‫گروه مهندسی برق‬

‫مقطع کارشناسی ارشد‬

‫پروژه درس طراحی سیستم های برق خورشیدی‬

‫معرفی نسل های مختلف سلول فتوولتائیک ومقایسه ی آن ها‬

‫علیرضامرادی بیرگانی‬
‫‪402449163‬‬

‫نام استاد‪ :‬جناب آقای دکتر منصور رفیعی‬

‫‪1402/12/24‬‬

‫‪1‬‬
2
 ‫فهرست‬
‫‪ -1‬معرفی سلول های فتوولتائیک ‪5 ..............................................................................................................................‬‬

‫‪ -1.1‬مروری تاریخی بر فناوری فتوولتائیک‪6 .............................................................................................................. :‬‬

‫‪ -1.2‬اهمیت سلولهای فتوولتائیک در سیستمهای انرژی تجدیدپذیر‪6 ............................................................................... :‬‬

‫‪ -2‬سلول های فتوولتائیک نسل اول ‪8 ............................................................................................................................‬‬

‫‪ -2.1‬فناوری سیلیکون کریستالی‪ :‬ویژگی ها‪ ،‬فرآیند تولید و کارایی ‪8 ..................................................................................‬‬

‫‪ -2.1.1‬ویژگی ها‪8 .................................................................................................................................................‬‬

‫‪ -2.1.2‬فرآیند تولید ‪9 .............................................................................................................................................‬‬

‫‪ -2.2‬سیلیکون تک کریستالی در مقابل سیلیکون چند کریستالی‪ :‬مالحظات عملکرد و هزینه ‪10 ..................................................‬‬

‫‪ -2.3‬چالش ها و محدودیت های سلول های فتوولتائیک نسل اول ‪11 ..................................................................................‬‬

‫‪ -3‬سلول های فتوولتائیک نسل دوم ‪12 .........................................................................................................................‬‬

‫‪ -3.1‬فناوری های الیه نازک‪ :‬سیلیکون آمورف‪ ،‬تلورید کادمیوم‪ ،‬مس ایندیم گالیوم سلنید)‪12 ........................................... (CIGS‬‬

‫‪ -3.1.1‬سلولهای فتوولتائیک مبتنی بر‪12 ............................................................................................................ CIGS‬‬

‫‪ -3.1.2‬سلول های فتوولتائیک ‪14 ...................................................................................................................... CdTe‬‬

‫‪ -3.1.3‬سلول های فتوولتائیک کستریت ‪16 ....................................................................................................................‬‬

‫‪ -3.1.4‬سلول های فتوولتائیک مبتنی بر سیلیکون آمورف ‪17 ...............................................................................................‬‬

‫‪ -3.2‬تجزیه و تحلیل مقایسه ای سلول های نسل دوم‪18 ............................................................................................... :‬‬

‫‪ -3.3‬روش هایی برای بهبهود عملکرد سلول های نسل دوم ‪19 .........................................................................................‬‬

‫‪ .4‬سلول های فتوولتائیک نسل سوم ‪20 .........................................................................................................................‬‬

‫‪ -4.1‬فناوری های نوظهور‪ :‬سلول های چند اتصالی‪ ،‬فتوولتائیک آلی)‪ ، (OPV‬سلول های خورشیدی حساس به رنگ)‪21 ........... (DSSC‬‬

‫‪ -4.1.1‬سلول های فتوولتائیک مواد آلی و پلیمری (‪21 .............................................................................................. )OSC‬‬

‫‪ -4.1.2‬سلول های فتوولتائیک حساس به رنگ (‪22 ................................................................................................ :)DSSC‬‬

‫‪-4.1.3‬سلول های فتوولتائیک پروسکایت‪24 .................................................................................................................. :‬‬

‫‪ -4.1.4‬سلول های فتوولتائیک چند اتصالی‪26 ............................................................................................................... :‬‬

‫‪ -4.1.5‬سلول های فتوولتائیک با باند میانی اضافی‪27 ....................................................................................................... :‬‬

‫‪ -4.2‬مقایسه سلول های فتوولتائیک نسل سوم‪30 ........................................................................................................:‬‬

‫‪ -4.3‬کاربردهای بالقوه‪31 .................................................................................................................................... :‬‬

‫‪3‬‬
‫‪ -4.4‬پذیرش بازار‪32 ......................................................................................................................................... :‬‬

‫‪ -5‬سلول های فتوولتائیک نسل چهارم‪33 .......................................................................................................................‬‬

‫‪ -5.1‬سلول های فتوولتائیک مبتنی بر گرافن‪33 .......................................................................................................... :‬‬

‫‪ -5.2‬معیارهای عملکرد و تجزیه و تحلیل مقایسه ای با نسل های قبلی‪36 ........................................................................... :‬‬

‫‪-5.3‬چالش ها و محدودیت ها‪37 ........................................................................................................................... :‬‬

‫‪ -6‬چشم انداز آینده‪38 ............................................................................................................................................:‬‬

‫‪4‬‬
 ‫‪ -1‬معرفی سلول های فتوولتائیک‬

‫مفهوم انرژی خورشیدی فتوولتائیک ‪ :‬الکتریسیته که مستقیماً از تبدیل انرژی خورشیدی به دست میآید‪ .‬تبدیل‬
‫تابش خورشید به الکتریسیته به وسیله سلول های فتوولتائیک رخ می دهد‪،‬سلولهای فتوولتائیک ی ا س لولهای‬
‫خورشیدی‪ ،‬از تکنولوژیهای مهم در زمینه تولید انرژی پاک و قابل تجدیدپذیر به شمار میآین د‪ .‬ای ن س لولها‬
‫توانایی تبدیل نور خورشید به انرژی الکتریکی را دارند و در انواع مختلفی مانند سلولهای خورش یدی خ ان ی و‬
‫صنعتی استفاده میشوند‪ .‬سلولهای فتوولتائیک یا سلولهای خورشیدی از چندین الیه نازک س یلیکون س اخته‬
‫شدهاند‪ .‬زمانی که نور خورشید بر آنها تابیده میشود‪ ،‬الکترونها درون سلول ج دا میش وند‪ .‬ای ن فرآین د باع‬
‫ایجاد جریان الکتریکی میشود که قابل استفاده برای تأمین ان رژی اس ت‪ .‬س لولهای فتوولتائی ک ب ه دو دس ته‬
‫کریستال و الیه نازک تقسیم میشوند و برای تأمین انرژی در کاربردهای خارج از من زل ی ا حت ی داخ ل خان ه‬
‫استفاده میشوند‪.‬با پیشرفت فناوری‪ ،‬استفاده از انرژی خورشیدی با سلولهای فتوولتائیک بهبود یافته و موج‬
‫کاهش آلودگیهای زیست محیطی و توسعه فناوری نانو شده است‪ .‬این تکنولوژی‪ ،‬باع اف زایش س رمایهگذاری‬
‫در حوزه انرژی تجدیدپذیر شده و در کشورهای مختلف‪ ،‬از جمله آلمان و چین‪ ،‬به تأمین بخش قاب ل ت وجهی از‬
‫نیازهای الکتریسیته جامعه کمک کرده است‪ ..‬مراحل چرخه عمر سیستم های ‪ PV‬شامل (‪ )1‬تولی د م واد خ ام‪،‬‬
‫(‪ )2‬تصفیه و پردازش‪ )3( ،‬ساخت ماژول ها‪ )4( ،‬نص و اس تفاده از سیس تم‪ ،‬و (‪ )5‬از ک ار ان داختن و دف ی ا‬
‫بازیافت آن‪ LCA .‬برای ارزیابی اثرات زیست محیطی فن آوری های انرژی اس تفاده م ی ش ود و نت ایج ب ه و ور‬
‫فزاینده ای در تصمیم گیری های تامین مالی تحقیق و توسعه و تدوین سیاست های انرژی استفاده می شود‪.‬این‬
‫سلولها برای تأمین بخشی از نیازهای برق مصرفی مورد استفاده قرار میگیرند و در کاهش وابس ت ی ب ه من اب‬
‫انرژی غیرقابل تجدیدپذیر موثر هستند‪.‬‬

‫شکل ‪ -1‬سلول فتوولتائیک‬ ‫شکل‪ -2‬سیستم ساده ای از انرژی خورشیدی فتوولتائیک‬

‫‪5‬‬
 ‫‪ -1.1‬مروری تاریخی بر فناوری فتوولتائیک‪:‬‬

‫فناوری سلولهای خورشیدی یا فتوولتائیک‪ ،‬یکی از مهمترین فناوریه ای ان رژی تجدیدپ ذیر اس ت ک ه از ن ور‬
‫خورشید برای تولید انرژی الکتریکی استفاده میکند‪ .‬تاریخچه این فناوری به قرن نوزدهم باز میگردد‪ ،‬زمانی که‬
‫انجام تجربیات اولیه بر روی پدیده فتوولتائیک توسط عالم فرانسوی الکساندر ادمون بکرل آغ از ش د‪ .‬او در س ال‬
‫‪ 1۸۳۹‬توانست نشان دهد که نور خورشید باع تولید جریان الکتریکی در یک تخته نیکل و کربن میش ود‪ ،‬ام ا‬
‫این تجربیات اولیه به تولید انرژی قابل استفاده تبدیل نشدند‪.‬‬

‫در سال ‪ ،1۸۸۳‬چارلز فریتس‪ ،‬عکاس آمریکایی‪ ،‬اولین سلول خورشیدی عملی را ساخت‪ .‬او از یک الی ه نیک ل و‬
‫یک الیه آنتیموانی ساخته شده از سولفور مس استفاده کرد و توانست ان رژی خورش ید را ب ه جری ان الکتریک ی‬
‫تبدیل کند‪ .‬این سلول اولیه تنها ‪ 1٪‬تبدیل انرژی خورشید به الکتریسیته داشت و به ه یچ وج ه قاب ل اس تفاده‬
‫تجاری نبود‪ ،‬اما این اختراع ابتدایی تحقیقات بیشتر در زمینه سلولهای خورشیدی را آغاز کرد‪.‬‬
‫پس از این اختراع‪ ،‬تحقیقات در زمینه سلولهای خورش یدی ب ه دامن ههای جدی دی گس ترش یاف ت‪ .‬در ده ه‬
‫‪ ،1۹۵۰‬بل لئوبراتوریها توانستند سلول خورشیدی با ک ارایی ‪ ۶٪‬بس ازند ک ه ای ن ب ه عن وان نخس تین س لول‬
‫خورشیدی مدرن شناخته شد‪ .‬از آن زمان به بعد‪ ،‬کارایی سلولهای خورشیدی بهبود یافته و ام روزه س لولهای‬
‫خورشیدی با کارایی باالتر از ‪ ۲۵٪‬وجود دارند که در تولید انرژی الکتریکی به صورت گسترده استفاده میشوند‪.‬‬
‫این تکامل در فناوری سلولهای خورشیدی نه تنها به افزایش کارایی و کاهش هزینه تولید ای ن س لولها منج ر‬
‫شده‪ ،‬بلکه به ایجاد روشهای نوینی برای استفاده از انرژی خورشید ب ه عن وان ی ک منب ان رژی پ اک و قاب ل‬
‫تجدیدپذیر منجر شده است‪ .‬امروزه‪ ،‬سلولهای خورش یدی ب ه عن وان یک ی از راهکاره ای اص لی در مب ارزه ب ا‬
‫تغییرات اقلیمی و تأمین انرژی پایدار در سراسر جهان مطرح هستند‪.‬‬

‫‪ -1.2‬اهمیت سلولهای فتوولتائیک در سیستمهای انرژی تجدیدپذیر‪:‬‬

‫مصرف برق در سراسر جهان هر سال در حال افزایش است و در میان فناوری های مختلف که برای تولید برق در‬
‫حال رقابت هستند‪ ،‬می توان انرژی های تجدید پذیر‪ ،‬به ویژه فناوری خورشیدی فتوولتائیک را برجسته کرد ک ه‬
‫به سرعت در حال رشد است‪ .‬در دهه های اخیر و می تواند نقش مهمی در دستیابی به تقاضای ب االی ان رژی در‬
‫سراسر جهان ایفا کند‪.‬سلولهای خورشیدی به عنوان یکی از مناب انرژی پاک و تجدیدپذیر‪ ،‬نقش بسیار مهم ی‬
‫در تأمین انرژی پایدار جهان امروزی ایفا میکنند‪ .‬با توجه به روند رو به رشد جمعیت و افزایش نیازه ای ان رژی‪،‬‬
‫استفاده از سلولهای خورشیدی به عنوان یکی از راهکارهای اصلی برای کاهش وابست ی به سوختهای فس یلی‬
‫و کاهش انتشار گازه ای گلخان های مط رح ش ده اس ت‪ .‬همچن ین‪ ،‬س لولهای خورش یدی ب ه عن وان یک ی از‬

‫‪6‬‬
‫فناوریهای اصلی در سیستمهای انرژی تجدیدپذیر‪ ،‬امکان تأمین انرژی برای جوام محلی در مناوق دورافت اده‬
‫را فراهم میکنند و به توسعه پایدار اقتصادی و اجتماعی کمک میکنند‪.‬‬

‫استفاده از سلولهای خورشیدی در سیستمهای انرژی تجدیدپذیر به دالیل زیر بسیار اهمیت دارد‪:‬‬

‫کاهش انتشار گازهای گلخانهای‪ :‬استفاده از س لولهای خورش یدی ب ه می زان قاب ل ت وجهی از انتش ار‬ ‫‪.1‬‬
‫گازهای گلخانهای که موج تغییرات اقلیمی است‪ ،‬جلوگیری میکند‪ .‬این سلولها ان رژی الکتریک ی را‬
‫بدون ایجاد هیچ انتشاری از نور خورشید تولید میکنند‪.‬‬
‫کاهش وابست ی به سوختهای فسیلی‪ :‬سلولهای خورشیدی به عنوان یک منب ان رژی پ اک و قاب ل‬ ‫‪.2‬‬
‫تجدیدپذیر‪ ،‬امکان تأمین انرژی بدون نیاز به سوختهای فسیلی مانند نفت و گاز را فراهم میکنند‪ ،‬ک ه‬
‫این امر به کاهش وابست ی به مناب انرژی غیرقابل تجدیدپذیر کمک میکند‪.‬‬
‫حفظ محیط زیست‪ :‬سلولهای خورشیدی در تولید انرژی الکتریکی از نور خورشید هیچ گونه آالیندهای‬ ‫‪.3‬‬
‫را تولید نمیکنند و محیط زیست را حفظ میکنند‪ .‬این امر به حفظ تن وع زیس تی و حفاظ ت از من اب‬
‫وبیعی کمک میکند‪.‬‬
‫ایجاد فرصتهای اقتصادی‪ :‬توسعه ص نعت س لولهای خورش یدی و نص سیس تمهای تولی د ان رژی‬ ‫‪.4‬‬
‫خورشیدی فرصتهای اقتصادی بسیاری را برای جوام محلی ایجاد میکند‪ ،‬از جمل ه ایج اد ش غلهای‬
‫جدید و توسعه صنای‬
‫مختصر و قابل فهم‪ :‬سلولهای خورشیدی به راحتی قابل نص بر روی ساختمانها و سازههای مختل ف‬ ‫‪.5‬‬
‫هستند و از نظر ظاهری قابل تطابق با محیط زیست هستند‪.‬‬
‫کاهش هزینههای انرژی‪ :‬استفاده از سلولهای خورشیدی به میزان قاب ل ت وجهی هزین ههای ان رژی را‬ ‫‪.6‬‬
‫کاهش میدهد‪ ،‬به خصوص در مناوقی که به شبکههای برق متصل نیستند‪.‬‬
‫افزایش دسترسی به انرژی‪ :‬سلولهای خورشیدی به عنوان یک منب انرژی قابل تجدیدپ ذیر‪ ،‬میتوانن د‬ ‫‪.7‬‬
‫به دسترسی به انرژی پایدار در مناوق دورافتاده کمک کنند و امکانات اساسی مانن د ب رق‪ ،‬آس س الم و‬
‫ارتباوات را فراهم کنند‪.‬‬

