자의 주요 저널별 랭킹 ·
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<그림 3-22> 탄소나노튜브 에너지소자의 주요 저널별 랭킹 ·
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<그림 3-23> 탄소나노튜브 기계소자의 주요 저널별 랭킹 ·
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<그림 3-24> 특허 DB별 특허건수 및 비율 ·
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viii
<그림 3-25> 탄소나노튜브 소자 관련 특허의 연도별 출원 건수 추이 ·
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<그림 3-26> 전체 출원특허의 출원국가별 분포 ·
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<그림 3-27> 국가별 특허건수의 중분류별 현황 ·
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<그림 3-28> 탄소나노튜브 소자 관련 한국특허의 연도별 출원 건수 추이·
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<그림 3-29> 탄소나노튜브 소자 관련 한국특허의 출원국 분포 ·
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<그림 3-30> 탄소나노튜브 소자 관련 한국특허의 주요 출원인 ·
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··64
<그림 3-31> 탄소나노튜브 소자 관련 미국특허의 연도별 출원 건수 추이·
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<그림 3-32> 탄소나노튜브 소자 관련 미국특허의 출원국 분포 ·
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<그림 3-33> 탄소나노튜브 소자 관련 미국특허의 주요 출원인 ·
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··67
<그림 3-34> 탄소나노튜브 소자 관련 일본특허의 연도별 출원 건수 추이·
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<그림 3-35> 탄소나노튜브 소자 관련 일본특허의 출원국 분포 ·
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··68
<그림 3-36> 탄소나노튜브 소자 관련 일본특허의 주요 출원인 ·
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··69
<그림 3-37> 탄소나노튜브 소자 관련 유럽특허의 연도별 출원 건수 추이·
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<그림 3-38> 탄소나노튜브 소자 관련 유럽특허의 출원국 분포 ·
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<그림 3-39> 탄소나노튜브 소자 관련 유럽특허의 주요 출원인 ·
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<그림 3-40> 국가별 IPC별 특허건수의 비중 ·
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<그림 3-41> 광소자 분야의 국가별 특허건수의 연도별 추이 ·
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<그림 3-42> 광소자 분야의 국가별 주요출원인 ·
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<그림 3-43> 전자소자 분야의 국가별 특허건수의 연도별 추이 ·
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··75
<그림 3-44> 전자소자 분야의 국가별 주요출원인 ·
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··76
<그림 3-45> 에너지소자 분야의 국가별 특허건수의 연도별 추이 ·
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·76
<그림 3-46> 에너지소자 분야의 국가별 주요출원인 ·
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··77
<그림 3-47> 기계소자 분야의 국가별 특허건수의 연도별 추이 ·
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··78
<그림 3-48> 기계소자 분야의 국가별 주요출원인 ·
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<그림 4-1> CNT의 가치사슬 구조 ·
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·80
<그림 4-2> 32인치 3극형 탄소나노튜브 전계방출 디스플레이 패널의
동작 모양 (삼성 SDI) ·
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·83
<그림 4-3> 평면형 광원의 구조 및 동작 모양 (KIST & 일진나노텍) ·
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<그림 4-4> 5.7인치 CNT 평면광원의 프로토타입 광원 발광 사진
(나노퍼시픽) ·
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ix
제1 장
서 론
1. 연구 배경
1991년에 일본의 이지마박사가 탄소의 결합구조를 연구하던 중 처음으

로 튜브 형태의 탄소구조를 발견하고 이를 ‘Nature’지에 발표한 이후, 탄
소나노튜브는 금속과 비금속의 장점을 동시에 갖으며, 극단적인 전기적,
물리적 특성을 갖고 있다는 이유로 21세기 꿈의 신소재로 각광을 받고 있
다. 크기가 나노재료에 합당하게 적으며, 전기적으로 매우 좋은 도체이고,
다이아몬드보다 좋은 열전달 물질이다. 원자 구조로는 공유결합으로 탄소
-탄소의 결합강도가 높아 인장강도가 고강도 합금에 비해 20배 이상 우수
하고 허용 전류밀도가 어떤 금속 보다 크다. 또한 내열성 및 단위 부피당
표면적도 매우 넓다는 특성을 갖고 있다.
탄소나노튜브소자는 기존에 존재하는 소자의 개념을 유지하면서 기존
소자의 한계기술을 극복하여 고강도, 고감도, 초소형화, 초경량화, 고정밀
도 기능 구현을 목표로 하고 있다. 정보단말기나 전원기술의 적용으로 휴
대기기의 극소화/경량화, 센서나 필터 분야에서 고감도/선택성, 저장매체
나 Display 분야에서 정보용량의 대용량화/저소비전력, 태양전지 및 연료
전지를 포함하는 에너지 분야에서는 높은 반응성이 한계기술을 극복하는
핵심이 되고 있으며 이에 따라 탄소나노튜브 소자에 대한 기대가 매우 크
다. 또한, 향후 필요나 상상에 의한 미래 신기술 분야인 질병진단, 나노로
제1장 서 론 1
봇 등 나노크기의 정밀센서나 기계소자가 탄소나노튜브소자 기술을 기반
으로 구현될 것으로 기대된다.
이러한 기대와 촉망을 받고 있는 ‘탄소나노튜브 소자 기술’에 대하여 국
내의 연구개발 열기도 매우 높아서, 대학 및 연구소는 물론 주요 기업체에
서도 그 개발 경쟁이 뜨겁게 달아오르고 있는 실정이다. 이에 따라 우리나
라는 관련 분야에서 세계적으로 상위의 경쟁력을 확보하고 있는 것으로 나
타나고 있으며, 나아가 세계를 선도할 신기술을 우리 스스로가 개척해 나
가야 할 처지에 놓여 있다.
또한, 나노기술의 신조재인 탄소나노튜브를 IT분야에 접목하여 신기술
개발과 신시장 개척 및 NIT(NT와 IT) 융합기술의 시너지를 통해 첨단기술
분야의 선진국 지위를 확보할 수 있을 것으로 기대된다.
2. 연구 목적
본 연구는 ‘탄소나노튜브 소자 기술’의 연구개발 및 산업시장에 관한 최

신 동향을 고찰하였다. 기술개발과 산업시장에 대한 현황 분석은 물론 논
문과 특허를 국가별 또는 기술분야별로 분석하여 현 단계 관련 기술 동향
을 진단하기 위한 입체적인 정보를 제공하고자 하였다. 본 보고서가 국가
정책수립자에게는 국가연구개발 자원의 효율적 활용과 연구개발의 성공
가능성을 높일 수 있는 기초분석 자료를 제공하고, 연구개발자들에게는 최
신의 연구동향을 제공함으로써 연구방향의 설정과 공백기술의 도출에 기
여하고, 기업 현장의 전략수립자들에게는 사업전략 및 계획 수립시 객관적
이고 충실한 정보를 제공할 수 있기를 기대한다.
2 탄소나노튜브 소자 기술
3. 연구 방법
제2장에서는 탄소나노튜브의 개요와 기본 성질, 및 합성 기술 등에 관

해 기술하였고, 탄소나노튜브의 소자로서의 제조공정과 응용 등에 관해 기
술하였다. 또한, 탄소나노튜브소자의 응용분야별 및 연구주체별 연구개발
동향을 분석하였다.
제3장에서는 ‘Web of Science DB’를 활용해 문헌정보를 분석하였고,
한국, 미국, 일본 및 유럽의 특허들을 정량적으로 또는 정성적으로 분석하
였다.
제4장에서는 탄소나노튜브와 탄소나노튜브소자에 대한 시장동향과 전
망을 살펴보았다.
마지막으로 제5장에서는 탄소나노튜브소자에 대한 향후 전망과 결론을
기술하였다.
제1장 서 론 3
제2장
기술동향 분석
1. 기술의 개요
가. 탄소나노튜브 기술 개요
(1) 탄소나노튜브 원자구조 및 기본성질
주기율표상에 6번째 원소이고 4족에 속해있는 탄소원자는 공유결합을

기반으로하는 원자간의 결합 구조에 따라 물질의 특성이 다양하며, 0차원
에서 3차원까지의 원자구조가 자연계에 모두 존재하는 유일한 원소이다
(표 2-1).
<표 2-1> 탄소의 다양성
Dimension 0-D 1-D 2-D 3-D

종류 C60 Nanotube Graphite Diamond
전기적 특성 반도체 금속/반도체 금속 부도체
탄소나노튜브는 2차원 구조의 흑연(Graphite)면을 둥글게 말아놓은 대

롱구조이며 직경은 1-20nm가 전형적이다. 흑연은 결합배열이 독특하여
탄소원자간 공유결합으로 튼튼하고 평탄한 육각형 판상막 구조를 하고 있
다. 이 막의 상하부는 자유전자로 채워져 있으며 전자는 이산상태에서 막
제2장 기술동향 분석 5
과 평행 운동을 한다. 탄소나노튜브는 <그림 2-1>에서 O-A, B-B'이 만
나 모서리에서 결합을 이루어 나선모양으로 감기면서 형성된다. 이때
O-A를 잇는 선에서 카이럴벡터(Chiral Vector: Ch=4a1+2a2 혹은(4,2))를
정의한다. 한편, <그림 2-2>에서와 같이 튜브의 겹의 수가 하나, 둘, 혹은
그 이상에 관해 단일겹(Single Walled), 이중겹(Double Walled), 다중겹
(Multi Walled)으로 분류한다.
1991년 일본의 이지마박사가 탄소의 결합구조를 연구하던 중 처음으로
튜브 형태의 탄소구조를 발견한 이래, 탄소나노튜브가 새로운 소재로 주목
받는 것은 극단적인 (Extreme) 전기적, 물리적 특성을 갖고 있기 때문이
다. 먼저 크기가 나노재료에 합당하게 적으며, 전기적으로 매우 좋은 도체
이고, 다이아몬드보다 좋은 열전달 물질이다. 원자 구조로는 공유결합으로
탄소-탄소의 결합강도가 높아 인장강도가 고강도 합금에 비해 20배 이상
우수하고 허용 전류밀도가 어떤 금속 보다 크다. 또한 내열성 및 단위 부
피당 표면적이 넓다(표 2-2 참조).
<표 2-2> 탄소나노튜브의 물리적 성질 비교
물리적 성질 탄소나노튜브 비교재료

50nm 미세공정
크기 0.6~10nm (직경)
(전자빔 리소그래피)
3
밀도 1.33~1.4 g/cm 2.7 g/cm3 (알루미늄)
9
2.9×10 Pascal
인장강도 4.5×1010 Pascal
(고강도 스틸 합금)
9 2
허용 전류밀도 1×10 A/cm 1×106 A/cm2 (구리선)
열전도율 6000 W/mK 6000 W/mK (다이아몬드)
내열성 2800℃ 600~1000℃
B´
B
T = 4a1 - 5a2
A
a1
O Ch = 4a1 + 2a2
Chiral vector a2
<그림 2-1> 탄소나노튜브의 카이랄성(Chirality)
한편 나노기술과 관련하여 튜브형태의 1차원으로 물질이 구성되어지고

원리적으로 구조적 결함이 없도록 할 수 있기 때문에 높은 온도에서도 양
자역학적인 간섭현상(Quantum Interference)을 줄일 수 있다. 즉, 미래
에 다가올 기술로 기대되는 양자전자소자의 재료로도 기대가 되어진다.
<그림 2-2> 겹의 수에 따른 탄소나노튜브 [1]
(2) 탄소나노튜브 응용분야
탄소나노튜브는 나노크기의 직경을 가진 극미세크기와 구조의 비등방

성이 커서 (직경: 0.4~수백 nm, 길이: 수~수백 ㎛) 일명 “1차원 quantum
wire” 라고도 하며, 특이한 양자효과를 나타내며 다양한 응용이 예상되는
신기능 재료이다. 이러한 기하학적 형태와 화학적 안정성 등이 탄소나노튜
브의 주요 특성들과 밀접한 관련이 있는 것으로 알려져 있으며, 탄소나노
튜브의 극단적인 물리적 성질은 다양한 응용분야에 적용될 수 있다.
새로운 분자의 구성이나 특성, 기능을 갖는 소재, 소자 및 시스템을 창
출할 목적으로 원자, 분자 및 초분자 수준에 대한 이해와 측정, 조작, 제조
를 가능하도록 하는 과학과 기술로 정의되는 나노기술은 1) 신규경량/고감
도/고기능재료, 2) 자원/에너지, 3) 전자/통신, 4) 의료, 5) 환경/안전/건
강 분야에서 기대 혹은 예측되는 신기술 분야의 기반기술로 기대되고 있
다. 탄소나노튜브는 이상의 5대 기술분야에 재료와 소자의 형태로 광범위
한 역할이 가능하기 때문에 그 중요성이 강조되고 있으며, <그림 2-3>에
서 보여주듯이 미국의 기술 예측기관인 Gerstner사의 주요 분석기술내에
<그림 2-3> 미래기술별 실용화 관점의 기술수준 분석 (Gerstner 보고서, 2005년 8월)
재료로서는 유일하게 포함되어 있다. 탄소나노튜브의 기술의 완성도 수준
은 Hyper cycle내 도입기에 위치하며, 상용화시점은 10년 이후로 예측하
고 있다.
나. 탄소나노튜브소자 기술 개요
탄소나노튜브소자는 기존에 존재하는 소자의 개념을 유지하면서 기존

소자의 한계기술을 극복하여 고강도, 고감도, 초소형화, 초경량화, 고정밀
도 기능 구현을 목표로 한다. 그 예로 정보단말기나 전원기술의 적용으로
휴대기기의 극소화/경량화, 센서나 필터 분야에서 고감도/선택성, 저장매
체나 Display 분야에서 정보용량의 대용량화/저소비전력, 태양전지 및 연
료전지를 포함하는 에너지 분야에서는 높은 반응성이 한계기술을 극복하
는 핵심이 되는 기술요인이고 이런 면에서 탄소나노튜브에 대한 기대가 매
우 크다.
한편, 현존하지는 않으나 필요나 상상에 의한 미래 신기술 분야 즉 질
병진단, 나노로봇 등 나노크기의 정밀센서나 기계소자가 탄소나노튜브소
자 기술을 기반으로 구현될 것으로 기대된다.
본 장에서는 탄소나노튜브소자를 구현하기 위한 공통 기반 기술이 되는
탄소나노튜브 합성, 물성제어, 집적기술에 관한 기본적인 기술 개요를 서
술한다.
(1) 탄소나노튜브의 합성기술
탄소나노튜브의 합성방법으로 가장 일반적인 것은 레이저 증착법

(laser-ablation)과 아크방전법(arc discharge)으로 이는 촉매금속을 공
급하고, 강력한 레이저 혹은 아크방전으로 탄소과녁물질을 순간적으로 가
열하는 방법이다. 이때 형성된 기화 탄소는 가스 상태에서 반응로 내벽이
나 맞은편 전극에 나노튜브를 형성한다. 한편, HiPCO (High Pressure
<표 2-3> 탄소나노튜브 대량합성기술 비교
최초연구
합성기술 합성온도 압력 순도 정제 Reaction
기관
Arc 400~700
~2000℃ 70~90 % multi-step Gas phase NEC
discharge Torr
Laser 200~400 Rice
1200℃ 70~90 % multi-step Gas phase
ablation Torr Univ.
800~ Rice
HiPCO 10 atm ~80 % multi-step Gas phase
1200℃ Univ.
Sono- Romm Liquid
1 atm ~100 % no-step SAIT
synthesis Temp phase
CO)법은 Co, Fe, Ni 등의 촉매입자에 고압의 일산화탄소를 반응시켜 단일

겹 탄소나노튜브를 보다 효과적으로 얻기 위한 방법을 제공한다. 이상의
방법은 고온과 고압의 환경과 탄소나노튜브 이외의 불순물을 제거하는 정
제 공정이 필수적이다. 최근에 초음파에너지를 이용, 탄소원료의 분해나
탄소나노튜브 합성에너지로 적용하여 별도의 정제과정 없이 고품위의 단
일겹 탄소나노튜브를 얻을 수 있는 액상합성법이 국내 연구진에 의해 제안
되기도 하였다. <표 2-3>은 각각의 합성법을 요약, 비교한다.
위에 소개한 성장 방법과는 달리 어떤 기능의 소자이던 소자에 적용하
는 탄소나노튜브는 기판위에 성장이 가능해야 하는 기술적 제약이 있다.
물론 실험실 수준에서 연구의 목적으로 단수의 소자를 제작하는 목적으로
위의 합성방법으로 만들어진 탄소나노튜브를 기판 위에 분산하고, 위치 확
인 후 연구목적에 맞는 소자를 형성하는 방법이 있으나, 이는 대면적, 대
용량 관점의 실용화 기술이 될 수는 없다. 화학기상증착(Chemical Vapor
Deposition: CVD)법은 탄소나노튜브의 기판성장에 적합한 제조법(그림
2-4)으로 탄소 공급원료로 아세틸렌, 메탄, 일산화탄소 등을 사용하며,
촉매입자를 적용하여 촉매표면에서 이루어지는 촉매분자의 해리에 의해
탄소원자가 촉매입자 속에서 녹아 재배열이 이루어지면서 나노튜브가 형
성된다. CVD 방법은 기존의 반도체 공정의 증착기술과 호환성이 있고, 원
하는 기판과 원하는 위치에 나노튜브를 제조할 수 있는 장점으로 특히 전
자소자응용을 위한 중요한 제조방법을 제공한다.
<그림 2-4> CVD법으로 제조된 탄소나노튜브. 촉매에 미세공정을 적용하여 원하는 위치에
나노튜브를 성장하는 방법에 대한 설명도와 선택 성장된 나노튜브의 전자현미
경 사진 [49]
(2) 탄소나노튜브의 복합재료 기술
탄소나노튜브에 이종물질을 첨가하거나, 원물질에 탄소나노튜브를 첨

