ՄՕԿ-տրանզիստորի տոպոլոգիայի նախագծման ժամանակ անհրաժեշտ է հաշվի

առնել հետևյալ առանձնահատկությունները՝

 ակունքի և արտաբերի տիրույթների պարազիտային դիմադրությունները պետք
է լինեն որքան հնարավոր է փոքր,
 հնարավորինս նվազեցնել կառուցվածքի պարազիտային ունակությունները,
 իրար հետ զույգ կազմող տարրերը պետք է առավելագույնս համաձայնեցված
լինեն։

Նկ.8.2. ՄՕԿ-տրանզիստորի տոպոլոգիայի ձևավորման փուլերը

Համաձայն առաջին կանոնի նախագծողը պետք է հաշվի առնի, որ ակունքի և ար-

տաբերի դիֆուզային տիրույթներն ունեն որոշակի քառակուսային դիմադրություն, հե-
տևաբար, դրանց դիմադրությունը կարող է հասնել մինչև մի քանի հարյուր օհմի։
Նույնիսկ 10 մկԱ հոսանքի անցման դեպքում հնարավոր է այդ տիրույթների երկայնքով
միլիվոլտերի հասնող լարման անկում։ Պարազիտային լայնական լարման անկումների
մակարդակը զգալի նվազեցնելու համար հարկ է օգտագործել ակունքի և արտաբերի
տիրույթների բազմաթիվ կոնտակտներ, (նկ․8․2)։
Դիմադրության փոքրացման ուրիշ եղանակ է մեծ լայնությամբ տրանզիստորի
պատրաստումը։ Հոսքուղու մեծ լայնությամբ տրանզիստորներն ունեն լայնության և
երկարության հարաբերության բարձր արժեք։ Սակայն այդպիսի տրանզիստորների
կոմպակտ տոպոլոգիայի մշակումը գործնականում հնարավոր չէ։ Տոպոլոգիան կարելի է
բարելավել՝ տրանզիստորը զուգահեռ միացված սեգմենտների («մատներ, fingers») մաս-
նատման ճանապարհով։ Այսպես, մեծ լայնությամբ տրանզիստորները կարող են բա-
ժանվել ավելի փոքր տրանզիստորների և միավորվել հաջորդաբար ըստ արտաբերների
և ակունքների։ Օրինակ, հոսքուղու 20 մկմ լայնությամբ և 0,2 մկմ երկարությամբ տրան-
զիստորը համապատասխանում է հոսքուղու 5մկմ լայնությամբ և 0,2 մկմ երկարությամբ
չորս հատ տրանզիստորների զուգահեռ միացմանը (նկ.8.3)։
 Նկ.8.3. ՄՕԿ-տրանզիստորի բաժանումը սեգմենտների
Չորս սեգմենտի բաժանված տրանզիստորի տոպոլոգիայի տարբերակներից մեկի,
այսպես կոչված, սանրաձև տոպոլոգիան ցույց է տրված նկ.8.4-ի վրա։ ՄՕԿ–
տրանզիստորի սանրաձև տոպոլոգիան

Նկ.8.4. Չորս հատ սեգմենտներից բաղկացած ՄՕԿ-տրանզիստորի

սանրաձև տոպոլոգիան
ա- բաժանում չորս հատ տրանզիստորների,
բ- երկրորդ և չորրորդ տրանզիստորների հայելային շրջում,
գ- տրանզիստորների վերջնական ձևավորում։

օգտագործվում է հոսքուղու լայնության մեծ արժեքների դեպքում։ Տոպոլոգիայի

այսպիսի տարբերակն ունի տրանզիստորի երկրաչափության ամենալավ W/L հարաբե-
րությունը։