‫‪7‬‬
 ‫‪ -۲‬سلول های فتوولتائیک نسل اول‬

‫سلولهای فتوولتائیک نسل اول‪ ،‬که به عنوان سلولهای سیلیکونی کریستالی سنتی نیز شناخته میشوند‪ ،‬نش ان‬
‫دهنده مراحل اولیه توسعه فناوری سلولهای خورشیدی هستند‪ .‬این سلولها معموالً از سیلیکون با خل وص ب اال‬
‫ساخته میشوند که به شکل سیلیکون تک کریستال (مونوکریستال) یا چند کریس تالی اس ت‪ .‬آنه ا ج زو اول ین‬
‫فناوریهای ‪ PV‬تجاری قابل دوام بودند و از دهه ‪ 1950‬به وور گسترده مورد استفاده قرار گرفتند‪.‬‬

‫عملکرد سلولهای خورشیدی نسل اول بر اساس اثر فتوولتائیک است‪ ،‬جایی که فوتونهای نور خورش ید توس ط‬
‫مواد نیمهرسانای سیلیکونی جذس میش وند و الکترونه ا را تحری ک میکنن د و جف ت الکت رون‪-‬حف ره ایج اد‬
‫میکنند‪ .‬سپس میدان الکتریکی داخلی سلول‪ ،‬این حاملهای بار را جدا میکند و در نتیجه زمانی که س لول ب ه‬
‫مدار خارجی متصل میشود‪ ،‬جریان الکتریکی ایجاد میشود‪.‬‬

‫‪ -2.1‬فناوری سیلیکون کریستالی‪ :‬ویژگی ها‪ ،‬فرآیند تولید و کارایی‬

‫‪ -2.1.1‬ویژگی ها‬

‫سلولهای فتوولتائیک نسل اول معموالً دارای راندمان ‪ ٪15‬تا ‪ ٪22‬هستند که سلول های مونو کریستال معموالً‬
‫بازده باالتری نسبت به سلول های پلی کریستالی دارند‪.‬آنها به دلیل دوام و وول عمر ووالنی خود ش ناخته م ی‬
‫شوند‪ ،‬که اغل ‪ 25‬سال یا بیشتر ب ا ح داقل ک اهش عملک رد‪ ،‬دوام م ی آورن د‪ .‬فرآین د تولی د س لولهای ‪PV‬‬
‫سیلیکونی کریستالی به انرژی ورودی باالیی نیاز دارد و میتواند مقداری ضایعات تولید کند‪ ،‬اما خود س لولها در‬
‫حین کار اثرات زیست محیطی کمی دارند‪ .‬سلولهای ‪ PV‬سیلیکونی کریستالی به دماهای باال حس اس هس تند‬
‫که میتواند کارایی آنها را کاهش دهد‪ ،‬اگرچه در محیطهای خنکتر عملکرد بهتری دارند‪ .‬آنها معموالً ب ه دلی ل‬
‫مواد سیلیکونی و پوشش ضد انعکاس مورد استفاده برای بهبود جذس نور‪ ،‬رنگ آبی تیره یا سیاه دارند‪ .‬سلولهای‬
‫‪ PV‬نسل اول برای سالهای متمادی تکنولوژی غال در ص نعت خورش یدی بودهان د و بیش ترین ظرفی ت ‪PV‬‬
‫نص شده در سراسر جهان را به خود اختصاص دادهاند‪.‬‬

‫با این حال‪ ،‬علیرغم استفاده گسترده و موفقی ت‪ ،‬س لول ه ای ‪ PV‬نس ل اول مح دودیت ه ایی دارن د‪ .‬یک ی از‬
‫محدودیتها‪ ،‬کارایی آنهاست که با وجود بهبود وی سالها‪ ،‬هنوز در مقایسه با فناوریهای جدیدتر محدود است‬
‫و بر راندمان تبدیل انرژی کلی سیستمهای ‪ PV‬تأثیر میگذارد‪ .‬محدودیت دی ر هزین ه اس ت‪ ،‬زی را هزین ههای‬
‫تولید سلولهای ‪ PV‬سیلیکونی کریستالی‪ ،‬در حالی که کاهش مییابد‪ ،‬در مقایسه با سایر فناوریها هنوز نس بتاً‬
‫‪8‬‬
‫باال است و مان پذیرش گسترده در برخی مناوق میشود‪ .‬عالوه بر این‪ ،‬فرآیند تولید س لولهای ‪ PV‬س یلیکونی‬
‫کریستالی شامل استفاده از مواد شیمیایی خطرناک است و مقداری زباله تولید میکند که بر محیط زیست ت أثیر‬
‫میگذارد‪ .‬پنلهای ‪ PV‬سیلیکون کریستالی نسبتاً سن ین و سفت هستند و اس تفاده از آنه ا را در کاربرده ایی‬
‫که وزن و انعطافپذیری از عوامل مهم هستند‪ ،‬محدود میکند‪ .‬عالوه بر این‪ ،‬دمای باال می توان د ک ارایی س لول‬
‫های ‪ PV‬سیلیکونی کریستالی را کاهش دهد‪ ،‬که می تواند یک محدودیت قابل توجه در آس و هوای گ رم باش د‪.‬‬
‫به وور کلی‪ ،‬تالشهای تحقی ق و توس عه م داوم ب ر غلب ه ب ر ای ن مح دودیتها ب رای بهب ود بیش تر ک ارایی‪،‬‬
‫مقرونبهصرفه و پایداری زیستمحیطی فناوریهای انرژی خورشیدی متمرکز است‪.‬‬

‫‪ -2.1.2‬فرآیند تولید‬

‫مونوکریستال‪ :‬متداولترین تکنیک برای شکل دهی سیلیکون تک کریستالی(مونو) از سیلیکون م ذاس‪ ،‬روش ‪CZ‬‬
‫چخرالسکی است‪ .‬دراین روش‪ ،‬یک تکه کوچک سیلیکون جامد کریستالی با اندازه ای در ح د ی ک م داد درون‬
‫پاتیل مذاس سیلیکون قرار می گیرد و ترکی حرکت دوران ی ( ‪ 10‬ال ی ‪ ۴0‬دور در دقیق ه) و حرک ت کشش ی‬
‫( ‪10−4‬الی ‪10−2‬سانتیمتر بر ثانیه) آن باع می شود ک ه اتمه ای س یلیکون م ذاس ب ه ات م ه ای کریس تال‬
‫بچسبند و پس از سرد شدن‪ ،‬نتیجه یک شمش استوانه ای تک کریستالی با و ول ح دود ی ک مت ر و قط ر ‪20‬‬
‫سانتیمتر خواهد بود که پس از برش زدن به شکل ویفر در می آید‪ .‬با اضافه کردن ماده افزودنی تخدیر کننده به‬
‫مقدار مناس به مذاس‪ ،‬نیمه هادی نوع ‪ n‬یا ‪ p‬بدست خواهد آمد‪.‬‬

‫پلی کریستال‪ :‬برای ساخت سلول های پلی کریستال از روش کم هزینه تری استفاده می شود‪ .‬به این ترتی ک ه‬
‫تکه های کریستال بصورت مذاس در می آیند و سپس در قال بصورت بلوک هایی ریخت ه م ی ش وند و پ س از‬
‫سرد شدن برش زده می شوند و به صورت ویفر درمی آیند‪.‬‬

‫شکل‪-3‬روش ساخت سلول مونوکریستال و پلی کریستال‬

‫‪9‬‬
 ‫‪ -2.2‬سیلیکون تک کریستالی در مقابل سیلیکون چند کریستالی‪ :‬مالحظات عملکرد و هزینه‬

‫مونوکریستالین و پلیکریستالین دو نوع مواد سیلیس یمی هس تند ک ه در تولی د س لولهای فتوولتائی ک )‪(PV‬‬
‫استفاده میشوند‪ .‬در ادامه تفاوتهای کلیدی بین آنها آورده شده است‪:‬‬

‫‪ -1‬ساختار مواد‪:‬‬

‫• مونوکریستالین‪ :‬سیلیسیم مونوکریستالین از یک ساختار بلوری پیوسته تش کیل ش ده اس ت ک ه ب ه آن‬

‫ظاهری یکنواخت و خالص میدهد‪.‬‬
‫• پلیکریستالین‪ :‬سیلیسیم پلیکریستالین از چندین بلور کوچکتر تشکیل ش ده اس ت ک ه ممک ن اس ت‬
‫منجر به ظاهر کمتر یکنواخت با مرزهای دانهای قابل مشاهده شود‪.‬‬

‫‪ -2‬کارایی‪:‬‬

‫• مونوکریستالین‪ :‬سلولهای مونوکریستالین تمایل به داشتن کارایی باالتری دارند که معموالً در مح دوده‬
‫‪ %15‬تا ‪ %22‬است‪.‬‬
‫• پلیکریستالین‪ :‬سلولهای پلیکریستالین معموالً کارایی کمتری نس بت ب ه س لولهای مونوکریس تالین‬
‫دارند که معموالً در محدوده ‪ %13‬تا ‪ %18‬قرار دارد‪.‬‬

‫‪ -3‬هزینه‪:‬‬

‫• مونوکریستالین‪ :‬سلولهای مونوکریستالین معموالً گرانتر در تولید هستند به دلیل فرایند تولیدی برای‬
‫ایجاد ساختار بلوری تکتایی‪.‬‬
‫• پلیکریستالین‪ :‬س لولهای پلیکریس تالین معم والً ارزانت ر در تولی د هس تند نس بت ب ه س لولهای‬
‫مونوکریستالین که آنها را گزینهای به صرفهتر برای برخی کاربردها میسازد‪.‬‬

‫‪ -4‬ظاهر‪:‬‬

‫• مونوکریستالین‪ :‬سلولهای مونوکریستالین یک رنگ تاریک یکنواخت و یک ظاهر شیک دارند به دلی ل‬
‫ساختار بلوری تکتایی آنها‪.‬‬
‫یک رنگ آبیک و یک ظاهر کمتر یکنواخ ت ب ه دلی ل‬ ‫• پلیکریستالین‪ :‬سلولهای پلیکریستالین اغل‬
‫وجود چندین بلور دارند‪.‬‬

‫‪ -5‬عملکرد در دما‪:‬‬
‫‪10‬‬
‫• مونوکریستالین‪ :‬سلولهای مونوکریستالین در دماهای باال عملکرد بهتری دارند و در مقاب ل س لولهای‬
‫پلیکریستالین‪ ،‬کارایی بیشتری را حفظ میکنند‪.‬‬
‫• پلیکریستالین‪ :‬سلولهای پلیکریستالین ممک ن اس ت در دماه ای ب اال عملک رد کمت ری نس بت ب ه‬
‫سلولهای مونوکریستالین داشته باشند‪.‬‬

‫‪ -6‬کارایی در فضا‪:‬‬

‫• مونوکریستالین‪ :‬سلولهای مونوکریستالین بیشتر بهینه فضایی هستند‪ ،‬به این معنی ک ه میتوانن د در‬
‫یک مساحت داده شده نسبت به سلولهای پلیکریستالین تولید بیشتری از انرژی داشته باشند‪.‬‬
‫• پلیکریستالین‪ :‬سلولهای پلیکریستالین نیاز به فضای بیشتری برای تولی د هم ان مق دار ان رژی ک ه‬
‫سلولهای مونوکریستالین دارند‪ ،‬دارند به دلیل کارایی کمتر آنها‪.‬‬

‫بطور کلی‪ ،‬انتخاس بین سیلیسیم مونوکریستالین و پلیکریستالین برای سلولهای فتوولتائیک ب ه ع واملی مانن د‬
‫نیاز به کارایی‪ ،‬مالحظات هزینهای و محدودیتهای فضایی بست ی دارد‪.‬‬

‫جدول‪ -1‬مشخصات پلی کریستال ومونوکریستال‬

‫سیلیسیم تک بلوری‬ ‫سیلیسیم چند بلوری‬ ‫ویژگی‬

‫کارایی کمت ر نس بت ب ه ک ارایی ب االتر ب ه دلی ل‬ ‫کارایی‬

‫ساختار بلور تکی‬ ‫سلولهای تک بلوری‬

‫هزینه تولید بیشتر‬ ‫هزینه تولید کمتر‬ ‫هزینه‬

‫ظ اهر کمت ر یکنواخ ت‪ ،‬ظاهر یکنواخت تر‪ ،‬شیک‬ ‫ظاهر‬
‫و سیاه‬ ‫معموالً به رنگ آبی‬

‫کارایی کمت ر نس بت ب ه ک ارایی ب االتر ب ه دلی ل‬ ‫کارایی‬

‫ساختار بلور تکی‬ ‫سلولهای تک بلوری‬
‫هزینه تولید بیشتر‬ ‫هزینه تولید کمتر‬ ‫هزینه‬

‫شکل‪ -4‬ساختار انواع مختلف نسل اول سلول‬ ‫ت‪ ،‬ظاهر یکنواخت تر‪ ،‬شیک‬ ‫ظاهرکمتریکنواخ‬ ‫ظاهر‬
‫فتوولتائیک‬ ‫و سیا‬ ‫معموالً به رنگ آبی‬

‫‪ -2.3‬چالش ها و محدودیت های سلول های فتوولتائیک نسل اول‬

‫سلولهای فتوولتائیک نسل اول‪ ،‬به عنوان یکی از فناوریهای قدیمیتر در زمین ه تولی د ان رژی خورش یدی‪ ،‬ب ا‬
‫چالشها و محدودیتهای خاصی روبرو هستند‪ ،‬از جمله عملکرد پایینی که دارندوکمتر از فناوریه ای جدی دتر‬
‫‪11‬‬
‫مانند سلولهای پروسکیت و سلولهای نازک است‪ .‬هزینه تولید سلولهای فتوولتائیک نسل اول نیز باالست ک ه‬
‫میتواند مان گسترش استفاده از انرژی خورشیدی شود‪ .‬سلولهای فتوولتائیک نسل اول در دماهای ب اال ممک ن‬
‫است عملکرد خود را از دست دهند و باع کاهش کارایی سیستم خورشیدی شوند‪ .‬این سلولها ب رای اس تفاده‬
‫در برخی از کاربردهایی که نیاز به وزن کم و انعطاف پذیری دارند‪ ،‬مناس نیستند زیرا نس بتاً س ن ین و س خت‬
‫هستند‪ .‬همچنین‪ ،‬سلولهای فتوولتائیک نسل اول در شرایط نور کم به و ور قاب ل ت وجهی به رهوری خ ود را از‬
‫دست میدهند که میتواند تأثیر منفی بر عملکرد سیستم خورشیدی داشته باشد و معموالً رن گ تی رهای دارن د‬
‫که ممکن است محدودیتهایی ایجاد شود‪ .‬ب ا ای ن ح ال‪ ،‬ب ا پیش رفت تکنول وژی و تحقیق ات در ح وزه ان رژی‬
‫خورشیدی‪ ،‬سعی در حل این چالشها و ارتقاء عملکرد و کارایی سلولهای فتوولتائیک نسل اول ادامه دارد‪.‬‬

‫‪ -۳‬سلول های فتوولتائیک نسل دوم‬

‫س لولهای فتوولتائی ک نس ل دوم ای ن نس ل ش امل توس عه ف نآوری س لولهای فتوولتائی ک نس ل اول و‬
‫همچن ین توس عه فن اوری س لولهای فتوولتائی ک الی ه ن ازک از س یلیکون ری ز کریس تالی (‪ )c-Si‬و‬
‫س یلیکون آم ورف (‪ ،)a-Si‬گ الیم س لنید م س این دیم (‪ )CIGS‬و تلوری د کادمیوم‪/‬س ولفید ک ادمیوم‬
‫(‪ /CdTe‬س لولهای فتوولتائی ک س یدیاس» اس ت‪ .‬و قادرن د ب ا به رهوری بیش تری ن ور خورش ید را ب ه‬
‫برق تبدیل کنن د‪ .‬دس ت اههای نس ل دوم جدی د ب ا فرس تندههای جه تدار ی ا فیلتره ای فوتونی ک مش خص‬
‫میش وند ک ه مکانیس م ه دایت م وج را بهب ود میبخش ند و امک ان دس تیابی ب ه ران دمان ب اال و ان دازههای‬
‫بزرگ را به وور همزمان فراهم میکنند‪.‬‬
‫‪ -3.1‬فناوری های الیه نازک‪ :‬سیلیکون آمورف‪ ،‬تلورید کادمیوم‪ ،‬مس ایندیم گالیوم سلنید)‪(CIGS‬‬