가하여 물질의 전기적, 화학적, 물리적 특성을 향상시키기 위한 목적으로
복합재료 연구가 시도되고 있다. 본 기술은 각종 소재에 나노튜브를 이용
한 고강도 구조재료분야와 도전성 박막 등 전자재료분야 연구로 크게 분류
가 가능하다.
소자기술과 관련하여 탄소나노튜브 전자재료 분야는 카본블랙이나 탄
소섬유가 고분자지지체에 전도성 매체로 사용되고 있는 것처럼, 탄소나노
튜브의 높은 전기전도성을 이용한 Opto-electronics 적용 복합체 연구가
최근 진행되고, 그 밖에 탄소나노튜브의 전기전도 특성을 이용하기 위한
전기 전도성 복합체에 대한 기술(Siemens, General Electric) 및 이를 이
용한 EMI Shield 재료 적용 또는 안테나, 의료용 기기 부품용 소자 등 실
제 적용을 위한 기술연구가 활발하게 이루어지고 있다.
참고로 구조재료 분야는 고분자 종류별로 탄소나노튜브를 함유한 복합
재료에 대한 기술이 주류이며 기술의 실용화가 매우 근접한 분야이기도 하
다. 그 예로 일본의 TORAY사는 열가소성 수지 중 Polyamide를 Base로
한 고분자 복합재료에 대한 기술을 발표하였으며, Geogia Tech Research
Corp.에서 아크릴로니트릴을 base로 한 복합재료, 그리고 타이어 회사를
중심으로 Rubber를 base로 한 복합재료 등 점차 기술의 적용범위가 확대
되고 있다. 또한 고분자나노복합재료의 다른 개발 방향의 하나는 탄소나노
튜브의 특징을 활용하여 특정제품의 부품별로 초점을 맞추어 개발하는 형
태로 한 예가 탄소나노튜브의 전기 전도성 및 표면 윤활특성을 이용하여
습동 부품의 원료로 적용하는 기술(Hyperion Catalysis International)
등이 전개되고 있다.
고분자 이외의 재료를 적용한 경우로는 기존의 탄소섬유를 강화재로 적
용하던 분야에 탄소섬유대신에 탄소나노튜브를 적용하는 기술로 탄소/탄
소복합재료 및 세라믹의 강화재로 탄소나노튜브를 적용하는 기술이 개발
되고 있다.
(3) 탄소나노튜브의 물성제어
소자기술 응용을 위한 탄소나노튜브는 복합구조형태에서 통계적 특성

을 이용하는 재료기술과는 달리, 개별 탄소나노튜브의 물성 특성을 이용하
는, 즉 한 가닥의 탄소나노튜브의 특성이 소자특성을 결정하기 때문에 개
별특성의 제어기술이 필요하다. 앞에서 언급된 것과 같이, 탄소나노튜브는
크게 단일겹과 다중겹, 그리고 반도체성과 금속성으로 분류된다.
소자 응용 재료로서 효용가치가 훨씬 큰 단일겹 탄소나노튜브의 합성은
탄소나노튜브의 첫 발견 이래 이 분야의 중요 연구분야가 되었고, 적절한
촉매와 합성방법을 통해 상당한 수준의 완성 기술이 확보된 상태이다.
한편, 탄소나노튜브의 전기전도도는 그 직경에 비례하고, 직경이 큰 최
외각 겹이 가장 큰 영향을 주므로 다중겹 탄소나노튜브는 전기적으로 도체
이다. 반면에 단일겹 탄소나노튜브는 Chirality로 알려진 탄소 원자의 배
열 순서에 따라 반도체, 도체로 나누어진다. 소자응용분야에서 일반적인
전자 혹은 센서소자의 경우 대부분 반도체특성을 응용하게 되는데, 이 경
우 반도체성 탄소나노튜브와 금속성 탄소나노튜브의 분리기술이 필수적으
로 요구된다. 그러나 불행하게도 현재의 기술은 완벽한 분리나 선택적인
성장이 불가능하고, 이는 탄소나노튜브의 소자응용 기술의 큰 걸림돌이 되
고 있다.
본 분야 기술의 중요성에 비추어 현재까지 제안된 분리기술을 소개하
면, 전기적 분리 방법과 화학적 분리 방법으로 나눌 수 있다. 전기적으로
는 반도체성 탄소나노튜브와 금속성 탄소나노튜브의 유전율 차이를 이용
하여, Dielectrophoresis에서 힘 의한 끌림 현상으로 반도체성과 금속성
탄소나노튜브를 분리한다. <그림 2-5>에서와 같이 탄소나노튜브 분말을
수용액을 만들어 전압을 인가할 수 있는 전극회로에 뿌리면 반도체성/금
속성 탄소나노튜브가 분리되어 전극 주변으로 모이게 된다. 다른 방법으로
<그림 2-6>에서와 같이 전류전도도의 차이를 이용하여, 허용전류이상을
인가함으로 Joule 열로 다중겹 탄소나노튜브의 외벽을 파괴하여 단일겹으
로 만들거나, 금속성과 반도체성이 섞인 탄소나노튜브 Bundle에서 금속성
만을 파괴하는 방식이 제안되기도 했다.
위와 같은 전기적 분리 방법은 각각의 개별적인 탄소나노튜브를 정확하
게 제어하는 장점이 있으나, 기술의 적용 범위가 제한적이고, 대량기술로
는 적합하지 않다. 대량분리 방식으로 유리한 화학적 분리 방법은 ODA
(Octadecylamine)가 반도체성 탄소나노튜브에 흡착력이 강한 성질을 이
용하여 THF(Tetrahydrofuran)용액에서 분리하는 방법과 Diazonium reagent
가 금속성 탄소나노튜브와 선택적으로 반응하는 특성을 이용해 광학적으
로, 혹은 전기적으로 금속성 탄소나노튜브를 제거하는 방법이 제안되었다.
+
최근 국내 연구진은 Nitronium ion(NO2 )이 특히 금속성을 가진 탄소나
노튜브와 전하이동에 의해 반도체성을 가진 탄소나노튜브보다 더 강한 결
합을 갖는 것에 착안하여, 질산과 황산 혼합용액으로부터 반도체성 탄소나
노튜브만을 분리하는 방법을 제안한 바 있다. 이 때 질산이 금속성 탄소나
노튜브만을 선택적으로 제거하는 역할을 하며 황산은 질산을 분해하여
+
NO2 의 농도가 증가해 Aromatic ring 구조를 가진 벤젠이나 탄소나노튜
nanotube suspension
<그림 2-5> Dielectrophoresis를 이용한 반도체성과 금속성 탄소나노튜브를 분리 [97]
+
브의 p계와 NO2 와의 반응을 촉진시키는 역할을 하여 결국 금속성을 가진
탄소나노튜브를 부순다. 그 외에도 특정 DNA에 둘러쌓인 탄소나노튜브의
전하밀도가 반도체성과 금속성이 서로 다른 점을 이용한 DNA를 이용한
분리방법도 제안된 바가 있다.
이와 같이 다양한 탄소나노튜브 분리기술이 연구되고 제시되고 있으나
현재까지는 어떤 방식도 완성된 기술을 제공하지는 못하는 실정으로, 본
분야는 응용기술을 전개하는데 있어 기술적 난제로 남아 있다.
<그림 2-6> 과전류 적용 Joule heating을 이용한 금속성 나노튜브의 제거 혹은 다중겹의

외겹제거로 단일겹 형성 [98]
(4) 탄소나노튜브소자 공정기술
단일겹 탄소나노튜브소자의 제작과 어레이를 위한 집적화 공정에서 개

별 탄소나노튜브를 기판의 원하는 위치에 가져다 놓는 방법은 매우 중요한
핵심 기술이다. 이와 관련하여 크게 두 분류가 가능한데, 그 하나는 탄소
나노튜브를 적절한 용액 속에 넣어 분산액을 기판에 뿌려 고정한다. 이는
가장 일반적인 방법이기는 하나, 뿌려진 탄소나노튜브가 어떤 위치에 놓여
있는지를 제어할 수 없어, 만들고자 하는 소자형성을 위해서는 그 위치를
일일이 찾아야 하는 현실적인 문제가 있다. 이의 개선을 위해 본래가 소수
성인(hydrophobic) 탄소나노튜브를 적절한 처리를 통해 기능화(functionali-
zation)시켜 표면 특성을 제어하고, 자기조립 원리를 이용하여 탄소나노튜
브를 원하는 위치에 조립하는 기술이 연구되고 있다. <그림 2-7>에서와
같이 먼저, 기판 표면에 단층 분자막을 패터닝하여, 친수성 (hydrophilic)
및 소수성 영역을 생성한다. 이렇게 패터닝된 표면을 탄소나노튜브 용액에
넣으면 탄소나노튜브가 친수성 영역에만 흡착되어서 정렬하게 된다. 이렇
게 흡착된 나노튜브들은 매우 안정된 구조를 형성하고, 그 위에 반도체 공
정을 계속하여 탄소나노튜브 집적회로를 대량 생산하는 것이 가능하다. 이
러한 기본 개념을 바탕으로 하여 대면적 집적화가 가능한 위치제어 기술을
제안하고 있으며, 1) 반도체 표면에서의 탄소나노튜브의 선택적 흡착 기
술, 2) 흡착된 나노튜브 패턴위에 전극 생성 공정, 3) 제작된 탄소나노튜
소수성 표면 탄소나노튜브 용액
친수성 표면
기판 분자막 패터닝 탄소나노튜브

선택적 흡착
<그림 2-7> 자기조립법을 이용한 탄소나노튜브 대량 조립 기술의 개념
브 회로 위에서 부도체 막 생성 공정 연구, 4) 개별적으로 구동이 가능한
탄소나노튜브 트랜지스터 제작 공정으로의 기술 확대가 기대된다.
보다 직접적인 방법으로 국내연구팀은 탄소나노튜브의 촉매로 사용 가
능한 Ferrocene이 Photo resist와 반응하지 않고, Photo resist 제거에
적용되는 Burning 공정시 침전되는 현상을 발견하여 PR/Catalyst 혼합물
<그림 2-8> PR/Catalyst mixture를 이용한 위치제어 공정도
을 나노튜브 위치제어 성장에 도입하였다. 본 기술의 적용으로부터 <그림
2-8>과 같이 포토마스크를 이용한 기존의 표준 식각공정을 그대로 사용하
여 원하는 위치에만 나노튜브를 성장할 수 있는 기술을 개발하였고(그림
2-9), photo resist의 etch mask기능으로 패턴화된 구조물에서 개별 단
일겹 탄소나노튜브를 성장하는 수준까지 위치제어의 완성도를 높였다(그
림 2-10, 그림 2-11).
한편 PR/Catalyst 혼합물을 이용한 위치제어 개념은 전자빔 리소그라
피 기술로 확장이 가능하여, <표 2-4>에서 제시하는 것과 같이 Fe(III)
acetylacetonate, Co(III) acetylacetonate 등 나노튜브 위치제어용 ER/
Catalyst mixture를 만족하는 Catalyst 후보가 도출되어 향후 탄소나노튜
브 소자의 미세화를 가능하게 하는 기술을 제안하고 있다.
<그림 2-9> PR/Catalyst mixture를 이용한 나노튜브 위치제어 성장 [99]
Light
Photo-mask
Cat(Ferrocene)-PR
SiO2
Si Substrate
Exposure &
Development
Etching SiO2
Catalyst & Burning
CNT CNT growth
<그림 2-10> 식각 표준공정 적용 개별 단일겹 탄소나노튜브 위치제어 방법
<그림 2-11> Photo resist의 etch mask기능으로 패턴화된 구조물에서 개별 단일겹 탄소나
노튜브를 성장 [99]
<표 2-4> 나노튜브 위치제어용 ER/Catalyst mixture를 만족하는 Catalyst 후보
Catalyst DSC Residual Mass

Solubility[a] [c] [d]
precursors (mW/mg) (%)
Ferrocene Soluble 1.0 at 543℃ 2.8
Fe(Ⅲ)
Soluble 4.5 at 459℃ 1.2
acetylacetonate
Cobaltocene Decomposed[b] 0.7 at 562℃ 2.3
Co(Ⅲ)
Soluble 6.3 at 506℃ 1.2
acetylacetonate
Nickelocene Slightly soluble 1.1 at 483℃ 1.0
Ni(Ⅱ)
Slightly soluble 2.6 at 513℃ 5.5
acetylacetonate
[a] Solubility in ma-N 2403 to obtain 0.1 M Catalyst-ER solution, [b] Mixing
resulted in bubbles due to gas evolution, [c] Amounts of heat flow at the
strongest exothermic peaks in air, [d] Residual mass at 550℃ in air.
이상은 대면적 기판에 소자를 제작하기 적합한 기술로, 현재의 기술 수

준은 그 기술의 가능성이 제시된 상태로 개별 탄소나노튜브의 위치를 정확
하게 제어할 수 있는 수준에는 아직 이르지 못하고 있다. 따라서 위치제어
기술은 여전히 미완성 기술분야로 위에 열거된 기술의 보완 연구뿐 아니라
새로운 개념의 기술 제안 또한 필요하다.
다. 탄소나노튜브 전자소자 개요
(1) 나노전자소자의 필요성
나노전자소자는 1nm~100nm(1nm는 10억분의 1m)크기의 재료로 전자

소자의 기본 구성요소인 트랜지스터, 스위치, 저항, 캐패시터(Capacitor),
배선을 구현하고, 이들 구성요소를 조합하여 로직회로, 마이크로 프로세
서, 메모리 등에 적용되는 기존의 실리콘 반도체 기반의 고집적화 기술에
서 예상되는 한계의 대안을 제공하는 기술을 의미한다.
보다 포괄적으로는 모든 물질은 나노크기로 작아지면, 양자역학적 현상
이 물리적 성질을 좌우하게 된다. 전기적인 성질로 나타나는 양자역학적인
현상을 이용하면 전자소자에 합당한 기능을 갖도록 할 수 있고, 이는 기능
적인 의미의 나노전자소자의 정의가 된다. 이러한 기능을 현실적으로 이용
하기 위해서는 양자역학이 지배하는 전기적 성질을 전자소자의 목적에 맞
게 제어할 수 있어야 한다.
국제적인 반도체 기술 예측기관인 ITRS(International Technology
Roadmap for Semiconductors)에 따르면 앞으로 10년 내에 전자소자 구
성요소 중 가장 중요한 트랜지스터를 제작하기 위해 15nm의 선폭 기술을
예상하고 있다. 이는 실리콘 기반의 전통적인 트랜지스터 제작기술로는 실
현이 불가능한 것으로 여겨지고, 현재까지 구현된 적이 없는 나노전자소자
개념의 새로운 기술의 도입이 필요한 상황이다. <그림 2-12>에서와 같이
’04 ’06 ’08 ’10 ’12 ’14 ’18
DRAM half-pitch 90 70 57 45 35 28 18
(nm)
MPU physical gate 37 28 22 18 14 11 7

length (nm)
Classical CMOS Simple

limitation shrinkage
Physical
Non-classical SOI, Strained,
Vertical, Limitation
CMOS FinFET, Double gate
Red Brick Wall
Leakage (IG, Ioff), High Rp & CJ
ρ> 106 (A/cm2)