Բազմաբյուրեղ սիլիցիումի տեսակարար դիմադրությունը մի քանի անգամ ավելի

բարձր է մետաղի տեսակարար դիմադրությունից, իսկ հարթակի և բազմաբյուրեղ
սիլիցիումի միջև, մետաղի և բազմաբյուրեղ սիլիցիումի միջև պարազիտային
ունակությունները շատ անգամ ավելի մեծ են, քան պարազիտային ունակությունը
հարթակի և մետաղի միջև։ Հետևաբար, միջմիացումների համար բազմաբյուրեղ
սիլիցիումի օգտագործումը բերում է տրանզիստորի հաճախականային բնութագրերի
վատացման, եթե չի օպտիմալացվել բազմաբյուրեղ սիլիցիումի ծրագծումը։

Տիրիստորային երևույթը ԿՄՕԿ-կառուցվածքներում

Ինտեգրալ սխեմաների չափերի շարունակական փոքրացման հետևանքով չիփի

կառուցվածքում առաջանում են մի շարք նոր երևույթներ, որոնք, առաջին հերթին,
պայմանավորված են բյուրեղի ծավալում առանձին տոպոլոգիական տիրույթների փո-
խադարձ դասավորությամբ։ Այսպես, ՄՕԿ տեխնոլոգիան իր կառուցվածքում պարու-
նակում է բազմաթիվ սեփական (պարազիտային) երկբևեռ տրանզիստորներ: ԿՄՕԿ
կառուցվածքում գրպանիկների (well) և հարթակի (substrate) տիրույթների հետ այս
տրանզիստորների զուգակցումը հանգեցնում է պարազիտային քառաշերտ n-p-n-p տի-
րիստորային կառուցվածքների առաջացման և հայտնի է (latch up) անունով։ Այն
առաջանում է սնման աղբյուրի ու հողանցման դողերի միջև ևփաստորեն պայմանա-
վորված է պարազիտային p-n-p և n-p-n երկբևեռ տրանզիստորների փոխազդե-
ցությամբ։ Այսպիսի տիրիստորային կառուցվածքների գործարկումը բերում է սնման
լարման VDD և VSS կոնտակտների միջև կարճ միացման շղթայի առաջացման։
Նկ․8.15-ի վրա քառաշերտ n-p-n-p կառուցվածքը ձևավորվում է n–ՄՕԿ տրանզիստորի
ակունքով, p-հարթակով, n-գրպանիկով և p-ՄՕԿ տրանզիստորի ակունքով։ Որոշակի
պայմանների դեպքում այս քառաշերտ տիրիստորային կառուցվածքի թողարկումը
բերում է սնման լարման VDD և VSS դողերի կարճ միացման։ Հոսանքը հոսում է p-ՄՕԿ
տրանզիստորի ակունքից, որը միացված է Սնուցում VDD դողին դեպի n-ՄՕԿ տրան-
զիստորի ակունք, որը միացված է Հողանցում VSS դողին։ Երբ երկու երկբևեռ տրանզիս-
տորներից որևէ մեկը շեղվում է ուղիղ ուղղությամբ (օրինակ, գրպանիկով կամ
հարթակով հոսող հոսանքների պատճառով) և սնում է մյուս տրանզիստորի բազան,
ապա այսպիսի դրական հետադարձ կապը կտրուկ մեծացնում է հոսանքը մինչև սխե-
մայի խափանման։ Տիրիստորային երևույթը կվերանա միայն սնման լարման անջատ-
ման դեպքում: Տիրիստորային երևույթի առաջացման սխեման նայենք նկ․8․15-ում
բերված ԿՄՕԿ կառուցվածքի վրա։ Նկարի վրա Q1 տրանզիստորի էմիտերը, բազան և
կոլեկտորը ձևավորում են համապատասխանաբար р-ՄՕԿ տրանզիստորի p+ ակունքի,
n -գրպանիկի (n-well) և հարթակի տիրույթներով։ Q2 տրանզիստորի կոլեկտորը,
բազան և էմիտերը ձևավորում են համապատասխանաբար n-գրպանիկով, հարթակով
և n-ՄՕԿ տրանզիստորի ակունքով (n+)։ RW1 և RW2 ռեզիստորները ներկայացնում են
n-գրպանիկի դիմադրությունների ազդեցությունը, իսկ RS1 և RS2 ռեզիստորները`
հարթակի դիմադրության ազդեցությունը։ С1 և С2 կոնդենսատորները արտաբերների
աղքատացված տիրույթների ունակություններն են, այսինքն, տրանզիստորի արտա-
բերի և n-գրպանիկի (С1-ի համար) և հարթակի միջև (С2-ի համար)։