‫‪ -3.1.1‬سلولهای فتوولتائیک مبتنی بر‪CIGS‬‬

‫یکی از جنبههای کلیدی که نیاز به بهبود داشت‪ ،‬کاهش وابست ی زیاد به مواد نیمههادی ب ود‪ .‬ای ن ام ر‪ ،‬باع‬
‫ظهور نسل دوم سلولهای فتوولتائیک نازک شد‪ ،‬که شامل ‪ CIGS‬هستند‪ .‬از نظ ر ک ارایی‪ ،‬مق دار رک ورد ب رای‬
‫‪ 23.4٪،CIGS‬است‪ .‬با این حال‪ ،‬باید توجه داشت که کارایی سلول های تحقیقاتی به دلیل ماهیت پردازش در‬
‫مقیاس بزرگ‪ ،‬مستقیماً به کارایی قابل دستیابی صنعتی مقایسه نمی ش ود‪ .‬ک ارایی ماژوله ای ب االی ‪ ٪20‬در‬
‫حال حاضر به واقعیت پیوسته است‪ .‬در سالهای اخیر‪ ،‬افزایش قابل توجهی در کارایی س لولهای ‪ CIGS‬ص ورت‬
‫گرفته است و افزایشات بیشتری انتظار میرود‪ ،‬به عنوان مثال‪ ،‬به عنوان نتیجهای از تحقیقات بیشتر درباره رفتار‬
‫قلیایی پس از رسوس‪.‬‬

‫‪12‬‬
‫آلیاژهای کالکوپیریت نیم ههادی گ روه‪(Ag,Cu)(In,Ga)(S,Se)I − III − V‬ک ه ب ه وورمعم ول ب ا ن ام ‪CIGS‬‬
‫شناخته میشوند‪ ،‬جزو جذسکنندههای محبوس برای سلولهای خورش یدی هس تند‪ .‬اینه ا دارای بازهه ای بان د‬
‫مستقیم از ‪ 1‬تا ‪ 2.6‬الکترون ولت‪ ،‬ضرای جذس باال‪ ،‬و پارامترهای داخلی معیوس مطلوبی هستند که اجازه وول‬
‫عمرباالیی به حاملهای اقلیت میدهد‪ ،‬و سلولهای خورشیدی س اخته ش ده از آنه ا ب ه و ور ات ی‪ ،‬پای دار در‬
‫عملکرد هستند‪ .‬نخستین بازده ثبتشده ‪ %12‬در یک دست اه تکبلوری در دهه ‪ 1970‬میالدی بود‪ .‬پ س از آن‪،‬‬
‫جذسکنندههای الیه نازک‪ ،CIGS‬پردازش و ارتباوات بهبود یافته بودند که منجر به تولید سلولهای الیه ن ازک‬
‫با مساحت کوچک و بازده ‪ %23.4‬شد‪ .‬بازده ماژول ثبتشده در حال حاضر ‪ %17.6‬بر روی شیشه و ‪ %18.6‬ب ر‬
‫روی فوالد انعطافپذیر است‪.‬‬

‫سلولهای خورشیدی ‪ CIGS‬در یک تنظیمات استاندارد از زیرالیه توسعه یافتهاند؛ با این حال‪ ،‬رس وس ‪ CIGS‬در‬
‫دماهای نسبتاً پایین بر روی زیرالیههای فلزی یا پلیمری برای تولید محص والت خورش یدی انعط اف پ ذیر ه م‬
‫ممکن است‪ .‬الیههای نازک ‪ CIGS‬اصلیترینشان را از وریق روشهای همروشنی‪/‬همبخاری یا رشتهپاش ی و ب ه‬
‫اندازهی کمی از وریق رسوس الکتروشیمیایی و رسوس با استفاده از تابش یونی انجام میدهند‪ .‬از آنجایی که ای ن‬
‫ترکیبات چهارتایی هستند‪ ،‬کنترل استوئیومتری الیه نازک در وول فرآیند ساخت بسیار حیاتی است‪ .‬همچن ین‬
‫کار برای تولید سلولهای خورشیدی ‪ CIGS‬رسوسشده با محلول کامل یا جزئ ی در ح ال انج ام اس ت و برخ ی‬
‫پیشبینی میکنند که این سلولها میتوانند مسیر نه ایی ب ه س مت ماژوله ای ‪ PV‬بس یار ن ازک‪ ،‬س یمپیچ و‬
‫انعطافپذیر باشند‪.‬‬

‫‪CIGS‬یک ماده چند منظوره است که میتوان آن را با روشهای مختلفی تولید کرد و در اش کال مختل ف م ورد‬
‫استفاده قرار می گیرد‪ .‬در حال حاضر چهار دسته اصلی از روشهای رسوسگذاری برای ساخت الی ههای ‪CIGS‬‬
‫مورد استفاده قرار میگیرند‪ )1( :‬رسوس پیشساز فل زی و ب ه دنب ال آن سلنیزاس یون س ولفو‪ )2( .‬ه م رس وبی‬
‫واکنشی‪ )3( .‬رسوس الکتریکی‪ .‬و (‪ )4‬پردازش محلول‪ .‬تمام رکورده ای جه انی اخی ر و بزرگت رین موفقیته ای‬
‫تجاری توسط دو مرحله سولفو‪-‬سلنیداسیون پیشسازهای فلزی یا همرسوبی واکنشی بهدست آمده است ‪CIGS .‬‬
‫را می توان بر روی انواع زیرالیه ها از جمله شیشه‪ ،‬الیه های فلزی و پلیمره ا رس وس داد‪ .‬شیش ه ب رای س اخت‬
‫ماژول های سفت و سخت مناس است ‪ ،‬در حالی که الیه های فلزی و پلیمری کاربردهایی را امک ان پ ذیر م ی‬
‫کنند که به ماژول های سبک تر یا انعطاف پذیر نیاز دارند‪ .‬با رش د بازاره ای جه انی ان رژی ب ه س مت ک اهش‬
‫گازهای گلخانه ای جنبههای اقتصاد مدور‪ ،‬تأثیر محیطی نسبتاً کمتر ‪( CIGS‬به ویژه بدون ‪ )CdS‬در مقایس ه ب ا‬
‫فناوریهای فتوولتاییک مختلف‪ ،‬به عنوان یک مزیت رقابتی بعدی در حال ظهور است‪.‬‬

‫س لولهای فتوولتائی ک مبتن ی ب ر فن اوری ‪ CIGS‬از انب وهی از الی ههای ن ازک تش کیل ش دهاند ک ه توس ط‬
‫ریزتراشهگذاری م نترون بر روی یک بستر شیشهای قرار گرفتهاند‪ :‬یک الکترود مولیبدن پایین)‪ ، (Mo‬یک الی ه‬

‫‪13‬‬
‫جذس کننده‪ ، CIGS‬یک الیه بافر ‪ CdS‬و یک اکسید روی دوپ شده‪ :‬الکت رود ب االیی)‪ (ZnO:Al‬الی ه ب افر ه م‬
‫تبخیر و ‪ CdS‬الیه فعال ‪ CIGS‬را با استفاده از یک حمام شیمیایی در یک روش معمولی رسوس می دهند‪.‬‬

‫شکل‪ -5‬نمایش پشته سلول های خورشیدی‬

‫استاندارد مشبتنی بر ‪CIGS‬‬ ‫‪ -3.1.2‬سلول های فتوولتائیک ‪CdTe‬‬
‫سلولهای خورشیدی مبتنی بر ‪ CdTe‬نیز به عنوان سلولهای فتوولتائی ک نس ل دوم ش ناخته میش وند‪ .‬ی ک‬
‫ویژگی جال ‪ CdTe‬کاهش اندازه سلول است؛ به دلیل کارایی ویفی باالی آن‪ ،‬ضخامت جذسکننده میتواند به‬
‫حدود ‪ 1‬میکرومتر کاهش یابد بدون افت زیادی در ک ارایی‪ .‬س لولهای ف وق ن ازک ب ه وی ژه ب رای کاربرده ای‬
‫انعطافپذیر‪ ،‬به خصوص در فتوولتائیک یکپارچه با ساختمان (‪ )BIPV‬به دلیل وزن سبک آنها‪ ،‬جذاس هستند و‬
‫‪14‬‬
‫پنلهای فتوولتائیک شفاف با ‪ CdTe‬میتوانند توسعه داده شوند به دلیل انتخاس پوشش شفاف‪ .‬شفافیت آنها از‬
‫حدود ‪ %10‬تا ‪ %50‬متغیر است‪ ،‬با اینکه یک افزایش در شفافیت بطور ضروری باع کاهش کارایی میش ود‪ .‬ب ا‬
‫این حال‪،‬پنلهای شفاف میتوانند جای زین پنلهای پنجره در ساختمانها شوند و نه تنها ب رق تولی د میکنن د‬
‫که میتواند برای تامین انرژی مورد استفاده قرار گیرد‪ ،‬بلکه به کاهش نویز و عایق حرارت ی نی ز کم ک میکن د‪،‬‬
‫زیرا بیشتر پنلها در شیشههای دوجداره قرار دارند‪.‬‬

‫شکل‪ -6‬شماتیک یک سلول خورشیدی ‪CdTe‬‬

‫فناوری سلولهای خورشیدی ‪ CdTe‬با گذر زمان به وور قابل توجهی توسعه یافته است‪ .‬در دهه ‪ ،1۹۸۰‬ک ارایی‬
‫سلولهای تایید شده به ‪ 1۰٪‬رسید و در دهه ‪ ،1۹۹۰‬کارایی بیش از ‪ 1۵٪‬با استفاده از ساختار الی های شیش ه‪/‬‬
‫‪CdTe /CdS/SnO2‬و آنیلینگ در محیط ‪ CdCl2‬و پخش مواد جانبی ‪ Cu‬به دست آمد‪ .‬تا دهه ‪ ،۲۰۰۰‬ک ارایی‬
‫سلولها به ‪ 1۶.۷٪‬رسید با استفاده از الیههای ‪ Cd2SnO4‬و ‪ Zn2SnO4‬که به صورت اکسیدهای رسانا شفاف‬
‫)‪(TCO‬تهیه شده بودند‪ .‬در یک دهه گذشته‪ ،‬رکوردهای جدید کارایی به ‪ ۲۲.1٪‬رسیده است‪ .‬فن اوری ‪CdTe‬‬
‫به وور فزایندهای در سیستمهای سقفی و فتوولتائیک یکپارچه با ساختمان استفاده میشود‪.‬‬

‫در سال ‪NREL ،۲۰۰1‬سلولی با کارایی ‪ 1۶.۵٪‬تولید کرد که حدود ‪ 1۰‬سال به عنوان معیار باقی مان د‪ .‬ک ارایی‬
‫رکورد به وور متعدد در ‪ ۲‬سال گذشته توسط ‪ First Solar‬و ‪ GE Global Research‬بهبود یافت ه اس ت‪ .‬در‬
‫حال حاضر‪ ،‬الیههای نازک ‪ CdTe‬کمتر از ‪ 1۰٪‬از بازار جهانی فتوولتائیک را تشکیل میدهند‪ ،‬با انتظار اف زایش‬

‫‪15‬‬
‫ظرفیت‪ .‬بیشتر سلولهای تجاری ‪ CdTe‬توسط ‪ First Solar‬ساخته میشوند‪ ،‬که کارایی سلولهای رک وردی را‬
‫به ‪ ۲۲.1٪‬و کارایی متوسط ماژولهای تجاری را به ‪ 1۸٪–1۷.۵‬رسانده است‪.‬‬

‫تاریخچه تحقیق و توسعه و تولید سلولهای فتوولتائی ک مبتن ی ب ر ‪ CdTe‬از چن د ده ه پ س از انج ام اول ین‬
‫مطالعات توسط ‪ )USA ،NJ ،Murray Hill( Bell Labs‬در دهه ‪ 1۹۵۰‬بر روی سلولهای بلوری ‪ Si‬آغاز ش ده‬
‫است‪ .‬شرکتهای پیشرو در حال کار بر روی تجاریسازی فناوری پای های بودهان د ‪،Kadoma(: Matsushita‬‬
‫‪ .Solar Cells ،)Spain ،Madrid(BP Solar ،)Japan ،Osaka‬پیش ینه ‪،AZ ،Tempe( First Solar‬‬
‫‪ )USA ،CO ،Loveland(Abound Solar ،)USA‬و ‪. )USA ،CO ،Denver( GE PrimeStar‬بزرگت رین‬
‫تولیدکننده الیه نازک ‪ CdTe PV‬در حال حاضر ‪ )USA ،AZ ،Tempe( First Solar‬است ک ه از س ال ‪۲۰۰۲‬‬
‫تا کنون ‪ GW ۲۵‬ماژول ‪ PV‬تولید کرده است‪.‬‬

‫روشهای نسبتاً آسان و ارزانی ب رای تولی د س لولهای خورش یدی ب ا ک ارایی ‪ 1۶٪–1۰‬اس تفاده ش ده اس ت‪.‬‬
‫نمون ههایی از چن دین تکنی ک رس وبی ارزان واع ظ ش امل (‪ )1‬زیرالی ه زیرفض ایی‪ )۲( ،‬رس وس اس پری‪)۳( ،‬‬
‫الکترودرسوبی‪ )۴( ،‬چاپ اسکرین و (‪ )۵‬ریزتراشهگذاری میشود‪.‬‬

‫خیراً کارایی رکورد ‪ 1۶٪‬در یک سلول الیهی ن ازک ‪ 0.4( CdS‬میکرومت ر) ‪ 3.5( CdTe /‬میکرومت ر) گ زارش‬
‫شده است که الیههای ‪ CdS‬و ‪ CdTe‬با استفاده از روشه ای رس وس مت ال‪-‬آل ی )‪ CVD (MOCVD‬و رس وس‬
‫‪ CSS‬تهیه شدهاند‪ ،‬بهترتی ‪ .‬بیشتر سلولهای فوق عملکرد از یک ساختار دست اه از نوع باالور استفاده میکنند‪،‬‬
‫جایی ک ه ‪ CdTe‬ب ر روی ی ک الی ه پنج ره از ‪ CdS‬رس وس شدهاس ت‪ .‬ب ه و ور معم ول‪ ،‬س اختار دس ت اه از‬
‫شیشه‪ CdS/CdTe/Cu-C/Ag/‬تشکیل شده است‪ .‬به وور معمول‪ ،‬برای بهینهسازی عملک رد دس ت اه‪ ،‬پ س از‬
‫رسوس الیه ‪ CdTe‬نیاز به درمان حرارتی در حضور ‪ CdCl2‬وجود دارد‪.‬‬

‫بهینهسازی ویژگیهای نوری سلول‪ ،‬حذف جذس کنندههای فرعی ‪ CdS‬و معرفی ‪ CdSexTe1-x‬با شکاف بان د‬
‫پایینتر‪ .‬استفاده از ‪ CdSexTe1-x‬باع افزایش پهنای باند جذس کننده از ‪ 1.4‬تا ‪ 1.5‬الکترونول ت و اف زایش‬
‫عمر حاملها میشود‪ ،‬بنابراین جم آوری فتوجریان را با هیچ افت تناسبی بهبود میبخشد‪ .‬اس تفاده از ‪ ZnTe‬در‬
‫کنتاکت عق مقادیراهمی و در نتیجه راندمان را به میزان قابل توجهی بهبود می بخشد‪.‬‬
‫‪ -3.1.3‬سلول های فتوولتائیک کستریت‬
‫در سالهای اخیر‪ ،‬مواد الیه نازک کستریت نسبت به مواد کالکوژنید ‪ CdTe‬و ‪ CIGS‬توجه بیش تری را ب ه خ ود‬
‫جل کردهاند‪ .‬ماده فتوولتاییک الی ه ن ازک ) 𝑒𝑆‪ 𝐶𝑢2 𝑍𝑛 𝑆𝑛 𝑆𝑥 𝑆𝑒4−𝑥 (CZTS‬ب ه دلی ل ک ارایی اس تثنایی و‬
‫ترکیبی که از زمین مشتق شده است‪ ،‬توجه جهانی را به خود جل کرده است‪ .‬تحقیقات زی ادی در ح ال انج ام‬
‫است بر روی مهندسی مواد یا وراحی معم اری جدی د ب رای دس تیابی ب ه س لولهای خورش یدی الی ه ن ازک‬
‫𝑒𝑆‪CZTS‬با عملکرد باال‪.‬اخیراً‪ ،‬پیشرفتهای بیشتر در زمین ه س لولهای خورش یدی الی ه ن ازک 𝑒𝑆‪ CZTS‬ب ه‬