Metallization beyond Cu
Technology
New technologies New technology Introduction platform
change
<그림 2-12> 기술개발 기준으로 예측된 트랜지스터 기술로드맵
현재의 주류 기술인 실리콘기판의 표면에 형성하는 평면형 트랜지스터 제
조기술은 미세화의 영향으로 발생하는 누설전류 등으로 인해 더 이상 적용
불가능하며, 이 시점을 더 이상 동일한 방식으로는 기술이 연장되지 않는
다는 의미에서 “Red Brick Wall”로 표현한다. 대안 기술로 입체구조를 갖
는 트랜지스터가 적용될 것으로 예측되나, 이러한 구조 역시 향후 10년 내
에 기술적 한계(Physical Limitation)가 예상된다. 따라서 나노기술을 적
용한 신기술 전자소자의 개발이 궁극적인 해결 방안으로 제시되고 있다.
이상 기술된 나노전자소자의 후보기술로서 특정한 전도특성을 갖는 무
기/유기분자나 양자점(Quantum Dot)으로 표현되는 수 나노 크기의 금속
혹은 반도체에서 나타나는 단전자효과(Single Electron Effect)를 이용하
여 분자수준의 크기에서, 또는 전자의 스핀제어를 이용한 전자소자 특히
스위치를 포함한 트랜지스터 기능을 구현하려는 여러 가지 기술이 시도되
고 있다. 이런 기술은 학술적으로 많은 발전을 이루고 있지만, 실용화 측
면에서 기술이 성숙되기에는 아직 많은 시간이 필요하다. 적어도 10년 내에
집적화가 가능한 일정 수준의 트랜지스터를 얻기 위해서는 특성의 재현성 및
균일성과 함께 구동방식, 신호처리방식 등 현재의 전자회로 기술을 적용할
수 있을 정도의 전기적 특성을 보유하고 있어야 한다. 또 다른 실용화의
요건은 특성이 실온에서 실현이 되어야 한다는 것이다. 나노전자소자를 가능
하게 하는 대부분의 물리적 특성은 양자현상(Quantum Phenomenon)을
근간으로 하나 온도가 증가함에 따라 양자간섭(Quantum Interference)로
인해 고유한 전기적 특성이 소멸된다. 이런 관점에서 1차원적 구조를 갖는
반도체 물질로 형성된 나노선(Nano-wire)과 탄소나노튜브가 비교적 멀지
않은 미래에 응용이 가능할 것이고, 나노전자소자 트랜지스터가 구현될 것
으로 기대된다. 반도체 나노선은 반도체 물질을 10~50nm 직경으로 성장
한 것으로 나노튜브와는 달리 속이 채워져 있는 구조를 하고 있다, 예를
들어 실리콘 나노선으로 탄소나노튜브와 유사한 크기의 트랜지스터 제작
이 가능하다.
(2) 탄소나노튜브 전자소자의 잠재효과
전통적인 실리콘계 전자소자의 집적화 추세뿐 아니라 21세기 정보 통신

화 시대의 꽃인 wearable computer, HDTV급 Video-phone, 인식 및 추
론이 가능한 로봇 등을 실현하기 위해서는 그 핵심 부품인 트랜지스터의
성능과 집적도가 현재보다 1,000배 이상 증가해야 한다. 초절전형의 전자
소자를 개발하지 않고서는 고집적도 기능소자 사용에 따른 에너지 소비 문
제도 또한 해결할 방법이 없다.
현재 반도체소자의 주류를 이루고 있는 Si MOSFET은 성능 향상을 위
해 Moore 법칙에 따라 세대가 바뀔 때마다 0.7배 정도 선 폭을 줄여왔다.
그 결과 2005년 70nm 세대인 16G Flash메모리가 삼성전자에서 세계 최
초로 개발되었으며, Single cell 수준에서 게이트길이 15nm에서 트랜지스
터가 정상적으로 작동되고 있음이 학회에 보고되었다. 이 추세가 계속될
경우 2012년에는 최소선폭이 15nm 가 요구되는 실리콘기술이 필요할 것
이다.
트랜지스터 게이트 길이가 15nm 이하로 줄어들면 소자 작동 시 Dopont
level 불균일에 따른 문턱전압 변화, interconnect의 길이가 길어지고 선
폭이 좁아짐에 따른 RC delay, 게이트 절연막 터널링에 의한 허용치 이상
의 누설전류, punchthrough, 열 발산에 따른 트랜지스터의 오작동 등과
같은 기술적 한계, 열적진동 및 양자역학적 진동에 의한 오작동 등, 현재
의 기술로는 극복할 수 없는 물리적 한계를 맞게 된다. 뿐만 아니라 공정
기술에 있어서도 아직까지 작은 소자의 크기를 제어할 수 있는 공정이 없
는 실정이며, 저 집적 소자에서는 문제가 되지 않았던 오염, 결함 등이 이
슈가 되어, 소자를 어떻게 재현성 있고 균일하게 제작하는가가 기술적 과
제가 된다. 이상과 같은 사실로 판단하면, 기존의 기술 연장선상에서 순차
적으로 개선하는 방법으로는 21세기 정보/통신화에 부응하는 초고집적,
초저소비전력, 초고속의 인식 및 추론 기능을 갖는 트랜지스터의 개발이
불가능하다. 이를 극복하기 위해서는 현존하는 것과는 전혀 다른 현상 및
원리에 기초한, 새로운 트랜지스터를 개발할 수밖에 없다.
이 경우 이를 대체할 수 있는 소자 중 하나가 바로 탄소나노튜브 소자
이다. 탄소나노튜브를 양자점으로 이용하는 구조를 개발한다든지, 분자가
스위치 역할을 할 수 있고, 탄소나노튜브가 분자 전선을 담당할 수 있다면
이런 분자 소자는 현재 DRAM의 백만배 이상의 집적도를 가질 수 있으며
CMOS 집적회로의 10억분의 1 정도의 전력 소비를 가지는 소자를 제조할
가능성이 있다.
탄소나노튜브 전자소자의 완성은 국내 메모리 산업의 세계적인 leader-
ship을 계속 유지할 수 있을 뿐만 아니라 반도체 산업전반과 기능소자 산
업전반에 걸쳐 그 파급효과가 매우 큰 기술분야라 할 수 있다.
즉, 새로운 정보 전자 소자로의 신규 분자 소자 시장의 창출과 기존 메
모리 시장의 대체효과를 예측할 수 있다. 그 외의 파급효과로 탄소나노튜
브 고집적 IC 개발로 발생된 기술은 센서, 액츄에이터 등의 나노소자에 바
로 적용될 수 있으며 탄소나노튜브의 적용이 예상되는 2차전지, 수소저장,
디스플레이 등에 응용하여 기존의 여러 전자 제품의 고부가가치화에 활용
될 수 있다. 새로운 기술의 개발과 그에 따르는 신규산업의 창출로 고용창
출 효과뿐 아니라 급변하는 세계 기술경쟁력에 그 우위를 선점할 수 있는
것이다.
탄소나노튜브 Tera급 IC 개발 성공의 파급효과로 초고속, 초절전형인
포켓형 초미니 수퍼컴퓨터 및 Ubiquitous 컴퓨터 산업을 창출할 것이며
인공지능 로봇의 등장 등으로 사회, 문화적인 삶을 풍요롭게 할 것으로 기
대된다.
라. 탄소나노튜브 전자소자 기술동향
(1) 탄소나노튜브 트랜지스터를 이용한 전자회로
상온에서 탄소나노튜브를 이용한 FET(Field Effect Transistor)는
<그림 2-13> 최초 탄소나노튜브 트랜지스터 구조 [26]
1998년 네덜란드의 데커(Dekker) 그룹에 의해 최초로 시연된 이후 실리콘

기반의 트랜지스터 기술의 대안으로 주목받고 있다. 탄소나노튜브 FET은
<그림 2-13>에서와 같이 기판에 형성된 탄소나노튜브를 트랜지스터의 채
널(Channel)로, 탄소나노튜브의 양 끝단에 금속 전극을 부착하여 전자
(Electron)나 전공(Hole)의 소오스(Source)와 드레인(Drain)을, 게이트
(Gate) 절연막과 게이트를 순차적으로 형성한다.
전자회로의 구성요소로서 트랜지스터는 스위치와 신호 증폭기의 두가지
기능을 수행한다. 이는 게이트의 전압에 따라 소오스와 드레인 사이에 흐르
는 전류의 양을 제어할 수 있기 때문이다. 탄소나노튜브 트랜지스터의 게이
트전압 의존성을 보면, 음의 전압을 게이트에 인가했을 경우(Vg < 0), 소오
스/드레인간 전류가 증가하다 평형치에 도달하며, 양의 전압을 게이트에
인가했을 경우 (Vg > 0), 탄소나노튜브 채널을 통한 전류가 감소된다. 이로
부터 채널 내에서의 전류는 주로 정공에 의해 일어남을 알 수 있고, 이는
일반적인 p형 실리콘 트랜지스터와 동일하다. 다른 한편으로 알칼리족(주
기율표에서 1족에 위치한 원소) 원소인 칼륨(K)을 탄소나노튜브와 결합시
키면 전자의 이동으로 인한 전류를 얻게 되어 n형 트랜지스터가 가능하다.
p형과 n형 트랜지스터의 선택적인 제조가 가능하다는 사실은 탄소나노
튜브의 전자회로 응용 가능성에 매우 중요한 요소이다. 이로써 현재의 실
리콘반도체 집적회로기술의 연장선에서 새로운 개념의 도입이 없이도
CMOS 회로 기술에 탄소나노튜브 트랜지스터를 적용할 수 있게 되는 것이
다. 실제로 매우 초보적인 단계이기는 하지만 CMOS 인버터와 동일 기능
을 하는 탄소나노튜브 인버터가 시연되었고(그림 2-14), 트랜지스터의 증
폭기능에 의해 작동하는 CMOS 링오실레이터 (Ring Oscillator)가 탄소나
노튜브 트랜지스터의 조합으로 시연된 바 있다(그림 2-15).
<그림 2-14> 탄소나노튜브 트랜지스터를 이용한 인버터회로 [58]
<그림 2-15> 탄소나노튜브 트랜지스터를 이용한 Ring Oscillator 회로 [101]
트랜지스터의 채널(Channel)이 작아지게 되면 캐리어(Carrier : 전자

나 전공을 통합하여 지칭함)가 지날 수 있는 경로도 작아지게 되어 캐리어
의 이동도(Mobility)가 큰 물질의 선택이 필수적이다. 이동도가 증가되기
위해서는 개별 캐리어가 이동하는 매질이나, 캐리어 상호간에 산란이 억제
되어야 하고 이를 물리학에서는 발리스틱 전자수송(Ballistic Transport)
이라고 표현한다. 트랜지스터 응용에서 크기의 미세화 관점 외에 탄소나노
튜브의 장점은 원자구조의 결함을 제거하는 정도에 따라 원리적으로 발리
스틱 전자수송이 가능하다는데 있다. 실제로 탄소나노튜브 트랜지스터에
서 측정된 캐리어 이동도는 실리콘에 비해 10배 이상 크고, 효과적으로 결
함을 제거하는 기술의 발전으로 더 큰 이동도를 기대할 수 있다.
(2) 탄소나노튜브 광소자
탄소나노튜브의 광소자응용은 문턱전압이상의 전압을 인가하여 탄소나

노튜브의 끝단에서 방출된 전자가 발광판과 충돌하여 빛을 내는 TV 브라
운관에서 전자빔이 발생되는 것과 같은 기능을 탄소나노튜브로 이용하여
얻는 경우와 탄소나노튜브 내에서 전자와 전공의 Recombination에 의한
자발적인 발광 현상을 이용하는 두 경우로 분류할 수 있다.
전자의 기술은 FED(Field Emission Display)에 적용하고자 하는 연구
가 수 년 전부터 진행되어 왔고, 현재의 기술 수준은 나노튜브의 분산기술
을 기반으로 50인치 이상의 대면적 기술이 확보되어 있다. 이와 같은 대면
적 기술에도 불구하고 상용화를 위해서는 충분한 작동 수명을 확보해야 하
는 문제가 남아 있다. <그림 2-16>은 본 기술의 예로 금속성 전극 위에 성
장된 단일겹 탄소나노튜브의 Field Emission 특성을 나타낸다.
<그림 2-16> 금속성 기판위에 성장된 단일겹 탄소나노튜브의 Field Emission 특성 [102]
발광다이오드와 같이 자발적 발광현상을 이용하는 기술은 탄소나노튜
브의 Ambipolar 특성, 즉 트랜지스터 구조에서 Gate전압을 조절하여 전
자와 전공을 Channel에 유도하면 전자와 전공이 서로 만나는 지점에서 빛
이 생성된다. 나노 크기를 갖는 발광다이오드의 구현은 또 다른 나노전자
소자의 분야인 반도체 나노선 기술의 중요 응용 분야이기도 하다. 탄소나
노튜브 역시 반도체이기도 하기 때문에 원리적으로 반도체 나노선이 추구
하는 발광 현상을 기대할 수 있으며, Ambipolar 특성은 반도체 나노선에
서 난제기술인 Junction의 형성 없이 발광 현상을 만들 수 있다는 장점이
있다. <그림 2-17>은 탄소나노튜브를 이용한 발광소자의 예를 보인다.
<그림 2-17> 탄소나노튜브를 이용한 발광소자 [103]
(3) 탄소나노튜브 박막트랜지스터
탄소나노튜브의 전자소자 응용기술에 있어 근본적인 장벽은 반도체성

나노튜브와 금속성 나노튜브가 혼재되어 합성된다는데 있다. 현재의 기술
은 앞 장에서 언급되었듯이 분리기술 분야에서 부분적인 성공을 보여주고
는 있으나 완벽한 정제기술과는 아직도 거리가 있다. 기판을 사용한 위치
제어 성장, 즉 CVD법을 이용한 성장 기술도 동일한 상황이다. 금속성 나
노튜브가 혼합된 상태로 탄소나노튜브로 구성된 전자소자를 배열한 집적
소자를 만들었을 때, 이론적으로 33%에 달하는 개별소자의 결함이 예측되
는 실정이다. 이와 같은 상황에 대처하기 위하여 자체보상을 할 수 있는
새로운 개념의 Architecture가 연구되기도 하지만 재료자체의 완벽한 조
절이 보다 바람직하다.
한편, 현재의 분리성장기술의 한계 속에서도 통계적인 접근을 이용하여 개
별소자의 결함을 없애는 새로운 개념의 트랜지스터가 제안되었다(그림 2-18).
<그림 2-18> 탄소나노튜브 박막트랜지스터와 전기특성해석 [104]
탄소나노튜브 박막트랜지스터의 장점은 단일겹 탄소나노튜브를 성장할
수 있고 그 밀도가 Percolation threshold (66%의 반도체성 나노튜브와
2
34%의 금속성 나노튜브를 가정할 때 1/μm )보다 작으면 소자의 Channel
내에 금속성 Path없이 완전한 트랜지스터로 작동할 수가 있다.
최근 국내 연구진에서 프라즈마 CVD를 이용하여 반도체성 탄소나노튜
브의 밀도를 높여 Percolation threshold를 100배 이상 향상된 결과를 발
표하였으며, 이로부터 탄소나노튜브 박막 트랜지스터의 실용화에 대한 기
대를 불러 일으키고 있다.
(4) 기타 탄소나노튜브 소자 응용기술
탄소나노튜브의 응용기술 후보 중 전자소자나 광소자와 같이 산업적으

로 파급효과가 큰 분야 중의 하나가 센서 분야이다. 이 분야는 나노튜브가
갖는 재료의 표면적이 크다는 구조적인 특성과 나노튜브가 외부 환경에 전
기적으로 민감한 전기적인 특성을 이용한다. 그 예로 각종 가스 혹은 액체
형태의 미지 물질을 검출하거나, 바이오 기술과 융합하여 생체분자나 DNA
의 종류를 검출하는 소자로의 응용이 기대되고 있다.
이 밖에 탄소나노튜브의 기계적인 특성과 전기특성을 조합하여 새로운
개념의 메모리소자를 제안하고 이를 상용화하려는 시도가 Harvard대학에
서 제안된 기술을 기반으로 Nantero라는 회사를 통해 <그림 2-19>에서
처럼 제품 수준의 개발이 진행되고 있다. Natero사는 이와 같은 아이디어
로 2005년 IEEE Spectrum에서 선정한 10년 후의 유망 기업으로 선정된
바 있다. 이와 같이 탄소나노튜브의 고유 특성을 이용한 신개념의 소자가
제안되고 있고, 향후에도 개별 연구를 통해 도출될 것으로 기대된다. <표
2-5>에서는 탄소나노튜브로 구현이 가능할 것으로 예측되거나 현재 그 가
능성이 입증되어 실용화 연구가 진행 중인 소자를 일부 요약하여 나타내었
다.
<표 2-5> 탄소나노튜브 소자의 분야별 응용기술 요약 [105]
광전자
광전자 Device
Device
Energy
Energy
Nano
Nano Electronics
Electronics
Mechatronics
Mechatronics
Nano
Nano Composite
Composite
<그림 2-19> 탄소나노튜브의 기계적인 특성과 전기특성을 조합한 새로운 개념의 메모리소
자 (미국 Nantero사)
2. 연구개발 동향
가. 국내외 연구개발 동향
(1) 산업계의 연구동향
대기업 중심의 탄소나노튜브 소자 연구는 일반적으로 전자소자의 구현