Նկ.8.15. ԿՄՕԿ շրջիչի լայնական հատույթը կառուցվածքում առաջացող պարազիտային երկբևեռ

տրանզիստորներով և ռեզիստորներով

Պարազիտային տիրիստորային երևույթի երևան գալու վտանգն առաջանում է

հետևյալ պայմանների կատարման դեպքում՝
 պարազիտային տիրիստորի պահման լարումը փոքր է առավելագույն սնման
լարումից, Vպ<VDD (պահման լարման դեպքում տիրիստորի ուղիղ հոսանքը բավարար է
այն բաց վիճակում պահելու համար),
  p-n-p և n-p-n երկբևեռ տրանզիստորային կառուցվածքների բազային հոսանքի
ուժեղացման գործակիցների արտադրյալը βpnpβnpn>1:
Տիրիստորային երևույթից խուսափելու համար պետք է նվազեցվեն գրպանիկի և
հարթակի դիմադրությունները։ Սրան կարելի է հասնել, օրինակ, ապահովելով
բազմաթիվ կոնտակտներ այդ տիրույթներին։
Իսկ որո՞նք են պարազիտային տիրիստորի միացումից պաշտպանության
մեթոդները։ Ընդհանուր դեպքում տիրիստորային երևույթից կարելի է խուսափել, եթե
չեն կատարվում դրա առաջացման վերևում բերված հիմնական պայմանները,
այսինքն՝ պահման լարում պետք է մեծ լինի սնման լարումից Vպ>VDD կամ էլ βpnpβnpn< 1։
Այս պայմանների կատարման համար նպատակահարմար է՝
 տիրիստորային երևույթին ենթակա տարրերը տեղադրել միմյանցից մեծ հեռավո-
րության վրա,
 սնման լարման բացասական և դրական կոնտակտները տեղադրել ակտիվ
տարրերից նվազագույն հեռավորության վրա,
 տեղադրել կրկնակի n+/p+կոնտակտները տիրիստորի հոսանքի անցման հնա-
րավոր ճանապարհի վրա սնման աղբյուրի բացասական և դրական կետերին
միացման տեղերում,
 տեղադրել պահպանական օղակները կառուցվածքների շուրջը և կառուց-
վածքների միջև, որոնք միասին կարող են առաջացնել պարազիտային տիրիստոր,
 տեղադրել p-և n-ՄՕԿ տրանզիստորները հայելային մեկը մյուսի նկատմամբ,
 փոքրացնել դեպի հարթակ ինժեկտվող հոսանքները։
Մուտք/ելք հանգույցները տիրիստորային երևույթից պաշտպանելու համար, որպես
կանոն, պարազիտային տիրիստոր առաջացնող կառուցվածքները շրջապատվում են
կրկնակի պաշտպանիչ օղակներով։ Ներքին բլոկների պաշտպանության համար օգտա-
գործվում են տեխնոլոգիական մեթոդներ և տոպոլագիայի կառուցման հատուկ
կանոններ։
Տոպոլոգիայի նախագծման ժամանակ անհրաժեշտ է հետևել և պահպանել
բացասական կամ դրական սնման կոնտակտից մինչև ակտիվ տարրի սահմանը եղած
թույլատրելի հեռավորությանը ներկայացվող պահանջները, ինչը նշվում է ԻՍ-եր
արտադրողների տոպոլոգիական նախագծային կանոններում և կանխում է պարազի-
տային տիրիստորի հնարավոր գործարկումը։