‫‪16‬‬
‫‪ ٪11.1‬بهره وری تبدیل توان )‪ (PCE‬محدود شدهاند‪ ،‬ک ه ای ن س طوح به رهوری ب ا اس تفاده از روش آمیخت ه‬
‫هیدرازین به دست آمده است‪ .‬تکنیکهای رسوس در خالء و غیر خ الء نی ز م وثر بودهان د در تولی د س لولهای‬
‫خورشیدی 𝑒𝑆‪ CZTS‬با بهرهوری باالی ‪ .٪8‬با این حال‪ ،‬حتی بهترین تجهیزات با یک‪ ، PCE 11٪‬به وور قابل‬
‫توجهی زیر حد حدودی فیزیکی‪ ،‬که به آن حد حدودی )‪ Shockley-Queisser (SQ‬یاد میش ود‪ ،‬ک ه تح ت‬
‫شرایط زمین حدود ‪ ٪31‬کارایی است‪ ،‬قرار دارد‪.‬‬

‫روش محلول خالص مبتنی بر هیدرازین برای تهیه الیههای 𝑒𝑆‪ CZTS‬استفاده میشود‪ ،‬و یک ترکی فقیر مس‬
‫و غنی از روی (‪ Cu/(Zn + Sn) = 0.8‬و ‪ )Zn/Sn = 1.1‬در محلول اولیه انتخاس میشود‪ .‬الیههای چندگانه از‬
‫مواد روی زمینه شیشهای سودا‪-‬الیم پوشش داده میشوند و در دماهای ب االتر از ‪ 500‬درج ه س انتیگراد آنی ل‬
‫میشوند‪ .‬در مورد ساخت دست اهها‪ ،‬الیههای 𝑒𝑆‪ CZTS‬بر روی زیرپایههای شیشهای پوشش داده شده ب ا ‪Mo‬‬
‫قرار میگیرند‪ ،‬سپس ‪ 25‬ن انومتر ‪ CdS‬در ی ک حم ام ش یمیایی اس تاندارد رس وس میش ود و ب ا ‪ 10‬ن انومتر‬
‫‪ ZnO/50‬نانومتر ‪ ITO‬پوشش داده میشود‪ .‬یک تماس فلزی ب االیی ‪ Ni/Al‬ب ا ض خامت ‪ 2‬میکرومت ر و ‪110‬‬
‫نانومتر ‪ 𝑀𝑔 𝑓2‬باید با تبخیر پرتو الکترون بر روی دست اهها پوشش داده ش وند‪ .‬مس احت دس ت اه بای د توس ط‬
‫خطوط خراشی مکانیکی تعیین شود‪.‬‬

‫‪ -3.1.4‬سلول های فتوولتائیک مبتنی بر سیلیکون آمورف‬

‫آخرین نوع سلول هایی که به عنوان نسل دوم وبقه بندی می ش وند‪ ،‬دس ت اه ه ایی هس تند ک ه از س یلیکون‬
‫آمورف استفاده می کنند‪ .‬سلول های خورشیدی سیلیکونی آم ورف )‪ (a-Si‬مت داول ت رین فن اوری الی ه ن ازک‬
‫هستند که راندمان آن بین ‪ 5‬تا ‪ 7‬درصد است که برای سازه های اتصال دو و سه تا ‪ 8‬تا ‪ 10‬درصد افزایش م ی‬
‫یابد‪ .‬برخی از انواع سیلیکون آمورف )‪ (a-Si‬عبارتند از کاربی د س یلیکون آم ورف)‪ ، (a-SiC‬س یلیکون ژرم انیوم‬
‫آمورف)‪ ، (a-SiGe‬سیلیکون میکروکریستالی )‪ (-Si‬و نیترید سیلیکون آمورف ‪ (a-SiN).‬هیدروژن ب رای تخ دیر‬
‫کردن مواد مورد نیاز است که منجر به سیلیکون آمورف هیدروژن ه )‪ (a-Si:H‬م ی ش ود‪ .‬روش رس وس ف از گ از‬
‫معموالً برای تشکیل سلول های فتوولتائیک ‪ a-Si‬با فلز یا گاز به عنوان ماده زیرالیه استفاده می شود‪.‬‬

‫یک فرآیند تولید معمولی برای سلول های‪ ، a-Si:H‬فرآیند رول به رول است‪ .‬ابتدا یک ورق استوانهای‪ ،‬معموالً از‬
‫جنس استنلس استیل‪ ،‬برای استفاده به عنوان سطح رسوس دهی میشود‪ .‬ورق شسته می شود‪ ،‬به اندازه دلخ واه‬
‫بریده می شود و با یک الیه عایق پوشانده می شود‪ .‬سپس‪a-Si:H ،‬به بازتابنده اعمال می شود‪ ،‬پ س از آن ی ک‬
‫اکسید رسانای شفاف )‪ (TCO‬روی الیه سیلیکون رسوس می کند‪ .‬در نهایت‪ ،‬برش های لیزری برای اتص ال الی ه‬
‫های مختلف ایجاد می شود و ماژول بسته می شود‪.‬‬

‫‪17‬‬
‫سیلیکون آمورف معموالً توسط رسوس فاز بخار تقویتشده با پالس ما )‪ (PECVD‬در دم ای نس بتاً پ ایین بس تر‬
‫‪ 150‬تا ‪ 300‬درجه سانتیگراد رسوس میکند‪ .‬یک الیه ‪ a-Si:H‬با ضخامت ‪ 300‬نانومتر قادر اس ت ح دود ‪90‬‬
‫درصد فوتون های باالی نوار عبور را در یک گذر جذس کند و امکان ساخت سلول های خورش یدی س بک ت ر و‬
‫انعطاف پذیرتر را فراهم کند‪.‬‬

‫شکل ‪ 7‬فرآیند ساخت گام به گام یک سلول فتوولتائیک مبتنی بر ‪ a-Si‬را نشان می دهد‪.‬‬

‫سلولهای فتوولتائیک مبتنی بر الیههای نازک در مقایسه با سلولهای فتوولتائیک نسل اول ارزانت ر‪ ،‬ن ازکتر و‬
‫انعطافپذیرتر هستند‪ .‬ضخامت الیه جذس کننده نور که در سلول های فتوولتائیک نسل اول ‪ 200‬ت ا ‪ 300‬مت ر‬
‫بود‪ ،‬در سلول های نسل دوم ‪ 10‬متر است‪ .‬مواد نیمه هادی از سیلیکون میکروم ورف و آم ورف ت ا نیم ه ه ادی‬
‫های چهارتایی یا دوتایی مانند تلورید کادمیوم (‪ )CdTe‬و گالیوم س لنید م س این دیم (‪ ")CIGS‬در الی ه ه ای‬
‫نازک سلول های فتوولتائیک استفاده می شوند‪.‬‬

‫شکل‪ -7‬فرآیند ساخت ‪ PV‬خورشیدی مبتنی بر‪a-Si‬‬

‫‪ -3.2‬تجزیه و تحلیل مقایسه ای سلول های نسل دوم‪:‬‬

‫سلولهای فتوولتائیک الیه نازک مبتنی بر‪ ، CdTe‬گالیوم سلنید و مس )‪ (CIGS‬یا س یلیکون آم ورف ب همنظور‬
‫جای زینی کمهزینه برای سلولهای سیلیکونی کریستالی وراحی شدهاند‪ .‬آنها خواص مکانیکی بهبود یافته ای را‬
‫ارائه می دهند که برای کاربردهای انعطاف پذیر ایده آل هستند‪ ،‬اما با خطر کاهش کارایی همراه است‪ .‬در ح الی‬
‫‪18‬‬
‫که نسل اول سلولهای خورشیدی نمونهای از میکروالکترونیک بودند‪ ،‬تکامل الیههای نازک نیازمن د روشه ای‬
‫جدیدی برای رشد بودو این بخش را به روی سایر زمینهها از جمله الکتروشیمی باز کرد‪.‬‬

‫مقایسه سلول های فتوولتائیک نسل دوم‪:‬‬

‫سلول های خورشیدی مبتنی بر سیلیکون آمورف‪:‬‬

‫)‪ (a-si‬بازده‪ %12 5 :‬فاصله باند‪ eV1.7:‬وول عمر‪15 :‬سال‬

‫مزایا‪ :‬ارزان تر‪ ،‬موجود در مقادیر زیاد‪ ،‬غیر سمی‪ ،‬ضری جذس باال‪.‬‬

‫محدودیت ها‪ :‬راندمان پایین تر‪ ،‬مشکل در انتخاس مواد ناخالص‪ ،‬وول عمر حامل اقلیت ضعیف‪.‬‬

‫سلول های خورشیدی مبتنی بر تلورید کادیم‪/‬سولفید کادیم‪: (CdTe/CdS‬‬

‫وول عمر‪ 20 :‬سال‬ ‫فاصله باند‪eV1.45 :‬‬ ‫راندمان‪%16 15 :‬‬

‫مزایا‪ :‬میزان جذس باال‪ ،‬مواد کمتر مورد نیاز برای تولید‪.‬‬

‫محدودیت ها‪ :‬راندمان پایین تر‪ ،‬سی دی بسیار سمی‪Te ،‬محدود‪ ،‬حساس تر به دما است‪.‬‬

‫سلول های خورشیدی بر پایه مس ایندیم گالیم سلنید)‪: (CIGS‬‬

‫راندمان‪ %20 :‬فاصله باند‪ eV 1.7 :‬وول عمر‪ 12 :‬سال‬

‫مزایا‪ :‬مواد کمتر مورد نیاز برای تولید‪.‬‬

‫محدودیت ها‪ :‬قیمت بسیار باال‪ ،‬ناپایدار‪ ،‬حساس تر به دما‪ ،‬بسیار غیر قابل اعتماد‬

‫‪ -3.3‬روش هایی برای بهبهود عملکرد سلول های نسل دوم‬

‫مراحل بهبود کارایی سلولهای ‪ CIGS‬میتواند به شرح زیر توضیح داده شود ‪:‬‬

‫‪( CIS‬سلنید مس‪ ،‬ایندیم‪ ،‬گالیوم) توس ط فراین د تبخی ر ب ر‬ ‫‪ .1‬تبخیر ترکی ‪ CIS:‬در این مرحله‪ ،‬ترکی‬
‫روی سطح زیرالیه رسوس میگذارد‪.‬‬

‫‪19‬‬
‫رسوسگذاری دو الیه عنصری واکنشی‪ :‬برای افزایش کیفی ت و ک ارایی‪ ،‬از روش رس وسگذاری دو الی ه‬ ‫‪.2‬‬
‫عنصری واکنشی برای ایجاد ترکی های دقیق استفاده میشود‪.‬‬
‫سلنیزاسیون پیشنشان رهای فلزی پراکنده‪ :‬پس از رسوسگذاری‪ ،‬پیشنشان رهای فلزی پراکنده به وور‬ ‫‪.3‬‬
‫کامل به ساختار سلول وارد میشوند تا خواص الکتریکی بهبود یابد‪.‬‬
‫رسوسگذاری حوضچهای شیمیایی ‪ CdS‬با ‪ ZnO:Al‬به عنوان امیتر‪ :‬این فرایند برای اف زایش ک ارایی و‬ ‫‪.4‬‬
‫جذس نور مناس انجام میشود‪.‬‬
‫آلیاژسازی گالیوم‪ :‬با افزودن آلیاژ گالیوم به س لول‪ ،‬خ واص الکتریک ی و عملک رد در دم ای ب اال بهب ود‬ ‫‪.5‬‬
‫مییابد‪.‬‬
‫اندازهگیری سدیم‪ :‬اضافه کردن سدیم به فرایند ساخت میتواند کارایی و عم ر مفی د س لول را اف زایش‬ ‫‪.6‬‬
‫دهد‪.‬‬
‫کدرسازی سه مرحلهای‪ :‬این روش برای بهبود کیفیت و عملکرد سلولها در مقایسه با روشهای س نتی‬ ‫‪.7‬‬
‫استفاده میشود‪.‬‬
‫درمان پس از رسوسگذاری شامل تب ادل ی ون س ن ین قلی ایی‪ :‬ای ن مرحل ه ب رای بهب ود ویژگیه ای‬ ‫‪.8‬‬
‫الکتریکی و پایداری سلول انجام میشود‪.‬‬
‫گوگردسازی پس از سلنیزاسیون (‪ :)SAS‬این مرحله برای افزایش جذس نور و بهب ود خ واص الکتریک ی‬ ‫‪.9‬‬
‫انجام میشود‪.‬‬

‫پیشرفت بسیار پیچیده و غیر خطی است‪ ،‬با پتانسیل کامل برای بهینه سازی فع ل و انفع االت پیچی ده ب ین آن‬
‫تکنیک ها‪ ،‬همراه با سایر روش های در دست توسعه (به عنوان مثال‪ ،‬آلیاژهای نق ره)‪ ،‬ک ه هن وز محق ق نش ده‬
‫است‪ .‬تعداد زیادی از دانشمندان متخصص در ‪ CIGS‬فکر می کنند که می توان به بازده ‪ ٪25‬رسید‪.‬‬

‫‪ .۴‬سلول های فتوولتائیک نسل سوم‬

‫نسل سوم سلول های خورشیدی (شامل پشت سر هم‪ ،‬پروسکایت‪ ،‬حساس به رنگ‪ ،‬ارگانیک و مف اهیم نوظه ور)‬
‫ویف گسترده ای از رویکردها را نشان می دهد‪ ،‬از سیستم ه ای ارزان قیم ت ب ا ران دمان پ ایین (س لول ه ای‬
‫خورشیدی آلی حساس به رنگ) تا سیستم های گران قیمت با راندمان باال‪( .‬سلول های چند اتصالی ‪ )III-V‬برای‬
‫کاربردهایی که ویف وسیعی از یکپارچه سازی ساختمان را شامل می شوند‪.‬‬

‫به برنامه های فضایی سلول های فتوولتائیک نسل سوم به دلیل نفو ض عیف در ب ازار‪ ،‬گ اهی اوق ات ب ه عن وان‬
‫"مفاهیم نوظهور" شناخته می شوند‪ ،‬حتی اگر برخی از آنها بیش از ‪ 25‬سال مورد مطالعه قرار گرفته اند‪.‬‬

‫‪20‬‬
‫آخرین روند در توسعه سلول های فتوولتائیک سیلیکونی روش هایی است که شامل تولید سطوح اض افی ان رژی‬
‫در ساختار نوار نیمه هادی است‪ .‬پیشرفته ترین مطالعات فناوری ساخت و بهبود بهره وری اکنون بر روی س لول‬
‫های خورشیدی نسل سوم متمرکز شده است‪.‬‬

‫یکی از روش های فعلی برای افزایش کارایی سلول های‪ ، PV‬معرفی سطوح انرژی اضافی در شکاف ن واری نیم ه‬
‫هادی (سلول های ‪ IBSC‬و‪ ) IPV‬و استفاده روزافزون از کاشت یون در فرآیند ساخت است‪ .‬سلول ه ای نوآوران ه‬
‫دی ر نسل سوم که فناوری های تجاری در حال ظهور» کمتر شناخته شده ای هستند عبارتند از‪:‬‬

‫‪. 1‬سلول های فتوولتائیک مواد آلی‪(OSC).‬‬

‫‪. 2‬سلول های فتوولتائیک پروسکایت ها‪(PSC).‬‬

‫‪. 3‬سلول های فتوولتائیک حساس به رنگ‪(DSSC).‬‬

‫‪ .4‬سلول های فتوولتائیک نقاط کوانتومی (‪.)QD‬‬

‫‪ -4.1‬فناوری های نوظهور‪ :‬سلول های چند اتصالی‪ ،‬فتوولتائیک آلی)‪ ، (OPV‬سلول های خورشیدی حساس به رنگ‬
‫)‪(DSSC‬‬