이 그 목표이다. 또 다른 특징으로 정부 주도의 국책과제에 참여하는 것이
일반적인 경향으로, 이는 10년 후의 기술을 대비하는 기술 분야임을 감안
할 때 당연하다고 볼 수 있다.
현재 대부분의 반도체기업에서 규모의 차이가 있지만 소속 연구소를 중
심으로 탄소나노튜브의 전자소자 응용기술에 대하여 많은 연구를 수행하
고 있으며, 기술을 선도하는 기업으로 미국의 IBM, 일본의 NEC, 유럽의
Infineon을 꼽을 수 있다.
IBM은 연구조직의 국제적인 명성에 걸맞게 탄소나노튜브 트랜지스터
의 기본 동작원리나 전기/광학적 특성의 물리적 규명, 전자소자의 제작 등
기초연구 분야에서 뛰어난 연구 실적을 지속적으로 발표하고 있다. NEC
는 탄소나노튜브를 처음으로 발견한 기관으로 재료 측면에서 탄소나노튜
브의 기반기술을 보유하고 있고, 현재의 연구 방향도 탄소나노튜브 재료
분야에 강점을 갖고 있으나, 소자에 관한 연구도 활발하게 진행되고 있다.
특히 소자기술의 기반이 되는 탄소나노튜브의 위치제어 기판성장기술을
강점으로 빠른 시간 내에 응용처를 찾기 위한 나노튜브 전자소자의 후보를
도출하는 노력을 진행 중이다. Infineon은 탄소나노튜브를 기존의 반도체
소자 기술에 도입하기 위한 가장 현실적이고 실용적인 연구를 진행하고 있
다. 탄소나노튜브 트랜지스터의 집적화 연구를 비롯하여, 배선기술에의 적
용, Interconnection이라고 하는 금속배선간의 연결기술에 기존의 금속기
술을 탄소나노튜브로 대치하여 배선특성을 증가시키려는 연구를 진행하고
있다.
(2) 학계의 연구동향
탄소나노튜브는 1991년 일본의 Iijima에 의해 처음 발견된 이후 15년간

20,000편 이상의 관련 논문이 발표되었을 정도로 매우 많은 연구가 이루
어지고 있는 분야이다. 초기의 주요 연구는 재료의 합성, 물성 및 화학적
특성분야에서 이루어져 왔고, 1998년 나노튜브 트랜지스터의 구현 이후에
는 소자응용기술이 주요 연구 분야가 되었다.
현재 나노튜브 기술의 수준을 고려할 때, 재료특성의 기초, 원천연구
조차도 소자기술과 무관하지 않은 상황으로 소자기술을 별도로 분리하여
기술하기는 불가능하나 완성도 높은 탄소나노튜브소자를 구현하기 위해서
는 여전히 나노튜브의 정제/분리, 전자구조의 제어, 직렬성장 등 원천기술
이 요구된다. 수많은 연구기관이 이와 같은 연구를 수행하고 있으며, 이
중에서 연구의 목적이 소자의 구현에 근접한 연구기관을 살펴보면 다음과
같다.
네덜란드 Delft 대학의 Dekker 그룹이 1998년 최초로 탄소나노튜브 트
랜지스터를 제안한 후 Rice 대학의 Smalley 그룹, Harvard 대학의
Lieber 그룹, Stanford 대학의 Dai 그룹에서 소자관련 대표적인 연구가
수행되어 왔고, 비슷한 시기에 독일의 막스플랑크연구소나 미국의 NASA,
Naval Research 등 국책 연구소 역시 탄소나노튜브 소자 관련 연구가 활
발하다. 이밖에도 UCLA 대학의 Gruner 그룹, Illinois 대학의 Strano 그
룹, 신슈대학의 Endo 그룹, 동경대학의 마루야마 그룹 등이 나노튜브 전
자소자를 위한 합성 관련 원천기술 분야에서 국제적인 명성을 얻고 있다.
(3) 국내 연구개발 동향
국내의 대표적인 탄소나노튜브 전자소자 연구는 21세기 Frontier 연구

사업의 테라급나노소자개발사업단의 과제로 진행 중인 탄소나노튜브 전자
소자 개발 과제가 있으며, 이 연구는 탄소나노튜브의 전자소자구현을 위한
3가지 핵심기술인 단일겹 탄소나노튜브 선택성장 기술, Integration 기반
탄소나노튜브 위치제어 기술, CNT-FET에 대한 기술적 불확실성을 해소
하고, 메모리 및 배선응용의 기초기술을 제시하는 것을 목표로 하고 있다.
그 연구결과로 CNT-IC 집적화 기술이 구현된 TEG 제작의 구성이 되는
단위소자 기술을 확보하였다. 이는 집적화 기술의 중심축이 되는 단일겹
탄소나노튜브 기판 합성기술, 탄소나노튜브 위치제어기술, 반도체성 탄소
나노튜브 분리기술, 탄소나노튜브 트랜지스터 제작기술 등에서 세계 최고
수준에 도달했음을 보여주며, 향후 탄소나노튜브 배열성장기술, 탄소나노
튜브 전자구조 제어기술 분야 및 Tr, 메모리, 배선기술을 포함한 CNT 능
동/수동소자 제작과 집적기술 개발을 통해 세계 최초로 CNT IC-TEG를
구현할 수 있을 것으로 기대된다.
과학기술부의 창의연구개발 사업으로서 탄소나노튜브를 이용한 Field
Emission Display 연구과제가 최근 종료되었고, 그 밖에 대학을 중심으로
한 국가지정연구실 사업으로 몇몇 연구가 진행 중이나 탄소나노튜브의 다
양한 응용성을 비추어 볼 때, 연구인력과 지원과제의 수가 부족한 실정이
다.
나. 기술 비교 분석
(1) 특허기술 비교
특허등록에서 나타난 기술의 흐름은 <그림 2-20>과 같이 요약될 수 있

으며, 특히 소자의 기초가 되는 트랜지스터는 NEC가 1993년도에 출원함
으로 나노튜브 트랜지스터의 원천특허권을 가지고 있으나 일본에만 출원
을 하였고, 다른 국가에 대해서는 권리를 주장하지 않았다. 이후 1998년에
네덜란드의 Cees Dekker가 상온에서 작동하는 나노튜브 트랜지스터를 발
표하면서 기술이 공지된 상태이다.
연도별
연도별개발기술
개발기술흐름
흐름
1985 1991 1992 1993 1995 1997 1998 1999 2000
CNT TR 최초출원
아크방전법 Nature JP1995-122198 Smalley RE Field Effect TR 출원
발표(Ebbesen) [NEC] Metallic CNT HiPCO JP2003-017508
Science 273, 483(1996) Rice University [NEC]
Sumio Iijima[NEC]
CNT발견 Smalley RE[Rice Univ.] Cees Dekker
Nature 354, 56-58(1991) CNT FED 전자방출능력 증명 CNT TR
피인용된 특허: 49건 Laser증착법 Nature 393, 49-53(1998)
Kroto, Curl, Smalley W. A. de Heer

C60 새로운 탄소동소체 발견 [Ecole Polytechnique, 스위스]
CNT FED 최초 설계
<그림 2-20> 특허등록에서 나타난 초기 탄소나노튜브 기술의 흐름도 [105]
2005년까지의 탄소나노튜브 관련 특허건수(등록과 출원의 합)는 3,312

건에 달하며, 국가별 특허 규모는 <그림 2-21>과 같다. 우리나라는 특허
건수에 있어서 미국과 일본에 이어 676건으로 전체건수의 20%를 차지하
고 있다.
EP
1400 1259 9%
1093 KR US
1200
20% 38%
1000
800 676
600
284 JP
400
33%
200
0
US JP KR EP
<그림 2-21> 국가별 특허건수 [105]
전체 탄소나노튜브 기술은 크게 합성(제조)분야와 응용(소자기술 포함)

분야로 분류가 가능하고, 출원특허는 응용기술이 차지하는 비율이 60~70%
를 차지하고 있으며 (그림2-22), 각각의 응용기술을 기술별 국가별로 분
류하면 <그림 2-23>와 같다.
US JP
제조
28% 제조
37%
응용
응용
63%
72%
KR EP
제조
28% 제조
41%
응용
응용 59%
72%
<그림 2-22> 국가별 특허 출원에 관한 탄소나노튜브 응용기술 비율 [105]
350
300
250
200
150
100
EP
50 KR
JP
0
US
nanocomposite
Mechatronics
electronics
Energy
광전자 Device
응용기타
Nano
<그림 2-23> 응용기술 분야별, 국가별 특허 동향분석 [105]
<그림 2-24> 미국특허의 출원인별 기술동향 [105]
한편, 특허 출원에서 나타나는 해외/국내 기술 비교를 위하여 미국 특

허의 출원인 분석을 할 필요가 있다. <그림 2-24>에서 보여 지는 것 같이
삼성 SDI, 삼성전자가 탄소나노튜브 관련 주도적인 특허 출원기관임을 알
수 있으나 FED와 트랜지스터 관련 기술에 특허가 집중되어 기술이 편중되
는 현상이 있다.
특허에 있어 주요 출원인 중에서 특허의 경쟁력을 파악하기 위한 수단
으로 미국특허에 대해 주요 출원인별 인용도 분석, 즉 CPP(Cites Per
Patent, 피인용수/등록건수) 값을 산출하여 비교 분석하면 기술적 영향
및 중요성을 가늠할 수 있다. <그림 2-25>에서와 같이 CPP값의 출원인별
순위는 NEC(3.92건), Hyperion Catalysis International(2.91건), Rice
University(2.39건), ITRI(1.86건)의 순으로 나타나고 있다. 한국의 경우
특허건수에서는 가장 많은 건이 출원된 삼성SDI가 평균 건당 0.87건의 피
인용 횟수를 나타내고 있어 국내 기업 중에서는 가장 앞선 것으로 나타난
5.00
26건
3.92
4.00
22건
2.91 62건
3.00
2.39 44건
2.1
1.86
2.00 27건
1.6
1.3 1.33 70건 45건 20건
1.0 0.87 17건 22건
1.00 0.82 0.80
0.7 0.59 0.55 18건 24건 20건
0.5 0.4 0.4 0.3 0.3 0.22
21건
0.1
0.210.1 0.15
0.1 0.000.0
0.00
FUJI XEROX
SONY
NEC
MOTOROLA
Nantero, Inc.
TSINGHUA
International
Intel
Hitachi
ITRI
Chemical Co
University
삼성 SDI
삼성전자
CO., LTD
UNIV.
Hyperion
Catalysis
Daiken
Rice
<그림 2-25> 미국특허의 출원인별 CPP 분석 [105]
다. 최근에 특허등록이 많은 출원인인 경우 과거부터 등록이 되었던 출원

인에 비해 CPP값이 낮아지기 때문에 높은 CPP값을 보유한 출원인이 원천
기술을 보유하고 있을 가능성이 높다. 주요 미국 출원인의 연도별 동향에
서 대부분 90년대 후반에 특허가 집중되고 있는 반면에 NEC, Hyperion
Catalysis International사의 경우 90년대 중반부터 특허건이 발생되었기
때문에 타 출원인에 비해 CPP값이 높게 나타나고 있다. 국내 출원인인 삼
성SDI나 삼성전자의 경우 특허 건수에 비해 낮은 CPP 값을 보이는 것과
대조적이다.
(2) 기초기술 비교
나노튜브 전자소자연구로 미국이 가장 활발한 연구를 수행 중이며, 1) 나

노튜브의 고유 물리적인 특성을 이용한 메모리(Nantero사), CNT-IC(IBM),
나노광소자 등 신개념의 전자소자 제안(IBM), 2) 나노튜브 표면의 기능화
연구(다수의 대학연구소), 전자구조제어(다수의 대학연구소) 및 반도체성/
금속성 나노튜브의 분리 등 기초연구(Dupont), 3) 자기조립법에 의한 나
노튜브 정렬연구(다수의 대학연구소) 등이 전자소자 응용과 관련되어 연구
중이다. 한편 일본과 유럽에서도 위에 열거된 연구가 다수의 대학 및 연구
소에서 진행 중이고, 특히 반도체회사(Infineon, 후지쯔, NEC) 등에서 트
랜지스터와 반도체 배선 응용기술이 중점적으로 연구 중이다. 나노튜브의
전자소자 응용기술은 미국, 유럽, 일본을 대표하는 IBM, Infineon, NEC
를 중심으로 정부가 지원하는 국가과제를 통해 활발한 연구가 진행 중이
며, 이는 국내에서도 비슷한 상황이다.
앞에서도 언급하였듯이 국내 연구는 원천기술의 취약성에도 불구하고
집적화 기술의 핵심이 되는 단일겹 탄소나노튜브 기판 합성기술, 탄소나노
튜브 위치제어기술, 반도체성 탄소나노튜브 분리기술, 탄소나노튜브 트랜
지스터 제작기술 등에서 세계 수준의 기술에 근접하고 있으며, 향후 탄소
나노튜브 배열성장기술, 탄소나노튜브 전자구조 제어기술 분야 및 Tr, 메
모리, 배선기술을 포함한 CNT 능동/수동소자 제작과 집적기술 개발을 통
해 CNT IC-TEG를 구현하기 위한 기술이 주류를 이루고 있다. 현재까지
발표된 전자소자분야 원천기술을 요약하면 <표 2-6>과 같다.
<표 2-6> 탄소나노튜브 전자소자분야 원천기술 요약
비고
제품 ․ 기술명 서술적인 내용 정량적인 내용
(인용자료명)
Transconductance: 6000
CNT-Tr중 가장 최고성능 Tr
CNT-Tr S/m Nature(2003)
특성 구현 2
Mobility: 3000 cm /VS
Micro-
Contact hole에 CNT 성장
CNT 최초로 Interconnection electronic
Current density:
interconnection process에 CNT 구현 10 2 engineering,
1.8☓10 A/cm
64,399 (2002)
CMOS형 CNT Ring oscillator Vdd = 0.5~0.92 Volt, 5
CNT-IC Science (2006)
구현 stage
p-n diode Vbi ~ 0.5
CNT-Diode Pd/Al 전극 이용 Diode 구현 APL(2006)
Volt
비고
제품 ․ 기술명 서술적인 내용 정량적인 내용
(인용자료명)
CNT 정렬성장 직선 SWNT 정렬성장 성장 길이 ~cm JACS(2005)
w-PECVD 이용 고품위 SWNT
기판성장 성장온도: 400℃ JACS (2005)
저온기판성장
상온 공정, 개별 나노튜브
표면의 분자막을 이용하여
위치제어 정렬 가능, Wafer 단위의 Nature(2003)
탄소나토튜브 자기 조립
대량 공정 가능
동일한 길이가 긴 CNT
일함수, 전기음성도가 다른
탄소나노튜브/금속 위에 다양한 종류의
금속들간의 비교, 옴접합, Nature(2003)
접합 재연성 금속을 증착시켜 형성되는
쇼트키접합 형성 제어
접합 장벽 조사
CNT chirality Electrophoresis를 이용한
전기적 성질이용 Science (2003)
선택법 반도체/금속성 CNT 분리
두 개의 직교하는 나노튜브간의
Nanotube 12 2
전기력과, 탄성력, van der 집적도 10 /cm ,
Nonvolatile
Waals힘의 균형에 의해 생성되는 operation frequency 100 Science (2000)
Random Access
두 개의 준평형상태를 확인하고 GHz
Memory
이를 메모리 소자로 활용.
탄소나노튜브 CVD중 BH3, NH3, N2
Adv. Mat.
doping 및 bandgap B, N, H 에 의한 doping 기체를 동시에 흘려
(2002)
engineering 기술 doping
제3장
문헌 ․ 특허 정보 분석
본 장에서는 탄소나노튜브 소자의 연구개발 동향을 파악하기 위해 관련

기술분야 전체와 응용분야별로 분류하여 문헌과 특허에 대하여 현황정보
를 검색하여 주요 세부항목에 대해 심층 분석하고, 연구개발의 추이를 다
각적으로 파악하였다.
1. 문헌정보 분석
가. 정보 분석 대상 DB와 검색조건
문헌자료 정보 분석을 위해 미국의 민간학술정보전문기관인 ISI(Institute

for Scientific Information)에서 구축한 Web of Science DB를 활용하였
다. Web of Science는 과학, 사회과학, 예술 및 인문학 분야에서 권위있
는 저널 9,000여종에 대한 학술정보를 제공하는 DB로서 특히, 개별 논문
에 대한 인용 정보를 제공하고 있으며, 연구자들은 인용 정보 탐색 기능을
통해 주요저널의 논문, 특허 혹은 보고서 등 자신의 관심 문헌에 대한 인
용 현황을 파악할 수 있어 기술 정보의 계량적 분석에 많이 사용되고 있다.
데이터 수집을 위한 키워드 선정은 상위 분류로 검색한 후 세부 분류로
검색을 하여 기술동향분석을 행하였다.
상위 분류에 대한 키워드로 ‘탄소나노튜브 소자’에 대하여 검색한 결과 총
제3장 문헌 ․ 특허 정보 분석 43
2,211건이 검색 되었다. 하위분류로는 <표 2-5>에서 제시한 것을 기초로 하
여 네 분야로 나누어 조사하였다. 그 결과 디스플레이 소자 및 발광소자(에미
터) 등을 포함하는 광소자 분야가 608건, 트랜지스터 등을 포함하는 전자소
자 분야가 1,580건, 전지 또는 수소저장 등에 쓰이는 에너지소자 분야가 627
건 및 탐침이나 나노측정기술을 포함하는 기계소자 분야가 560건으로 검색
되었다. <표 3-1>에 검색 키워드에 따른 건수를 나타내었다. 키워드에 따라
적절한 단어 띄어쓰기 조합과 절단자(truncation)를 적용하였다.
<표 3-1> 문헌검색 키워드 및 검색건수
분 류 주요 키워드 건수
탄소나노튜브
대분류 carbon nanotube device 2,211
소자
optical device, display, source,
광소자 608
emitter, backlight, photoelectronic
electrical device, transistor, diode,
전자소자 1,580
microwave
중분류 energy, sensor, electrode, battery,
에너지소자 627
(응용분야) hydrogen storage, cell
mechatronic, tip, probe, nano-wire,
기계소자 nano-pipet, nano-pipe, 560
nano-capsule, nano-tweezer
기타 422
나. 전체문헌 동향
탄소나노튜브 소자에 대한 SCI 논문은 1993년에 1건이 출현한 이후로

