Professional Documents
Culture Documents
EE2003 Lecture 03
EE2003 Lecture 03
Lecture 3
Chương 1: Vectơ và trường (cont…)
1
1.2.1. Các đại lượng đặc trưng
2
a-i) Điện tích & phân bố điện tích
600 BC: Miletos phát hiện khi cọ xát “elektron” (hổ phách) với
quần áo bằng lông thú có thể hút được các mảnh rơm hoặc
lông chim. Đây là một bí ẩn suốt 2000 năm sau đó.
EEElectromagnetics
2015 : Signals &Field
Systems
Tran
TranQuang
QuangViet
Viet–– FEEE
FEEE -– HCMUT
HCMUT
dV
dq
ρS = (C/m 2 )
dS
dq
ρ = (C/m) d q= ρ s dS (C)
d S
q= ρ d (C) q
L
EEElectromagnetics
2015 : Signals &Field
Systems
Tran
TranQuang
QuangViet
Viet–– FEEE
FEEE -– HCMUT
HCMUT
3
a-ii) Dòng điện & phân bố của dòng điện
EEElectromagnetics
2015 : Signals &Field
Systems
Tran
TranQuang
QuangViet
Viet–– FEEE
FEEE -– HCMUT
HCMUT
dI
J= a n (A/ m ) I= S JdS (A)
2
dS
I (A)
EEElectromagnetics
2015 : Signals &Field
Systems
Tran
TranQuang
QuangViet
Viet–– FEEE
FEEE -– HCMUT
HCMUT
4
b) Các đại lượng đặc trưng cho trường điện từ
F=qE qv B
(N/Am) Trường từ
(N/C) Trường điện Vector MĐ thông lượng từ
Vector CĐ trường điện Vector cảm ứng từ
(V/m) (Wb/m2) or Tesla (T)
EEElectromagnetics
2015 : Signals &Field
Systems
Tran
TranQuang
QuangViet
Viet–– FEEE
FEEE -– HCMUT
HCMUT
5
c-i) Phân cực điện môi
d
Dipole điện: p =Qd (Cm) -Q - + Q
1 NV
Vectơ phân cực điện: P= lim
V 0 V
k=1
p k =Np (C / m 2 )
EEElectromagnetics
2015 : Signals &Field
Systems
Tran
TranQuang
QuangViet
Viet–– FEEE
FEEE -– HCMUT
HCMUT
EEElectromagnetics
2015 : Signals &Field
Systems
Tran
TranQuang
QuangViet
Viet–– FEEE
FEEE -– HCMUT
HCMUT
6
c-ii) Dẫn điện trong môi trường dẫn
Định luật Ohm : J= E
Trong đó là đại lượng đặc trưng cho môi trường dẫn:
Moment từ (dipole từ): m=IdS
1 NV A
Vectơ phân cực từ: M= lim
V 0 V
k=1
m k =Nm
m
Vectơ cường độ trường từ: H B / 0 M (A/m)
EEElectromagnetics
2015 : Signals &Field
Systems
Tran
TranQuang
QuangViet
Viet–– FEEE
FEEE -– HCMUT
HCMUT
7
c-iii) Phân cực từ trong từ môi
0=4x107(H/m): hằng số từ
m : độ cảm từ của môi trường
r=1+m : độ thẩm từ tương đối
=r0 : độ thẩm từ (H/m)
EEElectromagnetics
2015 : Signals &Field
Systems
Tran
TranQuang
QuangViet
Viet–– FEEE
FEEE -– HCMUT
HCMUT
Mật độ
Thông Tổng điện nguồn Mật độ
lượng điện tích tự do trong V điện tích
thoát ra chứa trong khối
khỏi mặt V giới hạn
kín S bởi S
EEElectromagnetics
2015 : Signals &Field
Systems
Tran
TranQuang
QuangViet
Viet–– FEEE
FEEE -– HCMUT
HCMUT
8
1.2.2. Hệ phương trình Maxwell
EEElectromagnetics
2015 : Signals &Field
Systems
Tran
TranQuang
QuangViet
Viet–– FEEE
FEEE -– HCMUT
HCMUT
9
1.2.2. Hệ phương trình Maxwell
*
Vectơ cường độ trường từ (A/m)
C
Hd =I
Liên tục
rotH=J
EEElectromagnetics
2015 : Signals &Field
Systems
Tran
TranQuang
QuangViet
Viet–– FEEE
FEEE -– HCMUT
HCMUT
ρ V
dq*
S JdS= dt Liên tục
divJ=
t
Cường độ Mật độ