‫‪ -4.1.1‬سلول های فتوولتائیک مواد آلی و پلیمری (‪)OSC‬‬

‫سلولهای خورشیدی آلی (‪ )OSCs‬به دلیل ویژگیهای منحصر به فردی که نیمهرس انای آل ی دارن د‪ ،‬از جمل ه‬
‫توانایی هایی مثل فرآیند شدن در محلول‪ ،‬وزن س بک‪ ،‬هزین ه کمت ر‪ ،‬انعطافپ ذیری‪ ،‬نیمهش فافیت‪ ،‬و قابلی ت‬
‫استفاده در فرآیند پردازش بزرگمقیاس به شیوه رول به رول‪ ،‬در برنامههای مرتبط با ان رژی خورش یدی بس یار‬
‫مفید هستند‪ .‬سلولهای خورشیدی آلی که به روش پردازش در محلول ساخته میشوند و پرتوه ای نزدی ک ب ه‬
‫مادون قرمز (‪ )NIR‬را جذس میکنند‪ ،‬به عنوان ترکیبات بلوک مخلوط دهنده و پذیرنده (‪ )BHJ‬در سراسر جهان‬
‫مورد مطالعه قرار گرفتهاند‪ .‬این سلولها به عنوان تجهیزات پیشرفته در دست اههای اپتوالکترونیک نس ل بع دی‪،‬‬
‫مانند سلولهای خورشیدی نیمه شفاف و فتودتکتورهای ‪ ،NIR‬به دلیل قابلیت آنها ب رای کاربرده ای ص نعتی‪،‬‬
‫توجه بسیاری را به خود جل کردهاند‪ .‬در حال حاضر با معرفی پذیرندههای غیر‪-‬ف ولرن (‪ )NFAs‬ک ه ن ور را در‬
‫محدوده ‪ NIR‬جذس میکنند‪ ،‬ارزش سلولهای خورشیدی آلی بیشتر شده است‪ ،‬در حالی که م واد دهن ده آل ی‬
‫قابل جذس نور در محدوده ‪ NIR‬هنوز به اندازه پذیرندههایی که نور را در ای ن مح دوده ج ذس میکنن د‪ ،‬م ورد‬
‫مطالعه قرار ن رفتهاند‪.‬‬

‫‪21‬‬
‫ساختار پیشرفتهترین ‪ BHJ‬با ترکی مواد محلول و حالل آلی‪ ،‬امید بسیاری را برای سلولهای خورش یدی آل ی‬
‫با هزینه کم و وزن سبک نشان داد‪ .‬در دهه گذشته‪ ،‬پیشرفت عظیمی صورت گرفته اس ت‪ ،‬ب ا ب ه دس ت آوردن‬
‫کارایی تبدیل توان بیش از ‪ %14‬برای دست اه تکجوش ه و ب یش از ‪ %17‬ب رای ی ک دس ت اه جف ت از وری ق‬
‫وراحی مواد فتواکتیو ‪ NIR‬جدید با پهنای باند پایین‪ .‬نسبت به مواد فتوولتائیک آلی با پهنای باند گسترده‪ ،‬مواد‬
‫دهنده با پهنای باند پایین و پذیرندههای غیر‪-‬فولرن با پوشش خورش یدی گس تردهای ک ه ب ه منطق ه ‪ NIR‬ت ا‬
‫معموالً نشان میدهند‪ ،‬اندازهگیری های الکترونیکی چندان چاپلوسی نشان میدهند‪ ،‬دلوکالیزاس یون الکترونه ا‬
‫آسانتر است‪ ،‬ثابت الکتریکی باالتری دارند‪ ،‬مومان دیپل ق ویتری دارن د و ان رژی بایندگیکس یتون پ ایینتری‬
‫دارند‪ .‬این ویژگیها باع میشود که مواد فتوولتائیک با پهنای باند پایین نقش مهمی در سلولهای خورش یدی‬
‫آلی با عملکرد باال ایفا کنند‪ ،‬از جمله دست اههای تکجوشه و جفت‪.‬‬

‫یک استراتژی هوشمندانه در وراحی الیه فعال میتواند بهوور خالصه بهینهسازی نسبت وزنی مواد فرستنده ب ه‬
‫مواد گیرنده باشد‪ ،‬با استفاده از مواد با شکاف باند فوقکم به عنوان یک مولفه سوم برای بهبود کارایی استفاده از‬
‫نور ‪ ،NIR‬و تنظیم ضخامت الیه فعال برای دستیابی به تعادلی بین جم آوری فوتون و تجم بار‪ .‬ت الش زی ادی‬
‫برای بهینهسازی الکترود باالی نیمهشفاف صورت گرفته است‪ :‬همتوازنی مناس در ه دایت و نف و پ ذیری در‬
‫محدوده نور قابل رؤیت‪ ،‬افزایش بازتاس در محدوده نور ‪ NIR‬یا فرابنفش (‪ ،)UV‬و سازگاری بهتر با الیههای فعال‪.‬‬
‫از نظ ر مهندس ی دس ت اه‪ ،‬فوتونکریس تال‪ ،‬پوش ش ض دانعکاس‪ ،‬میکروک اویتی ن وری‪ ،‬و س اختارهای‬
‫دیالکتریک‪/‬فلز‪/‬دیالکتریک (‪ )DMD‬برای دستیابی به انتقال و بازت اس انتخ ابی ب رای بهب ود همزم ان ک ارایی‬
‫تبدیل انرژی و انتقال میان ین نور قابل رؤیت سلولهای خورشیدی آلی نیم ه ش فاف روی دس ت اهها ق رار داده‬
‫شده است‪.‬‬
‫‪ -4.1.2‬سلول های فتوولتائیک حساس به رنگ (‪:)DSSC‬‬
‫پلیمرهای همآهنگ و نیمهرسانای آلی در نمایش رهای صفحهای و ‪LED‬ها موفق عمل کردهاند‪ ،‬بنابراین در نسل‬
‫فعلی سلولهای خورشیدی به عنوان مواد پیشرفته م ورد نظ ر ق رار میگیرن د‪ .‬نم ایش تص ویری از س لولهای‬
‫خورشیدی آلی حساس به رنگ (‪ )DSSCs‬در شکل ‪ 1۳‬نشان داده شده است‪ .‬سلولهای خورشیدی پلیمری‪/‬آلی‬
‫همچن ین میتوانن د ب ه س لولهای خورش یدی آل ی حس اس ب ه رن گ (‪ ،)DSSCs‬س لولهای خورش یدی‬
‫فوتوالکتروشیمیایی و دس ت اههای خورش یدی پالس تیکی (پلیم ری) و آل ی (‪ )OPVDs‬تقس یم ش وند‪ ،‬ک ه در‬
‫مکانیزم عملکرد آنها با یکدی ر متفاوت هستند‪.‬‬

‫‪22‬‬
 ‫شکل‪-8‬نمایش شماتیک از ‪DSSCs‬‬

‫سلول های خورشیدی حساس به رنگ (‪ )DSSCs‬یکی از بهت رین م واد ن انوتکنولوژی ب رای برداش ت ان رژی در‬
‫فناوری های فتوولتائیک است‪ .‬این یک ساختار غیرآلی آلی ترکیبی است که در آن یک الی ه بس یار متخلخ ل و‬
‫نانوکریستالی از دی اکسید تیتانیوم ( ‪ )𝑇𝑖𝑂2‬به عنوان رسانای الکت رون ه ا در تم اس ب ا محل ول الکترولی ت‬
‫حاوی رنگ های آلی که نور را در نزدیکی سطوح مشترک جذس می کند‪ ،‬استفاده می شود‪ .‬انتقال ب ار در س طح‬
‫مشترک رخ می دهد و در نتیجه حفره هایی در الکترولیت منتقل م ی ش ود‪ .‬ران دمان تب دیل ت وان ح دود ‪11‬‬
‫درصد نشان داده شده است و تجاری سازی ماژول های فتوولتائیک حساس به رنگ در ح ال انج ام اس ت‪ .‬ی ک‬
‫ویژگی جدید در سلول های خورشیدی ‪ ،DSSC‬حساس شدن به نور پوشش های ‪ 𝑇𝑖𝑂2‬نانو اندازه در ترکی‬
‫با رنگ های فعال نوری است که کارایی آنها را بیش از ‪ %10‬افزایش می دهد‪.‬‬

‫‪DSSC‬ها به دلیل ساخت ساده‪ ،‬هزینه مواد کم‪ ،‬و مزایای آن در شفافیت‪ ،‬قابلیت رن گ و انعط اف مک انیکی‪ ،‬ب ه‬
‫عنوان دست اه های فتوولتائیک امیدوار هستند ‪.‬چالش های اصلی در تجاری سازی ‪ DSSC‬ه ا‪ ،‬ران دمان تب دیل‬
‫فوتوالکتریک ضعیف و پایداری سلول است‪ .‬باالترین راندمان تبدیل نظری انرژی برای‪ DSSC‬ها ‪ %32‬برآورد شد‪.‬‬
‫با این حال‪ ،‬باالترین بازده گزارش شده تا به امروز تنها است ‪ 13‬درصد کار فشرده برای درک پارامتره ای ح اکم‬
‫بر ‪ DSSC‬برای بهبود کارایی آن در حال انجام است‪ .‬تالشهای زیادی برای بهینهسازی جفت ردوک س و ج ذس‬
‫رنگ‪ ،‬اصالح یک نیمهرسانای باند پهن به عنوان یک الکترود کار‪ ،‬و توسعه ی ک الکت رود ض د )‪ (CE‬انج ام ش ده‬
‫است‪ .‬عالوه بر افزایش کارایی‪ ، DSSC‬هزینه مواد یکی دی ر از مسائل اساسی است که باید در کارهای آینده حل‬
‫شود‪.‬‬

‫‪23‬‬
 ‫‪-4.1.3‬سلول های فتوولتائیک پروسکایت‪:‬‬

‫سلولهای خورشیدی پروسکایت )‪ (PSCs‬یک مفهوم جدی د و انقالب ی س لولهای فتوولتائی ک هس تند ک ه ب ر‬
‫پروسکایتهای متال هالید)‪ ، (MHPs‬به عنوان مثال‪ ،‬یدید متیل آمونیوم و همچنین یدید س رس فرمی دین (ب ه‬
‫ترتی ‪ 𝑀𝐴𝑃𝑏𝐼3‬یا ‪ ) 𝐹𝐴𝑃𝑏𝐼3‬متکی است ‪. MHP‬ها تعدادی از ویژگ ی ه ای م ورد عالق ه در ج ا س ه ای‬
‫فتوولتائیک را ادغام می کنند‪ ،‬از جمله شکاف باند مستقیم با ضری جذس باال‪ ،‬وول عمر حامل ووالنی و و ول‬
‫انتشار‪ ،‬چ الی نقص کم‪ ،‬و سهولت تنظیم ترکی و شکاف باند‪ .‬در سال ‪MHP ،2009‬برای اولین بار به عن وان‬
‫یک حساس کننده در سلول رنگ بر اساس سوراخ های رسانای الکترولیت م ای توص یف ش د‪ .‬در س ال ‪،2012‬‬
‫‪MHP‬با نشان دادن کارایی ‪ 10‬درصدی‪ PSC‬ها بر اساس یک هادی سوراخ حالت جامد‪ ،‬باع انفجار مطالع ات‬
‫‪PSC‬شد‪ .‬در حدود یک دهه تحقیق‪ ،‬راندمان یک اتصال ‪ PSC‬به سطح تایید شده ‪ ٪25.2‬افزایش یافت‪.‬‬

‫توسعه ‪PSC‬ها به شدت تحت تأثیر بهبود کیفیت مواد از وریق ویف گسترده ای از روش های مصنوعی وراحی‬
‫شده تحت هدایت درک اساسی مکانیسم های رشد ‪ MHP‬قرار گرفته است‪ .‬درک فرآیندهای پیچی ده و م رتبط‬
‫رشد پروسکایت (به عنوان مثال‪ ،‬هستهزایی‪ ،‬رشد دانه‪ ،‬و همچنین تکامل ریزساختار) به توسعه وی ف وس یعی از‬
‫حالتهای رشد با کارایی باال (به عنوان مثال‪ ،‬رشد تک مرحلهای‪ ،‬رش د مت والی‪ ،‬فرآین د انح الل‪ ،‬فرآین د بخ ار‪،‬‬
‫پردازش پس از رسوس گذاری‪ ،‬رشد غیر استوکیومتری‪ ،‬رشد به کمک مواد افزودنی و تنظیم دقیق ابعاد ساختار)‪.‬‬
‫آخرین تالش ها بر روی مهندسی رابط متمرکز شده است‪ ،‬تمرکز بر کاهش تلفات ولتاژ مدار باز و بهبود پایداری‪،‬‬
‫به ویژه با معرفی یک الیه سطحی پروسکایت دو بعدی‪ .‬ب ا پیش رفت در کنت رل مص نوعی‪ ،‬ترکی پروس کایت‪،‬‬
‫عمدتا به سمت ‪ ،𝐹𝐴𝑃𝑏𝐼3‬سادهتر میشود‪ .‬این بدون شک به سادهسازی روشهای رس وسگذاری در مقی اس و‬
‫درک اساسی از خواص این سلولها کمک میکند‪.‬‬

‫سلولهای خورشیدی ساخته شده از این مواد به کوانتوم داتها )‪ (QDs‬گفت ه میش وند و همچن ین ب ه عن وان‬
‫سلولهای خورشیدی نانوبلوری شناخته میشوند‪ .‬آنها توسط رشد سینتیکی بر روی یک بلور زیرساخت ساخته‬
‫میشوند‪ .‬کوانتوم داتها توسط حاج های بالقوه در یک شکل سهبعدی احاوه شدهاند و الکترونه ا و الکه ای‬
‫الکترون در یک کوانتوم دات به دلیل محدود شدن در یک فضای کوچ ک‪ ،‬ان رژی گسس ته میش وند‪ .‬بن ابراین‪،‬‬
‫انرژی وضعیت پایه الکترونها و الکهای الکترون در یک کوانتوم دات به اندازه کوانتوم دات وابسته است‪.‬‬

‫سلولهای نانوبلوری ضری جذس نسبتاً باالیی دارند‪ .‬چهار فرآیند متوالی در یک سلول خورش یدی رخ میده د‪:‬‬
‫(‪ )1‬جذس نور و ایجاد اکسیتون‪ )2( ،‬پخش اکسیتون‪ )3( ،‬جدایش بار و (‪ )4‬حمل و نقل ب ار‪ .‬ب ه دلی ل حرک ت‬
‫ناپذیری و عمر کوتاه اکسیتونها در پلیمرهای هادی‪ ،‬ترکیبات آلی توس ط ووله ای پخ ش اکس یتون کوچ ک‬
‫(‪ 20–10‬نانومتر) مشخص میشوند‪ .‬به عبارت دی ر‪ ،‬اکسیتونهایی که دورتر از الکت رود ی ا الی ه حم ل و نق ل‬
‫کارگر ایجاد میشوند‪ ،‬با یکدی ر ترکی میشوند و کارایی تبدیل کاهش مییابد‪.‬‬
‫‪24‬‬
 ‫سلول های فتوولتائیک نقاط کوانتومی سلول های خورشیدی ساخته شده از این مواد را نقاط کوانتومی )‪(QDs‬‬
‫می نامند و به سلول های خورشیدی نانو کریستالی نیز می گویند‪ .‬آنها با رشد اپیتاکس یال روی ی ک کریس تال‬
‫بستر ساخته می شوند‪ .‬نقاط کوانتومی توسط موان با پتانسیل باال به شکل سه بعدی احاوه شده اند و الکت رون‬
‫ها و حفره های الکترونی در یک نقطه کوانتومی به دلیل محصور شدن در یک فضای کوچک به ان رژی گسس ته‬
‫تبدیل می شوند (شکل ‪ .)14‬در نتیجه‪ ،‬انرژی حالت پای ه الکت رون ه ا و حف ره ه ای الکترون ی در ی ک نقط ه‬
‫کوانتومی به اندازه نقطه کوانتومی بست ی دارد‪.‬‬

‫سلول های نانوکریستالی ضری جذس نسبتا باالیی دارند‪ .‬چهار فرآیند متوالی در یک سلول خورش یدی رخ م ی‬
‫دهد‪ )1( :‬جذس نور و تشکیل اکسایتون‪ )2( ،‬انتشار اکسایتون‪ )3( ،‬جداس ازی ب ار‪ ،‬و (‪ )4‬انتق ال ب ار‪ .‬ب ه دلی ل‬
‫تحرک ضعیف و عمر کوتاه اکسیتون ها در پلیمرهای رسانا‪ ،‬ترکیبات آلی با وول انتشار اکس ایتون کوچ ک (‪10‬‬
‫تا ‪ 20‬نانومتر) مشخص می شوند‪ .‬به عبارت دی ر‪ ،‬اکسیتونهایی که دور از الکترود یا الیه انتقال حام ل تش کیل‬
‫میشوند‪ ،‬دوباره ترکی میشوند و بازده تبدیل کاهش مییابد‪.‬‬