2006년까지 총 2,211건이 검색되었고, 2000년 이후 폭발적으로 증가하여
2006년 현재 584건이 발표되어 연간 500건을 넘어섰다. 1993년 이후 연
평균 63%의 높은 증가율을 나타내고 있으며, 2000년 이후에는 연평균
43%의 지속적인 성장세를 유지하고 있다.
연도별 문헌 건수_탄소나노튜브소자
584
600
502
500
400 349
300 261
200
200
140
100 69
46
32
9 16
1 2
0
93 94 95 96 97 98 99 00 01 02 03 04 05 06
<그림 3-1> 연도별 논문건수 동향
4가지 응용분야별 연도별 논문발표 건수 추이를 살펴보면, 2000년 이

전까지는 주로 광소자 분야에서 연구가 진행되었고, 이후로 전자소자 등
다른 분야로 연구가 확산되기 시작하였으며, 현재는 전자소자로의 응용에
600
500
400 탄소나노튜브소자
기타
300
기계소자
200 에너지소자
100 전자소자
광소자
0
93 94 95 96 97 98 99 00 01 02 03 04 05 06
<그림 3-2> 응용분야별 논문 건수
관한 연구개발이 가장 활발하게 이루어지고 있는 것으로 나타났다. 이는
가속화되는 IT분야의 연구개발 경쟁이 나노기술을 통해서 더욱 치열하게
전개되고 있으며 NIT 융합분야에서 탄소나노튜브소자 기술이 큰 역할을
담당하고 있는 것으로 분석된다.
국가별로 탄소나노튜브소자 전체 논문 건수의 순위와 건수를 살펴보면,
1위를 차지한 미국이 927건으로 압도적으로 많은 건수를 차지하고, 다음
으로는 일본, 중국, 한국 등이 각각 2위, 3위 4위를 차지함으로써 아시아
3개국이 이 분야에서 선도적 위치를 담당하고 있다. 그 뒤를 이어 독일과
영국 등 유럽 국가들이 제2선을 차지하고 있다. 상위 10개국이 1,851건의
논문을 발표함으로써 공동 저자에 의한 중복건수를 고려하더라도 전체
2,211건에서 차지하는 비중이 매우 높다는 것을 알 수 있다. 특히, 우리나
라는 142건으로 세계 4위를 차지하였으며 인구와 경제력 등을 고려하면
해당분야에서 세계적인 경쟁력을 확보하고 있는 것으로 평가된다.
USA 927
Japan 212
China 210
Korea 142
Germany 83
England 75
Taiw an 56
France 51
Italy 48
Canada 47
0 100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000
<그림 3-3> 탄소나노튜브 소자의 주요 국가별 랭킹
주요국가 문헌건수의 분야별 점유율(중복건수 무시)
USA 225 649 218 246 210
Japan 67 155 74 40 29
China 93 160 64 75 24
Korea 42 111 56 41 19
Germany 23 65 21 16 10
England 24 56 19 14 12
Taiw an 23 42 11 19 6
France 6 28 15 9 18
Italy 12 39 18 10 6
Canada 6 36 17 11 8
0% 20% 40% 60% 80% 100%
광소자 전자소자 에너지소자 기계소자 기타
<그림 3-4> 주요국가의 분야별 점유율
<그림 3-4>에는 상위 10개국의 분야별 논문의 분포를 나타내었다. 한

논문이 2개 이상의 분야를 포함할 경우에는 각각의 분야에서 중복해서 산
정하였다.
대체로 전자소자 분야가 40%대를 차지하여 가장 강세를 나타내고 있
다. 특히 독일은 전자소자가 65건으로 48%를 차지하였으며, 카나다, 이탈
리아, 영국 등도 이 분야의 비중이 높게 나타났다. 반면, 중국과 대만은 광
소자 분야의 비중이 상대적으로 높게 나타났으며, 한국과 일본 등에서는
에너지 분야가 상대적 강세를 나타내고 있다. 프랑스는 주요 4개 분야 이
외의 기타 분야에서도 연구가 많이 이루어지고 있다.
기술분야별 주요국가의 랭킹을 살펴보면, 광소자 분야는 225건을 발표
한 미국이 선두를 유지하고 있으며, 93건의 중국, 67건의 일본 등이 뒤를
따르고 있다. 우리나라는 42건을 발표하여 4위를 차지하였고, 대만과 싱
가포르를 포함한 동아시아 국가들이 강세를 나타내고 있다. 반면, 영국과
독일 등 서유럽 국가들은 중하위권에 위치하고 있으며, 러시아가 8건으로
USA 225
China 93
Japan 67
Korea 42
England 24
Taiw an 23
Germany 23
Italy 12
Singapore 8
Russia 8
0 50 100 150 200 250
<그림 3-5> 탄소나노튜브 광소자의 주요 국가별 랭킹
10위를 차지하였다.
전자소자 분야에서도 미국이 선두를 차지하였으며 2위 중국과 큰 격차를
보이고 있다. 111건을 발표한 우리나라는 이 분야에서도 4위를 차지하였고,
싱가포르와 러시아 대신 캐나다와 프랑스아가 10위권 내에 위치하고 있다.
USA 649
China 160
Japan 155
Korea 111
Germany 65
England 56
Taiw an 42
Italy 39
Canada 36
France 28
0 100 200 300 400 500 600
<그림 3-6> 탄소나노튜브 전자소자의 주요 국가별 랭킹
USA 218
Japan 74
China 64
Korea 56
Germany 21
England 19
Italy 18
Canada 17
France 15
Taiw an 11
0 50 100 150 200 250
<그림 3-7> 탄소나노튜브 에너지소자의 주요 국가별 랭킹
에너지소자 분야에서도 미국이 선두를 차지하고 한국이 4위에 위치하

는 등 유사한 경향을 나타내고 있으나, 일본이 중국을 제치고 2위를 차지
한 것으로 보아 이 분야에서는 상대적으로 활발한 연구가 진행되고 있는
것으로 판단된다.
USA 246
China 75
Korea 41
Japan 40
Taiw an 19
Germany 16
England 14
Canada 11
Italy 10
Sw itzerland 9
France 9
0 50 100 150 200 250
<그림 3-8> 탄소나노튜브 기계소자의 주요 국가별 랭킹
기계소자 분야에서는 우리나라가 일본을 제치고 3위에 위치하고 있으
며, 최초로 SPM을 개발한 스위스가 10위권 내에 들어 있다.
주요 저자별 논문건수 현황을 분석해 보면, 한국의 Kang JW(강정원)
가 23건을 발표하여 1위를 차지하고 있다. 그는 중앙대학교 전기전자공학
부에서 나노전자 소자에 대하여 활발한 연구를 진행하고 있는 신진 연구자
이다. 2위는 9건을 발표한 미국의 Nanomix Inc 소속의 Star A이며, 3위
는 미국의 Leonard F와 Dai LM이 공동으로 차지하였다. 상위 10위 저자
들이 소속한 국가를 보면, 미국이 6명, 그리스가 2명이며, 한국과 호주가
각각 1명씩 차지하고 있다.
Kang, JW 23
Star, A 9
Leonard, F 8
Dai, LM 8
Kymakis, E 7
Huang, SM 7
Javey, A 6
Dai, HJ 6
Appenz eller, J 6
Andriotis, AN 5
0 5 10 15 20 25
<그림 3-9> 탄소나노튜브 소자의 주요 저자별 랭킹
광소자 분야에서는 그리스 TEI Crete 소속의 Kymakis E와 미국

University of Akron의 Dai LM이 7건으로 공동 1위를 차지하고 있다. 다
음으로 4건을 발표한 Zhu LB(미국), Vaseashta A(미국), Valentini L(이
탈리아), Guldi DM(독일) 등이 공동 3위를 차지하였다.
Kymakis, E 7
Dai, LM 7
Zhu, LB 4
Vaseashta, A 4
Valentini, L 4
Guldi, DM 4
Feng, W 3
Freitag, M 3
Takenobu, T 3
Star, A 3
0 2 4 6 8 10
<그림 3-10> 탄소나노튜브 광소자의 주요 저자별 랭킹
전자소자 분야에서는 한국의 Kang JW(강정원)이 1건으로 최다 논문을 발

표하였고, Star A가 8건으로 2위이며, 다음으로 Kymakis E, Javey A (미국
스탠포드대) 및 Appenzeller J (미국 IBM) 등이 3위권을 형성하고 있다.
Kang, JW 15
Star, A 8
Kymakis, E 6
Javey, A 6
Appenzeller, J 6
Wong, YM 5
Valentini, L 5
Takenobu, T 5
Snow, ES 5
Leonard, F 5
Ke, CH 5
Hwang, HJ 5
Guldi, DM 5
Feng, W 5
Bradley, K 5
0 5 10 15 20
<그림 3-11> 탄소나노튜브 전자소자의 주요 저자별 랭킹
에너지소자 분야에서는 한국의 Kang JW가 14건으로 1위를 차지하고,
Xue YQ (미국 State University of New York), Takenobu T (일본 동북
대), 황호정 (중앙대) 등이 2위 그룹을 형성하고 있다.
Kang, JW 14
Xue, YQ 3
Wong, YM 3
Wang, LG 3
Takenobu, T 3
Star, A 3
Nicolaescu, D 3
Ke, CH 3
John, DL 3
Hw ang, HJ 3
0 5 10 15
<그림 3-12> 탄소나노튜브 에너지소자의 주요 저자별 랭킹
기계소자 분야에서는 미국 노스웨스턴대학의 Ke CH가 5건으로 1위를

차지하고, Star A, Kang JW, Hu JQ (일본 NIMS) 등이 2위 그룹을 형성
하고 있다.
Ke, CH 5
Star, A 4
Kang, JW 4
Hu, JQ 4
Wang, LG 3
Vaseashta, A 3
Saito, Y 3
Ravindran, S 3
M olhave, K 3
Li, C 3
0 2 4 6 8 10
<그림 3-13> 탄소나노튜브 기계소자의 주요 저자별 랭킹
주요 연구기관별 랭킹을 분석해 본 결과, 중국의 CAS가 53건으로 가장
많은 논문을 발표하여 중국의 연구활동이 매우 활발하게 이루어지고 있으
며 특히, CAS(중국과학원)에 집중되고 있음을 알 수 있다. 다음으로는 스
탠포드대, IBM사 및 하버드대 등 미국 기관들이 선두권을 형성하고 있다.
이어서 영국의 캠브리지대와 한국의 중앙대가 뒤를 따를고 있다. 상위 10
위내 기관들의 국가별 분포를 보면, 미국이 6개로 다수를 차지하고 있으
며, 중국이 2개, 한국과 영국이 각각 1개로 다음을 따르고 있다.
Chinese Acad Sci 53
Stanford Univ 51
IBM Corp 44
Harvard Univ 40
Univ Cambridge 36
Chung Ang Univ 32

Univ Illinois 30
Univ Calif Berkeley 29
Tsing Hua Univ 26
NASA 26
0 10 20 30 40 50 60
<그림 3-14> 탄소나노튜브 소자의 주요 기관별 랭킹
기술분야별로 주요 기관 발표건수와 랭킹을 살펴보면, 광소자 분야에서

는 중국의 CAS가 21건으로 1위를 차지하였고, University of Illinois (미
국), University of Cambridge (영국) 및 Tsing Hua University (중국)
등이 뒤를 따르고 있다. 대만의 National Tsing Hua University가 북경
대 및 IBM 등과 함께 8건으로 공동 7위를 차지하였다.
Chinese Acad Sci 21
Univ Illinois 14
Univ Cambridge 13
Tsing Hua Univ 12
Georgia Inst Technol 12
Harvard Univ 9
Peking Univ 8
Natl Tsing Hua Univ 8

IBM Corp 8
Natl Inst Adv Ind Sci & Technol 7
0 5 10 15 20 25
<그림 3-15> 탄소나노튜브 광소자의 주요 기관별 랭킹
전자소자 분야에서도 중국의 CAS가 1위를 차지하였으며, 미국의 Rensselaer

University, 중국의 북경대 및 독일의 Max Plank 연구소 등이 10위권에
진입한 것이 주목된다.
Chinese Acad Sci 40

IBM Corp 37
Stanford Univ 36
Harvard Univ 28
Univ Illinois 26
Univ Cambridge 25
Chung Ang Univ 23
Northw estern Univ 20
Univ Calif Riverside 18
Rensselaer Polytech Inst 18
Peking Univ 18
M ax Planck Inst 18
0 5 10 15 20 25 30 35 40 45
<그림 3-16> 탄소나노튜브 전자소자의 주요 기관별 랭킹
에너지소자 분야에서는 한국의 중앙대와 하버드대, 노스웨스턴대 등 미
국의 주요 대학들이 상위기관들의 대부분을 차지하고 있으며, 일본의 오사
카대와 토호쿠대도 상위권에 포함되어 있다.
Chung Ang Univ 19
Chinese Acad Sci 18
Harvard Univ 12

Osaka Univ 10
Univ Cambridge 8
Tohoku Univ 8
Univ Penn 7
Univ Calif Irvine 7
Stanford Univ 7
0 5 10 15 20 25
<그림 3-17> 탄소나노튜브 에너지소자의 주요 기관별 랭킹
기계소자 분야에서는 한국의 서울대와 미국의 조지아텍 및 Caltech 등

이 추가로 상위권에 포함되어 있는 것이 눈에 띈다.
Chinese Acad Sci 21

Harvard Univ 17
Stanford Univ 10
Univ Penn 9
Peking Univ 9
Chung Ang Univ 9
Tsing Hua Univ 8
Seoul Natl Univ 8
Georgia Inst Technol 8
Cornell Univ 8
CALTECH 8
0 5 10 15 20 25
<그림 3-18> 탄소나노튜브 기계소자의 주요 기관별 랭킹
APPLIED PHYSICS LETTERS 270
NANO LETTERS 131
NANOTECHNOLOGY 110
PHYSICAL REVIEW B 96
JOURNAL OF PHYSICAL
66
CHEM ISTRY B
ADVANCED M ATERIALS 55
PHYSICAL REVIEW
51
LETTERS
JOURNAL OF APPLIED 50
PHYSICS
JOURNAL OF VACUUM
40
SCIENCE & TECHNOLOGY B
NATURE 37
0 50 100 150 200 250 300
<그림 3-19> 탄소나노튜브 소자의 주요 저널별 랭킹
탄소나노튜브 소자에 관한 논문이 실린 주요 저널들의 랭킹과 건수를 그

림 <3-19>에 나타내었는데, ‘Applied Physics Letters’가 270건으로 최상위
를 차지하였고, ‘Nano Letters’가 131건으로 2위, ‘Nanotechnology’가 3위
를 차지하는 등 응용물리 또는 소재분야의 저널들이 주류를 차지하고 있다.
<그림 3-20>에서 <그리 3-23>은 탄소나노튜브소자의 각 기술분야별
주요 저널 랭킹을 나타내고 있다.
NANO LETTERS 30
NANOTECHNOLOGY 26
JOURNAL OF PHYSICAL
26
CHEMISTRY B
DIAM OND AND RELATED
19
M ATERIALS
JOURNAL OF APPLIED
17
PHYSICS
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE

14
& TECHNOLOGY B
SYNTHETIC M ETALS 12
0 10 20 30 40 50 60
<그림 3-20> 탄소나노튜브 광소자의 주요 저널별 랭킹
NANO LETTERS 119
NANOTECHNOLOGY 87
JOURNAL OF PHYSICAL CHEM ISTRY B 44
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 40
PHYSICAL REVIEW LETTERS 31
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE

31
& TECHNOLOGY B
PHYSICA E-LOW-DIM ENSIONAL
30
SYSTEM S & NANOSTRUCTURES
0 50 100 150 200
<그림 3-21> 탄소나노튜브 전자소자의 주요 저널별 랭킹
NANOTECHNOLOGY 41
NANO LETTERS 40
JOURNAL OF PHYSICAL
24
CHEM ISTRY B
JOURNAL OF APPLIED
18
PHYSICS
DIAM OND AND RELATED