ՄՕԿ-տրանզիստորների միացման և համաձայնեցման մեթոդները

ՔննարկենքՄՕԿ տրանզիստորների հիման վրա տրամաբանական փականների

տոպոլոգիական իրականացման որոշ առանձնահատկությունները։
ՄՕԿ-տրանզիստորների համաձայնեցումը։ Համաձայնեցված տրանզիստորները
լայնորեն օգտագործվում են ինչպես անալոգային, այնպես էլ թվային ԿՄՕԿ
սխեմաներում։ Մասնավորապես, անալոգային էլեկտրոնիկայում հաճախ անհրաժեշտ է
ունենալ նմանատեսակ էլեկտրական հատկություններով սարքերի համաձայնեցված
(համաչափ) զույգեր, հատկապես երբ մշակվում է ամբողջությամբ դիֆերենցիալ բա-
ղադրամասերի տոպոլոգիան, օրինակ, դիֆերենցիալ կասկադի և հոսանքի հայելիու
մուտքային տրանզիստորները։
Տեսականորեն նույն չափերով երկու սարքերը պետք է ունենան նույն էլեկտրական
հատկությունները։ Սակայն իրականում միշտ գոյություն ունեն այս օրինաչափությունը
խախտող անխուսափելի տեխնոլոգիական-գործընթացային փոփոխություններ։
Այսպես, նանոչափային ՄՕԿ ԻՍ-երում տրանզիստորների պատրաստման համար
օգտագործվող տիպային ռեակտիվ իոնային խածատման գործընթացում կիսահաղորդ-
չային թիթեղի երկայնքով խածատման արագության փոփոխությունը [ ] մեծանում է
բյուրեղի վրա տոպոլոգիական նկարի խտության մեծացման հետ: Այս փոփո-
խականությունն, ի վերջո, կարող է դառնալ բյուրեղի վրա տարրերի ոչ համա-
ձայնեցման պատճառ, մասնավորապես, նույն կիսահաղորդչային թիթեղի վրա նույն
կառուցվածքով առանձին սարքերը կունենան տարբերվող աշխատանքային հաճա-
խություններ [ ]։ Բացի այդ, այս հանգամանքը միաժամանակ խիստ սահմանափակում
է տոպոլոգիական նկարի խտությունները, որոնք կարելի է օգտագործել իոնային
խածատման արագության տվյալ թույլտվածքի դեպքում։ Այսպես, ԻՍ-ի կառուցվածքում
բյուրեղի տեղային տիրույթներում խածատման և դիֆուզիայի արագությունները կախ-
ված են տարրերի փոխադարձ դասավորությունից [ ]: Այսպես, տրանզիստորի
փականի մոտ բազմաբյուրեղ սիլիցիումի տիրույթների առկայությունը կարող է առա-
ջացնել բազմաբյուրեղ սիլիցիումի խածատման արագության ոչ մեծ փոփոխություններ։
Հենց այս տեխնոլոգիական փոփոխություններն էլ հանգեցնում են համաձայնեցված
բնութագրերով տրանզիստորների արդյունավետ լայնությունների և երկարությունների
համաձայնեցման խախտման։ Ճիշտ նույն ձևով հոսքուղու տիրույթի մոտ ուրիշ դի-
ֆուզիոն տիրույթների տեղադրումը կարող է ազդել հարթակում խառնուկների
կոնցենտրացիայի վրա, հետևաբար և առաջացնել տրանզիստորի շեմային լարման և
դիքության բնութագրերի փոփոխություններ։ Որպես կանոն, n-ՄՕԿ տրանզիստորները,
մնացած հավասար պայմանների դեպքում, p-ՄՕԿ-երի նկատմամբ ապահովում են
համաձայնեցման ամենալավ աստիճանը։ Համաձայնեցվող ՄՕԿ-տրանզիստորները բա-
ժանվում են սեգմենտների (մատերի), ինչը թույլ է տալիս կառուցել կոմպակտ զանգված,
որի ամենապարզ տեսակը տրանզիստորի մի քանի սեգմենտների զուգահեռ տեղա-
բաշխումն է։ Այս դեպքում թույլատրվում է ընդհանուր ակունքների և (կամ) արտա-
բերների միավորում։ Կիսահաղորդչային բյուրեղում տարրերի համաձայնեցման վրա
հարևան կառուցվածքների տեխնոլոգիական ազդեցության փոքրացման համար
առաջարկվել են մի շարք եղանակներ։ Այսպես,համաձայնեցվող տրանզիստորների
համաչափությունը բարելավելու համար տոպոլոգիայում ավելացվում են, այսպես
կոչված, կեղծ (dummy) կառուցվածքներ։
Համաձայնեցման բարձր աստիճան պահանջող տարրերի համար բավական
տարածված տոպոլոգիական եղանակ է տրանզիստորի տոպոլոգիայի երկու եզրերում
«dummy» տրանզիստորների օգտագործումը։ Նկ.8.9-ում ցույց է տրված կեղծ
կառուցվածքներով համաձայնեցված տրանզիստորների համասեռությունը բարելավող
տոպոլոգիան։ Այս կեղծ տրանզիստորներն ապահովում են, որ բյուրեղի մակերևույթի
վրա խածատման և դիֆուզիայի գործընթացները տրանզիստորի տոպոլոգիայի բոլոր
սեգմենտներում տեղի ունենան միանման։