‫توسعه سلول های خورشیدی الیه نازک با پروسکایت هالید فلزی منجر به توجه شدید ب ه نانوبلوره ای مربوو ه‬
‫(‪ )NCs‬یا نقاط کوانتومی (‪ )QDs‬شده است‪ .‬امروزه راندمان رکورد سلول های خورشیدی ‪ QD‬با استفاده از ‪QD‬‬
‫های کلوئیدی مخلوط با پروسکایت ها به ‪ 16.6‬درصد افزایش یافته است‪ .‬جهانی بودن ای ن ن انومواد جدی د ب ا‬
‫توجه به سهولت س اخت و توان ایی تنظ یم ش کاف ن واری و کنت رل ش یمی س طح‪ ،‬امکان ات متن وعی را ب رای‬
‫فتوولتائیکها مانند سلولهای تک پیوندی‪ ،‬االستیک‪ ،‬شفاف‪ ،‬کنترلشده با ساختارهای ناهمسان و پشت سر هم‬
‫چند اتصالی فراهم میکند‪ .‬سلول های خورشیدی که میدان را حتی بیشتر می کند‪ .‬با ای ن ح ال‪ ،‬توزی ان دازه‬
‫باریکتر این پتانسیل را دارد که عملکرد سلولهای خورش یدی ‪ QD‬را از راهه ای متع ددی اف زایش ده د‪ .‬اوال‪،‬‬
‫انتقال الکترون ممکن است در ‪ QD‬های کوچکتر بهتر باشد‪ ،‬زیرا ‪ QD‬های بزرگتر به عنوان یک دم نواری یا تله‬
‫کم عمق عمل می کنند که انتقال را دشوارتر می کند‪ .‬ثانیاً‪ ،‬ولتاژ مدار باز (‪ )VOC‬سلولهای خورش یدی ‪ QD‬را‬
‫میتوان با کوچکترین فاصله باند (بزرگترین اندازه) ‪ QD‬در نزدیکی کنتاکتها محدود کرد‪ .‬اف زایش هم ن ی و‬
‫یکنواختی اندازه ‪ QD‬همچنین عملکرد ‪ PV‬را با به حداقل رس اندن چن ین تلف اتی بهب ود م ی بخش د‪ .‬اگرچ ه‬
‫آزمایشهای کنترلشدهای مانند این هنوز گزارش نشده است‪ ،‬اما ممکن است سنتز کنترلشدهتر مزای ایی ب رای‬
‫سلولهای ‪ QD‬فراهم کند‪.‬‬

‫‪25‬‬
 ‫شکل‪ -9‬ورح یک سلول خورشیدی بر اساس نقاط کوانتومی‪ ،‬نمودار باند سلول‬
‫خورشیدی‬

‫‪ -4.1.4‬سلول های فتوولتائیک چند اتصالی‪:‬‬

‫سلول های خورشیدی متشکل از اتصاالت ‪ p-n‬متعددی هستند که از مواد نیمه هادی مختلف ساخته شده ان د‪،‬‬
‫که هر اتصال در پاسخ به نور با وول موج متفاوت‪ ،‬جریان الکتریکی تولید می کند‪ ،‬در نتیجه تبدیل نور خورشید‬
‫به الکتریسیته و کارایی دست اه را بهبود می بخشد‪ .‬مفهوم استفاده از مواد مختلف با شکاف نواری مختل ف ب رای‬
‫استفاده از حداکثر تعداد ممکن فوتون پیشنهاد شده است‪.‬‬

‫و به عنوان سلول خورشیدی پشت سر هم شناخته می شود‪ .‬یک سلول کامل می تواند از مواد مشابه یا متف اوت‬
‫ساخته شود که ویف وسیعی از ورح های ممکن را ارائه می دهد‪.‬‬

‫معموالً سلول ها به صورت یکپارچه و از وریق یک اتصال تونلی به صورت سری به هم متصل می شوند و تطبیق‬
‫جریان بین سلول ها از وریق تنظیم شکاف باند و ضخامت هر سلول به دس ت م ی آی د‪ .‬امک ان س نجی نظ ری‬
‫استفاده از شکاف باند چندگانه مورد بررسی قرار گرفت و مشخص شد که برای دو شکاف بان د ‪ ،٪44‬ب رای س ه‬
‫شکاف باند ‪ ،٪49‬برای چهار شکاف باند ‪ ٪54‬و برای تعداد بی نهایت ش کاف ‪ ٪66‬اس ت‪ .‬ش کل ‪ 15‬ورح ی از‬
‫یک سلول خورشیدی سه گانه ‪ InGaP/(In)GaAs/Ge‬را نشان می دهد و فناوری های حیاتی را برای افزایش‬
‫کارایی تبدیل ارائه می دهد‪.‬‬

‫‪26‬‬
 ‫شکل‪ -10‬تصویر شماتیک یک سلول اتصال سه گانه و رویکردهایی‬
‫برای بهبود کارایی‬

‫سلول‬

‫سلول های خورشیدی سه گانه ‪ InGaP/(In)GaAs/Ge‬منطبق بر شبکه به وور گسترده در فتوولتائیک ه ای‬
‫فضایی استفاده شده اند و باالترین راندمان واقعی بیش از ‪ %36‬را به دست آورده اند‪ .‬بمب اران پرتوه ای س ن ین‬
‫رات پرانرژی مختلف در محیط فضا به وور اجتناس ناپذیری به سلول های خورشیدی آسی می رساند و باع‬
‫تشکیل مراکز نوترکی غیر تشعشعی اضافی می شود که وول انتشار حامل ه ای اقلی ت را ک اهش م ی ده د و‬
‫منجر به کاهش کارایی سلول های خورشیدی می شود‪ .‬سلول های فرعی در سلول های خورشیدی چند پیوندی‬
‫به صورت سری به هم متصل می شوند‪ .‬سلول فرعی با بیشترین تخری تشعش ‪ ،‬کارایی سلول خورش یدی چن د‬
‫پیوندی را کاهش می دهد‪ .‬برای بهبود مقاومت تابشی زیرسلول ه ای ‪ (In)GaAs‬م ی ت وان از اق داماتی مانن د‬
‫کاهش غلظت ناخالصی‪ ،‬کاهش ضخامت ناحیه پایه و غیره استفاده کرد‪.‬‬

‫‪ -4.1.5‬سلول های فتوولتائیک با باند میانی اضافی‪:‬‬

‫آزمایش اه ملی انرژی های تجدیدپذیر )‪ (NREL‬تخمین می زند که سلول های فتوولتائیک چند اتصالی و ‪IBSC‬‬
‫باالترین راندمان را در شرایط آزمایشی (‪ )٪47.1‬دارند‪.‬‬

‫ویژگی اصلی این سلول ها دقیقاً نوار میانی اضافی در شکاف نواری سیلیکون است‪ .‬در حال حاضر دو ن وع از ای ن‬
‫سلول ها در ادبیات جه انی مش خص ش ده اس ت ‪(: IBSC‬س لول ه ای خورش یدی بان د متوس ط) و ‪( IPV‬اث ر‬
‫فتوولتائیک ناخالصی)‪[67].‬‬

‫‪27‬‬
‫اثر فتوولتائیک ناخالصی )‪ (IPV‬یکی از راه حل های مورد استفاده برای افزایش پاسخ مادون قرم ز س لول ه ای‬
‫‪PV‬و در نتیجه افزایش راندمان تبدیل انرژی خورشیدی به برق است‪ .‬ای ده اث ر ‪ IPV‬ب ر اس اس معرف ی عی وس‬
‫تشعش عمیق در ساختار ساختار کریستالی نیمه هادی است‪ .‬این نقص ها جذس چند مرحله ای را تضمین م ی‬
‫کند‪.‬‬

‫مکانیسم فوتونهایی با انرژی کمتر از عرض شکاف باند‪ .‬افزودن آالینده های ‪ IPV‬به س اختار س لول خورش یدی‬
‫سیلیکونی‪ ،‬تحت شرایط خاص‪ ،‬پاسخ ویفی‪ ،‬چ الی جریان اتصال کوتاه و راندمان تبدیل را افزایش می دهد‪.‬‬

‫یک جهت اصلی مطالعه با پتانسیل زیاد برای توسعه سلول های خورشیدی بان د متوس ط )‪ (IBSCs‬اس ت‪ .‬آنه ا‬
‫مفهوم نسل سوم سلول های خورشیدی را نشان می دهند و نه تنها سیلیکون‪ ،‬بلکه مواد دی ر را نیز ش امل م ی‬
‫شوند‪ .‬ایده پشت مفهوم سلول خورشیدی شکاف باند میانی )‪ (IBSC‬جذس فوتون ها با انرژی مربوط به عرض زیر‬
‫باند در ساختار سلول است‪ .‬این فوتون ها توسط یک ماده نیمه هادی مانند جذس می شوند که عالوه بر نوارهای‬
‫رسانایی و ظرفیت‪ ،‬دارای یک نوار می انی )‪ (IB‬در ش کاف ن واری نیم ه ه ادی معم ولی اس ت (ش کل ‪ .)16‬در‬
‫‪IBSC‬ها‪ ،‬الیههای سیلیکونی با دوزهای بسیار باالیی از یونهای فلزی برای ایج اد س طح ان رژی اض افی کاش ته‬
‫میشوند‪.‬‬

‫شکل‪ -11‬نمودار باند انرژی یک سلول خورشیدی باند متوسط (‪)IBSC‬‬

‫بر اساس تحقیقات انجام شده در مورد تأثیر عیوس وارد شده به ساختار سیلیکونی‪ ،‬مدلی ایجاد شد که بر اس اس‬
‫آن‪ ،‬معرفی عیوس عمیق انتخاس شده در ناحیه جذس حامل بار منجر به بهبود بازده سلول ‪ PV‬میشود‪ .‬نقایص ی‬
‫که حمل و نقل حامل های اکثریت را تسهیل می کند و نقص هایی که با تجم حامل ه ای اقلی ت خنث ی م ی‬
‫کند‪ ،‬از اهمیت ویژه ای برخوردار است‪ .‬این به وور قابل توجهی به کاهش فرآیند نوترکیبی در محل ضبط حامل‬

‫‪28‬‬
‫شارژ کمک می کند‪ .‬در نهایت‪ ،‬با وارد کردن نقص در ساختار سیلیکون زیر سلول خورشیدی‪ ،‬ما غیرفعال ک ردن‬
‫سطح موثر را با کاهش همزمان تلفات نوری ترکی میکنیم‪.‬‬

‫معرفی نوارهای میانی در نیمه هادی ها با استفاده از کاشت یونی‪ ،‬می تواند با استفاده از دو روش انجام ش ود‪ :‬ب ا‬
‫وارد کردن مواد ناخالص با غلظت بسیار باال در بستر نیمه هادی‪ ،‬یا با کاشت الیه سیلیکونی با یون های فلزی ب ا‬
‫دوز باال‪ .‬استفاده روزافزون از کاشت یون در فرآیند تولید سلول های فتوولتائیک پتانسیل کاهش هزینه استقرار و‬
‫افزایش کارایی سلول های سیلیکونی را با افزایش کارایی آنها دارد‪ .‬استفاده از فناوری کاشت یون باع اف زایش‬
‫دقت دوپینگ الیه سیلیکونی و تولید سطوح اضافی ان رژی در ش کاف ن واری و همچن ین کوت اه ش دن مراح ل‬
‫جداگانه ساخت سلول میشود که در نهایت منجر به بهبود کیفیت و هزینههای تولید کمتر میشود‪.‬‬

‫اخیراً‪ ،‬تکنیک کاشت یون در صنعت خورشیدی محبوبیت پیدا کرده است و به تدریج جای زین روش انتش ار ک ه‬
‫سال هاست مورد استفاده قرار گرفته است‪ .‬همانطور که در ش کل ‪ 17‬مش اهده م ی ش ود‪ ،‬انتظ ار م ی رود ک ه‬
‫عملکرد سلول همچنان به بهبود خود ادامه دهد زیرا فناوری به سمت بازدهی باالتر تکام ل م ی یاب د‪ .‬ع الوه ب ر‬
‫دوپینگ محلی و مرج ‪ ،‬مزایای عمده این فناوری شامل کنترل دقیق مقدار و توزی دوزهای ناخ الص اس ت ک ه‬
‫منجر به یکنواختی باال‪ ،‬تکرارپذیری و افزایش راندمان (باالی ‪ )٪19‬با توزی بسیار محدودتر عملکرد سلولی ‪.‬‬

‫شکل‪ -12‬منحنی های روند بازده سلولی تثبیت شده‬

‫‪29‬‬
‫در روش کاشت یون‪ ،‬یون های انتخابی با ناخالصی مورد نیاز با شتاس دادن به یون های ناخالصی تا سطح ان رژی‬
‫باال و کاشت یون ها در نیمه هادی وارد نیمه هادی می شوند‪ .‬انرژی داده شده به یون های ناخالصی عمق کاشت‬
‫یون را مشخص می کند‪ .‬برخالف فناوری انتشار (که در آن دوز یون ناخالصی فق ط در س طح وارد میش ود)‪ ،‬در‬
‫روش کاشت یون‪ ،‬دوز قابل کنترلی از یونهای ناخالصی را میتوان عمیقاً در نیمهرسانا قرار داد‪.‬‬

‫‪ -4.2‬مقایسه سلول های فتوولتائیک نسل سوم‪:‬‬

‫سلول های خورشیدی مبتنی بر سلول های فتوولتائیک حساس به رنگ‬

‫راندمان‪%20 5 :‬‬

‫مزایا‪ :‬هزینه کمتر‪ ،‬نور کم و عملکرد زاویه بازتر‪ ،‬عملکرد دمای داخلی پایین تر‪ ،‬استحکام و وول عمر بیشتر‪.‬‬

‫محدودیت ها‪ :‬مشکالت پایداری دما‪ ،‬مواد سمی و فرار‪.‬‬

‫سلول های خورشیدی بر اساس نقاط کوانتومی‬

‫راندمان‪%17 11 :‬‬

‫مزایا‪ :‬هزینه تولید کم‪ ،‬مصرف انرژی کم‪.‬‬

‫محدودیت ها‪ :‬سمیت باال در وبیعت‪ ،‬تخری ‪.‬‬

‫سلول های خورشیدی مبتنی بر سلول های فتوولتائیک آلی و پلیمری‬

‫راندمان‪%11 9 :‬‬

‫مزایا‪ :‬هزینه پردازش کم‪ ،‬وزن سبک تر‪ ،‬انعطاف پذیری‪ ،‬پایداری حرارتی‪.‬‬

‫محدودیت ها‪ :‬راندمان پایین‪.‬‬

‫سلول های خورشیدی بر پایه پروسکایت‬

‫راندمان‪%21 :‬‬

‫مزایا‪ :‬ساختار کم هزینه و ساده‪ ،‬وزن سبک‪ ،‬انعطاف پذیری‪ ،‬راندمان باال‪ ،‬هزینه ساخت کم‪.‬‬

‫محدودیت ها‪ :‬ناپایدار‪.‬‬

‫‪30‬‬
 ‫سلول های خورشیدی چند اتصالی‬

‫راندمان‪ %36 :‬و باالتر‪.‬‬

‫مزایا‪ :‬عملکرد باال‪.‬‬

‫محدودیت ها‪ :‬پیچیده‪،‬گران‪.‬‬

‫‪ -4.3‬کاربردهای بالقوه‪:‬‬

‫نسل سوم فتوولتائیک یا "فتوولتائیک نوین" به تکنولوژیه ایی اش اره دارد ک ه جدی دترین نس ل از س لولهای‬
‫خورشیدی هستند و از موادی مانند پروسکایت‪ ،‬پرسکوایت و سیلیکون آل ی تش کیل ش دهاند‪ .‬ای ن تکنولوژیه ا‬
‫قابلیت ارائه کاربردهای متنوعی در صنای مختلف را دارند که شامل موارد زیر میشود‪:‬‬

‫‪ .1‬پنلهای خورشیدی انعطافپذیر**‪ :‬استفاده از م واد انعطافپ ذیر در س اختار نس ل س وم فتوولتائی ک‪،‬‬
‫امکان ساخت پنلهای خورشیدی انعطافپذیر را فراهم میکند‪ .‬این ویژگی باع میشود تا ای ن پنله ا‬
‫به راحتی در سطوح منحنی یا متغیر نص شوند‪ ،‬که این امر میتواند در برنامههای مانن د اتومبیله ای‬
‫الکتریکی‪ ،‬برق شارژیابی موبایل و لپتاپها‪ ،‬ساختمانهای انعطافپذیر و غیره مورد استفاده قرار گیرد‪.‬‬