15
M ATERIALS
PHYSICA E-LOW-DIM ENSIONAL

13
SYSTEM S & NANOSTRUCTURES
JOURNAL OF VACUUM
11
SCIENCE & TECHNOLOGY B
JAPANESE JOURNAL OF
APPLIED PHYSICS PART 11
1-REGULAR PAPERS
IEEE TRANSACTIONS ON
11
NANOTECHNOLOGY
0 10 20 30 40 50 60
<그림 3-22> 탄소나노튜브 에너지소자의 주요 저널별 랭킹
NANOTECHNOLOGY 44
NANO LETTERS 39
JOURNAL OF PHYSICAL 20
CHEM ISTRY B
JOURNAL OF NANOSCIENCE
16
AND NANOTECHNOLOGY
IEEE TRANSACTIONS ON
12
NANOTECHNOLOGY
APPLIED PHYSICS A-M ATERIALS
11
SCIENCE & PROCESSING
JOURNAL OF THE AM ERICAN
10
CHEM ICAL SOCIETY
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 10
0 10 20 30 40 50 60
<그림 3-23> 탄소나노튜브 기계소자의 주요 저널별 랭킹
2. 특허정보 분석
가. 정보 분석 대상 DB와 검색조건
특허정보 분석을 위해 특허정보전문 제공업체인 WIPS에서 제공하는

특허 데이터베이스를 사용하여, 한국특허공개, 미국특허공개, 일본특허공
개 및 영문초록(PAJ), 유럽특허공개 DB를 검색하였다. 검색시점은 2007
년 1월 8일로 하여 가장 최근까지의 데이터를 조사하였으며, 1992년 이후
부터 2006년 말까지의 공개된 특허를 검색하였다. 문헌정보분석과 같은
방법으로 검색한 결과 각 DB별 특허건수는 각각 한국특허가 449건, 미국
특허가 976건, 일본특허가 686건 및 유럽특허가 148건으로 총 2,256건으
로 나타났다. 각 DB별로 대분류와 중분류로 나누어 검색하였고, 문헌 검
색에서와 같이 키워드를 선정하여 각각의 키워드에 대해 적절한 절단자
(truncation)를 적용하였다.
<표 3-2> 국가별 연도별 특허건수
국가 한국 미국 일본 유럽
출원 출원 출원 출원 총합계
출원 출원 출원 출원
출원연도 누적 누적 누적 누적
건수 건수 건수 건수
건수 건수 건수 건수
1992 1 1 1
1993 1 1 2 3 3
1994 1 2 3 1
1995 3 5 2 5 2 2 7
1996 2 7 2 7 1 3 5
1997 2 2 7 14 6 13 1 4 16
1998 4 6 7 21 11 24 1 5 23
1999 23 29 18 39 37 61 13 18 91
2000 51 80 35 74 44 105 18 36 148
2001 38 118 86 160 66 171 11 47 201
2002 44 162 146 306 122 293 18 65 330
2003 83 245 214 520 154 447 38 103 489
2004 122 367 225 745 139 586 30 133 516
2005 62 429 168 913 82 668 11 144 323
2006 20 449 63 976 15 683 4 148 102
총합계 449 976 683 148 2,256
나. 전체특허 동향
각 DB별로 특허 건수를 살펴보면, 전체 2,256건 중에서 미국특허가

976건으로 43%, 일본특허가 683건으로 30%, 한국특허가 449건으로 20%,
유럽특허가 148건으로 7%를 차지하고 있다.
<그림 3-24> 특허 DB별 특허건수 및 비율
나노튜브소자 관련 특허 2,256건의 연도별 출원 건수 추이를 살펴보면,

2000년 이전에는 연 100건 미만이던 출원 건수가 2000년 이후에는 수백
건 단위로 특허출원이 이루어지고 있으며 2006년에는 1,000건 이상의 특
허출원이 이루어지고 있는 것으로 추정된다. 최근 5년간의 연평균 성장률
(기하평균)은 41.49%를 나타내고 있으며, 이를 통해 2005년도의 출원건수
는 730건, 2006년도의 출원건수는 1,033건으로 추정하였다.
<표 3-3> 탄소나노튜브 소자 관련 특허의 연도별 출원 건수
연도 92 93 94 95 96 97 98 99 00 01 02 03 04 05 06 합계
출원 323 102
1 3 1 7 5 16 23 91 148 201 330 489 516 2,256
건수 (730) (1,033)
누적
1 4 5 12 17 33 56 147 295 496 826 1315 1831 2,154 2,256
건수
1200
출원건수
1033
1000 최근 5년간 출원성장율
반영 추정치
800
730
출원건수
600
489 516
400 330
201 323
200 148
91
3 7 5 16 23 102
1 1
0
'92 '93 '94 '95 '96 '97 '98 '99 '00 '01 '02 '03 '04 '05 '06
출원연도
<그림 3-25> 탄소나노튜브 소자 관련 특허의 연도별 출원 건수 추이
전체 출원특허에 대하여 출원국가(출원인 국적 또는 제1발명자 국적)

분포를 분석한 결과를 <그림 3-26>에 나타내었는데, 일본 출원인이 가장
많은 767건으로 전체의 34%를 차지하였으며, 다음으로는 미국이 711건
(32%)를 나타냈으며, 한국이 579건(26%)으로 3위를 차지하였다. 뒤를 이
어 대만과 독일 순으로 나타났다.
기타, 120건,
DE, 31건, 1% 5%
TW, 48건, 2%
JP, 767건,
34%
KR, 579건,
26%
전체국가
US, 711건,
32%
<그림 3-26> 전체 출원특허의 출원국가별 분포
또한, 이를 중분류별로 나누어 국가별 현황을 분석해 본 결과, 한국은
에너지소자 분야에서 가장 많은 222건의 특허를 출원하였고, 광소자 분야
에서 193건을 출원하여 다음을 따르고 있다. 반면, 미국은 전자소자 분야
에서 464건을 출원하여 가장 강세를 나타내었고, 에너지소자 분야가 다음
을 차지하였다. 일본과 유럽에서도 에너지소자 분야가 가장 많은 출원을
나타내고 있으며, 전체적으로 기계소자분야가 가장 약세를 나타내고 있다.
<표 3-4> 국가별 중분류별 출원건수
국가 광소자 전자소자 에너지소자 기계소자 기타

한국 193 76 222 22 102
미국 292 464 356 36 250
일본 242 196 307 24 202
유럽 37 39 48 5 64
합계 764 775 933 87 618
1000
900
800
700
600 합계
건수
500 유럽
400
일본
300
200 미국 국가
100 한국
0
타
자
기
소
소
광
계
전
기
에
<그림 3-27> 국가별 특허건수의 중분류별 현황
다. 국가별 특허 동향
다음은 각 국가별로 특허출원 현황을 살펴본다.
(1) 한국특허
한국공개특허의 연도별 출원은 다른 국가들에 비하여 대략 4, 5년 정도

뒤진 1997년에 2건이 출원된 것을 시작으로 2004년도 출원분까지 약 40%
의 연평균성장률을 나타내고 있다. 2005년과 2006년도 출원분은 미공개
분을 예상하여 각각 170건과 238건이 출원된 것으로 추정된다. 1999년도
부터 급격한 증가세를 나타내고 있으며, 2004년에는 100건을 넘는 특허출
원이 이루어지고 있다.
<표 3-5> 탄소나노튜브 소자 관련 한국특허의 연도별 출원 건수
연평균
연도 97 98 99 00 01 02 03 04 05 06 합계
성장율
62 20
출원건수 2 4 23 51 38 44 83 122 449 39.61%
(170) (238)
누적건수 2 5 29 80 118 162 245 367 429 449 - -
250
238
출원건수
200 최근 5년간 출원성장율

반영 추정치
170
150
출원건수
122
100
83
51
44
50 38 62
23
2 4 20
0
'97 '98 '99 '00 '01 '02 '03 '04 '05 '06
출원연도
<그림 3-28> 탄소나노튜브 소자 관련 한국특허의 연도별 출원 건수 추이
한국특허의 출원인 국적(출원국) 분포를 살펴보면, 자국출원(한국 출원
인)이 376건으로 84%를 차지함으로써 자국출원인 비중이 매우 높은 것으
로 나타났다. 다음으로는 일본이 35건으로 8%, 미국이 29건으로 6%를 차
지하였고, 네덜란드와 프랑스가 뒤를 이었다.
FR, 1건, 0.7%

NL, 5건, 1%
기타, 3건, 1%
US, 29건, 6%
JP, 35건, 8%
한국특허
KR, 376건,
84%
<그림 3-29> 탄소나노튜브 소자 관련 한국특허의 출원국 분포
한국특허의 주요 출원인의 현황을 분석해 본 결과, 삼성SDI가 94건으

로 가장 많은 특허를 출원하고 있으며, 다음으로는 엘지전자(77건), 삼성
0 20 40 60 80 100
삼성에스디아이 94
엘지전자 77
삼성전자 39
한국전자통신연구원 17
하이닉스반도체 14
일진나노텍 13
SONY CORP 11
엘지 필립스 10
한국과학기술연구원 7
포항공과대학교 7
<그림 3-30> 탄소나노튜브 소자 관련 한국특허의 주요 출원인
전자(39건), 한국전자통신연구원(17건), 하이닉스반도체(14건) 등 나노소
자(또는 전자분야) 관련 기업 등이 상위 5위를 차지하였다. 나노소재 관련
기업인 일진나노텍이 13건으로 6위에 랭크되었다. 한국과학기술원(9위)과
포항공대(10위) 등 연구소와 대학들은 기초연구 능력에 비해 상대적으로
특허 출원은 적게 하고 있는 것으로 판단된다.
(2) 미국특허
미국공개특허의 연도별 출원은 한국보다 4년 정도 빠른 1993년에 1건

이 출원된 것을 시작으로 2004년도 출원분까지 약 66%의 높은 연평균성
<표 3-6> 탄소나노튜브 소자 관련 미국특허의 연도별 출원 건수
연평균
연도 93 94 95 96 97 98 99 00 01 02 03 04 05 06 합계
성장율
출원 168 63
1 1 3 2 7 7 18 35 86 146 214 225 976 65.72%
건수 (373) (618)
누적
1 2 5 7 14 21 39 74 160 306 520 745 913 976 - -
건수
700
출원건수 618
600
최근 5년간 출원성장율
반영 추정치
500
373
출원건수
400
300
214 225
200
146
168
100 86
35
3 2 7 7 18
1 1 63
0
'93 '94 '95 '96 '97 '98 '99 '00 '01 '02 '03 '04 '05 '06
출원연도
<그림 3-31> 탄소나노튜브 소자 관련 미국특허의 연도별 출원 건수 추이
장률을 나타내고 있으며, 2005년과 2006년도 출원분은 미공개분을 예상
하여 각각 373건과 618건이 출원된 것으로 추정된다. 1990년대 후반부터
꾸준히 큰 폭의 증가세를 나타내며 탄소나노튜브 소자 관련 전세계 특허의
주도권을 유지하고 있는 것으로 평가된다.
미국특허의 출원국 분포를 살펴보면, 자국출원(미국 출원인)이 597건으
로 62%인 3분의 2정도를 차지하였으며, 일본이 14%인 140건으로 2위를
차지하였고, 다음으로 한국이 11%인 106건으로 3위를 차지하였다. 대만도
4%인 41건을 출원하여 4위를 차지하여 강세를 나타내고 있으며, 19건을
출원한 독일이 다음을 따르고 있다.
기타, 73건,
DE, 19건, 2% 7%
TW, 41건, 4%
KR, 106건,
11%
미국특허
US, 597건,
JP, 140건, 62%
14%
<그림 3-32> 탄소나노튜브 소자 관련 미국특허의 출원국 분포
미국특허의 주요 출원인을 살펴보면, Nantero Inc.가 54건으로 1위를

차지하였고, William Marsh Rice 대학이 22건으로 2위를 차지하였다. 한
국의 삼성전자와 삼성에스디아이는 각각 17건과 15건을 출원하여 5위와 6
위에 랭크되었다. 미국특허에서는 한국 출원인 외에 Fuji Xerox(일본)와
Tsinghua 대학(중국) 등 아시아 국가들이 강세를 나타내고 있다. 또한, 기
업체뿐만 아니라 대학들도 상위에 랭크되어 대학들이 기초연구에 이은 기
술의 특허화에 힘을 쏟고 있는 것으로 평가된다.
0 10 20 30 40 50 60
Nantero, Inc. 54
W ILLIAM MARSH RICE

22
UNIV ERSITY
IBM 20
Indus trial Technology

19
Res earch ins titute
삼성전자 17
FUJI X EROX 15
INTEL CORP 14
Ts inghua Univers ity 13
UNIV ERSITY OF
13
CALIFORNIA
<그림 3-33> 탄소나노튜브 소자 관련 미국특허의 주요 출원인
(3) 일본특허
일본공개특허와 PAJ(일본공개특허영문초록) DB에서 검색된 특허건수

를 <표 3-7>에 나타내었다. 1992년에 1건이 출원된 것을 시작으로 2004
년도 출원분까지 약 30%의 연평균성장률을 나타내고 있으며, 2005년과
2006년도 출원분은 미공개분을 예상하여 각각 181건과 236건이 출원된
것으로 추정된다. 1990년대 말까지는 특허출원건수가 미국보다 앞선 것으
로 나타나 초기 단계에서 미국보다 관련 연구가 활발하게 진행된 것으로
보이나, 2000년 이후 최근에는 그 증가세가 다소 주춤한 것으로 보여 연
구개발의 주도권을 미국에 넘겨 준 것으로 판단된다.
<표 3-7> 탄소나노튜브 소자 관련 일본특허의 연도별 출원 건수
연평균
연도 92 93 94 95 96 97 98 99 00 01 02 03 04 05 06 합계
성장율
82 15
출원건수 1 2 0 2 2 6 11 37 44 66 122 154 139 683 30.31%
(181) (236)
누적건수 1 3 3 5 7 13 24 61 105 171 293 447 586 668 683 - -
250
236
출원건수
최근 5년간 출원성장율
200 181
반영 추정치
154
150 139
출원건수
122
100
66 82
50 44
37
11
1 2 2 2 6
15
0
'92 '93 '95 '96 '97 '98 '99 '00 '01 '02 '03 '04 '05 '06
출원연도
<그림 3-34> 탄소나노튜브 소자 관련 일본특허의 연도별 출원 건수 추이
일본특허의 출원국 분포를 살펴보면, 자국출원(일본 출원인)이 546건으

로 79%를 차지하였으며, 다음으로 한국이 11%인 73건을 출원하여 2위를
차지하였다. 미국이 38건(6%), 대만 7건(6%). 독일 7건(1%) 등이 뒤를 따
르고 있다.
DE, 7건, 1% 기타, 12건,

2%
TW, 7건, 1%
US, 38건, 6%
KR, 73건, 11%
일본특허
JP, 546건,
79%
<그림 3-35> 탄소나노튜브 소자 관련 일본특허의 출원국 분포
일본특허의 주요 출원인을 살펴보면, 소니가 56건으로 1위를 차지하였
고, 다음으로 한국의 삼성에스디아이가 33건으로 2위에 랭크하였다. 일본
에서는 주요 대기업들이 10위권내에 포진하고 있어 주요 대기업을 중심으
로 관련 연구가 진행되고 있는 것으로 나타났으나, 정부에서 지원을 받고
있는 JST와 NIMS도 5위와 8위에 랭크되어 있어 정부차원의 연구프로젝
트를 바탕으로 한 특허출원건수도 상당한 비중을 차지하고 있는 것으로 판
단된다. 한국의 삼성에스디아이와 삼성전자가 각각 2위와 8위에 랭크되어
향후 일본 시장에서 한국 기업의 행보가 주목된다.
0 10 20 30 40 50 60
SONY CORP 56
Mats us hita Electric 27
HITACHI LTD 25
JAPAN SCIENCE &

21
TECHNOLOGY CORPORATION
FUJITSU LTD 21
RICOH CO LTD 18
National Ins titute for

17
Materials Science
MITSUBISHI ELECTRIC CORP 17
삼성전자 17
<그림 3-36> 탄소나노튜브 소자 관련 일본특허의 주요 출원인
(4) 유럽특허
유럽공개특허 DB에서 검색된 특허건수를 <표 3-8>에 나타내었다.