Tốc độ nguồn vô Tốc độ tăng
dòng dẫn
tăng của hướng của mật độ
chảy ra khỏi
đ/tích trong V điện tích
mặt kín S
trong V trong V
EEElectromagnetics
2015 : Signals &Field
Systems
Tran
TranQuang
QuangViet
Viet–– FEEE
FEEE -– HCMUT
HCMUT
10
1.2.2. Hệ phương trình Maxwell
ρ D
divJ= V div(J+ )=0
t t
EEElectromagnetics
2015 : Signals &Field
Systems
Tran
TranQuang
QuangViet
Viet–– FEEE
FEEE -– HCMUT
HCMUT
D
rotH=J
t
Mật độ Mật độ Mật độ
nguồn dòng dòng
vectơ dẫn dịch
EEElectromagnetics
2015 : Signals &Field
Systems
Tran
TranQuang
QuangViet
Viet–– FEEE
FEEE -– HCMUT
HCMUT
11
1.2.2. Hệ phương trình Maxwell
4 PT Maxwell (HPTMaxwell):
D
rotH=J (1)
t
B
rotE= (2)
t
divD=ρ v (3)
divB=0 (4)
EEElectromagnetics
2015 : Signals &Field
Systems
Tran
TranQuang
QuangViet
Viet–– FEEE
FEEE -– HCMUT
HCMUT
Quy ước:
a n : 2 1
a s =a n ×a t
EEElectromagnetics
2015 : Signals &Field
Systems
Tran
TranQuang
QuangViet
Viet–– FEEE
FEEE -– HCMUT
HCMUT
12
1.2.3. Các điều kiện biên
divD V
Liên tục S DdS= q Trên biên
divB =0
S BdS=0
dq
divJ V
t JdS=- dt
S
an
D1 -D2 = s
an
B1 -B 2 =0
an -J = - t
J1 2
s
EEElectromagnetics
2015 : Signals &Field
Systems
Tran
TranQuang
QuangViet
Viet–– FEEE
FEEE -– HCMUT
HCMUT
Liên tục
D Trên biên
C Hd= S (J+ t )dS
d
C Ed =-
dt S
( B dS )
D
rot H =J+
t an H H J
1 2 S H1t -H 2t =J S
B
rot E =-
t
an E E 0
1 2
E1t -E 2t =0
EEElectromagnetics
2015 : Signals &Field
Systems
Tran
TranQuang
QuangViet
Viet–– FEEE
FEEE -– HCMUT
HCMUT
13
1.2.4. Mô hình toán của trường điện từ
D
rotH=J+ (1) a n [H1 H 2 ]=J s
t
B a n [E1 E 2 ]=0
rotE=
t
(2)
a n [D1 D 2 ]= s
divD=ρ V
(3)
divB=0 (4) a n [B1 B2 ]=0
s
divJ= v a n [ J 1 J 2 ]=
t t
D E, B H, J E
EEElectromagnetics
2015 : Signals &Field
Systems
Tran
TranQuang
QuangViet
Viet–– FEEE
FEEE -– HCMUT
HCMUT
14
1.3. Định lý Poynting
Định nghĩa vectơ Poynting: P E H (W/m 2 )
( còn gọi là vectơ mật độ dòng công suất điện từ)
Công suất điện từ: PEM P dS (W)
S
( để PEM dương cần chọn P và dS cùng chiều)
Xét CSĐT gửi vào trong V giới hạn bởi mặt kín S:
PEM PdS (W)
S
EEElectromagnetics
2015 : Signals &Field
Systems
Tran
TranQuang
QuangViet
Viet–– FEEE
FEEE -– HCMUT
HCMUT
Áp dụng ĐL Divergence:
PEM divPdV
V
Trong đó: divP div(E H) HrotE ErotH
B D 1 1
divP H JE E HB JE ED
t t t 2 t 2
Nên:
V
d
PEM JEdV
dt V
1
2 ED+ 12 HB dV
dWem
PEM Pd
dt
( Định lý Poynting/ĐL BT&CHNL đối với trường ĐT)
EEElectromagnetics
2015 : Signals &Field
Systems
Tran
TranQuang
QuangViet
Viet–– FEEE
FEEE -– HCMUT
HCMUT
15
1.2.5. Định lý Poynting
Công suất tổn hao (nhiệt) trong V: Pd JEdV (W)
V
NLĐT tính trữ trong V: Wem 12 ED+ 12 HB dV (J)
V
NLTĐ tính trữ trong V: We
1
V 2
EDdV (J)
w e 12 ED (J/m 3 ) ( Mật độ NL trường điện)
NLTT tính trữ trong V: Wm 12 HBdV (J)
V
EEElectromagnetics
2015 : Signals &Field
Systems
Tran
TranQuang
QuangViet
Viet–– FEEE
FEEE -– HCMUT
HCMUT
16