‫‪ .2‬انرژی تمیز و پایدار**‪ :‬این نوع تکنولوژی خورشیدی همانند سایر سلولهای خورشیدی‪ ،‬انرژی پایدار و‬
‫تمیز فراهم میکند‪ .‬با توجه به افزایش آگاهی در مورد تغییرات آس و ه وایی و اف زایش تالشه ا ب رای‬
‫کاهش اثرات منفی تولید انرژی‪ ،‬نسل سوم فتوولتائیک به عنوان یک راه ح ل م وثر ب رای تولی د ان رژی‬
‫پایدار و کاهش انتشار گازهای گلخانهای مورد توجه قرار میگیرد‪.‬‬

‫‪ .3‬کاربردهای شهر هوشمند و اینترنت اشیاء ‪ (IoT):‬این تکنولوژیها به دلیل انعطافپذیری و کارایی ب اال‪،‬‬
‫میتوانند در ساختارهای شهر هوشمند و اینترنت اشیاء مورد استفاده قرار گیرند‪ .‬برای مثال‪ ،‬س لولهای‬
‫خورشیدی نسل سوم میتوانند در ساختمانهای هوشمند‪ ،‬نورپردازیهای هوشمند‪ ،‬س امانههای کنت رل‬
‫پوششهای خورشیدی و غیره استفاده شوند‪.‬‬

‫‪31‬‬
 ‫‪ .4‬کاربردهای ماهوارهها و فضا‪ :‬به دلیل وزن سبک و کارایی باال‪ ،‬سلولهای خورشیدی نسل س وم مناس‬
‫برای استفاده در ماهوارهها و دی ر فضاپیماها هستند‪ .‬ای ن س لولها میتوانن د بهب ود قاب ل ت وجهی در‬
‫عملکرد و عمر مفید ماهوارهها داشته باشند‪.‬‬
‫‪ .5‬کاربردهای نظامی‪ :‬به دلیل ویژگیهایی مانند انعطافپذیری‪ ،‬قابلیت ساختار برنامهریزی ش ده و قابلی ت‬
‫اجتناس از شکس تپذیری در ش رایط س خت‪ ،‬س لولهای خورش یدی نس ل س وم ممک ن اس ت ب رای‬
‫کاربردهای نظامی نیز مورد استفاده قرار گیرند‪.‬‬

‫‪ .6‬کاربردهای روستایی و محیط زیست‪ :‬در مناوقی که دسترسی ب ه ش بکه ب رق معم ولی مح دود اس ت‪،‬‬
‫سلولهای خورشیدی نسل سوم میتوانند به عنوان یک منب انرژی قابل حمل و کارآمد برای روستاها و‬
‫محیطهای دورافتاده استفاده شوند‪.‬‬

‫در کل‪ ،‬با توجه به ویژگیهای این نوع تکنولوژی خورشیدی‪ ،‬انتظ ار م یرود ک ه کاربرده ای زی ادی در ص نای‬
‫مختلف از جمله صنای انرژی‪ ،‬فضا‪ ،‬نظامی‪ ،‬محیط زیست و اینترنت اشیاء داشته باشد‪.‬‬

‫‪ -4.4‬پذیرش بازار‪:‬‬

‫پذیرش بازار برای نوآوریهایی مانند نسل سوم فتوولتائیک بست ی به عوامل مختلفی دارد که ش امل اقتص ادی‪،‬‬
‫فنی‪ ،‬سیاستی‪ ،‬محیطی و اجتماعی میشوند‪ .‬در زیر به برخی از عوامل کلیدی که میتواند تأثیرگذار ب ر پ ذیرش‬
‫بازار این نوع تکنولوژی باشد‪ ،‬اشاره خواهم کرد‪:‬‬

‫‪ .1‬کارایی و بهرهوری‪ :‬کارایی و بهرهوری سلولهای خورشیدی نسل سوم‪ ،‬از جمله ک ارایی در ش رایط ن ور‬
‫کمتر‪ ،‬میزان تبدیل انرژی بهتر و کمترین هدررفت انرژی‪ ،‬میتواند نق ش مهم ی در پ ذیرش ب ازار ای ن‬
‫تکنولوژی داشته باشد‪ .‬اگر ای ن تکنول وژی توان ایی ارائ ه عملک رد بهت ر و ک ارایی بیش تری نس بت ب ه‬
‫تکنولوژیهای قدیمیتر را داشته باشد‪ ،‬بازار ممکن است به سمت آن جل شود‪.‬‬

‫‪ .2‬هزینه و قیمت‪ :‬هزینه تولید و نص سلولهای خورشیدی نسل سوم نیز یکی از عوامل مهم در پ ذیرش‬
‫بازار است‪ .‬اگر هزینه تولی د و نص ای ن س لولها ب ه ان دازه ک افی پ ایین بیای د و قیم ت نس بت ب ه‬
‫تکنولوژیهای دی ر رقابتی باشد‪ ،‬بازار به سمت استفاده از آنها جل خواهد شد‪.‬‬

‫‪32‬‬
‫‪ .3‬قوانین و مقررات‪ :‬قوانین و مقررات مرتبط با انرژی خورشیدی و تکنولوژیهای پایدار در ه ر کش ور نی ز‬
‫میتوانند تأثیرگذار باشند‪ .‬اگر دولتها و مقامات محلی اقداماتی را برای تشویق اس تفاده از فناوریه ای‬
‫پایدار از جمله سلولهای خورشیدی نسل سوم اتخا کنند‪ ،‬پذیرش بازار ای ن تکنول وژی بهب ود خواه د‬
‫یافت‪.‬‬

‫‪ .4‬آگاهی عمومی و ارزشگذاری محیط زیست‪ :‬افزایش آگاهی عمومی از مسائل مح یط زیس ت و اهمی ت‬
‫استفاده از مناب انرژی پایدار نیز میتواند به پذیرش بازار نسل سوم فتوولتائیک کمک کند‪ .‬اگ ر اف راد و‬
‫شرکتها به ارزشگذاری محیط زیست و ک اهش انتش ار گازه ای گلخان های اهمی ت بدهن د‪ ،‬احتم ال‬
‫استفاده از این تکنولوژی بیشتر خواهد شد‪.‬‬

‫به وور کلی‪ ،‬پذیرش بازار برای نسل سوم فتوولتائیک به وابست ی به این عوامل و بیشتر همچنین روند توس عه و‬
‫بهبود این تکنولوژی بست ی دارد‪.‬‬

‫‪ -۵‬سلول های فتوولتائیک نسل چهارم‬

‫سلولهای فتوولتائیک نسل چهارم به سلولهای غیرآلی هیبریدی نیز معروف هستند‪ ،‬زیرا آنه ا قیم ت پ ایین و‬
‫انعطافپذیری الیههای نازک پلیمری را با پایداری نانوساختارهای آلی مانند نانو رات فلزی و اکس یدهای فل زی‪،‬‬
‫نانولولههای کربنی‪ ،‬گرافن و مشتقات آنها ترکی میکنند‪ .‬این دس ت اهها ک ه اغل ب ه عن وان نانوفتوولتائی ک‬
‫شناخته میشوند‪ ،‬میتوانند به آینده امیدوارکننده فتوولتائیک تبدیل شوند‪.‬‬

‫‪ -5.1‬سلول های فتوولتائیک مبتنی بر گرافن‪:‬‬

‫سلولهای فتوولتائیک مبتنی بر گرافن با استفاده از الیههای نازک پلیمری نانو رات فلزی و همچنین اکسیدهای‬
‫فلزی مختلف‪ ،‬نانولولههای کربنی‪ ،‬گرافن و مشتقات آنها‪ ،‬نسل چهارم مقرونبهص رفه و انعطافپ ذیری ع الی را‬
‫فراهم میکند‪ .‬تاکید ویژه ای بر گرافن شد زیرا به عنوان یک نانومواد آینده در نظر گرفته می شود‪ .‬م واد مبتن ی‬
‫بر گرافن به دلیل ویژگیهای منحصربهفردشان‪ ،‬مانند تحرک حامل باال‪ ،‬مقاومت و انتقال کم‪ ،‬و بستهبندی شبکه‬
‫دو بعدی‪ ،‬برای استفاده در دست اههای ‪ PV‬به جای مواد معمولی موجود در نظر گرفته میش وند‪ .‬ب ا ای ن ح ال‪،‬‬
‫برای دستیابی به عملکرد مناس دست اه‪ ،‬کلید کاربردهای عملی آن‪ ،‬س نتز م واد گ رافن ب ا س اختار و خ واص‬
‫مناس است‪.‬‬

‫‪33‬‬
‫از آنجایی که خواص گرافن اساساً با فرآیند ساخت آن مرتبط است‪ ،‬انتخ اس عاقالن ه روشه ا ب رای کاربرده ای‬
‫هدفمند ضروری است‪ .‬به وور خاص‪ ،‬گرافن بسیار رسانا برای استفاده در دس ت اههای فتوولتائی ک انعطافپ ذیر‬
‫مناس است و سازگاری باالی آن با اکسیدهای فلزی‪ ،‬ترکیبات فل زی و پلیمره ای رس انا‪ ،‬آن را ب رای اس تفاده‬
‫بهعنوان عنصر انتخابی بارگیری و مواد میانالیه الکترود مناس میسازد‪.‬‬

‫در دو دهه گذشته‪ ،‬گرافن با مفهوم مواد فتوولتائیک ترکی شده است و نقش مهمی را ب ه عن وان ی ک الکت رود‬
‫شفاف‪ ،‬مواد انتقال حفره‪/‬الکترون و الیه بافر سطحی در دست اههای سلول خورشیدی نشان میدهد‪ .‬ما میتوانیم‬
‫انواع مختلفی از سلولهای خورشیدی مبتنی بر گرافن را تشخیص دهیم‪ ،‬از جمله سلولهای ن اهم ونی ت ودهای‬
‫آلی)‪ ، (BHJ‬سلولهای حس اس ب ه رن گ و س لولهای پروس کایت‪ .‬ران دمان تب دیل ان رژی ب رای س لول ه ای‬
‫خورشیدی پروسکایت مبتنی بر گرافن از ‪ 20.3‬درصد و برای سلول های خورش یدی آل ی ‪ BHJ‬ب ه ‪ 10‬درص د‬
‫رسید‪ .‬گرافن عالوه بر عملکرد استخراج و انتقال بار به الکترودها‪ ،‬نقش منحصربفرد دی ری را ایفا م ی کن د ‪ -‬از‬
‫وریق ساختار شبکه دوبعدی بسته بندی شده خود از دست اه در براب ر تخری محیط ی محافظ ت م ی کن د و‬
‫پایداری محیطی ووالنی مدت دست اه های فتوولتائیک را تضمین می کند‪.‬‬

‫گرافن نیمه فلزی که دارای شکاف باند صفر است‪ ،‬سلول های خورشیدی اتصال شاتکی را ب ا نیم ه ه ادی ه ای‬
‫سیلیکونی ایجاد می کند‪ .‬اگرچه گرافن برای اول ین ب ار در س ال ‪ 2004‬کش ف ش د‪ ،‬اول ین س لول خورش یدی‬
‫گرافن‪-‬سیلیکون تا سال ‪ 2010‬به عنوان یک سلول‪ n-‬سیلیکونی مشخص نشد‪ .‬کشت داده شده توس ط رس وس‬
‫بخار شیمیایی )‪ (CVD‬روی الیههای نیکل‪ ،‬به صورت مرووس بر روی بس ترهای ‪ Si/SiO2‬از پ یش و رحدار ب ا‬
‫مساحت موثر ‪ 0.5-0.1‬سانتیمتر مرب قرار گرفتند‪.‬‬

‫ورق گرافن پوششی را روی بستر ‪ n-Si‬در معرض دید تشکیل میدهد و یک اتصال ش اتکی ایج اد میکن د‪ .‬ورق‬
‫گرافن با استفاده از الکترودهای وال تماس گرفت‪.‬‬

‫شکل‪ -13‬سلول خورشیدی پیوندی شاتکی‬

‫گرافن‪-‬سیلیکون‪ .‬نمای مقطعی‪ ،‬تصویر شماتیک از‬
‫پیکربندی دست اه‬

‫‪34‬‬
‫سنتز گرافن عمدتاً از دو روش استفاده می کند که عبارتند از روش های پ ایین ب ه ب اال و از ب اال ب ه پ ایین‪ .‬در‬
‫رویکرد از باال به پ ایین‪ ،‬گرافی ت م اده اولی ه اس ت و ه دف ای ن اس ت ک ه ب ا الی ه ب رداری جام د‪ ،‬م ای ی ا‬
‫الکتروشیمیایی‪ ،‬آن را به ورقه های گرافن تبدیل و الیه برداری کند‪ .‬روش دی ر تح ت ای ن وبق ه بن دی الی ه‬
‫برداری اکسید گرافیت به اکسید گرافن )‪ (GO‬است که پس از آن احیای شیمیایی یا حرارتی صورت م ی گی رد‪.‬‬
‫یک رویکرد پایین به باال‪ ،‬تولید گرافن از پیش سازهای مولکولی با رسوس شیمیایی بخار )‪ (CVD‬یا رشد همپای ه‬
‫است‪ .‬ساختار‪ ،‬مورفولوژی و ویژگیهای گرافن حاصل‪ ،‬از جمله تعداد الی هها‪ ،‬س طح نق ص‪ ،‬ه دایت الکتریک ی و‬
‫گرمایی‪ ،‬حاللیت‪ ،‬و آس دوستی یا آب ریزی‪ ،‬به فرآیند تولید بست ی دارد‪.‬‬

‫گرافن می تواند ‪ 2.3‬درصد نور سفید فرودی را جذس کند‪ ،‬حتی اگر تنها یک اتم ضخامت داشته باش د‪ .‬ترکی‬
‫گرافن در یک سلول خورشیدی سیلیکونی یک پلت فرم امیدوارکننده است زیرا گرافن ب رهمکنش ق وی ب ا ن ور‬
‫دارد و نیازهای نوری (قابلیت عبور باال) و الکتریکی (مقاومت الیه پایین) یک الکترود رسانای ش فاف معم ولی را‬
‫برآورده می کند‪ .‬توجه به این نکته ضروری است که هم مقاومت الیه و هم ضری عبور گرافن با تع داد الی ه ه ا‬
‫تغییر می کند‪ .‬با کاهش مقاومت الیه با افزایش تعداد الیه های گرافن‪ ،‬شفافیت نوری نیز کاهش می یابد‪.‬‬

‫برای فن اوری‪ ، PV‬گ رافن ب ه دلی ل انعطافپ ذیری‪ ،‬پای داری محیط ی‪ ،‬مقاوم ت الکتریک ی ک م و ویژگیه ای‬
‫فوتوکاتالیستی‪ ،‬چیزهای بیشتری ارائه میکند‪ ،‬در حالی که بای د ب ا دق ت و عم د ب رای کاربرده ای هدفمن د و‬
‫الزامات خاص وراحی شود‪.‬‬

‫یکی از مشکالت کاربرد گرافن عدم وجود یک روش ساده تر و قابل اومینان تر برای ق رار دادن ی ک ت ک الی ه‬
‫منظم با تکه های ارزان قیمت بر روی زیرالیه های هدف با خواص سطحی مختلف است‪ .‬مشکل دی ر چسبندگی‬
‫الیه نازک گرافن ته نشین شده است‪ ،‬موضوعی که هنوز به درستی م ورد مطالع ه ق رار ن رفت ه اس ت‪ .‬الی ههای‬
‫گرافن پیوسته با سطح وسی با شفافیت نوری و هدایت الکتریکی باال ممکن است توسط ‪ CVD‬ساخته شوند‪ .‬ب ه‬
‫عنوان یک آند در دست اه های فتوولتائیک آلی‪ ،‬گرافن به دلیل فرآیند تولید اتاً کم هزینه و خ واص رس انایی و‬
‫شفافیت عالی‪ ،‬به عنوان جای زینی برای اکسید قل ایندیم )‪ (ITO‬نوید زیادی دارد‪.‬‬