1995년에 2건이 처음으로 출원되었으나, 1998년까지 답보 상태를 유지하
다가 2000년도를 전후하여 다소 활발한 연구가 이루어지고 있는 것으로
나타났다. 하지만 미국 또는 일본 등 다른 경쟁국에 비해 특허출원 건수가
적으며, 성장률도 18%로 낮게 나타남으로써 탄소나노튜브 관련 연구가 상
대적으로 미흡한 것으로 평가된다.
<표 3-8> 탄소나노튜브 소자 관련 유럽특허의 연도별 출원 건수
연평균
연도 95 96 97 98 99 00 01 02 03 04 05 06 합계
성장율
11 4
출원건수 2 1 1 1 13 18 11 18 38 30 148 18.20%
(35) (42)
누적건수 2 3 4 5 18 36 47 65 103 133 144 148 - -
50
출원건수
42
40 최 근 5년 간 출 원 성 장 율 38
반영 추정치
35
30
30
출원건수
20 18 18
13
11
10 11
2 1 1 1 4
0
'95 '96 '97 '98 '99 '00 '01 '02 '03 '04 '05 '06
출원연도
<그림 3-37> 탄소나노튜브 소자 관련 유럽특허의 연도별 출원 건수 추이
유럽특허의 출원국 분포를 살펴보면, 미국과 일본이 각각 47건(32%)과

46건(31%)로 1위와 2위를 차지하였으며, 다음으로 한국이 24건(16)로 3위
를 차지하였다. 이어서 프랑스와 이탈리아 등 유럽 국가들이 그 뒤를 따르
고 있다. 유럽특허에서도 유럽 국가들 보다는 미국과 일본 등 전통적 나노
기술 강국과 한국 등이 유럽 국가들보다 상위를 차지함으로써, 향후 유럽
시장에서의 각축전이 흥미롭게 전개될 것으로 예상된다.
기타, 19건,
13%
IT, 5건, 3% US, 47건,

32%
FR, 7건, 5%
유럽특허
KR, 24건, 16%
JP, 46건,
31%
<그림 3-38> 탄소나노튜브 소자 관련 유럽특허의 출원국 분포
유럽특허의 주요 출원인을 살펴보면, 일본의 소니와 한국의 삼성전자가

각각 9건을 출원하여 공동 1위를 차지하였고, 미국의 Nantero Inc와
Lucent Technologies Inc가 각각 8건으로 공동 3위, 한국의 삼성에스디
아이가 7건으로 5위에 랭크하였다. 이탈리아의 STMicroelectronics Srl이
4건으로 공동 9위를 차지함으로써 유럽국가중에서는 유일하게 10위권 내
에 진입하였다. 유럽특허에서는 상위 10위의 주요 출원인 중에 일본과 미
국이 각각 4개와 2개의 주요 출원인을 랭크시켜 강세를 나타내고 있으며,
한국도 3개나 진입하여 탄소나노튜브 소자 분야에서 선진국 지위를 확보
하고 있는 것으로 평가된다.
0 2 4 6 8 10
S O NY CO R P 9
삼성전자 9
Na n te ro, In c . 8
LUCENT T ECHNO LO G IES INC. 8
JA P A N S CIENCE &
6
T ECHNO LO G Y CO R P O R A TIO N
FUJI X ER O X CO ., LT D 6
CA NO N INC 6
S T Mic roe le c tron ic s S .r.l. 4
일진나노텍 4
<그림 3-39> 탄소나노튜브 소자 관련 유럽특허의 주요 출원인
라. IPC 동향 분석
전체 2,256건의 특허에 대하여 각 국가별로 IPC별 분포를 분석한 결과

를 <표 3-9>에 나타내었다. 전체 국가에 대하여는 H섹션(전기분야)가
1,292건으로 57%를 차지하여 가장 높은 비중을 차지하고 있으며, G섹션
(물리), C섹션(화학), B섹션(운수) 등이 뒤를 따르고 있다.
<표 3-9> 국가별 IPC별 특허건수
대표 IPC 전체국가 KR US JP EP
A:생필품 31 1 26 1 3
B:운수 239 55 99 68 17
C:화학 262 24 101 110 27
D:섬유 92 5 75 6 6
E:건설 7 5 1 1
F:기계 31 1 13 16 1
G:물리 302 32 165 79 26
H:전기 1,292 331 492 402 67
총합계 2,256 449 976 683 148
한국의 경우, 전체 449건 중 H섹션이 331건으로 74%를 차지하여 전기
전자분야에서 탄소나노튜브 소자의 응용이 압도적으로 많이 이루어지고
있는 것으로 보인다. 나노분말 등 나노구조체(B28B)를 포함하고 있는 B섹
션이 55건, G섹션이 32건 등으로 다음을 따르고 있다. D섹션(섬유)나 A섹
션(생필품) 분야는 상대적으로 적은 비중을 나타내고 있다.
미국특허에서는 H섹션이 492건(50%)으로 1위를 나타내고 있으나 상대
적으로 비중이 낮게 나타났고, 기초연구분야인 G섹션의 비중이 상대적으
로 높게 나타나고 있다.
일본특허의 경우는 H섹션의 비중이 가장 높게 나타나 한국과 마찬 가
지로 전기전자 분야에서 강세를 나타내고 있으나, 화학분야인 C섹션의 비
중이 16%로서 상당히 높게 나타났다.
유럽특허에서는 G섹션(물리)과 C섹션(화학)이 상대적으로 높게 나타나
여전히 기초연구 분야에서 강세를 나타내고 있음을 알 수 있다.
100% 31 1 26 1 3 A:생필품
239 55 68
99 17 B:운수
90%
24 C :화학
262 5
1 101 110
80% D:섬유
32 27
92 75 6
1 E :건설
7
31 16
70% 5
13 F:기계
302 79 6
1 G:물리
60% 165
출원비율
H:전기
26
50%
40%
331
30% 1292 402
492
67
20%
10%
0%
전체국가 KR US JP EP
출원국가
<그림 3-40> 국가별 IPC별 특허건수의 비중
마. 세부분야별 동향 분석
전체 특허를 광소자, 전자소자, 에너지소자 및 기계소자 등 4가지 세부

분류로 나누어 동향을 분석하였다.
<그림 3-41>에 광소자분야의 국가별 특허출원의 연도별 추이를 나타내
었다. 대체로 1999년에 일본과 한국에서부터 특허출원이 시작되었고, 최
근에는 미국에서 매우 활발히 특허출원이 이루어지고 있다.
70
60 US
출 50
JP
원 40
건 30
수 KR
20
10 EP
0
'97 '98 '99 '00 '01 '02 '03 '04 '05 '06
출원연도
<그림 3-41> 광소자 분야의 국가별 특허건수의 연도별 추이
광소자 분야의 주요출원인을 살펴보면, 삼성에스디아이와 삼성전자 등

국내 기업들은 자국은 물론 세계의 다른 주요국가에도 함께 특허를 출원하
고 있는 반면, 소니와 히다치 및 Nanotero Inc. 등은 대체로 자국을 중심
으로 특허를 출원하고 있는 것으로 판단된다.
삼 성에 스디 아이
80 S ONY C ORP
삼 성전 자
60
출 HITAC HI LTD
원
40 엘지 전 자
건
수 M ats us hita E lectric
20 Nantero, Inc.
일 진나 노 텍
0
KR
US
JP
EP
출원연도
<그림 3-42> 광소자 분야의 국가별 주요출원인
<그림 3-43>에 전자소자 분야의 국가별 특허출원의 연도별 추이를 나

타내었다. 2000년 부터 본격적인 특허출원이 이루어지고 있으며, 최근 들
어서는 미국을 중심으로 매우 큰 성장세를 나타내고 있다.
120
100
출 80 US
원
60 JP
건
수 40
KR
20
EP
0
'92 '93 '95 '96 '97 '98 '99 '00 '01 '02 '03 '04 '05 '06
출원연도
<그림 3-43> 전자소자 분야의 국가별 특허건수의 연도별 추이
Nantero, Inc.
50 IBM
40 삼성에스디아이
출 FUJI X EROX CO., LTD
원 30
삼성전자
건
20 SONY CORP
수
10 HITACHI LTD
M ats us hita Electric
0
KR
US
JP
EP
출원연도
<그림 3-44> 전자소자 분야의 국가별 주요출원인
전자소자 분야에서 주요출원인의 현황을 살펴보면, Nantero Inc.는 많

은 특허를 미국에서만 집중적으로 출원하고 있으며, Fuji Xerox, Hitachi
및 Matsushita Electric 등 주요 일본 기업들은 한국에서 특허출원을 하
지 않고 있다. 한국의 삼성에스디아이와 삼성전자는 이 분야에서도 주요출
원인으로서 세계 각국에 특허를 출원하고 있다.
100
80
US
출
원 60
JP
건
40
수 KR
20
EP
0
'95 '96 '97 '98 '99 '00 '01 '02 '03 '04 '05 '06
출원연도
<그림 3-45> 에너지소자 분야의 국가별 특허건수의 연도별 추이
에너지소자 분야의 국가별 특허출원의 연도별 추이를 <그림 3-45>에
나타내었으며, 일본과 한국에서 먼저 특허출원이 이루어졌으며, 최근까지
도 이들 두 나라에서 상대적 강세를 유지하고 있다.
에너지소자 분야에서 주요출원인으로는 삼성에스디아이와 엘지전자 및
삼성전자 등 한국의 대기업들이 강세를 나타내고 있으며, 소니와 마쯔시다
전기 및 후지제록스 등 일본의 대기업들이 자국 특허출원을 중심으로 다음
을 따르고 있다.
삼성에스디아이
60 엘지전자
50 삼성전자
출 40
원 SONY CORP
건 30 M atsushita Electric
수 20
FUJI XEROX CO., LTD
10
Nantero, Inc.
0
KR
US
JP
EP
출원연도
<그림 3-46> 에너지소자 분야의 국가별 주요출원인
기계소자 분야의 국가별 특허출원의 연도별 추이를 <그림 3-47>에 나

타내었으며, 미국이 가장 많은 특허건수를 보이고 있으나, 최근에는 한국
에서도 강세를 나타내고 있다. 반면, 유럽에서는 특허 출원이 미미하게 이
루어지고 있음을 알 수 있다.
10
US
8
출
6 JP
원
건
4 KR
수
2
EP
0
'97 '98 '99 '00 '01 '02 '03 '04 '05 '06
출원연도
<그림 3-47> 기계소자 분야의 국가별 특허건수의 연도별 추이
기계소자 분야에서 주요출원인으로는 개인출원인인 Nakayama Yoshikazu

가 일본과 미국에서 강세를 나타내고 있으며, Daiken Chemical과 JST는
여러 국가에 고른 출원 경향을 보이고 있으며, 한국의 삼성전자와 포항공
대도 상위권에 랭크되어 있다.
NA KA Y A MA Y O S HIKA Z U
6 Da ike n Ch e mic al
5 삼성전자
출 4
원 JA P A N S &T CO R P
건 3 Ca liforn ia In s titu te of
Te c h n ology
수 2
UMK Te c h n ologie s
1
포항공과대학교
0
KR
US
JP
EP
출원연도
<그림 3-48> 기계소자 분야의 국가별 주요출원인
제4 장
산업시장 동향 및 전망
1. 시장 동향
탄소나노튜브를 통해 가치가 창출될 수 있는 구조를 <그림 4-1>에 나

타내었으며, 이를 보면 응용되는 주요 분야로서 디스플레이, 메모리 칩,
복합재료, 나노센서, 현미경 팁 및 연료전지 분야가 있다.
디스플레이 분야에서는 텔레비전, 컴퓨터 모니터, 국방장비 등에서 활
용되어 가치가 창출될 것으로 보이며, 특히 전계방출 디스플레이(field
emission display) 소자로서 활용이 기대된다. 삼성이나 히다치, 소니에
의해 제작된 밝고 얇고 효율적인 디스플레이가 전통적인 텔레비전과 컴퓨
터 모니터를 대체할 가능성이 있다.
메모리 칩 분야에서는 컴퓨터, 가전제품 및 국방장비에서 활용이 가능
하다. 탄소나노튜브로 제작된 전자회로는 크기가 매우 작고 전자기적 성질
을 조절할 수 있으며 낮은 전력에서 빠르게 작동할 수 있는 등 중요한 장
점들을 보유하고 있기 때문에 나노크기의 회로 제작을 위한 중요한 소재가
될 전망이다. 미국 massachusetts의 신진 기업인 Nantero는 나노튜브를
기반으로 하는 비휘발성 메모리(NRAM)를 개발하고 있고, IBM은 단일 나
노튜브들로 진전된 회로를 제작하는 연구를 진행하고 있다.
복합재료 분야에서는 자동차, 항공기 및 스포츠 장비 등에서 활용이 가
능하다. 나노튜브는 탄소섬유에서 나타나는 재료의 성능저하와 같은 부작
제4장 산업시장 동향 및 전망 79
용이 없이 재료의 전도도와 강도를 향상시킬 수 있다. 정전기 발생을 억제
할 수 있는 전도성 부품을 만들기 위해 Hyperion Catalysys는 GM 자동차
의 플라스틱 부품에 다중벽 탄소나노튜브를 첨가하였다.
텔레비전
컴퓨터 모니터
디스플레이
군사장비
기타
컴퓨터
가전제품
메모리 칩
군사장비
기타
자동차
항공기
탄소나노튜브 복합재료
스포츠 장비
기타
나노센서 독립형 센서
현미경 팁 주사탐침현미경
휴대형 전자제품
연료전지
자동차용
<그림 4-1> CNT의 가치사슬 구조
나노센서 분야에서는 독립형 센서로 유용하게 활용될 것으로 보인다.
전자는 탄소나노튜브의 표면을 따라 움직이기 때문에 이를 통해 나노튜브
가 저전력에서 동작할 수 있는 극단적으로 민감한 센서를 만드는데 활용될
수 있을 것으로 전망된다. Stanford 대학의 Hongjie Die는 탄소나노튜브
를 기반으로 한 다양한 기체들과 생체분자에 대한 센서를 연구하고 있고,
California Bayarea가 시작한 Nanomix는 유사한 기술의 상업화를 추진
하고 있다.
현미경 팁 분야에서는 특히 주사탐침현미경(SPM)에 활용이 기대되며,
특히 Rice 대학의 Richard Smally 그룹과 Harvard 대학의 Charls Lieber
는 주사터널링현미경(STM) 뿐만 아니라 원자힘현미경(AFM)에도 탄소나
노튜브를 탐침에 부착하여 사용한 바 있다.
그 밖에 연료전지 분야에서는 휴대용 전자제품과 자동차 등에 활용될
것으로 전망된다.
2. 시장 전망
미국의 Lux Research는 탄소나노튜브의 2005년도 시장 규모를 4천3

백만 달러로 추정하였으며, 향후 2010년까지 44%의 연간 성장률을 유지
할 것으로 전망하고 있다.1)
일본의 후지케자이는 시장상황에 대해 2005년에는 샘플공급을 위주로
하여 55톤, 65엑엔 규모의 시장이 형성된 것으로 산정하였다. 2005년에는
연구개발을 향한 수요가 일단락 된 것으로 평가하였으며, 2010년까지는
유망한 응용분야의 조기산업화에 의해 시장진입이 본격화 될 것으로 전망
하여, 시장규모가 2010년에는 100억엔으로, 2015년에는 200억엔으로 성
장할 것으로 예측하였다. 또한, 2010년경에는 전기이중층 캐패시터, 연료
1) the Nanotech Report 4th edition, Lux Research Inc., 2006
전지, 색소증감형 태양전지 등의 에너지소자분야가 부각될 것이며, 2020
년경에는 반도체에 탄소나노튜브 배선기술을 적용한 시장이 확대될 것으
로 전망하였다.2)
BCC Inc.는 나노튜브의 세계시장 규모를 2006년에 2억4,280만 달러이
며 2010년에는 8억 7,710 달러로 증가할 것으로 예측하였으며, 한국의 시
장 규모를 2006년에 2,480만 달러로, 2010년에는 1억 2,500만 달러로 전
망하였다.3)
<표 4-1> 탄소나노튜브의 시장 규모

(단위 : $MM)
연도 2005 2006 2007 2008 2009 2010

탄소나노튜브 $147.1 $242.8 $334.6 $458.9 $643.4 $877.1
세계 ․단일벽 CNT $11.2 $18.7 $26.6 $37.0 $46.0 $56.2

시장 ․다중벽 CNT $129.3 $213.9 $295.9 $408.5 $583.3 $806.0
․이중벽 CNT $6.6 $10.2 $12.2 $13.5 $14.0 $14.8
탄소나노튜브 $15.4 $24.8 $36.7 $57.1 $87.7 $125.0
한국 ․단일벽 CNT $1.4 $2.3 $3.8 $5.6 $7.8 $9.5

시장 ․다중벽 CNT $13.1 $21.2 $31.2 $49.6 $78.0 $113.7
․이중벽 CNT $0.9 $1.3 $1.7 $1.9 $1.9 $1.8
국내 업계에서도 탄소나노튜브를 이용한 소자분야의 응용이 활발히 전

개되고 있다. 삼성 SDI는 스크린프린팅 기법으로 탄소나노튜브를 전자총
으로 사용하는 7인치 FED를 개발해 2001년에 일본 오사카에서 열린 심포
지엄에서 선보인 바 있고, 현재에는 32인치 FED를 개발하였다.
2) 2006 나노테크놀로지 관련시장의 현황과 장래전망, 후지케자이, 2006

3) Nanomaterials-Markets, Applications & Opportunities: 2006-2011 Analysis
and Forecasts, Dedalus Consulting Inc., 2006
<그림 4-2> 32인치 3극형 탄소나노튜브 전계방출 디스플레이 패널의 동작 모양 (삼성 SDI)
한국과학기술연구원(KIST)와 일진나노텍은 2002년부터 공동으로 탄소나