Նկ.8.9. Կեղծ կառուցվածքներով համաչափ տրանզիստորի տոպոլոգիան

 Այս կեղծ տրանզիստորային կառուցվածքները գոյություն ունեն միայն չիփի տո-
պոլոգիայի վրա և դրանք կարճ միացված տրանզիստորներ են, որոնց միացման
սխեման ցույց է տրված նկ.8.10-ում։

Նկ.8.10. Կեղծ տրանզիստորի տոպոլոգիան և միացման սխեման (սլաքներով ցույց են տրված կեղծ
կառուցվածքները)

Նկ.8.11-ի վրա ցույց է տրված ընդհանուր կենտրոնով և կեղծ տարրերով ՄՕԿ–

տրանզիստորների համաձայնեցված զույգի տոպոլոգիայի օրինակ։Համաձայնեցման
ամենալավ աստիճան ապահովելու համար ցանկալի է ընտրել տվյալ կիրառության
համար տրանզիստորների փականների առավելագույն հնարավոր մակերես։

Նկ.8.11. Տրանզիստորների համաձայնեցված զույգի տոպոլոգիայի օրինակ

Հարևան համաձայնեցված ՄՕԿ-տրանզիստորների բնութագրերի վրա

տեխնոլոգիական գործընթացների ազդեցության փոքրացման համար անհրաժեշտ է
պահպանել որոշ կանոնները, մասնավորապես՝
 օգտագործել սեգմենտների միատեսակ երկրաչափություն,
 օգտագործել տրանզիստորների հնարավորինս մեծ մակերեսով փականներ,
 տրանզիստորները կողմնորոշել նույն ուղղությամբ,
 օգտագործել համաձայնեցված տրանզիստորների կոմպակտ տեղաբաշխում,
 օգտագործել սեգմենտների ընդհանուր կենտրոնով (կամ խաչվող կապերով)
տեղաբաշխումը,
 տեղադրել կեղծ տարրերը տրանզիստորների զանգվածի եզրերում,
 տրանզիստորները տեղաբաշխել ջերմության հզոր աղբյուրներից հեռու,
 չտեղադրել կոնտակտները անմիջապես տրանզիստորների
տրանզիստորների փականների վերևում ,
 միացնել սեգմենտներից հավաքված տրանզիստորների փականները մետա-
ղական կապերով։
Կարճ կանալի երևույթների կանխման համար գոյություն ունեն մի քանի տեխնոլոգիաներ՝
լարված սիլիցիում (straining silicon),սիլիցիում մեկուսիչի վրա SOI (silicon on insulator),
մետաղական փական դիէլեկտրական հաստատունի բարձր արժեքներով (high-k metal gate) և
FINFET:

Кремний на изоляторе (SOI)