‫نقطه ضعف اصلی گرافن آس دوستی ضعیف آن است که بر وراحی دست اههای پردازش ش ده در محل ول ت أثیر‬
‫منفی میگذارد‪ ،‬اما این واقعیت ممکن است از وریق اصالح سطح توس ط عاملس ازی ش یمیایی غیرکوواالنس ی‬
‫برورف شود‪ .‬با توجه به استحکام مکانیکی و انعطاف پذیری گرافن‪ ،‬و همچنین خ واص رس انایی ع الی آن‪ ،‬م ی‬
‫توان پیش بینی کرد که به زودی کاربردهای جدیدی در الکترونیک پالستیک و اپتوالکترونیک شامل این ک الس‬
‫جدید از مواد گرافن ‪ CVD‬ظاهر شود‪ .‬این کشف راه را برای الیههای گرافن کمهزین ه ب رای ج ای زینی ‪ ITO‬در‬
‫دست اههای فتوولتائیک و الکترولومینسانس هموار میکند‪.‬‬

‫‪35‬‬
 ‫‪ -5.2‬معیارهای عملکرد و تجزیه و تحلیل مقایسه ای با نسل های قبلی‪:‬‬

‫بهره وری‪:‬‬

‫فنآوریهای ‪ PV‬نسل چهارم میتوانند بازدهی ‪ 30‬درص د ی ا ب االتر را در مقایس ه ب ا ح دود ‪ 20‬درص د ب رای‬
‫فناوریهای نسل سوم به دست آورند‪،‬این نشان دهنده پیشرفت قابل توجهی در تبدیل انرژی خورشیدی به ب رق‬
‫است‪.‬‬

‫هزینه‪:‬‬

‫نسل چهارم ‪ PV‬در مقایسه با فناوری های نسل سوم تقریباً ‪ 50‬درصد کاهش هزینه داشته است‪.‬‬

‫این کاهش هزینه به دلیل پیشرفت در فرآیندهای تولید‪ ،‬صرفه جویی در مقیاس و کارایی مواد است‪.‬‬

‫دوام و وول عمر‪:‬‬

‫فناوریهای ‪ PV‬نسل چهارم ‪ 30‬سال یا بیشتر عمر میکنند‪ ،‬در حالی که این مدت برای فناوریهای نسل س وم‬
‫حدود ‪ 20‬سال است‪،‬این وول عمر بیشتر باع کاهش هزینه های ن هداری و تعویض در وول عمر سیستم م ی‬
‫شود‪.‬‬

‫فن آوری پیشرفته‪:‬‬

‫نسل چهارم ‪ PV‬از فناوری های پیشرفته ای مانند نانوتکنولوژی و مواد پروسکایت استفاده می کند‪.‬‬

‫این فناوریها در مقایسه با نسلهای قبلی‪ ،‬کارایی باالتر و هزینههای تولید کمتری را ممکن میسازند‪.‬‬

‫اثرات زیست محیطی‪:‬‬

‫فنآوریهای فتوولتائیک نسل چهارم تأثیر زیستمحیطی کمت ری دارن د‪ ،‬ب ا ک اهش ردپ ای ک ربن تقریب اً ‪40‬‬
‫درصدی در مقایسه با فناوریهای نسل سوم ‪،‬این کاهش به دلیل ران دمان ب االتر و اس تفاده از م واد س ازگار ب ا‬
‫محیط زیست است‪.‬‬

‫انعطاف پذیری‪:‬‬

‫‪36‬‬
‫نسل چهارم ‪ PV‬انعطاف پذیری بیشتری را در وراحی و کاربرد‪ ،‬با قابلیت ادغام در ویف وسی تری از محصوالت‬
‫و محیط ها ارائه می دهد‪،‬این انعطاف پذیری فرصت های جدیدی را برای فناوری ‪ PV‬در بخش های مختلف ب از‬
‫می کند‪.‬‬

‫‪-5.3‬چالش ها و محدودیت ها‪:‬‬

‫سلول های فتوولتائیک نسل چهارم (‪ )PV‬ویف متنوعی از فناوری های نوظهور را نشان می دهد که ب رای غلب ه‬
‫بر محدودیت های نسل های قبلی و بهبود کارایی‪ ،‬دوام و مقرون ب ه ص رفه ب ودن وراح ی ش ده ان د‪ .‬برخ ی از‬
‫محدودیت ها و چالش های کلیدی مرتبط با سلول های ‪ PV‬نسل چهارم عبارتند از‪:‬‬

‫کارایی‪ :‬در حالی که هدف فناوریهای ‪ PV‬نسل چهارم بهبود کارایی است‪ ،‬بسیاری از آنها هنوز در مراحل اولی ه‬
‫توسعه هستند و هنوز به سطوح کارایی سلولهای ‪ PV‬مبتنی بر سیلیکون سنتی دست پیدا نکردهاند‪ .‬بهبود بهره‬
‫وری همچنان یک چالش بزرگ برای این فناوری ها است‪.‬‬

‫هزینه‪ :‬فنآوریهای ‪ PV‬نسل چهارم اغل به مواد جدید و فرآیندهای ساخت نیاز دارند که میتواند گران باش د‪.‬‬
‫کاهش هزینه و مقیاس پذیری چالش های مهمی برای رقابت این فناوری ها با سلول های ‪ PV‬سنتی است‪.‬‬

‫دوام‪ :‬برخی از فناوریهای نسل چهارم ‪ PV‬نسبت به سلولهای ‪ PV‬سنتی دوام کمتری دارن د‪ ،‬ک ه میتوان د ب ر‬
‫عملکرد و قابلیت اومینان ووالنیمدت آنها تأثیر ب ذارد‪ .‬بهبود دوام برای پذیرش گسترده این فناوری ها بس یار‬
‫مهم است‪.‬‬

‫مقیاسپذیری تولید‪ :‬افزایش تولید فنآوریهای ‪ PV‬نسل چهارم به سطوح تجاری یک چالش مهم است‪ .‬توس عه‬
‫فرآیندهای تولید مقیاس پذیر با حفظ ران دمان ب اال و هزین ه ک م‪ ،‬ی ک ح وزه اص لی تمرک ز ب رای محقق ان و‬
‫تولیدکنندگان است‪.‬‬

‫در دسترس بودن و سمیت مواد‪ :‬برخی از فنآوریهای نسل چهارم ‪ PV‬بر مواد کمیاس یا سمی متکی هستند که‬
‫میتواند ن رانیهایی را در مورد اثرات زیستمحیطی و پایداری ایج اد کن د‪ .‬ی افتن م واد ج ای زین ک ه ف راوان‪،‬‬
‫غیرسمی و سازگار با محیط زیست باشند‪ ،‬یک چالش مداوم است‪.‬‬

‫یکپارچهسازی و سازگاری‪ :‬ادغام نسل چهارم فناوریهای ‪ PV‬در سیستمها و زیرساختهای ‪ PV‬موجود میتواند‬
‫به دلیل تفاوت در فاکتور شکل‪ ،‬ویژگیهای الکتریکی و سایر عوامل چالش بران یز باشد‪ .‬اومین ان از س ازگاری و‬
‫ادغام یکپارچه برای پذیرش گسترده آنها ضروری است‪.‬‬

‫‪37‬‬
‫قابلیت اومینان و عملکرد در شرایط مختلف‪ :‬فنآوریهای ‪ PV‬نسل چهارم ممکن اس ت ویژگیه ای عملک ردی‬
‫متفاوتی در مقایسه با سلولهای ‪ PV‬سنتی داشته باشند‪ ،‬بهویژه در شرایط محیطی متفاوت (مانن د دم ا‪ ،‬ش دت‬
‫نور خورشید)‪ .‬اومینان از عملکرد قابل اعتماد تحت ویف گسترده ای از شرایط یک چالش کلیدی است‪.‬‬

‫بلوغ فناوری و تجاری سازی‪ :‬بسیاری از فناوری های نسل چهارم ‪ PV‬هن وز در مراح ل اولی ه توس عه هس تند و‬
‫هنوز به بلوغ تجاری نرسیده اند‪ .‬غلبه بر چالش های فنی و تجاری سازی موفقیت آمیز این فناوری ها ی ک م ان‬
‫بزرگ است‪.‬‬

‫به وور کلی‪ ،‬در حالی که فناوریهای نسل چهارم ‪ PV‬نوی دبخش پیش رفتهای قاب ل ت وجهی در تولی د ان رژی‬
‫خورشیدی هستند‪ ،‬پرداختن به این چالشها برای توسعه موفقیتآمیز و پذیرش گسترده آنها بسیار مهم اس ت‪.‬‬
‫با پیشرفت تحقیقات و توسعه فناوریهای مرتبط‪ ،‬انتظار میرود که مشکالت موجود در فتوولتائیک نسل چه ارم‬
‫به مرور زمان حل شده و این فناوری به یکی از اصلیترین مناب تولید انرژی تمیز و قاب ل تجدیدپ ذیر در جه ان‬
‫تبدیل شود‪.‬‬

‫‪ -۶‬چشم انداز آینده‪:‬‬

‫از زمان آغاز به کار سلولهای فتوولتائیک‪ ،‬فناوری فتوولتائیک مبتنی بر سیلیکون کریستالی نقش غالبی در بازار‬
‫ایفا کرده است‪ ،‬به ووری که ماژولهای ‪ PV‬کریستالی حدود ‪ 90‬درصد از سهم بازار را در سال ‪ 2020‬ب ه خ ود‬
‫اختصاص دادهاند‪ .‬در سالهای اخیر‪ ،‬توسعه سری سلول های خورشیدی الیه نازکها وجود داشته اس ت (مانن د‬
‫سلول های تلورید کادمیوم (‪ )CdTe‬و ترکیبات سلنیوم ایندیم‪-‬گالیوم )‪ )(CIGS‬و سلول های خورشیدی جدی د‬
‫(مانند سلول های خورشیدی حساس به رنگ (‪ ،)DSSCs‬سلول های خورشیدی پروسکایت (‪ ،)PSCs‬سلول های‬
‫خورشیدی نقطه کوانتومی ( ‪QDSC‬ها) و غیره)‪.‬‬

‫عالقه روزافزون به سیستم های ‪ BIPV‬به توسعه کلی فناوری فتوولتائیک کمک کرده است که منجر ب ه ک اهش‬
‫هزینه ها و افزایش امکان سرمایه گذاری شده است‪ .‬اکثر فنآوریهای اس تاندارد نس ل دوم ران دمان ‪ 20‬ت ا ‪25‬‬
‫درصد را نشان میدهند و در حالی که گران هستند‪ ،‬هزینه سلولهای سیلیکونی کاهش یافته است و این بهب ود‬
‫فناوریهای سیلیکونی است که اکنون یکی از جهتگیریهای کلیدی تحقیقاتی است‪.‬‬

‫گرافن و مشتقات آن از آنجایی که در مراحل اولیه تحقیق و توسعه هس تند‪ ،‬ح وزه تحقیق اتی امیدوارکنن ده ای‬
‫هستند‪ .‬هدف از استفاده از نانوساختارهای کربنی تولید محصوالتی با انرژی کارآمد است که الیههای حملونقل‪،‬‬
‫فعال و الکترود را ترکی میکنند‪.‬‬
‫‪38‬‬
‫بسیاری از محققان در تحقیقات معاصر گرافن اکنون بر مشتقات جدید گرافن و کاربردهای جدید آنها در ساخت‬
‫دست اهها تمرکز کردهاند‪.‬‬

‫با این وجود‪ ،‬فناوری های مورد استفاده برای سلول های نسل سوم و چهارم هنوز در مرحله نمونه سازی هستند‪.‬‬
‫نمونه های اولیه در مقیاس تولید نیز ساخته شده اند و موف ق ب وده ان د (ب ازده ‪ 10‬ت ا ‪ 17‬درص د)‪ .‬در مقاب ل‪،‬‬
‫سلولهای چند اتصالی نسل سوم در حال حاضر به صورت تجاری در دسترس هس تند و ب ه فاکتوره ای تب دیل‬
‫استثنایی (از ‪ ٪40‬به بیش از ‪ )٪50‬دست یافتهاند که این جای زین را به عنوان بهترین انتخاس میکند [‪ .]85‬با‬
‫توجه به روند بازار افزایش استفاده از سطوح انرژی متوسط در تولید س لول ه ای‪ ، PV‬انج ام تحقیق ات در ای ن‬
‫راستا کامال منطقی است‪ ،‬که دقیقاً همان کاری است که تیم تحقیقاتی ما انجام می دهد‪.‬‬

‫تحقق عملی ایده سلول های خورشیدی سیلیکونی از نوع ‪ IBSC‬با انرژی کارآم د ب ا س طوح ان رژی متوس ط در‬
‫شکاف نواری نیمه هادی تولید شده توسط کاشت یونی‪ ،‬به مطالعات بیشتری برای جستجوی پارامترهای کاش ت‬
‫بهینه‪ ،‬که انرژی است‪ ،‬نیاز دارد‪ ، .‬نوع و دوز یون ها‪ ،‬با ویژگی های مواد بستر‪ ،‬ب ه وی ژه س طح و ن وع ناخالص ی‬
‫تنظیم شده است‪.‬‬

‫به نظر می رسد که کاشت همچنین می تواند منجر به کاهش تلفات نوری موجود در سلول شود‪ .‬ناخالص ی ه ا و‬
‫عیوس وارد شده به شبکه کریستال سیلیکونی تحت شرایط مناس می توانند ش کاف ه ای بان د می انی اض افی‬
‫ایجاد کنند که به وور واق بینانه به کاهش عرض شکاف انرژی کمک می کن د‪ .‬در نتیج ه‪ ،‬برخ ی فوتونه ا ب ا‬
‫انرژی کمتر از مقدار شکاف نواری باع تشکیل جفتهای الکترون‪-‬حفره اضافی میشوند‪ .‬وجود این ن وار ان رژی‬
‫اضافی به افزایش مقدار جریان فوتوالکتریک کمک میکند که از جذس فوتونه ایی ک ه ق بالً در فرآین د تب دیل‬
‫فتوولتائیک دخیل نبودهاند‪ ،‬ناشی میشود‪ .‬دامنه تابش نور جذس شده به سمت مادون قرمز اف زایش م ی یاب د و‬
‫پس از جذس یک فوتون از این محدوده‪ ،‬الکترون ابتدا به باند میانی و سپس به نوار رسانایی می رود‪.‬‬

‫مطالعات ووالنی مدت ما در مورد تغییر پارامترهای الکتریکی سیلیکون از وریق اس تفاده از کاش ت ی ون نئ ون‬
‫منجر به توسعه روش معتبر برای تولید و شناسایی سطوح اضافی انرژی در ساختار نوار سیلیکونی شده است ک ه‬
‫باع بهبود کارایی سلولهای فتوولتائیک میشود‪ .‬بر اساس آن ساخته شده است‪.‬‬

‫این تحقیق به منظور تعیین تأثیر درجه و نوع نقص سیلیکون از نظر امکان تولید سطوح انرژی متوسط در شکاف‬
‫نواری نیمه هادی انجام شده است و در نتیجه کارایی سلول های خورشیدی را با امک ان گ ذار چن د مرحل ه ای‬
‫الکترون ها از باند ظرفیت به باند میانی و سپس به نوار هدایت‪.‬‬

‫‪39‬‬
‫هدف تحقیق ما روشی برای تولید سطوح انرژی میانی در شکاف نواری سیلیکون نوع ‪ n‬و ‪ p‬با مقاومت وی ژه ‪ r‬از‬
‫‪ 0.25‬وات سانتی متر تا ‪ 10‬وات سانتی متر با ایجاد نقص تشعش عمیق در ساختار کریستالی نیم ه ه ادی ب ا‬
‫کاشت یون های نئون ‪ + Neon‬مواد تحقیق با عناصری مانند بور‪ ،‬فسفر و آنتیموان دوپ شده است‪.‬‬

‫یونهای نئون به این دلیل انتخاس شدند که یونها عمدتاً نقصهای نقطهای ایجاد میکنند ک ه ورود عم دی آن‬
‫به شبکه کریستالی سیلیکون در فرآیند کاشت‪ ،‬تغییر پارامترهای الکتریکی اساس ی آن‪ ،‬از جمل ه ع رض ش کاف‬
‫انرژی و مقاومت را ممکن میسازد‪ .‬پارامترها به وور قابل توجهی بر تلفات داخلی سلول های فتوولتائی ک ت أثیر‬
‫می گذارد‪.‬‬

‫مطالعات تجربی برای ارائه جزئیات برای تعیین دوز بهینه یونهای نئون کاشتهشده به دلیل توانایی آنها در تولید‬
‫سطوح انرژی متوسط در شکاف نواری نیمهرسانا انجام شد‪.‬‬

‫‪40‬‬