노튜브를 이용한 평면형 광원을 연구해 오고 있으며, (주)새한에서는 2년간의
연구를 진행한 후, 나노퍼시픽을 창업하여 총 3년간의 연구개발의 결과로 스
크린프린팅법으로 최근 4.5인치 및 5.7인치 CNT 평면 광원의 프로토타입을
시제작하는데 성공하여 최대 20,000 cd/m2의 발현휘도를 보였다.4)
<그림 4-3> 평면형 광원의 구조 및 동작 모양 (KIST & 일진나노텍)
4) 나노소재를 이용한 전자소자, 박정원, 한국과학기술정보연구원, 2007.1
<그림 4-4> 5.7인치 CNT 평면광원의 프로토타입 광원 발광 사진 (나노퍼시픽)
탄소나노튜브 분야의 세계 주요 기업을 <표 4-2>에 나타내었다. 주로

미국의 회사들이 시장을 주도적으로 개척하고 높은 점유율을 차지하고 있
으나, 최근 중국을 비롯한 아시아의 기업들이 큰 상승세를 나타내고 있다.
<표 4-2> 탄소나노튜브 관련 주요 기업
기업명 국가 특징
Carbon
Rice대학으로부터 HiPco 공정에 대한 라이센스를 획
Nanotechnologies 미국
득. 단일벽, 이중벽, 삼중벽 탄소나노튜브 공급에 집중
Inc.
Hyperion
원천 다중벽나노튜브 제조업체로서, 복합물 응용을 위
Catalysis 미국
한 고분자와 선혼합된 다중벽 나노튜브를 개발
International
Shenzhen
중국 아시아에서 가장 큰 탄소나노튜브 제조업체
Nanotech Port Co.
단일벽 나노튜브와 이중벽 나노튜브 뿐만 아니라 다중
Nanocyl 벨기에 벽 나토튜브를 산업 수준으로 생산하는 유럽의 대표적
기업
Sigma-Aldrich를 통해 단일벽 나노튜브를 그램 단위
Carbolex 미국
로 판매
탄소나노튜브 시장을 확대할 수 있는 중요 요인으로서 우선 고성능 재료
에 대한 수요를 들 수 있다. 자동차 및 항공우주 산업에서 보다 저가이면서도
고강도, 고성능의 재료에 대한 수요가 꾸준히 증가할 것이며, 탄소나노튜브
복합재료가 이를 충족시켜 줄 것으로 기대된다. 다음으로 정보통신 분야에서
나노튜브로 동작하는 메모리칩은 저전력 소비와 낮은 비휘발성과 높은 저장
밀도를 제공하며 현재보다 1,000배 이상 빠른 속도의 프로세서를 제공할 수
있을 것으로 기대된다. 또한, 시계, 휴대전화, 컴퓨터 및 텔레비전에 시용되
는 디스플레이의 시장의 폭발적 증가에 따라 나노튜브를 적용하여 더 얇고
가벼우면서도 고선명도를 유지하여 시장을 주도할 것으로 전망된다.
그러나, 탄소나노튜브의 시장적 적용을 위해서 해결되어야 할 중요한
문제가 있다. 탄소나노튜브의 나노튜브의 길이, 전도성 및 두께의 조절 또
는 단일벽과 다중벽의 조절 등 물성에 대한 조절이 매우 힘들다는 것이 그
하나이다. 또 하나는 어려운 합성에 따른 제조비용이 너무 높다는 것이다.
나아가 다량으로 응용이 기대되는 복합재료로 활용하기 위해 필수적으로
요구되는 분산에 대한 문제가 시급히 해결되어야 할 과제이다.
향후 탄소나노튜브의 시장에 대한 거시적 동향을 살펴보면, 우선 Hyperion
의 특허가 만료됨에 따라 다중벽 탄소나노튜브 제조사가 크게 늘어날 것으
로 전망된다. 이에 따라 많은 기업들이 탄소나노튜브 복합재료 시장에 뛰
어 들 것으로 예상된다. Frontier Carbon 사는 연간 40톤을 생산할 수 있
는 풀러렌 공장을 단중벽 탄소나노튜브 생산 공정으로 변환할 것으로 예상
된다. 독일의 Bayer나 프랑스의 Arkema도 다중벽 탄소나노튜브의 생산
량을 늘리고 있다. 많은 개발자들은 탄소나노튜브를 이용하여 전계방출 디
스플레이가 2008년경에 시장에 진출할 수 있을 것으로 보고 이에 대한 개
발 경쟁이 치열하게 전개되고 있다. 또한, Nantero사는 LSI Logic과 함께
NRAM의 상업적 생산을 추진하고 있다. 전체적으로 많은 기업과 개발자들
은 탄소나노튜브를 전자소자로의 응용을 연구하고 있으며, 이를 상업적인
소자로 전환하기 위한 노력과 투자를 적극 진행하고 있다.
제5장
결 론
1. 전망
가. 탄소나노튜브 전자소자 기술
국내 산업이 1,000억 달러 이상에 달하는 반도체 시장에서의 지속적인

우위를 점하기 위해서 실리콘기술의 대안에 관한 연구는 필수적이고, 탄소
나노튜브 전자소자기술이 강력한 후보 중 하나인 것은 분명하다. 하지만 본
기술이 성숙되기 위해서는 탄소나노튜브의 성장기술 즉, 위치, 밀도, 방향,
Chirality 등에 관한 기술이 충분히 개발되어야 하는 난제가 있다. 따라서
현재까지는 이러한 기술적 문제의 해결과 다양한 형태의 응용구조가 제안
되는 수준으로 주도적인 기술적 추이가 정해지지 않고 있다. 본 분야의 기
술이 성숙되기 위해서는 10년 정도가 걸릴 것으로 전망된다.
하지만 나노튜브전자소자, 특히 집적화를 포함하는 트랜지스터, 배선
기술은 탄소나노튜브 소자 전 분야에 활용이 되는 공통 기반 기술로서, 본
기술의 발전이 다양한 소자의 실용화 기술을 앞당기는 핵심기술이 될 것으
로 전망된다.
나. 탄소나노튜브 광소자 기술
광 반도체 분야의 시장 규모는 현재에도 비교적 크고 앞으로도 세계적
제5장 결 론 87
인 IT기술혁신의 조류에 따라 광통신 디바이스·광 반도체 디바이스의 시
장규모는 확대될 것으로 예상된다. 탄소나노튜브의 광소자 응용기술은 현
재 매우 초창기의 개념 도출 상태로 앞으로도 장기간에 걸쳐 실용화보다는
기초연구가 우선적으로 진행될 것으로 전망된다.
가장 실용화에 근접한 것으로 알려진 탄소나노튜브를 이용한 FED 기술
은 팁 형상의 기존 FED소자에 에미터로 금속 팁 형태에서 탄소나노튜브로
대체되는 기술로 균일한 전자방출이나, 전자방출 효율을 향상시키기 위한
개량연구를 통해 수년내에 대면적 디스플레이로서 상용화기술이 확보될
것으로 전망된다. 대면적화 기술로 인쇄법에 의한 전자 방출원 형성기술이
하나의 대안으로 대두되고 있으며, 디스플레이 산업을 주도하고 있는 한국
과 일본 기업을 중심으로 제품개발 형태의 연구가 진행될 것이다.
탄소나노튜브 소자를 응용한 광원기술로 가장 실용화 가능성이 높은 분
야가 전계방출 디스플레이 소자와 기본 원리와 구조가 유사한 탄소나노튜
브를 이용한 LCD 백라이트 기술로 수 년내 제품화가 가능한 유력기술로
예측되며 기술 개발이 활발히 진행되고 있다. 그 외에 X-ray Generation
기술은 현재 FED와 유사한 응용기술 분야로 나노전자 방출원에 대한 기초
연구가 진행될 전망이다.
다. 탄소나노튜브 센서 기술
기술 예측 기관인 NanoMarket의 2005년 보고서 (Nanosensors: A

Market Opportunity Analysis)에 따르면 탄소나노튜브를 이용한 센서의
2012년의 시장규모를 14억 달러로 예측하고 있다. 본 기술은 탄소나노튜
브의 전기적, 화학적 성질을 이용하여 여러 가지 기술분야에서 다양한 센
서를 구현하는 것으로 그 응용의 다양성을 특징으로 한다. 이러한 특징으
로 인해 소규모와 다양성이 트랜드가 될 것이며, 가스나 액체, 생체분자,
미세한 기계적 움직임, 열, 광, 전기장 혹은 자기장, 방사능 등을 검출할
목적으로 탄소나노튜브의 적절한 기능화에 관한 기초 연구와 이의 실용화
소자로의 발전이 새로운 센서 개발로 이어질 전망이다.
라. 탄소나노튜브 에너지소자 기술
탄소나노튜브의 에너지 분야 응용기술로는 연료전지용 수소저장 기술

이 산업화에 파급효과가 가장 클 것으로 예상된다. 탄소나노튜브는 무게가
가벼울 뿐만 아니라 튜브 내에 수소를 저장할 수 있는 공간이 많아서 단위
질량 당 전하저장 능력을 높일 수 있다. 하지만 탄소나노튜브의 수소저장
기술이 아직 개념정립의 단계이며 향후 많은 연구가 필요한 분야이고, 연
료전지 분야 자체가 현재까지 미완성 기술인 점을 감안하면 본 기술의 실
용화까지는 꽤 많은 시간이 필요할 것으로 전망된다. 그러나 대체 에너지의
중요성을 고려할 때 본 연구는 향후 전략적으로 활성화될 가능성이 많다.
한편 탄소나노튜브의 또 다른 에너지 응용기술로 담체/전극기술이 있
다. 즉 탄소나노튜브의 구조적 특성을 이용하여 촉매의 밀도를 증가시켜
다량의 수소를 발생시키는 것으로 연료전지와 2차전지에 적용이 가능할
것으로 예상된다. 본 분야의 기술 수준 역시 기초 연구단계의 아이디어나
가능성이 제한된 기술영역에서 제안된 단계이며, 2000년도부터 관련특허
들이 나타나기 시작하고 있다.
마. 탄소나노튜브 기계소자 기술
탄소나노튜브의 Mechatronics 응용분야 중에서는 나노탐침기술이 현

재 가장 활발하게 연구가 수행되는 분야이다. 이는 나노 스케일의 가공기
술을 나노탐침를 이용하여 수행하거나, 원자 현미경용 probe 와 같은 측
정기술에 이미 적용되어 많은 성과를 거둔 분야이기도 하다.
한편 리소그래피 혹은 대용량 저장 장치에 응용가능성이 제시되어 그
응용분야가 확장될 전망이다. 저장장치용으로 접근은 기존의 저장장치의
제5장 결 론 89
한계를 넘을 수 있는 새로운 접근방법으로 새롭게 관심이 집중되고 있으
며, 근접장광용 나노탐침 기술을 이용하여 광메모리의 정보 기록 재생 방
식에 대한 개발, 혹은 탄소나노튜브의 기계적 특성과 전기특성을 융합한
비 휘발성 메모리 소자의 개발 등이 진행되고 있다.
바. 탄소나노튜브 복합재료 기술
탄소나노튜브는 분자구조에 따라 도체-반도체특성을 나타낼 수 있는

선택적인 전기전도도, 우수한 열전도도 등의 전도 특성과 넓은 비표면적을
갖고 있으며, 이를 이용한 화학적 촉매의 지지체 등 전자소재, 방열소재,
디스플레이 소재, 전극소재 등에 관한 다양한 연구가 수행되고 있고, 이를
산업화에 연결하는 시도가 활성화되어 기술이 확대될 것으로 전망된다. 기
술의 특성상 기본적인 조성 및 개념 연구가 광범위하게 이루어져야 하며
산업화 관점에서는 구체 기술별로 원천기술 및 적용하고자 하는 세부기술
에 대한 조사가 선행되어야 하며, 또한 기술개발 방향은 세부 요소기술별
로 접근하여 정확한 효과 및 기능, 용도를 염두에 둔 정교한 개발전략이
요구된다.
탄소나노튜브의 자체의 대량 수요로 결부될 가능성이 기대되는 분야는
고성능 복합재료로, 특히 고분자 복합재료 형태로 우수한 강성 및 강도를
가진 재료의 출현이 전망되며, 향후 항공기용 재료로의 응용과 기존의 세
라믹 재료, 금속, 수퍼 엔지니어링 플라스틱을 대체하는 경량 재료로 그
개발 및 응용이 예상된다.
2. 파급효과
전기전자산업이 한국의 주요 산업 분야인 실정에서 탄소나노튜브 소자

분야는 기술적 완성도에 대한 불확실성에도 불구하고 제조업 중심의 미세
화와 정밀화의 추구가 국가 경쟁력을 높이기 위한 필수조건으로, 전통산업
의 국제 경쟁력 확대에 기여할 중요 후보기술의 하나이다. 한편 완전히 새
로운 기능을 도출해 내는 불연속적인 혁신을 가져오는 기술적 요구에 직면
한 금세기 시장 환경의 변화와 함께 국내 산업이 세계를 주도해 갈 수 있
는 중요 기술 분야이기도 하다.
경제 ․ 산업적 측면에서 탄소나노튜브 전자소자 개발의 성공은 21세기에
서도 국내 메모리 산업의 세계적인 리더십을 계속 유지할 수 있을 뿐만 아
니라 반도체 산업전반과 기능소자 산업전반에 걸쳐 그 파급효과가 매우 크
다. 즉, 새로운 정보 전자 소자로의 신규 분자 소자 시장의 창출과 기존 메
모리 시장의 대체효과를 예측할 수 있다. 또한 탄소나노튜브 소자기술은
센서, 액추에이터 등의 나노소자에 곧바로 적용될 수 있으며 탄소나노튜브
의 적용이 예상되는 2차전지, 수소저장, 디스플레이 등에 응용하여 기존의
여러 전자 제품의 고부가가치화에 활용될 수 있다. 새로운 기술의 개발과
그에 따르는 신규산업의 창출로 고용창출 효과뿐 아니라 급변하는 세계 기
술 경쟁에서 우위를 선점할 수 있을 것이다.
한편 사회 ․ 문화적 측면에서 탄소나노튜브 소자분야는 초고속, 초절전
형인 포켓형 초미니 수퍼컴퓨터 및 유비쿼터스 컴퓨터 산업을 창출할 것이
며, 인공지능 로봇의 등장 등으로 사회, 문화적인 삶을 풍요롭게 할 수 있
을 것이다.
제5장 결 론 91
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ISBN 978-89-5884-865-3 93500
탄소나노튜브 소자 기술
2006년 12월 26일 인쇄
2006년 12월 29일 발행
발행처
서울특별시 동대문구 청량리동 206-9

󰂕 130-742
전화 : 3299-6114
등록: 1991년 2월 12일 제5-258호
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양병태
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단일겹 탄소나노튜브소자의 제작과 어레이를 위한 집적화 공정에서 개

기판 분자막 패터닝 탄소나노튜브

<그림 2-7> 자기조립법을 이용한 탄소나노튜브 대량 조립 기술의 개념

<그림 2-8> PR/Catalyst mixture를 이용한 위치제어 공정도

<그림 2-9> PR/Catalyst mixture를 이용한 나노튜브 위치제어 성장 [99]

CNT CNT growth

<그림 2-10> 식각 표준공정 적용 개별 단일겹 탄소나노튜브 위치제어 방법

Catalyst DSC Residual Mass

이상은 대면적 기판에 소자를 제작하기 적합한 기술로, 현재의 기술 수

(1) 나노전자소자의 필요성

나노전자소자는 1nm~100nm(1nm는 10억분의 1m)크기의 재료로 전자

’04 ’06 ’08 ’10 ’12 ’14 ’18

MPU physical gate 37 28 22 18 14 11 7

Classical CMOS Simple

ρ> 106 (A/cm2)

<그림 2-12> 기술개발 기준으로 예측된 트랜지스터 기술로드맵

전통적인 실리콘계 전자소자의 집적화 추세뿐 아니라 21세기 정보 통신

라. 탄소나노튜브 전자소자 기술동향

(1) 탄소나노튜브 트랜지스터를 이용한 전자회로

상온에서 탄소나노튜브를 이용한 FET(Field Effect Transistor)는

1998년 네덜란드의 데커(Dekker) 그룹에 의해 최초로 시연된 이후 실리콘

<그림 2-14> 탄소나노튜브 트랜지스터를 이용한 인버터회로 [58]

트랜지스터의 채널(Channel)이 작아지게 되면 캐리어(Carrier : 전자

탄소나노튜브의 광소자응용은 문턱전압이상의 전압을 인가하여 탄소나

<그림 2-17> 탄소나노튜브를 이용한 발광소자 [103]

탄소나노튜브의 전자소자 응용기술에 있어 근본적인 장벽은 반도체성

<그림 2-18> 탄소나노튜브 박막트랜지스터와 전기특성해석 [104]

(4) 기타 탄소나노튜브 소자 응용기술

탄소나노튜브의 응용기술 후보 중 전자소자나 광소자와 같이 산업적으

(1) 산업계의 연구동향

대기업 중심의 탄소나노튜브 소자 연구는 일반적으로 전자소자의 구현

탄소나노튜브는 1991년 일본의 Iijima에 의해 처음 발견된 이후 15년간

국내의 대표적인 탄소나노튜브 전자소자 연구는 21세기 Frontier 연구

특허등록에서 나타난 기술의 흐름은 <그림 2-20>과 같이 요약될 수 있

1985 1991 1992 1993 1995 1997 1998 1999 2000