Այս մեթոդի SOI (кремний на изоляторе) էությունը կայանում է նրանում , որ

օգտագործվում է սիլիցիում-մեկուսիչ- սիլիցիում կառուցվածքով եռաշերտ հարթակ
սովորական մոլոլիտ սիլիցիումային թիթեղի փոխարեն: Այս մեթոդը ունի իր
առավելությունները և թերությունները:

Առաջին հերթին հարկ է ասել, որ այս տեխնոլոգիայի օգտագործման դեպքում

հաջողվում է զգալի կրճատել պարազիտային ունակությունը: Պարազիտային
ունակության պրոբլեմը կայանում է նրանում, որ այդ ունակության վրա ծախսվում
է սպառվող հզորության բավական մեծ մասըմեկ վիճակից մյուսը տրանզիստորի
փոխանջատման պահին : Իսկ այդպիսի անցման համար ծախսվող ժամանակը
հենց որոշում է ընդհանուր արագագործությունը: Սիլիցիումի օքսիդի շերտի
ավելացումը տրանզիստորային կառոոոոոոուցվածքի տակ թույլ է տալիս կրճատել
պարազիտային ունակությունը, հետևաբար և փոքրացնել նաև ժամանակը , որը
ծախսվում է տրանզիստորի փոխանջատման համար:

Технология SOI

SOI-ՍՄՎ տեխնոլոգիայի գլխավոր թերությունը ,ինչպես և мультипаттернингом

դեպքում հանդիսանում է բարձր արժեքը: Բացի այդ, քանի որ տրանզիստորները
տեղադրվում են մեկուսիչ շերտի վրա , ապա սխեմայի կողմից անջատվող
ջերմության ցրումը այնքան էլ արդյունավեը չէ, ինչպես մոնալիտ սիլիցիումի
դեպքում: Ի միջայլոց, սա դարձավ այն բանի պատճառը, որ AMD ընկերությունը իր
մշակումներում վերադարձավ մոնոլիտ սիլիցիումի օգտագործմանը:

ԹՈՒՅԼԱՏՐՈՂ ԸՆԴՈՒՆԱԿՈՒԹՅԱՆ
ՄԵԾԱՑՈՒՄԸ
Վերջին տասնամյակների ընթացքում ինժեներների առջև անփոփոխ
դրված էր բյուրեղների չափերի փոքրացման խնդիրը ։ Եղանակներից
մեկն էր օգտագործել ավելի փոքր ալիքի երկարությամբ լույս , ինչը թույլ է
տալիս հասնել ավելի մեծ ԹԸ։ Նման ձևով ֆոտոլիտոգրաֆիայում
կարելի է բարձրացնել ԹԸ օգտագործելով լույսի աղբյուրներ , որոնք
գեներացնում են կարճ ալիքներ։

Այս ոլորտում ինժեներներին հաջողվեց հասնել զգալի առաջընթացի:

Ամեն ինչ սկսվել է սնդիկային լամպերից , որոնք գեներացնում էին ՈՒՄ
լույս; որի ալիքի երկարությունը 400 նմ կարգի էր:Դրանից հետո անցում
կատարվեց լազերների օգտագործմանը, որոնք կարողացան ոչ միայն
ապահովել ավելի բարձր թույլատրողականություն , այլ նաև
արագացնում էին ամբողջ արտադրության գործընթացը: Առաջին
այդպիսի սարքը դարձավ криптоно-фторидный լազերը, որը գեներացնում
է ալիքի երկարություն մոտ 248 նմ: Հաջորդ քայլը դարձավ аргоно-
фторидного լազերի օգտագործումը:Այս դեպքում ալիքի երկարությունը
կազմում էր ընդամենը 193 նմ: Ցավոք որպեսզի օգտագործվեն ավելի
կարճալիք ճառագայթումներ (օրինակ, խորը ուլտրամանուշակագույն)
ամբողջ լիտոգրաֆիական գործընթացը անհրաժեշտ է կատարել
վակուումում: Պատճառն այն է, որ օդը կլանում է 186 նմ-ից փոքր ալիքի
երկրությունների ամբողջ ճառագայթումը : Գործնականում նույնիսկ 193
նմ ալիքի երկարությամբ ճառագայթումը , որը տալիս է аргоно-фторидным
լազերը մասնակիորեն կլանվում է օդում, ինչը երևում է ներքևի գրաֆիկի
վրա: .

ԻՄԵՐՍԻՈՆ ԼԻՏՈԳՐԱՖԻԱ

ԹԸ-ի մեծացման ևս մեկ եղանակ է իմերսիոն լիտոգրաֆիան։

Լիտոգրաֆիայի այս եղանակի օգտագործումը տեղի ունեցավ առաջին
65 նմ և 32 նմ տեխնոլոգիաներով չիփերի թողարկման միջև ընկած
ժամանակահատվածում։ Ընկղմված ( Иммерсионная) լիտոգրաֆիան
համեմատաբար պարզ գործընթաց է։ Դրա իմաստը հետևյալն է՝ վերջին
ոսպնյակի և ֆոտոռոզիստի թաղանթի միջև տարածությունը լցվում է
հեղուկով, որի բեկման ցուցիչը մեծ է մեկից։ Դրա շնորհիվ բարձրանում է
օպտիկական համակարգի թվային ապերտուրը , քանի որ աղբյուրից
եկող լույսը ավելի լավ է ցրվում։ Որպես իմեր սիոն հեղուկ , որպես կանոն,
օգտագործվում է բարձր մաքրությամբ (деионизированная) ջուրը։ Հարկ է
նշել, որ դեիոնացված ջրում պետք է բացակայեն որևէ գազեր, քանի որ
բարձր ճնշման և ջերմաստիճանի ազդեցության տակ այդ գազերը կարող
են պատճառ դառնալ բշտիկների առաջացման ոսպնյակի և
կիսահաղորդչային թիթեղի միջև ։ Այս դեպքում ջրում բեկման
գործակիցը կարող է անկանխատեսելի փոխվել , ինչը կբերի
լիտոգրաֆիայի արատների առաջացման։ Ընդ որում, 193 նմ ալիքի
երկարությամբ ճառագայթումը ևս կարող է իոնացնել ջուրը, դրանով
իսկ провоцируя ռեակցիաներ ֆոտոռեզիստի հետ։ Ցավոք, խորը ՈՒՄ
տիրույթում (EUV, Extreme ultraviolet lithography) լիտոգրաֆիայի ի հայտ գալու
հետ իմերսիոն կամ ընկղմված լիտոգրաֆիայի եղանակի օգտագործումը
անհնար դարձավ, քանի որ օգտագործվող հեղուկները կլանում են
ամբողջ անջատվող էներգիան։

Мультипаттернинг

Իսկ мультипаттернинга (Multiple Patterning) տեխնոլոգիան օգտագործել խորը

ՈՒՄ-ում ֆոտոլիտոգրաֆիայի հետ արդեն հնարավոր է: Այս դեպքում
գոյություն ունի դրա իրականացման մի քանի եղանակ։ мультипаттернинга-
ի էությունը կայանում է հետևյալում: Օրինակ՝ եթե որոշակի համակարգ
լիտոգրաֆիայի մեկ անցման ընթացքում կարող է տպել, ձևավորել մեկը
մյուսից 64 նմ հեռավորության վրա գծեր, ապա երկրորդ անցման
ժամանակ այն կարող է գծել ևս երկու այդպիսի գծեր նույն միջակայքով,
ընդ որում դրանցից մեկը տեղադրված կլինի առաջին անցման ժամանակ
ձևավորված գծերի միջև: Որպես արդյունք ընդամենը գծված կլինեն 4
գծեր միմյանցից 32նմ հեռավորության վրա: мультипаттернинга-ի
հիմնական եղանակներից մեկը նկարի կրկնակի ձևավորումն է LELE-ն :

Многократное экспонирование. Например, нам нужно сделать экспонирование шести

близкорасположенных окон. Прогоняем сначала экспонирование 1, 3 и 5 окна. А потом 2,
4 и 6. Это еще в 2 раза увеличивает число циклов экспонирования и фотошаблонов, но всё
же лучше, чем ничего. С учетом горизонтальной и вертикальной поляризации получаем 4
цикла экспонирования для создания одного слоя.
double patterning (DP) you’re all coming to grips with in 20/16/14nm technologies, in that it
uses two masks to define the final pattern on the wafer. However, that’s the ONLY thing these
two technologies have in common. One of the comforting things about DP is that the two masks
are each essentially a copy of part of the original drawn layout. When you look at them together,
they look identical to the original layout (Figure 2). If someone asked you what you “saw” in the
two mask patterns, you could easily and intuitively describe the original layout.

Նկ․ 2․ Նկարի կրկնակի ձևավորման ( DP) դիմակները

համեմատած սկզբնական գծված տոպոլոգիայի հետ:

Will EUV Kill Multi-Patterning?

Even with EUV in play, i193 multi-patterning may still be the most cost
effective option in certain cases.
JANUARY 19TH, 2017 - BY: DAVID ABERCROMBIE

https://semiengineering.com/will-euv-kill-multi-patterning/

Երբ ես առաջին անգամ սկսեցի աշխատել նկարի կրկնակի

ձևավորման(DP) գործիքների վրա 2010 թվականի վերջերին , արդեն
խոսակցութուններ կային որ այս մեթոդը կարող է լինել անօգուտ , կամ
նվազագույնը՝ շատ կարճատև կյանք ունեցող նախագիծ , քանի որ EUV
լիտոգրաֆիան արդեն սարերի հետևում չէր և կարող էր բոլոր նկարի
բազմակի ձևավորման(MP) բոլոր եղանակները դարձնել հնացած: Դե,
քանի որ ես սկսում եմ իմ յոթերորդ տարին այս նախագծում, ապա կարողս
եմ ասել , որ նկարի ձևավորման բազմաեղանակների մահվան մասին
հաղորդագրությւոնները խիստ չափազանցված են: Փաստորեն, կարծես
թե տեղի է ունեցել հակառակը՝ նկարի բազմակի ձևավորման ավելի ու
ավելի շատ գործընթացներ են մշակվում: Նկ.1-ը ցույց է տալիս նկարի
բազմակի ձևավորման եղանակների աճը , որոնք հետազոտվում են ,
մշակվում և ներդրվում են գործարաններում երբ մենք
տեխնոլոգօիաները հրում ենք 20նմ-ից մինչև 7 նմ և անհամբեր
սպասում ենք 5նմ տեխնոլոգիային: Նույնիսկ հիմա դեռևս հստակ չէ թե
արդյոք EUV ժամանակին լիտոգրաֆիան պատրաստ կլինի 5նմ tape-
outs համար:
Նկ. 1: Նկարի ձևավորման բազմակի եղանակների աճը տեխնոլոգիական
հանգույցների հետ:

Ճշմարիտ է, որ 7 նմ- ը դարձել է շատ ավելի թանկարժեք և բարդ, քանի որ

անհրաժեշտ է օգտագործել ոչ միայն DP- ն, այլ նաև նկարի ձևավորման եռակի
(TP), քառակի (QP), եւ ինքնակարգավորվող կրկնակի ձեւակերպմամբ (SADP) multi-
patterning մեթոդները: 7 նմ գործընթացում ավելի շատ դիմակներ կան, քան եղել
է 16/14 նմ գործընթացում: Այս հանգամանքը ոչ միայն սնում է այն
մտավախությունները, որ քիչ թվով հաճախորդներ կարող է ընդունել այս
հանգույցը, այլեւ անցում կատարել EUV լիտոգրաֆիայի: Սակայն փաստը այն է ,
որ EUV- ի լիտոգրաֆիայի ներկա վիճակի հնարավորությունների հետ , նկարի
ձևավորման այս առաջադեմ բազմաքայլ մեթոդները դեռեւս ավելի ծախսատար
են, քան EUV- ի օգտագործումը: